(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023165398
(43)【公開日】2023-11-15
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/336 20060101AFI20231108BHJP
H01L 21/8238 20060101ALI20231108BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 301P
H01L29/78 301S
H01L27/092 A
H01L27/092 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023064034
(22)【出願日】2023-04-11
(31)【優先権主張番号】10-2022-0054036
(32)【優先日】2022-05-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】390019839
【氏名又は名称】三星電子株式会社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ－ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ベ 徳 漢
(72)【発明者】
【氏名】嚴 命 允
(72)【発明者】
【氏名】李 留 利
(72)【発明者】
【氏名】林 善 美
(72)【発明者】
【氏名】田 俊 秀
【テーマコード（参考）】
5F048
5F140
【Ｆターム（参考）】
5F048AB03
5F048AB04
5F048AC03
5F048BB09
5F048BD06
5F048BF02
5F048BF07
5F048BG13
5F048BG14
5F140AB03
5F140BA01
5F140BA02
5F140BA05
5F140BA06
5F140BA07
5F140BA08
5F140BB05
5F140BC15
5F140BD04
5F140BD05
5F140BD06
5F140BD07
5F140BD11
5F140BD13
5F140BD17
5F140BF05
5F140BF06
5F140BF07
5F140BF10
5F140BF42
5F140BF43
5F140BF45
5F140BF58
5F140BG08
5F140BG11
5F140BG12
5F140BG14
5F140BH03
5F140BH06
5F140BJ05
5F140BJ06
5F140BJ07
5F140BJ10
5F140BJ15
5F140BJ17
5F140BJ20
5F140BJ25
5F140BJ26
5F140BK09
5F140BK27
5F140CA03
5F140CB04
5F140CC02
5F140CC03
5F140CC08
5F140CC09
5F140CC10
5F140CF05
(57)【要約】 （修正有）
【課題】半導体装置の信頼性及び性能を向上させる。
【解決手段】第１方向Ｄ１に延長される側壁を含む素子分離構造体１６５、１６６であって、素子分離構造体の第１側壁と接触し、第２方向に延長される第１フィン型パターン１１０、第２方向Ｄ２に延長される第２フィン型パターン２１０、第１フィン型パターン上に、第１方向に延長される第１ゲート電極１２０、第１方向に延長される第１ソース／ドレインコンタクト１７１及び該コンタクト上に、該コンタクトと接続される配線構造体を含む。該コンタクトは、第１フィン型パターン及び第２フィン型パターンと交差する第１下部コンタクト領域１８１Ｂと、第１下部コンタクト領域から突出した第１上部コンタクト領域１８１ＵＣと、第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤと、を含む。配線構造体は、第１上部コンタクト領域の上面と接触し、第１ダミーコンタクト領域の上面と接触しない。
【選択図】図１
【解決手段】第１方向Ｄ１に延長される側壁を含む素子分離構造体１６５、１６６であって、素子分離構造体の第１側壁と接触し、第２方向に延長される第１フィン型パターン１１０、第２方向Ｄ２に延長される第２フィン型パターン２１０、第１フィン型パターン上に、第１方向に延長される第１ゲート電極１２０、第１方向に延長される第１ソース／ドレインコンタクト１７１及び該コンタクト上に、該コンタクトと接続される配線構造体を含む。該コンタクトは、第１フィン型パターン及び第２フィン型パターンと交差する第１下部コンタクト領域１８１Ｂと、第１下部コンタクト領域から突出した第１上部コンタクト領域１８１ＵＣと、第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤと、を含む。配線構造体は、第１上部コンタクト領域の上面と接触し、第１ダミーコンタクト領域の上面と接触しない。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１方向に延長される第１側壁及び第２側壁を含む素子分離構造体であって、
前記素子分離構造体の第１側壁は、前記素子分離構造体の第２側壁と第２方向に反対に位置する素子分離構造体と、
前記素子分離構造体の第１側壁と接触し、前記第２方向に延長される第１フィン型パターンと、
前記素子分離構造体の第２側壁と接触し、前記第１フィン型パターンと前記第１方向に離隔して、前記第２方向に延長される第２フィン型パターンと、
前記第１フィン型パターン上に、前記第１方向に延長される第１ゲート電極と、
前記第１ゲート電極と前記素子分離構造体との間の前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターン上に配置され、前記第１方向に延長される第１ソース／ドレインコンタクトと、
前記第１ソース／ドレインコンタクト上に、前記第１ソース／ドレインコンタクトと接続される配線構造体と、を有し、
前記第１ソース／ドレインコンタクトは、前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと交差する第１下部コンタクト領域と、前記第１下部コンタクト領域から突出した第１上部コンタクト領域と、第１ダミーコンタクト領域と、を含み、
前記配線構造体は、前記第１上部コンタクト領域の上面と接触し、前記第１ダミーコンタクト領域の上面と接触しないことを特徴とする半導体装置。
前記素子分離構造体の第１側壁は、前記素子分離構造体の第２側壁と第２方向に反対に位置する素子分離構造体と、
前記素子分離構造体の第１側壁と接触し、前記第２方向に延長される第１フィン型パターンと、
前記素子分離構造体の第２側壁と接触し、前記第１フィン型パターンと前記第１方向に離隔して、前記第２方向に延長される第２フィン型パターンと、
前記第１フィン型パターン上に、前記第１方向に延長される第１ゲート電極と、
前記第１ゲート電極と前記素子分離構造体との間の前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターン上に配置され、前記第１方向に延長される第１ソース／ドレインコンタクトと、
前記第１ソース／ドレインコンタクト上に、前記第１ソース／ドレインコンタクトと接続される配線構造体と、を有し、
前記第１ソース／ドレインコンタクトは、前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと交差する第１下部コンタクト領域と、前記第１下部コンタクト領域から突出した第１上部コンタクト領域と、第１ダミーコンタクト領域と、を含み、
前記配線構造体は、前記第１上部コンタクト領域の上面と接触し、前記第１ダミーコンタクト領域の上面と接触しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
前記第１ソース／ドレインコンタクトと前記素子分離構造体との間には、ゲート電極は配置されないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第１ゲート電極上に、前記第１ゲート電極と接続される第１ゲートコンタクトをさらに有し、
前記第１ゲートコンタクトは、前記第１上部コンタクト領域及び前記第１ダミーコンタクト領域と前記第２方向に重畳しないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記第１ゲートコンタクトは、前記第１上部コンタクト領域及び前記第１ダミーコンタクト領域と前記第２方向に重畳しないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第１ゲート電極は、前記第２フィン型パターン上に配置され、
前記第１ゲート電極は、前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと交差することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
前記第１ゲート電極は、前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと交差することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第２フィン型パターン上に配置され、前記第１ゲート電極と第１方向に離隔した第２ゲート電極と、
前記第２ゲート電極上に、前記第２ゲート電極と接続される第２ゲートコンタクトをさらに有し、
前記第１ソース／ドレインコンタクトは、前記第２ゲート電極と前記素子分離構造体との間に配置され、
前記第２ゲートコンタクトは、前記第１上部コンタクト領域及び前記第１ダミーコンタクト領域と前記第２方向に重畳しないことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
前記第２ゲート電極上に、前記第２ゲート電極と接続される第２ゲートコンタクトをさらに有し、
前記第１ソース／ドレインコンタクトは、前記第２ゲート電極と前記素子分離構造体との間に配置され、
前記第２ゲートコンタクトは、前記第１上部コンタクト領域及び前記第１ダミーコンタクト領域と前記第２方向に重畳しないことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極との間に配置されるゲート分離構造体をさらに有し、
前記ゲート分離構造体は、前記第１上部コンタクト領域及び前記第１ダミーコンタクト領域と前記第２方向に重畳しないことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
前記ゲート分離構造体は、前記第１上部コンタクト領域及び前記第１ダミーコンタクト領域と前記第２方向に重畳しないことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記素子分離構造体の第２側壁と接触し、前記第２方向に延長される第３フィン型パターンと、
前記素子分離構造体の第２側壁と接触し、前記第３フィン型パターンと前記第１方向に離隔して、前記第２方向に延長される第４フィン型パターンと、
前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターン上に配置され、前記素子分離構造体に最も隣接する第２ソース／ドレインコンタクトと、をさらに有し、
前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターンと交差する第２下部コンタクト領域と、前記第２下部コンタクト領域から突出した第２上部コンタクト領域と、を含み、
前記第２上部コンタクト領域の上面は、前記配線構造体と接触することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記素子分離構造体の第２側壁と接触し、前記第３フィン型パターンと前記第１方向に離隔して、前記第２方向に延長される第４フィン型パターンと、
前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターン上に配置され、前記素子分離構造体に最も隣接する第２ソース／ドレインコンタクトと、をさらに有し、
前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターンと交差する第２下部コンタクト領域と、前記第２下部コンタクト領域から突出した第２上部コンタクト領域と、を含み、
前記第２上部コンタクト領域の上面は、前記配線構造体と接触することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第２下部コンタクト領域から突出した第２ダミーコンタクト領域をさらに含み、
前記第２ダミーコンタクト領域の上面は、前記配線構造体と接触しないことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
前記第２ダミーコンタクト領域の上面は、前記配線構造体と接触しないことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第２下部コンタクト領域から突出した第３上部コンタクト領域をさらに含み、
前記第３上部コンタクト領域の上面は、前記配線構造体と接触することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
前記第３上部コンタクト領域の上面は、前記配線構造体と接触することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記素子分離構造体の第２側壁と接触し、前記第２方向に延長される第３フィン型パターンと、
前記素子分離構造体の第２側壁と接触し、前記第３フィン型パターンと前記第１方向に離隔して、前記第２方向に延長される第４フィン型パターンと、
前記第３フィン型パターン上に配置され、前記素子分離構造体に最も隣接する第２ソース／ドレインコンタクトと、
前記第４フィン型パターン上に配置され、前記素子分離構造体に最も隣接する第３ソース／ドレインコンタクトをさらに有し、
前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第３ソース／ドレインコンタクトと前記第１方向に離隔されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記素子分離構造体の第２側壁と接触し、前記第３フィン型パターンと前記第１方向に離隔して、前記第２方向に延長される第４フィン型パターンと、
前記第３フィン型パターン上に配置され、前記素子分離構造体に最も隣接する第２ソース／ドレインコンタクトと、
前記第４フィン型パターン上に配置され、前記素子分離構造体に最も隣接する第３ソース／ドレインコンタクトをさらに有し、
前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第３ソース／ドレインコンタクトと前記第１方向に離隔されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記第１下部コンタクト領域は、前記第１上部コンタクト領域及び前記第１ダミーコンタクト領域の間に配置された連結部分と、前記第１下部コンタクト領域及び前記第１ダミーコンタクト領域から前記第２方向に突出した突出部分と、を含み、
前記第１上部コンタクト領域及び前記第１ダミーコンタクト領域は、それぞれ前記第１下部コンタクト領域の連結部分と前記第１下部コンタクト領域の突出部分との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記第１上部コンタクト領域及び前記第１ダミーコンタクト領域は、それぞれ前記第１下部コンタクト領域の連結部分と前記第１下部コンタクト領域の突出部分との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記第１フィン型パターン上に、前記第１フィン型パターンと離隔したシートパターンをさらに有し、
前記第１ゲート電極は、前記シートパターンを囲むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記第１ゲート電極は、前記シートパターンを囲むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項13】
第１方向に延長される第１フィン型パターンと、
前記第１フィン型パターンと第２方向に離隔して、前記第１方向に延長される第２フィン型パターンと、
前記第１方向に延長される第３フィン型パターンと、
前記第３フィン型パターンと前記第２方向に離隔して、前記第１方向に延長される第４フィン型パターンと、
前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと接触し、前記第２方向に延長される素子分離構造体と、
前記第１フィン型パターン上に、前記第２方向に延長される第１ゲート電極と、
前記第３フィン型パターン上に、前記第２方向に延長される第２ゲート電極と、
前記第４フィン型パターン上に、前記第２方向に延長される第３ゲート電極と、
前記第１ゲート電極と前記素子分離構造体との間の前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第１ソース／ドレインコンタクトと、
前記第２ゲート電極と前記第３ゲート電極との間の前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第２ソース／ドレインコンタクトと、
前記第１ソース／ドレインコンタクト及び前記第２ソース／ドレインコンタクト上に配置され、前記第１ソース／ドレインコンタクト及び前記第２ソース／ドレインコンタクトと接続される配線構造体と、を有し、
前記第１ソース／ドレインコンタクトは、前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと交差する第１下部コンタクト領域と、前記第１下部コンタクト領域から突出した第１上部コンタクト領域と、を含み、
前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターンと交差する第２下部コンタクト領域と、前記第２下部コンタクト領域から突出した第２上部コンタクト領域と、を含み、
前記配線構造体は、前記第１上部コンタクト領域及び前記第２上部コンタクト領域と接触するビアプラグを含み、
前記ビアプラグの底面は、前記第２方向にビア幅を有し、
前記第１上部コンタクト領域の上面の前記第２方向への幅は、前記ビア幅の１．５倍より大きいか同じであり、
前記第２上部コンタクト領域の上面の前記第２方向への幅は、前記ビア幅より大きいか同じであり、前記ビア幅の１．２倍より小さいか同じであることを特徴とする半導体装置。
前記第１フィン型パターンと第２方向に離隔して、前記第１方向に延長される第２フィン型パターンと、
前記第１方向に延長される第３フィン型パターンと、
前記第３フィン型パターンと前記第２方向に離隔して、前記第１方向に延長される第４フィン型パターンと、
前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと接触し、前記第２方向に延長される素子分離構造体と、
前記第１フィン型パターン上に、前記第２方向に延長される第１ゲート電極と、
前記第３フィン型パターン上に、前記第２方向に延長される第２ゲート電極と、
前記第４フィン型パターン上に、前記第２方向に延長される第３ゲート電極と、
前記第１ゲート電極と前記素子分離構造体との間の前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第１ソース／ドレインコンタクトと、
前記第２ゲート電極と前記第３ゲート電極との間の前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第２ソース／ドレインコンタクトと、
前記第１ソース／ドレインコンタクト及び前記第２ソース／ドレインコンタクト上に配置され、前記第１ソース／ドレインコンタクト及び前記第２ソース／ドレインコンタクトと接続される配線構造体と、を有し、
前記第１ソース／ドレインコンタクトは、前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと交差する第１下部コンタクト領域と、前記第１下部コンタクト領域から突出した第１上部コンタクト領域と、を含み、
前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターンと交差する第２下部コンタクト領域と、前記第２下部コンタクト領域から突出した第２上部コンタクト領域と、を含み、
前記配線構造体は、前記第１上部コンタクト領域及び前記第２上部コンタクト領域と接触するビアプラグを含み、
前記ビアプラグの底面は、前記第２方向にビア幅を有し、
前記第１上部コンタクト領域の上面の前記第２方向への幅は、前記ビア幅の１．５倍より大きいか同じであり、
前記第２上部コンタクト領域の上面の前記第２方向への幅は、前記ビア幅より大きいか同じであり、前記ビア幅の１．２倍より小さいか同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項14】
前記第１ソース／ドレインコンタクトは、前記第１下部コンタクト領域から突出した一つのコンタクト領域を含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項15】
前記第１フィン型パターンと前記第１方向に隣接する第５フィン型パターンと、
前記第２フィン型パターンと前記第１方向に隣接する第６フィン型パターンと、
前記第５フィン型パターン及び前記第６フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第３ソース／ドレインコンタクトと、をさらに有し、
前記素子分離構造体は、前記第１フィン型パターン及び前記第５フィン型パターンと、前記第２フィン型パターン及び前記第６フィン型パターンを分離して、
前記第３ソース／ドレインコンタクトは、前記第５フィン型パターン及び前記第６フィン型パターンと交差する第３下部コンタクト領域と、前記第３下部コンタクト領域から突出した第３上部コンタクト領域と、を含み、
前記第３上部コンタクト領域の上面は、前記配線構造体と接触することを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
前記第２フィン型パターンと前記第１方向に隣接する第６フィン型パターンと、
前記第５フィン型パターン及び前記第６フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第３ソース／ドレインコンタクトと、をさらに有し、
前記素子分離構造体は、前記第１フィン型パターン及び前記第５フィン型パターンと、前記第２フィン型パターン及び前記第６フィン型パターンを分離して、
前記第３ソース／ドレインコンタクトは、前記第５フィン型パターン及び前記第６フィン型パターンと交差する第３下部コンタクト領域と、前記第３下部コンタクト領域から突出した第３上部コンタクト領域と、を含み、
前記第３上部コンタクト領域の上面は、前記配線構造体と接触することを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項16】
前記第３ソース／ドレインコンタクトは、前記第３下部コンタクト領域から突出した第３ダミーコンタクト領域をさらに含み、
前記第３ダミーコンタクト領域の上面は、前記配線構造体と接触しないことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
前記第３ダミーコンタクト領域の上面は、前記配線構造体と接触しないことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項17】
前記第３ソース／ドレインコンタクトは、前記第３下部コンタクト領域から突出した一つのコンタクト領域を含み、
前記第３上部コンタクト領域の上面の前記第２方向への幅は、前記ビア幅の１．５倍より大きいか同じであると、請求項１５に記載の半導体装置。
前記第３上部コンタクト領域の上面の前記第２方向への幅は、前記ビア幅の１．５倍より大きいか同じであると、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項18】
第１方向に延長される第１フィン型パターンと、
前記第１フィン型パターンと第２方向に離隔して、前記第１方向に延長される第２フィン型パターンと、
前記第１フィン型パターンと前記第１方向に離隔して、前記第１方向に延長される第３フィン型パターンと、
前記第２フィン型パターンと前記第１方向に離隔して、前記第１方向に延長される第４フィン型パターンと、
前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第１ソース／ドレインコンタクトと、
前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第２ソース／ドレインコンタクトと、
前記第１フィン型パターン及び前記第３フィン型パターンと、前記第２フィン型パターン及び前記第４フィン型パターンを分離して、前記第２方向に延長される素子分離構造体と、
前記第１ソース／ドレインコンタクト及び前記第２ソース／ドレインコンタクト上に配置され、前記第１ソース／ドレインコンタクト及び前記第２ソース／ドレインコンタクトと接続される配線構造体と、を有し、
前記第１ソース／ドレインコンタクトは、前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと交差する第１下部コンタクト領域と、前記第１下部コンタクト領域から突出した第１上部コンタクト領域と、第１ダミーコンタクト領域と、を含み、
前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターンと交差する第２下部コンタクト領域と、前記第２下部コンタクト領域から突出した第２上部コンタクト領域と、を含み、
前記配線構造体は、前記第１上部コンタクト領域の上面及び前記第２上部コンタクト領域の上面と接触し、前記第１ダミーコンタクト領域の上面と接触しないことを特徴とする半導体装置。
前記第１フィン型パターンと第２方向に離隔して、前記第１方向に延長される第２フィン型パターンと、
前記第１フィン型パターンと前記第１方向に離隔して、前記第１方向に延長される第３フィン型パターンと、
前記第２フィン型パターンと前記第１方向に離隔して、前記第１方向に延長される第４フィン型パターンと、
前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第１ソース／ドレインコンタクトと、
前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第２ソース／ドレインコンタクトと、
前記第１フィン型パターン及び前記第３フィン型パターンと、前記第２フィン型パターン及び前記第４フィン型パターンを分離して、前記第２方向に延長される素子分離構造体と、
