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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023177584
(43)【公開日】2023-12-14
(54)【発明の名称】受動部品、三次元デバイスおよび受動部品の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/822 20060101AFI20231207BHJP
H01F 27/00 20060101ALI20231207BHJP
H01F 41/04 20060101ALI20231207BHJP
H01F 17/00 20060101ALI20231207BHJP
H01G 4/30 20060101ALI20231207BHJP
H01G 4/33 20060101ALI20231207BHJP
【ＦＩ】
H01L27/04 L
H01F27/00 S
H01F41/04 C
H01F17/00 C
H01G4/30 541
H01G4/33 102
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022090324
(22)【出願日】2022-06-02
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100132252
【弁理士】
【氏名又は名称】吉田 環
(74)【代理人】
【識別番号】100189555
【弁理士】
【氏名又は名称】徳山 英浩
(72)【発明者】
【氏名】吉岡 由雅
【テーマコード（参考）】
5E001
5E062
5E070
5E082
5F038
【Ｆターム（参考）】
5E001AB06
5E062EE01
5E062EE10
5E070AA05
5E070AB01
5E070CB13
5E070DB08
5E082EE05
5E082FF05
5E082FG03
5F038AZ04
5F038EZ07
5F038EZ14
5F038EZ15
5F038EZ20
(57)【要約】
【課題】積層型半導体パッケージなどのデバイス全体の薄型化を図ることができる、受動部品を提供する。
【解決手段】受動部品は、第１主面を有する本体部と、少なくとも一部が前記本体部の内部に設けられた受動素子と、を備え、前記第１主面は、少なくとも一部に無機物からなり且つ表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を含む。
【選択図】図１
【解決手段】受動部品は、第１主面を有する本体部と、少なくとも一部が前記本体部の内部に設けられた受動素子と、を備え、前記第１主面は、少なくとも一部に無機物からなり且つ表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を含む。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１主面を有する本体部と、
少なくとも一部が前記本体部の内部に設けられた受動素子と、を備え、
前記第１主面は、少なくとも一部に無機物からなり且つ表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を含む、受動部品。
少なくとも一部が前記本体部の内部に設けられた受動素子と、を備え、
前記第１主面は、少なくとも一部に無機物からなり且つ表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を含む、受動部品。
【請求項2】
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機物からなる無機層と、前記無機層の前記第１主面から前記第２主面に前記無機層を貫通する貫通配線と、を含み、
前記無機層の前記第１主面と、前記無機層の前記第１主面から露出する前記貫通配線の露出面とが、前記本体部の前記第１主面を構成する、請求項１に記載の受動部品。
前記無機層の前記第１主面と、前記無機層の前記第１主面から露出する前記貫通配線の露出面とが、前記本体部の前記第１主面を構成する、請求項１に記載の受動部品。
【請求項3】
前記貫通配線は、無機物からなり、
前記貫通配線の前記露出面が、前記平坦面の少なくとも一部を構成する、請求項２に記載の受動部品。
前記貫通配線の前記露出面が、前記平坦面の少なくとも一部を構成する、請求項２に記載の受動部品。
【請求項4】
前記無機層は、アモルファスまたは単結晶である、請求項２または３に記載の受動部品。
【請求項5】
前記受動素子は、コイルを含み、
前記コイルは、前記本体部の前記第１主面に平行な中心軸を有する、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
前記コイルは、前記本体部の前記第１主面に平行な中心軸を有する、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
【請求項6】
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機物からなる無機層と、前記無機層の前記第２主面に設けられた有機絶縁層と、を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記受動素子は、少なくとも一部が前記有機絶縁層の内部に設けられたコイルを含み、
前記コイルは、前記無機層と前記有機絶縁層の両方に接触する、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記受動素子は、少なくとも一部が前記有機絶縁層の内部に設けられたコイルを含み、
前記コイルは、前記無機層と前記有機絶縁層の両方に接触する、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
【請求項7】
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記無機層の厚みは、前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記受動素子の厚みよりも薄い、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記無機層の厚みは、前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記受動素子の厚みよりも薄い、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
【請求項8】
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記受動素子は、前記本体部の前記第１主面に平行な中心軸を有するコイルを含み、
前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記無機層の厚みは、前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記コイルの厚みよりも薄い、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記受動素子は、前記本体部の前記第１主面に平行な中心軸を有するコイルを含み、
前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記無機層の厚みは、前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記コイルの厚みよりも薄い、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
【請求項9】
前記本体部は、前記第１主面に対向する第２主面を有し、
前記本体部の前記第２主面に設けられた、有機絶縁樹脂からなる絶縁体をさらに備え、
前記受動素子の少なくとも一部は、前記本体部の前記第２主面から露出し、
前記本体部の前記第２主面から露出する前記受動素子の露出部分は、前記絶縁体で覆われている、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
前記本体部の前記第２主面に設けられた、有機絶縁樹脂からなる絶縁体をさらに備え、
前記受動素子の少なくとも一部は、前記本体部の前記第２主面から露出し、
前記本体部の前記第２主面から露出する前記受動素子の露出部分は、前記絶縁体で覆われている、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
【請求項10】
前記受動素子は、コイルを含み、
前記コイルは、前記本体部の前記第１主面に直交する中心軸を有する、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
前記コイルは、前記本体部の前記第１主面に直交する中心軸を有する、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
【請求項11】
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層と、前記無機層の前記第２主面に設けられた磁性部と、を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記受動素子は、コイルを含み、
前記コイルは、前記磁性部で覆われている、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記受動素子は、コイルを含み、
前記コイルは、前記磁性部で覆われている、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
【請求項12】
前記コイルは、前記第１主面に平行な平面に沿って巻き回され、
前記本体部は、前記コイルにおいて前記本体部の前記第１主面に直交する側面に少なくとも設けられた有機絶縁部をさらに含み、
前記磁性部は、前記コイルと前記有機絶縁部とを覆い、
前記コイルは、前記有機絶縁部と前記磁性部とに接触する、請求項１１に記載の受動部品。
前記本体部は、前記コイルにおいて前記本体部の前記第１主面に直交する側面に少なくとも設けられた有機絶縁部をさらに含み、
前記磁性部は、前記コイルと前記有機絶縁部とを覆い、
前記コイルは、前記有機絶縁部と前記磁性部とに接触する、請求項１１に記載の受動部品。
【請求項13】
前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記有機絶縁部の厚みは、前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記コイルの厚みよりも厚い、請求項１２に記載の受動部品。
【請求項14】
前記本体部は、前記第１主面に対向する第２主面をさらに有し、
前記第２主面は、少なくとも一部に無機物からなる平坦面を含む、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
前記第２主面は、少なくとも一部に無機物からなる平坦面を含む、請求項１から３の何れか一つに記載の受動部品。
【請求項15】
１つ以上の受動素子をさらに備え、
前記１つ以上の受動素子は、インダクタ素子とコンデンサ素子と抵抗素子とのうちの少なくとも１つである、請求項１４に記載の受動部品。
前記１つ以上の受動素子は、インダクタ素子とコンデンサ素子と抵抗素子とのうちの少なくとも１つである、請求項１４に記載の受動部品。
【請求項16】
前記１つ以上の受動素子は、インダクタ素子とコンデンサ素子とを少なくとも含み、
前記本体部は、前記本体部の前記第１主面から前記第２主面に向かって延在し、前記本体部の前記第１主面および前記第２主面の各々から露出する導通配線をさらに含み、
前記導通配線は、前記インダクタ素子と前記コンデンサ素子とから電気的に独立している、請求項１５に記載の受動部品。
前記本体部は、前記本体部の前記第１主面から前記第２主面に向かって延在し、前記本体部の前記第１主面および前記第２主面の各々から露出する導通配線をさらに含み、
前記導通配線は、前記インダクタ素子と前記コンデンサ素子とから電気的に独立している、請求項１５に記載の受動部品。
【請求項17】
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層と、前記無機層の前記第１主面から前記第２主面に前記無機層を貫通する貫通配線と、を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記１つ以上の受動素子は、インダクタ素子とコンデンサ素子とを少なくとも含み、
前記インダクタ素子は、コイルを含み、
前記コンデンサ素子は、対向する２つのコンデンサ電極と、前記２つのコンデンサ電極の間に配置された誘電層と、を含み、
前記２つのコンデンサ電極の導電材料は、前記貫通配線と前記コイルの各々の導電材料と異なり、前記本体部は、前記コイルを少なくとも覆う絶縁層を含み、前記誘電層の材料は、前記絶縁層の材料と同じである、請求項１５に記載の受動部品。
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記１つ以上の受動素子は、インダクタ素子とコンデンサ素子とを少なくとも含み、
前記インダクタ素子は、コイルを含み、
前記コンデンサ素子は、対向する２つのコンデンサ電極と、前記２つのコンデンサ電極の間に配置された誘電層と、を含み、
前記２つのコンデンサ電極の導電材料は、前記貫通配線と前記コイルの各々の導電材料と異なり、前記本体部は、前記コイルを少なくとも覆う絶縁層を含み、前記誘電層の材料は、前記絶縁層の材料と同じである、請求項１５に記載の受動部品。
