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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023169517
(43)【公開日】2023-11-30
(54)【発明の名称】放射線検出器
(51)【国際特許分類】
G01T 1/20 20060101AFI20231122BHJP
G01T 1/202 20060101ALI20231122BHJP
A61B 6/00 20060101ALI20231122BHJP
【ＦＩ】
G01T1/20 G
G01T1/20 E
G01T1/202
A61B6/00 300S
A61B6/00 300W
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022080663
(22)【出願日】2022-05-17
(71)【出願人】
【識別番号】503382542
【氏名又は名称】キヤノン電子管デバイス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100108062
【弁理士】
【氏名又は名称】日向寺 雅彦
(74)【代理人】
【識別番号】100168332
【弁理士】
【氏名又は名称】小崎 純一
(74)【代理人】
【識別番号】100146592
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 浩
(74)【代理人】
【氏名又は名称】白井 達哲
(74)【代理人】
【識別番号】100172188
【弁理士】
【氏名又は名称】内田 敬人
(74)【代理人】
【識別番号】100197538
【弁理士】
【氏名又は名称】竹内 功
(72)【発明者】
【氏名】身深 亮
(72)【発明者】
【氏名】高橋 佑太
(72)【発明者】
【氏名】吉田 靖史
(72)【発明者】
【氏名】米澤 宏
(72)【発明者】
【氏名】鬼橋 浩志
【テーマコード（参考）】
2G188
4C093
【Ｆターム（参考）】
2G188AA03
2G188BB02
2G188CC19
2G188CC22
2G188DD05
2G188DD10
2G188FF12
4C093AA03
4C093CA06
4C093EB12
4C093EB17
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ノイズ低減を図ることができる放射線検出器の提供。
【解決手段】放射線検出器は基板と基板上の制御ラインとデータラインとデータライン間に設けられるバイアスラインと制御ラインとデータラインで画された領域毎に設けられた光電変換部と光電変換部領域外に設けられたノイズ検出部とシンチレータを備える。光電変換部は、光電変換素子、第１薄膜トランジスタ、第１有機材料の第１絶縁層を有し、第１絶縁層は光電変換素子の側面側の第１薄膜トランジスタ上に設けられ、第１バイアスラインは第１絶縁層上に設けられる。ノイズ検出部は、第２薄膜トランジスタ、第２有機材料の第２絶縁層を有する。第２絶縁層は第２薄膜トランジスタ上に設けられ、第２バイアスラインが第２絶縁層上に設けられる。第２薄膜トランジスタのソース電極と第２バイアスライン間の静電容量は、第１薄膜トランジスタのソース電極と第１バイアスライン間の静電容量と略同じである。
【選択図】図１０
【解決手段】放射線検出器は基板と基板上の制御ラインとデータラインとデータライン間に設けられるバイアスラインと制御ラインとデータラインで画された領域毎に設けられた光電変換部と光電変換部領域外に設けられたノイズ検出部とシンチレータを備える。光電変換部は、光電変換素子、第１薄膜トランジスタ、第１有機材料の第１絶縁層を有し、第１絶縁層は光電変換素子の側面側の第１薄膜トランジスタ上に設けられ、第１バイアスラインは第１絶縁層上に設けられる。ノイズ検出部は、第２薄膜トランジスタ、第２有機材料の第２絶縁層を有する。第２絶縁層は第２薄膜トランジスタ上に設けられ、第２バイアスラインが第２絶縁層上に設けられる。第２薄膜トランジスタのソース電極と第２バイアスライン間の静電容量は、第１薄膜トランジスタのソース電極と第１バイアスライン間の静電容量と略同じである。
【選択図】図１０
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板の上に設けられ、第１の方向に延びる複数の制御ラインと、
前記基板の上に設けられ、前記第１の方向に直交する第２の方向に延びる複数のデータラインと、
隣り合う前記データライン同士の間のそれぞれに設けられ、前記第２の方向に延びるバイアスラインと、
前記複数の制御ラインと、前記複数のデータラインと、により画された複数の領域のそれぞれに設けられた光電変換部と、
前記複数の光電変換部が設けられた領域の外側に設けられた複数のノイズ検出部と、
前記複数の光電変換部が設けられた領域の上に設けられたシンチレータと、
を備え、
前記複数の光電変換部のそれぞれは、光電変換素子、ソース電極を有する第１の薄膜トランジスタ、および、第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層は、絶縁性を有する第１の有機材料を含み、前記光電変換素子の側面側であって、前記ソース電極を有する第１の薄膜トランジスタの上に設けられ、
前記第１の絶縁層の上には、第１のデータラインと、第１のバイアスラインと、が設けられ、
前記複数のノイズ検出部のそれぞれは、ソース電極を有する第２の薄膜トランジスタ、および、第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層は、絶縁性を有する第２の有機材料を含み、前記ソース電極を有する第２の薄膜トランジスタの上に設けられ、
前記第２の絶縁層の上には、第２のバイアスラインが設けられ、
前記第２の薄膜トランジスタの前記ソース電極と、前記第２のバイアスラインとの間の静電容量は、前記第１の薄膜トランジスタの前記ソース電極と、前記第１のバイアスラインとの間の静電容量と略同じである放射線検出器。
前記基板の上に設けられ、第１の方向に延びる複数の制御ラインと、
前記基板の上に設けられ、前記第１の方向に直交する第２の方向に延びる複数のデータラインと、
