特開 2023-170486 電子機器及び表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023170486

(43)【公開日】2023-12-01

(54)【発明の名称】電子機器及び表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20231124BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20231124BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20231124BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20231124BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20231124BHJP

   G09F 9/302 20060101ALI20231124BHJP

   H05B 33/02 20060101ALI20231124BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 338

G09F9/30 365

G09F9/00 324

H05B33/14 A

H01L27/32

H05B33/12 B

G09F9/302 Z

G09F9/30 308Z

H05B33/02

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022082286

(22)【出願日】2022-05-19

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】仲戸川 博人

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC33

3K107EE06

3K107EE07

3K107EE68

3K107FF15

5C094AA02

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA20

5C094EB10

5C094HA08

5G435AA01

5G435BB05

5G435CC09

5G435DD10

5G435EE12

5G435LL07

(57)【要約】

【課題】撮像素子と重畳する領域における表示品位の低下を抑制することが可能な電子機器及び表示装置を提供することにある。
【解決手段】実施形態に係る電子機器は、第１色を発光する第１発光素子を有する第１画素、第２色を発光する第２発光素子を有する第２画素及び第３色を発光する第３発光素子を有する第３画素が配置された表示パネルと、表示パネルを介して受光する撮像素子とを具備する。撮像素子と平面視において重畳する第１～第３画素のうちの少なくとも１つは、撮像素子と平面視において重畳しない第１～第３画素とは異なる間隔で配置される。
【選択図】図９

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１色を発光する第１発光素子を有する第１画素、第２色を発光する第２発光素子を有する第２画素及び第３色を発光する第３発光素子を有する第３画素が配置された表示パネルと、
前記表示パネルを介して受光する撮像素子と
を具備し、
前記撮像素子と平面視において重畳する前記第１～第３画素のうちの少なくとも１つは、前記撮像素子と平面視において重畳しない前記第１～第３画素とは異なる間隔で配置される
電子機器。

【請求項2】

前記撮像素子と平面視において重畳しない前記第１～第３画素は、当該第１～第３画素の順に第１方向に隣接するように並べて配置されており、
前記撮像素子と平面視において重畳する前記第１～第３画素は、少なくとも１つの画素分の間隔を空けて第１方向に並べて配置される請求項１記載の電子機器。

【請求項3】

前記撮像素子と平面視において重畳する前記第１～第３画素は、前記撮像素子と平面視において重畳しない前記第１～第３画素と同じ順に並べて配置される請求項２記載の電子機器。

【請求項4】

前記撮像素子と平面視において重畳する前記第１～第３画素は、前記撮像素子と平面視において重畳しない前記第１～第３画素とは異なる順に並べて配置される請求項２記載の電子機器。

【請求項5】

前記撮像素子と平面視において重畳する前記第１～第３画素のうちの少なくとも１つの画素の前記第１方向と交差する第２方向の位置は、前記第１～第３画素のうちの他の画素と異なっている請求項２～４のいずれか一項に記載の電子機器。

【請求項6】

前記撮像素子と平面視において重畳する前記第１～第３画素のうちの少なくとも１つの画素が平面視において占める領域のサイズは、前記第１～第３画素のうちの他の画素が平面視において占める領域のサイズよりも小さい請求項１記載の電子機器。

【請求項7】

前記撮像素子と平面視において重畳しない前記第１～第３画素は、前記第１及び第２画素が第２方向において隣接し、前記第１及び第３画素が前記第２方向と交差する第１方向において隣接し、前記第２及び第３画素が前記第１方向において隣接するように配置されており、
前記撮像素子と平面視において重畳する前記第１～第３画素は、少なくとも前記第１及び第２画素、前記第１及び第３画素、または前記第２及び第３画素が隣接しないように配置されている
請求項１記載の電子機器。

【請求項8】

前記撮像素子と平面視において重畳しない前記第１～第３画素は、当該第１～第３画素の順に第１方向に隣接するように並べて配置されており、前記第１～第３画素のうちの少なくとも１つの画素の前記第１方向と交差する第２方向の位置は、前記第１～第３画素のうちの他の画素と異なっている請求項１記載の電子機器。

【請求項9】

第１色を発光する第１発光素子を有する第１画素、第２色を発光する第２発光素子を有する第２画素及び第３色を発光する第３発光素子を有する第３画素が配置された表示パネルと、
前記表示パネルを駆動する駆動回路と
を具備し、
前記表示パネルを介して受光する撮像素子と平面視において重畳する前記第１～第３画素のうちの少なくとも１つは、前記撮像素子と平面視において重畳しない前記第１～第３画素とは異なる間隔で配置される
表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、電子機器及び表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年では、表示装置及びカメラを同一面側に備えたスマートフォン等の電子機器が広く実用化されている。また、このような電子機器に備えられる表示装置としては、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）素子を有する表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と表記）が採用される場合がある。

【0003】

上記した電子機器においては、有機ＥＬ表示装置（表示領域）の背面にカメラを配置し、当該カメラが有する撮像素子が有機ＥＬ表示装置を介して受光するように構成することによって、当該カメラと重畳する領域まで表示領域を拡大することができる。

【0004】

ところで、有機ＥＬ表示装置においては各画素が有する有機ＥＬ素子を発光させることによって表示領域に各種画像を表示することができるが、上記したカメラ（撮像素子）と重畳する表示領域においては、表示品位が低下する場合がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】米国特許出願公開第２０２１／００１３２７２号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

そこで、本発明が解決しようとする課題は、撮像素子と重畳する領域における表示品位の低下を抑制することが可能な電子機器及び表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

実施形態に係る電子機器は、第１色を発光する第１発光素子を有する第１画素、第２色を発光する第２発光素子を有する第２画素及び第３色を発光する第３発光素子を有する第３画素が配置された表示パネルと、前記表示パネルを介して受光する撮像素子とを具備する。前記撮像素子と平面視において重畳する前記第１～第３画素のうちの少なくとも１つは、前記撮像素子と平面視において重畳しない前記第１～第３画素とは異なる間隔で配置される。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係る表示装置の構成を概略的に示す斜視図。