【請求項18】
請求項１から３の何れか１つに記載の受動部品と、
前記受動部品の前記平坦面に接合された半導体集積回路部品と、を備える、三次元デバイス。
前記受動部品の前記平坦面に接合された半導体集積回路部品と、を備える、三次元デバイス。
【請求項19】
請求項１から３の何れか１つに記載の受動部品と、
前記受動部品の前記平坦面に接合された受動部品と、を備える、三次元デバイス。
前記受動部品の前記平坦面に接合された受動部品と、を備える、三次元デバイス。
【請求項20】
無機物からなり、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層を準備する工程と、
前記無機層の前記第２主面側に受動素子を設けて、前記無機層と前記受動素子の少なくとも一部とを含む本体部を形成する工程と、
前記無機層の前記第１主面を研磨して、表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を設ける工程と、を備える、受動部品の製造方法。
前記無機層の前記第２主面側に受動素子を設けて、前記無機層と前記受動素子の少なくとも一部とを含む本体部を形成する工程と、
前記無機層の前記第１主面を研磨して、表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を設ける工程と、を備える、受動部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、受動部品、三次元デバイスおよび受動部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、積層型半導体パッケージの小型化と高性能化に伴い、電子回路の集積化がより進んでいる。従来、積層型半導体パッケージとしては、特許第５４４８３９３号公報（特許文献１）に記載されたものがある。この積層型半導体パッケージは、第１半導体パッケージと、第１半導体パッケージに積層された第２半導体パッケージと、第１半導体パッケージと第２半導体パッケージとの間に設けられ第１半導体パッケージおよび第２半導体パッケージに接続されるコンデンサとを有する。コンデンサは、受動部品の一例である。このように、第１半導体パッケージ、第２半導体パッケージおよびコンデンサを積層することで、フットプリント（回路や部品の面積）を小さくしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第５４４８３９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、前記従来の積層型半導体パッケージでは、第１半導体パッケージ、第２半導体パッケージおよびコンデンサを、半田ボールや半田ペーストを用いて接続しているため、積層型半導体パッケージの全体の厚みが厚くなり、薄型化を実現することは難しい。
【0005】
そこで、本開示の目的は、積層型半導体パッケージなどのデバイス全体の薄型化を図ることができる、受動部品、三次元デバイスおよび受動部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
前記課題を解決するため、本開示の一態様である受動部品は、
第１主面を有する本体部と、
少なくとも一部が前記本体部の内部に設けられた受動素子と、を備え、
前記第１主面は、少なくとも一部に無機物からなり且つ表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を含む。
第１主面を有する本体部と、
少なくとも一部が前記本体部の内部に設けられた受動素子と、を備え、
前記第１主面は、少なくとも一部に無機物からなり且つ表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を含む。
【0007】
前記態様によれば、本体部の第１主面が、少なくとも一部に無機物からなる平坦面を含むため、平坦面を有する他の電子部品などと接合する際に、平坦面同士を接触した状態で接合できる。そのため、積層型半導体パッケージなどのデバイス全体の薄型化を図ることができる。
【0008】
好ましくは、三次元デバイスの一実施形態では、
前記受動部品と、
前記受動部品の前記平坦面に接合された半導体集積回路部品と、を備える。
前記受動部品と、
前記受動部品の前記平坦面に接合された半導体集積回路部品と、を備える。
【0009】
前記実施形態によれば、薄型の三次元デバイスを得ることができる。
【0010】
受動部品の製造方法の一実施形態では、
無機物からなり、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層を準備する工程と、
前記無機層の前記第２主面側に受動素子を設けて、前記無機層と前記受動素子の少なくとも一部とを含む本体部を形成する工程と、
前記無機層の前記第１主面を研磨して、表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を設ける工程と、を備える。
無機物からなり、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層を準備する工程と、
前記無機層の前記第２主面側に受動素子を設けて、前記無機層と前記受動素子の少なくとも一部とを含む本体部を形成する工程と、
前記無機層の前記第１主面を研磨して、表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を設ける工程と、を備える。
【0011】
前記実施形態によれば、無機層の第１主面が平坦面を含むため、平坦面を有する他の電子部品などと接合する際に、平坦面同士を接触した状態で接合できる。そのため、積層型半導体パッケージなどのデバイス全体の薄型化を図ることができる。
【発明の効果】
【0012】
本開示の一態様である受動部品、三次元デバイスおよび受動部品の製造方法によれば、薄型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】受動部品の第１実施形態を示す底面側から見た模式底面図である。
【図4A】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4B】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4C】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4D】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4E】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4F】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4G】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4H】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4I】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4J】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4K】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図5】受動部品の第２実施形態を示す天面側から見た模式天面図である。
【図8A】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図8B】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図8C】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図8D】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図8E】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図8F】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図8G】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図8H】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図8I】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図9】受動部品の第３実施形態を示す天面側から見た模式天面図である。
【図11A】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図11B】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図11C】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図11D】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図11E】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図11F】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図11G】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図11H】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図11I】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図11J】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図12】積層型半導体パッケージを示す模式断面図である。
【図13】三次元デバイスの変形例を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、本開示の一態様である受動部品、三次元デバイスおよび受動部品の製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
【0015】
＜第１実施形態＞
１．受動部品１の概略構成
図１は、受動部品１を底面側から見た模式底面図である。図２は、図１のII－II断面図である。図３は、図１のIII－III断面図である。なお、便宜上、図１では、素体１０は、構造を容易に理解できるよう、透明に描かれているが、半透明や不透明であってもよい。また、図１では、絶縁体および無機層を省略して描いている。
１．受動部品１の概略構成
図１は、受動部品１を底面側から見た模式底面図である。図２は、図１のII－II断面図である。図３は、図１のIII－III断面図である。なお、便宜上、図１では、素体１０は、構造を容易に理解できるよう、透明に描かれているが、半透明や不透明であってもよい。また、図１では、絶縁体および無機層を省略して描いている。
【0016】
受動部品１は、例えば、高周波信号伝送回路に用いられる表面実装型の受動部品である。受動部品１は、抵抗、コンデンサ、インダクタなどの電子部品であり、トランジスタのような能動素子を含まない。この実施形態では、受動部品１は、インダクタである。図１から図３に示すように、受動部品１は、互いに対向する第１主面４１ａおよび第２主面４１ｂを有する本体部４１と、少なくとも一部が本体部４１の内部に設けられた受動素子と、を備える。受動素子は、インダクタ素子Ｌである。つまり、受動部品とは、素体、内部配線等を含み、受動素子とは、例えば受動部品内のコイル等を表し、素体等を含まない。受動素子にはインダクタ素子、コンデンサ素子および抵抗素子が含まれるものとし、インダクタ素子のうち、特定の方向の中心軸を周回する導体を備えたものをコイルとする。
【0017】
本体部４１は、インダクタ素子Ｌを保持する。本体部４１の形状は、特に限定されないが、この実施形態では、略直方体状である。本体部４１は、長さ、幅および高さを有する。本体部４１は、長さ方向の両端側にある第１端面および第２端面と、幅方向の両端側にある第１側面および第２側面と、高さ方向の両端側にある底面および天面とを有する。この実施形態では、本体部４１の底面が、本体部４１の第１主面４１ａであり、本体部４１の天面が、本体部４１の第２主面４１ｂである。
【0018】
本体部４１の第１主面４１ａは、少なくとも一部に平坦面ＦＳを含む。平坦面ＦＳは、無機物からなる。この実施形態では、第１主面４１ａの全体が、無機物からなる平坦面ＦＳである。しかし、これに限定されず、第１主面４１ａの一部のみが、無機物からなる平坦面ＦＳであってもよい。第１主面４１ａのその他の部分は、例えば有機物からなっていて、平坦面ＦＳでなくてもよい。好ましくは、平坦面ＦＳの面積は、本体部４１の第１主面４１ａの面積の半分以上である。これにより、平坦面ＦＳを介して受動部品１を他の電子部品などと接合した際に、接合強度を高めることができる。
【0019】