隣り合う前記データライン同士の間のそれぞれに設けられ、前記第２の方向に延びるバイアスラインと、
前記複数の制御ラインと、前記複数のデータラインと、により画された複数の領域のそれぞれに設けられた光電変換部と、
前記複数の光電変換部が設けられた領域の外側に設けられた複数のノイズ検出部と、
前記複数の光電変換部が設けられた領域の上に設けられたシンチレータと、
を備え、
前記複数の光電変換部のそれぞれは、光電変換素子、ソース電極を有する第１の薄膜トランジスタ、および、第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層は、絶縁性を有する第１の有機材料を含み、前記光電変換素子の側面側であって、前記ソース電極を有する第１の薄膜トランジスタの上に設けられ、
前記第１の絶縁層の上には、第１のデータラインと、第１のバイアスラインと、が設けられ、
前記複数のノイズ検出部のそれぞれは、ソース電極を有する第２の薄膜トランジスタ、および、第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層は、絶縁性を有する第２の有機材料を含み、前記ソース電極を有する第２の薄膜トランジスタの上に設けられ、
前記第２の絶縁層の上には、第２のバイアスラインが設けられ、
前記第２の薄膜トランジスタの前記ソース電極と、前記第２のバイアスラインとの間の静電容量は、前記第１の薄膜トランジスタの前記ソース電極と、前記第１のバイアスラインとの間の静電容量と略同じである放射線検出器。
【請求項2】
前記第２の有機材料は、前記第１の有機材料と同じである請求項１記載の放射線検出器。
【請求項3】
前記第２の絶縁層は、厚みの薄い部分、または、厚み方向を貫通する除去部を有する請求項１記載の放射線検出器。
【請求項4】
無機材料を含み、前記光電変換素子、前記第１の薄膜トランジスタ、および前記第２の薄膜トランジスタを覆う第３の絶縁層をさらに備えた請求項１～３のいずれか１つに記載の放射線検出器。
【請求項5】
複数のノイズ検出部は、前記第１の方向、および前記第２の方向の少なくともいずれかの方向に並べて設けられている請求項１～３のいずれか１つに記載の放射線検出器。
【請求項6】
前記光電変換素子の、前記基板側の電極は、前記第１の薄膜トランジスタの前記ソース電極と電気的に接続され、
前記光電変換素子の、前記基板側とは反対側の電極は、前記第１のバイアスラインと電気的に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのゲート電極は、前記制御ラインと電気的に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１のデータラインと電気的に接続されている請求項１～３のいずれか１つに記載の放射線検出器。
前記光電変換素子の、前記基板側とは反対側の電極は、前記第１のバイアスラインと電気的に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのゲート電極は、前記制御ラインと電気的に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１のデータラインと電気的に接続されている請求項１～３のいずれか１つに記載の放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、放射線検出器に関する。
【背景技術】
【0002】
放射線検出器の一例にＸ線検出器がある。Ｘ線検出器には、例えば、複数の光電変換部を有するアレイ基板と、複数の光電変換部の上に設けられＸ線を蛍光に変換するシンチレータとが設けられている。また、光電変換部には、シンチレータからの蛍光を信号電荷に変換する光電変換素子、信号電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う薄膜トランジスタなどが設けられている。
【0003】
一般的には、Ｘ線検出器は、以下のようにしてＸ線画像を構成する。まず、外部から入力された信号によりＸ線の入射を認識する。次に、予め定められた時間の経過後に、読み出しを行う光電変換部の薄膜トランジスタをオン状態にして、蓄積された信号電荷を画像データ信号として読み出す。そして、各光電変換部毎に読み出された画像データ信号の値に基づいてＸ線画像を構成する。
【0004】
ところが、各光電変換部毎に読み出された画像データ信号の値には、Ｘ線の線量に応じた値と、ノイズに応じた値とが含まれている。そのため、Ｘ線画像を構成する際には、各光電変換部毎に読み出された画像データ信号の値からノイズに応じた値を差し引く、オフセット処理（オフセット補正）が行われる。
【0005】
この場合、ノイズには大きく分けて、ランダムノイズと横引きノイズがある。ランダムノイズは、Ｘ線画像の全体に一様に分布して発生する。一方、横引きノイズは横方向もしくは縦方向に筋状に現われる。そのため、横引きノイズの方がランダムノイズよりも目立ちやすくなるので、横引きノイズの低減が求められる。
【0006】
この様な横引きノイズの低減を図るために、Ｘ線の入射時に信号電荷を発生しないノイズ検出部を設ける技術が提案されている。この様な技術においては、光電変換部から読み出された画像データ信号の値から、ノイズ検出部から読み出されたノイズ信号の値を差し引くようにしている。
しかしながら、ノイズ検出部を設けたとしても、ノイズの低減に改善の余地があった。
しかしながら、ノイズ検出部を設けたとしても、ノイズの低減に改善の余地があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開２０１１－９７４５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明が解決しようとする課題は、ノイズのさらなる低減を図ることができる放射線検出器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
