(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023168523
(43)【公開日】2023-11-24
(54)【発明の名称】コイル部品
(51)【国際特許分類】
H01F 17/04 20060101AFI20231116BHJP
H01F 17/00 20060101ALI20231116BHJP
【ＦＩ】
H01F17/04 Z
H01F17/04 F
H01F17/04 A
H01F17/00 D
【審査請求】有
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023172443
(22)【出願日】2023-10-04
(62)【分割の表示】P 2019192946の分割
【原出願日】2019-10-23
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100115738
【弁理士】
【氏名又は名称】鷲頭 光宏
(74)【代理人】
【識別番号】100121681
【弁理士】
【氏名又は名称】緒方 和文
(72)【発明者】
【氏名】竹内 拓也
(72)【発明者】
【氏名】藤井 直明
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼橋 延也
(57)【要約】
【課題】スパイラル状のコイルパターンと磁性素体の間に層間絶縁膜が設けられた構造を有するコイル部品の磁気特性を高める。
【解決手段】コイル部品１は、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３を軸方向における一方側から覆う層間絶縁膜４１と、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３の内径領域に埋め込まれた磁性素体Ｍ１と、層間絶縁膜４１を介してコイルパターンＣＰ１～ＣＰ３を軸方向における一方側から覆う磁性素体Ｍ２とを備える。層間絶縁膜４１は、内径領域に向かって径方向に突出した突出部４１Ａを有し、突出部４１Ａは軸方向における他方側に向かって湾曲している。このように、突出部４１Ａが軸方向に湾曲していることから、内径領域に向かって直線的に突出する場合と比べて、内径領域に位置する磁路の入り口が広がる。このため、突出部４１Ａに起因する磁気特性の低下が抑えられる。
【選択図】図１
【解決手段】コイル部品１は、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３を軸方向における一方側から覆う層間絶縁膜４１と、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３の内径領域に埋め込まれた磁性素体Ｍ１と、層間絶縁膜４１を介してコイルパターンＣＰ１～ＣＰ３を軸方向における一方側から覆う磁性素体Ｍ２とを備える。層間絶縁膜４１は、内径領域に向かって径方向に突出した突出部４１Ａを有し、突出部４１Ａは軸方向における他方側に向かって湾曲している。このように、突出部４１Ａが軸方向に湾曲していることから、内径領域に向かって直線的に突出する場合と比べて、内径領域に位置する磁路の入り口が広がる。このため、突出部４１Ａに起因する磁気特性の低下が抑えられる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
磁性素体と、
前記磁性素体に埋め込まれ、複数の層間絶縁膜と複数の導体層が軸方向に交互に積層された構成を有するコイル部と、
を備え、
前記複数の層間絶縁膜は、前記軸方向における一方の端部に位置する第１の層間絶縁膜と、前記軸方向における他方の端部に位置する第２の層間絶縁膜と、前記軸方向において前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜の間に位置する１又は２以上の第３の層間絶縁膜とを含み、
前記第１の層間絶縁膜は、前記第３の層間絶縁膜よりも膜厚が薄く、
前記第１の層間絶縁膜は、前記コイル部の内径領域に向かって径方向に突出した第１の突出部を有し、
前記第１の突出部は、前記軸方向における前記他方側に向かって湾曲している、
