特開 2023-171155 実装基板、実装基板の製造方法、及び、実装基板中間体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023171155

(43)【公開日】2023-12-01

(54)【発明の名称】実装基板、実装基板の製造方法、及び、実装基板中間体

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/38 20060101AFI20231124BHJP

【ＦＩ】

H05K3/38 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022083429

(22)【出願日】2022-05-20

(71)【出願人】

【識別番号】314012076

【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100109210

【弁理士】

【氏名又は名称】新居 広守

(74)【代理人】

【識別番号】100137235

【弁理士】

【氏名又は名称】寺谷 英作

(74)【代理人】

【識別番号】100131417

【弁理士】

【氏名又は名称】道坂 伸一

(72)【発明者】

【氏名】岩永 純平

(72)【発明者】

【氏名】二連木 隆佳

(72)【発明者】

【氏名】相阪 勉

(72)【発明者】

【氏名】大石 章博

(72)【発明者】

【氏名】山腰 清

(72)【発明者】

【氏名】中川 智広

【テーマコード（参考）】

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E343AA02

5E343AA36

5E343AA39

5E343BB16

5E343BB24

5E343DD25

5E343DD33

5E343DD43

5E343DD76

5E343GG02

5E343GG04

(57)【要約】

【課題】金属層と絶縁層との密着性を向上させることができ、且つ、金属層のアンダーカットを低減することができる実装基板を提供する。
【解決手段】実装基板２は、絶縁層６と、絶縁層６の一方の面に接触するように配置された金属層８とを備える。絶縁層６の一方の面は、金属層８との界面を形成する第１の領域１０と、第１の領域１０以外の第２の領域１２とを含む。第１の領域１０の表面粗さと第２の領域１２の表面粗さとは、互いに異なる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層と、
前記絶縁層の一方の面に接触するように配置された金属層と、を備え、
前記絶縁層の前記一方の面は、
前記金属層との界面を形成する第１の領域と、
前記第１の領域以外の第２の領域と、を含み、
前記第１の領域の表面粗さと前記第２の領域の表面粗さとは、互いに異なる
実装基板。

【請求項2】

前記第１の領域の表面粗さは、前記第２の領域の表面粗さよりも大きい
請求項１に記載の実装基板。

【請求項3】

前記第１の領域には、微細な第１の凹凸構造が形成され、
前記第２の領域は、平坦状に形成されている
請求項２に記載の実装基板。

【請求項4】

前記第１の領域及び前記第２の領域の各々には、微細な第１の凹凸構造が形成され、
前記第１の領域の表面粗さは、前記第２の領域の表面粗さよりも小さい
請求項１に記載の実装基板。

【請求項5】

前記金属層は、
前記第１の凹凸構造に対応する形状を有する微細な第２の凹凸構造であって、前記第１の凹凸構造と嵌合する第２の凹凸構造が形成された第１の金属層と、
前記第１の凹凸構造と前記第２の凹凸構造との間に介在された第２の金属層と、を含む
請求項３又は４に記載の実装基板。

【請求項6】

前記第２の金属層の膜厚は、前記第１の凹凸構造の最大高さと最小高さとの差分よりも小さい
請求項５に記載の実装基板。

【請求項7】

開口部を有する転写版を準備する工程と、
前記転写版の前記開口部に金属本体層を形成する工程と、
前記開口部から露出された前記金属本体層の端面を粗化する工程と、
転写法を用いて、前記金属本体層の前記端面を絶縁層の一方の面に転写することにより、前記金属本体層を含む金属層を前記絶縁層の上に形成する工程と、を含む
実装基板の製造方法。

【請求項8】

開口部を有する版部材を用いて実装基板を形成するための実装基板中間体であって、
前記版部材の前記開口部に配置される第１の金属層であって、前記開口部から露出される端面に微細な凹凸構造が形成された第１の金属層と、
前記開口部から露出される前記第１の金属層の前記端面の上、及び、前記版部材の前記開口部の領域以外の他の領域の上に亘って配置される第２の金属層と、を備え、
前記第１の金属層の前記端面の上における前記第２の金属層の膜厚は、前記版部材の前記他の領域の上における前記第２の金属層の膜厚よりも小さい
実装基板中間体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、実装基板、実装基板の製造方法、及び、実装基板中間体に関する。

【背景技術】

【0002】

実装基板において微細な配線層を形成する技術として、セミアディティブプロセス（ＳＡＰ；Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）が知られている（例えば、特許文献１参照）。このＳＡＰでは、まず、絶縁樹脂で形成された絶縁層の表面全体をデスミア処理により一様に（すなわち、均一な表面粗さで）粗化する。次いで、無電解めっき法により、銅からなるシード層を絶縁層の上に形成する。次いで、開口部を有するレジストをシード層の上に形成する。この開口部は、配線層に対応する領域に形成されている。