実施形態に係る放射線検出器は、基板と、前記基板の上に設けられ、第１の方向に延びる複数の制御ラインと、前記基板の上に設けられ、前記第１の方向に直交する第２の方向に延びる複数のデータラインと、隣り合う前記データライン同士の間のそれぞれに設けられ、前記第２の方向に延びるバイアスラインと、前記複数の制御ラインと、前記複数のデータラインと、により画された複数の領域のそれぞれに設けられた光電変換部と、前記複数の光電変換部が設けられた領域の外側に設けられた複数のノイズ検出部と、前記複数の光電変換部が設けられた領域の上に設けられたシンチレータと、を備えている。前記複数の光電変換部のそれぞれは、光電変換素子、ソース電極を有する第１の薄膜トランジスタ、および、第１の絶縁層を有している。前記第１の絶縁層は、絶縁性を有する第１の有機材料を含み、前記光電変換素子の側面側であって、前記ソース電極を有する第１の薄膜トランジスタの上に設けられている。前記第１の絶縁層の上には、第１のデータラインと、第１のバイアスラインと、が設けられている。前記複数のノイズ検出部のそれぞれは、ソース電極を有する第２の薄膜トランジスタ、および、第２の絶縁層を有している。前記第２の絶縁層は、絶縁性を有する第２の有機材料を含み、前記ソース電極を有する第２の薄膜トランジスタの上に設けられている。前記第２の絶縁層の上には、第２のバイアスラインが設けられている。前記第２の薄膜トランジスタの前記ソース電極と、前記第２のバイアスラインとの間の静電容量は、前記第１の薄膜トランジスタの前記ソース電極と、前記第１のバイアスラインとの間の静電容量と略同じである。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】Ｘ線検出器を例示するための模式斜視図である。
【図2】Ｘ線検出器のブロック図である。
【図3】アレイ基板の回路図である。
【図4】比較例に係るノイズ検出部を例示するための模式平面図である。
【図5】比較例に係るノイズ検出部を例示するための模式平面図である。
【図6】光電変換部の模式断面図である。
【図7】比較例に係るノイズ検出部の模式断面図である。
【図8】本実施の形態に係るノイズ検出部を例示するための模式平面図である。
【図9】本実施の形態に係るノイズ検出部を例示するための模式平面図である。
【図10】本実施の形態に係るノイズ検出部の模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
本実施の形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
以下に例示をするＸ線検出器１は、放射線画像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサである。
Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療などに用いることができるが、用途に限定はない。
本実施の形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
以下に例示をするＸ線検出器１は、放射線画像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサである。
Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療などに用いることができるが、用途に限定はない。
【0012】
図１は、Ｘ線検出器１を例示するための模式斜視図である。
なお、図１においては、バイアスライン２ｃ３などを省いて描いている。
図２は、Ｘ線検出器１のブロック図である。
図３は、アレイ基板２の回路図である。
図１～図３に示すように、Ｘ線検出器１には、アレイ基板２、信号処理回路３、画像構成回路４、およびシンチレータ５が設けられている。
なお、図１においては、バイアスライン２ｃ３などを省いて描いている。
図２は、Ｘ線検出器１のブロック図である。
図３は、アレイ基板２の回路図である。
図１～図３に示すように、Ｘ線検出器１には、アレイ基板２、信号処理回路３、画像構成回路４、およびシンチレータ５が設けられている。
【0013】
アレイ基板２は、シンチレータ５によりＸ線から変換された蛍光（可視光）を電気信号に変換する。
アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、バイアスライン２ｃ３、および、ノイズ検出部２ｇを有する。
アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、バイアスライン２ｃ３、および、ノイズ検出部２ｇを有する。
【0014】
なお、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、バイアスライン２ｃ３、およびノイズ検出部２ｇの数などは例示をしたものに限定されるわけではない。
【0015】
基板２ａは、板状を呈し、無アルカリガラスなどの透光性材料から形成されている。
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の表面に複数設けられている。
光電変換部２ｂは、矩形状を呈し、複数の制御ライン２ｃ１と、複数のデータライン２ｃ２と、により画された複数の領域のそれぞれに設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。
なお、１つの光電変換部２ｂは、Ｘ線画像における１つの画素（pixel）に対応する。
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の表面に複数設けられている。
光電変換部２ｂは、矩形状を呈し、複数の制御ライン２ｃ１と、複数のデータライン２ｃ２と、により画された複数の領域のそれぞれに設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。
なお、１つの光電変換部２ｂは、Ｘ線画像における１つの画素（pixel）に対応する。
【0016】
複数の光電変換部２ｂのそれぞれには、光電変換素子２ｂ１、薄膜トランジスタ２ｂ２（第１の薄膜トランジスタの一例に相当する）、および、絶縁層２ｆ４（第１の絶縁層の一例に相当する）が設けられている。なお、絶縁層２ｆ４に関する詳細は後述する。