コイル部品。
前記磁性素体に埋め込まれ、複数の層間絶縁膜と複数の導体層が軸方向に交互に積層された構成を有するコイル部と、
を備え、
前記複数の層間絶縁膜は、前記軸方向における一方の端部に位置する第１の層間絶縁膜と、前記軸方向における他方の端部に位置する第２の層間絶縁膜と、前記軸方向において前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜の間に位置する１又は２以上の第３の層間絶縁膜とを含み、
前記第１の層間絶縁膜は、前記第３の層間絶縁膜よりも膜厚が薄く、
前記第１の層間絶縁膜は、前記コイル部の内径領域に向かって径方向に突出した第１の突出部を有し、
前記第１の突出部は、前記軸方向における前記他方側に向かって湾曲している、
コイル部品。
【請求項2】
前記第１の層間絶縁膜は、前記第２の層間絶縁膜よりも膜厚が薄い、
請求項１に記載のコイル部品。
請求項１に記載のコイル部品。
【請求項3】
前記第２の層間絶縁膜は、前記内径領域に向かって径方向に突出した第２の突出部を有し、
前記第２の突出部は、前記軸方向における前記一方側に向かって湾曲している、
請求項１又は２に記載のコイル部品。
前記第２の突出部は、前記軸方向における前記一方側に向かって湾曲している、
請求項１又は２に記載のコイル部品。
【請求項4】
前記第１の突出部は、前記第２の突出部よりも大きく湾曲している、
請求項３に記載のコイル部品。
請求項３に記載のコイル部品。
【請求項5】
前記第１及び第２の層間絶縁膜の少なくとも一方と、前記第３の層間絶縁膜は、互いに異なる材料からなる、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のコイル部品。
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項6】
前記第１及び第２の層間絶縁膜の前記少なくとも一方は、磁性材料からなる、
請求項５に記載のコイル部品。
請求項５に記載のコイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はコイル部品及びその製造方法に関し、特に、スパイラル状のコイルパターンが磁性素体で覆われた構造を有するコイル部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
スパイラル状のコイルパターンを有するチップ型のコイル部品は、インダクタンスを高めるために磁性素体で覆われることがある。例えば、特許文献１には、スパイラル状のコイルパターンが磁性素体で覆われた構造を有するコイル部品が開示されている。
【0003】
しかしながら、磁性素体を構成する材料は、樹脂材料などと比べると絶縁性が不十分である。このため、コイルパターンを磁性素体によって直接覆うのではなく、コイルパターンを樹脂材料からなる層間絶縁膜で覆い、さらにその表面を磁性素体で覆う構造が採られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１７－１１１８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
コイルパターンと磁性素体の間に層間絶縁膜を設けると、特許文献１に記載されているように、層間絶縁膜の一部がコイルパターンの内径領域に突出する。特に、軸方向における端部に位置する層間絶縁膜が内径領域へ大きく突出すると、その分、内径領域に位置する磁路の入り口が狭くなり、磁気特性が低下するという問題があった。
【0006】
したがって、本発明は、スパイラル状のコイルパターンと磁性素体の間に層間絶縁膜が設けられた構造を有するコイル部品において、層間絶縁膜が内径領域へ突出することに起因する磁気特性の低下を抑制することを目的とする。また、本発明は、このようなコイル部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明によるコイル部品は、スパイラル状に巻回されたコイルパターンと、コイルパターンを軸方向における一方側から覆う第１の層間絶縁膜と、コイルパターンの内径領域に埋め込まれた第１の部分と第１の層間絶縁膜を介してコイルパターンを軸方向における一方側から覆う第２の部分を含む磁性素体とを備え、第１の層間絶縁膜は、内径領域に向かって径方向に突出した第１の突出部を有し、第１の突出部は、軸方向における他方側に向かって湾曲していることを特徴とする。
