(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023170903
(43)【公開日】2023-12-01
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
G06F 1/26 20060101AFI20231124BHJP
H02H 5/04 20060101ALI20231124BHJP
H02H 5/08 20060101ALI20231124BHJP
H02H 7/00 20060101ALI20231124BHJP
【ＦＩ】
G06F1/26
H02H5/04 140
H02H5/08 130
H02H7/00 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022082997
(22)【出願日】2022-05-20
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001933
【氏名又は名称】弁理士法人 佐野特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】鬼松 大
【テーマコード（参考）】
5B011
5G053
【Ｆターム（参考）】
5B011DA06
5B011EA02
5B011HH04
5B011MB11
5G053AA14
5G053AA16
5G053BA07
5G053CA01
(57)【要約】
【課題】負荷への駆動電圧の供給開始を伴う起動動作を適正に行う。
【解決手段】半導体装置（１）は、負荷に対する駆動電圧の供給又は非供給を制御するよう構成された制御回路（６０）と、特定異常（温度異常又は水濡れ異常）を含む１種類以上の異常を検出するよう構成された異常検出回路（３０）と、何れかの異常が検出されたとき、その旨を示す異常情報を保持するよう構成された異常情報保持回路（４０）と、を備え、特定異常が検出されとき、異常情報として特定異常情報が保持され、制御回路は、所定の起動トリガ信号の受信を契機に、負荷への駆動電圧の供給開始を伴う起動動作を実行可能であり、制御回路は、特定異常情報が保持されている状態にて起動トリガ信号を受信したとき、起動動作の実行を制止する。
【選択図】図１
【解決手段】半導体装置（１）は、負荷に対する駆動電圧の供給又は非供給を制御するよう構成された制御回路（６０）と、特定異常（温度異常又は水濡れ異常）を含む１種類以上の異常を検出するよう構成された異常検出回路（３０）と、何れかの異常が検出されたとき、その旨を示す異常情報を保持するよう構成された異常情報保持回路（４０）と、を備え、特定異常が検出されとき、異常情報として特定異常情報が保持され、制御回路は、所定の起動トリガ信号の受信を契機に、負荷への駆動電圧の供給開始を伴う起動動作を実行可能であり、制御回路は、特定異常情報が保持されている状態にて起動トリガ信号を受信したとき、起動動作の実行を制止する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
負荷に対する駆動電圧の供給又は非供給を制御するよう構成された制御回路と、
特定異常を含む１種類以上の異常を検出するよう構成された異常検出回路と、
何れかの異常が検出されたとき、その旨を示す異常情報を保持するよう構成された異常情報保持回路と、を備え、前記特定異常が検出されとき、前記異常情報として特定異常情報が保持され、
前記制御回路は、所定の起動トリガ信号の受信を契機に、前記負荷への前記駆動電圧の供給開始を伴う起動動作を実行可能であり、
前記制御回路は、前記特定異常情報が保持されている状態にて前記起動トリガ信号を受信したとき、前記起動動作の実行を制止する
、半導体装置。
特定異常を含む１種類以上の異常を検出するよう構成された異常検出回路と、
何れかの異常が検出されたとき、その旨を示す異常情報を保持するよう構成された異常情報保持回路と、を備え、前記特定異常が検出されとき、前記異常情報として特定異常情報が保持され、
前記制御回路は、所定の起動トリガ信号の受信を契機に、前記負荷への前記駆動電圧の供給開始を伴う起動動作を実行可能であり、
前記制御回路は、前記特定異常情報が保持されている状態にて前記起動トリガ信号を受信したとき、前記起動動作の実行を制止する
、半導体装置。
【請求項2】
第１電圧入力端子と、
第２電圧入力端子と、
第１電圧源から前記第１電圧入力端子に対して第１入力電圧が供給されるときにおいて、前記第１入力電圧に基づき第１電源電圧を生成するよう構成された第１電源電圧生成回路と、
前記第１電圧入力端子に対して前記第１入力電圧が供給されるときには、前記第１電源電圧に基づいて第２電源電圧を生成し、前記第１電圧入力端子に対する前記第１入力電圧の供給が途絶えるときには、第２電圧源から前記第２電圧入力端子に対して供給される第２入力電圧に基づき前記第２電源電圧を生成するよう構成された第２電源電圧生成回路と、
前記第１電源電圧に基づき動作するよう構成された第１回路ブロックと、
前記第２電源電圧に基づき動作するよう構成された第２回路ブロックと、を備え、
前記第１回路ブロックは前記制御回路を含み、
前記第２回路ブロックは前記異常検出回路及び前記異常情報保持回路を含む
、請求項１に記載の半導体装置。
第２電圧入力端子と、
第１電圧源から前記第１電圧入力端子に対して第１入力電圧が供給されるときにおいて、前記第１入力電圧に基づき第１電源電圧を生成するよう構成された第１電源電圧生成回路と、
前記第１電圧入力端子に対して前記第１入力電圧が供給されるときには、前記第１電源電圧に基づいて第２電源電圧を生成し、前記第１電圧入力端子に対する前記第１入力電圧の供給が途絶えるときには、第２電圧源から前記第２電圧入力端子に対して供給される第２入力電圧に基づき前記第２電源電圧を生成するよう構成された第２電源電圧生成回路と、
前記第１電源電圧に基づき動作するよう構成された第１回路ブロックと、
前記第２電源電圧に基づき動作するよう構成された第２回路ブロックと、を備え、
前記第１回路ブロックは前記制御回路を含み、
前記第２回路ブロックは前記異常検出回路及び前記異常情報保持回路を含む
、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記制御回路は、前記特定異常情報が保持されている状態にて前記起動トリガ信号を受信したとき、前記起動動作の実行を制止し、その後、前記特定異常の解消を示す信号が前記異常検出回路から出力されたとき、保持された前記特定異常情報を破棄して前記起動動作の実行を許可する状態に遷移する
、請求項１又は２に記載の半導体装置。
、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記制御回路は、前記特定異常情報が保持されている状態にて前記起動トリガ信号を受信したとき、前記起動動作の実行を制止し、その後、前記特定異常の解消を示す信号が前記異常検出回路から出力されてから前記起動トリガ信号を再度受信したとき、前記起動動作を実行する
、請求項３に記載の半導体装置。
、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記起動動作の実行後に前記特定異常が検出されたとき、前記制御回路は、前記負荷への前記駆動電圧の供給停止を含むシャットダウン動作を実行し、その後、前記特定異常情報が保持されている状態にて前記起動トリガ信号を受信したとき、前記起動動作の実行を制止する
、請求項１又は２に記載の半導体装置。
、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記制御回路は、前記シャットダウン動作の実行後、前記特定異常の解消を示す信号が前記異常検出回路から出力されたとき、保持された前記特定異常情報を破棄して前記起動動作の実行を許可する状態に遷移する
、請求項５に記載の半導体装置。
、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記制御回路は、前記シャットダウン動作の実行後、前記特定異常の解消を示す信号が前記異常検出回路から出力されてから前記起動トリガ信号を再度受信したとき、前記起動動作を実行する
、請求項６に記載の半導体装置。
、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記起動動作の実行後に前記特定異常が検出されたとき、前記制御回路は、当該半導体装置と通信可能に接続される処理装置と協働して前記シャットダウン動作を実行する
、請求項５に記載の半導体装置。
、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記特定異常は、
当該半導体装置を搭載した電子機器における温度検出対象部位の温度が所定温度以上となる温度異常、及び、
前記電子機器内の水濡れ検出対象部位が水に濡れる水濡れ異常、
の内、少なくとも一方を含む
、請求項１又は２に記載の半導体装置。
当該半導体装置を搭載した電子機器における温度検出対象部位の温度が所定温度以上となる温度異常、及び、
前記電子機器内の水濡れ検出対象部位が水に濡れる水濡れ異常、
の内、少なくとも一方を含む
、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
パーソナルコンピュータ等の電子機器においては、負荷の駆動が不要であるとき、負荷への駆動電圧の供給を停止して省電力を図ることが一般的である。そして、必要なときに、負荷への駆動電圧の供給を開始する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－５８０６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
但し、負荷への駆動電圧の供給開始を伴う動作を、無条件に行うことは好ましくなく、何らかの制限を設けた方が良いこともある。
【0005】
本開示は、負荷への駆動電圧の供給開始を伴う動作を適正に行い得る半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示に係る半導体装置は、負荷に対する駆動電圧の供給又は非供給を制御するよう構成された制御回路と、特定異常を含む１種類以上の異常を検出するよう構成された異常検出回路と、何れかの異常が検出されたとき、その旨を示す異常情報を保持するよう構成された異常情報保持回路と、を備え、前記特定異常が検出されとき、前記異常情報として特定異常情報が保持され、前記制御回路は、所定の起動トリガ信号の受信を契機に、前記負荷への前記駆動電圧の供給開始を伴う起動動作を実行可能であり、前記制御回路は、前記特定異常情報が保持されている状態にて前記起動トリガ信号を受信したとき、前記起動動作の実行を制止する。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、負荷への駆動電圧の供給開始を伴う動作を適正に行い得る半導体装置提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本開示の実施形態の例を、図面を参照して具体的に説明する。参照される各図において、同一の部分には同一の符号を付し、同一の部分に関する重複する説明を原則として省略する。尚、本明細書では、記述の簡略化上、情報、信号、物理量、機能部、回路、素子又は部品等を参照する記号又は符号を記すことによって、該記号又は符号に対応する情報、信号、物理量、機能部、回路、素子又は部品等の名称を省略又は略記することがある。例えば、後述の“１０９”によって参照される水濡れ検出センサは（図１参照）、水濡れ検出センサ１０９と表記されることもあるし、センサ１０９と略記されることもあり得るが、それらは全て同じものを指す。
【0010】
まず、本開示の実施形態の記述にて用いられる幾つかの用語について説明を設ける。グランドとは、基準となる０Ｖ（ゼロボルト）の電位を有する基準導電部を指す又は０Ｖの電位そのものを指す。基準導電部は金属等の導体を用いて形成されて良い。０Ｖの電位をグランド電位と称することもある。本開示の実施形態において、特に基準を設けずに示される電圧はグランドから見た電位を表す。
【0011】
レベルとは電位のレベルを指し、任意の注目した信号又は電圧についてハイレベルはローレベルよりも高い電位を有する。任意の注目した信号又は電圧について、信号又は電圧がハイレベルにあるとは厳密には信号又は電圧のレベルがハイレベルにあることを意味し、信号又は電圧がローレベルにあるとは厳密には信号又は電圧のレベルがローレベルにあることを意味する。信号についてのレベルは信号レベルと表現されることがあり、電圧についてのレベルは電圧レベルと表現されることがある。
