特開 2023-160630 増幅装置及び機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023160630

(43)【公開日】2023-11-02

(54)【発明の名称】増幅装置及び機器

(51)【国際特許分類】

   H03F 1/26 20060101AFI20231026BHJP

   H03F 3/45 20060101ALI20231026BHJP

   H01L 27/06 20060101ALI20231026BHJP

   H01L 21/8238 20060101ALI20231026BHJP

   H01L 21/822 20060101ALI20231026BHJP

【ＦＩ】

H03F1/26

H03F3/45 210

H01L27/06 311Z

H01L27/092 Z

H01L27/04 H

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022071108

(22)【出願日】2022-04-22

(71)【出願人】

【識別番号】000005108

【氏名又は名称】株式会社日立製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000279

【氏名又は名称】弁理士法人ウィルフォート国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】桑名 諒

(72)【発明者】

【氏名】増永 昌弘

(72)【発明者】

【氏名】原 勲

【テーマコード（参考）】

5F038

5F048

5J500

【Ｆターム（参考）】

5F038AV06

5F038BH01

5F038BH07

5F038BH19

5F038DF09

5F048AA06

5F048AB10

5F048AC01

5F048AC03

5F048AC10

5F048BA14

5J500AA01

5J500AA12

5J500AA47

5J500AC41

5J500AC57

5J500AF16

5J500AH16

5J500AH29

5J500AH42

5J500AK01

5J500AK02

5J500AK09

5J500AK12

5J500AK46

5J500AQ01

5J500AS15

5J500AT01

5J500DN01

5J500DN12

5J500DN22

5J500DN24

5J500DP01

5J500RU02

(57)【要約】

【課題】耐放射線性を向上させつつ、ノイズの低減化を図ることが可能な増幅装置を提供する。
【解決手段】増幅装置１００の差動増幅部２００における差動信号に含まれる各入力信号が入力される複数のＭＯＳトランジスタは、チャネルをＳｉよりもバンドギャップが大きいワイドバンド半導体材料で形成したｎ型ＭＯＳトランジスタであるＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２で構成される。また、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２のドレイン電流は、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２のノイズ密度とドレイン電流との関係を表す関数とチャネルを同じワイドバンド半導体材料で形成したｐ型ＭＯＳトランジスタであるＳｉＣ－ｐＭＯＳ１のノイズ密度とドレイン電流との関係を表す関数との交点におけるドレイン電流の値である基準値よりも低い。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

差動信号に含まれる各入力信号の電圧差を増幅する差動増幅部を有する増幅装置であって、
前記差動増幅部は、
差動信号に含まれる各入力信号が入力される複数のＭＯＳトランジスタを有し、
前記ＭＯＳトランジスタは、チャネルをケイ素よりもバンドギャップが大きいワイドバンド半導体材料で形成したｎ型ＭＯＳトランジスタであり、
前記ｎ型ＭＯＳトランジスタのドレイン電流は、当該ｎ型ＭＯＳトランジスタのノイズ密度とドレイン電流との関係を表す関数とチャネルを前記ワイドバンド半導体材料で形成したｐ型ＭＯＳトランジスタのノイズ密度とドレイン電流との関係を表す関数との交点における前記ドレイン電流の値である基準値よりも低い、増幅装置。

【請求項2】

前記基準値は、５０μＡから２００μＡまでの範囲に含まれる、請求項１に記載の増幅装置。

【請求項3】

前記増幅装置は、前記差動増幅部のｎ型ＭＯＳトランジスタを含む、チャネルが前記ワイドバンド半導体材料で形成されたワイドバンドｎ型ＭＯＳトランジスタ及びワイドバンドｐ型ＭＯＳトランジスタを有し、前記ワイドバンドｎ型ＭＯＳトランジスタの数が前記ワイドバンドｐ型ＭＯＳトランジスタの数よりも多い、請求項１に記載の増幅装置。

