(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023161751
(43)【公開日】2023-11-08
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G02F 1/1343 20060101AFI20231031BHJP
G02F 1/13 20060101ALI20231031BHJP
G02F 1/1368 20060101ALI20231031BHJP
【ＦＩ】
G02F1/1343
G02F1/13 505
G02F1/1368
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022072285
(22)【出願日】2022-04-26
(71)【出願人】
【識別番号】520487808
【氏名又は名称】シャープディスプレイテクノロジー株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001036
【氏名又は名称】弁理士法人暁合同特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】根本 隆弘
(72)【発明者】
【氏名】西脇 章剛
【テーマコード（参考）】
2H088
2H092
2H192
【Ｆターム（参考）】
2H088EA10
2H088HA08
2H088HA12
2H088HA14
2H088JA04
2H088MA01
2H092GA14
2H092GA17
2H092GA29
2H092GA49
2H092GA50
2H092GA64
2H092HA04
2H092JA24
2H092JA46
2H092KA04
2H092KA12
2H092NA01
2H092QA06
2H092RA10
2H192AA24
2H192BB12
2H192BB52
2H192BB73
2H192BC31
2H192CB34
2H192EA25
2H192EA43
2H192FB22
2H192FB42
2H192FB72
2H192JA33
2H192JB01
(57)【要約】
【課題】透過光量の低下を抑制する。
【解決手段】表示装置１１は、第１基板２１と、第２基板２０と、第１方向に沿って延在する第１配線２７と、第１配線２７に対し第２方向に隣り合って配され、第１配線２７よりも第２基板２０に近い第１電極２４と、第１電極２４よりも第２基板２０に近く、第１配線２７及び第１電極２４と重畳して配される第２電極２５と、第１方向に沿って延在し、少なくとも第１配線２７と重畳して配され、光を遮る第１重畳部２９と、第１配線２７よりも第２基板２０に近く、第１電極２４よりも第２基板２０から遠い第３電極３４と、を備え、第２電極２５には、第１方向と交差する向きに沿って延在し、第１配線２７及び第１電極２４をそれぞれ横切り、間隔を空けて配される複数のスリット２５Ｓが形成され、第３電極３４は、少なくとも第１配線２７及びスリット２５Ｓの双方と重畳して配される。
【選択図】図７
【解決手段】表示装置１１は、第１基板２１と、第２基板２０と、第１方向に沿って延在する第１配線２７と、第１配線２７に対し第２方向に隣り合って配され、第１配線２７よりも第２基板２０に近い第１電極２４と、第１電極２４よりも第２基板２０に近く、第１配線２７及び第１電極２４と重畳して配される第２電極２５と、第１方向に沿って延在し、少なくとも第１配線２７と重畳して配され、光を遮る第１重畳部２９と、第１配線２７よりも第２基板２０に近く、第１電極２４よりも第２基板２０から遠い第３電極３４と、を備え、第２電極２５には、第１方向と交差する向きに沿って延在し、第１配線２７及び第１電極２４をそれぞれ横切り、間隔を空けて配される複数のスリット２５Ｓが形成され、第３電極３４は、少なくとも第１配線２７及びスリット２５Ｓの双方と重畳して配される。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１基板と、
前記第１基板の主面と対向する主面を有する第２基板と、
前記第１基板に設けられ、前記第１基板の主面に沿う第１方向に沿って延在する第１配線と、
前記第１基板に設けられ、前記第１配線に対し、前記第１基板の主面に沿う方向であって前記第１方向と直交する第２方向に隣り合って配され、前記第１配線よりも前記第２基板に近い側に位置して配される第１電極と、
前記第１基板に設けられ、前記第１電極よりも前記第２基板に近い側に位置し、前記第１配線及び前記第１電極と重畳して配される第２電極と、
前記第２基板に設けられ、前記第１方向に沿って延在し、少なくとも前記第１配線と重畳して配され、光を遮る第１重畳部と、
前記第１基板に設けられ、前記第１配線よりも前記第２基板に近い側に位置し、前記第１電極よりも前記第２基板から遠い側に位置して配される第３電極と、を備え、
前記第２電極には、前記第１基板の主面に沿う向きであって前記第１方向と交差する向きに沿って延在し、前記第１配線及び前記第１電極をそれぞれ横切り、間隔を空けて配される複数のスリットが形成され、
前記第３電極は、少なくとも前記第１配線及び前記スリットの双方と重畳して配される表示装置。
前記第１基板の主面と対向する主面を有する第２基板と、
前記第１基板に設けられ、前記第１基板の主面に沿う第１方向に沿って延在する第１配線と、
前記第１基板に設けられ、前記第１配線に対し、前記第１基板の主面に沿う方向であって前記第１方向と直交する第２方向に隣り合って配され、前記第１配線よりも前記第２基板に近い側に位置して配される第１電極と、
前記第１基板に設けられ、前記第１電極よりも前記第２基板に近い側に位置し、前記第１配線及び前記第１電極と重畳して配される第２電極と、
前記第２基板に設けられ、前記第１方向に沿って延在し、少なくとも前記第１配線と重畳して配され、光を遮る第１重畳部と、
前記第１基板に設けられ、前記第１配線よりも前記第２基板に近い側に位置し、前記第１電極よりも前記第２基板から遠い側に位置して配される第３電極と、を備え、
前記第２電極には、前記第１基板の主面に沿う向きであって前記第１方向と交差する向きに沿って延在し、前記第１配線及び前記第１電極をそれぞれ横切り、間隔を空けて配される複数のスリットが形成され、
前記第３電極は、少なくとも前記第１配線及び前記スリットの双方と重畳して配される表示装置。
【請求項2】
前記第１電極は、前記第１方向に沿う長手状をなしており、
前記第２電極には、複数の前記スリットが、前記第１方向に対する角度よりも前記第２方向に対する角度の方が小さい向きに沿って延在して形成される請求項１記載の表示装置。
前記第２電極には、複数の前記スリットが、前記第１方向に対する角度よりも前記第２方向に対する角度の方が小さい向きに沿って延在して形成される請求項１記載の表示装置。
【請求項3】
前記第１配線及び前記第１電極は、前記第２方向に交互に並んで複数ずつが配され、
前記第２電極には、複数の前記スリットが、複数ずつの前記第１配線及び前記第１電極を横切って形成される請求項１または請求項２記載の表示装置。
前記第２電極には、複数の前記スリットが、複数ずつの前記第１配線及び前記第１電極を横切って形成される請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項4】
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶層を備え、
前記第１基板の主面は、複数ずつの前記第１配線及び前記第１電極が配されて画像が表示される表示領域と、少なくとも複数の前記第１電極が非配置とされて画像が表示されない非表示領域と、に区分されており、
前記第２電極には、複数の前記スリットが、前記表示領域の全域にわたって延在して形成され、
前記第２電極は、前記スリットに並行して延在し、前記第１配線及び前記第１電極をそれぞれ横切り、間に前記スリットを挟んで配される複数の第２電極部と、前記非表示領域に配されて複数の前記第２電極部に連ねられて枠状をなす枠状部と、を有する請求項３記載の表示装置。
前記第１基板の主面は、複数ずつの前記第１配線及び前記第１電極が配されて画像が表示される表示領域と、少なくとも複数の前記第１電極が非配置とされて画像が表示されない非表示領域と、に区分されており、
前記第２電極には、複数の前記スリットが、前記表示領域の全域にわたって延在して形成され、
前記第２電極は、前記スリットに並行して延在し、前記第１配線及び前記第１電極をそれぞれ横切り、間に前記スリットを挟んで配される複数の第２電極部と、前記非表示領域に配されて複数の前記第２電極部に連ねられて枠状をなす枠状部と、を有する請求項３記載の表示装置。
【請求項5】
前記第２電極は、前記スリットに並行して延在し、前記第１配線及び前記第１電極をそれぞれ横切り、間に前記スリットを挟んで配される複数の第２電極部を有しており、
前記第２電極部の幅が、前記スリットの幅よりも小さい請求項１または請求項２記載の表示装置。
前記第２電極部の幅が、前記スリットの幅よりも小さい請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項6】
前記第１基板に設けられ、前記第１配線及び前記第１電極のそれぞれに接続されるスイッチング素子を備え、
前記第３電極は、前記第１電極と前記スイッチング素子との接続箇所と重畳する開口部を有し、前記開口部を除いてはベタ状に延在して配される請求項１または請求項２記載の表示装置。
前記第３電極は、前記第１電極と前記スイッチング素子との接続箇所と重畳する開口部を有し、前記開口部を除いてはベタ状に延在して配される請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項7】
前記第１重畳部は、前記第１電極のうち、前記第１方向に沿う縁部と重畳して配される請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項8】
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶層を備え、
前記第２電極には、複数の前記スリットが、前記第１方向及び前記第２方向の双方に対して傾いた斜め方向に沿って延在し、ジグザグ状に屈曲して形成される請求項１または請求項２記載の表示装置。
