特開 2023-170276 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023170276

(43)【公開日】2023-12-01

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20231124BHJP

   H05K 1/11 20060101ALI20231124BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

H05K3/46 B

H05K1/11 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022081895

(22)【出願日】2022-05-18

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】橋本 義輝

(72)【発明者】

【氏名】河合 義樹

【テーマコード（参考）】

5E316

5E317

【Ｆターム（参考）】

5E316AA32

5E316AA35

5E316AA43

5E316CC05

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC13

5E316CC14

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE01

5E316FF04

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH11

5E317AA11

5E317AA24

5E317BB01

5E317BB02

5E317BB03

5E317BB12

5E317BB15

5E317CC25

5E317CC32

5E317CC33

5E317CC42

5E317CD32

5E317GG03

(57)【要約】

【課題】配線基板の品質向上。
【解決手段】実施形態の配線基板１００は、導体パッド１１１を含む第１導体層と、第１導体層を覆っていて上面２１ａを有する樹脂絶縁層２１と、上面２１ａに接合されている金属箔１２ａを含む第２導体層１２と、樹脂絶縁層２１及び金属箔１２ａを貫いて導体パッド１１１を露出させる貫通孔３と、貫通孔３を充填すると共に導体パッド１１１と第２導体層１２とを接続するビア導体４と、を含んでいる。導体パッド１１１の表面１１１ａに存在する樹脂が平面視において貫通孔３内の表面１１１ａに対して占める比率は面積比で５％以下であり、貫通孔３の周囲で金属箔１２ａと樹脂絶縁層２１とが剥離している部分の長さＬは、貫通孔３の中心軸から外側へと向かう方向において１０μｍ以下であり、金属箔１２ａにおける樹脂絶縁層２１から剥離している部分と樹脂絶縁層２１との間がビア導体４によって充填されている。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

導体パッドを含む第１導体層と、
前記第１導体層を覆っていて、前記第１導体層側と反対側を向く上面を有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記上面に接合されている金属箔を含む第２導体層と、
前記樹脂絶縁層及び前記金属箔を貫いて前記導体パッドを露出させる貫通孔と、
前記貫通孔を充填すると共に前記導体パッドと前記第２導体層とを接続するビア導体と、
を含む配線基板であって、
前記導体パッドにおける前記ビア導体側の表面に存在する樹脂が平面視において前記貫通孔内の前記表面に対して占める比率は面積比で５％以下であり、
前記貫通孔の周囲で前記金属箔と前記樹脂絶縁層とが剥離している部分の長さは、前記貫通孔の中心軸から外側へと向かう方向において１０μｍ以下であり、
前記金属箔における前記樹脂絶縁層から剥離している部分と前記樹脂絶縁層との間が前記ビア導体によって充填されている。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記貫通孔に面している前記金属箔の断面と前記貫通孔に面している前記樹脂絶縁層の断面とは同一面上に位置している。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記樹脂絶縁層の前記上面のうちの前記金属箔から離間している部分の面粗度は、前記上面のうちの前記金属箔と接合している部分の面粗度よりも低い。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドの前記表面における前記貫通孔の幅と、前記樹脂絶縁層の前記上面における前記貫通孔の幅であるトップ幅との差は、前記トップ幅に対して２０％以下である。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドの前記表面のうちの前記貫通孔内の部分は、前記表面のうちの前記樹脂絶縁層に覆われている部分と略面一である。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、前記金属箔における前記樹脂絶縁層側の表面である下面と、前記樹脂絶縁層の前記上面のうちの前記金属箔と離間している部分との間の角度は、前記金属箔の前記下面と、前記貫通孔に面している前記樹脂絶縁層の断面との間の角度以下であって、且つ、３０°以上である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、第１導体層と、第２導体層と、この両導体層の間に位置する層間絶縁層と、第１導体層と第２導体層とを導通させるフィルドビアと、を含む配線板が開示されている。第２導体層は、層間絶縁層の表面上に位置する導体箔と、導体箔上に形成されているめっき層とを含んでいる。めっき層は、層間絶縁層に形成された穴を充填してフィルドビアを形成している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－２８９７３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の配線板では、フィルドビアの周囲において導体箔と層間絶縁層との剥離によって第２導体層が層間絶縁層から剥離することがある。また、フィルドビアと層間絶縁層及び／又は第１導体層との間の密着性が不足して剥離が生じることがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、導体パッドを含む第１導体層と、前記第１導体層を覆っていて、前記第１導体層側と反対側を向く上面を有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記上面に接合されている金属箔を含む第２導体層と、前記樹脂絶縁層及び前記金属箔を貫いて前記導体パッドを露出させる貫通孔と、前記貫通孔を充填すると共に前記導体パッドと前記第２導体層とを接続するビア導体と、を含んでいる。前記導体パッドにおける前記ビア導体側の表面に存在する樹脂が平面視において前記貫通孔内の前記表面に対して占める比率は面積比で５％以下であり、前記貫通孔の周囲で前記金属箔と前記樹脂絶縁層とが剥離している部分の長さは、前記貫通孔の中心軸から外側へと向かう方向において１０μｍ以下であり、前記金属箔における前記樹脂絶縁層から剥離している部分と前記樹脂絶縁層との間が前記ビア導体によって充填されている。

【0006】

本発明の実施形態によれば、配線基板の導体層の剥離やビア導体の剥離を抑制し得ることがあり、配線基板の品質が高まることがある。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１のII部の一例を拡大して示す断面図。

【図3】図１のII部の他の例を拡大して示す断面図。

【図4】図３の例における貫通孔内の導体パッドの表面を示す平面図。

【図5】図２のＶ部の一例をさらに拡大して示す断面図。

【図6】実施形態の配線基板に対する比較例における図５に相当する部分の断面図。

【図7A】一実施形態の配線基板を製造する方法の一例を示す断面図。

【図7B】一実施形態の配線基板を製造する方法の一例を示す断面図。

【図7C】一実施形態の配線基板を製造する方法の一例を示す断面図。

【図7D】一実施形態の配線基板を製造する方法の一例を示す断面図。

【図7E】一実施形態の配線基板を製造する方法の一例を示す断面図。

【図7F】一実施形態の配線基板を製造する方法の一例を示す断面図。

【図7G】一実施形態の配線基板を製造する方法の一例を示す断面図。

【図7H】一実施形態の配線基板を製造する方法の一例を示す断面図。

【図7I】一実施形態の配線基板を製造する方法の一例を示す断面図。

【図7J】一実施形態の配線基板を製造する方法の一例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図である。図２及び図３には、図１のII部の一例及び他の例が、それぞれ拡大して示されている。なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。本実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１００の積層構造、並びに配線基板１００に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さについて各構成要素がそれぞれの間の正確な比率で描かれていない場合がある。

