(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023176491
(43)【公開日】2023-12-13
(54)【発明の名称】磁性基体を備えるコイル部品、及び磁性基体の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01F 17/04 20060101AFI20231206BHJP
H01F 41/02 20060101ALI20231206BHJP
H01F 1/22 20060101ALI20231206BHJP
H01F 1/33 20060101ALI20231206BHJP
H01F 1/147 20060101ALI20231206BHJP
【ＦＩ】
H01F17/04 F
H01F41/02 D
H01F1/22
H01F1/33
H01F1/147 166
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022088794
(22)【出願日】2022-05-31
(71)【出願人】
【識別番号】000204284
【氏名又は名称】太陽誘電株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100126572
【弁理士】
【氏名又は名称】村越 智史
(72)【発明者】
【氏名】萩原 智也
【テーマコード（参考）】
5E041
5E070
【Ｆターム（参考）】
5E041AA02
5E041BB01
5E041BC01
5E070AA01
5E070AB08
5E070BA12
(57)【要約】 （修正有）
【課題】絶縁特性に優れた磁性基体を備えるコイル部品を提供する。
【解決手段】コイル部品は、Ｆｅ及びＳｉを含有する複数の軟磁性金属粒子３１と、複数の軟磁性金属粒子の各々の表面に設けられた酸化被膜４１と、を有する磁性基体と、当該磁性基体に設けられたコイル導体と、を備える。この被膜は、Ｓｉの酸化物及び元素Ａ（元素Ａは、Ｃｒ及びＡｌから成る群より選択される少なくとも一つの元素である。）の酸化物を含む。軟磁性金属粒子の各々は、中心領域３１ａと、当該中心領域よりも径方向外側にある表面領域３１ｂとに区画される。表面領域には、中心領域よりも高い原子割合でＳｉが含有される。複数の軟磁性金属粒子は、表面領域にＳｉ及びＯを含む複数の互いに離間したＳｉ－Ｏ析出物５０を含有する複数の第１軟磁性金属粒子と、Ｓｉ－Ｏ析出物を含有しない複数の第２軟磁性金属粒子と、を含む。
【選択図】図５ａ
【解決手段】コイル部品は、Ｆｅ及びＳｉを含有する複数の軟磁性金属粒子３１と、複数の軟磁性金属粒子の各々の表面に設けられた酸化被膜４１と、を有する磁性基体と、当該磁性基体に設けられたコイル導体と、を備える。この被膜は、Ｓｉの酸化物及び元素Ａ（元素Ａは、Ｃｒ及びＡｌから成る群より選択される少なくとも一つの元素である。）の酸化物を含む。軟磁性金属粒子の各々は、中心領域３１ａと、当該中心領域よりも径方向外側にある表面領域３１ｂとに区画される。表面領域には、中心領域よりも高い原子割合でＳｉが含有される。複数の軟磁性金属粒子は、表面領域にＳｉ及びＯを含む複数の互いに離間したＳｉ－Ｏ析出物５０を含有する複数の第１軟磁性金属粒子と、Ｓｉ－Ｏ析出物を含有しない複数の第２軟磁性金属粒子と、を含む。
【選択図】図５ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｆｅ及びＳｉを含有する複数の軟磁性金属粒子と、前記複数の軟磁性金属粒子の各々の表面に設けられており、Ｓｉの酸化物及び元素Ａ（ただし、元素Ａは、Ｃｒ及びＡｌから成る群より選択される少なくとも一つの元素である。）の酸化物を含む酸化被膜と、を有する磁性基体と、
前記磁性基体に設けられたコイル導体と、
を備え、
前記複数の軟磁性金属粒子の各々は、中心領域と、前記中心領域よりも径方向外側にあり前記中心領域よりも高い原子割合でＳｉを含有する表面領域と、に区画され、
前記複数の軟磁性金属粒子は、前記表面領域にＳｉ及びＯを含む複数の互いに離間したＳｉ－Ｏ析出物を含有する複数の第１軟磁性金属粒子と、前記Ｓｉ－Ｏ析出物を含有しない複数の第２軟磁性金属粒子と、を含む、
コイル部品。
前記磁性基体に設けられたコイル導体と、
を備え、
前記複数の軟磁性金属粒子の各々は、中心領域と、前記中心領域よりも径方向外側にあり前記中心領域よりも高い原子割合でＳｉを含有する表面領域と、に区画され、
前記複数の軟磁性金属粒子は、前記表面領域にＳｉ及びＯを含む複数の互いに離間したＳｉ－Ｏ析出物を含有する複数の第１軟磁性金属粒子と、前記Ｓｉ－Ｏ析出物を含有しない複数の第２軟磁性金属粒子と、を含む、
コイル部品。
【請求項2】
前記複数の第１軟磁性金属粒子のうちの少なくとも一つは、複数の結晶粒を有し、前記複数の結晶粒の結晶粒界の近傍にある結晶粒界領域にも前記Ｓｉ－Ｏ析出物を含有する、
請求項１に記載のコイル部品。
請求項１に記載のコイル部品。
【請求項3】
前記複数の軟磁性金属粒子の各々は、前記中心領域において、９５ａｔ％以上のＦｅを含有する、
請求項１又は２に記載のコイル部品。
請求項１又は２に記載のコイル部品。
【請求項4】
前記複数の第１軟磁性金属粒子の各々は、前記結晶粒界領域によって囲まれている内側領域において、９７ａｔ％以上のＦｅを含有する、
請求項２に記載のコイル部品。
請求項２に記載のコイル部品。
【請求項5】
前記複数の第１軟磁性金属粒子の各々は、前記内側領域において、９８ａｔ％以上のＦｅを含有する、
請求項４に記載のコイル部品。
請求項４に記載のコイル部品。
【請求項6】
前記複数の第１軟磁性金属粒子の各々は、前記内側領域において、９９ａｔ％以上のＦｅを含有する、
請求項５に記載のコイル部品。
請求項５に記載のコイル部品。
【請求項7】
前記複数の軟磁性金属粒子の各々は、前記中心領域において元素Ａを含有しない、
請求項３に記載のコイル部品。
請求項３に記載のコイル部品。
【請求項8】
前記複数の軟磁性金属粒子の各々は、前記中心領域において０．０１ａｔ％以上１．０ａｔ％以下のＳｉを含有する、
請求項１又は２に記載のコイル部品。
請求項１又は２に記載のコイル部品。
【請求項9】
前記Ｓｉ－Ｏ析出物は、前記中心領域には含有されない、
請求項１に記載のコイル部品。
請求項１に記載のコイル部品。
【請求項10】
観察視野に含まれる前記複数の軟磁性金属粒子の総数のうち、第１軟磁性金属粒子は、１％～１０％を占める、
請求項１又は２に記載のコイル部品。
請求項１又は２に記載のコイル部品。
【請求項11】
前記酸化被膜は、Ｆｅの酸化物をする、
請求項１又は２に記載のコイル部品。
請求項１又は２に記載のコイル部品。
【請求項12】
前記複数の軟磁性金属粒子は、一の軟磁性金属粒子と、前記一の軟磁性金属粒子に隣接する他の軟磁性金属粒子と、を含み、前記一の軟磁性金属粒子と前記他の軟磁性金属粒子とは前記一の軟磁性金属粒子の表面を覆う前記酸化被膜及び前記他の軟磁性金属粒子の表面を覆う前記酸化被膜により結合されている、
請求項１又は２に記載のコイル部品。
請求項１又は２に記載のコイル部品。
【請求項13】
前記複数の軟磁性金属粒子のうちの一の軟磁性金属粒子において、前記表面領域の径方向における幅は、前記一の軟磁性金属粒子のヘイウッド径の１０％以下である、
請求項１又は２に記載のコイル部品。
請求項１又は２に記載のコイル部品。
【請求項14】
請求項１又は２に記載のコイル部品を含む、回路基板。
【請求項15】
請求項１４に記載の回路基板を含む、電子部品。
【請求項16】
Ｆｅ、Ｓｉ及び元素Ａ（ただし、元素Ａは、Ｃｒ及びＡｌから成る群より選択される少なくとも一つの元素である。）を含有する複数の軟磁性金属粉を樹脂と混合して得られた混合樹脂組成物から成型体を得る工程と、
前記成型体を還元雰囲気下において第１温度で加熱する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程の後に、前記成型体を、酸素を含む酸素雰囲気において加熱することで、前記複数の軟磁性金属粉の各々の表面にＳｉの酸化物及び元素Ａの酸化物を含む酸化被膜を形成するとともに、前記複数の軟磁性金属粉の一部のみの表面領域にＳｉ－Ｏ析出物を析出させる第２加熱工程と、
を備える磁性基体の製造方法。
前記成型体を還元雰囲気下において第１温度で加熱する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程の後に、前記成型体を、酸素を含む酸素雰囲気において加熱することで、前記複数の軟磁性金属粉の各々の表面にＳｉの酸化物及び元素Ａの酸化物を含む酸化被膜を形成するとともに、前記複数の軟磁性金属粉の一部のみの表面領域にＳｉ－Ｏ析出物を析出させる第２加熱工程と、
を備える磁性基体の製造方法。
【請求項17】
前記樹脂が熱分解性樹脂であり、
前記成型体を非酸素雰囲気にて脱脂する工程をさらに備える、
請求項１６に記載の磁性基体の製造方法。
前記成型体を非酸素雰囲気にて脱脂する工程をさらに備える、
請求項１６に記載の磁性基体の製造方法。
【請求項18】
前記複数の軟磁性合金粉におけるＳｉの原子割合は、元素Ａの合計の原子割合よりも大きい、
請求項１６又は１７に記載の磁性基体の製造方法。
請求項１６又は１７に記載の磁性基体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書における開示は、主に、磁性基体を備えるコイル部品、及び磁性基体の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
コイル部品用の磁性基体として、軟磁性材料から構成された多数の軟磁性金属粒子を含む軟磁性基体が用いられている。軟磁性基体に含まれる軟磁性金属粒子の各々の表面は絶縁膜で覆われており、隣接する軟磁性金属粒子同士は、当該絶縁膜を介して結合している。軟磁性基体は、フェライトから構成される磁性基体よりも磁気飽和が起こりにくいという特徴を有するため、大電流が流れる回路で使用されるコイル部品での使用に特に適している。
【0003】
軟磁性金属粒子は、例えば、Ｆｅを主成分とする軟磁性材料から構成される。このＦｅ基の軟磁性金属粒子を作製するための軟磁性材料は、磁気特性や絶縁特性の改善のために、Ｆｅに加えてＳｉ、Ｃｒ、Ａｌ等の添加元素を含む。
【0004】
磁性基体は、軟磁性材料からなる軟磁性金属粉（原料粉）を樹脂と混合して混合樹脂組成物を生成し、この混合樹脂組成物を加熱することで作製される。加熱処理時には、原料粉粒子に含まれる添加元素（例えば、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ）が各原料粉粒子の表面において酸化される。このため、軟磁性金属粒子の表面には、原料粉に含まれる元素の酸化物を含む酸化被膜が形成される。この酸化被膜により、隣接する軟磁性金属粒子間が電気的に絶縁される。
【0005】
Ｆｅ基の軟磁性金属粒子を含む軟磁性基体は、以下の特許文献１～３に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１３－０４６０５５号公報
【特許文献2】国際公開第２０１８／１８０６５９号
【特許文献3】特開２０１２－２３８８４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
磁性基体を構成する軟磁性金属粒子におけるＦｅの含有比率を高めることにより、当該磁性基体の透磁率や直流重畳特性を向上させることができる。このため、軟磁性金属粒子におけるＦｅの含有比率を高めることが望まれる。
【0008】
しかしながら、Ｆｅの含有比率が高い原料粉を用いて磁性基体を作製すると、加熱処理時に原料粉に含まれるＦｅが過剰に酸化してしまい、所期の磁気特性が得られないという問題がある。他方、Ｆｅの酸化を抑制するために低酸素濃度の雰囲気で原料粉を加熱すると、添加元素への酸素の供給が不十分となるため、軟磁性金属粒子の表面に十分な厚さを有する酸化被膜を形成できないことがあり、その結果、軟磁性金属粒子間の電気的な絶縁性が確保できないという問題がある。
【0009】
