特開 2023-157947 熱チャック内の二重螺旋熱制御通路を有するエレクトロニックテスター

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023157947

(43)【公開日】2023-10-26

(54)【発明の名称】熱チャック内の二重螺旋熱制御通路を有するエレクトロニックテスター

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20231019BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20231019BHJP

   G01R 31/28 20060101ALI20231019BHJP

   G01R 31/26 20200101ALI20231019BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 H

H01L21/68 R

G01R31/28 H

G01R31/26 H

【審査請求】有

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023131868

(22)【出願日】2023-08-14

(62)【分割の表示】P 2021197754の分割

【原出願日】2008-04-04

(31)【優先権主張番号】60/910,433

(32)【優先日】2007-04-05

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】501119713

【氏名又は名称】エイアー テスト システムズ

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100067013

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 文昭

(74)【代理人】

【識別番号】100109335

【弁理士】

【氏名又は名称】上杉 浩

(74)【代理人】

【識別番号】100120525

【弁理士】

【氏名又は名称】近藤 直樹

(72)【発明者】

【氏名】リンゼイ スコット イー

(72)【発明者】

【氏名】リッチモンド ドナルド ピー

(72)【発明者】

【氏名】カルデロン アルベルト

(72)【発明者】

【氏名】ステップス スティーブン シー

(72)【発明者】

【氏名】デボー ケニス ダブリュー

(57)【要約】

【課題】電気テスターと集積回路との間に電流を導通して集積回路をテストするテスター装置を提供する。
【解決手段】テスター装置は、少なくとも１つの集積回路を載せ且つ集積回路に接続された端子を有する少なくとも１つの基板の複数の端子へコンタクト部を通して接続される電気テスターを備える。テスター装置は、コンタクト部に接続された電源回路を備え、コンタクト部に接続されたこの電源回路を通して電力が供給される。ｎ＋１個の電源回路が並列に接続され、ｎ＋１個の電源回路により集積回路へ電力が供給され、電源の１つがフェイルした場合でも、ｎ個の回路により集積回路には依然電力が供給される。テスター装置は、電流分担回路を備え、ｎ＋１個の電源回路のうちの１つの電源回路の電力の低下を検出し、ｎ＋１個の電源回路の１つからの接続をスイッチオフして、ｎ個の電源回路によって電流を分担する。
【選択図】図１０

【特許請求の範囲】

【請求項1】

マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有する基板を保持するためのポータブル支持構造体と、
前記ポータブル支持構造体上にあって、前記端子への接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第１のインターフェイスを形成するための複数のランドであって、前記ポータブル支持構造体が固定構造体により取り外し可能に保持されたときにその固定構造体の第２のインターフェイスを形成する複数の部材に接続されるような複数のランドと、
を備え、前記部材は、前記ランドに一致し且つ前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有し、前記固定構造体の構造部に対して移動できるようにされた、ポータブルパック。

【請求項2】

前記ポータブル支持構造体は、間に基板を保持するための第１及び第２のコンポーネントを含み、前記コンタクト部は、第２のコンポーネント上に配置され、そしてそれらコンポーネントは、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために互いに移動可能である、請求項１に記載のポータブルパック。

【請求項3】

前記第２のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第１コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも１．５である、請求項２に記載のポータブルパック。

【請求項4】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項３に記載のポータブルパック。

【請求項5】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項３に記載のポータブルパック。

【請求項6】

前記第１のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項３に記載のポータブルパック。

【請求項7】

前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間にシールを形成して、それら第１及び第２のコンポーネントの表面とこのシールとで包囲空洞を形成し、
前記包囲空洞内の圧力を下げて、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動させる、
ことを含む請求項２に記載のポータブルパック。

【請求項8】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項７に記載のポータブルパック。

【請求項9】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１コンポーネントに固定される、請求項７に記載のポータブルパック。

【請求項10】

前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項７に記載のポータブルパック。

【請求項11】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、この第１バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる、請求項７に記載のポータブルパック。

【請求項12】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項１１に記載のポータブルパック。

【請求項13】

前記第１コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項２に記載のポータブルパック。

【請求項14】

前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第２コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項２に記載のポータブルパック。

【請求項15】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項１４に記載のポータブルパック。

【請求項16】

接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第２の面に取り付けられる、請求項１４に記載のポータブルパック。

【請求項17】

前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項１に記載のポータブルパック。

【請求項18】

前記基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項１に記載のポータブルパック。

【請求項19】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項１に記載のポータブルパック。

【請求項20】

マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有する基板を保持するためのポータブル支持構造体と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記端子への接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第１のインターフェイスを形成する複数のランドと、
固定構造体であって、前記ポータブル支持構造体は、この固定構造体により保持されるべく受け入れることができ且つ固定構造体から除去できるようにされた固定構造体と、
前記固定構造体に第２のインターフェイスを形成する複数の部材であって、これら部材は、前記ランドに一致し且つ前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有し、前記固定構造体の構造部に対して移動できるようにされ、前記第２のインターフェイスは、前記ポータブル構造体が前記固定構造体により保持されるときに前記第１のインターフェイスに接続され、且つ前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体から除去されるときには前記第１のインターフェイスから切断されるような複数の部材と、
前記第２のインターフェイス、前記第１のインターフェイス及び前記コンタクト部を通して前記端子に接続された電気テスターであって、この電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送してマイクロエレクトロニック回路をテストするようにした電気テスターと、
を備えたテスター装置。

【請求項21】

前記ポータブル支持構造体は、間に基板を保持するための第１及び第２のコンポーネントを含み、前記コンタクト部は、第２のコンポーネント上に配置され、そしてそれらコンポーネントは、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために互いに移動可能である、請求項２０に記載のテスター装置。

【請求項22】

前記第２のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第１コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも１．５である、請求項２１に記載のテスター装置。

【請求項23】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項２２に記載のテスター装置。

【請求項24】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項２２に記載のテスター装置。

【請求項25】

前記第１のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項２２に記載のテスター装置。

【請求項26】

前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間にあり、それらの第１及び第２のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項２１に記載のテスター装置。

【請求項27】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項２６に記載のテスター装置。

【請求項28】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１コンポーネントに固定される、請求項２６に記載のテスター装置。

【請求項29】

前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項２６に記載のテスター装置。

【請求項30】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、この第１バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる、請求項２６に記載のテスター装置。

【請求項31】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項３０に記載のテスター装置。

【請求項32】

前記第１コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項２１に記載のテスター装置。

【請求項33】

前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第２コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項２１に記載のテスター装置。

【請求項34】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項３３に記載のテスター装置。

【請求項35】

接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第２の面に取り付けられる、請求項３３に記載のテスター装置。

【請求項36】

前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項２０に記載のテスター装置。

【請求項37】

前記固定構造体は、熱チャックを備え、前記ポータブル支持構造体は、この熱チャックに接触し、前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間で熱を伝達できるようにする、請求項２０に記載のテスター装置。

【請求項38】

前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項３７に記載のテスター装置。

【請求項39】

前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックの両方に接触する熱インターフェイス空洞シールを更に含み、この熱インターフェイス空洞シールは、前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成する、請求項３８に記載のテスター装置。

【請求項40】

前記固定構造体に熱チャックを更に含み、この熱チャックは、入口及び出口をもつ熱制御通路を有し、入口と出口との間には入口から出口へ流体が流れるようにするための少なくとも１つの区分があり、熱制御通路において基板と流体との間で熱チャックを通して熱が伝達する、請求項２０に記載のテスター装置。

【請求項41】

前記熱制御通路は、第１、第２及び第３区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第１区分と第２区分との間に第３区分が位置される、請求項４０に記載のテスター装置。

【請求項42】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される、請求項４１に記載のテスター装置。

【請求項43】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第１区分と第２区分との間に位置される、請求項４２に記載のテスター装置。

【請求項44】

前記第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である、請求項４１に記載のテスター装置。

【請求項45】

前記第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして前記第３の区分は、第１螺旋上に位置されない第２螺旋の区分である、請求項４１に記載のテスター装置。

【請求項46】

ヒータを更に備え、流体が前記熱制御通路の外側にあるときにこのヒータにより流体に熱が伝達される、請求項４０に記載のテスター装置。

【請求項47】

前記ヒータは、電気ヒータである、請求項４６に記載のテスター装置。

【請求項48】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項４６に記載のテスター装置。

【請求項49】

熱は、最初、流体が２１℃より上で流体入口に入った後に流体から基板へ伝達される、請求項４８に記載のテスター装置。

【請求項50】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は１００℃より高い、請求項４６に記載のテスター装置。

【請求項51】

流体は、再循環される、請求項４６に記載のテスター装置。

【請求項52】

前記ポータブル支持構造体を前記固定構造体に対して移動して前記第１インターフェイスを前記第２インターフェイスに係合させるために互いに対して作動できる第１及び第２のアクチュエータ断片を有する少なくとも１つのインターフェイスアクチュエータを更に備えた、請求項２０に記載のテスター装置。

【請求項53】

前記第１及び第２の断片は、各々、シリンダ及びピストンであり、ピストンは、シリンダの内面に沿ってスライドする、請求項５２に記載のテスター装置。

【請求項54】

テスターによりマイクロエレクトロニック回路において実行されるテストは、バーンインテストである、請求項２０に記載のテスター装置。

【請求項55】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項２０に記載のテスター装置。

【請求項56】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項２０に記載のテスター装置。

【請求項57】

基板により保持されたマイクロエレクトロニック回路をテストする方法において、
マイクロエレクトロニック回路に接続された基板の端子に対するコンタクト部を有するポータブル支持構造体に基板を保持するステップと、
固定構造体により前記ポータブル支持構造体を受け入れるステップと、
前記ポータブル支持構造体の第１インターフェイスのランドを、前記固定構造体の第２インターフェイスの複数の一致する部材に対して配置するステップと、
前記ランドで前記部材を弾力で押圧するステップと、
電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間で前記端子、前記コンタクト部、前記第１及び第２のインターフェイスを通して信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストするステップと、
を備えた方法。

【請求項58】

前記基板は、前記ポータブル支持構造体の前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に保持され、前記コンタクト部は、前記第２コンポーネント上にあり、更に、
前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動するステップ、
を備えた請求項５７に記載の方法。

【請求項59】

前記第２のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第１コンポーネントの熱膨張係数との熱膨張係数比は、少なくとも１．５である、請求項５８に記載の方法。

【請求項60】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項５９に記載の方法。

【請求項61】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項５９に記載の方法。

【請求項62】

前記第１コンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項５９に記載の方法。

【請求項63】

前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを配置して、前記第１及び第２コンポーネントの表面及び圧力差空洞シールによって包囲された空洞を形成するステップと、
前記圧力差空洞シールの空洞内の圧力を下げて、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動させるステップと、
を更に備えた請求項５８に記載の方法。

【請求項64】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び端子を取り巻く、請求項６３に記載の方法。

【請求項65】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１のコンポーネントに固定される、請求項６３に記載の方法。

【請求項66】

前記基板空洞シールは、リップシールで形成される、請求項６３に記載の方法。

【請求項67】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、前記圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、更に、
前記第１バルブを開いて、前記圧力差空洞から空気を出せるようにし、
前記第１バルブを閉じて、前記圧力差空洞に空気が入らないようにする、
ことを含む請求項６３に記載の方法。

【請求項68】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブが設けられ、更に、
前記真空解放バルブを開いて、前記圧力差空洞へ空気を入れることができ、
前記バルブを閉じて、前記圧力差空洞から空気を逃さないようにする、
ことを含む請求項６７に記載の方法。

【請求項69】

前記圧力差空洞内の圧力は、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体により受け入れられる前に生成される、請求項６７に記載の方法。

【請求項70】

前記第１コンポーネントの基板吸引通路を通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持するステップを更に含む、請求項５８に記載の方法。

【請求項71】

前記コンタクト部は、前記端子により弾力で押圧することができ、更に、
前記第２コンポーネントのスタンドオフの表面で少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限するステップを含む、請求項５８に記載の方法。

【請求項72】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項７１に記載の方法。

【請求項73】

接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１の面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を含み、前記スタンドオフは、第２の面に取り付けられる、請求項７１に記載の方法。

【請求項74】

前記ポータブル支持構造体の表面を、前記固定構造体の熱チャックの表面に対して配置するステップと、
それら表面を通して熱を伝達するステップと、
を更に備えた請求項５７に記載の方法。

【請求項75】

前記ポータブル支持構造体の表面と前記熱チャックとの間に画成された熱インターフェイス空洞の空気圧を下げるステップを更に備えた、請求項７４に記載の方法。

【請求項76】

前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通してその熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項７５に記載の方法。

【請求項77】

前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞シールを配置し、その熱インターフェイス空洞シールと前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成するステップを更に備えた、請求項７６に記載の方法。

【請求項78】

前記固定構造体上の熱チャックにおける熱制御通路の少なくとも１つの区分を通して流体入口から流体出口へ流体を通過させるステップと、
前記熱制御通路の流体と基板との間で熱を伝達して基板の温度を制御するステップと、
を更に備えた請求項５７に記載の方法。

【請求項79】

前記熱制御通路は、第１、第２及び第３区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第１区分と第２区分との間に第３区分が位置される、請求項７８に記載の方法。

【請求項80】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、前記第２区分と第３区分との間に位置される、請求項７９に記載の方法。

【請求項81】

前記第２区分と第３区分との間の熱チャックの温度は、前記第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度であり、前記第１区分と第４区分との間の熱チャックの温度は、前記第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度である、請求項８０に記載の方法。

【請求項82】

前記第１区分の流体と第４区分の流体との間の温度差は、前記第２区分の流体と第３区分の流体との間より大きい、請求項８１に記載の方法。

【請求項83】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、前記第１区分と第２区分との間に位置される、請求項８０に記載の方法。

【請求項84】

前記第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である、請求項７９に記載の方法。

【請求項85】

前記第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして前記第３区分は、第１螺旋上に位置されない第２の螺旋の区分である、請求項７９に記載の方法。

【請求項86】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は２１℃より高い、請求項７８に記載の方法。

【請求項87】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項８６に記載の方法。

【請求項88】

流体が２１℃より上で流体入口に入った後に熱が最初に流体から基板へ伝達される、請求項８７に記載の方法。

【請求項89】

流体が流体入口に入るときに、流体の温度は１００℃より高い、請求項８６に記載の方法。

【請求項90】

流体は、再循環される、請求項８６に記載の方法。

【請求項91】

マイクロエレクトロニック回路で実行されるテストは、バーンインテストである、請求項５７に記載の方法。

【請求項92】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項５７に記載の方法。

【請求項93】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項５７に記載の方法。

【請求項94】

間に基板を保持するための第１及び第２のコンポーネントを含むポータブル支持構造体であって、前記基板は、マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有し、前記第２コンポーネントは、信号分配ボード及びコンタクタを含み、信号分配ボードのＣＴＥとコンタクタのＣＴＥとのＣＴＥ比が１に等しくないようなポータブル支持構造体と、
前記第２コンポーネント上にあり前記端子と接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部であって、これらコンタクト部と前記端子との間に適切な接触を確保するように前記コンポーネントが互いに移動可能とされている複数のコンタクト部と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第１インターフェイスであって、前記ポータブル支持構造体が取り外されて固定構造体により保持されるときにその固定構造体上の第２インターフェイスに接続される第１インターフェイスと、
を備えたポータブルパック。

【請求項95】

前記コンタクタは、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１のコンタクタ温度から第２のコンタクタ温度へ加熱し、前記信号分配ボードは、第１の信号分配ボード温度から第２の信号分配ボード温度へ加熱し、そして第２の信号分配ボード温度と第１の信号分配ボード温度の差と、第２のコンタクタ温度と第１のコンタクタ温度の差との温度変化比にＣＴＥ比を乗算したものは、ＣＴＥ比よりも１に近い、請求項９４に記載のポータブルパック。

【請求項96】

前記ＣＴＥ比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項９４に記載のポータブルパック。

【請求項97】

前記第１のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項９４に記載のポータブルパック。

【請求項98】

前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間にあり、それらの第１及び第２のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項９４に記載のポータブルパック。

【請求項99】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項９８に記載のポータブルパック。

【請求項100】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１コンポーネントに固定される、請求項９８に記載のポータブルパック。

【請求項101】

前記圧力差空洞シールはリップシールである、請求項９８に記載のポータブルパック。

【請求項102】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、この第１バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる、請求項９８に記載のポータブルパック。

【請求項103】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項１０２に記載のポータブルパック。

【請求項104】

前記第１コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項９４に記載のポータブルパック。

【請求項105】

前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第２コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項９４に記載のポータブルパック。

【請求項106】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項１０５に記載のポータブルパック。

【請求項107】

接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第２の面に取り付けられる、請求項１０５に記載のポータブルパック。

【請求項108】

前記第１インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第２インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動できるように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項９４に記載のポータブルパック。

【請求項109】

前記ランド及び前記端子は、平行な平面内にある、請求項１０８に記載のポータブルパック。

【請求項110】

前記基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項９４に記載のポータブルパック。

【請求項111】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項９４に記載のポータブルパック。

【請求項112】

間に基板を保持するための第１及び第２のコンポーネントを含むポータブル支持構造体であって、前記基板は、マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有し、前記第２コンポーネントは、信号分配ボード及びコンタクタを含み、信号分配ボードのＣＴＥとコンタクタのＣＴＥとのＣＴＥ比が１に等しくないようなポータブル支持構造体と、
前記第２コンポーネント上にあり前記端子と接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部であって、これらコンタクト部と前記端子との間に適切な接触を確保するように前記コンポーネントが互いに移動可能とされている複数のコンタクト部と、
前記ポータブル支持構造体上にあって前記コンタクト部に接続された第１インターフェイスと、
固定構造体であって、前記ポータブル支持構造体は、この固定構造体により保持されるべく受け入れることができ且つ固定構造体から除去できるようにされた固定構造体と、
前記固定構造体上の第２インターフェイスであって、前記ポータブル構造体が前記固定構造体により保持されたときには前記第１インターフェイスに接続され、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体から除去されたときには前記第１インターフェイスから切断されるような第２インターフェイスと、
前記第２インターフェイス、第１インターフェイス及びコンタクト部を通して前記端子に接続される電気テスターであって、この電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送してマイクロエレクトロニック回路をテストする電気テスターと、
を備えたテスター装置。

【請求項113】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項１１２に記載のテスター装置。

【請求項114】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項１１２に記載のテスター装置。

【請求項115】

前記第１コンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項１１２に記載のテスター装置。

【請求項116】

前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間にあり、それらの第１及び第２のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項１１２に記載のテスター装置。

【請求項117】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項１１６に記載のテスター装置。

【請求項118】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１コンポーネントに固定される、請求項１１６に記載のテスター装置。

【請求項119】

前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項１１６に記載のテスター装置。

【請求項120】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、この第１バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる、請求項１１６に記載のテスター装置。

【請求項121】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項１２０に記載のテスター装置。

【請求項122】

前記第１コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項１１２に記載のテスター装置。

【請求項123】

前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第２コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項１１２に記載のテスター装置。

【請求項124】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項１２３に記載のテスター装置。

【請求項125】

接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第２の面に取り付けられる、請求項１２３に記載のテスター装置。

【請求項126】

前記第１インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第２インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動できるように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項１１２に記載のテスター装置。

【請求項127】

前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項１２６に記載のテスター装置。

【請求項128】

前記固定構造体は、熱チャックを備え、前記ポータブル支持構造体は、この熱チャックに接触し、前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間で熱を伝達できるようにする、請求項１２６に記載のテスター装置。

【請求項129】

前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項１２８に記載のテスター装置。

【請求項130】

前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックの両方に接触する熱インターフェイス空洞シールを更に含み、この熱インターフェイス空洞シールは、前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成する、請求項１２９に記載のテスター装置。

【請求項131】

前記固定構造体に熱チャックを更に含み、この熱チャックは、入口及び出口をもつ熱制御通路を有し、入口と出口との間には入口から出口へ流体が流れるようにするための少なくとも１つの区分があり、熱制御通路において基板と流体との間で熱チャックを通して熱が伝達する、請求項１１２に記載のテスター装置。

【請求項132】

前記熱制御通路は、第１、第２及び第３区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第１区分と第２区分との間に第３区分が位置される、請求項１３１に記載のテスター装置。

【請求項133】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される、請求項１３２に記載のテスター装置。

【請求項134】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第１区分と第２区分との間に位置される、請求項１３３に記載のテスター装置。

【請求項135】

前記第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である、請求項１３２に記載のテスター装置。

【請求項136】

前記第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして前記第３の区分は、第１螺旋上に位置されない第２螺旋の区分である、請求項１３２に記載のテスター装置。

【請求項137】

ヒータを更に備え、流体が前記熱制御通路の外側にあるときにこのヒータにより流体に熱が伝達される、請求項１３１に記載のテスター装置。

【請求項138】

前記ヒータは、電気ヒータである、請求項１３７に記載のテスター装置。

【請求項139】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項１３７に記載のテスター装置。

【請求項140】

熱は、最初、流体が２１℃より上で流体入口に入った後に流体から基板へ伝達される、請求項１３９に記載のテスター装置。

【請求項141】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は１００℃より高い、請求項１３７に記載のテスター装置。

