(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023170119
(43)【公開日】2023-12-01
(54)【発明の名称】積層セラミックコンデンサ
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20231124BHJP
H01G 4/228 20060101ALI20231124BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 513
H01G4/30 516
H01G4/30 201F
H01G4/30 201G
H01G4/30 201H
H01G4/228 A
H01G4/228 W
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022081609
(22)【出願日】2022-05-18
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100145713
【弁理士】
【氏名又は名称】加藤 竜太
(74)【代理人】
【識別番号】100165157
【弁理士】
【氏名又は名称】芝 哲央
(72)【発明者】
【氏名】筑摩 忍
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AF00
5E082AA02
5E082AB03
5E082BC32
5E082EE04
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG04
5E082FG26
5E082FG46
5E082GG10
(57)【要約】
【課題】接合部がコンデンサ本体から剥離しにくい積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明の積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層４と内部電極層５とが交互に積層された積層体２、並びに、下地電極層３０及び該下地電極層３０の外周に形成された第１めっき層３１を含み、前記積層体２の積層方向と直交する長さ方向の両側の端面のそれぞれに配置され且つ前記内部電極層５と接続された外部電極３、を有するコンデンサ本体１Ａと、前記コンデンサ本体１Ａにおける前記積層方向の一方の主面側に配置され、前記外部電極３と接続されている、２４０℃以上の金属を主成分とする接合部１０と、を備え、前記外部電極３の外周と前記接合部１０の外周とに、連続して第２めっき層３２が形成されている。
【選択図】図２
【解決手段】本発明の積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層４と内部電極層５とが交互に積層された積層体２、並びに、下地電極層３０及び該下地電極層３０の外周に形成された第１めっき層３１を含み、前記積層体２の積層方向と直交する長さ方向の両側の端面のそれぞれに配置され且つ前記内部電極層５と接続された外部電極３、を有するコンデンサ本体１Ａと、前記コンデンサ本体１Ａにおける前記積層方向の一方の主面側に配置され、前記外部電極３と接続されている、２４０℃以上の金属を主成分とする接合部１０と、を備え、前記外部電極３の外周と前記接合部１０の外周とに、連続して第２めっき層３２が形成されている。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体、並びに、下地電極層及び該下地電極層の外周に形成された第１めっき層を含み、前記積層体の積層方向と直交する長さ方向の両側の端面のそれぞれに配置され且つ前記内部電極層と接続された外部電極、を有するコンデンサ本体と、
前記コンデンサ本体における前記積層方向の一方の主面側に配置され、前記外部電極と接続されている、融点が２４０℃以上の金属を主成分とする接合部と、を備え、
前記外部電極の外周と前記接合部の外周とに、連続して第２めっき層が形成されている、
積層セラミックコンデンサ。
前記コンデンサ本体における前記積層方向の一方の主面側に配置され、前記外部電極と接続されている、融点が２４０℃以上の金属を主成分とする接合部と、を備え、
前記外部電極の外周と前記接合部の外周とに、連続して第２めっき層が形成されている、
積層セラミックコンデンサ。
【請求項2】