前記第２電極には、複数の前記スリットが、前記第１方向及び前記第２方向の双方に対して傾いた斜め方向に沿って延在し、ジグザグ状に屈曲して形成される請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項9】
前記第１配線及び前記第１電極は、前記第２方向に交互に並んで複数ずつが配され、
前記第２電極には、複数の前記スリットの屈曲部が、前記第１配線と重畳して形成される請求項８記載の表示装置。
前記第２電極には、複数の前記スリットの屈曲部が、前記第１配線と重畳して形成される請求項８記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書が開示する技術は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来の表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載の表示装置は、絶縁性基材上にある複数の映像線および複数の走査線と、複数の映像線および複数の走査線と重畳する遮光膜と、平面視において、複数の映像線と複数の走査線とに囲まれた副画素領域内にある画素電極および共通電極と、画素電極と共通電極との間で発生する電界によって駆動される液晶層と、画素電極と共通電極との間にある第１絶縁層と、を備える。共通電極は、第１絶縁層と液晶層との間にあり、複数の映像線および複数の走査線と重畳し、画素電極と重畳する開口部を有する。遮光膜で囲まれた光透過領域において、画素電極の形状は、分岐部を有しない線形状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１８－１４６６９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載されたような表示装置において、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせる際に、遮光膜が映像線及び画素電極等に対して横方向に位置ずれすると、画素電極のうち、本来は遮光膜により遮光されない部分が遮光されるようになり、本来は遮光膜により遮光される部分が遮光されなくなることがある。その結果、画素電極の透過光量が減少する。特許文献１に記載の表示装置では、共通電極の開口部が画素電極の範囲に限定して配されており、具体的には１本の縦長な開口部が画素電極に対して重畳して配されている。このため、画素電極のうち開口部の縁部から最も遠い部分と開口部の縁部との距離が大きくなりがちであった。ここで、画素電極の透過光量は、開口部の縁部からの距離が大きくなるほど少なくなる傾向にある。この傾向に基づくと、上記した位置ずれに伴って、画素電極のうち開口部の縁部から最も遠い部分が、遮光膜により遮光されなくなれば、当該部分の透過光量が極端に少なくなる。このため、位置ずれに起因して画素電極の透過光量が大きく低下する、という問題が生じていた。
【0005】
本明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、透過光量の低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
（１）本明細書に記載の技術に関わる表示装置は、第１基板と、前記第１基板の主面と対向する主面を有する第２基板と、前記第１基板に設けられ、前記第１基板の主面に沿う第１方向に沿って延在する第１配線と、前記第１基板に設けられ、前記第１配線に対し、前記第１基板の主面に沿う方向であって前記第１方向と直交する第２方向に隣り合って配され、前記第１配線よりも前記第２基板に近い側に位置して配される第１電極と、前記第１基板に設けられ、前記第１電極よりも前記第２基板に近い側に位置し、前記第１配線及び前記第１電極と重畳して配される第２電極と、前記第２基板に設けられ、前記第１方向に沿って延在し、少なくとも前記第１配線と重畳して配され、光を遮る第１重畳部と、前記第１基板に設けられ、前記第１配線よりも前記第２基板に近い側に位置し、前記第１電極よりも前記第２基板から遠い側に位置して配される第３電極と、を備え、前記第２電極には、前記第１基板の主面に沿う向きであって前記第１方向と交差する向きに沿って延在し、前記第１配線及び前記第１電極をそれぞれ横切り、間隔を空けて配される複数のスリットが形成され、前記第３電極は、少なくとも前記第１配線及び前記スリットの双方と重畳して配される。
【0007】
（２）また、上記表示装置は、上記（１）に加え、前記第１電極は、前記第１方向に沿う長手状をなしており、前記第２電極には、複数の前記スリットが、前記第１方向に対する角度よりも前記第２方向に対する角度の方が小さい向きに沿って延在して形成されてもよい。
【0008】
（３）また、上記表示装置は、上記（１）または上記（２）に加え、前記第１配線及び前記第１電極は、前記第２方向に交互に並んで複数ずつが配され、前記第２電極には、複数の前記スリットが、複数ずつの前記第１配線及び前記第１電極を横切って形成されてもよい。
【0009】
（４）また、上記表示装置は、上記（３）に加え、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶層を備え、前記第１基板の主面は、複数ずつの前記第１配線及び前記第１電極が配されて画像が表示される表示領域と、少なくとも複数の前記第１電極が非配置とされて画像が表示されない非表示領域と、に区分されており、前記第２電極には、複数の前記スリットが、前記表示領域の全域にわたって延在して形成され、前記第２電極は、前記スリットに並行して延在し、前記第１配線及び前記第１電極をそれぞれ横切り、間に前記スリットを挟んで配される複数の第２電極部と、前記非表示領域に配されて複数の前記第２電極部に連ねられて枠状をなす枠状部と、を有してもよい。
【0010】
（５）また、上記表示装置は、上記（１）から上記（４）のいずれかに加え、前記第２電極は、前記スリットに並行して延在し、前記第１配線及び前記第１電極をそれぞれ横切り、間に前記スリットを挟んで配される複数の第２電極部を有しており、前記第２電極部の幅が、前記スリットの幅よりも小さくてもよい。
【0011】
（６）また、上記表示装置は、上記（１）から上記（５）のいずれかに加え、前記第１基板に設けられ、前記第１配線及び前記第１電極のそれぞれに接続されるスイッチング素子を備え、前記第３電極は、前記第１電極と前記スイッチング素子との接続箇所と重畳する開口部を有し、前記開口部を除いてはベタ状に延在して配されてもよい。
【0012】
（７）また、上記表示装置は、上記（１）から上記（６）のいずれかに加え、前記第１重畳部は、前記第１電極のうち、前記第１方向に沿う縁部と重畳して配されてもよい。
【0013】
（８）また、上記表示装置は、上記（１）から上記（７）のいずれかに加え、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶層を備え、前記第２電極には、複数の前記スリットが、前記第１方向及び前記第２方向の双方に対して傾いた斜め方向に沿って延在し、ジグザグ状に屈曲して形成されてもよい。
【0014】
（９）また、上記表示装置は、上記（８）に加え、前記第１配線及び前記第１電極は、前記第２方向に交互に並んで複数ずつが配され、前記第２電極には、複数の前記スリットの屈曲部が、前記第１配線と重畳して形成されてもよい。
【発明の効果】
【0015】
本明細書に記載の技術によれば、透過光量の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】実施形態１に係るヘッドマウントディスプレイを使用者が頭部に装着した状態を示す概略斜視図
【図2】ヘッドマウントディスプレイを構成する頭部装着器具に備わる液晶表示装置及びレンズ部と、使用者の眼球と、の光学的関係を示す概略側面図
【図3】液晶表示装置を構成する液晶パネルとフレキシブル基板と制御回路基板との接続構成を示す概略平面図
【図4】液晶パネルに備わるアレイ基板の表示領域における画素配列を示す回路図
【図5】液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図
【図6】液晶パネルのvi-vi線断面図
【図7】液晶パネルのvii-vii線断面図
【図8】液晶パネルの表示領域における画素配列を示し、第３透明電極膜からなる構成を網掛け状に示す平面図
【図9】アレイ基板の全体を示し、第３透明電極膜からなる構成を網掛け状に示す平面図
【図10】液晶パネルの表示領域における画素配列を示し、第１透明電極膜からなる構成を網掛け状に示す平面図
【図11】比較実験１の比較例１に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示し、共通電極を網掛け状に示す平面図
【図12】比較実験１の比較例１において、アレイ基板及び対向基板がＸ軸方向に位置ずれしない場合の透過率分布を示す図
【図13】比較実験１の比較例１において、アレイ基板に対して対向基板がＸ軸方向に位置ずれした場合の透過率分布を示す図
【図14】比較実験１の実施例１において、アレイ基板及び対向基板がＸ軸方向に位置ずれしない場合の透過率分布を示す図
【図15】比較実験１の実施例１において、アレイ基板に対して対向基板がＸ軸方向に位置ずれした場合の透過率分布を示す図
【図16】比較実験２において、アレイ基板に対する対向基板のＸ軸方向の位置ずれ量と相対透過率との関係を表すグラフ
【図17】比較実験３において、液晶パネルの表示領域の中央部を選択的に白表示し、その周りを黒表示した状態を示す説明図
【図18】比較実験３の比較例２に係る透過率分布を示す図
【図19】比較実験３の実施例１に係る透過率分布を示す図
【図20】実施形態２に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示し、第１透明電極膜からなる構成を網掛け状に示す平面図
【図21】実証実験１の実施例２に係る透過率分布を示す図
【図22】実施形態３に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示し、第１透明電極膜からなる構成を網掛け状に示す平面図
【発明を実施するための形態】
【0017】
＜実施形態１＞
実施形態１を図１から図１９によって説明する。本実施形態では、ゴーグル型のヘッドマウントディスプレイ（HMD:Head-Mounted Display）１０ＨＭＤ及びそれに用いられる液晶表示装置１０を例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。
