特開 2023-172854 リードフレーム及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023172854

(43)【公開日】2023-12-06

(54)【発明の名称】リードフレーム及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/50 20060101AFI20231129BHJP

【ＦＩ】

H01L23/50 K

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022198244

(22)【出願日】2022-12-12

(31)【優先権主張番号】P 2022084062

(32)【優先日】2022-05-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000002897

【氏名又は名称】大日本印刷株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋 学

(74)【代理人】

【識別番号】100127465

【弁理士】

【氏名又は名称】堀田 幸裕

(74)【代理人】

【識別番号】100141830

【弁理士】

【氏名又は名称】村田 卓久

(72)【発明者】

【氏名】今井 啓吾

(72)【発明者】

【氏名】永田 昌博

(72)【発明者】

【氏名】高橋 伸一郎

【テーマコード（参考）】

5F067

【Ｆターム（参考）】

5F067AA11

5F067AB04

5F067BA02

5F067BB10

5F067BC01

5F067BC11

5F067BD05

5F067DC13

5F067EA02

5F067EA04

(57)【要約】

【課題】半導体装置の厚みをより薄くすることが可能な、リードフレーム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置されたリード部１２と、ダイパッド１１とリード部１２の周囲に配置された樹脂部１８と、を備えている。リード部１２は、ダイパッド１１側に位置する内部端子５１と、ダイパッド１１の反対側に位置する外部端子５３とを有する。ダイパッド１１は、表面側から薄肉化され、内部端子５１は、表面側及び裏面側の両方から薄肉化され、樹脂部１８は、内部端子５１の裏面側に位置する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

リードフレームにおいて、
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、
前記ダイパッドと前記リード部の周囲に配置された樹脂部と、を備え、
前記リード部は、前記ダイパッド側に位置する内部端子と、前記ダイパッドの反対側に位置する外部端子とを有し、
前記ダイパッドは、表面側から薄肉化され、
前記内部端子は、表面側及び裏面側の両方から薄肉化され、
前記樹脂部は、前記内部端子の裏面側に位置する、リードフレーム。

【請求項2】

前記ダイパッドの表面は、前記樹脂部の表面のうち前記ダイパッドと前記リード部との間に位置する部分よりも裏面側に位置する、請求項１に記載のリードフレーム。

【請求項3】

前記外部端子は、表面側から薄肉化されておらず、前記外部端子の少なくとも一部が裏面側から薄肉化されている、請求項１に記載のリードフレーム。

【請求項4】

前記リード部は、前記内部端子と前記外部端子との間に位置する接続部を有し、前記接続部は、表面側及び裏面側の両方から薄肉化されている、請求項１に記載のリードフレーム。

【請求項5】

前記内部端子の厚みは、前記リードフレームの最大厚みの１０％以上４５％以下である、請求項１に記載のリードフレーム。

【請求項6】

前記ダイパッドと前記樹脂部との間、又は、前記リード部と前記樹脂部との間に、金属層が入り込んでいる、請求項１に記載のリードフレーム。

【請求項7】

リードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
前記金属基板の裏面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、裏面側凹部を形成する工程と、
前記金属基板の裏面側に樹脂部を形成し、前記樹脂部によって前記裏面側凹部を覆う工程と、
前記樹脂部を所定の厚みだけ研磨する工程と、
前記金属基板の表面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部とを形成する工程と、を備え、
前記リード部は、前記ダイパッド側に位置する内部端子と、前記ダイパッドの反対側に位置する外部端子とを有し、
前記金属基板の表面側からエッチングする工程において、前記ダイパッドと前記リード部との間に位置する前記樹脂部を表面側に露出させるとともに、前記ダイパッド及び前記内部端子が表面側から薄肉化され、
前記内部端子は、裏面側から薄肉化され、
前記樹脂部は、前記内部端子の裏面側に位置する、リードフレームの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、リードフレーム及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、基板に実装される半導体装置の小型化及び薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、従来、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。ＱＦＮタイプの半導体装置は、リードフレームの搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露出させて構成されたものである。

【0003】

特許文献１には、リードフレームの裏面に樹脂部を設けた後、樹脂部の不要部を除去する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１９－５７５９０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

近年、半導体装置の厚みを薄くすることが求められている。しかしながら、半導体装置を薄くするためにリードフレームを薄くすると、リードフレームの強度を維持することが難しくなる。

【0006】

本開示は、半導体装置の厚みをより薄くすることが可能な、リードフレーム及びその製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の実施の形態は、以下の［１］～［７］に関する。

【0008】

［１］リードフレームにおいて、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部の周囲に配置された樹脂部と、を備え、前記リード部は、前記ダイパッド側に位置する内部端子と、前記ダイパッドの反対側に位置する外部端子とを有し、前記ダイパッドは、表面側から薄肉化され、前記内部端子は、表面側及び裏面側の両方から薄肉化され、前記樹脂部は、前記内部端子の裏面側に位置する、リードフレーム。

【0009】

［２］前記ダイパッドの表面は、前記樹脂部の表面のうち前記ダイパッドと前記リード部との間に位置する部分よりも裏面側に位置する、［１］に記載のリードフレーム。

【0010】

［３］前記外部端子は、表面側から薄肉化されておらず、前記外部端子の少なくとも一部が裏面側から薄肉化されている、［１］又は［２］に記載のリードフレーム。

【0011】

［４］前記リード部は、前記内部端子と前記外部端子との間に位置する接続部を有し、前記接続部は、表面側及び裏面側の両方から薄肉化されている、［１］乃至［３］のいずれか１つに記載のリードフレーム。

