(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023173942
(43)【公開日】2023-12-07
(54)【発明の名称】光源装置
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20231130BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20231130BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
H05G2/00 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022086512
(22)【出願日】2022-05-27
(71)【出願人】
【識別番号】000102212
【氏名又は名称】ウシオ電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003339
【氏名又は名称】弁理士法人南青山国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】寺本 雄介
【テーマコード（参考）】
2H197
4C092
【Ｆターム（参考）】
2H197CA10
2H197GA01
2H197GA04
2H197GA05
2H197GA20
2H197GA24
4C092AA05
4C092AB10
4C092AB19
4C092AC09
(57)【要約】
【課題】放射線を取り出す方向へのデブリの進入を抑制することができる光源装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係る光源装置は、円盤状の回転体と、原料供給機構と、チャンバ本体と、ホイルトラップとを具備する。前記原料供給機構は、エネルギービームが照射されることでプラズマを生成させる液体原料を前記回転体の表面に供給する。前記チャンバ本体は、前記エネルギービームを取り込むビーム取り込み部と、生成された前記プラズマからの放射線を取り出す放射線取り出し部と、前記回転体を収容するプラズマ生成部とを有する。前記ホイルトラップは、前記チャンバ本体に回転可能に設置された軸部材と、前記軸部材を中心に放射状に配置された複数のホイルとを有し、前記回転体と前記放射線取り出し部との間に配置され、前記プラズマから発生するデブリを捕捉する。
【選択図】図１
【解決手段】本発明の一形態に係る光源装置は、円盤状の回転体と、原料供給機構と、チャンバ本体と、ホイルトラップとを具備する。前記原料供給機構は、エネルギービームが照射されることでプラズマを生成させる液体原料を前記回転体の表面に供給する。前記チャンバ本体は、前記エネルギービームを取り込むビーム取り込み部と、生成された前記プラズマからの放射線を取り出す放射線取り出し部と、前記回転体を収容するプラズマ生成部とを有する。前記ホイルトラップは、前記チャンバ本体に回転可能に設置された軸部材と、前記軸部材を中心に放射状に配置された複数のホイルとを有し、前記回転体と前記放射線取り出し部との間に配置され、前記プラズマから発生するデブリを捕捉する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
円盤状の回転体と、
エネルギービームが照射されることでプラズマを生成させる液体原料を前記回転体の表面に供給する原料供給機構と、
前記エネルギービームを取り込むビーム取り込み部と、生成された前記プラズマからの放射線を取り出す放射線取り出し部と、前記回転体を収容するプラズマ生成部とを有するチャンバ本体と、
前記チャンバ本体に回転可能に設置された軸部材と、前記軸部材を中心に放射状に配置された複数のホイルとを有し、前記回転体と前記放射線取り出し部との間に配置され、前記プラズマから発生するデブリを捕捉するホイルトラップと
を具備する光源装置。
エネルギービームが照射されることでプラズマを生成させる液体原料を前記回転体の表面に供給する原料供給機構と、
前記エネルギービームを取り込むビーム取り込み部と、生成された前記プラズマからの放射線を取り出す放射線取り出し部と、前記回転体を収容するプラズマ生成部とを有するチャンバ本体と、
前記チャンバ本体に回転可能に設置された軸部材と、前記軸部材を中心に放射状に配置された複数のホイルとを有し、前記回転体と前記放射線取り出し部との間に配置され、前記プラズマから発生するデブリを捕捉するホイルトラップと
を具備する光源装置。
【請求項2】
請求項１に記載の光源装置であって、
前記回転体の表面は、前記回転体の回転軸心に垂直な平面であり、
前記軸部材は、前記回転体の回転軸心と平行な方向に沿って配置される
光源装置。
前記回転体の表面は、前記回転体の回転軸心に垂直な平面であり、
前記軸部材は、前記回転体の回転軸心と平行な方向に沿って配置される
光源装置。
【請求項3】
請求項１又は２に記載の光源装置であって、
前記ホイルトラップは、前記複数のホイルを回転可能に収容する空間部を有するカバー部材をさらに有し、
前記カバー部材は、前記空間部へ前記放射線を入射させる第１開口部と、前記空間部と連通し前記第１開口部へ入射した放射線を前記放射線取出し部へ向けて出射させる第２開口部とを有する
光源装置。
前記ホイルトラップは、前記複数のホイルを回転可能に収容する空間部を有するカバー部材をさらに有し、
前記カバー部材は、前記空間部へ前記放射線を入射させる第１開口部と、前記空間部と連通し前記第１開口部へ入射した放射線を前記放射線取出し部へ向けて出射させる第２開口部とを有する
光源装置。
【請求項4】
請求項３に記載の光源装置であって、
前記カバー部材は、前記空間部から前記カバー部材の外部へ向けて捕集したデブリを排出するための排出管をさらに有する
光源装置。
前記カバー部材は、前記空間部から前記カバー部材の外部へ向けて捕集したデブリを排出するための排出管をさらに有する
光源装置。
【請求項5】
請求項３に記載の光源装置であって、
前記チャンバ本体に設置され、前記放射線を分析する診断部をさらに具備し、
前記カバー部材は、前記空間部へ前記放射線を入射させる第３開口部と、前記空間部と連通し前記第３開口部へ入射した放射線を前記診断部へ向けて出射させる第４開口部とをさらに有する
光源装置。
前記チャンバ本体に設置され、前記放射線を分析する診断部をさらに具備し、
前記カバー部材は、前記空間部へ前記放射線を入射させる第３開口部と、前記空間部と連通し前記第３開口部へ入射した放射線を前記診断部へ向けて出射させる第４開口部とをさらに有する
光源装置。
【請求項6】
請求項５に記載の光源装置であって、
前記軸部材は、前記回転体から前記放射線取り出し部へ向かって出射する放射線の主軸である第１の軸と、前記回転体から前記診断部へ向かって出射する放射線の主軸である第２の軸との間の軸間領域に配置される
光源装置。
前記軸部材は、前記回転体から前記放射線取り出し部へ向かって出射する放射線の主軸である第１の軸と、前記回転体から前記診断部へ向かって出射する放射線の主軸である第２の軸との間の軸間領域に配置される
光源装置。
【請求項7】
請求項６に記載の光源装置であって、
前記複数のホイルは、前記軸部材から前記第１の軸および前記第２の軸にそれぞれ直交する方向に延びる
光源装置。
前記複数のホイルは、前記軸部材から前記第１の軸および前記第２の軸にそれぞれ直交する方向に延びる
光源装置。
【請求項8】
請求項１に記載の光源装置であって、
前記軸部材は、前記ビーム取り込み部から前記回転体へ入射する前記エネルギービーム光軸と、前記回転体から前記放射線取り出し部へ向かって出射する前記放射線の主軸とにそれぞれ異なる方向に沿って配置される
光源装置。
前記軸部材は、前記ビーム取り込み部から前記回転体へ入射する前記エネルギービーム光軸と、前記回転体から前記放射線取り出し部へ向かって出射する前記放射線の主軸とにそれぞれ異なる方向に沿って配置される
光源装置。
【請求項9】
請求項８に記載の光源装置であって、
前記ホイルトラップと前記放射線取り出し部との間に、前記放射線取り出し部から前記軸部材に向かう気流の流れを形成する第１ガス供給部をさらに具備する
光源装置。
前記ホイルトラップと前記放射線取り出し部との間に、前記放射線取り出し部から前記軸部材に向かう気流の流れを形成する第１ガス供給部をさらに具備する
光源装置。
【請求項10】
請求項８に記載の光源装置であって、
前記軸部材の軸方向、前記エネルギービームの光軸方向、および、前記放射線の主軸方向を横断する気流の流れを形成する第２ガス供給部をさらに具備する
光源装置。
前記軸部材の軸方向、前記エネルギービームの光軸方向、および、前記放射線の主軸方向を横断する気流の流れを形成する第２ガス供給部をさらに具備する
光源装置。
【請求項11】
請求項１に記載の光源装置であって、
前記ビーム取り込み部は、前記チャンバ本体の内側に向かって突出し先端に入射側アパーチャが設けられた筒状の入射側突出部を有する
光源装置。
前記ビーム取り込み部は、前記チャンバ本体の内側に向かって突出し先端に入射側アパーチャが設けられた筒状の入射側突出部を有する
光源装置。
【請求項12】
請求項１１に記載の光源装置であって、
前記入射側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる
光源装置。
前記入射側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる
光源装置。
【請求項13】
請求項１１又は１２に記載の光源装置であって、
前記プラズマ生成部は、前記ビーム取り込み部よりも減圧された雰囲気に維持される
光源装置。
前記プラズマ生成部は、前記ビーム取り込み部よりも減圧された雰囲気に維持される
光源装置。
【請求項14】
請求項１に記載の光源装置であって、
前記放射線取り出し部は、前記チャンバ本体の外側に向かって突出する筒状の外側突出部を有する
光源装置。
前記放射線取り出し部は、前記チャンバ本体の外側に向かって突出する筒状の外側突出部を有する
光源装置。
【請求項15】
請求項１４に記載の光源装置であって、
前記外側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる
光源装置。
前記外側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる
光源装置。
【請求項16】
請求項１４又は１５に記載の光源装置であって、
前記プラズマ生成部は、前記放射線取り出し部よりも減圧された雰囲気に維持される
光源装置。
前記プラズマ生成部は、前記放射線取り出し部よりも減圧された雰囲気に維持される
光源装置。
【請求項17】
請求項１に記載の光源装置であって、
前記ホイルトラップは、前記エネルギービーム及び前記放射線の経路が開口し前記回転体を収容するケース部をさらに有する
光源装置。
前記ホイルトラップは、前記エネルギービーム及び前記放射線の経路が開口し前記回転体を収容するケース部をさらに有する
光源装置。
【請求項18】
請求項１に記載の光源装置であって、
前記放射線は、Ｘ線、又は極端紫外光である
光源装置。
前記放射線は、Ｘ線、又は極端紫外光である
光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、Ｘ線や極端紫外光等の放射線の出射に適用可能な光源装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、Ｘ線は、医療用用途、工業用用途、研究用用途に用いられてきた。医療用分野においては、Ｘ線は、胸部Ｘ線写真撮影、歯科Ｘ線写真撮影や、ＣＴ（Computer Tomogram）といった用途に用いられる。工業用分野においては、Ｘ線は、構造物や溶接部などの物質内部を観察する非破壊検査、断層非破壊検査といった用途に用いられる。研究用分野においては、Ｘ線は、物質の結晶構造を解析するためのＸ線回折、物質の構成元素を分析するためのＸ線分光（蛍光Ｘ線分析）といった用途に用いられる。
【0003】
Ｘ線は、Ｘ線管を用いて発生させることができる。Ｘ線管は、その内部に一対の電極（陽極、陰極）を有する。陰極フィラメントに電流を流して加熱しておき、陽極と陰極間に高電圧を印加すると、フィラメントから発生するマイナスの熱電子が陽極表面にあるターゲットに高速で衝突し、当該ターゲットからＸ線が発生する。またＸ線管において、陽極側のターゲットを液体金属ジェットとし、このターゲットに電子ビームを照射することにより、高輝度のＸ線を取り出す技術も知られている。
【0004】
