(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023161923
(43)【公開日】2023-11-08
(54)【発明の名称】配線基板
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20231031BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 Q
H05K3/46 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022072578
(22)【出願日】2022-04-26
(71)【出願人】
【識別番号】000000158
【氏名又は名称】イビデン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001896
【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】古谷 俊樹
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316CC04
5E316CC05
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC13
5E316CC32
5E316CC37
5E316CC38
5E316DD25
5E316DD33
5E316FF13
5E316FF14
5E316HH07
5E316JJ02
(57)【要約】
【課題】配線基板の特性向上。
【解決手段】実施形態の配線基板は、第１絶縁層１１１の表面Ｓ１に形成されている接続パッドＰ１と、表面Ｓ１の上に形成されている第２絶縁層１１０と、第１面Ａ及び第２面Ｂを有していて第２面Ｂを第１絶縁層１１１に向けて第２絶縁層１１０の開口１１０ａ内に配置されている配線体ＷＳと、を含んでいる。配線体ＷＳは、第１面Ａに複数の第１導体パッドＯＰを備えると共に、第２面Ｂに露出する第２導体パッドＩＰを備え、第２導体パッドＩＰと接続パッドＰ１とが導電性の接続部４を介して接しており、第２導体パッドＩＰにおける接続パッドＰ１との対向面ＦＳ２と第１面Ａとの距離は、表面Ｓ１と第２絶縁層１１０の上面Ｓ２との距離よりも短く、表面Ｓ１と第１面Ａとの距離は、表面Ｓ１と上面Ｓ２との距離と略等しく、表面Ｓ１と第２面Ｂとの隙間Ｇが接続部４の複数の粒子４１及び絶縁性樹脂４２によって充填されている。
【選択図】図３
【解決手段】実施形態の配線基板は、第１絶縁層１１１の表面Ｓ１に形成されている接続パッドＰ１と、表面Ｓ１の上に形成されている第２絶縁層１１０と、第１面Ａ及び第２面Ｂを有していて第２面Ｂを第１絶縁層１１１に向けて第２絶縁層１１０の開口１１０ａ内に配置されている配線体ＷＳと、を含んでいる。配線体ＷＳは、第１面Ａに複数の第１導体パッドＯＰを備えると共に、第２面Ｂに露出する第２導体パッドＩＰを備え、第２導体パッドＩＰと接続パッドＰ１とが導電性の接続部４を介して接しており、第２導体パッドＩＰにおける接続パッドＰ１との対向面ＦＳ２と第１面Ａとの距離は、表面Ｓ１と第２絶縁層１１０の上面Ｓ２との距離よりも短く、表面Ｓ１と第１面Ａとの距離は、表面Ｓ１と上面Ｓ２との距離と略等しく、表面Ｓ１と第２面Ｂとの隙間Ｇが接続部４の複数の粒子４１及び絶縁性樹脂４２によって充填されている。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の表面に形成されていて導電性を有する接続パッドと、
前記表面の上に形成されていて、前記第１絶縁層と反対方向を向く上面、及び前記接続パッドを露出させる開口を有する第２絶縁層と、
部品搭載面を構成する第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有すると共に１以上の配線層を含んでいて前記第２面を前記第１絶縁層に向けて前記開口内に配置されている配線体と、
を含む配線基板であって、
前記配線体は、前記第１面に形成されている複数の第１導体パッドと、前記複数の第１導体パッドのいずれかに電気的に接続されていて前記第２面に露出する第２導体パッドと、を備え、
前記部品搭載面は、前記複数の第１導体パッドの一部をそれぞれ含んでいる第１部品領域及び第２部品領域を含み、
前記第１部品領域内の前記第１導体パッドと前記第２部品領域内の前記第１導体パッドとは前記配線層を介して接続されており、
前記第２導体パッドと前記接続パッドとが導電性の接続部を介して接しており、
前記第２導体パッドにおける前記接続パッドとの対向面と前記第１面との距離は、前記第１絶縁層の前記表面と前記第２絶縁層の前記上面との距離よりも短く、
前記第１絶縁層の前記表面と前記配線体の前記第１面との距離は、前記表面と前記第２絶縁層の前記上面との距離と略等しく、
前記接続部は、金属部を有する複数の粒子、及び絶縁性樹脂を含み、
前記第１絶縁層の前記表面と前記配線体の前記第２面との隙間が前記複数の粒子及び前記絶縁性樹脂によって充填されている。
前記第１絶縁層の表面に形成されていて導電性を有する接続パッドと、
前記表面の上に形成されていて、前記第１絶縁層と反対方向を向く上面、及び前記接続パッドを露出させる開口を有する第２絶縁層と、
部品搭載面を構成する第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有すると共に１以上の配線層を含んでいて前記第２面を前記第１絶縁層に向けて前記開口内に配置されている配線体と、
を含む配線基板であって、
前記配線体は、前記第１面に形成されている複数の第１導体パッドと、前記複数の第１導体パッドのいずれかに電気的に接続されていて前記第２面に露出する第２導体パッドと、を備え、
前記部品搭載面は、前記複数の第１導体パッドの一部をそれぞれ含んでいる第１部品領域及び第２部品領域を含み、
前記第１部品領域内の前記第１導体パッドと前記第２部品領域内の前記第１導体パッドとは前記配線層を介して接続されており、
前記第２導体パッドと前記接続パッドとが導電性の接続部を介して接しており、
前記第２導体パッドにおける前記接続パッドとの対向面と前記第１面との距離は、前記第１絶縁層の前記表面と前記第２絶縁層の前記上面との距離よりも短く、
前記第１絶縁層の前記表面と前記配線体の前記第１面との距離は、前記表面と前記第２絶縁層の前記上面との距離と略等しく、
前記接続部は、金属部を有する複数の粒子、及び絶縁性樹脂を含み、
前記第１絶縁層の前記表面と前記配線体の前記第２面との隙間が前記複数の粒子及び前記絶縁性樹脂によって充填されている。
【請求項2】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１絶縁層の前記表面と前記配線体の前記第１面との距離は、２５μｍ以上、４５μｍ以下である。
【請求項3】
請求項１記載の配線基板であって、前記第２導体パッドと前記接続パッドとの間の前記接続部の厚さは２μｍ以上、５μｍ以下である。
【請求項4】
請求項１記載の配線基板であって、
前記配線基板は複数の前記接続パッドを含み、
前記接続パッド同士が前記絶縁性樹脂によって絶縁されている。
前記配線基板は複数の前記接続パッドを含み、
前記接続パッド同士が前記絶縁性樹脂によって絶縁されている。
【請求項5】
請求項１記載の配線基板であって、前記配線体は、層間絶縁層を介して積層されている複数の配線層を前記１以上の配線層として含んでいる。
【請求項6】
請求項５記載の配線基板であって、
前記配線体は、さらに、互いに異なる前記層間絶縁層を貫いて前記複数の配線層それぞれ同士を接続する複数のビア導体を含み、
前記複数のビア導体は、平面視で互いに重なるように形成されている。
