特開 2023-178089 表示パネル、及び、表示パネルの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023178089

(43)【公開日】2023-12-14

(54)【発明の名称】表示パネル、及び、表示パネルの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20231207BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20231207BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20231207BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20231207BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20231207BHJP

   H05B 33/02 20060101ALI20231207BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20231207BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 309

G09F9/30 338

G09F9/00 342

G09F9/30 365

H01L27/32

H05B33/14 A

H05B33/22 Z

H05B33/02

H05B33/10

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022091152

(22)【出願日】2022-06-03

(71)【出願人】

【識別番号】514188173

【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ

(71)【出願人】

【識別番号】515203228

【氏名又は名称】ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＴＣＬ Ｃｈｉｎａ Ｓｔａｒ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．９－２，Ｔａｎｇｍｉｎｇ Ｒｄ，Ｇｕａｎｇｍｉｎｇ Ｎｅｗ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｓｈｅｎｚｈｅｎ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ，Ｃｈｉｎａ ５１８１３２

(74)【代理人】

【識別番号】100189430

【弁理士】

【氏名又は名称】吉川 修一

(74)【代理人】

【識別番号】100190805

【弁理士】

【氏名又は名称】傍島 正朗

(72)【発明者】

【氏名】村井 淳人

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC23

3K107CC35

3K107DD39

3K107DD50

3K107DD90

3K107DD97

3K107EE03

3K107FF15

3K107GG07

3K107GG11

5C094AA38

5C094BA03

5C094BA27

5C094DA07

5C094DA13

5C094DA15

5C094DB01

5C094EA10

5C094FB01

5G435BB05

5G435KK05

(57)【要約】

【課題】表示部への水分の浸入を抑制しつつ、コンタクトホールの直径を低減できる表示パネルなどを提供する。
【解決手段】表示パネル１０は、表示部１１と周縁領域１３とを備え、基板２０と、第一導電層７０と、第一絶縁膜８０と、第二導電層９０と、有機材料を含む絶縁膜である有機平坦化膜１１０と、第三導電層１２０とを備え、有機平坦化膜１１０は、表示部１１に位置するコンタクトホール１１０ｈと、表示部１１を囲む環状の遮断端１１０ｅとを有し、遮断端１１０ｅは、有機平坦化膜１１０が配置されていない環状の遮断領域１１０ｓで囲まれており、遮断端１１０ｅにおける有機平坦化膜１１０の厚さは、コンタクトホール１１０ｈにおける有機平坦化膜１１０の厚さより小さい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示部と前記表示部の周縁に位置する周縁領域とを備える表示パネルであって、
基板と、
前記基板の上方に配置される第一導電層と、
前記第一導電層の上方に配置される第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜の上方に配置される第二導電層と、
前記第二導電層の上方に配置され、有機材料を含む絶縁膜である有機平坦化膜と、
前記有機平坦化膜の上方に配置される第三導電層とを備え、
前記有機平坦化膜は、
前記表示部に位置し、前記第二導電層と前記第三導電層とを接続する貫通孔であるコンタクトホールと、
前記周縁領域に配置される前記有機平坦化膜のうち前記表示部から連続している連続領域の周縁であって、前記表示部を囲む環状の遮断端とを有し、
前記遮断端は、前記有機平坦化膜が配置されていない環状の遮断領域で囲まれており、
前記遮断端における前記有機平坦化膜の厚さは、前記コンタクトホールにおける前記有機平坦化膜の厚さより小さい
表示パネル。

【請求項2】

前記遮断端の下方において、前記第一導電層及び前記第二導電層が重ねて配置される
請求項１に記載の表示パネル。

【請求項3】

前記遮断領域の全周において、前記第一導電層及び前記第二導電層が重ねて配置される
請求項２に記載の表示パネル。

【請求項4】

前記遮断領域の全周において、前記第一導電層、第一絶縁膜、及び前記第二導電層が重ねて配置される
請求項３に記載の表示パネル。

【請求項5】

前記第一導電層及び前記第二導電層の前記遮断領域に位置する部分は、電気的に接続されて、かつ、グランド電位に維持される
請求項２～４のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項6】

前記表示部は、複数の薄膜トランジスタを有し、
前記複数の薄膜トランジスタの各々のゲート電極は、前記第一導電層に含まれ、
前記複数の薄膜トランジスタの各々のソース・ドレイン電極は、前記第二導電層に含まれる
請求項１～４のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項7】

前記有機平坦化膜は、ポジ型の感光性有機材料を含む
請求項１～４のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項8】

表示部と前記表示部の周縁に位置する周縁領域とを備える表示パネルの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板の上方に第一導電層を形成する工程と、
前記第一導電層の上方に第一絶縁膜を形成する工程と、
前記第一絶縁膜の上方に第二導電層を形成する工程と、
前記第二導電層の上方に、有機材料を含む絶縁膜である有機平坦化膜を形成する工程と、
前記有機平坦化膜をパターニングする工程と、
前記有機平坦化膜の上方に第三導電層を形成する工程とを含み、
前記パターニングする工程は、前記表示部に位置する貫通孔であるコンタクトホールと、前記表示部を囲む環状の遮断端とを形成する工程を含み、
前記遮断端は、前記有機平坦化膜が配置されていない環状の遮断領域で囲まれており、
前記遮断端における前記有機平坦化膜の厚さは、前記コンタクトホールにおける前記有機平坦化膜の厚さより小さい
表示パネルの製造方法。

【請求項9】

前記遮断端の下方において、前記第一導電層及び前記第二導電層が重ねて配置される
請求項８に記載の表示パネルの製造方法。

【請求項10】

前記遮断領域の全周の下方において、前記第一導電層及び前記第二導電層が重ねて配置される
請求項９に記載の表示パネルの製造方法。

【請求項11】

前記遮断領域の全周の下方において、前記第一導電層、第一絶縁膜、及び前記第二導電層が重ねて配置される
請求項１０に記載の表示パネルの製造方法。

【請求項12】

前記第一導電層及び前記第二導電層の前記遮断領域に位置する部分は、電気的に接続され、かつ、グランド電位に維持される
請求項８～１１のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。