【0003】

次いで、電解めっき法により、銅からなる配線層パターンを、レジストの開口部内のシード層の上に形成する。次いで、レジストを除去してシード層を露出させる。最後に、配線層パターンをマスクにして、露出されたシード層をエッチングする。これにより、シード層及び配線層パターンで構成された微細な配線層が、絶縁層の上に形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００８－１３５４４５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上述した従来のＳＡＰでは、絶縁層の表面全体を一様に粗化するため、絶縁層の粗化された表面の形状が比較的滑らかな場合には、絶縁層とシード層との密着不良が生じるおそれがある。一方、絶縁層の粗化された表面の形状が比較的粗い場合には、微細な配線層を絶縁層の上に形成することが困難となる。

【0006】

また、絶縁層の粗化された表面上にシード層を形成する際に、当該シード層を電解めっき法におけるめっき給電層として用いるためには、当該シード層の膜厚を、絶縁層の表面に形成された凹凸の高低差よりも大きくする必要がある。その結果、シード層を強力にエッチングする必要があるため、配線層の基部にあるシード層においてアンダーカットが進行し、配線不良が生じるおそれがある。

【0007】

本開示は、このような課題を解決するためになされたものであり、金属層と絶縁層との密着性を向上させることができ、且つ、金属層のアンダーカットを低減することができる実装基板、実装基板の製造方法、及び、実装基板中間体を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記目的を達成するために、本開示に係る実装基板の一態様は、絶縁層と、前記絶縁層の一方の面に接触するように配置された金属層と、を備え、前記絶縁層の前記一方の面は、前記金属層との界面を形成する第１の領域と、前記第１の領域以外の第２の領域と、を含み、前記第１の領域の表面粗さと前記第２の領域の表面粗さとは、互いに異なる。

【0009】

また、本開示に係る実装基板の製造方法の一態様は、開口部を有する転写版を準備する工程と、前記転写版の前記開口部に金属本体層を形成する工程と、前記開口部から露出された前記金属本体層の端面を粗化する工程と、転写法を用いて、前記金属本体層の前記端面を絶縁層の一方の面に転写することにより、前記金属本体層を含む金属層を前記絶縁層の上に形成する工程と、を含む。

【0010】

また、本開示に係る実装基板中間体の一態様は、開口部を有する版部材を用いて実装基板を形成するための実装基板中間体であって、前記版部材の前記開口部に配置される第１の金属層であって、前記開口部から露出される端面に微細な凹凸構造が形成された第１の金属層と、前記開口部から露出される前記第１の金属層の前記端面の上、及び、前記版部材の前記開口部の領域以外の他の領域の上に亘って配置される第２の金属層と、を備え、前記第１の金属層の前記端面の上における前記第２の金属層の膜厚は、前記版部材の前記他の領域の上における前記第２の金属層の膜厚よりも小さい。

【発明の効果】

【0011】

本開示における実装基板等によれば、金属層と絶縁層との密着性を向上させることができ、且つ、金属層のアンダーカットを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】実施の形態１に係る実装基板の断面図である。

【図2】図１の実装基板の一部を拡大して示す断面図である。

【図3】実施の形態１に係る実装基板の製造方法を説明するための図である。

【図4】実施の形態１に係る実装基板を作製するプロセスの途中で得られる実装基板中間体の断面図である。

【図5】比較例に係る実装基板の製造方法を説明するための図である。

【図6】実施の形態２に係る実装基板の断面図である。

【図7A】実施の形態２に係る実装基板の製造方法を説明するための図である。

【図7B】実施の形態２に係る実装基板の製造方法を説明するための図である。

【図7C】実施の形態２に係る実装基板の製造方法を説明するための図である。

【図8】実施の形態３に係る実装基板の断面図である。

【図9】実施の形態３に係る実装基板の製造方法を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態等は、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

【0014】

なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺などは必ずしも一致していない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

【0015】

（実施の形態１）
［１－１．実装基板の構成］
まず、図１及び図２を参照しながら、実施の形態１に係る実装基板２の構成について説明する。図１は、実施の形態１に係る実装基板２の断面図である。図２は、図１の実装基板２の一部を拡大して示す断面図である。

【0016】

図１に示すように、実施の形態１に係る実装基板２は、例えば超高密度の半導体パッケージ基板である。実装基板２は、基板４と、絶縁層６と、複数の金属層８とを備えている。

【0017】

基板４は、導電体（図示せず）を有している。導電体は、例えば、金属層８とは別の配線層に形成された配線又は電極等である。一例として、基板４は、銅箔等で形成された配線を有する配線付き基板であって、例えば、ビルドアップ基板、多層実装基板、両面実装基板、又は、片面実装基板等である。したがって、基板４には、導電体として複数の配線等が単層又は複数層に亘って配置されている。

