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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023176187
(43)【公開日】2023-12-13
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 31/12 20060101AFI20231206BHJP
H01L 25/04 20230101ALI20231206BHJP
【ＦＩ】
H01L31/12 C
H01L25/04 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022088345
(22)【出願日】2022-05-31
(71)【出願人】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(71)【出願人】
【識別番号】317011920
【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110004026
【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ
(72)【発明者】
【氏名】井上 一裕
(72)【発明者】
【氏名】藤原 真美
【テーマコード（参考）】
5F889
【Ｆターム（参考）】
5F889AB13
5F889AC02
5F889AC07
5F889AC09
5F889AC18
5F889CA09
5F889CA20
5F889DA02
5F889DA13
(57)【要約】
【課題】基板の反りを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、受光素子と、スイッチング素子と、発光素子と、を備える。前記基板は、樹脂基材と、前記樹脂基材の第１面上の第１乃至第３金属パッドを有する。前記受光素子は、前記第１、第２金属パッド、および、前記第１、第２金属パッドの間の前記第１面の一部に第１接続部材を介して接続された裏面と、前記裏面とは反対側の表面に設けられた第１、第２ボンディングパッドと、を有する。前記第１および第２ボンディングパッドは、それぞれ、前記第１面に垂直な方向において、前記第１および第２金属パッドのいずれかに重なる位置に設けられる。前記スイッチング素子は、前記第３金属パッドに第２接続部材を介して接続され、前記受光素子の前記第１、第２ボンディングパッドに電気的に接続され、前記発光素子は、前記受光素子の前記表面上に第３接続部材を介して設けられる。
【選択図】図１
【解決手段】半導体装置は、基板と、受光素子と、スイッチング素子と、発光素子と、を備える。前記基板は、樹脂基材と、前記樹脂基材の第１面上の第１乃至第３金属パッドを有する。前記受光素子は、前記第１、第２金属パッド、および、前記第１、第２金属パッドの間の前記第１面の一部に第１接続部材を介して接続された裏面と、前記裏面とは反対側の表面に設けられた第１、第２ボンディングパッドと、を有する。前記第１および第２ボンディングパッドは、それぞれ、前記第１面に垂直な方向において、前記第１および第２金属パッドのいずれかに重なる位置に設けられる。前記スイッチング素子は、前記第３金属パッドに第２接続部材を介して接続され、前記受光素子の前記第１、第２ボンディングパッドに電気的に接続され、前記発光素子は、前記受光素子の前記表面上に第３接続部材を介して設けられる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
樹脂基材と、第１乃至第３金属パッドと、を有する基板であって、前記第１乃至第３金属パッドは、前記樹脂基材の第１面上に並び、前記第３金属パッドは、前記第１金属パッドおよび前記第２金属パッドから離間した、基板と、
前記樹脂基材の前記第１面側に設けられた受光素子であって、前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、および、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間の前記第１面の一部に第１接続部材を介して接続された裏面と、前記裏面とは反対側の表面と、を有し、前記表面上に設けられる第１および第２ボンディングパッドと、をさらに有し、前記第１および第２ボンディングパッドは、それぞれ、前記第１面に垂直な方向において、前記第１金属パッドおよび前記第２金属パッドのいずれかに重なる位置に設けられる、受光素子と、
前記樹脂基材の前記第１面側に設けられたスイッチング素子であって、前記第３金属パッドに第２接続部材を介して接続される裏面側電極と、前記裏面側電極が設けられた裏面とは反対側の表面上に設けられた表面側電極と、前記スイッチング素子の前記表面上に前記表面側電極と並ぶ制御パッドと、を有する、スイッチング素子と、
前記スイッチング素子の前記表面側電極、および、前記受光素子の前記第１ボンディングパッドに接続され、前記表面側電極と前記第１ボンディングパッドとを電気的に接続する第１導電部材と、
前記スイッチング素子の前記制御パッド、および、前記受光素子の前記第２ボンディングパッドに接続され、前記制御パッドと前記第２ボンディングパッドを電気的に接続する第２導電部材と、
前記受光素子の前記表面上に、第３接続部材を介して、設けられた発光素子であって、前記第３接続部材は、前記発光素子から前記受光素子に向かって放射される光を透過する、発光素子と、
を備えた半導体装置。
前記樹脂基材の前記第１面側に設けられた受光素子であって、前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、および、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間の前記第１面の一部に第１接続部材を介して接続された裏面と、前記裏面とは反対側の表面と、を有し、前記表面上に設けられる第１および第２ボンディングパッドと、をさらに有し、前記第１および第２ボンディングパッドは、それぞれ、前記第１面に垂直な方向において、前記第１金属パッドおよび前記第２金属パッドのいずれかに重なる位置に設けられる、受光素子と、
前記樹脂基材の前記第１面側に設けられたスイッチング素子であって、前記第３金属パッドに第２接続部材を介して接続される裏面側電極と、前記裏面側電極が設けられた裏面とは反対側の表面上に設けられた表面側電極と、前記スイッチング素子の前記表面上に前記表面側電極と並ぶ制御パッドと、を有する、スイッチング素子と、
前記スイッチング素子の前記表面側電極、および、前記受光素子の前記第１ボンディングパッドに接続され、前記表面側電極と前記第１ボンディングパッドとを電気的に接続する第１導電部材と、
前記スイッチング素子の前記制御パッド、および、前記受光素子の前記第２ボンディングパッドに接続され、前記制御パッドと前記第２ボンディングパッドを電気的に接続する第２導電部材と、
前記受光素子の前記表面上に、第３接続部材を介して、設けられた発光素子であって、前記第３接続部材は、前記発光素子から前記受光素子に向かって放射される光を透過する、発光素子と、
を備えた半導体装置。
【請求項2】
前記第２金属パッドは、前記第１金属パッドから離間するように設けられる請求項１記載の半導体装置。
【請求項3】
前記基板は、前記樹脂基材の前記第１面上に設けられ、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとをつなぐ金属接続部をさらに有し、前記第１金属パッド、前記第２金属パッドおよび前記金属接続部は前記第１面の前記一部を囲む請求項１記載の半導体装置。
