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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023164858
(43)【公開日】2023-11-14
(54)【発明の名称】磁性組成物
(51)【国際特許分類】
H01F 1/26 20060101AFI20231107BHJP
H01F 1/28 20060101ALI20231107BHJP
B22F 1/00 20220101ALI20231107BHJP
B22F 3/00 20210101ALI20231107BHJP
B22F 1/05 20220101ALI20231107BHJP
B22F 3/02 20060101ALI20231107BHJP
B22F 1/07 20220101ALN20231107BHJP
B22F 1/08 20220101ALN20231107BHJP
B22F 1/052 20220101ALN20231107BHJP
B22F 1/065 20220101ALN20231107BHJP
B22F 1/14 20220101ALN20231107BHJP
【ＦＩ】
H01F1/26
H01F1/28
B22F1/00 Y
B22F3/00 B
B22F1/05
B22F3/02 M
B22F1/07
B22F1/08
B22F1/052
B22F1/065
B22F1/14 500
【審査請求】有
【請求項の数】1
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023134763
(22)【出願日】2023-08-22
(62)【分割の表示】P 2020060278の分割
【原出願日】2020-03-30
(71)【出願人】
【識別番号】000000066
【氏名又は名称】味の素株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】萩原 千尋
(72)【発明者】
【氏名】大浦 一郎
(72)【発明者】
【氏名】大山 秀樹
(57)【要約】
【課題】比透磁率が向上し、磁性損失が低減された硬化物を得ることができる磁性組成物、及び当該磁性組成物を用いて得られる磁性シート、回路基板、及びインダクタ基板の提供。
【解決手段】（Ａ）磁性粉体、及び（Ｂ）バインダー樹脂を含み、（Ａ）成分の粒径分布における１０％粒径（Ｄ１０）が１．７μｍ以上２．６μｍ以下、５０％粒径（Ｄ５０）が３．６μｍ以上１２．０μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ９０）が２５．０μｍ以上５１．０μｍ以下である、磁性組成物。
【選択図】なし
【解決手段】（Ａ）磁性粉体、及び（Ｂ）バインダー樹脂を含み、（Ａ）成分の粒径分布における１０％粒径（Ｄ１０）が１．７μｍ以上２．６μｍ以下、５０％粒径（Ｄ５０）が３．６μｍ以上１２．０μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ９０）が２５．０μｍ以上５１．０μｍ以下である、磁性組成物。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
（Ａ）磁性粉体、
（Ｂ）バインダー樹脂、及び
（Ｃ）硬化促進剤、を含み、
（Ａ）成分の粒径分布における１０％粒径（Ｄ１０）が１．７μｍ以上２．６μｍ以下、５０％粒径（Ｄ５０）が３．６μｍ以上１２．０μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ９０）が２５．０μｍ以上５１．０μｍ以下であり、
（Ｃ）成分が、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、及び金属系硬化促進剤のいずれか１つ以上である、磁性組成物。
（Ｂ）バインダー樹脂、及び
（Ｃ）硬化促進剤、を含み、
（Ａ）成分の粒径分布における１０％粒径（Ｄ１０）が１．７μｍ以上２．６μｍ以下、５０％粒径（Ｄ５０）が３．６μｍ以上１２．０μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ９０）が２５．０μｍ以上５１．０μｍ以下であり、
（Ｃ）成分が、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、及び金属系硬化促進剤のいずれか１つ以上である、磁性組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁性組成物、及び磁性組成物を用いて得られる磁性シート、回路基板、及びインダクタ基板に関する。
【背景技術】
【0002】
プリント配線板等の回路基板には、インダクタ部品等の磁性粉体を含有する磁性層が設けられることがある。磁性層に含有される磁性粉体として、磁性損失の低減を抑制するために、例えば、特許文献１には、シリコン酸化物にて軟磁性粉末を表面処理したシリコン酸化物被膜軟磁性粉末が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－１４３２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
近年、インダクタ部品のさらなる高性能化のため、磁性損失が低い磁性層を形成しうる技術が求められている。このため、本発明者らは、磁性層の比透磁率及び磁性損失について検討したところ、比透磁率を向上させようとすると磁性損失が増大してしまい、磁性損失を低減しようとすると比透磁率が低下してしまい、比透磁率を高くすることと磁性損失を小さくすることとの間にトレードオフの関係があることを知見した。
【0005】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、比透磁率が向上し、磁性損失が低減された硬化物を得ることができる磁性組成物、及び当該磁性組成物を用いて得られる磁性シート、回路基板、及びインダクタ基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者らが鋭意検討したところ、所定の粒径分布を有する磁性粉体を磁性組成物に含有させることで、比透磁率と磁性損失とのトレードオフの関係を解消できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0007】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］（Ａ）磁性粉体、及び
（Ｂ）バインダー樹脂を含み、
（Ａ）成分の粒径分布における１０％粒径（Ｄ１０）が１．７μｍ以上２．６μｍ以下、５０％粒径（Ｄ５０）が３．６μｍ以上１２．０μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ９０）が２５．０μｍ以上５１．０μｍ以下である、磁性組成物。
［２］ （Ａ）成分が、軟磁性粉体である、［１］に記載の磁性組成物。
［３］ （Ａ）成分が、ナノ結晶磁性材料、及びアモルファス磁性材料のいずれかである、［１］又は［２］に記載の磁性組成物。
［４］ （Ａ）成分が、鉄合金系金属粉を含む、［１］～［３］のいずれかに記載の磁性組成物。
［５］ （Ａ）成分が、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料及びＦｅ基アモルファス磁性材料のいずれかである、［１］～［４］のいずれかに記載の磁性組成物。
［６］ インダクタ素子形成用である、［１］～［５］のいずれかに記載の磁性組成物。
［７］ ペースト状である、［１］～［６］のいずれかに記載の磁性組成物。
［８］ スルーホール充填用である、［１］～［７］のいずれかに記載の磁性組成物。
［９］ 支持体と、該支持体上に設けられた、［１］～［８］のいずれかに記載の磁性組成物で形成された磁性組成物層とを含む、磁性シート。
［１０］ ［１］～［８］のいずれかに記載の磁性組成物の硬化物である磁性層を含む、回路基板。
［１１］ スルーホールを有する基板と、前記スルーホールに充填した、［１］～［８］のいずれかに記載の磁性組成物の硬化物と、を有する回路基板。
［１２］ ［１０］又は［１１］に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。
［１］（Ａ）磁性粉体、及び
（Ｂ）バインダー樹脂を含み、
（Ａ）成分の粒径分布における１０％粒径（Ｄ１０）が１．７μｍ以上２．６μｍ以下、５０％粒径（Ｄ５０）が３．６μｍ以上１２．０μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ９０）が２５．０μｍ以上５１．０μｍ以下である、磁性組成物。
［２］ （Ａ）成分が、軟磁性粉体である、［１］に記載の磁性組成物。
［３］ （Ａ）成分が、ナノ結晶磁性材料、及びアモルファス磁性材料のいずれかである、［１］又は［２］に記載の磁性組成物。
［４］ （Ａ）成分が、鉄合金系金属粉を含む、［１］～［３］のいずれかに記載の磁性組成物。
［５］ （Ａ）成分が、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料及びＦｅ基アモルファス磁性材料のいずれかである、［１］～［４］のいずれかに記載の磁性組成物。
［６］ インダクタ素子形成用である、［１］～［５］のいずれかに記載の磁性組成物。
［７］ ペースト状である、［１］～［６］のいずれかに記載の磁性組成物。
［８］ スルーホール充填用である、［１］～［７］のいずれかに記載の磁性組成物。
［９］ 支持体と、該支持体上に設けられた、［１］～［８］のいずれかに記載の磁性組成物で形成された磁性組成物層とを含む、磁性シート。
［１０］ ［１］～［８］のいずれかに記載の磁性組成物の硬化物である磁性層を含む、回路基板。
［１１］ スルーホールを有する基板と、前記スルーホールに充填した、［１］～［８］のいずれかに記載の磁性組成物の硬化物と、を有する回路基板。
［１２］ ［１０］又は［１１］に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、比透磁率が向上し、磁性損失が低減された硬化物を得ることができる磁性組成物、及び当該磁性組成物を用いて得られる磁性シート、回路基板、及びインダクタ基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の実施形態によって限定されるものではなく、各構成要素は適宜変更可能である。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。
【0011】
［磁性組成物］
本発明の磁性組成物は、（Ａ）磁性粉体、及び（Ｂ）バインダー樹脂を含み、（Ａ）成分の粒径分布における１０％粒径（Ｄ１０）が１．７μｍ以上２．６μｍ以下、５０％粒径（Ｄ５０）が３．６μｍ以上１２．０μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ９０）が２５．０μｍ以上５１．０μｍ以下である。本発明では、所定の粒径分布を有する磁性粉体を磁性組成物に含有させることで、この磁性組成物の硬化物の比透磁率の向上及び磁性損失の低減の両立が可能となる。
本発明の磁性組成物は、（Ａ）磁性粉体、及び（Ｂ）バインダー樹脂を含み、（Ａ）成分の粒径分布における１０％粒径（Ｄ１０）が１．７μｍ以上２．６μｍ以下、５０％粒径（Ｄ５０）が３．６μｍ以上１２．０μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ９０）が２５．０μｍ以上５１．０μｍ以下である。本発明では、所定の粒径分布を有する磁性粉体を磁性組成物に含有させることで、この磁性組成物の硬化物の比透磁率の向上及び磁性損失の低減の両立が可能となる。
【0012】
磁性組成物は、必要に応じて、さらに（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）分散剤、（Ｅ）その他の添加剤を含み得る。以下、本発明の磁性組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
【0013】
＜（Ａ）磁性粉体＞
磁性組成物は、（Ａ）成分として、磁性粉体を含有し、（Ａ）成分の粒径分布における１０％粒径（Ｄ１０）が１．７μｍ以上２．６μｍ以下、５０％粒径（Ｄ５０）が３．６μｍ以上１２．０μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ９０）が２５．０μｍ以上５１．０μｍ以下の粒度分布を有する。上記粒径分布は磁性組成物中に含まれる（Ａ）磁性粉体全体の粒径分布を表す。（Ａ）成分を磁性組成物に含有させることでその硬化物の比透磁率の向上及び磁性損失の低減の両立が可能となる。
磁性組成物は、（Ａ）成分として、磁性粉体を含有し、（Ａ）成分の粒径分布における１０％粒径（Ｄ１０）が１．７μｍ以上２．６μｍ以下、５０％粒径（Ｄ５０）が３．６μｍ以上１２．０μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ９０）が２５．０μｍ以上５１．０μｍ以下の粒度分布を有する。上記粒径分布は磁性組成物中に含まれる（Ａ）磁性粉体全体の粒径分布を表す。（Ａ）成分を磁性組成物に含有させることでその硬化物の比透磁率の向上及び磁性損失の低減の両立が可能となる。
【0014】
（Ａ）磁性粉体の粒径分布は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、磁性粉体の粒径分布を体積基準で作成し、１０％粒径（Ｄ１０）、５０％粒径（Ｄ５０）、及び９０％粒径（Ｄ９０）を測定することができる。測定サンプルは、磁性粉体を超音波により純水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、マイクロトラックベル社製「ＭＴ３０００ＩＩ」、堀場製作所社製「ＬＡ－９６０」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ－２２００」等を使用することができる。
【0015】
粒径分布における１０％粒径（Ｄ１０）とは、上記の方法により粒径分布を測定した結果、粒径分布において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が１０％となるときの粒径をいう。５０％粒径（Ｄ５０）とは、上記の方法により粒径分布を測定した結果、粒径分布において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が５０％となるときの粒径をいう。また、９０％粒径（Ｄ９０）とは、上記の方法により粒径分布を測定した結果、粒径分布において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が９０％となるときの粒径をいう。ここで（Ａ）磁性粉体の平均粒径は、５０％粒径（Ｄ５０）の粒径を意味する。以下、１０％粒径（Ｄ１０）をＤ１０、５０％粒径（Ｄ５０）をＤ５０、及び９０％粒径（Ｄ９０）をＤ９０ということがある。
【0016】
粒径分布におけるＤ１０としては、磁性組成物の硬化物の比透磁率の向上及び磁性損失の低減の両立を可能とする観点から、１．７μｍ以上であり、好ましくは１．８μｍ以上、より好ましくは１．９μｍ以上である。上限は２．６μｍ以下であり、好ましくは２．５μｍ以下であり、より好ましくは２．４μｍ以下である。
