特開 2023-163757 表示装置の製造方法及びマザー基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023163757

(43)【公開日】2023-11-10

(54)【発明の名称】表示装置の製造方法及びマザー基板

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/00 20060101AFI20231102BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20231102BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20231102BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20231102BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20231102BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20231102BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20231102BHJP

   H05B 33/04 20060101ALI20231102BHJP

【ＦＩ】

G09F9/00 338

G09F9/30 365

G09F9/30 349Z

H05B33/10

H01L27/32

H05B33/14 A

H05B33/12 C

H05B33/22 Z

H05B33/04

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022074874

(22)【出願日】2022-04-28

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】田畠 弘志

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB08

3K107CC21

3K107CC45

3K107DD11

3K107DD89

3K107DD94

3K107EE21

3K107EE31

3K107EE32

3K107EE46

3K107GG13

3K107GG14

5C094AA31

5C094AA43

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA13

5C094FA01

5C094FA02

5C094FA03

5C094FB01

5C094FB02

5C094FB04

5C094FB05

5C094FB12

5C094GB10

5C094HA05

5C094HA08

5G435AA14

5G435AA17

5G435BB05

5G435CC09

5G435KK05

5G435KK10

5G435LL04

5G435LL07

5G435LL08

5G435LL17

(57)【要約】

【課題】信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置の製造方法及びマザー基板を提供する。
【解決手段】実施形態に係る表示装置の製造方法は、基材の上に下電極を形成し、下電極の一部を覆うリブを形成し、リブの上に配置された下部と、下部の側面から突出した上部とを有する隔壁を形成し、隔壁の少なくとも一部が有する上部を除去し、隔壁が有する下部の第１幅及び隔壁が有する上部の第２幅を計測し、第１及び第２幅に基づいて下部の側面と上部の端部との間の距離を計測する。
【選択図】図９

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材の上に下電極を形成し、
前記下電極の一部を覆うリブを形成し、
前記リブの上に配置された下部と、前記下部の側面から突出した上部とを有する隔壁を形成し、
前記隔壁の少なくとも一部が有する上部を除去し、
前記隔壁が有する下部の第１幅及び前記隔壁が有する上部の第２幅を計測し、
前記第１及び第２幅に基づいて前記下部の側面と前記上部の端部との間の距離を計測する
表示装置の製造方法。

【請求項2】

前記隔壁が有する上部は、金属材料によって形成されており、レーザー加工装置から照射されるレーザーによって除去される請求項１記載の表示装置の製造方法。

【請求項3】

前記第１及び第２幅は、測長機カメラで撮影することにより計測される請求項２記載の表示装置の製造方法。

【請求項4】

前記基材は、表示パネルが形成される複数のパネル領域と当該複数のパネル領域を区画する周辺領域とを有し、
前記隔壁は、前記複数のパネル領域及び前記周辺領域の双方に形成され、
前記上部の除去と前記第１幅、第２幅及び前記距離の計測とは、前記周辺領域において行われる
請求項１記載の表示装置の製造方法。

【請求項5】

前記複数のパネル領域において、前記隔壁は、画素を区画するパターンで形成され、
前記周辺領域において、前記隔壁は、前記複数のパネル領域に形成される隔壁と同一のパターンで形成される
請求項４記載の表示装置の製造方法。

【請求項6】

前記距離が計測された後に、前記下電極の上に有機層を形成し、
前記有機層の上に上電極を形成し、
前記上電極の上にキャップ層を形成し、
前記キャップ層の上に封止層を形成し、
前記封止層の上にレジストを形成し、
前記レジストをマスクとして、前記封止層、前記キャップ層、前記上電極及び前記有機層を除去する
請求項１記載の表示装置の製造方法。

【請求項7】

前記隔壁は、異方性ドライエッチングを行った後に等方性ウェットエッチングを行うことによって形成される請求項１記載の表示装置の製造方法。

【請求項8】

表示パネルが形成される複数のパネル領域と当該複数のパネル領域を区画する周辺領域とを有する基材と、
前記基材の上に配置された下電極と、
前記下電極の一部を覆い、画素を区画するリブと、
前記複数のパネル領域及び前記周辺領域において前記リブの上に配置された隔壁と
を有し、
前記複数のパネル領域に配置された隔壁は、前記リブの上に配置された下部と、前記下部の側面から突出した上部とを有し、
前記周辺領域に配置された隔壁は、前記リブの上に配置された下部を有し、前記上部を有さない
マザー基板。

【請求項9】

前記隔壁が有する上部は、金属材料によって形成される請求項８記載のマザー基板。

【請求項10】

前記複数のパネル領域において隔壁は、前記画素を区画するパターンで配置され、
前記周辺領域において隔壁は、前記複数のパネル領域に配置されている隔壁と同一のパターンで配置される
請求項８記載のマザー基板。

