特開 2023-171033 レーザ駆動装置、及びレーザ墨出し器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023171033

(43)【公開日】2023-12-01

(54)【発明の名称】レーザ駆動装置、及びレーザ墨出し器

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/06 20060101AFI20231124BHJP

   H01S 5/042 20060101ALI20231124BHJP

   H01S 5/0683 20060101ALI20231124BHJP

   H01S 5/0225 20210101ALI20231124BHJP

   E04G 21/18 20060101ALI20231124BHJP

【ＦＩ】

H01S5/06

H01S5/042 630

H01S5/0683

H01S5/0225

E04G21/18 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022083216

(22)【出願日】2022-05-20

(71)【出願人】

【識別番号】000005821

【氏名又は名称】パナソニックホールディングス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002527

【氏名又は名称】弁理士法人北斗特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】後藤 匡成

(72)【発明者】

【氏名】中村 国法

(72)【発明者】

【氏名】永野 亘

【テーマコード（参考）】

2E174

5F173

【Ｆターム（参考）】

2E174DA41

5F173MF03

5F173MF29

5F173MF39

5F173SE10

5F173SF03

5F173SF13

5F173SF17

5F173SF32

5F173SF43

5F173SF60

5F173SF64

5F173SJ04

5F173SJ10

5F173SJ12

(57)【要約】

【課題】消費電力の低減を図る。
【解決手段】レーザ駆動装置９は、電圧変換部９２と、トランジスタ９５１と、検出部９６と、処理部９４と、を備える。電圧変換部９２は、入力電圧Ｖｉｎを、入力電圧Ｖｉｎよりも高い直流電圧Ｖｄｃに昇圧して、直流電圧Ｖｄｃを半導体レーザ５２へ出力する。トランジスタ９５１は、半導体レーザ５２に接続され、半導体レーザ５２に流れる電流の大きさを調整する。検出部９６は、トランジスタ９５１の端子間電圧を検出する。処理部９４は、検出部９６の検出結果に基づいて、直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御する。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

入力電圧を、前記入力電圧よりも高い直流電圧に昇圧して、前記直流電圧を半導体レーザへ出力する電圧変換部と、
前記半導体レーザに接続され、前記半導体レーザに流れる電流の大きさを調整するトランジスタと、
前記トランジスタの端子間電圧を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて前記直流電圧の大きさを制御する処理部と、
を備える、
レーザ駆動装置。

【請求項2】

入力電圧を、前記入力電圧よりも高い直流電圧に昇圧して、前記直流電圧を半導体レーザへ出力する電圧変換部と、
前記半導体レーザの端子間電圧を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて前記直流電圧の大きさを制御する処理部と、
を備える、
レーザ駆動装置。

【請求項3】

入力電圧を、前記入力電圧よりも高い直流電圧に昇圧して、前記直流電圧を半導体レーザへ出力する電圧変換部と、
前記半導体レーザに流れる電流を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて前記直流電圧の大きさを制御する処理部と、
を備える、
レーザ駆動装置。

【請求項4】

入力電圧を、前記入力電圧よりも高い直流電圧に昇圧して、前記直流電圧を半導体レーザへ出力する電圧変換部と、
前記半導体レーザに接続され、前記半導体レーザに流れる電流の大きさを調整するトランジスタと、
前記半導体レーザ又は前記トランジスタの温度を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて前記直流電圧の大きさを制御する処理部と、
を備える、
レーザ駆動装置。

【請求項5】

前記半導体レーザは、第１筐体に収容され、
前記トランジスタは、前記第１筐体とは別の第２筐体に収容される、
請求項１又は４に記載のレーザ駆動装置。

【請求項6】

前記トランジスタを含む発光回路を備え、
前記発光回路は、
前記半導体レーザからの光を受光する受光素子と、
前記トランジスタの制御電極に接続され、前記受光素子での受光量が所定値に収束するように、前記受光素子での前記受光量に応じて前記制御電極に流れる電流を制御する電流制御回路と、
を更に備える、
請求項１又は４に記載のレーザ駆動装置。

【請求項7】

前記処理部は、前記直流電圧の大きさが、予め設定された複数段階の目標電圧値のうちのいずれかと一致するように、前記直流電圧の大きさを制御する、
請求項１～４のいずれか１項に記載のレーザ駆動装置。

【請求項8】

前記検出部の検出結果は、前記検出部で検出された物理量を含み、
前記処理部は、
前記物理量が増加して第１閾値を超えた場合に、前記直流電圧の大きさを減少させ、
前記物理量が減少して第２閾値以下となった場合に、前記直流電圧の大きさを増加させ、
前記第１閾値は、前記第２閾値よりも大きい、
請求項７に記載のレーザ駆動装置。

【請求項9】

前記電圧変換部は、
前記直流電圧の大きさに比例した参照値を示す参照信号が入力される信号入力端子と、
スイッチング素子を含み、前記入力電圧を前記直流電圧に変換する電圧変換回路と、
前記参照値が予め定められた規定値に一致するように、前記スイッチング素子のデューティを制御するスイッチング制御部と、
を備え、
前記処理部は、前記参照値を変化させることで、前記直流電圧の大きさを変化させる、
請求項１～４のいずれか１項に記載のレーザ駆動装置。

【請求項10】

請求項１～４のいずれか１項に記載のレーザ駆動装置と、
前記半導体レーザから放出された光を線状の光に変換する光学系と、
を備える、
レーザ墨出し器。

【請求項11】

請求項５に記載のレーザ駆動装置と、
前記半導体レーザから放出された光を線状の光に変換する光学系と、
を備える、
レーザ墨出し器。

【請求項12】

請求項６に記載のレーザ駆動装置と、
前記半導体レーザから放出された光を線状の光に変換する光学系と、
を備える、
レーザ墨出し器。

【請求項13】

請求項７に記載のレーザ駆動装置と、
前記半導体レーザから放出された光を線状の光に変換する光学系と、
を備える、
レーザ墨出し器。

【請求項14】

請求項８に記載のレーザ駆動装置と、
前記半導体レーザから放出された光を線状の光に変換する光学系と、
を備える、
レーザ墨出し器。

【請求項15】

請求項９に記載のレーザ駆動装置と、
前記半導体レーザから放出された光を線状の光に変換する光学系と、
を備える、
レーザ墨出し器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、一般に、レーザ駆動装置、及びレーザ墨出し器に関する。本開示は、より詳細には、半導体レーザを発光させるレーザ駆動装置、及びレーザ駆動装置を備えるレーザ墨出し器に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、墨出器が記載されている。特許文献１に記載の墨出器は、対象物を照射する照射装置を有している。照射装置は、光源と、光源からの光束が入射されて照射光束を照射する照射素子と、を有している。光源は、回路基板に制御されて光束を出射する。照射素子である照射ミラーに入射された光束は、照射ミラーの外周面により放射状に反射される。照射ミラーから反射された光束は、壁や天井などの対象物に照射される照射光束を構成する。照射光束は、照射ミラーの中心軸線に対して直交する方向に照射される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１７－１５２１９３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載の墨出器のようなレーザ墨出し器では、消費電力の低減が望まれる場合がある。

【0005】

本開示の目的は、消費電力の低減を図ることにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様のレーザ駆動装置は、電圧変換部と、トランジスタと、検出部と、処理部と、を備える。前記電圧変換部は、入力電圧を、前記入力電圧よりも高い直流電圧に昇圧して、前記直流電圧を半導体レーザへ出力する。前記トランジスタは、前記半導体レーザに接続され、前記半導体レーザに流れる電流の大きさを調整する。前記検出部は、前記トランジスタの端子間電圧を検出する。前記処理部は、前記検出部の検出結果に基づいて前記直流電圧の大きさを制御する。

【0007】

本開示の一態様のレーザ駆動装置は、電圧変換部と、検出部と、処理部と、を備える。前記電圧変換部は、入力電圧を、前記入力電圧よりも高い直流電圧に昇圧して、前記直流電圧を半導体レーザへ出力する。前記検出部は、前記半導体レーザの端子間電圧を検出する。前記処理部は、前記検出部の検出結果に基づいて前記直流電圧の大きさを制御する。

【0008】

本開示の一態様のレーザ駆動装置は、電圧変換部と、検出部と、処理部と、を備える。前記電圧変換部は、入力電圧を、前記入力電圧よりも高い直流電圧に昇圧して、前記直流電圧を半導体レーザへ出力する。前記検出部は、前記半導体レーザに流れる電流を検出する。前記処理部は、前記検出部の検出結果に基づいて前記直流電圧の大きさを制御する。

【0009】

本開示の一態様のレーザ駆動装置は、電圧変換部と、トランジスタと、検出部と、処理部と、を備える。前記電圧変換部は、入力電圧を、前記入力電圧よりも高い直流電圧に昇圧して、前記直流電圧を半導体レーザへ出力する。前記トランジスタは、前記半導体レーザに接続され、前記半導体レーザに流れる電流の大きさを調整する。前記検出部は、前記半導体レーザ又は前記トランジスタの温度を検出する。前記処理部は、前記検出部の検出結果に基づいて前記直流電圧の大きさを制御する。

【0010】

本開示の一態様のレーザ墨出し器は、上記のいずれかの態様のレーザ駆動装置と、前記半導体レーザから放出された光を線状の光に変換する光学系と、を備える。

【発明の効果】

【0011】

本開示によれば、消費電力の低減を図ることが可能になる、という利点がある。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】図１は、実施形態のレーザ墨出し器の脚部を開いた状態の斜視図である。