また、図３に示すように、光電変換素子２ｂ１において変換した信号電荷を蓄積する蓄積キャパシタ２ｂ３を設けることもできる。蓄積キャパシタ２ｂ３は、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ２ｂ２の下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタ２ｂ３を兼ねることができる。
また、図３に示すように、光電変換素子２ｂ１において変換した信号電荷を蓄積する蓄積キャパシタ２ｂ３を設けることもできる。蓄積キャパシタ２ｂ３は、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ２ｂ２の下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタ２ｂ３を兼ねることができる。
【0017】
光電変換素子２ｂ１は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蛍光が光電変換素子２ｂ１に入射することで生じた電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極２ｂ２ａ、ドレイン電極２ｂ２ｂ及びソース電極２ｂ２ｃを有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極２ｂ２ａは、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極２ｂ２ｂは、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極２ｂ２ｃは、対応する光電変換素子２ｂ１（電極２ｂ１ｂ）と蓄積キャパシタ２ｂ３とに電気的に接続される。また、光電変換素子２ｂ１のアノード側と蓄積キャパシタ２ｂ３は、対応するバイアスライン２ｃ３と電気的に接続される。
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蛍光が光電変換素子２ｂ１に入射することで生じた電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極２ｂ２ａ、ドレイン電極２ｂ２ｂ及びソース電極２ｂ２ｃを有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極２ｂ２ａは、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極２ｂ２ｂは、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極２ｂ２ｃは、対応する光電変換素子２ｂ１（電極２ｂ１ｂ）と蓄積キャパシタ２ｂ３とに電気的に接続される。また、光電変換素子２ｂ１のアノード側と蓄積キャパシタ２ｂ３は、対応するバイアスライン２ｃ３と電気的に接続される。
【0018】
制御ライン２ｃ１は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。制御ライン２ｃ１は、例えば、行方向（第１の方向の一例に相当する）に延びている。
１つの制御ライン２ｃ１は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ１のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、信号処理回路３に設けられた制御回路３１と電気的に接続されている。
１つの制御ライン２ｃ１は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ１のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、信号処理回路３に設けられた制御回路３１と電気的に接続されている。
【0019】
データライン２ｃ２は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。データライン２ｃ２は、例えば、行方向に直交する列方向（第２の方向の一例に相当する）に延びている。
１つのデータライン２ｃ２は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ２のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号処理回路３に設けられた信号検出回路３２と電気的に接続されている。
１つのデータライン２ｃ２は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ２のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号処理回路３に設けられた信号検出回路３２と電気的に接続されている。
【0020】
バイアスライン２ｃ３は、隣り合うデータライン２ｃ２同士の間のそれぞれに設けられている。バイアスライン２ｃ３は、データライン２ｃ２が延びる方向に延びている。
バイアスライン２ｃ３には、図示しないバイアス電源が電気的に接続されている。図示しないバイアス電源は、例えば、信号処理回路３などに設けることができる。
なお、バイアス電源は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて設けるようにすればよい。バイアス電源が設けられない場合には、バイアスライン２ｃ３は、例えば、グランドに電気的に接続することができる。
バイアスライン２ｃ３には、図示しないバイアス電源が電気的に接続されている。図示しないバイアス電源は、例えば、信号処理回路３などに設けることができる。
なお、バイアス電源は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて設けるようにすればよい。バイアス電源が設けられない場合には、バイアスライン２ｃ３は、例えば、グランドに電気的に接続することができる。
【0021】
制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、およびバイアスライン２ｃ３は、例えば、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。
【0022】
