(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023160648
(43)【公開日】2023-11-02
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20231026BHJP
H01L 21/306 20060101ALI20231026BHJP
H01L 21/027 20060101ALI20231026BHJP
H01L 21/677 20060101ALI20231026BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 642D
H01L21/304 642A
H01L21/304 648A
H01L21/306 K
H01L21/30 569B
H01L21/68 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022071142
(22)【出願日】2022-04-22
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】前川 直嗣
【テーマコード（参考）】
5F043
5F131
5F146
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F043EE35
5F043EE36
5F043GG10
5F131AA02
5F131AA03
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5F131AA32
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5F131BA37
5F131CA22
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5F146LA09
5F157AA64
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5F157BB09
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5F157CE09
5F157CF92
5F157CF93
5F157DB02
5F157DB22
5F157DB37
(57)【要約】
【課題】処理槽において基板を簡便に均一に処理する。
【解決手段】基板処理装置（１００）は、複数の基板（Ｗ）を処理する処理液を貯留するための処理槽（１１０）と、基板（Ｗ）の第１側部（Ｗｐ）および第２側部（Ｗｑ）を支持して下降し、複数の基板（Ｗ）を処理槽（１１０）の処理液に浸漬する基板保持部（１２０）と、処理槽（１１０）内に配置され、基板（Ｗ）の第１側部（Ｗｐ）および第２側部（Ｗｑ）を支持するガイド（１４０）とを備える。複数の基板（Ｗ）のそれぞれについて、基板保持部（１２０）は、ガイド（１４０）とは離れた基板（Ｗ）を保持し、ガイド（１４０）に対して相対的に水平方向に移動してガイド（１４０）に基板（Ｗ）の第１側部（Ｗｐ）を接触させた後、基板（Ｗ）の第２側部（Ｗｑ）をガイド（１４０）に接触させるように移動することによって基板（Ｗ）を回転させる。
【選択図】図５
【解決手段】基板処理装置（１００）は、複数の基板（Ｗ）を処理する処理液を貯留するための処理槽（１１０）と、基板（Ｗ）の第１側部（Ｗｐ）および第２側部（Ｗｑ）を支持して下降し、複数の基板（Ｗ）を処理槽（１１０）の処理液に浸漬する基板保持部（１２０）と、処理槽（１１０）内に配置され、基板（Ｗ）の第１側部（Ｗｐ）および第２側部（Ｗｑ）を支持するガイド（１４０）とを備える。複数の基板（Ｗ）のそれぞれについて、基板保持部（１２０）は、ガイド（１４０）とは離れた基板（Ｗ）を保持し、ガイド（１４０）に対して相対的に水平方向に移動してガイド（１４０）に基板（Ｗ）の第１側部（Ｗｐ）を接触させた後、基板（Ｗ）の第２側部（Ｗｑ）をガイド（１４０）に接触させるように移動することによって基板（Ｗ）を回転させる。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の基板を処理する処理液を貯留するための処理槽と、
前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の一方側に位置する第１側部および前記基板の他方側に位置する第２側部をそれぞれ支持することによって前記複数の基板を保持した状態で下降し、前記複数の基板を前記処理槽の前記処理液に浸漬する基板保持部と、
前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部および前記第２側部をそれぞれ支持するガイドと
を備え、
前記ガイドは、
前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部を支持する第１ガイドと、
前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第２側部を支持する第２ガイドと
を有し、
前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部および前記ガイドの一方は、前記基板保持部および前記ガイドの他方とは離れた前記基板を保持し、前記基板保持部および前記ガイドの他方に対して相対的に水平方向に移動して前記基板保持部および前記ガイドの他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させた後、前記基板の前記第１側部および前記第２側部の他方の側部を前記基板保持部および前記ガイドの他方に接触させるように移動することによって前記基板を回転させる、基板処理装置。
前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の一方側に位置する第１側部および前記基板の他方側に位置する第２側部をそれぞれ支持することによって前記複数の基板を保持した状態で下降し、前記複数の基板を前記処理槽の前記処理液に浸漬する基板保持部と、
前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部および前記第２側部をそれぞれ支持するガイドと
を備え、
前記ガイドは、
前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部を支持する第１ガイドと、
前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第２側部を支持する第２ガイドと
を有し、
前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部および前記ガイドの一方は、前記基板保持部および前記ガイドの他方とは離れた前記基板を保持し、前記基板保持部および前記ガイドの他方に対して相対的に水平方向に移動して前記基板保持部および前記ガイドの他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させた後、前記基板の前記第１側部および前記第２側部の他方の側部を前記基板保持部および前記ガイドの他方に接触させるように移動することによって前記基板を回転させる、基板処理装置。
【請求項2】
前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部は、前記第１ガイドおよび前記第２ガイドのそれぞれとは離れた前記基板を保持し、前記第１ガイドおよび前記第２ガイドに対して水平方向に移動して前記第１ガイドに前記基板の前記第１側部を接触させた後で下降することにより、前記基板は前記第１ガイドを支点として回転し、前記基板の前記第２側部が前記第２ガイドと接触する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記第１ガイドおよび前記第２ガイドは、前記複数の基板の中心に対して鉛直下方側において前記複数の基板を支持する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記処理槽内に配置され、前記処理液を供給する処理液供給管をさらに備える、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項5】
複数の基板を処理する処理液を貯留するための処理槽と、
前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の一方側に位置する第１側部および前記基板の他方側に位置する第２側部をそれぞれ支持することによって前記複数の基板を保持した状態で下降し、前記複数の基板を前記処理槽の前記処理液に浸漬する基板保持部と、
前記基板保持部に対して前記複数の基板を搬送する搬送装置と
を備え、
前記搬送装置は、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部および前記第２側部をそれぞれ支持するハンドリング部を有し、
前記ハンドリング部は、
前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部を支持する第１ハンドリング部と、
前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第２側部を支持する第２ハンドリング部と
を有し、
前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部および前記ハンドリング部の一方は、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方とは離れた前記基板を保持し、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に対して相対的に水平方向に移動して前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させた後、前記基板の前記第１側部および前記第２側部の他方の側部を前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に接触させるように移動することによって前記基板を回転させる、基板処理装置。
前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の一方側に位置する第１側部および前記基板の他方側に位置する第２側部をそれぞれ支持することによって前記複数の基板を保持した状態で下降し、前記複数の基板を前記処理槽の前記処理液に浸漬する基板保持部と、
前記基板保持部に対して前記複数の基板を搬送する搬送装置と
を備え、
前記搬送装置は、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部および前記第２側部をそれぞれ支持するハンドリング部を有し、
前記ハンドリング部は、
前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部を支持する第１ハンドリング部と、
前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第２側部を支持する第２ハンドリング部と
を有し、
前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部および前記ハンドリング部の一方は、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方とは離れた前記基板を保持し、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に対して相対的に水平方向に移動して前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させた後、前記基板の前記第１側部および前記第２側部の他方の側部を前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に接触させるように移動することによって前記基板を回転させる、基板処理装置。
【請求項6】
前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部は、前記第１ハンドリング部および前記第２ハンドリング部のそれぞれとは離れた前記基板を保持し、前記第１ハンドリング部および前記第２ハンドリング部に対して水平方向に移動して前記基板が前記第１ハンドリング部と接触した後で下降することにより、前記基板は前記第１ハンドリング部を支点として回転し、前記基板の前記第２側部は前記第２ハンドリング部と接触する、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
