特開 2023-160445 発光装置及び発光装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023160445

(43)【公開日】2023-11-02

(54)【発明の名称】発光装置及び発光装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/62 20100101AFI20231026BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20231026BHJP

【ＦＩ】

H01L33/62

H05K1/02 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022070834

(22)【出願日】2022-04-22

(71)【出願人】

【識別番号】000002303

【氏名又は名称】スタンレー電気株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001025

【氏名又は名称】弁理士法人レクスト国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】田渕 健司

(72)【発明者】

【氏名】神原 大蔵

(72)【発明者】

【氏名】重枝 裕司

(72)【発明者】

【氏名】渡邊 大輔

【テーマコード（参考）】

5E338

5F142

【Ｆターム（参考）】

5E338AA02

5E338AA16

5E338BB12

5E338BB46

5E338BB75

5E338CD33

5E338EE33

5F142AA58

5F142BA32

5F142CA02

5F142CB14

5F142CD02

5F142CD16

5F142CD32

5F142CD46

5F142CD49

5F142CG03

5F142DB24

5F142FA03

5F142FA48

(57)【要約】      （修正有）

【課題】製造時の不具合を抑制しつつ、発光装置の実装性を向上させることが可能な発光装置及び発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】略矩形の上面形状を有し、一方の側面に形成された第１の切欠き１３Ａ－Ｃと、他方の側面に形成された第２の切欠き１５Ａ－Ｃを有する絶縁性の基板１０と、第１の切欠きの内側面から、基板の上面及び基板の下面の第１の切欠きの縁の領域を覆う第１の配線電極２３Ａ－Ｃと、第１の配線電極と離間しており、第２の切欠きの内側面から、基板の上面及び基板の下面の第２の切欠きの縁の領域を覆う第２の配線電極２５Ａ－Ｃと、基板の上面に垂直な方向から見た上面視において、第１の配線電極の表面を覆っている第１の樹脂膜３１と、上面視において、第２の配線電極の表面を覆っている第２の樹脂膜３２と、第１の配線電極及び第２の配線電極によって給電可能に基板上に配された発光素子４１、４３、４５と、を有する発光装置。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

略矩形の上面形状を有しかつ対向する一組の側面のうちの一方の側面に形成された１又は複数の第１の切欠きを有しかつ前記一組の側面のうちの他方の側面に形成された１又は複数の第２の切欠きを有する絶縁性の基板と、
前記１又は複数の第１の切欠きの各々の内側面から、それぞれ前記基板の上面の前記１又は複数の第１の切欠きの各々の縁に亘って延在する領域及びそれぞれ前記基板の下面の前記１又は複数の第１の切欠きの各々の縁に亘って延在する領域を覆う第１の配線電極と、
前記第１の配線電極の各々と離間しておりかつ、前記１又は複数の第２の切欠きの各々の内側面から、それぞれ前記基板の上面の前記１又は複数の第２の切欠きの各々の縁に亘って延在する領域及びそれぞれ前記基板の下面の前記１又は複数の第２の切欠きの各々の縁に亘って延在する領域を覆う第２の配線電極と、
前記基板の上面に垂直な方向から見た上面視において、前記１又は複数の第１の切欠きに沿った縁に亘って延在する領域の各々の前記第１の配線電極の各々の表面を覆っている第１の樹脂膜と、
前記上面視において、前記１又は複数の第２の切欠きに沿った縁に亘って延在する領域の前記第２の配線電極の各々の表面を覆っている第２の樹脂膜と、
前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極によって給電可能に前記基板上に配された発光素子と、を有することを特徴とする発光装置。

【請求項2】

前記第１の樹脂膜は、前記第１の配線電極の各々の前記１又は複数の第１の切欠きの各々の内側面上に形成された部分の表面まで延在し、
前記第２の樹脂膜は、前記第２の配線電極の各々の前記１又は複数の第２の切欠きの各々の内側面上に形成された部分の表面まで延在することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項3】

前記第１の樹脂膜及び前記第２の樹脂膜の各々は、前記上面視において、前記１又は複数の第１の切欠き及び前記１又は複数の第２の切欠きをそれぞれ塞ぐように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項4】

前記第１の樹脂膜は、前記第１の配線電極の各々の前記１又は複数の第１の切欠きの各々の内側面に形成された部分の上端から、前記第１の配線電極の上端から下端までの厚みの１／３以上１／２以下の距離にある領域までを被覆し、
前記第２の樹脂膜は、前記第２の配線電極の各々の前記１又は複数の第２の切欠きの各々の内側面に形成された部分の上端から、前記第２の配線電極の上端から下端までの厚みの１／３以上１／２以下の距離にある領域までを被覆していることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。

【請求項5】

前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極の各々は、銅からなり、
前記第１の樹脂膜及び前記第２の樹脂膜は、前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極の銅と接するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項6】

前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極の各々の前記第１の樹脂膜及び前記第２の樹脂膜から露出した表面には、ニッケル及び金が順次積層されていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。

【請求項7】

前記１又は複数の第１の切欠き及び前記第１の配線電極と、前記１又は複数の第２の切欠き及び前記第２の配線電極と、の各々は、前記基板の前記一組の側面に互いに対となるように形成されており、
前記発光素子は、前記対の数に応じて前記基板上に複数個配されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項8】

前記基板の上面において、前記発光素子を封止しかつ、前記第１の配線電極の各々の表面の前記１又は複数の第１の切欠きに沿った縁に亘って延在する領域の各々及び前記第２の配線電極の各々の表面の前記１又は複数の第２の切欠きに沿った縁に亘って延在する領域の各々を露出するように形成された封止部材を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項9】

前記第１の樹脂膜は、前記１又は複数の第１の切欠きと前記発光素子との間において、前記基板の前記一組の側面に沿った方向に前記基板の両端部にかけて帯状に延在する帯状部を有し、
前記第２の樹脂膜は、前記１又は複数の第２の切欠きと前記発光素子との間において、前記基板の前記一組の側面に沿った方向に前記基板の両端部にかけて帯状に延在する帯状部を有し、
前記第１の配線電極の各々は、前記第１の樹脂膜の下部において、前記第１の樹脂膜の帯状部に沿って延在する部分を有し、
前記第２の配線電極の各々は、前記第２の樹脂膜の下部において、前記第２の樹脂膜の帯状部に沿って延在する部分を有し、
前記封止部材は、対向する側端部の一方が前記第１の樹脂膜の帯状部上に配され他方が前記第２の樹脂膜の帯状部上にはいされるように形成されていることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。