【図2】図２は、同上のレーザ墨出し器の脚部を閉じた状態の斜視図である。

【図3】図３は、図２のIII－III線断面図である。

【図4】図４は、同上のレーザ墨出し器の内部構成の斜視図である。

【図5】図５は、同上のレーザ墨出し器の光学本体の斜視図である。

【図6】図６は、同上のレーザ墨出し器の電源付き脚部の分解斜視図である。

【図7】図７は、図２のVII－VII線断面図である。

【図8】図８は、同上のレーザ墨出し器が備えるレーザ駆動装置の回路図である。

【図9】図９は、変形例１のレーザ墨出し器が備えるレーザ駆動装置の回路図である。

【図10】図１０は、変形例２のレーザ墨出し器が備えるレーザ駆動装置の回路図である。

【図11】図１１は、変形例３のレーザ墨出し器が備えるレーザ駆動装置の回路図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

本開示の実施形態のレーザ駆動装置及びそれを備えたレーザ墨出し器について、図面を用いて説明する。下記の実施形態において説明する各図は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

【0014】

（１）概要
本実施形態のレーザ駆動装置９（図８参照）は、半導体レーザ５２、及び半導体レーザ５２から放出された光を線状の光（レーザ光Ｌ２，Ｌ３）に変換する光学系５３を備えるレーザ墨出し器１（図１～図７参照）に、備えられる。

【0015】

レーザ駆動装置９は、ここでは、電源９０から供給された入力電力から、半導体レーザ５２へ供給する直流電力を生成する。半導体レーザ５２は、例えばレーザダイオードである。

【0016】

図８に示すように、レーザ駆動装置９は、電圧変換部９２と、トランジスタ９５１と、検出部９６と、処理部９４と、を備えている。

【0017】

電圧変換部９２は、入力された入力電圧Ｖｉｎを、入力電圧Ｖｉｎよりも高い直流電圧Ｖｄｃに昇圧して、直流電圧Ｖｄｃを半導体レーザ５２へ出力する。

【0018】

トランジスタ９５１は、半導体レーザ５２に接続される。ここでは、トランジスタ９５１は半導体レーザ５２に直列に接続される。トランジスタ９５１は、半導体レーザ５２に流れる電流の大きさを調整する。トランジスタ９５１は、第１主電極（コレクタ）、第２主電極（エミッタ）、及び制御電極（ベース）を有している。ここでは、トランジスタ９５１は活性領域で使用され、制御電極（ベース）に印加される電圧の大きさに応じて、半導体レーザ５２とトランジスタ９５１との直列回路に流れる電流の大きさを調整する。

【0019】

検出部９６は、トランジスタ９５１の端子間電圧を検出する。「トランジスタ９５１の端子間電圧」とは、ここではトランジスタ９５１のコレクタエミッタ間電圧を意味する。

【0020】

処理部９４は、検出部９６の検出結果に基づいて、直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御する。

【0021】

従来のレーザ墨出し器では、レーザ墨出し器が使用され得る様々な温度環境下で半導体レーザが発光可能となるように、部品の製造誤差等も考慮して、電圧変換部が生成する直流電圧の大きさの設定値を、設計で決まる値よりも高めに設定している。そのため、従来のレーザ墨出し器では、余剰な（本来は不要な）消費電力が発生する。

【0022】

これに対して、本実施形態のレーザ駆動装置９では、検出部９６で検出されたトランジスタ９５１の端子間電圧に基づいて、電圧変換部９２で生成される直流電圧Ｖｄｃの大きさが制御（調整、変更）される。トランジスタ９５１の端子間電圧（コレクタエミッタ間電圧）が過剰である場合、処理部９４は、直流電圧Ｖｄｃの大きさを小さくすることができる。そのため、例えば、所望の明るさで半導体レーザ５２が発光するのに最低限必要な程度に、直流電圧Ｖｄｃの大きさを調整することが可能となり、余剰な消費電力を抑制することが可能となる。これにより、本実施形態のレーザ駆動装置９では、消費電力の低減を図ることが可能となる。

【0023】

（２）詳細
以下、本実施形態に係るレーザ駆動装置９及びそれを備えたレーザ墨出し器１について、図面を参照しながら詳細に説明する。

【0024】

（２．１）レーザ墨出し器
まず、レーザ墨出し器１の構造について、図１～図８を参照して説明する。以下では、基本的にレーザ墨出し器１が水平な設置面に設置された状態での上下左右前後を、レーザ墨出し器１の上下左右前後として説明する。

【0025】

図１に示すように、レーザ墨出し器１は、複数（例えば３つ）の脚部３を有し、複数の脚部３を開脚した状態で、作業現場（例えば住宅建設現場及び電気工事現場）の地面又は床面等の設置面に配置されて用いられる。レーザ墨出し器１は、作業現場の設置面に設置された状態で、レーザ光として、ポイント状の光であるポイント光Ｌ１と、水平方向に広がる扇状の水平ライン光Ｌ２と、鉛直方向に広がる扇状の垂直ライン光Ｌ３とを出射する。ポイント光Ｌ１は鉛直上方向に出射され、水平ライン光Ｌ２は前方水平方向に出射され、垂直ライン光Ｌ３は前方鉛直方向に出射される。このようなポイント光Ｌ１、水平ライン光Ｌ２及び垂直ライン光Ｌ３は、作業現場での作業（例えば住宅建設及び電気工事）に際して壁面や天井面に付す基準点や基準線として用いられる。以下では、ポイント光Ｌ１、水平ライン光Ｌ２及び垂直ライン光Ｌ３をまとめて、レーザ光Ｌ１～Ｌ３と記載する場合がある。

【0026】

図１に示すように、レーザ墨出し器１は、装置本体２と、複数（３つ）の脚部３とを備える。装置本体２は、レーザ光Ｌ１～Ｌ３を出射するための部分である。複数の脚部３は、装置本体２を設置面に支持するための部分である。図２に示すように、レーザ墨出し器１は、複数の脚部３を閉脚して棒状にすることで、持ち運びが容易になる。

【0027】

図１及び図３に示すように、装置本体２は、第１筐体４と、光学本体５と、支持部材６と、検知機構７とを備える。

【0028】

図１及び図３に示すように、第１筐体４は、ボディ４１と基部４２とを備える。

【0029】

ボディ４１は、光学本体５、支持部材６及び検知機構７を収容する。ボディ４１は、例えば、遮光性の樹脂で形成されている。ボディ４１は、例えば略円筒状であり、周壁部４１１と、上壁部４１２と、底部４１３とを備えている（図３参照）。

【0030】

周壁部４１１は、筒状（例えば円筒状）である。上壁部４１２は、周壁部４１１の上側開口部を塞ぐように周壁部４１１に設けられており、例えば板状（例えば円板状）である。底部４１３は、周壁部４１１の下側開口部を塞ぐように周壁部４１１に設けられており、例えば板状（ここでは円板状）である。ボディ４１の下部の外径は、ボディ４１の上部の外径よりも小さい。

【0031】

ボディ４１は、３つの透過窓（第１透過窓４０１～第３透過窓４０３）を有する（図１～図３参照）。第１透過窓４０１は、ポイント光Ｌ１が出射される透過窓である。第１透過窓４０１は、例えば略円形状の透過窓であり、ボディ４１の上壁部４１２の中央に設けられている。第２透過窓４０２は、水平ライン光Ｌ２が出射される透過窓である。第２透過窓４０２は、例えば横長矩形状の透過窓であり、ボディ４１の周壁部４１１に設けられている。第３透過窓４０３は、垂直ライン光Ｌ３が出射される透過窓である。第３透過窓４０３は、例えば縦長矩形状の透過窓であり、ボディ４１の上壁部４１２と周壁部４１１とに跨って設けられている。３つの透過窓４０１～４０３は、透明性を有する部材（樹脂又はガラス）で形成されている。

【0032】

基部４２は、ボディ４１の下部に固定される。基部４２には、複数の脚部３が回転可能に連結される（図１及び図２参照）。

【0033】

基部４２は、例えば遮光性の樹脂で形成されている。基部４２は、上側端が開口しかつ底部を有する筒状（例えば円筒状）である。基部４２の上側開口部にボディ４１の下部が挿入されて固定されることで、基部４２は、ボディ４１に固定される（図３参照）。

【0034】

光学本体５は、レーザ光Ｌ１～Ｌ３を生成して出射する部分である。図３～図５に示すように、光学本体５は、ケース５１と、半導体レーザ５２と、光学系５３と、ホルダ５４と、垂直支持部５５とを備える。

【0035】

半導体レーザ５２は、上述のようにレーザダイオードである。半導体レーザ５２は、レーザ光Ｌ１～Ｌ３の元となるレーザ光Ｌ０（図５参照）を光学系５３に出射する。図３及び図４に示すように、半導体レーザ５２は、第１基板５６に実装（配置）されている。

【0036】

ホルダ５４は、半導体レーザ５２を、光学系５３の下側（より詳細には垂直支持部５５の下側）に位置決めして保持する。

【0037】

光学系５３は、半導体レーザ５２の上側（より詳細には垂直支持部５５の上側）に配置されている。光学系５３は、図５に示すように、半導体レーザ５２からのレーザ光Ｌ０から、レーザ光Ｌ１～Ｌ３を生成する。

【0038】

図４、図５に示すように、光学系５３は、第１ビームスプリッタ５３１、第２ビームスプリッタ５３２、第１出射レンズ５３３、及び第２出射レンズ５３４を有する。第１ビームスプリッタ５３１は、半導体レーザ５２からのレーザ光Ｌ０のうち、一部を透過して第２ビームスプリッタ５３２に入射させ、残部を反射して第１出射レンズ５３３に入射させる。第１出射レンズ５３３は、第１ビームスプリッタ５３１からのレーザ光Ｌ０を水平ライン光Ｌ２に変換して出射する。第２ビームスプリッタ５３２は、第１ビームスプリッタ５３１からのレーザ光Ｌ０のうち、一部を透過してポイント光Ｌ１として鉛直方向（上方向）に出射し、残部を反射して第２出射レンズ５３４に入射させる。第２出射レンズ５３４は、第２ビームスプリッタ５３２からのレーザ光Ｌ０を垂直ライン光Ｌ３に変換して出射する。

