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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023168249
(43)【公開日】2023-11-24
(54)【発明の名称】半導体光素子
(51)【国際特許分類】
H01S 5/227 20060101AFI20231116BHJP
H01S 5/042 20060101ALI20231116BHJP
H01S 5/223 20060101ALI20231116BHJP
【ＦＩ】
H01S5/227
H01S5/042 612
H01S5/223
【審査請求】未請求
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023070872
(22)【出願日】2023-04-24
(31)【優先権主張番号】P 2022077986
(32)【優先日】2022-05-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2023043774
(32)【優先日】2023-03-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】301005371
【氏名又は名称】日本ルメンタム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000154
【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼群 哲義
(72)【発明者】
【氏名】鷲野 隆
(72)【発明者】
【氏名】小島 義博
(72)【発明者】
【氏名】日極 さおり
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173AA03
5F173AA42
5F173AF92
5F173AH14
5F173AK21
5F173AL07
5F173AL21
5F173AP71
5F173AR62
5F173AR72
(57)【要約】
【課題】特性低下の防止を目的とする。
【解決手段】半導体光素子は、メサストライプ構造１２の上端面に隣接して上端面から斜めに傾斜して上がる第１傾斜面３０を有し、第１傾斜面３０の上端から直立する第１直立面３２を有し、メサストライプ構造１２の上端面よりも高い上面３４を有する一対の埋め込み層２４と、メサストライプ構造１２の上端面の上を避けて埋め込み層２４の上面３４の上にある絶縁膜５４と、メサストライプ構造１２の上端面、埋め込み層２４の第１傾斜面３０および絶縁膜５４の上で拡がる電極膜５８と、を有する。第１直立面３２の上端は、第１方向Ｄ１に沿って延び、一対の埋め込み層２４の少なくとも一方の上面３４は、複数の凹部４２を有し、凹部４２は、上面３４から斜めに傾斜して下がる第２傾斜面４８を有し、第２傾斜面４８の上端は、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に沿って延びる。
【選択図】図１
【解決手段】半導体光素子は、メサストライプ構造１２の上端面に隣接して上端面から斜めに傾斜して上がる第１傾斜面３０を有し、第１傾斜面３０の上端から直立する第１直立面３２を有し、メサストライプ構造１２の上端面よりも高い上面３４を有する一対の埋め込み層２４と、メサストライプ構造１２の上端面の上を避けて埋め込み層２４の上面３４の上にある絶縁膜５４と、メサストライプ構造１２の上端面、埋め込み層２４の第１傾斜面３０および絶縁膜５４の上で拡がる電極膜５８と、を有する。第１直立面３２の上端は、第１方向Ｄ１に沿って延び、一対の埋め込み層２４の少なくとも一方の上面３４は、複数の凹部４２を有し、凹部４２は、上面３４から斜めに傾斜して下がる第２傾斜面４８を有し、第２傾斜面４８の上端は、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に沿って延びる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１方向に延びるメサストライプ構造と、
前記メサストライプ構造を両側で埋め込み、それぞれが前記メサストライプ構造の上端面に隣接して前記上端面から斜めに傾斜して上がる第１傾斜面を有し、それぞれが前記第１傾斜面の上端から直立する第１直立面を有し、それぞれが前記メサストライプ構造の前記上端面よりも高い上面を有する一対の埋め込み層と、
前記メサストライプ構造の前記上端面の上を避けて前記一対の埋め込み層のそれぞれの前記上面の上にある絶縁膜と、
前記メサストライプ構造の前記上端面、前記第１傾斜面および前記絶縁膜の上で拡がる電極膜と、
を有し、
前記第１直立面の上端は、前記第１方向に沿って延び、
前記一対の埋め込み層の少なくとも一方の前記上面は、複数の凹部を有し、
前記複数の凹部のそれぞれは、前記上面から斜めに傾斜して下がる第２傾斜面を有し、
前記第２傾斜面の上端は、前記第１方向に直交する第２方向に沿って延びる半導体光素子。
前記メサストライプ構造を両側で埋め込み、それぞれが前記メサストライプ構造の上端面に隣接して前記上端面から斜めに傾斜して上がる第１傾斜面を有し、それぞれが前記第１傾斜面の上端から直立する第１直立面を有し、それぞれが前記メサストライプ構造の前記上端面よりも高い上面を有する一対の埋め込み層と、
前記メサストライプ構造の前記上端面の上を避けて前記一対の埋め込み層のそれぞれの前記上面の上にある絶縁膜と、
前記メサストライプ構造の前記上端面、前記第１傾斜面および前記絶縁膜の上で拡がる電極膜と、
を有し、
前記第１直立面の上端は、前記第１方向に沿って延び、
前記一対の埋め込み層の少なくとも一方の前記上面は、複数の凹部を有し、
前記複数の凹部のそれぞれは、前記上面から斜めに傾斜して下がる第２傾斜面を有し、
前記第２傾斜面の上端は、前記第１方向に直交する第２方向に沿って延びる半導体光素子。
【請求項2】
請求項１に記載された半導体光素子であって、
前記電極膜は、前記第１傾斜面の上にある第１部分と、前記第２傾斜面の上にある第２部分と、前記第１直立面の前方にある第１接続部と、を含み、
前記第１接続部は、前記第１部分および前記第２部分のいずれよりも薄い半導体光素子。
前記電極膜は、前記第１傾斜面の上にある第１部分と、前記第２傾斜面の上にある第２部分と、前記第１直立面の前方にある第１接続部と、を含み、
前記第１接続部は、前記第１部分および前記第２部分のいずれよりも薄い半導体光素子。
【請求項3】
請求項２に記載された半導体光素子であって、
前記第１接続部と前記第１直立面の間には隙間がある半導体光素子。
前記第１接続部と前記第１直立面の間には隙間がある半導体光素子。
【請求項4】
請求項３に記載された半導体光素子であって、
前記絶縁膜は、前記第１直立面の上でオーバーハングしている半導体光素子。
前記絶縁膜は、前記第１直立面の上でオーバーハングしている半導体光素子。
【請求項5】
請求項２に記載された半導体光素子であって、
前記複数の凹部のそれぞれは、直立する第２直立面をさらに有し、
前記第２直立面の上端は、前記第１方向に沿って延び、