実施形態１を図１から図１９によって説明する。本実施形態では、ゴーグル型のヘッドマウントディスプレイ（HMD:Head-Mounted Display）１０ＨＭＤ及びそれに用いられる液晶表示装置１０を例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。
【0018】
図１を用いてゴーグル型のヘッドマウントディスプレイ１０ＨＭＤの外観を説明する。ヘッドマウントディスプレイ１０ＨＭＤは、図１に示すように、使用者の頭部１０ＨＤに装着される頭部装着器具１０ＨＭＤａを備える。頭部装着器具１０ＨＭＤａは、使用者の両方の眼を囲っている。
【0019】
図２を用いて頭部装着器具１０ＨＭＤａの構成を説明する。頭部装着器具１０ＨＭＤａには、図２に示すように、画像を表示する液晶表示装置１０と、液晶表示装置１０に表示された画像を使用者の眼球１０ＥＹに結像させるレンズ部１０ＲＥと、が少なくとも内蔵されている。液晶表示装置１０は、液晶パネル（表示装置）１１と、液晶パネル１１に光を照射するバックライト装置（照明装置）１２と、を少なくとも備える。液晶パネル１１のうちの、レンズ部１０ＲＥ側の主面が、画像を表示する表示面１１ＤＳとされる。レンズ部１０ＲＥは、液晶表示装置１０と使用者の眼球１０ＥＹとの間に介在するよう配される。レンズ部１０ＲＥにより光に屈折作用が付与される。このレンズ部１０ＲＥの焦点距離を調整することで、使用者は、眼球１０ＥＹの水晶体１０ＥＹａを介して網膜１０ＥＹｂに結像される像が、眼球１０ＥＹからの距離Ｌ２の位置に見かけ上存在する仮想ディスプレイ１０ＶＤに表示されている、と認識することができる。この距離Ｌ２は、眼球１０ＥＹから液晶表示装置１０までの実際の距離Ｌ１よりも遙かに大きい。これにより、使用者は、液晶表示装置１０の画面サイズ（例えば０．数インチから数インチ程度）よりも遙かに大きな画面サイズ（例えば数十インチから数百インチ程度）の仮想ディスプレイ１０ＶＤに表示された虚像である拡大画像を視認することができる。
【0020】
なお、頭部装着器具１０ＨＭＤａに液晶表示装置１０を１つ搭載し、その液晶表示装置１０に右目用画像と左目用画像とを表示させることが可能である。それ以外に、頭部装着器具１０ＨＭＤａに液晶表示装置１０を２つ搭載し、一方の液晶表示装置１０に右目用画像を、他方の液晶表示装置１０に左目用画像を、それぞれ表示させことも可能である。また、頭部装着器具１０ＨＭＤａには、使用者の耳に宛てがわれて音声を発するイヤフォンなどが備えられてもよい。
【0021】
図３等を用いて液晶表示装置１０に備わる液晶パネル１１の構成について説明する。なお、バックライト装置１２の構成は、既知の通りであり、例えば、ＬＥＤなどの光源や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材などを有する。液晶パネル１１には、図３に示すように、表示駆動を行うためのドライバ１３と、フレキシブル基板１４と、がＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して実装されている。フレキシブル基板１４には、ドライバ１３に対して各種入力信号を外部から供給する制御回路基板（信号供給源）１５が接続されている。
【0022】
液晶パネル１１の主面のうちの中央側部分は、図３に示すように、画像を表示可能な表示領域（アクティブエリア）ＡＡとされる。液晶パネル１１の主面のうちの表示領域ＡＡを取り囲む外周側部分は、平面に視て枠状（額縁状）をなす非表示領域（ノンアクティブエリア）ＮＡＡとされる。なお、図３では、一点鎖線が表示領域ＡＡの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域ＮＡＡとなっている。液晶パネル１１は、一対の基板２０，２１を貼り合わせてなる。一対の基板２０，２１のうち、表側（正面側）の基板が、対向基板（第２基板、ＣＦ基板）２０とされる。一対の基板２０，２１のうち、裏側（背面側）の基板が、アレイ基板（第１基板、アクティブマトリクス基板）２１とされる。対向基板２０及びアレイ基板２１は、互いの内側の主面（内面）が対向して配される。対向基板２０及びアレイ基板２１の各主面は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿う面であり、その法線方向がＺ軸方向と一致している。対向基板２０及びアレイ基板２１は、それぞれほぼ透明なガラス基板（基板）２０ＧＳ，２１ＧＳを有しており、各ガラス基板２０ＧＳ，２１ＧＳの内面側に各種の膜が積層形成されてなる。なお、両基板２０，２１の外面側には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。
【0023】
図４を用いてアレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける画素配列の概要を説明する。アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図４に示すように、格子状をなす複数本ずつのゲート配線（第２配線、走査配線）２６及びソース配線（第１配線、画像配線）２７が配されている。ゲート配線２６及びソース配線２７の交差部位付近には、ＴＦＴ（スイッチング素子、薄膜トランジスタ）２３及び画素電極（第１電極）２４が設けられている。ゲート配線２６は、表示領域ＡＡを横断する形でＸ軸方向（第２方向）に沿って延在し、各ＴＦＴ２３のゲート電極２３Ａに接続される。ゲート配線２６は、複数がＸ軸方向と直交するＹ軸方向（第１方向）に間隔を空けて並んで配される。ソース配線２７は、表示領域ＡＡを縦断する形でＹ軸方向に沿って延在し、各ＴＦＴ２３のソース電極２３Ｂに接続される。ソース配線２７は、複数がＸ軸方向に間隔を空けて配される。ＴＦＴ２３及び画素電極２４は、複数ずつＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って規則的に並んでマトリクス状（行列状）に平面配置されている。画素電極２４は、ＴＦＴ２３のドレイン電極２３Ｃに接続されている。ＴＦＴ２３は、上記したゲート電極２３Ａ、ソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃに加えて、半導体部２３Ｄを有する。半導体部２３Ｄは、半導体材料からなり、ソース電極２３Ｂとドレイン電極２３Ｃとに接続される。そして、ＴＦＴ２３は、ゲート配線２６に供給される走査信号に基づいて駆動されると、ソース配線２７に供給される画像信号（データ信号）に基づいた電位に画素電極２４を充電する。上記したゲート配線２６、ソース配線２７及びＴＦＴ２３は、画素を駆動する回路である画素回路部を構成する。
【0024】
図５を用いてアレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける画素配列を具体的に説明する。図５には、Ｘ軸方向に並ぶ３つの画素列が図示されている。画素電極２４は、図５に示すように、平面に視て縦長の方形状とされる。画素電極２４は、Ｙ軸方向に間隔を空けた２つのゲート配線２６と、Ｘ軸方向に間隔を空けた２つのソース配線２７と、により囲まれた領域に配されている。画素電極２４は、短辺が長辺の約１／３の長さとされる。Ｘ軸方向に間隔を空けて並ぶ複数のソース配線２７の配列間隔は、Ｙ軸方向に間隔を空けて並ぶ複数のゲート配線２６の配列間隔の約１／３程度とされる。
【0025】
ゲート配線２６は、図５に示すように、線幅が、Ｙ軸方向に隣り合う２つの画素電極２４の間の間隔よりも僅かに大きい。従って、ゲート配線２６は、Ｘ軸方向に沿う両側縁部が、Ｙ軸方向に隣り合う２つの画素電極２４のＹ軸方向の各端部に対してそれぞれ僅かに重畳している。ゲート配線２６よりも図５の上側には、画素電極２４及びＴＦＴ２３のドレイン電極２３Ｃの双方と重畳する第１コンタクトホール２３ＣＨが配されている。第１コンタクトホール２３ＣＨは、画素電極２４とドレイン電極２３Ｃとの間に介在する絶縁膜（後述する第２絶縁膜Ｆ２及び第３絶縁膜Ｆ３）に開口して形成されている。画素電極２４は、第１コンタクトホール２３ＣＨを通してドレイン電極２３Ｃに接続されている。第１コンタクトホール２３ＣＨは、画素電極２４のうち、Ｙ軸方向の一方（図５の下側）の端部付近に配されている。なお、ドレイン電極２３Ｃは、平面に視て第１コンタクトホール２３ＣＨよりも一回り大きい程度の大きさの方形状をなしている。
【0026】
ソース配線２７は、図５に示すように、線幅が、Ｘ軸方向に隣り合う２つの画素電極２４の間の間隔よりも僅かに大きい。従って、ソース配線２７は、Ｙ軸方向に沿う両側縁部が、Ｘ軸方向に隣り合う２つの画素電極２４のＸ軸方向の各端部に対してそれぞれ僅かに重畳している。なお、ソース配線２７の線幅は、ゲート配線２６の線幅よりも小さい。ソース配線２７は、部分的に拡幅されており、その拡幅部分がＴＦＴ２３のソース電極２３Ｂを構成している。ソース電極２３Ｂは、上記したドレイン電極２３Ｃよりもゲート電極２３ＡからＹ軸方向に遠い配置とされる。ソース電極２３Ｂには、半導体部２３Ｄの一方の端部が接続される。また、ドレイン電極２３Ｃには、半導体部２３Ｄの他方の端部が接続される。なお、半導体部２３Ｄは、ソース電極２３Ｂからドレイン電極２３Ｃに至るまで途中で２つのゲート電極２３Ａを縦断するよう途中で複数回屈曲されている。
【0027】
