(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023159571
(43)【公開日】2023-11-01
(54)【発明の名称】平坦化処理装置、及び、平坦化処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20231025BHJP
H05H 1/30 20060101ALN20231025BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101E
H05H1/30
【審査請求】有
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022069332
(22)【出願日】2022-04-20
(11)【特許番号】
(45)【特許公報発行日】2022-06-09
(71)【出願人】
【識別番号】393018521
【氏名又は名称】株式会社三友製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100163533
【弁理士】
【氏名又は名称】金山 義信
(74)【代理人】
【識別番号】100199842
【弁理士】
【氏名又は名称】坂井 祥平
(72)【発明者】
【氏名】岩瀬 千克
(72)【発明者】
【氏名】狩野 諒
【テーマコード（参考）】
2G084
5F004
【Ｆターム（参考）】
2G084AA02
2G084BB11
2G084CC19
2G084CC33
2G084DD01
2G084DD17
2G084DD22
2G084FF02
2G084FF07
2G084GG02
2G084GG07
5F004AA11
5F004BA03
5F004BB13
5F004CA05
5F004DA01
5F004DA26
5F004DB00
5F004DB01
5F004DB03
5F004DB07
(57)【要約】
【課題】 優れた平坦度を有するワークが得られる、平坦化処理装置の提供。
【解決手段】 プロセスガスをプラズマ励起して、ワーク（６０）の表面に局所的に供給する局所プラズマ源（１０）と、前記ワークを載置する試料台（８）と、前記局所プラズマ源、及び、前記試料台の相対位置を変化させる移動機構（９）と、制御装置（２０）と、を備える平坦化処理装置（２００）であって、前記制御装置は、移動制御部（３８）と、領域設定部（３３）と、基準速度算出部（３４）と、比率算出部（３５）と、補正速度算出部（３６）と、速度分布算出部（３７）と、を有し、前記移動制御部は、前記分布に従って、前記供給位置を走査移動させる、平坦化処理装置。
【選択図】 図７
【解決手段】 プロセスガスをプラズマ励起して、ワーク（６０）の表面に局所的に供給する局所プラズマ源（１０）と、前記ワークを載置する試料台（８）と、前記局所プラズマ源、及び、前記試料台の相対位置を変化させる移動機構（９）と、制御装置（２０）と、を備える平坦化処理装置（２００）であって、前記制御装置は、移動制御部（３８）と、領域設定部（３３）と、基準速度算出部（３４）と、比率算出部（３５）と、補正速度算出部（３６）と、速度分布算出部（３７）と、を有し、前記移動制御部は、前記分布に従って、前記供給位置を走査移動させる、平坦化処理装置。
【選択図】 図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
プロセスガスをプラズマ励起して、ワークの表面に局所的に供給する局所プラズマ源と、前記ワークを載置する試料台と、前記局所プラズマ源、及び、前記試料台の相対位置を変化させる移動機構と、制御装置と、を備える平坦化処理装置であって、
前記制御装置は、
前記移動機構を制御し、励起された前記プロセスガスの前記ワーク上における供給位置を、前記ワークの処理対象範囲の一方向に走査移動させ、かつ、前記走査移動の軌跡が描く走査線が、前記走査線と略直交する方向に所定のピッチで移動するように、前記供給位置を送り移動させる、移動制御部と、
前記処理対象範囲を、目標厚みとの差である加工量が互いに異なる複数の領域に分割する領域設定部と、
前記加工量の平均値から、前記走査移動の基準速度を算出する、基準速度算出部と、
前記処理対象範囲の前記領域ごとに、計算対象とする領域Ａの加工量に対する、前記走査線と平行な方向であって前記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値の比ＡＸ、及び、前記領域Ａの加工量に対する、前記走査線と略直交する方向であって前記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＹを算出する、比率算出部と、
前記比ＡＸ、及び、前記比ＡＹを用いて、前記領域Ａの前記基準速度を補正することで、前記処理対象範囲の前記領域ごとに補正速度を算出する、補正速度算出部と、
前記処理対象範囲における前記領域ごとの前記補正速度の分布を算出する、速度分布算出部と、を有し、
前記移動制御部は、前記分布に従って、前記供給位置を走査移動させる、平坦化処理装置。
前記制御装置は、
前記移動機構を制御し、励起された前記プロセスガスの前記ワーク上における供給位置を、前記ワークの処理対象範囲の一方向に走査移動させ、かつ、前記走査移動の軌跡が描く走査線が、前記走査線と略直交する方向に所定のピッチで移動するように、前記供給位置を送り移動させる、移動制御部と、
前記処理対象範囲を、目標厚みとの差である加工量が互いに異なる複数の領域に分割する領域設定部と、
前記加工量の平均値から、前記走査移動の基準速度を算出する、基準速度算出部と、
前記処理対象範囲の前記領域ごとに、計算対象とする領域Ａの加工量に対する、前記走査線と平行な方向であって前記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値の比ＡＸ、及び、前記領域Ａの加工量に対する、前記走査線と略直交する方向であって前記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＹを算出する、比率算出部と、
前記比ＡＸ、及び、前記比ＡＹを用いて、前記領域Ａの前記基準速度を補正することで、前記処理対象範囲の前記領域ごとに補正速度を算出する、補正速度算出部と、
前記処理対象範囲における前記領域ごとの前記補正速度の分布を算出する、速度分布算出部と、を有し、
前記移動制御部は、前記分布に従って、前記供給位置を走査移動させる、平坦化処理装置。
【請求項2】
隣り合う複数の前記領域を、所定の基準に沿って結合して、グループを設定する、領域結合部を更に有し、
前記基準速度算出部は、前記グループごとに、前記基準速度を算出し、
前記比率算出部は、前記グループごとに、前記グループに含まれる前記領域ごとの前記比ＡＸ、及び、前記比ＡＹを算出し、
前記補正速度算出部は、前記グループごとに、前記グループに含まれる前記領域ごとの前記補正速度を算出し、
前記速度分布算出部は、前記グループごとの前記補正速度の分布を算出、結合して、結合後分布を算出し、
前記移動制御部は、前記結合後分布に従って、前記相対位置を走査移動させる、請求項１に記載の平坦化処理装置。
前記基準速度算出部は、前記グループごとに、前記基準速度を算出し、
前記比率算出部は、前記グループごとに、前記グループに含まれる前記領域ごとの前記比ＡＸ、及び、前記比ＡＹを算出し、
前記補正速度算出部は、前記グループごとに、前記グループに含まれる前記領域ごとの前記補正速度を算出し、
前記速度分布算出部は、前記グループごとの前記補正速度の分布を算出、結合して、結合後分布を算出し、
前記移動制御部は、前記結合後分布に従って、前記相対位置を走査移動させる、請求項１に記載の平坦化処理装置。
【請求項3】
前記領域結合部は、前記処理対象範囲のすべての前記領域の加工量の最大値、最小値、及び、式：中間値＝最小値＋１／２（最大値＋最小値）により定義される中間値を求め、前記最大値と前記最小値との差が小さく、かつ、前記平均値と前記中間値との差が小さくなるように、前記グループを設定する、請求項２に記載の平坦化処理装置。
【請求項4】
前記領域の長辺の長さは、前記ピッチ以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の平坦化処理装置。
【請求項5】
前記移動機構は、前記相対位置を、少なくともＸ軸、及び、Ｘ軸と直交するＹ軸に沿って移動可能に構成される、請求項１に記載の平坦化処理装置。
【請求項6】
プロセスガスをプラズマ励起して、ワークの表面に局所的に供給し、励起された前記プロセスガスの前記ワーク上における供給位置を、前記ワークの処理対象範囲の一方向に走査移動させ、かつ、前記走査移動の軌跡が描く走査線が、前記走査線と略直交する方向に所定のピッチで移動するように、前記供給位置を送り移動させて、前記ワークを平坦化する、ワークの平坦化処理方法であって、
前記処理対象範囲を、目標厚みとの差である加工量が互いに異なる複数の領域に分割することと、
前記加工量の平均値から、前記走査移動の基準速度を算出することと、
前記処理対象範囲の前記領域ごとに、計算対象とする領域Ａの加工量に対する、前記走査線と平行な方向であって前記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＸ、及び、前記領域Ａの加工量に対する、前記走査線と略直交する方向であって前記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＹと、を算出することと、
前記比ＡＸ、及び、前記比ＡＹを用いて、前記領域Ａの前記基準速度を補正することで、前記処理対象範囲の前記領域ごとに補正速度を算出することと、
前記処理対象範囲における前記領域ごとの前記補正速度の分布を算出することと、
前記分布に従って、前記供給位置を走査移動させることと、を含む、平坦化処理方法。
前記処理対象範囲を、目標厚みとの差である加工量が互いに異なる複数の領域に分割することと、
前記加工量の平均値から、前記走査移動の基準速度を算出することと、
前記処理対象範囲の前記領域ごとに、計算対象とする領域Ａの加工量に対する、前記走査線と平行な方向であって前記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＸ、及び、前記領域Ａの加工量に対する、前記走査線と略直交する方向であって前記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＹと、を算出することと、
前記比ＡＸ、及び、前記比ＡＹを用いて、前記領域Ａの前記基準速度を補正することで、前記処理対象範囲の前記領域ごとに補正速度を算出することと、
前記処理対象範囲における前記領域ごとの前記補正速度の分布を算出することと、
前記分布に従って、前記供給位置を走査移動させることと、を含む、平坦化処理方法。
【請求項7】
隣り合う複数の前記領域を、所定の基準に沿って結合して、グループを設定することを更に含み、
前記基準速度の算出、前記比ＡＸの算出、前記比ＡＹの算出、前記補正速度の算出、及び、前記分布の算出が、前記グループごとに行われ、
前記供給位置の走査移動は、前記グループごとに算出された前記分布を結合して得られた結合後分布に従って行われる、請求項６に記載の平坦化処理方法。
前記基準速度の算出、前記比ＡＸの算出、前記比ＡＹの算出、前記補正速度の算出、及び、前記分布の算出が、前記グループごとに行われ、
前記供給位置の走査移動は、前記グループごとに算出された前記分布を結合して得られた結合後分布に従って行われる、請求項６に記載の平坦化処理方法。
【請求項8】
前記グループを設定することは、前記処理対象範囲のすべての前記領域の加工量の最大値、最小値、及び、式：中間値＝最小値＋１／２（最大値＋最小値）により定義される中間値を求めることと、
前記最大値と前記最小値との差が小さく、かつ、前記平均値と前記中間値との差が小さくなるように、前記隣り合う複数の前記領域を結合して、前記グループを設定することと、を含む、請求項７に記載の平坦化処理方法。
前記最大値と前記最小値との差が小さく、かつ、前記平均値と前記中間値との差が小さくなるように、前記隣り合う複数の前記領域を結合して、前記グループを設定することと、を含む、請求項７に記載の平坦化処理方法。
【請求項9】
前記領域の長辺の長さは、前記ピッチ以下である、請求項６～８のいずれか１項に記載の平坦化処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、局所プラズマ源を用いた平坦化処理装置、及び、平坦化処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
減圧雰囲気下で絶縁性の細管を用いて、プロセスガスをプラズマ励起し、ワークの表面の所望の範囲に供給して、ワークを加工する、局所プラズマ源によるワークの加工方法が知られている。
