特開 2023-173025 プリント配線板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023173025

(43)【公開日】2023-12-07

(54)【発明の名称】プリント配線板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20231130BHJP

   H05K 3/42 20060101ALI20231130BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

H05K3/46 B

H05K3/42 610A

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022084977

(22)【出願日】2022-05-25

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】籠橋 進

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】吉川 恭平

【テーマコード（参考）】

5E316

5E317

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC32

5E316CC34

5E316DD17

5E316DD24

5E316DD32

5E316DD33

5E316EE33

5E316FF05

5E316FF07

5E316FF14

5E316FF17

5E316GG15

5E316GG16

5E316GG17

5E316GG18

5E316GG22

5E316GG23

5E316HH40

5E317BB02

5E317BB12

5E317BB18

5E317CC33

5E317CD13

5E317CD15

5E317GG03

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板を製造するための方法の提供。
【解決手段】プリント配線板の製造方法は、第１導体層上に第１面と第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層を形成することと、第１面上に保護膜を形成することと、ビア導体用の開口を形成することと、開口内を洗浄することと、樹脂絶縁層から保護膜を除去することと、樹脂絶縁層の第１面上に第２導体層を形成することと、ビア導体を形成すること、とを含む。第２導体層を形成することは、シード層を形成することと、めっきレジストを形成することと、電解めっき層を形成することと、めっきレジストを除去することと、電解めっき層から露出するシード層を除去すること、とを含む。シード層を形成することは、第１面上に銅と特定卑金属を含有する合金からなる第１層をスパッタによって形成することと、第１層上に銅からなる第２層をスパッタによって形成すること、とを含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

導体回路を有する第１導体層上に第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層を形成することと、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に保護膜を形成することと、
前記樹脂絶縁層を貫通し前記第１導体層に至るビア導体用の開口を形成することと、
前記開口内をプラズマによって洗浄することと、
前記洗浄することの後に前記樹脂絶縁層から前記保護膜を除去することと、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に第２導体層を形成することと、
前記開口に前記第１導体層と前記第２導体層を接続するビア導体を形成すること、とを含むプリント配線板の製造方法であって、
前記第２導体層を形成することは、前記樹脂絶縁層の前記第１面上にシード層を形成することと、前記シード層上にめっきレジストを形成することと、前記めっきレジストから露出する前記シード層上に電解めっき層を形成することと、前記めっきレジストを除去することと、前記電解めっき層から露出する前記シード層を除去すること、とを含み、
前記シード層を形成することは、前記第１面上に銅と特定卑金属を含有する合金からなる第１層をスパッタによって形成することと、前記第１層上に銅からなる第２層をスパッタによって形成すること、とを含み、前記特定卑金属は銅以外の卑金属である。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記シード層を除去することは前記第１層と前記第２層を同時に除去することを含む。

【請求項3】

請求項２のプリント配線板の製造方法であって、前記シード層を除去することは前記第１層と前記第２層をウェットエッチングによって除去することを含み、前記ウェットエッチングに用いられるエッチング液は過酸化水素と硫酸を含む水溶液である。

【請求項4】

請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記合金中の銅の含有率は９０ａｔ％より大きい。

【請求項5】

請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記特定卑金属はアルミニウムである。

【請求項6】

請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記第２層の銅の含有率は９９ａｔ％以上である。

【請求項7】

請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子を含み、前記保護膜を除去することの後に前記樹脂を選択的に除去することをさらに含み、前記無機粒子は前記樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と前記樹脂に完全に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は前記樹脂から突出する第１部分と前記樹脂に埋まっている第２部分で形成され、前記選択的に除去することの後の前記第１面は前記樹脂の上面と前記上面から露出する前記第１部分の露出面で形成されている。

【請求項8】

請求項７のプリント配線板の製造方法であって、前記第１部分の体積と前記第１無機粒子の体積との比は０より大きく０．４以下である。

【請求項9】

請求項７のプリント配線板の製造方法であって、前記選択的に除去することの後の前記第１面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。

【請求項10】

請求項７のプリント配線板の製造方法であって、前記無機粒子は前記開口の内壁面を形成する第３無機粒子をさらに含み、前記内壁面は前記第３無機粒子と前記樹脂によって形成されており、前記第３無機粒子は平坦部を有し、前記平坦部が前記内壁面を形成する。

【請求項11】

請求項１０のプリント配線板の製造方法であって、前記内壁面の算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。