【請求項4】

前記ワイドバンド半導体材料は、炭化ケイ素である、請求項１に記載の増幅装置。

【請求項5】

所定の物理量を計測したアナログ信号を出力する計測部と、
前記アナログ信号に対して所定の処理を行う制御部と、を有し、
前記制御部は、前記アナログ信号に応じた差動信号の電圧差を増幅する増幅装置として、請求項１に記載の増幅装置を備える、機器。

【請求項6】

前記物理量は、圧力、温度、流量、水位又は超音波である、請求項５に記載の機器。

【請求項7】

前記アナログ信号の設定周波数よりも低い低周波帯域を減衰させて前記制御部に入力するハイパスフィルタをさらに有する請求項６に記載の機器。

【請求項8】

前記低周波帯域は、前記制御部にて使用される前記アナログ信号の使用周波数帯域よりも低い、請求項８に記載の機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、増幅装置及び機器に関する。

【背景技術】

【0002】

原子力プラントなどでは、放射線に暴露されている放射線環境において、温度、水位及び放射線量のような様々な物理量を計測することが求められる。しかしながら、物理量を計測するための計測器の電子回路に含まれる半導体素子は、放射線が照射されると、その放射線の電離作用により劣化するため、特に高放射線環境において計測器を安定的に動作させることは難しい。特に、電源回路で一般的に用いられる増幅装置であるオペアンプの放射線劣化による計測器の故障が問題となる。

【0003】

上記の問題に対しては、オペアンプで使用される半導体素子の材料を従来のＳｉ（ケイ素）から放射線耐性に優れるＳｉＣ（炭化ケイ素）に変更することが有効である。例えば、特許文献１には、ＳｉＣを用いたｎ型ＭＯＳトランジスタ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Efect Transistor：ＭＯＳＦＥＴ）を差動増幅部に用いたオペアンプが開示されている。

【0004】

しかしながら、ＳｉＣを用いた半導体素子であるＳｉＣ素子は、Ｓｉを用いた半導体素子であるＳｉ素子と比べてノイズの影響を受けやすいという課題がある。

【0005】

これに対して特許文献２には、ＳｉＣ素子の下部にあるプリント基板内に疑似的な容量を設けることで、外部からのノイズである外来ノイズの増幅装置に対する影響を低減する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１８－０４２２３８号公報

【特許文献2】特開２０２１－２８６２０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかしながら、本願発明者らは、実験により、引用文献２に記載の技術のように外来ノイズの低減では、ＳｉＣを用いた増幅装置の適用先によっては、ノイズ対策が十分でないことを発見した。具体的には、ＳｉＣ素子自身に起因して発生するフリッカーノイズにより、十分なノイズ低減効果が得られないことがある。

【0008】

また、本願発明者らは、ＳｉＣを用いたＭＯＳトランジスタは、従来のＳｉを用いたＭＯＳトランジスタとは異なるノイズ特性を有していることも発見した。具体的には、本願発明者らは、Ｓｉを用いたＭＯＳトランジスタでは、ノイズは、常にｎ型ＭＯＳトランジスタよりもｐ型ＭＯＳトランジスタの方が低いが、ＳｉＣを用いたＭＯＳトランジスタでは、ドレイン電流に応じて、ノイズの大きさがｎ型ＭＯＳトランジスタとｐ型ＭＯＳトランジスタとの間で逆転することを発見した。このため、特許文献１に記載の技術のように、ＳｉＣを用いたｎ型ＭＯＳトランジスタを差動増幅部に用いると、ドレイン電流によってはノイズが大きくなり、十分なノイズ低減効果が得られないことがある