【請求項13】

前記表示部は、複数の薄膜トランジスタを有し、
前記複数の薄膜トランジスタの各々のゲート電極は、前記第一導電層に含まれ、
前記複数の薄膜トランジスタの各々のソース・ドレイン電極は、前記第二導電層に含まれる
請求項８～１１のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。

【請求項14】

前記有機平坦化膜は、ポジ型の感光性有機材料を含む
請求項８～１１のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。

【請求項15】

前記第三導電層を形成する工程の後に、印刷を用いて発光層を形成する工程をさらに含む
請求項８～１１のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示パネル、及び表示パネルの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

表示装置に用いられる表示パネルとして、複数の画素がマトリクス状に配置された有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示パネルが知られている。有機ＥＬ素子等の表示素子は、水分の影響を受けて劣化しやすいため、表示部への水分の浸入を抑制する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された発明では、水分の浸入経路となり得る有機絶縁膜に、表示部の周囲を囲む分離溝を設けることで、表示部への水分の浸入を抑制しようとしている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００６－５４１１１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

近年の表示装置の大型化、高精細化、及び高速駆動化に伴い、信号遅延（ＣＲ時定数の増大）の問題が顕在化している。この問題を解決するために比誘電率が小さい有機絶縁膜の厚膜化が考えられる。しかしながら、厚膜化に伴い、有機絶縁膜に形成された分離溝において、有機絶縁膜の一部が除去されずに残膜として残りやすくなる。また、有機絶縁膜の厚膜化に伴い、分離溝の底に有機絶縁膜のパターニング時などに発生する残渣が残りやすくなる。このような、残膜、残渣などは、表示部への水分の浸入経路となり得るため、分離溝を形成しても、表示部への水分の浸入を抑制できない場合があり得る。

【0005】

これに対して、例えば、有機絶縁膜がポジ型の感光性有機材料を含む場合、有機絶縁膜のパターニング時における露光量を増大することによって、上述した残膜を低減できる。しかしながら、露光量を増大すると、例えば、パターニング時に表示部に形成されるコンタクトホールの直径が必要以上に大きくなるため、表示パネルの高精細化が妨げられ、かつ、レイアウト効率が低下する。また、印刷法により発光層等を形成する、所謂、印刷ＯＬＥＤ（印刷有機ＥＬ）の場合、有機絶縁膜の開口径の拡大が印刷膜厚バラつきに直結するため、問題はより深刻となる。なお、コンタクトホールに対応する露光用のマスクの直径を小さくすることも考えられるが、マスクの直径は、露光機の解像度の限界より小さくできない。また、マスクの直径を小さくすることで、コンタクトホールの直径のばらつきが生じやすくなる。

【0006】

本開示は、上記の問題を解決するためになされたものであり、表示部への水分の浸入を抑制しつつ、コンタクトホールの直径を低減できる表示パネルなどを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記目的を達成するために、本開示の一態様に係る表示パネルは、表示部と前記表示部の周縁に位置する周縁領域とを備える表示パネルであって、基板と、前記基板の上方に配置される第一導電層と、前記第一導電層の上方に配置される第一絶縁膜と、前記第一絶縁膜の上方に配置される第二導電層と、前記第二導電層の上方に配置され、有機材料を含む絶縁膜である有機平坦化膜と、前記有機平坦化膜の上方に配置される第三導電層とを備え、前記有機平坦化膜は、前記表示部に位置し、前記第二導電層と前記第三導電層とを接続する貫通孔であるコンタクトホールと、前記周縁領域に配置される前記有機平坦化膜のうち前記表示部から連続している連続領域の周縁であって、前記表示部を囲む環状の遮断端とを有し、前記遮断端は、前記有機平坦化膜が配置されていない環状の遮断領域で囲まれており、前記遮断端における前記有機平坦化膜の厚さは、前記コンタクトホールにおける前記有機平坦化膜の厚さより小さい。

【0008】

上記目的を達成するために、本開示の一態様に係る表示パネルの製造方法は、表示部と前記表示部の周縁に位置する周縁領域とを備える表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板の上方に第一導電層を形成する工程と、前記第一導電層の上方に第一絶縁膜を形成する工程と、前記第一絶縁膜の上方に第二導電層を形成する工程と、前記第二導電層の上方に、有機材料を含む絶縁膜である有機平坦化膜を形成する工程と、前記有機平坦化膜をパターニングする工程と、前記有機平坦化膜の上方に第三導電層を形成する工程とを含み、前記パターニングする工程は、前記表示部に位置する貫通孔であるコンタクトホールと、前記表示部を囲む環状の遮断端とを形成する工程を含み、前記遮断端は、前記有機平坦化膜が配置されていない環状の遮断領域で囲まれており、前記遮断端における前記有機平坦化膜の厚さは、前記コンタクトホールにおける前記有機平坦化膜の厚さより小さい。

【発明の効果】

【0009】

本開示によれば、表示部への水分の浸入を抑制しつつ、コンタクトホールの直径を低減できる表示パネルなどを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】実施の形態に係る表示パネルの構成を示す模式的な平面図

【図2】実施の形態に係る表示パネルの構成を示す模式的な断面図

【図3】実施の形態に係る表示パネルの製造方法の第一工程を示す模式的な断面図

【図4】実施の形態に係る表示パネルの製造方法の第二工程を示す模式的な断面図

【図5】実施の形態に係る表示パネルの製造方法の第三工程を示す模式的な断面図

【図6】実施の形態に係る表示パネルの製造方法の第四工程を示す模式的な断面図

【図7】実施の形態に係る表示パネルの製造方法の第五工程を示す模式的な断面図

【図8】実施の形態に係る表示パネルの製造方法の第六工程を示す模式的な断面図

【図9】実施の形態に係る表示パネルの製造方法の第七工程を示す模式的な断面図

【図10】実施の形態に係る表示パネルの製造方法の第八工程を示す模式的な断面図

【図11】実施の形態に係る表示パネルの製造方法の第九工程を示す模式的な断面図

【図12】実施の形態に係る表示パネルの製造方法の第十工程を示す模式的な断面図

【図13】実施の形態に係る表示パネルの製造方法の第十一工程を示す模式的な断面図

【図14】比較例１の表示パネルの構成を示す模式的な断面図

【図15】実施の形態に係る表示パネルの遮断領域の下方における層構成を示す模式的な断面図

【図16】比較例２の表示パネルの遮断領域の下方における層構成を示す模式的な断面図

【図17】実施の形態の変形例１に係る表示パネルの構成を示す模式的な断面図

【図18】実施の形態に変形例２に係る表示パネルの遮断領域の下方における層構成を示す模式的な断面図

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本開示の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示における一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、並びに、工程の順序などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示における最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