【請求項142】

流体は、再循環される、請求項１３７に記載のテスター装置。

【請求項143】

前記ポータブル支持構造体を前記固定構造体に対して移動して前記第１インターフェイスを前記第２インターフェイスに係合させるために互いに対して作動できる第１及び第２のアクチュエータ断片を有する少なくとも１つのインターフェイスアクチュエータを更に備えた、請求項１１２に記載のテスター装置。

【請求項144】

前記第１及び第２の断片は、各々、シリンダ及びピストンであり、ピストンは、シリンダの内面に沿ってスライドする、請求項１４３に記載のテスター装置。

【請求項145】

テスターによりマイクロエレクトロニック回路において実行されるテストは、バーンインテストである、請求項１１２に記載のテスター装置。

【請求項146】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項１１２に記載のテスター装置。

【請求項147】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項１１２に記載のテスター装置。

【請求項148】

基板により保持されたマイクロエレクトロニック回路をテストする方法において、
ポータブル支持構造体の第１及び第２のコンポーネント間に基板を支持するステップであって、その第２コンポーネントは、マイクロエレクトロニック回路に接続された基板の端子に対するコンタクト部を有するものであるステップと、
前記コンタクト部と前記端子との間に適切な接触を確保するために前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動するステップであって、前記ポータブル支持構造体は、基板と一緒に、第１及び第２要素を含み、第１要素のＣＴＥと第２要素のＣＴＥとのＣＴＥ比が１に等しくないようなステップと、
前記ポータブル支持構造体の第１インターフェイスが固定構造体の第２インターフェイスに接続されるようにして固定構造体により前記ポータブル支持構造体を受け入れるステップと、
前記端子、コンタクト部、第１及び第２のインターフェイスを通して電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストするステップであって、前記ポータブル支持構造体の第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に基板が支持され、そして前記第２コンポーネント上にコンタクト部があるようなステップと、更に、
前記コンタクト部と前記端子との間に適切な接触を確保するために前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動するステップ、
を備えた方法。

【請求項149】

前記第２要素は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に低い第２要素温度から第２の基板温度へ加熱し、前記第１要素は、低い第１要素温度から高い第１要素温度へ加熱し、そして高い第２要素温度と低い第２要素温度の差と、高い第１要素温度と低い第１要素温度の差との温度変化比にＣＴＥ比を乗算したものは、ＣＴＥ比よりも１に近い、請求項１４８に記載の方法。

【請求項150】

前記ＣＴＥ比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８ないし１．２である、請求項１４８に記載の方法。

【請求項151】

前記第１及び第２の要素は、前記基板の同じ側にある信号分配ボード及びコンタクタである、請求項１４８に記載の方法。

【請求項152】

前記要素の１つは、基板である、請求項１４８に記載の方法。

【請求項153】

第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを配置して、それら第１及び第２のコンポーネントの表面とこの圧力差空洞シールとで包囲空洞を形成するステップと、
前記圧力差空洞シールの空洞内の圧力を下げて、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動させるステップと、
を更に備えた請求項１４８に記載の方法。

【請求項154】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項１５３に記載の方法。

【請求項155】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１コンポーネントに固定される、請求項１５３に記載の方法。

【請求項156】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、
前記第１バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、
前記第１バルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにする、請求項１５２に記載の方法。

【請求項157】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブがあり、
前記真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、
前記バルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項１５６に記載の方法。

【請求項158】

圧力差空洞内の圧力は、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体により受け入れられる前に生成される、請求項１５６に記載の方法。

【請求項159】

前記第１コンポーネントの基板吸引通路を通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持することを更に含む、請求項１４８に記載の方法。

【請求項160】

前記コンタクト部は、前記端子により弾力で押圧することができ、更に、
前記第２コンポーネントのスタンドオフの表面で少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限することを含む、請求項１４８に記載の方法。

【請求項161】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項１６０に記載の方法。

【請求項162】

接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１の面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を更に含み、前記スタンドオフは、第２の面に取り付けられる、請求項１６０に記載の方法。

【請求項163】

前記ポータブル支持構造体の第１インターフェイスのランドを、前記固定構造体の第２インターフェイスの複数の一致する部材に対して配置するステップと、
前記ランドで前記部材を弾力で押圧するステップと、
を更に備えた請求項１４８に記載の方法。

【請求項164】

前記ポータブル支持構造体の表面を、前記固定構造体の熱チャックの表面に対して配置するステップと、
それら表面を通して熱を伝達するステップと、
を更に備えた請求項１６３に記載の方法。

【請求項165】

前記ポータブル支持構造体の表面と前記熱チャックとの間に画成された熱インターフェイス空洞の空気圧を下げるステップを更に備えた、請求項１６４に記載の方法。

【請求項166】

前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通してその熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項１６５に記載の方法。

【請求項167】

前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞シールを配置し、その熱インターフェイス空洞シールと前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成するステップを更に備えた、請求項１６６に記載の方法。

【請求項168】

前記固定構造体上の熱チャックにおける熱制御通路の少なくとも１つの区分を通して流体入口から流体出口へ流体を通過させるステップと、
前記熱制御通路の流体と基板との間で熱を伝達して基板の温度を制御するステップと、
を更に備えた請求項１４８に記載の方法。

【請求項169】

前記熱制御通路は、第１、第２及び第３区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第１区分と第２区分との間に第３区分が位置される、請求項１６８に記載の方法。

【請求項170】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される、請求項１６９に記載の方法。

【請求項171】

前記第２区分と第３区分との間の熱チャックの温度は、前記第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度であり、前記第１区分と第４区分との間の熱チャックの温度は、前記第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度である、請求項１７０に記載の方法。

【請求項172】

前記第１区分の流体と第４区分の流体との間の温度差は、前記第２区分の流体と第３区分の流体との間より大きい、請求項１７１に記載の方法。

【請求項173】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第１区分と第２区分との間に位置される、請求項１７０に記載の方法。

【請求項174】

前記第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である、請求項１６９に記載の方法。

【請求項175】

前記第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして前記第３区分は、第１螺旋上に位置されない第２の螺旋の区分である、請求項１６９に記載の方法。

【請求項176】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は２１℃より高い、請求項１６８に記載の方法。

【請求項177】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項１７６に記載の方法。

【請求項178】

流体が２１℃より上で流体入口に入った後に熱が最初に流体から基板へ伝達される、請求項１７７に記載の方法。

【請求項179】

流体が流体入口に入るときに、流体の温度は１００℃より高い、請求項１７６に記載の方法。

【請求項180】

流体は、再循環される、請求項１７６に記載の方法。

【請求項181】

マイクロエレクトロニック回路で実行されるテストは、バーンインテストである、請求項１４８に記載の方法。

【請求項182】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項１４８に記載の方法。

【請求項183】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項１４８に記載の方法。

【請求項184】

間に基板を保持するための第１及び第２のコンポーネントを含むポータブル支持構造体であって、前記基板は、マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有するものであるポータブル支持構造体と、
前記第２コンポーネント上にあり前記端子と接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部であって、前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に圧力差空洞シールがあり、この圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成するような複数のコンタクト部と、
前記コンポーネントの１つを通して形成された減圧通路であって、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有している減圧通路と、
前記減圧通路を有するコンポーネントに設けられた第１バルブであって、この第１バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出して、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動して、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保することができると共に、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる第１バルブと、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第１インターフェイスであって、前記ポータブル支持構造体が取り外されて固定構造体により保持されるときにその固定構造体上の第２インターフェイスに接続される第１インターフェイスと、
を備えたポータブルパック。

【請求項185】

前記第２のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第１コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも１．５である、請求項１８４に記載のポータブルパック。

【請求項186】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項１８５に記載のポータブルパック。

【請求項187】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項１８５に記載のポータブルパック。

【請求項188】

前記第１のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項１８５に記載のポータブルパック。

【請求項189】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項１８４に記載のポータブルパック。

【請求項190】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１コンポーネントに固定される、請求項１８４に記載のポータブルパック。

【請求項191】

前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項１８４に記載のポータブルパック。

【請求項192】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項１８４に記載のポータブルパック。

【請求項193】

前記第１コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項１８４に記載のポータブルパック。

【請求項194】

前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第２コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項１８４に記載のポータブルパック。

【請求項195】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項１９４に記載のポータブルパック。

【請求項196】

接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第２の面に取り付けられる、請求項１９４に記載のポータブルパック。

【請求項197】

前記第１インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第２インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動するように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項１８４に記載のポータブルパック。

【請求項198】

前記ランド及び前記端子は、平行な平面内にある、請求項１９７に記載のポータブルパック。

【請求項199】

前記基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項１８４に記載のポータブルパック。

【請求項200】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項１８４に記載のポータブルパック。

【請求項201】

間に基板を保持するための第１及び第２のコンポーネントを含むポータブル支持構造体であって、前記基板は、マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有するものであるポータブル支持構造体と、
前記第２コンポーネント上にあり前記端子と接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間にあり、前記第１及び第２のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記コンポーネントの１つを通して形成された減圧通路であって、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有している減圧通路と、
前記減圧通路を有するコンポーネントに設けられた第１バルブであって、この第１バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出して、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動して、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保することができると共に、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる第１バルブと、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第１インターフェイスと、
固定構造体であって、前記ポータブル支持構造体は、この固定構造体により保持されるべく受け入れることができ且つ固定構造体から除去できるようにされた固定構造体と、
前記固定構造体上の第２インターフェイスであって、前記ポータブル構造体が前記固定構造体により保持されたときには前記第１インターフェイスに接続され、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体から除去されたときには前記第１インターフェイスから切断されるような第２インターフェイスと、
前記第２インターフェイス、第１インターフェイス及びコンタクト部を通して前記端子に接続される電気テスターであって、この電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送してマイクロエレクトロニック回路をテストする電気テスターと、
を備えたテスター装置。

【請求項202】

前記第２のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第１コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも１．５である、請求項２０１に記載のテスター装置。

【請求項203】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項２０２に記載のテスター装置。

【請求項204】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項２０２に記載のテスター装置。

【請求項205】

前記第１のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項２０２に記載のテスター装置。

【請求項206】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項２０１に記載のテスター装置。

【請求項207】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１コンポーネントに固定される、請求項２０１に記載のテスター装置。

【請求項208】

前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項２０１に記載のテスター装置。

【請求項209】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項２０１に記載のテスター装置。

【請求項210】

前記第１コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項２０１に記載のテスター装置。

【請求項211】

前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第２コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項２０１に記載のテスター装置。

【請求項212】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項２１１に記載のテスター装置。

【請求項213】

接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第２の面に取り付けられる、請求項２１１に記載のテスター装置。

【請求項214】

前記第１インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第２インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対し又はそれに対して移動するように前記ランドに一致し且つ前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項２０１に記載のテスター装置。

【請求項215】

前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項２１４に記載のテスター装置。

【請求項216】

前記固定構造体は、熱チャックを備え、前記ポータブル支持構造体は、この熱チャックに接触し、前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間で熱を伝達できるようにする、請求項２１４に記載のテスター装置。

【請求項217】

前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項２１６に記載のテスター装置。

【請求項218】

前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックの両方に接触する熱インターフェイス空洞シールを更に含み、この熱インターフェイス空洞シールは、前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成する、請求項２１７に記載のテスター装置。

【請求項219】

前記固定構造体に熱チャックを更に含み、この熱チャックは、入口及び出口をもつ熱制御通路を有し、入口と出口との間には入口から出口へ流体が流れるようにするための少なくとも１つの区分があり、熱制御通路において基板と流体との間で熱チャックを通して熱が伝達する、請求項２０１に記載のテスター装置。

【請求項220】

前記熱制御通路は、第１、第２及び第３区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第１区分と第２区分との間に第３区分が位置される、請求項２１９に記載のテスター装置。

【請求項221】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、該第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される、請求項２２０に記載のテスター装置。

【請求項222】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、該第４区分は、第１区分と第２区分との間に位置される、請求項２２１に記載のテスター装置。

【請求項223】

前記第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である、請求項２２０に記載のテスター装置。

【請求項224】

前記第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして前記第３の区分は、第１螺旋上に位置されない第２螺旋の区分である、請求項２２０に記載のテスター装置。

【請求項225】

ヒータを更に備え、流体が前記熱制御通路の外側にあるときにこのヒータにより流体に熱が伝達される、請求項２１９に記載のテスター装置。

【請求項226】

前記ヒータは、電気ヒータである、請求項２２５に記載のテスター装置。

【請求項227】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項２２５に記載のテスター装置。

【請求項228】

熱は、最初、流体が２１℃より上で流体入口に入った後に流体から基板へ伝達される、請求項２２７に記載のテスター装置。

【請求項229】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は１００℃より高い、請求項２２５に記載のテスター装置。

【請求項230】

流体は、再循環される、請求項２２５に記載のテスター装置。

【請求項231】

前記ポータブル支持構造体を前記固定構造体に対して移動して前記第１インターフェイスを前記第２インターフェイスに係合させるために互いに対して作動できる第１及び第２のアクチュエータ断片を有する少なくとも１つのインターフェイスアクチュエータを更に備えた、請求項２０１に記載のテスター装置。

【請求項232】

前記第１及び第２の断片は、各々、シリンダ及びピストンであり、ピストンは、シリンダの内面に沿ってスライドする、請求項２３１に記載のテスター装置。

【請求項233】

テスターによりマイクロエレクトロニック回路において実行されるテストは、バーンインテストである、請求項２０１に記載のテスター装置。

【請求項234】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項２０１に記載のテスター装置。

【請求項235】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項２０１に記載のテスター装置。

【請求項236】

基板により保持されたマイクロエレクトロニック回路をテストする方法において、
ポータブル支持構造体の第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に基板を保持するステップであって、第２コンポーネントは、マイクロエレクトロニック回路に接続された基板の端子に対するコンタクト部を有し、前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあるようにしたステップと、
前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを配置して、前記第１及び第２コンポーネントの表面及び圧力差空洞シールによって包囲された空洞を形成するステップと、
前記第１バルブを開いて、前記圧力差空洞から空気を出せるようにし、前記圧力差空洞シールの空洞内の圧力を下げて、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動させ、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するステップと、
前記第１バルブを閉じて、前記圧力差空洞に空気が入らないようにするステップと、
前記ポータブル支持構造体の第１インターフェイスが固定構造体の第２インターフェイスに接続されるようにして固定構造体により前記ポータブル支持構造体を受け入れるステップと、
前記端子、コンタクト部、第１及び第２のインターフェイスを通して、電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストするステップと、更に、
前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを配置して、前記第１及び第２コンポーネントの表面及び圧力差空洞シールによって包囲された空洞を形成するステップと、
前記圧力差空洞シールの空洞内の圧力を下げて、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動させるステップと、
を備えた方法。

【請求項237】

前記第２のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第１コンポーネントの熱膨張係数との熱膨張係数比は、少なくとも１．５である、請求項２３６に記載の方法。

【請求項238】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項２３７に記載の方法。

【請求項239】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項２３７に記載の方法。

【請求項240】

前記第１のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項２３７に記載の方法。

【請求項241】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項２３６に記載の方法。

【請求項242】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１コンポーネントに固定される、請求項２３６に記載の方法。

【請求項243】

前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項２３６に記載の方法。

【請求項244】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブがあり、更に、
前記真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そして
前記バルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、
請求項２３６に記載の方法。

【請求項245】

前記圧力差空洞内の圧力は、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体により受け入れられる前に生成される、請求項２３６に記載の方法。

【請求項246】

前記第１コンポーネントの基板吸引通路を通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持するステップを更に含む、請求項２３６に記載の方法。

【請求項247】

前記コンタクト部は、前記端子により弾力で押圧することができ、更に、
前記第２コンポーネントのスタンドオフの表面で少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限するステップを更に含む、請求項２３６に記載の方法。

【請求項248】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項２４７に記載の方法。

【請求項249】

接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１の面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を含み、前記スタンドオフは、第２の面に取り付けられる、請求項２４７に記載の方法。

【請求項250】

前記ポータブル支持構造体の第１インターフェイスのランドを、前記固定構造体の第２インターフェイスの複数の一致する部材に対して配置するステップと、
前記ランドで前記部材を弾力で押圧するステップと、
を更に備えた請求項２３６に記載の方法。

【請求項251】

前記ポータブル支持構造体の表面を、前記固定構造体の熱チャックの表面に対して配置するステップと、
それら表面を通して熱を伝達するステップと、
を更に備えた請求項２５０に記載の方法。

【請求項252】

前記ポータブル支持構造体の表面と前記熱チャックとの間に画成された熱インターフェイス空洞の空気圧を下げるステップを更に備えた、請求項２５１に記載の方法。

【請求項253】

前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通してその熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項２５２に記載の方法。

【請求項254】

前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞シールを配置し、その熱インターフェイス空洞シールと前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成するステップを更に備えた、請求項２５３に記載の方法。

【請求項255】

前記固定構造体上の熱チャックにおける熱制御通路の少なくとも１つの区分を通して流体入口から流体出口へ流体を通過させるステップと、
前記熱制御通路の流体と基板との間で熱を伝達して基板の温度を制御するステップと、
を更に備えた請求項２３６に記載の方法。

【請求項256】

前記熱制御通路は、第１、第２及び第３区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第１区分と第２区分との間に第３区分が位置される、請求項２５５に記載の方法。

【請求項257】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される、請求項２５６に記載の方法。

【請求項258】

前記第２区分と第３区分との間の熱チャックの温度は、前記第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度であり、前記第１区分と第４区分との間の熱チャックの温度は、前記第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度である、請求項２５７に記載の方法。

【請求項259】

前記第１区分の流体と第４区分の流体との間の温度差は、前記第２区分の流体と第３区分の流体との間より大きい、請求項２５８に記載の方法。

【請求項260】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第１区分と第２区分との間に位置される、請求項２５７に記載の方法。

【請求項261】

前記第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である、請求項２５６に記載の方法。

【請求項262】

前記第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして前記第３区分は、第１螺旋上に位置されない第２の螺旋の区分である、請求項２５６に記載の方法。

【請求項263】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は２１℃より高い、請求項２５５に記載の方法。

【請求項264】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項２６３に記載の方法。

【請求項265】

流体が２１℃より上で流体入口に入った後に熱が最初に流体から基板へ伝達される、請求項２６４に記載の方法。

【請求項266】

流体が流体入口に入るときに、流体の温度は１００℃より高い、請求項２６３に記載の方法。

【請求項267】

流体は、再循環される、請求項２６３に記載の方法。

【請求項268】

マイクロエレクトロニック回路で実行されるテストは、バーンインテストである、請求項２３６に記載の方法。

【請求項269】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項２３６に記載の方法。

【請求項270】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項２３６に記載の方法。

【請求項271】

間に基板を保持するための第１及び第２のコンポーネントを含むポータブル支持構造体であって、前記基板は、マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有するものであるポータブル支持構造体と、
前記第２コンポーネント上にあり前記端子と接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部であって、これらコンタクト部を端子により弾力で押圧できるようにこれらコンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために前記コンポーネントが互いに移動可能であるようにされた複数のコンタクト部と、
接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１面と、接着性である第２の反対の面とを有する層と、
前記第２の面に取り付けられたスタンドオフであって、少なくとも１つの前記コンタクト部の押圧を制限する表面を有するスタンドオフと、
前記ポータブル支持構造体上にあって前記コンタクト部に接続された第１インターフェイスであって、前記ポータブル支持構造体が取り外されて固定構造体により保持されるときにその固定構造体上の第２インターフェイスに接続される第１インターフェイスと、
を備えたポータブルパック。

【請求項272】

前記第２のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第１コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも１．５である、請求項２７１に記載のポータブルパック。

【請求項273】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項２７２に記載のポータブルパック。

【請求項274】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項２７２に記載のポータブルパック。

【請求項275】

前記第１のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項２７２に記載のポータブルパック。

【請求項276】

前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間にあり、それらの第１及び第２のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向かって移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項２７１に記載のポータブルパック。

【請求項277】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項２７６に記載のポータブルパック。

【請求項278】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１コンポーネントに固定される、請求項２７６に記載のポータブルパック。

【請求項279】

前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項２７６に記載のポータブルパック。

【請求項280】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、この第１バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる、請求項２７６に記載のポータブルパック。

【請求項281】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項２８０に記載のポータブルパック。

【請求項282】

前記第１コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項２７１に記載のポータブルパック。

【請求項283】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項２７１に記載のポータブルパック。

【請求項284】

前記第１インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第２インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動できるように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項２７１に記載のポータブルパック。