【0012】
任意の注目した信号又は電圧において、ローレベルからハイレベルへの切り替わりをアップエッジと称する。アップエッジをライジングエッジに読み替えて良い。任意の注目した信号又は電圧において、ハイレベルからローレベルへの切り替わりをダウンエッジと称する。ダウンエッジをフォーリングエッジに読み替えて良い。
【0013】
ＭＯＳＦＥＴを含むＦＥＴ（電界効果トランジスタ）として構成された任意のトランジスタについて、オン状態とは、当該トランジスタのドレイン及びソース間が導通している状態を指し、オフ状態とは、当該トランジスタのドレイン及びソース間が非導通となっている状態（遮断状態）を指す。ＦＥＴに分類されないトランジスタについても同様である。ＭＯＳＦＥＴは、特に記述無き限り、エンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴであると解される。ＭＯＳＦＥＴは“metal-oxide-semiconductor field-effect transistor”の略称である。また、特に記述なき限り、任意のＭＯＳＦＥＴにおいて、バックゲートはソースに短絡されていると考えて良い。以下、任意のトランジスタについて、オン状態、オフ状態を、単に、オン、オフと表現することもある。
【0014】
任意の回路素子、配線、ノードなど、回路を形成する複数の部位間についての接続とは、特に記述なき限り、電気的な接続を指すと解して良い。
【0015】
図１は、本開示の実施形態に係る電子機器用のシステムＳＹＳの概略全体構成図である。図２に示す如くシステムＳＹＳは電子機器ＥＥに搭載される。図３に電子機器ＥＥの外観の一例を示す。図３に示される電子機器ＥＥはノート型のパーソナルコンピュータであるが、システムＳＹＳが搭載される電子機器ＥＥの種類は任意である。例えば、電子機器ＥＥは、スマートホン又はタブレット等の情報端末、ゲーム機器、デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、カーナビゲーションシステム又はドライブレコーダ等の車載機器であって良い。
【0016】
図１のシステムＳＹＳは、半導体装置１と、第１電圧源の例であるバッテリ１０１と、第２電圧源の例であるコイン型電池１０２と、抵抗１０３～１０５と、コンデンサ１０６及び１０７と、サーミスタ１０８と、水濡れ検出センサ１０９と、衝撃検出センサ１１０と、上位処理装置１２０と、計時回路１３０と、出力コンデンサ１４１、１４２ｂ及び１４３ｂと、出力コイル１４２ａ及び１４３ａと、出力トランジスタ１４４及び１４５と、を備える。システムＳＹＳに対して負荷ＬＤ１～ＬＤ５が接続される。
【0017】
図４は半導体装置１の外観斜視図である。半導体装置１は、半導体基板上に形成された半導体集積回路を有する半導体チップと、半導体チップを収容する筐体（パッケージ）と、筐体から半導体装置１の外部に対して露出する複数の外部端子と、を備えた電子部品である。半導体チップを樹脂にて構成された筐体（パッケージ）内に封入することで半導体装置１が形成される。尚、図４に示される半導体装置１の外部端子の数及び半導体装置１の筐体の種類は例示に過ぎず、それらを任意に設計可能である。図１には、半導体装置１に設けられる複数の外部端子の一部として、端子ＴＭ１～ＴＭ５、ＴＭ１１～ＴＭ１４、ＴＭ２０及びＴＭ３１～ＴＭ３５のみが示されているが、他の外部端子も半導体装置１に設けられる。尚、端子ＴＭ４は２以上の端子から成る通信用端子群である。
【0018】
バッテリ１０１は、電子機器ＥＥの駆動用の主電源であり、充電及び放電が可能な二次電池である。例えば、電子機器ＥＥは所定の直流電圧（例えばＡＣアダプタからの直流電圧）を受けるための外部電圧入力端子を有しており、その外部電圧入力端子に所定の直流電圧が入力されているとき、電子機器ＥＥに設けられた図示されない充電回路は、その直流電圧に基づいてバッテリ１０１を充電する。システムＳＹＳ内の各回路は、外部電圧入力端子に直流電圧が入力されているとき、その直流電圧に基づいて駆動することがあっても良いが、以下では、外部電圧入力端子に直流電圧が入力されていないものとする。
【0019】
バッテリ１０１の負側端子（負極）はグランドに接続され、バッテリ１０１はグランド電位を基準に自身の正側端子（正極）から直流の電圧ＶＢＡＴを出力する。バッテリ１０１の出力電圧ＶＢＡＴは、例えば９Ｖ～２０Ｖの範囲内の電圧値を有する。
【0020】
コイン型電池１０２は、主に計時回路１３０の駆動用の電源として機能する一次電池である。コイン型電池１０２の負側端子（負極）はグランドに接続され、コイン型電池１０２はグランド電位を基準に自身の正側端子（正極）から直流の電圧ＶＣＯＩＮを出力する。コイン型電池１０２の出力電圧ＶＣＯＩＮは例えば３．０Ｖである。
【0021】
バッテリ１０１は電子機器ＥＥに対し着脱可能な形態で電子機器ＥＥに搭載される。バッテリ１０１が電子機器ＥＥに装着されている状態（以下、バッテリ装着状態と称する）においては、バッテリ１０１の負側端子（負極）がグランドに接続される一方でバッテリ１０１の正側端子（正極）はノードＮＤ１に接続される。故に、バッテリ装着状態においては、グランド電位を基準にノードＮＤ１に対してバッテリ１０１の出力電圧ＶＢＡＴが加わる。
【0022】
一方、バッテリ１０１が電子機器ＥＥに対して装着されていない状態（以下、非バッテリ装着状態と称する）においては、当然、ノードＮＤ１に電圧ＶＢＡＴが加わらない。また、後述されるよう、ノードＮＤ１は抵抗１０３及び１０４の直列回路を介してグランドに接続されている。このため、非バッテリ装着状態においてノードＮＤ１の電位はゼロとなる（即ちグランド電位と一致する）。
【0023】
半導体装置１と半導体装置１に外部接続される部品との接続関係を説明する。ノードＮＤ１は抵抗１０３の一端に接続され、抵抗１０３の他端は抵抗１０４を介してグランドに接続される。抵抗１０３及び１０４間の接続ノードＮＤ２は端子ＴＭ１１に接続される。また、ノードＮＤ１は抵抗１０５の一端に接続され、抵抗１０５の他端は端子ＴＭ１に接続されると共にコンデンサ１０６を介してグランドに接続される。
【0024】
端子ＴＭ１は第１電圧入力端子である。端子ＴＭ１に加わる電圧（換言すれば端子ＴＭ１に供給される電圧）を入力電圧ＶＳ１と称する。抵抗１０５及びコンデンサ１０６は、バッテリ装着状態においてバッテリ１０１の出力電圧ＶＢＡＴに含まれうる交流成分を低減して入力電圧ＶＳ１を生成するローパスフィルタを形成する。但し、このローパスフィルタは必須ではない。入力電圧ＶＳ１は、抵抗１０５での電圧降下を無視すれば、バッテリ装着状態においてバッテリ１０１の出力電圧ＶＢＡＴと一致し、非バッテリ装着状態においてゼロとなる。即ち、バッテリ装着状態は、バッテリ１０１からの入力電圧（ＶＳ１、ＶＢＡＴ）が端子ＴＭ１に供給されている状態に相当し、非バッテリ装着状態は、バッテリ１０１からの入力電圧（ＶＳ１、ＶＢＡＴ）の端子ＴＭ１への供給が途絶えている状態に相当する。
【0025】
コイン型電池１０２の正側端子（正極）は端子ＴＭ２に接続される。端子ＴＭ２は第２電圧入力端子である。端子ＴＭ２に加わる電圧（換言すれば端子ＴＭ２に供給される電圧）を入力電圧ＶＳ２と称する。コイン型電池１０２は電子機器ＥＥに対し着脱不能な形態で電子機器ＥＥに搭載されている。このため、入力電圧ＶＳ２は常にコイン型電池１０２の出力電圧ＶＣＯＩＮと一致する。
【0026】
端子ＴＭ５はコンデン１０７の一端に接続され、コンデン１０７の他端はグランドに接続される。コンデンサ１０７は、後述の内部電源電圧ＶＣＣ１を安定化させるために設けられる。端子ＴＭ１２はサーミスタ１０８の一端に接続され、サーミスタ１０８の他端はグランドに接続される。端子ＴＭ１３は水濡れ検出センサ１０９に接続される。端子ＴＭ１４は衝撃検出センサ１１０に接続される。これらセンサ１０９及び１１０の機能及び動作については後述される。
【0027】
端子ＴＭ３は電圧出力端子である。端子ＴＭ３は計時回路１３０に接続される。計時回路１３０は、いわゆるリアルタイムクロックであり、現在の時刻及び日付を計測する。計時回路１３０の計測結果は、上位処理装置１２０又は電子機器ＥＥ内の図示されない回路に伝達されて所定処理に供される。計時回路１３０は、端子ＴＭ３から出力される電圧（後述のＲＴＣ用の電源電圧ＶＣＣ２）に基づいて駆動する。
【0028】
通信用端子群ＴＭ４は上位処理装置１２０に接続される。上位処理装置１２０は、半導体装置１に外部接続される処理装置（外部処理装置）の例である。
【0029】
出力コンデンサ１４１の一端は端子ＴＭ３１に接続され、出力コンデンサ１４１の他端はグランドに接続される。端子ＴＭ３１における電圧は負荷ＬＤ１への駆動電圧ＶＲ１として機能する。負荷ＬＤ１は端子ＴＭ３１に接続され、駆動電圧ＶＲ１を用いて動作する。本実施形態において上位処理装置１２０は負荷ＬＤ１に属し、駆動電圧ＶＲ１に基づいて動作する。但し、上位処理装置１２０は、バッテリ１０１の出力電圧ＶＢＡＴに基づく他の電圧を用いて動作するものであっても良い。
【0030】
出力コイル１４２ａの一端は端子ＴＭ３２に接続される。出力コイル１４２ａの他端は出力コンデンサ１４２ｂの一端に接続され、出力コンデンサ１４２ｂの他端はグランドに接続される。出力コイル１４２ａ及び出力コンデンサ１４２ｂ間の接続ノードにおける電圧は負荷ＬＤ２への駆動電圧ＶＲ２として機能する。負荷ＬＤ２は出力コイル１４２ａ及び出力コンデンサ１４２ｂ間の接続ノードに接続され、駆動電圧ＶＲ２を用いて動作する。
【0031】
出力コイル１４３ａの一端は端子ＴＭ３３に接続される。出力コイル１４３ａの他端は出力コンデンサ１４３ｂの一端に接続され、出力コンデンサ１４３ｂの他端はグランドに接続される。出力コイル１４３ａ及び出力コンデンサ１４３ｂ間の接続ノードにおける電圧は負荷ＬＤ３への駆動電圧ＶＲ３として機能する。負荷ＬＤ３は出力コイル１４３ａ及び出力コンデンサ１４３ｂ間の接続ノードに接続され、駆動電圧ＶＲ３を用いて動作する。
【0032】
出力トランジスタ１４４及び１４５はＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）にて構成される。出力トランジスタ１４４及び１４５の各ソースは電圧Ｖａが加わる端子に接続される。電圧Ｖａは、バッテリ１０１の出力電圧ＶＢＡＴに基づき図示されない電源回路にて生成された正の直流電圧である。但し、バッテリ１０１の出力電圧ＶＢＡＴそのものが電圧Ｖａであっても良い。
【0033】
出力トランジスタ１４４のゲートは端子ＴＭ３４に接続される。出力トランジスタ１４４のドレインにおける電圧は負荷ＬＤ４への駆動電圧ＶＲ４として機能する。負荷ＬＤ４は出力トランジスタ１４４のドレインに接続され、駆動電圧ＶＲ４を用いて動作する。
【0034】
出力トランジスタ１４５のゲートは端子ＴＭ３５に接続される。出力トランジスタ１４５のドレインにおける電圧は負荷ＬＤ５への駆動電圧ＶＲ５として機能する。負荷ＬＤ５は出力トランジスタ１４５のドレインに接続され、駆動電圧ＶＲ５を用いて動作する。
【0035】
負荷ＬＤ１～ＬＤ５は、電子機器ＥＥを構成する任意のハードウェアであり、例えば、表示装置、ハードディスクの駆動用モータ、スピーカ、ロジック回路及び半導体集積回路を含む。後述の通常動作状態において、駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５は夫々に正の直流電圧を有し、負荷ＬＤ１～ＬＤ５は夫々駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５に基づいて動作する。但し、駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５はゼロになることもある（詳細は後述）。
【0036】
次に、半導体装置１の内部構成について説明する。半導体装置１は、内部電源回路１０と、ＲＴＣ用の電源電圧生成回路２０と、異常検出回路３０と、異常情報保持回路４０と、レベルシフタ５０と、メインロジック回路６０と、電力供給回路７０と、を備える。
【0037】