【0012】

また、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺などは必ずしも一致していない。なお、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

【0013】

また、本明細書において、「上方」及び「下方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）及び下方向（鉛直下方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に相対的な位置関係により規定される用語として用いる。また、「上方」及び「下方」という用語は、２つの構成要素が互いに間隔をあけて配置されて２つの構成要素の間に別の構成要素が存在する場合のみならず、２つの構成要素が互いに接する状態で配置される場合にも適用される。

【0014】

（実施の形態）
実施の形態に係る表示パネル及びその製造方法について説明する。

【0015】

［１．表示パネルの構成］
本実施の形態に係る表示パネルの構成について図１及び図２を用いて説明する。図１は、本実施の形態に係る表示パネル１０の構成を示す模式的な平面図である。図２は、本実施の形態に係る表示パネル１０の構成を示す模式的な断面図である。図２には、図１に示されるＩＩ－ＩＩ線における断面が示されている。

【0016】

図１に示される表示パネル１０は、複数の画素１２を有する表示部１１と、表示部１１の周縁に位置する周縁領域１３とを備える。表示部１１は、信号配線１７と、電源配線１８とを有する。

【0017】

表示部１１は、表示パネル１０において画像が表示される部分である。表示部１１には、複数の画素１２がマトリクス状に配置されている。

【0018】

周縁領域１３は、表示部１１の周縁に位置する領域である。周縁領域１３は、引き出し配線１４と、遮断領域１１０ｓと、シール形成部１８０とを有する。

【0019】

複数の画素１２は、表示部１１に画像を表示するために用いられる。複数の画素１２の各々は、図２に示されるように、一つ以上の薄膜トランジスタ１５を有する。一つ以上の薄膜トランジスタ１５によって画素回路が形成される。本実施の形態では、複数の画素１２の各々は、ＥＬ素子１６と、保持容量１９とをさらに備える。

【0020】

ＥＬ素子１６は、画素１２が備える発光素子である。本実施の形態では、ＥＬ素子１６は、有機ＥＬ素子である。

【0021】

保持容量１９は、画素１２に供給される画素値に対応する電荷を保持する素子である。

【0022】

図１に示される信号配線１７は、複数の画素１２の各々に信号を送信するための配線である。本実施の形態では、複数の信号配線１７が、表示部１１において、複数の画素１２の行方向（つまり、図１の横方向）に延在する。複数の信号配線１７の各々が、各行に配置される画素１２に信号を送信する。なお、図面が煩雑となることを回避するために図示しないが、複数の信号配線１７は、表示部１１において、複数の画素１２の列方向（つまり、図１の縦方向）にも延在してもよい。

【0023】

電源配線１８は、複数の画素１２の各々に電圧を供給するための配線である。本実施の形態では、複数の電源配線１８が、表示部１１において、複数の画素１２の列方向に延在する。複数の電源配線１８の各々が、各列に配置される画素１２に電圧を供給する。なお、図面が煩雑となることを回避するために図示しないが、複数の電源配線１８は、表示部１１において、複数の画素１２の行方向にも延在してもよい。

【0024】

引き出し配線１４は、周縁領域１３に配置され、信号配線１７及び電源配線１８の各々に接続される配線である。複数の引き出し配線１４が、それぞれ、複数の信号配線１７に接続される。また、他の複数の引き出し配線１４が、それぞれ、複数の電源配線１８に接続される。

【0025】

遮断領域１１０ｓは、表示部１１の外部から表示部１１へ浸入する水分を遮断するための領域である。遮断領域１１０ｓの詳細構成については、後述する。

【0026】

シール形成部１８０は、表示パネル１０の内部を密封するための部分であり、表示パネルの周縁を囲む。シール形成部１８０の詳細構成については、後述する。

【0027】

続いて、表示パネル１０の積層構造について、図２を用いて説明する。図２に示されるように、表示パネル１０は、基板２０と、下部導電層３０と、下部絶縁膜４０と、半導体層５０と、ゲート絶縁膜６０と、第一導電層７０と、第一絶縁膜８０と、第二導電層９０と、第二絶縁膜１００と、有機平坦化膜１１０と、第三導電層１２０と、素子分離膜１３０と、発光層１４０と、第四導電層１５０と、ＥＬ保護膜１６０と、封止樹脂１７０と、シール形成部１８０と、光学フィルタ１９０と、対向基板２００とを備える。

【0028】

基板２０は、表示パネル１０の回路基板の基台となる絶縁性の板状部材である。

【0029】

下部導電層３０は、基板２０の上方に配置される導電層である。下部導電層３０として、任意の導電膜を用いることができる。本実施の形態では、下部導電層３０として、ＭｏＷ膜を用いる。下部導電層３０は、図２に示されるように所定の形状にパターニングされている。

【0030】

下部絶縁膜４０は、下部導電層３０の上方に配置される絶縁膜である。下部絶縁膜４０は、下部導電層３０を覆う。下部絶縁膜４０として、例えば、ＳｉＮ_ｘ膜及びＳｉＯ_２膜を含む積層膜を用いることができる。

【0031】

半導体層５０は、下部絶縁膜４０の上方に配置される半導体層である。本実施の形態では、半導体層５０は、酸化物半導体を含む。半導体層５０は、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、及びＮｂのうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む酸化物半導体から構成されている。半導体層５０として、例えば、ＩＴＺＯ（酸化インジウムスズ亜鉛）、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＩＧＯ（酸化インジウムガリウム）、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩｎＯなどを用いることができる。

