知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ ティーピーケイ アドバンスド ソリューションズ インコーポレーテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023162086
(43)【公開日】2023-11-08
(54)【発明の名称】タッチセンサ及びタッチセンサの製造方法
(51)【国際特許分類】
G06F 3/041 20060101AFI20231031BHJP
G06F 3/044 20060101ALI20231031BHJP
【ＦＩ】
G06F3/041 430
G06F3/041 450
G06F3/044 122
G06F3/041 660
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022102779
(22)【出願日】2022-06-27
(31)【優先権主張番号】202210449029.2
(32)【優先日】2022-04-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(71)【出願人】
【識別番号】519308156
【氏名又は名称】ティーピーケイ アドバンスド ソリューションズ インコーポレーテッド
【氏名又は名称原語表記】ＴＰＫ ＡＤＶＡＮＣＥＤ ＳＯＬＵＴＩＯＮＳ ＩＮＣ
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【弁理士】
【氏名又は名称】家入 健
(72)【発明者】
【氏名】リウ シャオジエ
(72)【発明者】
【氏名】リン チアジュイ
(72)【発明者】
【氏名】ユー チェンシェン
(72)【発明者】
【氏名】ジャン ジアン
(72)【発明者】
【氏名】シュウ シーチャン
(72)【発明者】
【氏名】ファン ジュンフア
(72)【発明者】
【氏名】バイ メイフェン
(72)【発明者】
【氏名】ワン ソンシン
(72)【発明者】
【氏名】ジャン ロンユン
(72)【発明者】
【氏名】ファン ボー
(57)【要約】
【課題】柔軟性の要件及び狭いベゼルの設計の要件を満たすことが可能なタッチセンサ及びタッチセンサの製造方法を提供すること。
【解決手段】可視領域及び周辺領域を有するタッチセンサは、基板、金属ナノワイヤ層、及び銀層を含む。金属ナノワイヤ層は、基板の主要面に配置され、電極部と、第１の配線及び第２の配線を画定する。第１の配線は、電極部に接続されたリードアウト部と、リードアウト部に接続されたリード部とを含む。第２の配線は、可視領域から相対的に離れた第１の配線の１つの側に配置され、かつ、主要面の縁部に隣接する。銀層は、第１の配線及び第２の配線に積層されており、可視領域に対向する第１の側面と、可視領域に対して反対側に位置する第２の側面とを有する。第１の側面の縁部の粗さは、第２の側面の縁部の粗さよりも大きい。
【選択図】図１Ｂ
【解決手段】可視領域及び周辺領域を有するタッチセンサは、基板、金属ナノワイヤ層、及び銀層を含む。金属ナノワイヤ層は、基板の主要面に配置され、電極部と、第１の配線及び第２の配線を画定する。第１の配線は、電極部に接続されたリードアウト部と、リードアウト部に接続されたリード部とを含む。第２の配線は、可視領域から相対的に離れた第１の配線の１つの側に配置され、かつ、主要面の縁部に隣接する。銀層は、第１の配線及び第２の配線に積層されており、可視領域に対向する第１の側面と、可視領域に対して反対側に位置する第２の側面とを有する。第１の側面の縁部の粗さは、第２の側面の縁部の粗さよりも大きい。
【選択図】図１Ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
可視領域と、前記可視領域の少なくとも１つの側に隣接する周辺領域とを有するタッチセンサであって、
基板と、
前記基板の主要面に配置された金属ナノワイヤ層であって、前記金属ナノワイヤ層は、前記可視領域に対応する電極部を画定し、かつ、前記周辺領域に対応する第１の配線及び第２の配線を画定し、前記第２の配線は、前記第１の配線から離れて配置され、前記第１の配線は、リードアウト部と、リード部とを含み、前記リードアウト部は、前記電極部に隣接して接続され、前記リード部は、前記リードアウト部に接続され、前記第２の配線は、前記可視領域から相対的に離れた前記第１の配線の１つの側に配置され、かつ、前記主要面の縁部に隣接する、金属ナノワイヤ層と、
前記第１の配線及び前記第２の配線に積層されて接触する銀層であって、前記銀層は、前記可視領域に対向する、前記リードアウト部上の第１の側面と、前記第２の配線の前記可視領域に対して反対側に位置する第２の側面とを有し、前記銀層の前記第１の側面の縁部の粗さが、前記銀層の前記第２の側面の縁部の粗さよりも大きい、銀層と
を備えたタッチセンサ。
基板と、
前記基板の主要面に配置された金属ナノワイヤ層であって、前記金属ナノワイヤ層は、前記可視領域に対応する電極部を画定し、かつ、前記周辺領域に対応する第１の配線及び第２の配線を画定し、前記第２の配線は、前記第１の配線から離れて配置され、前記第１の配線は、リードアウト部と、リード部とを含み、前記リードアウト部は、前記電極部に隣接して接続され、前記リード部は、前記リードアウト部に接続され、前記第２の配線は、前記可視領域から相対的に離れた前記第１の配線の１つの側に配置され、かつ、前記主要面の縁部に隣接する、金属ナノワイヤ層と、
前記第１の配線及び前記第２の配線に積層されて接触する銀層であって、前記銀層は、前記可視領域に対向する、前記リードアウト部上の第１の側面と、前記第２の配線の前記可視領域に対して反対側に位置する第２の側面とを有し、前記銀層の前記第１の側面の縁部の粗さが、前記銀層の前記第２の側面の縁部の粗さよりも大きい、銀層と
を備えたタッチセンサ。
【請求項2】
前記金属ナノワイヤ層は、前記周辺領域に対応する、間隔を空けて配置された複数の前記第１の配線を画定し、
前記銀層は、前記第１の配線の上面に配置されて前記上面に接触し、前記タッチセンサの複数の周辺配線を形成する、請求項１に記載のタッチセンサ。
前記銀層は、前記第１の配線の上面に配置されて前記上面に接触し、前記タッチセンサの複数の周辺配線を形成する、請求項１に記載のタッチセンサ。
【請求項3】
前記銀層は、前記可視領域に対して反対側に位置する、前記リードアウト部上の第３の側面と、前記第１の側面及び前記第３の側面を接続する２つの第４の側面とを有しており、
前記リードアウト部、前記銀層の前記第３の側面、及び前記銀層の前記２つの第４の側面は、整列した側壁を有する、請求項１又は２に記載のタッチセンサ。
前記リードアウト部、前記銀層の前記第３の側面、及び前記銀層の前記２つの第４の側面は、整列した側壁を有する、請求項１又は２に記載のタッチセンサ。
【請求項4】
前記リード部と、前記リード部に積層されて接触する前記銀層は、整列した側壁を有する、請求項１に記載のタッチセンサ。
【請求項5】
前記銀層は、前記第２の配線の前記可視領域に対向する第５の側面を有しており、
前記第２の配線及び前記銀層の前記第５の側面は、整列した側壁を有する、請求項１に記載のタッチセンサ。
前記第２の配線及び前記銀層の前記第５の側面は、整列した側壁を有する、請求項１に記載のタッチセンサ。
【請求項6】
前記銀層の前記第１の側面の前記縁部の粗さの幅は、１０μｍ以上かつ５０μｍ以下の範囲内であり、
前記銀層の前記第２の側面の前記縁部の粗さの幅は、０．０１μｍ以上かつ５μｍ以下の範囲内である、請求項１に記載のタッチセンサ。
前記銀層の前記第２の側面の前記縁部の粗さの幅は、０．０１μｍ以上かつ５μｍ以下の範囲内である、請求項１に記載のタッチセンサ。
【請求項7】
前記周辺配線の線幅が、６μｍ以上かつ１０μｍ以下の範囲内であり、
前記周辺配線の隣接する２つの周辺配線の線間隔が、６μｍ以上かつ１０μｍ以下の範囲内である、請求項２に記載のタッチセンサ。