【0009】

図１に例示の配線基板１００は、交互に積層された複数の導体層及び絶縁層によって構成される積層構造を有していて、その積層方向の中心に位置するコア基板１を含んでいる。コア基板１は、配線基板１００の厚さ方向と略直交する２つの主面（第１面２ａ及び第２面２ｂ）を有する絶縁層２と、絶縁層２の第１面２ａ上に形成されている導体層１１と、絶縁層２の第２面２ｂ上に形成されている導体層１４と、を含んでいる。導体層１１は、導体パッド１１１を含んでいる。同様に導体層１４は導体パッド１４１を含んでいる。コア基板１には、絶縁層２を貫通して導体層１１と導体層１４とを接続する筒状のスルーホール導体１０が形成されている。図１のスルーホール導体１０は導体パッド１１１と導体パッド１４１とを接続している。筒状のスルーホール導体１０の内部は、例えばエポキシ樹脂のような絶縁性樹脂や金属粒子を含む導電性樹脂で形成される充填体１０ａで充填されている。

【0010】

図１に例示の配線基板１００は、さらに、コア基板１における絶縁層２の第１面２ａ側に順に積層されている樹脂絶縁層２１、導体層１２、樹脂絶縁層２２、及び導体層１３を含んでいる。樹脂絶縁層２１は絶縁層２の第１面２ａ及び導体層１１の上に形成されていて導体層１１を覆っている。樹脂絶縁層２１は、導体層１１側と反対方向を向く表面である上面２１ａを有しており、導体層１２は樹脂絶縁層２１の上面２１ａ上に形成されている。樹脂絶縁層２２は、樹脂絶縁層２１及び導体層１２の上に積層されており、導体層１３は樹脂絶縁層２２の上に形成されている。図１の例のように実施形態の配線基板は、導体パッド１１１のような導体パッドを含む第１導体層（図１の例では導体層１１）を含んでいる。さらに、実施形態の配線基板は、第１導体層を覆っていて、第１導体層側と反対側を向く上面を有する樹脂絶縁層（図１の例では上面２１ａを有する樹脂絶縁層２１）と、その上面に形成されている第２導体層（図１の例では導体層１２）と、を含んでいる。

【0011】

図１の例の配線基板１００は、さらに、絶縁層２の第１面２ａ側と同様に絶縁層２の第２面２ｂ及び導体層１４の上に順に積層されている、樹脂絶縁層２３、導体層１５、樹脂絶縁層２４、及び導体層１６を含んでいる。図１の例の配線基板１００は、さらに、樹脂絶縁層２２上に形成されていて導体層１３を部分的に覆うソルダーレジスト層５１と、樹脂絶縁層２４上に形成されていて導体層１６を部分的に覆うソルダーレジスト層５２と、を含んでいる。ソルダーレジスト層５１、５２は、例えば感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂（ＰＩ樹脂）などで形成されている。

【0012】

なお、実施形態の配線基板の説明では、配線基板１００の厚さ方向において、絶縁層２から遠い側は、「上側」、「外側」、又は、単に「上」若しくは「外」とも称される。一方、配線基板１００の厚さ方向において、絶縁層２に近い側は、「下側」、「内側」、又は単に「下」若しくは「内」とも称される。また、実施形態の配線基板の各構成要素において絶縁層２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層２側を向く表面は「下面」とも称される。なお、配線基板１００の厚さ方向は、単に「Ｚ方向」とも称される。

【0013】

図１に示されるように、配線基板１００は、さらに、樹脂絶縁層２１を貫く貫通孔３と、貫通孔３を充填すると共に導体パッド１１１と導体層１２とを接続するビア導体４と、を含んでいる。貫通孔３は、樹脂絶縁層２１に覆われないように貫通孔３の内部に導体パッド１１１の一部を露出させる。配線基板１００のように実施形態の配線基板は、さらに、第１導体層と第２導体層との間の樹脂絶縁層を貫く貫通孔（図１の例では樹脂絶縁層２１を貫く貫通孔３）と、貫通孔３を充填するビア導体（図１の例ではビア導体４）と、を含んでいる。

【0014】

図１の例の配線基板１００は、さらに、樹脂絶縁層２２を貫いて導体層１２と導体層１３とを接続しているビア導体４０ａ、並びに、絶縁層２３及び絶縁層２４それぞれを貫くビア導体４０ｂを含んでいる。

【0015】

樹脂絶縁層２１～２４及び絶縁層２は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの熱硬化性の絶縁性樹脂を用いて形成され得る。樹脂絶縁層２１～２４及び絶縁層２は、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ポリエステル（ＰＥ）樹脂、及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）樹脂のような熱可塑性の絶縁性樹脂を用いて形成されていてもよい。なお、絶縁層２１～２４及び絶縁層２の材料として列挙される各樹脂は、各絶縁層を形成し得る材料の例示に過ぎない。各絶縁層は、配線基板１００に含まれる導体層間の絶縁性を提供し得る任意の材料で形成され得る。

【0016】

図１の例の樹脂絶縁層２１及び樹脂絶縁層２３、並びに絶縁層２は、例えばガラス繊維やアラミド繊維などで構成される補強材（芯材）２０を含んでいる。図１には示されていないが、樹脂絶縁層２２及び樹脂絶縁層２４も、樹脂絶縁層２１が含む補強材２０のような補強材を含んでいてもよい。各樹脂絶縁層及び絶縁層２は、さらに、シリカ又はアルミナなどの無機フィラー（図示せず）を含んでいてもよい。なお、樹脂絶縁層２１、樹脂絶縁層２２、樹脂絶縁層２３、及び樹脂絶縁層２４は、以下では、それぞれ、単に「絶縁層２１」、「絶縁層２２」、「絶縁層２３」、及び「絶縁層２４」とも称される。