【0012】

［５］前記内部端子の厚みは、前記リードフレームの最大厚みの１０％以上４５％以下である、［１］乃至［４］のいずれか１つに記載のリードフレーム。

【0013】

［６］前記ダイパッドと前記樹脂部との間、又は、前記リード部と前記樹脂部との間に、金属層が入り込んでいる、［１］乃至［５］のいずれか１つに記載のリードフレーム。

【0014】

［７］リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、前記金属基板の裏面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、裏面側凹部を形成する工程と、前記金属基板の裏面側に樹脂部を形成し、前記樹脂部によって前記裏面側凹部を覆う工程と、前記樹脂部を所定の厚みだけ研磨する工程と、前記金属基板の表面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部とを形成する工程と、を備え、前記リード部は、前記ダイパッド側に位置する内部端子と、前記ダイパッドの反対側に位置する外部端子とを有し、前記金属基板の表面側からエッチングする工程において、前記ダイパッドと前記リード部との間に位置する前記樹脂部を表面側に露出させるとともに、前記ダイパッド及び前記内部端子が表面側から薄肉化され、前記内部端子は、裏面側から薄肉化され、前記樹脂部は、前記内部端子の裏面側に位置する、リードフレームの製造方法。

【発明の効果】

【0015】

本開示によれば、半導体装置の厚みをより薄くできる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】図１は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。

【図2】図２は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のII－II線断面図）。

【図3】図３は、第１の実施の形態による半導体装置を示す平面図。

【図4】図４は、第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図３のIV－IV線断面図）。

【図5】図５（ａ）－（ｃ）は、第１の実施の形態による半導体装置を配線基板に接続した状態を示す断面図。

【図6】図６（ａ）－（ｉ）は、第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。

【図7】図７（ａ）－（ｅ）は、第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。

【図8】図８は、第１の実施の形態の変形例による半導体装置を示す断面図。

【図9】図９は、第１の実施の形態の変形例による半導体装置を配線基板に接続した状態を示す断面図。

【図10】図１０は、第２の実施の形態によるリードフレームを示す断面図。

【図11】図１１は、第２の実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大断面図。

【図12】図１２（ａ）－（ｄ）は、第２の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0017】

（第１の実施の形態）
以下、第１の実施の形態について、図１乃至図７を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

【0018】

本明細書中、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０又はパッケージ領域１０ａの各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交する。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。また、「内」、「内側」とは、各パッケージ領域１０ａの中心方向を向く側をいう。「外」、「外側」とは、各パッケージ領域１０ａの中心から離れる側をいう。また、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面（Ｚ方向プラス側の面）をいう。「裏面」とは、「表面」の反対側（Ｚ方向マイナス側）の面であって、半導体素子２１が搭載される側の面と反対側の面をいう。

【0019】

また、本明細書中、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば１０％以上９０％以下、又は３０％以上７０％以下、又は４０％以上６０％以下であっても良い。

【0020】

（リードフレームの構成）
まず、図１及び図２により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１及び図２は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。

【0021】

図１に示すように、リードフレーム１０は、パッケージ領域（単位リードフレーム）１０ａを含む。パッケージ領域１０ａは、リードフレーム１０内で、平面視で多列及び多段に（マトリックス状に）複数配置されている。なお、これに限らずパッケージ領域１０ａは１つ以上存在していれば良い。なお、パッケージ領域１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域であり、図１において仮想線の内側に位置する領域である。また、図１の仮想線は半導体装置２０の外周縁に対応している。

【0022】

次に、図１及び図２を参照してリードフレーム１０の構成についてさらに説明する。

【0023】

図１に示すように、リードフレーム１０は、ダイパッド１１と、複数のリード部１２と、樹脂部１８と、を備えている。複数のリード部１２は、それぞれ細長い形状を有し、ダイパッド１１周囲に設けられている。各リード部１２は、それぞれ半導体素子２１と外部の配線基板８０（図５参照）とを電気的に接続する。樹脂部１８は、ダイパッド１１とリード部１２の周囲であって、リードフレーム１０の裏面側に配置されている。複数のパッケージ領域１０ａは、支持リード（支持部材）１３を介して互いに連結される。支持リード１３は、ダイパッド１１とリード部１２とを支持する。支持リード１３は、Ｘ方向及びＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。

【0024】

ダイパッド１１は、平面視で略正方形形状を有している。この場合、ダイパッド１１は、例えばハーフエッチングにより表面側から薄肉化されている。ダイパッド１１は、裏面側からは薄肉化されていない。ダイパッド１１の平面形状は、正方形に限らず、長方形等の多角形としても良い。また、ダイパッド１１の四隅には吊りリード１４が連結されている。ダイパッド１１は、４本の吊りリード１４を介して支持リード１３に連結支持されている。本実施の形態において、吊りリード１４は、表面側及び裏面側のいずれからも薄肉化されておらず、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有する。なお、これに限らず、吊りリード１４は、表面側又は裏面側から薄肉化されていても良い。

【0025】

図２に示すように、ダイパッド１１は、表面側に位置するダイパッド表面１１ａと、裏面側に位置するダイパッド裏面１１ｂとを有する。ダイパッド表面１１ａには、後述する半導体素子２１が搭載される。ダイパッド表面１１ａ及びダイパッド裏面１１ｂは、樹脂部１８に覆われることなく、リードフレーム１０から外方に露出する。ダイパッド表面１１ａは、後述する樹脂部１８の樹脂表面１８ａのうち、リード部１２とダイパッド１１との間に位置する部分よりも裏面側（Ｚ方向マイナス側）に位置する。なお、これに限らず、ダイパッド表面１１ａは、樹脂部１８の樹脂表面１８ａと同一平面上に位置していても良い。ダイパッド表面１１ａが、樹脂部１８の樹脂表面１８ａよりも裏面側、または樹脂表面１８ａと同一表面上に位置していることにより、ダイパッド１１と内部端子５１とが連結してしまうことを防ぐことができる。