前記周辺配線の隣接する２つの周辺配線の線間隔が、６μｍ以上かつ１０μｍ以下の範囲内である、請求項２に記載のタッチセンサ。
【請求項8】
可視領域と、前記可視領域の少なくとも１つの側に隣接する周辺領域とを有するタッチセンサの製造方法であって、
前記可視領域及び前記周辺領域に対応する金属ナノワイヤ材料層を基板の主要面に形成し、
スクリーン印刷処理を実施して、前記周辺領域に対応する銀材料層を前記金属ナノワイヤ材料層に形成し、
前記金属ナノワイヤ材料層及び前記銀材料層を覆うフォトレジスト層を形成し、
露光処理及び現像処理を実施して、前記フォトレジスト層にパターンを形成し、前記パターンの形成されたフォトレジスト層は、前記可視領域に対応する電極部を画定し、かつ、前記周辺領域に対応する第１の配線パターン及び第２の配線パターンを画定し、前記第２の配線パターンは、前記第１の配線パターンから離れて配置され、前記第１の配線パターンは、リードアウト部のパターンと、リード部のパターンとを含み、前記リードアウト部のパターンは、前記電極部のパターンに隣接して接続され、前記リード部のパターンは、前記リードアウト部のパターンに接続され、前記第２の配線パターンは、前記可視領域から相対的に離れた前記第１の配線パターンの１つの側に配置され、かつ、前記主要面の縁部に隣接し、前記パターンの形成された前記フォトレジスト層の前記電極部のパターン及び前記リードアウト部のパターンは、連続した被覆層であり、
１回目のエッチング処理を実施し、前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンを用いて、前記銀材料層にパターンを形成し、
２回目のエッチング処理を実施し、前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンを用いて、前記金属ナノワイヤ材料層にパターンを形成し、
前記フォトレジスト層を除去する、
タッチセンサの製造方法。
前記可視領域及び前記周辺領域に対応する金属ナノワイヤ材料層を基板の主要面に形成し、
スクリーン印刷処理を実施して、前記周辺領域に対応する銀材料層を前記金属ナノワイヤ材料層に形成し、
前記金属ナノワイヤ材料層及び前記銀材料層を覆うフォトレジスト層を形成し、
露光処理及び現像処理を実施して、前記フォトレジスト層にパターンを形成し、前記パターンの形成されたフォトレジスト層は、前記可視領域に対応する電極部を画定し、かつ、前記周辺領域に対応する第１の配線パターン及び第２の配線パターンを画定し、前記第２の配線パターンは、前記第１の配線パターンから離れて配置され、前記第１の配線パターンは、リードアウト部のパターンと、リード部のパターンとを含み、前記リードアウト部のパターンは、前記電極部のパターンに隣接して接続され、前記リード部のパターンは、前記リードアウト部のパターンに接続され、前記第２の配線パターンは、前記可視領域から相対的に離れた前記第１の配線パターンの１つの側に配置され、かつ、前記主要面の縁部に隣接し、前記パターンの形成された前記フォトレジスト層の前記電極部のパターン及び前記リードアウト部のパターンは、連続した被覆層であり、
１回目のエッチング処理を実施し、前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンを用いて、前記銀材料層にパターンを形成し、
２回目のエッチング処理を実施し、前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンを用いて、前記金属ナノワイヤ材料層にパターンを形成し、
前記フォトレジスト層を除去する、
タッチセンサの製造方法。
【請求項9】
前記１回目のエッチング処理の後、前記２回目のエッチング処理の前に、プラズマ処理を実施し、前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンを用いて、前記パターンの形成された前記銀材料層が処理される、請求項８に記載のタッチセンサの製造方法。
【請求項10】
前記１回目のエッチング処理の後、前記プラズマ処理の前に、化学洗浄処理を実施し、前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンを用いて、前記パターンの形成された前記銀材料層を前処理する、請求項９に記載のタッチセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、タッチセンサ及びタッチセンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、携帯電話、ノートパソコン、衛星ナビゲーションシステム、デジタルＡＶプレーヤ等の携帯型の電子機器において、タッチセンサが広く利用されており、ユーザと電子機器の間の情報通信チャネルとしての役割を果たしている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
ベゼルの狭い電子機器の需要が徐々に増加しているため、本技術分野では、ユーザのニーズを満たすために、電子機器の曲げ易さを改善し、また、電子機器のベゼルのサイズを縮小化することに取り組んでいる。一般に、タッチセンサは、可視領域に配置された接触電極と、その周辺領域に配置された周辺回路とを含み、タッチパネルの曲げ要件に基づき、現在、周辺回路の材料として、銀ペーストが、好んで利用されている。銀ペースト材料に関し、スクリーン印刷処理を行って銀ペースト材料から銀層を形成するのが一般的であり、また、銀層にパターンを形成することにより、パターンを有する周辺回路を形成するのが一般的である。また、周辺領域に設計された周辺回路は、タッチパネルをベゼルの狭い製品に応用するのに影響を与える。したがって、周辺回路の材料としての銀ペーストの使用に基づき、柔軟性の要件及び狭いベゼルの設計の要件を満たすことが可能なタッチセンサを如何に提供するかについては、目下研究する価値がある。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本開示のいくつかの実施形態によれば、可視領域と、可視領域の少なくとも１つの側に隣接する周辺領域とを有するタッチセンサが、基板と、金属ナノワイヤ層と、銀層とを含む。金属ナノワイヤ層は、基板の主要面に配置されており、可視領域に対応する電極部を画定し、また、周辺領域に対応する第１の配線及び第２の配線を画定する。第２の配線は、第１の配線と間隔を空けて配置される。第１の配線は、リードアウト部と、リード部とを含む。リードアウト部は、電極部に隣接して接続される。リード部は、リードアウト部に接続され、第２の配線は、可視領域から相対的に離れた第１の配線の１つの側に配置され、主要面の縁部に隣接する。銀層は、第１の配線及び第２の配線に重ねられ、第１の配線及び第２の配線に接触する。銀層は、可視領域に対向する、リードアウト部上の第１の側面と、可視領域に対して反対側に位置する第２の配線の第２の側面とを有する。ここで、銀層の第１の側面の縁部の粗さは、銀層の第２の側面の縁部の粗さよりも大きい。
【0005】
本開示のいくつかの実施形態では、銀層の第１の側面の縁部の粗さの幅は、１０μｍ以上かつ５０μｍ以下の範囲内とし得る。銀層の第２の側面の縁部の粗さの幅は、０．０１μｍ以上かつ５μｍ以下の範囲内とし得る。
【0006】
本開示のいくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ層は、周辺領域に対応する、間隔を空けて配置された複数の第１の配線を画定し得る。銀層は、第１の配線の上面に配置され、第１の配線の上面と接触し、タッチセンサの複数の周辺配線を形成し得る。
【0007】
本開示のいくつかの実施形態では、周辺配線の線幅は、６μｍ以上かつ１０μｍ以下の範囲内とし得る。周辺配線の隣接する任意の２つの周辺配線の線間隔は、６μｍ以上かつ１０μｍ以下の範囲内とし得る。
【0008】