絶縁層２ｆは、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、バイアスライン２ｃ３、およびノイズ検出部２ｇを覆っている。
絶縁層２ｆは、例えば、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、酸窒化物絶縁材料、および樹脂材料の少なくとも１種を含む。
なお、絶縁層２ｆに関する詳細は後述する。
絶縁層２ｆは、例えば、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、酸窒化物絶縁材料、および樹脂材料の少なくとも１種を含む。
なお、絶縁層２ｆに関する詳細は後述する。
【0023】
図３に示すように、ノイズ検出部２ｇは、複数設けられている。複数のノイズ検出部２ｇは、複数の光電変換部２ｂが設けられた領域（有効画素領域）の外側に並べて設けられている。複数のノイズ検出部２ｇは、制御ライン２ｃ１が延びる方向、およびデータライン２ｃ２が延びる方向の少なくともいずれかの方向に並べて設けられている。例えば、図３に示すように、複数のノイズ検出部２ｇは、データライン２ｃ２が延びる方向に並べて設けることができる。複数のノイズ検出部２ｇは、例えば、制御ライン２ｃ１が延びる方向に並べて設けることもできる。複数のノイズ検出部２ｇは、例えば、制御ライン２ｃ１が延びる方向、およびデータライン２ｃ２が延びる方向に並べて設けることもできる。
【0024】
図３に例示をしたものは、複数のノイズ検出部２ｇが、有効画素領域の一方の外側に設けられているが、有効画素領域の二方の外側、三方の外側、四方の外側に設けられていてもよい。また、ノイズ検出部２ｇの列が複数設けられていてもよい。
【0025】
複数のノイズ検出部２ｇのそれぞれには、バイアス電極２ｇ１、薄膜トランジスタ２ｂ２（第２の薄膜トランジスタの一例に相当する）、および絶縁層２ｆ４ｂ（第２の絶縁層の一例に相当する）が設けられている。
なお、絶縁層２ｆ４ｂに関する詳細は後述する。
薄膜トランジスタ２ｂ２は、対応する制御ライン２ｃ１と対応するデータライン２ｃ２とに電気的に接続されている。バイアス電極２ｇ１は、バイアスライン２ｃ３と電気的に接続されている。
なお、絶縁層２ｆ４ｂに関する詳細は後述する。
薄膜トランジスタ２ｂ２は、対応する制御ライン２ｃ１と対応するデータライン２ｃ２とに電気的に接続されている。バイアス電極２ｇ１は、バイアスライン２ｃ３と電気的に接続されている。
【0026】
なお、光電変換部２ｂに蓄積キャパシタ２ｂ３が設けられる場合には、ノイズ検出部２ｇにも蓄積キャパシタ２ｂ３を設けることもできる。蓄積キャパシタ２ｂ３は、例えば、バイアス電極２ｇ１の下方に設けることができる。
バイアス電極２ｇ１は、例えば、金属などの導電性材料から形成される。バイアス電極２ｇ１が導電性材料から形成されていれば、シンチレータ５で発生した蛍光がバイアス電極２ｇ１に入射したとしても信号電荷の発生はほとんどない。バイアス電極２ｇ１は、例えば、バイアスライン２ｃ３と同じ材料から形成することができる。バイアス電極２ｇ１は、例えば、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。
バイアス電極２ｇ１は、例えば、金属などの導電性材料から形成される。バイアス電極２ｇ１が導電性材料から形成されていれば、シンチレータ５で発生した蛍光がバイアス電極２ｇ１に入射したとしても信号電荷の発生はほとんどない。バイアス電極２ｇ１は、例えば、バイアスライン２ｃ３と同じ材料から形成することができる。バイアス電極２ｇ１は、例えば、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。
【0027】
ノイズ検出部２ｇに設けられた薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極２ｂ２ａは、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極２ｂ２ｂは、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極２ｂ２ｃは、例えば、対応するバイアス電極２ｇ１と対向している（図１０を参照）。
なお、ノイズ検出部２ｇの構成に関する詳細は後述する。
なお、ノイズ検出部２ｇの構成に関する詳細は後述する。
【0028】
信号処理回路３は、アレイ基板２の、シンチレータ５側とは反対側に設けられている。 図２に示すように、信号処理回路３には、制御回路３１と、信号検出回路３２とが設けられている。
制御回路３１は、薄膜トランジスタ２ｂ２のオン状態とオフ状態を切り替える。
制御回路３１は、複数のゲートドライバ３１ａと行選択回路３１ｂとを有する。
制御回路３１は、薄膜トランジスタ２ｂ２のオン状態とオフ状態を切り替える。
制御回路３１は、複数のゲートドライバ３１ａと行選択回路３１ｂとを有する。
【0029】
行選択回路３１ｂには、画像構成回路４などから制御信号Ｓ１が入力される。行選択回路３１ｂは、Ｘ線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ３１ａに制御信号Ｓ１を入力する。
ゲートドライバ３１ａは、対応する制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を入力する。
ゲートドライバ３１ａは、対応する制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を入力する。
【0030】
例えば、制御回路３１は、フレキシブルプリント基板２ｅ１を介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次入力する。
制御ライン２ｃ１に入力された制御信号Ｓ１により、光電変換部２ｂに設けられた薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、蓄積キャパシタ２ｂ３からの信号電荷（画像データ信号Ｓ２）が受信できるようになる。
