(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023167333
(43)【公開日】2023-11-24
(54)【発明の名称】配線基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/42 20060101AFI20231116BHJP
H05K 3/34 20060101ALI20231116BHJP
【ＦＩ】
H05K3/42 610A
H05K3/34 501D
H05K3/34 501F
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022078436
(22)【出願日】2022-05-11
(71)【出願人】
【識別番号】000000158
【氏名又は名称】イビデン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001896
【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】早川 真生
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 勇希
【テーマコード（参考）】
5E317
5E319
【Ｆターム（参考）】
5E317AA07
5E317BB01
5E317BB02
5E317BB03
5E317BB12
5E317BB15
5E317CC32
5E317CC33
5E317CD01
5E317CD11
5E317CD27
5E317CD32
5E317GG03
5E317GG16
5E319AA03
5E319AA07
5E319AB05
5E319AC02
5E319AC18
5E319CC33
5E319CD01
5E319GG15
5E319GG20
(57)【要約】
【課題】信頼性の高い配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板の製造方法は、第１絶縁層１１と導体パッド１２ａを含む第１導体層１２とを含む積層体を用意することと、導体パッド１２ａの上面を露出させる開口１０ａを備える被覆絶縁層１０を形成することと、被覆絶縁層１０の上面及び開口１０ａの内面の全域を被覆する金属膜層１０１を形成することと、金属膜層１０１上にレジスト層を形成することと、レジスト層に金属膜層１０１の上面を露出させるレジスト開口部を形成することと、レジスト開口部内にめっき膜層１０２を形成することと、レジスト層を除去することと、レジスト層の除去により露出する金属膜層１０１を除去し、金属膜層１０１及びめっき膜層１０２を含む金属ポスト１００を形成することと、を含む。めっき膜層１０２を形成する前に、レジスト開口部内の残渣を除去する処理を実施することを含んでいる。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態の配線基板の製造方法は、第１絶縁層１１と導体パッド１２ａを含む第１導体層１２とを含む積層体を用意することと、導体パッド１２ａの上面を露出させる開口１０ａを備える被覆絶縁層１０を形成することと、被覆絶縁層１０の上面及び開口１０ａの内面の全域を被覆する金属膜層１０１を形成することと、金属膜層１０１上にレジスト層を形成することと、レジスト層に金属膜層１０１の上面を露出させるレジスト開口部を形成することと、レジスト開口部内にめっき膜層１０２を形成することと、レジスト層を除去することと、レジスト層の除去により露出する金属膜層１０１を除去し、金属膜層１０１及びめっき膜層１０２を含む金属ポスト１００を形成することと、を含む。めっき膜層１０２を形成する前に、レジスト開口部内の残渣を除去する処理を実施することを含んでいる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成され導体パッドを含む第１導体層と、を含む積層体を用意することと、
前記第１導体層上に前記導体パッドの上面を露出させる開口を備える被覆絶縁層を形成することと、
前記被覆絶縁層の上面及び前記開口の内面の全域を被覆する金属膜層を形成することと、
前記金属膜層上を被覆するレジスト層を形成することと、
前記レジスト層に、前記開口内における前記金属膜層の上面を露出させるレジスト開口部を形成することと、
前記レジスト開口部内にめっき膜層を形成し、前記金属膜層及び前記めっき膜層を含む金属ポストを形成することと、
前記レジスト層を除去することと、
前記レジスト層の除去により露出する前記金属膜層を除去することと、
を含む、配線基板の製造方法であって、
前記めっき膜層を形成する前に、前記レジスト開口部内の残渣を除去する処理を実施することを含んでいる。