【請求項11】

前記下電極の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置され、前記隔壁が有する下部に接触する上電極と、
前記上電極の上に配置されたキャップ層と、
前記キャップ層の上に配置された封止層と
を更に有する請求項８記載のマザー基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置の製造方法及びマザー基板に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。

【0003】

ところで、上記した表示装置は、複数の基材を一括して形成したマザー基材の上に複数の表示パネルを形成したマザー基板を用意し、当該マザー基板からカットされた表示パネルの各々を用いて製造される。

【0004】

このような表示装置を製造する過程において、当該表示装置の信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置の製造方法及びマザー基板を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

実施形態に係る表示装置の製造方法は、基材の上に下電極を形成し、前記下電極の一部を覆うリブを形成し、前記リブの上に配置された下部と、前記下部の側面から突出した上部とを有する隔壁を形成し、前記隔壁の少なくとも一部が有する上部を除去し、前記隔壁が有する下部の第１幅及び前記隔壁が有する上部の第２幅を計測し、前記第１及び第２幅に基づいて前記下部の側面と前記上部の端部との間の距離を計測する。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。

【図3】図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図4】図４は、隔壁の概略的な断面図である。

【図5】図５は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。

【図6】図６は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。

【図7】図７は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。

【図8】図８は、隔壁の突出量の計測について説明するための図である。

【図9】図９は、隔壁の突出量の計測について説明するための図である。

【図10】図１０は、マザー基板を概略的に示す図である。

【図11】図１１は、表示装置の製造方法の概要について説明するための図である。

【図12】図１２は、周辺領域において形成される隔壁のパターンの一例を示す図である。

【図13】図１３は、隔壁が有する上部を除去するためにレーザーが照射される領域について説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、より説明を明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0010】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0011】

本実施形態における表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン及び携帯電話端末等に搭載され得る。

【0012】

図１は、本実施形態における表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周辺の非表示領域ＮＤＡとを有している。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0013】

本実施形態においては、平面視における基材１０の形状が長方形である。ただし、基材１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形または楕円形等の他の形状であってもよい。

【0014】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２及び青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３とともに白色等の他の色の副画素ＳＰを含んでいてもよい。また、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のいずれかに代えて他の色の副画素ＳＰを含んでいてもよい。

【0015】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0016】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０に接続されている。

【0017】

なお、画素回路１の構成は、図１に示す例に限られない。画素回路１は、例えばより多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えていてもよい。

【0018】

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

【0019】

なお、図１には主に表示装置ＤＳＰの製造に用いられる表示パネルを示しており、当該表示装置ＤＳＰは、当該表示パネルを駆動するドライバ（駆動ＩＣチップ）を備える回路基板等が当該表示パネルに接続された構造を有する。

【0020】

図２は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のレイアウトの一例を示す。図２に示す例においては、副画素ＳＰ１とＳＰ２とが第２方向Ｙに並んでいる。更に、副画素ＳＰ１及びＳＰ２は、それぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。

【0021】

副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３が図２に示すようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１及びＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

【0022】

なお、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のレイアウトは、図２に示す例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３は、第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

【0023】

表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を有している。図２に示す例においては、開口ＡＰ２が開口ＡＰ１よりも大きく、開口ＡＰ３が開口ＡＰ２よりも大きい。隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。

【0024】

隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ２との間、及び、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ３との間、及び、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ２とＡＰ３との間にそれぞれ配置されている。

【0025】

図２に示す例においては、第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３において開口を有するということもできる。

【0026】

すなわち、本実施形態において、リブ５及び隔壁６は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３を区画するように配置されている。

【0027】

副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。図２に示す例においては、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１の外形が一致し、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２の外形が一致し、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３の外形が一致している。

【0028】

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。

【0029】

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。

【0030】

図２に示す例において、コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２は、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ２との間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。コンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

【0031】

図２に示す例において、下電極ＬＥ１及びＬＥ２は、突部ＰＲ１及びＰＲ２をそれぞれ有している。突部ＰＲ１は、下電極ＬＥ１の本体（開口ＡＰ１と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ１に向けて突出している。突部ＰＲ２は、下電極ＬＥ２の本体（開口ＡＰ２と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ２に向けて突出している。コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２は、突部ＰＲ１及びＰＲ２とそれぞれ重なっている。

【0032】

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。表示装置ＤＳＰにおいては、基材１０の上（表示素子２０等が配置される側の面上）にアンダーコート層と称される絶縁層１１が配置されている。

【0033】

絶縁層１１は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）を有する三層積層構造を有する。なお、絶縁層１１は、三層積層構造に限られず、三層以上の積層構造を有していてもよいし、単層構造または二層積層構造を有していてもよい。

【0034】

絶縁層１１の上には、回路層１２が配置されている。回路層１２は、図１に示す画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ及び電源線ＰＬ等の副画素ＳＰ（ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）を駆動する各種回路及び配線を有する。回路層１２は、絶縁層１３により覆われている。

【0035】

絶縁層１３は、回路層１２により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３には示されていないが、上記したコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３は、絶縁層１３に設けられている。