前記電極膜は、前記第２直立面の前方にある第２接続部をさらに含み、
前記第２接続部は、前記第１部分および前記第２部分のいずれよりも薄い半導体光素子。
前記複数の凹部のそれぞれは、直立する第２直立面をさらに有し、
前記第２直立面の上端は、前記第１方向に沿って延び、
前記電極膜は、前記第２直立面の前方にある第２接続部をさらに含み、
前記第２接続部は、前記第１部分および前記第２部分のいずれよりも薄い半導体光素子。
【請求項6】
請求項５に記載された半導体光素子であって、
前記第２接続部と前記第２直立面の間には隙間がある半導体光素子。
前記第２接続部と前記第２直立面の間には隙間がある半導体光素子。
【請求項7】
請求項６に記載された半導体光素子であって、
前記絶縁膜は、前記第２直立面の上でオーバーハングしている半導体光素子。
前記絶縁膜は、前記第２直立面の上でオーバーハングしている半導体光素子。
【請求項8】
請求項１に記載された半導体光素子であって、
前記複数の凹部のそれぞれは、前記第２傾斜面の下端から前記第１方向に拡がる底面を有し、
前記底面は、平坦であり、前記第１傾斜面に接続する半導体光素子。
前記複数の凹部のそれぞれは、前記第２傾斜面の下端から前記第１方向に拡がる底面を有し、
前記底面は、平坦であり、前記第１傾斜面に接続する半導体光素子。
【請求項9】
請求項１に記載された半導体光素子であって、
前記一対の埋め込み層は、前記複数の凹部をそれぞれが有する第１埋め込み層および第２埋め込み層であり、
前記第１埋め込み層の前記複数の凹部は、前記第１方向に並ぶ複数の第１凹部であり、
前記第２埋め込み層の前記複数の凹部は、前記第１方向に並ぶ複数の第２凹部である半導体光素子。
前記一対の埋め込み層は、前記複数の凹部をそれぞれが有する第１埋め込み層および第２埋め込み層であり、
前記第１埋め込み層の前記複数の凹部は、前記第１方向に並ぶ複数の第１凹部であり、
前記第２埋め込み層の前記複数の凹部は、前記第１方向に並ぶ複数の第２凹部である半導体光素子。
【請求項10】
請求項９に記載された半導体光素子であって、
前記第１埋め込み層および前記第２埋め込み層は、前記第２方向の幅において等しい半導体光素子。
前記第１埋め込み層および前記第２埋め込み層は、前記第２方向の幅において等しい半導体光素子。
【請求項11】
請求項９に記載された半導体光素子であって、
前記複数の第１凹部および前記複数の第２凹部は、線対称であり、
前記メサストライプ構造の上で前記第１方向に延びる直線が対称軸である半導体光素子。
前記複数の第１凹部および前記複数の第２凹部は、線対称であり、
前記メサストライプ構造の上で前記第１方向に延びる直線が対称軸である半導体光素子。
【請求項12】
請求項１１に記載された半導体光素子であって、
前記複数の第１凹部のそれぞれと前記複数の第２凹部の対応する一つは、前記第２方向に隣り合う半導体光素子。
前記複数の第１凹部のそれぞれと前記複数の第２凹部の対応する一つは、前記第２方向に隣り合う半導体光素子。
【請求項13】
請求項９に記載された半導体光素子であって、
前記複数の第１凹部および前記複数の第２凹部は、非線対称である半導体光素子。
前記複数の第１凹部および前記複数の第２凹部は、非線対称である半導体光素子。
【請求項14】
請求項１３に記載された半導体光素子であって、
前記複数の第１凹部および前記複数の第２凹部は、前記第１方向に千鳥状に配列されている半導体光素子。
前記複数の第１凹部および前記複数の第２凹部は、前記第１方向に千鳥状に配列されている半導体光素子。
【請求項15】
請求項１３に記載された半導体光素子であって、
前記複数の第１凹部は、前記第１方向に隣同士の一対の第１凹部を含み、
前記一対の第１凹部の間にある領域が、前記第２方向に、前記複数の第２凹部の対応する１つの隣にあり、
前記複数の第２凹部は、前記第１方向に隣同士の一対の第２凹部を含み、
前記一対の第２凹部の間にある領域が、前記第２方向に、前記複数の第１凹部の対応する１つの隣にある半導体光素子。
前記複数の第１凹部は、前記第１方向に隣同士の一対の第１凹部を含み、
前記一対の第１凹部の間にある領域が、前記第２方向に、前記複数の第２凹部の対応する１つの隣にあり、
前記複数の第２凹部は、前記第１方向に隣同士の一対の第２凹部を含み、
前記一対の第２凹部の間にある領域が、前記第２方向に、前記複数の第１凹部の対応する１つの隣にある半導体光素子。
【請求項16】
請求項１３に記載された半導体光素子であって、
前記複数の第１凹部は、前記第１埋め込み層の前記上面の第１領域にあり、
前記複数の第２凹部は、前記第２埋め込み層の前記上面の第２領域にあり、
前記第１領域と前記第２領域は、前記第２方向に隣り合わない半導体光素子。
前記複数の第１凹部は、前記第１埋め込み層の前記上面の第１領域にあり、
前記複数の第２凹部は、前記第２埋め込み層の前記上面の第２領域にあり、
前記第１領域と前記第２領域は、前記第２方向に隣り合わない半導体光素子。
【請求項17】
請求項１に記載された半導体光素子であって、
前記一対の埋め込み層は、前記複数の凹部を有する第１埋め込み層および前記複数の凹部を有しない第２埋め込み層であり、
前記第１埋め込み層は、前記第２方向の幅において、前記第２埋め込み層よりも大きい半導体光素子。
前記一対の埋め込み層は、前記複数の凹部を有する第１埋め込み層および前記複数の凹部を有しない第２埋め込み層であり、
前記第１埋め込み層は、前記第２方向の幅において、前記第２埋め込み層よりも大きい半導体光素子。
【請求項18】
請求項１７に記載された半導体光素子であって、
前記第１埋め込み層の前記複数の凹部は、一対の凹部であり、
前記一対の凹部の間の間隔は、前記第１埋め込み層の、前記第１方向の長さの２分の１より大きい半導体光素子。
前記第１埋め込み層の前記複数の凹部は、一対の凹部であり、
前記一対の凹部の間の間隔は、前記第１埋め込み層の、前記第１方向の長さの２分の１より大きい半導体光素子。
【請求項19】
請求項１に記載された半導体光素子であって、
前記第２傾斜面は、対向する一対の第２傾斜面である半導体光素子。
前記第２傾斜面は、対向する一対の第２傾斜面である半導体光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体光素子に関する。
【背景技術】
【0002】
埋め込みヘテロ構造（Buried Hetero-structure：ＢＨ構造）を有する半導体光素子が知られている（特許文献１）。ＢＨ構造では、多重量子井戸層を含むメサストライプ構造の両側を、半導体層（埋め込み層）で埋め込むようになっている。埋め込み層の上面には絶縁膜があり、絶縁膜の上に電極が配置される（特許文献２）。絶縁膜は、メサストライプ構造の上面を内側に含むスルーホールを有し、スルーホールの内側で電極がメサストライプ構造に電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１１－１５１０８８公報
【特許文献2】特開２０１０－２７１６６７公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