本開示のいくつかの実施形態では、銀層は、可視領域に対して反対側に位置する、リードアウト部上の第３の側面と、第１の側面と第３の側面とを接続する２つの第４の側面とを有し得る。リードアウト部、銀層の第３の側面、及び銀層の２つの第４の側面は、整列した側壁を有し得る。
【0009】
本開示のいくつかの実施形態では、リード部、及びリード部に積層されて接触する銀層は、整列した側壁を有し得る。
【0010】
本開示のいくつかの実施形態では、銀層は、可視領域に対向する第２の配線の第５の側面を有し得る。第２の配線及び銀層の第５の側面は、整列した側壁を有し得る。
【0011】
本開示のいくつかの他の実施形態によれば、可視領域と、可視領域の少なくとも１つの側に隣接する周辺領域とを有するタッチセンサの製造方法は、
金属ナノワイヤ材料層を基板の主要面に形成する工程であって、金属ナノワイヤ材料層は、可視領域及び周辺領域に対応する、工程と、
スクリーン印刷処理を実施して、銀材料層を金属ナノワイヤ材料層に形成する工程であって、銀材料層は周辺領域に対応する、工程と、
フォトレジスト層を形成して、金属ナノワイヤ材料層及び銀材料層を覆う工程と、
露光処理及び現像処理を実施して、フォトレジスト層にパターンを形成する工程であって、パターンの形成されたフォトレジスト層は、可視領域に対応する電極部のパターンを画定し、周辺領域に対応する第１の配線パターン及び第２の配線パターンを画定し、第２の配線パターンは、第１の配線パターンから離れており、第１の配線パターンは、リードアウト部のパターンと、リード部のパターンとを含み、リードアウト部のパターンは、電極部のパターンに隣接して接続され、リード部のパターンは、リードアウト部のパターンに接続され、第２の配線パターンは、可視領域から相対的に離れた第１の配線パターンの１つの側に配置され、かつ、主要面の縁部に隣接し、パターンの形成されたフォトレジスト層の電極部のパターン及びリードアウト部のパターンは、連続した被覆層である、工程と、
１回目のエッチング処理を実施し、第１の配線パターン及び第２の配線パターンを用いて、銀材料層にパターンを形成する工程と、
２回目のエッチング処理を実施し、第１の配線パターン及び第２の配線パターンを用いて、金属ナノワイヤ材料層にパターンを形成する工程と、
フォトレジスト層を除去する工程とを含む。
金属ナノワイヤ材料層を基板の主要面に形成する工程であって、金属ナノワイヤ材料層は、可視領域及び周辺領域に対応する、工程と、
スクリーン印刷処理を実施して、銀材料層を金属ナノワイヤ材料層に形成する工程であって、銀材料層は周辺領域に対応する、工程と、
フォトレジスト層を形成して、金属ナノワイヤ材料層及び銀材料層を覆う工程と、
露光処理及び現像処理を実施して、フォトレジスト層にパターンを形成する工程であって、パターンの形成されたフォトレジスト層は、可視領域に対応する電極部のパターンを画定し、周辺領域に対応する第１の配線パターン及び第２の配線パターンを画定し、第２の配線パターンは、第１の配線パターンから離れており、第１の配線パターンは、リードアウト部のパターンと、リード部のパターンとを含み、リードアウト部のパターンは、電極部のパターンに隣接して接続され、リード部のパターンは、リードアウト部のパターンに接続され、第２の配線パターンは、可視領域から相対的に離れた第１の配線パターンの１つの側に配置され、かつ、主要面の縁部に隣接し、パターンの形成されたフォトレジスト層の電極部のパターン及びリードアウト部のパターンは、連続した被覆層である、工程と、
１回目のエッチング処理を実施し、第１の配線パターン及び第２の配線パターンを用いて、銀材料層にパターンを形成する工程と、
２回目のエッチング処理を実施し、第１の配線パターン及び第２の配線パターンを用いて、金属ナノワイヤ材料層にパターンを形成する工程と、
フォトレジスト層を除去する工程とを含む。
【0012】
本開示のいくつかの実施形態では、タッチセンサの製造方法は、１回目のエッチング処理の後、２回目のエッチング処理の前に、プラズマ処理を実施する工程をさらに含み得る。これにより、パターンの形成された銀材料層は、第１の配線パターン及び第２の配線パターンを用いて処理される。
【0013】
本開示のいくつかの実施形態では、タッチセンサの製造方法は、１回目のエッチング処理の後、プラズマ処理の前に、化学洗浄処理を実施する工程をさらに含み得る。これにより、パターンの形成された銀材料層は、第１の配線パターン及び第２の配線パターンを用いて前処理される。
【発明の効果】
【0014】
上述した本開示の実施形態によれば、本開示のタッチセンサは、電極部、第１の配線及び第２の配線を含む金属ナノワイヤ層と、第１の配線及び第２の配線に積層されて接触する銀層とを含むように設計される。第２の配線に配置され、かつ、可視領域に対して反対側に位置する銀層の側面の縁部の粗さの大きさ（例えば、幅）は、第１の配線に配置され、かつ可視領域に対向する銀層の側面の縁部の粗さの大きさよりも小さいため、タッチセンサの最も外側の周辺配線（例えば、接地線）の縁部を、より滑らかなにすることができ（換言すると、縁部の粗さは無視でき）、タッチセンサの狭いベゼルの要件を満たすのに有利である。また、電極部及び第１の配線を一体的に形成して、接触電極と周辺配線との電気的接続を直接形成することにより、タッチセンサのための追加の重複構造を設計する必要がない。これにより、周辺領域に対応する重複構造が占める領域を省略でき、重複を考慮する必要がないため、タッチセンサのベゼルを狭くするのに有利である。さらに、本開示のタッチセンサの積層構造の設計に基づく、タッチセンサの製造時において、パターンの形成されたフォトレジスト層は、その電極部のパターンと、そのリードアウト部のパターンとの間に連続して延在するように設計され、１回の露光処理及び現像処理により、接触電極及び周辺配線を一度に形成することができ（換言すると、単一のフォトレジスト層のみが使用される）、これにより、製造の工程及びコストを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
本開示は、以下の添付図面を参照して実施形態の以下の詳細な説明を読むことにより、より完全に理解することができる。
【図1A】本開示のいくつかの実施形態に係るタッチセンサを示す概略的かつ部分的な上面図である。
【図2】本開示のいくつかの実施形態に係る縁部の粗さの幅の測定方法を示す概略図である。
【図3】本開示のいくつかの実施形態に係るタッチセンサの製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本開示の実施形態について詳細に参照し、その例を添付図面に示す。しかしながら、これらの詳細は、本開示を限定するものではないことを理解すべきである。さらに、読者の便宜ため、図中の各構成部品の大きさは、実際の大きさで図示していない。「下側」又は「底部」及び「上側」又は「上部」等の相対的な用語は、図に示すように、或る構成部品と別の構成部品との間の関係を説明するために本明細書で使用され得ることを理解すべきである。相対的な用語は、図に示す装置の向きと異なる向きを含むことを理解すべきである。
【0017】
図１Ａ及び図１Ｂを参照する。図１Ａは、本開示のいくつかの実施形態に係るタッチセンサ１００を示す概略的かつ部分的な上面図である。図１Ｂは、図１Ａの断面線Ａ－Ａ’に沿ったタッチセンサを示す概略的な断面図である。タッチセンサ１００は、基板１１０と、金属ナノワイヤ層１２０と、銀層１３０とを含む。いくつかの実施形態では、タッチセンサ１００は、可視領域ＶＡと、周辺領域ＰＡとを有する。周辺領域ＰＡは、可視領域ＶＡの複数の側方に位置する。例えば、周辺領域ＰＡは、タッチセンサ１００を上面から見たときに、可視領域ＶＡの左側及び下側に位置するＬ字型の領域とし得る。他の例として、周辺領域ＰＡは、可視領域ＶＡの周囲に位置するフレーム型の領域、換言すると、タッチセンサ１００を上面から見たときに、可視領域ＶＡの右側、左側、上側及び下側に位置する領域とし得る。基板１１０は、金属ナノワイヤ層１２０及び銀層１３０を支持するように構成された主要面１１１を有する。基板１１０は、例えば、剛性の透明基板又は可撓性の透明基板とし得る。いくつかの実施形態では、基板１１０の材料は、透明材料、例えば、ガラス、アクリル、ポリ塩化ビニル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、無色ポリイミド、又はこれらの組合せなどを含み得るが、これらに限定されない。
