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公報発行日 2023年12月8
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2023-174725 ログイン済みの方はこのURLへ
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【課題】酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させると
共に信頼性を向上させる。
【解決手段】酸化物半導体膜を有する半導体装置であって、半導体装置は、第1の絶縁膜
と、第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜及び第3の絶
縁膜と、第2の絶縁膜上のゲート電極と、を有する。特に第2の絶縁膜は酸化窒化シリコ
ン膜を含み、酸素プラズマ処理によって過剰酸素を有することで、酸化物半導体膜への酸
素供給を効率良く行うことができる。
【選択図】図44
本発明の一態様により、酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、電気特性の変動
を抑制すると共に、信頼性を向上させることができる。または、本発明の一態様により、
新規な半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な表示
装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
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