【請求項12】

請求項１０のプリント配線板の製造方法であって、前記第３無機粒子の形状は球を平面で切断することで得られる。

【請求項13】

請求項１２のプリント配線板の製造方法であって、前記第３無機粒子の形状は前記第２無機粒子を平面で切断することで得られる。

【請求項14】

請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記開口の底部の径は２０μｍ以上５０μｍ以下である。

【請求項15】

請求項７のプリント配線板の製造方法であって、前記選択的に除去することにより、前記前記第１部分の前記露出面が露出する。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、樹脂絶縁層と導体回路を含むプリント配線板を開示している。導体回路は、樹脂絶縁層上に形成される合金層と、合金層上に形成される無電解銅めっき膜と、無電解銅めっき膜上に形成される電解めっき膜を含む。合金層は銅とニッケルの合金、銅とモリブデンの合金、銅とチタンの合金等で形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０００－１２４６０２号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
一般的に、無電解銅めっき膜は大気中で形成される。無電解銅めっき膜は途中基板を溶液に浸漬することで形成される。そのため無電解銅めっき工程では合金層が酸化しやすいと考えられる。合金層が酸化すると、合金層と無電解銅めっき膜間の密着力が低下すると考えられる。プリント配線板が銅合金層と無電解銅めっき膜と電解めっき膜からなるビア導体を有する場合、ビア導体用の開口の径が小さいと、ビア導体と導体回路の接続信頼性が低下すると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板の製造方法は、導体回路を有する第１導体層上に第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層を形成することと、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に保護膜を形成することと、前記樹脂絶縁層を貫通し前記第１導体層に至るビア導体用の開口を形成することと、前記開口内をプラズマによって洗浄することと、前記洗浄することの後に前記樹脂絶縁層から前記保護膜を除去することと、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に第２導体層を形成することと、前記開口に前記第１導体層と前記第２導体層を接続するビア導体を形成すること、とを含む。前記第２導体層を形成することは、前記樹脂絶縁層の前記第１面上にシード層を形成することと、前記シード層上にめっきレジストを形成することと、前記めっきレジストから露出する前記シード層上に電解めっき層を形成することと、前記めっきレジストを除去することと、前記電解めっき層から露出する前記シード層を除去すること、とを含む。前記シード層を形成することは、前記第１面上に銅と特定卑金属を含有する合金からなる第１層をスパッタによって形成することと、前記第１層上に銅からなる第２層をスパッタによって形成すること、とを含む。前記特定卑金属は銅以外の卑金属である。

【0006】

本発明の実施形態の製造方法では、第１層と第２層はスパッタで形成される。スパッタは真空中で行われるため、第２層が形成される時、第１層の酸化が起こりがたい。第１層と第２層が十分に密着する。第２層が第１層から剥がれがたい。ビア導体用の開口の径が小さくてもビア導体と第１導体層間の接続信頼性が高い。高い品質を有するプリント配線板が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図4A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図4E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図4G】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5】実施形態の改変例のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図２と図３は実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層４と第１導体層１０と樹脂絶縁層２０と第２導体層３０とビア導体４０とを有する。

【0009】

絶縁層４は樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４は、第３面６（図中の上面）と第３面６と反対側の第４面８（図中の下面）を有する。

【0010】

第１導体層１０は絶縁層４の第３面６上に形成されている。第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。第１導体層１０は主に銅によって形成される。第１導体層１０は、絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａの厚みは０．５μｍ未満である。シード層１０ａは第３面６上の第１層１１ａと第１層１１ａ上の第２層１１ｂで形成されている。第１層１１ａの厚みと第２層１１ｂの厚みとの比（第１層の厚み／第２層の厚み）は０．２５以上、０．７以下である。第２層１１ｂの厚みは第１層１１ａの厚みより厚い。第１層１１ａは銅と特定卑金属を含む合金（銅合金）で形成されている。特定卑金属は銅以外の卑金属である。特定卑金属は例えばアルミニウムである。第２層１１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１０ｂは銅で形成されている。第１層１１ａは絶縁層４に接している。

【0011】

第１層１１ａを形成している銅合金中の銅の含有率は９０ａｔ％より大きい。第１層１１ａの銅合金中の銅の含有率は９９ａｔ％未満である。銅合金中の銅の含有率は９８ａｔ％以下である。第２層１１ｂを形成している銅の含有率は９９．９ａｔ％以上である。第２層１１ｂ中の銅の含有率は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0012】