前記第１ソース／ドレインコンタクト及び前記第２ソース／ドレインコンタクト上に配置され、前記第１ソース／ドレインコンタクト及び前記第２ソース／ドレインコンタクトと接続される配線構造体と、を有し、
前記第１ソース／ドレインコンタクトは、前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと交差する第１下部コンタクト領域と、前記第１下部コンタクト領域から突出した第１上部コンタクト領域と、第１ダミーコンタクト領域と、を含み、
前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターンと交差する第２下部コンタクト領域と、前記第２下部コンタクト領域から突出した第２上部コンタクト領域と、を含み、
前記配線構造体は、前記第１上部コンタクト領域の上面及び前記第２上部コンタクト領域の上面と接触し、前記第１ダミーコンタクト領域の上面と接触しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項19】
前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第２下部コンタクト領域から突出した第２ダミーコンタクト領域をさらに含み、
前記第２ダミーコンタクト領域の上面は、前記配線構造体と接触しないことを特徴とする請求項１８に記載の半導体装置。
前記第２ダミーコンタクト領域の上面は、前記配線構造体と接触しないことを特徴とする請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項20】
前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第２下部コンタクト領域から突出した一つのコンタクト領域を含むことを特徴とする請求項１８に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置に関し、特に、信頼性及び性能を向上させた半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の密度を高めるためのスケーリング（ｓｃａｌｉｎｇ）技術の一つとして、基板上にフィン（ｆｉｎ）又はナノワイヤ（ｎａｎｏｗｉｒｅ）形状の多チャネルアクティブパターン（又はシリコンボディ）を形成して多チャネルアクティブパターンの表面の上にゲートを形成するマルチゲートトランジスタ（ｍｕｌｔｉ ｇａｔｅ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が提案された。
【0003】
このようなマルチゲートトランジスタは、３次元のチャネルを用いるので、スケーリングすることが容易である。
また、マルチゲートトランジスタのゲート長さを増加させなくても、電流制御能力を向上させることができる。
のみならず、ドレイン電圧によってチャネル領域の電位が影響を受けるＳＣＥ（ｓｈｏｒｔ ｃｈａｎｎｅｌ ｅｆｆｅｃｔ）を効果的に抑制することができる。
このようなマルチゲートトランジスタの信頼性及び性能の向上がさらなる課題となっている。
また、マルチゲートトランジスタのゲート長さを増加させなくても、電流制御能力を向上させることができる。
のみならず、ドレイン電圧によってチャネル領域の電位が影響を受けるＳＣＥ（ｓｈｏｒｔ ｃｈａｎｎｅｌ ｅｆｆｅｃｔ）を効果的に抑制することができる。
このようなマルチゲートトランジスタの信頼性及び性能の向上がさらなる課題となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開昭５９－２２８７６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は上記従来のマルチゲートトランジスタにおける課題に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、信頼性及び性能を向上させた半導体装置を提供することにある。
本発明が解決しようとする課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるものである。
本発明が解決しようとする課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるものである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するためになされた本発明による半導体装置は、第１方向に延長される第１側壁及び第２側壁を含む素子分離構造体であって、前記素子分離構造体の第１側壁は、前記素子分離構造体の第２側壁と第２方向に反対に位置する素子分離構造体と、前記素子分離構造体の第１側壁と接触し、前記第２方向に延長される第１フィン型パターンと、前記素子分離構造体の第２側壁と接触し、前記第１フィン型パターンと前記第１方向に離隔して、前記第２方向に延長される第２フィン型パターンと、前記第１フィン型パターン上に、前記第１方向に延長される第１ゲート電極と、前記第１ゲート電極と前記素子分離構造体との間の前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターン上に配置され、前記第１方向に延長される第１ソース／ドレインコンタクトと、前記第１ソース／ドレインコンタクト上に、前記第１ソース／ドレインコンタクトと接続される配線構造体と、を有し、前記第１ソース／ドレインコンタクトは、前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと交差する第１下部コンタクト領域と、前記第１下部コンタクト領域から突出した第１上部コンタクト領域と、第１ダミーコンタクト領域と、を含み、前記配線構造体は、前記第１上部コンタクト領域の上面と接触し、前記第１ダミーコンタクト領域の上面と接触しないことを特徴とする。
【0007】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による半導体装置は、第１方向に延長される第１フィン型パターンと、前記第１フィン型パターンと第２方向に離隔して、前記第１方向に延長される第２フィン型パターンと、前記第１方向に延長される第３フィン型パターンと、前記第３フィン型パターンと前記第２方向に離隔して、前記第１方向に延長される第４フィン型パターンと、前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと接触し、前記第２方向に延長される素子分離構造体と、前記第１フィン型パターン上に、前記第２方向に延長される第１ゲート電極と、前記第３フィン型パターン上に、前記第２方向に延長される第２ゲート電極と、前記第４フィン型パターン上に、前記第２方向に延長される第３ゲート電極と、前記第１ゲート電極と前記素子分離構造体との間の前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第１ソース／ドレインコンタクトと、前記第２ゲート電極と前記第３ゲート電極との間の前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第２ソース／ドレインコンタクトと、前記第１ソース／ドレインコンタクト及び前記第２ソース／ドレインコンタクト上に配置され、前記第１ソース／ドレインコンタクト及び前記第２ソース／ドレインコンタクトと接続される配線構造体と、を有し、前記第１ソース／ドレインコンタクトは、前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと交差する第１下部コンタクト領域と、前記第１下部コンタクト領域から突出した第１上部コンタクト領域と、を含み、前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターンと交差する第２下部コンタクト領域と、前記第２下部コンタクト領域から突出した第２上部コンタクト領域と、を含み、前記配線構造体は、前記第１上部コンタクト領域及び前記第２上部コンタクト領域と接触するビアプラグを含み、前記ビアプラグの底面は、前記第２方向にビア幅を有し、前記第１上部コンタクト領域の上面の前記第２方向への幅は、前記ビア幅の１．５倍より大きいか同じであり、前記第２上部コンタクト領域の上面の前記第２方向への幅は、前記ビア幅より大きいか同じであり、前記ビア幅の１．２倍より小さいか同じであることを特徴とする。
【0008】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による半導体装置は、第１方向に延長される第１フィン型パターンと、前記第１フィン型パターンと第２方向に離隔して、前記第１方向に延長される第２フィン型パターンと、前記第１フィン型パターンと前記第１方向に離隔して、前記第１方向に延長される第３フィン型パターンと、前記第２フィン型パターンと前記第１方向に離隔して、前記第１方向に延長される第４フィン型パターンと、前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第１ソース／ドレインコンタクトと、前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターン上に配置され、前記第２方向に延長される第２ソース／ドレインコンタクトと、前記第１フィン型パターン及び前記第３フィン型パターンと、前記第２フィン型パターン及び前記第４フィン型パターンを分離して、前記第２方向に延長される素子分離構造体と、前記第１ソース／ドレインコンタクト及び前記第２ソース／ドレインコンタクト上に配置され、前記第１ソース／ドレインコンタクト及び前記第２ソース／ドレインコンタクトと接続される配線構造体と、を有し、前記第１ソース／ドレインコンタクトは、前記第１フィン型パターン及び前記第２フィン型パターンと交差する第１下部コンタクト領域と、前記第１下部コンタクト領域から突出した第１上部コンタクト領域と、第１ダミーコンタクト領域と、を含み、前記第２ソース／ドレインコンタクトは、前記第３フィン型パターン及び前記第４フィン型パターンと交差する第２下部コンタクト領域と、前記第２下部コンタクト領域から突出した第２上部コンタクト領域と、を含み、前記配線構造体は、前記第１上部コンタクト領域の上面及び前記第２上部コンタクト領域の上面と接触し、前記第１ダミーコンタクト領域の上面と接触しないことを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
本発明に係る半導体装置によれば、フィン型パターン形状のチャネル領域を含むフィン型トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）、ナノワイヤ又はナノシートを含むトランジスタ、ＭＢＣＦＥＴ（登録商標）（Ｍｕｌｔｉ－Ｂｒｉｄｇｅ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む構成を有することにより、信頼性及び性能を向上させた半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図である。
【図10】本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図である。
【図13】本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図である。
【図14】本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図である。
【図16】本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図である。
【図18】本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図である。
【図20】本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図である。
【図26】本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
次に、本発明に係る半導体装置を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【0012】
本発明の実施形態による半導体装置に関する図面では、例示的に、フィン型パターン形状のチャネル領域を含むフィン型トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）、ナノワイヤ又はナノシートを含むトランジスタ、ＭＢＣＦＥＴ（登録商標）（Ｍｕｌｔｉ－Ｂｒｉｄｇｅ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を示した。
しかし、本発明の実施形態による半導体装置は、トンネリングトランジスタ（ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ ＦＥＴ）、３次元（３Ｄ）トランジスタ、平面（ｐｌａｎａｒ）トランジスタ、及び２次元物質をベースとするトランジスタ（２Ｄ ｍａｔｅｒｉａｌ ｂａｓｅｄ ＦＥＴｓ）及びその異種構造（ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を含み得る。
また、本発明の実施形態による半導体装置は、バイポーラ接合（ｂｉｐｏｌａｒ ｊｕｎｃｔｉｏｎ）トランジスタ、横型二重拡散トランジスタ（ＬＤＭＯＳ）などを含むこともできる。
しかし、本発明の実施形態による半導体装置は、トンネリングトランジスタ（ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ ＦＥＴ）、３次元（３Ｄ）トランジスタ、平面（ｐｌａｎａｒ）トランジスタ、及び２次元物質をベースとするトランジスタ（２Ｄ ｍａｔｅｒｉａｌ ｂａｓｅｄ ＦＥＴｓ）及びその異種構造（ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を含み得る。
また、本発明の実施形態による半導体装置は、バイポーラ接合（ｂｉｐｏｌａｒ ｊｕｎｃｔｉｏｎ）トランジスタ、横型二重拡散トランジスタ（ＬＤＭＯＳ）などを含むこともできる。
【0013】
図１は、本発明の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図である。
図２～図８は、それぞれ図１のＡ－Ａ線、Ｂ－Ｂ線、Ｃ－Ｃ線、Ｄ－Ｄ線、Ｅ－Ｅ線、Ｆ－Ｆ線、及びＧ－Ｇ線に沿って切断した断面図である。
図９は、図６のＰ部分を拡大して示す図である。
説明の便宜上、図１には層間絶縁膜（１９０、１９１、１９２）と、配線構造体２０５などを図に示していない。
図２～図８は、それぞれ図１のＡ－Ａ線、Ｂ－Ｂ線、Ｃ－Ｃ線、Ｄ－Ｄ線、Ｅ－Ｅ線、Ｆ－Ｆ線、及びＧ－Ｇ線に沿って切断した断面図である。
図９は、図６のＰ部分を拡大して示す図である。
説明の便宜上、図１には層間絶縁膜（１９０、１９１、１９２）と、配線構造体２０５などを図に示していない。
【0014】
図１～図９を参照すると、本発明の実施形態による半導体装置は、基板１００上に第１～第６フィン型パターン（１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０）と、第１～第３ゲート電極（１２０、２２０、３２０）と、第１及び第２素子分離構造体（１６５、１６６）と、第１ソース／ドレインコンタクト１７１と、第２ソース／ドレインコンタクト１７２と、第１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト（１８１、１８２）と、ゲート分離構造体１６０を含む。
【0015】
例えば、基板１００は、バルクシリコン又はＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）であり得る。
他の例として、基板１００は、シリコン基板であり得、又は他の物質、例えば、シリコンゲルマニウム、ＳＧＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｇｅｒｍａｎｉｕｍ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）、アンチモン化インジウム、鉛テルル化合物、インジウム砒素、インジウムリン化物、ガリウム砒素、又はアンチモン化ガリウムを含むことができる。
他の例として、基板１００は、シリコン基板であり得、又は他の物質、例えば、シリコンゲルマニウム、ＳＧＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｇｅｒｍａｎｉｕｍ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）、アンチモン化インジウム、鉛テルル化合物、インジウム砒素、インジウムリン化物、ガリウム砒素、又はアンチモン化ガリウムを含むことができる。
【0016】
第１フィン型パターン１１０、第３フィン型パターン３１０、及び第５フィン型パターン５１０は、基板１００上に配置される。
第１フィン型パターン１１０、第３フィン型パターン３１０、及び第５フィン型パターン５１０は、基板１００の第１活性領域ＲＸ１内に形成される。
第１フィン型パターン１１０、第３フィン型パターン３１０、及び第５フィン型パターン５１０は、第１方向Ｄ１に沿って長く延長される。
第１フィン型パターン１１０、第３フィン型パターン３１０、及び第５フィン型パターン５１０は、第１方向Ｄ１に沿って一列に整列される。
第１フィン型パターン１１０及び第３フィン型パターン３１０は、第１方向Ｄ１に延長されるフィントレンチＦＴにより定義される。
第１フィン型パターン１１０、第３フィン型パターン３１０、及び第５フィン型パターン５１０は、基板１００の第１活性領域ＲＸ１内に形成される。
第１フィン型パターン１１０、第３フィン型パターン３１０、及び第５フィン型パターン５１０は、第１方向Ｄ１に沿って長く延長される。
第１フィン型パターン１１０、第３フィン型パターン３１０、及び第５フィン型パターン５１０は、第１方向Ｄ１に沿って一列に整列される。
第１フィン型パターン１１０及び第３フィン型パターン３１０は、第１方向Ｄ１に延長されるフィントレンチＦＴにより定義される。
【0017】
フィントレンチＦＴは、第１フィン型パターン１１０の側壁及び第３フィン型パターン３１０を定義する。
第５フィン型パターン５１０は、フィントレンチＦＴにより定義される。
第２フィン型パターン２１０、第４フィン型パターン４１０、及び第６フィン型パターン６１０は、基板１００上に配置される。
第２フィン型パターン２１０、第４フィン型パターン４１０、及び第６フィン型パターン６１０は、第２活性領域ＲＸ２内に形成される。
第２フィン型パターン２１０、第４フィン型パターン４１０、及び第６フィン型パターン６１０は、第１方向Ｄ１に沿って長く延長される。
第２フィン型パターン２１０、第４フィン型パターン４１０、及び第６フィン型パターン６１０は、第１方向Ｄ１に沿って一列に整列される。
第５フィン型パターン５１０は、フィントレンチＦＴにより定義される。
第２フィン型パターン２１０、第４フィン型パターン４１０、及び第６フィン型パターン６１０は、基板１００上に配置される。
第２フィン型パターン２１０、第４フィン型パターン４１０、及び第６フィン型パターン６１０は、第２活性領域ＲＸ２内に形成される。
第２フィン型パターン２１０、第４フィン型パターン４１０、及び第６フィン型パターン６１０は、第１方向Ｄ１に沿って長く延長される。
第２フィン型パターン２１０、第４フィン型パターン４１０、及び第６フィン型パターン６１０は、第１方向Ｄ１に沿って一列に整列される。
【0018】
第２フィン型パターン２１０及び第４フィン型パターン４１０は、第１方向Ｄ１に延長されるフィントレンチＦＴにより定義される。
第２フィン型パターン２１０は、第１フィン型パターン１１０と第２方向Ｄ２に離隔する。
第４フィン型パターン４１０は、第３フィン型パターン３１０と第２方向Ｄ２に離隔する。
第６フィン型パターン６１０は、第５フィン型パターン５１０と第２方向Ｄ２に離隔する。
ここで、第１方向Ｄ１は、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３と交差する。
また、第２方向Ｄ２は、第３方向Ｄ３と交差する。
第３方向Ｄ３は、基板１００の上面と垂直な方向である。
第２フィン型パターン２１０は、第１フィン型パターン１１０と第２方向Ｄ２に離隔する。
第４フィン型パターン４１０は、第３フィン型パターン３１０と第２方向Ｄ２に離隔する。
第６フィン型パターン６１０は、第５フィン型パターン５１０と第２方向Ｄ２に離隔する。
ここで、第１方向Ｄ１は、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３と交差する。
また、第２方向Ｄ２は、第３方向Ｄ３と交差する。
第３方向Ｄ３は、基板１００の上面と垂直な方向である。
【0019】
フィールド領域ＦＸは、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２の間に配置される。
フィールド領域ＦＸは、フィントレンチＦＴより深いディープトレンチＤＴにより定義される。
ディープトレンチＤＴは、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２を定義する。
例えば、ディープトレンチＤＴは、第１方向Ｄ１に長く延長される。
ディープトレンチＤＴは、第１フィン型パターン１１０と第２フィン型パターン２１０との間と、第３フィン型パターン３１０と第４フィン型パターン４１０との間と、第５フィン型パターン５１０と第６フィン型パターン６１０との間に連続的に形成される。
一実施形態による半導体装置で、ディープトレンチＤＴは、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２を区分する。
フィールド領域ＦＸは、フィントレンチＦＴより深いディープトレンチＤＴにより定義される。
ディープトレンチＤＴは、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２を定義する。
例えば、ディープトレンチＤＴは、第１方向Ｄ１に長く延長される。
ディープトレンチＤＴは、第１フィン型パターン１１０と第２フィン型パターン２１０との間と、第３フィン型パターン３１０と第４フィン型パターン４１０との間と、第５フィン型パターン５１０と第６フィン型パターン６１０との間に連続的に形成される。
一実施形態による半導体装置で、ディープトレンチＤＴは、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２を区分する。
【0020】
一例として、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２の内の一つは、ＮＭＯＳ形成領域であり、他の一つはＰＭＯＳ形成領域であり得る。
他の例として、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２は、ＰＭＯＳ形成領域であり得る。
また他の例として、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２は、ＮＭＯＳ形成領域であり得る。
他の例として、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２は、ＰＭＯＳ形成領域であり得る。
また他の例として、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２は、ＮＭＯＳ形成領域であり得る。
【0021】
第１～第６フィン型パターン（１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０）は、それぞれ基板１００の一部であり、基板１００から成長したエピ層（ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｌａｙｅｒ）を含む。
それぞれの第１～第６フィン型パターン（１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０）は、例えば、元素半導体物質であるシリコン又はゲルマニウムを含み得る。
また、それぞれの第１～第６フィン型パターン（１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０）は、化合物半導体を含み得、例えば、ＩＶ－ＩＶ族化合物半導体又はＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含み得る。
それぞれの第１～第６フィン型パターン（１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０）は、例えば、元素半導体物質であるシリコン又はゲルマニウムを含み得る。
また、それぞれの第１～第６フィン型パターン（１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０）は、化合物半導体を含み得、例えば、ＩＶ－ＩＶ族化合物半導体又はＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含み得る。
【0022】
ＩＶ－ＩＶ族化合物半導体は、例えば、炭素（Ｃ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）の内の少なくとも２個以上を含む二元系化合物（ｂｉｎａｒｙ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、三元系化合物（ｔｅｒｎａｒｙ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、又はこれらにＩＶ族元素がドープされた化合物であり得る。
ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体は、例えば、ＩＩＩ族元素としてアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）の内の少なくとも一つとＶ族元素であるリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、及びアンチモニウム（Ｓｂ）の内の一つが結合されて形成される二元系化合物、三元系化合物又は四元系化合物の内の一つであり得る。
ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体は、例えば、ＩＩＩ族元素としてアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）の内の少なくとも一つとＶ族元素であるリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、及びアンチモニウム（Ｓｂ）の内の一つが結合されて形成される二元系化合物、三元系化合物又は四元系化合物の内の一つであり得る。
【0023】