Ｘ線のうち比較的波長の長い軟Ｘ線領域にある波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、「ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光」ともいう）は、近年露光光として使用されている。ここで、微細パターンが構成されているＥＵＶリソグラフィ用のマスクの基材は、積層構造として、低熱膨張性ガラスから成る基板の上に、ＥＵＶ光を反射させるための多層膜（例えば、モリブデンとシリコン）が設けられてなる反射ミラーである。そして、多層膜上に波長１３．５ｎｍの放射線を吸収する材料をパターニングすることで、ＥＵＶマスクが構成される。
【0005】
ＥＵＶマスクにおける許容できない欠陥の大きさは、従来のＡｒＦマスクの場合に比べると大幅に小さくなっており検出することが困難となっている。そこで、ＥＵＶマスクの検査として、通常はアクティニック検査（Actinic inspection）と呼ばれる、リソグラフィの作業波長と一致する波長の放射線を用いた検査が行われる。例えば、波長１３．５ｎｍの放射線を用いて検査を行うと、ｌ０ｎｍよりも良好な分解能で欠陥を検出することが可能となる。
【0006】
一般にＥＵＶ光源装置としては、ＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）光源装置、ＬＤＰ（Laser Assisted Discharge Produced Plasma）光源装置、及びＬＰＰ（Laser Produced Plasma）光源装置が挙げられる。ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種（気相のプラズマ原料）を含む放電ガスが供給された電極間に高電圧を印加して、放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。
【0007】
ＬＤＰ光源装置は、ＤＰＰ光源装置が改良されたものであり、例えば、放電を発生させる電極（放電電極）表面にＥＵＶ放射種を含む液体状の高温プラズマ原料（例えば、Ｓｎ（スズ）やＬｉ（リチウム）等）を供給し、当該原料に対してレーザビーム等のエネルギービーム（例えば、電子ビームやレーザビーム等）を照射して当該原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを生成するものである。
【0008】
ＬＰＰ光源装置は、ＥＵＶ放射用ターゲット材料である微小な液滴状に噴出されたスズ（Ｓｎ）、または、リチウム（Ｌｉ）等のドロップレットに対して、レーザ光を集光することにより当該ターゲット材料を励起してプラズマを発生させるものである。
【0009】
このように、軟Ｘ線領域にあるＥＵＶ光を発生させるＥＵＶ光源装置として、ＤＰＰ方式（ＬＤＰ方式）や、ＬＰＰ方式の光源装置を使用することが可能である。一方で、ＥＵＶ光源装置において、ＤＰＰ方式（ＬＤＰ方式）のものは、最終的には電極間の放電によってプラズマを生成しているので、ＥＵＶ原料に起因するデブリが発生しやすい。ＬＰＰ方式のものは、ＥＵＶ原料である微細なスズのドロップレットをターゲットとし、それに励起用レーザ光を集光させるため、光源の構造が複雑である。また、スズのドロップレットを安定して落下・供給することが難しく、ＥＵＶ光を安定して生成することが困難である。
【0010】
特許文献１には、円盤状の回転体に液体状のＸ線発生用のターゲット原料を塗布し、当該塗布された液体状原料にエネルギービーム（レーザビーム）を照射してＸ線を得る方法が提案されている。この方法によれば、比較的簡易な構成で、高輝度のＸ線を得ることが可能となる。特許文献１に記載の方法をＥＵＶ光源装置に適用した場合、所謂ＬＰＰ方式に相当するが、液体状のＥＵＶ原料をドロップレットとして供給する必要がない。そのため、ＥＵＶ原料供給が容易で、かつ、確実に液体状のＥＵＶ原料にレーザビームを照射することが可能となり、比較的簡易な構成の装置でＥＵＶ放射を得ることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0011】
【特許文献1】特許第６６５８３２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
ＬＰＰ方式においては、上記したように放射線（Ｘ線またはＥＵＶ）原料にエネルギービーム（電子ビームまたはレーザビーム）が照射してプラズマを生成し、当該プラズマから放射線が取り出されるが、ＤＰＰ方式、ＬＤＰ方式と同様、プラズマ生成の際にデブリが生じる。一般に平面上の液体原料がエネルギービームによって気化する際に放出される液体原料からなるデブリは、上記平面の法線方向に一番多く放出される。よって、この法線方向と放射線を取り出す方向とを相違させることにより、放射線を取り出す方向へのデブリの進入を抑制することができる。
【0013】
しかしながら、デブリは発生地点から空間内で広がるので、デブリの一部は、放射線を取り出す方向へと進入してしまう。取り出した放射線を利用する検査装置などの利用装置へデブリが到達すると、利用装置内を汚染したり利用装置内の光学素子等を損傷させたりするおそれがあるため、放射線の取り出し方向へのデブリの進入を極力抑える必要がある。
【0014】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、放射線を取り出す方向へのデブリの進入を抑制することができる光源装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0015】
本発明の一形態に係る光源装置は、円盤状の回転体と、原料供給機構と、チャンバ本体と、ホイルトラップとを具備する。
前記原料供給機構は、エネルギービームが照射されることでプラズマを生成させる液体原料を前記回転体の表面に供給する。
前記チャンバ本体は、前記エネルギービームを取り込むビーム取り込み部と、生成された前記プラズマからの放射線を取り出す放射線取り出し部と、前記回転体を収容するプラズマ生成部とを有する。
前記ホイルトラップは、前記チャンバ本体に回転可能に設置された軸部材と、前記軸部材を中心に放射状に配置された複数のホイルとを有し、前記回転体と前記放射線取り出し部との間に配置され、前記プラズマから発生するデブリを捕捉する。
前記原料供給機構は、エネルギービームが照射されることでプラズマを生成させる液体原料を前記回転体の表面に供給する。
前記チャンバ本体は、前記エネルギービームを取り込むビーム取り込み部と、生成された前記プラズマからの放射線を取り出す放射線取り出し部と、前記回転体を収容するプラズマ生成部とを有する。
前記ホイルトラップは、前記チャンバ本体に回転可能に設置された軸部材と、前記軸部材を中心に放射状に配置された複数のホイルとを有し、前記回転体と前記放射線取り出し部との間に配置され、前記プラズマから発生するデブリを捕捉する。
【0016】
この光源装置では、回転体の表面に供給されたプラズマ原料にエネルギービームが照射される。これによりプラズマが生成され、放射線が出射されるとともに、放射線取り出し部に向かって液体原料のデブリが飛散する。この光源装置は、回転体と放射線取り出し部との間に、プラズマから発生するデブリを捕捉するホイルトラップを備えているため、放射線取り出し部へのデブリの進入を抑制することができる。
【0017】
前記回転体の表面は、前記回転体の回転軸心に垂直な平面であってもよい。この場合、前記軸部材は、前記回転体の回転軸心と平行な方向に沿って配置される。
【0018】
前記ホイルトラップは、前記複数のホイルを回転可能に収容する空間部を有するカバー部材をさらに有してもよい。前記カバー部材は、前記空間部へ前記放射線を入射させる第１開口部と、前記空間部と連通し前記第１開口部へ入射した放射線を前記放射線取出し部へ向けて出射させる第２開口部とを有する。
【0019】
前記カバー部材は、前記空間部から前記カバー部材の外部へ向けて捕集したデブリを排出するための排出管をさらに有してもよい。
【0020】
前記光源装置は、前記チャンバ本体に設置され前記放射線を分析する診断部をさらに具備してもよい。この場合、前記カバー部材は、前記空間部へ前記放射線を入射させる第３開口部と、前記空間部と連通し前記第３開口部へ入射した放射線を前記診断部へ向けて出射させる第４開口部とをさらに有する。
【0021】
前記軸部材は、前記回転体から前記放射線取り出し部へ向かって出射する放射線の主軸である第１の軸と、前記回転体から前記診断部へ向かって出射する放射線の主軸である第２の軸との間の軸間領域に配置されてもよい。
【0022】
前記複数のホイルは、前記軸部材から前記第１の軸および前記第２の軸にそれぞれ直交する方向に延びてもよい。
【0023】
前記軸部材は、前記ビーム取り込み部から前記回転体へ入射する前記エネルギービーム光軸と、前記回転体から前記放射線取り出し部へ向かって出射する前記放射線の主軸とにそれぞれ異なる方向に沿って配置されてもよい。
【0024】
前記光源装置は、前記ホイルトラップと前記放射線取り出し部との間に、前記放射線取り出し部から前記軸部材に向かう気流の流れを形成する第１ガス供給部をさらに具備してもよい。
【0025】
前記光源装置は、前記軸部材の軸方向、前記エネルギービームの光軸方向、および、前記放射線の主軸方向を横断する気流の流れを形成する第２ガス供給部をさらに具備してもよい。
【0026】
前記ビーム取り込み部は、前記チャンバ本体の内側に向かって突出し先端に入射側アパーチャが設けられた筒状の入射側突出部を有してもよい。
前記入射側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状であってもよい。
前記プラズマ生成部は、前記ビーム取り込み部よりも減圧された雰囲気に維持されてもよい。
前記入射側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状であってもよい。
前記プラズマ生成部は、前記ビーム取り込み部よりも減圧された雰囲気に維持されてもよい。
【0027】
前記放射線取り出し部は、前記チャンバ本体の外側に向かって突出する筒状の外側突出部を有してもよい。
前記外側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状であってもよい。
前記プラズマ生成部は、前記放射線取り出し部よりも減圧された雰囲気に維持されてもよい。
前記外側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状であってもよい。
前記プラズマ生成部は、前記放射線取り出し部よりも減圧された雰囲気に維持されてもよい。
【0028】
前記ホイルトラップは、前記エネルギービーム及び前記放射線の経路が開口し前記回転体を収容するケース部をさらに有してもよい。
【0029】
前記放射線は、Ｘ線、又は極端紫外光であってもよい。
【発明の効果】
【0030】
本発明によれば、放射線を取り出す方向へのデブリの進入を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0031】
【図1】本発明の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。
【図2】上記光源装置における原料供給機構の構成例を示す模式図である。
【図3】上記原料供給機構の他の構成例を示す模式図である。
【図4】上記光源装置におけるホイルトラップの構成例を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0032】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【0033】
図１は、本発明の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。
【0034】
図１は、光源装置１を設置面から所定の高さの位置で水平方向に沿って切断した場合の模式的な断面を、上方から見た場合の図である。図１では、光源装置１の構成及び動作を理解しやすいように、断面の構成等を説明する必要のない部分については、断面の図示を省略している。以下、Ｘ方向を左右方向（Ｘ軸の正側が右側、負側が左側）、Ｙ方向を前後方向（Ｙ軸の正側が前方側、負側が後方側）、Ｚ方向を高さ方向（Ｚ軸の正側が上方側、負側が下方側）として説明を行う。もちろん、本技術の適用について、光源装置１が使用される向き等が限定される訳ではない。
【0035】