【0009】

本発明の目的は、耐放射線性を向上させつつ、ノイズの低減化を図ることが可能な増幅装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本開示の一態様に従う増幅装置は、差動信号に含まれる各入力信号の電圧差を増幅する差動増幅部を有する増幅装置であって、前記差動増幅部は、差動信号に含まれる各入力信号が入力される複数のＭＯＳトランジスタを有し、前記ＭＯＳトランジスタは、チャネルをケイ素よりもバンドギャップが大きいワイドバンド半導体材料で形成したｎ型ＭＯＳトランジスタであり、前記ｎ型ＭＯＳトランジスタのドレイン電流は、当該ｎ型ＭＯＳトランジスタのノイズ密度とドレイン電流との関係を表す関数とチャネルを前記ワイドバンド半導体材料で形成したｐ型ＭＯＳトランジスタのノイズ密度とドレイン電流との関係を表す関数との交点における前記ドレイン電流の値である基準値よりも低い。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、耐放射線性を向上させつつ、ノイズの低減化を図ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本開示の第１の実施形態に係る増幅装置を示す構成図である。

【図2】従来の増幅装置の構成を示す図である。

【図3】ＳｉＣ－ＭＯＳトランジスタのノイズ特性を示す図である。

【図4】本開示の第１の実施形態に係る増幅装置のより詳細な構成を示す構成図である。

【図5】本開示の第２の実施形態に係る応用機器を示す構成図である。

【図6】本開示の第３の実施形態に係る応用機器を示す構成図である。

【図7】従来の構成による電圧ノイズ密度と周波数の関係の説明図を示す図である。

【図8】本開示の構成による電圧ノイズ密度と周波数の関係を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、本開示は、以下の実施形態に限らず、本開示の技術的思想から逸脱しない範囲で任意に変形することができる。また、本明細書において、同じ部材には同じ符号を付し、重複する説明を省略することがある。また、図示の内容は、図示の都合上、本開示の趣旨を損なわない範囲で実際の構成から変更することがある。

【0014】

図１は、本開示の第１の実施形態に係る増幅装置を示す構成図である。

【0015】

図１に示す増幅装置１００は、差動信号に含まれる１対の入力信号の電圧差を増幅して出力信号として出力するオペアンプである。増幅装置１００は、差動信号が入力される２つの入力端子である非反転入力端子ＩＮ＋及び反転入力端子ＩＮ－と、出力信号を出力する出力端子Ｖｏｕｔとを有する。また、増幅装置１００は、増幅装置１００の各回路を駆動させるための電源電圧が入力される電源入力端子Ｖｓｓ及びＶｄｄを有する。

【0016】

また、増幅装置１００は、差動信号に含まれる１対の入力信号の電圧差を増幅する差動増幅部２００を備える。差動増幅部２００は、チャネルをＳｉＣで形成したｎ型ＭＯＳトランジスタであるＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２のペアで構成される

【0017】

なお、従来からオペアンプのような増幅装置では、ＭＯＳトランジスタなどの半導体素子が使用されている。この半導体素子の絶縁層に放射線が照射されると、コンプトン効果により電子－正孔対が生成され、それにより、絶縁層及び半導体との界面に固定電荷及び界面準位が形成されてしまう。この場合、半導体素子のしきい値電圧の変動が発生し、半導体素子の特性が劣化してしまう。

【0018】

これに対して本実施形態の増幅装置１００では、チャネルを形成する半導体材料に耐放射線性能に優れるＳｉＣを用いることで、増幅装置１００の耐放射線性能が大幅に向上されている。これについて本願発明者らは、実験により、半導体材料にＳｉを用いた従来の増幅装置が数ｋＧｙの放射線環境で故障するのに対して、半導体材料にＳｉＣを用いた本実施形態の増幅装置１００はＭＧｙオーダの放射線環境でも正常に動作することを確認している。

【0019】

なお、増幅装置１００内の全てのＭＯＳトランジスタにおいて、チャネルをＳｉＣで形成したＳｉＣ－ＭＯＳトランジスタを使用することが好ましいが、少なくとも、増幅装置１００の特性に対する影響の大きい差動増幅部２００のＭＯＳトランジスタにおいて、ＳｉＣ－ＭＯＳトランジスタが使用されればよい。また、チャネルを形成する半導体材料は、バンドギャップが従来のＳｉよりも大きいワイドバンド半導体材料であれば、ＳｉＣに限らない。

