(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023176236
(43)【公開日】2023-12-13
(54)【発明の名称】電子部品及び電子部品の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20231206BHJP
H01G 4/228 20060101ALI20231206BHJP
H01G 4/252 20060101ALI20231206BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201C
H01G4/30 201F
H01G4/30 201D
H01G4/30 201G
H01G4/30 201K
H01G4/30 311E
H01G4/30 311Z
H01G4/30 512
H01G4/30 513
H01G4/30 516
H01G4/30 517
H01G4/228 B
H01G4/252 V
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022088408
(22)【出願日】2022-05-31
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100124062
【弁理士】
【氏名又は名称】三上 敬史
(72)【発明者】
【氏名】岡藤 有輝
(72)【発明者】
【氏名】井上 順之
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC03
5E001AC10
5E001AD03
5E001AD05
5E001AE01
5E001AE02
5E001AE03
5E001AF02
5E001AF03
5E001AF06
5E001AH01
5E001AH03
5E001AH07
5E001AH09
5E001AJ01
5E001AJ02
5E001AJ03
5E082AB03
5E082BC19
5E082BC40
5E082EE04
5E082EE23
5E082EE26
5E082EE35
5E082FG04
5E082FG26
5E082FG46
5E082FG54
5E082GG10
5E082GG26
5E082GG28
5E082JJ02
5E082JJ03
5E082JJ07
5E082JJ15
5E082MM05
5E082MM24
5E082PP03
5E082PP09
(57)【要約】
【課題】電気的特性の劣化を抑制する電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品は、端面３ａを有する素体３と、端面３ａに配置されている外部電極５と、素体３内に配置されている内部電極７と、を備えている。内部電極７は、外部電極５と接合されている。外部電極５と内部電極７との接合界面１３は、端面３ａより素体３の内側に位置している。内部電極７は、第一金属を含んでいる。外部電極５は、第一金属とは異なる第二金属を含んでいる。第一金属と第二金属とを含む相互拡散領域Ｒが、接合界面１３を挟んで、外部電極５と内部電極７とにそれぞれ存在する。
【選択図】図４
【解決手段】電子部品は、端面３ａを有する素体３と、端面３ａに配置されている外部電極５と、素体３内に配置されている内部電極７と、を備えている。内部電極７は、外部電極５と接合されている。外部電極５と内部電極７との接合界面１３は、端面３ａより素体３の内側に位置している。内部電極７は、第一金属を含んでいる。外部電極５は、第一金属とは異なる第二金属を含んでいる。第一金属と第二金属とを含む相互拡散領域Ｒが、接合界面１３を挟んで、外部電極５と内部電極７とにそれぞれ存在する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
端面を有する素体と、
前記端面に配置されている外部電極と、
前記素体内に配置されていると共に前記外部電極と接合されている内部電極と、を備え、
前記外部電極と前記内部電極との接合界面は、前記端面より前記素体の内側に位置し、
前記内部電極は、第一金属を含み、
前記外部電極は、前記第一金属とは異なる第二金属を含み、
前記第一金属と前記第二金属とを含む相互拡散領域が、前記接合界面を挟んで、前記外部電極と前記内部電極とにそれぞれ存在する、電子部品。
前記端面に配置されている外部電極と、
前記素体内に配置されていると共に前記外部電極と接合されている内部電極と、を備え、
前記外部電極と前記内部電極との接合界面は、前記端面より前記素体の内側に位置し、
前記内部電極は、第一金属を含み、
前記外部電極は、前記第一金属とは異なる第二金属を含み、
前記第一金属と前記第二金属とを含む相互拡散領域が、前記接合界面を挟んで、前記外部電極と前記内部電極とにそれぞれ存在する、電子部品。
【請求項2】