【図2】表示装置が組み込まれた電子機器の一部を示す平面図。

【図3】表示パネルの回路構成の一例を示す図。

【図4】画素に含まれる副画素の回路構成の一例を示す図。

【図5】カメラと重畳しない位置に配置される画素部分の表示パネルの断面の一例を示す図。

【図6】非重畳領域に配置される画素を模式的に示す図。

【図7】本実施形態の比較例において重畳領域に配置される画素を模式的に示す図。

【図8】本実施形態の第１構成における副画素の配置の一例を模式的に示す図。

【図9】本実施形態の第２構成における副画素の配置の一例を模式的に示す図。

【図10】本実施形態における副画素の配置の他の例を模式的に示す図。

【図11】本実施形態の第１構成における副画素の配置の他の例を模式的に示す図。

【図12】本実施形態の第２構成における副画素の配置の他の例を模式的に示す図。

【図13】重畳領域に形成される副画素の発光部を分割する構成の一例を模式的に示す図。

【図14】本実施形態の第２構成における副画素の配置の更に別の例を模式的に示す図。

【図15】本実施形態の第２構成における副画素の配置の更に別の例を模式的に示す図。

【図16】第２実施形態における非重畳領域に配置される画素を模式的に示す図。

【図17】本実施形態の比較例において重畳領域に配置される画素を模式的に示す図。

【図18】本実施形態における副画素の配置の一例を模式的に示す図。

【図19】本実施形態における副画素の配置の他の例を模式的に示す図。

【図20】本実施形態における副画素の配置の更に別の例を模式的に示す図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して、各実施形態について説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実施の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には、同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0010】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る表示装置１の構成を概略的に示す斜視図である。図１は、方向Ｘと、方向Ｘに垂直な方向Ｙと、方向Ｘ及び方向Ｙに垂直な方向Ｚによって規定される三次元空間を示している。なお、方向Ｘ、方向Ｙ及び方向Ｚは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。また、本実施形態において、方向Ｚを上と定義し、方向Ｚの反対側の方向を下と定義する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、第１部材から離れて位置していてもよい。

【0011】

以下、本実施形態においては、表示装置１が自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を有する有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬディスプレイ）である場合について説明する。なお、本実施形態に係る表示装置１は、例えばカメラのような他のデバイスとともにスマートフォン等の電子機器に組み込まれて使用される。

【0012】

図１に示すように、表示装置１は、表示パネル２、第１回路基板３及び第２回路基板４等を備える。

【0013】

表示パネル２は、一例では矩形状である。図示した例では、表示パネル２の長辺ＥＸは、方向Ｘと平行であり、表示パネル２の短辺ＥＹは、方向Ｙと平行である。方向Ｚは、表示パネル２の厚さ方向に相当する。表示パネル２の主面は、方向Ｘと方向Ｙとにより規定されるＸ－Ｙ平面に平行である。表示パネル２は、表示領域ＤＡ、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡ及び端子領域ＭＴを有している。図示した例では、非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲んでいる。

【0014】

端子領域ＭＴは、表示パネル２の短辺ＥＹに沿って設けられ、表示パネル２を外部装置等と電気的に接続するための端子を含んでいる。

【0015】

第１回路基板３は、端子領域ＭＴの上に実装され、表示パネル２と電気的に接続されている。第１回路基板３は、例えばフレキシブルプリント回路基板である。第１回路基板３は、表示パネル２（表示装置１）を駆動する駆動ＩＣチップ（駆動回路）５等を備えている。なお、図示した例では、駆動ＩＣチップ５は、第１回路基板３の上に配置されているが下に配置されていてもよい。第２回路基板４は、第１回路基板３の例えば下方において第１回路基板３と接続されている。

【0016】

駆動ＩＣチップ５は、例えば第２回路基板４を介して制御基板（図示せず）と接続されている。駆動ＩＣチップ５は、例えば制御基板から出力される画像データ（画素信号）に基づいて表示パネル２が有する有機ＥＬ素子を発光させることによって当該表示パネル２に画像を表示する制御を実行する。

【0017】

なお、表示パネル２は、図１において斜線を付して示す折り曲げ領域ＢＡを有していてもよい。折り曲げ領域ＢＡは、表示装置１が電子機器の筐体に収容される際に折り曲げられる領域である。折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられた状態において、第１回路基板３及び第２回路基板４は、表示パネル２と対向するように、表示パネル２の下方に配置される。

【0018】

図２は、図１に示す表示装置１が組み込まれた電子機器の一部を示す平面図である。図２に示すように、表示装置１が備える表示パネル２は、表示領域ＤＡにおいて、方向Ｘ及び方向Ｙにマトリクス状に配置（配列）された複数の画素ＰＸを備えている。

【0019】

なお、本実施形態において、表示領域ＤＡに配置されている各画素ＰＸは、後述する有機ＥＬ素子と当該有機ＥＬ素子を駆動するための画素回路等を有する。

【0020】

ここで、本実施形態において、表示パネル２（表示装置１）は表示領域ＤＡを有する表示面及び当該表示面に対向する背面を有し、当該表示パネル２の背面側には、当該表示パネル２を介して受光する撮像素子を有するカメラ６が配置されているものとする。本実施形態におけるカメラ６は、撮像素子に入射した可視光に基づいてカラー画像を撮像する撮像装置（可視光カメラ）であるものとする。本実施形態において、表示装置１及びカメラ６は、例えばスマートフォンのような電子機器を構成する。

【0021】

なお、本実施形態に係る電子機器において、カメラ６は、表示領域ＤＡと重畳する位置に配置される。換言すれば、カメラ６は、平面視において複数の画素ＰＸにまたがる（つまり、複数の画素ＰＸと重畳する）ように配置される。このような構成によれば、カメラ６と重畳する領域にまで電子機器（表示装置１）における表示領域ＤＡを拡大することができる。なお、本実施形態において、平面視とは、方向Ｚから表示装置１（表示パネル２）を視認することをいう。