内部電源回路１０は、バッテリ装着状態において、端子ＴＭ１に供給される入力電圧ＶＳ１に基づき内部電源電圧ＶＣＣ１を生成するＬＤＯ (Low Drop Out)レギュレータである。但し、内部電源回路１０は入力電圧ＶＳ１に基づき内部電源電圧ＶＣＣ１を生成できる任意の電源回路（ＤＣ／ＤＣコンバータを含む）であって良い。非バッテリ装着状態において内部電源電圧ＶＣＣ１は生成されない（即ち電圧ＶＣＣ１はゼロとなる）。バッテリ装着状態において、内部電源電圧ＶＣＣ１は正の直流電圧であり例えば３．３Ｖである。内部電源電圧ＶＣＣ１が生じる配線は端子ＴＭ５に接続される。内部電源回路１０に対しては、後述のバッファ回路３１の出力信号が内部電源回路１０のイネーブル信号として供給されており、バッテリ装着状態において、バッファ回路３１の出力信号がハイレベルであるときに限り、内部電源回路１０は内部電源電圧ＶＣＣ１の生成動作を行う。
【0038】
尚、半導体装置１には、内部電源回路１０とは別の電源回路（図１において“ＲＥＧ”に対応）が設けられていて良く、その別の電源回路は、バッテリ装着状態において、入力電圧ＶＳ１に基づき内部電源電圧ＶＣＣ１とは別の１以上の直流電圧（例えば２．６Ｖの直流電圧を含む）を生成する。その１以上の直流電圧は、半導体装置１内の図示されない回路の電源電圧又は基準電圧として利用されて良い。
【0039】
ＲＴＣ用の電源電圧生成回路２０は、ダイオード２１及び２２を備える。ダイオード２１のアノードは端子ＴＭ２に接続され、ダイオード２２のアノードは端子ＴＭ５（従って内部電源電圧ＶＣＣ１が生じる配線）に接続される。ダイオード２１及び２２の各カソードは端子ＴＭ３に共通接続される。ダイオード２１及び２２の各カソードに生じる電圧は、ＲＴＣ用の電源電圧ＶＣＣ２である。つまり、電源電圧ＶＣＣ２は、計時回路１３０に対する電源電圧として端子ＴＭ３から出力されることになる。
【0040】
ここではダイオード２１及び２２の順方向電圧は互いに同じであるとする。そして、バッテリ装着状態において、内部電源電圧ＶＣＣ１の方がコイン型電池１０２の出力電圧ＶＣＯＩＮよりも高くなるよう、内部電源電圧ＶＣＣ１の値が設定されている（例えば、電圧ＶＣＯＩＮは３．０Ｖであって、電圧ＶＣＣ１は３．３Ｖ）。このため、バッテリ装着状態においては、ダイオード２１に電流は流れず、内部電源電圧ＶＣＣ１に基づいてＲＴＣ用の電源電圧ＶＣＣ２が生成される（内部電源電圧ＶＣＣ１よりダイオード２２の順方向電圧だけ低い電圧がＲＴＣ用の電源電圧ＶＣＣ２となる）。非バッテリ装着状態においては“ＶＣＣ１＝０”となるので、コイン型電池１０２からの入力電圧ＶＳ２に基づいてＲＴＣ用の電源電圧ＶＣＣ２が生成される（入力電圧ＶＳ２よりダイオード２１の順方向電圧だけ低い電圧がＲＴＣ用の電源電圧ＶＣＣ２となる）。尚、バッテリ装着状態においてダイオード２１に電流が流れずに内部電源電圧ＶＣＣ１に基づいて電源電圧ＶＣＣ２が生成される限り、ダイオード２１及び２２の順方向電圧は不一致でも構わない。
【0041】
コイン型電池１０２は、非バッテリ装着状態において（又はバッテリ１０１の残容量が非常に低い状態において）、計時回路１３０の動作を継続させるための補助的な電圧源であり、コイン型電池１０２の容量はバッテリ１０１の容量よりも小さい。また、コイン型電池１０２の充電は不可である。このため、内部電源電圧ＶＣＣ１が生成されないようなイレギュラーな状態においてのみ、コイン型電池１０２の出力を用いてＲＴＣ用の電源電圧ＶＣＣ２を生成するようにしている。
【0042】
異常検出回路３０は、バッファ回路３１、３５及び３６、インバータ回路３２、定電流回路３３並びにコンパレータ３４を備える。異常検出回路３０を構成する各回路（３１～３６）はＲＴＣ用の電源電圧ＶＣＣ２に基づいて動作する。インバータ回路３２、コンパレータ３４、バッファ回路３５、バッファ回路３６の出力信号を、夫々、記号ＤＥＴ１、ＤＥＴ２、ＤＥＴ３、ＤＥＴ４にて参照する。バッファ回路３１、３５及び３６、インバータ回路３２並びにコンパレータ３４の夫々において、正側の電源電圧は電源電圧ＶＣＣ２であり、負側の電源電圧は０Ｖである。バッファ回路３１の出力信号及び信号ＤＥＴ１～ＤＥＴ４は、ＶＣＣ２系デジタル信号に属する。ＶＣＣ２系デジタル信号において、ハイレベルは実質的に電源電圧ＶＣＣ２のレベルと一致し、ローレベルは実質的にグランドのレベルと一致する。
【0043】
バッファ回路３１の入力端は端子ＴＭ１１に接続され、バッファ回路３１の出力端はインバータ回路３２の入力端に接続される。バッテリ装着状態においては、バッテリ１０１の出力電圧ＶＢＡＴの分圧がノードＮＤ２に生じ、その分圧による正の電位がノードＮＤ２及び端子ＴＭ１１に加わることで、バッファ回路３１はハイレベルの信号を出力する。バッファ回路３１の出力信号がハイレベルであるとき、インバータ回路３２はローレベルの信号ＤＥＴ１を出力する。一方、非バッテリ装着状態においては、ノードＮＤ２の電位が０Ｖとなることでバッファ回路３１はローレベルの信号を出力する。バッファ回路３１の出力信号がローレベルであるとき、インバータ回路３２はハイレベルの信号ＤＥＴ１を出力する。
【0044】
コンパレータ３４の非反転入力端子は端子ＴＭ１２に接続される。コンパレータ３４の反転入力端子には所定の正の基準電圧ＶＲＥＦが印加される。基準電圧ＶＲＥＦは、例えば、電源電圧ＶＣＣ２に基づき、半導体装置１に設けられた基準電圧生成回路（不図示）により生成される。定電流回路３３は電源電圧ＶＣＣ２の印加端と端子ＴＭ１２との間に挿入され、電源電圧ＶＣＣ２に基づき電源電圧ＶＣＣ２の印加端から端子ＴＭ１２を介しサーミスタ１０８に向けて所定の定電流を供給する。
【0045】
ここで、サーミスタ１０８は、検出対象温度の上昇に伴ってサーミスタ１０８の抵抗値が増大するＰＴＣサーミスタである。検出対象温度が所定の異常検出温度ＴＭＰＴＨ未満ではサーミスタ１０８での電圧降下が基準電圧ＶＲＥＦ未満となることで信号ＤＥＴ２がローレベルとなる。検出対象温度が所定の異常検出温度ＴＭＰＴＨ以上となるとサーミスタ１０８での電圧降下が基準電圧ＶＲＥＦ以上となることで信号ＤＥＴ２がハイレベルとなる。但し、コンパレータ３４にヒステリシス特性を付与しておいて良い。
【0046】
サーミスタ１０８は温度検出対象部位（温度検出対象位置）に配置される。故に、検出対象温度は、サーミスタ１０８の温度であると共に、温度検出対象部位の温度を表す。温度検出対象部位（温度検出対象位置）は電子機器ＥＥ内の第１所定部位（第１所定位置）である。尚、サーミスタ１０８として、検出対象温度の上昇に伴ってサーミスタ１０８の抵抗値が減少するＮＴＣサーミスタを用いても良い。この場合には、コンパレータ３４の反転入力端子を端子ＴＭ１２に接続し且つコンパレータ３４の非反転入力端子に基準電圧ＶＲＥＦを印加するなどの回路変形を施せば良い。
【0047】
バッファ回路３５の入力端は端子ＴＭ１３に接続され、バッファ回路３５の出力端から信号ＤＥＴ３が出力される。水濡れ検出センサ１０９は、水濡れ検出対象部位（水濡れ検出対象位置）に配置され、水濡れ検出対象部位が水に濡れているか否かを検出して検出結果を示す信号を端子ＴＭ１３に出力する。水濡れ検出対象部位（水濡れ検出対象位置）は電子機器ＥＥ内の第２所定部位（第２所定位置）である。水濡れ検出対象部位が水に濡れていると検出したとき、センサ１０９は端子ＴＭ１３に対し第１電位の信号を出力し、そうでないとき、センサ１０９は端子ＴＭ１３に対し第１電位よりも低い第２電位の信号を出力する。センサ１０９の出力信号における第１電位、第２電位は、夫々、バッファ回路３５にとってハイレベル、ローレベルに属する。故に、センサ１０９から第１電位の信号が出力されているとき、バッファ回路３５はハイレベルの信号ＤＥＴ３を出力し、センサ１０９から第２電位の信号が出力されているとき、バッファ回路３５はローレベルの信号ＤＥＴ３を出力する。
【0048】
バッファ回路３６の入力端は端子ＴＭ１４に接続され、バッファ回路３６の出力端から信号ＤＥＴ４が出力される。衝撃検出センサ１１０は、所定軸方向における電子機器ＥＥの加速度の大きさを検出する。検出された加速度の大きさが所定の加速度閾値を超えるとき、センサ１１０は端子ＴＭ１４に対し第１電位の信号を出力し、そうでないとき、センサ１１０は端子ＴＭ１４に対し第１電位よりも低い第２電位の信号を出力する。センサ１１０の出力信号における第１電位、第２電位は、夫々、バッファ回路３６にとってハイレベル、ローレベルに属する。故に、センサ１１０から第１電位の信号が出力されているとき、バッファ回路３６はハイレベルの信号ＤＥＴ４を出力し、センサ１１０から第２電位の信号が出力されているとき、バッファ回路３６はローレベルの信号ＤＥＴ４を出力する。
【0049】
尚、センサ１０９及び１１０は、バッテリ１０１の出力電圧ＶＢＡＴに基づく正の直流電圧を駆動電圧として用いて動作する。バッテリ１０１の出力電圧ＶＢＡＴ又は端子ＴＭ５における電圧（即ち電圧ＶＣＣ１）がセンサ１０９及び１１０の駆動電圧であっても良い。或いは、ＲＴＣ用の電源電圧ＶＣＣ２がセンサ１０９及び１１０の駆動電圧であっても良い。この場合には、非バッテリ装着状態においても所望の水濡れ検出及び衝撃検出を行うことができる。
【0050】
バッテリ１０１は電子機器ＥＥに対し着脱可能な形態で電子機器ＥＥに搭載されると上述した。しかしながら、電子機器ＥＥの製造工程でバッテリ１０１が電子機器ＥＥに装着された後、バッテリ１０１が電子機器ＥＥから外されることは通常の使用環境において想定されていない。故に非バッテリ装着状態は異常な状態に属する。非バッテリ装着状態による異常、即ち、電源入力端子ＴＭ１に対する入力電圧（ＶＳ１、ＶＢＡＴ）の供給が途絶える異常を、電源消失異常と称する。バッファ回路３１及びインバータ回路３２は、抵抗１０３及び１０４と協働して電源消失異常の有無を検出し且つ検出結果を示す信号ＤＥＴ１を出力する。ハイレベルの信号ＤＥＴ１は、電源消失異常が検出された旨を示す電源消失異常検出信号として機能する。
【0051】
検出対象温度が所定の異常検出温度ＴＭＰＴＨ以上となる状態は、検出対象温度が過度に高くなる温度異常に相当する。定電流回路３３及びコンパレータ３４は、サーミスタ１０８と協働して温度異常の有無を検出し且つ検出結果を示す信号ＤＥＴ２を出力する。ハイレベルの信号ＤＥＴ２は、温度異常が検出された旨を示す温度異常検出信号として機能する。
【0052】
電子機器ＥＥは水に濡れる環境で使用されることが許容又は想定された機器ではない。水濡れ検出対象部位が水に濡れる状態は水濡れ異常に相当する。バッファ回路３５は、センサ１０９と協働して水濡れ異常の有無を検出し且つ検出結果を示す信号ＤＥＴ３を出力する。ハイレベルの信号ＤＥＴ３は、水濡れ異常が検出された旨を示す水濡れ異常検出信号として機能する。
【0053】
電子機器ＥＥへの過度の衝撃は電子機器ＥＥの故障要因となる。上記加速度閾値を超える大きさの加速度が電子機器ＥＥに加わる状態は、過度の衝撃が電子機器ＥＥに加わる状態に相当し、当該状態を衝撃異常と称する。バッファ回路３６は、センサ１１０と協働して衝撃異常の有無を検出し且つ検出結果を示す信号ＤＥＴ４を出力する。ハイレベルの信号ＤＥＴ４は、衝撃異常が検出された旨を示す衝撃異常検出信号として機能する。
【0054】
異常情報保持回路４０はラッチ回路４１～４４を備える。異常情報保持回路４０を構成する各回路（４１～４４）はＲＴＣ用の電源電圧ＶＣＣ２に基づいて動作する。ラッチ回路４１、４２、４３、４４の出力信号を、夫々、記号ＬＣＨ１、ＬＣＨ２、ＬＣＨ３、ＬＣＨ４にて参照する。ラッチ回路４１～４４の夫々において、正側の電源電圧は電源電圧ＶＣＣ２であり、負側の電源電圧は０Ｖである。故に、信号ＬＣＨ１～ＬＣＨ４は、ＶＣＣ２系デジタル信号に属する。
【0055】
ラッチ回路４１は、信号ＤＥＴ１の入力を受け、信号ＤＥＴ１が表す情報を保持する（ラッチする）ことが可能であって、保持情報を信号ＬＣＨ１として出力する。ラッチ回路４１にはレベルシフタ５０から信号ＲＳＴ１が供給されており、ラッチ回路４１の保持情報は信号ＲＳＴ１のレベルに応じて破棄される。ここでは、信号ＤＥＴ１がローレベルであり続ける限りラッチ回路４１は“０”の情報を保持し、信号ＤＥＴ１が一旦ハイレベルとなると信号ＲＳＴ１がローレベルとならない限りラッチ回路４１は“１”の情報を継続して保持するものとする。そして、ラッチ回路４１にて“０”の情報が保持されているとき信号ＬＣＨ１はローレベルとなる一方でラッチ回路４１にて“１”の情報が保持されているとき信号ＬＣＨ１はハイレベルとなるものとする。信号ＲＳＴ１がハイレベルである限りラッチ回路４１での情報の保持は継続され、信号ＲＳＴ１がローレベルであるとラッチ回路４１での保持情報は破棄されて信号ＤＥＴ１のレベルに関係なく信号ＬＣＨ１がローレベルとなるものとする。
