特開 2023-168677 検出装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023168677

(43)【公開日】2023-11-29

(54)【発明の名称】検出装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 27/146 20060101AFI20231121BHJP

【ＦＩ】

H01L27/146 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022079927

(22)【出願日】2022-05-16

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】杉山 裕紀

(72)【発明者】

【氏名】庄司 孝裕

(72)【発明者】

【氏名】武田 薫

【テーマコード（参考）】

4M118

【Ｆターム（参考）】

4M118AA01

4M118AA10

4M118AB01

4M118BA05

4M118CA05

4M118CA20

4M118CB06

4M118CB14

4M118FB03

4M118FB09

4M118FB13

4M118FB16

4M118FB24

4M118HA26

4M118HA27

(57)【要約】

【課題】上下電極間の短絡の発生を抑制するとともに、検出感度の低下を抑制することが可能な検出装置を提供する。
【解決手段】検出装置は、基板と、基板の上に下部電極、半導体層及び上部電極の順に積層されたフォトダイオードと、フォトダイオードに設けられたトランジスタと、トランジスタとフォトダイオードとの層間に設けられた絶縁層と、を有し、絶縁層は、平面視でフォトダイオードの中央部に設けられたコンタクトホールを有し、フォトダイオードの下部電極は、絶縁層の上に設けられるとともに、コンタクトホールと重なる領域に連続して設けられ、コンタクトホールの底部でトランジスタと電気的に接続され、上部電極のコンタクトホールと重なる領域に、第１開口が設けられる。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板の上に下部電極、半導体層及び上部電極の順に積層されたフォトダイオードと、
前記フォトダイオードに設けられたトランジスタと、
前記トランジスタと前記フォトダイオードとの層間に設けられた絶縁層と、を有し、
前記絶縁層は、平面視で前記フォトダイオードの中央部に設けられたコンタクトホールを有し、
前記フォトダイオードの前記下部電極は、前記絶縁層の上に設けられるとともに、前記コンタクトホールと重なる領域に連続して設けられ、前記コンタクトホールの底部で前記トランジスタと電気的に接続され、
前記上部電極の前記コンタクトホールと重なる領域に、第１開口が設けられる
検出装置。

【請求項2】

前記半導体層は、前記コンタクトホールと重なる領域に設けられた第２開口を有し、
前記半導体層の前記第２開口及び前記上部電極の前記第１開口は、平面視で重なって設けられる
請求項１に記載の検出装置。

【請求項3】

前記半導体層の前記第２開口の幅は、前記コンタクトホールの前記底部の幅よりも大きい
請求項２に記載の検出装置。

【請求項4】

前記上部電極の前記第１開口の幅は、前記コンタクトホールの前記底部の幅よりも大きい
請求項１に記載の検出装置。

【請求項5】

前記フォトダイオードの前記下部電極及び前記半導体層は、前記絶縁層の上に設けられるとともに、前記コンタクトホールと重なる領域に連続して設けられ、
前記上部電極の前記第１開口は、前記半導体層の上に設けられる
請求項１に記載の検出装置。

【請求項6】

前記上部電極は、前記第１開口と重なり、かつ、前記コンタクトホールの前記底部と重なる領域で、前記半導体層の上に設けられた島状電極を含む
請求項５に記載の検出装置。

【請求項7】

前記基板に平行な第１方向での前記コンタクトホールの前記底部の幅は、前記第１方向での前記コンタクトホールの傾斜面の幅以下である
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の検出装置。

【請求項8】

基板と、
前記基板の上に下部電極、半導体層及び上部電極の順に積層されたフォトダイオードと、
前記フォトダイオードに設けられたトランジスタと、
前記トランジスタと前記フォトダイオードとの層間に設けられた絶縁層と、を有し、
前記絶縁層は、平面視で前記フォトダイオードの隅部に設けられたコンタクトホールを有し、
前記フォトダイオードの前記下部電極及び前記半導体層は、前記絶縁層の上に設けられるとともに、前記コンタクトホールと重なる領域に連続して設けられ、
前記下部電極は、前記コンタクトホールの底部で前記トランジスタと電気的に接続され、
前記上部電極の前記コンタクトホールと重なる領域であって、前記半導体層の上に切り欠き部が設けられる
検出装置。

【請求項9】

前記上部電極は、前記切り欠き部と重なり、かつ、前記コンタクトホールの前記底部と重なる領域で、前記半導体層の上に設けられた島状電極を含む
請求項８に記載の検出装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、検出装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１から特許文献３には、複数のＰＩＮフォトダイオードが基板上に配列された検出装置（特許文献１から特許文献３では、それぞれフォトセンサー、光電変換素子、電磁波検出素子と記載されている）が記載されている。複数のＰＩＮフォトダイオードは、複数のトランジスタがマトリクス状に配列された、いわゆるアクティブマトリクス型のアレイ基板上に実装される。

【0003】

このような検出装置では、トランジスタとフォトダイオードとを電気的に接続するためにコンタクトホールが設けられている。特許文献１、３では、フォトダイオードは、コンタクトホールにより形成される段差と重ならない領域に設けられている。特許文献２では、コンタクトホールにより形成される段差と重ならない領域に、フォトダイオードのｐ型半導体層が設けられている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００８－２８３１１３号公報

【特許文献2】特開２０１２－３９００４号公報

【特許文献3】特開２０１３－１４０９８７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

コンタクトホール等で形成される段差に起因してフォトダイオードの下部電極と上部電極との間にリークパスが生じる可能性がある。特許文献１から特許文献３では、トランジスタ及びコンタクトホールとの位置関係により、フォトダイオードの配置の制約が大きくなる。このため、フォトダイオードの実質的な受光面積が小さくなり、検出感度が低下する可能性がある。