この明細書では、「平坦面」の「平坦」とは、平坦面の表面粗さが、受動部品の本体部の厚み（本体部の第１主面に直交する方向における本体部の厚み）の１／１０００以下もしくは１０ｎｍ以下のいずれかより小さい状態を指す。「表面粗さ」とは、Ｓａ（算術平均高さ）である。平坦とは、例えばＳａが０．２ｎｍである状態をいう。Ｓａの測定には、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）を用いる。表面粗さは、部品表面の５点におけるＳａの平均値である。
【0020】
「無機物」は、例えば、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、Ｇｅ、ＧaＮ、ＧaＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｌ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｃｕなどである。これによれば、本体部４１の第１主面４１ａが有機物からなる場合と比較して、本体部４１の第１主面４１ａを平坦化しやすい。また、平坦面ＦＳの硬度は高く、受動部品１の強度を強くすることができる。
【0021】
受動部品１によれば、本体部４１の第１主面４１ａが、少なくとも一部に無機物からなる平坦面ＦＳを含むため、平坦面ＦＳを有する他の電子部品などと接合する際に、平坦面ＦＳ同士を接触した状態で接合できる。そのため、積層型半導体パッケージなどのデバイス全体の薄型化を図ることができる。
【0022】
なお、この明細書では、「平坦面ＦＳ同士を接触した状態で接合」とは、原子拡散やイオン結合による常温直接接合や、熱を加えたハイブリッド接合などをいう。また、「接合」とは、共有結合、イオン結合、金属結合などの化学的結合状態を指してもよいし、機械強度的な結合状態を指してもよい。
【0023】
２．受動部品１の製造方法
次に、受動部品１の製造方法について説明する。
次に、受動部品１の製造方法について説明する。
【0024】
図２に示すように、無機物からなり、互いに対向する第１主面２１ａおよび第２主面２１ｂを有する無機基板２１を準備する。その後、無機基板２１の第２主面２１ｂ側に受動素子としてインダクタ素子Ｌを設けて、無機基板２１とインダクタ素子Ｌの一部とを含む本体部４１を形成する。その後、無機基板２１の第１主面２１ａを研磨して平坦面ＦＳを設ける。
【0025】
これによれば、無機基板２１の第１主面２１ａが、無機物からなる平坦面ＦＳを含むため、平坦面ＦＳを有する他の電子部品などと接合する際に、平坦面ＦＳ同士を接触した状態で接合できる。そのため、積層型半導体パッケージなどのデバイス全体の薄型化を図ることができる。
【0026】
３．好ましい形態
（受動部品１）
受動部品１は、素体１０と、素体１０に設けられ、軸ＡＸに沿って螺旋状に巻き回されたコイル１１０と、素体１０の第１主面（底面１００ｂ）に設けられた無機層２１と、無機層２１を貫通する第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖと、素体１０の第２主面（天面１００ｔ）に設けられた絶縁体２２と、を備える。コイル１１０が、インダクタ素子Ｌを構成する。素体１０と、無機層２１と、第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖとが、本体部４１を構成する。第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖが、特許請求の範囲に記載の「貫通配線」に相当する。
（受動部品１）
受動部品１は、素体１０と、素体１０に設けられ、軸ＡＸに沿って螺旋状に巻き回されたコイル１１０と、素体１０の第１主面（底面１００ｂ）に設けられた無機層２１と、無機層２１を貫通する第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖと、素体１０の第２主面（天面１００ｔ）に設けられた絶縁体２２と、を備える。コイル１１０が、インダクタ素子Ｌを構成する。素体１０と、無機層２１と、第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖとが、本体部４１を構成する。第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖが、特許請求の範囲に記載の「貫通配線」に相当する。
【0027】
素体１０は、長さ、幅および高さを有する。素体１０は、長さ方向の両端側にある第１端面１００ｅ１および第２端面１００ｅ２と、幅方向の両端側にある第１側面１００ｓ１および第２側面１００ｓ２と、高さ方向の両端側にある底面１００ｂおよび天面１００ｔとを有する。つまり、素体１０の外面１００は、第１端面１００ｅ１および第２端面１００ｅ２と、第１側面１００ｓ１および第２側面１００ｓ２と、底面１００ｂおよび天面１００ｔと、を含む。第１端面１００ｅ１、第２端面１００ｅ２、第１側面１００ｓ１および第２側面１００ｓ２が、上述した本体部４１の第１端面の一部、第２端面の一部、第１側面の一部および第２側面の一部をそれぞれ構成する。天面１００ｔが、上述した本体部４１の天面を構成する。
【0028】
なお、図面に示すように、以下では、説明の便宜上、素体１０の長さ方向（長手方向）をＸ方向とし、第１端面１００ｅ１から第２端面１００ｅ２に向かう方向を順Ｘ方向と呼び、順Ｘ方向の反対方向を逆Ｘ方向と呼ぶ。また、素体１０の幅方向をＹ方向とし、第１側面１００ｓ１から第２側面１００ｓ２に向かう方向を順Ｙ方向と呼び、順Ｙ方向の反対方向を逆Ｙ方向と呼ぶ。また、素体１０の高さ方向をＺ方向とし、底面１００ｂから天面１００ｔに向かう方向を順Ｚ方向と呼び、順Ｚ方向の反対方向を逆Ｚ方向と呼ぶ。この明細書では、順Ｚ方向を上側とし、逆Ｚ方向を下側する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに直交する方向であって、Ｘ，Ｙ，Ｚの順に並べたとき、右手系を構成する。
【0029】
この明細書では、素体１０の第１端面１００ｅ１、第２端面１００ｅ２、第１側面１００ｓ１、第２側面１００ｓ２、底面１００ｂおよび天面１００ｔを含む「素体の外面１００」は、単に素体１０の外周側を向く面という意味ではなく、素体１０の外側と内側との境界となる面である。また、「素体１０の外面１００の上方」とは、重力方向に規定される鉛直上方のような絶対的な一方向ではなく、外面１００を基準に、当該外面１００を境界とする外側と内側とのうち、外側に向かう方向を指す。したがって、「外面１００の上方」とは外面１００の向きによって定まる相対的な方向である。また、ある要素に対して「上方（above）」には、当該要素とは離れた上方、すなわち当該要素上の他の物体を介した上側の位置や間隔を空けた上側の位置だけではなく、当該要素と接する直上の位置（on）も含む。
【0030】
コイル１１０の軸ＡＸは、底面１００ｂに平行に配置される。言い換えると、コイル１１０は、本体部４１の第１主面４１ａに平行な中心軸ＡＸを有する。この構成によれば、本体部４１の第１主面４１ａを実装面とした場合に、コイル１１０から発生する磁束が実装面に向かわないため、Ｑ値の高いインダクタ素子Ｌを得ることができる。
【0031】
コイル１１０は、軸ＡＸに対して底面１００ｂ側に設けられ、底面１００ｂに平行な平面上に軸ＡＸに沿って配列された複数の第１コイル配線（底面配線１１ｂ）と、軸ＡＸに対して天面１００ｔ側に設けられ、天面１００ｔに平行な平面上に軸ＡＸに沿って配列された複数の第２コイル配線（天面配線１１ｔ）と、底面配線１１ｂから天面配線１１ｔに向かって延在し、軸ＡＸに沿って配列された複数の第１貫通配線１３と、底面配線１１ｂから天面配線１１ｔに向かって延在し、軸ＡＸに対して第１貫通配線１３と反対側に設けられ、軸ＡＸに沿って配列された複数の第２貫通配線１４と、を含む。底面配線１１ｂと、第１貫通配線１３と、天面配線１１ｔと、第２貫通配線１４とは、この順に接続されることにより、螺旋状の少なくとも一部を構成する。
【0032】
軸ＡＸは、底面配線１１ｂと天面配線１１ｔの間の中央を通る第１平面と、第１貫通配線１３と第２貫通配線１４の間の中央を通る第２平面との交線をいう。つまり、軸ＡＸは、コイル１１０の内径部の中心を通る直線である。コイル１１０の軸ＡＸは、軸ＡＸに直交する方向の寸法を有さない。
【0033】
受動部品１の体積は、０．０８ｍｍ３以下であり、かつ、受動部品１の長辺の大きさは、０．６５ｍｍ以下である。受動部品１の長辺の大きさは、受動部品１の長さ、幅および高さのうちの最も大きい値をいい、この実施形態では、Ｘ方向の長さをいう。上記構成によれば、受動部品１の体積が小さく、かつ、受動部品１の長辺も短いので、受動部品１の重量を軽くすることができる。また、受動部品１の厚みは、好ましくは、２００μｍ以下である。これによれば、受動部品１を薄くできる。
【0034】
具体的に述べると、受動部品１のサイズ（長さ（Ｘ方向）×幅（Ｙ方向）×高さ（Ｚ方向））は、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．３ｍｍ、０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．２ｍｍ、０．２５ｍｍ×０．１２５ｍｍ×０．１２０ｍｍなどである。また、幅と高さは等しくなくてもよく、例えば、０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．３ｍｍなどであってもよい。
【0035】
（素体１０）
素体１０は、絶縁樹脂から構成される。絶縁樹脂としては、例えば、感光性永久膜（永久フォトレジスト）や、無機フィラーを含有した絶縁樹脂を用いる。感光性永久膜とは、加工処理をした後、取り除かないフォトレジストである。
素体１０は、絶縁樹脂から構成される。絶縁樹脂としては、例えば、感光性永久膜（永久フォトレジスト）や、無機フィラーを含有した絶縁樹脂を用いる。感光性永久膜とは、加工処理をした後、取り除かないフォトレジストである。
【0036】
なお、素体１０は、例えば、ガラス焼結体から構成されていてもよく、または、ガラス基板から構成されてもよい。ガラス基板は、単層のガラス基板であってもよく、素体の大部分がガラスとなることから、高周波での渦電流損のような損失を抑制することができる。
【0037】
（コイル１１０）
コイル１１０は、複数の底面配線１１ｂと、複数の天面配線１１ｔと、複数の第１貫通配線１３と、複数の第２貫通配線１４とを備える。底面配線１１ｂ、第１貫通配線１３、天面配線１１ｔおよび第２貫通配線１４は、順に接続されて軸ＡＸ方向に巻き回されたコイル１１０の少なくとも一部を構成する。
コイル１１０は、複数の底面配線１１ｂと、複数の天面配線１１ｔと、複数の第１貫通配線１３と、複数の第２貫通配線１４とを備える。底面配線１１ｂ、第１貫通配線１３、天面配線１１ｔおよび第２貫通配線１４は、順に接続されて軸ＡＸ方向に巻き回されたコイル１１０の少なくとも一部を構成する。
【0038】
上記構成によれば、コイル１１０は、いわゆるヘリカル形状のコイル１１０であるので、軸ＡＸに直交する断面において、底面配線１１ｂ、天面配線１１ｔ、第１貫通配線１３および第２貫通配線１４がコイル１１０の巻き回し方向に沿って並走する領域を低減でき、コイル１１０における浮遊容量を低減できる。
【0039】
ここで、ヘリカル形状とは、コイル全体のターン数は１ターンより大きく、かつ、軸に直交する断面におけるコイルのターン数は１ターン未満である形状をいう。１ターン以上とは、軸に直交する断面において、コイルの配線が、軸方向からみて径方向に隣り合って巻回方向に並走する部分を有する状態をいい、１ターン未満とは、軸に直交する断面において、コイルの配線が、軸方向からみて径方向に隣り合って巻回方向に並走する部分を有さない状態をいう。
【0040】
底面配線１１ｂは、ややＸ方向に傾いてＹ方向に延伸している。底面配線１１ｂは、底面１００ｂから露出するように素体１０に埋め込まれている。複数の底面配線１１ｂは、Ｘ方向に沿って平行に配置されている。底面１００ｂに直交する方向からみて、軸ＡＸ方向の両端の底面配線１１ｂは、三角形状に形成され、その他の底面配線１１ｂは、直線形状に形成されている。
【0041】
天面配線１１ｔは、Ｙ方向に延びる形状である。天面配線１１ｔは、天面１００ｔ上に設けられている。複数の天面配線１１ｔは、Ｘ方向に沿って平行に配置されている。底面１００ｂに直交する方向からみて、軸ＡＸ方向の両端の天面配線１１ｔは、四角形状に形成され、その他の天面配線１１ｔは、直線形状に形成されている。
【0042】
底面配線１１ｂおよび天面配線１１ｔは、銅、銀，金又はこれらの合金などの良導体材料からなる。底面配線１１ｂおよび天面配線１１ｔは、めっき、蒸着、スパッタリングなどによって形成された金属膜であってもよいし、導体ペーストを塗布、焼結させた金属焼結体であってもよい。また、底面配線１１ｂおよび天面配線１１ｔは、複数の金属層が積層された多層構造であってもよい。底面配線１１ｂおよび天面配線１１ｔの厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【0043】
第１貫通配線１３は、素体１０の貫通孔Ｖ内で、軸ＡＸに対して第１側面１００ｓ１側に配置され、第２貫通配線１４は、素体１０の貫通孔Ｖ内で、軸ＡＸに対して第２側面１００ｓ２側に配置されている。第１貫通配線１３および第２貫通配線１４は、それぞれ、底面１００ｂおよび天面１００ｔに直交する方向に延伸している。これによれば、第１貫通配線１３および第２貫通配線１４の長さを短くできるため、直流抵抗（Ｒｄｃ）を抑制できる。全ての第１貫通配線１３および全ての第２貫通配線１４は、それぞれ、Ｘ方向に沿って平行に配置されている。第１貫通配線１３および第２貫通配線１４は、底面配線１１ｂおよび天面配線１１ｔと同様の材料から構成される。