【0018】
金属ナノワイヤ層１２０は、基板１１０の主要面１１１に配置されており、可視領域ＶＡ及び周辺領域ＰＡに対応する。いくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ層１２０は、基質と、基質内に含まれる複数の金属ナノワイヤ（図示せず）とを含み得る。基質は、ポリ（メタクリル酸メチル）等のアクリル材料を含み得る。金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤ、金ナノワイヤ、銅ナノワイヤ、ニッケルナノワイヤ、又はこれらの組み合わせを含み得る。金属ナノワイヤ層１２０は、可視領域ＶＡに対応する電極部Ｅを画定する。電極部Ｅは、タッチ機能を実現するように構成される。換言すると、電極部Ｅは、タッチセンサ１００の接触電極ＥＴを、少なくとも構成され得る。いくつかの実施形態では、電極部Ｅは、基板１１０に形成された片面単層構造、両面単層構造、又は片面二層構造とし得る。図１Ａに示す実施形態では、電極部Ｅは、基板１１０の片面に形成された単層電極構造の一例であり、複数の電極部Ｅが、交差しないように配置される。例えば、電極部Ｅは、第１の方向Ｄ１に延在し、かつ、第２の方向Ｄ２に間隔を空けて配置された帯状の電極とし得る。ここで、第１の方向Ｄ１は、第２の方向Ｄ２と直交する。また、各電極部Ｅは、並列に配置されて接続された複数の電極線Ｌを有し得る。例えば、図１Ａに示す実施形態では、各電極部Ｅは、並列に配置されて接続された３本の電極線Ｌを含む。
【0019】
金属ナノワイヤ層１２０は、周辺領域ＰＡに対応する配線Ｔを画定する。配線Ｔは、間隔を置いて配置された第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２を含む。第２の配線Ｔ２は、可視領域ＶＡから相対的に離れた第１の配線Ｔ１の１つの側に配置され、また、基板１１０の主要面１１１の縁部１１２に隣接し、これと平行する。第１の配線Ｔ１は、リードアウト部Ｔ１１と、リード部Ｔ１２とを含む。リードアウト部Ｔ１１は、電極部Ｅに隣接して接続される。リード部Ｔ１２は、リードアウト部Ｔ１１に接続される。換言すると、電極部Ｅ、リードアウト部Ｔ１１及びリード部Ｔ１２は、可視領域ＶＡから周辺領域ＰＡに向かって連続して延在し、可視領域ＶＡ及び周辺領域ＰＡに跨る信号伝送路を形成する。いくつかの実施形態では、リードアウト部Ｔ１１は、電極部Ｅの複数の並列した電極線Ｌを接続するように構成された構成部品とすることができ、リードアウト部Ｔ１１が占める領域により、銀層１３０が金属ナノワイヤ層１２０と安定して電気的に接続するための領域が提供される。本実施形態では、可視領域ＶＡと同じ側に配置された第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２に関し、第２の配線Ｔ２は、可視領域ＶＡと周辺領域ＰＡの境界Ｂに平行であり、また、境界Ｂの延在方向（例えば、第２の方向Ｄ２）に延在する第１の配線Ｔ１のリード部Ｔ１２と間隔を空けて平行に配置される。
【0020】
銀層１３０は、基板１１０の主要面１１１に配置され、第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２に積層されて接触する。具体的には、本実施形態では、本開示の第１の配線Ｔ１は、タッチ信号を、例えば、外部の電子部品に伝送するために、タッチセンサ１００の信号線ＳＴを形成するように構成され得る。このため、第１の配線Ｔ１の数は、通常、電極部Ｅの数に対応するように、複数個に設計される。一方、第２の配線Ｔ２は、例えば、タッチセンサ１００の接地線ＧＴを形成して、静電波又は電磁波の干渉を防ぐように構成され得る。また、いくつかの実施形態では、周辺領域ＰＡは、可視領域ＶＡの周囲に配置されたフレーム型の領域であり、第２の配線Ｔ２は、基板１１０の主要面１１１の４つの辺に沿って配置され、可視領域ＶＡの全体及び第１の配線Ｔ１を囲む。他の実施形態では、接地線ＧＴの設計を必要としない場合、第２の配線Ｔ２は、全ての信号線ＳＴのうち、可視領域ＶＡから最も遠い信号線ＳＴを形成するように構成され得る。したがって、第２の配線Ｔ２が提供する機能に関わらず、本開示の銀層１３０は、第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２の上面ＴＳに積層されて接触し、タッチセンサ１００の複数の周辺配線ＰＴを形成する。換言すると、本開示の周辺配線ＰＴは、二層構造を有しており、金属ナノワイヤ層１２０が、相対的に基板１１０の近く配置され、また、銀層１３０が、基板１１０の反対側に位置する金属ナノワイヤ層１２０の面に重ねられる。
【0021】
また、本実施形態に係る銀層１３０は、第１の配線Ｔ１のリードアウト部Ｔ１１に、少なくとも部分的に重なり、また、第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２のリード部Ｔ１２に、完全に重なってもよい。換言すると、基板１１０のリードアウト部Ｔ１１に積層されて接触する銀層１３０の垂直方向の突出部が、基板１１０のリードアウト部Ｔ１１の垂直方向の突出部に、少なくとも部分的に重なってもよい。また、基板１１０のリード部Ｔ１２及び第２の配線Ｔ２に積層されて接触する銀層１３０の垂直方向の突出部が、基板１１０のリード部Ｔ１２及び第２の配線Ｔ２の垂直方向の突出部に完全に重なってもよい。このような金属ナノワイヤ層１２０及び銀層１３０の構成に基づき、金属ナノワイヤ層１２０に属する電極部Ｅ及び第１の配線Ｔ１を一体的に形成することにより、接触電極ＥＴと周辺配線ＰＴの電気的接続を直接的に形成できる。このため、接触電極ＥＴと周辺配線ＰＴの電気的接続を実現するための追加の重複構造を設計する必要がなく、その結果、周辺領域ＰＡに対応する重複構造が占める領域を省略でき、重複を考慮する必要がないため、タッチセンサ１００の狭いベゼルの要件を満たすため有利である。
【0022】
補足として、複数の周辺配線ＰＴが互いに絶縁され、また、間隔を空けて配置されるため、本開示の銀層１３０は、第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２の上面ＴＳにのみ配置されて、第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２と重なる。これにより、銀層１３０と、第１の配線Ｔ１／第２の配線Ｔ２が、整列した側壁１３４を有する。換言すると、銀層１３０が第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２に重ねられた場合、銀層１３０は、第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２の側壁を覆うことがないため、周辺配線ＰＴの線幅が大きくなるのを防ぐことができる。別の視点（例えば、上方から又は側方）から見ると、銀層１３０と第１の配線Ｔ１／第２の配線Ｔ２は、実質的に同じパターンを有する。
【0023】
