(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023178328
(43)【公開日】2023-12-14
(54)【発明の名称】トランジスタ
(51)【国際特許分類】
H01L 29/786 20060101AFI20231207BHJP
H01L 21/336 20060101ALI20231207BHJP
G02F 1/1368 20060101ALI20231207BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 618B
H01L29/78 617T
H01L29/78 619A
H01L29/78 626C
G02F1/1368
【審査請求】有
【請求項の数】1
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023170305
(22)【出願日】2023-09-29
(62)【分割の表示】P 2021118032の分割
【原出願日】2018-12-12
(31)【優先権主張番号】P 2017246181
(32)【優先日】2017-12-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】肥塚 純一
(72)【発明者】
【氏名】神長 正美
(72)【発明者】
【氏名】島 行徳
(57)【要約】
【課題】電気特性の良好な半導体装置を提供する。電気特性の安定した半導体装置を提供
する。
【解決手段】半導体特性を示す金属酸化物を含む半導体層の下面に接して、酸化物を含む
島状の絶縁層が設けられた構成とする。酸化物を含む絶縁層は、半導体層のチャネル形成
領域となる部分に接して設け、且つ、低抵抗領域となる部分には設けない構成とする。
【選択図】図１
する。
【解決手段】半導体特性を示す金属酸化物を含む半導体層の下面に接して、酸化物を含む
島状の絶縁層が設けられた構成とする。酸化物を含む絶縁層は、半導体層のチャネル形成
領域となる部分に接して設け、且つ、低抵抗領域となる部分には設けない構成とする。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
酸化シリコン層と、
第１の窒化シリコン層と、
前記酸化シリコン層及び前記第１の窒化シリコン層の上方に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層のチャネル形成領域の上方に、ゲート絶縁層を介して、ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第２の窒化シリコン層と、を有するトランジスタであって、
前記酸化物半導体層は、インジウムとガリウムと亜鉛とを有し、
前記酸化シリコン層は、前記酸化物半導体層の前記チャネル形成領域と接する領域を有し、
前記第１の窒化シリコン層は、前記酸化物半導体層の前記チャネル形成領域以外の領域と接する領域を有し、
前記第２の窒化シリコン層は、前記酸化物半導体層の上面と接する領域と、前記第１の窒化シリコン層と接する領域と、を有するトランジスタ。
第１の窒化シリコン層と、
前記酸化シリコン層及び前記第１の窒化シリコン層の上方に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層のチャネル形成領域の上方に、ゲート絶縁層を介して、ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第２の窒化シリコン層と、を有するトランジスタであって、
前記酸化物半導体層は、インジウムとガリウムと亜鉛とを有し、
前記酸化シリコン層は、前記酸化物半導体層の前記チャネル形成領域と接する領域を有し、
前記第１の窒化シリコン層は、前記酸化物半導体層の前記チャネル形成領域以外の領域と接する領域を有し、
前記第２の窒化シリコン層は、前記酸化物半導体層の上面と接する領域と、前記第１の窒化シリコン層と接する領域と、を有するトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、半導体装置に関する。本発明の一態様は、表示装置に関する。本発
明の一態様は、半導体装置、または表示装置の作製方法に関する。
明の一態様は、半導体装置、または表示装置の作製方法に関する。
【0002】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方
法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能
しうる装置全般を指す。
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方
法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能
しうる装置全般を指す。
【背景技術】
【0003】
トランジスタに適用可能な半導体材料として、金属酸化物を用いた酸化物半導体が注目
されている。例えば、特許文献１では、複数の酸化物半導体層を積層し、当該複数の酸化
物半導体層の中で、チャネルとなる酸化物半導体層がインジウム及びガリウムを含み、且
つインジウムの割合をガリウムの割合よりも大きくすることで、電界効果移動度（単に移
動度、またはμＦＥという場合がある）を高めた半導体装置が開示されている。
されている。例えば、特許文献１では、複数の酸化物半導体層を積層し、当該複数の酸化
物半導体層の中で、チャネルとなる酸化物半導体層がインジウム及びガリウムを含み、且
つインジウムの割合をガリウムの割合よりも大きくすることで、電界効果移動度（単に移
動度、またはμＦＥという場合がある）を高めた半導体装置が開示されている。
【0004】
半導体層に用いることのできる金属酸化物は、スパッタリング法などを用いて形成でき
るため、大型の表示装置を構成するトランジスタの半導体層に用いることができる。また
、多結晶シリコンや非晶質シリコンを用いたトランジスタの生産設備の一部を改良して利
用することが可能なため、設備投資を抑えられる。また、金属酸化物を用いたトランジス
タは、非晶質シリコンを用いた場合に比べて高い電界効果移動度を有するため、駆動回路
を設けた高性能の表示装置を実現できる。
るため、大型の表示装置を構成するトランジスタの半導体層に用いることができる。また
、多結晶シリコンや非晶質シリコンを用いたトランジスタの生産設備の一部を改良して利
用することが可能なため、設備投資を抑えられる。また、金属酸化物を用いたトランジス
タは、非晶質シリコンを用いた場合に比べて高い電界効果移動度を有するため、駆動回路
を設けた高性能の表示装置を実現できる。
【0005】
また、特許文献２には、ソース領域およびドレイン領域に、アルミニウム、ホウ素、ガ
リウム、インジウム、チタン、シリコン、ゲルマニウム、スズ、および鉛からなる群のう
ちの少なくとも一種をドーパントとして含む低抵抗領域を有する酸化物半導体膜が適用さ
れた薄膜トランジスタが開示されている。
リウム、インジウム、チタン、シリコン、ゲルマニウム、スズ、および鉛からなる群のう
ちの少なくとも一種をドーパントとして含む低抵抗領域を有する酸化物半導体膜が適用さ
れた薄膜トランジスタが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１４－７３９９号公報
【特許文献2】特開２０１１－２２８６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明の一態様は、電気特性の良好な半導体装置を提供することを課題の一とする。ま
たは、電気特性の安定した半導体装置を提供することを課題の一とする。または、本発明
の一態様は、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
たは、電気特性の安定した半導体装置を提供することを課題の一とする。または、本発明
の一態様は、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【0008】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一態様は第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、半導体層と、第
１の導電層と、を有する半導体装置である。第２の絶縁層は、第１の絶縁層上に位置し、
且つ島状の形状を有する。半導体層は、第２の絶縁層の上面に接する部分と、第１の絶縁
層の上面に接する部分と、を有し、且つ島状の形状を有する。第３の絶縁層および第１の
導電層は、半導体層上に、この順に積層して設けられる。第２の絶縁層は、少なくとも第
１の導電層と半導体層とが重なる領域に設けられる。また半導体層は、チャネル長方向に
おいて、第２の絶縁層の一対の端部を越えて外側に延在し、チャネル幅方向において、第
２の絶縁層の一対の端部よりも内側に位置する。また半導体層は金属酸化物を含み、第１
の絶縁層は金属酸化物、または窒化物を含み、第２の絶縁層及び第３の絶縁層は酸化物を
含む。
１の導電層と、を有する半導体装置である。第２の絶縁層は、第１の絶縁層上に位置し、
且つ島状の形状を有する。半導体層は、第２の絶縁層の上面に接する部分と、第１の絶縁
層の上面に接する部分と、を有し、且つ島状の形状を有する。第３の絶縁層および第１の
導電層は、半導体層上に、この順に積層して設けられる。第２の絶縁層は、少なくとも第
１の導電層と半導体層とが重なる領域に設けられる。また半導体層は、チャネル長方向に
おいて、第２の絶縁層の一対の端部を越えて外側に延在し、チャネル幅方向において、第
２の絶縁層の一対の端部よりも内側に位置する。また半導体層は金属酸化物を含み、第１
の絶縁層は金属酸化物、または窒化物を含み、第２の絶縁層及び第３の絶縁層は酸化物を
含む。
【0010】
また、上記において、第２の導電層および第３の導電層を有することが好ましい。この
とき、第２の導電層及び第３の導電層は、第２の絶縁層を挟んで、互いに離間して設けら
れ、それぞれ第２の絶縁層が設けられない領域において、半導体層と接することが好まし
い。
とき、第２の導電層及び第３の導電層は、第２の絶縁層を挟んで、互いに離間して設けら
れ、それぞれ第２の絶縁層が設けられない領域において、半導体層と接することが好まし
い。
【0011】
また、上記において、第４の絶縁層を有することが好ましい。このとき、第４の絶縁層
は、第２の絶縁層、半導体層、第３の絶縁層、及び第１の導電層を覆い、第２の絶縁層が
設けられない領域において半導体層の上面の一部と接する部分を有し、且つ、半導体層の
端部よりも外側において第１の絶縁層と接する部分を有することが好ましい。さらに、第
４の絶縁層は、金属酸化物、または窒化物を含むことが好ましい。
は、第２の絶縁層、半導体層、第３の絶縁層、及び第１の導電層を覆い、第２の絶縁層が
設けられない領域において半導体層の上面の一部と接する部分を有し、且つ、半導体層の
端部よりも外側において第１の絶縁層と接する部分を有することが好ましい。さらに、第
４の絶縁層は、金属酸化物、または窒化物を含むことが好ましい。
【0012】
また、上記において、第４の絶縁層は、窒化シリコン、または窒化アルミニウムを含む
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【0013】
また、上記において、第１の絶縁層は、窒化シリコン、または酸化アルミニウムを含む
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【0014】
また、上記において、第１の絶縁層よりも下に第４の導電層を有することが好ましい。
このとき、第４の導電層は、半導体層、第１の導電層、及び第２の絶縁層の全てと重なる
領域を有することが好ましい。
このとき、第４の導電層は、半導体層、第１の導電層、及び第２の絶縁層の全てと重なる
領域を有することが好ましい。
【0015】
また、上記において、半導体層が設けられない領域であって、第２の導電層と第４の導
電層とが重畳する領域に、第５の絶縁層を有することが好ましい。このとき、第５の絶縁
層は、第２の絶縁層と同一面上に位置し、且つ第２の絶縁層と同一の材料を含むことが好
ましい。
電層とが重畳する領域に、第５の絶縁層を有することが好ましい。このとき、第５の絶縁
層は、第２の絶縁層と同一面上に位置し、且つ第２の絶縁層と同一の材料を含むことが好
ましい。
【0016】
また、上記において、第３の絶縁層と、第１の導電層との間に、金属酸化物層を有する
ことが好ましい。このとき、金属酸化物層と、半導体層とは、同じ金属元素を含むことが
好ましい。または、当該金属酸化物層は、アルミニウムまたはハフニウムを含むことが好
ましい。
ことが好ましい。このとき、金属酸化物層と、半導体層とは、同じ金属元素を含むことが
好ましい。または、当該金属酸化物層は、アルミニウムまたはハフニウムを含むことが好
ましい。
【発明の効果】
【0017】
本発明の一態様によれば、電気特性の良好な半導体装置を提供できる。または、電気特
性の安定した半導体装置を提供できる。または、信頼性の高い表示装置を提供できる。
性の安定した半導体装置を提供できる。または、信頼性の高い表示装置を提供できる。
【0018】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】トランジスタの構成例。
【図2】トランジスタの構成例。
【図3】トランジスタの構成例。
【図4】トランジスタの構成例。
【図5】画素の構成例。
【図6】トランジスタの作製方法を説明する図。
【図7】トランジスタの作製方法を説明する図。
【図8】トランジスタの作製方法を説明する図。
【図9】表示装置の上面図。
【図10】表示装置の断面図。
【図11】表示装置の断面図。
【図12】表示装置の断面図。
【図13】表示装置のブロック図及び回路図。
【図14】表示装置の回路図。
【図15】表示モジュールの構成例。
【図16】電子機器の構成例。
【図17】電子機器の構成例。
【図18】電子機器の構成例。
【図19】実施例に係る、トランジスタの電気特性。
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの
異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明
は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明
は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0021】
また、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。
明瞭化のために誇張されている場合がある。
【0022】
また、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の
混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。
混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。
【0023】
また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位
置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関
係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明し
た語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関
係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明し
た語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【0024】
また、本明細書等において、トランジスタが有するソースとドレインの機能は、異なる
極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合など
には入れ替わることがある。このため、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いるこ
とができるものとする。
極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合など
には入れ替わることがある。このため、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いるこ
とができるものとする。
【0025】
また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するも
の」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するも
の」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない
。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジス
タなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有
する素子などが含まれる。
の」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するも
の」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない
。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジス
タなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有
する素子などが含まれる。
【0026】
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ
替えることが可能である。例えば、「導電層」や「絶縁層」という用語は、「導電膜」や
「絶縁膜」という用語に相互に交換することが可能な場合がある。
替えることが可能である。例えば、「導電層」や「絶縁層」という用語は、「導電膜」や
「絶縁膜」という用語に相互に交換することが可能な場合がある。
【0027】
また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ
状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態と
は、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖ
ｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い（ｐチャネル型トランジスタでは、Ｖｔｈよりも高
い）状態をいう。
状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態と
は、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖ
ｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い（ｐチャネル型トランジスタでは、Ｖｔｈよりも高
い）状態をいう。
【0028】
本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出
力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。
力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。
【0029】
また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒ
ｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュ
ール、または単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。
ｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュ
ール、または単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。
【0030】
なお、本明細書等において、表示装置の一態様であるタッチパネルは表示面に画像等を
表示する機能と、表示面に指やスタイラスなどの被検知体が触れる、押圧する、または近
づくことなどを検出するタッチセンサとしての機能と、を有する。したがってタッチパネ
ルは入出力装置の一態様である。
表示する機能と、表示面に指やスタイラスなどの被検知体が触れる、押圧する、または近
づくことなどを検出するタッチセンサとしての機能と、を有する。したがってタッチパネ
ルは入出力装置の一態様である。
【0031】
タッチパネルは、例えばタッチセンサ付き表示パネル（または表示装置）、タッチセン
サ機能つき表示パネル（または表示装置）とも呼ぶことができる。タッチパネルは、表示
パネルとタッチセンサパネルとを有する構成とすることもできる。または、表示パネルの
内部または表面にタッチセンサとしての機能を有する構成とすることもできる。
サ機能つき表示パネル（または表示装置）とも呼ぶことができる。タッチパネルは、表示
パネルとタッチセンサパネルとを有する構成とすることもできる。または、表示パネルの
内部または表面にタッチセンサとしての機能を有する構成とすることもできる。
【0032】
また、本明細書等では、タッチパネルの基板に、コネクターやＩＣが実装されたものを
、タッチパネルモジュール、表示モジュール、または単にタッチパネルなどと呼ぶ場合が
ある。
、タッチパネルモジュール、表示モジュール、または単にタッチパネルなどと呼ぶ場合が
ある。
【0033】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置、表示装置、およびその作製方法につ
いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置、表示装置、およびその作製方法につ
いて説明する。
【0034】
本発明の一態様は、被形成面上に、チャネルが形成される半導体層と、半導体層上にゲ
ート絶縁層（第３の絶縁層ともいう）と、ゲート絶縁層上にゲート電極と、を有するトラ
ンジスタである。半導体層は、半導体特性を示す金属酸化物（以下、酸化物半導体ともい
う）を含んで構成されることが好ましい。
ート絶縁層（第３の絶縁層ともいう）と、ゲート絶縁層上にゲート電極と、を有するトラ
ンジスタである。半導体層は、半導体特性を示す金属酸化物（以下、酸化物半導体ともい
う）を含んで構成されることが好ましい。
【0035】
ゲート電極とゲート絶縁層とは、それぞれ上面形状が概略一致していることが好ましい
。言い換えると、ゲート電極とゲート絶縁層とは、側面が連続するように加工されている
ことが好ましい。例えばゲート絶縁層となる絶縁膜と、ゲート電極となる導電膜を積層し
た後に、同じエッチングマスクを用いて続けて加工することで形成することができる。ま
たは、先に加工したゲート電極をハードマスクとして当該絶縁膜を加工することでゲート
絶縁層を形成してもよい。
。言い換えると、ゲート電極とゲート絶縁層とは、側面が連続するように加工されている
ことが好ましい。例えばゲート絶縁層となる絶縁膜と、ゲート電極となる導電膜を積層し
た後に、同じエッチングマスクを用いて続けて加工することで形成することができる。ま
たは、先に加工したゲート電極をハードマスクとして当該絶縁膜を加工することでゲート
絶縁層を形成してもよい。
【0036】
また、半導体層は、チャネルが形成されうるチャネル形成領域と、ソース領域及びドレ
イン領域として機能する一対の低抵抗領域を有する。チャネル形成領域は、半導体層にお
けるゲート電極と重畳する領域である。一対の低抵抗領域は、チャネル形成領域を挟んで
設けられ、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域である。
イン領域として機能する一対の低抵抗領域を有する。チャネル形成領域は、半導体層にお
けるゲート電極と重畳する領域である。一対の低抵抗領域は、チャネル形成領域を挟んで
設けられ、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域である。
【0037】
なお、本明細書等において、トランジスタのチャネル長方向とは、ソース領域とドレイ
ン領域間を最短距離で結ぶ直線に平行な方向のうちの１つをいう。すなわち、チャネル長
方向は、トランジスタがオン状態のときに半導体層を流れる電流の方向のうちの１つに相
当する。また、チャネル幅方向とは、当該チャネル長方向に直交する方向をいう。なお、
トランジスタの構造や形状によっては、チャネル長方向及びチャネル幅方向は１つに定ま
らない場合がある。
ン領域間を最短距離で結ぶ直線に平行な方向のうちの１つをいう。すなわち、チャネル長
方向は、トランジスタがオン状態のときに半導体層を流れる電流の方向のうちの１つに相
当する。また、チャネル幅方向とは、当該チャネル長方向に直交する方向をいう。なお、
トランジスタの構造や形状によっては、チャネル長方向及びチャネル幅方向は１つに定ま
らない場合がある。
【0038】
ここで、半導体層の下面に接して、酸化物を含む島状の絶縁層（第２の絶縁層ともいう
）が設けられていることが好ましい。酸化物を含む第２の絶縁層を半導体層に接して設け
ることで、加熱により脱離する酸素を効果的に半導体層に供給し、半導体層中の酸素欠損
を補填することができる。
）が設けられていることが好ましい。酸化物を含む第２の絶縁層を半導体層に接して設け
ることで、加熱により脱離する酸素を効果的に半導体層に供給し、半導体層中の酸素欠損
を補填することができる。
【0039】
また、酸化物を含む第２の絶縁層は、半導体層のチャネル形成領域となる部分に接して
設け、且つ、低抵抗領域となる部分には設けないことが好ましい。これにより、低抵抗領
域は、チャネル形成領域よりも多くの酸素欠損を有する領域となるためキャリアが生じや
すく、より効果的に低抵抗な領域とすることができる。
設け、且つ、低抵抗領域となる部分には設けないことが好ましい。これにより、低抵抗領
域は、チャネル形成領域よりも多くの酸素欠損を有する領域となるためキャリアが生じや
すく、より効果的に低抵抗な領域とすることができる。
【0040】
さらに、半導体層の低抵抗領域の表面は、窒化物を含む絶縁層（第４の絶縁層ともいう
）が接して設けられる構成とする。半導体層に接して窒化物を含む絶縁層を設けることで
、低抵抗領域の導電性をより高める効果を奏する。さらに、半導体層に接して窒化物を含
む絶縁層を設けた状態で加熱処理を行うと、より低抵抗化が促進されるため好ましい。