本明細書において開示される発明の目的は、上述した問題の少なくとも一部を解決又は緩和することである。本発明のより具体的な目的の一つは、軟磁性金属粒子におけるＦｅの含有比率を向上することができるとともに絶縁特性に優れた磁性基体を備えるコイル部品を提供することである。
【0010】
本発明の前記以外の目的は、明細書全体の記載を通じて明らかにされる。特許請求の範囲に記載される発明は、「発明を解決しようとする課題」から把握される課題以外の課題を解決するものであってもよい。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一態様におけるコイル部品は、Ｆｅ及びＳｉを含有する複数の軟磁性金属粒子と、前記複数の軟磁性金属粒子の各々の表面に設けられた酸化被膜と、を有する磁性基体と、当該磁性基体に設けられたコイル導体と、を備える。この酸化被膜は、Ｓｉの酸化物及び元素Ａ（ただし、元素Ａは、Ｃｒ及びＡｌから成る群より選択される少なくとも一つの元素である。）の酸化物を含む。複数の軟磁性金属粒子の各々は、中心領域と、当該中心領域よりも径方向外側にある表面領域とに区画される。表面領域には、中心領域よりも高い原子割合でＳｉが含有される。複数の軟磁性金属粒子は、複数の第１軟磁性金属粒子と、複数の第２軟磁性金属粒子と、を含む。複数の第１軟磁性金属粒子の各々は、表面領域にＳｉ及びＯを含む複数の互いに離間したＳｉ－Ｏ析出物を含有する。複数の第２軟磁性金属粒子は、Ｓｉ－Ｏ析出物を含有しない。
【発明の効果】
【0012】
本明細書により開示される発明の実施形態によれば、軟磁性金属粒子におけるＦｅの含有比率を向上することができるとともに絶縁特性に優れた磁性基体を備えるコイル部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】一実施形態による磁性複合体を備えるコイル部品を模式的に示す斜視図である。
【図4】基体の断面のうち領域Ａを拡大して模式的に示す拡大断面図である。
【図5a】Ｓｉ－Ｏ析出物を含有する第１軟磁性金属粒子の断面を模式的に示す断面図である。
【図5b】中心領域にＳｉ－Ｏ析出物を有する第１軟磁性金属粒子の断面を模式的に示す断面図である。
【図6】第２軟磁性金属粒子の断面を模式的に示す断面図である。
【図7】本発明の一実施形態によるコイル部品の製造工程を示すフロー図である。
【図8】別の実施形態によるコイル部品を示す正面図である。
【図9】本発明の別の実施形態によるコイル部品の製造工程を示すフロー図である。
【図10】実施例及び比較例について、透磁率の周波数特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、適宜図面を参照し、本発明の様々な実施形態を説明する。複数の図面において共通する構成要素には同一の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。以下で説明される本発明の実施形態は、必ずしも特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。以下の実施形態で説明されている諸要素が発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【0015】
本明細書に開示される発明の一実施形態は、主として磁性基体を備えるコイル部品に関する。この磁性基体は、複数の軟磁性金属粒子を含む。この軟磁性金属粒子は、Ｆｅを主成分とする。軟磁性金属粒子は、Ｆｅの他にＣｒ、Ａｌ、Ｓｉ等の添加元素を含む。複数の軟磁性金属粒子の各々は、添加元素の酸化物を含む、絶縁性に優れた酸化被膜によって被覆されている。複数の軟磁性金属粒子のうち隣接するもの同士は、酸化被膜を介して結合される。軟磁性金属粒子は、表面領域におけるＳｉの含有比率が中心領域におけるＳｉの含有比率よりも高い。磁性基体の製造工程における加熱処理時には、原料粉の表面に形成される酸化被膜によって原料粉の内部への酸素の侵入を抑止するというメカニズムが機能する。しかしながら、原料粉のＦｅの比率が例えば９５ａｔ％以上程度まで高くなると、添加元素の含有割合が減少するため、原料粉の表面に酸素の侵入を阻害するために十分な厚みを有する酸化被膜が形成されにくくなる。本明細書に開示される発明の一実施形態においては、原料粉の内部に侵入した酸素は、表面領域に存在しているＳｉと結合するため、中心領域に存在するＦｅの酸化が抑制される。また、原料粉の内部でＳｉと結合できる程度の加熱条件で加熱処理が行われているため、軟磁性金属粒子の表面に形成される酸化被膜は、酸素の通過を許すことはあるが、電気的絶縁を確保するためには十分な厚さを有する。
【0016】
【0017】
図１は、コイル部品１を模式的に示す斜視図であり、図２は、コイル部品１の分解斜視図である。図３は、図１のＩ－Ｉ線に沿ってコイル部品１を切断したコイル部品１の模式的な断面図である。図２においては、説明の便宜のために、外部電極の図示が省略されている。
【0018】
図１から図３には、コイル部品１の例として、積層インダクタが示されている。図示されている積層インダクタは、本発明を適用可能なコイル部品１の一例であり、本発明は積層インダクタ以外の様々な種類のコイル部品に適用され得る。例えば、コイル部品１は、巻線型のコイル部品や平面コイルにも適用され得る。
【0019】
図示されているように、コイル部品１は、基体１０と、基体１０の内部に設けられたコイル導体２５と、基体１０の表面に設けられた外部電極２１と、基体１０の表面において外部電極２１から離間した位置に設けられた外部電極２２と、を備える。基体１０は、磁性材料から構成された磁性基体である。基体１０は、特許請求の範囲に記載されている「磁性基体」の例である。後述するように、基体１０は、多数の軟磁性金属粒子を含む。
【0020】
外部電極２１は、コイル導体２５の一端と電気的に接続されており、外部電極２２は、コイル導体２５の他端と電気的に接続されている。
【0021】
コイル部品１は、実装基板２ａに実装され得る。図示の実施形態において、実装基板２ａには、ランド部３ａ、３ｂが設けられている。コイル部品１は、外部電極２１とランド部３ａとを接合し、また、外部電極２２とランド部３ｂとを接続することで実装基板２ａに実装される。本発明の一実施形態による回路基板２は、コイル部品１と、このコイル部品１が実装される実装基板２ａと、を備える。回路基板２は、様々な電子機器に搭載され得る。回路基板２が搭載され得る電子機器には、スマートフォン、タブレット、ゲームコンソール、自動車の電装品、サーバ及びこれら以外の様々な電子機器が含まれる。
【0022】
コイル部品１は、インダクタ、トランス、フィルタ、リアクトル、インダクタアレイ、及びこれら以外の様々なコイル部品であってもよい。コイル部品１は、カップルドインダクタ、チョークコイル及びこれら以外の様々な磁気結合型コイル部品であってもよい。コイル部品１の用途は、本明細書で明示されるものには限定されない。
【0023】
一実施形態において、基体１０は、Ｌ軸方向における寸法（長さ寸法）がＷ軸方向における寸法（幅寸法）及びＴ軸方向における寸法（高さ寸法）よりも大きくなるように構成される。例えば、長さ寸法は、１．０ｍｍ～６．０ｍｍの範囲にあり、幅寸法は０．５ｍｍ～４．５ｍｍの範囲にあり、高さ寸法は０．５ｍｍ～４．５ｍｍの範囲にある。基体１０の寸法は、本明細書で具体的に説明される寸法には限定されない。本明細書において「直方体」又は「直方体形状」という場合には、数学的に厳密な意味での「直方体」のみを意味するものではない。基体１０の寸法及び形状は、本明細書で明示されるものには限定されない。
【0024】
基体１０は、第１主面１０ａ、第２主面１０ｂ、第１端面１０ｃ、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅ、及び第２側面１０ｆを有する。基体１０は、これらの６つの面によってその外表面が画定されている。第１主面１０ａと第２主面１０ｂとはそれぞれ基体１０の高さ方向両端の面を成し、第１端面１０ｃと第２端面１０ｄとはそれぞれ基体１０の長さ方向両端の面を成し、第１側面１０ｅと第２側面１０ｆとはそれぞれ基体１０の幅方向両端の面を成している。図１に示されているように、第１主面１０ａは基体１０の上側にあるため、第１主面１０ａを「上面」と呼ぶことがある。同様に、第２主面１０ｂを「下面」又は「底面」と呼ぶことがある。コイル部品１は、第２主面１０ｂが実装基板２ａと対向するように配置されるので、第２主面１０ｂを「実装面」と呼ぶこともある。上面１０ａと下面１０ｂとの間は基体１０の高さ寸法だけ離間しており、第１端面１０ｃと第２端面１０ｄとの間は基体１０の長さ寸法だけ離間しており、第１側面１０ｅと第２側面１０ｆとの間は基体１０の幅寸法だけ離間している。
【0025】
図２に示されているように、基体１０は、磁性膜２０と、磁性膜２０の下面に設けられた下側カバー層１９と、磁性膜２０の上面に設けられた上側カバー層１８と、を有する。上側カバー層１８、下側カバー層１９、及び磁性膜２０は、基体１０の構成要素である。
【0026】
磁性膜２０は、磁性膜１１～１７を備える。磁性膜２０においては、Ｔ軸方向のマイナス側からプラス側に向かって、磁性膜１７、磁性膜１６、磁性膜１５、磁性膜１４、磁性膜１３、磁性膜１２、磁性膜１１の順に積層されている。
【0027】
磁性膜１１～１７の上面には、導体パターンＣ１１～Ｃ１７がそれぞれ形成されている。複数の導体パターンＣ１１～Ｃ１７の各々は、コイル軸Ａｘ１（図３参照）に直交する平面（ＬＷ平面）内でコイル軸Ａｘ１周りに延びている。導体パターンＣ１１～Ｃ１７は、例えば、導電性に優れた金属又は合金から成る導電性ペーストをスクリーン印刷法により印刷することにより形成される。この導電性ペーストの材料としては、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらの合金を用いることができる。導電性ペーストは、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらの合金等の導電性に優れた導電性材料から構成される導体粉をバインダー樹脂及び溶剤と混練して生成される。導体粉としてＣｕ粉が用いられる場合には、脱脂時におけるＣｕ粉の過剰な酸化を抑制するために、バインダー樹脂としてアクリル樹脂等の熱分解性樹脂が用いられてもよい。熱分解性樹脂は、酸素との燃焼反応によらずに分解される。熱分解性樹脂は、非酸素雰囲気（例えば、窒素雰囲気）にて昇温した場合に熱分解し、残渣が残らない。よって、バインダー樹脂として熱分解性樹脂を用いることにより、脱脂処理を非酸素雰囲気下で行うことができる。導電性ペースト用のアクリル樹脂として、例えば、（メタ）アクリル酸共重合体、（メタ）アクリル酸－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、スチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、又はスチレン－（メタ）アクリル酸－（メタ）アクリル酸エステル共重合体を用いることができる。溶剤として、トルエン、エタノール、ターピネオール、又はこれらの混合物を用いることができる。導電性ペーストは、チクソ性を調整するための調整剤を含むことができる。導体パターンＣ１１～Ｃ１７は、これ以外の材料及び方法により形成されてもよい。導体パターンＣ１１～Ｃ１７、例えば、スパッタ法、インクジェット法、又はこれら以外の公知の方法で形成されてもよい。
【0028】
磁性膜１１～磁性膜１６の所定の位置には、ビアＶ１～Ｖ６がそれぞれ形成される。ビアＶ１～Ｖ６は、磁性膜１１～磁性膜１６の所定の位置に、磁性膜１１～磁性膜１６をＴ軸方向に貫く貫通孔を形成し、当該貫通孔に導電材料を埋め込むことにより形成される。
【0029】
導体パターンＣ１１～Ｃ１７の各々は、隣接する導体パターンとビアＶ１～Ｖ６を介して電気的に接続される。このようにして接続された導体パターンＣ１１～Ｃ１７及びビアＶ１～Ｖ６が、スパイラル状のコイル導体２５を形成する。すなわち、コイル導体２５は、導体パターンＣ１１～Ｃ１７及びビアＶ１～Ｖ６を有する。
【0030】
導体パターンＣ１１のビアＶ１に接続されている端部と反対側の端部は、外部電極２２に接続される。導体パターンＣ１７のビアＶ６に接続されている端部と反対側の端部は、外部電極２１に接続される。