図１Ｃは、図１Ａのタッチセンサ１００の領域Ｒを示す概略的かつ部分的な拡大図である。図１Ｂ及び図１Ｃを参照する。銀層１３０は、第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２に積層されて接触する。銀層１３０は、第１の側面１３１と、第２の側面１３３とを有する。第１の側面１３１は、可視領域ＶＡに対向しており、第１の配線Ｔ１のリードアウト部Ｔ１１上に配置される。第２の側面１３３は、可視領域ＶＡに対して反対側に位置しており、第２の配線Ｔ２上に配置される。タッチセンサ１００を製造するために実施される本開示の１回のマスクエッチング処理により（詳細については、以降の段落を参照されたい）、銀層１３０に特定の形状を形成することができる。具体的は、銀層１３０の第１の側面１３１は、連続して延在する縁部の粗さＳＥ１を有する。また、銀層１３０の第２の側面１３３も、連続して延在する縁部の粗さＳＥ２を有する。銀層１３０の第１の側面１３１の縁部の粗さＳＥ１の大きさ（例えば、幅ＷＳＥ１）は、銀層１３０の第２の側面１３３の縁部の粗さＳＥ２の大きさ（例えば、幅ＷＳＥ２）よりも大きい。さらに、本開示で使用する用語「縁部の粗さ」は、縁部が不均一で凹凸を有することを意味する用語「鋸歯状の縁部」とし得ることに留意すべきである。換言すると、縁部の粗さは、任意の数の凹部及び凸部を含み得る。各凹部及び各凸部の輪郭形状は、本開示を限定するものではなく、規則的又は不規則なものである。用語「縁部の粗さ」は、用語「鋸歯状の縁部」とし得るが、縁部の粗さは、必ずしも鋸歯の鋭い形状を意味するものではない。なお、タッチセンサ１００を１つの側から見た場合（換言すると、図１Ｂの視点から見た場合）、縁部の粗さＳＥ１，ＳＥ２の具体的な位置は、銀層１３０の上面１３２と外側壁１３６との折り返し点Ｃに位置することに留意すべきである。
【0024】
銀層１３０の第２の側面１３３における縁部の粗さＳＥ２の幅ＷＳＥ２を測定する方法についてさらに補足する。図１Ｃ及び図２を参照する。図２は、本開示のいくつかの実施形態に係る縁部の粗さの幅を測定する方法を示す概略図である。図２には、一例として長方形のタッチセンサ１００が示されている。図２のタッチセンサ１００の電極部Ｅは、帯状の電極であり、第１の方向Ｄ１に延在し、かつ、第２の方向Ｄ２に間隔を空けて配置される。銀層１３０の第２の側面１３３における縁部の粗さＳＥ２の幅ＷＳＥ２は、接地線ＧＴの銀層１３０を具体的に測定することによって得ることができる。測定方法は、以下の工程を含み得る。工程Ｓ１では、接地線ＧＴの長さＬ２を、４点Ｏ１～Ｏ４で長さが等しい５つのセクションに分割する。ここでは、接地線ＧＴは、タッチセンサ１００の１つの側に配置されており、第２の方向Ｄ２に延在する。工程Ｓ２では、点Ｏ１を、オリンパスの光学顕微鏡の観測範囲Ｒ１（観測範囲Ｒ１が対物レンズの１０倍、接眼レンズの１０倍）の中心点とする。次いで、第２の方向Ｄ２に延びる第１の測定線Ｍ１が、縁部の粗さＳＥ２の最も凹んだ部分の最も凹んだ点Ｐ１に接するように調整する。そして、第２の方向Ｄ２に同様に延びる第２の測定線Ｍ２が、縁部の粗さＳＥ２の最も出っ張った部分の最も出っ張った点Ｐ２に接するように調整する（明確に理解するために、図１Ｃを参照されたい）。工程Ｓ３では、第１の測定線Ｍ１と第２の測定線Ｍ２との垂直距離を測定し、観測範囲Ｒ１における縁部の粗さＳＥ２の幅を得る。工程Ｓ４では、点Ｏ２～点Ｏ４を、それぞれ同じオリンパスの光学顕微鏡の観測範囲Ｒ２～Ｒ４（観測範囲Ｒ２～Ｒ４が対物レンズの１０倍、接眼レンズの１０倍）の中心点とし、工程Ｓ２～Ｓ３を繰り返して、観測範囲Ｒ２～Ｒ４における縁部の粗さＳＥ２の幅をそれぞれ得る。工程Ｓ５では、先行する工程で得られた観測範囲Ｒ１～Ｒ４における縁部の粗さＳＥ２の幅（計４個）の平均値を算出し、その平均値を、銀層１３０の第２の側面１３３における縁部の粗さＳＥ２の幅ＷＳＥ２とする。工程Ｓ１～Ｓ５を実施することにより、銀層１３０の第２の側面１３３における縁部の粗さＳＥ２の幅ＷＳＥ２が得られる。なお、図１Ｃでは、観測範囲Ｒ１における第１の測定線Ｍ１と第２の測定線Ｍ２との垂直距離を、直接的に縁部の粗さＳＥ２の幅ＷＳＥ２としているが、縁部の粗さＳＥ２の幅ＷＳＥ２は、実際には観測範囲Ｒ１～Ｒ４で得られた縁部の粗さＳＥ２の幅の平均値であることに留意すべきである。
【0025】
銀層１３０の第１の側面１３１における縁部の粗さＳＥ１の幅ＷＳＥ１を測定する方法についてさらに補足する。図１Ｃ及び図２を再び参照する。銀層１３０の第１の側面１３１における縁部の粗さＳＥ１の幅ＷＳＥ１の測定方法は、以下の工程を含み得る。工程Ｓ１’では、第２の方向Ｄ２に間隔を空けて配置された全ての電極部Ｅの全長Ｌ１を、４点Ｏ１’～Ｏ４’で長さの等しいセクションに分割する。ここで、全長Ｌ１は、第２の方向Ｄ２に延在する。工程Ｓ２では、点Ｏ１’を、オリンパスの光学顕微鏡の観測範囲Ｒ１’（観測範囲Ｒ１’が対物レンズの１０倍、接眼レンズの１０倍）の中心点とし、縁部の粗さＳＥ１について上記工程Ｓ２を実施する。工程Ｓ３’では、上記工程Ｓ３を実施する。ここでは、工程Ｓ３の詳細は割愛する。工程Ｓ４’では、点Ｏ２’～Ｏ４’を、それぞれ同じオリンパスの光学顕微鏡の観測範囲Ｒ２’～Ｒ４’（観測範囲Ｒ２’～Ｒ４’が対物レンズの１０倍、接眼レンズの１０倍）の中心点とし、縁部の粗さＳＥ１について、上記工程Ｓ４を実施する。工程Ｓ５’では、先行する工程で得られた観測範囲Ｒ１’～Ｒ４’における縁部の粗さＳＥ１の幅（計４個）の平均値を算出し、銀層１３０の第１の側面１３１における縁部の粗さＳＥ１の幅ＷＳＥ１とする。工程Ｓ１’～工程Ｓ５’を実施することにより、銀層１３０の第１の側面１３１における縁部の粗さＳＥ１の幅ＷＳＥ１を求めることができる。なお、図１Ｃでは、観測範囲Ｒ１’における第１の測定線Ｍ１と第２の測定線Ｍ２との間の垂直距離が、直接的に縁部の粗さＳＥ１の幅ＷＳＥ１とされているが、縁部の粗さＳＥ１の幅ＷＳＥ１は、実際には観測範囲Ｒ１’～Ｒ４’において得られた縁部の粗さＳＥ１の幅の平均値であることに留意すべきである。
【0026】
図１Ｂ及び図１Ｃを参照する。いくつかの実施形態では、銀層１３０の第１の側面１３１の縁部の粗さＳＥ１の幅ＷＳＥ１を、１０μｍ以上かつ５０μｍ以下の範囲内とし得る。また、銀層１３０の第２の側面１３３の縁部の粗さＳＥ２の幅ＷＳＥ２を、０．０１μｍ以上かつ５μｍ以下の範囲内とし得る。本開示では、マスクエッチングを１回実施するため、第１の配線Ｔ１のリードアウト部Ｔ１１に配置される銀層１３０の第１の側面１３１がエッチングされないように制御することにより、銀層１３０の下に位置するリードアウト部Ｔ１１が同時にエッチングされるのを防ぐことができる。その結果、電極部Ｅとリード部Ｔ１２との電気的接続が遮断されるのを防止できる。したがって、銀層１３０のスクリーン印刷処理によって生じた縁部の粗さＳＥ１は、銀層１３０の第１の側面１３１に残る。換言すると、銀層１３０の第１の側面１３１以外、第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２における銀層１３０の他の側面をエッチングしてトリミングすることができ、銀層１３０、第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２が、整列した側壁を有することができる。したがって、銀層１３０の第２の側面１３３を含む側面は、縁部の粗さが比較的小さくなる。具体的には、第１の配線Ｔ１と、第１の配線Ｔ１に配置された銀層１３０に関し、銀層１３０は、（第１の側面１３１と比較して）可視領域ＶＡから相対的に離れた、リードアウト部Ｔ１１上の第３の側面１３５と、第１の側面１３１及び第３の側面１３５を接続する２つの第４の側面１３７とを有する。リードアウト部Ｔ１１、銀層１３０の第３の側面１３５、及び銀層１３０の２つの第４の側面１３７は、整列した側壁１３４を有する。また、リード部Ｔ１２と、リード部Ｔ１２に積層されて接触する銀層１３０も、整列した側壁１３４を有する。第２の配線Ｔ２と、第２の配線Ｔ２に配置された銀層１３０に関し、銀層１３０は、（第２の側面１３３と比べて）可視領域ＶＡから相対的に離れた、第２の配線Ｔ２上の第５の側面１３９を有する。第２の配線Ｔ２及び銀層１３０の第５の側面１３９は、整列した側壁１３４を有する。なお、本開示では、まず、金属ナノワイヤ層１２０を形成する材料層が、周辺領域ＰＡの全面に対応して形成され、次に、銀層１３０を形成する材料層が、周辺領域ＰＡの全面に対応して形成され、そして、マスクエッチング処理が１回実施され、上述した材料層にパターンが形成され、周辺配線ＰＴがさらに形成される。したがって、リードアウト部Ｔ１１、銀層１３０の第３の側面１３５、及びリードアウト部Ｔ１１上の銀層１３０の第４の側面１３７は、整列した側壁１３４を有することができる。そのため、銀層１３０とリードアウト部Ｔ１１の重複構造のための重複を考慮する必要がなく、タッチセンサ１００の狭いベゼル要件を満たすのに有利である。
