技術分野
本発明の一態様は、半導体装置及びその作製方法に関する。本発明の一態様は、表示装置
及びその作製方法
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】電気特性の良好な半導体装置を提供する。電気特性の安定した半導体装置を提供
する。信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】金属酸化物を含む半導体層を形成し、半導体層上に酸化物を含むゲート絶縁
層を形成し、ゲート絶縁層上に金属酸化物層を形成する。金属酸化物層を形成した後に加
熱処理を行い、加熱処理を行った後に、金属酸化物層を除去する。金属酸化物層を除去し
た後に、ゲート絶縁層上に半導体層の一部と重なるゲート電極を形成する。そして、半導
体層におけるゲート電極が重ならない領域に、ゲート絶縁層を介して、第1の元素を供給
する。第1の元素としては、リン、ホウ素、マグネシウム、アルミニウム、及びシリコン
などが挙げられる。金属酸化物層を除去した後に行う工程は、それぞれ、加熱処理の温度
以下の温度で行うことが好ましい。
【選択図】図5
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様は、電気特性の良好な半導体装置を提供することを課題の一とする。本発
明の一態様は、電気特性の安定した半導体装置を提供することを課題の一とする。本発明
の一態様は、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様は、金属酸化物を含む半導体層を形成し、半導体層上に酸化物を含むゲー
ト絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に金属酸化物層を形成し、金属酸化物層を形成した後
に加熱処理を行い、加熱処理を行った後に金属酸化物層を除去し、金属酸化物層を除去し
た後に、ゲート絶縁層上に半導体層の一部と重なるゲート電極を形成し、半導体層におけ
るゲート電極が重ならない領域に、ゲート絶縁層を介して、第1の元素を供給・・・ 続きを
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発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様により、電気特性の良好な半導体装置を提供できる。本発明の一態様によ
り、電気特性の安定した半導体装置を提供できる。本発明の一態様により、信頼性の高い
半導体装置を提供できる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から
、これら以外の効果を抽出することが可能である。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
(A)トランジスタの一例を示す上面図。(B)、(C)トランジスタの一例を示す断面図。
【図2】
トランジスタの一例を示す断面図。
【図3】
(A)トランジスタの一例を示す上面図。(B)、(C)トランジスタの一例を示す断面図。
【図4】
トランジスタの一例を示す断面図。
【図5】
トランジスタの作製方法の一例を示す断面図。
【図6】
トランジスタの作製方法の一例を示す断面図。
【図7】
トランジスタの作製方法の一例を示す断面図。
【図8】
トランジスタの作製方法の一例を示す断面図。
【図9】
表示装置の一例を示す上面図。
【図10】
表示装置の一例を示す断面図。
【図11】
表示装置の一例を示す断面図。
【図12】
表示装置の一例を示す断面図。
【図13】
表示装置の一例を示す断面図。
【図14】
(A)表示装置の一例を示すブロック図。(B)、(C)表示装置の一例を示す回路図。
【図15】
(A)、(C)、(D)表示装置の一例を示す回路図。(B)表示装置のタイミングチャート。
【図16】
表示モジュールの一例を示す図。
【図17】
電子機器の一例を示す図。
【図18】
電子機器の一例を示す図。
【図19】
電子機器の一例を示す図。
【図20】
電子機器の一例を示す図。
【図21】
実施例1に係る比較試料のトランジスタを示す断面図。
【図22】
実施例1に係るトランジスタの電気特性を示すグラフ。
【図23】
実施例1に係るトランジスタの電気特性を示すグラフ。
【図24】
実施例1に係るトランジスタの信頼性評価結果を示すグラフ。
100 トランジスタ
100A トランジスタ
102 基板
103 絶縁層
103a 絶縁層
103b 絶縁層
103c 絶縁層
103d 領域
103e 絶縁層
106 導電層
106c 導電層
108 半導体層
108c 半導体層
108n 低抵抗領域
110 ゲート絶縁層
110a 絶縁層
110b 絶縁層
110c 絶縁層
110d 領域
112 ゲート電極
112f 導電膜
114 金属酸化物層
118 絶縁層
120a 導電層
120b 導電層
130A 容量素子
130B 容量素子
140 不純物元素
141a 開口部
141b 開口部
142 開口部
400 画素回路
400EL 画素回路
400LC 画素回路
401 回路
401EL 回路
401LC 回路
501 画素回路
502 画素部
504 駆動回路部
504a ゲートドライバ
504b ソースドライバ
506 保護回路
507 端子部
550 トランジスタ
552 トランジスタ
554 トランジスタ
560 容量素子
562 容量素子
570 液晶素子
572 発光素子
700 表示装置
700A 表示装置
700B 表示装置
701 第1の基板
702 画素部
704 ソースドライバ
705 第2の基板
706 ゲートドライバ
708 FPC端子部
710 信号線
711 配線部
712 シール材
716 FPC
717 IC
721 ソースドライバIC
722 ゲートドライバ
723 FPC
724 プリント基板
730 絶縁膜
732 封止膜
734 絶縁膜
736 着色膜
738 遮光膜
740 保護層
741 保護層
742 接着層
743 樹脂層
744 絶縁層
745 支持基板
746 樹脂層
750 トランジスタ
752 トランジスタ
760 配線
770 平坦化絶縁膜
772 導電層
773 絶縁層
774 導電層
775 液晶素子
776 液晶層
778 スペーサ
780 異方性導電膜
782 発光素子
786 EL層
788 導電膜
790 容量素子
6000 表示モジュール
6001 上部カバー
6002 下部カバー
6005 FPC
6006 表示装置
6009 フレーム
6010 プリント基板
6011 バッテリ
6015 発光部
6016 受光部
6017a 導光部
6017b 導光部
6018 光
6500 電子機器
6501 筐体
6502 表示部
6503 電源ボタン
6504 ボタン
6505 スピーカ
6506 マイク
6507 カメラ
6508 光源
6510 保護部材
6511 表示パネル
6512 光学部材
6513 タッチセンサパネル
6515 FPC
6516 IC
6517 プリント基板
6518 バッテリ
7000 表示部
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7103 スタンド
7111 リモコン操作機
7200 ノート型パーソナルコンピュータ
7211 筐体
7212 キーボード
7213 ポインティングデバイス
7214 外部接続ポート
7300 デジタルサイネージ
7301 筐体
7303 スピーカ
7311 情報端末機
7400 デジタルサイネージ
7401 柱
7411 情報端末機
8000 カメラ
8001 筐体
8002 表示部
8003 操作ボタン
8004 シャッターボタン
8006 レンズ
8100 ファインダー
8101 筐体
8102 表示部
8103 ボタン
8200 ヘッドマウントディスプレイ
8201 装着部
8202 レンズ
8203 本体
8204 表示部
8205 ケーブル
8206 バッテリ
8300 ヘッドマウントディスプレイ
8301 筐体
8302 表示部
8304 固定具
8305 レンズ
9000 筐体
9001 表示部
9003 スピーカ
9005 操作キー
9006 接続端子
9007 センサ
9008 マイクロフォン
9050 アイコン
9051 情報
9052 情報
9053 情報
9054 情報
9055 ヒンジ
9101 携帯情報端末
9102 携帯情報端末
9200 携帯情報端末
9201 携帯情報端末
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