【0031】
上側カバー層１８は、磁性材料から成る磁性膜１８ａ～１８ｄを備え、下側カバー層１９は、磁性材料から成る磁性膜１９ａ～１９ｄを備える。本明細書においては、磁性膜１８ａ～１８ｄ及び磁性膜１９ａ～１９ｄを総称して「カバー層磁性膜」と呼ぶことがある。
【0032】
図３に示されているように、コイル導体２５は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って延びるコイル軸Ａｘ１の周りに巻回されている周回部２５ａと、周回部２５ａの一端から基体１０の第１端面１０ｃまで延伸する引出部２５ｂ１と、周回部２５ａの他端から基体１０の第２端面１０ｄまで延伸する引出部２５ｂ２と、を有する。
【0033】
次に、図４を参照して、基体１０の微細構造を説明する。図４は、図３に示されている領域Ａを模式的に示す拡大断面図である。領域Ａは、基体１０をＴ軸に沿って切断した断面の一部の領域である。領域Ａは、Ｔ軸に沿って切断された基体１０の断面の一部を占める任意の領域とすることができる。
【0034】
図４に示されているように、基体１０は、複数の軟磁性金属粒子を含む。基体１０に含まれる軟磁性金属粒子には、第１軟磁性金属粒子３１と、第２軟磁性金属粒子３２と、が含まれる。第１軟磁性金属粒子３１にはＳｉ及びＯを含むＳｉ－Ｏ析出物が含まれるのに対して第２軟磁性金属粒子３２にはＳｉ－Ｏ析出物が含まれない点で両者は区別される。Ｓｉ－Ｏ析出物の詳細については後述する。
【0035】
一実施形態において、基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の総数（第１軟磁性金属粒子３１の数と第２軟磁性金属粒子３２の数との合計）に対する第１軟磁性金属粒子３１の数の割合（以下、単に「Ｓｉ－Ｏ析出割合」ということがある。）は、例えば、１％以上１０％以下とされる。つまり、基体１０に含まれる軟磁性金属粒子のうちの１％～１０％にＳｉ－Ｏ析出物が含有されていてもよい。一実施形態において、Ｓｉ－Ｏ析出割合は、１％以上１０％以下、１％以上９％以下、１％以上８％以下、１％以上７％以下、１％以上６％以下、１％以上５％以下、１％以上４％以下、又は１％以上３％以下であってもよい。Ｓｉ－Ｏ析出割合の下限は、２％であってもよい。基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の総数に対する第１軟磁性金属粒子３１の数の割合（Ｓｉ－Ｏ析出割合）は、以下のようにして定められる。まず、基体１０をその厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って切断して断面を露出させ、当該断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により所定の倍率（例えば、５０００倍から３００００倍の範囲の倍率）で撮影して、基体１０の断面の一部を観察視野とするＳＥＭ像を得る。次に、この撮影により得られたＳＥＭ像に含まれる軟磁性金属粒子を、Ｓｉ－Ｏ析出物が含まれるか否かに応じて第１軟磁性金属粒子３１と第２軟磁性金属粒子３２とに区別する。元素マッピングにより軟磁性金属磁性粒子内部の同一の検出位置においてＳｉ元素及びＯ元素が検出された場合に、当該軟磁性金属磁性粒子にＳｉ-Ｏ析出物が含まれると判定できる。そして、観察視野に含まれる第１軟磁性金属粒子３１の数を軟磁性金属粒子の総数で除した値を基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の総数に対する第１軟磁性金属粒子３１の数の割合（Ｓｉ－Ｏ析出割合）とすることができる。基体１０の断面において複数の観察視野を定め、観察視野ごとにその観察視野に含まれる軟磁性金属粒子の総数に対する第１軟磁性金属粒子３１の数の割合を求め、この各観察視野について求められた割合の平均値をＳｉ－Ｏ析出割合としてもよい。観察視野の数は、例えば、５～１０の間で任意に定めることができる。
【0036】
第１軟磁性金属粒子３１の表面は、絶縁性に優れた酸化被膜４１で覆われている。同様に、第２軟磁性金属粒子３２の表面は、絶縁性に優れた酸化被膜４２で覆われている。酸化被膜４１は、第１軟磁性金属粒子３１の表面全体を覆っていることが望ましく、酸化被膜４２は、第２軟磁性金属粒子３２の表面全体を覆っていることが望ましい。基体１０において、各軟磁性金属粒子は、隣接する軟磁性金属粒子と、それぞれの表面に設けられた酸化被膜を介して結合される。つまり、隣接する軟磁性金属粒子の各々の表面に設けられた酸化被膜同士が互いに結合しており、この酸化被膜同士の結合により、酸化被膜で覆われた軟磁性金属粒子同士が結合する。例えば、第１軟磁性金属粒子３１は、この第１軟磁性金属粒子３１に隣接する第２軟磁性金属粒子３２と、当該第１軟磁性金属粒子３１の表面に設けられた酸化被膜４１及び当該第２軟磁性金属粒子３２の表面に設けられた酸化被膜４２を介して結合される。酸化被膜４１及び酸化被膜４２により、第１軟磁性金属粒子３１同士、第２軟磁性金属粒子３２同士、又は第１軟磁性金属粒子３１と第２軟磁性金属粒子３２との間の電気的な絶縁が提供される。
【0037】
基体１０に含まれる軟磁性金属粒子は、原料となる軟磁性金属粉（原料粉）を加熱することで得られる。詳しくは後述するように、基体１０は、軟磁性材料からなる軟磁性金属粉を樹脂と混合して混合樹脂組成物を生成し、この混合樹脂組成物を加熱することで作製され得る。この基体１０の製造プロセスにおける加熱処理により、軟磁性金属粉から、表面に酸化被膜を有する軟磁性金属粒子が得られる。
【0038】
本明細書において、「基体１０に含まれる軟磁性金属粒子」には、第１軟磁性金属粒子３１及び第２軟磁性金属粒子３２の両方が含まれる。つまり、「基体１０に含まれる軟磁性金属粒子」に関する説明は、文脈上別に解すべき場合を除き、第１軟磁性金属粒子３１及び第２軟磁性金属粒子３２の両方に当てはまる。
【0039】
基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の原料粉は、Ｆｅを主成分とする。基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の原料粉は、Ｆｅに加えてＳｉ及び元素Ａを含有する。元素Ａは、Ｃｒ及びＡｌの少なくとも一方である。つまり、基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の原料粉は、Ｆｅ及びＳｉに加えて、Ｃｒ、Ａｌ、又はその両方を含むことができる。この原料粉を加熱することで得られる軟磁性金属粒子において、Ｆｅ及びＳｉ、Ｃｒ、Ａｌの合計に対するＦｅの割合は９５ａｔ％以上であることができる。原料粉に含有されているＳｉの原子割合と元素Ａの合計の原子割合とを比較すると、Ｓｉの原子割合の方が元素Ａの合計の原子割合よりも大きい。基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の原料粉は、Ｆｅ、Ｓｉ、及び元素Ａ以外の元素を微量に含むことができる。軟磁性金属粒子の原料粉に微量に含まれ得る元素には、亜鉛（Ｚｒ）、ボロン（Ｂ）、炭素（Ｃ）、及びニッケル（Ｎｉ）が含まれる。
【0040】
基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の表面に設けられる酸化被膜は、原料粉に含まれる元素の酸化物を含む。「基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の表面に設けられる酸化被膜」には、第１軟磁性金属粒子３１の表面に設けられる酸化被膜４１及び第２軟磁性金属粒子３２の表面に設けられる酸化被膜４２が含まれる。説明の便宜のために、基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の表面に設けられる酸化被膜を単に「酸化被膜」と呼ぶことがある。Ｓｉ及び元素Ａ（Ｃｒ、Ａｌ）はＦｅよりも酸化されやすいので、原料粉がＦｅ、Ｓｉ、及び元素Ａを含む場合には、酸化被膜には、Ｓｉの酸化物及び元素Ａの酸化物が含まれる。酸化被膜には、Ｆｅの酸化物が含まれてもよい。
【0041】
基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径は、例えば１μｍ～５０μｍの範囲とすることができる。基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径は、基体１０をその厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って切断して断面を露出させ、当該断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により撮影したＳＥＭ像に基づいて求められる体積基準の粒度分布に基づいて定められる。例えば、ＳＥＭ像に基づいて求められた体積基準の粒度分布から算出される平均粒径（メジアン径（Ｄ５０））を、基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径とすることができる。
【0042】
次に、図５ａ及び図５ｂを参照して、第１軟磁性金属粒子３１についてさらに説明する。図５ａ及び図５ｂには、基体１０に含まれる複数の第１軟磁性金属粒子３１のうちの一つの断面が模式的に示されている。図５ａ及び図５ｂにおいては、第１軟磁性金属粒子３１の断面が、便宜上、円形に描かれている。基体１０に含まれる第１軟磁性金属粒子３１は、図４に示されているように、円形以外の様々な形状を取り得る。図５ａ及び図５ｂには、第１軟磁性金属粒子３１の表面に設けられている酸化被膜４１も図示されている。
【0043】
図５ａ及び図５ｂに示されているように、第１軟磁性金属粒子３１は、中心領域３１ａと、表面領域３１ｂと、に区画される。図５ａには、表面領域３１ｂにのみＳｉ－Ｏ析出物５０が含まれている第１軟磁性金属粒子３１が示されており、図５ｂには、中心領域３１ａの一部にもＳｉ－Ｏ析出物５０が含まれている第１軟磁性金属粒子３１を示している。Ｓｉ－Ｏ析出物５０については、後述する。中心領域３１ａは、図５に示されている第１軟磁性金属粒子３１の断面の幾何中心Ｃ１を含む。表面領域３１ｂは、中心領域３１ａよりも径方向外側にある。表面領域３１ｂは、中心領域３１ａの外周面を覆っている。このように、表面領域３１ｂは、中心領域３１ａの径方向外側において、第１軟磁性金属粒子３１の表面に沿って延びている。
【0044】
第１軟磁性金属粒子３１の径方向において、表面領域３１ｂは、幅ｄ１２を有する。一実施形態において、表面領域３１ｂの幅ｄ１２は、第１軟磁性金属粒子３１のヘイウッド径の１０％とされる。表面領域３１ｂの幅ｄ１２は、第１軟磁性金属粒子３１のヘイウッド径の１０％以下であってもよい。中心領域３１ａの径方向における寸法ｄ１１は、第１軟磁性金属粒子３１の幾何中心Ｃ１とその表面との間の寸法と、表面領域３１ｂの幅ｄ１２と、の差に相当する。
【0045】
基体１０に含まれる軟磁性金属粒子は、粒内に複数の金属結晶の結晶粒を有してもよい。第１軟磁性金属粒子３１は、複数の結晶粒を有してもよい。図５ｂに示されているように、第１軟磁性金属粒子３１が複数の結晶粒ＣＰ１～ＣＰ３を有する場合は、第１軟磁性金属粒子３１内において結晶粒ＣＰ１～ＣＰ３の境界に沿って結晶粒界領域３１ｃが画定される。結晶粒界領域３１ｃの幅ｄ１３は、表面領域３１ｂの幅ｄ１２と同じ寸法とされる。結晶粒ＣＰ１～ＣＰ３の各々において、結晶粒界領域３１ｃの内側にあり、結晶粒界領域３１ｃによって囲まれている領域を、結晶粒内側領域３１ｄと呼ぶ。結晶粒内側領域３１ｄは、中心領域３１ａに含まれる。結晶粒内側領域３１ｄは、表面領域３１ｂ及び結晶粒界領域３１ｃとは重複しない。
【0046】