【0003】
局所範囲をプラズマ処理する局所プラズマは、一般的にプラズマ密度が高く、高速加工が可能であるため、半導体ウエハ等の平板状のワークの深堀、及び、うねりを解消する平坦化処理等に活用されている。
特に、吸引プラズマは高速加工が可能で、清浄な加工面が得られる点で更なる活用が期待されている。
特に、吸引プラズマは高速加工が可能で、清浄な加工面が得られる点で更なる活用が期待されている。
【0004】
局所プラズマ源を用いた平坦化処理は、ワークを目標の厚みに加工するために、処理前の厚みに合わせてプラズマの供給時間、位置、エネルギー、及び、プラズマ発生源とワークとの距離等の諸条件を調整しながら行われることがある。
【0005】
上記のような技術として、特許文献１には、「エッチングガスをプラズマにより励起して、中性活性種を含むガスを生成し、前記ガスを半導体ウェーハの主面に局所的に供給して、局部的なエッチングを行う半導体ウェーハの平坦化方法であって、半導体ウェーハの面内を、エッチングレートのプロファイルが互いに異なる複数の領域に分割し、前記複数の領域のあいだの前記エッチングレートのプロファイルの差異が抑制されるように、前記複数の領域のそれぞれにおいて前記局部的なエッチングを行う位置を決定すること、を特徴とする半導体ウェーハの平坦化方法。」が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２００９－２５３１３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
処理前の厚みにばらつきのあるワークの表面を平坦にするためには、厚みのばらつきに応じてプラズマの供給量、及び、供給位置等を調整し、加工の度合いを調整すればよいと考えられてきた。
プラズマ源によるワークの加工の度合いは、そのプラズマ源に固有の加工痕形状と、プラズマ源の走査速度との畳み込み積分により見積れることが知られている。つまり、上記に従って、必要な加工量（処理前厚み－目標厚み）に見合うプラズマ源の走査速度等の条件を設定することで、所望の程度の平坦化ができると考えられてきた。
プラズマ源によるワークの加工の度合いは、そのプラズマ源に固有の加工痕形状と、プラズマ源の走査速度との畳み込み積分により見積れることが知られている。つまり、上記に従って、必要な加工量（処理前厚み－目標厚み）に見合うプラズマ源の走査速度等の条件を設定することで、所望の程度の平坦化ができると考えられてきた。
【0008】
しかし、本発明者らの検討によれば、上記方法により得られる効果（平坦度）は、近年、例えば半導体ウエハ等に要求される品質水準と比較すると、必ずしも十分ではなく、改善の余地があった。
そこで、本発明は、優れた平坦度を有するワークが得られる、平坦化処理装置を提供することを課題とする。また、本発明は、平坦化処理方法を提供することも課題とする。
そこで、本発明は、優れた平坦度を有するワークが得られる、平坦化処理装置を提供することを課題とする。また、本発明は、平坦化処理方法を提供することも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決することができることを見出した。
【0010】
［１］ プロセスガスをプラズマ励起して、ワークの表面に局所的に供給する局所プラズマ源と、上記ワークを載置する試料台と、上記局所プラズマ源、及び、上記試料台の相対位置を変化させる移動機構と、制御装置と、を備える平坦化処理装置であって、上記制御装置は、上記移動機構を制御し、励起された上記プロセスガスの上記ワーク上における供給位置を、上記ワークの処理対象範囲の一方向に走査移動させ、かつ、上記走査移動の軌跡が描く走査線が、上記走査線と略直交する方向に所定のピッチで移動するように、上記供給位置を送り移動させる、移動制御部と、上記処理対象範囲を、目標厚みとの差である加工量が互いに異なる複数の領域に分割する領域設定部と、上記加工量の平均値から、上記走査移動の基準速度を算出する、基準速度算出部と、上記処理対象範囲の上記領域ごとに、計算対象とする領域Ａの加工量に対する、上記走査線と平行な方向であって上記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値の比ＡＸ、及び、上記領域Ａの加工量に対する、上記走査線と略直交する方向であって上記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＹを算出する、比率算出部と、上記比ＡＸ、及び、上記比ＡＹを用いて、上記領域Ａの上記基準速度を補正することで、上記処理対象範囲の上記領域ごとに補正速度を算出する、補正速度算出部と、上記処理対象範囲における上記領域ごとの上記補正速度の分布を算出する、速度分布算出部と、を有し、上記移動制御部は、上記分布に従って、上記供給位置を走査移動させる、平坦化処理装置。
［２］ 隣り合う複数の上記領域を、所定の基準に沿って結合して、グループを設定する、領域結合部を更に有し、上記基準速度算出部は、上記グループごとに、上記基準速度を算出し、上記比率算出部は、上記グループごとに、上記グループに含まれる上記領域ごとの上記比ＡＸ、及び、上記比ＡＹを算出し、上記補正速度算出部は、上記グループごとに、上記グループに含まれる上記領域ごとの上記補正速度を算出し、上記速度分布算出部は、上記グループごとの上記補正速度の分布を算出、結合して、結合後分布を算出し、上記移動制御部は、上記結合後分布に従って、上記相対位置を走査移動させる、［１］に記載の平坦化処理装置。
［３］ 上記領域結合部は、上記処理対象範囲のすべての上記領域の加工量の最大値、最小値、及び、式：中間値＝最小値＋１／２（最大値＋最小値）により定義される中間値を求め、上記最大値と上記最小値との差が小さく、かつ、上記平均値と上記中間値との差が小さくなるように、上記グループを設定する、［２］に記載の平坦化処理装置。
［４］ 上記領域の長辺の長さは、上記ピッチ以下である、［１］～［３］のいずれかに記載の平坦化処理装置。
［５］ 上記移動機構は、上記相対位置を、少なくともＸ軸、及び、Ｘ軸と直交するＹ軸に沿って移動可能に構成される、［１］に記載の平坦化処理装置。
［６］ プロセスガスをプラズマ励起して、ワークの表面に局所的に供給し、励起された上記プロセスガスの上記ワーク上における供給位置を、上記ワークの処理対象範囲の一方向に走査移動させ、かつ、上記走査移動の軌跡が描く走査線が、上記走査線と略直交する方向に所定のピッチで移動するように、上記供給位置を送り移動させて、上記ワークを平坦化する、ワークの平坦化処理方法であって、上記処理対象範囲を、目標厚みとの差である加工量が互いに異なる複数の領域に分割することと、上記加工量の平均値から、上記走査移動の基準速度を算出することと、上記処理対象範囲の上記領域ごとに、計算対象とする領域Ａの加工量に対する、上記走査線と平行な方向であって上記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＸ、及び、上記領域Ａの加工量に対する、上記走査線と略直交する方向であって上記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＹと、を算出することと、上記比ＡＸ、及び、上記比ＡＹを用いて、上記領域Ａの上記基準速度を補正することで、上記処理対象範囲の上記領域ごとに補正速度を算出することと、上記処理対象範囲における上記領域ごとの上記補正速度の分布を算出することと、上記分布に従って、上記供給位置を走査移動させることと、を含む、平坦化処理方法。
［７］ 隣り合う複数の上記領域を、所定の基準に沿って結合して、グループを設定することを更に含み、上記基準速度の算出、上記比ＡＸの算出、上記比ＡＹの算出、上記補正速度の算出、及び、上記分布の算出が、上記グループごとに行われ、上記供給位置の走査移動は、上記グループごとに算出された上記分布を結合して得られた結合後分布に従って行われる、［６］に記載の平坦化処理方法。
［８］ 上記グループを設定することは、上記処理対象範囲のすべての上記領域の加工量の最大値、最小値、及び、式：中間値＝最小値＋１／２（最大値＋最小値）により定義される中間値を求めることと、上記最大値と上記最小値との差が小さく、かつ、上記平均値と上記中間値との差が小さくなるように、上記隣り合う複数の上記領域を結合して、上記グループを設定することと、を含む、［７］に記載の平坦化処理方法。
［９］ 上記領域の長辺の長さは、上記ピッチ以下である、［６］～［８］のいずれかに記載の平坦化処理方法。
［２］ 隣り合う複数の上記領域を、所定の基準に沿って結合して、グループを設定する、領域結合部を更に有し、上記基準速度算出部は、上記グループごとに、上記基準速度を算出し、上記比率算出部は、上記グループごとに、上記グループに含まれる上記領域ごとの上記比ＡＸ、及び、上記比ＡＹを算出し、上記補正速度算出部は、上記グループごとに、上記グループに含まれる上記領域ごとの上記補正速度を算出し、上記速度分布算出部は、上記グループごとの上記補正速度の分布を算出、結合して、結合後分布を算出し、上記移動制御部は、上記結合後分布に従って、上記相対位置を走査移動させる、［１］に記載の平坦化処理装置。
［３］ 上記領域結合部は、上記処理対象範囲のすべての上記領域の加工量の最大値、最小値、及び、式：中間値＝最小値＋１／２（最大値＋最小値）により定義される中間値を求め、上記最大値と上記最小値との差が小さく、かつ、上記平均値と上記中間値との差が小さくなるように、上記グループを設定する、［２］に記載の平坦化処理装置。
［４］ 上記領域の長辺の長さは、上記ピッチ以下である、［１］～［３］のいずれかに記載の平坦化処理装置。
［５］ 上記移動機構は、上記相対位置を、少なくともＸ軸、及び、Ｘ軸と直交するＹ軸に沿って移動可能に構成される、［１］に記載の平坦化処理装置。
［６］ プロセスガスをプラズマ励起して、ワークの表面に局所的に供給し、励起された上記プロセスガスの上記ワーク上における供給位置を、上記ワークの処理対象範囲の一方向に走査移動させ、かつ、上記走査移動の軌跡が描く走査線が、上記走査線と略直交する方向に所定のピッチで移動するように、上記供給位置を送り移動させて、上記ワークを平坦化する、ワークの平坦化処理方法であって、上記処理対象範囲を、目標厚みとの差である加工量が互いに異なる複数の領域に分割することと、上記加工量の平均値から、上記走査移動の基準速度を算出することと、上記処理対象範囲の上記領域ごとに、計算対象とする領域Ａの加工量に対する、上記走査線と平行な方向であって上記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＸ、及び、上記領域Ａの加工量に対する、上記走査線と略直交する方向であって上記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＹと、を算出することと、上記比ＡＸ、及び、上記比ＡＹを用いて、上記領域Ａの上記基準速度を補正することで、上記処理対象範囲の上記領域ごとに補正速度を算出することと、上記処理対象範囲における上記領域ごとの上記補正速度の分布を算出することと、上記分布に従って、上記供給位置を走査移動させることと、を含む、平坦化処理方法。
［７］ 隣り合う複数の上記領域を、所定の基準に沿って結合して、グループを設定することを更に含み、上記基準速度の算出、上記比ＡＸの算出、上記比ＡＹの算出、上記補正速度の算出、及び、上記分布の算出が、上記グループごとに行われ、上記供給位置の走査移動は、上記グループごとに算出された上記分布を結合して得られた結合後分布に従って行われる、［６］に記載の平坦化処理方法。
［８］ 上記グループを設定することは、上記処理対象範囲のすべての上記領域の加工量の最大値、最小値、及び、式：中間値＝最小値＋１／２（最大値＋最小値）により定義される中間値を求めることと、上記最大値と上記最小値との差が小さく、かつ、上記平均値と上記中間値との差が小さくなるように、上記隣り合う複数の上記領域を結合して、上記グループを設定することと、を含む、［７］に記載の平坦化処理方法。
［９］ 上記領域の長辺の長さは、上記ピッチ以下である、［６］～［８］のいずれかに記載の平坦化処理方法。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、優れた平坦度を有するワークが得られる、平坦化処理装置が提供できる。また、本発明によれば、平坦化処理方法も提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の実施形態に係る平坦化処理方法によってワークの平坦化処理を行う場合のプラズマ励起されたプロセスガスの供給位置の移動手順の説明図である。
【図2】局所プラズマ源として吸引プラズマを用いた場合によるスポット加工痕と、加工条件との関係を表す図である。