前記配線体は、さらに、互いに異なる前記層間絶縁層を貫いて前記複数の配線層それぞれ同士を接続する複数のビア導体を含み、
前記複数のビア導体は、平面視で互いに重なるように形成されている。
【請求項7】
請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記接続パッドを含む導体層と、前記導体層上に形成されていて前記第２絶縁層を貫く導体ポストと、を含んでおり、
前記導体ポストは、前記第１部品領域内又は前記第２部品領域内に位置する端面を前記導体層と反対側に有しており、
前記導体ポストの前記端面と前記第１絶縁層の前記表面との距離は、前記第１導体パッドにおける前記第１絶縁層側と反対側の表面と前記第１絶縁層の前記表面との距離と略等しい。
前記導体ポストは、前記第１部品領域内又は前記第２部品領域内に位置する端面を前記導体層と反対側に有しており、
前記導体ポストの前記端面と前記第１絶縁層の前記表面との距離は、前記第１導体パッドにおける前記第１絶縁層側と反対側の表面と前記第１絶縁層の前記表面との距離と略等しい。
【請求項8】
請求項１記載の配線基板であって、
前記部品搭載面は、さらに、前記複数の第１導体パッドの一部を含んでいる第３部品領域を含み、
前記第３部品領域内の前記第１導体パッドは、前記第１部品領域内の前記第１導体パッド及び前記第２部品領域内の前記第１導体パッドの少なくとも一方と前記配線層を介して接続されている。
前記部品搭載面は、さらに、前記複数の第１導体パッドの一部を含んでいる第３部品領域を含み、
前記第３部品領域内の前記第１導体パッドは、前記第１部品領域内の前記第１導体パッド及び前記第２部品領域内の前記第１導体パッドの少なくとも一方と前記配線層を介して接続されている。
【請求項9】
請求項１記載の配線基板であって、前記１以上の配線層は、前記配線基板における最も小さい配線幅及び最も小さい配線間距離を有する配線群を含んでいる。
【請求項10】
請求項１記載の配線基板であって、
前記配線体は、さらに、前記１以上の配線層それぞれの間に介在する層間絶縁層を含み、
前記配線体に含まれる前記１以上の配線層の一部又は全部は、前記層間絶縁層に形成されている溝を充填する導体によって構成されている。
前記配線体は、さらに、前記１以上の配線層それぞれの間に介在する層間絶縁層を含み、
前記配線体に含まれる前記１以上の配線層の一部又は全部は、前記層間絶縁層に形成されている溝を充填する導体によって構成されている。
【請求項11】
請求項１記載の配線基板であって、前記配線体に含まれる配線群は、配線幅及び配線間距離それぞれについて３．０μｍ以下の最小値を有し、前記配線群内の各配線のアスペクト比は、１．８以上、且つ、６．０以下である。
【請求項12】
請求項１記載の配線基板であって、
前記配線体は、さらに、前記１以上の配線層それぞれの間に介在する層間絶縁層を含み、
前記層間絶縁層の周波数１ＧＨｚにおける誘電正接は０．０３以下であり、且つ、比誘電率は３．３以下である。
前記配線体は、さらに、前記１以上の配線層それぞれの間に介在する層間絶縁層を含み、
前記層間絶縁層の周波数１ＧＨｚにおける誘電正接は０．０３以下であり、且つ、比誘電率は３．３以下である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は配線基板に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、主配線板のソルダーレジスト層に設けられる開口内に配線構造体が配置される配線板が開示されている。配線構造体は、その一方の表面（上面）に導体パッドを有している。この導体パッドには、ＭＰＵ、ＤＲＡＭなどの半導体部品が搭載される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１４－８２３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に開示の配線板では、配線構造体内の導体層と主配線板内の導体層とが、所望の短い経路で接続され得ないことがある。また、主配線板において配線構造体が配置される開口の直下に形成されている導体パターンと、配線構造体に搭載される半導体部品の特定の回路素子とが所望の短い経路で接続され得ないことがある。そのため、配線板において、半導体部品が備える電気的特性が安定して発揮され得ないことがある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の表面に形成されていて導電性を有する接続パッドと、前記表面の上に形成されていて、前記第１絶縁層と反対方向を向く上面、及び前記接続パッドを露出させる開口を有する第２絶縁層と、部品搭載面を構成する第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有すると共に１以上の配線層を含んでいて前記第２面を前記第１絶縁層に向けて前記開口内に配置されている配線体と、を含んでいる。そして、前記配線体は、前記第１面に形成されている複数の第１導体パッドと、前記複数の第１導体パッドのいずれかに電気的に接続されていて前記第２面に露出する第２導体パッドと、を備え、前記部品搭載面は、前記複数の第１導体パッドの一部をそれぞれ含んでいる第１部品領域及び第２部品領域を含み、前記第１部品領域内の前記第１導体パッドと前記第２部品領域内の前記第１導体パッドとは前記配線層を介して接続されており、前記第２導体パッドと前記接続パッドとが導電性の接続部を介して接しており、前記第２導体パッドにおける前記接続パッドとの対向面と前記第１面との距離は、前記第１絶縁層の前記表面と前記第２絶縁層の前記上面との距離よりも短く、前記第１絶縁層の前記表面と前記配線体の前記第１面との距離は、前記表面と前記第２絶縁層の前記上面との距離と略等しく、前記接続部は、金属部を有する複数の粒子、及び絶縁性樹脂を含み、前記第１絶縁層の前記表面と前記配線体の前記第２面との隙間が前記複数の粒子及び前記絶縁性樹脂によって充填されている。
【0006】
本発明の実施形態によれば、内部の導電体と搭載される部品との接続経路が短く、そのため所望の電気的特性が得られ易い配線基板が提供されると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【図4】本発明の一実施形態における配線体の他の例を示す断面図。
【図5A】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5B】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5C】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5D】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5E】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図6A】一実施形態における配線体の製造工程の一例を示す断面図。
【図6B】一実施形態における配線体の製造工程の一例を示す断面図。
【図6C】一実施形態における配線体の製造工程の一例を示す断面図。
【図6D】一実施形態における配線体の製造工程の一例を示す断面図。
【図6E】一実施形態における配線体の製造工程の一例を示す断面図。
【図6F】一実施形態における配線体の製造工程の一例を示す断面図。
【図6G】一実施形態における配線体の製造工程の一例を示す断面図。
