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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023164248
(43)【公開日】2023-11-10
(54)【発明の名称】発光装置及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 33/50 20100101AFI20231102BHJP
【ＦＩ】
H01L33/50
【審査請求】有
【請求項の数】21
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022165334
(22)【出願日】2022-10-14
(31)【優先権主張番号】P 2022075066
(32)【優先日】2022-04-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2022116849
(32)【優先日】2022-07-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001807
【氏名又は名称】弁理士法人磯野国際特許商標事務所
(72)【発明者】
【氏名】林 達也
(72)【発明者】
【氏名】大倉 信也
【テーマコード（参考）】
5F142
【Ｆターム（参考）】
5F142AA26
5F142AA56
5F142BA02
5F142BA32
5F142CA11
5F142CA13
5F142CB03
5F142CB12
5F142CB23
5F142CD02
5F142CD13
5F142CD15
5F142CD16
5F142CD17
5F142CD18
5F142CG04
5F142CG05
5F142CG24
5F142DA13
5F142DA35
5F142DA61
5F142FA28
5F142GA11
5F142GA28
(57)【要約】
【課題】発光装置の小型化を図ることができる発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、支持基板１５と、隣り合って配置される第１発光部１１及び第２発光部１２と、を有する発光素子１０と、第１発光部１１から出射される第１光及び第２発光部１２から出射される第２光を第３光に波長変換する波長変換部材２０と、平面視で第１発光部１１及び第２発光部１２のいずれか一方に重なる光調整部材３０と、を含み、発光素子１０は、発光装置１００の発光時において、前記第２光の発光ピーク波長における前記第１光の発光強度が、前記第２光の発光ピーク波長における前記第２光の発光強度より小さい。
【選択図】図１Ｃ
【解決手段】発光装置１００は、支持基板１５と、隣り合って配置される第１発光部１１及び第２発光部１２と、を有する発光素子１０と、第１発光部１１から出射される第１光及び第２発光部１２から出射される第２光を第３光に波長変換する波長変換部材２０と、平面視で第１発光部１１及び第２発光部１２のいずれか一方に重なる光調整部材３０と、を含み、発光素子１０は、発光装置１００の発光時において、前記第２光の発光ピーク波長における前記第１光の発光強度が、前記第２光の発光ピーク波長における前記第２光の発光強度より小さい。
【選択図】図１Ｃ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有する支持基板と、前記支持基板の第２面に配置され、それぞれが第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体を含み、隣り合って配置される第１発光部及び第２発光部と、を有する発光素子と、
前記支持基板の第１面に配置され、前記第１発光部から出射される第１光及び前記第２発光部から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材と、
前記波長変換部材の前記支持基板側の面と反対側の面、又は、前記波長変換部材の内部に配置され、平面視で前記第１発光部及び前記第２発光部のいずれか一方に重なる光調整部材と、を含む発光装置であって、
前記発光素子は、前記発光装置の発光時において、前記第２光の発光ピーク波長における前記第１光の発光強度が、前記第２光の発光ピーク波長における前記第２光の発光強度より小さい発光装置。
前記支持基板の第１面に配置され、前記第１発光部から出射される第１光及び前記第２発光部から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材と、
前記波長変換部材の前記支持基板側の面と反対側の面、又は、前記波長変換部材の内部に配置され、平面視で前記第１発光部及び前記第２発光部のいずれか一方に重なる光調整部材と、を含む発光装置であって、
前記発光素子は、前記発光装置の発光時において、前記第２光の発光ピーク波長における前記第１光の発光強度が、前記第２光の発光ピーク波長における前記第２光の発光強度より小さい発光装置。
【請求項2】
前記波長変換部材は、前記蛍光体を含む波長変換層と、前記波長変換層を支持する透光性部材と、を有する請求項１に記載の発光装置。
【請求項3】
前記光調整部材は、前記透光性部材の前記波長変換層側の面に配置される請求項２に記載の発光装置。
【請求項4】
前記第１光の発光ピーク波長は、前記第２光の発光ピーク波長より長く、
前記光調整部材は、前記第２光を波長変換する蛍光体を含み、
前記光調整部材は、平面視で、前記第２発光部と重なる位置に配置される請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
前記光調整部材は、前記第２光を波長変換する蛍光体を含み、
前記光調整部材は、平面視で、前記第２発光部と重なる位置に配置される請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項5】
前記波長変換部材に含まれる蛍光体と、前記光調整部材に含まれる蛍光体とは、同じ種類の蛍光体を含む請求項４に記載の発光装置。
【請求項6】
前記第１光の発光ピーク波長は、前記第２光の発光ピーク波長より長く、
前記光調整部材は、蛍光体を含まない、又は、前記波長変換部材における前記蛍光体を含む層の蛍光体濃度よりも低い濃度で前記第１光を波長変換する蛍光体を含み、
前記光調整部材は、平面視で、前記第１発光部と重なる位置に配置される請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
前記光調整部材は、蛍光体を含まない、又は、前記波長変換部材における前記蛍光体を含む層の蛍光体濃度よりも低い濃度で前記第１光を波長変換する蛍光体を含み、
前記光調整部材は、平面視で、前記第１発光部と重なる位置に配置される請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項7】
前記第１発光部と前記第２発光部とは、発光時の電流密度が異なる請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項8】
前記第１発光部と前記第２発光部とは、平面視における面積が同じである請求項７に記載の発光装置。
【請求項9】
前記第１発光部と前記第２発光部とは、平面視における面積が異なる請求項７に記載の発光装置。
【請求項10】
前記光調整部材は、平面視で、前記第１発光部及び前記第２発光部のいずれか一方に重なって配置されると共に、前記第１発光部及び前記第２発光部の他方の一部に重なる位置まで延在して配置される請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項11】
発光時における前記第２光の発光強度を１００としたときに、前記第１光の発光強度が１０以上７０以下である請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項12】
発光時における前記第１光及び前記第２光の発光ピーク波長が４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下であり、前記第３光の発光ピーク波長が５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項13】
発光時における前記第１光の発光ピーク波長と前記第２光の発光ピーク波長の差が０．１ｎｍ以上１５ｎｍ以下である請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項14】
前記発光素子が配置される配線基板を備え、
前記配線基板は、前記第１発光部と前記第２発光部とを個別に駆動可能な配線を備える請求項８に記載の発光装置。
前記配線基板は、前記第１発光部と前記第２発光部とを個別に駆動可能な配線を備える請求項８に記載の発光装置。
【請求項15】
前記発光素子が配置される配線基板を備え、
前記配線基板は、前記第１発光部と前記第２発光部とを直列に接続する配線を備える請求項９に記載の発光装置。
前記配線基板は、前記第１発光部と前記第２発光部とを直列に接続する配線を備える請求項９に記載の発光装置。
【請求項16】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有する支持基板と、前記支持基板の第２面に配置され、それぞれが第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体を含み、隣り合って配置される第１発光部及び第２発光部と、を有する発光素子を準備する工程と、
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有し、前記第１発光部から出射される第１光及び前記第２発光部から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材の第１面、又は、前記波長変換部材の内部に光調整部材が配置された波長変換部材を準備する工程と、
前記支持基板の第１面に、前記波長変換部材の第２面が対向するように、前記光調整部材が配置された前記波長変換部材を配置する工程と、を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、平面視で前記第１発光部及び前記第２発光部のいずれか一方に重なる位置に前記光調整部材を配置する発光装置の製造方法。
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有し、前記第１発光部から出射される第１光及び前記第２発光部から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材の第１面、又は、前記波長変換部材の内部に光調整部材が配置された波長変換部材を準備する工程と、
前記支持基板の第１面に、前記波長変換部材の第２面が対向するように、前記光調整部材が配置された前記波長変換部材を配置する工程と、を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、平面視で前記第１発光部及び前記第２発光部のいずれか一方に重なる位置に前記光調整部材を配置する発光装置の製造方法。
【請求項17】
前記波長変換部材は、前記蛍光体を含む波長変換層と、前記波長変換層を支持する透光性部材と、を有し、
前記波長変換部材を準備する工程は、前記透光性部材の前記波長変換層側の面に前記光調整部材を有する前記波長変換部材を準備する工程を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、前記波長変換層側の面が前記支持基板の第１面側に位置するように前記波長変換部材を配置する請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
前記波長変換部材を準備する工程は、前記透光性部材の前記波長変換層側の面に前記光調整部材を有する前記波長変換部材を準備する工程を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、前記波長変換層側の面が前記支持基板の第１面側に位置するように前記波長変換部材を配置する請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項18】
前記波長変換部材は、前記蛍光体を含む波長変換層と、前記波長変換層を支持する透光性部材と、を有し、
前記波長変換部材を準備する工程は、前記透光性部材の前記波長変換層側の面と反対側の面に前記光調整部材を有する前記波長変換部材を準備する工程を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、前記波長変換層側の面が前記支持基板の第１面側に位置するように前記波長変換部材を配置する請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
前記波長変換部材を準備する工程は、前記透光性部材の前記波長変換層側の面と反対側の面に前記光調整部材を有する前記波長変換部材を準備する工程を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、前記波長変換層側の面が前記支持基板の第１面側に位置するように前記波長変換部材を配置する請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項19】
前記波長変換部材を準備する工程は、前記透光性部材上に前記透光性部材の一部を覆う前記光調整部材を配置する工程と、前記光調整部材から露出する前記透光性部材及び前記光調整部材を覆う波長変換層を配置する工程と、を含む請求項１７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項20】
前記光調整部材は、前記第２光を波長変換する蛍光体を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、平面視で、前記第２発光部と重なる位置に前記光調整部材を配置する請求項１６乃至請求項１９のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
前記波長変換部材を配置する工程は、平面視で、前記第２発光部と重なる位置に前記光調整部材を配置する請求項１６乃至請求項１９のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項21】
前記光調整部材は、蛍光体を含まない、又は、前記波長変換部材における前記蛍光体を含む層の蛍光体濃度よりも低い濃度で前記第１光を波長変換する蛍光体を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、平面視で、前記第１発光部と重なる位置に前記光調整部材を配置する請求項１６乃至請求項１９のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