【0018】

絶縁層６は、基板４の上に配置されている。具体的には、絶縁層６は、基板４の一方の面（図１において上側の面）の全体を覆うように配置されている。また、絶縁層６は、基板４と複数の金属層８との間に配置されている。すなわち、絶縁層６は、基板４の導電体が形成された配線層と、複数の金属層８が形成された配線層とを電気的に絶縁する層間絶縁層として機能する。絶縁層６は、絶縁材料で形成されている。本実施の形態では、絶縁層６を形成する絶縁材料は、例えばエポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂である。

【0019】

絶縁層６の一方の面（基板４と反対側の面）は、金属層８との界面を形成する第１の領域１０と、第１の領域１０以外の他の領域である第２の領域１２とを含んでいる。第１の領域１０の表面粗さと第２の領域１２の表面粗さとは、互いに異なっている。具体的には、第１の領域１０の表面粗さは、第２の領域１２の表面粗さよりも大きい。より具体的には、第１の領域１０には、微細な第１の凹凸構造１４が形成されている。また、第２の領域１２は平坦状に形成されており、第２の領域１２には微細な凹凸構造は形成されていない。第１の凹凸構造１４（第１の領域１０）の表面粗さは、例えば二乗平均平方根粗さＲｑで１０ｎｍ～３００ｎｍ、より好ましくは２０ｎｍ～１００ｎｍである。なお、本明細書において、「微細な」とは、数百ｎｍ以下の大きさを有することを意味する。

【0020】

なお、理解を容易にするために、図１及び図２では、第１の凹凸構造１４の大きさを誇張して図示してある。また、図１及び図２では、第１の凹凸構造１４の断面形状を模式的に鋸歯状で図示しているが、これに限定されず、第１の凹凸構造１４の断面形状は任意の凹凸形状であってもよい。

【0021】

複数の金属層８は、絶縁層６の上に配置されている。具体的には、複数の金属層８は、絶縁層６の一方の面に接触するように配置されており、絶縁層６を介して基板４の上方に配置されている。なお、複数の金属層８は、後述する転写版を用いた転写法によって、絶縁層６の上に形成される。

【0022】

図１及び図２に示すように、複数の金属層８の各々は、配線本体層８ａ（第１の金属層及び金属本体層の一例）と、保護層８ｂ（第２の金属層の一例）とを有している。

【0023】

配線本体層８ａは、電解めっき法により形成された電解めっき膜である。具体的には、配線本体層８ａは、銅（Ｃｕ）によって形成された電解Ｃｕめっき膜である。配線本体層８ａの端面（絶縁層６の第１の領域１０に対向する側の面）には、微細な第２の凹凸構造１６が形成されている。第２の凹凸構造１６は、絶縁層６の第１の凹凸構造１４に対応する形状を有しており、第１の凹凸構造１４と嵌合している。第２の凹凸構造１６（配線本体層８ａの端面）の表面粗さは、例えば二乗平均平方根粗さＲｑで１０ｎｍ～３００ｎｍ、より好ましくは２０ｎｍ～１００ｎｍである。

【0024】

なお、理解を容易にするために、図１及び図２では、第２の凹凸構造１６の大きさを誇張して図示してある。また、図１及び図２では、第２の凹凸構造１６の断面形状を模式的に鋸歯状で図示しているが、これに限定されず、第２の凹凸構造１６の断面形状は任意の凹凸形状であってもよい。

【0025】

保護層８ｂは、後述する転写版を用いた転写法によって金属層８を絶縁層６の上に形成する際に、転写版と絶縁層６とが互いに密着するのを回避するための層である。保護層８ｂは、第１の凹凸構造１４の表面に沿って凹凸状に形成されている。すなわち、保護層８ｂは、第１の凹凸構造１４と第２の凹凸構造１６との界面に介在されている。

【0026】

保護層８ｂは、無電解めっき法により形成された無電解めっき膜である。具体的には、保護層８ｂは、銅によって形成された無電解Ｃｕめっき膜である。図２に示すように、保護層８ｂの膜厚Ｄ１は、１００ｎｍ以下である。具体的には、保護層８ｂの膜厚Ｄ１は、第１の凹凸構造１４の基準位置（例えば、基板４と絶縁層６との界面）からの最大高さと最小高さとの差分Ｈよりも小さく、例えば５０ｎｍである。

【0027】

［１－２．実装基板の製造方法］
次に、図３及び図４を参照しながら、実施の形態１に係る実装基板２の製造方法について説明する。図３は、実施の形態１に係る実装基板２の製造方法を説明するための図である。図４は、実施の形態１に係る実装基板２を作製するプロセスの途中で得られる実装基板中間体２８の断面図である。

