(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023169664
(43)【公開日】2023-11-30
(54)【発明の名称】メモリシステムおよび制御方法
(51)【国際特許分類】
G06F 11/22 20060101AFI20231122BHJP
G06F 12/00 20060101ALI20231122BHJP
G11C 16/04 20060101ALI20231122BHJP
G11C 16/34 20060101ALI20231122BHJP
【ＦＩ】
G06F11/22 607Z
G06F12/00 597U
G11C16/04 170
G11C16/34 120
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022080916
(22)【出願日】2022-05-17
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】増尾 容子
【テーマコード（参考）】
5B048
5B160
5B225
【Ｆターム（参考）】
5B048CC11
5B048CC14
5B160AA10
5B225DE08
5B225DE20
5B225FA01
(57)【要約】
【課題】データ消失のリスクを検知する動作を好適に実行できるメモリシステムおよび制御方法を実現する。
【解決手段】コントローラは、第１の動作を周期的に実行する。コントローラは、第１の動作において、第１の方式、または第２の方式を選択する。第１の方式を選択した場合、コントローラは、第１のダイの第１の物理ブロックに含まれる第１の物理ページまたは第２のダイの第２の物理ブロックに含まれる第２の物理ページに含まれる連続した複数の記憶位置にそれぞれ記憶されている複数のデータを読み出す。第２の方式を選択した場合、コントローラは、第１の物理ページに含まれる前記複数の記憶位置のうち１つの記憶位置に記憶されている１つの第１のデータと、第２の物理ページに含まれる前記複数の記憶位置のうち１つの記憶位置に記憶されている１つの第２のデータとを読み出す。
【選択図】図６
【解決手段】コントローラは、第１の動作を周期的に実行する。コントローラは、第１の動作において、第１の方式、または第２の方式を選択する。第１の方式を選択した場合、コントローラは、第１のダイの第１の物理ブロックに含まれる第１の物理ページまたは第２のダイの第２の物理ブロックに含まれる第２の物理ページに含まれる連続した複数の記憶位置にそれぞれ記憶されている複数のデータを読み出す。第２の方式を選択した場合、コントローラは、第１の物理ページに含まれる前記複数の記憶位置のうち１つの記憶位置に記憶されている１つの第１のデータと、第２の物理ページに含まれる前記複数の記憶位置のうち１つの記憶位置に記憶されている１つの第２のデータとを読み出す。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ホストに接続可能なメモリシステムであって、
第１のチャンネルに接続された第１のダイと、前記第１のチャンネルと異なる第２のチャンネルに接続された第２のダイとを含む不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに書き込まれたデータを読み出す動作と、読み出したデータに含まれる誤りの数が閾値以上であるか否かを判定する動作とを含む第１の動作を周期的に実行するように構成されたコントローラと、を具備し、前記第１のダイおよび前記第２のダイの各々は複数の物理ブロックを含み、前記複数の物理ブロックは複数の物理ページを含み、
前記コントローラは、
前記第１の動作において、前記ホストから受信され且つ処理が完了していないリード要求が存在するか否かを判定し、
前記リード要求が存在しない場合、前記第１の動作に関する第１の方式を選択し、前記リード要求が存在する場合、前記第１の動作に関する第２の方式を選択し、
前記第１の方式を選択した場合、前記第１のダイの第１の物理ブロックに含まれる第１の物理ページまたは前記第２のダイの第２の物理ブロックに含まれる第２の物理ページに含まれる連続した複数の記憶位置をそれぞれ指定する複数のリードコマンドを含む第１のリードコマンドグループを発行し、前記連続した複数の記憶位置にそれぞれ記憶されている複数のデータを読み出し、
前記第２の方式を選択した場合、前記第１の物理ページに含まれる前記複数の記憶位置のうち１つの記憶位置を指定するリードコマンド、および前記第２の物理ページに含まれる前記複数の記憶位置のうち１つの記憶位置を指定するリードコマンドを含む第２のリードコマンドグループを発行し、前記第１の物理ページの前記１つの記憶位置に記憶されている１つの第１のデータと、前記第２の物理ページの前記１つの記憶位置に記憶されている１つの第２のデータとを読み出すように構成されている、
メモリシステム。
第１のチャンネルに接続された第１のダイと、前記第１のチャンネルと異なる第２のチャンネルに接続された第２のダイとを含む不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに書き込まれたデータを読み出す動作と、読み出したデータに含まれる誤りの数が閾値以上であるか否かを判定する動作とを含む第１の動作を周期的に実行するように構成されたコントローラと、を具備し、前記第１のダイおよび前記第２のダイの各々は複数の物理ブロックを含み、前記複数の物理ブロックは複数の物理ページを含み、
前記コントローラは、
前記第１の動作において、前記ホストから受信され且つ処理が完了していないリード要求が存在するか否かを判定し、
前記リード要求が存在しない場合、前記第１の動作に関する第１の方式を選択し、前記リード要求が存在する場合、前記第１の動作に関する第２の方式を選択し、
前記第１の方式を選択した場合、前記第１のダイの第１の物理ブロックに含まれる第１の物理ページまたは前記第２のダイの第２の物理ブロックに含まれる第２の物理ページに含まれる連続した複数の記憶位置をそれぞれ指定する複数のリードコマンドを含む第１のリードコマンドグループを発行し、前記連続した複数の記憶位置にそれぞれ記憶されている複数のデータを読み出し、
前記第２の方式を選択した場合、前記第１の物理ページに含まれる前記複数の記憶位置のうち１つの記憶位置を指定するリードコマンド、および前記第２の物理ページに含まれる前記複数の記憶位置のうち１つの記憶位置を指定するリードコマンドを含む第２のリードコマンドグループを発行し、前記第１の物理ページの前記１つの記憶位置に記憶されている１つの第１のデータと、前記第２の物理ページの前記１つの記憶位置に記憶されている１つの第２のデータとを読み出すように構成されている、
メモリシステム。
【請求項2】
前記コントローラは、
前記第１の物理ページの前記複数の記憶位置および前記第２の物理ページの前記複数の記憶位置のうち、前記第１の動作によってデータが読み出された記憶位置それぞれを示す管理情報を管理し、
前記第１の物理ページと前記第２の物理ページとに対する前記第１の動作の実行中に、前記第１の動作に関する方式が、前記第１の方式および前記第２の方式の一方の方式から他方の方式に切り替えられた場合、前記管理情報に基づいて、前記第１の物理ページの前記複数の記憶位置および前記第２の物理ページの前記複数の記憶位置のうち、前記一方の方式で既にデータが読み出された記憶位置を除く残りの記憶位置それぞれから前記他方の方式でデータを読み出すように構成されている、
請求項１に記載のメモリシステム。
前記第１の物理ページの前記複数の記憶位置および前記第２の物理ページの前記複数の記憶位置のうち、前記第１の動作によってデータが読み出された記憶位置それぞれを示す管理情報を管理し、
前記第１の物理ページと前記第２の物理ページとに対する前記第１の動作の実行中に、前記第１の動作に関する方式が、前記第１の方式および前記第２の方式の一方の方式から他方の方式に切り替えられた場合、前記管理情報に基づいて、前記第１の物理ページの前記複数の記憶位置および前記第２の物理ページの前記複数の記憶位置のうち、前記一方の方式で既にデータが読み出された記憶位置を除く残りの記憶位置それぞれから前記他方の方式でデータを読み出すように構成されている、
請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項3】
前記コントローラは、
第１の閾値時間以上連続して前記ホストからコマンドが受信されなかった場合、前記メモリシステムを、前記第１の動作以外の動作が停止されるスリープ状態に遷移させ、
前記第１の動作を実行する際、前記メモリシステムが前記スリープ状態であるか否かを判定し、
前記メモリシステムが前記スリープ状態である場合、前記第１の動作を前記第１の方式で実行するように構成されている、
請求項１に記載のメモリシステム。
第１の閾値時間以上連続して前記ホストからコマンドが受信されなかった場合、前記メモリシステムを、前記第１の動作以外の動作が停止されるスリープ状態に遷移させ、
前記第１の動作を実行する際、前記メモリシステムが前記スリープ状態であるか否かを判定し、
前記メモリシステムが前記スリープ状態である場合、前記第１の動作を前記第１の方式で実行するように構成されている、
請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項4】
前記コントローラは、
前記スリープ状態の前記メモリシステムが前記ホストからコマンドを受信した場合、前記メモリシステムを、前記スリープ状態から前記スリープ状態とは異なる状態に遷移させ、
前記第１の動作を実行する際、前記メモリシステムが前記スリープ状態とは異なる状態であるか否かを判定し、
前記メモリシステムが前記スリープ状態とは異なる状態である場合、前記第１の動作を前記第２の方式で実行するように構成されている、
請求項３に記載のメモリシステム。
前記スリープ状態の前記メモリシステムが前記ホストからコマンドを受信した場合、前記メモリシステムを、前記スリープ状態から前記スリープ状態とは異なる状態に遷移させ、
前記第１の動作を実行する際、前記メモリシステムが前記スリープ状態とは異なる状態であるか否かを判定し、
前記メモリシステムが前記スリープ状態とは異なる状態である場合、前記第１の動作を前記第２の方式で実行するように構成されている、
請求項３に記載のメモリシステム。
【請求項5】
前記コントローラは、
フリーブロックの個数が第２の閾値以下になった場合、ガベージコレクション動作を実行し、
前記ホストから受信され且つ処理が完了していないリード要求が存在せず、且つ、前記フリーブロックの個数が前記第２の閾値を上回っている場合、前記第１の方式で前記第１の動作を実行し、
前記ホストから受信され且つ処理が完了していないリード要求が存在するか、または、前記フリーブロックの個数が前記第２の閾値以下である場合、前記第２の方式で前記第１の動作を実行するように構成されている、
請求項１に記載のメモリシステム。
フリーブロックの個数が第２の閾値以下になった場合、ガベージコレクション動作を実行し、
前記ホストから受信され且つ処理が完了していないリード要求が存在せず、且つ、前記フリーブロックの個数が前記第２の閾値を上回っている場合、前記第１の方式で前記第１の動作を実行し、
前記ホストから受信され且つ処理が完了していないリード要求が存在するか、または、前記フリーブロックの個数が前記第２の閾値以下である場合、前記第２の方式で前記第１の動作を実行するように構成されている、
請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項6】
第１のチャンネルに接続された第１のダイと、第２のチャンネルに接続された第２のダイと、を含む不揮発性メモリを具備するメモリシステムの制御方法であって、前記第１のダイおよび前記第２のダイの各々は複数の物理ブロックを含み、前記複数の物理ブロックは複数の物理ページを含み、
前記不揮発性メモリに書き込まれたデータを読み出す動作と、読み出したデータに含まれる誤りの数が閾値以上であるか否かを判定する動作と、を含む第１の動作を、周期的に実行することと、
前記第１の動作において、ホストから受信され且つ処理が完了していないリード要求が存在するか否かを判定することと、
前記リード要求が存在しない場合、前記第１の動作に関する第１の方式を選択することと、
前記リード要求が存在する場合、前記第１の動作に関する第２の方式を選択することと、
前記第１の方式を選択した場合、前記第１のダイの第１の物理ブロックに含まれる第１の物理ページまたは前記第２のダイの第２の物理ブロックに含まれる第２の物理ページに含まれる連続した複数の記憶位置をそれぞれ指定する複数のリードコマンドを含む第１のリードコマンドグループを発行し、前記連続した複数の記憶位置にそれぞれ記憶されている複数のデータを読み出すことと、
前記第２の方式を選択した場合、前記第１の物理ページに含まれる前記複数の記憶位置のうち１つの記憶位置を指定するリードコマンド、および前記第２の物理ページに含まれる前記複数の記憶位置のうち１つの記憶位置を指定するリードコマンドを含む第２のリードコマンドグループを発行し、前記第１の物理ページの前記１つの記憶位置に記憶されている１一つの第１のデータと、前記第２の物理ページの前記１つの記憶位置に記憶されている１つの第２のデータとを読み出すことと、を具備する
制御方法。
前記不揮発性メモリに書き込まれたデータを読み出す動作と、読み出したデータに含まれる誤りの数が閾値以上であるか否かを判定する動作と、を含む第１の動作を、周期的に実行することと、
前記第１の動作において、ホストから受信され且つ処理が完了していないリード要求が存在するか否かを判定することと、
前記リード要求が存在しない場合、前記第１の動作に関する第１の方式を選択することと、
前記リード要求が存在する場合、前記第１の動作に関する第２の方式を選択することと、
前記第１の方式を選択した場合、前記第１のダイの第１の物理ブロックに含まれる第１の物理ページまたは前記第２のダイの第２の物理ブロックに含まれる第２の物理ページに含まれる連続した複数の記憶位置をそれぞれ指定する複数のリードコマンドを含む第１のリードコマンドグループを発行し、前記連続した複数の記憶位置にそれぞれ記憶されている複数のデータを読み出すことと、
前記第２の方式を選択した場合、前記第１の物理ページに含まれる前記複数の記憶位置のうち１つの記憶位置を指定するリードコマンド、および前記第２の物理ページに含まれる前記複数の記憶位置のうち１つの記憶位置を指定するリードコマンドを含む第２のリードコマンドグループを発行し、前記第１の物理ページの前記１つの記憶位置に記憶されている１一つの第１のデータと、前記第２の物理ページの前記１つの記憶位置に記憶されている１つの第２のデータとを読み出すことと、を具備する
制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、メモリシステムおよび制御方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、不揮発性メモリを備えるメモリシステムが広く普及している。このようなメモリシステムの一つとして、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備えるソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）が知られている。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、イレーズの最小単位であるブロックを複数備える。
【0003】
ＳＳＤのようなメモリシステムでは、不揮発性メモリに書き込まれたデータを周期的に読み出し、データ消失のリスクを事前に検知する動作が実行される場合がある。この動作は、パトロールリード動作またはパトロール動作と称される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１９－０５７３４０号公報明細書
【特許文献2】米国特許出願公開第２０１３／０１７３９７２号明細書