制御ライン２ｃ１に入力された制御信号Ｓ１により、光電変換部２ｂに設けられた薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、蓄積キャパシタ２ｂ３からの信号電荷（画像データ信号Ｓ２）が受信できるようになる。
【0031】
信号検出回路３２は、薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態の時に、画像構成回路４からのサンプリング信号に従って、データライン２ｃ２およびフレキシブルプリント基板２ｅ２を介して蓄積キャパシタ２ｂ３から画像データ信号Ｓ２を読み出す。
例えば、画像データ信号Ｓ２は、以下のようにして読み出すことができる。
まず、制御回路３１によって薄膜トランジスタ２ｂ２が順次オン状態となる。薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となることで、バイアスライン２ｃ３を介して一定の電荷が蓄積キャパシタ２ｂ３に蓄積される。次に、薄膜トランジスタ２ｂ２をオフ状態にする。Ｘ線が照射されると、シンチレータ５によりＸ線が蛍光に変換される。蛍光が光電変換素子２ｂ１に入射すると、光電効果によって電荷（電子およびホール）が発生し、発生した電荷と、蓄積キャパシタ２ｂ３に蓄積されている電荷（異種電荷）とが結合して蓄積されている電荷が減少する。次に、制御回路３１は、薄膜トランジスタ２ｂ２を順次オン状態にする。信号検出回路３２は、サンプリング信号に従って各蓄積キャパシタ２ｂ３に蓄積されている減少した電荷（画像データ信号Ｓ２）をデータライン２ｃ２を介して読み出す。 また、信号検出回路３２は、薄膜トランジスタ２ｂ２がオフ状態の時に、データライン２ｃ２およびフレキシブルプリント基板２ｅ２を介してノイズ検出部２ｇからのノイズ電流（ノイズ信号Ｎ）を読み出す。
例えば、画像データ信号Ｓ２は、以下のようにして読み出すことができる。
まず、制御回路３１によって薄膜トランジスタ２ｂ２が順次オン状態となる。薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となることで、バイアスライン２ｃ３を介して一定の電荷が蓄積キャパシタ２ｂ３に蓄積される。次に、薄膜トランジスタ２ｂ２をオフ状態にする。Ｘ線が照射されると、シンチレータ５によりＸ線が蛍光に変換される。蛍光が光電変換素子２ｂ１に入射すると、光電効果によって電荷（電子およびホール）が発生し、発生した電荷と、蓄積キャパシタ２ｂ３に蓄積されている電荷（異種電荷）とが結合して蓄積されている電荷が減少する。次に、制御回路３１は、薄膜トランジスタ２ｂ２を順次オン状態にする。信号検出回路３２は、サンプリング信号に従って各蓄積キャパシタ２ｂ３に蓄積されている減少した電荷（画像データ信号Ｓ２）をデータライン２ｃ２を介して読み出す。 また、信号検出回路３２は、薄膜トランジスタ２ｂ２がオフ状態の時に、データライン２ｃ２およびフレキシブルプリント基板２ｅ２を介してノイズ検出部２ｇからのノイズ電流（ノイズ信号Ｎ）を読み出す。
【0032】
画像構成回路４は、配線４ａを介して、信号検出回路３２と電気的に接続されている。なお、画像構成回路４は、信号処理回路３と一体化されていてもよいし、無線により信号検出回路３２とデータ通信を行うようにしてもよい。
画像構成回路４は、読み出された画像データ信号Ｓ２を受信し、受信した画像データ信号Ｓ２を順次増幅し、増幅された画像データ信号Ｓ２（アナログ信号）をデジタル信号に変換する。そして、画像構成回路４は、デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいて、Ｘ線画像を構成する。構成されたＸ線画像のデータは、画像構成回路４から外部の機器に向けて出力される。
画像構成回路４は、読み出された画像データ信号Ｓ２を受信し、受信した画像データ信号Ｓ２を順次増幅し、増幅された画像データ信号Ｓ２（アナログ信号）をデジタル信号に変換する。そして、画像構成回路４は、デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいて、Ｘ線画像を構成する。構成されたＸ線画像のデータは、画像構成回路４から外部の機器に向けて出力される。
【0033】
シンチレータ５は、複数の光電変換部２ｂが設けられた領域の上に設けられ、入射するＸ線を蛍光に変換する。シンチレータ５は、基板２ａ上の有効画素領域を覆うように設けられている。
【0034】
シンチレータ５は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、シンチレータ５を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ５が形成される。
また、シンチレータ５は、例えば、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）などを用いて形成することもできる。この場合、各光電変換部２ｂごとに四角柱状のシンチレータ５を設けることができる。
また、シンチレータ５は、例えば、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）などを用いて形成することもできる。この場合、各光電変換部２ｂごとに四角柱状のシンチレータ５を設けることができる。
【0035】
その他、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータ５の表面側（Ｘ線の入射面側）を覆うように図示しない反射層を設けることができる。
また、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ５の特性と反射層の特性が劣化するのを抑制するために、シンチレータ５と反射層を覆う図示しない防湿体を設けることができる。
また、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ５の特性と反射層の特性が劣化するのを抑制するために、シンチレータ５と反射層を覆う図示しない防湿体を設けることができる。
【0036】
次に、ノイズ検出部２ｇについてさらに説明する。