図５ａに示されているように表面領域３１ｂにＳｉ－Ｏ析出物５０が含有されている一方で中心領域３１ａにＳｉ－Ｏ析出物５０が含有されていない場合には、第１軟磁性金属粒子３１は、中心領域３１ａにおいて、９５ａｔ％以上のＦｅを含有する。この場合、中心領域３１ａにおけるＦｅの含有比率は、９７ａｔ％以上であってもよく、９８ａｔ％以上であってもよく、９９ａｔ％以上であってもよい。図５ｂに示されているように結晶粒界領域３１ｃにもＳｉ－Ｏ析出物５０が含有されている場合には、第１軟磁性金属粒子３１は、結晶粒内側領域３１ｄにおいて、９５ａｔ％以上のＦｅを含有する。この場合、結晶粒内側領域３１ｄにおけるＦｅの含有比率は、９７ａｔ％以上であってもよく、９８ａｔ％以上であってもよく、９９ａｔ％以上であってもよい。従来の磁性基体に含まれる複数の軟磁性金属粒子においては、Ｆｅの含有比率は、高くとも９２ａｔ％程度であり、９５ａｔ％を超えるＦｅの含有比率は実現されていない。第１軟磁性金属粒子３１の中心領域３１ａ又は結晶粒内側領域３１ｄにおけるＦｅの含有比率は、これまでに実現されていた９２ａｔ％程度の含有比率よりも高い。原料粉から第１軟磁性金属粒子３１が生成される際に、原料粉の表面に酸化被膜が形成され、この酸化被膜によって原料粉の内部への酸素の侵入が抑止されるが、原料粉のＦｅの比率が例えば９５ａｔ％以上程度まで高くなると、添加元素の含有割合が減少するため、原料粉の表面に酸素の侵入を阻害するために十分な厚みを有する酸化被膜が形成されにくくなる。このため、十分な厚みを有する酸化被膜が形成されない一部の原料粉（例えば、原料粉の総数のうちの１％～１０％）の内部に酸素が侵入する。このようにして原料粉の内部に侵入する酸素が表面領域３１ｂに存在するＳｉと結合して、Ｓｉ－Ｏ析出物５０となる。このように、表面領域３１ｂに存在するＳｉにより原料粉内部に侵入した酸素を捕獲することにより、酸素が中心領域３１ａに到達し、中心領域３１ａにおいてＦｅを酸化することが抑制される。
【0047】
第１軟磁性金属粒子３１に含まれるＦｅの含有比率は、コイル軸Ａｘに沿って基体１０を切断することで基体１０の断面を露出させ、この断面においてエネルギー分散型Ｘ線分光（ＥＤＳ）分析を行うことにより測定される。Ｆｅの含有比率の測定は、エネルギー分散型Ｘ線分光（ＥＤＳ）検出器を搭載した走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により行うことができる。ＥＤＳ検出器を搭載したＳＥＭによるＥＤＳ分析は、ＳＥＭ－ＥＤＳ分析と呼ばれる。Ｆｅの含有比率は、例えば、株式会社日立ハイテク製の走査型電子顕微鏡ＳＵ７０００及びアメテック株式会社製のエネルギー分散型Ｘ線分光検出器Ｏｃｔａｎｅ Ｅｌｉｔｅを用い、加速電圧５ｋＶで測定される。第１軟磁性金属粒子３１に含まれるＦｅ以外の元素の含有比率も、Ｆｅの含有比率と同様にＳＥＭ－ＥＤＳ分析により測定される。
【0048】
第１軟磁性金属粒子３１は、中心領域３１ａにおいて、Ｆｅに加えて、Ｓｉを含有してもよい。中心領域３１ａにおけるＳｉの含有比率は、０．０１ａｔ％以上１．０ａｔ％以下であってもよい。図５ａに示されているように表面領域３１ｂにのみＳｉ－Ｏ析出物５０が含有されている第１軟磁性金属粒子３１の中心領域３１ａには、Ｓｉが含有されていなくともよい。中心領域３１ａにおけるＳｉの含有比率は、上述のとおり、ＳＥＭ－ＥＤＳ分析により測定される。ＳＥＭ－ＥＤＳ分析により中心領域３１ａにおいてＳｉが検出されない場合、実際にはＳＥＭ－ＥＤＳ分析の検出限界未満のＳｉが含有されている可能性があるが、中心領域３１ａにＳｉが含有されないと判断する。第１軟磁性金属粒子３１に対するＳＥＭ－ＥＤＳ分析においては、Ｆｅ元素のＬ線ピークの取得カウントが１０００００カウント以上となるように積算測定を行って、定量元素のピーク強度がバックグランドレベルの標準偏差σの３倍、即ち３σである位置を超えていることをもって当該定量元素が存在すると判定することができる。具体的には、バックグランドレベルの標準偏差σは、バックグランドレベルの平方根であるので、定量元素のカウント値がバックグランドレベルの平方根の３倍以上である位置に当該定量元素が存在すると判定することができる。つまり、バックグランドレベルの平方根の３倍のカウント値が検出限界とされる。中心領域３１ａにＳｉが存在するか否かは、第１軟磁性金属粒子３１の断面のＳＥＭ像においてＥＤＳ分析を行ってＳｉ元素のマッピングデータを取得し、このマッピングデータにおいて、中心領域３１ａにおいて検出限界以上のＳｉ元素のピーク強度を示す位置があれば、その位置にＳｉ元素が存在すると判定することができる。逆に、中心領域３１ａの全ての領域においてＳｉ元素のピーク強度が検出限界未満である場合には、中心領域３１ａにＳｉ元素が含有されないと判定される。バックグラウンドでのＳｉの検出値の平方根の３倍以上のＳｉ検出値を示す位置にＳｉ元素が存在すると判定することができる。
【0049】
中心領域３１ａには、Ｓｉより少ない原子割合でＣｒが含まれてもよい。中心領域３１ａには、Ｓｉより少ない割合でＡｌが含まれてもよい。中心領域３１ａには、Ｃｒ及びＡｌが含まれてもよい。この場合、Ｃｒの含有比率及びＡｌの含有比率はいずれも、Ｓｉの含有比率よりも小さい。中心領域３１ａには、Ｃｒが含まれていなくともよい。中心領域３１ａには、Ａｌが含有されていなくともよい。中心領域３１ａには、元素Ａがいずれも含まれなくともよい。ＳＥＭ－ＥＤＳ分析により中心領域３１ａにおいてＣｒが検出されない場合に中心領域３１ａにＣｒが含有されないと判断することができる。同様に、ＳＥＭ－ＥＤＳ分析により中心領域３１ａにおいてＡｌが検出されない場合に中心領域３１ａにＡｌが含有されないと判断することができる。本明細書において、元素の含有割合の多寡について説明する場合には、元素の含有割合は、別段の断りなき限り、その元素のモル比（原子パーセント）で表される。
【0050】
表面領域３１ｂには、中心領域３１ａよりも高い原子割合でＳｉが含有される。表面領域３１ｂに含まれるＳｉの一部は、酸素（Ｏ）と結合し、Ｓｉ－Ｏ析出物５０として析出している。具体的には、Ｓｉと酸素が結合してＳｉ－Ｏが生成され、この複数の生成したＳｉ－Ｏが集まってＳｉ－Ｏ析出物５０として析出する。Ｓｉ－Ｏ析出物５０は、第１軟磁性金属粒子３１内の表面領域３１ｂに含有されている。表面領域３１ｂには、複数のＳｉ－Ｏ析出物５０が含有され得る。表面領域３１ｂには、数個から数百個のＳｉ－Ｏ析出物５０が含有され得る。複数のＳｉ－Ｏ析出物５０は、互いから離間している。つまり、Ｓｉ－Ｏ析出物５０は、表面領域３１ｂにおいて、連続した層状ではなく、互いから離間した粒子状に析出する。酸素との結合前から表面領域３１ｂに存在していたＳｉは、第１軟磁性金属粒子３１内に侵入した酸素と結合する際にＳｉ－Ｏ析出物５０に濃縮されるため、表面領域３１ｂ内のＳｉ－Ｏ析出物５０以外の領域においてはＳｉの含有量が少なくなる。このため、中心領域３１ａと表面領域３１ｂとの間にＳｉの濃度勾配が発生し、この濃度勾配により中心領域３１ａから表面領域３１ｂへのＳｉの移動が起こりやすくなる。この結果、中心領域３１ａにおけるＳｉの含有量も減少する。そして、中心領域３１ａにおいてＳｉが減少する結果、中心領域３１ａにおけるＦｅの含有比率が向上する。
【0051】
図５ｂに示されているように、複数の結晶粒を含む第１軟磁性金属粒子３１においては、表面領域３１ｂに加えて結晶粒界領域３１ｃにもＳｉ－Ｏ析出物が析出することがある。第１軟磁性金属粒子３１の結晶粒界には酸素が侵入しやすいため、この結晶粒界の近傍にある結晶粒界領域３１ｃに含まれるＳｉが酸素と結合することで、結晶粒界領域３１ｃにＳｉ－Ｏ析出物５０が析出する。表面領域３１ｂ及び中心領域３１ａの外側粒界領域には、数個から数百個のＳｉ－Ｏ析出物５０が含有され得る。結晶粒界領域３１ｃは表面領域３１ｂに比べ酸素の侵入距離が大きくなるため結晶粒界領域３１ｃに含まれるＳｉ－Ｏ析出物５０は、表面領域３１ｂに含まれるＳｉ－Ｏ析出物５０より少なくともよい。結晶粒界領域３１ｃに含まれる複数のＳｉ－Ｏ析出物５０も、互いから離間している。つまり、Ｓｉ－Ｏ析出物５０は、結晶粒界領域３１ｃにおいても、連続した層状ではなく、互いから離間した粒子状に析出する。酸素との結合前から表面領域３１ｂに存在していたＳｉは、結晶粒界領域３１ｃに侵入した酸素と結合する際にＳｉ－Ｏ析出物５０に濃縮されるため、結晶粒界領域３１ｃ内のＳｉ－Ｏ析出物５０以外の領域においてはＳｉの含有量が少なくなる。このため、結晶粒ＣＰ１～ＣＰ３の結晶粒内側領域３１ｄと結晶粒界領域３１ｃとの間にＳｉの濃度勾配が発生し、この濃度勾配により結晶粒ＣＰ１～ＣＰ３の結晶粒内側領域３１ｄから結晶粒界領域３１ｃへのＳｉの移動が起こりやすくなる。この結果、結晶粒ＣＰ１～ＣＰ３の結晶粒内側領域３１ｄにおけるＳｉの含有量も減少する。そして、結晶粒内側領域３１ｄにおいてＳｉが減少する結果、結晶粒内側領域３１ｄにおけるＦｅの含有比率が向上する。
【0052】
以上のとおり、図５ａに示されているように、第１軟磁性金属粒子３１の表面領域３１ｂにのみＳｉ－Ｏ析出物５０が析出する場合には、中心領域３１ａにおけるＦｅの含有比率が向上する。この場合、中心領域３１ａにおけるＦｅの含有比率は、９７ａｔ％以上であってもよく、９８ａｔ％以上であってもよく、９９ａｔ％以上であってもよい。
【0053】
また、図５ｂに示されているように、第１軟磁性金属粒子３１の表面領域３１ｂ及び結晶粒界領域３１ｃにＳｉ－Ｏ析出物５０が析出する場合には、中心領域３１ａのうち結晶粒内側領域３１ｄにおけるＦｅの含有比率が向上する。この場合、結晶粒内側領域３１ｄにおけるＦｅの含有比率は、９７ａｔ％以上であってもよく、９８ａｔ％以上であってもよく、９９ａｔ％以上であってもよい。
【0054】
表面領域３１ｂ及び／又は結晶粒界領域３１ｃにＳｉ－Ｏ析出物５０が析出していることは、以下のようにして確認することができる。まず、基体１０をＴ軸方向に沿って切断して断面を露出させ、当該断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により所定の倍率で撮影してＳＥＭ像を得る。このＳＥＭ像においてＥＤＳ分析を行い、Ｓｉ元素及びＯ元素の分布画像（ＳｉとＯとの混合マップ）を得る。この分布画像において、Ｓｉ元素及びＯ元素が粒子状に分布している領域にＳｉ－Ｏ析出物５０が存在すると判断することができる。
【0055】
酸化被膜４１は、第１軟磁性金属粒子３１の表面領域３１ｂを覆っている。酸化被膜４１は、絶縁性に優れた酸化物を含んでいる。酸化被膜４１には、Ｓｉの酸化物及び元素Ａの酸化物（Ｃｒの酸化物及び／又はＡｌの酸化物）が含まれる。Ｓｉの酸化物及び元素Ａの酸化物は、いずれも絶縁性に優れている。酸化被膜４１には、Ｆｅの酸化物が含まれてもよい。酸化被膜４１は、望ましくは、第１軟磁性金属粒子３１の表面領域３１ｂの全体を覆う。酸化被膜４１は、望ましくは、５ｎｍ以上の厚さ（径方向の寸法）を有する。
【0056】
次に、図６を参照して、第２軟磁性金属粒子３２についてさらに説明する。図６には、基体１０に含まれる複数の第２軟磁性金属粒子３２のうちの一つの断面が模式的に示されている。図６においては、第２軟磁性金属粒子３２の断面が、便宜上、円形に描かれている。基体１０に含まれる第２軟磁性金属粒子３２は、図４に示されているように、円形以外の様々な形状を取り得る。図６には、第２軟磁性金属粒子３２の表面に設けられている酸化被膜４２も図示されている。
【0057】
図６に示されているように、第２軟磁性金属粒子３２は、中心領域３２ａと、表面領域３２ｂと、に区画される。中心領域３２ａは、図６に示されている第２軟磁性金属粒子３２の断面の幾何中心Ｃ２を含む。表面領域３２ｂは、中心領域３２ａよりも径方向外側にある。表面領域３２ｂは、中心領域３２ａの外周面を覆っている。このように、表面領域３２ｂは、中心領域３２ａの径方向外側において、第２軟磁性金属粒子３２の表面に沿って延びている。
【0058】
第２軟磁性金属粒子３２の径方向において、表面領域３２ｂは、幅ｄ２２を有する。一実施形態において、表面領域３２ｂの幅ｄ２２は、第２軟磁性金属粒子３２のヘイウッド径の１０％とされる。表面領域３２ｂの幅ｄ２２は、第２軟磁性金属粒子３２のヘイウッド径の１０％以下であってもよい。中心領域３２ａの径方向における寸法ｄ２１は、第２軟磁性金属粒子３２の幾何中心Ｃ２とその表面との間の寸法と、表面領域３２ｂの幅ｄ２２と、の差に相当する。
【0059】