【0036】

下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）は、絶縁層１３の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１３と下電極ＬＥとの上に配置されている。下電極ＬＥの端部（一部）は、リブ５により覆われている。

【0037】

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部６１と、当該下部６１の上面を覆う上部６２とを有する。上部６２は、下部６１よりも第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに大きい幅を有している。これにより、隔壁６は、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出した形状を有する。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

【0038】

有機層ＯＲ（ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３）及び上電極ＵＥ（ＵＥ１、ＵＥ２及びＵＥ３）は上記した下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）とともに表示素子２０を構成するが、図３に示すように、有機層ＯＲ１は、互いに離間した第１有機層ＯＲ１ａ及び第２有機層ＯＲ１ｂを含む。上電極ＵＥ１は、互いに離間した第１上電極ＵＥ１ａ及び第２上電極ＵＥ１ｂを含む。第１有機層ＯＲ１ａは、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ１ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ１ａは、下電極ＬＥ１と対向するとともに、第１有機層ＯＲ１ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ１ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ１ｂを覆っている。

【0039】

また、図３に示すように、有機層ＯＲ２は、互いに離間した第１有機層ＯＲ２ａ及び第２有機層ＯＲ２ｂを含む。上電極ＵＥ２は、互いに離間した第１上電極ＵＥ２ａ及び第２上電極ＵＥ２ｂを含む。第１有機層ＯＲ２ａは、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ２ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ２ａは、下電極ＬＥ２と対向するとともに、第１有機層ＯＲ２ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ２ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ２ｂを覆っている。

【0040】

また、図３に示すように、有機層ＯＲ３は、互いに離間した第１有機層ＯＲ３ａ及び第２有機層ＯＲ３ｂを含む。上電極ＵＥ３は、互いに離間した第１上電極ＵＥ３ａ及び第２上電極ＵＥ３ｂを含む。第１有機層ＯＲ３ａは、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ３ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ３ａは、下電極ＬＥ３と対向するとともに、第１有機層ＯＲ３ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ３ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ３ｂを覆っている。

【0041】

図３に示す例において、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３は、有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３を含む。

【0042】

キャップ層ＣＰ１は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ１ａ及び第２キャップ層ＣＰ１ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ１ａは、開口ＡＰ１に位置し、第１上電極ＵＥ１ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ１ｂの上に配置されている。

【0043】

キャップ層ＣＰ２は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ２ａ及び第２キャップ層ＣＰ２ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ２ａは、開口ＡＰ２に位置し、第１上電極ＵＥ２ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ２ｂの上に配置されている。

【0044】

キャップ層ＣＰ３は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ３ａ及び第２キャップ層ＣＰ３ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ３ａは、開口ＡＰ３に位置し、第１上電極ＵＥ３ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ３ｂの上に配置されている。

【0045】

副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３には、封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、第１キャップ層ＣＰ１ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ１ｂを含む副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、第１キャップ層ＣＰ２ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ２ｂを含む副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、第１キャップ層ＣＰ３ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ３ｂを含む副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。

【0046】

図３に示す例においては、副画素ＳＰ１とＳＰ３との間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ１ｂ、第２上電極ＵＥ１ｂ、第２キャップ層ＣＰ１ｂ及び封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂ、第２キャップ層ＣＰ３ｂ及び封止層ＳＥ３とが離間している。また、副画素ＳＰ２とＳＰ３との間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ２ｂ、第２上電極ＵＥ２ｂ、第２キャップ層ＣＰ２ｂ及び封止層ＳＥ２と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂ、第２キャップ層ＣＰ３ｂ及び封止層ＳＥ３とが離間している。

【0047】

封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３は、樹脂層１４により覆われている。樹脂層１４は、封止層１５により覆われている。更に、封止層１５は、樹脂層１６により覆われている。

【0048】

絶縁層１３と樹脂層１４及び１６とは、有機材料で形成されている。リブ５と封止層１５及びＳＥ（ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３）とは、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）等の無機材料で形成されている。

【0049】

隔壁６が有する下部６１は、導電性を有している。隔壁６が有する上部６２も同様に導電性を有していてもよい。下電極ＬＥは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明な導電性酸化物で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）等の金属材料と導電性酸化物との積層構造を有していてもよい。上電極ＵＥは、例えばマグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ）等の金属材料で形成されている。上電極ＵＥは、ＩＴＯ等の導電性酸化物で形成されてもよい。

【0050】

下電極ＬＥの電位が上電極ＵＥの電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する。また、上電極ＵＥの電位が下電極ＬＥの電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥがアノードに相当し、下電極ＬＥがカソードに相当する。

【0051】

有機層ＯＲは、一対の機能層と、これら機能層の間に配置された発光層とを含む。一例として、有機層ＯＲは、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び電子注入層を順に積層した構造を有している。

【0052】

キャップ層ＣＰ（ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３）は、例えば透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥの材料とは異なり、また、封止層ＳＥの材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰは省略されてもよい。