【請求項10】

発光装置の製造方法であって、
絶縁性の基板及び前記基板の上面及び下面に形成された銅箔層を有する基板構造体を用意する工程と、
前記基板構造体の上面において複数の列をなして配列されかつそれぞれが前記基板構造体を上面から下面まで貫通する複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記銅箔層の表面及び前記複数の貫通孔の内面にめっきによって銅層を形成する第１のめっき工程と、
前記基板の上面及び下面の前記銅箔層及び前記銅層をそれぞれエッチングして配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、
前記配線パターンの前記基板構造体の上面に形成された部分の表面の前記複数の貫通孔の各々の外縁に沿った領域を覆う樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程と、
前記複数の列に沿って伸張するダイシングラインに沿って前記複数の貫通孔の各々を分断するように前記基板構造体を切断して個片化する個片化工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。

【請求項11】

前記樹脂膜形成工程において、
スキージングによって前記基板の上面及び前記複数の貫通孔の内面上に形成された前記配線パターンの内側面の上端に沿った領域に感光性の樹脂を塗布する樹脂膜塗布工程と、
前記樹脂を露光し、前記配線パターンの前記基板構造体の上面に形成された部分の表面の前記複数の貫通孔の外縁に沿った領域及び前記配線パターンの前記複数の貫通孔の内面上に形成された部分の表面までを覆う樹脂膜を形成する樹脂膜パターン形成工程と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載の発光装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体発光素子を含む発光装置及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）等の発光素子を光源として用いた小型の発光装置としてチップＬＥＤといわれる表面実装型ＬＥＤが知られている。

【0003】

例えば、特許文献１には、発光ダイオード素子を搭載するガラスエポキシ（以下、ガラエポとも称する）基板の上面に形成されたカソード電極及びアノード電極がそれぞれ当該ガラエポ基板の両端部に設けられたスルーホール電極を通じてガラエポ基板の裏面側に形成された裏面電極まで回り込むような構造を有する発光装置としての表面実装型発光ダイオードが開示されている。

【0004】

また、特許文献１に記載の表面実装型発光ダイオードにおいては、スルーホール電極の上面にマスキングテープを貼りかつ当該マスキングテープ上を含むガラエポ基板上面全体に第２の樹脂を配していることが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０００－２６１０４１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１に記載の表面実装型発光ダイオードにおいて、マスキングテープは、第２の樹脂形成時にスルーホール電極内に第２の樹脂が流れ込まないようにするためのものである。

【0007】

特許文献１に記載の表面実装型発光ダイオードのように、ガラス繊維にエポキシ樹脂をしみ込ませ熱硬化処理を施したガラスエポキシ基板の上面全体に封止樹脂である第２の樹脂を形成すると、樹脂材料の使用量が多くなり、コストが増加する可能性がある。

【0008】

しかし、樹脂材料の使用量を抑制するために、発光装置において樹脂材料がスルーホール電極上を覆わないような構造とした場合、ダイシングによる発光装置の個片化を行う際に発光装置の側面であるダイシング面に露出するスルーホール電極、カソード電極、アノード電極または裏面電極に剥離が発生して不具合となる場合がある。

【0009】

さらに、ガラエポ基板に複数の対となる電極が形成されている場合、発光装置を実装基板へ実装する際にはんだがスルーホール電極に過剰に這い上がり、ガラエポ基板上まではんだが這い上がってしまうと、実装面のはんだ不足によってダイシェア強度不具合が起こる可能性がある。

【0010】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、製造時の不具合を抑制しつつ、発光装置の実装性を向上させることが可能な発光装置及び発光装置の製造方法を提供することを目的としている。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明に係る発光装置は、略矩形の上面形状を有しかつ対向する一組の側面のうちの一方の側面に形成された１又は複数の第１の切欠きを有しかつ前記一組の側面のうちの他方の側面に形成された１又は複数の第２の切欠きを有する絶縁性の基板と、前記１又は複数の第１の切欠きの各々の内側面から、それぞれ前記基板の上面の前記１又は複数の第１の切欠きの各々の縁に亘って延在する領域及びそれぞれ前記基板の下面の前記１又は複数の第１の切欠きの各々の縁に亘って延在する領域を覆う第１の配線電極と、前記第１の配線電極の各々と離間しておりかつ、前記１又は複数の第２の切欠きの各々の内側面から、それぞれ前記基板の上面の前記１又は複数の第２の切欠きの各々の縁に亘って延在する領域及びそれぞれ前記基板の下面の前記１又は複数の第２の切欠きの各々の縁に亘って延在する領域を覆う第２の配線電極と、前記基板の上面に垂直な方向から見た上面視において、前記１又は複数の第１の切欠きに沿った縁に亘って延在する領域の各々の前記第１の配線電極の各々の表面を覆っている第１の樹脂膜と、前記上面視において、前記１又は複数の第２の切欠きに沿った縁に亘って延在する領域の前記第２の配線電極の各々の表面を覆っている第２の樹脂膜と、前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極によって給電可能に前記基板上に配された発光素子と、を有することを特徴としている。

【0012】

また、本発明に係る発光装置の製造方法は、絶縁性の基板及び前記基板の上面及び下面に形成された銅箔層を有する基板構造体を用意する工程と、前記基板構造体の上面において複数の列をなして配列されかつそれぞれが前記基板構造体を上面から下面まで貫通する複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記銅箔層の表面及び前記複数の貫通孔の内面にめっきによって銅層を形成する第１のめっき工程と、前記基板の上面及び下面の前記銅箔層及び前記銅層をそれぞれエッチングして配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、前記配線パターンの前記基板構造体の上面に形成された部分の表面の前記複数の貫通孔の各々の外縁に沿った領域を覆う樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程と、前記複数の列に沿って伸張するダイシングラインに沿って前記複数の貫通孔の各々を分断するように前記基板構造体を切断して個片化する個片化工程と、を含むことを特徴としている。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の実施例に係る発光装置の上面図である。