基板保持部が、複数の基板のそれぞれについて前記基板の一方側に位置する第１側部および前記基板の他方側に位置する第２側部をそれぞれ支持することによって前記複数の基板を保持した状態で下降し、前記複数の基板を処理槽の処理液に浸漬する工程と、
前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に、ガイドが、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部および前記第２側部をそれぞれ支持する工程と、
前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部および前記ガイドの一方は、前記基板保持部および前記ガイドの他方とは離れた前記基板を保持し、前記基板保持部および前記ガイドの他方に対して相対的に水平方向に移動して前記基板保持部および前記ガイドの他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させる工程と、
前記基板保持部および前記ガイドの一方は、前記基板保持部および前記ガイドの他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させた後、前記基板の前記第１側部および前記第２側部の他方の側部を前記基板保持部および前記ガイドの他方に接触させるように移動することによって前記基板を回転させる工程と
包含する、基板処理方法。
前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に、ガイドが、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部および前記第２側部をそれぞれ支持する工程と、
前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部および前記ガイドの一方は、前記基板保持部および前記ガイドの他方とは離れた前記基板を保持し、前記基板保持部および前記ガイドの他方に対して相対的に水平方向に移動して前記基板保持部および前記ガイドの他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させる工程と、
前記基板保持部および前記ガイドの一方は、前記基板保持部および前記ガイドの他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させた後、前記基板の前記第１側部および前記第２側部の他方の側部を前記基板保持部および前記ガイドの他方に接触させるように移動することによって前記基板を回転させる工程と
包含する、基板処理方法。
【請求項8】
前記ガイドは、
前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部を支持する第１ガイドと、
前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第２側部を支持する第２ガイドと
を有し、
前記基板を回転させる工程において、前記基板保持部は、前記第１ガイドおよび前記第２ガイドとは離れた前記基板を保持し、前記第１ガイドおよび前記第２ガイドに対して水平方向に移動して前記第１ガイドに前記基板の前記第１側部を接触させた後で下降することにより、前記基板は、前記第１ガイドを支点として回転して前記基板の前記第２側部は前記第２ガイドと接触する、請求項７に記載の基板処理方法。
前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部を支持する第１ガイドと、
前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第２側部を支持する第２ガイドと
を有し、
前記基板を回転させる工程において、前記基板保持部は、前記第１ガイドおよび前記第２ガイドとは離れた前記基板を保持し、前記第１ガイドおよび前記第２ガイドに対して水平方向に移動して前記第１ガイドに前記基板の前記第１側部を接触させた後で下降することにより、前記基板は、前記第１ガイドを支点として回転して前記基板の前記第２側部は前記第２ガイドと接触する、請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項9】
基板保持部が、複数の基板のそれぞれについて前記基板の一方側に位置する第１側部および前記基板の他方側に位置する第２側部をそれぞれ支持することによって前記複数の基板を保持した状態で下降し、前記複数の基板を処理槽の処理液に浸漬する工程と、
前記基板保持部に対して前記複数の基板を搬送装置で搬送する工程と、
前記搬送装置のハンドリング部が、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部および前記第２側部をそれぞれ支持する工程と、
前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部および前記ハンドリング部の一方は、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方とは離れた前記基板を保持し、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に対して相対的に水平方向に移動して前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させる工程と、
前記基板保持部および前記ハンドリング部の一方は、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させた後、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の他方の側部を接触させるように移動することによって前記基板を回転させる工程と
を包含する、基板処理方法。
前記基板保持部に対して前記複数の基板を搬送装置で搬送する工程と、
前記搬送装置のハンドリング部が、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部および前記第２側部をそれぞれ支持する工程と、
前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部および前記ハンドリング部の一方は、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方とは離れた前記基板を保持し、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に対して相対的に水平方向に移動して前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させる工程と、
前記基板保持部および前記ハンドリング部の一方は、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させた後、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の他方の側部を接触させるように移動することによって前記基板を回転させる工程と
を包含する、基板処理方法。
【請求項10】
前記ハンドリング部は、
前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部を支持する第１ハンドリング部と、
前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第２側部を支持する第２ハンドリング部と
を有し、
前記基板を回転させる工程において、前記基板保持部は、前記第１ハンドリング部および前記第２ハンドリング部のそれぞれとは離れた前記基板を保持し、前記第１ハンドリング部および前記第２ハンドリング部に対して水平方向に移動して前記複数の基板が前記第１ハンドリング部と接触した後で下降することにより、前記基板は前記第１ハンドリング部を支点として回転して、前記基板の前記第２側部は前記第２ハンドリング部と接触する、請求項９に記載の基板処理方法。
前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部を支持する第１ハンドリング部と、
前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第２側部を支持する第２ハンドリング部と
を有し、
前記基板を回転させる工程において、前記基板保持部は、前記第１ハンドリング部および前記第２ハンドリング部のそれぞれとは離れた前記基板を保持し、前記第１ハンドリング部および前記第２ハンドリング部に対して水平方向に移動して前記複数の基板が前記第１ハンドリング部と接触した後で下降することにより、前記基板は前記第１ハンドリング部を支点として回転して、前記基板の前記第２側部は前記第２ハンドリング部と接触する、請求項９に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
基板を処理する基板処理装置が知られている。基板処理装置は、半導体基板の処理に好適に用いられる。典型的には、基板処理装置は、処理液を用いて基板を処理する。
【0003】
複数の基板を一括して処理するバッチ型処理装置において、処理ムラを抑制することが検討されている（特許文献１）。特許文献１には、オゾン水を用いたレジストの剥離ムラを小さくするために、回転モーターによってウェハを回転させるバッチ式処理装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００１－２７４１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献１のバッチ型処理装置では、ウェハを回転モーターで回転させることから、装置が大型化し複雑になることがある。
【0006】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理槽において基板を簡便に均一処理可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明のある局面によれば、基板処理装置は、複数の基板を処理する処理液を貯留するための処理槽と、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の一方側に位置する第１側部および前記基板の他方側に位置する第２側部をそれぞれ支持することによって前記複数の基板を保持した状態で下降し、前記複数の基板を前記処理槽の前記処理液に浸漬する基板保持部と、前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部および前記第２側部をそれぞれ支持するガイドとを備え、前記ガイドは、前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部を支持する第１ガイドと、前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第２側部を支持する第２ガイドとを有し、前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部および前記ガイドの一方は、前記基板保持部および前記ガイドの他方とは離れた前記基板を保持し、前記基板保持部および前記ガイドの他方に対して相対的に水平方向に移動して前記基板保持部および前記ガイドの他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させた後、前記基板の前記第１側部および前記第２側部の他方の側部を前記基板保持部および前記ガイドの他方に接触させるように移動することによって前記基板を回転させる。
【0008】
ある実施形態では、前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部は、前記第１ガイドおよび前記第２ガイドのそれぞれとは離れた前記基板を保持し、前記第１ガイドおよび前記第２ガイドに対して水平方向に移動して前記第１ガイドに前記基板の前記第１側部を接触させた後で下降することにより、前記基板は前記第１ガイドを支点として回転し、前記基板の前記第２側部が前記第２ガイドと接触する。