【0028】

まず、図３の（ａ）に示すように、転写版１８（版部材の一例）を準備する。転写版１８は、基材２０と、シード層２２と、絶縁層２４とを有している。基材２０は、例えばシリコン基板、ガラス基板又は金属基板で構成されている。シード層２２は、配線本体層８ａを電解めっき法により形成するための導電材料からなるシード電極であり、基材２０の上に配置されている。絶縁層２４は、シード層２２の上に配置されている。絶縁層２４は、例えば絶縁樹脂で形成されている。絶縁層２４には、配線本体層８ａを形成するための開口部２６が複数形成されている。これらの複数の開口部２６には、シード層２２が露出されている。なお、絶縁層２４の上面（シード層２２と反対側の面）は、平坦状に形成されている。絶縁層２４の上面の表面粗さは、例えば二乗平均平方根粗さＲｑで１０ｎｍ以下である。

【0029】

次いで、図３の（ｂ）に示すように、電解めっき法により、転写版１８の絶縁層２４の開口部２６内におけるシード層２２の上に、銅からなる電解Ｃｕめっき膜を形成する。これにより、転写版１８の絶縁層２４の開口部２６内におけるシード層２２の上には、電解Ｃｕめっき膜である配線本体層８ａが形成される。

【0030】

次いで、図３の（ｃ）に示すように、例えばエッチング液を用いたウェットエッチング等により、転写版１８の絶縁層２４の開口部２６から露出された配線本体層８ａの端面を粗化する。これにより、配線本体層８ａの端面には、第２の凹凸構造１６が形成される。この時、配線本体層８ａの端面のみが粗化され、転写版１８の絶縁層２４の上面は、粗化されずに平坦状に維持されている。なお、配線本体層８ａの端面が絶縁層２４の上面よりも粗い場合には、上述した配線本体層８ａの端面を粗化する工程（図３の（ｃ）に示す工程）を省略してもよい。

【0031】

次いで、図３の（ｄ）に示すように、無電解めっき法により、転写版１８の絶縁層２４の開口部２６から露出された配線本体層８ａの端面の上、及び、転写版１８の絶縁層２４の上（すなわち、絶縁層２４の開口部２６の領域以外の他の領域の上）に亘って、銅からなる無電解Ｃｕめっき膜を形成する。これにより、配線本体層８ａの端面の上、及び、転写版１８の絶縁層２４の上に亘って、無電解Ｃｕめっき膜である保護層８ｂが形成される。この時、配線本体層８ａの端面における保護層８ｂは、第２の凹凸構造１６の表面に沿って凹凸状に形成される。また、転写版１８の絶縁層２４における保護層８ｂは、絶縁層２４の表面に沿って平坦状に形成される。

【0032】

図３の（ｄ）に示す工程により、転写版１８には、実装基板中間体２８が形成される。実装基板中間体２８は、実装基板２を作製するプロセスの途中で得られるものである。図４に示すように、実装基板中間体２８は、転写版１８の絶縁層２４の開口部２６に配置された配線本体層８ａと、転写版１８の絶縁層２４の開口部２６から露出された配線本体層８ａの端面の上、及び、転写版１８の絶縁層２４の上に亘って配置された保護層８ｂとを有している。配線本体層８ａの端面の上における保護層８ｂの膜厚Ｄ１は、転写版１８の絶縁層２４の上における保護層８ｂの膜厚Ｄ２よりも小さい。これは、図３の（ｄ）に示す工程における無電解めっき法では、金属上と樹脂上とで、無電解Ｃｕめっき膜が析出するメカニズムが異なるためであり、金属上よりも樹脂上の方が無電解Ｃｕめっき膜を析出させる反応が進みやすいためである。

【0033】

次いで、図３の（ｅ）に示すように、予め基板４の上に絶縁層６を形成したものを準備しておき、転写版１８に形成された実装基板中間体２８を、基板４の上に形成された絶縁層６の一方の面に対向させる。そして、例えば熱プレス等を用いた転写法により、実装基板中間体２８を転写版１８から分離させ、実装基板中間体２８を絶縁層６の一方の面に転写する。これにより、配線本体層８ａの端面及び保護層８ｂが絶縁層６の一方の面に転写され、絶縁層６の上に配線本体層８ａ及び保護層８ｂが形成された状態となる。なお、転写する際に、保護層８ｂが転写版１８と絶縁層６との間に介在することにより、転写版１８と絶縁層６とが密着するのを回避することができ、実装基板中間体２８を転写版１８から容易に分離させることができる。

【0034】

この転写法により、絶縁層６の第１の領域１０には、配線本体層８ａの第２の凹凸構造１６が転写されることによって、第２の凹凸構造１６の形状に対応する形状を有する第１の凹凸構造１４が形成される。また、保護層８ｂは、絶縁層６の一方の面の全体（第１の領域１０及び第２の領域１２）に亘って転写される。これにより、絶縁層６の第２の領域１２には、保護層８ｂが露出されるようになる。

【0035】

最後に、図３の（ｆ）に示すように、配線本体層８ａをマスクにして、絶縁層６の第２の領域１２に露出された保護層８ｂをエッチング液によりエッチングする。これにより、絶縁層６の第２の領域１２に露出された保護層８ｂが除去され、配線本体層８ａ及び保護層８ｂで構成された微細な金属層８が、絶縁層６の上に形成される。以上のようにして、実装基板２が作製される。