【請求項4】
前記樹脂基材の前記第１面側に設けられ、前記受光素子に電気的に接続される別のスイッチング素子をさらに備え、
前記基板は、前記樹脂基材の前記第１面上に設けられた第４金属パッドをさらに含み、
前記第４金属パッドは、前記第１乃至第３金属パッドから離間して設けられ、
前記第３金属パッドおよび前記第４金属パッドは、前記第１金属パッドおよび前記第２金属パッドが前記第１面上に並ぶ方向と同方向に並び、
前記別のスイッチング素子は、前記第４金属パッド上に別の第２接続部材を介して接続される請求項１記載の半導体装置。
前記基板は、前記樹脂基材の前記第１面上に設けられた第４金属パッドをさらに含み、
前記第４金属パッドは、前記第１乃至第３金属パッドから離間して設けられ、
前記第３金属パッドおよび前記第４金属パッドは、前記第１金属パッドおよび前記第２金属パッドが前記第１面上に並ぶ方向と同方向に並び、
前記別のスイッチング素子は、前記第４金属パッド上に別の第２接続部材を介して接続される請求項１記載の半導体装置。
【請求項5】
前記基板は、前記第１面上に設けられた第５および第６金属パッドをさらに含み、
前記第５および第６金属パッドは、前記第１および第２金属パッドが前記第１面上に並ぶ方向と同方向に並び、
前記第１金属パッドは、前記第３金属パッドと前記第５金属パッドとの間に位置し、
前記第２金属パッドは、前記第３金属パッドと前記第６金属パッドとの間に位置し、
前記第１面の一部は、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間、前記第１金属パッドと前記第５金属パッドとの間、前記第２金属パッドと前記第６金属パッドとの間、および、前記第５金属パッドと前記第６金属パッドとの間に延在し、
前記受光素子は、前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、前記第５金属パッド、前記６金属パッドおよび前記第１面の一部に前記第１接続部材を介して接続される前記裏面を有し、
前記受光素子の前記第１および第２ボンディングパッドは、それぞれ、前記第１面に垂直な方向において、前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、前記第５金属パッドおよび前記第６金属パッドのいずれか１つに重なる位置に設けられる請求項１記載の半導体装置。
前記第５および第６金属パッドは、前記第１および第２金属パッドが前記第１面上に並ぶ方向と同方向に並び、
前記第１金属パッドは、前記第３金属パッドと前記第５金属パッドとの間に位置し、
前記第２金属パッドは、前記第３金属パッドと前記第６金属パッドとの間に位置し、
前記第１面の一部は、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間、前記第１金属パッドと前記第５金属パッドとの間、前記第２金属パッドと前記第６金属パッドとの間、および、前記第５金属パッドと前記第６金属パッドとの間に延在し、
前記受光素子は、前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、前記第５金属パッド、前記６金属パッドおよび前記第１面の一部に前記第１接続部材を介して接続される前記裏面を有し、
前記受光素子の前記第１および第２ボンディングパッドは、それぞれ、前記第１面に垂直な方向において、前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、前記第５金属パッドおよび前記第６金属パッドのいずれか１つに重なる位置に設けられる請求項１記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、前記第５金属パッドおよび前記第６金属パッドは、相互に離間して設けられる請求項５記載の半導体装置。
【請求項7】
前記基板は、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間、前記第２金属パッドと前記第６金属パッドとの間、前記第５金属パッドと前記第６金属パッドとの間、前記第５金属パッドと前記第１金属パッドとの間にそれぞれ設けられ、前記第１面の前記一部を囲むように配置される金属接続部をさらに含む請求項５記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第２金属パッドは、前記第１金属パッドから離間し、前記第１金属パッドを囲む請求項１記載の半導体装置。
【請求項9】
前記発光素子は、前記樹脂基材の前記第１面に垂直な前記方向において、前記第１金属パッドに重なる位置に設けられる請求項８記載の半導体装置。
【請求項10】
前記受光素子の前記第１ボンディングパッドおよび前記第２ボンディングパッドは、前記基板の前記第１面に垂直な前記方向において、前記第２金属パッドに重なる位置に設けられる請求項９記載の半導体装置。
【請求項11】
前記基板は、前記樹脂基材の前記第１面とは反対側の第２面上に設けられる入力側端子および出力側端子とを有し、
前記入力側端子は、前記発光素子に電気的に接続され、前記出力側端子は、前記第３金属パッドおよび前記第２接続部材を介して、前記スイッチング素子に電気的に接続される請求項１乃至１０のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記入力側端子は、前記発光素子に電気的に接続され、前記出力側端子は、前記第３金属パッドおよび前記第２接続部材を介して、前記スイッチング素子に電気的に接続される請求項１乃至１０のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置には、小型化が求められる。例えば、複数の半導体素子を基板上にマウントし、その後、複数の半導体素子を基板上に樹脂封止する構造の半導体装置では、基板を薄くして低背化することが望ましい。しかしながら、基板を薄くすると、加熱時の反りなどの不具合が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－９６１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
実施形態は、基板の反りを低減できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る半導体装置は、基板と、受光素子と、スイッチング素子と、第１導電部材と、第２導電部材と、発光素子と、を備える。前記基板は、樹脂基材と、第１乃至第３金属パッドと、を有する。前記第１乃至第３金属パッドは、前記樹脂基材の第１面上に並び、前記第３金属パッドは、前記第１金属パッドおよび前記第２金属パッドから離間する。前記受光素子は、前記樹脂基材の前記第１面側に設けられ、前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、および、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間の前記第１面の一部に第１接続部材を介して接続された裏面と、前記裏面とは反対側の表面と、を有し、前記表面上に設けられる第１および第２ボンディングパッドと、をさらに有する。前記第１および第２ボンディングパッドは、それぞれ、前記第１面に垂直な方向において、前記第１金属パッドおよび前記第２金属パッドのいずれかに重なる位置に設けられる。前記スイッチング素子は、前記樹脂基材の前記第１面側に設けられ、前記第３金属パッドに第２接続部材を介して接続される裏面側電極と、前記裏面側電極が設けられた裏面とは反対側の表面上に設けられた表面側電極と、前記スイッチング素子の前記表面上に前記表面側電極と並ぶ制御パッドと、を有する。前記第１導電部材は、前記スイッチング素子の前記表面側電極、および、前記受光素子の前記第１ボンディングパッドに接続され、前記表面側電極と前記第１ボンディングパッドとを電気的に接続する。前記第２導電部材は、前記スイッチング素子の前記制御パッド、および、前記受光素子の前記第２ボンディングパッドに接続され、前記制御パッドと前記第２ボンディングパッドを電気的に接続する。前記発光素子は、前記受光素子の前記表面上に第３接続部材を介して設けられ、前記第３接続部材は、前記発光素子から前記受光素子に向かって放射される光を透過する。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。