【図2】本発明の実施例に係る発光装置の断面図である。

【図3】本発明の実施例に係る発光装置の製造フローを示す図である。

【図4】本発明の実施例に係る発光装置の製造フローを示す図である。

【図5A】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の上面図である。

【図5B】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の断面図である。

【図6A】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の上面図である。

【図6B】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の断面図である。

【図7】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の上面図である。

【図8】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の断面図である。

【図9】本発明の実施例に係る発光装置の製造時の上面図である。

【図10】本発明の実施例に係る発光装置の実装状態の一例を示す断面図である。

【図11A】本発明の変形例に係る発光装置の上面図である。

【図11B】本発明の変形例に係る発光装置の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下に本発明の実施例について詳細に説明する。なお、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。

【実施例0015】

図１及び図２を参照しつつ、実施例に係る発光装置１００の構成について説明する。図１は、実施例に係る発光装置１００の上面図である。また、図２は、図１に示した発光装置１００の２－２線に沿った断面図である。

【0016】

なお、図１において、基板１０の上面上の各要素の構造及び位置関係を明確にするために、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２を二点鎖線で示している。また、図１において、基板１０の上面上の各要素の構造及び位置関係を明確にするために、封止部材６０（図２参照）の図示を省略している。

【0017】

（発光装置）
発光装置１００は、略矩形の上面形状を有しかつ、対向する辺の各々にそれぞれ３つの第１の切欠きとしての切欠き１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ及び第２の切欠きとしての切欠き１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃが形成されている基板１０を有する。なお、以下の説明において、切欠き１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃをまとめて切欠き１３Ａ－Ｃと称し、切欠き１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃをまとめて切欠き１５Ａ－Ｃと称する場合もある。

【0018】

また、発光装置１００は、基板１０の上面上に発光素子４１、４３、４５及び保護素子５１、５３を有する。

【0019】

また、発光装置１００は、基板１０の上面上において発光素子４１、４３、４５及び保護素子５１、５３を封止する封止部材６０（図２参照）を有する。

【0020】

また、本実施例においては、１の平板基板にマトリクス状に配列された複数の発光装置形成領域の各々に各構成要素が配され、ダイシングによる個片化を行うことにより複数の発光装置１００が製造される。従って、発光装置１００の各々の側面は、ダイシングによって切断されたダイシング面である。

【0021】

本実施例は、発光装置１００において、３つの発光素子４１、４３、４５がそれぞれ並列に接続される場合について説明する。すなわち、本実施例の発光装置１００は、３対のアノード電極及びカソード電極を有し、３の発光素子４１、４３、４５を個別に制御可能な発光装置である。

【0022】

（基板）
基板１０は、略矩形状の上面形状を有する絶縁性基板である。基板１０は、上面視において、破線で示した矩形から互いに対向する一組の辺の一部が切り欠かれている平面形状を有している。言い換えれば、基板１０には、対向する側面１０Ｓ１及び１０Ｓ２の一部に切欠きが形成されている。以下、基板１０の上記一組の辺と平行な中心線を中心線ＣＬとして説明する。

【0023】

第１の切欠きとしての切欠き１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ及び第２の切欠きとしての切欠き１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃの各々は、基板１０の側面１０Ｓ１及び側面１０Ｓ２のそれぞれの中央と両端とに基板１０の上面から下面にまで貫通して形成されている。

【0024】

切欠き１３Ａと切欠き１５Ａ、切欠き１３Ｂと切欠き１５Ｂ、切欠き１３Ｃと切欠き１５Ｃは、それぞれ中心線ＣＬを挟んで対向する位置に形成されている。

【0025】

切欠き１３Ａ及び切欠き及び１５Ａは、上面視において側面１０Ｓ１及び１０Ｓ２のそれぞれの中央に、略半円形の形状を矩形状の基板１０から切り取った形状で形成されている。また、切欠き１３Ｂ、１３Ｃ及び切欠き及び１５Ｂ、１５Ｃは、上面視において側面１０Ｓ１及び１０Ｓ２のそれぞれの両端に、扇状の形状を矩形状の基板１０から切り取った形状で形成されている。

【0026】

なお、本実施例においては、基板１０として、ガラエポからなる平板を用いた。また、本実施例においては、厚みが約１００μｍのガラエポ平板を用いた。

【0027】

（配線電極）
第１の配線電極としての配線電極２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ及び第２の配線電極としての配線電極２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃの各々は、基板１０の表面に形成された導電性の配線電極である。

【0028】

配線電極２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ及び配線電極２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃの各々は、基板１０の上面において、それぞれ対応する切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃのそれぞれの縁に亘って形成されている。

【0029】

また、配線電極２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃは、切欠き１３Ａ－Ｃの各々の縁に形成された部分から、引き回し部２３ＡＷ、２３ＢＷ、２３ＣＷをそれぞれ介して基板１０の中心線ＣＬに沿った中央領域に設けられたボンディングパッド部及び素子載置部まで連続的に延在している。配線電極２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃは、切欠き１５Ａ－Ｃの各々の縁に形成された部分、基板１０の中心線ＣＬに沿った中央領域に設けられたボンディングパッド部及びこれらを接続する引き回し部２５ＡＷ、２５ＢＷ、２５ＣＷを有している。配線電極２３Ａ－Ｃ、配線電極２５Ａ－Ｃは、基板１０の上面においてそれぞれ互いに離間している。

【0030】

また、配線電極２３Ａ－２５Ｃと配線電極２５Ａ－２５Ｃとは、切欠き１３Ａ－１３Ｃ及び切欠き１５Ａ－１５Ｃから基板１０の中心線ＣＬの間の中心線ＣＬに沿った領域の各々において互いに近接し、それぞれが当該中心線ＣＬに沿った領域から基板１０の上面の両端部まで延在している。

