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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023179105
(43)【公開日】2023-12-19
(54)【発明の名称】差動伝送用基板セット及びアッセンブリ
(51)【国際特許分類】
H05K 1/14 20060101AFI20231212BHJP
【ＦＩ】
H05K1/14 G
H05K1/14 H
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022092180
(22)【出願日】2022-06-07
(71)【出願人】
【識別番号】000231073
【氏名又は名称】日本航空電子工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【弁理士】
【氏名又は名称】家入 健
(74)【代理人】
【識別番号】100129953
【弁理士】
【氏名又は名称】岩瀬 康弘
(74)【代理人】
【識別番号】100154900
【弁理士】
【氏名又は名称】関 京悟
(72)【発明者】
【氏名】大西 健太
【テーマコード（参考）】
5E344
【Ｆターム（参考）】
5E344AA01
5E344AA12
5E344AA15
5E344AA22
5E344BB06
5E344BB13
5E344CC03
5E344CC13
5E344CC15
5E344CC23
5E344CD15
5E344CD18
5E344CD29
5E344DD02
5E344DD07
5E344DD09
5E344EE08
(57)【要約】
【課題】差動伝送用基板セットの伝送特性を改善する。
【解決手段】差動伝送用基板セット４は、コンプレッションコネクタ５が実装される実装基板７と、コンプレッションコネクタ５に接触させる接触基板６と、を組み合わせて成る。接触基板６において、第２導体層６ＣＬ２はグラウンド層であって貫通孔５５が形成されている。貫通孔５５は、貫通孔５５の内周縁５５Ａよりも内側に第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が共に位置するように形成されている。接触基板６において、貫通孔５５は、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑに対して重なるように形成されている。
【選択図】図１０
【解決手段】差動伝送用基板セット４は、コンプレッションコネクタ５が実装される実装基板７と、コンプレッションコネクタ５に接触させる接触基板６と、を組み合わせて成る。接触基板６において、第２導体層６ＣＬ２はグラウンド層であって貫通孔５５が形成されている。貫通孔５５は、貫通孔５５の内周縁５５Ａよりも内側に第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が共に位置するように形成されている。接触基板６において、貫通孔５５は、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑに対して重なるように形成されている。
【選択図】図１０
【特許請求の範囲】
【請求項1】
それぞれがハンダ付け部とバネ部を含んで一列に並んだ４つのコンプレッションコンタクトと、前記４つのコンプレッションコンタクトを保持するハウジングと、を備えたコンプレッションコネクタを介して相互に電気的に接続される２つの差動伝送用基板を組み合わせて成る差動伝送用基板セットであって、
前記２つの差動伝送用基板は、前記コンプレッションコネクタが実装される実装基板と、前記コンプレッションコネクタに接触させる接触基板と、を含み、
前記実装基板及び前記接触基板は何れも、複数の導体層と複数の絶縁体層を交互に積層した多層基板であり、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、第１導体層及び第２導体層をこの記載順に含み、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第１導体層は、前記４つのコンプレッションコンタクトに対応する４つの電極パッドを有し、
前記４つの電極パッドは、第１信号パッド、第２信号パッド、第１グラウンドパッド、第２グラウンドパッドを含み、
前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドは、第１の方向に沿ってこの記載順で並んでおり、
前記実装基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記ハンダ付け部がそれぞれハンダ付け可能となっており、
前記接触基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記バネ部がそれぞれ接触可能となっており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第２導体層はグラウンド層であって貫通孔が形成されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記貫通孔は、積層方向から見ると、前記貫通孔の内周縁よりも内側に前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドが共に位置するように形成されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、
前記第１グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第１グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第１信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第１信号パッドから遠い外側領域と、を含み、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、
前記第２グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第２グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第２信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第２信号パッドから遠い外側領域と、を含み、
前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記外側領域と前記第２グラウンドパッドの前記外側領域に対して重なるように形成されている、
差動伝送用基板セット。
前記２つの差動伝送用基板は、前記コンプレッションコネクタが実装される実装基板と、前記コンプレッションコネクタに接触させる接触基板と、を含み、
前記実装基板及び前記接触基板は何れも、複数の導体層と複数の絶縁体層を交互に積層した多層基板であり、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、第１導体層及び第２導体層をこの記載順に含み、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第１導体層は、前記４つのコンプレッションコンタクトに対応する４つの電極パッドを有し、
前記４つの電極パッドは、第１信号パッド、第２信号パッド、第１グラウンドパッド、第２グラウンドパッドを含み、
前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドは、第１の方向に沿ってこの記載順で並んでおり、
前記実装基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記ハンダ付け部がそれぞれハンダ付け可能となっており、
前記接触基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記バネ部がそれぞれ接触可能となっており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第２導体層はグラウンド層であって貫通孔が形成されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記貫通孔は、積層方向から見ると、前記貫通孔の内周縁よりも内側に前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドが共に位置するように形成されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、
前記第１グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第１グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第１信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第１信号パッドから遠い外側領域と、を含み、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、
前記第２グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第２グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第２信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第２信号パッドから遠い外側領域と、を含み、
前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記外側領域と前記第２グラウンドパッドの前記外側領域に対して重なるように形成されている、
差動伝送用基板セット。
【請求項2】
それぞれがハンダ付け部とバネ部を含んで一列に並んだ４つのコンプレッションコンタクトと、前記４つのコンプレッションコンタクトを保持するハウジングと、を備えたコンプレッションコネクタを介して相互に電気的に接続される２つの差動伝送用基板を組み合わせて成る差動伝送用基板セットであって、
前記２つの差動伝送用基板は、前記コンプレッションコネクタが実装される実装基板と、前記コンプレッションコネクタに接触させる接触基板と、を含み、
前記実装基板及び前記接触基板は何れも、複数の導体層と複数の絶縁体層を交互に積層した多層基板であり、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、第１導体層及び第２導体層をこの記載順に含み、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第１導体層は、前記４つのコンプレッションコンタクトに対応する４つの電極パッドを有し、