【0026】

ダイパッド１１のうちリード部１２を向く側には、ダイパッド側面１１ｃが形成されている。ダイパッド側面１１ｃは、樹脂部１８に密着している。

【0027】

各リード部１２は、それぞれ後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続される。リード部１２は、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。リード部１２は、それぞれ支持リード１３から延び出している。

【0028】

複数のリード部１２は、ダイパッド１１の周囲に沿って配置されている。このリード部１２の裏面には、それぞれ外部の配線基板８０（図５参照）に電気的に接続される第１外部端子裏面５３ｂが形成されている。各第１外部端子裏面５３ｂは、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出する。

【0029】

リード部１２は、内部端子５１と、接続部５２と、外部端子５３とを有する。内部端子５１は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。外部端子５３は、外側（ダイパッド１１の反対側、支持リード１３側）に位置する。接続部５２は、内部端子５１と外部端子５３との間に位置する。内部端子５１は、リード部１２の内側端部に位置し、その表面側には内部端子面１５が形成されている。この内部端子面１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域である。なお、内部端子面１５上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき層２５が設けられている。めっき層２５は、例えば銀めっきからなっていても良い。

【0030】

内部端子５１は、例えばハーフエッチングにより表面側及び裏面側の両方から薄肉化されている。内部端子５１は、上述した内部端子面１５と、内部端子裏面５１ｂとを有する。内部端子面１５は、内部端子５１の表面側に位置する。内部端子裏面５１ｂは、内部端子５１の裏面側に位置する。内部端子面１５及び内部端子裏面５１ｂはそれぞれエッチングにより形成された面である。内部端子面１５は、樹脂部１８によって覆われていない。内部端子裏面５１ｂは、樹脂部１８に密着している。また、内部端子５１のうちダイパッド１１を向く側には、リード側面５１ｃが形成されている。リード側面５１ｃは、樹脂部１８に覆われることなく、外方に露出している。

【0031】

接続部５２は、例えばハーフエッチングにより表面側及び裏面側の両方から薄肉化されている。接続部５２は、内側において内部端子５１に連結され、外側において外部端子５３に連結されている。接続部５２は、表面側に位置する接続部表面５２ａと、裏面側に位置する接続部裏面５２ｂとを有する。接続部表面５２ａ及び接続部裏面５２ｂはそれぞれエッチングにより形成された面である。接続部表面５２ａは、樹脂部１８に覆われることなく、外方に露出している。接続部裏面５２ｂは、樹脂部１８に密着している。また、接続部表面５２ａは、内部端子面１５と同一平面上に位置する。接続部裏面５２ｂは、内部端子裏面５１ｂ及び第２外部端子裏面５３ｃと同一平面上に位置する。

【0032】

外部端子５３は、支持リード１３側に位置しており、その外側端部は支持リード１３に連結されている。外部端子５３は、断面において、略Ｌ字形状となっている。外部端子５３は、表面側から薄肉化されていない。外部端子５３は、その一部が裏面側から薄肉化されている。外部端子５３は、外部端子表面５３ａと、上述した第１外部端子裏面５３ｂと、第２外部端子裏面５３ｃとを有する。外部端子表面５３ａは、外部端子５３の表面側に位置しており、外方に露出する。外部端子表面５３ａは、内部端子面１５及び接続部表面５２ａよりも表面側（Ｚ方向プラス側）に位置する。第１外部端子裏面５３ｂは、外部端子５３の裏面側に位置しており、外方に露出する。第１外部端子裏面５３ｂは、裏面側から薄肉化されてない。第１外部端子裏面５３ｂは、外部端子表面５３ａよりも面積が小さくても良い。なお、第１外部端子裏面５３ｂと支持リード１３との間の領域が、裏面側から薄肉化されていても良い。第２外部端子裏面５３ｃは、外部端子５３の裏面側に位置しており、樹脂部１８に密着している。第２外部端子裏面５３ｃは、第１外部端子裏面５３ｂより表面側（Ｚ方向プラス側）に位置する。第２外部端子裏面５３ｃは、裏面側から薄肉化された部分に形成される。

【0033】

また、外部端子５３のうち第２外部端子裏面５３ｃより裏面側の位置には、第１外部端子内側面５３ｄが形成されている。第１外部端子内側面５３ｄは、第２外部端子裏面５３ｃから第１外部端子裏面５３ｂに向けて延びる。第１外部端子内側面５３ｄには、樹脂部１８が密着している。また、外部端子５３のうち接続部表面５２ａより表面側の位置には、第２外部端子内側面５３ｅが形成されている。第２外部端子内側面５３ｅは、外部端子表面５３ａから接続部表面５２ａに向けて延びる。第２外部端子内側面５３ｅは、外方に露出している。

【0034】

樹脂部１８は、ダイパッド１１とリード部１２の周囲に配置されている。すなわち、図１に示すように、表面側から見て、樹脂部１８は、ダイパッド１１の一辺と、当該辺に対向する複数のリード部１２と、支持リード１３と、２本の吊りリード１４とによって取り囲まれる領域に位置している。また、裏面側から見て、樹脂部１８は、ダイパッド１１の一辺と、当該辺に対向する複数のリード部１２の第１外部端子裏面５３ｂと、支持リード１３と、２本の吊りリード１４とによって取り囲まれる領域に位置している。なお、図１において、樹脂部１８を網掛けで示している（後述する図３についても同様）。