【0031】

配線電極２３Ａ－２３Ｃは、切欠き１３Ａ－１３Ｃの配列方向に沿って延びている直線Ｌ１に沿った領域において互いに近接している。具体的には、引き回し部２３ＡＷには、直線Ｌ１に沿って配線電極２３Ｂ及び２３Ｃに向かう方向にそれぞれ延伸する拡張部ＥＸが形成されている。

【0032】

また、配線電極２３Ｂ及び２３Ｃの引き回し部２３ＢＷ及び２３ＣＷは、直線Ｌ１に沿って、基板１０の上面の端部の各々から配線電極２３Ａに向かう方向に延伸するように形成されている。このように、配線電極２３Ａ－２３Ｃの拡張部ＥＸ及び引き回し部２３ＡＷ－２３ＣＷが、直線Ｌ１に沿って延在する部分を有する事により、配線電極２３Ａ－２３Ｃは、基板１０の上面の直線Ｌ１に沿った領域において近接して構成されている。

【0033】

配線電極２５Ａ－２５Ｃは、切欠き１５Ａ－１５Ｃの配列方向に沿って延びている直線Ｌ２に沿った領域において互いに近接している。具体的には、引き回し部２５ＢＷには、直線Ｌ２に沿って配線電極２５Ｂに向かう方向に延伸する拡張部ＥＸが形成されている。また、引き回し部２５ＣＷには、直線Ｌ２に沿って配線電極２５Ａに向かう方向に延伸する拡張部ＥＸが形成されている。

【0034】

また、配線電極２５Ｂの引き回し部２５ＢＷは、直線Ｌ２に沿って、基板１０の上面の端部の各々から配線電極２５Ａに向かう方向に延伸するように形成されている。また、配線電極２５Ａの引き回し部２５ＡＷは、拡張部ＥＸに対向する部分が、直線Ｌ２に沿って引き回し部２５ＣＷの拡張部ＥＸに向かって延伸する様に形成されている。このように、配線電極２５Ａ－Ｃの拡張部ＥＸ及び引き回し部２５ＡＷ－２５ＣＷが、直線Ｌ２に沿って延在する部分を有する事により、配線電極２５Ａ－２５Ｃは、基板１０の上面の直線Ｌ２に沿った領域において近接して構成されている。

【0035】

上述のように、配線電極２３Ａ－２３Ｃ及び２５Ａ－２５Ｃは、それぞれ拡張部ＥＸ及び引き回し部２３ＡＷ－２３ＣＷ及び引き回し部２５ＡＷ－２５ＣＷにおいて互いに近接するように構成されている。

【0036】

また、配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの各々は、基板１０の上面の切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃのそれぞれの縁から、切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃのそれぞれの内側面を経て基板１０の裏面にまで至っている。

【0037】

配線電極２３Ａ－Ｃ、配線電極２５Ａ－Ｃは、基板１０の上面の切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃの各々の縁の全周に亘って形成されている。言い換えれば、配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの各々は、基板１０の上面及び下面の切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃの各々の縁に亘って延在する領域ＰＡを覆うように形成されている。

【0038】

なお、本実施例において、配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの各々は、基板１０の上面及び下面において、基板表面に形成された銅箔及び当該銅箔表面に形成された銅めっきからなっている。また、配線電極２３Ａ－Ｃ、２５Ａ－Ｃは、切欠きの内側面において、当該内側面を覆うように形成された銅めっきからなっている。本実施例において、基板１０の上面及び下面における配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの各々の基板１０の表面からの厚みは、約３０μｍとなっている。

【0039】

なお、配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの基板１０の上面における形状は、基板１０の中心線ＣＬに沿った中央領域のボンディングパッド部及び素子載置部の配置に応じて任意に設計可能である。配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの各々は、切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５の各々の縁に亘って形成されかつ、切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５から中央領域のボンディングパッド部及び素子載置部までの間において中心線ＣＬに沿った方向の所定の直線に沿った領域に互いに近接しつつ基板１０の上面の両端部まで延在していればよい。

【0040】

（発光素子）
発光素子４１、４３、４５は、基板１０の上面の中央の領域において、配線電極２３Ａの上面に配された半導体からなる発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）である。

【0041】

本実施例において、発光素子４１は、上面から赤色の光を放射するＡｌＧａＩｎＰ系のＬＥＤである。また、本実施例において、発光素子４３及び４５は、それぞれ上面から緑色及び青色の光を放射するＩｎＧａＮ系のＬＥＤである。発光素子４１、４３、４５は、それぞれ図示しない銀（Ａｇ）ペースト等を原料とした導電性の素子接合層を介して配線電極２３Ａの上面上に接合されている。

【0042】

発光素子４１は、下面にアノード電極を有し、上面にカソード電極パッドを有している。発光素子４１においては、下面のアノード電極が配線電極２３Ａと電気的に接続される。また、発光素子４１においては、上面のカソード電極パッドと配線電極２５Ａとがボンディングワイヤ４１Ｋによって電気的に接続されている。従って、発光素子４１は、配線電極２３Ａ及び配線電極２５Ａを介して電力の供給を受ける構成を有している。

【0043】

発光素子４３は、上面にカソード電極パッド及びアノード電極パッドを有している。発光素子４３においては、カソード電極パッドと配線電極２３Ｂとがボンディングワイヤ４３Ｋによって接続され、アノード電極パッドと配線電極２５Ｂとがボンディングワイヤ４３Ａによって接続されている。従って、発光素子４１は、配線電極２３Ｂ及び配線電極２５Ｂを介して電力の供給を受ける構成を有している。

【0044】

発光素子４５は、発光素子４３と同様に、上面にカソード電極パッド及びアノード電極パッドを有している。発光素子４５においては、カソード電極パッドと配線電極２３Ｃとがボンディングワイヤ４５Ｋによって接続され、アノード電極パッドと配線電極２５Ｃとがボンディングワイヤ４５Ａによって接続されている。従って、発光素子４１は、配線電極２３Ｃ及び配線電極２５Ｃを介して電力の供給を受ける構成を有している。なお、発光素子４３と発光素子４５は、図示しない素子接続層を介して配線電極２３Ａの上面に発光素子４１と隣接して接合されている。発光素子４３と発光素子４５の接合面は絶縁性で配線電極２３Ａとは電気的に絶縁されている。

