(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023165121
(43)【公開日】2023-11-15
(54)【発明の名称】循環装置、循環装置の制御方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20231108BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 648G
H01L21/304 648F
H01L21/304 648K
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022075778
(22)【出願日】2022-05-02
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】岩尾 通矩
(72)【発明者】
【氏名】相原 友明
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB45
5F157AB49
5F157AB51
5F157AB64
5F157AB90
5F157AC04
5F157AC26
5F157BB23
5F157BB45
5F157CE83
5F157CF04
5F157CF14
5F157CF16
5F157CF34
5F157CF42
5F157CF44
5F157CF60
5F157CF70
5F157CF74
5F157CF99
5F157DC11
5F157DC86
(57)【要約】
【課題】ポンプの速度の範囲を処理液の温度に従って適切に得ることが、課題である。
【解決手段】循環装置は外部経路に対して液体の供給および回収を行う。循環装置を制御する方法は、循環装置における複数の部位が、液体の温度においてそれぞれが有する耐圧を参照する第１工程；液体を圧出の対象とするポンプによって圧出される当該温度の液体が受ける圧力である第１圧力と、ポンプの速度との関係を参照する第２工程；当該温度を有する液体の供給に必要な第１圧力である第２圧力を参照する第３工程；および、当該温度における第２圧力以上であって、当該温度における耐圧の最小値以下である第１圧力を与える、ポンプの速度の範囲を求める第４工程、を備える。
【選択図】図１１
【解決手段】循環装置は外部経路に対して液体の供給および回収を行う。循環装置を制御する方法は、循環装置における複数の部位が、液体の温度においてそれぞれが有する耐圧を参照する第１工程；液体を圧出の対象とするポンプによって圧出される当該温度の液体が受ける圧力である第１圧力と、ポンプの速度との関係を参照する第２工程；当該温度を有する液体の供給に必要な第１圧力である第２圧力を参照する第３工程；および、当該温度における第２圧力以上であって、当該温度における耐圧の最小値以下である第１圧力を与える、ポンプの速度の範囲を求める第４工程、を備える。
【選択図】図１１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
外部経路に対して液体の供給および回収を行う循環装置を制御する方法であって、前記循環装置は：
前記液体を貯留の対象とする貯留槽；
前記貯留槽から前記液体が流入する第１流入端を有し、前記液体の前記供給に用いられる第１配管；
前記貯留槽へ前記液体が流出される第２流出端を有し、前記液体の前記回収に用いられる第２配管；
前記第１配管において設けられ、前記第１流入端に接続される吸入口と、吐出口とを有し、前記液体を圧出の対象とするポンプ；
前記第１配管において設けられ、前記吐出口に接続され、前記液体を加熱の対象とするヒータ；
前記第１配管において設けられ、前記ヒータを介して前記ポンプに接続されるフィルタ；
前記第１配管において前記フィルタおよび前記ヒータを介して前記ポンプに接続され、少なくとも開閉可能な弁；および
前記フィルタと前記弁との間で前記第１配管に接続される端と、前記貯留槽へ前記液体が流出される第３流出端とを有する第３配管
を備え、
前記方法は、
前記循環装置における複数の部位が、前記液体の温度においてそれぞれが有する耐圧を参照する第１工程；
前記ポンプによって圧出される前記温度の前記液体が受ける圧力である第１圧力と、前記ポンプの速度との関係を参照する第２工程；
前記温度を有する前記液体の前記供給に必要な前記第１圧力である第２圧力を参照する第３工程；および
前記温度における前記第２圧力以上であって、前記温度における前記耐圧の最小値以下である前記第１圧力を与える前記速度の範囲を求める第４工程
を備える、循環装置の制御方法。
前記液体を貯留の対象とする貯留槽；
前記貯留槽から前記液体が流入する第１流入端を有し、前記液体の前記供給に用いられる第１配管；
前記貯留槽へ前記液体が流出される第２流出端を有し、前記液体の前記回収に用いられる第２配管；
前記第１配管において設けられ、前記第１流入端に接続される吸入口と、吐出口とを有し、前記液体を圧出の対象とするポンプ；
前記第１配管において設けられ、前記吐出口に接続され、前記液体を加熱の対象とするヒータ；
前記第１配管において設けられ、前記ヒータを介して前記ポンプに接続されるフィルタ；
前記第１配管において前記フィルタおよび前記ヒータを介して前記ポンプに接続され、少なくとも開閉可能な弁；および
前記フィルタと前記弁との間で前記第１配管に接続される端と、前記貯留槽へ前記液体が流出される第３流出端とを有する第３配管
を備え、
前記方法は、
前記循環装置における複数の部位が、前記液体の温度においてそれぞれが有する耐圧を参照する第１工程；
前記ポンプによって圧出される前記温度の前記液体が受ける圧力である第１圧力と、前記ポンプの速度との関係を参照する第２工程；
前記温度を有する前記液体の前記供給に必要な前記第１圧力である第２圧力を参照する第３工程；および
前記温度における前記第２圧力以上であって、前記温度における前記耐圧の最小値以下である前記第１圧力を与える前記速度の範囲を求める第４工程
を備える、循環装置の制御方法。
【請求項2】
前記循環装置は
前記温度を測定する温度計
を更に備え、
前記方法は、
前記温度を測定し、測定された前記温度に基づいて前記第１工程において前記耐圧を参照する、請求項１に記載の、循環装置の制御方法。
前記温度を測定する温度計
を更に備え、
前記方法は、
前記温度を測定し、測定された前記温度に基づいて前記第１工程において前記耐圧を参照する、請求項１に記載の、循環装置の制御方法。
【請求項3】
前記第４工程で設定される前記範囲における前記速度で前記ポンプを駆動する第５工程
を更に備える、請求項１または請求項２に記載の循環装置の制御方法。
を更に備える、請求項１または請求項２に記載の循環装置の制御方法。
【請求項4】
外部経路に対して液体の供給および回収を行う循環装置であって、
前記液体を貯留の対象とする貯留槽；
前記貯留槽から前記液体が流入する第１流入端を有し、前記液体の前記供給に用いられる第１配管；
前記貯留槽へ前記液体が流出される第２流出端を有し、前記液体の前記回収に用いられる第２配管；
前記第１配管において設けられ、前記第１流入端に接続される吸入口と、吐出口とを有し、前記液体を圧出の対象とするポンプ；
前記第１配管において設けられ、前記吐出口に接続され、前記液体を加熱の対象とするヒータ；
前記第１配管において設けられ、前記ヒータを介して前記ポンプに接続されるフィルタ；
前記第１配管において前記フィルタおよび前記ヒータを介して前記ポンプに接続され、少なくとも開閉可能な弁；
前記フィルタと前記弁との間で前記第１配管に接続される端と、前記貯留槽へ前記液体が流出される第３流出端とを有する第３配管；および
前記ポンプを駆動する制御部
を備え、
前記制御部は、
前記循環装置における複数の部位が、前記液体の温度においてそれぞれが有する耐圧を参照し、
前記ポンプによって圧出される前記温度の前記液体が受ける圧力である第１圧力と、前記ポンプの速度との関係を参照し、
前記温度を有する前記液体の前記供給に必要な前記第１圧力である第２圧力を参照し、
前記温度における前記第２圧力以上であって、前記温度における前記耐圧の最小値以下である前記第１圧力を与える前記速度の範囲を求める、循環装置。
前記液体を貯留の対象とする貯留槽；
前記貯留槽から前記液体が流入する第１流入端を有し、前記液体の前記供給に用いられる第１配管；
前記貯留槽へ前記液体が流出される第２流出端を有し、前記液体の前記回収に用いられる第２配管；
前記第１配管において設けられ、前記第１流入端に接続される吸入口と、吐出口とを有し、前記液体を圧出の対象とするポンプ；
前記第１配管において設けられ、前記吐出口に接続され、前記液体を加熱の対象とするヒータ；
前記第１配管において設けられ、前記ヒータを介して前記ポンプに接続されるフィルタ；
前記第１配管において前記フィルタおよび前記ヒータを介して前記ポンプに接続され、少なくとも開閉可能な弁；
前記フィルタと前記弁との間で前記第１配管に接続される端と、前記貯留槽へ前記液体が流出される第３流出端とを有する第３配管；および
前記ポンプを駆動する制御部
を備え、
前記制御部は、
前記循環装置における複数の部位が、前記液体の温度においてそれぞれが有する耐圧を参照し、
前記ポンプによって圧出される前記温度の前記液体が受ける圧力である第１圧力と、前記ポンプの速度との関係を参照し、
前記温度を有する前記液体の前記供給に必要な前記第１圧力である第２圧力を参照し、
前記温度における前記第２圧力以上であって、前記温度における前記耐圧の最小値以下である前記第１圧力を与える前記速度の範囲を求める、循環装置。
【請求項5】
前記温度を測定する温度計
を更に備え、
前記制御部は、測定された前記温度に基づいて前記耐圧を参照する、請求項４に記載の循環装置。
を更に備え、
前記制御部は、測定された前記温度に基づいて前記耐圧を参照する、請求項４に記載の循環装置。
【請求項6】
前記制御部は、前記範囲における前記速度で前記ポンプを駆動する、請求項４または請求項５に記載の循環装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は循環装置およびその制御方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ等の基板の表面に対して、薬液を用いた処理が行われる。当該処理の例としては洗浄処理が挙げられ、当該薬液（以下、リンス液、有機溶剤も含めて「処理液」とも称される）の例として酸性の液体が挙げられる。
【0003】
例えば基板が１枚ずつ処理される枚葉式の基板処理装置においては、基板が略水平に保持されつつ回転し、回転する基板の表面に処理液が供給される。かかる処理はチャンバと通称される処理用の筐体において実行される。
【0004】
当該処理液は基板に供給された後、回収されて再利用される。具体的にはチャンバに対して処理液が供給され、処理に供された後の処理液は回収される。このような処理液の供給および回収はチャンバの外部に設けられる循環装置によって行われる。
【0005】
チャンバが複数設けられる場合、これらはそれぞれ処理ユニットに格納される。処理ユニットは略鉛直方向に積層され、タワーと通称される構成に含まれる。タワーは複数設けられる場合がある。
【0006】
循環装置からの処理液の供給、及び循環装置への処理液の回収は、タワーのそれぞれに対して行われる。そして複数のチャンバに対する処理液の供給および回収はタワー毎に行われる。
【0007】
循環装置は、タワーに対する処理液の供給および回収を行う循環処理（以下「外循環」と仮称される）の他、タワーを介さずに循環装置の内部において処理液を循環させる循環処理（以下「内循環」と仮称される）を行う。
【0008】
このようなタワーのそれぞれに対する外循環や、内循環については、例えば下記の特許文献１において言及がある。また処理液として硫酸が利用される場合については、例えば下記の特許文献２において言及がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特開２０２１－０５２０３８号公報
【特許文献2】特開２０２０－０８８２０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
処理液の粘度は温度に依存する。例えば温度が高いほど粘度が低下する傾向がある。粘度が高いと、処理液を流すために必要な処理液への圧力は増加する。循環装置の各部位における耐圧は温度に依存する。例えば温度が高いほど耐圧が低下する傾向がある。循環装置において処理液はポンプによって圧出されて流れ、当該ポンプの回転速度が高いほど処理液に与えられる圧力は高い。
【0011】
処理液の温度に依存して、処理液を流すために必要な圧力と、各部位の耐圧とが変動する。そして当該耐圧、および／または、当該耐圧の温度依存性は、部位毎に異なる場合が想定される。よって、処理液の温度に従って適切な回転速度を用いたポンプの駆動が要求される。
【0012】