前記第１導体層上に前記導体パッドの上面を露出させる開口を備える被覆絶縁層を形成することと、
前記被覆絶縁層の上面及び前記開口の内面の全域を被覆する金属膜層を形成することと、
前記金属膜層上を被覆するレジスト層を形成することと、
前記レジスト層に、前記開口内における前記金属膜層の上面を露出させるレジスト開口部を形成することと、
前記レジスト開口部内にめっき膜層を形成し、前記金属膜層及び前記めっき膜層を含む金属ポストを形成することと、
前記レジスト層を除去することと、
前記レジスト層の除去により露出する前記金属膜層を除去することと、
を含む、配線基板の製造方法であって、
前記めっき膜層を形成する前に、前記レジスト開口部内の残渣を除去する処理を実施することを含んでいる。
【請求項2】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記残渣を除去する前記処理には酸素プラズマが用いられる。
【請求項3】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記残渣を除去する前記処理には残渣除去液が用いられる。
【請求項4】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記金属膜層を形成することは、無電解銅めっき処理を含んでいる。
【請求項5】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記めっき膜層を形成することは、前記金属膜層を給電層として用いる電解銅めっき処理を含んでいる。
【請求項6】
請求項５記載の配線基板の製造方法であって、前記めっき膜層の形成後、前記めっき膜層上にニッケルめっき層を形成すること、及び、前記ニッケルめっき層上に錫めっき層を形成することをさらに含んでいる。
【請求項7】
請求項６記載の配線基板の製造方法であって、前記錫めっき層をリフロー処理によって成形することをさらに含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、接続パッドに連結されるメタルポストを備える基板の製造方法が開示されている。特許文献１に開示される基板の製造方法では、メタルポストは、ソルダーレジスト層における接続パッドの上面を露出させる開放部内を被覆するシード層上に形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１０－１２９９９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に開示されている基板の製造方法では、ソルダーレジスト層の開放部内を被覆するシード層は、シード層上の全域に設けられるメタルポスト形成用の感光性レジストの露光、現像の工程によって形成される開口部内に露出する。開口部内に露出するシード層上には、感光性レジストの残渣が残留する場合があり、メタルポスト形成不良を引き起こし得ると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の配線基板の製造方法は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成され導体パッドを含む第１導体層と、を含む積層体を用意することと、前記第１導体層上に前記導体パッドの上面を露出させる開口を備える被覆絶縁層を形成することと、前記被覆絶縁層の上面及び前記開口の内面の全域を被覆する金属膜層を形成することと、前記金属膜層上を被覆するレジスト層を形成することと、前記レジスト層に、前記開口内における前記金属膜層の上面を露出させるレジスト開口部を形成することと、前記レジスト開口部内にめっき膜層を形成し、前記金属膜層及び前記めっき膜層を含む金属ポストを形成することと、前記レジスト層を除去することと、前記レジスト層の除去により露出する前記金属膜層を除去することと、を含んでいる。前記めっき膜層を形成する前に、前記レジスト開口部内の残渣を除去する処理を実施することを含んでいる。
【0006】
本発明の実施形態によれば、金属膜層とめっき膜層とが良好に密着し、形成される金属ポストの不良の発生が抑制される、信頼性の高い配線基板の製造方法が提供され得ると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明の一実施形態の方法により製造される配線基板の一例を示す断面図。
【図2A】本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。
【図2B】本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。