【0017】

導体層１１～１６、ビア導体４及びビア導体４０ａ～４０ｂ、並びにスルーホール導体１０は、銅又はニッケルなどの適切な導電性を有する任意の金属を用いて形成される。各導体層は、任意の導体パターンを含み得る。図１の例において導体層１１及び導体層１４は、前述したように、それぞれ、導体パッド１１１及び導体パッド１４１を含んでいる。導体層１２は、ビア導体４によって導体パッド１１１と接続されている導体パッド１２１を含んでいる。

【0018】

各導体層及び各ビア導体は、積層された導電体によって構成される多層構造を有し得る。図１の例の導体層１１は、例えば銅箔やニッケル箔などからなる金属箔層１１ａと、金属箔層１１ａ上に形成された第１めっき膜層１１ｂと、第１めっき膜層１１ｂ上に形成された第２めっき膜層１１ｃと、を含む多層構造を有している。導体層１４も同様の構造を有している。

【0019】

第１めっき膜層１１ｂ及び第２めっき膜層１１ｃは、図１では単層構造を有するように示されているが、それぞれ、無電解めっき膜又はスパッタリング膜で形成される下地膜と、その下地膜を給電層として用いる電解めっきによって形成される電解めっき膜とを含み得る。第２めっき膜層１１ｃに含まれる電解めっき膜によって、導体パッド１１１におけるビア導体４側の表面１１１ａのような、第１導体層１１における第２導体層１２側の表面が構成される。一方、第１めっき膜層１１ｂは、絶縁層２を貫く貫通孔内まで連続的に形成されていてスルーホール導体１０を形成している。

【0020】

導体層１３及び導体層１６は、２層の積層構造を有しており、例えば無電解めっき膜又はスパッタリング膜であり得る金属膜と、その上に例えば電解めっきによって形成される金属膜とによって構成されている。ビア導体４０ａ、及び絶縁層２４を貫くビア導体４０ｂは、導体層１３又は導体層１６を構成する金属膜によって形成されている。

【0021】

図１及び図２に示されるように、本実施形態の配線基板１００において導体層１２は、絶縁層２１の上面２１ａに接合されている金属箔１２ａを含んでいる。貫通孔３は、金属箔１２ａも貫いている。図１及び図２の例の導体層１２は、さらに、金属箔１２ａ上に形成されている第１金属膜１２ｂ、及び第１金属膜１２ｂ上に形成されている第２金属膜１２ｃを含んでいる。すなわち、図１及び図２の例の導体層１２は、金属箔１２ａからなる第１層と、第１金属膜１２ｂからなる第２層と、第２金属膜１２ｃからなる第３層とを含む３層構造を有している。図１の例では、導体層１５も、導体層１２と同様の３層構造を有している。金属箔１２ａは、例えば銅箔やニッケル箔などであり得る。第１金属膜１２ｂは、例えば無電解めっき膜又はスパッタリング膜であり得る。第２金属膜１２ｃは、例えば、第１金属膜１２ｂを給電層として用いる電解めっきによって形成された電解めっき膜であり得る。第１金属膜１２ｂ及び第２金属膜１２ｃは、絶縁層２１を貫く貫通孔３の内部にも形成されている。

【0022】

図２に示されるように、第１金属膜１２ｂは、貫通孔３の内部において、貫通孔３に面する絶縁層２１の断面２１ｂ（貫通孔３を囲む絶縁層２１の内壁面）上に形成されていて断面２１ｂを覆っている。第１金属膜１２ｂは、貫通孔３に面する金属箔１２ａの断面１２ａｂ（貫通孔３を囲む金属箔１２ａの内壁面）も覆っている。第２金属膜１２ｃは、貫通孔３の内部空間のうちの第１金属膜１２ｂに占められていない領域を充填している。第１金属膜１２ｂ及び第２金属膜１２ｃのうちの絶縁層２１を貫通している部分によってビア導体４が形成されている。ビア導体４は、導体層１２と一体的に形成されていて、第１金属膜１２ｂ及び第２金属膜１２ｃを含む２層構造を有している。

【0023】

図１～図３の例において、貫通孔３は、金属箔１２ａ側から導体パッド１１１側に向かって先細りするテーパー形状を有している。そのため、ビア導体４も、絶縁層２１の上面２１ａ側から、導体パッド１１１側に向かって先細りするテーパー形状を有している。実施形態の配線基板では、貫通孔３及びビア導体４は、このようなテーパー形状を有し得る。後述される製造方法の例のように、貫通孔３がレーザー光の照射によって形成される場合、絶縁層２１に伝えられるレーザー光のエネルギーは導体パッド１１１側に進むにつれて低下するため、図１などのような形状の貫通孔３が形成され易い。

【0024】

しかし本実施形態では、貫通孔３における金属箔１２ａ側の幅と導体パッド１１１側の幅との差は比較的小さい。すなわち貫通孔３及びビア導体４のテーパー角は、従来のレーザー加工による貫通孔及びその内部を充填するビア導体のテーパー角と比べて小さいことがある。例えば、本実施形態では、導体パッド１１１の表面１１１ａにおける貫通孔３の幅（ボトム幅Ｗｂ）と、絶縁層２１の上面２１ａにおける貫通孔３の幅（トップ幅Ｗｔ）との差は、トップ幅Ｗｔに対して２０％以下であり得る。この場合ボトム幅Ｗｂはトップ幅Ｗｔよりも小さい。ボトム幅Ｗｂとトップ幅Ｗｔとの差は、トップ幅Ｗｔに対して５％以下であってもよい。なお、貫通孔３及びビア導体４それぞれの「幅」は、貫通孔３及びビア導体４それぞれのＺ方向と直交する断面又は端面の外周上の最も離れた２点間の距離である。

【0025】

前述したように、貫通孔３は、例えばレーザー加工によって図１などの例のようなテーパー形状を有するように形成され得るが、貫通孔３の形成後の任意の処理や後加工によってその形状を調整し得ることがある。例えば、レーザー加工後の貫通孔３内の樹脂の残渣（スミア）を除去する所謂デスミア処理が、過マンガン酸塩溶液などの薬液への浸漬を含むウェット処理で行われると、貫通孔３に露出する壁面全体が一様に処理されるため、レーザー加工後の形状がそのまま残り易い。しかし、例えば、後述するような四フッ化メタンなどのプラズマガスに貫通孔３を晒すドライ処理でデスミア処理を行うことによって、貫通孔３のテーパー角を小さくし得ることがある。