本開示は、上記課題に鑑みてなされ、ポンプの速度の範囲を処理液の温度に従って適切に得る技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本開示にかかる循環装置の制御方法の第１の態様は、外部経路に対して液体の供給および回収を行う循環装置を制御する方法である。前記循環装置は：前記液体を貯留の対象とする貯留槽；前記貯留槽から前記液体が流入する第１流入端を有し、前記液体の前記供給に用いられる第１配管；前記貯留槽へ前記液体が流出される第２流出端を有し、前記液体の前記回収に用いられる第２配管；前記第１配管において設けられ、前記第１流入端に接続される吸入口と、吐出口とを有し、前記液体を圧出の対象とするポンプ；前記第１配管において設けられ、前記吐出口に接続され、前記液体を加熱の対象とするヒータ；前記第１配管において設けられ、前記ヒータを介して前記ポンプに接続されるフィルタ；前記第１配管において前記フィルタおよび前記ヒータを介して前記ポンプに接続され、少なくとも開閉可能な弁；および、前記フィルタと前記弁との間で前記第１配管に接続される端と、前記貯留槽へ前記液体が流出される第３流出端とを有する第３配管を備える。
【0014】
当該方法は、前記循環装置における複数の部位が、前記液体の温度においてそれぞれが有する耐圧を参照する第１工程；前記ポンプによって圧出される前記温度の前記液体が受ける圧力である第１圧力と、前記ポンプの速度との関係を参照する第２工程；前記温度を有する前記液体の前記供給に必要な前記第１圧力である第２圧力を参照する第３工程；および、前記温度における前記第２圧力以上であって、前記温度における前記耐圧の最小値以下である前記第１圧力を与える前記速度の範囲を求める第４工程を備える。
【0015】
本開示にかかる循環装置の制御方法の第２の態様は、その第１の態様であって、前記循環装置は前記温度を測定する温度計を更に備える。当該第２の態様は、前記温度を測定し、測定された前記温度に基づいて前記第１工程において前記耐圧を参照する。
【0016】
本開示にかかる循環装置の制御方法の第３の態様は、その第１の態様または第２の態様であって、前記第４工程で設定される前記範囲における前記速度で前記ポンプを駆動する第５工程を更に備える。
【0017】
本開示にかかる循環装置の第１の態様は、外部経路に対して液体の供給および回収を行う循環装置であって、前記液体を貯留の対象とする貯留槽；前記貯留槽から前記液体が流入する第１流入端を有し、前記液体の前記供給に用いられる第１配管；前記貯留槽へ前記液体が流出される第２流出端を有し、前記液体の前記回収に用いられる第２配管；前記第１配管において設けられ、前記第１流入端に接続される吸入口と、吐出口とを有し、前記液体を圧出の対象とするポンプ；前記第１配管において設けられ、前記吐出口に接続され、前記液体を加熱の対象とするヒータ；前記第１配管において設けられ、前記ヒータを介して前記ポンプに接続されるフィルタ；前記第１配管において前記フィルタおよび前記ヒータを介して前記ポンプに接続され、少なくとも開閉可能な弁；前記フィルタと前記弁との間で前記第１配管に接続される端と、前記貯留槽へ前記液体が流出される第３流出端とを有する第３配管；および、前記ポンプを駆動する制御部を備える。前記制御部は、前記循環装置における複数の部位が、前記液体の温度においてそれぞれが有する耐圧を参照し、前記ポンプによって圧出される前記温度の前記液体が受ける圧力である第１圧力と、前記ポンプの速度との関係を参照し、前記温度を有する前記液体の前記供給に必要な前記第１圧力である第２圧力を参照し、前記温度における前記第２圧力以上であって、前記温度における前記耐圧の最小値以下である前記第１圧力を与える前記速度の範囲を求める。
【0018】
本開示にかかる循環装置の第２の態様は、その第１の態様であって、前記温度を測定する温度計を更に備える。前記制御部は、測定された前記温度に基づいて前記耐圧を参照する。
【0019】
本開示にかかる循環装置の第３の態様は、その第１の態様または第２の態様であって、前記制御部は、前記範囲における前記速度で前記ポンプを駆動する。
【発明の効果】
【0020】
本開示にかかる制御装置の制御方法、および本開示にかかる制御装置によれば、ポンプの速度の範囲が処理液の温度に従って適切に得られる。
【0021】
特に本開示にかかる制御装置の制御方法の第３の態様、および本開示にかかる制御装置の第３の態様によれば、循環装置の内循環および外循環が適切に行われる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】基板処理装置を模式的に示す横断面図である。
【図2】基板処理装置を模式的に示す縦断面図である。
【図3】基板処理装置のIII－III線に沿った縦断面を模式的に示す縦断面図である。
【図4】処理ブロックの左部を左方向に沿って見た構成の一例を模式的に示す側面図である。
【図5】処理ブロックの右部を右方向に沿って見た構成の一例を模式的に示す側面図である。
【図6】処理ユニットの構成を模式的に示す横断面図である。
【図7】処理ユニットの構成を模式的に示す縦断面図である。
【図8】基板処理装置の各構成の動作を制御するための機能的な構成を示すブロック図である。
【図9】制御部の一構成例を示すブロック図である。
【図10】循環装置の構成を例示する配管図である。
【図11】本開示にかかる制御を例示するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の各実施形態が説明される。各実施形態に記載される構成要素はあくまでも例示であり、本開示の範囲が例示のみに限定される趣旨ではない。図面は、あくまでも模式的に示される。図面においては、容易に理解が可能となるように、必要に応じて各部の寸法および数が誇張または簡略化されて図示される場合がある。図面においては、同様な構成および機能を有する部分に対して同じ符号が付されており、重複した説明が適宜省略される。
【0024】
以下の説明では、各要素の位置関係を説明するために、右手系のＸＹＺ直交座標系が採用される。具体的には、Ｘ軸およびＹ軸が水平方向に延びており、Ｚ軸が鉛直方向（上下方向）に延びる場合が想定される。また、図面においては、矢印の先端が向く方が＋（プラス）方向として、その逆方向が－（マイナス）方向として、それぞれ示される。具体的には、鉛直方向上向きが＋Ｚ方向であり、鉛直方向下向きが－Ｚ方向である。
【0025】
本明細書では、相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「平行」「直交」「中心」）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差も含む状態を表すとともに、同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表す。２つ以上のものが等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表す。
【0026】
形状を示す表現（例えば「四角形状」または「円筒形状」等）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密に形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸または面取り等を有する形状も表す。
【0027】
１つの構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。
【0028】
「連結」という表現は、特に断らない限り、２つの要素が接する状態のほか、２つの要素が他の要素を挟んで離れる状態も含む表現である。
【0029】
ある方向に「移動させる」とは、特に断らない限りにおいて、この方向と平行に移動させる場合のみならず、この方向の成分を持つ方向に移動させることを含む場合がある。
【0030】
【0031】
基板処理装置７９０は、本開示にかかる循環装置との間で供給および回収が行われる処理液を用いて基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗを処理する。当該循環装置およびその制御方法については後に詳述される。循環装置と基板処理装置７９０とは纏まって、基板処理システムと把握されてもよい。
【0032】
基板Ｗには、例えば、略円盤状の薄い平板が適用される。図１では、後述されるキャリアＣに格納される基板Ｗの外縁、および後述される保持部７１１に保持される基板Ｗの外縁のいずれもが破線で示される。
【0033】
基板処理装置７９０は、例えば、インデクサ部７９２と、処理ブロック７９３と、を備える。処理ブロック７９３は、インデクサ部７９２に連結される。
【0034】
インデクサ部７９２と処理ブロック７９３とは、水平方向に並ぶ。インデクサ部７９２は、例えば、処理ブロック７９３に基板Ｗを供給する。処理ブロック７９３は、例えば、基板Ｗに処理を行う。インデクサ部７９２は、例えば、処理ブロック７９３から基板Ｗを回収する。
【0035】
本明細書では、便宜上、インデクサ部７９２と処理ブロック７９３が並ぶ水平方向が、±Ｘ方向（前後方向ともいう）に採用される。±Ｘ方向（前後方向）のうち、処理ブロック７９３からインデクサ部７９２に向かう方向が－Ｘ方向（前方向とも前方ともいう）に採用され、インデクサ部７９２から処理ブロック７９３に向かう方向が＋Ｘ方向（後方向とも後方ともいう）にされる。
【0036】
±Ｘ方向（前後方向）と直交する水平方向が、±Ｙ方向（幅方向ともいう）に採用される。±Ｙ方向（幅方向）のうち、－Ｘ方向（前方向）を向いたときに右側に向かう方向が＋Ｙ方向（右方向とも右方ともいう）に採用され、－Ｘ方向（前方向）を向いたときに左側に向かう方向が－Ｙ方向（左方向とも左方ともいう）に採用される。
【0037】
水平方向に対して垂直な方向が、±Ｚ方向（上下方向ともいう）に採用される。±Ｚ方向（上下方向）のうち、重力方向が－Ｚ方向（下方向とも下方ともいう）に採用され、重力方向とは逆の方向が＋Ｚ方向（上方向とも上方ともいう）に採用される。前方、後方、右方および左方が特に区別されない場合には、これらはいずれも単に側方と称される。
【0038】
＜１－１．インデクサ部の構成＞
図１で示されるように、インデクサ部７９２は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部７２１と、搬送スペース７２２と、１つ以上（例えば１つ）の第１搬送機構（インデクサ機構ともいう）７２３と、を備える。
図１で示されるように、インデクサ部７９２は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部７２１と、搬送スペース７２２と、１つ以上（例えば１つ）の第１搬送機構（インデクサ機構ともいう）７２３と、を備える。
【0039】
複数のキャリア載置部７２１は幅方向（±Ｙ方向）に並ぶ。各キャリア載置部７２１には、１つのキャリアＣが載置される。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣには、例えば、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）が適用される。
【0040】
搬送スペース７２２は、キャリア載置部７２１の後方（＋Ｘ方向）に位置する。搬送スペース７２２は、幅方向（±Ｙ方向）に延びる。第１搬送機構７２３は、搬送スペース７２２に位置する。
【0041】
第１搬送機構７２３は、キャリア載置部７２１の後方（＋Ｘ方向）に位置する。第１搬送機構７２３は、基板Ｗを搬送する。第１搬送機構７２３は、キャリア載置部７２１に載置されたキャリアＣにアクセスする。
【0042】
第１搬送機構７２３は、ハンド７２３１と、ハンド駆動部７２３２と、を備える。ハンド７２３１は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド駆動部７２３２は、ハンド７２３１に連結されており、ハンド７２３１を移動させる。具体的には、ハンド駆動部７２３２は、ハンド７２３１を前後方向（±Ｘ方向）、幅方向（±Ｙ方向）および上下方向（±Ｚ方向）に移動させる。ハンド駆動部７２３２は、複数の電動モータを有する。
【0043】
【0044】
レール７２３２ａは、例えば、搬送スペース７２２の底部に固定される。レール７２３２ａは、幅方向（±Ｙ方向）に延びる。
【0045】
水平移動部７２３２ｂは、レール７２３２ａによって支持される。水平移動部７２３２ｂは、レール７２３２ａに対して幅方向（±Ｙ方向）に移動する。
【0046】
垂直移動部７２３２ｃは、水平移動部７２３２ｂによって支持される。垂直移動部７２３２ｃは、水平移動部７２３２ｂに対して上下方向に移動する。
【0047】
回転部７２３２ｄは、垂直移動部７２３２ｃによって支持される。回転部７２３２ｄは、垂直移動部７２３２ｃに対して回転する。回転部７２３２ｄは、回転軸線Ａ１を中心として回転する。回転軸線Ａ１は、上下方向に沿って延びる仮想線である。
【0048】
進退移動部７２３２ｅは、回転部７２３２ｄに対して移動する。進退移動部７２３２ｅは、回転部７２３２ｄの向きによって決まる水平方向に沿って往復移動する。進退移動部７２３２ｅは、ハンド７２３１に接続される。
【0049】
このようなハンド駆動部７２３２により、ハンド７２３１は、上下方向における平行移動と、任意の水平方向における平行移動と、回転軸線Ａ１を中心とした回転移動とが、実現される。
【0050】
＜１－２．処理ブロックの構成＞