上述のとおり、第２軟磁性金属粒子３２は、Ｓｉ－Ｏ析出物を含まない点で、第１軟磁性金属粒子３１と異なる。一実施形態において、第２軟磁性金属粒子３２の粒径は、第１軟磁性金属粒子３１の粒径よりも大きい。例えば、基体１０の断面の観察視野（例えば、倍率１００００倍で観察したときの観察視野）において、第２軟磁性金属粒子３２の平均粒径は、第１軟磁性金属粒子３１の平均粒径よりも大きい。
【0060】
第２軟磁性金属粒子３２の組成は、Ｓｉ－Ｏ析出物以外については、第１軟磁性金属粒子３１と同じであってもよい。第２軟磁性金属粒子３２は、中心領域３２ａにおいて、９５ａｔ％以上のＦｅを含有する。第２軟磁性金属粒子３２は、第１軟磁性金属粒子３１と同様に、中心領域３２ａにおいて、９７ａｔ％以上のＦｅを含有してもよい。中心領域３１ａにおけるＦｅの含有比率は、９８ａｔ％以上であってもよく、９９ａｔ％以上であってもよい。第２軟磁性金属粒子３２は、中心領域３２ａにおいて、Ｆｅに加えて、Ｓｉを含有してもよい。中心領域３２ａにおけるＳｉの含有比率は、０．０１ａｔ％以上１．０ａｔ％以下であってもよい。中心領域３２ａには、Ｓｉが含有されていなくともよい。中心領域３２ａには、Ｓｉより少ない原子割合でＣｒが含まれてもよい。中心領域３２ａには、Ｓｉより少ない割合でＡｌが含まれてもよい。中心領域３２ａには、Ｃｒ及びＡｌが含まれてもよい。中心領域３２ａには、Ｃｒが含まれていなくともよい。中心領域３２ａには、Ａｌが含有されていなくともよい。中心領域３２ａには、元素Ａがいずれも含まれなくともよい。中心領域３２ａに元素Ａが存在するか否かは、第２軟磁性金属粒子３２の断面のＳＥＭ像においてＥＤＳ分析を行って元素Ａのマッピングデータを取得し、このマッピングデータにおいて、中心領域３２ａにおいて検出限界以上の元素Ａのピーク強度を示す位置があれば、その位置に元素Ａが存在すると判定することができる。逆に、中心領域３２ａの全ての領域において元素Ａのピーク強度が検出限界未満である場合には、中心領域３２ａに元素Ａが含有されないと判定される。Ｓｉ元素の判定と同様に、バックグランドレベルの標準偏差σの３倍、即ちバックグランドレベルの平方根の３倍のカウント値が元素Ａについての検出限界とされる。表面領域３２ｂに含有されるＳｉの原子割合は、中心領域３２ａに含有されるＳｉの原子割合よりも高い。
【0061】
酸化被膜４２は、第２軟磁性金属粒子３２の表面領域３２ｂを覆っている。酸化被膜４２は、絶縁性に優れた酸化物を含んでいる。酸化被膜４２は、酸化被膜４１と同様に、Ｓｉの酸化物及び元素Ａの酸化物（Ｃｒの酸化物及び／又はＡｌの酸化物）を含む。酸化被膜４２には、Ｆｅの酸化物が含まれてもよい。酸化被膜４２は、望ましくは、第２軟磁性金属粒子３２の表面領域３２ｂの全体を覆う。酸化被膜４２は、望ましくは、５ｎｍ以上の厚さ（径方向の寸法）を有する。
【0062】
次に図７を参照して、コイル部品１の製造方法の一例について説明する。コイル部品１の製造工程に、基体１０の製造工程が含まれるので、基体１０の製造方法についても図７を参照して説明される。図７は、本発明の一実施形態によるコイル部品１の製造方法を示すフロー図である。以下の説明では、コイル部品１がシート積層法により製造されることを想定している。コイル部品１は、シート積層法法以外の公知の方法で作製されてもよい。例えば、コイル部品１は、印刷積層法、薄膜プロセス法、又はスラリービルド法などの積層法により作製され得る。
【0063】
まず、ステップＳ１において、磁性体シートが作製される。磁性体シートは、第１軟磁性金属粒子３１及び第２軟磁性金属粒子３２の原料となる軟磁性金属粉（原料粉）をバインダー樹脂及び溶剤と混練して得られる磁性材ペーストから生成される。第１軟磁性金属粒子３１及び第２軟磁性金属粒子３２は、共通の原料粉から生成され得る。軟磁性金属粉は、Ｆｅ、Ｓｉ及び元素Ａを含む。軟磁性金属粉においては、Ｆｅ、Ｓｉ及び元素Ａがほぼ均一に分布している。なお、原料粉におけるＦｅの比率は、熱処理後のＦｅの比率とは異なる。
【0064】
磁性材ペースト用のバインダー樹脂は、例えば、アクリル樹脂である。磁性材ペースト用のバインダー樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、前記以外のバインダー樹脂として公知の樹脂、又はこれらの混合物であってもよい。溶剤は、例えば、トルエンである。この磁性材ペーストは、ドクターブレード法又はこれ以外の一般的な方法にてプラスチック製のベースフィルムの表面に塗布される。このベースフィルムの表面に塗布された磁性材ペーストを乾燥させることでシート状の成型体が得られる。このシート状の成型体を型内で１０～１００ＭＰａ程度の成型圧力で加圧成型することにより磁性体シートが複数作製される。
【0065】
次に、ステップＳ２において、ステップＳ１で準備された複数の磁性体シートの一部に導電性ペーストが塗布される。導電性ペーストは、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらの合金等の導電性に優れた導電性材料から構成される導体粉をバインダー樹脂及び溶剤と混練して生成される。導電性ペースト用のバインダー樹脂は、磁性材ペースト用のバインダー樹脂と同じ種類の樹脂であってもよい。導電性ペースト用のバインダー樹脂及び磁性材ペースト用のバインダー樹脂はいずれもアクリル樹脂であってもよい。
【0066】
磁性体シートに導電性ペーストを塗布することにより、当該磁性体シートに、焼成後に導体パターンＣ１１～Ｃ１７となる未焼成導体パターンが形成される。磁性体シートの一部には積層方向に貫通する貫通孔が形成される。貫通孔を有する磁性体シートに導電性ペーストが塗布されるときには、貫通孔内にも導電性ペーストが埋め込まれる。このようにして、磁性体シートの貫通孔内に焼成後にビアＶ１～Ｖ５となる未焼成ビアが形成される。導電性ペーストは、例えば、スクリーン印刷法により磁性体シートに塗布される。
【0067】
次に、ステップＳ３において、ステップＳ１で作製された磁性体シートを積層することで、上側カバー層１８となる上部積層体、中間積層体、及び下側カバー層１９となる下部積層体を作製する。上部積層体及び下部積層体はそれぞれ、ステップＳ１で準備された磁性体シートのうち未焼成導体パターンが形成されていないものを４枚積層することによって形成される。上部積層体の４枚の磁性体シートは、完成品であるコイル部品１において磁性膜１８ａ～１８ｄとなり、下部積層体の４枚の磁性体シートは、完成品であるコイル部品１において磁性膜１９ａ～１９ｄとなる。中間積層体は、未焼成導体パターンが形成された磁性体シート７枚を所定の順序で積層することにより形成される。中間積層体の７枚の磁性体シートは、完成品であるコイル部品１において磁性膜１１～１７となる。上記のように作製された中間積層体を上下から上部積層体及び下部積層体で挟み込み、この上部積層体及び下部積層体を中間積層体に熱圧着して本体積層体を得る。次に、ダイシング機やレーザ加工機などの切断機を用いて当該本体積層体を所望のサイズに個片化することでチップ積層体が得られる。チップ積層体は、加熱処理後に基体１０となる素体及び加熱処理後にコイル導体２５となる未焼成導体パターンを含む成型体の例である。加熱処理後に基体１０となる素体及び加熱処理後にコイル導体２５となる未焼成導体パターンを含む成型体は、シート積層法以外の方法で作製されてもよい。
【0068】
次に、ステップＳ４において、ステップＳ３で作製された成型体に対して脱脂処理が行われる。磁性材ペースト及び導電性ペーストのバインダー樹脂として熱分解性樹脂が用いられる場合には、成型体に対する脱脂処理は、窒素雰囲気等の非酸素雰囲気下で行うことができる。脱脂処理を非酸素雰囲気下で行うことにより、脱脂処理において軟磁性金属粉に含まれるＦｅが酸化されることを防止できる。脱脂処理は、磁性材ペースト用のバインダー樹脂の熱分解開始温度よりも高い温度で行われる。磁性材ペースト用のバインダー樹脂としてアクリル樹脂が用いられる場合には、脱脂は、アクリル樹脂の熱分解開始温度よりも高い温度、例えば３００℃～５００℃で行われる。脱脂処理により、成型体に含まれる熱分解性樹脂が分解されるので、脱脂処理の完了後の成型体には、熱分解性樹脂は残存しない。脱脂処理が３００℃～５００℃の温度範囲で行われる場合には、軟磁性金属粉において元素（例えば、Ｓｉや元素Ａ）の熱拡散による移動はほとんど起こらない。導電性ペースト用のバインダー樹脂を磁性材ペースト用のバインダー樹脂と同じ熱分解性樹脂とすることにより、ステップＳ４の脱脂処理において、未焼成導体パターンに含まれる熱分解性樹脂も熱分解される。このように、ステップＳ４においては、成型体を構成する磁性体シート及び未焼成導体パターンの両方が脱脂される。
【0069】
次に、ステップＳ５において、脱脂された成型体に対して第１加熱処理が施される。第１加熱処理は、窒素で希釈された水素ガス等の還元雰囲気において第１温度で行われる。第１加熱処理における還元雰囲気の水素濃度は、例えば０．５％～４．０％とされる。第１温度は、６００℃～８００℃の間の温度とすることができる。軟磁性金属粉を６００℃～９００℃で加熱することにより、各軟磁性金属粉においてＳｉ及び元素Ａが熱拡散により表面付近に移動する。第１加熱処理は、還元雰囲気において行われるため、第１加熱処理において、軟磁性金属粉に含まれる元素は酸化されない。第１加熱処理が行われる第１加熱時間は、１時間～６時間の間の時間とすることができる。第１加熱時間は、例えば、１時間とすることができる。１μｍ～５０μｍ程度の平均粒径を有するＦｅ基の軟磁性金属粉においては、６００℃以上の加熱温度で１時間以上加熱することにより、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＡｌ等の添加元素を、各軟磁性金属粉粒子の表面付近まで移動させることができる。
【0070】
次に、ステップＳ６において、第１加熱処理で加熱された後の成型体に対して大気中で第２加熱処理が施される。第２加熱処理は大気中で行われるため、第２加熱処理において、軟磁性金属粉に含まれる元素が酸化される。第１加熱処理において元素Ａ（Ｃｒ及び／又はＡｌ）及びＳｉが軟磁性金属粉の表面付近に移動しているため、第２加熱処理においては、軟磁性金属粉の表面にこれらの元素の酸化物を含む酸化被膜が形成される。また、軟磁性金属粉のうち一部の粒子の内部に酸素が侵入し、この内部に侵入した酸素が軟磁性金属粉の表面よりもやや内側の領域においてＳｉと結合し、Ｓｉ－Ｏ析出物５０が生成される。この第２加熱処理において、軟磁性金属粉の一部は、表面に酸化被膜４１が形成され表面付近にＳｉ－Ｏ析出物５０が析出した第１軟磁性金属粒子３１となり、軟磁性金属粉の残部は、表面に酸化被膜４２が形成された第２軟磁性金属粒子３２となる。上述したとおり、第２軟磁性金属粒子３２は、Ｓｉ－Ｏ析出物５０を含有しない。第１軟磁性金属粒子３１同士が隣接する場合には、それぞれの表面に設けられている酸化被膜４１が互いに結合する。第１軟磁性金属粒子３１と第２軟磁性金属粒子３２とが隣接する場合には、第１軟磁性金属粒子３１の酸化被膜４１と第２軟磁性金属粒子３２の酸化被膜４２とが結合する。
【0071】
第２加熱処理においては、軟磁性金属粉の酸化に加えて、未焼結導体パターン中の導体粉の焼結も起こる。未焼結導体パターン中の導体粉が焼結することで、コイル導体２５が得られる。導体粉として銅粉が用いられる場合には、銅結晶が緻密に焼結し、コイル導体２５となる。
【0072】
第２加熱処理は、第２加熱温度で、第２加熱時間だけ行われる。第２加熱温度及び第２加熱時間は、軟磁性金属粉の表面に絶縁性確保のために十分な膜厚を有する酸化被膜が形成されるように、また、成型体に含まれている軟磁性金属粉のうち１％以上１０％以下の軟磁性金属粉が第１軟磁性金属粒子３１となり残部が第２軟磁性金属粒子３２となるように定められる。また、第２加熱温度は、導電性ペーストに含まれる導体粉が粒成長できる温度であることが望ましい。導体粉がＣｕやＡｇの場合には、６００℃以上で導体粉に結晶粒成長を生じさせることができる。このような観点から、第２加熱温度は、例えば、６００℃から７００℃の間の温度とすることができる。第２加熱温度が高いほど酸化の進行が速いため、第２加熱時間は、第２加熱温度によって変わる。第２加熱温度が６００℃の場合には、第２加熱時間は、１時間から６時間の間とすることができる。第２加熱温度が７００℃の場合には、第２加熱時間は、３０分から１時間の間とすることができる。