）が接して設けられる構成とする。半導体層に接して窒化物を含む絶縁層を設けることで
、低抵抗領域の導電性をより高める効果を奏する。さらに、半導体層に接して窒化物を含
む絶縁層を設けた状態で加熱処理を行うと、より低抵抗化が促進されるため好ましい。
【0041】
第４の絶縁層は、第１の導電層を覆って設けることが好ましい。これにより、半導体層
の第１の導電層が設けられる部分、すなわちチャネル形成領域には接さず、チャネル形成
領域以外の部分にのみ接するように、第４の絶縁層を形成することができる。その結果、
自己整合的に低抵抗化した低抵抗領域を形成することができる。
の第１の導電層が設けられる部分、すなわちチャネル形成領域には接さず、チャネル形成
領域以外の部分にのみ接するように、第４の絶縁層を形成することができる。その結果、
自己整合的に低抵抗化した低抵抗領域を形成することができる。
【0042】
窒化物としては、例えば窒化シリコンや窒化ガリウムなどの半導体材料の窒化物、また
は窒化アルミニウムなどの金属窒化物を用いることが特に好ましい。例えば、窒化シリコ
ンを用いる場合には、水素を含む窒化シリコンを用いることがより好ましい。窒化シリコ
ンは、水素や酸素に対するブロッキング性を有するため、外部から半導体層への水素の拡
散と、半導体層から外部への酸素の脱離の両方を防ぐことができ、信頼性の高いトランジ
スタを実現できる。
は窒化アルミニウムなどの金属窒化物を用いることが特に好ましい。例えば、窒化シリコ
ンを用いる場合には、水素を含む窒化シリコンを用いることがより好ましい。窒化シリコ
ンは、水素や酸素に対するブロッキング性を有するため、外部から半導体層への水素の拡
散と、半導体層から外部への酸素の脱離の両方を防ぐことができ、信頼性の高いトランジ
スタを実現できる。
【0043】
また、金属窒化物を用いる場合、アルミニウムを含むことが特に好ましい。例えば、ア
ルミニウムをスパッタリングターゲットに用い、成膜ガスとして窒素を含むガスを用いた
反応スパッタリング法により形成した窒化アルミニウム膜は、成膜ガスの全流量に対する
窒素ガスの流量を適切に制御することで、極めて高い絶縁性と、水素や酸素に対する極め
て高いブロッキング性とを兼ね備えた膜とすることができる。そのため、このような金属
窒化物を含む絶縁膜を、半導体層に接して設けることで、半導体層を低抵抗化できるだけ
でなく、半導体層から酸素が脱離すること、及び半導体層へ水素が拡散することを好適に
防ぐことができる。
ルミニウムをスパッタリングターゲットに用い、成膜ガスとして窒素を含むガスを用いた
反応スパッタリング法により形成した窒化アルミニウム膜は、成膜ガスの全流量に対する
窒素ガスの流量を適切に制御することで、極めて高い絶縁性と、水素や酸素に対する極め
て高いブロッキング性とを兼ね備えた膜とすることができる。そのため、このような金属
窒化物を含む絶縁膜を、半導体層に接して設けることで、半導体層を低抵抗化できるだけ
でなく、半導体層から酸素が脱離すること、及び半導体層へ水素が拡散することを好適に
防ぐことができる。
【0044】
金属窒化物として、窒化アルミニウムを用いた場合、当該窒化アルミニウムを含む絶縁
層の厚さを５ｎｍ以上とすることが好ましい。このように薄い膜であっても、水素及び酸
素に対する高いブロッキング性と、半導体層の低抵抗化の機能とを両立できる。なお、当
該絶縁層の厚さはどれだけ厚くてもよいが、生産性を考慮し、５００ｎｍ以下、好ましく
は２００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下とすることが好ましい。
層の厚さを５ｎｍ以上とすることが好ましい。このように薄い膜であっても、水素及び酸
素に対する高いブロッキング性と、半導体層の低抵抗化の機能とを両立できる。なお、当
該絶縁層の厚さはどれだけ厚くてもよいが、生産性を考慮し、５００ｎｍ以下、好ましく
は２００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【0045】
上述のように、本発明の一態様は第２の絶縁層が島状の形状を有する構成とする。さら
に、第２の絶縁層の下には、水、水素、及び酸素に対するブロッキング性の高い絶縁層（
第１の絶縁層ともいう）を設けることが好ましい。第１の絶縁層としては、金属酸化物、
または上述した窒化物を用いることができる。金属酸化物としては、酸化アルミニウム、
酸化ハフニウム等の、水素や酸素に対して高いブロッキング性を有する材料を含むことが
特に好ましい。
に、第２の絶縁層の下には、水、水素、及び酸素に対するブロッキング性の高い絶縁層（
第１の絶縁層ともいう）を設けることが好ましい。第１の絶縁層としては、金属酸化物、
または上述した窒化物を用いることができる。金属酸化物としては、酸化アルミニウム、
酸化ハフニウム等の、水素や酸素に対して高いブロッキング性を有する材料を含むことが
特に好ましい。
【0046】
さらに、島状の半導体層及び島状の第２の絶縁層よりも外側において、第１の絶縁層と
第４の絶縁層とが接する構成とすることが好ましい。言い換えると、半導体層及び第２の
絶縁層を、第１の絶縁層と第４の絶縁層とで取り囲む（封止する）構成とすることが好ま
しい。これにより、第２の絶縁層から放出される酸素が外部に放出されることを効果的に
抑制し、その酸素のほとんどを半導体層のチャネル形成領域となる部分に供給可能な構成
とすることができる。
第４の絶縁層とが接する構成とすることが好ましい。言い換えると、半導体層及び第２の
絶縁層を、第１の絶縁層と第４の絶縁層とで取り囲む（封止する）構成とすることが好ま
しい。これにより、第２の絶縁層から放出される酸素が外部に放出されることを効果的に
抑制し、その酸素のほとんどを半導体層のチャネル形成領域となる部分に供給可能な構成
とすることができる。
【0047】
以上の構成とすることで、電気特性に優れ、且つ信頼性の高い半導体装置を実現するこ
とができる。
とができる。
【0048】
以下では、より具体的な例について、図面を参照して説明する。
【0049】
［構成例１］
図１（Ａ）は、トランジスタ１００の上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す
一点鎖線Ａ１－Ａ２における切断面の断面図に相当し、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示す
一点鎖線Ｂ１－Ｂ２における切断面の断面図に相当する。なお、図１（Ａ）において、ト
ランジスタ１００の構成要素の一部（ゲート絶縁層等）を省略して図示している。また、
一点鎖線Ａ１－Ａ２方向はチャネル長方向、一点鎖線Ｂ１－Ｂ２方向はチャネル幅方向に
相当する。また、トランジスタの上面図については、以降の図面においても図１（Ａ）と
同様に、構成要素の一部を省略して図示する。
図１（Ａ）は、トランジスタ１００の上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す
一点鎖線Ａ１－Ａ２における切断面の断面図に相当し、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示す
一点鎖線Ｂ１－Ｂ２における切断面の断面図に相当する。なお、図１（Ａ）において、ト
ランジスタ１００の構成要素の一部（ゲート絶縁層等）を省略して図示している。また、
一点鎖線Ａ１－Ａ２方向はチャネル長方向、一点鎖線Ｂ１－Ｂ２方向はチャネル幅方向に
相当する。また、トランジスタの上面図については、以降の図面においても図１（Ａ）と
同様に、構成要素の一部を省略して図示する。
【0050】
トランジスタ１００は、基板１０２上に設けられ、絶縁層１０３、絶縁層１０４、半導
体層１０８、絶縁層１１０、金属酸化物層１１４、導電層１１２、絶縁層１１６、絶縁層
１１８等を有する。絶縁層１０４は絶縁層１０３上に設けられ、半導体層１０８は絶縁層
１０３及び絶縁層１０４の上面に接して設けられる。絶縁層１１０、金属酸化物層１１４
、及び導電層１１２は、この順に半導体層１０８の一部を覆って積層されている。絶縁層
１１６は、絶縁層１０４、半導体層１０８の上面及び側面、絶縁層１１０の側面、金属酸
化物層１１４の側面、及び導電層１１２の上面及び側面を覆って設けられている。絶縁層
１１８は、絶縁層１１６を覆って設けられている。
体層１０８、絶縁層１１０、金属酸化物層１１４、導電層１１２、絶縁層１１６、絶縁層
１１８等を有する。絶縁層１０４は絶縁層１０３上に設けられ、半導体層１０８は絶縁層
１０３及び絶縁層１０４の上面に接して設けられる。絶縁層１１０、金属酸化物層１１４
、及び導電層１１２は、この順に半導体層１０８の一部を覆って積層されている。絶縁層
１１６は、絶縁層１０４、半導体層１０８の上面及び側面、絶縁層１１０の側面、金属酸
化物層１１４の側面、及び導電層１１２の上面及び側面を覆って設けられている。絶縁層
１１８は、絶縁層１１６を覆って設けられている。
【0051】
導電層１１２の一部は、ゲート電極として機能する。絶縁層１１０の一部は、ゲート絶
縁層として機能する。トランジスタ１００は、半導体層１０８上にゲート電極が設けられ
る、いわゆるトップゲート型のトランジスタである。
縁層として機能する。トランジスタ１００は、半導体層１０８上にゲート電極が設けられ
る、いわゆるトップゲート型のトランジスタである。
【0052】
半導体層１０８は、金属酸化物を含むことが好ましい。
【0053】
例えば半導体層１０８は、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコ
ン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル
、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウ
ム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、
亜鉛と、を有すると好ましい。特にＭはアルミニウム、ガリウム、イットリウム、または
スズとすることが好ましい。
ン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル
、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウ
ム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、
亜鉛と、を有すると好ましい。特にＭはアルミニウム、ガリウム、イットリウム、または
スズとすることが好ましい。
【0054】
特に、半導体層１０８として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物を用いる
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【0055】
半導体層１０８として、組成の異なる層、または結晶性の異なる層、または不純物濃度
の異なる層を積層した積層構造としてもよい。
の異なる層を積層した積層構造としてもよい。
【0056】
半導体層１０８は、導電層１１２と重畳する領域と、当該領域を挟む低抵抗な領域１０
８ｎとを有する。領域１０８ｎには、絶縁層１１６が接して設けられている。半導体層１
０８の、導電層１１２と重畳する領域は、トランジスタ１００のチャネル形成領域として
機能する。一方、領域１０８ｎは、トランジスタ１００のソース領域またはドレイン領域
として機能する。
８ｎとを有する。領域１０８ｎには、絶縁層１１６が接して設けられている。半導体層１
０８の、導電層１１２と重畳する領域は、トランジスタ１００のチャネル形成領域として
機能する。一方、領域１０８ｎは、トランジスタ１００のソース領域またはドレイン領域
として機能する。
【0057】
また、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、トランジスタ１００は、絶縁層１１８上に導
電層１２０ａ及び導電層１２０ｂを有していてもよい。導電層１２０ａ及び導電層１２０
ｂはソース電極またはドレイン電極として機能する。導電層１２０ａ及び導電層１２０ｂ
は、それぞれ絶縁層１１８及び絶縁層１１６に設けられた開口部１４１ａまたは開口部１
４１ｂを介して、領域１０８ｎに電気的に接続される。
電層１２０ａ及び導電層１２０ｂを有していてもよい。導電層１２０ａ及び導電層１２０
ｂはソース電極またはドレイン電極として機能する。導電層１２０ａ及び導電層１２０ｂ
は、それぞれ絶縁層１１８及び絶縁層１１６に設けられた開口部１４１ａまたは開口部１
４１ｂを介して、領域１０８ｎに電気的に接続される。
【0058】
導電層１１２、金属酸化物層１１４、及び絶縁層１１０は、上面形状が互いに概略一致
している。
している。
【0059】
なお、本明細書等において「上面形状が概略一致」とは、積層した層と層との間で少な
くとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン
、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪
郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置することや、上層が下層の外側に位置するこ
ともあり、この場合も「上面形状が概略一致」という。
くとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン
、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪
郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置することや、上層が下層の外側に位置するこ
ともあり、この場合も「上面形状が概略一致」という。
【0060】
絶縁層１１０と導電層１１２の間に位置する金属酸化物層１１４は、絶縁層１１０に含
まれる酸素が導電層１１２側に拡散することを防ぐバリア膜として機能する。さらに金属
酸化物層１１４は、導電層１１２に含まれる水素や水が絶縁層１１０側に拡散することを
防ぐバリア膜としても機能する。金属酸化物層１１４は、例えば少なくとも絶縁層１１０
よりも酸素及び水素を透過しにくい材料を用いることができる。
まれる酸素が導電層１１２側に拡散することを防ぐバリア膜として機能する。さらに金属
酸化物層１１４は、導電層１１２に含まれる水素や水が絶縁層１１０側に拡散することを
防ぐバリア膜としても機能する。金属酸化物層１１４は、例えば少なくとも絶縁層１１０
よりも酸素及び水素を透過しにくい材料を用いることができる。
【0061】
金属酸化物層１１４により、導電層１１２にアルミニウムや銅などの酸素を吸引しやす
い材料を用いた場合であっても、絶縁層１１０から導電層１１２へ酸素が拡散することを
防ぐことができる。また、導電層１１２が水素を含む場合であっても、導電層１１２から
絶縁層１１０を介して半導体層１０８へ水素が供給されることが抑制される。その結果、
半導体層１０８のチャネル形成領域のキャリア密度を極めて低いものとすることができる
。
い材料を用いた場合であっても、絶縁層１１０から導電層１１２へ酸素が拡散することを
防ぐことができる。また、導電層１１２が水素を含む場合であっても、導電層１１２から
絶縁層１１０を介して半導体層１０８へ水素が供給されることが抑制される。その結果、
半導体層１０８のチャネル形成領域のキャリア密度を極めて低いものとすることができる
。
【0062】
金属酸化物層１１４としては、絶縁性材料または導電性材料を用いることができる。金
属酸化物層１１４が絶縁性を有する場合には、ゲート絶縁層の一部として機能する。一方
、金属酸化物層１１４が導電性を有する場合には、ゲート電極の一部として機能する。
属酸化物層１１４が絶縁性を有する場合には、ゲート絶縁層の一部として機能する。一方
、金属酸化物層１１４が導電性を有する場合には、ゲート電極の一部として機能する。
【0063】
特に、金属酸化物層１１４として、酸化シリコンよりも誘電率の高い絶縁性材料を用い
ることが好ましい。特に、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、またはハフニウムア
ルミネート膜等を用いることが好ましい。
ることが好ましい。特に、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、またはハフニウムア
ルミネート膜等を用いることが好ましい。
【0064】
また、金属酸化物層１１４は、スパッタリング装置を用いて形成すると好ましい。例え
ば、スパッタリング装置を用いて酸化アルミニウム膜を形成する場合、酸素ガスを含む雰
囲気下で形成することで、絶縁層１１０や半導体層１０８中に好適に酸素を添加すること
ができる。また、スパッタリング装置を用いて、酸化アルミニウム膜を形成する場合、膜
密度を高めることができるため好適である。
ば、スパッタリング装置を用いて酸化アルミニウム膜を形成する場合、酸素ガスを含む雰
囲気下で形成することで、絶縁層１１０や半導体層１０８中に好適に酸素を添加すること
ができる。また、スパッタリング装置を用いて、酸化アルミニウム膜を形成する場合、膜
密度を高めることができるため好適である。
【0065】
また、金属酸化物層１１４として、上記半導体層１０８に適用可能な酸化物半導体材料
を用いることができる。このとき、半導体層１０８と同じスパッタリングターゲットを用
いて形成した金属酸化物膜を適用することで、装置を共通化できるため好ましい。
を用いることができる。このとき、半導体層１０８と同じスパッタリングターゲットを用
いて形成した金属酸化物膜を適用することで、装置を共通化できるため好ましい。
【0066】
または、半導体層１０８と金属酸化物層１１４の両方に、インジウム及びガリウムを含
む金属酸化物材料を用いる場合、半導体層１０８よりもガリウムの組成（含有割合）が高
い材料を用いると、酸素に対するブロッキング性をより高めることができるため好ましい
。このとき、半導体層１０８には、金属酸化物層１１４よりもインジウムの組成が高い材
料を用いることで、トランジスタ１００の電界効果移動度を高めることができる。
む金属酸化物材料を用いる場合、半導体層１０８よりもガリウムの組成（含有割合）が高
い材料を用いると、酸素に対するブロッキング性をより高めることができるため好ましい
。このとき、半導体層１０８には、金属酸化物層１１４よりもインジウムの組成が高い材
料を用いることで、トランジスタ１００の電界効果移動度を高めることができる。
【0067】
絶縁層１１６は、窒化物を含む絶縁膜を用いることができる。例えば、例えば窒化シリ
コンや窒化ガリウムなどの半導体材料の窒化物、または窒化アルミニウムなどの金属窒化
物を用いることができる。金属窒化物を含む絶縁膜は、例えばアルミニウム、チタン、タ
ンタル、タングステン、クロム、及びルテニウムなどの金属元素の少なくとも一と、窒素
とを含むことが好ましい。特に、アルミニウムと窒素とを含む膜を用いると、極めて絶縁
性が高いため好ましい。
コンや窒化ガリウムなどの半導体材料の窒化物、または窒化アルミニウムなどの金属窒化
物を用いることができる。金属窒化物を含む絶縁膜は、例えばアルミニウム、チタン、タ
ンタル、タングステン、クロム、及びルテニウムなどの金属元素の少なくとも一と、窒素
とを含むことが好ましい。特に、アルミニウムと窒素とを含む膜を用いると、極めて絶縁
性が高いため好ましい。
【0068】
絶縁層１１６に窒化アルミニウム膜を用いる場合、組成式がＡｌＮｘ（ｘは０より大き
く２以下の実数、好ましくは、ｘは０．５より大きく１．５以下の実数）を満たす膜を用
いることが好ましい。これにより、絶縁性に優れ、且つ熱伝導性に優れた膜とすることが
できるため、トランジスタ１００を駆動したときに生じる熱の放熱性を高めることができ
る。
く２以下の実数、好ましくは、ｘは０．５より大きく１．５以下の実数）を満たす膜を用
いることが好ましい。これにより、絶縁性に優れ、且つ熱伝導性に優れた膜とすることが
できるため、トランジスタ１００を駆動したときに生じる熱の放熱性を高めることができ
る。
【0069】
または、絶縁層１１６として、窒化アルミニウムチタン膜、窒化チタン膜などを用いる
ことができる。
ことができる。
【0070】
領域１０８ｎは、半導体層１０８の一部であり、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域
である。
である。
【0071】
ここで、半導体層１０８として、インジウムを含む金属酸化物膜を用いた場合、領域１
０８ｎの絶縁層１１６側の界面近傍に、酸化インジウムが析出した領域、または、インジ
ウム濃度の高い領域が形成されている場合がある。例えば、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：
Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）等の分析法で観
測できる場合がある。
０８ｎの絶縁層１１６側の界面近傍に、酸化インジウムが析出した領域、または、インジ
ウム濃度の高い領域が形成されている場合がある。例えば、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：
Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）等の分析法で観
測できる場合がある。
【0072】
また領域１０８ｎは、チャネル形成領域よりもキャリア濃度が高い領域、酸素欠陥密度
の高い領域、またはｎ型である領域ともいうことができる。
の高い領域、またはｎ型である領域ともいうことができる。
【0073】
また、半導体層１０８のチャネル形成領域に接する絶縁層１０４と絶縁層１１０には、
酸化物膜を用いることが好ましい。例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化
アルミニウム膜などの酸化物膜を用いることができる。これにより、トランジスタ１００
の作製工程における熱処理などで、絶縁層１０４や絶縁層１１０から脱離した酸素を半導
体層１０８のチャネル形成領域に供給し、半導体層１０８中の酸素欠損を低減することが
できる。
酸化物膜を用いることが好ましい。例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化
アルミニウム膜などの酸化物膜を用いることができる。これにより、トランジスタ１００
の作製工程における熱処理などで、絶縁層１０４や絶縁層１１０から脱離した酸素を半導
体層１０８のチャネル形成領域に供給し、半導体層１０８中の酸素欠損を低減することが
できる。
【0074】
絶縁層１０４よりも下側（基板１０２側）に設けられる絶縁層１０３としては、酸素及
び水素を拡散しにくい絶縁膜を用いることが好ましい。特に、酸化アルミニウム膜、酸化
ハフニウム膜、またはハフニウムアルミネート膜などの金属酸化物膜、または、窒化アル
ミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの窒素を含む絶
縁膜を用いることができる。
び水素を拡散しにくい絶縁膜を用いることが好ましい。特に、酸化アルミニウム膜、酸化
ハフニウム膜、またはハフニウムアルミネート膜などの金属酸化物膜、または、窒化アル
ミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの窒素を含む絶
縁膜を用いることができる。
【0075】
酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、及びハフニウムアルミネート膜等は、膜厚が
薄い場合でも極めて高いバリア性を有する。そのため、その厚さを０．５ｎｍ以上５０ｎ
ｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上４０ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上３０ｎｍ以下の
厚さとすることができる。特に、酸化アルミニウム膜は水素などに対するバリア性が高い
ため、極めて薄く（例えば０．５ｎｍ以上１．５ｎｍ以下）としても、十分な効果を得る
ことができる。例えばスパッタリング法または原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａ
ｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の成膜方法により形成することができる。
薄い場合でも極めて高いバリア性を有する。そのため、その厚さを０．５ｎｍ以上５０ｎ
ｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上４０ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上３０ｎｍ以下の
厚さとすることができる。特に、酸化アルミニウム膜は水素などに対するバリア性が高い
ため、極めて薄く（例えば０．５ｎｍ以上１．５ｎｍ以下）としても、十分な効果を得る
ことができる。例えばスパッタリング法または原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａ
ｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の成膜方法により形成することができる。
【0076】
ここで、半導体層１０８と絶縁層１０４とは、それぞれ島状に加工されている。図１（
Ａ）では、絶縁層１０４の輪郭を破線で示している。
Ａ）では、絶縁層１０４の輪郭を破線で示している。
【0077】
絶縁層１０４は、チャネル長方向の端部が、半導体層１０８の端部よりも内側に位置し
ている。一方、チャネル幅方向の端部は、半導体層１０８の端部よりも外側に位置してい
る。言い換えると、半導体層１０８は、チャネル長方向において、絶縁層１０４の一対の
端部を越えて外側に延在し、チャネル幅方向において、絶縁層１０４の一対の端部よりも
内側に位置している、とも言うことができる。
ている。一方、チャネル幅方向の端部は、半導体層１０８の端部よりも外側に位置してい
る。言い換えると、半導体層１０８は、チャネル長方向において、絶縁層１０４の一対の
端部を越えて外側に延在し、チャネル幅方向において、絶縁層１０４の一対の端部よりも
内側に位置している、とも言うことができる。
【0078】
半導体層１０８のチャネル形成領域と重なるように、絶縁層１０４が設けられている。
また、半導体層１０８の領域１０８ｎは、絶縁層１０４と重ならない領域を有する。少な
くとも、領域１０８ｎの導電層１２０ａと接する部分、及び導電層１２０ｂと接する部分
には、絶縁層１０４が設けられていないことが好ましい。
また、半導体層１０８の領域１０８ｎは、絶縁層１０４と重ならない領域を有する。少な
くとも、領域１０８ｎの導電層１２０ａと接する部分、及び導電層１２０ｂと接する部分
には、絶縁層１０４が設けられていないことが好ましい。
【0079】