絶縁膜の上面および埋め込み層の上面は、高低差（段差）がある。大きな段差に載る電極は、平坦な面上の電極の厚さと比較して薄くなる。電極が薄い場合、抵抗の増加や放熱性の低下を招き、半導体光素子の特性が低下する可能性がある。
【0005】
本発明は、特性の低下を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
半導体光素子は、第１方向に延びるメサストライプ構造と、前記メサストライプ構造を両側で埋め込み、それぞれが前記メサストライプ構造の上端面に隣接して前記上端面から斜めに傾斜して上がる第１傾斜面を有し、それぞれが前記第１傾斜面の上端から直立する第１直立面を有し、それぞれが前記メサストライプ構造の前記上端面よりも高い上面を有する一対の埋め込み層と、前記メサストライプ構造の前記上端面の上を避けて前記一対の埋め込み層のそれぞれの前記上面の上にある絶縁膜と、前記メサストライプ構造の前記上端面、前記第１傾斜面および前記絶縁膜の上で拡がる電極膜と、を有し、前記第１直立面の上端は、前記第１方向に沿って延び、前記一対の埋め込み層の少なくとも一方の前記上面は、複数の凹部を有し、前記複数の凹部のそれぞれは、前記上面から斜めに傾斜して下がる第２傾斜面を有し、前記第２傾斜面の上端は、前記第１方向に直交する第２方向に沿って延びる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。全図において同一の符号を付した部材は同一又は同等の機能を有するものであり、その繰り返しの説明を省略する。なお、図形の大きさは倍率に必ずしも一致するものではない。
【0009】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。図２は、図１に示す半導体光素子のII－II線断面図である。図３は、図１に示す半導体光素子のIII－III線断面図である。図４は、図１に示す半導体光素子のIV－IV線断面図である。
図１は、第１の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。図２は、図１に示す半導体光素子のII－II線断面図である。図３は、図１に示す半導体光素子のIII－III線断面図である。図４は、図１に示す半導体光素子のIV－IV線断面図である。
【0010】
半導体光素子は、半導体レーザ、半導体光増幅器、電界吸収変調器（ＥＡ変調器）、および受光素子のいずれであっても構わない。半導体光素子には、埋め込みヘテロ構造（Buried Hetero-structure：ＢＨ構造）が適用されている。ＢＨ構造とは、多重量子井戸層を含むメサストライプ構造の両側を、半絶縁性半導体層やＰＮ接合された複数の半導体層などの半導体で埋め込む構造であり、高信頼性のみならず、放熱性に優れた構造である。
【0011】
［メサストライプ構造］
半導体光素子は、第１方向Ｄ１に延びるメサストライプ構造１２を有する。半導体基板１４（例えばｎ－ＩｎＰ基板）は、凸部１６を有する。凸部１６は、メサストライプ構造１２の下端部を構成する。凸部１６（半導体基板１４）はｎ型クラッド層として機能する。ここでｎ型は第１導電型とする。
半導体光素子は、第１方向Ｄ１に延びるメサストライプ構造１２を有する。半導体基板１４（例えばｎ－ＩｎＰ基板）は、凸部１６を有する。凸部１６は、メサストライプ構造１２の下端部を構成する。凸部１６（半導体基板１４）はｎ型クラッド層として機能する。ここでｎ型は第１導電型とする。
【0012】
半導体光素子は、多重量子井戸層１８を有する。多重量子井戸層１８は、凸部１６の上で第１方向Ｄ１にストライプ状に延びる。半導体光素子は、ｐ型クラッド層２０を有する。ｐ型クラッド層２０（例えばｐ－ＩｎＰ層）は、多重量子井戸層１８の上で第１方向Ｄ１にストライプ状に伸びる。ここで、ｐ型は第２導電型とする。半導体光素子は、ｐ型コンタクト層２２を有する。ｐ型コンタクト層２２（例えばｐ－ＩｎＧａＡｓ層）は、ｐ型クラッド層２０上で第１方向Ｄ１にストライプ状に伸びる。ｐ型コンタクト層２２は、メサストライプ構造１２の最上層である。
【0013】
なお、多重量子井戸層１８と凸部１６との間および多重量子井戸層１８とｐ型クラッド層２０との間に、図示しない光閉じ込め層または回折格子層など他の層が配置されてもよい。本実施形態では、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型として説明するが、これは逆であっても構わない。
【0014】
［埋め込み層］
半導体光素子は、一対の埋め込み層２４（例えば半絶縁性のＦｅ－ＩｎＰ層）を有する。一対の埋め込み層２４は、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２の両側で、メサストライプ構造１２を両側で埋め込む。埋め込み層２４は、単結晶層であり、メサストライプ構造１２に接触する。埋め込み層２４の側面は、メサストライプ構造１２の上端面を避けて側面に対向する。一対の埋め込み層２４は、第１埋め込み層２６および第２埋め込み層２８であり、第２方向Ｄ２の幅において等しい。
半導体光素子は、一対の埋め込み層２４（例えば半絶縁性のＦｅ－ＩｎＰ層）を有する。一対の埋め込み層２４は、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２の両側で、メサストライプ構造１２を両側で埋め込む。埋め込み層２４は、単結晶層であり、メサストライプ構造１２に接触する。埋め込み層２４の側面は、メサストライプ構造１２の上端面を避けて側面に対向する。一対の埋め込み層２４は、第１埋め込み層２６および第２埋め込み層２８であり、第２方向Ｄ２の幅において等しい。
【0015】
［第１傾斜面］
それぞれの埋め込み層２４は、第１傾斜面３０を有する。第１傾斜面３０は、メサストライプ構造１２の上端面に隣接して上端面から斜めに傾斜して上がる。第１傾斜面３０は、結晶面である。
それぞれの埋め込み層２４は、第１傾斜面３０を有する。第１傾斜面３０は、メサストライプ構造１２の上端面に隣接して上端面から斜めに傾斜して上がる。第１傾斜面３０は、結晶面である。
【0016】
［第１直立面］
それぞれの埋め込み層２４は、第１直立面３２を有する。第１直立面３２は、第１傾斜面３０の上端から直立する。第１直立面３２の上端は、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第１直立面３２は、結晶面である。
それぞれの埋め込み層２４は、第１直立面３２を有する。第１直立面３２は、第１傾斜面３０の上端から直立する。第１直立面３２の上端は、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第１直立面３２は、結晶面である。
【0017】
［上面］
それぞれの埋め込み層２４は、上面３４を有する。上面３４は、メサストライプ構造１２の上端面よりも高い。埋め込み層２４が複数層で構成されている場合は、第１傾斜面３０から上面３４までの領域が単結晶となっている。
それぞれの埋め込み層２４は、上面３４を有する。上面３４は、メサストライプ構造１２の上端面よりも高い。埋め込み層２４が複数層で構成されている場合は、第１傾斜面３０から上面３４までの領域が単結晶となっている。