前記素体には、前記相互拡散領域がその内側に位置すると共に、前記端面に開口し、かつ、前記接合界面がその底部を規定する窪みが形成されている、請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記窪みの内側壁面は、互いに対向し、かつ、互いの間隔が前記窪みの開口に向かうにしたがって増加するように傾斜する一対の面を含む、請求項２に記載の電子部品。
【請求項4】
前記相互拡散領域は、前記接合界面で、それぞれ５０原子％の前記第一金属と前記第二金属とを含む合金を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項5】
前記窪みの幅は、１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項２～３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項6】
前記窪みの深さは、０．５μｍ以上１０μｍ以下である、請求項２～３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項7】
第一金属を含む内部電極が内部に配置されている素体を準備する工程と、
前記素体へのレーザ光の照射により、底部に前記内部電極の一端が露出する窪みを前記素体に形成する工程と、
前記第一金属とは異なる第二金属を含む外部電極を前記窪みが開口する面に配置する工程と、を含み、
前記配置する工程は、
前記第一金属と前記第二金属とを含む相互拡散領域が、前記外部電極と前記内部電極との接合界面を挟んで、前記外部電極と前記内部電極とにそれぞれ存在するように、前記外部電極と前記内部電極とを接合する工程を含む、電子部品の製造方法。
前記素体へのレーザ光の照射により、底部に前記内部電極の一端が露出する窪みを前記素体に形成する工程と、
前記第一金属とは異なる第二金属を含む外部電極を前記窪みが開口する面に配置する工程と、を含み、
前記配置する工程は、
前記第一金属と前記第二金属とを含む相互拡散領域が、前記外部電極と前記内部電極との接合界面を挟んで、前記外部電極と前記内部電極とにそれぞれ存在するように、前記外部電極と前記内部電極とを接合する工程を含む、電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
知られている電子部品は、端面を有する素体と、端面に配置されている外部電極と、素体内に配置されている内部電極と、を備えている（たとえば、特許文献１）。内部電極は、外部電極と接合されている。内部電極は、端面から露出している。外部電極と内部電極との接合界面は、素体の端面上に位置している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－２７７３８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
内部電極の一端が素体の外側に突き出ていることがある。外部電極は、たとえば、焼結金属層とめっき層とを有している。めっき層は、焼結金属層上にめっき処理を行うことで、形成される。内部電極の一端が素体の外側に突き出ている構成では、外部電極と内部電極との接合界面が、端面より素体の外側に位置する。この場合、上述しためっき処理を行う際に、内部電極の一端と素体との間から、めっき液が素体内部に侵入することがある。めっき液が素体内部に侵入した場合、電子部品の電気的特性が劣化するおそれがある。
【0005】
本発明の一つの態様は、電気的特性の劣化を抑制する電子部品を提供することを目的とする。本発明の別の一つの態様は、電気的特性の劣化を抑制する電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
一つの態様に係る電子部品は、端面を有する素体と、端面に配置されている外部電極と、素体内に配置されている内部電極と、を備えている。内部電極は、外部電極と接合されている。外部電極と内部電極との接合界面は、端面より素体の内側に位置している。内部電極は、第一金属を含んでいる。外部電極は、第一金属とは異なる第二金属を含んでいる。第一金属と第二金属とを含む相互拡散領域が、接合界面を挟んで、外部電極と内部電極とにそれぞれ存在する。
【0007】
上記一つの態様では、外部電極と内部電極との接合界面が、端面より素体の内側に位置している。相互拡散領域は、接合界面を挟んで、外部電極と内部電極とにそれぞれ存在している。相互拡散領域は、内部電極が含む第一金属と外部電極が含む第二金属とを含んでいるので、相互拡散領域以外の領域と比して、密度が高い。したがって、めっき処理を行う際であっても、めっき液が素体内部に侵入しがたい。この結果、上記一つの態様は、電気的特性の劣化を抑制する。
【0008】