【0044】
（無機層２１）
無機層２１は、素体１０の底面１００ｂに設けられ、底面配線１１ｂの底面１００ｂからの露出部分を覆う。これにより、底面配線１１ｂを外力から保護し、底面配線１１ｂの損傷を防止し、底面配線１１ｂの絶縁性を向上する。無機層２１は、無機物からなる。当該無機物は、上述した平坦面ＦＳの無機物と同様に、例えば、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、Ｇｅ、ＧaＮ、ＧaＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｌ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｃｕなどである。無機層２１は、互いに対向する第１主面２１ａおよび第２主面２１ｂを有する。無機層２１の第１主面２１ａは、本体部４１の第１主面４１ａの一部を構成する。第２主面２１ｂは、素体１０の底面１００ｂに接触している。
無機層２１は、素体１０の底面１００ｂに設けられ、底面配線１１ｂの底面１００ｂからの露出部分を覆う。これにより、底面配線１１ｂを外力から保護し、底面配線１１ｂの損傷を防止し、底面配線１１ｂの絶縁性を向上する。無機層２１は、無機物からなる。当該無機物は、上述した平坦面ＦＳの無機物と同様に、例えば、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、Ｇｅ、ＧaＮ、ＧaＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｌ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｃｕなどである。無機層２１は、互いに対向する第１主面２１ａおよび第２主面２１ｂを有する。無機層２１の第１主面２１ａは、本体部４１の第１主面４１ａの一部を構成する。第２主面２１ｂは、素体１０の底面１００ｂに接触している。
【0045】
（絶縁体２２）
絶縁体２２は、素体１０の天面１００ｔに設けられ、天面配線１１ｔを覆う。これにより、天面配線１１ｔを外力から保護し、天面配線１１ｔの損傷を防止し、天面配線１１ｔの絶縁性を向上する。絶縁体２２は、好ましくは、有機絶縁体である。例えば、絶縁体２２は、形成が容易なエポキシ系、ポリイミド系樹脂などの樹脂膜であってもよい。
絶縁体２２は、素体１０の天面１００ｔに設けられ、天面配線１１ｔを覆う。これにより、天面配線１１ｔを外力から保護し、天面配線１１ｔの損傷を防止し、天面配線１１ｔの絶縁性を向上する。絶縁体２２は、好ましくは、有機絶縁体である。例えば、絶縁体２２は、形成が容易なエポキシ系、ポリイミド系樹脂などの樹脂膜であってもよい。
【0046】
（第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖ）
第１ビア配線１２１ｖは、コイル１１０の第１端部に接続され、第２ビア配線１２２ｖは、コイル１１０の第２端部に接続される。すなわち、第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖは、コイル１１０には含まれない。第１ビア配線１２１ｖは、素体１０のＸ方向の中心に対して第１端面１００ｅ１側に設けられている。第２ビア配線１２２ｖは、素体１０のＸ方向の中心に対して第２端面１００ｅ２側に設けられている。
第１ビア配線１２１ｖは、コイル１１０の第１端部に接続され、第２ビア配線１２２ｖは、コイル１１０の第２端部に接続される。すなわち、第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖは、コイル１１０には含まれない。第１ビア配線１２１ｖは、素体１０のＸ方向の中心に対して第１端面１００ｅ１側に設けられている。第２ビア配線１２２ｖは、素体１０のＸ方向の中心に対して第２端面１００ｅ２側に設けられている。
【0047】
第１ビア配線１２１ｖは、無機層２１に埋め込まれ、無機層２１の第１主面２１ａから露出する。第１ビア配線１２１ｖは、無機層２１の第１主面２１ａから第２主面２１ｂに無機層２１を貫通する。第１ビア配線１２１ｖは、軸ＡＸ方向の第１端面１００ｅ１側に位置する底面配線１１ｂの端部に接続される。
【0048】
第２ビア配線１２２ｖは、無機層２１に埋め込まれ、無機層２１の第１主面２１ａから露出する。第２ビア配線１２２ｖは、無機層２１の第１主面２１ａから第２主面２１ｂに無機層２１を貫通する。第２ビア配線１２２ｖは、軸ＡＸ方向の第２端面１００ｅ２側に位置する底面配線１１ｂの端部に接続される。
【0049】
好ましくは、無機層２１の第１主面２１ａと、無機層２１の第１主面２１ａから露出する第１ビア配線１２１ｖの露出面１２１ａと、無機層２１の第１主面２１ａから露出する図示しない第２ビア配線１２２ｖの露出面とが、本体部４１の第１主面４１ａを構成する。この構成によれば、第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖを介して受動部品１から電気信号を取り出すことができる。
【0050】
好ましくは、第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖは、無機物からなり、無機層２１の第１主面２１ａから露出する第１ビア配線１２１ｖの露出面１２１ａと、無機層２１の第１主面２１ａから露出する図示しない第２ビア配線１２２ｖの露出面とが、平坦面ＦＳの少なくとも一部を構成する。第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖにおける無機物は、例えば、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、Ｇｅ、ＧaＮ、ＧaＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｌ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｃｕなどから選択される導電性材料である。第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖが無機物からなる場合、第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖは、電気抵抗を低くする観点から、空隙を含まないことが好ましい。
【0051】
上記構成によれば、第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖの露出面が平坦面であるため、平坦面を有する他の電子部品などと接合する際に、他の電子部品において、配線の一部が平坦面から露出して、その露出面も平坦面の場合、他の電子部品の配線と、第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖと、を直接接続することができる。
【0052】
好ましくは、無機層２１は、アモルファスまたは単結晶である。アモルファスまたは単結晶の判別には、走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）やＸ線回折装置（ＸＲＤ）などを用いる。この構成によれば、平坦面ＦＳを容易に得ることができる。無機層２１がフェライトなどの焼結体の場合、無機層２１の第１主面２１ａに凹凸が生じる可能性がある。
【0053】
好ましくは、本体部４１は、互いに対向する第１主面２１ａおよび第２主面２１ｂを有する無機物からなる無機層２１と、無機層２１の第２主面２１ｂに設けられた有機絶縁層と、を含み、無機層２１の第１主面２１ａが、本体部４１の第１主面４１ａの少なくとも一部を構成し、受動素子は、コイル１１０を有するインダクタ素子Ｌを含み、コイル１１０は、無機層２１と有機絶縁層の両方に接触する。具体的に述べると、図２に示すように、好ましくは、素体１０が有機絶縁層からなり、コイル１１０は、無機層２１と素体１０の有機絶縁層との両方に接触する。
【0054】
上記構成によれば、素体１０の有機絶縁層がコイル１１０を支持することができるため、コイル１１０の直径を大きくすることができる。また、無機層２１は、素体１０の有機絶縁層よりも線膨張係数が小さいため、コイル１１０が素体１０の有機絶縁層のみに接触する場合と比較して、本体部４１の応力を緩和できる。
【0055】
好ましくは、本体部４１は、互いに対向する第１主面２１ａおよび第２主面２１ｂを有する無機層２１を含み、無機層２１の第１主面２１ａが、本体部４１の第１主面４１ａの少なくとも一部を構成し、本体部４１の第１主面４１ａに直交する方向（Ｚ方向）の無機層２１の厚みは、本体部４１の第１主面４１ａに直交する方向の受動素子の厚みよりも薄い。この構成によれば、受動部品１を薄型化できる。
【0056】
好ましくは、図２に示すように、本体部４１は、互いに対向する第１主面２１ａおよび第２主面２１ｂを有する無機物からなる無機層２１を含み、無機層２１の第１主面２１ａが、本体部４１の第１主面４１ａの少なくとも一部を構成し、受動素子は、本体部４１の第１主面４１ａに平行な中心軸を有するコイル１１０を含み、本体部４１の第１主面４１ａに直交する方向の無機層２１の厚みｔ２は、本体部４１の第１主面４１ａに直交する方向のコイル１１０の厚みｔ１よりも薄い。この構成によれば、インダクタ素子Ｌを含む受動部品１において、薄型化を図ることができる。
【0057】
好ましくは、本体部４１は、第１主面４１ａに対向する第２主面４１ｂを有し、本体部４１の第２主面４１ｂに設けられた有機絶縁樹脂からなる絶縁体２２をさらに備え、受動素子の少なくとも一部は、本体部４１の第２主面４１ｂから露出し、本体部４１の第２主面４１ｂから露出する受動素子の露出部分は、絶縁体２２で覆われている。具体的に述べると、図２に示すように、絶縁体２２は有機絶縁樹脂からなり、インダクタ素子Ｌのコイル１１０の天面配線１１ｔが、本体部４１の第２主面４１ｂから露出し、絶縁体２２で覆われている。この構成によれば、絶縁体２２が有機絶縁樹脂からなるため、天面配線１１ｔに対する絶縁体２２の密着性が向上し、より効果的にインダクタ素子Ｌを外部環境から保護できる。
【0058】
（受動部品１の製造方法）
次に、図４Ａから図４Ｋを用いて受動部品１の製造方法を説明する。図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｊ、図４Ｋは、図１のIII－III断面に対応した図である。図４Ｄから図４Ｉは、図１のII－II断面に対応した図である。
次に、図４Ａから図４Ｋを用いて受動部品１の製造方法を説明する。図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｊ、図４Ｋは、図１のIII－III断面に対応した図である。図４Ｄから図４Ｉは、図１のII－II断面に対応した図である。
【0059】
図４Ａに示すように、無機層２１に相当する無機基板１０２１を準備する。無機基板１０２１は、例えば、Ｓｉ基板である。無機基板１０２１の上面に第１レジスト層１００１を塗布し、フォトリソグラフィ工程により、第１レジスト層１００１に所定パターンの開口部１００１ａを形成する。
【0060】
図４Ｂに示すように、開口部１００１ａを介して無機基板１０２１をエッチングして溝部１０２１ａを形成する。エッチングは、ドライエッチングまたはウェットエッチングの何れであってもよい。本実施形態では、無機基板１０２１にＳｉ基板を使用しているため、フッ素系ガスによるプラズマエッチングを用いる。
【0061】
その後、第１レジスト層１００１を剥離して、図４Ｃと図４Ｄに示すように、無機基板１０２１の上面に図示しないシード層を形成し、シード層の上面に第２レジスト層１００２を塗布して、フォトリソグラフィ工程により、第２レジスト層１００２に所定パターンの開口部１００２ａを形成する。そして、電解めっきにより、開口部１００２ａに底面配線１１ｂに相当する底面導体層１０１１ｂを設け、溝部１０２１ａに第１ビア配線１２１ｖに相当する第１ビア導体層１１２１ｖを設ける。また、図示しないが、第１ビア導体層１１２１ｖと同様に、第２ビア配線１２２ｖに相当する第２ビア導体層を設ける。
【0062】
本実施形態では、底面導体層およびビア導体層の形成方法として、セミアディティブ法を用いるが、サブトラクティブ法、フルアディティブ法、ダマシン法、デュアルダマシン法、または、導電ペーストの印刷法などの公知の方法を用いてもよい。本実施形態では、シード層に、Ｔｉ／Ｃｕを用いるが、ＷやＴｉＷ、Ａｇなど必要に応じてシード種およびその組み合わせを選択してよい。
【0063】
その後、第２レジスト層１００２を剥離し、シード層をエッチングして、図４Ｅに示すように、無機基板１０２１の上面に素体１０に相当する絶縁樹脂層１０１０を設ける。フォトリソグラフィ工程により、絶縁樹脂層１０１０に所定パターンの開口部１０１０ａを形成し、開口部１０１０ａから底面導体層１０１１ｂの一部を露出して、絶縁樹脂層１０１０を硬化する。本実施形態では、絶縁樹脂層１０１０に感光性永久膜を用いるが、例えば、無機フィラーを含有した絶縁樹脂をレーザ法やブラスト法により開口部を形成してもよく、または、ＣＶＤなどで無機絶縁層を蒸着させエッチング法などで開口部を形成してもよい。
【0064】