【0032】

半導体層５０には、低抵抗領域が形成されている。低抵抗領域は、例えば、半導体層５０上に配置されるゲート絶縁膜６０をドライエッチングによって除去する際に、プラズマダメージにより形成された領域であり、実質的に導体として機能する。

【0033】

ゲート絶縁膜６０は、半導体層５０の上方に配置される絶縁膜である。ゲート絶縁膜６０として、例えば、ＳｉＯ_２膜を用いることができる。本実施の形態では、ゲート絶縁膜６０は、第一導電層７０と同一の形状にパターニングされている。言い換えると、ゲート絶縁膜６０の平面視における輪郭が、第一導電層７０の平面視における輪郭と同一となる。なお、ここで、同一の形状、又は、同一の輪郭との記載が意味する状態は、形状、又は輪郭が完全に一致する状態だけに限定されず、実質的に一致する状態も含む。同一の形状、又は、同一の輪郭との記載が意味する状態は、例えば、ゲート絶縁膜６０の輪郭と、第一導電層７０の輪郭のずれの大きさが、第一導電層７０の寸法の５％以下である状態も含む。

【0034】

第一導電層７０は、基板２０の上方に配置される導電層である。本実施の形態では、第一導電層は、ゲート絶縁膜６０の上方に配置される。第一導電層７０として、例えば、任意の導電膜を用いることができる。本実施の形態では、第一導電層７０として、Ｔｉ膜、Ａｌ膜、及びＴｉ膜からなる積層膜を用いる。

【0035】

第一絶縁膜８０は、第一導電層７０の上方に配置される絶縁膜である。第一絶縁膜８０として、例えば、ＳｉＯ_２膜を用いることができる。第一絶縁膜８０として、例えば、ＳｉＮ_ｘ膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ_２Ｏ_３膜などの無機絶縁膜、感光性を有するポリイミド、アクリル樹脂などの有機絶縁膜、又は、これらの積層膜を用いてもよい。

【0036】

第二導電層９０は、第一絶縁膜８０の上方に配置される導電層である。第二導電層９０として、例えば、任意の導電膜を用いることができる。第二導電層９０として、第一導電層７０と同じ構成の導電膜を用いてもよい。本実施の形態では、第二導電層９０として、Ｔｉ膜、Ａｌ膜、及びＴｉ膜からなる積層膜を用いる。

【0037】

薄膜トランジスタ１５は、半導体層５０、第一導電層７０、及び、第二導電層９０の各々の一部を含む。薄膜トランジスタ１５のゲート電極は、第一導電層７０に含まれる。また、薄膜トランジスタ１５のソース・ドレイン電極は、第二導電層９０に含まれる。薄膜トランジスタ１５は、シールド電極として下部導電層３０の一部をさらに有してもよい。

【0038】

保持容量１９は、下部導電層３０の一部と、第二導電層９０の一部とを有する。本実施の形態では、下部導電層３０の一部と、第二導電層９０の一部との間に、下部絶縁膜４０と、第一絶縁膜８０とが配置される。

【0039】

第二絶縁膜１００は、第二導電層９０の上方に配置される絶縁膜である。第二絶縁膜１００として、例えば、ＳｉＯ_２膜を用いることができる。第二絶縁膜１００として、例えば、ＳｉＮ_ｘ膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ_２Ｏ_３膜などの無機絶縁膜、又は、これらの積層膜を用いてもよい。

【0040】

有機平坦化膜１１０は、第二導電層９０の上方に配置され、有機材料を含む絶縁膜である。本実施の形態では、有機平坦化膜１１０は、第二絶縁膜１００の上方に配置される。有機平坦化膜１１０は、表示部１１に位置し、第二導電層９０と第三導電層１２０とを接続する貫通孔であるコンタクトホール１１０ｈを有する。また、有機平坦化膜１１０は、周縁領域１３に配置される有機平坦化膜１１０のうち表示部１１から連続している連続領域１１０ｃの周縁であって、表示部１１を囲む（有機平坦化膜１１０の平面視において）環状の遮断端１１０ｅを有する。遮断端１１０ｅは、有機平坦化膜１１０が配置されていない環状の遮断領域１１０ｓで囲まれている。遮断端１１０ｅにおける有機平坦化膜１１０の厚さｔ２は、コンタクトホール１１０ｈにおける有機平坦化膜１１０の厚さｔ１より小さい。ここで、図２に示される例のように、遮断端１１０ｅ近傍において、有機平坦化膜１１０の側面が傾斜している場合には、有機平坦化膜１１０の厚さｔ２は、遮断端１１０ｅの下端から有機平坦化膜１１０の平坦な上面までの厚さ方向における寸法で定義される。また同様に、有機平坦化膜１１０の厚さｔ１は、コンタクトホール１１０ｈの下端から有機平坦化膜１１０の平坦な上面までの厚さ方向における寸法で定義される。

【0041】

有機平坦化膜１１０の遮断端１１０ｅの下方、つまり、遮断領域１１０ｓには、第一導電層７０と第二導電層９０とが重ねて配置される。本実施の形態では、遮断領域１１０ｓの全周において、第一導電層及び第二導電層が重ねて配置される。有機平坦化膜１１０の遮断端１１０ｅの下方には、下部導電層３０と、下部絶縁膜４０と、ゲート絶縁膜６０と、第一絶縁膜８０と、及び第二絶縁膜１００とが、さらに重ねて配置される。

【0042】

有機平坦化膜１１０として、例えば、ポリイミド樹脂，ノボラック樹脂，エポキシ樹脂、アクリル樹脂などのポジ型の感光性有機材料を用いることができる。

【0043】

第三導電層１２０は、有機平坦化膜１１０の上方に配置される導電層である。第三導電層１２０は、ＥＬ素子１６のアノード電極として機能する。第三導電層１２０として、例えば、任意の導電膜を用いることができる。本実施の形態では、第三導電層１２０として、ＡｌＮｄ膜などが用いられる。第三導電層１２０として、例えばＡｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｇなどの金属元素の単体又は合金を含む導電膜を用いてもよい。また、第三導電層１２０は、これらの金属元素の単体又は合金を含む導電膜と、光透過性を有する透明導電膜との積層膜を含んでいてもよい。透明導電膜としては、例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えば、Ａｌを添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ）、Ｇａを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。