【0017】
粒径分布におけるＤ５０としては、磁性組成物の硬化物の比透磁率の向上及び磁性損失の低減の両立を可能とする観点から、３．６μｍ以上であり、好ましくは４．０μｍ以上、より好ましくは５．０μｍ以上である。上限は１２．０μｍ以下であり、好ましくは１１．０μｍ以下であり、より好ましくは１０．０μｍ以下である。
【0018】
粒径分布におけるＤ９０としては、磁性組成物の硬化物の比透磁率の向上及び磁性損失の低減の両立を可能とする観点から、２５．０μｍ以上であり、好ましくは２６．０μｍ以上、より好ましくは２７．０μｍ以上である。上限は５１．０μｍ以下であり、好ましくは５０．０μｍ以下、より好ましくは４９．０μｍ以下である。
【0019】
Ｄ５０－Ｄ１０としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１．０μｍ以上、より好ましくは１．１μｍ以上、さらに好ましくは１．２μｍ以上である。上限は、好ましくは１０．３μｍ以下、より好ましくは１０．２μｍ以下、さらに好ましくは１０．１μｍ以下である。
【0020】
Ｄ９０－Ｄ１０としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは２２．４μｍ以上、より好ましくは２２．５μｍ以上、さらに好ましくは２２．６μｍ以上である。上限は、好ましくは４９．３μｍ以下、より好ましくは４９．２μｍ以下、さらに好ましくは４９．１μｍ以下である。
【0021】
Ｄ９０－Ｄ５０としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１３μｍ以上、より好ましくは１４μｍ以上、さらに好ましくは１５μｍ以上である。上限は、好ましくは４７．４μｍ以下、より好ましくは４７．０μｍ以下、さらに好ましくは４６．０μｍ以下である。
【0022】
Ｄ９０／Ｄ５０としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１４．１７以下、より好ましくは１２．７５以下、さらに好ましくは１０．２０以下である。下限は、好ましくは２．０８以上、より好ましくは２．２７以上、さらに好ましくは２．５０以上である。
【0023】
Ｄ９０／Ｄ１０としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは３０．０以下、より好ましくは２８．３以下、さらに好ましくは２６．８以下である。下限は、好ましくは９．６２以上、より好ましくは１０以上、さらに好ましくは１０．４以上である。
【0024】
Ｄ５０／Ｄ１０としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは７．０６以下、より好ましくは６．６７以下、さらに好ましくは６．３２以下である。下限は、好ましくは１．３８以上、より好ましくは１．４４以上、さらに好ましくは１．８９以上である。
【0025】
（Ａ）磁性粉体としては、軟磁性粉体、硬磁性粉体のいずれであってもよいが、磁性粉体の偏在化を抑制する観点から、軟磁性粉体であることが好ましい。
【0026】
（Ａ）磁性粉体は、磁性組成物の硬化物の比透磁率の向上及び磁性損失の低減の両立を可能とする観点から、ナノ結晶磁性材料、及びアモルファス磁性材料のいずれかであることが好ましく、結晶の磁気異方性が低減されることで磁性損失の低減が可能となる観点からナノ結晶磁性材料であることがより好ましい。本明細書において、ナノ結晶磁性材料とは、結晶粒を含む磁性材料であり、磁性粉体の結晶粒の粒径が１００ｎｍ以下を含み、好ましくは結晶粒の最大粒径が１００ｎｍ以下であるものをいう。通常、（Ａ）磁性粉体の粒子１個には、複数個の結晶粒が含まれており、その粒子は多結晶体でありうる。結晶粒の大きさは例えばＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により観察しうる。ナノ結晶磁性材料は、結晶粒を含有するので、通常、Ｘ線回折パターンにおいて結晶性を示すピークを示しうる。また、アモルファス磁性材料とは、非晶質の磁性材料であり、Ｘ線回折パターンでは結晶性を示す特定のピークを示さないものをいう。通常、アモルファス磁性材料のＸ線回折パターンには、結晶性を示すピークのないブロードなパターンが現れる。（Ａ）磁性粉体をナノ結晶磁性材料、及びアモルファス磁性材料のいずれかとすることで、磁束密度が高まり、その結果、比透磁率の向上及び磁性損失の低減の両方を効果的に達成することが可能になると考えられる。
【0027】
（Ａ）磁性粉体としては、例えば、Ｆｅ－Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ－Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｏ系合金粉末、あるいはＦｅ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金粉末などの鉄合金系金属粉（Ｆｅ基金属粉）等が挙げられる。
【0028】
中でも、（Ａ）磁性粉体としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、鉄合金系金属粉が好ましい。鉄合金系金属粉としては、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏから選ばれる少なくとも１種を含む鉄合金系金属粉を含むことが好ましく、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒを含む鉄合金系金属粉を含むことがより好ましい。また、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏから選ばれる少なくとも１種を含む、ナノ結晶磁性材料、及びアモルファス磁性材料のいずれかであることがより好ましく、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒを含む、ナノ結晶磁性材料、及びアモルファス磁性材料のいずれかであることがさらに好ましく、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、及びＦｅ基アモルファス磁性材料のいずれかであることが好ましく、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料であることがより好ましい。ここで、Ｆｅ基とは、Ｆｅ原子を含むことを意味する。
【0029】
（Ａ）磁性粉体は、例えば分級を行うことで所定の粒径分布に調整することが可能である。また、上記粒径分布は磁性組成物中に含まれる（Ａ）成分全体の粒径分布を表す。よって、２種以上の磁性粉体を混合してなる（Ａ）成分が所定の粒径分布を有するように調整すればよく、例えば、所定の粒径分布を有さない磁性粉体を複数混合し、（Ａ）成分全体として所定の粒径分布を有すればよい。
【0030】
（Ａ）磁性粉体は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよいが、本発明の効果を顕著に得る観点から、２種以上の磁性粉体を併用することが好ましく、平均粒径が異なる２種以上の磁性粉体を併用することがより好ましい。一実施形態として、平均粒径が異なる２種の磁性粉体を併用する場合、一方の磁性粉体の平均粒径としては、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。また、好ましくは１０μｍ未満、より好ましくは９μｍ以下、さらに好ましくは８μｍ以下である。他方の磁性粉体の平均粒径としては、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１３μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上である。また、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下、さらに好ましくは２３μｍ以下である。
【0031】
平均粒径が異なる２種以上の磁性粉体を併用する場合において、一方の磁性粉体の平均粒径をａ１とし、他方の磁性粉体の平均粒径をａ２とした場合、ａ１／ａ２としては、好ましくは１以上、より好ましくは３以上、さらに好ましくは５以上であり、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下、さらに好ましくは８以下である。但し、ａ１＞ａ２である。ａ１／ａ２が斯かる範囲内となるように調整することで、本発明の効果を顕著に得ることができる。
【0032】
（Ａ）磁性粉体としては、市販品を用いることができ、２種以上を併用してもよい。用いられ得る市販の磁性粉体の具体例としては、エプソンアトミックス社製「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、「ＡＴＦＩＮＥ ＮＣ１」（ナノ結晶磁性材料）；エプソンアトミックス社製「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」（アモルファス磁性材料）等が挙げられる。
【0033】
（Ａ）磁性粉体は、球状であることが好ましい。磁性粉体の長軸の長さを短軸の長さで除した値（アスペクト比）としては、好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下、さらに好ましくは１．２以下であり、好ましくは１を超え、より好ましくは１．０５以上である。一般に、磁性粉体は球状ではない扁平な形状であるほうが、比透磁率を向上させやすいが、本発明においては、磁気損失を低くする観点、また好ましい粘度を有する磁性組成物を得る観点から、球状の磁性粉体を用いる方が好ましい。
【0034】
（Ａ）磁性粉体の比表面積は、比透磁率を向上させる観点から、好ましくは０．０５ｍ２／ｇ以上、より好ましくは０．１ｍ２／ｇ以上、さらに好ましくは０．３ｍ２／ｇ以上である。また、好ましくは１５ｍ２／ｇ以下、より好ましくは１２ｍ２／ｇ以下、さらに好ましくは１０ｍ２／ｇ以下である。（Ａ）磁性粉体の比表面積は、ＢＥＴ法によって測定できる。
【0035】
（Ａ）磁性粉体の含有量（体積％）は、比透磁率を向上させ及び磁性損失を低減させる観点から、磁性組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは１０体積％以上、より好ましくは２０体積％以上、さらに好ましくは３０体積％以上である。また、好ましくは９５体積％以下、より好ましくは９０積％以下、さらに好ましくは８０体積％以下である。
【0036】
（Ａ）磁性粉体の含有量（質量％）は、比透磁率を向上させ及び磁性損失を低減させる観点から、磁性組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上である。また、好ましくは９９．５質量％以下、より好ましくは９９質量％以下、さらに好ましくは９８質量％以下である。
なお、本発明において、磁性組成物中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、磁性組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値である。
なお、本発明において、磁性組成物中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、磁性組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値である。
【0037】
＜（Ｂ）バインダー樹脂＞
磁性組成物は、（Ｂ）成分として、（Ｂ）バインダー樹脂を含有する。（Ｂ）バインダー樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール系樹脂、ナフトール系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボジイミド系樹脂、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂等の熱硬化性樹脂；フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられる。（Ｂ）成分は、熱硬化性樹脂を含んでいてもよく、熱可塑性樹脂を含んでいてもよく、両者を組み合わせて含んでいてもよい。（Ｂ）バインダー樹脂は、配線板の絶縁層を形成する際に使用される熱硬化性樹脂を含むことが好ましく、中でもエポキシ樹脂が好ましい。（Ｂ）バインダー樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。以下、各樹脂について説明する。
磁性組成物は、（Ｂ）成分として、（Ｂ）バインダー樹脂を含有する。（Ｂ）バインダー樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール系樹脂、ナフトール系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボジイミド系樹脂、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂等の熱硬化性樹脂；フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられる。（Ｂ）成分は、熱硬化性樹脂を含んでいてもよく、熱可塑性樹脂を含んでいてもよく、両者を組み合わせて含んでいてもよい。（Ｂ）バインダー樹脂は、配線板の絶縁層を形成する際に使用される熱硬化性樹脂を含むことが好ましく、中でもエポキシ樹脂が好ましい。（Ｂ）バインダー樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。以下、各樹脂について説明する。
【0038】
ここで、フェノール系樹脂、ナフトール系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボジイミド系樹脂、アミン系樹脂、及び酸無水物系樹脂のように、エポキシ樹脂と反応して磁性組成物を硬化させられる成分をまとめて「硬化剤」ということがある。
【0039】
－熱硬化性樹脂－
熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂は、例えば、グリシロール型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂から選ばれる１種以上であることが好ましい。
熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂は、例えば、グリシロール型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂から選ばれる１種以上であることが好ましい。
【0040】
エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。また、エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂を用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。