図４Ｆに示すように、絶縁樹脂層１０１０の開口部１０１０ａに第２貫通配線１４に相当する第２貫通導体層１０１４を形成する。また、図示しないが、第２貫通導体層１０１４と同様に、第１貫通配線１３に相当する第１貫通導体層を設ける。具体的に述べると、本実施形態では、異方性スパッタを用いて絶縁樹脂層１０１０の上面および開口部１０１０ａ内面にＴｉ／Ｃｕのシード層を形成する。その後、フィルドめっきを行いＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）や機械研磨などにより絶縁樹脂層１０１０の上面を平坦化する。機械研磨の場合は表面粗さを所定内に収めるため、機械研磨の後にドライエッチングまたはケミカルエッチングによる処理を行い、絶縁樹脂層１０１０の上面を平坦化する。なお、貫通導体層の他の形成方法としては、底面導体層に予め通電部を設けておき、通電部から給電して電解めっき法により形成してもよい。
【0065】
その後、絶縁樹脂層１０１０の上面に図示しないシード層を形成し、シード層の上面に図示しないレジスト層を塗布して、フォトリソグラフィ工程により、レジスト層に所定パターンの開口部を形成する。そして、電解めっきにより、開口部に天面配線１１ｔに相当する天面導体層１０１１ｔを設け、図４Ｇに示すように、レジスト層を剥離し、シード層をエッチングする。
【0066】
図４Ｈに示すように、絶縁樹脂層１０１０の上面に天面導体層１０１１ｔを覆うように絶縁体２２に相当する絶縁層１０２２を設け、絶縁層１０２２を硬化する。絶縁層１０２２は、絶縁樹脂層１０１０と同じ樹脂であってもよく、または、異なる樹脂であってもよい。絶縁層１０２２は、外部と触れることから、絶縁樹脂層１０１０と比較して、耐水性に優れた樹脂や高硬度の樹脂を用いることが好ましく、さらに、無機フィラーなどを含有する樹脂を用いることが好ましく、これにより絶縁性が向上する。さらに、絶縁層１０２２は、絶縁樹脂層１０１０と比較して、遮光性（遮蔽性）が高い樹脂を用いることが好ましい。
【0067】
図４Ｉと図４Ｊに示すように、無機基板１０２１を研磨して、第１ビア導体層１１２１ｖの端面および第２ビア導体層の端面を露出する。無機基板１０２１の研磨にはＣＭＰが好ましい。なお、必要に応じて絶縁層１０２２を厚み調整のために研磨してもよい。
【0068】
【0069】
＜第２実施形態＞
（受動部品１Ａの構成）
図５は、受動部品の第２実施形態を示す天面側から見た模式天面図である。図６は、図５のVI-VI断面図である。図７は、図６のＡ部の拡大図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、コイルの構成および素体の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
（受動部品１Ａの構成）
図５は、受動部品の第２実施形態を示す天面側から見た模式天面図である。図６は、図５のVI-VI断面図である。図７は、図６のＡ部の拡大図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、コイルの構成および素体の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【0070】
図５から図７に示すように、受動部品１Ａは、素体１０と、素体１０の内部に設けられたコイル１１０Ａ、有機絶縁部２３、第１接続配線５１および第２接続配線５２と、素体１０の底面１００ｂに設けられた無機層２１と、を備える。素体１０は、順Ｚ方向に積層された第１磁性層１０１および第２磁性層１０２を有する。第２磁性層１０２の下面が、素体１０の底面１００ｂに相当する。この実施形態において、素体１０が、特許請求の範囲に記載の「磁性部」に相当する。
【0071】
コイル１１０Ａは、第１磁性層１０１の上面１０１ｕ上に設けられ、平面スパイラル状にされている。コイル１１０Ａは、Ｚ方向からみて、外周端１１０ｅ１から内周端１１０ｅ２に向かって時計回り方向に渦巻状に巻き回されている。言い換えると、コイル１１０Ａは、本体部４１の第１主面４１ａに平行な平面に沿って巻き回されている。コイル１１０Ａは、本体部４１の第１主面４１ａに直交する中心軸ＡＸを有する。この構成によれば、コイル１１０Ａが本体部４１の第１主面４１ａに平行な中心軸を有する場合よりも、インダクタ素子Ｌを薄型化できる。その結果、受動部品１Ａを薄型化できる。
【0072】
コイル１１０Ａのターン数は、１周を超えることが好ましい。これにより、インダクタンスを向上させることができる。外周端１１０ｅ１は、略矩形状にされている。内周端１１０ｅ２は、略円形状にされている。外周端１１０ｅ１のＸ方向の幅および内周端１１０ｅ２の直径の各々は、コイル１１０Ａのうちの外周端１１０ｅ１および内周端１１０ｅ２を除いた部分である巻回部の配線幅よりも大きい。これにより、外周端１１０ｅ１および内周端１１０ｅ２がパッド部として機能し、第１接続配線５１および第２接続配線５２との接続信頼性が向上する。コイル１１０Ａには、第１接続配線５１、第２接続配線５２、第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖは含まれない。
【0073】
コイル１１０Ａは、素体１０（磁性部）で覆われている。この構成によれば、インダクタ素子Ｌのインダクタンスを向上できる。コイル１１０Ａの導電材料は、第１実施形態における底面配線１１ｂおよび天面配線１１ｔの導電材料と同じでよい。
【0074】
有機絶縁部２３は、コイル１１０Ａにおいて本体部４１の第１主面４１ａに直交する側面１１０ｓに少なくとも設けられている。この実施形態では、有機絶縁部２３は、コイル１１０Ａのうち、外周端１１０ｅ１を含むコイル１１０Ａの１ターンを構成する部分の外周面と、コイル１１０Ａのうち、内周端１１０ｅ２を含むコイル１１０Ａの１ターンを構成する部分の内周面と、コイル１１０Ａの各ターン間に設けられている。有機絶縁部２３の材料は、例えば感光性永久膜である。
【0075】
素体１０は、コイル１１０Ａと有機絶縁部２３とを覆っている。コイル１１０Ａは、有機絶縁部２３と素体１０とに接触している。具体的に述べると、コイル１１０Ａの上面１１０ｕが第２磁性層１０２に接触し、コイル１１０Ａの下面１１０ｂが第１磁性層１０１に接触し、コイル１１０Ａの側面１１０ｓが有機絶縁部２３に接触している。この構成によれば、素体１０によりインダクタ素子Ｌのインダクタンスを向上できるとともに、コイル１１０Ａの側面１１０ｓに設けられた有機絶縁部２３により、ＸＹ平面における配線間リークを抑制できる。特に、有機絶縁部２３がコイル１１０Ａの各ターン間に設けられているため、各ターン間に生じ得る配線間リークを抑制できる。
【0076】
第１磁性層１０１および第２磁性層１０２は、例えば、エポキシ樹脂とＦｅ系金属フィラー及びガラスフィラーを含んでいるコンポジット材料である。これにより、インダクタンスを向上しつつ高い直流重畳特性を得ることができるとともに、エポキシ樹脂により、素体１０に発生し得るクラックを抑制できる。第１磁性層１０１および第２磁性層１０２の樹脂は、エポキシ樹脂に限らず、イミド系、フェノール系などであってもよい。Ｆｅ系金属フィラーは、ＦｅＳｉ系、ＦｅＣｏ系、ＦｅＮｉ系などであってもよい。また、第１磁性層１０１および第２磁性層１０２は、スパッタ法などで形成した磁性材料を使用してもよいし、磁性ブロックをコイル１１０Ａのコア部に挿入してもよい。
【0077】
第１接続配線５１は、第１磁性層１０１をＺ方向に貫通し、コイル１１０Ａの外周端１１０ｅ１と第１ビア配線１２１ｖとを接続する。第２接続配線５２は、第１磁性層１０１をＺ方向に貫通し、コイル１１０Ａの内周端１１０ｅ２と第２ビア配線１２２ｖとを接続する。この構成によれば、第１接続配線５１および第２接続配線５２を介して、コイル１１０Ａの電気信号を取り出すことができる。第１接続配線５１および第２接続配線５２の導電材料は、特に限定されないが、例えばコイル１１０Ａの導電材料と同じである。
【0078】
この実施形態では、本体部４１の第１主面４１ａは、無機層２１の第１主面２１ａと、第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖにおける、無機層２１の第１主面２１ａからの露出面と、を含み、本体部４１の第１主面４１ａの全面が、無機物からなる平坦面ＦＳである。この構成によれば、平坦面ＦＳを有する他の電子部品などと接合する際に、平坦面ＦＳ同士を接触した状態で接合できる。そのため、積層型半導体パッケージなどのデバイス全体の薄型化を図ることができる。
【0079】
好ましくは、図７に示すように、本体部４１の第１主面４１ａに直交する方向の有機絶縁部２３の厚みｔ３は、本体部４１の第１主面４１ａに直交する方向のコイル１１０Ａの厚みｔ４よりも厚い。この構成によれば、ＸＹ平面における配線間リークをさらに抑制できる。特に、各ターン間に生じ得る配線間リークをさらに抑制できる。厚みｔ３は、例えば３５μｍである。厚みｔ４は、例えば３０μｍである。無機層２１の厚みｔ５は、例えば１μｍである。第１磁性層１０１の厚みｔ６は、例えば２０μｍである。第２磁性層１０２の厚みｔ７は、例えば５０μｍである。
【0080】
【0081】
図８Ａに示すように、無機層２１に相当する無機基板１０２１を準備する。無機基板１０２１は、例えば、Ｓｉ基板である。無機基板１０２１の上面に第１レジスト層１００１を塗布し、フォトリソグラフィ工程により、第１レジスト層１００１に所定パターンの開口部１００１ａを形成する。
【0082】
図８Ｂに示すように、開口部１００１ａを介して無機基板１０２１をエッチングして溝部１０２１ａを形成する。エッチングは、ドライエッチングまたはウェットエッチングの何れであってもよい。本実施形態では、無機基板１０２１にＳｉ基板を使用しているため、フッ素系ガスによるプラズマエッチングを用いる。
【0083】
図８Ｃに示すように、第１レジスト層１００１を剥離して、無機基板１０２１の上面に図示しないシード層を形成し、シード層の上面に、電解めっきにより、溝部１０２１ａを覆うように第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖの導電材料を成膜（べた塗り）する。これにより、溝部１０２１ａに、第１ビア配線１２１ｖに相当する第１ビア導体層１１２１ｖと、第２ビア配線１２２ｖに相当する第２ビア導体層１１２２ｖと、が形成される。また、無機基板１０２１の上面にべた膜１０２０が形成される。本実施形態では、シード層に、Ｔｉ／Ｃｕを用いるが、ＷやＴｉＷ、Ａｇなど必要に応じてシード種およびその組み合わせを選択してよい。
【0084】
図８Ｄに示すように、べた膜１０２０をエッチングして取り除く。べた膜１０２０は、ＣＭＰまたは研磨によって取り除いてもよい。
【0085】
図８Ｅに示すように、無機基板１０２１の上面に、第１磁性層１０１に相当する第１磁性シート１１０１を熱圧着する。その後、必要に応じて第１磁性シート１１０１を研削する。第１磁性シート１１０１は、印刷、スパッタ法などにより形成してもよい。その後、レーザを用いて、第１磁性シート１１０１の所定位置に開口１１０１ａを形成する。所定位置は、第１接続配線５１と第１ビア配線１２１ｖとの接続部分、および、第２接続配線５２と第２ビア配線１２２ｖとの接続部分に対応する位置である。開口１１０１ａは、フォトリソグラフィ、エッチング法などを用いて形成してもよい。
【0086】
図８Ｆに示すように、スパッタ法を用いて、第１磁性シート１１０１の上面と、開口１１０１ａの内面と、にシード層を形成する。その後、図示しないレジスト層を塗布し、フォトリソグラフィ工程により、レジスト層に所定パターンの開口部を形成する。その後、シード層をエッチングして、パターニングされたシード層６００を形成する。シード層６００は、第１磁性シート１１０１の上面の所定位置と、開口１１０１ａの内面と、に形成されている。所定位置は、コイル１１０Ａが設けられる位置である。その後、感光性永久膜を塗布し、フォトリソグラフィ工程により、有機絶縁部２３に相当する有機絶縁層１０２３を形成する。
【0087】
ここで、上記シード層のエッチング時において、第１磁性シート１１０１の上面の樹脂や磁性粉をエッチング液により意図的に溶解させてもよい。これにより、第１磁性シート１１０１と配線層との間、第１磁性シート１１０１と後述の第２磁性シート１１０２との間などに、磁性粉が少ない境界部を形成することができる。境界部によりエアギャップを形成でき、直流重畳特性を向上させることができる。境界部は、図６において、例えば第１磁性層１０１と第２磁性層１０２との接触部分に少なくとも形成されていることが好ましい。
【0088】
図８Ｇに示すように、シード層６００の上面に、電解めっきにより、第１接続配線５１に相当する第１接続配線導体層１０５１と、第２接続配線５２に相当する第２接続配線導体層１０５２と、コイル１１０Ａに相当するコイル導体層１１１０と、を形成する。第１接続配線導体層１０５１、第２接続配線導体層１０５２およびコイル導体層１１１０の導電材料は、例えばＣｕである。ここで、上記シード層のエッチング時と同様に、上記電解めっきにより、第１磁性シート１１０１と配線層との間、第１磁性シート１１０１と第２磁性シート１１０２との間などに、磁性粉が少ない境界部を形成してもよい。
【0089】
図８Ｈに示すように、コイル導体層１１１０と有機絶縁部２３とを覆うように、第２磁性層１０２に相当する第２磁性シート１１０２を熱圧着する。その後、必要に応じて第２磁性シート１１０２を研削する。その後、無機基板１０２１を研磨して、第１ビア導体層１１２１ｖの端面および第２ビア導体層１１２２ｖの端面を露出する。無機基板１０２１の研磨にはＣＭＰが好ましい。
【0090】
【0091】
＜第３実施形態＞
（受動部品１Ｂの構成）
図９は、受動部品の第３実施形態を示す天面側から見た模式天面図である。図１０は、図９のX-X断面図である。第３実施形態は、第２実施形態とは、素体の構成と、キャパシタ素子および抵抗素子がさらに設けられている点と、本体部の第２主面が平坦面である点とが、主に相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第２実施形態と同じ構成であり、第２実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