【0022】

図３は、表示パネル２の回路構成の一例を示す図である。表示パネル２には、複数の画素ＰＸと、各種配線と、走査線駆動回路ＧＤ１及びＧＤ２と、信号線駆動回路ＳＤとが配置されている。

【0023】

複数の画素ＰＸは、上記したように表示領域ＤＡにおいてマトリクス状に配置され、それぞれ複数の副画素を含む。本実施形態において、複数の副画素は、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢを含む。副画素ＳＰＲは、赤色の波長帯域に対応する光（赤色成分の光）を表示（出力）する画素である。副画素ＳＰＧは、緑色の波長帯域に対応する光（緑色成分の光）を表示（出力）する画素である。副画素ＳＰＢは、青色の波長帯域に対応する光（青色成分の光）を表示（出力）する画素である。

【0024】

上記した各種配線は、表示領域ＤＡにおいて延在し、非表示領域ＮＤＡに引き出されている。図３においては、各種配線の一部として、複数の制御配線（走査線）ＳＳＧと、複数の画素信号線ＳＬとが例示されている。

【0025】

表示領域ＤＡにおいて、制御配線ＳＳＧ及び画素信号線ＳＬは、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢに接続されている。制御配線ＳＳＧは、非表示領域ＮＤＡにおいて走査線駆動回路ＧＤ１及びＧＤ２に接続されている。画素信号線ＳＬは、非表示領域ＮＤＡにおいて信号線駆動回路ＳＤに接続されている。

【0026】

走査線駆動回路ＧＤ１、ＧＤ２及び信号線駆動回路ＳＤは、非表示領域ＮＤＡに位置している。走査線駆動回路ＧＤ１、ＧＤ２及び信号線駆動回路ＳＤには、駆動ＩＣチップ５から各種信号及び電圧が与えられる。

【0027】

なお、図３においては表示パネル２が２つの走査線駆動回路ＧＤ１及びＧＤ２を備える構成が示されているが、表示パネル２は、少なくとも１つの走査線駆動回路を備えていればよい。

【0028】

次に、図４を参照して、画素ＰＸに含まれる副画素の回路構成の一例について説明する。なお、図４においては、便宜的に、画素ＰＸに含まれる複数の副画素のうちの１つの副画素ＳＰの回路構成が示されている。

【0029】

図４に示すように、副画素ＳＰは、有機ＥＬ素子２１及び画素回路を有する。画素回路は、駆動トランジスタＤＲＴ、出力トランジスタＢＣＴ、画素トランジスタＳＳＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、リセットトランジスタＲＳＴ、保持容量Ｃｓ及び補助容量Ｃａｄを含む。

【0030】

図４に示す各トランジスタは、例えばｎチャネル型トランジスタである。なお、出力トランジスタＢＣＴ、画素トランジスタＳＳＴ、初期化トランジスタＩＳＴ及びリセットトランジスタＲＳＴは、それぞれトランジスタで構成されていなくてもよく、例えば出力スイッチ、画素スイッチ、初期化スイッチ及びリセットスイッチとして機能するように構成されていてもよい。

【0031】

以下の説明においては、トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方を第１電極、他方を第２電極とする。また、容量素子の一方の電極を第１電極、他方の電極を第２電極とする。

【0032】

駆動トランジスタＤＲＴ及び有機ＥＬ素子２１は、第１電源線ＰＶＨと第２電源線ＰＶＬとの間で直列に接続されている。第１電源線ＰＶＨは定電位に保持され、第２電源線ＰＶＬは第１電源線ＰＶＨの電位とは異なる定電位に保持されている。本実施形態において、第１電源線ＰＶＨの電位ＰＶＤＤは、第２電源線ＰＶＬの電位ＰＶＳＳより高い。

【0033】

駆動トランジスタＤＲＴの第１電極は、有機ＥＬ素子のアノード電極（陽極）、保持容量Ｃｓの第１電極及び補助容量Ｃａｄの第１電極に接続されている。駆動トランジスタＤＲＴは、有機ＥＬ素子２１に対して供給される電流（電流値）を制御するように構成されている。

【0034】

出力トランジスタＢＣＴの第２電極は、第１電源線ＰＶＨに接続されている。また有機ＥＬ素子２１のカソード電極（陰極）は、第２電源線ＰＶＬに接続されている。

【0035】

画素トランジスタＳＳＴの第１電極は、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極、初期化トランジスタＩＳＴの第１電極及び保持容量Ｃｓの第２電極に接続されている。画素トランジスタＳＳＴの第２電極は、画素信号線ＳＬに接続されている。初期化トランジスタＩＳＴの第２電極は、初期化電源線ＢＬに接続されている。

【0036】

保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極と第１電極との間に電気的に接続されている。

【0037】

補助容量Ｃａｄの第２電極は、定電位に保持されている。本実施形態において、補助容量Ｃａｄの第２電極は、例えば第１電源線ＰＶＨに接続され、当該第１電源線ＰＶＨの電位と同一の定電位（ＰＶＤＤ）に保持されている。なお、補助容量Ｃａｄの第２電極は、第２電源線ＰＶＬの電位と同一の定電位（ＰＶＳＳ）に保持されていてもよいし、第１電源線ＰＶＨ及び第２電源線ＰＶＬとは異なる電源線と同一の定電位に保持されていてもよい。なお、この第１電源線ＰＶＨ及び第２電源線ＰＶＬとは異なる電源線としては、例えば初期化電源線ＢＬまたはリセット電源線ＲＬ等を利用することができる。

【0038】

リセットトランジスタＲＳＴの第１電極は、駆動トランジスタＤＲＴの第１電極に接続されている。リセットトランジスタＲＳＴの第２電極は、リセット電源線ＲＬに接続されている。