【0008】
本発明によれば、第１の突出部が軸方向に湾曲していることから、内径領域に向かって直線的に突出する場合と比べて、内径領域に位置する磁路の入り口が広がる。このため、第１の突出部に起因する磁気特性の低下を抑えることが可能となる。
【0009】
本発明によるコイル部品は、コイルパターンを軸方向における他方側から覆う第２の層間絶縁膜をさらに備え、磁性素体は、第２の層間絶縁膜を介してコイルパターンを軸方向における他方側から覆う第３の部分をさらに含むものであっても構わない。これによれば、より高い磁気特性を得ることが可能となる。
【0010】
本発明によるコイル部品は、第２の層間絶縁膜に設けられた開口部を介して、それぞれコイルパターンの一端及び他端に接続された第１及び第２の外部端子をさらに備え、第１の層間絶縁膜は、第２の層間絶縁膜よりも膜厚が薄くても構わない。これによれば、外部端子とは反対側に位置する第１の層間絶縁膜の膜厚が薄いことから、コイル部品を低背化することが可能となる。
【0011】
本発明において、第２の層間絶縁膜は内径領域に向かって径方向に突出した第２の突出部を有し、第２の突出部は軸方向における一方側に向かって湾曲していても構わない。これによれば、第２の突出部が軸方向に湾曲していることから、内径領域に向かって直線的に突出する場合と比べて、内径領域に位置する磁路の入り口が広がる。このため、突出部に起因する磁気特性の低下を抑えることが可能となる。
【0012】
本発明において、第１の突出部は第２の突出部よりも大きく湾曲していても構わない。これによれば、第１の突出部に起因する磁気特性の低下をより抑えることが可能となる。
【0013】
本発明において、磁性素体は磁性フィラーと樹脂バインダーを含む複合部材であり、第１の突出部の突出量は、磁性フィラーの最大径よりも小さくても構わない。これによれば、第１の突出部の近傍にボイドが生じにくくなる。
【0014】
本発明によるコイル部品の製造方法は、スパイラル状に巻回され、軸方向における一方側が層間絶縁膜で覆われたコイルパターンを形成する第１の工程と、層間絶縁膜にコイルパターンの内径領域に向かって径方向に突出した突出部を形成する第２の工程と、磁性素体をコイルパターンの内径領域に埋め込むとともに、層間絶縁膜を介してコイルパターンを軸方向における一方側から磁性素体で覆う第３の工程とを備え、第３の工程においては、第１の突出部が軸方向における他方側に向かって湾曲するよう、磁性素体を軸方向における他方側に押圧することを特徴とする。
【0015】
本発明によれば、磁性素体を押圧することによって突出部を湾曲させていることから、内径領域に位置する磁路の入り口を広げることが可能となる。これにより、突出部に起因する磁気特性の低下を抑えることが可能となる。
【0016】
本発明において、第１の工程は、軸方向から見てコイルパターンの内径領域と重なる部分に膜厚の厚い領域と薄い領域が含まれるよう、層間絶縁膜を形成する工程を含み、第２の工程は、層間絶縁膜の膜厚を全体的に減少させることにより膜厚の薄い領域を除去し、これによって突出部を形成しても構わない。これによれば、突出部の厚みを薄くすることができるため、突出部をより大きく湾曲させることが可能となる。
【発明の効果】
【0017】
このように、本発明によれば、スパイラル状のコイルパターンが磁性素体で覆われた構造を有するコイル部品において、層間絶縁膜が内径領域へ突出することに起因する磁気特性の低下を抑制することが可能となる。また、本発明によれば、このようなコイル部品の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【0020】
【0021】
本発明の一実施形態によるコイル部品１は、電源回路用のインダクタとして用いることが好適な表面実装型のチップ部品であり、図１及び図２に示すように、磁性素体Ｍ１～Ｍ３と、磁性素体Ｍ１～Ｍ３に埋め込まれたコイル部Ｃとを備える。コイル部Ｃの構成については後述するが、本実施形態においてはスパイラル状のコイルパターンを有する導体層が３層積層され、これによって１つのコイル導体が形成される。そして、コイル導体の一端が第１の外部端子Ｅ１に接続され、コイル導体の他端が第２の外部端子Ｅ２に接続される。