光源装置１は、エネルギービームＥＢによりプラズマ原料２３をプラズマ化して放射線Ｒを取り出すＬＰＰ方式の光源装置である。光源装置１は、例えば波長３０ｎｍ以下の硬Ｘ線から軟Ｘ線（ＥＵＶ光含む）までの放射線Ｒを放出することが可能である。従って光源装置１を、Ｘ線発生装置、又はＥＵＶ光源装置（ＥＵＶ放射発生装置）として使用することが可能である。もちろん、他の波長帯域の放射線を出射する光源装置に、本技術を適用することも可能である。
【0036】
光源装置１は、筐体２と、真空チャンバ３と、エネルギービーム入射チャンバ４と、放射線出射チャンバ５と、原料供給機構６と、制御部７とを含む。
筐体２は、おおよその外形が立方体形状となるように構成される。筐体２は、前方面に形成される出射孔８と、右側面に形成される入射孔９と、後方面に形成される２つの貫通孔１０及び１１と、左側面に形成される貫通孔１２とを有する。筐体２の材料は限定されず、例えば金属製の筐体が用いられる。
筐体２は、おおよその外形が立方体形状となるように構成される。筐体２は、前方面に形成される出射孔８と、右側面に形成される入射孔９と、後方面に形成される２つの貫通孔１０及び１１と、左側面に形成される貫通孔１２とを有する。筐体２の材料は限定されず、例えば金属製の筐体が用いられる。
【0037】
本実施形態では、前方面の出射孔８を通り、Ｙ方向（前後方向）に延在するように、放射線Ｒの出射軸ＥＡが設定される。Ｘ線やＥＵＶ光等の放射線Ｒは、出射軸ＥＡに沿って取り出され、出射孔８から前方側に向かって放出される。また本実施形態では、右側面の入射孔９から、後方側に向かって左斜めに延在するように、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡが設定される。
【0038】
図１に示すように、筐体２の外部に、エネルギービームＥＢを出射するビーム源１３が設置される。ビーム源１３は、入射軸ＩＡに沿ってエネルギービームＥＢが筐体２の内部に入射するように設置される。エネルギービームＥＢとしては、電子ビームやレーザビームを使用することが可能である。ビーム源１３の構成としては、これらのエネルギービームＥＢを出射可能な任意の構成が採用されてよい。
【0039】
光源装置１は、金属製のチャンバ本体１４を有する。チャンバ本体１４は、真空チャンバ３、エネルギービーム入射チャンバ（以下、単に入射チャンバという）４、及び放射線出射チャンバ(以下、単に出射チャンバという)５を有する。真空チャンバ３、入射チャンバ４および出射チャンバ５は、互いに空間的に接続される。すなわち、真空チャンバ３と入射チャンバ４とは互いに連結される。同様に、真空チャンバ３と出射チャンバ５とは互いに連結される。
【0040】
本実施形態では、チャンバ本体１４は、チャンバ本体１４の前方側に突出する筒状の外側突出部１５と、チャンバ本体１４の内周面から内部側に突出する筒状の内側突出部１７とを有し、外側突出部１５により出射チャンバ５が、内側突出部１７により入射チャンバ４が、それぞれ構成される。
【0041】
なお、真空チャンバ３により、エネルギービームＥＢの照射によりプラズマ原料２３のプラズマを生成する「プラズマ生成部」が実現される。
また、入射チャンバ４、内側突出部１７等により、エネルギービームを取り込む「ビーム取り込み部」が実現される。入射チャンバ４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上に位置するように形成される。また、本実施形態において、内側突出部１７は、入射側突出部として機能する。
さらに、出射チャンバ５、外側突出部１５等により、生成されたプラズマから放射線を取り出して出射する「放射線取り出し部」が実現される。出射チャンバ５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上に配置される。
また、入射チャンバ４、内側突出部１７等により、エネルギービームを取り込む「ビーム取り込み部」が実現される。入射チャンバ４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上に位置するように形成される。また、本実施形態において、内側突出部１７は、入射側突出部として機能する。
さらに、出射チャンバ５、外側突出部１５等により、生成されたプラズマから放射線を取り出して出射する「放射線取り出し部」が実現される。出射チャンバ５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上に配置される。
【0042】
図１に示すように、チャンバ本体１４の前方面には、出射孔１８が形成される。出射孔１８は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上で、筐体２の前方面の出射孔８と並ぶ位置に形成される。チャンバ本体１４の出射孔１８の周縁部から、前方側に突出するように外側突出部１５が構成される。外側突出部１５は、筐体２の出射孔８に内接するように、筐体２の出射孔８よりも前方側に大きく突出するように構成される。
外側突出部１５に囲まれた空間が、出射チャンバ５として機能する。出射チャンバ５を構成する部材である外側突出部自体を、出射チャンバと呼ぶことも可能である。外側突出部１５は、チャンバ本体１４と一体的に形成されるが、チャンバ本体１４とは別個に形成されたのちにチャンバ本体１４に接続されてもよい。
外側突出部１５に囲まれた空間が、出射チャンバ５として機能する。出射チャンバ５を構成する部材である外側突出部自体を、出射チャンバと呼ぶことも可能である。外側突出部１５は、チャンバ本体１４と一体的に形成されるが、チャンバ本体１４とは別個に形成されたのちにチャンバ本体１４に接続されてもよい。
【0043】
出射チャンバ５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡを中心軸として、コーン形状となるように構成される。出射チャンバ５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡの方向において、中央部分の断面積が大きく、前後の端部に近づくにつれて断面積が小さくなるように構成される。すなわち、出射チャンバ５は、前後の端部に近づくにつれて絞られるような形状となる。
【0044】
チャンバ本体１４の右前角部には、入射窓１９が形成される。入射窓１９は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上で、筐体２の右側面の入射孔９と並ぶ位置に形成される。チャンバ本体１４の右前角部の内部側において、入射窓１９を囲む位置からエネルギービームＥＢの入射軸ＩＡの方向に沿って突出するように、内側突出部１７が構成される。
チャンバ本体１４の内部空間のうち、内側突出部１７に囲まれた空間が、入射チャンバ４として機能する。入射チャンバ４を構成する内側突出部１７及びチャンバ本体１４の右前角部の部分自体を、入射チャンバと呼ぶことも可能である。内側突出部１７は、チャンバ本体１４と一体的に形成されるが、チャンバ本体１４とは別個に形成されたのちにチャンバ本体１４に接続されてもよい。
チャンバ本体１４の内部空間のうち、内側突出部１７に囲まれた空間が、入射チャンバ４として機能する。入射チャンバ４を構成する内側突出部１７及びチャンバ本体１４の右前角部の部分自体を、入射チャンバと呼ぶことも可能である。内側突出部１７は、チャンバ本体１４と一体的に形成されるが、チャンバ本体１４とは別個に形成されたのちにチャンバ本体１４に接続されてもよい。
【0045】
入射チャンバ４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡを中心軸として、コーン形状となるように構成される。入射チャンバ４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡの方向において、チャンバ本体１４の内部側の端部に近づくにつれて断面積が小さくなるように構成される。すなわち、入射チャンバ４は、内部側の端部に近づくにつれて絞られるような形状となる。
【0046】
チャンバ本体１４の内部空間のうち、入射チャンバ４として機能する内側突出部１７の内部空間を除く空間が、真空チャンバ３として機能する。真空チャンバ３を構成する部分自体を、真空チャンバと呼ぶことも可能である。
【0047】
図１に示すように、チャンバ本体１４は、筐体２の左側面の貫通孔１２から筐体２の外部に突出する部分を有し、その先端が排気用ポンプ（真空ポンプ）２０に接続される。排気用ポンプ２０により真空チャンバ３内が排気され、真空チャンバ３およびこれに連通する入射チャンバ４および出射チャンバ５が減圧される。これにより、真空チャンバ３内にて生成される放射線Ｒの減衰が抑制される。
【0048】
入射チャンバ４および出射チャンバ５は、真空チャンバ３を通して排気されることで、真空チャンバ３との間に形成される差圧によって真空チャンバ３よりも高い圧力に維持される。真空チャンバ３は、入射チャンバ４及び出射チャンバ５よりも減圧された雰囲気（低い圧力）であればよく、必ずしも高真空雰囲気でなくてもよい。また、真空チャンバ３内に不活性ガスが供給されていてもよい。
【0049】
原料供給機構６は、真空チャンバ３内のプラズマ生成領域２１にてプラズマＰを生成し、放射線Ｒ（Ｘ線、ＥＵＶ光）を放出するための機構である。原料供給機構６は、真空チャンバ３の内部に配置される、原料供給用の円盤状の回転体２２、及び液相のプラズマ原料（放射線原料）２３を収容するコンテナ２４を含む。
【0050】
図１に示すように、円盤状の回転体２２には、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定されている。回転体２２は、入射領域２５が入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの交点の位置に配置されるように、真空チャンバ３内に配置される。回転体２２の入射領域２５にはプラズマ原料２３が供給され、入射領域２５にエネルギービームＥＢが入射することで、プラズマＰが生成される。真空チャンバ３内のプラズマＰが生成される領域（空間）が、プラズマ生成領域２１となる。従って、プラズマ生成領域２１は、回転体２２の入射領域２５の位置に対応した領域となる。
その他、原料供給機構６の詳細については、後述する。
その他、原料供給機構６の詳細については、後述する。
【0051】
制御部７は、光源装置１が有する各構成要素の動作を制御する。例えば、制御部７により、ビーム源１３や排気用ポンプ２０の動作が制御される。また制御部７により、後に説明する各種モータ、プラズマ原料循環装置、デブリ低減装置（ホイルトラップ６０）、外部電圧源等の動作が制御される。
制御部７は、例えばＣＰＵやメモリ（ＲＡＭ、ＲＯＭ）等のコンピュータに必要なハードウェア回路を有する。ＣＰＵがメモリに記憶されている制御プログラムをＲＡＭにロードして実行することにより、種々の処理が実行される。制御部７として、例えばＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等のＰＬＤ(Programmable Logic Device)、その他ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等のデバイスが用いられてもよい。
図１では、制御部７は機能ブロックとして模式的に図示されているが、制御部７が構成される位置等は任意に設計されてよい。本実施形態では、制御部７のＣＰＵが本実施形態に係るプログラムを実行することで、本実施形態に係るプラズマ生成方法及び放射線出射方法が実行される。
制御部７は、例えばＣＰＵやメモリ（ＲＡＭ、ＲＯＭ）等のコンピュータに必要なハードウェア回路を有する。ＣＰＵがメモリに記憶されている制御プログラムをＲＡＭにロードして実行することにより、種々の処理が実行される。制御部７として、例えばＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等のＰＬＤ(Programmable Logic Device)、その他ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等のデバイスが用いられてもよい。
図１では、制御部７は機能ブロックとして模式的に図示されているが、制御部７が構成される位置等は任意に設計されてよい。本実施形態では、制御部７のＣＰＵが本実施形態に係るプログラムを実行することで、本実施形態に係るプラズマ生成方法及び放射線出射方法が実行される。
【0052】
以下、光源装置１を構成する各種チャンバ、及び原料供給機構６について、詳しく説明する。
【0053】
[入射チャンバ]