前記４つの電極パッドは、第１信号パッド、第２信号パッド、第１グラウンドパッド、第２グラウンドパッドを含み、
前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドは、第１の方向に沿ってこの記載順で並んでおり、
前記実装基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記ハンダ付け部がそれぞれハンダ付け可能となっており、
前記接触基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記バネ部がそれぞれ接触可能となっており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第２導体層はグラウンド層であって貫通孔が形成されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記貫通孔は、積層方向から見ると、前記貫通孔の内周縁よりも内側に前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドが共に位置するように形成されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、
前記第１グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第１グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第１信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第１信号パッドから遠い外側領域と、を含み、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、
前記第２グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第２グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第２信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第２信号パッドから遠い外側領域と、を含み、
前記実装基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記外側領域と前記第２グラウンドパッドの前記外側領域に対して重なるように形成されており、
前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記外側領域と重なっておらず、
前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記内側領域と接するか、又は、前記第１グラウンドパッドの前記内側領域と重なるように形成されており、
前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第２グラウンドパッドの前記外側領域と重なっておらず、
前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第２グラウンドパッドの前記内側領域と接するか、又は、前記第２グラウンドパッドの前記内側領域と重なるように形成されている、
差動伝送用基板セット。
前記２つの差動伝送用基板は、前記コンプレッションコネクタが実装される実装基板と、前記コンプレッションコネクタに接触させる接触基板と、を含み、
前記実装基板及び前記接触基板は何れも、複数の導体層と複数の絶縁体層を交互に積層した多層基板であり、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、第１導体層及び第２導体層をこの記載順に含み、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第１導体層は、前記４つのコンプレッションコンタクトに対応する４つの電極パッドを有し、
前記４つの電極パッドは、第１信号パッド、第２信号パッド、第１グラウンドパッド、第２グラウンドパッドを含み、
前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドは、第１の方向に沿ってこの記載順で並んでおり、
前記実装基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記ハンダ付け部がそれぞれハンダ付け可能となっており、
前記接触基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記バネ部がそれぞれ接触可能となっており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第２導体層はグラウンド層であって貫通孔が形成されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記貫通孔は、積層方向から見ると、前記貫通孔の内周縁よりも内側に前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドが共に位置するように形成されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、
前記第１グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第１グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第１信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第１信号パッドから遠い外側領域と、を含み、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、
前記第２グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第２グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第２信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第２信号パッドから遠い外側領域と、を含み、
前記実装基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記外側領域と前記第２グラウンドパッドの前記外側領域に対して重なるように形成されており、
前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記外側領域と重なっておらず、
前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記内側領域と接するか、又は、前記第１グラウンドパッドの前記内側領域と重なるように形成されており、
前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第２グラウンドパッドの前記外側領域と重なっておらず、
前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第２グラウンドパッドの前記内側領域と接するか、又は、前記第２グラウンドパッドの前記内側領域と重なるように形成されている、
差動伝送用基板セット。
【請求項3】
請求項１又は２に記載の差動伝送用基板セットであって、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、更に、第３導体層を含み、前記第１導体層、前記第２導体層、前記第３導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、この記載順に積層されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第３導体層は、グラウンド層であって、前記積層方向において前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドと重なっている、
差動伝送用基板セット。
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、更に、第３導体層を含み、前記第１導体層、前記第２導体層、前記第３導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、この記載順に積層されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第３導体層は、グラウンド層であって、前記積層方向において前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドと重なっている、
差動伝送用基板セット。
【請求項4】
請求項１又は２に記載の差動伝送用基板セットであって、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、更に、第３導体層及び第４導体層、第５導体層を含み、前記第１導体層、前記第２導体層、前記第３導体層、前記第４導体層、前記第５導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、この記載順に積層されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第３導体層及び前記第４導体層は、グラウンド層であって貫通孔が形成されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第３導体層及び前記第４導体層の前記貫通孔は、何れも、前記積層方向から見ると、前記貫通孔の内周縁よりも内側に前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドが共に位置するように形成されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第５導体層は、グラウンド層であって、前記積層方向において前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドと重なっている、
差動伝送用基板セット。