【0009】
ある実施形態では、前記第１ガイドおよび前記第２ガイドは、前記複数の基板の中心に対して鉛直下方側において前記複数の基板を支持する。
【0010】
ある実施形態では、前記基板処理装置は、前記処理槽内に配置され、前記処理液を供給する処理液供給管をさらに備える。
【0011】
本発明の別の局面によれば、基板処理装置は、複数の基板を処理する処理液を貯留するための処理槽と、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の一方側に位置する第１側部および前記基板の他方側に位置する第２側部をそれぞれ支持することによって前記複数の基板を保持した状態で下降し、前記複数の基板を前記処理槽の前記処理液に浸漬する基板保持部と、前記基板保持部に対して前記複数の基板を搬送する搬送装置とを備え、前記搬送装置は、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部および前記第２側部をそれぞれ支持するハンドリング部を有し、前記ハンドリング部は、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部を支持する第１ハンドリング部と、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第２側部を支持する第２ハンドリング部とを有し、前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部および前記ハンドリング部の一方は、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方とは離れた前記基板を保持し、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に対して相対的に水平方向に移動して前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させた後、前記基板の前記第１側部および前記第２側部の他方の側部を前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に接触させるように移動することによって前記基板を回転させる。
【0012】
ある実施形態では、前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部は、前記第１ハンドリング部および前記第２ハンドリング部のそれぞれとは離れた前記基板を保持し、前記第１ハンドリング部および前記第２ハンドリング部に対して水平方向に移動して前記基板が前記第１ハンドリング部と接触した後で下降することにより、前記基板は前記第１ハンドリング部を支点として回転し、前記基板の前記第２側部は前記第２ハンドリング部と接触する。
【0013】
本発明の別の局面によれば、基板処理方法は、基板保持部が、複数の基板のそれぞれについて前記基板の一方側に位置する第１側部および前記基板の他方側に位置する第２側部をそれぞれ支持することによって前記複数の基板を保持した状態で下降し、前記複数の基板を処理槽の処理液に浸漬する工程と、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に、ガイドが、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部および前記第２側部をそれぞれ支持する工程と、前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部および前記ガイドの一方は、前記基板保持部および前記ガイドの他方とは離れた前記基板を保持し、前記基板保持部および前記ガイドの他方に対して相対的に水平方向に移動して前記基板保持部および前記ガイドの他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させる工程と、前記基板保持部および前記ガイドの一方は、前記基板保持部および前記ガイドの他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させた後、前記基板の前記第１側部および前記第２側部の他方の側部を前記基板保持部および前記ガイドの他方に接触させるように移動することによって前記基板を回転させる工程と包含する。
【0014】
ある実施形態では、前記ガイドは、前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部を支持する第１ガイドと、前記処理槽内に配置され、前記基板保持部が前記複数の基板を保持して下降した際に前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第２側部を支持する第２ガイドとを有し、前記基板を回転させる工程において、前記基板保持部は、前記第１ガイドおよび前記第２ガイドとは離れた前記基板を保持し、前記第１ガイドおよび前記第２ガイドに対して水平方向に移動して前記第１ガイドに前記基板の前記第１側部を接触させた後で下降することにより、前記基板は、前記第１ガイドを支点として回転して前記基板の前記第２側部は前記第２ガイドと接触する。
【0015】
本発明の別の局面によれば、基板処理方法は、基板保持部が、複数の基板のそれぞれについて前記基板の一方側に位置する第１側部および前記基板の他方側に位置する第２側部をそれぞれ支持することによって前記複数の基板を保持した状態で下降し、前記複数の基板を処理槽の処理液に浸漬する工程と、前記基板保持部に対して前記複数の基板を搬送装置で搬送する工程と、前記搬送装置のハンドリング部が、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部および前記第２側部をそれぞれ支持する工程と、前記複数の基板のそれぞれについて、前記基板保持部および前記ハンドリング部の一方は、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方とは離れた前記基板を保持し、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に対して相対的に水平方向に移動して前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させる工程と、前記基板保持部および前記ハンドリング部の一方は、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の一方の側部を接触させた後、前記基板保持部および前記ハンドリング部の他方に前記基板の前記第１側部および前記第２側部の他方の側部を接触させるように移動することによって前記基板を回転させる工程とを包含する。
【0016】
ある実施形態では、前記ハンドリング部は、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第１側部を支持する第１ハンドリング部と、前記複数の基板のそれぞれについて前記基板の前記第２側部を支持する第２ハンドリング部とを有し、前記基板を回転させる工程において、前記基板保持部は、前記第１ハンドリング部および前記第２ハンドリング部のそれぞれとは離れた前記基板を保持し、前記第１ハンドリング部および前記第２ハンドリング部に対して水平方向に移動して前記複数の基板が前記第１ハンドリング部と接触した後で下降することにより、前記基板は前記第１ハンドリング部を支点として回転して、前記基板の前記第２側部は前記第２ハンドリング部と接触する。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、処理槽において基板を簡便に均一に処理できる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】（ａ）および（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置の模式的な斜視図である。
【図2】（ａ）は、本実施形態の基板処理装置の模式的な正面図であり、（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置の模式的な側面図である。
【図3】本実施形態の基板処理装置の模式的なブロック図である。
【図4】（ａ）～（ｃ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。
【図5】（ａ）～（ｄ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。
【図6】（ａ）～（ｄ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。
【図7】（ａ）～（ｆ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。
【図8】本実施形態の基板処理装置の模式的な斜視図である。
【図9】（ａ）～（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置の模式図である。
【図10】（ａ）～（ｆ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。
【図11】本実施形態の基板処理装置を備えた基板処理システムの模式図である。
【図12】本実施形態の基板処理装置を備えた基板処理システムの模式図である。
【図13】（ａ）～（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置における搬送装置の模式図である。
【図14】（ａ）～（ｆ）は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置および基板処理方法の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。典型的には、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
【0020】
図１を参照して、本発明による基板処理装置１００の実施形態を説明する。図１（ａ）および図１（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な斜視図である。図１（ａ）は、基板Ｗを処理槽１１０に投入する前の基板処理装置１００を示す。図１（ｂ）は、基板Ｗを処理槽１１０に投入した後の基板処理装置１００を示す。
【0021】
基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、酸化処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。
【0022】
基板Ｗは、薄い板状である。典型的には、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、例えば、半導体ウェハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板などを含む。
【0023】
基板処理装置１００は、バッチ式の基板処理装置である。基板処理装置１００は、複数の基板Ｗを一括して処理する。典型的には、基板処理装置１００は、ロット単位で複数の基板Ｗを処理する。例えば、１ロットは、２５枚または５０枚の基板Ｗからなる。
【0024】
図１（ａ）に示すように、基板処理装置１００は、処理槽１１０と、基板保持部１２０と、処理液供給部１３０と、ガイド１４０とを備える。処理槽１１０は、基板Ｗを処理するための処理液を貯留する。処理液供給部１３０は、処理槽１１０に処理液を供給する。
【0025】
基板保持部１２０によって保持された基板Ｗの主面の法線方向はＹ方向に平行である。複数の基板Ｗは、Ｙ方向に沿って一列に配列される。複数の基板Ｗは、水平方向に略平行に配列される。また、複数の基板Ｗの各々の法線は、Ｙ方向に延びており、複数の基板Ｗの各々は、Ｘ方向およびＺ方向に略平行に広がる。基板保持部１２０は、基板Ｗを起立した状態で保持する。複数の基板Ｗは、それぞれの中心ＷｃがＹ方向に直線状に配列されるように配置される。
【0026】
上述したように、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、対称構造を有する。基板Ｗの重心は、基板Ｗの中心Ｗｃに位置する。基板Ｗは、基板Ｗの一方側に位置する第１側部Ｗｐと、他方側に位置する第２側部Ｗｑとを有する。第１側部Ｗｐは、基板Ｗにおいて基板Ｗの重心（中心Ｗｃ）から鉛直下方に延びる鉛直線Ｗｖに対して一方側に位置する。第２側部Ｗｑは、基板Ｗにおいて鉛直線Ｗｖに対して他方側に位置する。ここでは、第１側部Ｗｐは、鉛直線Ｗｖに対して＋Ｘ方向側に位置し、第２側部Ｗｑは、鉛直線Ｗｖに対して－Ｘ方向側に位置する。