一例として、第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０、５１０）は、第２活性領域ＲＸ２に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０、６１０）と同じ物質を含む。
他の例として、第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０、５１０）は、第２活性領域ＲＸ２に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０、６１０）と他の物質を含む。
他の例として、第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０、５１０）は、第２活性領域ＲＸ２に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０、６１０）と他の物質を含む。
【0024】
第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０を例に挙げて説明する。
第１活性領域ＲＸ１に配置された第１フィン型パターン１１０の個数は、第２活性領域ＲＸ２に配置された第２フィン型パターン２１０の個数と同一である場合を図に示したが、これに制限されるものではない。
例えば、第１活性領域ＲＸ１に配置された第１フィン型パターン１１０と、第２活性領域ＲＸ２に配置された第２フィン型パターン２１０は、２個である場合を図に示したが、これに制限されるものではない。
第１活性領域ＲＸ１に配置された第１フィン型パターン１１０と、第２活性領域ＲＸ２に配置された第２フィン型パターン２１０は、それぞれ１個又は３個以上であり得るのはもちろんである。
第１活性領域ＲＸ１に配置された第１フィン型パターン１１０の個数は、第２活性領域ＲＸ２に配置された第２フィン型パターン２１０の個数と同一である場合を図に示したが、これに制限されるものではない。
例えば、第１活性領域ＲＸ１に配置された第１フィン型パターン１１０と、第２活性領域ＲＸ２に配置された第２フィン型パターン２１０は、２個である場合を図に示したが、これに制限されるものではない。
第１活性領域ＲＸ１に配置された第１フィン型パターン１１０と、第２活性領域ＲＸ２に配置された第２フィン型パターン２１０は、それぞれ１個又は３個以上であり得るのはもちろんである。
【0025】
以下の説明は、第１～第４フィン型パターン（１１０、２１０、３１０、４１０）を用いて説明する。
フィールド絶縁膜１０５は、第１～第４フィン型パターン（１１０、２１０、３１０、４１０）の周辺に配置される。
図に示していないが、フィールド絶縁膜１０５は、第５フィン型パターン５１０及び第６フィン型パターン６１０の周辺に配置されてもよい。
フィールド絶縁膜１０５は、ディープトレンチＤＴを埋める。
フィールド絶縁膜１０５は、フィントレンチＦＴの一部を埋める。
第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０を例に挙げると、フィールド絶縁膜１０５は、第１フィン型パターン１１０の側壁の一部及び第２フィン型パターン２１０の側壁の一部の上に形成される。
フィールド絶縁膜１０５は、第１～第４フィン型パターン（１１０、２１０、３１０、４１０）の周辺に配置される。
図に示していないが、フィールド絶縁膜１０５は、第５フィン型パターン５１０及び第６フィン型パターン６１０の周辺に配置されてもよい。
フィールド絶縁膜１０５は、ディープトレンチＤＴを埋める。
フィールド絶縁膜１０５は、フィントレンチＦＴの一部を埋める。
第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０を例に挙げると、フィールド絶縁膜１０５は、第１フィン型パターン１１０の側壁の一部及び第２フィン型パターン２１０の側壁の一部の上に形成される。
【0026】
第１～第４フィン型パターン（１１０、２１０、３１０、４１０）は、それぞれフィールド絶縁膜１０５の上面より上に突出する。
第５フィン型パターン５１０及び第６フィン型パターン６１０もフィールド絶縁膜１０５の上面より突出する。
フィールド絶縁膜１０５は、例えば、酸化膜、窒化膜、酸窒化膜、又はこれらの組み合わせ膜を含み得る。
第５フィン型パターン５１０及び第６フィン型パターン６１０もフィールド絶縁膜１０５の上面より突出する。
フィールド絶縁膜１０５は、例えば、酸化膜、窒化膜、酸窒化膜、又はこれらの組み合わせ膜を含み得る。
【0027】
第１素子分離構造体１６５及び第２素子分離構造体１６６は、それぞれ第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２にわたって配置される。
第１素子分離構造体１６５及び第２素子分離構造体１６６は、それぞれ第２方向Ｄ２に長く延長される。
第１素子分離構造体１６５は、第１方向Ｄ１に隣接する第１フィン型パターン１１０及び第３フィン型パターン３１０を分離する。
第１素子分離構造体１６５は、第１方向Ｄ１に隣接した第２フィン型パターン２１０及び第４フィン型パターン４１０を分離する。
第２素子分離構造体１６６は、第１方向Ｄ１に隣接する第３フィン型パターン３１０及び第５フィン型パターン５１０を分離する。
第２素子分離構造体１６６は、第１方向Ｄ１に隣接した第４フィン型パターン４１０及び第６フィン型パターン６１０を分離する。
第２素子分離構造体１６６に関する説明は、第１素子分離構造体１６５に関する説明と実質的に同一であるので、以下の説明は第１素子分離構造体１６５を中心に説明する。
第１素子分離構造体１６５及び第２素子分離構造体１６６は、それぞれ第２方向Ｄ２に長く延長される。
第１素子分離構造体１６５は、第１方向Ｄ１に隣接する第１フィン型パターン１１０及び第３フィン型パターン３１０を分離する。
第１素子分離構造体１６５は、第１方向Ｄ１に隣接した第２フィン型パターン２１０及び第４フィン型パターン４１０を分離する。
第２素子分離構造体１６６は、第１方向Ｄ１に隣接する第３フィン型パターン３１０及び第５フィン型パターン５１０を分離する。
第２素子分離構造体１６６は、第１方向Ｄ１に隣接した第４フィン型パターン４１０及び第６フィン型パターン６１０を分離する。
第２素子分離構造体１６６に関する説明は、第１素子分離構造体１６５に関する説明と実質的に同一であるので、以下の説明は第１素子分離構造体１６５を中心に説明する。
【0028】
第１素子分離構造体１６５は、第１側壁（１６５＿ＬＳ１）と第２側壁（１６５＿ＬＳ２）を含む。
第１素子分離構造体の第１側壁（１６５＿ＬＳ１）と第１素子分離構造体の第２側壁（１６５＿ＬＳ２）は、それぞれ第２方向Ｄ２に長く延長される。
第１素子分離構造体の第１側壁（１６５＿ＬＳ１）は、第１素子分離構造体の第２側壁（１６５＿ＬＳ２）と第１方向Ｄ１の反対に位置する。
第１素子分離構造体の第１側壁（１６５＿ＬＳ１）と第１素子分離構造体の第２側壁（１６５＿ＬＳ２）は、それぞれ第２方向Ｄ２に長く延長される。
第１素子分離構造体の第１側壁（１６５＿ＬＳ１）は、第１素子分離構造体の第２側壁（１６５＿ＬＳ２）と第１方向Ｄ１の反対に位置する。
【0029】
第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０は、それぞれ第１素子分離構造体の第１側壁（１６５＿ＬＳ１）と接触する。
第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０は、第１素子分離構造体の第１側壁（１６５＿ＬＳ１）から第１方向Ｄ１に延長される。
第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０は、それぞれ第１素子分離構造体の第２側壁（１６５＿ＬＳ２）と接触する。
第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０は、第１素子分離構造体の第２側壁（１６５＿ＬＳ２）から第１方向Ｄ１に延長される。
例えば、第１素子分離構造体の上面１６５ＵＳは、後述するゲートキャッピングパターン（１４５、２４５、３４５）の上面と同一平面に置かれる。
第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０は、第１素子分離構造体の第１側壁（１６５＿ＬＳ１）から第１方向Ｄ１に延長される。
第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０は、それぞれ第１素子分離構造体の第２側壁（１６５＿ＬＳ２）と接触する。
第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０は、第１素子分離構造体の第２側壁（１６５＿ＬＳ２）から第１方向Ｄ１に延長される。
例えば、第１素子分離構造体の上面１６５ＵＳは、後述するゲートキャッピングパターン（１４５、２４５、３４５）の上面と同一平面に置かれる。
【0030】
第１素子分離構造体１６５及び第２素子分離構造体１６６は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン酸炭窒化物（ＳｉＯＣＮ）、シリコンホウ素窒化物（ＳｉＢＮ）、シリコン酸ホウ素窒化物（ＳｉＯＢＮ）、シリコン酸炭化物（ＳｉＯＣ）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯ）、及びこれらの組み合わせの内の少なくとも一つを含み得る。
それぞれの第１素子分離構造体１６５及び第２素子分離構造体１６６は、単一膜又は多重膜であり得る。
例えば、図２に示すように、分離構造体スペーサ１６５ＳＰは、第１素子分離構造体の第１側壁（１６５＿ＬＳ１）の一部に沿って延長される。
分離構造体スペーサ１６５ＳＰは、第１素子分離構造体の第２側壁（１６５＿ＬＳ２）の一部に沿って延長される。
それぞれの第１素子分離構造体１６５及び第２素子分離構造体１６６は、単一膜又は多重膜であり得る。
例えば、図２に示すように、分離構造体スペーサ１６５ＳＰは、第１素子分離構造体の第１側壁（１６５＿ＬＳ１）の一部に沿って延長される。
分離構造体スペーサ１６５ＳＰは、第１素子分離構造体の第２側壁（１６５＿ＬＳ２）の一部に沿って延長される。
【0031】
分離構造体スペーサ１６５ＳＰは、後述するゲートスペーサ（１４０、２４０、３４０）と同じ物質を含む。
他の例として、第１素子分離構造体の側壁（１６５＿ＬＳ１、１６５＿ＬＳ２）上に、分離構造体スペーサ１６５ＳＰが配置されなくてもよい。
他の例として、第１素子分離構造体の側壁（１６５＿ＬＳ１、１６５＿ＬＳ２）上に、分離構造体スペーサ１６５ＳＰが配置されなくてもよい。
【0032】
第１～第３ゲート電極（１２０、２２０、３２０）は、それぞれ第２方向Ｄ２に延長される。
第１～第３ゲート電極（１２０、２２０、３２０）は、それぞれフィールド絶縁膜１０５上に配置される。
第１ゲート電極１２０は、第１活性領域ＲＸ１上に配置され、第２活性領域ＲＸ２上に配置されない。
例えば、第１ゲート電極１２０は、第１活性領域ＲＸ１上にのみに配置される。
第１ゲート電極１２０は、第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０、５１０）上に配置される。
第１ゲート電極１２０は、第２活性領域ＲＸ２に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０、６１０）上に配置されない。
第１～第３ゲート電極（１２０、２２０、３２０）は、それぞれフィールド絶縁膜１０５上に配置される。
第１ゲート電極１２０は、第１活性領域ＲＸ１上に配置され、第２活性領域ＲＸ２上に配置されない。
例えば、第１ゲート電極１２０は、第１活性領域ＲＸ１上にのみに配置される。
第１ゲート電極１２０は、第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０、５１０）上に配置される。
第１ゲート電極１２０は、第２活性領域ＲＸ２に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０、６１０）上に配置されない。
【0033】
第２ゲート電極２２０は、第２活性領域ＲＸ２上に配置され、第１活性領域ＲＸ１上に配置されない。
例えば、第２ゲート電極２２０は、第２活性領域ＲＸ２上にのみに配置される。
第２ゲート電極２２０は、第２活性領域ＲＸ２に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０、６１０）上に配置される。
第２ゲート電極２２０は、第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０、５１０）上に配置されない。
第３ゲート電極３２０は、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２にわたって連続的に配置される。
第３ゲート電極３２０は、第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０、５１０）上に配置される。
第３ゲート電極３２０は、第２活性領域ＲＸ２に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０、６１０）上に配置される。
例えば、第２ゲート電極２２０は、第２活性領域ＲＸ２上にのみに配置される。
第２ゲート電極２２０は、第２活性領域ＲＸ２に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０、６１０）上に配置される。
第２ゲート電極２２０は、第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０、５１０）上に配置されない。
第３ゲート電極３２０は、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２にわたって連続的に配置される。
第３ゲート電極３２０は、第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０、５１０）上に配置される。
第３ゲート電極３２０は、第２活性領域ＲＸ２に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０、６１０）上に配置される。
【0034】
第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０は、第２方向Ｄ２に離隔し、互いに第２方向Ｄ２に整列する。
第１ゲート電極１２０は、第２ゲート電極２２０に対応するように配置される。
第３ゲート電極３２０は、第１ゲート電極１２０と第１方向Ｄ１に離隔する。
第３ゲート電極３２０は、第２ゲート電極２２０と第１方向Ｄ１に離隔する。
例えば、図１に示すように、第１ゲート電極１２０と第２ゲート電極２２０は、一対一に対応する。
他の例として、第１ゲート電極１２０の内の少なくとも一つは、第２活性領域ＲＸ２に配置されて第２方向Ｄ２に延長される絶縁物質ゲートと対向する。
また他の例として、第２ゲート電極２２０の内の少なくとも一つは、第１活性領域ＲＸ１に配置されて第２方向Ｄ２に延長される絶縁物質ゲートと対向する。
絶縁物質ゲートは、上述した素子分離構造体（１６５、１６６）と類似する。
第１ゲート電極１２０は、第２ゲート電極２２０に対応するように配置される。
第３ゲート電極３２０は、第１ゲート電極１２０と第１方向Ｄ１に離隔する。
第３ゲート電極３２０は、第２ゲート電極２２０と第１方向Ｄ１に離隔する。
例えば、図１に示すように、第１ゲート電極１２０と第２ゲート電極２２０は、一対一に対応する。
他の例として、第１ゲート電極１２０の内の少なくとも一つは、第２活性領域ＲＸ２に配置されて第２方向Ｄ２に延長される絶縁物質ゲートと対向する。
また他の例として、第２ゲート電極２２０の内の少なくとも一つは、第１活性領域ＲＸ１に配置されて第２方向Ｄ２に延長される絶縁物質ゲートと対向する。
絶縁物質ゲートは、上述した素子分離構造体（１６５、１６６）と類似する。
【0035】
例えば、図２及び図３に示すように、ゲート電極（１２０、２２０、３２０）の上面は凹んだ曲面を含む。
後述するゲートキャッピングパターン（１４５、２４５、３４５）を形成する前に、ゲート電極（１２０、２２０、３２０）の一部が除去される。
ゲート電極（１２０、２２０、３２０）の一部を除去するエッチング工程によって、ゲート電極（１２０、２２０、３２０）の上面の少なくとも一部は、凹んだ曲面に変わり得る。
例えば、第１ゲート電極１２０の上面及び第２ゲート電極２２０の上面は、図８のような断面図で凹んだ形を有する。
後述するゲートキャッピングパターン（１４５、２４５、３４５）を形成する前に、ゲート電極（１２０、２２０、３２０）の一部が除去される。
ゲート電極（１２０、２２０、３２０）の一部を除去するエッチング工程によって、ゲート電極（１２０、２２０、３２０）の上面の少なくとも一部は、凹んだ曲面に変わり得る。
例えば、第１ゲート電極１２０の上面及び第２ゲート電極２２０の上面は、図８のような断面図で凹んだ形を有する。
【0036】
第１～第３ゲート電極（１２０、２２０、３２０）は、それぞれ例えば、チタン窒化物（ＴｉＮ）、タンタル炭化物（ＴａＣ）、タンタル窒化物（ＴａＮ）、チタンシリコン窒化物（ＴｉＳｉＮ）、タンタルシリコン窒化物（ＴａＳｉＮ）、タンタルチタン窒化物（ＴａＴｉＮ）、チタンアルミニウム窒化物（ＴｉＡｌＮ）、タンタルアルミニウム窒化物（ＴａＡｌＮ）、タングステン窒化物（ＷＮ）、ルテニウム（Ｒｕ）、チタンアルミニウム（ＴｉＡｌ）、チタンアルミニウム炭窒化物（ＴｉＡｌＣ－Ｎ）、チタンアルミニウム炭化物（ＴｉＡｌＣ）、チタン炭化物（ＴｉＣ）、タンタル炭窒化物（ＴａＣＮ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル白金（Ｎｉ－Ｐｔ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニオブ窒化物（ＮｂＮ）、ニオブ炭化物（ＮｂＣ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン窒化物（ＭｏＮ）、モリブデン炭化物（ＭｏＣ）、タングステン炭化物（ＷＣ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、バナジウム（Ｖ）、及びこれらの組み合わせの内の少なくとも一つを含み得る。
【0037】
第１～第３ゲート電極（１２０、２２０、３２０）は、それぞれ導電性金属酸化物、導電性金属酸窒化物などを含み得、上述した物質が酸化された形態を含み得る。
第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０は、ゲート分離構造体１６０により分離される。
ゲート分離構造体１６０は、第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０を第２方向Ｄ２に離隔させる。
ゲート分離構造体１６０は、フィールド領域ＦＸ上に配置される。
ゲート分離構造体１６０は、フィールド絶縁膜１０５上に配置される。
ゲート分離構造体１６０は、互いに対応する第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０を分離する。
第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０は、ゲート分離構造体１６０により分離される。
ゲート分離構造体１６０は、第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０を第２方向Ｄ２に離隔させる。
ゲート分離構造体１６０は、フィールド領域ＦＸ上に配置される。
ゲート分離構造体１６０は、フィールド絶縁膜１０５上に配置される。
ゲート分離構造体１６０は、互いに対応する第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０を分離する。
【0038】
ゲート分離構造体１６０は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン酸炭窒化物（ＳｉＯＣＮ）、シリコンホウ素窒化物（ＳｉＢＮ）、シリコン酸ホウ素窒化物（ＳｉＯＢＮ）、シリコン酸炭化物（ＳｉＯＣ）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯ）、及びこれらの組み合わせの内の少なくとも一つを含み得る。
ゲート分離構造体１６０は、単一膜である場合を示したが、これに制限されるものではない。
例えば、図８に示すように、ゲート分離構造体１６０の一部は、フィールド絶縁膜１０５内に湾入する場合を示したが、これに制限されるものではない。
ゲート分離構造体の上面１６０ＵＳは、第１ゲートキャッピングパターン１４５の上面及び第２ゲートキャッピングパターン２４５の上面と同一平面に置かれる。
ゲート分離構造体１６０は、単一膜である場合を示したが、これに制限されるものではない。
例えば、図８に示すように、ゲート分離構造体１６０の一部は、フィールド絶縁膜１０５内に湾入する場合を示したが、これに制限されるものではない。
ゲート分離構造体の上面１６０ＵＳは、第１ゲートキャッピングパターン１４５の上面及び第２ゲートキャッピングパターン２４５の上面と同一平面に置かれる。
【0039】
第１ゲートスペーサ１４０は、第１ゲート電極１２０の側壁上に配置される。
第２ゲートスペーサ２４０は、第２ゲート電極２２０の側壁上に配置される。
第３ゲートスペーサ３４０は、第３ゲート電極３２０の側壁上に配置される。
第１～第３ゲートスペーサ（１４０、２４０、３４０）は、第２方向Ｄ２に沿って延長される。
第１～第３ゲートスペーサ（１４０、２４０、３４０）は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン酸炭窒化物（ＳｉＯＣＮ）、シリコンホウ素窒化物（ＳｉＢＮ）、シリコン酸ホウ素窒化物（ＳｉＯＢＮ）、シリコン酸炭化物（ＳｉＯＣ）、及びこれらの組み合わせの内の少なくとも一つを含み得る。
第２ゲートスペーサ２４０は、第２ゲート電極２２０の側壁上に配置される。
第３ゲートスペーサ３４０は、第３ゲート電極３２０の側壁上に配置される。
第１～第３ゲートスペーサ（１４０、２４０、３４０）は、第２方向Ｄ２に沿って延長される。
第１～第３ゲートスペーサ（１４０、２４０、３４０）は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン酸炭窒化物（ＳｉＯＣＮ）、シリコンホウ素窒化物（ＳｉＢＮ）、シリコン酸ホウ素窒化物（ＳｉＯＢＮ）、シリコン酸炭化物（ＳｉＯＣ）、及びこれらの組み合わせの内の少なくとも一つを含み得る。
【0040】
第１ゲート絶縁膜１３０は、第１ゲート電極１２０の側壁及び底面に沿って延長される。
第１ゲート絶縁膜１３０は、第１ゲート電極１２０と第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０、５１０）との間に配置される。
第２ゲート絶縁膜２３０は、第２ゲート電極２２０の側壁及び底面に沿って延長される。
第２ゲート絶縁膜２３０は、第２ゲート電極２２０と第２活性領域ＲＸ２に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０、６１０）との間に配置される。
第３ゲート絶縁膜３３０は、第３ゲート電極３２０の側壁及び底面に沿って延長される。
第３ゲート絶縁膜３３０は、第３ゲート電極３２０と第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０、５１０）との間に配置される。
第３ゲート絶縁膜３３０は、第３ゲート電極３２０と第２活性領域ＲＸ２に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０、６１０）との間に配置される。
第１ゲート絶縁膜１３０は、第１ゲート電極１２０と第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０、５１０）との間に配置される。
第２ゲート絶縁膜２３０は、第２ゲート電極２２０の側壁及び底面に沿って延長される。
第２ゲート絶縁膜２３０は、第２ゲート電極２２０と第２活性領域ＲＸ２に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０、６１０）との間に配置される。
第３ゲート絶縁膜３３０は、第３ゲート電極３２０の側壁及び底面に沿って延長される。
第３ゲート絶縁膜３３０は、第３ゲート電極３２０と第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０、５１０）との間に配置される。
第３ゲート絶縁膜３３０は、第３ゲート電極３２０と第２活性領域ＲＸ２に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０、６１０）との間に配置される。
【0041】
例えば、図８に示すように、第１ゲート絶縁膜１３０は、フィールド絶縁膜１０５より上に突出した第３フィン型パターン３１０のプロファイルと、フィールド絶縁膜１０５の上面に沿って形成される。
第２ゲート絶縁膜２３０は、フィールド絶縁膜１０５より上に突出した第４フィン型パターン４１０のプロファイルと、フィールド絶縁膜１０５の上面に沿って形成される。
例えば、図７に示すように、第３ゲート絶縁膜３３０は、フィールド絶縁膜１０５より上に突出した第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０のプロファイルと、フィールド絶縁膜１０５の上面に沿って形成される。
例えば、第１ゲート絶縁膜１３０は、フィールド絶縁膜１０５より上に突出した第３フィン型パターン３１０のプロファイルに沿って界面膜を含む。
例えば、界面膜は、シリコン酸化物を含み得るが、これに制限されるものではない。
第２ゲート絶縁膜２３０は、フィールド絶縁膜１０５より上に突出した第４フィン型パターン４１０のプロファイルと、フィールド絶縁膜１０５の上面に沿って形成される。
例えば、図７に示すように、第３ゲート絶縁膜３３０は、フィールド絶縁膜１０５より上に突出した第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０のプロファイルと、フィールド絶縁膜１０５の上面に沿って形成される。
例えば、第１ゲート絶縁膜１３０は、フィールド絶縁膜１０５より上に突出した第３フィン型パターン３１０のプロファイルに沿って界面膜を含む。
例えば、界面膜は、シリコン酸化物を含み得るが、これに制限されるものではない。
【0042】
例えば、図８に示すように、第１ゲート絶縁膜１３０は、第２方向Ｄ２に対向する第１ゲート電極１２０の側壁及びゲート分離構造体１６０の側壁に沿って延長される。
第２ゲート絶縁膜２３０は、第２方向Ｄ２に対向する第２ゲート電極２２０の側壁及びゲート分離構造体１６０の側壁に沿って延長される。
第１～第３ゲート絶縁膜（１３０、２３０、３３０）は、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物、又はシリコン酸化物より誘電定数が大きい高誘電率物質を含むことができる。
