特開 2023-166139 塗布装置及び基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023166139

(43)【公開日】2023-11-21

(54)【発明の名称】塗布装置及び基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   B05C 11/10 20060101AFI20231114BHJP

   B05C 9/12 20060101ALI20231114BHJP

   B05C 11/00 20060101ALI20231114BHJP

   B05D 3/00 20060101ALI20231114BHJP

   G01B 11/00 20060101ALI20231114BHJP

【ＦＩ】

B05C11/10

B05C9/12

B05C11/00

B05D3/00 D

B05D3/00 C

G01B11/00 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022076958

(22)【出願日】2022-05-09

(71)【出願人】

【識別番号】520487808

【氏名又は名称】シャープディスプレイテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001036

【氏名又は名称】弁理士法人暁合同特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】増田 幸則

【テーマコード（参考）】

2F065

4D075

4F042

【Ｆターム（参考）】

2F065AA01

2F065AA06

2F065AA22

2F065BB15

2F065BB17

2F065CC31

2F065DD06

2F065HH03

2F065HH13

2F065JJ05

2F065JJ09

2F065MM07

2F065PP12

4D075AC06

4D075AC09

4D075AC71

4D075AC88

4D075AC91

4D075AC93

4D075AC94

4D075BB26Z

4D075BB41X

4D075BB41Z

4D075BB42Z

4D075BB46Z

4D075BB48X

4D075BB48Z

4D075BB91X

4D075BB91Z

4D075BB92Z

4D075CA47

4D075CA48

4D075DA06

4D075DB13

4D075DC19

4D075DC21

4D075DC24

4D075EA19

4D075EA21

4F042AA02

4F042AA06

4F042AB00

4F042BA03

4F042BA04

4F042BA08

4F042BA12

4F042BA25

4F042DB41

4F042DF01

4F042DH09

4F042ED03

(57)【要約】

【課題】歩留まりを向上させ、タクトタイムの短縮化させる。
【解決手段】塗布装置３０は、基板１１，１２または基板１１，１２に形成された薄膜２１の表面に塗布剤３０Ｃを塗布する塗布部３１と、塗布部３１を基板１１，１２または薄膜２１の表面に沿う向きに移動させる移動部３２と、塗布部３１と共に移動部３２により移動させられ、塗布部３１に対して塗布部３１の移動方向の前方に位置して配され、少なくとも基板１１，１２または薄膜２１の表面との間の距離を計測する第１計測部３３と、塗布部３１及び第１計測部３３と共に移動部３２により移動させられ、塗布部３１に対して移動方向の後方に位置して配され、少なくとも基板１１，１２または薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃとの間の距離を計測する第２計測部３４と、第１計測部３３及び第２計測部３４による計測結果に基づいて移動部３２及び塗布部３１の駆動を制御する制御部４０と、を備える。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板または基板に形成された薄膜の表面と対向して配され、前記基板または前記薄膜の表面に塗布剤を塗布する塗布部と、
前記塗布部を前記基板または前記薄膜の表面に沿う向きに移動させる移動部と、
前記塗布部と共に前記移動部により移動させられ、前記基板または前記薄膜の表面と対向していて前記塗布部に対して前記塗布部の移動方向の前方に位置して配され、少なくとも前記基板または前記薄膜の表面との間の距離を計測する第１計測部と、
前記塗布部及び前記第１計測部と共に前記移動部により移動させられ、前記基板または前記薄膜の表面に塗布された前記塗布剤と対向していて前記塗布部に対して前記移動方向の後方に位置して配され、少なくとも前記基板または前記薄膜の表面に塗布された前記塗布剤との間の距離を計測する第２計測部と、
前記第１計測部及び前記第２計測部による計測結果に基づいて前記移動部及び前記塗布部の駆動を制御する制御部と、を備える塗布装置。

【請求項2】

前記第１計測部は、前記基板または前記薄膜の表面に向けて第１線状光を投射する第１投光部と、前記基板または前記薄膜の表面にて前記第１線状光が反射されて生じた反射光を受光する第１受光部と、を有し、
前記第２計測部は、前記基板または前記薄膜の表面に塗布された前記塗布剤に向けて第２線状光を投射する第２投光部と、前記基板または前記薄膜の表面に塗布された前記塗布剤にて前記第２線状光が反射されて生じた反射光を受光する第２受光部と、を有する請求項１記載の塗布装置。

【請求項3】

前記塗布部は、前記塗布剤として光硬化性材料を前記基板または前記薄膜の表面に塗布し、前記塗布部、前記第１計測部及び前記第２計測部と共に前記移動部により移動させられ、
前記塗布部に対して前記移動方向の後方に位置して配され、前記光硬化性材料を硬化させる光を照射する光照射部を備える請求項１または請求項２記載の塗布装置。

【請求項4】

基板または基板に形成された薄膜の表面と対向する第１計測部により少なくとも前記第１計測部と前記基板または前記薄膜の表面との間の距離を計測し、
前記第１計測部による計測結果に基づいて、制御部により移動部を制御し、塗布部を前記基板または前記薄膜の表面に沿う向きに移動させ、前記制御部により前記塗布部を制御し、前記基板または前記薄膜の表面に塗布剤を塗布させ、
前記基板または前記薄膜の表面に塗布された前記塗布剤と対向する第２計測部により少なくとも前記第２計測部と前記基板または前記薄膜の表面に塗布された前記塗布剤との間の距離を計測し、
前記第２計測部による計測結果に基づいて、前記制御部により前記移動部を制御し、少なくとも前記塗布部の移動速度及び移動経路を補正させ、前記制御部により前記塗布部を制御し、少なくとも前記塗布剤の塗布量を補正させる基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書が開示する技術は、塗布装置及び基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、基板の表面に塗布剤を塗布する塗布装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１には、塗布装置として電子部品の自動装着装置が開示されている。特許文献１に記載された電子部品の自動装着装置は、Ｘ－Ｙ方向に移動制御されるＸ－Ｙテーブル上に設置された基板支持テーブルと、この基板支持テーブル上に互いに対向させて設置された左右一対の基板搬送シュートと、この左右一対の基板搬送シュート間に搬送支持されたプリント基板上に対向位置するヘッド部と、このヘッド部を昇降可能に駆動制御しかつその下降移動でＸ－Ｙテーブルの移動制御による位置決め後のプリント基板上の所定の位置に所望の装着操作（接着剤塗布）を行なわせるヘッド駆動部と、を具備し、ヘッド部に光学検出手段を設置し、この光学検出手段で所定のヘッド待機位置からプリント基板上の所定の装着操作点の基準面に対する変位量を測定するとともに、この変位量をヘッド移動量にフィードバックさせて、ヘッド駆動部により下降するヘッド部の移動量を駆動制御可能にした。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平３－９１９９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載の電子部品の自動装着装置では、ヘッド部に備わる塗布ノズルにより塗布された接着剤の塗布状態に問題があった場合でも、その問題を検出することができない。このため、接着剤の塗布状態に問題があるプリント基板は、廃棄するか塗布作業のやり直しをするかしなければならない。プリント基板を廃棄すれば、歩留まりが悪化する問題が生じる。塗布作業をやり直す場合は、製造に係るタクトタイムが長くなる問題が生じる。