別の一つの態様に係る電子部品の製造方法は、第一金属を含む内部電極が内部に配置されている素体を準備する工程と、素体へのレーザ光の照射により、底部に内部電極の一端が露出する窪みを素体に形成する工程と、第一金属とは異なる第二金属を含む外部電極を窪みが開口する面に配置する工程と、を含んでいる。配置する工程は、第一金属と第二金属とを含む相互拡散領域が、外部電極と内部電極との接合界面を挟んで、外部電極と内部電極とにそれぞれ存在するように、外部電極と内部電極とを接合する工程を含んでいる。
【0009】
上記別の一つの態様では、素体へのレーザ光の照射により、底部に内部電極の一端が露出する窪みが形成される。外部電極と内部電極とは、相互拡散領域が接合界面を挟んで外部電極と内部電極とにそれぞれ存在するように、接合される。この結果、上記別の一つの態様は、電気的特性の劣化を抑制する電子部品を確実に得る。
【発明の効果】
【0010】
本発明の一つの態様は、電気的特性の劣化を抑制する電子部品を提供する。本発明の別の一つの態様は、電気的特性の劣化を抑制する電子部品の製造方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【0013】
図１～図４を参照して、本実施形態に係る電子部品の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る電子部品を示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る電子部品の断面構成を示す図である。図３は、内部電極及び窪みを示す図である。図４は、外部電極、内部電極及び窪みの構成を示す図である。
【0014】
図１及び図２に示されるように、電子部品１は、素体３と、外部電極５と、複数の内部電極７と、複数の内部電極９と、を備えている。本実施形態では、電子部品１は、一対の外部電極５を備えている。本実施形態では、電子部品１は、積層セラミックコンデンサである。
【0015】
素体３は、直方体形状を呈している。直方体形状は、たとえば、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状を含む。素体３は、一対の端面３ａと、一対の側面３ｃと、一対の側面３ｅと、を有している。本実施形態では、一対の端面３ａは、第一方向Ｄ１で互いに対向し、一対の側面３ｃは、第二方向Ｄ２で互いに対向し、一対の側面３ｅは、第三方向Ｄ３で互いに対向している。一対の端面３ａ、一対の側面３ｃ、及び一対の側面３ｅは、素体３の外表面を構成している。一対の側面３ｃ及び一対の側面３ｅは、それぞれ一対の端面３ａと隣り合うと共に、一対の端面３ａを接続するように、第一方向Ｄ１に延在している。
【0016】
第一方向Ｄ１は、素体３の長さ方向であり、第二方向Ｄ２は、素体３の幅方向であり、第三方向Ｄ３は、素体３の高さ方向である。素体３の長さは、０．４ｍｍ以上７．５ｍｍ以下である。素体３の幅は、０．２ｍｍ以上６．３ｍｍ以下である。素体３の高さは、０．２ｍｍ以上２．８ｍｍ以下である。本実施形態では、素体３の長さは、５．７ｍｍであり、素体３の幅は、５．０ｍｍであり、素体３の高さは、２．６ｍｍである。
【0017】
素体３は、複数の誘電体層が積層されて構成されている。各誘電体層は、第三方向Ｄ３に積層されている。素体３は、積層された複数の誘電体層を含んでいる。各誘電体層は、たとえば、誘電体材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成されている。誘電体材料は、たとえば、ＢａＴｉＯ３系、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３系、ＣａＺｒＯ３系、又は（Ｃａ，Ｓｒ）ＺｒＯ３系の誘電体セラミックである。各誘電体層は、各誘電体層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【0018】
図２に示されるように、内部電極７と内部電極９とは、第三方向Ｄ３において異なる位置に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、素体３内において、第三方向Ｄ３に間隔を有して対向するように交互に配置されている。複数の内部電極７，９は、第三方向Ｄ３で互いに対向している。内部電極７と内部電極９とは、互いに極性が異なる。内部電極７は、一対の端面３ａのうち一方の端面３ａから露出している一端７ａを有している。内部電極９は、一対の端面３ａのうち他方の端面３ａから露出している一端９ａを有している。内部電極７の一端７ａは、一対の端面３ａのうち一方の端面３ａから露出している。内部電極９の一端９ａは、一対の端面３ａのうち他方の端面３ａから露出している。内部電極７，９は、導電性材料を含む。導電性材料は、金属Ｍ１を含む。内部電極７，９は、金属Ｍ１を含む。金属Ｍ１は、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ又はＰｔを含む。本実施形態では、内部電極７，９が含む金属Ｍ１は、Ｎｉである。内部電極７，９は、たとえば、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。
