(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023174828
(43)【公開日】2023-12-08
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 59/124 20230101AFI20231201BHJP
H10K 50/00 20230101ALI20231201BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20231201BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20231201BHJP
H10K 85/10 20230101ALI20231201BHJP
【ＦＩ】
H10K59/124
H10K50/00
H10K59/122
H10K59/10
H10K85/10
【審査請求】有
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023178807
(22)【出願日】2023-10-17
(62)【分割の表示】P 2021214316の分割
【原出願日】2021-12-28
(31)【優先権主張番号】P 2016054682
(32)【優先日】2016-03-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】神保 安弘
(72)【発明者】
【氏名】横山 浩平
(72)【発明者】
【氏名】玉造 祐樹
(72)【発明者】
【氏名】後藤 尚人
(72)【発明者】
【氏名】神長 正美
(72)【発明者】
【氏名】土橋 正佳
(72)【発明者】
【氏名】中田 昌孝
(72)【発明者】
【氏名】千田 章裕
(72)【発明者】
【氏名】千田 尚之
【テーマコード（参考）】
3K107
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC07
3K107CC14
3K107CC21
3K107CC33
3K107CC45
3K107DD89
3K107EE03
3K107FF15
(57)【要約】
【課題】作製歩留りの高い表示装置を提供する。隣接画素間の混色が抑制された表示装置
を提供する。
【解決手段】第１の画素電極と、第２の画素電極と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、
接着層とを有し、第１の絶縁層は、第１の開口部を有し、第２の絶縁層は、第２の開口部
を有し、第１の開口部及び第２の開口部は、第１の画素電極と、第２の画素電極の間に設
けられ、上面視において、第２の開口部の外周は、第１の開口部の外周より内側に位置し
、接着層は、第２の絶縁層より下部において第２の絶縁層と重畳する領域を有する表示装
置とする。
【選択図】図１
を提供する。
【解決手段】第１の画素電極と、第２の画素電極と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、
接着層とを有し、第１の絶縁層は、第１の開口部を有し、第２の絶縁層は、第２の開口部
を有し、第１の開口部及び第２の開口部は、第１の画素電極と、第２の画素電極の間に設
けられ、上面視において、第２の開口部の外周は、第１の開口部の外周より内側に位置し
、接着層は、第２の絶縁層より下部において第２の絶縁層と重畳する領域を有する表示装
置とする。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極を有する表示部を有し、
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する領域を有し、有機材料を有する第１の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、開口部を有し、
前記第２の絶縁層は、前記開口部と重なりを有し、且つ前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する領域を有する、表示装置。
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する領域を有し、有機材料を有する第１の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、開口部を有し、
前記第２の絶縁層は、前記開口部と重なりを有し、且つ前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する領域を有する、表示装置。
【請求項2】
基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極を有する表示部を有し、
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する領域を有し、有機材料を有する第１の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、開口部を有し、
前記第２の絶縁層は、前記開口部を覆い、且つ前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する領域を有する、表示装置。
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する領域を有し、有機材料を有する第１の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、開口部を有し、
前記第２の絶縁層は、前記開口部を覆い、且つ前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する領域を有する、表示装置。
【請求項3】
基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極を有する表示部を有し、
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する第１の領域を有し、有機材料を有する第１の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、前記第１の領域よりも膜厚の小さい第２の領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第２の領域と重なりを有し、且つ前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する領域を有する、表示装置。
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する第１の領域を有し、有機材料を有する第１の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、前記第１の領域よりも膜厚の小さい第２の領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第２の領域と重なりを有し、且つ前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する領域を有する、表示装置。
【請求項4】
請求項１又は２のいずれか一において、
前記第２の絶縁層の上方に位置するＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記第２の絶縁層を介して前記開口部と重なる領域を有する、表示装置。
前記第２の絶縁層の上方に位置するＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記第２の絶縁層を介して前記開口部と重なる領域を有する、表示装置。
【請求項5】
請求項３において、
前記第２の絶縁層の上方に位置するＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記第２の絶縁層を介して前記第２の領域との重なりを有する、表示装置。
前記第２の絶縁層の上方に位置するＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記第２の絶縁層を介して前記第２の領域との重なりを有する、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、表示装置に関する。
【0002】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方
法、を一例として挙げることができる。
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方
法、を一例として挙げることができる。
【0003】
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能し得る
装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態
様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池
等を含む。）、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。
装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態
様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池
等を含む。）、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。
【背景技術】
【0004】
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子や、液晶素子が適用され
た表示装置が知られている。また、その他にも、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ
Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などによ
り表示を行う電子ペーパなども、表示装置の一例として挙げることができる。
た表示装置が知られている。また、その他にも、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ
Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などによ
り表示を行う電子ペーパなども、表示装置の一例として挙げることができる。
【0005】
有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持し
たものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得
ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コン
トラストで、かつ低消費電力な表示装置を実現できる。
たものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得
ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コン
トラストで、かつ低消費電力な表示装置を実現できる。
【0006】
特許文献１には、有機ＥＬ素子が適用されたフレキシブルな発光装置が開示されている
。
。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開２０１４－１９７５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明の一態様は、作製歩留りの高い表示装置を提供することを課題の一とする。又は
、隣接画素間の混色が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。又は、色再
現性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。又は、厚さの薄い表示装置を提供
することを課題の一とする。又は、製造しやすい表示装置を提供することを課題の一とす
る。又は、消費電力が低減した表示装置を提供することを課題の一とする。又は、信頼性
の高い表示装置を提供することを課題の一とする。
、隣接画素間の混色が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。又は、色再
現性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。又は、厚さの薄い表示装置を提供
することを課題の一とする。又は、製造しやすい表示装置を提供することを課題の一とす
る。又は、消費電力が低減した表示装置を提供することを課題の一とする。又は、信頼性
の高い表示装置を提供することを課題の一とする。
【0009】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明
細書等の記載から抽出することが可能である。
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明
細書等の記載から抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の一態様は、第１の画素電極と、第２の画素電極と、第１の絶縁層と、第２の絶
縁層と、接着層と、を有し、第１の画素電極及び第２の画素電極は、第１の絶縁層上に設
けられ、第２の絶縁層は、第１の絶縁層、第１の画素電極及び第２の画素電極上に設けら
れ、接着層は、第１の絶縁層、第２の絶縁層、第１の画素電極及び第２の画素電極上に設
けられ、第１の絶縁層は、第１の開口部を有し、第１の開口部の底面は、第１の絶縁層の
底面よりも上部に位置し、第２の絶縁層は、第２の開口部を有し、第２の開口部は、第２
の絶縁層を貫通することで第１の開口部と一体となり、第１の開口部及び第２の開口部は
、第１の画素電極と、第２の画素電極の間に設けられ、上面視において、第２の開口部の
外周は、第１の開口部の外周より内側に位置し、接着層は、第２の絶縁層より下部におい
て第２の絶縁層と重畳する領域を有する、表示装置である。
縁層と、接着層と、を有し、第１の画素電極及び第２の画素電極は、第１の絶縁層上に設
けられ、第２の絶縁層は、第１の絶縁層、第１の画素電極及び第２の画素電極上に設けら
れ、接着層は、第１の絶縁層、第２の絶縁層、第１の画素電極及び第２の画素電極上に設
けられ、第１の絶縁層は、第１の開口部を有し、第１の開口部の底面は、第１の絶縁層の
底面よりも上部に位置し、第２の絶縁層は、第２の開口部を有し、第２の開口部は、第２
の絶縁層を貫通することで第１の開口部と一体となり、第１の開口部及び第２の開口部は
、第１の画素電極と、第２の画素電極の間に設けられ、上面視において、第２の開口部の
外周は、第１の開口部の外周より内側に位置し、接着層は、第２の絶縁層より下部におい
て第２の絶縁層と重畳する領域を有する、表示装置である。
【0011】
また、上記において、第２の絶縁層が、第１の絶縁層上で庇状に突出する部分の長さが
、０．０５μｍ以上５．０μｍ以下である表示装置も本発明の一態様である。
、０．０５μｍ以上５．０μｍ以下である表示装置も本発明の一態様である。
【0012】
また、上記において、上面視における第２の開口部の短辺の幅が、０．５μｍ以上２０
μｍ以下である表示装置も本発明の一態様である。
μｍ以下である表示装置も本発明の一態様である。
【0013】
また、第１の画素電極と、第２の画素電極と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、接着
層と、を有し、第１の画素電極及び第２の画素電極は、第１の絶縁層上に設けられ、第２
の絶縁層は、第１の絶縁層、第１の画素電極及び第２の画素電極上に設けられ、接着層は
、第２の絶縁層、第１の画素電極及び第２の画素電極上に設けられ、第１の絶縁層は、第
１の開口部を有し、第１の開口部は、その表面が第２の絶縁層で覆われ、第１の開口部の
底面は、第１の絶縁層の底面よりも上部に位置し、第１の開口部は、第１の画素電極と、
第２の画素電極の間に設けられ、第２の絶縁層は、第１の開口部における第２の絶縁層の
側面の上部で庇状に突出する第１の突出部を有し、接着層は、第１の突出部より下部にお
いて第２の絶縁層と重畳する領域を有する表示装置も本発明の一態様である。
層と、を有し、第１の画素電極及び第２の画素電極は、第１の絶縁層上に設けられ、第２
の絶縁層は、第１の絶縁層、第１の画素電極及び第２の画素電極上に設けられ、接着層は
、第２の絶縁層、第１の画素電極及び第２の画素電極上に設けられ、第１の絶縁層は、第
１の開口部を有し、第１の開口部は、その表面が第２の絶縁層で覆われ、第１の開口部の
底面は、第１の絶縁層の底面よりも上部に位置し、第１の開口部は、第１の画素電極と、
第２の画素電極の間に設けられ、第２の絶縁層は、第１の開口部における第２の絶縁層の
側面の上部で庇状に突出する第１の突出部を有し、接着層は、第１の突出部より下部にお
いて第２の絶縁層と重畳する領域を有する表示装置も本発明の一態様である。
【0014】
また、上記において、第１の突出部の長さが、０．０５μｍ以上５．０μｍ以下である
表示装置も本発明の一態様である。
表示装置も本発明の一態様である。
【0015】
また、上記において、第１の絶縁層が有機樹脂材料を含み、第２の絶縁層が無機絶縁性
材料を含む表示装置も、本発明の一態様である。
材料を含む表示装置も、本発明の一態様である。
【0016】
また、上記において、第１の絶縁層がアクリルを含み、第２の絶縁層が酸化窒化シリコ
ンを含む表示装置も、本発明の一態様である。
ンを含む表示装置も、本発明の一態様である。
【発明の効果】
【0017】
本発明の一態様によれば、作製歩留りの高い表示装置を提供できる。又は、隣接画素間
の混色が抑制された表示装置を提供できる。又は、色再現性の高い表示装置を提供できる
。又は、厚さの薄い表示装置を提供できる。又は、製造しやすい表示装置を提供できる。
又は、消費電力が低減した表示装置を提供できる。又は、信頼性の高い表示装置を提供で
きる。
の混色が抑制された表示装置を提供できる。又は、色再現性の高い表示装置を提供できる
。又は、厚さの薄い表示装置を提供できる。又は、製造しやすい表示装置を提供できる。
又は、消費電力が低減した表示装置を提供できる。又は、信頼性の高い表示装置を提供で
きる。
【0018】
なお、本発明の一態様は、必ずしもこれらの効果の全てを有する必要はない。なお、こ
れら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
れら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図2】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図3】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図4】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図5】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図6】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図7】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図8】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図9】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図10】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図11】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図12】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図13】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図14】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図15】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図16】実施の形態に係る、入力装置の構成例。
【図17】実施の形態に係る、入力装置が有する電極の構成例。
【図18】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図19】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図20】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図21】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図22】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図23】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図24】実施の形態に係る、入力装置の駆動方法例を説明する図。
【図25】実施の形態に係る、トランジスタの構成例。
【図26】実施の形態に係る、トランジスタの構成例。
【図27】実施の形態に係る、トランジスタの構成例。
【図28】実施の形態に係る、表示モジュールを説明する図。
【図29】実施の形態に係る、電子機器を説明する図。
【図30】実施の形態に係る、電子機器を説明する図。
【図31】実施の形態に係る、電子機器を説明する図。
【図32】実施の形態に係る、電子機器を説明する図。
【図33】実施の形態に係る、電子機器を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【0020】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限
定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に
変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に
変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0021】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【0022】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、又は領域は、明
瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない
。
瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない
。
【0023】
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
【0024】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。
【0025】
本発明の一態様の表示装置は、複数の画素（副画素）を有する。各画素は画素電極を含
む表示素子を有する。画素電極は第１の絶縁層上に設けられ、第２の絶縁層は画素電極及
び第１の絶縁層上に設けられる。また、第１の絶縁層、画素電極及び第２の絶縁層上には
接着層が設けられる。
む表示素子を有する。画素電極は第１の絶縁層上に設けられ、第２の絶縁層は画素電極及
び第１の絶縁層上に設けられる。また、第１の絶縁層、画素電極及び第２の絶縁層上には
接着層が設けられる。
【0026】
また、隣接する画素間において、第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、それぞれ開口部を
有する。第１の絶縁層に設けられた開口部（第１の開口部とする。）は、その底面が第１
の絶縁層の底面よりも上部に位置する。また第２の絶縁層に設けられた開口部（第２の開
口部とする。）は、第２の絶縁層を貫通することで第１の開口部と一体となっている。
有する。第１の絶縁層に設けられた開口部（第１の開口部とする。）は、その底面が第１
の絶縁層の底面よりも上部に位置する。また第２の絶縁層に設けられた開口部（第２の開
口部とする。）は、第２の絶縁層を貫通することで第１の開口部と一体となっている。
【0027】
表示装置は、例えば、一対の基板の間に表示素子、各絶縁層、及び接着層が挟持された
構成とすることができる。例えば、一方の基板には表示素子の画素電極等が設けられ、他
方の基板とこれらが接着層により貼り合わされた構成とすることができる。
構成とすることができる。例えば、一方の基板には表示素子の画素電極等が設けられ、他
方の基板とこれらが接着層により貼り合わされた構成とすることができる。
【0028】
上面視において、第２の開口部は、その外周が第１の開口部の外周より内側に位置する
。また、接着層は、第２の絶縁層より下部において第２の絶縁層と重畳する領域を有する
。好ましくは、第１の開口部及び第２の開口部の内部は接着層で満たされている。この場
合、隣接する画素間の断面視において、第１の開口部及び第２の開口部が一体となった開
口部に楔状（又はアンカー状又は両口ハンマー状）の接着層が嵌合する構成となる。
。また、接着層は、第２の絶縁層より下部において第２の絶縁層と重畳する領域を有する
。好ましくは、第１の開口部及び第２の開口部の内部は接着層で満たされている。この場
合、隣接する画素間の断面視において、第１の開口部及び第２の開口部が一体となった開
口部に楔状（又はアンカー状又は両口ハンマー状）の接着層が嵌合する構成となる。
【0029】
このような構成とすることで、第１の絶縁層及び第２の絶縁層と、接着層との密着性を
高めることができる。例えば、表示装置が表示素子としてＥＬ素子を有する場合、画素電
極、第１の絶縁層及び第２の絶縁層と、接着層の間にはＥＬ層及び導電膜が設けられる。
ＥＬ層と導電膜の界面の密着性が低いため、ＥＬ層と導電膜のそれぞれに両者が対向する
方向と逆向きの力がかかると、該界面を起点とする膜剥がれが生じる場合がある。該膜剥
がれは、特に、表示装置が可撓性を有する場合の表示装置の作製時に発生し得るが、表示
装置が上記の構成を有することで、該膜剥がれを抑制することができる。よって、信頼性
の高い表示装置とすることができる。
高めることができる。例えば、表示装置が表示素子としてＥＬ素子を有する場合、画素電
極、第１の絶縁層及び第２の絶縁層と、接着層の間にはＥＬ層及び導電膜が設けられる。
ＥＬ層と導電膜の界面の密着性が低いため、ＥＬ層と導電膜のそれぞれに両者が対向する
方向と逆向きの力がかかると、該界面を起点とする膜剥がれが生じる場合がある。該膜剥
がれは、特に、表示装置が可撓性を有する場合の表示装置の作製時に発生し得るが、表示
装置が上記の構成を有することで、該膜剥がれを抑制することができる。よって、信頼性
の高い表示装置とすることができる。
【0030】
また、このような構成とすることで、第１の開口部及び第２の開口部においてＥＬ層が
切断される又は極めて薄くなるため、隣接するＥＬ素子間のリーク電流を抑制することが
できる。すなわち、第１の開口部又は／及び第２の開口部は、隣接画素間の混色を抑制す
る機能を有するといえる。よって、色再現性の高い表示を行える表示装置とすることがで
きる。
切断される又は極めて薄くなるため、隣接するＥＬ素子間のリーク電流を抑制することが
できる。すなわち、第１の開口部又は／及び第２の開口部は、隣接画素間の混色を抑制す
る機能を有するといえる。よって、色再現性の高い表示を行える表示装置とすることがで
きる。
【0031】
表示素子としては、ＬＥＤやＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎ
ｇ Ｄｉｏｄｅ）、又はＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ－ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉ
ｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の、電流又は電圧によって素子が発する光の輝度を制御できる素子
を用いることができる。
ｇ Ｄｉｏｄｅ）、又はＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ－ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉ
ｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の、電流又は電圧によって素子が発する光の輝度を制御できる素子
を用いることができる。
【0032】
以下では、より具体的な構成例について、図面を参照して説明する。
【0033】
【0034】
表示装置１０は、表示部３２、回路３４、配線３５等を有する。基板２１には、例えば
、回路３４、配線３５、及び表示部３２、画素電極２３（図１（Ｂ）参照。）等が設けら
れる。また、図１（Ａ）では、基板２１上にＩＣ４３とＦＰＣ４２が実装されている例を
示している。
、回路３４、配線３５、及び表示部３２、画素電極２３（図１（Ｂ）参照。）等が設けら
れる。また、図１（Ａ）では、基板２１上にＩＣ４３とＦＰＣ４２が実装されている例を
示している。
【0035】
回路３４は、例えば、走査線駆動回路として機能する回路を用いることができる。
【0036】
配線３５は、表示部３２や回路３４に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や
電力は、ＦＰＣ４２を介して外部、又はＩＣ４３から配線３５に入力される。
電力は、ＦＰＣ４２を介して外部、又はＩＣ４３から配線３５に入力される。
【0037】
また、図１（Ａ）では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式等により、基板２
１にＩＣ４３が設けられている例を示している。ＩＣ４３は、例えば、走査線駆動回路、
又は信号線駆動回路などとしての機能を有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１０が
走査線駆動回路及び信号線駆動回路として機能する回路を備える場合や、走査線駆動回路
や信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、ＦＰＣ４２を介して表示装置１０を
駆動するための信号を入力する場合などでは、ＩＣ４３を設けない構成としてもよい。ま
た、ＩＣ４３を、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、ＦＰＣ４２に実装
してもよい。
１にＩＣ４３が設けられている例を示している。ＩＣ４３は、例えば、走査線駆動回路、
又は信号線駆動回路などとしての機能を有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１０が
走査線駆動回路及び信号線駆動回路として機能する回路を備える場合や、走査線駆動回路
や信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、ＦＰＣ４２を介して表示装置１０を
駆動するための信号を入力する場合などでは、ＩＣ４３を設けない構成としてもよい。ま
た、ＩＣ４３を、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、ＦＰＣ４２に実装
してもよい。
【0038】
［画素の構成例１］
〔画素の構成例１－１〕
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中に破線の丸で囲った表示部３２の一部である領域３２Ａを
拡大した上面図である。図１（Ｂ）には、表示部３２のうち説明に要する構成のみを示し
ている。
〔画素の構成例１－１〕
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中に破線の丸で囲った表示部３２の一部である領域３２Ａを
拡大した上面図である。図１（Ｂ）には、表示部３２のうち説明に要する構成のみを示し
ている。
【0039】
表示部３２には、複数の表示素子が有する画素電極２３がマトリクス状に配置されてい
る。また、隣接する２つの画素電極２３の間に、開口部１１及び開口部１２が配置されて
いる。開口部１２の外周は、開口部１１の外周よりも内側に位置する。図１（Ｂ）では、
絶縁層８２（図示しない。）に覆われている開口部１１の外周を破線で示し、開口部１２
の外周を実線で示している。また、絶縁層８２に覆われている画素電極２３の外周を破線
で示し、画素電極２３の絶縁層８２に覆われていない領域をハッチングで示している。
る。また、隣接する２つの画素電極２３の間に、開口部１１及び開口部１２が配置されて
いる。開口部１２の外周は、開口部１１の外周よりも内側に位置する。図１（Ｂ）では、
絶縁層８２（図示しない。）に覆われている開口部１１の外周を破線で示し、開口部１２
の外周を実線で示している。また、絶縁層８２に覆われている画素電極２３の外周を破線
で示し、画素電極２３の絶縁層８２に覆われていない領域をハッチングで示している。
【0040】
なお、本明細書において「開口部の外周」とは、該開口部を、上面視における面積が最
大となる平面で切り取った輪郭を指す。例えば、上面から底面に向かって空洞が末広がり
となる形状の開口部における外周とは、該開口部の底面の輪郭である。
大となる平面で切り取った輪郭を指す。例えば、上面から底面に向かって空洞が末広がり
となる形状の開口部における外周とは、該開口部の底面の輪郭である。
【0041】
開口部１１及び開口部１２は、異なる色に対応する２つの画素が有する２つの画素電極
２３の間に配置されていることが好ましい。また、開口部１１及び開口部１２は同じ色に
対応する２つの画素が有する２つの画素電極２３の間に配置されていてもよい。
２３の間に配置されていることが好ましい。また、開口部１１及び開口部１２は同じ色に
対応する２つの画素が有する２つの画素電極２３の間に配置されていてもよい。
【0042】
図２（Ａ）に、図１（Ｂ）中の切断線Ａ１－Ａ２に対応する断面の一例を示す。図２（
Ａ）には、隣接する２つの画素を含む領域の断面を示している。またここでは、表示素子
として、トップエミッション型の発光素子４０を適用した場合の例を示している。したが
って、基板３１側が表示面側となる。
Ａ）には、隣接する２つの画素を含む領域の断面を示している。またここでは、表示素子
として、トップエミッション型の発光素子４０を適用した場合の例を示している。したが
って、基板３１側が表示面側となる。
【0043】
表示装置１０は、基板２１と基板３１とが接着層３９で貼り合わされた構成を有してい
る。発光素子４０は、接着層３９によって封止されているともいえる。基板２１及び基板
３１は、可撓性を有していてもよい。この場合、表示装置１０は、可撓性を有する表示装
置である。
る。発光素子４０は、接着層３９によって封止されているともいえる。基板２１及び基板
３１は、可撓性を有していてもよい。この場合、表示装置１０は、可撓性を有する表示装
置である。
【0044】
基板２１上には、トランジスタ７０、発光素子４０等が設けられている。また、基板２
１上には、絶縁層７３、絶縁層８１、絶縁層８２等が設けられている。一方、基板３１の
基板２１と対向する面側には、着色層５１ａ、着色層５１ｂ、及び遮光層５２等が設けら
れている。着色層５１ａと着色層５１ｂは、それぞれ透過する光の波長域が異なる。
１上には、絶縁層７３、絶縁層８１、絶縁層８２等が設けられている。一方、基板３１の
基板２１と対向する面側には、着色層５１ａ、着色層５１ｂ、及び遮光層５２等が設けら
れている。着色層５１ａと着色層５１ｂは、それぞれ透過する光の波長域が異なる。
【0045】
トランジスタ７０は、ゲートとして機能する導電層７１、半導体層７２、ゲート絶縁層
として機能する絶縁層７３、ソース又はドレインの一方として機能する導電層７４ａ、ソ
ース又はドレインの他方として機能する導電層７４ｂ等を有する。
として機能する絶縁層７３、ソース又はドレインの一方として機能する導電層７４ａ、ソ
ース又はドレインの他方として機能する導電層７４ｂ等を有する。
【0046】
トランジスタ７０を覆って絶縁層８１が設けられている。また、絶縁層８１上に画素電
極２３が設けられている。画素電極２３と導電層７４ｂとは、絶縁層８１に設けられた開
口部を介して電気的に接続している。
極２３が設けられている。画素電極２３と導電層７４ｂとは、絶縁層８１に設けられた開
口部を介して電気的に接続している。
【0047】
画素電極２３の端部を覆って絶縁層８２が設けられている。絶縁層８２はテーパ形状を
有していることが好ましい。
有していることが好ましい。
【0048】
画素電極２３上には、ＥＬ層２４、及び導電層２５が設けられ、発光素子４０を構成し
ている。導電層２５の一部は、発光素子４０の共通電極として機能する。発光素子４０は
、画素電極２３と導電層２５に電位差を生じさせ、ＥＬ層２４に電流を流すことにより発
光する。
ている。導電層２５の一部は、発光素子４０の共通電極として機能する。発光素子４０は
、画素電極２３と導電層２５に電位差を生じさせ、ＥＬ層２４に電流を流すことにより発
光する。
【0049】
絶縁層８１には開口部１１が設けられ、絶縁層８２には開口部１２が設けられている。
開口部１１は、その底面が絶縁層８１の底面よりも上部に位置する。開口部１２は絶縁層
８２を貫通しており、開口部１１と一体になっている。
開口部１１は、その底面が絶縁層８１の底面よりも上部に位置する。開口部１２は絶縁層
８２を貫通しており、開口部１１と一体になっている。
【0050】
上面視において、開口部１２の外周が開口部１１の外周より内側にあるため（図１（Ｂ
）参照。）、断面視において、絶縁層８２は絶縁層８１上で庇状に突出する形状となって
いる（図２（Ａ）参照。）。また、開口部１１の内部が接着層３９で満たされているため
、接着層３９は、絶縁層８２より下部において絶縁層８２と重畳する領域を有する。よっ
て、図２（Ａ）に示す通り、接着層３９は断面視において、開口部１１及び開口部１２が
一体となった開口部に嵌合する楔状の領域１５を有する。
）参照。）、断面視において、絶縁層８２は絶縁層８１上で庇状に突出する形状となって
いる（図２（Ａ）参照。）。また、開口部１１の内部が接着層３９で満たされているため
、接着層３９は、絶縁層８２より下部において絶縁層８２と重畳する領域を有する。よっ
て、図２（Ａ）に示す通り、接着層３９は断面視において、開口部１１及び開口部１２が
一体となった開口部に嵌合する楔状の領域１５を有する。
【0051】
接着層３９が領域１５を有することで、絶縁層８１及び絶縁層８２と、接着層３９との
密着性を高めることができる。なお、開口部１１の内部が接着層３９で満たされているこ
とが好ましいが、接着層３９が絶縁層８２より下部において絶縁層８２と重畳する領域を
有していればこれに限られず、開口部１１の一部が空洞になっていてもよい。
密着性を高めることができる。なお、開口部１１の内部が接着層３９で満たされているこ
とが好ましいが、接着層３９が絶縁層８２より下部において絶縁層８２と重畳する領域を
有していればこれに限られず、開口部１１の一部が空洞になっていてもよい。
【0052】
ここで、可撓性を有する表示装置１０の作製方法の一例について説明する。該作製方法
は、例えば、以下の工程を有する。まず、一方の支持基板上にトランジスタ７０等を設け
、他方の支持基板に着色層（例えば、着色層５１ａ、着色層５１ｂ）等を設ける。次に、
一方の支持基板と他方の支持基板とを接着層３９を介して貼り合わせて加工部材を作製す
る。そして、支持基板を加工部材から剥離した後に可撓性を有する基板を貼り合わせる工
程を、一方の支持基板及び他方の支持基板の双方に対して行う。
は、例えば、以下の工程を有する。まず、一方の支持基板上にトランジスタ７０等を設け
、他方の支持基板に着色層（例えば、着色層５１ａ、着色層５１ｂ）等を設ける。次に、
一方の支持基板と他方の支持基板とを接着層３９を介して貼り合わせて加工部材を作製す
る。そして、支持基板を加工部材から剥離した後に可撓性を有する基板を貼り合わせる工
程を、一方の支持基板及び他方の支持基板の双方に対して行う。
【0053】
支持基板を加工部材から剥離する工程において、互いに密着性の弱い２つの膜が接して
設けられた積層構造を加工部材が有すると、該２つの膜の界面が剥がれてしまう現象（以
下、膜剥がれとも表記する。）が起こる場合がある。例えば、ＥＬ層２４及び導電層２５
は互いに密着性が弱いため、発光素子４０を有する表示装置１０を上記の作製方法で作製
すると、ＥＬ層２４及び導電層２５の間で膜剥がれが起こる場合があり、作製歩留りの低
下が懸念される。
設けられた積層構造を加工部材が有すると、該２つの膜の界面が剥がれてしまう現象（以
下、膜剥がれとも表記する。）が起こる場合がある。例えば、ＥＬ層２４及び導電層２５
は互いに密着性が弱いため、発光素子４０を有する表示装置１０を上記の作製方法で作製
すると、ＥＬ層２４及び導電層２５の間で膜剥がれが起こる場合があり、作製歩留りの低
下が懸念される。
【0054】
本発明の一態様の表示装置１０は、隣接する２つの画素が有する２つの画素電極２３の
間に領域１５を有する。このため、ＥＬ層２４及び導電層２５を上下から挟み込んでいる
絶縁層８１、絶縁層８２及び接着層３９の密着性が高く、上記の可撓性を有する表示装置
１０の作製方法において、ＥＬ層２４と導電層２５のそれぞれに両者が対向する方向と逆
向きの力がかかった場合に起こる膜剥がれを抑制することができる。すなわち、本発明の
一態様によって、作製歩留りの高い表示装置１０を提供できる。
間に領域１５を有する。このため、ＥＬ層２４及び導電層２５を上下から挟み込んでいる
絶縁層８１、絶縁層８２及び接着層３９の密着性が高く、上記の可撓性を有する表示装置
１０の作製方法において、ＥＬ層２４と導電層２５のそれぞれに両者が対向する方向と逆
向きの力がかかった場合に起こる膜剥がれを抑制することができる。すなわち、本発明の
一態様によって、作製歩留りの高い表示装置１０を提供できる。
【0055】
上記の膜剥がれを抑制する効果の大きさは、絶縁層８２が絶縁層８１上で庇状に突出す
る長さｄ１によって規定することができる（図１（Ｂ）、図２（Ａ）参照。）。ｄ１が大
きいほど該効果は大きくなるが、表示装置１０を精細度の高い表示装置とする場合には、
ｄ１を小さくすることが好ましい。
る長さｄ１によって規定することができる（図１（Ｂ）、図２（Ａ）参照。）。ｄ１が大
きいほど該効果は大きくなるが、表示装置１０を精細度の高い表示装置とする場合には、
ｄ１を小さくすることが好ましい。
【0056】
よって、例えば、長さｄ１を０．０５μｍ以上５．０μｍ以下、好ましくは０．１μｍ
以上１．０μｍ以下とすることで、上記の膜剥がれを効果的に抑制することができる。
以上１．０μｍ以下とすることで、上記の膜剥がれを効果的に抑制することができる。
【0057】
また、上記の膜剥がれを抑制する効果の大きさは、上面視における開口部１２の短辺の
幅ｄ２によって規定することができる（図１（Ｂ）、図２（Ａ）参照。）。表示装置１０
を精細度の高い表示装置とする場合には、ｄ２を小さくすることが好ましい。一方で、ｄ
２が小さすぎると、上記の表示装置１０の作製方法における支持基板を加工部材から剥離
する工程において、領域１５が開口部１２より上部の接着層３９から剥がれることで、該
効果が失われてしまう場合がある。
幅ｄ２によって規定することができる（図１（Ｂ）、図２（Ａ）参照。）。表示装置１０
を精細度の高い表示装置とする場合には、ｄ２を小さくすることが好ましい。一方で、ｄ
２が小さすぎると、上記の表示装置１０の作製方法における支持基板を加工部材から剥離
する工程において、領域１５が開口部１２より上部の接着層３９から剥がれることで、該
効果が失われてしまう場合がある。
【0058】
よって、例えば、幅ｄ２を０．５μｍ以上２０μｍ以下、好ましくは２．０μｍ以上１
０μｍ以下とすることで、上記の膜剥がれを効果的に抑制することができる。
０μｍ以下とすることで、上記の膜剥がれを効果的に抑制することができる。
【0059】
なお、図１（Ｂ）では、開口部１１及び開口部１２が、異なる色に対応する２つの隣接
する画素、すなわち、図１（Ｂ）のＸ方向に隣接する２つの画素が有する２つの画素電極
２３の間に設けられた例を示すが、これに限られない。開口部１１及び開口部１２が、図