【請求項285】

前記ランド及び前記端子は、平行な平面内にある、請求項２８４に記載のポータブルパック。

【請求項286】

前記基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項２７１に記載のポータブルパック。

【請求項287】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項２７１に記載のポータブルパック。

【請求項288】

間に基板を保持するための第１及び第２のコンポーネントを含むポータブル支持構造体であって、前記基板は、マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有するようなポータブル支持構造体と、
前記第２コンポーネント上にあり前記端子と接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部であって、これらコンタクト部を前記端子によって弾力で押圧できるようにこれらコンタクト部と前記端子との間に適切な接触を確保するために前記コンポーネントが互いに移動可能とされている複数のコンタクト部と、
接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１面と、接着性である第２の反対の面とを有する層と、
前記第２の面に取り付けられたスタンドオフであって、少なくとも１つの前記コンタクト部の押圧を制限する表面を有するスタンドオフと、
前記ポータブル支持構造体上にあって前記コンタクト部に接続された第１インターフェイスと、
固定構造体であって、前記ポータブル支持構造体は、この固定構造体により保持されるべく受け入れることができ且つ固定構造体から除去できるようにされた固定構造体と、
前記固定構造体上の第２インターフェイスであって、前記ポータブル構造体が前記固定構造体により保持されたときには前記第１インターフェイスに接続され、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体から除去されたときには前記第１インターフェイスから切断されるような第２インターフェイスと、
前記第２インターフェイス、第１インターフェイス及びコンタクト部を通して前記端子に接続される電気テスターであって、この電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送してマイクロエレクトロニック回路をテストする電気テスターと、
を備えたテスター装置。

【請求項289】

前記第２のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第１コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも１．５である、請求項２８８に記載のテスター装置。

【請求項290】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項２８９に記載のテスター装置。

【請求項291】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項２８９に記載のテスター装置。

【請求項292】

前記第１のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項２８９に記載のテスター装置。

【請求項293】

前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間にあり、それらの第１及び第２のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向かって移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項２８８に記載のテスター装置。

【請求項294】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項２９３に記載のテスター装置。

【請求項295】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１コンポーネントに固定される、請求項２９３に記載のテスター装置。

【請求項296】

前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項２９３に記載のテスター装置。

【請求項297】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、この第１バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる、請求項２９３に記載のテスター装置。

【請求項298】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項２９７に記載のテスター装置。

【請求項299】

前記第１コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項２８８に記載のテスター装置。

【請求項300】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項２８８に記載のテスター装置。

【請求項301】

前記第１インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第２インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動できるように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項２８８に記載のテスター装置。

【請求項302】

前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項３０１に記載のテスター装置。

【請求項303】

前記固定構造体は、熱チャックを備え、前記ポータブル支持構造体は、この熱チャックに接触し、前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間で熱を伝達できるようにする、請求項３０１に記載のテスター装置。

【請求項304】

前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項３０３に記載のテスター装置。

【請求項305】

前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックの両方に接触する熱インターフェイス空洞シールを更に含み、この熱インターフェイス空洞シールは、前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成する、請求項３０４に記載のテスター装置。

【請求項306】

前記固定構造体に熱チャックを更に含み、この熱チャックは、入口及び出口をもつ熱制御通路を有し、入口と出口との間には入口から出口へ流体が流れるようにするための少なくとも１つの区分があり、熱制御通路において基板と流体との間で熱チャックを通して熱が伝達する、請求項２８８に記載のテスター装置。

【請求項307】

前記熱制御通路は、第１、第２及び第３区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第１区分と第２区分との間に第３区分が位置される、請求項３０６に記載のテスター装置。

【請求項308】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、該第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される、請求項３０７に記載のテスター装置。

【請求項309】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、該第４区分は、第１区分と第２区分との間に位置される、請求項３０８に記載のテスター装置。

【請求項310】

前記第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である、請求項３０７に記載のテスター装置。

【請求項311】

前記第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして前記第３の区分は、第１螺旋上に位置されない第２螺旋の区分である、請求項３０７に記載のテスター装置。

【請求項312】

ヒータを更に備え、流体が前記熱制御通路の外側にあるときにこのヒータにより流体に熱が伝達される、請求項３０６に記載のテスター装置。

【請求項313】

前記ヒータは、電気ヒータである、請求項３１２に記載のテスター装置。

【請求項314】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項３１２に記載のテスター装置。

【請求項315】

熱は、最初、流体が２１℃より上で流体入口に入った後に流体から基板へ伝達される、請求項３１４に記載のテスター装置。

【請求項316】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は１００℃より高い、請求項３１２に記載のテスター装置。

【請求項317】

流体は、再循環される、請求項３１２に記載のテスター装置。

【請求項318】

前記ポータブル支持構造体を前記固定構造体に対して移動して前記第１インターフェイスを前記第２インターフェイスに係合させるために互いに対して作動できる第１及び第２のアクチュエータ断片を有する少なくとも１つのインターフェイスアクチュエータを更に備えた、請求項２８８に記載のテスター装置。

【請求項319】

前記第１及び第２の断片は、各々、シリンダ及びピストンであり、ピストンは、シリンダの内面に沿ってスライドする、請求項３１８に記載のテスター装置。

【請求項320】

テスターによりマイクロエレクトロニック回路において実行されるテストは、バーンインテストである、請求項２８８に記載のテスター装置。

【請求項321】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項２８８に記載のテスター装置。

【請求項322】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項２８８に記載のテスター装置。

【請求項323】

基板により保持されたマイクロエレクトロニック回路をテストする方法において、
ポータブル支持構造体の第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に基板を保持するステップであって、第２コンポーネントは、マイクロエレクトロニック回路に接続された基板の端子に対するコンタクト部を有するようなステップと、
前記第１及び第２コンポーネントを互いに向かって相対的に移動させて、端子に対してコンタクト部を弾力で押圧し、コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するステップと、
前記第２コンポーネントにおけるスタンドオフの表面で少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限するステップであって、前記スタンドオフは、接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１面と、接着性である第２の反対の面とを有する層と共に前記第１コンポーネントに取り付けられ、前記スタンドオフは、前記第２の面に取り付けられるようなステップと、
前記ポータブル支持構造体の第１インターフェイスが固定構造体の第２インターフェイスに接続されるようにしてその固定構造体により前記ポータブル支持構造体を受け入れるステップと、
ポータブル支持構造体の第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に基板が保持され且つ前記第２コンポーネントにコンタクト部があるようにして、前記端子、コンタクト部、第１及び第２のインターフェイスを通して、電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストするステップと、更に、
前記第１及び第２コンポーネントを互いに向かって相対的に移動させて、コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するステップと、
を備えた方法。

【請求項324】

前記第２のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第１コンポーネントの熱膨張係数との熱膨張係数比は、少なくとも１．５である、請求項３２３に記載の方法。

【請求項325】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項３２４に記載の方法。

【請求項326】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項３２４に記載の方法。

【請求項327】

前記第１のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項３２４に記載の方法。

【請求項328】

前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを配置して、前記第１及び第２コンポーネントの表面及び圧力差空洞シールによって包囲された空洞を形成するステップと、
前記圧力差空洞シールの空洞内の圧力を下げて、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動させるステップと、
を更に備えた請求項３２３に記載の方法。

【請求項329】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び端子を取り巻く、請求項３２８に記載の方法。

【請求項330】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１のコンポーネントに固定される、請求項３２８に記載の方法。

【請求項331】

前記基板空洞シールは、リップシールで形成される、請求項３２８に記載の方法。

【請求項332】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、前記圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、更に、
前記第１バルブを開いて、前記圧力差空洞から空気を出せるようにし、
前記第１バルブを閉じて、前記圧力差空洞に空気が入らないようにする、
ことを含む請求項３２８に記載の方法。

【請求項333】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブが設けられ、更に、
前記真空解放バルブを開いて、前記圧力差空洞へ空気を入れることができ、
前記バルブを閉じて、前記圧力差空洞から空気を逃さないようにする、
請求項３３２に記載の方法。

【請求項334】

前記圧力差空洞内の圧力は、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体により受け入れられる前に生成される、請求項３３２に記載の方法。

【請求項335】

前記第１コンポーネントの基板吸引通路を通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持することを更に含む、請求項３２３に記載の方法。

【請求項336】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項３２３に記載の方法。

【請求項337】

前記ポータブル支持構造体の第１インターフェイスのランドを、前記固定構造体の第２インターフェイスの複数の一致する部材に対して配置するステップと、
前記ランドで前記部材を弾力で押圧するステップと、
を更に備えた請求項３２３に記載の方法。

【請求項338】

前記ポータブル支持構造体の表面を、前記固定構造体の熱チャックの表面に対して配置するステップと、
それら表面を通して熱を伝達するステップと、
を更に備えた請求項３３７に記載の方法。

【請求項339】

前記ポータブル支持構造体の表面と前記熱チャックとの間に画成された熱インターフェイス空洞の空気圧を下げるステップを更に備えた、請求項３３８に記載の方法。

【請求項340】

前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通してその熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項３３９に記載の方法。

【請求項341】

前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞シールを配置し、その熱インターフェイス空洞シールと前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成するステップを更に備えた、請求項３４０に記載の方法。

【請求項342】

前記固定構造体上の熱チャックにおける熱制御通路の少なくとも１つの区分を通して流体入口から流体出口へ流体を通過させるステップと、
前記熱制御通路の流体と基板との間で熱を伝達して基板の温度を制御するステップと、
を更に備えた請求項３２３に記載の方法。

【請求項343】

前記熱制御通路は、第１、第２及び第３区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第１区分と第２区分との間に第３区分が位置される、請求項３４２に記載の方法。

【請求項344】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される、請求項３４３に記載の方法。

【請求項345】

前記第２区分と第３区分との間の熱チャックの温度は、前記第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度であり、前記第１区分と第４区分との間の熱チャックの温度は、前記第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度である、請求項３４４に記載の方法。

【請求項346】

前記第１区分の流体と第４区分の流体との間の温度差は、前記第２区分の流体と第３区分の流体との間より大きい、請求項３４５に記載の方法。

【請求項347】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第１区分と第２区分との間に位置される、請求項３４４に記載の方法。

【請求項348】

前記第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である、請求項３４３に記載の方法。

【請求項349】

前記第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして前記第３区分は、第１螺旋上に位置されない第２の螺旋の区分である、請求項３４３に記載の方法。

【請求項350】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は、２１℃より高い、請求項３４２に記載の方法。

【請求項351】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項３５０に記載の方法。

【請求項352】

流体が２１℃より上で流体入口に入った後に熱が最初に流体から基板へ伝達される、請求項３５１に記載の方法。

【請求項353】

流体が流体入口に入るときに、流体の温度は１００℃より高い、請求項３５０に記載の方法。

【請求項354】

流体は、再循環される、請求項３５０に記載の方法。

【請求項355】

マイクロエレクトロニック回路で実行されるテストは、バーンインテストである、請求項３２３に記載の方法。

【請求項356】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項３２３に記載の方法。

【請求項357】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項３２３に記載の方法。

【請求項358】

入口、出口が設けられると共に、その流体入口から流体出口への流体の経路に沿って互いに前後に直列に少なくとも第１、第２及び第３の区分が設けられた熱制御通路を有する熱チャックを備え、断面平面図において前記第３区分が前記第１区分と第２区分との間に位置された、熱制御装置。

【請求項359】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、該第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される、請求項３５８に記載の熱制御装置。

【請求項360】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、該第４区分は、第１区分と第２区分との間に位置される、請求項３５９に記載の熱制御装置。

【請求項361】

前記第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である、請求項３５８に記載の熱制御装置。

【請求項362】

前記第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして前記第３の区分は、第１螺旋上に位置されない第２螺旋の区分である、請求項３５８に記載の熱制御装置。

【請求項363】

マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有する基板を保持するためのポータブル支持構造体と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記端子への接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第１のインターフェイスと、
固定構造体であって、前記ポータブル支持構造体は、この固定構造体により保持されるべく受け入れることができ且つ固定構造体から除去できるようにされた固定構造体と、
前記固定構造体上の第２インターフェイスであって、前記ポータブル構造体が前記固定構造体により保持されたときには前記第１インターフェイスに接続され、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体から除去されたときには前記第１インターフェイスから切断されるような第２インターフェイスと、
前記固定構造体上の熱チャックであって、この熱チャックは、入口、出口が設けられると共に、その流体入口から流体出口への流体の経路に沿って互いに前後に直列に少なくとも第１、第２及び第３の区分が設けられた熱制御通路を有し、断面平面図においてその第３区分が第１区分と第２区分との間に位置され、その熱制御通路において基板と流体との間で熱チャックを通して熱が伝達されるような熱チャックと、
前記第２インターフェイス、第１インターフェイス及びコンタクト部を通して前記端子に接続される電気テスターであって、この電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送してマイクロエレクトロニック回路をテストする電気テスターと、
を備えたテスター装置。

【請求項364】

前記ポータブル支持構造体は、間に基板を保持するための第１及び第２のコンポーネントを含み、前記コンタクト部は、第２のコンポーネント上に配置され、そしてそれらコンポーネントは、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために互いに移動可能である、請求項３６３に記載のテスター装置。

【請求項365】

前記第２のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第１コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも１．５である、請求項３６４に記載のテスター装置。

【請求項366】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項３６５に記載のテスター装置。

【請求項367】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項３６５に記載のテスター装置。

【請求項368】

前記第１のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項３６５に記載のテスター装置。

【請求項369】

前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間にあり、それらの第１及び第２のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項３６４に記載のテスター装置。

【請求項370】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項３６９に記載のテスター装置。

【請求項371】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１コンポーネントに固定される、請求項３６９に記載のテスター装置。

【請求項372】

前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項３６９に記載のテスター装置。

【請求項373】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、この第１バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにする、請求項３６９に記載のテスター装置。

【請求項374】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項３７３に記載のテスター装置。

【請求項375】

前記第１コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項３６４に記載のテスター装置。

【請求項376】

前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第２コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項３６４に記載のテスター装置。

【請求項377】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項３７６に記載のテスター装置。

【請求項378】

接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第２の面に取り付けられる、請求項３７６に記載のテスター装置。

【請求項379】

前記第１インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第２インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動できるように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項３６３に記載のテスター装置。

【請求項380】

前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項３７９に記載のテスター装置。

【請求項381】

前記固定構造体は、熱チャックを備え、前記ポータブル支持構造体は、この熱チャックに接触し、前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間で熱を伝達できるようにする、請求項３７９に記載のテスター装置。

【請求項382】

前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項３８１に記載のテスター装置。

【請求項383】

前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックの両方に接触する熱インターフェイス空洞シールを更に含み、この熱インターフェイス空洞シールは、前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成する、請求項３８２に記載のテスター装置。

【請求項384】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、該第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される、請求項３６３に記載のテスター装置。

【請求項385】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、該第４区分は、第１区分と第２区分との間に位置される、請求項３８４に記載のテスター装置。

【請求項386】

前記第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である、請求項３６３に記載のテスター装置。

【請求項387】

前記第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして前記第３の区分は、第１螺旋上に位置されない第２螺旋の区分である、請求項３６３に記載のテスター装置。

【請求項388】

ヒータを更に備え、流体が前記熱制御通路の外側にあるときにこのヒータにより流体に熱が伝達される、請求項３６３に記載のテスター装置。

【請求項389】

前記ヒータは、電気ヒータである、請求項３８８に記載のテスター装置。

【請求項390】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項３８８に記載のテスター装置。

【請求項391】

熱は、最初、流体が２１℃より上で流体入口に入った後に流体から基板へ伝達される、請求項３９０に記載のテスター装置。

【請求項392】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は１００℃より高い、請求項３８８に記載のテスター装置。

【請求項393】

流体は、再循環される、請求項３８８に記載のテスター装置。

【請求項394】

前記ポータブル支持構造体を前記固定構造体に対して移動して前記第１インターフェイスを前記第２インターフェイスに係合させるために互いに対して作動できる第１及び第２のアクチュエータ断片を有する少なくとも１つのインターフェイスアクチュエータを更に備えた、請求項３６３に記載のテスター装置。

【請求項395】

前記第１及び第２の断片は、各々、シリンダ及びピストンであり、ピストンは、シリンダの内面に沿ってスライドする、請求項３９４に記載のテスター装置。

【請求項396】

テスターによりマイクロエレクトロニック回路において実行されるテストは、バーンインテストである、請求項３６３に記載のテスター装置。

【請求項397】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項３６３に記載のテスター装置。

【請求項398】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項３６３に記載のテスター装置。

【請求項399】

基板により保持されたマイクロエレクトロニック回路をテストする方法において、
マイクロエレクトロニック回路に接続された基板の端子に対するコンタクト部を有するポータブル支持構造体に基板を保持するステップと、
前記ポータブル支持構造体の第１インターフェイスが固定構造体の第２インターフェイスに接続されるようにして固定構造体により前記ポータブル支持構造体を受け入れるステップと、
前記固定構造体の熱チャックにおける熱制御通路を通して流体入口から流体出口へ流体を通過させるステップであって、前記熱制御通路は、流体経路に沿って互いに前後に直列に少なくとも第１、第２及び第３の区分を備え、断面平面図において第３区分が第１区分と第２区分との間に位置されるようなステップと、
前記熱制御通路の流体と基板との間に熱を伝達して基板の温度を制御するステップと、
前記端子、コンタクト部、第１及び第２のインターフェイスを通して、電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストするステップと、
を備えた方法。

【請求項400】

前記基板は、前記ポータブル支持構造体の第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に保持され、そして前記コンタクト部は、前記第２コンポーネントにあり、更に、
前記第１及び第２コンポーネントを互いに向けて相対的に移動して前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するステップ、
を備えた請求項３９９に記載の方法。

【請求項401】

前記第２のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第１コンポーネントの熱膨張係数との熱膨張係数比は、少なくとも１．５である、請求項４００に記載の方法。

【請求項402】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項４０１に記載の方法。

【請求項403】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項４０１に記載の方法。

【請求項404】

前記第１コンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項４０１に記載の方法。

【請求項405】

前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを配置して、前記第１及び第２コンポーネントの表面及び圧力差空洞シールによって包囲された空洞を形成するステップと、
前記圧力差空洞シールの空洞内の圧力を下げて、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動させるステップと、
を更に備えた請求項４００に記載の方法。

【請求項406】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び端子を取り巻く、請求項４０５に記載の方法。

【請求項407】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１のコンポーネントに固定される、請求項４０５に記載の方法。

【請求項408】

前記基板空洞シールは、リップシールで形成される、請求項４０５に記載の方法。

【請求項409】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、前記圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、更に、
前記第１バルブを開いて、前記圧力差空洞から空気を出せるようにし、
前記第１バルブを閉じて、前記圧力差空洞に空気が入らないようにする、
ことを含む請求項４０５に記載の方法。

【請求項410】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブが設けられ、更に、
前記真空解放バルブを開いて、前記圧力差空洞へ空気を入れることができ、
前記バルブを閉じて、前記圧力差空洞から空気を逃さないようにする、
ことを含む請求項４０９に記載の方法。

【請求項411】

前記圧力差空洞内の圧力は、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体により受け入れられる前に生成される、請求項４０９に記載の方法。

【請求項412】

前記第１コンポーネントの基板吸引通路を通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持するステップを更に含む、請求項４００に記載の方法。

【請求項413】

前記コンタクト部は、前記端子により弾力で押圧することができ、更に、
前記第２コンポーネントのスタンドオフの表面で少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限するステップを含む、請求項４００に記載の方法。

【請求項414】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項４１３に記載の方法。

【請求項415】

接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１の面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を含み、前記スタンドオフは、第２の面に取り付けられる、請求項４１３に記載の方法。

【請求項416】

前記ポータブル支持構造体の第１インターフェイスのランドを、前記固定構造体の第２インターフェイスの複数の一致する部材に対して配置するステップと、
前記ランドで前記部材を弾力で押圧するステップと、
を更に備えた請求項３９９に記載の方法。

【請求項417】

前記ポータブル支持構造体の表面を、前記固定構造体の熱チャックの表面に対して配置するステップと、
それら表面を通して熱を伝達するステップと、
を更に備えた請求項４１６に記載の方法。

【請求項418】

前記ポータブル支持構造体の表面と前記熱チャックとの間に画成された熱インターフェイス空洞の空気圧を下げるステップを更に備えた、請求項４１７に記載の方法。

【請求項419】

前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通してその熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項４１８に記載の方法。

【請求項420】

前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞シールを配置し、その熱インターフェイス空洞シールと前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成するステップを更に備えた、請求項４１９に記載の方法。

【請求項421】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される、請求項３９９に記載の方法。

【請求項422】

前記第２区分と第３区分との間の熱チャックの温度は、前記第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度であり、前記第１区分と第４区分との間の熱チャックの温度は、前記第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度である、請求項４２１に記載の方法。

【請求項423】

前記第１区分の流体と第４区分の流体との間の温度差は、前記第２区分の流体と第３区分の流体との間より大きい、請求項４２２に記載の方法。

【請求項424】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第３区分の後に第４区分を直列に有し、該第４区分は、前記第１区分と第２区分との間に位置される、請求項４２１に記載の方法。

【請求項425】

前記第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である、請求項３９９に記載の方法。

【請求項426】

前記第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして前記第３区分は、第１螺旋上に位置されない第２の螺旋の区分である、請求項３９９に記載の方法。

【請求項427】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は２１℃より高い、請求項３９９に記載の方法。