【特許文献3】米国特許出願公開第２０２１／０１５７９２１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の実施形態が解決しようとする課題は、データ消失のリスクを検知する動作を好適に実行することができるメモリシステムおよび制御方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
実施形態によれば、ホストに接続可能なメモリシステムは、不揮発性メモリと、コントローラとを具備する。前記不揮発性メモリは、第１のチャンネルに接続された第１のダイと、前記第１のチャンネルと異なる第２のチャンネルに接続された第２のダイとを含む。前記コントローラは、前記不揮発性メモリに書き込まれたデータを読み出す動作と、読み出したデータに含まれる誤りの数が閾値以上であるか否かを判定する動作とを含む第１の動作を周期的に実行するように構成されている。前記第１のダイおよび前記第２のダイの各々は、複数の物理ブロックを含む。前記複数の物理ブロックは、複数の物理ページを含む。前記コントローラは、前記第１の動作において、前記ホストから受信され且つ処理が完了していないリード要求が存在するか否かを判定する。前記コントローラは、前記リード要求が存在しない場合、前記第１の動作に関する第１の方式を選択する。前記コントローラは、前記リード要求が存在する場合、前記第１の動作に関する第２の方式を選択する。前記コントローラは、前記第１の方式を選択した場合、前記第１のダイの第１の物理ブロックに含まれる第１の物理ページまたは第２の物理ブロックに含まれる第２の物理ページに含まれる連続した複数の記憶位置をそれぞれ指定する複数のリードコマンドを含む第１のリードコマンドグループを発行し、前記連続した複数の記憶位置にそれぞれ記憶されている複数のデータを読み出す。前記コントローラは、前記第２の方式を選択した場合、前記第１の物理ページに含まれる前記複数の記憶位置のうち１つの記憶位置を指定するリードコマンド、および前記第２の物理ページの１つの記憶位置を指定するリードコマンドを含む第２のリードコマンドグループを発行し、前記第１の物理ページの前記１つの記憶位置に記憶されている１つの第１のデータと、前記第２の物理ページの前記１つの記憶位置に記憶されている１つの第２のデータとを読み出す。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】実施形態に係るメモリシステムを含む情報処理システムの構成例を示すブロック図。
【図2】実施形態に係るメモリシステムに含まれるＮＡＮＤ型フラッシュメモリのダイの構成例を示すブロック図。
【図3】実施形態に係るメモリシステムにおいて使用される論理ブロックの構成例を示すブロック図。
【図4】実施形態に係るメモリシステムにおいて使用される論理ページの構成例を示す図。
【図5】実施形態に係るメモリシステムにおいて実行されるパトロールリード動作とリフレッシュ動作の例を示す図。
【図6】実施形態に係るメモリシステムにおいて実行される第１の方式のパトロールリード動作におけるデータの読み出し順序を示す図。
【図7】実施形態に係るメモリシステムにおいて実行される第２の方式のパトロールリード動作におけるデータの読み出し順序を示す図。
【図8】実施形態に係るメモリシステムにおいて使用される進捗管理テーブルの構成例を示す図。
【図9】実施形態に係るメモリシステムにおいて実行されるパトロールリード動作の第１の手順を示すフローチャート。
【図10】実施形態に係るメモリシステムにおいて実行されるパトロールリード動作の第２の手順を示すフローチャート。
【図11】実施形態に係るメモリシステムにおいて実行されるパトロールリード動作の第３の手順を示すフローチャート。
【図12】実施形態に係るメモリシステムにおいて実行されるパトロールリード動作の第４の手順を示すフローチャート。
【図13】実施形態に係るメモリシステムにおいて実行されるパトロールリード動作の第５の手順を示すフローチャート。
【図14】実施形態に係るメモリシステムにおいて実行されるパトロールリード動作の第６の手順を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して、実施形態を説明する。
図１は、実施形態に係るメモリシステム３を含む情報処理システム１の構成例を示すブロック図である。実施形態に係るメモリシステム３は、不揮発性メモリを含むストレージデバイスである。
図１は、実施形態に係るメモリシステム３を含む情報処理システム１の構成例を示すブロック図である。実施形態に係るメモリシステム３は、不揮発性メモリを含むストレージデバイスである。
【0009】
情報処理システム１は、ホスト（ホストデバイス）２と、メモリシステム３とを含む。ホスト２と、メモリシステム３とは、バス４を介して接続可能である。バス４を介したホスト２とメモリシステム３との間の通信は、例えば、ＮＶＭ ＥｘｐｒｅｓｓＴＭ（ＮＶＭｅＴＭ）規格、またはＳｅｒｉａｌ Ａｔｔａｃｈｅｄ ＳＣＳＩ（ＳＡＳ）規格に準拠して実行される。
【0010】
ホスト２は、情報処理装置である。ホスト２は、例えば、パーソナルコンピュータ、またはサーバコンピュータである。ホスト２は、メモリシステム３にアクセスする。具体的には、ホスト２は、データを書き込むためのコマンドであるライトコマンドをメモリシステム３に送信する。ホスト２は、データを読み出すためのコマンドであるリードコマンドをメモリシステム３に送信する。また、ホスト２は、データを無効化するためのコマンドである無効化コマンドをメモリシステム３に送信する。無効化コマンドの一例は、アンマップコマンドやトリムコマンドである。
【0011】
メモリシステム３は、半導体ストレージデバイスである。メモリシステム３は、例えば、不揮発性メモリの一例であるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ６を含むＳＳＤである。メモリシステム３は、不揮発性メモリにデータを書き込む。そして、メモリシステム３は、不揮発性メモリからデータを読み出す。
【0012】
バス４は、例えば、ＰＣＩ ＥｘｐｒｅｓｓＴＭ（ＰＣＩｅＴＭ）規格、またはＳＡＳ規格に準拠したバスである。バス４は、主として、ホスト２からメモリシステム３へのデータおよび入出力コマンド（Ｉ／Ｏコマンド）の送信、およびメモリシステム３からホスト２へのデータおよび応答の送信のために使用される。Ｉ／Ｏコマンドは、不揮発性メモリに対するデータの書き込みまたは読み出しを行うためのコマンドである。Ｉ／Ｏコマンドとしては、例えば、ライトコマンド、リードコマンドがある。以降では、ホスト２からメモリシステム３に送信されるライトコマンドを、ホストライトコマンドまたはライト要求と称し、ホスト２からメモリシステム３に送信されるリードコマンドを、ホストリードコマンドまたはリード要求と称する。
【0013】
次に、メモリシステム３の内部構成について説明する。メモリシステム３は、メモリコントローラ５と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（以下、単にＮＡＮＤメモリと称する）６と、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）７とを含む。
【0014】
メモリコントローラ５は、制御回路の一例である。これ以降では、メモリコントローラ５を単にコントローラ５と称する。コントローラ５は、例えば、Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ－ａ－Ｃｈｉｐ（ＳｏＣ）のような半導体デバイスである。コントローラ５は、ＮＡＮＤメモリ６と通信可能に接続されている。コントローラ５は、ＮＡＮＤメモリ６へのデータの書き込みと、ＮＡＮＤメモリ６からのデータの読み出しとを実行する。また、コントローラ５は、ＤＲＡＭ７と通信可能に接続されている。コントローラ５は、ＤＲＡＭ７へのデータの書き込みと、ＤＲＡＭ７からのデータの読み出しとを実行する。また、コントローラ５は、バス４を介して、ホスト２との通信を実行する。
【0015】
ＮＡＮＤメモリ６は、不揮発性のメモリである。ＮＡＮＤメモリ６は、例えば、二次元構造のフラッシュメモリ、または３次元構造のフラッシュメモリである。ＮＡＮＤメモリ６は、複数のブロックを備える。ブロックは、ＮＡＮＤメモリ６に記録されたデータの消去の最小単位である。ブロックは、物理ブロック、または消去ブロックとも称される。ブロックは、複数のページを含む。ページは、ＮＡＮＤメモリ６のメモリセルアレイにデータを書き込む動作であるデータ書き込み動作、およびメモリセルアレイからデータを読み出す動作であるデータ読み出し動作の最小単位である。ページは、例えば、同一ワード線に接続された複数のメモリセルを含む。ページは、物理ページとも称される。
【0016】
ＤＲＡＭ７は、揮発性のメモリである。ＤＲＡＭ７は、例えば、ホスト２から受信したライトデータ、またはＮＡＮＤメモリ６から読み出されたリードデータを一時的に記憶する。つまり、ＤＲＡＭ７は、ライトバッファまたはリードバッファとして使用されてもよい。また、ＤＲＡＭ７は、メモリシステム３を管理するために使用される情報を一時的に記憶する。
【0017】
次に、コントローラ５の内部構成の例について説明する。コントローラ５は、ホストインタフェース（ホストＩ／Ｆ）５１と、ＣＰＵ５２と、ＮＡＮＤインタフェース（ＮＡＮＤ Ｉ／Ｆ）５３と、ＤＲＡＭインタフェース（ＤＲＡＭ Ｉ／Ｆ）５４と、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）５５と、ＥＣＣ回路５６とを含む。これらの各部は、内部バス５０に接続されている。
【0018】
ホストインタフェース５１は、ハードウェアインタフェース回路である。ホストインタフェース５１は、ホスト２との通信を実行する。ホストインタフェース５１は、例えば、ホスト２からＩ／Ｏコマンドおよびデータを受信する。また、ホストインタフェース５１は、データおよび応答をホスト２に送信する。
【0019】
ＣＰＵ５２は、プロセッサである。ＣＰＵ５２は、ホストインタフェース５１、ＮＡＮＤインタフェース５３、ＤＲＡＭインタフェース５４、ＳＲＡＭ５５、およびＥＣＣ回路５６を制御する。ＣＰＵ５２は、図示しないＲＯＭまたはＮＡＮＤメモリ６から制御プログラム（ファームウェア）をＳＲＡＭ５５またはＤＲＡＭ７にロードする。ＣＰＵ５２は、制御プログラム（ファームウェア）を実行することによって様々な処理を行う。ＣＰＵ５２は、例えば、フラッシュトランスレーション層（ＦＴＬ）として、ＮＡＮＤメモリ６に記憶されたデータの管理およびＮＡＮＤメモリ６に含まれるブロックの管理を実行する。ＮＡＮＤメモリ６に記憶されたデータの管理とは、例えば、論理アドレスそれぞれと物理アドレスそれぞれとの間の対応関係を示す情報であるマッピング情報の管理である。論理アドレスは、メモリシステム３をアクセスするためにホスト２によって使用されるアドレスである。論理アドレスは、例えば、ＬＢＡ（Ｌｏｇｉｃａｌ Ｂｌｏｃｋ Ａｄｄｒｅｓｓ）である。物理アドレスは、ＮＡＮＤメモリ６における物理的な記憶位置を示すアドレスである。ＮＡＮＤメモリ６において、ブロックの１つのページへのデータ書き込みは、ブロックに対するプログラム／イレーズサイクル当たり１回のみ可能である。このため、コントローラ５は、ある論理アドレスに対応する更新データを、この論理アドレスに対応する以前のデータが格納されている記憶位置ではなく、別の記憶位置に書き込む。このため、ＣＰＵ５２は、論理アドレスと物理アドレスとの間のマッピングを論理物理アドレス変換テーブル（ｌｏｇｉｃａｌ－ｔｏ－ｐｈｙｓｉｃａｌ ａｄｄｒｅｓｓ ｔｒａｎｓｌａｔｉｏｎ ｔａｂｌｅ：Ｌ２Ｐテーブル）７０１を使用して管理する。また、ＮＡＮＤメモリ６に含まれるブロックの管理において、例えば、パトロールリード動作と、ガベージコレクション動作と、リフレッシュ動作とが実行される。
【0020】
パトロールリード動作は、誤りが生じたデータを含むブロックを検出するための動作である。パトロールリード動作は、ＮＡＮＤメモリ６に書き込み済みのデータを読み出し、読み出したデータに含まれる所定のサイズにおける誤りの数（エラービット数）が閾値以上であるか否かを、ＥＣＣ回路５６によるエラー訂正結果に基づいて判定する動作である。
【0021】
ガベージコレクション動作は、有効データと無効データとが混在するブロックの個数を減らし且つフリーブロックの個数を増やすための動作である。フリーブロックとは、有効データを含まないブロックを意味する。有効データは、論理アドレスに関連付けられている物理アドレスによって示される記憶位置に格納されているデータである。例えば、Ｌ２Ｐテーブル７０１から参照されている物理アドレスによって示される記憶位置に記憶されているデータは、有効データである。また、有効データは、後にホスト２からリードされる可能性があるデータである。無効データは、論理アドレスに関連付けられていない物理アドレスによって示される記憶位置に格納されているデータである。例えば、Ｌ２Ｐテーブル７０１から参照されていない物理アドレスによって示される記憶位置に記憶されているデータは、無効データである。また、無効データは、もはやホスト２からリードされる可能性が無いデータである。ガベージコレクション動作は、フリーブロックの残り個数が閾値を下回った場合に実行される。
【0022】
リフレッシュ動作は、リフレッシュ対象ブロックに格納されているデータを別のブロックに書き直す動作である。リフレッシュ対象ブロックは、パトロールリード動作などのリード動作によってエラービット数が閾値以上であると判定されたデータを含むブロックである。
【0023】
ＮＡＮＤインタフェース５３は、ＮＡＮＤメモリ６を制御する回路である。ＮＡＮＤインタフェース５３は、ＮＡＮＤメモリ６に含まれる複数のフラッシュダイ（以下、ダイと称する）に電気的に接続される。ダイは、不揮発性メモリダイである。ダイは、不揮発性メモリチップとも称される。ＮＡＮＤインタフェース５３は、ＮＡＮＤコントローラ５３１－０、５３１－１、５３１－２、…、５３１－１７を含む。ＮＡＮＤコントローラ５３１－０、５３１－１、５３１－２、…、５３１－１７は、チャンネルｃｈ．０、ｃｈ．１、ｃｈ．２、…、ｃｈ．１７にそれぞれ接続される。ＮＡＮＤコントローラ５３１－０、５３１－１、５３１－２、…、５３１－１７の各々は、対応するチャンネルを介して、１つまたは複数のダイに接続される。図１においては、チャンネルｃｈ．０、ｃｈ．１、ｃｈ．２、…、ｃｈ．１７の各々に４つのダイが接続されている場合が例示されている。この場合、ＮＡＮＤコントローラ５３１－０は、チャンネルｃｈ．０を介して、ダイ＃０、＃１８、＃３６、および＃５４に接続される。ＮＡＮＤコントローラ５３１－１は、チャンネルｃｈ．１を介して、ダイ＃１、＃１９、＃３７、および＃５５に接続される。ＮＡＮＤコントローラ５３１－２は、チャンネルｃｈ．２を介して、ダイ＃２、＃２０、＃３８、および＃５６に接続される。そして、ＮＡＮＤコントローラ５３１－１７は、チャンネルｃｈ．１７を介して、ダイ＃１７、＃３５、＃５３、および＃７１に接続される。ダイ＃０、＃１、＃２、…、＃１７は、コントローラ５によってバンクＢＮＫ０として扱われる。同様に、ダイ＃１８、＃１９、＃２０、…、＃３５はコントローラ５によってバンクＢＮＫ１として扱われ、ダイ＃３６、＃３７、＃３８、…、＃５３はコントローラ５によってバンクＢＮＫ２として扱われ、ダイ＃５４、＃５５、＃５６、…、＃７１はコントローラ５によってバンクＢＮＫ３として扱われる。バンクは、複数のダイをインターリーブ動作によって並列動作させる単位である。
【0024】
ＤＲＡＭインタフェース５４は、ＤＲＡＭ７を制御する回路である。ＤＲＡＭインタフェース５４は、ＤＲＡＭ７にデータを格納し、ＤＲＡＭ７に格納されているデータを読み出す。
【0025】
ＳＲＡＭ５５は、揮発性のメモリである。ＳＲＡＭ５５は、例えば、ホスト２から受信したライトデータを一時的に記憶するライトバッファとして使用され得る。また、ＳＲＡＭ５５は、例えば、ＮＡＮＤメモリ６から読み出されたデータを一時的に記憶するリードバッファとしても使用され得る。
【0026】