１（Ｂ）のＹ方向に隣接する２つの画素電極２３の間に設けられていてもよい（図３（Ａ
）参照。）。また、開口部１１及び開口部１２が、Ｘ方向に隣接する２つと、そのそれぞ
れに対してＹ方向の同じ側に隣接する２つの、計４つの画素電極２３の間に設けられてい
てもよい（図３（Ｂ）参照。）。
する画素、すなわち、図１（Ｂ）のＸ方向に隣接する２つの画素が有する２つの画素電極
２３の間に設けられた例を示すが、これに限られない。開口部１１及び開口部１２が、図
１（Ｂ）のＹ方向に隣接する２つの画素電極２３の間に設けられていてもよい（図３（Ａ
）参照。）。また、開口部１１及び開口部１２が、Ｘ方向に隣接する２つと、そのそれぞ
れに対してＹ方向の同じ側に隣接する２つの、計４つの画素電極２３の間に設けられてい
てもよい（図３（Ｂ）参照。）。
【0060】
また、開口部１１及び開口部１２の上面形状は、矩形に限定されない。開口部１１及び
開口部１２は、多角形でもよく、ジグザグ形状やミアンダ形状、円や楕円などの任意の閉
曲線であってもよい。図４（Ａ）、図４（Ｂ）には、Ｘ方向に隣接する２つと、そのそれ
ぞれに対してＹ方向の同じ側に隣接する２つの、計４つの画素電極２３の間に設けられた
開口部１１及び開口部１２の上面形状がそれぞれ十字状、円である例を示す。なお、図４
（Ａ）、図４（Ｂ）に示した構成におけるｄ１、ｄ２の規定方法の一例を、それぞれ図に
示している。
開口部１２は、多角形でもよく、ジグザグ形状やミアンダ形状、円や楕円などの任意の閉
曲線であってもよい。図４（Ａ）、図４（Ｂ）には、Ｘ方向に隣接する２つと、そのそれ
ぞれに対してＹ方向の同じ側に隣接する２つの、計４つの画素電極２３の間に設けられた
開口部１１及び開口部１２の上面形状がそれぞれ十字状、円である例を示す。なお、図４
（Ａ）、図４（Ｂ）に示した構成におけるｄ１、ｄ２の規定方法の一例を、それぞれ図に
示している。
【0061】
図５（Ａ）には、Ｘ方向に隣接する２つの画素が有する２つの画素電極２３の間に、そ
れぞれ横に並んだ２つの矩形の開口部１１及び開口部１２が設けられる例を示す。また、
図５（Ｂ）には、Ｘ方向に隣接する２つの画素が有する２つの画素電極２３の間に設けら
れた開口部１１及び開口部１２の上面形状がミアンダ形状である例を示す。このような構
成とすることで、図１（Ｂ）と比較して、開口部１１及び開口部１２に要する面積を増や
さずに、絶縁層８２の庇部の面積（図１（Ｂ）等における開口部１１の外周及び開口部１
２の外周に囲まれた面積）を増やすことができる。よって、膜剥がれを抑制する効果をさ
らに大きくすることができる。
れぞれ横に並んだ２つの矩形の開口部１１及び開口部１２が設けられる例を示す。また、
図５（Ｂ）には、Ｘ方向に隣接する２つの画素が有する２つの画素電極２３の間に設けら
れた開口部１１及び開口部１２の上面形状がミアンダ形状である例を示す。このような構
成とすることで、図１（Ｂ）と比較して、開口部１１及び開口部１２に要する面積を増や
さずに、絶縁層８２の庇部の面積（図１（Ｂ）等における開口部１１の外周及び開口部１
２の外周に囲まれた面積）を増やすことができる。よって、膜剥がれを抑制する効果をさ
らに大きくすることができる。
【0062】
図２（Ａ）では、ＥＬ層２４と導電層２５を、複数の画素にわたって形成した場合の例
を示している。ＥＬ層２４は、画素電極２３の露出した部分以外に、絶縁層８２、及び絶
縁層８１上に設けられている。また、導電層２５は、ＥＬ層２４を覆って設けられている
。
を示している。ＥＬ層２４は、画素電極２３の露出した部分以外に、絶縁層８２、及び絶
縁層８１上に設けられている。また、導電層２５は、ＥＬ層２４を覆って設けられている
。
【0063】
ここで、ＥＬ層を含む発光素子を有する表示装置において、ＥＬ層を複数の画素にわた
って形成した場合、ＥＬ層が導電性の高い層を有すると、当該導電性の高い層を介して隣
接画素の発光素子に電流が流れてしまう場合がある。又は、ＥＬ層がドナー性の物質とア
クセプタ性の物質の両方を含む層を有する場合も同様である。その結果、本来発光しない
隣接の画素の発光素子が発光することにより、隣接画素間において混色が起き、表示装置
の色再現性が低下してしまうといった問題がある。このような現象をクロストークとも呼
ぶことができる。
って形成した場合、ＥＬ層が導電性の高い層を有すると、当該導電性の高い層を介して隣
接画素の発光素子に電流が流れてしまう場合がある。又は、ＥＬ層がドナー性の物質とア
クセプタ性の物質の両方を含む層を有する場合も同様である。その結果、本来発光しない
隣接の画素の発光素子が発光することにより、隣接画素間において混色が起き、表示装置
の色再現性が低下してしまうといった問題がある。このような現象をクロストークとも呼
ぶことができる。
【0064】
本発明の一態様の表示装置１０は、隣接する２つの画素の間に開口部（開口部１１及び
開口部１２）を有し、該開口において（具体的には、開口部１１の、絶縁層８２の庇状に
突出した部分の下面及び絶縁層８１の側面において）、２つの画素電極２３にわたって設
けられたＥＬ層２４が不連続となっている。よって、隣接画素間の混色を抑制することが
できるため、表示装置１０は色再現性の高い表示を行うことができる。
開口部１２）を有し、該開口において（具体的には、開口部１１の、絶縁層８２の庇状に
突出した部分の下面及び絶縁層８１の側面において）、２つの画素電極２３にわたって設
けられたＥＬ層２４が不連続となっている。よって、隣接画素間の混色を抑制することが
できるため、表示装置１０は色再現性の高い表示を行うことができる。
【0065】
なお、図２（Ａ）に示すように、発光素子４０の近傍でＥＬ層２４又は／及び導電層２
５が不連続となる部分があると、その部分から水分等がＥＬ層２４へ侵入することで、表
示装置１０の信頼性が低下する場合がある。よって、ＥＬ層２４への水分等の浸入を抑制
する絶縁層８３を、上記の不連続となる部分を覆うように導電層２５上に設けることが好
ましい（図２（Ｂ）参照。）。絶縁層８３は、例えば、開口部１１及び開口部１２が構成
するような奥行きのある凹凸を有する加工部材に対しても、成膜材料を回り込ませて成膜
できる原子層堆積法（ＡＬＤ法）を用いて形成することが好ましい。
５が不連続となる部分があると、その部分から水分等がＥＬ層２４へ侵入することで、表
示装置１０の信頼性が低下する場合がある。よって、ＥＬ層２４への水分等の浸入を抑制
する絶縁層８３を、上記の不連続となる部分を覆うように導電層２５上に設けることが好
ましい（図２（Ｂ）参照。）。絶縁層８３は、例えば、開口部１１及び開口部１２が構成
するような奥行きのある凹凸を有する加工部材に対しても、成膜材料を回り込ませて成膜
できる原子層堆積法（ＡＬＤ法）を用いて形成することが好ましい。
【0066】
隣接画素間の混色を抑制する効果の大きさは、例えば、隣接する２つの画素の間に設け
る開口部の大きさによって調節することができる。図１（Ｂ）では、開口部１２の長辺の
長さＬ１が、画素電極２３の絶縁層８２に覆われていない領域（図１（Ｂ）において、ハ
ッチングで示す領域）の長辺の長さＬ２よりも小さい例を示しているが、これに限られな
い。例えば、Ｌ１がＬ２より大きくてもよい（図６（Ａ）参照。）。また、図１（Ｂ）に
示す複数の開口部１１、開口部１２が、それぞれ長軸方向（図１（Ｂ）のＹ方向）に繋が
っていてもよい（図６（Ｂ）参照。）。
る開口部の大きさによって調節することができる。図１（Ｂ）では、開口部１２の長辺の
長さＬ１が、画素電極２３の絶縁層８２に覆われていない領域（図１（Ｂ）において、ハ
ッチングで示す領域）の長辺の長さＬ２よりも小さい例を示しているが、これに限られな
い。例えば、Ｌ１がＬ２より大きくてもよい（図６（Ａ）参照。）。また、図１（Ｂ）に
示す複数の開口部１１、開口部１２が、それぞれ長軸方向（図１（Ｂ）のＹ方向）に繋が
っていてもよい（図６（Ｂ）参照。）。
【0067】
また、開口部１１を図３（Ｂ）のように設け、開口部１２を図６（Ｂ）のように設けて
もよい。すなわち、開口部１１をＸ方向に隣接する２つと、そのそれぞれに対してＹ方向
の同じ側に隣接する２つの、計４つの画素電極２３の間に設け、開口部１２をＹ方向に延
伸するように設けてもよい（図７（Ａ）参照。）。
もよい。すなわち、開口部１１をＸ方向に隣接する２つと、そのそれぞれに対してＹ方向
の同じ側に隣接する２つの、計４つの画素電極２３の間に設け、開口部１２をＹ方向に延
伸するように設けてもよい（図７（Ａ）参照。）。
【0068】
図７（Ｂ）に、図７（Ａ）中の切断線Ｂ１－Ｂ２に対応する断面の一例を示す。図７（
Ｂ）は、開口部１１を有さない点で図２（Ａ）と異なる。図７（Ａ）、図７（Ｂ）に示す
構成では、Ｘ方向に隣接する２つの画素電極２３の間において、ＥＬ層２４及び導電層２
５のそれぞれが繋がっている。よって、図２（Ａ）に示す構成と比較して、表示装置１０
の信頼性を高めることができる。
Ｂ）は、開口部１１を有さない点で図２（Ａ）と異なる。図７（Ａ）、図７（Ｂ）に示す
構成では、Ｘ方向に隣接する２つの画素電極２３の間において、ＥＬ層２４及び導電層２
５のそれぞれが繋がっている。よって、図２（Ａ）に示す構成と比較して、表示装置１０
の信頼性を高めることができる。
【0069】
なお、ここでは、表示装置１０が、能動素子としてトランジスタ７０等を有するアクテ
ィブマトリクス型の表示装置の場合について説明するが、能動素子を有さないパッシブマ
トリクス型の表示装置とすることもできる。その場合、トランジスタ７０を設けずに、例
えば、画素電極２３と基板２１の間に位置する要素を省略した構成とすることができる。
ィブマトリクス型の表示装置の場合について説明するが、能動素子を有さないパッシブマ
トリクス型の表示装置とすることもできる。その場合、トランジスタ７０を設けずに、例
えば、画素電極２３と基板２１の間に位置する要素を省略した構成とすることができる。
【0070】
〔画素の構成例１－２〕
図８（Ａ）に、図１（Ｂ）と一部が異なる構成の表示部３２の一部である領域３２Ｂの
拡大図を示す。また、図８（Ｂ）に、図８（Ａ）中の切断線Ｃ１－Ｃ２に対応する断面の
一例を示す。図８（Ａ）に示す構成は、絶縁層８１に設けられる開口部の大きさが異なる
点、及び絶縁層８２に開口部が設けられない点において、図１（Ｂ）に示す構成と異なる
。図８（Ａ）に示す構成のうち、図１（Ｂ）と同様の構成については、図１（Ｂ）の説明
を参照できる。
図８（Ａ）に、図１（Ｂ）と一部が異なる構成の表示部３２の一部である領域３２Ｂの
拡大図を示す。また、図８（Ｂ）に、図８（Ａ）中の切断線Ｃ１－Ｃ２に対応する断面の
一例を示す。図８（Ａ）に示す構成は、絶縁層８１に設けられる開口部の大きさが異なる
点、及び絶縁層８２に開口部が設けられない点において、図１（Ｂ）に示す構成と異なる
。図８（Ａ）に示す構成のうち、図１（Ｂ）と同様の構成については、図１（Ｂ）の説明
を参照できる。
【0071】
【0072】
表示部３２には、複数の表示素子が有する画素電極２３がマトリクス状に配置されてい
る。隣接する２つの画素電極２３の間に、開口部１１Ａが配置されている。開口部１１Ａ
は、絶縁層８１に設けられた開口部を絶縁層８２が覆うことで形成される。また、絶縁層
８２は画素電極２３の端部を覆って設けられる（図８（Ｂ）参照。）。図８（Ａ）では、
開口部１１Ａの外周を破線で示している。
る。隣接する２つの画素電極２３の間に、開口部１１Ａが配置されている。開口部１１Ａ
は、絶縁層８１に設けられた開口部を絶縁層８２が覆うことで形成される。また、絶縁層
８２は画素電極２３の端部を覆って設けられる（図８（Ｂ）参照。）。図８（Ａ）では、
開口部１１Ａの外周を破線で示している。
【0073】
絶縁層８１に設けられる開口部の外周の一部は、上面視において、画素電極２３の端部
よりも内側に設けられる。よって、図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示す表示装置１０は、画素
電極２３の端部を覆う絶縁層８２が、開口部１１Ａにおける絶縁層８２の側面の上部で庇
状に突出した部分（図８（Ｂ）に示す突出部８２Ａ）を有する。
よりも内側に設けられる。よって、図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示す表示装置１０は、画素
電極２３の端部を覆う絶縁層８２が、開口部１１Ａにおける絶縁層８２の側面の上部で庇
状に突出した部分（図８（Ｂ）に示す突出部８２Ａ）を有する。
【0074】
開口部１１Ａの内部が接着層３９で満たされているため、接着層３９は突出部８２Ａよ
り下部において、絶縁層８２と重畳する領域を有する。よって、図８（Ｂ）に示す通り、
接着層３９は断面視において、開口部１１Ａに嵌合する楔状の領域１５Ａを有する。接着
層３９が領域１５Ａを有することで、絶縁層８２と接着層３９との密着性を高めることが
できる。
り下部において、絶縁層８２と重畳する領域を有する。よって、図８（Ｂ）に示す通り、
接着層３９は断面視において、開口部１１Ａに嵌合する楔状の領域１５Ａを有する。接着
層３９が領域１５Ａを有することで、絶縁層８２と接着層３９との密着性を高めることが
できる。
【0075】
また、ＥＬ層２４及び導電層２５を上下から挟み込んでいる絶縁層８２及び接着層３９
の密着性が高いことから、上述の可撓性を有する表示装置の作製方法における膜剥がれを
抑制することができる。すなわち、本発明の一態様によって、作製歩留りの高い表示装置
を提供できる。
の密着性が高いことから、上述の可撓性を有する表示装置の作製方法における膜剥がれを
抑制することができる。すなわち、本発明の一態様によって、作製歩留りの高い表示装置
を提供できる。
【0076】
上記の膜剥がれを抑制する効果の大きさは、突出部８２Ａの長さｄ３によって規定する
ことができる（図８（Ａ）、図８（Ｂ）参照。）。例えば、長さｄ３を０．０５μｍ以上
５．０μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以上１．０μｍ以下とすることで、上記の膜剥が
れを効果的に抑制することができる。
ことができる（図８（Ａ）、図８（Ｂ）参照。）。例えば、長さｄ３を０．０５μｍ以上
５．０μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以上１．０μｍ以下とすることで、上記の膜剥が
れを効果的に抑制することができる。
【0077】
また、開口部１１Ａにおいて（具体的には、開口部１１Ａの内部の、突出部８２Ａの下
面及び側面において）２つの画素電極２３に設けられたＥＬ層２４が不連続となっている
。よって、隣接画素間の混色を抑制することができるため、表示装置１０は色再現性の高
い表示を行うことができる。
面及び側面において）２つの画素電極２３に設けられたＥＬ層２４が不連続となっている
。よって、隣接画素間の混色を抑制することができるため、表示装置１０は色再現性の高
い表示を行うことができる。
【0078】
なお、開口部１１Ａの外周の一部が、上面視において画素電極２３の端部と概ね一致し
ていてもよい。又は、開口部１１Ａの外周が、画素電極２３の端部より外側に設けられて
いてもよい。図９（Ａ）に、画素電極２３の端部と外周の一部が概ね一致する開口部１１
Ｂが設けられた上面図の例を示す。また図９（Ｂ）に、図９（Ａ）中の切断線Ｄ１－Ｄ２
に対応する断面の一例を示す。図９（Ａ）では、画素電極２３の外周及び開口部１１Ｂの
外周をそれぞれ異なる破線で示している。
ていてもよい。又は、開口部１１Ａの外周が、画素電極２３の端部より外側に設けられて
いてもよい。図９（Ａ）に、画素電極２３の端部と外周の一部が概ね一致する開口部１１
Ｂが設けられた上面図の例を示す。また図９（Ｂ）に、図９（Ａ）中の切断線Ｄ１－Ｄ２
に対応する断面の一例を示す。図９（Ａ）では、画素電極２３の外周及び開口部１１Ｂの
外周をそれぞれ異なる破線で示している。
【0079】
このような構成とすることで、２つの画素電極２３の間に設けられた開口部１１Ｂにお
いて、ＥＬ層２４が不連続な部分をなくすことができるため、表示装置１０を信頼性の高
い表示装置とすることができる。
いて、ＥＬ層２４が不連続な部分をなくすことができるため、表示装置１０を信頼性の高
い表示装置とすることができる。
【0080】
また、開口部をＸ方向に隣接する２つの画素電極間、又は／及びＹ方向に隣接する２つ
の画素電極間に設ける例について上述したが、これに限られない。図１０（Ａ）に、表示
部３２において、絶縁層８１の画素電極２３が設けられていない領域に開口部１１Ａが設
けられた上面図の例を示す。また図１０（Ｂ）に、表示部３２において、絶縁層８１の画
素電極２３が設けられていない領域に開口部１１Ｂが設けられた上面図の例を示す。
の画素電極間に設ける例について上述したが、これに限られない。図１０（Ａ）に、表示
部３２において、絶縁層８１の画素電極２３が設けられていない領域に開口部１１Ａが設
けられた上面図の例を示す。また図１０（Ｂ）に、表示部３２において、絶縁層８１の画
素電極２３が設けられていない領域に開口部１１Ｂが設けられた上面図の例を示す。
【0081】
図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示す構成において、開口部１１Ａ及び開口部１１Ｂは、
画素電極２３をマスクとしてエッチングすることで形成できる。よって、これらのような
構成とすることで、表示装置１０の作製における工程数を削減することができる。なお、
図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示す切断線（切断線Ｃ１－Ｃ２、切断線Ｄ１－Ｄ２）に対
応する断面図は、それぞれ図８（Ｂ）、図９（Ｂ）と共通である。
画素電極２３をマスクとしてエッチングすることで形成できる。よって、これらのような
構成とすることで、表示装置１０の作製における工程数を削減することができる。なお、
図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示す切断線（切断線Ｃ１－Ｃ２、切断線Ｄ１－Ｄ２）に対
応する断面図は、それぞれ図８（Ｂ）、図９（Ｂ）と共通である。
【0082】
［画素の構成例２］
以下では、本発明の一態様の表示装置１０のより詳細な断面構成の例について説明する
。ここでは特に、表示素子にトップエミッション型の発光素子を適用した場合について説
明する。
以下では、本発明の一態様の表示装置１０のより詳細な断面構成の例について説明する
。ここでは特に、表示素子にトップエミッション型の発光素子を適用した場合について説
明する。
【0083】
〔画素の構成例２－１〕
図１１は、表示装置１０の断面概略図である。図１１では、図１（Ａ）におけるＦＰＣ
４２を含む領域、回路３４を含む領域、表示部３２を含む領域、表示装置１０の外周部を
含む領域などの断面の一例を示している。
図１１は、表示装置１０の断面概略図である。図１１では、図１（Ａ）におけるＦＰＣ
４２を含む領域、回路３４を含む領域、表示部３２を含む領域、表示装置１０の外周部を
含む領域などの断面の一例を示している。
【0084】
基板２１と基板３１とは、接着層１４１によって貼り合わされている。また、接着層１
４１の一部は、発光素子４０を封止する機能を有する。また、基板３１の外側の面には、
偏光板１３０を有することが好ましい。
４１の一部は、発光素子４０を封止する機能を有する。また、基板３１の外側の面には、
偏光板１３０を有することが好ましい。
【0085】
基板２１には、発光素子４０、トランジスタ２０１、トランジスタ２０２、トランジス
タ２０５、容量素子２０３、端子部２０４、配線３５等が設けられている。また基板３１
側には、着色層１３１ａ、遮光層１３２等が設けられている。発光素子４０は、導電層１
１１、ＥＬ層１１２及び導電層１１３が積層された構造を有している。導電層１１１の一
部は画素電極として機能し、導電層１１３の一部は共通電極として機能する。発光素子４
０は、基板３１側に光を発するトップエミッション型の発光素子である。
タ２０５、容量素子２０３、端子部２０４、配線３５等が設けられている。また基板３１
側には、着色層１３１ａ、遮光層１３２等が設けられている。発光素子４０は、導電層１
１１、ＥＬ層１１２及び導電層１１３が積層された構造を有している。導電層１１１の一
部は画素電極として機能し、導電層１１３の一部は共通電極として機能する。発光素子４
０は、基板３１側に光を発するトップエミッション型の発光素子である。
【0086】
図１１では、表示部３２の例として、１つの副画素を含む断面を示している。例えば、
副画素は、トランジスタ２０２と、容量素子２０３と、トランジスタ２０５と、発光素子
４０と、着色層１３１ａを有する。例えば、トランジスタ２０２は、スイッチング用のト
ランジスタ（選択トランジスタ）であり、トランジスタ２０５は、発光素子４０に流れる
電流を制御するためのトランジスタ（駆動トランジスタ）である。
副画素は、トランジスタ２０２と、容量素子２０３と、トランジスタ２０５と、発光素子
４０と、着色層１３１ａを有する。例えば、トランジスタ２０２は、スイッチング用のト
ランジスタ（選択トランジスタ）であり、トランジスタ２０５は、発光素子４０に流れる
電流を制御するためのトランジスタ（駆動トランジスタ）である。
【0087】
また、図１１では、回路３４の例として、トランジスタ２０１を含む断面を示している
。
。
【0088】
表示装置１０が有する着色層（着色層１３１ａを含む。）として、それぞれ異なる色の
光を透過する複数の材料を用いることができる。例えば、赤色を呈する副画素、緑色を呈
する副画素、青色を呈する副画素を配列することで、フルカラーの表示を行うことができ
る。
光を透過する複数の材料を用いることができる。例えば、赤色を呈する副画素、緑色を呈
する副画素、青色を呈する副画素を配列することで、フルカラーの表示を行うことができ
る。
【0089】
基板２１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁層２１４、絶縁層
８１、絶縁層８２等の絶縁層が設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジ
スタ（トランジスタ２０１、トランジスタ２０２、トランジスタ２０５等）のゲート絶縁
層として機能し、他の一部が容量素子２０３の誘電体として機能する。絶縁層２１２、絶
縁層２１３、及び絶縁層２１４は、各トランジスタや容量素子２０３等を覆って設けられ
ている。絶縁層２１４は、平坦化層としての機能を有する。なお、ここではトランジスタ
等を覆う絶縁層として、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁層２１４の３層を有する場合
を示しているが、これに限られず４層以上であってもよいし、単層、又は２層であっても
よい。また、平坦化層として機能する絶縁層２１４は、不要であれば設けなくてもよい。
絶縁層８１は、導電層２２４を覆って設けられている。絶縁層８１は、平坦化層としての
機能を有していてもよい。絶縁層８２は、導電層１１１の端部や、導電層１１１と導電層
２２４とを電気的に接続するコンタクト部等を覆って設けられている。
８１、絶縁層８２等の絶縁層が設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジ
スタ（トランジスタ２０１、トランジスタ２０２、トランジスタ２０５等）のゲート絶縁
層として機能し、他の一部が容量素子２０３の誘電体として機能する。絶縁層２１２、絶
縁層２１３、及び絶縁層２１４は、各トランジスタや容量素子２０３等を覆って設けられ
ている。絶縁層２１４は、平坦化層としての機能を有する。なお、ここではトランジスタ
等を覆う絶縁層として、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁層２１４の３層を有する場合
を示しているが、これに限られず４層以上であってもよいし、単層、又は２層であっても
よい。また、平坦化層として機能する絶縁層２１４は、不要であれば設けなくてもよい。
絶縁層８１は、導電層２２４を覆って設けられている。絶縁層８１は、平坦化層としての
機能を有していてもよい。絶縁層８２は、導電層１１１の端部や、導電層１１１と導電層
２２４とを電気的に接続するコンタクト部等を覆って設けられている。
【0090】
また、絶縁層８１及び絶縁層８２には、それぞれ開口部１１及び開口部１２が設けられ
ている。上面視において、開口部１２の外周は開口部１１の外周より内側にある。開口部
１１及び開口部１２は一体となり、断面視において、楔状の開口部を形成している。該開
口部の内部は、接着層１４１で満たされている。
ている。上面視において、開口部１２の外周は開口部１１の外周より内側にある。開口部
１１及び開口部１２は一体となり、断面視において、楔状の開口部を形成している。該開
口部の内部は、接着層１４１で満たされている。
【0091】
絶縁層８１及び絶縁層８２としては、それぞれ異なる絶縁性材料を用いることが好まし
い。具体的には、絶縁層８１及び絶縁層８２として、エッチングの選択比（時間当たりの
膜減り量）が異なる絶縁性材料の組み合わせを選ぶことが好ましい。より具体的には、例
えば、絶縁層８１はアクリルやポリイミド等の有機樹脂材料を含み、絶縁層８２は酸化窒
化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁性材料を含む。
い。具体的には、絶縁層８１及び絶縁層８２として、エッチングの選択比（時間当たりの
膜減り量）が異なる絶縁性材料の組み合わせを選ぶことが好ましい。より具体的には、例
えば、絶縁層８１はアクリルやポリイミド等の有機樹脂材料を含み、絶縁層８２は酸化窒
化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁性材料を含む。
【0092】
絶縁層８２に開口部１２を形成した後、エッチングが深さ方向だけでなく面方向にも進
行し、かつ無機材料に対する有機樹脂材料の選択比の高いエッチングを行うことで、開口
部１２よりも外周が大きい開口部１１を絶縁層８１に形成できる。該エッチングの一例と
しては、酸素プラズマを用いたアッシングが挙げられる。
行し、かつ無機材料に対する有機樹脂材料の選択比の高いエッチングを行うことで、開口
部１２よりも外周が大きい開口部１１を絶縁層８１に形成できる。該エッチングの一例と
しては、酸素プラズマを用いたアッシングが挙げられる。
【0093】
なお、該エッチングは等方性を有することが好ましい。該エッチングが等方性を有する
ことで、開口部１２より外周が大きい開口部１１を、より小さい深さで形成することがで
きる。よって、絶縁層８１の膜厚を薄くすることができる。
ことで、開口部１２より外周が大きい開口部１１を、より小さい深さで形成することがで
きる。よって、絶縁層８１の膜厚を薄くすることができる。
【0094】
また、トランジスタ２０１、トランジスタ２０２、及びトランジスタ２０５は、一部が
ゲート電極として機能する導電層２２１、一部がソース電極又はドレイン電極として機能
する導電層２２２、半導体層２３１を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られ
る複数の層に同じハッチングパターンを付している。
ゲート電極として機能する導電層２２１、一部がソース電極又はドレイン電極として機能
する導電層２２２、半導体層２３１を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られ
る複数の層に同じハッチングパターンを付している。
【0095】
図１１では、容量素子２０３が、トランジスタ２０５のゲート電極として機能する導電
層２２１の一部と、絶縁層２１１の一部と、トランジスタ２０５のソース電極又はドレイ
ン電極として機能する導電層２２２の一部により構成されている例を示している。
層２２１の一部と、絶縁層２１１の一部と、トランジスタ２０５のソース電極又はドレイ
ン電極として機能する導電層２２２の一部により構成されている例を示している。
【0096】
トランジスタ２０２の一対の導電層２２２のうち、容量素子２０３と電気的に接続され
ていない方の導電層２２２は、信号線の一部として機能する。また、トランジスタ２０２
のゲート電極として機能する導電層２２１は、走査線の一部として機能する。
ていない方の導電層２２２は、信号線の一部として機能する。また、トランジスタ２０２
のゲート電極として機能する導電層２２１は、走査線の一部として機能する。
【0097】
図１１では、トランジスタ２０２の例として、１つのゲート電極を有するトランジスタ
を示している。また、トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネル領域が
形成される半導体層２３１を２つのゲート電極（導電層２２１及び導電層２２３）で挟持
したトランジスタを示している。このように、２つのゲート電極を有するトランジスタは
、その閾値電圧をより確実に制御することができる。また、２つのゲート電極を接続する
などし、これらに同一の信号を供給することにより、トランジスタを駆動してもよい。こ
のようなトランジスタは、他のトランジスタと比較してオン電流を増大させることができ
、電界効果移動度を高めることができる。その結果、高速動作が可能な回路を作製するこ
とができる。さらには、回路の占有面積を縮小することができる。オン電流の大きなトラ
ンジスタを適用することで、表示装置を大型化、又は高精細化したときに、配線数が増大
したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能である。これにより、例え
ば、表示ムラを改善することができる。
を示している。また、トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネル領域が
形成される半導体層２３１を２つのゲート電極（導電層２２１及び導電層２２３）で挟持
したトランジスタを示している。このように、２つのゲート電極を有するトランジスタは
、その閾値電圧をより確実に制御することができる。また、２つのゲート電極を接続する
などし、これらに同一の信号を供給することにより、トランジスタを駆動してもよい。こ
のようなトランジスタは、他のトランジスタと比較してオン電流を増大させることができ
、電界効果移動度を高めることができる。その結果、高速動作が可能な回路を作製するこ
とができる。さらには、回路の占有面積を縮小することができる。オン電流の大きなトラ
ンジスタを適用することで、表示装置を大型化、又は高精細化したときに、配線数が増大
したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能である。これにより、例え
ば、表示ムラを改善することができる。
【0098】
なお、回路３４が有するトランジスタ（トランジスタ２０１等）と、表示部３２が有す
るトランジスタ（トランジスタ２０２、トランジスタ２０５等）は、同じ構造であっても
よい。また、回路３４が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、
異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。また、表示部３２が有する複数
のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合
わせて用いてもよい。
るトランジスタ（トランジスタ２０２、トランジスタ２０５等）は、同じ構造であっても
よい。また、回路３４が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、
異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。また、表示部３２が有する複数
のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合
わせて用いてもよい。
【0099】
各トランジスタを覆う絶縁層２１２及び絶縁層２１３のうち、少なくとも一方は、水や
水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。このような絶縁層は、バ
リア膜として機能させることができる。これにより、各トランジスタに対して、外部から
不純物が拡散することを効果的に抑制することができ、信頼性の高い表示装置１０を実現
できる。
水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。このような絶縁層は、バ
リア膜として機能させることができる。これにより、各トランジスタに対して、外部から
不純物が拡散することを効果的に抑制することができ、信頼性の高い表示装置１０を実現
できる。
【0100】
絶縁層２１４上に設けられた導電層２２４は、配線としての機能を有する。導電層２２
４は、絶縁層２１４、絶縁層２１３、及び絶縁層２１２に設けられた開口を介してトラン
ジスタ２０５のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。また、絶縁層８１
上に、画素電極として機能する導電層１１１が設けられている。導電層１１１は、絶縁層
８１に設けられた開口を介して、導電層２２４の一つと電気的に接続されている。図１１
では、導電層１１１が、導電層２２４を介してトランジスタ２０５のソース又はドレイン
の一方と電気的に接続されている。
４は、絶縁層２１４、絶縁層２１３、及び絶縁層２１２に設けられた開口を介してトラン
ジスタ２０５のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。また、絶縁層８１
上に、画素電極として機能する導電層１１１が設けられている。導電層１１１は、絶縁層
８１に設けられた開口を介して、導電層２２４の一つと電気的に接続されている。図１１
では、導電層１１１が、導電層２２４を介してトランジスタ２０５のソース又はドレイン
の一方と電気的に接続されている。
【0101】
導電層１１１の端部を覆って、絶縁層８２が設けられている。ＥＬ層１１２は、導電層
１１１、絶縁層８１及び絶縁層８２上に設けられている。また、導電層１１３は、ＥＬ層
１１２を覆って設けられている。また、２つの導電層１１１にわたって設けられたＥＬ層
１１２及び導電層１１３のそれぞれは、開口部１１において不連続となっている。
１１１、絶縁層８１及び絶縁層８２上に設けられている。また、導電層１１３は、ＥＬ層
１１２を覆って設けられている。また、２つの導電層１１１にわたって設けられたＥＬ層
１１２及び導電層１１３のそれぞれは、開口部１１において不連続となっている。
【0102】
発光素子４０において、導電層１１１には可視光を反射する材料を用い、導電層１１３
には可視光を透過する材料を用いる。このような構成により、基板３１側に光を発するト
ップエミッション型の発光素子とすることができる。トップエミッション型の発光素子は
、その下側にトランジスタや容量素子などの素子を配置することが可能であるため、開口
率を高めることができる。なお、導電層１１１及び導電層１１３の両方に可視光を透過す
る材料を用いることで、基板３１側と基板２１側の両方に光を発するデュアルエミッショ
ン型の発光素子としてもよい。
には可視光を透過する材料を用いる。このような構成により、基板３１側に光を発するト
ップエミッション型の発光素子とすることができる。トップエミッション型の発光素子は
、その下側にトランジスタや容量素子などの素子を配置することが可能であるため、開口
率を高めることができる。なお、導電層１１１及び導電層１１３の両方に可視光を透過す
る材料を用いることで、基板３１側と基板２１側の両方に光を発するデュアルエミッショ
ン型の発光素子としてもよい。
【0103】
また、発光素子４０として、白色を呈する発光素子を好適に用いることができる。こう
することで、異なる色に対応する副画素間で発光素子４０を作り分ける必要がないため、
極めて高精細な表示装置１０を実現できる。このとき、発光素子４０からの光は、着色層
１３１ａ等を透過する際に、特定の波長領域以外の光が吸収される。これにより、取り出
される光は、例えば、赤色を呈する光となる。
することで、異なる色に対応する副画素間で発光素子４０を作り分ける必要がないため、
極めて高精細な表示装置１０を実現できる。このとき、発光素子４０からの光は、着色層
１３１ａ等を透過する際に、特定の波長領域以外の光が吸収される。これにより、取り出
される光は、例えば、赤色を呈する光となる。
【0104】
また、導電層１１１に可視光を反射する材料を用い、導電層１１３に可視光に対して半
透過、半反射性を有する材料を用い、さらに導電層１１１と導電層１１３の間に、可視光
を透過する光学調整層を設けることで、マイクロキャビティ構造を有する発光素子４０と
してもよい。このとき、異なる色に対応する複数の副画素のそれぞれに対して、光学調整
層の厚さを調整すればよい。また、光学調整層を有する副画素と、光学調整層を有さない
副画素を混在させてもよい。
透過、半反射性を有する材料を用い、さらに導電層１１１と導電層１１３の間に、可視光
を透過する光学調整層を設けることで、マイクロキャビティ構造を有する発光素子４０と
してもよい。このとき、異なる色に対応する複数の副画素のそれぞれに対して、光学調整
層の厚さを調整すればよい。また、光学調整層を有する副画素と、光学調整層を有さない
副画素を混在させてもよい。
【0105】
基板３１の基板２１側の面には遮光層１３２が設けられ、遮光層１３２の端部及び遮光
層１３２の開口を覆って着色層１３１ａ等が設けられている。着色層１３１ａ等は、それ
ぞれ発光素子４０と重ねて配置されている。また、遮光層１３２は、その一部が領域１５
と重ねて配置されている。
層１３２の開口を覆って着色層１３１ａ等が設けられている。着色層１３１ａ等は、それ
ぞれ発光素子４０と重ねて配置されている。また、遮光層１３２は、その一部が領域１５
と重ねて配置されている。
【0106】
図１１では、基板３１の基板２１側とは反対側の面に、偏光板１３０を設ける例を示し
ている。偏光板１３０としては、円偏光板を用いることが好ましい。円偏光板としては、
例えば、直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。これに
より、表示部３２に設けられる反射性の部材（例えば、導電層１１１等）の外光の反射を
抑制することができる。
ている。偏光板１３０としては、円偏光板を用いることが好ましい。円偏光板としては、
例えば、直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。これに
より、表示部３２に設けられる反射性の部材（例えば、導電層１１１等）の外光の反射を
抑制することができる。
【0107】
図１１では、発光素子４０を接着層１４１で封止する例を示している。接着層１４１に
空気よりも屈折率の大きい材料を用いることにより、発光素子４０と基板３１の間に空間
を有する場合に比べて、発光素子４０からの光の取り出し効率を高めることができる。
空気よりも屈折率の大きい材料を用いることにより、発光素子４０と基板３１の間に空間
を有する場合に比べて、発光素子４０からの光の取り出し効率を高めることができる。
【0108】
なお、接着層１４１を表示部３２の周囲に配置する、いわゆる中空封止構造としてもよ
い。このとき、基板２１、基板３１、及び接着層１４１により形成される空間は、空気が
充填されていてもよいが、希ガスや窒素ガスなどの不活性ガスが充填されていることが好
ましい。また、定常状態において空間が大気圧に対して減圧であると、使用環境（例えば
、気圧や温度）により空間が膨張し、基板２１又は基板３１が膨らんでしまうことを抑制
できる。一方、空間が大気圧に対して陽圧であると、水分などの不純物が基板２１、基板
３１、接着層１４１、又はこれらの隙間から当該空間に拡散することを抑制できる。
い。このとき、基板２１、基板３１、及び接着層１４１により形成される空間は、空気が
充填されていてもよいが、希ガスや窒素ガスなどの不活性ガスが充填されていることが好
ましい。また、定常状態において空間が大気圧に対して減圧であると、使用環境（例えば
、気圧や温度）により空間が膨張し、基板２１又は基板３１が膨らんでしまうことを抑制
できる。一方、空間が大気圧に対して陽圧であると、水分などの不純物が基板２１、基板
３１、接着層１４１、又はこれらの隙間から当該空間に拡散することを抑制できる。
【0109】
基板２１の端部に近い領域には、端子部２０４が設けられている。端子部２０４は、接
続層２４２を介してＦＰＣ４２と電気的に接続されている。図１１に示す構成では、配線
３５の一部と、導電層１１１を積層することで端子部２０４を構成する例を示している。
続層２４２を介してＦＰＣ４２と電気的に接続されている。図１１に示す構成では、配線
３５の一部と、導電層１１１を積層することで端子部２０４を構成する例を示している。
【0110】
また、図１１には、表示装置１０の外周部を含む領域の断面の一例を示している。表示
装置１０の外周部において、絶縁層２１４及び絶縁層８１に開口部２１９が設けられる。
開口部２１９は、上面視において、表示部３２を囲うように設けられる。
装置１０の外周部において、絶縁層２１４及び絶縁層８１に開口部２１９が設けられる。
開口部２１９は、上面視において、表示部３２を囲うように設けられる。
【0111】
アクリル、ポリイミドなどの有機樹脂はコーターなどで基板上に塗布することで形成で
きるため、平坦性の高い膜を得ることができる。そのため、該有機樹脂を絶縁層２１４及
び絶縁層８１に好適に用いることができる。一方で、該有機樹脂は無機絶縁性材料と比べ
て透水性が高い。よって、表示部３２を囲うように開口部２１９を設けることで、表示部
３２の内部に水などの不純物が混入するのを抑制することができ、表示装置１０を信頼性
の高い表示装置とすることができる。
きるため、平坦性の高い膜を得ることができる。そのため、該有機樹脂を絶縁層２１４及
び絶縁層８１に好適に用いることができる。一方で、該有機樹脂は無機絶縁性材料と比べ
て透水性が高い。よって、表示部３２を囲うように開口部２１９を設けることで、表示部
３２の内部に水などの不純物が混入するのを抑制することができ、表示装置１０を信頼性
の高い表示装置とすることができる。
【0112】
なお、絶縁層８２として上記の有機樹脂材料を用いる場合は、絶縁層８２にも開口部２
１９と重畳する領域に開口部を設けることが好ましい。また、例えば、絶縁層２１４、絶
縁層８１として透水性の低い材料を用いる場合は、開口部２１９を設けなくてもよい。
１９と重畳する領域に開口部を設けることが好ましい。また、例えば、絶縁層２１４、絶
縁層８１として透水性の低い材料を用いる場合は、開口部２１９を設けなくてもよい。
【0113】
以上が、画素の構成例２－１についての説明である。
【0114】
【0115】
【0116】
絶縁層１７３及び絶縁層１８３は、水などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが
好ましい。
好ましい。
【0117】
図１２に示す表示装置１０は、絶縁層１７３及び絶縁層１８３によって、各トランジス
タ（トランジスタ２０１、トランジスタ２０２、トランジスタ２０５等）や発光素子４０
が挟まれた構成を有している。これにより、基板１７１、基板１８１、接着層１７２、接
着層１８２等に水や水素などの不純物を拡散しやすい材料を用いた場合であっても、これ
らより内側（各トランジスタや発光素子４０側）に位置する絶縁層１７３や絶縁層１８３
により、これらの不純物が、絶縁層１７３や絶縁層１８３の内側に拡散することが抑制さ
れるため、表示装置１０の信頼性を高めることができる。また、基板１７１、基板１８１
、接着層１７２、接着層１８２等の材料を選択する際に、不純物の拡散性を考慮する必要
がないため、様々な材料を用いることができる。
タ（トランジスタ２０１、トランジスタ２０２、トランジスタ２０５等）や発光素子４０
が挟まれた構成を有している。これにより、基板１７１、基板１８１、接着層１７２、接
着層１８２等に水や水素などの不純物を拡散しやすい材料を用いた場合であっても、これ
らより内側（各トランジスタや発光素子４０側）に位置する絶縁層１７３や絶縁層１８３
により、これらの不純物が、絶縁層１７３や絶縁層１８３の内側に拡散することが抑制さ
れるため、表示装置１０の信頼性を高めることができる。また、基板１７１、基板１８１
、接着層１７２、接着層１８２等の材料を選択する際に、不純物の拡散性を考慮する必要
がないため、様々な材料を用いることができる。
【0118】
また、図１２では、表示装置１０が外周部に開口部２１９を有さない例を示している。
【0119】
〔作製方法例〕
ここで、可撓性を有する表示装置を作製する方法について説明する。
ここで、可撓性を有する表示装置を作製する方法について説明する。
【0120】
ここでは、便宜上、画素や回路を含む積層構造、着色層（カラーフィルタ）等の光学部
材を含む積層構造、及びタッチセンサを構成する電極や配線を含む積層構造等を、まとめ
て素子層と呼ぶこととする。素子層は、例えば、表示素子を含み、表示素子の他に表示素