【0044】

素子分離膜１３０は、第三導電層１２０の上方に配置される絶縁膜である。素子分離膜１３０は、第三導電層１２０に含まれる隣り合う二つの領域の間に配置され、隣り合うＥＬ素子１６を分離する機能を有する。素子分離膜１３０には、各ＥＬ素子１６に対応する複数の開口が形成されており、複数の開口の各々に、第三導電層１２０及び発光層１４０が配置される。当該素子分離膜１３０は、発光層１４０がウェットプロセスを用いて形成される場合には、隔壁として機能する。

【0045】

素子分離膜１３０として、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂などの感光性樹脂を用いることができる。また、素子分離膜１３０として、これらの樹脂材料に顔料を分散させたものが用いられてもよい。また、素子分離膜１３０として、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＯＮなどの無機材料が用いられてもよい。

【0046】

発光層１４０は、第三導電層１２０の上方に配置されるＥＬ層である。発光層１４０は、素子分離膜１３０の複数の開口の各々に配置される。発光層１４０は、第三導電層１２０、及び第四導電層１５０とともに、ＥＬ素子１６を構成する。本実施の形態では、発光層１４０として、有機ＥＬ層が用いられる。

【0047】

第四導電層１５０は、発光層１４０の上方に配置される導電層である。第四導電層１５０は、表示部１１の全面にわたって配置され、ＥＬ素子１６のカソード電極として機能する。第四導電層１５０として、例えば、透明導電膜を用いることができる。透明導電膜としては、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えば、Ａｌを添加した酸化亜鉛、Ｇａを添加した酸化亜鉛などが挙げられる。また、第四導電層１５０として、例えば、ＭｇＡｇ合金が用いられてもよい。

【0048】

ＥＬ保護膜１６０は、第四導電層１５０の上方に配置される絶縁膜である。ＥＬ保護膜１６０は、第四導電層１５０を覆う。ＥＬ保護膜１６０は、発光層１４０などへの水分の浸入を抑制することで、発光層１４０の発光効率などに代表される特性の変化を抑制する保護膜として機能する。ＥＬ保護膜１６０として、例えば、ＳｉＮ_ｘ膜を用いることができる。

【0049】

封止樹脂１７０は、ＥＬ保護膜１６０の上方に配置される樹脂膜である。封止樹脂１７０は、ＥＬ保護膜１６０と、対向基板２００（光学フィルタ１９０）とを接着する。封止樹脂１７０は、ＥＬ素子１６を封止する機能も有する。封止樹脂１７０として、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂などを用いることができる。また、封止樹脂１７０として、これらの樹脂材料に顔料を分散させたものが用いられてもよい。

【0050】

シール形成部１８０は、上述したとおり、表示パネル１０の内部を密封するための部分である。本実施の形態では、シール形成部１８０は、光学フィルタ１９０と、ＥＬ保護膜１６０との間のうち、光学フィルタ１９０の周縁に沿って配置され、これらの間を密封する。シール形成部１８０に用いる材料として、封止樹脂１７０と同様の樹脂材料を用いることができる。

【0051】

光学フィルタ１９０は、ＥＬ素子１６の上方に配置されるフィルタである。光学フィルタ１９０の構成は、特に限定されない。光学フィルタ１９０は、例えば、カラーフィルタ、偏光フィルタなどを含んでもよい。

【0052】

カラーフィルタは、例えば、赤色フィルタ，緑色フィルタ、及び青色フィルタを含んでいる。カラーフィルタは、例えば、対向基板２００の一方の主面（つまり、封止樹脂１７０に対向する主面）に配置される。赤色用の画素１２のＥＬ素子１６に対向する領域に赤色フィルタが、緑色用の画素１２のＥＬ素子１６に対向する領域に緑色フィルタが、青色用の画素１２のＥＬ素子１６に対向する領域に青色フィルタが、それぞれ配置されている。赤色フィルタ，緑色フィルタ、及び青色フィルタは、例えば、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されている。上記の赤色フィルタ，緑色フィルタ、及び青色フィルタの間の領域（画素１２間の領域）にブラックマトリクス層（ＢＭ）が配置されてもよい。ブラックマトリクス層は、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、又は薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタを含む。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物、又は金属酸化物を含む薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させる。薄膜フィルタとしては、具体的には、ＣｒとＣｒ_２Ｏ_３とを交互に積層した積層フィルタが挙げられる。

【0053】

対向基板２００は、基板２０に対向して配置される透光性部材であり、封止樹脂１７０の上方に配置される。対向基板２００は、封止樹脂１７０などとともに、ＥＬ素子１６を封止する機能を有する。対向基板２００として、例えば、ＥＬ素子１６で発生した光に対して透明なガラス、プラスチックなどの材料を含む。

【0054】

［２．表示パネルの製造方法］
本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法について図２～図１３を用いて説明する。図３～図１３は、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法の各工程を示す模式的な断面図である。図３～図１３には、図２と同様の位置における断面が示されている。

【0055】

まず、図３に示されるように、絶縁性の基板２０を準備する。続いて、基板２０の上方に下部導電層３０を形成する。本実施の形態では、スパッタ法を用いて、膜厚５０ｎｍのＭｏＷ膜を基板２０上に成膜し、フォトリソグラフィ法、及び、ＣＦ系又はＳＦ系のガスを用いたドライエッチングによりパターニングする。

【0056】

続いて、下部導電層３０の上方に下部絶縁膜４０を形成する。本実施の形態では、基板２０上、及び下部導電層３０上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、膜厚１００ｎｍのＳｉＮ_ｘ膜、及び膜厚２００ｎｍのＳｉＯ_２膜をこの順に成膜する。

【0057】

続いて、下部絶縁膜４０の上方に半導体層５０を形成する。本実施の形態では、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む膜厚３０ｎｍの酸化物半導体膜をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングする。この時、酸化物半導体膜のキャリア濃度調整などの目的で、適宜酸素を含む雰囲気などでアニール処理を行ってもよい。