【0005】

本明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、歩留まりを向上させ、タクトタイムの短縮化させることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

（１）本明細書に記載の技術に関わる塗布装置は、基板または基板に形成された薄膜の表面と対向して配され、前記基板または前記薄膜の表面に塗布剤を塗布する塗布部と、前記塗布部を前記基板または前記薄膜の表面に沿う向きに移動させる移動部と、前記塗布部と共に前記移動部により移動させられ、前記基板または前記薄膜の表面と対向していて前記塗布部に対して前記塗布部の移動方向の前方に位置して配され、少なくとも前記基板または前記薄膜の表面との間の距離を計測する第１計測部と、前記塗布部及び前記第１計測部と共に前記移動部により移動させられ、前記基板または前記薄膜の表面に塗布された前記塗布剤と対向していて前記塗布部に対して前記移動方向の後方に位置して配され、少なくとも前記基板または前記薄膜の表面に塗布された前記塗布剤との間の距離を計測する第２計測部と、前記第１計測部及び前記第２計測部による計測結果に基づいて前記移動部及び前記塗布部の駆動を制御する制御部と、を備える。

【0007】

（２）また、上記塗布装置は、上記（１）に加え、前記第１計測部は、前記基板または前記薄膜の表面に向けて第１線状光を投射する第１投光部と、前記基板または前記薄膜の表面にて前記第１線状光が反射されて生じた反射光を受光する第１受光部と、を有し、前記第２計測部は、前記基板または前記薄膜の表面に塗布された前記塗布剤に向けて第２線状光を投射する第２投光部と、前記基板または前記薄膜の表面に塗布された前記塗布剤にて前記第２線状光が反射されて生じた反射光を受光する第２受光部と、を有してもよい。

【0008】

（３）また、上記塗布装置は、上記（１）または上記（２）に加え、前記塗布部は、前記塗布剤として光硬化性材料を前記基板または前記薄膜の表面に塗布し、前記塗布部、前記第１計測部及び前記第２計測部と共に前記移動部により移動させられ、前記塗布部に対して前記移動方向の後方に位置して配され、前記光硬化性材料を硬化させる光を照射する光照射部を備えてもよい。

【0009】

（４）本明細書に記載の技術に関わる基板の製造方法は、基板または基板に形成された薄膜の表面と対向する第１計測部により少なくとも前記第１計測部と前記基板または前記薄膜の表面との間の距離を計測し、前記第１計測部による計測結果に基づいて、制御部により移動部を制御し、塗布部を前記基板または前記薄膜の表面に沿う向きに移動させ、前記制御部により前記塗布部を制御し、前記基板または前記薄膜の表面に塗布剤を塗布させ、前記基板または前記薄膜の表面に塗布された前記塗布剤と対向する第２計測部により少なくとも前記第２計測部と前記基板または前記薄膜の表面に塗布された前記塗布剤との間の距離を計測し、前記第２計測部による計測結果に基づいて、前記制御部により前記移動部を制御し、少なくとも前記塗布部の移動速度及び移動経路を補正させ、前記制御部により前記塗布部を制御し、少なくとも前記塗布剤の塗布量を補正させる。

【発明の効果】

【0010】

本明細書に記載の技術によれば、歩留まりを向上させ、タクトタイムの短縮化させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】実施形態１に係る液晶パネルの断面図

【図2】液晶パネルにおける画素配列に示す平面図

【図3】液晶パネルを構成する基板の製造に用いられる塗布装置を示す平面図

【図4】塗布装置を示す部分切欠斜視図

【図5】塗布装置を構成する塗布部、第１計測部、第２計測部、光照射部及びホルダと、基板及び薄膜と、を示す断面図

【図6】塗布装置に係る電気的構成を示すブロック図

【図7】塗布剤を塗布する前の基板及び薄膜を示す平面図

【図8】塗布剤を塗布する前の第１計測部、基板及び薄膜を示す断面図

【図9】塗布剤が塗布された状態の基板及び薄膜を示す平面図

【図10】塗布剤が塗布された状態の基板及び薄膜を示す断面図

【図11】薄膜上に塗布された塗布剤の幅が目標値よりも小さい場合の基板及び薄膜を示す平面図

【図12】薄膜上に塗布された塗布剤の幅が目標値よりも小さい場合の第２計測部、基板及び薄膜を示す断面図

【図13】第２計測部の計測結果に基づいて塗布剤の幅が目標値と一致または近似する値とされた状態を示す平面図

【図14】実施形態２に係る塗布装置を構成する塗布部、第１計測部、第２計測部、光照射部及びホルダと、基板と、を示す断面図

【図15】基板の変形に応じて塗布部を移動させた状態を示す断面図

【発明を実施するための形態】

【0012】

＜実施形態１＞
実施形態１を図１から図１３によって説明する。本実施形態では、液晶パネル１０を構成する基板１１，１２に塗布剤を塗布する塗布装置について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。

【0013】

先に、液晶パネル１０の概略的な構成について図１を用いて説明する。液晶パネル１０は、バックライト装置（照明装置）から照射される照明光を利用して画像を表示する。液晶パネル１０は、図１に示すように、ほぼ透明で優れた透光性を有するガラス製の一対の基板１１，１２を有する。一対の基板１１，１２の間には、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層（媒質層）１３が介在して配される。一対の基板１１，１２の外周端部間には、液晶層１３をシールするシール部１４が介在して設けられている。シール部１４は、液晶層１３を取り囲むよう無端環状に形成されている。一対の基板１１，１２の主面は、各図面のＸ軸方向及びＹ軸方向に並行する。一対の基板１１，１２の主面の法線方向は、各図面のＺ軸方向と一致する。なお、一対の基板１１，１２の外面には、一対の偏光板が貼り付けられている。

【0014】

一対の基板１１，１２は、表側に位置する対向基板１１と、裏側に位置するアレイ基板１２と、を含む。対向基板１１及びアレイ基板１２は、いずれもガラス基板の内面側に各種の膜が積層形成されてなる。このうちのアレイ基板１２は、Ｙ軸方向の寸法が対向基板１１の同寸法よりも大きい。アレイ基板１２のうち、Ｙ軸方向の一方の端部は、対向基板１１とは重ならずに露出しており、当該露出部分に実装部品であるドライバ１５及びフレキシブル基板１６が実装されている。ドライバ１５は、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなる。ドライバ１５は、フレキシブル基板１６によって伝送される各種信号を処理する。ドライバ１５は、アレイ基板１２に対してＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。フレキシブル基板１６は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材上に、多数本の配線パターンを形成した構成とされる。フレキシブル基板１６は、一端側がアレイ基板１２に、他端側が外部のコントロール基板（信号供給源）に、それぞれ接続されている。コントロール基板から供給される各種信号は、フレキシブル基板１６を介して液晶パネル１０に伝送される。