【図2C】本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。
【図2D】本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。
【図2E】本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。
【図2F】本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。
【図2G】本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。
【図2H】本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。
【図2I】本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。
【図2J】本発明の一実施形態の製造方法の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
次に、図面を参照しながら本発明の一実施形態である配線基板の製造方法によって製造される配線基板について説明する。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本実施形態の特徴が理解され易いように描かれている。図１には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面が部分的に示されている。配線基板１は、交互に積層される絶縁層及び導体層で形成されており、図１にはその一部の絶縁層１０、１１及び導体層１２が示されている。図示される配線基板１の一方の面Ｆは、半導体素子などの外部の電子部品が搭載される部品搭載面であり得る。
【0009】
図１に示される、配線基板１の一方の面Ｆは、被覆絶縁層１０、及び、被覆絶縁層１０に形成される開口１０ａ内を充填するとともに被覆絶縁層１０から配線基板１の外側へ突出する形状の金属ポスト１００の表面（上面及び側面）から構成されている。
【0010】
図１では、配線基板１が有し得る複数の絶縁層１１及び導体層１２のうち、一方の面Ｆ側におけるそれぞれ３層の絶縁層１１及び導体層１２が図示されている。実施形態の配線基板は、１又は２層以上の絶縁層１１、及び、１又は２層以上の導体層１２を有しており、最も一方の面Ｆに近い絶縁層１１及び導体層１２上に被覆絶縁層１０が形成されている。配線基板１が有する絶縁層１１及び導体層１２の層数は特に限定されず、適宜増減され得る。なお、最も一方の面Ｆに近い絶縁層１１は第１絶縁層１１とも称され、最も一方の面Ｆに近い導体層１２は第１導体層１２とも称される。
【0011】
なお、実施形態の配線基板の説明では、配線基板を構成する各構成要素の、配線基板の厚さ方向における一方の面Ｆ側が「上側」、「外側」又は単に「上」、「外」と称され、一方の面Ｆの反対側が「下側」、「内側」又は単に「下」、「内」と称される。従って、各構成要素における一方の面Ｆ側の面は「上面」とも称され、一方の面Ｆの反対側を向く面は「下面」とも称される。
【0012】
導体層１２は任意の導体パターンを有している。導体層１２は、絶縁層１１を貫通するように形成されているビア導体１３を介して絶縁層１１の反対側の導体層１２と電気的に接続され得る。
【0013】
図示される３層の導体層１２のうち最も上側（最も一方の面Ｆの近く）に形成される導体層１２は、導体パッド１２ａを含むパターンに形成されている。導体パッド１２ａは、その上に形成される金属ポスト１００を介して、半導体素子などの外部の電子部品が有する接続用のパッドと電気的に接続され得る。すなわち、導体パッド１２ａは部品搭載パッドであり得る。
【0014】
図示されるように、導体パッド１２ａの開口１０ａ内に露出する部分には、凹部が形成される場合がある。導体パッド１２ａの上面に凹部が形成されることにより、金属ポスト１００（具体的には第１層１０１）と導体パッド１２ａとの接合面が比較的大きくされ、導体パッド１２ａと金属ポスト１００とのより強固な接合が実現される場合がある。
【0015】
金属ポスト１００は、第１層１０１及び第１層１０１上に形成される第２層１０２を有している。金属ポスト１００を構成する第１層１０１は、開口１０ａの内面を被覆している。具体的には、第１層１０１は、被覆絶縁層１０に形成されている開口１０ａの底部に露出する導体パッド１２ａの上面及び開口１０ａの内壁面（側壁面）を被覆している。図示の例では、第１層１０１は、さらに開口１０ａの周縁部分における被覆絶縁層１０の上面をも被覆している。第２層１０２は第１層１０１の上面の全域を被覆している。図示の例では、金属ポスト１００は、第２層１０２の上側に、さらに、第２層１０２の上面全域を覆う第３層１０３、及び、第３層１０３の上面全域を覆う第４層１０４を有している。