【0039】

垂直支持部５５は、装置本体２の支持部材６によって支持された状態で、ケース５１を支持する。図４及び図５に示すように、垂直支持部５５は、支持部材６によって支持される第１軸部５５１と、ケース５１を支持する第２軸部５５２と、を有している。より詳細には、図３に示すように、垂直支持部５５は、ケース５１が鉛直方向に垂下するように、支持部材６によって第１軸部５５１周りに揺動可能に支持されかつケース５１を第２軸部５５２周りに揺動可能に支持する。これにより、光学本体５は、装置本体２の傾きに関係無く常に鉛直方向に垂下可能である。これにより、光学本体５は、レーザ光Ｌ１～Ｌ３を常に正確な方向（鉛直上方向、前方水平方向及び前方鉛直方向）に出射可能である。

【0040】

垂直支持部５５は、図５に示すように、例えば、ホルダ５４と光学系５３との間に配置されている。垂直支持部５５は、例えば直方体状の基部５５３と、一対の第１軸部５５１と、一対の第２軸部５５２とを有する。基部５５３は、例えば略直方体状である。基部５５３は、半導体レーザ５２からのレーザ光Ｌ０を上下方向に透過する貫通孔５５４を有する。一対の第１軸部５５１は、基部５５３の前後両側面から前後方向に突出している。一対の第１軸部５５１は、ケース５１の一対の開口部５１１（図４参照）からケース５１の外部に突出しており、支持部材６の一対の軸受け６１に回転可能に支持されている（図３参照）。一対の第２軸部５５２は、基部５５３の左右両側面から左右方向に突出しており、ケース５１の一対の軸受け５１２（図４参照）によって回転可能に支持されている。第１軸部５５１の軸方向（前後方向）と第２軸部５５２の軸方向（左右方向）とは、互いに直交している。

【0041】

図４及び図５に示すように、ケース５１は、半導体レーザ５２、光学系５３、ホルダ５４及び垂直支持部５５を収容する。ケース５１は、例えば、上面が傾斜した縦長棒状である。ケース５１の内部における上側の部分には、光学系５３が配置されている。ケース５１の内部における光学系５３の下側には、垂直支持部５５が配置されている。ケース５１の内部における垂直支持部５５の下側には、ホルダ５４を介して半導体レーザ５２が配置されている。

【0042】

図４に示すように、ケース５１は、３つの窓部（第１窓部５１３～第３窓部５１５）を有する。第１窓部５１３～第３窓部５１５は、それぞれケース５１に形成された開口である。第１窓部５１３は、ポイント光Ｌ１が出射される窓部であり、ケース５１の傾斜した上面に設けられている。第２窓部５１４は、水平ライン光Ｌ２が出射される窓部であり、ケース５１の側面に設けられている。第３窓部５１５は、垂直ライン光Ｌ３が出射される窓部であり、ケース５１の側面に設けられている。第２窓部５１４及び第３窓部５１５は、傾斜したケース５１の上面と対向する、ケース５１の側面に設けられている。

【0043】

支持部材６は、図３に示すように、ボディ４１の内周面に固定された状態で、垂直支持部５５の一対の第１軸部５５１を回転可能に支持する。支持部材６は、上下に貫通する中央開口部を有する環状部と、一対の軸受け６１とを有する。環状部は、ボディ４１の内周面に固定されている。一対の軸受け６１は、光学本体５の一対の第１軸部５５１を回転可能に支持する部品であり、環状部に固定されている。環状部の中央開口部内に光学本体５が揺動可能に挿入されて垂下された状態で、光学本体５の一対の第１軸部５５１が、一対の軸受け６１に回転可能に支持されている。これにより、支持部材６は、光学本体５を第１軸部５５１周りに揺動可能に垂下するように支持する。

【0044】

検知機構７は、光学本体５の下端部がボディ４１の内周面に接触した否かを検知する。図３に示すように、検知機構７は、第１接触部７１と、第２接触部７２とを有する。第１接触部７１は、金属製の部品（例えば円筒状の部品）である。第１接触部７１は、光学本体５の下端部に固定されている。第２接触部７２は、金属製の環状部品（例えば底部を有する円筒状の部品）である。第２接触部７２は、ボディ４１の底部に配置されている。この配置状態で、第２接触部７２は、光学本体５の下端部に固定された第１接触部７１の外周を囲むように配置されている。これにより、光学本体５の下端部がボディ４１の内周面に接触すると、第１接触部７１と第２接触部７２とが互いに電気的に接触する。本実施形態では、レーザ墨出し器１は、第１接触部７１と第２接触部７２との間の電気的接触を検出する検知回路を備えている。検知回路は、第１接触部７１と第２接触部７２との電気的接触を検知すると、光学本体５内の半導体レーザ５２の発光を停止する。

【0045】

つまり、光学本体５の下端部がボディ４１の内周面に接触すると、光学本体５が正確に鉛直方向に垂下できなくなる。本実施形態のレーザ墨出し器１では、このような場合は、光学本体５内の半導体レーザ５２の発光を停止する。このように、本実施形態のレーザ墨出し器１では、検知機構７を用いて、光学本体５の下端部がボディ４１の内周面に接触したか否かを検知し、検知機構７の検知結果に基づいて、検知回路が光学本体５内の半導体レーザ５２の発光を停止する。

【0046】

基部４２は、図１に示すように、ボディ４１の下部に固定される。基部４２には、複数の脚部３が回転可能に連結される。基部４２は、例えば、一端（上端）が開口しかつ他端（下端）に底部を有する筒状である。ボディ４１の下部が基部４２の内部に挿入されて固定されることで、基部４２は、ボディ４１の下部に固定されている（図３参照）。基部４２の底部の下面周縁４２１（図２参照）には、複数の脚部３が回転可能に連結されている。

【0047】

複数（例えば３つ）の脚部３は、図１に示すように、装置本体２を設置面に支持するための部材である。複数の脚部３は、図１及び図２に示すように、筒体（例えば円筒体）を周方向に複数（脚部３の個数と同数）に分割して得られる複数の分割体で構成されている。

【0048】

図１及び図２に示すように、複数の脚部３の各々は、脚部本体３１と、連結凸部３２とを有する。脚部本体３１は、筒体（例えば円筒体）を周方向に複数（脚部３の個数と同数）に均等に分割して得られる複数の分割体のうちの１つと略同じ形状を有する。連結凸部３２は、脚部本体３１の上面中央から上方に突出している。

【0049】

複数の脚部３は、基部４２の底部の下面周縁４２１に回転可能に連結されている。複数の脚部３の各々は、第１端（上端）を中心に、基部４２（すなわち第１筐体４）の中心線Ｍ１に沿った方向（図２参照）と傾斜線Ｍ２に沿った方向（図１参照）との間で回転可能である。中心線Ｍ１は、基部４２（すなわち第１筐体４）の中心を通る仮想線である。傾斜線Ｍ２は、基部４２の中心線Ｍ１に対して基部４２の外周側に傾斜した仮想線である。

【0050】

より詳細には、図２に示すように、基部４２の底部の下面周縁４２１には、複数（例えば３つ）の脚部３と１対１に対応する複数（たとえば３つ）の連結凹部４２２が設けられている。複数の連結凹部４２２の各々に、対応する脚部３の連結凸部３２が配置される。連結凹部４２２の内部には、回転軸部４２３が配置されている。回転軸部４２３は、基部４２の外周輪郭（例えば円形）における連結凹部４２２の箇所での接線に平行である。脚部３の連結凸部３２は、回転軸部４２３に回転可能に連結されている。これにより、複数の脚部３の各々は、第１端（連結凸部３２）を中心に、基部４２（第１筐体４）の中心線Ｍ１に沿った方向と傾斜線Ｍ２に沿った方向との間で回転可能に、基部４２の下面周縁４２１に連結されている。

【0051】

複数の脚部３は、開脚した状態（傾斜線Ｍ２に沿った状態；図１参照）と閉脚した状態（中心線Ｍ１に沿った状態；図２参照）とを取ることが可能である。複数の脚部３が開脚した状態で、複数の脚部３の各第２端（下端）を設置面に設置させることで、レーザ墨出し器１を立たせて配置させることが可能である。また、複数の脚部３が閉脚した状態では、複数の脚部３は、互いに束ねられて装置本体２の中心線Ｍ１に沿って延びた状態となり、レーザ墨出し器１の全体形状が真っ直ぐな棒状になる。これにより、レーザ墨出し器１の持ち運び性が向上する。

【0052】

複数の脚部３のうちの１つの脚部３は、電源付き脚部３００である。図１及び図６に示すように、電源付き脚部３００は、電源ケース３３と、電源ホルダ３４と、第２基板３５とを更に有している。

【0053】

第２基板３５は、電源付き脚部３００の脚部本体３１の内側主面に設けられた、収容凹部３１１に収容されている。第２基板３５には、少なくともトランジスタ９５１が実装される。