【図3】ワーク上で供給位置６１を走査移動（ワークと局所プラズマ源との相対位置を変化）させた場合の、加工痕形状の説明図である。
【図4】ワーク上で供給位置６１を走査移動（ワークと局所プラズマ源との相対位置を変化）させた場合の、加工痕形状の説明図である。
【図5】図５（Ａ）は、ワーク６０の表面の処理対象範囲６６を、加工量が互いに異なる複数の領域６７に分割した状態を表す平面図である。図５（Ｂ）は、照射位置を走査移動、及び、送り移動させる際の供給位置の重なり合いの説明図である。
【図6】補正速度の算出過程の説明図である。
【図7】本発明の実施形態に係る平坦化処理方法のフロー図である。
【図8】基準速度の算出に用いる、基本的なスキャンパターンにおける加工痕プロファイルを表す図である。
【図9】補正速度の分布を色の濃淡で表した模式図である。
【図10】供給位置が、領域よりも大きい場合における、供給位置の走査移動速度の決定方法の具体例を示す模式図である。
【図11】走査速度の分布の算出方法を具体的に説明するための簡易モデルである。
【図12】走査速度の分布の算出方法を具体的に説明するための簡易モデルである。
【図13】走査速度の分布の算出方法を具体的に説明するための簡易モデルである。
【図14】走査速度の分布の算出方法を具体的に説明するための簡易モデルである。
【図15】補正速度の計算結果と、各領域の位置情報とを含む、補正速度の分布である。
【図17】本発明の実施形態に係る平坦化装置が有するプラズマ加工部の説明図である。
【図18】本発明の第２の実施形態に係る平坦化処理方法のフロー図である。
【図19】グループの設定方法の説明図である。
【図21】。図２１（Ａ）は、ワーク６０の処理対象範囲６６における加工量（処理前の厚み－目標厚み）の分布を表す図である。また、図２１（Ｂ）は、加工量のシミュレーション結果（上述の方法で補正速度を得た後、それを加工量に計算しなおしたもの）の分布を表す図である。
【図22】本発明の第２の実施形態に係る平坦化装置の機能ブロック図である。
【図23】実施例１の実験結果を表す図である。
【図24】実施例２の実験結果を表す図である。
【図25】比較例の実験結果を表す図である。
【図27】同一速度におけるスキャロップ（Ｒｙ）のデータを更にプロットした図である。
【図28】加工量が一定となるようにした場合のピッチとＲｙとの関係を、ステージ走査速度によって調整した図である。
【図29】供給位置の移動の軌跡と、速度連結方法の具体例を示す図である。
【図31】加工量のシミュレーション結果（上述の方法で補正速度を得た後、それを加工量に計算しなおしたもの）の分布を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に制限されるものではない。
なお、本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に制限されるものではない。
なお、本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
【0014】
また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化した一例であって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、及び、配置等を下記の実施形態に特定するものではない。また、図面は模式的なものである。そのため、厚みと平面寸法との関係、比率等は現実のものとは異なる場合があり、また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なることがある。
【0015】
［平坦化処理方法の第１実施形態］
本発明の平坦化処理方法の第１実施形態（以下、「本方法」又は、「方法（第１実施形態）」ということがある）は、プロセスガスをプラズマ励起して、ワークの表面に局所的に供給し、励起された上記プロセスガスの上記ワーク上における供給位置を、上記ワークの処理対象範囲の一方向に走査移動させ、かつ、上記走査移動の軌跡が描く走査線が、上記走査線と略直交する方向に所定のピッチで移動するように、上記供給位置を送り移動させて、上記ワークを平坦化する、ワークの平坦化処理方法であって、上記処理対象範囲を、目標厚みとの差である加工量が互いに異なる複数の領域に分割することと、上記加工量の平均値から、上記走査移動の基準速度を算出することと、上記処理対象範囲の上記領域ごとに、計算対象とする領域Ａの加工量に対する、上記走査線と平行な方向であって上記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＸ、及び、上記領域Ａの加工量に対する、上記走査線と略直交する方向であって上記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＹと、を算出することと、上記比ＡＸ、及び、上記比ＡＹを用いて、上記領域Ａの上記基準速度を補正することで、上記処理対象範囲の上記領域ごとに補正速度を算出することと、上記処理対象範囲における上記領域ごとの上記補正速度の分布を算出することと、上記分布に従って、上記供給位置を走査移動させることと、を含む。
本発明の平坦化処理方法の第１実施形態（以下、「本方法」又は、「方法（第１実施形態）」ということがある）は、プロセスガスをプラズマ励起して、ワークの表面に局所的に供給し、励起された上記プロセスガスの上記ワーク上における供給位置を、上記ワークの処理対象範囲の一方向に走査移動させ、かつ、上記走査移動の軌跡が描く走査線が、上記走査線と略直交する方向に所定のピッチで移動するように、上記供給位置を送り移動させて、上記ワークを平坦化する、ワークの平坦化処理方法であって、上記処理対象範囲を、目標厚みとの差である加工量が互いに異なる複数の領域に分割することと、上記加工量の平均値から、上記走査移動の基準速度を算出することと、上記処理対象範囲の上記領域ごとに、計算対象とする領域Ａの加工量に対する、上記走査線と平行な方向であって上記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＸ、及び、上記領域Ａの加工量に対する、上記走査線と略直交する方向であって上記領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値に対する比ＡＹと、を算出することと、上記比ＡＸ、及び、上記比ＡＹを用いて、上記領域Ａの上記基準速度を補正することで、上記処理対象範囲の上記領域ごとに補正速度を算出することと、上記処理対象範囲における上記領域ごとの上記補正速度の分布を算出することと、上記分布に従って、上記供給位置を走査移動させることと、を含む。
【0016】
上記平坦化処理方法によって、所期の効果が得られる機序は必ずしも明らかではないが、本発明者らは、以下のとおり推測している。
【0017】
図１は、本方法によってワーク６０の平坦化処理を行う場合のプラズマ励起されたプロセスガスの供給位置の移動手順の説明図である。
図１（Ａ）は、ワーク６０の平面図であり、プラズマ励起したプロセスガスが供給される供給位置６１を、Ｙ方向に走査移動させ、次いで、Ｘ方向に所定のピッチで送り移動させ、これを繰り返しながら、ワーク６０の表面の処理対象範囲が平坦化される。
なお、図１（Ａ）では、走査移動の軌跡が描く走査線６２と、送り移動の移動方向６３とが直交しているが、本方法における供給位置の移動手順は上記に制限されず、走査線の間隔である送りピッチ（以下、単に「ピッチ」ともいう。）が一定となるよう、移動させればよく、図１（Ｂ）のように、送り移動の移動方向６５が、走査線６４と直交していなくてもよい。なお、図１（Ｂ）の場合であっても、走査線６４の間隔（ピッチ）は一定である。
図１（Ａ）は、ワーク６０の平面図であり、プラズマ励起したプロセスガスが供給される供給位置６１を、Ｙ方向に走査移動させ、次いで、Ｘ方向に所定のピッチで送り移動させ、これを繰り返しながら、ワーク６０の表面の処理対象範囲が平坦化される。
なお、図１（Ａ）では、走査移動の軌跡が描く走査線６２と、送り移動の移動方向６３とが直交しているが、本方法における供給位置の移動手順は上記に制限されず、走査線の間隔である送りピッチ（以下、単に「ピッチ」ともいう。）が一定となるよう、移動させればよく、図１（Ｂ）のように、送り移動の移動方向６５が、走査線６４と直交していなくてもよい。なお、図１（Ｂ）の場合であっても、走査線６４の間隔（ピッチ）は一定である。
【0018】
図２は、局所プラズマ源として吸引プラズマを用いた場合によるスポット加工痕と、加工条件との関係を表す図である。このうち、図２（Ａ）は、絶縁性細管（キャピラリ）径と、加工痕形状との関係を表す図である。また、図２（Ｂ）は、局所プラズマ源に印加する高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）パワーと、加工レートとの関係（シリコン基板、キャピラリ４ｍｍφ、プロセスガス：ＣＦ４）を表す図である。また、図２（Ｃ）は、加工時間と加工位置の中心部（尖頭部）の深さ（加工深さ）との関係（シリコン基板、プロセスガス：ＣＦ４、ＲＦ５０Ｗ）を表す図である。
【0019】
図２からは、局所プラズマ源を用いたワークの加工においては、加工深さと加工時間とに相関があることがわかる。上記関係からは、ワークの表面の凹凸（うねり）に応じて、局所的な加工時間を制御することで、それぞれの箇所で目標厚みまで加工できるようにも思われる。
【0020】
図３～４は、ワーク６０上で供給位置６１を走査移動（ワーク６０と局所プラズマ源との相対位置を変化）させた場合の、加工痕形状の説明図である。
図３（Ａ）は、ワーク６０、供給位置６１、及び、その走査移動によって形成される加工痕７０の位置関係を表す平面図であり、図３（Ｂ）は、加工痕７０のＸ軸断面図であり、図４（Ａ）は、加工痕７０のＹ軸断面図である。
図３（Ａ）は、ワーク６０、供給位置６１、及び、その走査移動によって形成される加工痕７０の位置関係を表す平面図であり、図３（Ｂ）は、加工痕７０のＸ軸断面図であり、図４（Ａ）は、加工痕７０のＹ軸断面図である。
【0021】
また、図４（Ｂ）は、加工位置の中心部（尖頭部）の深さ（加工深さ）と、ステージ走査速度との関係（キャピラリ径４ｍｍφ）を表す図である。図４（Ｂ）によれば、加工深さとステージ走査速度の逆数とには相関関係があり、ステージ走査速度（すなわち供給位置の走査移動の速度）を制御することで、加工の度合いを任意に制御できることがわかる。
なお、上記「相関関係」は、吸引プラズマの場合、略線形の関係にあるものの、相関関係としては線形である必要はなく、線形でなくても加工量の制御が可能である。
なお、上記「相関関係」は、吸引プラズマの場合、略線形の関係にあるものの、相関関係としては線形である必要はなく、線形でなくても加工量の制御が可能である。
【0022】
なお、有効加工深さは、ステージ走査速度以外にもピッチ、及び、基準速度によっても変化し得る。図２６（Ａ）は、ピッチを変化させた場合の有効加工深さの関係を表す図である。横軸はピッチ（ｍｍ）を表しており、縦軸は有効加工深さ（μｍ）を表している。キャピラリ径は４ｍｍφ、ステージ走査速度は１ｍｍ／ｓとしたものである。
また、図２６（Ｂ）は、基準速度を変化させた場合の有効加工深さの関係を表す図である。横軸は基準速度（ｍｍ／ｓ）、縦軸は有効加工深さ（μｍ）を表している。キャピラリ径は４ｍｍφ、ピッチは１ｍｍ／ｓとしたものである。
上記から、ある領域では、ピッチ、及び、基準速度と有効加工深さとの関係は概ね線形であることがわかる。
また、図２６（Ｂ）は、基準速度を変化させた場合の有効加工深さの関係を表す図である。横軸は基準速度（ｍｍ／ｓ）、縦軸は有効加工深さ（μｍ）を表している。キャピラリ径は４ｍｍφ、ピッチは１ｍｍ／ｓとしたものである。
上記から、ある領域では、ピッチ、及び、基準速度と有効加工深さとの関係は概ね線形であることがわかる。
【0023】
また、図２７は、ステージ走査速度と有効加工深さとの関係にスキャロップ（Ｒｙ）のデータを更にプロットした図である。縦の第２軸は、スキャロップ（μｍ）を表している。図２７からは、基準速度が大きくなると、スキャロップが小さくなることがわかる。有効加工深さとの関係では、有効加工深さが大きいほど（基準速度が小さいほど）、スキャロップは大きいことがわかる。
【0024】
図２６、及び、図２７からは、ピッチが小さいほど、おおむねＲｙが改善する傾向がある（ピッチを０に漸近させると、Ｒｙも０に漸近する）ものの、一方で、ピッチが０に近づくと有効加工深さは大きくなるため、所望の加工量を得るにはステージ走査速度（移動速度）を速くする必要があることがわかる。
図２８は、加工量が一定となるようにした場合のピッチとＲｙとの関係を、ステージ走査速度によって調整した図である。なお、ステージ走査速度は、機構系の制約、及び、プラズマの状態がより均一に保たれる点で、所定の値以下であることが好ましく、一形態としては、１０ｍｍ／ｓ以下が好ましい。