【図2】実施形態に係る半導体装置を示す別の模式図である。
【図3】実施形態に係る半導体装置の基板を示す模式図である。
【図4】実施形態に係る半導体装置を示す回路図である。
【図5】実施形態に係る半導体装置の基板を示す模式平面図である。
【図6】実施形態の変形例に係る半導体装置の基板を示す模式平面図である。
【図7】実施形態の別の変形例に係る半導体装置の基板を示す模式平面図である。
【図8】実施形態に係る半導体装置の特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
【0008】
さらに、各図中に示すＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を用いて各部分の配置および構成を説明する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に直交し、それぞれＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を表す。また、Ｚ方向を上方、その反対方向を下方として説明する場合がある。
【0009】
図１は、実施形態に係る半導体装置１を示す模式図である。半導体装置１は、例えば、フォトリレーである。半導体装置１は、基板１０と、受光素子２０と、スイッチング素子３０と、発光素子４０と、を備える。
【0010】
基板１０は、樹脂基材１１と、複数の金属パッド１３、１５および１７と、入力側端子５０と、出力側端子６０と、を含む。樹脂基材１１は、例えば、シート状のポリイミドである。
【0011】
樹脂基材１１は、第１面１１Ｆと、第１面１１Ｆとは反対側の第２面１１Ｂとを有する。複数の金属パッド１３、１５および１７は、第１面１１Ｆ上に設けられる。入力側端子５０および出力側端子６０は、樹脂基材１１の第２面１１Ｂ上に設けられる。
【0012】
複数の金属パッド１３、１５および１７は、第１面１１Ｆ上において、相互に離間して設けられる。また、入力側端子５０および出力側端子６０は、第２面１１Ｂ上において、相互に離間して設けられる。複数の金属パッド１３、１５、１７、入力側端子５０および出力側端子６０は、例えば、表面に金メッキを施した銅箔である。
【0013】
受光素子２０、スイッチング素子３０および発光素子４０は、樹脂基材１１の第１面１１Ｆ側に設けられる。
【0014】
受光素子２０は、金属パッド１３に第１接続部材ＣＭ１を介して接続された裏面２０ＢＳと、裏面２０ＢＳとは反対側の表面２０ＦＳとを有する。受光素子２０は、表面２０ＦＳに設けられる第１ボンディングパッド２１と第２ボンディングパッド２３とをさらに有する。第１接続部材ＣＭ１は、例えば、樹脂を含む接着材である。第１接続部材ＣＭ１は、導電性を有しても良いし、絶縁性であっても良い。
【0015】
スイッチング素子３０は、金属パッド１５に第２接続部材ＣＭ２を介して接続された裏面側電極３１と、裏面側電極３１が設けられた裏面とは反対側の表面上に設けられた表面側電極３３と、表面側電極３３と同じ表面上に設けられた制御パッド３５と、を有する。第２接続部材ＣＭ２は、例えば、銀ペーストなどの導電性を有する接着材である。
【0016】
表面側電極３３は、受光素子２０の第１ボンディングパッド２１に第１導電部材ＭＷ１を介して電気的に接続される。制御パッド３５は、受光素子２０の第２ボンディングパッド２３に第２導電部材ＭＷ２を介して電気的に接続される。第１導電部材ＭＷ１および第２導電部材ＭＷ２は、例えば、金属ワイヤである。
【0017】
発光素子４０は、受光素子２０の表面２０ＦＳ上に第３接続部材ＣＭ３を介して接続される。第３接続部材ＣＭ３は、例えば、透明樹脂であり、発光素子４０から受光素子２０に向かって放射される光を透過する。発光素子４０は、第３導電部材ＭＷ３により金属パッド１７に電気的に接続される。第３導電部材ＭＷ３は、例えば、金属ワイヤである。
【0018】
発光素子４０は、樹脂部材７０により受光素子２０の表面２０ＦＳ上に封じられる。樹脂部材７０は、例えば、シリコーンである。さらに、受光素子２０、スイッチング素子３０および樹脂部材７０は、樹脂部材８０により樹脂基材１１の第１面１１Ｆ側に封じられる。樹脂部材８０は、例えば、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂である。
【0019】
図２（ａ）および（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置１を示す別の模式図である。図２（ａ）は、半導体装置１を示す斜視図である。図２（ｂ）は、樹脂基材１１の第１面１１Ｆ上の構成を示す平面図である。なお、図２（ｂ）では、樹脂部材７０および８０を省略している。
【0020】
図２（ａ）に示すように、半導体装置１は、例えば、第１スイッチング素子３０ａと第２スイッチング素子３０ｂとを含む。第１スイッチング素子３０ａおよび第２スイッチング素子３０ｂは、それぞれ、受光素子２０に電気的に接続される。
【0021】
樹脂部材８０は、受光素子２０、スイッチング素子３０および発光素子４０に加えて、樹脂基材１１の第１面１１Ｆ上に設けられる金属パッド１３、１５、１７および導電部材ＭＷもその内部に封じる。言い換えれば、基板１０上に設けられる構成要素は、樹脂基材１１および樹脂部材８０により構成される樹脂パッケージの内部に収容される。なお、以下の説明では、第１スイッチング素子３０ａおよび第２スイッチング素子３０ｂを区別せずスイッチング素子３０として記載する場合がある。他の構成要素についても同様である。
【0022】
図２（ｂ）に示すように、複数の金属パッド１３、１５および１７は、第１金属パッド１３ａ、第２金属パッド１３ｂ、第３金属パッド１５ａ、第４金属パッド１５ｂ、第５金属パッド１７ａおよび第６金属パッド１７ｂを含む。
【0023】
第１金属パッド１３ａ、第３金属パッド１５ａおよび第５金属パッド１７ａは、第１面１１Ｆに沿った方向、例えば、Ｘ方向に並ぶ。第１金属パッド１３ａは、第３金属パッド１５ａと第５金属パッド１７ａとの間に設けられる。
【0024】
第２金属パッド１３ｂ、第４金属パッド１５ｂおよび第６金属パッド１７ｂは、例えば、Ｘ方向に並ぶ。第２金属パッド１３ｂは、第４金属パッド１５ｂと第６金属パッド１７ｂとの間に設けられる。
【0025】
第１金属パッド１３ａおよび第２金属パッド１３ｂは、相互に離間し、Ｘ方向と交差する方向、例えば、Ｙ方向に並ぶ。第３金属パッド１５ａおよび第４金属パッド１５ｂも、相互に離間し、例えば、Ｙ方向に並ぶ。また、第５金属パッド１７ａおよび第６金属パッド１７ｂも、相互に離間し、例えば、Ｙ方向に並ぶ。
【0026】