【0054】

電源ホルダ３４は、電源９０を着脱可能に保持する部材である。電源９０は、半導体レーザ５２の発光用及び制御用の電源であり、例えば乾電池（例えば単三乾電池）である。電源ホルダ３４は、基板部３４１と、一対の挟持板３４２，３４３とを有する。基板部３４１は、例えば矩形板状であり、収容凹部３１１の開口面を塞ぐように脚部本体３１に固定される。一対の挟持板３４２，３４３は、電源９０を縦方向に保持するための部分であり、基板部３４１における収容凹部３１１側とは反対側の主面において、互いに上下方向に沿って所定間隔（乾電池の長さ分）を空けて突出している。一対の挟持板３４２，３４３の各々の対向面には、電源９０の正極又は負極と電気的に接触するための端子が配置されている。電源ホルダ３４は、電源９０としての複数（例えば３つ）の乾電池を、一対の挟持板３４２，３４３の間に並列に積み重ねた状態で挟み込むことで保持する。

【0055】

電源ケース３３は、一面（開口面３３０）が開口した略直方体形の箱状である。電源ケース３３は、電源ケース３３内に電源ホルダ３４を収容しかつ電源ケース３３の開口面３３０が脚部本体３１の内側主面で閉塞されるようにして、脚部本体３１の内側主面に固定される。

【0056】

電源ケース３３は、上下に２分割されて構成されている。すなわち電源ケース３３は、上側の固定ケース部３３１と、下側の着脱カバー部３３２とを備える。固定ケース部３３１は、脚部本体３１の内側主面に固定されている。着脱カバー部３３２は、脚部本体３１の内側主面に着脱可能に取り付けられている。

【0057】

レーザ墨出し器１では、複数の脚部３を開脚した状態（図１参照）とし、着脱カバー部３３２を脚部本体３１から取り外すことで、電源ケース３３内の電源ホルダ３４を外部に露出させることが可能である。そして、この露出状態で、電源ホルダ３４に保持された電源（乾電池）を交換することが可能である。電池交換後は、着脱カバー部３３２は、脚部本体３１の内側主面に着脱可能に取り付けられる。

【0058】

また、レーザ墨出し器１では、複数の脚部３が閉脚した状態では、電源付き脚部３００の電源ケース３３は、複数の脚部３で構成される上記筒体の内部に収容される（図２参照）。

【0059】

本実施形態では、電源付き脚部３００の脚部本体３１及び電源ケース３３は、トランジスタ９５１を収容する筐体（第２筐体）３６を構成する。

【0060】

（２．２）レーザ駆動装置
レーザ墨出し器１が備えるレーザ駆動装置９について、図８を参照して説明する。

【0061】

図８に示すように、レーザ駆動装置９は、一対の入力端子９１１，９１２と、電圧変換部９２と、参照値生成部９３と、処理部９４と、発光回路９５と、検出部９６と、一対の出力端子９７１，９７２と、を備えている。以下では、必要に応じて、入力端子９１１を「高電位側の入力端子９１１」、入力端子９１２を「低電位側の入力端子９１２」、出力端子９７１を「高電位側の出力端子９７１」、出力端子９７２を「低電位側の出力端子９７２」という場合がある。

【0062】

一対の入力端子９１１，９１２の間には、電源９０が接続される。一対の入力端子９１１，９１２の間には、例えば、電源９０として、直列接続された３つの乾電池が接続される。一対の入力端子９１１，９１２の間には、電源９０から、入力電圧Ｖｉｎが印加される。

【0063】

電圧変換部９２は、一対の入力端子９１１，９１２に接続されている。電圧変換部９２は、一対の入力端子９１１，９１２を介して入力電圧Ｖｉｎを受け取り、受け取った入力電圧Ｖｉｎを、入力電圧Ｖｉｎよりも高い直流電圧Ｖｄｃに昇圧する。電圧変換部９２は、直流電圧Ｖｄｃを、一対の出力端から出力する。

【0064】

電圧変換部９２は、チョークコイル９２１と、ダイオード９２２と、スイッチング素子９２３（トランジスタ）と、平滑コンデンサ９２４と、スイッチング制御部９２５と、信号入力端子９２６と、を備えている。チョークコイル９２１、ダイオード９２２、スイッチング素子９２３及び平滑コンデンサ９２４は、電圧変換回路９２０を構成する。

【0065】

チョークコイル９２１の第１端は、高電位側の入力端子９１１と接続されている。チョークコイル９２１の第２端は、ダイオード９２２のアノードと接続されている。ダイオード９２２のカソードは、平滑コンデンサ９２４を介して、低電位側の入力端子９１２と接続されている。スイッチング素子９２３の第１主電極（例えばコレクタ）は、チョークコイル９２１の第２端と接続されている。スイッチング素子９２３の第２主電極（例えばエミッタ）は、低電位側の入力端子９１２と接続されている。

【0066】

電圧変換回路９２０は、昇圧チョッパである。電圧変換回路９２０は、一対の入力端子９１１，９１２間に印加された入力電圧Ｖｉｎを直流電圧Ｖｄｃに変換する。

【0067】

信号入力端子９２６には、参照値を示す参照信号Ｓｉｎが入力される。

【0068】

スイッチング制御部９２５は、スイッチング素子９２３をスイッチング制御する。スイッチング制御部９２５は、例えばＩＣ（Integrated Circuit）等で実現される。

【0069】

スイッチング制御部９２５は、信号入力端子９２６を介して参照信号Ｓｉｎを受け取る。スイッチング制御部９２５は、参照信号Ｓｉｎで示される参照値が、予め定められた規定値に一致するように、スイッチング素子９２３（トランジスタ）のデューティを制御する。後述のように、参照値は、直流電圧Ｖｄｃの大きさに比例した値である。そのため、参照値が規定値に一致するようにスイッチング制御部９２５がスイッチング素子９２３のデューティを制御することで、直流電圧Ｖｄｃの大きさを、規定値に比例した一定値に制御することができる。スイッチング制御部９２５は、参照値が規定値よりも小さければスイッチング素子９２３のデューティを増加させて直流電圧Ｖｄｃの大きさを増加させ、参照値が規定値よりも大きければスイッチング素子９２３のデューティを減少させて直流電圧Ｖｄｃの大きさを減少させる。

【0070】

参照値生成部９３は、直流電圧Ｖｄｃの大きさに比例した参照値を生成する。

【0071】

図８に示すように、参照値生成部９３は、第１抵抗９３１と、第２抵抗９３２と、第３抵抗９３３と、第４抵抗９３４と、第１スイッチ９３５と、第２スイッチ９３６と、を備えている。

【0072】

第１抵抗９３１の第１端は、電圧変換部９２の高電位側の出力端と接続されている。第２抵抗９３２と、第３抵抗９３３及び第１スイッチ９３５の直列回路と、第４抵抗９３４及び第２スイッチ９３６の直列回路とは、互いに並列に接続されて並列回路９３０を構成している。第１抵抗９３１の第２端は、並列回路９３０の第１端と接続されている。並列回路９３０の第２端は、電圧変換部９２の低電位側の出力端と接続されている。すなわち、参照値生成部９３は、第１抵抗９３１と並列回路９３０との直列回路（以下、「分圧回路」ともいう）を備えている。この分圧回路が、電圧変換部９２の一対の出力端間に接続されている。

【0073】

参照値生成部９３では、分圧回路における第１抵抗９３１と並列回路９３０との接続点Ｎ０が、電圧変換部９２の信号入力端子９２６と接続されている。参照値生成部９３は、接続点Ｎ０の電位（接続点Ｎ０とグランドとの間の電圧）を参照信号Ｓｉｎとして、信号入力端子９２６へ出力する。接続点Ｎ０の電位の大きさが、参照値である。参照値生成部９３では、第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６のオンオフが変化することで、並列回路９３０の抵抗値Ｒ０が変化し、それにより参照値が変化する。以下では、便宜上、並列回路９３０の抵抗値をＲ０、第１抵抗９３１の抵抗値をＲ１、第２抵抗９３２の抵抗値をＲ２、第３抵抗９３３の抵抗値をＲ３、第４抵抗９３４の抵抗値をＲ４、直流電圧Ｖｄｃの大きさを｜Ｖｄｃ｜として説明する。

【0074】

第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６がともにオフの場合、並列回路９３０の抵抗値Ｒ０は、Ｒ２である。一方、第１スイッチ９３５がオン、第２スイッチ９３６がオフの場合、並列回路９３０の抵抗値Ｒ０は、Ｒ２・Ｒ３／（Ｒ２＋Ｒ３）である。便宜上、Ｒ２・Ｒ３／（Ｒ２＋Ｒ３）を「Ｒ５」とすると、Ｒ５はＲ２よりも小さい。また、第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６がともにオンの場合、並列回路９３０の抵抗値Ｒ０は、Ｒ２・Ｒ３・Ｒ４／（Ｒ２・Ｒ３＋Ｒ２・Ｒ４＋Ｒ３・Ｒ４）である。便宜上、Ｒ２・Ｒ３・Ｒ４／（Ｒ２・Ｒ３＋Ｒ２・Ｒ４＋Ｒ３・Ｒ４）を「Ｒ６」とすると、Ｒ６はＲ５よりも小さい。

【0075】

参照値はＲ０・｜Ｖｄｃ｜／（Ｒ１＋Ｒ０）で表されるから、仮にＶｄｃの大きさ｜Ｖｄｃ｜が一定とすると、参照値は、並列回路９３０の抵抗値Ｒ０の変化に応じて変化する（抵抗値Ｒ０が小さくなるほど小さくなる）ことになる。