主に図６を用いて液晶パネル１１における画素ＰＸの中央部付近の断面構成を説明する。液晶パネル１１は、図６に示すように、一対の基板２０，２１間に配されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層（媒質層）２２を有する。液晶パネル１１を構成する対向基板２０の内面側における表示領域ＡＡには、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）を呈する３色のカラーフィルタ２８が設けられている。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２８は、ゲート配線２６の延在方向（Ｘ軸方向）に隣り合うよう並んで配される。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２８は、ソース配線２７の延在方向（概ねＹ軸方向）に沿って延在している。このように、互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２８は、全体としてストライプ状に配列されている。これらのカラーフィルタ２８は、アレイ基板２１側の各画素電極２４と平面に視て重畳する配置とされている。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２８は、その境界（色境界）がソース配線２７と重畳する配置とされる。この液晶パネル１１においては、Ｘ軸方向に沿って並ぶＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ２８と、各カラーフィルタ２８と対向する３つの画素電極２４と、が３色の画素ＰＸをそれぞれ構成している。そして、この液晶パネル１１においては、Ｘ軸方向に沿って隣り合うＲ，Ｇ，Ｂの３色の画素ＰＸによって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。画素ＰＸにおけるＹ軸方向の配列ピッチは、Ｘ軸方向の配列ピッチの３倍程度とされる。
【0028】
本実施形態に係る液晶パネル１１は、上記したヘッドマウントディスプレイ１０ＨＭＤに用いられるものであることから、極めて高い精細度となっており、Ｘ軸方向についての画素ＰＸの配列ピッチは、例えば６μｍ程度となっている。なお、液晶パネル１１の画素密度は、例えば１４１０ｐｐｉ程度とされる。これに対し、ゲート配線２６やソース配線２７の線幅は、例えば１．５μｍ～２．５μｍ程度となっている。
【0029】
対向基板２０には、図５及び図６に示すように、互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２８を仕切るよう、第１遮光部（第１重畳部、ブラックマトリクス）２９が設けられている。第１遮光部２９は、遮光性を有する遮光性材料（例えばアクリルやポリイミドなどの感光性樹脂材料にカーボンブラックなどの顔料を含有させた材料等）からなる。第１遮光部２９は、バックライト装置１２から照射される光等を遮る。第１遮光部２９は、Ｙ軸方向に沿ってほぼ直線状に延在し、Ｘ軸方向にカラーフィルタ２８を挟むよう間隔を空けて複数が並んで配される。第１遮光部２９は、アレイ基板２１のソース配線２７と重畳する配置とされる。第１遮光部２９は、ソース配線２７と協働して、異なる色を呈する画素ＰＸ間に生じ得る混色を防ぐことができる。第１遮光部２９は、幅寸法（Ｘ軸方向の寸法）が、ソース配線２７の線幅よりも大きい。従って、第１遮光部２９は、Ｙ軸方向に沿う両側縁部が、Ｘ軸方向に隣り合う２つの画素電極２４のうち、Ｙ軸方向に沿う各縁部（Ｘ軸方向の各縁部）に対して重畳している。第１遮光部２９と画素電極２４との重畳幅は、ソース配線２７と画素電極２４との重畳幅よりも大きい。また、カラーフィルタ２８の上層側（液晶層２２側）には、平坦化のために対向基板２０のほぼ全域にわたってベタ状に配されるオーバーコート膜３０が設けられている。両基板２０，２１のうち、液晶層２２に接する最内面（最上層）には、液晶層２２に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜３１，３２がそれぞれ形成されている。配向膜３１，３２は、その表面に光配向処理が行われることで、液晶分子に配向規制力を付与することが可能となる光配向膜とされる。図５には、配向膜３１，３２によって配向される液晶分子の配向方向（チルト方向、液晶層２２に電圧が印加されていないときに液晶分子の方向）が矢線により示されている。本実施形態では、液晶分子の配向方向は、Ｘ軸方向と一致している。液晶分子の配向方向は、製造過程で配向膜３１，３２に照射される配向処理光の照射方向と一致している。
【0030】
アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図６に示すように、全ての画素電極２４と重畳する共通電極（第２電極、上層側共通電極）２５が設けられている。共通電極２５は、画素電極２４よりも上層側に形成されている。共通電極２５は、少なくとも表示領域ＡＡのほぼ全域にわたって延在している。共通電極２５には、後述するスリット２５Ｓが形成されている。共通電極２５には、共通電位（基準電位）の共通電位信号（基準電位信号）が供給される。画素電極２４が充電されると、互いに重畳する画素電極２４と共通電極２５のスリット２５Ｓの縁部との間に電位差が生じる。すると、画素電極２４と共通電極２５との間には、アレイ基板２１の主面に沿う成分に加えて、アレイ基板２１の主面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が生じる。このフリンジ電界を利用することで液晶層２２に含まれる液晶分子の配向状態を制御することができる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの一種とされている。なお、共通電極２５の詳しい構成については、後に改めて説明する。
【0031】
ここで、アレイ基板２１のガラス基板２１ＧＳに積層される各種の膜について、図６を参照して詳しく説明する。アレイ基板２１のガラス基板２１ＧＳには、図６に示すように、下層側（ガラス基板２１ＧＳ側）から順に、第１金属膜（第１遮光膜）、ベースコート膜、半導体膜、第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）、第２金属膜、第２絶縁膜２１Ｆ１、第３金属膜、第３絶縁膜２１Ｆ２、第１透明電極膜、第４絶縁膜２１Ｆ３、第２透明電極膜、第５絶縁膜２１Ｆ４、第３透明電極膜、配向膜３１、が少なくとも積層形成されている。なお、図６には、第２金属膜よりも上層側の膜が図示されている。
【0032】
第１金属膜、第２金属膜及び第３金属膜は、いずれも１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。半導体膜は、多結晶化されたシリコン薄膜（多結晶シリコン薄膜）の一種であるＣＧシリコン（Continuous Grain Silicon）薄膜からなる。ＣＧシリコン薄膜は、例えばアモルファスシリコン薄膜に金属材料を添加し、５５０℃以下程度の低温で短時間の熱処理を行うことで形成されており、それによりシリコン結晶の結晶粒界における原子配列に連続性を有している。第１透明電極膜、第２透明電極膜及び第３透明電極膜は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明電極材料からなる。ベースコート膜、第１絶縁膜、第２絶縁膜２１Ｆ１、第４絶縁膜２１Ｆ３及び第５絶縁膜２１Ｆ４は、いずれも無機材料（無機樹脂材料）の一種であるＳｉＯ２（酸化シリコン、シリコン酸化物）やＳｉＮｘ（窒化シリコン）などからなる。第３絶縁膜２１Ｆ２は、有機材料（有機樹脂材料）の一種であるＰＭＭＡ（アクリル樹脂）などからなる。有機材料からなる第３絶縁膜２１Ｆ２は、無機材料からなるベースコート膜、第１絶縁膜、第２絶縁膜２１Ｆ１、第４絶縁膜２１Ｆ３及び第５絶縁膜２１Ｆ４よりも膜厚が大きいのが通常である。
【0033】
半導体膜は、図５に示すように、ＴＦＴ２３の半導体部２３Ｄを構成する。第２金属膜は、ゲート配線２６及びＴＦＴ２３のゲート電極２３Ａ等を構成する。第１絶縁膜は、互いに重畳する半導体部２３Ｄとゲート電極２３Ａとの間に介在してこれらの間の間隔を所定の値に保つ。このように、本実施形態に係るＴＦＴ２３は、ゲート電極２３Ａが、半導体部２３Ｄに対して第１絶縁膜を介して上層側に重畳配置される、いわゆるトップゲート型である。第３金属膜は、ソース配線２７、ＴＦＴ２３のソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃ等を構成する。第２絶縁膜２１Ｆ１は、互いに交差するゲート配線２６とソース配線２７との間に介在してこれらを絶縁する。第２透明電極膜は、画素電極２４を構成する。第３金属膜と第２透明電極膜との間に介在する第３絶縁膜２１Ｆ２及び第４絶縁膜２１Ｆ３のうち、ドレイン電極２３Ｃ及び画素電極２４の双方と重畳する位置には、既述した第１コンタクトホール２３ＣＨが開口形成されている。第３透明電極膜は、共通電極２５を構成する。第２透明電極膜と第３透明電極膜との間に介在する第５絶縁膜２１Ｆ４は、互いに重畳する画素電極２４と共通電極２５との間に介在してこれらを絶縁する。また、半導体膜と第３金属膜との間に介在する第１絶縁膜及び第２絶縁膜２１Ｆ１のうち、ソース電極２３Ｂと重畳する位置には、第２コンタクトホールが開口形成されている。第２コンタクトホールを通してソース電極２３Ｂと半導体部２３Ｄとが接続される。第１絶縁膜及び第２絶縁膜２１Ｆ１のうち、ドレイン電極２３Ｃと重畳する位置には、第３コンタクトホールが開口形成されている。第３コンタクトホールを通してドレイン電極２３Ｃと半導体部２３Ｄとが接続される。
【0034】
第１金属膜は、図５に示すように、アレイ基板２１において少なくとも半導体部２３Ｄに対して重畳して配される第２遮光部３３を構成する。第２遮光部３３は、半導体部２３Ｄに対して下層側に配されているので、バックライト装置１２から半導体部２３Ｄに対して下層側から照射される光を遮ることができる。これにより、半導体部２３Ｄに光が照射された場合に生じ得るＴＦＴ２３の特性の変動を抑制することができる。第２遮光部３３は、複数の画素ＰＸに跨がるようＸ軸方向に沿って延在する横長の帯状をなす。第２遮光部３３は、幅寸法がＸ軸方向についての位置に応じて変化するものの、最小の幅寸法がゲート配線２６の線幅よりも大きい。第２遮光部３３は、重畳する画素ＰＸに備わる各ＴＦＴ２３の半導体部２３Ｄに対してほぼ全域にわたって重畳して配される。また、第２遮光部３３は、各ＴＦＴ２３に備わるゲート電極２３Ａの全域に対して重畳し、ドレイン電極２３Ｃの一部または全域に対して重畳して配される。ベースコート膜は、第１金属膜からなる第２遮光部３３と、半導体膜からなる半導体部２３Ｄと、の間に介在し、両者を絶縁状態に保つ。また、ベースコート膜によりガラス基板２１ＧＳからの不純物が半導体膜に拡散するのを防ぐことができる。
【0035】