【0056】
同様に、ラッチ回路４２は、信号ＤＥＴ２の入力を受け、信号ＤＥＴ２が表す情報を保持する（ラッチする）ことが可能であって、保持情報を信号ＬＣＨ２として出力する。ラッチ回路４２にはレベルシフタ５０から信号ＲＳＴ２が供給されており、ラッチ回路４２の保持情報は信号ＲＳＴ２のレベルに応じて破棄される。ここでは、信号ＤＥＴ２がローレベルであり続ける限りラッチ回路４２は“０”の情報を保持し、信号ＤＥＴ２が一旦ハイレベルとなると信号ＲＳＴ２がローレベルとならない限りラッチ回路４２は“１”の情報を継続して保持するものとする。そして、ラッチ回路４２にて“０”の情報が保持されているとき信号ＬＣＨ２はローレベルとなる一方でラッチ回路４２にて“１”の情報が保持されているとき信号ＬＣＨ２はハイレベルとなるものとする。信号ＲＳＴ２がハイレベルである限りラッチ回路４２での情報の保持は継続され、信号ＲＳＴ２がローレベルであるとラッチ回路４２での保持情報は破棄されて信号ＤＥＴ２のレベルに関係なく信号ＬＣＨ２がローレベルとなるものとする。
【0057】
同様に、ラッチ回路４３は、信号ＤＥＴ３の入力を受け、信号ＤＥＴ３が表す情報を保持する（ラッチする）ことが可能であって、保持情報を信号ＬＣＨ３として出力する。ラッチ回路４３にはレベルシフタ５０から信号ＲＳＴ３が供給されており、ラッチ回路４３の保持情報は信号ＲＳＴ３のレベルに応じて破棄される。ここでは、信号ＤＥＴ３がローレベルであり続ける限りラッチ回路４３は“０”の情報を保持し、信号ＤＥＴ３が一旦ハイレベルとなると信号ＲＳＴ３がローレベルとならない限りラッチ回路４３は“１”の情報を継続して保持するものとする。そして、ラッチ回路４３にて“０”の情報が保持されているとき信号ＬＣＨ３はローレベルとなる一方でラッチ回路４３にて“１”の情報が保持されているとき信号ＬＣＨ３はハイレベルとなるものとする。信号ＲＳＴ３がハイレベルである限りラッチ回路４３での情報の保持は継続され、信号ＲＳＴ３がローレベルであるとラッチ回路４３での保持情報は破棄されて信号ＤＥＴ３のレベルに関係なく信号ＬＣＨ３がローレベルとなるものとする。
【0058】
同様に、ラッチ回路４４は、信号ＤＥＴ４の入力を受け、信号ＤＥＴ４が表す情報を保持する（ラッチする）ことが可能であって、保持情報を信号ＬＣＨ４として出力する。ラッチ回路４４にはレベルシフタ５０から信号ＲＳＴ４が供給されており、ラッチ回路４４の保持情報は信号ＲＳＴ４のレベルに応じて破棄される。ここでは、信号ＤＥＴ４がローレベルであり続ける限りラッチ回路４４は“０”の情報を保持し、信号ＤＥＴ４が一旦ハイレベルとなると信号ＲＳＴ４がローレベルとならない限りラッチ回路４４は“１”の情報を継続して保持するものとする。そして、ラッチ回路４４にて“０”の情報が保持されているとき信号ＬＣＨ４はローレベルとなる一方でラッチ回路４４にて“１”の情報が保持されているとき信号ＬＣＨ４はハイレベルとなるものとする。信号ＲＳＴ４がハイレベルである限りラッチ回路４４での情報の保持は継続され、信号ＲＳＴ４がローレベルであるとラッチ回路４４での保持情報は破棄されて信号ＤＥＴ４のレベルに関係なく信号ＬＣＨ４がローレベルとなるものとする。
【0059】
ローレベルの信号ＲＳＴ１～ＲＳＴ４は、夫々、ラッチ回路４１～４４の保持情報を破棄させるリセット信号として機能する。但し、ハイレベルの信号ＲＳＴ１～ＲＳＴ４がリセット信号として機能するように変形が施されても良い。この他、任意の信号についてハイレベル及びローレベル間の関係を逆転させる変形も可能である。
【0060】
図５にラッチ回路４１～４４の具体的な構成例を示す。図５の構成では、ラッチ回路４１～４４として、ポジティブエッジトリガ型且つＤ型のフリップフロップであるＤＦＦ４１ａ～４４ａが用いられる。ＤＦＦ４１ａ～４４ａは電源電圧ＶＣＣ２に基づいて動作する。ＤＦＦ４１ａ～４４ａの夫々において、Ｄ入力端子に電源電圧ＶＣＣ２が印加される、即ちハイレベルの信号が入力される。ＤＦＦ４１ａ～４４ａのクロック入力端子に、夫々、信号ＤＥＴ１～ＤＥＴ４が入力される。ＤＦＦ４１ａ～４４ａのリセット入力端子に、夫々、信号ＲＳＴ１～ＲＳＴ４が入力される。ＤＦＦ４１ａ～４４ａのＱ出力端子から、夫々、信号ＬＣＨ１～ＬＣＨ４が出力される。
【0061】
ＤＦＦ４１ａは、信号ＬＣＨ１がローレベルである状態を起点に信号ＤＥＴ１にアップエッジが生じると“１”の情報を保持して、以後、信号ＲＳＴ１がローレベルにならない限り、信号ＬＣＨ１をハイレベルに維持する。信号ＲＳＴ１がローレベルとなると保持情報が破棄されて信号ＬＣＨ１がローレベルとなる。同様に、ＤＦＦ４２ａは、信号ＬＣＨ２がローレベルである状態を起点に信号ＤＥＴ２にアップエッジが生じると“１”の情報を保持して、以後、信号ＲＳＴ２がローレベルにならない限り、信号ＬＣＨ２をハイレベルに維持する。信号ＲＳＴ２がローレベルとなると保持情報が破棄されて信号ＬＣＨ２がローレベルとなる。ＤＦＦ４３ａ及び４４ａについても同様である。
【0062】
尚、図１に示す如く信号ＬＣＨ１～ＬＣＨ４はレベルシフタ５０に供給されることになるが、ＤＦＦａ４１のＱ出力端子とレベルシフタ５０との間にバッファ回路を挿入しても良い。同様に、ＤＦＦａ４２のＱ出力端子とレベルシフタ５０との間、ＤＦＦａ４３のＱ出力端子とレベルシフタ５０との間、ＤＦＦａ４４のＱ出力端子とレベルシフタ５０との間に、夫々、バッファ回路を挿入しても良い。
【0063】
ラッチ回路４１にて保持される“１”の情報は、電源消失異常の発生が検出された旨を示す電源消失異常情報である。ラッチ回路４１は電源消失異常が検出されたとき電源消失異常情報を保持する。ラッチ回路４２にて保持される“１”の情報は、温度異常の発生が検出された旨を示す温度異常情報である。ラッチ回路４２は温度異常が検出されたとき温度異常情報を保持する。ラッチ回路４２は電源消失異常の発生中においても温度異常情報を保持できる。ラッチ回路４３にて保持される“１”の情報は、水濡れ異常の発生が検出された旨を示す水濡れ異常情報である。ラッチ回路４３は水濡れ異常が検出されたとき水濡れ異常情報を保持する。ラッチ回路４３は電源消失異常の発生中においても水濡れ異常情報を保持できる。ラッチ回路４４にて保持される“１”の情報は、衝撃異常の発生が検出された旨を示す衝撃異常情報である。ラッチ回路４４は衝撃異常が検出されたとき衝撃異常情報を保持する。ラッチ回路４４は電源消失異常の発生中においても衝撃異常情報を保持できる。
【0064】
図１を再度参照し、レベルシフタ５０は、電源電圧ＶＣＣ２及びＶＣＣ１に基づくレベルシフト処理を実行する。レベルシフト処理はバッテリ装着状態においてのみ実行される。具体的には、レベルシフタ５０は、異常情報保持回路４０から信号ＬＣＨ１～ＬＣＨ４の入力を受け、レベルシフト処理において信号ＬＣＨ１～ＬＣＨ４をレベルシフトした信号ＬＣＨ１’～ＬＣＨ４’をメインロジック回路６０に出力する。また、レベルシフタ５０は、メインロジック回路６０から信号ＲＳＴ１’～ＲＳＴ４’の入力を受け、レベルシフト処理において信号ＲＳＴ１’～ＲＳＴ４’をレベルシフトした信号ＲＳＴ１～ＲＳＴ４を異常情報保持回路４０に出力する。更に、レベルシフタ５０は、コンパレータ３４及びバッファ回路３５から信号ＤＥＴ２及びＤＥＴ３の入力を受け、レベルシフト処理において信号ＤＥＴ２及びＤＥＴ３をレベルシフトした信号ＤＥＴ２’及びＤＥＴ３’をメインロジック回路６０に出力する。
【0065】
バッテリ装着状態において、レベルシフト前の信号がハイレベルであれば、レベルシフト後の信号もハイレベルであり、レベルシフト前の信号がローレベルであれば、レベルシフト後の信号もローレベルである。レベルシフト前の信号が信号ＬＣＨ１、ＬＣＨ２、ＬＣＨ３、ＬＣＨ４、ＲＳＴ１’、ＲＳＴ２’、ＲＳＴ３’、ＲＳＴ４’、ＤＥＴ２、ＤＥＴ３であるとき、レベルシフト後の信号は、夫々、信号ＬＣＨ１’、ＬＣＨ２’、ＬＣＨ３’、ＬＣＨ４’、ＲＳＴ１、ＲＳＴ２、ＲＳＴ３、ＲＳＴ４、ＤＥＴ２’、ＤＥＴ３’である。
【0066】
信号ＬＣＨ１～ＬＣＨ４、ＲＳＴ１～ＲＳＴ４、ＤＥＴ２及びＤＥＴ３は、ＶＣＣ２系デジタル信号に属する一方、信号ＬＣＨ１’～ＬＣＨ４ ’、ＲＳＴ１’～ＲＳＴ４ ’、ＤＥＴ２’及びＤＥＴ３’は、ＶＣＣ１系デジタル信号に属する。ＶＣＣ１系デジタル信号において、ハイレベルは実質的に電源電圧ＶＣＣ１のレベルと一致し、ローレベルは実質的にグランドのレベルと一致する。非バッテリ装着状態においては、“ＶＣＣ１＝０”であるから、ＶＣＣ１系デジタル信号のレベルは常にグランドのレベルと一致することになる。尚、非バッテリ装着状態では、信号ＲＳＴ１～ＲＳＴ４がハイレベルに維持されるよう（即ちラッチ回路４１～４４にリセット信号が供給されないよう）レベルシフタ５０が構成されているものとする。
【0067】
メインロジック回路６０は電源電圧ＶＣＣ１に基づいて動作する。故に、非バッテリ装着状態において、メインロジック回路６０の動作は停止している。メインロジック回路６０は上位処理装置１２０と双方向通信が可能な態様で通信用端子群ＴＭ４を介して上位処理装置１２０に接続される。通信の方式は任意であり、例えば、ＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）による通信や、Ｉ２Ｃ（Inter-Integrated Circuit）による通信を用いることができる。またメインロジック回路６０は端子ＴＭ２０に接続される。端子ＴＭ２０の役割は後述される。
【0068】
信号ＬＣＨ１’～ＬＣＨ４’はラッチ回路４１～４４の保持情報を表している。メインロジック回路６０はラッチ回路４１～４４の保持情報を上位処理装置１２０に伝達することができる。故に、上位処理装置１２０は、異常検出回路３０による異常の検出結果を通信を介して認識することができ、何らかの異常（ここでは電源消失異常、温度異常、水濡れ異常又は衝撃異常）が検出されたのであれば、検出された異常に応じた所定の異常対応処理を行うことができる。
【0069】
メインロジック回路６０は、電力供給回路７０を制御することで負荷ＬＤ１～ＬＤ５に対する駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５の供給又は非供給を制御する。電力供給回路７０は入力電圧ＶＳ１又は内部電源電圧ＶＣＣ１に基づいて動作する。電力供給回路７０は、ＬＤＯ(Low Drop Out)に分類されるリニアレギュレータ７１と、ＤＣ／ＤＣコンバータ７２及び７３と、ゲートドライバ７４と、を備える。メインロジック回路６０は、リニアレギュレータ７１、ＤＣ／ＤＣコンバータ７２、ＤＣ／ＤＣコンバータ７３、ゲートドライバ７４に対して、夫々、信号ＥＮ１、ＥＮ２、ＥＮ３、ＥＮ４を供給する。ＥＮ１～ＥＮ４は夫々に“１”又は“０”の値を持つイネーブル信号である。
【0070】
リニアレギュレータ７１は、端子ＴＭ３１に接続され、信号ＥＮ１の値が“１”であるとき、自身への入力電圧を降圧した直流電圧を電圧ＶＲ１として生成及び出力する第１電力供給動作を行う。信号ＥＮ１の値が“０”であるとき、第１電力供給動作は実行されず、電圧ＶＲ１は０Ｖとなる（但し過渡期を無視）。信号ＥＮ１の値が“１”であるとき、リニアレギュレータ７１は、電圧ＶＲ１を所定の第１目標電圧にて安定化させるための帰還制御を行って良い。
【0071】
ＤＣ／ＤＣコンバータ７２は、端子ＴＭ３２に接続され、信号ＥＮ２の値が“１”であるとき、自身への入力電圧を降圧した直流電圧を電圧ＶＲ２として生成及び出力する第２電力供給動作を行う。信号ＥＮ２の値が“０”であるとき、第２電力供給動作は実行されず、電圧ＶＲ２は０Ｖとなる（但し過渡期を無視）。ＤＣ／ＤＣコンバータ７２は、電圧ＶＲ２を所定の第２目標電圧にて安定化させるための帰還制御を行って良い。例えば、ＤＣ／ＤＣコンバータ７２は、ハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタの直列回路を有し、当該直列回路に対し自身への入力電圧が印加される。ハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタ間の接続ノードが端子ＴＭ３２に接続される。第２電力供給動作において、ハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタを交互にオン、オフすることで、端子ＴＭ３２に矩形波状のスイッチング電圧を発生させ、当該スイッチング電圧を出力コイル１４２ａ及び出力コンデンサ１４２ｂから成る整流平滑回路にて整流及び平滑化することで直流の駆動電圧ＶＲ２を得る。