子と電気的に接続する配線、画素や回路に用いるトランジスタなどの素子を備えていても
よい。
材を含む積層構造、及びタッチセンサを構成する電極や配線を含む積層構造等を、まとめ
て素子層と呼ぶこととする。素子層は、例えば、表示素子を含み、表示素子の他に表示素
子と電気的に接続する配線、画素や回路に用いるトランジスタなどの素子を備えていても
よい。
【0121】
また、ここでは、最終的に素子層を支持し、可撓性を有する部材（例えば、図１２にお
ける基板１７１、基板１８１等）のことを、基板と呼ぶこととする。例えば、基板には、
厚さが１０ｎｍ以上２００μｍ以下の、極めて薄いフィルムも含まれる。
ける基板１７１、基板１８１等）のことを、基板と呼ぶこととする。例えば、基板には、
厚さが１０ｎｍ以上２００μｍ以下の、極めて薄いフィルムも含まれる。
【0122】
可撓性を有する絶縁表面を備える基板上に素子層を形成する方法としては、代表的には
、以下に挙げる２つの方法がある。一つは、基板上に直接、素子層を形成する方法である
。もう一つは、基板とは異なる支持基板上に素子層を形成した後、素子層と支持基板を剥
離し、剥離した素子層を基板に転置する方法である。
、以下に挙げる２つの方法がある。一つは、基板上に直接、素子層を形成する方法である
。もう一つは、基板とは異なる支持基板上に素子層を形成した後、素子層と支持基板を剥
離し、剥離した素子層を基板に転置する方法である。
【0123】
基板を構成する材料が、素子層の形成工程にかかる熱に対して耐熱性を有する場合には
、基板上に直接、素子層を形成すると、工程が簡略化されるため好ましい。このとき、基
板を支持基板に固定した状態で素子層を形成すると、装置内、及び装置間における搬送が
容易になるため好ましい。
、基板上に直接、素子層を形成すると、工程が簡略化されるため好ましい。このとき、基
板を支持基板に固定した状態で素子層を形成すると、装置内、及び装置間における搬送が
容易になるため好ましい。
【0124】
また、素子層を支持基板上に形成した後に、基板に転置する方法を用いる場合、まず、
支持基板上に剥離層と絶縁層を積層し、当該絶縁層上に素子層を形成する。続いて、支持
基板と素子層を剥離し、基板に転置する。このとき、支持基板と剥離層の界面、剥離層と
絶縁層の界面、又は剥離層中で剥離が生じるような材料を選択すればよい。この方法では
、支持基板や剥離層に耐熱性の高い材料を用いることで、素子層を形成する際にかかる温
度の上限を高めることができ、より信頼性の高い素子を有する素子層を形成できるため好
ましい。
支持基板上に剥離層と絶縁層を積層し、当該絶縁層上に素子層を形成する。続いて、支持
基板と素子層を剥離し、基板に転置する。このとき、支持基板と剥離層の界面、剥離層と
絶縁層の界面、又は剥離層中で剥離が生じるような材料を選択すればよい。この方法では
、支持基板や剥離層に耐熱性の高い材料を用いることで、素子層を形成する際にかかる温
度の上限を高めることができ、より信頼性の高い素子を有する素子層を形成できるため好
ましい。
【0125】
例えば、剥離層として、タングステンなどの高融点金属材料を含む層と、当該金属材料
の酸化物を含む層を積層して用い、剥離層上の絶縁層として、窒化シリコン、酸化窒化シ
リコン、窒化酸化シリコンなどを複数積層した層を用いることが好ましい。なお、本明細
書中において、酸化窒化物は、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指
し、窒化酸化物は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。
の酸化物を含む層を積層して用い、剥離層上の絶縁層として、窒化シリコン、酸化窒化シ
リコン、窒化酸化シリコンなどを複数積層した層を用いることが好ましい。なお、本明細
書中において、酸化窒化物は、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指
し、窒化酸化物は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。
【0126】
素子層と支持基板とを剥離する方法としては、機械的な力を加えることや、剥離層をエ
ッチングすること、又は剥離界面に液体を浸透させることなどが、一例として挙げられる
。又は、剥離界面を形成する２層の熱膨張の違いを利用し、加熱又は冷却することにより
剥離を行ってもよい。
ッチングすること、又は剥離界面に液体を浸透させることなどが、一例として挙げられる
。又は、剥離界面を形成する２層の熱膨張の違いを利用し、加熱又は冷却することにより
剥離を行ってもよい。
【0127】
また、支持基板と絶縁層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
【0128】
例えば、支持基板としてガラスを用い、絶縁層としてポリイミドなどの有機樹脂を用い
ることができる。このとき、レーザ光等を用いて有機樹脂の一部を局所的に加熱する、又
は鋭利な部材により物理的に有機樹脂の一部を切断、又は貫通すること等により剥離の起
点を形成し、ガラスと有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
ることができる。このとき、レーザ光等を用いて有機樹脂の一部を局所的に加熱する、又
は鋭利な部材により物理的に有機樹脂の一部を切断、又は貫通すること等により剥離の起
点を形成し、ガラスと有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
【0129】
又は、支持基板と有機樹脂からなる絶縁層の間に発熱層を設け、当該発熱層を加熱する
ことにより、当該発熱層と絶縁層の界面で剥離を行ってもよい。発熱層としては、電流を
流すことにより発熱する材料、光を吸収することにより発熱する材料、磁場を印加するこ
とにより発熱する材料など、様々な材料を用いることができる。例えば、発熱層としては
、半導体、金属、絶縁体から選択して用いることができる。
ことにより、当該発熱層と絶縁層の界面で剥離を行ってもよい。発熱層としては、電流を
流すことにより発熱する材料、光を吸収することにより発熱する材料、磁場を印加するこ
とにより発熱する材料など、様々な材料を用いることができる。例えば、発熱層としては
、半導体、金属、絶縁体から選択して用いることができる。
【0130】
なお、上述した方法において、有機樹脂からなる絶縁層は、剥離後に基板として用いる
ことができる。
ことができる。
【0131】
例えば、図１２に示す構成の場合、第１の支持基板上に第１の剥離層、絶縁層１７３を
順に形成した後に、それよりも上層の構造物を形成する。また、これとは別に、第２の支
持基板上に第２の剥離層、絶縁層１８３を順に形成した後に、それよりも上層の構造物を
形成する。続いて、第１の支持基板上の構造物と第２の支持基板上の構造物を接着層１４
１により貼り合せる。その後、第２の支持基板及び第２の剥離層を、第２の剥離層と絶縁
層１８３の界面で剥離することによって除去し、絶縁層１８３と基板１８１を接着層１８
２により貼り合せる。また、第１の支持基板及び第１の剥離層を、第１の剥離層と絶縁層
１７３の界面で剥離することによって除去し、絶縁層１７３と基板１７１を接着層１７２
により貼り合せる。なお、剥離及び貼り合せは、第１の支持基板側と第２の支持基板側の
どちら側を先に行ってもよい。
順に形成した後に、それよりも上層の構造物を形成する。また、これとは別に、第２の支
持基板上に第２の剥離層、絶縁層１８３を順に形成した後に、それよりも上層の構造物を
形成する。続いて、第１の支持基板上の構造物と第２の支持基板上の構造物を接着層１４
１により貼り合せる。その後、第２の支持基板及び第２の剥離層を、第２の剥離層と絶縁
層１８３の界面で剥離することによって除去し、絶縁層１８３と基板１８１を接着層１８
２により貼り合せる。また、第１の支持基板及び第１の剥離層を、第１の剥離層と絶縁層
１７３の界面で剥離することによって除去し、絶縁層１７３と基板１７１を接着層１７２
により貼り合せる。なお、剥離及び貼り合せは、第１の支持基板側と第２の支持基板側の
どちら側を先に行ってもよい。
【0132】
以上が、可撓性を有する表示装置を作製する方法についての説明である。
【0133】
〔画素の構成例２－３〕
図１３に、図１１と一部が異なる構成を有する表示装置１０の断面構成例を示す。図１
３に示す表示装置１０は、一対の基板として可撓性を有する基板１７１、基板１８１を用
いている点、偏光板１３０を有さない点、及び構造体１３５を有する点で、図１１に示す
表示装置１０と異なる。
図１３に、図１１と一部が異なる構成を有する表示装置１０の断面構成例を示す。図１
３に示す表示装置１０は、一対の基板として可撓性を有する基板１７１、基板１８１を用
いている点、偏光板１３０を有さない点、及び構造体１３５を有する点で、図１１に示す
表示装置１０と異なる。
【0134】
表示装置１０の作製方法は、図１３における接着層１４１と基板２１の間に素子層が設
けられた第１の支持基板と、接着層１４１と基板３１側の間に素子層が設けられた第２の
支持基板とを、接着層１４１を介して貼り合わせる工程を含む。該貼り合わせは、硬化し
て接着層１４１となる接着剤を、第１の支持基板に設けられた素子層表面又は第２の支持
基板に設けられた素子層表面に塗布し、双方の素子層表面を重ね合わせることで、該接着
剤を第１の支持基板と第２の支持基板の間に充填させた後、該接着剤を硬化させることで
行う。
けられた第１の支持基板と、接着層１４１と基板３１側の間に素子層が設けられた第２の
支持基板とを、接着層１４１を介して貼り合わせる工程を含む。該貼り合わせは、硬化し
て接着層１４１となる接着剤を、第１の支持基板に設けられた素子層表面又は第２の支持
基板に設けられた素子層表面に塗布し、双方の素子層表面を重ね合わせることで、該接着
剤を第１の支持基板と第２の支持基板の間に充填させた後、該接着剤を硬化させることで
行う。
【0135】
該接着剤を第１の支持基板と第２の支持基板の間に充填させる際に、第１の支持基板に
設けられた素子層表面又は第２の支持基板に設けられた素子層表面が、例えば、開口部２
１９のような段差の大きな凹凸形状を有していると、該凹凸形状がなす空間を該接着剤が
万遍なく充填しきれず、該凹凸形状と該接着剤の間に空隙が生じる場合がある。該空隙が
あると、上記の作製方法例で説明した支持基板の剥離を行う際に、該空隙を起点とした膜
剥がれが生じる場合がある。
設けられた素子層表面又は第２の支持基板に設けられた素子層表面が、例えば、開口部２
１９のような段差の大きな凹凸形状を有していると、該凹凸形状がなす空間を該接着剤が
万遍なく充填しきれず、該凹凸形状と該接着剤の間に空隙が生じる場合がある。該空隙が
あると、上記の作製方法例で説明した支持基板の剥離を行う際に、該空隙を起点とした膜
剥がれが生じる場合がある。
【0136】
図１３に示す表示装置１０において、構造体１３５は、基板１７１上の開口部２１９と
重畳する位置に設けられる。構造体１３５は、上面視において、その外周が開口部２１９
の外周よりも内側になるように設けられることが好ましい。また、構造体１３５の高さｔ
１は、開口部２１９の深さｔ２の半分より大きく、ｔ２より小さいことが好ましい。
重畳する位置に設けられる。構造体１３５は、上面視において、その外周が開口部２１９
の外周よりも内側になるように設けられることが好ましい。また、構造体１３５の高さｔ
１は、開口部２１９の深さｔ２の半分より大きく、ｔ２より小さいことが好ましい。
【0137】
このような構成とすることで、開口部２１９付近における表示装置１０のセルギャップ
（基板１７１と基板１８１の対向する表面間の距離）が急激に変化することを抑制できる
ため、開口部２１９に接着剤を充填させることができる。よって、表示装置１０を作製歩
留りの高い表示装置とすることができる。
（基板１７１と基板１８１の対向する表面間の距離）が急激に変化することを抑制できる
ため、開口部２１９に接着剤を充填させることができる。よって、表示装置１０を作製歩
留りの高い表示装置とすることができる。
【0138】
構造体１３５の材料は特に限定されないが、例えば、アクリル、ポリイミド、エポキシ
などの樹脂を用いることができる。
などの樹脂を用いることができる。
【0139】
なお、構造体１３５を透水性の低い材料で被覆する、又は構造体１３５を透水性の低い
材料で形成することで、接着層１４１を介してＥＬ層１１２へ浸入する水分量を減らすこ
とができる。よって、信頼性の高い表示装置１０とすることができる。図１４に、構造体
１３５が絶縁層１３６で被覆された表示装置１０の断面図の一例を示す。絶縁層１３６と
しては、絶縁層２１２又は絶縁層２１３と同様の材料を用いることができる。
材料で形成することで、接着層１４１を介してＥＬ層１１２へ浸入する水分量を減らすこ
とができる。よって、信頼性の高い表示装置１０とすることができる。図１４に、構造体
１３５が絶縁層１３６で被覆された表示装置１０の断面図の一例を示す。絶縁層１３６と
しては、絶縁層２１２又は絶縁層２１３と同様の材料を用いることができる。
【0140】
また、構造体１３５の代わりに、開口部２１９と重畳する位置に着色層を設けてもよい
。図１５には、開口部２１９と重畳する位置に着色層１３１ａ、着色層１３１ｂを設ける
例を示す。このような構成とすることで、表示部３２に着色層を形成する工程において、
開口部２１９と重畳する位置に構造体１３５と同等の機能を有する構造物を形成できるた
め、表示装置１０の作製工程を減らすことができる。なお、着色層１３１ｂは、表示部３
２において、着色層１３１ａを有する副画素と異なる色を呈する副画素に用いられる着色
層である。
。図１５には、開口部２１９と重畳する位置に着色層１３１ａ、着色層１３１ｂを設ける
例を示す。このような構成とすることで、表示部３２に着色層を形成する工程において、
開口部２１９と重畳する位置に構造体１３５と同等の機能を有する構造物を形成できるた
め、表示装置１０の作製工程を減らすことができる。なお、着色層１３１ｂは、表示部３
２において、着色層１３１ａを有する副画素と異なる色を呈する副画素に用いられる着色
層である。
【0141】
［各構成要素について］
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
【0142】
〔基板〕
表示装置１０が有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子
からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英
、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
表示装置１０が有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子
からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英
、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
【0143】
厚さの薄い基板を用いることで、表示装置１０の軽量化、薄型化を図ることができる。
さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示装置１０
を実現できる。
さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示装置１０
を実現できる。
【0144】
また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙
げた基板材料の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基
板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置１０の局所的な温度上昇を抑制することが
でき、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上２０
０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
げた基板材料の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基
板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置１０の局所的な温度上昇を抑制することが
でき、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上２０
０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【0145】
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニ
ッケル等の金属、又はアルミニウム合金若しくはステンレス等の合金などを好適に用いる
ことができる。
ッケル等の金属、又はアルミニウム合金若しくはステンレス等の合金などを好適に用いる
ことができる。
【0146】
また、金属基板の表面を酸化する、又は表面に絶縁層を形成するなどにより、絶縁処理
が施された基板を用いてもよい。例えば、酸素雰囲気で放置する又は加熱する他、陽極酸
化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよいし、スピンコート法やディップ
法などの塗布法、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁層を形成して
もよい。
が施された基板を用いてもよい。例えば、酸素雰囲気で放置する又は加熱する他、陽極酸
化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよいし、スピンコート法やディップ
法などの塗布法、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁層を形成して
もよい。
【0147】
可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度
の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げら
れる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０
×１０－６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用
いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機
樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた
基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示装置も軽量にすることができる。
の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げら
れる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０
×１０－６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用
いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機
樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた
基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示装置も軽量にすることができる。
【0148】
上記材料中に繊維体が含まれている場合、該繊維体としては、有機化合物又は無機化合
物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には、引張弾性率又はヤング率の高い
繊維のことをいい、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維
、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾ
ビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、又は炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、
Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは
、織布又は不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させて樹脂を硬化させた構造物
を、可撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂
からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため
、好ましい。
物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には、引張弾性率又はヤング率の高い
繊維のことをいい、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維
、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾ
ビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、又は炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、
Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは
、織布又は不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させて樹脂を硬化させた構造物
を、可撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂
からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため
、好ましい。
【0149】
又は、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属などを基板に用いることもできる。又は
、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
【0150】
可撓性を有する基板に、タッチパネルの表面を傷などから保護するハードコート層（例
えば、窒化シリコン、酸化アルミニウムなど）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、
アラミド樹脂など）等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低
下等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁層が積層されていてもよ
い。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、
窒化アルミニウム等の無機絶縁性材料を用いることができる。
えば、窒化シリコン、酸化アルミニウムなど）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、
アラミド樹脂など）等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低
下等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁層が積層されていてもよ
い。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、
窒化アルミニウム等の無機絶縁性材料を用いることができる。
【0151】
基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とする
と、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示装置１０とすることができ
る。
と、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示装置１０とすることができ
る。
【0152】
〔トランジスタ〕
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として
機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する
絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示し
ている。
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として
機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する
絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示し
ている。
【0153】
なお、本発明の一態様に係るタッチパネルが有するトランジスタの構造は、特に限定さ
れない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタと
してもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボト
ムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。又は、チャネル形成領域の上下に
ゲート電極が設けられていてもよい。
れない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタと
してもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボト
ムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。又は、チャネル形成領域の上下に
ゲート電極が設けられていてもよい。
【0154】
〔半導体層〕
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタの電気特性の劣化を抑制できるため好ましい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタの電気特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【0155】
また、トランジスタの半導体層には、例えば、第１４族の元素（シリコン、ゲルマニウ
ム等）、化合物半導体又は酸化物半導体等の半導体材料を用いることができる。代表的に
は、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む酸化物半導
体などを適用できる。
ム等）、化合物半導体又は酸化物半導体等の半導体材料を用いることができる。代表的に
は、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む酸化物半導
体などを適用できる。
【0156】
特に、シリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい
。シリコンよりもバンドギャップが大きく、かつキャリア密度の小さい半導体材料を用い
ると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
。シリコンよりもバンドギャップが大きく、かつキャリア密度の小さい半導体材料を用い
ると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
【0157】
特に、トランジスタの半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はそのｃ軸が
半導体層の被形成面、又は半導体層の上面に対して略垂直に配向し、かつ隣接する結晶部
間では粒界を確認することが難しい酸化物半導体を用いることが好ましい。
半導体層の被形成面、又は半導体層の上面に対して略垂直に配向し、かつ隣接する結晶部
間では粒界を確認することが難しい酸化物半導体を用いることが好ましい。
【0158】
このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために、表示パネルを湾曲させたとき
の応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって
、可撓性を有し、湾曲させて用いるタッチパネルなどに、このような酸化物半導体を好適
に用いることができる。
の応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって
、可撓性を有し、湾曲させて用いるタッチパネルなどに、このような酸化物半導体を好適
に用いることができる。
【0159】
また、トランジスタの半導体層として、このような結晶性を有する酸化物半導体を用い
ることで、トランジスタの電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現
できる。
ることで、トランジスタの電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現
できる。
【0160】
また、シリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を半導体層に用いたトラン
ジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電
荷を長期間にわたって保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用
することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも
可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示装置１０を実現できる。
ジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電
荷を長期間にわたって保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用
することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも
可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示装置１０を実現できる。
【0161】
トランジスタの半導体層は、例えば、少なくとも、インジウム、亜鉛及びＭ（アルミニ
ウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリ
ウム、スズ、ネオジム又はハフニウム等の金属）を含むＩｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物で表記さ
れる膜を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性の
ばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
ウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリ
ウム、スズ、ネオジム又はハフニウム等の金属）を含むＩｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物で表記さ
れる膜を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性の
ばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
【0162】
スタビライザーとしては、上記Ｍで記載の金属に含まれる、例えば、ガリウム、スズ、
ハフニウム、アルミニウム、又はジルコニウム等がある。また、他のスタビライザーとし
ては、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム
、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム
、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。
ハフニウム、アルミニウム、又はジルコニウム等がある。また、他のスタビライザーとし
ては、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム
、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム
、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。
【0163】
トランジスタの半導体層を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸
化物、Ｉｎ－Ｌａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｃｅ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｐｒ－Ｚｎ系酸化
物、Ｉｎ－Ｎｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｕ－Ｚｎ系酸化物
、Ｉｎ－Ｇｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｄｙ－Ｚｎ系酸化物、
Ｉｎ－Ｈｏ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉ
ｎ－Ｙｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物
、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａ
ｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物
を用いることができる。
酸化物、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸
化物、Ｉｎ－Ｌａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｃｅ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｐｒ－Ｚｎ系酸化
物、Ｉｎ－Ｎｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｕ－Ｚｎ系酸化物
、Ｉｎ－Ｇｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｄｙ－Ｚｎ系酸化物、
Ｉｎ－Ｈｏ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉ
ｎ－Ｙｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物
、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａ
ｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物
を用いることができる。
【0164】
なお、ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有す
る酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺ
ｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
る酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺ
ｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【0165】
また、トランジスタの半導体層と導電層は、上記酸化物のうち、同一の金属元素を有し
ていてもよい。当該半導体層と導電層が同一の金属元素を有することで、製造コストを低
減させることができる。例えば、当該半導体層と導電層の成膜に同一の金属組成の金属酸
化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させることができる。また、当該半導
体層と導電層を加工する際の、エッチングガス又はエッチング液を共通して用いることが
できる。ただし、当該半導体層と導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異な
る場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が脱
離し、異なる金属組成となる場合がある。
ていてもよい。当該半導体層と導電層が同一の金属元素を有することで、製造コストを低
減させることができる。例えば、当該半導体層と導電層の成膜に同一の金属組成の金属酸
化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させることができる。また、当該半導
体層と導電層を加工する際の、エッチングガス又はエッチング液を共通して用いることが
できる。ただし、当該半導体層と導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異な
る場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が脱
離し、異なる金属組成となる場合がある。
【0166】
トランジスタの半導体層を構成する酸化物半導体は、バンドギャップが２ｅＶ以上であ
り、２．５ｅＶ以上が好ましく、３ｅＶ以上であることがより好ましい。このように、バ
ンドギャップの大きい酸化物半導体をトランジスタの半導体層に用いることで、トランジ
スタのオフ電流を低減することができる。
り、２．５ｅＶ以上が好ましく、３ｅＶ以上であることがより好ましい。このように、バ
ンドギャップの大きい酸化物半導体をトランジスタの半導体層に用いることで、トランジ
スタのオフ電流を低減することができる。
【0167】
トランジスタの半導体層を構成する酸化物半導体がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ
－Ｍ－Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットが含む金属元素の原
子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングター
ゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１
：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、４：２：４．１等が好ましい。なお、成膜
される半導体層の原子数比は、それぞれ、誤差として、上記のスパッタリングターゲット
に含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
－Ｍ－Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットが含む金属元素の原
子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングター
ゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１
：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、４：２：４．１等が好ましい。なお、成膜
される半導体層の原子数比は、それぞれ、誤差として、上記のスパッタリングターゲット
に含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
【0168】
トランジスタの半導体層としては、キャリア密度の低い酸化物半導体膜を用いる。例え
ば、当該半導体層は、キャリア密度が１×１０１７／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１
５／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１３／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０
１１／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１０／ｃｍ３未満であり、１×１０－９／
ｃｍ３以上の酸化物半導体を用いることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真
性又は実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。当該酸化物半導体は、不純物濃度が低
く、欠陥準位密度が低いため、安定なトランジスタの電気特性を提供する酸化物半導体で
あるといえる。
ば、当該半導体層は、キャリア密度が１×１０１７／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１
５／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１３／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０
１１／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１０／ｃｍ３未満であり、１×１０－９／
ｃｍ３以上の酸化物半導体を用いることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真
性又は実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。当該酸化物半導体は、不純物濃度が低
く、欠陥準位密度が低いため、安定なトランジスタの電気特性を提供する酸化物半導体で
あるといえる。
【0169】
なお、トランジスタの半導体層として用いることができる酸化物半導体はこれらに限ら
れず、必要とするトランジスタの電気特性（電界効果移動度、閾値電圧等）に応じて、適
切な組成のものを用いればよい。また、必要とするトランジスタの電気特性を得るために
、トランジスタの半導体層のキャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原
子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。
れず、必要とするトランジスタの電気特性（電界効果移動度、閾値電圧等）に応じて、適
切な組成のものを用いればよい。また、必要とするトランジスタの電気特性を得るために
、トランジスタの半導体層のキャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原
子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。
【0170】
トランジスタの半導体層を構成する酸化物半導体において、第１４族元素の一つである
シリコンや炭素が含まれると、当該半導体層において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしま
う。このため、当該半導体層におけるシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法によ
り得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
シリコンや炭素が含まれると、当該半導体層において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしま
う。このため、当該半導体層におけるシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法によ
り得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
【0171】