【0045】

（保護素子）
保護素子５１及び保護素子５３は、ツェナーダイオード等の逆電圧保護素子である。保護素子５１及び保護素子５３は、それぞれ、下面にカソード電極を有し、上面にアノード電極パッドを有している。

【0046】

保護素子５１においては、下面のカソード電極が配線電極２３Ｂと電気的に接続される。また、保護素子５１においては、上面のアノード電極パッドと配線電極２５Ｂとがボンディングワイヤ５１Ａによって電気的に接続されている。

【0047】

保護素子５３においては、下面のカソード電極が配線電極２３Ｃと電気的に接続される。また、保護素子５１においては、上面のアノード電極パッドと配線電極２５Ｃとがボンディングワイヤ５１Ａによって電気的に接続されている。

【0048】

従って、保護素子５１及び保護素子５３は、配線電極２３Ｂ、２３Ｃ及び配線電極２５Ｂ、２５Ｃの各々の間で、発光素子４３、４５のそれぞれと並列にかつ逆極性で接続されている。

【0049】

（第１の樹脂膜、第２の樹脂膜及び第３の樹脂膜）
第１の樹脂膜３１（図中二点鎖線で示す）は、エポキシ樹脂等の絶縁性を有する樹脂材料からなる絶縁膜である。第１の樹脂膜３１は、上面視において、切欠き１３Ａ－Ｃをそれぞれ塞ぎ、かつ基板１０の上面の切欠き１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃの周縁において、配線電極２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃを覆うように形成されている。

【0050】

第１の樹脂膜３１は、さらに、直線Ｌ１に沿った領域に帯状に延在する帯状部３１Ｂを含む。帯状部３１Ｂは、当該直線Ｌ１に沿った領域に形成された配線電極２３Ａ－Ｃの拡張部ＥＸ及び引き回し部２３ＡＷ－ＣＷ及び基板１０の上面を覆っている。すなわち、直線Ｌ１に沿った領域において、第１の樹脂膜３１は、帯状部３１Ｂによって配線電極２３Ａ－Ｃの各々の上面を覆うとともに、配線電極２３Ａ－Ｃの各々同士の間の間隙を充填している。

【0051】

第２の樹脂膜３２（図中二点鎖線で示す）は、第１の樹脂膜３１と同様にエポキシ樹脂等の絶縁性を有する樹脂材料からなる膜である。第２の樹脂膜３２は、上面視において、切欠き１５Ａ－Ｃをそれぞれ塞ぎ、かつ基板１０の上面の切欠き１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃの周縁において、配線電極２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃを覆うように形成されている。

【0052】

第２の樹脂膜３２は、さらに、直線Ｌ２に沿った領域に帯状に延在する帯状部３２Ｂを含む。帯状部３２Ｂは、当該直線Ｌ２に沿った領域に形成された配線電極２５Ａ－Ｃの拡張部ＥＸ及び引き回し部２５ＡＷ－ＣＷ及び基板１０の上面を覆っている。すなわち、直線Ｌ２に沿った領域において、第２の樹脂膜３２は、帯状部３２Ｂによって配線電極２５Ａ－Ｃの各々の上面を覆うとともに、配線電極２５Ａ－Ｃの各々同士の間の間隙を充填している。

【0053】

また、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２の各々は、基板１０の上面上において、配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５の各々Ａ－Ｃが覆っている基板１０の領域ＰＡに対応する配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの上面の領域を覆っている。

【0054】

また、図２に示すように、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２の各々は、上方から切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃの各々の内部に嵌まり込むように入り込んでいる。すなわち、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２の各々は、切欠き１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ内及び切欠き１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ内において、それぞれ、配線電極２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ及び配線電極２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃの上端部分を覆っている。

【0055】

図１に示しているように、発光装置１００において、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２の各々は、切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃの領域ＰＡ周縁近傍において、配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの各々の外周端の一部を露出するように形成されている。これは、不透明なソルダーレジストインクを第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２に用いた場合においても、製造後の発光装置１００において配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの位置、発光装置１００の向きを視認可能とするためである。

【0056】

第３の樹脂膜３３は、図２に示すように、基板１０の下面に形成されている。第３の樹脂膜３３は、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２と同一材料で形成されている。また、第３の樹脂膜３３は、基板１０の下面において配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの実装基板との接合部材との接合領域を露出するパターンで形成されている。

【0057】

本実施例においては、第１の樹脂膜３１、第２の樹脂膜３２及び第３の樹脂膜３３として感光性のソルダーレジストインク（グリーンレジスト）を用いた。第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２は、遮光性部材を用いることで発光素子４１、４３、４５による意図せぬ光を防止することができる。これにより、発光装置１００はより所望の配光を得ることができる。なお、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２は、例えばシリコン等の、光吸収性又は光反射性を有する部材としてもよい。また、本実施例においては、第１の樹脂膜３１、第２の樹脂膜３２及び第３の樹脂膜３３の各々を基板１０の上面上からの厚みが約２０μｍとなるように形成している。

【0058】

なお、第１の樹脂膜３１、第２の樹脂膜３２及び第３の樹脂膜３３から露出している配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの各々の表面には、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）が順に積層されている。

【0059】

（封止部材）
封止部材６０は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の透光性の樹脂材料からなり、基板１０の上面の中心線ＣＬに沿った領域に形成されている。

【0060】

本実施例においては、封止部材６０は、基板１０の上面の直線Ｌ１の近傍及び直線Ｌ２の近傍の間の領域に形成され、基板１０の上面、配線電極２３Ａ－Ｃ、２５Ａ－Ｃの各々の上面を覆い、かつ発光素子４１、４３、４５及び保護素子５１、５３を封止している。すなわち、封止部材６０の中心線ＣＬに沿った方向の側面の下端部は、基板１０の上面の直線Ｌ１及び直線Ｌ２の近傍上の第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２の各々の帯状部３１Ｂ及び３２Ｂの上面上である。