【0027】
補足として、本開示の１回のマスクエッチング処理とレーザ処理との相違点について説明する。レーザ処理は、例えば、基板１１０の主要面１１１に垂直な方向からレーザ光線を照射するものである。レーザ光線は、第１の方向Ｄ１又は第２の方向Ｄ２に直線的に走査及びエッチングを行う。したがって、レーザ処理は、銀層１３０の第２の側面１３３の縁部の粗さＳＥ２をエッチング及びトリミングできないことがある。例えば、トリミングのためにレーザ光線の位置を、縁部の粗さＳＥ２の最も出っ張った部分に合わせると、エッチングの対象の銀層１３０は、相対的に凹んだ縁部の粗さＳＥ２の凹部に存在しないため、レーザ光線が基板１１０に損傷を与える可能性がある。したがって、パターンを形成するためにレーザ処理を行うと、銀層１３０の第２の側面１３３の縁部の粗さＳＥ２をトリミングできず、その結果、スクリーン印刷処理によって縁部の粗さＳＥ２（例えば、１０μｍ以上かつ５０μｍ以下）の相対的に大きな幅ＷＳＥ２が残る。
【0028】
また、本開示の１回のマスクエッチング処理により、周辺領域ＰＡに対応する並列に配置された複数の周辺配線ＰＴの線幅Ｗ１を、６μｍ以上かつ１０μｍ以下の範囲内とし得る。また、隣接する２つの周辺配線ＰＴの線間隔Ｄを、６μｍ以上かつ１０μｍ以下の範囲内とし得る。当業者であれば、線幅Ｗ１及び線間隔Ｄは、タッチセンサ１００の同じ側にあり、かつ、同じ方向（例えば、第２の方向Ｄ２）に並列して延在する周辺配線ＰＴの線幅Ｗ１及び線間隔Ｄとし得ることが理解できる。本開示の二層構造の周辺配線ＰＴの線幅Ｗ１及び線間隔Ｄは、タッチセンサ１００の周辺領域ＰＡ（例えば、周辺領域ＰＡの幅Ｗ）の大きさに一定の影響を与える特定の範囲内とすることができる。周辺領域ＰＡの大きさが、端末製品のベゼルの大きさにさらに影響を与えるため、本開示のタッチセンサ１００は、電気的仕様の要件及びベゼルの狭い製品の要件を満たすことができる。また、いくつかの実施形態において、第２の配線Ｔ２が接地線ＧＴとして機能するように設計されている場合、接地線ＧＴのシールド効果（帯電防止及び電磁波による妨害の防止）を高めるため、必要に応じて、接地線ＧＴの線幅Ｗ１を、信号線ＳＴの線幅Ｗ１よりも大きくすることができる。しかしながら、このような調整は、本開示のタッチセンサ１００の周辺領域ＰＡがベゼルの狭い製品の要件を満たすことを妨げるものではない。
【0029】
いくつかの実施形態では、タッチセンサ１００は、基板１１０の主要面１１１に配置され、かつ、金属ナノワイヤ層１２０及び銀層１３０の全体を覆う保護層１４０をさらに含み得る。保護層１４０は、絶縁性樹脂、有機材料又は無機材料を含み得る。例えば、保護層１４０は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレンスルホン酸、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレンコポリマー、ポリ（３,４－エチレンジオキシチオフェン）、セラミック、又はこれらの組み合わせ等の材料を含み得る。
【0030】
説明した構成部品の接続関係及び機能は、以下の説明では繰り返さないことに留意されたい。本開示のいくつかの実施形態に係るタッチセンサ１００の製造方法を示すフローチャートを示す図３を参照する。以下の説明では、図４Ａ～図４Ｉに示す工程は、タッチセンサ１００の製造方法を説明するための例である。図４Ａ～図４Ｉは、図１Ｂのタッチセンサ１００の製造方法を、異なる工程で示す概略的な断面図である。タッチセンサ１００の製造方法は、工程Ｓ１０～Ｓ１８を含む。また、工程Ｓ１０～Ｓ１８は、順次実施してもよい。
【0031】
まず、図４Ａを参照する。工程Ｓ１０では、金属ナノワイヤ材料層２２０が、基板１１０の主要面１１１に形成される。ここで、金属ナノワイヤ材料層２２０は、可視領域ＶＡ及び周辺領域ＰＡに対応する。具体的には、スクリーン印刷、ノズルコーティング、又はローラーコーティング等の処理を用いて、少なくとも金属ナノワイヤ及び基質を含む分散体（ディスパージョン）又はスラリーを、基板１１０の主要面１１１に形成することができる。次いで、分散体又はスラリーを硬化又は乾燥して、基板１１０の主要面１１１に配置された金属ナノワイヤ材料層２２０を形成する。いくつかの実施形態では、ロールツーロール処理を実施し、連続的に供給される基板１１０の主要面１１１に分散液又はスラリーをコーティングすることができる。いくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ材料層２２０が形成される前に、基板１１０の主要面１１１に前処理を施すことができる。例えば、表面改良処理を行い、又は、基板１１０の主要面１１１に接着剤層や樹脂層を追加で塗布して、基板１１０と他の層との接着を強化することができる。
【0032】
次に、図４Ｂを参照する。工程Ｓ１１では、スクリーン印刷処理が実施され、銀材料層２３０が金属ナノワイヤ材料層２２０に形成される。ここで、銀材料層２３０は、周辺領域ＰＡに対応する。具体的には、スクリーン印刷処理により、銀ペースト材料が基板１１０に形成され得る。ここで、銀材料層２３０は、周辺領域ＰＡに対応し、周辺領域ＰＡに対応する金属ナノワイヤ材料層２２０を覆う。次いで、銀ペースト材料が硬化又は乾燥され、銀材料層２３０が形成される。スクリーンは、その全ての面に複数のメッシュ孔を有する。一般的に使用されるスクリーンは、例えば、２つの交角を有するスクリーンであるため、スクリーンのメッシュ孔の配置により、鋸歯状、凹部、凸部を含む非直線的な縁部が、スクリーン印刷処理の施された層全体の縁部に形成される。その結果、形成された銀材料層２３０は、その縁部に、縁部の粗さが生じ得る（ここで、縁部とは、銀材料層２３０の上面２３１と側壁２３３の間の折り返し点Ｃを意味する）。図４Ｂに示すように、縁部の粗さは、可視領域ＶＡに対向する銀材料層２３０全体の縁部に形成される。また、縁部の粗さは、可視領域ＶＡに対して反対側に位置し、かつ、基板１１０の主要面１１１の縁部に隣接する銀材料層２３０全体の縁部にも形成される。当業者であれば、スクリーン印刷によって形成される縁部の粗さの大きさ（例えば、幅）に影響を与える要因には、例えば、スクリーンメッシュの数、スクリーンとスキージとの距離、スクリーン印刷のスキージ圧力、スクリーン印刷のスキージ速度、スクリーンと印刷対象の表面との距離、銀ペースト材料のレベル特性（銀ペースト材料のレベル特性は、銀ペースト材料の粘度に影響され得る）等のパラメータが含まれることを理解できるであろう。いくつかの実施形態では、スクリーンメッシュの数は、６４０個であり、スクリーンとスキージとの距離は３ｍｍであり、スクリーン印刷のスキージ速度は５０ｍ／ｍｉｎであり、スクリーンと印刷対象の表面との距離は２．５ｍｍであり、銀ペースト材料の粘度は１０００ｃｐ以上かつ５０００ｃｐ以下である。この点に関し、本開示のスクリーン印刷処理によって形成される銀材料層２３０の縁部の粗さの幅は、１０μｍ以上かつ５０μｍ以下の範囲に調整できる。
【0033】
異なる種類の銀ペースト材料をさらに用いて、本開示の銀材料層２３０を形成してもよい。具体的には、第１の種類の銀ペースト材料は、溶媒、アクリル材料（例えば、ポリ（メタクリル酸メチル））、及び銀粒子を含み得る。第２の種類の銀ペースト材料は、アルデヒド官能基（例えば、アセトアルデヒドのアルデヒド官能基）と銀アンモニア錯体との反応を含む銀ミラー反応によって銀元素を生成することができる。この反応式は、以下の通りである。
【数1】
【0034】