第２ゲート絶縁膜２３０は、第２方向Ｄ２に対向する第２ゲート電極２２０の側壁及びゲート分離構造体１６０の側壁に沿って延長される。
第１～第３ゲート絶縁膜（１３０、２３０、３３０）は、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物、又はシリコン酸化物より誘電定数が大きい高誘電率物質を含むことができる。
【0043】
高誘電率物質は、例えば、ホウ素窒化物（ｂｏｒｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ）、ハフニウム酸化物（ｈａｆｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ハフニウムシリコン酸化物（ｈａｆｎｉｕｍ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｉｄｅ）、ハフニウムアルミニウム酸化物（ｈａｆｎｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ランタン酸化物（ｌａｎｔｈａｎｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ランタンアルミニウム酸化物（ｌａｎｔｈａｎｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ジルコニウム酸化物（ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ジルコニウムシリコン酸化物（ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｉｄｅ）、タンタル酸化物（ｔａｎｔａｌｕｍ ｏｘｉｄｅ）、チタン酸化物（ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、バリウムストロンチウムチタン酸化物（ｂａｒｉｕｍ ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、バリウムチタン酸化物（ｂａｒｉｕｍ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ストロンチウムチタン酸化物（ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、イットリウム酸化物（ｙｔｔｒｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、アルミニウム酸化物（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｏｘｉｄｅ）、鉛スカンジウムタンタル酸化物（ｌｅａｄ ｓｃａｎｄｉｕｍ ｔａｎｔａｌｕｍ ｏｘｉｄｅ）、又は鉛亜鉛ニオブ酸塩（ｌｅａｄ ｚｉｎｃ ｎｉｏｂａｔｅ）の内の一つ以上を含み得る。
【0044】
一実施形態による半導体装置は、負性容量（Ｎｅｇａｔｉｖｅ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を用いたＮＣ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）ＦＥＴを含む。
例えば、第１～第３ゲート絶縁膜（１３０、２３０、３３０）は、それぞれ強誘電体特性を有する強誘電体物質膜と、常誘電体特性を有する常誘電体物質膜を含む。
強誘電体物質膜は、負のキャパシタンスを有し、常誘電体物質膜は、正のキャパシタンスを有する。
例えば、二個以上のキャパシタが直列連結され、それぞれのキャパシタのキャパシタンスが正の値を有する場合、全体キャパシタンスは、それぞれの個別のキャパシタのキャパシタンスより減少する。
反面、直列接続される二個以上のキャパシタのキャパシタンスの内の少なくとも一つが負の値を有する場合、全体キャパシタンスは正の値を有してそれぞれの個別キャパシタンスの絶対値より大きくなり得る。
例えば、第１～第３ゲート絶縁膜（１３０、２３０、３３０）は、それぞれ強誘電体特性を有する強誘電体物質膜と、常誘電体特性を有する常誘電体物質膜を含む。
強誘電体物質膜は、負のキャパシタンスを有し、常誘電体物質膜は、正のキャパシタンスを有する。
例えば、二個以上のキャパシタが直列連結され、それぞれのキャパシタのキャパシタンスが正の値を有する場合、全体キャパシタンスは、それぞれの個別のキャパシタのキャパシタンスより減少する。
反面、直列接続される二個以上のキャパシタのキャパシタンスの内の少なくとも一つが負の値を有する場合、全体キャパシタンスは正の値を有してそれぞれの個別キャパシタンスの絶対値より大きくなり得る。
【0045】
負のキャパシタンスを有する強誘電体物質膜と、正のキャパシタンスを有する常誘電体物質膜が直列に接続される場合、直列接続される強誘電体物質膜及び常誘電体物質膜の全体的なキャパシタンス値は増加する。
全体的なキャパシタンス値が増加することを用いて、強誘電体物質膜を含むトランジスタは、常温で６０ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ未満のサブスレッショルドスイング（ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｓｗｉｎｇ（ＳＳ））を有することができる。
強誘電体物質膜は、強誘電体特性を有する。
全体的なキャパシタンス値が増加することを用いて、強誘電体物質膜を含むトランジスタは、常温で６０ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ未満のサブスレッショルドスイング（ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｓｗｉｎｇ（ＳＳ））を有することができる。
強誘電体物質膜は、強誘電体特性を有する。
【0046】
強誘電体物質膜は、例えば、ハフニウム酸化物（ｈａｆｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ハフニウムジルコニウム酸化物（ｈａｆｎｉｕｍ ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、バリウムストロンチウムチタン酸化物（ｂａｒｉｕｍ ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、バリウムチタン酸化物（ｂａｒｉｕｍ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、及び鉛ジルコニウムチタン酸化物（ｌｅａｄ ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）の内の少なくとも一つを含み得る。
ここで、一例として、ハフニウムジルコニウム酸化物（ｈａｆｎｉｕｍ ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）は、ハフニウム酸化物（ｈａｆｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）にジルコニウム（Ｚｒ）がドープされた物質である。
他の例として、ハフニウムジルコニウム酸化物（ｈａｆｎｉｕｍ ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）は、ハフニウム（Ｈｆ）とジルコニウム（Ｚｒ）と酸素（Ｏ）の化合物である。
ここで、一例として、ハフニウムジルコニウム酸化物（ｈａｆｎｉｕｍ ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）は、ハフニウム酸化物（ｈａｆｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）にジルコニウム（Ｚｒ）がドープされた物質である。
他の例として、ハフニウムジルコニウム酸化物（ｈａｆｎｉｕｍ ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）は、ハフニウム（Ｈｆ）とジルコニウム（Ｚｒ）と酸素（Ｏ）の化合物である。
【0047】
強誘電体物質膜は、ドープされたドーパントをさらに含む。
例えば、ドーパントは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ランタン（Ｌａ）、イットリウム（Ｙ）、マグネシウム（Ｍｇ）、シリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、エルビウム（Ｅｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、及びスズ（Ｓｎ）の内の少なくとも一つを含み得る。
強誘電体物質膜がいかなる強誘電体物質を含むかによって、強誘電体物質膜に含まれたドーパントの種類は変わる。
強誘電体物質膜がハフニウム酸化物を含む場合、強誘電体物質膜に含まれたドーパントは、例えば、ガドリニウム（Ｇｄ）、シリコン（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びイットリウム（Ｙ）の内の少なくとも一つを含み得る。
例えば、ドーパントは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ランタン（Ｌａ）、イットリウム（Ｙ）、マグネシウム（Ｍｇ）、シリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、エルビウム（Ｅｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、及びスズ（Ｓｎ）の内の少なくとも一つを含み得る。
強誘電体物質膜がいかなる強誘電体物質を含むかによって、強誘電体物質膜に含まれたドーパントの種類は変わる。
強誘電体物質膜がハフニウム酸化物を含む場合、強誘電体物質膜に含まれたドーパントは、例えば、ガドリニウム（Ｇｄ）、シリコン（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びイットリウム（Ｙ）の内の少なくとも一つを含み得る。
【0048】
ドーパントがアルミニウム（Ａｌ）の場合、強誘電体物質膜は、３～８ａｔ％（ａｔｏｍｉｃ％）のアルミニウムを含むことができる。
ここで、ドーパントの比率は、ハフニウム及びアルミニウムの合計に対するアルミニウムの比率である。
ドーパントがシリコン（Ｓｉ）の場合、強誘電体物質膜は、２～１０ａｔ％のシリコンを含む。
ドーパントがイットリウム（Ｙ）の場合、強誘電体物質膜は、２～１０ａｔ％のイットリウムを含む。
ドーパントがガドリニウム（Ｇｄ）の場合、強誘電体物質膜は、１～７ａｔ％のガドリニウムを含む。
ドーパントがジルコニウム（Ｚｒ）の場合、強誘電体物質膜は、５０～８０ａｔ％のジルコニウムを含む。
ここで、ドーパントの比率は、ハフニウム及びアルミニウムの合計に対するアルミニウムの比率である。
ドーパントがシリコン（Ｓｉ）の場合、強誘電体物質膜は、２～１０ａｔ％のシリコンを含む。
ドーパントがイットリウム（Ｙ）の場合、強誘電体物質膜は、２～１０ａｔ％のイットリウムを含む。
ドーパントがガドリニウム（Ｇｄ）の場合、強誘電体物質膜は、１～７ａｔ％のガドリニウムを含む。
ドーパントがジルコニウム（Ｚｒ）の場合、強誘電体物質膜は、５０～８０ａｔ％のジルコニウムを含む。
【0049】
常誘電体物質膜は、常誘電体特性を有する。
常誘電体物質膜は、例えば、シリコン酸化物（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｉｄｅ）及び高誘電率を有する金属酸化物の内の少なくとも一つを含み得る。
常誘電体物質膜に含まれた金属酸化物は、例えば、ハフニウム酸化物（ｈａｆｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ジルコニウム酸化物（ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、及びアルミニウム酸化物（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｏｘｉｄｅ）の内の少なくとも一つを含み得る。
強誘電体物質膜及び常誘電体物質膜は、同じ物質を含む。
強誘電体物質膜は、強誘電体特性を有するが、常誘電体物質膜は、強誘電体特性を有さなくてもよい。
例えば、強誘電体物質膜及び常誘電体物質膜がハフニウム酸化物を含む場合、強誘電体物質膜に含まれたハフニウム酸化物の結晶構造は、常誘電体物質膜に含まれたハフニウム酸化物の結晶構造と異なる。
常誘電体物質膜は、例えば、シリコン酸化物（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｉｄｅ）及び高誘電率を有する金属酸化物の内の少なくとも一つを含み得る。
常誘電体物質膜に含まれた金属酸化物は、例えば、ハフニウム酸化物（ｈａｆｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ジルコニウム酸化物（ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、及びアルミニウム酸化物（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｏｘｉｄｅ）の内の少なくとも一つを含み得る。
強誘電体物質膜及び常誘電体物質膜は、同じ物質を含む。
強誘電体物質膜は、強誘電体特性を有するが、常誘電体物質膜は、強誘電体特性を有さなくてもよい。
例えば、強誘電体物質膜及び常誘電体物質膜がハフニウム酸化物を含む場合、強誘電体物質膜に含まれたハフニウム酸化物の結晶構造は、常誘電体物質膜に含まれたハフニウム酸化物の結晶構造と異なる。
【0050】
強誘電体物質膜は、強誘電体特性を有する厚さを有する。
強誘電体物質膜の厚さは、例えば、０．５～１０ｎｍである。
それぞれの強誘電体物質ごとに強誘電体特性を示す臨界厚さが変わるので、強誘電体物質膜の厚さは、強誘電体物質によって変わる。
一例として、第１～第３ゲート絶縁膜（１３０、２３０、３３０）は、それぞれ一つの強誘電体物質膜を含む。
他の例として、第１～第３ゲート絶縁膜（１３０、２３０、３３０）は、それぞれ互いに離隔した複数の強誘電体物質膜を含むことができる。
第１～第３ゲート絶縁膜（１３０、２３０、３３０）は、それぞれ複数の強誘電体物質膜と、複数の常誘電体物質膜が交互に積層された積層膜構造を有する。
強誘電体物質膜の厚さは、例えば、０．５～１０ｎｍである。
それぞれの強誘電体物質ごとに強誘電体特性を示す臨界厚さが変わるので、強誘電体物質膜の厚さは、強誘電体物質によって変わる。
一例として、第１～第３ゲート絶縁膜（１３０、２３０、３３０）は、それぞれ一つの強誘電体物質膜を含む。
他の例として、第１～第３ゲート絶縁膜（１３０、２３０、３３０）は、それぞれ互いに離隔した複数の強誘電体物質膜を含むことができる。
第１～第３ゲート絶縁膜（１３０、２３０、３３０）は、それぞれ複数の強誘電体物質膜と、複数の常誘電体物質膜が交互に積層された積層膜構造を有する。
【0051】
第１～第３ゲートキャッピングパターン（１４５、２４５、３４５）は、第１～第３ゲート電極（１２０、２２０、３２０）上に配置される。
また、第１～第３ゲートキャッピングパターン（１４５、２４５、３４５）は、第１～第３ゲートスペーサ（１４０、２４０、３４０）の上面上に配置される。
第１～第３ゲートキャッピングパターン（１４５、２４５、３４５）は、それぞれ例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン炭窒化物（ＳｉＣＮ）、シリコン酸炭窒化物（ＳｉＯＣＮ）、及びこれらの組み合わせの内の少なくとも一つを含み得る。
また、第１～第３ゲートキャッピングパターン（１４５、２４５、３４５）は、第１～第３ゲートスペーサ（１４０、２４０、３４０）の上面上に配置される。
第１～第３ゲートキャッピングパターン（１４５、２４５、３４５）は、それぞれ例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン炭窒化物（ＳｉＣＮ）、シリコン酸炭窒化物（ＳｉＯＣＮ）、及びこれらの組み合わせの内の少なくとも一つを含み得る。
【0052】
図示とは異なり、第１～第３ゲートキャッピングパターン（１４５、２４５、３４５）は、それぞれ第１～第３ゲートスペーサ（１４０、２４０、３４０）の間に配置されてもよい。
このような場合、第１ゲートキャッピングパターン１４５を例に挙げると、第１ゲートキャッピングパターン１４５の上面は、第１ゲートスペーサ１４０の上面と同一平面に置かれる。
第１ソース／ドレインパターン１５０は、第１フィン型パターン１１０上に配置される。
第１ソース／ドレインパターン１５０は、第１フィン型パターン１１０と連結される。
第３ソース／ドレインパターン３５０は、第３フィン型パターン３１０上に配置される。
第３ソース／ドレインパターン３５０は、第３フィン型パターン３１０と連結される。
第１ソース／ドレインパターン１５０及び第３ソース／ドレインパターン３５０は、第１活性領域ＲＸ１に配置される。
このような場合、第１ゲートキャッピングパターン１４５を例に挙げると、第１ゲートキャッピングパターン１４５の上面は、第１ゲートスペーサ１４０の上面と同一平面に置かれる。
第１ソース／ドレインパターン１５０は、第１フィン型パターン１１０上に配置される。
第１ソース／ドレインパターン１５０は、第１フィン型パターン１１０と連結される。
第３ソース／ドレインパターン３５０は、第３フィン型パターン３１０上に配置される。
第３ソース／ドレインパターン３５０は、第３フィン型パターン３１０と連結される。
第１ソース／ドレインパターン１５０及び第３ソース／ドレインパターン３５０は、第１活性領域ＲＸ１に配置される。
【0053】
第２ソース／ドレインパターン２５０は、第２フィン型パターン２１０上に配置される。
第２ソース／ドレインパターン２５０は、第２フィン型パターン２１０と連結される。
第４ソース／ドレインパターン４５０は、第４フィン型パターン４１０上に配置される。
第４ソース／ドレインパターン４５０は、第４フィン型パターン４１０と連結される。
第２ソース／ドレインパターン２５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０は、第２活性領域ＲＸ２に配置される。
第２ソース／ドレインパターン２５０は、第１ソース／ドレインパターン１５０と第２方向Ｄ２に分離される。
すなわち、第２ソース／ドレインパターン２５０は、第１ソース／ドレインパターン１５０と直接連結されない。
第３ソース／ドレインパターン３５０は、第４ソース／ドレインパターン４５０と第２方向Ｄ２に分離される。
第２ソース／ドレインパターン２５０は、第２フィン型パターン２１０と連結される。
第４ソース／ドレインパターン４５０は、第４フィン型パターン４１０上に配置される。
第４ソース／ドレインパターン４５０は、第４フィン型パターン４１０と連結される。
第２ソース／ドレインパターン２５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０は、第２活性領域ＲＸ２に配置される。
第２ソース／ドレインパターン２５０は、第１ソース／ドレインパターン１５０と第２方向Ｄ２に分離される。
すなわち、第２ソース／ドレインパターン２５０は、第１ソース／ドレインパターン１５０と直接連結されない。
第３ソース／ドレインパターン３５０は、第４ソース／ドレインパターン４５０と第２方向Ｄ２に分離される。
【0054】
第１ソース／ドレインパターン１５０は、複数の第１フィン型パターン１１０と連結される。
第２ソース／ドレインパターン２５０は、複数の第２フィン型パターン２１０と連結される。
第３ソース／ドレインパターン３５０は、複数の第３フィン型パターン３１０と連結される。
第４ソース／ドレインパターン４５０は、複数の第４フィン型パターン４１０と連結される。
第１～第４ソース／ドレインパターン（１５０、２５０、３５０、４５０）は、それぞれ共有エピタキシャルパターンである。
第２ソース／ドレインパターン２５０は、複数の第２フィン型パターン２１０と連結される。
第３ソース／ドレインパターン３５０は、複数の第３フィン型パターン３１０と連結される。
第４ソース／ドレインパターン４５０は、複数の第４フィン型パターン４１０と連結される。
第１～第４ソース／ドレインパターン（１５０、２５０、３５０、４５０）は、それぞれ共有エピタキシャルパターンである。
【0055】
第１～第４ソース／ドレインパターン（１５０、２５０、３５０、４５０）は、それぞれ第１～第４フィン型パターン（１１０、２１０、３１０、４１０）をチャネル領域として使用するトランジスタのソース／ドレインに含まれる。
例えば、第５フィン型パターン５１０及び第６フィン型パターン６１０上に、ソース／ドレインパターンが配置される。
以下の説明は、第１～第４ソース／ドレインパターン（１５０、２５０、３５０、４５０）を用いて説明する。
例えば、第５フィン型パターン５１０及び第６フィン型パターン６１０上に、ソース／ドレインパターンが配置される。
以下の説明は、第１～第４ソース／ドレインパターン（１５０、２５０、３５０、４５０）を用いて説明する。
【0056】
ソース／ドレインエッチング停止膜１５６は、第１～第３ゲート電極（１２０、２２０、３２０）の側壁と、第１～第４ソース／ドレインパターン（１５０、２５０、３５０、４５０）上に配置される。
ソース／ドレインエッチング停止膜１５６は、後述する下部層間絶縁膜１９０に対してエッチング選択比を有する物質を含む。
ソース／ドレインエッチング停止膜１５６は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン酸炭窒化物（ＳｉＯＣＮ）、シリコンホウ素窒化物（ＳｉＢＮ）、シリコン酸ホウ素窒化物（ＳｉＯＢＮ）、シリコン酸炭化物（ＳｉＯＣ）、及びこれらの組み合わせの内の少なくとも一つを含み得る。
ソース／ドレインエッチング停止膜１５６は、後述する下部層間絶縁膜１９０に対してエッチング選択比を有する物質を含む。
ソース／ドレインエッチング停止膜１５６は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン酸炭窒化物（ＳｉＯＣＮ）、シリコンホウ素窒化物（ＳｉＢＮ）、シリコン酸ホウ素窒化物（ＳｉＯＢＮ）、シリコン酸炭化物（ＳｉＯＣ）、及びこれらの組み合わせの内の少なくとも一つを含み得る。
【0057】
下部層間絶縁膜１９０は、ソース／ドレインエッチング停止膜１５６上に配置される。
下部層間絶縁膜１９０は、第１～第３ゲートキャッピングパターン（１４５、２４５、３４５）の上面を覆わない。
例えば、下部層間絶縁膜１９０の上面は、第１ゲートキャッピングパターン１４５の上面、第２ゲートキャッピングパターン２４５の上面、及び第３ゲートキャッピングパターン３４５の上面の同一平面に置かれる。
下部層間絶縁膜１９０の上面は、第１素子構造体の上面１６５ＵＳの上面と同一平面に置かれる。
下部層間絶縁膜１９０は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、及び低誘電率物質の内の少なくとも一つを含み得る。
下部層間絶縁膜１９０は、第１～第３ゲートキャッピングパターン（１４５、２４５、３４５）の上面を覆わない。
例えば、下部層間絶縁膜１９０の上面は、第１ゲートキャッピングパターン１４５の上面、第２ゲートキャッピングパターン２４５の上面、及び第３ゲートキャッピングパターン３４５の上面の同一平面に置かれる。
下部層間絶縁膜１９０の上面は、第１素子構造体の上面１６５ＵＳの上面と同一平面に置かれる。
下部層間絶縁膜１９０は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、及び低誘電率物質の内の少なくとも一つを含み得る。
【0058】
低誘電率物質は、例えば、Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ＴｅｔｒａＥｔｈｙｌＯｒｔｈｏＳｉｌｉｃａｔｅ（ＦＴＥＯＳ）、Ｈｙｄｒｏｇｅｎ ＳｉｌｓｅｓＱｕｉｏｘａｎｅ（ＨＳＱ）、Ｂｉｓ－ｂｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ（ＢＣＢ）、ＴｅｔｒａＭｅｔｈｙｌＯｒｔｈｏＳｉｌｉｃａｔｅ（ＴＭＯＳ）、ＯｃｔａＭｅｔｈｙｌＣｌｏＴｅｔｒａＳｉｌｏｘａｎｅ（ＯＭＣＴＳ）、ＨｅｘａＭｅｔｈｙｌＤｉＳｉｌｏｘａｎｅ（ＨＭＤＳ）、ＴｒｉＭｅｔｈｙｌＳｉｌｙｌ Ｂｏｒａｔｅ（ＴＭＳＢ）、ＤｉＡｃｅｔｏｘｙＤｉｔｅｒｔｉａｒｙＢｕｔｏＳｉｌｏｘａｎｅ（ＤＡＤＢＳ）、ＴｒｉＭｅｔｈｙｌＳｉｌｉｌ Ｐｈｏｓｐｈａｔｅ（ＴＭＳＰ）、ＰｏｌｙＴｅｔｒａＦｌｕｏｒｏＥｔｈｙｌｅｎｅ（ＰＴＦＥ）、ＴＯＳＺ（Ｔｏｎｅｎ ＳｉｌａＺｅｎ）、ＦＳＧ（Ｆｌｕｏｒｉｄｅ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）、ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｏｘｉｄｅのようなｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｎａｎｏｆｏａｍｓ、ＣＤＯ（Ｃａｒｂｏｎ Ｄｏｐｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＯＳＧ（Ｏｒｇａｎｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）、ＳｉＬＫ、Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ Ｃａｒｂｏｎ、ｓｉｌｉｃａ ａｅｒｏｇｅｌｓ、ｓｉｌｉｃａ ｘｅｒｏｇｅｌｓ、ｍｅｓｏｐｏｒｏｕｓ ｓｉｌｉｃａ、又はこれらの組み合わせを含み得るが、これに制限されるものではない。
【0059】
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２にわたって配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、それぞれ第２方向Ｄ２に長く延長される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第１活性領域ＲＸ１に配置されたソース／ドレインパターン（１５０、３５０）及び第２活性領域ＲＸ２に配置されたソース／ドレインパターン（２５０、４５０）上に配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第１活性領域ＲＸ１に配置されたソース／ドレインパターン（１５０、３５０）及び第２活性領域ＲＸ２に配置されたソース／ドレインパターン（２５０、４５０）と同時に接続される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０）及び第２活性領域ＲＸ２上に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０）上に配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、それぞれ第２方向Ｄ２に長く延長される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第１活性領域ＲＸ１に配置されたソース／ドレインパターン（１５０、３５０）及び第２活性領域ＲＸ２に配置されたソース／ドレインパターン（２５０、４５０）上に配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第１活性領域ＲＸ１に配置されたソース／ドレインパターン（１５０、３５０）及び第２活性領域ＲＸ２に配置されたソース／ドレインパターン（２５０、４５０）と同時に接続される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第１活性領域ＲＸ１に配置されたフィン型パターン（１１０、３１０）及び第２活性領域ＲＸ２上に配置されたフィン型パターン（２１０、４１０）上に配置される。
