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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023170576
(43)【公開日】2023-12-01
(54)【発明の名称】半導体モジュールおよびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20231124BHJP
H01L 23/48 20060101ALI20231124BHJP
H01L 23/29 20060101ALI20231124BHJP
【ＦＩ】
H01L25/04 C
H01L23/48 G
H01L23/30 R
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022082427
(22)【出願日】2022-05-19
(71)【出願人】
【識別番号】000004260
【氏名又は名称】株式会社デンソー
(71)【出願人】
【識別番号】000003207
【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】520124752
【氏名又は名称】株式会社ミライズテクノロジーズ
(74)【代理人】
【識別番号】110001128
【氏名又は名称】弁理士法人ゆうあい特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】桑田 和輝
(72)【発明者】
【氏名】石野 寛
(72)【発明者】
【氏名】三瓶 宏和
(72)【発明者】
【氏名】成川 勝
【テーマコード（参考）】
4M109
【Ｆターム（参考）】
4M109AA01
4M109BA01
4M109CA21
(57)【要約】
【課題】第１接続端子と第２接続端子との間隔がばらつくことを抑制する。
【解決手段】第１接続端子１５および第２接続端子１６は、板状とされると共に所定間隔離れる状態で積層され、面方向における一方向に延設されて樹脂モールド部１９から突出しており、第２接続端子１６は、樹脂モールド部における所定面１９１ｃから突出しており、第１接続端子１５は、樹脂モールド部１９における所定面と異なる面１９１ｂに開口部１９３が形成されて露出する内部端子１５ａと、開口部１９３で内部端子１５ａと接続されて樹脂モールド部１９から突出する外部端子１５ｂと、を有し、内部端子１５ａは、内部端子１５ａと第２接続端子１６との積層方向、および第１接続端子１５の延設方向と交差する方向に延設されて樹脂モールド部１９から突出すると共に内部端子１５ａと接続されたタイバー残部１５ｃを有するようにする。
【選択図】図５
【解決手段】第１接続端子１５および第２接続端子１６は、板状とされると共に所定間隔離れる状態で積層され、面方向における一方向に延設されて樹脂モールド部１９から突出しており、第２接続端子１６は、樹脂モールド部における所定面１９１ｃから突出しており、第１接続端子１５は、樹脂モールド部１９における所定面と異なる面１９１ｂに開口部１９３が形成されて露出する内部端子１５ａと、開口部１９３で内部端子１５ａと接続されて樹脂モールド部１９から突出する外部端子１５ｂと、を有し、内部端子１５ａは、内部端子１５ａと第２接続端子１６との積層方向、および第１接続端子１５の延設方向と交差する方向に延設されて樹脂モールド部１９から突出すると共に内部端子１５ａと接続されたタイバー残部１５ｃを有するようにする。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体モジュールであって、
半導体チップ（１０）と、
前記半導体チップを樹脂封止する樹脂モールド部（１９）と、
前記半導体チップと電気的に接続され、前記樹脂モールド部から突出した部分を有する第１接続端子（１５）および第２接続端子（１６）と、
前記半導体チップと電気的に接続される制御端子（１４）と、を備え、
前記第１接続端子および前記第２接続端子は、板状とされると共に所定間隔離れる状態で積層され、面方向における一方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出しており、
前記第２接続端子は、前記樹脂モールド部における所定面（１９１ｃ）から突出しており、
前記第１接続端子は、前記樹脂モールド部における前記所定面と異なる面（１９１ｂ）に開口部（１９３）が形成されて露出する内部端子（１５ａ）と、前記開口部で前記内部端子と接続されて前記樹脂モールド部から突出する外部端子（１５ｂ）と、を有し、
前記内部端子は、前記内部端子と前記第２接続端子との積層方向、および前記第１接続端子の延設方向と交差する方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出すると共に前記内部端子と接続されたタイバー残部（１５ｃ）を有している半導体モジュール。
半導体チップ（１０）と、
前記半導体チップを樹脂封止する樹脂モールド部（１９）と、
前記半導体チップと電気的に接続され、前記樹脂モールド部から突出した部分を有する第１接続端子（１５）および第２接続端子（１６）と、
前記半導体チップと電気的に接続される制御端子（１４）と、を備え、
前記第１接続端子および前記第２接続端子は、板状とされると共に所定間隔離れる状態で積層され、面方向における一方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出しており、
前記第２接続端子は、前記樹脂モールド部における所定面（１９１ｃ）から突出しており、
前記第１接続端子は、前記樹脂モールド部における前記所定面と異なる面（１９１ｂ）に開口部（１９３）が形成されて露出する内部端子（１５ａ）と、前記開口部で前記内部端子と接続されて前記樹脂モールド部から突出する外部端子（１５ｂ）と、を有し、
前記内部端子は、前記内部端子と前記第２接続端子との積層方向、および前記第１接続端子の延設方向と交差する方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出すると共に前記内部端子と接続されたタイバー残部（１５ｃ）を有している半導体モジュール。
【請求項2】
前記内部端子および前記タイバー残部は、前記制御端子と同一平面上に配置されている請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項3】
前記内部端子と前記第２接続端子との間隔（ｄ２）に対する、前記内部端子および前記第２接続端子と、前記樹脂モールド部のうちの前記内部端子と前記第２接続端子との積層方向に沿った側面（１９１ｄ、１９１ｅ）との間隔（ｄ１）で示される間隔比は、１．０以上であって、２．５以下とされている請求項１または２に記載の半導体モジュール。
【請求項4】