図２８は、加工量が一定となるようにした場合のピッチとＲｙとの関係を、ステージ走査速度によって調整した図である。なお、ステージ走査速度は、機構系の制約、及び、プラズマの状態がより均一に保たれる点で、所定の値以下であることが好ましく、一形態としては、１０ｍｍ／ｓ以下が好ましい。
【0025】
なお、図４（Ｂ）では、ワーク６０がＸＹ２軸の移動ステージ上に載置されている場合を例にし、ステージ走査速度との関係を示したが、供給位置の移動は、局所プラズマ源とワークとの相対位置の移動によって実現されるため、局所プラズマ源を移動させる場合も同様である。
【0026】
上記のとおり、原則的には、励起されたプロセスガスのワーク上における供給位置（プラズマの供給位置）の走査移動の速度と、得られる加工痕の深さとには、上述のような関係がある。従って、走査移動の速度を適切に設定すれば、所望の平坦度を有する平坦化処理済みワークが得られると考えられた。
そこで、本発明者らは、まず、ワークの面内の処理対象範囲（加工対象範囲）を、目標厚みとの差である加工量（加工量＝処理前の厚み－目標厚み）が互いに異なる複数の領域に分割し、それぞれの領域ごとに適切な走査移動速度を計算し、これにより平坦化処理することを想起した。
そこで、本発明者らは、まず、ワークの面内の処理対象範囲（加工対象範囲）を、目標厚みとの差である加工量（加工量＝処理前の厚み－目標厚み）が互いに異なる複数の領域に分割し、それぞれの領域ごとに適切な走査移動速度を計算し、これにより平坦化処理することを想起した。
【0027】
図５（Ａ）は、ワーク６０の表面の処理対象範囲６６を、加工量が互いに異なる複数の領域６７に分割した状態を表す平面図である。すでに説明した加工深さと、供給位置の走査速度との関係によれば、上記領域６７の加工量に応じて、供給位置の走査移動の速度を設定すれば、所望の平坦度が得られると考えられた。しかし、上記の方法だけでは、一定程度の平坦化効果は得られたものの、所期の平坦度を得ることはできなかった。
【0028】
本発明者らは上記の理由について、鋭意検討した。そして、計算と実証との繰り返しによって、原因の一つを突き止めるに至った。それは、まず、第１に、図２（Ａ）に示されたとおり、供給位置におけるスポット加工痕の形状は、すり鉢状となっており、中心部から半径（ＸＹ方向）に遠ざかるに従い、加工深さが浅くなる（説明のため、そのような部分を「裾」という）ことである。
そして第２に、ワーク６０の表面において供給位置を走査する際、「裾」の重なり合い等が発生すること、及び、これが走査移動の速度、及び、ピッチ等の影響を受けることである。
そして第２に、ワーク６０の表面において供給位置を走査する際、「裾」の重なり合い等が発生すること、及び、これが走査移動の速度、及び、ピッチ等の影響を受けることである。
【0029】
図５（Ｂ）は、照射位置を走査移動、及び、送り移動させる際の供給位置の重なり合いの説明図である。図５（Ｂ）に示すとおり加工痕７０は、供給位置の重なり合いを含んで形成され、その重なり合いは、Ｘ軸方向だけでなく、Ｙ軸方向にも発生し得る。
【0030】
上記の発見を受けて、本発明者らは更に検討した結果、処理対象範囲における加工量の平均値から、走査移動の基準速度を算出し、処理対象範囲における領域ごとに、計算対象とする領域Ａの加工量に対する、走査移動の軌跡（走査線）と平行な方向であって領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値との比ＡＸ（Ｘ方向の平均加工量／領域Ａの加工量）、及び、領域Ａの加工量に対する、走査線と略直交する方向であって領域Ａを含む線上に並ぶ全領域の加工量の平均値との比ＡＹ（Ｙ方向の平均加工量／領域Ａの加工量）を算出し、比ＡＸ、及び、比ＡＹを用いて、領域Ａにおける基準速度を補正し、処理対象範囲の領域ごとに補正速度を算出し、処理対象範囲における補正速度の分布を算出し、上記分布に従って、供給位置を走査移動させることによれば、所望の平坦度が得られることを知見し、本発明を完成させた。
【0031】
上記方法の特徴点の１つは、基準速度を補正し、各領域における補正速度を算出する点にある。図６は、この補正速度の算出過程の説明図である。
図６（Ａ）は、ワーク６０上において、供給位置６１を走査する手順を示す図であり、供給位置６１は、Ｘ軸方向に走査移動し、走査線６２と直交する方向（送り移動方向６３、Ｙ軸方向）に送り移動される。
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）の場合の、領域Ａにおける補正速度の算出過程の説明図である。
図６（Ａ）は、ワーク６０上において、供給位置６１を走査する手順を示す図であり、供給位置６１は、Ｘ軸方向に走査移動し、走査線６２と直交する方向（送り移動方向６３、Ｙ軸方向）に送り移動される。
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）の場合の、領域Ａにおける補正速度の算出過程の説明図である。
【0032】
図６（Ｂ）に示されたように、ワーク６０の表面の処理対象範囲６６は、所定の大きさの領域６７に区画され、各領域６７では、加工量（＝処理前の厚み－目標厚み）が異なっている。
【0033】
ある領域７３（領域Ａ）について、補正速度を求めるために、まず、走査線６２と平行な方向であって、領域７３を含む線７２上に並ぶ、すべての領域６７の加工量の平均値との比ＡＸが算出される。ここで、比ＡＸは、（線７２上の全領域の加工量の平均値）／（領域Ａの加工量）によって定義される。
更に、走査線６２と略直交する方向であって、領域７３を含む線７１上に並ぶ、すべての領域６７の加工量の平均値との比ＡＹが算出される。ここで、比ＡＹは、（線７１上の全領域の加工量の平均値）／（領域Ａの加工量）によって定義される。
更に、走査線６２と略直交する方向であって、領域７３を含む線７１上に並ぶ、すべての領域６７の加工量の平均値との比ＡＹが算出される。ここで、比ＡＹは、（線７１上の全領域の加工量の平均値）／（領域Ａの加工量）によって定義される。
【0034】
領域７３における基準速度は、上記比ＡＸ、及び、比ＡＹを使って補正される。典型的には、基準速度に上記比ＡＸ、及び、比ＡＹが乗算される（補正速度＝基準速度×比ＡＸ×比ＡＹ）。本方法では、上記のように補正速度を算出することで、図５（Ｂ）で示されるような、走査方向、及び、送り方向における裾の重なり合いの影響が考慮され、結果として優れた平坦度を有する平坦化処理済みのワークが得られる。
【0035】
以下では、本方法について工程ごとに詳述する。図７は、本方法のフロー図である。
まず、本方法は、ステップＳ１として、ワークの処理対象範囲を、加工量が互いに異なる複数の領域に分割する。なお、すでに説明したとおり、加工量とは、処理前のワークの厚みと、処理後の目標の厚みとの差により定義される値である。
まず、本方法は、ステップＳ１として、ワークの処理対象範囲を、加工量が互いに異なる複数の領域に分割する。なお、すでに説明したとおり、加工量とは、処理前のワークの厚みと、処理後の目標の厚みとの差により定義される値である。
【0036】
処理前のワークの厚みは、公知の方法により測定される。公知の方法としては、例えば、ワークがシリコンや窒化ケイ素等の不透明体であれば、真空チャックや静電チャック（ＥＳＣ）等でワークを固定した状態で、光干渉計や接触式表面段差計等により、基準面からの高さ分布を測定（Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）し、厚みに換算する方法、ワークが水晶やニオブ酸リチウム等の透明体であれば、光干渉計や分光エリプソメトリーを用いる方法等があり、ワークの材質、及び、厚み等に応じて、適宜選択されればよい。
【0037】
領域の形状は、処理対象範囲を均等に分割できれば特に制限されないが、矩形であることが好ましく、正多角形であることが好ましく、正方形であることが好ましい。また、その大きさは特に制限されないが、例えば、矩形である場合、長辺がピッチ以下（走査線の間隔以下）であることが好ましく、ピッチ未満であることが好ましい。
領域の大きさの下限は特に制限されず、厚みの測定方法等に応じて（異なる厚みの領域を区分けできる範囲に）適宜設定されればよい。
また、後述するキャピラリ（内）径との関係では、一形態として、キャピラリ径の１／１０以下とすることが好ましい。領域の大きさが上記範囲内であると、より優れた効果が得られやすい。
領域の大きさの下限は特に制限されず、厚みの測定方法等に応じて（異なる厚みの領域を区分けできる範囲に）適宜設定されればよい。
また、後述するキャピラリ（内）径との関係では、一形態として、キャピラリ径の１／１０以下とすることが好ましい。領域の大きさが上記範囲内であると、より優れた効果が得られやすい。
【0038】
なお、「加工量が互いに異なる」とは、加工範囲内を区画する領域のうち、少なくとも１組以上、加工量が異なる領域が存在していることを意味し、全領域を比較したとき、加工量が同一の領域が２つ以上あってもよいし、加工量が同一の領域が隣り合っていてもよい。
【0039】
次に、ステップＳ２として、処理対象範囲における、各領域の加工量の平均値から、走査移動の基準速度を算出する。
基準速度は、平坦化処理に用いる基本的なスキャンパターンから算出される。すでに説明したとおり、加工深さは、ワークの材質、供給位置の走査移動速度、ピッチ、キャピラリ径、及び、ＲＦパワー等との間に相関を有している。従って、これら（基本的条件）を決めると、加工深さは、計算、及び／又は、実測により求めることができる。なお、基本的スキャンパターンとしては特に制限されないが、一形態としては、すでに説明した図６（Ａ）等の走査パターンを基本的なスキャンパターンとすればよい。
基準速度は、平坦化処理に用いる基本的なスキャンパターンから算出される。すでに説明したとおり、加工深さは、ワークの材質、供給位置の走査移動速度、ピッチ、キャピラリ径、及び、ＲＦパワー等との間に相関を有している。従って、これら（基本的条件）を決めると、加工深さは、計算、及び／又は、実測により求めることができる。なお、基本的スキャンパターンとしては特に制限されないが、一形態としては、すでに説明した図６（Ａ）等の走査パターンを基本的なスキャンパターンとすればよい。
【0040】
図８は、基準速度の算出に用いる、基本的なスキャンパターンにおける加工痕プロファイルを表す図である。図８は、ワークのＹ軸断面図を表しており、基本的条件としてスキャンが１ｍｍ／ｓ、ピッチを１．２ｍｍ～０．８ｍｍとした場合の加工形状（加工深さ）である。図中、実線は、実測データであり、破線は計算結果である。図８に示されるとおり、実測データと計算結果とはよく一致している。
【0041】
なお、加工された底面部には、ピッチに応じた、周期的な凹凸部が発生する。この凹凸における最大値と最小値との差をスキャロップ（Ｒｙ）といい、この平均値を「有効加工深さ」とし、これを上述の加工量の平均（平均加工量）と比較し、基準速度を算出すればよい。
【0042】
例えば、走査移動の速度が１ｍｍ／ｓで、ピッチが０．８ｍｍの場合、有効加工深さは、図８の条件では、約１．５μｍとなる。このとき、平均加工量が０．５μｍ（５００ｎｍ）である場合、基準速度は、おおよそ１（ｍｍ／ｓ）／（５００／１５００）＝３（ｍｍ／ｓ）と求めることができる。なお、上記は説明のための条件・数値であり、本実施形態における各条件を限定するものではない。
【0043】
図７に戻り、次に、ステップＳ３として、領域（個々の領域を「領域Ａ」とする）ごとに、比ＡＸと比ＡＹとを算出する。比ＡＸは、すでに説明したとおり、領域Ａの加工量に対する、領域Ａを含むＸ方向に並ぶ全領域の加工量の平均値の比（Ｘ方向の平均加工量／領域Ａの加工量）である。同様に、比ＡＹについても求める。この比ＡＸ、及び、比ＡＹは、処理対象範囲の全領域について算出される。
【0044】
次に、ステップＳ４として、比ＡＸ、及び、比ＡＹを用いて、基準速度を補正し、領域Ａにおける補正速度を算出する。補正速度の算出方法としては、一形態として、基準速度と、比ＡＸと、比ＡＹの積をとることが好ましい。すなわち、以下の式；
式：領域Ａにおける補正速度＝基準速度×比ＡＸ×比ＡＹ
によって、補正速度を計算することが好ましい。上記によって、供給位置のＸＹ方向の重なり合いの影響が考慮された補正速度が算出される。この補正速度も、処理対象範囲の全領域について算出される。
式：領域Ａにおける補正速度＝基準速度×比ＡＸ×比ＡＹ
によって、補正速度を計算することが好ましい。上記によって、供給位置のＸＹ方向の重なり合いの影響が考慮された補正速度が算出される。この補正速度も、処理対象範囲の全領域について算出される。
【0045】