【0019】
図１及び図２に示されるように、一対の外部電極５は、素体３に配置されている。一対の外部電極５は、第一方向Ｄ１において互いに離間している。一対の外部電極５は、素体３の表面に配置されている。外部電極５は、端面３ａに配置されている。本実施形態では、外部電極５は、一対の側面３ｃ及び一対の側面３ｅの各一部にも配置されている。外部電極５の端面３ａに配置されている部分は、対応する内部電極７，９の端面３ａから露出している一端７ａ，９ａを覆うように配置されている。外部電極５の端面３ａに配置されている部分は、対応する内部電極７，９の一端７ａ，９ａと接合されている。これにより、外部電極５は、対応する内部電極７，９と接合されている。外部電極５は、対応する内部電極７，９に電気的に接続されている。
【0020】
外部電極５は、図２に示されるように、電極層Ｅ１と電極層Ｅ２とを有している。電極層Ｅ１は、素体３上に形成されている。電極層Ｅ２は、電極層Ｅ１上に形成されている。本実施形態では、外部電極５の、一つの端面３ａ、一対の側面３ｃ、及び一対の側面３ｅに配置されている各部分が、電極層Ｅ１と電極層Ｅ２とを有している。電極層Ｅ２は、外部電極５の最外層を構成している。
【0021】
電極層Ｅ１は、素体３の表面に付与された導電性ペーストを乾燥させ、焼き付けることにより形成されている。電極層Ｅ１は、素体３に形成された焼結金属層である。導電性ペーストは、たとえば、内部電極７，９が含む金属Ｍ１とは異なる金属Ｍ２、ガラス、樹脂、及び有機溶剤を含んでいる。外部電極５は、内部電極７，９が含む金属Ｍ１とは異なる金属Ｍ２を含む。金属Ｍ２は、Ｃｕ、Ｎｉ又はＡｇ－Ｐｄを含む。本実施形態では、外部電極５が含む金属Ｍ２はＣｕであり、電極層Ｅ１はＣｕからなる焼結金属層である。たとえば、金属Ｍ１が第一金属である場合、金属Ｍ２が第二金属である。
【0022】
電極層Ｅ２は、電極層Ｅ１上に形成されためっき層である、電極層Ｅ２は、たとえば、めっき法により、電極層Ｅ１上に形成される。本実施形態では、電極層Ｅ２は、電極層Ｅ１全体を覆うように形成されている。電極層Ｅ１は、電極層Ｅ２を形成するための下地層である。電極層Ｅ１は、下地金属層である。電極層Ｅ２は、電極層Ｅ１上にＮｉめっきにより形成されたＮｉめっき層であってもよい。電極層Ｅ２は、たとえば、電極層Ｅ１上に形成されたＮｉめっき層と、Ｎｉめっき層上に形成されたＳｎめっき層と、を含んでいてもよい。
【0023】
素体３には、窪み１１が形成されている。本実施形態では、素体３には、複数の窪み１１が形成されている。本実施形態では、端面３ａから露出している内部電極７，９の数に対応する数の窪み１１が形成されている。窪み１１は、端面３ａに開口している。窪み１１は、第一方向Ｄ１のうち、端面３ａから素体３の内側に向かう方向に窪んでいる。本実施形態では、窪み１１は、第二方向Ｄ２に延在するように形成されている。
【0024】
図３に示されるように、窪み１１は、第一方向Ｄ１から見て、内部電極７と重なる位置に形成されている。窪み１１は、第三方向Ｄ３において、内部電極７と同じ位置に形成されている。本実施形態では、窪み１１は、第一方向Ｄ１から見て、内部電極７の全周を囲むように形成されている。内部電極７の一端７ａは、第一方向Ｄ１から見て、窪み１１に全周を囲まれている。
図示は省略するが、窪み１１は、第一方向Ｄ１から見て、内部電極９と重なる位置に形成されている。窪み１１は、第三方向Ｄ３において、内部電極９と同じ位置に形成されている。本実施形態では、窪み１１は、第一方向Ｄ１から見て、内部電極９の全周を囲むように形成されている。内部電極９の一端９ａは、第一方向Ｄ１から見て、窪み１１に全周を囲まれている。
図示は省略するが、窪み１１は、第一方向Ｄ１から見て、内部電極９と重なる位置に形成されている。窪み１１は、第三方向Ｄ３において、内部電極９と同じ位置に形成されている。本実施形態では、窪み１１は、第一方向Ｄ１から見て、内部電極９の全周を囲むように形成されている。内部電極９の一端９ａは、第一方向Ｄ１から見て、窪み１１に全周を囲まれている。
【0025】
窪み１１は、外部電極５と内部電極７，９との接合界面１３と内側壁面１１ａとにより画成されている。接合界面１３は、窪み１１の底部を規定している。内側壁面１１ａは、一対の面１１ａ１及び一対の面１１ａ２の四つの面からなる。一対の面１１ａ１は、第三方向Ｄ３で、互いに対向している。一対の面１１ａ２は、第二方向Ｄ２で、互いに対向している。図４に示されるように、一対の面１１ａ１は、互いの間隔が窪み１１の開口に向かうにしたがって、増加するように傾斜している。一対の面１１ａ１の互いの間隔は、窪み１１の底において最小となり、窪み１１の開口において最大となる。本実施形態では、一対の面１１ａ２も、互いの間隔が窪み１１の開口に向かうにしたがって、増加するように傾斜している。内側壁面１１ａにより規定される領域は、錐台形状を呈している。