【請求項428】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項４２７に記載の方法。

【請求項429】

流体が２１℃より上で流体入口に入った後に熱が最初に流体から基板へ伝達される、請求項４２８に記載の方法。

【請求項430】

流体が流体入口に入るときに、流体の温度は１００℃より高い、請求項４２７に記載の方法。

【請求項431】

流体は、再循環される、請求項４２７に記載の方法。

【請求項432】

マイクロエレクトロニック回路で実行されるテストは、バーンインテストである、請求項３９９に記載の方法。

【請求項433】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項３９９に記載の方法。

【請求項434】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項３９９に記載の方法。

【請求項435】

マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有する基板を保持するためのポータブル支持構造体と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記端子への接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第１のインターフェイスと、
固定構造体であって、前記ポータブル支持構造体は、この固定構造体により保持されるべく受け入れることができ且つ固定構造体から除去できるようにされた固定構造体と、
前記固定構造体上の第２のインターフェイスであって、前記ポータブル構造体が前記固定構造体により保持されるときに前記第１のインターフェイスに接続され、且つ前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体から除去されるときには前記第１のインターフェイスから切断されるような第２インターフェイスと、
流体が熱制御通路の外部にあるときに流体に熱を伝達するヒータと、
前記固定構造体上にあり、入口と、出口と、その入口から出口へ流体を流すための入口と出口との間の少なくとも１つの区分とをもつ熱制御通路を有する熱チャックであって、その熱制御通路においてこの熱チャックを通して基板と流体との間に熱を伝達するような熱チャックと、
前記第２のインターフェイス、前記第１のインターフェイス及び前記コンタクト部を通して前記端子に接続された電気テスターであって、この電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送してマイクロエレクトロニック回路をテストするようにした電気テスターと、
を備えたテスター装置。

【請求項436】

前記ポータブル支持構造体は、間に基板を保持するための第１及び第２のコンポーネントを含み、前記コンタクト部は、第２のコンポーネント上に配置され、そしてそれらコンポーネントは、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために互いに移動可能である、請求項４３５に記載のテスター装置。

【請求項437】

前記第２のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第１コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも１．５である、請求項４３６に記載のテスター装置。

【請求項438】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項４３７に記載のテスター装置。

【請求項439】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項４３７に記載のテスター装置。

【請求項440】

前記第１のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項４３７に記載のテスター装置。

【請求項441】

前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間にあり、それらの第１及び第２のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項４３６に記載のテスター装置。

【請求項442】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項４４１に記載のテスター装置。

【請求項443】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１コンポーネントに固定される、請求項４４１に記載のテスター装置。

【請求項444】

前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項４４１に記載のテスター装置。

【請求項445】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、この第１バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにする、請求項４４１に記載のテスター装置。

【請求項446】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項４４５に記載のテスター装置。

【請求項447】

前記第１コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項４３６に記載のテスター装置。

【請求項448】

前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第２コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項４３６に記載のテスター装置。

【請求項449】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項４４８に記載のテスター装置。

【請求項450】

接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第２の面に取り付けられる、請求項４４８に記載のテスター装置。

【請求項451】

前記第１インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第２インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動できるように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項４３５に記載のテスター装置。

【請求項452】

前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項４５１に記載のテスター装置。

【請求項453】

前記固定構造体は、熱チャックを備え、前記ポータブル支持構造体は、この熱チャックに接触し、前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間で熱を伝達できるようにする、請求項４５１に記載のテスター装置。

【請求項454】

前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項４５３に記載のテスター装置。

【請求項455】

前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックの両方に接触する熱インターフェイス空洞シールを更に含み、この熱インターフェイス空洞シールは、前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成する、請求項４５４に記載のテスター装置。

【請求項456】

前記熱制御通路は、第１、第２及び第３区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第１区分と第２区分との間に第３区分が位置される、請求項４３５に記載のテスター装置。

【請求項457】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、該第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される、請求項４５６に記載のテスター装置。

【請求項458】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、該第４区分は、第１区分と第２区分との間に位置される、請求項４５７に記載のテスター装置。

【請求項459】

前記第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である、請求項４５６に記載のテスター装置。

【請求項460】

前記第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして前記第３の区分は、第１螺旋上に位置されない第２螺旋の区分である、請求項４５６に記載のテスター装置。

【請求項461】

ヒータを更に備え、流体が前記熱制御通路の外側にあるときにこのヒータにより流体に熱が伝達される、請求項４３５に記載のテスター装置。

【請求項462】

前記ヒータは、電気ヒータである、請求項４６１に記載のテスター装置。

【請求項463】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項４６１に記載のテスター装置。

【請求項464】

熱は、最初、流体が２１℃より上で流体入口に入った後に流体から基板へ伝達される、請求項４６３に記載のテスター装置。

【請求項465】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は１００℃より高い、請求項４６１に記載のテスター装置。

【請求項466】

流体は、再循環される、請求項４６１に記載のテスター装置。

【請求項467】

前記ポータブル支持構造体を前記固定構造体に対して移動して前記第１インターフェイスを前記第２インターフェイスに係合させるために互いに対して作動できる第１及び第２のアクチュエータ断片を有する少なくとも１つのインターフェイスアクチュエータを更に備えた、請求項４３５に記載のテスター装置。

【請求項468】

前記第１及び第２の断片は、各々、シリンダ及びピストンであり、ピストンは、シリンダの内面に沿ってスライドする、請求項４６７に記載のテスター装置。

【請求項469】

テスターによりマイクロエレクトロニック回路において実行されるテストは、バーンインテストである、請求項４３５に記載のテスター装置。

【請求項470】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項４３５に記載のテスター装置。

【請求項471】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項４３５に記載のテスター装置。

【請求項472】

基板により保持されたマイクロエレクトロニック回路をテストする方法において、
マイクロエレクトロニック回路に接続された基板の端子に対するコンタクト部を有するポータブル支持構造体に基板を保持するステップと、
前記ポータブル支持構造体の第１インターフェイスが固定構造体の第２インターフェイスに接続されるようにして固定構造体により前記ポータブル支持構造体を受け入れるステップと、
前記固定構造体の熱チャックにおける熱制御通路の少なくとも１つの区分を通して流体入口から流体出口へ流体を通過させるステップであって、流体が流体入口に入るときに流体の温度は２１℃より高いステップと、
前記熱制御通路の流体と基板との間で熱を伝達して基板の温度を制御するステップと、
前記端子、コンタクト部、第１及び第２のインターフェイスを通して、電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストするステップと、
を備えた方法。

【請求項473】

前記基板は、前記ポータブル支持構造体の第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に保持され、前記コンタクト部は、前記第２コンポーネントにあり、更に、
前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動するステップ、
を備えた請求項４７２に記載の方法。

【請求項474】

前記第２のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第１コンポーネントの熱膨張係数との熱膨張係数比は、少なくとも１．５である、請求項４７３に記載の方法。

【請求項475】

前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１の基板温度から第２の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第１の分配ボード温度から第２の分配ボード温度へ加熱し、そして第２の分配ボード温度と第１の分配ボード温度の差と、第２の基板温度と第１の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも１．５である、請求項４７４に記載の方法。

【請求項476】

前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、０．８５ないし１．１５である、請求項４７４に記載の方法。

【請求項477】

前記第１コンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項４７４に記載の方法。

【請求項478】

前記第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間にシールを形成して、前記第１及び第２コンポーネントの表面及びこのシールによって包囲された空洞を形成するステップと、
前記包囲空洞内の圧力を下げて、前記第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動させるステップと、
を更に備えた請求項４７３に記載の方法。

【請求項479】

前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び端子を取り巻く、請求項４７８に記載の方法。

【請求項480】

前記圧力差空洞シールは、前記第１及び第２のコンポーネントが離れるときは前記第１のコンポーネントに固定される、請求項４７８に記載の方法。

【請求項481】

前記基板空洞シールは、リップシールで形成される、請求項４７８に記載の方法。

【請求項482】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、前記圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、更に、
前記第１バルブを開いて、前記圧力差空洞から空気を出せるようにし、
前記第１バルブを閉じて、前記圧力差空洞に空気が入らないようにする、
ことを含む請求項４７８に記載の方法。

【請求項483】

前記第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブが設けられ、更に、
前記真空解放バルブを開いて、前記圧力差空洞へ空気を入れることができ、
前記バルブを閉じて、前記圧力差空洞から空気を逃さないようにする、
ことを含む請求項４８２に記載の方法。

【請求項484】

前記圧力差空洞内の圧力は、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体により受け入れられる前に生成される、請求項４８２に記載の方法。

【請求項485】

前記第１コンポーネントの基板吸引通路を通して空気を圧送して、前記第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第１コンポーネントに対して基板を保持するステップを更に含む、請求項４７３に記載の方法。

【請求項486】

前記コンタクト部は、前記端子により弾力で押圧することができ、更に、
前記第２コンポーネントのスタンドオフの表面で少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限するステップを含む、請求項４７３に記載の方法。

【請求項487】

前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項４８６に記載の方法。

【請求項488】

接着性であって前記第２コンポーネントに取り付けられる第１の面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を含み、前記スタンドオフは、第２の面に取り付けられる、請求項４８６に記載の方法。

【請求項489】

前記ポータブル支持構造体の第１インターフェイスのランドを、前記固定構造体の第２インターフェイスの複数の一致する部材に対して配置するステップと、
前記ランドで前記部材を弾力で押圧するステップと、
を更に備えた請求項４７２に記載の方法。

【請求項490】

前記ポータブル支持構造体の表面を、前記固定構造体の熱チャックの表面に対して配置するステップと、
それら表面を通して熱を伝達するステップと、
を更に備えた請求項４８９に記載の方法。

【請求項491】

前記ポータブル支持構造体の表面と前記熱チャックとの間に画成された熱インターフェイス空洞の空気圧を下げるステップを更に備えた、請求項４９０に記載の方法。

【請求項492】

前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通してその熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項４９１に記載の方法。

【請求項493】

前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞シールを配置し、その熱インターフェイス空洞シールと前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成するステップを更に備えた、請求項４９２に記載の方法。

【請求項494】

前記熱制御通路は、第１、第２及び第３区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第１区分と第２区分との間に第３区分が位置される、請求項４７２に記載の方法。

【請求項495】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第３区分の後に第４区分を直列に有し、該第４区分は、前記第２区分と第３区分との間に位置される、請求項４９４に記載の方法。

【請求項496】

前記第２区分と第３区分との間の熱チャックの温度は、前記第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度であり、前記第１区分と第４区分との間の熱チャックの温度は、前記第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度である、請求項４９５に記載の方法。

【請求項497】

前記第１区分の流体と第４区分の流体との間の温度差は、前記第２区分の流体と第３区分の流体との間より大きい、請求項４９６に記載の方法。

【請求項498】

前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第３区分の後に第４区分を直列に有し、該第４区分は、前記第１区分と第２区分との間に位置される、請求項４９５に記載の方法。

【請求項499】

前記第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である、請求項４９４に記載の方法。

【請求項500】

前記第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして前記第３区分は、第１螺旋上に位置されない第２の螺旋の区分である、請求項４９４に記載の方法。

【請求項501】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は２１℃より高い、請求項４７２に記載の方法。

【請求項502】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項５０１に記載の方法。

【請求項503】

流体が２１℃より上で流体入口に入った後に熱が最初に流体から基板へ伝達される、請求項５０２に記載の方法。

【請求項504】

流体が流体入口に入るときに、流体の温度は１００℃より高い、請求項５０１に記載の方法。

【請求項505】

流体は、再循環される、請求項５０１に記載の方法。

【請求項506】

マイクロエレクトロニック回路で実行されるテストは、バーンインテストである、請求項４７２に記載の方法。

【請求項507】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項４７２に記載の方法。

【請求項508】

前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項４７２に記載の方法。

【請求項509】

少なくとも１つの集積回路を載せ且つその集積回路に接続された端子を有する少なくとも１つの基板の複数の端子へコンタクト部を通して接続される電気テスターを備え、集積回路をテストするためにこの電気テスターと集積回路との間に電流が導通され、この電気テスターは、互いに並列に接続された複数のｎ＋１個の電源回路を含み、これらｎ＋１個の電源回路により集積回路へ電力が供給され、電源回路の１つがフェイルした場合にも、ｎ個の電源回路によって集積回路へ電力が依然供給されるようにした、テスター装置。

【請求項510】

電流分担回路を更に備え、これは、
（ｉ）ｎ＋１個の電源回路のうちの１つの電源回路の電力の減少を少なくとも検出し、
（ii）ｎ＋１個の電源回路のうちの１つの電源回路からの接続をスイッチオフして、ｎ＋１個の電源回路のうちの１つの電源回路からの電流を排除し、電流がｎ個の電源回路で分担されるようにする、
請求項５０９に記載のテスター装置。

【請求項511】

前記電流分担回路は、前記電源回路の各々からのパワーロスを各々検出する複数の欠陥検出回路を備えた、請求項５１０に記載のテスター装置。

【請求項512】

複数の電源回路の少なくとも１つから付勢される電源制御回路を更に備え、この電源制御回路は、前記電源回路を、複数の電源回路のうちの第１の個数により電力が供給されるテストモードと、第１の個数より小さい第２の個数の電源回路により電力が供給される節電モードとの間でスイッチングさせる、請求項５０９に記載のテスター装置。

【請求項513】

前記集積回路へ信号を与える信号エレクトロニック装置を更に備えた、請求項５０９に記載のテスター装置。

【請求項514】

少なくとも１つの基板を保持するための支持構造体と、
前記端子に接触させるために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
を備え、前記電気テスターは、前記コンタクト部を通して前記端子に接続され、前記電気テスターと集積回路との間に電流が導通して、集積回路をテストするようにした、請求項５０９に記載のテスター装置。

【請求項515】

少なくとも１つの基板によって保持された少なくとも１つの回路をテストする方法において、
集積回路に接続された基板の端子に対してコンタクト部を配置するステップと、
前記端子及びコンタクト部を通して電気テスターと集積回路との間に電流を導通して、集積回路をテストするステップであって、互いに並列に接続された複数のｎ＋１個の電源回路を通して電力を供給して、これらｎ＋１個の電源回路により少なくとも１つの基板の集積回路へ電力が供給されるようにし、電源回路の１つがフェイルしても、ｎ個の電源回路によって集積回路へ電流を依然供給するようにしたステップと、
を備えた方法。

【請求項516】

ｎ＋１個の電源のうちの１つの電源の電力の減少を少なくとも検出するステップと、
ｎ＋１個の電源のうちの１つの電源からの接続をスイッチオフして、ｎ＋１個の電源のうちの１つの電源からの電流を排除し、電流がｎ個の電源回路で分担されるようにするステップと、
を更に備えた請求項５１５に記載の方法。

【請求項517】

前記電源回路の各々からのパワーロスを個別の欠陥検出回路で検出するステップを更に備えた、請求項５１５に記載の方法。

【請求項518】

前記複数の電源回路の少なくとも１つから電源制御回路へ電力を供給するステップと、
前記電源制御回路を使用して、前記複数の電源回路のうちの第１の個数により電力が供給されるテストモードと、第１の個数より小さい第２の個数の電源回路により電力が供給される節電モードとの間をスイッチングさせるステップと、
を更に備えた請求項５１５に記載の方法。

【請求項519】

前記集積回路へ信号を与えるステップを更に備えた、請求項５１５に記載の方法。

【請求項520】

少なくとも１つの集積回路を載せ且つその集積回路に接続された端子を有する少なくとも１つの基板の複数の端子へコンタクト部を通して接続される電気テスターであって、前記集積回路をテストするためにこの電気テスターと前記集積回路の間に電流が導通され、更に、この電気テスターは、前記コンタクト部に接続された複数の電源回路を含み、前記コンタクト部に接続されたこれら複数の電源回路を通して電力を供給するようにした電気テスターと、
前記複数の電源回路の少なくとも１つから付勢される電源制御回路であって、前記電源回路を、複数の電源回路のうちの第１の個数により電力が供給されるテストモードと、第１の個数より小さい第２の個数の電源回路により電力が供給される節電モードとの間でスイッチングさせる電源制御回路と、
を備えたテスター装置。

【請求項521】

互いに並列に接続された複数のｎ＋１個の電源回路があり、これらｎ＋１個の電源回路により集積回路へ電力が供給され、電源回路の１つがフェイルしても、ｎ個の電源回路によって集積回路へ電力が依然供給される、請求項５２０に記載のテスター装置。

【請求項522】

電流分担回路を更に備え、これは、
（ｉ）ｎ＋１個の電源回路のうちの１つの電源回路の電力の減少を少なくとも検出し、
（ii）ｎ＋１個の電源回路のうちの１つの電源回路からの接続をスイッチオフして、ｎ＋１個の電源回路のうちの１つの電源回路からの電流を排除し、電流がｎ個の電源回路で分担されるようにする、
請求項５２１に記載のテスター装置。

【請求項523】

前記電流分担回路は、前記電源回路の各々からのパワーロスを各々検出する複数の欠陥検出回路を備えた、請求項５２２に記載のテスター装置。

【請求項524】

前記集積回路へ信号を与える信号エレクトロニック装置を更に備えた、請求項５２０に記載のテスター装置。

【請求項525】

少なくとも１つの基板を保持するための支持構造体と、
前記端子に接触させるために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
を備え、前記電気テスタは、前記コンタクト部を通して前記端子に接続されて、前記電気テスターと集積回路との間に電流が導通して、集積回路をテストするようにした、請求項５２０に記載のテスター装置。

【請求項526】

少なくとも１つの基板によって保持された少なくとも１つの回路をテストする方法において、
集積回路に接続された基板の端子に対してコンタクト部を配置するステップと、
前記端子及びコンタクト部を通して電気テスターと集積回路との間に電流を導通して、集積回路をテストするステップであって、前記コンタクト部に接続された電源回路を通して電力を供給するようにしたステップと、
前記電源回路を、複数の電源回路のうちの第１の個数により電力が供給されるテストモードと、第１の個数より小さい第２の個数の電源回路により電力が供給される節電モードとの間でスイッチングさせるステップと、
を備えた方法。

【請求項527】

互いに並列に接続された複数のｎ＋１個の電源回路があり、これらｎ＋１個の電源回路により少なくとも１つの基板の集積回路へ電力が供給され、電源回路の１つがフェイルしても、ｎ個の電源回路によって集積回路へ電流を依然供給するようにした、請求項５２６に記載の方法。

【請求項528】

ｎ＋１個の電源のうちの１つの電源の電力の減少を少なくとも検出するステップと、
ｎ＋１個の電源のうちの１つの電源からの接続をスイッチオフして、ｎ＋１個の電源のうちの１つの電源からの電流を排除し、電流がｎ個の電源回路で分担されるようにするステップと、
を更に備えた請求項５２７に記載の方法。

【請求項529】

前記電源回路の各々からのパワーロスを個別の欠陥検出回路で検出するステップを更に備えた、請求項５２８に記載の方法。

【請求項530】

前記集積回路へ信号を与えるステップを更に備えた、請求項５２６に記載の方法。

【請求項531】

少なくとも１つの集積回路を載せ且つその集積回路に接続された端子を有する少なくとも１つの基板の複数の端子へコンタクト部を通して接続される電気テスターを備え、前記集積回路をテストするためにこの電気テスターと前記集積回路の間に電流が導通され、更に、この電気テスターは、前記コンタクト部に接続された電源回路を含み、前記コンタクト部に接続されたこの電源回路を通して電力が供給され、前記電源回路は、異なる大きさの個別の電流が個別のチャンネルへ供給される第１コンフィギュレーションと、個別のチャンネルへの電流が共通の基準に従う第２コンフィギュレーションとの間での電流スイッチングを行うよう構成可能な電流コンフィギュレーション回路を有する、テスター装置。

【請求項532】

前記電流コンフィギュレーション回路は、その電流コンフィギュレーション回路が前記第１コンフィギュレーションにあるときには個別の基準に従う出力電流を各々有する複数
の電流増幅器を含む、請求項５３１に記載のテスター装置。

【請求項533】

個別のチャンネルへの電流を増幅する電流増幅器を更に備えた、請求項５３１に記載のテスター装置。

【請求項534】

前記集積回路へ信号を与える信号エレクトロニック装置を更に備えた、請求項５３１に記載のテスター装置。

【請求項535】

少なくとも１つの基板を保持するための支持構造体と、
前記端子に接触させるために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
を備え、前記電気テスターは、前記コンタクト部を通して前記端子に接続され、前記電気テスターと集積回路との間に電流が導通して、集積回路をテストするようにした、請求項５３１に記載のテスター装置。

【請求項536】

少なくとも１つの基板によって保持された少なくとも１つの回路をテストする方法において、
集積回路に接続された基板の端子に対してコンタクト部を配置するステップと、
前記端子及びコンタクト部を通して電気テスターと集積回路との間に電流を導通して、集積回路をテストするステップと、
異なる大きさの個別の電流が個別のチャンネルへ供給される第１コンフィギュレーションと、個別のチャンネルへの電流が共通の基準に従う第２コンフィギュレーションとの間でスイッチングするステップと、
を備えた方法。

