特開 2023-178016 可変減衰器、信号解析装置、及びインピーダンス調整方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023178016

(43)【公開日】2023-12-14

(54)【発明の名称】可変減衰器、信号解析装置、及びインピーダンス調整方法

(51)【国際特許分類】

   H01P 1/22 20060101AFI20231207BHJP

   H01P 11/00 20060101ALI20231207BHJP

【ＦＩ】

H01P1/22

H01P11/00 100

【審査請求】有

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022091036

(22)【出願日】2022-06-03

(71)【出願人】

【識別番号】000000572

【氏名又は名称】アンリツ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003694

【氏名又は名称】弁理士法人有我国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】臼井 智紀

(72)【発明者】

【氏名】丸尾 友彦

(57)【要約】

【課題】簡単な構造で製造時のインピーダンスミスマッチ調整を効率的かつ容易に実現でき、コストを低減し高周波特性を向上することが可能な可変減衰器、信号解析装置、及びインピーダンス調整方法を提供する。
【解決手段】信号解析装置１に搭載する可変減衰器２は、ベース基板２０の伝送路非形成面側から伝送路用溝２３の底部まで貫通する複数の調整用孔５０、５１、５２、５３と、伝送路非形成面側から取り付け可能で、調整用孔５０、５１、５２、５３内での軸方向の位置を調整可能な複数の調整棒７０、７１、７２、７３と、を有し、上記軸方向の位置調整に際し、調整棒７０、７１、７２、７３の先端部分が伝送路用溝２３内まで突出することにより凸部９０と、先端部分が底面まで到達しないことにより生じる凹部９１の各形状に基づく磁場の変動に応じてインピーダンスを調整する構成を有している。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

信号入力端子（２１）と信号出力端子（２２）間に高周波信号の伝送路を構成するための伝送路用溝（２３）を形成するベース基板（２０）と、前記ベース基板の前記伝送路用溝を形成する伝送路形成面側の面全体を覆うアース板（２０ａ）と、を有し、
前記伝送路用溝は、減衰素子（３１）を装着し、前記信号入力端子から入力される前記高周波信号を前記減衰素子により減衰する減衰経路（２５）と、前記減衰素子を通さないスルー経路（２６）と、が複数組設けられるとともに、中央部を中心導体（３３ｂ、３３ｂ１、３３ｂ２）が貫通する複数の誘電体ブロック（３３）を装着し、
前記組ごとに前記減衰経路または前記スルー経路を選択し、選択した全ての前記減衰経路内の前記減衰素子に応じた減衰レベルを設定可能な可変減衰器（２）であって、
前記ベース基板の前記伝送路形成面の反対側の伝送路非形成面側から前記伝送路用溝の底部まで貫通し、前記伝送路用溝に沿って設けられる複数の調整用孔（５０、５１、５２、５３）と、
前記複数の調整用孔に対して前記伝送路非形成面側からそれぞれ取り付け可能であり、前記調整用孔内での軸方向の位置を調整可能な複数の調整棒（７０、７１、７２、７３）と、を有し、
前記軸方向の位置調整に際し、前記調整棒の先端部分が前記伝送路用溝の底面を超えて前記伝送路用溝内に突出することにより生じる突出部（９０）と、前記調整棒の先端部分が前記底面まで到達しないことにより生じる陥没部（９１）の各形状に基づく磁場の変動に応じてインピーダンスを調整することを特徴とする可変減衰器。

【請求項2】

前記調整用孔は、前記誘電体ブロックから延設する前記中心導体の下方位置に前記中心導体に沿って配列することを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。

【請求項3】

前記調整用孔は、前記誘電体ブロックの直下に設けられることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。

【請求項4】

前記調整用孔は、前記スルー経路、前記減衰経路、前記スルー経路と前記減衰経路とをつなぐ経路（２４）が交差する位置の直下に設けられることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。

【請求項5】

前記調整用孔は、ねじ孔（５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａ）で構成し、
前記調整棒は、前記ねじ孔に嵌め合わせて回転可能な金属ねじ（７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａ）で構成することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の可変減衰器。

【請求項6】

前記金属ねじは、先端部（７７）に樹脂製の別部材（８０ｂ、８１ｂ、８２ｂ）がさらに設けられることを特徴とする請求項５に記載の可変減衰器。

【請求項7】

前記調整用孔は、ねじ孔（５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃ）で構成し、
前記調整棒は、前記ねじ孔に嵌め合わせて回転可能な樹脂ねじ（７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃ）で構成することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の可変減衰器。

【請求項8】

前記調整用孔は、内周が平滑な長孔からなる圧入孔（５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄ）で構成し、
前記調整棒は、前記圧入孔に圧入する樹脂製の平行ピン部材（７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄ）で構成することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の可変減衰器。

【請求項9】

前記高周波信号は、５Ｇ ＮＲ規格の信号であり、
前記伝送路用溝は、前記信号入力端子と前記信号出力端子間のインピーダンスが、全ての前記誘電体ブロックを前記伝送路用溝に配置した状態で所定の値となるようにしたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の可変減衰器。

【請求項10】

減衰レベルを可変設定可能であり、被試験対象（１００）から出力された高周波信号を、設定した減衰レベルで減衰する可変減衰器（２）と、
減衰された前記高周波信号を中間周波数信号に変換する周波数変換部（３）と、
前記中間周波数信号をサンプリングして得られるディジタルデータに対して解析処理を行う信号解析部（５）と、を備え、
前記可変減衰器は、
信号入力端子（２１）と信号出力端子（２２）間に前記高周波信号の伝送路を構成するための伝送路用溝（２３）を形成するベース基板（２０）と、前記ベース基板の前記伝送路用溝を形成する伝送路形成面側の面全体を覆うアース板（２０ａ）と、を有し、
前記伝送路用溝は、減衰素子（３１）を装着し、前記信号入力端子から入力される前記高周波信号を前記減衰素子により減衰する減衰経路（２５）と、前記減衰素子を通さないスルー経路（２６）と、が複数組設けられるとともに、それぞれの中央部を中心導体（３３ｂ１、３３ｂ、３３ｂ２）が貫通する複数の誘電体ブロック（３３）を装着し、
前記組ごとに前記減衰経路または前記スルー経路を選択し、選択された全ての前記減衰経路内の前記減衰素子に応じた信号減衰レベルを設定可能であって、
前記ベース基板の前記伝送路形成面の反対側の伝送路非形成面側から前記伝送路用溝の底部まで貫通して設けられ、前記伝送路用溝に沿って配列する複数の調整用孔（５０、５１、５２、５３）と、
前記複数の調整用孔に対して前記伝送路非形成面側からそれぞれ取り付け可能であり、前記調整用孔内での軸方向の位置を調整可能な複数の調整棒（７０、７１、７２、７３）と、をさらに有し、
前記軸方向の位置調整に際し、前記調整棒の先端部分が前記伝送路用溝の底面を超えて前記伝送路用溝内に突出することにより生じる突出部（９０）と、前記調整棒の先端部分が前記底面まで到達しないことにより生じる陥没部（９１）の各形状に基づく磁場の変動に応じてインピーダンスを調整することを特徴とする信号解析装置。

【請求項11】

請求項１０に記載の信号解析装置における前記可変衰器の前記伝送路用溝を構成する前記伝送路のインピーダンスを調整するインピーダンス調整方法であって、
前記伝送路用溝と、前記伝送路用溝に沿って配列する前記複数の調整用孔と、を有する前記ベース基板を用意し、前記伝送路用溝内に前記誘電体ブロックを装着して固定したうえで、前記ベース基板の前記伝送路形成面の面全体を前記アース板で覆い、可変減衰器として組み立てる組み立てステップ（Ｓ１、Ｓ２）と、
組み立てられた前記可変減衰器の前記ベース基板の前記複数の調整用孔に対して前記伝送路非形成面側から前記調整棒を取り付けて当該調整棒の前記調整用孔の軸方向の位置を調整し、前記軸方向の位置調整に際し、前記調整棒の先端部分が前記伝送路用溝の底面を超えて前記伝送路用溝内に突出することにより生じる突出部（９０）と、前記調整棒の先端部分が前記底面まで到達しないことにより生じる陥没部（９１）の各形状に基づく磁場の変動に応じてインピーダンスを調整するインピーダンス調整ステップ（Ｓ３）と、
前記インピーダンスを調整した後の前記可変減衰器の信号入力端子（２１）と信号出力端子（２２）間のインピーダンスを測定する測定ステップ（Ｓ４）と、
を含み、前記インピーダンスの測定結果に基づき、必要に応じて前記インピーダンス調整ステップを繰り返し実施することを特徴とする可変減衰器のインピーダンス調整方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、メカニカルアッテネータで構成される可変減衰器、可変減衰器を備える信号解析装置、及び可変減衰器の製造時におけるインピーダンス調整方法に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば、新規に開発された携帯端末等の移動体通信端末（以下、移動端末）を被試験対象（Device Under Test：ＤＵＴ）とし、該ＤＵＴから出力される無線信号を被測定信号として受信して解析処理を行うシグナルアナライザやスペクトラムアナライザなどの信号解析装置が知られている。

【0003】

近年、信号解析装置においても、例えば、５Ｇ ＮＲ規格に則り通信を行う、いわゆる、５Ｇ端末の開発の進展に合わせて、より高周波帯（例えば、２６．５ＧＨｚ以上）の信号を被測定信号として受信し、解析する能力が求められている。

【0004】

この種の信号解析装置では、過入力による測定結果への悪影響を回避するために、減衰量を可変設定し、ＤＵＴからの入力信号（変調信号）のレベルを設定されたレベルで減衰して出力する可変減衰器を備えたものがある。可変減衰器の一例として、伝送路を選択的に切り替えて減衰量を可変設定する、いわゆるメカニカルアッテネータ（メカニカルＡＴＴ）が知られている。

【0005】

高周波信号の伝送路の構造については、例えば、アース筐体の外導体溝の側端部に傾斜面を有する皿状ねじを取り付け、該皿状ねじ（以下、皿状ねじを皿ねじという）の傾斜面により、アース筐体内で上支持体の段部と下支持体の段部との間で中心導体を挟持する方向に押圧し、接点バネまたは共通接点を確実に外導体溝内に支持することを可能とする同軸伝送路の中心導体支持構造が従来から知られている（特許文献１等。）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】実開平６－２９２０６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

ところで、５Ｇ ＮＲ規格の高周波信号（例えば、２６．５ＧＨｚ以上）の解析処理を想定した場合、特許文献１に記載された知見に基づき実現し得る従来のメカニカルＡＴＴの構造では測定精度を維持したままでの当該解析処理への対応は困難であった。

【0008】

その要因としては、以下に述べるように、高周波信号の入力部と後段の周波数変換部の間におけるインピーダンス調整の困難性、複雑な構造及びコスト増などが挙げられる。

【0009】

メカニカルＡＴＴは、例えば、図１８に示すように、金属製のベース基板２００の限られたスペース内に導波路２０１（後述の伝送路用溝２３参照）を形成し、該導波路２０１内に複数の誘電体ブロック２０２、減衰素子（図示せず）を装着した構造を基本としている。さらにメカニカルＡＴＴは、上述したスペース内に誘電体ブロック２０２を貫く中心導体２０３ａ、２０３、２０３ｂ（同、中心導体３３ｂ１、３３ｂ、３３ｂ２参照）を保持する構造、減衰素子を通さないスルー経路と減衰素子を通すことにより減衰する減衰経路を切り替えるリレー駆動での高周波スイッチ２０４（同、経路切替機構４０参照）等を設ける必要があり、均一のインピーダンスを実現することは困難であった。高周波スイッチ２０４は、駆動部２０４ａ、または駆動部２０４ｂによってスルー経路側の中心導体２０３ａ、または減衰経路側の中心導体２０３ｂを押し上げて中心導体２０３に接触させることでスルー経路と減衰経路を切り替えるものであり、構造が複雑であり、配置スペースも広くならざるを得ない。しかも、メカニカルＡＴＴは単純な構造で作る必要があるため、例えば、製造時、入出力端子間のインピーダンスが設計値と不一致な状態（ミスマッチ状態）から当該インピーダンスが設計値に一致する状態（マッチ状態）となるように調整する、いわゆるインピーダンスミスマッチ調整を行うことが極めて困難であった。