【0073】
このように、第２加熱処理により、未焼成導体パターンからコイル導体２５が生成される。また、第２加熱処理により、成型体に含まれる軟磁性金属粉が酸化されて第１軟磁性金属粒子３１又は第２軟磁性金属粒子３２が生成され、第１軟磁性金属粒子３１及び第２軟磁性金属粒子３２が結合した基体１０が得られる。このようにして、基体１０内にコイル導体２５が設けられた成型体が得られる。
【0074】
次に、ステップＳ７において、ステップＳ６で得られた成型体の表面に外部電極２１及び外部電極２２を形成する。外部電極２１は、コイル導体２５の一端に接続され、外部電極２２は、コイル導体２５の他端と接続される。外部電極２１、２２の形成前に、第２加熱処理後の成型体を樹脂に含浸させてもよい。成型体は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に含浸される。これにより、基体１０内の軟磁性金属粒子の隙間に樹脂が浸透する。そして、基体１０に含浸した樹脂を硬化させることにより、基体１０の機械的強度を向上させることができる。
【0075】
以上の工程により、コイル部品１が得られる。
【0076】
【0077】
図８に示されているように、コイル部品１０１は、基体１１０と、基体１１０の巻芯に巻回された巻線１２５と、外部電極１２１と、外部電極１２２と、を備える。巻線１２５は、コイル導体の例である。外部電極１２１は、基体１１０の一方のフランジに設けられ、外部電極１２２は、基体１１０の他方のフランジに設けられている。巻線１２５は、その一端が外部電極１２１電気的に接続され、その他端が外部電極１２２と電気的に接続されるように構成されている。
【0078】
基体１１０は、基体１０と同様に、複数の軟磁性金属粒子を含む。基体１１０に含まれる軟磁性金属粒子には、第１軟磁性金属粒子３１と、第２軟磁性金属粒子３２と、が含まれる。第１軟磁性金属粒子３１にはＳｉ及びＯを含むＳｉ－Ｏ析出物が含まれるのに対して第２軟磁性金属粒子３２にはＳｉ－Ｏ析出物が含まれない。基体１０に関する説明は、文脈に反しない限り、基体１１０にも当てはまる。
【0079】
次に、図９を参照して、圧縮成型法によるコイル部品１０１の製造方法の一例について説明する。
【0080】
圧縮成型法によりコイル部品１０１を製造する場合、まずステップＳ１１において、第１軟磁性金属粒子３１及び第２軟磁性金属粒子３２の原料となる軟磁性金属粉（原料粉）をバインダー樹脂及び溶剤と混練して混合磁性材料を生成する。混合磁性材料は、ペースト状でもよく、造粒された磁性粉の様態であっても良い。
【0081】
次に、ステップＳ１２において、ステップＳ１１で準備された混合磁性材料を金型内に投入し、当該金型内で圧縮成形することで成型体を得る。
【0082】
次に、ステップＳ１３において、ステップＳ１２で得られた成型体が脱脂される。ステップ１３における脱脂は、積層法におけるステップＳ４の脱脂と同様に行われる。
【0083】
次にステップＳ１４において、ステップＳ１３で脱脂された成型体に対して第１加熱処理を行う。ステップ１４における第１加熱処理は、積層法におけるステップＳ５の第１加熱処理と同様に行われる。
【0084】
次に、ステップＳ１５において、ステップＳ１４で第１加熱処理が施された成型体に対して第２加熱処理を行う。ステップ１５における第２加熱処理は、積層法におけるステップＳ６の第２加熱処理と同様に行われる。この第２加熱処理により、成型体から基体１１０が得られる。
【0085】
次に、ステップＳ１６において、ステップＳ１５で得られた基体１１０の巻芯に巻線１２５を巻回する。
【0086】
次に、ステップＳ１７において、基体１１０に外部電極１２１、１２２を形成する。ステップＳ１６で基体１１０に巻回された巻線１２５の両端が、対応する外部電極に接続される。以上により、圧縮成型法により作製された基体１１０を有するコイル部品１０１が作製される。
【0087】
一実施形態による基体１０は、表面領域３１ｂにＳｉ及びＯを含む複数のＳｉ－Ｏ析出物５０を含有する複数の第１軟磁性金属粒子３１と、Ｓｉ－Ｏ析出物を含有しない複数の第２軟磁性金属粒子３２とを含む。第１軟磁性金属粒子３１は、その表面領域３１ｂにおいて中心領域３１ａよりも高い原子割合でＳｉを含有している。同様に、第２軟磁性金属粒子３２は、その表面領域３２ｂにおいて中心領域３２ａよりも高い原子割合でＳｉを含有している。
【0088】
第２加熱処理において、第１軟磁性金属粒子３１となる原料粉粒子の内部（酸化被膜４１よりも内側）に入り込んだ酸素は、表面領域３１ｂにあるＳｉと結合し、Ｓｉ－Ｏ析出物５０が生成される。このため、第１軟磁性金属粒子３１は、表面領域３１ｂにＳｉ－Ｏ析出物５０を含有している。このように、第２加熱処理時に、原料粉粒子の内部に入り込んだ酸素は、表面領域３１ｂに遍在するＳｉにより捕獲されるため、中心領域３１ａにおけるＦｅの酸化が抑制される。
【0089】
本発明者は、軟磁性金属粒子の原料粉には、内部に酸素が侵入しやすい易酸化粒子と、内部に酸素が侵入しにくい難酸化粒子とが混在していることに着目した。例えば、粒径が比較的小さな原料粉粒子は、粒径が比較的大きな原料粉粒子と比べて比表面積が大きい。このことから、第１加熱処理において、熱拡散によりＳｉ及び元素Ａが各軟磁性金属粉粒子の表面付近まで移動すると、粒径が比較的小さな原料粉粉においては、粒径が比較的大きな原料粉と比べて表面積あたりのＳｉ及び元素Ａの量は少なくなるので、原料粉の内部に酸素が侵入しやすくなる。このため、粒径が比較的小さな原料粉粒子は粒径が比較的大きな原料粉粒子と比べて内部へ酸素が侵入しやすい。また、磁性基体の製造工程において（例えば、磁性体シートを作製するための圧縮成型時）、一部の原料粉粒子に比較的大きなひずみが生じることがある。大きなひずみが生じている原料粉粒子の内部にも酸素が侵入しやすい。原料粉の表面にＳｉ及び元素Ａを含む十分な厚さの酸化被膜が形成されると内部に酸素が侵入しにくい難酸化粒子となる。この酸化被膜は第２加熱処理時に形成されるが、原料粉のＦｅの比率が例えば９５ａｔ％以上と非常に高いと酸化被膜の形成に必要なＳｉ及び元素Ａの量が少なくなるため十分な厚みの酸化被膜が形成されにくくなる。一部の原料粉の表面に十分な厚さの酸化被膜が形成されなかった場合には、当該原料粉は、内部に酸素が侵入しやすい易酸化粒子となる。
【0090】
第２加熱処理において、複数の結晶粒から構成される原料粉においては、複数の結晶粒の境界である結晶粒界に沿って酸素が内部に侵入して行くことがある。結晶粒の結晶粒界の近傍（結晶粒界領域３１ｃに相当する領域）には表面領域３１ｂへ熱拡散する途上のＳｉが存在することがある。結晶粒の結晶粒界に入り込んだ酸素は、結晶粒界の近傍にあるＳｉと結合し、結晶粒界領域３１ｃにＳｉ－Ｏ析出物が析出する。このため、第１軟磁性金属粒子３１は、表面領域３１ｂに加えて、結晶粒界領域３１ｃにおいてもＳｉ－Ｏ析出物を含有し得る。このように、第２加熱処理時に、原料粉粒子の表面から内部に入り込んだ酸素は、表面領域３１ｂに遍在するＳｉにより捕獲され、また、結晶粒界から内部に侵入した酸素は、結晶粒界の近傍にあるＳｉにより捕獲されるため、中心領域３１ａにおけるＦｅの酸化が抑制される。
【0091】
第２加熱処理において原料粉の内部に侵入する酸素が過剰になると、次には、表面領域３１ｂに存在するＳｉが全て酸素と結合し、酸素が表面領域３１ｂを超えて中心領域３１ａまで侵入する。中心領域３１ａに侵入した酸素は、中心領域３１ａに存在しているＦｅを酸化させるので、原料粉の内部に酸素が過剰に侵入すると、基体１０の磁気特性（透磁率）が劣化する。原料粉の内部に酸素が侵入した酸素が過剰か否かは、基体１０に含まれる軟磁性金属粒子のうちどの程度の割合の粒子においてＳｉ－Ｏ析出物５０が析出しているかによって（つまり、Ｓｉ－Ｏ析出割合に応じて）判断することができる。例えば、基体１０に含まれる軟磁性金属粒子のうち１％～１０％の粒子においてＳｉ－Ｏ析出物５０が析出している場合（つまり、Ｓｉ－Ｏ析出割合が１％～１０％の範囲にある場合）に、原料粉の内部に適量の酸素が侵入したと判断することができる。Ｓｉ－Ｏ析出割合が１０％を超える場合には、難酸化粒子の一部にも酸素が侵入しているから、易酸化粒子に侵入する酸素は過剰となり、中心領域３１ａにも酸素が到達してしまう。反対に、Ｓｉ－Ｏ析出割合が１％未満の場合には、原料粉の酸化が不十分である可能性があり、酸化被膜４１が軟磁性金属粒子間の電気的な絶縁のために十分な厚さだけ形成されず、基体１０の絶縁特性が劣化してしまうおそれがある。このように、易酸化粒子においてＳｉ－Ｏ析出物５０が生成される一方で難酸化粒子においてはＳｉ－Ｏ析出物５０が生成されない条件で第２加熱処理を行うことにより（具体的には、Ｓｉ－Ｏ析出割合が１％～１０％の範囲となる加熱条件で第２加熱処理を行うことにより）、易酸化粒子の中心領域への過剰な酸素の侵入を抑制し、中心領域３１ａにおけるＦｅの酸化を抑制することができる。この場合、難酸化粒子の中心領域への過剰な酸素の侵入も抑制される。よって、基体１０に含まれる軟磁性金属粒子の各々において、高いＦｅの含有比率を実現することができる。
【0092】
また、コイル部品１、１０１の製造工程において易酸化粒子の内部に酸素が侵入しているため、各原料粉粒子の表面では添加元素の酸化が十分に進行している。よって、各軟磁性金属粒子の表面に絶縁性確保のために必要な厚さを有する酸化被膜４１、４２を形成することができる。
【0093】
さらに、Ｓｉ－Ｏ析出物５０は、Ｆｅと比べて透磁率が低いため、磁性基体において磁気ギャップとして機能する。上記の実施形態においては、第１軟磁性金属粒子３１の表面領域３１ｂにＳｉ－Ｏ析出物５０を有しているので、このＳｉ－Ｏ析出物５０が磁気ギャップとして機能することにより、コイル部品１、１０１の直流重畳特性を向上させることができる。第１軟磁性金属粒子３１の表面領域３１ｂ及び結晶粒界領域３１ｃの両方にＳｉ－Ｏ析出物５０を有している場合には、磁気ギャップとして機能する領域が増加するから、コイル部品１、１０１の直流重畳特性をさらに向上させることができる。
【実施例0094】
上記のステップＳ１～Ｓ３に従い、以下のようにして未加熱のチップ積層体を１０個作製した。まず、平均粒径４μｍのＦｅ基軟磁性金属粉（原料粉）を準備した。質量基準で表した軟磁性金属粉の組成比は、Ｆｅ：９７．５ｗｔ％。Ｓｉ：２ｗｔ％、Ｃｒ：０．５％であった。次に、原料粉をアクリル樹脂及び溶剤と混練して混合樹脂組成物を生成した。次に、混合樹脂組成物をＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗工し、この塗工された混合樹脂組成物を乾燥させて溶剤を揮発させることでシート形状の樹脂成型体を得た。次に、このシート形状の樹脂成型体を複数枚積層して積層体を得た。次に、この積層体を金型内に投入し、金型内で７ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力で加圧することで、厚さが０．５ｍｍのシート形状の圧縮成型体を得た。この圧縮成型体を外径１０ｍｍ、内径５ｍｍ、厚さ０．５５ｍｍのトロイダル形状に打ち抜いた。シート形状の圧縮成型体をダイシングし、長さ１．６ｍｍ、幅０．８ｍｍ、高さ０．５ｍｍのチップ状の素体を作製した。
【0095】
次に、このトロイダル形状に打ち抜かれた素体及びチップ状の素体の各々に、上記のステップＳ４～Ｓ６に従って、表１に示す条件で、脱脂処理、第１加熱処理、第２加熱処理を行って、トロイダル形状の試料Ａ１～試料Ａ１１及びチップ形状の試料Ｂ１～Ｂ１１を得た。例えば、試料Ａ１及び試料Ｂ１は、表１において、試料番号１（Ｎｏ．１）の項目に示されている条件で作製された試料である。試料Ａ２・・・試料Ａ１１、試料Ｂ２・・・試料Ｂ１１も同様に、表１において、試料番号２・・・試料番号１１（Ｎｏ．２～Ｎｏ．１１）の項目に示されている条件で作製された試料である。
【表1】
【0096】