【0027】
基板保持部１２０は、複数の基板Ｗをまとめて保持する。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗのそれぞれについて、基板Ｗの第１側部Ｗｐおよび第２側部Ｗｑを支持する。これにより、基板保持部１２０は、複数の基板Ｗのそれぞれを安定的に保持できる。
【0028】
ここでは、基板保持部１２０は、Ｙ方向に沿って一列に並んだ基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は、基板Ｗを保持したまま基板Ｗを移動させる。例えば、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持したまま鉛直方向に沿って鉛直上方または鉛直下方に移動する。
【0029】
具体的には、基板保持部１２０は、リフターを含む。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持した状態で鉛直上方または鉛直下方に移動する。基板保持部１２０が鉛直下方に移動することにより、基板保持部１２０によって保持されている複数の基板Ｗは、処理槽１１０に貯留されている処理液に浸漬される。
【0030】
図１（ａ）では、基板保持部１２０は、処理槽１１０の上方に位置する。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持したまま鉛直下方（Ｚ方向）に下降する。これにより、複数の基板Ｗが処理槽１１０に投入される。
【0031】
図１（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が処理槽１１０まで下降すると、複数の基板Ｗは、処理槽１１０内の処理液に浸漬する。基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液に、所定間隔をあけて整列した複数の基板Ｗを浸漬する。
【0032】
処理槽１１０は、二重槽構造を有する。処理槽１１０は、内槽１１２と、外槽１１４とを有する。外槽１１４は、内槽１１２を囲む。内槽１１２および外槽１１４は、いずれも、上向きに開いた上部開口を有する。
【0033】
内槽１１２および外槽１１４のそれぞれは、処理液を貯留する。内槽１１２に複数の基板Ｗが投入される。詳しくは、基板保持部１２０に保持された複数の基板Ｗが内槽１１２に投入される。複数の基板Ｗが、内槽１１２に投入されることにより、内槽１１２の処理液に浸漬する。
【0034】
基板保持部１２０は、本体板１２２と、保持部材１２４とを含む。本体板１２２は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる板である。保持部材１２４は、本体板１２２の一方の主面から水平方向（Ｙ方向）に延びる。図１（ａ）および図１（ｂ）では、保持部材１２４が本体板１２２の一方の主面から＋Ｙ方向（水平方向）に延びる。複数の基板Ｗは、所定間隔をあけて整列した状態で、保持部材１２４によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。保持部材１２４は、基板Ｗを３箇所で保持する。
【0035】
より具体的には、保持部材１２４によって保持された複数の基板Ｗは、Ｙ方向に沿って間隔をあけて整列する。このため、複数の基板Ｗは、Ｙ方向に沿って一列に配列される。また、複数の基板Ｗの各々は、ＸＺ平面に略平行な姿勢で保持部材１２４に保持される。
【0036】
基板処理装置１００は、移動ユニット１２６をさらに備える。移動ユニット１２６は、基板保持部１２０を移動させる。移動ユニット１２６は、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが処理槽１１０内に位置する下方位置（図１（ｂ）に示す位置）と、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが処理槽１１０の上方に位置する上方位置（図１（ａ）に示す位置）との間で基板保持部１２０を昇降させる。従って、移動ユニット１２６によって基板保持部１２０を下方位置に移動することにより、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが処理槽１１０の処理液に浸漬される。
【0037】
より具体的には、移動ユニット１２６は、処理位置（図１（ｂ）に示す位置）と退避位置（図１（ａ）に示す位置）との間で基板保持部１２０を昇降させる。図１（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が、複数の基板Ｗを保持したまま鉛直下方（Ｚ方向）に下降して処理位置まで移動すると、複数の基板Ｗが内槽１１２に投入される。詳しくは、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２内に移動する。この結果、複数の基板Ｗが内槽１１２内の処理液に浸漬されて、処理液によって処理される。一方、図１（ａ）に示すように、基板保持部１２０が退避位置に移動すると、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗは、内槽１１２の上方に移動して、処理液から引き上げられる。
【0038】
移動ユニット１２６は、基板保持部１２０を昇降させる。移動ユニット１２６が基板保持部１２０を昇降させることにより、基板保持部１２０が、複数の基板Ｗを保持した状態で鉛直上方または鉛直下方に移動する。移動ユニット１２６は、駆動源および昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、基板保持部１２０を上昇および下降させる。駆動源は、例えば、モーターを含む。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構またはボールねじを含む。
【0039】
なお、移動ユニット１２６は、基板保持部１２０を鉛直方向（Ｚ方向）だけでなく水平方向（Ｘ方向）に移動可能であることが好ましい。これにより、基板保持部１２０は、鉛直方向に昇降するだけでなく水平方向にも移動できる。
【0040】
ガイド１４０は、処理槽１１０内に配置される。ガイド１４０は、基板保持部１２０が複数の基板Ｗを保持して下降した際に複数の基板Ｗのそれぞれについて基板の第１側部Ｗｐおよび第２側部Ｗｑをそれぞれ支持する。
【0041】
ガイド１４０は、第１ガイド１４２と、第２ガイド１４４とを有する。ここでは、第１ガイド１４２は、第２ガイド１４４とは別部材として配置される。
【0042】
第１ガイド１４２は、処理槽１１０内に配置される。ここでは、第１ガイド１４２は、処理槽１１０に固定される。詳細には、第１ガイド１４２は、内槽１１２内に配置される。第１ガイド１４２は、内槽１１２内において一方側（＋Ｘ方向）に配置される。
【0043】
基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で下降すると、第１ガイド１４２は、基板Ｗと接触する。詳細には、第１ガイド１４２は、基板Ｗの中心Ｗｃに対して一方側（＋Ｘ方向）の側面において基板Ｗと接触する。これにより、第１ガイド１４２は、基板Ｗの中心Ｗｃに対して一方側（＋Ｘ方向）の側面（第１側部Ｗｐ）において基板Ｗを支持する。
【0044】
第２ガイド１４４は、処理槽１１０内に配置される。ここでは、第２ガイド１４４は、処理槽１１０に固定される。詳細には、第２ガイド１４４は、内槽１１２内に配置される。第２ガイド１４４は、内槽１１２内において、他方側（－Ｘ方向）に配置される。
【0045】
詳細には、第１ガイド１４２は、内槽１１２の＋Ｙ方向側に位置する側面１１２ｐに支持される。第２ガイド１４４は、内槽１１２の－Ｙ方向側に位置する側面１１２ｑに支持される。
【0046】
基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で下降すると、第２ガイド１４４は、基板Ｗと接触する。詳細には、第２ガイド１４４は、基板Ｗの中心Ｗｃに対して他方側（－Ｘ方向）の側面において基板Ｗと接触する。これにより、第２ガイド１４４は、基板Ｗの中心Ｗｃに対して他方側（－Ｘ方向）の側部（第２側部Ｗｑ）において基板Ｗを支持する。
【0047】
第１ガイド１４２の鉛直方向における高さは、第２ガイド１４４の鉛直方向における高さと略等しい。第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、処理槽１１０の内槽１１２に支持される。ここでは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、内槽１１２においてＹ方向に対向する２つの側面１１２ｐ、１１２ｑに支持される。なお、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、内槽１１２においてＸ方向に対向する２つの側面に支持されてもよい。
【0048】
上述したように、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、内槽１１２において固定される。ただし、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、内槽１１２において移動可能であってもよい。
【0049】
上述したように、基板保持部１２０は、基板Ｗを起立した状態で保持する。なお、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、基板保持部１２０とともに、基板Ｗを起立した状態で支持してもよい。あるいは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、基板保持部１２０で支えることなしに基板Ｗを起立した状態で保持可能であってもよい。
【0050】
次に、図１および図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な正面図であり、図２（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な側面図である。
【0051】
図２（ａ）に示すように、処理槽１１０内において、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持する。この場合、処理槽１１０が処理液を貯留していると、基板保持部１２０に保持された基板Ｗは、処理槽１１０の処理液に浸漬する。ここでは、処理槽１１０の外槽１１４（図１（ａ）および図１（ｂ））を省略している。
【0052】
図２（ａ）において、基板Ｗは、基板保持部１２０とともに第１ガイド１４２および第２ガイド１４４によって支持される。基板保持部１２０は、基板Ｗの下方と接触し、基板Ｗの下方を支持する。第１ガイド１４２は、基板Ｗの一方側（＋Ｘ方向）の側部（第１側部Ｗｐ）の下方と接触し、第１側部Ｗｐを下方から支持する。第２ガイド１４４は、基板Ｗの他方側（－Ｘ方向）の側部（第２側部Ｗｑ）の下方と接触し、第２側部Ｗｑを下方から支持する。
【0053】
なお、第１ガイド１４２のうちの基板Ｗと接触する部分と第２ガイド１４４のうちの基板Ｗと接触する部分との間のＸ方向に沿った距離Ｌｘは、基板Ｗの直径Ｗｄよりも小さい。これにより、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で下降すると、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４と接触する。
【0054】
保持部材１２４のＸ方向に沿った長さＬｓは、第１ガイド１４２と第２ガイド１４４との間の距離Ｌｘよりも短い。このため、保持部材１２４は、第１ガイド１４２と第２ガイド１４４に対して上方から下方まで第１ガイド１４２と第２ガイド１４４との間を通過できる。
【0055】
保持部材１２４は、基体１２４ｓと、基体１２４ｓから上方に延びた突起部１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃを有する。基体１２４ｓは、Ｙ方向に延びる。基体１２４ｓの幅（Ｘ方向の長さ）は、第１ガイド１４２と第２ガイド１４４との間の距離よりも短い。