【0058】

続いて、図４に示されるように、半導体層５０の上方にゲート絶縁膜６０を形成する。本実施の形態では、下部絶縁膜４０上、及び半導体層５０上に、ＣＶＤ法により、膜厚１５０ｎｍのＳｉＯ_２膜を成膜する。

【0059】

続いて、下部導電層３０に第一導電層７０を接続するためのコンタクトホール６１ｈを、ゲート絶縁膜６０、及び下部絶縁膜４０に形成する。本実施の形態では、フォトリソグラフィ法、及び、ＣＦ系のガスを用いたドライエッチングにより、ゲート絶縁膜６０、及び下部絶縁膜４０を貫通するコンタクトホール６１ｈを形成する。

【0060】

続いて、図５に示されるように、ゲート絶縁膜６０の上方に第一導電層７０を形成する。本実施の形態では、ゲート絶縁膜６０上、及びコンタクトホール６１ｈの内部に、スパッタ法により、導電膜として、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜、膜厚３００ｎｍのＡｌ膜、及び、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜をこの順に成膜する。続いて、フォトリソグラフィ法、及びＣｌ系のガスを用いたドライエッチングにより、第一導電層７０を所定の形状にパターニングする。本実施の形態では、第一導電層７０は、遮断領域１１０ｓに配置される。

【0061】

続いて、ゲート絶縁膜６０をパターニングする。本実施の形態では、第一導電層７０をマスクとしてゲート絶縁膜６０をドライエッチングによってパターニングする。ドライエッチングにおいては、例えば、ＣＦ系ガスを用いることができる。これにより、ゲート絶縁膜６０は、第一導電層７０と同一の形状にパターニングされる。

【0062】

また、ゲート絶縁膜６０をドライエッチングによって除去し、半導体層５０を露出させることで、露出した領域の半導体層５０を、ドライエッチングのプラズマダメージにより低抵抗化することができる。これにより、半導体層５０に低抵抗領域５１を形成できる。なお、半導体層５０のうちプラズマダメージを受けない領域は、低抵抗化されない。

【0063】

続いて、図６に示されるように、第一導電層７０の上方に第一絶縁膜８０を形成する。本実施の形態では、第一導電層７０上、半導体層５０上、及び下部絶縁膜４０上に、ＣＶＤ法により膜厚５００ｎｍのＳｉＯ_２膜を成膜する。

【0064】

続いて、第一絶縁膜８０をパターニングする。本実施の形態では、フォトリソグラフィ法、及び、ＣＦ系のガスを用いたドライエッチングにより、第一絶縁膜８０にコンタクトホール８１ｈ及び８２ｈを形成する。コンタクトホール８１ｈは、半導体層５０の低抵抗領域５１（図５参照）に、第二導電層９０を接続するための貫通孔である。コンタクトホール８２ｈは、周縁領域１３に配置される貫通孔である。

【0065】

続いて、図７に示されるように、第一絶縁膜８０の上方に第二導電層９０を形成する。本実施の形態では、第一絶縁膜８０上、及びコンタクトホール８１ｈの内部に、スパッタ法により、導電膜として、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜、膜厚３００ｎｍのＡｌ膜、及び、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜をこの順に成膜する。続いて、フォトリソグラフィ法、及びＣｌ系のガスを用いたドライエッチングにより、第二導電層９０を所定の形状にパターニングする。本実施の形態では、第二導電層９０は、遮断領域１１０ｓに配置される。

【0066】

続いて、図８に示されるように、第二導電層９０の上方に第二絶縁膜１００を形成する。本実施の形態では、第二導電層９０上、及び第一絶縁膜８０上に、ＣＶＤ法により膜厚５００ｎｍのＳｉＯ_２膜を成膜する。

【0067】

続いて、第二絶縁膜１００をパターニングする。本実施の形態では、フォトリソグラフィ法、及び、ＣＦ系のガスを用いたドライエッチングにより、第二絶縁膜１００にコンタクトホール１０１ｈ及び１０２ｈを形成する。コンタクトホール１０１ｈは、第二導電層９０に、第三導電層１２０を接続するための貫通孔である。コンタクトホール１０２ｈは、周縁領域１３に配置される貫通孔である。

【0068】

続いて、図９に示されるように、第二導電層９０上に、有機平坦化膜１１０を形成する。本実施の形態では、第二絶縁膜１００の上方に、ポリイミド樹脂，ノボラック樹脂，エポキシ樹脂、アクリル樹脂などのポジ型の感光性有機材料を塗布する。有機平坦化膜１１０は、塗布した時点では、ほぼ平坦な上面を有する。ここで、遮断領域１１０ｓには、第一導電層７０、第二導電層９０などが重ねて配置されていることで、遮断領域１１０ｓにおいて第二絶縁膜１００の上面が上方に向かって突出している。このため、遮断領域１１０ｓに塗布される有機平坦化膜１１０は、他の領域より薄い。

【0069】

続いて、図１０に示されるように、有機平坦化膜１１０をパターニングする。具体的には、露光、現像、及び焼成の工程により、有機平坦化膜１１０をパターニングする。これにより、コンタクトホール１１０ｈ、及び遮断領域１１０ｓが形成される。この工程において、露光量は、コンタクトホール１１０ｈの形成のために最適化されている。これにより、所望の直径のコンタクトホール１１０ｈを精度よく形成できる。ここで、遮断端１１０ｅにおける有機平坦化膜１１０の厚さｔ２は、コンタクトホール１１０ｈにおける有機平坦化膜１１０の厚さｔ１より小さい。このため、コンタクトホール１１０ｈの形成のために最適化された露光量で露光することによって、遮断領域１１０ｓの有機平坦化膜１１０を確実に除去できる。したがって、遮断領域１１０ｓに除去されずに残る残膜の発生を抑制できる。これにより、残膜を介して遮断領域１１０ｓの外部から連続領域１１０ｃへ水分が浸入することを抑制できる。