【0026】

例えば、レーザー加工によるテーパー形状を有する貫通孔３にプラズマガスが金属箔１２ａ側から吹き付けられると、導体パッド１１１側の貫通孔３の壁際には、金属箔１２ａ側の壁の近傍に吹き付けられたガスが集束する。そのため、金属箔２ａ側の壁際よりもガスによる反応が多く生じ得る。そのため、その多くの反応によって導体パッド１１１側で貫通孔３に露出する樹脂が、金属箔１２ａ側で貫通孔３に露出する樹脂よりも多く除去され、その結果、デスミア処理前よりもテーパー角を減少させた貫通孔３が得られることがある。貫通孔３及びビア導体４のテーパー角が比較的小さいと、第１金属膜１２ｂ及び第２金属膜１２ｃによる貫通孔３の良好な充填性が得られてビア導体４内にボイドが生じ難いと考えられる。また、小さいテーパー角のためにビア導体４と導体パッド１１１との接触面積が大きく、そのため、ビア導体４と導体パッド１１１との密着強度が高いと考えられる。

【0027】

また図１～図３の例において、導体パッド１１１の表面１１１ａのうちの貫通孔３内の部分は、表面１１１ａのうちの絶縁層２１に覆われている部分と略面一である。すなわち、導体パッド１１１の表面１１１ａのうちのビア導体４と接する部分は、その周囲の部分との間に段差を有さず、しかも、上側又は下側に湾曲もしていない。図１などの例において導体パッド１１１は、ビア導体４側の表面として略平坦な面である表面１１１ａを有している。表面１１１ａが略平坦なので、ビア導体４の形成時にビア導体４と導体パッド１１１との間でボイドなどが生じ難く、ビア導体４と導体パッド１１１とが良好に密着すると考えられる。

【0028】

さらに図２の例のビア導体４は、導体パッド１１１と向かい合う底面の全面において導体パッド１１１に接している。すなわち貫通孔３の内部に露出する導体パッド１１１の表面１１１ａとビア導体４との間には異物は介在していない。例えば絶縁層２１から派生した樹脂の残渣が、導体パッド１１１とビア導体４との間に存在していない。そのため、導体パッド１１１とビア導体４との間に高い密着性が得られていて両者の間での剥離が生じ難いと考えられる。例えば、後述されるように、貫通孔３の形成後、前述したドライ処理又はウェット処理による所謂デスミア処理などを行うことによって、樹脂残渣の無い導体パッド１１１の表面１１１ａが得られる。そして、導体パッド１１１と良好に密着するビア導体４を形成することができる。

【0029】

しかし、本実施形態の配線基板においても、導体パッド１１１の表面１１１ａとビア導体４との間に異物が介在していることがある。例えば、導体パッド１１１の表面１１１ａ上に僅かに樹脂の残渣が存在していることがある。図３は、そのように導体パッド１１１の表面１１１ａ上に樹脂残渣Ｓが存在する、図１のII部の他の例を拡大して示している。図４には、図３の例のように樹脂残渣Ｓが存在する導体パッド１１１の表面１１１ａの平面図が、貫通孔３と共に示されている。なお、図４はビア導体４が形成される直前の状態を示している。図４において、符号Ｅ１が付された円形状の輪郭は、貫通孔３における導体パッド１１１側の開口の外縁を示し、符号Ｅ２が付された円形状の輪郭は貫通孔３における金属箔１２ａ側の開口の外縁を示している。

【0030】

図３及び図４に示されるように、これらの例では、貫通孔３の内部に露出する導体パッド１１１の表面１１１ａ上には、樹脂残渣Ｓが存在している。樹脂残渣Ｓは、例えば、レーザー加工による貫通孔３の形成時に絶縁層２１から派生し、その後のデスミア処理で除去されずに導体パッド１１１上に残った樹脂屑である。しかし、本実施形態では、デスミア処理が行われているため、ビア導体４の形成の直前まで導体パッド１１１上に残存する樹脂残渣Ｓのような異物は極めて少ない。本実施形態では、表面１１１ａに存在する樹脂が平面視において貫通孔３内の表面１１１ａに対して占める比率（Ｒ）は、面積比（貫通孔３内の表面１１１ａの面積に対する、１又は複数の樹脂残渣Ｓの平面視での総面積の比率）で５％以下である。比率Ｒは０％～５％までの任意の比率であり得る。

【0031】

このように、本実施形態では、導体パッド１１１の表面１１１ａ上に樹脂残渣Ｓのような樹脂が全く存在しないか、樹脂残渣Ｓが存在する場合でもその数が少ない又はその大きさが極めて小さい。樹脂残渣Ｓのような異物が極めて少ない導体パッド１１１の表面１１１ａ上に、ビア導体４が形成されている。従って、導体パッド１１１とビア導体４とが強固に密着し、そのため両者の間での剥離が生じ難いと考えられる。

【0032】

図２～図４に示されるように、実施形態の配線基板では、平面視で貫通孔３の周囲において貫通孔３に露出する壁面を起点として金属箔１２ａと絶縁層２１とが離間して剥離部Ｐが生じていることがある。このような剥離は、貫通孔３の形成のためのレーザー加工時の金属箔１２ａへのレーザー光の照射による熱的又は機械的衝撃で生じることがある。このような剥離は、さらに、前述したデスミア処理によって生じたり、デスミア処理によってさらに拡大したりすることがある。しかし、実施形態の配線基板において貫通孔３の周囲で金属箔１２ａと絶縁層２１とが剥離している部分の長さＬは１０μｍ以下である。なお、長さＬは、図２及び図４に示されるように、平面視における貫通孔３の周囲での金属箔１２ａと絶縁層２１との剥離部Ｐの長さであり、貫通孔３の中心軸から貫通孔３の外側へと向かう方向における剥離部Ｐの長さである。