【0076】

ここで、上述のように電圧変換部９２のスイッチング制御部９２５は、参照信号Ｓｉｎで示される参照値が予め定められた規定値に一致するように、スイッチング素子９２３（トランジスタ）のデューティを制御する。すなわち、スイッチング制御部９２５は、並列回路９３０の第１スイッチ９３５又は第２スイッチ９３６のオンオフが切り替えられることで並列回路９３０の抵抗値Ｒ０が変化した場合、参照値が既定値に維持されるように、スイッチング素子９２３のデューティを変化させて直流電圧Ｖｄｃの大きさを変化させる。具体的には、第１スイッチ９３５又は第２スイッチ９３６がオフからオンへ切り替わって並列回路９３０の抵抗値Ｒ０が小さくなった場合、スイッチング制御部９２５は、スイッチング素子９２３のデューティを増加させて直流電圧Ｖｄｃの大きさを増加させる。また、第１スイッチ９３５又は第２スイッチ９３６がオンからオフへ切り替わって並列回路９３０の抵抗値Ｒ０が大きくなった場合、スイッチング制御部９２５は、スイッチング素子９２３のデューティを減少させて直流電圧Ｖｄｃの大きさを減少させる。

【0077】

これにより、並列回路９３０の抵抗値Ｒ０が変化しても、参照値は既定値に維持される。一方、電圧変換部９２が生成する直流電圧Ｖｄｃの大きさは、並列回路９３０の抵抗値Ｒ０の変化に応じて変化（具体的には、抵抗値Ｒ０が増加すると減少し、抵抗値Ｒ０が減少すると増加）することになる。すなわち、本実施形態のレーザ駆動装置９では、スイッチング制御部９２５の処理動作を変更することなく、スイッチング制御部９２５へ入力される参照値を変更することで、電圧変換部９２が生成する直流電圧Ｖｄｃの大きさを変更することができる。

【0078】

以下では、便宜上、第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６がともにオンの場合の直流電圧Ｖｄｃの大きさを「第１電圧値」、第１スイッチ９３５がオンで第２スイッチ９３６がオフの場合の直流電圧Ｖｄｃの大きさを「第２電圧値」、第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６がともにオフの場合の直流電圧Ｖｄｃの大きさを「第３電圧値」という場合がある。第１電圧値は第２電圧値よりも大きく、第２電圧値は第３電圧値よりも大きい。特に限定されないが、例えば、第１電圧値は８Ｖであり、第２電圧値は７Ｖであり、第３電圧値は６Ｖである（そうなるように、第１抵抗値Ｒ１～第４抵抗値Ｒ４及び上述の既定値等が設定されている）。

【0079】

処理部９４は、例えばＩＣ（Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等で実現される。

【0080】

処理部９４は、電圧変換部９２が生成する直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御する。処理部９４は、検出部９６の検出結果に基づいて、直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御する。

【0081】

処理部９４は、参照値を変化させることで、直流電圧Ｖｄｃの大きさを変化させる。ここでは、処理部９４は、参照値生成部９３の第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６のオンオフを制御する。処理部９４は、参照値生成部９３の第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６のオンオフを切り替えることで参照値を変化させ、これにより直流電圧Ｖｄｃの大きさを変化させる。直流電圧Ｖｄｃの大きさを増加させたい場合、処理部９４は、第１スイッチ９３５又は第２スイッチ９３６のいずれかをオフからオンへと切り替える。直流電圧Ｖｄｃの大きさを減少させたい場合、処理部９４は、第１スイッチ９３５又は第２スイッチ９３６のいずれかをオンからオフへと切り替える。

【0082】

図８に示すように、発光回路９５の一対の入力端は、参照値生成部９３を介して、電圧変換部９２の一対の出力端と接続されている。発光回路９５の一対の出力端は、一対の出力端子９７１，９７２と接続されている。発光回路９５の高電位側の出力端は、発光回路９５の高電位側の入力端と同電位である。そのため、高電位側の出力端子９７１は、電圧変換部９２の高電位側の出力端と同電位である。

【0083】

図８に示すように、一対の出力端子９７１，９７２の間には、半導体レーザ５２が接続されている。半導体レーザ５２（レーザダイオード）のアノードが出力端子９７１と接続され、カソードが出力端子９７２と接続されている。

【0084】

図８に示すように、発光回路９５は、電圧源９５０と、トランジスタ（以下、「第１トランジスタ」ともいう）９５１と、第２トランジスタ９５２と、受光素子９５３と、抵抗９５４，９５５，９５６，９５７と、を備えている。

【0085】

第１トランジスタ９５１は、半導体レーザ５２に流れる電流の大きさを調整することで、半導体レーザ５２の発光量を制御する半導体素子である。第１トランジスタ９５１は、例えばＮＰＮ型バイポーラトランジスタである。

【0086】

第１トランジスタ９５１は、第１主電極（例えばコレクタ）、第２主電極（例えばエミッタ）及び制御電極（例えばベース）を有している。第１トランジスタ９５１の第１主電極は、ここでは電流検出用の検出抵抗９６３（シャント抵抗）を介して、出力端子９７２（半導体レーザ５２のカソード）と接続されている。第１トランジスタ９５１の第２主電極は、電圧変換部９２の低電位側の出力端と接続されている。本実施形態のレーザ駆動装置９では、検出抵抗９６３は省略されてもよい。

【0087】

第１トランジスタ９５１は、活性領域で動作する。第１トランジスタ９５１は、その制御電極に流れる電流（ベース電流）に応じて、第１トランジスタ９５１に流れる電流（コレクタ電流）、すなわち半導体レーザ５２に流れる電流を制御する。

【0088】

第２トランジスタ９５２は、受光素子９５３の受光量に応じて、第１トランジスタ９５１の制御電極に流れる電流を制御する。第２トランジスタ９５２は、例えばＰＮＰ型バイポーラトランジスタである。

【0089】

第２トランジスタ９５２は、第１主電極（例えばコレクタ）、第２主電極（例えばエミッタ）及び制御電極（例えばベース）を有している。第２トランジスタ９５２の第２主電極は、電圧源９５０と接続されている。電圧源９５０は、電圧値が固定（一定）の直流電圧Ｖｃを出力する。直流電圧Ｖｃは、例えば電源９０の出力電圧から生成される。第２トランジスタ９５２の第１主電極は、直列に接続された抵抗９５４，９５５を含む第１分圧回路を介して、電圧変換部９２の低電位側の出力端と接続されている。第１分圧回路の出力端（抵抗９５４と抵抗９５５との接続点Ｎ１）は、第１トランジスタ９５１の制御電極と接続されている。

【0090】

第２トランジスタ９５２は、活性領域で動作する。第２トランジスタ９５２は、その制御電極に流れる電流（ベース電流）に応じて、第２トランジスタ９５２に流れる電流（コレクタ電流）、すなわち第１分圧回路（抵抗９５４，９５５）に流れる電流を制御する。

【0091】

受光素子９５３は、例えばフォトダイオードである。受光素子９５３は、半導体レーザ５２が出射するレーザ光Ｌ０から漏れた光を受光する。これにより、受光素子９５３は、半導体レーザ５２のレーザ光Ｌ０の発光量を検出する。

【0092】

受光素子９５３のカソードは、電圧変換部９２の高電位側の出力端と接続されている。受光素子９５３のアノードは、直列に接続された抵抗９５６，９５７を含む第２分圧回路を介して、電圧変換部９２の低電位側の出力端と接続されている。第２分圧回路の出力端（抵抗９５６と抵抗９５７との接続点Ｎ２）は、第２トランジスタ９５２の制御電極と接続されている。

【0093】

この発光回路９５では、電源が投入（オン）されると、電圧源９５０が直流電圧Ｖｃを印加して第２トランジスタ９５２導通し、第１トランジスタ９５１にベース電流が供給されて第１トランジスタ９５１が初期的に導通する。これにより、直流電圧Ｖｄｃによる電流が、半導体レーザ５２及び第１トランジスタ９５１を流れる。これにより、半導体レーザ５２が発光してレーザ光Ｌ０を出射する。

【0094】

半導体レーザ５２がレーザ光Ｌ０を出射している状態で、半導体レーザ５２の発光量が増加すると、受光素子９５３の受光量が増加して受光素子９５３を流れる電流が増加し、抵抗９５７の両端間電圧が上がり、接続点Ｎ２の電位が上がる。接続点Ｎ２の電位が上がると、第２トランジスタ９５２のベース電流が減少して、第２トランジスタ９５２のコレクタ電流が減少し、抵抗９５５の両端間電圧が下がって、接続点Ｎ１の電位が下がる。接続点Ｎ１の電位が下がると、第１トランジスタ９５１のベース電流が減少し、第１トランジスタ９５１のコレクタ電流すなわち半導体レーザ５２に流れる電流が減少する。これにより、半導体レーザ５２の発光量が減少する。

【0095】

また、半導体レーザ５２がレーザ光Ｌ０を出射している状態で、半導体レーザ５２の発光量が減少すると、受光素子９５３の受光量が減少して受光素子９５３を流れる電流が減少し、抵抗９５７の両端間電圧が下がって、接続点Ｎ２の電位が下がる。接続点Ｎ２の電位が下がると、第２トランジスタ９５２のベース電流が増加して、第２トランジスタ９５２のコレクタ電流が増加し、抵抗９５５の両端間電圧が上がって、接続点Ｎ１の電位が上がる。接続点Ｎ１の電位が上がると、第１トランジスタ９５１のベース電流が増加し、第１トランジスタ９５１のコレクタ電流すなわち半導体レーザ５２に流れる電流が増加する。これにより、半導体レーザ５２の発光量が増加する。

【0096】

このように、発光回路９５は、半導体レーザ５２からの光を受光する受光素子９５３と、トランジスタ９５１の制御電極に接続され、受光素子９５３での受光量が所定値に収束するように、受光素子９５３での受光量に応じて制御電極に流れる電流を制御する電流制御回路９５９と、を備える。電流制御回路９５９は、電圧源９５０と、第２トランジスタ９５２と、抵抗９５４，９５５，９５６，９５７と、を備えている。このような発光回路９５（電流制御回路９５９）は、半導体レーザ５２の発光量が一定となるようにフィードバック制御を行う。これにより、半導体レーザ５２の発光量は、直流電圧Ｖｄｃの大きさに応じた一定値に維持される。