図３は、図１の基板処理装置７９０のIII－III線に沿った縦断面を後方向（＋Ｘ方向）に向いて見た一例を模式的に示す縦断面図である。図４は、処理ブロック７９３の左方（－Ｙ方向）の部分（左部ともいう）を左方向（－Ｙ方向）に沿って見た構成の一例を模式的に示す側面図である。図５は、処理ブロック７９３の右方（＋Ｙ方向）の部分（右部ともいう）を右方向（＋Ｙ方向）に沿って見た構成の一例を模式的に示す側面図である。
図３は、図１の基板処理装置７９０のIII－III線に沿った縦断面を後方向（＋Ｘ方向）に向いて見た一例を模式的に示す縦断面図である。図４は、処理ブロック７９３の左方（－Ｙ方向）の部分（左部ともいう）を左方向（－Ｙ方向）に沿って見た構成の一例を模式的に示す側面図である。図５は、処理ブロック７９３の右方（＋Ｙ方向）の部分（右部ともいう）を右方向（＋Ｙ方向）に沿って見た構成の一例を模式的に示す側面図である。
【0051】
例えば、図１から図５で示されるように、処理ブロック７９３は、２つの搬送スペース７４Ａ，７４Ｂと、２つの第２搬送機構７５Ａ，７５Ｂと、複数個（ここでは、２４個）の処理ユニット７６と、２つの基板載置部７７Ａ，７７Ｂと、１つの隔壁７３ｗと、水平排気系７８０とを備える。
【0052】
搬送スペース７４Ａは、幅方向（±Ｙ方向）における処理ブロック７９３の中央部に位置する。搬送スペース７４Ａは、前後方向（±Ｘ方向）に延びる。搬送スペース７４Ａの前方の部分（前部ともいう）は、インデクサ部７９２の搬送スペース７２２と連結される。
【0053】
搬送スペース７４Ｂは、搬送スペース７４Ａと略同一の形状を有する。具体的には、搬送スペース７４Ｂは、幅方向（±Ｙ方向）における処理ブロック７９３の中央部に位置する。搬送スペース７４Ｂは、前後方向（±Ｘ方向）に延びる。搬送スペース７４Ｂの前方の部分（前部ともいう）は、インデクサ部７９２の搬送スペース７２２と連結される。
【0054】
搬送スペース７４Ｂは、搬送スペース７４Ａの下方に位置する。搬送スペース７４Ｂは、平面視において、搬送スペース７４Ａと重なるように位置する。搬送スペース７４Ａ，７４Ｂが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に搬送スペース７４と称される。
【0055】
隔壁７３ｗは、例えば水平な板形状を有する。隔壁７３ｗが、搬送スペース７４Ａの下方であり且つ搬送スペース７４Ｂの上方に位置する。隔壁７３ｗは、搬送スペース７４Ａと搬送スペース７４Ｂとを隔てる。
【0056】
基板載置部７７Ａは、搬送スペース７４Ａに位置する。基板載置部７７Ａは、搬送スペース７４Ａの前部に位置する。インデクサ部７９２の第１搬送機構７２３は、基板載置部７７Ａにもアクセスする。基板載置部７７Ａには、１枚または複数枚の基板Ｗが載置される。
【0057】
基板載置部７７Ｂは、搬送スペース７４Ｂに位置する。基板載置部７７Ｂは、基板載置部７７Ａの下方に位置する。基板載置部７７Ｂは、搬送スペース７４Ｂの前部に位置する。基板載置部７７Ｂは、平面視において、基板載置部７７Ａと重なるように位置する。基板載置部７７Ｂは、平面視において、基板載置部７７Ａと同じ位置に位置する。
【0058】
インデクサ部７９２の第１搬送機構７２３は、基板載置部７７Ｂにもアクセスする。基板載置部７７Ｂには、１枚または複数枚の基板Ｗが載置される。基板載置部７７Ａ，７７Ｂが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に基板載置部７７と称される。
【0059】
第２搬送機構７５Ａは、搬送スペース７４Ａに位置する。第２搬送機構７５Ａは、基板Ｗを搬送する。第２搬送機構７５Ａは、基板載置部７７Ａにアクセスする。
【0060】
第２搬送機構７５Ｂは、搬送スペース７４Ｂに位置する。第２搬送機構７５Ｂは、基板Ｗを搬送する。第２搬送機構７５Ｂは、第２搬送機構７５Ａと同一の構造を有する。第２搬送機構７５Ｂは、基板載置部７７Ｂにアクセスする。第２搬送機構７５Ａ，７５Ｂが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に第２搬送機構７５と称される。
【0061】
第２搬送機構７５の各々は、ハンド７５１とハンド駆動部７５２を備える。ハンド７５１は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド駆動部７５２は、ハンド７５１に連結される。ハンド駆動部７５２は、ハンド７５１を前後方向（±Ｘ方向）、幅方向（±Ｙ方向）および上下方向に移動させる。ハンド駆動部７５２は、複数の電動モータを備える。
【0062】
具体的には、ハンド駆動部７５２は、例えば、２つの支柱７５２ａと、垂直移動部７５２ｂと、水平移動部７５２ｃと、回転部７５２ｄと、進退移動部７５２ｅとを備える。
【0063】
２つの支柱７５２ａは、例えば、搬送スペース７２２の側部に固定される。２つの支柱７５２ａは、前後方向（±Ｘ方向）に並ぶ。各支柱７５２ａは、上下方向に延びる。
【0064】
垂直移動部７５２ｂは、２つの支柱７５２ａによって支持される。垂直移動部７５２ｂは前後方向（±Ｘ方向）に延び、２つの支柱７５２ａの間に架設される。垂直移動部７５２ｂは、２つの支柱７５２ａに対して上下方向に移動する。
【0065】
水平移動部７５２ｃは、垂直移動部７５２ｂに支持される。水平移動部７５２ｃは、垂直移動部７５２ｂに対して前後方向（±Ｘ方向）に移動する。水平移動部７５２ｃは、２つの支柱７５２ａの間において前後方向（±Ｘ方向）に移動する。
【0066】
回転部７５２ｄは、水平移動部７５２ｃに支持される。回転部７５２ｄは、水平移動部７５２ｃに対して回転する。回転部７５２ｄは、回転軸線Ａ２を中心として回転する。回転軸線Ａ２は、上下方向に沿って延びる仮想線である。
【0067】
進退移動部７５２ｅは、回転部７５２ｄに対して移動する。進退移動部７５２ｅは、回転部７５２ｄの向きによって決まる水平方向に往復移動する。進退移動部７５２ｅは、ハンド７５１に接続される。
【0068】
このようなハンド駆動部７５２により、ハンド７５１は、上下方向における平行移動と、任意の水平方向における平行移動と、回転軸線Ａ２を中心とした回転移動とを実行する。
【0069】
２４個の処理ユニット７６のそれぞれは、第２搬送機構７５によって搬送された基板Ｗに対して所定の処理を行う。
【0070】
処理ブロック７９３は、６つの処理ユニット７６Ａ、６つの処理ユニット７６Ｂ、６つの処理ユニット７６Ｃ、および６つの処理ユニット７６Ｄを備える。処理ユニット７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃ，７６Ｄが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に処理ユニット７６と称される。
【0071】
６つの処理ユニット７６Ａは、上下方向に積層するように位置する。換言すれば、６つの処理ユニット７６Ａは、上下方向に１列に並ぶ。６つの処理ユニット７６Ｂは、上下方向に積層するように位置する。換言すれば、６つの処理ユニット７６Ｂは、上下方向に１列に並ぶ。６つの処理ユニット７６Ｃは、上下方向に積層するように位置する。換言すれば、６つの処理ユニット７６Ｃは、上下方向に１列に並ぶ。６つの処理ユニット７６Ｄは、上下方向に積層するように位置する。換言すれば、６つの処理ユニット７６Ｄは、上下方向に１列に並ぶ。
【0072】
６つの処理ユニット７６Ａ、６つの処理ユニット７６Ｂ、６つの処理ユニット７６Ｃ、および６つの処理ユニット７６Ｄのそれぞれは、上述のタワー（ここでは４つのタワー）に含まれる。
【0073】
６つの処理ユニット７６Ａにおける６つの処理室７６１は、上下方向において積層される。６つの処理ユニット７６Ｂにおける６つの処理室７６１は、上下方向において積層される。６つの処理ユニット７６Ｃにおける６つの処理室７６１は、上下方向において積層される。６つの処理ユニット７６Ｄにおける６つの処理室７６１は、上下方向において積層される。
【0074】
６つの処理ユニット７６Ａおよび６つの処理ユニット７６Ｂは、搬送スペース７４Ａ，７４Ｂの左方（－Ｙ方向）に位置する。６つの処理ユニット７６Ａと６つの処理ユニット７６Ｂとは、搬送スペース７４Ａ，７４Ｂに沿って、前後方向（±Ｘ方向）に並ぶ。６つの処理ユニット７６Ｂは、６つの処理ユニット７６Ａの後方（＋Ｘ方向）に位置する。
【0075】
６つの処理ユニット７６Ｃおよび６つの処理ユニット７６Ｄは、搬送スペース７４Ａ，７４Ｂの右方（＋Ｙ方向）に位置する。６つの処理ユニット７６Ｃと６つの処理ユニット７６Ｄとは、搬送スペース７４Ａ，７４Ｂに沿って、前後方向（±Ｘ方向）に並ぶ。６つの処理ユニット７６Ｄは、６つの処理ユニット７６Ｃの後方（＋Ｘ方向）に位置する。
【0076】
６つの処理ユニット７６Ａと６つの処理ユニット７６Ｃとは、搬送スペース７４Ａ，７４Ｂを挟んで対向する。６つの処理ユニット７６Ｂと６つの処理ユニット７６Ｄとは、搬送スペース７４Ａ，７４Ｂを挟んで対向する。
【0077】
第２搬送機構７５は、処理ユニット７６の保持部７１１にアクセスする。隔壁７３ｗの上方に位置する第２搬送機構７５Ａは、２４個の処理ユニット７６のうちの上側の１２個（４個×上３段）の処理ユニット７６に対して基板Ｗを搬送し、これらの上側の１２個の処理ユニット７６から基板Ｗを搬出する。隔壁７３ｗの下方に位置する第２搬送機構７５Ｂは、２４個の処理ユニット７６のうちの下側の１２個（４個×下３段）の処理ユニット７６に対して基板Ｗを搬送し、これらの下側の１２個の処理ユニット７６から基板Ｗを搬出する。
【0078】
＜１－３．処理ユニットの構成＞
図６は、処理ユニット７６の構成を、処理ユニット７６Ａを例にとって模式的に示す横断面図である。各処理室７６１は、搬送スペース７４に隣接する。
図６は、処理ユニット７６の構成を、処理ユニット７６Ａを例にとって模式的に示す横断面図である。各処理室７６１は、搬送スペース７４に隣接する。
【0079】
図７は、処理ユニット７６の概略的な構成を、処理ユニット７６Ｃを例にとって模式的に示す縦断面図である。
【0080】
図６および図７で示されるように、各処理ユニット７６は、処理室７６１（チャンバとも処理筐体ともいう）と、供給管スペース７６２と、排気管スペース７６３とを備える。例えば、複数の処理ユニット７６は、同じ構造を有する。
【0081】
＜１－４．処理室の構成＞
処理室７６１は、例えば、略箱形状を有する。処理室７６１は、例えば、平面視、正面視および側面視において、略矩形形状を有する。処理室７６１は、その内部に処理スペース７６１ｓを有する。処理ユニット７６は、処理スペース７６１ｓにおいて基板Ｗを処理する。図６では、保持部７１１に保持される基板Ｗの外縁が破線で示される。
処理室７６１は、例えば、略箱形状を有する。処理室７６１は、例えば、平面視、正面視および側面視において、略矩形形状を有する。処理室７６１は、その内部に処理スペース７６１ｓを有する。処理ユニット７６は、処理スペース７６１ｓにおいて基板Ｗを処理する。図６では、保持部７１１に保持される基板Ｗの外縁が破線で示される。
【0082】
処理室７６１は、搬送スペース７４側に基板搬送口７６１ｏを有する。基板搬送口７６１ｏは、処理室７６１の側壁に形成される。基板搬送口７６１ｏは、基板Ｗが通過可能なサイズを有する。第２搬送機構７５は、基板搬送口７６１ｏを介して、処理室７６１の外部（具体的には搬送スペース７４）と処理室７６１の内部（具体的には処理スペース７６１ｓ）との間で、基板Ｗを移動させる。各処理ユニット７６は、基板搬送口７６１ｏを開閉するシャッター（不図示）を有する。
【0083】
処理ユニット７６の各々は、例えば、保持部７１１と、流体供給部７１２とを備える。
【0084】
保持部７１１は、処理室７６１の内部に位置する。保持部７１１は、基板Ｗを保持する。より具体的には、保持部７１１は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持する。保持部７１１は、例えば、鉛直方向に沿った仮想的な回転軸線Ａ３を中心として、この保持部７１１に保持された基板Ｗを回転させる部分（駆動部ともいう）を含む。
【0085】
保持部７１１には、スピンチャックが適用される。スピンチャックは、例えば、基板Ｗの中央部を通り且つ上下方向に沿って延びる回転軸線Ａ３を中心として基板Ｗを回転させる。
【0086】
具体的には、スピンチャックは、チャックピン（チャック部材）７１１ｐと、スピンベース７１１ｂと、スピンベース７１１ｂの下面中央に結合された回転軸７１１ｓと、回転軸７１１ｓに回転力を与える駆動部としての電動モータ７１１ｍとを含む。
【0087】
回転軸７１１ｓは、回転軸線Ａ３に沿って上下方向に延びる。例えば、回転軸７１１ｓは、中空軸である。
【0088】
回転軸７１１ｓの上端に、スピンベース７１１ｂが結合される。スピンベース７１１ｂは、水平方向に沿った円盤形状を有する。スピンベース７１１ｂは、平面視において、回転軸線Ａ３を中心とする円形であり、基板Ｗの直径よりも大きな直径を有する。スピンベース７１１ｂの上面の周縁部に、複数個（例えば、６個）のチャックピン７１１ｐが周方向に間隔を空けて位置する。
【0089】
複数のチャックピン７１１ｐは、基板Ｗの周端に接触して基板Ｗを把持する閉状態と、基板Ｗの周端から退避した開状態と、の間で開閉可能である。複数のチャックピン７１１ｐは、例えば、開状態において、基板Ｗの周縁部の下面に接触して、基板Ｗを下方から支持する。
【0090】