【0033】

図５には、剥離部Ｐを含む図２のＶ部の拡大図が示されている。また、図６には、実施形態の配線基板に対する比較例として、従来の配線基板であるが実施形態の配線基板と同程度にビア導体と導体パッドとの間の樹脂残渣が少ない配線基板における、図５に相当する部分の断面図が示されている。図５に示されるように、実施形態の配線基板では、貫通孔３の周囲における金属箔１２ａと絶縁層２１との剥離部Ｐの長さＬは、樹脂残渣が実施形態の配線基板と同程度に少ない図６の従来の配線基板における同等の箇所の剥離部Ｐ１の長さＬ１と比べて短い。前述したように、本実施形態では、貫通孔３の周囲における金属箔１２ａと絶縁層２１との剥離部Ｐの長さＬは、最長でも１０μｍであり、０μｍであってもよい。すなわち金属箔１２ａと絶縁層２１とが貫通孔３の周囲で剥がれていないこともある。本実施形態では、このように、金属箔１２ａと絶縁層２１との剥離部Ｐの長さＬが短いので、導体層１２と絶縁層２１との間で、より広範に広がる剥離が生じ難く、導体層と絶縁層との間の層間剥離に関する信頼性が高いと考えらえる。

【0034】

前述したように、デスミア処理を行うことによって貫通孔３内の樹脂残渣を除去して貫通孔３内に露出する導体パッド１１１（図２参照）上の異物を少なくすることができる。しかしデスミア処理では、デスミア処理に用いられる薬液が、貫通孔に露出する金属箔と絶縁層との界面から浸透してその界面付近の絶縁層の樹脂を溶解させることがある。その結果、金属箔と絶縁層との間に、貫通孔の壁面から、より遠い箇所にまで渡る、図６の比較例の剥離部Ｐ１のような深い剥離が生じることがある。

【0035】

しかし、例えば、前述したプラズマガスを用いるようなドライ処理でデスミア処理を行うことによって、金属箔１２ａと絶縁層２１との剥離を抑制し得ることがある。すなわち、ドライ処理の場合、金属箔１２ａと絶縁層２１との界面に浸透するような薬液は用いられないので、この界面付近の樹脂は溶解し難い。レーザー加工時の衝撃によって金属箔１２ａと絶縁層２１との間に既に剥離が生じていても、その剥離部に露出する絶縁層２１の樹脂がプラズマガスと反応して除去される程度であり、深い剥離部は発生し難い。そのため、深い剥離部の発生を従来に比べて抑制し得ることがある。

【0036】

さらに、本実施形態では、図５に示されるように、剥離部Ｐ、すなわち、金属箔１２ａにおける絶縁層２１から剥離している部分と絶縁層２１との間が、ビア導体４によって充填されている。ビア導体４の一部が、剥離部Ｐにまで入り込んでいる。そのため、ビア導体４と絶縁層２１との密着性がさらに高められており、両者の間の剥離が一層生じ難いと考えられる。なお、図５の例では、剥離部Ｐは、ビア導体４を構成する第１金属膜１２ｂによって充填されているが、剥離部Ｐは、第１金属膜１２ｂと第２金属膜１２ｃとによって充填されていてもよい。

【0037】

一方、図６に示される比較例では、金属箔１２０ａと絶縁層２１０との剥離部Ｐ１が貫通孔３００に露出する壁面から深くにまで及んでいるため、金属箔１２０ａと絶縁層２１０との間が金属膜１２０ｂで十分に充填されず、両者の間にボイドＢが生じている。ボイドＢは、温度変化による膨張や収縮などによって金属箔１２０ａと絶縁層２１０との新たな剥離を生じさせることがある。本実施形態では、前述したように剥離部Ｐが比較的小さいので、比較例のボイドＢのような空乏部が金属箔１２ａと絶縁層２１との間に生じ難く、前述したように両者の間の層間剥離に関する信頼性が高いと考えられる。

【0038】

このように本実施形態では、図２～図４に示されるように、導体パッド１１１上の樹脂が、貫通孔３内に露出する導体パッド１１１の表面１１１ａの面積比で５％以下と極めて少ない。しかも貫通孔３の周囲における金属箔１２ａと絶縁層２１との剥離部分は比較的小さく、その長さＬは１０μｍ以下である。従って本実施形態によれば、ビア導体の絶縁層からの剥離が生じ難く、しかも絶縁層からの導体層の大きな剥離も生じ難い、信頼性の高い配線基板が得られると考えられる。

【0039】

図５に示される配線基板１００では、貫通孔３に面している金属箔１２ａの断面１２ａｂと、貫通孔３に面している絶縁層２１の断面２１ｂとは、同一面上に位置している。貫通孔３の金属箔１２ａ側の開口部において、金属箔１２ａは絶縁層２１よりも貫通孔３の内部に向かって突出していない。そのため、貫通孔３内が、第１金属膜１２ｂ及び第２金属膜１２ｃによって充填され易く、貫通孔３の内部にボイドが生じ難いと考えられる。このように実施形態の配線基板では、それぞれ貫通孔３に面している金属箔１２ａの断面１２ａｂと絶縁層２１の断面２１ｂとは、少なくとも略面一であり得る。なお、「貫通孔３に面している絶縁層２１の断面２１ｂ」は、絶縁層２１における剥離部Ｐ以外の貫通孔３に面する断面である。また、図５の例では、断面２１ｂは、細かな凹凸を有している。この場合、「金属箔１２ａの断面１２ａｂと絶縁層２１の断面２１ｂとが同一面上に位置している」又は両者が「略面一である」は、断面２１ｂの凹凸の平均線を含む仮想の面が、断面１２ａｂと同一面上に位置している、又は略面一であることを意味している。実施形態の説明において凹凸の「平均線」は、その凹凸によって示される曲線について最小二乗法による１次の近似式で示される直線である。

【0040】

また、図５に示されるように、絶縁層２１の上面２１ａは凹凸を有している。このような凹凸によって金属箔１２ａとの間で所謂アンカー効果が得られ、絶縁層２１と導体層１２との強固な密着性が確保される。さらに図５の例では、絶縁層２１の上面２１ａのうちの剥離部Ｐにおいて金属箔１２ａから離間している部分の面粗度は、上面２１ａのうちの金属箔１２ａと接合している部分の面粗度よりも低い。例えば貫通孔３の形成時に金属箔１２ａと離間した絶縁層２１の上面２１ａを、デスミア処理に晒してその凸部を溶解させたり丸めたりすることによって、上面２１ａの離間部分の面粗度を金属箔１２ａと接合されたままの部分よりも低下させ得ることがある。また、デスミア処理自体で金属箔１２ａから剥離した部分も、そのデスミア処理で面粗度を低下させ得ることがある。図５の例では、絶縁層２１の上面２１ａのうちの金属箔１２ａから離間している部分の面粗度が他の部分よりも低いので、例えばめっきによる第１及び第２の金属膜１２ｂ、１２ｃの形成時に、剥離部Ｐにめっき液などが回り込み易いと考えられる。従って、剥離部Ｐがビア導体４によって充填され易いと考えられる。