【0053】

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ（第１上電極ＵＥ１ａ、ＵＥ２ａ及びＵＥ３ａ）にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）には、副画素ＳＰ（ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

【0054】

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ１ａの発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ２ａの発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ３ａの発光層が青色の波長域の光を放つ。

【0055】

他の例として、有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３の発光層が同一色（例えば、白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

【0056】

図４は、隔壁６の概略的な拡大断面図である。図４においては、リブ５、隔壁６、絶縁層１３及び一対の下電極ＬＥ以外の要素を省略している。一対の下電極ＬＥは、上記した下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３のいずれかに相当する。また、上記した第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙは、図４に示す隔壁６と同様の構造を有している。

【0057】

図４に示す例において、隔壁６が有する下部６１は、リブ５の上に配置されたバリア層６１１と、当該バリア層６１１の上に配置された金属層６１２とを含む。バリア層６１１は、金属層６１２とは異なる材料で形成されており、例えばモリブデン等の金属材料によって形成されている。金属層６１２は、バリア層６１１よりも厚く形成されている。金属層６１２は、単層構造であってもよいし、異なる金属材料の積層構造であってもよい。一例として、金属層６１２は例えばアルミニウム（Ａｌ）により形成される。

【0058】

上部６２は、下部６１よりも薄い。図４に示す例において、上部６２は、金属層６１２の上に配置された第１層６２１と、当該第１層６２１の上に配置された第２層６２２とを含む。一例としては、第１層６２１は例えばチタン（Ｔｉ）により形成され、第２層６２２は例えばＩＴＯにより形成される。ここでは、上部６２が二層積層構造であるものとして説明したが、当該上部６２は例えばチタンのような金属材料により形成される単層構造であってもよい。また、上部６２は金属材料以外であってもよく、シリコン酸化物（ＳｉＯ）等の無機材料でもよい。更に、上部６２は、上記ＩＴＯ等の導電性酸化物、チタン等の金属材料、シリコン酸化物等の無機材料を適宜組み合わせて積層してもよいし、上記いずれかの材料による単層でもよい。

【0059】

図４に示す例においては、下部６１の幅が上部６２に近づくにつれて小さくなる。すなわち、下部６１の側面６１ａ及び６１ｂは、第３方向Ｚに対して傾斜している。なお、上部６２は、側面６１ａから突出した端部６２ａと、側面６１ｂから突出した端部６２ｂとを有している。

【0060】

側面６１ａ及び６１ｂからの端部６２ａ及び６２ｂの突出量Ｄ（以下、隔壁６の突出量Ｄと表記）は、例えば２．０μｍ以下である。本実施形態における隔壁６の突出量Ｄは、側面６１ａ及び６１ｂの下端（バリア層６１１）と端部６２ａ及び６２ｂとの間の、隔壁６の第３方向Ｚと直交する幅方向（第１方向Ｘまたは第２方向Ｙ）における距離に相当する。

【0061】

なお、隔壁６の構造及び当該隔壁６の各部の材料は、例えば隔壁６を形成する手法等を考慮して、適宜、選定することができるものとする。

【0062】

ここで、本実施形態において、隔壁６は、平面視において副画素ＳＰを区画するように形成されている。上記した有機層ＯＲは例えば異方性あるいは指向性のある真空蒸着法によって形成されるが、隔壁６が配置された状態で当該有機層ＯＲを形成するための有機材料を基材１０全体に蒸着した場合、隔壁６は図３及び図４に示すような形状を有しているため、当該隔壁６の側面には有機層ＯＲは殆ど形成されない。これによれば、隔壁６によって副画素ＳＰ毎に分断されるような有機層ＯＲ（表示素子２０）を形成することができる。

【0063】

図５～図７は、隔壁６を利用して形成される表示素子２０について説明するための概略的な断面図である。この図５～図７に示す副画素ＳＰα、ＳＰβ及びＳＰγは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のいずれかに相当する。

【0064】

上記したように隔壁６が配置された状態で図５に示すように基材１０全体に対して有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、キャップ層ＣＰ及び封止層ＳＥが順に蒸着によって形成される。有機層ＯＲは、副画素ＳＰαに対応する色の光を放つ発光層を含む。オーバーハング状の隔壁６によって、有機層ＯＲは下電極ＬＥを覆う第１有機層ＯＲａと隔壁６上の第２有機層ＯＲｂに分断され、上電極ＵＥは第１有機層ＯＲａを覆う第１上電極ＵＥａと第２有機層ＯＲｂを覆う第２上電極ＵＥｂとに分断され、キャップ層ＣＰは第１上電極ＵＥａを覆う第１キャップ層ＣＰａと第２上電極ＵＥｂを覆う第２キャップ層ＣＰｂとに分断される。第１上電極ＵＥａは、隔壁６の下部６１に接触している。封止層ＳＥは、第１キャップ層ＣＰａ、第２キャップ層ＣＰｂ及び隔壁６を連続的に覆っている。