【0015】

図２を用いてアレイ基板１２における画素配列について説明する。アレイ基板１２における内面側には、図２に示すように、複数ずつのＴＦＴ（薄膜トランジスタ、スイッチング素子）１７及び画素電極１８が設けられている。複数ずつのＴＦＴ１７及び画素電極１８は、互いに直交するＸ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれ間隔を空けてマトリクス状（行列状）に並んで配される。ＴＦＴ１７及び画素電極１８の周りには、格子状をなすゲート配線（走査配線）１９及びソース配線（信号配線）２０が取り囲むようにして配される。ゲート配線１９は、Ｘ軸方向に沿って延在し、Ｙ軸方向に画素電極１８を挟むよう間隔を空けて複数が並んで配される。ソース配線２０は、Ｙ軸方向に沿って延在し、Ｘ軸方向に画素電極１８を挟むよう間隔を空けて複数が並んで配される。ＴＦＴ１７に備わる３つの電極には、画素電極１８、ゲート配線１９及びソース配線２０がそれぞれ接続される。ＴＦＴ１７は、ゲート配線１９により供給される走査信号に基づいて駆動される。すると、ソース配線２０により供給される画像信号（データ信号）に係る電位が、画素電極１８に供給される。その結果、画素電極１８は、画像信号に係る電位に充電される。

【0016】

このような構成の対向基板１１及びアレイ基板１２の少なくとも一方に対して塗布剤３０Ｃを塗布する塗布装置３０の構成について説明する。この塗布剤３０Ｃには、基板１１，１２において外部に露出した状態の配線や端子等の導電部位を覆って保護するための保護剤、配線や端子等の導電部位が短絡しないよう絶縁するための絶縁剤、基板１１，１２に対して部品等を接着するための接着剤（シール剤を含む）等が含まれる。本実施形態では、基板１１，１２の表面に薄膜２１（図５を参照）が存在することを前提とし、その薄膜２１に対して塗布装置３０によって塗布剤３０Ｃを塗布する場合について説明する。薄膜２１は、基板１１，１２の表面に形成されている（図８を参照）。

【0017】

まず、塗布装置３０の物理的構成について図３から図５を用いて説明する。なお、図３及び図５には、「基板」として「対向基板１１」を代表して図示し、以下の説明において、対向基板（基板）１１に対して塗布剤３０Ｃを塗布する場合を説明しているが、「基板」として「対向基板１２」を塗布対象とする場合も、同様の塗布装置３０を用いて塗布剤３０Ｃを塗布することができる。塗布装置３０は、図３から図５に示すように、塗布剤３０Ｃを塗布するための塗布部（塗布ユニット）３１と、塗布部３１等を移動させる移動部３２と、薄膜２１の表面との間の距離を計測する第１計測部３３（図８を参照）と、薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃとの間の距離を計測する第２計測部３４（図１２を参照）と、塗布剤３０Ｃを硬化させる光を照射する光照射部３５と、を備える。塗布装置３０は、塗布部３１、第１計測部３３、第２計測部３４及び光照射部３５が取り付けられるホルダ３６を備える。ホルダ３６は、塗布部３１、第１計測部３３、第２計測部３４及び光照射部３５がいずれも基板１１と対向して配されるよう、移動部３２に対して取り付けられている。また、塗布装置３０には、基板１１を支持するステージ等も備わる。

【0018】

塗布部３１は、塗布剤３０Ｃを吐出するノズル３１Ａと、ノズル３１Ａに塗布剤３０Ｃを供給する塗布剤供給部（ディスペンサ）３１Ｂと、を有する。ノズル３１Ａは、塗布剤３０Ｃが吐出される吐出口が、ステージ上に搭載された基板１１と対向して配される。塗布剤供給部３１Ｂは、ノズル３１Ａに対して上側に配されており、ノズル３１Ａへの塗布剤３０Ｃの供給量を調整することができる。本実施形態では、塗布剤３０Ｃとして、紫外線の照射に伴って硬化が促進される特性を有する紫外線硬化性樹脂材料（光硬化性材料）が用いられている。

【0019】

移動部３２は、塗布部３１等をＸ軸方向に沿って移動させるＸ軸移動部（第１移動部）３２Ａと、塗布部３１等をＹ軸方向に沿って移動させるＹ軸移動部（第２移動部）３２Ｂと、塗布部３１等をＺ軸方向に沿って移動させるＺ軸移動部（第３移動部）３２Ｃと、を有する。Ｘ軸移動部３２Ａは、Ｘ軸方向に沿って延在するレール状をなしている。Ｙ軸移動部３２Ｂは、Ｙ軸方向に沿って延在するレール状をなしている。Ｙ軸移動部３２Ｂは、Ｘ軸方向に間隔を空けて２つが並んで配されている。２つのＹ軸移動部３２Ｂの間には、ステージ（基板１１）が挟まれる配置とされる。Ｘ軸移動部３２Ａは、両端部が２つのＹ軸移動部３２Ｂと交差するよう組み付けられる。Ｘ軸移動部３２Ａは、両端部が２つのＹ軸移動部３２Ｂにより支持されることで、Ｙ軸方向に沿ってスライド（移動）することが可能とされる。Ｚ軸移動部３２Ｃは、Ｚ軸方向に沿って延在する円筒状をなしている。Ｚ軸移動部３２Ｃは、Ｘ軸移動部３２Ａのうちの下面（基板１１との対向面）に取り付けられ、Ｘ軸方向に沿って移動可能とされる。Ｚ軸移動部３２Ｃは、Ｘ軸移動部３２Ａと共にＹ軸方向に沿って移動することも可能とされる。その上、Ｚ軸移動部３２Ｃは、Ｚ軸方向に沿って伸縮可能とされる。Ｚ軸移動部３２Ｃの下端部には、ホルダ３６が取り付けられている。従って、ホルダ３６に取り付けられた塗布部３１、第１計測部３３、第２計測部３４及び光照射部３５は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向のそれぞれに沿って移動することが可能とされる。

【0020】

第１計測部３３及び第２計測部３４は、いずれも三次元レーザ変位計（レーザ変位計）である。第１計測部３３は、対向する基板１１に向けてレーザ光を投射し、薄膜２１の表面にて反射された反射光を受光することで、薄膜２１の表面との間の距離を計測することが可能とされる。第２計測部３４は、対向する基板１１に向けてレーザ光を投射し、基板１１の薄膜２１に塗布された塗布剤３０Ｃの表面にて反射された反射光を受光することで、塗布剤３０Ｃの表面との間の距離を計測することが可能とされる。第１計測部３３及び第２計測部３４は、ホルダ３６において、Ｙ軸方向に塗布部３１を間に挟む位置に配されている。第１計測部３３は、塗布部３１に対し、塗布剤３０Ｃを塗布する際のホルダ３６（塗布部３１等）の移動方向（進行方向）の前方に位置する。第２計測部３４は、塗布部３１に対し、塗布剤３０Ｃを塗布する際のホルダ３６（塗布部３１等）の移動方向の後方に位置する。なお、図３から図５には、塗布剤３０Ｃを塗布する際のホルダ３６の移動方向を矢線にて図示している。光照射部３５は、塗布剤３０Ｃを硬化させる紫外線を基板１１の薄膜２１に塗布された塗布剤３０Ｃに向けて照射することが可能とされる。光照射部３５は、第２計測部３４に対し、塗布剤３０Ｃを塗布する際のホルダ３６（塗布部３１等）の移動方向の後方に位置する。このように、ホルダ３６には、上記した移動方向の前側から、第１計測部３３、塗布部３１、第２計測部３４、光照射部３５の順に並んで配されている。