前記第１めっき層は、第１Ｎｉめっき層及び第１Ｓｎめっき層を含み、
前記第２めっき層は、第２Ｎｉめっき層及び第２Ｓｎめっき層を含む、
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第２めっき層は、第２Ｎｉめっき層及び第２Ｓｎめっき層を含む、
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項3】
前記第１Ｓｎめっき層は、前記第２Ｓｎめっき層より表面粗さが大きい、
請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項4】
前記第１Ｓｎめっき層は、前記第２Ｓｎめっき層より厚い、
請求項２又は請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
請求項２又は請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、大容量且つ小型の積層セラミックコンデンサが求められている。このような積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極とが交互に積み重ねられた内層部を有する。そして、その内層部の上部と下部とに外層部としての誘電体層が配置されて直方体状の積層体が形成され、積層体の長手方向の両端面に外部電極が設けられてコンデンサ本体が形成される。
さらに、いわゆる「鳴き」の発生を抑制するために、コンデンサ本体における基板に実装される側に、いわゆるバンプ部として、はんだで製造された接合部を備える積層セラミックコンデンサが知られている（特許文献１参照）。
さらに、いわゆる「鳴き」の発生を抑制するために、コンデンサ本体における基板に実装される側に、いわゆるバンプ部として、はんだで製造された接合部を備える積層セラミックコンデンサが知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０１５／０９８９９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかし、従来の積層セラミックコンデンサによると、接合部がコンデンサ本体から剥離することがあった。
【0005】
本発明は、接合部がコンデンサ本体から剥離しにくい積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するために、本発明は、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体、並びに、下地電極層及び該下地電極層の外周に形成された第１めっき層を含み、前記積層体の積層方向と直交する長さ方向の両側の端面のそれぞれに配置され且つ前記内部電極層と接続された外部電極、を有するコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体における前記積層方向の一方の主面側に配置され、前記外部電極と接続されている、融点が２４０℃以上の金属を主成分とする接合部と、を備え、前記外部電極の外周と前記接合部の外周とに、連続して第２めっき層が形成されている、積層セラミックコンデンサを提供する。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、接合部がコンデンサ本体から剥離しにくい積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の実施形態について説明する。図１は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の概略斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１の図１におけるＩＩ－ＩＩ線に沿った部分断面図である。図３は、積層セラミックコンデンサ１の図１におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【0010】
積層セラミックコンデンサ１は、略直方体形状で、積層体２と、積層体２の両端に設けられた一対の外部電極３とを備えるコンデンサ本体１Ａ、及び、コンデンサ本体１Ａに取り付けられた接合部１０を備える。また、積層体２は、誘電体層４と内部電極層５とを複数組含む内層部６を含む。