前記内部端子と前記第２接続端子との間隔（ｄ２）に対する、前記内部端子と前記樹脂モールド部における前記所定面との間隔（ｄ３）で示される間隔比は、１．０以上であって、２．５以下とされている請求項１または２記載の半導体モジュール。
【請求項5】
前記内部端子と前記第２接続端子の間隔は、０．２ｍｍ以上であって、０．５ｍｍ以下とされている請求項１または２に記載の半導体モジュール。
【請求項6】
半導体チップ（１０）と、
前記半導体チップを樹脂封止する樹脂モールド部（１９）と、
前記半導体チップと電気的に接続され、前記樹脂モールド部から突出した部分を有する第１接続端子（１５）および第２接続端子（１６）と、
前記半導体チップと電気的に接続される制御端子（１４）と、を備え、
前記第１接続端子および前記第２接続端子は、板状とされると共に所定間隔離れる状態で積層され、面方向における一方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出しており、
前記第２接続端子は、前記樹脂モールド部における所定面（１９１ｃ）から突出しており、
前記第１接続端子は、前記樹脂モールド部における前記所定面と異なる面（１９１ｂ）に開口部（１９３）が形成されて露出する内部端子（１５ａ）と、前記開口部で前記内部端子と接続されて前記樹脂モールド部から突出する外部端子（１５ｂ）と、を有し、
前記内部端子は、前記内部端子と前記第２接続端子との積層方向、および前記第１接続端子の延設方向と交差する方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出すると共に前記内部端子と接続されたタイバー残部（１５ｃ）を有している半導体モジュールの製造方法であって、
前記内部端子と前記制御端子とがタイバー（２１０）を介して一体化された端子構成部材（２００）を用意することと、
前記内部端子と前記第２接続端子とが積層されるように、前記第２接続端子を前記半導体チップに電気的に接続すると共に、前記端子構成部材における前記内部端子および前記制御端子を前記半導体チップに電気的に接続して構成部材（３００）を構成することと、
第１型（４１０）と第２型（４２０）とが嵌合されることで内部にキャビティ（４００ａ）が構成される金型（４００）を用意し、前記構成部材を前記キャビティに配置することと、
前記金型に溶融樹脂を流し込んで固化することにより、前記樹脂モールド部を形成することと、
前記タイバーを切断し、前記内部端子と接続されると共に前記樹脂モールド部から突出する前記タイバー残部を形成することと、を行い、
前記構成部材を前記キャビティに配置することでは、前記第２接続端子が前記第１型と前記第２型とで挟持されると共に、前記タイバーが前記第１型と前記第２型とで挟持されるように、前記構成部材を配置する半導体モジュールの製造方法。
前記半導体チップを樹脂封止する樹脂モールド部（１９）と、
前記半導体チップと電気的に接続され、前記樹脂モールド部から突出した部分を有する第１接続端子（１５）および第２接続端子（１６）と、
前記半導体チップと電気的に接続される制御端子（１４）と、を備え、
前記第１接続端子および前記第２接続端子は、板状とされると共に所定間隔離れる状態で積層され、面方向における一方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出しており、
前記第２接続端子は、前記樹脂モールド部における所定面（１９１ｃ）から突出しており、
前記第１接続端子は、前記樹脂モールド部における前記所定面と異なる面（１９１ｂ）に開口部（１９３）が形成されて露出する内部端子（１５ａ）と、前記開口部で前記内部端子と接続されて前記樹脂モールド部から突出する外部端子（１５ｂ）と、を有し、
前記内部端子は、前記内部端子と前記第２接続端子との積層方向、および前記第１接続端子の延設方向と交差する方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出すると共に前記内部端子と接続されたタイバー残部（１５ｃ）を有している半導体モジュールの製造方法であって、
前記内部端子と前記制御端子とがタイバー（２１０）を介して一体化された端子構成部材（２００）を用意することと、
前記内部端子と前記第２接続端子とが積層されるように、前記第２接続端子を前記半導体チップに電気的に接続すると共に、前記端子構成部材における前記内部端子および前記制御端子を前記半導体チップに電気的に接続して構成部材（３００）を構成することと、
第１型（４１０）と第２型（４２０）とが嵌合されることで内部にキャビティ（４００ａ）が構成される金型（４００）を用意し、前記構成部材を前記キャビティに配置することと、
前記金型に溶融樹脂を流し込んで固化することにより、前記樹脂モールド部を形成することと、
前記タイバーを切断し、前記内部端子と接続されると共に前記樹脂モールド部から突出する前記タイバー残部を形成することと、を行い、
前記構成部材を前記キャビティに配置することでは、前記第２接続端子が前記第１型と前記第２型とで挟持されると共に、前記タイバーが前記第１型と前記第２型とで挟持されるように、前記構成部材を配置する半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体モジュールおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来より、半導体素子と、半導体素子と接続される第１、第２接続端子と、第１、第２接続端子の一部が露出するように、半導体素子、および第１、第２接続端子を封止する樹脂モールド部と、を備える半導体モジュールが提案されている（例えば、特許文献１参照）。そして、この半導体モジュールにおける第１接続端子および第２接続端子は、板状とされると共に、配線インダクタンスを低減できるように積層されて配置されている。
【0003】
このような半導体モジュールは、次のように製造される。すなわち、まず、半導体素子と第１、第２接続端子とを接続した構成部材を用意する。また、第１型と第２型とが嵌合されることで内部にキャビティが構成される金型を用意する。そして、構成部材を金型のキャビティに配置した後、キャビティに溶融樹脂を流し込んで固化することにより、半導体素子および第１、第２接続端子を一体的に封止する樹脂モールド部を構成する。これにより、上記半導体モジュールが構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１９－１８６４０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上記の半導体モジュールでは、第１接続端子と第２接続端子とが積層されているため、第１接続端子および第２接続端子を共に第１型と第２型との間に挟持することが困難となる。このため、上記の半導体モジュールでは、第１接続端子と第２接続端子との間隔がばらつき易くなる。
【0006】