チャックピン７１１ｐは、例えば、スピンベース７１１ｂに内蔵されたリンク機構と、スピンベース７１１ｂ外に位置する駆動源とを含むユニットによって、開閉駆動を行う。駆動源は、例えば、ボールねじ機構と、このボールねじ機構に駆動力を与える電動モータと、を含む。
【0091】
処理ユニット７６の各々は、例えば、ヒータユニット７１９を備える。ヒータユニット７１９は、スピンベース７１１ｂの上方に位置する。ヒータユニット７１９の下面には、回転軸線Ａ３に沿って上下方向に延びる昇降軸７１９ｒが結合される。
【0092】
昇降軸７１９ｒは、スピンベース７１１ｂの中央部を上下方向に貫通する貫通孔と、回転軸７１１ｓの上下方向に貫通する中空部分と、に挿通される。
【0093】
昇降軸７１９ｒの下端は、回転軸７１１ｓの下端よりもさらに下方にまで延びる。昇降軸７１９ｒの下端には、昇降ユニット７１９ｍが結合される。昇降ユニット７１９ｍを作動させることにより、ヒータユニット７１９は、スピンベース７１１ｂの上面に近い下位置と、基板Ｗの下面を支持して基板Ｗをチャックピン７１１ｐから持ち上げる上位置と、の間で上下動する。
【0094】
昇降ユニット７１９ｍは、例えば、ボールねじ機構と、それに駆動力を与える電動モータとを含む。これにより、昇降ユニット７１９ｍは、下位置と上位置との間の任意の中間位置にヒータユニット７１９を配置することができる。
【0095】
例えば、ヒータユニット７１９の上面である加熱面７１９ｕを、基板Ｗの下面との間に所定の間隔を開けた離隔位置に配置した状態で、加熱面７１９ｕからの輻射熱によって基板Ｗを加熱することができる。例えば、ヒータユニット７１９で基板Ｗを持ち上げれば、加熱面７１９ｕを基板Ｗの下面に接触させた接触状態で、加熱面７１９ｕからの熱伝導により、基板Ｗがより大きな熱量で加熱される。
【0096】
ヒータユニット７１９は、円板状のホットプレートの形態を有する。ヒータユニット７１９は、プレート本体と、複数の支持ピンと、ヒータと、を含む。プレート本体の上面は、水平面に沿う平面である。プレート本体は、平面視において、基板Ｗと同様な円形形状と、基板Ｗの直径よりも僅かに小さい直径とを有する。
【0097】
プレート本体の外周端は、複数のチャックピン７１１ｐの内方に位置する。換言すれば、水平方向において、プレート本体が、複数のチャックピン７１１ｐによって囲まれる。これにより、ヒータユニット７１９が上下動するときに、ヒータユニット７１９は、チャックピン７１１ｐと干渉しない。
【0098】
複数の支持ピンのそれぞれは、例えば、プレート本体の上面から上方に僅かに突出するように位置する半球状のピンである。複数の支持ピンは、プレート本体の上面にほぼ均等に配置される。プレート本体の上面（加熱面７１９ｕ）には、複数の支持ピンが存在していなくてもよい。
【0099】
例えば、複数の基板Ｗが支持ピンに接触して支持されるとき、基板Ｗの下面とプレート本体の上面（加熱面７１９ｕ）とが微小間隔を開けて対向する。これにより、ヒータユニット７１９によって基板Ｗが効率的かつ均一に加熱され得る。
【0100】
ヒータには、例えば、プレート本体に内蔵される抵抗体が適用される。プレート本体の上面（加熱面７１９ｕ）は、例えば、ヒータへの通電により、有機溶剤の沸点よりも高温となるように加熱され得る。ヒータへの給電線は、昇降軸７１９ｒ内に通される。そして、給電線には、ヒータに電力を供給する通電ユニット７１９ｅが接続される。
【0101】
処理ユニット７６の各々は、例えば、処理室７６１の内部において、保持部７１１を取り囲む筒状のカップ７１７を備える。
【0102】
流体供給部７１２は、例えば、保持部７１１に保持された基板Ｗに、複数種類の流体を供給する。複数種類の流体は、例えば、薬液、リンス液および有機溶剤等の処理液を含む。薬液は、例えば、エッチング液および洗浄液を含む。薬液には、例えば、酸性液（酸系の液体）およびアルカリ液（アルカリ系の液体）が適用される。
【0103】
酸性液は、例えば、フッ酸（フッ化水素酸）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、硫酸、硫酸過酸化水素水（ＳＰＭ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸との混合液）、および塩酸の少なくとも１つを含む。
【0104】
アルカリ液は、例えば、アンモニア過酸化水素水（ＳＣ１）、アンモニア水、フッ化アンモニウム溶液、および水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の少なくとも１つを含む。
【0105】
リンス液は、例えば、基板Ｗ上の薬液を洗い流すための液体である。リンス液には、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ）が適用される。
【0106】
有機溶剤は、例えば、基板Ｗ上のリンス液を排除するための液体である。有機溶剤には、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等が適用される。
【0107】
複数の流体は、例えば、不活性ガス等の気体を含む。不活性ガスには、例えば、窒素ガス等が適用される。
【0108】
流体供給部７１２は、例えば、それぞれが所定の流体を吐出する、第１移動ノズル７１ｎと、第２移動ノズル７２ｎと、第３移動ノズル７３ｎとを含む。
【0109】
第１移動ノズル７１ｎは、第１移動ユニット７１Ｍによって、水平方向に移動される。第１移動ノズル７１ｎは、水平方向への移動によって、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａの回転中心に対向する位置（以下「第１吐出位置」とも称される）と、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに対向しない位置（以下「第１ホーム位置」とも称される）との間で移動され得る。
【0110】
第１吐出位置は、例えば、第１移動ノズル７１ｎから吐出される第１処理液が基板Ｗの上面の回転中心に着液する位置であってもよい。第１ホーム位置は、平面視において、保持部７１１の外方の位置である。より具体的には、第１ホーム位置は、平面視において、カップ７１７の外方の位置であってもよい。
【0111】
第１移動ノズル７１ｎは、第１移動ユニット７１Ｍによる上下方向への移動によって、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに接近させてもよいし、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａから上方に退避させてもよい。
【0112】
第１移動ユニット７１Ｍは、例えば、上下方向に延びる第１回動軸７１ｓと、第１回動軸７１ｓに結合されて水平に延びる第１アーム７１ａと、第１アーム７１ａを駆動する第１アーム駆動機構７１ｍとを含む。
【0113】
第１アーム駆動機構７１ｍは、第１回動軸７１ｓを上下方向に沿って延びる仮想的な回動軸線Ａ４を中心として回動させることで第１アーム７１ａを揺動させる。第１移動ノズル７１ｎは、第１アーム７１ａのうちの回動軸線Ａ４から水平方向に離れた箇所に取り付けられる。
【0114】
第１アーム７１ａの揺動に応じて、図６における二点鎖線の矢印で示されるように、第１移動ノズル７１ｎが水平方向において円弧状の軌道に沿って移動する。第１アーム駆動機構７１ｍは、例えば、第１回動軸７１ｓを上下方向に沿って昇降させることで第１アーム７１ａを上下動させてもよい。
【0115】
第１移動ノズル７１ｎは、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに第１の処理液（第１処理液ともいう）を供給する機能を有する。第１移動ノズル７１ｎには、第１処理液を供給する管として機能する第１処理液供給管Ｐ１が結合される。
【0116】
第１処理液供給管Ｐ１には、第１処理液供給管Ｐ１の流路を開閉するバルブとして機能する第１処理液開閉弁Ｖ１が介装される。第１処理液供給管Ｐ１には、後述される処理液分配部７０１または処理液分配部７０２から第１処理液が供給される。ここでは、第１処理液には、硫酸（ＨＳＯ）等の酸性液が適用される。第１移動ノズル７１ｎは、第１処理液を吐出するストレートノズルであってもよいし、第１処理液と不活性ガスとを混合して吐出する二流体ノズルであってもよい。
【0117】
第２移動ノズル７２ｎは、第２移動ユニット７２Ｍによって、水平方向に移動される。第２移動ノズル７２ｎは、水平方向への移動によって、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａの回転中心に対向する位置（以下「第２吐出位置」とも称される）と、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに対向しない位置（以下「第２ホーム位置」とも称される）との間で移動され得る。
【0118】
第２吐出位置は、例えば、第２移動ノズル７２ｎから吐出される第２処理液が基板Ｗの上面の回転中心に着液する位置であってもよい。第２ホーム位置は、平面視において、保持部７１１の外方の位置である。より具体的には、第２ホーム位置は、平面視において、カップ７１７の外方の位置であってもよい。
【0119】
第２移動ノズル７２ｎは、第２移動ユニット７２Ｍによる上下方向への移動によって、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに接近させてもよいし、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａから上方に退避させてもよい。
【0120】
第２移動ユニット７２Ｍは、例えば、上下方向に延びる第２回動軸７２ｓと、第２回動軸７２ｓに結合されて水平に延びる第２アーム７２ａと、第２アーム７２ａを駆動する第２アーム駆動機構７２ｍとを含む。
【0121】
第２アーム駆動機構７２ｍは、第２回動軸７２ｓを上下方向に沿って延びる仮想的な回動軸線Ａ５を中心として回動させることで第２アーム７２ａを揺動させる。第２移動ノズル７２ｎは、第２アーム７２ａのうちの回動軸線Ａ５から水平方向に離れた箇所に取り付けられる。
【0122】
第２アーム７２ａの揺動に応じて、図６における二点鎖線の矢印で示されるように、第２移動ノズル７２ｎが水平方向において円弧状の軌道に沿って移動する。第２アーム駆動機構７２ｍは、例えば、第２回動軸７２ｓを上下方向に沿って昇降させることで第２アーム７２ａを上下動させてもよい。
【0123】
第２移動ノズル７２ｎは、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに第２の処理液（第２処理液ともいう）を供給する機能を有する。第２移動ノズル７２ｎには、第２処理液を供給する管として機能する第２処理液供給管Ｐ２が結合される。
【0124】
第２処理液供給管Ｐ２には、第２処理液供給管Ｐ２の流路を開閉するバルブとして機能する第２処理液開閉弁Ｖ２が介装される。第２処理液供給管Ｐ２には、後述される処理液分配部７０１または処理液分配部７０２から第２処理液が供給される。ここでは、第２処理液には、アンモニア過酸化水素水（ＳＣ１）等のアルカリ液が適用される。第２移動ノズル７２ｎは、第２処理液を吐出するストレートノズルであってもよいし、第２処理液と不活性ガスとを混合して吐出する二流体ノズルであってもよい。
【0125】
第３移動ノズル７３ｎは、第３移動ユニット７３Ｍによって、水平方向に移動される。第３移動ノズル７３ｎは、水平方向への移動によって、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａの回転中心に対向する位置（以下「第３吐出位置」とも称される）と、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに対向しない位置（以下「第３ホーム位置」とも称される）との間で移動され得る。
【0126】
第３吐出位置は、例えば、第３移動ノズル７３ｎから吐出される第３処理液が基板Ｗの上面の回転中心に着液する位置であってもよい。第３ホーム位置は、平面視において、保持部７１１の外方の位置である。より具体的には、第３ホーム位置は、平面視において、カップ７１７の外方の位置であってもよい。
【0127】
第３移動ノズル７３ｎは、第３移動ユニット７３Ｍによる上下方向への移動によって、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに接近させてもよいし、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａから上方に退避させてもよい。
【0128】
第３移動ユニット７３Ｍは、例えば、上下方向に延びる第３回動軸７３ｓと、第３回動軸７３ｓに結合されて水平に延びる第３アーム７３ａと、第３アーム７３ａを駆動する第３アーム駆動機構７３ｍとを含む。
【0129】
第３アーム駆動機構７３ｍは、第３回動軸７３ｓを上下方向に沿って延びる仮想的な回動軸線Ａ６を中心として回動させることで第３アーム７３ａを揺動させる。第３移動ノズル７３ｎは、第３アーム７３ａのうちの回動軸線Ａ６から水平方向に離れた箇所に取り付けられる。
【0130】