【0018】
上面３４の外縁は、第１方向Ｄ１に沿って延びる複数の第１エッジ３６を含む。複数の第１エッジ３６は、間隔をあけて一直線に並ぶ。第１直立面３２は、第１エッジ３６に隣接している。上面３４の外縁は、第２方向Ｄ２に沿って延びる第２エッジ３８を含む。第２エッジ３８は、第１方向Ｄ１に間隔をあけて平行に並ぶ一対の第２エッジ３８から構成される。隣同士の一対の第１エッジ３６の相互に対向する先端が、それぞれ、一対の第２エッジ３８の先端に接続される。上面３４の外縁は、一対の第２エッジ３８の間に、第２方向Ｄ２に第１エッジ３６よりも側面から離れて第１方向Ｄ１に沿った第３エッジ４０（図３）を含む。
【0019】
［凹部］
一対の埋め込み層２４の少なくとも一方（例えば、第１埋め込み層２６および第２埋め込み層２８のそれぞれ）の上面３４は、複数の凹部４２を有する。それぞれの凹部４２は、第２エッジ３８および第３エッジ４０で囲まれる。第１埋め込み層２６の複数の凹部４２は、第１方向Ｄ１に並ぶ複数の第１凹部４４である。第２埋め込み層２８の複数の凹部４２は、第１方向Ｄ１に並ぶ複数の第２凹部４６である。
一対の埋め込み層２４の少なくとも一方（例えば、第１埋め込み層２６および第２埋め込み層２８のそれぞれ）の上面３４は、複数の凹部４２を有する。それぞれの凹部４２は、第２エッジ３８および第３エッジ４０で囲まれる。第１埋め込み層２６の複数の凹部４２は、第１方向Ｄ１に並ぶ複数の第１凹部４４である。第２埋め込み層２８の複数の凹部４２は、第１方向Ｄ１に並ぶ複数の第２凹部４６である。
【0020】
複数の第１凹部４４および複数の第２凹部４６は、線対称に配列されている。メサストライプ構造１２の上で第１方向Ｄ１に延びる直線Ｌが対称軸である。複数の第１凹部４４のそれぞれと複数の第２凹部４６の対応する一つは、第２方向Ｄ２に隣り合う。
【0021】
［第２傾斜面］
それぞれの凹部４２は、第２傾斜面４８を有する。第２傾斜面４８は、上面３４から斜めに傾斜して下がる。第２傾斜面４８は、第１直立面３２よりも緩やかに傾斜して第２エッジ３８から下がる。すなわち、第２傾斜面４８の上端は第２エッジ３８であり、第２方向Ｄ２に沿って延びる。第２傾斜面４８は、対向する一対の第２傾斜面４８である。第２傾斜面４８は、結晶面である。
それぞれの凹部４２は、第２傾斜面４８を有する。第２傾斜面４８は、上面３４から斜めに傾斜して下がる。第２傾斜面４８は、第１直立面３２よりも緩やかに傾斜して第２エッジ３８から下がる。すなわち、第２傾斜面４８の上端は第２エッジ３８であり、第２方向Ｄ２に沿って延びる。第２傾斜面４８は、対向する一対の第２傾斜面４８である。第２傾斜面４８は、結晶面である。
【0022】
［第２直立面］
それぞれの凹部４２は、直立する第２直立面５０を有する。第２直立面５０の上端は、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第２直立面５０は、第３エッジ４０から下がる。すなわち、第２直立面５０の上端は第３エッジ４０である。第２直立面５０は、結晶面である。
それぞれの凹部４２は、直立する第２直立面５０を有する。第２直立面５０の上端は、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第２直立面５０は、第３エッジ４０から下がる。すなわち、第２直立面５０の上端は第３エッジ４０である。第２直立面５０は、結晶面である。
【0023】
［底面］
それぞれの凹部４２は、底面５２を有する。底面５２は、第２傾斜面４８の下端から第１方向Ｄ１に拡がる。底面５２は、平坦であり、第１傾斜面３０に接続する。
それぞれの凹部４２は、底面５２を有する。底面５２は、第２傾斜面４８の下端から第１方向Ｄ１に拡がる。底面５２は、平坦であり、第１傾斜面３０に接続する。
【0024】
［絶縁膜］
半導体光素子は、絶縁膜５４を有する。絶縁膜５４は、一対の埋め込み層２４のそれぞれの上面３４の上にある。絶縁膜５４は、第１直立面３２の上でオーバーハングしている。絶縁膜５４は、第２直立面５０の上でオーバーハングしている。埋め込み層２４は、絶縁膜５４が接する部分では、単結晶となっている。
半導体光素子は、絶縁膜５４を有する。絶縁膜５４は、一対の埋め込み層２４のそれぞれの上面３４の上にある。絶縁膜５４は、第１直立面３２の上でオーバーハングしている。絶縁膜５４は、第２直立面５０の上でオーバーハングしている。埋め込み層２４は、絶縁膜５４が接する部分では、単結晶となっている。
【0025】
絶縁膜５４は、メサストライプ構造１２の上端面の上を避けており、これにより一対の部分に分離されている。あるいは、絶縁膜５４は、分離されずに繋がっていてもよい。例えば、メサストライプ構造１２の上端面で、第１方向Ｄ１の端部には、絶縁膜５４の一部があり、これにより絶縁膜５４の一対の部分が繋がっていてもよい。
【0026】
絶縁膜５４は、平面形状において、メサストライプ構造１２から第２エッジ３８に沿って第２方向Ｄ２に窪む複数の切り欠き５６を含む。複数の凹部４２がそれぞれ複数の切り欠き５６の内側にある。切り欠き５６は、第１方向Ｄ１の幅において、メサストライプ構造１２からの距離にかかわらず均等である。複数の切り欠き５６は、メサストライプ構造１２を通る直線Ｌを中心に線対称に配置されている。
【0027】
［電極膜］
半導体光素子は、電極膜５８を有する。電極膜５８は、メサストライプ構造１２の上端面、埋め込み層２４の第１傾斜面３０および絶縁膜５４の上で拡がる。埋め込み層２４は、電極膜５８が接する部分で、単結晶となっている。電極膜５８は、第１傾斜面３０の上にある第１部分６０を含む。電極膜５８は、第２傾斜面４８の上にある第２部分６２を含む。
半導体光素子は、電極膜５８を有する。電極膜５８は、メサストライプ構造１２の上端面、埋め込み層２４の第１傾斜面３０および絶縁膜５４の上で拡がる。埋め込み層２４は、電極膜５８が接する部分で、単結晶となっている。電極膜５８は、第１傾斜面３０の上にある第１部分６０を含む。電極膜５８は、第２傾斜面４８の上にある第２部分６２を含む。
【0028】
電極膜５８は、第１直立面３２の前方にある第１接続部６４を含む。第１接続部６４と第１直立面３２の間には隙間がある。第１接続部６４は、第１部分６０および第２部分６２のいずれよりも薄い。電極膜５８は、第２直立面５０の前方にある第２接続部６６を含む。第２接続部６６と第２直立面５０の間には隙間がある。第２接続部６６は、第１部分６０および第２部分６２のいずれよりも薄い。
【0029】
電極膜５８は、全体的に同じ材料及び同じ構造で構成してもよい。電極膜５８は、絶縁膜５４の上にある上面電極６８を含む。上面電極６８は外部との電気的な接続領域として機能する。上面電極６８の全体が絶縁膜５４の上にある。埋め込み層２４と上面電極６８の間には絶縁膜５４が配置されている。上面電極６８は、第２方向Ｄ２に半導体光素子の端部には至らず、絶縁膜５４の端部が露出しているが、半導体光素子の上面３４全体に配置されてもよい。
【0030】