ここで、主に図６から図９を用いて第３透明電極膜からなる共通電極２５の構成について詳しく説明する。図８及び図９には、第３透明電極膜からなる構成（共通電極２５）を網掛け状にして図示されている。共通電極２５には、図８に示すように、Ｙ軸方向と交差する向きに沿って延在するスリット２５Ｓが設けられている。スリット２５Ｓは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の双方に対して傾いた斜め方向に沿って延在する帯状の開口である。具体的には、スリット２５Ｓは、Ｙ軸方向に対して約８０°傾くとともに、Ｘ軸方向に対して約１０°傾いた斜め方向に沿って延在し、図８の右上がりの傾斜となっている。上記した斜め方向に沿って延在するスリット２５Ｓは、ソース配線２７及び画素電極２４をそれぞれ横切る。スリット２５Ｓの延在方向は、液晶分子の配向方向と交差する関係となっている。スリット２５Ｓは、Ｙ軸方向に間隔を空けて複数が配されている。共通電極２５のうち、スリット２５Ｓの非形成部分が、共通電極部２５Ｐである。共通電極部２５Ｐは、スリット２５Ｓに並行して延在する帯状をなしており、ソース配線２７及び画素電極２４をそれぞれ横切っている。共通電極部２５Ｐは、Ｙ軸方向に間隔を空けて複数が配されている。Ｙ軸方向に隣り合う２つの共通電極部２５Ｐの間には、スリット２５Ｓが挟まれる。Ｙ軸方向に隣り合う２つのスリット２５Ｓの間には、共通電極部２５Ｐが挟まれる。複数ずつの共通電極部２５Ｐ及びスリット２５Ｓは、Ｙ軸方向に交互に繰り返し並んで配されている。
【0036】
ところで、液晶パネル１１の製造過程において、アレイ基板２１及び対向基板２０を、互いの主面が対向するよう配する際には、両基板２０，２１にＸ軸方向に位置ずれが生じる場合がある。その場合、対向基板２０に設けられた第１遮光部２９が、アレイ基板２１に設けられたソース配線２７及び画素電極２４に対してＸ軸方向に位置ずれする。この位置ずれが生じると、画素電極２４の透過光量が低下する。その点、本実施形態によれば、上記のように共通電極２５のスリット２５Ｓを画素電極２４の範囲外にまで延ばすようにしている。従って、高精細化に伴って画素電極２４の短辺寸法が約６μｍ程度にまで小型化した場合でも、画素電極２４に対して複数のスリット２５Ｓを重畳配置することができる。このようにすれば、画素電極２４のうち、共通電極２５におけるスリット２５Ｓの縁部から最も遠い部分は、共通電極部２５Ｐを挟む２つのスリット２５Ｓの中間位置となり、スリット２５Ｓの縁部との距離が従来よりも小さくなる。ここで、画素電極２４の透過光量は、共通電極２５におけるスリット２５Ｓの縁部からの距離が大きくなるほど低下する傾向にある。この傾向に基づけば、画素電極２４のうち、共通電極２５におけるスリット２５Ｓの縁部から最も遠い部分とスリット２５Ｓの縁部との距離が従来よりも小さくされることで、従来よりも画素電極２４の透過光量を多く確保することができる。これにより、上記した位置ずれに起因する画素電極２４の透過光量の低下が従来よりも抑制される。
【0037】
しかも、複数のスリット２５Ｓは、図８に示すように、Ｙ軸方向に対する角度よりもＸ軸方向に対する角度の方が小さい向きに沿って延在して形成されている。仮にスリット２５Ｓが、Ｙ軸方向に対する角度よりもＸ軸方向に対する角度の方が大きい向きに沿って延在する場合に比べると、より多くのスリット２５Ｓを画素電極２４に対して重畳配置させることができる。このように、共通電極２５にスリット２５Ｓが多く形成されると、スリット２５Ｓの配列ピッチ（共通電極部２５Ｐの幅）が小さくなる。このことから、画素電極２４のうち、共通電極２５におけるスリット２５Ｓの縁部から最も遠い部分と、共通電極２５におけるスリット２５Ｓの縁部と、の距離がより小さくなる。これにより、従来よりも画素電極２４の透過光量をより多く確保することができるので、上記した位置ずれに起因する画素電極２４の透過光量の低下がより抑制される。
【0038】
さらには、複数のスリット２５Ｓは、図８に示すように、Ｘ軸方向に交互に繰り返し並ぶ複数（少なくとも３つ）ずつのソース配線２７及び画素電極２４を横切って形成されている。仮に、スリット２５Ｓの形成範囲が１つずつのソース配線２７及び画素電極２４に限定される場合に比べると、より多くのスリット２５Ｓを画素電極２４に対して重畳配置し易くなる。このようにすれば、画素電極２４のうち、共通電極２５におけるスリット２５Ｓの縁部から最も遠い部分とスリット２５Ｓの縁部との距離をより小さくすることができる。これにより、従来よりも画素電極２４の透過光量をより多く確保することができるので、上記した位置ずれに起因する画素電極２４の透過光量の低下がより抑制される。
【0039】
複数のスリット２５Ｓは、図９に示すように、アレイ基板２１において表示領域ＡＡの全域にわたって延在し、その延在方向の端部が非表示領域ＮＡＡに達するよう形成されている。上記した通り、複数のスリット２５Ｓは、Ｙ軸方向に対する角度よりもＸ軸方向に対する角度の方が小さい向きに沿って延在して形成されている。従って、複数のスリット２５Ｓには、表示領域ＡＡにおいてＸ軸方向に沿って並ぶ複数ずつのソース配線２７及び画素電極２４を全て横切るものが含まれる。図９では、スリット２５Ｓの見やすさを担保するため、スリット２５Ｓを実際よりも太く誇張して図示している。これに伴い、共通電極２５を構成する複数の共通電極部２５Ｐは、アレイ基板２１において表示領域ＡＡの全域（Ｘ軸方向の全長）にわたって延在し、その延在方向（Ｙ軸方向に対する角度よりもＸ軸方向に対する角度の方が小さい向き）の端部が非表示領域ＮＡＡに達するよう形成されている。複数の共通電極部２５Ｐには、表示領域ＡＡにおいてＸ軸方向に沿って並ぶ複数ずつのソース配線２７及び画素電極２４を全て横切るものが含まれる。共通電極２５は、複数の共通電極部２５Ｐに加えて、複数の共通電極部２５Ｐに連ねられる枠状部２５Ｆを有する。枠状部２５Ｆは、アレイ基板２１の非表示領域ＮＡＡに配され、平面に視て非表示領域ＮＡＡに沿って延在する枠状をなしている。枠状部２５Ｆには、複数の共通電極部２５Ｐにおける延在方向の両端部がそれぞれ連ねられている。枠状部２５Ｆには、アレイ基板２１に設けられた配線が接続されており、フレキシブル基板１４によりアレイ基板２１に伝送される共通電位が、上記した配線によって枠状部２５Ｆに供給されている。このように、複数のスリット２５Ｓにおける延在方向の各端部が非表示領域ＮＡＡに配置されているから、スリット２５Ｓにおける延在方向の端部付近において液晶分子の配向乱れが生じても、表示領域ＡＡに表示される画像に悪影響が及び難くなる。また、複数の共通電極部２５Ｐは、非表示領域ＮＡＡに配された枠状部２５Ｆに連ねられることで、枠状部２５Ｆを介して電位が供給される。
【0040】
共通電極部２５Ｐの幅Ｗ１は、図８に示すように、スリット２５Ｓの幅Ｗ２よりも小さい。具体的には、共通電極部２５Ｐの幅Ｗ１が例えば１．５μｍ程度とされるのに対し、スリット２５Ｓの幅Ｗ２が例えば２μｍ程度とされる。複数の共通電極部２５Ｐは、幅Ｗ１が同一とされる。複数のスリット２５Ｓは、幅Ｗ２が同一とされる。このようにすれば、仮に共通電極部２５Ｐとスリット２５Ｓとの幅の大小関係を逆にした場合に比べると、画素電極２４のうち、共通電極２５におけるスリット２５Ｓの縁部から最も遠い部分とスリット２５Ｓの縁部との距離をより小さくすることができる。これにより、従来よりも画素電極２４の透過光量をより多く確保することができるので、上記した位置ずれに起因する画素電極２４の透過光量の低下がより抑制される。
【0041】
上記したように、共通電極２５には、ソース配線２７及び画素電極２４を横切るスリット２５Ｓが形成されている。この構成により、ソース配線２７のうち、スリット２５Ｓと重畳する部分は、図７に示すように、共通電極２５により表側から覆われることがない。このため、ソース配線２７のうち、スリット２５Ｓと重畳する部分から生じる電界は、共通電極２５により遮蔽されずに、液晶層２２に含まれる液晶分子の配向に影響を与え得る。すると、液晶分子の配向に乱れが生じるため、光漏れが発生し易くなり、コントラスト性能等の表示性能が悪化するおそれがある。
【0042】
これに対し、本実施形態に係るアレイ基板２１には、図７及び図１０に示すように、第１透明電極膜からなる遮蔽電極（第３電極、下層側共通電極）３４が設けられている。以下では、主に図７及び図１０を用いて遮蔽電極３４の構成について詳しく説明する。図１０には、第１透明電極膜からなる構成（遮蔽電極３４）を網掛け状にして図示されている。第１透明電極膜からなる遮蔽電極３４は、第３金属膜からなるソース配線２７よりも対向基板２０に近い側、つまり表側（上層側）に位置し、第２透明電極膜からなる画素電極２４よりも対向基板２０から遠い側、つまり裏側（下層側）に位置して配されている。遮蔽電極３４には、共通電位の共通電位信号が供給されている。従って、遮蔽電極３４及び共通電極２５は、同電位とされる。そして、遮蔽電極３４は、少なくともソース配線２７及びスリット２５Ｓの双方と重畳して配されている。つまり、ソース配線２７のうち、スリット２５Ｓと重畳していて共通電極２５により覆われない部分は、遮蔽電極３４により覆われている。従って、ソース配線２７から生じる電界のうち、スリット２５Ｓに起因して共通電極２５では遮蔽されない電界を、遮蔽電極３４によって良好に遮蔽することができる。これにより、スリット２５Ｓに起因する電界漏れが抑制され、電界漏れに起因する表示品位の悪化を抑制することができる。
【0043】
遮蔽電極３４は、図１０に示すように、画素電極２４とＴＦＴ２３（ドレイン電極２３Ｃ）との接続箇所である第１コンタクトホール２３ＣＨと重畳する開口部３４Ａを有する。第２透明電極膜からなる画素電極２４は、第３絶縁膜２１Ｆ２及び第４絶縁膜２１Ｆ３の第１コンタクトホール２３ＣＨと、第１透明電極膜からなる遮蔽電極３４の開口部３４Ａと、を通して、第３金属膜からなるドレイン電極２３Ｃに接続されている。そして、遮蔽電極３４は、アレイ基板２１の面内において、開口部３４Ａを除いてはベタ状に延在して配されている。遮蔽電極３４は、表示領域ＡＡの全域にわたって延在し、その外周端部が非表示領域ＮＡＡに至るとともに共通電極２５の枠状部２５Ｆと重畳する。従って、遮蔽電極３４は、表示領域ＡＡにおいて、画素電極２４の一部（ＴＦＴ２３との接続箇所）を除いた大部分に対して重畳するとともに、ソース配線２７のほぼ全域に対して重畳して配されている。このような遮蔽電極３４により、ソース配線２７から生じる電界が良好に遮蔽され、液晶層２２側に漏れ出すことが避けられる。これにより、電界漏れに起因して液晶分子の配向に乱れが生じるのを避けることができ、表示品位をより良好に保つことができる。
【0044】