【0041】

さらに、図５の例では、金属箔１２ａにおける絶縁層２１側の表面である下面１２ａｃと、絶縁層２１の上面２１ａのうちの金属箔１２ａと離間している部分との間の角度θは、図６の比較例における相当箇所の角度θ１よりも大きい。例えば、本実施形態において角度θは、３０°以上であってもよい。角度θが比較的大きいと、例えばめっきによる第１及び第２の金属膜１２ｂ、１２ｃの形成時に、剥離部Ｐにめっき液などが回り込み易いと考えられる。従って、剥離部Ｐがビア導体４によって充填され易いと考えられる。なお、角度θは、金属箔１２ａの下面１２ａｃと、貫通孔３に面している絶縁層２１の断面２１ｂとの間の角度以下である。図５の例では、金属箔１２ａの下面１２ａｃ、及び絶縁層２１の上面２１ａのうちの金属箔１２ａと離間している部分は、いずれも細かな凹凸を有している。この場合、角度θは、下面１２ａｃの凹凸の平均線を含む仮想の面と、上面２１ａのうちの金属箔１２ａと離間している部分の凹凸の平均線を含む仮想の面とがなす角度である。

【0042】

図７Ａ～図７Ｊを参照して、図１に示される配線基板１００が製造される場合を例に、実施形態の配線基板を製造する方法が説明される。先ず、図７Ａに示されるように、コア基板１が用意され、コア基板１その厚さ方向と直交する一方の表面上に絶縁層２１及び金属箔１２ａが積層される。コア基板１の他方の表面上には絶縁層２３及び金属箔１５ａが積層される。

【0043】

コア基板１の用意では、例えば、絶縁層２の両面に、金属箔層１１ａとなる金属箔が積層された両面銅張積層板が用意される。その金属箔と共に絶縁層２を貫く貫通孔１０ｂがレーザー加工やドリル加工によって形成される。無電解めっき又はスパッタリング、及び電解めっきなどによって、貫通孔１０ｂの内部、及び絶縁層２の両面の金属箔上に、第１めっき膜層１１ｂとなるめっき膜が形成される。貫通孔１０ｂ内には、このめっき膜からなる筒状のスルーホール導体１０が形成される。筒状のスルーホール導体１０の内部は、エポキシ樹脂などを注入することによって充填体１０ａで充填される。さらに、絶縁層２の両面上のめっき膜の全面及び充填体１０ａの両側の端面の全面に、第２めっき膜層１１ｃとなるめっき膜が、無電解めっき又はスパッタリング、及び電解めっきなどで形成される。そして、適切な開口を有するエッチングマスク（図示せず）を用いたエッチングによって、絶縁層２の両面の金属箔及びめっき膜の所定の部分が除去される。その結果、導体パッド１１１や導体パッド１４１のような所望の導体パターンをそれぞれが含む導体層１１及び導体層１４を備えたコア基板１が用意される。

【0044】

絶縁層２１及び絶縁層２３は、それぞれ、例えば、シート状又はフィルム状に成形された絶縁性樹脂を熱圧着することによって形成される。その熱圧着の際に、絶縁層２１を形成する絶縁性樹脂の上には金属箔１２ａが積層され、絶縁層２３を形成する絶縁性樹脂の上には金属箔１５ａが積層され、絶縁性樹脂と共に熱圧着される。例えば、図７Ａの例のように、ガラス繊維やアラミド繊維などで構成される補強材（芯材）２０に含侵されたエポキシ樹脂やＢＴ樹脂などの絶縁性樹脂を含むプリプレグが、絶縁層２１及び絶縁層２３を形成する絶縁性樹脂として用いられる。金属箔１２ａ及び金属箔１５ａは、例えば銅箔やニッケル箔などの適切な導電性を有する任意の金属箔であり得る。

【0045】

金属箔１２ａ、１５ａの積層後、図７Ｂに示されるように、金属箔１２ａ及び金属箔１５ａそれぞれの上に、後工程で用いられるレーザー光の吸収性を高める被膜Ｆが形成されてもよい。例えば黒色の被膜Ｆを形成することによって、金属箔１２ａ、１５ａ上でのレーザー光の吸収性を高めることができる。被膜Ｆは、例えば、銅箔などであり得る金属箔１２ａ、１５ａの表面を強アルカリ性酸化溶液に晒して酸化させることによって形成される酸化膜であり得る。酸化処理によって金属箔１２ａなどの表面に針状結晶が形成され、黒色を呈する被膜Ｆが形成され得る。

【0046】

図７Ｃに示されるように、絶縁層２１に、金属箔１２ａ及び被膜Ｆと共に絶縁層２１を貫く貫通孔３が形成される。貫通孔３はビア導体４（図１参照）の形成位置に形成される。貫通孔３は、例えば炭酸ガスレーザー光やＹＡＧレーザー光を被膜Ｆに覆われた金属箔１２ａの表面上に照射することによって形成される。被膜Ｆが形成されているので、貫通孔３が効率良く形成される。貫通孔３は、レーザー光の照射条件の調整などによって、図７Ｃに示されるような、コア基板１に向かって先細るテーパー形状を有するように形成されてもよく、軸方向全体に渡って略同じ幅を有するように形成されてもよい。なお、絶縁層２３には、ビア導体４０ｂ（図１参照）の形成位置に、貫通孔３の形成方法と同様の方法で貫通孔３１が形成される。

【0047】

図７Ｄには、貫通孔３の形成後の図７ＣのVIIＤ部の拡大図が示されている。なお、以下で参照される図７Ｅ～図７Ｈにも、図７ＣのVIIＤ部における各工程後の状態が拡大して示されている。図７Ｄに示されるように、貫通孔３の形成後、貫通孔３の内部には、主に絶縁層２１から派生した樹脂屑である樹脂残渣Ｓが残存していることがある。図７Ｄの例では、樹脂残渣Ｓは、導体パッド１１１の表面１１１ａ上に付着している。また、図７Ｄに示されるように貫通孔３の形成後、貫通孔３の壁面に絶縁層２１に含まれている例えばシリカやアルミナなどの無機フィラー２１ｄが露出していることがある。なお、図７Ｄの例では、金属箔１２ａと絶縁層２１との間に剥離は生じていないが、貫通孔３の形成時のレーザー加工による熱的及び又は機械的衝撃によって、両者の間に僅かな剥離が生じることもある。