【0072】
ＤＣ／ＤＣコンバータ７３は、端子ＴＭ３３に接続され、信号ＥＮ３の値が“１”であるとき、自身への入力電圧を降圧した直流電圧を電圧ＶＲ３として生成及び出力する第３電力供給動作を行う。信号ＥＮ３の値が“０”であるとき、第３電力供給動作は実行されず、電圧ＶＲ３は０Ｖとなる（但し過渡期を無視）。ＤＣ／ＤＣコンバータ７３は、電圧ＶＲ３を所定の第３目標電圧にて安定化させるための帰還制御を行って良い。ＤＣ／ＤＣコンバータ７３の構成及び動作はＤＣ／ＤＣコンバータ７２のそれらと同じであって良い。尚、リニアレギュレータ７１、ＤＣ／ＤＣコンバータ７２及び７３への入力電圧は入力電圧ＶＳ１であるが、他の電圧であっても良い。
【0073】
ゲートドライバ７４は、端子ＴＭ３４及びＴＭ３５に接続され、端子ＴＭ３４及びＴＭ３５を通じ出力トランジスタ１４４及び１４５の各ゲート電位を制御することで、出力トランジスタ１４４及び１４５のオン、オフを制御する。ゲートドライバ７４は、信号ＥＮ４の値が“１”であるとき、出力トランジスタ１４４及び１４５の各ゲート電位を十分に低くすることで出力トランジスタ１４４及び１４５をオンとし、これによって出力トランジスタ１４４及び１４５のドレインから正の電圧ＶＲ４及びＶＲ５を出力させる第４電力供給動作を行う。信号ＥＮ４の値が“０”であるとき、ゲートドライバ７４は、出力トランジスタ１４４及び１４５のゲート－ソース間電圧を十分に小さくすることで出力トランジスタ１４４及び１４５をオフにする。即ち、信号ＥＮ４の値が“０”であるとき、第４電力供給動作は実行されず、電圧ＶＲ４及びＶＲ５は０Ｖとなる（但し過渡期を無視）。尚、電圧ＶＲ４を生成するためのイネーブル信号と電圧ＶＲ５を生成するためのイネーブル信号とを別々に設けるようにしても良い。
【0074】
このように、半導体装置１は、内部電源電圧ＶＣＣ１に基づき動作する第１回路ブロックと、ＲＴＣ用の電源電圧ＶＣＣ２に基づき動作する第２回路ブロックと、を備える、と考えることができる。第１回路ブロックは制御回路とも称されるべきメインロジック回路６０を含む。第２回路ブロックは異常検出回路３０及び異常情報保持回路４０を含む。
【0075】
システムＳＹＳにおいては、バッテリ装着状態から非バッテリ装着状態に遷移したとき、電源消失異常の発生が検出されて“１”の情報（即ち電源消失異常情報）がラッチ回路４１にて保持される。その後、非バッテリ装着状態からバッテリ装着状態に戻ったとき、ラッチ回路４１での“１”の保持情報に基づき（ハイレベルの信号ＬＣＨ１に基づき）ハイレベルの信号ＬＣＨ１’がメインロジック回路６０に伝達される。この場合、メインロジック回路６０は上位処理装置１２０の起動後に上位処理装置１２０に対して電源消失異常情報を送信することができ、上位処理装置１２０は電源消失異常の発生に対応した必要な措置（異常対応処理）を行うことができる。メインロジック回路６０は、上位処理装置１２０から所定のリセットコマンドを受信すると、ハイレベルの信号ＲＳＴ１’を出力することでラッチ回路４１による電源消失異常情報の保持を破棄させることができる。
【0076】
また、非バッテリ装着状態において温度異常の発生が検出された場合、“１”の情報（即ち温度異常情報）がラッチ回路４２にて保持される。その後、非バッテリ装着状態からバッテリ装着状態に戻ったとき、ラッチ回路４２での“１”の保持情報に基づき（ハイレベルの信号ＬＣＨ２に基づき）ハイレベルの信号ＬＣＨ２’がメインロジック回路６０に伝達される。バッテリ装着状態において温度異常の発生が検出された場合にも“１”の情報（即ち温度異常情報）がラッチ回路４２にて保持される。異常情報保持回路４０に温度異常情報が保持されているとき、メインロジック回路６０は上位処理装置１２０の起動後に上位処理装置１２０に対し温度異常情報を送信して良く、上位処理装置１２０は温度異常情報の発生に対応した必要な措置（異常対応処理）を行うことができる。メインロジック回路６０は、上位処理装置１２０から所定のリセットコマンドを受信すると、ハイレベルの信号ＲＳＴ２’を出力することでラッチ回路４２による温度異常情報の保持を破棄させることができる。
【0077】
同様に、非バッテリ装着状態において水濡れ異常の発生が検出された場合、“１”の情報（即ち水濡れ異常情報）がラッチ回路４３にて保持される。その後、非バッテリ装着状態からバッテリ装着状態に戻ったとき、ラッチ回路４３での“１”の保持情報に基づき（ハイレベルの信号ＬＣＨ３に基づき）ハイレベルの信号ＬＣＨ３’がメインロジック回路６０に伝達される。バッテリ装着状態において水濡れ異常の発生が検出された場合にも“１”の情報（即ち水濡れ異常情報）がラッチ回路４３にて保持される。異常情報保持回路４０に水濡れ異常情報が保持されているとき、メインロジック回路６０は上位処理装置１２０の起動後に上位処理装置１２０に対し水濡れ異常情報を送信して良く、上位処理装置１２０は水濡れ異常情報の発生に対応した必要な措置（異常対応処理）を行うことができる。メインロジック回路６０は、上位処理装置１２０から所定のリセットコマンドを受信すると、ハイレベルの信号ＲＳＴ３’を出力することでラッチ回路４３による水濡れ異常情報の保持を破棄させることができる。
【0078】
同様に、非バッテリ装着状態において衝撃異常の発生が検出された場合、“１”の情報（即ち衝撃異常情報）がラッチ回路４４にて保持される。その後、非バッテリ装着状態からバッテリ装着状態に戻ったとき、ラッチ回路４４での“１”の保持情報に基づき（ハイレベルの信号ＬＣＨ４に基づき）ハイレベルの信号ＬＣＨ４’がメインロジック回路６０に伝達される。バッテリ装着状態において衝撃異常の発生が検出された場合にも“１”の情報（即ち衝撃異常情報）がラッチ回路４４にて保持される。異常情報保持回路４０に衝撃異常情報が保持されているとき、メインロジック回路６０は上位処理装置１２０の起動後に上位処理装置１２０に対し衝撃異常情報を送信して良く、上位処理装置１２０は衝撃異常情報の発生に対応した必要な措置（異常対応処理）を行うことができる。メインロジック回路６０は、上位処理装置１２０から所定のリセットコマンドを受信すると、ハイレベルの信号ＲＳＴ４’を出力することでラッチ回路４４による衝撃異常情報の保持を破棄させることができる。
【0079】
尚、以下では、特に記述なき限り、バッテリ１０１が電子機器ＥＥに装着されているものとする。
【0080】
システムＳＹＳ及び電子機器ＥＥは、複数の状態の内、何れかの状態をとる。複数の状態の内、１以上の状態はスタンバイ状態に属し、他の１以上の状態は通常動作状態に属する。図６に示す如く、スタンバイ状態においても通常動作状態においても、内部電源電圧ＶＣＣ１の生成は行われている。但し、スタンバイ状態においては、信号ＥＮ１～ＥＮ４の値が全て“０”であって、故に上述の第１～第４電力供給動作は行われず、結果、駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５は全て０Ｖである（但し過渡期を無視）。スタンバイ状態において上位処理装置１２０に対する電力供給は途絶えており、上位処理装置１２０は動作しない。通常動作状態においては、信号ＥＮ１～ＥＮ４の値が全て“１”である。故に、通常動作状態において上述の第１～第４電力供給動作が行われて正の駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５が生成され、負荷ＬＤ１～ＬＤ５が動作する。通常動作状態において上位処理装置１２０は動作する。
【0081】
以下、複数の実施例の中で、システムＳＹＳに関わる幾つかの具体的な動作例、応用技術、変形技術等を説明する。本実施形態にて上述した事項は、特に記述無き限り且つ矛盾無き限り、以下の各実施例に適用される。各実施例において、上述の事項と矛盾する事項がある場合には、各実施例での記載が優先されて良い。また矛盾無き限り、以下に示す複数の実施例の内、任意の実施例に記載した事項を、他の任意の実施例に適用することもできる（即ち複数の実施例の内の任意の２以上の実施例を組み合わせることも可能である）。
【0082】
＜＜第１実施例＞＞
第１実施例を説明する。図７は、第１実施例に係り、システムＳＹＳの起動時における半導体装置１のフローチャートである。ステップＳ１１においてシステムＳＹＳはスタンバイ状態にある。ステップＳ１１において半導体装置１にて起動トリガ信号が受信される。半導体装置１にて起動トリガ信号が受信されるとステップＳ１１からステップＳ１２に進む。半導体装置１の外部における起動トリガ発生回路（不図示）から端子ＴＭ２０に対し起動トリガ信号が入力される。入力される起動トリガ信号はメインロジック回路６０にて受信される。起動トリガ信号は、例えば、所定操作が電子機器ＥＥに入力された場合に端子ＴＭ２０へ入力される。ここにおける所定操作は、例えば電子機器ＥＥの電源ボタン（不図示）を押下する操作である。
第１実施例を説明する。図７は、第１実施例に係り、システムＳＹＳの起動時における半導体装置１のフローチャートである。ステップＳ１１においてシステムＳＹＳはスタンバイ状態にある。ステップＳ１１において半導体装置１にて起動トリガ信号が受信される。半導体装置１にて起動トリガ信号が受信されるとステップＳ１１からステップＳ１２に進む。半導体装置１の外部における起動トリガ発生回路（不図示）から端子ＴＭ２０に対し起動トリガ信号が入力される。入力される起動トリガ信号はメインロジック回路６０にて受信される。起動トリガ信号は、例えば、所定操作が電子機器ＥＥに入力された場合に端子ＴＭ２０へ入力される。ここにおける所定操作は、例えば電子機器ＥＥの電源ボタン（不図示）を押下する操作である。
【0083】
ステップＳ１２において、メインロジック回路６０は、異常情報保持回路４０にて特定異常情報が保持されているかを確認する。特定異常情報が保持されている場合には（ステップＳ１２のＹ）ステップＳ１２からステップＳ１６に進み、特定異常情報が保持されていない場合には（ステップＳ１２のＮ）ステップＳ１２からステップＳ１３に進む。
【0084】
特定異常情報は特定異常が検出されたことを示す情報である。特定異常は温度異常のみであって良い（即ち特定異常情報は温度異常情報のみであって良い）。この場合、信号ＬＣＨ２が“１”の値を有していればステップＳ１６に進み、信号ＬＣＨ２が“０”の値を有していればステップＳ１３に進むことになる。或いは、特定異常は水濡れ異常のみであって良い（即ち特定異常情報は水濡れ異常情報のみであっても良い）。この場合、信号ＬＣＨ３が“１”の値を有していればステップＳ１６に進み、信号ＬＣＨ３が“０”の値を有していればステップＳ１３に進むことになる。更に或いは、温度異常及び水濡れ異常の双方が特定異常に該当しても良い（即ち温度異常情報及び水濡れ異常情報の双方が特定異常情報に該当しても良い）。この場合、信号ＬＣＨ２及びＬＣＨ３の少なくとも一方が“１”の値を有していればステップＳ１６に進み、信号ＬＣＨ２及びＬＣＨ３の双方が“０”の値を有しているときに限りステップＳ１３に進むことになる。
【0085】
ステップＳ１３においてメインロジック回路６０は起動動作（起動シーケンス動作）の実行を開始する。起動動作はステップＳ１４及びＳ１５の処理を含み、ステップＳ１３に至った場合、ステップＳ１４の処理を経てステップＳ１５の処理が実行される。ステップＳ１４及びＳ１５の処理が実行されることで、システムＳＹＳの状態はスタンバイ状態から通常動作状態に遷移する（図６参照）。
【0086】
ステップＳ１４において、メインロジック回路６０は信号ＥＮ１～ＥＮ３の値を所定順序で“０”から“１”に変更する。ここにおける所定順序は任意である。例えば、信号ＥＮ１の値を “０”から“１”に変更した後に信号ＥＮ２及びＥＮ３の値を“０”から“１”に変更する。或いは、信号ＥＮ１～ＥＮ３の値を同時に“０”から“１”に変更しても良い。ステップＳ１４の処理により負荷ＬＤ１～ＬＤ３への駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ３の供給が開始され、負荷ＬＤ１～ＬＤ３が起動する。ステップＳ１４の処理により負荷ＬＤ１に属する上位処理装置１２０も起動する。
【0087】
上位処理装置１２０が起動すると、上位処理装置１２０内での所定の初期動作を経て、ステップＳ１５において上位処理装置１２０からメインロジック回路６０に対し所定の負荷電源供給コマンドが送信される。負荷電源供給コマンドは駆動電圧ＶＲ４及びＶＲ５を負荷ＬＤ４及びＬＤ５に供給することを指示するコマンドである。ステップＳ１５において、メインロジック回路６０は、受信した負荷電源供給コマンドに従い、信号ＥＮ４の値を “０”から“１”に変更する。これにより、負荷ＬＤ４及びＬＤ５への駆動電圧ＶＲ４及びＶＲ５の供給が開始され、負荷ＬＤ４及びＬＤ５が起動する。