【0039】

画素信号線ＳＬには、画素信号Ｖｓｉｇが供給される。画素信号Ｖｓｉｇは、画素（ここでは、副画素ＳＰ）に書き込まれる信号である。初期化電源線ＢＬには、初期化電位Ｖｉｎｉが供給される。

【0040】

リセット電源線ＲＬは、リセット電源電位Ｖｒｓｔに設定される。リセット電源電位Ｖｒｓｔは、第２電源線ＰＶＬの電位ＰＶＳＳに対して有機ＥＬ素子２１が発光しないような電位差を有する電位が与えられる。

【0041】

出力トランジスタＢＣＴのゲート電極は、制御配線ＳＢＧに接続されている。この制御配線ＳＢＧには、出力制御信号ＢＧが供給される。

【0042】

画素トランジスタＳＳＴのゲート電極は、制御配線ＳＳＧに接続されている。この制御配線ＳＳＧには、画素制御信号ＳＧが供給される。

【0043】

初期化トランジスタＩＳＴのゲート電極は、制御配線ＳＩＧに接続されている。この制御配線ＳＩＧには、初期化制御信号ＩＧが供給される。

【0044】

リセットトランジスタＲＳＴのゲート電極は、制御配線ＳＲＧに接続されている。この制御配線ＳＲＧには、リセット制御信号ＲＧが供給される。

【0045】

上記したような回路構成によれば、画素トランジスタＳＳＴは、制御配線ＳＳＧを介してゲート電極に供給される画素制御信号ＳＧに応じて導通状態となる。これにより、画素信号線ＳＬを介して供給される画素信号Ｖｓｉｇは、画素トランジスタＳＳＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極に供給されるとともに、保持容量Ｃｓに保持される。駆動トランジスタＤＲＴは、保持容量Ｃｓに保持された画素信号Ｖｓｉｇの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給することによって、有機ＥＬ素子２１を電流駆動し、当該有機ＥＬ素子２１を発光させる（副画素ＳＰを駆動する）ことができる。

【0046】

なお、ここでは表示パネル２における画素信号Ｖｓｉｇの書き込み動作及び有機ＥＬ素子２１の発光動作の概要について簡単に説明したが、上記した回路構成によれば、他の動作（例えば、駆動トランジスタＤＲＴのリセット動作及びオフセットキャンセル動作等）を行うこともできる。

【0047】

また、ここでは１つの副画素ＳＰの回路構成について説明したが、上記した副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢは図４に示す副画素ＳＰと同様の回路構成を有する。すなわち、本実施形態において、有機ＥＬ素子２１及び画素回路は副画素毎に配置されている。

【0048】

なお、図４において説明した回路構成は一例であり、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢは、図４と異なる他の回路構成を有していても構わない。すなわち、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢにおいては、例えば図４に示す回路構成のうちの一部が変更または省略されていてもよいし、他の構成が追加されていても構わない。

【0049】

以下において副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの回路構成について説明する場合には、適宜、図４を用いる。

【0050】

図５は、カメラ６と重畳しない位置に配置される画素ＰＸ部分の表示パネル２の断面の一例を示す。図５に示すように、表示パネル２は、絶縁基板１０、第１～第５絶縁膜１１～１５、スイッチング素子ＳＷ１～ＳＷ３及び有機ＥＬ素子２１１～２１３等を備えている。

【0051】

なお、スイッチング素子ＳＷ１は、副画素ＳＰＲが有する画素回路に含まれる駆動トランジスタＤＲＴに相当する。スイッチング素子ＳＷ２は、副画素ＳＰＧが有する画素回路に含まれる駆動トランジスタＤＲＴに相当する。スイッチング素子ＳＷ３は、副画素ＳＰＢが有する画素回路に含まれる駆動トランジスタＤＲＴに相当する。

【0052】

また、有機ＥＬ素子２１１は、副画素ＳＰＲが有する有機ＥＬ素子２１に相当する。有機ＥＬ素子２１２は、副画素ＳＰＧが有する有機ＥＬ素子２１に相当する。有機ＥＬ素子２１３は、副画素ＳＰＢが有する有機ＥＬ素子２１に相当する。

【0053】

絶縁基板１０は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料によって形成されている。第１絶縁膜１１は、絶縁基板１０の上に形成されている。第１絶縁膜１１は、絶縁基板１０から有機ＥＬ素子２１１～２１３へ向かう水分等の侵入を抑制するためのバリア層を含んでいる。なお、第１絶縁膜１１は、省略されてもよい。

【0054】

スイッチング素子ＳＷ１～ＳＷ３は、第１絶縁膜１１の上に形成されている。以下、主にスイッチング素子ＳＷ１の構成について説明する。

【0055】

スイッチング素子ＳＷ１は、半導体層ＳＣ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを備えている。図５に示す例では、ソース電極ＳＥが図４において説明した駆動トランジスタＤＲＴの第２電極に相当し、ドレイン電極ＤＥが当該駆動トランジスタＤＲＴの第１電極に相当する。

【0056】

半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１の上に形成され、第２絶縁膜１２により覆われている。ゲート電極ＧＥは、第２絶縁膜１２の上に形成され、第３絶縁膜１３により覆われている。ゲート電極ＧＥは、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）等の金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金等によって形成される。なお、ゲート電極ＧＥは、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。

【0057】

ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、それぞれ第３絶縁膜１３の上に形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、第３絶縁膜１３を半導体層ＳＣまで貫通するコンタクトホールにおいて、半導体層ＳＣにそれぞれ接触している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを形成する材料は、上記の金属材料が適用可能である。第１～第３絶縁膜１１～１３は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁材料により形成されている。