前記波長変換部材を配置する工程は、平面視で、前記第１発光部と重なる位置に前記光調整部材を配置する請求項１６乃至請求項１９のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、ヘッドライト等の車両用灯具の光源として、ＬＥＤが用いられている。例えば、特許文献１では、面積の異なる複数の発光素子を組み合わせることで、ヘッドライトに適した配光パターンを有する発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１７－０１１２５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、発光装置の小型化を図ることができる発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の実施形態に係る発光装置は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有する支持基板と、前記支持基板の第２面に配置され、それぞれが第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体を含み、隣り合って配置される第１発光部及び第２発光部と、を有する発光素子と、前記支持基板の第１面に配置され、前記第１発光部から出射される第１光及び前記第２発光部から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材と、前記波長変換部材の前記支持基板側の面と反対側の面、又は、前記波長変換部材の内部に配置され、平面視で前記第１発光部及び前記第２発光部のいずれか一方に重なる光調整部材と、を含む発光装置であって、前記発光素子は、前記発光装置の発光時において、前記第２光の発光ピーク波長における前記第１光の発光強度が、前記第２光の発光ピーク波長における前記第２光の発光強度より小さい。
【0006】
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有する支持基板と、前記支持基板の第２面に配置され、それぞれが第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体を含み、隣り合って配置される第１発光部及び第２発光部と、を有する発光素子を準備する工程と、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有し、前記第１発光部から出射される第１光及び前記第２発光部から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材の第１面、又は、前記波長変換部材の内部に光調整部材が配置された波長変換部材を準備する工程と、前記支持基板の第１面に、前記波長変換部材の第２面が対向するように、前記光調整部材が配置された前記波長変換部材を配置する工程と、を含み、前記波長変換部材を配置する工程は、平面視で前記第１発光部及び前記第２発光部のいずれか一方に重なる位置に前記光調整部材を配置する。
【発明の効果】
【0007】
本開示に係る実施形態によれば、発光装置の小型化を図ることができる発光装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1A】第１実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す斜視図である。
【図1B】第１実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。
【図1D】第１実施形態に係る発光装置における発光素子の一例を模式的に示す底面図である。
【図1E】第１実施形態に係る発光装置における発光素子の一例を模式的に示す断面図である。
【図1F】第１実施形態に係る発光装置における配線基板について説明するための模式平面図である。
【図1G】第１実施形態に係る発光装置における配線基板の一例を模式的に示す平面図である。
【図2A】第１実施形態に係る発光装置における、発光部からの光の経路について説明するための模式断面図である。
【図3】第１実施形態に係る発光装置の製造方法のフローチャートである。
【図4A】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図4B】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す平面図である。
【図4C】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図4D】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す平面図である。
【図4E】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図4F】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す平面図である。
【図4G】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図4H】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す平面図である。
【図4I】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図4J】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図4K】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図4L】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図5A】第２実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。
【図6A】第３実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。
【図6C】第３実施形態に係る発光装置における発光素子の一例を模式的に示す底面図である。
【図6D】第３実施形態に係る発光装置における発光素子の一例を模式的に示す断面図である。
【図6E】第３実施形態に係る発光装置における配線基板について説明するための模式平面図である。
【図6F】第３実施形態に係る発光装置における配線基板の一例を模式的に示す平面図である。
【図7A】第４実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。
【図8A】第５実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。
【図9A】第６実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。
【図10A】第７実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。
【図11】第８実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図12】第９実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための発光装置及び発光装置の製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張又は簡略化していることがある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略したり、断面図として切断面のみを示す端面図を用いたりすることがある。更に、「覆う」とは直に接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。また、「配置する」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して配置する場合も含む。
【0010】
＜第１実施形態＞
［発光装置］
図１Ａは、第１実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す斜視図である。図１Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。図１Ｃは、図１ＢのＩＣ－ＩＣ線における模式断面図である。図１Ｄは、第１実施形態に係る発光装置における発光素子の一例を模式的に示す底面図である。図１Ｅは、第１実施形態に係る発光装置における発光素子の一例を模式的に示す断面図である。図１Ｆは、第１実施形態に係る発光装置における配線基板について説明するための模式平面図である。図１Ｇは、第１実施形態に係る発光装置における配線基板の一例を模式的に示す平面図である。図２Ａは、第１実施形態に係る発光装置における、発光部からの光の経路について説明するための模式断面図である。図２Ｂは、図２Ａを簡略化した模式断面図である。
［発光装置］
図１Ａは、第１実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す斜視図である。図１Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。図１Ｃは、図１ＢのＩＣ－ＩＣ線における模式断面図である。図１Ｄは、第１実施形態に係る発光装置における発光素子の一例を模式的に示す底面図である。図１Ｅは、第１実施形態に係る発光装置における発光素子の一例を模式的に示す断面図である。図１Ｆは、第１実施形態に係る発光装置における配線基板について説明するための模式平面図である。図１Ｇは、第１実施形態に係る発光装置における配線基板の一例を模式的に示す平面図である。図２Ａは、第１実施形態に係る発光装置における、発光部からの光の経路について説明するための模式断面図である。図２Ｂは、図２Ａを簡略化した模式断面図である。
【0011】
発光装置１００は、第１面１５ａ及び第１面１５ａの反対側となる第２面１５ｂを有する支持基板１５と、支持基板１５の第２面１５ｂに配置され、それぞれが第１半導体層１１１，１２１、発光層１１２，１２２及び第２半導体層１１３，１２３を順に有する半導体積層体を含み、隣り合って配置される第１発光部１１及び第２発光部１２と、を有する発光素子１０と、支持基板１５の第１面１５ａに配置され、第１発光部１１から出射される第１光及び第２発光部１２から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材２０と、波長変換部材２０の支持基板１５側の面（つまり波長変換部材２０の第２面２０ｂ）と反対側の面（つまり波長変換部材２０の第１面２０ａ）、又は、波長変換部材２０の内部に配置され、平面視で第１発光部１１及び第２発光部１２のいずれか一方に重なる光調整部材３０と、を含む。発光素子１０は、発光装置１００の発光時において、第２光の発光ピーク波長における第１光の発光強度が、第２光の発光ピーク波長における第２光の発光強度より小さい。
【0012】
発光装置１００は、一例として、支持基板１５の側面を覆う導光部材４０と、発光素子１０が配置される配線基板５０と、導光部材４０を介して発光素子１０の側面及び波長変換部材２０の側面を覆う被覆部材６０と、を更に備える構成として説明する。
以下、発光装置１００の各構成について説明する。
以下、発光装置１００の各構成について説明する。
【0013】
（発光素子）
発光素子１０は、複数の発光部を備える。具体的には、発光素子１０は、支持基板１５と、支持基板１５の第２面１５ｂにおいて、隣り合って配置される第１発光部１１及び第２発光部１２と、第１発光部１１に配置される第１素子電極１６と、第２発光部１２に配置される第２素子電極１７と、を備えている。発光素子１０の第１発光部１１からは第１光が出射され、第２発光部１２からは第２光が出射される。
支持基板１５としては、サファイアやスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のような絶縁性基板、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物系の半導体基板が挙げられる。なお、発光部から出射される光を支持基板１５を介して取り出すために、支持基板１５は、透光性を有する材料を用いることが好ましい。
発光素子１０は、複数の発光部を備える。具体的には、発光素子１０は、支持基板１５と、支持基板１５の第２面１５ｂにおいて、隣り合って配置される第１発光部１１及び第２発光部１２と、第１発光部１１に配置される第１素子電極１６と、第２発光部１２に配置される第２素子電極１７と、を備えている。発光素子１０の第１発光部１１からは第１光が出射され、第２発光部１２からは第２光が出射される。
支持基板１５としては、サファイアやスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のような絶縁性基板、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物系の半導体基板が挙げられる。なお、発光部から出射される光を支持基板１５を介して取り出すために、支持基板１５は、透光性を有する材料を用いることが好ましい。
【0014】
第１発光部１１及び第２発光部１２は、半導体積層体を備えている。第１発光部１１及び第２発光部１２の半導体積層体は、それぞれ、第１半導体層１１１，１２１、発光層１１２，１２２及び第２半導体層１１３，１２３がこの順に支持基板１５上に配置されている。なお、支持基板１５と半導体積層体との間には、ＡｌＧａＮ等からなるバッファ層が配置されていてもよい。第１発光部１１と第２発光部１２とは、支持基板１５の第２面１５ｂに間を空けて隣り合って配置されている。第１発光部１１及び第２発光部１２はそれぞれ半導体積層体側に、外部からの電力を供給するための素子電極が配置されている。ここでは、第１発光部１１には、第１素子電極１６として、Ｎ側電極１６１、Ｐ側電極１６２、Ｎ側電極１６３の３つの素子電極が配置されている。同様に、第２発光部１２には、第２素子電極１７として、Ｎ側電極１７１、Ｐ側電極１７２、Ｎ側電極１７３の３つの素子電極が配置されている。発光素子１０において、第１発光部１１及び第２発光部１２は離隔しており、電気的に独立している。このため、第１発光部１１及び第２発光部１２は、それぞれ第１素子電極１６及び第２素子電極１７を介してそれぞれに電力を供給することで個別に駆動することができる。
【0015】