【図7】本発明の他の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。なお、配線基板１は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。例えば、本実施形態の配線基板の積層構造、並びに、本実施形態の配線基板に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１の積層構造、及び配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さに関して、各構成要素が互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。
【0009】
図１に示されるように、配線基板１は、絶縁層１０１と、絶縁層１０１の両面に形成されている導体層１０２とを含むコア基板１００を含んでいる。コア基板１００の両面それぞれの上には絶縁層及び導体層が交互に積層されている。具体的には、コア基板１００の一方の面Ｆ１上に、絶縁層１１、導体層１２、絶縁層１１１、及び導体層１１２が積層されている第１ビルドアップ部１０が形成されている。一方、コア基板１００の他方の面Ｆ２上には、絶縁層２１及び導体層２２が積層されている第２ビルドアップ部２０が形成されている。すなわち、配線基板１は、絶縁層１１１、及び絶縁層１１１の表面Ｓ１上に形成されている導体層１１２を含んでいる。絶縁層１１１は、第１ビルドアップ部１０を構成する絶縁層のうち最も外側の絶縁層であって「第１絶縁層１１１」とも称される。導体層１１２は、第１ビルドアップ部１０を構成する導体層のうち最も外側の導体層であって「第１導体層１１２」とも称される。
【0010】
なお、実施形態の配線基板の説明では、絶縁層１０１から遠い側は、「上」、「上側」、「外側」、又は、単に「外」とも称される。一方、絶縁層１０１に近い側は、「下」、「下側」、「内側」、又は単に「内」とも称される。また、実施形態の配線基板の各構成要素においてコア基板１００と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板１００側を向く表面は「下面」とも称される。なお、配線基板１の厚さ方向は、単に「Ｚ方向」とも称される。
【0011】
配線基板１が有する各導体層１０２、１２、１１２、２２は、任意の導体パターンを含んでいる。特に、第１導体層１１２は、複数の導体パッドＰ１を含んでいる。導体パッドＰ１は、後述する配線体ＷＳ内の配線との電気的接続に用いられる。そのため、導体パッドＰ１は「接続パッドＰ１」とも称される。第１導体層１１２に含まれる接続パッドＰ１は導電性を有している。このように配線基板１は、第１絶縁層１１１の表面に形成されていて導電性を有する複数の接続パッドＰ１を含んでいる。図１の例において第１導体層１１２は、第１絶縁層１１１の表面Ｓ１から突出しており、従って接続パッドＰ１も表面Ｓ１から突出している。接続パッドＰ１が表面Ｓ１から突出しているので、接続パッドＰ１と配線体ＷＳとが、より確実に接続されると考えられる。
【0012】
配線基板１は、さらに、第１絶縁層１１１の表面Ｓ１及び第１導体層１１２の上に形成されている第２絶縁層１１０を含んでいる。第２絶縁層１１０は第１絶縁層１１１を覆っており、図示されていないが、第１導体層１１２を覆っていてもよい。第２絶縁層１１０は、第１絶縁層１１１と反対方向を向く上面Ｓ２を有している。第２絶縁層１１０は、さらに、第２絶縁層１１０をその厚さ方向に貫く貫通孔であって接続パッドＰ１を露出させる開口１１０ａを有している。図１の例では複数の接続パッドＰ１が開口１１０ａ内に露出している。一方、第２ビルドアップ部２０上には、第３絶縁層２１０が形成されている。第３絶縁層２１０には開口２１０ａが形成され、開口２１０ａからは第２ビルドアップ部２０における最も外側の導体層２２の導体パッド２２ｐが露出している。第２絶縁層１１０及び第３絶縁層２１０は、配線基板１の最外の層間絶縁層及び導体層を覆うソルダーレジスト層であり得る。
【0013】
配線基板１は、さらに、第２絶縁層１１０の開口１１０ａ内に配置されている配線体ＷＳを含んでいる。配線体ＷＳは、上面（第１面Ａ）及び第１面Ａの反対面である下面（第２面Ｂ）を有していて第２面Ｂを第１絶縁層１１１に向けて開口１１０ａ内に配置されている。配線体ＷＳは、第１面Ａに形成されている複数の導体パッドＯＰ（第１導体パッド）を備えている。導体パッドＯＰは、配線基板１と、配線基板１に搭載される外部の部品との接続に用いられる部品搭載用の導体パッドである。すなわち、配線体ＷＳの第１面Ａは、配線基板１における部品搭載面ＩＳを構成する。図１には、複数の導体パッドＯＰを用いて部品Ｅ１～Ｅ３が配線基板１に搭載される例が示されている。
【0014】
配線体ＷＳは、さらに、第２面Ｂに複数の導体パッドＩＰ（第２導体パッド）を備えており、導体パッドＩＰは第２面Ｂに露出している。複数の導体パッドＩＰは、第１導体層１１２の複数の接続パッドＰ１と接続されている。図１の例では、導体パッドＩＰは、配線体ＷＳの複数の導体パッドＯＰのいずれかと電気的に接続されている。従って図１の例において導体パッドＯＰに外部の部品Ｅ１～Ｅ３が接続されると、導体パッドＩＰは、導体パッドＯＰを介して外部の部品Ｅ１～Ｅ３のいずれかと電気的に接続される。
【0015】
配線基板１を構成する絶縁層１０１、１１、１１１、２１は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され得る。各絶縁層１０１、１１、１１１、２１は、ガラス繊維などの補強材（芯材）、及び／又は、シリカ若しくはアルミナなどの無機フィラーを含んでいてもよい。ソルダーレジスト層であり得る第２絶縁層１１０及び第３絶縁層２１０は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成され得る。
【0016】
絶縁層１０１には、絶縁層１０１の両側の導体層１０２同士を接続するスルーホール導体１０３が形成されている。絶縁層１１、１１１、２１のそれぞれには、絶縁層１１、１１１、２１それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体１３、２３が形成されている。図１の例のスルーホール導体１０３は、絶縁層１０１をその厚さ方向に貫く貫通孔の内壁に沿う筒状の形体を有している。筒状のスルーホール導体１０３の内部（空洞部）は、例えばエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂、又は金属粒子を含む導電性樹脂などからなる充填体１０４で充填されている。
【0017】
導体層１０２、１２、１１２、２２、ビア導体１３、２３、及びスルーホール導体１０３は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成され得る。導体層１０２、１２、１１２、２２、ビア導体１３、２３、及びスルーホール導体１０３は、図１では単層構造で示されているが、２以上の金属層、例えば、金属箔、無電解めっき膜若しくはスパッタリング膜、及び電解めっき膜を含む多層構造を有し得る。
【0018】
配線体ＷＳの第１面Ａによって構成される部品搭載面ＩＳは、外部の各部品が配置される領域である部品領域を有しており、図１の例では、部品搭載面ＩＳは、部品領域ＥＡ１（第１部品領域）、部品領域ＥＡ２（第２部品領域）、及び部品領域ＥＡ３（第３部品領域）を含んでいる。部品領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３に、部品Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３が、それぞれ配置される。部品領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３は、それぞれ、配線体ＷＳの複数の導体パッドＯＰの一部を含んでいる。すなわち、複数の導体パッドＯＰは、３つの部品領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３に亘って配置されていて、部品領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３それぞれに位置している。導体パッドＯＰは、例えば、はんだなどの導電性の接合材（図示せず）を介して、部品Ｅ１、部品Ｅ２、及び部品Ｅ３それぞれの電極と電気的及び機械的に接続され得る。