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、更に、第３導体層及び第４導体層、第５導体層を含み、前記第１導体層、前記第２導体層、前記第３導体層、前記第４導体層、前記第５導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、この記載順に積層されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第３導体層及び前記第４導体層は、グラウンド層であって貫通孔が形成されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第３導体層及び前記第４導体層の前記貫通孔は、何れも、前記積層方向から見ると、前記貫通孔の内周縁よりも内側に前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドが共に位置するように形成されており、
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第５導体層は、グラウンド層であって、前記積層方向において前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドと重なっている、
差動伝送用基板セット。
【請求項5】
請求項１又は２に記載の差動伝送用基板セットであって、
前記一列に並んだ４つのコンプレッションコンタクトから成るコンプレッションコンタクトグループを複数配置したコンプレッションコネクタを介して相互に電気的に接続される２つの差動伝送用基板を組み合わせて成る、
差動伝送用基板セット。
前記一列に並んだ４つのコンプレッションコンタクトから成るコンプレッションコンタクトグループを複数配置したコンプレッションコネクタを介して相互に電気的に接続される２つの差動伝送用基板を組み合わせて成る、
差動伝送用基板セット。
【請求項6】
請求項１又は２に記載の差動伝送用基板セットであって、
前記実装基板及び前記接触基板のうち少なくとも何れか一方において、前記複数の導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、前記第１導体層、前記第２導体層・・・第（Ｎ－１）導体層、第Ｎ導体層（ただし、Ｎは４以上の自然数）をこの記載順に含み、
前記第Ｎ導体層は、前記第１導体層の前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドとそれぞれ電気的に接続される第１信号パッド及び第２信号パッドを含み、
前記第（Ｎ－１）導体層は、グラウンド層であって、前記積層方向において前記第Ｎ導体層の前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドと重なっている、
差動伝送用基板セット。
前記実装基板及び前記接触基板のうち少なくとも何れか一方において、前記複数の導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、前記第１導体層、前記第２導体層・・・第（Ｎ－１）導体層、第Ｎ導体層（ただし、Ｎは４以上の自然数）をこの記載順に含み、
前記第Ｎ導体層は、前記第１導体層の前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドとそれぞれ電気的に接続される第１信号パッド及び第２信号パッドを含み、
前記第（Ｎ－１）導体層は、グラウンド層であって、前記積層方向において前記第Ｎ導体層の前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドと重なっている、
差動伝送用基板セット。
【請求項7】
請求項１又は２に記載の差動伝送用基板セットと、
前記コンプレッションコネクタと、
を含む、
アッセンブリ。
前記コンプレッションコネクタと、
を含む、
アッセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、差動伝送用基板セット及びアッセンブリに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１は、本願の図３６に示すように、複数の導体層１０００と複数の絶縁体層１００１を交互に積層した多層基板であるパドルカード基板１００２を開示している。複数の導体層１０００は、第１導体層１０００Ａ、第２導体層１０００Ｂ、第３導体層１０００Ｃ、第４導体層１０００Ｄを含む。複数の絶縁体層１００１は、第１絶縁体層１００１Ａ、第２絶縁体層１００１Ｂ、第３絶縁体層１００１Ｃを含む。パドルカード基板１００２の表層側から内層側に向かって、第１導体層１０００Ａ、第１絶縁体層１００１Ａ、第２導体層１０００Ｂ、第２絶縁体層１００１Ｂ、第３導体層１０００Ｃ、第３絶縁体層１００１Ｃ、第４導体層１０００Ｄの順に配置されている。
【0003】
第１導体層１０００Ａは、差動信号伝送用ケーブルの２つの信号線導体が半田付けされる２つのケーブル接続パッド１００３と、２つのケーブル接続パッド１００３を挟むように配置された２つのグラウンドパッド１００４と、が形成されている。
【0004】
そして、第２導体層１０００Ｂ及び第３導体層１０００Ｃには２つのケーブル接続パッド１００３と積層方向で重なる貫通孔１００５Ｂ及び貫通孔１００５Ｃがそれぞれ形成されており、これにより、２つのケーブル接続パッド１００３と第２導体層１０００Ｂとの容量結合を抑え、もって、２つのケーブル接続パッド１００３における差動インピーダンスの低下を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１７－２７７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ところで、本願発明者らは、それぞれがハンダ付け部とバネ部を含む複数のコンプレッションコンタクトと、複数のコンプレッションコンタクトを保持するハウジングと、を備えたコンプレッションコネクタを介して相互に電気的に接続される２つの差動伝送用基板を開発している。２つの差動伝送用基板は、組み合わされて差動伝送用基板セットを構成している。
【0007】
本開示の目的は、差動伝送用基板セットの伝送特性を改善する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本開示の第１の観点によれば、それぞれがハンダ付け部とバネ部を含んで一列に並んだ４つのコンプレッションコンタクトと、前記４つのコンプレッションコンタクトを保持するハウジングと、を備えたコンプレッションコネクタを介して相互に電気的に接続される２つの差動伝送用基板を組み合わせて成る差動伝送用基板セットであって、前記２つの差動伝送用基板は、前記コンプレッションコネクタが実装される実装基板と、前記コンプレッションコネクタに接触させる接触基板と、を含み、前記実装基板及び前記接触基板は何れも、複数の導体層と複数の絶縁体層を交互に積層した多層基板であり、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、第１導体層及び第２導体層をこの記載順に含み、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第１導体層は、前記４つのコンプレッションコンタクトに対応する４つの電極パッドを有し、前記４つの電極パッドは、第１信号パッド、第２信号パッド、第１グラウンドパッド、第２グラウンドパッドを含み、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドは、第１の方向に沿ってこの記載順で並んでおり、前記実装基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記ハンダ付け部がそれぞれハンダ付け可能となっており、前記接触基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記バネ部がそれぞれ接触可能となっており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第２導体層はグラウンド層であって貫通孔が形成されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記貫通孔は、積層方向から見ると、前記貫通孔の内周縁よりも内側に前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドが共に位置するように形成されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第１グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第１グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第１信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第１信号パッドから遠い外側領域と、を含み、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第２グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第２グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第２信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第２信号パッドから遠い外側領域と、を含み、前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記外側領域と前記第２グラウンドパッドの前記外側領域に対して重なるように形成されている、差動伝送用基板セットが提供される。