【0041】
エポキシ樹脂には、温度２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２５℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。（Ｂ）成分としてエポキシ樹脂を含有する場合、エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、液状エポキシ樹脂及び固体状エポキシ樹脂を組み合わせて含んでいてもよい。中でも、エポキシ樹脂として、樹脂組成物の粘度を低下させる観点から、液状エポキシ樹脂のみを含むことが好ましい。
【0042】
液状エポキシ樹脂としては、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＤ－５２３Ｔ」（グリシロール型エポキシ樹脂（アデカグリシロール））、「ＥＰ－３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、「ＥＰ－４０８８Ｓ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0043】
固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0044】
（Ｂ）成分として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、好ましくは１：０．１～１：４、より好ましくは１：０．３～１：３．５、さらに好ましくは１：０．６～１：３である。
【0045】
（Ｂ）成分としてのエポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．～２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．～１０００ｇ／ｅｑ．である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい磁性層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【0046】
（Ｂ）成分としてのエポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００～５０００、より好ましくは２５０～３０００、さらに好ましくは４００～１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【0047】
活性エステル系樹脂としては、１分子中に１個以上の活性エステル基を有する樹脂を用いることができる。中でも、活性エステル系樹脂としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する樹脂が好ましい。当該活性エステル系樹脂は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系樹脂が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系樹脂がより好ましい。
【0048】
カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。
【0049】
フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【0050】
活性エステル系樹脂の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂、ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系樹脂、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系樹脂が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン－ジシクロペンチレン－フェニレンからなる２価の構造単位を表す。
【0051】
活性エステル系樹脂の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂として「ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ」、「ＥＸＢ－８１５０－６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系樹脂として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系樹脂として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系樹脂として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系樹脂として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）；等が挙げられる。
【0052】
フェノール系樹脂及びナフトール系樹脂としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系樹脂がより好ましい。
【0053】
フェノール系樹脂及びナフトール系樹脂の具体例としては、例えば、明和化成社製の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ－４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ－２０９０」、「ＬＡ－７０５２」、「ＬＡ－７０５４」、「ＬＡ－１３５６」、「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、「ＥＸＢ－９５００」等が挙げられる。
【0054】
ベンゾオキサジン系樹脂の具体例としては、ＪＦＥケミカル社製の「ＪＢＺ－ＯＤ１００」（ベンゾオキサジン環当量２１８）、「ＪＢＺ－ＯＰ１００Ｄ」（ベンゾオキサジン環当量２１８）、「ＯＤＡ－ＢＯＺ」（ベンゾオキサジン環当量２１８）；四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」（ベンゾオキサジン環当量２１７）、「Ｆ－ａ」（ベンゾオキサジン環当量２１７）；昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」（ベンゾオキサジン環当量４３２）等が挙げられる。
【0055】
シアネートエステル系樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル、等の２官能シアネート樹脂；フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂；これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー；などが挙げられる。シアネートエステル系樹脂の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＵＬＬ－９５０Ｓ」（多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。
【0056】
カルボジイミド系樹脂の具体例としては、日清紡ケミカル社製のカルボジライト（登録商標）Ｖ－０３（カルボジイミド基当量：２１６、Ｖ－０５（カルボジイミド基当量：２６２）、Ｖ－０７（カルボジイミド基当量：２００）；Ｖ－０９（カルボジイミド基当量：２００）；ラインケミー社製のスタバクゾール（登録商標）Ｐ（カルボジイミド基当量：３０２）が挙げられる。
【0057】
アミン系樹脂としては、１分子内中に１個以上のアミノ基を有する樹脂が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、本発明の所望の効果を奏する観点から、芳香族アミン類が好ましい。アミン系樹脂は、第１級アミン又は第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルアニリン）、ジフェニルジアミノスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、ｍ－フェニレンジアミン、ｍ－キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジヒドロキシベンジジン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３－ジメチル－５，５－ジエチル－４，４－ジフェニルメタンジアミン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４－（３－アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、等が挙げられる。アミン系樹脂は市販品を用いてもよく、例えば、日本化薬社製の「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ－２００Ｓ」、「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ－１００」、「カヤハードＡ－Ａ」、「カヤハードＡ－Ｂ」、「カヤハードＡ－Ｓ」、三菱ケミカル社製の「エピキュアＷ」等が挙げられる。
【0058】
酸無水物系樹脂としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する樹脂が挙げられる。酸無水物系樹脂の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－３－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’－４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ－ヘキサヒドロ－５－（テトラヒドロ－２，５－ジオキソ－３－フラニル）－ナフト［１，２－Ｃ］フラン－１，３－ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。
【0059】
（Ｂ）成分としてエポキシ樹脂及び硬化剤を含有する場合、エポキシ樹脂とすべての硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．０１～１：５の範囲が好ましく、１：０．５～１：３がより好ましく、１：１～１：２がさらに好ましい。ここで、「エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、磁性組成物中に存在するエポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「硬化剤の活性基数」とは、磁性組成物中に存在する硬化剤の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。
【0060】
－熱可塑性樹脂－
熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは３万以上、より好ましくは５万以上、さらに好ましくは１０万以上である。また、好ましくは１００万以下、より好ましくは７５万以下、さらに好ましくは５０万以下である。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製「ＬＣ－９Ａ／ＲＩＤ－６Ａ」を、カラムとして昭和電工社製「Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ－８００Ｐ／Ｋ－８０４Ｌ／Ｋ－８０４Ｌ」を、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは３万以上、より好ましくは５万以上、さらに好ましくは１０万以上である。また、好ましくは１００万以下、より好ましくは７５万以下、さらに好ましくは５０万以下である。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製「ＬＣ－９Ａ／ＲＩＤ－６Ａ」を、カラムとして昭和電工社製「Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ－８００Ｐ／Ｋ－８０４Ｌ／Ｋ－８０４Ｌ」を、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
【0061】
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、およびトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７５００ＢＨ３０」、「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。
【0062】
アクリル樹脂としては、熱膨張率および弾性率をより低下させる観点から、官能基含有アクリル樹脂が好ましく、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂がより好ましい。
【0063】
官能基含有アクリル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１００００～１００００００であり、より好ましくは３００００～９０００００である。
【0064】
官能基含有アクリル樹脂の官能基当量は、好ましくは１０００～５００００であり、より好ましくは２５００～３００００である。
【0065】
ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂としては、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂が好ましく、その具体例としては、ナガセケムテックス社製「ＳＧ－８０Ｈ」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：３５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．０７ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１１℃））、ナガセケムテックス社製「ＳＧ－Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：８５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．２１ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１２℃））が挙げられる。
【0066】
ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂の具体例としては、電気化学工業社製の電化ブチラール「４０００－２」、「５０００－Ａ」、「６０００－Ｃ」、「６０００－ＥＰ」、積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、「ＫＳ－１」などのＫＳシリーズ、「ＢＬ－１」などのＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。