【請求項537】

前記電流コンフィギュレーション回路は、その電流コンフィギュレーション回路が前記第１コンフィギュレーションにあるときには個別の基準に従う出力電流を各々有する複数の電流増幅器を含む、請求項５３６に記載の方法。

【請求項538】

前記個別のチャンネルへの電流を増幅するステップを更に備えた、請求項５３６に記載の方法。

【請求項539】

前記集積回路へ信号を与えるステップを更に備えた、請求項５３６に記載の方法。

【請求項540】

少なくとも１つの集積回路を載せ且つその集積回路に接続された端子を有する少なくとも１つの基板の複数の端子へコンタクト部を通して接続される電気テスターを備え、前記集積回路をテストするためにこの電気テスターと前記集積回路の間に電流が導通され、更に、この電気テスターは、前記コンタクト部に接続された電源回路を含み、前記コンタクト部に接続されたこの電源回路を通して電力が供給され、前記電源回路は、個別のチャンネルへの電流を増幅する電流増幅器を有する、テスター装置。

【請求項541】

異なる大きさの個別の電流が個別のチャンネルへ供給される第１コンフィギュレーションと、個別のチャンネルへの電流が共通の基準に従う第２コンフィギュレーションとの間での電流スイッチングを行うよう構成可能な電流コンフィギュレーション回路を更に備えた、請求項５４０に記載のテスター装置。

【請求項542】

前記電流コンフィギュレーション回路は、その電流コンフィギュレーション回路が前記第１コンフィギュレーションにあるときには個別の基準に従う出力電流を各々有する複数の電流増幅器を含む、請求項５４１に記載のテスター装置。

【請求項543】

前記集積回路へ信号を与える信号エレクトロニック装置を更に備えた、請求項５４０に
記載のテスター装置。

【請求項544】

少なくとも１つの基板を保持するための支持構造体と、
前記端子に接触させるために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
を備え、前記電気テスターは、前記コンタクト部を通して前記端子に接続され、前記電気テスターと集積回路との間に電流が導通して、集積回路をテストするようにした、請求項５４０に記載のテスター装置。

【請求項545】

少なくとも１つの基板によって保持された少なくとも１つの回路をテストする方法において、
集積回路に接続された基板の端子に対してコンタクト部を配置するステップと、
個別のチャンネルへの電流を増幅するステップと、
前記端子及びコンタクト部を通して電気テスターと集積回路との間に電流を導通して、集積回路をテストするステップと、
を備えた方法。

【請求項546】

異なる大きさの個別の電流が個別のチャンネルへ供給される第１コンフィギュレーションと、個別のチャンネルへの電流が共通の基準に従う第２コンフィギュレーションとの間を電流コンフィギュレーション回路でスイッチングするステップを更に備えた、請求項５４５に記載の方法。

【請求項547】

前記電流コンフィギュレーション回路は、その電流コンフィギュレーション回路が前記第１コンフィギュレーションにあるときには個別の基準に従う出力電流を各々有する複数の電流増幅器を含む、請求項５４６に記載の方法。

【請求項548】

前記集積回路へ信号を与えるステップを更に備えた、請求項５４５に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、全ウェハテスト及び／又はバーンインテスト及び／又はバーンイン自己テストに使用される装置に係る。

【0002】

関連出願の相互参照：本出願は、参考としてここにそのまま援用される２００７年４月５日に出願された米国プロビジョナル特許出願第６０／９１０，４３３号の優先権を主張するものである。

【背景技術】

【0003】

マイクロエレクトロニック回路は、通常、半導体ウェハ内及びその上に製造される。このようなウェハは、その後、個々のダイへと「単体化」又は「ダイス化」される。このようなダイは、典型的に、堅牢性を与えると共にダイの集積回路又はマイクロエレクトロニック回路とのエレクトロニック通信を行う目的で支持基板にマウントされる。最終的なパッケージングは、ダイのカプセル化を含み、出来上がったパッケージを顧客へ出荷することができる。

【0004】

ダイ又はパッケージは、顧客へ出荷する前にテストすることが必要である。理想的には、初期の製造段階中に生じる欠陥を識別するために、ダイを初期段階でテストしなければならない。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ダイをテストできる最も早い段階は、ウェハレベルでのマイクロエレクトロニック回路の製造が完了した後であって且つウェハが単体化される前である。完全ウェハテストは、多数の挑戦を伴う。完全ウェハテストにおける１つの挑戦は、ウェハ上に多数のコンタクト部があり、従って、非常に多数の電力、接地、及び信号接続を行わねばならないことである。別の挑戦は、ウェハを比較的高い温度で安定に維持できる一方、操作が簡単で比較的低廉なシステムをなすような熱管理システムがバーンインテストに要求されることである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

マイクロエレクトロニック回路（超小型電子回路）を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有する基板を保持するためのポータブル支持構造体と、このポータブル支持構造体上にあって端子への接触をなすために端子に一致する複数のコンタクト部と、ポータブル支持構造体上にありコンタクト部に接続された第１のインターフェイスであって、ポータブル支持構造体が固定構造体により取り外し可能に保持されたときに固定構造体の第２のインターフェイスに接続されるような第１のインターフェイスと、を備えたポータブルパックが提供される。

【0007】

ポータブル支持構造体は、間に基板を保持するための第１及び第２のコンポーネントを含み、コンタクト部は、第２のコンポーネント上に配置され、そしてそれらコンポーネントは、コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために互いに移動可能である。

【0008】

第２のコンポーネントは、信号分配ボード及びコンタクタを備え、信号分配ボードのＣＴＥとコンタクタのＣＴＥとのＣＴＥ比は、１ではない。コンタクタは、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１のコンタクタ温度から第２のコンタクタ温度へ加熱し、信号分配ボードは、第１の信号分配ボード温度から第２の信号分配ボード温度へ加熱し、そして第２の信号分配ボード温度と第１の信号分配ボード温度の差と、第２のコンタクタ温度と第１のコンタクタ温度の差との温度変化比にＣＴＥ比を乗算したものは、ＣＴＥ比よりも１に近い。

【0009】

熱膨張係数比に温度変化比を乗算したものは、０．８ないし１．２である。

【0010】

第１のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである。

【0011】

ポータブルパックは、更に、第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを含み、この圧力差空洞シールは、第１及び第２のコンポーネントの表面と共に包囲された圧力差空洞を形成し、圧力差空洞内には減圧通路があって、これを通して、圧力差空洞から空気を除去して第１及び第２のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動させることができる。

【0012】

圧力差空洞シールは、コンタクト部及び端子を取り巻く。

【0013】

圧力差空洞シールは、第１及び第２のコンポーネントが離れるときは第１のコンポーネントに固定される。

【0014】

圧力差空洞シールは、リップシールである。

【0015】

前記コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、この第１バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる。

【0016】

第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブが設けられ、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする。

【0017】

ポータブルパックは、更に、第１のコンポーネントに基板吸引通路を備え、これを通して空気を圧送して、第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、第１コンポーネントに対して基板を保持することができる。

【0018】

コンタクト部は、端子により弾力で押圧することができ、ポータブルパックは、更に、第２コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する。

【0019】

コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される。

【0020】

ポータブルパックは、更に、接着性であって第２コンポーネントに取り付けられる第１面と、接着性である第２の逆の面とを有する層を含み、スタンドオフは、第２の面に取り付けられる。

【0021】

第１のインターフェイスは、複数のランドを含み、第２のインターフェイスは、それらのランドに一致し且つそれらのランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含み、固定構造体に対して移動できるようにされる。

【0022】

ランド及び端子は、平行な平面内にある。

【0023】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである。

【0024】

コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子によって押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する。

【0025】

又、本発明は、マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有する基板を保持するためのポータブル支持構造体と、このポータブル支持構造体上にあって端子への接触をなすために端子に一致する複数のコンタクト部と、ポータブル支持構造体上にあってコンタクト部に接続された第１のインターフェイスと、固定構造体であって、ポータブル支持構造体がこの固定構造体により保持されるべく受け入れることができ且つ固定構造体から除去できるようにされた固定構造体と、固定構造体における第２のインターフェイスであって、ポータブル構造体が固定構造体により保持されるときに第１のインターフェイスに接続され、且つポータブル支持構造体が固定構造体から除去されるときに第１のインターフェイスから切断されるような第２のインターフェイスと、第２のインターフェイス、第１のインターフェイス及びコンタクト部を通して端子に接続された電気テスターであって、この電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送してマイクロエレクトロニック回路をテストするようにした電気テスターとを備えた種類のテスター装置にも係る。

【0026】

ポータブル支持構造体は、間に基板を保持するための第１及び第２のコンポーネントを含み、コンタクト部は、第２のコンポーネント上に配置され、そしてそれらコンポーネントは、コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために互いに移動可能である。

【0027】

第２のコンポーネントは、信号分配ボード及びコンタクタを備え、信号分配ボードのＣＴＥとコンタクタのＣＴＥとのＣＴＥ比は、１ではない。コンタクタは、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第１のコンタクタ温度から第２のコンタクタ温度へ加熱し、信号分配ボードは、第１の信号分配ボード温度から第２の信号分配ボード温度へ加熱し、そして第２の信号分配ボード温度と第１の信号分配ボード温度の差と、第２のコンタクタ温度と第１のコンタクタ温度の差との温度変化比にＣＴＥ比を乗算したものは、ＣＴＥ比よりも１に近い。

【0028】

熱膨張係数比に温度変化比を乗算したものは、０．８ないし１．２である。

【0029】

第１のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである。

【0030】

テスター装置は、更に、第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを含み、この圧力差空洞シールは、第１及び第２のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成し、圧力差空洞内には減圧通路があって、これを通して、圧力差空洞から空気を除去して第１及び第２のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動させることができる。

【0031】

圧力差空洞シールは、コンタクト部及び端子を取り巻く。

【0032】

圧力差空洞シールは、第１及び第２のコンポーネントが離れるときは第１のコンポーネントに固定される。

【0033】

圧力差空洞シールは、リップシールである。

【0034】

コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、この第１バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにする。

【0035】

第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブが設けられ、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする。

【0036】

テスター装置は、更に、第１コンポーネントに基板吸引通路を備え、これを通して空気を圧送して、第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、第１コンポーネントに対して基板を保持することができる。

【0037】

コンタクト部は、端子により弾力で押圧することができ、更に、第２コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する。

【0038】

コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される。

【0039】

テスター装置は、更に、接着性であって第２コンポーネントに取り付けられる第１面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を含み、スタンドオフは、第２の面に取り付けられる。

【0040】

第１のインターフェイスは、複数のランドを含み、第２のインターフェイスは、それらのランドに一致し且つそれらのランドによって弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含み、固定構造体に対して移動できるようにされる。

【0041】

ランド及び端子は、平行な平面内にある。

【0042】

固定構造体は、熱チャックを備え、ポータブル支持構造体は、この熱チャックに接触し、ポータブル支持構造体と熱チャックとの間で熱を伝達できるようにする。

【0043】

ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成（形成）され、熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される。

【0044】

テスター装置は、更に、ポータブル支持構造体及び熱チャックの両方に接触する熱インターフェイス空洞シールを含み、この熱インターフェイス空洞シールは、ポータブル支持構造体及び熱チャックと共に熱インターフェイス空洞を画成する。

【0045】

テスター装置は、更に、固定構造体に熱チャックを含み、この熱チャックは、入口及び出口をもつ熱制御通路を有し、入口と出口との間には入口から出口へ流体が流れるようにするための少なくとも１つの区分があり、熱制御通路において基板と流体との間で熱チャックを通して熱が伝達する。

【0046】

熱制御通路は、第１、第２及び第３区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第１区分と第２区分との間に第３区分が位置される。

【0047】

熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される。

【0048】

熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第１区分と第２区分との間に位置される。

【0049】

第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である。

【0050】

第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして第３の区分は、第１螺旋上に位置された第２の螺旋の区分である。

【0051】

テスター装置は、更に、ヒータを備え、流体が熱制御通路の外側にあるときにこのヒータにより流体に熱が伝達される。

【0052】

ヒータは、電気ヒータである。

【0053】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される。

【0054】

熱は、最初、流体が２１℃より上で流体入口に入った後に流体から基板へ伝達される。

【0055】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は１００℃より高い。

【0056】

流体は、再循環される。

【0057】

テスター装置は、更に、ポータブル支持構造体を固定構造体に対して移動して第１インターフェイスを第２インターフェイスに係合させるために互いに対して作動できる第１及び第２のアクチュエータ断片を有する少なくとも１つのインターフェイスアクチュエータを備えている。

【0058】

第１及び第２の断片は、各々、シリンダ及びピストンであり、ピストンは、シリンダの内面に沿ってスライドする。

【0059】

テスターによりマイクロエレクトロニック回路において実行されるテストは、バーンインテストである。

【0060】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである。

【0061】

コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する。

【0062】

又、本発明は、基板により保持されたマイクロエレクトロニック回路をテストする方法において、マイクロエレクトロニック回路に接続された基板の端子に対するコンタクト部を有するポータブル支持構造体に基板を保持するステップと、ポータブル支持構造体の第１インターフェイスが固定構造体の第２インターフェイスに接続されるようにして固定構造体によりポータブル支持構造体を受け入れるステップと、電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間で端子、コンタクト部、第１及び第２のインターフェイスを通して信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストするステップと、を備えた方法にも係る。

【0063】

基板は、ポータブル支持構造体の第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に保持され、コンタクト部は、第２のコンポーネント上にあり、更に、コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動するステップを備えている。

【0064】

ポータブル支持構造体は、基板と共に、第１及び第２の要素を含み、第１要素のＣＴＥと第２要素のＣＴＥとのＣＴＥ比は、１に等しくない。

【0065】

ＣＴＥ比に温度変化比を乗算したものは、０．８から１．２であるのが好ましい。

【0066】

第１及び第２要素は、基板の同じ側にある信号分配ボード及びコンタクタである。

【0067】

要素の１つは、基板である。

【0068】

第１コンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである。

【0069】

前記方法は、第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを配置して、第１及び第２コンポーネントの表面及び圧力差空洞シールにより包囲された空洞を形成するステップと、圧力差空洞シールの空洞内の圧力を下げて、第１及び第２のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動させるステップと、を更に備えている。

【0070】

圧力差空洞シールは、コンタクト部及び端子を取り巻く。

【0071】

圧力差空洞シールは、第１及び第２のコンポーネントが離れるときは第１のコンポーネントに固定される。

【0072】

基板空洞シールは、リップシールで形成される。

【0073】

コンポーネントの１つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、減圧通路を有するコンポーネントには第１バルブがあり、更に、この第１バルブを開いて、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じて、圧力差空洞に空気が入らないようにすることを含む。

【0074】

第１バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、真空解放通路を有するコンポーネントには第２の真空解放バルブが設けられ、更に、この真空解放バルブを開いて、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じて、圧力差空洞から空気を逃さないようにする。

【0075】

圧力差空洞内の圧力は、ポータブル支持構造体が固定構造体により受け入れられる前に生成される。

【0076】

前記方法は、更に、第１コンポーネントの基板吸引通路を通して空気を圧送して、第１コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、第１コンポーネントに対して基板を保持することを含む。

【0077】

コンタクト部は、端子により弾力で押圧することができ、更に、第２コンポーネントのスタンドオフの表面で少なくとも１つのコンタクト部の押圧を制限することを含む。

【0078】

コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される。

【0079】

前記方法は、更に、接着性であって第２コンポーネントに取り付けられる第１の面と、接着性である第２の反対の面とを有する層を含み、スタンドオフは、第２の面に取り付けられる。

【0080】

前記方法は、更に、ポータブル支持構造体の第１インターフェイスのランドを、固定構造体の第２インターフェイスの複数の一致する部材に対して配置し、それらのランドでそれらの部材を弾力で押圧することを含む。

【0081】

前記方法は、更に、ポータブル支持構造体の表面を、固定構造体の熱チャックの表面に対して配置し、それら表面を通して熱を伝達することを含む。

【0082】

前記方法は、更に、ポータブル支持構造体の表面と熱チャックとの間に画成された熱インターフェイス空洞の空気圧を下げることを含む。

【0083】

ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ熱インターフェイス真空通路が形成される。

【0084】

前記方法は、更に、ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞シールを配置し、熱インターフェイス空洞シールとポータブル支持構造体及び熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成することを含む。

【0085】

前記方法は、更に、固定構造体上の熱チャックにおける熱制御通路の少なくとも１つの区分を通して流体入口から流体出口へ流体を通過させ、そして熱制御通路の流体と基板との間で熱を伝達して基板の温度を制御することを含む。

【0086】

熱制御通路は、第１、第２及び第３区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第１区分と第２区分との間に第３区分が位置される。

【0087】

熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される。

【0088】

第２区分と第３区分との間の熱チャックの温度は、第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度であり、そして第１区分と第４区分との間の熱チャックの温度は、第１区分の流体の温度から第２区分の流体の温度である。

【0089】

第１区分の流体と第４区分の流体との間の温度差は、第２区分の流体と第３区分の流体との間より大きい。

【0090】

熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第１区分と第２区分との間に位置される。

【0091】

第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である。

【0092】

第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして第３の区分は、第１螺旋上に位置されない第２の螺旋の区分である。

【0093】

流体が流体入口に入るときに流体の温度は１００℃より高い。

【0094】

２１℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される。

【0095】

流体が１００℃より上で流体入口に入った後に熱が最初に流体から基板へ伝達される。

【0096】

流体は、再循環される。

【0097】

マイクロエレクトロニック回路で実行されるテストは、バーンインテストである。

【0098】

基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである。

【0099】

コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子によって押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する。

【0100】

本発明は、更に、入口と、出口と、その流体入口から流体出口への流体の経路に沿って互いに前後に直列にされた少なくとも第１、第２及び第３の区分とをもつ熱制御通路を有する熱チャックを備え、断面平面図において第３区分が第１区分と第２区分との間に配置された熱制御装置を提供する。

【0101】

熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第２区分と第３区分との間に位置される。

【0102】

熱制御通路は、流体の通路に沿って第３区分の後に第４区分を直列に有し、この第４区分は、第１区分と第２区分との間に位置される。

【0103】

第１、第２及び第３区分は、第１螺旋の区分である。

【0104】

第１及び第２区分は、第１螺旋の区分であり、そして第３の区分は、第１螺旋上に位置されない第２の螺旋の区分である。

【0105】

本発明は、更に、少なくとも１つの集積回路を載せ且つ集積回路に接続された端子を有する少なくとも１つの基板の複数の端子へコンタクト部を通して接続される電気テスターを備え、この電気テスターと集積回路との間に電流を導通して集積回路をテストするテスター装置の電気的態様に係る。

【0106】

テスター装置は、更に、コンタクト部に接続された電源回路を備え、コンタクト部に接続されたこの電源回路を通して電力が供給される。

【0107】

複数のｎ＋１個の電源回路が互いに並列に接続されて、このｎ＋１個の電源回路により集積回路へ電力が供給され、電源の１つがフェイルした場合でも、ｎ個の回路により集積回路には依然電力が供給される。

【0108】

テスター装置は、更に、電流分担回路を備え、これは、（ｉ）ｎ＋１個の電源回路のうちの１つの電源回路の電力の低下を少なくとも検出し、そして（ii）ｎ＋１個の電源回路の１つからの接続をスイッチオフして、ｎ＋１個の電源回路の１つからの電流を取り除き、ｎ個の電源回路によって電流を分担するようにする。

【0109】

電流分担回路は、電源回路の各々からのパワーロスを各々検出する複数の欠陥検出回路を備えている。

【0110】

テスター装置は、更に、複数の電源回路の少なくとも１つから付勢される電源制御回路を備え、この電源制御回路は、電源回路を、複数の電源回路のうちの第１の個数により電力が供給されるテストモードと、第１の個数より小さい第２の個数の電源回路により電力が供給される節電モードとの間でスイッチングさせる。

【0111】

テスター装置は、更に、異なる大きさの個別の電流が個別のチャンネルへ供給される第１コンフィギュレーションと、個別のチャンネルへの電流が共通の基準に従う第２コンフィギュレーションとの間で電流をスイッチングするように構成できる電流コンフィギュレーション回路を備えている。

【0112】

この電流コンフィギュレーション回路は、それが第１コンフィギュレーションにあるときに個別の基準に従う出力電流を各々有する複数の電流増幅器を備えている。

【0113】

テスター装置は、更に、個別のチャンネルへの電流を増幅する電流増幅器を備えている。

【0114】

テスター装置は、更に、集積回路へ信号を与える信号エレクトロニック装置を備えている。

【0115】

テスター装置は、更に、少なくとも１つの基板を保持するための支持構造体と、端子に接触させるために端子に一致する複数のコンタクト部とを備え、電気テスターは、コンタクト部を通して端子に接続され、電気テスターと集積回路との間に電流が導通して集積回路をテストする。

【0116】

又、本発明は、少なくとも１つの基板により保持された少なくとも１つの回路をテストする方法において、集積回路に接続された基板の端子に対してコンタクト部を配置し、これら端子及びコンタクト部を通して電気テスターと集積回路との間に電流を導通して集積回路をテストすることを含む方法の電気的態様にも係る。