【0048】

図７Ｅに示されるように、図７Ｄの状態で導体パッド１１１の表面１１１ａ上に残存していた樹脂残渣Ｓが除去される。所謂デスミア処理が行われる。例えば、アルカリ性過マンガン酸塩を含む溶液中に製造途上の配線基板が浸漬されるウェット処理によって、樹脂残渣が除去される。また、樹脂残渣は、酸素、窒素、アルゴン、四フッ化メタン、四フッ化メタンと酸素との混合気、又は、六フッ化硫黄などのプラズマガスに貫通孔３を晒すプラズマ処理のようなドライ処理によって除去されてもよい。図７Ｅの例では、図７Ｄの状態で導体パッド１１１上に残存していた樹脂残渣Ｓが全て除去されているが、導体パッド１１１上の樹脂残渣がデスミア処理で完全には除去されずに残ることもある。しかしデスミア処理のような樹脂残渣の除去工程を行うことによって殆ど全ての樹脂残渣を除去することができる。実施形態の配線基板が製造される場合は、導体パッド１１１の表面１１１ａに存在する樹脂が平面視において貫通孔３内の表面１１１ａに対して占める比率が面積比で５％以下となるようにデスミア処理が行われる。

【0049】

このように、所謂デスミア処理のような樹脂残渣の除去工程を行うことによって清浄な導体パッド１１１の表面１１１ａを得ることができる。しかし、デスミア処理では、金属箔１２ａとの界面付近の絶縁層２１の樹脂が除去されて、図７Ｅに示されるように金属箔１２ａと絶縁層２１との剥離部Ｐが生じることがある。このようなデスミア処理による剥離部Ｐの発生は、前述したように溶液を用いるウェット処理において顕著なことがある。しかし、プラズマ処理のようなドライ処理でデスミア処理を行うことによって、剥離部Ｐの発生領域を小さくし得ることがある。ドライ処理では、金属箔１２ａと絶縁層２１との界面への樹脂を溶解させる溶液の浸透が無いので、貫通孔の壁面から外側において広範に及ぶ剥離部Ｐが発生し難いと考えられる。実施形態の配線基板の製造においては、貫通孔３の周囲での剥離部Ｐの長さが、貫通孔３の中心軸から外側へと向かう方向において１０μｍ以下に留まるように、例えばプラズマ処理によって、デスミア処理が行われる。

【0050】

また、ドライ処理でデスミア処理を行うことによって、前述したように貫通孔３の導体パッド１１１側の幅を広げて、ビア導体４（図１参照）と導体パッド１１１との密着強度を高め得ることがある。また、ドライ処理でデスミア処理を行うことによって、前述したように、金属箔１２ａの下面１２ａｃと、絶縁層２１の上面２１ａのうちの金属箔１２ａと離間している部分との間の角度θを大きくし得ることがある。例えば角度θが３０°以上となるように、デスミア処理におけるプラズマガスの密度や、温度、処理時間などが調整され得る。また、ドライ処理又はウェット処理を問わずデスミア処理を行うことによって、絶縁層２１の上面２１ａのうちの金属箔１２ａから離間している部分の面粗度を、上面２１ａのうちの金属箔１２ａと接合している部分の面粗度よりも低下させ得ることがある。すなわち、上面２１ａのうちの金属箔１２と離間して露出している部分をデスミア処理の溶液やガスに晒すことによって、例えばその部分の凹凸の凸部の高さを低くし得ることがある。その結果、前述したように、剥離部Ｐの充填性を高め得ることがある。伝送損失を抑制できることもある。

【0051】

その後、金属箔１２ａを覆っている被膜Ｆが除去される。図７Ｆに示されるように金属箔１２ａ自体の表面が露出する。被膜Ｆを除去することで、後工程で金属箔１２ａ上に金属箔１２Ｆとの密着性の良好なめっき膜を形成することができる。被膜Ｆは、例えば酸処理によって除去される。例えば、硫酸などに製造途上の配線基板を浸漬することによって、被膜Ｆが除去される。

【0052】

図７Ｇに示されるように、図７Ｆの状態で貫通孔３内に露出していた無機フィラー２１ｄが除去される。無機フィラーの２１ｄ除去は任意の方法で行われる。例えば超音波洗浄によって無機フィラーが除去される。例えば、純水が満たされた洗浄槽に製造途上の配線基板が投入され、洗浄槽に適切な振幅及び周波数の超音波が印加される。純水の超音波振動によって、無機フィラー２１ｄが貫通孔３の壁面から離脱して除去される。無機フィラー２１ｄを除去することによって、後工程で貫通孔３の壁面に、浮きやピンホールなどの欠陥の少ない金属膜を形成することができる。

【0053】

なお、実施形態の配線基板の製造では、貫通孔３の形成と、その後のビア導体４（図７Ｉ参照）の形成との間に、導体パッド１１１の表面１１１ａ上に意図せず生成された酸化膜を除去する処理が行われなくてもよい。導体パッド１１１の表面１１１ａ上に酸化膜があると、ビア導体４の形成に支障が生じ得るため、ビア導体４の形成の前に例えばソフトエッチングでこの酸化膜が除去される。しかし、前述したように、酸処理などによって被膜Ｆの除去が行われていると、導体パッド１１１上の酸化膜も被膜Ｆと共に除去されるので、ソフトエッチングのような意図せず生じた酸化膜の除去処理が不要なことがある。ソフトエッチングが行われない場合、導体パッド１１１の表面１１１ａのうちの貫通孔３内の部分がエッチングされないので、表面１１１ａのうちの貫通孔３内の部分と絶縁層２１に覆われている部分とを略面一のまま維持し得ることがある。

【0054】

図７Ｈに示されるように、貫通孔３の壁面及び金属箔１２ａの表面の全面に、例えば銅やニッケルなどからなる第１金属膜１２ｂが形成される。第１金属膜１２ｂは、無電解めっき又はスパッタリングなどの任意の方法で形成され得る。図７Ｈの例では、金属箔１２ａにおける絶縁層２１と剥離している部分と絶縁層２１との間が第１金属膜１２ｂで充填されている。このように実施形態の配線基板の製造においては、金属箔１２ａと絶縁層２１との剥離部Ｐが、第１金属膜１２ｂ、又は、第１金属膜１２ｂ及び後工程で形成される第２金属膜１２ｃ（図７Ｊ参照）によって充填される。