【0010】

以上のように、従来のメカニカルＡＴＴは、製造時のインピーダンスミスマッチ調整が困難であることがネックとなって、例えば、５Ｇ ＮＲ規格の周波数帯（例えば２６．５ＧＨｚ以上の周波数帯）の信号等、より高周波帯の信号を対象とする信号解析への対応が困難であった。従来、高周波特性を向上する方法としてアース板に複雑なエンボス加工を施す方法もあったが、この方法では加工数が増大し、コスト高騰を招来するという問題があった。

【0011】

本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであって、簡単な構造で製造時のインピーダンスミスマッチ調整を効率的かつ容易に実現でき、コストを低減し高周波特性を向上することが可能な可変減衰器、信号解析装置、及びインピーダンス調整方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0012】

上記課題を解決するために、本発明の請求項１に係る可変減衰器は、信号入力端子（２１）と信号出力端子（２２）間に高周波信号の伝送路を構成するための伝送路用溝（２３）を形成するベース基板（２０）と、前記ベース基板の前記伝送路用溝を形成する伝送路形成面側の面全体を覆うアース板（２０ａ）と、を有し、前記伝送路用溝は、減衰素子（３１）を装着し、前記信号入力端子から入力される前記高周波信号を前記減衰素子により減衰する減衰経路（２５）と、前記減衰素子を通さないスルー経路（２６）と、が複数組設けられるとともに、中央部を中心導体（３３ｂ、３３ｂ１、３３ｂ２）が貫通する複数の誘電体ブロック（３３）を装着し、前記組ごとに前記減衰経路または前記スルー経路を選択し、選択した全ての前記減衰経路内の前記減衰素子に応じた減衰レベルを設定可能な可変減衰器（２）であって、前記ベース基板の前記伝送路形成面の反対側の伝送路非形成面側から前記伝送路用溝の底部まで貫通し、前記伝送路用溝に沿って設けられる複数の調整用孔（５０、５１、５２、５３）と、前記複数の調整用孔に対して前記伝送路非形成面側からそれぞれ取り付け可能であり、前記調整用孔内での軸方向の位置を調整可能な複数の調整棒（７０、７１、７２、７３）と、を有し、前記軸方向の位置調整に際し、前記調整棒の先端部分が前記伝送路用溝の底面を超えて前記伝送路用溝内に突出することにより生じる突出部（９０）と、前記調整棒の先端部分が前記底面まで到達しないことにより生じる陥没部（９１）の各形状に基づく磁場の変動に応じてインピーダンスを調整することを特徴とする。

【0013】

この構成により、本発明の請求項１に係る可変減衰器は、伝送路用溝（導波路）内にインピーダンス調整要素としての調整用孔及び調整棒を細かく配置することで、調整用孔内での調整棒の軸方向の位置調整により、導波路内に突出部、もしくは陥没部を設けることができ、簡単な構造と、突出部の突出具合、陥没部の陥没具合を適宜調整する簡単な操作とによってより細かなインピーダンス調整が可能となる。細かなインピーダンス調整が可能となることで、導波路を構成する部材の機械精度のばらつきによるインピーダンスミスマッチを製造時に設計値と一致になるよう調整し易いという利点を有する。

【0014】

具体的に、上記構成においてはアース板のエンボス加工が不要となり、インピーダンスを設計値と一致させ易く、メカニカルアッテネータとしての高周波特性を向上することができるうえ、加工の削減及びコスト低減が可能となる。コスト許容範囲内で従来のエンボス加工を施し、本発明における調整棒の軸方向の位置調整機構を併用するようにすれば、より細かなインピーダンスミスマッチ調整も実現できる。

【0015】

また、エンボス加工を主体としていた従来装置の構成では、主に２６．５ＧＨｚ以下で用いるメカニカルアッテネータとしての性能維持が限界であったが、調整棒の軸方向の位置を変更して細かなインピーダンス調整を可能とする本発明の構成によれば、ミリ波のようなさらに高い周波数での性能向上に有用である。

【0016】

本発明の請求項２に係る可変減衰器において、前記調整用孔は、前記誘電体ブロックから延設する前記中心導体の下方位置に前記中心導体に沿って配列する構成としてもよい。

【0017】

この構成により、本発明の請求項２に係る可変減衰器は、中心導体の下方位置に設けた調整用孔内での調整棒の軸方向の位置調整により磁場の歪みを効果的に発生せしめて効率の良いインピーダンス調整を実現できる。

【0018】

本発明の請求項３に係る可変減衰器において、前記調整用孔は、前記誘電体ブロックの直下に設けられる構成であってもよい。

【0019】

この構成により、本発明の請求項３に係る可変減衰器は、誘電体ブロックの直下に設けた調整用孔内での調整棒の軸方向の位置調整により磁場の歪みを効果的に発生せしめて効率の良いインピーダンス調整を実現できる。

【0020】

本発明の請求項４に係る可変減衰器において、前記調整用孔は、前記スルー経路、前記減衰経路、前記スルー経路と前記減衰経路とをつなぐ経路（２４）が交差する位置の直下に設けられる構成としてもよい。

【0021】

この構成により、本発明の請求項４に係る可変減衰器は、スルー経路、減衰経路、スルー経路と減衰経路をつなぐ経路が交差する位置の直下に設けた調整用孔内での調整棒の軸方向の位置調整により磁場の歪みを効果的に発生せしめて効率の良いインピーダンス調整を実現できる。

【0022】

本発明の請求項５に係る可変減衰器において、前記調整用孔は、ねじ孔（５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａ）で構成し、前記調整棒は、前記ねじ孔に嵌め合わせて回転可能な金属ねじ（７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａ）で構成してもよい。

【0023】

この構成により、本発明の請求項５に係る可変減衰器は、ねじ孔に対する突出部、陥没部の形状を意識した金属ねじの回転操作により、容易にインピーダンス調整を行うことが可能になる。

【0024】

本発明の請求項６に係る可変減衰器において、前記金属ねじは、先端部（７７）に樹脂製の別部材（８０ｂ、８１ｂ、８２ｂ）がさらに設けられる構成であってもよい。

【0025】

この構成により、本発明の請求項６に係る可変減衰器は、金属ねじについての樹脂製の別部材の先端部分が伝送線路（中心導体等）に直接触れるような軸方向の位置調整が可能であり、より細やかなインピーダンス調整を行うことができるようになる。

【0026】

本発明の請求項７に係る可変減衰器において、前記調整用孔は、ねじ孔（５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃ）で構成し、前記調整棒は、前記ねじ孔に嵌め合わせて回転可能な樹脂ねじ（７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃ）で構成してもよい。

【0027】

この構成により、本発明の請求項７に係る可変減衰器は、樹脂成型により安価に樹脂ねじを生成することができるとともに、ねじ孔に対する突出部、陥没部の形状を意識した樹脂ねじの回転操作により、容易にインピーダンス調整を行うことが可能となる。

【0028】

本発明の請求項８に係る可変減衰器において、前記調整用孔は、内周が平滑な長孔からなる圧入孔（５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄ）で構成し、前記調整棒は、前記圧入孔に圧入する樹脂製の平行ピン部材（７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄ）で構成してもよい。

【0029】

この構成により、本発明の請求項８に係る可変減衰器は、圧入孔に対する平行ピン部材の圧入位置に応じて容易にインピーダンス調整を行うことができる。また、ねじ加工が不要のため安価な構成とすることができる。

【0030】

本発明の請求項９に係る可変減衰器において、前記高周波信号は、５Ｇ ＮＲ規格の信号であり、前記伝送路用溝は、前記信号入力端子と前記信号出力端子間のインピーダンスが、全ての前記誘電体ブロックを前記伝送路用溝に配置した状態で所定の値となるようにした構成を有していてもよい。

【0031】

この構成により、本発明の請求項９に係る可変減衰器は、簡単な構造及び操作によって、５Ｇ ＮＲ規格の移動端末の試験にも適用し得る高周波特性を発揮できる。

【0032】

上記課題を解決するために、本発明の請求項１０に係る信号解析装置は、減衰レベルを可変設定可能であり、被試験対象（１００）から出力された高周波信号を、設定した減衰レベルで減衰する可変減衰器（２）と、減衰された前記高周波信号を中間周波数信号に変換する周波数変換部（３）と、前記中間周波数信号をサンプリングして得られるディジタルデータに対して解析処理を行う信号解析部（５）と、を備え、前記可変減衰器は、信号入力端子（２１）と信号出力端子（２２）間に前記高周波信号の伝送路を構成するための伝送路用溝（２３）を形成するベース基板（２０）と、前記ベース基板の前記伝送路用溝を形成する伝送路形成面側の面全体を覆うアース板（２０ａ）と、を有し、前記伝送路用溝は、減衰素子（３１）を装着し、前記信号入力端子から入力される前記高周波信号を前記減衰素子により減衰する減衰経路（２５）と、前記減衰素子を通さないスルー経路（２６）と、が複数組設けられるとともに、それぞれの中央部を中心導体（３３ｂ１、３３ｂ、３３ｂ２）が貫通する複数の誘電体ブロック（３３）を装着し、前記組ごとに前記減衰経路または前記スルー経路を選択し、選択された全ての前記減衰経路内の前記減衰素子に応じた信号減衰レベルを設定可能であって、前記ベース基板の前記伝送路形成面の反対側の伝送路非形成面側から前記伝送路用溝の底部まで貫通して設けられ、前記伝送路用溝に沿って配列する複数の調整用孔（５０、５１、５２、５３）と、前記複数の調整用孔に対して前記伝送路非形成面側からそれぞれ取り付け可能であり、前記調整用孔内での軸方向の位置を調整可能な複数の調整棒（７０、７１、７２、７３）と、をさらに有し、前記軸方向の位置調整に際し、前記調整棒の先端部分が前記伝送路用溝の底面を超えて前記伝送路用溝内に突出することにより生じる突出部（９０）と、前記調整棒の先端部分が前記底面まで到達しないことにより生じる陥没部（９１）の各形状に基づく磁場の変動に応じてインピーダンスを調整することを特徴とする。

【0033】

この構成により、本発明の請求項１０に係る信号解析装置では、可変減衰器において、伝送路用溝（導波路）内にインピーダンス調整要素としての調整用孔及び調整棒を細かく配置することで、調整用孔内での調整棒の軸方向の位置調整により、導波路内に突出部、もしくは陥没部を設けることができ、簡単な構造と、突出部の突出具合、陥没部の陥没具合を適宜調整する簡単な操作とによってより細かなインピーダンス調整が可能となる。細かなインピーダンス調整が可能となることで、導波路を構成する部材の機械精度のばらつきによるインピーダンスミスマッチを製造時に設計値と一致になるよう調整し易いという利点を有する。