【0058】

スイッチング素子ＳＷ１は、第４絶縁膜１４により覆われている。第４絶縁膜１４は、有機絶縁材料により形成されている。

【0059】

ここでは、スイッチング素子ＳＷ１の構成について主に説明したが、他のスイッチング素子ＳＷ２及びＳＷ３の構成についてもスイッチング素子ＳＷ１と同様である。

【0060】

有機ＥＬ素子２１１～２１３は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。図５に示す例では、有機ＥＬ素子２１１は赤色に発光する有機発光層ＯＲＧ１を備え、有機ＥＬ素子２１２は緑色に発光する有機発光層ＯＲＧ２を備え、有機ＥＬ素子２１３は青色に発光する有機発光層ＯＲＧ３を備えている。このような有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３により、有機ＥＬ素子２１１～２１３は、それぞれ赤色、緑色及び青色（の光）を発光することができる。

【0061】

以下、主に有機ＥＬ素子２１１の構成について説明する。有機ＥＬ素子２１１は、画素電極ＰＥ１、共通電極ＣＥ及び有機発光層ＯＲＧ１を備える。

【0062】

画素電極ＰＥ１は、第４絶縁膜１４の上に設けられている。画素電極ＰＥ１は、有機ＥＬ素子２１１の例えばアノード電極（陽極）として機能する。画素電極ＰＥ１は、第４絶縁膜１４内に設けられたコンタクトホールにおいて、スイッチング素子ＳＷ１のドレイン電極ＤＥと接触し、当該スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。有機発光層ＯＲＧ１は、画素電極ＰＥ１の上に形成されている。有機発光層ＯＲＧ１は、発光効率を向上させるために、電子注入層、正孔注入層、電子輸送層及び正孔輸送層等を更に含んでいてもよい。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧ１の上に形成されている。共通電極ＣＥは、有機ＥＬ素子２１１の例えばカソード電極（陰極）として機能する。

【0063】

以上のように構成された有機ＥＬ素子２１１は、画素電極ＰＥ１と共通電極ＣＥとの間に印加される電圧（あるいは電流）に応じた輝度で発光する。

【0064】

ここでは有機ＥＬ素子２１１の構成について主に説明したが、他の有機ＥＬ素子２１２及び２１３の構成についても有機ＥＬ素子２１１と同様である。

【0065】

なお、有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３は異なる色を発光するため、それぞれ分離して形成されている。

【0066】

また、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの各々は、平面視において当該副画素が占める領域（有機ＥＬ素子２１及び画素回路が形成されている範囲）において当該有機ＥＬ素子２１が発光する領域（以下、副画素の発光部と表記）を有するが、例えば図５における副画素ＳＰＲの発光部は、有機発光層ＯＲＧ１のうちの互いに対向する画素電極ＰＥ１と共通電極ＣＥとに挟持された部分である。副画素ＳＰＧ及びＳＰＢの発光部についても同様である。なお、本実施形態において、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが占める領域は、例えば略同一であるものとする。

【0067】

有機ＥＬ素子２１１～２１３（副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの各々の発光部）は、有機絶縁材料からなる第５絶縁膜（リブ）１５により区画されている。換言すれば、有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３の各々は、リブの開口部に配置される。

【0068】

この場合、共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３の各々と接するとともに、第５絶縁膜１５とも接するように形成される。

【0069】

図５においては示されていないが、有機ＥＬ素子２１１～２１３は、透明な封止膜によって封止されていてもよい。

【0070】

表示パネル２は絶縁基板１６を更に備えており、当該絶縁基板１６は、透明な接着剤１７によって接着されている。

【0071】

ここで、本実施形態においては有機ＥＬ素子２１１～２１３が備える有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３を発光させることによって表示パネル２（表示領域ＤＡ）に画像が表示されるが、有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３からの光は、当該有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３の上面及び下面の両面から出射される。

【0072】

この場合、例えば有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３の下面から出射される光は当該有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３の上面側に位置する表示領域ＤＡにおける画像の表示に寄与しないため、当該表示領域ＤＡ（表示面）において視認される光の輝度が低下する。

【0073】

したがって、本実施形態においては、有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３の下面側に位置する画素電極ＰＥ１～ＰＥ３を、光反射性を有する金属材料（例えば、アルミニウム等）によって形成される反射電極とする。これによれば、有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３から下側に出射される光を画素電極ＰＥ１～ＰＥ３（反射電極）によって上側に反射して、当該下側に出射される光を表示領域ＤＡから出射させることができるため、当該表示領域ＤＡにおいて視認される光の輝度を向上させることができる。

【0074】

なお、共通電極ＣＥは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成されているものとする。

【0075】

一方、上記した図２において説明したように、表示パネル２の背面側にカメラ６が配置されている場合、当該カメラ６が画像を撮像するために、表示パネル２（表示装置１）を介して当該カメラ６が有する撮像素子に可視光が入射される必要があるが、当該可視光は、上記した画素電極ＰＥ１～ＰＥ３（反射電極）を透過することができない。

【0076】

また、平面視における副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの発光部（画素電極ＰＥ１～ＰＥ３）以外の領域においては例えばスイッチング素子ＳＷ１～ＳＷ３等が形成されているため、当該領域を介してカメラ６（撮像素子）に十分な量の可視光を入射させることも困難である。

【0077】

そこで、例えば表示領域ＤＡのうちの撮像素子（カメラ６）と重畳する領域において画素ＰＸを間引くことによって、十分な量の可視光が撮像素子に入射されるようにする構成（以下、本実施形態の比較例と表記）が考えられる。以下の説明においては、表示領域ＤＡのうちの撮像素子と重畳する領域を重畳領域、当該撮像素子と重畳しない領域を非重畳領域と称する。

【0078】

図６は、非重畳領域に配置される画素ＰＸを模式的に示している。図６においては４つの画素ＰＸが示されており、当該画素ＰＸの各々は、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢを含む。また、非重畳領域において、画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが占める領域は同一の形状を有し、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢは、当該副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの順に方向Ｙに隣接するように並べて配置されている。なお、図６に示されている副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢ内の破線は、当該副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの各々の発光部（リブによって形成される開口部）を示している。以下の他の図についても同様である。