また、アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生
成する場合があり、当該酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタのオフ電流が増大
してしまうことがある。このため、トランジスタの半導体層における二次イオン質量分析
法により得られるアルカリ金属又はアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
成する場合があり、当該酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタのオフ電流が増大
してしまうことがある。このため、トランジスタの半導体層における二次イオン質量分析
法により得られるアルカリ金属又はアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
【0172】
また、トランジスタの半導体層を構成する酸化物半導体に窒素が含まれていると、キャ
リアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含ま
れている酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタは、ノーマリーオン特性となりや
すい。このため、当該半導体層における二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度は
、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることが好ましい。
リアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含ま
れている酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタは、ノーマリーオン特性となりや
すい。このため、当該半導体層における二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度は
、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることが好ましい。
【0173】
また、トランジスタの半導体層は、例えば、非単結晶構造でもよい。非単結晶構造は、
例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ（Ｃ－Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏ
ｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、又は、Ｃ－Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ ａｎｄ
Ａ－Ｂ－ｐｌａｎｅ Ａｎｃｈｏｒｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅ
ｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶構造、微結晶構造、又は非晶質構造を含む。非単結晶
構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ－ＯＳは最も欠陥準位密
度が低い。
例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ（Ｃ－Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏ
ｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、又は、Ｃ－Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ ａｎｄ
Ａ－Ｂ－ｐｌａｎｅ Ａｎｃｈｏｒｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅ
ｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶構造、微結晶構造、又は非晶質構造を含む。非単結晶
構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ－ＯＳは最も欠陥準位密
度が低い。
【0174】
非晶質構造の酸化物半導体膜は、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さな
い。又は、非晶質構造の酸化物半導体膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を
有さない。
い。又は、非晶質構造の酸化物半導体膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を
有さない。
【0175】
なお、トランジスタの半導体層が、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造
の領域、ＣＡＡＣ－ＯＳの領域、単結晶構造の領域のうち、二種以上を有する混合膜であ
ってもよい。混合膜は、例えば、上述した領域のうち、いずれか二種以上の領域を含む単
層構造、又は積層構造を有する場合がある。
の領域、ＣＡＡＣ－ＯＳの領域、単結晶構造の領域のうち、二種以上を有する混合膜であ
ってもよい。混合膜は、例えば、上述した領域のうち、いずれか二種以上の領域を含む単
層構造、又は積層構造を有する場合がある。
【0176】
又は、トランジスタのチャネル領域が形成される半導体層に、シリコンを用いることが
好ましい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に、結晶性を有す
るシリコンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶
シリコンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べ
て低温で形成でき、かつアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性
を備える。このような多結晶半導体を、例えば、画素に適用することで、画素の開口率を
向上させることができる。また、極めて密に画素を有する場合であっても、ゲート駆動回
路とソース駆動回路を画素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成す
る部品数を低減することができる。
好ましい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に、結晶性を有す
るシリコンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶
シリコンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べ
て低温で形成でき、かつアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性
を備える。このような多結晶半導体を、例えば、画素に適用することで、画素の開口率を
向上させることができる。また、極めて密に画素を有する場合であっても、ゲート駆動回
路とソース駆動回路を画素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成す
る部品数を低減することができる。
【0177】
本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるた
め好ましい。また、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコンを用いることで、多
結晶シリコンよりも低温で形成できるため、当該半導体層よりも下層の配線や電極の材料
、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能であり、材料の選択の幅を広
げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる
。一方、トップゲート構造のトランジスタは、自己整合的に不純物領域を形成しやすく、
電気特性のばらつきなどを低減することができるため好ましい。このため、特に、トラン
ジスタの半導体層に多結晶シリコンや単結晶シリコンなどを用いる場合に適している。
め好ましい。また、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコンを用いることで、多
結晶シリコンよりも低温で形成できるため、当該半導体層よりも下層の配線や電極の材料
、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能であり、材料の選択の幅を広
げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる
。一方、トップゲート構造のトランジスタは、自己整合的に不純物領域を形成しやすく、
電気特性のばらつきなどを低減することができるため好ましい。このため、特に、トラン
ジスタの半導体層に多結晶シリコンや単結晶シリコンなどを用いる場合に適している。
【0178】
〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソース及びドレインの他、表示装置１０を構成する各種配線及
び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム
、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタング
ステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金などが挙げられる。また、これらの材料
を含む膜を単層で、又は積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むア
ルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステ
ン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅－マグネシウム－アルミニウム合金膜上
に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に
銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜
又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリ
ブデン膜又は窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さ
らにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸
化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅
を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
トランジスタのゲート、ソース及びドレインの他、表示装置１０を構成する各種配線及
び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム
、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタング
ステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金などが挙げられる。また、これらの材料
を含む膜を単層で、又は積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むア
ルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステ
ン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅－マグネシウム－アルミニウム合金膜上
に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に
銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜
又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリ
ブデン膜又は窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さ
らにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸
化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅
を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
【0179】
また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、イ
ンジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物又はグ
ラフェンを用いることができる。又は、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタンなどの金属材
料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。又は、該金属材料の窒化物（例
えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（又はそれらの窒化
物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜
を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ
酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、
表示装置１０を構成する各種配線及び電極などの導電層や、表示素子が有する導電層（画
素電極や共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。
ンジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物又はグ
ラフェンを用いることができる。又は、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタンなどの金属材
料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。又は、該金属材料の窒化物（例
えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（又はそれらの窒化
物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜
を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ
酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、
表示装置１０を構成する各種配線及び電極などの導電層や、表示素子が有する導電層（画
素電極や共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。
【0180】
〔絶縁層〕
各絶縁層に用いることのできる絶縁性材料としては、例えば、アクリル、エポキシなど
の樹脂、シリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シ
リコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁性材料を用
いることもできる。
各絶縁層に用いることのできる絶縁性材料としては、例えば、アクリル、エポキシなど
の樹脂、シリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シ
リコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁性材料を用
いることもできる。
【0181】
また、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁層の間に設けられていることが好ましい。
これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、表示装置１０の信頼性
の低下を抑制できる。
これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、表示装置１０の信頼性
の低下を抑制できる。
【0182】
透水性の低い絶縁層としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素とシリコ
ンを含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。ま
た、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
ンを含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。ま
た、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【0183】
例えば、透水性の低い絶縁層の水蒸気透過量は、１×１０－５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）
］以下、好ましくは１×１０－６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１
０－７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０－８［ｇ／（ｍ２・ｄ
ａｙ）］以下とする。
］以下、好ましくは１×１０－６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１
０－７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０－８［ｇ／（ｍ２・ｄ
ａｙ）］以下とする。
【0184】
〔発光素子〕
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機
ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機
ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
【0185】
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型
のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる
。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好まし
い。
のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる
。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好まし
い。
【0186】
ＥＬ層は、少なくとも、発光層を有する。ＥＬ層は、発光層以外の層として、正孔注入
性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子
注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等
を含む層をさらに有していてもよい。
性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子
注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等
を含む層をさらに有していてもよい。
【0187】
ＥＬ層には、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化
合物を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む
。）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
合物を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む
。）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【0188】
陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側か
ら正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔は、ＥＬ層にお
いて再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
ら正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔は、ＥＬ層にお
いて再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
【0189】
発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層に２種類以上の発光
物質を含む構成とすることが好ましい。例えば、２以上の発光物質の各々の発光が補色の
関係となるように、発光物質を選択することにより、白色発光を得ることができる。例え
ば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物
質、又はＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち
、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域
の波長（例えば、３５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下）の範囲内に２以上のピークを有する発
光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光ス
ペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ま
しい。
物質を含む構成とすることが好ましい。例えば、２以上の発光物質の各々の発光が補色の
関係となるように、発光物質を選択することにより、白色発光を得ることができる。例え
ば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物
質、又はＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち
、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域
の波長（例えば、３５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下）の範囲内に２以上のピークを有する発
光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光ス
ペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ま
しい。
【0190】
ＥＬ層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含
む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層における複数の発光
層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して
積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層又は
燐光発光層と同一の材料（例えば、ホスト材料、アシスト材料）を含み、かついずれの発
光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易に
なり、また、駆動電圧が低減される。
む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層における複数の発光
層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して
積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層又は
燐光発光層と同一の材料（例えば、ホスト材料、アシスト材料）を含み、かついずれの発
光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易に
なり、また、駆動電圧が低減される。
【0191】
また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層
が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
【0192】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウ
ム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができ
る。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン
、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金
、若しくはこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に
薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いる
ことができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用
いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい
。
ム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができ
る。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン
、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金
、若しくはこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に
薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いる
ことができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用
いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい
。
【0193】
可視光を反射する導電膜としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、
タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料、
若しくはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に
、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニ
ッケル、又はネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい
。また、銅、パラジウム、マグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜に
接して金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このよ
うな金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。また
、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀と
インジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜な
どを用いることができる。
タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料、
若しくはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に
、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニ
ッケル、又はネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい
。また、銅、パラジウム、マグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜に
接して金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このよ
うな金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。また
、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀と
インジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜な
どを用いることができる。
【0194】
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。その他、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。
【0195】
なお、上述した、発光層、及び正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸
送性の高い物質、並びに電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それ
ぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマ
ー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料とし
て機能させることもできる。
送性の高い物質、並びに電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それ
ぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマ
ー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料とし
て機能させることもできる。
【0196】
なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、
コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また
、１２族と１６族、１３族と１５族、又は１４族と１６族の元素グループを含む材料を用
いてもよい。又は、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、
ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。
コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また
、１２族と１６族、１３族と１５族、又は１４族と１６族の元素グループを含む材料を用
いてもよい。又は、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、
ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。
【0197】
〔液晶素子〕
液晶素子としては、例えば、垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ
）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ
（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ
（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄ
ｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。
液晶素子としては、例えば、垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ
）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ
（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ
（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄ
ｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。
【0198】
また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例え
ば、ＶＡモードの他に、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ
－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗ
ｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅ
ｄ Ｍｉｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔ
ｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等が適用された液晶素子を用いることができる
。
ば、ＶＡモードの他に、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ
－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗ
ｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅ
ｄ Ｍｉｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔ
ｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等が適用された液晶素子を用いることができる
。
【0199】
なお、液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過又は非透過を制御する素子
である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電
界又は斜め方向の電界を含む。）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶とし
ては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶
、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステ
リック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電
界又は斜め方向の電界を含む。）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶とし
ては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶
、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステ
リック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【0200】
また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、又はネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、
適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。
適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。
【0201】
また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を
採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相
の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転
移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範
囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる
。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方
性を有する。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が
不要であり、視野角依存性が小さい。また、配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理
も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ
、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相
の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転
移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範
囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる
。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方
性を有する。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が
不要であり、視野角依存性が小さい。また、配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理
も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ
、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
【0202】
また、液晶素子として、透過型の液晶素子、反射型の液晶素子、又は半透過型の液晶素
子などを用いることができる。
子などを用いることができる。
【0203】
透過型又は半透過型の液晶素子を用いる場合、一対の基板を挟むように、２つの偏光板
を設ける。また、偏光板よりも外側に、バックライトを設ける。バックライトとしては、
直下型のバックライトであってもよいし、エッジライト型のバックライトであってもよい
。ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を備える直下型のバックライト
を用いると、ローカルディミングが容易となり、コントラストを高めることができるため
好ましい。また、エッジライト型のバックライトを用いると、バックライトを含めたタッ
チパネルモジュールの厚さを低減できるため好ましい。
を設ける。また、偏光板よりも外側に、バックライトを設ける。バックライトとしては、
直下型のバックライトであってもよいし、エッジライト型のバックライトであってもよい
。ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を備える直下型のバックライト
を用いると、ローカルディミングが容易となり、コントラストを高めることができるため
好ましい。また、エッジライト型のバックライトを用いると、バックライトを含めたタッ
チパネルモジュールの厚さを低減できるため好ましい。
【0204】
反射型の液晶素子を用いる場合には、表示面側に偏光板を設ける。また、これとは別に
、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。
、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。
【0205】
〔接着層〕
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着
剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としては
、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イ
ミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、
ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿
性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等
を用いてもよい。
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着
剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としては
、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イ
ミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、
ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿
性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等
を用いてもよい。
【0206】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸
化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。又は、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入す
ることを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。
化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。又は、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入す
ることを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。
【0207】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、光取り出
し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジ
ルコニウム等を用いることができる。
し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジ
ルコニウム等を用いることができる。
【0208】
〔接続層〕
接続層としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕ
ｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
接続層としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕ
ｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【0209】
〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含ま
れた樹脂材料などが挙げられる。
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含ま
れた樹脂材料などが挙げられる。
【0210】
〔遮光層〕
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、金属、金属酸化物
、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。また、遮光層に、着色層
の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に
用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造
を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できる
他、工程を簡略化できるため好ましい。
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、金属、金属酸化物
、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。また、遮光層に、着色層
の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に
用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造
を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できる
他、工程を簡略化できるため好ましい。
【0211】
以上が、各構成要素についての説明である。
【0212】
［構成例２］
以下では、本発明の一態様の表示装置１０の例として、入出力装置（タッチパネル）、
入力装置（タッチセンサ）等の構成例について説明する。
以下では、本発明の一態様の表示装置１０の例として、入出力装置（タッチパネル）、
入力装置（タッチセンサ）等の構成例について説明する。
【0213】
ここで、本明細書等において、表示装置１０の一態様である表示パネルは、表示面に画
像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって、表示パネルは出力装置の
一態様である。
像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって、表示パネルは出力装置の
一態様である。
【0214】
また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えば、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐ
ｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）若しくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、又は基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣ（集積回路）が実装されたものを、表示パネルモジュール
、表示モジュール、又は単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。
ｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）若しくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、又は基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣ（集積回路）が実装されたものを、表示パネルモジュール
、表示モジュール、又は単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。
【0215】
また、本明細書等において、タッチセンサは指やスタイラスなどの被検知体が触れる、
又は近接することを検知する機能を有するものである。したがって、タッチセンサは入力
装置の一態様である。
又は近接することを検知する機能を有するものである。したがって、タッチセンサは入力
装置の一態様である。
【0216】
また、本明細書等では、タッチセンサを有する基板を、タッチセンサパネル、又は単に
タッチセンサなどと呼ぶ場合がある。また、本明細書等では、タッチセンサパネルの基板
に、例えば、ＦＰＣ若しくはＴＣＰなどのコネクターが取り付けられたもの、又は基板に
ＣＯＧ方式等によりＩＣが実装されたものを、タッチセンサパネルモジュール、タッチセ
ンサモジュール、センサモジュール、又は単にタッチセンサなどと呼ぶ場合がある。
タッチセンサなどと呼ぶ場合がある。また、本明細書等では、タッチセンサパネルの基板
に、例えば、ＦＰＣ若しくはＴＣＰなどのコネクターが取り付けられたもの、又は基板に
ＣＯＧ方式等によりＩＣが実装されたものを、タッチセンサパネルモジュール、タッチセ
ンサモジュール、センサモジュール、又は単にタッチセンサなどと呼ぶ場合がある。
【0217】
なお、本明細書等において、表示装置１０の一態様であるタッチパネルは、表示面に画
像等を表示（出力）する機能と、表示面に指やスタイラスなどの被検知体が触れる、又は
近接することを検知するタッチセンサとしての機能と、を有する。したがって、タッチパ
ネルは入出力装置の一態様である。
像等を表示（出力）する機能と、表示面に指やスタイラスなどの被検知体が触れる、又は
近接することを検知するタッチセンサとしての機能と、を有する。したがって、タッチパ
ネルは入出力装置の一態様である。
【0218】
タッチパネルは、例えば、タッチセンサ付き表示パネル（又は表示装置）、タッチセン
サ機能つき表示パネル（又は表示装置）とも呼ぶことができる。
サ機能つき表示パネル（又は表示装置）とも呼ぶことができる。
【0219】
タッチパネルは、表示パネルとタッチセンサパネルとを有する構成とすることもできる
。又は、表示パネルの内部にタッチセンサとしての機能を有する構成とすることもできる
。
。又は、表示パネルの内部にタッチセンサとしての機能を有する構成とすることもできる
。
【0220】
また、本明細書等では、タッチパネルの基板に、例えば、ＴＣＰなどのコネクターが取
り付けられたもの、又は基板にＣＯＧ方式等によりＩＣが実装されたものを、タッチパネ
ルモジュール、表示モジュール、又は単にタッチパネルなどと呼ぶ場合がある。
り付けられたもの、又は基板にＣＯＧ方式等によりＩＣが実装されたものを、タッチパネ
ルモジュール、表示モジュール、又は単にタッチパネルなどと呼ぶ場合がある。
【0221】
〔タッチセンサの構成例〕
以下では、入力装置（タッチセンサ）の構成例について、図面を参照して説明する。
以下では、入力装置（タッチセンサ）の構成例について、図面を参照して説明する。
【0222】
図１６（Ａ）に、入力装置１５０の上面概略図を示す。入力装置１５０は、基板１６０
上に複数の電極１５１、複数の電極１５２、複数の配線１５５、複数の配線１５６を有す
る。また、基板１６０には、複数の電極１５１及び複数の電極１５２の各々と電気的に接
続するＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１５７が設けられ
ている。また、図１６（Ａ）では、ＦＰＣ１５７にＩＣ１５８が設けられている例を示し
ている。
上に複数の電極１５１、複数の電極１５２、複数の配線１５５、複数の配線１５６を有す
る。また、基板１６０には、複数の電極１５１及び複数の電極１５２の各々と電気的に接
続するＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１５７が設けられ
ている。また、図１６（Ａ）では、ＦＰＣ１５７にＩＣ１５８が設けられている例を示し
ている。
【0223】
図１６（Ｂ）に、図１６（Ａ）中の一点鎖線で囲った領域の拡大図を示す。電極１５１
は、複数の菱形の電極パターンが、紙面横方向に連なった形状を有している。一列に並ん
だ菱形の電極パターンは、それぞれ電気的に接続されている。また、電極１５２も同様に
、複数の菱形の電極パターンが、紙面縦方向に連なった形状を有し、一列に並んだ菱形の
電極パターンは、それぞれ電気的に接続されている。また、電極１５１と、電極１５２と
はこれらの一部が重畳し、互いに交差している。この交差部分では、電極１５１と電極１
５２とが電気的に短絡（ショート）しないように、絶縁体が挟持されている。
は、複数の菱形の電極パターンが、紙面横方向に連なった形状を有している。一列に並ん
だ菱形の電極パターンは、それぞれ電気的に接続されている。また、電極１５２も同様に
、複数の菱形の電極パターンが、紙面縦方向に連なった形状を有し、一列に並んだ菱形の
電極パターンは、それぞれ電気的に接続されている。また、電極１５１と、電極１５２と
はこれらの一部が重畳し、互いに交差している。この交差部分では、電極１５１と電極１
５２とが電気的に短絡（ショート）しないように、絶縁体が挟持されている。
【0224】
また、図１６（Ｃ）に示すように、菱形の形状を有する複数の電極１５２が、ブリッジ
電極１５３によって接続された構成としてもよい。島状の電極１５２は、縦方向に並べて
配置され、ブリッジ電極１５３により、隣接する２つの電極１５２が電気的に接続されて
いる。このような構成とすることで、電極１５１と、電極１５２を、同一の導電膜の加工
によって同時に形成することができる。そのため、これらの膜厚のばらつきを抑制するこ
とができ、それぞれの電極の抵抗値や光透過率が場所によってばらつくことを抑制できる
。なお、ここでは、電極１５２がブリッジ電極１５３を有する構成としたが、電極１５１
がこのような構成であってもよい。
電極１５３によって接続された構成としてもよい。島状の電極１５２は、縦方向に並べて
配置され、ブリッジ電極１５３により、隣接する２つの電極１５２が電気的に接続されて
いる。このような構成とすることで、電極１５１と、電極１５２を、同一の導電膜の加工
によって同時に形成することができる。そのため、これらの膜厚のばらつきを抑制するこ
とができ、それぞれの電極の抵抗値や光透過率が場所によってばらつくことを抑制できる
。なお、ここでは、電極１５２がブリッジ電極１５３を有する構成としたが、電極１５１
がこのような構成であってもよい。
【0225】
また、図１６（Ｄ）に示すように、図１６（Ｂ）で示した電極１５１及び電極１５２の
菱形の電極パターンの内側をくりぬいて、輪郭部のみを残したような形状としてもよい。
このとき、電極１５１及び電極１５２の幅が、使用者から視認されない程度に細い場合に
は、後述するように、電極１５１及び電極１５２に金属や合金などの遮光性の材料を用い
てもよい。また、図１６（Ｄ）に示す電極１５１又は電極１５２が、上記ブリッジ電極１
５３を有する構成としてもよい。
菱形の電極パターンの内側をくりぬいて、輪郭部のみを残したような形状としてもよい。
このとき、電極１５１及び電極１５２の幅が、使用者から視認されない程度に細い場合に
は、後述するように、電極１５１及び電極１５２に金属や合金などの遮光性の材料を用い
てもよい。また、図１６（Ｄ）に示す電極１５１又は電極１５２が、上記ブリッジ電極１
５３を有する構成としてもよい。
【0226】
１つの電極１５１は、１つの配線１５５と電気的に接続している。また、１つの電極１
５２は、１つの配線１５６と電気的に接続している。ここで、配線１５５と配線１５６の
いずれか一方が、行配線に相当し、いずれか他方が、列配線に相当する。
５２は、１つの配線１５６と電気的に接続している。ここで、配線１５５と配線１５６の
いずれか一方が、行配線に相当し、いずれか他方が、列配線に相当する。
【0227】
ＩＣ１５８は、タッチセンサを駆動する機能を有する。ＩＣ１５８から出力された信号
は、配線１５５又は配線１５６を介して、電極１５１又は電極１５２のいずれかに供給さ
れる。また、電極１５１又は電極１５２のいずれかに流れる電流（又は電位）が、配線１
５５又は配線１５６を介して、ＩＣ１５８に入力される。
は、配線１５５又は配線１５６を介して、電極１５１又は電極１５２のいずれかに供給さ
れる。また、電極１５１又は電極１５２のいずれかに流れる電流（又は電位）が、配線１
５５又は配線１５６を介して、ＩＣ１５８に入力される。
【0228】
ここで、入力装置１５０を表示パネルの表示面に重ねて、タッチパネルを構成する場合
には、電極１５１及び電極１５２に透光性を有する導電性材料を用いることが好ましい。
また、電極１５１及び電極１５２に透光性の導電性材料を用い、表示パネルからの光を電
極１５１又は電極１５２を介して取り出す場合には、電極１５１と電極１５２との間に、
これらと同一の導電性材料を含む導電膜をダミーパターンとして配置することが好ましい
。このように、電極１５１と電極１５２との間の隙間の一部をダミーパターンにより埋め
ることにより、入力装置１５０面内における光透過率のばらつきを低減できる。その結果
、入力装置１５０を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
には、電極１５１及び電極１５２に透光性を有する導電性材料を用いることが好ましい。
また、電極１５１及び電極１５２に透光性の導電性材料を用い、表示パネルからの光を電
極１５１又は電極１５２を介して取り出す場合には、電極１５１と電極１５２との間に、
これらと同一の導電性材料を含む導電膜をダミーパターンとして配置することが好ましい
。このように、電極１５１と電極１５２との間の隙間の一部をダミーパターンにより埋め
ることにより、入力装置１５０面内における光透過率のばらつきを低減できる。その結果
、入力装置１５０を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
【0229】
透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウ
ム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いること
ができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例
えば、膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。
ム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いること
ができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例
えば、膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。
【0230】
又は、透光性を有する程度に薄い金属又は合金を用いることができる。例えば、金、銀
、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、
銅、パラジウム、又はチタンなどの金属や、該金属を含む合金を用いることができる。又
は、該金属又は合金の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。また、上述し
た材料を含む導電膜のうち、２以上を積層した積層膜を用いてもよい。
、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、
銅、パラジウム、又はチタンなどの金属や、該金属を含む合金を用いることができる。又
は、該金属又は合金の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。また、上述し
た材料を含む導電膜のうち、２以上を積層した積層膜を用いてもよい。
【0231】
また、電極１５１及び電極１５２には、使用者から視認されない程度に細く加工された
導電膜を用いてもよい。例えば、このような導電膜を格子状（メッシュ状）に加工するこ
とで、高い導電性と表示装置の高い視認性を得ることができる。このとき、導電膜は３０
ｎｍ以上１００μｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上５０μｍ以下、さらには５０ｎｍ以上
２０μｍ以下の幅である部分を有することがより好ましい。特に、１０μｍ以下のパター
ン幅を有する導電膜は、使用者が視認することが極めて困難となるため好ましい。
導電膜を用いてもよい。例えば、このような導電膜を格子状（メッシュ状）に加工するこ
とで、高い導電性と表示装置の高い視認性を得ることができる。このとき、導電膜は３０
ｎｍ以上１００μｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上５０μｍ以下、さらには５０ｎｍ以上
２０μｍ以下の幅である部分を有することがより好ましい。特に、１０μｍ以下のパター
ン幅を有する導電膜は、使用者が視認することが極めて困難となるため好ましい。
【0232】
一例として、図１７（Ａ）乃至図１７（Ｄ）に、電極１５１又は電極１５２の一部を拡
大した概略図を示している。図１７（Ａ）は、格子状の導電膜１４６を用いた場合の例を
示している。このとき、導電膜１４６を、表示装置が有する表示素子と重ならないように
配置すると、表示装置からの光を遮光することがないため好ましい。その場合、格子の向
きを表示素子の配列と同じ向きとし、また、格子の周期を表示素子の配列の周期の整数倍
とすることが好ましい。
大した概略図を示している。図１７（Ａ）は、格子状の導電膜１４６を用いた場合の例を
示している。このとき、導電膜１４６を、表示装置が有する表示素子と重ならないように
配置すると、表示装置からの光を遮光することがないため好ましい。その場合、格子の向
きを表示素子の配列と同じ向きとし、また、格子の周期を表示素子の配列の周期の整数倍
とすることが好ましい。
【0233】
また、図１７（Ｂ）には、三角形の開口が形成されるように加工された格子状の導電膜
１４７の例を示している。このような構成とすることで、図１７（Ａ）に示した導電膜１
４６に比べて、抵抗をより低くすることが可能となる。
１４７の例を示している。このような構成とすることで、図１７（Ａ）に示した導電膜１
４６に比べて、抵抗をより低くすることが可能となる。
【0234】
【0235】
また、電極１５１及び電極１５２に、導電性のナノワイヤを用いてもよい。図１７（Ｄ
）には、ナノワイヤ１４９を用いた場合の例を示している。隣接するナノワイヤ１４９同
士が接触するように、適当な密度で分散することにより、２次元的なネットワークが形成
され、極めて透光性の高い導電膜として機能させることができる。例えば、直径の平均値
が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎ
ｍ以上２５ｎｍ以下のナノワイヤを用いることができる。ナノワイヤ１４９としては、Ａ
ｇナノワイヤや、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ等の金属ナノワイヤ、又は、カーボン
ナノチューブなどを用いることができる。例えば、Ａｇナノワイヤの場合、光透過率は８
９％以上、シート抵抗値は４０Ω／□以上１００Ω／□以下を実現することができる。
）には、ナノワイヤ１４９を用いた場合の例を示している。隣接するナノワイヤ１４９同
士が接触するように、適当な密度で分散することにより、２次元的なネットワークが形成
され、極めて透光性の高い導電膜として機能させることができる。例えば、直径の平均値
が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎ
ｍ以上２５ｎｍ以下のナノワイヤを用いることができる。ナノワイヤ１４９としては、Ａ
ｇナノワイヤや、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ等の金属ナノワイヤ、又は、カーボン
ナノチューブなどを用いることができる。例えば、Ａｇナノワイヤの場合、光透過率は８
９％以上、シート抵抗値は４０Ω／□以上１００Ω／□以下を実現することができる。
【0236】
以上が、タッチセンサの構成例についての説明である。
【0237】
〔タッチパネルの構成例〕
以下では、本発明の一態様の表示装置１０の例として、タッチパネルの構成例について
、図面を参照して説明する。
以下では、本発明の一態様の表示装置１０の例として、タッチパネルの構成例について
、図面を参照して説明する。
【0238】
図１８（Ａ）は、タッチパネル１００の斜視概略図である。また、図１８（Ｂ）は、図
１８（Ａ）を展開した斜視概略図である。なお、明瞭化のため、代表的な構成要素のみを
示している。また、図１８（Ｂ）では、基板３１を破線で輪郭のみ明示している。
１８（Ａ）を展開した斜視概略図である。なお、明瞭化のため、代表的な構成要素のみを
示している。また、図１８（Ｂ）では、基板３１を破線で輪郭のみ明示している。
【0239】
タッチパネル１００は、入力装置１５０が設けられた基板３１と基板２１を有し、これ
らが重ねて設けられている。基板２１側の構成については、上記構成例１等を援用するこ
とができる。
らが重ねて設けられている。基板２１側の構成については、上記構成例１等を援用するこ
とができる。
【0240】
入力装置１５０の構成は、上記タッチセンサの構成例を援用できる。図１８（Ａ）、図
１８（Ｂ）では、入力装置１５０が、複数の電極１５１、複数の電極１５２、複数の配線
１５５、複数の配線１５６を有する場合を示している。
１８（Ｂ）では、入力装置１５０が、複数の電極１５１、複数の電極１５２、複数の配線
１５５、複数の配線１５６を有する場合を示している。
【0241】
入力装置１５０としては、例えば、静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また、投影型静電
容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いると、同
時多点検出が可能となるため好ましい。以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを
適用する場合について説明する。
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また、投影型静電
容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いると、同
時多点検出が可能となるため好ましい。以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを
適用する場合について説明する。
【0242】
なお、これに限られず、指やスタイラスなどの被検知体の近接、又は接触を検知するこ
とのできる様々なセンサを、入力装置１５０に適用することもできる。
とのできる様々なセンサを、入力装置１５０に適用することもできる。
【0243】
図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）に示すタッチパネル１００は、基板３１に入力装置１５０
が設けられている。また、入力装置１５０の配線１５５及び配線１５６等は、接続部１６
９を介して、基板２１側に接続されたＦＰＣ４２と電気的に接続する。
が設けられている。また、入力装置１５０の配線１５５及び配線１５６等は、接続部１６
９を介して、基板２１側に接続されたＦＰＣ４２と電気的に接続する。
【0244】
このような構成とすることで、タッチパネル１００に接続するＦＰＣを１つの基板側（
ここでは、基板２１側）にのみ配置することができる。また、タッチパネル１００に２以
上のＦＰＣを取り付ける構成としてもよいが、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）に示すように
、タッチパネル１００には１つのＦＰＣ４２を設け、当該ＦＰＣ４２が、基板２１側と基
板３１側の両方に信号を供給する構成とすると、より部品点数を削減でき、構成を簡略化
できるため好ましい。
ここでは、基板２１側）にのみ配置することができる。また、タッチパネル１００に２以
上のＦＰＣを取り付ける構成としてもよいが、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）に示すように
、タッチパネル１００には１つのＦＰＣ４２を設け、当該ＦＰＣ４２が、基板２１側と基
板３１側の両方に信号を供給する構成とすると、より部品点数を削減でき、構成を簡略化
できるため好ましい。
【0245】
接続部１６９には、例えば、異方性の導電性を有する接続体が設けられている構成とす
ることができる。接続体としては、例えば、導電性の粒子を用いることができる。導電性
の粒子としては、有機樹脂又はシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用い
ることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると、接触抵抗を低減できるため好
ましい。また、ニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆
させた粒子を用いることが好ましい。また、接続体として、弾性変形、又は塑性変形する
材料を用いることが好ましい。このとき、導電性の粒子は、上下方向に潰れた形状となる
場合がある。こうすることで、接続体と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が
増大し、接触抵抗を低減できる他、接続不良などの不具合の発生を抑制できる。
ることができる。接続体としては、例えば、導電性の粒子を用いることができる。導電性
の粒子としては、有機樹脂又はシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用い
ることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると、接触抵抗を低減できるため好
ましい。また、ニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆
させた粒子を用いることが好ましい。また、接続体として、弾性変形、又は塑性変形する
材料を用いることが好ましい。このとき、導電性の粒子は、上下方向に潰れた形状となる
場合がある。こうすることで、接続体と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が
増大し、接触抵抗を低減できる他、接続不良などの不具合の発生を抑制できる。
【0246】
また、接続体は、基板２１と基板３１を接着する接着層１４１（図示しない。）に覆わ
れるように配置することが好ましい。例えば、硬化前の接着層１４１に、接続体を分散さ
せておけばよい。接着層１４１が設けられる部分に接続部１６９を配置することで、当該
接続部１６９を、接着層１４１を表示部３２上にも配置する構成（固体封止構造とも言う
。）に対してだけでなく、例えば、中空封止構造の発光装置や、液晶表示装置等、接着層
１４１を周辺に用いる構成に対しても適用することができる。
れるように配置することが好ましい。例えば、硬化前の接着層１４１に、接続体を分散さ
せておけばよい。接着層１４１が設けられる部分に接続部１６９を配置することで、当該
接続部１６９を、接着層１４１を表示部３２上にも配置する構成（固体封止構造とも言う
。）に対してだけでなく、例えば、中空封止構造の発光装置や、液晶表示装置等、接着層
１４１を周辺に用いる構成に対しても適用することができる。
【0247】
また、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）では、図１と異なり、ＩＣ１６８をＦＰＣ４２に実
装した場合の例を示している。このとき、ＩＣ１６８は、入力装置１５０を駆動する機能
を有していてもよいし、入力装置１５０を駆動するＩＣを基板２１、基板３１、又はＦＰ
Ｃ４２等に、別途設けてもよい。
装した場合の例を示している。このとき、ＩＣ１６８は、入力装置１５０を駆動する機能
を有していてもよいし、入力装置１５０を駆動するＩＣを基板２１、基板３１、又はＦＰ
Ｃ４２等に、別途設けてもよい。
【0248】
〔断面構成例〕
続いて、タッチパネル１００の断面構成の例について説明する。図１９は、タッチパネ
ル１００の断面概略図である。図１９は、図１１と比較して、接着層１４１よりも基板３
１側の構成が、主に相違している。
続いて、タッチパネル１００の断面構成の例について説明する。図１９は、タッチパネ
ル１００の断面概略図である。図１９は、図１１と比較して、接着層１４１よりも基板３
１側の構成が、主に相違している。
【0249】
基板３１の基板２１側の面上に、絶縁層１６１、絶縁層１６２、絶縁層１６３、絶縁層
１６４等が積層して設けられている。絶縁層１６１と絶縁層１６２の間に、遮光層１３３
が設けられている。絶縁層１６２と絶縁層１６３の間に、電極１５１、電極１５２等が設
けられている。絶縁層１６３と絶縁層１６４の間に、ブリッジ電極１５３が設けられてい
る。絶縁層１６４の接着層１４１側の面には、着色層１３１ａ、遮光層１３２等が設けら
れている。
１６４等が積層して設けられている。絶縁層１６１と絶縁層１６２の間に、遮光層１３３
が設けられている。絶縁層１６２と絶縁層１６３の間に、電極１５１、電極１５２等が設
けられている。絶縁層１６３と絶縁層１６４の間に、ブリッジ電極１５３が設けられてい
る。絶縁層１６４の接着層１４１側の面には、着色層１３１ａ、遮光層１３２等が設けら
れている。
【0250】
【0251】
電極１５１や電極１５２は、遮光層１３２と重なる位置に設けられている。また、図１
９では、電極１５１が発光素子４０と重ならないように配置されている例を示している。
言い換えると、電極１５１は、発光素子４０と重なる開口を有するメッシュ形状を有する
。このような構成とすることで、発光素子４０が発する光の経路上に電極１５１が配置さ
れないため、電極１５１を配置することによる輝度の低下は実質的に生じず、視認性が高
く、かつ消費電力が低減されたタッチパネル１００を実現できる。なお、電極１５２も同
様の構成とすることができる。
９では、電極１５１が発光素子４０と重ならないように配置されている例を示している。
言い換えると、電極１５１は、発光素子４０と重なる開口を有するメッシュ形状を有する
。このような構成とすることで、発光素子４０が発する光の経路上に電極１５１が配置さ
れないため、電極１５１を配置することによる輝度の低下は実質的に生じず、視認性が高
く、かつ消費電力が低減されたタッチパネル１００を実現できる。なお、電極１５２も同
様の構成とすることができる。
【0252】
また、電極１５１や電極１５２が発光素子４０と重ならないため、これらに透光性の導
電性材料を用いる必要がなく、該導電性材料よりも低抵抗な金属材料を用いることができ
る。そのため、電極１５１や電極１５２に透光性の導電性材料を用いた場合に比べて、タ
ッチセンサの感度を向上させることができる。
電性材料を用いる必要がなく、該導電性材料よりも低抵抗な金属材料を用いることができ
る。そのため、電極１５１や電極１５２に透光性の導電性材料を用いた場合に比べて、タ
ッチセンサの感度を向上させることができる。
【0253】
また、図１９では、電極１５１と電極１５２（及びブリッジ電極１５３）よりも基板３
１側に、これらと重ねて遮光層１３３が設けられている例を示している。遮光層１３３に
より、電極１５１等に金属材料を用いた場合であっても、これらの外光反射を抑制できる
ため、より視認性の高いタッチパネル１００を実現できる。なお、ここでは遮光層１３２
と遮光層１３３の２つの遮光層を設ける例を示したが、いずれか一方のみを配置する構成
としてもよい。
１側に、これらと重ねて遮光層１３３が設けられている例を示している。遮光層１３３に
より、電極１５１等に金属材料を用いた場合であっても、これらの外光反射を抑制できる
ため、より視認性の高いタッチパネル１００を実現できる。なお、ここでは遮光層１３２
と遮光層１３３の２つの遮光層を設ける例を示したが、いずれか一方のみを配置する構成
としてもよい。
【0254】
また、基板３１上の偏光板１３０を設けず、基板３１を指又はスタイラスなどの被検知
体が直接触れる基板として用いてもよい。このとき、基板３１上に保護層（セラミックコ
ート等）を設けることが好ましい。保護層は、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウム
、酸化イットリウム、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）などの無機絶縁性材料を用
いることができる。また、基板３１に強化ガラスを用いてもよい。強化ガラスは、イオン
交換法や風冷強化法等により物理的、又は化学的な処理が施され、その表面に圧縮応力を
加えたものを用いることができる。タッチセンサを強化ガラスの一面に設け、その反対側
の面を、例えば、電子機器の最表面に設けてタッチ面として用いることにより、機器全体
の厚さを低減することができる。
体が直接触れる基板として用いてもよい。このとき、基板３１上に保護層（セラミックコ
ート等）を設けることが好ましい。保護層は、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウム
、酸化イットリウム、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）などの無機絶縁性材料を用
いることができる。また、基板３１に強化ガラスを用いてもよい。強化ガラスは、イオン
交換法や風冷強化法等により物理的、又は化学的な処理が施され、その表面に圧縮応力を
加えたものを用いることができる。タッチセンサを強化ガラスの一面に設け、その反対側
の面を、例えば、電子機器の最表面に設けてタッチ面として用いることにより、機器全体
の厚さを低減することができる。
【0255】
【0256】
【0257】
【0258】
基板３１上には、電極１５１、電極１５２が形成され、これらを覆って絶縁層１６３が
設けられている。また、絶縁層１６３上にブリッジ電極１５３が設けられている。
設けられている。また、絶縁層１６３上にブリッジ電極１５３が設けられている。
【0259】
基板１７０は、タッチ面として機能する基板であり、例えば、タッチパネル１００を電
子機器に組み込んだ際の筐体の一部、又は保護ガラスなどとして機能する。基板１７０と
基板３１とは、接着層１６５によって貼り合わされている。
子機器に組み込んだ際の筐体の一部、又は保護ガラスなどとして機能する。基板１７０と
基板３１とは、接着層１６５によって貼り合わされている。
【0260】
ここで、図２０では、電極１５１が遮光層１３２と重なる領域だけでなく、発光素子４
０、着色層１３１ａ等と重なる領域にも配置されている例を示している。このとき、電極
１５１には、可視光を透過する材料を用いることができる。例えば、金属酸化物を含む膜
や、グラフェンを含む膜、又は金属や合金を含み、可視光を透過する程度に薄い膜などを
、電極１５１に用いることができる。なお、電極１５２についても同様である。また、ブ
リッジ電極１５３にも、同様の可視光を透過する材料を用いてよいが、ブリッジ電極１５
３が遮光層１３２と重ねて配置される場合や、ブリッジ電極１５３の面積が極めて小さい
場合には、金属や合金など、可視光を遮光する材料を用いてもよい。
０、着色層１３１ａ等と重なる領域にも配置されている例を示している。このとき、電極
１５１には、可視光を透過する材料を用いることができる。例えば、金属酸化物を含む膜
や、グラフェンを含む膜、又は金属や合金を含み、可視光を透過する程度に薄い膜などを
、電極１５１に用いることができる。なお、電極１５２についても同様である。また、ブ
リッジ電極１５３にも、同様の可視光を透過する材料を用いてよいが、ブリッジ電極１５
３が遮光層１３２と重ねて配置される場合や、ブリッジ電極１５３の面積が極めて小さい
場合には、金属や合金など、可視光を遮光する材料を用いてもよい。
【0261】
以上が、タッチパネル１００の断面構成例についての説明である。
【0262】
［構成例３］
以下では、本発明の一態様の表示装置１０の例として、反射型の液晶素子と、発光素子
の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置（表
示パネル）の例を説明する。このような表示パネルを、ＴＲ－ｈｙｂｒｉｄ ｄｉｓｐｌ
ａｙ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ ＯＬＥＤ ａｎｄ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ＬＣ Ｈ
ｙｂｒｉｄ ｄｉｓｐｌａｙ）とも呼ぶことができる。
以下では、本発明の一態様の表示装置１０の例として、反射型の液晶素子と、発光素子
の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置（表
示パネル）の例を説明する。このような表示パネルを、ＴＲ－ｈｙｂｒｉｄ ｄｉｓｐｌ
ａｙ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ ＯＬＥＤ ａｎｄ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ＬＣ Ｈ
ｙｂｒｉｄ ｄｉｓｐｌａｙ）とも呼ぶことができる。
【0263】
このような表示パネルの一例としては、可視光を反射する電極を備える液晶素子と、発
光素子とを積層して配置した構成が挙げられる。このとき、可視光を反射する電極が開口
を有し、当該開口と発光素子とが重ねて配置されていることが好ましい。これにより、透
過モードでは、当該開口を介して発光素子からの光が射出されるように駆動することがで
きる。また、液晶素子を駆動するトランジスタと、発光素子を構成するトランジスタとが
、同一平面上に配置されていることが好ましい。また、発光素子と液晶素子とは、絶縁層
を介して積層されていることが好ましい。
光素子とを積層して配置した構成が挙げられる。このとき、可視光を反射する電極が開口
を有し、当該開口と発光素子とが重ねて配置されていることが好ましい。これにより、透
過モードでは、当該開口を介して発光素子からの光が射出されるように駆動することがで
きる。また、液晶素子を駆動するトランジスタと、発光素子を構成するトランジスタとが
、同一平面上に配置されていることが好ましい。また、発光素子と液晶素子とは、絶縁層
を介して積層されていることが好ましい。
【0264】
このような表示パネルは、屋外など外光の明るい場所では、反射モードで表示すること
により、極めて低い消費電力で駆動を行うことができる。また、夜間や室内など外光が暗
い場所では、透過モードで表示することにより、最適な輝度で画像を表示することができ
る。さらに、透過モードと反射モードの両方のモードで表示することにより、極めて外光
が明るい場所であっても、従来の表示パネルに比べて、低い消費電力で、かつコントラス
トの高い表示を行うことができる。
により、極めて低い消費電力で駆動を行うことができる。また、夜間や室内など外光が暗
い場所では、透過モードで表示することにより、最適な輝度で画像を表示することができ
る。さらに、透過モードと反射モードの両方のモードで表示することにより、極めて外光
が明るい場所であっても、従来の表示パネルに比べて、低い消費電力で、かつコントラス
トの高い表示を行うことができる。
【0265】
〔構成例〕
図２１（Ａ）は、表示装置２００の構成の一例を示すブロック図である。表示装置２０
０は、表示部３２にマトリクス状に配列した複数の画素２１０を有する。また、表示装置
２００は、回路ＧＤと、回路ＳＤを有する。また、方向Ｒに配列した複数の画素２１０、
及び回路ＧＤと電気的に接続する複数の配線Ｇ１、複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、
及び複数の配線ＣＳＣＯＭを有する。また、方向Ｃに配列した複数の画素２１０、及び回
路ＳＤと電気的に接続する複数の配線Ｓ１及び複数の配線Ｓ２を有する。
図２１（Ａ）は、表示装置２００の構成の一例を示すブロック図である。表示装置２０
０は、表示部３２にマトリクス状に配列した複数の画素２１０を有する。また、表示装置
２００は、回路ＧＤと、回路ＳＤを有する。また、方向Ｒに配列した複数の画素２１０、
及び回路ＧＤと電気的に接続する複数の配線Ｇ１、複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、
及び複数の配線ＣＳＣＯＭを有する。また、方向Ｃに配列した複数の画素２１０、及び回
路ＳＤと電気的に接続する複数の配線Ｓ１及び複数の配線Ｓ２を有する。
【0266】
画素２１０は、反射型の液晶素子と、発光素子を有する。画素２１０において、液晶素
子と発光素子とは、互いに重なる部分を有する。
子と発光素子とは、互いに重なる部分を有する。
【0267】
【0268】
図２１（Ｂ１）には、導電層１９１と重なる領域に位置する発光素子４０を破線で示し
ている。発光素子４０は、導電層１９１が有する開口部２５１と重ねて配置されている。
これにより、発光素子４０が発する光は、開口部２５１を介して表示面側に射出される。
ている。発光素子４０は、導電層１９１が有する開口部２５１と重ねて配置されている。
これにより、発光素子４０が発する光は、開口部２５１を介して表示面側に射出される。
【0269】
図２１（Ｂ１）では、方向Ｒに隣接する画素２１０が、異なる色に対応する画素である
。このとき、図２１（Ｂ１）に示すように、方向Ｒに隣接する２つの画素において、開口
部２５１が一列に配列されないように、導電層１９１の異なる位置に設けられていること
が好ましい。これにより、２つの発光素子４０を離すことが可能で、発光素子４０が発す
る光が、隣接する画素２１０が有する着色層に入射してしまう現象（クロストークとも言
う。）を抑制することができる。また、隣接する２つの発光素子４０を離して配置するこ
とができるため、発光素子４０のＥＬ層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっ
ても、高い精細度の表示装置２００を実現できる。
。このとき、図２１（Ｂ１）に示すように、方向Ｒに隣接する２つの画素において、開口
部２５１が一列に配列されないように、導電層１９１の異なる位置に設けられていること
が好ましい。これにより、２つの発光素子４０を離すことが可能で、発光素子４０が発す
る光が、隣接する画素２１０が有する着色層に入射してしまう現象（クロストークとも言
う。）を抑制することができる。また、隣接する２つの発光素子４０を離して配置するこ
とができるため、発光素子４０のＥＬ層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっ
ても、高い精細度の表示装置２００を実現できる。
【0270】
また、画素２１０は、図２１（Ｂ２）に示すような配列としてもよい。
【0271】
画素２１０が有する導電層１９１において、非開口部の総面積に対する開口部２５１の
総面積の比の値が大きすぎると、液晶素子を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開
口部の総面積に対する開口部２５１の総面積の比の値が小さすぎると、発光素子４０を用
いた表示が暗くなってしまう。
総面積の比の値が大きすぎると、液晶素子を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開
口部の総面積に対する開口部２５１の総面積の比の値が小さすぎると、発光素子４０を用
いた表示が暗くなってしまう。
【0272】
また、反射電極として機能する導電層１９１に設ける開口部２５１の面積が小さすぎる
と、発光素子４０が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。
と、発光素子４０が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。
【0273】
開口部２５１の形状は、例えば、多角形、四角形、楕円形、円形又は十字等の形状とす
ることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また
、開口部２５１を、隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口部２５１を