【0055】

図７Ｉに示されるように、導体層１２及び導体層１５が形成される。なお、絶縁層２３を貫く貫通孔３１の壁面、及び金属箔１５ａ上には、第１金属膜１２ｂと同様の方法で金属膜１５ｂが形成されている。導体層１２及び導体層１５は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法などの任意の導体層の形成方法によって形成される。例えば、セミアディティブ法が用いられる場合、第１金属膜１２ｂ上に、導体層１２に含まれるべき導体パターンに応じた開口を有するめっきレジスト（図示せず）が設けられる。その開口内に、第１金属膜１２ｂを給電層として用いる電解めっきによって、銅やニッケルなどの適切な金属からなる第２金属膜１２ｃが形成される。貫通孔３が第２金属膜１２ｃで充填されて、貫通孔３内にビア導体４が形成される。その後、図示されないめっきレジストが除去され、さらに、金属箔１２ａ及び第１金属膜１２ｂのうちの第２金属膜１２ｃに覆われていない部分がクイックエッチングなどによって除去される。その結果、所望の導体パターンを含む導体層１２が形成される。第２金属膜１２ｃの形成方法と同様の方法で金属膜１５ｂ上に金属膜１５ｃを形成することによって、導体層１５及びビア導体４０ｂが形成される。

【0056】

サブトラクティブ法が用いられる場合は、第１金属膜１２ｂ及び金属膜１５ｂそれぞれの全面に電解めっきによって第２金属膜１２ｃ及び金属膜１５ｃが形成される。その後、各金属膜並びに金属箔１２ａ及び金属箔１５ａそれぞれの所定部分を除去することによって、導体層１２、導体層１５、ビア導体４、及びビア導体４０ｂが形成される。

【0057】

図７Ｊに示されるように、絶縁層２１及び導体層１２上に、絶縁層２２、導体層１３及びビア導体４０ａが形成され、絶縁層２３及び導体層１５上に、絶縁層２４、導体層１６及びビア導体４０ｂが形成される。絶縁層２２及び絶縁層２４は、絶縁層２１などの形成方法と同様に、例えば、フィルム状に成形された絶縁性樹脂を熱圧着することによって形成される。図７Ｊでは、絶縁層２１などが含む補強材２０のような補強材を含まない絶縁層２２及び絶縁層２４が形成されている。導体層１３、導体層１６、ビア導体４０ａ、及びビア導体４０ｂは、前述された導体層１２及びビア導体４の形成方法と同様の方法、例えばセミアディティブ法によって形成される。図７Ｊの例では、例えば無電解めっき膜と電解めっきとによって構成される２層構造の導体層１３及び導体層１６が形成されている。

【0058】

さらに、絶縁層２２及び導体層１３の上にソルダーレジスト層５１が形成され、絶縁層２４及び導体層１６の上にソルダーレジスト層５２が形成される。ソルダーレジスト層５１には、導体層１３の一部を露出させる開口５１ａが形成され、ソルダーレジスト層５２には、導体層１６の一部を露出させる開口５２ａが形成されている。ソルダーレジスト層５１及びソルダーレジスト層５２は、例えば、感光性を有するエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などを含む樹脂膜を、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又は積層などの方法で成膜することによって形成される。そして、開口５１ａ、５２ａの形成位置に応じた適切なパターンを有する露光マスクを用いる露光、及び現像によって、開口５１ａ、５２ａが形成される。以上の工程を経ることによって、図１の例の配線基板１００が完成する。

【0059】

なお、図１の配線基板１００の導体層１２及びビア導体４を例に実施形態の配線基板の特徴が説明されたが、実施形態の配線基板は、導体層１２及びビア導体４のような導体層及びビア導体を、その積層構造の任意の階層、及び特定の階層の任意の位置に有し得る。すなわち、実施形態の配線基板は、金属箔１２ａについて前述された程度に小さく下側の絶縁層と剥離している金属箔を含む導体層を任意の数で任意の階層に有し得る。また、実施形態の配線基板は、そのような金属箔を含む導体層と一体的に形成されて下側の導体パッドとの間に樹脂残渣を挟んでいないかビア導体４について前述された程度に僅かに挟んでいるビア導体を、任意の数で任意の位置に有し得る。

【0060】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述されたように、実施形態の配線基板は、絶縁層を挟む２以上の任意の数の導体層を有し得る。また、実施形態の配線基板は、コア基板１のようなコア基板を含んでいなくてもよい。すなわち図１の例の導体層１１は、ビルドアップ層内の絶縁層上に形成されていてもよい。図１の例のビア導体４や貫通孔３は、導体パッド１１１に向かって先細りする形状でなくてもよい。また、実施形態の配線基板を製造する方法は、図７Ａ～図７Ｊを参照して説明された方法に限定されない。実施形態の配線基板は、貫通孔のデスミア処理の方法を含め、実施形態の配線基板について説明された、構造、樹脂残渣の残存の程度、及び金属箔と絶縁層との剥離の程度などの実現が可能な任意の方法で製造され得る。

【符号の説明】

【0061】

１００ 配線基板
１１ 導体層（第１導体層）
１１１ 導体パッド
１１１ａ 導体パッドのビア導体側の表面
１２ 導体層（第２導体層）
１２ａ 金属箔
１２ａｂ 貫通孔に面する金属箔の断面
１２ａｃ 金属箔の下面
１３～１６ 導体層
２１～２４ 樹脂絶縁層（絶縁層）
２１ａ 絶縁層の上面
２１ｂ 貫通孔に面する絶縁層の断面
３、３０、３１ 貫通孔
４、４０ａ、４０ｂ ビア導体
Ｌ 金属箔と樹脂絶縁層とが剥離している部分の長さ
Ｐ 剥離部
θ 金属箔の下面と絶縁層の上面のうちの金属箔と離間している部分との間の角度
Ｗｂ 貫通孔のボトム幅
Ｗｔ 貫通孔のトップ幅

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図7F】

【図7G】

【図7H】

【図7I】

【図7J】