【0035】

樹脂部１８は、リードフレーム１０の裏面側に配置されている。すなわち樹脂部１８は、リードフレーム１０のうち、厚み方向の途中位置よりも裏面側（Ｚ方向マイナス側）にのみ存在する。樹脂部１８は、厚み方向（Ｚ方向）の途中位置よりも表面側（Ｚ方向プラス側）には存在しない。なお、上記途中位置は、リードフレーム１０の厚み方向の中央に限らず、厚み方向の中央よりも表面側又は裏面側に位置しても良い。図２において、厚み方向の途中位置とは、厚み方向において、内部端子裏面５１ｂ、接続部裏面５２ｂ及び第２外部端子裏面５３ｃが存在する位置に対応する。

【0036】

図２に示すように、樹脂部１８は、ダイパッド１１のダイパッド側面１１ｃに密着している。また樹脂部１８は、リード部１２の裏面側に配置されている。具体的には、樹脂部１８は、リード部１２の第１外部端子内側面５３ｄと、第２外部端子裏面５３ｃと、接続部裏面５２ｂと、内部端子裏面５１ｂとに密着している。

【0037】

樹脂部１８は、表面側に位置する樹脂表面１８ａと、裏面側に位置する樹脂裏面１８ｂとを有する。このうち樹脂表面１８ａは、ダイパッド側面１１ｃとリード側面５１ｃとの間から外方に露出する。また樹脂表面１８ａ、内部端子裏面５１ｂ、接続部裏面５２ｂ及び第２外部端子裏面５３ｃは、互いに同一平面上に位置している。樹脂裏面１８ｂは、リードフレーム１０の裏面側から外方に露出する。ダイパッド裏面１１ｂ、樹脂裏面１８ｂ及び第１外部端子裏面５３ｂは、互いに同一平面上に位置している。樹脂部１８は、樹脂内側面１８ｃをさらに有する。樹脂内側面１８ｃは、ダイパッド１１側を向いており、外方に露出している。

【0038】

樹脂部１８としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いても良い。なお、樹脂部１８と後述する封止樹脂２３との密着性を高めるため、樹脂部１８として、封止樹脂２３と同一の材料を用いることが好ましい。

【0039】

以上説明したリードフレーム１０の樹脂部１８以外の部分は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０の最大厚みＴ１は、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上３００μｍ以下としても良い。本明細書において、リードフレーム１０の最大厚みとは、リードフレーム１０のうち最も厚い部分における厚み（Ｚ方向距離）であり、表面側からも裏面側からも薄肉化されていない部分における厚みをいう。また、リードフレーム１０の最大厚みは、後述する金属基板３１の板厚に対応する。本実施の形態において、リード部１２の裏面側に樹脂部１８が設けられているため、ワイヤボンディング時に加わる力によってリード部１２が変形しにくい。これにより、リードフレーム１０の最大厚みＴ１を薄くできる。

【0040】

内部端子５１及び接続部５２の厚みＴ２は、リードフレーム１０の最大厚みＴ１の１０％以上４５％以下としても良く、１５％以上３０％以下としても良い。内部端子５１及び接続部５２の厚みＴ２は、３０μｍ以上１３５μｍ以下としても良く、３５μｍ以上７５μｍ以下としても良い。内部端子５１及び接続部５２の厚みＴ２をリードフレーム１０の最大厚みＴ１の１０％以上とすることにより、内部端子５１と外部端子５３との導電性を確保できる。内部端子５１及び接続部５２の厚みＴ２をリードフレーム１０の最大厚みＴ１の４５％以下とすることにより、樹脂封止後の半導体装置２０の厚みを薄肉化できる。

【0041】

外部端子５３のうち薄肉化された部分の厚みＴ３は、リードフレーム１０の最大厚みＴ１の４０％以上７０％以下としても良く、５０％以上６０％以下としても良い。外部端子５３のうち薄肉化された部分の厚みＴ３は、３２μｍ以上１７５μｍ以下としても良く、４０μｍ以上１５０μｍ以下としても良い。

【0042】

ダイパッド１１の厚みＴ４は、リードフレーム１０の最大厚みＴ１の４０％以上７０％以下としても良く、５０％以上６０％以下としても良い。ダイパッド１１の厚みＴ４は、３２μｍ以上１７５μｍ以下としても良く、４０μｍ以上１５０μｍ以下としても良い。ダイパッド１１の厚みＴ４をリードフレーム１０の最大厚みＴ１の４０％以上とすることにより、ダイパッド１１と樹脂部１８との密着性を維持できる。ダイパッド１１の厚みＴ４をリードフレーム１０の最大厚みＴ１の７０％以下とすることにより、樹脂封止後の半導体装置２０の厚みを薄肉化できる。

【0043】

樹脂部１８の厚みＴ５は、リードフレーム１０の最大厚みＴ１の３０％以上６０％以下としても良く、４０％以上５０％以下としても良い。樹脂部１８の厚みＴ５は、２４μｍ以上１５０μｍ以下としても良く、３２μｍ以上１２５μｍ以下としても良い。

【0044】

（半導体装置の構成）
次に、図３及び図４により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図３及び図４は、本実施の形態による半導体装置を示す図である。