ＥＣＣ回路５６は、データのエンコードと、データのデコードとを実行する回路である。ＥＣＣ回路５６は、ＮＡＮＤメモリ６にデータを書き込む際に、データにエラー訂正コード（ＥＣＣ）を冗長コードとして付加するエンコードを実行する。ＥＣＣ回路５６は、ＮＡＮＤメモリ６から読み出されたデータに付加されたＥＣＣを使用して、読み出されたデータの誤り訂正をするデコードを実行する。ＥＣＣ回路５６は、例えば、誤り訂正能力が互いに異なる複数レベルの誤り訂正処理をそれぞれ実行する複数の回路を含む。例えば、複数レベルの誤り訂正処理は、ある誤り訂正アルゴリズムを使用する第１レベルの誤り訂正処理と、別の誤り訂正アルゴリズムを使用し、第１レベルの誤り訂正処理よりも高い誤り訂正能力を有する第２レベルの誤り訂正処理と、さらに別の誤り訂正アルゴリズムを使用し、第２レベルの誤り訂正処理よりも高い誤り訂正能力を有する第３レベルの誤り訂正処理とを含んでいてもよい。
【0027】
次に、ＣＰＵ５２の機能構成の例について説明する。
【0028】
ＣＰＵ５２は、ブロック管理部５２１と、書き込み／読み出し制御部５２２と、パトロールリード制御部５２３と、ホストリードコマンド検出部５２４とを含む。
【0029】
ブロック管理部５２１は、メモリシステム３において使用される複数のブロックを管理する。ブロック管理部５２１は、ダイ＃０～＃７１それぞれに含まれる物理ブロックの集合から、複数の論理ブロックを構築する。論理ブロックは、ダイ＃０～＃７１のうち複数のダイそれぞれに含まれる複数の物理ブロックを含む。論理ブロックは、ブロックグループ、またはスーパーブロックとも称される。複数の論理ブロックの各々は、互いに異なるダイに含まれる物理ブロックの集合である。複数の論理ブロックの各々は、例えば、ダイ＃０～＃７１にそれぞれ含まれる計７２個の物理ブロックを含む。なお、ダイ＃０～＃７１の各々が２プレーン構成を有する場合、複数の論理ブロックの各々は、例えば、１４４個（＝７２ダイ×２プレーン）の物理ブロックを含む。複数の論理ブロックの各々は、１つの物理ブロックに含まれるページ（物理ページ）の数と同数の論理ページを含む。１つの論理ページは、論理ブロックに含まれる物理ブロックと同数の物理ページを含む。例えば、１つの論理ブロックが物理ブロック＃１～＃１０から構築されており、且つ物理ブロック＃１～＃１０の各々が物理ページ＃１～＃２５５を含む場合、この論理ブロックは、論理ページ＃１～＃２５５を含む。論理ページ＃１～＃２５５の各々は、物理ブロック＃１～＃１０の数と同数の１０個の物理ページを含む。例えば、論理ページ＃１は、物理ブロック＃１～＃１０に１つずつ含まれる計１０個の物理ページ＃１の集合である。論理ページは、ページグループ、またはスーパーページとも称される。ブロック管理部５２１は、ブロック管理テーブル７０８を使用して、論理ブロックを構成する物理ブロックそれぞれを示す情報を論理ブロック毎に管理する。個々の物理ブロックは、例えば、ダイの識別子と、ダイ内の物理ブロックアドレスとによって、または、ダイの識別子と、プレーンの識別子と、プレーン内の物理ブロックアドレスとによって識別される。個々のダイは、チャンネル番号と、バンク番号とによって識別される。ブロック管理部５２１は、複数の論理ブロックから１つの論理ブロックを選択し、選択した論理ブロックを書き込み先ブロックとして割り当てる。書き込み先ブロックは、データが書き込まれるブロック（論理ブロック）である。
【0030】
ブロック管理部５２１は、複数の論理ブロックを、アクティブブロックリスト７０９、フリーブロックリスト７１０、システムブロックリスト７１１、およびリフレッシュ対象ブロックリスト７１２を使用して管理する。
【0031】
ブロック管理部５２１は、有効データを含む論理ブロックをアクティブブロックリスト７０９に登録する。以降では、アクティブブロックリスト７０９に登録されている論理ブロックを、アクティブブロックと称する。
【0032】
ブロック管理部５２１は、有効データを含まない論理ブロックをフリーブロックリスト７１０に登録する。フリーブロックリスト７１０に登録されている論理ブロックは、消去（イレーズ）動作が実行されることによって、新たなデータを記憶することができる論理ブロックである。以降では、フリーブロックリスト７１０に登録されている論理ブロックを、フリーブロックと称する。
【0033】
ブロック管理部５２１は、メモリシステム３の管理に使用される情報である管理データを記憶するために使用される論理ブロックをシステムブロックリスト７１１に登録する。以降では、システムブロックリスト７１１に登録されている論理ブロックをシステムブロックと称する。
【0034】
ブロック管理部５２１は、リフレッシュ対象ブロックとして選択された論理ブロックをリフレッシュ対象ブロックリスト７１２に登録する。
【0035】
書き込み／読み出し制御部５２２は、ＮＡＮＤメモリ６に対してデータを書き込む動作と、ＮＡＮＤメモリ６からデータを読み出す動作とを制御する。書き込み／読み出し制御部５２２は、ＮＡＮＤメモリ６にデータを書き込むための指示であるプログラムコマンドを生成し、生成したプログラムコマンドをＮＡＮＤインタフェース５３（ＮＡＮＤコントローラ５３１－０～５３１－１７）を介してＮＡＮＤメモリ６に発行する。また、書き込み／読み出し制御部５２２は、ＮＡＮＤメモリ６からデータを読み出すための指示であるリードコマンドを生成し、生成したリードコマンドをＮＡＮＤインタフェース５３（ＮＡＮＤコントローラ５３１－０～５３１－１７）を介してＮＡＮＤメモリ６に発行する。
【0036】
書き込み／読み出し制御部５２２は、例えば、ホストライトコマンド、ガベージコレクション動作（ＧＣ動作）、リフレッシュ動作等に基づいて、ＮＡＮＤメモリ６に対するプログラムコマンドを生成する。
【0037】
書き込み／読み出し制御部５２２は、ホストインタフェース５１を介して、ホストライトコマンドを受信する。ホストライトコマンドは、ＮＡＮＤメモリ６に書き込まれるべきライトデータに対応する論理アドレスと、ライトデータのサイズとを少なくとも指定する。書き込み／読み出し制御部５２２は、受信したホストライトコマンドに関連付けられたライトデータをホスト２から受信し、受信したライトデータをライトバッファ７０２に格納する。そして、書き込み／読み出し制御部５２２は、ライトデータが書き込まれる書き込み先ブロックにおける書き込み先記憶位置を決定する。書き込み／読み出し制御部５２２は、書き込み先記憶位置にライトデータを書き込むためのプログラムコマンドを生成する。書き込み／読み出し制御部５２２は、生成したプログラムコマンドを図示しないコマンドキューおよびＮＡＮＤインタフェース５３を介して、ＮＡＮＤメモリ６に発行する。このようにして、書き込み／読み出し制御部５２２は、ホストライトコマンドに関連付けられたライトデータを書き込み先ブロック内の書き込み先記憶位置に書き込む。
【0038】
ＧＣ動作において、書き込み／読み出し制御部５２２は、ガベージコレクション（ＧＣ）バッファ７０４に格納されているデータをＮＡＮＤメモリ６のコピー先ブロック（ＧＣデスティネーションブロック）に書き込む。ＧＣバッファ７０４に格納されているデータは、ＧＣ対象ブロックから読み出された有効データである。ＧＣ動作における書き込みでも、書き込み／読み出し制御部５２２は、プログラムコマンドを図示しないコマンドキューおよびＮＡＮＤインタフェース５３を介してＮＡＮＤメモリ６に発行する。
【0039】
リフレッシュ動作において、書き込み／読み出し制御部５２２は、リフレッシュバッファ７０５に格納されているデータをＮＡＮＤメモリ６のリフレッシュ先ブロックに書き込む。リフレッシュバッファ７０５に格納されているデータは、リフレッシュ対象ブロックから読み出されたデータである。リフレッシュ動作における書き込みでも、書き込み／読み出し制御部５２２は、プログラムコマンドを図示しないコマンドキューおよびＮＡＮＤインタフェース５３を介してＮＡＮＤメモリ６に発行する。
【0040】
また、書き込み／読み出し制御部５２２は、ホストリードコマンド、ガベージコレクション動作（ＧＣ動作）、リフレッシュ動作等に基づいて、ＮＡＮＤメモリ６に発行されるリードコマンドを生成する。
【0041】
書き込み／読み出し制御部５２２は、ホストインタフェース５１を介して、ホストリードコマンドを受信する。ホストリードコマンドは、ＮＡＮＤメモリ６から読み出されるべきリードデータに対応する論理アドレスと、リードデータのサイズとを少なくとも指定する。書き込み／読み出し制御部５２２は、受信したホストリードコマンドによって指定された論理アドレスに対応する物理アドレスをＬ２Ｐテーブル７０１から取得する。書き込み／読み出し制御部５２２は、取得した物理アドレスによって示される記憶位置からデータを読み出すためのリードコマンドを生成する。書き込み／読み出し制御部５２２は、生成したリードコマンドを図示しないコマンドキューおよびＮＡＮＤインタフェース５３を介して、ＮＡＮＤメモリ６に発行する。このようにして、書き込み／読み出し制御部５２２は、ホストリードコマンドに応じたデータをＮＡＮＤメモリ６から読み出す。書き込み／読み出し制御部５２２は、読み出したデータを、ホストインタフェース５１を介して、ホスト２に送信する。
【0042】
ＧＣ動作において、書き込み／読み出し制御部５２２は、ＧＣ対象ブロックから有効データを読み出す。ＧＣ対象ブロックは、アクティブブロックリスト７０９に登録されている論理ブロックから選択される。書き込み／読み出し制御部５２２は、ＧＣ対象ブロックから読み出した有効データをＧＣバッファ７０４に格納する。ＧＣ動作における読み出しでも、書き込み／読み出し制御部５２２は、リードコマンドを図示しないコマンドキューおよびＮＡＮＤインタフェース５３を介してＮＡＮＤメモリ６に発行する。
【0043】
リフレッシュ動作において、書き込み／読み出し制御部５２２は、リフレッシュ対象ブロックからデータを読み出す。リフレッシュ対象ブロックは、リフレッシュ対象ブロックリスト７１２に登録されている論理ブロックである。リフレッシュ対象ブロックから読み出されるデータは、リフレッシュ対象ブロックに格納されている全てのデータであってもよいし、リフレッシュ対象ブロックに格納されている有効データだけであってもよい。書き込み／読み出し制御部５２２は、リフレッシュ対象ブロックから読み出したデータをリフレッシュバッファ７０５に格納する。読み出したデータに誤り（エラービット）が含まれている場合には、ＥＣＣ回路５６によって誤り訂正が実行される。そして、誤りが訂正されたデータがリフレッシュバッファ７０５に格納される。リフレッシュ動作における読み出しでも、書き込み／読み出し制御部５２２は、リードコマンドを図示しないコマンドキューおよびＮＡＮＤインタフェース５３を介してＮＡＮＤメモリ６に発行する。
【0044】
パトロールリード制御部５２３は、パトロールリード動作を制御する。パトロールリード制御部５２３は、パトロールリード動作を周期的に実行する。パトロールリード制御部５２３は、例えば、第１の時間が経過する度にパトロールリード動作を開始する。パトロールリード制御部５２３は、一度のパトロールリード動作においてリード動作が実行されるべき論理ページの個数を決定する。一度のパトロールリード動作においてリード動作が実行されるべき論理ページの個数は、第１の時間が経過する度にパトロールリード動作を実行する場合に、メモリシステム３において管理されている複数の論理ブロックに対するパトロールリード動作が、第１の時間よりも十分に長い期間内で完了できるように決定される。パトロールリード制御部５２３は、例えば、２秒間隔でパトロールリード動作を周期的に実行した場合に２４時間以内に対象の論理ブロックに対するパトロールリード動作が完了するように、一度のパトロールリード動作においてリード動作が実行されるべき論理ページの個数を決定する。
【0045】
パトロールリード動作が開始すると、パトロールリード制御部５２３は、決定された個数の論理ページに対するリード動作を実行する。例えば、決定された論理ページの個数が１０である場合、パトロールリード制御部５２３は、一度のパトロールリード動作において１０個の論理ページに対するリード動作を実行する。１０個の論理ページは、同じ論理ブロックに含まれる論理ページの集合である必要は無く、例えば、互いに異なる１０個の論理ブロックにそれぞれ含まれる論理ページの集合であってもよい。パトロールリード制御部５２３は、パトロールリード動作の対象の論理ブロックと、パトロールリード動作の対象の論理ページとを、予め決められた順序で選択する。
【0046】
パトロールリード制御部５２３は、選択したパトロールリード動作の対象の論理ページに書き込まれているデータのうちの一部のデータをクラスタのような管理サイズの単位でＮＡＮＤメモリ６から読み出すための幾つかのリードコマンドを生成する。生成したリードコマンドそれぞれは、ＮＡＮＤインタフェース５３（ＮＡＮＤコントローラ５３１－０～５３１－１７）を介してＮＡＮＤメモリ６に発行される。より詳しくは、パトロールリード制御部５２３は、生成した幾つかのリードコマンドを含むリードコマンドグループをパトロールリードコマンドキュー７０６に格納する。パトロールリードコマンドキュー７０６に格納されたリードコマンドの各々は、ホストリードコマンドに基づくデータリード動作を妨げないタイミングで、ＮＡＮＤインタフェース５３（ＮＡＮＤコントローラ５３１－０～５３１－１７）を介してＮＡＮＤメモリ６に発行される。パトロールリード制御部５２３が生成したリードコマンドを、パトロールリードコマンドと称する。
【0047】
パトロールリード動作の対象として選択された論理ブロックが、フリーブロック、あるいはシステムブロックであることがある。この場合、パトロールリード制御部５２３は、選択された論理ブロックに含まれている論理ページに対するパトロールリード動作をスキップし、新たなパトロールリード動作の対象の論理ブロックおよび論理ページを選択する。このとき、パトロールリード制御部５２３は、パトロールリード動作がスキップされた論理ページの個数（ここでは、１論理ページ）を、パトロールリード動作が完了した論理ページの個数に加算する。
【0048】
パトロールリード動作においてＮＡＮＤメモリ６から読み出したデータのうち、クラスタのような所定のサイズを有するデータに含まれているエラービット数が閾値以上であることがＥＣＣ回路５６によって検出されることがある。この場合、パトロールリード制御部５２３は、現在のパトロールリード動作の対象の論理ページを含む論理ブロックを、リフレッシュ対象ブロックリスト７１２に登録する。このとき、パトロールリード制御部５２３は、パトロールリード動作の対象の論理ページに対するパトロールリード動作をスキップし、パトロールリード動作がスキップされた論理ページの個数（ここでは、１論理ページ）を、パトロールリード動作が完了した論理ページの個数に加算する。そして、パトロールリード制御部５２３は、新たなパトロールリード動作の対象の論理ブロックおよび論理ページを選択する。
【0049】
また、パトロールリード制御部５２３は、論理ページ内のデータの読み出し順序が互いに異なる二種類のパトロールリード方式（第１のパトロールリード方式、第２のパトロールリード方式）を選択的に使用して、パトロールリード動作のためのデータの読み出しを実行する。第１のパトロールリード方式（以下、第１の方式と称する）では、パトロールリード制御部５２３は、パトロールリード動作を効率的に実行するのに適した順序で、論理ページからデータを読み出す。第１の方式を使用した場合、パトロールリード動作の実行に必要とされる時間と、メモリシステム３が消費する電力とを削減することができる。第２のパトロールリード方式（以下、第２の方式と称する）では、パトロールリード制御部５２３は、ホストリードコマンドの処理のレイテンシに対する影響を低減するのに適した順序で、論理ページからデータを読み出す。ホストリードコマンドの処理とは、ホストリードコマンドに基づいてＮＡＮＤメモリ６からユーザデータを読み出す動作である。ユーザデータは、論理アドレスを指定するＩ／Ｏコマンド（ホストライトコマンド、ホストリードコマンド）に基づいてアクセスされるデータである。以下では、ホストリードコマンドの処理は、ホストリードとも称される。第２の方式を使用した場合、たとえホストリード、ＧＣ動作のためのリードのような、パトロールリード動作以外の動作に基づくリード動作と、パトロールリード動作とが競合した場合であっても、パトロールリード動作以外の動作に基づくリード動作のレイテンシの増加を最小化することができる。