【0067】
ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化社製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６－３７０８３号公報記載のポリイミド）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２－１２６６７号公報及び特開２０００－３１９３８６号公報等に記載のポリイミド）等の変性ポリイミドが挙げられる。
【0068】
ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡社製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業社製の「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」（ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド）等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。
【0069】
ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、三菱ガス化学社製のビニル基を有するオリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂「ＯＰＥ－２Ｓｔ １２００」等が挙げられる。
【0070】
ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。
【0071】
中でも、熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が３万以上１００万以下の、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂、及びアクリル樹脂から選ばれる１種以上であることが好ましい。
【0072】
（Ｂ）バインダー樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す磁性層を得る観点から、磁性組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上である。上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。
【0073】
また、（Ｂ）バインダー樹脂はエポキシ樹脂を含むことが好ましく、液状エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。液状エポキシ樹脂は、（Ａ）成分１００質量％に対して、好ましくは１質量％以上、より好ましくは１．５質量％以上、さらに好ましくは２質量％以上である。上限は、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。
【0074】
＜（Ｃ）硬化促進剤＞
磁性組成物は、任意の成分として、さらに（Ｃ）硬化促進剤を含んでいてもよい。
磁性組成物は、任意の成分として、さらに（Ｃ）硬化促進剤を含んでいてもよい。
【0075】
硬化促進剤としては、例えば、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。硬化促進剤は、磁性組成物の粘度を低下させる観点から、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましく、イミダゾール系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0076】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられ、４－ジメチルアミノピリジン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセンが好ましい。
【0077】
アミン系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、味の素ファインテクノ社製の「ＰＮ－５０」、「ＰＮ－２３」、「ＭＹ－２５」等が挙げられる。
【0078】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾールが好ましい。
【0079】
イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、四国化成工業社製の「２Ｐ４ＭＺ」、「２ＰＨＺ－ＰＷ」、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等が挙げられる。
【0080】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。
【0081】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エンが好ましい。
【0082】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
【0083】
（Ｃ）硬化促進剤としては、本発明の所望の効果を得る観点から、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤、アミン系硬化促進剤、及びイミダゾール系硬化促進剤から選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、アミン系硬化促進剤、及びイミダゾール系硬化促進剤から選ばれる少なくとも１種であることがより好ましい。
【0084】
（Ｃ）硬化促進剤の含有量は、磁性組成物の硬化促進を促す観点から、磁性組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０３質量％以上、さらに好ましくは０．０５質量％以上であり、上限は、好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．３質量％以下、さらに好ましくは０．１質量％以下である。
【0085】
＜（Ｄ）分散剤＞
磁性組成物は、任意の成分として、さらに（Ｄ）分散剤を含んでいてもよい。
磁性組成物は、任意の成分として、さらに（Ｄ）分散剤を含んでいてもよい。
【0086】
（Ｄ）分散剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸等のリン酸エステル系分散剤；ドデシルベンゼルスルホン酸ナトリウム、ラウリル酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテルサルフェートのアンモニウム塩等のアニオン性分散剤；オルガノシロキサン系分散剤、アセチレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルアミド等の非イオン性分散剤等が挙げられる。これらの中でも、アニオン性分散剤が好ましい。分散剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【0087】
リン酸エステル系分散剤は、市販品を用いることができる。市販品として、例えば東邦化学工業社製「フォスファノール」シリーズの「ＲＳ－４１０」、「ＲＳ－６１０」、「ＲＳ－７１０」等が挙げられる。
【0088】
オルガノシロキサン系分散剤としては、市販品として、ビックケミー社製「ＢＹＫ３４７」、「ＢＹＫ３４８」等が挙げられる。
【0089】
ポリオキシアルキレン系分散剤としては、市販品として、日油株式会社製「マリアリム」シリーズの「ＡＫＭ－０５３１」、「ＡＦＢ－１５２１」、「ＳＣ－０５０５Ｋ」、「ＳＣ－１０１５Ｆ」及び「ＳＣ－０７０８Ａ」、並びに「ＨＫＭ－５０Ａ」等が挙げられる。
【0090】
アセチレングリコールとしては、市販品として、Ａｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃ．製「サーフィノール」シリーズの「８２」、「１０４」、「４４０」、「４６５」及び「４８５」、並びに「オレフィンＹ」等が挙げられる。
【0091】
（Ｄ）分散剤の含有量は、本発明の効果を顕著に発揮させる観点から、磁性組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上であり、上限は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。
【0092】
＜（Ｅ）その他の添加剤＞
磁性組成物は、さらに必要に応じて、（Ｅ）その他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、ポットライフ向上のためのホウ酸トリエチル等の硬化遅延剤、無機充填材（但し、磁性粉体に該当するものは除く）、難燃剤、有機充填材、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
磁性組成物は、さらに必要に応じて、（Ｅ）その他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、ポットライフ向上のためのホウ酸トリエチル等の硬化遅延剤、無機充填材（但し、磁性粉体に該当するものは除く）、難燃剤、有機充填材、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【0093】
磁性組成物は、通常溶剤を含まなくても粘度が低いという特性を示すペースト状の組成物であり得る。よって、磁性組成物中に含まれる溶剤の含有量は、磁性組成物の全質量に対して、好ましくは１．０質量％未満、より好ましくは０．８質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下、特に好ましくは０．１質量％以下である。下限は、特に制限はないが０．００１質量％以上、又は含有しないことである。磁性組成物は、通常液状の熱硬化性樹脂等を使用することにより、溶剤を含まなくてもその粘度を低くすることができる。磁性組成物中の溶剤の量が少ないことにより、溶剤の揮発によるボイドの発生を抑制することができるうえに、取扱い性、作業性にも優れたものとすることができる。
【0094】
＜磁性組成物の製造方法＞
磁性組成物は、例えば、配合成分を、３本ロール、回転ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌する方法によって製造できる。
磁性組成物は、例えば、配合成分を、３本ロール、回転ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌する方法によって製造できる。
【0095】
＜磁性組成物の物性等＞
磁性組成物は、所定の粒径分布を有する（Ａ）成分を含有するので、磁性組成物の硬化物は比透磁率が高いという特性を示す。よって、磁性組成物の硬化物は、比透磁率が高い磁性層をもたらす。この硬化物の周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率は、好ましくは１５以上、より好ましくは１７以上、さらに好ましくは１９以上である。また、上限は特に限定されないが１００以下等とし得る。比透磁率は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
磁性組成物は、所定の粒径分布を有する（Ａ）成分を含有するので、磁性組成物の硬化物は比透磁率が高いという特性を示す。よって、磁性組成物の硬化物は、比透磁率が高い磁性層をもたらす。この硬化物の周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率は、好ましくは１５以上、より好ましくは１７以上、さらに好ましくは１９以上である。また、上限は特に限定されないが１００以下等とし得る。比透磁率は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【0096】
磁性組成物は、所定の粒径分布を有する（Ａ）成分を含有するので、磁性組成物の硬化物は磁性損失が低いという特性を示す。よって、磁性組成物の硬化物は、磁性損失が低い磁性層をもたらす。この硬化物の周波数１０ＭＨｚにおける磁性損失は、好ましくは０．０８未満、より好ましくは０．０５以下、さらに好ましくは０．０４以下、０．０５未満である。下限は特に限定されないが０．０００１以上等とし得る。磁性損失は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【0097】
磁性組成物は、通常、粘度が低いという特性を示す。よって、磁性組成物は、ペースト状（ペースト状の磁性組成物）であるという特性をもたらし、スルーホール充填用の磁性組成物として好適に使用することができる。また、磁性組成物は、インダクタ素子を製造するためのインダクタ基素子形成用の磁性組成物として好適に使用することができる。
【0098】
［磁性シート］
磁性シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の磁性組成物で形成された磁性組成物層とを含む。
磁性シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の磁性組成物で形成された磁性組成物層とを含む。
【0099】
磁性組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２５０μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下である。磁性組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、５μｍ以上、１０μｍ以上等とし得る。
【0100】
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
【0101】
支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリルポリマー、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
【0102】
支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。
【0103】
支持体は、磁性組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。
【0104】
また、支持体としては、磁性組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＰＥＴ５０１０１０」、「ＳＫ－１」、「ＡＬ－５」、「ＡＬ－７」；東レ社製の「ルミラーＴ６０」；帝人社製の「ピューレックス」；ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。
【0105】