また、図１（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、半導体層１０８及び絶縁層１０４よりも外側
の領域において、絶縁層１０３と絶縁層１１６とが接して設けられている。これにより、
半導体層１０８及び絶縁層１０４等が、絶縁層１０３及び絶縁層１１６で密封された構造
とすることができる。このような構造により、トランジスタ１００の半導体層１０８及び
絶縁層１０４等に外部から水素が拡散すること、及び半導体層１０８及び絶縁層１０４中
の酸素が外部に拡散することを効果的に抑制することができる。
の領域において、絶縁層１０３と絶縁層１１６とが接して設けられている。これにより、
半導体層１０８及び絶縁層１０４等が、絶縁層１０３及び絶縁層１１６で密封された構造
とすることができる。このような構造により、トランジスタ１００の半導体層１０８及び
絶縁層１０４等に外部から水素が拡散すること、及び半導体層１０８及び絶縁層１０４中
の酸素が外部に拡散することを効果的に抑制することができる。
【0080】
また、絶縁層１１８中には水素が含まれる場合があるが、半導体層１０８に接する酸化
物膜を含む絶縁層１０４や絶縁層１１０は、絶縁層１１６により絶縁層１１８とは接しな
い構成となっている。そのため、絶縁層１１８中に水素が含まれている場合であっても、
トランジスタ１００の作製工程にかかる熱などにより、当該水素が絶縁層１０４及び絶縁
層１１０を介して半導体層１０８に拡散することを効果的に防ぐことができる。
物膜を含む絶縁層１０４や絶縁層１１０は、絶縁層１１６により絶縁層１１８とは接しな
い構成となっている。そのため、絶縁層１１８中に水素が含まれている場合であっても、
トランジスタ１００の作製工程にかかる熱などにより、当該水素が絶縁層１０４及び絶縁
層１１０を介して半導体層１０８に拡散することを効果的に防ぐことができる。
【0081】
ここで、半導体層１０８、及び半導体層１０８中に形成されうる酸素欠損について説明
する。
する。
【0082】
半導体層１０８に形成される酸素欠損は、トランジスタ特性に影響を与えるため問題と
なる。例えば、半導体層１０８中に酸素欠損が形成されると、該酸素欠損に水素が結合し
、キャリア供給源となりうる。半導体層１０８中にキャリア供給源が生成されると、トラ
ンジスタ１００の電気特性の変動、代表的にはしきい値電圧のシフトが生じる。したがっ
て、半導体層１０８においては、酸素欠損が少ないほど好ましい。
なる。例えば、半導体層１０８中に酸素欠損が形成されると、該酸素欠損に水素が結合し
、キャリア供給源となりうる。半導体層１０８中にキャリア供給源が生成されると、トラ
ンジスタ１００の電気特性の変動、代表的にはしきい値電圧のシフトが生じる。したがっ
て、半導体層１０８においては、酸素欠損が少ないほど好ましい。
【0083】
そこで、本発明の一態様においては、半導体層１０８近傍の絶縁膜、具体的には、半導
体層１０８の上方に位置する絶縁層１１０、及び下方に位置する絶縁層１０４が、酸化物
膜を含む構成である。作製工程中の熱などにより絶縁層１０４及び絶縁層１１０から半導
体層１０８へ酸素を移動させることで、半導体層１０８中の酸素欠損を低減することが可
能となる。
体層１０８の上方に位置する絶縁層１１０、及び下方に位置する絶縁層１０４が、酸化物
膜を含む構成である。作製工程中の熱などにより絶縁層１０４及び絶縁層１１０から半導
体層１０８へ酸素を移動させることで、半導体層１０８中の酸素欠損を低減することが可
能となる。
【0084】
また、半導体層１０８は、Ｉｎの原子数比がＭの原子数比より多い領域を有すると好ま
しい。Ｉｎの原子数比が多いほど、トランジスタの電界効果移動度を向上させることがで
きる。
しい。Ｉｎの原子数比が多いほど、トランジスタの電界効果移動度を向上させることがで
きる。
【0085】
ここで、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む金属酸化物の場合、Ｉｎと酸素の結合力は、Ｇａと酸
素の結合力よりも弱いため、Ｉｎの原子数比が大きい場合には、金属酸化物膜中に酸素欠
損が形成されやすい。また、Ｇａに代えて、上記Ｍで示す金属元素を用いた場合でも同様
の傾向がある。金属酸化物膜中に酸素欠損が多く存在すると、トランジスタの電気特性の
低下や、信頼性の低下が生じる。
素の結合力よりも弱いため、Ｉｎの原子数比が大きい場合には、金属酸化物膜中に酸素欠
損が形成されやすい。また、Ｇａに代えて、上記Ｍで示す金属元素を用いた場合でも同様
の傾向がある。金属酸化物膜中に酸素欠損が多く存在すると、トランジスタの電気特性の
低下や、信頼性の低下が生じる。
【0086】
しかしながら本発明の一態様では、金属酸化物を含む半導体層１０８中に極めて多くの
酸素を供給できるため、Ｉｎの原子数比の大きな金属酸化物材料を用いることが可能とな
る。これにより、極めて高い電界効果移動度と、安定した電気特性と、高い信頼性とを兼
ね備えたトランジスタを実現することができる。
酸素を供給できるため、Ｉｎの原子数比の大きな金属酸化物材料を用いることが可能とな
る。これにより、極めて高い電界効果移動度と、安定した電気特性と、高い信頼性とを兼
ね備えたトランジスタを実現することができる。
【0087】
例えば、Ｉｎの原子数比が、Ｍの原子数比に対して１．５倍以上、または２倍以上、ま
たは３倍以上、または３．５倍以上、または４倍以上である金属酸化物を、好適に用いる
ことができる。
たは３倍以上、または３．５倍以上、または４倍以上である金属酸化物を、好適に用いる
ことができる。
【0088】
特に、半導体層１０８のＩｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の比を、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１
：６またはその近傍（Ｉｎが５の場合、Ｍが０．５以上１．５以下であり、且つＺｎが５
以上７以下を含む）とすることが好ましい。または、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の比を
、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍とすると好ましい。また、半導体層１０８
の組成として、半導体層１０８のＩｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の比を概略等しくしてもよ
い。すなわち、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の比が、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１または
その近傍の材料を含んでいてもよい。
：６またはその近傍（Ｉｎが５の場合、Ｍが０．５以上１．５以下であり、且つＺｎが５
以上７以下を含む）とすることが好ましい。または、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の比を
、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍とすると好ましい。また、半導体層１０８
の組成として、半導体層１０８のＩｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の比を概略等しくしてもよ
い。すなわち、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の比が、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１または
その近傍の材料を含んでいてもよい。
【0089】
例えば、上記の電界効果移動度が高いトランジスタを、ゲート信号を生成するゲートド
ライバに用いることで、額縁幅の狭い（狭額縁ともいう）表示装置を提供することができ
る。また、上記の電界効果移動度が高いトランジスタを、ソースドライバ（特に、ソース
ドライバが有するシフトレジスタの出力端子に接続されるデマルチプレクサ）に用いるこ
とで、表示装置に接続される配線数が少ない表示装置を提供することができる。
ライバに用いることで、額縁幅の狭い（狭額縁ともいう）表示装置を提供することができ
る。また、上記の電界効果移動度が高いトランジスタを、ソースドライバ（特に、ソース
ドライバが有するシフトレジスタの出力端子に接続されるデマルチプレクサ）に用いるこ
とで、表示装置に接続される配線数が少ない表示装置を提供することができる。
【0090】
なお、半導体層１０８が、Ｉｎの原子数比がＭの原子数比より多い領域を有していても
、半導体層１０８の結晶性が高い場合、電界効果移動度が低くなる場合がある。半導体層
１０８の結晶性としては、例えば、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉ
ｏｎ）を用いて分析する、あるいは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉ
ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて分析することで解析できる。
、半導体層１０８の結晶性が高い場合、電界効果移動度が低くなる場合がある。半導体層
１０８の結晶性としては、例えば、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉ
ｏｎ）を用いて分析する、あるいは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉ
ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて分析することで解析できる。
【0091】
ここで、半導体層１０８に混入する水素または水分などの不純物は、トランジスタ特性
に影響を与えるため問題となる。したがって、半導体層１０８においては、水素または水
分などの不純物が少ないほど好ましい。不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い金属酸化
物膜を用いることで、優れた電気特性を有するトランジスタを作製することができ好まし
い。不純物濃度が低く、欠陥準位密度を低く（酸素欠損を少なく）することで、膜中のキ
ャリア密度を低くすることができる。このような金属酸化物膜を半導体層に用いたトラン
ジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（ノーマリーオンともいう。）になる
ことが少ない。また、このような金属酸化物膜を用いたトランジスタは、オフ電流が著し
く小さい特性を得ることができる。
に影響を与えるため問題となる。したがって、半導体層１０８においては、水素または水
分などの不純物が少ないほど好ましい。不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い金属酸化
物膜を用いることで、優れた電気特性を有するトランジスタを作製することができ好まし
い。不純物濃度が低く、欠陥準位密度を低く（酸素欠損を少なく）することで、膜中のキ
ャリア密度を低くすることができる。このような金属酸化物膜を半導体層に用いたトラン
ジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（ノーマリーオンともいう。）になる
ことが少ない。また、このような金属酸化物膜を用いたトランジスタは、オフ電流が著し
く小さい特性を得ることができる。
【0092】
また、半導体層１０８が、２層以上の積層構造を有していてもよい。
【0093】
例えば、組成の異なる２以上の金属酸化物膜を積層した半導体層１０８を用いることが
できる。例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物を用いた場合に、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数
の比が、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝
１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚ
ｎ＝１：３：２、またはそれらの近傍であるスパッタリングターゲットで形成する膜のう
ち、２以上を積層して用いることが好ましい。
できる。例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物を用いた場合に、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数
の比が、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝
１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚ
ｎ＝１：３：２、またはそれらの近傍であるスパッタリングターゲットで形成する膜のう
ち、２以上を積層して用いることが好ましい。
【0094】
また、結晶性の異なる２以上の金属酸化物膜を積層した半導体層１０８を用いることが
できる。その場合、同じ酸化物ターゲットを用い、成膜条件を異ならせることで、大気に
触れることなく連続して形成されることが好ましい。
できる。その場合、同じ酸化物ターゲットを用い、成膜条件を異ならせることで、大気に
触れることなく連続して形成されることが好ましい。
【0095】
例えば、先に形成する第１の金属酸化物膜の成膜時の酸素流量比を、後に形成する第２
の金属酸化物膜の成膜時の酸素流量比よりも小さくする。または、第１の金属酸化物膜の
成膜時に、酸素を流さない条件とする。これにより、第２の金属酸化物膜の成膜時に、酸
素を効果的に供給することができる。また、第１の金属酸化物膜は第２の金属酸化物膜よ
りも結晶性が低く、電気伝導性の高い膜とすることができる。一方、上部に設けられる第
２の金属酸化物膜を第１の金属酸化物膜よりも結晶性の高い膜とすることで、半導体層１
０８の加工時や、絶縁層１１０の成膜時のダメージを抑制することができる。
の金属酸化物膜の成膜時の酸素流量比よりも小さくする。または、第１の金属酸化物膜の
成膜時に、酸素を流さない条件とする。これにより、第２の金属酸化物膜の成膜時に、酸
素を効果的に供給することができる。また、第１の金属酸化物膜は第２の金属酸化物膜よ
りも結晶性が低く、電気伝導性の高い膜とすることができる。一方、上部に設けられる第
２の金属酸化物膜を第１の金属酸化物膜よりも結晶性の高い膜とすることで、半導体層１
０８の加工時や、絶縁層１１０の成膜時のダメージを抑制することができる。
【0096】
より具体的には、第１の金属酸化物膜の成膜時の酸素流量比を、０％以上５０％未満、
好ましくは０％以上３０％以下、より好ましくは０％以上２０％以下、代表的には１０％
とする。また第２の金属酸化物膜の成膜時の酸素流量比を、５０％以上１００％以下、好
ましくは６０％以上１００％以下、より好ましくは８０％以上１００％以下、さらに好ま
しくは９０％以上１００％以下、代表的には１００％とする。また、第１の金属酸化物膜
と第２の金属酸化物膜とで、成膜時の圧力、温度、電力等の条件を異ならせてもよいが、
酸素流量比以外の条件を同じとすることで、成膜工程にかかる時間を短縮することができ
るため好ましい。
好ましくは０％以上３０％以下、より好ましくは０％以上２０％以下、代表的には１０％
とする。また第２の金属酸化物膜の成膜時の酸素流量比を、５０％以上１００％以下、好
ましくは６０％以上１００％以下、より好ましくは８０％以上１００％以下、さらに好ま
しくは９０％以上１００％以下、代表的には１００％とする。また、第１の金属酸化物膜
と第２の金属酸化物膜とで、成膜時の圧力、温度、電力等の条件を異ならせてもよいが、
酸素流量比以外の条件を同じとすることで、成膜工程にかかる時間を短縮することができ
るため好ましい。
【0097】
このような構成とすることで、電気特性に優れ、且つ信頼性の高いトランジスタ１００
を実現できる。
を実現できる。
【0098】
以上が構成例１についての説明である。
【0099】
［構成例２］
以下では、上記構成例１と一部の構成が異なるトランジスタの構成例について説明する
。なお、以下では、上記構成例１と重複する部分は説明を省略する場合がある。また、以
下で示す図面において、上記構成例と同様の機能を有する部分についてはハッチングパタ
ーンを同じくし、符号を付さない場合もある。
以下では、上記構成例１と一部の構成が異なるトランジスタの構成例について説明する
。なお、以下では、上記構成例１と重複する部分は説明を省略する場合がある。また、以
下で示す図面において、上記構成例と同様の機能を有する部分についてはハッチングパタ
ーンを同じくし、符号を付さない場合もある。
【0100】
【0101】
トランジスタ１００Ａは、基板１０２と絶縁層１０３との間に導電層１０６を有する点
で、構成例１と主に相違している。導電層１０６は、絶縁層１０４及び絶縁層１０３を介
して半導体層１０８及び導電層１１２と重畳する領域を有する。
で、構成例１と主に相違している。導電層１０６は、絶縁層１０４及び絶縁層１０３を介
して半導体層１０８及び導電層１１２と重畳する領域を有する。
【0102】
トランジスタ１００Ａにおいて、導電層１０６は、第１のゲート電極（ボトムゲート電
極ともいう）としての機能を有し、導電層１１２は、第２のゲート電極（トップゲート電
極ともいう）としての機能を有する。また、絶縁層１０３及び絶縁層１０４の一部は第１
のゲート絶縁層として機能し、絶縁層１１０の一部は、第２のゲート絶縁層として機能す
る。
極ともいう）としての機能を有し、導電層１１２は、第２のゲート電極（トップゲート電
極ともいう）としての機能を有する。また、絶縁層１０３及び絶縁層１０４の一部は第１
のゲート絶縁層として機能し、絶縁層１１０の一部は、第２のゲート絶縁層として機能す
る。
【0103】
半導体層１０８の、導電層１１２及び導電層１０６の少なくとも一方と重畳する部分は
、チャネル形成領域として機能する。なお、以下では説明を容易にするため、半導体層１
０８の導電層１１２と重畳する部分をチャネル形成領域と呼ぶ場合があるが、実際には導
電層１１２と重畳せずに、導電層１０６と重畳する部分（領域１０８ｎを含む部分）にも
チャネルが形成しうる。
、チャネル形成領域として機能する。なお、以下では説明を容易にするため、半導体層１
０８の導電層１１２と重畳する部分をチャネル形成領域と呼ぶ場合があるが、実際には導
電層１１２と重畳せずに、導電層１０６と重畳する部分（領域１０８ｎを含む部分）にも
チャネルが形成しうる。
【0104】
また、図２（Ｃ）に示すように、導電層１０６は、金属酸化物層１１４、絶縁層１１０
、及び絶縁層１０３に設けられた開口部１４２を介して、導電層１１２と電気的に接続さ
れていてもよい。これにより、導電層１０６と導電層１１２には、同じ電位を与えること
ができる。
、及び絶縁層１０３に設けられた開口部１４２を介して、導電層１１２と電気的に接続さ
れていてもよい。これにより、導電層１０６と導電層１１２には、同じ電位を与えること
ができる。
【0105】
導電層１０６は、導電層１１２、導電層１２０ａ、または導電層１２０ｂと同様の材料
を用いることができる。特に導電層１０６に銅を含む材料を用いると、配線抵抗を低減で
きるため好ましい。
を用いることができる。特に導電層１０６に銅を含む材料を用いると、配線抵抗を低減で
きるため好ましい。
【0106】
また、図２（Ａ）、（Ｃ）に示すように、チャネル幅方向において、導電層１１２及び
導電層１０６が、半導体層１０８の端部よりも外側に突出していることが好ましい。この
とき、図２（Ｃ）に示すように、半導体層１０８のチャネル幅方向の全体が、絶縁層１１
０と絶縁層１０４を介して、導電層１１２と導電層１０６に覆われた構成となる。
導電層１０６が、半導体層１０８の端部よりも外側に突出していることが好ましい。この
とき、図２（Ｃ）に示すように、半導体層１０８のチャネル幅方向の全体が、絶縁層１１
０と絶縁層１０４を介して、導電層１１２と導電層１０６に覆われた構成となる。
【0107】
このような構成とすることで、半導体層１０８を一対のゲート電極によって生じる電界
で、電気的に取り囲むことができる。このとき特に、導電層１０６と導電層１１２に同じ
電位を与えることが好ましい。これにより、半導体層１０８にチャネルを誘起させるため
の電界を効果的に印加できるため、トランジスタ１００Ａのオン電流を増大させることが
できる。そのため、トランジスタ１００Ａを微細化することも可能となる。
で、電気的に取り囲むことができる。このとき特に、導電層１０６と導電層１１２に同じ
電位を与えることが好ましい。これにより、半導体層１０８にチャネルを誘起させるため
の電界を効果的に印加できるため、トランジスタ１００Ａのオン電流を増大させることが
できる。そのため、トランジスタ１００Ａを微細化することも可能となる。
【0108】
なお、導電層１１２と導電層１０６とを接続しない構成としてもよい。このとき、一対
のゲート電極の一方に定電位を与え、他方にトランジスタ１００Ａを駆動するための信号
を与えてもよい。このとき、一方の電極に与える電位により、トランジスタ１００Ａを他
方の電極で駆動する際のしきい値電圧を制御することもできる。
のゲート電極の一方に定電位を与え、他方にトランジスタ１００Ａを駆動するための信号
を与えてもよい。このとき、一方の電極に与える電位により、トランジスタ１００Ａを他
方の電極で駆動する際のしきい値電圧を制御することもできる。
【0109】
トランジスタ１００Ａは、絶縁層１０４が導電層１０６よりも内側に設けられている例
を示している。すなわち、トランジスタ１００Ａのチャネル長方向において、絶縁層１０
４の端部は導電層１０６の端部よりも内側に位置し、チャネル幅方向においても絶縁層１
０４の端部が導電層１０６の端部よりも内側に位置するように加工されている。
を示している。すなわち、トランジスタ１００Ａのチャネル長方向において、絶縁層１０
４の端部は導電層１０６の端部よりも内側に位置し、チャネル幅方向においても絶縁層１
０４の端部が導電層１０６の端部よりも内側に位置するように加工されている。
【0110】
また、図２（Ａ）に示すように、導電層１０６と導電層１２０ａとの交差部、及び導電
層１０６と導電層１２０ｂとの交差部には、絶縁層１０４ａが設けられている。
層１０６と導電層１２０ｂとの交差部には、絶縁層１０４ａが設けられている。
【0111】
図２（Ｂ）には、導電層１２０ｂと導電層１０６の交差部を示している。絶縁層１０４
ａは、絶縁層１０４と同一面上に位置し、且つ、同一材料を含む絶縁層である。例えば絶
縁層１０４ａは、絶縁層１０４と同一の絶縁膜を加工して形成することができる。絶縁層
１０４ａを導電層１２０ｂと導電層１０６とが交差する部分に配置することで、導電層１
２０ｂと導電層１０６との間の寄生容量を低減することができる。
ａは、絶縁層１０４と同一面上に位置し、且つ、同一材料を含む絶縁層である。例えば絶
縁層１０４ａは、絶縁層１０４と同一の絶縁膜を加工して形成することができる。絶縁層
１０４ａを導電層１２０ｂと導電層１０６とが交差する部分に配置することで、導電層１
２０ｂと導電層１０６との間の寄生容量を低減することができる。
【0112】
なお、ここでは導電層１０６と導電層１２０ａまたは導電層１２０ｂの交差部に絶縁層
１０４ａを配置する例を示したが、これに限られない。例えば導電層１１２（または導電
層１１２と同じ導電膜を加工して得られる配線）や、半導体層１０８と同じ半導体膜を加
工して得られる配線などと、導電層１０６との交差部に、絶縁層１０４ａを配置すること
で、上記と同様に寄生容量を低減することができる。
１０４ａを配置する例を示したが、これに限られない。例えば導電層１１２（または導電
層１１２と同じ導電膜を加工して得られる配線）や、半導体層１０８と同じ半導体膜を加
工して得られる配線などと、導電層１０６との交差部に、絶縁層１０４ａを配置すること
で、上記と同様に寄生容量を低減することができる。
【0113】
以上が構成例２についての説明である。
【0114】
［変形例］
以下では、構成例２の変形例について説明する。
以下では、構成例２の変形例について説明する。
【0115】
【0116】
絶縁層１０４と導電層１１２とは、平面視において、その輪郭が概略一致している。な
お、絶縁層１０４や導電層１１２の加工条件によっては、絶縁層１０４の輪郭が導電層１
１２の輪郭の内側に位置する場合や、その逆に外側に位置する場合がある。
お、絶縁層１０４や導電層１１２の加工条件によっては、絶縁層１０４の輪郭が導電層１
１２の輪郭の内側に位置する場合や、その逆に外側に位置する場合がある。
【0117】
このように、絶縁層１０４と導電層１１２の加工に用いるフォトマスクを共通化するこ
とで、製造コストを低減することができる。
とで、製造コストを低減することができる。
【0118】
なお、ここでは導電層１１２が島状の形状を有し、導電層１０６の一部が配線として機
能する場合について示したが、導電層１０６を島状の形状とし、導電層１１２の一部を配
線として用いるレイアウトパターンを適用することもできる。その場合、絶縁層１０４は
導電層１０６と同じフォトマスクを用いて加工すればよい。
能する場合について示したが、導電層１０６を島状の形状とし、導電層１１２の一部を配
線として用いるレイアウトパターンを適用することもできる。その場合、絶縁層１０４は
導電層１０６と同じフォトマスクを用いて加工すればよい。
【0119】
【0120】
【0121】
また、導電層１１２と導電層１０６とは、金属酸化物層１１４、絶縁層１１０、絶縁層
１０４、及び絶縁層１０３に設けられた開口部１４２を介して、電気的に接続されている
。
１０４、及び絶縁層１０３に設けられた開口部１４２を介して、電気的に接続されている
。
【0122】
〔変形例３〕
図４（Ｂ）は、絶縁層１０４のチャネル幅方向の端部が、導電層１１２のチャネル幅方
向の端部、及び導電層１０６のチャネル幅方向の端部よりも内側に位置し、且つ、開口部
１４２が設けられる部分に絶縁層１０４が位置している例である。
図４（Ｂ）は、絶縁層１０４のチャネル幅方向の端部が、導電層１１２のチャネル幅方
向の端部、及び導電層１０６のチャネル幅方向の端部よりも内側に位置し、且つ、開口部
１４２が設けられる部分に絶縁層１０４が位置している例である。
【0123】
【0124】
以上が変形例についての説明である。
【0125】
［応用例］
以下では、上記トランジスタを表示装置の画素に適用する場合の例について説明する。
以下では、上記トランジスタを表示装置の画素に適用する場合の例について説明する。
【0126】
図５は、複数の副画素がマトリクス状に配置された表示装置の上面概略図である。１つ
の副画素は、少なくとも１つのトランジスタ１００と、トランジスタ１００と電気的に接
続する画素電極として機能する導電層１３１と、を有する。なお、ここでは簡略化した副
画素の構成を示しているが、副画素に適用する表示素子に応じて、他のトランジスタや容
量素子等を適宜設けることができる。