【0050】
パトロールリード制御部５２３は、方式切り替え部５２３１と、進捗管理部５２３２とを含む。
【0051】
方式切り替え部５２３１は、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在するか否かに基づいて、パトロールリード動作に適用されるパトロールリード方式を、第１の方式と、第２の方式との間で切り替える。換言すれば、方式切り替え部５２３１は、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在するか否かに基づいて、第１の方式または第２の方式を、パトロールリード方式として選択する。受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドは、ホストインタフェース５１によってホスト２から受信されたホストリードコマンドのうち、処理が完了していないホストリードコマンドである。受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在しない場合、方式切り替え部５２３１は、第１の方式を選択する。受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在する場合、方式切り替え部５２３１は、第２の方式を選択する。方式切り替え部５２３１は、ホストリードコマンド検出部５２４からの通知に基づいて、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在するか否かを判定する。
【0052】
方式切り替え部５２３１は、メモリシステム３がスリープ状態であるか否かに基づいて、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在するか否かを判定してもよい。例えば、コントローラ５は、ある時間以上連続してホスト２からＩ／Ｏコマンドが受信されなかった場合、消費する電力が低減される状態であるスリープ状態にメモリシステム３を遷移させる。メモリシステム３がスリープ状態のときに、ホスト２からＩ／Ｏコマンドを受信すると、コントローラ５は、メモリシステム３をスリープ状態から通常の状態に遷移させる。コントローラ５は、メモリシステム３がスリープ状態であるか否かを示す第１のフラグを管理していてもよい。コントローラ５は、例えば、メモリシステム３がスリープ状態に遷移したときに、第１のフラグの値を「１」に設定し、メモリシステム３がスリープ状態から通常の状態に遷移したときに、第１のフラグの値を「０」に設定する。方式切り替え部５２３１は、第１のフラグの値を参照し、参照結果に基づいて、メモリシステム３がスリープ状態であるかあるいは通常の状態であるかを判定する。
【0053】
メモリシステム３がスリープ状態である場合であっても、パトロールリード動作は、周期的に実行される。Ｉ／Ｏコマンドの処理、およびガベージコレクション動作（ＧＣ動作）は、スリープ状態においては実行されない。メモリシステム３がスリープ状態である場合、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドは存在しない。したがって、メモリシステム３がスリープ状態である場合、方式切り替え部５２３１は、第１の方式を選択する。メモリシステム３が通常の状態である場合、方式切り替え部５２３１は、第２の方式を選択する。つまり、メモリシステム３がスリープ状態である場合、コントローラ５は、第１の方式でパトロールリード動作を実行する。メモリシステム３が通常の状態である場合、コントローラ５は、第２の方式でパトロールリード動作を実行する。
【0054】
方式切り替え部５２３１は、ＧＣ動作を実行することが必要な状態であるか否かに基づいて、第１の方式または第２の方式を選択してもよい。方式切り替え部５２３１は、例えば、フリーブロックの個数が閾値を下回っているか否かを判定することによって、ＧＣ動作を実行することが必要な状態であるか否かを判定する。フリーブロックの個数が閾値を下回っていない場合、方式切り替え部５２３１は、第１の方式を選択する。フリーブロックの個数が閾値を下回っている場合、方式切り替え部５２３１は、第２の方式を選択する。フリーブロックの個数が閾値を下回っていない場合であっても、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在する場合、方式切り替え部５２３１は、第２の方式を選択してもよい。これにより、ホストリードとＧＣ動作におけるリード動作の双方のレイテンシに対する影響を最小限にすることができる。フリーブロックの個数が閾値を下回っておらず、且つ、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在しない場合、方式切り替え部５２３１は、第１の方式を選択してもよい。これにより、パトロールリード動作を効率良く実行することができる。
【0055】
進捗管理部５２３２は、パトロールリード動作の対象の論理ページに含まれる複数の記憶位置のうち、パトロールリード動作においてデータが読み出された記憶位置を示す情報を管理する。進捗管理部５２３２は、論理ページからデータが読み出されると、進捗管理テーブル７０７の情報を更新する。
【0056】
ホストリードコマンド検出部５２４は、ホストインタフェース５１がホストリードコマンドを受信したか否かを検出する。コントローラ５（例えば、ホストインタフェース５１）は、例えば、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在するか否かを示す第２のフラグを管理していてもよい。コントローラ５は、ホストインタフェース５１がホストリードコマンドを受信すると、第２のフラグを「１」に設定する。また、コントローラ５は、ホストリードコマンドの完了を示す完了応答を、ホストインタフェース５１を介してホスト２に送信すると、完了応答がまだ送信されていないホストリードコマンドがあるか否かを判定する。完了応答がまだ送信されていないホストリードコマンドがない場合、コントローラ５は、第２のフラグを「０」に設定する。完了応答がまだ送信されていないホストリードコマンドがある場合、コントローラ５は、第２のフラグを「１」に維持する。ホストリードコマンド検出部５２４は、第２のフラグを参照し、参照結果に基づいて、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在するか否かを判定する。
【0057】
次に、ＤＲＡＭ７が記憶する情報について説明する。ＤＲＡＭ７は、Ｌ２Ｐテーブル７０１と、ライトバッファ７０２と、リードバッファ７０３と、ガベージコレクション（ＧＣ）バッファ７０４と、リフレッシュバッファ７０５と、パトロールリードコマンドキュー７０６と、進捗管理テーブル７０７と、ブロック管理テーブル７０８と、アクティブブロックリスト７０９と、フリーブロックリスト７１０と、システムブロックリスト７１１と、リフレッシュ対象ブロックリスト７１２とを記憶する。ＤＲＡＭ７が記憶する情報の全てまたは一部は、ＤＲＡＭ７に格納される代わりに、コントローラ５のＳＲＡＭ５５に格納されていてもよい。
【0058】
Ｌ２Ｐテーブル７０１は、論理アドレスそれぞれと物理アドレスそれぞれとの間のマッピングをクラスタのような所定のサイズ毎に管理する。
【0059】
ライトバッファ７０２は、ＮＡＮＤメモリ６に書き込まれるべきデータ（ユーザデータ）が一時的に格納される記憶領域である。
【0060】
リードバッファ７０３は、ＮＡＮＤメモリ６から読み出されたデータ（ユーザデータ）が一時的に格納される記憶領域である。
【0061】
ＧＣバッファ７０４は、ＧＣ動作において、アクティブブロックから読み出されたデータが一時的に格納される記憶領域である。
【0062】
リフレッシュバッファ７０５は、リフレッシュ動作において、リフレッシュ対象ブロックから読み出されたデータが一時的に格納される記憶領域である。
【0063】
パトロールリードコマンドキュー７０６は、パトロールリード動作において生成された１以上のリードコマンドが一時的に格納されるキューである。
【0064】
進捗管理テーブル７０７は、パトロールリード動作の対象の論理ページにおける、リード動作の実施状況を管理するテーブルである。
【0065】
ブロック管理テーブル７０８は、論理ブロック毎に、その論理ブロックを構成する複数の物理ブロックを示す情報を管理するテーブルである。
【0066】
アクティブブロックリスト７０９は、有効データを格納している論理ブロックであるアクティブブロックを管理するリストである。
【0067】
フリーブロックリスト７１０は、有効データを格納していない論理ブロックであるフリーブロックを管理するリストである。
【0068】
システムブロックリスト７１１は、管理データを記憶するために使用される論理ブロックであるシステムブロックを管理するリストである。管理データは、例えば、Ｌ２Ｐテーブル７０１、ブロック管理テーブル７０８、およびメモリシステム３の管理のために使用されている他の様々なデータを含む。
【0069】
リフレッシュ対象ブロックリスト７１２は、パトロールリード動作において検出された誤りの数が閾値以上のデータを含む論理ブロックであるリフレッシュ対象ブロックを管理するリストである。
【0070】
次に、ＮＡＮＤメモリ６のダイの構成例について説明する。図２は、実施形態に係るメモリシステム３に含まれるダイ＃０の構成例を示すブロック図である。
【0071】
ダイ＃０は、２つのプレーン（プレーンＰＬＮ０、およびプレーンＰＬＮ１）と、２つのプレーンにそれぞれ対応する２つの周辺回路（周辺回路６１－０、および周辺回路６１－１）とを含む。
【0072】
プレーンＰＬＮ０およびプレーンＰＬＮ１の各々は、メモリセルアレイを含む。プレーンＰＬＮ０およびプレーンＰＬＮ１の各々のメモリセルアレイは、物理ブロックＢＬＫ０～ＢＬＫｘ－１を含む。物理ブロックＢＬＫ０～ＢＬＫｘ－１の各々は、データ消去動作（イレーズ）の最小単位である。データ消去動作は、ＮＡＮＤメモリ６に格納されたデータを消去する動作である。物理ブロックＢＬＫ０～ＢＬＫｘ－１の各々は、消去ブロック、フラッシュブロック、またはメモリブロックとも称される。物理ブロックＢＬＫ０～ＢＬＫｘ－１の各々は、物理ページＰ０～Ｐｙ－１を含む。物理ページＰ０～Ｐｙ－１の各々は、データ書き込み動作およびデータ読み出し動作の単位である。物理ページＰ０～Ｐｙ－１の各々は、例えば、同一ワード線に接続された複数のメモリセルを含む。
【0073】
周辺回路６１－０および周辺回路６１－１の各々は、対応するプレーンのメモリセルアレイを制御する回路である。周辺回路６１－０および周辺回路６１－１の各々は、例えば、ロウデコーダ、カラムデコーダ、センスアンプ、ページバッファ、および電圧発生回路を含む。周辺回路６１－０および周辺回路６１－１の各々は、ＮＡＮＤインタフェース５３からアドレスおよびコマンドを受信したことに応じて、プログラム動作、リード動作、あるいはイレーズ動作をメモリセルアレイに対して実行する。
【0074】
周辺回路６１－０は、プレーンＰＬＮ０のメモリセルアレイを制御する。周辺回路６１－０は、キャッシュ６１１－０をさらに含む。キャッシュ６１１－０は、プレーンＰＬＮ０の物理ページから読み出されたデータを一時的に格納する。キャッシュ６１１－０に格納できるデータのサイズは、物理ページのサイズと同じである。物理ページは、クラスタのような所定のサイズをそれぞれが有する複数のデータを記憶可能なサイズを有する。以下では、物理ページのサイズが４クラスタのサイズである場合を説明する。クラスタは、例えば、８セクタのサイズを有する。１セクタが５１２バイトのサイズを有する場合、１クラスタは、４ＫｉＢのサイズを有する。
【0075】
例えば、同じ物理ページ内の異なるクラスタ（異なるカラムアドレス）を指定する２つのリードコマンドをＮＡＮＤインタフェース５３から連続して受信した場合、周辺回路６１－０は、一つ目のリードコマンドに応じて、プレーンＰＬＮ０の物理ページから周辺回路６１－０の図示しないページバッファに１物理ページサイズ（ここでは、４クラスタ）分のデータを読み出すリード動作を実行する。リード動作に要する時間であるリード時間は、ｔＲと称される。周辺回路６１－０は、物理ページからページバッファに読み出した４クラスタ分のデータを、キャッシュ６１１－０に格納する。また、ＮＡＮＤインタフェース５３によって実行されるデータ出力サイクル（Ｄｏｕｔ）に同期して、周辺回路６１－０は、一つ目のリードコマンドによって指定された１クラスタ分のデータをＮＡＮＤインタフェース５３に出力する。そして、周辺回路６１－０は、二つ目のリードコマンドに応じて、キャッシュ６１１－０に格納されているデータを使用して、二つ目のリードコマンドによって指定された１クラスタ分のデータを、ＮＡＮＤインタフェース５３によって実行されるデータ出力サイクル（Ｄｏｕｔ）に同期して、ＮＡＮＤインタフェース５３に出力する。このように、同じ物理ページに含まれる複数の記憶位置にそれぞれ記憶されている複数のデータを連続して読み出すことにより、キャッシュ６１１－０を有効利用することができる。この結果、メモリセルアレイからデータを読み出す回数を減らすことができるため、リードディスターブによる影響の低減、ＮＡＮＤメモリ６からのデータの読み出しに要する時間の短縮、および消費電力の節約をすることができる。
【0076】
ある物理ページからページバッファにデータを読み出すリード動作が実行された後に、別の物理ページからページバッファにデータを読み出すリード動作が実行された場合には、一つ目のリード動作においてキャッシュ６１１－０に格納されたデータは、二つ目のリード動作において物理ページから読み出されたデータによって書き換えられる。また、周辺回路６１－１も、周辺回路６１－０と同様の動作を実行することによって、プレーンＰＬＮ１のメモリセルアレイを制御する。
【0077】
次に、論理ブロックについて説明する。図３は、実施形態に係るメモリシステム３において使用される論理ブロックの構成例を示すブロック図である。以降では、簡単のため、チャンネル数が１８で、バンク数が２で、プレーン数が２である場合について説明する。
【0078】
１つの論理ブロックは、１８チャンネル（ｃｈ．０～ｃｈ．１７）×２バンク（バンクＢＮＫ０、およびＢＮＫ１）の構成に対応する３６個のダイ（ダイ＃０～＃３５）の各プレーンから１つずつ選択される計７２個の物理ブロックを含む。なお、ダイ＃０～＃３５の各々が、１つのプレーンを含む構成を有する場合には、１つの論理ブロックは、ダイ＃０～＃３５から１つずつ選択される計３６個の物理ブロックを含む。
【0079】
図３では、７２個の物理ブロック（ここでは、ダイ＃０，＃１８，＃１，＃１９，…，＃１７，＃３５それぞれの各プレーンＰＬＮ０，ＰＬＮ１の物理ブロックＢＬＫ５）を含む１つの論理ブロック＃５が例示されている。
【0080】
論理ブロック＃５は、論理ブロック＃５を構成する物理ブロックの各々に含まれる物理ページＰ０～Ｐｙ－１と同数の論理ページを含む。１つの論理ページは、論理ブロック＃５に含まれる物理ブロックＢＬＫ５の数と同数の７２個の物理ページを含む。例えば、論理ブロック＃５の論理ページ＃１は、ダイ＃０，＃１８，＃１，＃１９，…，＃１７，＃３５それぞれの各プレーンＰＬＮ０，ＰＬＮ１の物理ブロックＢＬＫ５の物理ページＰ１を含む。
【0081】
次に、論理ページの構成例について説明する。図４は、実施形態に係るメモリシステム３において使用される論理ページの構成例を示す図である。図４では、論理ブロック＃５に含まれる複数の論理ページのうち、論理ページ＃１に注目して説明する。
【0082】
論理ページ＃１は、７２個の物理ページを含む。７２個の物理ページは、論理ブロック＃５に含まれている７２個の物理ブロックそれぞれに含まれている。つまり、論理ページ＃１に含まれている物理ページの各々は、チャンネル番号と、バンク番号と、プレーン番号とによって一意に識別される。
【0083】
論理ページ＃１の物理ページの各々は、４つのクラスタにそれぞれ対応する４つの記憶位置を含む。１つの物理ページに含まれる４つの記憶位置（４つのクラスタ）の各々は、カラムアドレスを示すオフセット（＋０、＋１、＋２、＋３）によって一意に識別される。