【0026】
窪み１１は、深さｄを有している。深さｄは、外部電極５と内部電極７，９との接合界面１３から端面３ａを含む基準面Ｐまでの第一方向Ｄ１での長さにより規定される。深さｄは、たとえば、０．５μｍ以上１０μｍ以下である。本実施形態では、深さｄは、３μｍである。
窪み１１は、幅ｗを有している。幅ｗは、窪み１１の第三方向Ｄ３での長さで規定される。幅ｗは、窪み１１の第三方向Ｄ３における最大幅である。幅ｗは、たとえば、１μｍ以上１０μｍ以下である。本実施形態では、幅ｗは、５μｍである。
窪み１１は、幅ｗを有している。幅ｗは、窪み１１の第三方向Ｄ３での長さで規定される。幅ｗは、窪み１１の第三方向Ｄ３における最大幅である。幅ｗは、たとえば、１μｍ以上１０μｍ以下である。本実施形態では、幅ｗは、５μｍである。
【0027】
図３及び図４に示されるように、内部電極７は、窪み１１の底部に露出している。内部電極７の一端７ａは、窪み１１の底部に露出している。一端７ａが窪み１１の底部に露出することで、内部電極７は、一対の端面３ａのうち一方の端面３ａから露出している。本実施形態では、一端７ａの全体が、窪み１１の底部にて、一対の端面３ａのうち一方の端面３ａから露出している。各内部電極７は、一端７ａにて、対応する外部電極５と接合されている。外部電極５と内部電極７との接合界面１３は、一方の端面３ａより素体３の内側に位置している。
図示は省略するが、内部電極９は、窪み１１の底部に露出している。内部電極９の一端９ａは、窪み１１の底部に露出している。一端９ａが窪み１１の底部に露出することで、内部電極９は、一対の端面３ａのうち他方の端面３ａから露出している。本実施形態では、一端９ａの全体が、窪み１１の底部にて、一対の端面３ａのうち他方の端面３ａから露出している。各内部電極９は、一端９ａにて、対応する外部電極５と接合されている。外部電極５と内部電極９との接合界面１３は、他方の端面３ａより素体３の内側に位置している。
図示は省略するが、内部電極９は、窪み１１の底部に露出している。内部電極９の一端９ａは、窪み１１の底部に露出している。一端９ａが窪み１１の底部に露出することで、内部電極９は、一対の端面３ａのうち他方の端面３ａから露出している。本実施形態では、一端９ａの全体が、窪み１１の底部にて、一対の端面３ａのうち他方の端面３ａから露出している。各内部電極９は、一端９ａにて、対応する外部電極５と接合されている。外部電極５と内部電極９との接合界面１３は、他方の端面３ａより素体３の内側に位置している。
【0028】
電極層Ｅ１の厚さは、窪み１１が形成されている位置と、窪み１１が形成されていない位置と、で互いに異なっている。電極層Ｅ１の、窪み１１が形成されている位置での厚さは、電極層Ｅ１の、窪み１１が形成されていない位置での厚さより大きい。外部電極５の、窪み１１が形成されている位置での厚さは、外部電極５の、窪み１１が形成されていない位置での厚さより大きい。電極層Ｅ１の厚さ及び外部電極５の厚さは、電極層Ｅ１の第一方向Ｄ１での長さ及び外部電極５の第一方向Ｄ１での長さにより、それぞれ規定される。
【0029】
図４に示されるように、相互拡散領域Ｒは、外部電極５と内部電極７とにそれぞれ存在している。相互拡散領域Ｒは、外部電極５と内部電極７との接合界面１３を挟んで、外部電極５と内部電極７とにそれぞれ存在している。相互拡散領域Ｒは、内部電極７と接合されている外部電極５のうち電極層Ｅ１に存在している。内部電極７及び内部電極７と接合されている外部電極５は、相互拡散領域Ｒを有している。相互拡散領域Ｒは、窪み１１内に位置している。相互拡散領域Ｒのうち、内部電極７と接合されている外部電極５に存在する部分は、窪み１１内に位置している。
図示は省略するが、相互拡散領域Ｒは、外部電極５と内部電極９とにそれぞれ存在している。相互拡散領域Ｒは、外部電極５と内部電極９との接合界面１３を挟んで、外部電極５と内部電極９とにそれぞれ存在している。相互拡散領域Ｒは、内部電極９と接合されている外部電極５のうち電極層Ｅ１に存在している。内部電極９及び内部電極９と接合されている外部電極５は、相互拡散領域Ｒを有している。相互拡散領域Ｒは、窪み１１内に位置している。相互拡散領域Ｒのうち、内部電極９と接合されている外部電極５に存在する部分は、窪み１１内に位置している。
図示は省略するが、相互拡散領域Ｒは、外部電極５と内部電極９とにそれぞれ存在している。相互拡散領域Ｒは、外部電極５と内部電極９との接合界面１３を挟んで、外部電極５と内部電極９とにそれぞれ存在している。相互拡散領域Ｒは、内部電極９と接合されている外部電極５のうち電極層Ｅ１に存在している。内部電極９及び内部電極９と接合されている外部電極５は、相互拡散領域Ｒを有している。相互拡散領域Ｒは、窪み１１内に位置している。相互拡散領域Ｒのうち、内部電極９と接合されている外部電極５に存在する部分は、窪み１１内に位置している。
【0030】