【0019】
配線基板１に搭載され得る部品Ｅ１～Ｅ３としては、例えば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品のような電子部品が例示される。すなわち、配線基板１及び部品Ｅ１～Ｅ３によって、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）が構成され得る。部品Ｅ１は、例えば、論理回路を組み込んだロジックチップなどの集積回路、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｕｎｉｔ）などの処理装置であり得、部品Ｅ２、Ｅ３は、例えば、ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）などのメモリ素子などであり得る。
【0020】
なお、配線基板１における部品搭載面ＩＳと反対側の表面は、外部の配線基板（例えば任意の電気機器のマザーボード）などの外部要素に配線基板１自体が実装される場合に、外部要素に接続される接続面であり得る。導体パッド２２ｐは、任意の基板、電気部品、又は機構部品などと接続され得る。
【0021】
【0022】
図２に示されるように、配線体ＷＳは、１以上の配線層（図２の例では配線層３２０～３２２を含む複数の配線層）と層間絶縁層３１とを含んでいる。図２の例では、第２面Ｂ側から順に、配線層３２０、３つの配線層３２１、及び、配線層３２２が設けられており、各配線層の間に層間絶縁層３１が介在している。複数の配線層３２０～３２２は、層間絶縁層３１を介して積層されている。配線層３２０は複数の導体パッドＩＰを含み、配線層３２２は、複数の導体パッドＯＰを含んでいる。各層間絶縁層３１には、各層間絶縁層３１を貫くビア導体３３が形成されている。ビア導体３３は、各層間絶縁層３１を挟む配線層同士を接続している。配線体ＷＳ内の配線層３２０～３２２は、導体層１０２、１２、１１２、２２（図１参照）とは、異なるプロセスで形成され得る。そのため、配線層３２０～３２２それぞれは、導体層１１２などが含み得る配線よりも微細で高密度に配置されている配線を含み得る。
【0023】
配線体ＷＳの第１面Ａは、複数の層間絶縁層３１のうちの最も第１面Ａ側に位置する層間絶縁層３１の表面（上面）によって構成されている。第２面Ｂは、最も第２面Ｂ側に位置する層間絶縁層３１の表面（下面）によって構成されている。図２では、配線層３２０は第２面Ｂを構成する層間絶縁層３１に埋め込まれているので、第２面Ｂは、最も第２面側の層間絶縁層３１の下面と、導体パッドＩＰの表面（下面）のような配線層３２０の表面（下面）によって構成されている。一方、配線層３２２は配線体ＷＳの第１面Ａから突出しており、導体パッドＯＰも第１面Ａから突出している。
【0024】
導体パッドＯＰの表面には、下地層ＰＳ１、及び下地層ＰＳ１の上の接続層ＰＳ２の２層から構成される金属層ＰＳが形成されている。下地層ＰＳ１は、例えば無電解めっきや電解めっきなどによって形成されていてニッケルなどの金属を含んでおり、接続層ＰＳ２と導体パッドＯＰとの間のバリア層として機能する。接続層ＰＳ２も、無電解めっきや電解めっきなどで形成されているが、接続層ＰＳ２は、例えばすずのような、比較的融点の低い金属を含んでおり、さらに銀や銅などを数％程度の含有量で含んでいてもよい。接続層ＰＳ２は、好ましくは、部品Ｅ１～Ｅ３と導体パッドＯＳとの接続の際に溶解し、部品Ｅ１～Ｅ３と導体パッドＯＳとの電気的及び機械的接続に寄与する。
【0025】
層間絶縁層３１は、例えば、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され得る。層間絶縁層３１は、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、ポリエステル樹脂（ＰＥ）、及び変性ポリイミド樹脂（ＭＰＩ）のうちのいずれかを含んでもよい。配線層３２０～３２２、及び、ビア導体３３を構成する導体としては、銅やニッケルなどが例示される。配線層３２０～３２２、及びビア導体３３は、金属膜層（例えば無電解銅めっき膜層）ＮＰ（図３参照）、及びめっき膜層（例えば電解銅めっき膜）ＥＰ（図３参照）を含む２層構造を有している。
【0026】
図２の例の配線体ＷＳにおいて３つの配線層３２１は、各配線層３２１の下側の層間絶縁層３１、すなわち各配線層３２１よりも前に形成されている層間絶縁層３１の上面に埋め込まれている。これら３つの配線層３２１は、各配線層３２１の下側の層間絶縁層３１の上面に形成された溝を充填する導体によって構成されている。下側の層間絶縁層３１に埋め込まれている配線層３２１は、比較的配線幅及び配線間距離の小さい配線群ＦＷを有し得る。配線層３２１は、配線基板１を構成する配線において最も小さい配線幅及び配線間距離を有する配線群ＦＷを含み得る。配線体ＷＳ内を伝播する電気信号に対して、より適切な特性インピーダンスを有する配線が備えられることがある。また、配線体ＷＳ内における配線の密度が向上し、配線設計の自由度が向上することがある。
【0027】
配線体ＷＳが有する配線群ＦＷの各配線の配線幅ＬＷの最小値は、例えば３．０μｍ以下であり得、配線群ＦＷの配線間距離ＧＷの最小値は、例えば３．０μｍ以下であり得る。さらに、配線群ＦＷの各配線のアスペクト比は、例えば、１．８以上、且つ、６．０以下であり得る。
【0028】
なお、図２の例では、配線体ＷＳに含まれる１以上の配線層３２０～３２２のうち、３つの配線層３２１が、それぞれの下側の層間絶縁層３１に埋め込まれており、そのうちの１層が配線群ＦＷを備えている。しかし、３つの配線層３２１のそれぞれが、配線基板１において最も小さい配線幅及び配線間距離を有する配線群ＦＷを備えていてもよい。また、配線体ＷＳは、下側の層間絶縁層に埋め込まれている配線層を任意の数で含み得る。図２の例にように配線体ＷＳに含まれる１以上の配線層３２０～３２２の一部が下側の層間絶縁層３１に埋め込まれていてもよく、１以上の配線層３２０～３２２の全部が下側の層間絶縁層３１に埋め込まれていてもよい。なお、配線体ＷＳの第１面Ａを構成する層間絶縁層３１の上面に配線層３２２が埋め込まれている場合、その層間絶縁層３１の上面と配線層３２２の上面（例えば導体パッドＯＰの上面）とによって、配線体ＷＳの第１面Ａが構成される。
【0029】
配線体ＷＳが備える配線群ＦＷには高周波信号が伝送されることがある。従って、高周波信号の伝送に有利な特性を有している層間絶縁層３１が好ましく、誘電率及び誘電正接の小さい材料で形成されている層間絶縁層３１が好ましいことがある。例えば、層間絶縁層３１は、周波数１ＧＨｚにおいて、３．３以下の比誘電率及び０．０３以下の誘電正接を有し上得る。
【0030】
図２に示されるように、配線体ＷＳの複数の導体パッドＯＰのうち、中央寄りの９個の導体パッドＯＰは、部品領域ＥＡ１内に位置し、その左側の４つの導体パッドＯＰは部品領域ＥＡ２に位置し、残る４つの導体パッドＯＰは部品領域ＥＡ３に位置している。すなわち、配線基板１の使用時に、中央寄りの９個の導体パッドＯＰは部品Ｅ１と、その左側の４つの導体パッドＯＰは部品Ｅ２と、残る４つの導体パッドＯＰは部品Ｅ３と、それぞれ接続され得る。