【0034】

具体的に、上記構成においてはアース板のエンボス加工が不要となり、インピーダンスを設計値と一致させ易く、メカニカルアッテネータとしての高周波特性を向上することができるうえ、加工の削減及びコスト低減が可能となる。コスト許容範囲内で従来のエンボス加工を施し、本発明における調整棒の軸方向の位置調整機構を併用するようにすれば、より細かなインピーダンスミスマッチ調整も実現できる。また、エンボス加工を主体としていた従来装置の構成では、主に２６．５ＧＨｚ以下で用いるメカニカルアッテネータとしての性能維持が限界であったが、調整棒の軸方向の位置を変更して細かなインピーダンス調整を可能とする本発明の構成によれば、ミリ波のようなさらに高い周波数での性能向上に有用である。

【0035】

上記課題を解決するために、本発明の請求項１１に係るインピーダンス調整方法は、請求項１０に記載の信号解析装置における前記可変衰器の前記伝送路用溝を構成する前記伝送路のインピーダンスを調整するインピーダンス調整方法であって、前記伝送路用溝と、前記伝送路用溝に沿って配列する前記複数の調整用孔と、を有する前記ベース基板を用意し、前記伝送路用溝内に前記誘電体ブロックを装着して固定したうえで、前記ベース基板の前記伝送路形成面の面全体を前記アース板で覆い、可変減衰器として組み立てる組み立てステップ（Ｓ１、Ｓ２）と、組み立てられた前記可変減衰器の前記ベース基板の前記複数の調整用孔に対して前記伝送路非形成面側から前記調整棒を取り付けて当該調整棒の前記調整用孔の軸方向の位置を調整し、前記軸方向の位置調整に際し、前記調整棒の先端部分が前記伝送路用溝の底面を超えて前記伝送路用溝内に突出することにより生じる突出部（９０）と、前記調整棒の先端部分が前記底面まで到達しないことにより生じる陥没部（９１）の各形状に基づく磁場の変動に応じてインピーダンスを調整するインピーダンス調整ステップ（Ｓ３）と、前記インピーダンスを調整した後の前記可変減衰器の信号入力端子（２１）と信号出力端子（２２）間のインピーダンスを測定する測定ステップ（Ｓ４）と、を含み、前記インピーダンスの測定結果に基づき、必要に応じて前記インピーダンス調整ステップを繰り返し実施することを特徴とする。

【0036】

この構成により、本発明の請求項１１に係るインピーダンス調整方法は、請求項１０に係る信号解析装置における可変減衰器において、伝送路用溝（導波路）内にインピーダンス調整要素としての調整用孔及び調整棒を細かく配置することで、調整用孔内での調整棒の軸方向の位置調整により、導波路内に突出部、もしくは陥没部を設けることができ、簡単な構造と、突出部の突出具合、陥没部の陥没具合を適宜調整する簡単な操作とによってより細かなインピーダンス調整が可能となる。細かなインピーダンス調整が可能となることで、導波路を構成する部材の機械精度のばらつきによるインピーダンスミスマッチを製造時に設計値と一致になるよう調整し易いという利点を有する。

【0037】

具体的に、上記構成においてはアース板のエンボス加工が不要となり、インピーダンスを設計値と一致させ易く、メカニカルアッテネータとしての高周波特性を向上することができるうえ、加工の削減及びコスト低減が可能となる。コスト許容範囲内で従来のエンボス加工を施し、本発明における調整棒の軸方向の位置調整機構を併用するようにすれば、より細かなインピーダンスミスマッチ調整も実現できる。また、エンボス加工を主体としていた従来装置の構成では、主に２６．５ＧＨｚ以下で用いるメカニカルアッテネータとしての性能維持が限界であったが、調整棒の軸方向の位置を変更して細かなインピーダンス調整を可能とする本発明の構成によれば、ミリ波のようなさらに高い周波数での性能向上に有用である。

【発明の効果】

【0038】

本発明は、簡単な構造で製造時のインピーダンスミスマッチ調整を効率的かつ容易に実現でき、コストを低減し高周波特性を向上することが可能な可変減衰器、信号解析装置、及びインピーダンス調整方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0039】

【図1】本発明の一実施形態に係る信号解析装置の構成を示すブロック図である。

【図2】本発明の一実施形態に係る信号解析装置の可変減衰器の外観構造を示す図であり、（ａ）は上面図を示し、（ｂ）は側面図を示している。

【図3】本発明の一実施形態に係る信号解析装置の可変減衰器の内部構造を示す斜視図である。

【図4】本発明の一実施形態に係る信号解析装置の可変減衰器の図３に示す内部構造から減衰素子及び皿ねじを取り去った状態の内部構造を示す斜視図である。

【図5】図４に示す可変減衰器におけるＡ－Ａ線による断面構造を示す図であり、（ａ）は調整棒を取り付けていないときの断面形状を示し、（ｂ）は調整棒を取り付けているときの断面形状を示している。

【図6】本発明の一実施形態に係る信号解析装置の可変減衰器の図３に示す内部構造からさらに誘電体ブロックを取り去った状態のベース基板の内部構造を示す平面図である。

【図7】図６に示したベース基板の内部構造を示す斜視図である。

【図8】図６及び図７に示した内部構造を有するベース基板の伝送路非形成面側から見た外観構造を示す斜視図である。

【図9】本発明の第１の実施形態に係る可変減衰器における図４のＡ－Ａ線による断面構造を示す断面図である。

【図10】図９に示した断面構造の要部を示す要部断面斜視図である。

【図11】本発明の第１の実施形態に係る可変減衰器におけるインピーダンス調整処理動作を示すフローチャートである。

【図12】本発明の第２の実施形態に係る可変減衰器における図４のＡ－Ａ線による断面構造を示す断面図である。

【図13】図１２に示した断面構造の要部を示す要部断面斜視図である。

【図14】本発明の第３の実施形態に係る可変減衰器における図４のＡ－Ａ線による断面構造を示す断面図である。

【図15】図１４に示した断面構造の要部を示す要部断面斜視図である。

【図16】本発明の第４の実施形態に係る可変減衰器における図４のＡ－Ａ線による断面構造を示す断面図である。

【図17】図１６に示した断面構造の要部を示す要部断面斜視図である。

【図18】従来の信号解析装置の可変減衰器における伝送路用溝に沿った要部断面構造を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0040】

以下、本発明に係る可変減衰器、信号解析装置、及びインピーダンス調整方法について図面を用いて説明する。

【0041】

本発明の一実施形態においては、本発明の信号解析装置を、ＤＵＴから出力される無線信号を被測定信号として受信し、当該被測定信号に対して解析処理を行うシグナルアナライザやスペクトラムアナライザなどの信号解析装置に適用した例を挙げて説明する。まず、本発明の一実施形態における信号解析装置の構成について説明する。

【0042】

図１に示すように、本発明の一実施形態に係る信号解析装置１は、可変減衰器（可変ＡＴＴ）２と、周波数変換部３と、Ａ／Ｄ変換器（ＡＤＣ）４と、信号解析部５と、操作部６と、表示部７と、制御部８と、を備え、ＤＵＴ１００から出力された変調信号Ｓｍの解析処理を行うものである。

【0043】

ＤＵＴ１００と信号解析装置１とは同軸ケーブルで接続していてもよく、あるいは、無線通信で接続していてもよい。

【0044】

ＤＵＴ１００は、例えば無線通信アンテナとＲＦ回路を有する無線端末機器や基地局などである。ＤＵＴ１００の通信規格としては、５Ｇ ＮＲ、セルラ（ＬＴＥ、ＬＴＥ－Ａ、Ｗ－ＣＤＭＡ（登録商標）、ＧＳＭ（登録商標）、ＣＤＭＡ２０００、１ｘＥＶ－ＤＯ、ＴＤ－ＳＣＤＭＡ等）、無線ＬＡＮ（ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ／ｇ／ａ／ｎ／ａｃ／ａｄ等）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＧＮＳＳ（ＧＰＳ、Ｇａｌｉｌｅｏ、ＧＬＯＮＡＳＳ、ＢｅｉＤｏｕ等）、ＦＭ、及びディジタル放送（ＤＶＢ－Ｈ、ＩＳＤＢ－Ｔ等）が挙げられる。また、ＤＵＴ１００から出力する変調信号Ｓｍの変調方式としては、例えばＢＰＳＫ、ＱＰＳＫ、ＱＡＭ、ＯＦＤＭ等が挙げられる。

【0045】

可変ＡＴＴ２は、内部に抵抗（後述する減衰素子３１に相当）を有し、ＤＵＴ１００から出力された高周波の変調信号Ｓｍを信号解析部５において処理可能な信号レベルに減衰するためのもので、インピーダンスを設計値に極力近くなるように調整する機構を有している。本発明の一実施形態において、可変ＡＴＴ２は、メカニカルＡＴＴによって実現するものである。可変ＡＴＴ２の構成については、後で詳述する。

【0046】

周波数変換部３は、可変ＡＴＴ２により減衰された変調信号Ｓｍを中間周波数信号に変換するものであり、局部発振器３ａと、周波数混合器３ｂと、ＩＦフィルタ３ｃと、ＩＦ増幅器３ｄと、を有する。

【0047】

局部発振器３ａは、ローカル信号として、元の変調信号Ｓｍの周波数の値よりも変換先の周波数の値の分だけ高い周波数あるいは低い周波数の正弦波を発生するものである。局部発振器３ａが発振するローカル信号の周波数は、所望の解析帯域に応じて制御部８により設定される。

【0048】

周波数混合器３ｂは、可変ＡＴＴ２で減衰された周波数ｆＳの変調信号Ｓｍと、局部発振器３ａが出力した周波数ｆＬのローカル信号とを混合し、２つの信号の和及び差の周波数成分を含む出力信号を生成するものである。

【0049】

ＩＦフィルタ３ｃは、アナログのバンドパス・フィルタなどで構成し、周波数混合器３ｂからの出力信号をフィルタリングするようになっている。ＩＦフィルタ３ｃは、周波数混合器３ｂによって変調信号Ｓｍとローカル信号とを混合した中間周波数｜ｆＬ－ｆＳ｜又はｆＬ＋ｆＳが所定の周波数範囲内にあるときに、当該中間周波数の中間周波数信号を出力する。

【0050】

ＩＦ増幅器３ｄは、ＩＦフィルタ３ｃが出力する中間周波数信号を増幅する固定利得の増幅器である。

【0051】

ＡＤＣ４は、ＩＦ増幅器３ｄにより増幅した中間周波数信号を所定のサンプリングレートでサンプリングして、ディジタルデータに変換する。ＡＤＣ４は、このディジタルデータを信号解析部５に出力するようになっている。

【0052】

信号解析部５は、ＡＤＣ４から出力したディジタルデータに対して解析処理を実行するようになっている。

【0053】

操作部６は、ユーザによる操作入力を行うためのものであり、例えば表示部７の表示画面の表面に設けられたタッチパネルで構成する。あるいは、操作部６は、キーボード又はマウスのような入力デバイスを含んで構成してもよい。

【0054】

表示部７は、例えばＬＣＤやＣＲＴなどの表示機器で構成され、制御部８から出力される制御信号に応じて、信号解析部５による解析結果などを表示するようになっている。

【0055】

制御部８は、例えばＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＨＤＤなどを含むマイクロコンピュータ又はパーソナルコンピュータ等で構成し、信号解析装置１を構成する上記各部の動作を制御する。

【0056】

なお、制御部８は、例えば、ＲＯＭに記憶した所定のプログラムを実行することにより、経路切替制御部８ａをソフトウェア的に実現することが可能である。経路切替制御部８ａは、後述する経路切替機構４０（図５参照）を構成する駆動部４０ａ、駆動部４０ｂを駆動制御することにより、可変ＡＴＴ２における減衰経路またはスルー経路の切り替えに関する制御を行う。