【0088】
ステップＳ１２からステップＳ１６に移行した場合、メインロジック回路６０は起動動作の実行を制止する。即ち、起動トリガ信号を受信したとしても、特定異常情報が保持されている場合には、メインロジック回路６０は起動動作を非実行とする。
【0089】
スタンバイ状態にて温度異常があった場合、駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５の生成に関わる回路素子又は負荷ＬＤ１～ＬＤ５にダメージが加わっている可能性があり、起動動作にて駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５の生成を行ったとき、望ましくない事態の発生が懸念される。或いはスタンバイ状態にて水濡れ異常があった場合、本来必要な電気的な絶縁状態が確保されていないおそれがあり、起動動作にて駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５の生成を行ったとき、望ましくない事態の発生が懸念される。本実施例によれば、温度異常又は水濡れ異常に対応する特定異常情報が保持されている場合において起動動作の実行が制止されるため、これらの懸念が抑制される。
【0090】
＜＜第２実施例＞＞
第２実施例を説明する。図８は、第２実施例に係り、システムＳＹＳの起動時における半導体装置１のフローチャートである。ステップＳ２１においてシステムＳＹＳはスタンバイ状態にある。ステップＳ２１において半導体装置１にて起動トリガ信号が受信される。半導体装置１にて起動トリガ信号が受信されるとステップＳ２１からステップＳ２２に進む。起動トリガ信号の意義は第１実施例で述べた通りである。
第２実施例を説明する。図８は、第２実施例に係り、システムＳＹＳの起動時における半導体装置１のフローチャートである。ステップＳ２１においてシステムＳＹＳはスタンバイ状態にある。ステップＳ２１において半導体装置１にて起動トリガ信号が受信される。半導体装置１にて起動トリガ信号が受信されるとステップＳ２１からステップＳ２２に進む。起動トリガ信号の意義は第１実施例で述べた通りである。
【0091】
ステップＳ２２において、メインロジック回路６０は、異常情報保持回路４０にて温度異常情報が保持されているかを確認する。第２実施例では特定異常情報として温度異常情報のみに注目する。温度異常情報が保持されている場合には（ステップＳ２２のＹ）ステップＳ２２からステップＳ２６に進み、特定異常情報が保持されていない場合には（ステップＳ２２のＮ）ステップＳ２２からステップＳ２３に進む。従って、信号ＬＣＨ２が“１”の値を有していればステップＳ２６に進み、信号ＬＣＨ２が“０”の値を有していればステップＳ２３に進むことになる。
【0092】
ステップＳ２３においてメインロジック回路６０は起動動作（起動シーケンス動作）の実行を開始する。起動動作はステップＳ２４及びＳ２５の処理を含み、ステップＳ２３に至った場合、ステップＳ２４の処理を経てステップＳ２５の処理が実行される。ステップＳ２４及びＳ２５の処理が実行されることで、システムＳＹＳの状態はスタンバイ状態から通常動作状態に遷移する（図６参照）。ステップＳ２４及びＳ２５の処理内容は上述のステップＳ１４及びＳ１５の処理内容と同じである。
【0093】
ステップＳ２２からステップＳ２６に移行した場合、メインロジック回路６０は起動動作の実行を制止する。即ち、起動トリガ信号を受信したとしても、温度異常情報が保持されている場合には、メインロジック回路６０は起動動作を非実行とする。但し、第２実施例では、ステップＳ２６の後、ステップＳ２７に進み、ステップＳ２７にて信号ＤＥＴ２がローレベルに遷移したかが継続的に監視される（即ち信号ＤＥＴ２のダウンエッジの発生有無が継続的に監視される）。実際には、メインロジック回路６０により信号ＤＥＴ２’がローレベルに遷移したかが継続的に監視される。尚、本実施例では、ステップＳ２２からステップＳ２６に移行した直後において、信号ＤＥＴ２がハイレベルであることが想定されている。
【0094】
信号ＤＥＴ２及びＤＥＴ２’のダウンエッジは温度異常の解消を表す。ステップＳ２７において信号ＤＥＴ２’のダウンエッジが確認されると（ステップＳ２７のＹ）、ステップＳ２７からステップＳ２８に移行する。ステップＳ２８において、メインロジック回路６０は、ハイレベルの信号ＲＳＴ２’を出力することでラッチ回路４２による温度異常情報の保持を破棄させ、これによってメインロジック回路６０の状態を起動動作の実行を許可する状態へ遷移させる。ステップＳ２６及びＳ２７の段階において、メインロジック回路６０の状態は起動動作の実行を制止する状態に相当する。
【0095】
ステップＳ２８の後、ステップＳ２９に進む。ステップＳ２９において、メインロジック回路６０は、起動トリガ信号が再び受信されることを待機する。信号ＤＥＴ２がローレベル（従って信号ＤＥＴ２’がローレベル）である状態で起動トリガ信号が再び受信されると、ステップＳ２９からステップＳ２３に移行し、メインロジック回路６０は起動動作（起動シーケンス動作）の実行を開始する。ステップＳ２９からステップＳ２３に移行した後の動作と、ステップＳ２２からステップＳ２３に移行した後の動作は同じである。
【0096】
本実施例によれば、温度異常情報が保持されている状態での起動動作の実行を制止しつつも、温度異常が解消したと判断される場合には、起動動作を経てシステムＳＹＳを通常動作状態に移行させることが可能である。第１実施例で述べた懸念を完全に払しょくするためには第１実施例の採用が好ましい。但し、温度異常情報が一度保持された後でも起動動作の実行の途が残される点において、第２実施例は第１実施例よりも優位となり得る。
【0097】
尚、ステップＳ２７からステップＳ２８に移行した場合、ステップＳ２９に進むことなく（即ち起動トリガ信号の再度の受信を待つことなく）、ステップＳ２８からステップＳ２３に移行するようにしても良い。
【0098】
＜＜第３実施例＞＞
第３実施例を説明する。図９は、第３実施例に係り、システムＳＹＳの起動時における半導体装置１のフローチャートである。ステップＳ３１においてシステムＳＹＳはスタンバイ状態にある。ステップＳ３１において半導体装置１にて起動トリガ信号が受信される。半導体装置１にて起動トリガ信号が受信されるとステップＳ３１からステップＳ３２に進む。起動トリガ信号の意義は第１実施例で述べた通りである。
第３実施例を説明する。図９は、第３実施例に係り、システムＳＹＳの起動時における半導体装置１のフローチャートである。ステップＳ３１においてシステムＳＹＳはスタンバイ状態にある。ステップＳ３１において半導体装置１にて起動トリガ信号が受信される。半導体装置１にて起動トリガ信号が受信されるとステップＳ３１からステップＳ３２に進む。起動トリガ信号の意義は第１実施例で述べた通りである。
【0099】
ステップＳ３２において、メインロジック回路６０は、異常情報保持回路４０にて水濡れ異常情報が保持されているかを確認する。第３実施例では特定異常情報として水濡れ異常情報のみに注目する。水濡れ異常情報が保持されている場合には（ステップＳ３２のＹ）ステップＳ３２からステップＳ３６に進み、特定異常情報が保持されていない場合には（ステップＳ３２のＮ）ステップＳ３２からステップＳ３３に進む。従って、信号ＬＣＨ３が“１”の値を有していればステップＳ３６に進み、信号ＬＣＨ３が“０”の値を有していればステップＳ３３に進むことになる。
【0100】
ステップＳ３３においてメインロジック回路６０は起動動作（起動シーケンス動作）の実行を開始する。起動動作はステップＳ３４及びＳ３５の処理を含み、ステップＳ３３に至った場合、ステップＳ３４の処理を経てステップＳ３５の処理が実行される。ステップＳ３４及びＳ３５の処理が実行されることで、システムＳＹＳの状態はスタンバイ状態から通常動作状態に遷移する（図６参照）。ステップＳ３４及びＳ３５の処理内容は上述のステップＳ１４及びＳ１５の処理内容と同じである。
【0101】
ステップＳ３２からステップＳ３６に移行した場合、メインロジック回路６０は起動動作の実行を制止する。即ち、起動トリガ信号を受信したとしても、水濡れ異常情報が保持されている場合には、メインロジック回路６０は起動動作を非実行とする。但し、第３実施例では、ステップＳ３６の後、ステップＳ３７に進み、ステップＳ３７にて信号ＤＥＴ３がローレベルに遷移したかが継続的に監視される（即ち信号ＤＥＴ３のダウンエッジの発生有無が継続的に監視される）。実際には、メインロジック回路６０により信号ＤＥＴ３’がローレベルに遷移したかが継続的に監視される。尚、本実施例では、ステップＳ３２からステップＳ３６に移行した直後において、信号ＤＥＴ３がハイレベルであることが想定されている。
【0102】
信号ＤＥＴ３及びＤＥＴ３’のダウンエッジは水濡れ異常の解消を表す。ステップＳ３７において信号ＤＥＴ３’のダウンエッジが確認されると（ステップＳ３７のＹ）、ステップＳ３７からステップＳ３８に移行する。ステップＳ３８において、メインロジック回路６０は、ハイレベルの信号ＲＳＴ３’を出力することでラッチ回路４３による水濡れ異常情報の保持を破棄させ、これによってメインロジック回路６０の状態を起動動作の実行を許可する状態へ遷移させる。ステップＳ３６及びＳ３７の段階において、メインロジック回路６０の状態は起動動作の実行を制止する状態に相当する。
【0103】
ステップＳ３８の後、ステップＳ３９に進む。ステップＳ３９において、メインロジック回路６０は、起動トリガ信号が再び受信されることを待機する。信号ＤＥＴ３がローレベル（従って信号ＤＥＴ３’がローレベル）である状態で起動トリガ信号が再び受信されると、ステップＳ３９からステップＳ３３に移行し、メインロジック回路６０は起動動作（起動シーケンス動作）の実行を開始する。ステップＳ３９からステップＳ３３に移行した後の動作と、ステップＳ３２からステップＳ３３に移行した後の動作は同じである。
【0104】
本実施例によれば、水濡れ異常情報が保持されている状態での起動動作の実行を制止しつつも、水濡れ異常が解消したと判断される場合には、起動動作を経てシステムＳＹＳを通常動作状態に移行させることが可能である。第１実施例で述べた懸念を完全に払しょくするためには第１実施例の採用が好ましい。但し、水濡れ異常情報が一度保持された後でも起動動作の実行の途が残される点において、第３実施例は第１実施例よりも優位となり得る。
【0105】
尚、ステップＳ３７からステップＳ３８に移行した場合、ステップＳ３９に進むことなく（即ち起動トリガ信号の再度の受信を待つことなく）、ステップＳ３８からステップＳ３３に移行するようにしても良い。
【0106】
＜＜第４実施例＞＞
第４実施例を説明する。図１０は第４実施例に係る半導体装置１のフローチャートである。まずステップＳ４０において、起動トリガ信号の受信に応答した起動動作を経てシステムＳＹＳの状態が通常動作状態に遷移する。その後、ステップＳ４１において、メインロジック回路６０は信号ＤＥＴ２（実際には信号ＤＥＴ２’）を監視することで通常動作状態での温度異常の発生有無を監視する。ステップＳ４１に続くステップＳ４２において、信号ＤＥＴ２（ＤＥＴ２’）にアップエッジが生じたかが確認される。信号ＤＥＴ２（ＤＥＴ２’）のアップエッジが確認されたとき（ステップＳ４２のＹ）、メインロジック回路６０は温度異常の発生が検出されたと認識してステップＳ４３への移行を発生させ、そうでなれば（ステップＳ４２のＮ）ステップＳ４１に戻る。尚、第４実施例では特定異常として温度異常のみに注目し、信号ＤＥＴ１、ＤＥＴ３及びＤＥＴ４はローレベルに維持されているものとする。
第４実施例を説明する。図１０は第４実施例に係る半導体装置１のフローチャートである。まずステップＳ４０において、起動トリガ信号の受信に応答した起動動作を経てシステムＳＹＳの状態が通常動作状態に遷移する。その後、ステップＳ４１において、メインロジック回路６０は信号ＤＥＴ２（実際には信号ＤＥＴ２’）を監視することで通常動作状態での温度異常の発生有無を監視する。ステップＳ４１に続くステップＳ４２において、信号ＤＥＴ２（ＤＥＴ２’）にアップエッジが生じたかが確認される。信号ＤＥＴ２（ＤＥＴ２’）のアップエッジが確認されたとき（ステップＳ４２のＹ）、メインロジック回路６０は温度異常の発生が検出されたと認識してステップＳ４３への移行を発生させ、そうでなれば（ステップＳ４２のＮ）ステップＳ４１に戻る。尚、第４実施例では特定異常として温度異常のみに注目し、信号ＤＥＴ１、ＤＥＴ３及びＤＥＴ４はローレベルに維持されているものとする。