【0036】

［１－３．効果］
ここで、図５を参照しながら、比較例に係る実装基板１００の製造方法について説明する。図５は、比較例に係る実装基板１００の製造方法を説明するための図である。

【0037】

図５の（ａ）に示すように、絶縁樹脂で形成された絶縁層１０２の表面全体をデスミア処理により一様に（すなわち、均一な表面粗さで）粗化する。次いで、図５の（ｂ）に示すように、無電解めっき法により、無電解Ｃｕめっき膜であるシード層１０４を絶縁層１０２の上に形成する。次いで、図５の（ｃ）に示すように、開口部１０６を有するレジスト１０８をシード層１０４の上に形成する。次いで、電解めっき法により、電解Ｃｕめっき膜である配線層パターン１１０を、レジスト１０８の開口部１０６内のシード層１０４の上に形成する。

【0038】

次いで、図５の（ｄ）に示すように、レジスト１０８を除去してシード層１０４を露出させる。最後に、図５の（ｅ）に示すように、配線層パターン１１０をマスクにして、露出されたシード層１０４をエッチングする。これにより、シード層１０４及び配線層パターン１１０で構成された微細な配線層１１２が、絶縁層１０２の上に形成される。

【0039】

しかしながら、このような製造方法では、絶縁層１０２の表面全体を一様に粗化するため、絶縁層１０２の粗化された表面の形状が比較的滑らかな場合には、絶縁層１０２とシード層１０４との密着不良が生じるおそれがある。一方、絶縁層１０２の粗化された表面の形状が比較的粗い場合には、微細な配線層１１２を絶縁層１０２の上に形成することが困難となる。

【0040】

また、絶縁層１０２の粗化された表面上にシード層１０４を形成する際に、シード層１０４を電解めっき法におけるめっき給電層として用いるためには、シード層１０４の膜厚を、絶縁層１０２の表面に形成された凹凸の高低差よりも大きくする必要がある。その結果、シード層１０４を強力にエッチングする必要があるため、配線層１１２の基部にあるシード層１０４においてアンダーカットが進行し、配線不良が生じるおそれがある。

【0041】

これに対して、本実施の形態では、実装基板２は、絶縁層６と、絶縁層６の一方の面に接触するように配置された金属層８とを備える。絶縁層６の一方の面は、金属層８との界面を形成する第１の領域１０と、第１の領域１０以外の第２の領域１２とを含む。第１の領域１０の表面粗さと第２の領域１２の表面粗さとは、互いに異なる。

【0042】

これによれば、第１の領域１０の表面粗さと第２の領域１２の表面粗さとは互いに異なるので、実装基板２を作製するプロセスにおいて、絶縁層６の第２の領域１２に露出された保護層８ｂをエッチング液によりエッチングする際に、エッチング液が第１の領域１０に侵入し難くなる。その結果、金属層８のアンダーカットを低減することができる。また、アンカー効果によって、金属層８と絶縁層６との密着性を向上させることができる。

【0043】

また、本実施の形態では、第１の領域１０の表面粗さは、第２の領域１２の表面粗さよりも大きい。

【0044】

これによれば、金属層８と絶縁層６との密着性を向上させることができるとともに、高周波特性を高めることができる。

【0045】

また、本実施の形態では、第１の領域１０には、微細な第１の凹凸構造１４が形成されている。また、第２の領域１２は、平坦状に形成されている。

【0046】

これによれば、金属層８と絶縁層６との密着性を向上させることができるとともに、高周波特性を高めることができる。

【0047】

また、本実施の形態では、金属層８は、第１の凹凸構造１４に対応する形状を有する微細な第２の凹凸構造１６であって、第１の凹凸構造１４と嵌合する第２の凹凸構造１６が形成された配線本体層８ａと、第１の凹凸構造１４と第２の凹凸構造１６との間に介在された保護層８ｂとを含む。

【0048】

これによれば、転写版１８を用いた転写法により実装基板２を作製するプロセスにおいて、転写版１８と絶縁層６とが密着するのを回避することができる。

【0049】

また、本実施の形態では、保護層８ｂの膜厚Ｄ１は、第１の凹凸構造１４の最大高さと最小高さとの差分Ｈよりも小さい。

【0050】

これによれば、実装基板２を作製するプロセスにおいて、絶縁層６の第２の領域１２に露出された保護層８ｂをエッチング液によりエッチングする際に、エッチング液が第１の領域１０に侵入し難くなる。その結果、金属層８のアンダーカットを低減することができる。

【0051】

また、本実施の形態では、開口部２６を有する転写版１８を準備する工程と、転写版１８の開口部２６に配線本体層８ａを形成する工程と、開口部２６から露出された配線本体層８ａの端面を粗化する工程と、転写法を用いて、配線本体層８ａの端面を絶縁層６の一方の面に転写することにより、配線本体層８ａを含む金属層８を絶縁層６の上に形成する工程とを含む。