（受動部品１Ｂの構成）
図９は、受動部品の第３実施形態を示す天面側から見た模式天面図である。図１０は、図９のX-X断面図である。第３実施形態は、第２実施形態とは、素体の構成と、キャパシタ素子および抵抗素子がさらに設けられている点と、本体部の第２主面が平坦面である点とが、主に相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第２実施形態と同じ構成であり、第２実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【0092】
受動部品１Ｂは、インダクタ素子Ｌ、コンデンサ素子Ｃおよび抵抗素子Ｒの各受動素子を含む電子部品である。インダクタ素子Ｌとコンデンサ素子Ｃとは、電気的に直列に接続されている。抵抗素子Ｒは、インダクタ素子Ｌおよびコンデンサ素子Ｃから電気的に独立している。図９と図１０に示すように、Ｚ方向からみて、インダクタ素子Ｌおよびコンデンサ素子Ｃは、素体１０の中心に対して第１端面１００ｅ１側に配置され、抵抗素子Ｒは、素体１０の中心に対して第２端面１００ｅ２側に配置されている。
【0093】
本体部４１は、素体１０と、素体１０の底面１００ｂに設けられた無機層２１と、を含む。素体１０は、無機層の第２主面２１ｂに設けられた第１絶縁層１１１と、第１絶縁層１１１の内部に設けられたコンデンサ素子Ｃ、第３接続配線５３および第４接続配線５４と、第１絶縁層１１１上に設けられた第２絶縁層１１２と、第２絶縁層１１２の内部に設けられたインダクタ素子Ｌ、第５接続配線５５および第６接続配線５６と、を含む。
【0094】
第１絶縁層１１１は、コンデンサ素子Ｃと抵抗素子Ｒとを電気的に絶縁する。第１絶縁層１１１の材料は、特に限定されないが、例えばＳｉＯ２である。コンデンサ素子Ｃは、Ｚ方向に対向する第１コンデンサ電極７１および第２コンデンサ電極７２と、第１コンデンサ電極７１と第２コンデンサ電極７２との間に配置された誘電層７３と、を含む。第１コンデンサ電極７１は、第１ビア配線１２１ｖを覆うように、無機層２１の第２主面２１ｂ上に設けられ、第１ビア配線１２１ｖに接続している。誘電層７３は、第１コンデンサ電極７１を覆うように設けられている。誘電層７３の順Ｘ方向側の端部は、素体１０の第２端面１００ｅ２の近傍まで延びている。第２コンデンサ電極７２は、誘電層７３上に設けられている。第２コンデンサ電極７２は、Ｚ方向からみて、第１コンデンサ電極７１と重なるように配置されている。
【0095】
第１コンデンサ電極７１および第２コンデンサ電極７２の導電材料は、特に限定されず、例えばＡｌである。好ましくは、第１コンデンサ電極７１および第２コンデンサ電極７２の導電材料は、第１，第２ビア配線１２１ｖ，１２２ｖとコイル１１０Ａの各々の導電材料と異なる。これにより、直流電流が流れない第１コンデンサ電極７１および第２コンデンサ電極７２と、直流電流が流れる第１，第２ビア配線１２１ｖ，１２２ｖおよびコイル１１０Ａと、に異なる導電材料を用いることにより、受動部品１Ｂの特性を劣化させずに製造コストを低減できる。具体的に述べると、Ａｌは導電率が低いが安価なため、電圧素子であるコンデンサ素子Ｃの第１，第２コンデンサ電極７１，７２に用いることが好ましい。また、導電率が高いＣｕは、電流素子であるインダクタ素子Ｌのコイル１１０Ａおよび第１，第２ビア配線１２１ｖ，１２２ｖに用いることが好ましい。これにより、受動部品１Ｂの特性を劣化させずに製造コストを低減できる。
【0096】
誘電層７３の材料は、特に限定されず、例えばＳｉＯ２である。誘電層７３の材料は、例えばＨｆＯ２、Ｙ２Ｏ３などのｈｉｇｈ－ｋ材料などであってもよい。これにより、コンデンサ素子Ｃの容量を高めることができる。好ましくは、誘電層７３の材料は、第２絶縁層１１２の材料と同じである。これにより、誘電層７３の材料が、コイル１１０Ａを少なくとも覆う第２絶縁層１１２の材料と同じであるため、受動部品１Ｂの製造コストを低減できる。また、受動部品１Ｂに発生し得る残留応力を低減できる。
【0097】
第２絶縁層１１２は、インダクタ素子Ｌと抵抗素子Ｒとを電気的に絶縁する。第２絶縁層１１２の材料は、絶縁性の無機物であり、例えばＳｉＯ２である。第２絶縁層１１２は、磁性材料から構成されていてもよい。
【0098】
第３接続配線５３は、第１絶縁層１１１をＺ方向に貫通し、第２コンデンサ電極７２と、コイル１１０Ａの外周端１１０ｅ１と、を接続する。第４接続配線５４は、第１絶縁層１１１および誘電層７３をＺ方向に貫通し、第２ビア配線１２２ｖと第６接続配線５６とを接続する。第５接続配線５５は、第２絶縁層１１２をＺ方向に貫通する。第５接続配線５５の逆Ｚ方向側の端面は、コイル１１０Ａの内周端１１０ｅ２に接続し、第５接続配線５５の順Ｚ方向側の端面は、第２絶縁層１１２の上面（素体１０の天面１００ｔ）から露出する。コイル１１０Ａには、第３接続配線５３および第５接続配線５５は含まれない。第６接続配線５６は、第２絶縁層１１２をＺ方向に貫通する。第６接続配線５６の逆Ｚ方向側の端面は、第４接続配線５４の上面に接続し、第６接続配線５６の順Ｚ方向側の端面は、第２絶縁層１１２の上面から露出する。
【0099】
第３接続配線５３および第４接続配線５４の導電材料は、特に限定されないが、例えばコイル１１０Ａの導電材料と同じである。第５接続配線５５および第６接続配線５６の導電材料は、導電性の無機物である。
【0100】
第１ビア配線１２１ｖとコンデンサ素子Ｃと第３接続配線５３とコイル１１０Ａと第５接続配線５５とが、この順に接続されることにより、コンデンサ素子Ｃとインダクタ素子Ｌとは、電気的に直列に接続される。
【0101】
第２ビア配線１２２ｖと第４接続配線５４と第６接続配線５６とは、この順に接続されて、導通配線８１を構成する。導通配線８１は、本体部４１の第１主面４１ａから第２主面４１ｂに延在し、延在方向の両端部が本体部４１の第１主面４１ａおよび第２主面４１ｂから露出する。この構成によれば、導通配線８１を介して、本体部４１の第１主面４１ａおよび第２主面４１ｂの両方から電気信号を取り出せるため、本体部４１の第１主面４１ａ側と第２主面４１ｂ側の両方側に電子部品などを積層（スタック）できる。また、導通配線８１は、インダクタ素子Ｌとコンデンサ素子Ｃとから電気的に独立している。この構成によれば、インダクタ素子Ｌとコンデンサ素子Ｃの電気信号とは別の電気信号を、導通配線８１を介して取り出すことができる。この実施形態では、導通配線８１が、抵抗素子Ｒとなる。
【0102】
本体部４１の第２主面４１ｂの少なくとも一部は、無機物からなる平坦面ＦＳである。この実施形態では、本体部４１の第２主面４１ｂの全面が、無機物からなる平坦面ＦＳである。具体的に述べると、第２絶縁層１１２の上面（素体１０の天面１００ｔ）と、第５接続配線５５における第２絶縁層１１２の上面からの露出面と、第６接続配線５６における第２絶縁層１１２の上面からの露出面とが、無機物からなる平坦面ＦＳである。この構成によれば、本体部４１の第２主面４１ｂの少なくとも一部が、無機物からなる平坦面ＦＳであるため、平坦面ＦＳを有する他の電子部品などと接合する際に、本体部４１の第２主面４１ｂの平坦面ＦＳと、電子部品などの平坦面ＦＳと、を接触した状態で接合できる。そのため、積層型半導体パッケージなどのデバイス全体の薄型化をさらに図ることができる。
【0103】
好ましくは、受動部品１Ｂは、１つ以上の受動素子を備え、１つ以上の受動素子は、インダクタ素子Ｌとコンデンサ素子Ｃと抵抗素子Ｒとのうちの少なくとも１つである。この構成によれば、インダクタ素子Ｌとコンデンサ素子Ｃと抵抗素子Ｒとのうちの少なくとも１つを１つの受動部品１Ｂに含めることができるため、各素子を個別に含む複数の受動部品を準備する必要がなくなる。そのため、積層型半導体パッケージなどのデバイス全体の小型化を図ることができる。
【0104】
好ましくは、図１０に示すように、本体部４１の第１主面４１ａに直交する方向の無機層２１の厚みｔ９は、本体部４１の第１主面４１ａに直交する方向のコンデンサ素子Ｃの厚みｔ８よりも薄い。この構成によれば、受動部品１Ｂを薄型化できる。
【0105】
【0106】
図１１Ａに示すように、無機層２１に相当する無機基板１０２１を準備する。無機基板１０２１は、例えば、Ｓｉ基板である。無機基板１０２１の上面に第１レジスト層１００１を塗布し、フォトリソグラフィ工程により、第１レジスト層１００１に所定パターンの開口部１００１ａを形成する。
【0107】
図１１Ｂに示すように、開口部１００１ａを介して無機基板１０２１をエッチングして溝部１０２１ａを形成する。エッチングは、ドライエッチングまたはウェットエッチングの何れであってもよい。本実施形態では、無機基板１０２１にＳｉ基板を使用しているため、フッ素系ガスによるプラズマエッチングを用いる。
【0108】
図１１Ｃに示すように、第１レジスト層１００１を剥離して、無機基板１０２１の上面に図示しないシード層を形成し、シード層の上面に、電解めっきにより、溝部１０２１ａを覆うように第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖの導電材料を成膜（べた塗り）する。これにより、溝部１０２１ａに、第１ビア配線１２１ｖに相当する第１ビア導体層１１２１ｖと、第２ビア配線１２２ｖに相当する第２ビア導体層１１２２ｖと、が形成される。また、無機基板１０２１の上面にべた膜１０２０が形成される。本実施形態では、シード層に、Ｔｉ／Ｃｕを用いるが、ＷやＴｉＷ、Ａｇなど必要に応じてシード種およびその組み合わせを選択してよい。
【0109】
図１１Ｄに示すように、べた膜１０２０をエッチングして取り除く。べた膜１０２０は、ＣＭＰまたは研磨によって取り除いてもよい。
【0110】
図１１Ｅに示すように、第１ビア導体層１１２１ｖおよび第２ビア導体層１１２２ｖを覆うように、第１コンデンサ電極７１に相当する第１コンデンサ電極導体層１０７１を無機基板１０２１上に形成する。具体的に述べると、スパッタ法を用いて、無機基板１０２１の上面に例えばＡｌ膜を形成する。その後、図示しないレジスト層を塗布して、フォトリソグラフィ工程によりレジスト層に所定パターンの開口部を形成する。その後、Ａｌ膜をエッチングして、パターニングされた第１コンデンサ電極導体層１０７１を形成する。その後、レジスト層を剥離する。
【0111】
図１１Ｆに示すように、第１コンデンサ電極導体層１０７１を覆うように、誘電層７３に相当する誘電材料層１０７３を無機基板１０２１上に形成し、誘電材料層１０７３上に、第２コンデンサ電極７２に相当する第２コンデンサ電極導体層１０７２を形成する。第２コンデンサ電極導体層１０７２は、Ｚ方向からみて、第１コンデンサ電極導体層１０７１に重なるように形成する。
【0112】
具体的に述べると、蒸着法を用いて、第１コンデンサ電極導体層１０７１を覆うように、無機基板１０２１上に誘電材料層を形成する。誘電材料層の材料は、例えばＳｉＯ２である。その後、図示しないレジスト層を塗布して、フォトリソグラフィ工程によりレジスト層に所定パターンの開口部を形成する。その後、誘電材料層をエッチングして、パターニングされた誘電材料層１０７３を形成する。この際、第２ビア導体層１１２２ｖの上面が露出するように、誘電材料層１０７３に開口１０７３ａを形成する。その後、レジスト層を剥離する。その後、スパッタ法を用いて、誘電材料層１０７３の上面および無機基板１０２１の上面に例えばＡｌ膜を形成する。その後、図示しないレジスト層を塗布して、フォトリソグラフィ工程によりレジスト層に所定パターンの開口部を形成する。その後、Ａｌ膜をエッチングして、パターニングされた第２コンデンサ電極導体層１０７２を形成する。その後、レジスト層を剥離する。なお、誘電材料層１０７３と第２コンデンサ電極導体層１０７２とを交互に積層してもよい。これにより、コンデンサ素子Ｃの容量を大きくできる。
【0113】
図１１Ｇに示すように、第２コンデンサ電極導体層１０７２および誘電材料層１０７３を覆うように、第１絶縁層１１１に相当する第１絶縁材料層１１１１を形成する。具体的に述べると、第２コンデンサ電極導体層１０７２および誘電材料層１０７３を覆うように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、第１絶縁材料層を成膜する。第１絶縁材料層の材料は、例えばＳｉＯ２である。その後、図示しないレジスト層を塗布して、フォトリソグラフィ工程によりレジスト層に所定パターンの開口部を形成する。その後、第１絶縁材料層をエッチングして、パターニングされた第１絶縁材料層１１１１を形成する。この際、第３接続配線５３と第４接続配線５４を設ける位置に対応した位置に開口１１１１ａを形成する。
【0114】
その後、第３接続配線５３に相当する第３接続配線導体層１０５３と、第４接続配線５４に相当する第４接続配線導体層１０５４と、を開口１１１１ａ内に形成し、第３接続配線導体層１０５３の上面上および第１絶縁材料層１１１１上にコイル導体層１１１０を形成する。第３接続配線導体層１０５３と第４接続配線導体層１０５４とコイル導体層１１１０との形成方法は、セミアディティブ法を用いればよい。なお、セミアディティブ法に代えて、サブトラクティブ法、フルアディティブ法、または、導電ペーストの印刷法などの公知の方法を用いてもよい。本実施形態では、シード層に、Ｔｉ／Ｃｕを用いるが、ＷやＴｉＷ、Ａｇなど必要に応じてシード種およびその組み合わせを選択してよい。
【0115】