の副画素は、少なくとも１つのトランジスタ１００と、トランジスタ１００と電気的に接
続する画素電極として機能する導電層１３１と、を有する。なお、ここでは簡略化した副
画素の構成を示しているが、副画素に適用する表示素子に応じて、他のトランジスタや容
量素子等を適宜設けることができる。
【0127】
図５において、導電層１１２はゲート線（走査線ともいう）として機能し、導電層１２
０ａは、ソース線（信号線、ビデオ信号線ともいう）として機能し、導電層１２０ｂは、
トランジスタ１００と導電層１３１とを電気的に接続する配線として機能する。
０ａは、ソース線（信号線、ビデオ信号線ともいう）として機能し、導電層１２０ｂは、
トランジスタ１００と導電層１３１とを電気的に接続する配線として機能する。
【0128】
図５では、島状の形状を有する絶縁層１０４が、１つのトランジスタにつき１つ設けら
れている。絶縁層１０４は、トランジスタ１００の半導体層１０８のチャネル形成領域を
包含するように配置され、且つ、導電層１２０ａ及び導電層１２０ｂと、半導体層１０８
との接続部（開口部１４１ａ、開口部１４１ｂ）には配置されないように設けられている
。
れている。絶縁層１０４は、トランジスタ１００の半導体層１０８のチャネル形成領域を
包含するように配置され、且つ、導電層１２０ａ及び導電層１２０ｂと、半導体層１０８
との接続部（開口部１４１ａ、開口部１４１ｂ）には配置されないように設けられている
。
【0129】
また、図５では、導電層１１２と導電層１２０ａとの交差部において、絶縁層１０４ａ
が設けられている。
が設けられている。
【0130】
本発明の一態様のトランジスタは、表示装置だけでなく、様々な回路や装置に適用する
ことができる。例えば電子機器等に実装されるＩＣチップ内の演算回路、メモリ回路、駆
動回路、及びインターフェース回路などの各種回路、または、液晶素子や有機ＥＬ素子な
どが適用されたディスプレイデバイスや、各種センサデバイスにおける駆動回路などに好
適に用いることができる。
ことができる。例えば電子機器等に実装されるＩＣチップ内の演算回路、メモリ回路、駆
動回路、及びインターフェース回路などの各種回路、または、液晶素子や有機ＥＬ素子な
どが適用されたディスプレイデバイスや、各種センサデバイスにおける駆動回路などに好
適に用いることができる。
【0131】
以上が応用例についての説明である。
【0132】
［半導体装置の構成要素］
次に、本実施の形態の半導体装置に含まれる構成要素について、詳細に説明する。
次に、本実施の形態の半導体装置に含まれる構成要素について、詳細に説明する。
【0133】
〔基板〕
基板１０２の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度
の耐熱性を有している必要がある。例えば、シリコンや炭化シリコンを材料とした単結晶
半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基
板、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板１０２として用
いてもよい。また、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板１０２として
用いてもよい。
基板１０２の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度
の耐熱性を有している必要がある。例えば、シリコンや炭化シリコンを材料とした単結晶
半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基
板、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板１０２として用
いてもよい。また、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板１０２として
用いてもよい。
【0134】
また、基板１０２として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタ１０
０等を形成してもよい。または、基板１０２とトランジスタ１００等の間に剥離層を設け
てもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板１０２
より分離し、他の基板に転載するのに用いることができる。その際、トランジスタ１００
等は耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。
０等を形成してもよい。または、基板１０２とトランジスタ１００等の間に剥離層を設け
てもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板１０２
より分離し、他の基板に転載するのに用いることができる。その際、トランジスタ１００
等は耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。
【0135】
〔絶縁層１０４〕
絶縁層１０４としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、パルスレーザー堆積（
ＰＬＤ）法等を適宜用いて形成することができる。また、絶縁層１０４としては、例えば
、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成することができる。なお、
半導体層１０８との界面特性を向上させるため、絶縁層１０４において少なくとも半導体
層１０８と接する領域は酸化物絶縁膜で形成することが好ましい。また、絶縁層１０４に
は、加熱により酸素を放出する膜を用いることが好ましい。
絶縁層１０４としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、パルスレーザー堆積（
ＰＬＤ）法等を適宜用いて形成することができる。また、絶縁層１０４としては、例えば
、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成することができる。なお、
半導体層１０８との界面特性を向上させるため、絶縁層１０４において少なくとも半導体
層１０８と接する領域は酸化物絶縁膜で形成することが好ましい。また、絶縁層１０４に
は、加熱により酸素を放出する膜を用いることが好ましい。
【0136】
絶縁層１０４として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ－Ｚｎ酸化物
などを用いればよく、単層または積層で設けることができる。
化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ－Ｚｎ酸化物
などを用いればよく、単層または積層で設けることができる。
【0137】
また、絶縁層１０４の半導体層１０８に接する側に窒化シリコン膜などの酸化物膜以外
の膜を用いた場合、半導体層１０８と接する表面に対して酸素プラズマ処理などの前処理
を行い、当該表面、または表面近傍を酸化することが好ましい。
の膜を用いた場合、半導体層１０８と接する表面に対して酸素プラズマ処理などの前処理
を行い、当該表面、または表面近傍を酸化することが好ましい。
【0138】
〔導電膜〕
ゲート電極として機能する導電層１１２及び導電層１０６、ソース電極として機能する
導電層１２０ａ、ドレイン電極として機能する導電層１２０ｂとしては、クロム、銅、ア
ルミニウム、金、銀、亜鉛、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、マンガン、
ニッケル、鉄、コバルトから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合
金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いてそれぞれ形成することができる。
ゲート電極として機能する導電層１１２及び導電層１０６、ソース電極として機能する
導電層１２０ａ、ドレイン電極として機能する導電層１２０ｂとしては、クロム、銅、ア
ルミニウム、金、銀、亜鉛、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、マンガン、
ニッケル、鉄、コバルトから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合
金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いてそれぞれ形成することができる。
【0139】
また、導電層１１２、導電層１０６、導電層１２０ａ、及び導電層１２０ｂには、Ｉｎ
－Ｓｎ酸化物、Ｉｎ－Ｗ酸化物、Ｉｎ－Ｗ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｔｉ酸化物、Ｉｎ－Ｔｉ
－Ｓｎ酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｓｉ酸化物、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物等
の酸化物導電体または金属酸化物膜を適用することもできる。
－Ｓｎ酸化物、Ｉｎ－Ｗ酸化物、Ｉｎ－Ｗ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｔｉ酸化物、Ｉｎ－Ｔｉ
－Ｓｎ酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｓｉ酸化物、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物等
の酸化物導電体または金属酸化物膜を適用することもできる。
【0140】
ここで、酸化物導電体（ＯＣ：ＯｘｉｄｅＣｏｎｄｕｃｔｏｒ）について説明を行う。
例えば、半導体特性を有する金属酸化物に酸素欠損を形成し、該酸素欠損に水素を添加す
ると、伝導帯近傍にドナー準位が形成される。この結果、金属酸化物は、導電性が高くな
り導電体化する。導電体化された金属酸化物を、酸化物導電体ということができる。
例えば、半導体特性を有する金属酸化物に酸素欠損を形成し、該酸素欠損に水素を添加す
ると、伝導帯近傍にドナー準位が形成される。この結果、金属酸化物は、導電性が高くな
り導電体化する。導電体化された金属酸化物を、酸化物導電体ということができる。
【0141】
また、導電層１１２等として、上記酸化物導電体（金属酸化物）を含む導電膜と、金属
または合金を含む導電膜の積層構造としてもよい。金属または合金を含む導電膜を用いる
ことで、配線抵抗を小さくすることができる。このとき、ゲート絶縁膜として機能する絶
縁層と接する側には酸化物導電体を含む導電膜を適用することが好ましい。
または合金を含む導電膜の積層構造としてもよい。金属または合金を含む導電膜を用いる
ことで、配線抵抗を小さくすることができる。このとき、ゲート絶縁膜として機能する絶
縁層と接する側には酸化物導電体を含む導電膜を適用することが好ましい。
【0142】
また、導電層１１２、導電層１０６、導電層１２０ａ、導電層１２０ｂには、上述の金
属元素の中でも、特にチタン、タングステン、タンタル、及びモリブデンの中から選ばれ
るいずれか一つまたは複数を有すると好適である。特に、窒化タンタル膜を用いると好適
である。当該窒化タンタル膜は、導電性を有し、且つ、銅、酸素、または水素に対して、
高いバリア性を有し、且つ自身からの水素の放出が少ないため、半導体層１０８と接する
導電膜、または半導体層１０８の近傍の導電膜として、好適に用いることができる。
属元素の中でも、特にチタン、タングステン、タンタル、及びモリブデンの中から選ばれ
るいずれか一つまたは複数を有すると好適である。特に、窒化タンタル膜を用いると好適
である。当該窒化タンタル膜は、導電性を有し、且つ、銅、酸素、または水素に対して、
高いバリア性を有し、且つ自身からの水素の放出が少ないため、半導体層１０８と接する
導電膜、または半導体層１０８の近傍の導電膜として、好適に用いることができる。
【0143】
〔絶縁層１１０〕
トランジスタ１００等のゲート絶縁膜として機能する絶縁層１１０は、ＰＥＣＶＤ法、
スパッタリング法等により形成できる。絶縁層１１０としては、酸化シリコン膜、酸化窒
化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニ
ウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、
酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上
含む絶縁層を用いることができる。なお、絶縁層１１０を、２層の積層構造または３層以
上の積層構造としてもよい。
トランジスタ１００等のゲート絶縁膜として機能する絶縁層１１０は、ＰＥＣＶＤ法、
スパッタリング法等により形成できる。絶縁層１１０としては、酸化シリコン膜、酸化窒
化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニ
ウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、
酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上
含む絶縁層を用いることができる。なお、絶縁層１１０を、２層の積層構造または３層以
上の積層構造としてもよい。
【0144】
また、半導体層１０８と接する絶縁層１１０は、酸化物絶縁膜であることが好ましく、
化学量論的組成よりも過剰に酸素を含有する領域を有することがより好ましい。別言する
と、絶縁層１１０は、酸素を放出することが可能な絶縁膜である。例えば、酸素雰囲気下
にて絶縁層１１０を形成すること、成膜後の絶縁層１１０に対して酸素雰囲気下での熱処
理、プラズマ処理等を行うこと、または、絶縁層１１０上に酸素雰囲気下で酸化物膜を成
膜することなどにより、絶縁層１１０中に酸素を供給することもできる。
化学量論的組成よりも過剰に酸素を含有する領域を有することがより好ましい。別言する
と、絶縁層１１０は、酸素を放出することが可能な絶縁膜である。例えば、酸素雰囲気下
にて絶縁層１１０を形成すること、成膜後の絶縁層１１０に対して酸素雰囲気下での熱処
理、プラズマ処理等を行うこと、または、絶縁層１１０上に酸素雰囲気下で酸化物膜を成
膜することなどにより、絶縁層１１０中に酸素を供給することもできる。
【0145】
また、絶縁層１１０として、酸化シリコンや酸化窒化シリコンと比べて比誘電率の高い
酸化ハフニウム等の材料を用いることもできる。これにより絶縁層１１０の膜厚を厚くし
トンネル電流によるリーク電流を抑制できる。特に結晶性を有する酸化ハフニウムは、非
晶質の酸化ハフニウムと比べて高い比誘電率を備えるため好ましい。
酸化ハフニウム等の材料を用いることもできる。これにより絶縁層１１０の膜厚を厚くし
トンネル電流によるリーク電流を抑制できる。特に結晶性を有する酸化ハフニウムは、非
晶質の酸化ハフニウムと比べて高い比誘電率を備えるため好ましい。
【0146】
〔半導体層〕
半導体層１０８がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物を成膜するため
に用いるスパッタリングターゲットは、Ｉｎの原子数比がＭの原子数比以上であることが
好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ
：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：
１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝
６：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５等が挙げられる。
半導体層１０８がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物を成膜するため
に用いるスパッタリングターゲットは、Ｉｎの原子数比がＭの原子数比以上であることが
好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ
：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：
１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝
６：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５等が挙げられる。
【0147】
また、スパッタリングターゲットとしては、多結晶の酸化物を含むターゲットを用いる
と、結晶性を有する半導体層１０８を形成しやすくなるため好ましい。なお、成膜される
半導体層１０８の原子数比は、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原
子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。例えば、半導体層１０８に用いるスパッタ
リングターゲットの組成がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］の場合、成膜
される半導体層１０８の組成は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］の近傍とな
る場合がある。
と、結晶性を有する半導体層１０８を形成しやすくなるため好ましい。なお、成膜される
半導体層１０８の原子数比は、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原
子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。例えば、半導体層１０８に用いるスパッタ
リングターゲットの組成がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］の場合、成膜
される半導体層１０８の組成は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］の近傍とな
る場合がある。
【0148】
なお、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍と記載する場合、Ｉｎ
の原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２
以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはそ
の近傍であると記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．
１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原
子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍であると記載する場合、Ｉｎの原
子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子
数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。
の原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２
以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはそ
の近傍であると記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．
１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原
子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍であると記載する場合、Ｉｎの原
子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子
数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。
【0149】
また、半導体層１０８は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以
上である。このように、シリコンよりもエネルギーギャップの広い金属酸化物を用いるこ
とで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
上である。このように、シリコンよりもエネルギーギャップの広い金属酸化物を用いるこ
とで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
【0150】
また、半導体層１０８は、非単結晶構造であると好ましい。非単結晶構造は、例えば、
後述するＣＡＡＣ構造、多結晶構造、微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構
造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ構造は最も欠陥準位密度が
低い。
後述するＣＡＡＣ構造、多結晶構造、微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構
造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ構造は最も欠陥準位密度が
低い。
【0151】
以下では、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）について説明
する。ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表す。
する。ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表す。
【0152】
ＣＡＡＣ構造とは、複数のナノ結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶領域）を有する
薄膜などの結晶構造の一つであり、各ナノ結晶はｃ軸が特定の方向に配向し、かつａ軸及
びｂ軸は配向性を有さずに、ナノ結晶同士が粒界を形成することなく連続的に連結してい
るといった特徴を有する結晶構造である。特にＣＡＡＣ構造を有する薄膜は、各ナノ結晶
のｃ軸が、薄膜の厚さ方向、被形成面の法線方向、または薄膜の表面の法線方向に配向し
やすいといった特徴を有する。
薄膜などの結晶構造の一つであり、各ナノ結晶はｃ軸が特定の方向に配向し、かつａ軸及
びｂ軸は配向性を有さずに、ナノ結晶同士が粒界を形成することなく連続的に連結してい
るといった特徴を有する結晶構造である。特にＣＡＡＣ構造を有する薄膜は、各ナノ結晶
のｃ軸が、薄膜の厚さ方向、被形成面の法線方向、または薄膜の表面の法線方向に配向し
やすいといった特徴を有する。
【0153】
ＣＡＡＣ－ＯＳ（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）は結晶性の高い酸化物半
導体である。一方、ＣＡＡＣ－ＯＳは、明確な結晶粒界を確認することはできないため、
結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結
晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ－ＯＳ
は不純物や欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ－
ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳを有す
る酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。
導体である。一方、ＣＡＡＣ－ＯＳは、明確な結晶粒界を確認することはできないため、
結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結
晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ－ＯＳ
は不純物や欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ－
ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳを有す
る酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。
【0154】
ここで、結晶学において、単位格子を構成するａ軸、ｂ軸、及びｃ軸の３つの軸（結晶
軸）について、特異的な軸をｃ軸とした単位格子を取ることが一般的である。特に層状構
造を有する結晶では、層の面方向に平行な２つの軸をａ軸及びｂ軸とし、層に交差する軸
をｃ軸とすることが一般的である。このような層状構造を有する結晶の代表的な例として
、六方晶系に分類されるグラファイトがあり、その単位格子のａ軸及びｂ軸は劈開面に平
行であり、ｃ軸は劈開面に直交する。例えば層状構造であるＹｂＦｅ２Ｏ４型の結晶構造
をとるＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は六方晶系に分類することができ、その単位格子のａ軸及
びｂ軸は層の面方向に平行となり、ｃ軸は層（すなわちａ軸及びｂ軸）に直交する。
軸）について、特異的な軸をｃ軸とした単位格子を取ることが一般的である。特に層状構
造を有する結晶では、層の面方向に平行な２つの軸をａ軸及びｂ軸とし、層に交差する軸
をｃ軸とすることが一般的である。このような層状構造を有する結晶の代表的な例として
、六方晶系に分類されるグラファイトがあり、その単位格子のａ軸及びｂ軸は劈開面に平
行であり、ｃ軸は劈開面に直交する。例えば層状構造であるＹｂＦｅ２Ｏ４型の結晶構造
をとるＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は六方晶系に分類することができ、その単位格子のａ軸及
びｂ軸は層の面方向に平行となり、ｃ軸は層（すなわちａ軸及びｂ軸）に直交する。
【0155】
金属酸化物の結晶構造の一例について説明する。なお、以下では、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸
化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）を用いて、スパッタ
リング法にて成膜された金属酸化物を一例として説明する。上記ターゲットを用いて、基
板温度を１００℃以上１３０℃以下として、スパッタリング法により形成した金属酸化物
は、ｎｃ（ｎａｎｏ ｃｒｙｓｔａｌ）構造及びＣＡＡＣ構造のいずれか一方の結晶構造