Ｘ線画像に現れるノイズには、大きく分けてランダムノイズと横引きノイズがある。ランダムノイズは、Ｘ線画像の全体に一様に分布して発生するため、特定の模様や輪郭を持たない。これに対して、横引きノイズは、Ｘ線画像の横方向もしくは縦方向に筋状に現われる。この場合、Ｘ線画像は人間が見るものであるため、模様や輪郭のないランダムノイズよりも、模様や輪郭を有する横引きノイズの方がＸ線画像の品質に与える影響が大きい。そのため、Ｘ線検出器においては、横引きノイズの低減が求められる。
Ｘ線画像に現れるノイズには、大きく分けてランダムノイズと横引きノイズがある。ランダムノイズは、Ｘ線画像の全体に一様に分布して発生するため、特定の模様や輪郭を持たない。これに対して、横引きノイズは、Ｘ線画像の横方向もしくは縦方向に筋状に現われる。この場合、Ｘ線画像は人間が見るものであるため、模様や輪郭のないランダムノイズよりも、模様や輪郭を有する横引きノイズの方がＸ線画像の品質に与える影響が大きい。そのため、Ｘ線検出器においては、横引きノイズの低減が求められる。
【0037】
横引きノイズの発生源は、主に、制御回路３１であると考えられている。例えば、制御回路３１において発生したノイズや、制御回路３１を駆動するための電源線のノイズが制御ライン２ｃ１に侵入する場合がある。制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２との間には、薄膜トランジスタ２ｂ２が電気的に接続されている。そのため、薄膜トランジスタ２ｂ２がオフ状態となっていれば、制御ライン２ｃ１からデータライン２ｃ２にノイズが侵入しないとも考えられる。ところが、薄膜トランジスタ２ｂ２の近傍には光電変換素子２ｂ１が配置されている。そのため、光電変換素子２ｂ１の電極２ｂ１ｂと、薄膜トランジスタ２ｂ２との間に線間容量（浮遊容量）が発生し、静電結合により、制御ライン２ｃ１からデータライン２ｃ２にノイズが侵入する場合がある。制御ライン２ｃ１からデータライン２ｃ２にノイズが侵入すると、横引きノイズが発生する。
【0038】
この場合、制御回路３１や電源線において発生するノイズを減らせば、横引きノイズを低減させることができる。しかしながら、この様なノイズ対策を講じれば、Ｘ線検出器１の構造が複雑となり、高価格化を招くことになる。
【0039】
そのため、一般的には、横引きノイズを検出するノイズ検出部１０２ａを複数設け、各光電変換部２ｂから出力された画像データ信号Ｓ２の値から、検出された横引きノイズに応じた値を差し引く、オフセット処理が行われる。
【0040】
図４および図５は、比較例に係るノイズ検出部１０２ｇを例示するための模式平面図である。
図４は、複数のノイズ検出部１０２ｇをデータライン２ｃ２に沿って並べた場合である。
図５は、複数のノイズ検出部１０２ｇを制御ライン２ｃ１に沿って並べた場合である。
図６は、光電変換部２ｂの模式断面図である。図６は、図４および図５における光電変換部２ｂのＡ－Ａ線断面図である。
図７は、比較例に係るノイズ検出部１０２ｇの模式断面図である。図７は、図４および図５におけるノイズ検出部１０２ｇのＢ－Ｂ線断面図である。
なお、図４～図７は、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタ２ｂ３を兼ねる場合である。
図４は、複数のノイズ検出部１０２ｇをデータライン２ｃ２に沿って並べた場合である。
図５は、複数のノイズ検出部１０２ｇを制御ライン２ｃ１に沿って並べた場合である。
図６は、光電変換部２ｂの模式断面図である。図６は、図４および図５における光電変換部２ｂのＡ－Ａ線断面図である。
図７は、比較例に係るノイズ検出部１０２ｇの模式断面図である。図７は、図４および図５におけるノイズ検出部１０２ｇのＢ－Ｂ線断面図である。
なお、図４～図７は、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタ２ｂ３を兼ねる場合である。
【0041】
図４、図５、および図６に示すように、光電変換部２ｂに設けられた光電変換素子２ｂ１は、ｐｎ接合またはｐｉｎ構造を有する半導体層２ｂ１ａ、半導体層２ｂ１ａの基板２ａ側に設けられた電極２ｂ１ｂ、および半導体層２ｂ１ａの基板２ａ側とは反対側に設けられた透明電極２ｂ１ｃを有する。電極２ｂ１ｂは、薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極２ｂ２ｃと電気的に接続されている。透明電極２ｂ１ｃは、電極２ｃ３ａを介して、バイアスライン２ｃ３（第１のバイアスラインの一例に相当する）と電気的に接続されている。
【0042】
前述したように、光電変換部２ｂに設けられた薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極２ｂ２ａ、ドレイン電極２ｂ２ｂ、およびソース電極２ｂ２ｃを有している。ゲート電極２ｂ２ａは、制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。ドレイン電極２ｂ２ｂは、電極２ｃ２ａを介して、データライン２ｃ２（第１のデータラインの一例に相当する）と電気的に接続される。ソース電極２ｂ２ｃは、光電変換素子２ｂ１の電極２ｂ１ｂと電気的に接続される。
【0043】
光電変換素子２ｂ１、および薄膜トランジスタ２ｂ２は、基板２ａの上に設けられ、絶縁性を有する無機材料（例えば、酸化物絶縁材料など）を含む絶縁層２ｆ１～２ｆ３により覆われている。
【0044】
また、絶縁層２ｆ３とデータライン２ｃ２との間、および絶縁層２ｆ３とバイアスライン２ｃ３との間には、絶縁性を有する有機材料（第１の有機材料の一例に相当する）を含む絶縁層２ｆ４が設けられている。絶縁層２ｆ４は、光電変換素子２ｂ１の側面側であって、薄膜トランジスタ２ｂ２の上に設けられている。絶縁層２ｆ４の上には、データライン２ｃ２と、バイアスライン２ｃ３とが設けられている。絶縁層２ｆ４の上に設けられたデータライン２ｃ２およびバイアスライン２ｃ３は、絶縁性を有する無機材料を含む絶縁層２ｆ５により覆われている。また。絶縁性を有する有機材料を含む絶縁層２ｆ６が、絶縁層２ｆ５の上に設けられている。
【0045】
図４、図５、および図７に示すように、ノイズ検出部１０２ｇには、光電変換素子２ｂ１が設けられていない。ノイズ検出部１０２ｇには、例えば、薄膜トランジスタ２ｂ２、バイアス電極１０２ｇ１、および絶縁層２ｆ１～２ｆ３、２ｆ４ａ～２ｆ６が設けられている。この場合、ノイズ検出部１０２ｇに設けられた絶縁層２ｆ４ａの体積は、光電変換部２ｂに設けられた絶縁層２ｆ４の体積よりも、光電変換素子２ｂ１の体積分だけ大きくなっている。