相互拡散領域Ｒは、内部電極７，９が含む金属Ｍ１と外部電極５が含む金属Ｍ２とを含んでいる。相互拡散領域Ｒは、金属Ｍ１と金属Ｍ２とが相互に拡散している領域である。相互拡散領域Ｒは、それぞれ５０原子％の金属Ｍ１と金属Ｍ２とを含む合金を含んでいる。本実施形態では、相互拡散領域Ｒは、接合界面１３で、それぞれ５０原子％の金属Ｍ１と金属Ｍ２とを含む。接合界面１３では、それぞれ５０原子％での金属Ｍ１と金属Ｍ２との合金が形成されている。本実施形態では、上述したように、金属Ｍ１はＮｉであり、金属Ｍ２はＣｕである。したがって、本実施形態では、相互拡散領域Ｒは、接合界面１３で、それぞれ５０原子％のＮｉとＣｕとを含む。
【0031】
以上説明したように、電子部品１では、外部電極５と内部電極７，９との接合界面１３が、端面３ａより素体３の内側に位置している。相互拡散領域Ｒは、接合界面１３を挟んで、外部電極５と内部電極７，９とにそれぞれ存在している。相互拡散領域Ｒは、内部電極７，９が含む金属Ｍ１と外部電極５が含む金属Ｍ２とを含んでいるので、相互拡散領域Ｒ以外の領域と比して、密度が高い。したがって、めっき処理を行う際であっても、めっき液が素体３内部に侵入しがたい。この結果、電子部品１は、電気的特性の劣化を抑制する。
【0032】
めっき液が素体内部に侵入した電子部品が、たとえば、はんだ実装される際に、めっき液がガス化することがある。この場合、めっき液から生じるガスが、素体外に噴出するおそれがある。ガスの噴出は、はんだ爆ぜを生じさせ得る。はんだ爆ぜは、電子部品の実装不良を招き得る。
上述したように、電子部品１では、めっき液が素体３内部に侵入しがたい。この結果、電子部品１は、実装不良の発生を抑制する。
上述したように、電子部品１では、めっき液が素体３内部に侵入しがたい。この結果、電子部品１は、実装不良の発生を抑制する。
【0033】
電子部品１では、素体３には、相互拡散領域Ｒがその内側に位置すると共に、端面３ａに開口し、かつ、接合界面１３がその底部を規定する窪み１１が形成されている。
電子部品１では、接合界面１３が端面３ａより素体３内部に位置する構成が確実に実現され得る。この結果、電子部品１は、電気的特性の劣化を確実に抑制する。
電子部品１では、接合界面１３が端面３ａより素体３内部に位置する構成が確実に実現され得る。この結果、電子部品１は、電気的特性の劣化を確実に抑制する。
【0034】
電子部品１では、窪み１１の内側壁面１１ａは、互いに対向し、かつ、互いの間隔が窪み１１の開口に向かうにしたがって増加するように傾斜している一対の面１１ａ１を含んでいる。
電子部品１では、内側壁面１１ａが第一方向Ｄ１に沿って延在している一対の面を含んでいる電子部品と比して、電極層Ｅ１の形成に用いられる導電性ペーストの量が削減される。この結果、電子部品１では、外部電極５が簡易に形成される。
電子部品１では、内側壁面１１ａが第一方向Ｄ１に沿って延在している一対の面を含んでいる電子部品と比して、電極層Ｅ１の形成に用いられる導電性ペーストの量が削減される。この結果、電子部品１では、外部電極５が簡易に形成される。
【0035】
電子部品１では、相互拡散領域Ｒは、接合界面１３で、それぞれ５０原子％の金属Ｍ１と金属Ｍ２とを含む合金を含んでいる。
電子部品１では、めっき処理を行う際であっても、めっき液が素体３内部により一層確実に侵入しがたい。この結果、電子部品１は、電気的特性の劣化をより一層確実に抑制する。
電子部品１では、めっき処理を行う際であっても、めっき液が素体３内部により一層確実に侵入しがたい。この結果、電子部品１は、電気的特性の劣化をより一層確実に抑制する。
【0036】
【0037】
工程Ｓ１では、内部に複数の内部電極７，９が配置された素体３を準備する。複数の内部電極７，９が有する光吸収係数は、工程Ｓ１にて準備される素体３が有する光吸収係数より大きい。素体３は、工程Ｓ１において新たに作成してもよいし、既に作成された素体３を準備してもよい。工程Ｓ１にて準備される素体３では、素体３に窪み１１が形成されていない。工程Ｓ１にて準備される素体３では、複数の内部電極７，９の一端７ａ，９ａは、第一方向Ｄ１で、端面３ａより素体３の内側に位置している。
【0038】
工程Ｓ２では、端面３ａへのレーザ光の照射により、素体３に窪み１１を形成する。本製造方法では、端面３ａ全体へのレーザ光の照射により、底部に内部電極７，９の一端７ａ，９ａが露出する窪み１１を素体３に形成する。工程Ｓ２では、素体３に複数の窪み１１を形成することで、複数の内部電極７，９のそれぞれを、各窪み１１の底部で、端面３ａから露出させる。すなわち、端面３ａ全体へのレーザ光の照射により、複数の内部電極７，９のそれぞれを、窪み１１の底部にて、端面３ａから露出させる。
【0039】