入射チャンバ４は、チャンバ本体１４の右前角部において、内側突出部１７により構成される。チャンバ本体１４の右前角部には入射窓１９が配置され、ビーム源１３から出射されるエネルギービームＥＢは、入射窓１９を通って、入射軸ＩＡに沿って、入射チャンバ４の内部に入射する。なお、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡは、入射チャンバ４の内部に入射するエネルギービームＥＢの光軸（主軸）とも言える。
入射チャンバ４は、チャンバ本体１４の右前角部において、内側突出部１７により構成される。チャンバ本体１４の右前角部には入射窓１９が配置され、ビーム源１３から出射されるエネルギービームＥＢは、入射窓１９を通って、入射軸ＩＡに沿って、入射チャンバ４の内部に入射する。なお、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡは、入射チャンバ４の内部に入射するエネルギービームＥＢの光軸（主軸）とも言える。
【0054】
入射窓１９は、エネルギービームＥＢを透過可能な材料からなり、入射チャンバ４の内外の圧力差に耐え得る厚さで設計される。エネルギービームＥＢが電子ビームの場合、例えば、チタンやアルミニウムといった金属の膜を用いることができる。エネルギービームＥＢがレーザビームの場合、例えば、ガラス材料（石英ガラス）を用いることができる。その他、入射窓１９にはエネルギービームＥＢを透過可能な任意の材料が用いられてよい。また、入射窓１９は、真空チャンバ３の内外の圧力差に耐え得る厚さを有していればよい。
【0055】
内側突出部１７は、プラズマ生成領域２１に向かって突出し、突出側の先端に入射側アパーチャ２６が形成される。入射側アパーチャ２６は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上にて、入射窓１９と並ぶように配置される。入射側アパーチャ２６は、エネルギービームＥＢを入射チャンバ４から真空チャンバ３内に入射する。すなわち入射窓１９から入射軸ＩＡに沿って進行するエネルギービームＥＢは、入射側アパーチャ２６を通って、真空チャンバ３内に配置された回転体２２に入射する。
【0056】
入射チャンバ４の内部には、飛散したプラズマ原料２３やデブリを捕捉するための捕捉機構が配置される。図１に示す例では、捕捉機構として、エネルギービームＥＢを透過し、プラズマ原料２３やデブリを捕捉する板状の回転部材である回転式窓２７が配置される。回転式窓２７は、例えば、円盤状に構成される。回転式窓２７中心部には、図示を省略したモータの回転軸が取り付けられている。モータが回転軸を回転させることにより、回転式窓２７は回転する。モータは、制御部７によって駆動制御される。
モータは、筐体２の外部に配置され、筐体２及びチャンバ本体１４に形成された図示しない貫通孔を通って回転軸が回転式窓２７に接続される。チャンバ本体１４に回転軸を導入する際にはメカニカルシールが用いられ、入射チャンバ４内の雰囲気（後述するガス雰囲気）を維持しつつ、回転式窓２７の回転が許容される。
また、回転式窓２７を回転させる回転軸は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡとはオフセットされた位置に配置される。これにより、エネルギービームＥＢは、回転式窓２７の回転軸に干渉されず、回転式窓２７のビーム透過領域を通って進行することが可能となる。
回転式窓２７を回転させることで、回転式窓２７のビーム透過領域の実質的な面積を増大させることが可能となり、回転式窓２７の長寿命化を図ることが可能となり、回転式窓２７の交換頻度を低減することが可能となる。
モータは、筐体２の外部に配置され、筐体２及びチャンバ本体１４に形成された図示しない貫通孔を通って回転軸が回転式窓２７に接続される。チャンバ本体１４に回転軸を導入する際にはメカニカルシールが用いられ、入射チャンバ４内の雰囲気（後述するガス雰囲気）を維持しつつ、回転式窓２７の回転が許容される。
また、回転式窓２７を回転させる回転軸は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡとはオフセットされた位置に配置される。これにより、エネルギービームＥＢは、回転式窓２７の回転軸に干渉されず、回転式窓２７のビーム透過領域を通って進行することが可能となる。
回転式窓２７を回転させることで、回転式窓２７のビーム透過領域の実質的な面積を増大させることが可能となり、回転式窓２７の長寿命化を図ることが可能となり、回転式窓２７の交換頻度を低減することが可能となる。
【0057】
図１に示すように、チャンバ本体１４には、入射チャンバ４に連結するように、ガス注入路２８が設置される。ガス注入路２８を介して、図示を省略したガス供給装置から、入射チャンバ４内にガスが供給される。供給されるガスは、エネルギービームＥＢに対して透過率の高いガスであり、例えばアルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）といった希ガス等が採用される。ガスは、入射チャンバ４の内部の圧力を増加させるために供給される。すなわちガス注入路２８から入射チャンバ４内にガスが供給されることにより、入射チャンバ４の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。
【0058】
内側突出部１７は、突出側（入射側アパーチャ２６が形成されている側）に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる。そして、その先端部には入射側アパーチャ２６が設けられている。これにより、ガスを供給して入射チャンバ４の内部圧力を増加させることに有利な構成となっている。また内側突出部１７がコーン形状に構成されることで、チャンバ本体１４内において内側突出部１７が占める空間を小さくすることが可能となり、他の部材の配置設計等の自由度を向上させることが可能となる。この結果、装置の小型化を図ることが可能となる。
【0059】
[出射チャンバ]
出射チャンバ５は、出射軸ＥＡを中心軸とするコーン形状からなり、前方側の端部（外側突出部１５の前方側の端部）にマスク検査装置等の利用装置が接続される。図１に示す例では、利用装置の一部をなすチャンバとして、アプリケーションチャンバ３０が接続される。アプリケーションチャンバ３０内の圧力は大気圧であってもよい。また、アプリケーションチャンバ３０の内部は、必要に応じてガス注入路３１よりガス（例えば、不活性ガス）を導入してパージしてもよい。またアプリケーションチャンバ３０の内部のガスは図示を省略した排気手段により排気されていてもよい。
出射チャンバ５は、出射軸ＥＡを中心軸とするコーン形状からなり、前方側の端部（外側突出部１５の前方側の端部）にマスク検査装置等の利用装置が接続される。図１に示す例では、利用装置の一部をなすチャンバとして、アプリケーションチャンバ３０が接続される。アプリケーションチャンバ３０内の圧力は大気圧であってもよい。また、アプリケーションチャンバ３０の内部は、必要に応じてガス注入路３１よりガス（例えば、不活性ガス）を導入してパージしてもよい。またアプリケーションチャンバ３０の内部のガスは図示を省略した排気手段により排気されていてもよい。
【0060】
図１に示すように、外側突出部１５には、出射チャンバ５に連結するように、ガス注入路３２が設置される。ガス注入路３２を介して、図示を省略したガス供給装置から、出射チャンバ５内にガスが供給される。供給されるガスは、放射線Ｒに対して透過率の高いガスであり、例えばアルゴンやヘリウムといった希ガス等が採用される。アルゴンやヘリウムは、エネルギービームＥＢ及び放射線Ｒの両方に対して透過率の高いガスとして用いることが可能である。従って、入射チャンバ４及び出射チャンバ５の両方に同じガスが供給されてもよい。この場合、ガス供給装置を共通して用いることが可能となるので、装置の簡素化を図ることが可能である。もちろん入射チャンバ４に供給されるガスと、出射チャンバ５に供給されるガスとして、互いに異なるガスが用いられてもよい。ガスは、出射チャンバ５の内部の圧力を増加させるために供給される。すなわち、ガス注入路３２から出射チャンバ５内にガスが供給されることにより、出射チャンバ５の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。
【0061】
出射チャンバ５の内部には、出射チャンバ５の内に入射した放射線Ｒを利用装置内（アプリケーションチャンバ３０内）に導光して集光するためのコレクタ（集光鏡）３３が配置されている。図１では、出射チャンバ５に入射し集光される放射線Ｒの成分がハッチングにて図示されている。コレクタ３３の外表面は、冷却と位置合わせの目的で出射チャンバ５の内面（外側突出部１５の内面）に接触している。コレクタ３３としては、例えば、単一シェルの斜入射反射鏡が用いられる。コレクタ３３本体は、金属部材（例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス）で構成される。
【0062】
コレクタ３３の内側の反射面の反射コーティングは任意であるが、放射線Ｒを反射する反射コーティング材料としては、例えばルテニウム（Ｒｕ）が好適である。なお、コレクタ３３を、本体に高価なＲｕをコーティングした構造とする代わりに、本体をガラス（二酸化ケイ素：ＳｉＯ２）とし、内側を研磨して放射線反射面を形成するように構成してもよい。このガラス製コレクタは、反射面の反射率はＲｕコーティングが施された金属部材製コレクタと比較すると反射率は低いものの、当該Ｒｕコーティングコレクタと比較すると材料コストが非常に低く、頻繁な交換が可能となる。
【0063】
図１に示すように、出射チャンバ５とアプリケーションチャンバ３０との間には、フィルタ膜３５が設けられる。フィルタ膜３５は、真空チャンバ３内のプラズマ生成領域２１と、アプリケーションチャンバ３０とを物理的に分離する（物理的に空間を分離する）ためのものであり、飛散するプラズマ原料２３やデブリのアプリケーションチャンバ３０への進入を防止する。フィルタ膜３５は、プラズマ生成領域２１で発生する放射線Ｒを透過する材料からなる。放射線ＲがＸ線の場合、フィルタ膜３５は例えば、Ｘ線に対する透過率が非常に高いベリリウム薄膜により構成される。放射線ＲがＥＵＶ光の場合は、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）により構成される。
【0064】
なお、出射チャンバ５内はガスが供給されるものの真空チャンバ３と空間的に接続されるので減圧雰囲気である。一方、アプリケーションチャンバ３０内は、上記したように大気圧であってもよい。この場合、出射チャンバ５とアプリケーションチャンバ３０との間には圧力差が生じる。よって、フィルタ膜３５の厚みは、この圧力差に耐え得る厚みとなる。すなわち、フィルタ膜３５は、真空チャンバ３と空間的に接続される出射チャンバ５内の減圧雰囲気を破壊しないように構成される。
【0065】
出射チャンバ５の内部には、遮蔽部材（中央掩蔽）３６が配置される。遮蔽部材３６は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上にて、チャンバ本体１４の出射孔１８、筐体２の出射孔８、及びフィルタ膜３５と並ぶように配置される。プラズマＰから放出され出射チャンバ５に入射する放射線Ｐの中には、コレクタ３３により集光されずに、出射チャンバ５内を進行する放射線成分も存在し得る。この集光されない放射線成分の少なくとも一部は広がりながら進行する。このような放射線成分は、通常、利用装置では利用されず、不要な場合が多い。本実施形態では、遮蔽部材３６により、コレクタ３３により集光されない放射線成分を遮光することが可能である。
【0066】
さらに図１に示すように、本実施形態では、入射チャンバ４の後方側に、左右方向に延在するようにガスノズル３７が設置される。ガスノズル３７は、チャンバ本体１４の右側面に、シール部材等を介して設置される。ガスノズル３７は、図示を省略したガス供給装置に接続され、チャンバ本体１４内にガスを供給する。
ガスノズル３７は、後述する第２ガス供給部に相当し、ガスノズル３７から、入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの間の軸間領域の右側から左右方向に沿って左側に向かってガスが吹き付けられる。これにより、プラズマＰから放出されるデブリを、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡから遠ざかる方向に移動させることが可能となる。