次にステップＳ５として、領域ごとの補正速度の分布が算出される。補正速度の分布は、これより以前の各工程によって求められた領域ごとの補正速度と、その補正速度が算出された領域の、処理対象範囲における位置の情報（座標情報）とを少なくとも含む。
図９は、補正速度の分布を色の濃淡で表した模式図である。処理対象範囲６６内の領域６７について補正速度がそれぞれ計算され、その領域の位置と、補正速度の値とを含む分布が得られる。図９においては、補正速度が大きいほうが白く、補正速度が小さいほど黒く表されている。なお、補正速度の分布の詳細は後述する（図１５参照）。
図９は、補正速度の分布を色の濃淡で表した模式図である。処理対象範囲６６内の領域６７について補正速度がそれぞれ計算され、その領域の位置と、補正速度の値とを含む分布が得られる。図９においては、補正速度が大きいほうが白く、補正速度が小さいほど黒く表されている。なお、補正速度の分布の詳細は後述する（図１５参照）。
【0046】
次に、ステップＳ６において、上記分布に従って供給位置が走査移動される。分布に従って走査移動させるとは、一形態として、領域６７ごとの補正速度に応じて、供給位置の走査移動の速度を変化させる形態が挙げられる。
【0047】
なお、領域６７の大きさ（領域６７の長辺の長さ）は、供給位置の大きさ（直径）以下であることが好ましく、供給位置の大きさ未満であることが好ましい。なお、供給位置の大きさは、特に、吸引型の局所プラズマ源においては、キャピラリ径とほぼ同様である。この点では、領域６７は、キャピラリ径以下であることが好ましく、キャピラリ径未満であることがより好ましく、キャピラリ径の１／１０以下であることが更に好ましい。
【0048】
図１０は、供給位置６１が、領域６７よりも大きい場合における、供給位置の走査移動速度の決定方法の具体例を示す模式図である。
図１０（Ａ）は、ワーク６０に配置された領域６７の一部を表す平面図であり、供給位置６１は、図中の矢印方向に走査移動する。この際の走査移動の速度は、補正速度の分布に従って決定される。
図１０（Ａ）の形態では、走査移動の速度は、一形態として、供給位置６１の範囲がおよぶ各領域６７の補正速度から算出されてもよい。算出の方法は特に制限されないが、例えば、各領域６７における補正速度の算術平均であってもよい。また、供給位置６１の中心からの距離に応じて各領域６７の補正速度に重みをつけ、走査移動の速度を算出してもよい。
なお、一形態として、ピッチ量によって、Ｙ方向の領域６７については、まとめて平均してもよい。また、Ｘ方向については、領域６７の分割数で設定してもよいが、隣り合う領域６７間で速度が変更できない等の機構上の制約がある場合等については、所定の量の領域６７をまとめて平均してもよい。
図１０（Ａ）は、ワーク６０に配置された領域６７の一部を表す平面図であり、供給位置６１は、図中の矢印方向に走査移動する。この際の走査移動の速度は、補正速度の分布に従って決定される。
図１０（Ａ）の形態では、走査移動の速度は、一形態として、供給位置６１の範囲がおよぶ各領域６７の補正速度から算出されてもよい。算出の方法は特に制限されないが、例えば、各領域６７における補正速度の算術平均であってもよい。また、供給位置６１の中心からの距離に応じて各領域６７の補正速度に重みをつけ、走査移動の速度を算出してもよい。
なお、一形態として、ピッチ量によって、Ｙ方向の領域６７については、まとめて平均してもよい。また、Ｘ方向については、領域６７の分割数で設定してもよいが、隣り合う領域６７間で速度が変更できない等の機構上の制約がある場合等については、所定の量の領域６７をまとめて平均してもよい。
【0049】
図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）と同様に、ワーク６０に配置された領域６７の一部を表す平面図である。図１０（Ｂ）は、供給位置６１の走査移動の制御が、所定の移動量を単位として行われるケースである。この場合、移動速度は、移動量の１単位分離間した、供給位置６１ａ、及び、供給位置６１ｂにおいて算出される。
なお、供給位置６１ａ及び６１ｂ間の移動速度は、各位置における移動速度を補間する形態であってもよい。補間の方法は特に制限されず、供給位置６１ａにおける移動速度から、供給位置６１ｂにおける移動速度へと線形的に変化させる形態であってもよい。
なお、上記の走査移動方向の単位移動量は、ピッチと同一であってもよいし、異なってもよい。
なお、供給位置６１ａ及び６１ｂ間の移動速度は、各位置における移動速度を補間する形態であってもよい。補間の方法は特に制限されず、供給位置６１ａにおける移動速度から、供給位置６１ｂにおける移動速度へと線形的に変化させる形態であってもよい。
なお、上記の走査移動方向の単位移動量は、ピッチと同一であってもよいし、異なってもよい。
【0050】
走査移動の速度の算出方法（速度連結方法）の具体例について説明する。
図２９は、供給位置６１の移動の軌跡と、速度連結方法の具体例を示す図である。図２９中、領域６７は一辺が０．２ｍｍの正方形であり、ピッチは０．６ｍｍであり、キャピラリ径はφ１ｍｍである。
図２９は、供給位置６１の移動の軌跡と、速度連結方法の具体例を示す図である。図２９中、領域６７は一辺が０．２ｍｍの正方形であり、ピッチは０．６ｍｍであり、キャピラリ径はφ１ｍｍである。
【0051】
図２９の場合、ピッチ０．６ｍｍ－領域のＹ方向の幅０．２ｍｍ＝０．４ｍｍ分のＹ方向の領域６７分の補正速度を用いて、走査移動の速度を補間しなければならない。
この場合、一形態として、隣り合う２つの領域６７間の速度Ｖ１からＶ２への変化による加速度αは、領域６７の一辺をＬとすると、α＝（Ｖ２ ２－Ｖ１ ２）／２Ｌ（ｍ／ｓ２）で算出することができる。
この場合、一形態として、隣り合う２つの領域６７間の速度Ｖ１からＶ２への変化による加速度αは、領域６７の一辺をＬとすると、α＝（Ｖ２ ２－Ｖ１ ２）／２Ｌ（ｍ／ｓ２）で算出することができる。
【0052】
次に、本発明における走査速度の分布の算出方法を具体的に説明する。
図１１～１４は、走査速度の分布の算出方法を具体的に説明するための簡易モデルである。図１１～１４の簡易モデルは、上記同様、供給位置をワークのＸ軸方向に走査移動し、所定のピッチでＹ方向に送り移動させることを繰り返して、処理対象範囲６６を平坦化する場合の模式図である。なお、以下の簡易モデルにおける、各寸法、及び、厚み等は説明のためものであり、本方法を限定するものではない。
図１１～１４は、走査速度の分布の算出方法を具体的に説明するための簡易モデルである。図１１～１４の簡易モデルは、上記同様、供給位置をワークのＸ軸方向に走査移動し、所定のピッチでＹ方向に送り移動させることを繰り返して、処理対象範囲６６を平坦化する場合の模式図である。なお、以下の簡易モデルにおける、各寸法、及び、厚み等は説明のためものであり、本方法を限定するものではない。
【0053】
まず図１１において、処理対象範囲６６は、１０ｍｍ×１０ｍｍであり、１ｍｍ×１ｍｍの格子状の領域６７に区分されている。このモデルでは、この１００個の領域からなる処理対象範囲を、４ｍｍφの内径のキャピラリを有する局所プラズマ源（供給位置も約４ｍｍφとする）で、０．８ｍｍピッチで平坦化処理する。
【0054】
図１１中、各領域６７内に記載されているのは、各領域６７の処理前の（イニシャル）厚み（単位：μｍ）である。
次に、各領域６７について、目標加工厚み２４８μｍとの差分（イニシャル厚み－目標厚み）である、加工量が算出される。
なお、各領域は、加工量が互いに異なることをすでに説明したが、平坦化処理においては、各領域の加工量が異なることは、各領域のイニシャル厚みが異なることと同義であり、上述のように、領域６７の設定は、各領域のイニシャル厚みを測定することによっても実施することができる。
次に、各領域６７について、目標加工厚み２４８μｍとの差分（イニシャル厚み－目標厚み）である、加工量が算出される。
なお、各領域は、加工量が互いに異なることをすでに説明したが、平坦化処理においては、各領域の加工量が異なることは、各領域のイニシャル厚みが異なることと同義であり、上述のように、領域６７の設定は、各領域のイニシャル厚みを測定することによっても実施することができる。
【0055】
図１２は、各領域６７の加工量の分布を表す図である。各領域６７の加工量の単位は、μｍである。
次に、全領域の加工量の平均（０．６５７μｍ）、及び、基準速度の算出に用いる、基本的なスキャンパターンにおける加工痕プロファイル（使用するワークについての図８の予測）から、基準速度を算出する。
この場合、基本的なスキャンパターンは、走査速度１ｍｍ／ｓで、ピッチ０．８ｍｍ、キャピラリ内径４ｍｍφの場合の有効加工深さの計算結果である、１．５μｍを用いる。
次に、全領域の加工量の平均（０．６５７μｍ）、及び、基準速度の算出に用いる、基本的なスキャンパターンにおける加工痕プロファイル（使用するワークについての図８の予測）から、基準速度を算出する。
この場合、基本的なスキャンパターンは、走査速度１ｍｍ／ｓで、ピッチ０．８ｍｍ、キャピラリ内径４ｍｍφの場合の有効加工深さの計算結果である、１．５μｍを用いる。
【0056】
すると、基準速度は、以下の式；
式：基準速度（ｍｍ／ｓ）＝１（ｍｍ／ｓ）／（０．６５７／１．５）
から、約２．２８４（ｍｍ／ｓ）と算出される。
式：基準速度（ｍｍ／ｓ）＝１（ｍｍ／ｓ）／（０．６５７／１．５）
から、約２．２８４（ｍｍ／ｓ）と算出される。
【0057】
次に、各領域６７について、比ＡＸを求める。比ＡＸは、領域Ａの加工量に対する、領域Ａを含むＸ方向に並ぶ全領域の加工量の平均値の比（Ｘ方向の加工量の平均値／領域Ａの加工量）である。
図１３は、各領域６７についての、比ＡＸの計算結果である。領域６７の上に記載されている数が、比ＡＸであり、下の（括弧）内に記載されているのは、各領域６７の加工量である。
図１３は、各領域６７についての、比ＡＸの計算結果である。領域６７の上に記載されている数が、比ＡＸであり、下の（括弧）内に記載されているのは、各領域６７の加工量である。
【0058】
例えば、左上端の領域６７について計算する。まず、最上段の横並びの領域６７の加工量の平均を計算すると、０．６３８（０．６３７５）となる。この値は、右端に記載されている。左上端の領域６７の加工量は（０．６５７）なので、０．６３８／０．６５７（０．６３７５／０．６５７）＝０．９７０３と計算される。なお、図中の各数値は、四捨五入して表示された値としている。一方で、計算には四捨五入前の値を用いているために、図中の各数値をそのまま用いて計算した値とはずれがある。上記と同様の手順で、全領域について、比ＡＸを計算する。
【0059】
次に、各領域６７について、比ＡＹを求める。比ＡＹは、領域Ａの加工量に対する、領域Ａを含むＹ方向に並ぶ全領域の加工量の平均値の比（Ｙ方向の平均加工量／領域Ａの加工量）である。
図１４は、各領域６７についての、比ＡＹの計算結果である。領域６７の上に記載されている数が、比ＡＹであり、下の（括弧）内に記載されているのは、各領域６７の加工量である。
図１４は、各領域６７についての、比ＡＹの計算結果である。領域６７の上に記載されている数が、比ＡＹであり、下の（括弧）内に記載されているのは、各領域６７の加工量である。
【0060】
例えば、左上端の領域６７について計算する。まず、最上段の縦並びの領域６７の加工量の平均を計算すると、０．６７６（０．６７５９）となる。この値は、下端に記載されている。左上端の領域６７の加工量は（０．６５７）なので、０．６７６／０．６５７（０．６７５９／０．６５７）＝１．０２８８と計算される。
上記と同様の手順で、全領域について、比ＡＹを計算する。
上記と同様の手順で、全領域について、比ＡＹを計算する。
【0061】
次に、各領域の補正速度を計算する。図１５は、補正速度の計算結果と、各領域の位置情報とを含む、補正速度の分布である。補正速度は、基準速度×比ＡＸ×比ＡＹにより計算される。例えば、左上端の領域６７については、基準速度（２．２８４）×比ＡＸ（０．９７０３）×比ＡＹ（１．０２８８）によって、２．２８０と計算される。上記と同様の手順で、全領域について補正速度を計算し、各領域の位置と対応させたものが、補正速度の分布である。
【0062】
次に、得られた補正速度の分布に従って、走査移動の速度が設定される。設定の方法は、ステップＳ６においてすでに説明したとおりである。
なお、上記は簡易モデルであり、実際の平坦化処理では、エッジ部分のテーパを処理対象範囲の外にするように、処理対象範囲を超えて供給位置を移動させ（オーバーラン）させてもよい。
なお、上記は簡易モデルであり、実際の平坦化処理では、エッジ部分のテーパを処理対象範囲の外にするように、処理対象範囲を超えて供給位置を移動させ（オーバーラン）させてもよい。
【0063】
上記方法によれば、ワークの表面において供給位置を走査する際の「裾」の、Ｘ方向、及び、Ｙ方向の重なり合いが考慮された補正速度によって、供給位置が走査移動するため、優れた平坦度を有するワークが得られる。