【0057】

次に、可変ＡＴＴ２の構成について図２～図８を参照して説明する。
図２に示すように、可変ＡＴＴ２は、上面両端部にコネクタ１２、１３が設けられ、該コネクタ１２、１３間に渡る部分を覆うように金属製のカバー筐体１１を取り付けたベース基板２０と、カバー筐体１１の反対側から当該ベース基板２０の一面全体を覆う、例えば、金属板からなるアース板２０ａとの積層構造によって構成している。

【0058】

ベース基板２０の構成を図３に示している。ベース基板２０は、例えば、アルミニウム製の板状部材に、銅下地及び金メッキを施して形成したものである。図３に示すように、ベース基板２０は矩形の平面形状を有し、一端にはコネクタ１２に連結する信号入力端子２１が設けられ、他端にはコネクタ１３に連結する信号出力端子２２が設けられている。ベース基板２０は、信号入力端子２１と信号出力端子２２間に渡り、所定の深さを有する断面形状が例えば矩形の伝送路用溝２３が設けられている。

【0059】

伝送路用溝２３は、一本の溝２４から２本の溝２５、２６に分岐し再び一本の溝２４として合流する分岐合流型溝を一組として、複数組の分岐合流型溝が直列に連結する構造を有している。各組の分岐合流型溝は、分岐した２本の溝２５、２６のうちの一方の溝、例えば溝２５が所定のレベルの信号減衰機能を有する減衰素子３１を配置して、そこを通る高周波信号を減衰する減衰経路を形成している。また、分岐した２本の溝２５、２６のうちの他方の溝、例えば溝２６は信号減衰器機能を有しない（減衰素子３１を通さない）スルー経路を形成している。溝２４は本発明の「スルー経路と減衰経路をつなぐ経路」を構成している。

【0060】

また、伝送路用溝２３内には、信号入力端子２１と信号出力端子２２間の複数の所要の位置ごとにそれぞれ誘電体ブロック３３を配置している。誘電体ブロック３３は、スルー経路側、中央、減衰経路側に配置し、それらの各々が、例えば、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）を素材とする立体形状部材からなり、中心を、例えば、帯状導体箔が中心導体３３ｂ１、３３ｂ、３３ｂ２として貫いた構造（図３参照）を有している。中心導体３３ｂ１、３３ｂ２として誘電体ブロック３３を貫いた帯状導体箔は、それぞれ、誘電体ブロック３３の両端側から伝送路用溝２３をその長さ方向に沿って延設している。

【0061】

誘電体ブロック３３、中心導体３３ｂ１、３３ｂ、３３ｂ２の構造及び機能について、図４、図５を参照してさらに詳しく説明する。図４は、図３に示す状態から減衰素子３１及び皿ねじ３５を取り去った状態の可変ＡＴＴ２の内部構造を示している。また、図５は、図４のＡ－Ａ線による要部断面図であり、（ａ）は調整棒７０、７１、７２、７３を取り付けていないときの断面構造を示し、（ｂ）は調整棒７０、７１、７２、７３を取り付けているときの断面構造を示している。

【0062】

より詳しくは、図５（ａ）、図５（ｂ）は、伝送路用溝２３を構成する溝２４、２５、２６のうち、特に、溝２６側から溝２５にかけての要部断面図をそれぞれ示している。図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、伝送路用溝２３を構成する溝２６内に配置する誘電体ブロック３３（「スルー経路側」の誘電体ブロック３３）からはその中心部を貫いて中心導体３３ｂ１が導出している。この中心導体３３ｂ１は、溝２４内に配置する誘電体ブロック３３（「中央」の誘電体ブロック３３）から導出する中心導体３３ｂの真下まで延びている。

【0063】

図５（ａ）、図５（ｂ）の要部断面図においては、溝２５内に配置する誘電体ブロック３３（「減衰経路側」の誘電体ブロック３３）を貫いて延びる中心導体３３ｂ２（図５の右端にその一部を示す）もまた中央の誘電体ブロック３３から導出する中心導体３３ｂの真下まで延びている。さらに上述した中心導体３３ｂ１、３３ｂ２の下方には、例えば電磁石によりこれら中心導体３３ｂ１、３３ｂ２を、個別に、上方の所定位置（図５において中心導体３３ｂに当接する位置）と下方の所定位置（図５に示す位置（中心導体３３ｂから離れた位置）間を選択的に移動することが可能な駆動部４０ａ、駆動部４０ｂがそれぞれ設けられている。駆動部４０ａ、駆動部４０ｂは、例えば、上記電磁石によって上下動可能な棒状の部材で構成し、ベース基板２０に形成する２つの駆動部配置用孔６１内にそれぞれ配置している。ここで中心導体３３ｂ、３３ｂ１、３３ｂ２と、上記駆動部４０ａ、４０ｂは経路切替機構４０を構成している。かかる構造を有する経路切替機構４０は、溝２４、２５、２６が三叉路として交わる箇所（分岐合流型溝）ごとに設けられている。

【0064】

上述した経路切替機構４０において、例えば、駆動部４０ａにより中心導体３３ｂ１を中心導体３３ｂに当接するまで上方に押し上げるように駆動した状態で、駆動部４０ｂにより中心導体３３ｂ２を中心導体３３ｂから離れるように駆動する（図５参照）ことにより、溝２６内に配置する誘電体ブロック３３を通るスルー経路を選択することができる。これに対し、駆動部４０ａにより中心導体３３ｂ１を中心導体３３ｂから離れるように駆動した状態で、駆動部４０ｂにより中心導体３３ｂ２を中心導体３３ｂに当接するまで上方に押し上げるように駆動する（図５とは逆の切り替え状態）ことにより、溝２５内に配置する減衰素子３１を通る減衰経路を選択することができる。制御部８に設けられる経路切替制御部８ａは、上述した経路切替機構４０における経路切り替えに係る駆動部４０ａ、４０ｂ（例えば、電磁石）の駆動制御を実行するものである。

【0065】

このように、中央の誘電体ブロック３３、減衰経路側の誘電体ブロック３３、スルー経路側の誘電体ブロック３３とそれらから導出する中心導体３３ｂ、３３ｂ２、３３ｂ１は、伝送路用溝２３により構成する伝送路のインピーダンス調整のための機能に加え、経路切替機構４０としての機能も担っている。

【0066】

上述した内部構造を有する可変ＡＴＴ２は、ベース基板２０の一面、すなわち、伝送路用溝２３が形成する側の面全体を覆うようにアース板２０ａを積層状態で取り付ける（図２（ｂ）参照）ことにより、ベース基板２０の伝送路用溝２３に沿った高周波信号の同軸型伝送路を実現するようになっている。同軸型伝送路は、例えば、ストリップライン（Stripline）構造により実現可能である。なお、以下の説明において、ベース基板２０の伝送路用溝２３を形成する側の面を伝送路形成面、その反対側の面（裏面）を伝送路非形成面ということもある。

【0067】

上述した同軸型伝送路を有する可変ＡＴＴ２では、ベース基板２０の一面（伝送路形成面）にアース板２０ａを積層した積層状態において、コネクタ１２から信号入力端子２１に入力する高周波信号が、同軸型伝送路である伝送路用溝２３内を、各組の分岐合流型溝ごとに減衰経路またはスルー経路のいずれかの経路を経て信号出力端子２２まで伝搬し、コネクタ１３から出力するようになっている。

【0068】

可変ＡＴＴ２に入力する高周波信号は、例えば、５Ｇ ＮＲ規格の信号である。また、可変ＡＴＴ２において、伝送路用溝２３は、信号入力端子２１と信号出力端子２２間のインピーダンスが、全ての誘電体ブロック３３を伝送路用溝２３内に配置した状態で所定の値、例えば、５０オーム（Ω）となるように設計している。

【0069】

メカニカルＡＴＴで実現する可変ＡＴＴ２では、例えば、製造に際し、伝送路用溝２３内に配置した全ての誘電体ブロック３３を、皿ねじ３５を用いて当該伝送路用溝２３内に固定するようになっている（図３参照）。その際、各誘電体ブロック３３にそれぞれ対応する皿ねじ３５は、その頭部の傾斜面が当該各誘電体ブロック３３の上端部にかかる位置まで締められるようになっている。皿ねじ３５は、その締め具合によって誘電体ブロック３３の上端部にかかる力を加減することができ、インピーダンス調整用要素としても機能するようになっている。

【0070】

本発明の一実施形態に係る信号解析装置１に備わる可変ＡＴＴ２においては、さらなるインピーダンス調整用要素として、例えば、図５（ａ）に示すように、ベース基板２０の伝送路非形成面から伝送路形成面の伝送路用溝２３の底部まで貫通する複数の調整用孔５０、５１、５２、５３と、調整用孔５０、５１、５２、５３にそれぞれ取り付け可能な調整棒７０、７１、７２、７３とが設けられている。この可変ＡＴＴ２では、ベース基板２０の伝送路形成面をアース板２０ａ（図５には図示していない）で覆った状態で、例えば図５（ｂ）に示すように、調整棒７０、７１、７２、７３を、それぞれ、調整用孔５０、５１、５２、５３内の軸方向の所望の位置（ストローク位置）となるように調整し、その作業が終了したときに例えば調整棒７０、７１、７２、７３の伝送路用溝２３の底部からの突出によってできる凸部９０、あるいは調整用孔５３内での調整棒７３の先端部分までの落ち込み（陥没）によってできる凹部９１等の形態に応じて、伝送路用溝２３によって形成する伝送路のインピーダンスを調整できるようになっている。凸部９０、凹部９１は、それぞれ、本発明の突出部、陥没部に相当する。

【0071】

より詳しくは、調整棒７０、７１、７２、７３の調整用孔５０、５１、５２、５３の軸方向の位置（ストローク）調整によって生じる上述した凸部９０、凹部９１は伝送路内における磁場の変動（歪み）を発生する。磁場の歪みは、例えば、凸部９０の高さ、形状（特に先端部の形状）、材質（金属や樹脂等）、あるいは凹部９１の深さや形状等によって異なる。例えば、ａ）凸部９０は高さが高いほど、あるいは材質が樹脂に比べて金属の方が磁場の歪みが大きい、ｂ）凹部９１の形状（すなわち、空気の厚み）は、金属の凸部９０に比べると磁場の歪みに与える影響は小さい、ｃ）樹脂製の凸部９０がもたらす磁場の歪みは、金属の凸部９０によるレベルと凹部９１によるレベルの中間のレベルとなる等が推察できる。これらを勘案し、本発明では、調整棒７０、７１、７２、７３の調整用孔５０、５１、５２、５３の軸方向の位置調整によって凸部９０、凹部９１の高さ、深さを可変とすることで磁場の歪みを生じせしめ、その磁場の歪みによってインピーダンスを調整可能にしている。加えて、本発明では、凸部９０、凹部９１を生じさせるための調整棒７０、７１、７２、７３の材質に関しては、後述の第１ないし第４の各実施形態で開示する金属ねじ、金属ねじの先端部に設けた樹脂製の別部材、樹脂ねじ、金属性の平行ピン部材等、異なる材質を用いる構造を想定している。また、凸部９０の先端部の形状については、フラットの形状を想定している。凸部９０の先端部の形状については、他の形状でもよく、例えば、半円形状や円錐形等の形状としてもよい。

【0072】

ベース基板２０に設けた調整用孔５０、５１、５２、５３は、該調整用孔５０、５１、５２、５３内でその軸方向の位置調整を可能とする調整棒７０、７１、７２、７３とともにインピーダンス調整用要素として機能するものである。