【0056】
突起部１２４ａは、基体１２４ｓにおいてＸ方向の中央において上方（＋Ｚ方向）に延びる。突起部１２４ｂは、基体１２４ｓの一方側（＋Ｘ方向）の端部において上方（＋Ｚ方向）に延びる。突起部１２４ｃは、基体１２４ｓの他方側（－Ｘ方向）の端部において上方（＋Ｚ方向）に延びる。なお、突起部１２４ａの長さは、突起部１２４ｂおよび突起部１２４ｃの長さよりも小さい。突起部１２４ａと突起部１２４ｂとの間の距離は、突起部１２４ａと突起部１２４ｃとの間の距離とほぼ等しい。また、突起部１２４ｂの長さは、突起部１２４ｃの長さとほぼ等しい。
【0057】
典型的には、突起部１２４ａは、基板Ｗの中心Ｗｃの鉛直下方を支持する。突起部１２４ｂは、基板Ｗの第１側部Ｗｐを支持する。突起部１２４ｃは、基板Ｗの第２側部Ｗｑを支持する。
【0058】
なお、突起部１２４ａ～１２４ｃには複数の基板Ｗをそれぞれ支持する複数の溝が設けられることが好ましい。複数の溝の幅（Ｙ方向の長さ）は、基板Ｗの厚さ（Ｙ方向の長さ）とほぼ等しいか、基板Ｗの厚さよりも若干大きい。突起部１２４ａ～１２４ｃの溝に基板Ｗを挿入することにより、複数の基板Ｗは、起立姿勢を安定的に維持できる。
【0059】
図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、基板処理装置１００は、処理液供給部１３０をさらに備える。処理液供給部１３０は、処理槽１１０に処理液を供給する。処理液供給部１３０が、基板Ｗが処理槽１１０の処理液に浸漬している間において、処理槽１１０に処理液を供給することにより、基板Ｗの処理を促進できる。
【0060】
処理液供給部１３０は、処理液供給源と、配管１３２と、処理液供給管１３４とを有する。配管１３２は、処理液供給源と処理液供給管１３４とを接続する。処理液供給管１３４は、処理槽１１０内に配置される。典型的には、処理液供給管１３４は、処理槽１１０の底面に配置される。ここでは、処理液供給管１３４は、Ｙ方向に延びる。処理液は、処理液供給源から配管１３２を通って処理液供給管１３４に流れ、処理槽１１０に供給される。
【0061】
処理液供給管１３４には、複数の開口部が設けられる。処理液供給管１３４の開口部から処理液が吐出される。典型的には、処理液供給管１３４の開口部は、配列方向に配列された基板Ｗのうちの隣接する２枚の基板Ｗの間の下方に位置する。
【0062】
処理液供給管１３４は、処理槽１１０内に配置される。ここでは、複数の処理液供給管１３４は、配列方向に配列された基板Ｗにおいて一方側（＋Ｘ方向側）の下方および他方側（－Ｘ方向側）の下方にそれぞれ配置される。一方、処理液供給源は、処理槽１１０の外部に配置される。また、配管１３２は、処理槽１１０の外部に配置される。なお、配管１３２の少なくとも一部は処理槽１１０内部に配置され、処理槽１１０内部において配管１３２は処理液供給管１３４と接続されてもよい。
【0063】
【0064】
図２（ｂ）および図３に示すように、基板処理装置１００は、制御装置１８０をさらに備える。制御装置１８０は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。典型的には、制御装置１８０は、移動ユニット１２６および処理液供給部１３０を制御する。
【0065】
制御装置１８０は、制御部１８２および記憶部１８４を含む。制御部１８２は、プロセッサーを有する。制御部１８２は、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、制御部１８２は、汎用演算機を有してもよい。
【0066】
記憶部１８４は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容および処理手順を規定する。
【0067】
記憶部１８４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１８４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１８２は、記憶部１８４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。
【0068】
制御装置１８０は、予め定められたプログラムに従って、移動ユニット１２６および処理液供給部１３０を制御する。詳細には、制御装置１８０は、移動ユニット１２６を制御して基板保持部１２０を移動させる。また、制御装置１８０は、処理液供給部１３０からの処理液の供給を制御する。
【0069】
例えば、制御部１８２は、処理液供給部１３０を制御する。詳細には、制御部１８２は、処理液供給部１３０による処理液の供給の開始および停止を制御する。一例では、制御部１８２は、処理槽１１０の外部に配置された配管１３２に設けられたバルブ、調整弁等を制御することで、処理液供給管１３４への処理液の供給を制御してもよい。
【0070】
また、制御部１８２は、移動ユニット１２６を制御する。制御部１８２の制御により、移動ユニット１２６は、処理槽１１０に対して基板保持部１２０を昇降させる。移動ユニット１２６は、処理槽１１０に対して基板保持部１２０を水平方向に移動させてもよい。
【0071】
【0072】
図４（ａ）に示すように、基板保持部１２０は、処理槽１１０の上方において、基板Ｗを保持する。なお、ここでは、基板保持部１２０として保持部材１２４を示す一方で本体板１２２を省略している。処理液供給管１３４は、処理槽１１０に処理液を供給する。処理槽１１０は、処理液を貯留する。
【0073】
図４（ｂ）に示すように、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持した状態で下降する。基板保持部１２０に保持された基板Ｗは、処理槽１１０の処理液に浸漬する。
【0074】
図４（ｃ）に示すように、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態でさらに下降すると、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４と接触する。これにより、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に支持される。詳細には、第１ガイド１４２は、基板Ｗの第１側部Ｗｐを支持し、第２ガイド１４４は、基板Ｗの第２側部Ｗｑを支持する。これにより、基板Ｗは、基板保持部１２０に保持されるとともに第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に支持される。第１ガイド１４２および、第２ガイド１４４は、基板Ｗの中心Ｗｃに対して鉛直下方側において複数の基板Ｗを支持する。
【0075】
なお、処理液供給管１３４は、処理槽１１０の処理液に浸漬した基板Ｗに対して処理液を供給してもよい。処理液供給管１３４は、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４が基板Ｗを支持した後に、処理液の供給を開始してもよい。あるいは、処理液供給管１３４は、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４が基板Ｗを支持する前であって、基板保持部１２０が基板Ｗを保持したまま下降している間に処理液を供給してもよい。
【0076】
本実施形態によれば、基板Ｗが基板保持部１２０に保持されるとともに第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に支持された状態で、処理液供給管１３４は、基板Ｗに処理液を供給できる。これにより、処理液供給管１３４から供給される処理液の流量が比較的大きくても、基板Ｗを安定的に保持できる。なお、処理液供給管１３４から供給される処理液で基板Ｗを処理する場合、基板Ｗにおける処理液供給管１３４からの位置に応じて基板Ｗを均一に処理できないことがある。このため、基板Ｗを均一に処理するために、基板Ｗを回転することが好ましい。
【0077】
【0078】
図５（ａ）に示すように、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４とともに基板保持部１２０に保持される。このとき、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に支持される。詳細には、第１ガイド１４２は、基板Ｗの第１側部Ｗｐを支持し、第２ガイド１４４は、基板Ｗの第２側部Ｗｑを支持する。なお、図５（ａ）において、この時点で基板Ｗの最も高い部分を部分Ｗｔと示す。
【0079】
図５（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で上昇すると、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４から離れる。なお、基板Ｗの下端は、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４の下端よりも下方に位置する。ここでは、基板Ｗと第１ガイド１４２との間の距離は、保持部材１２４と第１ガイド１４２との間の距離よりも短い。同様に、基板Ｗと第２ガイド１４４との間の距離は、保持部材１２４と第２ガイド１４４との間の距離よりも短い。
【0080】
図５（ｃ）に示すように、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で水平方向（Ｘ方向）に移動する。これにより、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４のうちの一方と接触する。ここでは、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で＋Ｘ方向に移動することにより、基板Ｗは、第１ガイド１４２と接触する。詳細には、基板Ｗの第１側部Ｗｐが第１ガイド１４２と接触する。この場合、基板Ｗの中心Ｗｃから鉛直下方に延びる鉛直線Ｗｖは、第１ガイド１４２と第２ガイド１４４との間の中間を結ぶ中間線よりも＋Ｘ方向側に位置する。
【0081】
図５（ｄ）に示すように、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で下降方向に移動すると、基板Ｗは、第１ガイド１４２を中心に回転し、基板Ｗは第２ガイド１４４と接触する。詳細には、基板Ｗの第２側部Ｗｑが第２ガイド１４４と接触する。この場合、基板Ｗは、時計回りに回転する。これにより、先に基板Ｗの最も上方に位置した部分Ｗｔは、基板Ｗの最も上方に位置から時計回り方向に移動する。
【0082】
本実施形態によれば、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４を利用して基板保持部１２０は基板Ｗを所定の角度回転できる。典型的には、基板Ｗは、３°以上３０°以下の範囲で回転する。
【0083】
基板Ｗを均一に処理するためには、基板Ｗは、処理槽１１０の処理液内において、３６０°回転することが好ましい。また、基板Ｗを処理液で処理する期間中に、基板Ｗを定期的に回転させることが好ましい。
【0084】
なお、上述した説明では、基板Ｗは、基板保持部１２０によって起立姿勢に保持されたが、本実施形態はこれに限定されない。基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４によって起立姿勢に保持されてもよい。この場合、基板保持部１２０が基板Ｗを保持しなくても、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、基板Ｗを起立姿勢で支持できる。
【0085】
次に、図６を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図６（ａ）～図６（ｄ）は、本実施形態の基板処理方法の模式図である。なお、図６（ａ）～図６（ｃ）は、図４（ａ）～図４（ｃ）と同様であり、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。
【0086】
図６（ａ）に示すように、基板保持部１２０は、処理槽１１０の上方において、基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は、基板Ｗを保持した状態で下降する。
【0087】
図６（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で下降すると、基板保持部１２０に保持された基板Ｗは、処理槽１１０の処理液に浸漬する。