【0011】
以下の説明において、積層セラミックコンデンサ１の向きを表わす用語として、一対の外部電極３が設けられている方向を長さ方向Ｌとする。誘電体層４と内部電極層５とが積層されている方向を積層方向Ｔとする。長さ方向Ｌ及び積層方向Ｔのいずれにも交差する方向を幅方向Ｗとする。なお、実施形態においては、幅方向Ｗは長さ方向Ｌ及び積層方向Ｔのいずれにも直交している。
【0012】
また、積層体２の６つの外表面のうち、積層方向Ｔに相対する一対の外表面を第１主面Ａ１と第２主面Ａ２とし、幅方向Ｗに相対する一対の外表面を第１側面Ｂ１と第２側面Ｂ２とし、長さ方向Ｌに相対する一対の外表面を第１端面Ｃ１と第２端面Ｃ２とする。図２は、幅方向Ｗの中央部を通り、且つ積層方向Ｔ及び長さ方向Ｌに延びる断面である。
【0013】
なお、第１主面Ａ１と第２主面Ａ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて主面Ａとし、第１側面Ｂ１と第２側面Ｂ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて側面Ｂとし、第１端面Ｃ１と第２端面Ｃ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて端面Ｃとして説明する。
【0014】
（積層体２）
積層体２は、内層部６と、内層部６の主面Ａ側に配置される外層部７と、サイドギャップ部８と、を備える。積層体２は、稜線部Ｒに丸みがつけられていることが好ましい。稜線部Ｒは、積層体２の２面、すなわち主面Ａと側面Ｂ、主面Ａと端面Ｃ、又は、側面Ｂと端面Ｃが交わる部分であり、主面Ａと側面Ｂと端面Ｃとが交わる角部も含む。
積層体２は、内層部６と、内層部６の主面Ａ側に配置される外層部７と、サイドギャップ部８と、を備える。積層体２は、稜線部Ｒに丸みがつけられていることが好ましい。稜線部Ｒは、積層体２の２面、すなわち主面Ａと側面Ｂ、主面Ａと端面Ｃ、又は、側面Ｂと端面Ｃが交わる部分であり、主面Ａと側面Ｂと端面Ｃとが交わる角部も含む。
【0015】
（内層部６）
内層部６は、積層方向Ｔに沿って交互に積層された誘電体層４と内部電極層５とを複数組含む。
内層部６は、積層方向Ｔに沿って交互に積層された誘電体層４と内部電極層５とを複数組含む。
【0016】
（誘電体層４）
誘電体層４は、セラミック材料で製造されている。セラミック材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ３を主成分とする誘電体セラミックが用いられる。また、セラミック材料として、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、ニッケル化合物等の副成分のうちの少なくとも１つを添加したものを用いてもよい。
誘電体層４は、セラミック材料で製造されている。セラミック材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ３を主成分とする誘電体セラミックが用いられる。また、セラミック材料として、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、ニッケル化合物等の副成分のうちの少なくとも１つを添加したものを用いてもよい。
【0017】
（内部電極層５）
内部電極層５は、例えばニッケル、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等に代表される金属材料により形成されていることが好ましい。
内部電極層５は、例えばニッケル、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等に代表される金属材料により形成されていることが好ましい。
【0018】
内部電極層５は、複数の第１内部電極層５Ａと、複数の第２内部電極層５Ｂとを備える。第１内部電極層５Ａと第２内部電極層５Ｂとは、交互に配置されている。なお、第１内部電極層５Ａと第２内部電極層５Ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて内部電極層５として説明する。
【0019】