以上のようにして作製された試料Ａ１～試料Ａ１１の各々について、Ａｇｉｌｅｎｔ社製のマテリアルアナライザＥ４９９１Ａを用いて、１ＭＨｚ～１ＧＨｚ間の周波数における透磁率を測定した。図１０に、試料Ａ１～試料Ａ３及び試料Ａ８についての透磁率の周波数特性の測定結果を示す。図１０のグラフにおいて、横軸は周波数を表し、縦軸は透磁率を表す。コイル部品１は、例えば、１０ＭＨｚ近辺での使用が想定されるので、図１０では１ＭＨｚ以上の領域における透磁率の想定結果を示している。図１０に示されているように、試料Ａ１～試料Ａ３においては、スネークの限界が１０ＭＨｚより大きく１００ＭＨｚ近辺にある。図示は省略されているが、試料Ａ４～Ａ７についても、スネークの限界は、１００ＭＨｚ近辺であった。これに対して、試料Ａ８は、スネークの限界が１ＭＨｚよりも小さく、図１０に示されている周波数領域では、透磁率は既に１０よりも小さい値まで低下している。試料Ａ９～試料Ａ１１についても試料Ａ８と同様に、スネークの限界は１ＭＨｚよりも小さく、１０ＭＨｚ周辺での透磁率は、１０よりも小さかった。試料Ａ８～Ａ１１においてスネークの限界が低周波領域（１ＭＨｚ以下の領域）にシフトしているのは、軟磁性金属粒子における熱拡散及び酸化が過剰に進行し、その結果、軟磁性金属粒子の表面に形成された酸化被膜が軟磁性金属粒子間の空隙に析出したことにより、軟磁性金属粒子間の絶縁が不十分になったためと考えられる。
【0097】
また、試料Ｂ１～Ｂ１１の各々をエポキシ樹脂に包埋し、このエポキシ樹脂に包埋された試料Ｂ１～Ｂ１１の各々の表面を研磨した。この研磨面に５ｎｍ厚でＯｓコーティングを形成した。このＯｓコーティングされた試料Ｂ１～Ｂ１１の各々の研磨面を５０００倍の倍率で撮影したＳＥＭ像を取得した。試料Ｂ１～Ｂ１１の各々の研磨面の撮影は、株式会社日立ハイテク製の走査型電子顕微鏡ＳＵ７０００を用いて、各研磨面に加速電圧５ｋＶで電子ビームを照射することで行った。また、試料Ｂ１～Ｂ１１の各々の研磨面について、ＳＥＭ－ＥＤＳ分析を行い、Ｓｉ元素、Ｃｒ元素、及びＯ元素の分布画像を得た。ＥＤＳ分析は、アメテック株式会社製のエネルギー分散型Ｘ線分光検出器Ｏｃｔａｎｅ Ｅｌｉｔｅを用いて行った。
【0098】
試料Ｂ１～Ｂ７のＳＥＭ像においては、観察視野に含まれる各軟磁性金属粒子の表面に酸化被膜が形成されていることが確認できた。具体的には、各軟磁性金属粒子において、その表面に内部とは明度が異なる薄い層状の領域が存在することが確認された。また、撮影したＳＥＭ像においてＥＤＳ分析を行い、Ｃｒ元素、Ｓｉ元素、及びＯ元素の分布画像を得た。この分布画像により、各軟磁性金属粒子の表面には、Ｓｉ元素、Ｃｒ元素、及びＯ元素が層状に分布していることが確認できた。以上により、試料Ｂ１～Ｂ７においては、各軟磁性金属粒子の表面にＳｉの酸化物及びＣｒの酸化物を含む酸化被膜が形成されていることが確認できた。他方、試料Ｂ８～Ｂ１１のＳＥＭ像においては、観察視野内の軟磁性金属粒子の表面を層状に覆う酸化被膜が存在していなかった。試料Ｂ８～Ｂ１１において、軟磁性金属粒子を覆う酸化被膜が確認できなかったのは、軟磁性金属粒子の表面に一旦形成された酸化被膜が、高い加熱温度及び／又は長い加熱時間の影響で、軟磁性金属粒子の隙間に拡散してしまったためと考えられる。試料Ｂ８～Ｂ１１において酸化被膜が確認できなかったことは、試料Ａ８～Ａ１１の絶縁性が低いこと（スネークの限界が１ＭＨｚ未満の低周波側にシフトしていること）と整合している。
【0099】
また、試料Ｂ１～Ｂ１１の各々について、Ｓｉ元素とＯ元素との混合マップから、Ｓｉ－Ｏ析出物が存在している領域を確認し、Ｓｉ－Ｏ析出割合を求めた。各試料についての確認結果は、以下のとおりである。
・試料Ｂ１
観察視野内に３７２個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち１６個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約４％であった。
・試料Ｂ２
観察視野内に３６０個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち３２個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約９％であった。
・試料Ｂ３
観察視野内に４１２個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち８個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約２％であった。
・試料Ｂ４
観察視野内に４０７個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち９個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約２％であった。
・試料Ｂ５
観察視野内に３９７個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち４個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約１％であった。
・試料Ｂ６
観察視野内に４２０個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち１０個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約２％であった。
・試料Ｂ７
観察視野内に３８８個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち２１個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約５％であった。
・試料Ｂ８
観察視野内に３６３個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち３５２個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約９７％であった。
・試料Ｂ９
観察視野内に３４９個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち１０１個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約２９％であった。
・試料Ｂ１０
観察視野内に３８９個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち７２個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約１９％であった。
・試料Ｂ１１
観察視野内に３５１個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち８３個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約２４％であった。
・試料Ｂ１
観察視野内に３７２個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち１６個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約４％であった。
・試料Ｂ２
観察視野内に３６０個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち３２個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約９％であった。
・試料Ｂ３
観察視野内に４１２個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち８個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約２％であった。
・試料Ｂ４
観察視野内に４０７個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち９個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約２％であった。
・試料Ｂ５
観察視野内に３９７個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち４個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約１％であった。
・試料Ｂ６
観察視野内に４２０個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち１０個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約２％であった。
・試料Ｂ７
観察視野内に３８８個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち２１個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約５％であった。
・試料Ｂ８
観察視野内に３６３個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち３５２個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約９７％であった。
・試料Ｂ９
観察視野内に３４９個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち１０１個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約２９％であった。
・試料Ｂ１０
観察視野内に３８９個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち７２個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約１９％であった。
・試料Ｂ１１
観察視野内に３５１個の軟磁性金属粒子が含まれており、そのうち８３個の軟磁性金属粒子にＳｉ－Ｏ析出物が存在していた。よって、観察視野内のＳｉ－Ｏ析出割合は、約２４％であった。
【0100】
試料Ｂ１～Ｂ７においては、Ｓｉ－Ｏ析出物は、各軟磁性金属粒子の表面（酸化被膜との界面）から０．４μｍ以内の領域（表面領域３１ｂに相当する。）に局所的に存在していた。試料Ｂ１、Ｂ２、Ｂ７においては、一部の軟磁性金属粒子のＳｉ－Ｏ析出物は、各軟磁性金属粒子の表面（酸化被膜との界面）から０．４μｍ以内の領域（表面領域３１ｂに相当する。）に加えて、各結晶粒の結晶粒界から０．４μｍ以内の領域（結晶粒界領域３１ｃに相当する。）にも局所的に存在していた。試料Ｂ８～Ｂ１１においては、Ｓｉ－Ｏ析出物が中心領域３１ａ内において、結晶粒界領域３１ｃだけでなく結晶粒内側領域３１ｄにも遍く存在していた。中心領域３１ａ（軟磁性金属粒子が結晶粒を有する場合には、結晶粒内側領域３１ｄ）にＳｉ－Ｏ析出物が存在していることから、試料Ｂ８～Ｂ１１においては、酸素が表面領域３１ｂや結晶粒界領域３１ｃを超えて中心領域３１ａ（軟磁性金属粒子が結晶粒を有する場合には、結晶粒内側領域３１ｄ）に侵入していることが分かる。
【0101】
試料Ｂ１～Ｂ７の軟磁性金属粒子のうち中心領域３１ａに相当する領域に含まれるＦｅの含有比率を、エネルギー分散型Ｘ線分光検出器により定量した。具体的には、図５ａのようにＳｉ－Ｏ析出物５０が表面領域３１ｂに含有される一方で中心領域３１ａに含有されていない軟磁性金属粒子については、中心領域３１ａに含まれるＦｅの含有比率を、エネルギー分散型Ｘ線分光検出器により測定した。また、図５ｂのようにＳｉ－Ｏ析出物５０が、表面領域３１ｂ及び結晶粒界領域３１ｃに岩入されている軟磁性金属粒子については、結晶粒内側領域３１ｄに含まれるＦｅの含有比率を、エネルギー分散型Ｘ線分光検出器により定量した。その結果、試料Ｂ１～Ｂ７に含まれる軟磁性金属粒子の中心領域３１ａ又は結晶内側領域におけるＦｅの含有比率はそれぞれ、９９．５ａｔ％、９８．２ａｔ％、９７．８ａｔ％、９９．１ａｔ％、９７．０ａｔ％、９８．５ａｔ％、及び９８．８ａｔ％であった。
【0102】