【0006】

本発明は、上下電極間の短絡の発生を抑制するとともに、検出感度の低下を抑制することが可能な検出装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一態様の検出装置は、基板と、前記基板の上に下部電極、半導体層及び上部電極の順に積層されたフォトダイオードと、前記フォトダイオードに設けられたトランジスタと、前記トランジスタと前記フォトダイオードとの層間に設けられた絶縁層と、を有し、前記絶縁層は、平面視で前記フォトダイオードの中央部に設けられたコンタクトホールを有し、前記フォトダイオードの前記下部電極は、前記絶縁層の上に設けられるとともに、前記コンタクトホールと重なる領域に連続して設けられ、前記コンタクトホールの底部で前記トランジスタと電気的に接続され、前記上部電極の前記コンタクトホールと重なる領域に、第１開口が設けられる。

【0008】

本発明の一態様の検出装置は、基板と、前記基板の上に下部電極、半導体層及び上部電極の順に積層されたフォトダイオードと、前記フォトダイオードに設けられたトランジスタと、前記トランジスタと前記フォトダイオードとの層間に設けられた絶縁層と、を有し、前記絶縁層は、平面視で前記フォトダイオードの隅部に設けられたコンタクトホールを有し、前記フォトダイオードの前記下部電極及び前記半導体層は、前記絶縁層の上に設けられるとともに、前記コンタクトホールと重なる領域に連続して設けられ、前記下部電極は、前記コンタクトホールの底部で前記トランジスタと電気的に接続され、前記上部電極の前記コンタクトホールと重なる領域であって、前記半導体層の上に切り欠き部が設けられる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、第１実施形態に係る検出装置を示す平面図である。

【図2】図２は、第１実施形態に係る検出装置の構成例を示すブロック図である。

【図3】図３は、１つの検出素子を示す回路図である。

【図4】図４は、第１実施形態に係るフォトダイオード及びトランジスタを模式的に示す平面図である。

【図5】図５は、図４のＶ－Ｖ’断面図である。

【図6】図６は、図４のＶＩ－ＶＩ’断面図である。

【図7】図７は、第１実施形態の第１変形例に係る検出装置を模式的に示す断面図である。

【図8】図８は、第１実施形態の第２変形例に係る検出装置の、フォトダイオード及びトランジスタを模式的に示す平面図である。

【図9】図９は、図８のＩＸ－ＩＸ’断面図である。

【図10】図１０は、第２実施形態に係る検出装置の、フォトダイオード及びトランジスタを模式的に示す平面図である。

【図11】図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ’断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、本開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本開示と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0011】

本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

【0012】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る検出装置を示す平面図である。図１に示すように、検出装置１は、アレイ基板２（基板２１）と、センサ部１０と、ゲート線駆動回路１５と、信号線選択回路１６と、検出回路４８と、制御回路１０２と、電源回路１０３と、を有する。

【0013】

基板２１には、配線基板１１０を介して制御基板１０１が電気的に接続される。配線基板１１０は、例えば、フレキシブルプリント基板やリジット基板である。配線基板１１０には、検出回路４８が設けられている。制御基板１０１には、制御回路１０２及び電源回路１０３が設けられている。制御回路１０２は、例えばＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）である。制御回路１０２は、センサ部１０、ゲート線駆動回路１５及び信号線選択回路１６に制御信号を供給して、センサ部１０の検出動作を制御する。電源回路１０３は、電源信号ＳＶＳ（図４参照）等の電圧信号をセンサ部１０及びゲート線駆動回路１５に供給する。

【0014】

基板２１は、検出領域ＡＡと、周辺領域ＧＡとを有する。検出領域ＡＡは、複数のフォトダイオードＰＤが設けられた領域である。周辺領域ＧＡは、検出領域ＡＡの外周と、基板２１の端部との間の領域であり、複数のフォトダイオードＰＤが設けられない領域である。ゲート線駆動回路１５及び信号線選択回路１６は、基板２１の周辺領域ＧＡに設けられる。

【0015】

なお、以下の説明において、第１方向Ｄｘは、基板２１と平行な面内の一方向である。第２方向Ｄｙは、基板２１と平行な面内の一方向であり、第１方向Ｄｘと直交する方向である。なお、第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向である。第３方向Ｄｚは、基板２１の法線方向である。また、「平面視」とは、基板２１と垂直な方向から見た場合の位置関係をいう。

【0016】

複数の検出素子３（フォトダイオードＰＤ）は、検出領域ＡＡにマトリクス状に配列される。言い換えると、複数の検出素子３（フォトダイオードＰＤ）は、検出領域ＡＡに第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに並んで配列される。ここで、センサ部１０の複数の検出素子３は、それぞれ、センサ素子としてフォトダイオードＰＤ、容量素子Ｃａ及びトランジスタＴｒ（図３参照）を有する光センサである。フォトダイオードＰＤは、それぞれに照射される光に応じた電気信号を出力する。より具体的には、フォトダイオードＰＤは、ＰＩＮ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ Ｎｅｇａｔｉｖｅ）フォトダイオードである。複数の検出素子３が有するフォトダイオードＰＤは、ゲート線駆動回路１５から供給されるゲート駆動信号ＶＧＬに従って検出を行う。複数のフォトダイオードＰＤは、は、それぞれに照射される光に応じた電気信号を、検出信号Ｖｄｅｔとして信号線選択回路１６に出力する。検出装置１は、複数のフォトダイオードＰＤからの検出信号Ｖｄｅｔに基づいて生体に関する情報を検出する。