【0117】

コンタクト部に接続された電源回路を通して電力が供給される。

【0118】

複数のｎ＋１個の電源回路が互いに並列に接続されて、このｎ＋１個の電源回路により少なくとも１つの基板の集積回路へ電力が供給され、電源回路の１つがフェイルしても、ｎ個の回路により集積回路には依然電力が供給される。

【0119】

前記方法は、更に、ｎ＋１個の電源回路のうちの１つの電源回路の電力の低下を少なくとも検出し、そしてｎ＋１個の電源回路の１つからの接続をスイッチオフして、ｎ＋１個の電源回路の１つからの電流を取り除き、ｎ個の電源回路によって電流を分担することを含む。

【0120】

前記方法は、更に、電源回路の各々からのパワーロスを個別の欠陥検出回路で検出ことを含む。

【0121】

前記方法は、更に、複数の電源回路の少なくとも１つから電源制御回路へ電力を供給し、そして電源制御回路を使用して、複数の電源回路のうちの第１の個数により電力が供給されるテストモードと、第１の個数より小さい第２の個数の電源回路によって電力が供給される節電モードとの間でスイッチングさせることを含む。

【0122】

前記方法は、更に、異なる大きさの個別の電流が個別のチャンネルへ供給される第１コンフィギュレーションと、個別のチャンネルへの電流が共通の基準に従う第２コンフィギュレーションとの間でスイッチングすることを含む。

【0123】

電流コンフィギュレーション回路は、それが第１コンフィギュレーションにあるときに個別の基準に従う出力電流を各々有する複数の電流増幅器を備えている。

【0124】

前記方法は、更に、個別のチャンネルへの電流を増幅することを含む。

【0125】

前記方法は、更に、集積回路へ信号を供給することを含む。

【0126】

本発明は、添付図面を参照して一例として以下に詳細に説明される。

【図面の簡単な説明】

【0127】

【図1】ウェハチャック組立体の斜視図である。

【図2】図１の２－２線に沿った断面側面図で、ウェハチャック組立体の一部分及びウェハ基板の一部分を示し、ウェハ基板の垂直寸法は、説明上、誇張されている。

【図3】ウェハチャック組立体及び分配ボード組立体を含む本発明の実施形態によるポータブルパックの斜視図である。

【図4】ポータブルパックを下から見た斜視図である。

【図5】図４と同様であるが、ポータブルパックがアッセンブルされた後の図である。

【図6】図５の６－６線に沿ったポータブルパックの断面側面図である。

【図7】ポータブルパックと、信号分配ボード、コンタクタ及び熱チャックを含む固定構造体のコンポーネントとの断面側面図で、主たる電気的細部を示す図である。

【図8】固定構造体のコンポーネント及びポータブルパックの断面側面図で、主たる構造細部を示す図である。

【図9】熱チャック及びこの熱チャックに取り付けられたコンポーネントの斜視図である。

【図10】本発明の一実施形態によるテスター装置のコンポーネントを示す図である。

【図11】図１０に示す１つの電気テスターの平面図である。

【図12】図１１の電気テスターの構成可能な電源ボードのブロック図である。

【図13A】図１２の構成可能な電源ボードの電源回路及び電力分担回路の回路図である。

【図13B】図１２の構成可能な電源ボードの電圧マスターＤＡＣＳ及びＭＵＸＥＳ回路の回路図である。

【図13C】図１２の構成可能な電源ボードの高電流スレーブの「一次」グループの回路図である。

【図14】図１３Ｃの一次グループの６個の電流増幅器の１つを示す回路図である。

【図15】図１２の構成可能な電源ボードの１つの高電圧スレーブの電圧及び電流増幅器の回路図である。

【発明を実施するための形態】

【0128】

添付図面の図１は、ウェハチャック組立体１０の斜視図であり、そして図２は、ウェハチャック組立体１０の一部分の断面側面図である。ウェハチャック組立体１０は、ウェハチャックコンポーネント１２と、圧力差基板空洞シール１４と、オフセットリング１６と、基板吸引通路バルブ１８とを備えている。

【0129】

ウェハチャックコンポーネント１２は、比較的高い熱伝導率を有するアルミニウム又は別の金属で作られ、所定の比較的低い熱膨張係数を有する。ウェハチャックコンポーネント１２は、円形外面２０と、上面及び下面２２、２４とを有する。外面２０の直径は、典型的に、３５０から４５０ｍｍであり、更に典型的には、約４００ｍｍである。上面２２は、多数の溝が形成されており、外面２０まで延びている。又、下面２４も、外面２０まで延びる単一平面で形成されている。上面２２及び下面２４の平面は、互いに平行である。下面２４は、上面２２と同じ表面積を有する。

【0130】

オフセットリング１６は、上面２６及び下面２８を有する。オフセットリング１６の下面２８は、ウェハチャックコンポーネント１２の上面２２の上に位置され、そしてオフセットリング１６は、ウェハチャックコンポーネント１２に固定具３０で固定される。従って、オフセットリング１６の上面２６は、ウェハチャックコンポーネント１２の上面２２の平面から垂直方向に離間された平面内にある。

【0131】

又、オフセットリング１６も、内面３２及び外面３４を有する。内面３２は、ウェハチャックコンポーネント１２の上面２２の中央部分と共に、円形外縁を有するウェハを受け入れるための円形凹所３６を画成する。ここに示す例では、ウェハは、直径約２００ｍｍである。大きなウェハは、オフセットリング１６を除去することで受け入れることができる。

【0132】

基板空洞シール１４は、ウェハのためのオフセットリング１６及び凹所３６を完全に取り巻く閉じた円形ループへと形成される。基板空洞シール１４は、下部アンカー部分４０及び上部リップ４２を有するリップシールである。下部アンカー部分４０は、ウェハチャックコンポーネント１２の上面２２の外側領域に形成された溝内に固定される。下部アンカー部分４０は、基板空洞シール１４の熱弾性特性により溝内に定着される。リップ４２は、オフセットリング１６の上面２６の平面から垂直方向に離間された平面に上面４６を有している。リップ４２の上面４６は、ウェハチャックコンポーネント１２に向かう方向に弾力で押圧可能である。上面４６に加えられる圧力は、上面４６が下方に移動するようにリップ４２を曲げ、そしてその圧力が除去されると、リップ４２の弾力性のために上面４６は上方に移動する。

【0133】

ウェハチャックコンポーネント１２内に基板吸引通路５０が形成される。この基板吸引通路５０は、第１、第２及び第３部分５２、５４及び５６を含む。第１部分５２は、外面からウェハチャックコンポーネント１２の中心に向かってドリルされる。第２部分５４は、その長さが、ウェハチャックコンポーネント１２の外面２０の直径の約１／３である。
第１部分５２は、ウェハチャックコンポーネント１２の上面２２からドリルされ、又、第１部分５２は、ウェハチャックコンポーネント１２の上面２２に空気入口開口６０を形成する。第３部分５６は、ウェハチャックコンポーネント１２の下面２４の周囲付近で、その下面２４から第２部分５４へとドリルされる。第３部分５６は、下面２４に空気出口開口６２を形成する。

【0134】

ウェハチャックコンポーネント１２の上面２２に、３つの円形溝６４、６６及び６８とスロット７０が形成される。円形溝６４、６６及び６８は、ウェハチャックコンポーネント１２の外面２０の中心点に一致する中心点と同心的である。スロット７０は、円形溝６４、６６及び６８と同じ深さに形成され、円形溝６４、６６及び６８を互いに接続する。
円形溝６６と６８との間でスロット７０内に空気入口開口６０が配置される。

【0135】

基板吸引通路バルブ１８は、ウェハチャックコンポーネント１２の外面２０から基板吸引通路５０の第２部分５４へと挿入されるシャトルバルブであり、基板吸引通路の第２部分５４は、次いで、プラグ７２で閉じられる。基板吸引通路バルブ１８は、座部７４及びボールバルブコンポーネント７６を有する。空気出口開口６２の圧力が空気入口開口６０の圧力より低いときには、ボールバルブコンポーネント７６が座部７４から持ち上がり、空気入口開口６０から空気出口開口６２へ空気が通流できるようにする。ボールバルブコンポーネント７６は、空気入口開口６０の圧力が空気出口開口６２より低いときに座部７４に載せられ、これにより、空気が空気出口開口６２から空気入口開口６０へ流れるのを防止する。

【0136】

圧力解放開口８０は、ウェハチャックコンポーネント１２の下面２４へと形成され、そして空気入口開口６０とは逆の基板吸引通路バルブ１８の側で基板吸引通路５０の第２部分５４に接続される。空気入口開口６０の圧力が空気出口開口６２より低く、且つボールバルブコンポーネント７６が座部７４に載せられた状況では、解放開口８０の圧力を空気入口開口６０の先端圧力より下げて、ボールバルブコンポーネント７６が座部７４から持ち上がるようにすることができる。ボールバルブコンポーネント７６が座部７４から持ち上がると、空気入口開口６０からボールバルブコンポーネント７６を通して空気出口開口６２へ空気が流れる。

【0137】

図２は、ウェハチャック組立体１０に挿入される前のウェハ基板８２も示している。ウェハ基板８２の垂直寸法は、例示のために拡大されている。ウェハ基板８２は、上面８４、平行な下面８６、及び円形の縁８８を有する。又、ウェハ基板８２では、複数の集積マイクロエレクトロニック回路９０が上面８４の下に形成され且つ下面８６から離間されている。各集積マイクロエレクトロニック回路９０は、キャパシタ、ダイオード及び／又はトランジスタのような複数の電子部品を含み、これらは、金属線、プラグ及びビアを使用して互いに相互接続される。又、ウェハ基板８２は、上面８４に複数の金属端子９２も有する。ここに示す実施例では、端子９２は、その上面が、上面８４よりも若干上の平面を形成する。それ故、ここに示す実施例では、ウェハ基板８２の合計厚みは、下面８６から１つの端子９２の上面まで測定される。集積マイクロエレクトロニック回路９０の各々には、複数の端子９２が接続される。

【0138】

使用に際し、空気入口開口６０及び解放開口８０は、周囲圧力に保持される。次いで、ウェハ基板８２が凹所３６内に配置される。ウェハ基板８２の下面８６は、ウェハチャックコンポーネント１２の上面２２の上に位置される。ウェハ基板８２の縁８８がオフセットリング１６の内面３２内に嵌合される。

【0139】

スロット７０と下面８６との間に小さな包囲スペースが画成される。図１及び２を参照すると、包囲スペースは、円形溝６４、６６及び６８まで延び、これらの溝は、ウェハ基板８２の下面８６により上から閉じられる。空気出口開口６２にはポンプが接続され、これを使用して、空気出口開口６２の圧力を周囲圧力より低く下げる。従って、空気出口開口６２の圧力は、空気入口開口６０の圧力より低く、従って、ボールバルブコンポーネント７６が座部７４から持ち上がる。少量の空気が、円形溝６４、６６、６８及びスロット７０により画成された包囲空洞から、基板吸引通路５０を経、基板吸引通路バルブ１８を経て、空気出口開口６２から圧送される。従って、円形溝６４、６６、６８及びスロット７０により画成された包囲開口は、周囲圧力より低い。ウェハ基板８２の上面８４は、周囲圧力である。ウェハ基板８２の上面８４より低い下面８６の圧力は、ウェハ基板８２の下面８６をウェハチャックコンポーネント１２の上面２２に対して保持する。ウェハチャック組立体１０に対するウェハ基板８２、特に、端子９２の整列は、ウェハチャックコンポーネント１２の上面２２に対してウェハ基板８２を保持することにより維持される。

【0140】

次いで、空気出口開口６２を再び周囲圧力にもっていくことができる。空気入口開口６０は、依然、周囲圧力より低いので、ボールバルブコンポーネント７６は、空気出口開口６２が周囲圧力に戻った後も、座部７４に留まる。いつでもウェハ基板８２をウェハチャック組立体１０から取り外すことが必要になると、解放開口８０を空気入口開口６０の圧力より低い圧力へもっていくことができる。従って、空気入口開口６０は、解放開口８０より高い圧力となって、ボールバルブコンポーネント７６が座部７４から持ち上がる。次いで、空気入口開口６０は、空気出口開口に接続され、少量の空気が、空気出口開口から空気入口開口６０へそして円形溝６４、６６、６８及びスロット７０へ流れ込む。これにより、ウェハ基板８２の下面８６は、周囲圧力にされ、従って、ウェハ基板８２の上面８４と同じ圧力にされる。これで、ウェハ基板８２をウェハチャック組立体１０から取り外すことができる。

【0141】

図３及び４は、ウェハ基板８２を保持するためのポータブルパック１０８であって、ウェハチャック組立体１０及び分配ボード組立体１１０を備えたポータブルパック１０８を示す。図３及び４は、分配ボード組立体１１０のコンタクト部、インターフェイス及びビアを含む電気的経路を詳細に示していない。従って、分配ボード組立体１１０の構造部品しか示されていない。構造部品は、金属バッキングプレート１１４、信号分配ボード１１６、及びコンタクタのバッキング部材１１８を含む。

【0142】

金属バッキングプレート１１４は、実質的に方形である。金属バッキングプレート１１４内に円形開口１２０が形成される。金属バッキングプレート１１４の２つの反対縁１２２は、金属バッキングプレート１１４の残り部分がその反対縁１２２より若干厚くなるように加工され、各反対縁は、各フランジを画成する。

【0143】

信号分配ボード１１６は、金属バッキングプレート１１４より若干小さい実質的に方形の基板１２４を含む。信号分配ボード１１６は、反対縁１２２により画成されたフランジ間に位置され、固定具１２６を使用して、基板１２４を金属バッキングプレート１１４に固定する。

【0144】

コンタクタのバッキング部材１１８は、円形であり、信号分配ボード１１６に対向して基板１２４の中央に位置される。バッキング部材１１８の縁の上にクランプリング１２８が位置される。固定具１３０を使用して、クランプリングを信号分配ボード１１６の基板１２４に固定する。クランプリング１２８は、コンタクタのバッキング部材１１８より大きな外縁と、コンタクタのバッキング部材１１８より若干小さい内縁とを有する。クランプリング１２８の寸法のために、クランプリング１２８は、コンタクタのバッキング部材１１８を信号分配ボード１１６の基板１２４に固定する。クランプリング１２８は、その外径が、ウェハチャック組立体１０のオフセットリング１６の内面３２の直径より若干小さい。

【0145】

信号分配ボード１１６は、更に、基板１２４にゴールドメタル座部１３４を有する。このゴールドメタル座部１３４は、その内径及び外径が、各々、基板空洞シール１４の上面４６の直径より若干小さい及び若干大きいリングの形態である。

【0146】

分配ボード組立体１１０のコンポーネントは、全て、比較的高い同様の熱膨張係数を有する。

【0147】

図５は、分配ボード組立体１１０がウェハチャック組立体１０の上に位置された後のポータブルパック１０８を示す。ゴールドメタル座部１３４は、分配ボード組立体１１０の底に配置されると共に、ウェハチャック組立体１０の上にある基板空洞シール１４の上に位置される。

【0148】

図６を参照すると、基板空洞シール１４は、下部にあるウェハチャックコンポーネント１２と、上部にある信号分配ボード１１６の基板１２４との間に配置される。ウェハチャックコンポーネント１２、基板空洞シール１４、及び信号分配ボード１１６の基板１２４は、一緒に、包囲された圧力差空洞１４０を画成する。この圧力差空洞１４０は、ウェハ基板８２とコンタクタのバッキング部材１１８との間のスペースへと延びる。基板空洞シール１４のリップ４２がそらされる前に、圧力差空洞１４０は、ウェハチャック組立体１０のオフセットリング１６と、信号分配ボード１１６の基板１２４との間のスペースへと延びる。又、圧力差空洞１４０は、ウェハチャックチャックコンポーネント１２の上面２２に形成された円形溝１４２へと延び、そしてクランプリング１２８の持ち上がった部分が溝１４２内に位置される。クランプリング１２８の下面と溝１４２の上面との間には小さなスペースが設けられて、クランプリング１２８の内側及び外側の、圧力差空洞１４０の内側容積部と外側容積部との間を連通できるようにする。

【0149】

ウェハチャックコンポーネント１２内に減圧通路１４４が形成され、そして減圧通路１４４内に減圧通路チェックバルブ１４６が配置される。減圧通路１４４は、第１、第２及び第３の部分１４８、１５０及び１５２を含む。第１部分１４８は、ウェハチャックコンポーネント１２の上面２２からドリルされ、上面２２に入口開口１５４を形成する。第３部分１５２は、ウェハチャックコンポーネント１２の下面２４からドリルされ、下面２４に出口開口１５６を形成する。第２部分１５０は、ウェハチャックコンポーネント１２の外面２０からドリルされ、第１及び第２の部分１４８及び１５０を互いに接続する。減圧通路チェックバルブ１４６は、ウェハチャックコンポーネント１２の外面２０から第２部分１５０へ挿入され、プラグ１５８を使用して、外面２０における第２部分１５０の入口を閉じる。

【0150】

減圧通路チェックバルブは、バルブコンポーネント１６２及び座部１６４を有する。バルブコンポーネント１６２は、入口開口１５４から出口開口１５６へ空気が流れるときに座部１６４から持ち上がる。バルブコンポーネント１６２が座部１６４に載せられるので出口開口１５６から入口開口１５４へ空気が流れることが防止される。

【0151】

オフセットリング１６は、その下面に複数のスロット１６８が形成されている。スロット１６８の１つが図６に断面で示されており、減圧通路１４４の入口開口１５４を圧力差空洞１４０に接続する。更に別のスロット１６８は、オフセットリング１６の中心に向けて半径方向に延び、又、オフセットリング１６の下面にある円形溝１４２と共に減圧通路１４４の入口開口１５４に接続される。

【0152】

使用に際し、圧力差空洞１４０は、最初、周囲圧力にあり、出口開口１５６は、それが周囲圧力より低くなるようにポンプに接続される。従って、空気入口開口１５４と出口開口１５６との間に圧力差が生じ、圧力差空洞１４０から減圧通路１４４の減圧通路チェックバルブ１４６を通して空気が圧送される。圧力差空洞１４０内の圧力は、周囲圧力より低く降下する。ポータブルパック１０８の外部の圧力は周囲圧力に保たれ、従って、圧力差が生じ、圧力差空洞１４０内の圧力は、信号分配ボード１１６の基板１２４の上の圧力及びウェハチャックコンポーネント１２の下面２４の下の圧力より低い。この圧力差で、基板空洞シール１４のリップ４２がそれると共に、圧力差空洞１４０の垂直高さが減少する。

【0153】

圧力差空洞１４０の垂直高さは、信号分配ボード１１６の基板１２４の下面がオフセットリング１６の上面と接触状態になるまで、減少し続ける。従って、オフセットリング１６は、信号分配ボード１１６の基板１２４とウェハチャックコンポーネント１２が互いに向けて相対的に移動するのを制限する。

【0154】

次いで、出口開口１５６は、再び周囲圧力へもっていかれ、ポンプから切断することができる。バルブコンポーネント１６２は、座部１６４に載せられ、空気が減圧通路１４４を通して圧力差空洞１４０へ入るのを防止する。これにより、圧力差空洞１４０は、その減少サイズを維持し、信号分配ボード１１６の基板１２４がオフセットリングに接触する。ポータブルパック１０８は、次いで、出口開口１５６にポンプを接続して圧力差空洞１４０内の圧力を下げるのに使用される装置から取り外し、サブシステムのテスターへ搬送することができる。

【0155】

図７に示すように、バッキング部材１１８は、コンタクタ１７０の一部分を形成し、コンタクタ１７０は、更に、複数のピン１７２、スタンドオフ１７４、及び接着剤１７６を含む。

【0156】

ピン１７２の各々は、第１及び第２のコンポーネント１７８及び１７９と、各スプリング１８２とを有する。第１コンポーネント１７８は、空洞を有し、この空洞内にスプリング１８２が配置される。第２コンポーネント１７９の一部分も、スクリング１８２を保持する空洞内に配置される。第１及び第２のコンポーネント１７８及び１７９は、互いに装着され、互いに対して移動することができる。第２コンポーネント１７９の端子が第１コンポーネント１７８の端子に向かって相対的に移動すると、スプリング１８２が圧縮される。従って、第１及び第２のコンポーネント１７８及び１７９の端子が互いに向かって移動するには、スプリング１８２のスクリング力に打ち勝つ力が必要である。この力は、ピン１７２とウェハ基板８２の端子９２との間に適切な接触を確保する。この力が取り去られると、第１及び第２のコンポーネント１７８及び１７９の端子がスプリング１８２のスプリング力により互いに離れるように移動する。別の実施形態では、コイルスプリングではない別のスプリング又はメンブレーンのようなコンポーネントによってスプリング力を発生することができる。