、同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる
。
ることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また
、開口部２５１を、隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口部２５１を
、同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる
。
【0274】
【0275】
画素２１０は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１、液晶素子６０、スイッチＳＷ２、トラ
ンジスタＭ、容量素子Ｃ２、及び発光素子４０等を有する。また、画素２１０には、配線
Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、及び配線Ｓ２が電気的に接続
されている。また、図２２では、液晶素子６０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ１、及び
発光素子４０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ２を示している。
ンジスタＭ、容量素子Ｃ２、及び発光素子４０等を有する。また、画素２１０には、配線
Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、及び配線Ｓ２が電気的に接続
されている。また、図２２では、液晶素子６０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ１、及び
発光素子４０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ２を示している。
【0276】
図２２では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２に、トランジスタを用いた場合の例を
示している。
示している。
【0277】
スイッチＳＷ１は、ゲートが配線Ｇ１と接続され、ソース又はドレインの一方が配線Ｓ
１と接続され、ソース又はドレインの他方が容量素子Ｃ１の一方の電極、及び液晶素子６
０の一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１は、他方の電極が配線ＣＳＣＯＭと接続
されている。液晶素子６０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ１と接続されている。
１と接続され、ソース又はドレインの他方が容量素子Ｃ１の一方の電極、及び液晶素子６
０の一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１は、他方の電極が配線ＣＳＣＯＭと接続
されている。液晶素子６０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ１と接続されている。
【0278】
また、スイッチＳＷ２は、ゲートが配線Ｇ２と接続され、ソース又はドレインの一方が
配線Ｓ２と接続され、ソース又はドレインの他方が、容量素子Ｃ２の一方の電極、トラン
ジスタＭのゲートと接続されている。容量素子Ｃ２は、他方の電極がトランジスタＭのソ
ース又はドレインの一方、及び配線ＡＮＯと接続されている。トランジスタＭは、ソース
又はドレインの他方が発光素子４０の一方の電極と接続されている。発光素子４０は、他
方の電極が配線ＶＣＯＭ２と接続されている。
配線Ｓ２と接続され、ソース又はドレインの他方が、容量素子Ｃ２の一方の電極、トラン
ジスタＭのゲートと接続されている。容量素子Ｃ２は、他方の電極がトランジスタＭのソ
ース又はドレインの一方、及び配線ＡＮＯと接続されている。トランジスタＭは、ソース
又はドレインの他方が発光素子４０の一方の電極と接続されている。発光素子４０は、他
方の電極が配線ＶＣＯＭ２と接続されている。
【0279】
図２２では、トランジスタＭが、チャネル領域を形成する半導体を挟む２つのゲートを
有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタＭが流すこと
のできる電流を増大させることができる。
有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタＭが流すこと
のできる電流を増大させることができる。
【0280】
配線Ｇ１には、スイッチＳＷ１を導通状態又は非導通状態に制御する信号を与えること
ができる。配線ＶＣＯＭ１には、所定の電位を与えることができる。配線Ｓ１には、液晶
素子６０が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線ＣＳＣＯＭ
には、所定の電位を与えることができる。
ができる。配線ＶＣＯＭ１には、所定の電位を与えることができる。配線Ｓ１には、液晶
素子６０が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線ＣＳＣＯＭ
には、所定の電位を与えることができる。
【0281】
配線Ｇ２には、スイッチＳＷ２を導通状態又は非導通状態に制御する信号を与えること
ができる。配線ＶＣＯＭ２及び配線ＡＮＯには、発光素子４０が発光する電位差が生じる
電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓ２には、トランジスタＭの導通状態を制御す
る信号を与えることができる。
ができる。配線ＶＣＯＭ２及び配線ＡＮＯには、発光素子４０が発光する電位差が生じる
電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓ２には、トランジスタＭの導通状態を制御す
る信号を与えることができる。
【0282】
図２２に示す画素２１０は、例えば、反射モードの表示を行う場合には、配線Ｇ１及び
配線Ｓ１に与える信号により駆動し、液晶素子６０による光学変調を利用して表示するこ
とができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線Ｇ２及び配線Ｓ２に与える信
号により駆動し、発光素子４０を発光させて表示することができる。また、両方のモード
で表示を行う場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１及び配線Ｓ２のそれぞれに与える
信号により駆動し、液晶素子６０と発光素子４０の双方を用いて表示することができる。
配線Ｓ１に与える信号により駆動し、液晶素子６０による光学変調を利用して表示するこ
とができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線Ｇ２及び配線Ｓ２に与える信
号により駆動し、発光素子４０を発光させて表示することができる。また、両方のモード
で表示を行う場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１及び配線Ｓ２のそれぞれに与える
信号により駆動し、液晶素子６０と発光素子４０の双方を用いて表示することができる。
【0283】
〔表示装置の断面構成例〕
図２３に、表示装置２００の断面概略図を示す。
図２３に、表示装置２００の断面概略図を示す。
【0284】
表示装置２００は、基板２１と基板３１の間に、絶縁層２２０を有する。また、基板２
１と絶縁層２２０の間に、発光素子４０、トランジスタ２０５、トランジスタ２０６、着
色層１３４等を有する。また、絶縁層２２０と基板３１の間に、液晶素子６０、着色層１
３１、構造体２４４等を有する。
１と絶縁層２２０の間に、発光素子４０、トランジスタ２０５、トランジスタ２０６、着
色層１３４等を有する。また、絶縁層２２０と基板３１の間に、液晶素子６０、着色層１
３１、構造体２４４等を有する。
【0285】
基板２１と絶縁層８２等とは、接着層１４１で貼り合わされている。また、基板３１と
絶縁層２２０は、液晶を封止する接着層１４２で貼り合わされている。
絶縁層２２０は、液晶を封止する接着層１４２で貼り合わされている。
【0286】
液晶素子６０は、反射型の液晶素子である。液晶素子６０は、導電層１９２、液晶１９
３、及び導電層１９４の積層構造を有する。また、導電層１９２の基板２１側に接して、
導電層１９１が設けられている。導電層１９１は、液晶素子６０の反射電極として機能す
る。また、導電層１９１は、開口部２５１を有する。また、導電層１９２は、可視光を透
過する材料を含む。
３、及び導電層１９４の積層構造を有する。また、導電層１９２の基板２１側に接して、
導電層１９１が設けられている。導電層１９１は、液晶素子６０の反射電極として機能す
る。また、導電層１９１は、開口部２５１を有する。また、導電層１９２は、可視光を透
過する材料を含む。
【0287】
発光素子４０は、ボトムエミッション型の発光素子である。発光素子４０は、絶縁層２
２０側から導電層１１１、ＥＬ層１１２、及び導電層１１３の順に積層された構造を有す
る。導電層１１３は可視光を反射する材料を含み、導電層１１１は可視光を透過する材料
を含む。発光素子４０が発する光は、着色層１３４、絶縁層２２０、開口部２５１、導電
層１９２等を介して、基板３１側に射出される。
２０側から導電層１１１、ＥＬ層１１２、及び導電層１１３の順に積層された構造を有す
る。導電層１１３は可視光を反射する材料を含み、導電層１１１は可視光を透過する材料
を含む。発光素子４０が発する光は、着色層１３４、絶縁層２２０、開口部２５１、導電
層１９２等を介して、基板３１側に射出される。
【0288】
また、絶縁層８１及び絶縁層８２には、それぞれ開口部１１及び開口部１２が設けられ
ている。上面視において、開口部１２の外周は、開口部１１の外周より内側にある。開口
部１１及び開口部１２は一体となり、断面視において、楔状の開口部を形成している。該
開口部の内部は、接着層１４１で満たされている。
ている。上面視において、開口部１２の外周は、開口部１１の外周より内側にある。開口
部１１及び開口部１２は一体となり、断面視において、楔状の開口部を形成している。該
開口部の内部は、接着層１４１で満たされている。
【0289】
【0290】
トランジスタ２０６のソース又はドレインの一方は、端子部２０７を介して導電層１９
１及び導電層１９２と電気的に接続されている。端子部２０７は、表示部３２内において
、絶縁層２２０に設けられた開口を介して、絶縁層２２０の両面に設けられる導電層同士
を電気的に接続する機能を有する。例えば、トランジスタ２０６は、図２２におけるスイ
ッチＳＷ１に対応する。
１及び導電層１９２と電気的に接続されている。端子部２０７は、表示部３２内において
、絶縁層２２０に設けられた開口を介して、絶縁層２２０の両面に設けられる導電層同士
を電気的に接続する機能を有する。例えば、トランジスタ２０６は、図２２におけるスイ
ッチＳＷ１に対応する。
【0291】
基板２１の基板３１と重ならない領域には、端子部２０４が設けられている。端子部２
０４は、端子部２０７と同様に、絶縁層２２０の両面に設けられる導電層同士を電気的に
接続する。端子部２０４の上面は、導電層１９２と同一の導電膜を加工して得られた導電
層が露出している。これにより、端子部２０４とＦＰＣ４２とを、接続層２４２を介して
電気的に接続することができる。
０４は、端子部２０７と同様に、絶縁層２２０の両面に設けられる導電層同士を電気的に
接続する。端子部２０４の上面は、導電層１９２と同一の導電膜を加工して得られた導電
層が露出している。これにより、端子部２０４とＦＰＣ４２とを、接続層２４２を介して
電気的に接続することができる。
【0292】
基板３１の基板２１側には、着色層１３１、遮光層１３２が設けられている。また、着
色層１３１及び遮光層１３２を覆う絶縁層１９５が設けられている。絶縁層１９５は、オ
ーバーコートとしての機能を有する。また、絶縁層１９５の基板２１側に、導電層１９４
が設けられている。
色層１３１及び遮光層１３２を覆う絶縁層１９５が設けられている。絶縁層１９５は、オ
ーバーコートとしての機能を有する。また、絶縁層１９５の基板２１側に、導電層１９４
が設けられている。
【0293】
また、接着層１４２が設けられる一部の領域には、接続部２５２が設けられている。接
続部２５２において、導電層１９２と同一の導電膜を加工して得られた導電層と、導電層
１９４の一部が、接続体２４３によって電気的に接続されている。したがって、基板３１
側に形成された導電層１９４に、基板２１側に接続されたＦＰＣ４２から入力される信号
又は電位を、接続部２５２を介して供給することができる。
続部２５２において、導電層１９２と同一の導電膜を加工して得られた導電層と、導電層
１９４の一部が、接続体２４３によって電気的に接続されている。したがって、基板３１
側に形成された導電層１９４に、基板２１側に接続されたＦＰＣ４２から入力される信号
又は電位を、接続部２５２を介して供給することができる。
【0294】
導電層１９２と導電層１９４の間に、構造体２４４が設けられている。構造体２４４は
、液晶素子６０のセルギャップを保持する機能を有する。
、液晶素子６０のセルギャップを保持する機能を有する。
【0295】
なお、ここでは図示しないが、導電層１９４と液晶１９３の間、及び導電層１９２と液
晶１９３の間には、液晶１９３の配向を制御する配向膜が設けられていてもよい。このと
き、配向膜の一部は、構造体２４４の表面を覆って設けられていてもよい。
晶１９３の間には、液晶１９３の配向を制御する配向膜が設けられていてもよい。このと
き、配向膜の一部は、構造体２４４の表面を覆って設けられていてもよい。
【0296】
表示装置２００を作製する方法の一例について説明する。例えば、剥離層を有する支持
基板上に、導電層１９２、導電層１９１、絶縁層２２０を順に形成し、その後、トランジ
スタ２０５や発光素子４０等を形成した後、接着層１４１を用いて、基板２１と支持基板
の各素子を形成した側とを貼り合せる。その後、剥離層と絶縁層２２０、及び剥離層と導
電層１９２のそれぞれの界面で剥離することにより、支持基板及び剥離層を除去する。ま
た、これとは別に、着色層１３１、遮光層１３２、構造体２４４等をあらかじめ形成した
基板３１を準備する。そして、基板２１又は基板３１の各素子を形成した側に液晶１９３
を滴下し、接着層１４２により、基板２１と基板３１のそれぞれ各素子を形成した側を貼
り合せることで、表示装置２００を作製することができる。
基板上に、導電層１９２、導電層１９１、絶縁層２２０を順に形成し、その後、トランジ
スタ２０５や発光素子４０等を形成した後、接着層１４１を用いて、基板２１と支持基板
の各素子を形成した側とを貼り合せる。その後、剥離層と絶縁層２２０、及び剥離層と導
電層１９２のそれぞれの界面で剥離することにより、支持基板及び剥離層を除去する。ま
た、これとは別に、着色層１３１、遮光層１３２、構造体２４４等をあらかじめ形成した
基板３１を準備する。そして、基板２１又は基板３１の各素子を形成した側に液晶１９３
を滴下し、接着層１４２により、基板２１と基板３１のそれぞれ各素子を形成した側を貼
り合せることで、表示装置２００を作製することができる。
【0297】
剥離層としては、絶縁層２２０及び導電層１９２との界面で剥離が生じる材料を適宜選
択することができる。特に、剥離層として、タングステンなどの高融点金属材料を含む層
と当該金属材料の酸化物を含む層を積層して用い、剥離層上の絶縁層２２０として、窒化
シリコンや酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン等を複数積層した層を用いることが好ま
しい。剥離層に高融点金属材料を用いると、これよりも後に形成する層の形成温度を高め
ることが可能で、当該層中の不純物の濃度が低減され、信頼性の高い表示装置２００を実
現できる。
択することができる。特に、剥離層として、タングステンなどの高融点金属材料を含む層
と当該金属材料の酸化物を含む層を積層して用い、剥離層上の絶縁層２２０として、窒化
シリコンや酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン等を複数積層した層を用いることが好ま
しい。剥離層に高融点金属材料を用いると、これよりも後に形成する層の形成温度を高め
ることが可能で、当該層中の不純物の濃度が低減され、信頼性の高い表示装置２００を実
現できる。
【0298】
導電層１９２としては、金属酸化物、金属窒化物、又は低抵抗化された酸化物半導体等
の酸化物を用いることが好ましい。酸化物半導体を用いる場合には、水素、ボロン、リン
、窒素、及びその他の不純物の濃度、並びに酸素欠損量の少なくとも一が、トランジスタ
に用いる半導体層に比べて高められた材料を、導電層１９２に用いればよい。
の酸化物を用いることが好ましい。酸化物半導体を用いる場合には、水素、ボロン、リン
、窒素、及びその他の不純物の濃度、並びに酸素欠損量の少なくとも一が、トランジスタ
に用いる半導体層に比べて高められた材料を、導電層１９２に用いればよい。
【0299】
以上が、構成例３についての説明である。
【0300】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
【0301】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置１０又は表示装置２００に適用可能な入
力装置（タッチセンサ）の駆動方法の例について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置１０又は表示装置２００に適用可能な入
力装置（タッチセンサ）の駆動方法の例について説明する。
【0302】
図２４（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図２４
（Ａ）では、パルス電圧出力回路６０１、電流検出回路６０２を示している。なお、図２
４（Ａ）では、パルスが与えられる電極６２１、電流の変化を検知する電極６２２をそれ
ぞれ配線Ｘ１乃至配線Ｘ６、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６の６本の配線として示している。なお
、電極の数は、これに限られない。また、図２４（Ａ）は、電極６２１及び電極６２２が
重畳すること、又は電極６２１及び電極６２２が近接して配置されることで形成される容
量６０３を図示している。なお、電極６２１と電極６２２とは、その機能を互いに置き換
えてもよい。
（Ａ）では、パルス電圧出力回路６０１、電流検出回路６０２を示している。なお、図２
４（Ａ）では、パルスが与えられる電極６２１、電流の変化を検知する電極６２２をそれ
ぞれ配線Ｘ１乃至配線Ｘ６、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６の６本の配線として示している。なお
、電極の数は、これに限られない。また、図２４（Ａ）は、電極６２１及び電極６２２が
重畳すること、又は電極６２１及び電極６２２が近接して配置されることで形成される容
量６０３を図示している。なお、電極６２１と電極６２２とは、その機能を互いに置き換
えてもよい。
【0303】
例えば、実施の形態１で例示した電極１５１は、電極６２１及び電極６２２の一方に対
応し、電極１５２が、電極６２１及び電極６２２の他方に対応する。
応し、電極１５２が、電極６２１及び電極６２２の他方に対応する。
【0304】
パルス電圧出力回路６０１は、例えば、配線Ｘ１乃至配線Ｘ６に順にパルス電圧を入力
するための回路である。電流検出回路６０２は、例えば、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６のそれぞ
れに流れる電流を検出するための回路である。
するための回路である。電流検出回路６０２は、例えば、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６のそれぞ
れに流れる電流を検出するための回路である。
【0305】
配線Ｘ１乃至配線Ｘ６のうち、１つにパルス電圧が印加されることで、容量６０３を形
成する電極６２１及び電極６２２の間には電界が生じ、電極６２２に電流が流れる。この
電極間に生じる電界の一部は、指やペンなど被検知体が近接又は接触することにより遮蔽
され、電極間に生じる電界の強さが変化する。その結果、電極６２２に流れる電流の大き
さが変化する。
成する電極６２１及び電極６２２の間には電界が生じ、電極６２２に電流が流れる。この
電極間に生じる電界の一部は、指やペンなど被検知体が近接又は接触することにより遮蔽
され、電極間に生じる電界の強さが変化する。その結果、電極６２２に流れる電流の大き
さが変化する。
【0306】
例えば、被検知体の近接、又は接触がない場合、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６に流れる電流の
大きさは、容量６０３の大きさに応じた値となる。一方、被検知体の近接、又は接触によ
り電界の一部が遮蔽された場合には、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６に流れる電流の大きさが減少
し、電流検出回路６０２は、その変化を検出する。これにより、図２４（Ａ）に示すタッ
チセンサは、被検知体の近接、又は接触を検出することができる。
大きさは、容量６０３の大きさに応じた値となる。一方、被検知体の近接、又は接触によ
り電界の一部が遮蔽された場合には、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６に流れる電流の大きさが減少
し、電流検出回路６０２は、その変化を検出する。これにより、図２４（Ａ）に示すタッ
チセンサは、被検知体の近接、又は接触を検出することができる。
【0307】
なお、電流検出回路６０２は、１本の配線に流れる電流の（時間的な）積分値を検出し
てもよい。その場合には、例えば、積分回路等を用いて検出を行えばよい。又は、電流の
ピーク値を検出してもよい。その場合には、例えば、電流を電圧に変換して、電圧値のピ
ーク値として検出してもよい。
てもよい。その場合には、例えば、積分回路等を用いて検出を行えばよい。又は、電流の
ピーク値を検出してもよい。その場合には、例えば、電流を電圧に変換して、電圧値のピ
ーク値として検出してもよい。
【0308】
図２４（Ｂ）には、図２４（Ａ）に示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力波
形のタイミングチャートの例を示す。図２４（Ｂ）では、１センシング期間で各行列の検
出を行うものとする。また、図２４（Ｂ）では、被検知体の接触又は近接を検出しない場
合（非タッチ時）と、被検知体の接触又は近接を検出した場合（タッチ時）の２つの場合
を並べて示している。ここで、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６については、検出される電流の大き
さに対応する電圧の波形を示している。
形のタイミングチャートの例を示す。図２４（Ｂ）では、１センシング期間で各行列の検
出を行うものとする。また、図２４（Ｂ）では、被検知体の接触又は近接を検出しない場
合（非タッチ時）と、被検知体の接触又は近接を検出した場合（タッチ時）の２つの場合
を並べて示している。ここで、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６については、検出される電流の大き
さに対応する電圧の波形を示している。
【0309】
図２４（Ｂ）に示すように、配線Ｘ１乃至配線Ｘ６には、順次、パルス電圧が与えられ
る。これに応じて、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６に電流が流れる。非タッチ時には、配線Ｘ１乃
至配線Ｘ６に与えられるパルス電圧に応じて、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６に同様の電流が流れ
るため、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６は、いずれも同様の出力波形を示す。一方、タッチ時には
、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６のうち、被検知体が接触、又は近接する箇所に位置する配線に流
れる電流が減少するため、図２４（Ｂ）に示すように、当該箇所における出力波形が変化
する。
る。これに応じて、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６に電流が流れる。非タッチ時には、配線Ｘ１乃
至配線Ｘ６に与えられるパルス電圧に応じて、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６に同様の電流が流れ
るため、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６は、いずれも同様の出力波形を示す。一方、タッチ時には
、配線Ｙ１乃至配線Ｙ６のうち、被検知体が接触、又は近接する箇所に位置する配線に流
れる電流が減少するため、図２４（Ｂ）に示すように、当該箇所における出力波形が変化
する。
【0310】
図２４（Ｂ）では、配線Ｘ３と配線Ｙ３とが交差する箇所又はその近傍に、被検知体が
接触又は近接した場合の例を示している。
接触又は近接した場合の例を示している。
【0311】
このように、相互容量方式では、一対の電極間に生じる電界が遮蔽されることに起因す
る電流の変化を検出することにより、被検知体の位置情報を取得することができる。なお
、検出感度が高い場合には、被検知体が検知面（例えば、タッチパネルの表面）から離れ
ていても、その座標を検出することができる。
る電流の変化を検出することにより、被検知体の位置情報を取得することができる。なお
、検出感度が高い場合には、被検知体が検知面（例えば、タッチパネルの表面）から離れ
ていても、その座標を検出することができる。
【0312】
また、タッチパネルにおいては、表示部の表示期間と、タッチセンサのセンシング期間
とをずらした駆動方法を用いることにより、タッチセンサの検出感度を高めることができ
る。例えば、表示の１フレーム期間の間に、表示期間と、センシング期間を分けて行えば
よい。また、このとき、１フレーム期間中に２以上のセンシング期間を設けることが好ま
しい。センシングの頻度を増やすことで、検出感度をより高めることができる。
とをずらした駆動方法を用いることにより、タッチセンサの検出感度を高めることができ
る。例えば、表示の１フレーム期間の間に、表示期間と、センシング期間を分けて行えば
よい。また、このとき、１フレーム期間中に２以上のセンシング期間を設けることが好ま
しい。センシングの頻度を増やすことで、検出感度をより高めることができる。
【0313】
また、パルス電圧出力回路６０１及び電流検出回路６０２は、例えば、１個のＩＣチッ
プの中に形成されていることが好ましい。当該ＩＣは、例えば、タッチパネルに実装され
ること、又は電子機器の筐体内の基板に実装されることが好ましい。また、可撓性を有す
るタッチパネルとする場合には、曲げた部分では寄生容量が増大し、ノイズの影響が大き
くなってしまう恐れがあるため、ノイズの影響を受けにくい駆動方法が適用されたＩＣを
用いることが好ましい。例えば、シグナル－ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を高める駆動方法が適
用されたＩＣを用いることが好ましい。
プの中に形成されていることが好ましい。当該ＩＣは、例えば、タッチパネルに実装され
ること、又は電子機器の筐体内の基板に実装されることが好ましい。また、可撓性を有す
るタッチパネルとする場合には、曲げた部分では寄生容量が増大し、ノイズの影響が大き
くなってしまう恐れがあるため、ノイズの影響を受けにくい駆動方法が適用されたＩＣを
用いることが好ましい。例えば、シグナル－ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を高める駆動方法が適
用されたＩＣを用いることが好ましい。
【0314】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
【0315】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態に示した各トランジスタに置き換えて用いることの
できるトランジスタの一例について、図面を用いて説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した各トランジスタに置き換えて用いることの
できるトランジスタの一例について、図面を用いて説明する。
【0316】
本発明の一態様の表示装置１０又は表示装置２００は、ボトムゲート型トランジスタや
、トップゲート型トランジスタなどの様々な形態のトランジスタを用いて作製することが
できる。よって、既存の製造ラインに合わせて、使用する半導体層の材料やトランジスタ
構造を容易に置き換えることができる。
、トップゲート型トランジスタなどの様々な形態のトランジスタを用いて作製することが
できる。よって、既存の製造ラインに合わせて、使用する半導体層の材料やトランジスタ
構造を容易に置き換えることができる。
【0317】
〔ボトムゲート型トランジスタ〕
図２５（Ａ１）は、ボトムゲート型のトランジスタの一種である、チャネル保護型のト
ランジスタ８１０の断面図である。図２５（Ａ１）において、トランジスタ８１０は、基
板７７１上に形成されている。また、トランジスタ８１０は、基板７７１上に絶縁層７７
２を介して電極７４６を有する。また、電極７４６上に絶縁層７２６を介して半導体層７
４２を有する。電極７４６はゲート電極として機能できる。絶縁層７２６はゲート絶縁層
として機能できる。
図２５（Ａ１）は、ボトムゲート型のトランジスタの一種である、チャネル保護型のト
ランジスタ８１０の断面図である。図２５（Ａ１）において、トランジスタ８１０は、基
板７７１上に形成されている。また、トランジスタ８１０は、基板７７１上に絶縁層７７
２を介して電極７４６を有する。また、電極７４６上に絶縁層７２６を介して半導体層７
４２を有する。電極７４６はゲート電極として機能できる。絶縁層７２６はゲート絶縁層
として機能できる。
【0318】
また、半導体層７４２のチャネル形成領域上に絶縁層７４１を有する。また、半導体層
７４２の一部と接して、絶縁層７２６上に電極７４４ａ及び電極７４４ｂを有する。電極
７４４ａは、ソース電極又はドレイン電極の一方として機能できる。電極７４４ｂは、ソ
ース電極又はドレイン電極の他方として機能できる。電極７４４ａの一部、及び電極７４
４ｂの一部は、絶縁層７４１上に形成される。
７４２の一部と接して、絶縁層７２６上に電極７４４ａ及び電極７４４ｂを有する。電極
７４４ａは、ソース電極又はドレイン電極の一方として機能できる。電極７４４ｂは、ソ
ース電極又はドレイン電極の他方として機能できる。電極７４４ａの一部、及び電極７４
４ｂの一部は、絶縁層７４１上に形成される。
【0319】
絶縁層７４１は、チャネル保護層として機能できる。チャネル形成領域上に絶縁層７４
１を設けることで、電極７４４ａ及び電極７４４ｂの形成時に生じる半導体層７４２の露
出を防ぐことができる。よって、電極７４４ａ及び電極７４４ｂの形成時に、半導体層７
４２のチャネル形成領域がエッチングされることを防ぐことができる。これにより、本発
明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジスタを実現することができる。
１を設けることで、電極７４４ａ及び電極７４４ｂの形成時に生じる半導体層７４２の露
出を防ぐことができる。よって、電極７４４ａ及び電極７４４ｂの形成時に、半導体層７
４２のチャネル形成領域がエッチングされることを防ぐことができる。これにより、本発
明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジスタを実現することができる。
【0320】
また、トランジスタ８１０は、電極７４４ａ、電極７４４ｂ及び絶縁層７４１上に絶縁
層７２８を有し、絶縁層７２８の上に絶縁層７２９を有する。
層７２８を有し、絶縁層７２８の上に絶縁層７２９を有する。
【0321】
例えば、絶縁層７７２は、絶縁層１７３や絶縁層２２０と同様の材料及び方法を用いて
形成することができる。なお、絶縁層７７２は、複数の絶縁層の積層であってもよい。ま
た、例えば、半導体層７４２は、半導体層２３１と同様の材料及び方法を用いて形成する
ことができる。なお、半導体層７４２は、複数の半導体層の積層であってもよい。また、
例えば、電極７４６は、導電層２２１と同様の材料及び方法を用いて形成することができ
る。なお、電極７４６は、複数の導電層の積層であってもよい。また、例えば、絶縁層７
２６は、絶縁層２１１と同様の材料及び方法を用いて形成することができる。なお、絶縁
層７２６は、複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、電極７４４ａ及び電極
７４４ｂは、配線３５又は導電層２２２と同様の材料及び方法を用いて形成することがで
きる。なお、電極７４４ａ及び電極７４４ｂは、複数の導電層の積層であってもよい。ま
た、例えば、絶縁層７４１は、絶縁層７２６と同様の材料及び方法を用いて形成すること
ができる。なお、絶縁層７４１は、複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、
絶縁層７２８は、絶縁層２１２と同様の材料及び方法を用いて形成することができる。な
お、絶縁層７２８は、複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、絶縁層７２９
は、絶縁層２１３と同様の材料及び方法を用いて形成することができる。なお、絶縁層７
２９は、複数の絶縁層の積層であってもよい。
形成することができる。なお、絶縁層７７２は、複数の絶縁層の積層であってもよい。ま
た、例えば、半導体層７４２は、半導体層２３１と同様の材料及び方法を用いて形成する
ことができる。なお、半導体層７４２は、複数の半導体層の積層であってもよい。また、
例えば、電極７４６は、導電層２２１と同様の材料及び方法を用いて形成することができ
る。なお、電極７４６は、複数の導電層の積層であってもよい。また、例えば、絶縁層７
２６は、絶縁層２１１と同様の材料及び方法を用いて形成することができる。なお、絶縁
層７２６は、複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、電極７４４ａ及び電極
７４４ｂは、配線３５又は導電層２２２と同様の材料及び方法を用いて形成することがで
きる。なお、電極７４４ａ及び電極７４４ｂは、複数の導電層の積層であってもよい。ま
た、例えば、絶縁層７４１は、絶縁層７２６と同様の材料及び方法を用いて形成すること
ができる。なお、絶縁層７４１は、複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、
絶縁層７２８は、絶縁層２１２と同様の材料及び方法を用いて形成することができる。な
お、絶縁層７２８は、複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、絶縁層７２９
は、絶縁層２１３と同様の材料及び方法を用いて形成することができる。なお、絶縁層７
２９は、複数の絶縁層の積層であってもよい。
【0322】
本実施の形態で開示するトランジスタを構成する電極、半導体層、絶縁層などは、他の
実施の形態に開示した材料及び方法を用いて形成することができる。
実施の形態に開示した材料及び方法を用いて形成することができる。
【0323】
半導体層７４２に酸化物半導体を用いる場合、電極７４４ａ及び電極７４４ｂの、少な
くとも半導体層７４２と接する部分に、半導体層７４２の一部から酸素を奪い、酸素欠損
を生じさせることが可能な材料を用いることが好ましい。半導体層７４２中の酸素欠損が
生じた領域はキャリア濃度が増加し、当該領域はｎ型化し、ｎ型領域（ｎ＋層）となる。
したがって、当該領域はソース領域又はドレイン領域として機能することができる。半導
体層７４２に酸化物半導体を用いる場合、半導体層７４２から酸素を奪い、酸素欠損を生
じさせることが可能な材料の一例として、タングステン、チタン等を挙げることができる
。
くとも半導体層７４２と接する部分に、半導体層７４２の一部から酸素を奪い、酸素欠損
を生じさせることが可能な材料を用いることが好ましい。半導体層７４２中の酸素欠損が
生じた領域はキャリア濃度が増加し、当該領域はｎ型化し、ｎ型領域（ｎ＋層）となる。
したがって、当該領域はソース領域又はドレイン領域として機能することができる。半導
体層７４２に酸化物半導体を用いる場合、半導体層７４２から酸素を奪い、酸素欠損を生
じさせることが可能な材料の一例として、タングステン、チタン等を挙げることができる
。
【0324】
半導体層７４２にソース領域及びドレイン領域が形成されることにより、電極７４４ａ
及び電極７４４ｂと、半導体層７４２と、の接触抵抗を低減することができる。よって、
電界効果移動度や、閾値電圧などの、トランジスタの電気特性を良好なものとすることが
できる。
及び電極７４４ｂと、半導体層７４２と、の接触抵抗を低減することができる。よって、
電界効果移動度や、閾値電圧などの、トランジスタの電気特性を良好なものとすることが
できる。
【0325】
半導体層７４２にシリコンなどの半導体を用いる場合は、半導体層７４２と電極７４４
ａの間、及び半導体層７４２と電極７４４ｂの間に、ｎ型半導体又はｐ型半導体として機
能する層を設けることが好ましい。ｎ型半導体又はｐ型半導体として機能する層は、トラ
ンジスタのソース領域又はドレイン領域として機能することができる。
ａの間、及び半導体層７４２と電極７４４ｂの間に、ｎ型半導体又はｐ型半導体として機
能する層を設けることが好ましい。ｎ型半導体又はｐ型半導体として機能する層は、トラ
ンジスタのソース領域又はドレイン領域として機能することができる。
【0326】
絶縁層７２９は、外部からトランジスタへの不純物の混入を防ぐ、又は低減する機能を
有する材料を用いて形成することが好ましい。なお、必要に応じて、絶縁層７２９を省略
することもできる。
有する材料を用いて形成することが好ましい。なお、必要に応じて、絶縁層７２９を省略
することもできる。
【0327】
なお、半導体層７４２に酸化物半導体を用いる場合、絶縁層７２９の形成前又は形成後
、若しくは絶縁層７２９の形成前後に加熱処理を行ってもよい。加熱処理を行うことで、
絶縁層７２９や他の絶縁層中に含まれる酸素を半導体層７４２中に拡散させ、半導体層７
４２中の酸素欠損を補填することができる。又は、絶縁層７２９を加熱しながら成膜する
ことで、半導体層７４２中の酸素欠損を補填することができる。
、若しくは絶縁層７２９の形成前後に加熱処理を行ってもよい。加熱処理を行うことで、
絶縁層７２９や他の絶縁層中に含まれる酸素を半導体層７４２中に拡散させ、半導体層７
４２中の酸素欠損を補填することができる。又は、絶縁層７２９を加熱しながら成膜する
ことで、半導体層７４２中の酸素欠損を補填することができる。
【0328】
なお、一般に、ＣＶＤ法は、プラズマを利用するプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａ
ｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、熱を利用する熱ＣＶＤ（ＴＣＶＤ：Ｔｈｅｒｍ
ａｌ ＣＶＤ）法などに分類できる。さらに、用いる原料ガスによって、金属ＣＶＤ（Ｍ
ＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ ＣＶＤ）法、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａ
ｎｉｃ ＣＶＤ）法などに分類できる。
ｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、熱を利用する熱ＣＶＤ（ＴＣＶＤ：Ｔｈｅｒｍ
ａｌ ＣＶＤ）法などに分類できる。さらに、用いる原料ガスによって、金属ＣＶＤ（Ｍ
ＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ ＣＶＤ）法、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａ
ｎｉｃ ＣＶＤ）法などに分類できる。
【0329】
また、一般に、蒸着法は、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａ
ｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法、ＩＢＡＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などに分類できる
。
ｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法、ＩＢＡＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などに分類できる
。
【0330】
プラズマＣＶＤ法は、比較的低温で高品質の膜が得られる。また、ＭＯＣＶＤ法や蒸着
法などの、成膜時にプラズマを用いない成膜方法を用いると、被形成面にダメージが生じ
にくく、また、欠陥の少ない膜が得られる。
法などの、成膜時にプラズマを用いない成膜方法を用いると、被形成面にダメージが生じ
にくく、また、欠陥の少ない膜が得られる。
【0331】
また、一般に、スパッタリング法は、ＤＣスパッタリング法、マグネトロンスパッタリ
ング法、ＲＦスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）スパッタリング法、対向ターゲットス
パッタリング法などに分類できる。
ング法、ＲＦスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）スパッタリング法、対向ターゲットス
パッタリング法などに分類できる。
【0332】
対向ターゲットスパッタリング法では、プラズマがターゲット間に閉じこめられるため
、基板へのプラズマダメージを低減することができる。また、ターゲットの傾きによって
は、スパッタリング粒子の基板への入射角度を浅くすることができるため、段差被覆性を
高めることができる。
、基板へのプラズマダメージを低減することができる。また、ターゲットの傾きによって
は、スパッタリング粒子の基板への入射角度を浅くすることができるため、段差被覆性を
高めることができる。
【0333】
図２５（Ａ２）に示すトランジスタ８１１は、絶縁層７２９上にバックゲート電極とし
て機能できる電極７２３を有する点が、トランジスタ８１０と異なる。電極７２３は、電
極７４６と同様の材料及び方法で形成することができる。
て機能できる電極７２３を有する点が、トランジスタ８１０と異なる。電極７２３は、電
極７４６と同様の材料及び方法で形成することができる。
【0334】
一般に、バックゲート電極は導電層で形成され、ゲート電極とバックゲート電極とで、
半導体層のチャネル形成領域を挟むように配置される。よって、バックゲート電極は、ゲ
ート電極と同様に機能させることができる。バックゲート電極の電位は、ゲート電極と同
電位としてもよいし、接地電位（ＧＮＤ電位）や、任意の電位としてもよい。また、バッ
クゲート電極の電位を、ゲート電極と連動させずに独立して変化させることで、トランジ
スタの閾値電圧を変化させることができる。
半導体層のチャネル形成領域を挟むように配置される。よって、バックゲート電極は、ゲ
ート電極と同様に機能させることができる。バックゲート電極の電位は、ゲート電極と同
電位としてもよいし、接地電位（ＧＮＤ電位）や、任意の電位としてもよい。また、バッ
クゲート電極の電位を、ゲート電極と連動させずに独立して変化させることで、トランジ
スタの閾値電圧を変化させることができる。
【0335】
電極７４６及び電極７２３は、どちらもゲート電極として機能することができる。よっ
て、絶縁層７２６と、絶縁層７２８及び絶縁層７２９とは、それぞれがゲート絶縁層とし
て機能することができる。なお、電極７２３は、絶縁層７２８と絶縁層７２９の間に設け
てもよい。
て、絶縁層７２６と、絶縁層７２８及び絶縁層７２９とは、それぞれがゲート絶縁層とし
て機能することができる。なお、電極７２３は、絶縁層７２８と絶縁層７２９の間に設け
てもよい。
【0336】
なお、電極７４６又は電極７２３の一方を、「ゲート電極」と言う場合、他方を「バッ
クゲート電極」と言う。例えば、トランジスタ８１１において、電極７２３を「ゲート電
極」と言う場合、電極７４６を「バックゲート電極」と言う。また、電極７２３を「ゲー