受光素子２０は、第１金属パッド１３ａおよび第２金属パッド１３ｂに跨って設けられる。受光素子２０は、第１接続部材ＣＭ１を介して、第１金属パッド１３ａ、第２金属パッド１３ｂ、および、第１金属パッド１３ａと第２金属パッド１３ｂとの間の第１面１１Ｆの一部に接続される。また、受光素子２０は、第１ボンディングパッド２１ａおよび２１ｂと、第２ボンディングパッド２３ａおよび２３ｂと、を有する。第１ボンディングパッド２１ａおよび第２ボンディングパッド２３ａは、樹脂基材１１の第１面１１Ｆに垂直な方向、例えば、Ｚ方向において、第１金属パッド１３ａに重なる位置に設けられる。第１ボンディングパッド２１ｂおよび第２ボンディングパッド２３ｂは、例えば、Ｚ方向において、第２金属パッド１３ｂに重なる位置に設けられる。
【0027】
第１スイッチング素子３０ａは、第２接続部材ＣＭ２を介して、第３金属パッド１５ａ上に設けられる。第１スイッチング素子３０ａは、裏面側電極３１（図１参照）と、表面側電極３３ａと、制御パッド３５ａと、を有する。裏面側電極３１は、第２接続部材ＣＭ２を介して、第３金属パッド１５ａに接続される。第２接続部材ＣＭ２は、導電性を有し、裏面側電極３１は、第３金属パッド１５ａに電気的に接続される。
表面側電極３３ａは、第１導電部材ＭＷ１を介して、受光素子２０の第１ボンディングパッド２１ａに電気的に接続される。第１導電部材ＭＷ１は、例えば、金属ワイヤであり、表面側電極３３ａおよび第１ボンディングパッド２１ａに接続される。制御パッド３５ａは、第２導電部材ＭＷ２を介して、受光素子２０の第２ボンディングパッド２３ａに電気的に接続される。第２導電部材ＭＷ２は、例えば、金属ワイヤであり、制御パッド３５ａおよび第２ボンディングパッド２３ａに接続される。
表面側電極３３ａは、第１導電部材ＭＷ１を介して、受光素子２０の第１ボンディングパッド２１ａに電気的に接続される。第１導電部材ＭＷ１は、例えば、金属ワイヤであり、表面側電極３３ａおよび第１ボンディングパッド２１ａに接続される。制御パッド３５ａは、第２導電部材ＭＷ２を介して、受光素子２０の第２ボンディングパッド２３ａに電気的に接続される。第２導電部材ＭＷ２は、例えば、金属ワイヤであり、制御パッド３５ａおよび第２ボンディングパッド２３ａに接続される。
【0028】
第２スイッチング素子３０ｂは、別の第２接続部材ＣＭ２を介して、第４金属パッド１５ｂ上に設けられる。第２スイッチング素子３０ｂは、別の裏面側電極３１と、表面側電極３３ｂと、制御パッド３５ｂと、を有する。裏面側電極３１は、第２接続部材ＣＭ２を介して、第４金属パッド１５ｂに電気的に接続される。表面側電極３３ｂは、第４導電部材ＭＷ４を介して、受光素子２０の第１ボンディングパッド２１ｂに電気的に接続される。制御パッド３５ｂは、第５導電部材ＭＷ５を介して、受光素子２０の第２ボンディングパッド２３ｂに電気的に接続される。第４導電部材ＭＷ４および第５導電部材ＭＷ５は、例えば、金属ワイヤである。
【0029】
また、第１スイッチング素子３０ａの表面側電極３３ａは、第６導電部材ＭＷ６を介して、第２スイッチング素子３０ｂの表面側電極３３ｂに電気的に接続される。表面側電極３３ａは、複数の第６導電部材ＭＷ６を介して、表面側電極３３ｂに電気的に接続されても良い。第６導電部材ＭＷ６は、例えば、金属ワイヤである。
【0030】
発光素子４０は、第３接続部材ＣＭ３を介して、受光素子２０の表面２０ＦＳ上（図１参照）に設けられる。発光素子４０は、第１ボンディングパッド２１ａおよび２１ｂの間、および、第２ボンディングパッド２３ａおよび２３ｂの間に設けられる。
【0031】
発光素子４０は、第３接続部材ＣＭ３を介して受光素子２０に接続される裏面と、裏面とは反対側の表面と、を有する。発光素子４０は、第１電極４１と第２電極４３とを有する。第１電極４１および第２電極４３は、裏面とは反対側の表面上に並ぶ。第１電極４１は、第３導電部材ＭＷ３を介して、第５金属パッド１７ａに電気的に接続される。第２電極４３は、第７導電部材ＭＷ７を介して、第６金属パッド１７ｂに電気的に接続される。第７導電部材ＭＷ７は、例えば、金属ワイヤである。
【0032】
図３（ａ）～（ｃ）は、実施形態に係る半導体装置１の基板１０を示す模式図である。図３（ａ）は、樹脂基材１１の第２面１１Ｂを示す平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿った断面図である。図３（ｃ）は、図３（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿った断面図である。
【0033】
図３（ａ）に示すように、半導体装置１は、複数の入力側端子５０と、複数の出力側端子６０と、を含む。複数の入力側端子５０および複数の出力側端子６０は、相互に離間して設けられる。入力側端子５０および出力側端子６０は、例えば、金メッキを施した銅箔である。
【0034】
複数の入力側端子５０および複数の出力側端子６０は、例えば、第１入力側端子５０ａと、第２入力側端子５０ｂと、第１出力側端子６０ａと、第２出力側端子６０ｂと、を含む。第１入力側端子５０ａおよび第２入力側端子５０ｂは、樹脂基材１１の第２面１１Ｂ上において、例えば、Ｙ方向に並ぶ。第１出力側端子６０ａおよび第２出力側端子６０ｂは、樹脂基材１１の第２面１１Ｂ上において、例えば、Ｙ方向に並ぶ。また、第１入力側端子５０ａと第１出力側端子６０ａとは、例えば、Ｘ方向に並ぶ。第２入力側端子５０ｂと第２出力側端子６０ｂとは、例えば、Ｘ方向に並ぶ。
【0035】
図３（ｂ）に示すように、樹脂基材１１は、第１入力側端子５０ａと第５金属パッド１７ａとの間に延在する。また、樹脂基材１１は、第１出力側端子６０ａと第３金属パッド１５ａとの間に延在する。第１入力側端子５０ａは、樹脂基材１１中に設けられたビアコンタクトＢＣ１を介して、第５金属パッド１７ａに電気的に接続される。第１出力側端子６０ａは、樹脂基材１１中に設けられたビアコンタクトＢＣ２を介して、第３金属パッド１５ａに電気的に接続される。また、第１出力側端子６０ａは、複数のビアコンタクトＢＣ２を介して、第３金属パッド１５ａに電気的に接続されてもよい。
【0036】
第１金属パッド１３ａは、第１入力側端子５０ａと第１出力側端子６０ａとの間に位置する樹脂基材１１の第２面１１Ｂの一部とは反対側に設けられる。第１金属パッド１３ａは、例えば、Ｚ方向において、樹脂基材１１の一部を介して、第１入力側端子５０ａの一部および第１出力側端子６０ａの一部に重なるように設けられる。
【0037】
図３（ｃ）に示すように、樹脂基材１１は、第２入力側端子５０ｂと第６金属パッド１７ｂとの間に延在する。また、樹脂基材１１は、第２出力側端子６０ｂと第４金属パッド１５ｂとの間に延在する。第２入力側端子５０ｂは、樹脂基材１１中に設けられたビアコンタクトＢＣ３を介して、第６金属パッド１７ｂに電気的に接続される。第２出力側端子６０ｂは、樹脂基材１１中に設けられたビアコンタクトＢＣ４を介して、第４金属パッド１５ｂに電気的に接続される。また、第２出力側端子６０ｂは、複数のビアコンタクトＢＣ４を介して、第４金属パッド１５ｂに電気的に接続されてもよい。
【0038】
第２金属パッド１３ｂは、第２入力側端子５０ｂと第２出力側端子６０ｂとの間に位置する樹脂基材１１の第２面１１Ｂの一部とは反対側に設けられる。第２金属パッド１３ｂは、例えば、Ｚ方向において、樹脂基材１１の別の一部を介して、第２入力側端子５０ｂの一部および第２出力側端子６０ｂの一部に重なるように設けられる。
【0039】
図４は、実施形態に係る半導体装置１を示す回路図である。受光素子２０は、例えば、フォトダイオードである。第１スイッチング素子３０ａおよび第２スイッチング素子３０ｂは、例えば、ＭＯＳトランジスタである。発光素子４０は、例えば、発光ダイオードである。
【0040】