【0073】

以下、可変ＡＴＴ２のインピーダンス調整機構の構成について、図６～図８を参照して説明する。図６は、本発明の一実施形態に係る信号解析装置１の可変ＡＴＴ２の図３に示す状態から皿ねじ３５、減衰素子３１、誘電体ブロック３３及び中心導体３３ｂ、３３ｂ１、３３ｂ２を取り去った状態のベース基板２０の内部構造を示す平面図である。図７は、図６に示したベース基板２０の内部構造の斜視図であり、図８は可変ＡＴＴ２のベース基板２０の伝送路非形成面側から見た外観構造を示す斜視図である。

【0074】

図６、図７に示すように、可変ＡＴＴ２は、ベース基板２０におけるスルー経路側の誘電体ブロック３３及びその中心導体３３ｂ１で覆われていた伝送路用溝２３の底部に、上記スルー経路ごとに、例えば、１つの調整用孔５０と、３つ連なる調整用孔５１、５２、５３とが、調整用孔５０と調整用孔５１間に位置する駆動部配置用孔６１を挟んで伝送路用溝２３に沿って一列に並べて設けられている。ここで調整用孔５０、５１、５２、５３は、スルー経路ごとに設けられ、全部で１４組備わっている。図６において、枠線ｆｒ１は１４組（１４個）の調整用孔５０を形成した領域を示し、枠線ｆｒ２は１４組の調整用孔５１、５２、５３を形成した領域を示している。調整用孔５０、５１、５２、５３は、インピーダンス調整要素としてベース基板２０に設けられるものである。枠線ｆｒ１と枠線ｆｒ２の間の領域は、駆動部配置用孔６１を形成した領域である。駆動部配置用孔６１は、駆動部４０ａ、４０ｂを配置するための孔であり（図５参照）、インピーダンス調整要素として機能は有していない。

【0075】

一方、可変ＡＴＴ２のベース基板２０の伝送路非形成面側は、図８に示すように、図６に示した枠線ｆｒ１内に設けられる調整用孔５０、及び図６に示した枠線ｆｒ２内に設けられる調整用孔５１、５２、５３のそれぞれに対して、調整棒７０と、調整棒７１、７２、７３とを伝送路非形成面側から伝送路形成面側に向けて取り付け可能な構成を有している。

【0076】

上述したインピーダンス調整用要素としての調整用孔５０、５１、５２、５３が図６～図８に示す配置態様で設けられた可変ＡＴＴ２によれば、ベース基板２０の伝送路用溝２３内に誘電体ブロック３３及び中心導体３３ｂ、３３ｂ１、３３ｂ２を装着することにより、例えば、図４に示す内部構造を有するものとなる。このときの可変ＡＴＴ２の図４のＡ－Ａ線による断面構造は、調整用孔５０、５１、５２、５３に対してそれぞれ調整棒７０、７１、７２、７３を取り付けていない状態にあっては、前述した通り、図５（ａ）に示すような構造となり、調整用孔５０、５１、５２、５３に対してそれぞれ調整棒７０、７１、７２、７３を取り付けている状態にあっては、図５（ｂ）に示すような構造となる。

【0077】

本発明の一実施形態に係る信号解析装置１において、可変ＡＴＴ２の調整用孔５０、５１、５２、５３、及び調整棒７０、７１、７２、７３により構成するインピーダンス調整機構については種々の実施形態が挙げられる。例えば、調整用孔５０、５１、５２、５３はねじ孔で構成し、調整棒７０、７１、７２、７３は、ねじ孔に嵌め合わせて（螺合させて）、回転（一方向、及びその逆方向）操作を行うことによりねじ軸方向に移動可能な金属ねじで構成する実施形態（下記「第１の実施形態」）がある。また、上記金属ねじの先端部に樹脂製の別部材を設ける（取り付ける）形態がある（下記「第２の実施形態」。また、調整棒７０、７１、７２、７３は、上述した金属ねじに代えて、樹脂ねじで構成する実施形態も考えられる（下記「第３の実施形態」）。さらには、調整用孔５０、５１、５２、５３は内周が平滑な（ねじが設けられていない）円筒形状の長孔（圧入孔）で構成し、調整棒７０、７１、７２、７３は、圧入孔に圧入する平行ピンで構成する形態（下記「第４の実施形態」）も考えられる。以下、本発明の一実施形態に係る信号解析装置１に搭載する可変ＡＴＴ２のインピーダンス調整用要素に関する種々の実施形態について説明する。

【0078】

（第１の実施形態）
第１の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａのインピーダンス調整機構の構成について、図９、図１０を参照して説明する。図９は、第１の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａの図４のＡ－Ａ線による要部断面図（図５（ａ）と同等）を示し、図１０は同じく可変ＡＴＴ２Ａの図４のＡ－Ａ線による要部断面斜視図を示している。

【0079】

図９、図１０に示すように、この実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａのインピーダンス調整機構は、前述した調整用孔５０、５１、５２、５３に相当するねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａと、前述した調整棒７０、７１、７２、７３に相当する金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａと、を有している。

【0080】

図９、図１０に示すように、ねじ孔５０ａは、例えば、伝送路用溝２３内に装着している中央の誘電体ブロック３３から導出する中心導体３３ｂの下方位置（上述した三叉路として交わる箇所）に設けられ、ねじ孔５１ａ、５２ａは、例えば、スルー経路側の誘電体ブロック３３を貫通して延設する中心導体３３ｂ１の下方位置に延設方向に沿って設けられている。また、ねじ孔５３ａは、伝送路用溝２３内に装着されているスルー経路側の誘電体ブロック３３の直下の位置に設けられている。

【0081】

金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａは、例えば、ベース基板２０と同様、アルミニウム等の金属により構成する。金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａは、頭部７５に工具穴７５ａを形成し、この工具穴７５ａに先端部を嵌め込んだ工具（例えば、スクリュードライバ）を一方向へ回転することでねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａに対して締める（ねじ軸方向に進める）ことができ、逆方向へ回転することによりねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａに対して緩める（ねじ軸方向に後退させる）ことができるようになっている。

【0082】

金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａは、ねじ部７６の長さがそれぞれ異なる複数種類を用意している。例えば、本実施形態においては、金属ねじ７０ａと金属ねじ７２ａは同程度の長さを有する。金属ねじ７０ａのねじ部７６は、ねじ孔５０ａに対して一方向（締める方向）に最後まで回したときに、その先端部分が、伝送路用溝２３の底部から少しだけ突設した位置に達する長さを有している。同様に、金属ねじ７２ａのねじ部７６も、ねじ孔５２ａに対して一方向に最後まで回したときに、その先端部分が、伝送路用溝２３の底部から金属ねじ７０ａのねじ部７６の先端部分と同程度の高さまで突設した位置に達する長さを有している。

【0083】

金属ねじ７１ａのねじ部７６は、金属ねじ７０ａ、７２ａのねじ部７６よりも長く、ねじ孔５１ａに対して一方向に最後まで回したときに、その先端部分が、伝送路用溝２３内を延設している中心導体３３ｂ１の下面に近接する位置まで伝送路用溝２３内に突出する長さを有している。このように、金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａは、ねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａに対してそれぞれ取り付けたときに、それらの先端部分が伝送路用溝２３の底面から突出して凸部９０を形成する。

【0084】

金属ねじ７３ａのねじ部７６は、金属ねじ７０ａ、７２ａのねじ部７６よりも短く、ねじ孔５３ａに対して一方向に最後まで回したときに、その先端部分が、伝送路用溝２３の底部まで達しない位置に留まる長さを有している。このとき、伝送路用溝２３の底部には、ねじ孔５３ａの金属ねじ７３ａの先端部分までの長さに相当する深さを有する凹部９１を形成する。

【0085】

本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａにおける伝送路のインピーダンス調整処理動作について図１１に示すフローチャートを参照して説明する。

【0086】

可変ＡＴＴ２Ａの製造に際し、インピーダンス調整を行うには、インピーダンス調整用要素としての複数の調整用孔（第１の実施形態においては、ねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａ）を形成したベース基板２０を用意し、該ベース基板２０の減衰経路、及びスルー経路の所要の個所に誘電体ブロック３３を装着し、かつ、各誘電体ブロック３３を皿ねじ３５により固定する（ステップＳ１）。このとき、可変ＡＴＴ２Ａは図３に示すような内部構造となる。

【0087】

次いで、可変ＡＴＴ２Ａのベース基板２０の伝送路形成面側（図３に示している面）をアース板２０ａで覆って積層状態（図２（ｂ）参照）とする（ステップＳ２）。

【0088】

引き続き、積層状態としたベース基板２０の伝送路非形成面（図８参照）側から、ねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａ（図６、図７参照）ごとに、インピーダンス調整用要素としての調整棒７０、７１、７２、７３（第１の実施形態においては、金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａ）の先端を押し付けた後、当該金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａをそれぞれ回転操作して金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａごとにねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａ内でのねじ軸方向の位置（ストローク）を調整することにより、インピーダンスの調整を行う（ステップＳ３）。

【0089】

ここでユーザは、例えば、図９、図１０に示すように、金属ねじ７０ａ、７２ａについてはそれぞれの先端部分が伝送路用溝２３内にわずかに突出する位置まで一方向に回転する操作を行う。金属ねじ７１ａについてはその先端部分が中心導体３３ｂ１の下面に近接する位置まで突出する位置まで一方向に回転する操作を行う。金属ねじ７３ａについても、回転が止まるまで一方向に回転する操作を行う。

【0090】

上記ステップＳ３でねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａにそれぞれ取り付けた金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａの回転操作によってストローク調整を行った後、さらに、コネクタ１２、１３を介して信号入力端子２１とコネクタ１３間のインピーダンスを測定する（ステップＳ４）。

【0091】

インピーダンスの測定が終わると、次いで、その測定結果に基づいてインピーダンスの再調整が必要であるかどうかを判断する（ステップＳ５）。この判断は、例えば、ユーザがステップＳ４でのインピーダンス測定結果と予め認識している設計値（例えば、５０Ω）とを比較し、インピーダンス測定結果が設計値と一致しているか不一致かによって判断する。

【0092】

ここでインピーダンス測定結果と設計値とが一致せず、インピーダンスの再調整が必要であると判断した場合（ステップＳ５でＹＥＳ）、ステップＳ３に移行し、再び、金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａを一方向あるいはその逆方向に回転操作することによってストローク調整を行う。

【0093】

その後は、ステップＳ４でのインピーダンス測定を実施し、さらにそのインピーダンス測定結果と設計値の比較結果に基づいて再調整が必要であると判定した場合（ステップＳ５でＹＥＳ）には、ステップＳ３からステップＳ５の処理を繰り返し続行する。そして、この間、インピーダンス測定結果と設計値が一致し、再調整が必要でないと判定した場合（ステップＳ５でＮＯ）には、上記一連のインピーダンス調整動作を終了する。

【0094】

次に、作用について図９、図１０を参照して説明する。上記ステップＳ３において、金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａを、それぞれ、上述した態様でねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａに対して一方向、あるいは逆方向に適宜に回す作業によって、金属ねじ７０ａ、７２ａをその先端部分が伝送路用溝２３内にわずかに突出するストローク位置にすることができ、金属ねじ７１ａをその先端部分が中心導体３３ｂ１の下面の近接位置まで突出するストローク位置とすることができる。同様の作業により、金属ねじ７３ａをねじ孔５３ａ内に留まるストローク位置にすることができる。なお、ストローク位置が決まった後は、例えば、金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａを接着材で接着するなどの方法によりその位置に固定したうえで、可変ＡＴＴ２Ａを完成するようになっている。