いくつかの実施形態では、１回のスクリーン印刷処理によって形成された銀材料層２３０の厚さＨに関し、第１の種類の銀ペースト材料を用いて形成された銀材料層２３０の厚さＨは、約１μｍ～１．５μｍとし得る。また、第２の種類の銀ペースト材料を用いて形成された銀材料層２３０の厚さＨは、５００ｎｍ～６００ｎｍの範囲とし得る。
【0035】
次に、図４Ｃを参照する。工程Ｓ１２では、フォトレジスト層２４０が基板１１０の主要面１１１に形成され、金属ナノワイヤ材料層２２０及び銀材料層２３０を完全に覆う。次に、図４Ｄを参照する。工程Ｓ１３では、露光処理及び現像処理が実施され、その結果、フォトレジスト層２４０にパターンが形成される。金属ナノワイヤ材料層２２０及び銀材料層２３０に形成される所望のパターンは、１回の露光処理及び現像処理によって、単一のフォトレジスト層２４０に一度に形成され、その結果、製造の工程及びコストを低減する。いくつかの実施形態では、フォトレジスト層２４０は、可視領域ＶＡに対応する電極部のパターンＰＥを画定し、また、周辺領域ＰＡに対応する第１の配線パターンＰＴ１及び第２の配線パターンＰＴ２を画定する、ここで、第１の配線パターンＰＴ１は、第２の配線パターンＰＴ２から離され、絶縁される。第１の配線パターンＰＴ１は、電極部のパターンＰＥに隣接して接続されたリードアウト部のパターンＰＴ１１と、リードアウト部のパターンＰＴ１１に接続されたリード部のパターンＰＴ１２とを含む。第２の配線パターンＰＴ２は、可視領域ＶＡから相対的に離れた第１の配線パターンＰＴ１の１つの側に配置され、主要面１１１の縁部１１２に隣接する。パターンの形成されたフォトレジスト層２４０の電極部のパターンＰＥ、第１の配線パターンＰＴ１及び第２の配線パターンＰＴ２は、後続のエッチング処理で金属ナノワイヤ材料層２２０及び銀材料層２３０に転写される。そして、フォトレジスト層２４０が除去されると、電極部Ｅ、第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２を含む金属ナノワイヤ層１２０と、第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２に積層されて接触する銀層１３０が形成される（具体的な構成について、図１Ｂを参照されたい）。
【0036】
次いで、図４Ｅを参照する。工程Ｓ１４では、１回目のエッチング処理が実施され、周辺領域ＰＡに対応する銀材料層２３０に所望のパターンが形成される。具体的には、第１の配線パターンＰＴ１及び第２の配線パターンＰＴ２を用いて、銀材料層２３０にパターンが形成され、等角のパターンと共に、第１の配線パターンＰＴ１のリード部のパターンＰＴ１２のパターンと、第２の配線パターンＰＴ２のパターンが形成される。なお、上述した工程Ｓ１３（図４Ｄ）では、パターンの形成されたフォトレジスト層２４０は、その電極部のパターンＰＥとリードアウト部のパターンＰＴ１１とを連続して覆う面を有する。換言すると、パターンの形成されたフォトレジスト層２４０は、その電極部のパターンＰＥと、そのリードアウト部のパターンＰＴ１１とを連続して延在する。そのため、可視領域ＶＡに対向し、かつ、非エッチング領域に位置する銀材料層２３０にスクリーン印刷処理によって形成される縁部の粗さは、フォトレジスト層２４０により覆われるため、１回目のエッチング処理でエッチングやトリミングがされない。そのため、可視領域ＶＡに対向し、かつ、非エッチング領域に位置する銀材料層２３０の縁部の粗さの幅は、１０μｍ以上かつ５０μｍ以下の範囲に維持されることを理解すべきである。一方、上述した工程Ｓ１３（図４Ｄ）では、可視領域ＶＡに対して反対側に位置し、非エッチング領域に位置する銀材料層２３０に形成された縁部の粗さは、フォトレジスト層２４０によって覆われないため、可視領域ＶＡに対して反対側に位置する銀材料層２３０の縁部の粗さは、１回目のエッチング処理でエッチング及びトリミングされ得る。そのため、可視領域ＶＡに対して反対側に位置する銀材料層２３０の縁部の粗さの幅は、０．０１μｍ以上かつ５μｍ以下の範囲に低減できる。いくつかの実施形態では、銀材料層２３０をエッチングするためのエッチング液の主成分は、例えば、硝酸及び硝酸鉄を含み得る。これらは、銀材料層２３０の下層の金属ナノワイヤ材料層２２０をエッチングすることなく、銀材料層２３０を選択的にエッチングできる。いくつかの実施形態では、銀材料層２３０のエッチング深さは、例えば、エッチング時間を調整することによって調整できる。
【0037】
なお、図４Ｅに示すように、銀材料層２３０をエッチングした後、通常、エッチング領域Ｓに樹脂等の残留物２５０が残る。この残留物２５０は、金属ナノワイヤ材料層２２０のエッチング精度に影響を与え、さらに、要件を満たすために周辺配線ＰＴの線幅Ｗ１及び線間隔Ｄを小さくすることが困難な場合がある。この点に関し、工程Ｓ１５について図４Ｆを参照する。いくつかの実施形態では、化学洗浄処理が実施され、パターンの形成された銀材料層２３０が、第１の配線パターンＰＴ１及び第２の配線パターンＰＴ２を用いて、前処理される。具体的には、エッチング領域Ｓの残留物２５０が、前処理される。いくつかの実施形態では、化学洗浄処理中に、銀材料層２３０の樹脂を除去可能な化学洗浄剤を用いて、気温が約４５°Ｃ、シャワーヘッドの圧力が約０．２ＭＰaで、約４０秒間、表面処理が行われ、その結果、エッチング領域Ｓの残留物２５０が除去される。
【0038】
図４Ｆに示すように、化学洗浄処理の後、エッチング領域Ｓの残留物２５０は、ほぼ除去できる。しかしながら、化学洗浄処理は、化学反応によって残留物２５０を除去するため、化学平衡に達した後、残留物２５０を除去できず、エッチング領域Ｓの残留物２５０を完全に除去できない場合がある。例えば、工程Ｓ１１において第１の種類の銀ペースト材料を用いて銀材料層２３０を形成する場合、厚さ約１．５μｍの銀材料層２３０に対して、工程Ｓ１４の１回目のエッチング処理（図４Ｅ）を行った後、エッチング領域Ｓに残存する残留物２５０の厚さは約３００ｎｍとなることがある。また、工程Ｓ１５の化学洗浄処理（図４Ｆ）を行った後、エッチング領域Ｓに残存する残留物２５０の厚さは約５０ｎｍとなることがある。
【0039】
さらに、金属ナノワイヤ材料層２２０のエッチング精度をさらに向上させるために、残留物２５０を完全に除去する必要がある場合、工程Ｓ１６についての図４Ｇを参照する。いくつかの実施形態では、プラズマ処理工程が実施され、その結果、パターンの形成された銀材料層２３０が、第１の配線パターンＰＴ１及び第２の配線パターンＰＴ２を用いて、さらに処理される。具体的には、エッチング領域Ｓの残留物２５０がさらに処理される。プラズマ処理は非選択的であるため、処理環境に曝された全ての表面は、物理的に除去され、その結果、残留物２５０を完全に除去できる。いくつかの実施形態では、プラズマ処理は、銀材料層２３０に対して約４．５分間、実施される。ここで、プラズマ処理は、最小真空度が約２０ミリトル、動作真空度が約２００ミリトル、出力が約８ｋＷ、ヘリウム流量が１０００ｓｃｃｍ（毎分標準立方センチメートル）、酸素流量が１０００ｓｃｃｍ、アルゴンプラズマを用いて、約４．５分間、銀材料層２３０に対して実施される。いくつかの実施形態では、プラズマ処理は、金属ナノワイヤ材料層２２０の上層の基質をさらに除去して、後続の２回目のエッチング処理を容易することができる。
【0040】
補足として、工程Ｓ１５の化学洗浄処理及び工程Ｓ１６のプラズマ処理は、選択的に実施でき、又は、エッチング精度の実際の要件に応じて調整することができる。
【0041】