本発明は上記点に鑑み、第１接続端子と第２接続端子との間隔がばらつくことを抑制できる半導体モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するための請求項１は、半導体モジュールであって、半導体チップ（１０）と、半導体チップを樹脂封止する樹脂モールド部（１９）と、半導体チップと電気的に接続され、樹脂モールド部から突出した部分を有する第１接続端子（１５）および第２接続端子（１６）と、半導体チップと電気的に接続される制御端子（１４）と、を備え、第１接続端子および第２接続端子は、板状とされると共に所定間隔離れる状態で積層され、面方向における一方向に延設されて樹脂モールド部から突出しており、第２接続端子は、樹脂モールド部における所定面（１９１ｃ）から突出しており、第１接続端子は、樹脂モールド部における所定面と異なる面（１９１ｂ）に開口部（１９３）が形成されて露出する内部端子（１５ａ）と、開口部で内部端子と接続されて樹脂モールド部から突出する外部端子（１５ｂ）と、を有し、内部端子は、内部端子と第２接続端子との積層方向、および第１接続端子の延設方向と交差する方向に延設されて樹脂モールド部から突出すると共に内部端子と接続されたタイバー残部（１５ｃ）を有している。
【0008】
これによれば、内部端子と接続され、樹脂モールド部から突出するタイバー残部を有している。このため、樹脂モールド部を形成する際には、第２接続端子を第１型と第２型との間に挟持しつつ、タイバー残部となるタイバーを第１型と第２型との間に挟持できる。したがって、第１接続端子における内部端子と第２接続端子との間隔が変化することを抑制できる。
【0009】
請求項６は、請求項１に関する半導体モジュールの製造方法であって、内部端子と制御端子とがタイバー（２１０）を介して一体化された端子構成部材（２００）を用意することと、内部端子と第２接続端子とが積層されるように、第２接続端子を半導体チップに電気的に接続すると共に、端子構成部材における内部端子および制御端子を半導体チップに電気的に接続して構成部材（３００）を構成することと、第１型（４１０）と第２型（４２０）とが嵌合されることで内部にキャビティ（４００ａ）が構成される金型（４００）を用意し、構成部材をキャビティに配置することと、金型に溶融樹脂を流し込んで固化することにより、樹脂モールド部を形成することと、タイバーを切断し、内部端子と接続されると共に樹脂モールド部から突出するタイバー残部を形成することと、を行い、構成部材をキャビティに配置することでは、第２接続端子が第１型と第２型とで挟持されると共に、タイバーが第１型と第２型とで挟持されるように、構成部材を配置する。
【0010】
これによれば、樹脂モールド部を形成する際には、第２接続端子を第１型と第２型との間に挟持しつつ、タイバーを第１型と第２型との間に挟持できる。したがって、第１接続端子における内部端子と第２接続端子との間隔が変化することを抑制した半導体モジュールを製造できる。
【0011】
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】第１実施形態における半導体モジュールを用いて構成した三相インバータ回路の回路図である。
【図2】半導体モジュールの内部構造を示す図である。
【図3】半導体モジュールを樹脂モールド部の一面側から視た平面図である。
【図4】外部端子を接合する前の半導体モジュールを樹脂モールド部の他面側から視た平面図である。
【図5】外部端子を接合した後の半導体モジュールを樹脂モールド部の他面側から視た平面図である。
【図8】半導体モジュールの側面図である。
【図10】半導体モジュールの製造工程を示す平面図である。
【図11】構成部材を金型に配置した際の断面図である。
【図12】構成部材を金型に配置した際の断面図である。
【図13】樹脂モールド部を形成した後の製造工程を示す平面図である。
【図14】第２実施形態における半導体モジュールの断面図である。
【図15】樹脂モールド部を形成する際の樹脂流れを示す図である。
【図16】間隔比と巻き込みボイドとの関係を示す図である。
【図17】第３実施形態における半導体モジュールの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【0014】
（第１実施形態）
第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、三相交流モータを駆動する三相インバータ回路を構成する半導体モジュールについて説明する。
第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、三相交流モータを駆動する三相インバータ回路を構成する半導体モジュールについて説明する。
【0015】
まず、三相インバータ回路について、図１を参照しつつ説明する。三相インバータ回路１は、直流電源２に基づいて三相交流モータである負荷３を駆動するためのものである。本実施形態の三相インバータ回路１には、平滑コンデンサ４が並列接続されており、スイッチング時のリプルの低減やノイズの影響を抑制して一定な電源電圧が形成できるようにしてある。
【0016】
三相インバータ回路１は、直列接続した上下アーム５１～５６が三相分並列接続された構成とされている。そして、三相インバータ回路１は、上アーム５１、５３、５５と下アーム５２、５４、５６との各中間電位を負荷３となる三相交流モータのＵ相、Ｖ相、Ｗ相の各相に順番に入れ替えながら印加する。
【0017】
具体的には、上下アーム５１～５６は、それぞれ、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどの半導体スイッチング素子５１ａ～５６ａと、ＦＷＤなどの還流を目的とした整流素子５１ｂ～５６ｂとを備えている。そして、三相インバータ回路１は、各相の上下アーム５１～５６の半導体スイッチング素子５１ａ～５６ａがオン、オフ制御されることで、負荷３に対して周期の異なる三相の交流電流を供給する。ＩＧＢＴはInsulated Gate Bipolar Transistorの略である。ＭＯＳＦＥＴはMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistorの略である。ＦＷＤはFree Wheeling Diodeの略である。
【0018】
本実施形態では、三相インバータ回路１を構成する半導体スイッチング素子５１ａ～５６ａおよび整流素子５１ｂ～５６ｂが形成された半導体チップをモジュール化して一体化している。つまり、６つのアームを一体化した６ｉｎ１構造の半導体モジュールを用いて三相インバータ回路１を構成している。
【0019】
以下、本実施形態の半導体モジュール６の詳細構造について、図２～図８を参照しつつ説明する。本実施形態の半導体モジュール６は、半導体チップ１０と、第１、第２リードフレーム１１、１２と、出力端子１３と、制御端子１４と、第１、第２接続端子１５、１６と、第１、第２放熱板１７、１８とを備えている。また、半導体モジュール６は、これらの構成要素を一体的に封止する樹脂モールド部１９を備えている。