【0016】
配線基板１を構成する絶縁層１１は、エポキシ樹脂等の任意の絶縁性樹脂を用いて形成され得る。ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド－トリアジン樹脂）、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂等も用いられ得る。絶縁層１１はシリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図示される例の配線基板１においては、絶縁層１１は芯材を含んでいないが、必要に応じてガラス繊維やアラミド繊維などの芯材を含んでもよい。芯材を含むことで配線基板１の強度が向上し得る。複数の絶縁層１１は、それぞれ異なる材料で構成されてもよく、全てが同じ材料で形成されてもよい。
【0017】
導体層１２は、銅やニッケルなど、適切な導電性を有する任意の材料を用いて形成され得る。導体層１２は、例えば、電解めっき膜（好ましくは電解銅めっき膜）、もしくは無電解めっき膜（好ましくは無電解銅めっき膜）、又はこれらの組み合わせによって形成され、好ましくは、図示のように、無電解めっき膜層１２１及び電解めっき膜層１２２の２層構造で形成されている。しかし、配線基板１を構成する各導体層１２の構成は、図１に例示される多層構造に限定されない。例えば、金属箔、無電解めっき膜層、及び電解めっき膜層の３層構造で構成されてもよい。また、無電解めっき膜層、又は電解めっき膜層の単層の構造とされてもよい。
【0018】
ビア導体１３は、図１に示されるように、導体層１２を構成している無電解めっき膜層１２１及び電解めっき膜層１２２と一体的に形成され得る。図示の例では、ビア導体１３は絶縁層１１に形成される導通用孔１３ａ内を充填するいわゆるフィルドビアであり、導通用孔１３ａ内の底面及び内壁面を被覆する無電解めっき膜１２１と電解めっき膜１２２とで構成されている。
【0019】
被覆絶縁層１０は任意の絶縁性の樹脂材料を用いて形成される。被覆絶縁層１０は、例えば、感光性のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等を用いて形成され得る。被覆絶縁層１０は、導体パッド１２ａの縁部と、導体パッド１２ａ上に形成される金属ポスト１００の側面と、導体パッド１２ａを含む導体層１２のパターンの間から露出する絶縁層１１の上面とを覆っている。被覆絶縁層１０はソルダーレジスト層であり得る。
【0020】
金属ポスト１００を構成する第１層１０１は、銅又はニッケルなどの任意の導電性金属を含む金属膜層であり得る。第１層１０１は無電解めっき膜層であり得る。第１層１０１はスパッタ膜層を含む場合もあり得る。なお、図示の例では、金属ポスト１００によって充填される開口１０ａが被覆絶縁層１０の上側から導体パッド１２ａに向かって縮径する形状に形成されているが、開口１０ａはこの形状に限定されない。被覆絶縁層１０の厚さ方向において同径の略円柱状にも形成され得る。
【0021】
金属ポスト１００を構成する第２層１０２は、任意の導電性金属を含むめっき膜層であり得る。第２層１０２は、配線基板の製造方法について後述されるように、第１層１０１を給電層として形成される電解めっき膜層であり得る。第２層１０２は、例えば、電解銅めっき膜層として形成され得る。第２層１０２の上面に形成される第３層１０３は、例えば、ニッケルめっき層であり得る。第３層１０３の上面に形成される第４層１０４は、例えば、錫めっき層であり得る。
【0022】
実施形態の製造方法によって製造される配線基板においては、詳しくは製造方法に関して後述されるように、第１層１０１と第２層１０２との間に介在し得る異物が除去され、従って、第１層１０１と第２層１０２との密着性が比較的優れたものとなっている。具体的には、電解めっき膜層であり得る第２層１０２の形成において、異物（例えばレジスト残渣）の第１層１０１と第２層１０２との界面に残留する量が比較的少なく、従って、第１層１０１と第２層１０２とが密着性良く形成されている。
【0023】
以下に、図１に示される配線基板１を製造する方法が、図２Ａ～図２Ｊを参照しながら説明される。図２Ａ～図２Ｊにおいては、図１と同様に、配線基板の全体は図示されず、配線基板１における金属ポスト１００が形成される側の部分的な断面のみが図示される。なお、以下、配線基板１を製造する方法の説明においては、上述の配線基板１の説明と同様に、配線基板１を構成する各要素において、配線基板１の一方の面Ｆ（図１参照）が形成される側を「上」、「上側」、「外側」、又は単に「外」と称する。