【0020】

図２は、半導体材料にＳｉを用いた従来の増幅装置の構成を示す図である。

【0021】

チャネルをＳｉで形成した従来のＭＯＳトランジスタでは、フリッカーノイズはｎ型ＭＯＳトランジスタよりもｐ型ＭＯＳトランジスタの方が常に低い。このため、図２に示す従来の増幅装置１００ａでは、ノイズの少ない安定的な出力を得るために、差動増幅部２００ａは、チャネルをＳｉで形成した従来のｐ型ＭＯＳトランジスタ１ａ及び２ａのペアで構成される。

【0022】

これに対して本実施形態の増幅装置１００では、上述したようにＭＯＳトランジスタとして、チャネルをＳｉＣで形成したＳｉＣ－ＭＯＳトランジスタが使用される。ＳｉＣ－ＭＯＳトランジスタのノイズ特性は従来のＭＯＳトランジスタとは異なるため、そのノイズ特性を考慮して、増幅装置１００の差動増幅部２００は、図１に示したように、チャネルをＳｉＣで形成したｎ型ＭＯＳトランジスタであるＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２で構成される。

【0023】

図３は、ＳｉＣ－ＭＯＳトランジスタのノイズ特性を示す図であり、より具体的には、チャネルをＳｉＣで形成したワイドバンドｎ型ＭＯＳトランジスタであるＳｉＣ－ｎＭＯＳと、チャネルをＳｉＣで形成したワイドバンドｐ型ＭＯＳトランジスタであるＳｉＣ－ｐＭＯＳとの電流ノイズ密度を示す図である。なお、図３に示すノイズ特性は、本願発明者らによる実験にて新たに得られた結果である。

【0024】

図３では、縦軸は電流ノイズ密度、横軸はドレイン電流を表す。また、ＳｉＣ－ｎＭＯＳにおけるドレイン電流に対する電流ノイズ密度の変化を表す関数である一次関数３０１と、ＳｉＣ－ｐＭＯＳにおけるドレイン電流にたいする電流ノイズ密度の変化を表す関数である一次関数３０２とが示されている。なお、比較されているＳｉＣ－ｎＭＯＳ及びＳｉＣ－ｐＭＯＳは、チャネルの構造以外の点（例えば、面積など）については互いに等しい。

【0025】

一次関数３０１及び３０２にて示されているように、ＳｉＣ－ｎＭＯＳとＳｉＣ－ｐＭＯＳとでは、ドレイン電流に対する電流ノイズ密度の傾きが異なり、その傾きはＳｉＣ－ｎＭＯＳの方がＳｉＣ－ｐＭＯＳよりも急峻である。このため、一次関数３０１と一次関数３０２とには交点３０３が存在する。電流ノイズ密度の大きさは、ドレイン電流が交点３０３におけるドレイン電流の値である基準値よりも低い場合、ＳｉＣ－ｎＭＯＳがＳｉＣ－ｐＭＯＳよりも低くなり、反対に、ドレイン電流が基準値よりも高い場合、ＳｉＣ－ｐＭＯＳがＳｉＣ－ｎＭＯＳよりも低くなる。

【0026】

したがって、ノイズの低減化の観点から、増幅装置１００の差動増幅部２００は、ＳｉＣ－ｎＭＯＳのペア（ＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２）で構成し、そのＳｉＣ－ｎＭＯＳのドレイン電流を基準値以下で駆動させることが好ましい。図３では、増幅装置１００の差動増幅部２００にて使用するドレイン電流の範囲である使用領域は、基準値以下としている。

【0027】

基準値は、例えば、ＭＯＳトランジスタの規模などの設計条件、及び、ＭＯＳトランジスタのＳｉＣ半導体基板の欠陥密度などに応じて変化するが、例えば、５０μＡ～２００μＡの範囲に含まれる。図３の例では、基準値は１００μＡである。

【0028】

図４は、本実施形態の増幅装置１００のより詳細な構成を示す回路図である。

【0029】

図４に示すように増幅装置１００は、図１に示した各端子に加えて、無信号時に増幅装置１００に流すアイドリング電流を入力するための制御端子Ｉｓｅｔをさらに有する。

【0030】

また、増幅装置１００は、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ１～５と、ＳｉＣ－ｐＭＯＳ６～８と、コンデンサ９とを有する。

