特開2023-168348IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

本発明の一態様は、半導体装置及びその作製方法に関する。本発明の一態様は、表示装置 及びその作製方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】電気特性の良好な半導体装置を提供する。電気特性の安定した半導体装置を提供
する。信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】金属酸化物を含む半導体層を形成し、半導体層上に酸化物を含むゲート絶縁
層を形成し、ゲート絶縁層上に金属酸化物層を形成する。金属酸化物層を形成した後に加
熱処理を行い、加熱処理を行った後に、金属酸化物層を除去する。金属酸化物層を除去し
た後に、ゲート絶縁層上に半導体層の一部と重なるゲート電極を形成する。そして、半導
体層におけるゲート電極が重ならない領域に、ゲート絶縁層を介して、第1の元素を供給
する。第1の元素としては、リン、ホウ素、マグネシウム、アルミニウム、及びシリコン
などが挙げられる。金属酸化物層を除去した後に行う工程は、それぞれ、加熱処理の温度
以下の温度で行うことが好ましい。
【選択図】図5

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様は、電気特性の良好な半導体装置を提供することを課題の一とする。本発 明の一態様は、電気特性の安定した半導体装置を提供することを課題の一とする。本発明 の一態様は、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様は、金属酸化物を含む半導体層を形成し、半導体層上に酸化物を含むゲー ト絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に金属酸化物層を形成し、金属酸化物層を形成した後 に加熱処理を行い、加熱処理を行った後に金属酸化物層を除去し、金属酸化物層を除去し た後に、ゲート絶縁層上に半導体層の一部と重なるゲート電極を形成し、半導体層におけ るゲート電極が重ならない領域に、ゲート絶縁層を介して、第1の元素を供給・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様により、電気特性の良好な半導体装置を提供できる。本発明の一態様によ
り、電気特性の安定した半導体装置を提供できる。本発明の一態様により、信頼性の高い
半導体装置を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から
、これら以外の効果を抽出することが可能である。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 (A)トランジスタの一例を示す上面図。(B)、(C)トランジスタの一例を示す断面図。
【図2】 トランジスタの一例を示す断面図。
【図3】 (A)トランジスタの一例を示す上面図。(B)、(C)トランジスタの一例を示す断面図。
【図4】 トランジスタの一例を示す断面図。
【図5】 トランジスタの作製方法の一例を示す断面図。
【図6】 トランジスタの作製方法の一例を示す断面図。
【図7】 トランジスタの作製方法の一例を示す断面図。
【図8】 トランジスタの作製方法の一例を示す断面図。
【図9】 表示装置の一例を示す上面図。
【図10】 表示装置の一例を示す断面図。
【図11】 表示装置の一例を示す断面図。
【図12】 表示装置の一例を示す断面図。
【図13】 表示装置の一例を示す断面図。
【図14】 (A)表示装置の一例を示すブロック図。(B)、(C)表示装置の一例を示す回路図。
【図15】 (A)、(C)、(D)表示装置の一例を示す回路図。(B)表示装置のタイミングチャート。
【図16】 表示モジュールの一例を示す図。
【図17】 電子機器の一例を示す図。
【図18】 電子機器の一例を示す図。
【図19】 電子機器の一例を示す図。
【図20】 電子機器の一例を示す図。
【図21】 実施例1に係る比較試料のトランジスタを示す断面図。
【図22】 実施例1に係るトランジスタの電気特性を示すグラフ。
【図23】 実施例1に係るトランジスタの電気特性を示すグラフ。
【図24】 実施例1に係るトランジスタの信頼性評価結果を示すグラフ。

選択図 図5出願人が指定した本件の代表的な図

100 トランジスタ 100A トランジスタ 102 基板 103 絶縁層 103a 絶縁層 103b 絶縁層 103c 絶縁層 103d 領域 103e 絶縁層 106 導電層 106c 導電層 108 半導体層 108c 半導体層 108n 低抵抗領域 110 ゲート絶縁層 110a 絶縁層 110b 絶縁層 110c 絶縁層 110d 領域 112 ゲート電極 112f 導電膜 114 金属酸化物層 118 絶縁層 120a 導電層 120b 導電層 130A 容量素子 130B 容量素子 140 不純物元素 141a 開口部 141b 開口部 142 開口部 400 画素回路 400EL 画素回路 400LC 画素回路 401 回路 401EL 回路 401LC 回路 501 画素回路 502 画素部 504 駆動回路部 504a ゲートドライバ 504b ソースドライバ 506 保護回路 507 端子部 550 トランジスタ 552 トランジスタ 554 トランジスタ 560 容量素子 562 容量素子 570 液晶素子 572 発光素子 700 表示装置 700A 表示装置 700B 表示装置 701 第1の基板 702 画素部 704 ソースドライバ 705 第2の基板 706 ゲートドライバ 708 FPC端子部 710 信号線 711 配線部 712 シール材 716 FPC 717 IC 721 ソースドライバIC 722 ゲートドライバ 723 FPC 724 プリント基板 730 絶縁膜 732 封止膜 734 絶縁膜 736 着色膜 738 遮光膜 740 保護層 741 保護層 742 接着層 743 樹脂層 744 絶縁層 745 支持基板 746 樹脂層 750 トランジスタ 752 トランジスタ 760 配線 770 平坦化絶縁膜 772 導電層 773 絶縁層 774 導電層 775 液晶素子 776 液晶層 778 スペーサ 780 異方性導電膜 782 発光素子 786 EL層 788 導電膜 790 容量素子 6000 表示モジュール 6001 上部カバー 6002 下部カバー 6005 FPC 6006 表示装置 6009 フレーム 6010 プリント基板 6011 バッテリ 6015 発光部 6016 受光部 6017a 導光部 6017b 導光部 6018 光 6500 電子機器 6501 筐体 6502 表示部 6503 電源ボタン 6504 ボタン 6505 スピーカ 6506 マイク 6507 カメラ 6508 光源 6510 保護部材 6511 表示パネル 6512 光学部材 6513 タッチセンサパネル 6515 FPC 6516 IC 6517 プリント基板 6518 バッテリ 7000 表示部 7100 テレビジョン装置 7101 筐体 7103 スタンド 7111 リモコン操作機 7200 ノート型パーソナルコンピュータ 7211 筐体 7212 キーボード 7213 ポインティングデバイス 7214 外部接続ポート 7300 デジタルサイネージ 7301 筐体 7303 スピーカ 7311 情報端末機 7400 デジタルサイネージ 7401 柱 7411 情報端末機 8000 カメラ 8001 筐体 8002 表示部 8003 操作ボタン 8004 シャッターボタン 8006 レンズ 8100 ファインダー 8101 筐体 8102 表示部 8103 ボタン 8200 ヘッドマウントディスプレイ 8201 装着部 8202 レンズ 8203 本体 8204 表示部 8205 ケーブル 8206 バッテリ 8300 ヘッドマウントディスプレイ 8301 筐体 8302 表示部 8304 固定具 8305 レンズ 9000 筐体 9001 表示部 9003 スピーカ 9005 操作キー 9006 接続端子 9007 センサ 9008 マイクロフォン 9050 アイコン 9051 情報 9052 情報 9053 情報 9054 情報 9055 ヒンジ 9101 携帯情報端末 9102 携帯情報端末 9200 携帯情報端末 9201 携帯情報端末

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