【0084】
例えば、チャンネルｃｈ．０とバンクＢＮＫ０とプレーンＰＬＮ０とによって識別される物理ページは、ダイ＃０のプレーンＰＬＮ０の物理ブロックＢＬＫ５の物理ページＰ１である。この物理ページのオフセット＋０のクラスタ（以降では、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）で表す）を指定するリードコマンドを受信すると、ダイ＃０のプレーンＰＬＮ０に含まれる周辺回路６１－０は、この指定された物理ページからページバッファに４クラスタ分のデータを読み出す。周辺回路６１－０は、ページバッファに読み出された４クラスタ分のデータをキャッシュ６１１－０に格納する。そして、周辺回路６１－０は、キャッシュ６１１－０に格納されたｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）に記憶されている１クラスタ分のデータをコントローラ５に送信する。その後、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋２）を指定するリードコマンドを受信した場合、周辺回路６１－０は、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋２）に記憶されている１クラスタ分のデータをキャッシュ６１１－０から読み出して、読み出したデータをコントローラ５に送信する。
【0085】
次に、パトロールリード動作について説明する。図５は、実施形態に係るメモリシステム３において実行されるパトロールリード動作の例を示す図である。
【0086】
コントローラ５は、パトロールリード動作を周期的に実行する。例えば、コントローラ５は、２秒ごとにパトロールリード動作を開始する。
【0087】
パトロールリード動作では、コントローラ５は、アクティブブロックリスト７０９に登録されている論理ブロック（アクティブブロック）、フリーブロックリスト７１０に登録されている論理ブロック（フリーブロック）、あるいはシステムブロックリスト７１１に登録されている論理ブロック（システムブロック）のうちのいずれかの論理ブロックを、パトロールリード対象ブロックとして、選択する。つまり、コントローラ５は、メモリシステム３の全ての論理ブロックから任意の論理ブロックを選択する。アクティブブロックは、有効データを含む論理ブロックである。フリーブロックは、有効データを格納していない論理ブロックである。システムブロックは、管理データが記憶されている論理ブロックである。
【0088】
ここで、フリーブロックリスト７１０から、ホストライトコマンドに基づいてライトバッファ７０２に格納されているライトデータ（ユーザデータ）が書き込まれる論理ブロックである書き込み先ブロックが割り当てられている。書き込み先ブロックに対するデータの書き込みが完了したとき、コントローラ５は、その論理ブロックの書き込み先ブロックへの割り当てを解除し、その論理ブロックをアクティブブロックリスト７０９に登録する。あるいは、論理ブロックが書き込み先ブロックに割り当てられたときに、コントローラ５は、その論理ブロックをアクティブブロックリスト７０９に登録してもよい。
【0089】
ある書き込み先ブロックに対するデータの書き込みが完了し、書き込み先ブロックに割り当てられている論理ブロックがデータで満たされると、コントローラ５は、フリーブロックリスト７１０から論理ブロックを選択する。コントローラ５は、選択した論理ブロックに対してイレーズ動作を実行した後、選択した論理ブロックを書き込み先ブロックに割り当てる。あるいは、書き込み先ブロックとして割り当てられた論理ブロックに最初にライトデータを書き込む直前に、コントローラ５は、その論理ブロックに対してイレーズ動作を実行してもよい。
【0090】
システムブロックには、例えば、ユーザデータの記憶に使用される論理ブロックであるユーザブロックに対する書き込み方法とは異なる書き込み方法で、データが書き込まれてもよい。例えば、ユーザブロックに対する書き込み方法として、メモリセル当たりに３ビットのデータを格納するトリプルレベルセル（ＴＬＣ）モードが使用されている場合に、システムブロックに対する書き込み方法として、メモリセル当たりに１ビットのデータを格納するシングルレベルセル（ＳＬＣ）モードが使用されてもよい。
【0091】
アクティブブロックがパトロールリード対象ブロックに選択された場合、コントローラ５は、選択されたアクティブブロックの論理ページからデータをクラスタ単位で読み出し、リードエラーの発生が検出されたか否か、つまり、読み出したデータに閾値以上の誤りが含まれているか否かを判定する。ここで、アクティブブロックの論理ページから読み出されるデータは、この論理ページに記憶されている全てのデータであってもよいし、有効データのみであってもよい。選択されたアクティブブロックの論理ページに記憶されているいずれかのクラスタにおいてリードエラーの発生が検出された場合、コントローラ５は、そのアクティブブロックをリフレッシュ対象ブロックリスト７１２に登録する。また、選択されたアクティブブロックの全ての論理ページに対するパトロールリード動作の結果、いずれのクラスタにおいてリードエラーの発生が検出されなかった場合、コントローラ５は、このアクティブブロックをアクティブブロックリスト７０９に返却する。
【0092】
フリーブロックがパトロールリード対象ブロックに選択された場合、コントローラ５は、パトロールリードコマンドを発行せずに、選択されたフリーブロックに対するパトロールリード動作を完了する。そして、コントローラ５は、選択されたフリーブロックをフリーブロックリスト７１０に返却し、フリーブロックに含まれる論理ページに対するパトロールリード動作をスキップし、パトロールリード動作がスキップされた論理ページの個数（ここでは、１論理ページ）をパトロールリード動作が完了した論理ページの個数に加算する。コントローラ５は、フリーブロックに記憶されている無効データを保全する必要がないため、フリーブロックに対するパトロールリード動作を省略することができる。
【0093】
システムブロックがパトロールリード対象ブロックに選択された場合、コントローラ５は、システムブロックに対するパトロールリード動作をスキップしてもよい。例えばＳＬＣモードで管理データが書き込まれるシステムブロックに記憶されているデータは、例えばＴＬＣモードでユーザデータが書き込まれるユーザブロック（アクティブブロック）よりも長い期間データの信頼性が保証されているからである。このとき、コントローラ５は、パトロールリードコマンドを発行せずに、選択されたシステムブロックに対するパトロールリード動作を完了する。そして、コントローラ５は、選択されたシステムブロックをシステムブロックリスト７１１に返却し、システムブロックの論理ページに対するパトロールリード動作をスキップし、パトロールリード動作がスキップされた論理ページの個数（ここでは、１論理ページ）をパトロールリード動作が完了した論理ページの個数に加算する。あるいは、コントローラ５は、ユーザブロックを対象としたパトロールリード動作とは別のパトロールリード動作を、システムブロックを対象に実行してもよい。
【0094】
コントローラ５は、リフレッシュ対象ブロックリスト７１２に登録されているリフレッシュ対象の論理ブロックに対してリフレッシュ動作を実行する。コントローラ５は、リフレッシュ対象の論理ブロックからデータを読み出し、リフレッシュバッファ７０５に格納する。コントローラ５は、リフレッシュ対象の論理ブロックの全てのデータを読み出してもよいし、有効データのみを読み出してもよい。そして、コントローラ５は、リフレッシュバッファ７０５に格納されているデータをリフレッシュ先ブロックに割り当てられている論理ブロックに書き込む。コントローラ５は、任意のフリーブロックをリフレッシュ先ブロックに割り当てる。リフレッシュ先ブロックとして割り当てられた論理ブロックに対するデータの書き込みが完了すると、コントローラ５は、この論理ブロックをアクティブブロックリスト７０９に登録する。また、コントローラ５は、全てのデータ、あるいは全ての有効データが読み出されたリフレッシュ対象の論理ブロックをフリーブロックリスト７１０に登録する。
【0095】
次に、パトロールリード動作における２つの方式について説明する。
【0096】
まず、パトロールリード動作の第１の方式について説明する。図６は、実施形態に係るメモリシステム３において実行される第１の方式のパトロールリード動作におけるデータの読み出し順序を示す図である。
【0097】
ここでは、パトロールリード対象の論理ページ（ここでは論理ページ＃１）に対するパトロールリード動作を実行する場合を説明する。
【0098】
第１の方式のパトロールリード動作において、コントローラ５は、同一チャンネルのクラスタに跨がる順序（図６において横方向で示される順序）で、論理ページ＃１に含まれる物理ページの各々から４個のクラスタに対応するデータを連続的に読み出す。この読み出し順序は、各ダイにおいてプレーン毎に設けられているキャッシュを有効利用することが可能な読み出し順序である。
【0099】
まず、コントローラ５は、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋２）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋３）を指定するパトロールリードコマンドとを、一群のパトロールリードコマンドグループＲ１として発行する。コントローラ５は、パトロールリードコマンドグループＲ１をパトロールリードコマンドキュー７０６に格納する。パトロールリードコマンドキュー７０６に格納されたパトロールリードコマンドグループＲ１に含まれる４つのパトロールリードコマンドは、ＮＡＮＤコントローラ５３１－０によって、チャンネルｃｈ．０とバンクＢＮＫ０とによって識別されるダイ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０）、つまり、ダイ＃０に１つずつ送信される。
【0100】
ダイ＃０の周辺回路６１－０は、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）を指定するパトロールリードコマンドを受信すると、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）を含む物理ページ（ダイ＃０のプレーンＰＬＮ０に含まれる物理ブロックＢＬＫ５の物理ページＰ１）から周辺回路６１－０のページバッファに１物理ページ分のデータ（４クラスタ分のデータ）を読み出すリード動作を実行する。周辺回路６１－０は、読み出した４クラスタ分のデータをキャッシュ６１１－０に格納する。これにより、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）からｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋３）までの４個の記憶位置に記憶されている４クラスタ分のデータ、つまり、ダイ＃０のプレーンＰＬＮ０に含まれる物理ブロックＢＬＫ５の物理ページＰ１に記憶されている１物理ページ分のデータ、がキャッシュ６１１－０に格納される。コントローラ５がデータ読み出しサイクル（Ｄｏｕｔ）を実行することにより、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）に対応する１クラスタ分のデータが、ダイ＃０からコントローラ５に転送される。
【0101】
ダイ＃０のプレーンＰＬＮ０に含まれる物理ブロックＢＬＫ５の物理ページＰ１に記憶されている１ページ分のデータがキャッシュ６１１－０に格納されているので、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）を指定するパトロールリードコマンドをコントローラ５から受信すると、周辺回路６１－０は、キャッシュ６１１－０に格納されているデータを使用して、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）に対応する１クラスタ分のデータをコントローラ５に出力する。具体的には、コントローラ５がデータ読み出しサイクル（Ｄｏｕｔ）を実行することにより、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）に対応する１クラスタ分のデータがダイ＃０のキャッシュ６１１－０からコントローラ５に転送される。
【0102】
ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋２）を指定するパトロールリードコマンドをコントローラ５から受信すると、周辺回路６１－０は、キャッシュ６１１－０に格納されているデータを使用して、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋２）に対応する１クラスタ分のデータをコントローラ５に出力する。具体的には、コントローラ５がデータ読み出しサイクル（Ｄｏｕｔ）を実行することにより、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋２）に対応する１クラスタ分のデータがダイ＃０のキャッシュ６１１－０からコントローラ５に転送される。
【0103】
ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋３）を指定するパトロールリードコマンドをコントローラ５受信すると、周辺回路６１－０は、キャッシュ６１１－０に格納されているデータを使用して、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋３）に対応する１クラスタ分のデータをコントローラ５に出力する。具体的には、コントローラ５がデータ読み出しサイクル（Ｄｏｕｔ）を実行することにより、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋３）に対応する１クラスタ分のデータがダイ＃０のキャッシュ６１１－０からコントローラ５に転送される。
【0104】
このように、コントローラ５は、ダイ＃０のプレーンＰＬＮ０に含まれる物理ブロックＢＬＫ５の物理ページＰ１に含まれる４つの記憶位置にそれぞれ格納されており、各々が１クラスタに対応するサイズを有する４つのデータを、チャンネルｃｈ．０を介して、ダイ＃０から連続的に読み出す。これら４クラスタ分のデータの読み出しに要する時間は、ｔＲ×１＋Ｄｏｕｔ×４である。ここでは、ｔＲは、メモリセルアレイからページバッファへのデータの読み出しに要する時間である。Ｄｏｕｔは、１クラスタ分のデータをダイからコントローラ５に転送するデータ出力サイクルに要する時間である。
【0105】
次いで、コントローラ５は、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋０）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋１）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋２）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋３）を指定するパトロールリードコマンドとを、一群のパトロールリードコマンドグループＲ２として発行する。コントローラ５は、パトロールリードコマンドグループＲ２をパトロールリードコマンドキュー７０６に格納する。パトロールリードコマンドキュー７０６に格納されたパトロールリードコマンドグループＲ２に含まれる４つのパトロールリードコマンドは、ＮＡＮＤコントローラ５３１－０によって、ダイ＃０に１つずつ送信される。これによって、パトロールリードコマンドグループＲ１を発行した場合と同様のデータ読み出し動作が実行される。
【0106】