【0020】
樹脂モールド部１９は、平面略矩形状とされた略直方体状とされており、一面１９ａおよび他面１９ｂと、一面１９ａと他面１９ｂとの間を繋ぐ第１～第４側面１９ｃ～１９ｆとを有する構成とされている。例えば、図２の樹脂モールド部１９は、紙面左右方向に延びる相対する２面が第１側面１９ｃおよび第３側面１９ｅとされ、紙面上下方向に延びる相対する２面が第２側面１９ｄおよび第４側面１９ｆとされている。そして、本実施形態では、第３側面１９ｅに、第３側面１９ｅの法線方向に沿って突出する凸部１９１が形成されている。なお、凸部１９１は、具体的には後述するが、第１、第２接続端子１５、１６が配置される部分に構成されている。また、本実施形態では、第１、第２リードフレーム１１、１２等を封止する部分を主部１９２とすると、凸部１９１は、主部１９２よりも厚さが薄くされている。
【0021】
半導体チップ１０は、上下アーム５１～５６に対応して６つ備えられている。以下では、上下アーム５１～５６を構成する半導体チップ１０を、それぞれ半導体チップ１０１～１０６として説明する。
【0022】
図２に示されるように、６つの半導体チップ１０は、３列に並ぶように配置されている。具体的には、上アーム５１、５３、５５を構成する半導体チップ１０１、１０３、１０５は、樹脂モールド部１９の一面１９ａに平行な一方向に沿って、半導体チップ１０１、１０３、１０５の順に並んでいる。そして、半導体チップ１０２、１０４、１０６は、半導体チップ１０１、１０３、１０５の並びに沿って、半導体チップ１０２、１０４、１０６の順に並んでいる。
【0023】
第１、第２リードフレーム１１、１２は、例えば、銅や鉄等の導電性材料によって構成され、略矩形状の搭載部を構成している。そして、平面視において、第１リードフレーム１１は、第１側面１９ｃ側に位置するように配置され、第２リードフレーム１２は、第３側面１９ｅ側に位置するように配置されている。
【0024】
上アーム５１、５３、５５の半導体チップ１０１、１０３、１０５は、第１リードフレーム１１の表面側に搭載されており、下アーム５２、５４、５６の半導体チップ１０２、１０４、１０６は、第２リードフレーム１２の裏面側に搭載されている。なお、第１リードフレーム１１の表面側とは、樹脂モールド部１９の一面１９ａ側の面のことである。第２リードフレーム１２の裏面側とは、樹脂モールド部１９の他面１９ｂ側の面のことである。
【0025】
また、半導体チップ１０１、１０３、１０５は、第１リードフレーム１１を介して、出力端子１３に接続されている。半導体チップ１０２、１０４、１０６は、第２リードフレーム１２、図示しない配線層、および第１リードフレーム１１を介して、出力端子１３に接続されている。
【0026】
半導体モジュール６は、３つの出力端子１３を備えている。そして、３つの出力端子１３は、それぞれ負荷３のＵ相、Ｖ相、Ｗ相に接続される。本実施形態では、出力端子１３は、板状の導電性部材で構成されており、樹脂モールド部１９の第１側面１９ｃから突出している。
【0027】
各半導体チップ１０１～１０６は、制御端子１４に接続されている。制御端子１４は、各半導体チップ１０１～１０６に形成されるゲート電極等と接続される端子である。制御端子１４は、棒状の導電性部材で構成され、一端が半導体チップ１０１～１０６に接続されていると共に、他端が樹脂モールド部１９の第１側面１９ｃまたは第３側面１９ｅから突出している。そして、制御端子１４のうち樹脂モールド部１９から露出した部分は、樹脂モールド部１９の一面１９ａ側に突出するように屈曲させられている。
【0028】
具体的には、制御端子１４は、各半導体チップ１０１～１０６に対して設けられている。そして、上アーム５１、５３、５５の半導体チップ１０１、１０３、１０５に接続される制御端子１４は、樹脂モールド部１９のうち、出力端子１３と同じ第１側面１９ｃから突出している。下アーム５２、５４、５６の半導体チップ１０２、１０４、１０６に接続される制御端子１４は、樹脂モールド部１９のうち、出力端子１３とは反対側の第３側面１９ｅから突出している。
【0029】
第１、第２接続端子１５、１６は、半導体チップ１０を平滑コンデンサ４に接続するものである。第１、第２接続端子１５、１６は、板状とされており、図６～図８に示されるように、互いに積層された状態で樹脂モールド部１９の第３側面１９ｅ側から突出している。つまり、第１、第２接続端子１５、１６は、下アーム５２、５４、５６の半導体チップ１０２、１０４、１０６に接続される制御端子１４と同じ第３側面１９ｅ側から突出している。ここで、凸部１９１において、樹脂モールド部１９の一面１９ａ側の面を一面１９１ａとし、他面１９ｂ側の面を他面１９１ｂとし、主部１９２と反対側の面を先端面１９１ｃとし、先端面１９１ｃと繋がる面を第１、第２側面１９１ｄ、１９１ｅとする。なお、先端面１９１ｃは、凸部１９１における突出方向の先端側に位置する面ということもできる。そして、本実施形態では、第１、第２接続端子１５、１６は、凸部１９１に配置されている部分において、第１接続端子１５が一面１９１ａ側に位置し、第２接続端子１６が他面１９１ｂ側に位置するように積層されている。
【0030】
なお、第１、第２接続端子１５、１６は、所定間隔離れた状態で積層されており、間に樹脂モールド部１９が配置されて電気的に絶縁されている。また、第１、第２接続端子１５、１６は、下アーム５２、５４、５６の半導体チップ１０２、１０４、１０６に接続される制御端子１４と所定の間隔を離して配置されている。例えば、制御端子１４と第１、第２接続端子１５、１６との間隔は、所定のインパルス電圧の印加時に制御端子１４と第１、第２接続端子１５、１６との絶縁が確保される距離よりも長くなるように設計される。
【0031】
第１接続端子１５は、半導体チップ１０１、１０３、１０５に、平滑コンデンサ４を介して直流電源２の正極に接続する端子である。第２接続端子１６は、半導体チップ１０２、１０４、１０６に、平滑コンデンサ４を介して直流電源２の負極に接続する端子である。
【0032】
本実施形態の第１接続端子１５は、樹脂モールド部１９に封止された内部端子１５ａと、樹脂モールド部１９の外部に配置された外部端子１５ｂとを有する構成とされている。内部端子１５ａは、板状の導電性部材で構成されており、第１リードフレーム１１を介して上アーム５１、５３、５５の半導体チップ１０１、１０３、１０５に接続されている。
【0033】
本実施形態の半導体モジュール６は、２つの第１接続端子１５を備えている。そして、２つの第１接続端子１５は、３列に並んだ６つの半導体チップ１０のうち、中央の列に配置された半導体チップ１０３、１０４を挟むように配置されている。具体的には、一方の第１接続端子１５における内部端子１５ａは、半導体チップ１０１、１０３の間と、半導体チップ１０２、１０４の間とを通るように配置されている。そして、他方の第１接続端子１５における内部端子１５ａは、半導体チップ１０３、１０５の間と、半導体チップ１０４、１０６の間とを通るように配置されている。