【0107】
ステップＳ４３においてメインロジック回路６０はシャットダウン動作を実行する。図１１にシャットダウン動作のフローチャートを示す。シャットダウン動作はステップＳ１１１～Ｓ１１５の処理から成る。シャットダウン動作では、まずステップＳ１１１にてメインロジック回路６０から上位処理装置１２０に対し所定のエラー信号を送信する。例えば、半導体装置１に外部端子として設けられたエラー端子（不図示）が上位処理装置１２０に接続され、メインロジック回路６０はエラー端子からエラー信号を送信する。エラー信号は１ビットデジタル信号であって良い。
【0108】
上位処理装置１２０はエラー信号を受信すると、ステップＳ１１２にて所定のリードコマンドを送信し、メインロジック回路６０にて当該リードコマンドが受信される。ステップＳ１１２にて送受信されるリードコマンドは、異常フラグデータを読み出し及び送信を要求するコマンドである。当該リードコマンドの受信に応答し、ステップＳ１１３にてメインロジック回路６０から上位処理装置１２０に対し異常フラグデータを送信する。異常フラグデータは、メインロジック回路６０にて取得又は保持されるデータであり、ラッチ回路４１～４４の保持情報を表す。異常フラグデータは信号ＬＣＨ１’～ＬＣＨ４’のレベルに応じた４ビットデータを含む。例えば、信号ＬＣＨ２’がハイレベルであれば温度異常の発生が検出された旨を示すデータ（以下、温度異常データと称する）が異常フラグデータに含まれ、信号ＬＣＨ３’がハイレベルであれば水濡れ異常の発生が検出された旨を示すデータ（以下、水濡れ異常データと称する）が異常フラグデータに含まれる。
【0109】
本実施例では、通常動作状態への遷移直後において温度異常データ及び水濡れ異常データが異常フラグデータに含まれておらず、その後、信号ＤＥＴ２のハイレベルへの遷移に同期してメインロジック回路６０により温度異常データが異常フラグデータに含められる。
【0110】
異常フラグデータを受信した上位処理装置１２０は、異常フラグデータを解析する。この際、温度異常データ又は水濡れ異常データが異常フラグデータに含まれることが確認されると、ステップＳ１１４にて上位処理装置１２０はメインロジック回路６０に対しシャットダウン指令コマンドを送信する。シャットダウン指令コマンドはメインロジック回路６０にて受信される（ステップＳ１１４）。シャットダウン指令コマンドは、負荷ＬＤ１～ＬＤ５への駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５の供給を停止することを指示する。シャットダウン指令コマンドに従い、ステップＳ１１５にてメインロジック回路６０は、信号ＥＮ１～ＥＮ４の各値を“１”から“０”に変更することで、負荷ＬＤ１～ＬＤ５への駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５の供給を停止する。これにより、システムＳＹＳの状態は通常動作状態からスタンバイ状態に遷移する（図６参照）。ステップＳ１１５において、信号ＥＮ１～ＥＮ４の各値は所定順序で順次に“１”から“０”に変更されても良いし、同時に“１”から“０”に変更されても良い。
【0111】
このように、シャットダウン動作は負荷ＬＤ１～ＬＤ５への駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５の供給停止を含む動作である。それ以外の動作もシャットダウン動作に含まれていて良い。図１１のシャットダウン動作はメインロジック回路６０と上位処理装置１２０との協働により実現される、と言える。但し、上位処理装置１２０に依らず、メインロジック回路６０単体でシャットダウン動作を行うようにしても良い。即ち例えば、通常動作状態において信号ＤＥＴ２’のアップエッジが確認されたとき、メインロジック回路６０は、上位処理装置１２０からのコマンドの受信を必要とすることなく、信号ＥＮ１～ＥＮ４の各値を“１”から“０”に変更し、これによって負荷ＬＤ１～ＬＤ５への駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５の供給を停止しても良い。
【0112】
図１０を再度参照し、ステップＳ４３のシャットダウン動作の後、ステップＳ４４に進む。ステップＳ４４の段階において温度異常情報（“１”のＬＣＨ２）が異常情報保持回路４０に保持されている。ステップＳ４４に続くステップＳ４５において、メインロジック回路６０は信号ＤＥＴ２（実際には信号ＤＥＴ２’）にダウンエッジが発生したかを確認する。上述したように、信号ＤＥＴ２及びＤＥＴ２’のダウンエッジは温度異常の解消を表す。
【0113】
ステップＳ４５において信号ＤＥＴ２’のダウンエッジが生じていない場合（ステップＳ４５のＮ）、ステップＳ４５からステップＳ４６に移行する。ステップＳ４６にてメインロジック回路６０は起動トリガ信号を受信したかを確認する。起動トリガ信号を受信していない場合（ステップＳ４６のＮ）にはステップＳ４５に戻る。起動トリガ信号を受信した場合（ステップＳ４６のＹ）、ステップＳ４７に進むが、ステップＳ４７においてメインロジック回路６０は起動動作の実行を制止する。即ち、起動トリガ信号を受信したとしても、温度異常情報が保持されている場合には、メインロジック回路６０は起動動作を非実行とする。ステップＳ４７の後、ステップＳ４５に戻る。
【0114】
ステップＳ４５において信号ＤＥＴ２’のダウンエッジが生じている場合（ステップＳ４５のＹ）、ステップＳ４５からステップＳ４８に移行する。ステップＳ４８において、メインロジック回路６０は、ハイレベルの信号ＲＳＴ２’を出力することでラッチ回路４２による温度異常情報の保持を破棄させ、これによってメインロジック回路６０の状態を起動動作の実行を許可する状態へ遷移させる。ステップＳ４８の後、ステップＳ４９に進む。ステップＳ４９において、メインロジック回路６０は、起動トリガ信号が再び受信されることを待機する。信号ＤＥＴ２がローレベル（従って信号ＤＥＴ２’がローレベル）である状態で起動トリガ信号が再び受信されると、ステップＳ４９からステップＳ２３に移行し、メインロジック回路６０は起動動作（起動シーケンス動作）の実行を開始する。ステップＳ４９からステップＳ２３に移行した場合、ステップＳ２３～Ｓ２５の処理が実行される。ステップＳ２３～Ｓ２５の処理内容は第２実施例で示した通りである。
【0115】
このように、通常動作状態への遷移後に温度異常が検出されたとき、シャットダウン動作を実行することで各種部品を保護することが可能となる。その後、温度異常が解消しない限りは起動動作の実行を制止することで各種部品の安全性が確保される（ステップＳ４６及びＳ４７）。
【0116】
＜＜第５実施例＞＞
第５実施例を説明する。図１２は第５実施例に係る半導体装置１のフローチャートである。まずステップＳ５０において、起動トリガ信号の受信に応答した起動動作を経てシステムＳＹＳの状態が通常動作状態に遷移する。その後、ステップＳ５１において、メインロジック回路６０は信号ＤＥＴ３（実際には信号ＤＥＴ３’）を監視することで通常動作状態での水濡れ異常の発生有無を監視する。ステップＳ５１に続くステップＳ５２において、信号ＤＥＴ３（ＤＥＴ３’）にアップエッジが生じたかが確認される。信号ＤＥＴ３（ＤＥＴ３’）のアップエッジが確認されたとき（ステップＳ５２のＹ）、メインロジック回路６０は水濡れ異常の発生が検出されたと認識してステップＳ５３への移行を発生させ、そうでなれば（ステップＳ５２のＮ）ステップＳ５１に戻る。尚、第５実施例では特定異常として水濡れ異常のみに注目し、信号ＤＥＴ１、ＤＥＴ２及びＤＥＴ４はローレベルに維持されているものとする。
第５実施例を説明する。図１２は第５実施例に係る半導体装置１のフローチャートである。まずステップＳ５０において、起動トリガ信号の受信に応答した起動動作を経てシステムＳＹＳの状態が通常動作状態に遷移する。その後、ステップＳ５１において、メインロジック回路６０は信号ＤＥＴ３（実際には信号ＤＥＴ３’）を監視することで通常動作状態での水濡れ異常の発生有無を監視する。ステップＳ５１に続くステップＳ５２において、信号ＤＥＴ３（ＤＥＴ３’）にアップエッジが生じたかが確認される。信号ＤＥＴ３（ＤＥＴ３’）のアップエッジが確認されたとき（ステップＳ５２のＹ）、メインロジック回路６０は水濡れ異常の発生が検出されたと認識してステップＳ５３への移行を発生させ、そうでなれば（ステップＳ５２のＮ）ステップＳ５１に戻る。尚、第５実施例では特定異常として水濡れ異常のみに注目し、信号ＤＥＴ１、ＤＥＴ２及びＤＥＴ４はローレベルに維持されているものとする。
【0117】
ステップＳ５３においてメインロジック回路６０はシャットダウン動作を実行する。シャットダウン動作は第４実施例で示した通りである。尚、本実施例では、通常動作状態への遷移直後において温度異常データ及び水濡れ異常データが異常フラグデータに含まれておらず、その後、信号ＤＥＴ３のハイレベルへの遷移に同期してメインロジック回路６０により水濡れ異常データが異常フラグデータに含められる。第４実施例で述べたように、シャットダウン動作はメインロジック回路６０と上位処理装置１２０との協働により実現される、と言える。但し、上位処理装置１２０に依らず、メインロジック回路６０単体でシャットダウン動作を行うようにしても良い。即ち例えば、通常動作状態において信号ＤＥＴ３’のアップエッジが確認されたとき、メインロジック回路６０は、上位処理装置１２０からのコマンドの受信を必要とすることなく、信号ＥＮ１～ＥＮ４の各値を“１”から“０”に変更し、これによって負荷ＬＤ１～ＬＤ５への駆動電圧ＶＲ１～ＶＲ５の供給を停止しても良い。
【0118】
ステップＳ５３のシャットダウン動作の後、ステップＳ５４に進む。ステップＳ５４の段階において水濡れ異常情報（“１”のＬＣＨ３）が異常情報保持回路４０に保持されている。ステップＳ５４に続くステップＳ５５において、メインロジック回路６０は信号ＤＥＴ３（実際には信号ＤＥＴ３’）にダウンエッジが発生したかを確認する。上述したように、信号ＤＥＴ３及びＤＥＴ３’のダウンエッジは水濡れ異常の解消を表す。
【0119】
ステップＳ５５において信号ＤＥＴ３’のダウンエッジが生じていない場合（ステップＳ５５のＮ）、ステップＳ５５からステップＳ５６に移行する。ステップＳ５６にてメインロジック回路６０は起動トリガ信号を受信したかを確認する。起動トリガ信号を受信していない場合（ステップＳ５６のＮ）にはステップＳ５５に戻る。起動トリガ信号を受信した場合（ステップＳ５６のＹ）、ステップＳ５７に進むが、ステップＳ５７においてメインロジック回路６０は起動動作の実行を制止する。即ち、起動トリガ信号を受信したとしても、水濡れ異常情報が保持されている場合には、メインロジック回路６０は起動動作を非実行とする。ステップＳ５７の後、ステップＳ５５に戻る。
【0120】
ステップＳ５５において信号ＤＥＴ３’のダウンエッジが生じている場合（ステップＳ５５のＹ）、ステップＳ５５からステップＳ５８に移行する。ステップＳ５８において、メインロジック回路６０は、ハイレベルの信号ＲＳＴ３’を出力することでラッチ回路４３による水濡れ異常情報の保持を破棄させ、これによってメインロジック回路６０の状態を起動動作の実行を許可する状態へ遷移させる。ステップＳ５８の後、ステップＳ５９に進む。ステップＳ５９において、メインロジック回路６０は、起動トリガ信号が再び受信されることを待機する。信号ＤＥＴ３がローレベル（従って信号ＤＥＴ３’がローレベル）である状態で起動トリガ信号が再び受信されると、ステップＳ５９からステップＳ３３に移行し、メインロジック回路６０は起動動作（起動シーケンス動作）の実行を開始する。ステップＳ５９からステップＳ３３に移行した場合、ステップＳ３３～Ｓ３５の処理が実行される。ステップＳ３３～Ｓ３５の処理内容は第３実施例で示した通りである。
【0121】
このように、通常動作状態への遷移後に水濡れ異常が検出されたとき、シャットダウン動作を実行することで各種部品を保護することが可能となる。その後、水濡れ異常が解消しない限りは起動動作の実行を制止することで各種部品の安全性が確保される（ステップＳ５６及びＳ５７）。
【0122】
＜＜第６実施例＞＞