ガスノズル３７は、後述する第２ガス供給部に相当し、ガスノズル３７から、入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの間の軸間領域の右側から左右方向に沿って左側に向かってガスが吹き付けられる。これにより、プラズマＰから放出されるデブリを、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡから遠ざかる方向に移動させることが可能となる。
【0067】
［原料供給機構］
図２は、原料供給機構６の構成例を示す模式図である。
図２には、図１の矢印Ａの方向から回転体２２及びコンテナ２４を見た場合が図示されている。従って図２には、回転体２２の表面２２ａ側が図示されている。
図２は、原料供給機構６の構成例を示す模式図である。
図２には、図１の矢印Ａの方向から回転体２２及びコンテナ２４を見た場合が図示されている。従って図２には、回転体２２の表面２２ａ側が図示されている。
【0068】
【0069】
円盤状の回転体２２は、表面２２ａ及び裏面２２ｂを有し、表面２２ａの所定の位置に、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定される。逆に言えば、回転体２２の２つの主面のうち、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定される主面が表面２２ａとなる。そして反対側の主面が、裏面２２ｂとなる。回転体２２の表面２２ａ及び裏面２２ｂは、回転体２２の回転軸心（回転軸３９）に垂直な平面である。
回転体２２は、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）等の高融点金属で構成される。回転体２２は、下方側の一部が、コンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬されている。
回転体２２は、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）等の高融点金属で構成される。回転体２２は、下方側の一部が、コンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬されている。
【0070】
放射線ＲとしてＸ線が出射される場合は、プラズマ原料２３としてＸ線原料が用いられる。Ｘ線原料は常温で液体状である金属であり、例えば、ガリウム（Ｇａ）や、ガリウム、インジウム（Ｉｎ）及びスズ（Ｓｎ）の共晶合金であるガリンスタン（登録商標）などのガリウム合金を用いることができる。
放射線ＲとしてＥＵＶ光が出射される場合は、プラズマ原料２３としてＥＵＶ原料が用いられる。ＥＵＶ光を放出するための原料としては、例えば、液体状のスズ（Ｓｎ）やリチウム（Ｌｉ）が用いられる。Ｓｎ、Ｌｉは常温では固体であるので、コンテナ２４には図示を省略した温調手段が設けられる。例えば、ＥＵＶ原料がＳｎの場合は、コンテナ２４はＳｎの融点以上の温度に維持される。
放射線ＲとしてＥＵＶ光が出射される場合は、プラズマ原料２３としてＥＵＶ原料が用いられる。ＥＵＶ光を放出するための原料としては、例えば、液体状のスズ（Ｓｎ）やリチウム（Ｌｉ）が用いられる。Ｓｎ、Ｌｉは常温では固体であるので、コンテナ２４には図示を省略した温調手段が設けられる。例えば、ＥＵＶ原料がＳｎの場合は、コンテナ２４はＳｎの融点以上の温度に維持される。
【0071】
回転体２２の裏面２２ｂの中心部には、モータ３８の回転軸３９が接続される。制御部７によりモータ３８の動作が制御され回転軸３９を介して回転体２２が回転される。回転軸３９は、回転体２２の表面２２ａに直交する方向に延在するように配置される。従って、回転体２２は、表面２２ａに直交する方向を回転方向として回転する。回転軸３９は、筐体２の貫通孔１０を通り、メカニカルシール４２を介して、真空チャンバ３内に導入される。メカニカルシール４２は、真空チャンバ３内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸３９の回転を許容する。
【0072】
回転体２２の下方側の一部がコンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬した状態で、回転体２２が回転軸３９を中心に回転する。これにより、プラズマ原料２３は、回転体２２の表面２２ａとの濡れ性により回転体２２の表面２２ａになじむようにコンテナ２４の原料貯留部分から引き上げられ、輸送される。従って、モータ３８及び回転軸３９は、回転体２２の表面２２ａの少なくとも一部に原料を塗布する原料供給部として機能する。
図２に示すように、本実施形態では、回転体２２の表面２２ａの周縁部の近傍に、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定される。この入射領域２５にプラズマ原料２３が供給されるように、原料供給部（モータ３８及び回転軸３９）の構成及び動作が適宜設計される。
図２に示すように、本実施形態では、回転体２２の表面２２ａの周縁部の近傍に、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定される。この入射領域２５にプラズマ原料２３が供給されるように、原料供給部（モータ３８及び回転軸３９）の構成及び動作が適宜設計される。
【0073】
スキマー４０は、回転体２２の表面２２ａ上に供給されるプラズマ原料２３の膜厚を所定の膜厚に調整するための膜厚調整部材として、回転体２２の周縁部の所定の位置に設けられる。スキマー４０は、例えばチャネル構造を有する構造体であって、その内側に回転体２２を挟むように所定の間隙をもって配置される。スキマー４０は、回転体２２の表面２２ａに塗布されたプラズマ原料２３の一部を削ぎとるスクレーパーとして機能する。
【0074】
回転体２２の表面２２ａとスキマー４０との間隔は、回転体２２の表面２２ａのエネルギービームＥＢが入射する入射領域２５におけるプラズマ原料２３の膜厚に対応する。そして、スキマー４０は、回転体２２の表面２２ａの入射領域２５におけるプラズマ原料２３の膜厚を、所定の膜厚に調整可能な位置に配置される。回転体２２の表面２２ａとスキマー４０との間隔を適宜設定する。これにより、コンテナ２４の原料貯留部分において回転体２２に塗布された液体状のプラズマ原料２３は、回転体２２の回転によってスキマー４０を通過する際に、回転体２２上における膜厚が所定の膜厚となるように調整される。
【0075】
スキマー４０によって膜厚が調整された回転体２２上のプラズマ原料２３は、回転体２２の回転とともにエネルギービームＥＢが入射する入射領域２５に輸送される。すなわち、回転体２２の回転方向は、回転体２２上のプラズマ原料２３がスキマー４０を通過後、入射領域２５に輸送される方向である。そして、入射領域２５において、回転体２２上のプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢが照射され、プラズマＰが発生される。
スキマー４０により、入射領域２５にほぼ均一にプラズマ原料２３を供給することが可能となる。入射領域２５におけるプラズマ原料２３の厚みを安定させることにより、プラズマＰから放射される放射線Ｒの強度を安定させることが可能となる。
本実施形態では、スキマー４０により、表面に供給されるプラズマ原料の厚みを調整する厚み調整機構が実現される。
スキマー４０により、入射領域２５にほぼ均一にプラズマ原料２３を供給することが可能となる。入射領域２５におけるプラズマ原料２３の厚みを安定させることにより、プラズマＰから放射される放射線Ｒの強度を安定させることが可能となる。
本実施形態では、スキマー４０により、表面に供給されるプラズマ原料の厚みを調整する厚み調整機構が実現される。
【0076】
プラズマ原料循環装置４１は、放射線Ｒの発生動作によりプラズマ原料２３が消費された場合に、適宜コンテナ２４にプラズマ原料２３を補充する。また、プラズマ原料循環装置４１は、プラズマ原料２３の温度調整機構（冷却機構）としても機能する。
【0077】
図２に示すように、プラズマ原料循環装置４１は、原料流入管路４４と、原料排出管路４５と、原料貯留槽４６と、原料駆動部（ポンプ）４７と、温度調整機構４８とを含む。
原料貯留槽４６には、プラズマ原料２３が貯留される。
原料流入管路４４及び原料排出管路４５は、原料貯留槽４６とコンテナ２４とを連通するように、原料貯留槽４６とコンテナ２４との間に設置される。
原料駆動部４７は、原料流入管路４４に設置される。原料駆動部４７が駆動することにより、原料貯留槽４６に貯留されたプラズマ原料２３が原料流入管路４４に流出し、原料貯留槽４６、原料流入管路４４、コンテナ２４、及び原料排出管路４５の循環系にて、プラズマ原料２３を循環させることが可能となる。原料駆動部４７としては、例えば磁力により液体金属（プラズマ原料２３）を輸送することが可能な電磁ポンプが用いられる。もちろん、他の種類のポンプが用いられてもよい。
原料貯留槽４６には、プラズマ原料２３が貯留される。
原料流入管路４４及び原料排出管路４５は、原料貯留槽４６とコンテナ２４とを連通するように、原料貯留槽４６とコンテナ２４との間に設置される。
原料駆動部４７は、原料流入管路４４に設置される。原料駆動部４７が駆動することにより、原料貯留槽４６に貯留されたプラズマ原料２３が原料流入管路４４に流出し、原料貯留槽４６、原料流入管路４４、コンテナ２４、及び原料排出管路４５の循環系にて、プラズマ原料２３を循環させることが可能となる。原料駆動部４７としては、例えば磁力により液体金属（プラズマ原料２３）を輸送することが可能な電磁ポンプが用いられる。もちろん、他の種類のポンプが用いられてもよい。
【0078】
本実施形態では、原料貯留槽４６及び原料駆動部４７は、真空チャンバ３の外部であって、さらに筐体２の外部に配置される。プラズマ原料循環装置４１からコンテナ２４へと延びる原料流入管路４４及び原料排出管路４５は、筐体２の貫通孔１１を通り、シール部材４９を介して真空チャンバ３内に導入され、コンテナ２４に接続される。シール部材４９は、真空チャンバ３内の減圧雰囲気を維持しつつ、原料流入管路４４及び原料排出管路４５を真空チャンバ３の外側から内側へ貫通するのを許容する。
【0079】
回転体２２の表面２２ａに塗布されたプラズマ原料２３のうち、エネルギービームＥＢが照射された部分は消費される。そのため、放射線Ｒ（Ｘ線又はＥＵＶ光）の発生動作を長期間安定して行うためには、大容量のプラズマ原料２３をコンテナ２４に貯留する必要がある。
一方で、光源装置１の真空チャンバ３の大きさとの兼ね合いから、真空チャンバ３の内部に収容可能なコンテナ２４の大きさには制約があり、大容量のプラズマ原料２３をコンテナ２４に貯留することが困難な場合も多い。
そこで、大容量のプラズマ原料２３を貯留可能な原料貯留槽４６を真空チャンバ３の外部に設置し、原料流入管路４４を介してコンテナ２４の原料貯留部分にプラズマ原料２３を補充可能に構成する。
これにより、コンテナ２４の原料貯留部分のプラズマ原料２３の量は長期間一定に保たれ、結果として放射線Ｒの発生動作を長期間安定して行うことが可能となる。
すなわち、プラズマ原料循環装置４１は、コンテナ２４の原料貯留部分のプラズマ原料２３の量が一定となるように、コンテナ２４の原料貯留部分と原料貯留槽４６との間でプラズマ原料２３を循環する。
一方で、光源装置１の真空チャンバ３の大きさとの兼ね合いから、真空チャンバ３の内部に収容可能なコンテナ２４の大きさには制約があり、大容量のプラズマ原料２３をコンテナ２４に貯留することが困難な場合も多い。
そこで、大容量のプラズマ原料２３を貯留可能な原料貯留槽４６を真空チャンバ３の外部に設置し、原料流入管路４４を介してコンテナ２４の原料貯留部分にプラズマ原料２３を補充可能に構成する。
これにより、コンテナ２４の原料貯留部分のプラズマ原料２３の量は長期間一定に保たれ、結果として放射線Ｒの発生動作を長期間安定して行うことが可能となる。
すなわち、プラズマ原料循環装置４１は、コンテナ２４の原料貯留部分のプラズマ原料２３の量が一定となるように、コンテナ２４の原料貯留部分と原料貯留槽４６との間でプラズマ原料２３を循環する。
【0080】
また、回転体２２の表面２２ａに塗布されたプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢが照射されると、当該プラズマ原料２３（ターゲット）より放射線Ｒが発生すると同時に、回転体２２自体が加熱される。この加熱された回転体２２は、プラズマ原料２３が貯留されているコンテナ２４の原料貯留部分を通過する度に、コンテナ２４内のプラズマ原料２３との間で熱交換を行う。