第３アーム７３ａの揺動に応じて、図６における二点鎖線の矢印で示されるように、第３移動ノズル７３ｎが水平方向において円弧状の軌道に沿って移動する。第３アーム駆動機構７３ｍは、第３回動軸７３ｓを上下方向に沿って昇降させることで第３アーム７３ａを上下動させてもよい。
【0131】
第３移動ノズル７３ｎは、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに第３の処理液（第３処理液ともいう）を供給する機能を有する。第３移動ノズル７３ｎには、第３処理液を供給する管として機能する第３処理液供給管Ｐ３が結合される。
【0132】
第３処理液供給管Ｐ３には、第３処理液供給管Ｐ３の流路を開閉するバルブとして機能する第３処理液開閉弁Ｖ３が介装される。第３処理液供給管Ｐ３には、後述される処理液分配部７０１または処理液分配部７０２から第３処理液が供給される。ここでは、第３処理液には、脱イオン水（ＤＩＷ）等のリンス液が適用される。第３移動ノズル７３ｎは、第３処理液を吐出するストレートノズルであってもよいし、第３処理液と不活性ガスとを混合して吐出する二流体ノズルであってもよい。
【0133】
処理ユニット７６は、例えば、給気部７１８としてのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）を備える。ＦＦＵは、基板処理装置７９０が設置されるクリーンルーム内の空気をさらに清浄化して処理室７６１内に供給することができる。
【0134】
ＦＦＵは、例えば、処理室７６１の天井壁に取り付けられる。ＦＦＵは、クリーンルーム内の空気を取り込んで処理室７６１内に送り出すためのファンおよびフィルタ（例えば、ＨＥＰＡフィルタ）等を備えており、処理室７６１内に清浄空気のダウンフローを形成することができる。ＦＦＵから供給された清浄空気を処理室７６１内により均一に分散させるために、多数の吹出し孔を穿設したパンチングプレートが天井壁の直下に配置されてもよい。
【0135】
例えば、処理室７６１の側壁の一部であって処理室７６１の床壁の近傍には、基板処理装置７９０の外部（工場の排気設備等）に連通するように接続される排気口７６２ｏが設けられる。例えば、ＦＦＵから供給されて処理室７６１内を流下した清浄空気のうち、カップ７１７等の近傍を通過した空気は、排気口７６２ｏを介して基板処理装置７９０の外に排出される。例えば、処理室７６１内の上部に窒素ガス等の不活性ガスを導入する構成が加えられてもよい。
【0136】
＜１－５．供給管スペースの構成＞
図４および図５で示されるように、４つの供給管スペース７６２が、上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ａから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ａにわたって、１つの供給管スペース７６２Ａが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｂから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｂにわたって、１つの供給管スペース７６２Ｂが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｃから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｃにわたって、１つの供給管スペース７６２Ｃが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｄから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｄにわたって、１つの供給管スペース７６２Ｄが上下方向に延びる。供給管スペース７６２Ａ～６２Ｄはこれらが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に供給管スペース７６２と称される。
図４および図５で示されるように、４つの供給管スペース７６２が、上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ａから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ａにわたって、１つの供給管スペース７６２Ａが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｂから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｂにわたって、１つの供給管スペース７６２Ｂが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｃから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｃにわたって、１つの供給管スペース７６２Ｃが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｄから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｄにわたって、１つの供給管スペース７６２Ｄが上下方向に延びる。供給管スペース７６２Ａ～６２Ｄはこれらが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に供給管スペース７６２と称される。
【0137】
供給管スペース７６２は、処理室７６１に流体を供給するための配管が配置される領域である。供給管スペース７６２には、例えば、第１処理液供給管Ｐ１、第２処理液供給管Ｐ２、第３処理液供給管Ｐ３、第１処理液開閉弁Ｖ１、第２処理液開閉弁Ｖ２、第３処理液開閉弁Ｖ３が配される。第１処理液供給管Ｐ１、第２処理液供給管Ｐ２、第３処理液供給管Ｐ３は、供給管スペース７６２から処理室７６１内に引き出されて、第１移動ノズル７１ｎ、第２移動ノズル７２ｎ、第３移動ノズル７３ｎに接続される。
【0138】
＜１－６．排気管スペースの構成＞
図４および図５で示されるように、４つの排気管スペース７６３が、上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ａから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ａにわたって、１つの排気管スペース７６３Ａが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｂから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｂにわたって、１つの排気管スペース７６３Ｂが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｃから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｃにわたって、１つの排気管スペース７６３Ｃが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｄから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｄにわたって、１つの排気管スペース７６３Ｄが上下方向に延びる。排気管スペース７６３Ａ～６３Ｄが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に排気管スペース７６３と称される。
図４および図５で示されるように、４つの排気管スペース７６３が、上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ａから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ａにわたって、１つの排気管スペース７６３Ａが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｂから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｂにわたって、１つの排気管スペース７６３Ｂが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｃから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｃにわたって、１つの排気管スペース７６３Ｃが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｄから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｄにわたって、１つの排気管スペース７６３Ｄが上下方向に延びる。排気管スペース７６３Ａ～６３Ｄが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に排気管スペース７６３と称される。
【0139】
各排気管スペース７６３は、処理室７６１から気体を排出するための配管が配置される領域である。図４から図７に示されるように、各排気管スペース７６３には、例えば、排気路切り替え機構７７０、第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３が配される。
【0140】
例えば、排気管スペース７６３Ａには、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ａの処理室７６１から最上段（６段目）の処理ユニット７６Ａの処理室７６１のそれぞれに対して、排気路切り替え機構７７０が配される。例えば、排気管スペース７６３Ｂには、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｂの処理室７６１から最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｂの処理室７６１のそれぞれに対して、排気路切り替え機構７７０が配される。例えば、排気管スペース７６３Ｃには、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｃの処理室７６１から最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｃの処理室７６１のそれぞれに対して、排気路切り替え機構７７０が配される。例えば、排気管スペース７６３Ｄには、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｄの処理室７６１から最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｄの処理室７６１のそれぞれに対して、排気路切り替え機構７７０が配される。
【0141】
第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３の組は、例えば四つ存在する。第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３は、例えば、処理室７６１から排気路切り替え機構７７０を介して排出されてくる気体を、基板処理装置７９０の外部に排出するための配管である。
【0142】
排気管スペース７６３の各々において、例えば、第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３のそれぞれは、最下段（１段目）の処理室７６１の側方から最上段（６段目）の処理室７６１の側方に至るまで延びる。排気管スペース７６３の各々において、例えば、第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３は、幅方向（±Ｙ方向）に並ぶ。排気管スペース７６３の各々において、第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３は、上下方向に積層された６段の処理ユニット７６の処理室７６１のそれぞれから排気路切り替え機構７７０を介して流入する気体を排出する機能を有する。
【0143】
第１垂直排気管７７１が処理ユニット７６Ａ～７６Ｄ同士の間で区別される場合には、第１垂直排気管７７１Ａ～７７１Ｄと称される。第２垂直排気管７７２が処理ユニット７６Ａ～７６Ｄ同士の間で区別される場合には、第２垂直排気管７７２Ａ～７７２Ｄと称される。第３垂直排気管７７３が処理ユニット７６Ａ～７６Ｄ同士の間で区別される場合には、第３垂直排気管７７３Ａ～７７３Ｄと称される。
【0144】
第１組（１組目）の第１垂直排気管７７１Ａ、第２垂直排気管７７２Ａ、第３垂直排気管７７３Ａは、６段の処理ユニット７６Ａのそれぞれに対して排気を行うように構成される。第２組（２組目）の第１垂直排気管７７１Ｂ、第２垂直排気管７７２Ｂ、第３垂直排気管７７３Ｂは、６段の処理ユニット７６Ｂのそれぞれに対して排気を行うように構成される。第３組（３組目）の第１垂直排気管７７１Ｃ、第２垂直排気管７７２Ｃ、第３垂直排気管７７３Ｃは、６段の処理ユニット７６Ｃのそれぞれに対して排気を行うように構成される。第４組（４組目）の第１垂直排気管７７１Ｄ、第２垂直排気管７７２Ｄ、第３垂直排気管７７３Ｄは、６段の処理ユニット７６Ｄのそれぞれに対して排気を行うように構成される。