内部電極層５は、第１内部電極層５Ａと第２内部電極層５Ｂとの間で互いに対向する対向部５２と、第１内部電極層５Ａと第２内部電極層５Ｂとの間で互いに対向せず、対向部５２から一方の端面Ｃ側に引き出された引出部５１とを備える。引出部５１の端部は、端面Ｃに露出し、外部電極３に電気的に接続されている。引出部５１が延びる方向は、第１内部電極層５Ａと第２内部電極層５Ｂとで異なり、第１端面Ｃ１側と第２端面Ｃ２側とに交互に引き出される。そして、積層方向Ｔに隣り合う第１内部電極層５Ａと第２内部電極層５Ｂとの対向部５２間に電荷が蓄積され、コンデンサとして機能する。
【0020】
（外層部７）
外層部７は、内層部６の両主面Ａ側にそれぞれ配置され、内層部６の誘電体層４と同じ材料で製造されている。
外層部７は、内層部６の両主面Ａ側にそれぞれ配置され、内層部６の誘電体層４と同じ材料で製造されている。
【0021】
（サイドギャップ部８）
サイドギャップ部８は、積層体２における内層部６の両側面Ｂ側に設けられている。サイドギャップ部８は、誘電体層４と同じ材料で一体的に製造されている。
サイドギャップ部８は、積層体２における内層部６の両側面Ｂ側に設けられている。サイドギャップ部８は、誘電体層４と同じ材料で一体的に製造されている。
【0022】
（外部電極３）
外部電極３は、積層体２の両端面Ｃに設けられている。外部電極３は、端面Ｃだけでなく、主面Ａ及び側面Ｂの端面Ｃ側の一部も覆っている。外部電極３は、下地電極層３０と、下地電極層３０の外周に形成された第１めっき層３１とを含む。
外部電極３は、積層体２の両端面Ｃに設けられている。外部電極３は、端面Ｃだけでなく、主面Ａ及び側面Ｂの端面Ｃ側の一部も覆っている。外部電極３は、下地電極層３０と、下地電極層３０の外周に形成された第１めっき層３１とを含む。
【0023】
（下地電極層３０）
下地電極層３０は、端面Ｃに露出した内部電極層５の引出部５１の端部に電気的に接続されている。実施形態で下地電極層３０は、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウム、銀－パラジウム合金、金等の導電性金属を含む導電性ペーストを焼成した、いわゆる焼き付け電極である。
下地電極層３０は、端面Ｃに露出した内部電極層５の引出部５１の端部に電気的に接続されている。実施形態で下地電極層３０は、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウム、銀－パラジウム合金、金等の導電性金属を含む導電性ペーストを焼成した、いわゆる焼き付け電極である。
【0024】
（第１めっき層３１）
第１めっき層３１は、下地電極層３０の外周に、下地電極層３０を覆うように配置されている第１Ｎｉめっき層３１ａと、第１Ｎｉめっき層３１ａの外周に、第１Ｎｉめっき層３１ａを覆うように配置されている第１Ｓｎめっき層３１ｂとを含む。第１Ｎｉめっき層３１ａは、ニッケル又はニッケルを含む合金のめっきからなる。第１Ｓｎめっき層３１ｂはＳｎ又はＳｎを含む合金のめっきからなる。
第１めっき層３１は、下地電極層３０の外周に、下地電極層３０を覆うように配置されている第１Ｎｉめっき層３１ａと、第１Ｎｉめっき層３１ａの外周に、第１Ｎｉめっき層３１ａを覆うように配置されている第１Ｓｎめっき層３１ｂとを含む。第１Ｎｉめっき層３１ａは、ニッケル又はニッケルを含む合金のめっきからなる。第１Ｓｎめっき層３１ｂはＳｎ又はＳｎを含む合金のめっきからなる。
【0025】
（接合部１０）
接合部１０は、一対の２つの接合部である第１接合部１０Ａと第２接合部１０Ｂとを備える。以下、第１接合部１０Ａと、第２接合部１０Ｂとを区別して説明する必要のない場合、接合部１０として説明する。
接合部１０は、一対の２つの接合部である第１接合部１０Ａと第２接合部１０Ｂとを備える。以下、第１接合部１０Ａと、第２接合部１０Ｂとを区別して説明する必要のない場合、接合部１０として説明する。
【0026】
コンデンサ本体１Ａの主面Ａ２側における、長さ方向Ｌの一方に第１接合部１０Ａが配置され、他方に第２接合部１０Ｂが配置されている。第１接合部１０Ａと第２接合部１０Ｂとは互いに略矩形の同形であって対向し、一定の距離、離間して配置されている。
【0027】
接合部１０は、融点が２４０℃以上の金属を主成分としており、実施形態では、例えば、高温はんだで製造されている。高温はんだは、例えばＳｎ、Ａｇ、Ｃｕを含み、再溶融温度が３００℃以上の金属であり、２００℃以上で一旦溶融した後、冷却硬化すれば３００℃以上に加熱しないと再溶融しない。これに限定されず、例えばＳｎ－Ｓｂ系高温半田であってもよい。