【0070】

続いて、図１１に示されるように、有機平坦化膜１１０の上方に第三導電層１２０を形成する。本実施の形態では、有機平坦化膜１１０上、及びコンタクトホール１１０ｈの内部に、スパッタ法により、導電膜として、膜厚２００ｎｍのＡｌＮｄ膜を成膜する。続いて、フォトリソグラフィ法、及びリン酸－酢酸－硝酸系のエッチャントを用いたエッチングにより、第三導電層１２０を所定の形状にパターニングする。

【0071】

続いて、第三導電層１２０の上方に、素子分離膜１３０を形成する。本実施の形態では、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂などの感光性樹脂膜を成膜後、露光、及び現像することで、素子分離膜１３０を形成する。

【0072】

続いて、図１２に示されるように、第三導電層１２０の上方に、発光層１４０を形成する。本実施の形態では、発光層１４０として、有機ＥＬ層などを、印刷を用いて形成する。

【0073】

続いて、図１３に示されるように、発光層１４０の上方に第四導電層１５０を形成する。本実施の形態では、表示部１１の全面にわたって、スパッタ法により、第四導電層１５０として、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜を形成する。第四導電層１５０の膜厚は、特に限定されず、導電性、及び光透過性を考慮して適宜設定される。

【0074】

続いて、第四導電層１５０の上方に、ＥＬ保護膜１６０を形成する。本実施の形態では、ＥＬ保護膜１６０として、第四導電層１５０上、有機平坦化膜１１０上、遮断領域１１０ｓ上、及び第二絶縁膜１００上に、ＳｉＮ_ｘ膜を形成する。

【0075】

続いて、図２に示されるように、封止樹脂１７０、及びシール形成部１８０を形成する。本実施の形態では、封止樹脂１７０、及びシール形成部１８０として、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂などをＥＬ保護膜１６０上に塗布する。

【0076】

続いて、光学フィルタ１９０が配置された対向基板２００を、封止樹脂１７０、及びシール形成部１８０上に貼り合わせる。

【0077】

以上のように、本実施の形態に係る表示パネル１０を製造できる。

【0078】

［３．効果］
本実施の形態に係る表示パネル１０及びその製造方法の効果について、比較例と比較しながら、図１４を用いて説明する。図１４は、比較例１の表示パネル１０１０の構成を示す模式的な断面図である。

【0079】

図１４に示される比較例１の表示パネル１０１０は、主に、有機平坦化膜１１１０、第一導電層１０７０、及び第二導電層１０９０の構成において、本実施の形態に係る表示パネル１０と相違する。

【0080】

比較例１の有機平坦化膜１１１０は、本実施の形態に係る有機平坦化膜１１０と同様に、コンタクトホール１１１０ｈ、連続領域１１１０ｃ、及び遮断端１１１０ｅを有する。また、表示パネル１０１０は、遮断端１１１０ｅを囲む遮断領域１１１０ｓを有する。

【0081】

比較例１の表示パネル１０１０では、遮断端１１１０ｅの下方に、第一導電層１０７０、及び第二導電層１０９０が配置されていない。このため、遮断端１１１０ｅにおける有機平坦化膜１１１０の厚さｔ２が、コンタクトホール１１１０ｈにおける有機平坦化膜１１１０の厚さｔ１より大きい。

【0082】

例えば、コンタクトホール１１１０ｈを、露光を用いて形成する際に、コンタクトホール１１１０ｈの形成のために最適化した露光量で露光する場合、この露光量は、コンタクトホール１１１０ｈにおける有機平坦化膜１１１０より、厚さが大きい遮断領域１１１０ｓの有機平坦化膜１１１０の露光には、不十分な露光量となる。このため、遮断領域１１１０ｓに除去されずに残る残膜が発生し得る。このため、この残膜を介して、遮断領域１１１０ｓの外部から連続領域１１１０ｃへ水分が浸入し得る。

【0083】

一方、露光量を増大すると、コンタクトホール１１１０ｈの直径が必要以上に大きくなるため、表示パネル１０１０の高精細化が妨げられ、かつ、レイアウト効率が低下する。

【0084】

これに対して、本実施の形態に係る表示パネル１０においては、有機平坦化膜１１０の遮断端１１０ｅにおける有機平坦化膜１１０の厚さｔ２は、コンタクトホール１１０ｈにおける有機平坦化膜１１０の厚さｔ１より小さい。

【0085】

これにより、有機平坦化膜１１０を露光によってパターニングする際に、コンタクトホール１１０ｈの形成のために最適化した露光量で露光することによって、所望の直径を有するコンタクトホール１１０ｈを形成でき、かつ、遮断領域１１０ｓにおける有機平坦化膜１１０を確実に除去することができる。したがって、表示部１１への水分の浸入を抑制できる。

【0086】

また、本実施の形態では、遮断端１１０ｅの下方において、第一導電層７０及び第二導電層９０が重ねて配置される。ここで、第一導電層７０及び第二導電層９０は、それぞれ、表示部１１において、薄膜トランジスタ１５のゲート電極及びソース・ドレイン電極として用いられる導電層であるため、コンタクトホール１１０ｈにおいて、これらの導電層が重ねて配置されることはない。このため、遮断領域１１０ｓにおける第二導電層９０までの高さを、コンタクトホール１１０ｈが形成される領域における第二導電層９０までの高さより、高くすることができる。したがって、遮断領域１１０ｓにおける有機平坦化膜１１０の厚さを小さくできる。しかも、この構成によれば、特に、追加的な工程などを要することなく、遮断領域１１０ｓにおける有機平坦化膜１１０の厚さを小さくできる。本実施の形態では、遮断端１１０ｅの下方において、ゲート絶縁膜６０、第一導電層７０、第一絶縁膜８０、及び第二導電層９０が重ねて配置される。これにより、遮断領域１１０ｓにおける第二導電層９０までの高さを、より一層高くすることができる。