【0097】

検出部９６は、半導体レーザ５２又はトランジスタ９５１の動作状態を示す物理量を検出する。ここでは、検出部９６は、物理量として、トランジスタ９５１の端子間電圧を検出する。

【0098】

図８に示すように、検出部９６は、分圧回路９６０を備えている。分圧回路９６０は、トランジスタ９５１と並列に接続されている。分圧回路９６０は、トランジスタ９５１の第１主電極と第２主電極とにまたがるように接続されている。

【0099】

分圧回路９６０は、第１分圧抵抗９６１と第２分圧抵抗９６２とを備えている。第１分圧抵抗９６１の第１端はトランジスタ９５１の第１主電極と接続され、第１分圧抵抗９６１の第２端は第２分圧抵抗９６２の第１端と接続され、第２分圧抵抗９６２の第２端はトランジスタ９５１の第２主電極と接続されている。第１分圧抵抗９６１と第２分圧抵抗９６２との接続点が、処理部９４と接続されている。検出部９６は、検出結果として、第２分圧抵抗９６２の両端間電圧を処理部９４へ出力する。なお、第２分圧抵抗９６２の両端間電圧はトランジスタ９５１の端子間電圧に比例するので、本開示では、検出部９６によって検出された第２分圧抵抗９６２の両端間電圧を単に「トランジスタ９５１の端子間電圧」ともいう。

【0100】

処理部９４は、検出部９６の検出結果に基づいて、電圧変換部９２で生成される直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御する。処理部９４は、参照値生成部９３（第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６）を制御することで、直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御する。

【0101】

処理部９４は、直流電圧Ｖｄｃの大きさが、予め設定された複数段階の目標電圧値のうちのいずれかと一致するように、直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御する。ここでの複数段階の目標電圧値は、第１電圧値（８Ｖ）、第２電圧値（７Ｖ）及び第３電圧値（６Ｖ）を含む。処理部９４は、直流電圧Ｖｄｃの大きさを第１電圧値に一致させる場合、第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６をともにオンし、直流電圧Ｖｄｃの大きさを第２電圧値に一致させる場合、第１スイッチ９３５をオンして第２スイッチ９３６をオフし、直流電圧Ｖｄｃの大きさを第３電圧値に一致させる場合、第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６をともにオフする。複数段階の目標電圧値を用いることで、目標電圧値が連続的に変化する構成と比較して、回路構成の簡略化を図ることが可能となる。

【0102】

以下、処理部９４による参照値生成部９３（第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６）の制御方法の一例について説明する。

【0103】

電源投入時には、処理部９４は、電圧変換部９２が生成する直流電圧Ｖｄｃの大きさが、出力可能な最大の大きさである第１電圧値（８Ｖ）となるように、第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６をオンしている。

【0104】

電源投入直後において、処理部９４は、検出部９６で検出された物理量（トランジスタ９５１の端子間電圧の大きさ）を、第１基準値及び第２基準値（第２基準値＞第１基準値）と比較する。

【0105】

トランジスタ９５１の端子間電圧の大きさが第２基準値を超えている場合、これは、トランジスタ９５１のコレクタエミッタ間の電圧降下が大きいこと、すなわち直流電圧Ｖｄｃの大きさが過剰であることを意味している（そのように、第２基準値が設定されている）。この場合、処理部９４は、第２スイッチ９３６をオフして、直流電圧Ｖｄｃの大きさを第１電圧値（８Ｖ）から第２電圧値（７Ｖ）へ減少させる。

【0106】

一方、トランジスタ９５１の端子間電圧の大きさが第１基準値以下の場合、処理部９４は、半導体レーザ５２が正常に発光していないと判断する。処理部９４は、例えば、第１筐体４に設けられた警告灯を点灯させることにより、ユーザに警告を行ってもよい。

【0107】

なお、トランジスタ９５１の端子間電圧の大きさが第１基準値を超えかつ第２基準値以下の場合、処理部９４は、第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６のオンを維持する。以下では、第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６がともにオンの状態を「両オン状態」ともいう。

【0108】

第２スイッチ９３６をオフした後、処理部９４は、検出部９６で検出された物理量（トランジスタ９５１の端子間電圧の大きさ）を、第３基準値及び第４基準値（第４基準値＞第３基準値）と比較する。

【0109】

トランジスタ９５１の端子間電圧の大きさが第４基準値を超えている場合、処理部９４は、第１スイッチ９３５を更にオフして、直流電圧Ｖｄｃの大きさを第２電圧値（７Ｖ）から第３電圧値（６Ｖ）へ減少させる。

【0110】

一方、トランジスタ９５１の端子間電圧の大きさが第３基準値を超えかつ第４基準値以下の場合、処理部９４は、第１スイッチ９３５のオン及び第２スイッチ９３６のオフを維持する。以下では、第１スイッチ９３５がオンで第２スイッチ９３６がオフの状態を「片オフ状態」ともいう。

【0111】

なお、トランジスタ９５１の端子間電圧が第３基準値以下の場合、処理部９４は、第２スイッチ９３６を再度オンしてもよい。第２スイッチ９３６を再度オンする場合、処理部９４は、所定の遅延時間を設けてもよい。

【0112】

第１スイッチ９３５をオフした後、処理部９４は、検出部９６で検出された物理量（トランジスタ９５１の端子間電圧）を、第５基準値と比較する。

【0113】

トランジスタ９５１の端子間電圧が第５基準値を超えている場合、処理部９４は、第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６のオフを維持する。以下では、第１スイッチ９３５及び第２スイッチ９３６がともにオフの状態を「両オフ状態」ともいう。

【0114】

トランジスタ９５１の端子間電圧が第５基準値以下の場合、処理部９４は、第１スイッチ９３５を再度オンしてもよい。第１スイッチ９３５を再度オンする場合、処理部９４は、所定の遅延時間を設けてもよい。

【0115】

このように、処理部９４は、電源投入時の直流電圧Ｖｄｃの大きさを、選択可能な電圧範囲（ここでは、６Ｖ，７Ｖ，８Ｖ）のうちで最大の値（８Ｖ）としている。これにより、電源投入直後に半導体レーザ５２がレーザ光Ｌ０を出射できる可能性が高くなる。ただし、これに限らず、処理部９４は、電源投入時の直流電圧Ｖｄｃの大きさを、選択可能な電圧範囲（ここでは、６Ｖ，７Ｖ，８Ｖ）のうちの最小の値（６Ｖ）としてもよい。

【0116】

上記の初期動作の終了後、処理部９４は、検出部９６の検出結果に基づいて、直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御する。

【0117】

ここでは、処理部９４は、検出部９６で検出された物理量（トランジスタ９５１の端子間電圧）が増加して所定の閾値を超えると、直流電圧Ｖｄｃの大きさを減少させる。例えば、両オン状態（直流電圧Ｖｄｃの大きさが８Ｖの状態）において、トランジスタ９５１の端子間電圧が増加しかつ所定の閾値（例えば、上記の第２基準値）を超えたことを検出すると、処理部９４は、第２スイッチ９３６をオフして、直流電圧Ｖｄｃの大きさを７Ｖに減少させる。また、片オフ状態（直流電圧Ｖｄｃの大きさが７Ｖの状態）において、トランジスタ９５１の端子間電圧が増加しかつ所定の閾値（例えば、上記の第４基準値）を超えたことを検出すると、処理部９４は、第１スイッチ９３５をオフして、直流電圧Ｖｄｃの大きさを６Ｖに減少させる。

【0118】

また、処理部９４は、検出部９６で検出された物理量（トランジスタ９５１の端子間電圧）が減少して所定の閾値以下となると、直流電圧Ｖｄｃの大きさを増加させる。例えば、両オフ状態（直流電圧Ｖｄｃの大きさが６Ｖの状態）において、トランジスタ９５１の端子間電圧が減少しかつ所定の閾値（例えば、上記の第５基準値）以下となったことを検出すると、処理部９４は、第１スイッチ９３５をオンして、直流電圧Ｖｄｃの大きさを７Ｖに増加させる。また、片オフ状態（直流電圧Ｖｄｃの大きさが７Ｖの状態）において、トランジスタ９５１の端子間電圧が減少しかつ所定の閾値（例えば、上記の第３基準値）以下となったことを検出すると、処理部９４は、第２スイッチ９３６をオンして、直流電圧Ｖｄｃの大きさを８Ｖに増加させる。

【0119】

このように、レーザ駆動装置９の処理部９４は、検出部９６で検出された物理量（トランジスタ９５１の両端間電圧）が増加して第１閾値（第２基準値、第４基準値）を超えると、直流電圧Ｖｄｃの大きさを減少させる。また、処理部９４は、検出部９６で検出された物理量（トランジスタ９５１の両端間電圧）が減少して第２閾値（第３基準値、第５基準値）以下となると、直流電圧Ｖｄｃの大きさを増加させる。処理部９４が、トランジスタ９５１の端子間電圧に基づいて直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御することで、半導体レーザ５２がレーザ光Ｌ０を放出するのに最低限必要な程度に、直流電圧Ｖｄｃの大きさを調整することが可能となる。これにより、本実施形態のレーザ駆動装置９では、余剰な消費電力を抑制することが可能となり、消費電力の低減を図ることが可能となる。