樹脂絶縁層２０は絶縁層４の第３面６と第１導体層１０上に形成されている。樹脂絶縁層２０は第１面２２（図中の上面）と第１面２２と反対側の第２面２４（図中の下面）を有する。樹脂絶縁層２０の第２面２４は第１導体層１０と対向する。樹脂絶縁層２０はパッド１４を露出する開口２６を有している。開口２６の底部の径は２０μｍ以上５０μｍ以下である。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０は例えばシリカやアルミナである。無機粒子９０の平均粒径は０．５μｍ以下である。樹脂絶縁層２０中の無機粒子９０の量は７５ｗｔ％以上である。

【0013】

図１と図２に示されるように、無機粒子９０は、樹脂８０に部分的に埋まっている第１無機粒子９１と、樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第１無機粒子９１と第２無機粒子９２の形は球である。図２に示されるように、第１無機粒子９１は、樹脂８０から突出する第１部分９１ａと樹脂８０に埋まっている第２部分９１ｂで形成されている。樹脂絶縁層２０の第１面２２は樹脂８０の上面と樹脂８０の上面から露出する第１部分９１ａの露出面で形成されている。

【0014】

第１部分９１ａの体積と第１無機粒子９１の体積との比Ｒ（第１部分の体積／第１粒子の体積）は０より大きく０．４以下である。比Ｒは０．２以下であることが好ましい。比Ｒは０．１以下であることがより好ましい。比Ｒは０．０５以下であることが最も好ましい。樹脂８０から第１部分９１ａが突出すると樹脂絶縁層２０の第１面２２が僅かな凹凸を有する。しかし樹脂８０の上面は荒らされていない。そのため第１面２２は凹部をほぼ有していない。第１面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。第１面２２のＲａは０．０５μｍ以下であることが好ましい。第１面２２のＲａは０．０３μｍ以下であることがより好ましい。

【0015】

図１と図３に示されるように、無機粒子９０は、開口２６の内壁面２７を形成する第３無機粒子９３をさらに含む。第３無機粒子９３の形状は球を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。第３無機粒子９３は平坦部９３ａを有する。平坦部９３ａは内壁面２７を形成する。内壁面２７は樹脂８０と平坦部９３ａで形成されている。平坦部９３ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面は、ほぼ共通な面を形成する。内壁面２７を形成する樹脂８０上に凹凸が形成されない。内壁面２７を形成する樹脂８０の面はほぼ平滑である。平坦部９３ａの露出面（内壁面２７を形成する面）上に凹凸が形成されない。平坦部９３ａの露出面は平滑である。内壁面２７は平滑に形成される。内壁面２７の算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。

【0016】

図１に示されるように、第２導体層３０は樹脂絶縁層２０の第１面２２上に形成されている。第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６を含む。図に示されていないが、第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成している。第１信号配線３２と第２信号配線３４は隣り合っている。図２に示されるように、第１信号配線３２と第２信号配線３４との間の間隔Ｄ１は１．５μｍ以上１０μｍ以下である。間隔Ｄ１は１．５μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。

【0017】

第２導体層３０は主に銅によって形成される。第２導体層３０は、第１面２２上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａは第１面２２上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。シード層３０ａの厚みは０．５μｍ未満である。第１層３１ａの厚みと第２層３１ｂの厚みとの関係と第１層１１ａの厚みと第２層１１ｂの厚みとの関係は同様である。第１層３１ａと第２層３１ｂは第２導体層３０を形成し、第１層１１ａと第２層１１ｂは第１導体層１０を形成する。第１層３１ａは銅と特定卑金属を含む合金（銅合金）で形成されている。特定卑金属は銅以外の卑金属である。特定卑金属は例えばアルミニウムである。第２層３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層３０ｂは銅で形成されている。第１層３１ａは第１面２２に接している。

【0018】

第１層３１ａを形成している銅合金中の銅の含有率は９０ａｔ％より大きい。第１層３１ａの銅合金中の銅の含有率は９９ａｔ％未満である。銅合金中の銅の含有率は９８ａｔ％以下である。第２層３１ｂを形成している銅の含有率は９９．９ａｔ％以上である。第２層３１ｂ中の銅の含有率は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0019】