ここで、本実施形態に係る液晶パネル１１の優位性を検証するため、以下の比較実験１を行った。この比較実験１では、比較実験１よりも前の段落にて説明した構成の液晶パネル１１を実施例１とし、共通電極２５－１を変更した上で、第１透明電極膜からなる遮蔽電極３４及び第４絶縁膜２１Ｆ３を除去した構成の液晶パネルを比較例１とした。比較例１に係る液晶パネルにおける画素配列は、図１１に示される通りである。図１１では、共通電極２５－１を網掛け状にして図示している。比較例１に備わる共通電極２５－１には、図１１に示すように、画素電極２４の形成範囲に限定されたスリット２５Ｓ－１が形成されている。スリット２５Ｓ－１は、Ｙ軸方向に対して約１０°傾いた斜め方向に沿って延在し、図１１の右上がりの傾斜となっている。つまり、スリット２５Ｓ－１は、Ｘ軸方向に対する角度よりもＹ軸方向に対する角度の方が小さい向きに沿って延在する。スリット２５Ｓ－１は、１つの画素電極２４に対して１つが重畳して配されており、ソース配線２７を横切ることはない。スリット２５Ｓ－１の幅寸法は、２μｍ程度とされる。共通電極２５－１において、Ｘ軸方向に隣り合う２つのスリット２５Ｓ－１の間の間隔は、４μｍ程度とされる。なお、Ｘ軸方向に隣り合う２つのスリット２５Ｓ－１の間に、もう１本のスリット２５Ｓ－１を設けようとすると、スリット２５Ｓ－１間の間隔が１μｍ程度となり、共通電極２５－１に断線が生じ易くなる。このため、そのような構成は、実現が困難である。
【0045】
比較実験１では、上記した比較例１及び実施例１に係る各液晶パネルにおいて、アレイ基板２１及び対向基板２０がＸ軸方向に位置ずれしない場合と、アレイ基板２１に対して対向基板２０をＸ軸方向に位置ずれさせた場合と、でそれぞれ全画面の白表示（最大階調表示）を行った上で透過光量を測定し、透過率分布を作成した。比較例１に係る透過率分布は、図１２及び図１３に示されている。実施例１に係る透過率分布は、図１４及び図１５に示されている。図１２及び図１４は、両基板２０，２１が位置ずれしない場合の透過率分布を示す。図１３及び図１５は、対向基板２０を位置ずれさせた場合の透過率分布を示す。対向基板２０は、アレイ基板２１に対して図１３及び図１５の右側に１．５μｍ程度位置ずれしている。図１２から図１５に示される透過率分布では、透過率の高低がグレースケールの濃淡により表されており、透過率が高い（明るい）ほど薄くなり、透過率が低い（暗い）ほど濃くなる傾向にある。なお、図１２から図１５には、Ｘ軸方向に沿って続けて並ぶ３つの画素電極２４における透過率分布が示されている。
【0046】
比較実験１の実験結果について説明する。図１２及び図１４によれば、比較例１及び実施例１は、いずれもスリット２５Ｓ，２５Ｓ－１の縁部と重畳する位置にて透過率が最も高く、スリット２５Ｓ，２５Ｓ－１の縁部から遠ざかるに連れて次第に透過率が低下する傾向にあることが分かる。図１２から図１５によると、対向基板２０に位置ずれが生じると、画素電極２４のうち、本来は第１遮光部２９によって遮光されない左端側部分が遮光されるようになるとともに、本来は第１遮光部２９によって遮光されていた右端側部分が遮光されないようになる。なお、図１２から図１５に示される左端の画素電極２４の上端側部分と、右端の画素電極２４の下端側部分と、は、第２遮光部３３の拡幅部分によってそれぞれ遮光されている。
【0047】
比較例１の実験結果について詳しく説明する。図１２によれば、比較例１では、画素電極２４の左端側部分が、スリット２５Ｓ－１の縁部に近くて透過率が比較的高い部分を多く含み、当該部分が対向基板２０の位置ずれに伴って、図１３に示されるように、第１遮光部２９によって遮光されている。一方、図１３によれば、比較例１では、画素電極２４の右端側部分が、スリット２５Ｓ－１の縁部から遠くて透過率が比較的低い部分を多く含み、当該部分が対向基板２０の位置ずれに伴って第１遮光部２９によって遮光されなくなっている。特に、比較例１では、画素電極２４のうち、スリット２５Ｓ－１の縁部から最も遠くて透過率が最も低い右下角部が、対向基板２０の位置ずれに伴って第１遮光部２９によって遮光されなくなっている。このため、比較例１では、位置ずれしない場合に比べると、位置ずれした場合の方が画素電極２４の透過光量が大きく減少する。
【0048】
続いて、実施例１の実験結果について詳しく説明する。図１４によれば、実施例１では、多くのスリット２５Ｓが画素電極２４に対して重畳配置されているので、画素電極２４のうち、スリット２５Ｓの縁部から最も遠い部分とスリット２５Ｓの縁部との間の距離が、比較例１よりも小さくなっている。そして、実施例１では、画素電極２４の左端側部分と右端側部分とには、スリット２５Ｓの縁部に近い部分とスリット２５Ｓから遠い部分とが概ね均等に含まれている。従って、図１５に示すように、対向基板２０の位置ずれに伴って画素電極２４の左端側部分が第１遮光部２９によって遮光されるようになり、画素電極２４の右端側部分が第１遮光部２９によって遮光されないようになっても、画素電極２４の透過光量が大きく減少することが避けられる。結果として、実施例１は、比較例１よりも、対向基板２０の位置ずれに伴う画素電極２４の透過率の低下が抑制される、と言える。
【0049】
次に、比較実験１にて説明した比較例１及び実施例１に係る各液晶パネルにおいて、アレイ基板２１に対する対向基板２０のＸ軸方向の位置ずれ量を変化させたとき、透過率がどのように変化するか、について知見を得るため、比較実験２を行った。比較実験２では、比較例１及び実施例１に係る各液晶パネルにおいて、アレイ基板２１に対する対向基板２０のＸ軸方向の位置ずれ量を、０μｍ、０．５μｍ、１μｍ、１．５μｍとし、これらの各液晶パネルにおける透過光量をそれぞれ測定し、相対透過率を算出した。相対透過率は、位置ずれ量を０μｍとした場合を基準（１．０）として規格化した相対値である。なお、位置ずれ量が０μｍの場合は、位置ずれが生じなかった場合を意味する。実験結果は、図１６のグラフに示される通りである。図１６の横軸が、アレイ基板２１に対する対向基板２０のＸ軸方向の位置ずれ量（単位は「ｍｍ」）であり、図１６の縦軸が相対透過率（無単位）である。また、図１６には、比較例１及び実施例１の凡例が記されており、「●」のプロットが実施例１であり、「×」のプロットが比較例１である。
【0050】
比較実験２の実験結果について説明する。図１６によれば、比較例１及び実施例１は、いずれも対向基板２０の位置ずれ量が大きくなるほど、相対透過率が低下することが分かる。特に、対向基板２０の位置ずれ量が０．５μｍを超えると、相対透過率の低下率が大きくなっている。そして、比較例１と実施例１とを比べると、対向基板２０の位置ずれ量が０．５μｍ、１μｍ、１．５μｍの場合、実施例１は、比較例１よりも常に相対透過率が高い。つまり、対向基板２０に位置ずれが生じると、その位置ずれ量を問わず、実施例１の相対透過率は、比較例１の相対透過率よりも高くなっている。従って、実施例１によれば、対向基板２０に位置ずれが生じても、比較例１よりも高い透過率を得ることができる、と言える。
【0051】
次に、ソース配線２７からの電界漏れと、コントラスト性能と、の関係性について知見を得るべく、比較実験３を行った。この比較実験３では、比較実験１の実施例１と、次に説明する比較例２と、を用いる。比較例２は、実施例１とは、第１透明電極膜からなる遮蔽電極３４及び第４絶縁膜２１Ｆ３が除去されている点でのみ相違し、共通電極２５の構成（スリット２５Ｓ等）は実施例１と同じである。比較実験３では、比較例２及び実施例１に係る各液晶パネルにおいて、図１７に示されるように、表示領域ＡＡの中央部を選択的に白表示（最大階調表示）し、その周りを黒表示（最小階調表示）した。図１７では、黒表示部分を網掛け状にして図示し、白表示部分を白抜きにして図示している。そして、黒表示部分のうち、白表示部分に対して図１７の上側部分（図１７にて破線で囲った部分）の透過光量を測定し、透過率分布を作成した。図１７にて破線で囲った部分では、１フレーム表示期間においてソース配線２７に対して白表示を行わせるための最大階調の電位が供給されるため、仮にソース配線２７からの電界が液晶層２２側に漏れ出すと、光漏れが生じる可能性がある。比較例２に係る透過率分布は、図１８に示されている。実施例１に係る透過率分布は、図１９に示されている。図１８及び図１９に示される透過率分布では、透過率の高低がグレースケールの濃淡により表されており、透過率が高い（明るい）ほど薄くなり、透過率が低い（暗い）ほど濃くなる傾向にある。図１８及び図１９には、第１遮光部２９及び共通電極２５が二点鎖線により図示されている。なお、図１８及び図１９には、Ｘ軸方向に沿って続けて並ぶ３つの画素電極２４における透過率分布が示されている。また、比較例２及び実施例１において、両基板２０，２０に位置ずれは生じていない。
【0052】
比較実験３の実験結果について説明する。図１８によれば、比較例２では、第１遮光部２９に対してＸ軸方向に隣り合う複数箇所で光漏れが生じていることが分かる。比較例２では、ソース配線２７のうち、共通電極２５のスリット２５Ｓと重畳する部分から生じる電界が、共通電極２５により遮蔽されず、液晶層２２側に漏れ出すことで、液晶分子の配向が乱れ、結果として光漏れが生じたと推考される。一方、図１９によれば、実施例１では、ほぼ全域にわたって光漏れが生じていないことが分かる。これは、実施例１に備わる遮蔽電極３４によってソース配線２７から生じる電界が良好に遮蔽されたため、と推考される。
【0053】
以上説明したように本実施形態の液晶パネル（表示装置）１１は、アレイ基板（第１基板）２１と、アレイ基板２１の主面と対向する主面を有する対向基板（第２基板）２０と、アレイ基板２１に設けられ、アレイ基板２１の主面に沿う第１方向に沿って延在するソース配線（第１配線）２７と、アレイ基板２１に設けられ、ソース配線２７に対し、アレイ基板２１の主面に沿う方向であって第１方向と直交する第２方向に隣り合って配され、ソース配線２７よりも対向基板２０に近い側に位置して配される画素電極（第１電極）２４と、アレイ基板２１に設けられ、画素電極２４よりも対向基板２０に近い側に位置し、ソース配線２７及び画素電極２４と重畳して配される共通電極（第２電極）２５と、対向基板２０に設けられ、第１方向に沿って延在し、少なくともソース配線２７と重畳して配され、光を遮る第１遮光部（第１重畳部）２９と、アレイ基板２１に設けられ、ソース配線２７よりも対向基板２０に近い側に位置し、画素電極２４よりも対向基板２０から遠い側に位置して配される遮蔽電極（第３電極）３４と、を備え、共通電極２５には、アレイ基板２１の主面に沿う向きであって第１方向と交差する向きに沿って延在し、ソース配線２７及び画素電極２４をそれぞれ横切り、間隔を空けて配される複数のスリット２５Ｓが形成され、遮蔽電極３４は、少なくともソース配線２７及びスリット２５Ｓの双方と重畳して配される。