【0060】
第１ソース／ドレインコンタクト１７１は、第１活性領域ＲＸ１に配置されたソース／ドレインパターン（１５０、３５０）上に配置される。
第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、第２活性領域ＲＸ２に配置されたソース／ドレインパターン（２５０、４５０）上に配置される。
第１ソース／ドレインコンタクト１７１は、第１及び第３ソース／ドレインパターン（１５０、３５０）と接続されるが、第２及び第４ソース／ドレインパターン（２５０、４５０）とは連結されない。
第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、第２及び第４ソース／ドレインパターン（２５０、４５０）と接続されるが、第１及び第３ソース／ドレインパターン（１５０、３５０）とは連結されない。
第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、第２活性領域ＲＸ２に配置されたソース／ドレインパターン（２５０、４５０）上に配置される。
第１ソース／ドレインコンタクト１７１は、第１及び第３ソース／ドレインパターン（１５０、３５０）と接続されるが、第２及び第４ソース／ドレインパターン（２５０、４５０）とは連結されない。
第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、第２及び第４ソース／ドレインパターン（２５０、４５０）と接続されるが、第１及び第３ソース／ドレインパターン（１５０、３５０）とは連結されない。
【0061】
例えば、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２、第１ソース／ドレインコンタクト１７１、及び第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、第１ソース／ドレインパターン１５０及び／又は第２ソース／ドレインパターン２５０上に追加的に配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１と、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２と、第１ソース／ドレインコンタクト１７１と第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、それぞれ下部層間絶縁膜１９０内に配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１と、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２と、第１ソース／ドレインコンタクト１７１と第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、それぞれ下部層間絶縁膜１９０内に配置される。
【0062】
第１シリサイド膜１５５は、第１ソース／ドレインパターン１５０と、ソース／ドレインコンタクト（１８１、１８２、１７１）との間に形成される。
第２シリサイド膜２５５は、第２ソース／ドレインパターン２５０と、ソース／ドレインコンタクト（１８１、１８２、１７２）との間に形成される。
第３シリサイド膜３５５は、第３ソース／ドレインパターン３５０と、ソース／ドレインコンタクト（１８１、１８２、１７１）との間に形成される。
第４シリサイド膜４５５は、第４ソース／ドレインパターン２５０と、ソース／ドレインコンタクト（１８１、１８２、１７２）との間に形成される。
第１～第４シリサイド膜（１５５、２５５、３５５、４５５）は、それぞれ例えば、金属シリサイド物質を含み得る。
第２シリサイド膜２５５は、第２ソース／ドレインパターン２５０と、ソース／ドレインコンタクト（１８１、１８２、１７２）との間に形成される。
第３シリサイド膜３５５は、第３ソース／ドレインパターン３５０と、ソース／ドレインコンタクト（１８１、１８２、１７１）との間に形成される。
第４シリサイド膜４５５は、第４ソース／ドレインパターン２５０と、ソース／ドレインコンタクト（１８１、１８２、１７２）との間に形成される。
第１～第４シリサイド膜（１５５、２５５、３５５、４５５）は、それぞれ例えば、金属シリサイド物質を含み得る。
【0063】
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、素子分離構造体（１６５、１６６）と、ゲート電極（１２０、２２０、３２０）との間に配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１の一側に素子分離構造体（１６５、１６６）が配置され、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１の他側にゲート電極（１２０、２２０、３２０）が配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、例えば、第１方向Ｄ１に素子分離構造体（１６５、１６６）に最も隣接する連結ソース／ドレインコンタクトである。
例えば、図１に示すように、素子分離構造体１６５は、二つの第１ソース／ドレインコンタクト１８１の間に配置される。
すなわち、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１と素子分離構造体（１６５、１６６）との間に、追加的なゲート電極（１２０、２２０、３２０）が配置されない。
一実施形態による半導体装置で、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、素子分離構造体（１６５、１６６）の両側に配置される。
別の言葉で言えば、素子分離構造体（１６５、１６６）は、第１方向Ｄ１に隣接した第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１の間に配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１の一側に素子分離構造体（１６５、１６６）が配置され、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１の他側にゲート電極（１２０、２２０、３２０）が配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、例えば、第１方向Ｄ１に素子分離構造体（１６５、１６６）に最も隣接する連結ソース／ドレインコンタクトである。
例えば、図１に示すように、素子分離構造体１６５は、二つの第１ソース／ドレインコンタクト１８１の間に配置される。
すなわち、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１と素子分離構造体（１６５、１６６）との間に、追加的なゲート電極（１２０、２２０、３２０）が配置されない。
一実施形態による半導体装置で、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、素子分離構造体（１６５、１６６）の両側に配置される。
別の言葉で言えば、素子分離構造体（１６５、１６６）は、第１方向Ｄ１に隣接した第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１の間に配置される。
【0064】
例えば、第１ソース／ドレインパターン１５０及び第２ソース／ドレインパターン２５０と接続される第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１素子分離構造体１６５と第３ゲート電極３２０との間に配置される。
他の例として、第１ソース／ドレインパターン１５０及び第２ソース／ドレインパターン２５０と接続される第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１素子分離構造体１６５と第１ゲート電極１２０との間と、第１素子分離構造体１６５と第２ゲート電極２２０との間に配置され得る。
他の例として、第１ソース／ドレインパターン１５０及び第２ソース／ドレインパターン２５０と接続される第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１素子分離構造体１６５と第１ゲート電極１２０との間と、第１素子分離構造体１６５と第２ゲート電極２２０との間に配置され得る。
【0065】
例えば、第３ソース／ドレインパターン３５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０と接続される第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１素子分離構造体１６５と第１ゲート電極１２０との間と、第１素子分離構造体１６５と第２ゲート電極２２０との間に配置される。
他の例として、第３ソース／ドレインパターン３５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０と接続される第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１素子分離構造体１６５と第３ゲート電極３２０との間に配置され得る。
第２素子分離構造体１６６に最も隣接した第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１に関する説明は、第１素子分離構造体１６５に最も隣接した第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１に関する説明と実質的に同一であるため、以下の説明は、第１素子分離構造体１６５を中心に説明する。
他の例として、第３ソース／ドレインパターン３５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０と接続される第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１素子分離構造体１６５と第３ゲート電極３２０との間に配置され得る。
第２素子分離構造体１６６に最も隣接した第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１に関する説明は、第１素子分離構造体１６５に最も隣接した第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１に関する説明と実質的に同一であるため、以下の説明は、第１素子分離構造体１６５を中心に説明する。
【0066】
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第１方向Ｄ１に隣接したゲート電極（１２０、２２０、３２０）の間に配置される。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、素子分離構造体（１６５、１６６）と最も隣接した連結ソース／ドレインコンタクトではない。
すなわち、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２と素子分離構造体（１６５、１６６）の間に、少なくとも一つ以上のゲート電極（１２０、２２０、３２０）が配置される。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、素子分離構造体（１６５、１６６）と最も隣接した連結ソース／ドレインコンタクトではない。
すなわち、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２と素子分離構造体（１６５、１６６）の間に、少なくとも一つ以上のゲート電極（１２０、２２０、３２０）が配置される。
【0067】
例えば、図１に示すように、第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０が第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２の一側に配置され、第３ゲート電極３２０が第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２の他側に配置される。
他の例として、第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０が第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２の一側及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２の他側に配置され得る。
また他の例として、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第３ゲート電極３２０の間に配置され得る。
他の例として、第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０が第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２の一側及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２の他側に配置され得る。
また他の例として、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第３ゲート電極３２０の間に配置され得る。
【0068】
例えば、図１に示すように、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０上に共に配置される。
他の例として、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２の間に、追加的な第３素子分離構造体が配置され得る。
このような場合、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０上に配置されるが、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０上に配置されない。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第２素子分離構造体１６６と第３素子分離構造体の間に配置された第７フィン型パターン及び第８フィン型パターン上に配置される。
他の例として、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２の間に、追加的な第３素子分離構造体が配置され得る。
このような場合、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０上に配置されるが、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０上に配置されない。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第２素子分離構造体１６６と第３素子分離構造体の間に配置された第７フィン型パターン及び第８フィン型パターン上に配置される。
【0069】
以下では、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０上に共に配置される場合を説明する。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１下部コンタクト領域１８１Ｂと、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣと、第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤを含む。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０と交差する。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第１ソース／ドレインパターン１５０及び第２ソース／ドレインパターン２５０と同時に接続される。
例えば、第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第１ソース／ドレインパターン１５０及び第２ソース／ドレインパターン２５０と同時に連結される。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０と交差する。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第３ソース／ドレインパターン３５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０と同時に接続される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１下部コンタクト領域１８１Ｂと、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣと、第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤを含む。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０と交差する。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第１ソース／ドレインパターン１５０及び第２ソース／ドレインパターン２５０と同時に接続される。
例えば、第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第１ソース／ドレインパターン１５０及び第２ソース／ドレインパターン２５０と同時に連結される。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０と交差する。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第３ソース／ドレインパターン３５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０と同時に接続される。
【0070】
第１上部コンタクト領域１８１ＵＣと、第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤは、第１下部コンタクト領域１８１Ｂから第３方向Ｄ３に突出する。
例えば、第３方向Ｄ３はフィン型パターンから遠くなる方向である。
第１上部コンタクト領域１８１ＵＣと、第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤは、第２方向Ｄ２に離隔する。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１下部コンタクト領域１８１Ｂから第３方向Ｄ３に突出した複数のコンタクト領域を含む。
例えば、第３方向Ｄ３はフィン型パターンから遠くなる方向である。
第１上部コンタクト領域１８１ＵＣと、第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤは、第２方向Ｄ２に離隔する。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１下部コンタクト領域１８１Ｂから第３方向Ｄ３に突出した複数のコンタクト領域を含む。
【0071】
第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤと直接接続される。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂ、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ、及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤは、統合構造（ｉｎｔｅｇｒａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する。
例えば、統合構造は、同じ物質で形成された均一でかつシーム（ｓｅａｍ）がない構造である。
製造工程上、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１のプレ構造物（ｐｒｅ－ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を形成した後、プレ構造物の一部を除去する。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１のプレ構造物の上面は、下部層間絶縁膜１９０の上面と同一平面に置かれる。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂ、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ、及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤは、統合構造（ｉｎｔｅｇｒａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する。
例えば、統合構造は、同じ物質で形成された均一でかつシーム（ｓｅａｍ）がない構造である。
製造工程上、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１のプレ構造物（ｐｒｅ－ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を形成した後、プレ構造物の一部を除去する。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１のプレ構造物の上面は、下部層間絶縁膜１９０の上面と同一平面に置かれる。
【0072】
プレ構造物の一部を除去することによって、第１下部コンタクト領域１８１Ｂ、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ、及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤが形成される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１のプレ構造物の一部をエッチングを行って、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤが形成されるので、第１下部コンタクト領域１８１Ｂと第１上部コンタクト領域１８１ＵＣが区分される境界線と、第１下部コンタクト領域１８１Ｂと第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤが区分される境界線がない。
すなわち、第１下部コンタクト領域１８１Ｂと第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤとの間に、境界線が見えない。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１のプレ構造物の一部をエッチングを行って、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤが形成されるので、第１下部コンタクト領域１８１Ｂと第１上部コンタクト領域１８１ＵＣが区分される境界線と、第１下部コンタクト領域１８１Ｂと第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤが区分される境界線がない。
すなわち、第１下部コンタクト領域１８１Ｂと第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤとの間に、境界線が見えない。
【0073】
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１の上面は、第１上部コンタクト領域の上面（１８１ＵＣ＿ＵＳ）及び第１ダミーコンタクト領域の上面（１８１ＵＤ＿ＵＳ）である。
第１上部コンタクト領域の上面（１８１ＵＣ＿ＵＳ）及び第１ダミーコンタクト領域の上面（１８１ＵＤ＿ＵＳ）は、下部層間絶縁膜１９０の上面と同一平面に置かれる。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、連結部分（１８１Ｂ＿ＣＲ）と、突出部分（１８１Ｂ＿ＰＲ）を含む。
第１下部コンタクト領域の連結部分（１８１Ｂ＿ＣＲ）は、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤの間に配置される。
第１下部コンタクト領域の突出部分（１８１Ｂ＿ＰＲ）は、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤから第２方向Ｄ２に突出した部分である。
第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤは、それぞれ第１下部コンタクト領域の連結部分（１８１Ｂ＿ＣＲ）と第１下部コンタクト領域の突出部分（１８１Ｂ＿ＰＲ）との間に配置される。
第１上部コンタクト領域の上面（１８１ＵＣ＿ＵＳ）及び第１ダミーコンタクト領域の上面（１８１ＵＤ＿ＵＳ）は、下部層間絶縁膜１９０の上面と同一平面に置かれる。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、連結部分（１８１Ｂ＿ＣＲ）と、突出部分（１８１Ｂ＿ＰＲ）を含む。
第１下部コンタクト領域の連結部分（１８１Ｂ＿ＣＲ）は、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤの間に配置される。
第１下部コンタクト領域の突出部分（１８１Ｂ＿ＰＲ）は、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤから第２方向Ｄ２に突出した部分である。