本開示の第２の観点によれば、それぞれがハンダ付け部とバネ部を含んで一列に並んだ４つのコンプレッションコンタクトと、前記４つのコンプレッションコンタクトを保持するハウジングと、を備えたコンプレッションコネクタを介して相互に電気的に接続される２つの差動伝送用基板を組み合わせて成る差動伝送用基板セットであって、前記２つの差動伝送用基板は、前記コンプレッションコネクタが実装される実装基板と、前記コンプレッションコネクタに接触させる接触基板と、を含み、前記実装基板及び前記接触基板は何れも、複数の導体層と複数の絶縁体層を交互に積層した多層基板であり、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、第１導体層及び第２導体層をこの記載順に含み、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第１導体層は、前記４つのコンプレッションコンタクトに対応する４つの電極パッドを有し、前記４つの電極パッドは、第１信号パッド、第２信号パッド、第１グラウンドパッド、第２グラウンドパッドを含み、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドは、第１の方向に沿ってこの記載順で並んでおり、前記実装基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記ハンダ付け部がそれぞれハンダ付け可能となっており、前記接触基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記バネ部がそれぞれ接触可能となっており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第２導体層はグラウンド層であって貫通孔が形成されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記貫通孔は、積層方向から見ると、前記貫通孔の内周縁よりも内側に前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドが共に位置するように形成されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第１グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第１グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第１信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第１信号パッドから遠い外側領域と、を含み、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第２グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第２グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第２信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第２信号パッドから遠い外側領域と、を含み、前記実装基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記外側領域と前記第２グラウンドパッドの前記外側領域に対して重なるように形成されており、前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記外側領域と重なっておらず、前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記内側領域と接するか、又は、前記第１グラウンドパッドの前記内側領域と重なるように形成されており、前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第２グラウンドパッドの前記外側領域と重なっておらず、前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第２グラウンドパッドの前記内側領域と接するか、又は、前記第２グラウンドパッドの前記内側領域と重なるように形成されている、差動伝送用基板セットが提供される。
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、更に、第３導体層を含み、前記第１導体層、前記第２導体層、前記第３導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、この記載順に積層されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第３導体層は、グラウンド層であって、前記積層方向において前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドと重なっていてもよい。
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、更に、第３導体層及び第４導体層、第５導体層を含み、前記第１導体層、前記第２導体層、前記第３導体層、前記第４導体層、前記第５導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、この記載順に積層されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第３導体層及び前記第４導体層は、グラウンド層であって貫通孔が形成されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第３導体層及び前記第４導体層の前記貫通孔は、何れも、前記積層方向から見ると、前記貫通孔の内周縁よりも内側に前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドが共に位置するように形成されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第５導体層は、グラウンド層であって、前記積層方向において前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドと重なっていてもよい。
前記一列に並んだ４つのコンプレッションコンタクトから成るコンプレッションコンタクトグループを複数配置したコンプレッションコネクタを介して相互に電気的に接続される２つの差動伝送用基板を組み合わせて成ってもよい。
前記実装基板及び前記接触基板のうち少なくとも何れか一方において、前記複数の導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、前記第１導体層、前記第２導体層・・・第（Ｎ－１）導体層、第Ｎ導体層（ただし、Ｎは４以上の自然数）をこの記載順に含み、前記第Ｎ導体層は、前記第１導体層の前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドとそれぞれ電気的に接続される第１信号パッド及び第２信号パッドを含み、前記第（Ｎ－１）導体層は、グラウンド層であって、前記積層方向において前記第Ｎ導体層の前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドと重なっていてもよい。
上記の差動伝送用基板セットと、前記コンプレッションコネクタと、を含む、アッセンブリが提供される。
本開示の第２の観点によれば、それぞれがハンダ付け部とバネ部を含んで一列に並んだ４つのコンプレッションコンタクトと、前記４つのコンプレッションコンタクトを保持するハウジングと、を備えたコンプレッションコネクタを介して相互に電気的に接続される２つの差動伝送用基板を組み合わせて成る差動伝送用基板セットであって、前記２つの差動伝送用基板は、前記コンプレッションコネクタが実装される実装基板と、前記コンプレッションコネクタに接触させる接触基板と、を含み、前記実装基板及び前記接触基板は何れも、複数の導体層と複数の絶縁体層を交互に積層した多層基板であり、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、第１導体層及び第２導体層をこの記載順に含み、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第１導体層は、前記４つのコンプレッションコンタクトに対応する４つの電極パッドを有し、前記４つの電極パッドは、第１信号パッド、第２信号パッド、第１グラウンドパッド、第２グラウンドパッドを含み、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドは、第１の方向に沿ってこの記載順で並んでおり、前記実装基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記ハンダ付け部がそれぞれハンダ付け可能となっており、前記接触基板において、前記第１グラウンドパッド、前記第１信号パッド、前記第２信号パッド、前記第２グラウンドパッドには、前記４つのコンプレッションコンタクトの前記バネ部がそれぞれ接触可能となっており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第２導体層はグラウンド層であって貫通孔が形成されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記貫通孔は、積層方向から見ると、前記貫通孔の内周縁よりも内側に前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドが共に位置するように形成されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第１グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第１グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第１信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第１信号パッドから遠い外側領域と、を含み、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第２グラウンドパッドは、前記第１の方向において前記第２グラウンドパッドのパッド面積を二等分する二等分線よりも前記第２信号パッドに近い内側領域と、前記二等分線よりも前記第２信号パッドから遠い外側領域と、を含み、前記実装基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記外側領域と前記第２グラウンドパッドの前記外側領域に対して重なるように形成されており、前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記外側領域と重なっておらず、前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第１グラウンドパッドの前記内側領域と接するか、又は、前記第１グラウンドパッドの前記内側領域と重なるように形成されており、前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第２グラウンドパッドの前記外側領域と重なっておらず、前記接触基板において、前記貫通孔は、前記積層方向に沿って見ると、前記第２グラウンドパッドの前記内側領域と接するか、又は、前記第２グラウンドパッドの前記内側領域と重なるように形成されている、差動伝送用基板セットが提供される。
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、更に、第３導体層を含み、前記第１導体層、前記第２導体層、前記第３導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、この記載順に積層されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第３導体層は、グラウンド層であって、前記積層方向において前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドと重なっていてもよい。