【0017】

図２は、第１実施形態に係る検出装置の構成例を示すブロック図である。図２に示すように、検出装置１は、さらに検出制御回路１１と検出部４０と、を有する。検出制御回路１１の機能の一部又は全部は、制御回路１０２に含まれる。また、検出部４０のうち、検出回路４８以外の機能の一部又は全部は、制御回路１０２に含まれる。

【0018】

検出制御回路１１は、ゲート線駆動回路１５、信号線選択回路１６及び検出部４０にそれぞれ制御信号を供給し、これらの動作を制御する回路である。検出制御回路１１は、スタート信号ＳＴＶ、クロック信号ＣＫ等の各種制御信号をゲート線駆動回路１５に供給する。また、検出制御回路１１は、選択信号ＡＳＷ等の各種制御信号を信号線選択回路１６に供給する。

【0019】

ゲート線駆動回路１５は、各種制御信号に基づいて複数のゲート線ＧＬ（図４参照）を駆動する回路である。ゲート線駆動回路１５は、複数のゲート線ＧＬを順次又は同時に選択し、選択されたゲート線ＧＬにゲート駆動信号ＶＧＬを供給する。これにより、ゲート線駆動回路１５は、ゲート線ＧＬに接続された複数のフォトダイオードＰＤを選択する。

【0020】

信号線選択回路１６は、複数の信号線ＳＬ（図４参照）を順次又は同時に選択するスイッチ回路である。信号線選択回路１６は、例えばマルチプレクサである。信号線選択回路１６は、検出制御回路１１から供給される選択信号ＡＳＷに基づいて、選択された信号線ＳＬと検出回路４８とを接続する。これにより、信号線選択回路１６は、フォトダイオードＰＤの検出信号Ｖｄｅｔを検出部４０に出力する。

【0021】

検出部４０は、検出回路４８と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、記憶回路４６と、検出タイミング制御回路４７と、を備える。検出タイミング制御回路４７は、検出制御回路１１から供給される制御信号に基づいて、検出回路４８と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、が同期して動作するように制御する。

【0022】

検出回路４８は、例えばアナログフロントエンド回路（ＡＦＥ、Ａｎａｌｏｇ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ）である。検出回路４８は、少なくとも検出信号増幅回路４２及びＡ／Ｄ変換回路４３の機能を有する信号処理回路である。検出信号増幅回路４２は、検出信号Ｖｄｅｔを増幅する回路であり、例えば、積分回路である。Ａ／Ｄ変換回路４３は、検出信号増幅回路４２から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。

【0023】

信号処理回路４４は、検出回路４８の出力信号に基づいて、センサ部１０に入力された所定の物理量を検出する論理回路である。信号処理回路４４は、指等の被検出体が検出面に接触又は近接した場合に、検出回路４８からの信号に基づいて指や掌の表面の凹凸を検出できる。また、信号処理回路４４は、検出回路４８からの信号に基づいて生体に関する情報を検出してもよい。生体に関する情報は、例えば、指や掌の血管像、脈波、脈拍、血中酸素飽和度等である。

【0024】

記憶回路４６は、信号処理回路４４で演算された信号を一時的に保存する。記憶回路４６は、例えばＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、レジスタ回路等であってもよい。

【0025】

座標抽出回路４５は、信号処理回路４４において指等の被検出体の接触又は近接が検出されたときに、指等の被検出体の表面の凹凸の検出座標を求める論理回路である。また、座標抽出回路４５は、指や掌の血管の検出座標を求める論理回路である。座標抽出回路４５は、センサ部１０の各検出素子３から出力される検出信号Ｖｄｅｔを組み合わせて、指等の被検出体の表面の凹凸の形状を示す二次元情報を生成する。なお、座標抽出回路４５は、検出座標を算出せずにセンサ出力Ｖｏとして検出信号Ｖｄｅｔを出力してもよい。

【0026】

次に、検出装置１の回路構成例及び動作例について説明する。図３は、１つの検出素子を示す回路図である。図３に示すように、検出素子３は、フォトダイオードＰＤと、容量素子Ｃａと、トランジスタＴｒと、を含む。トランジスタＴｒは、フォトダイオードＰＤに対応して設けられる。トランジスタＴｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で構成されている。トランジスタＴｒのゲートはゲート線ＧＬに接続される。トランジスタＴｒのソースは信号線ＳＬに接続される。トランジスタＴｒのドレインは、フォトダイオードＰＤのアノード及び容量素子Ｃａに接続される。

【0027】

フォトダイオードＰＤのカソードには、電源回路１０３から電源電位ＳＶＳが供給される。また、容量素子Ｃａには、電源回路１０３から、容量素子Ｃａの初期電位となる基準電位ＶＲ１が供給される。

【0028】

検出素子３に光が照射されると、フォトダイオードＰＤには光量に応じた電流が流れ、これにより容量素子Ｃａに電荷が蓄積される。トランジスタＴｒがオンになると、容量素子Ｃａに蓄積された電荷に応じて、信号線ＳＬに電流が流れる。信号線ＳＬは、信号線選択回路１６を介して検出回路４８に接続される。これにより、検出装置１は、検出素子３ごとに、フォトダイオードＰＤに照射される光の光量に応じた信号を検出できる。

【0029】

なお、図３では１つの検出素子３を示しているが、ゲート線ＧＬ及び信号線ＳＬは、複数の検出素子３に接続される。具体的には、ゲート線ＧＬは、第１方向Ｄｘ（図１参照）に延在し、第１方向Ｄｘに配列された複数の検出素子３（トランジスタＴｒ）と接続される。また、信号線ＳＬは、第２方向Ｄｙに延在し、第２方向Ｄｙに配列された複数の検出素子３（トランジスタＴｒ）に接続される。