【0022】
磁性素体Ｍ１～Ｍ３は、鉄（Ｆｅ）やパーマロイ系材料などからなる金属磁性フィラーと樹脂バインダーを含む複合部材であり、コイル部Ｃに電流を流すことによって生じる磁束の磁路を構成する。樹脂バインダーとしては、液状又は粉体のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。磁性素体Ｍ１～Ｍ３を構成する材料は、互いに同じであっても構わないし、互いに異なっていても構わない。ここで、磁性素体Ｍ１はコイル部Ｃの内径領域に埋め込まれた部分（第１の部分）であり、磁性素体Ｍ２はコイル部Ｃを軸方向における一方側から覆う部分（第２の部分）であり、磁性素体Ｍ３はコイル部Ｃを軸方向における他方側から覆う部分（第３の部分）である。
【0023】
図１に示すように、コイル部Ｃは層間絶縁膜４１～４４と導体層１０，２０，３０が交互に積層された構成を有している。導体層１０，２０，３０はそれぞれスパイラル状のコイルパターンＣＰ１～ＣＰ３を有しており、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３の上面又は下面が層間絶縁膜４１～４４で覆われている。コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３の側面は、それぞれ層間絶縁膜４２～４４の一部で覆われている。ここで、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３の上面及び下面とは、コイル軸に対して垂直な面を指し、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３の側面とは、コイル軸に対して水平な面を指す。
【0024】
コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３は、層間絶縁膜４２，４３に形成されたスルーホールを介して互いに接続されることにより、コイル部Ｃを構成している。導体層１０，２０，３０の材料としては、銅（Ｃｕ）を用いることが好ましい。層間絶縁膜４１～４４のうち、少なくとも層間絶縁膜４２，４３については非磁性材料が用いられる。最下層に位置する層間絶縁膜４１及び最上層に位置する層間絶縁膜４４については、磁性材料を用いても構わない。
【0025】
導体層１０は、磁性素体Ｍ２の上面に層間絶縁膜４１を介して形成された１層目の導体層であり、下地であるシード層Ｓ１を含んでいる。図３に示すように、導体層１０には、スパイラル状に０．５ターン巻回されたコイルパターンＣＰ１と、２つの電極パターン１１，１２が設けられている。コイルパターンＣＰ１の下面は層間絶縁膜４１で覆われ、コイルパターンＣＰ１の側面及び上面は層間絶縁膜４２で覆われている。図１及び図３に示すように、所定の断面においては、コイルパターンＣＰ１と電極パターン１１が接続されている。これに対し、電極パターン１２はコイルパターンＣＰ１とは独立して設けられている。電極パターン１１は磁性素体Ｍ３から露出しており、その表面は外部端子Ｅ１と同電位の側面電極として用いられる。同様に、電極パターン１２は磁性素体Ｍ３から露出しており、その表面は外部端子Ｅ２と同電位の側面電極として用いられる。
【0026】
導体層２０は、導体層１０の上面に層間絶縁膜４２を介して形成された２層目の導体層であり、下地であるシード層Ｓ２を含んでいる。図４に示すように、導体層２０には、スパイラル状に０．５ターン巻回されたコイルパターンＣＰ２と、２つの電極パターン２１，２２が設けられている。コイルパターンＣＰ２の下面は層間絶縁膜４２で覆われ、コイルパターンＣＰ２の側面及び上面は層間絶縁膜４３で覆われている。電極パターン２１，２２は、いずれもコイルパターンＣＰ２とは独立して設けられている。電極パターン２１は磁性素体Ｍ３から露出しており、その表面は外部端子Ｅ１と同電位の側面電極として用いられる。同様に、電極パターン２２は磁性素体Ｍ３から露出しており、その表面は外部端子Ｅ２と同電位の側面電極として用いられる。