【0095】

このとき、金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａの先端部分が伝送路用溝２３の底部から突出することで生じる凸部９０、金属ねじ７３ａの先端部分とねじ孔５３ａとにより伝送路用溝２３の底部に生ずる凹部９１の形状に応じて磁場の変動（歪み）を来し、当該磁場の変動によって当該箇所の伝送路におけるインピーダンスが変化する。このようにして、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａによれば、金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａを、工具を用い、ベース基板２０のねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａに対してねじ軸方向に移動（ストローク調整）するように回転操作する簡単な作業で伝送路におけるインピーダンスを調整することが可能となる。

【0096】

図９、図１０においては、金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａがそれぞれ異なる流さである構成を例示している（図９、図１０参照）。ここで金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａの長さを目標とする凸部９０の高さ、凹部９１の深さに対応させて事前に設定しておけば、金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａを最後まで締めるだけで所望のストロークを簡単に実現できるようになる。但し、金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａは、目標とする凸部９０の高さ、凹部９１の深さに対応した長さを有するものに限らず、例えば、任意の長さとし、ユーザの回転操作によって、適宜な凸部９０の高さ、凹部９１の深さを実現するようなものであってもよい。この点は、以下に述べる第２の実施形態に係る金属ねじ７０ｂ、７１ｂ、７２ｂについても同様である。

【0097】

以上説明したように、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａは、信号入力端子２１と信号出力端子２２間に高周波信号の伝送路を構成するための伝送路用溝２３を形成するベース基板２０と、ベース基板２０の伝送路用溝２３を形成する伝送路形成面側の面全体を覆うアース板２０ａと、を有し、伝送路用溝２３は、減衰素子３１を装着し、信号入力端子２１から入力される高周波信号を減衰素子３１により減衰する減衰経路（溝２５）と、減衰素子３１を通さないスルー経路（溝２６）と、が複数組設けられるとともに、中央部を中心導体３３ｂ、３３ｂ１、３３ｂ２がそれぞれ貫通する複数の誘電体ブロック３３を装着し、組ごとに減衰経路またはスルー経路を選択し、選択した全ての減衰経路内の減衰素子３１に応じた減衰レベルを設定可能であって、ベース基板２０の伝送路非形成面側から伝送路用溝２３の底部まで貫通し、伝送路用溝２３に沿って設けられる複数の調整用孔５０、５１、５２、５３と、複数の調整用孔５０、５１、５２、５３に対して伝送路非形成面側からそれぞれ取り付け可能であり、調整用孔５０、５１、５２、５３内での軸方向の位置を調整可能な複数のインピーダンス調整用の調整棒７０、７１、７２、７３と、を有し、上記軸方向の位置調整に際し、調整棒７０、７１、７２、７３の先端部分が伝送路用溝２３の底面を超えて伝送路用溝２３内に突出することにより底面に生じる凸部９０と、調整棒７０、７１、７２、７３の先端部分が伝送路用溝２３の底面まで到達しないことにより当該底面に生じる凹部９１の各形状に基づく磁場の変動に応じてインピーダンスを調整する構成を有している。

【0098】

この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａは、伝送路用溝（導波路）２３内にインピーダンス調整要素としての調整用孔５０、５１、５２、５３及び調整棒７０、７１、７２、７３を細かく配置することで、調整用孔５０、５１、５２、５３内での調整棒７０、７１、７２、７３の軸方向の位置（ストローク）調整により、導波路内に凸部９０、もしくは凹部９１を設けることができ、簡単な構造と、凸部９０の突出具合、凹部９１の陥没具合を適宜調整する簡単な操作とによってより細かなインピーダンス調整が可能となる。細かなインピーダンス調整が可能となることで、導波路を構成する部材の機械精度のばらつきによるインピーダンスミスマッチを製造時に設計値と一致になるよう調整し易いという利点を有する。

【0099】

具体的に、上記構成においてはアース板２０ａのエンボス加工が不要となり、インピーダンスを設計値と一致させ易く、メカニカルアッテネータとしての高周波特性を向上することができるうえ、加工の削減及びコスト低減が可能となる。コスト許容範囲内で従来のエンボス加工を施し、本実施形態における調整棒７０、７１、７２、７３のストローク調整機構を併用するようにすれば、より細かなインピーダンスミスマッチ調整も実現できる。

【0100】

また、エンボス加工を主体としていた従来装置の構成では、主に２６．５ＧＨｚ以下で用いるメカニカルアッテネータとしての性能維持が限界であったが、調整棒７０、７１、７２、７３のストロークを変更して細かなインピーダンス調整を可能とする本実施形態の構成によれば、ミリ波のようなさらに高い周波数での性能向上に有用である。

【0101】

また、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａにおいて、調整用孔５１、５２は、誘電体ブロック３３から延設する中心導体３３ｂ１の下方位置に中心導体３３ｂ１に沿って配列している構成を有している。

【0102】

この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａは、中心導体３３ｂ１の下方位置に設けた調整用孔５１、５２内での調整棒７１、７２のストローク調整により磁場の歪みを効果的に発生せしめて効率の良いインピーダンス調整を実現できる。

【0103】

また、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａにおいて、調整用孔５３は、誘電体ブロック３３の直下に設けられる構成である。

【0104】

この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａは、誘電体ブロック３３の直下に設けた調整用孔５３内での調整棒７３のストローク調整により磁場の歪みを効果的に発生せしめて効率の良いインピーダンス調整を実現できる。

【0105】

また、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａにおいて、調整用孔５０は、スルー経路（溝２６）、減衰経路（溝２５）、スルー経路と減衰経路とをつなぐ経路（溝２４）が交差する位置の直下に設けられる構成である。

【0106】

この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａは、スルー経路、減衰経路、スルー経路と減衰経路をつなぐ経路が交差する位置の直下に設けた調整用孔５０内での調整棒７０のストローク調整により磁場の歪みを効果的に発生せしめて効率の良いインピーダンス調整を実現できる。

【0107】

また、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａにおいて、調整用孔５０、５１、５２、５３は、ねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａで構成し、調整棒７０、７１、７２、７３は、ねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａに嵌め合わせて（螺合させて）回転可能な金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａで構成している。

【0108】

この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａは、ねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａに対する凸部９０、凹部９１の形状を意識した金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａの回転操作により、容易にインピーダンス調整を行うことが可能になる。

【0109】

また、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａにおいて、高周波信号は、５Ｇ ＮＲ規格の信号であり、伝送路用溝２３は、信号入力端子２１と信号出力端子２２間のインピーダンスが、全ての誘電体ブロック３３を伝送路用溝２３に配置した状態で所定の値となるよう設計している構成を有している。

【0110】

この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａは、簡単な構造及び操作によって、５Ｇ ＮＲ規格の移動端末（ＤＵＴ１００）の試験にも適用し得る高周波特性を獲得することができる。

【0111】

また、本発明の一実施形態に係る信号解析装置１は、減衰レベルを可変設定可能であり、ＤＵＴ１００から出力された高周波信号を、設定した減衰レベルで減衰する可変ＡＴＴ２（２Ａ）と、減衰された高周波信号を中間周波数信号に変換する周波数変換部３と、中間周波数信号をサンプリングして得られるディジタルデータに対して解析処理を行う信号解析部５と、を備え、可変ＡＴＴ２（２Ａ）は、信号入力端子２１と信号出力端子２２間に高周波信号の伝送路を構成するための伝送路用溝２３を形成するベース基板２０と、ベース基板２０の伝送路用溝２３を形成する伝送路形成面側の面全体を覆うアース板２０ａと、を有し、伝送路用溝２３は、減衰素子３１を装着し、信号入力端子２１から入力される高周波信号を減衰素子３１により減衰する減衰経路（溝２５）と、減衰素子３１を通さないスルー経路（溝２６）と、が複数組設けられるとともに、それぞれの中央部を中心導体３３ｂ、３３ｂ１、３３ｂ２がそれぞれ貫通する複数の誘電体ブロック３３を装着し、組ごとに減衰経路またはスルー経路を選択し、選択された全ての減衰経路内の減衰素子３１に応じた信号減衰レベルを設定可能であって、ベース基板２０の伝送路非形成面側から伝送路用溝２３の底部まで貫通して設けられ、伝送路用溝２３に沿って配列する複数の調整用孔５０、５１、５２、５３と、複数の調整用孔５０、５１、５２、５３に対して伝送路非形成面側からそれぞれ取り付け可能であり、調整用孔５０、５１、５２、５３内での軸方向の位置を調整可能な複数の調整棒７０、７１、７２、７３と、をさらに有し、上記軸方向の位置調整に際し、調整棒７０、７１、７２、７３の先端部分が伝送路用溝２３の底面を超えて伝送路用溝２３内に突出することにより底面に生じる凸部９０と、調整棒７０、７１、７２、７３の先端部分が伝送路用溝２３の底面まで到達しないことにより当該底面に生じる凹部の各形状に基づく磁場の変動に応じてインピーダンスを調整する構成を有する。

【0112】

この構成により、本発明の一実施形態に係る信号解析装置１によれば、搭載する可変ＡＴＴ２（２Ａ）の構成について前述した作用効果と同等の作用効果を奏する。

【0113】

また、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２（２Ａ）のインピーダンス調整方法は、上述した構成を有する信号解析装置１における可変ＡＴＴ２（２Ａ）の伝送路用溝２３を構成する伝送路のインピーダンスを調整するインピーダンス調整方法であって、伝送路用溝２３と、伝送路用溝２３に沿って配列する複数の調整用孔５０、５１、５２、５３と、を有するベース基板２０を用意し、伝送路用溝２３内に誘電体ブロック３３を装着して固定したうえで、ベース基板２０の伝送路形成面の面全体をアース板２０ａで覆い、可変ＡＴＴ２（２Ａ）として組み立てる組み立てステップ（Ｓ１、Ｓ２）と、組み立てられた可変ＡＴＴ２（２Ａ）のベース基板２０の複数の調整用孔５０、５１、５２、５３に対して伝送路非形成面側から調整棒７０、７１、７２、７３を取り付けて当該調整棒７０、７１、７２、７３の調整用孔５０、５１、５２、５３の軸方向の位置を調整し、上記軸方向の位置調整に際し、調整棒７０、７１、７２、７３の先端部分が伝送路用溝２３の底面を超えて伝送路用溝２３内に突出することにより該底面に生じる凸部９０と、調整棒７０、７１、７２、７３の先端部分が伝送路用溝２３の底面まで到達しないことにより当該底面に生じる凹部９１の各形状に基づく磁場の変動に応じてインピーダンスを調整するインピーダンス調整ステップ（Ｓ３）と、インピーダンスを調整した後の可変ＡＴＴ２（２Ａ）の信号入力端子２１と信号出力端子２２間のインピーダンスを測定する測定ステップ（Ｓ４）と、を含み、インピーダンスの測定結果に基づき、必要に応じてインピーダンス調整ステップを繰り返し実施する構成を有している。

【0114】

この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２（２Ａ）のインピーダンス調整方法によれば、当該可変ＡＴＴ２（２Ａ）の製造時のインピーダンス調整に際して、可変ＡＴＴ２（２Ａ）の構成について前述した作用効果と同等の作用効果を奏する。

【0115】

（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｂのインピーダンス調整機構の構成について、図１２、図１３を参照して説明する。図１２は、第２の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｂの図４のＡ－Ａ線による要部断面図（図５（ａ）と同等）を示し、図１３は同じく可変ＡＴＴ２Ｂの図４のＡ－Ａ線による要部断面斜視図を示している。