図１１Ｈに示すように、コイル導体層１１１０を覆うように、第２絶縁層１１２に相当する第２絶縁材料層１１１２を形成する。具体的に述べると、コイル導体層１１１０を覆うように、第２絶縁材料層をＣＶＤ法により形成する。その後、図示しないレジスト層を塗布して、フォトリソグラフィ工程によりレジスト層に所定パターンの開口部を形成する。その後、第２絶縁材料層をエッチングして、パターニングされた第２絶縁材料層１１１２を形成する。この際、第５接続配線５５と第６接続配線５６を設ける位置に対応した位置に開口１１１２ａを形成する。
【0116】
その後、第５接続配線５５に相当する第５接続配線導体層１０５５と、第６接続配線５６に相当する第６接続配線導体層１０５６とを、開口１１１２ａ内に形成する。具体的に述べると、フィルドめっきにより第５接続配線導体層１０５５と第６接続配線導体層１０５６とを形成する。この際、めっきは、第２絶縁材料層１１１２上にも形成されている。第５接続配線導体層１０５５および第６接続配線導体層１０５６の導電材料は、例えばＣｕである。
【0117】
図１１Ｉに示すように、第２絶縁材料層１１１２上のめっきと、第５接続配線導体層１０５５と、第６接続配線導体層１０５６と、を研磨して、第２絶縁材料層１１１２と、第５接続配線導体層１０５５の端面および第６接続配線導体層１０５６の端面と、を露出する。これにより、第２絶縁材料層１１１２の上面と、第５接続配線導体層１０５５の端面および第６接続配線導体層１０５６の端面とが、平坦化される。上記研磨には、ＣＭＰが好ましい。その後、無機基板１０２１を研磨して、第１ビア導体層１１２１ｖの端面および第２ビア導体層１１２２ｖの端面を露出する。これにより、無機基板１０２１の下面と、第１ビア導体層１１２１ｖの端面および第２ビア導体層の端面とが、平坦化される。無機基板１０２１の研磨にはＣＭＰが好ましい。
【0118】
【0119】
＜第４実施形態＞
（積層型半導体パッケージ７の構成）
図１２は、積層型半導体パッケージ７を示す模式断面図である。図１２に示すように、積層型半導体パッケージ７は、第２基板２２０と、第２基板２２０に対して第１方向Ｄ１に積層される第１基板２１０と、第１基板２１０に対して第１方向Ｄ１に積層される三次元デバイス４とを備える。第１方向Ｄ１は、図中、上方向とする。
（積層型半導体パッケージ７の構成）
図１２は、積層型半導体パッケージ７を示す模式断面図である。図１２に示すように、積層型半導体パッケージ７は、第２基板２２０と、第２基板２２０に対して第１方向Ｄ１に積層される第１基板２１０と、第１基板２１０に対して第１方向Ｄ１に積層される三次元デバイス４とを備える。第１方向Ｄ１は、図中、上方向とする。
【0120】
第１基板２１０は、例えば、ＳｉやＳｉＯ２からなる無機基板（いわゆる、シリコンインターポーザ基板やガラスインターポーザ基板）であり、または、ＦＲ４（Flame Retardant Type 4）、エポキシ、ポリイミドなどからなる有機基板（いわゆる、有機パッケージ基板）などである。第１基板２１０の内部や主面には配線が設けられ、三次元デバイス４と電気的に接続される。第１基板２１０の主面には、外部端子、導電体バンプ、導電体ピラー、半田などの導電部材が設けられていてもよい。三次元デバイス４の第１基板２１０と対向する主面においても同様の導電部材が設けられていてもよい。
【0121】
第２基板２２０は、第１基板２１０と同様に、例えば、ＳｉやＳｉＯ２からなる無機基板であり、または、ＦＲ４、エポキシ、ポリイミドなどからなる有機基板などである。第２基板２２０は、第１基板２１０よりも、設計精度が低い。第２基板２２０の内部や主面には配線が設けられ、第１基板２１０と電気的に接続される。第２基板２２０の主面には、外部端子、導電体バンプ、導電体ピラー、半田などの導電部材が設けられていてもよい。第１基板２１０の第２基板２２０と対向する主面においても同様の導電部材が設けられていてもよい。
【0122】
三次元デバイス４は、無機物からなる平坦面ＦＳを有する受動部品１Ｂと、平坦面ＦＳに接合される第１半導体集積回路部品３０１および第２半導体集積回路部品３０２と、を備える。受動部品１Ｂは、第３実施形態で説明した受動部品１Ｂと同じである。第１半導体集積回路部品３０１および第２半導体集積回路部品３０２は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＰＭＩＣ（Power Management IC）、メモリ、トランジスタなどの電子部品である。
【0123】
第１半導体集積回路部品３０１の受動部品１Ｂに対向する第１主面３０１ａは、平坦面ＦＳを含む。受動部品１Ｂの本体部４１の第１半導体集積回路部品３０１に対向する第２主面４１ｂは、平坦面ＦＳを含む。第１半導体集積回路部品３０１の平坦面ＦＳと受動部品１Ｂの第２主面４１ｂの平坦面ＦＳとは、接触した状態で、接合される。同様に、第２半導体集積回路部品３０２の受動部品１Ｂに対向する第１主面３０２ａは、平坦面ＦＳを含む。受動部品１Ｂの本体部４１の第２半導体集積回路部品３０２に対向する第１主面４１ａは、平坦面ＦＳを含む。第２半導体集積回路部品３０２の平坦面ＦＳと受動部品１Ｂの第１主面４１ａの平坦面ＦＳとは、接触した状態で、接合される。この構成によれば、薄型の三次元デバイス４を得ることができる。
【0124】
なお、半導体集積回路部品の平坦面ＦＳと受動部品の平坦面ＦＳを分離することができない場合、三次元デバイスの断面から平坦面ＦＳの表面粗さを算出してもよい。具体的に述べると、平坦面ＦＳの接合部分の断面をイオンミリングなど公知の方法で露出させ、接合部分を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）などで画像取得する。このとき倍率は３００Ｋ以上が好ましい。平坦面ＦＳの接合部分の界面は、粒界の違いなどから認識できる。取得した画像を用いて、界面に対応する位置に直線（最小二乗法で引かれる線）を引く。この直線に対してＲａ（算術平均粗さ）を測定して、表面粗さを求めることができる。
【0125】
三次元デバイス４は、図１２に示した構成に限られず、受動部品の個数は、２つ以上であってもよいし、半導体集積回路部品の個数は、１つであっても、３つ以上であってもよい。また、半導体集積回路部品と受動部品の第１方向Ｄ１の積層の順番も特に限定されない。
【0126】
第１基板２１０の三次元デバイス４に対向する第１主面２１１と、三次元デバイス４の第１基板２１０に対向する第１主面（第２半導体集積回路部品３０２の第２主面３０２ｂ）とは、離隔した状態で、接続部材５を介して接続される。第２基板２２０の第１基板２１０に対向する第１主面２２１と、第１基板２１０の第２基板２２０に対向する第２主面２１２とは、離隔した状態で、接続部材６を介して接続される。接続部材５，６は、例えば、半田、導電体バンプ、導電体ピラーなどである。
【0127】
（変形例）
図１３は、変形例に係る三次元デバイス４Ａを示す模式断面図である。図１３に示すように、三次元デバイス４Ａは、受動部品のみからなる。三次元デバイス４Ａは、無機物からなる平坦面ＦＳを有する受動部品１Ｂと、平坦面ＦＳに接合される受動部品１Ｃと、を備えている。受動部品１Ｂと受動部品１Ｃとは、積層されている。受動部品１Ｂは、第３実施形態で説明した受動部品１Ｂと同じである。受動部品１Ｃは、第３実施形態で説明した受動部品１Ｂに対して、第５接続配線５５における、本体部４１の第２主面４１ｂからの露出面の位置が異なる。具体的に述べると、受動部品１Ｃでは、第５接続配線５５は、積層される受動部品１Ｂの第１ビア配線１２１ｖに対応した位置に、本体部４１の第２主面４１ｂから露出している。受動部品１Ｃの第２主面４１ｂの平坦面ＦＳと、受動部品１Ｂの第１主面４１ａの平坦面ＦＳとは、接触した状態で、接合される。そのため、三次元デバイス４Ａを薄型化できる。なお、三次元デバイス４Ａが含む受動部品は、受動部品１Ｂおよび受動部品１Ｃに限られず、平坦面を有する他の受動部品であってもよい。また、三次元デバイス４Ａは、３つ以上の受動部品を含んでもよい。
図１３は、変形例に係る三次元デバイス４Ａを示す模式断面図である。図１３に示すように、三次元デバイス４Ａは、受動部品のみからなる。三次元デバイス４Ａは、無機物からなる平坦面ＦＳを有する受動部品１Ｂと、平坦面ＦＳに接合される受動部品１Ｃと、を備えている。受動部品１Ｂと受動部品１Ｃとは、積層されている。受動部品１Ｂは、第３実施形態で説明した受動部品１Ｂと同じである。受動部品１Ｃは、第３実施形態で説明した受動部品１Ｂに対して、第５接続配線５５における、本体部４１の第２主面４１ｂからの露出面の位置が異なる。具体的に述べると、受動部品１Ｃでは、第５接続配線５５は、積層される受動部品１Ｂの第１ビア配線１２１ｖに対応した位置に、本体部４１の第２主面４１ｂから露出している。受動部品１Ｃの第２主面４１ｂの平坦面ＦＳと、受動部品１Ｂの第１主面４１ａの平坦面ＦＳとは、接触した状態で、接合される。そのため、三次元デバイス４Ａを薄型化できる。なお、三次元デバイス４Ａが含む受動部品は、受動部品１Ｂおよび受動部品１Ｃに限られず、平坦面を有する他の受動部品であってもよい。また、三次元デバイス４Ａは、３つ以上の受動部品を含んでもよい。
【0128】
なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第４実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。
【0129】
前記第１から第４実施形態では、無機層の第１主面の全面と、第１ビア配線および第２ビア配線における無機層の第１主面からの露出面の全面とが、平坦面であったが、無機層の第１主面の少なくとも一部のみが平坦面であってもよいし、当該露出面の少なくとも一部のみが平坦面であってもよいし、無機層の第１主面の一部および当該露出面の一部のみが平坦面であってもよい。
【0130】
前記第２実施形態では、コイルは、１層からなる平面スパイラル状であったが、平面スパイラル状のコイル配線を複数層有していてもよい。これにより、インダクタンスを向上できる。
【0131】
前記第４実施形態では、三次元デバイスの受動部品は、第３実施形態の受動部品であったが、受動部品の種類は特に限定されない。
【0132】
＜１＞
第１主面を有する本体部と、
少なくとも一部が前記本体部の内部に設けられた受動素子と、を備え、
前記第１主面は、少なくとも一部に無機物からなり且つ表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を含む、受動部品。
＜２＞
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機物からなる無機層と、前記無機層の前記第１主面から前記第２主面に前記無機層を貫通する貫通配線と、を含み、
前記無機層の前記第１主面と、前記無機層の前記第１主面から露出する前記貫通配線の露出面とが、前記本体部の前記第１主面を構成する、＜１＞に記載の受動部品。
＜３＞
前記貫通配線は、無機物からなり、
前記貫通配線の前記露出面が、前記平坦面の少なくとも一部を構成する、＜２＞に記載の受動部品。
＜４＞
前記無機層は、アモルファスまたは単結晶である、＜２＞または＜３＞に記載の受動部品。
＜５＞
前記受動素子は、コイルを含み、
前記コイルは、前記本体部の前記第１主面に平行な中心軸を有する、＜１＞から＜４＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜６＞
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機物からなる無機層と、前記無機層の前記第２主面に設けられた有機絶縁層と、を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記受動素子は、少なくとも一部が前記有機絶縁層の内部に設けられたコイルを含み、
前記コイルは、前記無機層と前記有機絶縁層の両方に接触する、＜１＞から＜５＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜７＞
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記無機層の厚みは、前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記受動素子の厚みよりも薄い、＜１＞から＜６＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜８＞
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記受動素子は、前記本体部の前記第１主面に平行な中心軸を有するコイルを含み、
前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記無機層の厚みは、前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記コイルの厚みよりも薄い、＜１＞から＜７＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜９＞
前記本体部は、前記第１主面に対向する第２主面を有し、
前記本体部の前記第２主面に設けられた、有機絶縁樹脂からなる絶縁体をさらに備え、
前記受動素子の少なくとも一部は、前記本体部の前記第２主面から露出し、
前記本体部の前記第２主面から露出する前記受動素子の露出部分は、前記絶縁体で覆われている、＜１＞から＜８＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１０＞
前記受動素子は、コイルを含み、