【0157】

バッキング部材１１８は、２つの半部分で形成され、各半部分は、そこに形成された開口の各セットを有する。１つのピン１７２の１つの端子は、バッキング部材１１８の１つの半部分における１つの開口を通して挿入され、そしてピン１７２の他の端子は、バッキング部材１１８の他の半部分における１つの開口を通して挿入される。各ピン１７２の端子は、バッキング部材１１８の２つの半部分における各開口対を通して挿入される。ピン１７２は、バッキング部材１１８の半部分が互いに固定されるときにバッキング部材１１８内に保持される。ピン１７２の端子は、コンタクタ１７０の底部にコンタクト部１８４の各アレイを、そしてコンタクタ１７０の頂部にコンタクト部１８６の対応アレイを形成する。

【0158】

信号分配ボード１１６は、基板１２４に加えて、複数のコンタクト部１８８、複数のランド１９３、及び複数の金属線１９１を含む。コンタクト部１８８及びランド１９３は、基板１２４の同じ面に配置される。コンタクト部１８８は、図４に示す基板空洞シール１４内にあり、そしてランド１９３は、基板空洞シール１４の外側にある。金属線１９１の各々は、コンタクト部１８８の各々をランド１９３の各々に接続する。従って、信号分配ボード１１６の各コンタクト部１８８、各金属線１９１及び各ランド１９３により各導体が形成される。コンタクタ１７０のバッキング部材１１８が信号分配ボード１１６の基板１２４に固定されるときに、コンタクタ１７０のコンタクト部１８６の各々が、信号分配ボード１１６のコンタクト部１８８の各々に接触する。

【0159】

スタンドオフ１７４は、コンタクタ１７０のバッキング部材１１８の下面に取り付けられる材料の薄い層である。接着剤１７６は、上部及び下部接着面を有する層である。接着剤１７６の下部接着面は、１つのスタンドオフ１７４の上面に取り付けられる。接着剤１７６の上部接着面は、コンタクタ１７０のバッキング部材１１８の下面に取り付けられ、これにより、スタンドオフ１７４をコンタクタ１７０のバッキング部材１１８に取り付ける。

【0160】

図６の圧力差空洞１４０内の圧力が下げられると、スタンドオフ１７４は、ウェハ基板８２の近くへ移動する。ウェハ基板８２に向かうスタンドオフ１７４のこのような移動は、ウェハ基板８２の端子９２によりコンタクタ１７０のコンタクト部１８４を弾力で押圧させる。次いで、スタンドオフ１７４の下面がウェハ基板８２の上面８４と接触状態になる。これにより、スタンドオフ１７４の下面は、コンタクタ１７０のバッキング部材１１８へのコンタクト部１８４の押圧を制限する。コンタクト部１８４間には、複数の分離されたスタンドオフ１７４が配置されている。

【0161】

複数の導電性経路が形成される。各導電性経路は、ウェハ基板８２の端子９２の各１つと、コンタクタ１７０の各ピン１７２と、信号分配ボード１１６の各コンタクト部１８８、金属線１９１及びランド１９３とを含む。信号分配ボード１１６のランド１９３及びコンタクト部１８８は、ウェハ基板８２の端子９２の平面に平行な平面内にある。再び図１を参照すると、底部におけるウェハチャックコンポーネント１２と、頂部における分配ボード組立体１１０の構造部品との協働でポータブル支持構造体が設けられ、ウェハチャックコンポーネント１２と分配ボード組立体１１０の構造部品との間にウェハ基板８２が配置される。再び図７を参照すると、ウェハ基板８２の端子９２への電気的接触はコンタクタ１７０のコンタクト部１８４によって与えられ、分配ボード組立体１１０は、別の装置へ接続するためにランド１９３により形成されたインターフェイスを有する。図４から７に示すポータブルパック１０８は、ここで、ランド１９３により形成されたインターフェイスへの接触をなし且つウェハ基板８２へテスト信号、電力及び接地を与えるテストシステムへ搬送される。コンタクタ１７０のコンタクト部１８４及びウェハ基板８２の端子９２は、基板空洞シール１４によって完全に包囲され、従って、汚染物や水分がない状態に保たれる。

【0162】

図８に示すように、ポータブルパック１０８は、固定構造体１８０により受け取られる。固定構造体１８０は、システムの固定位置（図示せず）に位置されたフレーム１８１を有する。固定構造体１８０のコンポーネントは、互いに移動することができる。固定構造体１８０は、フレーム１８１に加えて、ポータブルパック１０８を受け取るための保持構造体１８５と、４つのアクチュエータ１８７（１つしか示されていない）と、インターフェイス組立体１８９と、熱チャック１９０と、熱チャック１９０のための装着構成体１９２とを備えている。アクチュエータ１８７は、シリンダ１９４と、シリンダ１９４内のピストン１９６と、ピストン１９６に接続された接続断片１９８とを含む。ピストン１９６は、シリンダ１９４内を垂直方向上下にスライドすることができ、このピストン１９６の後方及びこのピストン１９６の前方で圧力を増加及び減少して、ピストンを垂直方向上方及び下方に移動させることができる。接続断片１９８は、その下端がピストン１９６に装着され、そしてその上端が保持構造体１８５に装着される。従って、保持構造体１８５は、ピストン１９６と一緒に上下に移動する。

【0163】

インターフェイス組立体１８９は、インターフェイス組立体基板２００及び複数のピン２０２を有する。ピン２０２は、インターフェイス組立体基板２０２内に保持される。インターフェイス組立体基板２００は、フレーム１８１の上面に固定される。インターフェイス組立体基板２００及びフレーム１８１は、ウェハチャックコンポーネント１２の外面２０の直径より若干大きい円形開口２０４を画成する。

【0164】

保持構造体１８５の内側に水平スロット２０５が形成される。保持構造体１８５の別の部分に同様のスロット（図示せず）が形成される。分配ボード組立体１１０の金属バッキングプレート１１４の縁１２２のフランジが、紙面に向かう方向にスロット２０５へ挿入される。反対の縁（図３を参照）も、同時に、保持構造体１８５の他のスロットに挿入される。ポータブルパック１０８は、次いで、保持構造体１８５の反対部分によって懸架される。スロット２０５は、縁１２２に形成されたフランジを保持し、保持構造体１８５に対するポータブルパック１０８の上方又は下方の垂直移動を防止する。ピストン１９６がシリンダ１９４内を下方に移動すると、保持構造体１８５も下方に移動し、そしてポータブルパック１０８は、下方に移動して、固定構造体１８０のインターフェイス組立体１８９と接触する。

【0165】

再び図７を参照すると、インターフェイス組立体１８９及び信号・電力ボード２０６を含む図８の固定構造体１８０のコンポーネントが示されている。ピストン２０２の各々は、第１及び第２のコンポーネント２０８及び２１０と、スプリング２１２とを含む。第２コンポーネント２１０は、その一部分が、第１コンポーネント２０８の一部分内に配置される。スプリング２１２も、第１コンポーネント２０８の一部分内に配置される。ピン２０２は、第１及び第２のコンポーネント２０８及び２１０に、各々、２つの対向するコンタクト部を有する。コンタクト部が互いに向けて移動するには、スプリング２１２のスクリング力に抗してスクリング２１２を圧縮する力が必要である。コンタクト部は、スプリング２１２を圧縮する力が除去されたときに互いに離れるように移動する。

【0166】

インターフェイス組立体基板２００は、２つの半部分を有し、各半部分には複数の開口が形成される。第１コンポーネント２０８のピン部分及び第２コンポーネント２１０のピン部分は、２つの半部分の対向開口へ挿入される。従って、各ピン２０２は、インターフェイス組立体１８９の頂部にコンタクト部を、そして底部にコンタクト部を有する。

【0167】

信号・電力ボード２０６は、基板２１４と、複数のコンタクト部２１６と、トレース、金属線及び／又はビアの形態の複数の金属リード２１８とを有する。コンタクト部２１６は、基板２１４の上面に形成される。金属リード２１８は、コンタクト部２１６に接続される。

【0168】

インターフェイス組立体基板２００は、信号・電力ボード２０６の基板２１４に装着される。各ピン２０２の各第１コンポーネント２０８のコンタクト部は、信号・電力ボード２０６の各コンタクト部２１６と接触される。図７に示すインターフェイス組立体１８９は、信号・電力ボード２０６を通して、図８に示すフレーム１８１へ装着される。ポータブルパック１０８がインターフェイス組立体１８９と接触するように下方へ移動すると、信号分配ボード１１６のランド１９３の各々が、インターフェイス組立体１８９の各ピン２０２の各第２コンポーネント２１０における各コンタクト部と接触をなす。ランド１９３は、ポータブルパック１０８が下方に更に移動すると、ピン２０２の頂部のコンタクト部を押圧する。図８のアクチュエータ１８７により生じる力は、ランド１９３とピン２０２との間の適切な接触を確保する。

【0169】

次いで、ウェハ基板８２の端子が、コンタクタ１７０のピン１７２と、信号分配ボード１１６のコンタクト部１８８、金属線１９１及びランド１９３と、インターフェイス組立体１８９のピン２０２とを経て、信号・電力ボード２０６のコンタクト部２１６及び金属リード２１８に接続される。

【0170】

再び図８を参照すると、装着構成体１９２は、複数の装着断片２２０（１つしか示されていない）及びスプリング構成体２２４を備えている。熱チャック１９０は、装着断片２２０の各々及び各スプリング構成体２２４を通してフレーム１８１へ装着される。ポータブルパック１０８が下方に移動すると、ウェハチャックコンポーネント１２の下面２４が熱チャック１９０の上面と接触される。ウェハチャックコンポーネント１２の下面２４と熱チャック１９０の上面との間の平坦性の若干の相違は、スプリング構成体２２４により吸収される。

【0171】

図９は、熱チャック１９０、装着断片２２０、熱インターフェイス空洞シール２２６、及び２つのアダプタ２２８、２３０を示している。

【0172】

熱インターフェイス空洞シール２２２は、熱チャック１９０の上面２３２において円形溝２４２に形成されたＯリングシールである。熱インターフェイス空洞シール２２６は、熱チャック１９０の中心点の周りに閉じたループを形成する。熱インターフェイス空洞シール２２６のほぼ２／３が熱チャック１９０の上面２３２の溝へ挿入され、そして熱インターフェイス空洞シール２２６のほぼ１／３が上面２３２の上に留まる。熱インターフェイス空洞シール２２６のための溝は、断面がほぼ長方形であり、熱インターフェイス空洞シール２２６の全体を受け入れることができる。上面２３２より上の熱インターフェイス空洞シール２２６の１／３が溝へと圧縮される場合には、熱インターフェイス空洞シール２２６の上面が、上面２３２と同じ平面になる。

【0173】

上面２３２から熱チャック１９０の下面２３６へと熱インターフェイス真空通路２３４が形成される。熱インターフェイス空洞シール２２６内のエリアでは熱チャック１９０の上面２３２に複数の真空溝２４０が形成される。熱インターフェイス真空通路２３４は、１つの真空溝２４０内に入口開口を有する。１つの真空溝２４０は、熱チャック１９０の上面２３２の中心点から半径方向に延びるスロットである。４つの真空溝２４０は、熱チャック１９０の上面２３２の中心点に中心点をもつ同心リングである。真空溝２４０は、互いに接続され、従って、熱チャック１９０の上面の下に単一の相互接続された空洞を形成する。

【0174】

熱インターフェイス空洞シール２２６の外側にある上面２３２のエリアにおいて上面２３２から下面２３６へ真空ポート２４２が形成される。この真空ポート２４２を取り巻く溝へ真空ポートシール２４４が形成される。真空ポート２４２は、図６に示すウェハチャックコンポーネント１２における減圧通路１４４の出口開口１５６と整列されて接続される。

【0175】

使用に際し、図６のウェハチャックコンポーネント１２の下面２４は、図９に示す熱インターフェイス空洞シール２２６及び真空ポートシール２４４に接触する。熱インターフェイス空洞は、その底部では熱チャック１９０の上面２３２により、その頂部ではウェハチャックコンポーネント１２の下面２４により、そしてその側部では熱チャック１９０の上面２３２をウェハチャックコンポーネント１２の下面２４に接続する熱インターフェイス空洞シール２２６により、画成される。熱インターフェイス真空通路２３４は、バルブ（図示せず）を通してポンプへ永久的に接続され、そして熱インターフェイス空洞から熱インターフェイス真空通路を通して空気が圧送され、これにより、熱インターフェイス空洞内の圧力を下げる。従って、熱インターフェイス空洞内の圧力は、ポータブルパック１０８の上の周囲圧力及び熱チャック１９０の下の周囲圧力より低い。熱インターフェイス空洞は、ウェハチャックコンポーネント１２の下面２４が熱チャック１９０の上面２３２に接触しそして熱インターフェイス空洞シール２２６がその溝へと圧縮されるまで、サイズが減少する。従って、熱インターフェイス空洞の唯一残された部分は、真空溝２４０により画成され、真空溝２４０内に下がった圧力が維持され、表面２４及び２３２を互いに保持する。表面２４及び２３２が互いに保持されるので、熱チャック１９０とウェハチャックコンポーネント１２との間で両方向に熱を伝達することができる。

【0176】

真空ポートシール２４４は、減圧通路１４４の出口開口１５６の周りでウェハチャックコンポーネント１２の下面２４とでシールする。ポンプは、真空ポート２４２を低い圧力に維持し、従って、減圧通路チェックバルブ１４６の漏洩の場合に出口開口１５６を低い圧力に維持する。

【0177】

熱チャック１９０は、互いにろう付けされる上部断片２５２及び下部断片２５４で作られる。上部断片２５２の下面に熱制御通路２５６が加工される。図９に特に示すように、熱制御通路２５６は、下部断片２５４を通して形成された入口２５８及び出口２６０を有する。流体は、入口２５８から熱制御通路の次々の区分を通り出口２６０から流れ出す。
熱制御通路２５６の第１の半部分は、平面図において熱チャック１９０の中心へ時計方向に進む第１の螺旋２６８を形成する。熱制御通路２５６の第２の半分は、熱チャック１９０の中心から反時計方向に離れる第２の螺旋２７０を形成する。第１の螺旋２６８の２つの区分は、それらの間に第２の螺旋２７０の１つの区分を有する。第２の螺旋２７０の２つの区分は、それらの間に第１の螺旋２６８の１つの区分を有する。従って、熱制御通路２５６は、例えば、第１、第２及び第３の区分を互いに前後に直列に有し、断面平面図において第３区分が第１区分と第２区分との間に配置される。又、熱制御通路２５６は、第３区分の後に第４区分を直列に有する。第４区分がどこに選択されるかに基づいて、第４区分は、第２区分と第３区分との間、又は第１区分と第２区分との間のいずれでもよい。
いずれにせよ、第１及び第２区分は、第１の螺旋の区分であり、そして第３区分は、第１の螺旋には配置されない第２螺旋の区分である。

【0178】

例えば、入口２５８を通して流れる流体と、出口２６０から流れ出す流体との間には、１０℃の温度差がある。従って、熱チャック１９０の外側領域における熱制御通路２５６の隣接区分は、１０℃の差の温度となる。しかしながら、熱チャック１９０の外側領域における２つの区分間の温度は、入口２５８及び出口２６０の温度の平均値となり、即ち入口２５８及び出口２６０の温度の５℃上及び下である。流体が熱チャック１９０の中心に向かって流れるときに流体から熱が導通するので、熱チャック１９０の中心付近における熱制御通路２５６の隣接区分間の流体の温度は、４℃しかないことがある。しかしながら、熱チャック１９０の中心付近における熱制御通路２５６の隣接区分の温度差は、依然、入口２５８及び出口２６０の平均値と同じである。従って、熱チャック１９０は、外側領域及びその中心付近で同じである。

【0179】

アダプタ２２８及び２３０は、熱チャック１９０に装着され、そして入口２５８及び出口２６０に接続される。

【0180】

図１０は、図８に示す複数のコンポーネント、即ち複数のポータブルパック１０８、複数の熱チャック１９０、及び複数のインターフェイス組立体１８９を含むテスター装置３００を示す。各ポータブルパック１０８は、各熱チャック１９０に接続され、そして各ポータブルパック１０８は、インターフェイス組立体１８９に関わりなくピンの各インターフェイスに接触するランドの各インターフェイスを有する。テスター装置３００は、更に、複数の電気テスター３０２及び熱制御システム３０４も備えている。

【0181】

１つ又は２つの電気テスター３０２が各ポータブルパック１０８に接続される。各電気テスター３０２は、予めプログラムされたインストラクションセットに基づいてバーンインテストを実行するように構成される。これらインストラクションは、ポータブルパック１０８に保持されたウェハ基板（図示せず）のマイクロエレクトロニック回路との間で各インターフェイス組立体１８９を通して電気信号をやり取りするのに使用される。熱制御システムは、入口及び出口パイプ３０６及び３０８と、入口及び出口マニホールド３１０及び３１２と、冷却熱交換機３１４と、再循環ポンプ３１６と、ヒータ構成体３１８とを備えている。各入口パイプ３０６は、図９のアダプタ２２８のような各アダプタから切断され、そして各出口パイプ３０８は、図９のアダプタ２３０のような各アダプタに接続される。１つの熱チャック１９０における熱制御通路２５６、１つの出口パイプ３０８、出口マニホールド３１２、熱交換機３１４を通る経路、ポンプ３１６、ヒータ構成体３１８を通る経路、入口マニホールド３１０、及び１つの入口パイプ３０６により、閉ループバルブが形成される。熱チャック１９０の熱制御通路２５６は、マニホールド３１０及び３１２へ並列に接続される。

【0182】

熱交換機３１４は、水源及び排水路に接続された経路も有する。室温の水を熱交換機３１４に流し、熱を水へ伝導させることができる。

【0183】

ヒータ構成体３１８は、電源に接続された電気コイルを有する。この電気コイルは、電源をスイッチオンしたときに発熱する。電流が流れるときに発熱コイルから熱を伝達することができる。

【0184】

使用に際し、再循環経路を画成するコンポーネントに、最初に、オイルが充填される。
ポンプ３１６がスイッチオンされ、ヒータ構成体３１８、入口マニホールド３１０、入口パイプ３０６、熱チャック１９０、出口パイプ３０８、出口マニホールド３１２、及び熱交換機３１４を通してポンプ３１６へ戻るようにオイルが再循環される。電源がスイッチオンされると、ヒータ構成体３１８の電気コイルが発熱し、電気コイルからオイルへ熱が伝達される。オイルは、２１℃の室温から、約１００℃、典型的に、約１７０℃の温度に加熱される。１７０℃のオイルが熱チャック１９０へ入り、熱チャック１９０を徐々に加熱する。熱チャック１９０へ熱が伝達されるので、熱チャック１９０から出口パイプ３０８を通して出るオイルは、例えば、１５０℃の低い温度となる。図２の集積マイクロエレクトロニック回路９０をテストするために充分高い温度に熱チャック１９０が加熱されると、電気テスターは、集積マイクロエレクトロニック回路９０をテストする。バーンインテストは、典型的に、集積マイクロエレクトロニック回路９０において実行される。

【0185】

集積マイクロエレクトロニック回路がテストされるにつれて、それらが徐々に加熱されて、バーンインテストに適した温度に維持するべく冷却することが必要になる。ヒータ構成体３１８の電気コイルへの電流がスイッチオフされる。水源からの水がスイッチオンされる。オイルから水源の水へ熱が伝達され、オイルを冷却する。熱チャック１９０に入るオイルは、これで、例えば、１６０℃となり、そして熱チャック１９０を出るオイルは、１７０℃となる。熱交換機３１４は、オイルを１７０℃から１６０℃に冷却する。オイルは、典型的に、１５０℃より低く冷却する必要がないことに注意されたい。行われたテストにより、オイルの温度を、例えば、１００℃未満又は室温へ下げる必要がないことが分かった。むしろ、熱チャック１９０が過熱するのを防止し、１７０℃の温度を維持するには、高い流量、典型的に、３ないし５リッター／分のオイルで充分である。

【0186】

テスター装置３００では局部的加熱が使用される。対照的に、従来のバーンインテスターは、バーンインオーブンと、このバーンインオーブンへ挿入される集積マイクロエレクトロニック回路パッケージを載せるバーンインポートとを有する。バーンインオーブンの空気から集積マイクロエレクトロニック回路パッケージ及びバーンインボードへ熱が変換される。従って、一般的な加熱構成では、加熱された空気が、集積マイクロエレクトロニック回路パッケージを載せるバーンインボードを取り巻く。図１０のテスター装置の局所的加熱構成では、ポータブルパック１０８を取り巻く空気は、典型的に、２１℃のほぼ室温であり、そしてポータブルパック１０８の局所的エリアが熱チャック１９０により加熱（又は冷却）される。