【0065】

次に、図６に示すように、封止層ＳＥの上にレジストＲが形成される。レジストＲは、副画素ＳＰαを覆っている。すなわち、レジストＲは、副画素ＳＰαに位置する第１有機層ＯＲａ、第１上電極ＵＥａ及び第１キャップ層ＣＰａの直上に配置されている。レジストＲは、副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６上の第２有機層ＯＲｂ、第２上電極ＵＥｂ及び第２キャップ層ＣＰｂのうち、副画素ＳＰα寄りの部分の直上にも位置している。すなわち、隔壁６の少なくとも一部は、レジストＲから露出している。

【0066】

更に、レジストＲをマスクとしたエッチングにより、図７に示すように有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、キャップ層ＣＰ及び封止層ＳＥのうちレジストＲから露出した部分が除去される。これにより、副画素ＳＰαには下電極ＬＥ、第１有機層ＯＲａ、第１上電極ＵＥａ及び第１キャップ層ＣＰａを含む表示素子２０が形成される。一方で、副画素ＳＰβ及びＳＰγにおいては下電極ＬＥが露出する。なお、上記したエッチングは、例えば封止層ＳＥのドライエッチング、キャップ層ＣＰのウェットエッチング及びドライエッチング、上電極ＵＥのウェットエッチング、有機層ＯＲのドライエッチングを含む。

【0067】

上記したように副画素ＳＰαの表示素子２０が形成されると、レジストＲが除去され、副画素ＳＰβ及びＳＰγの表示素子２０が、副画素ＳＰαと同様に、順に形成される。

【0068】

以上の副画素ＳＰα、ＳＰβ及びＳＰγについて例示したように副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３の表示素子２０を形成し、更に樹脂層１４、封止層１５及び樹脂層１６を形成することにより、図３に示した表示装置ＤＳＰの構造が実現される。

【0069】

ここで、上記したように隔壁６は下部６１と当該下部６１の側面から突出した上部６２とを有するが、上記した隔壁６の突出量Ｄ（庇幅）が適切でない場合には、表示装置ＤＳＰの信頼性が低下する可能性がある。

【0070】

具体的には、表示装置ＤＳＰにおいては隔壁６によって副画素ＳＰ毎に有機層ＯＲが分断される構成であり、設計の値より当該隔壁６の突出量Ｄが十分に大きくない場合には、当該有機層ＯＲを適切に分断することができない可能性がある。また、隔壁６が有する下部６１の側面が有機層ＯＲで覆われてしまった場合には、当該下部６１と上電極ＵＥとの電気的な接続が阻害されてしまう。一方で、表示装置ＤＳＰにおいては隔壁６が有する下部６１の側面に上電極ＵＥが接触しているが、当該隔壁６の突出量Ｄが設計の値を超えるような場合には、当該下部６１の側面に上電極ＵＥが接触しない可能性がある。

【0071】

すなわち、上記した隔壁６の突出量Ｄが適切でない場合には信頼性が高い表示装置ＤＳＰを製造することができないため、当該表示装置ＤＳＰの製造工程において、当該突出量Ｄ（つまり、隔壁６が有する下部６１の側面と上部６２の端部との間の距離）を計測することが有用である。なお、隔壁６の突出量Ｄの計測には、例えば物体を含む画像を撮影することによって当該物体の長さを計測可能に構成された測長機カメラを利用することができる。

【0072】

ここで、図８に示すように、隔壁６が形成された段階で、測長機カメラ１００を用いて第３方向Ｚ（つまり、表示装置ＤＳＰの表示面側）から隔壁６を撮影することによって当該隔壁６の突出量Ｄを計測する場合を想定する。この場合、隔壁６が有する上部６２は下部６１よりも大きい幅を有している（つまり、隔壁６の形状はオーバーハング状である）ため、例えば上部６２が光透過性を有さない遮光性の金属材料（例えば、チタン）で形成された層を含む場合には、測長機カメラ１００は下部６１の側面（つまり、下部６１の第１方向Ｘまたは第２方向Ｙの端部）を撮影することができない。すなわち、図８に示す例では、上部６２の第１方向Ｘまたは第２方向Ｙの長さ（以下、上部６２の幅と表記）を計測することはできるが、隔壁６の突出量Ｄを計測することはできない。

【0073】

このため、本実施形態においては、図９に示すように、レーザーを照射することによって金属材料を加工するように構成されたレーザー加工装置２００を用いて隔壁６が有する上部６２を除去した（吹き飛ばした、あるいは、溶融して消失した）後に、測長機カメラ１００を用いて当該隔壁６が有する下部６１を撮影することによって当該下部６１の第１方向または第２方向Ｙの長さ（以下、下部６１の幅と表記）を計測する。本実施形態においては、このように計測された下部６１の幅と上記した上部６２の幅とに基づいて隔壁６の突出量Ｄ（つまり、下部６１の側面と上部６２の端部との間の距離）を計測するものとする。