、またはこれらが混在した構造をとりやすい。一方、基板温度を室温（Ｒ．Ｔ．）として
、スパッタリング法により形成した金属酸化物は、ｎｃの結晶構造をとりやすい。なお、
ここでいう室温（Ｒ．Ｔ．）とは、基板を意図的に加熱しない場合の温度を含む。
化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）を用いて、スパッタ
リング法にて成膜された金属酸化物を一例として説明する。上記ターゲットを用いて、基
板温度を１００℃以上１３０℃以下として、スパッタリング法により形成した金属酸化物
は、ｎｃ（ｎａｎｏ ｃｒｙｓｔａｌ）構造及びＣＡＡＣ構造のいずれか一方の結晶構造
、またはこれらが混在した構造をとりやすい。一方、基板温度を室温（Ｒ．Ｔ．）として
、スパッタリング法により形成した金属酸化物は、ｎｃの結晶構造をとりやすい。なお、
ここでいう室温（Ｒ．Ｔ．）とは、基板を意図的に加熱しない場合の温度を含む。
【0156】
［作製方法例］
以下では、本発明の一態様のトランジスタの作製方法の例について説明する。ここでは
、構成例２で例示したトランジスタ１００Ａを例に挙げて説明する。
以下では、本発明の一態様のトランジスタの作製方法の例について説明する。ここでは
、構成例２で例示したトランジスタ１００Ａを例に挙げて説明する。
【0157】
なお、半導体装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング
法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣ
ＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法や、熱ＣＶＤ法などがある。また、
熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉ
ｃ ＣＶＤ）法がある。
法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣ
ＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法や、熱ＣＶＤ法などがある。また、
熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉ
ｃ ＣＶＤ）法がある。
【0158】
また、半導体装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、
ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット
印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート
等の方法により形成することができる。
ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット
印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート
等の方法により形成することができる。
【0159】
また、半導体装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて
加工することができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオ
フ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成
膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。
加工することができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオ
フ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成
膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。
【0160】
フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工し
たい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジス
トマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光
、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。
たい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジス
トマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光
、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。
【0161】
フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、
ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用い
ることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いる
こともできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光と
して、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用い
てもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外
光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。な
お、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは
不要である。
ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用い
ることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いる
こともできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光と
して、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用い
てもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外
光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。な
お、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは
不要である。
【0162】
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト
法などを用いることができる。
法などを用いることができる。
【0163】
【0164】
【0165】
〔絶縁層１０３、絶縁層１０４の形成〕
続いて、基板１０２、導電層１０６を覆って絶縁層１０３と絶縁膜１０４ｆを積層して
形成する（図６（Ｂ））。絶縁層１０３及び絶縁膜１０４ｆはそれぞれ、ＰＥＣＶＤ法、
ＡＬＤ法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
続いて、基板１０２、導電層１０６を覆って絶縁層１０３と絶縁膜１０４ｆを積層して
形成する（図６（Ｂ））。絶縁層１０３及び絶縁膜１０４ｆはそれぞれ、ＰＥＣＶＤ法、
ＡＬＤ法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
【0166】
例えば、絶縁層１０３はＡＬＤ法、ＰＥＣＶＤ法、またはスパッタリングを用いて形成
し、絶縁膜１０４ｆはＰＥＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いて形成することができ
る。
し、絶縁膜１０４ｆはＰＥＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いて形成することができ
る。
【0167】
続いて、絶縁膜１０４ｆの一部をエッチングにより除去し、島状に加工して絶縁層１０
４、及び絶縁層１０４ａを形成する（図６（Ｃ））。
４、及び絶縁層１０４ａを形成する（図６（Ｃ））。
【0168】
【0169】
金属酸化物膜は、金属酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法により形成すること
が好ましい。
が好ましい。
【0170】
また、金属酸化物膜を成膜する際に、酸素ガスの他に、不活性ガス（例えば、ヘリウム
ガス、アルゴンガス、キセノンガスなど）を混合させてもよい。なお、金属酸化物膜を成
膜する際の成膜ガス全体に占める酸素ガスの割合（以下、酸素流量比ともいう）が高いほ
ど、金属酸化物膜の結晶性を高めることができ、信頼性の高いトランジスタを実現できる
。一方、酸素流量比が低いほど、金属酸化物膜の結晶性が低くなり、オン電流が高められ
たトランジスタとすることができる。
ガス、アルゴンガス、キセノンガスなど）を混合させてもよい。なお、金属酸化物膜を成
膜する際の成膜ガス全体に占める酸素ガスの割合（以下、酸素流量比ともいう）が高いほ
ど、金属酸化物膜の結晶性を高めることができ、信頼性の高いトランジスタを実現できる
。一方、酸素流量比が低いほど、金属酸化物膜の結晶性が低くなり、オン電流が高められ
たトランジスタとすることができる。
【0171】
また、金属酸化物膜の成膜条件としては、基板温度を室温以上２００℃未満、好ましく
は基板温度を室温以上１４０℃以下とすればよい。例えば成膜温度を、室温以上１４０℃
未満とすると、生産性が高くなり好ましい。また、基板温度を室温とする、または意図的
に加熱しない状態で、金属酸化物膜を成膜することで、結晶性を低くすることができる。
は基板温度を室温以上１４０℃以下とすればよい。例えば成膜温度を、室温以上１４０℃
未満とすると、生産性が高くなり好ましい。また、基板温度を室温とする、または意図的
に加熱しない状態で、金属酸化物膜を成膜することで、結晶性を低くすることができる。
【0172】
また、金属酸化物膜を成膜する前に、絶縁層１０４の表面に吸着した水や水素、有機物
等を脱離させるための処理や、絶縁層１０４中に酸素を供給する処理を行うことが好まし
い。例えば、減圧雰囲気下にて７０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理を行うことがで
きる。または、酸素を含む雰囲気下におけるプラズマ処理を行ってもよい。また、Ｎ２Ｏ
ガスを含む雰囲気下におけるプラズマ処理を行うと、絶縁層１０４の表面の有機物を好適
に除去することができる。このような処理の後、絶縁層１０４の表面を大気に暴露するこ
となく、連続して金属酸化物膜を成膜することが好ましい。
等を脱離させるための処理や、絶縁層１０４中に酸素を供給する処理を行うことが好まし
い。例えば、減圧雰囲気下にて７０℃以上２００℃以下の温度で加熱処理を行うことがで
きる。または、酸素を含む雰囲気下におけるプラズマ処理を行ってもよい。また、Ｎ２Ｏ
ガスを含む雰囲気下におけるプラズマ処理を行うと、絶縁層１０４の表面の有機物を好適
に除去することができる。このような処理の後、絶縁層１０４の表面を大気に暴露するこ
となく、連続して金属酸化物膜を成膜することが好ましい。
【0173】
金属酸化物膜の加工には、ウェットエッチング法及びドライエッチング法のいずれか一
方または双方を用いればよい。このとき、半導体層１０８と重ならない絶縁層１０４の一
部がエッチングされ、薄くなる場合がある。
方または双方を用いればよい。このとき、半導体層１０８と重ならない絶縁層１０４の一
部がエッチングされ、薄くなる場合がある。
【0174】
また、金属酸化物膜の成膜後、または半導体層１０８に加工した後、金属酸化物膜また
は半導体層１０８中の水素または水を除去するために加熱処理を行ってもよい。加熱処理
の温度は、代表的には、１５０℃以上基板の歪み点未満、または２５０℃以上４５０℃以
下、または３００℃以上４５０℃以下である。
は半導体層１０８中の水素または水を除去するために加熱処理を行ってもよい。加熱処理
の温度は、代表的には、１５０℃以上基板の歪み点未満、または２５０℃以上４５０℃以
下、または３００℃以上４５０℃以下である。
【0175】
加熱処理は、希ガス、または窒素を含む雰囲気下で行うことができる。または、当該雰
囲気下で加熱した後、酸素を含む雰囲気下で加熱してもよい。なお、上記加熱処理の雰囲
気下に水素、水などが含まれないことが好ましい。該加熱処理は、電気炉、ＲＴＡ装置等
を用いることができる。ＲＴＡ装置を用いることで、加熱処理時間を短縮することができ
る。
囲気下で加熱した後、酸素を含む雰囲気下で加熱してもよい。なお、上記加熱処理の雰囲
気下に水素、水などが含まれないことが好ましい。該加熱処理は、電気炉、ＲＴＡ装置等
を用いることができる。ＲＴＡ装置を用いることで、加熱処理時間を短縮することができ
る。
【0176】
〔絶縁膜１１０ｆ、金属酸化物膜１１４ｆの形成〕
続いて、絶縁層１０３、絶縁層１０４、及び半導体層１０８を覆って、絶縁層１１０と
なる絶縁膜１１０ｆと、金属酸化物層１１４となる金属酸化物膜１１４ｆを積層して成膜
する。
続いて、絶縁層１０３、絶縁層１０４、及び半導体層１０８を覆って、絶縁層１１０と
なる絶縁膜１１０ｆと、金属酸化物層１１４となる金属酸化物膜１１４ｆを積層して成膜
する。
【0177】
絶縁膜１１０ｆとしては、例えば酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの酸化
物膜を、プラズマ化学気相堆積装置（ＰＥＣＶＤ装置、または単にプラズマＣＶＤ装置と
いう）を用いて形成することが好ましい。また、マイクロ波を用いたＰＥＣＶＤ法を用い
て形成してもよい。
物膜を、プラズマ化学気相堆積装置（ＰＥＣＶＤ装置、または単にプラズマＣＶＤ装置と
いう）を用いて形成することが好ましい。また、マイクロ波を用いたＰＥＣＶＤ法を用い
て形成してもよい。
【0178】
金属酸化物膜１１４ｆは、例えば酸素を含む雰囲気下で成膜することが好ましい。特に
、酸素を含む雰囲気下でスパッタリング法により形成することが好ましい。これにより、
金属酸化物膜１１４ｆの成膜時に絶縁膜１１０ｆに酸素を供給することができる。
、酸素を含む雰囲気下でスパッタリング法により形成することが好ましい。これにより、
金属酸化物膜１１４ｆの成膜時に絶縁膜１１０ｆに酸素を供給することができる。
【0179】
金属酸化物膜１１４ｆを、上記半導体層１０８の場合と同様の金属酸化物を含む酸化物
ターゲットを用いたスパッタリング法により形成する場合には、上記を援用することがで
きる。
ターゲットを用いたスパッタリング法により形成する場合には、上記を援用することがで
きる。
【0180】
例えば金属酸化物膜１１４ｆの成膜条件として、成膜ガスに酸素を用い、金属ターゲッ
トを用いた反応性スパッタリング法により、金属酸化物膜を形成することが好ましい。金
属ターゲットとして、例えばアルミニウムを用いた場合には、酸化アルミニウム膜を成膜
することができる。
トを用いた反応性スパッタリング法により、金属酸化物膜を形成することが好ましい。金
属ターゲットとして、例えばアルミニウムを用いた場合には、酸化アルミニウム膜を成膜
することができる。
【0181】
金属酸化物膜１１４ｆの成膜時に、成膜装置の成膜室内に導入する成膜ガスの全流量に
対する酸素流量の割合（酸素流量比）、または成膜室内の酸素分圧が高いほど、絶縁膜１
１０ｆ中に供給される酸素を増やすことができる。酸素流量比または酸素分圧は、例えば
５０％以上１００％以下、好ましくは６５％以上１００％以下、より好ましくは８０％以
上１００％以下、さらに好ましくは９０％以上１００％以下とする。特に、酸素流量比１
００％とし、酸素分圧を１００％にできるだけ近づけることが好ましい。
対する酸素流量の割合（酸素流量比）、または成膜室内の酸素分圧が高いほど、絶縁膜１
１０ｆ中に供給される酸素を増やすことができる。酸素流量比または酸素分圧は、例えば
５０％以上１００％以下、好ましくは６５％以上１００％以下、より好ましくは８０％以
上１００％以下、さらに好ましくは９０％以上１００％以下とする。特に、酸素流量比１
００％とし、酸素分圧を１００％にできるだけ近づけることが好ましい。
【0182】
このように、酸素を含む雰囲気下でスパッタリング法により金属酸化物膜１１４ｆを形
成することにより、金属酸化物膜１１４ｆの成膜時に、絶縁膜１１０ｆへ酸素を供給する
とともに、絶縁膜１１０ｆから酸素が脱離することを防ぐことができる。その結果、絶縁
膜１１０ｆに極めて多くの酸素を閉じ込めることができる。そして、後の加熱処理によっ
て、半導体層１０８に多くの酸素を供給することができる。その結果、半導体層１０８中
の酸素欠損を低減でき、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
成することにより、金属酸化物膜１１４ｆの成膜時に、絶縁膜１１０ｆへ酸素を供給する
とともに、絶縁膜１１０ｆから酸素が脱離することを防ぐことができる。その結果、絶縁
膜１１０ｆに極めて多くの酸素を閉じ込めることができる。そして、後の加熱処理によっ
て、半導体層１０８に多くの酸素を供給することができる。その結果、半導体層１０８中
の酸素欠損を低減でき、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
【0183】
続いて、金属酸化物膜１１４ｆの成膜後に、金属酸化物膜１１４ｆ、絶縁膜１１０ｆ、
（絶縁層１０４）、及び絶縁層１０３の一部をエッチングすることで、導電層１０６に達
する開口を形成する。これにより、後に形成する導電層１１２と導電層１０６とを、当該
開口を介して電気的に接続することができる。
（絶縁層１０４）、及び絶縁層１０３の一部をエッチングすることで、導電層１０６に達
する開口を形成する。これにより、後に形成する導電層１１２と導電層１０６とを、当該
開口を介して電気的に接続することができる。
【0184】
この段階における断面概略図が、図７（Ｂ）に相当する。
【0185】
〔導電層１１２、金属酸化物層１１４、絶縁層１１０の形成〕
続いて、金属酸化物膜１１４ｆ上に、導電層１１２となる導電膜を成膜する。当該導電
膜は、金属または合金のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により成膜
することが好ましい。
続いて、金属酸化物膜１１４ｆ上に、導電層１１２となる導電膜を成膜する。当該導電
膜は、金属または合金のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により成膜
することが好ましい。
【0186】
続いて、導電膜、金属酸化物膜１１４ｆ、及び絶縁膜１１０ｆの一部をエッチングする
（図７（Ｃ））。導電膜、金属酸化物膜１１４ｆ、及び絶縁膜１１０ｆは、それぞれ同じ
レジストマスクを用いて加工することが好ましい。または、エッチング後の導電層１１２
をハードマスクとして用いて、金属酸化物膜１１４ｆと絶縁膜１１０ｆとをエッチングし
てもよい。
（図７（Ｃ））。導電膜、金属酸化物膜１１４ｆ、及び絶縁膜１１０ｆは、それぞれ同じ
レジストマスクを用いて加工することが好ましい。または、エッチング後の導電層１１２
をハードマスクとして用いて、金属酸化物膜１１４ｆと絶縁膜１１０ｆとをエッチングし
てもよい。
【0187】
これにより、上面形状が概略一致した島状の導電層１１２、金属酸化物層１１４、及び
絶縁層１１０を形成することができる。
絶縁層１１０を形成することができる。
【0188】
なお、導電膜、金属酸化物膜１１４ｆ、及び絶縁膜１１０ｆのエッチング時に、絶縁層
１１０に覆われない半導体層１０８等もエッチングされ、薄膜化する場合がある。
１１０に覆われない半導体層１０８等もエッチングされ、薄膜化する場合がある。
【0189】
〔絶縁層１１６の形成〕
続いて、絶縁層１０４、半導体層１０８、絶縁層１１０の側面、金属酸化物層１１４の
側面、及び導電層１１２等を覆って、絶縁層１１６を形成する。またこのとき、半導体層
１０８及び絶縁層１０４の端部よりも外側において、絶縁層１０３と絶縁層１１６とが接
する領域が形成される（図８（Ａ））。
続いて、絶縁層１０４、半導体層１０８、絶縁層１１０の側面、金属酸化物層１１４の
側面、及び導電層１１２等を覆って、絶縁層１１６を形成する。またこのとき、半導体層
１０８及び絶縁層１０４の端部よりも外側において、絶縁層１０３と絶縁層１１６とが接
する領域が形成される（図８（Ａ））。
【0190】
絶縁層１１６は、上述の金属元素を含むスパッタリングターゲットを用い、窒素ガスと
、希釈ガスである希ガス等の混合ガスを成膜ガスとして用いた反応性スパッタリング法に
より形成することが好ましい。これにより、成膜ガスの流量比を制御することで、絶縁層
１１６の膜質を制御することが容易となる。
、希釈ガスである希ガス等の混合ガスを成膜ガスとして用いた反応性スパッタリング法に
より形成することが好ましい。これにより、成膜ガスの流量比を制御することで、絶縁層
１１６の膜質を制御することが容易となる。
【0191】
例えば、絶縁層１１６としてアルミニウムターゲットを用いた反応性スパッタリングに
より形成した窒化アルミニウム膜を用いる場合、成膜ガスの全流量に対する窒素ガスの流
量を３０％以上１００％以下、好ましくは４０％以上１００％以下、より好ましくは５０
％以上１００％以下とすることが好ましい。
より形成した窒化アルミニウム膜を用いる場合、成膜ガスの全流量に対する窒素ガスの流
量を３０％以上１００％以下、好ましくは４０％以上１００％以下、より好ましくは５０
％以上１００％以下とすることが好ましい。
【0192】
または、絶縁層１１６として窒化シリコンを用いる場合には、シランなどのシリコンを
含むガスと、アンモニアや一酸化二窒素などの窒素を含むガスを含む混合ガスを成膜ガス
に用いたＰＥＣＶＤ法により形成してもよい。このとき、成膜される窒化シリコン中に水
素が含まれていることが好ましい。これにより、絶縁層１１６中の水素が半導体層１０８
に拡散することで、半導体層１０８の一部を低抵抗化することが容易となる。
含むガスと、アンモニアや一酸化二窒素などの窒素を含むガスを含む混合ガスを成膜ガス
に用いたＰＥＣＶＤ法により形成してもよい。このとき、成膜される窒化シリコン中に水
素が含まれていることが好ましい。これにより、絶縁層１１６中の水素が半導体層１０８
に拡散することで、半導体層１０８の一部を低抵抗化することが容易となる。
【0193】
絶縁層１１６を成膜した時点で、半導体層１０８の絶縁層１１６と接する界面及びその
近傍の領域に、低抵抗な領域１０８ｎが形成される。
近傍の領域に、低抵抗な領域１０８ｎが形成される。
【0194】
［第１の加熱処理］
続いて、加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理により、半導体層１０８の領域１０
８ｎの低抵抗化をより促進させることができる。
続いて、加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理により、半導体層１０８の領域１０
８ｎの低抵抗化をより促進させることができる。
【0195】
加熱処理は、窒素または希ガスなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。加熱
処理の温度は高いほど好ましいが、基板１０２、導電層１０６、導電層１１２等の耐熱性
を考慮した温度とすることができる。例えば、１２０℃以上５００℃以下、好ましくは１
５０℃以上４５０℃以下、より好ましくは２００℃以上４００℃以下、さらに好ましくは
２５０℃以上４００℃以下の温度とすることができる。例えば加熱処理の温度を３５０℃
程度とすることで、大型のガラス基板を用いた生産設備で歩留り良く半導体装置を生産す
ることができる。
処理の温度は高いほど好ましいが、基板１０２、導電層１０６、導電層１１２等の耐熱性
を考慮した温度とすることができる。例えば、１２０℃以上５００℃以下、好ましくは１
５０℃以上４５０℃以下、より好ましくは２００℃以上４００℃以下、さらに好ましくは
２５０℃以上４００℃以下の温度とすることができる。例えば加熱処理の温度を３５０℃
程度とすることで、大型のガラス基板を用いた生産設備で歩留り良く半導体装置を生産す
ることができる。
【0196】
なお、加熱処理は絶縁層１１６の形成後であればどの段階で行ってもよい。また他の加
熱処理と兼ねてもよい。
熱処理と兼ねてもよい。
【0197】
例えば加熱処理により、半導体層１０８中の酸素が絶縁層１１６側に引き抜かれること
により酸素欠損が生成される。当該酸素欠損と、半導体層１０８中に含まれる水素、また
は絶縁層１１６から供給される水素とが結合することによりキャリア濃度が高まり、絶縁
層１１６と接する部分が低抵抗化されうる。
により酸素欠損が生成される。当該酸素欠損と、半導体層１０８中に含まれる水素、また
は絶縁層１１６から供給される水素とが結合することによりキャリア濃度が高まり、絶縁
層１１６と接する部分が低抵抗化されうる。
【0198】
または、加熱処理により、半導体層１０８に含まれる金属元素が絶縁層１１６との界面
近傍に向かって拡散し、当該金属元素の濃度の高い領域が形成されることにより、半導体
層１０８の絶縁層１１６と接する部分が低抵抗化される場合もある。例えば半導体層１０
８にインジウムを含む金属酸化物膜を用いた場合、インジウム濃度の高い領域が、半導体
層１０８の絶縁層１１６との界面近傍に観測される場合がある。
近傍に向かって拡散し、当該金属元素の濃度の高い領域が形成されることにより、半導体
層１０８の絶縁層１１６と接する部分が低抵抗化される場合もある。例えば半導体層１０
８にインジウムを含む金属酸化物膜を用いた場合、インジウム濃度の高い領域が、半導体
層１０８の絶縁層１１６との界面近傍に観測される場合がある。
【0199】
このような複合的な作用により低抵抗化された領域１０８ｎは、極めて安定な低抵抗な
領域となる。このように形成された領域１０８ｎは、例えば後の工程で酸素が供給される
処理が行われたとしても、再度高抵抗化しにくいといった特徴を有する。
領域となる。このように形成された領域１０８ｎは、例えば後の工程で酸素が供給される
処理が行われたとしても、再度高抵抗化しにくいといった特徴を有する。
【0200】
［絶縁層１１８の形成］
続いて、絶縁層１１６を覆って絶縁層１１８を形成する。絶縁層１１８は、例えばＰＥ
ＣＶＤ法により形成することができる。
続いて、絶縁層１１６を覆って絶縁層１１８を形成する。絶縁層１１８は、例えばＰＥ
ＣＶＤ法により形成することができる。
【0201】
〔開口部１４１ａ、１４１ｂの形成〕
続いて、絶縁層１１８及び絶縁層１１６の一部をエッチングすることで、領域１０８ｎ