【0054】
アレイ基板２１及び対向基板２０を、互いの主面が対向するよう配する際には、両基板２０，２１に第２方向に位置ずれが生じる場合がある。その場合、対向基板２０に設けられた第１遮光部２９が、アレイ基板２１に設けられたソース配線２７及び画素電極２４に対して第２方向に位置ずれする。この位置ずれが生じると、画素電極２４の透過光量が低下する。
【0055】
その点、共通電極２５のスリット２５Ｓは、アレイ基板２１の主面に沿う向きであって第１方向に対して交差する向きに沿って延在され、ソース配線２７及び画素電極２４をそれぞれ横切るとともに間隔を空けて複数配されている。つまり、共通電極２５のスリット２５Ｓを画素電極２４の範囲外にまで延ばすことで、画素電極２４が高精細化に伴って小型化した場合でも、画素電極２４に対して複数のスリット２５Ｓを重畳配置することができる。このようにすれば、画素電極２４のうちスリット２５Ｓの縁部から最も遠い部分とスリット２５Ｓの縁部との距離を従来よりも小さくすることができる。ここで、画素電極２４の透過光量は、スリット２５Ｓの縁部からの距離が大きくなるほど低下する傾向にある。この傾向に基づけば、画素電極２４のうち、共通電極２５におけるスリット２５Ｓの縁部から最も遠い部分とスリット２５Ｓの縁部との距離が従来よりも小さくされることで、従来よりも画素電極２４の透過光量を多く確保することができる。これにより、上記した位置ずれに起因する画素電極２４の透過光量の低下が抑制される。
【0056】
このように、スリット２５Ｓがソース配線２７を横切る構成を採ると、ソース配線２７から生じる電界が共通電極２５では十分に遮蔽されず、表示品位に悪影響を及ぼすおそれがある。これに対し、遮蔽電極３４は、少なくともソース配線２７及びスリット２５Ｓの双方と重畳して配されているので、ソース配線２７から生じる電界のうち、スリット２５Ｓに起因して共通電極２５では遮蔽されない電界を、遮蔽電極３４によって良好に遮蔽することができる。以上により、第１遮光部２９の位置ずれに起因する透過光量の低下を抑制した上で、スリット２５Ｓに起因する電界漏れを抑制することができる。
【0057】
また、画素電極２４は、第１方向に沿う長手状をなしており、共通電極２５には、複数のスリット２５Ｓが、第１方向に対する角度よりも第２方向に対する角度の方が小さい向きに沿って延在して形成される。仮に、共通電極２５のスリット２５Ｓが、第１方向に対する角度よりも第２方向に対する角度の方が大きい向きに沿って延在する場合に比べると、より多くのスリット２５Ｓを画素電極２４に対して重畳配置させることができる。このようにすれば、画素電極２４のうちスリット２５Ｓの縁部から最も遠い部分とスリット２５Ｓの縁部との距離をより小さくすることができる。これにより、従来よりも画素電極２４の透過光量をより多く確保することができるので、上記した位置ずれに起因する画素電極２４の透過光量の低下がより抑制される。
【0058】
また、ソース配線２７及び画素電極２４は、第２方向に交互に並んで複数ずつが配され、共通電極２５には、複数のスリット２５Ｓが、複数ずつのソース配線２７及び画素電極２４を横切って形成される。仮に、スリット２５Ｓの形成範囲が１つずつのソース配線２７及び画素電極２４に限定される場合に比べると、より多くのスリット２５Ｓを画素電極２４に対して重畳配置し易くなる。このようにすれば、画素電極２４のうちスリット２５Ｓの縁部から最も遠い部分とスリット２５Ｓの縁部との距離をより小さくすることができる。これにより、従来よりも画素電極２４の透過光量をより多く確保することができるので、上記した位置ずれに起因する画素電極２４の透過光量の低下がより抑制される。
【0059】
また、アレイ基板２１と対向基板２０との間に挟持される液晶層２２を備え、アレイ基板２１の主面は、複数ずつのソース配線２７及び画素電極２４が配されて画像が表示される表示領域ＡＡと、少なくとも複数の画素電極２４が非配置とされて画像が表示されない非表示領域ＮＡＡと、に区分されており、共通電極２５には、複数のスリット２５Ｓが、表示領域ＡＡの全域にわたって延在して形成され、共通電極２５は、スリット２５Ｓに並行して延在し、ソース配線２７及び画素電極２４をそれぞれ横切り、間にスリット２５Ｓを挟んで配される複数の共通電極部（第２電極部）２５Ｐと、非表示領域ＮＡＡに配されて複数の共通電極部２５Ｐに連ねられて枠状をなす枠状部２５Ｆと、を有する。スリット２５Ｓにおける延在方向の端部付近では、液晶層２２に含まれる液晶分子の配向状態に乱れが生じ易くなっている。その点、上記のように、共通電極２５には、複数のスリット２５Ｓが表示領域ＡＡの全域にわたって延在して形成されることで、スリット２５Ｓにおける延在方向の端部を非表示領域ＮＡＡに配置することが可能となる。これにより、スリット２５Ｓにおける延在方向の端部付近において液晶分子の配向乱れが生じても、表示領域ＡＡに表示される画像に悪影響が及び難くなる。また、複数の共通電極部２５Ｐは、非表示領域ＮＡＡに配された枠状部２５Ｆに連ねられることで、枠状部２５Ｆを介して電位が供給される。
【0060】
また、共通電極２５は、スリット２５Ｓに並行して延在し、ソース配線２７及び画素電極２４をそれぞれ横切り、間にスリット２５Ｓを挟んで配される複数の共通電極部２５Ｐを有しており、共通電極部２５Ｐの幅Ｗ１が、スリット２５Ｓの幅Ｗ２よりも小さい。このようにすれば、仮に共通電極部２５Ｐとスリット２５Ｓとの幅の大小関係を逆にした場合に比べると、画素電極２４のうちスリット２５Ｓの縁部から最も遠い部分とスリット２５Ｓの縁部との距離をより小さくすることができる。これにより、従来よりも画素電極２４の透過光量をより多く確保することができるので、上記した位置ずれに起因する画素電極２４の透過光量の低下がより抑制される。
【0061】
また、アレイ基板２１に設けられ、ソース配線２７及び画素電極２４のそれぞれに接続されるＴＦＴ（スイッチング素子）２３を備え、遮蔽電極３４は、画素電極２４とＴＦＴ２３との接続箇所と重畳する開口部３４Ａを有し、開口部３４Ａを除いてはベタ状に延在して配される。このようにすれば、ソース配線２７よりも対向基板２０に近い側に位置し、画素電極２４よりも対向基板２０から遠い側に位置して配される遮蔽電極３４の開口部３４Ａを通して、ＴＦＴ２３と画素電極２４との接続が図られる。遮蔽電極３４は、開口部３４Ａを除いてはベタ状に延在して配されているから、ソース配線２７から生じる電界を良好に遮蔽することができる。
【0062】
また、第１遮光部２９は、画素電極２４のうち、第１方向に沿う縁部と重畳して配される。画素電極２４のうち、本来は第１遮光部２９と重畳して遮光される縁部は、第１遮光部２９が第２方向に位置ずれすると、第１遮光部２９により遮光されなくなるおそれがある。その場合でも、複数のスリット２５Ｓが画素電極２４に対して重畳配置されることで、画素電極２４のうちスリット２５Ｓの縁部から最も遠い部分とスリット２５Ｓの縁部との距離が従来よりも小さくなっている。これにより、従来よりも画素電極２４の透過光量をより多く確保することができるので、上記した位置ずれに起因する画素電極２４の透過光量の低下が抑制される。
【0063】
＜実施形態２＞
実施形態２を図２０または図２１によって説明する。この実施形態２では、共通電極１２５の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態２を図２０または図２１によって説明する。この実施形態２では、共通電極１２５の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【0064】
本実施形態に係る共通電極１２５には、図２０に示すように、複数のスリット１２５Ｓが、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の双方に対して傾いた斜め方向に沿って延在し、ジグザグ状に繰り返し屈曲して形成されている。複数の共通電極部１２５Ｐは、スリット１２５Ｓに並行して延在し、ジグザグ状に繰り返し屈曲して形成されている。
【0065】
詳しくは、スリット１２５Ｓは、図２０の右上がりの傾斜部分（第１傾斜スリット）と、図２０の右下がりの傾斜部分（第２傾斜スリット）と、がＸ軸方向に交互に繰り返し連なる構成となっている。スリット１２５Ｓのうちの、図２０の右上がりの傾斜部分と、図２０の右下がりの傾斜部分と、がＸ軸方向に対してなす角度は、いずれも１０°程度で同一とされる。共通電極部１２５Ｐは、図２０の右上がりの傾斜部分（第１傾斜部）と、図２０の右下がりの傾斜部分（第２傾斜部）と、がＸ軸方向に交互に繰り返し連なる構成となっている。共通電極部１２５Ｐのうちの、図２０の右上がりの傾斜部分と、図２０の右下がりの傾斜部分と、がＸ軸方向に対してなす角度は、いずれも１０°程度で同一とされる。スリット１２５Ｓ及び共通電極部１２５Ｐは、互いに連なる２つの傾斜部分の継ぎ目に屈曲部１２５Ｂを有する。このような構成では、画素電極１２４と共通電極１２５との間に電位差が生じたとき、スリット１２５Ｓ及び共通電極部１２５Ｐの屈曲部１２５Ｂ付近では、液晶層２２（図６を参照）の液晶分子が回転しなくなる。これに起因して、液晶層２２は、スリット１２５Ｓの延在方向に沿うドメイン（特定の配向方向を持つ領域）を含み、そのドメインは、スリット１２５Ｓ及び共通電極部１２５Ｐの屈曲部１２５Ｂを境にして複数に分割されることになる。液晶層２２に含まれる液晶分子の動きは、ドメインが小さくなるほど速くなる傾向にある。従って、スリット１２５Ｓがジグザグ状に屈曲されることで、液晶層２２に含まれるドメインが細分化されるので、応答速度の高速化が図られる。
【0066】