前記コイルは、前記本体部の前記第１主面に直交する中心軸を有する、＜１＞から＜４＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１１＞
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層と、前記無機層の前記第２主面に設けられた磁性部と、を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記受動素子は、コイルを含み、
前記コイルは、前記磁性部で覆われている、＜１＞から＜４＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１２＞
前記コイルは、前記第１主面に平行な平面に沿って巻き回され、
前記本体部は、前記コイルにおいて前記本体部の前記第１主面に直交する側面に少なくとも設けられた有機絶縁部をさらに含み、
前記磁性部は、前記コイルと前記有機絶縁部とを覆い、
前記コイルは、前記有機絶縁部と前記磁性部とに接触する、＜１１＞に記載の受動部品。
＜１３＞
前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記有機絶縁部の厚みは、前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記コイルの厚みよりも厚い、＜１２＞に記載の受動部品。
＜１４＞
前記本体部は、前記第１主面に対向する第２主面をさらに有し、
前記第２主面は、少なくとも一部に無機物からなる平坦面を含む、＜１＞から＜４＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１５＞
１つ以上の受動素子をさらに備え、
前記１つ以上の受動素子は、インダクタ素子とコンデンサ素子と抵抗素子とのうちの少なくとも１つである、＜１４＞に記載の受動部品。
＜１６＞
前記１つ以上の受動素子は、インダクタ素子とコンデンサ素子とを少なくとも含み、
前記本体部は、前記本体部の前記第１主面から前記第２主面に延在し、延在方向の両端部が前記本体部の前記第１主面および前記第２主面から露出する導通配線をさらに含み、
前記導通配線は、前記インダクタ素子と前記コンデンサ素子とから電気的に独立している、＜１５＞に記載の受動部品。
＜１７＞
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層と、前記無機層の前記第１主面から前記第２主面に前記無機層を貫通する貫通配線と、を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記１つ以上の受動素子は、インダクタ素子とコンデンサ素子とを少なくとも含み、
前記インダクタ素子は、コイルを含み、
前記コンデンサ素子は、対向する２つのコンデンサ電極と、前記２つのコンデンサ電極の間に配置された誘電層と、を含み、
前記２つのコンデンサ電極の導電材料は、前記貫通配線と前記コイルの各々の導電材料と異なり、前記本体部は、前記コイルを少なくとも覆う絶縁層を含み、前記誘電層の材料は、前記絶縁層の材料と同じである、＜１５＞または＜１６＞に記載の受動部品。
＜１８＞
＜１＞から＜１７＞の何れか１つに記載の受動部品と、
前記受動部品の前記平坦面に接合された半導体集積回路部品と、を備える、三次元デバイス。
＜１９＞
＜１＞から＜１７＞の何れか１つに記載の受動部品と、
前記受動部品の前記平坦面に接合された受動部品と、を備える、三次元デバイス。
＜２０＞
無機物からなり、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層を準備する工程と、
前記無機層の前記第２主面側に受動素子を設けて、前記無機層と前記受動素子の少なくとも一部とを含む本体部を形成する工程と、
前記無機層の前記第１主面を研磨して、表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を設ける工程と、を備える、受動部品の製造方法。
第１主面を有する本体部と、
少なくとも一部が前記本体部の内部に設けられた受動素子と、を備え、
前記第１主面は、少なくとも一部に無機物からなり且つ表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を含む、受動部品。
＜２＞
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機物からなる無機層と、前記無機層の前記第１主面から前記第２主面に前記無機層を貫通する貫通配線と、を含み、
前記無機層の前記第１主面と、前記無機層の前記第１主面から露出する前記貫通配線の露出面とが、前記本体部の前記第１主面を構成する、＜１＞に記載の受動部品。
＜３＞
前記貫通配線は、無機物からなり、
前記貫通配線の前記露出面が、前記平坦面の少なくとも一部を構成する、＜２＞に記載の受動部品。
＜４＞
前記無機層は、アモルファスまたは単結晶である、＜２＞または＜３＞に記載の受動部品。
＜５＞
前記受動素子は、コイルを含み、
前記コイルは、前記本体部の前記第１主面に平行な中心軸を有する、＜１＞から＜４＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜６＞
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機物からなる無機層と、前記無機層の前記第２主面に設けられた有機絶縁層と、を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記受動素子は、少なくとも一部が前記有機絶縁層の内部に設けられたコイルを含み、
前記コイルは、前記無機層と前記有機絶縁層の両方に接触する、＜１＞から＜５＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜７＞
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記無機層の厚みは、前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記受動素子の厚みよりも薄い、＜１＞から＜６＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜８＞
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記受動素子は、前記本体部の前記第１主面に平行な中心軸を有するコイルを含み、
前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記無機層の厚みは、前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記コイルの厚みよりも薄い、＜１＞から＜７＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜９＞
前記本体部は、前記第１主面に対向する第２主面を有し、
前記本体部の前記第２主面に設けられた、有機絶縁樹脂からなる絶縁体をさらに備え、
前記受動素子の少なくとも一部は、前記本体部の前記第２主面から露出し、
前記本体部の前記第２主面から露出する前記受動素子の露出部分は、前記絶縁体で覆われている、＜１＞から＜８＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１０＞
前記受動素子は、コイルを含み、
前記コイルは、前記本体部の前記第１主面に直交する中心軸を有する、＜１＞から＜４＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１１＞
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層と、前記無機層の前記第２主面に設けられた磁性部と、を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記受動素子は、コイルを含み、
前記コイルは、前記磁性部で覆われている、＜１＞から＜４＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１２＞
前記コイルは、前記第１主面に平行な平面に沿って巻き回され、
前記本体部は、前記コイルにおいて前記本体部の前記第１主面に直交する側面に少なくとも設けられた有機絶縁部をさらに含み、
前記磁性部は、前記コイルと前記有機絶縁部とを覆い、
前記コイルは、前記有機絶縁部と前記磁性部とに接触する、＜１１＞に記載の受動部品。
＜１３＞
前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記有機絶縁部の厚みは、前記本体部の前記第１主面に直交する方向の前記コイルの厚みよりも厚い、＜１２＞に記載の受動部品。
＜１４＞
前記本体部は、前記第１主面に対向する第２主面をさらに有し、
前記第２主面は、少なくとも一部に無機物からなる平坦面を含む、＜１＞から＜４＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１５＞
１つ以上の受動素子をさらに備え、
前記１つ以上の受動素子は、インダクタ素子とコンデンサ素子と抵抗素子とのうちの少なくとも１つである、＜１４＞に記載の受動部品。
＜１６＞
前記１つ以上の受動素子は、インダクタ素子とコンデンサ素子とを少なくとも含み、
前記本体部は、前記本体部の前記第１主面から前記第２主面に延在し、延在方向の両端部が前記本体部の前記第１主面および前記第２主面から露出する導通配線をさらに含み、
前記導通配線は、前記インダクタ素子と前記コンデンサ素子とから電気的に独立している、＜１５＞に記載の受動部品。
＜１７＞
前記本体部は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層と、前記無機層の前記第１主面から前記第２主面に前記無機層を貫通する貫通配線と、を含み、
前記無機層の前記第１主面が、前記本体部の前記第１主面の少なくとも一部を構成し、
前記１つ以上の受動素子は、インダクタ素子とコンデンサ素子とを少なくとも含み、
前記インダクタ素子は、コイルを含み、
前記コンデンサ素子は、対向する２つのコンデンサ電極と、前記２つのコンデンサ電極の間に配置された誘電層と、を含み、
前記２つのコンデンサ電極の導電材料は、前記貫通配線と前記コイルの各々の導電材料と異なり、前記本体部は、前記コイルを少なくとも覆う絶縁層を含み、前記誘電層の材料は、前記絶縁層の材料と同じである、＜１５＞または＜１６＞に記載の受動部品。
＜１８＞
＜１＞から＜１７＞の何れか１つに記載の受動部品と、
前記受動部品の前記平坦面に接合された半導体集積回路部品と、を備える、三次元デバイス。
＜１９＞
＜１＞から＜１７＞の何れか１つに記載の受動部品と、
前記受動部品の前記平坦面に接合された受動部品と、を備える、三次元デバイス。
＜２０＞
無機物からなり、互いに対向する第１主面および第２主面を有する無機層を準備する工程と、
前記無機層の前記第２主面側に受動素子を設けて、前記無機層と前記受動素子の少なくとも一部とを含む本体部を形成する工程と、
前記無機層の前記第１主面を研磨して、表面粗さが前記第１主面に直交する方向における前記本体部の厚みの１０００分の１以下又は１０ｎｍ以下となる平坦面を設ける工程と、を備える、受動部品の製造方法。
【符号の説明】
【0133】
１、１Ａ、１Ｂ 受動部品
４ 三次元デバイス
７ 積層型半導体パッケージ
１０ 素体
１１ｂ 底面配線
１１ｔ 天面配線
１３ 第１貫通配線
１４ 第２貫通配線
２１ 無機層
２１ａ、２１ｂ 無機層の第１主面、第２主面
２２ 絶縁体
２３ 有機絶縁部
４１ 本体部
４１ａ、４１ｂ 本体部の第１主面、第２主面
５１～５６ 第１～第６接続配線
７１、７２ 第１、第２コンデンサ電極
７３ 誘電層
８１ 導通配線
１１０、１１０Ａ コイル
１１０ｅ１、１１０ｅ２ 外周端、内終端
１２１ｖ、１２２ｖ 第１、第２ビア配線（貫通配線）
１２１ａ 露出面
２１０、２２０ 第１、第２基板
３０１、３０２ 第１、第２半導体集積回路部品
Ｃ コンデンサ素子
Ｌ インダクタ素子
Ｒ 抵抗素子
ｔ１～ｔ９ 厚み
Ｄ１ 第１方向
ＦＳ 平坦面
ＡＸ 軸
４ 三次元デバイス
７ 積層型半導体パッケージ
１０ 素体
１１ｂ 底面配線
１１ｔ 天面配線
１３ 第１貫通配線
１４ 第２貫通配線
２１ 無機層
２１ａ、２１ｂ 無機層の第１主面、第２主面
２２ 絶縁体
２３ 有機絶縁部
４１ 本体部
４１ａ、４１ｂ 本体部の第１主面、第２主面
５１～５６ 第１～第６接続配線
７１、７２ 第１、第２コンデンサ電極
７３ 誘電層
８１ 導通配線
１１０、１１０Ａ コイル
１１０ｅ１、１１０ｅ２ 外周端、内終端
１２１ｖ、１２２ｖ 第１、第２ビア配線（貫通配線）
１２１ａ 露出面
２１０、２２０ 第１、第２基板
３０１、３０２ 第１、第２半導体集積回路部品
Ｃ コンデンサ素子
Ｌ インダクタ素子
Ｒ 抵抗素子
ｔ１～ｔ９ 厚み
Ｄ１ 第１方向
ＦＳ 平坦面
ＡＸ 軸
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図4G】
【図4H】
【図4I】
【図4J】
【図4K】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図8E】
【図8F】
【図8G】
【図8H】
【図8I】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図11C】
【図11D】
【図11E】
【図11F】
【図11G】
【図11H】
【図11I】
【図11J】
【図12】
【図13】