【0021】

次に、塗布装置３０の電気的構成について図６を用いて説明する。塗布装置３０は、図６に示すように、塗布部３１、移動部３２、第１計測部３３、第２計測部３４及び光照射部３５を制御する制御部４０と、制御部４０による制御に要する情報等が記憶されるメモリ（記憶部）４１と、を備える。制御部４０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を含む。制御部４０は、塗布部３１、移動部３２、第１計測部３３、第２計測部３４及び光照射部３５の制御に加えて、第１計測部３３及び第２計測部３４による計測結果等を利用した演算を行う。メモリ４１は、ＲＡＭ（Random Access Memory）を含む。メモリ４１には、予め事前登録情報が記憶されている。この事前登録情報には、基板１１に備わる薄膜２１の大きさ（高さ、幅等）や位置に係る設計値、薄膜２１上に塗布される塗布剤３０Ｃの大きさ（高さ、幅等）や位置に係る目標値、塗布剤３０Ｃを塗布する際の塗布部３１の移動経路に関する情報等が含まれている。メモリ４１には、第１計測部３３及び第２計測部３４による計測結果が随時に記憶され、さらには制御部４０による演算結果が随時に記憶されるようになっている。なお、塗布装置３０には、ステージをＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させるとともに、ステージをその中心を通る中心軸回りに回転させるステージ駆動部等も備わる。

【0022】

塗布部３１に備わる塗布剤供給部３１Ｂは、制御部４０によって制御されることで、ノズル３１Ａへの塗布剤３０Ｃの単位時間当たりの供給量、つまりノズル３１Ａによる塗布剤３０Ｃの単位時間当たりの塗布量を調整することができる。移動部３２は、ホルダ３６（塗布部３１等）をＸ軸方向に移動させる動力を発するＸ軸モータ部３２Ｄと、ホルダ３６をＹ軸方向に移動させる動力を発するＹ軸モータ部３２Ｅと、ホルダ３６をＺ軸方向に移動させる動力を発するＺ軸モータ部３２Ｆと、を有する。これらＸ軸モータ部３２Ｄ、Ｙ軸モータ部３２Ｅ及びＺ軸モータ部３２Ｆは、いずれもサーボモータからなり、それぞれの駆動が制御部４０によって制御される。Ｘ軸モータ部３２Ｄ、Ｙ軸モータ部３２Ｅ及びＺ軸モータ部３２Ｆの駆動が制御部４０によって制御されることで、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向についてのホルダ３６の移動量及び移動速度が調整される。

【0023】

第１計測部３３は、第１投光部３３Ａ及び第１受光部３３Ｂを有する。第１投光部３３Ａは、基板１１の主面に沿うホルダ３６の移動方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）と直交（交差）する方向に沿う線状（帯状）のレーザ光を投射する。以下では、第１投光部３３Ａから投射されるレーザ光を第１線状光と言う。第１投光部３３Ａから投射された第１線状光は、薄膜２１の表面にて反射され、反射光となって第１計測部３３側に戻ってくる。第１受光部３３Ｂは、薄膜２１の表面にて第１線状光が反射されて生じた反射光を受光する。第１受光部３３Ｂは、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ等の撮像素子からなる。制御部４０により第１投光部３３Ａ及び第１受光部３３Ｂの駆動が制御されることで、薄膜２１の表面と第１計測部３３との間の距離を計測することができる。制御部４０は、第１計測部３３による計測結果を利用することで、薄膜２１の断面プロファイルを作成することができるとともに、基板１１に存在する薄膜２１の大きさ（高さ、幅等）や位置を検出することができる。

【0024】

第２計測部３４は、第２投光部３４Ａ及び第２受光部３４Ｂを有する。第２投光部３４Ａは、ホルダ３６の移動方向と直交（交差）する方向に沿う線状（帯状）のレーザ光を投射する。以下では、第２投光部３４Ａから投射されるレーザ光を第２線状光と言う。第２投光部３４Ａから投射された第２線状光は、基板１１の薄膜２１に塗布された塗布剤３０Ｃの表面にて反射され、反射光となって第２計測部３４側に戻ってくる。第２受光部３４Ｂは、塗布剤３０Ｃの表面にて第２線状光が反射されて生じた反射光を受光する。第２受光部３４Ｂは、ＣＭＯＳイメージセンサ等の撮像素子からなる。制御部４０により第２投光部３４Ａ及び第２受光部３４Ｂの駆動が制御されることで、塗布剤３０Ｃの表面と第２計測部３４との間の距離を計測することができる。制御部４０は、第２計測部３４による計測結果を利用することで、塗布剤３０Ｃの断面プロファイルを作成することができるとともに、塗布剤３０Ｃの大きさ（高さ、幅等）や位置を検出することができる。また、光照射部３５は、制御部４０によって制御されることで、塗布剤３０Ｃに対して照射する紫外線の単位時間当たりの照射光量を調整することができる。

【0025】

本実施形態に係る第１計測部３３は、図３から図５に示すように、塗布部３１に対してホルダ３６の移動方向の前方に配されている。従って、制御部４０は、第１計測部３３による計測結果を利用することで、塗布剤３０Ｃが塗布される前の状態（未塗布状態）での基板１１に存在する薄膜２１の大きさ（高さ、幅等）や位置を検出することができる。制御部４０は、検出された薄膜２１の大きさや位置に係る情報を、メモリ４１に記憶された事前登録情報に含まれる薄膜２１の大きさや位置に係る設計値と比較する。検出された薄膜２１の大きさや位置に係る情報が設計値と一致しない場合は、基板１１上に薄膜２１が設計通りに設けられておらず、その大きさや位置が設計値からずれているので、制御部４０は、そのずれに基づく補正値を演算する。制御部４０は、演算した補正値に基づいて移動部３２及び塗布部３１を制御する。制御部４０により制御される移動部３２は、基板１１に対する塗布部３１の位置（移動経路）や移動速度等を調整する。制御部４０により制御される塗布部３１は、塗布剤３０Ｃの塗布量等を調整する。これにより、基板１１上に存在する薄膜２１の仕上がり状態に応じて塗布剤３０Ｃを適切に塗布することができる。なお、検出された薄膜２１の大きさや位置に係る情報が設計値と一致する場合は、基板１１において薄膜２１が設計通りの大きさで設計通りの位置に存在しているので、制御部４０は補正値を演算しない。