第１発光部１１及び第２発光部としては、用途に応じて任意の波長の光を出射するものを選択することができる。例えば、青色系（例えば波長４３０～５００ｎｍ）、緑色系（例えば波長５００～５７０ｎｍ）の光を出射する第１発光部１１及び／又は第２発光部１２は、半導体積層体として、窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰ等を用いたものを使用することができる。赤色系（例えば波長６１０～７００ｎｍ）の光を出射する第１発光部１１及び／又は第２発光部１２は、半導体積層体として、窒化物系半導体素子の他にもＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ等を用いることができる。第１発光部１１及び第２発光部１２は、同じ半導体積層体構造を有していてもよいし、異なる半導体積層体構造を有していてもよい。
【0016】
発光素子１０は、発光装置１００の発光時において、第１発光部１１及び第２発光部１２から出射される第１光及び第２光の発光強度を互いに異ならせることができる。
発光時の発光強度が異なる第１発光部１１と第２発光部１２を備える発光素子としては、例えば第１発光部１１及び第２発光部１２としてそれぞれ異なる半導体積層体を備える発光素子１０が挙げられる。また、第１発光部１１と第２発光部１２とが同じ半導体積層体を備える場合でも、第１発光部１１の発光層１１２を通過する電流の電流密度と第２発光部１２の発光層１２２を通過する電流の電流密度を異ならせることで、発光装置１００の発光時における発光強度が異なる第１発光部１１と第２発光部１２を備える発光素子１０とすることができる。ここでは、発光素子１０は、第１発光部１１と第２発光部１２に同じ半導体積層体構造を備えている。そして、発光装置１００の発光時における第２発光部１２の発光層１２２を通過する電流密度を第１発光部１１の発光層１１２を通過する電流密度よりも高くなるように発光素子１０に電力が供給される。
発光時の発光強度が異なる第１発光部１１と第２発光部１２を備える発光素子としては、例えば第１発光部１１及び第２発光部１２としてそれぞれ異なる半導体積層体を備える発光素子１０が挙げられる。また、第１発光部１１と第２発光部１２とが同じ半導体積層体を備える場合でも、第１発光部１１の発光層１１２を通過する電流の電流密度と第２発光部１２の発光層１２２を通過する電流の電流密度を異ならせることで、発光装置１００の発光時における発光強度が異なる第１発光部１１と第２発光部１２を備える発光素子１０とすることができる。ここでは、発光素子１０は、第１発光部１１と第２発光部１２に同じ半導体積層体構造を備えている。そして、発光装置１００の発光時における第２発光部１２の発光層１２２を通過する電流密度を第１発光部１１の発光層１１２を通過する電流密度よりも高くなるように発光素子１０に電力が供給される。
【0017】
第１発光部１１は、第１光を出射する。第２発光部１２は、第１光と発光ピーク波長における発光強度が異なる第２光を出射する。発光素子１０は、発光装置１００の発光時において、第２光の発光ピーク波長における第１光の発光強度が、第２光の発光ピーク波長における第２光の発光強度より小さい。例えば、第２光の発光ピーク波長を４３９ｎｍとした場合、この４３９ｎｍの波長において、第１光の発光強度は第２光の発光強度より小さい。第１光と第２光との発光強度が異なることで、発光装置１００の発光面における、第１発光部１１側の輝度と第２発光部１２側の輝度に差を付けることができる。これにより、例えば、発光装置１００を自動車のヘッドライトの光源に用いる場合、比較的簡単な光学系の構成においても、ヘッドライトの照射領域に応じて、輝度を調整することができる。なお、発光装置１００は、発光時における第１光と第２光の発光強度が異なる。そして、発光装置１００は、発光時の第２光の発光ピーク波長における第１光の発光強度と第２光の発光強度とが異なる。これに対し、発光装置１００の発光時において、つまり、第１発光部１１と第２発光部１２とを同時に発光させた場合、第１光の発光ピーク波長と第２光の発光ピーク波長が重なる部分が生じるため、発光装置１００の発光スペクトルからは、第２光の発光ピーク波長における第１光と第２光の発光強度の差が確認しづらいことがある。この場合、第２光の発光ピーク波長における第１光の発光強度と第２光の発光ピーク波長における第２光の発光強度の違いは、第１発光部１１と第２発光部１２とを個別に発光させることで確認することができる。
そして、発光装置１００は、１つの発光素子が、発光強度が異なる光を出射する第１発光部１１及び第２発光部１２を備える。これにより、複数の発光素子１０を組み合わせて発光面に輝度差を設ける発光装置よりも、発光装置１００の小型化を図ることができる。例えば、発光装置１００を自動車のヘッドライトの光源に用いる場合、発光面をより小さくすることで、レンズ、リフレクタ等の光学部品を小型化でき、ヘッドライトの小型化が可能となり、デザインの自由度を向上させることができる。
そして、発光装置１００は、１つの発光素子が、発光強度が異なる光を出射する第１発光部１１及び第２発光部１２を備える。これにより、複数の発光素子１０を組み合わせて発光面に輝度差を設ける発光装置よりも、発光装置１００の小型化を図ることができる。例えば、発光装置１００を自動車のヘッドライトの光源に用いる場合、発光面をより小さくすることで、レンズ、リフレクタ等の光学部品を小型化でき、ヘッドライトの小型化が可能となり、デザインの自由度を向上させることができる。
【0018】
発光時における第１光及び第２光の発光ピーク波長は、例えば４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下である。第１光及び第２光は、一部において発光スペクトルが重なるが、発光ピーク波長が異なる。発光時における第１光の発光ピーク波長と第２光の発光ピーク波長の差は、０．１ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましい。発光ピーク波長の差が０．１ｎｍ以上であれば、輝度の差をより付け易くなる。一方、発光ピーク波長の差が１５ｎｍ以下であれば、後述する光調整部材３０により、発光時の発光装置１００における発光面の色度ムラをより抑制し易くなる。発光装置１００は、発光時における第２光の発光強度を１００としたときに、第１光の発光強度は、０以上８０以下が挙げられ、１０以上７０以下であることが好ましい。第１光の発光強度が１０以上であれば、発光装置１００の発光面における色度の差を抑制し易くなる。一方、第１光の発光強度が７０以下であれば、発光面における輝度の差を付け易くなる。
【0019】
第１発光部１１及び第２発光部１２とは、平面視における面積が同じである。また、第１発光部１１と第２発光部１２とは、発光時の電流密度が異なる。発光装置１００は、第１発光部１１と第２発光部１２とで発光時の電流密度を異ならせることで、第１光の発光強度と第２光の発光強度を異ならせることができる。
発光時の電流密度は、後述するように、配線基板５０の配線５２を介して、第１発光部１１と第２発光部１２とを個別に駆動させることで異ならせることができる。
発光時の電流密度は、後述するように、配線基板５０の配線５２を介して、第１発光部１１と第２発光部１２とを個別に駆動させることで異ならせることができる。
【0020】
発光装置１００は、発光装置１００の発光面における第１発光部１１側の輝度と第２発光部１２側の輝度とが異なる。ここでは、発光装置１００は、第１発光部１１の発光時の電流密度が第２発光部１２の電流密度より低い。これにより、第１発光部１１から出射する第１光の発光強度よりも、第２発光部１２からから出射する第２光の発光強度が高くなる。そのため、発光装置１００は、輝度の差をより付け易くなる。具体的には、第１発光部１１の発光時の電流密度は０Ａ／ｍ２以上１．９×１０６Ａ／ｍ２以下であり、第２発光部１２の発光時の電流密度は第１発光部１１の発光時の電流密度より高く、かつ、１．７×１０６Ａ／ｍ２以上２．８×１０６Ａ／ｍ２以下が挙げられる。
【0021】
（波長変換部材）
発光装置１００は、支持基板１５の第１面１５ａに配置され、第１発光部１１から出射される第１光及び第２発光部１２から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材２０を備える。
波長変換部材２０は、発光素子１０からの光の少なくとも一部を異なる波長に波長変換するものである。波長変換部材２０は、ここでは、一例として、板状で平面視が長方形である。波長変換部材２０は、第１光及び第２光を第１光及び第２光と発光ピーク波長が異なる第３光に波長変換する蛍光体を含む。第３光の発光ピーク波長は、例えば５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。
波長変換部材２０は、蛍光体を含む波長変換層２１と、波長変換層２１を支持する透光性部材２２と、を有し、波長変換層２１が支持基板１５の第１面１５ａに対向して配置されている。また、波長変換部材２０は、支持基板１５の第１面１５ａよりも大きい面が、当該支持基板１５の第１面１５ａに接合されている。すなわち、波長変換部材２０の外縁が、平面視において、発光素子１０の外縁よりも外側に位置する大きさのものが配置されている。
発光装置１００は、支持基板１５の第１面１５ａに配置され、第１発光部１１から出射される第１光及び第２発光部１２から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材２０を備える。
波長変換部材２０は、発光素子１０からの光の少なくとも一部を異なる波長に波長変換するものである。波長変換部材２０は、ここでは、一例として、板状で平面視が長方形である。波長変換部材２０は、第１光及び第２光を第１光及び第２光と発光ピーク波長が異なる第３光に波長変換する蛍光体を含む。第３光の発光ピーク波長は、例えば５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。
波長変換部材２０は、蛍光体を含む波長変換層２１と、波長変換層２１を支持する透光性部材２２と、を有し、波長変換層２１が支持基板１５の第１面１５ａに対向して配置されている。また、波長変換部材２０は、支持基板１５の第１面１５ａよりも大きい面が、当該支持基板１５の第１面１５ａに接合されている。すなわち、波長変換部材２０の外縁が、平面視において、発光素子１０の外縁よりも外側に位置する大きさのものが配置されている。
【0022】
波長変換層２１としては、例えば樹脂、ガラス、無機物等の透光性材料をバインダーとして蛍光体と透光性材料を混合して成形したものを用いることができる。透光性材料としては、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料、ガラス、セラミック等の無機材料を用いることができる。
【0023】
蛍光体としては、第１発光部１１及び第２発光部１２から出射される第１光及び第２光で励起可能なものが使用される。
例えば、緑色発光する蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＴｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えばＣａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６－ｚＡｌｚＯｚＮ８－ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２））、ＳＧＳ系蛍光体（例えばＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ）等が挙げられる。
黄色発光する蛍光体としては、αサイアロン系蛍光体（例えばＭｚ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６（但し、０＜ｚ≦２であり、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、及びＬａとＣｅを除くランタニド元素）等が挙げられる。この他、上記緑色発光する蛍光体の中には黄色発光する蛍光体もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Ｙの一部をＧｄで置換することにより、発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な蛍光物質もある。
赤色発光する蛍光体としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ）等が挙げられる。この他、マンガン賦活フッ化物系蛍光体（一般式（Ｉ）Ａ２［Ｍ１－ａＭｎａＦ６］で表される蛍光体（但し、上記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす））が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の例としては、ＫＳＦ系蛍光体（例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２Ｓｉ０．９９Ａｌ０．０１Ｆ５．９９：Ｍｎ）及びＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等がある。
例えば、緑色発光する蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＴｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えばＣａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６－ｚＡｌｚＯｚＮ８－ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２））、ＳＧＳ系蛍光体（例えばＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ）等が挙げられる。
黄色発光する蛍光体としては、αサイアロン系蛍光体（例えばＭｚ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６（但し、０＜ｚ≦２であり、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、及びＬａとＣｅを除くランタニド元素）等が挙げられる。この他、上記緑色発光する蛍光体の中には黄色発光する蛍光体もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Ｙの一部をＧｄで置換することにより、発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な蛍光物質もある。
赤色発光する蛍光体としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ）等が挙げられる。この他、マンガン賦活フッ化物系蛍光体（一般式（Ｉ）Ａ２［Ｍ１－ａＭｎａＦ６］で表される蛍光体（但し、上記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす））が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の例としては、ＫＳＦ系蛍光体（例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２Ｓｉ０．９９Ａｌ０．０１Ｆ５．９９：Ｍｎ）及びＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等がある。