なお、プレーンＰＬＮ０とプレーンＰＬＮ１とから同時にデータを読み出すためのマルチプレーンリードモードを使用して、プレーンＰＬＮ０の物理ページから周辺回路６１－０のページバッファへの１物理ページ分のデータの読み出しと、プレーンＰＬＮ１の物理ページから周辺回路６１－１のページバッファへの１物理ページ分のデータの読み出しとを同時に（並列的に）実行してもよい。また、コントローラ５は、パトロールリードコマンドグループＲ１とパトロールリードコマンドグループＲ２とを同時に生成し、パトロールリードコマンドグループＲ１とパトロールリードコマンドグループＲ２とを同じタイミングでパトロールリードコマンドキュー７０６に格納してもよい。
【0107】
次いで、コントローラ５は、ダイ（ｃｈ１、ＢＮＫ０）のプレーンＰＬＮ０、つまりダイ＃１のプレーンＰＬＮ０、に含まれる物理ブロックＢＬＫ５の物理ページＰ１に含まれる４つの記憶位置にそれぞれ格納されており、各々が１クラスタに対応するサイズを有する４つのデータを、チャンネルｃｈ．１を介して、ダイ＃２から連続的に読み出す。
【0108】
この場合、コントローラ５は、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋２）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋３）を指定するパトロールリードコマンドとを、一群のパトロールリードコマンドグループＲ３として発行する。
【0109】
次いで、コントローラ５は、ダイ（ｃｈ１、ＢＮＫ０）のプレーンＰＬＮ１、つまりダイ＃１のプレーンＰＬＮ１、に含まれる物理ブロックＢＬＫ５の物理ページＰ１に含まれる４つの記憶位置にそれぞれ格納されており、各々が１クラスタに対応するサイズを有する４つのデータを、チャンネルｃｈ．１を介して、ダイ＃１から連続的に読み出す。
【0110】
この場合、コントローラ５は、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋０）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋１）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋２）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋３）を指定するパトロールリードコマンドとを、一群のパトロールリードコマンドグループＲ４として発行する。
【0111】
そして、コントローラ５は、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１７、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋３）を指定するパトロールリードコマンドに基づいた処理が終了すると、バンクＢＮＫ０に対するパトロールリード動作と同様に、バンクＢＮＫ１に対するパトロールリード動作を実行する。
【0112】
このように、第１の方式のパトロールリード動作では、コントローラ５は、キャッシュに格納されたデータを有効に活用することができるように一群のパトロールリードコマンドグループを発行する。これにより、コントローラ５は、周辺回路によるメモリセルアレイに対するアクセスの回数を減らすことによって、リードディスターブによるメモリセルの閾値の変動量と、パトロールリード動作に必要とされる時間と、メモリシステム３において消費される電力と、を減らすことができる。
【0113】
第１の方式のパトロールリード動作では、１つのチャンネルに接続されたダイの物理ページに含まれる４つの記憶位置に記憶されている４つのデータが連続して読み出される。しかしながら、ホストリードコマンドに基づいて発行されるリードコマンドが指定する記憶位置が含まれるチャンネルがパトロールリードコマンドを発行したチャンネルと同じであった場合、ホストリードコマンドのレイテンシに影響を与えることになる。具体的には、最大でｔＲ×１＋Ｄｏｕｔ×４の時間だけレイテンシが大きくなる。パトロールリード動作よりも優先してホストリードの処理を実行することも可能である。しかし、この場合には、ホストリードに基づいて別の物理ページから読み出されたデータによって、周辺回路のキャッシュの内容が変更されてしまうため、パトロールリード動作に要する時間が長くなる。第２の方式のパトロールリード動作は、ホストリードコマンドのレイテンシに対する影響を減らことができる。
【0114】
次に、第２の方式のパトロールリード動作について説明する。図７は、実施形態に係るメモリシステムにおいて実行される第２の方式のパトロールリード動作におけるデータの読み出し順序を示す図である。
【0115】
ここでは、パトロールリード対象の論理ページ（ここでは論理ページ＃１）に対するパトロールリード動作を実行する場合を説明する。
【0116】
第２の方式のパトロールリード動作において、コントローラ５は、チャンネルに跨がる順序（図７において縦方向で示される順序）で、論理ページ＃１に含まれる異なる複数のチャンネルに対応する複数の物理ページのそれぞれから１クラスタずつデータを連続的に読み出す。この読み出し順序は、各チャンネルがパトロールリード動作で占有される時間を低減できるので、ホストリードのレイテンシの増加を抑制することができる。
【0117】
まず、コントローラ５は、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．２、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．３、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．４、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）を指定するパトロールリードコマンドと、…、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１７、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）を指定するパトロールリードコマンドと、を一群のパトロールリードコマンドグループＲ１１として発行する。コントローラ５は、パトロールリードコマンドグループＲ１１をパトロールリードコマンドキュー７０６に格納する。パトロールリードコマンドキュー７０６に格納されたパトロールリードコマンドグループＲ１１に含まれる１８個のパトロールリードコマンドは、ＮＡＮＤコントローラ５３１－０～ＮＡＮＤコントローラ５３１－１７によって、ダイ＃０のプレーンＰＬＮ０～ダイ＃１７のプレーンＰＬＮ０に１つずつ送信される。
【0118】
このようにして、コントローラ５は、ダイ＃０のプレーンＰＬＮ０に含まれる物理ブロックＢＬＫ５の物理ページＰ１に記憶されている１クラスタ分のデータ、ダイ＃１のプレーンＰＬＮ０に含まれる物理ブロックＢＬＫ５の物理ページＰ１に記憶されている１クラスタ分のデータ、…、ダイ＃１７のプレーンＰＬＮ０に含まれる物理ブロックＢＬＫ５の物理ページＰ１に記憶されている１クラスタ分のデータを、チャンネルｃｈ．０～ｃｈ．１７を介して、ダイ＃０～＃１７からそれぞれ読み出す。
【0119】
第２の方式のパトロールリード動作では、１クラスタ分のデータの読み出しの度に、ｔＲ＋Ｄｏｕｔの時間が必要となる。このため、例えば１クラスタに対応するデータの読み出しに要する時間は、ｔＲ×１＋Ｄｏｕｔ×１である。
【0120】
なお、チャンネルｃｈ．０～ｃｈ．１７に接続されているダイは、並列に動作させることができる。このため、たとえ全てのチャンネルに対するアクセスが必要なホストリードが発生しても、この時点から最大でｔＲ×１＋Ｄｏｕｔ×１の時間が経過すれば、全てのチャンネルをホストリードのために使用することが可能となる。よって、ホストリードのレイテンシの増加を、最大でｔＲ×１＋Ｄｏｕｔ×１に抑えることができる。
【0121】
次いで、コントローラ５は、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．２、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．３、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）を指定するパトロールリードコマンドと、ｃｌｓｔ（ｃｈ．４、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）を指定するパトロールリードコマンドと、…、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１７、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）を指定するパトロールリードコマンドと、を一群のパトロールリードコマンドグループＲ１２として発行する。
【0122】
そして、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋３）～ｃｌｓｔ（ｃｈ．１７、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋３）を指定するパトロールリードコマンドグループの処理が完了すると、コントローラ５は、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋０）～ｃｌｓｔ（ｃｈ．１７、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋０）を指定するパトロールリードコマンドグループを発行する。ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋３）～ｃｌｓｔ（ｃｈ．１７、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋３）を指定するパトロールリードコマンドグループの処理が完了すると、コントローラ５は、ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ１、ＰＬＮ０、＋０）～ｃｌｓｔ（ｃｈ．１７、ＢＮＫ１、ＰＬＮ０、＋０）を指定するパトロールリードコマンドグループを発行する。
【0123】
このように、第２の方式のパトロールリード動作では、コントローラ５は、並列に処理することができる複数のパトロールリードコマンドを一群のパトロールリードコマンドグループとして発行する。これにより、コントローラ５は、ホストリードコマンドを受信した場合でも、第１の方式のパトロールリード動作よりも、ホストリードのレイテンシに対する影響を減らすことができる。
【0124】
このように、第１の方式および第２の方式は、異なる特徴をそれぞれ有している。第１の方式および第２の方式それぞれの特徴を考慮し、コントローラ５は、メモリシステム３の状況に応じて、使用するパトロールリード動作の方式を切り替える。従って、コントローラ５は、パトロールリード動作を好適に制御することができる。２つの方式の切り替えのタイミングは、例えば、パトロールリードコマンドグループを発行する時、１つの論理ページに対するパトロールリード動作の完了によってリード対象の論理ページを別の論理ページに切り換える時、あるいは前回のパトロールリード動作の開始から第１の時間が経過することによって次のパトロールリード動作を開始する時である。２つの方式の切り替えのタイミングが、パトロールリードコマンドグループの発行する時である場合、コントローラ５は、パトロールリードコマンドグループを発行する直前にメモリシステム３の状況を判定する。これにより、メモリシステム３の現在の状況に基づいて、パトロールリード動作の方式を細かく切り換えることが可能なる。この場合、使用されるパトロールリード動作の方式は、１つの論理ページに対するパトロールリード動作が実行されている間に、動的に切り替えられる。また、２つの方式の切り替えのタイミングが、リード対象の論理ページを別の論理ページに切り替える時である場合、使用されるパトロールリード動作の方式は、論理ページの単位で切り替えられる。また、２つの方式の切り替えのタイミングを、次のパトロールリード動作を開始する時のみとした場合には、使用されるパトロールリード動作の方式は、１度のパトロールリード動作で実行されるべき論理ページの数の単位で、切り替えられる。
【0125】
次に、パトロールリード動作の進捗管理について説明する。図８は、実施形態に係るメモリシステムにおいて使用される進捗管理テーブルの構成を示す図である。
【0126】
パトロールリードコマンドグループを発行する時にパトロールリード動作の方式を切り替える場合、コントローラ５は、パトロールリード対象の論理ページに含まれる複数の記憶位置それぞれに対するパトロールリード動作が実施済みか否かを、進捗管理テーブル７０７を使用して管理する。
【0127】
パトロールリード対象の論理ページを選択すると、コントローラ５は、進捗管理テーブル７０７を、選択した論理ページに対応付ける。進捗管理テーブル７０７は、対応付けられた論理ページに含まれる複数の記憶位置それぞれに対するパトロールリード動作が実行済みか否かを示す情報を記憶する。この情報は、例えば、論理ページに含まれる複数の記憶位置のそれぞれに１ビットが割り当てられたビットマップ情報である。
【0128】
図８は、第１の方式のパトロールリード動作に対応するパトロールリードコマンドグループが２度発行された場合の進捗管理テーブル７０７を、例として示している。図８では、選択された論理ページにおいて、ダイ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０）のプレーンＰＬＮ０の物理ページに含まれる４個のクラスタｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）～ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋３）と、ダイ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０）のプレーンＰＬＮ１の物理ページに含まれる４個のクラスタｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋０）～ｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋３）と、ダイ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０）のプレーンＰＬＮ０の物理ページに含まれる４個のクラスタｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）～ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋３）と、ダイ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０）のプレーンＰＬＮ１の物理ページに含まれる４個のクラスタｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋０）～ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ１、＋３）とに対するパトロールリード動作が実行済みである。これらの記憶位置の各々に対応する１ビットは、パトロールリード動作が実行済みであることを示す値（例えば、「１」）に設定される。また、他の記憶位置の各々に対応するビットは、パトロールリード動作が未実行であることを示す値（例えば、「０」）に設定されている。
【0129】
その後、パトロールリードの方式を第２の方式に切り替えた場合、コントローラ５は、進捗管理テーブル７０７を参照し、参照結果に基づいて、第１の方式のパトロールリード動作が実行済みのクラスタ、つまり、パトロールリード対象の論理ページに含まれる複数の記憶位置のうち、第１の方式のパトロールリード動作によってデータが読み出された記憶位置を特定する。そして、コントローラ５は、第２の方式のパトロールリード動作によって、論理ページに含まれる複数の記憶位置のうち、特定された記憶位置を除く残りの記憶位置それぞれからデータを読み出す。
【0130】