ビア導体４０は開口２６内に形成されている。ビア導体４０は第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。図１ではビア導体４０はパッド１４とランド３６を接続する。ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第２導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。第１層３１ａは内壁面２７に接している。

【0020】

図に示されないが、プリント配線板２の各辺の長さは５０ｍｍ以上である。各辺の長さは１００ｍｍ以上であることが好ましい。各辺の長さは２５０ｍｍ以下である。

【0021】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図４Ａ～図４Ｇは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図４Ａ～図４Ｃと図Ｅ、図４Ｇは断面図である。図４Ｄと図４Ｆは拡大断面図である。図４Ａは絶縁層４と絶縁層４の第３面６上に形成されている第１導体層１０を示す。第１導体層１０はセミアディティブ法によって形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂはスパッタで形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂは真空中で形成される。電解めっき層１０ｂは電解めっきで形成される。

【0022】

図４Ｂに示されるように、絶縁層４と第１導体層１０上に樹脂絶縁層２０と保護膜５０が形成される。樹脂絶縁層２０の第２面２４が絶縁層４の第３面６と対向している。樹脂絶縁層２０の第１面２２上に保護膜５０が形成されている。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子９０（第２無機粒子９２）を有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。

【0023】

保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第１面２２を完全に覆っている。保護膜５０の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜５０と樹脂絶縁層２０との間に離型剤が形成されている。

【0024】

図４Ｃに示されるように、保護膜５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０と樹脂絶縁層２０を同時に貫通する。第１導体層１０のパッド１４に至るビア導体用の開口２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。開口２６によりパッド１４が露出される。開口２６が形成される時、第１面２２は保護膜５０で覆われている。そのため、開口２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第１面２２に樹脂が付着することが抑制される。

【0025】

図４Ｄは、レーザ光照射後の開口２６の内壁面２７ｂを示す。内壁面２７ｂは樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。内壁面の形状を制御するため、レーザ光照射後の内壁面２７ｂは処理される。樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去することが好ましい。これにより、無機粒子９０から第３無機粒子９３が形成される。例えば、レーザ光照射後の内壁面２７ｂを薬品で処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。あるいは、レーザ光照射後の内壁面２７ｂをプラズマで処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。選択的に除去することは、無機粒子９０のエッチング速度が樹脂８０のエッチング速度より大きいことを含む。例えば、両者のエッチング速度差は１０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は５０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は１００倍以上である。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することで、平坦部９３ａ（図３参照）を有する第３無機粒子９３が得られる。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、内壁面２７の形状を制御することができる。条件の例は、温度、濃度、時間、ガスの種類や圧力である。無機粒子９０のエッチング速度と樹脂のエッチング速度が制御される。

【0026】

樹脂絶縁層２０にレーザ光Ｌを照射することで、樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２の一部がレーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する第２無機粒子９２は、樹脂８０から突出している突出部分Ｐと樹脂８０に埋まっている部分Ｅで形成される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで内壁面２７ｂが処理される。突出部分Ｐが選択的に除去され、実施形態の内壁面２７（図１、図３）が形成される。第２無機粒子９２から第３無機粒子９３が形成される。突出部分Ｐを選択的に除去することで、平坦部９３ａを有する第３無機粒子９３が形成される。平坦部９３ａは平面である。球の形を持つ第２無機粒子９２が平面で切断されると、第３無機粒子９３の形状が得られる。内壁面２７は平坦部９３ａと樹脂８０の面８０ａで形成される。平坦部９３ａの露出面９３ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ同一平面上に位置する。例えば、スパッタで内壁面２７ｂ上にシード層３０ａが形成されると、突出部分Ｐはスパッタ膜の成長を阻害する。例えば、内壁面２７ｂ上に連続しているシード層３０ａが形成されない。あるいは、シード層３０ａの厚みを大きくしなければならない。微細な導体回路を形成することができない。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。スパッタで形成されるシード層３０ａの厚みを薄くできる。スパッタで形成されるシード層３０ａの厚みが薄くても、連続しているシード層３０ａが得られる。シード層３０ａの厚みは０．０５μｍ以上、０．５μｍ未満である。

【0027】

内壁面２７上に凹凸が形成されない。内壁面２７は平滑に形成される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさが制御される。