【0028】
また、接合部１０は、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の、融点が２４０℃以上の高融点金属を主成分とし、さらに低融点金属としてのＳｎを含んだ金属間化合物を主成分としてもよい。このような金属間化合物を主成分とすることにより、半田付け時の温度でも溶融しない融点を有し、かつ所望の形態をもって配置することが容易となる。
なお、金属間化合物は、特に、ＳｎとＣｕ－Ｎｉ合金との反応により生成された金属間化合物であることが好ましい。このような金属間化合物は、これを生成するにあたり、反応速度が速く、形状の変化が少ないという利点を有する。なお、金属間化合物を構成する高融点金属として、Ａｇをさらに含んでいてもよい。なお、本明細書において、主成分とするとは、含有率が５０％以上であることをいう。
また、接合部１０の実装面側表面は、図示しないが、表面に凹凸を有している。
なお、金属間化合物は、特に、ＳｎとＣｕ－Ｎｉ合金との反応により生成された金属間化合物であることが好ましい。このような金属間化合物は、これを生成するにあたり、反応速度が速く、形状の変化が少ないという利点を有する。なお、金属間化合物を構成する高融点金属として、Ａｇをさらに含んでいてもよい。なお、本明細書において、主成分とするとは、含有率が５０％以上であることをいう。
また、接合部１０の実装面側表面は、図示しないが、表面に凹凸を有している。
【0029】
（第２めっき層３２）
外部電極３に接合部１０が取り付けられた状態で、外部電極３及び接合部１０の外周を第２めっき層３２が覆っている。
外部電極３に接合部１０が取り付けられた状態で、外部電極３及び接合部１０の外周を第２めっき層３２が覆っている。
【0030】
第２めっき層３２は、第２Ｎｉめっき層３２ａと、第２Ｎｉめっき層３２ａの外周に、第２Ｎｉめっき層３２ａを覆うように配置されている第２Ｓｎめっき層３２ｂとを含む。第２Ｎｉめっき層３２ａは、第１Ｎｉめっき層３１ａと同様に、ニッケル又はニッケルを含む合金のめっきからなる。第２Ｓｎめっき層３２ｂは第１Ｓｎめっき層３１ｂと同様に、Ｓｎ又はＳｎを含む合金のめっきからなる。
【0031】
第２Ｓｎめっき層３２ｂの表面は、第１Ｓｎめっき層３１ｂの表面より滑らかである。すなわち、第１Ｓｎめっき層３１ｂは、第２Ｓｎめっき層３２ｂよりも表面粗さが大きい。ここでいう表面粗さは、「最大高さ」と呼ばれる高さ方向のパラメーターである表面粗さＲｚである。表面粗さＲｚは、粗さ計で測定した粗さ曲線の一部を基準長さで抜き出したときの、最大山高さと最大谷深さとの和である。なお、第１Ｓｎめっき層３１ｂは、第２Ｓｎめっき層３２ｂより厚い。
また、上述のように、接合部１０の実装面側表面は、表面に凹凸を有している。第２めっき層３２は、この接合部１０の凹凸の形状に追従して形成されるので、アンカー効果により、接合部１０と第２めっき層３２との接合性がより高まる。
また、上述のように、接合部１０の実装面側表面は、表面に凹凸を有している。第２めっき層３２は、この接合部１０の凹凸の形状に追従して形成されるので、アンカー効果により、接合部１０と第２めっき層３２との接合性がより高まる。
【0032】
（積層セラミックコンデンサ１の製造方法）
次に、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。図４は、積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明するフローチャートである。
積層セラミックコンデンサ１の製造工程は、積層体製造工程Ｓ１と、下地電極層形成工程Ｓ２と、第１めっき層形成工程Ｓ３と、接合部取付工程Ｓ４と、第２めっき層形成工程Ｓ５と、を備える。
次に、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。図４は、積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明するフローチャートである。
積層セラミックコンデンサ１の製造工程は、積層体製造工程Ｓ１と、下地電極層形成工程Ｓ２と、第１めっき層形成工程Ｓ３と、接合部取付工程Ｓ４と、第２めっき層形成工程Ｓ５と、を備える。
【0033】
（積層体製造工程Ｓ１）