【0120】

ここで、本実施形態のレーザ駆動装置９では、第２基準値は第３基準値よりも大きく、第４基準値は第５基準値よりも大きい。要するに、処理部９４は、検出部９６で検出された物理量（トランジスタ９５１の両端間電圧）が増加して第１閾値（第２基準値、第４基準値）を超えた場合に、直流電圧Ｖｄｃの大きさを減少させ、上記の物理量が減少して第２閾値（第３基準値、第５基準値）以下となった場合に、直流電圧Ｖｄｃの大きさを増加させる。そして第１閾値は、第２閾値よりも大きい。すなわち、処理部９４では、直流電圧Ｖｄｃの大きさを変更する場合に、ヒステリシスを持たせている。これにより、直流電圧Ｖｄｃの大きさが、８Ｖと７Ｖとの間又は７Ｖと６Ｖとの間で短時間の間に多数回の切り替えが行われる、いわゆる振動が、発生しにくくなる。

【0121】

なお、半導体レーザ５２が発光を開始した後に、検出部９６の検出結果（検出部９６で検出される物理量）が変化する原因の一例としては、半導体レーザ５２の温度の変化が挙げられる。半導体レーザ５２の温度の変化の原因の一例としては、半導体レーザ５２又は周囲の回路部品の発熱、又は外気温の変化等が挙げられる。

【0122】

半導体レーザ５２は、半導体レーザ５２に流れる電流が一定の条件下において、半導体レーザ５２の温度が増加するほど順方向電圧が減少する特性を有する。そのため、半導体レーザ５２の温度が増加すると、半導体レーザ５２の順方向電圧が減少してトランジスタ９５１の両端間電圧が増加し、検出部９６により検出される物理量が増加する。この場合、処理部９４は、直流電圧Ｖｄｃの大きさを減少させる。一方、半導体レーザ５２の温度が減少すると、半導体レーザ５２の順方向電圧が増加してトランジスタ９５１の両端間電圧が減少し、検出部９６により検出される物理量が減少する。この場合、処理部９４は、直流電圧Ｖｄｃの大きさを増加させる。

【0123】

要するに、処理部９４は、半導体レーザ５２の温度が増加してトランジスタ９５１の両端間電圧が所定の閾値を超えると、直流電圧Ｖｄｃの大きさを減少させる。これにより、例えば、レーザ墨出し器１を寒冷地で使用する場合において、半導体レーザ５２がレーザ光Ｌ０を放出するのに必要な順方向電圧が、半導体レーザ５２等の発熱等によって発光初期よりも減少した場合には、処理部９４は、直流電圧Ｖｄｃの大きさを相対的に小さな値へと変更する。これにより、消費電力の低減を図ることが可能となる。

【0124】

また、レーザ墨出し器１の回路部品等に、製造誤差又は経年劣化等があった場合でも、検出部９６の検出結果に基づいて処理部９４が直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御することで、回路部品等の実際の状態に応じてレーザ駆動装置９を動作させることが可能となる。これにより、消費電力の低減を図ることが可能となる。

【0125】

図３～図６に示すように、本実施形態のレーザ墨出し器１では、半導体レーザ５２とトランジスタ９５１とは、異なる筐体に収容されている。具体的には、半導体レーザ５２は、第１基板５６に実装されて、第１筐体４に収容されている。一方、トランジスタ９５１は、第２基板３５に実装されて、第２筐体３６内に収容されている。第２筐体３６は、第１筐体４とは別の筐体である。これにより、半導体レーザ５２が収容された第１筐体４から、半導体レーザ５２に熱的影響を与える熱源となるトランジスタ９５１が除外されている。このため、トランジスタ９５１による第１筐体４内の温度上昇を抑制でき、その結果、トランジスタ９５１の発熱による半導体レーザ５２の温度上昇を抑制できる。半導体レーザ５２の温度上昇を抑えることで、半導体レーザ５２の発光効率の低下及び寿命の短縮等を抑制できる。

【0126】

本実施形態のレーザ墨出し器１では、受光素子９５３も、第１基板５６に実装されて、第１筐体４に収容されている。一方、レーザ駆動装置９において他に熱源となり得る部品（スイッチング素子９２３、平滑コンデンサ９２４、第１スイッチ９３５、第２スイッチ９３６、第２トランジスタ９５２、スイッチング制御部９２５、処理部９４等）は、第１筐体４に収容されていてもよいが、第２筐体３６に収容されている方が好ましい。熱源となる部品が第２筐体３６に収容されていれば、半導体レーザ５２の温度上昇を抑制でき、半導体レーザ５２の発光効率の低下及び寿命の短縮等を抑制できる。

【0127】

（３）変形例
上記の実施形態は、本開示の様々な実施形態の１つに過ぎない。上記の実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、実施形態の変形例を列挙する。上記の実施形態及び以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。

【0128】

（３．１）変形例１
本変形例のレーザ駆動装置９について、図９を参照して説明する。本変形例のレーザ駆動装置９は、検出部９６の構成において、上記の実施形態のレーザ駆動装置９と相違する。本変形例のレーザ駆動装置９において、上記の実施形態のレーザ駆動装置９と同様の構成については、適宜説明を省略する場合がある。

【0129】

図９に示すように、本変形例のレーザ駆動装置９では、検出部９６は、半導体レーザ５２の端子間電圧を検出する。「半導体レーザ５２の端子間電圧」とは、半導体レーザ５２の両端間（アノードカソード間）の電圧を意味する。

【0130】

図９に示すように検出部９６は、分圧回路９６４を備えている。分圧回路９６４は、半導体レーザ５２と並列に接続されている。分圧回路９６４は、半導体レーザ５２のアノードとカソードとにまたがるように接続されている。

【0131】

分圧回路９６４は、第１分圧抵抗９６５と第２分圧抵抗９６６を備えている。第１分圧抵抗９６５の第１端は高電位側の出力端子９７１（半導体レーザ５２のアノード）と接続され、第１分圧抵抗９６５の第２端は第２分圧抵抗９６６の第１端と接続され、第２分圧抵抗９６６の第２端は低電位側の出力端子９７２（半導体レーザ５２のカソード）と接続されている。第１分圧抵抗９６５と第２分圧抵抗９６６との接続点は、差動増幅回路を構成するオペアンプ９６７の非反転入力端子と接続されている。オペアンプ９６７の反転入力端子は一定電圧を出力する電圧源９６８と接続され、オペアンプ９６７の出力端子は処理部９４と接続されている。検出部９６は、検出結果（物理量）として、一定電圧から第２分圧抵抗９６６の両端間電圧を差し引いて得られる電圧を処理部９４へ出力する。

【0132】

処理部９４は、検出部９６の検出結果（半導体レーザ５２の端子間電圧）に基づいて、直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御する。

【0133】

上述のように、半導体レーザ５２は、半導体レーザ５２の温度が増加するほど順方向電圧が減少する特性を有する。そこで、処理部９４は、半導体レーザ５２の温度の減少によって検出部９６で検出された物理量（一定電圧から第２分圧抵抗の両端間電圧を差し引いて得られる電圧）が増加して所定の閾値を超えると、直流電圧Ｖｄｃの大きさを減少させる。また、処理部９４は、半導体レーザ５２の温度の増加によって検出部９６で検出された物理量が減少して所定の閾値以下となると、参照値生成部９３を制御して直流電圧Ｖｄｃの大きさを増加させる。

【0134】

本変形例のレーザ駆動装置９でも、処理部９４が、検出部９６の検出結果に基づいて直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御することで、半導体レーザ５２がレーザ光Ｌ０を放出するのに最低限必要な程度に、直流電圧Ｖｄｃの大きさを調整することが可能となる。これにより、余剰な消費電力を抑制することが可能となり、消費電力の低減を図ることが可能となる。

【0135】

（３．２）変形例２
本変形例のレーザ駆動装置９について、図１０を参照して説明する。本変形例のレーザ駆動装置９は、検出部９６の構成において、上記の実施形態のレーザ駆動装置９と相違する。本変形例のレーザ駆動装置９において、上記の実施形態のレーザ駆動装置９と同様の構成については、適宜説明を省略する場合がある。

【0136】

図１０に示すように、本変形例のレーザ駆動装置９では、検出部９６は、半導体レーザ５２に流れる電流を検出する。

【0137】

図１０に示すように検出部９６は、検出抵抗９６３を備えている。検出抵抗９６３は、半導体レーザ５２と直列に接続されている。検出部９６は、検出結果（物理量）として、検出抵抗９６３に流れる電流を検出する。

【0138】

処理部９４は、検出部９６の検出結果（半導体レーザ５２に流れる電流）に基づいて、直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御する。

【0139】

半導体レーザ５２の温度が増加すると、半導体レーザ５２の発光量は減少する。レーザ駆動装置９では、半導体レーザ５２の発光量が維持されるように発光回路９５がフィードバック制御を行うため、半導体レーザ５２に流れる電流が増加する。そのため、半導体レーザ５２の温度が増加すると、検出部９６により検出される物理量が増加する。この場合、処理部９４は、参照値生成部９３を制御して直流電圧Ｖｄｃの大きさを減少させる。

【0140】

また、半導体レーザ５２の温度が減少すると、半導体レーザ５２の発光量は増加する。レーザ駆動装置９では、半導体レーザ５２の発光量が維持されるように発光回路９５がフィードバック制御を行うため、半導体レーザ５２に流れる電流が減少する。そのため、半導体レーザ５２の温度が増加すると、検出部９６により検出される物理量が減少する。この場合、処理部９４は、参照値生成部９３を制御して直流電圧Ｖｄｃの大きさを増加させる。

【0141】

本変形例のレーザ駆動装置９でも、処理部９４が、検出部９６の検出結果に基づいて直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御することで、半導体レーザ５２がレーザ光Ｌ０を放出するのに最低限必要な程度に、直流電圧Ｖｄｃの大きさを調整することが可能となる。これにより、余剰な消費電力を抑制することが可能となり、消費電力の低減を図ることが可能となる。