そのため、そのままではコンテナ２４内のプラズマ原料２３の温度は徐々に変化してしまう。プラズマ原料２３の粘度が温度により変化する場合、プラズマ原料２３の温度の変化により回転体２２に対するプラズマ原料２３の濡れ性が変化し、回転体２２へのプラズマ原料２３の付着状態が変化する。その結果、放射線Ｒの出力も変化するおそれがある。
そのため、そのままではコンテナ２４内のプラズマ原料２３の温度は徐々に変化してしまう。プラズマ原料２３の粘度が温度により変化する場合、プラズマ原料２３の温度の変化により回転体２２に対するプラズマ原料２３の濡れ性が変化し、回転体２２へのプラズマ原料２３の付着状態が変化する。その結果、放射線Ｒの出力も変化するおそれがある。
【0081】
本実施形態に係るプラズマ原料循環装置４１は、比較的大型の原料貯留槽４６を真空チャンバ３の外部（筐体２の外部）に備える。そのため、コンテナ２４の原料貯留部分において温度変化したプラズマ原料２３が原料排出管路４５を介して原料貯留槽４６に流入したとしても、原料貯留槽４６内のプラズマ原料２３の温度はさほど変化せず、ほぼ一定に保たれる。そして、ほぼ一定に温度が保たれたプラズマ原料２３が、原料流入管路４４を介してコンテナ２４に流入される。
このように、プラズマ原料循環装置４１によりプラズマ原料２３を循環させることで、コンテナ２４内のプラズマ原料２３の温度はほぼ一定に保たれる。従って、回転体２２へのプラズマ原料２３の付着状態も安定し、放射線Ｒの出力を安定させることが可能となる。
このように、プラズマ原料循環装置４１によりプラズマ原料２３を循環させることで、コンテナ２４内のプラズマ原料２３の温度はほぼ一定に保たれる。従って、回転体２２へのプラズマ原料２３の付着状態も安定し、放射線Ｒの出力を安定させることが可能となる。
【0082】
さらに、原料貯留槽４６内のプラズマ原料２３の温度が、原料貯留槽４６の内部に設けられた温度調整機構４８によって調整されてもよい。原料貯留槽４６は、真空チャンバ３の外部（筐体２の外部）に設置されているため、真空チャンバ３の大きさに左右されない大容量の温度調整機構４８を用いることができる。これにより、プラズマ原料２３の温度を短時間で確実に所定の温度に調整することが可能となる。
【0083】
このように、温度調整機構４８を有するプラズマ原料循環装置４１を用いることにより、プラズマ原料２３の温度を一定に保ったまま、コンテナ２４の原料貯留部分にプラズマ原料２３を供給することが可能となる。例えば、液体状態における温度が常温よりも低い液体金属が、プラズマ原料２３として用いられるとする。この場合でも、常温よりも低い温度に保ったまま、液相のプラズマ原料２３を、コンテナ２４に供給することが可能である。
また、液体状態における温度が常温よりも低い液体金属が、プラズマ原料２３として用いられるとする。この場合でも、常温より高い温度に保ったまま、液相のプラズマ原料２３を、コンテナ２４に供給することが可能である。
また、液体状態における温度が常温よりも低い液体金属が、プラズマ原料２３として用いられるとする。この場合でも、常温より高い温度に保ったまま、液相のプラズマ原料２３を、コンテナ２４に供給することが可能である。
【0084】
図３は、光源装置１に適用可能なコンテナの他の構成例を示す模式図である。
図３に示す例では、コンテナ２４がカバー状構造体として構成されており、回転体２２のほぼ全体を囲むことが可能である。コンテナ２４には、回転体２２の表面２２ａに設定される入射領域２５に対応する位置に、開口部５２が形成される。開口部５２を介して、入射領域２５にエネルギービームＥＢが入射され、プラズマＰが生成される。また開口部５２を介してプラズマＰから放射線Ｒが取り出され、出射チャンバ５を介して出射される。
図３に示す例では、コンテナ２４がカバー状構造体として構成されており、回転体２２のほぼ全体を囲むことが可能である。コンテナ２４には、回転体２２の表面２２ａに設定される入射領域２５に対応する位置に、開口部５２が形成される。開口部５２を介して、入射領域２５にエネルギービームＥＢが入射され、プラズマＰが生成される。また開口部５２を介してプラズマＰから放射線Ｒが取り出され、出射チャンバ５を介して出射される。
【0085】
コンテナ２４をカバー状構造体として構成することで、回転体２２から飛散したプラズマ原料２３は、コンテナ２４の開口部５２を除き、コンテナ２４の内壁に付着する。そして、内壁に付着したプラズマ原料２３は、コンテナ２４下部の原料貯留部分に移動する。従って、コンテナ２４の外部であって、真空チャンバ３の内部である空間には、プラズマ原料２３が飛散することは殆どない。この結果、飛散したプラズマ原料２３が真空チャンバ３の内壁に付着することを十分に抑制することが可能となる。
【0086】
また図１に示すように、本実施形態では、チャンバ本体１４の前面側にて、真空チャンバ３と空間的に接続される領域に、放射線診断部２９が構成される。放射線診断部２９は、放射線Ｒの出射軸ＥＡとは異なる方向に放射される放射線Ｒが入射する位置に構成される。放射線診断部２９は、放射線Ｒの物理的状態を診断する部分であり、例えば、放射線Ｒの有無を検出する検出器や、放射線の出力を測定する測定器により構成される。
【0087】
［放射線Ｒの発生プロセス］
［原料供給］
回転体２２の下方側の一部がコンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬した状態で、当該回転体２２が回転軸３９を中心に回転する。プラズマ原料２３は、回転体２２の表面２２ａとの濡れ性により回転体２２の表面２２ａになじむようにコンテナ２４の原料貯留部分から引き上げられる。そして、回転体２２の表面２２ａに塗布された状態で、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５に輸送される。回転体２２の回転方向は、図２に示すように、回転体２２の表面２２ａに供給されるプラズマ原料がコンテナの原料貯留部分から引き上げられたのち、スキマー４０を通過してプラズマ生成領域２１（入射領域２５）に到達するような方向である。
［原料供給］
回転体２２の下方側の一部がコンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬した状態で、当該回転体２２が回転軸３９を中心に回転する。プラズマ原料２３は、回転体２２の表面２２ａとの濡れ性により回転体２２の表面２２ａになじむようにコンテナ２４の原料貯留部分から引き上げられる。そして、回転体２２の表面２２ａに塗布された状態で、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５に輸送される。回転体２２の回転方向は、図２に示すように、回転体２２の表面２２ａに供給されるプラズマ原料がコンテナの原料貯留部分から引き上げられたのち、スキマー４０を通過してプラズマ生成領域２１（入射領域２５）に到達するような方向である。
【0088】
[プラズマ生成]
スキマー４０を通過して回転体２２上での厚みが所定の厚みに調整されたプラズマ原料２３が、回転体２２の入射領域２５に到達する。ビーム源１３から入射軸ＩＡに沿って、入射領域２５に向かってエネルギービームＥＢが出射される。エネルギービームＥＢは、入射孔９、入射窓１９、回転式窓２７、入射側アパーチャ２６を通って、プラズマ原料２３が供給された入射領域２５に入射する。入射領域２５へエネルギービームＥＢが入射すると、入射領域２５に存在するプラズマ原料２３は加熱励起され、高温プラズマＰが生成される。プラズマ生成領域２１に生成される高温プラズマＰから、所定の波長の放射線Ｒが放出される。
スキマー４０を通過して回転体２２上での厚みが所定の厚みに調整されたプラズマ原料２３が、回転体２２の入射領域２５に到達する。ビーム源１３から入射軸ＩＡに沿って、入射領域２５に向かってエネルギービームＥＢが出射される。エネルギービームＥＢは、入射孔９、入射窓１９、回転式窓２７、入射側アパーチャ２６を通って、プラズマ原料２３が供給された入射領域２５に入射する。入射領域２５へエネルギービームＥＢが入射すると、入射領域２５に存在するプラズマ原料２３は加熱励起され、高温プラズマＰが生成される。プラズマ生成領域２１に生成される高温プラズマＰから、所定の波長の放射線Ｒが放出される。
【0089】
[放射線Ｒの取り出し]
高温プラズマＰから放出される放射線Ｒは、様々な方向に向かって進行する。このうち、出射チャンバ５に入射した放射線Ｒは、出射チャンバ５を通過してマスク検査装置等の利用装置（アプリケーションチャンバ３０）に導光される。すなわち、高温プラズマＰから放出される放射線Ｒのうち、出射チャンバ５に入射した成分が、出射軸ＥＡに沿って外部へと取り出される。
高温プラズマＰから放出される放射線Ｒは、様々な方向に向かって進行する。このうち、出射チャンバ５に入射した放射線Ｒは、出射チャンバ５を通過してマスク検査装置等の利用装置（アプリケーションチャンバ３０）に導光される。すなわち、高温プラズマＰから放出される放射線Ｒのうち、出射チャンバ５に入射した成分が、出射軸ＥＡに沿って外部へと取り出される。
【0090】
［プラズマ原料の飛散、及びデブリの対策］
プラズマ原料２３の供給工程において、回転体２２が回転すると遠心力により回転体２２の表面２２ａに付着したプラズマ原料２３が飛散する場合があり得る。また、プラズマＰの生成工程において、回転体２２に塗布されているプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢが照射されるとプラズマ原料２３の一部が気化する。その際に、プラズマ原料２３の一部（プラズマ原料２３の粒子）がデブリとして放出される。
例えばデブリとして、イオン、中性粒子、電子等が、放射線Ｒととともに放出される。また、プラズマＰの発生にともない回転体２２がスパッタリングされ、回転体２２の材料粒子が、デブリとして放出される場合もあり得る。
プラズマ原料２３の供給工程において、回転体２２が回転すると遠心力により回転体２２の表面２２ａに付着したプラズマ原料２３が飛散する場合があり得る。また、プラズマＰの生成工程において、回転体２２に塗布されているプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢが照射されるとプラズマ原料２３の一部が気化する。その際に、プラズマ原料２３の一部（プラズマ原料２３の粒子）がデブリとして放出される。
例えばデブリとして、イオン、中性粒子、電子等が、放射線Ｒととともに放出される。また、プラズマＰの発生にともない回転体２２がスパッタリングされ、回転体２２の材料粒子が、デブリとして放出される場合もあり得る。
【0091】
プラズマ原料（ＥＵＶ放射の場合、例えばスズ（Ｓｎ））からなるデブリが放射線Ｒの出射軸ＥＡ方向に入射して最終的に利用装置（アプリケーションチャンバ３０）に到達すると、利用装置内の光学素子の反射膜を損傷または汚染させ性能を低下させることがある。そのため、このようなデブリが利用装置に到達しないように、当該デブリが放射線Ｒの出射軸ＥＡ方向に進行することを抑制したり、進行方向を変えたり、出射軸ＥＡ方向に進行するデブリの量を低減することが重要となる。
【0092】
そのために上記した例では、ガス注入路３２から出射チャンバ５内部に放射線Ｒ（Ｘ線やＥＵＶ）に透明なガスが注入される。これにより、真空チャンバ３（プラズマ生成部）が出射チャンバ５（放射線取り出し部）よりも減圧された雰囲気に維持されるため、デブリが放射線出射部に進入することを抑制している。
【0093】
また、一般に平面上の液体原料がエネルギービームによって気化する際に放出される液体原料からなるデブリは、上記平面の法線方向に一番多く放出される。そこで図１に示すように、放射線Ｒの取り出し方向の光軸（出射軸ＥＡ）と、回転体２２のエネルギービームが照射される表面２２ａの法線ＮＡとを互いに相違させることで、出射チャンバ５側へのデブリの進入を抑制することができる。
【0094】
また、光源装置１は、ガスノズル３７を用いて、少なくとも上記法線ＮＡ方向と放射線Ｒの出射軸ＥＡ方向を横断する方向であって、上記法線ＮＡ方向に最後に到達するような方向に向かってガスを供給する。このガスにより、法線ＮＡ方向に放出されるデブリの少なくとも一部は、放射線Ｒの出射軸ＥＡより遠ざかる方向に移動させられる（デブリの進行方向が変えられる）ので、放射線Ｒの出射軸ＥＡ方向（出射チャンバ５側）へのデブリの入射が更に抑制される。
【0095】