【0031】
図２に例示の配線体ＷＳは、複数の導体パッドＯＰそれぞれ同士を電気的に接続する配線ＢＷを含んでいる。図２の例では、３つの配線層３２１のうち、第２面Ｂ側の２つの配線層３２１が配線ＢＷを含んでいる。配線ＢＷは、その両端部のような２つの部分でビア導体３３を介して複数の導体パッドＯＰのいずれかと接続されている。実施形態の配線基板１では、部品領域ＥＡ１～ＥＡ３のうちの少なくとも２つの部品領域内の導体パッドＯＰ同士が、配線体ＷＳ内のいずれかの配線層を介して接続される。図２の例では、部品領域ＥＡ１に配置されている導体パッドＯＰの一部と部品領域ＥＡ２に配置されている導体パッドＯＰの一部とが、配線層３２１の配線ＢＷを介して電気的に接続されている。また、部品領域ＥＡ１に配置されている導体パッドＯＰの一部と、部品領域ＥＡ３に配置されている導体パッドＯＰの一部とが、配線層３２１の配線ＢＷを介して電気的に接続されている。このような構成により、配線基板１の使用時に図示されるように３つの部品Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３が搭載される場合において、隣り合う部品同士のそれぞれが短い経路で電気的に接続されると考えられる。そのため、部品Ｅ１～Ｅ３それぞれにおいて安定した動作が得られ易いと考えられる。
【0032】
なお、実施形態の配線基板１では、図２の例において、部品領域ＥＡ１に配置されている導体パッドＯＰの一部又は全部が、配線層３２０～３２１のいずれかを介して、部品領域ＥＡ２に配置されている導体パッドＯＰの一部若しくは全部とだけ電気的に接続されていてもよく、部品領域ＥＡ３に配置されている導体パッドＯＰの一部若しくは全部とだけ電気的に接続されていてもよい。また、部品領域ＥＡ２に配置されている導体パッドＯＰの一部又は全部と、部品領域ＥＡ３に配置されている導体パッドＯＰの一部又は全部とが、配線層３２０～３２２のいずれかを介して電気的に接続されていてもよい。その場合、部品領域ＥＡ１に配置されている導体パッドＯＰが、部品領域ＥＡ２に配置されている導体パッドＯＰ及び部品領域ＥＡ３に配置されている導体パッドＯＰのいずれか又は両方と電気的に接続されなくてもよい。
【0033】
前述したように、配線体ＷＳにおいて、導体パッドＩＰと導体パッドＯＰとは電気的に接続されている。図２の例において具体的には、導体パッドＩＰと導体パッドＯＰは配線体ＷＳを構成する配線層３２０～３２２及びビア導体３３を介して電気的に接続されている。そして、本実施形態では、配線体ＷＳの導体パッドＩＰと、第２絶縁層１１０の開口１１０ａに露出する接続パッドＰ１とが、導電性の接続部４を介して接している。すなわち、導体パッドＩＰと接続パッドＰ１とが電気的に接続されている。そのため、配線層３２０～３２２のような配線体ＷＳを構成する配線層と、第１導体層１１２のような配線体ＷＳと別個に形成されている導体層とを、短い経路で電気的に接続することができる。
【0034】
また、導体パッドＩＰと接続パッドＰ１とが電気的に接続されることにより、第１導体層１１２と配線体ＷＳの導体パッドＯＰも、ビア導体３３のような配線体ＷＳ内の導電体を介して電気的に接続されている。そのため、接続パッドＰ１のような平面視で配線体ＷＳの直下に設けられている導体層１１２や導体層１２（図１参照）の導体パターンと、配線基板１の使用時に搭載される部品Ｅ１～Ｅ３のような電子部品とを短い経路で電気的に接続できることがある。なお、「平面視」は、実施形態の配線基板をその厚さ方向（Ｚ方向）と平行な視線で見ることを意味している。
【0035】
特に、配線体ＷＳの直下に設けられている導体パターンと、部品Ｅ１～Ｅ３などの電子部品において配線体ＷＳを挟んでその導体パターンの真上に位置する特定の回路素子とを短い経路で接続できることがある。このように、実施形態の配線基板１では、配線基板１の使用時に、内部の導体層などの導電体と、配線基板１に搭載される部品とが短い経路で接続され得るので、搭載される部品の電気的特性が、低下することなく安定して発揮され易いと考えられる。そのため所望の電気的特性が得られ易いと考えられる。
【0036】
本実施形態では、接続部４は、複数の粒子４１と絶縁性樹脂４２とを含んでいる。複数の粒子４１及び絶縁性樹脂４２は、第１絶縁層１１１の表面Ｓ１と配線体ＷＳの第２面Ｂとの隙間Ｇを充填している。すなわち、接続部４は表面Ｓ１と第２面Ｂとの間に介在している。絶縁性樹脂４２は接着剤として機能する。絶縁性樹脂４２によって、第１絶縁層１１１の表面Ｓ１と配線体ＷＳの第２面Ｂとが接着されている。同様に、絶縁性樹脂４２によって、接続パッドＰ１における導体パッドＩＰとの対向面ＦＳ１と、導体パッドＩＰにおける接続パッドＰ１との対向面ＦＳ２とが接着されている。また、図２及び図３の例では、絶縁性樹脂４２によって、複数の接続パッドＰ１のうちの隣接する接続パッドＰ１同士が絶縁されており、同様に、絶縁性樹脂４２によって、複数の導体パッドＩＰのうちの隣接する導体パッドＩＰ同士が絶縁されている。しかし、接続パッドＰ１の対向面ＦＳ１と導体パッドＩＰの対向面ＦＳ２とは接続部４の粒子４１を介して接触している。
【0037】
図３に示されるように、接続部４が含む粒子４１は、中心部分を構成するコア部４１ａと、コア部４１ａを覆う金属部４１ｂと、金属部４１ｂを覆って粒子４１の表面部分を構成する被覆部４１ｃと、を有している。図３に示されるように、接続パッドＰ１と導体パッドＩＰとの間の粒子４１は、接続パッドＰ１及び導体パッドＩＰから押圧されることによって、接続パッドＰ１と導体パッドＩＰそれぞれとの接触部で潰れた扁平な形状を有している。この接触部それぞれにおいて金属部４１ｂが粒子４１の表面に露出しており、露出する金属部４１ｂによって、接続パッドＰ１と導体パッドＩＰが電気的に接続されている。金属部４１ｂは、例えばニッケル、銅又は金などで構成される。絶縁性樹脂４２としては、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの熱硬化性樹脂が例示される。接続部４は、例えば、所謂異方性導電フィルムや異方性導電シートなどを用いて設けられる。
【0038】
なお、本実施形態以外の実施形態において接続部４は、一部又は全部として導電体を含む任意の構造、形体、及び性状を有し得る。例えば、そのような実施形態において接続パッドＰ１と導体パッドＩＰとは、金属間の超音波接合によって接合されていてもよい。その場合、接続部４は、接続パッドＰ１及び導体パッドＩＰそれぞれの対向面における摩擦による変形部分（原子間結合が生じている部分）によって構成され得る。接続部４が含む導電体は、例えば、部品Ｅ１～Ｅ３と配線基板１との接続に用いられる、はんだなどの接続材（図示せず）や、その接続に寄与する金属層ＰＳの接続層ＰＳ２よりも高い融点を有する金属で構成されてもよい。
【0039】
図２や図３の例の配線基板１において導体パッドＩＰと接続パッドＰ１とは、配線体ＷＳの配置前に接続パッドＰ１上にはんだや金などの金属で形成される接続用のバンプを用いずに接続されている。すなわち、実施形態の配線基板１では、配線体ＷＳは、好ましくはバンプレスで接続パッドＰ１に接続されている。配線体ＷＳと接続パッドＰ１とが接続用の金属パンプを介して接続されると、接続パッドＰ１と導体パッドＩＰとの間に、その金属バンプに基づく比較的厚い接続層が形成され易い。そのため、所望の厚さ（薄さ）の配線基板や、その配線基板上に搭載された電子部品を含む所望の厚さ（薄さ）の電子部品モジュールが得られないことがある。
【0040】