【0045】

図３及び図４に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、複数のリード部１２と、半導体素子２１と、複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２とを備えている。複数のリード部１２は、ダイパッド１１の周囲に配置されている。半導体素子２１は、ダイパッド１１上に搭載されている。ボンディングワイヤ２２は、リード部１２と半導体素子２１とを電気的に接続する。また、ダイパッド１１とリード部１２の周囲であって、半導体装置２０の裏面側に樹脂部１８が配置されている。さらに、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

【0046】

半導体装置２０のダイパッド１１、リード部１２及び樹脂部１８は、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。ダイパッド１１、リード部１２及び樹脂部１８の構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１及び図２に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

【0047】

半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能である。半導体素子２１としては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いても良い。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。接着剤２４としては、例えばダイボンディングペースト等を用いても良い。

【0048】

各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなる。各ボンディングワイヤ２２の一端は、それぞれ半導体素子２１の電極２１ａに接続されている。各ボンディングワイヤ２２の他端は、それぞれ各リード部１２の内部端子面１５上に位置するめっき層２５に接続されている。

【0049】

封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いても良い。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１５００μｍ以下程度としても良い。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば０．２ｍｍ以上１６ｍｍ以下としても良い。ダイパッド１１とリード部１２との間の空間において、封止樹脂２３は、樹脂部１８の樹脂表面１８ａ及び樹脂内側面１８ｃに密着している。また封止樹脂２３は、リード部１２の接続部表面５２ａ及び第２外部端子内側面５３ｅに密着している。

【0050】

図４に示すように、封止樹脂２３の表面２３ａは、外部端子表面５３ａと同一平面上に位置する。すなわち外部端子表面５３ａは、封止樹脂２３から外方に露出する。これにより、外部端子表面５３ａを外部と電気的に接続する外部端子面として用いたり（図５（ｂ））、外部端子表面５３ａを半導体素子２１からの熱を放射する熱放射面として用いたりできる（図５（ａ））。これに限らず、封止樹脂２３の表面２３ａは、外部端子表面５３ａよりも裏面側（Ｚ方向マイナス側）に位置しても良い。なお、図３において、封止樹脂２３の図示を省略している。

【0051】

図５（ａ）－（ｃ）は、それぞれ本実施の形態による半導体装置２０を配線基板８０に接続した状態を示している。

【0052】

図５（ａ）は、半導体装置２０の裏面側を配線基板８０に接続した状態を示している。この場合、リード部１２の第１外部端子裏面５３ｂ及びダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂは、それぞれ半田部８１によって配線基板８０に接続される。これにより、リード部１２の第１外部端子裏面５３ｂを外部の配線基板８０と電気的に接続する外部端子面として用いることができる。また、リード部１２の外部端子表面５３ａを半導体素子２１からの熱を放射する熱放射面として用いることができる。さらに、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂを半導体素子２１からの熱を伝導させる熱伝導面として用いることができる。

【0053】

図５（ｂ）は、半導体装置２０の表面側を配線基板８０に接続した状態を示している。この場合、リード部１２の外部端子表面５３ａは、半田部８１によって配線基板８０に接続される。これにより、第１外部端子裏面５３ｂよりも面積の大きい外部端子表面５３ａを、外部と電気的に接続する外部端子面として用いることができる。また、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂを半導体素子２１からの熱を放射する熱放射面として用いることができる。

【0054】

図５（ｃ）は、半導体装置２０の裏面側を配線基板８０に接続するとともに、複数の半導体装置２０を積層した状態を示している。この場合、最も配線基板８０側に位置する半導体装置２０のリード部１２の第１外部端子裏面５３ｂ及びダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂは、それぞれ半田部８１によって配線基板８０に接続される。また、配線基板８０側に位置する半導体装置２０のリード部１２の外部端子表面５３ａと、他の半導体装置２０のリード部１２の第１外部端子裏面５３ｂとが、互いに電気的に接続される。これにより、複数の半導体装置２０を厚み方向（Ｚ方向）に接続できる。

【0055】

（リードフレームの製造方法）
次に、図１及び図２に示すリードフレーム１０の製造方法について、図６（ａ）－（ｉ）を用いて説明する。

【0056】

まず図６（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用しても良い。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

【0057】

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジストを塗布し、乾燥する。続いて、金属基板３１上の感光性レジストに対してフォトマスクを介して露光し、現像する。これにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図６（ｂ））。

【0058】

次に、ハーフエッチングにより、金属基板３１の裏面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する。この場合、裏面側のエッチング用レジスト層３３を耐腐蝕膜として、金属基板３１の裏面側に腐蝕液でエッチングを施す（図６（ｃ））。なお、このとき金属基板３１の表面側を図示しないフィルムで覆っても良い。これにより、金属基板３１の裏面側に非貫通凹部である裏面側凹部３６を形成する。この裏面側凹部３６は、樹脂部１８に対応する形状を有する。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択できる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、腐蝕液は、塩化第二鉄水溶液を使用してもよい。この場合、塩化第二鉄水溶液を金属基板３１の一方の面又は両面からスプレーエッチングしても良い。

【0059】

次に、表面側のエッチング用レジスト層３２を残して、裏面側のエッチング用レジスト層３３を剥離除去する（図６（ｄ））。次いで金属基板３１を水洗し、乾燥させる。

【0060】

次に、金属基板３１の裏面側に樹脂部１８を形成し、樹脂部１８によって裏面側凹部３６を覆う（図６（ｅ））。このとき、金属基板３１の裏面側に熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を射出成形又はトランスファ成形しても良い。これにより、樹脂部１８が裏面側凹部３６内に充填される。なお、ダイパッド裏面１１ｂに対応する部分１１ｅからの樹脂部１８の厚みＴ６は、２５μｍ以上２００μｍ以下としても良い。