【0030】

なお、トランジスタＴｒは、ｎ型ＴＦＴに限定されず、ｐ型ＴＦＴで構成されてもよい。また、検出素子３において、１つのフォトダイオードＰＤに対応して、複数のトランジスタが設けられていてもよい。

【0031】

次に、検出装置１の詳細な構成について説明する。図４は、第１実施形態に係るフォトダイオード及びトランジスタを模式的に示す平面図である。図４に示すように、検出素子３は、ゲート線ＧＬと、信号線ＳＬとで囲まれた領域である。

【0032】

フォトダイオードＰＤは、ゲート線ＧＬと、信号線ＳＬとで囲まれた領域に設けられる。フォトダイオードＰＤは、上部電極３４、半導体層３０及び下部電極３５を含む。上部電極３４及び下部電極３５は、フォトダイオードＰＤのそれぞれに対応して設けられる。下部電極３５は、例えば、フォトダイオードＰＤのアノード電極である。上部電極３４は、例えば、フォトダイオードＰＤのカソード電極である。

【0033】

フォトダイオードＰＤの、上部電極３４、半導体層３０及び下部電極３５の外形形状は、平面視で略四角形状である。ただし、これに限定されず、上部電極３４、半導体層３０及び下部電極３５の外形形状は多角形状、円形状等の他の形状であってもよい。あるいは、上部電極３４、半導体層３０及び下部電極３５は、外形の一部に切り欠き部が設けられた異形状等であってもよい。

【0034】

トランジスタＴｒは、ゲート線ＧＬと信号線ＳＬとの交差部の近傍に設けられる。トランジスタＴｒは、半導体層６１、ソース電極６２、ドレイン電極６３及びゲート電極６４を含む。

【0035】

半導体層６１は、第１方向Ｄｘに延在し、平面視でゲート線ＧＬと重なって設けられる。半導体層６１の一端側は、コンタクトホールＣＨ３を介してソース電極６２と接続される。半導体層６１の他端側は、コンタクトホールＣＨ４を介してドレイン電極６３と接続される。

【0036】

半導体層６１は、酸化物半導体である。より好ましくは、半導体層６１は、酸化物半導体のうち透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）である。トランジスタＴｒに酸化物半導体を用いることにより、トランジスタＴｒのリーク電流を抑制できる。すなわち、トランジスタＴｒは、非選択の検出素子３からのリーク電流を低減できる。このため、検出装置１は、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。ただし、半導体層６１は、これに限定されず、微結晶酸化物半導体、アモルファス酸化物半導体、ポリシリコン、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｉｌｉｃｏｎｅ）等であってもよい。

【0037】

本実施形態では、ゲート線ＧＬのうち、半導体層６１と重なる部分がゲート電極６４として機能する。ゲート電極６４（ゲート線ＧＬ）は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）又はこれらの合金が用いられる。また、半導体層６１の、ゲート電極６４と重なる部分にチャネル領域が形成される。

【0038】

また、信号線ＳＬのうち、半導体層６１と重なる部分がソース電極６２である。ドレイン電極６３は、平面視でゲート線ＧＬと交差して第２方向Ｄｙに延在する。ドレイン電極６３の端部には、フォトダイオードＰＤと重なる位置に接続部６３ａが設けられる。接続部６３ａの第１方向Ｄｘの幅は、ドレイン電極６３の第１方向Ｄｘの幅よりも大きく形成される。

【0039】

接続部６３ａは、コンタクトホールＣＨ２を介して、接続配線６７から引き出された引き出し配線６７ａと接続される。接続配線６７は、平面視でフォトダイオードＰＤの中央部に配置され、外形形状は多角形状に形成される。引き出し配線６７ａは、接続配線６７に接続され、トランジスタＴｒ側に向かって斜め方向に延在する。

【0040】

フォトダイオードＰＤの下部電極３５は、コンタクトホールＣＨ１を介して接続配線６７と接続される。また、上部電極３４及び半導体層３０には、それぞれコンタクトホールＣＨ１と重なる位置に第１開口ＯＰ１、第２開口ＯＰ２が設けられる。コンタクトホールＣＨ１、第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２は、平面視でフォトダイオードＰＤの中央部に配置される。なお、フォトダイオードＰＤと接続配線６７との接続構成、及び、第１開口ＯＰ１、第２開口ＯＰ２の詳細については、図５、図６で後述する。

【0041】

なお、接続配線６７の外形形状は多角形状に限定されず、円形状や、四角形状等、他の形状であってもよい。引き出し配線６７ａは、ドレイン電極６３の接続部６３ａと接続可能であれば、どのように引き回されてもよい。あるいは、引き出し配線６７ａは無くてもよく、接続配線６７と、ドレイン電極６３の接続部６３ａとが接続されてもよい。また、以下の説明では、接続配線６７と引き出し配線６７ａとを区別して説明する必要がない場合には、単に接続配線６７と表す場合がある。

【0042】

トランジスタＴｒの配置、形状等もあくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、半導体層６１は、平面視でゲート線ＧＬと重ならない位置に配置されている部分を有してもよい。

【0043】

次に、検出装置１の積層構成について説明する。図５は、図４のＶ－Ｖ’断面図である。以下の説明では、基板２１の表面に垂直な方向において、基板２１から封止膜２９に向かう方向を「上側」又は単に「上」とする。また、封止膜２９から基板２１に向かう方向を「下側」又は単に「下」とする。

