(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023167192
(43)【公開日】2023-11-24
(54)【発明の名称】チップ抵抗器
(51)【国際特許分類】
H01C 7/00 20060101AFI20231116BHJP
H01C 1/14 20060101ALI20231116BHJP
H01C 1/032 20060101ALI20231116BHJP
【ＦＩ】
H01C7/00 110
H01C1/14 Z
H01C1/032
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022078175
(22)【出願日】2022-05-11
(71)【出願人】
【識別番号】000105350
【氏名又は名称】ＫＯＡ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000442
【氏名又は名称】弁理士法人武和国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】木村 太郎
(72)【発明者】
【氏名】川上 圭太
【テーマコード（参考）】
5E028
5E033
【Ｆターム（参考）】
5E028BA04
5E028BB01
5E028CA02
5E028EA01
5E028JC05
5E033AA27
5E033BC01
5E033BE02
5E033BH02
(57)【要約】
【課題】耐食性に優れたチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の表面両端部に設けられた一対の表電極３と、絶縁基板２の裏面両端部に形成された一対の裏電極４と、一対の表電極３間を橋絡する抵抗体５と、抵抗体５を覆う樹脂材料からなる第２絶縁層（保護膜）７と、第２絶縁層７上に積層された樹脂材料からなる第３絶縁層（補助膜）８と、表電極３上に積層された導電性粒子を含有する樹脂材料からなる一対の補助電極層９と、絶縁基板２の両端面に延在して対応する補助電極層９と裏電極４間を導通する一対の端面電極１０と、補助電極層９と端面電極１０の表面を覆うように設けられた一対の外部メッキ層１１とを備え、補助電極層９は第３絶縁層８の端部表面を覆う位置まで形成されており、第２絶縁層７は第３絶縁層８よりも無機フィラーを多く含有している。
【選択図】図２
【解決手段】本発明のチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の表面両端部に設けられた一対の表電極３と、絶縁基板２の裏面両端部に形成された一対の裏電極４と、一対の表電極３間を橋絡する抵抗体５と、抵抗体５を覆う樹脂材料からなる第２絶縁層（保護膜）７と、第２絶縁層７上に積層された樹脂材料からなる第３絶縁層（補助膜）８と、表電極３上に積層された導電性粒子を含有する樹脂材料からなる一対の補助電極層９と、絶縁基板２の両端面に延在して対応する補助電極層９と裏電極４間を導通する一対の端面電極１０と、補助電極層９と端面電極１０の表面を覆うように設けられた一対の外部メッキ層１１とを備え、補助電極層９は第３絶縁層８の端部表面を覆う位置まで形成されており、第２絶縁層７は第３絶縁層８よりも無機フィラーを多く含有している。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
直方体形状の絶縁基板と、
前記絶縁基板の主面両端部に設けられた一対の表電極と、
一対の前記表電極に両端部を重ねるように設けられた抵抗体と、
前記抵抗体を覆うように設けられた樹脂材料からなる保護膜と、
前記保護膜上に積層された樹脂材料からなる補助膜と、
前記電極上に積層された導電性粒子を含有する樹脂材料からなる一対の補助電極層と、
少なくとも前記絶縁基板の両端面に延在して前記補助電極層に導通する一対の端面電極と、
前記補助電極層および前記端面電極を覆う外部メッキ層と、
を備え、
前記補助電極層は前記補助膜の端部表面を覆う位置まで形成されており、
前記保護膜は前記補助膜よりも無機フィラーを多く含有している、
ことを特徴とするチップ抵抗器。
前記絶縁基板の主面両端部に設けられた一対の表電極と、
一対の前記表電極に両端部を重ねるように設けられた抵抗体と、
前記抵抗体を覆うように設けられた樹脂材料からなる保護膜と、
前記保護膜上に積層された樹脂材料からなる補助膜と、
前記電極上に積層された導電性粒子を含有する樹脂材料からなる一対の補助電極層と、
少なくとも前記絶縁基板の両端面に延在して前記補助電極層に導通する一対の端面電極と、
前記補助電極層および前記端面電極を覆う外部メッキ層と、
を備え、
前記補助電極層は前記補助膜の端部表面を覆う位置まで形成されており、
前記保護膜は前記補助膜よりも無機フィラーを多く含有している、
ことを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項2】