【0074】

ところで、一般に、表示装置ＤＳＰの製造工程においては、複数の基材１０を一括して形成したマザー基材上に複数の表示パネルを形成したマザー基板を製造し、当該マザー基板からカットされた表示パネルの各々を用いて表示装置ＤＳＰを製造することが行われている。

【0075】

図１０は、マザー基板（マザー基材）を概略的に示す。図１０に示すように、マザー基板３００は、複数のパネル領域３０１と、周辺領域３０２とを有する。マザー基板３００のサイズは、例えば１５００ｍｍ×９５０ｍｍ程度であるが、これに限定されない。

【0076】

複数のパネル領域３０１の各々は、表示パネルが形成される領域であり、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列されている。周辺領域３０２は、複数のパネル領域３０１の周辺に存在し、当該複数のパネル領域３０１を区画する領域である。

【0077】

ここで、複数のパネル領域３０１に配置されている隔壁６（下部６１及び上部６２を有する隔壁６）は、表示装置ＤＳＰの製造に用いられる表示パネルが形成される工程で各副画素ＳＰを形成していくために必要である。したがって、上記したように隔壁６の突出量Ｄを計測するために、レーザー加工装置２００を用いて複数のパネル領域３０１に配置されている隔壁６が有する上部６２を除去することはできない。

【0078】

このため、本実施形態においては、上記したマザー基板３００に対する検査として、周辺領域３０２（例えば、図１０に示す×印の領域）を利用して隔壁６の突出量Ｄを計測するものとする。これによれば、隔壁６の突出量Ｄを計測するために上部６２が除去されたとしても表示装置ＤＳＰの製造に用いられる表示パネルを適切に形成することができる。

【0079】

以下、図１１を参照して、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの製造方法（製造工程）の概要について説明する。

【0080】

まず、複数の基材１０を一括して形成したマザー基材（以下、便宜的に、マザー基材１０と表記）を用意し、パネル領域３０１及び周辺領域３０２において、当該マザー基材１０上に絶縁層１１、回路層１２、絶縁層１３、リブ５及び隔壁６（下部６１及び上部６２）が順に形成される。

【0081】

なお、絶縁層１１、回路層１２、絶縁層１３、リブ５及び隔壁６は、パネル領域３０１及び周辺領域３０２において同一のプロセスで形成されるものとする。

【0082】

上記したように隔壁６が形成されると、レーザー加工装置２００を用いて、周辺領域３０２において形成された隔壁６が有する上部６２が除去される。上記したようにレーザー加工装置２００はレーザーを照射することによって金属材料を加工するように構成されているが、当該レーザー加工装置２００（が照射するレーザーのエネルギー量）は、隔壁６が有する上部６２を除去するように予め調整されているものとする。なお、本実施形態においてはレーザー加工装置２００によって隔壁６が有する上部６２のみが除去されることが好ましいが、上記したように隔壁６の突出量Ｄを計測するという観点によれば、レーザー加工装置２００は、図４に示す少なくともバリア層６１１（つまり、隔壁６が有する下部６１のリブ５の直上に配置されている部分）が除去されないように動作すればよい。

【0083】

これによれば、周辺領域３０２において上部６２が除去された隔壁６を測長機カメラ１００で撮影することにより、当該隔壁６が有する下部６１の幅を計測することができる。

【0084】

本実施形態においては、上記したように計測された下部６１の幅と、上部６２が除去されていない隔壁６を撮影することによって計測された当該上部６２の幅との差分を算出することにより、隔壁６の突出量Ｄ（つまり、下部６１の側面と上部６２の端部との間の距離）を計測することができる。

【0085】

このように計測された隔壁６の突出量Ｄが適切である場合には、上記した図５～図７において説明したように各副画素ＳＰの表示素子２０を形成する。その後、パネル領域３０１の各々に形成されている表示パネルがマザー基板３００からカットされ、当該カットされた表示パネルを用いて表示装置ＤＳＰが製造される。

【0086】

なお、本実施形態における隔壁６の突出量Ｄは上記したように測長機カメラ１００を用いて計測された下部６１の幅と上部６２の幅との差分の１／２に相当するが、当該隔壁６の突出量Ｄは、測長機カメラ１００または当該測長機カメラ１００に接続される電子機器によって自動的に算出されてもよいし、当該下部６１の幅と当該上部６２の幅とを参照した表示装置ＤＳＰの製造に関する管理者等が計算してもよい。

【0087】

また、本実施形態おいて計測された隔壁６の突出量Ｄが適切であるか否かは、上記した管理者等によって判断されればよい。ただし、隔壁６の突出量Ｄが適切であるか否かを管理者が判断することを補助するために、例えば計測された隔壁６の突出量Ｄが予め定められた範囲に該当しない（つまり、突出量Ｄが適切でない）場合にアラートを出力する測長機カメラ１００または当該測長機カメラ１００に接続される電子機器を利用してもよい。