前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記複数の導体層は、更に、第３導体層及び第４導体層、第５導体層を含み、前記第１導体層、前記第２導体層、前記第３導体層、前記第４導体層、前記第５導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、この記載順に積層されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第３導体層及び前記第４導体層は、グラウンド層であって貫通孔が形成されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第３導体層及び前記第４導体層の前記貫通孔は、何れも、前記積層方向から見ると、前記貫通孔の内周縁よりも内側に前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドが共に位置するように形成されており、前記実装基板及び前記接触基板の何れにおいても、前記第５導体層は、グラウンド層であって、前記積層方向において前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドと重なっていてもよい。
前記一列に並んだ４つのコンプレッションコンタクトから成るコンプレッションコンタクトグループを複数配置したコンプレッションコネクタを介して相互に電気的に接続される２つの差動伝送用基板を組み合わせて成ってもよい。
前記実装基板及び前記接触基板のうち少なくとも何れか一方において、前記複数の導体層は、前記コンプレッションコネクタ側から順に、前記第１導体層、前記第２導体層・・・第（Ｎ－１）導体層、第Ｎ導体層（ただし、Ｎは４以上の自然数）をこの記載順に含み、前記第Ｎ導体層は、前記第１導体層の前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドとそれぞれ電気的に接続される第１信号パッド及び第２信号パッドを含み、前記第（Ｎ－１）導体層は、グラウンド層であって、前記積層方向において前記第Ｎ導体層の前記第１信号パッド及び前記第２信号パッドと重なっていてもよい。
上記の差動伝送用基板セットと、前記コンプレッションコネクタと、を含む、アッセンブリが提供される。
【発明の効果】
【0009】
本開示によれば、差動伝送用基板セットの伝送特性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】情報処理装置の分解斜視図である。（第１実施形態）
【図2】情報処理装置の別の角度から見た分解斜視図である。（第１実施形態）
【図3】差動伝送アッセンブリの断面図である。（第１実施形態）
【図4】接触基板の第１導体層の部分底面図である。（第１実施形態）
【図5】接触基板の第２導体層の部分底面図である。（第１実施形態）
【図6】接触基板の第３導体層の部分底面図である。（第１実施形態）
【図7】接触基板の第４導体層の部分底面図である。（第１実施形態）
【図8】接触基板の第５導体層の部分底面図である。（第１実施形態）
【図9】接触基板の第６導体層の部分底面図である。（第１実施形態）
【図10】接触基板の複数の導体層の投影図である。（第１実施形態）
【図11】実装基板の第１導体層の部分平面図である。（第１実施形態）
【図12】実装基板の第２導体層の部分平面図である。（第１実施形態）
【図13】実装基板の第３導体層の部分平面図である。（第１実施形態）
【図14】実装基板の第４導体層の部分平面図である。（第１実施形態）
【図15】実装基板の第５導体層の部分平面図である。（第１実施形態）
【図16】実装基板の第６導体層の部分平面図である。（第１実施形態）
【図17】実装基板の複数の導体層の投影図である。（第１実施形態）
【図18】接触基板の第３導体層及び第４導体層の部分底面図である。（第１変形例）
【図19】実装基板の第３導体層及び第４導体層の部分平面図である。（第１変形例）
【図20】接触基板の複数の導体層の投影図である。（第２実施形態）
【図21】実装基板の複数の導体層の投影図である。（第２実施形態）
【図22】接触基板の複数の導体層の投影図である。（第３実施形態）
【図23】実装基板の複数の導体層の投影図である。（第３実施形態）
【図24】接触基板の複数の導体層の投影図である。（第４実施形態）
【図25】実装基板の複数の導体層の投影図である。（第４実施形態）
【図26】接触基板の複数の導体層の投影図である。（第１比較例）
【図27】実装基板の複数の導体層の投影図である。（第１比較例）
【図28】接触基板の第２導体層から第４導体層の部分底面図である。（第２比較例）
【図29】実装基板の第２導体層から第４導体層の部分平面図である。（第２比較例）
【図30】インサーションロスの解析結果を示すグラフである。
【図31】リターンロスの解析結果を示すグラフである。
【図32】ＴＤＲ法による差動インピーダンスの解析結果を示すグラフである。
【図33】インサーションロスの解析結果を示すグラフである。
【図34】リターンロスの解析結果を示すグラフである。
【図35】ＴＤＲ法による差動インピーダンスの解析結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0011】
【0012】
【0013】
差動伝送アッセンブリ２は、差動伝送用基板セット４とコンプレッションコネクタ５を含む。
【0014】
差動伝送用基板セット４は、接触基板６及び実装基板７を含む。接触基板６及び実装基板７は、コンプレッションコネクタ５を介して相互に電気的に接続される。接触基板６及び実装基板７は、何れも、差動伝送用基板である。接触基板６及び実装基板７は、コンプレッションコネクタ５を介して相互に電気的に接続された状態で互いに平行となる。
【0015】
接触基板６には、２つのボルト締結孔６Ａが形成されている。同様に、実装基板７には、２つのボルト締結孔７Ａが形成されている。
【0016】
サポートボード３は、典型的には、接触基板６、コンプレッションコネクタ５、実装基板７を収容する筐体の一部であって、例えばアルミニウム又はアルミニウム合金製である。サポートボード３は、平板状のボード本体８と、ボード本体８から突出する２つのナット９と、を含む。
【0017】
情報処理装置１は以下のように組み立てられる。即ち、まず、実装基板７にコンプレッションコネクタ５を実装する。次に、コンプレッションコネクタ５が搭載された実装基板７をサポートボード３に取り付ける。このとき、サポートボード３の２つのナット９が実装基板７の２つのボルト締結孔７Ａを貫通する。
【0018】
そして、接触基板６をコンプレッションコネクタ５に重ね合わせるように、接触基板６をサポートボード３に取り付ける。具体的には、２つのボルト１０を接触基板６の２つのボルト締結孔６Ａを介してサポートボード３の２つのナット９にそれぞれ締結する。これにより、接触基板６はコンプレッションコネクタ５に対して押し付けられることでコンプレッションコネクタ５に接触し、この結果、接触基板６と実装基板７はコンプレッションコネクタ５を介して互いに電気的に接続される。即ち、コンプレッションコネクタ５は接触基板６に実装されず、接触基板６をコンプレッションコネクタ５に対して押し付けたときにのみ、コンプレッションコネクタ５と接触基板６は互いに接触する。
【0019】
引き続き図１及び図２を参照して、コンプレッションコネクタ５は、複数のコンプレッションコンタクト１１と、複数のコンプレッションコンタクト１１を保持するハウジング１２と、を含む。複数のコンプレッションコンタクト１１は、複数のコンタクト列１３を構成している。複数のコンタクト列１３は、互いに平行に延びている。
【0020】
ここで、ピッチ方向と幅方向、上下方向を定義する。ピッチ方向と幅方向、上下方向は、互いに直交する方向である。ピッチ方向は、各コンタクト列１３の列方向である。幅方向は、互いに平行に延びる複数のコンタクト列１３が並べられる方向である。上下方向は、接触基板６とコンプレッションコネクタ５、コンプレッションコネクタ５と実装基板７がそれぞれ対向する方向である。従って、接触基板６の板厚方向及び実装基板７の板厚方向は、上下方向に一致する。コンプレッションコネクタ５から接触基板６を見る方向を上方と称し、コンプレッションコネクタ５から実装基板７を見る方向を下方と称する。上下方向は、説明の便宜上定義した方向に過ぎず、情報処理装置１の実際の使用状態における姿勢を示唆するものではない。
【0021】
図３には、差動伝送アッセンブリ２の断面図を示している。図３に示すように、各コンプレッションコンタクト１１は、ハウジング１２のコンタクト収容室１２Ａに圧入により収容される。各コンプレッションコンタクト１１は、ハンダ付け部２０とバネ部２１、圧入部２２を含む。バネ部２１は、上下方向に弾性変位可能な接点部２１Ａを有する。バネ部２１が圧入部２２によって片持ち梁状に支持されることで、接点部２１Ａは上下方向に弾性変位可能となっている。
【0022】
接触基板６は、複数の導体層６ＣＬと複数の絶縁体層６ＳＬを交互に積層した多層基板である。複数の導体層６ＣＬは、コンプレッションコネクタ５側から上方に向かって順に、第１導体層６ＣＬ１、第２導体層６ＣＬ２、第３導体層６ＣＬ３、第４導体層６ＣＬ４、第５導体層６ＣＬ５、第６導体層６ＣＬ６を含む。複数の絶縁体層６ＳＬは、コンプレッションコネクタ５側から上方に向かって順に、第１絶縁体層６ＳＬ１、第２絶縁体層６ＳＬ２、第３絶縁体層６ＳＬ３、第４絶縁体層６ＳＬ４、第５絶縁体層６ＳＬ５を含む。従って、第１導体層６ＣＬ１、第１絶縁体層６ＳＬ１、第２導体層６ＣＬ２、第２絶縁体層６ＳＬ２、第３導体層６ＣＬ３、第３絶縁体層６ＳＬ３、第４導体層６ＣＬ４、第４絶縁体層６ＳＬ４、第５導体層６ＣＬ５、第５絶縁体層６ＳＬ５、第６導体層６ＣＬ６がコンプレッションコネクタ５側から上方に向かって順に積層されている。接触基板６の積層方向は、上下方向に一致する。第２導体層６ＣＬ２は、第１導体層６ＣＬ１に最も近い導体層である。
【0023】
各導体層６ＣＬは、典型的には、導電性に優れた銅箔によって形成されている。各絶縁体層６ＳＬは、典型的には、ガラスエポキシにより形成されている。
【0024】