支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ～７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ～６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【0106】
磁性シートにおいて、磁性組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ～４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、磁性組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。磁性シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。磁性シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
【0107】
磁性シートは、例えば、磁性組成物を、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、磁性組成物層を形成させることにより製造することができる。必要に応じて有機溶剤に溶解した樹脂ワニスを調整し、この樹脂ワニスを支持体上に塗布してもよい。有機溶剤を用いる場合、必要に応じて塗布後に乾燥を行ってもよい。
【0108】
乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、磁性組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。磁性組成物中に含まれる成分によっても異なるが、５０℃～１５０℃で３分間～１０分間乾燥させることにより、磁性組成物層を形成することができる。
【0109】
磁性シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。磁性シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
【0110】
［回路基板及びその製造方法］
本発明の回路基板は、磁性組成物の硬化物である磁性層を含む。第１実施形態の回路基板は、スルーホールを有する基板と、前記スルーホールに充填した、本発明の磁性組成物の硬化物とを含む。また、第２実施形態の回路基板は、磁性シートの磁性組成物層の硬化物により形成された磁性層を含む。以下、回路基板の製造方法の第１実施形態及び第２実施形態について説明する。但し、本発明に係る回路基板の製造方法は、以下に例示する第１及び第２実施形態に限定されない。
本発明の回路基板は、磁性組成物の硬化物である磁性層を含む。第１実施形態の回路基板は、スルーホールを有する基板と、前記スルーホールに充填した、本発明の磁性組成物の硬化物とを含む。また、第２実施形態の回路基板は、磁性シートの磁性組成物層の硬化物により形成された磁性層を含む。以下、回路基板の製造方法の第１実施形態及び第２実施形態について説明する。但し、本発明に係る回路基板の製造方法は、以下に例示する第１及び第２実施形態に限定されない。
【0111】
＜第１実施形態＞
第１実施形態の回路基板は、例えば、下記の工程（１）～（５）を含む製造方法によって製造する。第１実施形態では、磁性組成物を用いて磁性層を形成することが好ましく、ペースト状の磁性組成物を用いて磁性層を形成することがより好ましい。
（１）スルーホールを有する基板のスルーホールに磁性組成物を充填する工程、
（２）該磁性組成物を熱硬化させ、硬化物を得る工程、
（３）硬化物又は磁性組成物の表面を研磨する工程
（４）硬化物を粗化処理する工程、及び
（５）硬化物を粗化処理した面に導体層を形成する工程、を含む。
本発明の回路基板の製造方法は、工程（１）～（５）の順で行ってもよく、工程（３）の後に工程（２）を行ってもよい。
第１実施形態の回路基板は、例えば、下記の工程（１）～（５）を含む製造方法によって製造する。第１実施形態では、磁性組成物を用いて磁性層を形成することが好ましく、ペースト状の磁性組成物を用いて磁性層を形成することがより好ましい。
（１）スルーホールを有する基板のスルーホールに磁性組成物を充填する工程、
（２）該磁性組成物を熱硬化させ、硬化物を得る工程、
（３）硬化物又は磁性組成物の表面を研磨する工程
（４）硬化物を粗化処理する工程、及び
（５）硬化物を粗化処理した面に導体層を形成する工程、を含む。
本発明の回路基板の製造方法は、工程（１）～（５）の順で行ってもよく、工程（３）の後に工程（２）を行ってもよい。
【0112】
＜工程（１）＞
工程（１）を行うにあたって、磁性組成物を準備する工程を含んでいてもよい。磁性組成物は、上記において説明したとおりである。
工程（１）を行うにあたって、磁性組成物を準備する工程を含んでいてもよい。磁性組成物は、上記において説明したとおりである。
【0113】
また、工程（１）を行うにあたって、図１に一例を示すように、支持基板１１、並びに該支持基板１１の両表面に設けられた銅箔等の金属からなる第１金属層１２、及び第２金属層１３を備えるコア基板１０を準備する工程を含んでいてもよい。支持基板１１の材料の例としては、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。第１及び第２金属層の材料の例としては、キャリア付銅箔、後述する導体層の材料等が挙げられる。
【0114】
また、図２に一例を示すように、コア基板１０にスルーホール１４を形成する工程を含んでいてもよい。スルーホール１４は、例えば、ドリル、レーザー照射、プラズマ照射等により形成することができる。具体的には、ドリル等を用いてコア基板１０に貫通穴を形成することにより、スルーホール１４を形成することができる。
【0115】
スルーホール１４の形成は、市販されているドリル装置を用いて実施することができる。市販されているドリル装置としては、例えば、日立ビアメカニクス社製「ＮＤ－１Ｓ２１１」等が挙げられる。
【0116】
コア基板１０にスルーホール１４を形成した後、図３に一例を示すように、コア基板１０の粗化処理を行い、スルーホール１４内、第１金属層１２の表面上、及び第２金属層１３の表面上にめっき層２０を形成する工程を含んでいてもよい。
【0117】
前記の粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。
【0118】
めっき層２０は、めっき法により形成され、めっき法によりめっき層２０が形成される手順は、後述する工程（５）における導体層の形成と同様である。
【0119】
コア基板１０を用意した後で、図４に一例を示すように、磁性組成物３０ａをスルーホール１４へ充填する。充填は、例えば印刷法で行い得る。印刷法としては、例えば、スキージを介してスルーホール１４へ磁性組成物３０ａを印刷する方法、カートリッジを介して磁性組成物３０ａを印刷する方法、マスク印刷して磁性組成物３０ａを印刷する方法、ロールコート法、インクジェット法等が挙げられる。
【0120】
＜工程（２）＞
工程（２）では、スルーホール１４内に磁性組成物３０ａを充填後、磁性組成物３０ａを熱硬化して、図５に一例を示すように、スルーホール１４内に硬化物層（磁性層）３０を形成する。磁性組成物３０ａの熱硬化条件は、磁性組成物３０ａの組成や種類によっても異なるが、硬化温度は好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。磁性組成物３０ａの硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１００分以下、さらに好ましくは９０分以下である。
工程（２）では、スルーホール１４内に磁性組成物３０ａを充填後、磁性組成物３０ａを熱硬化して、図５に一例を示すように、スルーホール１４内に硬化物層（磁性層）３０を形成する。磁性組成物３０ａの熱硬化条件は、磁性組成物３０ａの組成や種類によっても異なるが、硬化温度は好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。磁性組成物３０ａの硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１００分以下、さらに好ましくは９０分以下である。
【0121】
工程（２）における磁性層３０の硬化度としては、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。硬化度は、例えば示差走査熱量測定装置を用いて測定することができる。
【0122】
磁性組成物３０ａを熱硬化させる前に、磁性組成物３０ａに対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。例えば、磁性組成物３０ａを熱硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、磁性組成物３０ａを、通常５分間以上（好ましくは５分間～１５０分間、より好ましくは１５分間～１２０分間）、予備加熱してもよい。
【0123】
工程（２）の後に工程（３）を行う場合、工程（２）後工程（３）前に、磁性層の硬化度をさらに高める等の目的で、必要により熱処理を施してもよい。前記熱処理における温度は上記した硬化温度に準じて行えばよく、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。
【0124】
また、工程（２）の前に工程（３）を行う場合、工程（３）の前に、磁性組成物の硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。前記予備加熱処理における温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１１０℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。
【0125】
＜工程（３）＞
工程（３）では、図６に一例を示すように、コア基板１０から突出又は付着している余剰の磁性層３０を研磨することにより除去し、平坦化する。研磨方法としては、コア基板１０から突出又は付着している余剰の磁性層３０を研磨することができる方法を用いることができる。このような研磨方法としては、例えば、バフ研磨、ベルト研磨等が挙げられる。市販されているバフ研磨装置としては石井表記社製「ＮＴ－７００ＩＭ」等が挙げられる。
工程（３）では、図６に一例を示すように、コア基板１０から突出又は付着している余剰の磁性層３０を研磨することにより除去し、平坦化する。研磨方法としては、コア基板１０から突出又は付着している余剰の磁性層３０を研磨することができる方法を用いることができる。このような研磨方法としては、例えば、バフ研磨、ベルト研磨等が挙げられる。市販されているバフ研磨装置としては石井表記社製「ＮＴ－７００ＩＭ」等が挙げられる。
【0126】
磁性層の研磨面（磁性層の熱硬化後）の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっきとの間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。
【0127】
工程（２）の後に工程（３）を行う場合、工程（２）後工程（３）前に、磁性層の硬化度をさらに高める等の目的で、必要により熱処理を施してもよい。前記熱処理における温度は上記した硬化温度に準じて行えばよく、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。
【0128】
また、工程（２）の前に工程（３）を行う場合、工程（３）の前に、磁性組成物の硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。前記予備加熱処理における温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１１０℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。
【0129】
＜工程（４）＞
工程（４）では、工程（３）にて研磨した面を粗化処理（デスミア処理）する。粗化工程の手順、条件は特に限定されず、多層プリント配線板の製造方法に際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。粗化工程として、例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施することにより第１磁性層３２を粗化処理することができる。
工程（４）では、工程（３）にて研磨した面を粗化処理（デスミア処理）する。粗化工程の手順、条件は特に限定されず、多層プリント配線板の製造方法に際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。粗化工程として、例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施することにより第１磁性層３２を粗化処理することができる。
【0130】
粗化工程に用いられ得る膨潤液としては特に限定されないが、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液である。膨潤液であるアルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等が挙げられる。
【0131】
膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、３０℃～９０℃の膨潤液に第１磁性層３２が設けられたコア基材２０を１分間～２０分間浸漬することにより行うことができる。第１磁性層３２を構成する樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃～８０℃の膨潤液に第１磁性層３２を５分間～１５分間浸漬させることが好ましい。
【0132】
酸化剤による粗化処理に用いられ得る酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃～８０℃に加熱した酸化剤の溶液に第１磁性層３２を１０分間～３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％～１０質量％とすることが好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。
【0133】
中和処理に用いられ得る中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」が挙げられる。中和液による中和処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を３０℃～８０℃の中和液に５分間～３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液による粗化処理がなされた第１磁性層３２を、４０℃～７０℃の中和液に５分間～２０分間浸漬する方法が好ましい。
【0134】
磁性層の粗化処理後の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっきとの間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１５００ｎｍ以下、より好ましくは１２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。