に達する開口部１４１ａ、開口部１４１ｂを形成する。
続いて、絶縁層１１８及び絶縁層１１６の一部をエッチングすることで、領域１０８ｎ
に達する開口部１４１ａ、開口部１４１ｂを形成する。
【0202】
〔導電層１２０ａ、１２０ｂの形成〕
続いて、開口部１４１ａ、開口部１４１ｂを覆うように、絶縁層１１８上に導電膜を成
膜し、当該導電膜を所望の形状に加工することで、導電層１２０ａ、導電層１２０ｂを形
成する（図８（Ｂ））。
続いて、開口部１４１ａ、開口部１４１ｂを覆うように、絶縁層１１８上に導電膜を成
膜し、当該導電膜を所望の形状に加工することで、導電層１２０ａ、導電層１２０ｂを形
成する（図８（Ｂ））。
【0203】
以上の工程により、トランジスタ１００Ａを作製することができる。
【0204】
なお、構成例１で例示したトランジスタ１００とする場合には、上記作製方法例におけ
る導電層１０６の形成工程、及び開口部１４２の形成工程を省略すればよい。
る導電層１０６の形成工程、及び開口部１４２の形成工程を省略すればよい。
【0205】
以上が作製方法例についての説明である。
【0206】
本実施の形態で例示した構成例、作製方法例、及びそれらに対応する図面等は、少なく
ともその一部を他の構成例、作製方法例、または図面等と適宜組み合わせて実施すること
ができる。
ともその一部を他の構成例、作製方法例、または図面等と適宜組み合わせて実施すること
ができる。
【0207】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
【0208】
（実施の形態２）
本実施の形態では、先の実施の形態で例示したトランジスタを有する表示装置の一例に
ついて説明を行う。
本実施の形態では、先の実施の形態で例示したトランジスタを有する表示装置の一例に
ついて説明を行う。
【0209】
［構成例］
図９（Ａ）に、表示装置７００の上面図を示す。表示装置７００は、シール材７１２に
より貼りあわされた第１の基板７０１と第２の基板７０５を有する。また第１の基板７０
１、第２の基板７０５、及びシール材７１２で封止される領域において、第１の基板７０
１上に画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６が
設けられる。また画素部７０２には、複数の表示素子が設けられる。
図９（Ａ）に、表示装置７００の上面図を示す。表示装置７００は、シール材７１２に
より貼りあわされた第１の基板７０１と第２の基板７０５を有する。また第１の基板７０
１、第２の基板７０５、及びシール材７１２で封止される領域において、第１の基板７０
１上に画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６が
設けられる。また画素部７０２には、複数の表示素子が設けられる。
【0210】
また、第１の基板７０１の第２の基板７０５と重ならない部分に、ＦＰＣ７１６（ＦＰ
Ｃ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）が接続されるＦＰＣ端子部７
０８が設けられている。ＦＰＣ７１６によって、ＦＰＣ端子部７０８及び信号線７１０を
介して、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６
のそれぞれに各種信号等が供給される。
Ｃ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）が接続されるＦＰＣ端子部７
０８が設けられている。ＦＰＣ７１６によって、ＦＰＣ端子部７０８及び信号線７１０を
介して、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６
のそれぞれに各種信号等が供給される。
【0211】
ゲートドライバ回路部７０６は、複数設けられていてもよい。また、ゲートドライバ回
路部７０６及びソースドライバ回路部７０４は、それぞれ半導体基板等に別途形成され、
パッケージされたＩＣチップの形態であってもよい。当該ＩＣチップは、第１の基板７０
１上、またはＦＰＣ７１６に実装することができる。
路部７０６及びソースドライバ回路部７０４は、それぞれ半導体基板等に別途形成され、
パッケージされたＩＣチップの形態であってもよい。当該ＩＣチップは、第１の基板７０
１上、またはＦＰＣ７１６に実装することができる。
【0212】
画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４及びゲートドライバ回路部７０６が有する
トランジスタに、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタを適用することができ
る。
トランジスタに、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタを適用することができ
る。
【0213】
画素部７０２に設けられる表示素子としては、液晶素子、発光素子などが挙げられる。
液晶素子としては、透過型の液晶素子、反射型の液晶素子、半透過型の液晶素子などを用
いることができる。また、発光素子としては、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ
Ｄｉｏｄｅ）、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ ＬＥＤ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ－ｄｏ
ｔ ＬＥＤ）、半導体レーザなどの、自発光性の発光素子が挙げられる。また、シャッタ
ー方式または光干渉方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａ
ｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子や、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッ
ティング方式、または電子粉流体（登録商標）方式等を適用した表示素子などを用いるこ
ともできる。
液晶素子としては、透過型の液晶素子、反射型の液晶素子、半透過型の液晶素子などを用
いることができる。また、発光素子としては、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ
Ｄｉｏｄｅ）、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ ＬＥＤ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ－ｄｏ
ｔ ＬＥＤ）、半導体レーザなどの、自発光性の発光素子が挙げられる。また、シャッタ
ー方式または光干渉方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａ
ｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子や、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッ
ティング方式、または電子粉流体（登録商標）方式等を適用した表示素子などを用いるこ
ともできる。
【0214】
図９（Ｂ）に示す表示装置７００Ａは、大型の画面を有する電子機器に好適に用いるこ
とのできる表示装置である。表示装置７００Ａは、例えばテレビジョン装置、モニタ装置
、パーソナルコンピュータ（ノート型またはデスクトップ型を含む）、タブレット端末、
デジタルサイネージなどに好適に用いることができる。
とのできる表示装置である。表示装置７００Ａは、例えばテレビジョン装置、モニタ装置
、パーソナルコンピュータ（ノート型またはデスクトップ型を含む）、タブレット端末、
デジタルサイネージなどに好適に用いることができる。
【0215】
表示装置７００Ａは、複数のソースドライバＩＣ７２１と、一対のゲートドライバ回路
部７２２を有する。
部７２２を有する。
【0216】
複数のソースドライバＩＣ７２１は、それぞれＦＰＣ７２３に取り付けられている。ま
た、複数のＦＰＣ７２３は、一方の端子が第１の基板７０１に、他方の端子がプリント基
板７２４にそれぞれ接続されている。ＦＰＣ７２３を折り曲げることで、プリント基板７
２４を画素部７０２の裏側に配置して、電子機器に実装することができ、電子機器の省ス
ペース化を図ることができる。
た、複数のＦＰＣ７２３は、一方の端子が第１の基板７０１に、他方の端子がプリント基
板７２４にそれぞれ接続されている。ＦＰＣ７２３を折り曲げることで、プリント基板７
２４を画素部７０２の裏側に配置して、電子機器に実装することができ、電子機器の省ス
ペース化を図ることができる。
【0217】
一方、ゲートドライバ回路部７２２は、第１の基板７０１上に形成されている。これに
より、狭額縁の電子機器を実現できる。
より、狭額縁の電子機器を実現できる。
【0218】
このような構成とすることで、大型で且つ高解像度な表示装置を実現できる。例えば画
面サイズが対角３０インチ以上、４０インチ以上、５０インチ以上、または６０インチ以
上の表示装置にも適用することができる。また、解像度が４Ｋ２Ｋ、または８Ｋ４Ｋなど
といった極めて高解像度の表示装置を実現することができる。
面サイズが対角３０インチ以上、４０インチ以上、５０インチ以上、または６０インチ以
上の表示装置にも適用することができる。また、解像度が４Ｋ２Ｋ、または８Ｋ４Ｋなど
といった極めて高解像度の表示装置を実現することができる。
【0219】
［断面構成例］
以下では、表示素子として液晶素子及びＥＬ素子を用いる構成について、図１０乃至図
１２を用いて説明する。なお、図１０乃至図１２は、それぞれ図９（Ａ）に示す一点鎖線
Ｑ－Ｒにおける断面図である。図１０及び図１１は、表示素子として液晶素子を用いた構
成であり、図１２は、ＥＬ素子を用いた構成である。
以下では、表示素子として液晶素子及びＥＬ素子を用いる構成について、図１０乃至図
１２を用いて説明する。なお、図１０乃至図１２は、それぞれ図９（Ａ）に示す一点鎖線
Ｑ－Ｒにおける断面図である。図１０及び図１１は、表示素子として液晶素子を用いた構
成であり、図１２は、ＥＬ素子を用いた構成である。
【0220】
〔表示装置の共通部分に関する説明〕
図１０乃至図１２に示す表示装置７００は、引き回し配線部７１１と、画素部７０２と
、ソースドライバ回路部７０４と、ＦＰＣ端子部７０８と、を有する。引き回し配線部７
１１は、信号線７１０を有する。画素部７０２は、トランジスタ７５０及び容量素子７９
０を有する。ソースドライバ回路部７０４は、トランジスタ７５２を有する。
図１０乃至図１２に示す表示装置７００は、引き回し配線部７１１と、画素部７０２と
、ソースドライバ回路部７０４と、ＦＰＣ端子部７０８と、を有する。引き回し配線部７
１１は、信号線７１０を有する。画素部７０２は、トランジスタ７５０及び容量素子７９
０を有する。ソースドライバ回路部７０４は、トランジスタ７５２を有する。
【0221】
トランジスタ７５０及びトランジスタ７５２は、実施の形態１で例示したトランジスタ
を適用できる。
を適用できる。
【0222】
本実施の形態で用いるトランジスタは、高純度化し、酸素欠損の形成を抑制した酸化物
半導体膜を有する。該トランジスタは、オフ電流を低くできる。よって、画像信号等の電
気信号の保持時間を長くでき、電源オン状態では画像信号等の書き込み間隔も長く設定で
きる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくできるため、消費電力を低減する効果を
奏する。
半導体膜を有する。該トランジスタは、オフ電流を低くできる。よって、画像信号等の電
気信号の保持時間を長くでき、電源オン状態では画像信号等の書き込み間隔も長く設定で
きる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくできるため、消費電力を低減する効果を
奏する。
【0223】
また、本実施の形態で用いるトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるた
め、高速駆動が可能である。例えば、このような高速駆動が可能なトランジスタを表示装
置に用いることで、画素部のスイッチングトランジスタと、駆動回路部に使用するドライ
バトランジスタを同一基板上に形成することができる。すなわち、別途駆動回路として、
シリコンウェハ等により形成された半導体装置を用いる必要がないため、表示装置の部品
点数を削減することができる。また、画素部においても、高速駆動が可能なトランジスタ
を用いることで、高画質な画像を提供することができる。
め、高速駆動が可能である。例えば、このような高速駆動が可能なトランジスタを表示装
置に用いることで、画素部のスイッチングトランジスタと、駆動回路部に使用するドライ
バトランジスタを同一基板上に形成することができる。すなわち、別途駆動回路として、
シリコンウェハ等により形成された半導体装置を用いる必要がないため、表示装置の部品
点数を削減することができる。また、画素部においても、高速駆動が可能なトランジスタ
を用いることで、高画質な画像を提供することができる。
【0224】
容量素子７９０は、トランジスタ７５０が有する半導体層と同一の膜を加工して形成さ
れ、低抵抗化された下部電極と、ソース電極またはドレイン電極と同一の導電膜を加工し
て形成される上部電極と、を有する。また、下部電極と上部電極との間には、トランジス
タ７５０を覆う２層の絶縁膜が設けられる。すなわち、容量素子７９０は、一対の電極間
に誘電体膜として機能する絶縁膜が挟持された積層型の構造である。
れ、低抵抗化された下部電極と、ソース電極またはドレイン電極と同一の導電膜を加工し
て形成される上部電極と、を有する。また、下部電極と上部電極との間には、トランジス
タ７５０を覆う２層の絶縁膜が設けられる。すなわち、容量素子７９０は、一対の電極間
に誘電体膜として機能する絶縁膜が挟持された積層型の構造である。
【0225】
また、トランジスタ７５０、トランジスタ７５２、及び容量素子７９０上には平坦化絶
縁膜７７０が設けられている。
縁膜７７０が設けられている。
【0226】
画素部７０２が有するトランジスタ７５０と、ソースドライバ回路部７０４が有するト
ランジスタ７５２とは、異なる構造のトランジスタを用いてもよい。例えばいずれか一方
にトップゲート型のトランジスタを適用し、他方にボトムゲート型のトランジスタを適用
した構成としてもよい。なお、上記のソースドライバ回路部７０４を、ゲートドライバ回
路部と読み替えてもよい。
ランジスタ７５２とは、異なる構造のトランジスタを用いてもよい。例えばいずれか一方
にトップゲート型のトランジスタを適用し、他方にボトムゲート型のトランジスタを適用
した構成としてもよい。なお、上記のソースドライバ回路部７０４を、ゲートドライバ回
路部と読み替えてもよい。
【0227】
信号線７１０は、トランジスタ７５０、７５２のソース電極及びドレイン電極等と同じ
導電膜で形成されている。このとき、銅元素を含む材料等の低抵抗な材料を用いると、配
線抵抗に起因する信号遅延等が少なく、大画面での表示が可能となるため好ましい。
導電膜で形成されている。このとき、銅元素を含む材料等の低抵抗な材料を用いると、配
線抵抗に起因する信号遅延等が少なく、大画面での表示が可能となるため好ましい。
【0228】
ＦＰＣ端子部７０８は、接続電極７６０、異方性導電膜７８０、及びＦＰＣ７１６を有
する。接続電極７６０は、ＦＰＣ７１６が有する端子と異方性導電膜７８０を介して電気
的に接続される。ここでは、接続電極７６０は、トランジスタ７５０、７５２のソース電
極及びドレイン電極等と同じ導電膜で形成されている。
する。接続電極７６０は、ＦＰＣ７１６が有する端子と異方性導電膜７８０を介して電気
的に接続される。ここでは、接続電極７６０は、トランジスタ７５０、７５２のソース電
極及びドレイン電極等と同じ導電膜で形成されている。
【0229】
第１の基板７０１及び第２の基板７０５としては、例えばガラス基板、またはプラスチ
ック基板等の可撓性を有する基板を用いることができる。
ック基板等の可撓性を有する基板を用いることができる。
【0230】
また、第２の基板７０５側には、遮光膜７３８と、着色膜７３６と、これらに接する絶
縁膜７３４と、が設けられる。
縁膜７３４と、が設けられる。
【0231】
〔液晶素子を用いる表示装置の構成例〕
図１０に示す表示装置７００は、液晶素子７７５を有する。液晶素子７７５は、導電膜
７７２、導電膜７７４、及びこれらの間に液晶層７７６を有する。導電膜７７４は、第２
の基板７０５側に設けられ、共通電極としての機能を有する。また、導電膜７７２は、ト
ランジスタ７５０が有するソース電極またはドレイン電極と電気的に接続される。導電膜
７７２は、平坦化絶縁膜７７０上に形成され、画素電極として機能する。
図１０に示す表示装置７００は、液晶素子７７５を有する。液晶素子７７５は、導電膜
７７２、導電膜７７４、及びこれらの間に液晶層７７６を有する。導電膜７７４は、第２
の基板７０５側に設けられ、共通電極としての機能を有する。また、導電膜７７２は、ト
ランジスタ７５０が有するソース電極またはドレイン電極と電気的に接続される。導電膜
７７２は、平坦化絶縁膜７７０上に形成され、画素電極として機能する。
【0232】
導電膜７７２には、可視光に対して透光性の材料、または可視光に対して反射性の材料
を用いることができる。透光性の材料としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ等を含む酸化
物材料を用いるとよい。反射性の材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ等を含む材料を用い
るとよい。
を用いることができる。透光性の材料としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ等を含む酸化
物材料を用いるとよい。反射性の材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ等を含む材料を用い
るとよい。
【0233】
導電膜７７２に反射性の材料を用いると、表示装置７００は反射型の液晶表示装置とな
る。一方、導電膜７７２に透光性の材料を用いると、透過型の液晶表示装置となる。反射
型の液晶表示装置の場合、視認側に偏光板を設ける。一方、透過型の液晶表示装置の場合
、液晶素子を挟むように一対の偏光板を設ける。
る。一方、導電膜７７２に透光性の材料を用いると、透過型の液晶表示装置となる。反射
型の液晶表示装置の場合、視認側に偏光板を設ける。一方、透過型の液晶表示装置の場合
、液晶素子を挟むように一対の偏光板を設ける。
【0234】
図１１に示す表示装置７００は、横電界方式（例えば、ＦＦＳモード）の液晶素子７７
５を用いる例を示す。導電膜７７２上に絶縁膜７７３を介して、共通電極として機能する
導電膜７７４が設けられる。導電膜７７２と導電膜７７４との間に生じる電界によって、
液晶層７７６の配向状態を制御することができる。
５を用いる例を示す。導電膜７７２上に絶縁膜７７３を介して、共通電極として機能する
導電膜７７４が設けられる。導電膜７７２と導電膜７７４との間に生じる電界によって、
液晶層７７６の配向状態を制御することができる。
【0235】
また、図１０及び図１１において図示しないが、液晶層７７６と接する配向膜を設ける
構成としてもよい。また、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材（光学基
板）、及びバックライト、サイドライトなどの光源を適宜設けることができる。
構成としてもよい。また、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材（光学基
板）、及びバックライト、サイドライトなどの光源を適宜設けることができる。
【0236】
液晶層７７６には、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液
晶、高分子ネットワーク型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる
。また、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよ
い。
晶、高分子ネットワーク型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる
。また、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよ
い。
【0237】
また、液晶素子のモードとしては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、
ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）
モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ－
ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉ
ｎｇｅｎｃｅ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂ
ｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ゲストホストモードなどを用いることができる。
ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）
モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ－
ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉ
ｎｇｅｎｃｅ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂ
ｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ゲストホストモードなどを用いることができる。
【0238】
〔発光素子を用いる表示装置〕
図１２に示す表示装置７００は、発光素子７８２を有する。発光素子７８２は、導電膜
７７２、ＥＬ層７８６、及び導電膜７８８を有する。ＥＬ層７８６は、有機化合物、また
は量子ドットなどの無機化合物を有する。
図１２に示す表示装置７００は、発光素子７８２を有する。発光素子７８２は、導電膜
７７２、ＥＬ層７８６、及び導電膜７８８を有する。ＥＬ層７８６は、有機化合物、また
は量子ドットなどの無機化合物を有する。
【0239】
有機化合物に用いることのできる材料としては、蛍光性材料または燐光性材料などが挙
げられる。また、量子ドットに用いることのできる材料としては、コロイド状量子ドット
材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料、
などが挙げられる。
げられる。また、量子ドットに用いることのできる材料としては、コロイド状量子ドット
材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料、
などが挙げられる。
【0240】
図１２に示す表示装置７００には、平坦化絶縁膜７７０上に導電膜７７２の一部を覆う
絶縁膜７３０が設けられる。ここで、発光素子７８２は透光性の導電膜７８８を有する、
トップエミッション型の発光素子である。なお、発光素子７８２は、導電膜７７２側に光
を射出するボトムエミッション構造や、導電膜７７２側及び導電膜７８８側の双方に光を
射出するデュアルエミッション構造としてもよい。
絶縁膜７３０が設けられる。ここで、発光素子７８２は透光性の導電膜７８８を有する、
トップエミッション型の発光素子である。なお、発光素子７８２は、導電膜７７２側に光
を射出するボトムエミッション構造や、導電膜７７２側及び導電膜７８８側の双方に光を
射出するデュアルエミッション構造としてもよい。
【0241】
また、着色膜７３６は発光素子７８２と重なる位置に設けられ、遮光膜７３８は絶縁膜
７３０と重なる位置、引き回し配線部７１１、及びソースドライバ回路部７０４に設けら
れている。また、着色膜７３６及び遮光膜７３８は、絶縁膜７３４で覆われている。また
、発光素子７８２と絶縁膜７３４の間は封止膜７３２で充填されている。なお、ＥＬ層７
８６を画素毎に島状または画素列毎に縞状に形成する、すなわち塗り分けにより形成する
場合においては、着色膜７３６を設けない構成としてもよい。
７３０と重なる位置、引き回し配線部７１１、及びソースドライバ回路部７０４に設けら
れている。また、着色膜７３６及び遮光膜７３８は、絶縁膜７３４で覆われている。また
、発光素子７８２と絶縁膜７３４の間は封止膜７３２で充填されている。なお、ＥＬ層７
８６を画素毎に島状または画素列毎に縞状に形成する、すなわち塗り分けにより形成する
場合においては、着色膜７３６を設けない構成としてもよい。
【0242】
【0243】
例えばセンサの方式としては、静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方
式、光学方式、感圧方式など様々な方式を用いることができる。または、これら２つ以上
を組み合わせて用いてもよい。
式、光学方式、感圧方式など様々な方式を用いることができる。または、これら２つ以上
を組み合わせて用いてもよい。
【0244】
なお、タッチパネルの構成は、入力装置を一対の基板の内側に形成する、所謂インセル
型のタッチパネル、入力装置を表示装置７００上に形成する、所謂オンセル型のタッチパ
ネル、または表示装置７００に貼り合わせて用いる、所謂アウトセル型のタッチパネルな
どがある。
型のタッチパネル、入力装置を表示装置７００上に形成する、所謂オンセル型のタッチパ
ネル、または表示装置７００に貼り合わせて用いる、所謂アウトセル型のタッチパネルな
どがある。
【0245】
本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部
を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせて実施することができる。
を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせて実施することができる。
【0246】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
【0247】
【0248】
【0249】
画素部５０２や駆動回路部５０４が有するトランジスタに、本発明の一態様のトランジ
スタを適用することができる。また保護回路５０６にも、本発明の一態様のトランジスタ
を適用してもよい。
スタを適用することができる。また保護回路５０６にも、本発明の一態様のトランジスタ
を適用してもよい。
【0250】
画素部５０２は、Ｘ行Ｙ列（Ｘ、Ｙはそれぞれ独立に２以上の自然数）に配置された複
数の表示素子を駆動する複数の画素回路５０１を有する。