【0026】

一方、第２計測部３４は、塗布部３１に対してホルダ３６の移動方向の後方に配されている。従って、制御部４０は、第２計測部３４による計測結果を利用することで、塗布剤３０Ｃが塗布された後の状態（塗布状態）での基板１１上の薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃの大きさ（高さ、幅等）や位置を検出することができる。制御部４０は、検出された塗布剤３０Ｃの大きさや位置に係る情報を、メモリ４１に記憶された事前登録情報に含まれる塗布剤３０Ｃの大きさや位置に係る目標値と比較する。検出された塗布剤３０Ｃの大きさや位置に係る情報が目標値と一致しない場合は、基板１１の薄膜２１上に塗布剤３０Ｃが設計通りに塗布されておらず、その大きさや位置が目標値からずれているので、制御部４０は、そのずれに基づく補正値を演算する。制御部４０は、演算した補正値に基づいて移動部３２及び塗布部３１を制御する。制御部４０により制御される移動部３２は、基板１１の薄膜２１に対する塗布部３１の位置（移動経路）や移動速度等を調整する。制御部４０により制御される塗布部３１は、塗布剤３０Ｃの塗布量等を調整する。これにより、基板１１の薄膜２１上に塗布された塗布剤３０Ｃの状態に応じて塗布剤３０Ｃを適切に塗布することができる。なお、検出された塗布剤３０Ｃの大きさや位置に係る情報が目標値と一致する場合は、基板１１の薄膜２１上において塗布剤３０Ｃが設計通りの大きさで設計通りの位置に塗布されているので、制御部４０は補正値を演算しない。

【0027】

本実施形態に係る塗布装置３０は以上のような構造であり、続いて塗布装置３０によって基板１１に塗布剤３０Ｃを塗布し、基板１１を製造する方法を、図７から図１３を用いて説明する。なお、図７から図１３には、「基板」として「対向基板１１」を代表して図示し、以下の説明において、対向基板（基板）１１に対して塗布剤３０Ｃを塗布する場合を説明しているが、「基板」として「対向基板１２」を塗布対象とする場合も、同様の塗布装置３０を用いて塗布剤３０Ｃを塗布することができる。まず、基板１１をステージ上に載置する。基板１１には、アライメントマークが設けられており、そのアライメントマークを読み取り装置によって読み取ることで、ステージ上の基板１１の位置が検出される。検出された基板１１の位置情報に基づいて、制御部４０は、ステージ駆動部の駆動を制御する。すると、ステージは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動されるとともに、ステージの中心を通る中心軸回りに回転される。これにより、ステージ上に載置された基板１１が、塗布装置３０に対して位置合わせされる。

【0028】

上記のようにして基板１１が位置合わせされたら、続いて基板１１の薄膜２１の表面に塗布剤３０Ｃを塗布する工程が行われる。制御部４０は、メモリ４１に記憶された事前登録情報に含まれる移動経路に係る情報に基づいて、塗布部３１を塗布開始位置まで移動させる。塗布剤３０Ｃの塗布に先立って、制御部４０は、図７及び図８に示すように、塗布部３１に対して移動方向の前方に位置する第１計測部３３による計測を実行する。なお、図７及び図８には、設計通りに設けられていない薄膜２１が実線にて図示されており、設計通りに設けられる薄膜２１が細い二点鎖線にて図示されている。また、図７には、設計通りに設けられる薄膜２１のＸ軸方向の中心位置Ｃ１が細い一点鎖線によって図示され、設計通りに設けられていない薄膜２１のＸ軸方向の中心位置Ｃ２が太い一点鎖線によって図示されている。第１投光部３３Ａから投射された第１線状光は、薄膜２１の表面にて反射され、反射光となって第１受光部３３Ｂにより受光される（図６を参照）。なお、図８には、第１計測部３３による第１線状光の照射範囲が一点鎖線にて図示されている。制御部４０は、第１受光部３３Ｂによる受光に基づいて、第１計測部３３と薄膜２１の表面との間の距離を計測し、得られた計測結果に基づいていわゆる光切断法により薄膜２１の断面プロファイルを得る。これにより、基板１１上の薄膜２１の大きさ（幅、高さ等）や位置が良好に検出される。

【0029】

制御部４０は、検出された薄膜２１の大きさや位置に係る情報を、メモリ４１に記憶された事前登録情報に含まれる薄膜２１の大きさや位置に係る設計値と比較する。この設計値は、所定の数値範囲であってもよい。薄膜２１が図７及び図８の実線通りに存在する場合は、検出された薄膜２１の大きさや位置に係る情報が設計値と一致しない。この場合は、制御部４０は、検出された薄膜２１の大きさや位置と設計値との間に生じたずれを補正するための補正値を演算する。具体的には、図７及び図８の実線にて示される薄膜２１の位置は、設計値に対して同図の右寄りに偏在している。制御部４０は、演算した補正値に基づいて移動部３２を制御し、塗布部３１の位置を補正する。具体的には、塗布部３１は、塗布開始位置から図７及び図８の右寄りに移動される。これにより、塗布部３１のノズル３１Ａの吐出口が、薄膜２１のＸ軸方向の中心位置Ｃ２と重なる配置となる。制御部４０は、塗布部３１の駆動を制御してノズル３１Ａから塗布剤３０Ｃを吐出させるとともに、移動部３２の駆動を制御してホルダ３６を、事前登録情報に含まれる移動経路に沿って移動させる。すると、図９及び図１０に示すように、ノズル３１Ａから吐出された塗布剤３０Ｃが薄膜２１の表面において適切な位置に塗布される。また、第１計測部３３により検出された薄膜２１の高さが設計値よりも低い場合は、移動部３２の駆動を制御し、ホルダ３６を低い位置（基板１１に近い位置）に移動させればよい。逆に、第１計測部３３により検出された薄膜２１の高さが設計値よりも高い場合は、移動部３２の駆動を制御し、ホルダ３６を高い位置（基板１１から遠い位置）に移動させればよい。

【0030】

塗布部３１による塗布剤３０Ｃの塗布が開始されると、制御部４０は、図１１及び図１２に示すように、塗布部３１に対して移動方向の後方に位置する第２計測部３４による計測と、第２計測部３４に対して移動方向の後方に位置する光照射部３５による紫外線の照射と、を開始させる。なお、図１１及び図１２には、目標値通りに塗布されない塗布剤が実線にて図示されており、図１１及び図１２には、目標値通りに塗布される塗布剤３０Ｃが二点鎖線にて図示されている。第２投光部３４Ａから投射された第２線状光は、塗布剤３０Ｃの表面にて反射され、反射光となって第２受光部３４Ｂにより受光される（図６を参照）。なお、図１２には、第２計測部３４による第２線状光の照射範囲が一点鎖線にて図示されている。制御部４０は、第２受光部３４Ｂによる受光に基づいて、第２計測部３４と塗布剤３０Ｃの表面との間の距離を計測し、得られた計測結果に基づいていわゆる光切断法により塗布剤３０Ｃの断面プロファイルを得る。これにより、薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃの大きさ（幅、高さ等）や位置が良好に検出される。