【0145】
排気路切り替え機構７７０は、処理室７６１から基板処理装置７９０の外部への気体の排気路を、第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２および第３垂直排気管７７３の何れか１つの垂直排気管を介した排気路に切り替えるための機構である。
【0146】
排気路切り替え機構７７０は、処理室７６１の各々の側方に配置される。排気路切り替え機構７７０は、例えば、処理室７６１の気体を排出するために排気口７６２ｏを介して処理室７６１と連通する。また、排気路切り替え機構７７０は、例えば、上下方向に延びる第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３と連通する。
【0147】
図６で示されるように、排気路切り替え機構７７０は、例えば、第１開閉部７１ｄと第２開閉部７２ｄとを有する。第１開閉部７１ｄおよび第２開閉部７２ｄは、例えば扉状の構造を有し、片開き戸のように動作する。
【0148】
第１開閉部７１ｄおよび第２開閉部７２ｄは、モータ等の駆動によって回動軸を中心として回動する。排気路切り替え機構７７０は、例えば、第１開閉部７１ｄおよび第２開閉部７２ｄの開閉によって、処理スペース７６１ｓから第１垂直排気管７７１内に気体を流入させる状態（第１状態ともいう）、処理スペース７６１ｓから第２垂直排気管７７２内に気体を流入させる状態（第２状態ともいう）、処理スペース７６１ｓから第３垂直排気管７７３に気体を流入させる状態（第３状態ともいう）の何れか１つの状態に設定される。
【0149】
例えば第１移動ノズル７１ｎから第１薬液が吐出される期間において、排気路切り替え機構７７０は第１状態に設定される。例えば第２移動ノズル７２ｎから第２薬液が吐出される期間において、排気路切り替え機構７７０は第２状態に設定される。例えば第３移動ノズル７３ｎから第３薬液が吐出される期間において、排気路切り替え機構７７０は第３状態に設定される。
【0150】
＜１－７．水平排気系の構成＞
図３から図５で示されるように、水平排気系７８０は、第１水平排気管７８１Ａ、第２水平排気管７８２Ａ、第３水平排気管７８３Ａ、第１水平排気管７８１Ｂ、第２水平排気管７８２Ｂ、第３水平排気管７８３Ｂを備える。
図３から図５で示されるように、水平排気系７８０は、第１水平排気管７８１Ａ、第２水平排気管７８２Ａ、第３水平排気管７８３Ａ、第１水平排気管７８１Ｂ、第２水平排気管７８２Ｂ、第３水平排気管７８３Ｂを備える。
【0151】
例えば、図３、図４で示されるように、第１水平排気管７８１Ａ、第２水平排気管７８２Ａ、第３水平排気管７８３Ａは、最上段（６段目）の２つの処理ユニット７６Ａ，７６Ｂの上方において、前後方向（±Ｘ方向）に延びるように位置する。第１水平排気管７８１Ａ、第２水平排気管７８２Ａ、第３水平排気管７８３Ａは、例えば、幅方向（±Ｙ方向）に並ぶ。
【0152】
例えば、第１水平排気管７８１Ａには、処理ユニット７６Ａ用の第１垂直排気管７７１Ａおよび処理ユニット７６Ｂ用の第１垂直排気管７７１Ｂのそれぞれが連通するように接続される。第１水平排気管７８１Ａは、第１垂直排気管７７１Ａ，７７１Ｂから気体を排出する。
【0153】
例えば、第２水平排気管７８２Ａには、処理ユニット７６Ａ用の第２垂直排気管７７２Ａおよび処理ユニット７６Ｂ用の第２垂直排気管７７２Ｂのそれぞれが連通するように接続される。第２水平排気管７８２Ａは、第２垂直排気管７７２Ａ，７７２Ｂから気体を排出する。
【0154】
例えば、第３水平排気管７８３Ａには、処理ユニット７６Ａ用の第３垂直排気管７７３Ａおよび処理ユニット７６Ｂ用の第３垂直排気管７７３Ｂのそれぞれが連通するように接続される。第３水平排気管７８３Ａは、第３垂直排気管７７３Ａ，７７３Ｂから気体を排出する。
【0155】
例えば、図３、図５で示されるように、第１水平排気管７８１Ｂ、第２水平排気管７８２Ｂ、第３水平排気管７８３Ｂは、最上段（６段目）の２つの処理ユニット７６Ｃ，７６Ｄの上方において、前後方向（±Ｘ方向）に延びるように位置する。第１水平排気管７８１Ｂ、第２水平排気管７８２Ｂ、第３水平排気管７８３Ｂは、例えば、幅方向（±Ｙ方向）に並ぶ。
【0156】
例えば、第１水平排気管７８１Ｂには、処理ユニット７６Ｃ用の第１垂直排気管７７１Ｃおよび処理ユニット７６Ｄ用の第１垂直排気管７７１Ｄのそれぞれが連通するように接続される。第１水平排気管７８１Ｂは、第１垂直排気管７７１Ｃ，７７１Ｄから気体を排出する。
【0157】
例えば、第２水平排気管７８２Ｂには、処理ユニット７６Ｃ用の第２垂直排気管７７２Ｃおよび処理ユニット７６Ｄ用の第２垂直排気管７７２Ｄのそれぞれが連通するように接続される。第２水平排気管７８２Ｂは、第２垂直排気管７７２Ｃ，７７２Ｄから気体を排出する。
【0158】
例えば、第３水平排気管７８３Ｂには、処理ユニット７６Ｃ用の第３垂直排気管７７３Ｃおよび処理ユニット７６Ｄ用の第３垂直排気管７７３Ｄのそれぞれが連通するように接続される。第３水平排気管７８３Ｂは、第３垂直排気管７７３Ｃ，７７３Ｄから気体を排出する。
【0159】
第１水平排気管７８１Ａ、第２水平排気管７８２Ａ、第３水平排気管７８３Ａは、第１水平排気管７８１Ｂ、第２水平排気管７８２Ｂ、第３水平排気管７８３Ｂよりも長い。
【0160】
第１水平排気管７８１Ａ、第２水平排気管７８２Ａ、第３水平排気管７８３Ａ、第１水平排気管７８１Ｂ、第２水平排気管７８２Ｂ、第３水平排気管７８３Ｂのそれぞれの内部を、気体が後方（＋Ｘ方向）に向けて流れる。
【0161】
基板処理装置７９０は、例えば、４つの排気管スペース７６３および水平排気系７８０等を含む排気部７６８を有し、この排気部７６８によって、処理室７６１から基板処理装置７９０の外部（工場の排気設備等）に気体を排出することができる。
【0162】
基板処理装置７９０の後方（＋Ｘ方向）には処理液格納部７０５が設けられる。処理液格納部７０５は処理液分配部７０１，７０２および処理液供給源７０３，７０４を格納する。例えば処理液供給源７０３は薬液を貯留し、処理液供給源７０４はリンス液を貯留する。
【0163】
処理液分配部７０１，７０２はいずれも処理液を、具体的には処理液供給源７０３から薬液を、処理液供給源７０４からリンス液を、それぞれ得る。処理液分配部７０１は処理液を処理ユニット７６Ｃ，７６Ｄへ分配する。処理液分配部７０２は処理液を処理ユニット７６Ａ，７６Ｂへ分配する。
【0164】
処理液分配部７０１から処理ユニット７６Ｃ，７６Ｄへ処理液を供給する配管は、それぞれ供給管スペース７６２Ｃ，７６２Ｄにおいて設けられる。処理液分配部７０２から処理ユニット７６Ａ，７６Ｂへ処理液を供給する配管は、それぞれ供給管スペース７６２Ａ，７６２Ｂにおいて設けられる。
【0165】
＜１－８．基板処理装置の制御系＞
例えば、図１で示されるように、基板処理装置７９０は、制御部７９を備える。制御部７９は、例えば、基板処理装置７９０の各構成の動作を制御するための部分である。
例えば、図１で示されるように、基板処理装置７９０は、制御部７９を備える。制御部７９は、例えば、基板処理装置７９０の各構成の動作を制御するための部分である。
【0166】
図８は、基板処理装置７９０の各構成の動作を制御するための機能的な構成を示すブロック図である。制御部７９は、第１搬送機構７２３、第２搬送機構７５、複数の処理ユニット７６および水平排気系７８０と、通信可能に接続される。
【0167】
より具体的には、制御部７９は、例えば、複数の処理ユニット７６および水平排気系７８０のうちの制御の対象となる各要素と通信可能に接続される。これにより、制御部７９は、例えば、第１搬送機構７２３、第２搬送機構７５、複数の処理ユニット７６および水平排気系７８０の動作を制御することができる。
【0168】
図９は、制御部７９の一構成例を示すブロック図である。制御部７９は、例えば、一般的なコンピュータ等で実現される。制御部７９は、例えば、バスライン７９Ｂｕを介して接続された、通信部７９１、入力部７９７、出力部７９８、記憶部７９４、処理部７９５およびドライブ７９６を有する。
【0169】
通信部７９１は、例えば、第１搬送機構７２３、第２搬送機構７５、複数の処理ユニット７６および水平排気系７８０のそれぞれとの間における通信回線を介した信号の送受信を行う。通信部７９１は、例えば、基板処理装置７９０を管理するための管理用サーバからの信号を受信してもよい。
【0170】
入力部７９７は、例えば、オペレータの動作等に応じた信号を入力する。入力部７９７は、例えば、操作に応じた信号を入力可能なマウスおよびキーボード等の操作部、音声に応じた信号を入力可能なマイクおよび動きに応じた信号を入力可能な各種センサ等を含む。
【0171】
出力部７９８は、例えば、各種情報をオペレータが認識可能な態様で出力する。出力部７９８は、例えば、各種情報を可視的に出力する表示部および各種情報を可聴的に出力するスピーカ等を含む。表示部は、例えば、入力部７９７の少なくとも一部と一体化されたタッチパネルの形態を有していてもよい。
【0172】
記憶部７９４は、例えば、プログラムＰｇ１および各種の情報を記憶する。記憶部７９４は、例えば、ハードディスクまたはフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶媒体で構成される。記憶部７９４には、例えば、１つの記憶媒体を有する構成、２つ以上の記憶媒体を一体的に有する構成、および２つ以上の記憶媒体を２つ以上の部分に分けて有する構成の何れが適用されてもよい。記憶媒体は、例えば、第１搬送機構７２３、第２搬送機構７５、複数の処理ユニット７６および水平排気系７８０の動作条件に関する情報を記憶する。処理ユニット７６の動作条件に関する情報は、例えば、基板Ｗを処理するための処理レシピ（プロセスレシピ）を含む。
【0173】
処理部７９５は、例えば、プロセッサとして働く演算処理部７９５ａおよび演算処理の作業領域としてのメモリ７９５ｂ等を含む。演算処理部７９５ａには、例えば、中央演算装置（ＣＰＵ）等の電子回路が適用され、メモリ７９５ｂには、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）等が適用される。処理部７９５は、例えば、記憶部７９４に記憶されたプログラムＰｇ１を読み込んで実行することで、制御部７９の機能を実現する。このため、制御部７９では、例えば、プログラムＰｇ１に記述された手順に従って処理部７９５が演算処理を行うことで、基板処理装置７９０の各部の動作を制御する各種の機能部が実現される。すなわち、基板処理装置７９０に含まれる制御部７９によってプログラムＰｇ１が実行されることで、基板処理装置７９０の機能および動作が実現され得る。制御部７９で実現される一部あるいは全部の機能部は、例えば、専用の論理回路等でハードウエア的に実現されてもよい。
【0174】
ドライブ７９６は、例えば、可搬性の記憶媒体Ｓｍ１の脱着が可能な部分である。ドライブ７９６は、例えば、記憶媒体Ｓｍ１が装着される状態で、この記憶媒体Ｓｍ１と処理部７９５との間におけるデータの授受を行わせる。ドライブ７９６は、プログラムＰｇ１が記憶された記憶媒体Ｓｍ１がドライブ７９６に装着された状態で、記憶媒体Ｓｍ１から記憶部７９４内にプログラムＰｇ１を読み込ませて記憶させる。
【0175】
基板処理装置７９０の全体における動作の一例が説明される。基板処理装置７９０では、例えば、制御部７９が、基板Ｗの搬送手順および処理条件等を記述したレシピにしたがって、基板処理装置７９０が備える各部を制御することで、以下に説明する一連の動作が実行される。
【0176】
未処理の基板Ｗを収容したキャリアＣがキャリア載置部７２１上に載置されると、第１搬送機構７２３が、このキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出す。第１搬送機構７２３は、基板載置部７７に未処理の基板Ｗを搬送する。第２搬送機構７５は、基板載置部７７からレシピ等で指定された処理ユニット７６に未処理の基板Ｗを搬送する。第１搬送機構７２３と第２搬送機構７５との間における基板Ｗの受け渡しは、例えば、基板載置部７７を介することなく、ハンド７２３１とハンド７５１との間で直接に行われてもよい。
【0177】
基板Ｗが搬入された処理ユニット７６は、基板Ｗに対して、定められた一連の基板処理を実行する。この一連の基板処理では、例えば、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに対して、薬液の供給と、リンス液の供給とがこの記載の順に行われる。
【0178】
リンス液を用いた処理の後、有機溶剤の供給が行われてもよい。有機溶剤を用いた処理の後には、例えば、基板Ｗの上面Ｗａ上から有機溶剤を除去して基板Ｗの上面Ｗａ上を乾燥させる処理（乾燥処理とも称される）が行われる。乾燥処理では、例えば、保持部７１１に保持された基板Ｗが、駆動部としての電動モータ７１１ｍによって回転軸線Ａ３を中心として回転される。
【0179】
処理ユニット７６において基板Ｗに対する一連の基板処理が終了すると、第２搬送機構７５は、処理済みの基板Ｗを処理ユニット７６から取り出す。第２搬送機構７５は、処理済みの基板Ｗを基板載置部７７に搬送する。第１搬送機構７２３は、基板載置部７７からキャリア載置部７２１上のキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