【0052】

これによれば、絶縁層６と金属層８との界面の表面粗さと、絶縁層６の露出された（金属層８が形成されていない）部分の表面粗さとを容易に異ならせることができる。

【0053】

また、本実施の形態では、実装基板中間体２８は、開口部２６を有する転写版１８を用いて実装基板２を形成するための実装基板中間体である。実装基板中間体２８は、転写版１８の開口部２６に配置される配線本体層８ａであって、開口部２６から露出される端面に微細な第１の凹凸構造１４が形成された配線本体層８ａと、開口部２６から露出される配線本体層８ａの端面の上、及び、転写版１８の開口部２６の領域以外の他の領域の上に亘って配置される保護層８ｂとを備える。配線本体層８ａの端面の上における保護層８ｂの膜厚Ｄ１は、転写版１８の他の領域の上における保護層８ｂの膜厚Ｄ２よりも小さい。

【0054】

これによれば、実装基板２を作製するプロセスにおいて、絶縁層６に露出された保護層８ｂをエッチング液によりエッチングする際に、エッチング液が金属層８と絶縁層６との界面に侵入し難くなる。その結果、金属層８のアンダーカットを低減することができる。

【0055】

（実施の形態２）
［２－１．実装基板の構成］
図６を参照しながら、実施の形態２に係る実装基板２Ａの構成について説明する。図６は、実施の形態２に係る実装基板２Ａの断面図である。なお、以下の各実施の形態において、上記実施の形態１と同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。

【0056】

図６に示すように、実施の形態２に係る実装基板２Ａは、例えば配線が形成された配線層を複数層備えた半導体パッケージ基板である。実装基板２Ａは、支持基材３０と、粘着部材３２と、絶縁層６Ａと、複数の金属層８と、ビア電極３４と、導電体３６とを備えている。

【0057】

支持基材３０は、実装基板２Ａのベースとなる部材である。支持基材３０は、例えば絶縁樹脂等の絶縁材料で形成されており、マザーボード（図示せず）に対向するように配置される。

【0058】

粘着部材３２は、支持基材３０の上に配置されている。粘着部材３２は、支持基材３０と絶縁層６Ａとを互いに貼り合わせるための部材である。

【0059】

絶縁層６Ａは、粘着部材３２を介して支持基材３０の上方に配置されている。絶縁層６Ａには、ビアホール３８が形成されている。ビアホール３８内にはビア電極３４が配置されている。ビアホール３８は、内側面がテーパ面となった円錐台形状である。絶縁層６Ａの一方の面（支持基材３０と反対側の面）は、金属層８との界面を形成する第１の領域１０と、第１の領域１０以外の他の領域である第２の領域１２とを含んでいる。上記実施の形態１と同様に、第１の領域１０の表面粗さは、第２の領域１２の表面粗さよりも大きい。具体的には、第１の領域１０には、微細な第１の凹凸構造１４が形成されている。また、第２の領域１２は平坦状に形成されており、第２の領域１２には微細な凹凸構造は形成されていない。

【0060】

複数の金属層８は、絶縁層６Ａの上に配置されている。具体的には、複数の金属層８は、絶縁層６Ａの一方の面に接触するように配置されており、絶縁層６Ａ及び粘着部材３２を介して支持基材３０の上方に配置されている。上記実施の形態１と同様に、複数の金属層８の各々は、配線本体層８ａと、保護層８ｂとを有している。配線本体層８ａの端面（絶縁層６Ａの第１の領域１０に対向する側の面）には、微細な第２の凹凸構造１６が形成されている。第２の凹凸構造１６は、絶縁層６Ａの第１の凹凸構造１４に対応する形状を有しており、第１の凹凸構造１４と嵌合している。なお、複数の金属層８は、例えばＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップと実装基板２Ａとを電気的に接続するための銅ピラーバンプとして機能する。

【0061】

ビア電極３４は、少なくとも一部が絶縁層６Ａのビアホール３８内に配置されている。具体的には、ビア電極３４は、ビアホール３８内に隙間無く埋め込まれている。また、ビア電極３４は、ビアホール３８の内部だけではなく、絶縁層６Ａの他方の面（支持基材３０側の面）から突出するように配置されている。ビア電極３４は、複数の金属層８のうち１つの金属層８の配線本体層８ａの端面に、保護層８ｂを介して電気的に接続されている。

【0062】

導電体３６は、金属層８とは別の配線層に形成された配線又は電極等である。導電体３６は、シード層４０を介して絶縁層６Ａの他方の面に接触するように配置されている。なお、シード層４０は、導電体３６を電解めっき法により形成するための導電材料からなるシード電極である。