以上の結果から、第２加熱処理における加熱温度が高くなるほど、また、第２加熱処理における加熱時間が長くなるほど、軟磁性金属粒子に含まれる元素の酸化が進みやすく、その結果、Ｓｉ－Ｏ析出物が析出しやすくなる（つまり、Ｓｉ－Ｏ析出割合が高くなる）ことが分かる。そして、試料Ａ１～Ａ７について測定した透磁率の周波数特性から、Ｓｉ－Ｏ析出割合を１％から１０％の範囲とすることにより、基体１０に含まれる軟磁性金属粒子間の絶縁性が高く、１０ＭＨｚでも高い透磁率を維持できることが分かる。また、試料Ｂ１～Ｂ７において中心領域３１ａにおけるＦｅの含有比率が９７ａｔ％以上であることから、Ｓｉ－Ｏ析出割合が１％から１０％の範囲である場合に、高いＦｅの含有比率を実現できることが分かる。
【0103】
Ｃｒの代わりにＡｌを用いて上記と同じ条件での実験を行った。Ｃｒの代わりにＡｌを用いた場合にも、試料Ａ１～Ａ１１及びＢ１～Ｂ１１と同様の実験結果が得られた。
【0104】
本明細書において説明された製造方法に含まれる工程の一部は、適宜省略可能である。コイル部品１の製造方法においては、本明細書において明示的に説明されていない工程が必要に応じて実行され得る。上記のコイル部品１の製造方法に含まれる各工程の一部は、本発明の趣旨から逸脱しない限り、随時順番を入れ替えて実行され得る。上記のコイル部品１の製造方法に含まれる各工程の一部は、可能であれば、同時に又は並行して実行され得る。
【0105】
前述の様々な実施形態で説明された各構成要素の寸法、材料及び配置は、それぞれ、各実施形態で明示的に説明されたものに限定されず、当該各構成要素は、本発明の範囲に含まれ得る任意の寸法、材料及び配置を有するように変形することができる。
【0106】
本明細書において明示的に説明していない構成要素を、上述の各実施形態に付加することもできるし、各実施形態において説明した構成要素の一部を省略することもできる。
【0107】
本明細書等における「第１」、「第２」、「第３」などの表記は、構成要素を識別するために付するものであり、必ずしも、数、順序、もしくはその内容を限定するものではない。また、構成要素の識別のための番号は文脈毎に用いられ、一つの文脈で用いた番号が、他の文脈で必ずしも同一の構成を示すとは限らない。また、ある番号で識別された構成要素が、他の番号で識別された構成要素の機能を兼ねることを妨げるものではない。
【0108】
本明細書では、以下の技術も開示される。
［付記１］
Ｆｅ及びＳｉを含有する複数の軟磁性金属粒子と、
前記複数の軟磁性金属粒子の各々の表面に設けられており、Ｓｉの酸化物及び元素Ａ（ただし、元素Ａは、Ｃｒ及びＡｌから成る群より選択される少なくとも一つの元素である。）の酸化物を含む酸化被膜と、
を有する磁性基体と、
前記磁性基体に設けられたコイル導体と、を備え、
前記軟磁性金属粒子の各々は、中心領域 と、前記中心領域よりも径方向外側において前記第１軟磁性金属粒子の前記表面に沿って延びており前記中心領域よりも高い原子割合でＳｉを含有する表面領域 と、に区画され、
前記複数の軟磁性金属粒子は、前記表面領域にＳｉ及びＯを含む複数の互いに離間したＳｉ－Ｏ析出物を含有する複数の第１軟磁性金属粒子と、前記Ｓｉ－Ｏ析出物を含有しない複数の第２軟磁性金属粒子と、を含む、
コイル部品。
［付記１］
Ｆｅ及びＳｉを含有する複数の軟磁性金属粒子と、
前記複数の軟磁性金属粒子の各々の表面に設けられており、Ｓｉの酸化物及び元素Ａ（ただし、元素Ａは、Ｃｒ及びＡｌから成る群より選択される少なくとも一つの元素である。）の酸化物を含む酸化被膜と、
を有する磁性基体と、
前記磁性基体に設けられたコイル導体と、を備え、
前記軟磁性金属粒子の各々は、中心領域 と、前記中心領域よりも径方向外側において前記第１軟磁性金属粒子の前記表面に沿って延びており前記中心領域よりも高い原子割合でＳｉを含有する表面領域 と、に区画され、
前記複数の軟磁性金属粒子は、前記表面領域にＳｉ及びＯを含む複数の互いに離間したＳｉ－Ｏ析出物を含有する複数の第１軟磁性金属粒子と、前記Ｓｉ－Ｏ析出物を含有しない複数の第２軟磁性金属粒子と、を含む、
コイル部品。
【0109】
［付記２］
前記複数の第１軟磁性金属粒子のうちの少なくとも一つは、複数の結晶粒を有し、前記複数の結晶粒の結晶粒界の近傍にある結晶粒界領域にも前記Ｓｉ－Ｏ析出物を含有する、
［付記１］に記載のコイル部品。
前記複数の第１軟磁性金属粒子のうちの少なくとも一つは、複数の結晶粒を有し、前記複数の結晶粒の結晶粒界の近傍にある結晶粒界領域にも前記Ｓｉ－Ｏ析出物を含有する、
［付記１］に記載のコイル部品。
【0110】
［付記３］
前記複数の軟磁性金属粒子の各々は、前記中心領域において、９５ａｔ％以上のＦｅを含有する、
付記１又は付記２に記載のコイル部品。
前記複数の軟磁性金属粒子の各々は、前記中心領域において、９５ａｔ％以上のＦｅを含有する、
付記１又は付記２に記載のコイル部品。
【0111】
［付記４］
前記複数の第１軟磁性金属粒子の各々は、前記結晶粒界領域によって囲まれている内側領域において、９７ａｔ％以上のＦｅを含有する、
［付記１］から［付記３］のいずれか１項に記載のコイル部品。
［付記５］
前記複数の第１軟磁性金属粒子の各々は、前記内側領域において、９８ａｔ％以上のＦｅを含有する、
［付記１］から［付記４］のいずれか１項に記載のコイル部品。
前記複数の第１軟磁性金属粒子の各々は、前記結晶粒界領域によって囲まれている内側領域において、９７ａｔ％以上のＦｅを含有する、
［付記１］から［付記３］のいずれか１項に記載のコイル部品。
［付記５］
前記複数の第１軟磁性金属粒子の各々は、前記内側領域において、９８ａｔ％以上のＦｅを含有する、
［付記１］から［付記４］のいずれか１項に記載のコイル部品。
【0112】
［付記６］
前記複数の第１軟磁性金属粒子の各々は、前記内側領域において、９９ａｔ％以上のＦｅを含有する、
［付記１］から［付記５］のいずれか１項に記載のコイル部品。
前記複数の第１軟磁性金属粒子の各々は、前記内側領域において、９９ａｔ％以上のＦｅを含有する、
［付記１］から［付記５］のいずれか１項に記載のコイル部品。
【0113】
［付記７］
前記複数の軟磁性金属粒子の各々は、前記中心領域において元素Ａを含有しない、
［付記１］から［付記６］のいずれか１項に記載のコイル部品。
前記複数の軟磁性金属粒子の各々は、前記中心領域において元素Ａを含有しない、
［付記１］から［付記６］のいずれか１項に記載のコイル部品。
【0114】
［付記８］
前記複数の軟磁性金属粒子の各々は、前記中心領域
において０．０１ａｔ％以上１．０ａｔ％以下のＳｉを含有する、
［付記１］から［付記７］のいずれか１項に記載のコイル部品。
前記複数の軟磁性金属粒子の各々は、前記中心領域
において０．０１ａｔ％以上１．０ａｔ％以下のＳｉを含有する、
［付記１］から［付記７］のいずれか１項に記載のコイル部品。
【0115】
［付記９］
前記Ｓｉ－Ｏ析出物は、前記中心領域には含有されない、
［付記１］から［付記８］のいずれか１項に記載のコイル部品。
前記Ｓｉ－Ｏ析出物は、前記中心領域には含有されない、
［付記１］から［付記８］のいずれか１項に記載のコイル部品。
【0116】
［付記１０］
観察視野に含まれる前記複数の軟磁性金属粒子の総数のうち、第１軟磁性金属粒子は、１％～１０％を占める、
［付記１］から［付記９］のいずれか１項に記載のコイル部品。
観察視野に含まれる前記複数の軟磁性金属粒子の総数のうち、第１軟磁性金属粒子は、１％～１０％を占める、
［付記１］から［付記９］のいずれか１項に記載のコイル部品。
【0117】
［付記１１］
前記酸化被膜は、Ｆｅの酸化物を有する、
［付記１］から［付記１０］のいずれか１項に記載のコイル部品。
前記酸化被膜は、Ｆｅの酸化物を有する、
［付記１］から［付記１０］のいずれか１項に記載のコイル部品。
【0118】
［付記１２］
前記複数の軟磁性金属粒子は、一の軟磁性金属粒子と、前記一の軟磁性金属粒子に隣接する他の軟磁性金属粒子と、を含み、前記一の軟磁性金属粒子と前記他の軟磁性金属粒子とは前記一の軟磁性金属粒子の表面を覆う前記酸化被膜及び前記他の軟磁性金属粒子の表面を覆う前記酸化被膜により結合されている、
［付記１］から［付記１１］のいずれか１項に記載のコイル部品。
前記複数の軟磁性金属粒子は、一の軟磁性金属粒子と、前記一の軟磁性金属粒子に隣接する他の軟磁性金属粒子と、を含み、前記一の軟磁性金属粒子と前記他の軟磁性金属粒子とは前記一の軟磁性金属粒子の表面を覆う前記酸化被膜及び前記他の軟磁性金属粒子の表面を覆う前記酸化被膜により結合されている、
［付記１］から［付記１１］のいずれか１項に記載のコイル部品。
【0119】
［付記１３］
前記複数の軟磁性金属粒子のうちの一の軟磁性金属粒子において、前記表面領域の径方向における幅は、前記一の軟磁性金属粒子のヘイウッド径の１０％以下である、
［付記１］から［付記１２］のいずれか１項に記載のコイル部品。
前記複数の軟磁性金属粒子のうちの一の軟磁性金属粒子において、前記表面領域の径方向における幅は、前記一の軟磁性金属粒子のヘイウッド径の１０％以下である、
［付記１］から［付記１２］のいずれか１項に記載のコイル部品。
【0120】
［付記１４］
［付記１］から［付記１３］のいずれか１項に記載のコイル部品を含む、回路基板。
［付記１］から［付記１３］のいずれか１項に記載のコイル部品を含む、回路基板。
【0121】
［付記１５］
［付記１４］に記載の回路基板を含む、電子部品。
［付記１４］に記載の回路基板を含む、電子部品。
【0122】
［付記１６］
Ｆｅ、Ｓｉ及び元素Ａ（ただし、元素Ａは、Ｃｒ及びＡｌから成る群より選択される少なくとも一つの元素である。）を含有する複数の軟磁性金属粉を樹脂と混合して得られた混合樹脂組成物から成型体を得る工程と、
前記成型体を還元雰囲気下において第１温度で加熱する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程の後に、前記成型体を、酸素を含む酸素雰囲気において加熱することで、前記複数の軟磁性金属粉の各々の表面にＳｉの酸化物及び元素Ａの酸化物を含む酸化被膜を形成するとともに、前記複数の軟磁性金属粉の一部のみの表面領域にＳｉ－Ｏ析出物を析出させる第２加熱工程と、
を備える磁性基体の製造方法。
Ｆｅ、Ｓｉ及び元素Ａ（ただし、元素Ａは、Ｃｒ及びＡｌから成る群より選択される少なくとも一つの元素である。）を含有する複数の軟磁性金属粉を樹脂と混合して得られた混合樹脂組成物から成型体を得る工程と、
前記成型体を還元雰囲気下において第１温度で加熱する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程の後に、前記成型体を、酸素を含む酸素雰囲気において加熱することで、前記複数の軟磁性金属粉の各々の表面にＳｉの酸化物及び元素Ａの酸化物を含む酸化被膜を形成するとともに、前記複数の軟磁性金属粉の一部のみの表面領域にＳｉ－Ｏ析出物を析出させる第２加熱工程と、
を備える磁性基体の製造方法。
【0123】
［付記１７］
前記樹脂が熱分解性樹脂であり、
前記成型体を非酸素雰囲気にて脱脂する工程をさらに備える、
［付記１６］に記載の磁性基体の製造方法。
前記樹脂が熱分解性樹脂であり、
前記成型体を非酸素雰囲気にて脱脂する工程をさらに備える、
［付記１６］に記載の磁性基体の製造方法。
【0124】
［付記１８］
前記複数の軟磁性合金粉におけるＳｉの原子割合は、元素Ａの合計の原子割合よりも大きい、
［付記１６］又は［付記１７］に記載の磁性基体の製造方法。
前記複数の軟磁性合金粉におけるＳｉの原子割合は、元素Ａの合計の原子割合よりも大きい、
［付記１６］又は［付記１７］に記載の磁性基体の製造方法。
【符号の説明】
【0125】
１ コイル部品
１０ 基体（磁性基体）
２１、２２ 外部電極
３１ 第１軟磁性金属粒子
３１ａ、３２ａ 中心領域
３１ｂ、３２ｂ 表面領域
３２ 第２軟磁性金属粒子
４１、４２ 酸化皮膜
５０ Ｓｉ－Ｏ析出物
１０ 基体（磁性基体）
２１、２２ 外部電極
３１ 第１軟磁性金属粒子
３１ａ、３２ａ 中心領域
３１ｂ、３２ｂ 表面領域
３２ 第２軟磁性金属粒子
４１、４２ 酸化皮膜
５０ Ｓｉ－Ｏ析出物
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5a】
【図5b】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