【0024】
例えば青色発光素子と組み合わせて白色系の混色光を発光させることができる蛍光体である黄色発光の蛍光体として、Ｙの一部をＧｄで置換した、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ）を好適に用いることができる。そして、白色に発光可能な発光装置１００とする場合、波長変換層２１に含まれる蛍光体の種類及び濃度は、所望の色度ランクの白色に発光可能となるように調整される。
【0025】
波長変換層２１の蛍光体濃度は、第１発光部１１から出射する発光強度が低い第１光に合わせて設定することが好ましい。具体的には、第１光の発光時のピーク波長に合わせて設定することが好ましい。例えば、所望の発光強度で発光させた際の第１光のピーク波長に合わせて、そのピーク波長で励起される波長変換効率や発光波長等を考慮して、含有させる蛍光体の種類、粒径、濃度が決定される。波長変換層２１の蛍光体濃度は、例えば５０質量％以上６０質量％以下とすることが好ましい。蛍光体濃度は、蛍光体を含む波長変換層２１における蛍光体の割合を示す。波長変換層２１の蛍光体濃度は、後述する光調整部材３０の蛍光体濃度よりも低い。
【0026】
透光性部材２２は、例えば樹脂、ガラス、無機物等の透光性材料を板状に成形したものが挙げられる。この透光性部材２２は、平面視において波長変換層２１と同等の大きさで波長変換層２１の上面に下面が当接するように配置されている。ガラスとしては、例えばホウ珪酸ガラス、石英ガラス等を用いることができ、樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。なかでも、光により劣化しにくいこと、機械的強度等を考慮して、透光性部材２２はガラスを用いることが好ましい。なお、透光性部材２２には、光拡散部材を含有させてもよい。透光性部材２２に光拡散部材を含有させることで、色度ムラ、輝度ムラを抑制することができる。光拡散部材としては、例えば酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等を用いることができる。
波長変換部材２０としては、例えば、ガラス板の透光性部材２２に波長変換層２１を印刷等により配置した構成が挙げられる。ガラス板で波長変換層２１が支持されるため、波長変換層２１をより薄くできる。これにより、波長変換層２１を通過する光の光路長が短くなり、波長変換層２１における光の減衰が抑制され、より高輝度な発光装置１００とすることができる。また、発光装置１００の発光面側にガラスを配置することで、透光性部材２２の表面凹凸を小さくでき、光調整部材３０を配置し易くなる。
波長変換部材２０としては、例えば、ガラス板の透光性部材２２に波長変換層２１を印刷等により配置した構成が挙げられる。ガラス板で波長変換層２１が支持されるため、波長変換層２１をより薄くできる。これにより、波長変換層２１を通過する光の光路長が短くなり、波長変換層２１における光の減衰が抑制され、より高輝度な発光装置１００とすることができる。また、発光装置１００の発光面側にガラスを配置することで、透光性部材２２の表面凹凸を小さくでき、光調整部材３０を配置し易くなる。
【0027】
波長変換部材２０の厚さは、発光装置１００の小型化、また波長変換部材２０の機械的強度等を考慮して、例えば３０μｍ以上３００μｍ以下、好ましくは６０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。なお、波長変換部材２０が波長変換層２１と透光性部材２２とを備える場合、波長変換層２１の厚さは、波長変換部材２０全体の厚さの１０％以上６０％以下程度とすることが好ましい。
【0028】
（光調整部材）
発光装置１００は、波長変換部材２０の支持基板側の面２０ｂ（以下、波長変換部材２０の第２面２０ｂと称する）と反対側の面２０ａ（以下、波長変換部材２０の第１面２０ａと称する）、又は、波長変換部材２０の内部に配置され、平面視で第１発光部１１及び第２発光部１２のいずれか一方に重なる光調整部材を含む。
光調整部材３０は、発光素子１０から出射される第１光及び第２光の少なくとも一部を吸収し、他の一部を異なる波長に波長変換するものである。ここでは、光調整部材３０は、第２光を波長変換する蛍光体を含む波長変換部材である。蛍光体は、例えば、第２光を第２光と発光ピーク波長が異なる第４光に波長変換するものである。なお、第２光が波長変換される第３光及び第４光は波長が同じであってもよく、波長が異なっていてもよい。例えば、含有させる蛍光体の種類等が異なることにより波長を異ならせることができる。第４光の発光ピーク波長は、例えば５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。光調整部材３０の蛍光体濃度は、例えば６０質量％以上７０質量％以下とすることが好ましい。蛍光体濃度は、蛍光体を含む光調整部材３０における蛍光体の割合を示す。
発光装置１００は、波長変換部材２０の支持基板側の面２０ｂ（以下、波長変換部材２０の第２面２０ｂと称する）と反対側の面２０ａ（以下、波長変換部材２０の第１面２０ａと称する）、又は、波長変換部材２０の内部に配置され、平面視で第１発光部１１及び第２発光部１２のいずれか一方に重なる光調整部材を含む。
光調整部材３０は、発光素子１０から出射される第１光及び第２光の少なくとも一部を吸収し、他の一部を異なる波長に波長変換するものである。ここでは、光調整部材３０は、第２光を波長変換する蛍光体を含む波長変換部材である。蛍光体は、例えば、第２光を第２光と発光ピーク波長が異なる第４光に波長変換するものである。なお、第２光が波長変換される第３光及び第４光は波長が同じであってもよく、波長が異なっていてもよい。例えば、含有させる蛍光体の種類等が異なることにより波長を異ならせることができる。第４光の発光ピーク波長は、例えば５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。光調整部材３０の蛍光体濃度は、例えば６０質量％以上７０質量％以下とすることが好ましい。蛍光体濃度は、蛍光体を含む光調整部材３０における蛍光体の割合を示す。
【0029】
発光装置１００において、光調整部材３０は波長変換部材２０の第１面２０ａに配置されていてもよく、波長変換部材２０の内部に配置されていてもよい。なかでも、光調整部材３０は、波長変換部材２０の内部に配置されていることが好ましい。具体的には、光調整部材３０は、波長変換部材２０の内部であって、透光性部材２２の波長変換層２１側の面に配置されていることが好ましい。言い換えると、光調整部材３０は、透光性部材２２と波長変換層２１との間に配置されていることが好ましい。なお、光調整部材３０が透光性部材２２と波長変換層２１との間に配置されている場合、図１Ｃに示すように、光調整部材３０の側面の一部は波長変換層２１から露出していてもよい。この場合、光調整部材３０は波長変換部材２０の側面の一部を構成する。また、波長変換部材２０の側面を構成する光調整部材３０の側面に連なる下面の一部は波長変換層２１から露出して波長変換部材２０の第２面２０ｂに配置されていてもよい。また、光調整部材３０は、波長変換部材２０に内包され、表面の全てが透光性部材２２及び波長変換層２１に覆われていてもよい。
【0030】
光調整部材３０が波長変換部材２０の内部に配置される場合、光調整部材３０を被覆する波長変換層２１の厚さは、光調整部材３０を被覆しない波長変換層２１の厚さよりも、光調整部材３０の厚さ分だけ薄いことが好ましい。つまり、光調整部材３０を含む波長変換部材２０は、全体として厚さが一定の平板状であることが好ましい。
光調整部材３０は、平面視で、第２発光部１２と重なる位置に配置されている。光調整部材３０を平面視で、第２光を出射する第２発光部１２と重なる位置に配置することで、第２発光部１２から出射した第２光のうち、波長変換層２１で波長変換されなかった第２光を光調整部材３０で第４光に波長変換することができる。つまり、光調整部材３０により、第２発光部側から出射される第２光の光量を調整することが可能となり、第１発光部１１側から出射する光と第２発光部１２側から出射する光との色度の差を小さくすることができる。これにより、発光装置１００は、発光面における発光色の色度ムラの改善を図ることができる。
光調整部材３０は、平面視で、第２発光部１２と重なる位置に配置されている。光調整部材３０を平面視で、第２光を出射する第２発光部１２と重なる位置に配置することで、第２発光部１２から出射した第２光のうち、波長変換層２１で波長変換されなかった第２光を光調整部材３０で第４光に波長変換することができる。つまり、光調整部材３０により、第２発光部側から出射される第２光の光量を調整することが可能となり、第１発光部１１側から出射する光と第２発光部１２側から出射する光との色度の差を小さくすることができる。これにより、発光装置１００は、発光面における発光色の色度ムラの改善を図ることができる。
【0031】
光調整部材３０は、平面視で、第２発光部１２の全てと重なる位置に配置されることが好ましい。これにより、第２発光部１２から出射した第２光が光調整部材３０でより波長変換され易くなる。ただし、光調整部材３０は、所望の色度に調整する効果を得ることができれば、平面視で、第２発光部１２と重ならない箇所があってもよい。
光調整部材３０は、平面視で、第２発光部１２と重なる位置に配置されると共に、第１発光部１１及び第２発光部１２の間の中央付近の位置まで延在して配置されることが好ましい。これにより、第２発光部１２から出射した第２光が光調整部材３０で更に波長変換され易くなる。
光調整部材３０は、平面視で、第２発光部１２と重なる位置に配置されると共に、第１発光部１１及び第２発光部１２の間の中央付近の位置まで延在して配置されることが好ましい。これにより、第２発光部１２から出射した第２光が光調整部材３０で更に波長変換され易くなる。
【0032】
なお、波長変換層２１の蛍光体濃度（低濃度）と光調整部材３０の蛍光体濃度（高濃度）の比率は、例えば、発光部の弱発光と強発光の光強度比率を１～２０：１００とする場合、１００（低濃度）：１０１～１２０（高濃度）程度にすることが好ましい。
具体的には、例えば、発光部の電流値差として、０．１Ａ（弱発光）：１Ａ（強発光）としたとき、ピーク波長差は、＋２．１ｎｍ（弱発光）：０ｎｍ（強発光）、色度ｙ差は、＋０．０１５：０程度となる。蛍光体濃度を８質量％増やすと、色度ｙは＋０．０１８程度変動するため、蛍光体濃度比率は、１００（低濃度）：１０８（高濃度）程度にするとよい。
具体的には、例えば、発光部の電流値差として、０．１Ａ（弱発光）：１Ａ（強発光）としたとき、ピーク波長差は、＋２．１ｎｍ（弱発光）：０ｎｍ（強発光）、色度ｙ差は、＋０．０１５：０程度となる。蛍光体濃度を８質量％増やすと、色度ｙは＋０．０１８程度変動するため、蛍光体濃度比率は、１００（低濃度）：１０８（高濃度）程度にするとよい。
【0033】
光調整部材３０は、波長変換層２１で例示した材料と同様の材料を用いることができる。波長変換層２１に含まれる蛍光体と、光調整部材３０に含まれる蛍光体とは、同じ種類であってもよい。なお、同じ種類とは、例えば、発光色が同じである場合、組成が同じである場合、あるいは、結晶構造が同じである場合（例えば、共にＹＡＧ系蛍光体であれば同じガーネット構造を有する場合）を含むことを意味する。ただし、波長変換層２１に含まれる蛍光体と、光調整部材３０に含まれる蛍光体とは異なる種類であってもよい。異なる発光色の蛍光体を含ませることで、発光装置１００から出射する光の調色が可能でとなる。例えば、波長変換層２１に黄色蛍光体を含ませ、光調整部材３０に赤色蛍光体を含ませることで、白色とアンバー色を発光させることが可能となる。
【0034】
（導光部材）
発光装置１００は、発光素子１０の側面を被覆する導光部材４０を備えていてもよい。
導光部材４０は、発光素子１０からの光を波長変換部材２０に導く部材である。導光部材４０は、支持基板１５の側面を覆っている。導光部材４０は、例えば、発光素子１０と波長変換部材２０とを接着する接着部材が支持基板１５の側面に延在したものであってもよい。この場合、導光部材４０は、所定の厚みで支持基板１５と波長変換部材２０との間に配置されていてもよい。また、導光部材４０は、発光素子１０と波長変換部材２０の接着部材とは異なる部材であってもよい。
発光装置１００は、発光素子１０の側面を被覆する導光部材４０を備えていてもよい。
導光部材４０は、発光素子１０からの光を波長変換部材２０に導く部材である。導光部材４０は、支持基板１５の側面を覆っている。導光部材４０は、例えば、発光素子１０と波長変換部材２０とを接着する接着部材が支持基板１５の側面に延在したものであってもよい。この場合、導光部材４０は、所定の厚みで支持基板１５と波長変換部材２０との間に配置されていてもよい。また、導光部材４０は、発光素子１０と波長変換部材２０の接着部材とは異なる部材であってもよい。
【0035】
導光部材４０の形状は、一例として、断面視で、側面が湾曲している。導光部材４０の形状、断面視で、支持基板１５の第２面１５ｂ側から波長変換部材２０の第２面２０ｂ側に向かって幅が広がるように、側面が傾斜した形状を有するものであってもよい。導光部材４０の側面の断面形状は、直線形状であってもよく、湾曲形状であってもよい。例えば、断面視における導光部材４０の側面が湾曲形状である場合、湾曲形状は、後述する被覆部材６０側に凹む湾曲形状でもよいし、支持基板１５側に凹む湾曲形状でもよい。更には、被覆部材６０側に凹む箇所と支持基板１５側に凹む箇所を有する形状であってもよい。
【0036】
導光部材４０としては、例えば、透光性の樹脂を用いることができる。導光部材４０としては、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を用いることができる。なかでも、耐熱性の高いシリコーン樹脂を用いることが好ましい。また、前記した光拡散部材や蛍光体が含有されていてもよい。
【0037】
（配線基板）
発光装置１００において、発光素子１０は配線基板５０上に配置することができる。
配線基板５０は、基材５１と、基材５１の上面に配置され、発光素子１０の第１素子電極１６及び第２素子電極１７に導電部材７０を介して電力を供給する配線５２とを備える。第１素子電極１６及び第２素子電極１７は、導電部材７０を介して配線５２上に配置される。導電部材７０は、導電性の金属、例えば、Ｃｕ、Ａｕあるいは、それぞれの合金等からなる金属材料を用いることができる。なお、発光素子１０と配線５２とは、導電部材７０を介さずに、素子電極と配線５２とが直接接合されていてもよい。