【0063】

［２－２．実装基板の製造方法］
図７Ａ～図７Ｃを参照しながら、実施の形態２に係る実装基板２Ａの製造方法について説明する。図７Ａ～図７Ｃは、実施の形態２に係る実装基板２Ａの製造方法を説明するための図である。

【0064】

まず、図７Ａを参照しながら、１層目の配線層を形成するプロセスについて説明する。図７Ａの（ａ）に示すように、作製版４２（版部材の一例）を準備する。作製版４２は、基材４４と、シード層４６と、絶縁層４８とを有している。基材４４は、例えばガラス基板又は金属基板で構成されている。シード層４６は、配線本体層８ａを電解めっき法により形成するための導電材料からなるシード電極であり、基材４４の上に配置されている。絶縁層４８は、シード層４６の上に配置されている。絶縁層４８は、例えば絶縁樹脂で形成されている。絶縁層４８には、配線本体層８ａを形成するための開口部５０が複数形成されている。これらの複数の開口部５０には、シード層４６が露出されている。

【0065】

次いで、図７Ａの（ｂ）に示すように、電解めっき法により、作製版４２の絶縁層４８の開口部５０内におけるシード層４６の上に、銅からなる電解Ｃｕめっき膜を形成する。これにより、作製版４２の絶縁層４８の開口部５０内におけるシード層４６の上には、電解Ｃｕめっき膜である配線本体層８ａが形成される。

【0066】

次いで、上記実施の形態１と同様に、例えばエッチング液を用いたウェットエッチング等により、作製版４２の絶縁層４８の開口部５０から露出された配線本体層８ａの端面を粗化する。これにより、配線本体層８ａの端面には、第２の凹凸構造１６が形成される。

【0067】

最後に、無電解めっき法により、作製版４２の絶縁層４８の開口部５０から露出された配線本体層８ａの端面の上、及び、作製版４２の絶縁層４８の上（すなわち、絶縁層４８の開口部５０の領域以外の他の領域の上）に亘って、銅からなる無電解Ｃｕめっき膜を形成する。これにより、配線本体層８ａの端面の上、及び、作製版４２の絶縁層４８の上に亘って、無電解Ｃｕめっき膜である保護層８ｂが形成される。この時、配線本体層８ａの端面における保護層８ｂは、第２の凹凸構造１６の表面に沿って凹凸状に形成される。また、作製版４２の絶縁層４８における保護層８ｂは、絶縁層４８の表面に沿って平坦状に形成される。これにより、図７Ａの（ｂ）に示すように、作製版４２には、実装基板中間体２８が形成される。

【0068】

次に、図７Ｂを参照しながら、２層目の配線層を形成するプロセスについて説明する。図７Ｂの（ａ）及び（ｂ）に示すように、上記実施の形態１と同様に例えば転写法を用いることにより、配線本体層８ａ及び保護層８ｂが絶縁層６Ａの一方の面に転写され、絶縁層６Ａの上に配線本体層８ａ及び保護層８ｂが形成された状態となる。この時、絶縁層６Ａの一部を除去することにより、絶縁層６Ａにビアホール３８を形成する。例えば、配線本体層８ａの上方からレーザを照射することで絶縁層６Ａの一部を除去し、ビアホール３８を形成することができる。このように絶縁層６Ａにビアホール３８を形成することにより、保護層８ｂの一部が露出される。

【0069】

次いで、図７Ｂの（ｃ）に示すように、無電解めっき法により、絶縁層６Ａの上に、銅からなる無電解Ｃｕめっき膜を形成する。これにより、絶縁層６Ａの上に、無電解Ｃｕめっき膜であるシード層４０が形成される。なお、無電解めっき法に代えて、スパッタによりシード層４０を形成してもよい。

【0070】

次いで、図７Ｂの（ｄ）に示すように、シード層４０の上に選択的にレジスト５２を形成する。レジスト５２には、複数の開口部５４が形成されている。複数の開口部５４によって、シード層４０の所定の領域及び絶縁層６Ａのビアホール３８が露出される。すなわち、絶縁層６Ａのビアホール３８は、開口部５４と連通している。レジスト５２としては、例えばドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いることができる。

【0071】

次いで、電解めっき法により、レジスト５２の開口部５４内のシード層４０の上、及び、レジスト５２の開口部５４内及び絶縁層６Ａのビアホール３８内の保護層８ｂの上に、銅からなる電解Ｃｕめっき膜を形成する。これにより、レジスト５２の開口部５４内のシード層４０の上には、電解Ｃｕめっき膜である導電体３６が形成される。また、レジスト５２の開口部５４内及び絶縁層６Ａのビアホール３８内の保護層８ｂの上には、電解Ｃｕめっき膜であるビア電極３４が形成される。

【0072】

次いで、図７Ｂの（ｅ）に示すように、レジスト５２を除去する。具体的には、ドライフィルムレジストであるレジスト５２をシード層４０から剥離する。これにより、レジスト５２で覆われていた部分のシード層４０が露出する。