【0028】

開口２６内が洗浄される。開口２６内を洗浄することにより開口２６形成時に発生する樹脂残渣が除去される。開口２６内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。樹脂絶縁層２０の第１面２２は保護膜５０で覆われているためプラズマの影響を受けない。この時点で樹脂絶縁層２０の第１面２２には凹凸が形成されない。第１面２２に無機粒子９０が露出しない。第１面２２は荒らされていない。

【0029】

レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、開口２６内を洗浄することを削除することができる。レーザ光照射後の内壁面２７ｂをプラズマで処理することで開口２６内が洗浄されると、レーザ光照射後の内壁面２７ｂをプラズマで処理することは、開口２６内をプラズマで洗浄することを兼ねる。

【0030】

図４Ｅに示されるように、開口２６内を洗浄することの後に、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することの後に、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される時、保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第１面２２を覆っている。

【0031】

保護膜５０の除去後、樹脂絶縁層２０の第１面２２がクリーニングされる。第１面２２がドライエッチングされる。ドライエッチングはアルゴンガスを用いたスパッタリング（アルゴンスパッタリング）によって行われる。図４Ｆ（ａ）（ｂ）はドライエッチング前後の樹脂絶縁層２０の第１面２２を模式的に示す。図４Ｆ（ａ）（ｂ）に示されるように、ドライエッチングによって樹脂絶縁層２０を形成する樹脂８０が２０ｎｍ程度除去される。例えば、保護膜５０を樹脂絶縁層２０に接着するための接着材が除去される。ドライエッチングによって、樹脂８０が選択的に除去される。樹脂８０の厚みが薄くなる。無機粒子９０（第２無機粒子９２）の一部は、ドライエッチングによって部分的に樹脂８０の上面から露出する。樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２を樹脂８０の上面から露出することで、第１無機粒子９１が得られる。第１無機粒子９１は第２無機粒子９２から形成される。第１無機粒子９１の形と第２無機粒子９２の形は同じである。両者の形は球である。図４Ｆ（ｂ）に示されるように、第１無機粒子９１は、樹脂８０から突出する第１部分９１ａと樹脂８０に埋まっている第２部分９１ｂで形成されている。樹脂絶縁層２０の第１面２２は樹脂８０の上面８０Ｒと樹脂８０の上面８０Ｒから突出している第１部分９１ａの露出面９１ａＲで形成されている。ドライエッチングによって第１部分９１ａの露出面９１ａＲが露出する。樹脂絶縁層２０の第１面２２は荒らされていない。そのため第１面２２には凹部がほぼ形成されない。

【0032】

比Ｒは、例えば、図４Ｆ（ｂ）に示される第１無機粒子９１の断面図を用いて算出される。図４Ｆ（ｂ）は上面８０Ｒに垂直な面で樹脂絶縁層２０を切断することで得られる。図４Ｆ（ｂ）には、第２導体層３０が省略されている。図４Ｆ（ｂ）中の第１無機粒子９１上に第２導体層３０が形成されている。図４Ｆ（ｂ）中の露出面９１ａＲは第２導体層３０で覆われている。図４Ｆ（ｂ）を用いて、第１部分９１ａの断面積９１ａＳが求められる。同様に、第１無機粒子９１の断面積９１Ｓが求められる。例えば、比Ｒは断面積９１ａＳと断面積９１Ｓの比（第１部分９１ａの断面積９１ａＳ／第１無機粒子９１の断面積９１Ｓ）で代表される。例えば、比Ｒが評価される時、５０個の第１無機粒子９１が観察される。５０個の第１無機粒子９１が比Ｒを満足する。

【0033】

図４Ｇに示されるように、樹脂絶縁層２０の第１面２２上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａはスパッタによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。第１層３１ａが第１面２２上にスパッタで形成される。同時に、開口２６から露出する内壁面２７とパッド１４上に第１層３１ａがスパッタで形成される。第１面２２上には凹部がほとんど形成されていない。そのため、第１面２２上の第１層３１ａはほぼ平坦に形成される。その後、第１層３１ａ上に第２層３１ｂがスパッタで形成される。第２層３１ｂはほぼ平坦に形成される。第１層３１ａと第２層３１ｂは真空中で形成される。シード層３０ａは開口２６から露出するパッド１４の上面と開口２６の内壁面２７にも形成される。第１層３１ａは銅と特定卑金属（アルミニウム）を含む合金で形成される。第２層３１ｂは銅で形成される。