しかし本実施形態では、配線体ＷＳが、例えば図３などに例示の接続部４によって接続パッドＰ１に接続されているので、比較的薄い配線基板１や、配線基板１を用いた比較的薄い電子部品モジュールが得られると考えられる。所望の薄さの配線基板１及び配線基板１を含む電子部品モジュールが得られることがある。
【0041】
このように配線体ＷＳが接続されている配線基板１における、配線体ＷＳの各面、第１及び第２の絶縁層１１１、１１０の各面、並びに接続パッドＩＰの対向面ＦＳ１の間のＺ方向における位置関係が、引き続き図３を参照して説明される。
【0042】
図３に示されるように、配線体ＷＳの導体パッドＩＰにおける接続パッドＰ１との対向面ＦＳ２と配線体ＷＳの第１面Ａとの距離Ｄ３は、第１絶縁層１１１の表面Ｓ１と第２絶縁層１１０の上面Ｓ２との距離Ｄ１よりも短い。一方、第１絶縁層１１１の表面Ｓ１と配線体ＷＳの第１面Ａとの距離Ｄ２と、第１絶縁層１１１の表面Ｓ１と第２絶縁層１１０の上面Ｓ２との距離Ｄ１とは略等しい。すなわち、距離Ｄ１と距離Ｄ２とが略等しいので、配線体ＷＳの第１面Ａから突出する導体パッドＯＰを除いて、配線体ＷＳの略全体が、配線基板１の最外層を構成する第２絶縁層１１０の開口１１０ａ内に収容されている。従って、配線体ＷＳの具備による厚さの増大なく、配線体ＷＳに含まれる微細な配線を含む配線基板１が実現されている。距離Ｄ１と略等しい距離Ｄ２（第１絶縁層１１１の表面Ｓ１と配線体ＷＳの第１面Ａとの距離）は、例えば、２５μｍ以上、４５μｍ以下である。
【0043】
さらに、そのように距離Ｄ１と距離Ｄ２との略同一の関係のもとで、距離Ｄ３が距離Ｄ１よりも短いので、接続パッドＰ１と電気的に接する導体パッドＩＰと、第１絶縁層１１１の表面Ｓ１との間には隙間Ｇが存在している。隙間Ｇが存在するので、接続パッドＰ１と導体パッドＩＰとがより確実に接続されるように、接続パッドＰ１を表面Ｓ１から突出させることができる。図３などの例では、現に接続パッドＰ１が表面Ｓ１から突出しており、導体パッドＩＰとの間のより確実な接続が実現されていると考えられる。このように本実施形態では、部分的に微細な配線を含み、搭載部品との間に短い接続経路を有し、しかも、比較的薄い配線基板が実現され得る。
【0044】
さらに、図３の例では、距離Ｄ３は、接続パッドＰ１の対向面ＦＳ１と第２絶縁層１１０の上面Ｓ２との間のＺ方向における距離Ｄ４（対向面ＦＳ１に対する上面Ｓ２の高さ）よりも小さい。そのため、接続パッドＰ１の対向面ＦＳ１と導体パッドＩＰの対向面ＦＳ２との間にも隙間Ｇ１が生じている。従って、対向面ＦＳ１と対向面ＦＳ２との間に、金属部４１ｂを含む粒子４１を介在させることができ、そのため、より確実な接続パッドＰ１と導体パッドＩＰの電気的接続が実現されていると考えられる。隙間Ｇ１の長さ（導体パッドＩＰと接続パッドＰ１との間における接続部４の厚さ）は、例えば、２μｍ以上、５μｍ以下である。なお、図３の例では、接続パッドＰ１は、その表面に、例えばニッケル層、パラジウム層、及び金層の３層を含む表面処理層ＰＳＳを備えている。接続パッドＰ１が図３の例のように表面処理層ＰＳＳを備えている場合は、対向面ＦＳ１は、図３に示されるように、表面処理層ＰＳＳにおける導体パッドＩＰとの対向面である。なお、接続パッドＰ１は、３以外の任意の層数の表面処理層を有し得る。
【0045】
また、図３に示されるように、図１～図３に例示の配線体ＷＳは、互いに異なる層間絶縁層３１を貫く複数のビア導体３３を含んでいる。複数のビア導体３３それぞれによって配線層３２０と配線層３２１とが接続されるか、配線層３２１同士が接続されるか、配線層３２１と配線層３２２とが接続されている。これら互いに異なる層間絶縁層３１を貫く複数のビア導体３３は、平面視で互いに重なるように形成されていてスタックビア導体を構成している。図３の例では、導体パッドＩＰと導体パッドＯＰとがスタックビア導体によって接続されている。従って、接続パッドＰ１と、例えば部品Ｅ３（図１参照）とが略最短の経路で電気的に接続されることがある。
【0046】
図４には、図１～図３の例の配線体ＷＳの変形例である配線体ＷＳ１が示されている。図４の例の配線体ＷＳ１では、配線層３２０～３２２のいずれも、下側の層間絶縁層３１に埋め込まれていない。このように実施形態の配線基板１は、下側の層間絶縁層３１に埋め込まれている配線層を含まない配線体ＷＳ１を含んでいてもよい。図４に示される配線体ＷＳ１では、配線体ＷＳ１を構成する配線層３２０及び３つの配線層３２１は、それぞれの上側の層間絶縁層３１内に向けて突出し、配線層３２２は、図２などに示される配線層３２２と同様に、配線体ＷＳ１の第１面Ａから突出している。
【0047】
図５Ａ～図５Ｅを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、実施形態の配線基板を製造する方法が説明される。先ず、図５Ａに示されるように、コア基板１００が用意される。コア基板１００の用意では、例えば、絶縁層１０１を含む両面銅張積層板が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって所定の導体パターンを含む導体層１０２が絶縁層１０１の両面に形成されると共に、スルーホール導体１０３が絶縁層１０１内に形成される。スルーホール導体１０３の空洞部には、エポキシ樹脂などを注入することによって充填体１０４が形成される。
【0048】
図５Ｂに示されるように、コア基板１００の一方の面Ｆ１上に絶縁層１１が形成され、絶縁層１１上に導体層１２が形成される。コア基板１００の他方の面Ｆ２上には絶縁層２１が形成され、絶縁層２１上に導体層２２が形成される。例えば絶縁層１１、２１は、フィルム状の絶縁性樹脂を、コア基板１００上に熱圧着することによって形成される。導体層１２、２２は、例えばレーザー光の照射による絶縁層１１、２１への貫通孔の形成の後に、セミアディティブ法などの任意の方法を用いて形成される。導体層１２、２２の形成と共に、絶縁層１１、２１に形成された貫通孔の内部にはビア導体１３、２３が形成される。
【0049】
図５Ｃに示されるように、コア基板１００の一方の面Ｆ１側において、絶縁層及び導体層の積層が繰り返され、第１ビルドアップ部１０が形成される。コア基板１００の他方の面Ｆ２側では絶縁層及び導体層の積層が繰り返され、第２ビルドアップ部２０が形成される。第１ビルドアップ部１０における最外の導体層（第１導体層１１２）は、接続パッドＰ１を含むように形成される。第２ビルドアップ部２０における最外の導体層２２には、導体パッド２２ｐが設けられる。接続パッドＰ１及び導体パッド２２ｐの表面には、例えば、無電解めっきにより、ニッケル層、パラジウム層、及び金層の３層を含む表面処理層ＰＳＳ（図３参照）が形成され得る。
【0050】
図５Ｄに示されるように、第１ビルドアップ部１０上に第２絶縁層１１０が形成され、第２ビルドアップ部２０上には第３絶縁層２１０が形成される。第２絶縁層１１０には、接続パッドＰ１を露出させる開口１１０ａが形成される。第３絶縁層２１０には導体パッド２２ｐを露出させる開口２１０ａが形成される。例えば、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又はフィルム貼り付けなどによって、感光性を有するエポキシ樹脂膜が形成されることで第２及び第３絶縁層１１０、２１０が形成され、露光及び現像により開口１１０ａ及び開口２１０ａが形成され得る。
【0051】
図５Ｅに示されるように、例えば後述される方法で形成された配線体ＷＳが、開口１１０ａ内に配置され、配線体ＷＳの導体パッドＩＰと第１導体層１１２の接続パッドＰ１とが電気的に接続される。図５Ｅには、図２及び図３に例示されたような導電体を含む粒子と絶縁性樹脂とを含む樹脂フィルム４０を用いる方法が示されている。なお、導体パッドＩＰと接続パッドＰ１との電気的な接続に、例えば前述した超音波接合が用いられる場合、開口１１０ａ内への配線体ＷＳの配置後、配線体ＷＳに超音波が加えられる。その超音波振動によって導体パッドＩＰ及び接続パッドＰ１の金属原子同士が原子間結合するまで近接し、導体パッドＩＰと接続パッドＰ１とが接合される。