受光素子２０は、複数のフォトダイオード２５と、制御回路２７と、を含む。複数のフォトダイオード２５は、直列接続される。フォトダイオード２５は、発光素子４０の光を検出するように構成される。制御回路２７は、例えば、波形成形回路である。また、制御回路２７は、放電回路、保護回路などであっても良い。
【0041】
フォトダイオード２５の出力は、制御回路２７を介して、第１ボンディングパッド２１ａ、２１ｂ、第２ボンディングパッド２３ａおよび２３ｂに出力される。第１ボンディングパッド２１ａおよび２１ｂは、例えば、フォトダイオード２５のカソード側に電気的に接続される。第２ボンディングパッド２３ａおよび２３ｂは、例えば、フォトダイオード２５のアノード側に電気的に接続される。
【0042】
受光素子２０の第１ボンディングパッド２１ａは、第１導電部材ＭＷ１を介して、スイッチング素子３０ａのソースＳ（表面側電極３３ａ）に電気的に接続される。また、受光素子２０の第１ボンディングパッド２１ｂは、第４導電部材ＭＷ４を介して、スイッチング素子３０ｂのソースＳ（表面側電極３３ｂ）に電気的に接続される。スイッチング素子３０ａのソースＳは、第６導電部材ＭＷ６を介してスイッチング素子３０ｂのソースＳに接続される。
【0043】
受光素子２０の第２ボンディングパッド２３ａは、第２導電部材ＭＷ２を介して、第１スイッチング素子３０ａのゲートＧ（制御パッド３５ａ）に電気的に接続される。受光素子２０の第２ボンディングパッド２３ｂは、第５導電部材ＭＷ５を介して、第２スイッチング素子３０ｂのゲートＧ（制御パッド３５ｂ）に電気的に接続される。
【0044】
発光素子４０は、第３導電部材ＭＷ３を介して、第１入力側端子５０ａに電気的に接続される。第１入力側端子５０ａは、ビアコンタクトＢＣ１を介して、第５金属パッド１７ａに電気的に接続され（図３（ｂ）参照）、第３導電部材ＭＷ３は、第５金属パッド１７ａおよび発光素子４０の第１電極４１にボンディングされる（図２（ｂ）参照）。第１電極４１は、例えば、発光ダイオードのカソードに電気的に接続される。
【0045】
また、発光素子４０は、第７導電部材ＭＷ７を介して、第２入力側端子５０ｂに電気的に接続される。第２入力側端子５０ｂは、ビアコンタクトＢＣ３を介して、第６金属パッド１７ｂに電気的に接続され（図３（ｂ）参照）、第７導電部材ＭＷ７は、第６金属パッド１７ｂおよび発光素子４０の第２電極４３にボンディングされる。第２電極４３は、例えば、発光ダイオードのアノードに電気的に接続される。
【0046】
第１出力側端子６０ａは、第１スイッチング素子３０ａのドレインＤ（裏面側電極３１）に電気的に接続される。第１出力側端子６０ａは、ビアコンタクトＢＣ２を介して、第３金属パッド１５ａに電気的に接続され（図３（ａ）参照）、第１スイッチング素子３０ａの裏面側電極３１は、第２接続部材ＣＭ２を介して、第３金属パッド１５ａに電気的に接続される（図２（ｂ）参照）。
【0047】
第２出力側端子６０ｂは、第２スイッチング素子３０ｂのドレインＤ（別の裏面側電極３１）に電気的に接続される。第２出力側端子６０ｂは、ビアコンタクトＢＣ４を介して、第４金属パッド１５ｂに電気的に接続され（図３（ｂ）参照）、第２スイッチング素子３０ｂの裏面側電極３１は、別の第２接続部材ＣＭ２を介して、第４金属パッド１５ｂに電気的に接続される（図２（ｂ）参照）。
【0048】
第１入力側端子５０ａおよび第２入力側端子５０ｂには、例えば、第１出力側端子６０ａと第２出力側端子６０ｂとの間の電気的な導通をオンオフ制御する信号が入力される。発光素子４０は、第１入力側端子５０ａおよび第２入力側端子５０ｂに入力された信号に対応した光信号を放射し、受光素子２０は、発光素子４０から放射された光信号を検出する。受光素子２０は、光信号に対応した制御信号を第１スイッチング素子３０ａおよび第２スイッチング素子３０ｂのゲートＧに出力する。これにより、第１出力側端子６０ａと第２出力側端子６０ｂとの間の電気的な導通が制御される。
【0049】
例えば、高周波信号を第１出力側端子６０ａから第２出力側端子６０ｂへ通す場合、第１出力側端子６０ａと第２出力側端子６０ｂとの間のインピーダンスを低減し、伝送損失を低減することが好ましい。半導体装置１では、樹脂基材１１のＺ方向の厚さを薄くすることにより、スイッチング素子３０ａと第１出力側端子６０ａとの間、および、スイッチング素子３０ｂと第２出力側端子６０ｂとの間のインピーダンスを低減する。これにより、第１出力側端子６０ａと第２出力側端子６０ｂとの間の高周波信号の通過特性を向上させることができる。
【0050】
樹脂基材１１のＺ方向の厚さは、例えば、５０マイクロメートルである。金属パッド１３、１５および１７のそれぞれのＺ方向の厚さは、例えば、３０マイクロメートルであり、入力側端子５０および出力側端子６０のそれぞれのＺ方向の厚さも、例えば、３０マイクロメートルである。このように、樹脂基材１１のＺ方向の厚さは、第１面１１Ｆ上および第２面１１Ｂ上にそれぞれ設けられる銅箔の厚さを合わせた厚さよりも薄いことが好ましい。しかしながら、このように薄い樹脂基材１１を基板１０に用いた場合、例えば、銅箔の線熱膨張係数と樹脂基材１１の線熱膨張係数との違いに起因した熱応力が、樹脂基材１１に反りもしくは変形を生じさせる。このため、半導体装置１の製造過程において、樹脂基材１１の平坦性の劣化に伴う不具合が生じる。
【0051】
図３（ｂ）および（ｃ）に示すように、入力側端子５０は、樹脂基材１１を介して、金属パッド１７に向き合う。また、出力側端子６０は、樹脂基材１１を介して、金属パッド１５に向き合う。したがって、両者の線熱膨張係数と樹脂基材１１の線熱膨張係数との違いに起因した熱応力は相殺され低減される。しかしながら、樹脂基材１１の金属パッド１３に向き合う第２面１１Ｂ側には、銅箔が設けられず、熱応力は相殺されない。このため、基板１０では、金属パッド１３に起因した反りや変形が生じ易い。
【0052】
これに対し、半導体装置１では、樹脂基材１１上に複数の金属パッド１３を設けることにより、それぞれの占有面積を小さくし、熱応力を低減する。さらに、複数の金属パッド１３間に位置する樹脂基材１１の第１面１１Ｆの一部と受光素子２０とを第１接続部材ＣＭ１を介して接続することにより、基板１０と受光素子２０との間の接続強度を向上させることができる。すなわち、基板１０と第１接続部材ＣＭ１との間における樹脂と金属との接合に、樹脂と樹脂の接合を加え、接続強度を向上させることが可能となる。
【0053】
さらに、受光素子２０の第１ボンディングパッド２１および第２ボンディングパッド２３は、Ｚ方向において、それぞれ金属パッド１３に重なる位置に設けられる。これにより、ボンディングパッド２１および２３上に導電部材ＭＷを超音波ボンディングする際に生じる、樹脂基材１１による超音波の吸収を抑制し、導電部材ＭＷのボンディング強度を向上させることができる。
【0054】
また、図３（ａ）～（ｃ）に示すように、金属パッド１３の一部が入力側端子５０または出力側端子６０に重なるように配置される。これにより、樹脂基材１１による超音波の吸収もしくは散逸をさらに低減することができる。また、金属パッド１３は、入力側端子５０および出力側端子６０に重なるように配置されても良い。
【0055】
図５（ａ）および（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置１の基板１０を示す模式平面図である。図５（ａ）は、樹脂基材１１の第１面１１Ｆを示す平面図である。図５（ｂ）は、別の基板１０の第１面１１Ｆを示す平面図である。なお、同図中の破線は、受光素子２０および発光素子４０の位置を表している。
【0056】
図５（ａ）に示すように、受光素子２０は、第１金属パッド１３ａおよび第２金属パッド１３ｂに跨って設けられる。また、発光素子４０も、受光素子２０上において、第１金属パッド１３ａおよび第２金属パッド１３ｂに跨った位置に設けられる。