【0180】
基板処理装置７９０では、第１搬送機構７２３および第２搬送機構７５がレシピにしたがって上述した搬送動作を反復して行うとともに、各処理ユニット７６が処理レシピにしたがって基板Ｗに対する一連の基板処理を実行する。これによって、基板Ｗに対する一連の基板処理が次々と行われる。
【0181】
＜２．循環装置の説明＞
図１０は循環装置１００の構成を例示する配管図である。処理液分配部７０１，７０２のいずれにも、循環装置１００が採用され得る。図１０には循環装置１００の外部から循環装置１００に接続される外部経路７１，７２も付記される。循環装置１００は、外部経路７１，７２に対して処理液の供給および回収を行う。外部経路７１，７２はそれぞれ異なるタワーにおける処理液の経路であるということができる。
図１０は循環装置１００の構成を例示する配管図である。処理液分配部７０１，７０２のいずれにも、循環装置１００が採用され得る。図１０には循環装置１００の外部から循環装置１００に接続される外部経路７１，７２も付記される。循環装置１００は、外部経路７１，７２に対して処理液の供給および回収を行う。外部経路７１，７２はそれぞれ異なるタワーにおける処理液の経路であるということができる。
【0182】
循環装置１００が処理液分配部７０１として採用される場合、例えば外部経路７１は６個の処理ユニット７６Ｃにおいて処理液が流れる配管であり、外部経路７２は６個の処理ユニット７６Ｄにおいて処理液が流れる配管である。
【0183】
例えば外部経路７１と６個の処理ユニット７６Ｃとは、配管７１ｂを介して処理液の供給および回収が行われる。例えば外部経路７２と６個の処理ユニット７６Ｄとは、配管７２ｂを介して処理液の供給および回収が行われる。配管７１ｂは供給管スペース７６２Ｃに設けられ、配管７２ｂは供給管スペース７６２Ｄに設けられる。
【0184】
循環装置１００が処理液分配部７０２として採用される場合、例えば外部経路７１は６個の処理ユニット７６Ａにおいて処理液が流れる配管であり、外部経路７２は６個の処理ユニット７６Ｂにおいて処理液が流れる配管である。
【0185】
例えば外部経路７１と６個の処理ユニット７６Ａとは、配管７１ｂを介して処理液の供給および回収が行われる。例えば外部経路７２と６個の処理ユニット７６Ｂとは、配管７２ｂを介して処理液の供給および回収が行われる。配管７１ｂは供給管スペース７６２Ａに設けられ、配管７２ｂは供給管スペース７６２Ｂに設けられる。
【0186】
循環装置１００は、貯留槽Ｔを備える。貯留槽Ｔは液体Ｑを貯留の対象とする。液体Ｑは上述の処理液であり、例えば硫酸あるいはその希釈液（希硫酸）である。
【0187】
循環装置１００は配管１を備える。配管１は流入端１０１を有し、外部経路７１，７２への液体Ｑの供給に用いられる。流入端１０１には貯留槽Ｔから液体Ｑが流入する。
【0188】
循環装置１００は配管２を備える。配管２は流出端２０２を有し、外部経路７１，７２を介した液体Ｑの回収に用いられる。流出端２０２から貯留槽Ｔへ液体Ｑが流出する。
【0189】
循環装置１００はポンプ１２を備える。ポンプ１２は配管１において設けられる。ポンプ１２は吸入口１２ａと吐出口１２ｂとを有する。吸入口１２ａは流入端１０１に接続される。ポンプ１２は液体Ｑを、吸入口１２ａから吐出口１２ｂへ向けての圧出の対象とする。ポンプ１２は例えば回転型であり、例えば磁気浮上遠心ポンプがポンプ１２に採用される。磁気浮上遠心ポンプには、例えばレビトロニクス社のベアリングレスポンプが採用される。
【0190】
循環装置１００はヒータ１１を備える。ヒータ１１は、配管１において吐出口１２ｂに接続して設けられる。ヒータ１１は、液体Ｑを加熱の対象とする。
【0191】
循環装置１００はフィルタ１６を備える。フィルタ１６は、配管１において例えばヒータ１１を介してポンプ１２、より具体的には吐出口１２ｂに接続される。フィルタ１６は液体Ｑの不純物を除去する機能を有する。
【0192】
循環装置１００は弁１３を備える。弁１３は、配管１においてフィルタ１６およびヒータ１１を介してポンプ１２、より具体的には吐出口１２ｂに接続される。弁１３は少なくとも開閉可能であり、液体Ｑの外部経路７１，７２への供給を制御する。弁１３には例えば開閉弁が採用される。
【0193】
配管１，２および弁１３を経由して、貯留槽Ｔから液体Ｑが流出し、貯留槽Ｔへと液体Ｑが流入する循環は、「外循環」と称される。
【0194】
循環装置１００は配管３を備える。配管３は端３０１および流出端３０２を有する。端３０１は、フィルタ１６と弁１３との間で配管１に接続される。流出端３０２から貯留槽Ｔへ液体Ｑが流出する。
【0195】
循環装置１００は弁３１を備える。弁３１は、配管３に設けられ、流出端３０２から貯留槽Ｔへの液体Ｑの流出を制御する。弁３１には例えば開閉弁が採用される。
【0196】
配管１，３および弁３１を経由して、貯留槽Ｔから液体Ｑが流出し、貯留槽Ｔへと液体Ｑが流入する循環は、「内循環」と称される。
【0197】
循環装置１００は流量計１５を備える。流量計１５は、例えば吐出口１２ｂとヒータ１１との間に設けられる。流量計１５は配管１における液体Ｑの流量を測定する。
【0198】
循環装置１００は温度計１７および圧力計１８を備える。温度計１７および圧力計１８は、例えばヒータ１１とフィルタ１６との間に設けられる。温度計１７は配管１にある液体Ｑの温度を測定する。圧力計１８は配管１にある液体Ｑの圧力を測定する。
【0199】
制御部５は弁１３，３１に対して、それぞれの開閉を制御する信号Ｓｖを出力する。
【0200】
制御部５はヒータ１１およびポンプ１２の動作を制御する。例えば制御部５は、制御信号Ｓｈをヒータ１１に出力し、ヒータ１１による液体Ｑの加熱を制御する。例えば制御部５は、制御信号Ｓｐをポンプ１２に出力し、ポンプ１２による液体Ｑへの加圧を制御する。具体的にはポンプ１２の回転速度を制御することによって、液体Ｑが受ける圧力（以下「第１圧力」とも称す）を制御する。
【0201】
制御部５は流量計１５から、配管１を流れる液体Ｑの流量を示すデータＦｄを入力する。制御部５は温度計１７から、配管１にある液体Ｑの温度（以下、単に「液温」とも称される）を示すデータＴｄを入力する。制御部５は圧力計１８から、配管１にある液体Ｑの圧力を示すデータＰｄを入力する。
【0202】
制御部５が例えばデータＦｄ，Ｐｄに基づいて制御信号Ｓｐを用いてポンプ１２の駆動（例えば回転速度）を制御することや、制御部５がデータＴｄに基づいて制御信号Ｓｈを用いてヒータ１１による液体Ｑの加熱（例えば液温）を制御することは、周知の技術を用いて実現される。よってかかるポンプ１２やヒータ１１の制御を実現する技術についての詳細は割愛される。
【0203】
制御部５は例えば制御部７９の一部または全部によって実現され得る。制御部５を循環装置１００の一部として把握することもできる。
【0204】
以下では第１圧力、液温、ポンプ１２の動作（具体的には回転速度の制御）の三者の関連について説明される。
【0205】
以下の説明では貯留槽Ｔへの液体Ｑの貯留についての説明は割愛される。このことから、弁６１が閉状態にある状況が説明される。
【0206】
＜２－１．内循環の説明＞
外部経路７１，７２へと処理液（ここでは液体Ｑ）を供給する前に、内循環を行って処理液を所定の温度に上昇させておくことは、処理に利用される際の処理液の温度管理に寄与する。内循環が実行される際には弁１３が閉じ、弁３１が開く。
外部経路７１，７２へと処理液（ここでは液体Ｑ）を供給する前に、内循環を行って処理液を所定の温度に上昇させておくことは、処理に利用される際の処理液の温度管理に寄与する。内循環が実行される際には弁１３が閉じ、弁３１が開く。
【0207】
内循環において液体Ｑは、貯留槽Ｔからポンプ１２、流量計１５、ヒータ１１、フィルタ１６、端３０１、弁３１、流出端３０２をこの順に経由して、貯留槽Ｔへ戻る。
【0208】
＜２－２．外循環の説明＞
弁１３が開いて、外部経路７１，７２へ処理液（ここでは液体Ｑ）が供給され、外循環が実行される。
弁１３が開いて、外部経路７１，７２へ処理液（ここでは液体Ｑ）が供給され、外循環が実行される。
【0209】
外部経路７１，７２へ処理液が供給される場合、外循環のみならず、内循環も併用される。外部経路７１，７２に流れる処理液の流量の変動が、循環装置１００における処理液の圧力に与える変動は、外循環が行われているときの内循環によって緩和される。
【0210】
このように外循環において内循環が伴われることで、フィルタ１６を流れる液体Ｑの流量を、外部経路７１，７２の状況に拘わらずにほぼ一定に維持する制御が実行され得る。
【0211】
＜２－３．液温と回転速度と圧力との関係＞
液体Ｑは外部経路７１，７２において処理液として用いられる。処理液には、処理に応じて様々な温度が要求される。ヒータ１１による液体Ｑの加熱は、処理液に要求される温度を実現する。
液体Ｑは外部経路７１，７２において処理液として用いられる。処理液には、処理に応じて様々な温度が要求される。ヒータ１１による液体Ｑの加熱は、処理液に要求される温度を実現する。
【0212】
第１圧力はポンプ１２の回転速度（以下では単に「回転速度」とも称される）にも依存する。回転速度の上昇に対して、第１圧力は上昇する傾向がある。以下では第１圧力と回転速度との間の関係が「速度－圧力関係」と仮称されることもある。
【0213】
液体Ｑの粘度は液温に依存する。例えば液体Ｑに硫酸が採用されるとき、粘度は液温の上昇に対して粘度は低下する傾向がある。粘度の影響をうけ、第１圧力も温度に依存する。
【0214】
速度－圧力関係は、第１圧力と、液温と、回転速度との間の関係であるということもできる。
【0215】
速度－圧力関係は、下記に説明される回転速度の設定に先だって、液温毎に予め求められる。速度－圧力関係は、例えば記憶部７９４に記憶され、演算処理部７９５ａにおいて参照される。
【0216】
＜２－４．循環装置の各部位の耐圧＞
循環装置１００における複数の部位、例えば弁１３，３１、フィルタ１６、端３０１における配管１，３同士の継手は、液体Ｑから受ける圧力について、それぞれ耐圧を有する。以下では、上記の耐圧のうち、最も小さな耐圧が、最小耐圧と仮称される。
循環装置１００における複数の部位、例えば弁１３，３１、フィルタ１６、端３０１における配管１，３同士の継手は、液体Ｑから受ける圧力について、それぞれ耐圧を有する。以下では、上記の耐圧のうち、最も小さな耐圧が、最小耐圧と仮称される。
【0217】
それぞれの部位における耐圧は温度の影響を受ける。例えば温度の上昇に対して、これらの耐圧はいずれも低下する傾向がある。最小耐圧は温度に依存する。最小耐圧を有する部位は、温度に依存して異なり得る。
【0218】
＜２－５．回転速度の設定＞
内循環および外循環を適切に行うには、第１圧力はいずれの部位においても当該部位の耐圧以下であることが望まれる。或る液温において、望ましくはいずれの液温においても、第１圧力は最小耐圧以下であることが望まれる。
内循環および外循環を適切に行うには、第１圧力はいずれの部位においても当該部位の耐圧以下であることが望まれる。或る液温において、望ましくはいずれの液温においても、第１圧力は最小耐圧以下であることが望まれる。
【0219】
上述の様に、速度－圧力関係は温度に依存する。或る液温を有する液体Ｑを圧出するための回転速度の上限は、当該温度における速度－圧力関係を参照し、最小耐圧の第１圧力を得る回転速度として求められる。
【0220】
外部経路７１，７２へ液体Ｑを供給できる第１圧力には最小値がある。当該第１圧力は以下において「第２圧力」とも仮称される。或る液温を有する液体Ｑを圧出するための回転速度の下限は、当該液温における第２圧力を得る回転速度である。
【0221】
上述の様に液体Ｑの粘度は液温に依存するので、第２圧力も液温に依存する。例えば液温の上昇に対して、第２圧力は低下する傾向にある。第２圧力は、下記に説明される回転速度の設定に先だって、液温毎に予め求められる。
【0222】
或る温度における第２圧力以上であって、当該温度における最小耐圧以下である第１圧力を与える回転速度の範囲が求められる。当該範囲を求めることは、当該範囲において設定される回転速度でポンプを駆動することに寄与し、ひいては当該液温を有する液体Ｑを用いた内循環および外循環を適切に行うことに寄与する。
【0223】
上述の処理を纏めると下記の第１工程から第４工程が用いられて説明され得る。
【0224】
第1工程：循環装置１００における複数の部位、例えば弁１３，３１、フィルタ１６、端３０１における配管１，３同士の継手が、液体Ｑの温度（液温）θにおいてそれぞれが有する耐圧が参照される。
【0225】
第２工程：ポンプ１２によって圧出される、液温θの液体Ｑが受ける第１圧力Ｐ０１と、ポンプ１２の回転速度Ｒとの関係（これは上述の「速度－圧力関係」に相当する）が参照される。
【0226】
第３工程：液温θを有する液体Ｑを外部経路７１，７２へ供給するのに必要な第２圧力Ｐ０２が参照される。
【0227】
第４工程：液温θにおける第２圧力Ｐ０２以上であって、液温θにおける耐圧の最小値（上述された「最小耐圧」）以下である第１圧力を与える、回転速度Ｒの範囲Δが求められる。
【0228】
このように第１工程から第４工程が実施されることにより、回転速度Ｒの範囲Δが処理液の温度に従って適切に得られる。
【0229】