【0052】
図５Ｅの例では、樹脂フィルム４０が開口１１０ａ内に配置される。樹脂フィルム４０は、適宜、加熱によって第１絶縁層１１１及び第１導体層１１２と仮接着される。その上に、配線体ＷＳが第２面Ｂを開口１１０ａの底面に向けて載置され、加熱及び加圧される。樹脂フィルム４０内の絶縁性樹脂が、加熱及び加圧による溶融後、再硬化することによって配線体ＷＳと第１絶縁層１１１及び第１導体層１１２とが接着される。また、導体パッドＩＰと接続パッドＰ１とに挟まれて押圧された樹脂フィルム４０内の粒子が変形することによって粒子内の金属部４１ｂ（図３参照）が露出する。露出した金属部４１ｂを介して導体パッドＩＰと接続パッドＰ１とが接することによって、両パッドが互いに電気的に接続される。配線体ＷＳは、先に図３を参照して説明された距離Ｄ１と距離Ｄ２とが略等しくなるように、開口１１０ａ内に配置されて固着される。その結果、図１の例の配線基板１が完成する。
【0053】
次に、図２に示される配線体ＷＳを例に、実施形態の配線基板に含まれる配線体の形成方法が、図６Ａ～図６Ｉを参照して説明される。先ず、図６Ａに示されるように、例えばガラス基板である、表面の平坦性が良好な第１支持基板ＧＳ１が用意される。なお、配線体の形成では、１枚の第１支持基板ＧＳ１上に、複数の配線体が形成され得る。図６Ａ～図６Ｉの例でも複数の配線体が連結状態で形成されるが、そのうちの１つの形成個所だけが図示されている。また、配線体の形成方法に関する以下の説明では、第１支持基板ＧＳ１に近い側は「下」もしくは「下側」と称され、第１支持基板ＧＳ１から遠い側は「上」もしくは「上側」と称される。従って、配線体を構成する各要素における第１支持基板ＧＳ１側を向く面は「下面」と称され、第１支持基板ＧＳ１と反対側と向く面は「上面」とも称される。
【0054】
第１支持基板ＧＳ１の一方の表面には、例えば光照射により着脱が可能な、アゾベンゼン系高分子接着剤を含む接着層ＡＬ１が設けられ、接着層ＡＬ１上に金属膜層ＮＰが形成される。金属膜層ＮＰは、例えば、無電解めっき又はスパッタリングなどによって形成される金属膜（好ましくは銅膜）である。金属膜層ＮＰは比較的薄い金属箔の接着により形成されてもよい。
【0055】
図６Ｂに示されるように、支持基板ＧＳ１上に、接着層ＡＬ１を介して、金属膜層ＮＰ（図６Ａ参照）と電解めっき膜層ＥＰ（図３参照）とを含む配線層３２０が形成される。配線層３２０は、導体パッドＩＰを含むように形成される。配線層３２０の形成では、例えばめっきレジスト（図示せず）が金属膜層ＮＰ上に形成され、このめっきレジストに導体パッドＩＰの形成領域に応じた開口が例えばフォトリソグラフィ技術により形成される。次いで、金属膜層ＮＰを給電層として用いる電解めっきによりめっきレジストの開口内に電解めっき膜が形成される。その後、めっきレジストが除去され、めっきレジストの除去により露出する金属膜層ＮＰがエッチングで除去される。図６Ｂに示される配線層３２０が得られる。
【0056】
図６Ｃに示されるように、配線層３２０を覆う層間絶縁層３１が形成される。層間絶縁層３１は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。フッ素樹脂、ＬＣＰ、ＰＴＦＥ樹脂、ＰＥ樹脂、又はＭＰＩ樹脂が用いられてもよい。
【0057】
層間絶縁層３１には溝Ｔ１、Ｔ２が形成される。溝Ｔ１はビア導体３３が形成されるべき位置に形成され、層間絶縁層３１を貫通して配線層３２０を露出させる。溝Ｔ２は層間絶縁層３１内に埋め込まれる配線層３２１の配線パターンに対応する位置に形成される。溝Ｔ１、Ｔ２は、例えばエキシマレーザーを用いるレーザー加工によって形成される。そして、層間絶縁層３１及び溝Ｔ１から露出する配線層３２０の上面全体を被覆するように金属膜層ＮＰが形成され、金属膜層ＮＰを給電層として用いる電解めっきによって電解めっき膜層ＥＰが形成される。溝Ｔ１内にビア導体３３が形成され、溝Ｔ２内に配線層３２１が形成される。
【0058】
図６Ｄに示されるように、電解めっき膜層ＥＰ及び金属膜層ＮＰ（図６Ｃ参照）の一部が研磨により除去される。互いに分離された所望の配線パターンを含む配線層３２１が得られる。電解めっき膜層ＥＰ及び金属膜層ＮＰの研磨は、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により行われる。そして、その研磨によって露出する層間絶縁層３１及び形成された配線層３２１の上面に、さらに層間絶縁層３１の形成及び配線層３２１の形成が繰り返される。
【0059】
図６Ｅに示されるように、最も上側の配線層３２１上に、配線体ＷＳの最も上側の層間絶縁層３１が形成される。この層間絶縁層３１に開口３３ａが形成され、例えばセミアディティブ法によって配線層３２２が形成されると共に、開口３３ａ内にビア導体３３が形成される。配線層３２２は、複数の導体パッドＯＰを含むように形成される。導体パッドＯＰの上面には、例えば、ニッケルを含む下地層ＰＳ１と、すずを含む接続層ＰＳ２とを含む金属層ＰＳが無電解めっき又は電解めっきなどによって形成される。
【0060】
図６Ｆに示されるように、配線層３２２の上に第２支持基板ＧＳ２が取り付けられる。第２支持基板ＧＳ２は、例えばガラス板で構成されており、その一方の面を配線層３２２側に向けて、配線層３２２との間に接着層ＡＬ２を介在させて取り付けられる。接着層ＡＬ２は、例えば接着層ＡＬ１と同様の材料から構成される。１つの第１支持基板ＧＳ１上に複数の配線体ＷＳが形成されている場合は、その複数の配線体ＷＳ全体に、１つの第２支持基板ＧＳ２が取り付けられてもよい。
【0061】
図６Ｇに示されるように、第１支持基板ＧＳ１が取り外される。導体パッドＩＰの下面及び導体パッドＩＰを覆う層間絶縁層３１の下面、すなわち配線体ＷＳの第２面Ｂが露出する。第１支持基板ＧＳ１は、例えば接着層ＡＬ１にレーザー光が照射されて接着層ＡＬ１が軟化した後、導体パッドＩＰ及び層間絶縁層３１から剥離される。なお、第２面Ｂ側に残留し得る接着層ＡＬ１は洗浄により除去され得る。連結状態の複数の配線体ＷＳに１つの第２支持基板ＧＳ２が取り付けられている場合は、連結状態の複数の配線体ＷＳが、第２支持基板ＧＳ２と共に個片化される。例えば、ダイシングソーによって所定の切断線Ｃに沿って第２支持基板ＧＳ２及び連結状態の配線体ＷＳが切断される。それぞれが第２支持基板ＧＳ２を第１面Ａ側に備えた個々の配線体ＷＳが得られる。
【0062】
個々の配線体ＷＳは、図５Ｅを参照して説明されたように、第２絶縁層１１０の開口１１０ａ内に配置され、導体パッドＩＰと接続パッドＰ１とが電気的に接続される。その後、第２支持基板ＧＳ２は、第１支持基板ＧＳ１の剥離と同様の方法で取り外される。図１に示される配線基板１が完成する。
【0063】
なお、図４の例の配線体ＷＳ１が形成される場合には、図６Ｃ及び図６Ｄを参照して説明された配線層３２１の形成方法ではなく、前述した最も上側の層間絶縁層３１及び配線層３２２の形成方法と同様の方法で配線層３２１が形成される。例えば、セミアディティブ法によって配線層３２１が形成される。
【0064】
図７には、図１に例示の一実施形態とは異なる他の実施形態の配線基板の一例である配線基板１ａが示されている。配線基板１ａは、導体ポストＭＰを含んでいる点と、２つの配線体ＷＳ２を含んでいる点で、図１の配線基板１と異なっている。これらの点を除いて、配線基板１ａは、図１の配線基板１と同様の材料を用いて形成されていて同様の構成要素を含むと共に同様の構造を有している。配線基板１ａにおける図１の配線基板１と同様の構成要素には、図７において、図１に付されている符号と同じ符号が付されるか適宜省略され、同様の構成要素、構造及び材料についての繰り返しとなる説明は省略される。