電極膜５８は、メサストライプ構造１２の上端面にあるメサ電極７０を含む。メサ電極７０は、長方形状になっている。メサ電極７０は、ｐ型コンタクト層２２と電気的かつ物理的に接続されて、同電位となっている。他の層が両者間に介在しても、それがｐ型コンタクト層２２およびｐ型クラッド層２０と同じ導電型の半導体であればよい。メサ電極７０は、第１部分６０および第１接続部６４を介して、上面電極６８に接続する。第１接続部６４は、上面電極６８より薄い。
【0031】
電極膜５８は、第１部分６０から第２方向Ｄ２に延びる引出電極７２を含む。引出電極７２は、絶縁膜５４の切り欠き５６の内側にある。埋め込み層２４は、引出電極７２の直下にも位置している。引出電極７２は、第２部分６２を介して、上面電極６８に接続されている。第２部分６２は、第１接続部６４および第２接続部６６のいずれよりも厚いので、電気的接続を確保することができる。
【0032】
半導体光素子は、対向電極７４を有する。対向電極７４は、半導体基板１４の、凸部１６とは反対の面（裏面）に位置する。対向電極７４は、半導体基板１４の裏面に、ほぼ全面を覆うように設けられている。対向電極７４は、半導体基板１４と同電位になり、他の層が両者間に介在しても、それが半導体基板１４と同じ導電型の半導体であればよい。半導体光素子が半導体レーザであれば、電極膜５８と対向電極７４との間に電流を注入することで、多重量子井戸層１８で光が生成され、発振される。
【0033】
図５は、図１に示す半導体光素子の、絶縁膜５４の切り欠き５６を含む領域の拡大平面図である。図６は、図５に示す半導体光素子のVI－VI線断面図である。図７は、図５に示す半導体光素子のVII－VII線断面図である。図８は、図５に示す半導体光素子のVIII－VIII線断面図である。
【0034】
切り欠き５６は、絶縁膜５４を、部分的にマスクで覆って部分的に除去することで形成される。除去はエッチングで行う。マスクの形状が多角形であっても、その尖った角にかかわらず、絶縁膜５４は角丸形状にエッチングされる。あるいは、角丸形状のマスクを使用してもよい。
【0035】
切り欠き５６は、スルーホール７６の一部である。スルーホール７６は、絶縁膜５４に設けられる、または絶縁膜５４を分離する開口であり、電極膜５８とメサストライプ構造１２を物理的に接続させるために設けられる。スルーホール７６は、メサストライプ構造１２の上端面および埋め込み層２４の第１傾斜面３０を囲むメサ開口を含み、メサ開口は長方形状になっていてもよい。
【0036】
絶縁膜５４を部分的に除去する工程から電極膜５８の形成までの工程で、絶縁膜５４の下にある埋め込み層２４もエッチングされ得る。その結果、絶縁膜５４の表面と埋め込み層２４の表面との高低差（段差）が大きくなる。しかも、埋め込み層２４をエッチングすると、絶縁膜５４の第１方向Ｄ１に沿った先端の下ではサイドエッチングが生じる（図２および図６）。そのため、絶縁膜５４が、第１エッジ３６（図２）および第３エッジ４０（図６）からオーバーハングする。この形状の埋め込み層２４および絶縁膜５４の上に電極膜５８を形成すると、電極膜５８の第１接続部６４および第２接続部６６は、上面電極６８と比較して薄く（例えば１／５以下）なる。最悪のケースとして、不連続になる（断線する）場合もある。
【0037】
図７に示すように、絶縁膜５４の、第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２のいずれにも交差する方向に延びる先端の下でも、埋め込み層２４に対するサイドエッチングが入る。しかも、そのエッチング面は、結晶面に起因して、上方に向けて前傾するオーバーハング面になっている。したがって、ここでも、上面電極６８と引出電極７２を接続する部分において、電極膜５８は薄くなる。引出電極７２の厚さや段差の大きさによっては断線する場合もある。
【0038】
これに対して、図８に示すように、絶縁膜５４は、第２エッジ３８から突出しない。これは、埋め込み層２４が、結晶面に起因して、第２傾斜面４８を有しているからである。第２傾斜面４８は、第１直立面３２よりも緩やかに傾斜して第２エッジ３８から下がる。そのため、絶縁膜５４の表面と埋め込み層２４の表面（第２傾斜面４８）の上端との高低差（段差）が小さい。これにより、電極膜５８は、第２傾斜面４８を通って滑らかに延びて連続する。そして、第２傾斜面４８に重なる第２部分６２は、厚さにおいて、上面電極６８や引出電極７２の半分以上となる。
【0039】
切り欠き５６がない領域では、図２に示す第１接続部６４のように、上面電極６８とメサ電極７０との間で電極膜５８は薄くなるので、抵抗が高くなり、半導体光素子の駆動のための消費電力が大きくなる要因となる。さらに、メサストライプ構造１２で発生した熱は、メサ電極７０を介して上面電極６８に伝わることで放熱されるが、電極膜５８の薄い領域（例えば第１接続部６４）は、熱伝導性を低下させる要因となる。
【0040】
しかし、実施形態によれば、上面電極６８は、第２部分６２を介してメサ電極７０に接続されており、第２部分６２は、第２傾斜面４８の存在により厚くなっているので、電気的接続を確保することができる。さらに、複数の切り欠き５６を形成することで、上面電極６８とメサ電極７０間の抵抗を下げるとともに、放熱経路を確保することができる。また、仮に第１接続部６４または第２接続部６６が不連続となったとしても、第２部分６２を介して電極膜５８の連続性が確保される。
【0041】
［変形例１］
図９は、変形例１に係る半導体光素子の絶縁膜の切り欠きの平面図である。図９の切り欠き５６Ａは、図５の切り欠き５６よりも、第２方向Ｄ２において短い。そのため、切り欠き５６Ａの、第２方向Ｄ２に沿った直線状の縁７８Ａが短くなり、これに伴って埋め込み層２４の第２傾斜面４８Ａが狭くなる。しかしながら、第２傾斜面４８Ａがある程度の幅を有していれば、電極膜５８の抵抗が大きくなることはなく、第１の実施形態の効果が得られる。切り欠き５６Ａ（第２方向Ｄ２に沿った直線状の縁７８Ａ）は、第２方向Ｄ２において、３μｍ以上の長さを有することが好ましい。
図９は、変形例１に係る半導体光素子の絶縁膜の切り欠きの平面図である。図９の切り欠き５６Ａは、図５の切り欠き５６よりも、第２方向Ｄ２において短い。そのため、切り欠き５６Ａの、第２方向Ｄ２に沿った直線状の縁７８Ａが短くなり、これに伴って埋め込み層２４の第２傾斜面４８Ａが狭くなる。しかしながら、第２傾斜面４８Ａがある程度の幅を有していれば、電極膜５８の抵抗が大きくなることはなく、第１の実施形態の効果が得られる。切り欠き５６Ａ（第２方向Ｄ２に沿った直線状の縁７８Ａ）は、第２方向Ｄ２において、３μｍ以上の長さを有することが好ましい。
【0042】
［変形例２］
図１０は、変形例２に係る半導体光素子の絶縁膜の切り欠きの平面図である。切り欠き５６Ｂは、第１方向Ｄ１の幅において、メサストライプ構造１２から離れるほど小さくなっている。切り欠き５６Ｂは、第２方向Ｄ２に沿った直線状の縁７８Ｂと、第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２のいずれにも交差する斜めの縁７８Ｃと、を含む。埋め込み層２４は、直線状の縁７８Ｂに隣接して第２傾斜面４８Ｂを有するが、斜めの縁７８Ｃに隣接して傾斜面を有するとは限らない。したがって、電極膜は、直線状の縁７８Ｂを通る部分においてのみ厚い接続部で接続することがあり得る。