配線基板５０は、第１発光部１１と第２発光部１２とを個別に駆動可能な配線５２を備えている。配線５２は、例えば、第１発光部１１を駆動するための第１配線５２１、第２配線５２２、及び第３配線５２３と、第２発光部１２を駆動するための第４配線５２４、第５配線５２５、及び第６配線５２６と、を含む。第１配線５２１と第３配線５２３とは、ワイヤ５３で接続され、第４配線５２４と第６配線５２６とは、ワイヤ５４で接続されている。また、第２配線５２２及び第３配線５２３には保護素子等の電子部品５４１が配置され、第５配線５２５及び第６配線５２６には電子部品５４２が配置されている。このような配線５２により、配線基板５０は、第１発光部１１及び第２発光部１２に供給される電流の大きさを個別に制御することができる。
発光装置１００において、発光素子１０は配線基板５０上に配置することができる。
配線基板５０は、基材５１と、基材５１の上面に配置され、発光素子１０の第１素子電極１６及び第２素子電極１７に導電部材７０を介して電力を供給する配線５２とを備える。第１素子電極１６及び第２素子電極１７は、導電部材７０を介して配線５２上に配置される。導電部材７０は、導電性の金属、例えば、Ｃｕ、Ａｕあるいは、それぞれの合金等からなる金属材料を用いることができる。なお、発光素子１０と配線５２とは、導電部材７０を介さずに、素子電極と配線５２とが直接接合されていてもよい。
配線基板５０は、第１発光部１１と第２発光部１２とを個別に駆動可能な配線５２を備えている。配線５２は、例えば、第１発光部１１を駆動するための第１配線５２１、第２配線５２２、及び第３配線５２３と、第２発光部１２を駆動するための第４配線５２４、第５配線５２５、及び第６配線５２６と、を含む。第１配線５２１と第３配線５２３とは、ワイヤ５３で接続され、第４配線５２４と第６配線５２６とは、ワイヤ５４で接続されている。また、第２配線５２２及び第３配線５２３には保護素子等の電子部品５４１が配置され、第５配線５２５及び第６配線５２６には電子部品５４２が配置されている。このような配線５２により、配線基板５０は、第１発光部１１及び第２発光部１２に供給される電流の大きさを個別に制御することができる。
【0038】
基材５１としては、発光素子等の電子部品を支持するための配線基板を構成する基材として、当該分野で公知の材料を用いることができる。例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックス等の絶縁性材料、シリコン等の半導体材料、銅等の導電性材料が挙げられる。なかでも、耐熱性及び耐光性の高いセラミックスを好適に用いることができる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、ＬＴＣＣ等が挙げられる。また、これらの絶縁性材料、半導体材料、導電性材料の複合材料を用いることもできる。基材５１として半導体材料、導電性材料を用いる場合は、配線５２は、絶縁層を介して基材５１の上面に配置することができる。
配線５２の材料としては、例えば、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｄ等の金属又は、これらの少なくとも１種を含む合金等が挙げられる。
配線５２の材料としては、例えば、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｄ等の金属又は、これらの少なくとも１種を含む合金等が挙げられる。
【0039】
（被覆部材）
発光装置１００は、発光素子１０及び波長変換部材２０を被覆する被覆部材６０を備えることができる。
被覆部材６０は、第１素子電極１６及び第２素子電極１７の側面、及び、波長変換部材２０の側面を覆うように配置される。発光装置１００が、導光部材４０を備える場合、被覆部材６０は、導光部材４０を介して発光素子１０の側面を被覆する。更に、発光素子１０が配線基板５０上に配置される場合、被覆部材６０は、配線基板５０の上面を被覆してもよい。
被覆部材６０は、遮光性を有することが好ましく、具体的には光反射性及び／又は光吸収性を有することが好ましい。なかでも、発光素子１０から出射される光を好適に反射することができる材料を含むことが好ましい。例えば、発光素子１０から出射されたる第１光及び第２光に対して６０％以上の反射率を有することが好ましく、７０％以上、８０％以上又は９０％以上の反射率を有することがより好ましい。
被覆部材６０は、絶縁性材料を用いることが好ましい。被覆部材６０としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。具体的には、被覆部材６０としては、光反射性物質の粒子を含む樹脂が挙げられる。樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフタルアミド樹脂、の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、耐熱性、電気絶縁性に優れ、柔軟性のあるシリコーン樹脂をベースポリマーとして含有する樹脂が好ましい。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。なかでも酸化チタンは、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。
発光装置１００は、発光素子１０及び波長変換部材２０を被覆する被覆部材６０を備えることができる。
被覆部材６０は、第１素子電極１６及び第２素子電極１７の側面、及び、波長変換部材２０の側面を覆うように配置される。発光装置１００が、導光部材４０を備える場合、被覆部材６０は、導光部材４０を介して発光素子１０の側面を被覆する。更に、発光素子１０が配線基板５０上に配置される場合、被覆部材６０は、配線基板５０の上面を被覆してもよい。
被覆部材６０は、遮光性を有することが好ましく、具体的には光反射性及び／又は光吸収性を有することが好ましい。なかでも、発光素子１０から出射される光を好適に反射することができる材料を含むことが好ましい。例えば、発光素子１０から出射されたる第１光及び第２光に対して６０％以上の反射率を有することが好ましく、７０％以上、８０％以上又は９０％以上の反射率を有することがより好ましい。
被覆部材６０は、絶縁性材料を用いることが好ましい。被覆部材６０としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。具体的には、被覆部材６０としては、光反射性物質の粒子を含む樹脂が挙げられる。樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフタルアミド樹脂、の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、耐熱性、電気絶縁性に優れ、柔軟性のあるシリコーン樹脂をベースポリマーとして含有する樹脂が好ましい。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。なかでも酸化チタンは、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。
【0040】
［発光装置の動作］
発光装置１００を駆動すると、外部電源から発光素子１０に電流が供給され、発光素子１０が発光する。発光素子１０から出射される第１光及び第２光それぞれの少なくとも一部は、波長変換部材２０により第３光に波長変換される。第３光は、第３光に波長変換されなかった第１光及び第２光と混色され、例えば、白色の光として外部に照射される。また、発光素子１０から横方向に向かう光は、被覆部材６０により反射されて波長変換部材２０に入射し、外部に照射される。この際、前記したように、第１光と第２光とは発光強度が異なっており、波長変換層２１の蛍光体濃度は、第１発光部１１から出射する発光強度が低い第１光に合わせて設定されている。つまり、波長変換層２１の蛍光体濃度は、第２光に合わせて所望の白色となるように設定される際の蛍光体濃度よりも低い。このため、波長変換層２１で第３光に変換されない第２光の割合が多くなる。そして、光調整部材３０が、平面視で第２発光部１２に重なる位置に配置されることで、第２発光部１２側から出射し、波長変換層２１で第３光に変換されなかった第２光を光調整部材３０で波長変換することができる。これにより、第１発光部１１側から出射する光と第２発光部１２側から出射する光との色度差が小さくなり、発光装置１００の発光面における色度ムラの改善を図ることができる。
発光装置１００を駆動すると、外部電源から発光素子１０に電流が供給され、発光素子１０が発光する。発光素子１０から出射される第１光及び第２光それぞれの少なくとも一部は、波長変換部材２０により第３光に波長変換される。第３光は、第３光に波長変換されなかった第１光及び第２光と混色され、例えば、白色の光として外部に照射される。また、発光素子１０から横方向に向かう光は、被覆部材６０により反射されて波長変換部材２０に入射し、外部に照射される。この際、前記したように、第１光と第２光とは発光強度が異なっており、波長変換層２１の蛍光体濃度は、第１発光部１１から出射する発光強度が低い第１光に合わせて設定されている。つまり、波長変換層２１の蛍光体濃度は、第２光に合わせて所望の白色となるように設定される際の蛍光体濃度よりも低い。このため、波長変換層２１で第３光に変換されない第２光の割合が多くなる。そして、光調整部材３０が、平面視で第２発光部１２に重なる位置に配置されることで、第２発光部１２側から出射し、波長変換層２１で第３光に変換されなかった第２光を光調整部材３０で波長変換することができる。これにより、第１発光部１１側から出射する光と第２発光部１２側から出射する光との色度差が小さくなり、発光装置１００の発光面における色度ムラの改善を図ることができる。
【0041】
図２Ａ及び図２Ｂを参照して、光調整部材３０による発光色の色度ムラの改善について以下に具体的に説明する。なお、図２Ａ及び図２Ｂは、説明を簡略化するために一部の光の経路のみを模式的に示している。実際の光は、各部材間及び各部材中において、屈折、散乱等により、進行方向は適宜変化するが、簡単のため、図示は省略されることがある。
発光層から出射する光は、発光層を流れる電流値の強弱により、発光ピーク波長がシフトする。例えば、電流値を強くすると、発光ピーク波長は短波側にシフトする。そのため、第１発光部１１と第２発光部１２とが同じ半導体積層体であったとしても、第１発光部１１と第２発光部１２とに供給される電流値が異なると、発光ピーク波長の違いにより蛍光体の励起効率に差が生じ、発光色の色度に差が生じる。
発光層から出射する光は、発光層を流れる電流値の強弱により、発光ピーク波長がシフトする。例えば、電流値を強くすると、発光ピーク波長は短波側にシフトする。そのため、第１発光部１１と第２発光部１２とが同じ半導体積層体であったとしても、第１発光部１１と第２発光部１２とに供給される電流値が異なると、発光ピーク波長の違いにより蛍光体の励起効率に差が生じ、発光色の色度に差が生じる。
【0042】
第１発光部１１及び第２発光部１２から出射する第１光及び第２光（例えば青色光）の発光ピーク波長は、例えば、発光強度が高い第２光Ｌ２Ｂ１よりも、発光強度が低い第１光Ｌ１Ｂ１のほうが長波長である。この場合、第１光及び第２光が波長変換層２１で波長変換された光（例えば黄色光）の発光ピーク波長は、第２光Ｌ２Ｂ１が波長変換された第３光Ｌ２Ｙ１１よりも第１光Ｌ１Ｂ１が波長変換された第３光Ｌ１Ｙ１１のほうが長波長となる。また、波長変換層２１の蛍光体濃度は、第１発光部１１から出射する発光強度が低い第１光Ｌ１Ｂ１に合わせて設定している。このため、第２光Ｌ２Ｂ１に対しては蛍光体濃度が低く、第２光Ｌ２Ｂ１のより多くが波長変換されずに波長変換層２１を透過する。
【0043】
そして、光調整部材３０が、平面視で第２発光部１２に重なる位置に配置されることで、第２発光部１２側では、上方に向かう第２光Ｌ２Ｂ１の一部が波長変換層２１で波長変換されて第３光Ｌ２Ｙ１１となり、第２光Ｌ２Ｂ１の一部が光調整部材３０で波長変換されて第４光Ｌ２Ｙ１２となり、波長変換部材２０の上面から出射する。第３光Ｌ２Ｙ１１の一部は光調整部材３０で波長変換されて第４光Ｌ２Ｙ１３となり、波長変換部材２０の上面から出射する。なお、第１発光部１１から出射され、第２発光部１２側の斜め上方に向かう第１光Ｌ１Ｂ２は、一部が波長変換層２１で波長変換されて第３光Ｌ１Ｙ２１となり、第１光Ｌ１Ｂ２の一部が光調整部材３０で波長変換されて第４光Ｌ１Ｙ２２となり、波長変換部材２０の上面から出射する。
【0044】
一方、第１発光部１１側では、上方に向かう第１光Ｌ１Ｂ１の一部が波長変換層２１で波長変換されて第３光Ｌ１Ｙ１１となり、波長変換部材２０の上面から出射する。なお、第２発光部１２から出射され、第１発光部１１側の斜め上方に向かう第２光Ｌ２Ｂ２は、一部が波長変換層２１で波長変換されて第３光Ｌ２Ｙ２１となり、波長変換部材２０の上面から出射する。
この際、第２光が波長変換された第３光Ｌ２Ｙ１１は第１光が波長変換された第３光Ｌ１Ｙ１１よりも短波長（つまり青色寄り）である。このため、第２光Ｌ２Ｂ１（青色光）の一部を光調整部材３０で第４光Ｌ２Ｙ１２に波長変換することで、第２発光部１２側から出射する光の色度を調整している。これにより、第１発光部１１側から出射する光と第２発光部１２側から出射する光との色度差が小さくなり、発光装置１００から出射される輝度差のある白色の色度ムラの改善を図ることができる。
この際、第２光が波長変換された第３光Ｌ２Ｙ１１は第１光が波長変換された第３光Ｌ１Ｙ１１よりも短波長（つまり青色寄り）である。このため、第２光Ｌ２Ｂ１（青色光）の一部を光調整部材３０で第４光Ｌ２Ｙ１２に波長変換することで、第２発光部１２側から出射する光の色度を調整している。これにより、第１発光部１１側から出射する光と第２発光部１２側から出射する光との色度差が小さくなり、発光装置１００から出射される輝度差のある白色の色度ムラの改善を図ることができる。
【0045】
［発光装置の製造方法］
図３は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法のフローチャートである。図４Ａ、図４Ｃ、図４Ｅ、図４Ｇ、図４Ｉから図４Ｌは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。図４Ｂ、図４Ｄ、図４Ｆ、図４Ｈは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す平面図である。
図３は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法のフローチャートである。図４Ａ、図４Ｃ、図４Ｅ、図４Ｇ、図４Ｉから図４Ｌは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。図４Ｂ、図４Ｄ、図４Ｆ、図４Ｈは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す平面図である。
【0046】