【0044】

図５に示すように、基板２１は、絶縁性基板であり、例えば、ガラスや樹脂材料が用いられる。基板２１は、平板状に限定されず、曲面を有していてもよい。この場合、基板２１は、フィルム状の樹脂であってもよい。

【0045】

絶縁層２２、２３、２４、２５は、基板２１の上に設けられる。絶縁層２２、２３、２４、２５は、無機絶縁膜であり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン（ＳｉＮ）等である。また、各無機絶縁層は、単層に限定されず積層膜であってもよい。

【0046】

ゲート電極６４（ゲート線ＧＬ）は、絶縁層２２の上に設けられる。絶縁層２３は、ゲート電極６４（ゲート線ＧＬ）を覆って絶縁層２２の上に設けられる。半導体層６１は、絶縁層２３の上に設けられる。絶縁層２４、２５は、半導体層６１を覆って絶縁層２３の上に設けられる。なお、絶縁層２２は形成されていなくてもよい。

【0047】

ソース電極６２（信号線ＳＬ）及びドレイン電極６３（接続部６３ａ）は、絶縁層２５の上に設けられる。ソース電極６２は、絶縁層２４、２５に設けられたコンタクトホールＣＨ３を介して半導体層６１と電気的に接続される。ドレイン電極６３は、絶縁層２４、２５に設けられたコンタクトホールＣＨ４を介して半導体層６１と電気的に接続される。ドレイン電極６３及び接続部６３ａは、フォトダイオードＰＤと重ならない領域から、フォトダイオードＰＤと重なる領域まで延在して設けられる。

【0048】

絶縁層２６は、ソース電極６２（信号線ＳＬ）及びドレイン電極６３（接続部６３ａ）を覆って絶縁層２５の上に設けられる。接続配線６７及び引き出し配線６７ａは、絶縁層２６の上に設けられる。引き出し配線６７ａは、絶縁層２６に設けられたコンタクトホールＣＨ２を介してドレイン電極６３（接続部６３ａ）と接続される。接続配線６７及び引き出し配線６７ａは、フォトダイオードＰＤと重なる領域に設けられる。言い換えると、接続配線６７及び引き出し配線６７ａは、第３方向Ｄｚで、基板２１とフォトダイオードＰＤとの間に配置される。

【0049】

絶縁層２７は、接続配線６７及び引き出し配線６７ａを覆って絶縁層２６の上に設けられる。絶縁層２６、２７は、有機絶縁膜であり、例えばアクリル樹脂等で形成される。絶縁層２６、２７は、トランジスタＴｒを覆って設けられ、トランジスタＴｒや各種配線で形成される凹凸を平坦化する平坦化層である。また、絶縁層２６、２７は、トランジスタＴｒとフォトダイオードＰＤとの層間に設けられた絶縁膜である。

【0050】

次に、フォトダイオードＰＤの積層構成について説明する。フォトダイオードＰＤは、基板２１の上、より具体的には絶縁層２７の上に、下部電極３５、半導体層３０、上部電極３４の順に積層される。

【0051】

下部電極３５は、絶縁層２７の上に設けられ、絶縁層２７に設けられたコンタクトホールＣＨ１を介して接続配線６７と電気的に接続される。絶縁層２７に設けられたコンタクトホールＣＨ１は、平面視でフォトダイオードＰＤの中央部に設けられる（図４参照）。下部電極３５は、フォトダイオードＰＤのアノードであり、検出信号Ｖｄｅｔを読み出すための電極である。下部電極３５は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属材料が用いられる。又は、下部電極３５は、これらの金属材料が複数積層された積層膜であってもよい。下部電極３５は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電材料であってもよい。

【0052】

半導体層３０は、ｉ型半導体層３１、ｐ型半導体層３２及びｎ型半導体層３３を含む。ｉ型半導体層３１、ｐ型半導体層３２及びｎ型半導体層３３は、例えばアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）で形成される。図５では、基板２１の表面に垂直な方向において、ｎ型半導体層３３、ｉ型半導体層３１及びｐ型半導体層３２の順に積層されている。ただし、反対の構成、つまり、ｐ型半導体層３２、ｉ型半導体層３１及びｎ型半導体層３３の順に積層されていてもよい。

【0053】

ｐ型半導体層３２は、ａ－Ｓｉに不純物がドープされてｐ＋領域を形成する。ｎ型半導体層３３は、ａ－Ｓｉに不純物がドープされてｎ＋領域を形成する。ｉ型半導体層３１は、例えば、ノンドープの真性半導体であり、ｐ型半導体層３２及びｎ型半導体層３３よりも低い導電性を有する。

【0054】

上部電極３４は、フォトダイオードＰＤのカソードであり、電源電位ＳＶＳを半導体層３０に供給するための電極である。上部電極３４は、例えばＩＴＯ等の透光性導電層であり、フォトダイオードＰＤごとに複数設けられる。

【0055】

半導体層３０の、コンタクトホールＣＨ１と重なる領域には第２開口ＯＰ２が設けられている。上部電極３４の、コンタクトホールＣＨ１と重なる領域には第１開口ＯＰ１が設けられている。絶縁層２８及び封止膜２９は、フォトダイオードＰＤを覆って絶縁層２７の上に設けられる。また、絶縁層２８及び封止膜２９は、第１開口ＯＰ、第２開口ＯＰ２と重なる領域で、下部電極３５を覆って設けられる。絶縁層２８及び封止膜２９は、シリコン窒化膜や酸化アルミニウム膜などの無機膜、あるいはアクリルなどの樹脂膜が用いられる。封止膜２９は、単層に限定されず、上記の無機膜及び樹脂膜を組み合わせた２層以上の積層膜であってもよい。封止膜２９によりフォトダイオードＰＤは良好に封止され、上面側からの水分の侵入を抑制することができる。