【0031】

制御部４０は、検出された塗布剤３０Ｃの大きさや位置に係る情報を、メモリ４１に記憶された事前登録情報に含まれる塗布剤３０Ｃの大きさや位置に係る目標値と比較する。この目標値は、所定の数値範囲であってもよい。塗布剤３０Ｃが図１１及び図１２の実線通りに存在する場合は、検出された塗布剤３０Ｃの大きさや位置に係る情報が目標値と一致しない。この場合は、制御部４０は、検出された塗布剤３０Ｃの大きさや位置と目標値との間に生じたずれを補正するための補正値を演算する。具体的には、図１１及び図１２の実線にて示される塗布剤３０Ｃの幅は、目標値よりも小さい。制御部４０は、演算した補正値に基づいて塗布部３１及び移動部３２を制御し、塗布剤３０Ｃの吐出量を補正するとともに、移動部３２によるホルダ３６の移動速度を補正する。具体的には、ノズル３１Ａから吐出される塗布剤３０Ｃの単位時間当たりの吐出量が増加されるとともに、ホルダ３６の移動速度が遅くされる。これにより、図１３に示すように、薄膜２１上に塗布される塗布剤３０Ｃの幅が大きくなり、目標値と一致または近似する値となる。第２計測部３４により検出された塗布剤３０Ｃの幅が目標値よりも大きい場合は、上記とは逆に、塗布剤３０Ｃの単位時間当たりの吐出量を減少させ、ホルダ３６の移動速度を速くすればよい。また、塗布剤３０Ｃの高さ（厚み）が目標値よりも小さい場合は、制御部４０により塗布部３１及び移動部３２の駆動を制御し、塗布剤３０Ｃの単位時間当たりの吐出量を増加させたり、ホルダ３６の移動速度を遅くしたりすればよい。また、塗布剤３０Ｃの高さが目標値よりも大きい場合は、制御部４０により塗布部３１及び移動部３２の駆動を制御し、塗布剤３０Ｃの単位時間当たりの吐出量を減少させたり、ホルダ３６の移動速度を速くしたりすればよい。

【0032】

薄膜２１上に塗布された塗布剤３０Ｃには、光照射部３５から発せられた紫外線が照射される。これにより、塗布剤３０Ｃは硬化が促進される。このとき、光照射部３５から塗布剤３０Ｃに照射される紫外線の照射光量は、塗布剤３０Ｃが完全に硬化するのに要する照射光量よりも少ない。これにより、塗布剤３０Ｃは半硬化状態とされる。このようにすれば、例えば塗布剤３０Ｃに用いられる紫外線硬化性樹脂材料が粘性の低い場合でも、塗布剤３０Ｃの塗布範囲（幅）や高さが経時的に変化する事態を避けることができる。

【0033】

制御部４０は、ホルダ３６が移動経路に沿って移動して塗布終了位置に達するまで、第１計測部３３及び第２計測部３４による計測を随時に行い、未塗布状態の薄膜２１の断面プロファイルと、塗布剤３０Ｃの断面プロファイルと、を連続的に作成する。制御部４０は、第１計測部３３及び第２計測部３４による計測結果に基づいて塗布部３１及び移動部３２の駆動を制御し、ホルダ３６の移動経路や塗布部３１による塗布量等を随時に調整する。以上により、塗布剤３０Ｃの塗布が適正化されるので、製造される基板１１に不良品が生じ難くなり、歩留まりが向上する。不良品の数が減少すれば、修理の頻度も減少し、結果として製造に係るタクトタイムの短縮化に資する。

【0034】

以上説明したように本実施形態の塗布装置３０は、基板１１，１２に形成された薄膜２１の表面と対向して配され、薄膜２１の表面に塗布剤３０Ｃを塗布する塗布部３１と、塗布部３１を薄膜２１の表面に沿う向きに移動させる移動部３２と、塗布部３１と共に移動部３２により移動させられ、薄膜２１の表面と対向していて塗布部３１に対して塗布部３１の移動方向の前方に位置して配され、少なくとも薄膜２１の表面との間の距離を計測する第１計測部３３と、塗布部３１及び第１計測部３３と共に移動部３２により移動させられ、薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃと対向していて塗布部３１に対して移動方向の後方に位置して配され、少なくとも薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃとの間の距離を計測する第２計測部３４と、第１計測部３３及び第２計測部３４による計測結果に基づいて移動部３２及び塗布部３１の駆動を制御する制御部４０と、を備える。

【0035】

塗布部３１に対して移動方向の前方に位置する第１計測部３３により少なくとも薄膜２１の表面との間の距離が計測される。第１計測部３３による計測結果を利用することで、薄膜２１の大きさ（高さ、幅等）や位置を検出することができる。第１計測部３３による計測結果に基づいて制御部４０により移動部３２及び塗布部３１の駆動が制御される。具体的には、移動部３２は、制御部４０による制御に基づいて薄膜２１に対する塗布部３１の位置（移動経路）や移動速度等を調整する。また、塗布部３１は、制御部４０による制御に基づいて塗布剤３０Ｃの塗布量等を調整する。これにより、薄膜２１の表面の状態に応じて塗布剤３０Ｃが適切に塗布される。

【0036】

塗布部３１に対して移動方向の後方に位置する第２計測部３４により少なくとも薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃとの間の距離が計測される。第２計測部３４による計測結果を利用することで、薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃの大きさ（高さ、幅等）や位置を検出することができる。第２計測部３４による計測結果に基づいて制御部４０により移動部３２及び塗布部３１の駆動が制御されると、塗布部３１の移動速度及び移動経路等が補正され、塗布剤３０Ｃの塗布量等が補正される。これにより、先行して薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃの状態に応じて塗布剤３０Ｃが適切に塗布される。以上のように塗布剤３０Ｃの塗布が適正化されるので、基板１１，１２に不良品が生じ難くなり、歩留まりが向上する。不良品の数が減少すれば、修理の頻度も減少し、結果として製造に係るタクトタイムの短縮化に資する。また、１つの移動部３２によって第１計測部３３、塗布部３１及び第２計測部３４が共に移動させられるので、第１計測部３３による計測と、塗布部３１による塗布剤３０Ｃの塗布と、第２計測部３４による計測と、を連続的に行うことができる。これにより、製造に係るタクトタイムの短縮化を図る上でより好適となる。

【0037】

また、第１計測部３３は、薄膜２１の表面に向けて第１線状光を投射する第１投光部３３Ａと、薄膜２１の表面にて第１線状光が反射されて生じた反射光を受光する第１受光部３３Ｂと、を有し、第２計測部３４は、薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃに向けて第２線状光を投射する第２投光部３４Ａと、薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃにて第２線状光が反射されて生じた反射光を受光する第２受光部３４Ｂと、を有する。

【0038】

第１投光部３３Ａから投射された第１線状光は、薄膜２１の表面にて反射される。薄膜２１の表面にて生じた反射光は、第１受光部３３Ｂに受光され、計測結果が得られる。このように、第１計測部３３は、第１線状光を利用して薄膜２１の表面との間の距離を計測しているので、いわゆる光切断法により薄膜２１の断面プロファイルを得ることが可能となる。これにより、薄膜２１の大きさや位置を良好に検出することができる。