【0061】

次に、ハーフエッチングにより、金属基板３１の表面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する。この場合、表面側のエッチング用レジスト層３２を耐腐蝕膜として、金属基板３１の表面側に腐蝕液でエッチングを施す（図６（ｆ））。なお、腐蝕液としては、金属基板３１の裏面側をエッチングする際に用いたものと同様のものを用いても良い（図６（ｃ））。

【0062】

これにより、金属基板３１の表面側がエッチングされ、ダイパッド１１、リード部１２及び支持リード１３の外形が形成される。また、ダイパッド１１とリード部１２との間に隙間が形成され、樹脂部１８が表面側に露出する。このとき、ダイパッド１１の表面側が、エッチングにより薄肉化される。さらに、リード部１２の接続部５２及び外部端子５３の表面側が、樹脂部１８が露出しない程度にエッチングにより薄肉化される。金属基板３１の表面側をエッチングする際、例えば接続部５２の表面及び外部端子５３の表面を図示しないレジストで覆っても良い。この場合、ダイパッド１１の表面のエッチング、及び、ダイパッド１１とリード部１２との間のエッチングが一定程度進んだ後、当該レジストを除去する。その後、接続部５２の表面及び外部端子５３の表面をそれぞれエッチングにより薄肉化しても良い。あるいは、金属基板３１の表面側を一度のエッチングのみにより薄肉化しても良い。

【0063】

次に、樹脂部１８を所定の厚みだけ研磨する（図６（ｇ））。具体的には、樹脂部１８を裏面側から研磨してゆき、金属基板３１を構成する金属部分が出現した後、樹脂部１８の研磨を終了する。これにより、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂ及びリード部１２の第１外部端子裏面５３ｂが裏面側に露出する。なお、樹脂部１８を研磨する方法としては、例えばバフ研磨が挙げられる。

【0064】

本実施の形態において、エッチングにより樹脂部１８を表面側に露出させる工程（図６（ｆ））は、樹脂部１８を研磨する工程（図６（ｇ））よりも前に行われる。これにより、金属基板３１の表面側をエッチングする際、金属基板３１の裏面側が樹脂部１８によって覆われる。このため、金属基板３１の裏面側を他の部材で覆う工程を別途設けることなく、金属基板３１の表面側のみを薄肉化できる。なお、樹脂部１８を研磨する工程（図６（ｇ））は、金属基板３１の表面側をエッチングする工程（図６（ｆ））よりも前に行っても良い。

【0065】

次に、表面側のエッチング用レジスト層３２を剥離除去する（図６（ｈ））。次いで金属基板３１を水洗及び乾燥させる。

【0066】

その後、リード部１２の内部端子５１に電解めっきを施す。これによりリード部１２の内部端子５１上に金属（例えば銀）を析出させて、めっき層２５を形成する。このようにして図１及び図２に示すリードフレーム１０が得られる（図６（ｉ））。

【0067】

（半導体装置の製造方法）
次に、図３及び図４に示す半導体装置２０の製造方法について、図７（ａ）－（ｅ）を用いて説明する。

【0068】

まず、例えば図６（ａ）－（ｉ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図７（ａ））。

【0069】

次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図７（ｂ））。接着剤２４としては、例えばダイボンディングペースト等を用いても良い。

【0070】

次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２に形成されためっき層２５とを、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図７（ｃ））。このとき、図示しないワイヤボンディング装置のキャピラリーを介して超音波を印加しながら、半導体素子２１の各電極２１ａと各リード部１２の内部端子５１とをボンディングワイヤ２２により接続する。

【0071】

次に、リードフレーム１０に対して、例えば熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を射出成形又はトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図７（ｄ））。このようにして、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２を封止する。

【0072】

次に、各半導体素子２１間の封止樹脂２３及び支持リード１３をダイシングする。これにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する。この際、例えば人工ダイヤモンドを含有したブレードを回転させながら、各半導体装置２０間の封止樹脂２３及び支持リード１３を切断しても良い。

【0073】

このようにして、図３及び図４に示す半導体装置２０が得られる（図７（ｅ））。

【0074】

このように本実施の形態によれば、ダイパッド１１は表面側から薄肉化され、内部端子５１は表面側及び裏面側の両方から薄肉化されている。これにより、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２をより裏面側に配置でき、半導体装置２０の全体の厚みを薄くできる。

【0075】

また、本実施の形態によれば、樹脂部１８は、内部端子５１及び接続部５２の裏面側に位置する。すなわち樹脂部１８は、リード部１２を裏面側から支持する。これにより、リードフレーム１０の製造工程及び半導体装置２０の製造工程において、リード部１２が変形することを抑制できる。このため、リード部１２の厚みを薄くすることが可能となり、リードフレーム１０及び半導体装置２０の全体の厚みも薄くできる。

【0076】

また、本実施の形態によれば、ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａは、樹脂部１８の樹脂表面１８ａのうちダイパッド１１とリード部１２との間に位置する部分よりも裏面側に位置する。これにより、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２をより裏面側に配置でき、半導体装置２０の全体の厚みを薄くできる。

【0077】

また、本実施の形態によれば、外部端子５３は、表面側から薄肉化されておらず、外部端子５３の少なくとも一部が裏面側から薄肉化されている。これにより、外部端子表面５３ａを外部と電気的に接続する外部端子面として用いたり、外部端子表面５３ａを半導体素子２１からの熱を放射する熱放射面として用いたりできる。