前記表電極と前記抵抗体の接続部分を含めて該抵抗体の全体を覆うガラス層をさらに備え、前記保護膜は前記ガラス層上に積層されている、ことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項3】
前記補助膜の樹脂材料に含まれる無機フィラーの含有量がゼロまたは１０wt％以下である、ことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項4】
前記保護膜と前記補助膜は同系の樹脂材料からなる、ことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項5】
前記絶縁基板の短手方向に沿う長さを幅寸法とすると、前記補助電極層の幅寸法は、前記表電極の幅寸法よりも広く、且つ、前記補助膜の幅寸法よりも狭く設定されている、ことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項6】
前記保護膜の外形に対して前記補助膜の外形が大きく設定されており、前記補助膜は前記保護膜の表面全体を覆うように形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項7】
前記絶縁基板の裏面に設けられた裏電極をさらに備え、前記端面電極は前記裏電極に導通している、ことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、面実装タイプのチップ抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【0002】
一般的にチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う絶縁性の保護膜と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を導通する一対の端面電極と、これら各電極を覆う一対の外部メッキ層等によって主に構成されている。
【0003】
この種のチップ抵抗器において、通常、表電極には比抵抗の低いＡｇ（銀）系の金属材料が用いられており、この表電極を覆うように外部メッキ層が形成された構成となっているが、外部メッキ層と保護膜の境界部分となる隙間から腐食性の強い硫化ガス等が侵入し易いため、表電極と保護膜の境界位置における表電極部分が硫化ガス等によって腐食されて抵抗値変化や断線等の不具合を招来する虞がある。
【0004】
従来、特許文献１に開示されるように、導電性の樹脂材料からなる保護電極を表電極と保護膜の双方に接続するように形成し、端面電極を保護膜に接触しないように表電極と保護電極上に形成すると共に、外部メッキ層を保護電極と端面電極の境界位置を超えて保護膜の端部まで覆うように形成することにより、耐硫化性の向上を図るようにしたチップ抵抗器が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】国際公開第２０１８／１２３４１９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
特許文献１に開示されたチップ抵抗器では、絶縁性の樹脂材料からなる保護膜によって抵抗体を覆い、この保護膜の端部上面に接するように保護電極を形成することで、保護電極と保護膜とが密着するように構成されている。しかし、一般的に保護膜の樹脂材料には、抵抗体で発生する熱に対する耐熱性や機械的強度を確保するためにＳｉＯ２等の無機フィラーが含有されており、一方、保護電極の樹脂材料には、導電性を確保するために金属粒子が含有されているため、これら無機フィラーと金属粒子によって保護電極と保護膜の密着性が阻害されてしまう。その結果、ヒートサイクル等に起因して発生する熱応力により、保護電極と保護膜の界面に隙間ができてしまい、当該部分から硫化ガス等が入り込んでしまう虞がある。
【0007】
本発明は、上記した従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、耐食性に優れたチップ抵抗器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記の目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の主面両端部に設けられた一対の表電極と、一対の前記表電極に両端部を重ねるように設けられた抵抗体と、前記抵抗体を覆うように設けられた樹脂材料からなる保護膜と、前記保護膜上に積層された樹脂材料からなる補助膜と、前記電極上に積層された導電性粒子を含有する樹脂材料からなる一対の補助電極層と、少なくとも前記絶縁基板の両端面に延在して前記補助電極層に導通する一対の端面電極と、前記補助電極層および前記端面電極を覆う外部メッキ層と、を備え、前記補助電極層は前記補助膜の端部表面を覆う位置まで形成されており、前記保護膜は前記補助膜よりも無機フィラーを多く含有している、ことを特徴とする。