【0056】

次に、コンタクトホールＣＨ１、第１開口ＯＰ及び第２開口ＯＰ２近傍の、フォトダイオードＰＤの構成について説明する。図６は、図４のＶＩ－ＶＩ’断面図である。なお、図４では、ＶＩ－ＶＩ’線を図示するために、Ｖ－Ｖ’線とずらして示しているが、図５及び図６は、いずれも平面視でコンタクトホールＣＨ１の中心（底部ＢＴの幾何中心）を通る断面を示している。図６に示すように、フォトダイオードＰＤの下部電極３５は、絶縁層２７の上に設けられるとともに、コンタクトホールＣＨ１と重なる領域に連続して設けられる。より詳細には、下部電極３５は、コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴ及び傾斜面ＴＰに亘って連続して設けられる。下部電極３５は、コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴで接続配線６７と接続される。これにより、フォトダイオードＰＤは、コンタクトホールＣＨ１及び接続配線６７を介してトランジスタＴｒと電気的に接続される。

【0057】

コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴの第１方向Ｄｘでの幅Ｗ－ＢＴは、傾斜面ＴＰの第１方向Ｄｘでの幅Ｗ－ＴＰよりも大きい。ここで、断面視で、コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴは、２つの傾斜面ＴＰの間に位置する。底部ＢＴの第１方向Ｄｘでの幅Ｗ－ＢＴは、少なくとも一方の傾斜面ＴＰの第１方向Ｄｘでの幅Ｗ－ＴＰよりも大きい。底部ＢＴの幅Ｗ－ＢＴは、例えば１０μｍ程度であり、傾斜面ＴＰの幅Ｗ－ＴＰは、例えば４μｍ以上５μｍ以下程度である。幅Ｗ－ＢＴ及び幅Ｗ－ＴＰ等の長さは、平面視でコンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴの幾何中心を通り、第１方向Ｄｘに平行な仮想線で切断した同一断面での長さとする。

【0058】

上述したように、上部電極３４のコンタクトホールＣＨ１と重なる領域には、第１開口ＯＰ１が設けられている。半導体層３０のコンタクトホールＣＨ１と重なる領域には、第２開口ＯＰ２が設けられている。上部電極３４の第１開口ＯＰ１及び半導体層３０の第２開口ＯＰ２は、平面視で、フォトダイオードＰＤの中央部に設けられる（図４参照）。また、半導体層３０の第２開口ＯＰ２は、平面視で、上部電極３４の第１開口ＯＰ１と重なって設けられる。言い換えると、下部電極３５の上で、コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴ及び傾斜面ＴＰと重なる領域には、半導体層３０及び上部電極３４は設けられていない。

【0059】

上部電極３４の第１開口ＯＰ１の第１方向Ｄｘでの幅は、コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴの幅Ｗ－ＢＴ及び傾斜面ＴＰの幅Ｗ－ＴＰの合計の長さ以上である。同様に、半導体層３０の第２開口ＯＰ２の幅は、コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴの幅Ｗ－ＢＴ及び傾斜面ＴＰの幅Ｗ－ＴＰの合計の長さ以上である。

【0060】

このような構成により、半導体層３０及び上部電極３４が少なくともコンタクトホールＣＨ１の段差部に設けられないので、コンタクトホールＣＨ１の段差部に起因する半導体層３０のシーム等のリークパスＬＰ（図９参照）の発生が抑制される。この結果、検出装置１は、上部電極３４と下部電極３５との間の短絡の発生を抑制することができる。ここで、コンタクトホールＣＨ１の段差部とは、より具体的には、コンタクトホールＣＨ１を形成する絶縁層２７の内壁の下端部２７ｅと接続配線６７とが屈曲して接する部分である。

【0061】

また、半導体層３０及び上部電極３４が少なくともコンタクトホールＣＨ１の段差部に設けられないので、半導体層３０のリークパスＬＰの発生を抑制するためにコンタクトホールＣＨ１の傾斜面ＴＰを緩やかに形成する必要がない。これにより、コンタクトホールＣＨ１の形状の自由度を向上させることができ、傾斜面ＴＰの幅Ｗ－ＴＰを小さく形成できる。すなわち、傾斜面ＴＰの傾斜角度を大きくすることができる。これにより、フォトダイオードＰＤ全体の面積に対する、傾斜面ＴＰ及び底部ＢＴを含めたコンタクトホールＣＨ１の面積を小さくすることができる。この結果、上部電極３４の第１開口ＯＰ１及び半導体層３０の第２開口ＯＰ２の面積も小さくすることができる。これにより、検出装置１は、フォトダイオードＰＤの実質的な受光面積が小さくなることを抑制して、高精細化を図ることができる。

【0062】

また、コンタクトホールＣＨ１、第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２は、平面視で、フォトダイオードＰＤの中央部に配置されているので、フォトダイオードＰＤの端部あるいは隅部に配置された場合に比べて、コンタクトホールＣＨ１、第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２の形状の不均一性や位置のばらつきを抑制することができる。

【0063】

したがって、本実施形態の検出装置１は、コンタクトホールＣＨ１の形状のばらつきを考慮して、底部ＢＴの幅Ｗ－ＢＴ及び傾斜面ＴＰの幅Ｗ－ＴＰを大きく形成する必要がない。また、コンタクトホールＣＨ１の形状のばらつきを考慮して、上部電極３４の第１開口ＯＰ１及び半導体層３０の第２開口ＯＰ２の幅（径）を大きく形成する必要がない。これにより、トランジスタＴｒ及び接続配線６７等との位置関係によるフォトダイオードＰＤの配置や、第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２の形状、面積等の制約を小さくすることができる。したがって、検出装置１は、フォトダイオードＰＤの実質的な受光面積が小さくなることを抑制できる。