【0073】

最後に、図７Ｂの（ｆ）に示すように、導電体３６をマスクにして、絶縁層６Ａに露出されたシード層４０をエッチング液によりエッチングする。これにより、絶縁層６Ａに露出されたシード層４０が除去される。

【0074】

次に、図７Ｃを参照しながら、実装基板２Ａの裏面（マザーボード側の面）を処理するプロセスについて説明する。まず、図７Ｃの（ａ）に示すように、粘着部材３２を介して、支持基材３０と絶縁層６Ａとを互いに貼り合わせる。次いで、図７Ｃの（ｂ）に示すように、作製版４２を絶縁層６Ａから剥離する。最後に、図７Ｃの（ｃ）に示すように、複数の配線本体層８ａをマスクにして、絶縁層６Ａに露出された保護層８ｂをエッチング液によりエッチングする。これにより、絶縁層６Ａに露出された保護層８ｂが除去され、配線本体層８ａ及び保護層８ｂで構成された微細な金属層８が、絶縁層６Ａの上に形成される。以上のようにして、実装基板２Ａが作製される。

【0075】

［２－３．効果］
本実施の形態においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。

【0076】

（実施の形態３）
［３－１．実装基板の構成］
図８を参照しながら、実施の形態３に係る実装基板２Ｂの構成について説明する。図８は、実施の形態３に係る実装基板２Ｂの断面図である。

【0077】

図８に示すように、実施の形態３に係る実装基板２Ｂでは、絶縁層６Ｂの第１の領域１０の表面粗さと第２の領域１２の表面粗さとは、互いに異なっている。具体的には、第１の領域１０の表面粗さは、第２の領域１２の表面粗さよりも小さい。より具体的には、第１の領域１０には、微細な第１の凹凸構造１４が形成され、第２の領域１２にも、微細な第１の凹凸構造５６が形成されている。第１の凹凸構造１４（第１の領域１０）の表面粗さは、例えば二乗平均平方根粗さＲｑで１０ｎｍ～３００ｎｍ、より好ましくは２０ｎｍ～１００ｎｍである。一方、第１の凹凸構造５６（第２の領域１２）の表面粗さは、例えば二乗平均平方根粗さＲｑで３００ｎｍよりも大きい。

【0078】

［３－２．実装基板の製造方法］
図９を参照しながら、実施の形態３に係る実装基板２Ｂの製造方法について説明する。図９は、実施の形態３に係る実装基板２Ｂの製造方法を説明するための図である。

【0079】

まず、上記実施の形態１と同様に、図９の（ａ）～（ｆ）の各工程が実行される。すなわち、図９の（ａ）～（ｆ）の各工程はそれぞれ、図３の（ａ）～（ｆ）の各工程と同一である。

【0080】

図９の（ｆ）の工程の後、図９の（ｇ）に示すように、デスミア処理により、絶縁層６Ｂの一方の面のうち露出された領域（第２の領域１２）を粗化する。以上のようにして、実装基板２Ｂが作製される。

【0081】

［３－３．効果］
本実施の形態では、第１の領域１０には微細な第１の凹凸構造１４が形成され、第２の領域１２には微細な第１の凹凸構造５６が形成されている。第１の領域１０の表面粗さは、第２の領域１２の表面粗さよりも小さい。

【0082】

これによれば、上記実施の形態１と同様に、金属層８と絶縁層６Ｂとの密着性を向上させることができるとともに、高周波特性を高めることができる。また、第２の領域１２にも第１の凹凸構造５６が形成されているので、アンカー効果により、絶縁層６Ｂと当該絶縁層６Ｂの上に形成された他の層（例えば、層間絶縁層等）との密着性を高めることができる。

【0083】

（変形例）
以上、本開示に係る実装基板等について、上記各実施の形態に基づいて説明したが、本開示は、上記各実施の形態に限定されるものではない。上記各実施の形態に対して当業者が思い付く各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。

【産業上の利用可能性】

【0084】

本開示に係る実装基板は、例えば半導体パッケージ基板等として適用可能である。

【符号の説明】

【0085】

２，２Ａ，２Ｂ，１００ 実装基板
４ 基板
６，６Ａ，６Ｂ，２４，４８，１０２ 絶縁層
８ 金属層
８ａ 配線本体層
８ｂ 保護層
１０ 第１の領域
１２ 第２の領域
１４，５６ 第１の凹凸構造
１６ 第２の凹凸構造
１８ 転写版
２０，４４ 基材
２２，４６，１０４ シード層
２６，５０，５４，１０６ 開口部
２８ 実装基板中間体
３０ 支持基材
３２ 粘着部材
３４ ビア電極
３６ 導電体
３８ ビアホール
４０ シード層
４２ 作製版
５２，１０８ レジスト
１１０ 配線層パターン
１１２ 配線層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図8】

【図9】