【0024】
先ず、例えば、ビルドアップ方式による一般的な配線基板の製造方法により、最外の導体層１２の積層までが完了した積層体が準備される。図２Ａには、ビルドアップ方式により、絶縁層（第１絶縁層）１１、及び、第１絶縁層１１に接する、導体パッド１２ａが含まれる導体層（第１導体層）１２までの積層が完了した、積層体１ｐが示されている。
【0025】
次いで、図２Ｂに示されるように、導体パッド１２ａ、及び、導体パッド１２ａを含む導体層１２の導体パターンから露出する絶縁層１１上に、被覆絶縁層１０が形成される。被覆絶縁層１０は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む絶縁性の樹脂で形成される。例えば、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又はフィルム貼り付けなどによって、感光性を有するエポキシ樹脂膜が形成されることで、例えばソルダーレジスト層である被覆絶縁層１０が形成され得る。
【0026】
被覆絶縁層１０には、金属ポスト１００（図１参照）が形成されるべき位置に対応して、導体パッド１２ａを露出させる開口１０ａが形成される。開口１０ａは、例えば、金属ポスト１００が形成されるべき位置に対応する開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像によって形成され得る。
【0027】
被覆絶縁層１０に対する開口１０ａの形成の後、開口１０ａの内面には、例えば、過硫酸塩や過酸化水素水などの酸化剤を含むエッチング液を使用してソフトエッチング処理が施され得る。このソフトエッチング処理により、図示されるように、開口１０ａ内に露出する導体パッド１２ａには、導体パッド１２ａの厚さが減少する方向に凹む凹部が形成される場合がある。導体パッド１２ａの上面に凹部が形成されることにより、続いて導体パッド１２ａ上に形成される金属ポスト１００と導体パッド１２ａとの接合面が比較的大きくされ、導体パッド１２ａと金属ポスト１００とのより強固な接合が実現される場合がある。
【0028】
続いて、図２Ｃに示されるように、開口１０ａの内面（導体パッド１２ａの上面、及び、開口１０ａの内壁面）並びに、被覆絶縁層１０の上面の全体に亘って、例えば、無電解めっきによって、例えば無電解銅めっき膜層である金属膜層（第１層）１０１が形成される。金属膜層である第１層１０１は、例えば銅を含むターゲットを用いたスパッタリングによっても形成される場合がある。
【0029】
次いで、図２Ｄに示されるように、第１層１０１上に電解めっき用のめっきレジスト１０１ｒが形成される。具体的には、被覆絶縁層１０の開口１０ａの内側の領域及び被覆絶縁層１０の上面の上側を含む、第１層１０１上の全域を被覆するように、例えば、感光性のポリヒドロキシエーテル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、又はポリイミド樹脂などを含むめっきレジストが、例えば、スプレーコーティング又はフィルムの貼り付けなどによって全域に形成される。
【0030】
次いで、図２Ｅに示されるように、めっきレジスト１０１ｒに対する、例えば、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像によって、レジスト開口部１０１ｒｏが形成される。レジスト開口部１０１ｒｏは、配線基板１の一方の面を構成する金属ポスト１００（図１参照）が有するべき配置パターンに応じた、開口パターンを有するマスクを用いて形成され得る。形成されるレジスト開口部１０１ｒｏは、その内側に、被覆絶縁層１０に形成されている開口１０ａの全域を含むと共に、開口１０ａの周縁における、被覆絶縁層１０の上面の部分も含むように形成され得る。
【0031】
レジスト開口部１０１ｒｏの形成においては、レジスト１０１ｒの現像工程におけるレジスト１０１ｒの残渣（スカム）がレジスト開口部内に残留し得る。具体的には、図示されるように、レジスト開口部１０１ｒｏの内側に露出する第１層１０１上、及び、レジスト１０１ｒで構成されるレジスト開口部１０１ｒｏの内壁面に残渣１０１ｒｓが付着した状態となり得る。これらの残渣１０１ｒｓが開口１０ａ内に残留した状態で第１層１０１上に第２層１０２（図１参照）が形成される場合には、第１層１０１と第２層１０２との界面に残渣１０１ｒｓが介在した状態となり、接合不良が生じる場合がある。
【0032】
本実施形態の配線基板の製造方法においては、レジスト開口部１０１ｒｏの内面に対して、残渣１０１ｒｓを除去する処理（デスカム処理）が実施される。残渣１０１ｒｓを除去する処理は、酸素プラズマ又はＣＦ４(四フッ化炭素)プラズマを用いるドライプロセス、又は、薬液を用いるウェットプロセスにより実施され得る。この処理が実施されることにより、レジスト開口部１０１ｒｏ内の残渣１０１ｒｓは除去され、図２Ｆに示される状態となる。