【0031】

ＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２は、図１でも示したように差動増幅部２００を構成し、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ１のゲート端子は反転入力端子ＩＮ－と接続され、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ２のゲート端子は非反転入力端子ＩＮ＋と接続される。

【0032】

また、ＳｉＣ－ｐＭＯＳ６及び７は、カレントミラー回路を構成する。ＳｉＣ－ｐＭＯＳ６及び７のソース端子は電源入力端子Ｖｄｄと接続され、ＳｉＣ－ｐＭＯＳ６及び７のゲート端子は互いに接続され、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ１のドレインと接続される。また、ＳｉＣ－ｐＭＯＳ６のドレインは、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ１のドレインと接続され、ＳｉＣ－ｐＭＯＳ７のドレインは、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ２のドレインと接続される。

【0033】

また、ＳｉＣ－ｐＭＯＳ８のゲートは、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ２のドレイン、ＳｉＣ－ｐＭＯＳ７のドレイン及びコンデンサ９と接続され、ＳｉＣ－ｐＭＯＳ８のソースは電源入力端子Ｖｄｄと接続され、ＳｉＣ－ｐＭＯＳ８のドレインは、コンデンサ９と出力端子Ｖｏｕｔと接続される。

【0034】

また、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ３～５のゲートは、制御端子Ｉｓｅｔと接続され、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ３のドレインは制御端子Ｉｓｅｔと接続され、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ４のドレインはＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２のソースと接続され、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ５のドレインはＳｉＣ－ｐＭＯＳ８のドレインと接続される。ＳｉＣ－ｎＭＯＳ３～５のソースは、電源入力端子Ｖｓｓと接続される。

【0035】

以上により差動増幅部２００がＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２で構成され、かつ、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ（１～５）の数がＳｉＣ－ｐＭＯＳ（６～８）の数よりも多い増幅装置１００を構成することができる。

【0036】

以上説明したように本実施形態によれば、増幅装置１００の差動増幅部２００における差動信号に含まれる各入力信号が入力される複数のＭＯＳトランジスタは、チャネルをＳｉよりもバンドギャップが大きいワイドバンド半導体材料で形成したｎ型ＭＯＳトランジスタであるＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２で構成される。また、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２のドレイン電流は、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２のノイズ密度とドレイン電流との関係を表す関数とチャネルを同じワイドバンド半導体材料で形成したｐ型ＭＯＳトランジスタであるＳｉＣ－ｐＭＯＳ１のノイズ密度とドレイン電流との関係を表す関数との交点におけるドレイン電流の値である基準値よりも低い。

【0037】

したがって、フリッカーノイズの影響が最も大きい差動増幅部２００を、従来のＳｉよりも耐放射線性が高いワイドバンド半導体材料でチャネルを形成したＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２で構成し、かつ、フリッカーノイズの低いドレイン電流で駆動することが可能となる。このため、耐放射線性を向上させつつ、ノイズの低減化を図ることが可能となる。

【0038】

また、本実施形態では、増幅装置１００に含まれるＳｉＣ－ｎＭＯＳの数は、増幅装置１００に含まれるＳｉＣ－ｐＭＯＳの数よりも多い。したがって、フリッカーノイズをより低減化することが可能となる。

【0039】

図５は、本開示の第２の実施形態に係る応用機器を示す構成図である。

【0040】

図５に示す応用機器５００は、図１及び図４で示した第１の実施形態の増幅装置１００を備える機器の一例であり、ここでは、圧力を計測して、その圧力を示す計測信号を出力する圧力計測装置である。

【0041】

応用機器５００は、計測部５０１と、制御部５０２とを有する。

【0042】

計測部５０１は、本実施形態では、圧力を計測し、その圧力に応じたアナログ信号を出力する圧力センサである。ただし、計測部５０１は、圧力センサに限らず、温度、流量、水位又は超音波などの所定の物理量を計測するセンサであればよい。また、ここでは、計測部５０１は、電源回路を必要するセンシング方式に対応している。