まず、積層体製造工程Ｓ１において、セラミックスラリーがシート状に成形された積層用セラミックグリーンシートに導電体ペーストで内部電極層５のパターンが印刷された素材シートが用意される。
そして、内部電極パターンが隣り合う素材シート間において長さ方向において半ピッチずつずれた状態になるように、複数の素材シートが積み重ねられる。
さらに、複数枚積層された素材シートの両側に、それぞれ外層部となる外層部用セラミックグリーンシートが積み重ねられ、熱圧着されることによりマザーブロック部材が形成される。
マザーブロック部材を、積層体の寸法に対応した切断線に沿って分割することで、複数の積層体２が製造される。
まず、積層体製造工程Ｓ１において、セラミックスラリーがシート状に成形された積層用セラミックグリーンシートに導電体ペーストで内部電極層５のパターンが印刷された素材シートが用意される。
そして、内部電極パターンが隣り合う素材シート間において長さ方向において半ピッチずつずれた状態になるように、複数の素材シートが積み重ねられる。
さらに、複数枚積層された素材シートの両側に、それぞれ外層部となる外層部用セラミックグリーンシートが積み重ねられ、熱圧着されることによりマザーブロック部材が形成される。
マザーブロック部材を、積層体の寸法に対応した切断線に沿って分割することで、複数の積層体２が製造される。
【0034】
（下地電極層形成工程Ｓ２）
次に、下地電極層形成工程Ｓ２において、積層体２の両端部に、下地電極層３０が形成される。下地電極層３０は、例えば、導電性金属とガラスとを含む導電性ペーストを、積層体２の両端部に塗布して焼き付けることにより形成される。下地電極層３０は、図２に示すように、積層体２両側の端面Ｃのみならず、主面Ａ側まで延びて、主面Ａの端面Ｃ側の一部も覆うように形成する。
次に、下地電極層形成工程Ｓ２において、積層体２の両端部に、下地電極層３０が形成される。下地電極層３０は、例えば、導電性金属とガラスとを含む導電性ペーストを、積層体２の両端部に塗布して焼き付けることにより形成される。下地電極層３０は、図２に示すように、積層体２両側の端面Ｃのみならず、主面Ａ側まで延びて、主面Ａの端面Ｃ側の一部も覆うように形成する。
【0035】
（第１めっき層形成工程Ｓ３）
第１めっき層形成工程Ｓ３において、下地電極層３０の外周に下地電極層３０を覆うように、まず、第１Ｎｉめっき層３１ａを形成する。次いで第１Ｎｉめっき層３１ａの外周に、第１Ｎｉめっき層３１ａを覆うように、第１Ｓｎめっき層３１ｂを形成する。以上の工程により、外部電極３が積層体２に形成されたコンデンサ本体１Ａが製造される。
第１めっき層形成工程Ｓ３において、下地電極層３０の外周に下地電極層３０を覆うように、まず、第１Ｎｉめっき層３１ａを形成する。次いで第１Ｎｉめっき層３１ａの外周に、第１Ｎｉめっき層３１ａを覆うように、第１Ｓｎめっき層３１ｂを形成する。以上の工程により、外部電極３が積層体２に形成されたコンデンサ本体１Ａが製造される。
【0036】
（接合部取付工程Ｓ４）
接合部取付工程Ｓ４において、コンデンサ本体１Ａにおける、第２主面Ａ２側の外部電極３の外周に、接合部１０を形成する。接合部１０は、融点が２４０℃以上の金属、例えば高温はんだを下地電極層３０の外周に配置することで形成する。
接合部取付工程Ｓ４において、コンデンサ本体１Ａにおける、第２主面Ａ２側の外部電極３の外周に、接合部１０を形成する。接合部１０は、融点が２４０℃以上の金属、例えば高温はんだを下地電極層３０の外周に配置することで形成する。
【0037】
高温はんだを用いた場合、高温はんだは、２００℃以上で一旦溶融した液体の状態で第１Ｓｎめっき層３１ｂの表面に配置される。このとき、第１Ｓｎめっき層３１ｂの表面は第２Ｓｎめっき層３２ｂの表面より粗い。ゆえに、第１Ｓｎめっき層３１ｂの表面には、第２Ｓｎめっき層３２ｂの表面と比べて凹凸が多い。溶融した液状の高温はんだは、第１Ｓｎめっき層３１ｂの表面の凹凸部分に流入し、高温はんだで製造された接合部１０が第１Ｓｎめっき層３１ｂに強固に接着する。
【0038】
この際、第１Ｎｉめっき層３１ａが下地電極層３０の表面を覆うように配置されている。したがって、コンデンサ本体１Ａに、接合部１０として高温はんだを配置する際に、下地電極層３０がはんだで侵食されることが防止される。
また、第１Ｎｉめっき層３１ａの外周には、第１Ｓｎめっき層３１ｂが配置されている。したがって、接合部１０として高温はんだを配置する際に、はんだの濡れ性が向上され、接合部１０を容易に取り付けることができる。