しかも、複数ずつのスリット１２５Ｓ及び共通電極部１２５Ｐの屈曲部１２５Ｂは、ソース配線１２７と重畳する配置とされる。つまり、スリット１２５Ｓ及び共通電極部１２５Ｐは、Ｘ軸方向に間隔を空けて並ぶ複数のソース配線１２７を横切る度に屈曲されつつ延在している。スリット１２５Ｓ及び共通電極部１２５Ｐの屈曲部１２５Ｂの数（屈曲回数）と、ソース配線１２７のＸ軸方向の並び数と、は一致している。スリット１２５Ｓ及び共通電極部１２５Ｐにおける２つの屈曲部１２５Ｂの間の長さは、間に画素電極１２４を挟む２つのソース配線１２７の間隔、つまり画素電極１２４のＸ軸方向の配列間隔程度とされる。このようにすれば、液晶層２２に含まれるドメインは、Ｘ軸方向に並ぶ画素電極１２４毎に分割されることになる。つまり、ドメインの長さは、画素電極１２４のＸ軸方向の配列間隔程度となる。これにより、液晶層２２に含まれるドメインがより細分化されるので、応答速度のさらなる高速化が図られる。
【0067】
本実施形態に係る液晶パネル１１１を用いて実証実験１を行った。実証実験１では、本段落の前の段落にて説明した構成の液晶パネル１１１を実施例２とした。実証実験１では、実施例２に係る液晶パネル１１１において、全画面で白表示（最大階調表示）を行った上で透過光量を測定し、透過率分布を作成した。なお、実施例２に係る液晶パネル１１１では、第１遮光部２９が省略されている。実施例２に係る透過率分布は、図２１に示されている。図２１に示される透過率分布では、透過率の高低がグレースケールの濃淡により表されており、透過率が高い（明るい）ほど薄くなり、透過率が低い（暗い）ほど濃くなる傾向にある。なお、図２１には、Ｘ軸方向に沿って続けて並ぶ３つの画素電極１２４における透過率分布が示されている。
【0068】
実証実験１の実験結果について説明する。図２１によれば、実施例２では、スリット１２５Ｓの屈曲部１２５Ｂを境にして複数に分割されたドメイン間に暗部が介在しているのが分かる。これは、屈曲部１２５Ｂ付近では、液晶層２２の液晶分子が回転しなくなることで、暗部として視認されるため、と推考される。このように、屈曲部１２５Ｂ付近において液晶分子が回転しなくなることで、液晶層２２が屈曲部１２５Ｂを境にして複数のドメインに分割される。液晶層２２が複数のドメインに分割されると、各ドメインでの液晶分子の動きが速くなる。これにより、応答速度の高速化が図られている。
【0069】
以上説明したように本実施形態によれば、アレイ基板２１と対向基板２０との間に挟持される液晶層２２を備え、共通電極１２５には、複数のスリット１２５Ｓが、第１方向及び第２方向の双方に対して傾いた斜め方向に沿って延在し、ジグザグ状に屈曲して形成される。液晶層２２は、スリット１２５Ｓの延在方向に沿うドメインを含み、そのドメインは、スリット１２５Ｓの屈曲部１２５Ｂを境にして複数に分割される。液晶層２２に含まれる液晶分子の動きは、ドメインが小さくなるほど速くなる傾向にある。従って、スリット１２５Ｓがジグザグ状に屈曲されることで、液晶層２２に含まれるドメインが細分化されるので、応答速度の高速化が図られる。
【0070】
また、ソース配線１２７及び画素電極１２４は、第２方向に交互に並んで複数ずつが配され、共通電極１２５には、複数のスリット１２５Ｓの屈曲部１２５Ｂが、ソース配線１２７と重畳して形成される。液晶層２２に含まれるドメインは、第２方向に並ぶ画素電極１２４毎に分割される。これにより、液晶層２２に含まれるドメインがより細分化されるので、応答速度のさらなる高速化が図られる。
【0071】
＜実施形態３＞
実施形態３を図２２によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態１から共通電極２２５の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態３を図２２によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態１から共通電極２２５の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【0072】
本実施形態に係る共通電極２２５は、図２２に示すように、複数のスリット２２５Ｓが、Ｘ軸方向に沿ってほぼ真っ直ぐに延在している。複数の共通電極部２２５Ｐは、スリット２２５Ｓに並行し、Ｘ軸方向に沿ってほぼ真っ直ぐに延在している。これに対し、本実施形態での液晶分子の配向方向は、Ｘ軸方向に対して約１０°傾いた斜め方向であり、図２２の右上がりの傾斜となっている。図２２には、液晶分子の配向方向が矢線により示されている。従って、スリット２２５Ｓの延在方向と、液晶分子の配向方向と、が互いに交差する関係となっている。
【0073】
＜他の実施形態＞
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されず、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されず、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。
【0074】
（１）スリット２５Ｓ，１２５Ｓ，２２５Ｓ及び共通電極部２５Ｐ，１２５Ｐ，２２５ＰがＸ軸方向に対してなす具体的な角度は、適宜に変更可能である。その場合、スリット２５Ｓ，１２５Ｓ，２２５Ｓ及び共通電極部２５Ｐ，１２５Ｐ，２２５Ｐの延在方向を、Ｘ軸方向に対して４５°よりも小さい角度でもって傾けるのが好ましいが、必ずしもその限りではない。
【0075】
（２）スリット２５Ｓ，１２５Ｓ，２２５Ｓ及び共通電極部２５Ｐ，１２５Ｐ，２２５Ｐの具体的な長さは、適宜に変更可能である。例えば、スリット２５Ｓ，１２５Ｓ，２２５Ｓ及び共通電極部２５Ｐ，１２５Ｐ，２２５Ｐが、表示領域ＡＡのＸ軸方向の全長に至らない長さであってもよい。その場合、スリット２５Ｓ，１２５Ｓ，２２５Ｓ及び共通電極部２５Ｐ，１２５Ｐ，２２５Ｐの端部が表示領域ＡＡに存することになる。スリット２５Ｓ，１２５Ｓ，２２５Ｓ及び共通電極部２５Ｐ，１２５Ｐ，２２５Ｐの長さを変更する場合、スリット２５Ｓ，１２５Ｓ，２２５Ｓ及び共通電極部２５Ｐ，１２５Ｐ，２２５Ｐが複数ずつのソース配線２７，１２７及び画素電極２４，１２４を横切るような長さとされるのが好ましいが、必ずしもその限りではない。
【0076】
（３）スリット２５Ｓ，１２５Ｓ，２２５Ｓ及び共通電極部２５Ｐ，１２５Ｐ，２２５Ｐの具体的な幅は、適宜に変更可能である。例えば、スリット２５Ｓ，１２５Ｓ，２２５Ｓ及び共通電極部２５Ｐ，１２５Ｐ，２２５Ｐの幅を同一とすることが可能である。また、スリット２５Ｓ，１２５Ｓ，２２５Ｓの幅を共通電極部２５Ｐ，１２５Ｐ，２２５Ｐの幅よりも小さくすることも可能である。
【0077】
（４）遮蔽電極３４の具体的な形成範囲は、適宜に変更可能である。例えば、遮蔽電極３４が共通電極２５，１２５，２２５のスリット２５Ｓ，１２５Ｓ，２２５Ｓと重畳する範囲に選択的に形成されていてもよい。その場合、遮蔽電極３４は、共通電極２５，１２５，２２５の共通電極部２５Ｐ，１２５Ｐ，２２５Ｐと重畳する位置にスリットを有することになる。
【0078】
（５）第１遮光部２９は、画素電極２４，１２４に対して非重畳となる設計であってもよい。
【0079】
（６）実施形態１に記載の構成において、スリット２５Ｓ及び共通電極部２５Ｐの延在方向は、Ｘ軸方向に対して図８の左上がりの傾斜であってもよい。
【0080】
（７）実施形態２に記載の構成において、スリット１２５Ｓ及び共通電極部１２５Ｐの屈曲部１２５Ｂの数（屈曲回数）が、ソース配線１２７のＸ軸方向の並び数よりも少なくてもよい。例えば、スリット１２５Ｓ及び共通電極部１２５Ｐが複数の画素電極１２４を横切る度にソース配線１２７と重畳する位置にて屈曲されてもよい。
【0081】
（８）実施形態３に記載の構成において、液晶分子の配向方向は、Ｘ軸方向に対して図２２の左上がりの傾斜であってもよい。
【0082】
（９）スリット２５Ｓ，１２５Ｓ，２２５Ｓ及び共通電極部２５Ｐ，１２５Ｐ，２２５Ｐの延在方向と、液晶分子の配向方向と、がなす具体的な角度は、１０°以外にも適宜に変更可能である。
【0083】
（１０）画素電極２４，１２４の具体的な平面形状は、縦長の方形以外にも適宜に変更可能である。
【0084】
（１１）第２遮光部３３が省略されてもよい。
【0085】
（１２）ゲート配線２６及びソース配線２７，１２７の平面に視たパターンは、適宜に変更可能である。例えば、ゲート配線２６及びソース配線２７，１２７の少なくとも一方は、直線的に延在せず、斜めに延在して途中で繰り返し屈曲されてもよい。
【0086】
（１３）画素ＰＸの配列ピッチやゲート配線２６及びソース配線２７，１２７の線幅に関する具体的な数値は、適宜に変更可能である。また、液晶パネル１１，１１１の画素密度の具体的な数値は、適宜に変更可能である。
【0087】
（１４）ＴＦＴ２３は、トップゲート型以外にもボトムゲート型でもよい。
【0088】
（１５）半導体膜は、アモルファスシリコン薄膜や酸化物半導体薄膜などでもよい。
【0089】
（１６）液晶パネル１１，１１１の表示モードは、ＩＰＳモードなどでもよい。
【0090】
（１７）液晶パネル１１，１１１の平面形状は、横長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などでもよい。
【0091】
（１８）液晶層２２に誘電率異方性が負のネガ型の液晶材料を用いることも可能である。その場合、実施形態１，２に記載の構成においては、液晶分子の配向方向をＹ軸方向と一致させることができる。実施形態３に記載の構成においては、液晶分子の配向方向をＹ軸方向に対して１０°程度傾けることができる。
【0092】
（１９）ヘッドマウントディスプレイ１０ＨＭＤ以外にも、液晶パネル１１，１１１に表示された画像を、レンズなどを用いて拡大表示する機器として、例えばヘッドアップディスプレイやプロジェクターなどにも適用可能である。また、拡大表示機能を持たない表示装置（テレビ受信装置、タブレット型端末、スマートフォンなど）にも適用可能である。
【符号の説明】
【0093】
１１，１１１…液晶パネル（表示装置）、２０…対向基板（第２基板）、２１…アレイ基板（第１基板）、２２…液晶層、２３…ＴＦＴ（スイッチング素子）、２４，１２４…画素電極（第１電極）、２５，１２５，２２５…共通電極（第２電極）、２５Ｆ…枠状部、２５Ｐ，１２５Ｐ，２２５Ｐ…共通電極部（第２電極部）、２５Ｓ，１２５Ｓ，２２５Ｓ…スリット、２７，１２７…ソース配線（第１配線）、２９…第１遮光部（第１重畳部）、３４…遮蔽電極（第３電極）、３４Ａ…開口部、１２５Ｂ…屈曲部、ＡＡ…表示領域、ＮＡＡ…非表示領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】