数の表示素子を駆動する複数の画素回路５０１を有する。
【0251】
駆動回路部５０４は、ゲート線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘに走査信号を出力するゲートドラ
イバ５０４ａ、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙにデータ信号を供給するソースドライバ５
０４ｂなどの駆動回路を有する。ゲートドライバ５０４ａは、少なくともシフトレジスタ
を有する構成とすればよい。またソースドライバ５０４ｂは、例えば複数のアナログスイ
ッチなどを用いて構成される。また、シフトレジスタなどを用いてソースドライバ５０４
ｂを構成してもよい。
イバ５０４ａ、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙにデータ信号を供給するソースドライバ５
０４ｂなどの駆動回路を有する。ゲートドライバ５０４ａは、少なくともシフトレジスタ
を有する構成とすればよい。またソースドライバ５０４ｂは、例えば複数のアナログスイ
ッチなどを用いて構成される。また、シフトレジスタなどを用いてソースドライバ５０４
ｂを構成してもよい。
【0252】
端子部５０７は、外部の回路から表示装置に電源、制御信号、及び画像信号等を入力す
るための端子が設けられた部分をいう。
るための端子が設けられた部分をいう。
【0253】
保護回路５０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該
配線と別の配線とを導通状態にする回路である。図１３（Ａ）に示す保護回路５０６は、
例えば、ゲートドライバ５０４ａと画素回路５０１の間の配線である走査線ＧＬ、または
ソースドライバ５０４ｂと画素回路５０１の間の配線であるデータ線ＤＬ等の各種配線に
接続される。
配線と別の配線とを導通状態にする回路である。図１３（Ａ）に示す保護回路５０６は、
例えば、ゲートドライバ５０４ａと画素回路５０１の間の配線である走査線ＧＬ、または
ソースドライバ５０４ｂと画素回路５０１の間の配線であるデータ線ＤＬ等の各種配線に
接続される。
【0254】
また、ゲートドライバ５０４ａとソースドライバ５０４ｂは、それぞれ画素部５０２と
同じ基板上に設けられていてもよいし、ゲートドライバ回路またはソースドライバ回路が
別途形成された基板（例えば、単結晶半導体膜または多結晶半導体膜で形成された駆動回
路基板）をＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって
基板に実装する構成としてもよい。
同じ基板上に設けられていてもよいし、ゲートドライバ回路またはソースドライバ回路が
別途形成された基板（例えば、単結晶半導体膜または多結晶半導体膜で形成された駆動回
路基板）をＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって
基板に実装する構成としてもよい。
【0255】
【0256】
図１３（Ｂ）に示す画素回路５０１は、液晶素子５７０と、トランジスタ５５０と、容
量素子５６０と、を有する。また画素回路５０１には、データ線ＤＬ＿ｎ、走査線ＧＬ＿
ｍ、電位供給線ＶＬ等が接続されている。
量素子５６０と、を有する。また画素回路５０１には、データ線ＤＬ＿ｎ、走査線ＧＬ＿
ｍ、電位供給線ＶＬ等が接続されている。
【0257】
液晶素子５７０の一対の電極の一方の電位は、画素回路５０１の仕様に応じて適宜設定
される。液晶素子５７０は、書き込まれるデータにより配向状態が設定される。なお、複
数の画素回路５０１のそれぞれが有する液晶素子５７０の一対の電極の一方に共通の電位
（コモン電位）を与えてもよい。また、各行の画素回路５０１の液晶素子５７０の一対の
電極の一方に異なる電位を与えてもよい。
される。液晶素子５７０は、書き込まれるデータにより配向状態が設定される。なお、複
数の画素回路５０１のそれぞれが有する液晶素子５７０の一対の電極の一方に共通の電位
（コモン電位）を与えてもよい。また、各行の画素回路５０１の液晶素子５７０の一対の
電極の一方に異なる電位を与えてもよい。
【0258】
また、図１３（Ｃ）に示す画素回路５０１は、トランジスタ５５２、５５４と、容量素
子５６２と、発光素子５７２と、を有する。また画素回路５０１には、データ線ＤＬ＿ｎ
、走査線ＧＬ＿ｍ、電位供給線ＶＬ＿ａ、電源供給線ＶＬ＿ｂ等が接続されている。
子５６２と、発光素子５７２と、を有する。また画素回路５０１には、データ線ＤＬ＿ｎ
、走査線ＧＬ＿ｍ、電位供給線ＶＬ＿ａ、電源供給線ＶＬ＿ｂ等が接続されている。
【0259】
なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与
えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。トランジスタ５５４のゲートに与え
られる電位に応じて、発光素子５７２に流れる電流が制御されることにより、発光素子５
７２からの発光輝度が制御される。
えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。トランジスタ５５４のゲートに与え
られる電位に応じて、発光素子５７２に流れる電流が制御されることにより、発光素子５
７２からの発光輝度が制御される。
【0260】
本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部
を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせて実施することができる。
を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせて実施することができる。
【0261】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
【0262】
（実施の形態４）
以下では、画素に表示される階調を補正するためのメモリを備える画素回路と、これを
有する表示装置について説明する。実施の形態１で例示したトランジスタは、以下で例示
する画素回路に用いられるトランジスタに適用することができる。
以下では、画素に表示される階調を補正するためのメモリを備える画素回路と、これを
有する表示装置について説明する。実施の形態１で例示したトランジスタは、以下で例示
する画素回路に用いられるトランジスタに適用することができる。
【0263】
［回路構成］
図１４（Ａ）に、画素回路４００の回路図を示す。画素回路４００は、トランジスタＭ
１、トランジスタＭ２、容量Ｃ１、及び回路４０１を有する。また画素回路４００には、
配線Ｓ１、配線Ｓ２、配線Ｇ１、及び配線Ｇ２が接続される。
図１４（Ａ）に、画素回路４００の回路図を示す。画素回路４００は、トランジスタＭ
１、トランジスタＭ２、容量Ｃ１、及び回路４０１を有する。また画素回路４００には、
配線Ｓ１、配線Ｓ２、配線Ｇ１、及び配線Ｇ２が接続される。
【0264】
トランジスタＭ１は、ゲートが配線Ｇ１と、ソース及びドレインの一方が配線Ｓ１と、
他方が容量Ｃ１の一方の電極と、それぞれ接続する。トランジスタＭ２は、ゲートが配線
Ｇ２と、ソース及びドレインの一方が配線Ｓ２と、他方が容量Ｃ１の他方の電極、及び回
路４０１と、それぞれ接続する。
他方が容量Ｃ１の一方の電極と、それぞれ接続する。トランジスタＭ２は、ゲートが配線
Ｇ２と、ソース及びドレインの一方が配線Ｓ２と、他方が容量Ｃ１の他方の電極、及び回
路４０１と、それぞれ接続する。
【0265】
回路４０１は、少なくとも一の表示素子を含む回路である。表示素子としては様々な素
子を用いることができるが、代表的には有機ＥＬ素子やＬＥＤ素子などの発光素子、液晶
素子、またはＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔ
ｅｍｓ）素子等を適用することができる。
子を用いることができるが、代表的には有機ＥＬ素子やＬＥＤ素子などの発光素子、液晶
素子、またはＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔ
ｅｍｓ）素子等を適用することができる。
【0266】
トランジスタＭ１と容量Ｃ１とを接続するノードをＮ１、トランジスタＭ２と回路４０
１とを接続するノードをＮ２とする。
１とを接続するノードをＮ２とする。
【0267】
画素回路４００は、トランジスタＭ１をオフ状態とすることで、ノードＮ１の電位を保
持することができる。また、トランジスタＭ２をオフ状態とすることで、ノードＮ２の電
位を保持することができる。また、トランジスタＭ２をオフ状態とした状態で、トランジ
スタＭ１を介してノードＮ１に所定の電位を書き込むことで、容量Ｃ１を介した容量結合
により、ノードＮ１の電位の変位に応じてノードＮ２の電位を変化させることができる。
持することができる。また、トランジスタＭ２をオフ状態とすることで、ノードＮ２の電
位を保持することができる。また、トランジスタＭ２をオフ状態とした状態で、トランジ
スタＭ１を介してノードＮ１に所定の電位を書き込むことで、容量Ｃ１を介した容量結合
により、ノードＮ１の電位の変位に応じてノードＮ２の電位を変化させることができる。
【0268】
ここで、トランジスタＭ１、トランジスタＭ２のうちの一方または両方に、実施の形態
１で例示した、酸化物半導体が適用されたトランジスタを適用することができる。そのた
め極めて低いオフ電流により、ノードＮ１及びノードＮ２の電位を長期間に亘って保持す
ることができる。なお、各ノードの電位を保持する期間が短い場合（具体的には、フレー
ム周波数が３０Ｈｚ以上である場合等）には、シリコン等の半導体を適用したトランジス
タを用いてもよい。
１で例示した、酸化物半導体が適用されたトランジスタを適用することができる。そのた
め極めて低いオフ電流により、ノードＮ１及びノードＮ２の電位を長期間に亘って保持す
ることができる。なお、各ノードの電位を保持する期間が短い場合（具体的には、フレー
ム周波数が３０Ｈｚ以上である場合等）には、シリコン等の半導体を適用したトランジス
タを用いてもよい。
【0269】
［駆動方法例］
続いて、図１４（Ｂ）を用いて、画素回路４００の動作方法の一例を説明する。図１４
（Ｂ）は、画素回路４００の動作に係るタイミングチャートである。なおここでは説明を
容易にするため、配線抵抗などの各種抵抗や、トランジスタや配線などの寄生容量、及び
トランジスタのしきい値電圧などの影響は考慮しない。
続いて、図１４（Ｂ）を用いて、画素回路４００の動作方法の一例を説明する。図１４
（Ｂ）は、画素回路４００の動作に係るタイミングチャートである。なおここでは説明を
容易にするため、配線抵抗などの各種抵抗や、トランジスタや配線などの寄生容量、及び
トランジスタのしきい値電圧などの影響は考慮しない。
【0270】
【0271】
〔期間Ｔ１〕
期間Ｔ１では、配線Ｇ１と配線Ｇ２の両方に、トランジスタをオン状態にする電位を与
える。また、配線Ｓ１には固定電位である電位Ｖｒｅｆを供給し、配線Ｓ２には第１デー
タ電位Ｖｗを供給する。
期間Ｔ１では、配線Ｇ１と配線Ｇ２の両方に、トランジスタをオン状態にする電位を与
える。また、配線Ｓ１には固定電位である電位Ｖｒｅｆを供給し、配線Ｓ２には第１デー
タ電位Ｖｗを供給する。
【0272】
ノードＮ１には、トランジスタＭ１を介して配線Ｓ１から電位Ｖｒｅｆが与えられる。
また、ノードＮ２には、トランジスタＭ２を介して第１データ電位Ｖｗが与えられる。し
たがって、容量Ｃ１には電位差Ｖｗ－Ｖｒｅｆが保持された状態となる。
また、ノードＮ２には、トランジスタＭ２を介して第１データ電位Ｖｗが与えられる。し
たがって、容量Ｃ１には電位差Ｖｗ－Ｖｒｅｆが保持された状態となる。
【0273】
〔期間Ｔ２〕
続いて期間Ｔ２では、配線Ｇ１にはトランジスタＭ１をオン状態とする電位を与え、配
線Ｇ２にはトランジスタＭ２をオフ状態とする電位を与える。また、配線Ｓ１には第２デ
ータ電位Ｖｄａｔａを供給する。配線Ｓ２には所定の定電位を与える、またはフローティ
ング状態としてもよい。
続いて期間Ｔ２では、配線Ｇ１にはトランジスタＭ１をオン状態とする電位を与え、配
線Ｇ２にはトランジスタＭ２をオフ状態とする電位を与える。また、配線Ｓ１には第２デ
ータ電位Ｖｄａｔａを供給する。配線Ｓ２には所定の定電位を与える、またはフローティ
ング状態としてもよい。
【0274】
ノードＮ１には、トランジスタＭ１を介して第２データ電位Ｖｄａｔａが与えられる。
このとき、容量Ｃ１による容量結合により、第２データ電位Ｖｄａｔａに応じてノードＮ
２の電位が電位ｄＶだけ変化する。すなわち、回路４０１には、第１データ電位Ｖｗと電
位ｄＶを足した電位が入力されることとなる。なお、図１４（Ｂ）ではｄＶが正の値であ
るように示しているが、負の値であってもよい。すなわち、電位Ｖｄａｔａが電位Ｖｒｅ
ｆより低くてもよい。
このとき、容量Ｃ１による容量結合により、第２データ電位Ｖｄａｔａに応じてノードＮ
２の電位が電位ｄＶだけ変化する。すなわち、回路４０１には、第１データ電位Ｖｗと電
位ｄＶを足した電位が入力されることとなる。なお、図１４（Ｂ）ではｄＶが正の値であ
るように示しているが、負の値であってもよい。すなわち、電位Ｖｄａｔａが電位Ｖｒｅ
ｆより低くてもよい。
【0275】
ここで、電位ｄＶは、容量Ｃ１の容量値と、回路４０１の容量値によって概ね決定され
る。容量Ｃ１の容量値が回路４０１の容量値よりも十分に大きい場合、電位ｄＶは第２デ
ータ電位Ｖｄａｔａに近い電位となる。
る。容量Ｃ１の容量値が回路４０１の容量値よりも十分に大きい場合、電位ｄＶは第２デ
ータ電位Ｖｄａｔａに近い電位となる。
【0276】
このように、画素回路４００は、２種類のデータ信号を組み合わせて表示素子を含む回
路４０１に供給する電位を生成することができるため、画素回路４００内で階調の補正を
行うことが可能となる。
路４０１に供給する電位を生成することができるため、画素回路４００内で階調の補正を
行うことが可能となる。
【0277】
また画素回路４００は、配線Ｓ１及び配線Ｓ２に供給可能な最大電位を超える電位を生
成することも可能となる。例えば発光素子を用いた場合では、ハイダイナミックレンジ（
ＨＤＲ）表示等を行うことができる。また、液晶素子を用いた場合では、オーバードライ
ブ駆動等を実現できる。
成することも可能となる。例えば発光素子を用いた場合では、ハイダイナミックレンジ（
ＨＤＲ）表示等を行うことができる。また、液晶素子を用いた場合では、オーバードライ
ブ駆動等を実現できる。
【0278】
【0279】
液晶素子ＬＣは、一方の電極がノードＮ２及び容量Ｃ２の一方の電極と、他方の電極が
電位Ｖｃｏｍ２が与えられる配線と接続する。容量Ｃ２は、他方の電極が電位Ｖｃｏｍ１
が与えられる配線と接続する。
電位Ｖｃｏｍ２が与えられる配線と接続する。容量Ｃ２は、他方の電極が電位Ｖｃｏｍ１
が与えられる配線と接続する。
【0280】
容量Ｃ２は保持容量として機能する。なお、容量Ｃ２は不要であれば省略することがで
きる。
きる。
【0281】
画素回路４００ＬＣは、液晶素子ＬＣに高い電圧を供給することができるため、例えば
オーバードライブ駆動により高速な表示を実現すること、駆動電圧の高い液晶材料を適用
することなどができる。また、配線Ｓ１または配線Ｓ２に補正信号を供給することで、使
用温度や液晶素子ＬＣの劣化状態等に応じて階調を補正することもできる。
オーバードライブ駆動により高速な表示を実現すること、駆動電圧の高い液晶材料を適用
することなどができる。また、配線Ｓ１または配線Ｓ２に補正信号を供給することで、使
用温度や液晶素子ＬＣの劣化状態等に応じて階調を補正することもできる。
【0282】
【0283】
トランジスタＭ３は、ゲートがノードＮ２及び容量Ｃ２の一方の電極と、ソース及びド
レインの一方が電位ＶＨが与えられる配線と、他方が発光素子ＥＬの一方の電極と、それ
ぞれ接続される。容量Ｃ２は、他方の電極が電位Ｖｃｏｍが与えられる配線と接続する。
発光素子ＥＬは、他方の電極が電位ＶＬが与えられる配線と接続する。
レインの一方が電位ＶＨが与えられる配線と、他方が発光素子ＥＬの一方の電極と、それ
ぞれ接続される。容量Ｃ２は、他方の電極が電位Ｖｃｏｍが与えられる配線と接続する。
発光素子ＥＬは、他方の電極が電位ＶＬが与えられる配線と接続する。
【0284】
トランジスタＭ３は、発光素子ＥＬに供給する電流を制御する機能を有する。容量Ｃ２
は保持容量として機能する。容量Ｃ２は不要であれば省略することができる。
は保持容量として機能する。容量Ｃ２は不要であれば省略することができる。
【0285】
なお、ここでは発光素子ＥＬのアノード側がトランジスタＭ３と接続する構成を示して
いるが、カソード側にトランジスタＭ３を接続してもよい。そのとき、電位ＶＨと電位Ｖ
Ｌの値を適宜変更することができる。
いるが、カソード側にトランジスタＭ３を接続してもよい。そのとき、電位ＶＨと電位Ｖ
Ｌの値を適宜変更することができる。
【0286】
画素回路４００ＥＬは、トランジスタＭ３のゲートに高い電位を与えることで、発光素
子ＥＬに大きな電流を流すことができるため、例えばＨＤＲ表示などを実現することがで
きる。また、また、配線Ｓ１または配線Ｓ２に補正信号を供給することで、トランジスタ
Ｍ３や発光素子ＥＬの電気特性のばらつきの補正を行うこともできる。
子ＥＬに大きな電流を流すことができるため、例えばＨＤＲ表示などを実現することがで
きる。また、また、配線Ｓ１または配線Ｓ２に補正信号を供給することで、トランジスタ
Ｍ３や発光素子ＥＬの電気特性のばらつきの補正を行うこともできる。
【0287】
なお、図１４（Ｃ）、（Ｄ）で例示した回路に限られず、別途トランジスタや容量など
を追加した構成としてもよい。
を追加した構成としてもよい。
【0288】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
【0289】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュールにつ
いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュールにつ
いて説明する。
【0290】
図１５（Ａ）に示す表示モジュール６０００は、上部カバー６００１と下部カバー６０
０２との間に、ＦＰＣ６００５が接続された表示装置６００６、フレーム６００９、プリ
ント基板６０１０、及びバッテリー６０１１を有する。
０２との間に、ＦＰＣ６００５が接続された表示装置６００６、フレーム６００９、プリ
ント基板６０１０、及びバッテリー６０１１を有する。
【0291】
例えば、本発明の一態様を用いて作製された表示装置を、表示装置６００６に用いるこ
とができる。表示装置６００６により、極めて消費電力の低い表示モジュールを実現する
ことができる。
とができる。表示装置６００６により、極めて消費電力の低い表示モジュールを実現する
ことができる。
【0292】
上部カバー６００１及び下部カバー６００２は、表示装置６００６のサイズに合わせて
、形状や寸法を適宜変更することができる。
、形状や寸法を適宜変更することができる。
【0293】
表示装置６００６はタッチパネルとしての機能を有していてもよい。
【0294】
フレーム６００９は、表示装置６００６の保護機能、プリント基板６０１０の動作によ
り発生する電磁波を遮断する機能、放熱板としての機能等を有していてもよい。
り発生する電磁波を遮断する機能、放熱板としての機能等を有していてもよい。
【0295】
プリント基板６０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路、バッテリー制御回路等を有する。
号処理回路、バッテリー制御回路等を有する。
【0296】
図１５（Ｂ）は、光学式のタッチセンサを備える表示モジュール６０００の断面概略図
である。
である。
【0297】
表示モジュール６０００は、プリント基板６０１０に設けられた発光部６０１５及び受
光部６０１６を有する。また、上部カバー６００１と下部カバー６００２により囲まれた
領域に一対の導光部（導光部６０１７ａ、導光部６０１７ｂ）を有する。
光部６０１６を有する。また、上部カバー６００１と下部カバー６００２により囲まれた
領域に一対の導光部（導光部６０１７ａ、導光部６０１７ｂ）を有する。
【0298】
表示装置６００６は、フレーム６００９を間に介してプリント基板６０１０やバッテリ
ー６０１１と重ねて設けられている。表示装置６００６とフレーム６００９は、導光部６
０１７ａ、導光部６０１７ｂに固定されている。
ー６０１１と重ねて設けられている。表示装置６００６とフレーム６００９は、導光部６
０１７ａ、導光部６０１７ｂに固定されている。
【0299】
発光部６０１５から発せられた光６０１８は、導光部６０１７ａにより表示装置６００
６の上部を経由し、導光部６０１７ｂを通って受光部６０１６に達する。例えば指やスタ
イラスなどの被検知体により、光６０１８が遮られることにより、タッチ操作を検出する
ことができる。
６の上部を経由し、導光部６０１７ｂを通って受光部６０１６に達する。例えば指やスタ
イラスなどの被検知体により、光６０１８が遮られることにより、タッチ操作を検出する
ことができる。
【0300】
発光部６０１５は、例えば表示装置６００６の隣接する２辺に沿って複数設けられる。
受光部６０１６は、発光部６０１５と対向する位置に複数設けられる。これにより、タッ
チ操作がなされた位置の情報を取得することができる。
受光部６０１６は、発光部６０１５と対向する位置に複数設けられる。これにより、タッ
チ操作がなされた位置の情報を取得することができる。
【0301】
発光部６０１５は、例えばＬＥＤ素子などの光源を用いることができ、特に、赤外線を
発する光源を用いることが好ましい。受光部６０１６は、発光部６０１５が発する光を受
光し、電気信号に変換する光電素子を用いることができる。好適には、赤外線を受光可能
なフォトダイオードを用いることができる。
発する光源を用いることが好ましい。受光部６０１６は、発光部６０１５が発する光を受
光し、電気信号に変換する光電素子を用いることができる。好適には、赤外線を受光可能
なフォトダイオードを用いることができる。
【0302】
光６０１８を透過する導光部６０１７ａ、導光部６０１７ｂにより、発光部６０１５と
受光部６０１６とを表示装置６００６の下側に配置することができ、外光が受光部６０１
６に到達してタッチセンサが誤動作することを抑制できる。特に、可視光を吸収し、赤外
線を透過する樹脂を用いると、タッチセンサの誤動作をより効果的に抑制できる。
受光部６０１６とを表示装置６００６の下側に配置することができ、外光が受光部６０１
６に到達してタッチセンサが誤動作することを抑制できる。特に、可視光を吸収し、赤外
線を透過する樹脂を用いると、タッチセンサの誤動作をより効果的に抑制できる。
【0303】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
【0304】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製された表示装置を備える電子機器につ
いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製された表示装置を備える電子機器につ
いて説明する。
【0305】
以下で例示する電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を備えるものである。
したがって、高い解像度が実現された電子機器である。また高い解像度と、大きな画面が
両立された電子機器とすることができる。
したがって、高い解像度が実現された電子機器である。また高い解像度と、大きな画面が
両立された電子機器とすることができる。
【0306】
本発明の一態様の電子機器の表示部には、例えばフルハイビジョン、４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４
Ｋ、１６Ｋ８Ｋ、またはそれ以上の解像度を有する映像を表示させることができる。
Ｋ、１６Ｋ８Ｋ、またはそれ以上の解像度を有する映像を表示させることができる。
【0307】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、ノート型のパーソナルコンピュータ、
モニタ装置、デジタルサイネージ、パチンコ機、ゲーム機などの比較的大きな画面を備え
る電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携
帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。
モニタ装置、デジタルサイネージ、パチンコ機、ゲーム機などの比較的大きな画面を備え
る電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携
帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。
【0308】
本発明の一態様が適用された電子機器は、家屋やビルの内壁または外壁、自動車等の内
装または外装等が有する平面または曲面に沿って組み込むことができる。
装または外装等が有する平面または曲面に沿って組み込むことができる。
【0309】
図１６（Ａ）は、ファインダー８１００を取り付けた状態のカメラ８０００の外観を示
す図である。
す図である。
【0310】
カメラ８０００は、筐体８００１、表示部８００２、操作ボタン８００３、シャッター
ボタン８００４等を有する。またカメラ８０００には、着脱可能なレンズ８００６が取り
付けられている。
ボタン８００４等を有する。またカメラ８０００には、着脱可能なレンズ８００６が取り
付けられている。
【0311】
なおカメラ８０００は、レンズ８００６と筐体とが一体となっていてもよい。
【0312】
カメラ８０００は、シャッターボタン８００４を押す、またはタッチパネルとして機能
する表示部８００２をタッチすることにより撮像することができる。
する表示部８００２をタッチすることにより撮像することができる。
【0313】
筐体８００１は、電極を有するマウントを有し、ファインダー８１００のほか、ストロ
ボ装置等を接続することができる。
ボ装置等を接続することができる。
【0314】
ファインダー８１００は、筐体８１０１、表示部８１０２、ボタン８１０３等を有する
。
。
【0315】
筐体８１０１は、カメラ８０００のマウントと係合するマウントにより、カメラ８００
０に取り付けられている。ファインダー８１００はカメラ８０００から受信した映像等を
表示部８１０２に表示させることができる。
０に取り付けられている。ファインダー８１００はカメラ８０００から受信した映像等を
表示部８１０２に表示させることができる。
【0316】
ボタン８１０３は、電源ボタン等としての機能を有する。
【0317】
カメラ８０００の表示部８００２、及びファインダー８１００の表示部８１０２に、本
発明の一態様の表示装置を適用することができる。なお、ファインダーが内蔵されたカメ