具体的には、コントローラ５は、進捗管理テーブル７０７を参照し、参照結果に基づいて、クラスタｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）と、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）とが既にパトロールリード動作が実行されていると判定する。そのため、コントローラ５は、ｃｌｓｔ（ｃｈ．２、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）、ｃｌｓｔ（ｃｈ．３、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）、ｃｌｓｔ（ｃｈ．４、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）、…、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１７、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋０）をそれぞれ指定する１６個のパトロールリードコマンドをパトロールリードコマンドグループＲ２１として発行する。
【0131】
これら１６個のパトロールリードコマンドの処理が完了すると、コントローラ５は、進捗管理テーブル７０７を参照し、参照結果に基づいて、クラスタｃｌｓｔ（ｃｈ．０、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）と、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）とが既にパトロールリード動作が実行されていると判定する。そのため、コントローラ５は、ｃｌｓｔ（ｃｈ．２、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）、ｃｌｓｔ（ｃｈ．３、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）、ｃｌｓｔ（ｃｈ．４、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）、…、ｃｌｓｔ（ｃｈ．１７、ＢＮＫ０、ＰＬＮ０、＋１）をそれぞれ指定する１６個のパトロールリードコマンドをパトロールリードコマンドグループＲ２２として発行する。
【0132】
次に、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在するか否かに基づいて、パトロールリード動作の方式を選択する手順について説明する。図９は、実施形態に係るメモリシステム３において実行されるパトロールリード動作の第１の手順を示すフローチャートである。コントローラ５は、第１の時間が経過する度に、パトロールリード動作を開始する。
【0133】
まず、コントローラ５は、発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了しているか否かを判定する（Ｓ１０１）。発行済みのパトロールリードコマンドは、開始されたパトロールリード動作において既に発行されたパトロールリードコマンドグループに含まれる全てのパトロールリードコマンドである。
【0134】
発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了していない場合、つまり、発行済みのパトロールリードコマンドグループの中に処理が完了していないパトロールリードコマンドがある場合（Ｓ１０１でＮｏ）、コントローラ５は、発行済みの全てのパトロールリードコマンドの処理が完了するまで待つ。
【0135】
発行済みの全てのパトロールリードコマンドの処理が完了している場合（Ｓ１０１でＹｅｓ）、コントローラ５は、ホストリードコマンドが検出されているか否か、を判定する（Ｓ１０２）。コントローラ５は、例えば、ホストリードコマンド検出部５２４によって管理されているフラグの値を参照し、参照結果に基づいて、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在するか否かを判定する。
【0136】
受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在しない場合（Ｓ１０２でＮｏ）、コントローラ５は、第１の方式を、パトロールリード動作の方式として選択する（Ｓ１０３）。
【0137】
受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在する場合（Ｓ１０２でＹｅｓ）、コントローラ５は、第２の方式を、パトロールリード動作の方式として選択する（Ｓ１０４）。第２の方式は、ホストリードコマンドの処理のレイテンシに対する影響を低減することができる方式である。
【0138】
コントローラ５は、進捗管理テーブル７０７を参照して、選択した方式に対応するパトロールリードコマンドを生成する（Ｓ１０５）。この場合、コントローラ５は、論理ページにおける読み出し済みのクラスタがスキップされ、且つ選択した方式に対応する順序でデータを連続的に読み出すための複数のパトロールリードコマンドをパトロールリードコマンドグループとして生成する。
【0139】
コントローラ５は、Ｓ１０５で生成したパトロールリードコマンドの各々を、ＮＡＮＤインタフェース５３を介して、ＮＡＮＤメモリ６に発行する（Ｓ１０６）。この場合、コントローラ５は、生成したパトロールリードコマンドの各々をパトロールリードコマンドキュー７０６に格納する。パトロールリードコマンドキュー７０６に格納されたパトロールリードコマンドは、ＮＡＮＤインタフェース５３によってＮＡＮＤメモリ６に送信される。
【0140】
コントローラ５は、発行したパトロールリードコマンドによって指定される記憶位置に対するパトロールリード動作が実行済みであることを示すように、進捗管理テーブル７０７を更新する（Ｓ１０７）。コントローラ５は、例えば、Ｓ１０５で発行したパトロールリードコマンドが処理された後に、進捗管理テーブル７０７を更新してもよい。
【0141】
コントローラ５は、今回のパトロールリード動作で発行されるべきパトロールリードコマンドが全て発行されたか否かを判定する（Ｓ１０８）。今回のパトロールリード動作で発行されるべきパトロールリードコマンドの数は、例えば、一度のパトロールリード動作においてリード動作が実行されるべき論理ページの数と論理ページ当たりのクラスタの数との積によって表される。
【0142】
今回のパトロールリード動作で発行されるべきパトロールリードコマンドが全て発行された場合、つまり、今回のパトロールリード動作でリード動作が実行された論理ページの数が、一度のパトロールリード動作においてリード動作が実行されるべき論理ページの数に達した場合（Ｓ１０８でＹｅｓ）、コントローラ５は、今回のパトロールリード動作を終了する。
【0143】
未発行のパトロールリードコマンドがある場合、つまり、今回のパトロールリード動作でリード動作が実行された論理ページの数が、一度のパトロールリード動作においてリード動作が実行されるべき論理ページの数に達していない場合（Ｓ１０８でＮｏ）、コントローラ５は、Ｓ１０１から、パトロールリード動作を続行する。
【0144】
次に、メモリシステム３がスリープ状態であるか否かに応じて、パトロールリード動作の方式を選択する手順について説明する。図１０は、実施形態に係るメモリシステム３において実行されるパトロールリード動作の第２の手順を示すフローチャートである。コントローラ５は、第１の時間が経過する毎にパトロールリード動作を開始する。
【0145】
まず、コントローラ５は、発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了しているか否かを判定する（Ｓ２０１）。Ｓ２０１の処理は、図９で説明したＳ１０１の処理と同じである。
【0146】
発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了していない場合、（Ｓ２０１でＮｏ）、コントローラ５は、発行済みの全てのパトロールリードコマンドの処理が完了するまで待つ。
【0147】
発行済みの全てのパトロールリードコマンドの処理が完了している場合（Ｓ２０１でＹｅｓ）、コントローラ５は、メモリシステム３がスリープ状態であるか否かを判定する（Ｓ２０２）。
【0148】
メモリシステム３がスリープ状態である場合（Ｓ２０２でＹｅｓ）、コントローラ５は、第１の方式を、パトロールリード動作の方式として選択する（Ｓ２０３）。
【0149】
メモリシステム３がスリープ状態ではない場合、つまり、通常の状態である場合（Ｓ２０２でＮｏ）、コントローラ５は、第２の方式を、パトロールリード動作の方式として選択する（Ｓ２０４）。
【0150】
Ｓ２０５～Ｓ２０８の処理は、図９で説明したＳ１０５～Ｓ１０８の処理と同じであるため、説明を省略する。
【0151】
このように、コントローラ５は、メモリシステム３がスリープ状態である場合には、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在しないことがわかるため、第１の方式を選択してパトロールリード動作を実行することで、パトロールリード動作の実行に必要とされる時間と、消費される電力とを減らすことができる。
【0152】
次に、ＧＣ動作を実行することが必要であるか否かに応じて、パトロールリード動作の方式を選択する手順について説明する。図１１は、実施形態に係るメモリシステム３において実行されるパトロールリード動作の第３の手順を示すフローチャートである。コントローラ５は、第１の時間が経過する毎にパトロールリード動作を開始する。
【0153】
まず、コントローラ５は、発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了しているか否かを判定する（Ｓ３０１）。Ｓ３０１の処理は、図９で説明したＳ１０１の処理と同じである。
【0154】
発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了していない場合、（Ｓ３０１でＮｏ）、コントローラ５は、発行済みの全てのパトロールリードコマンドの処理が完了するまで待つ。
【0155】
発行済みの全てのパトロールリードコマンドの処理が完了している場合（Ｓ３０１でＹｅｓ）、コントローラ５は、フリーブロックリスト７１０を参照し、参照結果に基づいて、フリーブロックの個数が閾値以下であるか否かを判定する（Ｓ３０２）。
【0156】
フリーブロックの個数が閾値を上回っている場合（Ｓ３０２でＮｏ）、コントローラ５は、ＧＣ動作を実行する必要が無いと判定し、第１の方式を、パトロールリード動作の方式として選択する（Ｓ３０３）。
【0157】
フリーブロックの個数が閾値以下である場合（Ｓ３０２でＹｅｓ）、コントローラ５は、ＧＣ動作を実行する必要があると判定し、第２の方式を、パトロールリード動作の方式として選択する（Ｓ３０４）。
【0158】
Ｓ３０５～Ｓ３０８の処理は、図９で説明したＳ１０５～Ｓ１０８の処理と同じであるため、説明を省略する。
【0159】
これにより、コントローラ５は、ＧＣ動作を実行することが必要である場合には、ＧＣ動作に基づいて発行されるリードコマンドの処理のレイテンシに対する影響を低減することができるように、第２の方式を選択してパトロールリード動作を実行することができる。この結果、パトロールリード動作の影響で、必要なフリーブロックの数が足らなくなるといった事態が生じることを防ぐことができる。なお、フリーブロックの個数が閾値を上回っており、且つ、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在しない場合、第１の方式を選択し、フリーブロックの個数が閾値以下であるか、または受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在する場合、第２の方式を選択してもよい。これにより、ホストリードとＧＣ動作によるリードの双方に対する影響を効率良く低減できる。
【0160】
次に、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在するか否かと、メモリシステム３がスリープ状態であるか否かと、ＧＣ動作を実行することが必要であるか否かとに応じて、パトロールリード動作の方式を選択する手順について説明する。図１２は、実施形態に係るメモリシステム３において実行されるパトロールリード動作の第４の手順を示すフローチャートである。コントローラ５は、第１の時間が経過する毎にパトロールリード動作を開始する。
【0161】
まず、コントローラ５は、発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了しているか否かを判定する（Ｓ４０１）。Ｓ４０１の処理は、図９で説明したＳ１０１の処理と同じである。
【0162】
発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了していない場合、（Ｓ４０１でＮｏ）、コントローラ５は、発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了するまで待つ。
【0163】
発行済みの全てのパトロールリードコマンドの処理が完了している場合（Ｓ４０１でＹｅｓ）、コントローラ５は、メモリシステム３がスリープ状態であるか否かを判定する（Ｓ４０２）。Ｓ４０２の処理は、図１０で説明したＳ２０２の処理と同じである。
【0164】
メモリシステム３がスリープ状態である場合（Ｓ４０２でＹｅｓ）、コントローラ５は、第１の方式を、パトロールリード動作の方式として選択する（Ｓ４０３）。
【0165】
メモリシステム３がスリープ状態ではない場合（Ｓ４０２でＮｏ）、コントローラ５は、ホストリードコマンドが検出されているか否か、つまり、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在するか否かを判定する（Ｓ４０４）。Ｓ４０４の処理は、図９で説明したＳ１０２の処理と同じである。
【0166】
受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在しない場合（Ｓ４０４でＮｏ）、コントローラ５は、フリーブロックリスト７１０を参照し、参照結果に基づいて、フリーブロックの個数が閾値以下であるか否かを判定する（Ｓ４０５）。Ｓ４０５の処理は、図１１で説明したＳ３０２の処理と同じである。
【0167】
受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在する場合（Ｓ４０４でＹｅｓ）、あるいはフリーブロックの個数が閾値以下である場合（Ｓ４０５でＹｅｓ）、コントローラ５は、第２の方式を、パトロールリード動作の方式として選択する（Ｓ４０６）。
【0168】
受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在せず（Ｓ４０４でＮｏ）、且つフリーブロックの個数が閾値を上回っている場合（Ｓ４０５でＮｏ）、コントローラ５は、第１の方式を、パトロールリード動作の方式として選択する（Ｓ４０３）。
【0169】
Ｓ４０７～Ｓ４１０の処理は、図９で説明したＳ１０５～Ｓ１０８の処理と同じであるため、説明を省略する。
【0170】
このように、コントローラ５は、図９～図１１で説明した３つの条件を使用して、パトロールリードの方式を選択することができる。また、コントローラ５は、３つの条件のうちの任意の２つの条件を使用して、パトロールリードの方式を選択してもよい。
【0171】
以降では、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在するか否かに基づいて、パトロールリードの方式が選択される場合を例に説明するが、代わりに他の条件を使用してパトロールリードの方式が決定されていてもよい。
【0172】
次に、１つの論理ページに対するパトロールリード動作の完了によってパトロールリード対象の論理ページが別の論理ページに切り替えられる度に、パトロール動作の方式を選択する手順について説明する。図１３は、実施形態に係るメモリシステムにおいて実行されるパトロールリード動作の第５の手順を示すフローチャートである。コントローラ５は、第１の時間が経過する毎にパトロールリード動作を開始する。図１３に示すＳ５０１～Ｓ５０８の処理は、図９で説明したＳ１０１～Ｓ１０８の処理と同じである。