【0064】
［平坦化処理装置の第１実施形態］
次に、方法（第１実施形態）を実施可能な平坦化処理装置の第１実施形態（以下「本装置」、又は、「装置（第１実施形態）」ということがある）について説明する。
次に、方法（第１実施形態）を実施可能な平坦化処理装置の第１実施形態（以下「本装置」、又は、「装置（第１実施形態）」ということがある）について説明する。
【0065】
【0066】
まず、平坦化処理装置２００のハードウェア構成について説明する。
平坦化処理装置２００は、（局所）プラズマ源１０と、試料台８と、移動機構９とを有するプラズマ加工部１００と、制御装置２０とを有している。制御装置２０は、プロセッサ２１と、メモリ２２と、プラズマ加工部１００を接続するための加工部インタフェース（Ｉ／Ｆ）２３と、通信インタフェース２５と、入力デバイス２６、及び、出力デバイス２７が接続される入出力インタフェース２４と、を有し、制御装置２０内の各部は、互いにデータを送受信できるよう構成され、典型的にはコンピュータであることが好ましい。
平坦化処理装置２００は、（局所）プラズマ源１０と、試料台８と、移動機構９とを有するプラズマ加工部１００と、制御装置２０とを有している。制御装置２０は、プロセッサ２１と、メモリ２２と、プラズマ加工部１００を接続するための加工部インタフェース（Ｉ／Ｆ）２３と、通信インタフェース２５と、入力デバイス２６、及び、出力デバイス２７が接続される入出力インタフェース２４と、を有し、制御装置２０内の各部は、互いにデータを送受信できるよう構成され、典型的にはコンピュータであることが好ましい。
【0067】
プラズマ加工部１００は、キャピラリ１と、キャピラリ１の外周を囲むように配置されたＲＦ電極２と、ＲＦ電極２に電力を供給するＲＦ電源３と、容器５内を減圧する真空排気装置４と、を有するプラズマ源１０を有している。
更に、プラズマ加工部１００は、ワーク６０を収容する容器５と、容器５にプロセスガスを供給するガス供給装置６とを有している。ワーク６０は、試料台８に載置され、試料台８は、ＸＹＺ軸方向に移動可能に構成された移動機構９に固定されている。
更に、プラズマ加工部１００は、ワーク６０を収容する容器５と、容器５にプロセスガスを供給するガス供給装置６とを有している。ワーク６０は、試料台８に載置され、試料台８は、ＸＹＺ軸方向に移動可能に構成された移動機構９に固定されている。
【0068】
キャピラリ１（プラズマ発生管）は、ワーク６０と対向する一端が、ワーク６０と間隔（加工ギャップ）を離して配置されている。したがって、ワーク６０は、キャピラリ１の方向に向けて少なくとも垂直に移動可能となっている。
【0069】
ガス供給装置６は、ＣＦ４、及び、Ｏ２等の反応性原料であるプロセスガスの必要量を容器５内に供給する。ガス供給装置６より供給されたプロセスガスはキャピラリ１の後端に配置された真空排気装置４によって排気される。キャピラリ１の内部にプロセスガスが導入された状態でＲＦ電源３よりＲＦ電極２に電力を供給することで、ワーク６０のプラズマ処理による加工が可能となる。
【0070】
つまり、キャピラリ１のワーク６０と対向した一端は、加工ギャップまでワーク６０と接近される。そして、供給されたＲＦ電力によってキャピラリ１内でプラズマが発生すると、プラズマの先端部は、近接して置かれたワーク６０の表面に移動して、エッチング等の局所加工が行われる。
【0071】
キャピラリ１の材質は、誘電体バリア放電が可能な材料であれば特に制限されないが、一形態として、石英ガラス、及び、アルミナセラミックス等の無機物の絶縁体；ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等の樹脂；等が好ましい。
ＲＦ電極２は、優れた導電率を有する銅、及び、リン青銅等；優れた耐腐食性を有するステンレス等；が好ましい。ＲＦ電極２の形状は、キャピラリ１の外周を囲む円筒形状、及び、コイル形状等が好ましい。
ＲＦ電極２は、優れた導電率を有する銅、及び、リン青銅等；優れた耐腐食性を有するステンレス等；が好ましい。ＲＦ電極２の形状は、キャピラリ１の外周を囲む円筒形状、及び、コイル形状等が好ましい。
【0072】
なお、プラズマ加工部１００は、いわゆる「吸引型」であるが、ガス供給装置６と、真空排気装置４の配置を入れ替え、プロセスガスの流れを逆にすることで、「噴出型」とすることもできる。本装置には、「吸引型」「噴出型」のいずれのプラズマ加工部も適用可能である。
【0073】
このプラズマ加工部１００は、加工部インタフェース２３を介して、制御装置２０に接続されており、各種の加工条件を制御装置２０で制御可能に構成されている。
【0074】
次に、制御装置２０の構成ついて説明する。
まず、プロセッサ２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）、及び、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等を含んで構成され、後述するメモリ２２に記憶されたプログラムを読みだして実行し、及び／又は、電気回路等により予め設計された処理を実行する。
まず、プロセッサ２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）、及び、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等を含んで構成され、後述するメモリ２２に記憶されたプログラムを読みだして実行し、及び／又は、電気回路等により予め設計された処理を実行する。
【0075】
メモリ２２は、例えば、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、フラッシュメモリ、及び、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）等を含んで構成され、平坦化処理装置２００の各部を制御するためのプログラム等を一時的、又は、非一時的に記憶する。
【0076】
入出力インタフェース２４には、入力デバイス２６と出力デバイス２７とが接続される。入力デバイス２６は、ユーザによる各種設定の入力を受け付けるデバイスである。入力デバイス２６は、例えば、キーボード、マウス、タッチパッド等であってよい。出力デバイス２７は、例えばディスプレイであり、タッチ機能を有するディスプレイを、入力デバイス２６と出力デバイス２７とを兼ねて使用してよい。
なお、平坦化処理装置２００は、入出力インタフェース２４を有していなくてもよい。その場合、通信インタフェース２５を介して、外部ネットワーク２８に接続されたホストコンピュータ等から、各種設定を受信し、また、ホストコンピュータへと装置状況等を送信してもよい。
なお、平坦化処理装置２００は、入出力インタフェース２４を有していなくてもよい。その場合、通信インタフェース２５を介して、外部ネットワーク２８に接続されたホストコンピュータ等から、各種設定を受信し、また、ホストコンピュータへと装置状況等を送信してもよい。
【0077】
通信インタフェース２５は、外部ネットワーク２８と接続され、入力データの取得、及び、装置状況等の送信等を実現する、有線方式、又は、無線方式のインタフェースであり、例えば、ＮＩＣ（Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｃａｒｄ）、無線通信モジュール、ＵＳＢモジュール等である。
なお、平坦化処理装置２００は、通信インタフェース２５を有しているが、本発明の実施形態に係る平坦化処理装置は、通信インタフェース２５を有していなくてもよい。
なお、平坦化処理装置２００は、通信インタフェース２５を有しているが、本発明の実施形態に係る平坦化処理装置は、通信インタフェース２５を有していなくてもよい。
【0078】
次に、平坦化処理装置２００の各部の機能について説明する。
制御部３１は、プロセッサ２１を含んで構成され、後述する記憶部３２に記憶されたプログラムをプロセッサ２１が読み出して実行すること等によって、平坦化処理装置２００の各部を制御し、その機能を実現させる。
また、制御部３１は、プラズマ源１０を制御して、所定の加工条件（ＲＦパワー等）でプラズマ加工部１００を稼働させる機能も有する。
制御部３１は、プロセッサ２１を含んで構成され、後述する記憶部３２に記憶されたプログラムをプロセッサ２１が読み出して実行すること等によって、平坦化処理装置２００の各部を制御し、その機能を実現させる。
また、制御部３１は、プラズマ源１０を制御して、所定の加工条件（ＲＦパワー等）でプラズマ加工部１００を稼働させる機能も有する。
【0079】
記憶部３２は、メモリ２２を含んで構成され、制御プログラム、及び、入出力部３９等を介して取得された設定等を記憶し、読み出させる機能を有する。
【0080】
入出力部３９は、入力デバイス２６、及び、出力デバイス２７が接続された入出力インタフェース２４を含んで構成されるか、及び／又は、通信インタフェース２５を含んで構成され、外部４０（ユーザ、又は、通信ネットワークを介して接続されたホストコンピュータ）からの入力データを受け付け、記憶部３２に記憶させる機能を有する。
入力データとしては、特に制限されないが、処理前のワークの厚みの分布に関する情報を含むことが好ましい。
入力データとしては、特に制限されないが、処理前のワークの厚みの分布に関する情報を含むことが好ましい。
【0081】
なお、本発明の実施形態に係る平坦化処理装置は、処理前、及び／又は、処理後のワークの厚みを測定する機能を有するハードウェアを更に有していてもよく、その場合、入力データには、処理前のワークの厚みの分布に関する情報は含まれていなくてもよい。
【0082】
領域設定部３３は、メモリ２２に記憶されたプログラムを、プロセッサ２１が読み出して実行すること等によって実現され、ワークの処理対象範囲を、目標厚みとの差である加工量が互いに異なる複数の領域に分割する機能を有する。具体的には、入力データに含まれるワークの厚み分布、及び、予め記憶部３２に記憶された目標厚みデータから、領域ごとの加工量（処理前のワークの厚み－目標厚み）を算出する。
【0083】
基準速度算出部３４は、メモリ２２に記憶されたプログラムを、プロセッサ２１が読み出して実行すること等によって実現され、処理対象範囲における加工量の平均値から、走査移動の基準速度を算出する機能を有する。走査移動の基準速度は、すでに説明したとおり、基本的なスキャンパターンを用いて算出される。
基本的なスキャンパターンの決定に必要な基本的条件（例えば、ピッチ、キャピラリ内径、及び、走査移動の速度等）は、予め記憶部３２に記憶されるか、又は、入出力部３９を介して取得されてよい。記憶部３２には、上記基本的条件と、基本的なスキャンパターン（典型的には、有効加工深さ）との対応関係がデータベース化されて記憶されていてもよく、その場合、基準速度算出部３４は、入力された基本的条件を基に、基本的なスキャンパターンを記憶部３２のデータベースから取得し、それを基に、走査移動の基準速度を算出できる。
基本的なスキャンパターンの決定に必要な基本的条件（例えば、ピッチ、キャピラリ内径、及び、走査移動の速度等）は、予め記憶部３２に記憶されるか、又は、入出力部３９を介して取得されてよい。記憶部３２には、上記基本的条件と、基本的なスキャンパターン（典型的には、有効加工深さ）との対応関係がデータベース化されて記憶されていてもよく、その場合、基準速度算出部３４は、入力された基本的条件を基に、基本的なスキャンパターンを記憶部３２のデータベースから取得し、それを基に、走査移動の基準速度を算出できる。
【0084】
比率算出部３５は、メモリ２２に記憶されたプログラムを、プロセッサ２１が読み出して実行すること等によって実現され、領域ごとの比ＡＸ、及び、比ＡＹを算出する機能を有する。比率算出部３５は、基準速度算出部３４により算出された基準速度、及び、領域設定部３３によって計算された領域ごとの加工量から、比ＡＸ、及び、比ＡＹを算出する。
【0085】
補正速度算出部３６は、メモリ２２に記憶されたプログラムを、プロセッサ２１が読み出して実行すること等によって実現され、比率算出部３５によって算出された各領域の比ＡＸ、及び、比ＡＹを用いて、基準速度を補正し、領域ごとの補正速度を算出する機能を有する。
補正速度算出部３６は、基準速度算出部３４によって算出された基準速度に、比率算出部３５によって算出された領域ごとの比ＡＸ、及び、比ＡＹを乗じて、領域ごとの補正速度を算出する。
補正速度算出部３６は、基準速度算出部３４によって算出された基準速度に、比率算出部３５によって算出された領域ごとの比ＡＸ、及び、比ＡＹを乗じて、領域ごとの補正速度を算出する。
【0086】