【0027】
導体層３０は、導体層２０の上面に層間絶縁膜４３を介して形成された３層目の導体層であり、下地であるシード層Ｓ３を含んでいる。図５に示すように、導体層３０には、スパイラル状に０．５ターン巻回されたコイルパターンＣＰ３と、２つの電極パターン３１，３２が設けられている。コイルパターンＣＰ３の下面は層間絶縁膜４３で覆われ、コイルパターンＣＰ３の側面及び上面は層間絶縁膜４４で覆われている。図１に示すように、所定の断面においては、コイルパターンＣＰ３と電極パターン３２が接続されている。これに対し、電極パターン３１はコイルパターンＣＰ３とは独立して設けられている。電極パターン３１は磁性素体Ｍ３から露出しており、その表面は外部端子Ｅ１と同電位の側面電極として用いられる。同様に、電極パターン３２は磁性素体Ｍ３から露出しており、その表面は外部端子Ｅ２と同電位の側面電極として用いられる。
【0028】
そして、コイルパターンＣＰ１とコイルパターンＣＰ２は、導体層２０の一部であり層間絶縁膜４２を貫通して設けられたビア導体５１を介して接続される。また、コイルパターンＣＰ２とコイルパターンＣＰ３は、導体層３０の一部であり層間絶縁膜４３を貫通して設けられたビア導体５２を介して接続される。これにより、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３によって１．５ターンのコイル導体が形成される。また、電極パターン１１，２１，３１は、ビア導体５３～５５を介して外部端子Ｅ１に共通に接続され、電極パターン１２，２２，３２は、ビア導体５６～５８を介して外部端子Ｅ２に共通に接続される。これにより、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３からなるコイル導体の一端が外部端子Ｅ１に接続され、他端が外部端子Ｅ２に接続された構成が得られる。
【0029】
本実施形態においては、層間絶縁膜４１の膜厚が層間絶縁膜４２～４４よりも薄く、これにより低背化が図られている。後述する各プロセスを実施するためには、層間絶縁膜４１～４４の膜厚としてはある程度の膜厚が必要であるが、最下層に位置する層間絶縁膜４１については、コイル部Ｃを作製した後、磁性素体Ｍ２を形成する前にアッシング等により膜厚を減少させることにより、層間絶縁膜４２～４４よりも薄くすることが可能である。
【0030】
さらに、本実施形態においては、層間絶縁膜４１～４４の一部がコイル部Ｃの内径領域に突出している。このうち、層間絶縁膜４１の一部である突出部４１Ａと層間絶縁膜４４の一部である突出部４４Ａは、コイル部Ｃの中心に向かって湾曲した形状を有している。つまり、突出部４１Ａは磁性素体Ｍ３側に向かって図１の上方向に湾曲し、突出部４４Ａは磁性素体Ｍ２側に向かって図１の下方向に湾曲している。これにより、突出部４１Ａ，４４Ａが径方向に直線的に突出する場合と比べて、層間絶縁膜４１，４４の開口径が拡大することから、磁気特性が高められる。
【0031】
また、本実施形態においては、突出部４１Ａの湾曲角度θ１が突出部４４Ａの湾曲角度θ４よりも大きい（θ１＞θ４）。つまり、突出部４１Ａの方が突出部４４Ａよりも大きく湾曲している。このような構造は、上述の通り、層間絶縁膜４１の膜厚を層間絶縁膜４２～４４の膜厚よりも薄くすることにより得られる。突出部４１Ａをより大きく湾曲させることにより、層間絶縁膜４１の開口径がより拡大することから、より磁気特性を高めることができる。
【0032】
さらに、突出部４１Ａ，４４Ａが湾曲していることにより、突出部４１Ａと層間絶縁膜４２の垂直部分が接する角部４１Ｂが狭くなり、且つ、突出部４４Ａと層間絶縁膜４４の垂直部分が接する角部４４Ｂが狭くなる。これにより、角部４１Ｂ，４４Ｂに径の大きな磁性フィラーが入り込みにくくなることから、角部４１Ｂ，４４Ｂに径の大きな磁性フィラーが入り込むことによるボイドの発生を抑えることが可能となる。特に、突出部４１Ａ，４４Ａの突出量は、磁性素体Ｍ１～Ｍ３に含まれる磁性フィラーの最大径よりも小さいことが好ましい。これによれば、角部４１Ｂ，４４Ｂにボイドがより発生しにくくなる。