【0088】
図６（ｃ）に示すように、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態でさらに下降すると、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４と接触する。ここでは、基板Ｗは、基板保持部１２０に保持されるとともに第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に支持される。
【0089】
図６（ｄ）に示すように、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持することなくさらに下降してもよい。この場合、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に保持される。なお、基板Ｗが処理槽１１０内の処理液に浸漬している間に、処理液供給管１３４から基板Ｗに処理液を供給してもよい。この場合、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に保持され、基板保持部１２０が基板Ｗから離れることが好ましい。これにより、処理液供給管１３４から基板Ｗに処理液を供給して基板Ｗを処理する際に、基板Ｗに対して基板保持部１２０が影響することを抑制できる。
【0090】
【0091】
図７（ａ）に示すように、基板保持部１２０は、基板Ｗから離れて位置する。ここでは、基板保持部１２０は、基板Ｗの下方に位置する。基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に支持される。第１ガイド１４２は、基板Ｗの第１側部Ｗｐを支持し、第２ガイド１４４は、基板Ｗの第２側部Ｗｑを支持する。これにより、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に保持される。なお、図７（ａ）において、この時点で基板Ｗの最も高い部分を部分Ｗｔと示す。
【0092】
図７（ｂ）に示すように、基板保持部１２０は上昇して基板Ｗと接触する。これにより、基板Ｗは、基板保持部１２０とともに第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に支持される。保持部材１２４の突起部１２４ａは、基板Ｗの中心Ｗｃの鉛直下方を支持する。また、保持部材１２４の突起部１２４ｂは、基板Ｗの第１側部Ｗｐを支持し、保持部材１２４の突起部１２４ｃは、基板Ｗの第２側部Ｗｑを支持する。
【0093】
図７（ｃ）に示すように、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で上昇すると、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４から離れる。なお、基板Ｗの下端は、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４の下端よりも下方に位置する。ここでは、基板Ｗと第１ガイド１４２との間の距離は、保持部材１２４と第１ガイド１４２との間の距離よりも短い。同様に、基板Ｗと第２ガイド１４４との間の距離は、保持部材１２４と第２ガイド１４４との間の距離よりも短い。
【0094】
図７（ｄ）に示すように、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で水平方向（Ｘ方向）に移動する。これにより、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４のうちの一方と接触する。ここでは、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で＋Ｘ方向に移動することにより、基板Ｗは、第１ガイド１４２と接触する。
【0095】
図７（ｅ）に示すように、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で下降方向に移動する。この場合、基板Ｗは、第１ガイド１４２を中心に回転し、基板Ｗは第２ガイド１４４と接触する。このとき、基板Ｗは、時計回りに回転する。これにより、前に基板Ｗの最も上方に位置した部分Ｗｔは時計回り方向に移動する。
【0096】
図７（ｆ）に示すように、基板保持部１２０は、下降して基板Ｗから離れる。ここでは、基板保持部１２０は、基板Ｗの下方に位置する。基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に保持される。
【0097】
本実施形態によれば、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４を利用して基板保持部１２０は基板Ｗを所定の角度回転できる。典型的には、これにより、３°以上３０°以下の範囲で基板Ｗを回転できる。
【0098】
なお、基板Ｗを均一に処理するためには、基板Ｗは、３６０°回転することが好ましい。また、基板Ｗを処理液で処理する期間中に、基板Ｗを定期的に回転させることが好ましい。
【0099】
なお、図１に示した基板処理装置１００では、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、内槽１１２のＹ方向に対向する２つの側面に支持されたが、本実施形態はこれに限定されない。第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、内槽１１２のＸ方向に対向する２つの側面に支持されてもよい。
【0100】
また、図１に示した基板処理装置１００では、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、処理槽１１０においてＹ方向に延びていたが、本実施形態はこれに限定されない。第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、処理槽１１０においてＹ方向に分割して配置されてもよい。
【0101】
【0102】
図８に示すように、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、内槽１１２のＸ方向に対向する２つの側面に支持される。詳細には、第１ガイド１４２は、内槽１１２の＋Ｘ方向側に位置する側面１１２ａに位置しており、側面１１２ａに支持される。第２ガイド１４４は、内槽１１２の－Ｘ方向側に位置する側面１１２ｂに位置しており、側面１１２ｂに支持される。
【0103】
第１ガイド１４２は、複数の支持部１４２ｐを有する。複数の支持部１４２ｐは、側面１１２ａにおいてＹ方向に並んで配置される。複数の支持部１４２ｐは、側面１１２ａから側面１１２ｂに向かって突起する。複数の支持部１４２ｐには、基板Ｗを支持するための溝が設けられる。複数の支持部１４２ｐのそれぞれは基板Ｗを支持する。
【0104】
同様に、第２ガイド１４４は、複数の支持部１４４ｐを有する。複数の支持部１４４ｐは、側面１１２ｂにおいてＹ方向に並んで配置される。複数の支持部１４４ｐは、側面１１２ｂから側面１１２ａに向かって突起する。複数の支持部１４４ｐには、基板Ｗを支持するための溝が設けられる。複数の支持部１４４ｐのそれぞれは基板Ｗを支持する。
【0105】
なお、図８に示した基板処理装置１００では、Ｙ方向に分離された第１ガイド１４２および第２ガイド１４４が内槽１１２の側面１１２ａおよび側面１１２ｂにそれぞれ設けられていたが、本実施形態はこれに限定されない。Ｙ方向に延びる第１ガイド１４２および第２ガイド１４４が内槽１１２の側面１１２ａおよび側面１１２ｂに設けられてもよい。
【0106】
【0107】
図９（ａ）に示すように、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持する。詳細には、保持部材１２４は、基板Ｗの下方を支持する。保持部材１２４において、突起部１２４ａは、基板Ｗの中心Ｗｃの鉛直下方を支持する。突起部１２４ｂは、基板Ｗの第１側部Ｗｐを支持する。突起部１２４ｃは、基板Ｗの第２側部Ｗｑを支持する。
【0108】
基板保持部１２０は、基板Ｗを起立した状態で保持する。基板保持部１２０が、処理槽１１０まで下降すると、複数の基板Ｗは、処理槽１１０内の処理液に浸漬する。第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、基板保持部１２０とともに、基板Ｗを起立した状態で支持する。第１ガイド１４２は、基板Ｗの第１側部Ｗｐを支持する。第２ガイド１４４は、基板Ｗの第２側部Ｗｑを支持する。
【0109】
図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、内槽１１２のＸ方向に対向する２つの側面に支持される。詳細には、第１ガイド１４２は、内槽１１２の＋Ｘ方向側に位置する側面１１２ａに位置しており、側面１１２ａに取り付けられる。第２ガイド１４４は、内槽１１２の－Ｘ方向側に位置する側面１１２ｂに位置しており、側面１１２ｂに取り付けられる。
【0110】
図９（ｂ）に示すように、第１ガイド１４２には、－Ｘ方向側の端部に溝１４２ｖが設けられる。第１ガイド１４２において複数の溝１４２ｖがＹ方向に配列される。基板Ｗの第１側部Ｗｐは、第１ガイド１４２の溝１４２ｖに配置される。なお、第２ガイド１４４にも、第１ガイド１４２と同様に複数の溝が設けられており、基板Ｗの第２側部Ｗｑは、第２ガイド１４４の溝に配置される。
【0111】
図９（ｃ）に示すように、保持部材１２４の突起部１２４ｂには、＋Ｚ方向側の端部に溝１２４ｖが設けられる。突起部１２４ｂにおいて複数の溝１２４ｖがＹ方向に配列される。基板Ｗの第１側部Ｗｐは、突起部１２４ｂの溝１２４ｖに配置される。なお、突起部１２４ｃにも、突起部１２４ｂと同様に複数の溝が設けられており、基板Ｗの第２側部Ｗｑは、突起部１２４ｃの溝に配置される。
【0112】
なお、図１～図９を参照して上述した説明では、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４が処理槽１１０において固定される一方で、基板保持部１２０が第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に対して水平方向に移動したが、本実施形態はこれに限定されない。基板保持部１２０が水平方向に移動することなく、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４が基板保持部１２０に対して水平方向に移動してもよい。この場合、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、所定の間隔を維持した状態で水平方向に移動することが好ましい。
【0113】
例えば、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４が基板Ｗを保持した状態で水平方向に移動する際に、基板保持部１２０は、基板Ｗの下方から上方に移動してもよい。これにより、基板保持部１２０に保持される基板Ｗを回転させることができる。
【0114】
【0115】
図１０（ａ）に示すように、基板保持部１２０が、処理槽１１０内に位置しており、複数の基板Ｗは、処理槽１１０内の処理液に浸漬する。第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、基板保持部１２０とともに、基板Ｗを起立した状態で支持する。第１ガイド１４２は、基板Ｗの第１側部Ｗｐを支持する。第２ガイド１４４は、基板Ｗの第２側部Ｗｑを支持する。図１０（ａ）において、この時点で基板Ｗの最も高い部分を部分Ｗｔと示す。
【0116】
なお、処理液供給管１３４は、処理槽１１０に処理液を供給してもよい。これにより、基板Ｗの処理を促進できる。
【0117】
図１０（ｂ）に示すように、基板保持部１２０は、基板Ｗから下降する。これにより、基板保持部１２０は、基板Ｗから離れて位置する。ここでは、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に保持され、基板保持部１２０は、基板Ｗの下方に位置する。なお、基板保持部１２０が基板Ｗから下降する距離は、保持部材１２４における突起部１２４ｂ、１２４ｃの長さと突起部１２４ａの長さとの差よりも小さい。
【0118】