【0034】
内部端子１５ａは、長手方向の一端で第１リードフレーム１１を介して半導体チップ１０１、１０３、１０５に接続されており、他端は凸部１９１に覆われている。そして、内部端子１５ａは、凸部１９１の他面１９１ｂに形成された開口部１９３から露出している。
【0035】
外部端子１５ｂは、板状の導電性部材で構成されており、側面から見て略クランク状となるように屈曲している。そして、外部端子１５ｂの屈曲部を挟んだ両端部のうち、一方の端部は、超音波接合やろう付け等によって開口部１９３から露出する内部端子１５ａに接続されている。また、外部端子１５ｂの屈曲部を挟んだ他方の端部は、凸部１９１の他面１９１ｂから離された状態で、凸部１９１の他面１９１ｂに沿って突出している。特に限定されるものではないが、外部端子１５ｂの他方の端部側の部分と凸部１９１との間隔は、異物の噛み込みを抑制するために、例えば０．１ｍｍ以上であって２ｍｍ以下とされる。そして、外部端子１５ｂは、この突出した部分が平滑コンデンサ４に接続される。
【0036】
また、本実施形態の第１接続端子１５は、凸部１９１の第１、第２側面１９１ｄ、１９１ｅから突出するタイバー残部１５ｃを有している。このタイバー残部１５ｃは、後述するように、内部端子１５ａと制御端子１４とを接続するタイバー２１０を切断した際の残りとなるものである。本実施形態では、タイバー残部１５ｃは内部端子１５ａを挟んで２つ備えられており、それぞれ内部端子１５ａと接続されている。そして、タイバー残部１５ｃは、内部端子１５ａの延設方向と交差する方向に延びて第１、第２側面１９１ｄ、１９１ｅから突出している。言い換えると、タイバー残部１５ｃは、内部端子１５ａと第２接続端子１６との積層方向、および凸部１９１の突出方向と交差する方向に延設されて第１、第２側面１９１ｄ、１９１ｅから突出している。また、内部端子１５ａと制御端子１４とは、後述するように、半導体モジュール６が構成される前の状態では、タイバー２１０にて連結されている。このため、制御端子１４、内部端子１５ａ、およびタイバー残部１５ｃは、同一平面上に位置している。
【0037】
第２接続端子１６は、板状の導電性部材で構成されており、第２リードフレーム１２を介して下アーム５２、５４、５６の半導体チップ１０２、１０４、１０６に接続されている。第２接続端子１６は、長手方向の一端で第２リードフレーム１２を介して半導体チップ１０２、１０４、１０６に接続されており、他端は樹脂モールド部１９の第３側面１９ｅから外部端子１５ｂの突出方向と同じ方向に突出している。具体的には、第２接続端子１６は、第３側面１９ｅに設けられた凸部１９１において、凸部１９１の先端面１９１ｃから突出するように配置されている。なお、本実施形態では、先端面１９１ｃが所定面に相当する。
【0038】
半導体モジュール６は第２接続端子１６を２つ備えている。また、上記のように、半導体モジュール６は第１接続端子１５を２つ備えている。そして、各第１、第２接続端子１５、１６は、それぞれ積層されて配置されている。
【0039】
また、本実施形態では、絶縁耐性を維持できるように、平面視におけるタイバー残部１５ｃのうちの凸部１９１から突出する部分と第２接続端子１６との間の樹脂モールド部１９に沿った沿面距離が調整されている。特に限定されるものではないが、本実施形態では、沿面距離が４ｍｍ以上とされている。言い換えると、タイバー残部１５ｃは、平面視において、絶縁耐性を維持できるように、第２接続端子１６との間の樹脂モールド部１９に沿った沿面距離が所望の距離となるように配置される場所が調整されている。
【0040】
外部端子１５ｂは、内部端子１５ａおよび第２接続端子１６の積層方向を法線方向とする面の形状が、第２接続端子１６と同じ形状とされている。そして、本実施形態では、外部端子１５ｂおよび第２接続端子１６の凸部１９１から突出した部分の先端部は、平滑コンデンサ４と接続可能となるように、ボルト等の締結部材に対応した形状とされている。具体的には、外部端子１５ｂ、および第２接続端子１６のうちの凸部１９１から突出した部分の先端部は、２つに分離された略Ｕ字状とされている。そして、このＵ字状の部分は、外部端子１５ｂと第２接続端子１６とで同一または略同一の形状とされており、外部端子１５ｂ、第２接続端子１６の突出方向において、外部端子１５ｂの突出長さと、第２接続端子１６の突出長さとが、同一または略同一となっている。
【0041】
第１、第２放熱板１７、１８は、ヒートシンクに相当するものであり、一面側が半導体チップ１０に向けられている。半導体チップ１０１～１０６は、第１、第２リードフレーム１１、１２を介して第１、第２放熱板１７、１８に接続されており、第１、第２放熱板１７、１８のうちの第１、第２リードフレーム１１、１２と反対側の面は、樹脂モールド部１９から露出している。このように、各半導体チップ１０１～１０６は、第１、第２放熱板１７、１８に挟み込まれており、半導体モジュール６は、厚さ方向の両側を図示しない冷却機器によって挟み込まれることで、放熱を行いながら負荷３の駆動を行うものとして使用される。
【0042】
以上が本実施形態における半導体モジュール６の構成である。そして、この半導体モジュール６は、詳細は省略するが、平滑コンデンサ４に各第１、第２接続端子１５、１６が接続され、出力端子１３が負荷３に接続されて用いられる。
【0043】
【0044】
まず、第１、第２リードフレーム１１、１２に各半導体チップ１０１～１０６を搭載する。そして、出力端子１３および第２接続端子１６が各半導体チップ１０１～１０６に電気的に接続されるようにする。また、図１０に示されるように、第１接続端子１５のうちの内部端子１５ａおよび制御端子１４がタイバー２１０で一体的に連結された端子構成部材２００を用意する。そして、内部端子１５ａおよび制御端子１４が各半導体チップ１０１～１０６に電気的に接続されるようにする。さらに、第１、第２放熱板１７、１８を配置する。このようにして、内部端子１５ａおよび第２接続端子１６が半導体チップ１０１～１０６に接続された構成部材３００を用意する。
【0045】
続いて、図１１および図１２に示されるように、第１型４１０および第２型４２０が嵌合されてキャビティ４００ａが構成される金型４００内に構成部材３００を配置する。具体的には、図１１に示されるように、第２接続端子１６のうちの樹脂モールド部１９の凸部１９１から露出する部分が第１型４１０と第２型４２０とで挟持されるように、構成部材３００を配置する。また、図１２に示されるように、構成部材３００のうちのタイバー２１０や制御端子１４のうちの樹脂モールド部１９から露出する部分が第１型４１０と第２型４２０とで挟持されるように、構成部材３００を配置する。つまり、内部端子１５ａがタイバー２１０と連結されているため、内部端子１５ａが金型４００内の所定位置で固定されるように、構成部材３００を配置する。本実施形態では、このように、内部端子１５ａと第２接続端子１６との積層方向において、異なる部分を第１型４１０と第２型４２０との間に挟持する。