第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤは、それぞれ第１下部コンタクト領域の連結部分（１８１Ｂ＿ＣＲ）と第１下部コンタクト領域の突出部分（１８１Ｂ＿ＰＲ）との間に配置される。
【0074】
第１上部コンタクト領域１８１ＵＣは、後述するビアプラグ２０６がランディングされる部分である。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣを介して、配線構造体２０５と連結される。
配線構造体２０５は、第１上部コンタクト領域の上面１８１ＵＣ＿ＵＳと接触する。
第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤは、ビアプラグ２０６がランディングされない部分である。
配線構造体２０５は、第１ダミーコンタクト領域の上面（１８１ＵＤ＿ＵＳ）と接触しない。
後述する第１エッチング停止膜１９６は、第１ダミーコンタクト領域の上面（１８１ＵＤ＿ＵＳ）全体を連続的に覆う。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂから第３方向Ｄ３に突出した複数のコンタクト領域の内の一部は、第１エッチング停止膜１９６を貫通したビアプラグ２０６と接触し、残りはビアプラグ２０６と接触しない。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣを介して、配線構造体２０５と連結される。
配線構造体２０５は、第１上部コンタクト領域の上面１８１ＵＣ＿ＵＳと接触する。
第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤは、ビアプラグ２０６がランディングされない部分である。
配線構造体２０５は、第１ダミーコンタクト領域の上面（１８１ＵＤ＿ＵＳ）と接触しない。
後述する第１エッチング停止膜１９６は、第１ダミーコンタクト領域の上面（１８１ＵＤ＿ＵＳ）全体を連続的に覆う。
第１下部コンタクト領域１８１Ｂから第３方向Ｄ３に突出した複数のコンタクト領域の内の一部は、第１エッチング停止膜１９６を貫通したビアプラグ２０６と接触し、残りはビアプラグ２０６と接触しない。
【0075】
一例として、図４に示すように、第１ダミーコンタクト領域の上面（１８１ＵＤ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ１２は、第１上部コンタクト領域の上面（１８１ＵＣ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ１１より大きいか同じである。
他の例として、第１ダミーコンタクト領域の上面（１８１ＵＤ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ１２は、第１上部コンタクト領域の上面（１８１ＵＣ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ１１より小さくあり得る。
例えば、図４に示すように、第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第１ソース／ドレインパターン１５０と第２ソース／ドレインパターン２５０との間で、基板１００に向かって突出した第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）を含む。
他の例として、第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）は、ソース／ドレインエッチング停止膜１５６又はフィールド絶縁膜１０５と接触し得る。
他の例として、第１ダミーコンタクト領域の上面（１８１ＵＤ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ１２は、第１上部コンタクト領域の上面（１８１ＵＣ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ１１より小さくあり得る。
例えば、図４に示すように、第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第１ソース／ドレインパターン１５０と第２ソース／ドレインパターン２５０との間で、基板１００に向かって突出した第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）を含む。
他の例として、第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）は、ソース／ドレインエッチング停止膜１５６又はフィールド絶縁膜１０５と接触し得る。
【0076】
第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、一つの第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）を含む。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第２下部コンタクト領域１８２Ｂと、第２上部コンタクト領域１８２ＵＣを含む。
第２下部コンタクト領域１８２Ｂは、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０と交差する。
第２下部コンタクト領域１８２Ｂは、第３ソース／ドレインパターン３５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０と同時に接続される。
第２上部コンタクト領域１８２ＵＣは、第２下部コンタクト領域１８２Ｂから第３方向Ｄ３に突出する。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第２下部コンタクト領域１８２Ｂから第３方向Ｄ３に突出した一つのコンタクト領域を含む。
第２下部コンタクト領域１８２Ｂは、第２上部コンタクト領域１８２ＵＣと直接接続される。
第２下部コンタクト領域１８２Ｂ及び第２上部コンタクト領域１８２ＵＣは、統合構造を有する。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第２下部コンタクト領域１８２Ｂと、第２上部コンタクト領域１８２ＵＣを含む。
第２下部コンタクト領域１８２Ｂは、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０と交差する。
第２下部コンタクト領域１８２Ｂは、第３ソース／ドレインパターン３５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０と同時に接続される。
第２上部コンタクト領域１８２ＵＣは、第２下部コンタクト領域１８２Ｂから第３方向Ｄ３に突出する。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第２下部コンタクト領域１８２Ｂから第３方向Ｄ３に突出した一つのコンタクト領域を含む。
第２下部コンタクト領域１８２Ｂは、第２上部コンタクト領域１８２ＵＣと直接接続される。
第２下部コンタクト領域１８２Ｂ及び第２上部コンタクト領域１８２ＵＣは、統合構造を有する。
【0077】
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２の上面は、第２上部コンタクト領域の上面（１８２ＵＣ＿ＵＳ）である。
第２上部コンタクト領域の上面（１８２ＵＣ＿ＵＳ）は、下部層間絶縁膜１９０の上面と同一平面に置かれる。
第２上部コンタクト領域１８２ＵＣは、ビアプラグ２０６がランディングされる部分である。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第２上部コンタクト領域１８２ＵＣを介して、配線構造体２０５と接続される。
配線構造体２０５は、第２上部コンタクト領域の上面（１８２ＵＣ＿ＵＳ）と接触する。
例えば、図６に示すように、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、１８０度回転した「Ｔ」と類似の形状を有する。
第２上部コンタクト領域１８２ＵＣの位置によって、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、「Ｌ」と類似の形状を有することもできる。
第２上部コンタクト領域の上面（１８２ＵＣ＿ＵＳ）は、下部層間絶縁膜１９０の上面と同一平面に置かれる。
第２上部コンタクト領域１８２ＵＣは、ビアプラグ２０６がランディングされる部分である。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第２上部コンタクト領域１８２ＵＣを介して、配線構造体２０５と接続される。
配線構造体２０５は、第２上部コンタクト領域の上面（１８２ＵＣ＿ＵＳ）と接触する。
例えば、図６に示すように、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、１８０度回転した「Ｔ」と類似の形状を有する。
第２上部コンタクト領域１８２ＵＣの位置によって、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、「Ｌ」と類似の形状を有することもできる。
【0078】
例えば、図６に示すように、第２下部コンタクト領域１８２Ｂは、第３ソース／ドレインパターン３５０と第４ソース／ドレインパターン４５０との間で、基板１００に向かって突出した第２下方突出領域（１８２＿ＤＰ）を含む。
他の例として、第２下方突出領域（１８２＿ＤＰ）は、ソース／ドレインエッチング停止膜１５６又はフィールド絶縁膜１０５と接触し得る。
第２下部コンタクト領域１８２Ｂは、一つの第２下方突出領域（１８２＿ＤＰ）を含む。
他の例として、第２下方突出領域（１８２＿ＤＰ）は、ソース／ドレインエッチング停止膜１５６又はフィールド絶縁膜１０５と接触し得る。
第２下部コンタクト領域１８２Ｂは、一つの第２下方突出領域（１８２＿ＤＰ）を含む。
【0079】
図１の第１及び第２ソース／ドレインコンタクト（１７１、１７２）を第２方向Ｄ２に切断した断面図は、図１５と類似する。
第１ソース／ドレインコンタクト１７１及び第２ソース／ドレインコンタクト１７２を第２方向Ｄ２に切断した断面図は、それぞれ１８０度回転した「Ｔ」字形又は「Ｌ」字形の内の一つであり得る。
第１ソース／ドレインコンタクト１７１及び第２ソース／ドレインコンタクト１７２を第２方向Ｄ２に切断した断面図は、それぞれ１８０度回転した「Ｔ」字形又は「Ｌ」字形の内の一つであり得る。
【0080】
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１ソース／ドレインバリア膜１８１ＢＭ及び第１ソース／ドレインフィリング膜１８１ＦＭを含む。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第２ソース／ドレインバリア膜１８２ＢＭ及び第２ソース／ドレインフィリング膜１８２ＦＭを含む。
第１ゲートコンタクト１７６は、第１ゲート電極１２０上に配置される。
第２ゲートコンタクト１７７は、第２ゲート電極２２０上に配置される。
第３ゲートコンタクト１７８は、第３ゲート電極３２０上に配置される。
第１ゲートコンタクト１７６を例に挙げると、第１ゲートコンタクト１７６は、第１ゲートキャッピングパターン１４５を貫通して第１ゲート電極１２０と連結される。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第２ソース／ドレインバリア膜１８２ＢＭ及び第２ソース／ドレインフィリング膜１８２ＦＭを含む。
第１ゲートコンタクト１７６は、第１ゲート電極１２０上に配置される。
第２ゲートコンタクト１７７は、第２ゲート電極２２０上に配置される。
第３ゲートコンタクト１７８は、第３ゲート電極３２０上に配置される。
第１ゲートコンタクト１７６を例に挙げると、第１ゲートコンタクト１７６は、第１ゲートキャッピングパターン１４５を貫通して第１ゲート電極１２０と連結される。
【0081】
第１ゲートコンタクト１７６は、第１ゲートバリア膜１７６ＢＭ及び第１ゲートフィリング膜１７６ＦＭを含む。
第２ゲートコンタクト１７７は、第２ゲートバリア膜１７７ＢＭ及び第２ゲートフィリング膜１７７ＦＭを含む。
第３ゲートコンタクト１７８は、第３ゲートバリア膜１７８ＢＭ及び第３ゲートフィリング膜１７８ＦＭを含む。
平面図の観点で、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１に最も隣接するゲート電極（１２０、２２０、３２０）と接続されるゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）は、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤと第１方向Ｄ１に重ならない。
図１で第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０と交差する第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１を例に挙げると、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤは、第３ゲートコンタクト１７８と第１方向Ｄ１に重ならない。
第２ゲートコンタクト１７７は、第２ゲートバリア膜１７７ＢＭ及び第２ゲートフィリング膜１７７ＦＭを含む。
第３ゲートコンタクト１７８は、第３ゲートバリア膜１７８ＢＭ及び第３ゲートフィリング膜１７８ＦＭを含む。
平面図の観点で、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１に最も隣接するゲート電極（１２０、２２０、３２０）と接続されるゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）は、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤと第１方向Ｄ１に重ならない。
図１で第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０と交差する第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１を例に挙げると、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤは、第３ゲートコンタクト１７８と第１方向Ｄ１に重ならない。
【0082】
一実施形態による半導体装置で、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１に最も隣接した第１ゲート電極１２０と第２ゲート電極２２０との間のゲート分離構造体１６０は、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤと第１方向Ｄ１に重ならない。
図１で、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０と交差する第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１を例に挙げると、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤは、第１ゲートコンタクト１７６、第２ゲートコンタクト１７７、及びゲート分離構造体１６０と第１方向Ｄ１に重ならない。
平面図の観点で、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２に最も隣接するゲート電極（１２０、２２０、３２０）と接続されるゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）は、第２上部コンタクト領域１８２ＵＣと第１方向Ｄ１に重ならない。
一実施形態による半導体装置で、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２に最も隣接した第１ゲート電極１２０と第２ゲート電極２２０との間のゲート分離構造体１６０は、第２上部コンタクト領域１８２ＵＣと第１方向Ｄ１に重ならない。
図１で、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０と交差する第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１を例に挙げると、第１上部コンタクト領域１８１ＵＣ及び第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤは、第１ゲートコンタクト１７６、第２ゲートコンタクト１７７、及びゲート分離構造体１６０と第１方向Ｄ１に重ならない。
平面図の観点で、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２に最も隣接するゲート電極（１２０、２２０、３２０）と接続されるゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）は、第２上部コンタクト領域１８２ＵＣと第１方向Ｄ１に重ならない。
一実施形態による半導体装置で、第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２に最も隣接した第１ゲート電極１２０と第２ゲート電極２２０との間のゲート分離構造体１６０は、第２上部コンタクト領域１８２ＵＣと第１方向Ｄ１に重ならない。
【0083】
ソース／ドレインバリア膜（１８１ＢＭ、１８２ＢＭ）及びゲートバリア膜（１７６ＢＭ、１７７ＢＭ、１７８ＢＭ）は、それぞれ例えば、タンタル（Ｔａ）、タンタル窒化物（ＴａＮ）、チタン（Ｔｉ）、チタン窒化物（ＴｉＮ）、チタンシリコン窒化物（ＴｉＳｉＮ）、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケルボロン（ＮｉＢ）、タングステン（Ｗ）、タングステン窒化物（ＷＮ）、タングステン炭窒化物（ＷＣＮ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ジルコニウム窒化物（ＺｒＮ）、バナジウム（Ｖ）、バナジウム窒化物（ＶＮ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニオブ窒化物（ＮｂＮ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、及び２次元物質（Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ（２Ｄ） ｍａｔｅｒｉａｌ）の内の少なくとも一つを含み得る。
【0084】
一実施形態による半導体装置で、２次元物質は、金属材料及び／又は半導体物質であり得る。
２次元物質（２Ｄ ｍａｔｅｒｉａｌ）は、２次元同素体（ａｌｌｏｔｒｏｐｅ）又は２次元化合物（ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含み得、例えば、グラフェン（ｇｒａｐｈｅｎｅ）、モリブデン二硫化物（ＭｏＳ２）、モリブデンジセレニド（ＭｏＳｅ２）、タングステンジセレニド（ＷＳｅ２）、タングステン二硫化物（ＷＳ２）の内の少なくとも一つを含み得る。
２次元物質（２Ｄ ｍａｔｅｒｉａｌ）は、２次元同素体（ａｌｌｏｔｒｏｐｅ）又は２次元化合物（ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含み得、例えば、グラフェン（ｇｒａｐｈｅｎｅ）、モリブデン二硫化物（ＭｏＳ２）、モリブデンジセレニド（ＭｏＳｅ２）、タングステンジセレニド（ＷＳｅ２）、タングステン二硫化物（ＷＳ２）の内の少なくとも一つを含み得る。
【0085】
ソース／ドレインフィリング膜（１８１ＦＭ、１８２ＦＭ）及びゲートフィリング膜（１７６ＦＭ、１７７ＦＭ、１７８ＦＭ）は、それぞれ例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、マンガン（Ｍｎ）、及びモリブデン（Ｍｏ）の内の少なくとも一つを含み得る。
【0086】
第１エッチング停止膜１９６及び第１上部層間絶縁膜１９１は、第１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト（１８１、１８２）上に順次配置される。
第１エッチング停止膜１９６及び第１上部層間絶縁膜１９１は、下部層間絶縁膜１９０上に配置される。
第１エッチング停止膜１９６は、第１上部層間絶縁膜１９１に対してエッチング選択比を有する物質を含む。
第１エッチング停止膜１９６は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン酸炭窒化物（ＳｉＯＣＮ）、シリコンホウ素窒化物（ＳｉＢＮ）、シリコン酸ホウ素窒化物（ＳｉＯＢＮ）、シリコン酸炭化物（ＳｉＯＣ）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯ）、アルミニウム窒化物（ＡｌＮ）及びアルミニウム酸炭化物（ＡｌＯＣ）、及びこれらの組み合わせの内の少なくとも一つを含み得る。
図示とは異なり、第１エッチング停止膜１９６が形成されなくてもよい。
第１上部層間絶縁膜１９１は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、及び低誘電率物質の内の少なくとも一つを含み得る。
第１エッチング停止膜１９６及び第１上部層間絶縁膜１９１は、下部層間絶縁膜１９０上に配置される。
第１エッチング停止膜１９６は、第１上部層間絶縁膜１９１に対してエッチング選択比を有する物質を含む。
第１エッチング停止膜１９６は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン酸炭窒化物（ＳｉＯＣＮ）、シリコンホウ素窒化物（ＳｉＢＮ）、シリコン酸ホウ素窒化物（ＳｉＯＢＮ）、シリコン酸炭化物（ＳｉＯＣ）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯ）、アルミニウム窒化物（ＡｌＮ）及びアルミニウム酸炭化物（ＡｌＯＣ）、及びこれらの組み合わせの内の少なくとも一つを含み得る。
図示とは異なり、第１エッチング停止膜１９６が形成されなくてもよい。
第１上部層間絶縁膜１９１は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、及び低誘電率物質の内の少なくとも一つを含み得る。
【0087】
ビアプラグ２０６は、第１エッチング停止膜１９６及び第１上部層間絶縁膜１９１内に配置される。
ビアプラグ２０６は、第１エッチング停止膜１９６及び第１上部層間絶縁膜１９１を貫通して第１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト（１８１、１８２）と、第１及び第２ソース／ドレインコンタクト（１７１、１７２）と連結される。
ビアプラグ２０６は、第１上部コンタクト領域の上面（１８１ＵＣ＿ＵＳ）及び第２上部コンタクト領域の上面（１８２ＵＣ＿ＵＳ）と接触する。
しかし、ビアプラグ２０６は、第１ダミーコンタクト領域の上面（１８１ＵＤ＿ＵＳ）とは接触しない。
ビアプラグ２０６は、第１エッチング停止膜１９６及び第１上部層間絶縁膜１９１を貫通して、ゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）と連結される。
ビアプラグ２０６は、単一膜構造を有する。
ビアプラグ２０６は、単一膜で形成された構造を有する。
すなわち、ビアプラグ２０６は、単一導電膜構造を有する。
ビアプラグ２０６は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、マンガン（Ｍｎ）、及びモリブデン（Ｍｏ）の内の一つを含み得る。
ビアプラグ２０６は、第１エッチング停止膜１９６及び第１上部層間絶縁膜１９１を貫通して第１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト（１８１、１８２）と、第１及び第２ソース／ドレインコンタクト（１７１、１７２）と連結される。
ビアプラグ２０６は、第１上部コンタクト領域の上面（１８１ＵＣ＿ＵＳ）及び第２上部コンタクト領域の上面（１８２ＵＣ＿ＵＳ）と接触する。
しかし、ビアプラグ２０６は、第１ダミーコンタクト領域の上面（１８１ＵＤ＿ＵＳ）とは接触しない。
ビアプラグ２０６は、第１エッチング停止膜１９６及び第１上部層間絶縁膜１９１を貫通して、ゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）と連結される。
ビアプラグ２０６は、単一膜構造を有する。
ビアプラグ２０６は、単一膜で形成された構造を有する。
すなわち、ビアプラグ２０６は、単一導電膜構造を有する。
ビアプラグ２０６は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、マンガン（Ｍｎ）、及びモリブデン（Ｍｏ）の内の一つを含み得る。
【0088】
ソース／ドレインコンタクト（１７１、１７２、１８１、１８２）と接続されるビアプラグ２０６は、ソース／ドレインビアプラグである。
ゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）と接続されるビアプラグ２０６は、ゲートビアプラグである。
例えば、ソース／ドレインビアプラグとゲートビアプラグの内の一つは、単一膜構造を有して、ソース／ドレインビアプラグとゲートビアプラグの内の他の一つは、ゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）のような多重膜構造（例えば、バリア膜及びフィリング膜の組み合わせ）を有する。
他の例として、ビアプラグ２０６は、多重膜構造を有することができる。
ゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）と接続されるビアプラグ２０６は、ゲートビアプラグである。
例えば、ソース／ドレインビアプラグとゲートビアプラグの内の一つは、単一膜構造を有して、ソース／ドレインビアプラグとゲートビアプラグの内の他の一つは、ゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）のような多重膜構造（例えば、バリア膜及びフィリング膜の組み合わせ）を有する。
他の例として、ビアプラグ２０６は、多重膜構造を有することができる。
【0089】
図９で、ビアプラグの底面２０６ＢＳは、第２方向Ｄ２に第１ビア幅Ｗ２２を有する。
第２上部コンタクト領域の上面（１８２ＵＣ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ２１は、第１ビア幅Ｗ２２と同じであるか大きい。
また、第２上部コンタクト領域の上面（１８２ＵＣ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ２１は、第１ビア幅Ｗ２２の１．２倍より小さいか同じである。