また、第１Ｎｉめっき層３１ａの外周には、第１Ｓｎめっき層３１ｂが配置されている。したがって、接合部１０として高温はんだを配置する際に、はんだの濡れ性が向上され、接合部１０を容易に取り付けることができる。
【0039】
（第２めっき層形成工程Ｓ５）
第２めっき層形成工程Ｓ５において、外部電極３の外周と接合部１０の外周とに第２めっき層３２が形成される。第２めっき層３２は、外部電極３における接合部１０が取り付けられている部分以外の、第１Ｓｎめっき層３１ｂが露出している部分と、接合部１０の外周とを連続して一体的に覆う。
第２めっき層形成工程Ｓ５において、外部電極３の外周と接合部１０の外周とに第２めっき層３２が形成される。第２めっき層３２は、外部電極３における接合部１０が取り付けられている部分以外の、第１Ｓｎめっき層３１ｂが露出している部分と、接合部１０の外周とを連続して一体的に覆う。
【0040】
第２めっき層３２は、まず、第２Ｎｉめっき層３２ａを、外部電極３における接合部１０が取り付けられている部分以外の第１Ｓｎめっき層３１ｂが露出している部分と、接合部１０の外周とに連続して一体的に形成する。
次いで、第２Ｎｉめっき層３２ａの外周に、第２Ｎｉめっき層３２ａを覆うようにして第２Ｓｎめっき層３２ｂを形成する。
以上の工程により、積層セラミックコンデンサ１が製造される。
次いで、第２Ｎｉめっき層３２ａの外周に、第２Ｎｉめっき層３２ａを覆うようにして第２Ｓｎめっき層３２ｂを形成する。
以上の工程により、積層セラミックコンデンサ１が製造される。
【0041】
以上、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によると、第１めっき層３１が形成された外部電極３の外周と、接合部１０の外周に、連続して第２めっき層３２が形成されている。すなわち、接合部１０は、コンデンサ本体１Ａに取り付けられた状態で、コンデンサ本体１Ａの外部電極３と一体的に第２めっき層３２に覆われている。このように、接合部１０ごとコンデンサ本体１Ａの外部電極３の外周が第２めっき層３２に覆われているので、接合部１０がコンデンサ本体１Ａから剥離しにくい。
【0042】
また、積層セラミックコンデンサ１を基板に実装する際に、高温はんだよりも低温で融解する通常のはんだ（以下、低温はんだという）が用いられる。このとき、第２Ｓｎめっき層３２ｂの表面粗さが大きすぎると、第２Ｓｎめっき層３２ｂで覆われている接合部１０の側面を低温はんだが上りにくく、フィレットが形成されにくい。
しかし、実施形態では第２Ｓｎめっき層３２ｂが第１Ｓｎめっき層３１ｂよりも表面が滑らかである。したがって、第２Ｓｎめっき層３２ｂで覆われている接合部１０の側面を低温はんだが上りやすく、フィレットが形成されやすい。ゆえに積層セラミックコンデンサ１の基板への実装が安定する。
しかし、実施形態では第２Ｓｎめっき層３２ｂが第１Ｓｎめっき層３１ｂよりも表面が滑らかである。したがって、第２Ｓｎめっき層３２ｂで覆われている接合部１０の側面を低温はんだが上りやすく、フィレットが形成されやすい。ゆえに積層セラミックコンデンサ１の基板への実装が安定する。
【0043】
第１Ｓｎめっき層３１ｂの表面は、第２Ｓｎめっき層３２ｂの表面より粗い。このように第１Ｓｎめっき層３１ｂの表面を粗くするにはある程度の厚みが必要であるため、第１Ｓｎめっき層３１ｂは、第２Ｓｎめっき層３２ｂより厚くなっている。
一方、第２Ｓｎめっき層３２ｂの表面を、第１Ｓｎめっき層３１ｂの表面より滑らかにするために、第２Ｓｎめっき層３２ｂは第１Ｓｎめっき層３１ｂより薄くなっている。
一方、第２Ｓｎめっき層３２ｂの表面を、第１Ｓｎめっき層３１ｂの表面より滑らかにするために、第２Ｓｎめっき層３２ｂは第１Ｓｎめっき層３１ｂより薄くなっている。
【0044】
また、第２Ｎｉめっき層３２ａが外部電極３及び接合部１０の外周を覆っているので、低温はんだを配置する際に、外部電極３及び接合部１０がはんだで侵食されることが防止される。
また、第２Ｎｉめっき層３２ａの外周には、第２Ｓｎめっき層３２ｂが配置されている。したがって、積層セラミックコンデンサ１を基板に実装する際に、低温はんだの濡れ性が向上され、実装が容易になる。
また、第２Ｎｉめっき層３２ａの外周には、第２Ｓｎめっき層３２ｂが配置されている。したがって、積層セラミックコンデンサ１を基板に実装する際に、低温はんだの濡れ性が向上され、実装が容易になる。