速度分布算出部３７は、メモリ２２に記憶されたプログラムを、プロセッサ２１が読み出して実行すること等によって実現され、ワークの処理対象範囲における領域ごとの補正速度の分布を算出する機能を有する。速度分布算出部３７は、補正速度算出部３６によって算出された補正速度を、領域設定部３３によって設定された領域の位置（座標情報）とともに整理し、走査移動の速度の分布として算出する。
【0087】
移動制御部３８は、移動機構９を含んで構成され、メモリ２２に記憶されたプログラムを、プロセッサ２１が読み出して実行すること等によって実現され、算出された補正速度の分布に従って、供給位置を走査移動させる機能を有する。
移動制御部３８は、速度分布算出部３７によって算出された走査移動の速度の分布に従って移動機構９を制御し、供給位置を走査移動させる。更に、所定のピッチで供給位置を送り移動させ、ワークを平坦化処理する。
移動制御部３８は、速度分布算出部３７によって算出された走査移動の速度の分布に従って移動機構９を制御し、供給位置を走査移動させる。更に、所定のピッチで供給位置を送り移動させ、ワークを平坦化処理する。
【0088】
次に、平坦化処理装置２００の動作について説明する。平坦化処理装置２００の動作の全体を説明する前に、まず、プラズマ加工部１００の動作（プラズマ加工）について説明する。
【0089】
まず、プラズマ加工部１００（図１７参照）の試料台８にワーク６０が載置される。平坦化処理装置２００による平坦化処理に供するワーク６０（被加工材）の材質は特に制限されず、プロセスガスの種類等との組み合わせによって、加工可能なものを適宜使用可能である。
ワーク６０としては、例えば、シリコンウエハ、酸化膜付シリコンウエハ、シリコンカーバイド（炭化ケイ素）ウエハ、水晶ウエハ、リチウムナイオベート（ニオブ酸リチウム）ウエハ、リチウムタンタレート（タンタル酸リチウムウエハ）等が挙げられる。また、上記以外にも、Ｓｉ等を基材として、表面にニオブ酸リチウム等をボンディングしたものも使用できる。
ワーク６０としては、例えば、シリコンウエハ、酸化膜付シリコンウエハ、シリコンカーバイド（炭化ケイ素）ウエハ、水晶ウエハ、リチウムナイオベート（ニオブ酸リチウム）ウエハ、リチウムタンタレート（タンタル酸リチウムウエハ）等が挙げられる。また、上記以外にも、Ｓｉ等を基材として、表面にニオブ酸リチウム等をボンディングしたものも使用できる。
【0090】
ワーク６０の大きさとしては特に制限されず、移動機構９の移動量、及び、容器５の大きさ等に応じて適宜変更できる。一形態としては、例えば、直径１５０ｍｍの円盤状であってもよい。
【0091】
加工できる深さとしては、加工時間との関係で適宜調整可能であって特に制限されないが、一形態として、加工前の厚みのばらつきが１００μｍ未満であることが好ましい。なお、ワーク６０は、平坦化処理装置２００による加工の前に他の方法、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等によって粗平坦化されたものであってもよい。
【0092】
次に、真空排気装置４を動作させて、容器５内を減圧したあと、ガス供給装置６から、ＣＦ４、及び、Ｏ２等の反応性の原料ガス（プロセスガス）の必要量を容器５に導入する。
次に、キャピラリ１の先端部をワークの表面に加工ギャップ（一形態として０．１～０．５ｍｍ程度）分離間して接近させ、真空排気装置４を稼働させる。同時に、ＲＦ電極２に電力を印加すると、キャピラリ１内でプラズマが発生し、キャピラリ１の開放端に接近して載置されたワーク６０の表面に供給される。
次に、キャピラリ１の先端部をワークの表面に加工ギャップ（一形態として０．１～０．５ｍｍ程度）分離間して接近させ、真空排気装置４を稼働させる。同時に、ＲＦ電極２に電力を印加すると、キャピラリ１内でプラズマが発生し、キャピラリ１の開放端に接近して載置されたワーク６０の表面に供給される。
【0093】
上記によって、プラズマ化したプロセスガスとワーク６０との反応が起こり、揮発性化合物が生成して蒸発除去され、ワーク６０のエッチングが行われる。
このとき、移動機構９を動作させて、プラズマの供給位置とワーク６０との相対位置とを走査移動させることで、ワーク６０の全体を所定量エッチングして、平坦化処理を行うことができる。
このとき、移動機構９を動作させて、プラズマの供給位置とワーク６０との相対位置とを走査移動させることで、ワーク６０の全体を所定量エッチングして、平坦化処理を行うことができる。
【0094】
次に、平坦化処理装置２００の全体の動作について説明する。平坦化処理装置２００は、すでに説明した図７のフローに記載された平坦化処理方法（方法（第１実施形態））を実施することができる。
以下の説明では、図７のフローに沿って、平坦化処理装置２００が動作する際の各部の働きについて説明するが、各工程の詳細については、すでに説明したものは、重複する説明を避けて省略する。
以下の説明では、図７のフローに沿って、平坦化処理装置２００が動作する際の各部の働きについて説明するが、各工程の詳細については、すでに説明したものは、重複する説明を避けて省略する。
【0095】
まず、ワーク６０が試料台８に載置され、入出力部３９を介して、基本的条件、及び、ワーク６０の厚みの分布に関する情報が入力され、記憶部３２に記憶される。なお、平坦化処理装置２００がワークの厚み測定装置を有している場合には、ワーク６０の処理前の厚みが測定され、その処理対象範囲における分布が記憶部３２に記憶される。
【0096】
次に、領域設定部３３が、記憶部３２に記憶されたワーク６０の厚みの分布、及び、目標加工厚みから、ワーク６０の処理対象範囲を、加工量が互いに異なる複数の領域に分割する（ステップＳ１）。
【0097】
次に、基準速度算出部３４が、処理対象範囲における、領域ごとの加工量の平均値から、走査移動の基準速度を算出する（ステップＳ２）。算出された基準速度は、記憶部３２に記憶される。
次に、比率算出部３５が、領域ごとの比ＡＸと比ＡＹとを算出し、更に、補正速度算出部３６が、比ＡＸ、及び、比ＡＹを用いて、基準速度を補正し、領域ごとの補正速度を算出する（ステップＳ３～Ｓ４）。
次に、比率算出部３５が、領域ごとの比ＡＸと比ＡＹとを算出し、更に、補正速度算出部３６が、比ＡＸ、及び、比ＡＹを用いて、基準速度を補正し、領域ごとの補正速度を算出する（ステップＳ３～Ｓ４）。
【0098】
次に、速度分布算出部３７が、補正速度の分布（補正速度を各領域の位置により整理したもの）を算出する（ステップＳ５）。次に、移動制御部３８が、分布に従って移動機構９を制御し、供給位置を走査移動させる（ステップＳ６）。
更に、移動制御部３８は、所定のピッチで（基本的条件に基づき）、供給位置を送り移動させる。この走査移動と送り移動とを繰り返すことで、ワークの表面を平坦化処理する。
更に、移動制御部３８は、所定のピッチで（基本的条件に基づき）、供給位置を送り移動させる。この走査移動と送り移動とを繰り返すことで、ワークの表面を平坦化処理する。
【0099】
上記装置によれば、上記方法によれば、ワークの表面において供給位置を走査する際の「裾」の、Ｘ方向、及び、Ｙ方向の重なり合いが考慮された補正速度によって、供給位置が走査移動するため、優れた平坦度を有するワークが得られる。
【0100】
［平坦化処理方法の第２実施形態］
本発明の第２の実施形態に係る平坦化処理方法（以下、「本方法」、又は、「方法（第２実施形態）」ともいう）は、方法（第１実施形態）の各工程に加えて、隣り合う複数の領域を、所定の基準に沿って結合して、グループを設定することを更に含み、基準速度の算出、比ＡＸの算出、比ＡＹの算出、補正速度の算出、及び、分布の算出が、このグループごとに行われ、供給位置の走査移動は、グループごとに算出された分布を結合して得られた結合後分布に従って行われる。
本発明の第２の実施形態に係る平坦化処理方法（以下、「本方法」、又は、「方法（第２実施形態）」ともいう）は、方法（第１実施形態）の各工程に加えて、隣り合う複数の領域を、所定の基準に沿って結合して、グループを設定することを更に含み、基準速度の算出、比ＡＸの算出、比ＡＹの算出、補正速度の算出、及び、分布の算出が、このグループごとに行われ、供給位置の走査移動は、グループごとに算出された分布を結合して得られた結合後分布に従って行われる。
【0101】
本方法によれば、平坦化処理前のワークの処理対象範囲における厚みのばらつきが大きくても、より優れた平坦度を有するワークを得ることができる。以下では、図１８に記載された本平坦化処理方法のフローを参照しながら、各工程の詳細と得られる効果について詳述する。
【0102】
まず、ステップＳ１として、加工量によって処理対象範囲が所定の大きさの領域に分割される。この分割の方法は、方法（第１実施形態）と同様であり、好適形態も同様である。
【0103】
次に、ステップＳ１１として、隣り合う複数の領域を所定の基準に従って結合し、グループを設定する。
図１９は、グループの設定方法の説明図である。図１９（Ａ）は、ワーク６０の表面の処理対象範囲６６を所定の大きさの領域６７に分割した状態を示す図（ステップＳ１に対応）である。これに対し、図１９（Ｂ）は、隣り合う複数の領域６７を結合し、グループ８１、８２、８３、及び、８４を設定した状態を示す図（ステップＳ１１に対応）である。
図１９は、グループの設定方法の説明図である。図１９（Ａ）は、ワーク６０の表面の処理対象範囲６６を所定の大きさの領域６７に分割した状態を示す図（ステップＳ１に対応）である。これに対し、図１９（Ｂ）は、隣り合う複数の領域６７を結合し、グループ８１、８２、８３、及び、８４を設定した状態を示す図（ステップＳ１１に対応）である。
【0104】
グループは、隣り合う複数の領域を結合したものであり、結果として、処理対象範囲の全領域が、いずれかのグループに属するように、グループの形状が選択される。
グループの設定条件としては特に制限されないが、グループ内における処理前のワークの厚みのばらつきが小さくなると、結果として、得られるワークが優れた平坦度を有しやすい。
グループの設定条件としては特に制限されないが、グループ内における処理前のワークの厚みのばらつきが小さくなると、結果として、得られるワークが優れた平坦度を有しやすい。
【0105】
なかでも、より優れた本発明の効果が得られる点で、処理対象範囲の全領域の加工量の最大値、最小値、及び、中間値を求め、最大値と最小値との差が小さく、かつ、平均値と中間値との差が小さくなるように、グループを設定することが好ましい。
なお、中間値は、式：中間値＝最小値＋１／２（最大値＋最小値）により定義される値である。
なお、中間値は、式：中間値＝最小値＋１／２（最大値＋最小値）により定義される値である。
【0106】
上記によって、より優れた平坦度を有するワークが得られる理由のひとつは、走査移動の速度の分布の算出に使用している基準速度が、領域の全体の加工量の平均を基に算出されていることによるものだと推測される。処理前のワークの厚みのばらつきが大きいとき、特に、局所的に厚い部分、及び／又は、薄い部分が存在したときに、その部分を区画して（グループに区分して）その後の処理を行うことで、平坦度が大幅に改善するものと推測される。
【0107】
図２０は、図１１と同様のモデルであって、処理対象範囲におけるイニシャル厚みの分布にばらつきがある場合における、平坦化処理の効果の説明図である。図２０（Ａ）は、処理前のイニシャル厚みの分布を表しており、網掛けは、より厚い領域、斜線はより薄い領域を示している。
処理前の最大厚みは５３５０ｎｍであり、最小厚みは５２５０ｎｍであり、最大厚みと最小厚みとの差（厚みムラ）は１００ｎｍである。
処理前の最大厚みは５３５０ｎｍであり、最小厚みは５２５０ｎｍであり、最大厚みと最小厚みとの差（厚みムラ）は１００ｎｍである。
【0108】
一方、図２０（Ｂ）は、上記ワークを方法（第１実施形態）により処理した場合の処理後厚みの分布を表す図である。処理後の最大厚みは５０１７ｎｍであり、最小厚みは４９８１ｎｍであり、厚みムラは３６ｎｍである。図２０によれば、平坦化処理により、各領域は目標厚みである５０００ｎｍへと厚みが近づいており、優れた平坦化効果であって、十分に実用的な効果を得られることがわかる。一方で、目標厚みより薄い斜線の領域、及び、目標厚みより厚い網掛けの領域が点在していることもわかる。
【0109】
図２１は平坦化処理に必要な目標加工量と、本発明の第１の実施形態による加工量のシミュレーション結果を３次元表示したものである。図２１（Ａ）は、ワーク６０の処理対象範囲６６における加工量（処理前の厚み－目標厚み）の分布を表す図である。また、図２１（Ｂ）は、加工量のシミュレーション結果（上述の方法で補正速度を得た後、それを加工量に計算しなおしたもの）の分布を表す図である。
隣接する領域間におけるイニシャル厚みの差によって、図２１（Ｂ）のａ～ｃで表される一部のポイントで加工量とシミュレーション結果との間に差が生じたものの、全体としては優れた平坦化効果が得られることがわかる。