【0061】

上記のように、封止部材６０の側面の下端部の位置を、第１及び第２の樹脂膜３１及び３２の各々の帯状部３１Ｂ及び３２Ｂの上面かつ直線Ｌ１及び直線Ｌ２上の近傍とすることにより、後述の製造方法において、封止部材６０の各々の切欠きの方向への漏れ出しを抑制することができる。

【0062】

（発光装置の製造方法）
次に、図３乃至図９を用いて、実施例の発光装置１００の製造方法について説明する。

【0063】

図３及び図４は、本発明の実施例に係る発光装置１００の製造フローを示す図である。また、図５乃至図９は、図３及び図４に示す製造手順の各ステップにおける発光装置１００の断面図を示す。また、図５Ａ、図６Ａ、図７及び図９は、１の発光装置形成領域及びその周辺の上面図を示している。また、図５Ｂ、図６Ｂ及び図８は、１の発光装置形成領域及びその周辺における、図１に示した２－２線に相当する断面を示している。

【0064】

なお、以下の製造方法の説明において、ステップＳ２０４（個片化工程）の完了前における基板１０の切欠き１３Ａ－Ｃ、１５Ａ－Ｃの各々を貫通孔１３Ａ－Ｃ、１５Ａ－Ｃと称する。

【0065】

（ステップＳ１０１）
まず、製造に用いる基板構造体１０Ｍ（図５Ａ及び図５Ｂ参照）を準備する工程を行う（ステップＳ１０１、基板構造体準備工程）。基板構造体１０Ｍは、矩形の上面形状を有する平板のガラエポである基板１０の上面に銅箔ＣＵ１、下面に銅箔ＣＵ２が圧着されてなる基板である。ダイシングラインＤＬ１、ＤＬ２は、発光装置１００を個片化する際のダイシングラインである。すなわち、発光装置１００は、基板構造体１０Ｍを含む構造をダイシングラインＤＬ１、ＤＬ２に沿ってダイシングすることで個片化されて形成される。銅箔ＣＵ１、ＣＵ２は、例えばガラエポ基板にプレス圧着されたものであり、厚みが約１８μｍのものである。

【0066】

（ステップＳ１０２）
次に、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、各々の発光装置形成領域において、ダイシングラインＤＬ１に沿って、切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃとなる貫通孔を形成する（ステップＳ１０２、切欠き形成工程）。本ステップにおいては、ダイシングラインＤＬ１の各々に沿って貫通孔を形成する。貫通孔１３Ｂ、１３Ｃ、１５Ｂ及び１５Ｃは、ダイシングラインＤＬ１とダイシングラインＤＬ２とが交差する位置に形成され、貫通孔１３Ａ及び１５Ａは、隣り合うダイシングラインＤＬ２の中間点に形成される。貫通孔１３Ａ－Ｃ及び１５Ａ－Ｃの各々は、ドリル等によって上方から銅箔ＣＵ１、基板構造体１０Ｍ及び銅箔ＣＵ２を貫通させて形成した。

【0067】

（ステップＳ１０３）
次に、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、基板構造体１０Ｍの貫通孔の内面、銅箔ＣＵ１及び銅箔ＣＵ２の表面に銅めっきを施し、基板構造体１０Ｍの表面を一体的に覆う銅層ＣＵ３を形成する（ステップＳ１０３、第１めっき工程）。本ステップにおいては、まず、基板構造体１０Ｍに銅の無電解めっきを施し、銅箔ＣＵ１及び銅箔ＣＵ２の表面及び基板構造体１０Ｍの貫通孔の内面に無電解めっき層を形成した。次に、この基板構造体１０Ｍに銅の電界めっきを施し、無電解めっき層の表面に電界めっき層を形成して、銅層ＣＵ３を形成した。銅層ＣＵ３は、基板１０の上面と下面において、銅箔ＣＵ１及び銅箔ＣＵ２を下地として含んでいる。

【0068】

（ステップＳ１０４）
次に、図７に示すように、銅層ＣＵ３をエッチングし、各々の発光装置形成領域において、配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃを形成する（ステップＳ１０４、配線パターン形成工程）。本ステップにおいては、まず、基板構造体１０Ｍの銅層ＣＵ３の表面上に、上述した配線パターンとなるようにレジストマスクを形成した。そして、当該レジストマスクから露出した銅層ＣＵ３を基板構造体１０Ｍの表面が露出するまでエッチングを行い配線電極２３Ａ－Ｃ、２５Ａ－Ｃの各々を形成した。その後、各々の配線電極の表面のレジストマスクを除去した。

【0069】

なお、この時、隣り合う発光装置形成領域の間で対向する配線電極２３Ａ－Ｃと配線電極２５Ａ－Ｃとが連続するように形成した。

【0070】

（ステップＳ１０５）
次に、図８に示すように、基板構造体１０Ｍの上面全体に感光性の樹脂ＲＬを塗布する（ステップＳ１０５、樹脂膜塗布工程）。本ステップにおいては、スクリーン印刷機を用いて、基板構造体１０Ｍの上方からスキージングによって基板構造体１０Ｍの上面に一括的に樹脂ＲＬを塗布した。この時、切欠き１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ内及び切欠き１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ内において、それぞれ配線電極２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ及び配線電極２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃの各々の上端部分に樹脂ＲＬが塗布される（樹脂ＲＬが入り込む）ように樹脂ＲＬの粘度、塗布量又はスキージング条件が設定される。

【0071】

（ステップＳ１０６）
次に、図９に示すように、基板構造体１０Ｍに塗布した樹脂ＲＬを感光させて第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２を形成する（ステップＳ１０６、樹脂膜パターン形成工程）。本ステップにおいては、露光装置を用いて基板構造体１０Ｍの上方からフォトマスクを介して紫外線を照射し、各々の発光装置形成領域において樹脂ＲＬを第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２の形状に感光した。

【0072】

この時、フォトマスクは、樹脂ＲＬの切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃの領域及び基板１０の領域ＰＡを覆う領域に紫外線が樹脂ＲＬに照射されるようなパターンとなっている。