【0009】
このように構成されたチップ抵抗器では、導電性粒子を含有する樹脂材料からなる補助電極層が表電極上に積層されていると共に、この補助電極層が保護膜上に積層された補助膜の端部上面と接触しており、樹脂材料からなる保護膜が補助膜よりも無機フィラーを多く含有しているため、補助膜の樹脂分が相対的に増加して、補助電極層と補助膜の密着性が向上する。これにより、ヒートサイクル等に起因して熱応力が発生しても、熱応力によって補助電極層が補助膜から剥離してしまうことが抑制されるため、補助電極層と補助膜の界面から内部に硫化ガスが侵入し難くなり、表電極が硫化ガスによって腐食しまうことを防止できる。
【0010】
上記の構成において、抵抗体に抵抗値調整用のトリミング溝を形成する場合は、表電極と抵抗体の接続部分を含めて該抵抗体の全体を覆うガラス層をさらに備え、このガラス層上に保護膜を積層することが好ましい。
【0011】
また、上記の構成において、補助膜の樹脂材料に含まれる無機フィラーは保護膜に比べて少なければ良いが、補助膜の樹脂材料に含まれる無機フィラーの含有量がゼロまたは１０wt％以下であると、補助膜の樹脂分が大幅に増加されるため、補助電極層と補助膜の密着性を効果的に向上させることができる。
【0012】
また、上記の構成において、保護膜と補助膜は異種の樹脂材料を用いても良いが、これら保護膜と補助膜が同系の樹脂材料からなると、補助電極層と補助膜の密着性がより一層向上する。
【0013】
また、上記の構成において、絶縁基板の短手方向に沿う長さを幅寸法としたとき、補助電極層の幅寸法が、表電極の幅寸法よりも広く、且つ、補助膜の幅寸法よりも狭く設定されていると、メッキ材料が形成され易い補助電極層が絶縁基板の長辺側端面よりも内側領域に配置されるため、メッキ材料は絶縁基板の長辺側端面においても他の部位と同様の膜厚で形成される。その結果、外部メッキ層の剥離の要因となる膜厚の局部的な増大が生じなくなるため、外部メッキ層の剥離を防止することができる。
【0014】
また、上記の構成において、補助膜は必ずしも保護膜の表面全体を覆っていなくても良いが、保護膜の外形に対して補助膜の外形が大きく設定されており、補助膜が保護膜の表面全体を覆うように形成されていると、補助電極層と補助膜の密着性が向上して好ましい。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、補助電極層の剥離を防止して耐食性に優れたチップ抵抗器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図3】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。
【図4】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。
【図5】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【図6】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【図7】該チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。
【図8】該チップ抵抗器の実装状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【0018】
【0019】
図１と図２に示すように、本実施形態に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の上面における長手方向の両端部に設けられた一対の表電極３と、絶縁基板２の下面における長手方向の両端部に設けられた一対の裏電極４と、一対の表電極３に両端部を重ねるように設けられた長方形状の抵抗体５と、表電極３と抵抗体５の接続部分を含めて抵抗体５の全体を覆う第１絶縁層（ガラス層）６と、第１絶縁層６上に積層された第２絶縁層（保護膜）７と、第２絶縁層７上に積層された第３絶縁層（補助膜）８と、表電極３上に積層された一対の補助電極層９と、絶縁基板２の両端面に延在して対応する表電極３（および補助電極層９）と裏電極４間を導通する一対の端面電極１０と、補助電極層９と端面電極１０の表面を覆うように設けられた一対の外部メッキ層１１と、により主として構成されている。
【0020】
絶縁基板２はセラミックス等からなり、この絶縁基板２は、後述するシート状の大判基板を縦横に延びる一次分割溝と二次分割溝に沿って分割することにより多数個取りされたものである。
【0021】
一対の表電極３は、Ｐｄを含有するＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。これら表電極３は、絶縁基板２の上面における長手方向の両端部に平面視矩形状に形成されている。ここで、絶縁基板２の短手方向（図１の上下方向）を幅方向とすると、表電極３の幅方向の両端は絶縁基板２の長辺に接しておらず、表電極３の幅寸法は絶縁基板２の幅寸法よりも短くなっている。