【0043】

制御部５０２は、計測部５０１からのアナログ信号に対して所定の処理を行う。より具体的には、制御部５０２は、図１に示した増幅装置１００を備え、所定の処理は、少なくとも計測部５０１からのアナログ信号に応じた作動信号を増幅装置１００にて増幅する増幅処理を含む。また、所定の処理は、増幅処理を含めば、特に限定されないが、例えば、アナログ信号をデジタル信号の計測信号に変換する処理などである。

【0044】

本実施形態によれば、応用機器５００は、増幅装置として図１に示した増幅装置１００を備えるため、応用機器５００の耐放射線性を向上させつつ、ノイズの低減化を図ることが可能となる。これにより、計測装置の出力ふらつきが低減し、放射線環境においても正確な計測値を安定して得ることが可能になる。

【0045】

図６は、本開示の第３の実施形態に係る応用機器を示す構成図である。

【0046】

図６に示す応用機器６００は、図５に示した応用機器５００と比較して、計測部５０１と制御部５０２との間に、ハイパスフィルタ５０３をさらに備える点で異なる。

【0047】

ハイパスフィルタ５０３は、計測部５０１から出力されたアナログ信号における設定周波数よりも低い低周波帯域の信号を減衰させて、設定周波数よりも高い周波数帯域の信号を出力するフィルタである。本実施形態では、ハイパスフィルタ５０３は、応用機器５００で使用するアナログ信号の使用周波数帯域よりの低い低周波帯域の信号を減衰させる。

【0048】

上記構成によれば、低周波数領域で増加するフリッカーノイズを効率的に低減することができるため、放射線環境においても正確な計測値をより安定して提供することができる。

【0049】

図７は、従来の構成による電圧ノイズ密度と周波数の関係の説明図を示す図である。

【0050】

電気回路において生じるノイズは、図７に示すようにフリッカーノイズとブロードバンドノイズとに大別される。フリッカーノイズは、１／ｆノイズとも呼ばれ、回路自身に起因して発生するノイズであり、パワーが周波数に反比例する低周波ノイズである。ブロードバンドノイズは、広い範囲の周波数に渡って生じる広帯域ノイズである。

【0051】

本実施形態の応用機器６００である圧力計測装置のように、変動が比較的少ない物理量を計測する装置では、特に低周波ノイズであるフリッカーノイズの影響を受けやすいため、正確で安定な計測値を得るためには、フリッカーノイズの低減が必要となる。

【0052】

図８は、本実施形態の構成における電圧ノイズ密度と周波数の関係を示す説明図である。

【0053】

本実施形態では、応用機器６００における制御部５０２に含まれる増幅装置１００の差動増幅部２００には、ＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２が使用され、そのＳｉＣ－ｎＭＯＳ１及び２のドレイン電流が基準値以下で駆動されることにより、フリッカーノイズを全体的に低減させている。さらに、ハイパスフィルタ５０３により、応用機器６００の使用周波数帯域よりも低い低周波帯域の信号を減衰させることで、ノイズのより小さい安定した出力が実現されている。

【0054】

以上説明したように本実施形態では、アナログ信号の低周波帯域を減衰させるハイパスフィルタ５０３が設けられているため、ノイズをより低減化することが可能となる。

【0055】

上述した本開示の実施形態は、本開示の説明のための例示であり、本開示の範囲をそれらの実施形態にのみ限定する趣旨ではない。当業者は、本開示の範囲を逸脱することなしに、他の様々な態様で本開示を実施することができる。

【符号の説明】

【0056】

１～５：ＳｉＣ－ｎＭＯＳ ６～８：ＳｉＣ－ｐＭＯＳ ９：コンデンサ １００：増幅装置 ２００：差動増幅部 ５００、６００：応用機器 ５０１：計測部 ５０２：制御部 ５０３：ハイパスフィルタ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】