特開2023-167258IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

複数の光電変換部を有する画素部が2次元配列された撮像素子及び当該撮像素子を搭載した撮像装置

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】 画素が行列状に配列された撮像素子において、行方向と列方向とで焦点検出信号のS/N比が異なる場合に、行方向と列方向とで焦点検出の性能を近づけること。
【解決手段】 第1の方向と前記第1の方向に直交する第2の方向に行列状に配置された複数のマイクロレンズと、前記複数のマイクロレンズの少なくとも一部の各マイクロレンズに対して、前記各マイクロレンズを介して入射した光を光電変換するように構成された複数の光電変換部と、を有し、前記複数の光電変換部は、前記複数の光電変換部ごとに前記第1の方向および前記第2の方向の少なくともいずれかの方向に配置され、前記複数の光電変換部から読み出される信号に重畳するノイズの影響が、前記第1の方向よりも前記第2の方向の方が大きい場合に、前記複数の光電変換部の間の前記第1の方向の電荷クロストーク率が、前記第2の方向の電荷クロストーク率よりも高いことを特徴とする。
【選択図】 図12

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献2では、瞳分割方向を行方向と列方向の2種類としている。ここで、例えば、行方向に瞳分割された画素数と列方向に瞳分割された画素数とが異なる場合等では、行方向の位相差信号と列方向の位相差信号のS/N比(Signal to Noise Ratio)が異なる。そのために、位相差方式の焦点検出性能が、行方向と列方向とで異なってしまう可能性がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するために、本発明の撮像素子は、第1の方向と前記第1の方向に直交する第2の方向に行列状に配置された複数のマイクロレンズと、前記複数のマイクロレンズの少なくとも一部の各マイクロレンズに対して、前記各マイクロレンズを介して入射した光を光電変換するように構成された複数の光電変換部と、を有し、前記複数の光電変換部は、前記複数の光電変換部ごとに前記第1の方向および前記第2の方向の少なくと・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、画素が行列状に配列された撮像素子において、行方向と列方向とで焦点検出信号のS/N比が異なる場合に、行方向と列方向とで焦点検出の性能を近づけることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第1の撮像装置の概略構成を示すブロック図。
【図2】 第1の撮像素子の全体構成の一例を概略的に示す図。
【図3】 第1の画素の等価回路図。
【図4】 第1の第1の配置を有する画素の構成を示す概略図。
【図5】 第1の第2の配置を有する画素の構成を示す概略図。
【図6】 第1の第1の配置を有する画素と部分瞳領域との関係を示す図。
【図7】 第1の第1の配置を有する画素の瞳強度分布の一例を示す概略図。
【図8】 第1の撮像素子のセンサー入射瞳を概略的に説明する図。
【図9】 第1の視差画像間の像ずれ量とデフォーカス量の概略関係を示す図。
【図10】 第1の実施形態における画素、射出瞳、部分瞳領域の関係を概略的に示す図
【図11】 第1の実施形態における射出瞳と瞳強度分布の関係を概略的に示す図
【図12】 第1の実施形態における電荷クロストーク率分布と瞳強度分布の関係を概略的に示す図
【図13】 第1の実施形態における画素の配置例を示す図。
【図14】 第2の第3の配置を有する画素の構成を示す概略図。

選択図 図12出願人が指定した本件の代表的な図

1:撮像素子、2:全体制御・演算部、7:信号処理部、201:画素アレイ部、202:垂直選択回路、203:列回路、204:水平選択回路、205:画素、206:出力信号線、207:画素駆動配線群、301,302:フォトダイオード、303,304:転送スイッチ、305:フローティングディフュージョン部、400,500:分離領域、721:第1瞳強度分布、722:第2瞳強度分布

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