ト電極」として用いる場合は、トランジスタ８１１をトップゲート型のトランジスタの一
種と考えることができる。また、電極７４６及び電極７２３のどちらか一方を、「第１の
ゲート電極」と言い、他方を「第２のゲート電極」と言う場合がある。
クゲート電極」と言う。例えば、トランジスタ８１１において、電極７２３を「ゲート電
極」と言う場合、電極７４６を「バックゲート電極」と言う。また、電極７２３を「ゲー
ト電極」として用いる場合は、トランジスタ８１１をトップゲート型のトランジスタの一
種と考えることができる。また、電極７４６及び電極７２３のどちらか一方を、「第１の
ゲート電極」と言い、他方を「第２のゲート電極」と言う場合がある。
【0337】
半導体層７４２を挟んで電極７４６及び電極７２３を設けることで、さらには、電極７
４６及び電極７２３を同電位とすることで、半導体層７４２におけるキャリアの流れる領
域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動量が増加する。この結果、ト
ランジスタ８１１のオン電流が大きくなると共に、電界効果移動度が高くなる。
４６及び電極７２３を同電位とすることで、半導体層７４２におけるキャリアの流れる領
域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動量が増加する。この結果、ト
ランジスタ８１１のオン電流が大きくなると共に、電界効果移動度が高くなる。
【0338】
したがって、トランジスタ８１１は、占有面積に対して大きいオン電流を有するトラン
ジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ８１１の占有面積
を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの占有面積を小さく
することができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半導体装置を実現す
ることができる。
ジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ８１１の占有面積
を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの占有面積を小さく
することができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半導体装置を実現す
ることができる。
【0339】
また、ゲート電極とバックゲート電極は、導電層で形成されるため、トランジスタの外
部で生じる電界が、チャネル領域が形成される半導体層に作用しないようにする機能（特
に、静電気などに対する電界遮蔽機能）を有する。なお、バックゲート電極を半導体層よ
りも大きく形成し、バックゲート電極で半導体層を覆うことで、電界遮蔽機能を高めるこ
とができる。
部で生じる電界が、チャネル領域が形成される半導体層に作用しないようにする機能（特
に、静電気などに対する電界遮蔽機能）を有する。なお、バックゲート電極を半導体層よ
りも大きく形成し、バックゲート電極で半導体層を覆うことで、電界遮蔽機能を高めるこ
とができる。
【0340】
また、電極７４６及び電極７２３は、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有す
るため、絶縁層７７２側又は電極７２３上方に生じる荷電粒子等の電荷が、半導体層７４
２のチャネル形成領域に影響を及ぼすことがない。この結果、ストレス試験（例えば、ゲ
ートに負の電位を印加する－ＧＢＴ（Ｇａｔｅ Ｂｉａｓ－Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ス
トレス試験）による劣化が抑制される。また、ドレイン電圧の大きさにより、オン電流が
流れ始めるゲート電圧（立ち上がり電圧）が変化する現象を軽減することができる。なお
、この効果は、電極７４６及び電極７２３が、同電位、又は異なる電位の場合において生
じる。
るため、絶縁層７７２側又は電極７２３上方に生じる荷電粒子等の電荷が、半導体層７４
２のチャネル形成領域に影響を及ぼすことがない。この結果、ストレス試験（例えば、ゲ
ートに負の電位を印加する－ＧＢＴ（Ｇａｔｅ Ｂｉａｓ－Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ス
トレス試験）による劣化が抑制される。また、ドレイン電圧の大きさにより、オン電流が
流れ始めるゲート電圧（立ち上がり電圧）が変化する現象を軽減することができる。なお
、この効果は、電極７４６及び電極７２３が、同電位、又は異なる電位の場合において生
じる。
【0341】
なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトラン
ジスタの特性変化（経年変化）を短時間で評価することができる。特に、ＢＴストレス試
験前後におけるトランジスタの閾値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標と
なる。閾値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであると言える。
ジスタの特性変化（経年変化）を短時間で評価することができる。特に、ＢＴストレス試
験前後におけるトランジスタの閾値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標と
なる。閾値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであると言える。
【0342】
また、電極７４６及び電極７２３を有し、かつ電極７４６及び電極７２３を同電位とす
ることで、トランジスタの閾値電圧の変動量が低減される。このため、複数のトランジス
タにおける電気特性のばらつきも同時に低減される。
ることで、トランジスタの閾値電圧の変動量が低減される。このため、複数のトランジス
タにおける電気特性のばらつきも同時に低減される。
【0343】
また、バックゲート電極を有するトランジスタは、ゲートに正の電位を印加する＋ＧＢ
Ｔストレス試験前後における閾値電圧の変動も、バックゲート電極を有さないトランジス
タより小さい。
Ｔストレス試験前後における閾値電圧の変動も、バックゲート電極を有さないトランジス
タより小さい。
【0344】
また、バックゲート電極を、遮光性を有する導電膜で形成することで、バックゲート電
極側から半導体層に光が入射することを防ぐことができる。よって、半導体層の光劣化を
防ぎ、トランジスタの閾値電圧がシフトするなどの電気特性の劣化を防ぐことができる。
極側から半導体層に光が入射することを防ぐことができる。よって、半導体層の光劣化を
防ぎ、トランジスタの閾値電圧がシフトするなどの電気特性の劣化を防ぐことができる。
【0345】
本発明の一態様によれば、信頼性の良好なトランジスタを実現することができる。また
、信頼性の良好な半導体装置を実現することができる。
、信頼性の良好な半導体装置を実現することができる。
【0346】
図２５（Ｂ１）に、ボトムゲート型のトランジスタの１つである、チャネル保護型のト
ランジスタ８２０の断面図を示す。トランジスタ８２０は、トランジスタ８１０とほぼ同
様の構造を有しているが、絶縁層７４１が半導体層７４２の端部を覆っている点が異なる
。また、半導体層７４２と重なる絶縁層７４１の一部を選択的に除去して形成した開口部
において、半導体層７４２と電極７４４ａとが電気的に接続している。また、半導体層７
４２と重なる絶縁層７４１の一部を選択的に除去して形成した他の開口部において、半導
体層７４２と電極７４４ｂとが電気的に接続している。絶縁層７４１の、チャネル形成領
域と重なる領域は、チャネル保護層として機能できる。
ランジスタ８２０の断面図を示す。トランジスタ８２０は、トランジスタ８１０とほぼ同
様の構造を有しているが、絶縁層７４１が半導体層７４２の端部を覆っている点が異なる
。また、半導体層７４２と重なる絶縁層７４１の一部を選択的に除去して形成した開口部
において、半導体層７４２と電極７４４ａとが電気的に接続している。また、半導体層７
４２と重なる絶縁層７４１の一部を選択的に除去して形成した他の開口部において、半導
体層７４２と電極７４４ｂとが電気的に接続している。絶縁層７４１の、チャネル形成領
域と重なる領域は、チャネル保護層として機能できる。
【0347】
図２５（Ｂ２）に示すトランジスタ８２１は、絶縁層７２９上にバックゲート電極とし
て機能できる電極７２３を有する点が、トランジスタ８２０と異なる。
て機能できる電極７２３を有する点が、トランジスタ８２０と異なる。
【0348】
絶縁層７４１を設けることで、電極７４４ａ及び電極７４４ｂの形成時に生じる半導体
層７４２の露出を防ぐことができる。よって、電極７４４ａ及び電極７４４ｂの形成時に
半導体層７４２のチャネル形成領域がエッチングされることを防ぐことができる。
層７４２の露出を防ぐことができる。よって、電極７４４ａ及び電極７４４ｂの形成時に
半導体層７４２のチャネル形成領域がエッチングされることを防ぐことができる。
【0349】
また、トランジスタ８２０及びトランジスタ８２１は、トランジスタ８１０及びトラン
ジスタ８１１よりも、電極７４４ａと電極７４６の間の距離と、電極７４４ｂと電極７４
６の間の距離が長くなる。よって、その分だけ、電極７４４ａと電極７４６の間に生じる
寄生容量を小さくすることができる。また、電極７４４ｂと電極７４６の間に生じる寄生
容量を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジス
タを実現できる。
ジスタ８１１よりも、電極７４４ａと電極７４６の間の距離と、電極７４４ｂと電極７４
６の間の距離が長くなる。よって、その分だけ、電極７４４ａと電極７４６の間に生じる
寄生容量を小さくすることができる。また、電極７４４ｂと電極７４６の間に生じる寄生
容量を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジス
タを実現できる。
【0350】
図２５（Ｃ１）に示すトランジスタ８２５は、ボトムゲート型のトランジスタの１つで
ある、チャネルエッチング型のトランジスタである。トランジスタ８２５は、絶縁層７４
１を用いずに、電極７４４ａ及び電極７４４ｂを形成する。このため、電極７４４ａ及び
電極７４４ｂの形成時に露出する半導体層７４２の一部が、エッチングされる場合がある
。一方、絶縁層７４１を設けないため、トランジスタの生産性を高めることができる。
ある、チャネルエッチング型のトランジスタである。トランジスタ８２５は、絶縁層７４
１を用いずに、電極７４４ａ及び電極７４４ｂを形成する。このため、電極７４４ａ及び
電極７４４ｂの形成時に露出する半導体層７４２の一部が、エッチングされる場合がある
。一方、絶縁層７４１を設けないため、トランジスタの生産性を高めることができる。
【0351】
図２５（Ｃ２）に示すトランジスタ８２６は、絶縁層７２９上にバックゲート電極とし
て機能できる電極７２３を有する点が、トランジスタ８２５と異なる。
て機能できる電極７２３を有する点が、トランジスタ８２５と異なる。
【0352】
〔トップゲート型トランジスタ〕
図２６（Ａ１）に、トップゲート型のトランジスタの一種であるトランジスタ８３０の
断面図を示す。トランジスタ８３０は、絶縁層７７２の上に半導体層７４２を有し、半導
体層７４２及び絶縁層７７２上に、半導体層７４２の一部に接する電極７４４ａ、及び半
導体層７４２の一部に接する電極７４４ｂを有し、半導体層７４２、電極７４４ａ、及び
電極７４４ｂ上に絶縁層７２６を有し、絶縁層７２６上に電極７４６を有する。
図２６（Ａ１）に、トップゲート型のトランジスタの一種であるトランジスタ８３０の
断面図を示す。トランジスタ８３０は、絶縁層７７２の上に半導体層７４２を有し、半導
体層７４２及び絶縁層７７２上に、半導体層７４２の一部に接する電極７４４ａ、及び半
導体層７４２の一部に接する電極７４４ｂを有し、半導体層７４２、電極７４４ａ、及び
電極７４４ｂ上に絶縁層７２６を有し、絶縁層７２６上に電極７４６を有する。
【0353】
トランジスタ８３０は、電極７４６と電極７４４ａ、及び、電極７４６と電極７４４ｂ
と、が重ならないため、電極７４６と電極７４４ａとの間に生じる寄生容量、及び、電極
７４６と電極７４４ｂとの間に生じる寄生容量を小さくすることができる。また、電極７
４６を形成した後に、電極７４６をマスクとして用いて、不純物７５５を半導体層７４２
に導入することで、半導体層７４２中に自己整合（セルフアライメント）的に不純物領域
を形成することができる（図２６（Ａ３）参照。）。本発明の一態様によれば、電気特性
の良好なトランジスタを実現することができる。
と、が重ならないため、電極７４６と電極７４４ａとの間に生じる寄生容量、及び、電極
７４６と電極７４４ｂとの間に生じる寄生容量を小さくすることができる。また、電極７
４６を形成した後に、電極７４６をマスクとして用いて、不純物７５５を半導体層７４２
に導入することで、半導体層７４２中に自己整合（セルフアライメント）的に不純物領域
を形成することができる（図２６（Ａ３）参照。）。本発明の一態様によれば、電気特性
の良好なトランジスタを実現することができる。
【0354】
なお、不純物７５５の導入は、イオン注入装置、イオンドーピング装置又はプラズマ処
理装置を用いて行うことができる。
理装置を用いて行うことができる。
【0355】
不純物７５５としては、例えば、第１３族元素又は第１５族元素のうち、少なくとも一
種類の元素を用いることができる。また、半導体層７４２に酸化物半導体を用いる場合は
、不純物７５５として、希ガス、水素、及び窒素のうち、少なくとも一種類の元素を用い
ることも可能である。
種類の元素を用いることができる。また、半導体層７４２に酸化物半導体を用いる場合は
、不純物７５５として、希ガス、水素、及び窒素のうち、少なくとも一種類の元素を用い
ることも可能である。
【0356】
図２６（Ａ２）に示すトランジスタ８３１は、電極７２３及び絶縁層７２７を有する点
がトランジスタ８３０と異なる。トランジスタ８３１は、絶縁層７７２の上に形成された
電極７２３を有し、電極７２３上に形成された絶縁層７２７を有する。電極７２３は、バ
ックゲート電極として機能することができる。よって、絶縁層７２７は、ゲート絶縁層と
して機能することができる。絶縁層７２７は、絶縁層７２６と同様の材料及び方法により
形成することができる。
がトランジスタ８３０と異なる。トランジスタ８３１は、絶縁層７７２の上に形成された
電極７２３を有し、電極７２３上に形成された絶縁層７２７を有する。電極７２３は、バ
ックゲート電極として機能することができる。よって、絶縁層７２７は、ゲート絶縁層と
して機能することができる。絶縁層７２７は、絶縁層７２６と同様の材料及び方法により
形成することができる。
【0357】
トランジスタ８１１と同様に、トランジスタ８３１は、占有面積に対して大きいオン電
流を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ
８３１の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの
占有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半
導体装置を実現することができる。
流を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ
８３１の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの
占有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半
導体装置を実現することができる。
【0358】
図２６（Ｂ１）に例示するトランジスタ８４０は、トップゲート型のトランジスタの１
つである。トランジスタ８４０は、電極７４４ａ及び電極７４４ｂを形成した後に半導体
層７４２を形成する点が、トランジスタ８３０と異なる。また、図２６（Ｂ２）に例示す
るトランジスタ８４１は、電極７２３及び絶縁層７２７を有する点が、トランジスタ８４
０と異なる。トランジスタ８４０及びトランジスタ８４１において、半導体層７４２の一
部は電極７４４ａ上に形成され、半導体層７４２の他の一部は電極７４４ｂ上に形成され
る。
つである。トランジスタ８４０は、電極７４４ａ及び電極７４４ｂを形成した後に半導体
層７４２を形成する点が、トランジスタ８３０と異なる。また、図２６（Ｂ２）に例示す
るトランジスタ８４１は、電極７２３及び絶縁層７２７を有する点が、トランジスタ８４
０と異なる。トランジスタ８４０及びトランジスタ８４１において、半導体層７４２の一
部は電極７４４ａ上に形成され、半導体層７４２の他の一部は電極７４４ｂ上に形成され
る。
【0359】
トランジスタ８１１と同様に、トランジスタ８４１は、占有面積に対して大きいオン電
流を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ
８４１の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの
占有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半
導体装置を実現することができる。
流を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ
８４１の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの
占有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半
導体装置を実現することができる。
【0360】
図２７（Ａ１）に例示するトランジスタ８４２は、トップゲート型のトランジスタの１
つである。トランジスタ８４２は、絶縁層７２９を形成した後に電極７４４ａ及び電極７
４４ｂを形成する点が、トランジスタ８３０やトランジスタ８４０と異なる。電極７４４
ａ及び電極７４４ｂは、絶縁層７２８及び絶縁層７２９に形成した開口部において、半導
体層７４２と電気的に接続する。
つである。トランジスタ８４２は、絶縁層７２９を形成した後に電極７４４ａ及び電極７
４４ｂを形成する点が、トランジスタ８３０やトランジスタ８４０と異なる。電極７４４
ａ及び電極７４４ｂは、絶縁層７２８及び絶縁層７２９に形成した開口部において、半導
体層７４２と電気的に接続する。
【0361】
また、電極７４６と重ならない絶縁層７２６の一部を除去し、電極７４６と残りの絶縁
層７２６をマスクとして用いて、不純物７５５を半導体層７４２に導入することで、半導
体層７４２中に自己整合（セルフアライメント）的に不純物領域を形成することができる
（図２７（Ａ３）参照。）。トランジスタ８４２は、絶縁層７２６が電極７４６の端部を
越えて延伸する領域を有する。不純物７５５を半導体層７４２に導入する際に、半導体層
７４２の絶縁層７２６を介して不純物７５５が導入された領域の不純物濃度は、絶縁層７
２６を介さずに不純物７５５が導入された領域よりも低くなる。よって、半導体層７４２
は、電極７４６と重ならない領域にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）
領域が形成される。
層７２６をマスクとして用いて、不純物７５５を半導体層７４２に導入することで、半導
体層７４２中に自己整合（セルフアライメント）的に不純物領域を形成することができる
（図２７（Ａ３）参照。）。トランジスタ８４２は、絶縁層７２６が電極７４６の端部を
越えて延伸する領域を有する。不純物７５５を半導体層７４２に導入する際に、半導体層
７４２の絶縁層７２６を介して不純物７５５が導入された領域の不純物濃度は、絶縁層７
２６を介さずに不純物７５５が導入された領域よりも低くなる。よって、半導体層７４２
は、電極７４６と重ならない領域にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）
領域が形成される。
【0362】
図２７（Ａ２）に示すトランジスタ８４３は、電極７２３を有する点が、トランジスタ
８４２と異なる。トランジスタ８４３は、基板７７１の上に形成された電極７２３を有し
、絶縁層７７２を介して半導体層７４２と重なる。電極７２３は、バックゲート電極とし
て機能することができる。
８４２と異なる。トランジスタ８４３は、基板７７１の上に形成された電極７２３を有し
、絶縁層７７２を介して半導体層７４２と重なる。電極７２３は、バックゲート電極とし
て機能することができる。
【0363】
また、図２７（Ｂ１）に示すトランジスタ８４４及び図２７（Ｂ２）に示すトランジス
タ８４５のように、電極７４６と重ならない領域の絶縁層７２６を全て除去してもよい。
また、図２７（Ｃ１）に示すトランジスタ８４６及び図２７（Ｃ２）に示すトランジスタ
８４７のように、絶縁層７２６を残してもよい。
タ８４５のように、電極７４６と重ならない領域の絶縁層７２６を全て除去してもよい。
また、図２７（Ｃ１）に示すトランジスタ８４６及び図２７（Ｃ２）に示すトランジスタ
８４７のように、絶縁層７２６を残してもよい。
【0364】
トランジスタ８４２乃至トランジスタ８４７も、電極７４６を形成した後に、電極７４
６をマスクとして用いて、不純物７５５を半導体層７４２に導入することで、半導体層７
４２中に自己整合的に不純物領域を形成することができる。本発明の一態様によれば、電
気特性の良好なトランジスタを実現することができる。また、本発明の一態様によれば、
集積度の高い半導体装置を実現することができる。
６をマスクとして用いて、不純物７５５を半導体層７４２に導入することで、半導体層７
４２中に自己整合的に不純物領域を形成することができる。本発明の一態様によれば、電
気特性の良好なトランジスタを実現することができる。また、本発明の一態様によれば、
集積度の高い半導体装置を実現することができる。
【0365】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
【0366】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置１０又は表示装置２００を有する表示モ
ジュール及び電子機器について、図面を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置１０又は表示装置２００を有する表示モ
ジュール及び電子機器について、図面を用いて説明する。
【0367】
図２８に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２と
の間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、フレーム８００９、プリン
ト基板８０１０、バッテリ８０１１を有する。
の間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、フレーム８００９、プリン
ト基板８０１０、バッテリ８０１１を有する。
【0368】
本発明の一態様の表示パネル、タッチパネル、又はタッチパネルモジュールは、例えば
、タッチパネル８００４に用いることができる。
、タッチパネル８００４に用いることができる。
【0369】
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４のサイズに合わ
せて、形状や寸法を適宜変更することができる。
せて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【0370】
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式又は静電容量方式のタッチパネルを、表示パネル
に重畳して用いることができる。また、タッチパネル８００４の対向基板（封止基板）に
、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、タッチパネル８００
４の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
に重畳して用いることができる。また、タッチパネル８００４の対向基板（封止基板）に
、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、タッチパネル８００
４の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
【0371】
また、透過型、又は半透過型の液晶素子を用いた場合には、タッチパネル８００４とフ
レーム８００９の間にバックライトを設けてもよい。バックライトは、光源を有する。な
お、バックライト上に光源を配置する構成としてもよいし、バックライトの端部に光源を
配置し、さらに光拡散板を用いる構成としてもよい。なお、有機ＥＬ素子等の自発光型の
発光素子を用いる場合、又は反射型パネル等の場合においては、バックライトを設けない
構成としてもよい。
レーム８００９の間にバックライトを設けてもよい。バックライトは、光源を有する。な
お、バックライト上に光源を配置する構成としてもよいし、バックライトの端部に光源を
配置し、さらに光拡散板を用いる構成としてもよい。なお、有機ＥＬ素子等の自発光型の
発光素子を用いる場合、又は反射型パネル等の場合においては、バックライトを設けない
構成としてもよい。
【0372】
フレーム８００９は、タッチパネル８００４の保護機能の他、プリント基板８０１０の
動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフ
レーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフ
レーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【0373】
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
もよいし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
もよいし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【0374】
また、タッチパネル８００４は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加
して設けてもよい。
して設けてもよい。
【0375】
本発明の一態様の表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、タッチパネ
ルモジュール、入力装置、表示装置、又は入出力装置を用いて、電子機器や照明装置を作
製できる。本発明の一態様の入力装置、表示装置、又は入出力装置を用いて、曲面を有し
、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。また、本発明の一態様の入力装置、表
示装置、又は入出力装置を用いて、可撓性を有し、信頼性の高い電子機器や照明装置を作
製できる。また、本発明の一態様の入力装置、又は入出力装置を用いて、タッチセンサの
検出感度が向上した電子機器や照明装置を作製できる。
ルモジュール、入力装置、表示装置、又は入出力装置を用いて、電子機器や照明装置を作
製できる。本発明の一態様の入力装置、表示装置、又は入出力装置を用いて、曲面を有し
、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。また、本発明の一態様の入力装置、表
示装置、又は入出力装置を用いて、可撓性を有し、信頼性の高い電子機器や照明装置を作
製できる。また、本発明の一態様の入力装置、又は入出力装置を用いて、タッチセンサの
検出感度が向上した電子機器や照明装置を作製できる。
【0376】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機とも
言う。）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジ
タルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置とも言う。）、携帯型ゲーム
機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
言う。）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジ
タルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置とも言う。）、携帯型ゲーム
機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【0377】
また、本発明の一態様の電子機器又は照明装置が可撓性を有する場合、家屋やビルの内
壁若しくは外壁、又は、自動車の内装若しくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能で
ある。
壁若しくは外壁、又は、自動車の内装若しくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能で
ある。
【0378】
また、本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を
用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
【0379】
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイ
オンポリマー電池）等のリチウムイオン電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジ
カル電池、鉛蓄電池、空気電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。
オンポリマー電池）等のリチウムイオン電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジ
カル電池、鉛蓄電池、空気電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。
【0380】
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信す
ることで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器が二次電池
を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
ることで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器が二次電池
を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
【0381】
図２９（Ａ）乃至図２９（Ｈ）、及び図３０（Ａ）、図３０（Ｂ）は、電子機器を示す
図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、Ｌ
ＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む。）、
接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、
距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放
射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの。）、マイ
クロフォン５００８、等を有することができる。
図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、Ｌ
ＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む。）、
接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、
距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放
射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの。）、マイ
クロフォン５００８、等を有することができる。
【0382】
図２９（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９
、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。
、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。
【0383】
【0384】
図２９（Ｃ）はテレビジョン装置であり、上述したものの他に、スタンド５０１２等を
有することができる。また、テレビジョン装置の操作は、筐体５０００が備える操作スイ
ッチや、別体のリモコン操作機５０１３により行うことができる。リモコン操作機５０１
３が備える操作キーにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部５００１
に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機５０１３に、当該リモ
コン操作機５０１３から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
有することができる。また、テレビジョン装置の操作は、筐体５０００が備える操作スイ
ッチや、別体のリモコン操作機５０１３により行うことができる。リモコン操作機５０１
３が備える操作キーにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部５００１
に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機５０１３に、当該リモ
コン操作機５０１３から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
【0385】
図２９（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、
等を有することができる。
等を有することができる。
【0386】
図２９（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アン
テナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。
テナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。
【0387】
図２９（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録
媒体読込部５０１１、等を有することができる。
媒体読込部５０１１、等を有することができる。
【0388】
図２９（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が
可能な充電器５０１７、等を有することができる。
可能な充電器５０１７、等を有することができる。
【0389】
図２９（Ｈ）は腕時計型情報端末であり、上述したものの他に、バンド５０１８、留め
金５０１９、等を有することができる。ベゼル部分を兼ねる筐体５０００に搭載された表
示部５００１は、非矩形状の表示領域を有している。表示部５００１は、時刻を表すアイ
コン５０２０、その他のアイコン５０２１等を表示することができる。
金５０１９、等を有することができる。ベゼル部分を兼ねる筐体５０００に搭載された表
示部５００１は、非矩形状の表示領域を有している。表示部５００１は、時刻を表すアイ
コン５０２０、その他のアイコン５０２１等を表示することができる。
【0390】
【0391】
図２９（Ａ）乃至図２９（Ｈ）、及び図３０（Ａ）、図３０（Ｂ）に示す電子機器は、
様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像な
ど）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示
する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機
能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機
能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラ
ム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複
数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を、主として画像情報を表示し、
別の一つの表示部を、主として文字情報を表示する機能、又は、複数の表示部に視差を考
慮した画像を表示することで、立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。
さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機
能、撮影した画像を自動又は手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカ
メラに内蔵。）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有すること
ができる。なお、図２９（Ａ）乃至図２９（Ｈ）、及び図３０（Ａ）、図３０（Ｂ）に示
す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することが
できる。
様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像な
ど）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示
する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機
能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機
能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラ
ム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複
数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を、主として画像情報を表示し、
別の一つの表示部を、主として文字情報を表示する機能、又は、複数の表示部に視差を考
慮した画像を表示することで、立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。
さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機
能、撮影した画像を自動又は手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカ
メラに内蔵。）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有すること
ができる。なお、図２９（Ａ）乃至図２９（Ｈ）、及び図３０（Ａ）、図３０（Ｂ）に示
す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することが
できる。
【0392】
図３１（Ａ）乃至図３１（Ｅ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を
示す。表示部７０００は、その表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示
を行うことができる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。
示す。表示部７０００は、その表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示
を行うことができる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。
【0393】
表示部７０００は、本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパ
ネル、タッチパネル、表示装置、又は入出力装置等を用いて作製される。本発明の一態様
により、湾曲した表示部を備え、かつ信頼性の高い電子機器を提供できる。
ネル、タッチパネル、表示装置、又は入出力装置等を用いて作製される。本発明の一態様
により、湾曲した表示部を備え、かつ信頼性の高い電子機器を提供できる。
【0394】
【0395】
図３１（Ａ）に示す携帯電話機７１００は、表示部７０００にタッチセンサを備える。
電話をかける、あるいは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表
示部７０００に触れることで行うことができる。
電話をかける、あるいは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表
示部７０００に触れることで行うことができる。
【0396】
また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７０００
に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイ
ンメニュー画面に切り替えることができる。
に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイ
ンメニュー画面に切り替えることができる。
【0397】
【0398】
図３１（Ｂ）に示すテレビジョン装置７２００の操作は、筐体７２０１が備える操作ス
イッチや、別体のリモコン操作機７２１１により行うことができる。又は、表示部７００
０にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作しても
よい。リモコン操作機７２１１は、当該リモコン操作機７２１１から出力する情報を表示
する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７２１１が備える操作キー又はタッチパ
ネルにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映
像を操作することができる。
イッチや、別体のリモコン操作機７２１１により行うことができる。又は、表示部７００
０にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作しても
よい。リモコン操作機７２１１は、当該リモコン操作機７２１１から出力する情報を表示
する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７２１１が備える操作キー又はタッチパ
ネルにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映
像を操作することができる。
【0399】
なお、テレビジョン装置７２００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機
により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無
線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方
向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など。）の情報通信を行うことも可能であ
る。
により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無
線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方
向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など。）の情報通信を行うことも可能であ
る。
【0400】
図３１（Ｃ１）乃至図３１（Ｅ）に、携帯情報端末の一例を示す。各携帯情報端末は、
筐体７３０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピ
ーカ、マイク、アンテナ、又はバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００には、タ
ッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触
れることで行うことができる。
筐体７３０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピ
ーカ、マイク、アンテナ、又はバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００には、タ
ッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触
れることで行うことができる。
【0401】
図３１（Ｃ１）は、携帯情報端末７３００の斜視図であり、図３１（Ｃ２）は携帯情報
端末７３００の上面図である。図３１（Ｄ）は、携帯情報端末７３１０の斜視図である。
図３１（Ｅ）は、携帯情報端末７３２０の斜視図である。
端末７３００の上面図である。図３１（Ｄ）は、携帯情報端末７３１０の斜視図である。
図３１（Ｅ）は、携帯情報端末７３２０の斜視図である。
【0402】
本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳又は情報閲覧装置等か
ら選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用
いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メ
ール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種
々のアプリケーションを実行することができる。
ら選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用
いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メ
ール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種
々のアプリケーションを実行することができる。
【0403】
携帯情報端末７３００、携帯情報端末７３１０及び携帯情報端末７３２０は、文字や画
像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、図３１（Ｃ１）、図３１（Ｄ）
に示すように、３つの操作ボタン７３０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７３０３を
他の面に表示することができる。図３１（Ｃ１）、図３１（Ｃ２）では、携帯情報端末の
上側に情報が表示される例を示し、図３１（Ｄ）では、携帯情報端末の横側に情報が表示
される例を示す。また、携帯情報端末の３面以上に情報を表示してもよく、図３１（Ｅ）
では、情報７３０４、情報７３０５、情報７３０６が、それぞれ異なる面に表示されてい
る例を示す。
像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、図３１（Ｃ１）、図３１（Ｄ）
に示すように、３つの操作ボタン７３０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７３０３を
他の面に表示することができる。図３１（Ｃ１）、図３１（Ｃ２）では、携帯情報端末の
上側に情報が表示される例を示し、図３１（Ｄ）では、携帯情報端末の横側に情報が表示
される例を示す。また、携帯情報端末の３面以上に情報を表示してもよく、図３１（Ｅ）
では、情報７３０４、情報７３０５、情報７３０６が、それぞれ異なる面に表示されてい
る例を示す。
【0404】
なお、情報の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知
、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名又は送信者名、日
時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。又は、情報が表示されてい
る位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。
、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名又は送信者名、日
時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。又は、情報が表示されてい
る位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。
【0405】
例えば、携帯情報端末７３００の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７３００
を収納した状態で、その表示（ここでは、情報７３０３）を確認することができる。
を収納した状態で、その表示（ここでは、情報７３０３）を確認することができる。
【0406】
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末７３００の
上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７３００をポケットから取
り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７３００をポケットから取
り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【0407】
【0408】
図３１（Ｆ）乃至図３１（Ｈ）に示す各照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の
機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、又は入
出力装置等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、かつ信
頼性の高い照明装置を提供できる。
機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、又は入
出力装置等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、かつ信
頼性の高い照明装置を提供できる。
【0409】
図３１（Ｆ）に示す照明装置７４００は、波状の発光面を有する発光部７４０２を備え
る。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
る。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
【0410】
【0411】
図３１（Ｈ）に示す照明装置７４２０は、凹状に湾曲した発光部７４２２を備える。し
たがって、発光部７４２２からの発光を、照明装置７４２０の前面に集光するため、特定
の範囲を明るく照らす場合に適している。また、このような形態とすることで、影ができ
にくいという効果を奏する。
たがって、発光部７４２２からの発光を、照明装置７４２０の前面に集光するため、特定
の範囲を明るく照らす場合に適している。また、このような形態とすることで、影ができ
にくいという効果を奏する。
【0412】
また、照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０の備える各々の発光
部は、可撓性を有していてもよい。発光部を、可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて、発光部の発光面を、自在に湾曲可能な構成としてもよい。
部は、可撓性を有していてもよい。発光部を、可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて、発光部の発光面を、自在に湾曲可能な構成としてもよい。
【0413】
照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０は、それぞれ、操作スイッ
チ７４０３を備える台部７４０１と、台部７４０１に支持される発光部を有する。
チ７４０３を備える台部７４０１と、台部７４０１に支持される発光部を有する。
【0414】
なお、ここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光
部を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。
発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明
るく照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
部を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。
発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明
るく照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
【0415】
【0416】
表示部７００１は、本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパ
ネル、タッチパネル、表示装置、又は入出力装置等を用いて作製される。例えば、曲率半
径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置、又は入出力装置等を
適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７
００１に触れることで、携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、
可撓性を有する表示部を備え、かつ信頼性の高い電子機器を提供できる。
ネル、タッチパネル、表示装置、又は入出力装置等を用いて作製される。例えば、曲率半
径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置、又は入出力装置等を
適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７
００１に触れることで、携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、
可撓性を有する表示部を備え、かつ信頼性の高い電子機器を提供できる。
【0417】
図３２（Ａ１）は、携帯情報端末の一例を示す斜視図であり、図３２（Ａ２）は、携帯
情報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末７５００は、筐体７５０１、表示部７
００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等を有する。
情報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末７５００は、筐体７５０１、表示部７
００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等を有する。
【0418】
携帯情報端末７５００は、筐体７５０１内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部
７００１を有する。
７００１を有する。
【0419】
また、携帯情報端末７５００は、内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受
信した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００には
、バッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１に、コネクターを接続する端子部を備
え、映像信号や電力を、有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
信した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００には
、バッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１に、コネクターを接続する端子部を備
え、映像信号や電力を、有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
【0420】
また、操作ボタン７５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示する映像の切り
替え等を行うことができる。なお、図３２（Ａ１）乃至図３２（Ｂ）では、携帯情報端末
７５００の側面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報
端末７５００の表示面と同じ面（おもて面）や、裏面に配置してもよい。
替え等を行うことができる。なお、図３２（Ａ１）乃至図３２（Ｂ）では、携帯情報端末
７５００の側面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報
端末７５００の表示面と同じ面（おもて面）や、裏面に配置してもよい。
【0421】
図３２（Ｂ）には、表示部７００１を引き出し部材７５０２により引き出した状態の携
帯情報端末７５００を示す。この状態で、表示部７００１に映像を表示することができる
。また、表示部７００１の一部がロール状に巻かれた図３２（Ａ１）の状態と、表示部７
００１を引き出し部材７５０２により引き出した図３２（Ｂ）の状態とで、携帯情報端末
７５００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図３２（Ａ１）の状態のときに
、表示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末７５０
０の消費電力を下げることができる。
帯情報端末７５００を示す。この状態で、表示部７００１に映像を表示することができる
。また、表示部７００１の一部がロール状に巻かれた図３２（Ａ１）の状態と、表示部７
００１を引き出し部材７５０２により引き出した図３２（Ｂ）の状態とで、携帯情報端末
７５００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図３２（Ａ１）の状態のときに
、表示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末７５０
０の消費電力を下げることができる。
【0422】
なお、表示部７００１を引き出した際に、表示部７００１の表示面が平面状となるよう
に固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
に固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
【0423】
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によ
って、音声を出力する構成としてもよい。
って、音声を出力する構成としてもよい。
【0424】
図３２（Ｃ）乃至図３２（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図３
２（Ｃ）では、展開した状態、図３２（Ｄ）では、展開した状態又は折りたたんだ状態の
一方から他方に変化する途中の状態、図３２（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端
末７６００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開
した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。
２（Ｃ）では、展開した状態、図３２（Ｄ）では、展開した状態又は折りたたんだ状態の
一方から他方に変化する途中の状態、図３２（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端
末７６００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開
した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。
【0425】
表示部７００１は、ヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持され
ている。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情
報端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる
。
ている。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情
報端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる
。
【0426】
図３２（Ｆ）、図３２（Ｇ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図３２
（Ｆ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図３２（Ｇ）では、
表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携
帯情報端末７６５０は、表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７
６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部
７００１の汚れや傷つきを抑制できる。
（Ｆ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図３２（Ｇ）では、
表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携
帯情報端末７６５０は、表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７
６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部
７００１の汚れや傷つきを抑制できる。
【0427】
図３２（Ｈ）に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７７００は
、筐体７７０１及び表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ
、ボタン７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、スピーカ７７０４ｂ、外
部接続ポート７７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７
００は、可撓性を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は
、例えば、表示部７００１と重ねて配置してもよい。
、筐体７７０１及び表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ
、ボタン７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、スピーカ７７０４ｂ、外
部接続ポート７７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７
００は、可撓性を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は
、例えば、表示部７００１と重ねて配置してもよい。
【0428】
筐体７７０１、表示部７００１、及びバッテリ７７０９は可撓性を有する。そのため、
携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させることや、携帯情報端末７７００に捻りを
加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側又は
外側になるように折り曲げて使用することができる。又は、携帯情報端末７７００をロー
ル状に巻いた状態で使用することもできる。このように、筐体７７０１及び表示部７００
１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合、又
は意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。
携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させることや、携帯情報端末７７００に捻りを
加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側又は
外側になるように折り曲げて使用することができる。又は、携帯情報端末７７００をロー
ル状に巻いた状態で使用することもできる。このように、筐体７７０１及び表示部７００
１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合、又
は意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。
【0429】
また、携帯情報端末７７００は軽量であるため、筐体７７０１の上部をクリップ等で把
持してぶら下げて使用する、又は、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するなど
、様々な状況において利便性良く使用することができる。
持してぶら下げて使用する、又は、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するなど
、様々な状況において利便性良く使用することができる。
【0430】
図３２（Ｉ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バン
ド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バ
ンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を
有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は、例えば、表示部
７００１やバンド７８０１と重ねて配置してもよい。
ド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バ
ンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を
有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は、例えば、表示部
７００１やバンド７８０１と重ねて配置してもよい。
【0431】
バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため
、携帯情報端末７８００を、所望の形状に湾曲させることが容易である。
、携帯情報端末７８００を、所望の形状に湾曲させることが容易である。
【0432】
操作ボタン７８０３は、時刻設定の他、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ
動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持
たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシ
ステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。
動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持
たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシ
ステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。
【0433】
また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケ
ーションを起動することができる。
ーションを起動することができる。
【0434】
また、携帯情報端末７８００は、通信規格に準拠した近距離無線通信を実行することが
可能である。例えば、無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズ
フリーで通話することもできる。
可能である。例えば、無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズ
フリーで通話することもできる。
【0435】
また、携帯情報端末７８００は、入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子
７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行う
ことができる。また、入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実
施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送に
より行ってもよい。
７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行う
ことができる。また、入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実
施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送に
より行ってもよい。
【0436】
図３３（Ａ）乃至図３３（Ｃ）に、折り畳み可能な腕時計型の携帯情報端末の一例を示
す。携帯情報端末７９００は、表示部７９０１、筐体７９０２、筐体７９０３、バンド７
９０４、操作ボタン７９０５等を有する。
す。携帯情報端末７９００は、表示部７９０１、筐体７９０２、筐体７９０３、バンド７
９０４、操作ボタン７９０５等を有する。
【0437】
携帯情報端末７９００は、図３３（Ａ）に示すように、筐体７９０２が筐体７９０３上
に重ねられた状態から、図３３（Ｂ）に示すように、筐体７９０２を持ち上げることによ
り、図３３（Ｃ）に示すように、表示部７９０１が展開された状態に可逆的に変形させる
ことができる。そのため、携帯情報端末７９００は、例えば、通常は表示部７９０１を折
り畳んだ状態で使用することが可能で、また、表示部７９０１を展開することにより、表
示領域を広げて使用することができる。
に重ねられた状態から、図３３（Ｂ）に示すように、筐体７９０２を持ち上げることによ
り、図３３（Ｃ）に示すように、表示部７９０１が展開された状態に可逆的に変形させる
ことができる。そのため、携帯情報端末７９００は、例えば、通常は表示部７９０１を折
り畳んだ状態で使用することが可能で、また、表示部７９０１を展開することにより、表
示領域を広げて使用することができる。
【0438】
また、表示部７９０１がタッチパネルとしての機能を有することで、表示部７９０１に
触れることで携帯情報端末７９００を操作することができる。また、操作ボタン７９０５
を押す、回す、又は上下方向、手前方向、又は奥行方向にずらすなどの操作により、携帯
情報端末７９００を操作することができる。
触れることで携帯情報端末７９００を操作することができる。また、操作ボタン７９０５
を押す、回す、又は上下方向、手前方向、又は奥行方向にずらすなどの操作により、携帯
情報端末７９００を操作することができる。
【0439】
図３３（Ａ）に示すように、筐体７９０２と筐体７９０３とが重なった状態のとき、筐
体７９０２と筐体７９０３とが意図せず離れないように、ロック機構を有することが好ま
しい。このとき、例えば、操作ボタン７９０５を押すなどの操作により、ロック状態を解
除できる構成とすることが好ましい。また、バネなどの復元力を利用して、ロック状態を
解除したときに、図３３（Ａ）に示す状態から図３３（Ｃ）に示す状態に自動的に変形す
る機構を有していてもよい。又は、ロック機構に代えて磁石を用い、筐体７９０２と筐体
７９０３の相対的な位置を固定してもよい。磁石を用いることで、容易に筐体７９０２と
、筐体７９０３と、を脱着させることができる。
体７９０２と筐体７９０３とが意図せず離れないように、ロック機構を有することが好ま
しい。このとき、例えば、操作ボタン７９０５を押すなどの操作により、ロック状態を解
除できる構成とすることが好ましい。また、バネなどの復元力を利用して、ロック状態を
解除したときに、図３３（Ａ）に示す状態から図３３（Ｃ）に示す状態に自動的に変形す
る機構を有していてもよい。又は、ロック機構に代えて磁石を用い、筐体７９０２と筐体
７９０３の相対的な位置を固定してもよい。磁石を用いることで、容易に筐体７９０２と
、筐体７９０３と、を脱着させることができる。
【0440】
図３３（Ａ）乃至図３３（Ｃ）では、バンド７９０４の曲がる向きに対して略垂直な方
向に表示部７９０１が展開できる構成を示したが、図３３（Ｄ）、図３３（Ｅ）に示すよ
うに、バンド７９０４の曲がる向きに略平行な方向に表示部７９０１を展開できる構成と
してもよい。また、このとき、バンド７９０４に巻きつけるように、表示部７９０１を湾
曲させて用いてもよい。
向に表示部７９０１が展開できる構成を示したが、図３３（Ｄ）、図３３（Ｅ）に示すよ
うに、バンド７９０４の曲がる向きに略平行な方向に表示部７９０１を展開できる構成と
してもよい。また、このとき、バンド７９０４に巻きつけるように、表示部７９０１を湾
曲させて用いてもよい。
【0441】
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有す
ることを特徴とする。該表示部に、本発明の一態様の表示パネル、タッチパネル、又はタ
ッチパネルモジュール等の表示装置を適用することができる。
ることを特徴とする。該表示部に、本発明の一態様の表示パネル、タッチパネル、又はタ
ッチパネルモジュール等の表示装置を適用することができる。
【0442】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【0443】
１０ 表示装置
１１ 開口部
１１Ａ 開口部
１１Ｂ 開口部
１２ 開口部
１５ 領域
１５Ａ 領域
２１ 基板
２３ 画素電極
２４ ＥＬ層
２５ 導電層
３１ 基板
３２ 表示部
３２Ａ 領域
３２Ｂ 領域
３４ 回路
３５ 配線
３９ 接着層
４０ 発光素子
４２ ＦＰＣ
４３ ＩＣ
５１ａ 着色層
５１ｂ 着色層
５２ 遮光層
６０ 液晶素子
７０ トランジスタ
７１ 導電層
７２ 半導体層
７３ 絶縁層
７４ａ 導電層
７４ｂ 導電層
８１ 絶縁層
８２ 絶縁層
８２Ａ 突出部
８３ 絶縁層
１００ タッチパネル
１１１ 導電層
１１２ ＥＬ層
１１３ 導電層
１３０ 偏光板
１３１ 着色層
１３１ａ 着色層
１３１ｂ 着色層
１３２ 遮光層
１３３ 遮光層
１３４ 着色層
１３５ 構造体
１３６ 絶縁層
１４１ 接着層
１４２ 接着層
１４６ 導電膜
１４７ 導電膜
１４８ 導電膜
１４９ ナノワイヤ
１５０ 入力装置
１５１ 電極
１５２ 電極
１５３ ブリッジ電極
１５５ 配線
１５６ 配線
１５７ ＦＰＣ
１５８ ＩＣ
１６０ 基板
１６１ 絶縁層
１６２ 絶縁層
１６３ 絶縁層
１６４ 絶縁層
１６５ 接着層
１６８ ＩＣ
１６９ 接続部
１７０ 基板
１７１ 基板
１７２ 接着層
１７３ 絶縁層
１８１ 基板
１８２ 接着層
１８３ 絶縁層
１９１ 導電層
１９２ 導電層
１９３ 液晶
１９４ 導電層
１９５ 絶縁層
２００ 表示装置
２０１ トランジスタ
２０２ トランジスタ
２０３ 容量素子
２０４ 端子部
２０５ トランジスタ
２０６ トランジスタ
２０７ 端子部
２１０ 画素
２１１ 絶縁層
２１２ 絶縁層
２１３ 絶縁層
２１４ 絶縁層
２１９ 開口部
２２０ 絶縁層
２２１ 導電層
２２２ 導電層
２２３ 導電層
２２４ 導電層
２３１ 半導体層
２４２ 接続層
２４３ 接続体
２４４ 構造体
２５１ 開口部
２５２ 接続部
６０１ パルス電圧出力回路
６０２ 電流検出回路
６０３ 容量
６２１ 電極
６２２ 電極
７２３ 電極
７２６ 絶縁層
７２７ 絶縁層
７２８ 絶縁層
７２９ 絶縁層
７４１ 絶縁層
７４２ 半導体層
７４４ａ 電極
７４４ｂ 電極
７４６ 電極
７５５ 不純物
７７１ 基板
７７２ 絶縁層
８１０ トランジスタ
８１１ トランジスタ
８２０ トランジスタ
８２１ トランジスタ
８２５ トランジスタ
８２６ トランジスタ
８３０ トランジスタ
８３１ トランジスタ
８４０ トランジスタ
８４１ トランジスタ
８４２ トランジスタ
８４３ トランジスタ
８４４ トランジスタ
８４５ トランジスタ
８４６ トランジスタ
８４７ トランジスタ
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ スタンド
５０１３ リモコン操作機
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
５０１８ バンド
５０１９ 留め金
５０２０ アイコン
５０２１ アイコン
７０００ 表示部
７００１ 表示部
７１００ 携帯電話機
７１０１ 筐体
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 外部接続ポート
７１０５ スピーカ
７１０６ マイク
７２００ テレビジョン装置
７２０１ 筐体
７２０３ スタンド
７２１１ リモコン操作機
７３００ 携帯情報端末
７３０１ 筐体
７３０２ 操作ボタン
７３０３ 情報
７３０４ 情報
７３０５ 情報
７３０６ 情報
７３１０ 携帯情報端末
７３２０ 携帯情報端末
７４００ 照明装置
７４０１ 台部
７４０２ 発光部
７４０３ 操作スイッチ
７４１０ 照明装置
７４１２ 発光部
７４２０ 照明装置
７４２２ 発光部
７５００ 携帯情報端末
７５０１ 筐体
７５０２ 引き出し部材
７５０３ 操作ボタン
７６００ 携帯情報端末
７６０１ 筐体
７６０２ ヒンジ
７６５０ 携帯情報端末
７６５１ 非表示部
７７００ 携帯情報端末
７７０１ 筐体
７７０３ａ ボタン
７７０３ｂ ボタン
７７０４ａ スピーカ
７７０４ｂ スピーカ
７７０５ 外部接続ポート
７７０６ マイク
７７０９ バッテリ
７８００ 携帯情報端末
７８０１ バンド
７８０２ 入出力端子
７８０３ 操作ボタン
７８０４ アイコン
７８０５ バッテリ
７９００ 携帯情報端末
７９０１ 表示部
７９０２ 筐体
７９０３ 筐体
７９０４ バンド
７９０５ 操作ボタン
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
１１ 開口部
１１Ａ 開口部
１１Ｂ 開口部
１２ 開口部
１５ 領域
１５Ａ 領域
２１ 基板
２３ 画素電極
２４ ＥＬ層
２５ 導電層
３１ 基板
３２ 表示部
３２Ａ 領域
３２Ｂ 領域
３４ 回路
３５ 配線
３９ 接着層
４０ 発光素子
４２ ＦＰＣ
４３ ＩＣ
５１ａ 着色層
５１ｂ 着色層
５２ 遮光層
６０ 液晶素子
７０ トランジスタ
７１ 導電層
７２ 半導体層
７３ 絶縁層
７４ａ 導電層
７４ｂ 導電層
８１ 絶縁層
８２ 絶縁層
８２Ａ 突出部
８３ 絶縁層
１００ タッチパネル
１１１ 導電層
１１２ ＥＬ層
１１３ 導電層
１３０ 偏光板
１３１ 着色層
１３１ａ 着色層
１３１ｂ 着色層
１３２ 遮光層
１３３ 遮光層
１３４ 着色層
１３５ 構造体
１３６ 絶縁層
１４１ 接着層
１４２ 接着層
１４６ 導電膜
１４７ 導電膜
１４８ 導電膜
１４９ ナノワイヤ
１５０ 入力装置
１５１ 電極
１５２ 電極
１５３ ブリッジ電極
１５５ 配線
１５６ 配線
１５７ ＦＰＣ
１５８ ＩＣ
１６０ 基板
１６１ 絶縁層
１６２ 絶縁層
１６３ 絶縁層
１６４ 絶縁層
１６５ 接着層
１６８ ＩＣ
１６９ 接続部
１７０ 基板
１７１ 基板
１７２ 接着層
１７３ 絶縁層
１８１ 基板
１８２ 接着層
１８３ 絶縁層
１９１ 導電層
１９２ 導電層
１９３ 液晶
１９４ 導電層
１９５ 絶縁層
２００ 表示装置
２０１ トランジスタ
２０２ トランジスタ
２０３ 容量素子
２０４ 端子部
２０５ トランジスタ
２０６ トランジスタ
２０７ 端子部
２１０ 画素
２１１ 絶縁層
２１２ 絶縁層
２１３ 絶縁層
２１４ 絶縁層
２１９ 開口部
２２０ 絶縁層
２２１ 導電層
２２２ 導電層
２２３ 導電層
２２４ 導電層
２３１ 半導体層
２４２ 接続層
２４３ 接続体
２４４ 構造体
２５１ 開口部
２５２ 接続部
６０１ パルス電圧出力回路
６０２ 電流検出回路
６０３ 容量
６２１ 電極
６２２ 電極
７２３ 電極
７２６ 絶縁層
７２７ 絶縁層
７２８ 絶縁層
７２９ 絶縁層
７４１ 絶縁層
７４２ 半導体層
７４４ａ 電極
７４４ｂ 電極
７４６ 電極
７５５ 不純物
７７１ 基板
７７２ 絶縁層
８１０ トランジスタ
８１１ トランジスタ
８２０ トランジスタ
８２１ トランジスタ
８２５ トランジスタ
８２６ トランジスタ
８３０ トランジスタ
８３１ トランジスタ
８４０ トランジスタ
８４１ トランジスタ
８４２ トランジスタ
８４３ トランジスタ
８４４ トランジスタ
８４５ トランジスタ
８４６ トランジスタ
８４７ トランジスタ
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ スタンド
５０１３ リモコン操作機
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
５０１８ バンド
５０１９ 留め金
５０２０ アイコン
５０２１ アイコン
７０００ 表示部
７００１ 表示部
７１００ 携帯電話機
７１０１ 筐体
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 外部接続ポート
７１０５ スピーカ
７１０６ マイク
７２００ テレビジョン装置
７２０１ 筐体
７２０３ スタンド
７２１１ リモコン操作機
７３００ 携帯情報端末
７３０１ 筐体
７３０２ 操作ボタン
７３０３ 情報
７３０４ 情報
７３０５ 情報
７３０６ 情報
７３１０ 携帯情報端末
７３２０ 携帯情報端末
７４００ 照明装置
７４０１ 台部
７４０２ 発光部
７４０３ 操作スイッチ
７４１０ 照明装置
７４１２ 発光部
７４２０ 照明装置
７４２２ 発光部
７５００ 携帯情報端末
７５０１ 筐体
７５０２ 引き出し部材
７５０３ 操作ボタン
７６００ 携帯情報端末
７６０１ 筐体
７６０２ ヒンジ
７６５０ 携帯情報端末
７６５１ 非表示部
７７００ 携帯情報端末
７７０１ 筐体
７７０３ａ ボタン
７７０３ｂ ボタン
７７０４ａ スピーカ
７７０４ｂ スピーカ
７７０５ 外部接続ポート
７７０６ マイク
７７０９ バッテリ
７８００ 携帯情報端末
７８０１ バンド
７８０２ 入出力端子
７８０３ 操作ボタン
７８０４ アイコン
７８０５ バッテリ
７９００ 携帯情報端末
７９０１ 表示部
７９０２ 筐体
７９０３ 筐体
７９０４ バンド
７９０５ 操作ボタン
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【手続補正書】
【提出日】2023-11-15
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極を有する表示部を有し、
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する領域を有し、有機材料を有する第１の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、開口部を有し、
前記第２の絶縁層は、前記開口部と重なりを有する第１の領域を有し、
前記第１の領域の下面は、前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する部分を有する、表示装置。
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する領域を有し、有機材料を有する第１の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、開口部を有し、
前記第２の絶縁層は、前記開口部と重なりを有する第１の領域を有し、
前記第１の領域の下面は、前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する部分を有する、表示装置。
【請求項2】
基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極を有する表示部を有し、
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する領域を有し、有機材料を有する第１の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、開口部を有し、
前記第２の絶縁層は、前記開口部を覆う領域を有し、且つ前記領域の下面は、前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する部分を有する、表示装置。
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する領域を有し、有機材料を有する第１の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、開口部を有し、
前記第２の絶縁層は、前記開口部を覆う領域を有し、且つ前記領域の下面は、前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する部分を有する、表示装置。
【請求項3】
基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極を有する表示部を有し、
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する第１の領域を有し、有機材料を有する第１の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、前記第１の領域よりも膜厚の小さい第２の領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第２の領域と重なりを有する第３の領域を有し、
前記第３の領域の下面は、前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する部分を有する、表示装置。
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する第１の領域を有し、有機材料を有する第１の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、前記第１の領域よりも膜厚の小さい第２の領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第２の領域と重なりを有する第３の領域を有し、
前記第３の領域の下面は、前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する部分を有する、表示装置。
【請求項4】
請求項１又は２のいずれか一において、
前記第２の絶縁層の上方に位置するＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記第２の絶縁層を介して前記開口部と重なる領域を有する、表示装置。
前記第２の絶縁層の上方に位置するＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記第２の絶縁層を介して前記開口部と重なる領域を有する、表示装置。
【請求項5】
請求項３において、
前記第２の絶縁層の上方に位置するＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記第２の絶縁層を介して前記第２の領域との重なりを有する、表示装置。
前記第２の絶縁層の上方に位置するＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記第２の絶縁層を介して前記第２の領域との重なりを有する、表示装置。