【0033】
次に、本実施形態によるコイル部品１の製造方法について説明する。
【0034】
図６～図３４は、本実施形態によるコイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。図６～図３４に示す工程図は、１個のコイル部品１に対応する断面を示しているが、実際には、集合基板を用いて多数のコイル部品１を同時に作製することによって多数個取りすることができる。
【0035】
まず、基材６１の表面に銅（Ｃｕ）などの金属箔６２，６３が設けられた支持体６０を用意する（図６）。金属箔６２と金属箔６３の界面には剥離層が設けられている。次に、金属箔６３をパターニングすることによって、金属箔６３に突起部６３ａを形成する（図７）。
【0036】
次に、突起部６３ａが設けられた金属箔６３の表面に、層間絶縁膜４１及び金属箔６４を形成する（図８）。層間絶縁膜４１及び金属箔６４の形成は、ラミネート法によって行うことができる。これにより、突起部６３ａの形状が層間絶縁膜４１に転写され、層間絶縁膜４１には膜厚の厚い領域４１Ｃと膜厚の薄い領域４１Ｄが形成される。
【0037】
次に、エッチングにより金属箔６４を除去した後（図９）、無電解メッキによって層間絶縁膜４１の表面にシード層Ｓ１を形成する（図１０）。シード層Ｓ１を形成する代わりに、金属箔６４をそのままシード層として用いても構わないが、シード層Ｓ１はできる限り薄いことが望ましいため、金属箔６４を除去した後、より薄いシード層Ｓ１を新たに成膜することが好ましい。
【0038】
次に、シード層Ｓ１の表面にレジストパターンＲ１を形成する（図１１）。レジストパターンＲ１は、導体層１０のネガパターンである。この状態で、電解メッキによってシード層Ｓ１を成長させることにより、導体層１０を形成する（図１２）。この時、コイルパターンＣＰ１の内径領域及び外側領域には、犠牲パターンＶＰ１が形成される。犠牲パターンＶＰ１のうち、コイルパターンＣＰ１の内径領域に位置する部分は、層間絶縁膜４１のうち膜厚の薄い領域４１Ｄが完全に重なり、且つ、膜厚の厚い領域４１Ｃが一部重なるよう、レジストパターンＲ１の位置が調整される。
【0039】
次に、レジストパターンＲ１を剥離した後（図１３）、レジストパターンＲ１の剥離部分に露出するシード層Ｓ１をエッチングにより除去する（図１４）。これにより、コイルパターンＣＰ１と犠牲パターンＶＰ１がスパイラル状のスリットＳＬによって電気的に分離される。次に、スリットＳＬを埋めるよう、導体層１０の表面に層間絶縁膜４２及び金属箔６５を形成する（図１５）。層間絶縁膜４２及び金属箔６５の形成は、ラミネート法によって行うことができる。次に、金属箔６５の表面にレジストパターンＲ２を形成し（図１６）、レジストパターンＲ２をマスクとして金属箔６５をエッチングする（図１７）。これにより、犠牲パターンＶＰ１と重なる部分の金属箔６５が除去される。
【0040】
次に、レジストパターンＲ２を剥離した後（図１８）、金属箔６５をマスクとしてブラスト加工することにより、犠牲パターンＶＰ１を露出させる（図１９）。次に、金属箔６５を除去した後（図２０）、レーザー加工によって層間絶縁膜４２に開口部４２ａを形成する。開口部４２ａは、図３に示すビア導体５１，５３，５６を形成すべき箇所に設けられる。以上の工程により、導体層１０及び層間絶縁膜４２の形成が完了する。
【0041】
その後、図１０～図２１に示す工程を繰り返すことにより、導体層２０、層間絶縁膜４３、導体層３０、層間絶縁膜４４を順次形成する。次に、層間絶縁膜４４の表面にシード層Ｓ４を形成した後（図２２）、シード層Ｓ４の表面にレジストパターンＲ３を形成する（図２３）。この状態で、電解メッキによってシード層Ｓ４を成長させることにより、外部端子Ｅ１，Ｅ２を形成する（図２４）。その後、レジストパターンＲ３を剥離し、レジストパターンＲ３の剥離部分に露出するシード層Ｓ４をエッチングにより除去する（図２５）。
【0042】