同様に、実装基板７は、複数の導体層７ＣＬと複数の絶縁体層７ＳＬを交互に積層した多層基板である。複数の導体層７ＣＬは、コンプレッションコネクタ５側から下方に向かって順に、第１導体層７ＣＬ１、第２導体層７ＣＬ２、第３導体層７ＣＬ３、第４導体層７ＣＬ４、第５導体層７ＣＬ５、第６導体層７ＣＬ６を含む。複数の絶縁体層７ＳＬは、コンプレッションコネクタ５側から下方に向かって順に、第１絶縁体層７ＳＬ１、第２絶縁体層７ＳＬ２、第３絶縁体層７ＳＬ３、第４絶縁体層７ＳＬ４、第５絶縁体層７ＳＬ５を含む。従って、第１導体層７ＣＬ１、第１絶縁体層７ＳＬ１、第２導体層７ＣＬ２、第２絶縁体層７ＳＬ２、第３導体層７ＣＬ３、第３絶縁体層７ＳＬ３、第４導体層７ＣＬ４、第４絶縁体層７ＳＬ４、第５導体層７ＣＬ５、第５絶縁体層７ＳＬ５、第６導体層７ＣＬ６がコンプレッションコネクタ５側から下方に向かって順に積層されている。実装基板７の積層方向は、上下方向に一致する。第２導体層７ＣＬ２は、第１導体層７ＣＬ１に最も近い導体層である。
【0025】
各導体層７ＣＬは、典型的には、導電性に優れた銅箔によって形成されている。各絶縁体層７ＳＬは、典型的には、ガラスエポキシにより形成されている。
【0026】
＜接触基板６＞
図４から図９には、接触基板６の第１導体層６ＣＬ１、第２導体層６ＣＬ２、第３導体層６ＣＬ３、第４導体層６ＣＬ４、第５導体層６ＣＬ５、第６導体層６ＣＬ６の部分底面図を示している。図４から図９においては、単に見やすさのために導体部分にはハッチングを施している。
図４から図９には、接触基板６の第１導体層６ＣＬ１、第２導体層６ＣＬ２、第３導体層６ＣＬ３、第４導体層６ＣＬ４、第５導体層６ＣＬ５、第６導体層６ＣＬ６の部分底面図を示している。図４から図９においては、単に見やすさのために導体部分にはハッチングを施している。
【0027】
まず、図２及び図４を参照して第１導体層６ＣＬ１を説明する。図２及び図４に示すように、第１導体層６ＣＬ１は、コンプレッションコネクタ５の複数のコンプレッションコンタクト１１にそれぞれ対応する複数の電極パッド３０を有している。即ち、各電極パッド３０には、対応するコンプレッションコンタクト１１のバネ部２１が接触可能に構成されている。複数の電極パッド３０は、複数のコンプレッションコンタクト１１と同様に、複数のパッド列を構成している。
【0028】
図４に示すように、各パッド列に属する複数の電極パッド３０は、２つのグラウンドパッド３１と２つの信号パッド３２をピッチ方向に交互に並べて構成されている。即ち、ピッチ方向に沿って順に、グラウンドパッド３１、グラウンドパッド３１、信号パッド３２、信号パッド３２、グラウンドパッド３１、グラウンドパッド３１、信号パッド３２、信号パッド３２・・・がこの記載順に配置されている。換言すれば、２つのグラウンドパッド３１の間に、差動伝送用の２つの信号パッド３２が配置されている。図４には、４つの電極パッド３０のみを示している。図４に示す４つの電極パッド３０は、２つのグラウンドパッド３１と、２つのグラウンドパッド３１の間に配置される２つの信号パッド３２と、を含む。２つのグラウンドパッド３１は、第１グラウンドパッド３３と第２グラウンドパッド３４を含む。２つの信号パッド３２は、第１信号パッド３５と第２信号パッド３６を含む。第１グラウンドパッド３３、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６、第２グラウンドパッド３４は、ピッチ方向に沿ってこの記載順に並んでいる。
【0029】
第１信号パッド３５は、バネ接触部３５Ａとビア接続部３５Ｂを含む。バネ接触部３５Ａとビア接続部３５Ｂは幅方向で互いに接続しており一体的に形成されている。説明の便宜上、バネ接触部３５Ａとビア接続部３５Ｂの境界３５Ｃを破線で示している。バネ接触部３５Ａは、ほぼ正方形であるベース部３５Ｄと、ベース部３５Ｄから幅方向に先細るように延びるテーパ部３５Ｅと、を含む。
【0030】
同様に、第２信号パッド３６は、バネ接触部３６Ａとビア接続部３６Ｂを含む。バネ接触部３６Ａとビア接続部３６Ｂは幅方向で互いに接続しており一体的に形成されている。説明の便宜上、バネ接触部３６Ａとビア接続部３６Ｂの境界３６Ｃを破線で示している。バネ接触部３６Ａは、ほぼ正方形であるベース部３６Ｄと、ベース部３６Ｄから幅方向に先細るように延びるテーパ部３６Ｅと、を含む。
【0031】
第１グラウンドパッド３３は、バネ接触部３３Ａと第１ビア接続部３３Ｂ、第２ビア接続部３３Ｃを含む。第１ビア接続部３３Ｂ、バネ接触部３３Ａ、第２ビア接続部３３Ｃは幅方向でこの記載順に配置されている。バネ接触部３３Ａと第１ビア接続部３３Ｂ、第２ビア接続部３３Ｃは、一体的に形成されている。説明の便宜上、バネ接触部３３Ａと第１ビア接続部３３Ｂの境界３３Ｄを破線で示している。同様に、バネ接触部３３Ａと第２ビア接続部３３Ｃの境界３３Ｅを破線で示している。バネ接触部３３Ａは、ほぼ正方形であるベース部３３Ｆと、ベース部３３Ｆから幅方向に先細るように延びるテーパ部３３Ｇと、を含む。
【0032】
同様に、第２グラウンドパッド３４は、バネ接触部３４Ａと第１ビア接続部３４Ｂ、第２ビア接続部３４Ｃを含む。第１ビア接続部３４Ｂ、バネ接触部３４Ａ、第２ビア接続部３４Ｃは幅方向でこの記載順に配置されている。バネ接触部３４Ａと第１ビア接続部３４Ｂ、第２ビア接続部３４Ｃは、一体的に形成されている。説明の便宜上、バネ接触部３４Ａと第１ビア接続部３４Ｂの境界３４Ｄを破線で示している。同様に、バネ接触部３４Ａと第２ビア接続部３４Ｃの境界３４Ｅを破線で示している。バネ接触部３４Ａは、ほぼ正方形であるベース部３４Ｆと、ベース部３４Ｆから幅方向に先細るように延びるテーパ部３４Ｇと、を含む。
【0033】
図４に示すように、第１信号パッド３５と第２信号パッド３６は同一形状であり、第１グラウンドパッド３３と第２グラウンドパッド３４は同一形状である。第１信号パッド３５のバネ接触部３５Ａ、第２信号パッド３６のバネ接触部３６Ａ、第１グラウンドパッド３３のバネ接触部３３Ａ、第２グラウンドパッド３４のバネ接触部３４Ａは、何れも同一形状であって、ピッチ方向に整列している。第１信号パッド３５のビア接続部３５Ｂ、第２信号パッド３６のビア接続部３６Ｂ、第１グラウンドパッド３３の第１ビア接続部３３Ｂ、第２グラウンドパッド３４の第１ビア接続部３４Ｂは、何れも同一形状であって、ピッチ方向に整列している。
【0034】
引き続き図４を参照して、第１グラウンドパッド３３は、内側領域３３Ｐと外側領域３３Ｑを有している。内側領域３３Ｐは、ピッチ方向において第１グラウンドパッド３３のパッド面積を二等分する二等分線３３Ｒよりも第１信号パッド３５に近い領域である。外側領域３３Ｑは、二等分線３３Ｒよりも第１信号パッド３５から遠い領域である。第１グラウンドパッド３３は、二等分線３３Ｒに関してピッチ方向で対称の形状を有している。
【0035】
同様に、第２グラウンドパッド３４は、内側領域３４Ｐと外側領域３４Ｑを有している。内側領域３４Ｐは、ピッチ方向において第２グラウンドパッド３４のパッド面積を二等分する二等分線３４Ｒよりも第２信号パッド３６に近い領域である。外側領域３４Ｑは、二等分線３４Ｒよりも第２信号パッド３６から遠い領域である。第２グラウンドパッド３４は、二等分線３４Ｒに関してピッチ方向で対称の形状を有している。
【0036】
次に、図９を参照して、第６導体層６ＣＬ６を説明する。図９に示すように、第６導体層６ＣＬ６は、図４に示す第１グラウンドパッド３３、第２グラウンドパッド３４、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６にそれぞれ対応する、第１グラウンドパッド４３、第２グラウンドパッド４４、第１信号パッド４５、第２信号パッド４６を有している。
【0037】
第１グラウンドパッド４３は、第１ビア接続部４３Ａと第２ビア接続部４３Ｂから構成されている。第１ビア接続部４３Ａ及び第２ビア接続部４３Ｂは、幅方向で互いに離れて形成されているが、互いに一体的に形成されていてもよい。
【0038】
第２グラウンドパッド４４は、第１ビア接続部４４Ａと第２ビア接続部４４Ｂから構成されている。第１ビア接続部４４Ａ及び第２ビア接続部４４Ｂは、幅方向で互いに離れて形成されているが、互いに一体的に形成されていてもよい。
【0039】
第１グラウンドパッド４３の第１ビア接続部４３Ａは、図４に示す第１グラウンドパッド３３の第１ビア接続部３３Ｂと、図５等に示すビアホール５０Ａを介して電気的に接続している。同様に、第１グラウンドパッド４３の第２ビア接続部４３Ｂは、図４に示す第１グラウンドパッド３３の第２ビア接続部３３Ｃと、図５等に示すビアホール５０Ｂを介して電気的に接続している。
【0040】
第２グラウンドパッド４４の第１ビア接続部４４Ａは、図４に示す第２グラウンドパッド３４の第１ビア接続部３４Ｂと、図５等に示すビアホール５１Ａを介して電気的に接続している。同様に、第２グラウンドパッド４４の第２ビア接続部４４Ｂは、図４に示す第２グラウンドパッド３４の第２ビア接続部３４Ｃと、図５等に示すビアホール５１Ｂを介して電気的に接続している。
【0041】
【0042】
【0043】
次に、図５から図８を参照して、第２導体層６ＣＬ２から第５導体層６ＣＬ５を説明する。第２導体層６ＣＬ２から第５導体層６ＣＬ５は、ビアホール５０Ａ、ビアホール５０Ｂ、ビアホール５１Ａ、ビアホール５１Ｂを介して互いに導通しており、何れもグラウンド層として機能するようになっている。
【0044】
図５に示すように、第２導体層６ＣＬ２には貫通孔５５が形成されている。貫通孔５５は、内周縁５５Ａを有する。図５において、ビアホール５２及びビアホール５３は、貫通孔５５の内周縁５５Ａの内側に配置されている。ビアホール５０Ａ及びビアホール５０Ｂ、ビアホール５１Ａ、ビアホール５１Ｂは、貫通孔５５の内周縁５５Ａの外側に配置されている。貫通孔５５は、ほぼ矩形である矩形部５５Ｂと、矩形部５５Ｂからピッチ方向に延長する２つの延長部５５Ｃと、を含む。２つの延長部５５Ｃのうち一方は、ビアホール５０Ａとビアホール５０Ｂの間を通過するように延長しており、他方は、ビアホール５１Ａとビアホール５１Ｂの間を通過するように延長している。
【0045】
図６に示すように、第３導体層６ＣＬ３には貫通孔５６が形成されている。貫通孔５６は、内周縁５６Ａを有する。図６において、ビアホール５２及びビアホール５３は、貫通孔５６の内周縁５６Ａの内側に配置されている。ビアホール５０Ａ及びビアホール５０Ｂ、ビアホール５１Ａ、ビアホール５１Ｂは、貫通孔５６の内周縁５６Ａの外側に配置されている。貫通孔５６は、ほぼ矩形とされている。
【0046】
図７に示すように、第４導体層６ＣＬ４には貫通孔５７が形成されている。貫通孔５７は、内周縁５７Ａを有する。図７において、ビアホール５２及びビアホール５３は、貫通孔５７の内周縁５７Ａの内側に配置されている。ビアホール５０Ａ及びビアホール５０Ｂ、ビアホール５１Ａ、ビアホール５１Ｂは、貫通孔５７の内周縁５７Ａの外側に配置されている。貫通孔５７は、ほぼ矩形とされている。
【0047】
図８に示すように、第５導体層６ＣＬ５には２つの貫通孔５８が形成されている。各貫通孔５８は、内周縁５８Ａを有する。図８において、ビアホール５２及びビアホール５３は、２つの貫通孔５８の内周縁５８Ａの内側にそれぞれ配置されている。ビアホール５０Ａ及びビアホール５０Ｂ、ビアホール５１Ａ、ビアホール５１Ｂは、２つの貫通孔５８の内周縁５８Ａの外側に配置されている。各貫通孔５８は、ほぼ円形とされている。