端面３ａにレーザ光を照射するレーザは、たとえば、希土類ファイバレーザである。たとえば、当該レーザはモード同期パルスレーザであり、上記レーザ光はパルスレーザ光である。端面３ａに照射されるレーザ光の波長は、たとえば、２５０ｎｍ以上１６００ｎｍ以下である。本実施形態では、端面３ａに照射されるレーザ光の波長は、１０６０ｎｍである。端面３ａに照射されるレーザ光のパルス時間は、たとえば、１０ｐｓ以下である。端面３ａに照射されるレーザ光のパルスエネルギは、たとえば、５μＪ以上２００μＪ以下である。
【0040】
本製造方法では、端面３ａへのレーザ光の照射により、素体３に窪み１１が形成される。上述したように、本製造方法では、複数の内部電極７，９が有する光吸収係数は、素体３が有する光吸収係数より大きい。したがって、第一方向Ｄ１から見て、端面３ａと内部電極７，９とが重なる位置に、窪み１１が形成される。この結果、本製造方法で得られる電子部品では、底部にて、内部電極７，９の一端７ａ，９ａが露出する窪み１１が素体３に形成される。
【0041】
工程Ｓ３では、端面３ａに外部電極５を配置する。本製造方法では、外部電極５を窪み１１が開口する面に配置する。以下に示す過程を経て、外部電極５は、窪み１１が開口する面に配置される。
まず、素体３に、電極層Ｅ１を形成する。本過程では、上述した導電性ペーストを、窪み１１が開口する端面３ａの全面と、一対の側面３ｃ及び一対の側面３ｅの端面３ａ寄りの端部と、に付与する。次に、付与した導電性ペーストを加熱処理により素体３に焼き付ける。これにより、電極層Ｅ１が、窪み１１が開口する端面３ａの全面と、一対の側面３ｃ及び一対の側面３ｅの端面３ａ寄りの端部と、に形成される。上述した焼き付けにより、電極層Ｅ１と内部電極７，９とが接合される。すなわち、本過程により、外部電極５と内部電極７，９とが接合される。本製造方法では、相互拡散領域Ｒが、接合界面１３を挟んで、外部電極５と内部電極７，９とにそれぞれ存在するように、外部電極５と内部電極７，９とを接合する。導電性ペーストは、たとえば、ディップ法、印刷法、又は転写法により付与される。電極層Ｅ１は、たとえば、物理蒸着法（ＰＶＤ法）又は化学蒸着法（ＣＶＤ法）により形成されていてもよい。
次に、電極層Ｅ１が形成された素体３に、電極層Ｅ２を形成する。本製造方法では、電極層Ｅ２は、上述したように、めっき法により形成される。電極層Ｅ２は、電極層Ｅ１上に形成される。電極層Ｅ２を形成するためのめっき法は、たとえば、電気めっき法である。
まず、素体３に、電極層Ｅ１を形成する。本過程では、上述した導電性ペーストを、窪み１１が開口する端面３ａの全面と、一対の側面３ｃ及び一対の側面３ｅの端面３ａ寄りの端部と、に付与する。次に、付与した導電性ペーストを加熱処理により素体３に焼き付ける。これにより、電極層Ｅ１が、窪み１１が開口する端面３ａの全面と、一対の側面３ｃ及び一対の側面３ｅの端面３ａ寄りの端部と、に形成される。上述した焼き付けにより、電極層Ｅ１と内部電極７，９とが接合される。すなわち、本過程により、外部電極５と内部電極７，９とが接合される。本製造方法では、相互拡散領域Ｒが、接合界面１３を挟んで、外部電極５と内部電極７，９とにそれぞれ存在するように、外部電極５と内部電極７，９とを接合する。導電性ペーストは、たとえば、ディップ法、印刷法、又は転写法により付与される。電極層Ｅ１は、たとえば、物理蒸着法（ＰＶＤ法）又は化学蒸着法（ＣＶＤ法）により形成されていてもよい。
次に、電極層Ｅ１が形成された素体３に、電極層Ｅ２を形成する。本製造方法では、電極層Ｅ２は、上述したように、めっき法により形成される。電極層Ｅ２は、電極層Ｅ１上に形成される。電極層Ｅ２を形成するためのめっき法は、たとえば、電気めっき法である。
【0042】
以上の過程を経て、電子部品１が得られる。電子部品１は、上述したように、電気的特性の劣化を抑制する。上述した製造方法は、電気的特性の劣化を抑制する電子部品１を確実に得る。
【0043】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【0044】
電子部品１では、素体３には、窪み１１が形成されていなくてもよい。
素体３に窪み１１が形成されている電子部品１は、上述したように、電気的特性の劣化を確実に抑制する。
素体３に窪み１１が形成されている電子部品１は、上述したように、電気的特性の劣化を確実に抑制する。
【0045】
電子部品１では、一対の面１１ａ１は、互いの間隔が窪み１１の開口に向かうにしたがって、増加するように傾斜していなくてもよい。
一対の面１１ａ１が、互いの間隔が窪み１１の開口に向かうにしたがって、増加するように傾斜している電子部品１では、上述したように、外部電極５が簡易に形成される。
一対の面１１ａ１が、互いの間隔が窪み１１の開口に向かうにしたがって、増加するように傾斜している電子部品１では、上述したように、外部電極５が簡易に形成される。
【0046】
相互拡散領域Ｒは、接合界面１３で、それぞれ５０原子％の金属Ｍ１と金属Ｍ２と含む合金を含んでいなくともよい。
相互拡散領域Ｒが、接合界面１３で、それぞれ５０原子％の金属Ｍ１と金属Ｍ２とを含む合金を含む電子部品１は、上述したように、電気的特性の劣化をより一層確実に抑制する。