図１０は、変形例２に係る半導体光素子の絶縁膜の切り欠きの平面図である。切り欠き５６Ｂは、第１方向Ｄ１の幅において、メサストライプ構造１２から離れるほど小さくなっている。切り欠き５６Ｂは、第２方向Ｄ２に沿った直線状の縁７８Ｂと、第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２のいずれにも交差する斜めの縁７８Ｃと、を含む。埋め込み層２４は、直線状の縁７８Ｂに隣接して第２傾斜面４８Ｂを有するが、斜めの縁７８Ｃに隣接して傾斜面を有するとは限らない。したがって、電極膜は、直線状の縁７８Ｂを通る部分においてのみ厚い接続部で接続することがあり得る。
【0043】
図１０では、一対の切り欠き５６Ｂが非線対称に配置されている。つまり、右側の切り欠き５６Ｂは、直線状の縁７８Ｂを上側に有し、斜めの縁７８Ｃを下側に有するのに対して、左側の切り欠き５６Ｂは、直線状の縁７８Ｂを下側に有し、斜めの縁７８Ｃを上側に有する。変形例として、一対の切り欠き５６Ｂが線対称に配置されてもよい。
【0044】
［第２の実施形態］
図１１は、第２の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。複数の第１凹部２４４および複数の第２凹部２４６は、非線対称である。複数の切り欠き２５６も、メサストライプ構造２１２に沿った直線を中心とした線対称にはなっていない。
図１１は、第２の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。複数の第１凹部２４４および複数の第２凹部２４６は、非線対称である。複数の切り欠き２５６も、メサストライプ構造２１２に沿った直線を中心とした線対称にはなっていない。
【0045】
複数の第１凹部２４４および複数の第２凹部２４６は、第１方向Ｄ１に千鳥状に配列されている。複数の第１凹部２４４は、第１方向Ｄ１に隣同士の一対の第１凹部２４４を含む。一対の第１凹部２４４の間にある領域が、第２方向Ｄ２に、複数の第２凹部２４６の対応する１つの隣にある。複数の第２凹部２４６は、第１方向Ｄ１に隣同士の一対の第２凹部２４６を含む。一対の第２凹部２４６の間にある領域が、第２方向Ｄ２に、複数の第１凹部２４４の対応する１つの隣にある。その他の点には、第１の実施形態で説明した内容を適用可能である。
【0046】
［第３の実施形態］
図１２は、第３の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。複数の第１凹部３４４および複数の第２凹部３４６は、非線対称である。複数の第１凹部３４４は、第１埋め込み層３２６の上面の第１領域３８８にある。複数の第２凹部３４６は、第２埋め込み層３２８の上面の第２領域３９０にある。第１領域３８８と第２領域３９０は、第２方向Ｄ２に隣り合わない。複数の切り欠き３５６も、非線対称である。
図１２は、第３の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。複数の第１凹部３４４および複数の第２凹部３４６は、非線対称である。複数の第１凹部３４４は、第１埋め込み層３２６の上面の第１領域３８８にある。複数の第２凹部３４６は、第２埋め込み層３２８の上面の第２領域３９０にある。第１領域３８８と第２領域３９０は、第２方向Ｄ２に隣り合わない。複数の切り欠き３５６も、非線対称である。
【0047】
半導体光素子を小型化するために、埋め込み層は、第２方向Ｄ２の幅において狭くなっている。切り欠き３５６は、左上の領域と右下の領域に配置されている。
【0048】
電極膜３５８には、外部との接続用のワイヤが接続される。ワイヤは、先端部において径が広くなっているが、その先端部が切り欠き３５６と重畳することは好ましくない。切り欠き３５６で、絶縁膜３５４と埋め込み層との間に段差が生じており、このような段差のある領域でのワイヤボンディングは、ワイヤの接続強度を低下させる。
【0049】
本実施形態では、埋め込み層の幅が第２方向Ｄ２に狭くなっているために、ワイヤが配置される領域が狭くなっているが、右上と左下には切り欠き３５６が無いので、ワイヤボンディングの領域を確保することができる。その他の点には、第１の実施形態で説明した内容を適用可能である。
【0050】
［第４の実施形態］
図１３は、第４の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。一対の埋め込み層は、複数の凹部４４２を有する第１埋め込み層４２６および複数の凹部４４２を有しない第２埋め込み層４２８である。第１埋め込み層４２６は、第２方向Ｄ２の幅において、第２埋め込み層４２８よりも大きい。
図１３は、第４の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。一対の埋め込み層は、複数の凹部４４２を有する第１埋め込み層４２６および複数の凹部４４２を有しない第２埋め込み層４２８である。第１埋め込み層４２６は、第２方向Ｄ２の幅において、第２埋め込み層４２８よりも大きい。
【0051】
メサストライプ構造４１２は、第２方向Ｄ２において、半導体光素子の中心からずれている。切り欠き４５６は、メサストライプ構造４１２の片側のみに配置されている。メサストライプ構造４１２が中心からずれることで、広いワイヤボンディング領域を確保することができる。そして、ワイヤボンディングがされる側に切り欠き４５６が配置されていることで、電気的接続が確保され、ワイヤを介して入力される電気信号がメサストライプ構造４１２に伝達される。その他の点には、第１の実施形態で説明した内容を適用可能である。
【0052】
［第５の実施形態］
図１４は、第５の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。一対の埋め込み層は、複数の凹部５４２を有する第１埋め込み層５２６および複数の凹部を有しない第２埋め込み層５２８である。第１埋め込み層５２６は、第２方向Ｄ２の幅において、第２埋め込み層５２８よりも大きい。第１埋め込み層５２６の複数の凹部５４２は、一対の凹部５４２である。一対の凹部５４２の間の間隔は、第１埋め込み層５２６の、第１方向Ｄ１の長さの２分の１より大きい。
図１４は、第５の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。一対の埋め込み層は、複数の凹部５４２を有する第１埋め込み層５２６および複数の凹部を有しない第２埋め込み層５２８である。第１埋め込み層５２６は、第２方向Ｄ２の幅において、第２埋め込み層５２８よりも大きい。第１埋め込み層５２６の複数の凹部５４２は、一対の凹部５４２である。一対の凹部５４２の間の間隔は、第１埋め込み層５２６の、第１方向Ｄ１の長さの２分の１より大きい。
【0053】
メサストライプ構造５１２は、第２方向Ｄ２において、半導体光素子の中心からずれている。切り欠き５５６は、メサストライプ構造５１２の片側のみに配置されている。切り欠き５５６は、半導体光素子の二つの端面の近くに配置され、他の実施形態と比較して第２方向Ｄ２に長い。一対の切り欠き５５６で挟まれた領域にワイヤがボンディングされる。その他の点には、第１の実施形態で説明した内容を適用可能である。