【0087】

また、本実施の形態では、遮断領域１１０ｓの全周において、第一導電層７０及び第二導電層９０が重ねて配置される。つまり、図１に示される環状の遮断領域１１０ｓのどの部分においても、第一導電層７０及び第二導電層９０が重ねて配置される。この構成の効果について、比較例と比較しながら、図１５及び図１６を用いて説明する。図１５は、本実施の形態に係る表示パネル１０の遮断領域１１０ｓの下方における層構成を示す模式的な断面図である。図１６は、比較例２の表示パネルの遮断領域の下方における層構成を示す模式的な断面図である。図１５及び図１６の横方向が、遮断領域の周方向を示す。なお、図１５、及び図１６に示される例では、下部導電層３０が、引き出し配線１４として、遮断領域１１０ｓを横切って配置されている。

【0088】

図１６に示されるように、比較例２の表示パネルにおいては、遮断領域の一部の領域において、第一導電層７０及び第二導電層９０が配置されていない。このため、第一導電層７０及び第二導電層９０が配置されている領域と、配置されていない領域との境界において、大きい段差が生じる。このため、この段差部に、有機平坦化膜１１０の形成時に残渣などが残りやすい。このため、この残渣を介して、遮断領域の外部から内部へ水分が浸入し得る。

【0089】

一方、図１５に示されるように本実施の形態に係る表示パネル１０では、遮断領域１１０ｓの全周にわたって、第一導電層７０及び第二導電層９０が重ねて配置されている。これにより、最上層の第二絶縁膜１００の上面の段差を抑制できる。したがって、有機平坦化膜１１０の形成時に残渣が残ることを抑制できる。このため、遮断領域１１０ｓの外部から内部へ水分が浸入することを抑制できる。

【0090】

本実施の形態では、遮断領域１１０ｓの全周において、ゲート絶縁膜６０、第一導電層７０、第一絶縁膜８０、第二導電層９０、及び第二絶縁膜１００が重ねて配置される。これにより、第二絶縁膜１００の上面の段差を抑制しつつ、遮断領域１１０ｓにおける第二導電層９０までの高さを、より一層高くすることができる。

【0091】

また、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法においては、第三導電層１２０を形成する工程の後に、印刷を用いて発光層１４０を形成する工程をさらに含む。

【0092】

このように、印刷を用いて発光層１４０を形成する場合、有機平坦化膜１１０のコンタクトホール１１０ｈが拡大すると、印刷膜厚のバラつきが増大し得る。しかしながら、本実施の形態では、上述のとおり、所望の直径を有するコンタクトホール１１０ｈを形成できるため、印刷膜厚のバラつきを抑制できる。

【0093】

［４．変形例１］
本実施の形態に係る表示パネル及びその製造方法の変形例１について、図１７を用いて説明する。図１７は、本変形例に係る表示パネル１０ａの構成を示す模式的な断面図である。図１７には、図２と同様の位置における断面が示されている。

【0094】

図１７に示されるように、本変形例に係る表示パネル１０ａにおいては、遮断領域１１０ｓの外側に、有機平坦化膜１１０が配置されない。

【0095】

このような構成を有する本変形例に係る表示パネル１０ａも、実施の形態に係る表示パネル１０と同様に製造することができ、かつ、同様の効果を奏する。

【0096】

［５．変形例２］
本実施の形態に係る表示パネル及びその製造方法の変形例２について、図１８を用いて説明する。図１８は、本変形例に係る表示パネルの遮断領域の下方における層構成を示す模式的な断面図である。図１８の横方向が、遮断領域の周方向を示す。

【0097】

遮断領域に配置される各導電層は、有機平坦化膜１１０までの高さを得るために使用され、信号、電力などを供給するためには使用されなくてもよい。このため、各導電層がフローティングの状態となり得る。この場合、各導電層が、ノイズを受信（及び発信）するアンテナとして機能する場合がある。このように各導電層の周囲で電界が集中することに起因して、各導電層に隣接する絶縁膜が絶縁破壊することがあり得る。そこで、本変形例では、図１８に示されるように遮断領域に、第四導電層１５０が配置され、第一導電層７０及び第二導電層９０の遮断領域１１０ｓに位置する部分は、第一絶縁膜８０に形成されたコンタクトホールなどを介して、電気的に接続されている。さらに、第一導電層７０及び第二導電層９０の遮断領域１１０ｓに位置する部分は、第二絶縁膜１００に形成されたコンタクトホールなどを介して、第四導電層１５０と電気的に接続されている。ここで、第四導電層１５０は、例えば、グランド電位に維持されている。これにより、各導電層をグランド電位に維持することができる。したがって、各導電層がノイズを受信するアンテナとして機能するによって発生する各絶縁膜の絶縁破壊を抑制できる。

【0098】

（その他の実施の形態）
以上、本開示に係る表示パネルなどについて、実施の形態に基づいて説明したが、本開示に係る表示パネルなどは、上記実施の形態に限定されるものではない。実施の形態に対して本開示の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も本開示に含まれる。

【産業上の利用可能性】

【0099】

本開示は、特に、有機ＥＬ素子を用いる表示パネルを備える表示装置などに有用である。

【符号の説明】

【0100】

１０、１０ａ、１０１０ 表示パネル
１１ 表示部
１２ 画素
１３ 周縁領域
１４ 引き出し配線
１５ 薄膜トランジスタ
１６ ＥＬ素子
１７ 信号配線
１８ 電源配線
１９ 保持容量
２０ 基板
３０ 下部導電層
４０ 下部絶縁膜
５０ 半導体層
５１ 低抵抗領域
６０ ゲート絶縁膜
６１ｈ、８１ｈ、８２ｈ、１０１ｈ、１０２ｈ、１１０ｈ、１１１０ｈ コンタクトホール
７０、１０７０ 第一導電層
８０ 第一絶縁膜
９０、１０９０ 第二導電層
１００ 第二絶縁膜
１１０、１１１０ 有機平坦化膜
１１０ｃ、１１１０ｃ 連続領域
１１０ｅ、１１１０ｅ 遮断端
１１０ｓ、１１１０ｓ 遮断領域
１２０ 第三導電層
１３０ 素子分離膜
１４０ 発光層
１５０ 第四導電層
１６０ ＥＬ保護膜
１７０ 封止樹脂
１８０ シール形成部
１９０ 光学フィルタ
２００ 対向基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】