一方、デブリは発生地点から空間内で広がるので、デブリの一部は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ方向（出射チャンバ５側）へも進入する。そこで、本実施形態においては、出射チャンバ５へ進入するデブリの量を低減するデブリ低減装置（ＤＭＴ（Debris Mitigation Tool）とも言う）が、出射チャンバ５および放射線診断部２９と、プラズマ生成領域２１との間に配置される。ＤＭＴとしては、本実施形態ではホイルトラップ（ｆｏｉｌ ｔｒａｐ）６０が採用される。以下、ホイルトラップ６０の詳細について説明する。
【0096】
［ホイルトラップ］
一般に、ホイルトラップは、空間を細かく分割するように配置されている複数のホイル（薄膜や薄い平板）を有する。複数のホイルにより細かく分割された各空間においては、当該空間でのコンダクタンスを下げて圧力を上げる機能が奏される。デブリがこれらのホイルにより分割された各空間（圧力が上昇した領域）を進行すると、この圧力が上昇した領域におけるデブリと雰囲気ガスとの衝突確率が上がる。その結果、デブリの飛散速度が低下し、またデブリの進行方向が変わるため、デブリはデブリ低減装置に捕捉される。
一般に、ホイルトラップは、空間を細かく分割するように配置されている複数のホイル（薄膜や薄い平板）を有する。複数のホイルにより細かく分割された各空間においては、当該空間でのコンダクタンスを下げて圧力を上げる機能が奏される。デブリがこれらのホイルにより分割された各空間（圧力が上昇した領域）を進行すると、この圧力が上昇した領域におけるデブリと雰囲気ガスとの衝突確率が上がる。その結果、デブリの飛散速度が低下し、またデブリの進行方向が変わるため、デブリはデブリ低減装置に捕捉される。
【0097】
ホイルトラップとしては、複数のホイルの位置が固定された固定式ホイルトラップと、複数のホイルがデブリと能動的に衝突する作用を加えた回転式ホイルトラップがある。回転式ホイルトラップは、中央に配置された回転軸を中心として、半径方向に複数のホイルが放射状に配置され、上記回転軸を中心に複数のホイルを回転させることでプラズマから飛来するデブリと当該ホイルとを衝突させる。回転式ホイルトラップは、比較的低速で飛散するデブリの捕捉に特に有効である。なお、一つのデブリ低減装置は、回転式ホイルトラップと固定式ホイルトラップとの双方を備えていてもよいし、いずれか一方のみを備えていてもよい。本実施の形態においては、回転式ホイルトラップのみが採用されている。
【0098】
【0099】
図４～図６に示すように、ホイルトラップ６０は、チャンバ本体１４に回転可能に設置された軸部材６１と、軸部材６１を中心に放射状に配置された複数のホイル（ブレード）６２とを有する。
軸部材６１は、メカニカルシール６３を介してチャンバ本体１４に支持されている。メカニカルシール６３は、真空チャンバ３内の減圧雰囲気を維持しつつ、軸部材６１の回転を許容する。軸部材６１は、筐体２の外側に設置されたモータ６６の回転軸である。
複数のホイル６２は、薄膜または薄い平板であり、軸部材６１の先端部に取り付けられたハブ６４の周面に等角度間隔で配置される。各ホイル６２は、軸部材６１およびハブ６４の中心軸線を含む平面上にある。
軸部材６１は、メカニカルシール６３を介してチャンバ本体１４に支持されている。メカニカルシール６３は、真空チャンバ３内の減圧雰囲気を維持しつつ、軸部材６１の回転を許容する。軸部材６１は、筐体２の外側に設置されたモータ６６の回転軸である。
複数のホイル６２は、薄膜または薄い平板であり、軸部材６１の先端部に取り付けられたハブ６４の周面に等角度間隔で配置される。各ホイル６２は、軸部材６１およびハブ６４の中心軸線を含む平面上にある。
【0100】
ハブ６４は、先端側がその反対側よりも小径の円錐台形状を有し、複数のホイル６２はそれぞれハブ６４の周面に直交する方向に延びる。このため図４および図６に示すように、各ホイル６２は、軸部材６３の軸方向に対して回転体２２側に向かって所定角度傾斜するように配置される。
ホイルトラップ６０はさらに、複数のホイル６２の先端部が内接する外側リング６５を有する。外側リング６５は、ハブ６４と同心的であり、先端側がその反対側よりも小径の円錐台形状を有する。各ホイル６２は、ハブ６４と外側リング６５との間に配置されている。
軸部材６１、各ホイル６２、ハブ６４および外側リング６５は、例えば、タングステンおよび／またはモリブデンなどの高融点金属である。
ホイルトラップ６０はさらに、複数のホイル６２の先端部が内接する外側リング６５を有する。外側リング６５は、ハブ６４と同心的であり、先端側がその反対側よりも小径の円錐台形状を有する。各ホイル６２は、ハブ６４と外側リング６５との間に配置されている。
軸部材６１、各ホイル６２、ハブ６４および外側リング６５は、例えば、タングステンおよび／またはモリブデンなどの高融点金属である。
【0101】
ホイルトラップ６０の軸部材６１は、回転体２２の回転軸心（回転軸３９）に平行な方向、すなわち、回転体２２の表面２２ａの法線ＮＡ方向に沿って配置される。これにより、ホイルトラップ６０の複数のホイル６２は、プラズマ生成領域２１から放射線出射部（出射チャンバ５）に向かって進む放射線Ｒ（Ｘ線またはＥＵＶ）を遮らないように、出射チャンバ５に向かって進む放射線の光線方向に平行またはほぼ平行に配置される。
すなわち、図４に示すように、各ホイル６２がハブ６４の中心軸線を含む平面上に配置されたホイルトラップ６０は、ハブ６４の中心軸線の延長線上にプラズマＰ（発光点）が存在するように配置される。これにより、ハブ６４および外側リング６５を除けば、放射線は各ホイル６２の厚みの分のみ遮光され、ホイルトラップ６０を通過する放射線Ｒの割合（透過率ともいう）を最大にすることが可能となる。
すなわち、図４に示すように、各ホイル６２がハブ６４の中心軸線を含む平面上に配置されたホイルトラップ６０は、ハブ６４の中心軸線の延長線上にプラズマＰ（発光点）が存在するように配置される。これにより、ハブ６４および外側リング６５を除けば、放射線は各ホイル６２の厚みの分のみ遮光され、ホイルトラップ６０を通過する放射線Ｒの割合（透過率ともいう）を最大にすることが可能となる。
【0102】
図４に示すように、ハブ６４は、モータ６６の駆動により軸部材６１の軸まわりに回転する。ハブ６４の中心軸線は、軸部材６１の中心軸線に合致する。ホイルトラップ６０は、モータ６６に駆動されて回転し、回転する各ホイル６２は、プラズマＰから到来するデブリに衝突してデブリを捕捉し、当該デブリが出射チャンバ５やその先の利用装置（アプリケーションチャンバ３０）に侵入するのを阻止する。
【0103】
ホイルトラップ６０は、真空チャンバ３に配置されるのに対して、モータ６６は、真空チャンバ３を包囲する筐体２の外に配置される。筐体２の壁には、軸部材６１が通過する貫通孔６７が形成されている。
【0104】
ホイルトラップ６０は、プラズマＰからの放射により高温となる。このため、ホイルトラップ６０の過熱を防止するために、軸部材６１を中空にして冷却水を流通させることで、ホイルトラップ６０を冷却可能に構成してもよい。また、回転時のモータ６６自体も発熱するため、モータ６６の周囲に水冷配管６８を巻き付けて除熱してもよい。水冷配管６８には水が流され、熱交換によりモータ６６を冷却する。
【0105】
図１、図４、図６に示すように、ホイルトラップ６０は、カバー部材７０をさらに備える。カバー部材７０は、複数のホイル６２およびハブ６４を包囲し、ホイル６２により捕捉されたデブリが真空チャンバ３の内部に飛散するのを防止する。
【0106】
カバー部材７０は、回転体２２の表面２２ａに対向する正面部７０ａと、正面部７０ａとは反対側の背面部７０ｂと、正面部７０ａの周縁部と背面部７０ｂの周縁部との間に設けられ外側リング６５に対向する周面部７０ｃと、背面部７０ｂの中央部に設けられ軸部材６１の一部を包囲する筒状部７０ｄとを有する。
正面部７０ａ、背面部７０ｂおよび周面部７０ｃは、複数のホイル６２およびハブ６４を回転可能に収容する空間部７１を形成する。筒状部７０ｄは、軸部材６１と同心的に形成され、カバー部材７０からモータ６６側へ突出する軸部材６１を所定の長さにわたって包囲する。
正面部７０ａ、背面部７０ｂおよび周面部７０ｃは、複数のホイル６２およびハブ６４を回転可能に収容する空間部７１を形成する。筒状部７０ｄは、軸部材６１と同心的に形成され、カバー部材７０からモータ６６側へ突出する軸部材６１を所定の長さにわたって包囲する。
【0107】
カバー部材７０は、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）等の高融点金属で構成される。カバー部材７０は、図示しない支持部材を用いてチャンバ本体１４に固定されることで、真空チャンバ３内に静的に配置される。
【0108】
カバー部材７０は、第１開口部７０１、第２開口部７０２、第３開口部７０３および第４開口部７０４を有する。
第１開口部７０１および第３開口部７０３は、カバー部材７０の正面部７０ａに設けられ、第２開口部７０２および第４開口部７０４は、カバー部材７０の背面部７０ｂに設けられる。
第１～第４開口部７０１～７０４の形状は特に限定されず、典型的には円形であるが、楕円形や矩形等の他の形状で形成されてもよい。
第１開口部７０１および第３開口部７０３は、カバー部材７０の正面部７０ａに設けられ、第２開口部７０２および第４開口部７０４は、カバー部材７０の背面部７０ｂに設けられる。
第１～第４開口部７０１～７０４の形状は特に限定されず、典型的には円形であるが、楕円形や矩形等の他の形状で形成されてもよい。
【0109】
第１開口部７０１は、プラズマＰの発光点から放射される放射線Ｒのうち出射チャンバ５へ向かう（出射軸ＥＡ方向の）放射線Ｒ１（図４参照）を空間部７１へ入射させる。
第２開口部７０２は、空間部７１と連通し、第１開口部７０１へ入射した放射線Ｒ１を出射チャンバ５へ向けて出射させる。
第３開口部７０３は、プラズマＰの発光点から放射される放射線Ｒのうち放射線診断部２９へ向かう放射線Ｒ２（図４参照）を空間部７１へ入射させる。
第４開口部７０４は、空間部７１と連通し、第３開口部７０３へ入射した放射線Ｒ２を放射線診断部２９へ向けて出射させる。
第２開口部７０２は、空間部７１と連通し、第１開口部７０１へ入射した放射線Ｒ１を出射チャンバ５へ向けて出射させる。
第３開口部７０３は、プラズマＰの発光点から放射される放射線Ｒのうち放射線診断部２９へ向かう放射線Ｒ２（図４参照）を空間部７１へ入射させる。
第４開口部７０４は、空間部７１と連通し、第３開口部７０３へ入射した放射線Ｒ２を放射線診断部２９へ向けて出射させる。
【0110】
ホイルトラップ６０のホイル６２と衝突したデブリの一部は、ホイル６２に堆積する。各ホイル６２は、プラズマＰからの放射により加熱されおり、適切に除熱を行なうことでデブリの融点以上に保持することができる。例えば、デブリがスズ（Ｓｎ）の場合、ホイル６２の温度をスズの融点（約２３２℃）以上に保持することができる。そのため、ホイル６２上にデブリが堆積し続けることはない。図６に示すように、ホイル６２上の液状のデブリＤは、ホイル６２の回転により発生する遠心力によりホイル６２上を移動し、やがてホイル６２の端部からホイルトラップ６０の外部に離脱する。
【0111】
すなわち、ホイルトラップ６０により捕捉されたデブリＤの少なくとも一部は、遠心力によりホイルトラップ６０のホイル６２上を径方向に移動し、ホイル６２の端部から離脱して空間部７１へ飛散し、カバー部材７０の内面に付着する。
カバー部材７０は、図示を省略した加熱手段（カバー加熱部）によって加熱され、当該加熱によりカバー部材７０の内面に付着したデブリＤは固化せず、液相状態を保持する。カバー部材７０の内面に付着したデブリＤは、重力によりカバー部材７０の下部に集まり、カバー部材７０の下部に設けられた排出管７３を介してカバー部材７０の外に排出されて廃原料となる。
カバー部材７０は、図示を省略した加熱手段（カバー加熱部）によって加熱され、当該加熱によりカバー部材７０の内面に付着したデブリＤは固化せず、液相状態を保持する。カバー部材７０の内面に付着したデブリＤは、重力によりカバー部材７０の下部に集まり、カバー部材７０の下部に設けられた排出管７３を介してカバー部材７０の外に排出されて廃原料となる。
【0112】
排出管７３は、空間部７１からカバー部材７０の外部へ向けて捕集したデブリＤを排出するためのものであり、本実施形態ではカバー部材７０の底部に空間部７１と連通する管状に形成される。排出管７３からカバー部材７０の外部に排出される廃原料（デブリＤ）は、真空チャンバ３の下側に設けられたデブリ収容部７４に収容される。これにより、カバー部材７０は、ホイルトラップ６０の各ホイル６２の端部から離脱したデブリＤが真空チャンバ３の内部に飛散するのを防止することができる。