【0187】

局所的加熱は、それ自身の独特の一組の挑戦を有する。再び図３及び４を参照すると、信号分配ボード組立体１１６は、コンタクタ１７０のバッキング部材１１８と同程度に室温より高く加熱されず、そしてコンタクタ１７０のバッキング部材１１８は、ウェハ基板８２と同程度に室温より高く加熱されない。コンタクタ１７０のバッキング部材１１８は、例えば、２１℃から１７１℃に加熱され、そして信号分配ボード組立体１１６は、同時に、２１℃から１２１℃に加熱される。コンタクタ１７０のバッキング部材１１８及び信号分配ボード組立体１１６の熱膨張係数は、コンタクタ１７０のバッキング部材１１８及び信号分配ボード組立体１１６が同様の割合で膨張及び収縮するように設計される。所与の実施例では、信号分配ボード組立体１１６の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１０パーツ・パー・ミリオン（ｐｐｍ）であり、又、コンタクタ１７０のバッキング部材１１８のＣＴＥは、４．５であり、一方、ウェハ基板８２のＣＴＥは、３．２とされる。別の実施例では、信号分配ボード組立体１１６のＣＴＥは、５ないし６であり、又は異なる１組の熱的条件においてはコンタクタ１７０のバッキング部材１１８のＣＴＥより低いこともある。

【0188】

所与の実施例では、信号分配ボード組立体１１６のＣＴＥと、コンタクタ１７０のバッキング部材１１８のＣＴＥとのＣＴＥ比は、２．２２である。ＣＴＥ比は、次のように定義することができる。

【0189】

信号分配ボード１１６は、低い信号分配ボード温度から高い信号分配ボード温度へと加熱され、そしてコンタクタ１７０のバッキング部材１１８は、低いコンタクタ温度から高いコンタクタ温度及び温度比へと加熱される。温度増加比は、次のように定義することができる。

【0190】

ＣＴＥ比と温度増加比との乗算は、次のように定義される。
ＣＴＥ比Ｘ温度増加比＝χ

【0191】

理想的には、χは、できるだけ１に近くなければならない。好ましい実施形態では、χは、ＣＴＥ比よりも１に近くなければならない。ＣＴＥ比は、典型的に、０．２ないし５であり、より好ましくは、０．９ないし１．１であり、そしてχは、好ましくは、０．８ないし１．２である。

【0192】

再び図８を参照する。集積マイクロエレクトロニック回路９０のバーンインテストが完了すると、保持構造体１８５が持ち上げられ、これにより、ポータブルパック１０８のランドインターフェイスをインターフェイス組立体１８９から切断する。次いで、ポータブルパック１０８を紙面から出る方向にスライドさせることによりポータブルパック１０８が保持構造体１８５から除去される。

【0193】

再び図６を参照する。ウェハチャックコンポーネント１２を通して真空解放通路２７２が形成され、そして真空解放通路２７２内に真空解放バルブ２７４が配置される。真空解放通路２７２は、第１、第２及び第３の部分２７６、２７８及び２８０を有する。第１及び第２の部分２７６及び２７８は、各々、ウェハチャックコンポーネント１２の下面２４及び上面２２からドリルされる。第２部分３３６は、外面２０からドリルされ、そして第１及び第２の部分２７６及び２７８を互いに接続する。第１部分２７６は、空気入口開口２８２を有し、そして第２部分３３６は、圧力差空洞１４０内に空気出口開口２８４を有する。

【0194】

真空解放バルブは、シャトルバルブであり、真空解放通路２７２の空気出口開口２８４とは逆の真空解放バルブ２７４の側においてウェハチャックコンポーネント１２の下面２４に解放バルブ開口２８６が形成される。空気入口開口２８２は、通常、周囲圧力に維持される。圧力差空洞１４０内の低い圧力は、真空解放バルブ２７４のボールバルブコンポーネント２８８をその座部２９０に保持する。ポータブルパック１０８をオープンするために、解放バルブ開口２８６の圧力が、圧力差空洞１４０内の圧力より低く下げられる。
圧力差空洞１４０と解放バルブ開口２８６との間の圧力差でボールバルブコンポーネント２８８が座部２９０から離れるように移動される。次いで、空気入口開口２８２は、空気出口開口２８４との連通状態に入れられ、真空解除通路２７２を通して圧力差空洞１４０へ空気が流し込まれる。圧力差空洞１４０は、周囲圧力に戻る。圧力差空洞１４０は、ポータブルパック１０８の外側の空気と同じ圧力であるから、分配ボード組立体１１０をウェハ基板８２及びウェハチャック組立体１０から持ち上げることができる。次いで、ウェハチャック組立体１０からウェハ基板８２を取り外すことができる。

【0195】

図１１は、図７及び８に示す基板２１４の２つが単一のインターフェイスを形成するところを示すと共に、図１０の電気テスター３０２の１つも示す。

【0196】

電気テスター３０２は、バックプレーン３２２と、構成可能な電源ボード（ＣＰＢ）３２４と、ピンエレクトロニックボード（ＰＥＢ）３２６と、テストエレクトロニックボード（ＴＥＢ）３２８と、ダイ電源ボード（ＤＰＢ）３３０と、複数の電源バス３３３とを備えている。構成可能な電源ボード３２４及びピンエレクトロニックボード３２６は、構造上、バックプレーン３２２を通してダイ電源ボード３３０に接続される。又、構成可能な電源ボード３２４及びピンエレクトロニックボード３２６は、各々の電源バス３３３にも電気的に接続される。テストエレクトロニックボード３２８は、ピンエレクトロニックボード３２６の上部に装着され、そこに電気的に接続される。

【0197】

電気テスター３０２は、基板２１４から熱的及び機械的に切断される。複数の柔軟なアタッチメント（図示せず）を使用して、ダイ電源ボード３３０を基板２１４に接続する。
複数のコネクタ３３２が基板２１４に配置され、そして導体２１８を経て図７のコンタクト部２１６に接続される。コネクタ３３４の別のセットがダイ電源ボード３３０に配置される。各柔軟なアタッチメントは、両端に２つのコネクタを有する。柔軟なアタッチメントのコネクタの１つは、コネクタ３３２の１つに接続され、そして柔軟なアタッチメントの反対のコネクタは、コネクタ３３４の１つに接続される。

【0198】

電力、信号及び接地は、構成可能な電源ボード３２４、ピン及びテストエレクトロニックボード３２６及び３２８により、バックプレーン３２２、ダイ電源ボード３３０、及び柔軟なアタッチメントにおけるコネクタ３３５を通して図２の集積回路９２へ供給することができる。ボード３２４、３２６、３２８及び３３０の各々は、各基板と、各基板上の各回路（１つ又は複数）とを有し、これらを通して電力、接地又は信号を回路９２へ又は回路９２から供給することができる。

【0199】

図１２に示すように、構成可能な電源ボード３２４は、４つの電源回路３４０（ＩＢＣ４８Ｖから１２Ｖ＠５００Ｗ）を含む。電源回路３４０は、互いに並列に接続される。電源回路３４０の１つがフェイルしても、残りの電源回路３４０により電力が依然供給される。従って、４つの電源回路３４０は、ｎを３とすれば、ｎ＋１である。電源回路３４０の１つがフェイルしても、ｎ個の電源回路３４０により電力が依然供給される。

【0200】

電流分担回路は、電源回路３４０を電力バス３４１に接続する。電流分担回路は、電源回路３４０の１つからの電力が０より下に減少するときを検出する。ｎ＋１個の電源回路３４０の１つにおける電力のロスが検出されると、電流分担回路は、ｎ＋１個の電源回路３４０の、フェイルした１つからの接続をスイッチオフし、ｎ＋１個の電源回路３４０のうちのフェイルした１つからの電流を除去する。次いで、電流は、フェイルしなかったｎ個の電源回路３４０によって分担される。

【0201】

図１３Ａは、電源回路３４０の各々が各欠陥検出回路３４２に接続されることを示す。
欠陥検出回路３４２は、一緒に、図１２の電流分担回路を作り上げる。欠陥検出回路３４２の各々は、電源回路３４０の各々からの電力ロスを検出し、各電源回路３４０を電力バス３４１から切断する。欠陥検出回路３４２において、電源回路３４０を電力バス３４１に接続するためには、電圧イン（ＶＩＮ）が電圧アウト（ＶＯＵＴ）より更に正でなければならない。ＶＩＮがＶＯＵＴより更に正でない場合には、ＧＡＴＥが消勢されて、欠陥信号が欠陥ライン（ＩＢＣＦＡＵＬＴＩＮ）に与えられる。図１２において、制御ライン（ＩＢＣ＿ＩＮＨＩＢＩＴ＿Ｎ）に接続された電源制御回路３４４に欠陥信号が与えられる。電源制御回路３４４は、電源回路３４０によって供給される電力をスイッチオン又はオフするのに使用できる。全ての電源回路３４０は、電源制御回路３４４の制御のもとにある。

【0202】

又、電源制御回路３４４は、電源回路３４０により電力バス３４１を通して付勢される。電源制御回路３４４は、電源回路３４０のどれをスイッチオンしそしてどれをスイッチオフするか制御するようにプログラムされる。電源回路３４０の１つは、常に、オンであり、電源制御回路３４４へ常に電力が供給される。従って、電源制御回路３４４への電力のロスが回避され、再スタートや再プログラムの必要がないようにされる。従って、電源制御回路３４４は、４つ全部の電源回路３４０により電力が供給されるテストモードと、１つの電源回路３４０のみにより電力が供給される節電モードとの間をスイッチングするのに使用される。電流分担回路は、電源回路３４０の１つを除く全部による電力が失われたことを検出し、そして１つの電源回路３４０を除く全ての電源回路３４０を電力バス３４１から切断する。

【0203】

図１３Ａに示す回路は、電力バス３４１に１２Ｖ電力を供給する。図１２は、図１３Ｂにも示された電圧マスターＤＡＣＳ及びＭＵＸＥＳ回路３４６を示す。図１３Ｂの回路は、４つのマスター電圧レベル（ＨＩＣ＿ＶＭＡＳＴＥＲ０からＨＩＣ＿ＶＭＡＳＴＥＲ４）を確立する。マスター電圧は、個別のデジタル／アナログコンバータ（１２ＢＩＴＤＡＣ）により調整される。従って、図１３Ｂの回路は、４つの異なる電圧を同時に与えることができ、その各々は、マルチプレクサ（ＤＧ４０８）により切り換えられる５つの異なるレベルである。図１３Ｂの回路は、図１２の電源制御回路３４４の制御のもとにある。

【0204】

再び図１２を参照すると、電圧マスターＤＡＣＳ及びＭＵＸＥＳ回路３４６は、高電流スレーブ３４８、高電圧スレーブ３５０及び付加的なスレーブ３５２へ接続される。各高電流スレーブ３４８は、６個の高電流モジュールの「一次」グループに配列される。高電流スレーブ３４８の８個の「一次」グループが、４８個の高電流モジュールの「超」グループに配列される。４つの高電圧スレーブ３５０が、高電圧スレーブ３５０の「一次」グループに配列され、そして高電圧スレーブ３５０の４個の「一次」グループが、１６個の高電圧モジュールの１つの「超」グループに配列される。電圧マスターＤＡＣＳ及びＭＵＸＥＳ回路３４６により与えられる４つの電圧は、高電流スレーブ３４８の各「一次」グループ及び高電圧スレーブ３５０の各「一次」グループへ４つの別々のラインを経て供給される。

【0205】

図１３Ｃは、図１２の高電流スレーブ３４８の「一次」グループの１つを示す。６個の電流増幅器３５６が設けられる。電流増幅器３５６の電圧調整ライン（ＶＡＤＪ）が共通ライン３５８に接続される。ライン３５８は、スイッチ３６０、２つの増幅器３６２及び３６４、並びに電圧セレクタ３６６を経て、図１３Ｂの回路の右側の４本の電圧ライン（ＶＭＡＳＴＥＲ）に接続される。電圧セレクタ３６６は、電流増幅器３５６に与えられる４つの電圧の各々を選択するのに使用される。

【0206】

図１４は、図１３Ｃの電流増幅器３５６の１つを示す。電流増幅器３５６は、電流増幅モジュール３７０、増幅器３７２、スイッチ３７４、及び増幅器３７２への第１及び第２の入力ライン３７６及び３７８を有する。

【0207】

電流増幅モジュール３７０は、電圧基準（Ｖ０ＡＤＪ）を有し、そして出力（ＶＯＵＴ）に電流を与えるために図１３Ａの電力バス３４１を経て１２Ｖ電源に接続される。

【0208】

電圧基準ライン（Ｖ０ＡＤＪ）は、増幅器３７２及び第１入力ライン３７６を経て図１３Ｃの共通ライン３５８に接続される。電流増幅モジュール３７０は、出力（ＶＯＵＴ）を、電圧基準ライン（Ｖ０ＡＤＪ）と同じ電圧へ駆動する。スイッチ３７４が第１コンフィギュレーションにあって、第２入力ライン３７８がセンスライン（ＶＳＥＮＳＥ）から切断されたときには、第２入力ライン３７８の電圧がＶＯＵＴに従い、これにより、ＶＯＵＴを局部的にＶＡＤＪにロックした状態に保つ。

【0209】

スイッチ３７４が第２コンフィギュレーションにあって、センスライン（ＶＳＥＮＳＥ）が増幅器３７２の第２入力ライン３７８に接続されるときには、増幅モジュール３７０の基準（Ｖ０ＡＪＤ）がセンスライン（ＶＳＥＮＳＥ）のリモート電圧に従う。出力（ＶＯＵＴ）の電圧は、センスライン（ＶＳＥＮＳＥ）の制御のもとにある。出力（ＶＯＵＴ）及び入力（ＶＳＥＮＳＥ）は、両方とも、最終的に、図２の基板８２の端子９２に接続されることを理解されたい。

【0210】

再び図１３Ｃを参照すると、電流増幅器３５６の各々は、個別の出力（ＶＯＵＴ）及び個別のセンスライン（ＶＳＥＮＳＥ）を有する。各センスライン上で個別の電圧を感知することができ、図１３Ｃ及び１４に示す電流コンフィギュレーション回路が第２コンフィギュレーションであるときには、各出力ラインへの電流が異なるものとなる。

【0211】

第２コンフィギュレーションにおいて、スイッチ３６０は、共通ライン３５８を増幅器３６２へ接続する。第１コンフィギュレーションにおいて、スイッチ３６０は、共通ライン３５８を増幅器３８４の出力に接続する。増幅器３８４は、第１及び第２の入力ライン３８６及び３８８を有する。第１入力ライン３８６は、増幅器３６２からの出力に接続される。第２出力ライン３８８は、１つの電流増幅器３５６のみのセンスライン（ＶＳＥＮＳＥ０）に接続される。従って、共通ライン３５８の電圧は、図１３Ｃ及び１４の電流コンフィギュレーション回路が第１コンフィギュレーションであるときには、センスライン（ＶＳＥＮＳＥ０）の電圧に従う。

【0212】

再び図１２を参照すると、高電圧スレーブ３５０の各「一次」グループは、電流増幅器３５６の各々が電流及び電圧増幅器として使用されることを除いて、図１３Ｃの電流コンフィギュレーション回路と同じである回路を含む。電流及び電圧増幅器の各々は、図１５に示す各回路を有する。図１５の電圧及び電流増幅器は、４つの電圧分割抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が設けられる以外は、図１４の電流増幅器と同じであり、又、図１４の電流増幅モジュール３７０は、電流及び電圧増幅モジュールとして働く。センスライン（ＨＩＶ＿ＶＳＥＮＳＥ）は、抵抗器Ｒ１を経てスイッチ３７４に接続される。又、センスライン（ＨＩＶ＿ＶＳＥＮＳＥ）は、接地への抵抗器Ｒ１及びＲ２にも接続される。従って、抵抗器Ｒ１及びＲ２は、スイッチ３７４へのセンスライン（ＨＩＶ＿ＶＳＥＮＳＥ）の電圧の電圧分割器として働く。

【0213】

同様に、スイッチ３７４は、抵抗器Ｒ４を経て電圧センスライン（ＶＳＥＮＳＥ）に接続されると共に、電圧及び電流増幅モジュール３７０の出力（ＶＯＵＴ）に接続され、そしてスイッチ３７４の同じ端子が抵抗器Ｒ３を経て接地もされる。電圧及び電流増幅モジュール３７０は、ＶＴＲＩＭラインの電圧に基づいて電圧を増幅する。

【0214】

従って、特に、図１３及び１４を参照すると、オペレータは、第１コンフィギュレーションと第２コンフィギュレーションとの間をスイッチできることが明らかであろう。第１コンフィギュレーションでは、例えば、６０Ａの電流を与えて、６個のスレーブモジュール出力で分担することができる。第２コンフィギュレーションでは、６個の異なるモジュール出力の各々により約１０Ａを与えることができ、電流は、互いに独立して浮動させることができる。

【0215】

幾つかの実施形態を図示して説明したが、それらは単なる例示に過ぎず、本発明を限定するものではなく、且つ当業者であれば、種々の変更が明らかであろうから、本発明は、図示して説明した特定の構造及び構成に限定されないことを理解されたい。

【符号の説明】

【0216】

１０：ウェハチャック組立体
１２：ウェハチャックコンポーネント
１４：圧力差基板空洞シール
１６：オフセットリング
１８：基板吸収通路バルブ
３６：円形凹所
４０：下部アンカー部分
５０：基板吸引通路
５２：第１部分
５４：第２部分
５６：第３部分
６２：空気出口開口
６４、６６、６８：円形溝
７０：スロット
７４：座部
７６：ボールバルブコンポーネント
８０：圧力解放開口
８２：ウェハ基板
９２：金属端子
１０８：ポータブルパック
１１４：バッキングプレート
１１６：信号分配ボード
１１８：バッキング部材
１２０：開口
１２２：縁
１２４：基板
１２８：クランプリング
１３４：金属座部
１４０：圧力差空洞
１４２：溝
１４４：減圧通路
１５４：入口開口
１６８：スロット
１７０：コンタクタ
１７２：ピン
１７４：スタンドオフ
１７６：接着剤
１７８：第１コンポーネント
１７９：第２コンポーネント
１８０：固定構造体
１８１：フレーム
１８２：スプリング
１８５：保持構造体
１８７：アクチュエータ
１８８：コンタクト部
１８９：インターフェイス組立体
１９０：熱チャック
１９１：金属線
１９２：装着構成体
１９３：ランド
１９４：シリンダ
１９６：ピストン
１９８：接続断片
２００：基板
２０２：ピストン
２０６：信号・電力ボード
２０８：第１コンポーネント
２１０：第２コンポーネント
２１２：スプリング
２１４：基板
２１６：コンタクト部
２１８：金属線
２２０：装着断片
２２６：熱インターフェイス空洞シール
２３０：アダプタ
２４０：真空溝
２４２：真空ポート
２４４：真空ポートシール
２６８：第１の螺旋
２７０：第２の螺旋
３０２：電気テスター

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13A】

【図13B】

【図13C】

【図14】

【図15】

【手続補正書】

【提出日】2023-08-30

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

少なくとも１つの集積回路を載せ且つその集積回路に接続された端子を有する少なくとも１つの基板の複数の端子へコンタクト部を通して接続される電気テスターを備え、前記集積回路をテストするためにこの電気テスターと前記集積回路の間に電流が導通され、更に、この電気テスターは、前記コンタクト部に接続された電源回路を含み、前記コンタクト部に接続されたこの電源回路を通して電力が供給され、前記電源回路は、異なる大きさの個別の電流が個別のチャンネルへ供給される第１コンフィギュレーションと、個別のチャンネルへの電流が共通の基準に従う第２コンフィギュレーションとの間での電流スイッチングを行うよう構成可能な電流コンフィギュレーション回路を有する、テスター装置。

【請求項2】

前記電流コンフィギュレーション回路は、その電流コンフィギュレーション回路が前記第１コンフィギュレーションにあるときには個別の基準に従う出力電流を各々有する複数の電流増幅器を含む、請求項１に記載のテスター装置。

【請求項3】

個別のチャンネルへの電流を増幅する電流増幅器を更に備えた、請求項１に記載のテスター装置。

【請求項4】

前記集積回路へ信号を与える信号エレクトロニック装置を更に備えた、請求項１に記載のテスター装置。

【請求項5】

少なくとも１つの基板を保持するための支持構造体と、
前記端子に接触させるために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
を備え、前記電気テスターは、前記コンタクト部を通して前記端子に接続され、前記電気テスターと集積回路との間に電流が導通して、集積回路をテストするようにした、請求項１に記載のテスター装置。

【請求項6】

少なくとも１つの基板によって保持された少なくとも１つの回路をテストする方法において、
集積回路に接続された基板の端子に対してコンタクト部を配置するステップと、
前記端子及びコンタクト部を通して電気テスターと集積回路との間に電流を導通して、集積回路をテストするステップと、
異なる大きさの個別の電流が個別のチャンネルへ供給される第１コンフィギュレーションと、個別のチャンネルへの電流が共通の基準に従う第２コンフィギュレーションとの間でスイッチングするステップと、
を備えた方法。

【請求項7】

前記電流コンフィギュレーション回路は、その電流コンフィギュレーション回路が前記第１コンフィギュレーションにあるときには個別の基準に従う出力電流を各々有する複数の電流増幅器を含む、請求項６に記載の方法。

【請求項8】

前記個別のチャンネルへの電流を増幅するステップを更に備えた、請求項６に記載の方法。

【請求項9】

前記集積回路へ信号を与えるステップを更に備えた、請求項６に記載の方法。

【外国語明細書】