相互拡散領域Ｒが、接合界面１３で、それぞれ５０原子％の金属Ｍ１と金属Ｍ２とを含む合金を含む電子部品１は、上述したように、電気的特性の劣化をより一層確実に抑制する。
【0047】
本実施形態では、電子部品１は、積層セラミックコンデンサであるとして説明したが、本発明を適用可能な電子部品は、積層セラミックコンデンサに限られない。適用可能な電子部品は、たとえば、積層バリスタ、積層圧電アクチュエータ、積層サーミスタ、及び積層固体電池を含む。
【0048】
上述した実施形態の記載から把握されるとおり、本明細書では以下に示す態様の開示を含んでいる。
（付記１）
端面を有する素体と、
前記端面に配置されている外部電極と、
前記素体内に配置されていると共に前記外部電極と接合されている内部電極と、を備え、
前記外部電極と前記内部電極との接合界面は、前記端面より前記素体の内側に位置し、
前記内部電極は、第一金属を含み、
前記外部電極は、前記第一金属とは異なる第二金属を含み、
前記第一金属と前記第二金属とを含む相互拡散領域が、前記接合界面を挟んで、前記外部電極と前記内部電極とにそれぞれ存在する、電子部品。
（付記２）
前記素体には、前記相互拡散領域がその内側に位置すると共に、前記端面に開口し、かつ、前記接合界面がその底部を規定する窪みが形成されている、付記１に記載の電子部品。
（付記３）
前記窪みの内側壁面は、互いに対向し、かつ、互いの間隔が前記窪みの開口に向かうにしたがって増加するように傾斜する一対の面を含む、付記２に記載の電子部品。
（付記４）
前記窪みの幅は、１μｍ以上１０μｍ以下である、付記２～３のいずれか一つの付記に記載の電子部品。
（付記５）
前記窪みの深さは、０．５μｍ以上１０μｍ以下である、付記２～４のいずれか一つの付記に記載の電子部品。
（付記６）
前記相互拡散領域は、前記接合界面で、それぞれ５０原子％の前記第一金属と前記第二金属とを含む合金を含む、付記１～５のいずれか一つの付記に記載の電子部品。
（付記７）
第一金属を含む内部電極が内部に配置されている素体を準備する工程と、
前記素体へのレーザ光の照射により、底部に前記内部電極の端が露出する窪みを前記素体に形成する工程と、
前記第一金属とは異なる第二金属を含む外部電極を前記窪みが開口する面に配置する工程と、を含み、
前記配置する工程は、
前記第一金属と前記第二金属とを含む相互拡散領域が、前記外部電極と前記内部電極との接合界面を挟んで、前記外部電極と前記内部電極とにそれぞれ存在するように、前記外部電極と前記内部電極とを接合する工程を含む、電子部品の製造方法。
（付記１）
端面を有する素体と、
前記端面に配置されている外部電極と、
前記素体内に配置されていると共に前記外部電極と接合されている内部電極と、を備え、
前記外部電極と前記内部電極との接合界面は、前記端面より前記素体の内側に位置し、
前記内部電極は、第一金属を含み、
前記外部電極は、前記第一金属とは異なる第二金属を含み、
前記第一金属と前記第二金属とを含む相互拡散領域が、前記接合界面を挟んで、前記外部電極と前記内部電極とにそれぞれ存在する、電子部品。
（付記２）
前記素体には、前記相互拡散領域がその内側に位置すると共に、前記端面に開口し、かつ、前記接合界面がその底部を規定する窪みが形成されている、付記１に記載の電子部品。
（付記３）
前記窪みの内側壁面は、互いに対向し、かつ、互いの間隔が前記窪みの開口に向かうにしたがって増加するように傾斜する一対の面を含む、付記２に記載の電子部品。
（付記４）
前記窪みの幅は、１μｍ以上１０μｍ以下である、付記２～３のいずれか一つの付記に記載の電子部品。
（付記５）
前記窪みの深さは、０．５μｍ以上１０μｍ以下である、付記２～４のいずれか一つの付記に記載の電子部品。
（付記６）
前記相互拡散領域は、前記接合界面で、それぞれ５０原子％の前記第一金属と前記第二金属とを含む合金を含む、付記１～５のいずれか一つの付記に記載の電子部品。
（付記７）
第一金属を含む内部電極が内部に配置されている素体を準備する工程と、
前記素体へのレーザ光の照射により、底部に前記内部電極の端が露出する窪みを前記素体に形成する工程と、
前記第一金属とは異なる第二金属を含む外部電極を前記窪みが開口する面に配置する工程と、を含み、
前記配置する工程は、
前記第一金属と前記第二金属とを含む相互拡散領域が、前記外部電極と前記内部電極との接合界面を挟んで、前記外部電極と前記内部電極とにそれぞれ存在するように、前記外部電極と前記内部電極とを接合する工程を含む、電子部品の製造方法。
【符号の説明】
【0049】
１…電子部品、３…素体、３ａ…端面、５…外部電極、７，９…内部電極、７ａ，９ａ…一端、１１…窪み、１１ａ…内側壁面、１１ａ１…一対の面、１３…接合界面、ｄ…窪みの深さ、Ｍ１，Ｍ２…金属、Ｒ…相互拡散領域、ｗ…窪みの幅。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】