【0048】
図１０には、第１導体層６ＣＬ１に対する貫通孔５５及び貫通孔５６、貫通孔５７の位置関係を説明するために、第１導体層６ＣＬ１に貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド３３、第２グラウンドパッド３４、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑにはハッチングを施している。
【0049】
図１０に示すように、接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向から見ると、貫通孔５５の内周縁５５Ａよりも内側に第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が共に位置するように形成されている。即ち、貫通孔５５の内周縁５５Ａは、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６を取り囲む。換言すれば、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が切れ目のない（formed in an unbroken manner）１つの貫通孔５５と重なっている。
【0050】
また、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑに対して重なるように形成されている。即ち、貫通孔５５の一方の延長部５５Ｃは、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと重なるように、矩形部５５Ｂから二等分線３３Ｒを越えてピッチ方向に延びており、他方の延長部５５Ｃは、第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑと重なるように、矩形部５５Ｂから二等分線３４Ｒを越えてピッチ方向に延びている。
【0051】
詳しくは、貫通孔５５の矩形部５５Ｂは、第１グラウンドパッド３３の第１ビア接続部３３Ｂ及び第２ビア接続部３３Ｃ、第２グラウンドパッド３４の第１ビア接続部３４Ｂ及び第２ビア接続部３４Ｃに対して重なっておらず、第１グラウンドパッド３３の第１ビア接続部３３Ｂ及び第２ビア接続部３３Ｃ、第２グラウンドパッド３４の第１ビア接続部３４Ｂ及び第２ビア接続部３４Ｃに対してピッチ方向で接している。
【0052】
貫通孔５５の２つの延長部５５Ｃは、第１グラウンドパッド３３の第１ビア接続部３３Ｂ及び第２ビア接続部３３Ｃ、第２グラウンドパッド３４の第１ビア接続部３４Ｂ及び第２ビア接続部３４Ｃに対して重なっておらず、第１グラウンドパッド３３の第１ビア接続部３３Ｂ及び第２ビア接続部３３Ｃ、第２グラウンドパッド３４の第１ビア接続部３４Ｂ及び第２ビア接続部３４Ｃに対して幅方向で接している。
【0053】
従って、貫通孔５５の内周縁５５Ａのうち２つの延長部５５Ｃをピッチ方向で区画する２つの区画線５５Ｄは、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６からピッチ方向に大きく離れている。このことは、取りも直さず、第２導体層６ＣＬ２がピッチ方向において第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６から遠ざけられていることを意味する。これにより、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６における差動インピーダンスの低下を抑えることができる。
【0054】
引き続き図１０を参照して、接触基板６において、貫通孔５６及び貫通孔５７は、上下方向から見ると、互いに完全に重なるように形成されている。即ち、貫通孔５６の内周縁５６Ａと貫通孔５７の内周縁５７Ａは、上下方向から見ると、重なっている。貫通孔５６は、貫通孔５６の内周縁５６Ａの内側に第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が共に位置するように形成されている。即ち、貫通孔５６の内周縁５６Ａは、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６を取り囲む。換言すれば、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が切れ目のない１つの貫通孔５６と重なっている。貫通孔５７についても同様である。
【0055】
＜実装基板７＞
図１１から図１７には、実装基板７の第１導体層７ＣＬ１、第２導体層７ＣＬ２、第３導体層７ＣＬ３、第４導体層７ＣＬ４、第５導体層７ＣＬ５、第６導体層７ＣＬ６の部分平面図を示している。図１１から図１７においては、単に見やすさのために導体部分にはハッチングを施している。
図１１から図１７には、実装基板７の第１導体層７ＣＬ１、第２導体層７ＣＬ２、第３導体層７ＣＬ３、第４導体層７ＣＬ４、第５導体層７ＣＬ５、第６導体層７ＣＬ６の部分平面図を示している。図１１から図１７においては、単に見やすさのために導体部分にはハッチングを施している。
【0056】
まず、図１及び図１１を参照して第１導体層７ＣＬ１を説明する。図１及び図１１に示すように、第１導体層７ＣＬ１は、コンプレッションコネクタ５の複数のコンプレッションコンタクト１１にそれぞれ対応する複数の電極パッド６０を有している。即ち、各電極パッド６０には、対応するコンプレッションコンタクト１１のハンダ付け部２０がハンダ付け可能に構成されている。複数の電極パッド６０は、複数のコンプレッションコンタクト１１と同様に、複数のパッド列を構成している。
【0057】
図１１に示すように、各パッド列に属する複数の電極パッド６０は、２つのグラウンドパッド６１と２つの信号パッド６２をピッチ方向に交互に並べて構成されている。即ち、ピッチ方向に沿って順に、グラウンドパッド６１、グラウンドパッド６１、信号パッド６２、信号パッド６２、グラウンドパッド６１、グラウンドパッド６１、信号パッド６２、信号パッド６２・・・がこの記載順に配置されている。換言すれば、２つのグラウンドパッド６１の間に、差動伝送用の２つの信号パッド６２が配置されている。図１１には、４つの電極パッド６０のみを示している。図１１に示す４つの電極パッド６０は、２つのグラウンドパッド６１と、２つのグラウンドパッド６１の間に配置される２つの信号パッド６２と、を含む。２つのグラウンドパッド６１は、第１グラウンドパッド６３と第２グラウンドパッド６４を含む。２つの信号パッド６２は、第１信号パッド６５と第２信号パッド６６を含む。第１グラウンドパッド６３、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６、第２グラウンドパッド６４は、ピッチ方向に沿ってこの記載順に並んでいる。
【0058】
第１信号パッド６５は、ほぼ正方形である。第１信号パッド６５のピッチ方向における寸法は、図４に示す第１信号パッド３５のそれよりも小さい。同様に、第１信号パッド６５の幅方向における寸法は、図４に示す第１信号パッド３５のそれよりも小さい。
【0059】
第２信号パッド６６は、ほぼ正方形である。第２信号パッド６６のピッチ方向における寸法は、図４に示す第２信号パッド３６のそれよりも小さい。同様に、第２信号パッド６６の幅方向における寸法は、図４に示す第２信号パッド３６のそれよりも小さい。
【0060】
このように、接触基板６の第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が実装基板７の第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６よりも大きいのは、コンプレッションコネクタ５に対する接触基板６のピッチ方向及び幅方向における位置ズレを吸収するためである。
【0061】
再び図１１を参照して、第１グラウンドパッド６３及び第２グラウンドパッド６４は、幅方向に延びている。
【0062】
図１１に示すように、第１信号パッド３５と第２信号パッド３６は同一形状であり、第１グラウンドパッド３３と第２グラウンドパッド３４は同一形状である。
【0063】
引き続き図１１を参照して、第１グラウンドパッド６３は、内側領域６３Ｐと外側領域６３Ｑを有している。内側領域６３Ｐは、ピッチ方向において第１グラウンドパッド６３のパッド面積を二等分する二等分線６３Ｒよりも第１信号パッド６５に近い領域である。外側領域６３Ｑは、二等分線６３Ｒよりも第１信号パッド６５から遠い領域である。第１グラウンドパッド６３は、二等分線６３Ｒに関してピッチ方向で対称の形状を有している。
【0064】
同様に、第２グラウンドパッド６４は、内側領域６４Ｐと外側領域６４Ｑを有している。内側領域６４Ｐは、ピッチ方向において第２グラウンドパッド６４のパッド面積を二等分する二等分線６４Ｒよりも第２信号パッド６６に近い領域である。外側領域６４Ｑは、二等分線６４Ｒよりも第２信号パッド６６から遠い領域である。第２グラウンドパッド６４は、二等分線６４Ｒに関してピッチ方向で対称の形状を有している。
【0065】
次に、図１６を参照して、第６導体層７ＣＬ６を説明する。図１６に示すように、第６導体層７ＣＬ６は、図１１に示す第１グラウンドパッド６３、第２グラウンドパッド６４、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６にそれぞれ対応する、第１グラウンドパッド７３、第２グラウンドパッド７４、第１信号パッド７５、第２信号パッド７６を有している。
【0066】
第１グラウンドパッド７３は、第１ビア接続部７３Ａと第２ビア接続部７３Ｂから構成されている。第１ビア接続部７３Ａ及び第２ビア接続部７３Ｂは、幅方向で互いに離れて形成されているが、互いに一体的に形成されていてもよい。
【0067】
第２グラウンドパッド７４は、第１ビア接続部７４Ａと第２ビア接続部７４Ｂから構成されている。第１ビア接続部７４Ａ及び第２ビア接続部７４Ｂは、幅方向で互いに離れて形成されているが、互いに一体的に形成されていてもよい。
【0068】
第１グラウンドパッド７３の第１ビア接続部７３Ａは、図１１に示す第１グラウンドパッド６３の幅方向における端部６３Ａと、図１２等に示すビアホール８０Ａを介して電気的に接続している。同様に、第１グラウンドパッド７３の第２ビア接続部７３Ｂは、図１１に示す第１グラウンドパッド６３の幅方向における端部６３Ａと、図１２等に示すビアホール８０Ｂを介して電気的に接続している。
【0069】
第２グラウンドパッド７４の第１ビア接続部７４Ａは、図１１に示す第２グラウンドパッド６４の幅方向における端部６４Ａと、図１２等に示すビアホール８１Ａを介して電気的に接続している。同様に、第２グラウンドパッド７４の第２ビア接続部７４Ｂは、図１１に示す第２グラウンドパッド６４の幅方向における端部６４Ａと、図１２等に示すビアホール８１Ｂを介して電気的に接続している。