【0054】
［第６の実施形態］
図１５は、第６の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。半導体光素子は、変調器集積型半導体レーザであり、半導体レーザ６８０、電界吸収型変調器６８２、そして両者の間に配置された導波路６８４を有し、それぞれは一体的に集積されている。半導体光素子は、半導体レーザ６８０、導波路６８４および電界吸収型変調器６８２に跨るメサストライプ構造６１２を有する。
図１５は、第６の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。半導体光素子は、変調器集積型半導体レーザであり、半導体レーザ６８０、電界吸収型変調器６８２、そして両者の間に配置された導波路６８４を有し、それぞれは一体的に集積されている。半導体光素子は、半導体レーザ６８０、導波路６８４および電界吸収型変調器６８２に跨るメサストライプ構造６１２を有する。
【0055】
半導体レーザ６８０は、メサストライプ構造６１２の一部を含む。半導体レーザ６８０は、導波路６８４に向けて連続光を出射するようになっている。半導体レーザ６８０は、ＤＦＢ（Distributed Feedback）レーザ、ＦＰ(Fabry-Perot)レーザ、ＤＢＲ(Distributed Bragg Reflector)レーザおよびＤＲ（Distributed Reflector)レーザのいずれであってもよく、１．３μｍ帯または１．５５μｍ帯で発振するようになっている。ただし、波長帯はこれに限定されず他の波長帯であっても構わない。
【0056】
半導体レーザ６８０では、絶縁膜６５４は、メサストライプ構造６１２が延伸する方向に沿ったスルーホール６７６を有する。電極膜６５８が、絶縁膜６５４の上にある。電極膜６５８は、スルーホール６７６内ではメサストライプ構造６１２の上端面に接触している。
【0057】
電界吸収型変調器６８２は、メサストライプ構造６１２の他の一部を含む。電界吸収型変調器６８２は、導波路６８４を介して伝達された連続光を変調光に変換できるようになっている。電界吸収型変調器６８２は、変調器電極６９２を有する。電界吸収型変調器６８２では、絶縁膜６５４は、メサストライプ構造６１２が延伸する方向に沿ったスルーホール６９４を有する。ここではスルーホール６９４は矩形であるが、半導体レーザ６８０と同様に、絶縁膜６５４が切り欠き６５６を有してもよい。
【0058】
導波路６８４は、メサストライプ構造６１２のさらに他の一部を含む。導波路６８４は、半導体レーザ６８０が出射した光を電界吸収型変調器６８２に向けて伝達できるようになっている。導波路６８４は全体的に絶縁膜６５４で覆われている。
【0059】
電極膜６５８の、第１方向Ｄ１で導波路６８４に近い端部は、絶縁膜６５４のスルーホール６７６を超えて配置される。電極膜６５８の端部とスルーホール６７６の端をそろえても構わないが、製造のばらつきにより、電極膜６５８の端部がスルーホール６７６の外側に至らずに配置されると、メサストライプ構造６１２の上端面であるコンタクト層が露出する。コンタクト層は半導体層であるため、外環境の影響を受けて変質しやいので、信頼性に影響を及ぼすおそれがある。そのため、製造ばらつきを加味し、確実に電極膜６５８がスルーホール６７６を覆うように構成してある。
【0060】
本実施形態は、埋め込みヘテロ構造を有する半導体光素子の電極膜６５８の連続性を向上させる。これは、絶縁膜６５４のスルーホール６７６が複数の切り欠き６５６を備えることで実現される。詳しくは、埋め込み層は、切り欠き６５６の内側で、メサストライプ構造６１２が延伸する第１方向Ｄ１に傾斜する第２傾斜面を有する。電極膜６５８の、第２傾斜面に配置される部分は、埋め込み層の上面に配置される部分の半分以上の厚さを有する。したがって、電極膜６５８は、第２傾斜面を通る部分は、埋め込み層の上面にある部分と、切り欠き６５６の内側にある部分を確実に接続する。
【0061】
複数の切り欠き６５６が、メサストライプ構造６１２に沿って配置される。複数の切り欠き６５６は、線対称に配置されてもよいし、非線対称に配置されてもよい。また、切り欠き６５６は、メサストライプ構造６１２の片側のみに配置されてもよい。その他の点には、第１の実施形態で説明した内容を適用可能である。
【0062】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態を説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【0063】
［実施形態の概要］
（１）第１方向Ｄ１に延びるメサストライプ構造１２と、前記メサストライプ構造１２を両側で埋め込み、それぞれが前記メサストライプ構造１２の上端面に隣接して前記上端面から斜めに傾斜して上がる第１傾斜面３０を有し、それぞれが前記第１傾斜面３０の上端から直立する第１直立面３２を有し、それぞれが前記メサストライプ構造１２の前記上端面よりも高い上面３４を有する一対の埋め込み層２４と、前記メサストライプ構造１２の前記上端面の上を避けて前記一対の埋め込み層２４のそれぞれの前記上面３４の上にある絶縁膜５４と、前記メサストライプ構造１２の前記上端面、前記第１傾斜面３０および前記絶縁膜５４の上で拡がる電極膜５８と、を有し、前記第１直立面３２の上端は、前記第１方向Ｄ１に沿って延び、前記一対の埋め込み層２４の少なくとも一方の前記上面３４は、複数の凹部４２を有し、前記複数の凹部４２のそれぞれは、前記上面３４から斜めに傾斜して下がる第２傾斜面４８を有し、前記第２傾斜面４８の上端は、前記第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に沿って延びる半導体光素子。電極膜５８は、埋め込み層２４の第１直立面３２の前方では薄くなっても、上面３４から第２傾斜面４８の上では厚みが確保されるので、抵抗の増加や放熱性の低下を抑え、特性の低下を防止することができる。
（１）第１方向Ｄ１に延びるメサストライプ構造１２と、前記メサストライプ構造１２を両側で埋め込み、それぞれが前記メサストライプ構造１２の上端面に隣接して前記上端面から斜めに傾斜して上がる第１傾斜面３０を有し、それぞれが前記第１傾斜面３０の上端から直立する第１直立面３２を有し、それぞれが前記メサストライプ構造１２の前記上端面よりも高い上面３４を有する一対の埋め込み層２４と、前記メサストライプ構造１２の前記上端面の上を避けて前記一対の埋め込み層２４のそれぞれの前記上面３４の上にある絶縁膜５４と、前記メサストライプ構造１２の前記上端面、前記第１傾斜面３０および前記絶縁膜５４の上で拡がる電極膜５８と、を有し、前記第１直立面３２の上端は、前記第１方向Ｄ１に沿って延び、前記一対の埋め込み層２４の少なくとも一方の前記上面３４は、複数の凹部４２を有し、前記複数の凹部４２のそれぞれは、前記上面３４から斜めに傾斜して下がる第２傾斜面４８を有し、前記第２傾斜面４８の上端は、前記第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に沿って延びる半導体光素子。電極膜５８は、埋め込み層２４の第１直立面３２の前方では薄くなっても、上面３４から第２傾斜面４８の上では厚みが確保されるので、抵抗の増加や放熱性の低下を抑え、特性の低下を防止することができる。