第６実施例を説明する。上述の異常フラグデータは、起動動作においてメインロジック回路６０から上位処理装置１２０に対して送信される。このため、スタンバイ状態において温度異常、水濡れ異常又は衝撃異常の発生が検出された場合、温度異常、水濡れ異常又は衝撃異常の発生が検出された旨を示す異常フラグデータが起動動作にてメインロジック回路６０から上位処理装置１２０に送信される。上位処理装置１２０は受信した異常フラグデータを自身が保持する不揮発性メモリ（不図示）に格納しておいて良い。
第６実施例を説明する。上述の異常フラグデータは、起動動作においてメインロジック回路６０から上位処理装置１２０に対して送信される。このため、スタンバイ状態において温度異常、水濡れ異常又は衝撃異常の発生が検出された場合、温度異常、水濡れ異常又は衝撃異常の発生が検出された旨を示す異常フラグデータが起動動作にてメインロジック回路６０から上位処理装置１２０に送信される。上位処理装置１２０は受信した異常フラグデータを自身が保持する不揮発性メモリ（不図示）に格納しておいて良い。
【0123】
スタンバイ状態にて衝撃異常が検出された後、起動動作の実行中に、何らかの他の異常が半導体装置１により検出された場合、メインロジック回路６０は、その時点で起動動作の実行を停止しても良い。ここにおける他の異常とは、電源消失異常、温度異常、水濡れ異常及び衝撃異常とは異なる異常（例えば、負荷ＬＤ４の起動不良）である。異常情報保持回路４０に保持された衝撃異常情報を、電子機器ＥＥの修理又は保守等を行う際に参考することができる。電子機器ＥＥの修理又は保守等を行う際、上記処理装置１２０の不揮発性メモリ内の異常フラグデータが参照されても良い。
【0124】
＜＜第７実施例＞＞
第７実施例を説明する。
第７実施例を説明する。
【0125】
図１の異常検出回路３０は４種類の異常を検出する構成を有するが、異常検出回路３０にて検出される異常の種類は１種類以上であれば任意である。但し、少なくとも特定異常は異常検出回路３０にて検出される。
【0126】
図１では負荷ＬＤ１～ＬＤ５が示されているが、本開示において、メインロジック回路６０により駆動電圧の供給又は非供給が制御される負荷の個数は１以上であれば任意である。
【0127】
本開示において、バッテリ１０１は第１電圧源の例であり、コイン型電池１０２は第２電圧源の例である。本開示において、第１電圧源及び第２電圧源の種類は任意である。第１電圧源は、充電及び放電が可能な任意の電圧源であっても良いし、放電のみが可能な任意の電圧源であっても良い。同様に、第２電圧源は、充電及び放電が可能な任意の電圧源であっても良いし、放電のみが可能な任意の電圧源であっても良い。
【0128】
既に述べた事項と部分的に重複するが、任意の信号又は電圧に関し、上述の主旨を損なわない形で、それらのハイレベルとローレベルの関係を逆にしても良い。
【0129】
各実施形態に示されたＦＥＴ（電界効果トランジスタ）のチャネルの種類は例示である。上述の主旨を損なわない形で、任意のＦＥＴのチャネルの種類はＰチャネル型及びＮチャネル型間で変更され得る。
【0130】
不都合が生じない限り、上述の任意のトランジスタは、任意の種類のトランジスタであって良い。例えば、ＭＯＳＦＥＴとして上述された任意のトランジスタを、不都合が生じない限り、接合型ＦＥＴ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）又はバイポーラトランジスタに置き換えることも可能である。任意のトランジスタは第１電極、第２電極及び制御電極を有する。ＦＥＴにおいては、第１及び第２電極の内の一方がドレインで他方がソースであり且つ制御電極がゲートである。ＩＧＢＴにおいては、第１及び第２電極の内の一方がコレクタで他方がエミッタであり且つ制御電極がゲートである。ＩＧＢＴに属さないバイポーラトランジスタにおいては、第１及び第２電極の内の一方がコレクタで他方がエミッタであり且つ制御電極がベースである。
【0131】
本開示の実施形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。以上の実施形態は、あくまでも、本開示の実施形態の例であって、本開示ないし各構成要件の用語の意義は、以上の実施形態に記載されたものに制限されるものではない。上述の説明文中に示した具体的な数値は、単なる例示であって、当然の如く、それらを様々な数値に変更することができる。
【0132】
＜＜付記＞＞
上述の実施形態にて具体的構成例が示された本開示について付記を設ける。
上述の実施形態にて具体的構成例が示された本開示について付記を設ける。
【0133】
本開示の一側面に係る半導体装置（１）は、負荷に対する駆動電圧の供給又は非供給を制御するよう構成された制御回路（６０）と、特定異常（温度異常又は水濡れ異常）を含む１種類以上の異常を検出するよう構成された異常検出回路（３０）と、何れかの異常が検出されたとき、その旨を示す異常情報を保持するよう構成された異常情報保持回路（４０）と、を備え、前記特定異常が検出されとき、前記異常情報として特定異常情報が保持され、前記制御回路は、所定の起動トリガ信号の受信を契機に、前記負荷への前記駆動電圧の供給開始を伴う起動動作を実行可能であり、前記制御回路は、前記特定異常情報が保持されている状態にて前記起動トリガ信号を受信したとき、前記起動動作の実行を制止する構成（第１の構成）である。
【0134】
特定異常が発生した後に起動動作を行ったとき、電子機器内で望ましくない事態が生じる可能性が懸念される。上記第１の構成によれば、特定異常情報が保持されている場合において起動動作の実行が制止されるため、上記事態の発生が抑制される。
【0135】
上記第１の構成に係る半導体装置において、第１電圧入力端子（ＴＭ１）と、第２電圧入力端子（ＴＭ２）と、第１電圧源（１０１）から前記第１電圧入力端子に対して第１入力電圧（ＶＳ１）が供給されるときにおいて、前記第１入力電圧に基づき第１電源電圧（ＶＣＣ１）を生成するよう構成された第１電源電圧生成回路（１０）と、前記第１電圧入力端子に対して前記第１入力電圧が供給されるときには、前記第１電源電圧に基づいて第２電源電圧（ＶＣＣ２）を生成し、前記第１電圧入力端子に対する前記第１入力電圧の供給が途絶えるときには、第２電圧源（１０２）から前記第２電圧入力端子に対して供給される第２入力電圧（ＶＳ２）に基づき前記第２電源電圧を生成するよう構成された第２電源電圧生成回路（２０）と、前記第１電源電圧に基づき動作するよう構成された第１回路ブロックと、前記第２電源電圧に基づき動作するよう構成された第２回路ブロックと、を備え、前記第１回路ブロックは前記制御回路を含み、前記第２回路ブロックは前記異常検出回路及び前記異常情報保持回路を含む構成（第２の構成）であっても良い。
【0136】
これにより、第１電圧入力端子に対する第１入力電圧の供給が途絶えるときにおいても、異常の検出及び異常情報の保持が可能となる。
【0137】
上記第１又は第２の構成に係る半導体装置において、前記制御回路は、前記特定異常情報が保持されている状態にて前記起動トリガ信号を受信したとき、前記起動動作の実行を制止し、その後、前記特定異常の解消を示す信号が前記異常検出回路から出力されたとき、保持された前記特定異常情報を破棄して前記起動動作の実行を許可する状態に遷移する構成（第３の構成）であっても良い（例えば図８のＳ２１、Ｓ２２、Ｓ２６～Ｓ２８参照）。
【0138】
これにより、特定異常情報が保持されている状態での起動動作の実行を制止しつつも、特定異常が解消したと判断される場合には、起動動作を許可して、半導体装置を含むシステムを起動動作後の状態に移行させることが可能である。
【0139】
上記第３の構成に係る半導体装置において、前記制御回路は、前記特定異常情報が保持されている状態にて前記起動トリガ信号を受信したとき、前記起動動作の実行を制止し、その後、前記特定異常の解消を示す信号が前記異常検出回路から出力されてから前記起動トリガ信号を再度受信したとき、前記起動動作を実行する構成（第４の構成）であっても良い（例えば図８のＳ２１、Ｓ２２、Ｓ２６～Ｓ２９、Ｓ２３参照）。
【0140】
上記第１～第４の構成の何れかに係る半導体装置において、前記起動動作の実行後に前記特定異常が検出されたとき、前記制御回路は、前記負荷への前記駆動電圧の供給停止を含むシャットダウン動作を実行し、その後、前記特定異常情報が保持されている状態にて前記起動トリガ信号を受信したとき、前記起動動作の実行を制止する構成（第５の構成）であっても良い（例えば図１０のＳ４０～Ｓ４７参照）。
【0141】
起動動作の実行後に特定異常が検出されたとき、シャットダウン動作を実行することで各種部品を保護することが可能となる。その後、特定異常情報が保持されている状態にて起動動作の実行を制止することにより各種部品の安全性が確報される。
【0142】
上記第５の構成に係る半導体装置において、前記制御回路は、前記シャットダウン動作の実行後、前記特定異常の解消を示す信号が前記異常検出回路から出力されたとき、保持された前記特定異常情報を破棄して前記起動動作の実行を許可する状態に遷移する構成（第６の構成）であっても良い（例えば図１０のＳ４０～Ｓ４５、Ｓ４８参照）。
【0143】
起動動作の実行後に特定異常が検出されたとき、シャットダウン動作を実行することで各種部品を保護することが可能となる。その後、特定異常が解消しない限りは起動動作の実行を制止することにより各種部品の安全性が確報される。
【0144】
上記第６の構成に係る半導体装置において、前記制御回路は、前記シャットダウン動作の実行後、前記特定異常の解消を示す信号が前記異常検出回路から出力されてから前記起動トリガ信号を再度受信したとき、前記起動動作を実行する構成（第７の構成）であっても良い（例えば図１０のＳ４０～Ｓ４５、Ｓ４８、Ｓ４９、Ｓ２３参照。
【0145】
上記第５～第７の構成の何れかに係る半導体装置において、前記起動動作の実行後に前記特定異常が検出されたとき、前記制御回路は、当該半導体装置と通信可能に接続される処理装置（１２０）と協働して前記シャットダウン動作を実行する構成（第８の構成）であっても良い。
【0146】
上記第１～第８の構成の何れかに係る半導体装置において、前記特定異常は、当該半導体装置を搭載した電子機器における温度検出対象部位の温度が所定温度以上となる温度異常、及び、前記電子機器内の水濡れ検出対象部位が水に濡れる水濡れ異常、の内、少なくとも一方を含む構成（第９の構成）であっても良い。
【符号の説明】
【0147】
ＳＹＳ システム
ＥＥ 電子機器
１ 半導体装置
１０ 内部電源回路
２０ ＲＴＣ用の電源電圧生成回路
２１、２２ ダイオード
３０ 異常検出回路
３１、３５、３６ バッファ回路
３２ インバータ回路
３３ 定電流回路
３４ コンパレータ
４０ 異常情報保持回路
４１～４４ ラッチ回路
４１ａ～４４ａ ＤＦＦ
５０ レベルシフタ
６０ メインロジック回路
７０ 電力供給回路
７１ リニアレギュレータ
７２、７３ ＤＣ／ＤＣコンバータ
７４ ゲートドライバ
１０１ バッテリ
１０２ コイン型電池
１０３～１０５ 抵抗
１０６、１０７ コンデンサ
１０８ サーミスタ
１０９ 水濡れ検出センサ
１１０ 衝撃検出センサ
１２０ 上位処理装置
１３０ 計時回路
ＴＭ１～ＴＭ５、ＴＭ１１～ＴＭ１４、ＴＭ２０、ＴＭ３１～ＴＭ３５ 端子
ＬＤ１～ＬＤ５ 負荷
１４１、１４２ｂ、１４３ｂ 出力コンデンサ
１４２ａ、１４３ａ 出力コイル
１４４、１４５ 出力トランジスタ
ＥＥ 電子機器
１ 半導体装置
１０ 内部電源回路
２０ ＲＴＣ用の電源電圧生成回路
２１、２２ ダイオード
３０ 異常検出回路
３１、３５、３６ バッファ回路
３２ インバータ回路
３３ 定電流回路
３４ コンパレータ
４０ 異常情報保持回路
４１～４４ ラッチ回路
４１ａ～４４ａ ＤＦＦ
５０ レベルシフタ
６０ メインロジック回路
７０ 電力供給回路
７１ リニアレギュレータ
７２、７３ ＤＣ／ＤＣコンバータ
７４ ゲートドライバ
１０１ バッテリ
１０２ コイン型電池
１０３～１０５ 抵抗
１０６、１０７ コンデンサ
１０８ サーミスタ
１０９ 水濡れ検出センサ
１１０ 衝撃検出センサ
１２０ 上位処理装置
１３０ 計時回路
ＴＭ１～ＴＭ５、ＴＭ１１～ＴＭ１４、ＴＭ２０、ＴＭ３１～ＴＭ３５ 端子
ＬＤ１～ＬＤ５ 負荷
１４１、１４２ｂ、１４３ｂ 出力コンデンサ
１４２ａ、１４３ａ 出力コイル
１４４、１４５ 出力トランジスタ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】