図１０（ｃ）に示すように、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４が基板Ｗを保持した状態で水平方向（Ｘ方向）に移動すると、基板Ｗは、保持部材１２４に近づいて保持部材１２４と接触する。詳細には、基板Ｗは、保持部材１２４の突起部１２４ｂまたは１２４ｃと接触する。ここでは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４が基板Ｗを保持した状態で＋Ｘ方向に移動することにより、基板Ｗの第１側部Ｗｐは、保持部材１２４の突起部１２４ｂと接触する。このとき、基板Ｗの中心Ｗｃから鉛直方向に延びる鉛直線Ｗｖは、保持部材１２４の突起部１２４ｂと突起部１２４ａとの間に位置する。
【0119】
図１０（ｄ）に示すように、基板保持部１２０が上方に移動して基板Ｗとさらに接触する。基板保持部１２０が基板Ｗを接触した状態で上昇すると、基板Ｗは、保持部材１２４の突起部１２４ｂを中心に回転し、保持部材１２４の突起部１２４ｂだけでなく突起部１２４ａと接触する。ここでは、基板Ｗは、時計回りに回転し、前に基板Ｗの最も上方に位置した部分Ｗｔは時計回り方向に移動する。このとき、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４のうち少なくとも第１ガイド１４２から離れる。
【0120】
ここでは、保持部材１２４の突起部１２４ｃは、基板Ｗから離れたままであり、基板Ｗは、第２ガイド１４４に支持される。この場合、基板Ｗは、保持部材１２４の突起部１２４ａ、突起部１２４ｂおよび第２ガイド１４４に支持される。なお、基板Ｗは、第１ガイド１４２だけでなく第２ガイド１４４からも離れ、保持部材１２４の突起部１２４ａ、突起部１２４ｂおよび突起部１２４ｂｃに支持されてもよい。
【0121】
図１０（ｅ）に示すように、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、基板Ｗが離れた後、水平方向（Ｘ方向）に移動する。ここでは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、一定の距離を維持した状態で－Ｘ方向に移動する。
【0122】
この場合、基板Ｗは、保持部材１２４の突起部１２４ａおよび突起部１２４ｂに支持されたまま回転し、保持部材１２４の突起部１２４ｃと接触する。これにより、基板Ｗは、回転して、保持部材１２４の突起部１２４ａ～突起部１２４ｃに支持される。ここでは、基板Ｗは、時計回りに回転し、前に基板Ｗの最も上方に位置した部分Ｗｔは時計回り方向に移動する。
【0123】
図１０（ｆ）に示すように、基板保持部１２０が基板Ｗを保持したまま下降すると、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４は、基板保持部１２０とともに、基板Ｗを起立した状態で支持する。第１ガイド１４２は、基板Ｗの第１側部Ｗｐを支持する。第２ガイド１４４は、基板Ｗの第２側部Ｗｑを支持する。その後、基板保持部１２０は、基板Ｗから離れ、基板Ｗは、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４に保持されてもよい。
【0124】
本実施形態によれば、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４が、基板保持部１２０に保持されない基板Ｗを保持して、＋Ｘ方向に移動することにより、基板Ｗは、保持部材１２４の突起部１２４ｂと接触し、その後、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４が水平方向に移動するとともに保持部材１２４が上昇することにより、基板Ｗは、時計回りに回して保持部材１２４に保持される。
【0125】
このように、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４を利用して基板保持部１２０は基板Ｗを所定の角度回転できる。典型的には、これにより、３°以上３０°以下の範囲で基板Ｗを回転できる。
【0126】
なお、基板Ｗを均一に処理するためには、基板Ｗは、３６０°回転することが好ましい。また、基板Ｗを処理液で処理する期間中に、基板Ｗを定期的に回転させることが好ましい。
【0127】
なお、図１、図２、図４～図１０に示した基板処理装置１００では、保持部材１２４の突起部１２４ａ～１２４ｃは、基体１２４ｓを介して接続していたが、本実施形態はこれに限定されない。保持部材１２４の突起部１２４ａ～１２４ｃは、基体１２４ｓを介して接続されなくてもよい。例えば、突起部１２４ａ～１２４ｃは、互いに離れた棒状であってもよい。
【0128】
また、図１、図２、図４～図１０に示した基板処理装置１００では、保持部材１２４は、基板Ｗを３か所で支持したが、本実施形態かこれに限定されない。保持部材１２４は、２か所または４か所で基板Ｗを支持してもよい。ただし、保持部材１２４は、基板Ｗの鉛直線Ｗｖに対して対称に基板Ｗを支持することが好ましい。あるいは、保持部材１２４は、１つの突起部で基板Ｗを支持してもよい。ただし、この場合、突起部のＸ方向の長さは比較的長いことが好ましい。
【0129】
【0130】
次に、図１１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を備えた基板処理システム１０を説明する。図１１は、本実施形態の基板処理装置１００を備えた基板処理システム１０の模式図である。図１１に示した基板処理システム１０は、複数の基板処理装置１００を備える。
【0131】
図１１に示すように、基板処理システム１０は、投入部２０と、複数の収納部３０と、受け渡し機構４０と、払出部５０と、バッファユニットＢＵと、搬送装置ＣＴＣと、搬送装置ＷＴＲと、２つの乾燥装置６０と、複数の基板処理装置１００と、制御装置１８０とを備える。
【0132】
複数の基板処理装置１００は、基板処理装置１００Ａと、基板処理装置１００Ｂと、基板処理装置１００Ｃとを備える。２つの乾燥装置６０、基板処理装置１００Ａ、基板処理装置１００Ｂおよび基板処理装置１００Ｃは、一方向に並んで配置される。例えば、乾燥装置６０、基板処理装置１００Ａ、基板処理装置１００Ｂおよび基板処理装置１００Ｃは、搬送装置ＣＴＣの搬送経路に隣接して、搬送装置ＣＴＣの搬送経路の近くから、２つの乾燥装置６０、基板処理装置１００Ａ、基板処理装置１００Ｂおよび基板処理装置１００Ｃの順番に配置される。
【0133】
ここでは、基板処理装置１００Ａ～基板処理装置１００Ｃは、それぞれ、薬液を貯留した処理槽およびリンス液を貯留する処理槽を有する。なお、基板処理装置１００Ａ～基板処理装置１００Ｃのそれぞれには、異なる処理の行われた基板Ｗが投入されてもよい。
【0134】
基板処理装置１００Ａ～１００Ｃのそれぞれは、薬液を貯留する第１処理槽１１０Ａと、リンス液を貯留する第２処理槽１１０Ｂと、基板保持部１２０とを含む。ここでは、基板処理装置１００Ａ～１００Ｃのそれぞれに含まれる基板保持部１２０を基板保持部１２０Ａ～１２０Ｃと示すことがある。
【0135】
基板処理装置１００で処理される基板Ｗは、投入部２０から搬入される。投入部２０は、複数の載置台２２を含む。基板処理装置１００で処理された基板Ｗは、払出部５０から搬出される。払出部５０は、複数の載置台５２を含む。
【0136】
投入部２０には、基板Ｗを収容した収納部３０が載置される。投入部２０に載置される収納部３０は、基板処理装置１００による処理が行われていない基板Ｗを収納する。ここでは、２つの収納部３０は、それぞれ、２つの載置台２２に載置される。
【0137】
複数の収納部３０の各々は、複数の基板Ｗを収容する。各基板Ｗは、水平姿勢で収納部３０に収容される。収納部３０は、例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）である。
【0138】
払出部５０に載置される収納部３０は、基板処理装置１００によって処理された基板Ｗを収納する。払出部５０は、複数の載置台５２を含む。２つの収納部３０は、それぞれ、２つの載置台５２に載置される。払出部５０は、処理済みの基板Ｗを収納部３０に収納して収納部３０ごと払い出す。
【0139】
バッファユニットＢＵは、投入部２０および払出部５０に隣接して配置される。バッファユニットＢＵは、投入部２０に載置された収納部３０を基板Ｗごと内部に取り込むとともに、棚（不図示）に収納部３０を載置する。また、バッファユニットＢＵは、処理済みの基板Ｗを受け取って収納部３０に収納するとともに、棚に収納部３０を載置する。バッファユニットＢＵ内には、受け渡し機構４０が配置されている。
【0140】
受け渡し機構４０は、投入部２０および払出部５０と棚との間で収納部３０を受け渡す。また、受け渡し機構４０は、搬送装置ＣＴＣに対して基板Ｗのみの受け渡しを行う。つまり、受け渡し機構４０は、搬送装置ＣＴＣに対して基板Ｗのロットの受け渡しを行う。
【0141】
搬送装置ＣＴＣは、受け渡し機構４０から未処理の複数の基板Ｗのロットを受け取った後、複数の基板Ｗの姿勢を水平姿勢から垂直姿勢に変更して、複数の基板Ｗを搬送装置ＷＴＲに渡す。また、搬送装置ＣＴＣは、搬送装置ＷＴＲから処理済みの複数の基板Ｗのロットを受け取った後、複数の基板Ｗの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢へと変更して、基板Ｗのロットを受け渡し機構４０に渡す。
【0142】
搬送装置ＷＴＲは、基板処理システム１０の長手方向に沿って、乾燥装置６０から基板処理装置１００Ｃまで移動可能である。搬送装置ＷＴＲは、乾燥装置６０、基板処理装置１００Ａ、基板処理装置１００Ｂおよび基板処理装置１００Ｃに基板Ｗのロットを搬入および搬出できる。
【0143】
制御装置１８０は、基板処理システム１０の各種動作を制御する。詳細には、制御装置１８０は、受け渡し機構４０、搬送装置ＣＴＣ、搬送装置ＷＴＲ、乾燥装置６０、および、基板処理装置１００を制御する。
【0144】
制御装置１８０は、制御部１８２および記憶部１８４を含む。制御部１８２は、プロセッサーを有する。制御部１８２は、例えば、中央処理演算機を有する。または、制御部１８２は、汎用演算機を有してもよい。
【0145】
記憶部１８４は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容および処理手順を規定する。
【0146】
記憶部１８４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１８４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。記憶部１８４は、非一時的コンピュータ読取可能記憶媒体の一例に相当する。
【0147】
記憶部１８４には、予め手順の定められたコンピュータプログラムが記憶されている。基板処理装置１００は、コンピュータプログラムに定められた手順に従って動作する。制御部１８２は、記憶部１８４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。制御部１８２のプロセッサーは、記憶部１８４に記憶されたコンピュータプログラムを実行することで、受け渡し機構４０、搬送装置ＣＴＣ、搬送装置ＷＴＲ、乾燥装置６０、および、基板処理装置１００を制御する。
【0148】
なお、図１１には図示しないが、基板処理装置１００Ａ～１００Ｃのそれぞれの第１処理槽１１０Ａおよび第２処理槽１１０Ｂのそれぞれに、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４が設けられる。これにより、基板保持部１２０Ａ～１２０Ｃは、図１～図９を参照して上述したように、第１処理槽１１０Ａおよび第２処理槽１１０Ｂのそれぞれにおいて第１ガイド１４２および第２ガイド１４４を利用して基板Ｗを回転できる。
【0149】
【0150】
図１２に示すように、基板処理システム１０は、搬送装置ＷＴＲと、乾燥装置６０と、複数の基板処理装置１００とを備える。ここでは、基板処理装置１００は、基板処理装置１００Ａ～１００Ｃを含む。基板処理装置１００Ａ～１００Ｃのそれぞれは、薬液を貯留する第１処理槽１１０Ａと、リンス液を貯留する第２処理槽１１０Ｂと、基板保持部１２０とを含む。
【0151】
搬送装置ＷＴＲは、基板Ｗを保持して搬送する。搬送装置ＷＴＲは、ガイドレールにしたがって水平方向に移動できる。また、搬送装置ＷＴＲは、上下方向に移動できる。
【0152】
例えば、搬送装置ＷＴＲは、基板Ｗを保持して下降することにより、乾燥装置６０内の処理槽６２の処理液に基板Ｗを浸漬する。また、搬送装置ＷＴＲは、基板Ｗを保持した状態で乾燥装置６０内の処理槽６２の処理液内から上昇することにより、乾燥装置６０内の処理槽６２の処理液に浸漬した基板Ｗを処理液から引き上げできる。