【0135】
＜工程（５）＞
工程（５）では、図７に一例を示すように、磁性層３０の研磨面、及びコア基板上に導体層４０を形成する。さらに、導体層４０を形成後、図８に一例を示すように、エッチング等の処理により導体層４０、第１金属層１２、第２金属層１３、及びめっき層２０の一部を除去してパターン導体層４１を形成してもよい。図７では、導体層４０はコア基板１０の両面に形成されているが、導体層４０は、コア基板１０の一方の面のみに形成してもよい。
工程（５）では、図７に一例を示すように、磁性層３０の研磨面、及びコア基板上に導体層４０を形成する。さらに、導体層４０を形成後、図８に一例を示すように、エッチング等の処理により導体層４０、第１金属層１２、第２金属層１３、及びめっき層２０の一部を除去してパターン導体層４１を形成してもよい。図７では、導体層４０はコア基板１０の両面に形成されているが、導体層４０は、コア基板１０の一方の面のみに形成してもよい。
【0136】
導体層の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって硬化物の表面にめっきして、所望の配線パターンを有するパターン導体層を形成する。導体層の材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ、インジウム等の単金属；金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムの群から選択される２種以上の金属の合金が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。
【0137】
ここで、硬化物を研磨した面上にパターン導体層を形成する実施形態の例を、詳細に説明する。硬化物を研磨した面に、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成し、必要に応じて、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成できる。導体層形成後、導体層のピール強度を向上させる等の目的で、必要によりアニール処理を行ってもよい。アニール処理は、例えば、回路基板を１５０～２００℃で２０～９０分間加熱することにより行うことができる。
【0138】
パターン導体層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。
【0139】
＜第２実施形態＞
第２実施形態の回路基板は、磁性組成物の硬化物により形成された磁性層を含む。第２実施形態では、磁性シートを用いて磁性層を形成することが好ましい。以下、製品基板の製造方法の第２実施形態について説明する。第１実施形態と説明が重複する箇所は適宜説明を省略する。
第２実施形態の回路基板は、磁性組成物の硬化物により形成された磁性層を含む。第２実施形態では、磁性シートを用いて磁性層を形成することが好ましい。以下、製品基板の製造方法の第２実施形態について説明する。第１実施形態と説明が重複する箇所は適宜説明を省略する。
【0140】
第２実施形態の回路基板は、例えば、下記の工程（Ａ）～（Ｄ）を含む製造方法によって製造する。
（Ａ）磁性シートを、磁性組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性層を形成する工程、
（Ｂ）磁性層に穴あけ加工を行う工程、
（Ｃ）磁性層の表面を粗化処理する工程、及び
（Ｄ）磁性層の研磨した面に導体層を形成する工程、を含む。
（Ａ）磁性シートを、磁性組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性層を形成する工程、
（Ｂ）磁性層に穴あけ加工を行う工程、
（Ｃ）磁性層の表面を粗化処理する工程、及び
（Ｄ）磁性層の研磨した面に導体層を形成する工程、を含む。
【0141】
以下、回路基板を製造するにあたっての上記の工程（Ａ）～（Ｄ）について詳細に説明する。
【0142】
＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）は、磁性シートを、磁性組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性層を形成する工程である。工程（Ａ）の一実施形態として、磁性シートを、磁性組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性組成物層を熱硬化して磁性層を形成する。
工程（Ａ）は、磁性シートを、磁性組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性層を形成する工程である。工程（Ａ）の一実施形態として、磁性シートを、磁性組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性組成物層を熱硬化して磁性層を形成する。
【0143】
工程（Ａ）において、図９に一例を示すように、支持体３３０と、該支持体３３０上に設けられた磁性組成物層３２０ａとを含む磁性シート３１０を、磁性組成物層３２０ａが内層基板２００と接合するように、内層基板２００に積層させる。
【0144】
内層基板２００は、絶縁性の基板である。内層基板２００の材料としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。内層基板２００は、その厚さ内に配線等が作り込まれた内層回路基板であってもよい。
【0145】
図９に一例を示すように、内層基板２００は、第１主表面２００ａ上に設けられる第１導体層４２０と、第２主表面２００ｂ上に設けられる外部端子２４０とを有している。第１導体層４２０は、複数の配線を含んでいてもよい。図示例ではインダクタ素子のコイル状導電性構造体４００を構成する配線のみが示されている。外部端子２４０は図示されていない外部の装置等と電気的に接続するための端子である。外部端子２４０は、第２主表面２００ｂに設けられる導体層の一部として構成することができる。
【0146】
第１導体層４２０、及び外部端子２４０を構成し得る導体材料としては、第１実施形態の「＜工程（５）＞」欄において説明した導体層の材料と同様である。
【0147】
第１導体層４２０、及び外部端子２４０は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。また、第１導体層４２０、外部端子２４０の厚さは、後述する第２導体層４４０と同様である。
【0148】
第１導体層４２０及び外部端子２４０のライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れる磁性層を得る観点から、通常、９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。ライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペースへの磁性組成物層の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。
【0149】
内層基板２００は第１主表面２００ａから第２主表面２００ｂに至るように内層基板２００を貫通する複数のスルーホール２２０を有していてもよい。スルーホール２２０にはスルーホール内配線２２０ａが設けられている。スルーホール内配線２２０ａは、第１導体層４２０と外部端子２４０とを電気的に接続している。
【0150】
磁性組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、例えば、支持体３３０側から、磁性シート３１０を内層基板２００に加熱圧着することにより行うことができる。磁性シート３１０を内層基板２００に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ステンレス（ＳＵＳ）鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を磁性シート３１０に直接的に接触させてプレスするのではなく、内層基板２００の表面の凹凸に磁性シート３１０が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材からなるシート等を介してプレスするのが好ましい。
【0151】
加熱圧着する際の温度は、好ましくは８０℃～１６０℃、より好ましくは９０℃～１４０℃、さらに好ましくは１００℃～１２０℃の範囲であり、加熱圧着する際の圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ～１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ～１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着する際の時間は、好ましくは２０秒間～４００秒間、より好ましくは３０秒間～３００秒間の範囲である。磁性シートと内層基板との接合は、圧力２６．７ｈＰａ以下の減圧条件下で実施することが好ましい。
【0152】
磁性シート３１０の磁性組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアプリケーター等が挙げられる。
【0153】
磁性シート３１０と内層基板２００との接合の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された磁性シート３１０の平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理とは、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。
【0154】
磁性シートを内層基板に積層した後、磁性組成物層を熱硬化して磁性層を形成する。図１０に一例を示すように、内層基板２００に接合させた磁性組成物層３２０ａを熱硬化し第１磁性層３２０を形成する。
【0155】
磁性組成物層３２０ａの熱硬化条件は、磁性組成物の組成や種類によっても異なるが、硬化温度は好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。磁性組成物層３２０ａの硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１００分以下、さらに好ましくは９０分以下である。
【0156】
支持体３３０は、工程（Ａ）の熱硬化後と工程（Ｂ）との間に除去してもよく、工程（Ｂ）の後に剥離してもよい。
【0157】
磁性層の粗化処理前の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっきとの間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。
【0158】
工程（Ａ）は、磁性シートの代わりに磁性組成物を、ダイコーター等を用いて内層基板上に塗布し、熱硬化させることで磁性層を形成してもよい。
【0159】
＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）において、図１１に一例を示すように、第１磁性層３２０に穴あけ加工をし、ビアホール３６０を形成する。ビアホール３６０は、第１導体層４２０と、後述する第２導体層４４０とを電気的に接続するための経路となる。ビアホール３６０の形成は、磁性層の形成に使用した磁性組成物の組成等に応じて、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等を使用して実施してよい。ホールの寸法や形状は、プリント配線板のデザインに応じて適宜決定してよい。
工程（Ｂ）において、図１１に一例を示すように、第１磁性層３２０に穴あけ加工をし、ビアホール３６０を形成する。ビアホール３６０は、第１導体層４２０と、後述する第２導体層４４０とを電気的に接続するための経路となる。ビアホール３６０の形成は、磁性層の形成に使用した磁性組成物の組成等に応じて、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等を使用して実施してよい。ホールの寸法や形状は、プリント配線板のデザインに応じて適宜決定してよい。
【0160】
＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）において、ビアホールを形成した磁性層の表面を粗化処理する。工程（Ｃ）における粗化処理としては、第１実施形態の「＜工程（４）＞」欄において説明したとおりである。
工程（Ｃ）において、ビアホールを形成した磁性層の表面を粗化処理する。工程（Ｃ）における粗化処理としては、第１実施形態の「＜工程（４）＞」欄において説明したとおりである。
【0161】
磁性層の粗化処理後の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっきとの間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１５００ｎｍ以下、より好ましくは１２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。
【0162】
工程（Ｃ）では、粗化処理の代わりに研磨を行い、コア基板１０から突出又は付着している余剰の磁性層を除去し、平坦化してもよい。研磨方法としては上記したとおりである。
【0163】
＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）では、図１２に一例を示すように、第１磁性層３２０上に、第２導体層４４０を形成する。
工程（Ｄ）では、図１２に一例を示すように、第１磁性層３２０上に、第２導体層４４０を形成する。
【0164】
第２導体層４４０を構成し得る導体材料としては、第１実施形態の「＜工程（５）＞」欄において説明した導体層の材料と同様である。
【0165】
第２導体層４４０の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。
【0166】
第２導体層４４０は、めっきにより形成することができる。第２導体層４４０は、例えば、無電解めっき工程、マスクパターン形成工程、電解めっき工程、フラッシュエッチング工程を含むセミアディティブ法、フルアディティブ法等の湿式めっき法により形成されることが好ましい。湿式めっき法を用いて第２導体層４４０を形成することにより、所望の配線パターンを含む第２導体層４４０として形成することができる。なお、この工程により、ビアホール３６０内にビアホール内配線３６０ａが併せて形成される。
【0167】
第１導体層４２０及び第２導体層４４０は、例えば後述する図１３～１５に一例を示すように、渦巻状に設けられていてもよい。一例において、第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端に電気的に接続されている。第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２のランド４２０ａに電気的に接続されている。よって第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａ、ランド４２０ａ、スルーホール内配線２２０ａを経て外部端子２４０に電気的に接続される。