【0064】

なお、半導体層３０及び上部電極３４は、少なくともコンタクトホールＣＨ１の段差部（絶縁層２７の内壁の下端部２７ｅと接続配線６７との接続箇所）に重ならないように設けられる。すなわち、半導体層３０及び上部電極３４は、絶縁層２７の平坦な領域に設けられるとともに、コンタクトホールＣＨ１の傾斜面ＴＰの一部に重なっていてもよい。上部電極３４の第１開口ＯＰ１の第１方向Ｄｘでの幅は、少なくともコンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴの幅Ｗ－ＢＴよりも大きい。同様に、半導体層３０の第２開口ＯＰ２の幅は、少なくともコンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴの幅Ｗ－ＢＴよりも大きい。また、上部電極３４の第１開口ＯＰ１の第１方向Ｄｘでの幅は、半導体層３０の第２開口ＯＰ２の幅と、実質的に同等である。ただしこれに限定されず、上部電極３４の第１開口ＯＰ１の第１方向Ｄｘでの幅は、半導体層３０の第２開口ＯＰ２の幅よりも大きくてもよい。

【0065】

（第１実施形態の第１変形例）
図７は、第１実施形態の第１変形例に係る検出装置を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

【0066】

図７に示すように、第１変形例に係る検出装置１Ａにおいて、第１方向ＤｘでのコンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴの幅Ｗ－ＢＴは、第１方向ＤｘでのコンタクトホールＣＨ１の傾斜面ＴＰの幅Ｗ－ＴＰ以下である。第１変形例では、底部ＢＴの幅Ｗ－ＢＴは、例えば４μｍ程度であり、傾斜面ＴＰの幅Ｗ－ＴＰは、例えば４μｍ以上５μｍ以下程度である。

【0067】

上述したように、第１変形例に係る検出装置１Ａでは、コンタクトホールＣＨ１の段差部を緩やかに形成する必要がなく、コンタクトホールＣＨ１の面積は、少なくとも底部ＢＴで下部電極３５と接続配線６７との接続が確保できる大きさであればよい。第１変形例に係る検出装置１Ａでは、上述した第１実施形態に比べて、コンタクトホールＣＨ１の面積が小さく形成されるので、フォトダイオードＰＤの実質的な受光面積を大きくすることができる。なお、底部ＢＴの幅Ｗ－ＢＴ及び傾斜面ＴＰの幅Ｗ－ＴＰは、あくまで一例であり、適宜変更することができる。

【0068】

（第１実施形態の第２変形例）
図８は、第１実施形態の第２変形例に係る検出装置の、フォトダイオード及びトランジスタを模式的に示す平面図である。図９は、図８のＩＸ－ＩＸ’断面図である。

【0069】

図８及び図９に示すように、第２変形例に係る検出装置１Ｂでは、上述した第１実施形態及び第１変形例に比べて、フォトダイオードＰＤの半導体層３０に第２開口ＯＰ２が設けられていない構成が異なる。

【0070】

図９に示すように、フォトダイオードＰＤの下部電極３５及び半導体層３０は、絶縁層２７の上に設けられるとともに、コンタクトホールＣＨ１と重なる領域に連続して設けられる。より詳細には、下部電極３５及び半導体層３０は、コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴ及び傾斜面ＴＰに亘って連続して設けられる。上部電極３４の第１開口ＯＰ１は、半導体層３０の上で、コンタクトホールＣＨ１と重なる領域に設けられる。

【0071】

より詳細には、下部電極３５及び半導体層３０は、コンタクトホールＣＨ１を形成する絶縁層２７の内壁の下端部２７ｅと接続配線６７とが屈曲して接する部分を覆って設けられる。上部電極３４は、絶縁層２７の平坦な領域に設けられ、少なくともコンタクトホールＣＨ１の段差部（絶縁層２７の内壁の下端部２７ｅと接続配線６７との接続箇所）と重ならない領域に設けられる。より詳細には、半導体層３０は、コンタクトホールＣＨ１の段差部に対応して形成された段差部を有する。上部電極３４は、少なくとも半導体層３０の段差部に重ならない領域に設けられる。言い換えると、上部電極３４の第１開口ＯＰ１の周縁部は、コンタクトホールＣＨ１の傾斜面ＴＰの一部と重なっていてもよい。

【0072】

さらに、上部電極３４は、島状電極３４ａ及び接続部３４ｂ（図１０参照）を含む。島状電極３４ａは、第１開口ＯＰ１と重なり、かつ、コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴと重なる領域で、半導体層３０の上に設けられる。島状電極３４ａは、少なくとも半導体層３０の段差部と重ならない領域に設けられる。島状電極３４ａの第１方向Ｄｘの幅は、コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴの第１方向Ｄｘの幅Ｗ－ＢＴよりも小さい。接続部３４ｂは、島状電極３４ａよりも細幅であり、島状電極３４ａと上部電極３４とを接続する。

【0073】

第２変形例では、上部電極３４に第１開口ＯＰ１が設けられており、上部電極３４は少なくとも半導体層３０の段差部と重ならない領域に設けられる。このため、コンタクトホールＣＨ１の段差部に起因して半導体層３０のシーム等のリークパスＬＰが発生した場合であっても、上部電極３４と下部電極３５との間の短絡の発生を抑制することができる。