例えば、図５及び図６に示すように、第２エッチング停止膜１９７及び第２上部層間絶縁膜１９２は、第１上部層間絶縁膜１９１上に順次配置される。
他の例として、第２エッチング停止膜１９７が形成されなくてもよい。
第２エッチング停止膜１９７及び第２上部層間絶縁膜１９２の物質に関する説明は、第１エッチング停止膜１９６及び第１上部層間絶縁膜１９１と同一である。
第２上部コンタクト領域の上面（１８２ＵＣ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ２１は、第１ビア幅Ｗ２２と同じであるか大きい。
また、第２上部コンタクト領域の上面（１８２ＵＣ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ２１は、第１ビア幅Ｗ２２の１．２倍より小さいか同じである。
例えば、図５及び図６に示すように、第２エッチング停止膜１９７及び第２上部層間絶縁膜１９２は、第１上部層間絶縁膜１９１上に順次配置される。
他の例として、第２エッチング停止膜１９７が形成されなくてもよい。
第２エッチング停止膜１９７及び第２上部層間絶縁膜１９２の物質に関する説明は、第１エッチング停止膜１９６及び第１上部層間絶縁膜１９１と同一である。
【0090】
配線ライン２０７は、第２上部層間絶縁膜１９２及び第２エッチング停止膜１９７内に配置される。
配線ライン２０７は、ビアプラグ２０６と連結される。
配線ライン２０７の少なくとも一部は、第１方向Ｄ１に長く延長される。
配線ライン２０７は、配線バリア膜２０７ａと、配線フィリング膜２０７ｂを含む。
配線バリア膜２０７ａは、例えば、タンタル（Ｔａ）、タンタル窒化物（ＴａＮ）、チタン（Ｔｉ）、チタン窒化物（ＴｉＮ）、チタンシリコン窒化物（ＴｉＳｉＮ）、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケルボロン（ＮｉＢ）、タングステン（Ｗ）、タングステン窒化物（ＷＮ）、タングステン炭窒化物（ＷＣＮ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ジルコニウム窒化物（ＺｒＮ）、バナジウム（Ｖ）、バナジウム窒化物（ＶＮ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニオブ窒化物（ＮｂＮ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、及び２次元物質（Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ（２Ｄ） ｍａｔｅｒｉａｌ）の内の少なくとも一つを含み得る。
配線フィリング膜２０７ｂは、それぞれ例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、マンガン（Ｍｎ）、及びモリブデン（Ｍｏ）の内の少なくとも一つを含み得る。
配線ライン２０７は、ビアプラグ２０６と連結される。
配線ライン２０７の少なくとも一部は、第１方向Ｄ１に長く延長される。
配線ライン２０７は、配線バリア膜２０７ａと、配線フィリング膜２０７ｂを含む。
配線バリア膜２０７ａは、例えば、タンタル（Ｔａ）、タンタル窒化物（ＴａＮ）、チタン（Ｔｉ）、チタン窒化物（ＴｉＮ）、チタンシリコン窒化物（ＴｉＳｉＮ）、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケルボロン（ＮｉＢ）、タングステン（Ｗ）、タングステン窒化物（ＷＮ）、タングステン炭窒化物（ＷＣＮ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ジルコニウム窒化物（ＺｒＮ）、バナジウム（Ｖ）、バナジウム窒化物（ＶＮ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニオブ窒化物（ＮｂＮ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、及び２次元物質（Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ（２Ｄ） ｍａｔｅｒｉａｌ）の内の少なくとも一つを含み得る。
配線フィリング膜２０７ｂは、それぞれ例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、マンガン（Ｍｎ）、及びモリブデン（Ｍｏ）の内の少なくとも一つを含み得る。
【0091】
配線構造体２０５は、ビアプラグ２０６と、配線ライン２０７を含む。
配線構造体２０５は、ソース／ドレインコンタクト（１７１、１７２、１８１、１８２）及びゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）上に配置される。
配線構造体２０５は、ソース／ドレインコンタクト（１７１、１７２、１８１、１８２）と接続される。
配線構造体２０５は、ゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）と接続される。
図示とは異なり、配線ライン２０７と、ビアプラグ２０６は、統合構造（ｉｎｔｅｇｒａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する。
このような場合、配線ライン２０７と、ビアプラグ２０６の間の境界は、区分されなくてもよく、例えば、見えなくてもよい。
配線構造体２０５は、ソース／ドレインコンタクト（１７１、１７２、１８１、１８２）及びゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）上に配置される。
配線構造体２０５は、ソース／ドレインコンタクト（１７１、１７２、１８１、１８２）と接続される。
配線構造体２０５は、ゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）と接続される。
図示とは異なり、配線ライン２０７と、ビアプラグ２０６は、統合構造（ｉｎｔｅｇｒａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する。
このような場合、配線ライン２０７と、ビアプラグ２０６の間の境界は、区分されなくてもよく、例えば、見えなくてもよい。
【0092】
図１０～図１２は、本発明の他の実施形態による半導体装置に関する図である。
説明の便宜上、図１～図９を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
参考までに、図１０は、本発明の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図であり、図１１及び図１２は、図１０のＣ－Ｃ線及びＤ－Ｄ線に沿って切断した断面図である。
図１０～図１２を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置は、第１素子分離構造体１６５と最も隣接する第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３を含む。
説明の便宜上、図１～図９を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
参考までに、図１０は、本発明の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図であり、図１１及び図１２は、図１０のＣ－Ｃ線及びＤ－Ｄ線に沿って切断した断面図である。
図１０～図１２を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置は、第１素子分離構造体１６５と最も隣接する第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３を含む。
【0093】
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３は、第１素子分離構造体１６５と、ゲート電極（１２０、２２０、３２０）との間に配置される。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３の一側に第１素子分離構造体１６５が配置され、第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３の他側にゲート電極（１２０、２２０、３２０）が配置される。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３は、第１素子分離構造体１６５に最も隣接する連結ソース／ドレインコンタクトである。
第１素子分離構造体１６５は、第１方向Ｄ１に隣接した第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３の間に配置される。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３の一側に第１素子分離構造体１６５が配置され、第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３の他側にゲート電極（１２０、２２０、３２０）が配置される。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３は、第１素子分離構造体１６５に最も隣接する連結ソース／ドレインコンタクトである。
第１素子分離構造体１６５は、第１方向Ｄ１に隣接した第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３の間に配置される。
【0094】
素子分離構造体１６５の両側に第１連結ソース／ドレインコンタクト（図１の符号１８１）の代わりに第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３が配置されてもよい。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３は、第３下部コンタクト領域１８３Ｂと、第３上部コンタクト領域１８３ＵＣを含む。
第３下部コンタクト領域１８３Ｂは、第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０と交差する。
第３下部コンタクト領域１８３Ｂは、第１ソース／ドレインパターン１５０及び第２ソース／ドレインパターン２５０と同時に連結される。
第３下部コンタクト領域１８３Ｂは、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０と交差する。
第３下部コンタクト領域１８３Ｂは、第３ソース／ドレインパターン３５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０と同時に連結される。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３は、第３下部コンタクト領域１８３Ｂと、第３上部コンタクト領域１８３ＵＣを含む。
第３下部コンタクト領域１８３Ｂは、第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０と交差する。
第３下部コンタクト領域１８３Ｂは、第１ソース／ドレインパターン１５０及び第２ソース／ドレインパターン２５０と同時に連結される。
第３下部コンタクト領域１８３Ｂは、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０と交差する。
第３下部コンタクト領域１８３Ｂは、第３ソース／ドレインパターン３５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０と同時に連結される。
【0095】
第３上部コンタクト領域１８３ＵＣは、第３下部コンタクト領域１８３Ｂから第３方向Ｄ３に突出する。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３は、第３下部コンタクト領域１８３Ｂから第３方向Ｄ３に突出した一つのコンタクト領域を含む。
第３下部コンタクト領域１８３Ｂ及び第３上部コンタクト領域１８３ＵＣは、統合構造を有する。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３の上面は、第３上部コンタクト領域の上面１８３（ＵＣ＿ＵＳ）である。
第３上部コンタクト領域の上面（１８３ＵＣ＿ＵＳ）は、下部層間絶縁膜１９０の上面と同一平面に置かれる。
第３下部コンタクト領域１８３Ｂは、突出部分（１８３Ｂ＿ＰＲ）を含む。
第３下部コンタクト領域の突出部分（１８３Ｂ＿ＰＲ）は、第３上部コンタクト領域１８３ＵＣから第２方向Ｄ２に突出した部分である。
第３上部コンタクト領域１８３ＵＣは、第３下部コンタクト領域の突出部分（１８３Ｂ＿ＰＲ）の間に配置される。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３は、第３下部コンタクト領域１８３Ｂから第３方向Ｄ３に突出した一つのコンタクト領域を含む。
第３下部コンタクト領域１８３Ｂ及び第３上部コンタクト領域１８３ＵＣは、統合構造を有する。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３の上面は、第３上部コンタクト領域の上面１８３（ＵＣ＿ＵＳ）である。
第３上部コンタクト領域の上面（１８３ＵＣ＿ＵＳ）は、下部層間絶縁膜１９０の上面と同一平面に置かれる。
第３下部コンタクト領域１８３Ｂは、突出部分（１８３Ｂ＿ＰＲ）を含む。
第３下部コンタクト領域の突出部分（１８３Ｂ＿ＰＲ）は、第３上部コンタクト領域１８３ＵＣから第２方向Ｄ２に突出した部分である。
第３上部コンタクト領域１８３ＵＣは、第３下部コンタクト領域の突出部分（１８３Ｂ＿ＰＲ）の間に配置される。
【0096】
第３上部コンタクト領域１８３ＵＣは、ビアプラグ２０６がランディングされる部分である。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３は、第３上部コンタクト領域１８３ＵＣを介して、配線構造体２０５と連結される。
配線構造体２０５は、第３上部コンタクト領域の上面（１８３ＵＣ＿ＵＳ）と接触する。
図１１で、第３下部コンタクト領域１８３Ｂは、第１ソース／ドレインパターン１５０と第２ソース／ドレインパターン２５０との間で、基板１００に向かって突出した第３下方突出領域（１８３＿ＤＰ）を含む。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３は、第３ソース／ドレインバリア膜１８３ＢＭ及び第３ソース／ドレインフィリング膜１８３ＦＭを含む。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３は、第３上部コンタクト領域１８３ＵＣを介して、配線構造体２０５と連結される。
配線構造体２０５は、第３上部コンタクト領域の上面（１８３ＵＣ＿ＵＳ）と接触する。
図１１で、第３下部コンタクト領域１８３Ｂは、第１ソース／ドレインパターン１５０と第２ソース／ドレインパターン２５０との間で、基板１００に向かって突出した第３下方突出領域（１８３＿ＤＰ）を含む。
第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３は、第３ソース／ドレインバリア膜１８３ＢＭ及び第３ソース／ドレインフィリング膜１８３ＦＭを含む。
【0097】
平面図の観点で、第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３に最も隣接するゲート電極（１２０、２２０、３２０）と接続されるゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）は、第３上部コンタクト領域１８３ＵＣと第１方向Ｄ１に重ならない。
一実施形態による半導体装置で、第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３に最も隣接した第１ゲート電極１２０と第２ゲート電極２２０との間のゲート分離構造体１６０は、第３上部コンタクト領域１８３ＵＣと第１方向Ｄ１に重ならない。
ビアプラグ２０６は、第１エッチング停止膜１９６及び第１上部層間絶縁膜１９１を貫通して第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３と連結される。
ビアプラグ２０６は、第３上部コンタクト領域の上面（１８３ＵＣ＿ＵＳ）と接触する。
一実施形態による半導体装置で、第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３に最も隣接した第１ゲート電極１２０と第２ゲート電極２２０との間のゲート分離構造体１６０は、第３上部コンタクト領域１８３ＵＣと第１方向Ｄ１に重ならない。
ビアプラグ２０６は、第１エッチング停止膜１９６及び第１上部層間絶縁膜１９１を貫通して第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３と連結される。
ビアプラグ２０６は、第３上部コンタクト領域の上面（１８３ＵＣ＿ＵＳ）と接触する。
【0098】
図１１で、ビアプラグの底面２０６ＢＳは、第２方向Ｄ２に第２ビア幅Ｗ３２を有する。
第３上部コンタクト領域の上面（１８３ＵＣ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ３１は、第２ビア幅Ｗ３２の１．５倍より大きいか同じである。
第２ビア幅Ｗ３２は、図９の第１ビア幅Ｗ２２と同一である。
第３上部コンタクト領域の上面（１８３ＵＣ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ３１は、第３下部コンタクト領域１８３Ｂの第２方向Ｄ２への幅より小さい。
第３ソース／ドレインパターン３５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０と接続される第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３で、第３上部コンタクト領域の上面（１８３ＵＣ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅は、第２ビア幅（図１１のＷ３２）の１．５倍より大きいか同じである。
第３上部コンタクト領域の上面（１８３ＵＣ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ３１は、第２ビア幅Ｗ３２の１．５倍より大きいか同じである。
第２ビア幅Ｗ３２は、図９の第１ビア幅Ｗ２２と同一である。
第３上部コンタクト領域の上面（１８３ＵＣ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅Ｗ３１は、第３下部コンタクト領域１８３Ｂの第２方向Ｄ２への幅より小さい。
第３ソース／ドレインパターン３５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０と接続される第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３で、第３上部コンタクト領域の上面（１８３ＵＣ＿ＵＳ）の第２方向Ｄ２への幅は、第２ビア幅（図１１のＷ３２）の１．５倍より大きいか同じである。
【0099】
図１３は、本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図である。
説明の便宜上、図１～図１２を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
図１３を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置で、第１素子分離構造体１６５は、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３の間に配置される。
第１素子分離構造体１６５の一側に配置された第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤを含む。
しかし、第１素子分離構造体１６５の他側に配置された第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３は、ダミーコンタクト領域を含まない。
説明の便宜上、図１～図１２を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
図１３を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置で、第１素子分離構造体１６５は、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１及び第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３の間に配置される。
第１素子分離構造体１６５の一側に配置された第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１ダミーコンタクト領域１８１ＵＤを含む。
しかし、第１素子分離構造体１６５の他側に配置された第３連結ソース／ドレインコンタクト１８３は、ダミーコンタクト領域を含まない。
【0100】
図１４及び図１５は、本発明の他の実施形態による半導体装置に関する図である。
説明の便宜上、図１～図９を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
参考までに、図１４は、本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図であり、図１５は、図１４のＤ－Ｄ線に沿って切断した断面図である。
説明の便宜上、図１～図９を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
参考までに、図１４は、本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図であり、図１５は、図１４のＤ－Ｄ線に沿って切断した断面図である。
【0101】
図１４及び図１５を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置で、第１素子分離構造体１６５は、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１と第１ソース／ドレインコンタクト１７１との間と、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１と第２ソース／ドレインコンタクト１７２との間に配置される。
第１ソース／ドレインコンタクト１７１及び第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、第１素子分離構造体１６５に最も隣接して配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１素子分離構造体１６５の一側に配置される。
第１ソース／ドレインコンタクト１７１及び第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、第１素子分離構造体１６５の他側に配置される。
第１ソース／ドレインコンタクト１７１及び第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、第１素子分離構造体１６５に最も隣接して配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１素子分離構造体１６５の一側に配置される。
第１ソース／ドレインコンタクト１７１及び第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、第１素子分離構造体１６５の他側に配置される。
【0102】
第１ソース／ドレインコンタクト１７１は、第１単一下部コンタクト領域１７１Ｂと、第１単一上部コンタクト領域１７１ＵＣを含む。
第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、第２単一下部コンタクト領域１７２Ｂと、第２単一上部コンタクト領域１７２ＵＣを含む。
第１ソース／ドレインコンタクト１７１及び第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、単一下部コンタクト領域（１７１Ｂ、１７２Ｂ）から第３方向Ｄ３に突出した一つのコンタクト領域を含む。
第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、第２単一下部コンタクト領域１７２Ｂと、第２単一上部コンタクト領域１７２ＵＣを含む。
第１ソース／ドレインコンタクト１７１及び第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、単一下部コンタクト領域（１７１Ｂ、１７２Ｂ）から第３方向Ｄ３に突出した一つのコンタクト領域を含む。
【0103】
第１単一下部コンタクト領域１７１Ｂは、第３ソース／ドレインパターン３５０と接続されるが、第４ソース／ドレインパターン４５０とは連結されない。
第２単一下部コンタクト領域１７２Ｂは、第４ソース／ドレインパターン４５０と接続されるが、第３ソース／ドレインパターン３５０とは連結されない。
第１単一上部コンタクト領域１７１ＵＣは、第１単一下部コンタクト領域１７１Ｂから第３方向Ｄ３に突出する。
第２単一上部コンタクト領域１７２ＵＣは、第２単一下部コンタクト領域１７２Ｂから第３方向Ｄ３に突出する。
第１ソース／ドレインコンタクト１７１は、第１単一ソース／ドレインバリア膜１７１ＢＭ及び第１単一ソース／ドレインフィリング膜１７１ＦＭを含む。
第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、第２単一ソース／ドレインバリア膜１７２ＢＭ及び第２単一ソース／ドレインフィリング膜１７２ＦＭを含む。
第２単一下部コンタクト領域１７２Ｂは、第４ソース／ドレインパターン４５０と接続されるが、第３ソース／ドレインパターン３５０とは連結されない。
第１単一上部コンタクト領域１７１ＵＣは、第１単一下部コンタクト領域１７１Ｂから第３方向Ｄ３に突出する。
第２単一上部コンタクト領域１７２ＵＣは、第２単一下部コンタクト領域１７２Ｂから第３方向Ｄ３に突出する。
第１ソース／ドレインコンタクト１７１は、第１単一ソース／ドレインバリア膜１７１ＢＭ及び第１単一ソース／ドレインフィリング膜１７１ＦＭを含む。
第２ソース／ドレインコンタクト１７２は、第２単一ソース／ドレインバリア膜１７２ＢＭ及び第２単一ソース／ドレインフィリング膜１７２ＦＭを含む。
【0104】
平面図の観点で、第１素子分離構造体１６５に最も隣接するゲート電極（１２０、２２０、３２０）と接続されるゲートコンタクト（１７６、１７７、１７８）は、第１単一上部コンタクト領域１７１ＵＣ及び第２単一上部コンタクト領域１７２ＵＣと第１方向Ｄ１に重ならない。
ビアプラグ２０６は、第１ソース／ドレインコンタクト１７１及び第２ソース／ドレインコンタクト１７２と接続される。