【0064】
（２）（１）に記載された半導体光素子であって、前記電極膜５８は、前記第１傾斜面３０の上にある第１部分６０と、前記第２傾斜面４８の上にある第２部分６２と、前記第１直立面３２の前方にある第１接続部６４と、を含み、前記第１接続部６４は、前記第１部分６０および前記第２部分６２のいずれよりも薄い半導体光素子。
【0065】
（３）（２）に記載された半導体光素子であって、前記第１接続部６４と前記第１直立面３２の間には隙間がある半導体光素子。
【0066】
（４）（３）に記載された半導体光素子であって、前記絶縁膜５４は、前記第１直立面３２の上でオーバーハングしている半導体光素子。
【0067】
（５）（２）から（４）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記複数の凹部４２のそれぞれは、直立する第２直立面５０をさらに有し、前記第２直立面５０の上端は、前記第１方向Ｄ１に沿って延び、前記電極膜５８は、前記第２直立面５０の前方にある第２接続部６６をさらに含み、前記第２接続部６６は、前記第１部分６０および前記第２部分６２のいずれよりも薄い半導体光素子。
【0068】
（６）（５）に記載された半導体光素子であって、前記第２接続部６６と前記第２直立面５０の間には隙間がある半導体光素子。
【0069】
（７）（６）に記載された半導体光素子であって、前記絶縁膜５４は、前記第２直立面５０の上でオーバーハングしている半導体光素子。
【0070】
（８）（１）から（７）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記複数の凹部４２のそれぞれは、前記第２傾斜面４８の下端から前記第１方向Ｄ１に拡がる底面５２を有し、前記底面５２は、平坦であり、前記第１傾斜面３０に接続する半導体光素子。
【0071】
（９）（１）から（８）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記一対の埋め込み層２４は、前記複数の凹部４２をそれぞれが有する第１埋め込み層２６および第２埋め込み層２８であり、前記第１埋め込み層２６の前記複数の凹部４２は、前記第１方向Ｄ１に並ぶ複数の第１凹部４４であり、前記第２埋め込み層２８の前記複数の凹部４２は、前記第１方向Ｄ１に並ぶ複数の第２凹部４６である半導体光素子。
【0072】
（１０）（９）に記載された半導体光素子であって、前記第１埋め込み層２６および前記第２埋め込み層２８は、前記第２方向Ｄ２の幅において等しい半導体光素子。
【0073】
（１１）（９）又は（１０）に記載された半導体光素子であって、前記複数の第１凹部４４および前記複数の第２凹部４６は、線対称であり、前記メサストライプ構造１２の上で前記第１方向Ｄ１に延びる直線Ｌが対称軸である半導体光素子。
【0074】
（１２）（１１）に記載された半導体光素子であって、前記複数の第１凹部４４のそれぞれと前記複数の第２凹部４６の対応する一つは、前記第２方向Ｄ２に隣り合う半導体光素子。
【0075】
（１３）（９）又は（１０）に記載された半導体光素子であって、前記複数の第１凹部２４４および前記複数の第２凹部２４６は、非線対称である半導体光素子。
【0076】
（１４）（１３）に記載された半導体光素子であって、前記複数の第１凹部２４４および前記複数の第２凹部２４６は、前記第１方向Ｄ１に千鳥状に配列されている半導体光素子。
【0077】
（１５）（１３）に記載された半導体光素子であって、前記複数の第１凹部２４４は、前記第１方向Ｄ１に隣同士の一対の第１凹部２４４を含み、前記一対の第１凹部２４４の間にある領域が、前記第２方向Ｄ２に、前記複数の第２凹部２４６の対応する１つの隣にあり、前記複数の第２凹部２４６は、前記第１方向Ｄ１に隣同士の一対の第２凹部２４６を含み、前記一対の第２凹部２４６の間にある領域が、前記第２方向Ｄ２に、前記複数の第１凹部２４４の対応する１つの隣にある半導体光素子。
【0078】
（１６）（１３）に記載された半導体光素子であって、前記複数の第１凹部３４４は、前記第１埋め込み層３２６の前記上面の第１領域３８８にあり、前記複数の第２凹部３４６は、前記第２埋め込み層３２８の前記上面の第２領域３９０にあり、前記第１領域３８８と前記第２領域３９０は、前記第２方向Ｄ２に隣り合わない半導体光素子。
【0079】
（１７）（１）から（８）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記一対の埋め込み層は、前記複数の凹部４４２を有する第１埋め込み層４２６および前記複数の凹部４４２を有しない第２埋め込み層４２８であり、前記第１埋め込み層４２６は、前記第２方向Ｄ２の幅において、前記第２埋め込み層４２８よりも大きい半導体光素子。
【0080】
（１８）（１７）に記載された半導体光素子であって、前記第１埋め込み層５２６の前記複数の凹部５４２は、一対の凹部５４２であり、前記一対の凹部５４２の間の間隔は、前記第１埋め込み層５２６の、前記第１方向Ｄ１の長さの２分の１より大きい半導体光素子。
【0081】
（１９）（１）から（１８）のいずれか１項に記載された半導体光素子であって、前記第２傾斜面４８は、対向する一対の第２傾斜面４８である半導体光素子。
【符号の説明】
【0082】
１２ メサストライプ構造、１４ 半導体基板、１６ 凸部、１８ 多重量子井戸層、２０ ｐ型クラッド層、２２ ｐ型コンタクト層、２４ 埋め込み層、２６ 第１埋め込み層、２８ 第２埋め込み層、３０ 第１傾斜面、３２ 第１直立面、３４ 上面、３６ 第１エッジ、３８ 第２エッジ、４０ 第３エッジ、４２ 凹部、４４ 第１凹部、４６ 第２凹部、４８ 第２傾斜面、４８Ａ 第２傾斜面、４８Ｂ 第２傾斜面、５０ 第２直立面、５２ 底面、５４ 絶縁膜、５６ 切り欠き、５６Ａ 切り欠き、５６Ｂ 切り欠き、５８ 電極膜、６０ 第１部分、６２ 第２部分、６４ 第１接続部、６６ 第２接続部、６８ 上面電極、７０ メサ電極、７２ 引出電極、７４ 対向電極、７６ スルーホール、７８Ａ 縁、７８Ｂ 縁、７８Ｃ 縁、２１２ メサストライプ構造、２４４ 第１凹部、２４６ 第２凹部、２５６ 切り欠き、３４４ 第１凹部、３４６ 第２凹部３５４ 絶縁膜、３５６ 切り欠き、３５８ 電極膜、３８８ 第１領域、３９０ 第２領域、４１２ メサストライプ構造、４２６ 第１埋め込み層、４２８ 第２埋め込み層、４４２ 凹部、４５６ 切り欠き、５１２ メサストライプ構造、５２６ 第１埋め込み層、５２８ 第２埋め込み層、５４２ 凹部、５５６ 切り欠き、６１２ メサストライプ構造、６５４ 絶縁膜、６５６ 切り欠き、６５８ 電極膜、６７６ スルーホール、６８０ 半導体レーザ、６８２ 電界吸収型変調器、６８４ 導波路、６９２ 変調器電極、６９４ スルーホール、Ｄ１ 第１方向、Ｄ２ 第２方向、Ｌ 直線。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】