【0078】

また、本実施の形態によれば、接続部５２は、表面側及び裏面側の両方から薄肉化されている。これにより、樹脂部１８が接続部裏面５２ｂから剥離することを抑制できる。すなわち、各リード部１２の内部端子５１にボンディングワイヤ２２を接続する際（図７（ｃ）参照）、各リード部１２にはキャピラリーによって表面側から裏面側に向けて押圧力が加わる。その後、キャピラリーによる押圧力が解除されたときに、接続部５２には裏面側から表面側に向けて、上記押圧力に対する反発力が生じる。本実施の形態によれば、接続部５２は、表面側及び裏面側の両方から薄肉化されることにより、厚みが薄く、柔軟になっている。これにより、キャピラリーによる押圧力が解除されたときに接続部５２に生じる反発力を低減できる。この結果、樹脂部１８が接続部裏面５２ｂから剥離することを抑制できる。

【0079】

また、本実施の形態によれば、内部端子５１の厚みＴ２は、リードフレーム１０の最大厚みＴ１の１０％以上である。これにより、内部端子５１と外部端子５３との導電性を確保できる。また、内部端子５１の厚みＴ２は、リードフレーム１０の最大厚みＴ１の４５％以下である。これにより、樹脂封止後の半導体装置２０の厚みを薄肉化できる。

【0080】

（変形例）
次に、図８及び図９により、本実施の形態による半導体装置の変形例について説明する。図８及び図９に示す変形例は、リード部１２の外部端子５３の構成が異なるものであり、他の構成は、図１乃至図７に示す実施の形態と略同一である。図８及び図９において、図１乃至図７と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

【0081】

図８に示す半導体装置２０Ａにおいて、外部端子５３は、表面側から薄肉化されておらず、その全体が裏面側から薄肉化されている。外部端子５３は、外部端子表面５３ａと、第２外部端子裏面５３ｃと、第２外部端子内側面５３ｅとを有する。この場合、外部端子５３は、第１外部端子裏面５３ｂと第１外部端子内側面５３ｄとを有していない。

【0082】

この半導体装置２０Ａは、上述した図１及び図２に示すリードフレーム１０から作製される。すなわち、半導体装置２０Ａの外部端子５３は、上述した図１及び図２に示すリードフレーム１０の外部端子５３のうち、裏面側から薄肉化されていない部分（図８の仮想線で示す部分）を除去したものである。半導体装置２０Ａの製造工程において、封止樹脂２３及び支持リード１３をダイシングする際（図７（ｅ））、第１外部端子内側面５３ｄよりも内側の位置でリード部１２を切断する。これにより、図８に示す半導体装置２０Ａが得られる。

【0083】

図９に示すように、半導体装置２０Ａは、その表面側が配線基板８０に接続される。この場合、リード部１２の外部端子表面５３ａは、半田部８１によって配線基板８０に接続される。これにより、外部端子表面５３ａを外部と電気的に接続する外部端子面として用いることができる。また、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂを半導体素子２１からの熱を放射する熱放射面として用いることができる。

【0084】

本変形例によれば、半導体装置２０Ａの厚みを薄くするとともに、半導体装置２０Ａのサイズを小さくできる。

【0085】

（第２の実施の形態）
次に、図１０乃至図１２を参照して第２の実施の形態について説明する。図１０乃至図１２は第２の実施の形態を示す図である。図１０乃至図１２に示す第２の実施の形態は、主として、ダイパッド１１と樹脂部１８との間、又は、リード部１２と樹脂部１８との間に、金属層２７ａ～２７ｃが入り込んでいる点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１０乃至図１２において、図１乃至図９に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

【0086】

（リードフレームの構成）
図１０は本実施の形態によるリードフレーム１０Ａを示す断面図であり、図１１は本実施の形態によるリードフレーム１０Ａを示す部分拡大断面図である。

【0087】

図１０及び図１１に示すリードフレーム１０Ａにおいて、ダイパッド１１と樹脂部１８との間、及び、リード部１２と樹脂部１８との間に、金属層２７ａ～２７ｃが入り込んでいる。金属層２７ａ～２７ｃのそれぞれの一部は、外方に露出していても良い。金属層２７ａ～２７ｃは、リードフレーム１０Ａの表面側及び裏面側の両方に形成されていても良い。金属層は、リードフレーム１０Ａの表面側のみ、又は、リードフレーム１０Ａの裏面側のみに形成されていても良い（図示せず）。

【0088】

図１０及び図１１に示すように、金属層２７ａは、表面側において、リード部１２と樹脂部１８との間に入り込んでいる。具体的には、金属層２７ａは、リード部１２の内部端子裏面５１ｂと、樹脂部１８の樹脂表面１８ａとの間に入り込んでいる。金属層２７ａは、断面視で逆Ｔ字状であっても良い。金属層２７ａは、樹脂部１８の樹脂表面１８ａ上に延びている。具体的には、金属層２７ａは、樹脂表面１８ａ上であって、リード側面５１ｃよりも接続部５２側、及び、リード側面５１ｃよりもダイパッド１１側の両方に延びている。金属層２７ａは、リード側面５１ｃの厚み方向全域にわたって延びていても良い。金属層２７ａは、内部端子面１５上に位置するめっき層２５と一体化されているが、めっき層２５と一体化されていなくても良い。