【0065】
配線基板１ａは、図１の配線基板１と同様に、第１絶縁層１１１と、接続パッドＰ１と、第２絶縁層１１０と、第１面Ａ及び第２面Ｂを有していて第１面Ａに複数の導体パッドＯＰを備えると共に第２面Ｂに導体パッドＩＰを備える配線体ＷＳ２と、を含んでいる。導体パッドＩＰと接続パッドＰ１とは、図３を参照して説明された接続部４と同様の導電性の接続部を介して接している。導体パッドＩＰの対向面ＦＳ２と配線体ＷＳ２の第１面Ａとの距離は、第１絶縁層１１１の表面Ｓ１と第２絶縁層１１０の上面Ｓ２との距離よりも短く、第１絶縁層１１１の表面Ｓ１と配線体ＷＳ２の第１面Ａとの距離は、表面Ｓ１と第２絶縁層１１０の上面Ｓ２との距離と略等しい。
【0066】
そして、配線基板１ａは、接続パッドＰ１を含む第１導体層１１２を図１の配線基板１と同様に含むと共に、第１導体層１１２上に形成されている導体ポストＭＰを含んでいる。導体ポストＭＰは、第２絶縁層１１０を貫いて第２絶縁層１１０の上面Ｓ２から突出している。導体ポストＭＰは、第１導体層１１２と反対側の端面ＭＰａを有しており、導体ポストＭＰのうちの第１導体層１１２と反対側の端面ＭＰａを含む部分が第２絶縁層１１０の上面Ｓ２から突出している。導体ポストＭＰは、例えば銅やニッケルなどの適切な導電性を有する金属で形成されている。
【0067】
配線基板１ａに含まれる第１導体層１１２は、接続パッドＰ１に加えて、導体ポストＭＰとの接続用の導体パッドである接続パッドＰ２を含んでいる。接続パッドＰ２の上に導体ポストＭＰが形成されている。一方、配線基板１ａに含まれる第２絶縁層１１０は、接続パッドＰ２上に第２絶縁層１１０を貫く開口１１０ｂを有している。導体ポストＭＰは、開口１１０ｂを充填する、例えば無電解めっき膜やスパッタリング膜、若しくは電解めっき膜、又はこれら金属膜の積層体によって構成されている。
【0068】
図７の例の配線基板１ａは複数の導体ポストＭＰを含んでおり、各導体ポストＭＰは、平面視で、部品領域ＥＡ１（第１部品領域）内、部品領域ＥＡ２（第２部品領域）内、又は部品領域ＥＡ３（第３部品領域）内に形成されている。すなわち、各導体ポストＭＰの端面ＭＰａは、平面視で、部品領域ＥＡ１、部品領域ＥＡ２、及び部品領域ＥＡ３のいずれかの内部に位置しており、部品Ｅ１～部品Ｅ３それぞれの搭載用の導体パッドとして用いられ得る。従って、部品Ｅ１～Ｅ３それぞれには、配線体ＷＳ２の導体パッドＯＰに接続される電極と、導体ポストＭＰの端面ＭＰａに接続される電極とが混在することがある。
【0069】
本実施形態の配線基板１ａでは、第１絶縁層１１１の表面Ｓ１と導体ポストＭＰの端面ＭＰａとの距離Ｄ５は、導体パッドＯＰにおける第１絶縁層１１１側と反対側の表面ＯＰａと第１絶縁層１１１の表面Ｓ１との距離Ｄ６と略等しい。従って、部品Ｅ１～Ｅ３が、安定して配線基板１ａに載置され得ると考えられる。なお、図１及び図７の例のように導体パッドＯＰが第１絶縁層１１１と反対側に金属層ＰＳを備えている場合は、導体パッドＯＰの表面ＯＰａは、金属層ＰＳにおける第１絶縁層１１１側と反対側の表面である。しかし、導体パッドＯＰが金属層ＰＳのような被膜を第１絶縁層１１１側と反対側に備えていない場合は、導体パッドＯＰの表面ＯＰａは、導体パッドＯＰにおける第１絶縁層１１側と反対側への露出面である。
【0070】
前述したように、配線基板１ａは、２つの配線体ＷＳ２を含んでいる。２つの配線体ＷＳ２は、第２絶縁層１１０に個別に設けられた２つの開口１１０ａに個別に配置されている。２つの配線体ＷＳはそれぞれ、異なる２つの部品領域それぞれと平面視で部分的に重なるように配置されている。図７において左側の配線体ＷＳ２は、部品領域ＥＡ１及び部品領域ＥＡ２それぞれと部分的に重なるように配置されており、部品領域ＥＡ１に含まれる導体パッドＯＰと部品領域ＥＡ２に含まれる導体パッドＯＰとが、配線体ＷＳ２内の配線によって電気的に接続されている。一方、図７において右側の配線体ＷＳ２は、部品領域ＥＡ１及び部品領域ＥＡ３それぞれと部分的に重なるように配置されており、部品領域ＥＡ１に含まれる導体パッドＯＰと部品領域ＥＡ３に含まれる導体パッドＯＰとが、配線体ＷＳ２内の配線によって電気的に接続されている。このように、実施形態の配線基板は、複数の部品領域それぞれと部分的に重なるようにそれぞれが配置された複数の配線体を含んでいてもよい。
【0071】
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、実施形態の配線基板は、接続パッドＰ１及び導体パッドＩＰをそれぞれ１つだけ備えていてもよい。部品搭載面は２以上の任意の数の部品領域を含み得る。配線体ＷＳは任意の数の層間絶縁層及び配線層を有し得る。第１ビルドアップ部１０及び第２ビルドアップ部２０は任意の層数の絶縁層及び導体層を有し得る。また、実施形態の配線基板は、コア基板を有する態様に限定されない。
【符号の説明】
【0072】
１、１ａ 配線基板
１１０ 第２絶縁層
１１０ａ、１１０ｂ 開口
１１１ 第１絶縁層
１１２ 第１導体層
３１ 層間絶縁層
３２０～３２２ 配線層
３３ ビア導体
４ 接続部
４１ 粒子
４１ｂ 金属部
４２ 絶縁性樹脂
Ａ 配線体の第１面
Ｂ 配線体の第２面
Ｄ１ 第１絶縁層の表面と第２絶縁層の上面との距離
Ｄ２ 第１絶縁層の表面と配線体の第１面との距離
Ｄ３ 第２導体パッドの対向面と配線体の第１面との距離
Ｄ５ 第１絶縁層の表面と導体ポストの端面との距離
Ｄ６ 第１導体パッドにおける第１絶縁層側と反対側の表面と第１絶縁層の表面との距離
ＥＡ１～ＥＡ３ 部品領域（第１～第３部品領域）
ＦＳ２ 第２導体パッドの対向面
ＦＷ 配線群
Ｇ 第１絶縁層の表面と配線体の第２面との隙間
Ｇ１ 接続パッドの対向面と第２導体パッドの対向面との間の隙間
（導体パッドと接続パッドとの間の接続部の厚さ）
ＧＷ 配線群の配線間距離
ＩＰ 導体パッド（第２導体パッド）
ＩＳ 部品搭載面
ＬＷ 配線群の配線幅
ＭＰ 導体ポスト
ＭＰａ 端面
Ｐ１、Ｐ２ 接続パッド
ＯＰ 導体パッド（第１導体パッド）
ＯＰａ 表面
Ｓ１ 第１絶縁層の表面
Ｓ２ 第２絶縁層の上面
ＷＳ、ＷＳ１、ＷＳ２ 配線体
１１０ 第２絶縁層
１１０ａ、１１０ｂ 開口
１１１ 第１絶縁層
１１２ 第１導体層
３１ 層間絶縁層
３２０～３２２ 配線層
３３ ビア導体
４ 接続部
４１ 粒子
４１ｂ 金属部
４２ 絶縁性樹脂
Ａ 配線体の第１面
Ｂ 配線体の第２面
Ｄ１ 第１絶縁層の表面と第２絶縁層の上面との距離
Ｄ２ 第１絶縁層の表面と配線体の第１面との距離
Ｄ３ 第２導体パッドの対向面と配線体の第１面との距離
Ｄ５ 第１絶縁層の表面と導体ポストの端面との距離
Ｄ６ 第１導体パッドにおける第１絶縁層側と反対側の表面と第１絶縁層の表面との距離
ＥＡ１～ＥＡ３ 部品領域（第１～第３部品領域）
ＦＳ２ 第２導体パッドの対向面
ＦＷ 配線群
Ｇ 第１絶縁層の表面と配線体の第２面との隙間
Ｇ１ 接続パッドの対向面と第２導体パッドの対向面との間の隙間
（導体パッドと接続パッドとの間の接続部の厚さ）
ＧＷ 配線群の配線間距離
ＩＰ 導体パッド（第２導体パッド）
ＩＳ 部品搭載面
ＬＷ 配線群の配線幅
ＭＰ 導体ポスト
ＭＰａ 端面
Ｐ１、Ｐ２ 接続パッド
ＯＰ 導体パッド（第１導体パッド）
ＯＰａ 表面
Ｓ１ 第１絶縁層の表面
Ｓ２ 第２絶縁層の上面
ＷＳ、ＷＳ１、ＷＳ２ 配線体
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図6E】
【図6F】
【図6G】
【図7】