隣接する領域間におけるイニシャル厚みの差によって、図２１（Ｂ）のａ～ｃで表される一部のポイントで加工量とシミュレーション結果との間に差が生じたものの、全体としては優れた平坦化効果が得られることがわかる。
【0110】
図１８に戻り、次に、グループごとに、走査移動の基準速度が算出される（ステップＳ１２）。なお、本工程における基準速度の算出は、方法（第１実施形態）におけるステップＳ２と略同様である。ステップＳ２と異なるのは、全領域を対象とするのではなく、「グループ内の全領域」を対象とする点である。上記以外の具体的な手順は、ステップＳ２と同様であるので説明を省略する。
【0111】
次に、ステップＳ１３において、グループごとに、そのグループに内の各領域の比ＡＸ、及び、比ＡＹが算出される。本工程における具体的な手順も、「グループ内の各領域」について実施される点を除いては、ステップＳ３と同様である。
【0112】
次に、ステップＳ１４において、グループごとに、そのグループ内の各領域の補正速度が算出される。本工程における具体的な手順も、「グループ内の各領域」について実施される点を除いては、ステップＳ４と同様である。
【0113】
次に、ステップＳ１５において、グループごとに、補正速度の分布が算出される。本工程における具体的な手順も、「グループ内」において実施される点を除いては、ステップＳ５と同様である。
【0114】
次に、ステップＳ１６において、グループごとに算出された分布が結合される。具体的には、図１９（Ｂ）の場合、グループ８１、８２、８３、及び、８４についてそれぞれ算出された走査速度の分布が結合されて、処理対象範囲６６の全体の走査速度の分布（結合後分布）が得られる。
【0115】
次に、ステップＳ１７において、結合後分布に従って、供給位置が走査移動される。本工程における具体的な手順も、「分布」に代えて「結合後分布」を用いること以外は、ステップＳ６と同様である。
【0116】
本方法によれば、所定の基準によって領域をグループ化し、そのグループごとに、供給位置を走査する際の「裾」の、Ｘ方向、及び、Ｙ方向の重なり合いが考慮された補正速度が算出される。そのため、処理前のワークにおける厚みの分布が大きくても、その影響をより低減することができる。
【0117】
［平坦化処理装置（第２実施形態）］
次に、方法（第２実施形態）を実施可能な、本発明の第２実施形態に係る平坦化処理装置（以下「本装置」、又は、「装置（第２実施形態）」ということがある）について説明する。
次に、方法（第２実施形態）を実施可能な、本発明の第２実施形態に係る平坦化処理装置（以下「本装置」、又は、「装置（第２実施形態）」ということがある）について説明する。
【0118】
図２２は、本装置の機能ブロック図である。平坦化処理装置５００は、装置（第１実施形態）と同様のハードウェア構成であり、異なる点は、制御装置２０が、領域結合部５１を有している点である。以下では、装置（第１実施形態）と異なる点について説明する。
【0119】
領域結合部５１は、メモリ２２に記憶されたプログラムを、プロセッサ２１が読み出して実行すること等によって実現され、領域設定部３３によって設定された領域を所定の基準に沿って結合して、グループを設定する機能を有する。
【0120】
次に、平坦化処理装置５００の動作について説明する。
領域結合部５１が領域設定部３３によって設定された領域を所定の基準に従って結合してグループを設定すると、次に、基準速度算出部３４は、グループごとに基準速度を算出する。すなわち、グループごとに算出された加工量の平均値から、グループごとの基準速度を算出する。
領域結合部５１が領域設定部３３によって設定された領域を所定の基準に従って結合してグループを設定すると、次に、基準速度算出部３４は、グループごとに基準速度を算出する。すなわち、グループごとに算出された加工量の平均値から、グループごとの基準速度を算出する。
【0121】
次に、比率算出部３５は、グループごとに比ＡＸ、及び、比ＡＹを算出する。すなわち、グループごとに、そのグループに属する領域のそれぞれについて、比ＡＸ、及び、比ＡＹを算出する。
【0122】
次に、補正速度算出部３６は、グループごとに補正速度を算出する。すなわち、グループごとに、そのグループに属する領域について、基準速度算出部３４によって算出された「グループごとの」基準速度と、比ＡＸ、及び、比ＡＹを用いて、補正速度を算出する。
【0123】
次に、速度分布算出部３７は、グループごとに算出された補正速度の分布を算出する。更に、その分布を結合して、処理対象範囲の全体における補正速度の分布である、結合後分布を算出する。
次に、移動制御部３８は、結合後分布に従って、相対位置を走査移動させる。
次に、移動制御部３８は、結合後分布に従って、相対位置を走査移動させる。
【0124】
本装置によれば、所定の基準によって領域をグループ化し、そのグループごとに、供給位置を走査する際の「裾」の、Ｘ方向、及び、Ｙ方向の重なり合いが考慮された補正速度が算出される。そのため、処理前のワークにおける厚みの分布が大きくても、その影響をより低減することができる。
【0125】
次に、第２実施形態に係る平坦化装置を用いて、ワークの平坦化処理を行う場合の具体例について、図を参照しながら説明する。
図３０（Ａ）は、図２０同様の加工前のワークについて、領域結合部５１によってグループ設定された状態を表す図である。図３０（Ａ）において、処理対象範囲６６の各領域は、４つのグループ（矩形）に分けられている。
図３０（Ａ）は、図２０同様の加工前のワークについて、領域結合部５１によってグループ設定された状態を表す図である。図３０（Ａ）において、処理対象範囲６６の各領域は、４つのグループ（矩形）に分けられている。
【0126】
図３０（Ｂ）は、平坦化処理後の処理対象範囲６６を表す図である。平坦化処理は、基準速度算出部３４により、グループごとに基準速度が算出されるステップ、比率算出部により、グループごとに比ＡＸ、及び、比ＡＹを算出するステップ、補正速度算出部３６により、グループごとに補正速度を算出するステップ、速度分布算出部３７により、グループごとに算出された補正速度の分布、及び、その分布を結合して、処理対象範囲の全体における補正速度の分布である、結合後分布を算出するステップ、並びに、移動制御部３８により、結合後分布に従って、相対位置を走査移動させステップを経て実施されたものである。
【0127】
この結果、最大厚みは５０１２ｎｍ、最小厚みは４９８７ｎｍ、平坦化処理後の厚みムラは２５ｎｍと大きく改善することがわかる。
【0128】
図３１は、加工量のシミュレーション結果（上述の方法で補正速度を得た後、それを加工量に計算しなおしたもの）の分布を表す図である。第１実施形態における、図２１（Ｂ）に対応している。
図３１によれば、隣接する領域間でのイニシャル厚みの差が大きい場合でも、適切なグループ設定によって、より優れた平坦化効果が得られることがわかる。上記は、図２１（Ｂ）と比較して、ａ～ｃのようなポイントが消失していることからも明らかである。
図３１によれば、隣接する領域間でのイニシャル厚みの差が大きい場合でも、適切なグループ設定によって、より優れた平坦化効果が得られることがわかる。上記は、図２１（Ｂ）と比較して、ａ～ｃのようなポイントが消失していることからも明らかである。
【実施例0129】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0130】
（水晶ウエハの加工）
以下の表に記載の条件で、吸引型の局所プラズマ源を有する平坦化処理装置を用いて、水晶ウエハの平坦化処理を行った。
以下の表に記載の条件で、吸引型の局所プラズマ源を有する平坦化処理装置を用いて、水晶ウエハの平坦化処理を行った。
【0131】
【表1】
【0132】
（実施例１）
処理対象範囲（スキャン範囲：３０ｍｍ×３０ｍｍ）を、０．１ｍｍ×０．１ｍｍの格子状の領域に分割し、各領域についての加工量と、上記の条件（送りピッチｄｙ＝０．５ｍｍ）の条件により得られる有効加工深さ（約０．２２３ｎｍ）から、基準速度を算出した。次いで、各領域について、比ＡＸ、比ＡＹを算出し、補正速度を求めて、走査速度の分布を求めた。上記分布に従って、水晶ウエハを加工した。
処理対象範囲（スキャン範囲：３０ｍｍ×３０ｍｍ）を、０．１ｍｍ×０．１ｍｍの格子状の領域に分割し、各領域についての加工量と、上記の条件（送りピッチｄｙ＝０．５ｍｍ）の条件により得られる有効加工深さ（約０．２２３ｎｍ）から、基準速度を算出した。次いで、各領域について、比ＡＸ、比ＡＹを算出し、補正速度を求めて、走査速度の分布を求めた。上記分布に従って、水晶ウエハを加工した。
【0133】
図２３は、その結果を表す図である。図２３（Ａ）は、分光エリプソメトリーにより測定した、処理前の水晶ウエハの厚みの測定結果であり、図２３（Ｂ）は、処理後の水晶ウエハの厚みの測定結果である。図中、色が濃い部分は、薄い部分を表している。また、表２は、上記結果をまとめたものである。
なお、表２中、「改善率（％）」は、（処理前の厚みの差－処理後の厚みの差）／（処理前の厚みの差）×１００によって定義される値である。
なお、表２中、「改善率（％）」は、（処理前の厚みの差－処理後の厚みの差）／（処理前の厚みの差）×１００によって定義される値である。
【0134】
（実施例２）
分割された領域を、最大値と最小値との差が小さく、かつ、平均値と中間値との差が小さくなるように、処理前の厚みで３０ｎｍ区切りに３個のグループに分けて、グループごとに実施例同様に補正速度の分布を算出し、それを結合して結合後分布を得た。次いで、結合後分布に従って、水晶ウエハを平坦化処理した。図２４は、その結果を表す図である。図２４（Ａ）は、処理前の水晶ウエハの厚みの測定結果であり、図２４（Ｂ）は、処理後の水晶ウエハの厚みの測定結果である。また、表２には、上記の結果が記載されている。
分割された領域を、最大値と最小値との差が小さく、かつ、平均値と中間値との差が小さくなるように、処理前の厚みで３０ｎｍ区切りに３個のグループに分けて、グループごとに実施例同様に補正速度の分布を算出し、それを結合して結合後分布を得た。次いで、結合後分布に従って、水晶ウエハを平坦化処理した。図２４は、その結果を表す図である。図２４（Ａ）は、処理前の水晶ウエハの厚みの測定結果であり、図２４（Ｂ）は、処理後の水晶ウエハの厚みの測定結果である。また、表２には、上記の結果が記載されている。
【0135】
（比較例）
基準速度を算出することまでは、実施例１と同様にし、比ＡＸ、及び、比ＡＹを用いずに、各領域の加工量によって基準速度を補正して、補正速度の分布を求め、上記分布に従って、供給位置を走査移動させて、水晶ウエハを平坦化処理した。図２５は、その結果を表す図である。図２５（Ａ）は、処理前の水晶ウエハの厚みの測定結果であり、図２５（Ｂ）は、処理後の水晶ウエハの厚みの測定結果である。また、表２には、上記の結果が記載されている。
基準速度を算出することまでは、実施例１と同様にし、比ＡＸ、及び、比ＡＹを用いずに、各領域の加工量によって基準速度を補正して、補正速度の分布を求め、上記分布に従って、供給位置を走査移動させて、水晶ウエハを平坦化処理した。図２５は、その結果を表す図である。図２５（Ａ）は、処理前の水晶ウエハの厚みの測定結果であり、図２５（Ｂ）は、処理後の水晶ウエハの厚みの測定結果である。また、表２には、上記の結果が記載されている。
【0136】
【表2】
【0137】
表２の結果から、実施例１、及び、実施例２の平坦化処理方法は、比較例の平坦化処理方法と比較して、改善率が高く、得られる水晶ウエハは優れた平坦度を有していた。
また、実施例２の平坦化処理方法（グループ化）は、実施例１の平坦化処理方法と比較して、改善率がより高く、得られる水晶ウエハは、より優れた平坦度を有していた。
また、実施例２の平坦化処理方法（グループ化）は、実施例１の平坦化処理方法と比較して、改善率がより高く、得られる水晶ウエハは、より優れた平坦度を有していた。
【符号の説明】
【0138】
１ キャピラリ、２ ＲＦ電極、３ ＲＦ電源、４ 真空排気装置、５ 容器、６ ガス供給装置、８ 試料台、９ 移動機構、１０ プラズマ源、２０ 制御装置、２１ プロセッサ、２２ メモリ、２３ 加工部インタフェース、２４ 入出力インタフェース、２５ 通信インタフェース、２６ 入力デバイス、２７ 出力デバイス、２８ 外部ネットワーク、３１ 制御部、３２ 記憶部、３３ 領域設定部、３４ 基準速度算出部、３５ 比率算出部、３６ 補正速度算出部、３７ 速度分布算出部、３８ 移動制御部、３９ 入出力部、５１ 領域結合部、６０ ワーク、６１ 供給位置、６２、６４ 走査線、６３、６５ 移動方向、６６ 処理対象範囲、６７ 領域、６７ 全領域、７０ 加工痕、８１－８４ グループ、１００ プラズマ加工部、２００、５００ 平坦化処理装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】