【0079】

一方、図７は、本実施形態の比較例において重畳領域に配置される画素ＰＸを模式的に示している。図８に示すように、重畳領域において例えば図７に示す４つの画素ＰＸのうちの３つを間引くことによって、当該画素ＰＸが間引かれた領域（つまり、画素電極ＰＥ１～ＰＥ３が配置されていない領域）を透過した可視光が撮像素子に入射される。

【0080】

なお、図７において副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが配置されていない領域には画素電極ＰＥ１～ＰＥ３は形成されていないが、有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３及び共通電極ＣＥは形成されている。ただし、有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３及び共通電極ＣＥは光透過性を有するため、画素電極ＰＥ１～ＰＥ３が形成されていない領域においては可視光を透過することができる。更に、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが配置されていない領域においては、上記したリブの開口部が形成されていなくてもよい。

【0081】

上記したように本実施形態の比較例によれば、撮像素子に十分な量の可視光を入射させることが可能となる。

【0082】

しかしながら、本実施形態の比較例のように単に画素ＰＸを間引く構成の場合、重畳領域においては１画素分の間隔で各画素ＰＸが配置されるため、当該画素ＰＸが間引かれた領域（つまり、重畳領域）において画像を表示（ラスタ表示）すると、ドット柄が視認される。

【0083】

すなわち、上記した本実施形態の比較例においては、重畳領域における表示品位が低下することがある。

【0084】

そこで、本実施形態においては、上記した重畳領域における表示品位の低下を抑制するために、例えば撮像素子と平面視において重畳する副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢのうちの少なくとも１つが、当該撮像素子と平面視において重畳しない副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢとは異なる間隔で配置される構成を採用する。

【0085】

以下、本実施形態において撮像素子と重畳する副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢ（つまり、画素ＰＸ）の配置について具体的に説明する。

【0086】

図８は、本実施形態の第１構成における副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの配置の一例を模式的に示している。

【0087】

上記した図６に示すように、撮像素子と重畳しない副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢは当該副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの順に方向Ｙに隣接するように配置されているが、図８に示す撮像素子と重畳する副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢは、少なくとも１つの副画素分の間隔を空けて方向Ｙに並べて配置されている。なお、本実施形態の第１構成における副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢは、図６に示す撮像素子と重畳しない副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢと同じ順に並べられている。

【0088】

このような本実施形態の第１構成によれば、上記した本実施形態の比較例と比較して、ドット柄が視認されることを回避する（つまり、表示の粗さを改善する）ことができる。更に、本実施形態の第１構成においては、撮像素子と重畳する副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが、撮像素子と重畳しない副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢと同じ順に並べて配置されるため、重畳領域と非重畳領域とで表現される色合いがが異なるようなことを防止することが可能となる。

【0089】

図９は、本実施形態の第２構成における副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの配置の一例を模式的に示している。

【0090】

図９に示す副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢは、少なくとも１つの副画素分の間隔を空けて方向Ｙに並べて配置されている点で上記した本実施形態の第１構成と同一であるが、当該副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが並べられる順番が当該第１構成とは異なる。

【0091】

すなわち、本実施形態の第２構成における副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢは、図６に示す撮像素子と重畳しない副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢと異なる順に並べられている。具体的には、本実施形態の第２構成において、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢは、副画素ＳＰＲ、ＳＰＢ及びＳＰＧの順に方向Ｙに並べて配置されている。換言すれば、本実施形態の第２構成は、上記した本実施形態の第１構成における副画素ＳＰＧと副画素ＳＰＢとを入れ替えた構成に相当する。

【0092】

このような本実施形態の第２構成においては、上記した本実施形態の第１構成と同様に、ドット柄が視認されることを回避することができる。

【0093】

ここで、上記した図６において説明したように有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３はそれぞれ分離して形成される必要があるが、当該分離した有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３は、例えばファインマスク等を用いて発光色（つまり、有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３）毎に形成される。

【0094】

しかしながら、上記した本実施形態の第１構成において重畳領域に配置されている副画素ＳＰＧ及びＳＰＢの位置は、図７に示す非重畳領域に配置されている副画素ＳＰＧ及びＳＰＢの位置と異なっている。

【0095】

具体的には、本実施形態の第１構成において撮像素子と重畳する副画素ＳＰＧは、非重畳領域において副画素ＳＰＢが配置される位置に対応する位置に配置されている。また、本実施形態の第１構成において撮像素子と重畳する副画素ＳＰＢは、非重畳領域において副画素ＳＰＧが配置される位置に対応する位置に配置されている。

【0096】

これは、重畳領域において有機発光層ＯＲＧ２及びＯＲＧ３を形成するために、非重畳領域において有機発光層ＯＲＧ２及びＯＲＧ３を形成するためのファインマスク（以下、非重畳領域のマスクと表記）とは異なるファインマスクを別途用意する必要があることを意味する。重畳領域で使用するファインマスクと非重畳領域で使用するファインマスクとでは、ファインマスクに加えるテンションが異なる。非重畳領域で使用するファインマスクに重畳領域で使用するファインマスクと同じテンションを加えると発光層が正確に形成されず、画像を表示した際にムラになる。換言すれば、本実施形態の第１構成においては、重畳領域において有機発光層ＯＲＧ２及びＯＲＧ３を形成するために、非重畳領域で使用するマスクを使用することができない。

【0097】

これに対して、本実施形態の第２構成において重畳領域に配置されている副画素ＳＰＧ及びＳＰＢの位置は、図６に示す非重畳領域に配置されている副画素ＳＰＧ及びＳＰＢの位置と一致している。このため、本実施形態の第２構成においては、重畳領域において有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３を形成するために、非重畳領域のマスクと同じパターンのマスクを使用することができ、表示ムラを軽減することができる。