【0034】

第１面２２は凹部を有していない。内壁面２７は平滑に形成されている。そのためスパッタ膜（第１層３１ａ、第２層３１ｂ）の厚みが薄くても連続するシード層３０ａを形成することができる。その結果、微細な配線を形成することができる。

【0035】

シード層３０ａ上にめっきレジスト（図示しない）が形成される。めっきレジストは、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６（図１）を形成するための開口を有する。第１面２２が凹部を有すると、その凹部に起因する空気がめっきレジストとシード層３０ａ間に閉じ込められやすい。しかしながら、実施形態では、第１面２２は凹部をほとんど有していない。そのため、第１面２２上のシード層３０ａはほぼ平坦に形成される。シード層３０ａがほぼ凹部を有さない。めっきレジストとシード層３０ａの間に空気が残りがたい。めっきレジストとシード層３０ａ間の接触面積が大きい。第１信号配線３２と第２信号配線３４間の空間を形成するためのめっきレジストの幅が１０μｍ以下であっても、めっきレジストがシード層３０ａの上面から剥がれがたい。実施形態によれば、めっきレジストの幅が３μｍ以上、８μｍ以下であっても、めっきレジストをシード層３０ａ上に形成することができる。めっきレジストの幅が６μｍ以下であっても、めっきレジストがシード層３０ａから剥がれ難い。

【0036】

めっきレジストから露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂは銅で形成される。電解めっき層３０ｂは開口２６を充填する。第１面２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６が形成される。第２導体層３０が形成される。開口２６内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、ビア導体４０が形成される。ビア導体４０は、パッド１４とランド３６を接続する。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成する。

【0037】

めっきレジストが除去される。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去される。シード層３０ａはウェットエッチングによって除去される。ウェットエッチングに用いられるエッチング液は過酸化水素水と硫酸を含む水溶液である。ウェットエッチングにより第１層３１ａと第２層３１ｂは同時に除去される。第２導体層３０とビア導体４０は同時に形成される。実施形態のプリント配線板２（図１）が得られる。

【0038】

実施形態のプリント配線板２（図１～図３）では、樹脂絶縁層２０の第１面２２は樹脂８０の上面８０Ｒと樹脂８０の上面８０Ｒから露出する第１部分９１ａの露出面９１ａＲで形成されている。第１面２２が凹部を有していない。そのため、樹脂絶縁層２０上にスパッタによってシード層３０ａが形成される場合、スパッタ膜の厚みが薄くても連続するシード層３０ａを形成することができる。シード層３０ａは薄く形成される。シード層３０ａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため、電解めっき層３０ｂのエッチング量が少ない。第１信号配線３２と第２信号配線３４を有する第２導体層３０が設計値通りの幅を有する。微細な配線が形成される。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0039】

実施形態のプリント配線板２では、開口２６の内壁面２７は第３無機粒子９３の平坦部９３ａと樹脂８０によって形成される。平坦部９３ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａは共通な面を形成する。内壁面２７は平滑に形成される。そのため、開口２６の内壁面２７上に均一な厚みのシード層３０ａが形成される。シード層３０ａは薄く形成される（図４Ｇ）。シード層３０ａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため、電解めっき層３０ｂのエッチング量が少ない。第１信号配線３２と第２信号配線３４を有する第２導体層３０が設計値通りの幅を有する。微細な配線が形成される。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0040】

実施形態のプリント配線板２では、シード層３０ａの第１層３１ａと第２層３１ｂはスパッタで形成される（図４Ｇ）。スパッタは真空中で行われるため、第２層３１ｂが形成される時、第１層３１ａの酸化が起こりがたい。第１層３１ａと第２層３１ｂが十分に密着する。第２層３１ｂが第１層３１ａから剥がれがたい。開口２６の径が小さくてもビア導体４０とパッド１４間の接続信頼性が高い。ビア導体４０を介する接続抵抗が上昇しがたい。図４（Ｅ）に示されるように、ビア導体４０の径（開口２６の直径）Ｄはパッド１４上で測定される。径Ｄは２０μｍ以上、５０μｍ以下である。プリント配線板２の各辺の長さが５０ｍｍを超えてもビア導体４０を介する接続抵抗が上昇しがたい。プリント配線板２の各辺の長さが１００ｍｍ以上であっても長期間接続抵抗が上昇しがたい。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0041】