【0116】

図１２、図１３に示すように、この実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｂでのインピーダンス調整機構は、第１の実施形態に係るねじ孔５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａとそれぞれ同等のねじ孔５０ｂ、５１ｂ、５２ｂ、５３ｂと、第１の実施形態と同等の駆動部配置用孔６１をベース基板２０に形成するとともに、第１の実施形態に係る金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａの先端部７７に樹脂製の別部材８０ｂ、８１ｂ、８２ｂをそれぞれ取り付けた金属ねじ７０ｂ、７１ｂ、７２ｂをねじ孔５０ｂ、５１ｂ、５２ｂに取り付け可能な構成を有している。

【0117】

別部材８０ｂ、８１ｂ、８２ｂは、例えば、ＰＯＭ（ポリアセタール・ポリオキシメチレン）、ＲＥＮＹ（ポリアミド樹脂系成形材料）、ＰＥＥＫ（Ｐｏｌｙ Ｅｔｈｅｒ Ｅｔｈｅｒ Ｋｅｔｏｎｅ：ポリエーテルエーテルケトン）などの樹脂素材を例えば円筒形状（金属ねじ７０ａ、７１ａ、７２ａよりも小径）に成形して構成する。別部材８０ｂ、８１ｂ、８２ｂ、例えば、接着剤を用いて金属ねじ７０ｂ、７１ｂ、７２ｂの先端部７７に取り付けることができる。

【0118】

本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｂにおいても、第１の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａと同様、図１１に示すインピーダンス調整処理動作によってインピーダンスの調整が行えるようになっている。

【0119】

具体的に、本実施形態においては、図１１のステップＳ１で、ねじ孔５０ｂ、５１ｂ、５２ｂ、５３ｂを形成したベース基板２０と、金属ねじ７０ｂ、７１ｂ、７２ｂとを用意する。その後、図１１のステップＳ３では、図１２、図１３に示すように、積層状態としたベース基板２０の伝送路非形成面側から、ねじ孔５０ｂ、５１ｂ、５２ｂごとに、金属ねじ７０ｂ、７１ｂ、７２ｂの先端を押し付けた後、当該金属ねじ７０ｂ、７１ｂ、７２ｂをそれぞれ回転操作して金属ねじ７０ｂ、７１ｂ、７２ｂごとにストローク（ねじ孔５０ｂ、５１ｂ、５２ｂ内でのねじ軸方向の位置）調整を行う。ここで、金属ねじ７０ｂ、７２ｂについてはそれぞれの別部材８０ｂ、８２ｂの先端部分が伝送路用溝２３内に突出する位置まで一方向に回転する操作を行う。また、金属ねじ７１ｂについては、別部材８１ｂの先端部分が、スルー経路側の誘電体ブロック３３から導出した中心導体３３ｂ１の下面に当接する状態に突出する位置まで一方向に回転する操作を行う。金属ねじ７１ｂについては、先端部分は樹脂製の別部材８１ｂであるため、中心導体３３ｂ１に当接したとしても、動作上、支障をきたすことはない。他の金属ねじ７０ｂ、７２ｂについても同様である。図１２、図１３に示すストローク調整が終了したとき、金属ねじ７０ｂについては別部材８２ｂの先端部分が伝送路用溝２３内にわずかに突出する状態に調整している。このとき、金属ねじ７０ｂの頭部７５はベース基板２０の伝送路非形成面から飛び出した（ねじ部７６が一部露出した）状態となる。このように、金属ねじ７０ｂ（他の金属ねじ７１ｂ、７２ｂについても同じ）は、頭部７５がベース基板２０の伝送路非形成面に接触した状態に限らず、所望とする任意のストローク位置に停止するように回転操作可能な構成となっている。

【0120】

次に作用について図１２、図１３を参照して説明する。上記ステップＳ３において、金属ねじ７０ｂ、７２ｂを、それぞれ、上述した態様でねじ孔５０ｂ、５２ｂに対して一方向、あるいは逆方向に適宜に回す作業によって、金属ねじ７０ｂ、７２ｂをそれぞれの別部材８０ｂ、８１ｂの先端部分が伝送路用溝２３内に突出したストローク位置とすることができる。同様の作業により、金属ねじ７１ｂは、別部材８１ｂの先端部分が中心導体３３ｂ１の下面に当接するまで突出したストローク位置とすることができる。一方、ねじ孔５３ｂは解放したままの状態に保たれる。このとき、金属ねじ７０ｂ、７２ｂ、７１ｂのそれぞれの別部材８０ｂ、８２ｂ、８１ｂの先端部分が伝送路用溝２３の底部から突出することで生じる凸部９０、及びねじ孔５３ｂの形状（開放状態）や位置等に応じて磁場が変動し、当該箇所の伝送路におけるインピーダンスが変化する。

【0121】

このように、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｂによれば、先端部７７に別部材８０ｂ、８１ｂ、８２ｂを有する金属ねじ７０ｂ、７１ｂ、７２ｂを、工具を用い、ベース基板２０のねじ孔５０ｂ、５１ｂ、５２ｂに対してねじ軸方向に移動（ストローク調整）するように回転操作する簡単な作業で伝送路におけるインピーダンスを調整することができる。

【0122】

上述したように、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｂにおいて、金属ねじ７０ｂ、７１ｂ、７２ｂは、先端部７７に樹脂製の別部材８０ｂ、８１ｂ、８２ｂがさらに設けられる構成である。

【0123】

この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｂは、樹脂製の別部材８０ｂ、８１ｂ、８２ｂの先端部分が伝送線路（中心導体３３ｂ１等）に直接触れるようなストローク調整が可能であり、より細やかなインピーダンス調整を行うことができるようになる。また、第２の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｂを搭載した場合の信号解析装置１、及び第２の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｂのインピーダンス調整方法に関する作用効果についても第１の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａを搭載した場合と同様である。

【0124】

（第３の実施形態）
第３の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｃのインピーダンス調整機構の構成について、図１４、図１５を参照して説明する。図１４は、第３の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｃの図４のＡ－Ａ線による要部断面図（図５（ａ）と同等）を示し、図１５は同じく可変ＡＴＴ２Ｃの図４のＡ－Ａ線による要部断面斜視図を示している。

【0125】

図１４、図１５に示すように、この実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｃでのインピーダンス調整機構は、前述した調整用孔５０、５１、５２、５３に相当するねじ孔５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃと、前述した調整棒７０、７１、７２、７３に相当する樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃと、高さ調整用部材２０ｂと、を有している。

【0126】

ねじ孔５０ｃは、例えば、伝送路用溝２３内に装着している中央の誘電体ブロック３３から導出する中心導体３３ｂの下方位置（上述した三叉路として交わる箇所）に設けられ、ねじ孔５１ｃ、５２ｃは、例えば、スルー経路側の誘電体ブロック３３を貫通して延設する中心導体３３ｂ１の下方位置に延設方向に沿って設けられている。また、ねじ孔５３ｃは、伝送路用溝２３内に装着しているスルー経路側の誘電体ブロック３３の直下の位置に設けられている。

【0127】

樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃは、例えば、第２の実施形態に係る金属ねじ７０ｂ、７１ｂ、７２ｂの先端部７７に取り付けた別部材８０ｂ、８１ｂ、８２ｂと同様、ＰＯＭ、ＲＥＮＹ、ＰＥＥＫ等の樹脂素材から構成する。樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃは、頭部７５に工具穴７５ａを形成し、この工具穴７５ａに先端部を嵌め込んだ工具（例えば、スクリュードライバ）を一方向へ回転することでねじ孔５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃに対して締める（ねじ軸方向に進める）ことができ、逆方向へ回転することによりねじ孔５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃに対して緩める（ねじ軸方向に後退させる）ことができるようになっている。高さ調整用部材２０ｂは、ねじ孔５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃに対応する位置に樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃを通すことができる孔を形成した、例えば、金属製の板部材で構成している。高さ調整用部材２０ｂは所定の厚さを有し、ベース基板２０に取り付けた（積層状態とした）うえで樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃをねじ孔５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃに対して締めることによって樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃの先端部の高さを調整できるようになっている。

【0128】

樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃは、ねじ部７６の長さがそれぞれ異なる複数種類のものを用意する。例えば、本実施形態においては、樹脂ねじ７０ｃと樹脂ねじ７２ｃのねじ部７６は同程度の長さを有する。樹脂ねじ７０ｃ、７２ｃのねじ部７６は、高さ調整用部材２０ｂを介在した（上記積層状態とした）うえでねじ孔５０ｃ、５２ｃに対して一方向に最後まで回したときに、それぞれ、先端部分が、伝送路用溝２３の底部に対して平坦となる位置に達する長さを有している。

【0129】

樹脂ねじ７１ｃのねじ部７６は、樹脂ねじ７０ｃ、７２ｃのねじ部７６よりも長く、高さ調整用部材２０ｂを介在したうえでねじ孔５１ｃに対して一方向に最後まで回したときに、その先端部分が、伝送路用溝２３内を延設している中心導体３３ｂ１の下面に当接する位置まで伝送路用溝２３内に突出する長さを有している。すなわち、樹脂ねじ７１ａは、ねじ孔５１ａに対して高さ調整用部材２０ｂを介して取り付けたときに、それらの先端部分が伝送路用溝２３の底面から突出して凸部９０を形成する。

【0130】

樹脂ねじ７３ｃのねじ部７６は、樹脂ねじ７０ｃ、７２ｃのねじ部７６よりも短く、高さ調整用部材２０ｂを介在したうえでねじ孔５３ｃに対して一方向に最後まで回したときに、その先端部分が、伝送路用溝２３の底部まで達しない（ねじ孔５３ｃ内に留まる）長さを有している。このとき、伝送路用溝２３の底部には、ねじ孔５３ｃの樹脂ねじ７３ｃの先端部分までの長さに相当する凹部９１を形成する。

【0131】

本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｃにおいても、図１１に示すインピーダンス調整処理動作によってインピーダンスの調整が行えるようになっている。

【0132】

具体的に、本実施形態においては、図１１のステップＳ１で、ねじ孔５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃを形成したベース基板２０と、樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃと、高さ調整用部材２０ｂと、を用意する。その後、図１１のステップＳ３では、図１４、図１５に示すように、積層状態としたベース基板２０の伝送路非形成面側に高さ調整用部材２０ｂを取り付け、その状態で高さ調整用部材２０ｂのうえから、ねじ孔５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃごとに、樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃの先端を押し付けた後、当該樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃをそれぞれ回転操作して樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃごとにストローク調整を行う。ここで、樹脂ねじ７０ｃ、７２ｃについてはそれぞれの先端部分が伝送路用溝２３の底部と平坦になる位置まで一方向に回転する操作を行う。また、樹脂ねじ７１ｃについては、その先端部分が、スルー経路側の誘電体ブロック３３から導出した中心導体３３ｂ１の下面に当接する状態に突出する位置まで一方向に回転する操作を行う。樹脂ねじ７１ｃは樹脂製であるため（他の樹脂ねじ７０ｃ、７２ｃ、７３ｃについても同様）、中心導体３３ｂ１に当接したとしても、動作上、支障をきたすことはない。樹脂ねじ７３ｃについても、回転が止まるまで一方向に回転する操作を行う。