【0057】
第１金属パッド１３ａと第２金属パッド１３ｂとの間隔は、第３金属パッド１５ａと第４金属パッド１５ｂとの間隔と略同一である。実施形態は、この例に限定されず、例えば、第１金属パッド１３ａと第２金属パッド１３ｂとの間隔は、第３金属パッド１５ａと第４金属パッド１５ｂとの間隔よりも広くしてもよい。また、第１金属パッド１３ａと第２金属パッド１３ｂとの間のスペースは、図５（ａ）に示すように等間隔でもよいし、Ｘ方向における中央の間隔と端の間隔が異なっても良い。
【0058】
図５（ｂ）に示すように、第１金属パッド１３ａは、金属接続部１３ｃを介して、第２金属パッド１３ｂにつながるように設けられてもよい。樹脂基材１１の第１面１１Ｆの一部は、第１金属パッド１３ａ、第２金属パッド１３ｂおよび２つの金属接続部１３ｃにより囲まれる。
【0059】
金属接続部１３ｃは、樹脂基材１１の第１面１１Ｆ上において、第１金属パッド１３ａの第３金属パッド１５ａに向き合う外縁と、第２金属パッド１３ｂの第４金属パッド１５ｂに向き合う外縁と、をつなぐように設けられる。
【0060】
別の金属接続部１３ｃは、第１金属パッド１３ａの第５金属パッド１７ａに向き合う外縁と、第２金属パッド１３ｂの第６金属パッド１７ｂに向き合う外縁と、をつなぐように設けられる。
【0061】
例えば、基板１０と受光素子２０とを接続する第１接続部材ＣＭ１には、金属に対する接着力が大きい銀ペースト等の導電性の接着材を用いることが好ましい。しかしながら、第１接続部材ＣＭ１は、樹脂基材１１の第１面１１Ｆ上に塗布された後、金属パッド１３間のスペースから外側に広がる恐れがある。このため、第１接続部材ＣＭ１と金属パッド１５との間隔が狭くなり、金属パッド１３と金属パッド１５との間の絶縁耐圧が低下することがある。この例では、金属接続部１３ｃを設けることにより、第１接続部材ＣＭ１が金属パッド１３間のスペースの外側へ広がることを防ぐことができる。これにより、金属パッド１３と金属パッド１５との間の絶縁耐圧の低下を回避できる。
【0062】
図６（ａ）および（ｂ）は、実施形態の変形例に係る半導体装置１の基板１０を示す模式平面図である。図６（ａ）および（ｂ）は、樹脂基材１１の第１面１１Ｆを示す平面図である。なお、同図中の破線は、受光素子２０および発光素子４０の位置を表している。
【0063】
図６（ａ）に示す例では、基板１０は、第７金属パッド１３ｄおよび第８金属パッド１３ｅをさらに含む。第７金属パッド１３ｄおよび第８金属パッド１３ｅは、樹脂基材１１の第１面１１Ｆ上に設けられる。
【0064】
第７金属パッド１３ｄは、第１金属パッド１３ａと第５金属パッド１７ａとの間に設けられる。第７金属パッド１３ｄは、第１金属パッド１３ａおよび第５金属パッド１７ａから離間して設けられる。
【0065】
第８金属パッド１３ｅは、第２金属パッド１３ｂと第６金属パッド１７ｂとの間に設けられる。第８金属パッド１３ｅは、第２金属パッド１３ｂおよび第６金属パッド１７ｂから離間して設けられる。また、第７金属パッド１３ｄおよび第８金属パッド１３ｅは、Ｙ方向に並び、相互に離間して設けられる。
【0066】
なお、各金属パッド間の間隔は同一でもよいし、異なっていてもよい。また、各金属パッド間のスペースは、一定の幅を有しても良いし、一定の幅でなくても良い。
【0067】
このように、４つの金属パッド１３をそれぞれの占有面積を小さくして配置することにより、樹脂基材１１に加わる熱応力を低減することができる。また、隣り合う金属パッド１３間に位置する樹脂基材１１の第１面１１Ｆの一部の面積を広げ、基板１０に対する受光素子２０の接続強度を高くすることができる。
【0068】
樹脂基材１１の第１面１１Ｆに垂直なＺ方向において、受光素子２０の第１ボンディングパッド２１ａは、第１金属パッド１３ａに重なるように設けられ、第２ボンディングパッド２３ａは、第７金属パッド１３ｄに重なるように設けられる。また、受光素子２０の第１ボンディングパッド２１ｂは、第２金属パッド１３ｂに重なるように設けられる。第２ボンディングパッド２３ｂは、第８金属パッド１３ｅに重なるように設けられる。
【0069】
図６（ｂ）に示す例では、金属接続部１３ｃ、１３ｆ、１３ｇおよび１３ｈがさらに設けられる。金属接続部１３ｃ、１３ｆ、１３ｇおよび１３ｈは、第１金属パッド１３ａと第２金属パッド１３ｂとの間、第１金属パッド１３ａと第７金属パッド１３ｄとの間、第２金属パッド１３ｂと第８金属パッド１３ｅとの間、および、第７金属パッド１３ｄと第８金属パッド１３ｅとの間に位置する第１面１１Ｆの一部を囲むように、樹脂基材１１の第１面１１Ｆ上に設けられる。
【0070】
金属接続部１３ｃは、第１金属パッド１３ａの第３金属パッド１５ａに向き合う外縁と、第２金属パッド１３ｂの第４金属パッド１５ｂに向き合う外縁と、をつなぐように設けられる。
【0071】
金属接続部１３ｆは、第７金属パッド１３ｄの第５金属パッド１７ａに向き合う外縁と、第８金属パッド１３ｅの第６金属パッド１７ｂに向き合う外縁と、をつなぐように設けられる。金属接続部１３ｇは、第１金属パッド１３ａのＸ方向に沿った外縁と、第７金属パッド１３ｄのＸ方向に沿った外縁と、をつなぐように設けられる。また、金属接続部１３ｈは、第２金属パッド１３ｂのＸ方向に沿った外縁と、第８金属パッド１３ｅのＸ方向に沿った外縁と、をつなぐように設けられる。これにより、金属接続部１３ｃ、１３ｆ、１３ｇおよび１３ｈは、第１接続部材ＣＭ１が複数の金属パッド１３間のスペースから外側へ広がることを抑制する。
【0072】
図７（ａ）および（ｂ）は、実施形態の別の変形例に係る半導体装置１の基板１０を示す模式平面図である。図７（ａ）および（ｂ）は、樹脂基材１１の第１面１１Ｆを示す平面図である。なお、同図中の破線は、受光素子２０および発光素子４０の位置を表している。
【0073】
図７（ａ）に示すように、第２金属パッド１３ｂは、第１金属パッド１３ａから離間し、第１金属パッド１３ａを囲むように設けられる。第１金属パッド１３ａは、例えば、円形である。
【0074】
発光素子４０は、Ｚ方向において、第１金属パッド１３ａに重なる位置に設けられる。受光素子２０の第１ボンディングパッド２１ａ、２１ｂ、第２ボンディングパッド２３ａ、２３ｂは、Ｚ方向において、第２金属パッド１３ｂに重なる位置に設けられる。
【0075】
図７（ｂ）に示す例でも、第２金属パッド１３ｂは、第１金属パッド１３ａから離間し、第１金属パッド１３ａを囲むように設けられる。第１金属パッド１３ａは、例えば、三角形である。発光素子４０は、Ｚ方向において、第１金属パッド１３ａに重なる位置に設けられる。受光素子２０の第１ボンディングパッド２１ａ、２１ｂ、第２ボンディングパッド２３ａ、２３ｂは、Ｚ方向において、第２金属パッド１３ｂに重なる位置に設けられる。
【0076】
これらの例でも、受光素子２０は、第１金属パッド１３ａおよび第２金属パッド１３ｂに跨って設けられる。第１金属パッド１３ａおよび第２金属パッド１３ｂの間に位置する樹脂基材１１の第１面１１Ｆの一部の面積を広くすることにより、第１金属パッド１３ａおよび第２金属パッド１３ｂのそれぞれの占有面積を縮小し、樹脂基材１１中の熱応力を低減することができる。これにより、樹脂基材１１の反りもしくは変形を抑制することができる。また、基板１０に対する受光素子２０の接続強度を大きくすることができる。なお、第２金属パッド１３ｂに囲まれる第１金属パッド１３ａの形状は、上記の例に限定される訳ではなく、例えば、多角形であっても良い。
【0077】