【0039】

また、第２投光部３４Ａから投射された第２線状光は、塗布剤３０Ｃの表面にて反射される。塗布剤３０Ｃの表面にて生じた反射光は、第２受光部３４Ｂに受光され、計測結果が得られる。このように、第２計測部３４は、第２線状光を利用して塗布剤３０Ｃの表面との間の距離を計測しているので、いわゆる光切断法により塗布剤３０Ｃの断面プロファイルを得ることが可能となる。これにより、先行して基板１１，１２または薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃの状態に応じて、塗布部３１によって塗布剤３０Ｃがより適切に塗布される。

【0040】

また、塗布部３１は、塗布剤３０Ｃとして光硬化性材料を薄膜２１の表面に塗布し、塗布部３１、第１計測部３３及び第２計測部３４と共に移動部３２により移動させられ、塗布部３１に対して移動方向の後方に位置して配され、光硬化性材料を硬化させる光を照射する光照射部３５を備える。塗布部３１により薄膜２１の表面に塗布された光硬化性材料は、光照射部３５から照射される光によって硬化が促進される。硬化前の光硬化材料の粘性が低い場合でも、光照射部３５によって光硬化材料をある程度まで硬化させることで、薄膜２１の表面に塗布されたときの塗布剤３０Ｃの大きさや位置を良好に維持することができる。

【0041】

本実施形態に係る基板１１，１２の製造方法は、基板１１，１２に形成された薄膜２１の表面と対向する第１計測部３３により少なくとも第１計測部３３と薄膜２１の表面との間の距離を計測し、第１計測部３３による計測結果に基づいて、制御部４０により移動部３２を制御し、塗布部３１を薄膜２１の表面に沿う向きに移動させ、制御部４０により塗布部３１を制御し、薄膜２１の表面に塗布剤３０Ｃを塗布させ、薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃと対向する第２計測部３４により少なくとも第２計測部３４と薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃとの間の距離を計測し、第２計測部３４による計測結果に基づいて、制御部４０により移動部３２を制御し、少なくとも塗布部３１の移動速度及び移動経路を補正させ、制御部４０により塗布部３１を制御し、少なくとも塗布剤３０Ｃの塗布量を補正させる。

【0042】

塗布剤３０Ｃの塗布に先立って、第１計測部３３により少なくとも薄膜２１の表面との間の距離が計測される。第１計測部３３による計測結果を利用することで、薄膜２１の大きさ（高さ、幅等）や位置を検出することができる。第１計測部３３による計測結果に基づいて制御部４０により移動部３２及び塗布部３１の駆動が制御される。具体的には、移動部３２は、制御部４０による制御に基づいて薄膜２１に対する塗布部３１の位置（移動経路）や移動速度等を調整する。また、塗布部３１は、制御部４０による制御に基づいて塗布剤３０Ｃの塗布量等を調整する。これにより、薄膜２１の表面の状態に応じて塗布剤３０Ｃが適切に塗布される。

【0043】

薄膜２１の表面に塗布剤３０Ｃが塗布された後、第２計測部３４により少なくとも薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃとの間の距離が計測される。第２計測部３４による計測結果を利用することで、薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃの大きさ（高さ、幅等）や位置を検出することができる。第２計測部３４による計測結果に基づいて制御部４０により移動部３２及び塗布部３１の駆動が制御されると、塗布部３１の移動速度及び移動経路等が補正され、塗布剤３０Ｃの塗布量等が補正される。これにより、先行して薄膜２１の表面に塗布された塗布剤３０Ｃの状態に応じて塗布剤３０Ｃが適切に塗布される。以上のように塗布剤３０Ｃの塗布が適正化されるので、基板１１，１２に不良品が生じ難くなり、歩留まりが向上する。不良品の数が減少すれば、修理の頻度も減少し、結果として製造に係るタクトタイムの短縮化に資する。

【0044】

＜実施形態２＞
実施形態２を図１４または図１５によって説明する。この実施形態２では、基板１１，１２上に薄膜２１が存在しない場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

【0045】

本実施形態では、実施形態１に記載した薄膜２１（図５を参照）が存在しない基板１１，１２を製造する。本実施形態では、基板１１，１２の表面に対して塗布装置１３０によって塗布剤１３０Ｃを直接的に塗布する場合について説明する。なお、本実施形態において、基板１１，１２に何らかの薄膜が存在してもよいが、その薄膜は塗布剤１３０Ｃの塗布対象物ではない。本実施形態では、反りや撓み等の変形が生じ易い基板１１，１２が用いられる。なお、図１４及び図１５では、「基板」として「対向基板１１」を代表して図示し、以下の説明において、対向基板（基板）１１に対して塗布剤１３０Ｃを塗布する場合を説明しているが、「基板」として「対向基板１２」を塗布対象とする場合も、同様の塗布装置１３０を用いて塗布剤１３０Ｃを塗布することができる。

【0046】

塗布部１３１に対して移動方向の前方に位置する第１計測部１３３により計測が行われると、図１４に示すように、第１計測部１３３と未塗布状態の基板１１の表面との間の距離が得られる。例えば、基板１１に変形が生じていて、基板１１のうち、塗布部１３１による被塗布位置に対して移動方向の前方の部分が裏側（下側）に凹んだ形状（谷形状）だった場合には、第１計測部１３３により計測される第１計測部１３３と未塗布状態の基板１１の表面との間の距離が、設計値よりも大きくなる。この場合、制御部４０（図６を参照）は、移動部３２の駆動を制御し、図１５に示すように、ホルダ１３６をＺ軸方向の下向きに移動させる。一方、基板１１のうち、塗布部１３１による被塗布位置に対して移動方向の前方の部分が表側（上側）に突出した形状（山形状）だった場合には、第１計測部１３３により計測される第１計測部１３３と未塗布状態の基板１１の表面との間の距離が、設計値よりも小さくなる。この場合、制御部４０は、移動部３２の駆動を制御し、ホルダ１３６をＺ軸方向の上向きに移動させる。以上により、基板１１が変形していても、基板１１の表面に対するノズル１３１ＡのＺ軸方向の位置が安定的に保たれ、塗布剤１３０Ｃが適切に塗布され易くなる。

【0047】

以上説明したように本実施形態の塗布装置１３０は、基板１１，１２の表面と対向して配され、基板１１，１２の表面に塗布剤１３０Ｃを塗布する塗布部１３１と、塗布部１３１を基板１１，１２の表面に沿う向きに移動させる移動部３２と、塗布部１３１と共に移動部３２により移動させられ、基板１１，１２の表面と対向していて塗布部１３１に対して塗布部１３１の移動方向の前方に位置して配され、少なくとも基板１１，１２の表面との間の距離を計測する第１計測部１３３と、塗布部１３１及び第１計測部１３３と共に移動部３２により移動させられ、基板１１，１２の表面に塗布された塗布剤１３０Ｃと対向していて塗布部１３１に対して移動方向の後方に位置して配され、少なくとも基板１１，１２の表面に塗布された塗布剤１３０Ｃとの間の距離を計測する第２計測部１３４と、第１計測部１３３及び第２計測部１３４による計測結果に基づいて移動部３２及び塗布部１３１の駆動を制御する制御部４０と、を備える（移動部３２及び制御部４０は図６を参照）。