【0022】
一対の裏電極４は、Ａｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。これら裏電極４は、絶縁基板２の下面における長手方向の両端部に平面視矩形状に形成されており、裏電極４の幅寸法も絶縁基板２の幅寸法よりも短くなっている。
【0023】
抵抗体５は、酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この抵抗体５の長手方向の両端部は表電極３に重なっている。なお、抵抗体５には抵抗値を調整するためのトリミング溝５ａが形成されている。
【0024】
第１絶縁層６は、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。第１絶縁層６は、トリミング溝５ａを形成する前に抵抗体５の全体を覆うように形成されている。
【0025】
第２絶縁層７は、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。第２絶縁層７は、トリミング溝５ａを形成した後の第１絶縁層６の全体を覆うように形成されており、第２絶縁層７の幅方向の両端は絶縁基板２の長辺に接している。なお、第２絶縁層７の樹脂材料には、耐熱性や機械的強度を確保するためにＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等の無機フィラーが含有されている。第２絶縁層７の樹脂材料に含まれる無機フィラーの含有量は多い方が好ましく、本実施形態では、無機フィラーの含有量を２０～４０wt％の範囲としているが、無機フィラーの含有量は４０wt％以上であっても良い。
【0026】
第３絶縁層８は、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。第３絶縁層８は、第２絶縁層７の全体を覆うように形成されており、第３絶縁層８の幅方向の両端も絶縁基板２の長辺に接している。すなわち、第３絶縁層８の長手方向の寸法は、第２絶縁層７の長手方向の寸法よりも長く設定されており、第３絶縁層８は、表電極３との接続箇所を含めた第２絶縁層７の表面全体を覆っている。第３絶縁層８の樹脂材料には、第２絶縁層７よりも少ない含有量の無機フィラーが含まれているか、または無機フィラーが全く含まれていない（含有量＝０％）。第３絶縁層８の樹脂材料に含まれる無機フィラーの含有量は１０wt％以下の範囲が好ましく、本実施形態では、無機フィラーの含有量をより好ましい５wt％以下に設定してある。
【0027】
なお、第３絶縁層８は、必ずしも第２絶縁層７の表面全体を覆っていなくても良く、表電極３との接続箇所を除いた第２絶縁層７の表面上に形成するようにしても良い。その場合、第３絶縁層８は表電極３に接触しなくなり、第３絶縁層８の両端部と表電極との間から第２絶縁層７が露出する形態となるが、補助電極層９が第３絶縁層８の両端部を覆って密着していれば良い。
【0028】
補助電極層９は、ＡｇやＣｕやＮｉ等の導電性粒子を充填したエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。補助電極層９は、表電極３の上面を覆って第３絶縁層８の上面途中に至る範囲に形成されており、第３絶縁層８の両端部の湾曲状部分は補助電極層９によって覆われている。補助電極層９と第３絶縁層８の樹脂材料は別々のものであっても良いが、第３絶縁層８と第３絶縁層８が同系の樹脂材料で形成されることが好ましい。なお、補助電極層９は表電極３の上面全体を覆っていなくても良く、補助電極層９を絶縁基板２の端面から離間する内方位置に形成することにより、絶縁基板２の端面と補助電極層９との間から表電極３の一部が露出するようにしても良い。
【0029】
ここで、第２絶縁層７と補助電極層９間に挟まれた第３絶縁層８の線膨張係数は、第２絶縁層７と補助電極層９の線膨張係数の間の値であることが好ましい。本実施形態では、線膨張係数の大きさが第２絶縁層７＞第３絶縁層８＞補助電極層９の関係になっているが、補助電極層９＞第３絶縁層８＞第２絶縁層７の関係であっても良い。また、第２絶縁層７と第３絶縁層８および補助電極層９のガラス転移温度についてみると、第２絶縁層７と補助電極層９のガラス転移温度が第３絶縁層８のガラス転移温度の±１０％の範囲に含まれていることが好ましい。
【0030】
端面電極１０は、Ｎｉ－Ｃｒ等をスバッタリングすることによって形成されたものであり、この端面電極１０によって絶縁基板２の端面を介して上下に離間する表電極３および補助電極層９と裏電極４とが導通されている。なお、補助電極層９の第３絶縁層８寄りの上面は端面電極１０に覆われておらず、裏電極４の絶縁基板２の端面から離れた内側部分も端面電極１０に覆われていない。
【0031】