【0113】
デブリ収容部７４は、チャンバ本体１４の底部における排出管７３と対向する位置に設けられた貫通孔７５をチャンバ本体１４の外側から気密に覆うように配置された容器である。デブリ収容部７４内に収容されたデブリＤは、冷却されて固相の状態で収容されてもよいし、デブリ収容部７４をデブリＤの融点以上に加熱する加熱機構を備える場合は、液相の状態でデブリＤを蓄えておくことができる。
【0114】
ここで、例えばＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置において回転式ホイルトラップからなるデブリ低減装置を採用する場合、当該回転式ホイルトラップ（ハブ）の中心軸線（回転軸）は、上記中心軸線の延長線上にプラズマ（発光点）が存在するように配置される。プラズマを通過する仮想線は無数にあるので、回転式ホイルトラップのプラズマに対する姿勢は、利用装置側に出射する放射線が回転式ホイルトラップのブレード（ホイル）間を経由して上記利用装置側に到達するのであれば、上記仮想線のうち任意の仮想線に上記中心軸線に一致させることで決定される。すなわち、比較的任意に上記姿勢を設定することができる。上記ＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置においては、ＥＵＶを放出するプラズマが、一対の電極の間の空間に生成される。
【0115】
一方、本実施の形態に係る光源装置１においては、回転体２２の表面２２ａに供給した放射線原料（プラズマ原料２３）にエネルギービームＥＢを照射して当該表面近傍に高温プラズマＰを生成するＬＰＰ方式が採用されている。この場合、プラズマＰの発生と同時に放出されるデブリは、回転体２２の表面２２ａの法線方向に多く分布する。
そこで、本実施形態におけるホイルトラップ６０は、その中心軸線を回転体２２の表面２２ａ（放射線原料供給平面）の法線方向と略一致させている。更に複数のホイル６２を包囲するカバー部材７０は、プラズマＰと対向する面において、上記中心軸線と交差する地点およびその地点の比較的近傍を閉塞していて、かつ、出射チャンバ５ならびに放射線診断部２９に入射する放射線のみを通過させる第１～第４開口部７０１～７０４が設けられている。
このように構成することで、比較的多量に放出されるデブリをカバー部材７０のプラズマＰと対向する面でブロックすることが可能となり、デブリが各開口部７０１～７０４に進入するのを抑制することができる。
そこで、本実施形態におけるホイルトラップ６０は、その中心軸線を回転体２２の表面２２ａ（放射線原料供給平面）の法線方向と略一致させている。更に複数のホイル６２を包囲するカバー部材７０は、プラズマＰと対向する面において、上記中心軸線と交差する地点およびその地点の比較的近傍を閉塞していて、かつ、出射チャンバ５ならびに放射線診断部２９に入射する放射線のみを通過させる第１～第４開口部７０１～７０４が設けられている。
このように構成することで、比較的多量に放出されるデブリをカバー部材７０のプラズマＰと対向する面でブロックすることが可能となり、デブリが各開口部７０１～７０４に進入するのを抑制することができる。
【0116】
また、カバー部材７０は加熱手段（カバー加熱部）によって加熱されているので、図６に示すように、カバー部材７０のプラズマＰと対向する面に到着して付着したデブリＤは固化せず、液相状態を保持する。この付着したデブリＤは、重力によりカバー部材７０の表面（正面部７０ａ）の下部に移動して、カバー部材７０から下方へ離脱する。カバー部材７０を離脱したデブリＤは、例えば液滴状となって、真空チャンバ３の下側に設けられたデブリ収容部７４に収容される。
【0117】
このように構成することで、出射チャンバ５に入射する放射線Ｒ１ならびに放射線診断部２９に入射する放射線Ｒ２は、必然的にホイルトラップ６０におけるホイル６２の外周面側近傍を通過することになる（すなわち、軸部材６１より離れた領域を通過する）。
そのため、放射線Ｒ１，Ｒ２の出射方向に進入するデブリＤも、ホイルトラップ６０の軸部材６１に近い側のホイル６２表面ではなく、軸部材６１より離れた遠い側のホイル６２表面に付着することになる。そのため、付着したデブリＤに作用する遠心力が大きくなるので、ホイル６２上を移動する液体状のデブリＤの移動速度が速くなり、当該デブリＤが速やかにホイル６２の端部から離脱して、カバー部材７０の内面に付着する。すなわち、より短時間でホイル６２に捕捉されたデブリＤをカバー部材７０側に離脱させることができる。
そのため、放射線Ｒ１，Ｒ２の出射方向に進入するデブリＤも、ホイルトラップ６０の軸部材６１に近い側のホイル６２表面ではなく、軸部材６１より離れた遠い側のホイル６２表面に付着することになる。そのため、付着したデブリＤに作用する遠心力が大きくなるので、ホイル６２上を移動する液体状のデブリＤの移動速度が速くなり、当該デブリＤが速やかにホイル６２の端部から離脱して、カバー部材７０の内面に付着する。すなわち、より短時間でホイル６２に捕捉されたデブリＤをカバー部材７０側に離脱させることができる。
【0118】
さらに、図１に示すように、出射チャンバ５とホイルトラップ６０の背面部７０ｂとの間の空間に比較的高速なガスを放出可能なガスノズル７７を設けても良い。ガスノズル７７は、ホイルトラップ６０と出射チャンバ５との間に、出射チャンバ５から軸部材６１（回転体２２の表面２２ａの法線（ＮＡ）方向）に向かう気流の流れを形成するガス供給部（第１ガス供給部）として構成される。
【0119】
ガスノズル７７は、例えば、出射チャンバ５側から放射線診断部２９側へ向かうガスの流れを形成するようにチャンバ本体１４に設置される。ガスノズル７７からガスを放出することで、カバー部材７０の第２開口部７０２から外部に放出されるデブリ（ホイルトラップ６０で補足できなかったデブリ）が出射チャンバ５に入射するのを更に抑制することが可能となる。
また、ガスノズル７７から放出されたガスが、第２開口部７０２からカバー部材７０の内部へ進入することで、空間部７１の圧力を真空チャンバ３の圧力よりも高めて、空間部７１内へのデブリの進入を抑制する効果も期待できる。
また、ガスノズル７７から放出されたガスが、第２開口部７０２からカバー部材７０の内部へ進入することで、空間部７１の圧力を真空チャンバ３の圧力よりも高めて、空間部７１内へのデブリの進入を抑制する効果も期待できる。
【0120】
また、本実施形態のホイルトラップ６０においては、軸部材６１が、図４に示すように、回転体２２から出射チャンバ５へ向かって出射する放射線Ｒ１の主軸である第１の軸（出射軸ＥＡ）と、回転体２２から放射線診断部２９へ向かって出射する放射線Ｒ２の主軸である第２の軸との間の軸間領域に配置される。これにより、１つのホイルトラップ６０で、出射チャンバ５および放射線診断部２９へ向けて進行するデブリを同時に捕捉することができる。
【0121】
また、上述のように、ホイルトラップ６０のハブ６４は円錐台形状に形成されるため、ハブ６４の周面に取り付けられた複数のホイル６２は、軸部材６３の軸方向に対して回転体２２側に向かって所定角度傾斜するように配置される。上記所定角度は、図４に示すように、複数のホイル６２が、軸部材６１から上記第１の軸（放射線Ｒ１の主軸）および上記第２の軸（放射線Ｒ２の主軸）にそれぞれ直交する方向に延びる。これにより、各ホイル６２をプラズマＰの発光点に近づけることができるため、出射チャンバ５および放射線診断部２９へ向けて飛散するデブリの捕捉に必要な各ホイル６２の径方向への突出長を極力短くできる。その結果、ホイルトラップ６０の小型化を図ることができ、真空チャンバ３内の限られたスペースへのホイルトラップ６０の設置自由度を高めることができる。
【0122】
さらに本実施形態の光源装置１は、図１に示すように、プラズマ原料２３が塗布された回転体２２へ照射されるエネルギービームＥＢの光軸（入射軸ＩＡ）と、コレクタ３３側（出射チャンバ５側）に出射する放射線Ｒ（Ｘ線またはＥＵＶ）の光軸または主軸（出射軸ＥＡ）と、回転体２２のプラズマ原料２３が塗布された面２２ａに対する法線方向とは、全て互いに相違している。
【0123】
一般に平面上の液体原料がエネルギービームによって気化する際に放出される液体原料からなるデブリは、上記平面の法線方向に一番多く放出される。本実施の形態においては、上記したようにエネルギービームＥＢの光軸（入射軸ＩＡ）と、放射線Ｒの取出し方向の光軸（出射軸ＥＡ）と、上記法線方向とは全て互いに相違しているので、エネルギービームＥＢの入射チャンバ４側および出射チャンバ５側へのデブリの進入を抑制することが可能となる。
【0124】
更に、図１に示すように、本実施形態における光源装置１においては、互いに相違するエネルギービームＥＢの光軸（入射軸ＩＡ）と、放射線Ｒの光軸（出射軸ＥＡ）と、回転体２２の表面２２ａの法線方向（軸部材６１の軸方向）と相違し、上記３つの方向を横断する方向であって、上記法線方向に最後に到達するような方向に向かってガスを放出する、ガス供給部（第２のガス供給部）としてのガスノズル３７が設けられている。
ガスノズル３７からは比較的高速にガスが出射され、当該ガスは、エネルギービームＥＢの光軸（入射軸ＩＡ）、放射線Ｒの光軸（出射軸ＥＡ）を横断後に回転体２２の表面２２ａの法線方向に到達するので、上記ガスにより上記法線方向に放出されるデブリの少なくとも一部は、エネルギービームＥＢの光軸（入射軸ＩＡ）、放射線Ｒの光軸（出射軸ＥＡ）より遠ざかる方向に移動させられる。よって、エネルギービームＥＢの入射方向（入射チャンバ４側）、放射線Ｒの出射方向（出射チャンバ５側）へのデブリの入射を更に抑制することが可能となる。
ガスノズル３７からは比較的高速にガスが出射され、当該ガスは、エネルギービームＥＢの光軸（入射軸ＩＡ）、放射線Ｒの光軸（出射軸ＥＡ）を横断後に回転体２２の表面２２ａの法線方向に到達するので、上記ガスにより上記法線方向に放出されるデブリの少なくとも一部は、エネルギービームＥＢの光軸（入射軸ＩＡ）、放射線Ｒの光軸（出射軸ＥＡ）より遠ざかる方向に移動させられる。よって、エネルギービームＥＢの入射方向（入射チャンバ４側）、放射線Ｒの出射方向（出射チャンバ５側）へのデブリの入射を更に抑制することが可能となる。
【0125】
＜その他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
【0126】
例えば以上の実施形態では、ホイルトラップ６０の軸部材６１（回転軸）が回転体２２の表面２２ａの法線（ＮＡ）方向に平行に配置されたが、軸部材６１の位置は、出射チャンバ５へ進入する放射線Ｒ１の主軸（第１の軸、出射軸ＥＡ）と放射線診断部２９へ進入する放射線Ｒ２の主軸（第２の軸）との軸間距離であれば、特に限定されない。
【0127】
また以上の実施形態では、第１ガス供給部としてのガスノズル７７と、第２ガス供給部としてのガスノズル３７の双方を備えた光源装置１を例に挙げて説明したが、ホイルトラップ６０と第１ガス供給部としてのガスノズル７７から供給されるガスで出射チャンバ５へ進入するデブリの抑制効果が実現できる場合は、第２ガス供給部としてのガスノズル３７は省略されてもよい。この場合で、ガス注入路３２から出射チャンバ５へのガス供給も省略可能である。
【符号の説明】
【0128】
ＥＡ…放射線の出射軸
ＥＢ…エネルギービーム
ＩＡ…エネルギービームの入射軸
ＮＡ…回転体の表面の法線
Ｒ、Ｒ１，Ｒ２…放射線
１…光源装置
３…真空チャンバ
４…エネルギービーム入射チャンバ
５…放射線出射チャンバ
６…原料供給機構
１５…外側突出部
１７…内側突出部
２１…プラズマ生成領域
２２…回転体
２２ａ…回転体の表面
２３…プラズマ原料
２４…コンテナ
３７，７７…ガスノズル
６０…ホイルトラップ
６１…軸部材
６２…ホイル
６４…ハブ
７０…カバー部材
７１…空間部
７３…排出管
７０１…第１開口部
７０２…第２開口部
７０３…第３開口部
７０４…第４開口部
ＥＢ…エネルギービーム
ＩＡ…エネルギービームの入射軸
ＮＡ…回転体の表面の法線
Ｒ、Ｒ１，Ｒ２…放射線
１…光源装置
３…真空チャンバ
４…エネルギービーム入射チャンバ
５…放射線出射チャンバ
６…原料供給機構
１５…外側突出部
１７…内側突出部
２１…プラズマ生成領域
２２…回転体
２２ａ…回転体の表面
２３…プラズマ原料
２４…コンテナ
３７，７７…ガスノズル
６０…ホイルトラップ
６１…軸部材
６２…ホイル
６４…ハブ
７０…カバー部材
７１…空間部
７３…排出管
７０１…第１開口部
７０２…第２開口部
７０３…第３開口部
７０４…第４開口部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】