【0173】
まず、コントローラ５は、発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了しているか否かを判定する（Ｓ５０１）。
【0174】
発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了していない場合、（Ｓ５０１でＮｏ）、コントローラ５は、発行済みの全てのパトロールリードコマンドの処理が完了するまで待つ。
【0175】
発行済みの全てのパトロールリードコマンドの処理が完了している場合（Ｓ５０１でＹｅｓ）、コントローラ５は、ホストリードコマンドが検出されているか否かを判定する（Ｓ５０２）。
【0176】
受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在しない場合（Ｓ５０２でＮｏ）、コントローラ５は、第１の方式を、パトロールリード動作の方式として選択する（Ｓ５０３）。
【0177】
受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在する場合（Ｓ５０２でＹｅｓ）、コントローラ５は、第２の方式を、パトロールリード動作の方式として選択する（Ｓ５０４）。
【0178】
コントローラ５は、進捗管理テーブル７０７を参照して、選択した方式に対応する複数のパトロールリードコマンドを生成する（Ｓ５０５）。
【0179】
コントローラ５は、Ｓ５０５で生成したパトロールリードコマンドの各々を、ＮＡＮＤインタフェース５３を介して、ＮＡＮＤメモリ６に発行する（Ｓ５０６）。
【0180】
コントローラ５は、発行したパトロールリードコマンドによって指定される記憶位置に対するパトロールリード動作が実行済みであることを示すように、進捗管理テーブル７０７を更新する（Ｓ５０７）。
【0181】
コントローラ５は、今回のパトロールリード動作で発行されるべきパトロールリードコマンドが全て発行されたか否かを判定する（Ｓ５０８）。
【0182】
今回のパトロールリード動作で発行されるべきパトロールリードコマンドが全て発行された場合、つまり、今回のパトロールリード動作でリード動作が実行された論理ページの数が、一度のパトロールリード動作においてリード動作が実行されるべき論理ページの数に達した場合（Ｓ５０８でＹｅｓ）、コントローラ５は、今回のパトロールリード動作を終了する。
【0183】
今回のパトロールリード動作でリード動作が実行された論理ページの数が、一度のパトロールリード動作においてリード動作が実行されるべき論理ページの数に達していない場合（Ｓ５０８でＮｏ）、コントローラ５は、進捗管理テーブル７０７を参照し、参照結果に基づいて、パトロールリード対象の論理ページに対するパトロールリード動作が完了したか否かを判定する（Ｓ５０９）。
【0184】
パトロールリード対象の論理ページに対するパトロールリード動作が完了していない場合（Ｓ５０９でＮｏ）、コントローラ５は、発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了しているか否かを判定する（Ｓ５１０）。
【0185】
発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了していない場合（Ｓ５１０でＮｏ）、コントローラ５は、発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了するまで待つ。
【0186】
発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了している場合（Ｓ５１０でＹｅｓ）、コントローラ５は、既に選択されている方式に対応するパトロールリードコマンドを生成して（Ｓ５０５）、リード対象ページに対するパトロールリード動作を続行する。
【0187】
パトロールリード対象の論理ページに対するパトロールリード動作が完了している場合（Ｓ５０９でＹｅｓ）、コントローラ５は、新たなパトロールリード対象の論理ページを選択し（Ｓ５１１）、再度パトロールリード動作の方式を選択して（Ｓ５０１～Ｓ５０４）、パトロールリード動作を続行する。
【0188】
このように、コントローラ５は、１つの論理ページに対するパトロールリード動作の完了によってリード対象の論理ページが別の論理ページに切り替えられる度に、メモリシステム３の状況に基づいて、パトロールリード動作の方式を切り替える。この場合、同じ論理ページに対するパトロールリード動作を実行している間に、パトロールリード動作の方式が切り替えられることはないため、パトロールリード動作の進捗管理を容易に行うことできる。
【0189】
次に、パトロールリード動作が開始されるごとに、パトロールリード動作の方式が選択される場合について説明する。図１４は、実施形態に係るメモリシステム３において実行されるパトロールリード動作の第６の手順を示すフローチャートである。コントローラ５は、第１の時間が経過する毎にパトロールリード動作を開始する。図１４に示すＳ６０１～Ｓ６０８の処理は、図９で説明したＳ１０２～Ｓ１０４、Ｓ１０１、Ｓ１０５～Ｓ１０８の処理と同じである。
【0190】
まず、コントローラ５は、ホストリードコマンドが検出されているか否か、つまり、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在するか否かを判定する（Ｓ６０１）。
【0191】
受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在しない場合（Ｓ６０１でＮｏ）、コントローラ５は、第１の方式を、パトロールリード動作の方式として選択する（Ｓ６０２）。
【0192】
受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在する場合（Ｓ６０１でＹｅｓ）、コントローラ５は、第２の方式を、パトロールリード動作の方式として選択する（Ｓ６０３）。
【0193】
コントローラ５は、発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了しているか否かを判定する（Ｓ６０４）。
【0194】
発行済みのパトロールリードコマンドの処理が完了していない場合、（Ｓ６０４でＮｏ）、コントローラ５は、発行済みの全てのパトロールリードコマンドの処理が完了するまで待つ。
【0195】
発行済みの全てのパトロールリードコマンドの処理が完了している場合（Ｓ６０４でＹｅｓ）、コントローラ５は、進捗管理テーブル７０７を参照して、選択した方式に対応するパトロールリードコマンドを生成する（Ｓ６０５）。
【0196】
コントローラ５は、Ｓ６０５で生成したパトロールリードコマンドの各々を、ＮＡＮＤインタフェース５３を介して、ＮＡＮＤメモリ６に発行する（Ｓ６０６）。
【0197】
コントローラ５は、発行したパトロールリードコマンドによって指定される記憶位置に対するパトロールリード動作が実行済みであることを示すように、進捗管理テーブル７０７を更新する（Ｓ６０７）。
【0198】
コントローラ５は、今回のパトロールリード動作で発行されるべきパトロールリードコマンドが全て発行されたか否かを判定する（Ｓ６０８）。
【0199】
今回のパトロールリード動作で発行されるべきパトロールリードコマンドが全て発行された場合、つまり、今回のパトロールリード動作でリード動作が実行された論理ページの数が、一度のパトロールリード動作においてリード動作が実行されるべき論理ページの数に達した場合（Ｓ６０８でＹｅｓ）、コントローラ５は、今回のパトロールリード動作を終了する。
【0200】
今回のパトロールリード動作で発行されるべきパトロールリードコマンドが全て発行されていない場合（Ｓ６０８でＮｏ）、コントローラ５は、Ｓ６０１～Ｓ６０３で選択された方式を使用して、Ｓ６０４～Ｓ６０７の処理を続行する。
【0201】
以上説明したように、本実施形態によれば、パトロールリード動作の方式は、メモリシステム３の状況を考慮して選択される。
【0202】
コントローラ５は、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在しない場合には、ホストリードコマンドの処理のレイテンシに対する影響を考慮する必要が無い。そのため、コントローラ５は、第１の方式のパトロールリード動作を実行する。第１の方式のパトロールリード動作を実行することで、コントローラ５は、周辺回路によるメモリセルアレイに対するアクセスの回数を減らすことによって、パトロールリード動作に必要とされる時間と、メモリシステム３において消費される電力とを減らすことができる。
【0203】
また、コントローラ５は、受信済みで且つ未完了のホストリードコマンドが存在する場合には、ホストリードコマンドの処理のレイテンシに対する影響を考慮する。このとき、コントローラ５は、第２の方式のパトロールリード動作を実行する。第２の方式のパトロールリード動作を実行することで、コントローラ５は、ホストリードコマンドの処理のレイテンシの増加を最小限にとどめることができる。
【0204】
また、コントローラ５が、パトロールリード動作の方式を選択するタイミングは、パトロールリードコマンドグループを発行するときであってもよいし、パトロールリード対象の論理ページが選択されるときであってもよいし、あるいは、パトロールリード動作が開始されるときであってもよい。
【0205】
コントローラ５は、パトロールリードコマンドグループを発行するときにパトロールリード動作の方式を選択することによって、他のタイミングの場合よりも細かくパトロールリード動作の方式を切り替えることができる。この場合、１つの論理ページに対するパトロールリード動作を実行している間にパトロールリード動作の方式が切り替えられることが想定される。コントローラ５は、論理ページに含まれるクラスタそれぞれに対するパトロール動作が実行済みである否かを示す情報を管理しているので、前回のパトロール動作でリード済みのクラスタをスキップして、リード済みのクラスタに後続するクラスタそれぞれに対するパトロールリード動作を、切り替えられた方式で実行することができる。
【0206】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、更新を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【0207】
（付記）
［１］コントローラは、
複数の論理ブロックと、前記複数の論理ブロックの各々に含まれる複数の論理ページとを管理し、
前記複数の論理ブロックの各々は、互いに異なるダイに含まれる物理ブロックの集合を含み、
前記複数の論理ページの各々は、一つの論理ブロックに含まれる前記物理ブロックの数と同数の物理ページを含み、
前記第１のダイの前記第１の物理ブロック、および前記第２のダイの前記第２の物理ブロックは、前記複数の論理ブロックのうちの第１の論理ブロックに含まれており、
前記第１の物理ページ、および前記第２の物理ページは、前記第１の論理ブロックに含まれる複数の論理ページのうちの第１の論理ページに含まれており、
前記コントローラは、
前記第１の論理ページをリード対象の論理ページとして選択した場合、
前記第１の方式または前記第２の方式を使用して、前記第１の論理ページに含まれる複数の記憶位置に記憶されている複数のデータを読み出す、ように構成されている、メモリシステム。
［１］コントローラは、
複数の論理ブロックと、前記複数の論理ブロックの各々に含まれる複数の論理ページとを管理し、
前記複数の論理ブロックの各々は、互いに異なるダイに含まれる物理ブロックの集合を含み、
前記複数の論理ページの各々は、一つの論理ブロックに含まれる前記物理ブロックの数と同数の物理ページを含み、
前記第１のダイの前記第１の物理ブロック、および前記第２のダイの前記第２の物理ブロックは、前記複数の論理ブロックのうちの第１の論理ブロックに含まれており、
前記第１の物理ページ、および前記第２の物理ページは、前記第１の論理ブロックに含まれる複数の論理ページのうちの第１の論理ページに含まれており、
前記コントローラは、
前記第１の論理ページをリード対象の論理ページとして選択した場合、
前記第１の方式または前記第２の方式を使用して、前記第１の論理ページに含まれる複数の記憶位置に記憶されている複数のデータを読み出す、ように構成されている、メモリシステム。
【0208】
［２］前記第１のダイは、前記第１の物理ブロックを含む複数の物理ブロックを含む第１のプレーンと、複数の物理ブロックを含む第２のプレーンとを含み、
前記第２のダイは、前記第２の物理ブロックを含む複数の物理ブロックを含む第３のプレーンと、複数の物理ブロックを含む第４のプレーンとを含み、
前記第１の論理ブロックは、前記第１のプレーンの前記第１の物理ブロックと、前記第２のプレーンの第３の物理ブロックと、前記第３のプレーンの前記第２の物理ブロックと、前記第４のプレーンの第４の物理ブロックとを含み、
前記第１の論理ページは、前記第１の物理ブロックの前記第１の物理ページと、前記第２の物理ブロックの前記第２の物理ページと、前記第３の物理ブロックの第３の物理ページと、前記第４の物理ブロックの第４の物理ページとを含む、［１］に記載のメモリシステム。
前記第２のダイは、前記第２の物理ブロックを含む複数の物理ブロックを含む第３のプレーンと、複数の物理ブロックを含む第４のプレーンとを含み、
前記第１の論理ブロックは、前記第１のプレーンの前記第１の物理ブロックと、前記第２のプレーンの第３の物理ブロックと、前記第３のプレーンの前記第２の物理ブロックと、前記第４のプレーンの第４の物理ブロックとを含み、
前記第１の論理ページは、前記第１の物理ブロックの前記第１の物理ページと、前記第２の物理ブロックの前記第２の物理ページと、前記第３の物理ブロックの第３の物理ページと、前記第４の物理ブロックの第４の物理ページとを含む、［１］に記載のメモリシステム。
【0209】
［３］前記不揮発性メモリは、前記第１のチャンネルに接続された第３のダイと、前記第２のチャンネルに接続された第４のダイと、をさらに含み、
前記第１の論理ブロックは、前記第１のダイの前記第１の物理ブロックと、前記第２のダイの前記第２の物理ブロックと、前記第３のダイの第３の物理ブロックと、前記第４のダイの第４の物理ブロックとを含み、
前記第１の論理ページは、前記第１の物理ブロックの前記第１の物理ページと、前記第２の物理ブロックの前記第２の物理ページと、前記第３の物理ブロックの第３の物理ページと、前記第４の物理ブロックの第４の物理ページとを含む、［１］に記載のメモリシステム。
前記第１の論理ブロックは、前記第１のダイの前記第１の物理ブロックと、前記第２のダイの前記第２の物理ブロックと、前記第３のダイの第３の物理ブロックと、前記第４のダイの第４の物理ブロックとを含み、
前記第１の論理ページは、前記第１の物理ブロックの前記第１の物理ページと、前記第２の物理ブロックの前記第２の物理ページと、前記第３の物理ブロックの第３の物理ページと、前記第４の物理ブロックの第４の物理ページとを含む、［１］に記載のメモリシステム。
【符号の説明】
【0210】
１…情報処理システム、２…ホスト、３…メモリシステム、４…バス、５…コントローラ、６…ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、７…ＤＲＡＭ、５０…内部バス、５１…ホストインタフェース、５２…ＣＰＵ、５３…ＮＡＮＤインタフェース、５４…ＤＲＡＭインタフェース、５５…ＳＲＡＭ、５６…ＥＣＣ回路、７０１…Ｌ２Ｐテーブル、７０２…ライトバッファ、７０３…リードバッファ、７０４…ＧＣバッファ、７０５…リフレッシュバッファ、７０６…パトロールリードコマンドキュー、７０７…進捗管理テーブル、７０８…ブロック管理テーブル、７０９…アクティブブロックリスト、７１０…フリーブロックリスト、７１１…システムブロックリスト、７１２…リフレッシュ対象ブロックリスト。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】