【0088】

また、本実施形態において計測される隔壁６の突出量Ｄは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの距離（長さ）であってもよいし、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙのうちの一方の距離（長さ）であってもよい。

【0089】

また、詳細な説明については省略するが、本実施形態における隔壁６は、下部６１及び上部６２に対して例えば異方性ドライエッチングを行った後に等方性ウェットエッチングを行うことによって形成される。この場合、本実施形態においては表示装置ＤＳＰ（表示パネル）の信頼性の低下を抑制するために隔壁６の突出量Ｄを計測する構成であるところ、パネル領域３０１と周辺領域３０２とで突出量Ｄが異なる隔壁６が形成された場合には、周辺領域３０２で当該突出量Ｄを計測する意義が低減する。

【0090】

このため、本実施形態においては、パネル領域３０１及び周辺領域３０２において隔壁６を形成する際のエッチング量のばらつきを同等にする（つまり、複数のパネル領域３０１が有する隔壁６の突出量Ｄと周辺領域３０２が有する隔壁６の突出量Ｄとを同等にする）ために、周辺領域３０２の少なくとも×印の領域には、パネル領域３０１における隔壁６と同一のパターンの隔壁６が形成されるものとする。具体的には、パネル領域３０１において隔壁６は副画素ＳＰを区画するパターンで形成されるが、周辺領域３０２においても同様に、例えば図１２に示すような副画素ＳＰを区画するパターンと同一のパターンで隔壁６が形成されるものとする。

【0091】

なお、パネル領域３０１と周辺領域３０２とにおいて同程度の形状を有する隔壁６を形成するためには、周辺領域３０２（隔壁６の突出量Ｄが計測される領域）は、少なくとも複数の画素ＰＸ（副画素ＳＰ）を区画するような幅を有していることが好ましい。図１２に示す例では、周辺領域３０２の×印の領域に６×６＝３６個分の画素ＰＸ（副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）を区画するパターンで隔壁６が形成されている場合を想定しているが、当該×印の領域には、例えば１０×１０＝１００個分のような数の画素ＰＸを区画するパターンで隔壁６が形成されていてもよい。なお、周辺領域３０２におけるリブ５については、パネル領域３０１と同じパターンで形成されてもよいし、当該パネル領域３０１とは異なるパターンで形成されていてもよい。

【0092】

更に、本実施形態においては周辺領域３０２に形成された隔壁６の突出量Ｄを計測するものとして説明したが、当該隔壁６の突出量Ｄの計測は、例えば測長機カメラ１００及びレーザー加工装置２００を移動させながら図１０に示す×印の領域の全てにおいて行われることが好ましい。これによれば、マザー基板３００が有する複数のパネル領域３０１に形成されている全ての表示パネル（を用いて製造される表示装置ＤＳＰ）の信頼度を向上させることができると考えられる。

【0093】

ただし、隔壁６の突出量Ｄの計測にかかる負担を軽減するために、図１０に示す×印の領域のうちの一部において隔壁６の突出量Ｄを計測するようにしてもよい。この場合、マザー基板３００の例えば４つの角部近傍の領域及び当該マザー基板３００の中央近傍の領域において隔壁６の突出量Ｄを計測するようにしてもよい。

【0094】

また、本実施形態においてはレーザー加工装置２００を用いて周辺領域３０２に形成された隔壁６が有する上部６２を除去することによって当該隔壁６の突出量Ｄを計測することが可能であるが、当該隔壁６の突出量Ｄを計測する際に、当該周辺領域３０２内の×印の領域に形成されている隔壁６が有する全ての上部６２を除去する必要はない。具体的には、例えば図１３に示すように、周辺領域３０２内の×印の領域のうちの一部の領域４００に形成されている上部６２のみを除去（当該領域４００のみにレーザーを照射）した後に測長機カメラ１００で当該領域４００を包含する範囲を撮影するようにすれば、隔壁６が有する下部６１の幅Ｄ１と上部６２の幅Ｄ２とを一度の撮影で計測することができる。

【0095】

上記したように本実施形態においては、基材１０の上に下電極ＬＥを形成し、当該下電極ＬＥの一部を覆うリブ５を形成し、当該リブ５の上に配置された下部６１と当該下部６１の側面から突出した上部６２とを有する隔壁６とを形成し、隔壁６の少なくとも一部が有する上部６２を除去し、当該隔壁６が有する下部６１の幅Ｄ１（第１幅）及び隔壁６が有する上部６２の幅Ｄ２（第２幅）を計測し、当該下部６１の幅Ｄ１及び当該上部６２の幅Ｄ２に基づいて当該隔壁６の突出量Ｄ（当該下部６１の側面と当該上部６２の端部との間の距離）を計測する。

【0096】

なお、本実施形態においては、隔壁６が有する上部６２が例えばチタンのような金属材料によって形成されており、当該上部６２が例えばレーザー加工装置２００から照射されるレーザーによって除去されるものとして説明したが、当該上部６２の除去は、他の手法により実現されてもよい。また、上記した下部６１の幅Ｄ１及び上部６２の幅Ｄ２は例えば測長機カメラ１００で撮影することにより計測されるものとして説明したが、当該下部６１の幅Ｄ１及び当該上部６２の幅Ｄ２の計測は、他の手法により実現されても構わない。