［実施形態の別例１］
実施形態の別例１では、特定卑金属は、チタン、ニッケル、クロム、スズ、カルシウムの中から選ばれる。

【0042】

［実施形態の別例２］
実施形態の別例２では、シード層１０ａ、３０ａの第１層１１ａ、３１ａは、銅と第２元素で形成されている。第２元素は、ケイ素、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、炭素、酸素、スズ、カルシウムの中から選ばれる。第１層１１ａ、３１ａは銅を含む合金で形成される。第２層１１ｂ、３１ｂは銅で形成される。第２層１１ｂ、３１ｂを形成している銅の量は９９．９ａｔ％以上である。９９．９５ａｔ％以上が好ましい。

【0043】

［実施形態の改変例］
図５は実施形態の改変例を示す。図５に示されるように、改変例のプリント配線板１０２は絶縁層４上にビルドアップ層５００を有する。ビルドアップ層５００は複数の導体層と複数の樹脂絶縁層を有する。導体層と樹脂絶縁層は交互に積層される。ビルドアップ層５００は５層の導体層と４層の樹脂絶縁層を有する。５層の導体層は第１導体層１０と第２導体層３０、第３導体層１３０、第４導体層２３０、第５導体層３３０を含む。第１導体層１０と第２導体層３０は実施形態と同様である。第３導体層１３０と第４導体層２３０、第５導体層３３０は、第２導体層３０と共通する構成（シード層と電解めっき層）を有する。第３導体層１３０と第４導体層２３０、第５導体層３３０は、第２導体層３０と同様の方法によって形成される。

【0044】

４層の樹脂絶縁層は第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０（第２層間樹脂絶縁層）、第３樹脂絶縁層（第３層間樹脂絶縁層）２２０、第４樹脂絶縁層（第４層間樹脂絶縁層）３２０を含む。第１樹脂絶縁層２０は実施形態の樹脂絶縁層２０と同様である。第２樹脂絶縁層１２０と第３樹脂絶縁層２２０、第４樹脂絶縁層３２０は、第１樹脂絶縁層２０と共通する構成（樹脂と無機粒子）を有する。第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０、第３樹脂絶縁層２２０、第４樹脂絶縁層３２０は実施形態の樹脂絶縁層２０と同様の方法で形成される。第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０、第３樹脂絶縁層２２０、第４樹脂絶縁層３２０は開口２６、１２６、２２６、３２６を有している。

【0045】

ビルドアップ層５００は４個のビア導体４０、１４０、２４０、３４０を有する。ビア導体４０は開口２６内に形成されており、第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。ビア導体１４０は開口１２６内に形成されており、第２導体層３０と第３導体層１３０を接続する。ビア導体２４０は開口２２６内に形成されており、第３導体層１３０と第４導体層２３０を接続する。ビア導体２４０は開口２２６内に形成されており、第３導体層１３０と第４導体層２３０を接続する。ビア導体３４０は開口３２６内に形成されており、第４導体層２３０と第５導体層３３０を接続する。３個のビア導体１４０、２４０、３４０はビア導体４０の直上に積層されている。４個のビア導体４０、１４０、２４０、３４０はスタックビアを形成する。

【0046】

改変例のプリント配線板１０２は５層の導体層１０、３０、１３０、２３０、３３０と、４個のビア導体４０、１４０、２４０、３４０で形成されるスタックビアを含んでいる。プリント配線板１０２の使用に伴って最も下のビア導体４０と第１導体層１０（パッド１４）の接続部分に大きい応力が加わる。しかしながら、改変例では、ビア導体４０と第１導体層１０（パッド１４）間の接続信頼性は高い。ビア導体４０を介する接続抵抗が上昇しがたい。

【0047】

［改変例の別例］
ビルドアップ層５００は５層以上の導体層を有する。ビルドアップ層５００は１０層以上の導体層を有することが好ましい。導体層の数は２０以下である。

【符号の説明】

【0048】

２ ：プリント配線板
４ ：絶縁層
１０ ：第１導体層
２０ ：樹脂絶縁層
２２ ：第１面
２４ ：第２面
２６ ：開口
２７ ：内壁面
３０ ：第２導体層
３０ａ ：シード層
３１ａ ：第１層
３１ｂ ：第２層
４０ ：ビア導体
８０ ：樹脂
９０ ：無機粒子
９１ ：第１無機粒子
９１ａ ：第１部分
９１ｂ ：第２部分
９２ ：第２無機粒子
９３ ：第３無機粒子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図5】