【0046】
【0047】
また、本実施形態では、内部端子１５ａのうちの開口部１９３から露出する部分に、緩衝材４３０を介して第１型４１０が当接されるようにする。言い換えると、内部端子１５ａのうちの開口部１９３から露出する部分と、第１型４１０との間に緩衝材４３０を配置する。これにより、内部端子１５ａのうちの開口部１９３から露出する部分が損傷することを抑制できる。なお、緩衝材４３０は、金型４００よりも柔らかい材料で構成され、例えば、フッ素樹脂、フッ素ゴム、シリコンゴム等で構成される。
【0048】
次に、特に図示しないが、金型４００内に溶融樹脂を流し込んで固化することにより、開口部１９３が形成された上記樹脂モールド部１９を構成する。この場合、本実施形態では、内部端子１５ａおよび第２接続端子１６がそれぞれ金型４００で固定されている。このため、内部端子１５ａと第２接続端子１６との間隔がばらつくことを抑制でき、インダクタンスが変化することを抑制できる。
【0049】
続いて、図１３に示されるように、制御端子１４と内部端子１５ａとを接続するタイバー２１０等を切断する。これにより、内部端子１５ａと接続され、凸部１９１の第１、第２側面１９１ｄ、１９１ｅから突出するタイバー残部１５ｃが構成される。その後は、特に図示しないが、内部端子１５ａに外部端子１５ｂを接続すると共に、制御端子１４を屈曲させることにより、上記の半導体モジュール６が製造される。
【0050】
以上説明した本実施形態の半導体モジュール６は、内部端子１５ａと接続され、樹脂モールド部１９から突出するタイバー残部１５ｃを有している。このため、樹脂モールド部１９を形成する際には、第２接続端子１６を第１型４１０と第２型４２０との間に挟持しつつ、タイバー残部１５ｃとなるタイバー２１０を第１型４１０と第２型４２０とで挟持できる。したがって、第１接続端子１５における内部端子１５ａと第２接続端子１６との間隔が変化することを抑制できる。これにより、内部端子１５ａと第２接続端子１６との間隔が狭くなり過ぎて絶縁性が低下したり、内部端子１５ａと第２接続端子１６との間隔が広くなり過ぎてインダクタンスが大きくなることを抑制できる。
【0051】
（１）本実施形態では、制御端子１４、内部端子１５ａ、タイバー残部１５ｃは、同一平面上に配置されている。このため、制御端子１４、内部端子１５ａ、タイバー残部１５ｃが一体化された端子構成部材２００を用意して半導体モジュール６を製造でき、製造工程の簡略化を図ることができる。
【0052】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、凸部１９１の厚さを規定したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、凸部１９１の厚さを規定したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0053】
本実施形態の半導体モジュール６は、基本的な構成は上記第１実施形態と同様の構成とされている。但し、本実施形態の樹脂モールド部１９は、凸部１９１の厚さが規定されている。ここで、図１４に示されるように、樹脂モールド部１９において、第１接続端子１５（すなわち、内部端子１５ａ）および第２接続端子１６と、第１側面１９１ｄまたは第２側面１９１ｅとの間隔を間隔ｄ１とする。また、第１接続端子１５（すなわち、内部端子１５ａ）と第２接続端子１６との間隔をｄ２とする。
【0054】
なお、間隔ｄ１は、樹脂モールド部１９のうちの、内部端子１５ａおよび第２接続端子１６と、第１側面１９１ｄまたは第２側面１９１ｅとの間に配置されている部分を側壁部１９４とすると、側壁部１９４の厚さであるともいえる。また、第１、第２側面１９１ｄ、１９１ｅは、内部端子１５ａと第２接続端子１６との積層方向に沿った面ともいえる。そして、図１４は、図３中のXIV－XIV線に沿った断面図に相当している。
【0055】
そして、本実施形態では、間隔ｄ２に対する間隔ｄ１の間隔比ｄ１／ｄ２は、１．０以上であって２．５以下とされている。また、間隔ｄ２は、０．２ｍｍ以上であって、０．５ｍｍ以下とされている。
【0056】
次に、上記半導体モジュール６の製造方法について説明する。
【0057】
本実施形態の半導体モジュール６は、上記第１実施形態と同様に、金型４００に構成部材３００を配置した後、金型４００に溶融樹脂を流し込むことで製造される。この際、間隔比ｄ１／ｄ２が１．０以上であって、２．５以下となるように、構成部材３００の配置箇所が調整される。また、間隔ｄ２が０．２ｍｍ以上であって、０．５ｍｍ以下となるように、構成部材３００の配置場所が調整される。以下、間隔比ｄ１／ｄ２および間隔ｄ２について説明する。
【0058】
まず、図１５に示されるように、樹脂モールド部１９の凸部１９１を構成する際、溶融樹脂は、矢印Ａに示されるように、側壁部１９４となる部分を流れ込みつつ、矢印Ｂに示されるように、内部端子１５ａと第２接続端子１６との間にも流れ込む。この場合、溶融樹脂の流れ速度は、流路となる部分の厚さに比例し、厚さが厚くなるほど大きくなる。つまり、溶融樹脂は、間隔ｄ１が大きくなるほど側壁部１９４を構成する部分の流れ速度が大きくなる。
【0059】
このため、間隔比ｄ１／ｄ２が大きくなり過ぎると、側壁部１９４となる部分の樹脂流れが速くなり過ぎ、第１接続端子１５（すなわち、内部端子１５ａ）と第２接続端子１６との間には、ボイドを巻き込む状態で溶融樹脂が流れ込んでしまう。そして、第１接続端子１５と第２接続端子１６との間にボイドが形成されると、第１接続端子１５と第２接続端子１６との絶縁性が低下してしまう。本発明者らの検討によれば、図１６に示されるように、間隔比ｄ１／ｄ２が２．５以下であれば巻き込みボイドが発生せず、間隔比ｄ１／ｄ２が２．７以上になると、巻き込みボイドが発生することが確認された。このため、本実施形態では、間隔比ｄ１／ｄ２が２．５以下とされている。
【0060】
また、上記のような半導体モジュール６では、本発明者らの検討によれば、側壁部１９４の外力に対する耐衝撃性は、間隔ｄ１を間隔ｄ２以上とすることが好ましいと確認された。以上より、本実施形態では、間隔比ｄ１／ｄ２が１．０以上であって、２．５以下とされている。
【0061】
また、第１接続端子１５（すなわち、内部端子１５ａ）と第２接続端子１６は、インダクタンスを低減するために積層されて配置されている。この場合、間隔ｄ２を狭くするほどインダクタンスを低減できるが、製造時のバラツキ等が発生すると絶縁性が低下する可能性がある。このため、本発明者らは、間隔ｄ２について検討を行った。そして、本発明者らは、間隔ｄ２が０．２ｍｍ以上であって、０．５ｍｍ以下であれば、インダクタンスを十分に低減しつつ、製造時にバラツキが発生しても絶縁性が低下し難いことを確認した。したがって、間隔ｄ２は、０．２ｍｍ以上であって、０．５ｍｍ以下とされている。
【0062】