【0073】

さらに、フォトマスクは、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２の帯状部３１Ｂ及び３２Ｂが、各々の切欠きが形成されているダイシングラインＤＬ１に沿った方向に並ぶ複数の発光装置形成領域の列ごとに、直線Ｌ１及びＬ２に沿った領域に当該列の両端部の発光装置形成領域まで連続するように紫外線が樹脂ＲＬに照射されるようなパターンとなっている。

【0074】

その後、未感光部の樹脂ＲＬを除去して第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２を形成した。

【0075】

なお、本実施例においては、ステップＳ１０５（樹脂膜塗布工程）で切欠き１３Ａ－Ｃ、１５Ａ－Ｃ内の配線電極２３Ａ－Ｃ、２５Ａ－Ｃの各々の上端部分に樹脂ＲＬが塗布されるように制御する場合について説明した。

【0076】

ステップＳ１０６（樹脂膜パターン形成工程）において、露光装置の焦点深度を調整し、樹脂ＲＬを所望の深さの範囲まで感光させるようにしてもよい。

【0077】

また、ステップＳ１０６（樹脂膜パターン形成工程）に連続して基板構造体１０Ｍの下面に第３の樹脂膜３３を形成した。第３の樹脂膜３３の形成には、スキージング時に第３の樹脂膜３３の形状に開口されたメタルマスク等を用いて樹脂ＲＬを塗布した。

【0078】

（ステップＳ１０７）
次に、基板構造体１０Ｍの各々の樹脂膜から露出した配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの表面にＮｉ及びＡｕを順に積層させためっき層を形成する（ステップＳ１０７、第２めっき工程）。本ステップにおいては、電界めっきによって、配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの表面にＮｉ層を形成した後、当該Ｎｉ層の表面にＡｕ層を形成した。

【0079】

（ステップＳ２０１）
次に、図１に示すように、各々の発光装置形成領域の上面において、所定の位置に発光素子４１、４３、４５及び保護素子５１、５３を接合する（ステップＳ２０１、素子接合工程）。本ステップにおいては、まず、基板構造体１０Ｍをダイボンド装置にセットし、導電性の素子接合層の原料ペーストを配線電極２３Ａ－Ｃの各々の上面の素子載置部にそれぞれ塗布した。次に、それぞれの素子載置部に塗布された原料ペースト上に、各々の素子をそれぞれ電極パッドが上方となる向きで載置した。その後、基板構造体１０Ｍを加熱し、原料ペーストを硬化させて各々の素子をそれぞれ配線電極２３に接合した。

【0080】

（ステップＳ２０２）
次に、図１に示すように各々の発光装置形成領域において、各々の素子の電極パッドと各々の配線電極とを接続するボンディングワイヤを形成する（ステップＳ２０２、ワイヤボンディング工程）。本ステップにおいては、基板構造体１０Ｍをボンディング装置にセットし、各々のボンディングワイヤを形成した。

【0081】

発光素子４１において、まず、Ａｕ等の金属線を用いて発光素子４１の電極パッド上に金属バンプを形成した後、当該金属線を配線電極２５Ａのボンディングパッド部と金属バンプとに接合してボンディングワイヤ４１Ｋを形成した。続けて、同様の手法にてボンディングワイヤ４３Ａ、４３Ｋ、４５Ａ、４５Ｋ、５１Ｋ及び５３Ｋを形成した。

【0082】

（ステップＳ２０３）
次に、図２に示すように、各々の発光素子及び保護素子を封止する封止部材６０を形成する（ステップＳ２０３、封止部材形成工程）。本ステップにおいては、基板構造体１０Ｍをモールディング装置の金型にセットし、封止部材６０の原料樹脂を注入し、硬化させて封止部材６０を形成した。

【0083】

本実施例においては、各々の切欠きが形成されているダイシングラインＤＬ１に沿った方向に並ぶ複数の発光装置形成領域の列ごとに、当該列の両端部の発光装置形成領域まで連続的に封止部材６０の形状で凹部が形成された金型を用いた。すなわち、基板構造体１０Ｍの上面の側の金型の凹部の端部は、上記列方向に並ぶ複数の発光装置形成領域に亘って延伸する直線Ｌ１及びＬ２の近傍に位置する。

【0084】

これにより、金型で基板構造体１０Ｍを押圧した際に、第１、第２の樹脂膜３１、３２の弾性によって、直線Ｌ１及びＬ２の近傍の各々の配線電極の間の間隙部分においても金型と第１、第２の樹脂膜３１、３２とを密着させることができる。従って、封止部材６０の原料樹脂の注入時において、当該間隙部分からの封止部材６０の原料樹脂の漏れ出しを抑制することが可能となる。

【0085】

（ステップＳ２０４）
次に、図１に示すように、ダイシングラインＤＬ１及びＤＬ２に沿ってダイシングを行い複数の発光装置１００を個片化する（ステップＳ２０４、個片化工程）。本ステップにおいては、基板構造体１０Ｍをダイシングシートに貼り付けてダイシング装置にセットし、ダイシングブレードを回転させつつダイシングラインＤＬ１及びＤＬ２に沿って所定の進行方向の方向に移動させ、基板構造体１０Ｍを切断した。すなわち、各々の基板構造体１０ＭのダイシングラインＤＬ１上に形成された切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃを分断するようにダイシングを行った。

【0086】

上述の発光装置１００の製造方法においては、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２を、ダイシングラインＤＬ１及びＤＬ２上の配線電極２３Ａ－Ｃ、２５Ａ－Ｃの上面を覆い、かつ上方から切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃの各々の内部に嵌まり込むように形成している。

【0087】

言い換えれば、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２の各々が、配線電極の上面の基板１０の領域ＰＡに対応する領域、特に、領域ＰＡの、発光装置１００の個片化後の１０Ｓ１及び１０Ｓ２に沿った縁を覆うように形成されている。すなわち、第１の樹脂膜３１及び、第２の樹脂膜３２が、配線電極の押さえになっている。