発光装置１００の製造方法は、第１面１５ａ及び第１面１５ａの反対側となる第２面１５ｂを有する支持基板１５と、支持基板１５の第２面１５ｂに配置され、それぞれが第１半導体層１１１，１２１、発光層１１２，１２２及び第２半導体層１１３，１２３を順に有する半導体積層体を含み、隣り合って配置される第１発光部１１及び第２発光部１２と、を有する発光素子１０を準備する工程と、第１面２０ａ及び第１面２０ａの反対側となる第２面２０ｂを有し、第１発光部１１から出射される第１光及び第２発光部１２から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材２０の第１面２０ａ、又は、波長変換部材２０の内部に光調整部材３０が配置された波長変換部材２０を準備する工程と、支持基板１５の第１面１５ａに、波長変換部材２０の第２面２０ｂが対向するように、光調整部材３０が配置された波長変換部材２０を配置する工程と、を含む。波長変換部材２０を配置する工程は、平面視で第１発光部１１及び第２発光部１２のいずれか一方に重なる位置に光調整部材３０が配置されるように、波長変換部材２０を発光素子１０上に配置する。
【0047】
発光装置１００の製造方法では、発光素子を準備する工程Ｓ１１と、波長変換部材を準備する工程Ｓ１２と、波長変換部材を配置する工程Ｓ１３と、発光素子を配置する工程Ｓ１４と、被覆部材を配置する工程Ｓ１５と、を含むこととして説明する。
なお、各部材の材質や配置等については、前記した発光装置１００の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
なお、各部材の材質や配置等については、前記した発光装置１００の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
【0048】
（発光素子を準備する工程）
発光素子を準備する工程Ｓ１１は、支持基板１５と、第１発光部１１及び第２発光部１２と、第１素子電極１６及び第２素子電極１７と、を有する発光素子１０を準備する工程である。
発光素子を準備する工程Ｓ１１は、支持基板１５と、第１発光部１１及び第２発光部１２と、第１素子電極１６及び第２素子電極１７と、を有する発光素子１０を準備する工程である。
【0049】
（波長変換部材を準備する工程）
波長変換部材を準備する工程Ｓ１２は、波長変換部材２０における透光性部材２２の波長変換層２１側の面に光調整部材３０を配置する工程である。
波長変換部材を準備する工程Ｓ１２は、個片化後に個々の透光性部材２２となる領域を含む透光板２２０上に、透光板２２０の一部を覆う光調整層３００を配置する工程と、透光板２２０上に、光調整層３００から露出する透光板２２０及び光調整層３００を覆う波長変換層２１０を配置して中間体２００とする工程と、中間体２００を分割して透光性部材２２の波長変換層２１側の面に光調整部材３０が配置された波長変換部材２０とする工程と、を含む。
波長変換部材を準備する工程Ｓ１２は、波長変換部材２０における透光性部材２２の波長変換層２１側の面に光調整部材３０を配置する工程である。
波長変換部材を準備する工程Ｓ１２は、個片化後に個々の透光性部材２２となる領域を含む透光板２２０上に、透光板２２０の一部を覆う光調整層３００を配置する工程と、透光板２２０上に、光調整層３００から露出する透光板２２０及び光調整層３００を覆う波長変換層２１０を配置して中間体２００とする工程と、中間体２００を分割して透光性部材２２の波長変換層２１側の面に光調整部材３０が配置された波長変換部材２０とする工程と、を含む。
【0050】
具体的には、まず、平板状の透光板２２０上に、透光板２２０の上面の一部を覆う光調整層３００を配置する。透光板２２０上に配置される光調整部材３００の平面視形状は、ストライプ状、ドット状、島状、格子状等、種々の形状とすることができる。ここでは、複数の光調整部材３００が平面視でストライプ状に配置されている。次に、透光板２２０上に、光調整層３００から露出する透光板２２０の表面及び光調整層３００を覆うように波長変換層２１０を配置する。光調整層３００はその全てが波長変換層２１０で被覆されることが好ましい。このようにして中間体２００を作成する。そして、中間体２００を所望の位置で分割して内部に光調整部材３０が配置された波長変換部材２０とする。
なお、波長変換部材を準備する工程Ｓ１２では、支持基板１５の第１面１５ａに波長変換部材２０を配置した際に、平面視で、第２発光部１２に重なる位置に光調整部材３０が配置されるように、各部材の配置や大きさ等を調整する。
なお、波長変換部材を準備する工程Ｓ１２では、支持基板１５の第１面１５ａに波長変換部材２０を配置した際に、平面視で、第２発光部１２に重なる位置に光調整部材３０が配置されるように、各部材の配置や大きさ等を調整する。
【0051】
なお、ここでは、中間体２００を分割して光調整部材３０が配置された複数の波長変換部材２０を１度に準備することとしたが、光調整部材３０が配置された波長変換部材２０を個別に準備してもよい。すなわち、波長変換部材を準備する工程Ｓ１２は、透光性部材２２上に透光性部材２２の一部を覆う光調整部材３０を配置する工程と、光調整部材３０から露出する透光性部材２２及び光調整部材３０を覆う波長変換層２１を配置する工程と、を含むものであってもよい。また、予め光調整部材３０が配置された波長変換部材２０を購入等により準備してもよい。
なお、発光素子を準備する工程Ｓ１１と波長変換部材を準備する工程Ｓ１２とは、いずれか先であっても、並行して行っても構わない。
なお、発光素子を準備する工程Ｓ１１と波長変換部材を準備する工程Ｓ１２とは、いずれか先であっても、並行して行っても構わない。
【0052】
（波長変換部材を配置する工程）
波長変換部材を配置する工程Ｓ１３は、支持基板１５の第１面１５ａに、光調整部材３０が配置された波長変換部材２０を配置する工程である。波長変換部材を配置する工程Ｓ１３では、蛍光体を含む波長変換層２１と、波長変換層２１を支持する透光性部材２２と、を有する波長変換部材２０を、波長変換層２１側の面が支持基板１５の第１面１５ａ側に位置するように配置する。波長変換部材を配置する工程Ｓ１３では、平面視で、第２発光部１２に重なる位置に光調整部材３０が配置されるように波長変換部材２０を配置する。
波長変換部材２０は、例えば、接着部材を用いて支持基板１５に接合する。この際、接着部材の量を調整することで、支持基板１５と波長変換部材２０との間に設けた接着部材を支持基板１５の側面に延在させ、支持基板１５の側面に接着部材である導光部材４０を形成することができる。なお、接着部材を用いずに、直接接合法で波長変換部材２０を支持基板１５に接合してもよい。
波長変換部材を配置する工程Ｓ１３は、支持基板１５の第１面１５ａに、光調整部材３０が配置された波長変換部材２０を配置する工程である。波長変換部材を配置する工程Ｓ１３では、蛍光体を含む波長変換層２１と、波長変換層２１を支持する透光性部材２２と、を有する波長変換部材２０を、波長変換層２１側の面が支持基板１５の第１面１５ａ側に位置するように配置する。波長変換部材を配置する工程Ｓ１３では、平面視で、第２発光部１２に重なる位置に光調整部材３０が配置されるように波長変換部材２０を配置する。
波長変換部材２０は、例えば、接着部材を用いて支持基板１５に接合する。この際、接着部材の量を調整することで、支持基板１５と波長変換部材２０との間に設けた接着部材を支持基板１５の側面に延在させ、支持基板１５の側面に接着部材である導光部材４０を形成することができる。なお、接着部材を用いずに、直接接合法で波長変換部材２０を支持基板１５に接合してもよい。
【0053】
（発光素子を配置する工程）
発光素子を配置する工程Ｓ１４は、配線基板５０に発光素子１０を配置する工程である。発光素子を配置する工程Ｓ１４では、導電部材７０を用いて第１素子電極１６及び第２素子電極１７と配線５２とを接合することで、配線基板５０に発光素子１０を配置する。
発光素子を配置する工程Ｓ１４は、配線基板５０に発光素子１０を配置する工程である。発光素子を配置する工程Ｓ１４では、導電部材７０を用いて第１素子電極１６及び第２素子電極１７と配線５２とを接合することで、配線基板５０に発光素子１０を配置する。
【0054】
（被覆部材を配置する工程）
被覆部材を配置する工程Ｓ１５は、配線基板５０上に、第１素子電極１６及び第２素子電極１７の側面、導光部材４０の側面、及び、波長変換部材２０の側面を覆う被覆部材６０を配置する工程である。
被覆部材を配置する工程Ｓ１５では、配線基板５０上に、波長変換部材２０の側面の全てを覆うように被覆部材６０を構成する未硬化の樹脂を配置する。樹脂等の配置は、例えば固定された配線基板５０の上側において、配線基板５０に対して上下方向あるいは水平方向等に移動（可動）させることができる樹脂吐出装置を用いて樹脂を充填することで行うことができる。また、圧縮成形法、トランスファー成形法等によって樹脂等を配置することも可能である。その後、樹脂を硬化させ、被覆部材６０を形成する。なお、配線基板５０の所望の位置に予め樹脂壁等の枠を配置し、枠内に樹脂を供給することで被覆部材６０を形成してもよい。また、必要に応じて形成した被覆部材６０の上面を切削して、高さを調整したり、被覆部材６０の上面を平坦にしてもよい。
被覆部材を配置する工程Ｓ１５は、配線基板５０上に、第１素子電極１６及び第２素子電極１７の側面、導光部材４０の側面、及び、波長変換部材２０の側面を覆う被覆部材６０を配置する工程である。
被覆部材を配置する工程Ｓ１５では、配線基板５０上に、波長変換部材２０の側面の全てを覆うように被覆部材６０を構成する未硬化の樹脂を配置する。樹脂等の配置は、例えば固定された配線基板５０の上側において、配線基板５０に対して上下方向あるいは水平方向等に移動（可動）させることができる樹脂吐出装置を用いて樹脂を充填することで行うことができる。また、圧縮成形法、トランスファー成形法等によって樹脂等を配置することも可能である。その後、樹脂を硬化させ、被覆部材６０を形成する。なお、配線基板５０の所望の位置に予め樹脂壁等の枠を配置し、枠内に樹脂を供給することで被覆部材６０を形成してもよい。また、必要に応じて形成した被覆部材６０の上面を切削して、高さを調整したり、被覆部材６０の上面を平坦にしてもよい。
【0055】
なお、発光装置１００の製造方法では、個片化後に個々の発光装置１００の配線基板５０となる領域が複数連続した一枚の配線基板を用いて複数の発光装置１００を同時に製造してもよく、個別に製造してもよい。複数の発光装置１００を同時に製造する場合は、被覆部材を配置する工程Ｓ１５が終了した後、発光装置１００ごとに個片化する個片化工程が行われて、発光装置１００が形成される。
【0056】
次に、他の実施形態について説明する。なお、既に説明した構成は同じ符号を付して適宜説明を省略する。
【0057】
【0058】
発光装置１００Ａは、第１実施形態の発光装置１００の構成と比較して、光調整部材３０Ａが、平面視で、第１発光部１１の一部に重なる位置まで延在して配置されている点が異なっている。
光調整部材３０Ａは、平面視で、第２発光部１２に重なって配置されると共に、第１発光部１１の半分程度に重なる位置まで延在して配置されている。このような構成であれば、第２発光部１２から出射した第２光が光調整部材３０Ａで更に波長変換され易くなる。
光調整部材３０Ａは、平面視で、第２発光部１２に重なって配置されると共に、第１発光部１１の半分程度に重なる位置まで延在して配置されている。このような構成であれば、第２発光部１２から出射した第２光が光調整部材３０Ａで更に波長変換され易くなる。
【0059】
＜第３実施形態＞
図６Ａは、第３実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。図６Ｂは、図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ線における模式断面図である。図６Ｃは、第３実施形態に係る発光装置における発光素子の一例を模式的に示す底面図である。図６Ｄは、第３実施形態に係る発光装置における発光素子の一例を模式的に示す断面図である。図６Ｅは、第３実施形態に係る発光装置における配線基板について説明するための模式平面図である。図６Ｆは、第３実施形態に係る発光装置における配線基板の一例を模式的に示す平面図である。
図６Ａは、第３実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。図６Ｂは、図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ線における模式断面図である。図６Ｃは、第３実施形態に係る発光装置における発光素子の一例を模式的に示す底面図である。図６Ｄは、第３実施形態に係る発光装置における発光素子の一例を模式的に示す断面図である。図６Ｅは、第３実施形態に係る発光装置における配線基板について説明するための模式平面図である。図６Ｆは、第３実施形態に係る発光装置における配線基板の一例を模式的に示す平面図である。
【0060】
発光装置１００Ｂは、第１実施形態の発光装置１００の構成と比較して、発光素子１０Ａの第１発光部１１Ａと第２発光部１２Ａとの平面視における面積が異なっている。具体的には、平面視で、第１発光部１１Ａの発光面が第２発光部１２Ａの発光面よりも大きい。これにより、配線基板５０Ａにおいて第１発光部１１Ａと第２発光部１２Ａとを直列に接続する配線５２Ａを備えている場合であっても、第１発光部１１Ａと第２発光部１２Ａとにおいて、発光時の電流密度を異ならせることができる。これにより、発光装置１００Ｂの発光時において、発光面積のより小さい第２発光部１２Ａ側に、第１発光部１１Ａ側よりも、より高輝度な領域を配置することができる。
【0061】
第１発光部１１Ａ及び第２発光部１２Ａの半導体積層体は、それぞれ、支持基板１５側から、第１半導体層１１１Ａ，１２１Ａ、発光層１１２Ａ，１２２Ａ及び第２半導体層１１３Ａ，１２３Ａを備えている。第１発光部１１Ａと第２発光部１２Ａとは、支持基板１５の第２面１５ｂに間を空けて隣り合って配置されている。第１発光部１１Ａには、第１素子電極１６Ａとして、Ｎ側電極１６１Ａ、Ｐ側電極１６２Ａ、Ｎ側電極１６３Ａの３つの電極が配置されている。同様に、第２発光部１２Ａには、第２素子電極１７Ａとして、Ｎ側電極１７１Ａ、Ｐ側電極１７２Ａ、Ｎ側電極１７３Ａの３つの電極が配置されている。なお、第１素子電極１６Ａ及び第２素子電極１７Ａは、第１発光部１１Ａ及び第２発光部１２Ａの面積の差に対応した大きさである。
【0062】
配線基板５０Ａは、第１発光部１１Ａと第２発光部１２Ａとを直列に接続する配線５２Ａを備えている。
配線５２Ａは、例えば、第１配線５２１Ａ、第２配線５２２Ａ、及び第３配線５２３Ａを含む。第１配線５２１ＡにはＰ側電極１７２Ａが配置され、第２配線５２２ＡにはＮ側電極１６１Ａ及びＮ側電極１６３Ａが配置され、第３配線５２３ＡにはＰ側電極１６２Ａ、Ｎ側電極１７１Ａ、及び、Ｎ側電極１７３Ａが配置される。また、第１配線５２１Ａ及び第２配線５２２Ａには電子部品５４３が配置されている。このような配線５２Ａにより、配線基板５０Ａは、第１発光部１１Ａと第２発光部１２Ａとにおいて、発光時の電流密度を異ならせることができる。