以上説明した本実施形態によれば、樹脂モールド部１９から突出するタイバー残部１５ｃを備えているため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0063】
（１）本実施形態では、間隔比ｄ１／ｄ２が１．０以上であって、２．５以下とされている。このため、巻き込みボイドが発生することを抑制しつつ、耐衝撃性が低くなり過ぎることを抑制できる。
【0064】
（２）本実施形態では、間隔ｄ２は、０．２ｍｍ以上であって、０．５ｍｍ以下とされている。このため、第１接続端子１５と第２接続端子１６との間のインダクタンスを低減しつつ、絶縁性が低下することを抑制できる。
【0065】
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対し、凸部１９１の厚さを規定したものである。その他に関しては、第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対し、凸部１９１の厚さを規定したものである。その他に関しては、第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0066】
本実施形態の半導体モジュール６は、基本的な構成は上記第１実施形態と同様の構成とされている。そして、本実施形態では、図１７に示されるように、内部端子１５ａと、先端面１９１ｃとの間隔を間隔ｄ３とする。なお、間隔ｄ３は、内部端子１５ａと先端面１９１ｃとの間に配置されている部分を先端部１９５とすると、先端部１９５の厚さであるともいえる。
【0067】
そして、本実施形態では、上記第２実施形態と同様に、間隔ｄ２に対する間隔ｄ３の間隔比ｄ３／ｄ２は、１．０以上であって、２．５以下とされている。
【0068】
以上説明した本実施形態によれば、樹脂モールド部１９から突出するタイバー残部１５ｃを備えているため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0069】
（１）本実施形態では、間隔比ｄ３／ｄ２が１．０以上であって、２．５以下とされている。このため、上記第２実施形態と同様に、巻き込みボイドが発生することを抑制しつつ、耐衝撃性が低くなり過ぎることを抑制できる。
【0070】
（他の実施形態）
本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
【0071】
例えば、上記各実施形態の半導体モジュール６は、三相インバータ回路以外の回路を構成するのに適用されてもよい。また、樹脂モールド部１９に封止される半導体チップ１０の数も適宜変更可能である。
【0072】
また、上記各実施形態において、各半導体チップ１０１～１０６と第１、第２接続端子１５、１６が樹脂モールド部１９内で積層されるのであれば、接続の仕方は適宜変更可能である。
【0073】
さらに、上記各実施形態において、樹脂モールド部１９に凸部１９１が備えられていなくてもよい。例えば、半導体モジュール６は、第２接続端子１６が樹脂モールド部１９の第３側面１９ｅから突出し、内部端子１５ａが樹脂モールド部１９の他面１９ｂから露出するように構成されていてもよい。
【0074】
そして、上記各実施形態において、制御端子１４は、内部端子１５ａと同一平面上に配置されていなくてもよい。
【0075】
また、上記各実施形態を組み合わせることもできる。例えば、上記第２実施形態に上記第３実施形態を組み合わせ、間隔比ｄ１／ｄ２および間隔比ｄ３／ｄ２が１．０以上であって、２．５以下とされていてもよい。
【0076】
（本発明の特徴）
［請求項１］
半導体モジュールであって、
半導体チップ（１０）と、
前記半導体チップを樹脂封止する樹脂モールド部（１９）と、
前記半導体チップと電気的に接続され、前記樹脂モールド部から突出した部分を有する第１接続端子（１５）および第２接続端子（１６）と、
前記半導体チップと電気的に接続される制御端子（１４）と、を備え、
前記第１接続端子および前記第２接続端子は、板状とされると共に所定間隔離れる状態で積層され、面方向における一方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出しており、
前記第２接続端子は、前記樹脂モールド部における所定面（１９１ｃ）から突出しており、
前記第１接続端子は、前記樹脂モールド部における前記所定面と異なる面（１９１ｂ）に開口部（１９３）が形成されて露出する内部端子（１５ａ）と、前記開口部で前記内部端子と接続されて前記樹脂モールド部から突出する外部端子（１５ｂ）と、を有し、
前記内部端子は、前記内部端子と前記第２接続端子との積層方向、および前記第１接続端子の延設方向と交差する方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出すると共に前記内部端子と接続されたタイバー残部（１５ｃ）を有している半導体モジュール。
［請求項２］
前記内部端子および前記タイバー残部は、前記制御端子と同一平面上に配置されている請求項１に記載の半導体モジュール。
［請求項３］
前記内部端子と前記第２接続端子との間隔（ｄ２）に対する、前記内部端子および前記第２接続端子と、前記樹脂モールド部のうちの前記内部端子と前記第２接続端子との積層方向に沿った側面（１９１ｄ、１９１ｅ）との間隔（ｄ１）で示される間隔比は、１．０以上であって、２．５以下とされている請求項１または２に記載の半導体モジュール。
［請求項４］
前記内部端子と前記第２接続端子との間隔（ｄ２）に対する、前記内部端子と、前記樹脂モールド部における前記所定面との間隔（ｄ３）で示される間隔比は、１．０以上であって、２．５以下とされている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体モジュール。
［請求項５］
前記内部端子と前記第２接続端子の間隔（ｄ２）は、０．２ｍｍ以上であって、０．５ｍｍ以下とされている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体モジュール。
［請求項６］
半導体チップ（１０）と、
前記半導体チップを樹脂封止する樹脂モールド部（１９）と、
前記半導体チップと電気的に接続され、前記樹脂モールド部から突出した部分を有する第１接続端子（１５）および第２接続端子（１６）と、
前記半導体チップと電気的に接続される制御端子（１４）と、を備え、
前記第１接続端子および前記第２接続端子は、板状とされると共に所定間隔離れる状態で積層され、面方向における一方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出しており、
前記第２接続端子は、前記樹脂モールド部における所定面（１９１ｃ）から突出しており、
前記第１接続端子は、前記樹脂モールド部における前記所定面と異なる面（１９１ｂ）に開口部（１９３）が形成されて露出する内部端子（１５ａ）と、前記開口部で前記内部端子と接続されて前記樹脂モールド部から突出する外部端子（１５ｂ）と、を有し、