【0033】
デスカム処理に酸素プラズマが使用される場合には、残渣１０１ｒｓの存在量の程度により、アルゴン－酸素混合プラズマ、又は、フッ化炭素－酸素混合プラズマの照射処理が行われる場合もあり得る。
【0034】
また、デスカム処理がウェットプロセスで実施される場合には、残渣除去液として過酸化マンガン酸や硫酸等の酸化剤を含む薬液（酸溶液）が用いられ得る。光酸発生剤（ＰＡＧ）又は熱酸発生剤（ＴＡＧ）が含まれる薬液が使用される場合もあり得る。これらの薬液が、噴射ノズルによってレジスト開口部１０１ｒｏを含む範囲に噴射され、残留物１０１ｒｓは薬液との反応により分解される。残留物１０１ｒｓの分解後、例えばアルカリ水溶液を含むリンス液によって洗浄され、レジスト開口部１０１ｒｏ内の残渣１０１ｒｓが除去され得る。
【0035】
続いて、レジスト開口部１０１ｒｏ内にめっき膜層（第２層）１０２が形成される。第１層１０１を給電層として用いた電解めっきにより、レジスト開口部１０１ｒｏ内に第２層１０２として電解めっき膜層が形成され得る。被覆絶縁層１０の開口１０ａの内部及び被覆絶縁層１０上面の上側を含む、レジスト開口部１０１ｒｏの内部における給電層上（第１層１０１上）に、例えば、電解銅めっき膜である第２層１０２が形成される。
【0036】
上述の、レジスト開口部１０１ｒｏ内面に対するデスカム処理が施されていることにより、第２層１０２は、第１層１０１上に比較的良好な密着性を有して形成され得る。第１層１０１と第２層１０２との界面での接合不良は抑制されると考えられる。第１層１０１を給電層とする電解めっきの条件（温度、電流密度、めっき時間など）が適切に調整されることにより、第２層１０２の厚さが調整され得る。
【0037】
次いで図２Ｈに示されるように、第２層１０２上の第３層１０３、及び、第３層１０３上の第４層１０４が形成される。第３層１０３は、例えばニッケルを主成分とするニッケルめっき液を用いて、第２層１０２を直接被覆するニッケルめっき層として形成され得る。第４層１０４は、例えば錫を主成分とする錫めっき液を用いて、第３層１０３を被覆する錫めっき層として形成され得る。
【0038】
第４層１０４には、例えば、第２層１０２よりも融点が低く、リフロー処理に因り溶融して半球形状に成形され得る金属が用いられ得る。第４層１０４は、例えば錫、銀、及び銅を含むソルダーペーストの充填によって形成される場合がある。第４層１０４は、その積層後にリフロー処理され、これにより、第３層１０３と第４層１０４との間に合金層が形成され、第３層１０３と第４層１０４とが接合される。図示されるように、このリフロー処理によって第４層１０４は、半球状に成形され得る。
【0039】
次いで、めっきレジスト１０１ｒが除去され、図２Ｉに示されるように、被覆絶縁層１０上の第１層１０１が露出する。
【0040】
次いで、被覆絶縁層１０上の、露出する第１層１０１がエッチングにより除去され、図２Ｊに示されるように、被覆絶縁層１０が露出すると共に金属ポスト１００の形成が完了する。配線基板１の形成が完了する。
【0041】
実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序などは適宜変更され得る。実施形態の配線基板の製造方法は、少なくとも、第２層１０２が形成される前に、めっきレジスト１０１ｒのレジスト開口部１０１ｒｏ内面に、残渣を除去する処理が施されればよく、現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。例えば、被覆絶縁層１０の開口１０ａは、ＵＶレーザーを使用して被覆絶縁層１０を部分的に除去することで形成される場合もあり得る。
【符号の説明】
【0042】
１ 配線基板
１０ 被覆絶縁層
１１ 絶縁層
１２ 導体層
１２ａ 導体パッド
１００ 金属ポスト
１０１ 第１層（金属膜層）
１０２ 第２層（めっき膜層）
１０３ 第３層
１０４ 第４層
１０ａ 開口
１０１ｒ めっきレジスト
１０１ｒｏ レジスト開口部
１０１ｒｓ 残渣
１０ 被覆絶縁層
１１ 絶縁層
１２ 導体層
１２ａ 導体パッド
１００ 金属ポスト
１０１ 第１層（金属膜層）
１０２ 第２層（めっき膜層）
１０３ 第３層
１０４ 第４層
１０ａ 開口
１０１ｒ めっきレジスト
１０１ｒｏ レジスト開口部
１０１ｒｓ 残渣
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図2F】
【図2G】
【図2H】
【図2I】
【図2J】