次に、外部端子Ｅ１，Ｅ２をレジストパターンＲ４で覆い（図２６）、この状態でウェットエッチングを行うことにより、犠牲パターンＶＰ１～ＶＰ３を除去する（図２７）。コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３については、層間絶縁膜４１～４４で覆われているため、エッチングされることはない。これにより、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３の内径領域及び外側領域には、空間Ｓが形成される。
【0043】
次に、この空間Ｓを埋める磁性素体Ｍ１，Ｍ３を形成する（図２８）。磁性素体Ｍ１，Ｍ３の形成においては、ボイドが生じないよう、支持体６０側に向けて磁性素体Ｍ１，Ｍ３を強く押圧する。これにより、層間絶縁膜４４の一部である突出部４４Ａは、押圧方向に向けて湾曲する。次に、金属箔６２と金属箔６３の界面を剥離することによって支持体６０を除去し、さらに、磁性素体Ｍ３の表面を研削することによって外部端子Ｅ１，Ｅ２を露出させる（図２９）。次に、上下反転させて支持体７０を貼り付けた後（図３０）、エッチングにより金属箔６３を除去する（図３１）。この状態でアッシング処理を行うことにより、層間絶縁膜４１の膜厚を全体的に減少させる（図３２）。膜厚の減少量は、膜厚の薄い領域４１Ｄが全て除去され、且つ、膜厚の厚い領域４１Ｃが残存する量に調整する。これにより、コイル部Ｃの内径領域に埋め込まれた磁性素体Ｍ１が露出するとともに、層間絶縁膜４１に突出部４１Ａが形成される。
【0044】
次に、層間絶縁膜４１を覆うように磁性素体Ｍ２を形成する（図３３）。磁性素体Ｍ２の形成においては、ボイドなどが生じないよう、支持体７０側に向けて磁性素体Ｍ２を強く押圧する。これにより、層間絶縁膜４１の一部である突出部４１Ａは、押圧方向に向けて湾曲する。そして、ダイシングによって個片化すれば、本実施形態によるコイル部品１が完成する（図３４）。なお、層間絶縁膜の突出部４１Ａ，４４Ａの湾曲形状を確実に形成するために、半硬化状態の磁性素体Ｍ１～Ｍ３を押圧し、押圧した後、磁性素体Ｍ１～Ｍ３を完全硬化させても構わない。
【0045】
このように、本実施形態においては、層間絶縁膜４１，４４の一部である突出部４１Ａ，４４Ａが内側に向かって湾曲するよう、磁性素体Ｍ１～Ｍ３を強く押圧していることから、突出部４１Ａ，４４Ａが直線的に突出する場合と比べて、内径領域に位置する磁路の入り口を広げることが可能となる。
【0046】
また、本実施形態においては、突起部６３ａが設けられた金属箔６３の表面に層間絶縁膜４１をラミネートしていることから、突起部６３ａの形状が層間絶縁膜４１に転写される。これにより、層間絶縁膜４１に膜厚の厚い領域４１Ｃと膜厚の薄い領域４１Ｄが形成されることから、図３２に示すアッシング処理によって、層間絶縁膜４１の膜厚をより薄くすることが可能となる。これにより、コイル部品１を低背化することができるとともに、突出部４１Ａをより大きく湾曲させることが可能となる。
【0047】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【符号の説明】
【0048】
１ コイル部品
１０，２０，３０ 導体層
１１，１２，２１，２２，３１，３２ 電極パターン
４１～４４ 層間絶縁膜
４１Ａ，４４Ａ 突出部
４１Ｂ，４４Ｂ 角部
４１Ｃ 厚い領域
４１Ｄ 薄い領域
４２ａ 開口部
５１～５８ ビア導体
６０ 支持体
６１ 基材
６２～６５ 金属箔
６３ａ 突起部
７０ 支持体
Ｃ コイル部
ＣＰ１～ＣＰ３ コイルパターン
Ｅ１，Ｅ２ 外部端子
Ｍ１～Ｍ３ 磁性素体
Ｒ１～Ｒ４ レジストパターン
Ｓ 空間
Ｓ１～Ｓ４ シード層
ＳＬ スリット
ＶＰ１～ＶＰ３ 犠牲パターン
１０，２０，３０ 導体層
１１，１２，２１，２２，３１，３２ 電極パターン
４１～４４ 層間絶縁膜
４１Ａ，４４Ａ 突出部
４１Ｂ，４４Ｂ 角部
４１Ｃ 厚い領域
４１Ｄ 薄い領域
４２ａ 開口部
５１～５８ ビア導体
６０ 支持体
６１ 基材
６２～６５ 金属箔
６３ａ 突起部
７０ 支持体
Ｃ コイル部
ＣＰ１～ＣＰ３ コイルパターン
Ｅ１，Ｅ２ 外部端子
Ｍ１～Ｍ３ 磁性素体
Ｒ１～Ｒ４ レジストパターン
Ｓ 空間
Ｓ１～Ｓ４ シード層
ＳＬ スリット
ＶＰ１～ＶＰ３ 犠牲パターン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】