【0088】

これにより、発光装置１００を個片化する際のダイシング時に、ダイシングブレードによって、配線電極の各々が基板１０から剥離させられることを抑制することが可能となる。なお、上述のように、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２が、出来上がった発光装置１００においては切欠き内にまで、製造中には貫通孔内まで嵌まり込むように形成される。これにより、個片化時に第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２自体の剥離が防止され、樹脂膜の剥離による配線電極の剥離の防止効果の喪失を防止することが出来る。これにより、発光装置１００の製造時の不具合を抑制することが可能となる。

【0089】

（発光装置の実装状態）
図１０は、実施例に係る発光装置１００の実装状態時の断面図である。なお、図１０は、図１に示した発光装置１００の２－２線に沿った断面図である。

【0090】

実装基板２００は、発光装置１００を搭載する基板である。実装基板２００は、２－２線における断面において、実装電極２０１及び実装電極２０２を有する。接合部材２０３、２０４は、はんだ等を含むペーストを原料とする接合部材である。

【0091】

実装基板２００の実装電極２０１及び実装電極２０２の上面上で、接合部材２０３、２０４を加熱、溶融させて実装基板２００と発光装置１００とを接合する。

【0092】

接合部材２０３、２０４は、溶融時において、発光装置１００の配線電極２３Ａ及び配線電極２５Ａの各々の表面に濡れ広がる。すなわち、接合部材２０３及び２０４の各々は、切欠き１３Ａ及び切欠き１５Ａの内面に形成された配線電極２３Ａ及び配線電極２５Ａの内面に沿って這い上がる。

【0093】

発光装置１００においては、溶融した接合部材２０３、２０４を構成する金属と親和性の低い材料であるソルダーレジストからなる第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２の各々が、基板１０の切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃをそれぞれ塞いでいる。これにより、発光装置１００及びその製造方法によれば、発光装置１００の実装基板への実装時において、溶融した接合部材２０３及び２０４が切欠きの内側面を介して上面にまで這い上がることが防止され、それによる配線のショート等の不具合を防止することが可能となる。

【0094】

また、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２が接合部材２０３及び２０４の過剰な這い上がりを防止することによって、厚みの大きい接合部材２０３及び２０４のフィレットを形成することができる。

【0095】

なお、第１、第２の樹脂膜３１、３２は、配線電極２３Ａ－Ｃ、２５Ａ－Ｃの上端から下端までの厚みＴの１／３以上１／２以下の距離Ｄまで、切欠き内に入り込むことが好ましい（Ｔ／３≦Ｄ≦Ｔ／２）。

【0096】

これは、距離Ｄが大きすぎる場合、すなわち、樹脂膜が切欠き内に入り込みすぎると、切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃの各々の内面に露出する各々の配線電極の面積が小さくなり、発光装置１００の実装時に接合部材（はんだ）との接合強度が低下する可能性があるためである。

【0097】

逆に距離Ｄが小さすぎる場合、すなわち、樹脂膜の切欠き内への入り込みが小さすぎると、第１、第２の樹脂膜３１、３２が剥離しやすくなり、上記した配線剥離防止効果及び接合部材の這い上がり防止効果が喪失する可能性がある。

【0098】

上述のように、本実施例の発光装置１００によれば、実装後の発光装置１００が高いダイシェア強度を確保することができ、実装性を向上させることが可能となる。

【0099】

（変形例）
次に、変形例の発光装置１００Ａについて説明する。図１１Ａは、変形例に係る発光装置１００Ａの上面図である。また、図１１Ｂにおいては、発光装置１００Ａの図１に示した２－２線に相当する断面である。

【0100】

変形例の発光装置１００Ａは、実施例の発光装置１００と基本的に同様の構成を有する。

【0101】

変形例の発光装置１００Ａは、第１の樹脂膜７１及び第２の樹脂膜７２が、上面視において、切欠き１３Ａ－Ｃ、１５Ａ－Ｃの各々を塞いでいない点で実施例と相違する。

【0102】

変形例の発光装置１００Ａは、例えば、図４に示したステップＳ２０３（封止部材形成工程）の後に、ドリル等によって上方から基板構造体１０Ｍの貫通孔１３Ａ－Ｃ及び１５Ａ－Ｃの各々の所定領域内を貫通させる貫通孔を形成することで実現可能である。

【0103】

変形例の発光装置１００Ａは、上面視における基板構造体１０Ｍの個々の発光装置形成領域の４隅に第１、第２の樹脂膜７１、７２が設けられない構造であるため、ステップＳ２０４（個片化工程）において、第１、第２の樹脂膜７１、７２のチッピングを抑制することが可能となる。

【0104】

なお、上記のように第１の樹脂膜７１及び第２の樹脂膜７２を形成した場合においても、実施例と同様の効果を奏することができる。

【0105】

従って、実施例２の発光装置１００Ｂによれば、発光装置１００Ｂの製造時の不具合を抑制しつつ、発光装置１００Ｂの実装時の実装性を向上させることが可能となる。

【0106】

なお、実施例及び変形例においては、切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃの各々を半円及び扇状の形状としたが、各々の切欠きの形状はこれに限定されない。切欠き１３Ａ－Ｃ及び切欠き１５Ａ－Ｃは、それぞれ半長円及び四半長円、又は半楕円及び四半楕円で形成されていてもよい。

【0107】

また、実施例及び変形例においては、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２は、ソルダーレジストインクとしたが、例えば、透明又は半透明な樹脂膜を用いてもよい。この場合、基板１０の上面において、第１の樹脂膜３１及び第２の樹脂膜３２を配線電極２３Ａ－Ｃ及び配線電極２５Ａ－Ｃの各々の素子載置部及びボンディング部を除く領域全体に形成してもよい。

【0108】

このように、記載の実施例は発明の範囲を限定することは意図していない。記載の実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。そして、それら変形例も、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0109】

１００ 発光装置
１０ 基板
１３、１５ 切欠き
２３、２５ 配線電極
３１、７１、８１ 第１の樹脂膜
３２、７２、８２ 第２の樹脂膜
４１、４３、４５ 発光素子
５１、５３ 保護素子
６０ 封止部材
２００ 実装基板
２０１、２０２ 実装電極
２０３、２０４ 接合部材

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11A】

【図11B】