【0098】

なお、本実施形態の第１及び第２構成においては、上記したようにドット柄が視認されることを回避することができるが、方向Ｙに一列に並べられた副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが１画素分の間隔で方向Ｘに配置される構成であるため、ストライプ柄が視認される可能性がある。

【0099】

このため、例えば図１０に示すように図７で説明した副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢのうちの少なくとも１つの副画素の方向Ｘの位置を他の副画素と異ならせるようにしてもよい。副画素をＸ方向にずらすことでＸ方向に隣接する画素との間隔を狭くでき、表示の粗さを改善することができる。

【0100】

また、図１１及び図１２に示すように、本実施形態の第１及び第２構成において説明した撮像素子と重畳する副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢのうちの少なくとも１つの副画素の方向Ｘの位置を他の副画素と異ならせるようにしてもよい。

【0101】

なお、図１１に示す例は、図８に示す副画素ＳＰＧを方向Ｘにずらすとともに、副画素ＳＰＢを更に方向Ｘにずらしたような副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの配置を示している。

【0102】

一方、図１２に示す例は、図９に示す副画素ＳＰＢを方向Ｘにずらすとともに、副画素ＳＰＧを更に方向Ｘにずらしたような副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの配置を示している。

【0103】

このような構成によれば、上記した本実施形態の第１及び第２構成と同様にドット柄が視認されることを回避するとともに、更にストライプ柄が視認されることを回避することができる。

【0104】

なお、図１２に示す構成においては、重畳領域に有機発光層ＯＲＧ１～ＯＲＧ３を形成する際に非重畳領域のマスクと同じパターンのマスクを使用することができるが、重畳領域において副画素ＳＰＧ及びＳＰＢは、非重畳領域とは異なる位置（つまり、方向Ｘにずれた位置）に形成される。この場合、非重畳領域のマスクと同じパターンのマスクで形成された重畳領域における副画素ＳＰＧ及びＳＰＢを構成する有機発光層ＯＲＧ２及びＯＲＧ３の一部が適切に蒸着せず、画素電極及び共通電極がショートする可能性がある。

【0105】

この場合には、図１３に示すように、非重畳領域に形成される副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢ（つまり、発光部）の各々の境界に合わせて、重畳領域に形成される副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの発光部を分割して形成するようにしてもよい。

【0106】

図１３に示す例では、非重畳領域において方向Ｘに隣接するように形成される副画素ＳＰＧの境界を跨ぐ位置に重畳領域の副画素ＳＰＧ（有機発光層ＯＲＧ２）が形成されるため、当該境界で分割されたような２つの発光部（つまり、副画素ＳＰＧの第１部分ＳＰＧ１の発光部及び第２部分ＳＰＧ２の発光部）が１つの副画素ＳＰＧに対して形成されている。この場合、副画素ＳＰＧの第１部分ＳＰＧ１と第２部分ＳＰＧ２とがそれぞれ別個の発光部を有するように画素電極ＰＥ２が形成される。

【0107】

また、非重畳領域において方向Ｘに隣接するように形成される副画素ＳＰＢの境界を跨ぐ位置に重畳領域の副画素ＳＰＢ（有機発光層ＯＲＧ３）が形成されるため、当該境界で分割されたような２つの発光部（つまり、副画素ＳＰＢの第１部分ＳＰＢ１の発光部及び第２部分ＳＰＢ２の発光部）が１つの副画素ＳＰＢに対して形成されている。この場合、副画素ＳＰＢの第１部分ＳＰＢ１と第２部分ＳＰＢ２とがそれぞれ別個の発光部を有するように画素電極ＰＥ３が形成される。

【0108】

なお、１つの副画素において発光部を分割して形成することを避けるのであれば、例えば図１４に示すような構成とすることも可能である。図１４に示す構成においては、非重畳領域に形成される副画素ＳＰＧ及びＳＰＢの境界を跨がないように、図９に示す副画素ＳＰＧ及びＳＰＢが方向Ｘにずらされている。

【0109】

更に、例えば図１５に示すように、副画素ＳＰＧ及びＳＰＢ（の発光部）が平面視において占める領域（以下、単に副画素ＳＰＧ及びＳＰＢの領域と表記）のサイズを、副画素ＳＰＲ（の発光部）が平面視において占める領域（以下、単に副画素ＳＰＲの領域と表記）のサイズよりも小さくしてもよい。このような構成よれば、より撮像素子に入射される可視光の量を増加させることができる。

【0110】

なお、図１５においては、副画素ＳＰＧの方向Ｘの位置と副画素ＳＰＢの方向Ｘの位置とが異なっているが、当該副画素ＳＰＧの方向Ｘの位置と副画素ＳＰＢの方向Ｘの位置とは一致していてもよい。

【0111】

また、図１５に示す構成は一例であり、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢのうちの少なくとも１つの副画素の領域のサイズが他の副画素の領域のサイズよりも小さくなるように副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが形成されていればよい。副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの各々の領域のサイズは、例えば当該副画素が表示する色及び当該副画素の位置等に応じて決定されればよい。

【0112】

また、上記した副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢのうちの少なくとも１つの副画素の領域のサイズを他の副画素の領域のサイズよりも小さくする構成は、上記した図８～図１３に示す副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢに適用されても構わない。

【0113】

上記したように本実施形態においては、撮像素子と平面視において重畳する副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢ（第１～第３画素）のうちの少なくとも１つが撮像素子と平面視において重畳しない副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢとは異なる間隔で配置される構成により、撮像素子と重畳する表示領域ＤＡ（重畳領域）における表示品位の低下を抑制することが可能となる。

【0114】

具体的には、本実施形態においては、非重畳領域において４つの画素ＰＸが配置される領域と同じサイズの重畳領域に副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが１つずつ配置されることにより上記した図７に示す本実施形態の比較例と同様に十分な可視光を撮像素子に入射させることができるとともに、当該重畳領域における副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが非重畳領域とは異なる間隔で配置されることにより当該図７において説明したドット柄が視認されることを回避することができる。