配線５２Ａは、例えば、第１配線５２１Ａ、第２配線５２２Ａ、及び第３配線５２３Ａを含む。第１配線５２１ＡにはＰ側電極１７２Ａが配置され、第２配線５２２ＡにはＮ側電極１６１Ａ及びＮ側電極１６３Ａが配置され、第３配線５２３ＡにはＰ側電極１６２Ａ、Ｎ側電極１７１Ａ、及び、Ｎ側電極１７３Ａが配置される。また、第１配線５２１Ａ及び第２配線５２２Ａには電子部品５４３が配置されている。このような配線５２Ａにより、配線基板５０Ａは、第１発光部１１Ａと第２発光部１２Ａとにおいて、発光時の電流密度を異ならせることができる。
【0063】
【0064】
発光装置１００Ｃは、第１実施形態の発光装置１００の構成と比較して、波長変換部材２０Ａにおける波長変換層２１Ａの蛍光体の濃度が高い点が異なっている。また、光調整部材３１が、蛍光体を含まない部材であり、平面視で、第１発光部１１と重なる位置に配置されている。光調整部材３１は、例えば、第１光及び第３光を透過させる透光性の層であり、波長変換層２１のバインダーとして例示した材料と同様の材料を用いることができる。このような配置は、波長変換部材を配置する工程Ｓ１３において、平面視で、第１発光部１１に重なる位置に光調整部材３１が配置されるように波長変換部材２０Ａを配置する。光調整部材３１には、必要に応じて光拡散部材を含有させてもよい。光拡散部材としては、例えば酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等を用いることができる。
【0065】
波長変換層２１Ａの蛍光体濃度は、第２発光部１２から出射する発光強度が高い第２光に合わせて設定することが好ましい。具体的には、第２発光部１２の発光時のピーク波長に合わせて設定することが好ましい。波長変換層２１Ａの蛍光体濃度は、例えば６０質量％以上７０質量％以下とすることが好ましい。
【0066】
発光装置１００Ｃにおいて、波長変換層２１Ａの蛍光体濃度を発光強度が高い第２光に合わせて設定する場合、第１発光部１１及び第２発光部１２上に同じ厚みの波長変換層２１が配置されると、発光強度が低い第１光に対しては蛍光体濃度が高く設定されるため、より多くの第１光が波長変換されることとなる。つまり、発光装置１００Ｃの第２発光部１２側から出射される光における第２光の割合よりも、第１発光部１１側から出射される光における第１光の割合が少なくなる。このため、光調整部材３１を平面視で、第１光を出射する第１発光部１１に重なる位置に配置することで、平面視で第１発光部１１に重なる位置の蛍光体量を減らすことができる。これにより、第１光が波長変換される第３光の量を減らすことができ、色度ムラの改善を図ることができる。
【0067】
【0068】
発光装置１００Ｄは、第４実施形態の発光装置１００Ｃの構成と比較して、光調整部材３１Ａが、平面視で、第２発光部１２の一部に重なる位置まで延在して配置されている点が異なっている。
光調整部材３１Ａは、平面視で、第１発光部１１に重なって配置されると共に、第２発光部１２の半分程度に重なる位置まで延在して配置されている。このような構成であれば、第１光が波長変換される第３光の量を更に減らすことができ、色度ムラの改善を図ることができる。
光調整部材３１Ａは、平面視で、第１発光部１１に重なって配置されると共に、第２発光部１２の半分程度に重なる位置まで延在して配置されている。このような構成であれば、第１光が波長変換される第３光の量を更に減らすことができ、色度ムラの改善を図ることができる。
【0069】
【0070】
発光装置１００Ｅは、第４実施形態の発光装置１００Ｃの構成と比較して、平面視で、第１発光部１１Ａの発光面が第２発光部１２Ａの発光面よりも大きい点が異なっている。また、配線基板５０Ａは、第１発光部１１Ａと第２発光部１２Ａとを直列に接続する配線５２Ａを備えており、配線５２Ａは、第１発光部１１Ａ及び第２発光部１２Ａの面積の差に対応した大きさとすることができる。これにより、配線基板５０Ａにおいて第１発光部１１Ａと第２発光部１２Ａとを直列に接続する配線５２Ａを備えている場合であっても、第１発光部１１Ａと第２発光部１２Ａとにおいて、発光時の電流密度を異ならせることができる。
【0071】
【0072】
発光装置１００Ｆは、第１実施形態の発光装置１００構成と比較して、光調整部材３０が、波長変換部材２０の第１面２０ａに配置され、平面視で、第２発光部１２と重なる位置に配置されている点が異なっている。このような構成であれば、光調整部材３０の配置する位置を調整し易くなる。
発光装置１００Ｆの製造方法は、波長変換部材を準備する工程Ｓ１２において、透光性部材２２の波長変換層２１側の面と反対側の面に光調整部材３０を有する波長変換部材２０を準備し、波長変換部材を配置する工程Ｓ１３において、波長変換層２１側の面が支持基板１５の第１面１５ａ側に位置するように波長変換部材２０を配置することにより行うことができる。
発光装置１００Ｆの製造方法は、波長変換部材を準備する工程Ｓ１２において、透光性部材２２の波長変換層２１側の面と反対側の面に光調整部材３０を有する波長変換部材２０を準備し、波長変換部材を配置する工程Ｓ１３において、波長変換層２１側の面が支持基板１５の第１面１５ａ側に位置するように波長変換部材２０を配置することにより行うことができる。
【0073】
＜第８実施形態＞
図１１は、第８実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
図１１は、第８実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
【0074】
発光装置１００Ｇは、第７実施形態の発光装置１００Ｆの構成と比較して、波長変換部材２０Ｂが１層からなる点が異なっている。波長変換部材２０Ｂは、例えば、発光装置１００で説明した波長変換層２１のみの１層であってもよいし、蛍光体の焼結体であってもよい。波長変換部材２０Ｂの蛍光体濃度は、例えば８０質量％以上９０質量％以下とすることが好ましい。蛍光体濃度は、蛍光体を含む波長変換部材２０Ｂの全量における蛍光体の割合を示す。また、波長変換部材２０Ｂには、必要に応じて光拡散部材を含有させてもよい。
【0075】
＜第９実施形態＞
図１２は、第９実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
図１２は、第９実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
【0076】
発光装置１００Ｈは、第４実施形態の発光装置１００Ｃの構成と比較して、光調整部材３１Ｂの厚みが一定ではない点が異なっている。光調整部材３１Ｂは、第１光及び第３光を透過させる透光性の層である。なお、本実施形態においては、光調整部材３１Ｂは光拡散部材を含有することが好ましい。光調整部材３１Ｂは、波長変換部材２０Ａにおける第１発光部１１側の外縁から第２発光部１２側に向けて厚みが徐々に薄くなるように、支持基板１５の第１面１５ａに対して傾斜した下面を有する。ここでは、断面視で、光調整部材３１Ｂの下面は緩やかに湾曲した曲線形状を有している。なお、断面視で、光調整部材３１Ｂの下面は直線形状であってもよく、直線形状と曲線形状からなるものであってもよい。また、光調整部材３１Ｂは、厚みが徐々に薄くなるものであってもよいし、厚みが一定の部位があってもよい。例えば、光調整部材３１Ｂは、波長変換部材２０Ａにおける第１発光部１１側の外縁から第２発光部１２側に向かって、第１発光部１１の前記外縁側から１／３程度の部位までは、一定の厚みを有し、そこから厚みが徐々に薄くなる形状であってもよい。
発光装置１００Ｈは、光拡散部材を含有する光調整部材３１Ｂが傾斜する下面を備えることで、発光装置１００Ｈから照射された光における、第１発光部１１側と第２発光部１２側との境界を視認しにくくすることができる。例えば、発光装置１００Ｈの発光面における相対輝度値を測定した際に、低輝度領域（つまり第１発光部１１側の輝度）と高輝度領域（つまり第２発光部１２側の輝度）との間に、高輝度領域と低輝度領域の間の輝度を有する中輝度領域を設けることができる。これにより、例えば、発光装置１００Ｈを自動車のヘッドライトの光源に用いる場合、光学系における、ヘッドライトの照射領域に応じた輝度の調整がし易くなる。
発光装置１００Ｈは、光拡散部材を含有する光調整部材３１Ｂが傾斜する下面を備えることで、発光装置１００Ｈから照射された光における、第１発光部１１側と第２発光部１２側との境界を視認しにくくすることができる。例えば、発光装置１００Ｈの発光面における相対輝度値を測定した際に、低輝度領域（つまり第１発光部１１側の輝度）と高輝度領域（つまり第２発光部１２側の輝度）との間に、高輝度領域と低輝度領域の間の輝度を有する中輝度領域を設けることができる。これにより、例えば、発光装置１００Ｈを自動車のヘッドライトの光源に用いる場合、光学系における、ヘッドライトの照射領域に応じた輝度の調整がし易くなる。
【0077】
以上、本実施形態に係る発光装置及びその製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変等したものも本発明の趣旨に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【0078】
例えば、光調整部材３１は、蛍光体を含まないものとして説明したが、光調整部材３１は、波長変換層２１Ａの蛍光体濃度よりも低い濃度で第１光を波長変換する蛍光体を含むものであってもよい。なお、光調整部材３１は、波長変換層２１Ａの蛍光体よりも波長変換効率が低い蛍光体、又は、波長変換されない蛍光体を含むものであってもよく、この場合、光調整部材３１の蛍光体濃度は、波長変換層２１Ａの蛍光体濃度よりも高い濃度、又は、同じ濃度であってもよい。
また、蛍光体を含む光調整部材３１は、透光性部材２２の波長変換層２１Ａ側の面の反対側の面に配置されるものであってもよく、波長変換部材２０Ａの支持基板１５側の面に配置されていてもよい。
また、蛍光体を含む光調整部材３１は、透光性部材２２の波長変換層２１Ａ側の面の反対側の面に配置されるものであってもよく、波長変換部材２０Ａの支持基板１５側の面に配置されていてもよい。
【0079】
また、例えば、発光装置は、発光部が３つ以上であってもよい。また、１つの発光部に配置される素子電極は、２つであってもよく、４つ以上であってもよい。また、導光部材や被覆部材を有さない形態であってもよい。また、波長変換部材は、３層以上であってもよい。この場合、蛍光体濃度は、波長変換部材における蛍光体を含む層全体の全量に対する蛍光体の割合とすればよい。また、第１発光部と第２発光部との平面視における面積が同じである場合、第１発光部と第２発光部とを直列に接続する配線を備える配線基板に定電流ダイオードを配置することで、第１発光部と第２発光部との発光時の電流密度が異なるようにしてもよい。また、第１発光部と第２発光部との平面視における面積が異なる場合であっても、第１発光部と第２発光部とを個別に駆動することで、第１発光部と第２発光部との発光時の電流密度が異なるようにしてもよい。
【0080】
また、発光装置の製造方法において、一部の工程は、順序が限定されるものではなく、順序が前後してもよい。例えば、波長変換部材を発光素子に配置した後に、波長変換部材に光調整部材を配置してもよい。また、配線基板上に被覆部材を配置した後に、波長変換部材に光調整部材を配置してもよい。また、配線基板に発光素子を配置した後に、波長変換部材を発光素子に配置してもよい。
【0081】
本開示の実施形態に係る発光装置及びその製造方法は、例えば、以下の通りである。
［項１］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有する支持基板と、前記支持基板の第２面に配置され、それぞれが第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体を含み、隣り合って配置される第１発光部及び第２発光部と、を有する発光素子と、
前記支持基板の第１面に配置され、前記第１発光部から出射される第１光及び前記第２発光部から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材と、
前記波長変換部材の前記支持基板側の面と反対側の面、又は、前記波長変換部材の内部に配置され、平面視で前記第１発光部及び前記第２発光部のいずれか一方に重なる光調整部材と、を含む発光装置であって、
前記発光素子は、前記発光装置の発光時において、前記第２光の発光ピーク波長における前記第１光の発光強度が、前記第２光の発光ピーク波長における前記第２光の発光強度より小さい発光装置。
［項２］
前記波長変換部材は、前記蛍光体を含む波長変換層と、前記波長変換層を支持する透光性部材と、を有する項１に記載の発光装置。
［項３］
前記光調整部材は、前記透光性部材の前記波長変換層側の面に配置される項２に記載の発光装置。
［項４］
前記第１光の発光ピーク波長は、前記第２光の発光ピーク波長より長く、
前記光調整部材は、前記第２光を波長変換する蛍光体を含み、
前記光調整部材は、平面視で、前記第２発光部と重なる位置に配置される項１乃至項３のいずれか一項に記載の発光装置。
［項５］
前記波長変換部材に含まれる蛍光体と、前記光調整部材に含まれる蛍光体とは、同じ種類の蛍光体を含む項４に記載の発光装置。
［項６］
前記第１光の発光ピーク波長は、前記第２光の発光ピーク波長より長く、
前記光調整部材は、蛍光体を含まない、又は、前記波長変換部材における前記蛍光体を含む層の蛍光体濃度よりも低い濃度で前記第１光を波長変換する蛍光体を含み、
前記光調整部材は、平面視で、前記第１発光部と重なる位置に配置される項１乃至項３のいずれか一項に記載の発光装置。
［項７］
前記第１発光部と前記第２発光部とは、発光時の電流密度が異なる項１乃至項６のいずれか一項に記載の発光装置。
［項８］
前記第１発光部と前記第２発光部とは、平面視における面積が同じである項７に記載の発光装置。
［項９］
前記第１発光部と前記第２発光部とは、平面視における面積が異なる項７に記載の発光装置。
［項１０］
前記発光素子が配置される配線基板を備え、
前記配線基板は、前記第１発光部と前記第２発光部とを個別に駆動可能な配線を備える項８又は項９に記載の発光装置。
［項１１］
前記発光素子が配置される配線基板を備え、
前記配線基板は、前記第１発光部と前記第２発光部とを直列に接続する配線を備える項９に記載の発光装置。
［項１２］
前記光調整部材は、平面視で、前記第１発光部及び前記第２発光部のいずれか一方に重なって配置されると共に、前記第１発光部及び前記第２発光部の他方の一部に重なる位置まで延在して配置される項１乃至項１１のいずれか一項に記載の発光装置。
［項１３］
発光時における前記第２光の発光強度を１００としたときに、前記第１光の発光強度が１０以上７０以下である項１乃至項１２のいずれか一項に記載の発光装置。
［項１４］