図８は、実施形態に係る半導体装置１の特性を示すグラフである。横軸は、第１出力側端子６０ａと第２出力側端子６０ｂとの間を伝播する信号の周波数である。縦軸は、第１出力側端子６０ａと第２出力側端子６０ｂとの間の挿入損失である。
【0078】
図８中に示す「ＥＢ」は、半導体装置１の特性を表している。また、「ＣＥ」は、比較例に係る半導体装置の特性を表している。比較例に係る半導体装置では、第１金属パッド１３ａおよび第２金属パッド１３ｂ（図５（ａ）参照）が一体に設けられる。
【0079】
図８に示すように、半導体装置１の周波数帯域は、比較例に係る半導体装置の周波数帯域よりも広くなる。すなわち、受光素子２０がマウントされる金属パッド１３を、第１金属パッド１３ａおよび第２金属パッド１３ｂに分離することにより、周波数特性を向上させることができる。
【0080】
近年のメモリ素子などの半導体デバイスの高速化により、例えば、そのテスターに用いられるフォトリレーの高速化も喫緊の課題となっている。図８に示すように、実施形態に係る半導体装置１では、全体の小型化および基板１０の薄層化により、３０ＧＨｚ帯に至る高周波特性を実現している。さらに、受光素子２０がマウントされる複数の金属パッドを相互に離間して配置することにより、第１出力側端子６０ａから第２出力側端子６０ｂ、もしくは、その逆方向に伝播する信号経路の帯域（－３ｄＢ）を２５ＧＨｚから３０ＧＨｚに広帯域化できることがわかる。このような効果は、マウントパッドの分割により、第１出力側端子６０ａと第２出力側端子６０ｂとの間の信号経路に並列の寄生容量が大幅に低減されるためと考えられる。
【0081】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【0082】
（付記１）
樹脂基材と、第１乃至第３金属パッドと、を有する基板であって、前記第１乃至第３金属パッドは、前記樹脂基材の第１面上に並び、前記第３金属パッドは、前記第１金属パッドおよび前記第２金属パッドから離間した、基板と、
前記樹脂基材の前記第１面側に設けられた受光素子であって、前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、および、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間の前記第１面の一部に第１接続部材を介して接続された裏面と、前記裏面とは反対側の表面と、を有し、前記表面上に設けられる第１および第２ボンディングパッドと、をさらに有し、前記第１および第２ボンディングパッドは、それぞれ、前記第１面に垂直な方向において、前記第１金属パッドおよび前記第２金属パッドのいずれかに重なる位置に設けられる、受光素子と、
前記樹脂基材の前記第１面側に設けられたスイッチング素子であって、前記第３金属パッドに第２接続部材を介して接続される裏面側電極と、前記裏面側電極が設けられた裏面とは反対側の表面上に設けられた表面側電極と、前記スイッチング素子の前記表面上に前記表面側電極と並ぶ制御パッドと、を有する、スイッチング素子と、
前記スイッチング素子の前記表面側電極、および、前記受光素子の前記第１ボンディングパッドに接続され、前記表面側電極と前記第１ボンディングパッドとを電気的に接続する第１導電部材と、
前記スイッチング素子の前記制御パッド、および、前記受光素子の前記第２ボンディングパッドに接続され、前記制御パッドと前記第２ボンディングパッドを電気的に接続する第２導電部材と、
前記受光素子の前記表面上に、第３接続部材を介して、設けられた発光素子であって、前記第３接続部材は、前記発光素子から前記受光素子に向かって放射される光を透過する、発光素子と、
を備えた半導体装置。
樹脂基材と、第１乃至第３金属パッドと、を有する基板であって、前記第１乃至第３金属パッドは、前記樹脂基材の第１面上に並び、前記第３金属パッドは、前記第１金属パッドおよび前記第２金属パッドから離間した、基板と、
前記樹脂基材の前記第１面側に設けられた受光素子であって、前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、および、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間の前記第１面の一部に第１接続部材を介して接続された裏面と、前記裏面とは反対側の表面と、を有し、前記表面上に設けられる第１および第２ボンディングパッドと、をさらに有し、前記第１および第２ボンディングパッドは、それぞれ、前記第１面に垂直な方向において、前記第１金属パッドおよび前記第２金属パッドのいずれかに重なる位置に設けられる、受光素子と、
前記樹脂基材の前記第１面側に設けられたスイッチング素子であって、前記第３金属パッドに第２接続部材を介して接続される裏面側電極と、前記裏面側電極が設けられた裏面とは反対側の表面上に設けられた表面側電極と、前記スイッチング素子の前記表面上に前記表面側電極と並ぶ制御パッドと、を有する、スイッチング素子と、
前記スイッチング素子の前記表面側電極、および、前記受光素子の前記第１ボンディングパッドに接続され、前記表面側電極と前記第１ボンディングパッドとを電気的に接続する第１導電部材と、
前記スイッチング素子の前記制御パッド、および、前記受光素子の前記第２ボンディングパッドに接続され、前記制御パッドと前記第２ボンディングパッドを電気的に接続する第２導電部材と、
前記受光素子の前記表面上に、第３接続部材を介して、設けられた発光素子であって、前記第３接続部材は、前記発光素子から前記受光素子に向かって放射される光を透過する、発光素子と、
を備えた半導体装置。
【0083】
（付記２）
前記第２金属パッドは、前記第１金属パッドから離間するように設けられる付記１記載の半導体装置。
前記第２金属パッドは、前記第１金属パッドから離間するように設けられる付記１記載の半導体装置。
【0084】
（付記３）
前記基板は、前記樹脂基材の前記第１面上に設けられ、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとをつなぐ金属接続部をさらに有し、前記第１金属パッド、前記第２金属パッドおよび前記金属接続部は前記第１面の前記一部を囲む付記１記載の半導体装置。
前記基板は、前記樹脂基材の前記第１面上に設けられ、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとをつなぐ金属接続部をさらに有し、前記第１金属パッド、前記第２金属パッドおよび前記金属接続部は前記第１面の前記一部を囲む付記１記載の半導体装置。
【0085】
（付記４）
前記樹脂基材の前記第１面側に設けられ、前記受光素子に電気的に接続される別のスイッチング素子をさらに備え、
前記基板は、前記樹脂基材の前記第１面上に設けられた第４金属パッドをさらに含み、
前記第４金属パッドは、前記第１乃至第３金属パッドから離間して設けられ、
前記第３金属パッドおよび前記第４金属パッドは、前記第１金属パッドおよび前記第２金属パッドが前記第１面上に並ぶ方向と同方向に並び、
前記別のスイッチング素子は、前記第４金属パッド上に別の第２接続部材を介して接続される付記１乃至３のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記樹脂基材の前記第１面側に設けられ、前記受光素子に電気的に接続される別のスイッチング素子をさらに備え、
前記基板は、前記樹脂基材の前記第１面上に設けられた第４金属パッドをさらに含み、
前記第４金属パッドは、前記第１乃至第３金属パッドから離間して設けられ、
前記第３金属パッドおよび前記第４金属パッドは、前記第１金属パッドおよび前記第２金属パッドが前記第１面上に並ぶ方向と同方向に並び、