次に、図４Ｈを参照する。工程Ｓ１７では２回目のエッチング処理が実施され、周辺領域ＰＡ及び可視領域ＶＡに対応する金属ナノワイヤ材料層２２０にパターンが形成される。詳細には、２回目のエッチング処理で使用されるフォトレジストと１回目のエッチング処理で使用されるフォトレジストは、同じフォトレジスト層２４０であるため、２回目のエッチング処理によって、周辺領域ＰＡに対応する金属ナノワイヤ材料層２２０に形成されるパターンは、周辺領域ＰＡに対応するパターンの形成された銀材料層２３０のパターンと同じになる。また、他の予想されるパターン（例えば、電極部のパターンＰＥ）は、２回目のエッチング処理により、可視領域ＶＡに対応する金属ナノワイヤ材料層２２０に形成される。全体として、フォトレジスト層２４０の電極部のパターンＰＥ、第１の配線パターンＰＴ１及び第２の配線パターンＰＴ２は、２回目のエッチング処理で金属ナノワイヤ材料層２２０に転写される。その結果、金属ナノワイヤ材料層２２０にパターンが形成され、可視領域ＶＡに対応する電極部Ｅと、周辺領域ＰＡに対応する第１の配線Ｔ１と、第１の配線Ｔ１から絶縁された、周辺領域ＰＡに対応する第２の配線Ｔ２が形成される。ここで、第１の配線Ｔ１は、電極部Ｅに隣接するリードアウト部Ｔ１１と、リードアウト部Ｔ１１に接続されたリード部Ｔ１２とを含む、また、第２の配線Ｔ２は、可視領域ＶＡから相対的に離れた第１の配線Ｔ１の１つの側に配置され、基板１１０の主要面１１１の縁部１１２に隣接して平行になる（電極部Ｅ、第１の配線Ｔ１、第２の配線Ｔ２の具体的な位置は、図１Ｂを参照されたい）。いくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ材料層２２０をエッチングするためのエッチング溶液の主成分は、例えば、塩化第２鉄及び塩酸を含み得る。いくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ材料層２２０のエッチング深さは、例えば、エッチング時間を調整することによって調整できる。
【0042】
図４Ｉ及び図１Ｃを参照する。工程Ｓ１８では、フォトレジスト層２４０が除去される。銀材料層２３０に関し、詳細には、フォトレジスト層２４０を除去した後、パターンの形成された銀材料層２３０によって形成された銀層１３０を見ることができる。ここで、銀層１３０は、可視領域ＶＡに対向する第１の側面１３１と、可視領域ＶＡに対して反対側に位置する第２の側面１３３とを有する。フォトレジスト層２４０の配置と、１回目のエッチング処理の設計により、銀層１３０の第１の側面１３１及び第２の側面１３３は、それぞれ縁部の粗さＳＥ１及び縁部の粗さＳＥ２を有する。第１の側面１３１の縁部の粗さＳＥ１の幅ＷＳＥ１は、第２の側面１３３の縁部の粗さＳＥ２の幅ＷＳＥ２よりも大きい。
【0043】
金属ナノワイヤ材料層２２０に関し、フォトレジスト層２４０を除去した後、パターンの形成された金属ナノワイヤ材料層２２０によって形成された金属ナノワイヤ層１２０を見ることができる。ここで、金属ナノワイヤ層１２０の電極部Ｅは、少なくともタッチセンサ１００の接触電極ＥＴと、金属ナノワイヤ層１２０の第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２を構成し得る。また、第１の配線Ｔ１及び第２の配線Ｔ２に積層されて接触する銀層１３０は、少なくともタッチセンサ１００の周辺配線ＰＴを構成し得る。
【0044】
上記工程Ｓ１３～Ｓ１８を纏めると、２回のエッチング処理（換言すると、１回目のエッチング処理と２回目のエッチング処理）の間において、化学洗浄処理及びプラズマ処理を選択的に実施して、エッチング精度を向上させることができる。この全体の処理は、「現像」、「（銀材料層２３０の）１回目のエッチング」、「化学洗浄」、「プラズマ処理」、「（金属ナノワイヤ材料層２２０の）２回目のエッチング」、「ストリッピング」として参照され、これらはさらに、略して「ＤＥＣＥＰＳ処理」として称される。
【0045】
上述した本開示の実施形態では、本開示のタッチセンサは、電極部、第１の配線及び第２の配線を含む金属ナノワイヤ層と、第１の配線及び第２の配線に積層されて接触する銀層とを含むように設計される。第２の配線に配置され、かつ、可視領域に対して反対側に位置する銀層の側面の縁部の粗さの大きさ（例えば、幅）は、第１の配線に配置され、かつ、可視領域に対向する銀層の側面の縁部の粗さの大きさよりも小さいため、タッチセンサの最も外側の周辺配線（例えば、接地線）は、より滑らかな縁部が形成される。換言すると、縁部の粗さを無視できる。これは、タッチセンサの狭いベゼルの要件を満たすのに有利である。また、電極部及び第１の配線を一体的に形成して、接触電極と周辺配線との電気的接続を直接形成することにより、タッチセンサのための追加の重複構造を設計する必要がない。これにより、周辺領域に対応する重複構造が占める領域を省略でき、重複を考慮する必要がないため、タッチセンサの狭いベゼルを実現するのに有利である。さらに、本開示のタッチセンサの積層構造設計に基づき、タッチセンサの製造時において、パターンの形成されたフォトレジスト層は、その電極部のパターンと、そのリードアウト部のパターンを連続して延在するように設計される。その結果、１回の露光処理及び現像処理により、接触電極及び周辺配線を一度に形成できるため（換言すると、単一のフォトレジスト層のみが使用されるため）、製造処理の工程及び費用を低減できる。
【0046】
本開示について、その特定の実施形態を参照して非常に詳細に説明したが、他の実施形態も可能である。したがって、添付の特許請求の範囲の趣旨及び範囲は、本明細書に記載された実施形態の説明に限定すべきではない。
【0047】
当業者であれば、本開示の範囲又は趣旨から逸脱することなく、本開示の構造に様々な修正及び変更を加え得ることは明らかであろう。この点に関し、本開示は、以下の特許請求の範囲内である限り、本開示の修正例及び変形例を含むものである。
【符号の説明】
【0048】
１００ タッチセンサ
１１０ 基板
１１１ 主要面
１１２ 縁部
１２０ 金属ナノワイヤ層
１３０ 銀層
１３１ 第１の側面
１３２ 上面
１３３ 第２の側面
１３４ 側壁
１３５ 第３の側面
１３６ 外側壁
１３７ 第４の側面
１３９ 第５の側面
１４０ 保護層
２２０ 金属ナノワイヤ材料層
２３０ 銀材料層
２３１ 上面
２３３ 側壁
２４０ フォトレジスト層
２５０ 残留物
Ａ－Ａ’ 断面線
Ｂ 境界
Ｃ 折り返し点
Ｄ 線間隔
Ｄ１ 第１の方向
Ｄ２ 第２の方向
Ｅ 電極部
ＥＴ 接触電極
ＧＴ 接地線
Ｈ 厚さ
Ｌ 電極線
Ｌ１ 電極部の全長
Ｌ２ 接地線の長さ
Ｍ１ 第１の測定線
Ｍ２ 第２の測定線
ＰＡ 周辺領域
ＰＥ 電極部のパターン
ＰＴ 周辺配線
ＰＴ１ 第１の配線パターン
ＰＴ１１ リードアウト部のパターン
ＰＴ１２ リード部のパターン
ＰＴ２ 第２の配線パターン
Ｒ 領域
Ｒ１～Ｒ４ 観測範囲
Ｒ１’～Ｒ４’ 観測範囲
Ｓ エッチング領域
ＳＴ 信号線
Ｔ 配線
Ｔ１ 第１の配線
Ｔ１１ リードアウト部
Ｔ１２ リード部
Ｔ２ 第２の配線
ＴＳ 上面
ＶＡ 可視領域
１１０ 基板
１１１ 主要面
１１２ 縁部
１２０ 金属ナノワイヤ層
１３０ 銀層
１３１ 第１の側面
１３２ 上面
１３３ 第２の側面
１３４ 側壁
１３５ 第３の側面
１３６ 外側壁
１３７ 第４の側面
１３９ 第５の側面
１４０ 保護層
２２０ 金属ナノワイヤ材料層
２３０ 銀材料層
２３１ 上面
２３３ 側壁
２４０ フォトレジスト層
２５０ 残留物
Ａ－Ａ’ 断面線
Ｂ 境界
Ｃ 折り返し点
Ｄ 線間隔
Ｄ１ 第１の方向
Ｄ２ 第２の方向
Ｅ 電極部
ＥＴ 接触電極
ＧＴ 接地線
Ｈ 厚さ
Ｌ 電極線
Ｌ１ 電極部の全長
Ｌ２ 接地線の長さ
Ｍ１ 第１の測定線
Ｍ２ 第２の測定線
ＰＡ 周辺領域
ＰＥ 電極部のパターン
ＰＴ 周辺配線
ＰＴ１ 第１の配線パターン
ＰＴ１１ リードアウト部のパターン
ＰＴ１２ リード部のパターン
ＰＴ２ 第２の配線パターン
Ｒ 領域
Ｒ１～Ｒ４ 観測範囲
Ｒ１’～Ｒ４’ 観測範囲
Ｓ エッチング領域
ＳＴ 信号線
Ｔ 配線
Ｔ１ 第１の配線
Ｔ１１ リードアウト部
Ｔ１２ リード部
Ｔ２ 第２の配線
ＴＳ 上面
ＶＡ 可視領域
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図4G】
【図4H】
【図4I】