【0133】

次に、作用について図１４、図１５を参照して説明する。上記ステップＳ３において、樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃを、それぞれ、上述した態様でねじ孔５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃに対して一方向、あるいは逆方向に適宜に回す作業により、樹脂ねじ７０ｃ、７２ｃをそれぞれの先端部分が伝送路用溝２３の底部に対して平坦となるストローク位置にすることができる。同様の作業によって、樹脂ねじ７１ｃは、先端部分が中心導体３３ｂ１の下面に当接するように突出するストローク位置にすることができる。また、樹脂ねじ７３ｃは、先端部分がねじ孔５３ｃ内に留まるように取り付けることができる。このとき、樹脂ねじ７０ｃ、７２ｃの先端部分が伝送路用溝２３の底部に一致することで生じる平坦部、樹脂ねじ７１ｃの先端部分が伝送路用溝２３の底部から突出することで生じる凸部９０、樹脂ねじ７３ｃの先端部分とねじ孔５３ｃとにより伝送路用溝２３の底部に生ずる凹部９１の形状等に応じて磁場が変動し、当該箇所の伝送路におけるインピーダンスが変化する。なお、図１３、図１４においては、高さ調整用部材２０ｂを介在することで高さ調整を行う構成を例示しているが、高さ調整用部材２０ｂは必ずしも用いる必要がなく、樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃの回転操作だけで高さ調整を行う（図１２、図１３に示す金属ねじ７０ｂ参照）ようにしてもよい。

【0134】

このように、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｃによれば、樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃを、工具を用い、ベース基板２０のねじ孔５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃに対してねじ軸方向に移動（ストローク調整）するように回転操作する簡単な作業で伝送路におけるインピーダンスを調整することが可能となる。

【0135】

本実施形態においても、樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃはそれぞれ異なる長さ（図１４、図１５参照）を有するものに限らず、例えば、同じ長さとし、ユーザの回転操作によって凸部９０の高さ、凹部９１の深さを適宜に調整するものであってもよい。また、本実施形態に係る樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃも、第１の実施形態のように、その先端部に樹脂製の別部材を取り付けた構成を有するものであってもよい。

【0136】

上述したように、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｃにおいて、調整用孔５０、５１、５２、５３は、ねじ孔５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃで構成し、調整棒７０、７１、７２、７３は、ねじ孔５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃに嵌め合わせて（螺合させて）回転可能な樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃで構成している。

【0137】

この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｃは、樹脂成型により安価に樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃを生成することができるとともに、ねじ孔５０ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃに対する凸部９０、凹部９１の形状を意識した樹脂ねじ７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃの回転操作により、容易にインピーダンス調整を行うことが可能となる。また、第３の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｃを搭載した場合の信号解析装置１、及び第３の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｃのインピーダンス調整方法に関する作用効果についても第１の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａを搭載した場合と同様である。

【0138】

（第４の実施形態）
第４の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｄのインピーダンス調整機構の構成について、図１６、図１７を参照して説明する。図１６は、第４の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｄの図４のＡ－Ａ線による要部断面図（図５（ａ）と同等）を示し、図１７は同じく可変ＡＴＴ２Ｄの図４のＡ－Ａ線による要部断面斜視図を示している。

【0139】

図１６、図１７に示すように、この実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｄでのインピーダンス調整機構は、前述した調整用孔５０、５１、５２、５３に相当する圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄと、前述した調整棒７０、７１、７２、７３に相当する平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄと、を有している。平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄは、本発明の平行ピン部材を構成している。

【0140】

圧入孔５０ｄは、例えば、伝送路用溝２３内に装着している中央の誘電体ブロック３３から導出する中心導体３３ｂの下方位置（上述した三叉路として交わる箇所）に設けられ、圧入孔５１ｄ、５２ｄは、例えば、スルー経路側の誘電体ブロック３３を貫通して延設する中心導体３３ｂ１の下方位置に延設方向に沿って設けられている。また、圧入孔５３ｄは、伝送路用溝２３内に装着しているスルー経路側の誘電体ブロック３３の直下の位置に設けられている。圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄは、例えば、内面が平滑な円筒形の貫通孔で構成している。

【0141】

平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄは、例えば、第１の実施形態に係る金属ねじ７０ｂ、７１ｂ、７２ｂ、７３ｂと同等の金属素材で構成した。平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄは、例えば、円筒形の棒状部材からなり、同じ円筒形状の孔である圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄに対して圧入可能な構成を有している。平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄの圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄの圧入は、専用の治具を用いて行うことができる。治具は、圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄ内で平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄを軸方向に進めたり後退したりしながら所望のストローク位置にすることができるものである。

【0142】

平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄは、例えば、ベース基板２０の厚み相当の同程度の長さを有する複数種類を用意している。同程度の長さを有する平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄは、伝送路用溝２３の底部から突出する長さ、陥没する深さを予め考慮して圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄ内に圧入するようになっている。

【0143】

具体的に、図１６、図１７に示す例において、平行ピン７０ｄ、７２ｄは、それらの先端部分が伝送路用溝２３内に少し突出する位置まで達するように圧入孔５０ｄ、５２ｄに圧入している。また、平行ピン７１ｄは、その先端部分が、伝送路用溝２３内に装着している誘電体ブロック３３から導出する中心導体３３ｂ１の下面に近接する位置まで達する状態に圧入孔５１ｄに圧入している。平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄは、圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄに対してそれぞれ取り付けたときに、それらの先端部分が伝送路用溝２３の底面から突出して凸部９０を形成する。

【0144】

さらに平行ピン７３ｄは、その先端部分が、伝送路用溝２３の底部まで達しない位置となるように圧入孔５３ｄに圧入している。このとき、伝送路用溝２３の底部には、圧入孔５３ｄの平行ピン７３ｄの先端部分までの長さに相当する深さを有する凹部９１を形成している。

【0145】

図１６、図１７に示す圧入状態において、平行ピン７０ｄと平行ピン７２ｄは、それぞれ、同じ長さ分が圧入孔５０ｄと圧入孔５２ｄとに圧入しており、その結果、平行ピン７０ｄと平行ピン７２ｄのベース基板２０の伝送路非形成面側からの突出長さはおおよそ一致している。また、平行ピン７１ｄと平行ピン７３ｄのベース基板２０の伝送路非形成面側からの突出長さは、平行ピン７１ｄについては上記平行ピン７０ｄ、７２ｄよりも短く、平行ピン７３ｄについては上記平行ピン７０ｄ、７２ｄよりも長くなっている。なお、平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄの長さは、必ずしも、同じ長さである必要はなく、上述した凸部９０、凹部の大きさを考慮して最初から適宜な長さで形成していてもよい。

【0146】

本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｄにおいても、図１１に示すインピーダンス調整処理動作によってインピーダンスの調整が行えるようになっている。

【0147】

具体的に、本実施形態においては、図１１のステップＳ１で、圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄを形成したベース基板２０と、平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄとを用意する。その後、図１１のステップＳ３では、図１６、図１７に示すように、積層状態としたベース基板２０の伝送路非形成面側から、圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄごとに、平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄを圧入する。ここで、平行ピン７０ｄ、７２ｄについてはそれぞれの先端部分が伝送路用溝２３の底部からわずかに突出する位置まで圧入孔５０ｄ、５２ｄに圧入する。また、平行ピン７１ｄについては、その先端部分が、スルー経路側の誘電体ブロック３３から導出した中心導体３３ｂ１の下面に近接する位置まで突出するように圧入する。また、平行ピン７１ｄについては、その先端部分が伝送路用溝２３内に突出することなく圧入孔５３ｄ内に留まるように圧入する。

【0148】

次に、作用について図１６、図１７を参照して説明する。上記ステップＳ３において、平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄを、それぞれ、上述した態様で圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄに対して圧入する作業によって、平行ピン７０ｄ、７２ｄについてはその先端部分が伝送路用溝２３内にわずかに突出する位置となるように圧入することができ、平行ピン７１ｄについてはその先端部分が中心導体３３ｂ１の下面に近接する位置まで突出位置となるように圧入することができる。このとき、平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄの先端部分が伝送路用溝２３の底部から突出することで生じる凸部９０、平行ピン７３ｄの先端部分と圧入孔５３ｄとにより伝送路用溝２３の底部に生ずる凹部９１等に応じて磁場が変動し、当該箇所の伝送路におけるインピーダンスが変化する。このようにして、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｄによれば、平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄを、工具を用い、ベース基板２０の圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄに対して適宜な位置になるように圧入する簡単な作業（ストローク調整）で伝送路におけるインピーダンスを調整することが可能となる。

【0149】

本実施形態においては、平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄが同一の長さを有する構成を例示しているが、本発明はこれに限るものではなく、平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄをそれぞれ異なる長さを有する構成（第１～第３の実施形態参照）としてもよい。但し、平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄが同一の長さを有する構成とした場合には、これら平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄの圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄ内での軸方向の位置を目標とする凸部９０の高さ、凹部９１の深さに合わせて自在に調整することができる。この場合、例えば、平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄの長さをそれぞれ異なる長さとし、ベース基板２０の伝送路非形成面に対してフラットになるように圧入することで所望のストロークを実現するような運用に比べてストローク調整に関する自由度が向上する。

【0150】

なお、平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄは樹脂製のものであってもよい。この場合、例えば、図１６、図１７において中心導体３３ｂ１に当接する状態としたとしても、動作上、支障をきたすことはない。

【0151】

このように、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｄにおいて、調整用孔５０、５１、５２、５３は、内周が平滑な長孔からなる圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄで構成し、調整棒７０、７１、７２、７３は、圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄに圧入される樹脂製の平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄで構成している。

【0152】

この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｄは、圧入孔５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄに対する平行ピン７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄの圧入位置に応じて容易にインピーダンス調整を行うことができる。また、ねじ加工が不要のため安価な構成とすることができる。

【0153】

第４の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｄを搭載した場合の信号解析装置１、及び第４の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ｄのインピーダンス調整方法に関する作用効果についても第１の実施形態に係る可変ＡＴＴ２Ａを搭載した場合と同様である。

【産業上の利用可能性】

【0154】

以上のように、本発明に係る可変減衰器、信号解析装置、及びインピーダンス調整方法は、簡単な構造で製造時のインピーダンスミスマッチ調整を効率的かつ容易に実現でき、コストを低減し高周波特性を向上することが可能であるという効果を奏し、シグナルアナライザやスペクトラムアナライザなどの信号解析装置、これに用いる可変減衰器、並びにインピーダンス調整方法全般に有用である。

【符号の説明】

【0155】

１ 信号解析装置
２ 可変ＡＴＴ（可変減衰器）
２０ ベース基板
２０ａ アース板
２１ 信号入力端子
２２ 信号出力端子
２３ 伝送路用溝
２４ 溝（スルー経路と減衰経路をつなぐ経路）
２５ 溝（減衰経路）
２６ 溝（スルー経路）
３１ 減衰素子
３３ 誘電体ブロック
３３ｂ、３３ｂ１、３３ｂ２ 中心導体
５０、５１、５２、５３ 調整用孔
５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５３ａ、５３ｂ、５３ｃ ねじ孔
５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄ 圧入孔
６１ 駆動部配置用孔
７０、７１、７２、７３ 調整棒
７０ａ、７０ｂ、７１ａ、７１ｂ、７２ａ、７２ｂ、７３ａ 金属ねじ
７０ｃ、７１ｃ、７２ｃ、７３ｃ 樹脂ねじ
７０ｄ、７１ｄ、７２ｄ、７３ｄ 平行ピン（平行ピン部材）
７６ ねじ部
７７ 先端部
８０ｂ、８１ｂ、８２ｂ 別部材
９０ 凸部（突出部）
９１ 凹部（陥没部）
１００ ＤＵＴ（被試験対象）
２００ ベース基板
２０１ 導波路（伝送路用溝）
２０２ 誘電体ブロック
２０３ａ、２０３、２０３ｂ 中心導体
２０４ 高周波スイッチ
２０４ａ、２０４ｂ 駆動部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】