【0045】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は以下である。
＜１＞誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体、並びに、下地電極層及び該下地電極層の外周に形成された第１めっき層を含み、前記積層体の積層方向と直交する長さ方向の両側の端面のそれぞれに配置され且つ前記内部電極層と接続された外部電極、を有するコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体における前記積層方向の一方の主面側に配置され、前記外部電極と接続されている、融点が２４０℃以上の金属を主成分とする接合部と、を備え、前記外部電極の外周と前記接合部の外周とに、連続して第２めっき層が形成されている、積層セラミックコンデンサ。
＜２＞前記第１めっき層は、第１Ｎｉめっき層及び第１Ｓｎめっき層を含み、前記第２めっき層は、第２Ｎｉめっき層及び第２Ｓｎめっき層を含む、＜１＞に記載の積層セラミックコンデンサ。
＜３＞前記第１Ｓｎめっき層は、前記第２Ｓｎめっき層より表面粗さが大きい、＜２＞に記載の積層セラミックコンデンサ。
＜４＞前記第１Ｓｎめっき層は、前記第２Ｓｎめっき層より厚い、＜２＞又は＜３＞に記載の積層セラミックコンデンサ。
＜１＞誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体、並びに、下地電極層及び該下地電極層の外周に形成された第１めっき層を含み、前記積層体の積層方向と直交する長さ方向の両側の端面のそれぞれに配置され且つ前記内部電極層と接続された外部電極、を有するコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体における前記積層方向の一方の主面側に配置され、前記外部電極と接続されている、融点が２４０℃以上の金属を主成分とする接合部と、を備え、前記外部電極の外周と前記接合部の外周とに、連続して第２めっき層が形成されている、積層セラミックコンデンサ。
＜２＞前記第１めっき層は、第１Ｎｉめっき層及び第１Ｓｎめっき層を含み、前記第２めっき層は、第２Ｎｉめっき層及び第２Ｓｎめっき層を含む、＜１＞に記載の積層セラミックコンデンサ。
＜３＞前記第１Ｓｎめっき層は、前記第２Ｓｎめっき層より表面粗さが大きい、＜２＞に記載の積層セラミックコンデンサ。
＜４＞前記第１Ｓｎめっき層は、前記第２Ｓｎめっき層より厚い、＜２＞又は＜３＞に記載の積層セラミックコンデンサ。
【0046】
だだし、本発明はこれに限定されず、種々の変更が可能である。
例えば、実施形態においてはまた、接合部１０を覆う第２めっき層３２は、第２Ｎｉめっき層３２ａと第２Ｓｎめっき層３２ｂとを含んでいる。ただし、これに限定されず、第２Ｓｎめっき層３２ｂだけであってもよい。ただし、第２Ｓｎめっき層３２ｂだけの場合と比べて、第２Ｎｉめっき層３２ａと第２Ｓｎめっき層３２ｂとを含んでいると、接合部１０がコンデンサ本体１Ａから、より剥離しにくい。
例えば、実施形態においてはまた、接合部１０を覆う第２めっき層３２は、第２Ｎｉめっき層３２ａと第２Ｓｎめっき層３２ｂとを含んでいる。ただし、これに限定されず、第２Ｓｎめっき層３２ｂだけであってもよい。ただし、第２Ｓｎめっき層３２ｂだけの場合と比べて、第２Ｎｉめっき層３２ａと第２Ｓｎめっき層３２ｂとを含んでいると、接合部１０がコンデンサ本体１Ａから、より剥離しにくい。
【符号の説明】
【0047】
１ 積層セラミックコンデンサ
１Ａ コンデンサ本体
２ 積層体
３ 外部電極
４ 誘電体層
５ 内部電極層
６ 内層部
７ 外層部
１０ 接合部
３０ 下地電極層
３１ 第１めっき層
３１ａ 第１Ｎｉめっき層
３１ｂ 第１Ｓｎめっき層
３２ 第２めっき層
３２ａ 第２Ｎｉめっき層
３２ｂ 第２Ｓｎめっき層
１Ａ コンデンサ本体
２ 積層体
３ 外部電極
４ 誘電体層
５ 内部電極層
６ 内層部
７ 外層部
１０ 接合部
３０ 下地電極層
３１ 第１めっき層
３１ａ 第１Ｎｉめっき層
３１ｂ 第１Ｓｎめっき層
３２ 第２めっき層
３２ａ 第２Ｎｉめっき層
３２ｂ 第２Ｓｎめっき層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】