【0046】
ノイズ検出部１０２ｇには、光電変換素子２ｂ１が設けられていないので、シンチレータ５において発生した蛍光が、ノイズ検出部１０２ｇに入射したとしても信号電荷が発生しない。すなわち、ノイズ検出部１０２ｇは、Ｘ線の入射時に信号電荷を発生しない。そのため、ノイズ検出部１０２ｇからの出力には、Ｘ線の線量に応じた値が含まれておらず、ノイズに応じた値が含まれている。
【0047】
ここで、前述したように、横引きノイズは、薄膜トランジスタ２ｂ２を介して制御ライン２ｃ１からデータライン２ｃ２に侵入するノイズにより発生すると考えられていた。そのため、光電変換部２ｂと同様に、ノイズ検出部１０２ｇを薄膜トランジスタ２ｂ２を介して制御ライン２ｃ１に接続すれば、ノイズ検出部１０２ｇからの出力値と画像データ信号Ｓ２に含まれているノイズとが同等となると考えられていた。
【0048】
ところが、本発明者の得た知見によれば、横引きノイズは、制御ライン２ｃ１からデータライン２ｃ２に侵入するノイズと、バイアスライン２ｃ３からデータライン２ｃ２に侵入するノイズとにより発生することが判明した。
【0049】
この場合、バイアスライン２ｃ３とデータライン２ｃ２との間の静電結合により、バイアスライン２ｃ３からデータライン２ｃ２にノイズが侵入すると考えられる。そのため、光電変換部２ｂにおけるバイアスライン２ｃ３とデータライン２ｃ２との間の静電容量と、ノイズ検出部１０２ｇにおけるバイアスライン２ｃ３とデータライン２ｃ２との間の静電容量とが同等であれば、ノイズ検出部１０２ｇからの出力値と画像データ信号Ｓ２に含まれているノイズとが同等となると考えられる。
【0050】
ところが、前述したように、ノイズ検出部１０２ｇに設けられた絶縁層２ｆ４ａの体積は、光電変換部２ｂに設けられた絶縁層２ｆ４の体積よりも、光電変換素子２ｂ１の体積分だけ大きい。そのため、光電変換部２ｂにおける静電容量と、ノイズ検出部１０２ｇにおける静電容量とが異なるものとなり、ノイズ検出部１０２ｇからの出力値と画像データ信号Ｓ２に含まれているノイズとが同等とならなくなる。
【0051】
図８および図９は、本実施の形態に係るノイズ検出部２ｇを例示するための模式平面図である。
図８は、複数のノイズ検出部２ｇをデータライン２ｃ２に沿って並べた場合である。 図９は、複数のノイズ検出部２ｇを制御ライン２ｃ１に沿って並べた場合である。
図１０は、本実施の形態に係るノイズ検出部２ｇの模式断面図である。図１０は、図８におけるノイズ検出部２ｇのＣ－Ｃ線断面図である。
なお、図８～図１０は、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタ２ｂ３を兼ねる場合である。
また、光電変換部２ｂの構成は、図６に例示をした光電変換部２ｂの構成と同様である。
図８は、複数のノイズ検出部２ｇをデータライン２ｃ２に沿って並べた場合である。 図９は、複数のノイズ検出部２ｇを制御ライン２ｃ１に沿って並べた場合である。
図１０は、本実施の形態に係るノイズ検出部２ｇの模式断面図である。図１０は、図８におけるノイズ検出部２ｇのＣ－Ｃ線断面図である。
なお、図８～図１０は、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタ２ｂ３を兼ねる場合である。
また、光電変換部２ｂの構成は、図６に例示をした光電変換部２ｂの構成と同様である。
【0052】
図８、図９、および図１０に示すように、ノイズ検出部２ｇには、光電変換素子２ｂ１が設けられていない。ノイズ検出部２ｇには、例えば、薄膜トランジスタ２ｂ２、バイアス電極２ｇ１、および絶縁層２ｆ１～２ｆ３、２ｆ４ｂ～２ｆ６が設けられている。
絶縁層２ｆ４ｂは、絶縁性を有する有機材料（第２の有機材料の一例に相当する）を含み、薄膜トランジスタ２ｂの上に設けられている。絶縁層２ｆ４ｂの上には、データライン２ｃ２と、バイアスライン２ｃ３（第２のバイアスラインの一例に相当する）と、が設けられている。
絶縁層２ｆ４ｂは、絶縁性を有する有機材料（第２の有機材料の一例に相当する）を含み、薄膜トランジスタ２ｂの上に設けられている。絶縁層２ｆ４ｂの上には、データライン２ｃ２と、バイアスライン２ｃ３（第２のバイアスラインの一例に相当する）と、が設けられている。
【0053】
本実施の形態に係るノイズ検出部２ｇにおいては、ノイズ検出部２ｇにおけるデータライン２ｃ２とバイアスライン２ｃ３との間の静電容量が、光電変換部２ｂにおけるデータライン２ｃ２とバイアスライン２ｃ３との間の静電容量と略同じとされている。例えば、絶縁層２ｆ４ｂの有機材料は、絶縁層２ｆ４の有機材料と同じであり、絶縁層２ｆ４の面積を調整することで、静電容量が略同じとなるようにしている。例えば、絶縁層２ｆ４ｂに、厚みの薄い部分、または、厚み方向を貫通する除去部を設けて、絶縁層２ｆ４の面積を調整している。
【0054】
本実施の形態に係るノイズ検出部２ｇとすれば、光電変換部２ｂにおける静電容量と、ノイズ検出部１０２ｇにおける静電容量とが略同じとなるので、ノイズ検出部２ｇからの出力値と画像データ信号Ｓ２に含まれているノイズとが略同等となるようにすることができる。
【0055】
そのため、ノイズ検出部２ｇからの出力値をオフセット処理に用いれば、ノイズのさらなる低減を図ることができる。なお、オフセット処理に用いる値は、複数のノイズ検出部２ｇから出力された値の平均値とすることもできる。
【0056】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【0057】
１ Ｘ線検出器、２ アレイ基板、２ａ 基板、２ｂ 光電変換部、２ｂ１ 光電変換素子、２ｂ２ 薄膜トランジスタ、２ｃ１ 制御ライン、２ｃ２ データライン、２ｃ３ バイアスライン、２ｇ ノイズ検出部、２ｇ１ バイアス電極、２ｆ４ 絶縁層、２ｆ４ｂ 絶縁層、３ 信号処理回路、４ 画像構成回路、５ シンチレータ、３１ 制御回路、３２ 信号検出回路
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】