技術分野
この発明は、炭化珪素半導体装置
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】簡易に形成可能でかつ所定耐圧を安定して確保可能な信頼性の高い炭化珪素半導体装置を提供すること。++ 型コンタクト延在部１５ａ、ｐ型ベース延在部１３ａ、ｐ+ 型延在部２２ａの上部２４ａおよび下部２３ａを配置してなり、活性領域１の中央部の周囲を囲む。ｐ型外周領域２５は、外側端部に深さ方向に半導体基板４０のおもて面から離れるほど段階的に内側に凹んだ複数の段差を有する。耐圧構造３０を構成する最も内側のｐ型領域３１（ＪＴＥ領域３０ａ）は、ｐ++ 型コンタクト延在部１５ａの外側端部に接する。ｐ+ 型埋め込み領域２６は、ＪＴＥ領域３０ａの直下においてｐ+ 型延在部２２ａの下部２３ａと同じ深さ位置に、ＪＴＥ領域３０ａおよびｐ型外周領域２５と離れて選択的に設けられ、活性領域１の周囲を囲む。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、従来の炭化珪素半導体装置１１０（図７参照）では、工程簡略化のため、一般的に、耐圧構造１３０（図７では複数のｐ型領域１３１および複数のｐ-型領域１３２）は半導体基板１４０のおもて面から０．５μｍ程度の浅い深さｄ１０１で形成される。このため、活性領域１０１にトレンチゲート構造などの半導体基板１４０のおもて面から比較的深い位置に達する素子構造が形成されると、活性領域１０１の主接合端を形成するｐ型外周領域１２５の底部（半導体基板１４０の裏面側端部）の深さ位置に対して、耐圧構造１３０の底部の深さ位置が半導体基板１４０のおもて面から浅くなってしまう。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる炭化珪素半導体装置は、次の特徴を有する。半導体基板は、炭化珪素からなり、全面にわたって平坦な第１主面を有する。前記半導体基板に、活性領域および終端領域が設けられている。前記終端領域は、前記活性領域の周囲を囲む。前記活性領域から前記終端領域にわたって前記半導体基板の内部に、第１導電型の第１半導体領域が設けられている。前記活性領域・・・ 続きを
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発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明にかかる炭化珪素半導体装置によれば、簡易に形成可能でかつ所定耐圧を安定して確保可能な信頼性の高い炭化珪素半導体装置を提供することができるという効果を奏する。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置を半導体基板のおもて面側から見たレイアウトを示す平面図である。
【図2】
図１の切断線Ａ１－Ａ２における断面構造を示す断面図である。
【図3】
図１の切断線Ａ２－Ａ３における断面構造を示す断面図である。
【図4】
実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。
【図5】
実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。
【図6】
従来例の耐圧特性をシミュレーションした結果を示す特性図である。
【図7】
従来の炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。
１ 活性領域
１ａ 活性領域の中央部
１ｂ 活性領域の外周部
２ エッジ終端領域
１０，６０，８０ 炭化珪素半導体装置
１１ ｎ+型ドレイン領域
１２ ｎ-型ドリフト領域
１３ ｐ型ベース領域
１３ａ ｐ型ベース延在部
１３ｂ ｐ型ベース延在部の底部の外側コーナー部
１４ ｎ+型ソース領域
１５，１５ｃ，１５ｄ ｐ++型コンタクト領域
１５ａ ｐ++型コンタクト延在部
１５ｂ ｐ++型コンタクト延在部の底部の外側コーナー部
１６ トレンチ
１７ ゲート絶縁膜
１８ ゲート電極
１９ 層間絶縁膜
２０ ｎ型電流拡散領域
２１ トレンチ下のｐ+型領域
２２ 互いに隣り合うトレンチ間のｐ+型領域
２２ａ ｐ+型延在部
２３ 互いに隣り合うトレンチ間のｐ+型領域の下部
２３ａ ｐ+型延在部の下部
２３ｂ ｐ+型延在部の下部の底部の外側コーナー部
２４ 互いに隣り合うトレンチ間のｐ+型領域の上部
２４ａ ｐ+型延在部の上部
２５ ｐ型外周領域
２５ｂ ｐ型外周領域の底部の外側コーナー部
２６ ｐ+型埋め込み領域
３０，７０ 耐圧構造
３０ａ，３０ｃ，７０ａ，７０ｃ ＪＴＥ領域
３０ｂ、３０ｄ，７０ｂ，７０ｄ 空間変調領域
３１，７１ 耐圧構造のｐ型領域
３２，７２ 耐圧構造のｐ-型領域
３３ ｎ+型チャネルストッパ領域
４０ 半導体基板
４１ ｎ+型出発基板
４２，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ ｎ-型炭化珪素層
４３ オーミック電極
４４ ソース電極
４５ ドレイン電極
５１ フィールド酸化膜
５２ ゲートポリシリコン配線層
５３ ゲート金属配線層
６１，６２ ｎ型チャネルストッパ領域
ｄ１，ｄ２ 耐圧構造（ｐ型領域およびｐ-型領域）の深さ
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