第１工程を一般的に記載すると、循環装置１００の複数の部位Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…が、温度Ｈにおいて、それぞれ耐圧Ｙ１（Ｈ），Ｙ２（Ｈ），Ｙ３（Ｈ），…を有する。
【0230】
表１は、部位が有する耐圧の、温度Ｈに対する依存性を例示する。表１の内容は、例えばテーブルの形式で記憶部７９４に記憶され、演算処理部７９５ａにおいて参照される。表１の内容は、例えば各部位毎に温度の関数として記憶部７９４に記憶され、演算処理部７９５ａにおいて参照される。範囲をもった温度Ｈに対する耐圧の依存性が記憶されていてもよい。
【0231】
【表1】
【0232】
フィルタ１６は上述の部位Ｘ１に、弁１３，３１は部位Ｘ２，Ｘ３に、端３０１における継手は部位Ｘ４に、それぞれ対応する。例えばＹ１（２５［℃］）＝０．４９［ＭＰａ］であり、Ｙ３（１４０［℃］）＝０．４５［ＭＰａ］である。
【0233】
第２工程を一般的に記載すると、第１圧力Ｐ０１は、速度－圧力関係を表す、液温θと回転速度Ｒとの関数Ｆ１（θ，Ｒ）として表され得る。関数Ｆ１（θ，Ｒ）は、例えば液温θに対して単調非増加であり、回転速度Ｒに対して単調非減少である。関数Ｆ１（θ，Ｒ）は、例えば記憶部７９４に記憶され、演算処理部７９５ａにおいて参照される。関数Ｆ１（θ，Ｒ）に代えて液温θ毎に速度―圧力関係がテーブルの形式で表され、記憶部７９４に記憶され、演算処理部７９５ａにおいて参照されてもよい。
【0234】
第３工程を一般的に記載すると、第２圧力Ｐ０２は液温θの関数Ｆ２（θ）として表され得る。関数Ｆ２（θ）は、例えば液温θに対して単調非増加である。関数Ｆ２（θ）は、例えば記憶部７９４に記憶され、演算処理部７９５ａにおいて参照される。関数Ｆ２（θ）に代えて液温θと第２圧力Ｐ０２との関係がテーブルの形式で表され、記憶部７９４に記憶され、演算処理部７９５ａにおいて参照されてもよい。
【0235】
第４工程において用いられる最小耐圧は、或る温度における、各部位の耐圧の最小値である。例えば液温θの液体Ｑがポンプ１２によって圧出されるとき、液温θに等しい温度Ｈ、あるいは液温θに近い温度Ｈについての耐圧が参照される。
【0236】
液温θ＝２５［℃］の場合を例に取ると、Ｙ１（２５［℃］），Ｙ２（２５［℃］），Ｙ３（２５［℃］）の最小値はＹ２（２５［℃］）＝０．４８［ＭＰａ］であり、これが最小耐圧である。液温θ＝１００［℃］の場合を例に取ると、Ｙ１（１００［℃］），Ｙ２（１００［℃］），Ｙ３（１００［℃］）の最小値はＹ１（１００［℃］）＝０．３４［ＭＰａ］であり、これが最小耐圧である。
【0237】
例えば、液温θが温度計１７によって測定され、データＴｄとして制御部５に与えられる。制御部５は第１工程を実施する。液温θが２５［℃］であれば、表１の内容を示すテーブルまたは関数を参照して、Ｙ１（２５［℃］），Ｙ２（２５［℃］），Ｙ３（２５［℃］），…を得る。
【0238】
制御部５はデータＴｄから得られた液温θを用い、当該液温における速度－圧力関係を参照する。例えば液温θが２５［℃］であれば、関数Ｆ１（２５［℃］，Ｒ）を参照する（第２工程の実施）。
【0239】
制御部５はデータＴｄから得られた液温θを用い、当該液温における第２圧力Ｐ０２を参照する。例えば液温θが２５［℃］であれば、関数Ｆ２（２５［℃］）を参照する（第３工程の実施）。
【0240】
制御部５は第４工程を実施する。具体的には例えば液温θが２５［℃］であれば、制御部５はＦ２（２５［℃］）≦Ｆ１（２５［℃］，Ｒ）≦Ｙ２（２５［℃］）を満足する回転速度Ｒの範囲を求める。例えば液温θが１００［℃］であれば、制御部５はＦ２（１００［℃］）≦Ｆ１（１００［℃］，Ｒ）≦Ｙ１（１００［℃］）を満足する回転速度Ｒの範囲を求める。
【0241】
表２は、第２圧力Ｐ０２、最小耐圧、回転速度Ｒの範囲Δの、温度Ｈに対する依存性を例示する。但し第２圧力Ｐ０２、範囲Δについては温度Ｈには液温θが相当する。表２にはそれぞれの温度Ｈ（液温θ）において、循環装置１００の内循環や外循環において採用される回転速度Ｒも例示される。
【0242】
【表2】
【0243】
例えばＦ２（２５［℃］）＝０．４５［Ｐａ］であり、最小耐圧はＹ２（２５［℃］）＝０．４８［Ｐａ］であり、Ｆ１（２５［℃］，Ｒ）＝０．４５を満足する回転速度Ｒは７０００［ｒｐｍ］であり、Ｆ１（２５［℃］，Ｒ）＝０．４８を満足する回転速度Ｒは９０００［ｒｐｍ］である。例えば液温θが２５［℃］の場合、内循環や外循環においては、７０００［ｒｐｍ］以上９０００［ｒｐｍ］以下の回転速度Ｒ＝８０００［ｒｐｍ］でポンプ１２が駆動される。
【0244】
例えばＦ２（１００［℃］）＝０．３［Ｐａ］であり、最小耐圧はＹ１（１００［℃］）＝０．３４［Ｐａ］であり、Ｆ１（１００［℃］，Ｒ）＝０．３を満足する回転速度Ｒは４５００［ｒｐｍ］であり、Ｆ１（１００［℃］，Ｒ）＝０．３４を満足する回転速度Ｒは６０００［ｒｐｍ］である。例えば液温θが１００［℃］の場合、内循環や外循環においては、４５００［ｒｐｍ］以上６０００［ｒｐｍ］以下の回転速度Ｒ＝５７５０［ｒｐｍ］でポンプ１２が駆動される。
【0245】
第４工程で求められた範囲Δにおける回転速度Ｒでポンプ１２を駆動することは、制御部５が実施する第５工程であると見ることもできる。あるいは第４工程で求められた回転速度Ｒの範囲において回転速度Ｒを設定することを、第５工程であると見ることもできる。
【0246】
図１１は本開示にかかる制御を例示するフローチャートである。当該フローチャートは液温θの測定や第５工程も含んでおり、全体として回転速度Ｒの設定を行う制御として示されている。
【0247】
第１工程から第４工程に先立ち、ステップS１０において液温θの測定が行われる。ステップＳ１０が実行された後、ステップＳ１１が実行される。
【0248】
ステップＳ１１においては第１工程が実行される。具体的には液温θにおける各部位Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…におけるそれぞれの耐圧Ｙ１（θ），Ｙ２（θ），Ｙ３（θ），…が参照される。上述の例に則して言えば、液温θが２５［℃］であれば、表１において温度Ｈが２５［℃］である行を参照して、耐圧０．４９［ＭＰａ］，０．４８［ＭＰａ］，０．７［ＭＰａ］が得られる。液温θが１００［℃］であれば、表１において温度Ｈが１００［℃］である行を参照して、耐圧０．３４［ＭＰａ］，０．４４［ＭＰａ］，０．５７５［ＭＰａ］が得られる。
【0249】
ステップＳ１２においては第２工程が実行される。具体的には液温θにおける速度－圧力関係が参照される。換言すれば液温θにおける第１圧力Ｐ０１と回転速度Ｒとの関係が参照される。上述の例に則して言えば、液温θが２５［℃］であれば関数Ｆ１（２５［℃］，Ｒ）が参照され、液温θが１００［℃］であれば関数Ｆ１（１００［℃］，Ｒ）が参照される。あるいは例えば関数Ｆ１（θ，Ｒ）が参照され、液温θが２５［℃］であれば関数Ｆ１（２５［℃］，Ｒ）が得られ、液温θが１００［℃］であれば関数Ｆ１（１００［℃］，Ｒ）が得られる。
【0250】
ステップＳ１３においては第３工程が実行される。具体的には液温θにおける第２圧力Ｐ０２が参照される。上述の例に則して言えば、液温θが２５［℃］であれば関数Ｆ２（２５［℃］）が参照され、液温θが１００［℃］であれば関数Ｆ２（１００［℃］）が参照される。あるいは例えば関数Ｆ２（θ）が参照され、液温θが２５［℃］であれば関数Ｆ２（２５［℃］）が得られ、液温θが１００［℃］であれば関数Ｆ２（１００［℃］）が得られる。
【0251】
第１工程、第２工程、第３工程同士の間での実行順序は不問である。ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３同士の間での実行順序は不問である。
【0252】
ステップＳ１１が実行された後、ステップＳ１４が実行される。ステップＳ１４は第４工程に相当する。図１１ではステップＳ１４はステップＳ１４ａと、ステップＳ１４ａの結果を用いて実行されるステップＳ１４ｂとに分けて示される。
【0253】
ステップＳ１４ａは、液温θにおける最小耐圧を求める工程である。上述の例に則して言えば、液温θが２５［℃］であれば最小耐圧として０．４８［ＭＰａ］が求められ、液温θが１００［℃］であれば最小耐圧として０．３４［ＭＰａ］が求められる。ステップＳ１４ａはステップＳ１１と共に第１工程に含めて考えることもできる。
【0254】
ステップＳ１４ｂは、範囲Δを求める工程である。具体的には、液温θにおける第２圧力Ｐ０２以上かつ液温θにおける最小耐圧以下である第１圧力Ｐ０１を与える回転速度Ｒの上限と下限とが求められる。通常、回転速度Ｒが上昇すると第１圧力Ｐ０１は上昇する。よって当該上限は最小耐圧によって決定され、当該下限は第２圧力によって決定される。
【0255】
上述の例に則して言えば、液温θが２５［℃］であれば範囲Δの下限は第１圧力Ｐ０１を第２圧力Ｐ０２＝０．４５［ＭＰａ］と等しくする回転速度Ｒ＝７０００［ｒｐｍ］であり、範囲Δの上限は第１圧力Ｐ０１を最小耐圧０．４８［ＭＰａ］と等しくする回転速度Ｒ＝９０００［ｒｐｍ］である。液温θが１００［℃］であれば範囲Δの下限は第１圧力Ｐ０１を第２圧力Ｐ０２＝０．３［ＭＰａ］と等しくする回転速度Ｒ＝４５００［ｒｐｍ］であり、範囲Δの上限は第１圧力Ｐ０１を最小耐圧０．３４［ＭＰａ］と等しくする回転速度Ｒ＝６０００［ｒｐｍ］である。
【0256】
ステップＳ１４が実行された後、ステップＳ１５が実行される。ステップＳ１５は第５工程に相当する。図１１ではステップＳ１５はステップＳ１５ａと、ステップＳ１５ａの結果を用いて実行されるステップＳ１５ｂとに分けて示される。
【0257】
ステップＳ１５ａは範囲Δにおいて回転速度Ｒを設定する工程である。上述の例では表２を参照して、液温θが２５［℃］であれば回転速度Ｒは７０００［ｒｐｍ］以上９０００［ｒｐｍ］以下である値８０００［ｒｐｍ］に設定される。液温θが１００［℃］であれば回転速度Ｒは４５００［ｒｐｍ］以上６０００［ｒｐｍ］以下である値５７５０［ｒｐｍ］に設定される。
【0258】
ステップＳ１５ｂは、ステップＳ１５ａで設定された回転速度Ｒでポンプ１２を駆動する工程である。ステップＳ１５ｂは第５工程から外して、ひいては「回転速度Ｒの設定」というフローチャートから外して考えることもできる。
【0259】
第１工程から第４工程やステップＳ１１～Ｓ１４は、例えば制御部５によって実行される。ステップＳ１０は例えば制御部５と温度計１７との協働によって実行される。ステップＳ１５ｂは例えば制御部５とポンプ１２との協働によって実行される。
【0260】
＜３．変形＞
例えばステップＳ１４ｂで求められる範囲Δは、内循環や外循環への採用に先だって、予め液温θ毎に求められていてもよい。例えば液温θ毎の範囲Δがテーブルや関数の形式で記憶部７９４に記憶され、演算処理部７９５ａにおいて参照されてもよい。例えば図１１に示されたステップＳ１０が実行された後、液温θに対応した範囲Δを示すテーブルや関数が参照され、ステップＳ１５が実行されてもよい。
例えばステップＳ１４ｂで求められる範囲Δは、内循環や外循環への採用に先だって、予め液温θ毎に求められていてもよい。例えば液温θ毎の範囲Δがテーブルや関数の形式で記憶部７９４に記憶され、演算処理部７９５ａにおいて参照されてもよい。例えば図１１に示されたステップＳ１０が実行された後、液温θに対応した範囲Δを示すテーブルや関数が参照され、ステップＳ１５が実行されてもよい。
【0261】
上述のようにして求められた範囲Δは内循環や外循環への採用の他、ポンプ１２を用いた液体Ｑの排出に利用されてもよい。例えば当該排出は、ポンプ１２と流量計１５との間に継手と弁とを設け、当該弁を開きつつポンプ１２を駆動することで実現される。この場合、最小耐圧の候補には、当該温度における当該継手および当該弁が有するそれぞれの耐圧が採用される。また第２圧力Ｐ０２としては、当該排出に必要な圧力が採用される。
【0262】
上記実施形態において、例えば、ポンプ１２に回転型以外の形式が採用されてもよい。この場合には、上述された回転速度Ｒは、ポンプ１２の速度と読み替えられることにより、上述の説明が妥当する。
【0263】
上記各実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能である。
【符号の説明】
【0264】
１００ 循環装置
１ 配管（第１配管）
２ 配管（第２配管）
３ 配管（第３配管）
５ 制御部
１１ ヒータ
１２ ポンプ
１２ａ 吸入口
１２ｂ 吐出口
１６ フィルタ
１７ 温度計
１０１ 流入端（第１流入端）
２０２ 流出端（第２流出端）
３０１ 端
３０２ 流出端（第３流出端）
１３ 弁
Ｑ 液体
Ｒ 回転速度（速度）
Ｔ 貯留槽
Δ 範囲
θ 液温（温度）
１ 配管（第１配管）
２ 配管（第２配管）
３ 配管（第３配管）
５ 制御部
１１ ヒータ
１２ ポンプ
１２ａ 吸入口
１２ｂ 吐出口
１６ フィルタ
１７ 温度計
１０１ 流入端（第１流入端）
２０２ 流出端（第２流出端）
３０１ 端
３０２ 流出端（第３流出端）
１３ 弁
Ｑ 液体
Ｒ 回転速度（速度）
Ｔ 貯留槽
Δ 範囲
θ 液温（温度）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】