【0153】
搬送装置ＷＴＲは、基板保持部１２０に対して基板Ｗを搬送する。典型的には、搬送装置ＷＴＲは、搬送装置ＣＴＣ（図１１）から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを基板保持部１２０に搬送する。その後、基板保持部１２０は、第１処理槽１１０Ａの薬液、および／または第２処理槽１１０Ｂのリンス液に基板Ｗを浸漬する。また、搬送装置ＷＴＲは、基板保持部１２０から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを搬送装置ＣＴＣ（図１１）に搬送する。
【0154】
例えば、搬送装置ＷＴＲは、基板Ｗを保持して基板保持部１２０Ａの上方まで水平方向に移動する。この場合、基板保持部１２０Ａは、上昇することにより、搬送装置ＷＴＲによって保持された基板Ｗを受け取りできる。
【0155】
詳細には、搬送装置ＷＴＲは、基板Ｗを保持して水平方向に移動して、基板保持部１２０Ａの上方で停止する。この場合、基板保持部１２０Ａは、搬送装置ＷＴＲに保持された基板Ｗを受け取るまで上昇する。これにより、基板保持部１２０Ａは、搬送装置ＷＴＲに基板Ｗを保持された基板Ｗを受け取りできる。
【0156】
基板保持部１２０Ａは、基板Ｗを保持した状態で第１処理槽１１０Ａの上方と第２処理槽１１０Ｂの上方との間を移動できる。基板保持部１２０Ａは、基板Ｗを保持した状態で第１処理槽１１０Ａの上方から下降することにより、第１処理槽１１０Ａの薬液に基板Ｗを浸漬できる。また、基板保持部１２０Ａは、基板Ｗを保持した状態で第１処理槽１１０Ａの薬液内から上昇することにより、第１処理槽１１０Ａの薬液に浸漬した基板Ｗを薬液から引き上げできる。
【0157】
同様に、基板保持部１２０Ａは、基板Ｗを保持した状態で第２処理槽１１０Ｂの上方から下降することにより、第２処理槽１１０Ｂのリンス液に基板Ｗを浸漬できる。また、基板保持部１２０Ａは、基板Ｗを保持した状態で第２処理槽１１０Ｂのリンス液内から上昇することにより、第２処理槽１１０Ｂのリンス液に浸漬した基板Ｗをリンス液から引き上げできる。なお、第２処理槽１１０Ｂは、基板Ｗをリンス処理するリンス液を貯留した後で、リンス液を排出し、他の薬液を貯留してもよい。また、搬送装置ＷＴＲは、基板保持部１２０Ａと同様に、基板保持部１２０Ｂおよび基板保持部１２０Ｃに対して基板Ｗを搬送できる。
【0158】
なお、図１１および図１２を参照した説明では、基板処理システム１０は、複数の基板処理装置１００とともに搬送装置ＷＴＲを備えたが、本実施形態はこれに限定されない。基板処理装置１００が、基板Ｗを搬送する搬送装置として搬送装置ＷＴＲを備えてもよい。
【0159】
また、図１～図１２を参照した上述の説明では、基板Ｗの第１側部Ｗｐおよび第２側部Ｗｑは、処理槽１１０内に配置されたガイド１４０に支持され、基板保持部１２０は、ガイド１４０を用いて基板Ｗを回転させたが、本実施形態はこれに限定されない。基板Ｗの第１側部Ｗｐおよび第２側部Ｗｑは、処理槽１１０の外の部材に支持され、基板保持部１２０は、処理槽１１０の外の部材を用いて基板Ｗを回転させてもよい。例えば、基板Ｗの第１側部Ｗｐおよび第２側部Ｗｑは、搬送装置ＷＴＲに支持され、基板保持部１２０は、搬送装置ＷＴＲを用いて基板Ｗを回転させてもよい。
【0160】
次に、図１３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００における搬送装置ＷＴＲを説明する。図１３（ａ）～図１３（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置１００における搬送装置ＷＴＲの模式図である。搬送装置ＷＴＲは、複数の基板Ｗを保持して搬送する。例えば、搬送装置ＷＴＲは、ガイドレールに沿って水平方向に移動できる。
【0161】
図１３（ａ）に示すように、搬送装置ＷＴＲは、ハンドリング部１５０と、ヘッド１５６とを備える。ハンドリング部１５０は、ヘッド１５６に取り付けられる。ハンドリング部１５０は、ヘッド１５６から鉛直下方に延びる。
【0162】
ハンドリング部１５０は、第１ハンドリング部１５２と、第２ハンドリング部１５４とを有する。ここでは、第１ハンドリング部１５２は、第２ハンドリング部１５４とは別部材として配置される。第１ハンドリング部１５２と、第２ハンドリング部１５４とにより、基板Ｗを保持できる。
【0163】
第１ハンドリング部１５２は、ヘッド１５６に対して一方側（＋Ｘ方向側）に位置し、第２ハンドリング部１５４は、ヘッド１５６に対して他方側（－Ｘ方向側）に位置する。
【0164】
第１ハンドリング部１５２および第２ハンドリング部１５４は、ヘッド１５６から上下方向に延びる。第１ハンドリング部１５２は、ヘッド１５６に対して回転軸１５６ａを中心に回転可能である。第２ハンドリング部１５４は、ヘッド１５６に対して回転軸１５６ｂを中心に回転可能である。
【0165】
第１ハンドリング部１５２には、第２ハンドリング部１５４と対向する面に、一定の間隔で複数のガイド溝が設けられる。ガイド溝は、第１ハンドリング部１５２の長手方向に延びる。ガイド溝の幅は、基板Ｗの厚さとほぼ等しいか、基板Ｗの厚さよりも若干大きい。同様に、第２ハンドリング部１５４には、第１ハンドリング部１５２と対向する面に、一定の間隔で複数のガイド溝が設けられる。ガイド溝は、第２ハンドリング部１５４の長手方向に延びる。ガイド溝の幅は、基板Ｗの厚さとほぼ等しいか、基板Ｗの厚さよりも若干大きい。
【0166】
図１３（ｂ）に示すように、第１ハンドリング部１５２は、ヘッド１５６に対して回転軸１５６ａを中心に回転する。また、第２ハンドリング部１５４は、ヘッド１５６に対して回転軸１５６ｂを中心に回転する。
【0167】
図１３（ｃ）に示すように、ハンドリング部１５０は、基板Ｗを保持できる。回転軸１５６ａと回転軸１５６ｂとの間の間隔は、基板Ｗの直径よりも大きい。このため、ヘッド１５６に対して第１ハンドリング部１５２および第２ハンドリング部１５４が垂直に延びる場合、第１ハンドリング部１５２と第２ハンドリング部１５４との間の基板Ｗを配置できる。
【0168】
第１ハンドリング部１５２がヘッド１５６に対して回転軸１５６ａを中心に回転するとともに、第２ハンドリング部１５４がヘッド１５６に対して回転軸１５６ｂを中心に回転することより、第１ハンドリング部１５２が基板Ｗの中心Ｗｃに対して一方側の第１側部Ｗｐと接触し、第２ハンドリング部１５４が基板Ｗの中心Ｗｃに対して他方側の第２側部Ｗｑと接触する。第１ハンドリング部１５２は、複数の基板Ｗのそれぞれについて基板Ｗの第１側部Ｗｐを支持する。第２ハンドリング部１５４は、複数の基板Ｗのそれぞれについて基板Ｗの第２側部Ｗｑを支持する。
【0169】
このように、ハンドリング部１５０は、複数の基板Ｗのそれぞれについて基板Ｗの第１側部Ｗｐおよび第２側部Ｗｑをそれぞれ支持する。これにより、第１ハンドリング部１５２および第２ハンドリング部１５４が基板Ｗを支持できる。
【0170】
【0171】
【0172】
図１４（ａ）に示すように、基板Ｗは、第１ハンドリング部１５２および第２ハンドリング部１５４に保持される。基板保持部１２０は、基板Ｗの下方に基板Ｗから離れて位置する。なお、図１４（ａ）において、この時点で基板Ｗの最も高い部分を部分Ｗｔと示す。
【0173】
図１４（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が上昇して基板Ｗと接触する。この場合、基板Ｗは、第１ハンドリング部１５２、第２ハンドリング部１５４および基板保持部１２０に支持される。
【0174】
図１４（ｃ）に示すように、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で上昇すると、基板Ｗは、第１ハンドリング部１５２および第２ハンドリング部１５４から離れる。なお、基板Ｗの下端は、第１ハンドリング部１５２および第２ハンドリング部１５４の下端よりも下方に位置する。ここでは、基板Ｗと第１ハンドリング部１５２との間の距離は、保持部材１２４と第１ハンドリング部１５２との間の距離よりも短い。同様に、基板Ｗと第２ハンドリング部１５４との間の距離は、保持部材１２４と第２ハンドリング部１５４との間の距離よりも短い。
【0175】
図１４（ｄ）に示すように、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で水平方向（Ｘ方向）に移動する。これにより、基板Ｗは、第１ハンドリング部１５２および第２ハンドリング部１５４のうちの一方と接触する。ここでは、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で＋Ｘ方向に移動することにより、基板Ｗは、第１ハンドリング部１５２と接触する。
【0176】
図１４（ｅ）に示すように、基板保持部１２０が基板Ｗを保持した状態で下降方向に移動する。この場合、基板Ｗは、第１ハンドリング部１５２を中心に回転し、基板Ｗは第２ハンドリング部１５４と接触する。このとき、基板Ｗは、時計回りに回転する。これにより、前に基板Ｗの最も上方に位置した部分Ｗｔは時計回り方向に移動する。その後、基板保持部１２０は、回転した基板Ｗを保持して下降し、処理槽１１０の処理液に基板を浸漬してもよい。
【0177】
本実施形態によれば、第１ハンドリング部１５２および第２ハンドリング部１５４を利用して基板保持部１２０は基板Ｗを所定の角度回転できる。典型的には、これにより、３°以上３０°以下の範囲で基板Ｗを回転できる。基板保持部１２０は、第１処理槽１１０Ａの薬液および／または第２処理槽１１０Ｂのリンス液の回転した基板を浸漬できる。なお、基板保持部１２０は、ハンドリング部１５０を利用して基板Ｗをさらに回転させてもよい。
【0178】
例えば、図１４（ｆ）に示すように、基板保持部１２０は、下降して基板Ｗから離れる。ここでは、基板保持部１２０は、基板Ｗの下方に位置する。基板Ｗは、第１ハンドリング部１５２および第２ハンドリング部１５４に保持される。その後、再び、図１４（ａ）～図１４（ｅ）の動作を繰り返すことにより、処理槽１１０の上方において基板Ｗを所定の角度回転させることができる。
【0179】
本実施形態によれば、基板保持部１２０は、ハンドリング部１５０を利用して基板Ｗを回転する。
【0180】
図１３および図１４を参照して説明したように、搬送装置ＷＴＲのハンドリング部１５０は、基板Ｗの第１側部Ｗｐおよび第２側部Ｗｑを支持し、基板保持部１２０は、ハンドリング部１５０を用いて基板Ｗを回転できる。
【0181】
なお、図１４を参照した上述の説明では、第１ハンドリング部１５２および第２ハンドリング部１５４を固定したまま、基板保持部１２０が、鉛直方向および水平方向に移動して基板Ｗを回転させたが、本実施形態はこれに限定されない。基板保持部１２０は水平方向に移動することなく、第１ハンドリング部１５２および第２ハンドリング部１５４が水平方向に移動することによって基板Ｗを回転させてもよい。図１０を参照した説明では、第１ガイド１４２および第２ガイド１４４が水平方向に移動することによって基板Ｗを回転させたが、図１０を参照した説明と同様に、第１ハンドリング部１５２および第２ハンドリング部１５４、あるいは、搬送装置ＷＴＲ全体が水平方向に移動することによって基板Ｗを回転させてもよい。
【0182】
以上、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【0183】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に好適に用いられる。
【符号の説明】
【0184】
１０ 基板処理システム
１００ 基板処理装置
１１０ 処理槽
１１２ 内槽
１１４ 外槽
１２０ 基板保持部
１３０ 処理液供給部
１４０ ガイド
１４２ 第１ガイド
１４４ 第２ガイド
１５０ 搬送装置
１５２ 第１ハンドリング部
１５４ 第２ハンドリング部
１８０ 制御装置
１８２ 制御部
１８４ 記憶部
Ｗ 基板
１００ 基板処理装置
１１０ 処理槽
１１２ 内槽
１１４ 外槽
１２０ 基板保持部
１３０ 処理液供給部
１４０ ガイド
１４２ 第１ガイド
１４４ 第２ガイド
１５０ 搬送装置
１５２ 第１ハンドリング部
１５４ 第２ハンドリング部
１８０ 制御装置
１８２ 制御部
１８４ 記憶部
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】