【0074】

また、半導体層３０はコンタクトホールＣＨ１と重なる領域に亘って連続して設けられる。さらに、上部電極３４は島状電極３４ａを含むので、上述した第１実施形態に比べて、フォトダイオードＰＤの実質的な受光面積を大きくすることができる。なお、接続部３４ｂは半導体層３０の段差部を跨がって設けられているが、接続部３４ｂの幅は、半導体層３０の段差部の外周に沿った全長に比べて、極めて小さい。このため、接続部３４ｂでのリークは無視できるほど小さい。なお、第２変形例の検出装置１Ｂにおいて、島状電極３４ａ及び接続部３４ｂはなくてもよい。

【0075】

（第２実施形態）
図１０は、第２実施形態に係る検出装置の、フォトダイオード及びトランジスタを模式的に示す平面図である。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ’断面図である。図１０に示すように、第２実施形態に係る検出装置１Ｃにおいて、絶縁層２７に設けられたコンタクトホールＣＨ１は、平面視でフォトダイオードＰＤの隅部に設けられる。

【0076】

接続配線６７Ａは、平面視で、フォトダイオードＰＤの隅部であってコンタクトホールＣＨ１に重なる位置に配置される。引き出し配線６７Ａａは、接続配線６７Ａに接続され、トランジスタＴｒ側に向かってゲート線ＧＬに沿って第１方向Ｄｘに延在する。引き出し配線６７Ａａは、コンタクトホールＣＨ２及び接続部６３ａを介してトランジスタＴｒのドレイン電極６３に電気的に接続される。なお、引き出し配線６７Ａａは、信号線ＳＬに沿って第２方向Ｄｙに延在してもよい。

【0077】

図１０及び図１１に示すように、フォトダイオードＰＤの下部電極３５及び半導体層３０は、絶縁層２７の上に設けられるとともに、コンタクトホールＣＨ１と重なる領域に連続して設けられる。より詳細には、下部電極３５及び半導体層３０は、コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴ及び傾斜面ＴＰに亘って連続して設けられる。下部電極３５は、フォトダイオードＰＤの隅部で、コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴで接続配線６７Ａと接続される。これにより、フォトダイオードＰＤは、コンタクトホールＣＨ１及び接続配線６７Ａを介してトランジスタＴｒと電気的に接続される。

【0078】

上部電極３４のコンタクトホールＣＨ１と重なる領域であって、半導体層３０の上に切り欠き部ＮＴが設けられる。上部電極３４の切り欠き部ＮＴは、コンタクトホールＣＨ１に対応して、フォトダイオードＰＤの隅部に設けられる。上部電極３４は、絶縁層２７の平坦な領域に設けられ、少なくともコンタクトホールＣＨ１の段差部（絶縁層２７の内壁の下端部２７ｅと接続配線６７Ａとの接続箇所）と重ならない領域に設けられる。上部電極３４は、少なくとも半導体層３０の段差部に重ならない領域に設けられる。すなわち、上部電極３４の切り欠き部ＮＴの端部は、コンタクトホールＣＨ１の傾斜面ＴＰの一部と重なっていてもよい。

【0079】

上述した第２変形例と同様に、上部電極３４は、島状電極３４ａを含む。島状電極３４ａは、切り欠き部ＮＴが形成された領域で、かつ、コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴと重なる領域で、半導体層３０の上に設けられる。島状電極３４ａは、少なくとも半導体層３０の段差部と重ならない領域に設けられる。すなわち、島状電極３４ａの第１方向Ｄｘの幅は、コンタクトホールＣＨ１の底部ＢＴの第１方向Ｄｘの幅Ｗ－ＢＴよりも小さい。接続部３４ｂは、島状電極３４ａよりも細幅であり、島状電極３４ａと上部電極３４とを接続する。

【0080】

第２実施形態では、島状電極３４ａは、任意の箇所で電源回路１０３と電気的に接続され、上部電極３４に供給される電源電位ＳＶＳと同等の電位を有する信号が供給される。島状電極３４ａは、第２変形例と同様に接続部３４ｂを介して上部電極３４と接続されてもよいし、他の給電配線を介して電源回路１０３と電気的に接続されてもよい。

【0081】

第２実施形態においても、コンタクトホールＣＨ１の段差部に起因して半導体層３０のシーム等のリークパスＬＰが発生した場合であっても、上部電極３４が半導体層３０の段差部と重ならない領域に設けられるので、上部電極３４と下部電極３５との間の短絡の発生を抑制することができる。また、下部電極３５及び半導体層３０は、コンタクトホールＣＨ１と重なる領域に亘って設けられているので、半導体層３０及び上部電極３４に切り欠き部ＮＴが形成された構成に比べて、フォトダイオードＰＤの実質的な受光面積を大きくすることができる。これにより、検出装置１Ｃは、検出感度の低下を抑制するとともに、上部電極３４と下部電極３５との間の短絡の発生を抑制することができる。

【0082】

なお、図１０に示す、切り欠き部ＮＴの平面視での形状は、あくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、切り欠き部ＮＴは、多角形状の一部や、円弧状の一部であってもよい。

【0083】

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

【符号の説明】

【0084】

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 検出装置
２ アレイ基板
２１ 基板
２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８ 絶縁層
２９ 封止膜
３０ 半導体層
３１ ｉ型半導体層
３２ ｐ型半導体層
３３ ｎ型半導体層
３４ 上部電極
３５ 下部電極
４８ 検出回路
ＰＤ フォトダイオード
ＡＡ 検出領域
ＧＡ 周辺領域
ＳＬ 信号線
ＧＬ ゲート線
ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４ コンタクトホール
ＯＰ１ 第１開口
ＯＰ２ 第２開口
Ｔｒ トランジスタ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】