【0097】

本実施形態においては、このような構成により、隔壁６の突出量Ｄが適切な状態で表示装置ＤＳＰを製造することができるため、当該表示装置ＤＳＰの信頼性の低下を抑制することが可能となる。

【0098】

なお、隔壁６の突出量Ｄを計測するために基材１０の表示素子２０等が配置される側の面とは反対の面（つまり、裏面）側から測長機カメラ１００を用いて隔壁６を撮影することが考えられるが、本実施形態は、このような基材１０の裏面側から隔壁６を撮影する（隔壁６の突出量Ｄを計測する）ことができないような場合に好適であるといえる。

【0099】

また、本実施形態においては、複数のパネル領域３０１と当該複数のパネル領域３０１を区画する周辺領域３０２とを有するマザー基材１０を用意し、隔壁６を当該複数のパネル領域３０１及び当該周辺領域３０２の双方に形成し、上記した隔壁６が有する上部６２の除去と、下部６１の幅Ｄ１及び上部６２の幅Ｄ２（つまり、隔壁６の突出量Ｄ）の計測とを当該周辺領域３０２において行う。このような構成によれば、表示装置ＤＳＰ（つまり、表示装置ＤＳＰを製造するためにマザー基板３００からカットされる表示パネル）の品質に影響を与えることなく、隔壁６の突出量Ｄを計測することが可能となる。

【0100】

上記したように計測された隔壁６の突出量Ｄが適切である場合には、下電極ＬＥの上に有機層ＯＲを形成し、当該有機層ＯＲの上に上電極ＵＥを形成し、当該上電極の上にキャップ層ＣＰを形成し、当該キャップ層ＣＰの上に封止層ＳＥを形成し、当該封止層ＳＥの上にレジストＲを形成し、当該レジストＲをマスクとして、当該封止層ＳＥ、キャップ層ＣＰ、上電極ＵＥ及び有機層ＯＲを除去するような工程が繰り返されることにより、各色の副画素ＳＰの表示素子２０を形成すればよい。

【0101】

なお、本実施形態において説明した表示装置ＤＳＰの製造方法が適用された場合、マザー基板３００は、表示パネルが形成される複数のパネル領域３０１と当該複数のパネル領域３０１を区画する周辺領域３０２とを有する基材１０と、当該基材１０の上に配置された下電極ＬＥと、当該下電極ＬＥの一部を覆い、副画素ＳＰ（画素）を区画するリブ５と、当該複数のパネル領域３０１及び当該周辺領域３０２においてリブ５の上に配置された隔壁６とを有し、複数のパネル領域３０１に配置された隔壁６はリブ５の上に配置された下部６１と当該下部６１の側面から突出した上部６２とを有し、周辺領域３０２に配置された隔壁６（の少なくとも一部）はリブ５の上に配置された下部６１を有し、上部６２を有さない構成を有する。本実施形態においては、このようなマザー基板３００から突出量Ｄが適切な隔壁６が形成されている表示パネルをカットして表示装置ＤＳＰを製造することができるため、当該表示装置ＤＳＰの信頼性を向上させることができる。

【0102】

また、本実施形態において、複数のパネル領域３０１における隔壁６は、副画素ＳＰを区画するパターンで形成される。これに対して、周辺領域３０２における隔壁６は、複数のパネル領域３０１に形成される隔壁６と同一のパターンで形成される（つまり、副画素ＳＰを模したダミーパターンとして形成される）。これによれば、隔壁６は異方性ドライエッチングを行った後に等方性ウェットエッチングを行うことによって形成されるところ、複数のパネル領域３０１において隔壁６を形成する際のエッチング量と周辺領域３０２において隔壁６を形成する際のエッチング量とのばらつきを低減させることができるため、当該周辺領域３０２に形成された隔壁６の突出量Ｄを計測することによって、当該パネル領域３０１において隔壁６が適切に形成されているかを判断することができる。

【0103】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置の製造方法及びマザー基板を基にして、当業者が適宜設計変更して実施して実施し得る全ての表示装置の製造方法及びマザー基板も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0104】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0105】

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0106】

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、ＰＸ…画素、ＳＰ，ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ，ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＵＥ，ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＯＲ，ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＳＥ，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、１…画素回路、２…画素スイッチ、３…駆動トランジスタ、４…キャパシタ、５…リブ、６…隔壁、１０…基材、１１…絶縁層、１２…回路層、１３…絶縁層、１４…樹脂層、１５…封止層、１６…樹脂層、２０…表示素子、６１…下部、６２…上部、１００…測長機カメラ、２００…レーザー加工装置、３００…マザー基板、３０１…パネル領域、３０２…周辺領域。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】