外部メッキ層１１は、内側のバリヤー層１２と外側の外部接続層１３との２層構造からなる。バリヤー層１２は電解めっきによって形成されたＮｉメッキ層であり、このバリヤー層１２は、端面電極１０の表面全体と該端面電極１０から露出する補助電極層９および裏電極４を覆っている。外部接続層１３は電解めっきによって形成されたＳｎメッキ層であり、この外部接続層１３はバリヤー層１２の表面全体を覆っている。
【0032】
次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器１の製造方法について、図３～図７を参照しながら説明する。なお、図３と図４はチップ抵抗器１の製造工程を示す平面図、図５と図６はチップ抵抗器１の製造工程を示す断面図、図７はチップ抵抗器１の製造工程を示すフローチャートである。
【0033】
まず、図７のステップＳ１に示すように、絶縁基板２が多数個取りされるシート状の大判基板２Ａを準備する。この大判基板２Ａには格子状に延びる一次分割溝と二次分割溝が形成されており、これら両分割溝で区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ形成領域となる。なお、図３～図６には１つのチップ形成領域が代表的に示されているが、実際には、このようなチップ形成領域が格子状に多数配列されている。
【0034】
そして、大判基板２Ａの裏面にＡｇペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから８５０℃で焼成することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の裏電極４を形成する（図７のステップＳ２）。しかる後、大判基板２Ａの表面にＡｇ－Ｐｄ系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから８５０℃で焼成することにより、図３（ａ）と図５（ａ）に示すように、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の表電極３を形成する（図７のステップＳ３）。なお、表電極３と裏電極４の形成順序は上記と逆でも良く、表電極３と裏電極４を同時に形成するようにしても良い。
【0035】
次に、大判基板２Ａの表面に酸化ルテニウム等を含有した抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから８５０℃で焼成することにより、図３（ｂ）と図５（ｂ）に示すように、両端部を表電極３に重ね合わせた長方形状の抵抗体５を形成する（図７のステップＳ４）。
【0036】
次に、抵抗体５を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから６００℃で焼成することにより、図３（ｃ）と図５（ｃ）に示すように、表電極３との接続端部を含めて抵抗体５の全体を被覆する第１絶縁層６を形成する（図７のステップＳ５）。そして、この第１絶縁層６の上からレーザー光を照射することにより、抵抗体５にトリミング溝５ａを形成して抵抗値を調整する。
【0037】
次に、第１絶縁層６の上からエポキシ樹脂系（またはフェノール樹脂系）ペーストをスクリーン印刷した後、これを２００℃で加熱硬化（焼付け）することにより、図３（ｄ）と図５（ｄ）に示すように、第１絶縁層６の全体を覆う第２絶縁層７を形成する（図７のステップＳ６）。この第２絶縁層７の樹脂材料には、耐熱性や機械的強度を確保するために、ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等の無機フィラーが２０～４０wt％の含有量で含まれている。
【0038】
次に、第２絶縁層７の上からエポキシ樹脂系（またはフェノール樹脂系）ペーストをスクリーン印刷した後、これを２００℃で加熱硬化することにより、図４（ｅ）と図６（ｅ）に示すように、第２絶縁層７の全体を覆う第３絶縁層８を形成する（図７のステップＳ７）。この第３絶縁層８の樹脂材料には、第２絶縁層７よりも少ない含有量の無機フィラーが含まれているか、または無機フィラーが全く含まれておらず、第３絶縁層８に含まれる無機フィラーの含有量は１０wt％以下（ゼロを含む）である。
【0039】
次に、導電性粒子（Ａｇ系、Ｃｕ系、Ｎｉ系等）を充填したエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の樹脂ペーストをスクリーン印刷した後、これを２００℃で加熱硬化することにより、図４（ｆ）と図６（ｆ）に示すように、一対の表電極３上にそれぞれ補助電極層９を形成する（図７のステップＳ８）。これら補助電極層９は、表電極３の上面を覆って第３絶縁層８の上面途中に至る範囲まで形成され、第３絶縁層８の両端部の湾曲状部分は補助電極層９によって覆われる。
【0040】
これまでの工程は大判基板２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、図７のステップＳ９に示すように、大判基板２Ａを一次分割溝に沿って１次ブレイク（一次分割）して短冊状基板２Ｂを得る。