【0142】

（３．３）変形例３
本変形例のレーザ駆動装置９について、図１１を参照して説明する。本変形例のレーザ駆動装置９は、検出部９６の構成において、上記の実施形態のレーザ駆動装置９と相違する。本変形例のレーザ駆動装置９において、上記の実施形態のレーザ駆動装置９と同様の構成については、適宜説明を省略する場合がある。

【0143】

図１１に示すように、本変形例のレーザ駆動装置９では、検出部９６は、半導体レーザ５２の温度を検出する。

【0144】

図１１に示すように検出部９６は、温度センサ９６９を備えている。温度センサ９６９は、半導体レーザ５２の近傍に配置されており、検出結果（物理量）として、半導体レーザ５２の温度を検出する。

【0145】

処理部９４は、検出部９６の検出結果（半導体レーザ５２の温度）に基づいて、直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御する。

【0146】

処理部９４は、半導体レーザ５２の温度すなわち検出部９６により検出される物理量が増加すると、参照値生成部９３を制御して直流電圧Ｖｄｃの大きさを減少させる。また、処理部９４は、半導体レーザ５２の温度すなわち検出部９６により検出される物理量が減少すると、参照値生成部９３を制御して直流電圧Ｖｄｃの大きさを増加させる。

【0147】

本変形例のレーザ駆動装置９でも、処理部９４が、検出部９６の検出結果に基づいて直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御することで、半導体レーザ５２がレーザ光Ｌ０を放出するのに最低限必要な程度に、直流電圧Ｖｄｃの大きさを調整することが可能となる。これにより、余剰な消費電力を抑制することが可能となり、消費電力の低減を図ることが可能となる。

【0148】

なお、検出部９６は、半導体レーザ５２の温度の代わりに又は半導体レーザ５２の温度に加えて、トランジスタ９５１の温度を検出してもよい。半導体レーザ５２とトランジスタ９５１とには共通の電流が流れるため、トランジスタ９５１の発熱の状況は、半導体レーザ５２の発熱の状況を示しているといえる。そのため、トランジスタ９５１の温度を検出することで、半導体レーザ５２の温度の状況を間接的に把握することができる。処理部９４は、検出されたトランジスタ９５１の温度に基づいて、直流電圧Ｖｄｃの大きさを制御すればよい。

【0149】

（４）態様
以上説明した実施形態及び変形例から明らかなように、本明細書には以下の態様が開示されている。

【0150】

第１の態様のレーザ駆動装置（９）は、電圧変換部（９２）と、トランジスタ（９５１）と、検出部（９６）と、処理部（９４）と、を備える。電圧変換部（９２）は、入力電圧（Ｖｉｎ）を、入力電圧（Ｖｉｎ）よりも高い直流電圧（Ｖｄｃ）に昇圧して、直流電圧（Ｖｄｃ）を半導体レーザ（５２）へ出力する。トランジスタ（９５１）は、半導体レーザ（５２）に接続され、半導体レーザ（５２）に流れる電流の大きさを調整する。検出部（９６）は、トランジスタ（９５１）の端子間電圧を検出する。処理部（９４）は、検出部（９６）の検出結果に基づいて、直流電圧（Ｖｄｃ）の大きさを制御する。

【0151】

この態様によれば、消費電力の低減を図ることが可能となる。

【0152】

第２の態様のレーザ駆動装置（９）は、電圧変換部（９２）と、検出部（９６）と、処理部（９４）と、を備える。電圧変換部（９２）は、入力電圧（Ｖｉｎ）を、入力電圧（Ｖｉｎ）よりも高い直流電圧（Ｖｄｃ）に昇圧して、直流電圧（Ｖｄｃ）を半導体レーザ（５２）へ出力する。検出部（９６）は、半導体レーザ（５２）の端子間電圧を検出する。処理部（９４）は、検出部（９６）の検出結果に基づいて、直流電圧（Ｖｄｃ）の大きさを制御する。

【0153】

この態様によれば、消費電力の低減を図ることが可能となる。

【0154】

第３の態様のレーザ駆動装置（９）は、電圧変換部（９２）と、検出部（９６）と、処理部（９４）と、を備える。電圧変換部（９２）は、入力電圧（Ｖｉｎ）を、入力電圧（Ｖｉｎ）よりも高い直流電圧（Ｖｄｃ）に昇圧して、直流電圧（Ｖｄｃ）を半導体レーザ（５２）へ出力する。検出部（９６）は、半導体レーザ（５２）に流れる電流を検出する。処理部（９４）は、検出部（９６）の検出結果に基づいて、直流電圧（Ｖｄｃ）の大きさを制御する。

【0155】

この態様によれば、消費電力の低減を図ることが可能となる。

【0156】

第４の態様のレーザ駆動装置（９）は、電圧変換部（９２）と、トランジスタ（９５１）と、検出部（９６）と、処理部（９４）と、を備える。電圧変換部（９２）は、入力電圧（Ｖｉｎ）を、入力電圧（Ｖｉｎ）よりも高い直流電圧（Ｖｄｃ）に昇圧して、直流電圧（Ｖｄｃ）を半導体レーザ（５２）へ出力する。トランジスタ（９５１）は、半導体レーザ（５２）に接続され、半導体レーザ（５２）に流れる電流の大きさを調整する。検出部（９６）は、半導体レーザ（５２）又はトランジスタ（９５１）の温度を検出する。処理部（９４）は、検出部（９６）の検出結果に基づいて、直流電圧（Ｖｄｃ）の大きさを制御する。

【0157】

この態様によれば、消費電力の低減を図ることが可能となる。

【0158】

第５の態様のレーザ駆動装置（９）では、第１又は第４の態様において、半導体レーザ（５２）は、第１筐体（４）に収容される。トランジスタ（９５１）は、第１筐体（４）とは別の第２筐体（３６）に収容される。

【0159】

この態様によれば、トランジスタ（９５１）の発熱による半導体レーザ（５２）の温度上昇を抑制でき、半導体レーザ（５２）の発光効率の低下及び寿命の短縮等を抑制できる。

【0160】

第６の態様のレーザ駆動装置（９）は、第１、第４及び第５のいずれか１つの態様において、トランジスタ（９５１）を含む発光回路（９５）を備える。発光回路（９５）は、受光素子（９５３）と、電流制御回路（９５９）と、を更に備える。受光素子（９５３）は、半導体レーザ（５２）からの光を受光する。電流制御回路（９５９）は、トランジスタ（９５１）の制御電極に接続される。電流制御回路（９５９）は、受光素子（９５３）での受光量が所定値に収束するように、受光素子（９５３）での受光量に応じて制御電極に流れる電流を制御する。

【0161】

この態様によれば、半導体レーザ（５２）の発光量が一定となるようにフィードバック制御を行うことが可能となる。

【0162】

第７の態様のレーザ駆動装置（９）では、第１～第６のいずれか１つの態様において、処理部（９４）は、直流電圧（Ｖｄｃ）の大きさが、予め設定された複数段階の目標電圧値のうちのいずれかと一致するように、直流電圧（Ｖｄｃ）の大きさを制御する。

【0163】

この態様によれば、回路構成の簡略化を図ることが可能となる。

【0164】

第８の態様のレーザ駆動装置（９）では、第１～第７のいずれか１つの態様において、検出部（９６）の検出結果は、検出部（９６）で検出された物理量を含む。処理部（９４）は、物理量が増加して第１閾値を超えた場合に、直流電圧（Ｖｄｃ）の大きさを減少させ、物理量が減少して第２閾値以下となった場合に、直流電圧（Ｖｄｃ）の大きさを増加させる。第１閾値は、第２閾値よりも大きい。

【0165】

この態様によれば、いわゆる振動の発生を抑制することが可能となる。

【0166】

第９の態様のレーザ駆動装置（９）では、第１～第８のいずれか１つの態様において、電圧変換部（９２）は、信号入力端子（９２６）と、電圧変換回路（９２０）と、スイッチング制御部（９２５）と、を備える。信号入力端子（９２６）には、直流電圧（Ｖｄｃ）の大きさに比例した参照値を示す参照信号（Ｓｉｎ）が入力される。電圧変換回路（９２０）は、スイッチング素子（９２３）を含み、入力電圧（Ｖｉｎ）を直流電圧（Ｖｄｃ）に変換する。スイッチング制御部（９２５）は、参照値が予め定められた規定値に一致するように、スイッチング素子（９２３）のデューティを制御する。処理部（９４）は、参照値を変化させることで、直流電圧（Ｖｄｃ）の大きさを変化させる。

【0167】

この態様によれば、スイッチング制御部（９２５）の処理を変更することなく、スイッチング制御部（９２５）へ入力される参照値を変更することで、電圧変換部（９２）が生成する直流電圧（Ｖｄｃ）の大きさを変更することが可能となる。

【0168】

第１０の態様のレーザ墨出し器（１）は、第１～第９のいずれか１つの態様のレーザ駆動装置（９）と、半導体レーザ（５２）から放出された光を線状の光に変換する光学系（５３）と、を備える。

【0169】

この態様によれば、消費電力の低減を図ることが可能となる。

【符号の説明】

【0170】

１ レーザ墨出し器
３６ 第２筐体
４ 第１筐体
５２ 半導体レーザ
５３ 光学系
９ レーザ駆動装置
９２ 電圧変換部
９２０ 電圧変換回路
９２３ スイッチング素子
９２５ スイッチング制御部
９２６ 信号入力端子
９４ 処理部
９５ 発光回路
９５１ トランジスタ（第１トランジスタ）
９５３ 受光素子
９５９ 電流制御回路
９６ 検出部
Ｓｉｎ 参照信号
Ｖｉｎ 入力電圧
Ｖｄｃ 直流電圧

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】