前記別のスイッチング素子は、前記第４金属パッド上に別の第２接続部材を介して接続される付記１乃至３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0086】
（付記５）
前記基板は、前記第１面上に設けられた第５および第６金属パッドをさらに含み、
前記第５および第６金属パッドは、前記第１および第２金属パッドが前記第１面上に並ぶ方向と同方向に並び、
前記第１金属パッドは、前記第３金属パッドと前記第５金属パッドとの間に位置し、
前記第２金属パッドは、前記第３金属パッドと前記第６金属パッドとの間に位置し、
前記第１面の一部は、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間、前記第１金属パッドと前記第５金属パッドとの間、前記第２金属パッドと前記第６金属パッドとの間、および、前記第５金属パッドと前記第６金属パッドとの間に延在し、
前記受光素子は、前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、前記第５金属パッド、前記６金属パッドおよび前記第１面の一部に前記第１接続部材を介して接続される前記裏面を有し、
前記受光素子の前記第１および第２ボンディングパッドは、それぞれ、前記第１面に垂直な方向において、前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、前記第５金属パッドおよび前記第６金属パッドのいずれか１つに重なる位置に設けられる付記１記載の半導体装置。
前記基板は、前記第１面上に設けられた第５および第６金属パッドをさらに含み、
前記第５および第６金属パッドは、前記第１および第２金属パッドが前記第１面上に並ぶ方向と同方向に並び、
前記第１金属パッドは、前記第３金属パッドと前記第５金属パッドとの間に位置し、
前記第２金属パッドは、前記第３金属パッドと前記第６金属パッドとの間に位置し、
前記第１面の一部は、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間、前記第１金属パッドと前記第５金属パッドとの間、前記第２金属パッドと前記第６金属パッドとの間、および、前記第５金属パッドと前記第６金属パッドとの間に延在し、
前記受光素子は、前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、前記第５金属パッド、前記６金属パッドおよび前記第１面の一部に前記第１接続部材を介して接続される前記裏面を有し、
前記受光素子の前記第１および第２ボンディングパッドは、それぞれ、前記第１面に垂直な方向において、前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、前記第５金属パッドおよび前記第６金属パッドのいずれか１つに重なる位置に設けられる付記１記載の半導体装置。
【0087】
（付記６）
前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、前記第５金属パッドおよび前記第６金属パッドは、相互に離間して設けられる付記５記載の半導体装置。
前記第１金属パッド、前記第２金属パッド、前記第５金属パッドおよび前記第６金属パッドは、相互に離間して設けられる付記５記載の半導体装置。
【0088】
（付記７）
前記基板は、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間、前記第２金属パッドと前記第６金属パッドとの間、前記第５金属パッドと前記第６金属パッドとの間、前記第５金属パッドと前記第１金属パッドとの間にそれぞれ設けられ、前記第１面の前記一部を囲むように配置される金属接続部をさらに含む付記５記載の半導体装置。
前記基板は、前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間、前記第２金属パッドと前記第６金属パッドとの間、前記第５金属パッドと前記第６金属パッドとの間、前記第５金属パッドと前記第１金属パッドとの間にそれぞれ設けられ、前記第１面の前記一部を囲むように配置される金属接続部をさらに含む付記５記載の半導体装置。
【0089】
（付記８）
前記第２金属パッドは、前記第１金属パッドから離間し、前記第１金属パッドを囲む付記１記載の半導体装置。
前記第２金属パッドは、前記第１金属パッドから離間し、前記第１金属パッドを囲む付記１記載の半導体装置。
【0090】
（付記９）
前記発光素子は、前記樹脂基材の前記第１面に垂直な前記方向において、前記第１金属パッドに重なる位置に設けられる付記８記載の半導体装置。
前記発光素子は、前記樹脂基材の前記第１面に垂直な前記方向において、前記第１金属パッドに重なる位置に設けられる付記８記載の半導体装置。
【0091】
（付記１０）
前記受光素子の前記第１ボンディングパッドおよび前記第２ボンディングパッドは、前記基板の前記第１面に垂直な前記方向において、前記第２金属パッドに重なる位置に設けられる付記９記載の半導体装置。
前記受光素子の前記第１ボンディングパッドおよび前記第２ボンディングパッドは、前記基板の前記第１面に垂直な前記方向において、前記第２金属パッドに重なる位置に設けられる付記９記載の半導体装置。
【0092】
（付記１１）
前記基板は、前記樹脂基材の前記第１面とは反対側の第２面上に設けられる入力側端子および出力側端子とを有し、
前記入力側端子は、前記発光素子に電気的に接続され、前記出力側端子は、前記第３金属パッドおよび前記第２接続部材を介して、前記スイッチング素子に電気的に接続される付記１乃至１０のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記基板は、前記樹脂基材の前記第１面とは反対側の第２面上に設けられる入力側端子および出力側端子とを有し、
前記入力側端子は、前記発光素子に電気的に接続され、前記出力側端子は、前記第３金属パッドおよび前記第２接続部材を介して、前記スイッチング素子に電気的に接続される付記１乃至１０のいずれか１つに記載の半導体装置。
【符号の説明】
【0093】
１…半導体装置、 １０…基板、 １１…樹脂基材、 １１Ｂ…第２面、 １１Ｆ…第１面、 １３、１５、１７…金属パッド、 １３ａ…第１金属パッド、 １３ｂ…第２金属パッド、 １３ｃ、１３ｆ、１３ｇ、１３ｈ…金属接続部、 １３ｄ…第７金属パッド、 １３ｅ…第８金属パッド、 １５ａ…第３金属パッド、 １５ｂ…第４金属パッド、 １７ａ…第５金属パッド、 １７ｂ…第６金属パッド、 ２０…受光素子、 ２０ＢＳ…裏面、 ２０ＦＳ…表面、 ２１、２３…ボンディングパッド、 ２１ａ、２１ｂ…第１ボンディングパッド、 ２３ａ、２３ｂ…第２ボンディングパッド、 ２５…フォトダイオード、 ２７…制御回路、 ３０…スイッチング素子、 ３０ａ…第１スイッチング素子、 ３０ｂ…第２スイッチング素子、 ３１…裏面側電極、 ３３、３３ａ、３３ｂ…表面側電極、 ３５、３５ａ、３５ｂ…制御パッド、 ４０…発光素子、 ４１…第１電極、 ４３…第２電極、 ５０…入力側端子、 ５０ａ…第１入力側端子、 ５０ｂ…第２入力側端子、 ６０…出力側端子、 ６０ａ…第１出力側端子、 ６０ｂ…第２出力側端子、 ７０、８０…樹脂部材、 ＢＣ１、ＢＣ２、ＢＣ３、ＢＣ４…ビアコンタクト、 ＣＭ１…第１接続部材、 ＣＭ２…第２接続部材、 ＣＭ３…第３接続部材、 ＭＷ１…第１導電部材、 ＭＷ２…第２導電部材、 ＭＷ３…第３導電部材、 ＭＷ４…第４導電部材、 ＭＷ５…第５導電部材、 ＭＷ６…第６導電部材、 ＭＷ７…第７導電部材
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】