【0115】

なお、本実施形態においては、非重畳領域において４つの画素ＰＸが配置される領域と同じサイズの重畳領域に副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが１つずつ配置される例を説明したが、撮像素子に十分な可視光が入射されるのであれば、当該重畳領域に配置される副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの数は、適宜、変更されても構わない。

【0116】

また、本実施形態においては、画素ＰＸが３つの副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢを含むものとして説明したが、当該画素ＰＸは、例えば４つの副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢ及びＳＰＷを含むように構成されていてもよい。なお、副画素ＳＰＷは、白色の波長帯域に対応する光（白色成分の光）を表示（出力）する副画素である。このような構成であっても、撮像素子と平面視において重畳する４つの副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢ及びＳＰＷのうちの少なくとも１つが、撮像素子と平面視において重畳しない副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢ及びＳＰＷとは異なる間隔で配置されていればよい。

【0117】

更に、本実施形態においてはカメラ６が可視光カメラであるものとして説明したが、当該カメラ６は、撮像素子に入射した赤外光（赤外線）に基づいて画像を撮像する赤外線カメラのような他のカメラ（撮像装置）であってもよい。

【0118】

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。なお、本実施形態においては、前述した第１実施形態と同様の部分についての詳しい説明を省略し、当該第１実施形態とは異なる部分について主に述べる。また、本実施形態に係る電子機器及び表示装置の構成について説明する際には、適宜、図１～図５等を用いる。

【0119】

なお、前述した第１実施形態においては、撮像素子と重畳しない画素ＰＸが図７に示すように方向Ｙに順に隣接する副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢを含む場合について説明したが、本実施形態は、当該画素ＰＸの構成（平面視における副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢのサイズ、形状及び配置）が当該第１実施形態と異なる。

【0120】

図１６は、本実施形態において非重畳領域に配置されている画素ＰＸを模式的に示している。図１６においては、４つの画素ＰＸが示されており、当該画素ＰＸの各々は、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢを含む。また、非重畳領域に配置されている画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢは、副画素ＳＰＲ及びＳＰＧが方向Ｘにおいて隣接し、副画素ＳＰＲ及びＳＰＢが方向Ｙにおいて隣接し、副画素ＳＰＧ及びＳＰＢが方向Ｙにおいて隣接するように配置されている。なお、図１６に示されている副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢ内の破線は、当該副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの各々の発光部を示している。以下の他の図についても同様である。

【0121】

一方、図１７は、本実施形態の比較例において重畳領域に配置される画素ＰＸを模式的に示している。図１７に示すように、重畳領域において例えば図１６に示す４つの画素ＰＸのうちの３つを間引くことによって、当該画素ＰＸが間引かれた領域（つまり、画素電極ＰＥ１～ＰＥ３が配置されていない領域）を透過した可視光が撮像素子に入射される。

【0122】

上記したように本実施形態の比較例によれば、撮像素子に十分な量の可視光を入射させることが可能となる。

【0123】

しかしながら、本実施形態の比較例のように単に画素ＰＸを間引く構成の場合、重畳領域においては１画素分の間隔で各画素ＰＸが配置されるため、当該画素ＰＸが間引かれた領域（つまり、重畳領域）において画像を表示（ラスタ表示）すると、ドット柄が視認される。

【0124】

すなわち、上記した本実施形態の比較例においては、重畳領域における表示品位が低下することがある。

【0125】

そこで、本実施形態においては、上記した重畳領域における表示品位の低下を抑制するために、少なくとも副画素ＳＰＲ及びＳＰＧ、副画素ＳＰＲ及びＳＰＢ、または副画素ＳＰＧ及びＳＰＢが隣接しないように重畳領域の副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが配置される構成を採用する。

【0126】

具体的には、図１８及び図１９は、副画素ＳＰＲ及びＳＰＧが隣接しないように配置された副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢの配置を示している。

【0127】

図１８及び図１９に示す構成によれば、上記した本実施形態の比較例として比較して、ドット柄が視認されることを回避する（つまり、表示の粗さを改善する）ことができる。

【0128】

一方、図２０は、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが互いに隣接しないように配置された副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢを示している。

【0129】

上記した図１８及び図１９に示される構成の場合には前述した図８及び図９において説明したようなストライプ柄が視認される可能性があるが、図２０に示す構成によれば、ドット柄が視認されることを回避するとともに、ストライプ柄が視認されることを回避することができる。

【0130】

なお、上記した図１８～図２０に示す構成は一例であり、本実施形態は、重畳領域において少なくとも副画素ＳＰＲ及びＳＰＧ、副画素ＳＰＲ及びＳＰＢまたは副画素ＳＰＧ及びＳＰＢが隣接しないように副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが配置（つまり、図１７に示される副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢとは異なる間隔で配置）されていればよい。

【0131】

上記したように本実施形態においては、画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢが、副画素ＳＰＲ及びＳＰＧが方向Ｘにおいて隣接し、副画素ＳＰＲ及びＳＰＢが方向Ｙにおいて隣接し、副画素ＳＰＧ及びＳＰＢが方向Ｙにおいて隣接するように配置されている構成であっても、重畳領域において副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢを例えば図１８～図２０に示すように配置する（当該副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ及びＳＰＢのうちの少なくとも２つが隣接しないように配置する）ことによって、撮像素子と重畳する表示領域ＤＡ（重畳領域）における表示品位の低下を抑制することが可能となる。

【0132】

以上、本発明の実施形態として説明した電子機器及び表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施して実施し得る全ての電子機器及び表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0133】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0134】

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0135】

１…表示装置、２…表示パネル、５…駆動ＩＣチップ、６…カメラ（撮像素子）、２１，２１１，２１２，２１３…有機ＥＬ素子（発光素子）、ＤＡ…表示領域、ＰＸ…画素、ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢ…副画素、ＰＥ１～ＰＥ３…画素電極、ＯＲＧ１～ＯＲＧ３…有機発光層、ＣＥ…共通電極。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】