【0168】
コイル状導電性構造体４００は、第１導体層４２０の一部分である渦巻状の配線部、第２導体層４４０の一部分である渦巻状の配線部、第１導体層４２０の渦巻状の配線部と第２導体層４４０の渦巻状の配線部とを電気的に接続しているビアホール内配線３６０ａにより構成されている。
【0169】
工程（Ｄ）後、さらに導体層上に磁性層を形成する工程を行ってもよい。詳細は、図１４に一例を示すように、第２導体層４４０及びビアホール内配線３６０ａが形成された第１磁性層３２０上に第２磁性層３４０を形成する。第２磁性層は既に説明した工程と同様の工程により形成してもよい。
【0170】
［インダクタ基板］
インダクタ基板は、本発明の回路基板を含む。このようなインダクタ基板は、第１実施形態の回路基板の製造方法により得られた回路基板を含む場合、前記の磁性組成物の硬化物の周囲の少なくとも一部に導体によって形成されたインダクタパターンを有する。このようなインダクタ基板は、例えば特開２０１６－１９７６２４号公報に記載のものを適用できる。
インダクタ基板は、本発明の回路基板を含む。このようなインダクタ基板は、第１実施形態の回路基板の製造方法により得られた回路基板を含む場合、前記の磁性組成物の硬化物の周囲の少なくとも一部に導体によって形成されたインダクタパターンを有する。このようなインダクタ基板は、例えば特開２０１６－１９７６２４号公報に記載のものを適用できる。
【0171】
また、第２実施形態の回路基板の製造方法により得られた回路基板を含む場合、インダクタ基板は、磁性層と、この磁性層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、この導電性構造体と、磁性層の厚さ方向に延在し、かつ導電性構造体に囲まれた磁性層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含んでいる。ここで図１３は、インダクタ素子を内蔵するインダクタ基板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図１４は、図１３に示すＩＩ－ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断したインダクタ基板の切断端面を示す模式的な図である。図１５は、インダクタ基板のうちの第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。
【0172】
回路基板１００は、図１３及び図１４に一例として示されるように、複数の磁性層（第１磁性層３２０、第２磁性層３４０）及び複数の導体層（第１導体層４２０、第２導体層４４０）を有する、即ちビルドアップ磁性層及びビルドアップ導体層を有するビルドアップ配線板である。また、インダクタ基板１００は、内層基板２００を備えている。
【0173】
図１４より、第１磁性層３２０及び第２磁性層３４０は一体的な磁性層としてみることができる磁性部３００を構成している。よってコイル状導電性構造体４００は、磁性部３００に少なくとも一部分が埋め込まれるように設けられている。すなわち、本実施形態のインダクタ基板１００において、インダクタ素子はコイル状導電性構造体４００と、磁性部３００の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４００に囲まれた磁性部３００のうちの一部分である芯部によって構成されている。
【0174】
図１５に一例として示されるように、第１導体層４２０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部と、スルーホール内配線２２０ａと電気的に接続される矩形状のランド４２０ａとを含んでいる。図示例では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とランド４２０ａを迂回する迂回部を含んでいる。図示例では第１導体層４２０の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり反時計回りに巻いている形状を有している。
【0175】
同様に、第１磁性層３２０上には第２導体層４４０が設けられている。第２導体層４４０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部を含んでいる。図１３又は図１４では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とを含んでいる。図１３又は図１４では第２導体層４４の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり時計回りに巻いている形状を有している。
【0176】
このようなインダクタ基板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、かかる配線板を個片化したチップインダクタ部品として用いることもでき、該チップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。
【0177】
またかかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラおよびテレビ等）および乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶および航空機等）等に好適に用いることができる。
【実施例0178】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。
【0179】
＜実施例１：磁性組成物１の調製＞
エポキシ樹脂ａ（「ＺＸ―１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）１５質量部、エポキシ樹脂ｂ（「ＺＸ―１６５８ＧＳ」、液状１，４－グリシジルシクロヘキサン、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）５質量部、硬化促進剤ａ（「２ＭＺＡ―ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤、四国化成社製）１質量部、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量部、磁性粉体ｃ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＡＴＦＩＮＥ ＮＣ１」、Ｄ５０：３μｍ）６０質量部を混合し、磁性組成物１を調製した。
エポキシ樹脂ａ（「ＺＸ―１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）１５質量部、エポキシ樹脂ｂ（「ＺＸ―１６５８ＧＳ」、液状１，４－グリシジルシクロヘキサン、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）５質量部、硬化促進剤ａ（「２ＭＺＡ―ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤、四国化成社製）１質量部、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量部、磁性粉体ｃ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＡＴＦＩＮＥ ＮＣ１」、Ｄ５０：３μｍ）６０質量部を混合し、磁性組成物１を調製した。
【0180】
＜実施例２：磁性組成物２の調製＞
実施例１において、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量部を、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量部に変え、
磁性粉体ｃ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＡＴＦＩＮＥ ＮＣ１」、Ｄ５０：３μｍ）６０質量部を、磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）６０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして磁性組成物２を調製した。
実施例１において、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量部を、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量部に変え、
磁性粉体ｃ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＡＴＦＩＮＥ ＮＣ１」、Ｄ５０：３μｍ）６０質量部を、磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）６０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして磁性組成物２を調製した。
【0181】
＜実施例３：磁性組成物３の調製＞
実施例１において、磁性粉体ｃ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＡＴＦＩＮＥ ＮＣ１」、Ｄ５０：３μｍ）６０質量部を、磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）６０量部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして磁性組成物３を調製した。
実施例１において、磁性粉体ｃ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＡＴＦＩＮＥ ＮＣ１」、Ｄ５０：３μｍ）６０質量部を、磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）６０量部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして磁性組成物３を調製した。
【0182】
＜実施例４：磁性組成物４の調製＞
実施例１において、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量部を、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして磁性組成物４を調製した。
実施例１において、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量部を、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして磁性組成物４を調製した。
【0183】
＜実施例５：磁性組成物５の調製＞
エポキシ樹脂ａ（「ＺＸ―１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）１．５質量部、エポキシ樹脂ｂ（「ＺＸ―１６５８ＧＳ」、液状１，４－グリシジルシクロヘキサン、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）０．５質量部、硬化促進剤ａ（「２ＭＺＡ―ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤、四国化成社製）０．１質量部、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）３０質量部、磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）７０質量部を混合し、磁性組成物５を調製した。
エポキシ樹脂ａ（「ＺＸ―１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）１．５質量部、エポキシ樹脂ｂ（「ＺＸ―１６５８ＧＳ」、液状１，４－グリシジルシクロヘキサン、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）０．５質量部、硬化促進剤ａ（「２ＭＺＡ―ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤、四国化成社製）０．１質量部、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）３０質量部、磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）７０質量部を混合し、磁性組成物５を調製した。
【0184】
＜実施例６：磁性組成物６の調製＞
実施例５において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を３０質量部から２５質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）の量を７０質量部から７５質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例５と同様にして磁性組成物６を調製した。
実施例５において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を３０質量部から２５質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）の量を７０質量部から７５質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例５と同様にして磁性組成物６を調製した。
【0185】
＜実施例７：磁性組成物７の調製＞
実施例５において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を３０質量部から４０質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）の量を７０質量部から６０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例５と同様にして磁性組成物７を調製した。
実施例５において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を３０質量部から４０質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）の量を７０質量部から６０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例５と同様にして磁性組成物７を調製した。
【0186】
＜実施例８：磁性組成物８の調製＞
実施例５において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を３０質量部から５０質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）の量を７０質量部から５０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例５と同様にして磁性組成物８を調製した。