前記内部端子は、前記内部端子と前記第２接続端子との積層方向、および前記第１接続端子の延設方向と交差する方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出すると共に前記内部端子と接続されたタイバー残部（１５ｃ）を有している半導体モジュールの製造方法であって、
前記内部端子と前記制御端子とがタイバー（２１０）を介して一体化された端子構成部材（２００）を用意することと、
前記内部端子と前記第２接続端子とが積層されるように、前記第２接続端子を前記半導体チップに電気的に接続すると共に、前記端子構成部材における前記内部端子および前記制御端子を前記半導体チップに電気的に接続して構成部材（３００）を構成することと、
第１型（４１０）と第２型（４２０）とが嵌合されることで内部にキャビティ（４００ａ）が構成される金型（４００）を用意し、前記構成部材を前記キャビティに配置することと、
前記金型に溶融樹脂を流し込んで固化することにより、前記樹脂モールド部を形成することと、
前記タイバーを切断し、前記内部端子と接続されると共に前記樹脂モールド部から突出する前記タイバー残部を形成することと、を行い、
前記構成部材を前記キャビティに配置することでは、前記第２接続端子が前記第１型と前記第２型とで挟持されると共に、前記タイバーが前記第１型と前記第２型とで挟持されるように、前記構成部材を配置する半導体モジュールの製造方法。
［請求項１］
半導体モジュールであって、
半導体チップ（１０）と、
前記半導体チップを樹脂封止する樹脂モールド部（１９）と、
前記半導体チップと電気的に接続され、前記樹脂モールド部から突出した部分を有する第１接続端子（１５）および第２接続端子（１６）と、
前記半導体チップと電気的に接続される制御端子（１４）と、を備え、
前記第１接続端子および前記第２接続端子は、板状とされると共に所定間隔離れる状態で積層され、面方向における一方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出しており、
前記第２接続端子は、前記樹脂モールド部における所定面（１９１ｃ）から突出しており、
前記第１接続端子は、前記樹脂モールド部における前記所定面と異なる面（１９１ｂ）に開口部（１９３）が形成されて露出する内部端子（１５ａ）と、前記開口部で前記内部端子と接続されて前記樹脂モールド部から突出する外部端子（１５ｂ）と、を有し、
前記内部端子は、前記内部端子と前記第２接続端子との積層方向、および前記第１接続端子の延設方向と交差する方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出すると共に前記内部端子と接続されたタイバー残部（１５ｃ）を有している半導体モジュール。
［請求項２］
前記内部端子および前記タイバー残部は、前記制御端子と同一平面上に配置されている請求項１に記載の半導体モジュール。
［請求項３］
前記内部端子と前記第２接続端子との間隔（ｄ２）に対する、前記内部端子および前記第２接続端子と、前記樹脂モールド部のうちの前記内部端子と前記第２接続端子との積層方向に沿った側面（１９１ｄ、１９１ｅ）との間隔（ｄ１）で示される間隔比は、１．０以上であって、２．５以下とされている請求項１または２に記載の半導体モジュール。
［請求項４］
前記内部端子と前記第２接続端子との間隔（ｄ２）に対する、前記内部端子と、前記樹脂モールド部における前記所定面との間隔（ｄ３）で示される間隔比は、１．０以上であって、２．５以下とされている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体モジュール。
［請求項５］
前記内部端子と前記第２接続端子の間隔（ｄ２）は、０．２ｍｍ以上であって、０．５ｍｍ以下とされている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体モジュール。
［請求項６］
半導体チップ（１０）と、
前記半導体チップを樹脂封止する樹脂モールド部（１９）と、
前記半導体チップと電気的に接続され、前記樹脂モールド部から突出した部分を有する第１接続端子（１５）および第２接続端子（１６）と、
前記半導体チップと電気的に接続される制御端子（１４）と、を備え、
前記第１接続端子および前記第２接続端子は、板状とされると共に所定間隔離れる状態で積層され、面方向における一方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出しており、
前記第２接続端子は、前記樹脂モールド部における所定面（１９１ｃ）から突出しており、
前記第１接続端子は、前記樹脂モールド部における前記所定面と異なる面（１９１ｂ）に開口部（１９３）が形成されて露出する内部端子（１５ａ）と、前記開口部で前記内部端子と接続されて前記樹脂モールド部から突出する外部端子（１５ｂ）と、を有し、
前記内部端子は、前記内部端子と前記第２接続端子との積層方向、および前記第１接続端子の延設方向と交差する方向に延設されて前記樹脂モールド部から突出すると共に前記内部端子と接続されたタイバー残部（１５ｃ）を有している半導体モジュールの製造方法であって、
前記内部端子と前記制御端子とがタイバー（２１０）を介して一体化された端子構成部材（２００）を用意することと、
前記内部端子と前記第２接続端子とが積層されるように、前記第２接続端子を前記半導体チップに電気的に接続すると共に、前記端子構成部材における前記内部端子および前記制御端子を前記半導体チップに電気的に接続して構成部材（３００）を構成することと、
第１型（４１０）と第２型（４２０）とが嵌合されることで内部にキャビティ（４００ａ）が構成される金型（４００）を用意し、前記構成部材を前記キャビティに配置することと、
前記金型に溶融樹脂を流し込んで固化することにより、前記樹脂モールド部を形成することと、
前記タイバーを切断し、前記内部端子と接続されると共に前記樹脂モールド部から突出する前記タイバー残部を形成することと、を行い、
前記構成部材を前記キャビティに配置することでは、前記第２接続端子が前記第１型と前記第２型とで挟持されると共に、前記タイバーが前記第１型と前記第２型とで挟持されるように、前記構成部材を配置する半導体モジュールの製造方法。
【符号の説明】
【0077】
１０ 半導体チップ
１４ 制御端子
１５ 第１接続端子
１５ａ 内部端子
１５ｂ 外部端子
１５ｃ タイバー残部
１６ 第２接続端子
１９ 樹脂モールド部
１９１ 凸部
１９１ｃ 先端面
１９３ 開口部
１４ 制御端子
１５ 第１接続端子
１５ａ 内部端子
１５ｂ 外部端子
１５ｃ タイバー残部
１６ 第２接続端子
１９ 樹脂モールド部
１９１ 凸部
１９１ｃ 先端面
１９３ 開口部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】