発光時における前記第１光及び前記第２光の発光ピーク波長が４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下であり、前記第３光の発光ピーク波長が５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である項１乃至項１３のいずれか一項に記載の発光装置。
［項１５］
発光時における前記第１光の発光ピーク波長と前記第２光の発光ピーク波長の差が０．１ｎｍ以上１５ｎｍ以下である項１乃至項１４のいずれか一項に記載の発光装置。
［項１６］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有する支持基板と、前記支持基板の第２面に配置され、それぞれが第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体を含み、隣り合って配置される第１発光部及び第２発光部と、を有する発光素子を準備する工程と、
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有し、前記第１発光部から出射される第１光及び前記第２発光部から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材の第１面、又は、前記波長変換部材の内部に光調整部材が配置された波長変換部材を準備する工程と、
前記支持基板の第１面に、前記波長変換部材の第２面が対向するように、前記光調整部材が配置された前記波長変換部材を配置する工程と、を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、平面視で前記第１発光部及び前記第２発光部のいずれか一方に重なる位置に前記光調整部材を配置する発光装置の製造方法。
［項１７］
前記波長変換部材は、前記蛍光体を含む波長変換層と、前記波長変換層を支持する透光性部材と、を有し、
前記波長変換部材を準備する工程は、前記透光性部材の前記波長変換層側の面に前記光調整部材を有する前記波長変換部材を準備する工程を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、前記波長変換層側の面が前記支持基板の第１面側に位置するように前記波長変換部材を配置する項１６に記載の発光装置の製造方法。
［項１８］
前記波長変換部材は、前記蛍光体を含む波長変換層と、前記波長変換層を支持する透光性部材と、を有し、
前記波長変換部材を準備する工程は、前記透光性部材の前記波長変換層側の面と反対側の面に前記光調整部材を有する前記波長変換部材を準備する工程を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、前記波長変換層側の面が前記支持基板の第１面側に位置するように前記波長変換部材を配置する項１６に記載の発光装置の製造方法。
［項１９］
前記波長変換部材を準備する工程は、前記透光性部材上に前記透光性部材の一部を覆う前記光調整部材を配置する工程と、前記光調整部材から露出する前記透光性部材及び前記光調整部材を覆う波長変換層を配置する工程と、を含む項１７に記載の発光装置の製造方法。
［項２０］
前記光調整部材は、前記第２光を波長変換する蛍光体を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、平面視で、前記第２発光部と重なる位置に前記光調整部材を配置する項１６乃至項１９のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
［項２１］
前記光調整部材は、蛍光体を含まない、又は、前記波長変換部材における前記蛍光体を含む層の蛍光体濃度よりも低い濃度で前記第１光を波長変換する蛍光体を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、平面視で、前記第１発光部と重なる位置に前記光調整部材を配置する項１６乃至項１９のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
［項１］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有する支持基板と、前記支持基板の第２面に配置され、それぞれが第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体を含み、隣り合って配置される第１発光部及び第２発光部と、を有する発光素子と、
前記支持基板の第１面に配置され、前記第１発光部から出射される第１光及び前記第２発光部から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材と、
前記波長変換部材の前記支持基板側の面と反対側の面、又は、前記波長変換部材の内部に配置され、平面視で前記第１発光部及び前記第２発光部のいずれか一方に重なる光調整部材と、を含む発光装置であって、
前記発光素子は、前記発光装置の発光時において、前記第２光の発光ピーク波長における前記第１光の発光強度が、前記第２光の発光ピーク波長における前記第２光の発光強度より小さい発光装置。
［項２］
前記波長変換部材は、前記蛍光体を含む波長変換層と、前記波長変換層を支持する透光性部材と、を有する項１に記載の発光装置。
［項３］
前記光調整部材は、前記透光性部材の前記波長変換層側の面に配置される項２に記載の発光装置。
［項４］
前記第１光の発光ピーク波長は、前記第２光の発光ピーク波長より長く、
前記光調整部材は、前記第２光を波長変換する蛍光体を含み、
前記光調整部材は、平面視で、前記第２発光部と重なる位置に配置される項１乃至項３のいずれか一項に記載の発光装置。
［項５］
前記波長変換部材に含まれる蛍光体と、前記光調整部材に含まれる蛍光体とは、同じ種類の蛍光体を含む項４に記載の発光装置。
［項６］
前記第１光の発光ピーク波長は、前記第２光の発光ピーク波長より長く、
前記光調整部材は、蛍光体を含まない、又は、前記波長変換部材における前記蛍光体を含む層の蛍光体濃度よりも低い濃度で前記第１光を波長変換する蛍光体を含み、
前記光調整部材は、平面視で、前記第１発光部と重なる位置に配置される項１乃至項３のいずれか一項に記載の発光装置。
［項７］
前記第１発光部と前記第２発光部とは、発光時の電流密度が異なる項１乃至項６のいずれか一項に記載の発光装置。
［項８］
前記第１発光部と前記第２発光部とは、平面視における面積が同じである項７に記載の発光装置。
［項９］
前記第１発光部と前記第２発光部とは、平面視における面積が異なる項７に記載の発光装置。
［項１０］
前記発光素子が配置される配線基板を備え、
前記配線基板は、前記第１発光部と前記第２発光部とを個別に駆動可能な配線を備える項８又は項９に記載の発光装置。
［項１１］
前記発光素子が配置される配線基板を備え、
前記配線基板は、前記第１発光部と前記第２発光部とを直列に接続する配線を備える項９に記載の発光装置。
［項１２］
前記光調整部材は、平面視で、前記第１発光部及び前記第２発光部のいずれか一方に重なって配置されると共に、前記第１発光部及び前記第２発光部の他方の一部に重なる位置まで延在して配置される項１乃至項１１のいずれか一項に記載の発光装置。
［項１３］
発光時における前記第２光の発光強度を１００としたときに、前記第１光の発光強度が１０以上７０以下である項１乃至項１２のいずれか一項に記載の発光装置。
［項１４］
発光時における前記第１光及び前記第２光の発光ピーク波長が４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下であり、前記第３光の発光ピーク波長が５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である項１乃至項１３のいずれか一項に記載の発光装置。
［項１５］
発光時における前記第１光の発光ピーク波長と前記第２光の発光ピーク波長の差が０．１ｎｍ以上１５ｎｍ以下である項１乃至項１４のいずれか一項に記載の発光装置。
［項１６］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有する支持基板と、前記支持基板の第２面に配置され、それぞれが第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体を含み、隣り合って配置される第１発光部及び第２発光部と、を有する発光素子を準備する工程と、
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有し、前記第１発光部から出射される第１光及び前記第２発光部から出射される第２光を第３光に波長変換する蛍光体を含む波長変換部材の第１面、又は、前記波長変換部材の内部に光調整部材が配置された波長変換部材を準備する工程と、
前記支持基板の第１面に、前記波長変換部材の第２面が対向するように、前記光調整部材が配置された前記波長変換部材を配置する工程と、を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、平面視で前記第１発光部及び前記第２発光部のいずれか一方に重なる位置に前記光調整部材を配置する発光装置の製造方法。
［項１７］
前記波長変換部材は、前記蛍光体を含む波長変換層と、前記波長変換層を支持する透光性部材と、を有し、
前記波長変換部材を準備する工程は、前記透光性部材の前記波長変換層側の面に前記光調整部材を有する前記波長変換部材を準備する工程を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、前記波長変換層側の面が前記支持基板の第１面側に位置するように前記波長変換部材を配置する項１６に記載の発光装置の製造方法。
［項１８］
前記波長変換部材は、前記蛍光体を含む波長変換層と、前記波長変換層を支持する透光性部材と、を有し、
前記波長変換部材を準備する工程は、前記透光性部材の前記波長変換層側の面と反対側の面に前記光調整部材を有する前記波長変換部材を準備する工程を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、前記波長変換層側の面が前記支持基板の第１面側に位置するように前記波長変換部材を配置する項１６に記載の発光装置の製造方法。
［項１９］
前記波長変換部材を準備する工程は、前記透光性部材上に前記透光性部材の一部を覆う前記光調整部材を配置する工程と、前記光調整部材から露出する前記透光性部材及び前記光調整部材を覆う波長変換層を配置する工程と、を含む項１７に記載の発光装置の製造方法。
［項２０］
前記光調整部材は、前記第２光を波長変換する蛍光体を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、平面視で、前記第２発光部と重なる位置に前記光調整部材を配置する項１６乃至項１９のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
［項２１］
前記光調整部材は、蛍光体を含まない、又は、前記波長変換部材における前記蛍光体を含む層の蛍光体濃度よりも低い濃度で前記第１光を波長変換する蛍光体を含み、
前記波長変換部材を配置する工程は、平面視で、前記第１発光部と重なる位置に前記光調整部材を配置する項１６乃至項１９のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【0082】
本開示の実施形態に係る発光装置は、ヘッドライト等の車両用照明に好適に利用することができる。その他、本開示の実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置等に利用することができる。
【符号の説明】
【0083】
１５ 支持基板
１５ａ 第１面
１５ｂ 第２面
１０、１０Ａ 発光素子
１１、１１Ａ 第１発光部
１２、１２Ａ 第２発光部
１１１、１１１Ａ 第１半導体層
１２１、１２１Ａ 第１半導体層
１１２、１１２Ａ 発光層
１２２、１２２Ａ 発光層
１１３、１１３Ａ 第２半導体層
１２３、１２３Ａ 第２半導体層
１６、１６Ａ 第１素子電極
１７、１７Ａ 第２素子電極
１６１、１６１Ａ Ｎ側電極
１６２、１６２Ａ Ｐ側電極
１６３、１６３Ａ Ｎ側電極
１７１、１７１Ａ Ｎ側電極
１７２、１７２Ａ Ｐ側電極
１７３、１７３Ａ Ｎ側電極
２０、２０Ａ、２０Ｂ 波長変換部材
２０ａ 第１面
２０ｂ 第２面
２１、２１Ａ 波長変換層
２２ 透光性部材
２２０ 透光板
２１０ 波長変換層
２００ 中間体
３０、３０Ａ 光調整部材
３１、３１Ａ、３１Ｂ 光調整部材
３００ 光調整層
４０ 導光部材
５０、５０Ａ 配線基板
５１ 基材
５２、５２Ａ 配線
５２１、５２１Ａ 第１配線
５２２、５２２Ａ 第２配線
５２３、５２３Ａ 第３配線
５２４ 第４配線
５２５ 第５配線
５２６ 第６配線
５３ ワイヤ
５４ ワイヤ
５４１、５４２、５４３ 電子部品
６０ 被覆部材
７０ 導電部材
１００、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ 発光装置
１５ａ 第１面
１５ｂ 第２面
１０、１０Ａ 発光素子
１１、１１Ａ 第１発光部
１２、１２Ａ 第２発光部
１１１、１１１Ａ 第１半導体層
１２１、１２１Ａ 第１半導体層
１１２、１１２Ａ 発光層
１２２、１２２Ａ 発光層
１１３、１１３Ａ 第２半導体層
１２３、１２３Ａ 第２半導体層
１６、１６Ａ 第１素子電極
１７、１７Ａ 第２素子電極
１６１、１６１Ａ Ｎ側電極
１６２、１６２Ａ Ｐ側電極
１６３、１６３Ａ Ｎ側電極
１７１、１７１Ａ Ｎ側電極
１７２、１７２Ａ Ｐ側電極
１７３、１７３Ａ Ｎ側電極
２０、２０Ａ、２０Ｂ 波長変換部材
２０ａ 第１面
２０ｂ 第２面
２１、２１Ａ 波長変換層
２２ 透光性部材
２２０ 透光板
２１０ 波長変換層
２００ 中間体
３０、３０Ａ 光調整部材
３１、３１Ａ、３１Ｂ 光調整部材
３００ 光調整層
４０ 導光部材
５０、５０Ａ 配線基板
５１ 基材
５２、５２Ａ 配線
５２１、５２１Ａ 第１配線
５２２、５２２Ａ 第２配線
５２３、５２３Ａ 第３配線
５２４ 第４配線
５２５ 第５配線
５２６ 第６配線
５３ ワイヤ
５４ ワイヤ
５４１、５４２、５４３ 電子部品
６０ 被覆部材
７０ 導電部材
１００、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ 発光装置
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図1F】
【図1G】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図4G】
【図4H】
【図4I】
【図4J】
【図4K】
【図4L】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図6E】
【図6F】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図11】
【図12】