実施例５において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を３０質量部から５０質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）の量を７０質量部から５０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例５と同様にして磁性組成物８を調製した。
【0187】
＜実施例９：磁性組成物９の調製＞
実施例５において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を３０質量部から８０質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）７０質量部を、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）２０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例５と同様にして磁性組成物９を調製した。
実施例５において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を３０質量部から８０質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）７０質量部を、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）２０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例５と同様にして磁性組成物９を調製した。
【0188】
＜実施例１０：磁性組成物１０の調製＞
実施例５において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を３０質量部から４５質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）７０質量部を、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）５５質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例５と同様にして磁性組成物１０を調製した。
実施例５において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を３０質量部から４５質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）７０質量部を、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）５５質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例５と同様にして磁性組成物１０を調製した。
【0189】
＜比較例１：磁性組成物１１の調製＞
実施例１において、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を４０質量部から１００質量部に変え、
磁性粉体ｃ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＡＴＦＩＮＥ ＮＣ１」、Ｄ５０：３μｍ）６０質量部を用いなかった。
以上の事項以外は実施例１と同様にして磁性組成物１１を調製した。
実施例１において、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を４０質量部から１００質量部に変え、
磁性粉体ｃ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＡＴＦＩＮＥ ＮＣ１」、Ｄ５０：３μｍ）６０質量部を用いなかった。
以上の事項以外は実施例１と同様にして磁性組成物１１を調製した。
【0190】
＜比較例２：磁性組成物１２の調製＞
実施例１において、磁性粉体ｃ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＡＴＦＩＮＥ ＮＣ１」、Ｄ５０：３μｍ）の量を６０質量部から１００質量部に変え、
磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量を用いなかった。
以上の事項以外は実施例１と同様にして磁性組成物１２を調製した。
実施例１において、磁性粉体ｃ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＡＴＦＩＮＥ ＮＣ１」、Ｄ５０：３μｍ）の量を６０質量部から１００質量部に変え、
磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量を用いなかった。
以上の事項以外は実施例１と同様にして磁性組成物１２を調製した。
【0191】
＜比較例３：磁性組成物１３の調製＞
実施例２において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を４０質量部から１００質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）６０量部を用いなかった。
以上の事項以外は実施例２と同様にして磁性組成物１３を調製した。
実施例２において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を４０質量部から１００質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）６０量部を用いなかった。
以上の事項以外は実施例２と同様にして磁性組成物１３を調製した。
【0192】
＜比較例４：磁性組成物１４の調製＞
実施例２において、磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）の量を６０量部から１００質量部に変え、
磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量部を用いなかった。
以上の事項以外は実施例２と同様にして磁性組成物１４を調製した。
実施例２において、磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）の量を６０量部から１００質量部に変え、
磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）４０質量部を用いなかった。
以上の事項以外は実施例２と同様にして磁性組成物１４を調製した。
【0193】
＜比較例５：磁性組成物１５の調製＞
実施例２において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を４０質量部から６０質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）の量を６０量部から４０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例２と同様にして磁性組成物１５を調製した。
実施例２において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を４０質量部から６０質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）の量を６０量部から４０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例２と同様にして磁性組成物１５を調製した。
【0194】
＜比較例６：磁性組成物１６の調製＞
実施例１において、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を４０質量部から６０質量部に変え、
磁性粉体ｃ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＡＴＦＩＮＥ ＮＣ１」、Ｄ５０：３μｍ）の量を６０質量部から４０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして磁性組成物１６を調製した。
実施例１において、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を４０質量部から６０質量部に変え、
磁性粉体ｃ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＡＴＦＩＮＥ ＮＣ１」、Ｄ５０：３μｍ）の量を６０質量部から４０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして磁性組成物１６を調製した。
【0195】
＜比較例７：磁性組成物１７の調製＞
実施例５において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を３０質量部から４０質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）７０質量部を、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）６０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例５と同様にして磁性組成物１７を調製した。
実施例５において、磁性粉体ｂ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２」、Ｄ５０：２５μｍ）の量を３０質量部から４０質量部に変え、
磁性粉体ｄ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基アモルファス磁性材料、「ＡＷ０２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｄ５０：３μｍ）７０質量部を、磁性粉体ａ（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ基ナノ結晶磁性材料、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１」、Ｄ５０：２５μｍ）６０質量部に変えた。
以上の事項以外は実施例５と同様にして磁性組成物１７を調製した。
【0196】
＜（Ａ）成分の粒径分布の測定＞
磁性粉体を超音波により純水中に分散させ測定サンプルを調製した。測定サンプルを、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置（マイクロトラックベル社製「ＭＴ３０００ＩＩ」）を用いて、Ｄ１０、Ｄ５０、及びＤ９０を測定した。
磁性粉体を超音波により純水中に分散させ測定サンプルを調製した。測定サンプルを、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置（マイクロトラックベル社製「ＭＴ３０００ＩＩ」）を用いて、Ｄ１０、Ｄ５０、及びＤ９０を測定した。
【0197】
＜比透磁率、磁性損失の測定＞
支持体として、シリコン系離型剤処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を用意した。各磁性組成物１～１７を上記ＰＥＴフィルムの離型面上に、乾燥後の磁性組成物層の厚みが１００μｍとなるよう、ドクターブレードにて均一に塗布し、磁性シートを得た。得られた磁性シートを１９０℃で９０分間加熱することにより磁性組成物層を熱硬化し、支持体を剥離することによりシート状の硬化物を得た。得られた硬化物を、幅５ｍｍ、長さ１８ｍｍの試験片に切断し、評価サンプルとした。この評価サンプルを、アジレントテクノロジーズ（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、「ＨＰ８３６２Ｂ」）を用いて、３ターンコイル法にて測定周波数を１０ＭＨｚとし、室温２３℃にて比透磁率（μ’）及びその虚数成分（μ’’）を測定し、磁気損失はμ’’／μ’より算出した。
支持体として、シリコン系離型剤処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を用意した。各磁性組成物１～１７を上記ＰＥＴフィルムの離型面上に、乾燥後の磁性組成物層の厚みが１００μｍとなるよう、ドクターブレードにて均一に塗布し、磁性シートを得た。得られた磁性シートを１９０℃で９０分間加熱することにより磁性組成物層を熱硬化し、支持体を剥離することによりシート状の硬化物を得た。得られた硬化物を、幅５ｍｍ、長さ１８ｍｍの試験片に切断し、評価サンプルとした。この評価サンプルを、アジレントテクノロジーズ（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、「ＨＰ８３６２Ｂ」）を用いて、３ターンコイル法にて測定周波数を１０ＭＨｚとし、室温２３℃にて比透磁率（μ’）及びその虚数成分（μ’’）を測定し、磁気損失はμ’’／μ’より算出した。
【0198】
比透磁率を以下の基準で評価した。
〇：比透磁率が１７以上
△：比透磁率が１５以上１７未満
×：比透磁率が１５未満
〇：比透磁率が１７以上
△：比透磁率が１５以上１７未満
×：比透磁率が１５未満
【0199】
また、磁性損失を以下の基準で評価した。
〇：磁性損失が０．０５未満
△：磁性損失が０．０５以上０．０８未満
×：磁性損失が０．０８以上
〇：磁性損失が０．０５未満
△：磁性損失が０．０５以上０．０８未満
×：磁性損失が０．０８以上
【0200】
【表1】
【表2】
【0201】
（Ａ）成分のＤ１０、Ｄ５０、及びＤ９０が所定の範囲内である実施例１～１０は、比較例１～７と比べて、比透磁率に優れるとともに磁性損失が低減していることがわかる。
【符号の説明】
【0202】
１０ コア基板
１１ 支持基板
１２ 第１金属層
１３ 第２金属層
１４ スルーホール
２０ めっき層
３０ａ 磁性組成物
３０ 磁性層
４０ 導体層
４１ パターン導体層
１００ 回路基板
２００ 内層基板
２００ａ 第１主表面
２００ｂ 第２主表面
２２０ スルーホール
２２０ａ スルーホール内配線
２４０ 外部端子
３００ 磁性部
３１０ 磁性シート
３２０ａ 磁性組成物層
３２０ 第１絶縁層
３３０ 支持体
３４０ 第２絶縁層
３６０ ビアホール
３６０ａ ビアホール内配線
４００ コイル状導電性構造体
４２０ 第１導体層
４２０ａ ランド
４４０ 第２導体層
１１ 支持基板
１２ 第１金属層
１３ 第２金属層
１４ スルーホール
２０ めっき層
３０ａ 磁性組成物
３０ 磁性層
４０ 導体層
４１ パターン導体層
１００ 回路基板
２００ 内層基板
２００ａ 第１主表面
２００ｂ 第２主表面
２２０ スルーホール
２２０ａ スルーホール内配線
２４０ 外部端子
３００ 磁性部
３１０ 磁性シート
３２０ａ 磁性組成物層
３２０ 第１絶縁層
３３０ 支持体
３４０ 第２絶縁層
３６０ ビアホール
３６０ａ ビアホール内配線
４００ コイル状導電性構造体
４２０ 第１導体層
４２０ａ ランド
４４０ 第２導体層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】