【0089】

図１０及び図１１に示すように、金属層２７ｂは、裏面側において、ダイパッド１１と樹脂部１８との間に入り込んでいる。具体的には、金属層２７ｂは、ダイパッド１１のダイパッド側面１１ｃと、樹脂部１８の樹脂内側面１８ｃとの間に入り込んでいる。金属層２７ｂは、断面視でＬ字状であっても良い。金属層２７ｂは、ダイパッド表面１１ａまで達していないが、ダイパッド表面１１ａまで達していても良い。また金属層２７ｂは、樹脂部１８の樹脂裏面１８ｂ上に延びる。

【0090】

図１０及び図１１に示すように、金属層２７ｃは、裏面側において、リード部１２と樹脂部１８との間に入り込んでいる。具体的には、金属層２７ｃは、リード部１２の第１外部端子内側面５３ｄと、樹脂部１８の樹脂外側面１８ｄとの間に入り込んでいる。金属層２７ｃは、断面視でＬ字状であっても良い。金属層２７ｃは、第２外部端子裏面５３ｃまで達していないが、第２外部端子裏面５３ｃまで達していても良い。また金属層２７ｃは、樹脂部１８の樹脂裏面１８ｂ上に延びる。

【0091】

金属層２７ａ～２７ｃは、めっき層であっても良い。金属層２７ａ～２７ｃを構成する金属は、例えば銀、銅又ははんだ（錫合金）であっても良い。金属層２７ａ～２７ｃは、めっき層２５と同一種類の金属から構成されていても良い。

【0092】

金属層２７ａ～２７ｃは、ダイパッド１１と樹脂部１８との間、及び、リード部１２と樹脂部１８との間のうち、一方のみに入り込んでいても良い。

【0093】

（半導体装置の構成）
本実施の形態によるリードフレーム１０Ａを用いて作製される半導体装置は、金属層２７ａ～２７ｃが入り込んでいる点のほか、上述した第１の実施の形態による半導体装置２０、２０Ａと略同一である。

【0094】

（リードフレームの製造方法）
次に、図１０及び図１１に示すリードフレーム１０Ａの製造方法について、図１２（ａ）－（ｄ）を用いて説明する。図１２（ａ）－（ｄ）において、図６（ａ）－（ｉ）と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

【0095】

まず、上述した図６（ａ）－（ｈ）に示す工程と略同様にして、ダイパッド１１、リード部１２及び支持リード１３を有する金属基板３１を作製する。ダイパッド１１とリード部１２の周囲には樹脂部１８が配置される（図１２（ａ））。

【0096】

次に、金属基板３１の表面側及び裏面側にそれぞれめっき用レジスト層３４、３５を設ける（図１２（ｂ））。このとき、表面側のめっき用レジスト層３４は、ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａ、及び、リード部１２の接続部表面５２ａ、第２外部端子内側面５３ｅ、外部端子表面５３ａを覆う。一方、リード部１２の内部端子面１５、リード側面５１ｃ、及び、樹脂部１８の樹脂表面１８ａは、めっき用レジスト層３４に覆われることなく金属基板３１が露出する。また裏面側のめっき用レジスト層３５は、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂ、及び、リード部１２の第１外部端子内側面５３ｄを覆う。一方、樹脂部１８の樹脂裏面１８ｂは、めっき用レジスト層３５に覆われることなく金属基板３１が露出する。

【0097】

なお、金属層をリードフレーム１０Ａの裏面側に形成しない場合、樹脂部１８の樹脂裏面１８ｂを含む、金属基板３１の裏面側の全域をめっき用レジスト層３５で覆っても良い。金属層をリードフレーム１０Ａの表面側に形成しない場合、リード部１２の内部端子面１５、リード側面５１ｃ、及び、樹脂部１８の樹脂表面１８ａを含む、金属基板３１の表面側の全域をめっき用レジスト層３４で覆っても良い。

【0098】

続いて、金属基板３１のうちめっき用レジスト層３４、３５に覆われていない領域に電解めっきを施す（図１２（ｃ））。これにより、リード部１２の内部端子面１５上に金属（例えば銀）を析出させて、めっき層２５を形成する。また、表面側において、リード部１２と樹脂部１８との隙間に金属（例えば銀）が析出する。これにより、リード部１２と樹脂部１８との間に金属層２７ａが入り込む。同様に、裏面側において、ダイパッド１１と樹脂部１８との隙間、及び、リード部１２と樹脂部１８との隙間に金属（例えば銀）が析出する。これにより、ダイパッド１１と樹脂部１８との間、及び、リード部１２と樹脂部１８との間にそれぞれ金属層２７ｂ、２７ｃが入り込む。

【0099】

その後、めっき用レジスト層３４、３５を剥離除去することにより、図１０及び図１１に示すに示すリードフレーム１０Ａが得られる（図１２（ｄ））。

【0100】

（半導体装置の製造方法）
本実施の形態による半導体装置の製造方法は、図７（ａ）－（ｅ）に示す半導体装置２０の製造方法と略同様にして行うことができる。

【0101】

本実施の形態によれば、ダイパッド１１と樹脂部１８との間、及び、リード部１２と樹脂部１８との間に、金属層２７ａ～２７ｃが入り込んでいる。これにより、ダイパッド１１と樹脂部１８との界面、又は、リード部１２と樹脂部１８との界面から、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えられる。この結果、長期間の使用後における半導体装置の信頼性を向上させることができる。

【0102】

上記各実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記各実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

【符号の説明】

【0103】

１０ リードフレーム
１０ａ パッケージ領域
１１ ダイパッド
１２ リード部
１３ 支持リード（支持部材）
１４ 吊りリード
１５ 内部端子面
１７ 外部端子面
１８ 樹脂部
２０ 半導体装置
５１ 内部端子
５２ 接続部
５３ 外部端子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】