【0048】

塗布部１３１に対して移動方向の前方に位置する第１計測部１３３により少なくとも基板１１，１２の表面との間の距離が計測される。第１計測部１３３による計測結果を利用することで、基板１１，１２の表面の変形度合い（反り、撓み等）を検出することができる。第１計測部１３３による計測結果に基づいて制御部４０により移動部３２及び塗布部１３１の駆動が制御される。具体的には、移動部３２は、制御部４０による制御に基づいて基板１１，１２に対する塗布部１３１の位置（移動経路）や移動速度等を調整する。また、塗布部１３１は、制御部４０による制御に基づいて塗布剤１３０Ｃの塗布量等を調整する。これにより、基板１１，１２の表面の状態に応じて塗布剤１３０Ｃが適切に塗布される。

【0049】

塗布部１３１に対して移動方向の後方に位置する第２計測部１３４により少なくとも基板１１，１２の表面に塗布された塗布剤１３０Ｃとの間の距離が計測される。第２計測部１３４による計測結果を利用することで、基板１１，１２の表面に塗布された塗布剤１３０Ｃの大きさ（高さ、幅等）や位置を検出することができる。第２計測部１３４による計測結果に基づいて制御部４０により移動部３２及び塗布部１３１の駆動が制御されると、塗布部１３１の移動速度及び移動経路等が補正され、塗布剤１３０Ｃの塗布量等が補正される。これにより、先行して基板１１，１２の表面に塗布された塗布剤１３０Ｃの状態に応じて塗布剤１３０Ｃが適切に塗布される。以上のように塗布剤１３０Ｃの塗布が適正化されるので、基板１１，１２に不良品が生じ難くなり、歩留まりが向上する。不良品の数が減少すれば、修理の頻度も減少し、結果として製造に係るタクトタイムの短縮化に資する。また、１つの移動部３２によって第１計測部１３３、塗布部１３１及び第２計測部１３４が共に移動させられるので、第１計測部１３３による計測と、塗布部１３１による塗布剤１３０Ｃの塗布と、第２計測部１３４による計測と、を連続的に行うことができる。これにより、製造に係るタクトタイムの短縮化を図る上でより好適となる。

【0050】

本実施形態に係る基板１１，１２の製造方法は、基板１１，１２の表面と対向する第１計測部１３３により少なくとも第１計測部１３３と基板１１，１２の表面との間の距離を計測し、第１計測部１３３による計測結果に基づいて、制御部４０により移動部３２を制御し、塗布部１３１を基板１１，１２の表面に沿う向きに移動させ、制御部４０により塗布部１３１を制御し、基板１１，１２の表面に塗布剤１３０Ｃを塗布させ、基板１１，１２の表面に塗布された塗布剤１３０Ｃと対向する第２計測部１３４により少なくとも第２計測部１３４と基板１１，１２の表面に塗布された塗布剤１３０Ｃとの間の距離を計測し、第２計測部１３４による計測結果に基づいて、制御部４０により移動部３２を制御し、少なくとも塗布部１３１の移動速度及び移動経路を補正させ、制御部４０により塗布部１３１を制御し、少なくとも塗布剤１３０Ｃの塗布量を補正させる。

【0051】

塗布剤１３０Ｃの塗布に先立って、第１計測部１３３により少なくとも基板１１，１２の表面との間の距離が計測される。第１計測部１３３による計測結果を利用することで、基板１１，１２の表面の変形度合い（反り、撓み等）を検出することができる。第１計測部１３３による計測結果に基づいて制御部４０により移動部３２及び塗布部１３１の駆動が制御される。具体的には、移動部３２は、制御部４０による制御に基づいて基板１１，１２に対する塗布部１３１の位置（移動経路）や移動速度等を調整する。また、塗布部１３１は、制御部４０による制御に基づいて塗布剤１３０Ｃの塗布量等を調整する。これにより、基板１１，１２の表面の状態に応じて塗布剤１３０Ｃが適切に塗布される。

【0052】

基板１１，１２の表面に塗布剤１３０Ｃが塗布された後、第２計測部１３４により少なくとも基板１１，１２の表面に塗布された塗布剤１３０Ｃとの間の距離が計測される。第２計測部１３４による計測結果を利用することで、基板１１，１２の表面に塗布された塗布剤１３０Ｃの大きさ（高さ、幅等）や位置を検出することができる。第２計測部１３４による計測結果に基づいて制御部４０により移動部３２及び塗布部１３１の駆動が制御されると、塗布部１３１の移動速度及び移動経路等が補正され、塗布剤１３０Ｃの塗布量等が補正される。これにより、先行して基板１１，１２の表面に塗布された塗布剤１３０Ｃの状態に応じて塗布剤１３０Ｃが適切に塗布される。以上のように塗布剤１３０Ｃの塗布が適正化されるので、基板１１，１２に不良品が生じ難くなり、歩留まりが向上する。不良品の数が減少すれば、修理の頻度も減少し、結果として製造に係るタクトタイムの短縮化に資する。

【0053】

＜他の実施形態＞
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されず、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。

【0054】

（１）塗布部３１，１３１の具体的な構成は、図示以外にも適宜に変更可能である。例えば、ノズル３１Ａ，１３１Ａの吐出口が線状に延びる形態とされ、帯状の塗布剤３０Ｃ，１３０Ｃを塗布するようにしてもよい。

【0055】

（２）第１計測部３３，１３３及び第２計測部３４，１３４として、上記した三次元レーザ変位計以外にも、一次元レーザ変位計または二次元レーザ変位計を用いることも可能である。

【0056】

（３）第１計測部３３，１３３及び第２計測部３４，１３４として、上記したレーザ変位計以外の種類の変位計を用いることも可能である。

【0057】

（４）移動部３２の具体的な構成は、図示以外にも適宜に変更可能である。

【0058】

（５）塗布剤３０Ｃ，１３０Ｃの材料は、熱硬化性樹脂材料等であってもよい。その場合、ホルダ３６，１３６には、上記した光照射部３５に代えて、塗布剤３０Ｃ，１３０Ｃを加熱して硬化させるための加熱装置を備えればよい。

【0059】

（６）基板１１，１２は、上記した液晶パネル１０以外の表示パネル（有機ＥＬ表示パネル等）を構成する基板であってもよい。

【0060】

（７）基板１１，１２は、上記した液晶パネル１０を構成する基板１１，１２以外にも、プリント基板等であってもよい。

【符号の説明】

【0061】

１１，１２…基板、２１…薄膜、３０，１３０…塗布装置、３０Ｃ，１３０Ｃ…塗布剤、３１，１３１…塗布部、３２…移動部、３３，１３３…第１計測部、３３Ａ…第１投光部、３３Ｂ…第１受光部、３４，１３４…第２計測部、３４Ａ…第２投光部、３４Ｂ…第２受光部、３５…光照射部、４０…制御部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】