ラ８０００であってもよい。
発明の一態様の表示装置を適用することができる。なお、ファインダーが内蔵されたカメ
ラ８０００であってもよい。
【0318】
図１６（Ｂ）は、ヘッドマウントディスプレイ８２００の外観を示す図である。
【0319】
ヘッドマウントディスプレイ８２００は、装着部８２０１、レンズ８２０２、本体８２
０３、表示部８２０４、ケーブル８２０５等を有している。また装着部８２０１には、バ
ッテリー８２０６が内蔵されている。
０３、表示部８２０４、ケーブル８２０５等を有している。また装着部８２０１には、バ
ッテリー８２０６が内蔵されている。
【0320】
ケーブル８２０５は、バッテリー８２０６から本体８２０３に電力を供給する。本体８
２０３は無線受信機等を備え、受信した映像情報を表示部８２０４に表示させることがで
きる。また、本体８２０３はカメラを備え、使用者の眼球やまぶたの動きの情報を入力手
段として用いることができる。
２０３は無線受信機等を備え、受信した映像情報を表示部８２０４に表示させることがで
きる。また、本体８２０３はカメラを備え、使用者の眼球やまぶたの動きの情報を入力手
段として用いることができる。
【0321】
また、装着部８２０１には、使用者に触れる位置に、使用者の眼球の動きに伴って流れ
る電流を検知可能な複数の電極が設けられ、視線を認識する機能を有していてもよい。ま
た、当該電極に流れる電流により、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。
また、装着部８２０１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有
していてもよく、使用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能や、使用者の頭部の
動きに合わせて表示部８２０４に表示する映像を変化させる機能を有していてもよい。
る電流を検知可能な複数の電極が設けられ、視線を認識する機能を有していてもよい。ま
た、当該電極に流れる電流により、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。
また、装着部８２０１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有
していてもよく、使用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能や、使用者の頭部の
動きに合わせて表示部８２０４に表示する映像を変化させる機能を有していてもよい。
【0322】
表示部８２０４に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【0323】
図１６（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は、ヘッドマウントディスプレイ８３００の外観を示す図で
ある。ヘッドマウントディスプレイ８３００は、筐体８３０１と、表示部８３０２と、バ
ンド状の固定具８３０４と、一対のレンズ８３０５と、を有する。
ある。ヘッドマウントディスプレイ８３００は、筐体８３０１と、表示部８３０２と、バ
ンド状の固定具８３０４と、一対のレンズ８３０５と、を有する。
【0324】
使用者は、レンズ８３０５を通して、表示部８３０２の表示を視認することができる。
なお、表示部８３０２を湾曲して配置させると、使用者が高い臨場感を感じることができ
るため好ましい。また、表示部８３０２の異なる領域に表示された別の画像を、レンズ８
３０５を通して視認することで、視差を用いた３次元表示等を行うこともできる。なお、
表示部８３０２を１つ設ける構成に限られず、表示部８３０２を２つ設け、使用者の片方
の目につき１つの表示部を配置してもよい。
なお、表示部８３０２を湾曲して配置させると、使用者が高い臨場感を感じることができ
るため好ましい。また、表示部８３０２の異なる領域に表示された別の画像を、レンズ８
３０５を通して視認することで、視差を用いた３次元表示等を行うこともできる。なお、
表示部８３０２を１つ設ける構成に限られず、表示部８３０２を２つ設け、使用者の片方
の目につき１つの表示部を配置してもよい。
【0325】
なお、表示部８３０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。本発明
の一態様の半導体装置を有する表示装置は、極めて精細度が高いため、図１６（Ｅ）のよ
うにレンズ８３０５を用いて拡大したとしても、使用者に画素が視認されることなく、よ
り現実感の高い映像を表示することができる。
の一態様の半導体装置を有する表示装置は、極めて精細度が高いため、図１６（Ｅ）のよ
うにレンズ８３０５を用いて拡大したとしても、使用者に画素が視認されることなく、よ
り現実感の高い映像を表示することができる。
【0326】
図１７（Ａ）乃至図１７（Ｇ）に示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、ス
ピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端
子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、
光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、
流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォ
ン９００８、等を有する。
ピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端
子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、
光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、
流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォ
ン９００８、等を有する。
【0327】
図１７（Ａ）乃至図１７（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々
な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能
、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）
によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまた
はデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能は
これらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有し
ていてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画や動画を撮影し、記録媒体（外
部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有
していてもよい。
な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能
、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）
によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまた
はデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能は
これらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有し
ていてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画や動画を撮影し、記録媒体（外
部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有
していてもよい。
【0328】
【0329】
【0330】
図１７（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は
、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、ス
ピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報
端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。図１７（Ｂ）
では３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９
０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては
、電子メール、ＳＮＳメッセージ、電話などの着信の通知、電子メールやＳＮＳメッセー
ジなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリーの残量、アンテナ受信の強度な
どがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示
してもよい。
、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、ス
ピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報
端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。図１７（Ｂ）
では３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９
０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては
、電子メール、ＳＮＳメッセージ、電話などの着信の通知、電子メールやＳＮＳメッセー
ジなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリーの残量、アンテナ受信の強度な
どがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示
してもよい。
【0331】
図１７（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は
、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、
情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用
者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０
２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者
は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を
受けるか否かを判断できる。
、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、
情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用
者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０
２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者
は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を
受けるか否かを判断できる。
【0332】
図１７（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末
９２００は、例えばスマートウォッチとして用いることができる。また、表示部９００１
はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。ま
た、携帯情報端末９２００を、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信させること
によって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続
端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うことや、充電を行うことも
できる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。
９２００は、例えばスマートウォッチとして用いることができる。また、表示部９００１
はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。ま
た、携帯情報端末９２００を、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信させること
によって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続
端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うことや、充電を行うことも
できる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。
【0333】
図１７（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図であ
る。また、図１７（Ｅ）は携帯情報端末９２０１を展開した状態、図１７（Ｇ）は折り畳
んだ状態、図１７（Ｆ）は図１７（Ｅ）と図１７（Ｇ）の一方から他方に変化する途中の
状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開
した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２
０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００
に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲
げることができる。
る。また、図１７（Ｅ）は携帯情報端末９２０１を展開した状態、図１７（Ｇ）は折り畳
んだ状態、図１７（Ｆ）は図１７（Ｅ）と図１７（Ｇ）の一方から他方に変化する途中の
状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開
した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２
０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００
に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲
げることができる。
【0334】
【0335】
図１８（Ａ）に示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作ス
イッチや、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７５
００にタッチパネルを適用し、これに触れることでテレビジョン装置７１００を操作して
もよい。リモコン操作機７１１１は、操作ボタンの他に表示部を有していてもよい。
イッチや、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７５
００にタッチパネルを適用し、これに触れることでテレビジョン装置７１００を操作して
もよい。リモコン操作機７１１１は、操作ボタンの他に表示部を有していてもよい。
【0336】
なお、テレビジョン装置７１００は、テレビ放送の受信機や、ネットワーク接続のため
の通信装置を有していてもよい。
の通信装置を有していてもよい。
【0337】
図１８（Ｂ）に、ノート型パーソナルコンピュータ７２００を示す。ノート型パーソナ
ルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイ
ス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７５００が組
み込まれている。
ルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイ
ス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７５００が組
み込まれている。
【0338】
図１８（Ｃ）、（Ｄ）に、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｇｅ：電
子看板）の一例を示す。
子看板）の一例を示す。
【0339】
図１８（Ｃ）に示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７５００、
及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、ま
たは操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することがで
きる。
及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、ま
たは操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することがで
きる。
【0340】
【0341】
表示部７５００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができ、また人の目
につきやすいため、例えば広告の宣伝効果を高める効果を奏する。
につきやすいため、例えば広告の宣伝効果を高める効果を奏する。
【0342】
表示部７５００にタッチパネルを適用し、使用者が操作できる構成とすると好ましい。
これにより、広告用途だけでなく、路線情報や交通情報、商用施設の案内情報など、使用
者が求める情報を提供するための用途にも用いることができる。
これにより、広告用途だけでなく、路線情報や交通情報、商用施設の案内情報など、使用
者が求める情報を提供するための用途にも用いることができる。
【0343】
また、図１８（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタ
ルサイネージ７４００は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１と無
線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７５００に表示される広告
の情報を情報端末機７３１１の画面に表示させることや、情報端末機７３１１を操作する
ことで、表示部７５００の表示を切り替えることができる。
ルサイネージ７４００は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１と無
線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７５００に表示される広告
の情報を情報端末機７３１１の画面に表示させることや、情報端末機７３１１を操作する
ことで、表示部７５００の表示を切り替えることができる。
【0344】
また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機
７３１１を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これによ
り、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。
７３１１を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これによ
り、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。
【0345】
図１８（Ａ）乃至（Ｄ）における表示部７５００に、本発明の一態様の表示装置を適用
することができる。
することができる。
【0346】
本実施の形態の電子機器は表示部を有する構成としたが、表示部を有さない電子機器に
も本発明の一態様を適用することができる。
も本発明の一態様を適用することができる。
【0347】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
［実施例］
み合わせて実施することができる。
［実施例］
【0348】
本実施例では、本発明の一態様のトランジスタを作製し、その電気特性を評価した。
【0349】
【0350】
第１のゲート電極には、ガラス基板上にスパッタリング法により形成した厚さ約１００
ｎｍのタングステン膜を用いた。
ｎｍのタングステン膜を用いた。
【0351】
第１のゲート絶縁層としては、プラズマＣＶＤ法により形成した厚さ約４００ｎｍの窒
化シリコン膜と、厚さ約５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を用いた。また、当該酸化窒化シ
リコン膜は、後の第２のゲート電極と同じフォトマスクを用いて加工した。
化シリコン膜と、厚さ約５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を用いた。また、当該酸化窒化シ
リコン膜は、後の第２のゲート電極と同じフォトマスクを用いて加工した。
【0352】
半導体層は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法により成膜
した、厚さ約４０ｎｍの金属酸化物膜を用いた。
した、厚さ約４０ｎｍの金属酸化物膜を用いた。
【0353】
第２のゲート絶縁層は、プラズマＣＶＤ法により成膜した厚さ約１５０ｎｍの酸化窒化
シリコン膜を用いた。また、第２のゲート絶縁層及び第１のゲート絶縁層には、第１のゲ
ート電極に達する開口を形成した。
シリコン膜を用いた。また、第２のゲート絶縁層及び第１のゲート絶縁層には、第１のゲ
ート電極に達する開口を形成した。
【0354】
第２のゲート電極は、半導体層の形成に用いたものと同じＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物ター
ゲットを用いたスパッタリング法により成膜した金属酸化物膜を用いた。
ゲットを用いたスパッタリング法により成膜した金属酸化物膜を用いた。
【0355】
第２のゲート電極と、第２のゲート絶縁層とは、同じマスクを用いて加工し、半導体層
のソース領域及びドレイン領域となる部分を露出させた。また上記開口を介して、第２の
ゲート電極と第１のゲート電極とが電気的に接続する構成とした。
のソース領域及びドレイン領域となる部分を露出させた。また上記開口を介して、第２の
ゲート電極と第１のゲート電極とが電気的に接続する構成とした。
【0356】
保護絶縁層は、それぞれプラズマＣＶＤ法により形成した厚さ約１００ｎｍの水素を含
む窒化シリコン膜と、厚さ約３００ｎｍの酸化窒化シリコン膜とを積層したものを用いた
。また保護絶縁層には、半導体層に達する開口を形成した。
む窒化シリコン膜と、厚さ約３００ｎｍの酸化窒化シリコン膜とを積層したものを用いた
。また保護絶縁層には、半導体層に達する開口を形成した。
【0357】
ソース電極及びドレイン電極は、それぞれスパッタリング法により形成した厚さ約５０
ｎｍのチタン膜と、厚さ約４００ｎｍのアルミニウム膜と、厚さ約１００ｎｍのチタン膜
の積層構造を用いた。また、ソース電極及びドレイン電極上に保護膜としてアクリル膜を
形成した。
ｎｍのチタン膜と、厚さ約４００ｎｍのアルミニウム膜と、厚さ約１００ｎｍのチタン膜
の積層構造を用いた。また、ソース電極及びドレイン電極上に保護膜としてアクリル膜を
形成した。
【0358】
以上の工程により、ガラス基板上に形成したトランジスタを含む試料Ａを作製した。ま
た、上記ゲート絶縁層における酸化窒化シリコン膜を加工しない比較試料を同様に作製し
た。
た、上記ゲート絶縁層における酸化窒化シリコン膜を加工しない比較試料を同様に作製し
た。
【0359】
［トランジスタのＩｄ－Ｖｇ特性］
上記で作製した試料Ａと比較試料について、Ｉｄ－Ｖｇ特性を測定した。測定したトラ
ンジスタのサイズは、チャネル長を約３μｍ、チャネル幅を約３μｍである。また測定数
は２０とした。
上記で作製した試料Ａと比較試料について、Ｉｄ－Ｖｇ特性を測定した。測定したトラ
ンジスタのサイズは、チャネル長を約３μｍ、チャネル幅を約３μｍである。また測定数
は２０とした。
【0360】
トランジスタのＩｄ－Ｖｇ特性の測定条件としては、第１のゲート電極及び第２のゲー
ト電極に印加する電圧（以下、ゲート電圧（Ｖｇ）ともいう）を、－１５Ｖから＋２０Ｖ
まで０．２５Ｖのステップで印加した。また、ソース電極に印加する電圧（以下、ソース
電圧（Ｖｓ）ともいう）を０Ｖ（ｃｏｍｍ）とし、ドレイン電極に印加する電圧（以下、
ドレイン電圧（Ｖｄ）ともいう）を、０．１Ｖ及び１０Ｖとした。
ト電極に印加する電圧（以下、ゲート電圧（Ｖｇ）ともいう）を、－１５Ｖから＋２０Ｖ
まで０．２５Ｖのステップで印加した。また、ソース電極に印加する電圧（以下、ソース
電圧（Ｖｓ）ともいう）を０Ｖ（ｃｏｍｍ）とし、ドレイン電極に印加する電圧（以下、
ドレイン電圧（Ｖｄ）ともいう）を、０．１Ｖ及び１０Ｖとした。
【0361】
【0362】
【0363】
以上の結果から、半導体層の下側に設ける酸化物層を、チャネル形成領域に接し、且つ
ソース領域及びドレイン領域には接しないように加工することで、ソース領域及びドレイ
ン領域の高抵抗化が抑制され、高い電流－電圧特性を実現できることが確認できた。
ソース領域及びドレイン領域には接しないように加工することで、ソース領域及びドレイ
ン領域の高抵抗化が抑制され、高い電流－電圧特性を実現できることが確認できた。
【符号の説明】
【0364】
１００、１００Ａ、１００Ｂ：トランジスタ、１０２：基板、１０３、１０４、１０４ａ
、１１０、１１６、１１８：絶縁層、１０４ｆ、１１０ｆ：絶縁膜、１０６、１１２、１
２０ａ、１２０ｂ、１３１：導電層、１０８：半導体層、１０８ｎ：領域、１１４：金属
酸化物層、１１４ｆ：金属酸化物膜、１４１ａ、１４１ｂ、１４２：開口部
、１１０、１１６、１１８：絶縁層、１０４ｆ、１１０ｆ：絶縁膜、１０６、１１２、１
２０ａ、１２０ｂ、１３１：導電層、１０８：半導体層、１０８ｎ：領域、１１４：金属
酸化物層、１１４ｆ：金属酸化物膜、１４１ａ、１４１ｂ、１４２：開口部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