【0041】
しかる後、この短冊状基板２Ｂの分割面に向けてＮｉ－Ｃｒをスパッタリングすることにより、図４（ｇ）と図６（ｇ）に示すように、表電極３および補助電極層９と裏電極４とを導通する一対の端面電極１０を形成する（図７のステップＳ１０）。その際、端面電極１０は補助電極層９と裏電極４の外側端寄りの表面を覆うように断面コ字状に形成されるが、補助電極層９の第３絶縁層８寄りの上面は端面電極１０に覆われず、裏電極４の内側端寄りの表面も端面電極１０に覆われない。
【0042】
次に、図７のステップＳ１１に示すように、短冊状基板２Ｂを二次分割溝に沿って２次ブレイク（二次分割）して、チップ抵抗器１と同等の大きさのチップ単体２Ｃを得る。
【0043】
しかる後、個片化されたチップ単体２Ｃに対して電解Ｎｉめっきを施すことにより、端面電極１０を被覆するバリヤー層１２を形成する。次いで、チップ単体２Ｃに対して電解Ｓｎめっきを施すことにより、バリヤー層１２を被覆する外部接続層１３を形成する。これにより、図４（ｈ）と図６（ｈ）に示すように、バリヤー層１２と外部接続層１３からなる２層構造の外部メッキ層１１が形成され（図７のステップＳ１２）、図１と図２に示すチップ抵抗器１が完成する。
【0044】
図８に示すように、このようにして製造されたチップ抵抗器１は、回路基板１００のランド１０１上に絶縁基板２の裏面を下に向けた姿勢で搭載され、一対の外部メッキ層１１を対応するランド１０１にそれぞれ半田１０２を介して接合することによって面実装される。
【0045】
以上説明したように、本実施形態に係るチップ抵抗器１は、導電性粒子を含有する樹脂材料からなる補助電極層９が表電極３上に積層されていると共に、この補助電極層９が第２絶縁層（保護膜）７上に積層された第３絶縁層（補助膜）８の端部上面と接触しており、第２絶縁層７が第３絶縁層８よりも無機フィラーを多く含有しているため、耐熱性や機械的強度を第２絶縁層７で確保しつつ第３絶縁層８の樹脂分が相対的に増加し、補助電極層９と第３絶縁層８の密着性を高めることができる。これにより、図８に示すようなチップ抵抗器１の実装状態において、ヒートサイクル等に起因して熱応力が発生しても、熱応力に起因する補助電極層９の第３絶縁層８からの剥離が抑制されるため、補助電極層９と第３絶縁層８の界面から内部に硫化ガスが侵入し難くなり、表電極３が硫化ガスによって腐食しまうことを防止できる。
【0046】
また、本実施形態に係るチップ抵抗器１では、絶縁基板２の短手方向に沿う長さを幅寸法としたとき、補助電極層９の幅寸法が、表電極３の幅寸法よりも広く、且つ、第３絶縁層８の幅寸法よりも狭く設定されている。これにより、メッキ材料が形成され易い補助電極層９が絶縁基板２の長辺側端面よりも内側領域に配置されるため、電解めっきを施してバリヤー層１２と外部接続層１３を形成する際に、メッキ材料は絶縁基板２の長辺側端面においても他の部位と同様の膜厚で形成されることになる。その結果、外部メッキ層１１の剥離の要因となる膜厚の局部的な増大が生じなくなるため、外部メッキ層１１の剥離を防止することができる。
【0047】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であり、特許請求の範囲に記載された技術思想に含まれる技術的事項の全てが本発明の対象となる。上記実施形態は、好適な例を示したものであるが、当業者ならば、本明細書に開示の内容から、各種の代替例、修正例、変形例あるいは改良例を実現することができ、これらは添付の特許請求の範囲に記載された技術的範囲に含まれる。
【0048】
例えば、抵抗体５の抵抗値調整を必要としないチップ抵抗器の場合、第１絶縁層（ガラス層）６を省略し、抵抗体５を第２絶縁層（保護膜）７と第３絶縁層（補助膜）８の２層で覆うようにしても良い。
【0049】
また、上記実施形態では、絶縁基板２の裏面に表電極３と補助電極層９に導通する裏電極４が設けられているチップ抵抗器１について説明したが、そのような裏電極を備えていないタイプのチップ抵抗器についても本発明は適用可能である。
【符号の説明】
【0050】
１ チップ抵抗器
２ 絶縁基板
２Ａ 大判基板
２Ｂ 短冊状基板
２Ｃ チップ単体
３ 表電極
４ 裏電極
５ 抵抗体
５ａ トリミング溝
６ 第１絶縁層（ガラス層）
７ 第２絶縁層（保護膜）
８ 第３絶縁層（補助膜）
９ 補助電極層
１０ 端面電極
１１ 外部メッキ層
１２ バリヤー層
１３ 外部接続層
２ 絶縁基板
２Ａ 大判基板
２Ｂ 短冊状基板
２Ｃ チップ単体
３ 表電極
４ 裏電極
５ 抵抗体
５ａ トリミング溝
６ 第１絶縁層（ガラス層）
７ 第２絶縁層（保護膜）
８ 第３絶縁層（補助膜）
９ 補助電極層
１０ 端面電極
１１ 外部メッキ層
１２ バリヤー層
１３ 外部接続層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】