ビアプラグ２０６は、第１ソース／ドレインコンタクト１７１及び第２ソース／ドレインコンタクト１７２と接続される。
【0105】
図１６及び図１７は、本発明の他の実施形態による半導体装置に関する図である。
説明の便宜上、図１～図９を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
参考までに、図１６は、本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図であり、図１７は、図１６のＤ－Ｄ線に沿って切断した断面図である。
図１６及び図１７を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置で、第１素子分離構造体１６５は、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１と第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２との間に配置される。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第１素子分離構造体１６５に最も隣接して配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１素子分離構造体１６５の一側に配置される。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第１素子分離構造体１６５の他側に最も隣接して配置される。
説明の便宜上、図１～図９を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
参考までに、図１６は、本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図であり、図１７は、図１６のＤ－Ｄ線に沿って切断した断面図である。
図１６及び図１７を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置で、第１素子分離構造体１６５は、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１と第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２との間に配置される。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第１素子分離構造体１６５に最も隣接して配置される。
第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１は、第１素子分離構造体１６５の一側に配置される。
第２連結ソース／ドレインコンタクト１８２は、第１素子分離構造体１６５の他側に最も隣接して配置される。
【0106】
図１８及び図１９は、本発明の他の実施形態による半導体装置に関する図である。
説明の便宜上、図１～図９を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
参考までに、図１８は、本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図であり、図１９は、図１８のＤ－Ｄ線に沿って切断した断面図である。
図１８及び図１９を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置で、第１素子分離構造体１６５は、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１と第４連結ソース／ドレインコンタクト１８４との間に配置される。
説明の便宜上、図１～図９を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
参考までに、図１８は、本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図であり、図１９は、図１８のＤ－Ｄ線に沿って切断した断面図である。
図１８及び図１９を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置で、第１素子分離構造体１６５は、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１と第４連結ソース／ドレインコンタクト１８４との間に配置される。
【0107】
第４連結ソース／ドレインコンタクト１８４は、第４下部コンタクト領域１８４Ｂと、複数の第４上部コンタクト領域１８４ＵＣを含む。
第４下部コンタクト領域１８４Ｂは、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０と交差する。
第４下部コンタクト領域１８４Ｂは、第３ソース／ドレインパターン３５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０と同時に接続される。
複数の第４上部コンタクト領域１８４ＵＣは、第４下部コンタクト領域１８４Ｂから第３方向Ｄ３に突出する。
複数の第４上部コンタクト領域１８４ＵＣは、第２方向Ｄ２に離隔する。
それぞれの第４上部コンタクト領域１８４ＵＣは、ビアプラグ２０６がランディングされる部分である。
第４下部コンタクト領域１８４Ｂは、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０と交差する。
第４下部コンタクト領域１８４Ｂは、第３ソース／ドレインパターン３５０及び第４ソース／ドレインパターン４５０と同時に接続される。
複数の第４上部コンタクト領域１８４ＵＣは、第４下部コンタクト領域１８４Ｂから第３方向Ｄ３に突出する。
複数の第４上部コンタクト領域１８４ＵＣは、第２方向Ｄ２に離隔する。
それぞれの第４上部コンタクト領域１８４ＵＣは、ビアプラグ２０６がランディングされる部分である。
【0108】
第４連結ソース／ドレインコンタクト１８４は、それぞれの第４上部コンタクト領域１８４ＵＣを介して配線構造体２０５と接続される。
配線構造体２０５は、それぞれの第４上部コンタクト領域の上面（１８４ＵＣ＿ＵＳ）と接触する。
複数の第４上部コンタクト領域１８４ＵＣは、第２方向Ｄ２に離隔した第１サブコンタクト領域及び第２サブコンタクト領域を含む。
第１サブコンタクト領域及び第２サブコンタクト領域は、それぞれビアプラグ２０６と接触する。
それぞれの第１サブコンタクト領域の上面及び第２サブコンタクト領域の上面は、配線構造体２０５と接触する。
例えば、第４連結ソース／ドレインコンタクト１８４は、第１素子分離構造体１６５に最も隣接する連結ソース／ドレインコンタクトである。
第４連結ソース／ドレインコンタクト１８４は、第４ソース／ドレインバリア膜１８４ＢＭ及び第４ソース／ドレインフィリング膜１８４ＦＭを含む。
配線構造体２０５は、それぞれの第４上部コンタクト領域の上面（１８４ＵＣ＿ＵＳ）と接触する。
複数の第４上部コンタクト領域１８４ＵＣは、第２方向Ｄ２に離隔した第１サブコンタクト領域及び第２サブコンタクト領域を含む。
第１サブコンタクト領域及び第２サブコンタクト領域は、それぞれビアプラグ２０６と接触する。
それぞれの第１サブコンタクト領域の上面及び第２サブコンタクト領域の上面は、配線構造体２０５と接触する。
例えば、第４連結ソース／ドレインコンタクト１８４は、第１素子分離構造体１６５に最も隣接する連結ソース／ドレインコンタクトである。
第４連結ソース／ドレインコンタクト１８４は、第４ソース／ドレインバリア膜１８４ＢＭ及び第４ソース／ドレインフィリング膜１８４ＦＭを含む。
【0109】
図２０は、本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図である。
図２１～図２５は、それぞれ本発明の他の実施形態による半導体装置に関する図である。
説明の便宜上、図１～図９を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
参考までに図２１～図２４は、図１のＣ－Ｃ線に沿って切断した断面図であり、図２５は、図１のＧ－Ｇ線に沿って切断した断面図である。
図２１～図２５は、それぞれ本発明の他の実施形態による半導体装置に関する図である。
説明の便宜上、図１～図９を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
参考までに図２１～図２４は、図１のＣ－Ｃ線に沿って切断した断面図であり、図２５は、図１のＧ－Ｇ線に沿って切断した断面図である。
【0110】
図２０を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置で、第１方向に隣接するゲート電極（１２０、２２０、３２０）の間に第４連結ソース／ドレインコンタクト１８４が配置される。
例えば、第４連結ソース／ドレインコンタクト１８４は、素子分離構造体（１６５、１６６）と最も隣接した連結ソース／ドレインコンタクトではなくてもよい。
第４連結ソース／ドレインコンタクト１８４の構造に関する説明は、図１８及び図１９を用いて説明した内容と同一である。
例えば、第４連結ソース／ドレインコンタクト１８４は、素子分離構造体（１６５、１６６）と最も隣接した連結ソース／ドレインコンタクトではなくてもよい。
第４連結ソース／ドレインコンタクト１８４の構造に関する説明は、図１８及び図１９を用いて説明した内容と同一である。
【0111】
図２１を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置で、第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第１ソース／ドレインパターン１５０と第２ソース／ドレインパターン２５０との間で、基板１００に向かって突出した複数の第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）を含む。
例えば、第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、２個の第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）を含む。
図示とは異なり、複数の第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）の少なくとも一つは、ソース／ドレインエッチング停止膜１５６又はフィールド絶縁膜１０５と接触し得る。
また、図示とは異なり、フィールド絶縁膜１０５の一部は、２方向Ｄ２に隣接した第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）の間に突出し得る。
図に示していないが、第２下部コンタクト領域（図６の１８２Ｂ）も複数の下方突出領域を含むことができる。
例えば、第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、２個の第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）を含む。
図示とは異なり、複数の第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）の少なくとも一つは、ソース／ドレインエッチング停止膜１５６又はフィールド絶縁膜１０５と接触し得る。
また、図示とは異なり、フィールド絶縁膜１０５の一部は、２方向Ｄ２に隣接した第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）の間に突出し得る。
図に示していないが、第２下部コンタクト領域（図６の１８２Ｂ）も複数の下方突出領域を含むことができる。
【0112】
図２２を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置で、第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、一つの第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）と、一つの第１上方湾入領域（１８１＿ＵＰ）を含む。
下部層間絶縁膜１９０の一部は、第１下部コンタクト領域１８１Ｂ内に湾入する。
第１上方湾入領域（１８１＿ＵＰ）で、下部層間絶縁膜１９０は、第１下部コンタクト領域１８１Ｂ内に湾入する。
第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）で、第１下部コンタクト領域１８１Ｂの第３方向Ｄ３への厚さは、第１ソース／ドレインパターン１５０から遠くなるにつれて増加してから減少する。
第１上方湾入領域（１８１＿ＵＰ）で、第１下部コンタクト領域１８１Ｂの第３方向Ｄ３への厚さは、減少してから増加する。
下部層間絶縁膜１９０の一部は、第１下部コンタクト領域１８１Ｂ内に湾入する。
第１上方湾入領域（１８１＿ＵＰ）で、下部層間絶縁膜１９０は、第１下部コンタクト領域１８１Ｂ内に湾入する。
第１下方突出領域（１８１＿ＤＰ）で、第１下部コンタクト領域１８１Ｂの第３方向Ｄ３への厚さは、第１ソース／ドレインパターン１５０から遠くなるにつれて増加してから減少する。
第１上方湾入領域（１８１＿ＵＰ）で、第１下部コンタクト領域１８１Ｂの第３方向Ｄ３への厚さは、減少してから増加する。
【0113】
図２３を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置で、第１下部コンタクト領域１８１Ｂの底面は、第１ソース／ドレインパターン１５０と第２ソース／ドレインパターン２５０との間で平らである。
すなわち、第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第１下方突出領域（図４の符号（１８１＿ＤＰ））を含まない。
すなわち、第１下部コンタクト領域１８１Ｂは、第１下方突出領域（図４の符号（１８１＿ＤＰ））を含まない。
【0114】
図２４を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置で、フィールド領域ＦＸは、ダミーフィンパターンＤＦＰにより定義される。
第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２は、ダミーフィンパターンＤＦＰにより定義される。
別の言葉で言えば、ダミーフィンパターンＤＦＰの間に、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２が定義される。
ダミーフィンパターンＤＦＰの上面は、フィールド絶縁膜１０５により全体的に覆われている。
ダミーフィンパターンＤＦＰの上面は、フィールド絶縁膜１０５の上面より低い。
ダミーフィンパターンＤＦＰは、例えば、第１フィン型パターン１１０及び／又は第２フィン型パターン２１０と同じ物質を含む。
第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２は、ダミーフィンパターンＤＦＰにより定義される。
別の言葉で言えば、ダミーフィンパターンＤＦＰの間に、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２が定義される。
ダミーフィンパターンＤＦＰの上面は、フィールド絶縁膜１０５により全体的に覆われている。
ダミーフィンパターンＤＦＰの上面は、フィールド絶縁膜１０５の上面より低い。
ダミーフィンパターンＤＦＰは、例えば、第１フィン型パターン１１０及び／又は第２フィン型パターン２１０と同じ物質を含む。
【0115】
図２５を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置で、第１ゲート絶縁膜１３０は、第２方向Ｄ２に対向する第１ゲート電極１２０の側壁及びゲート分離構造体１６０の側壁に沿って延長されない。
第２ゲート絶縁膜２３０は、第２方向Ｄ２に対向する第２ゲート電極２２０の側壁及びゲート分離構造体１６０の側壁に沿って延長されない。
このような場合、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１に最も隣接した第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０の間のゲート分離構造体１６０は、第１上部コンタクト領域（図１の符号（１８１ＵＣ））及び第１ダミーコンタクト領域（図１の符号（１８１ＵＤ））と第１方向Ｄ１に重なる。
また、第２連結ソース／ドレインコンタクト（図１の符号（１８２））に最も隣接した第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０の間のゲート分離構造体１６０は、第２上部コンタクト領域（図１の符号（１８２ＵＣ））と第１方向Ｄ１に重なる。
第２ゲート絶縁膜２３０は、第２方向Ｄ２に対向する第２ゲート電極２２０の側壁及びゲート分離構造体１６０の側壁に沿って延長されない。
このような場合、第１連結ソース／ドレインコンタクト１８１に最も隣接した第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０の間のゲート分離構造体１６０は、第１上部コンタクト領域（図１の符号（１８１ＵＣ））及び第１ダミーコンタクト領域（図１の符号（１８１ＵＤ））と第１方向Ｄ１に重なる。
また、第２連結ソース／ドレインコンタクト（図１の符号（１８２））に最も隣接した第１ゲート電極１２０及び第２ゲート電極２２０の間のゲート分離構造体１６０は、第２上部コンタクト領域（図１の符号（１８２ＵＣ））と第１方向Ｄ１に重なる。
【0116】
図２６～図３０は、本発明の他の実施形態による半導体装置に関する図である。
参考までに、図２６は、本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図であり、図２７及び図２８は、図２６のＡ－Ａ線に沿って切断した断面図であり、図２９は、図２６のＣ－Ｃ線に沿って切断した断面図であり、図３０は、図２６のＦ－Ｆ線に沿って切断した断面図である。
説明の便宜上、図１～図９を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
参考までに、図２６は、本発明の他の実施形態による半導体装置の概略的なレイアウト図であり、図２７及び図２８は、図２６のＡ－Ａ線に沿って切断した断面図であり、図２９は、図２６のＣ－Ｃ線に沿って切断した断面図であり、図３０は、図２６のＦ－Ｆ線に沿って切断した断面図である。
説明の便宜上、図１～図９を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。
【0117】
図２６～図３０を参照すると、本発明の他の実施形態による半導体装置は、第１フィン型パターン１１０と第３方向Ｄ３に離隔した第１シートパターンＮＳ１と、第２フィン型パターン２１０と第３方向Ｄ３に離隔した第２シートパターンＮＳ２と、第３フィン型パターン３１０と第３方向Ｄ３に離隔した第３シートパターンＮＳ３をさらに含む。
図に示していないが、それぞれの第４～図６フィン型パターン（４１０、５１０、６１０）上に、シートパターンが配置される。
図に示していないが、それぞれの第４～図６フィン型パターン（４１０、５１０、６１０）上に、シートパターンが配置される。
【0118】
第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２は、第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０により区分される。
また、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２は、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０により区分される。
第１シートパターンＮＳ１は、第１フィン型パターン１１０上に、第１フィン型パターン１１０と離隔して配置される。
第１シートパターンＮＳ１は、複数のシートパターンを含む。
第２シートパターンＮＳ２は、第２フィン型パターン２１０上に、第２フィン型パターン２１０と離隔して配置される。
第２シートパターンＮＳ２は、複数のシートパターンを含む。
第３シートパターンＮＳ３は、第３フィン型パターン３１０上に、第３フィン型パターン３１０と離隔して配置される。
また、第１活性領域ＲＸ１及び第２活性領域ＲＸ２は、第３フィン型パターン３１０及び第４フィン型パターン４１０により区分される。
第１シートパターンＮＳ１は、第１フィン型パターン１１０上に、第１フィン型パターン１１０と離隔して配置される。
第１シートパターンＮＳ１は、複数のシートパターンを含む。
第２シートパターンＮＳ２は、第２フィン型パターン２１０上に、第２フィン型パターン２１０と離隔して配置される。
第２シートパターンＮＳ２は、複数のシートパターンを含む。
第３シートパターンＮＳ３は、第３フィン型パターン３１０上に、第３フィン型パターン３１０と離隔して配置される。
【0119】
第１シートパターンＮＳ１、第２シートパターンＮＳ２、及び第３シートパターンＮＳ３は、それぞれ３個である場合を図示したが、これは説明の便宜のためだけである。
第１ゲート絶縁膜１３０は、第３シートパターンＮＳ１の周囲を囲む。
第３ゲート絶縁膜３３０は、第１シートパターンＮＳ１の周囲及び第２シートパターンＮＳ２の周囲を囲む。
第１ゲート電極１２０は、第３フィン型パターン３１０上に配置される。
第１ゲート電極１２０は、第３フィン型パターン３１０と交差する。
第１ゲート電極１２０は、第３シートパターンＮＳ３を囲む。
第３ゲート電極３２０は、第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０上に配置される。
第３ゲート電極３２０は、第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０と交差する。
第３ゲート電極３２０は、第１シートパターンＮＳ１及び第２シートパターンＮＳ２を囲む。
第１ゲート絶縁膜１３０は、第３シートパターンＮＳ１の周囲を囲む。
第３ゲート絶縁膜３３０は、第１シートパターンＮＳ１の周囲及び第２シートパターンＮＳ２の周囲を囲む。
第１ゲート電極１２０は、第３フィン型パターン３１０上に配置される。
第１ゲート電極１２０は、第３フィン型パターン３１０と交差する。
第１ゲート電極１２０は、第３シートパターンＮＳ３を囲む。
第３ゲート電極３２０は、第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０上に配置される。
第３ゲート電極３２０は、第１フィン型パターン１１０及び第２フィン型パターン２１０と交差する。
第３ゲート電極３２０は、第１シートパターンＮＳ１及び第２シートパターンＮＳ２を囲む。
【0120】
図２７で、第１ゲートスペーサ１４０は、第３フィン型パターン３１０と第３シートパターンＮＳ３との間と、隣接する第３シートパターンＮＳ３の間に配置されない。
また、第３ゲートスペーサ３４０は、第１フィン型パターン１１０と第１シートパターンＮＳ１との間と、隣接する第１シートパターンＮＳ１の間に配置されない。
また、第３ゲートスペーサ３４０は、第１フィン型パターン１１０と第１シートパターンＮＳ１との間と、隣接する第１シートパターンＮＳ１の間に配置されない。
【0121】
図２８で、第１ゲートスペーサ１４０は、第３フィン型パターン３１０と第３シートパターンＮＳ３との間と、隣接する第３シートパターンＮＳ３の間に配置される。
第３ゲートスペーサ３４０は、第１フィン型パターン１１０と第１シートパターンＮＳ１との間と、隣接する第１シートパターンＮＳ１の間に配置される。
第２フィン型パターン２１０を沿って切断された断面図は、図２９及び図３０の一つと類似する。
第１ソース／ドレインパターン１５０は、第１方向Ｄ１に隣接する第１シートパターンＮＳ１と連結される。
第３ソース／ドレインパターン３５０は、第１方向Ｄ１に隣接する第３シートパターンＮＳ３と連結される。
図に示していないが、第２ソース／ドレインパターン２５０は、第１方向Ｄ１に隣接する第２シートパターンＮＳ２と連結される。
第３ゲートスペーサ３４０は、第１フィン型パターン１１０と第１シートパターンＮＳ１との間と、隣接する第１シートパターンＮＳ１の間に配置される。
第２フィン型パターン２１０を沿って切断された断面図は、図２９及び図３０の一つと類似する。
第１ソース／ドレインパターン１５０は、第１方向Ｄ１に隣接する第１シートパターンＮＳ１と連結される。
第３ソース／ドレインパターン３５０は、第１方向Ｄ１に隣接する第３シートパターンＮＳ３と連結される。
図に示していないが、第２ソース／ドレインパターン２５０は、第１方向Ｄ１に隣接する第２シートパターンＮＳ２と連結される。
【0122】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0123】
１００ 基板
１０５ フィールド絶縁膜
１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０ 第１～第６フィン型パターン
１２０、２２０、３２０ 第１～第３ゲート電極
１４０、２４０、３４０ 第１～第３ゲートスペーサ
１４５、２４５、３４５ 第１～第３ゲートキャッピングパターン
１５０ 第１ソース／ドレインパターン
１５５、２５５、３５５ 第１～第３シリサイド膜
１５６ ソース／ドレインエッチング停止膜
１６０ ゲート分離構造体
１６５、１６６ 第１及び第２素子分離構造体
１７１ 第１ソース／ドレインコンタクト
１７２ 第２ソース／ドレインコンタクト
１７６、１７７、１７８ 第１～第３ゲートコンタクト
１８１、１８２ 第１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト
１９０、１９１、１９２ （第１上部～第３上部）層間絶縁膜
１９７ 第２エッチング停止膜
２０５ 配線構造体
２０６ ビアプラグ
２０７ 配線ライン
１０５ フィールド絶縁膜
１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０ 第１～第６フィン型パターン
１２０、２２０、３２０ 第１～第３ゲート電極
１４０、２４０、３４０ 第１～第３ゲートスペーサ
１４５、２４５、３４５ 第１～第３ゲートキャッピングパターン
１５０ 第１ソース／ドレインパターン
１５５、２５５、３５５ 第１～第３シリサイド膜
１５６ ソース／ドレインエッチング停止膜
１６０ ゲート分離構造体
１６５、１６６ 第１及び第２素子分離構造体
１７１ 第１ソース／ドレインコンタクト
１７２ 第２ソース／ドレインコンタクト
１７６、１７７、１７８ 第１～第３ゲートコンタクト
１８１、１８２ 第１及び第２連結ソース／ドレインコンタクト
１９０、１９１、１９２ （第１上部～第３上部）層間絶縁膜
１９７ 第２エッチング停止膜
２０５ 配線構造体
２０６ ビアプラグ
２０７ 配線ライン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】