【0070】
【0071】
【0072】
次に、図１２から図１５を参照して、第２導体層７ＣＬ２から第５導体層７ＣＬ５を説明する。第２導体層７ＣＬ２から第５導体層７ＣＬ５は、ビアホール８０Ａ、ビアホール８０Ｂ、ビアホール８１Ａ、ビアホール８１Ｂを介して互いに導通しており、何れもグラウンド層として機能するようになっている。
【0073】
図１２に示すように、第２導体層７ＣＬ２には貫通孔８５が形成されている。貫通孔８５は、内周縁８５Ａを有する。図１２において、ビアホール８２及びビアホール８３は、貫通孔８５の内周縁８５Ａの内側に配置されている。ビアホール８０Ａ及びビアホール８０Ｂ、ビアホール８１Ａ、ビアホール８１Ｂは、貫通孔８５の内周縁８５Ａの外側に配置されている。貫通孔８５は、ほぼ矩形とされている。
【0074】
図１３に示すように、第３導体層７ＣＬ３には貫通孔８６が形成されている。貫通孔８６は、内周縁８６Ａを有する。図１３において、ビアホール８２及びビアホール８３は、貫通孔８６の内周縁８６Ａの内側に配置されている。ビアホール８０Ａ及びビアホール８０Ｂ、ビアホール８１Ａ、ビアホール８１Ｂは、貫通孔８６の内周縁８６Ａの外側に配置されている。貫通孔８６は、ほぼ矩形とされている。
【0075】
図１４に示すように、第４導体層７ＣＬ４には貫通孔８７が形成されている。貫通孔８７は、内周縁８７Ａを有する。図１４において、ビアホール８２及びビアホール８３は、貫通孔８７の内周縁８７Ａの内側に配置されている。ビアホール８０Ａ及びビアホール８０Ｂ、ビアホール８１Ａ、ビアホール８１Ｂは、貫通孔８７の内周縁８７Ａの外側に配置されている。貫通孔８７は、ほぼ矩形とされている。
【0076】
図１５に示すように、第５導体層７ＣＬ５には２つの貫通孔８８が形成されている。各貫通孔８８は、内周縁８８Ａを有する。図１５において、ビアホール８２及びビアホール８３は、２つの貫通孔８８の内周縁８８Ａの内側にそれぞれ配置されている。ビアホール８０Ａ及びビアホール８０Ｂ、ビアホール８１Ａ、ビアホール８１Ｂは、２つの貫通孔８８の内周縁８８Ａの外側に配置されている。各貫通孔８８は、ほぼ円形とされている。
【0077】
図１７には、第１導体層７ＣＬ１に対する貫通孔８５及び貫通孔８６、貫通孔８７の位置関係を説明するために、第１導体層７ＣＬ１に貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド６３、第２グラウンドパッド６４、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６を二点鎖線で示している。
【0078】
図１７に示すように、実装基板７において、貫通孔８５は、上下方向から見ると、貫通孔８５の内周縁８５Ａよりも内側に第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６が共に位置するように形成されている。即ち、貫通孔８５の内周縁８５Ａは、第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６を取り囲む。換言すれば、第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６が切れ目のない１つの貫通孔８５と重なっている。
【0079】
また、貫通孔８５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド６３と第２グラウンドパッド６４からピッチ方向で離れて形成されている。具体的には、貫通孔８５の内周縁８５Ａのうち貫通孔８５をピッチ方向で区画する２つの区画線８５Ｄの一方は、ピッチ方向において第１グラウンドパッド６３と第１信号パッド６５の間であって、第１グラウンドパッド６３と第１信号パッド６５から等しい距離に位置しており、他方は、ピッチ方向において第２グラウンドパッド６４と第２信号パッド６６の間であって、第２グラウンドパッド６４と第２信号パッド６６から等しい距離に位置している。
【0080】
第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６は、図１０に示す第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６よりもピッチ方向における寸法を小さくすることができるので、そもそも寄生容量によって差動インピーダンスがそれほど低下しない。従って、第２導体層７ＣＬ２における貫通孔８５の開口面積を抑えて第２導体層７ＣＬ２による電磁シールド効果を優先した設計となっている。
【0081】
引き続き図１７を参照して、実装基板７において、貫通孔８５と貫通孔８６、貫通孔８７は、上下方向から見ると、互いに完全に重なるように形成されている。即ち、貫通孔８５の内周縁８５Ａと貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａは、上下方向から見ると、重なっている。従って、貫通孔８６は、貫通孔８６の内周縁８６Ａの内側に第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６が共に位置するように形成されている。即ち、貫通孔８６の内周縁８６Ａは、第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６を取り囲む。換言すれば、第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６が切れ目のない１つの貫通孔８６と重なっている。貫通孔８７についても同様である。
【0082】
【0083】
図１８に示すように、第１変形例において第３導体層６ＣＬ３及び第４導体層６ＣＬ４は、図８に示す第５導体層６ＣＬ５と同一の構成としている。即ち、図１８に示すように第３導体層６ＣＬ３及び第４導体層６ＣＬ４には２つの貫通孔９０が形成されている。各貫通孔９０は、内周縁９０Ａを有する。ビアホール５２及びビアホール５３は、２つの貫通孔９０の内周縁９０Ａの内側にそれぞれ配置されている。ビアホール５０Ａ及びビアホール５０Ｂ、ビアホール５１Ａ、ビアホール５１Ｂは、２つの貫通孔９０の内周縁９０Ａの外側に配置されている。各貫通孔９０は、ほぼ円形とされている。
【0084】
このように、第３導体層６ＣＬ３及び第４導体層６ＣＬ４に形成された２つの貫通孔９０は、第３導体層６ＣＬ３及び第４導体層６ＣＬ４がビアホール５２及びビアホール５３と導通しない必要最小限の大きさとなっている。従って、第３導体層６ＣＬ３及び第４導体層６ＣＬ４は、上下方向に沿って見ると、図１８において二点鎖線で示す第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６と重なっている。これにより、第３導体層６ＣＬ３及び第４導体層６ＣＬ４による電磁シールド効果を優先した設計となっている。
【0085】
同様に、図１９に示すように、第１変形例において第３導体層７ＣＬ３及び第４導体層７ＣＬ４は、図１５に示す第５導体層７ＣＬ５と同一の構成としている。即ち、図１９に示すように第３導体層７ＣＬ３及び第４導体層７ＣＬ４には２つの貫通孔９１が形成されている。各貫通孔９１は、内周縁９１Ａを有する。ビアホール８２及びビアホール８３は、２つの貫通孔９１の内周縁９１Ａの内側にそれぞれ配置されている。ビアホール８０Ａ及びビアホール８０Ｂ、ビアホール８１Ａ、ビアホール８１Ｂは、２つの貫通孔９１の内周縁９１Ａの外側に配置されている。各貫通孔９１は、ほぼ円形とされている。
【0086】
このように、第３導体層７ＣＬ３及び第４導体層７ＣＬ４に形成された２つの貫通孔９１は、第３導体層７ＣＬ３及び第４導体層７ＣＬ４がビアホール８２及びビアホール８３と導通しない必要最小限の大きさとなっている。従って、第３導体層７ＣＬ３及び第４導体層７ＣＬ４は、上下方向に沿って見ると、図１９において二点鎖線で示す第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６と重なっている。これにより、第３導体層７ＣＬ３及び第４導体層７ＣＬ４による電磁シールド効果を優先した設計となっている。
【0087】
上記の第１変形例は、後述する第２実施形態から第４実施形態及び第１比較例にそのまま適用することができる。
【0088】
【0089】
＜接触基板６＞
図２０には、第１導体層６ＣＬ１に対する貫通孔５５及び貫通孔５６、貫通孔５７の位置関係を説明するために、第１導体層６ＣＬ１に貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド３３、第２グラウンドパッド３４、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑにはハッチングを施している。
図２０には、第１導体層６ＣＬ１に対する貫通孔５５及び貫通孔５６、貫通孔５７の位置関係を説明するために、第１導体層６ＣＬ１に貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド３３、第２グラウンドパッド３４、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑにはハッチングを施している。
【0090】
【0091】
即ち、図２０に示すように、接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向から見ると、貫通孔５５の内周縁５５Ａよりも内側に第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が共に位置するように形成されている。即ち、貫通孔５５の内周縁５５Ａは、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６を取り囲む。換言すれば、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が切れ目のない１つの貫通孔５５と重なっている。
【0092】
また、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑに対して重なるように形成されている。即ち、貫通孔５５の一方の延長部５５Ｃは、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと重なるように、矩形部５５Ｂから二等分線３３Ｒを越えてピッチ方向に延びており、他方の延長部５５Ｃは、第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑと重なるように、矩形部５５Ｂから二等分線３４Ｒを越えてピッチ方向に延びている。
【0093】
従って、貫通孔５５の内周縁５５Ａのうち２つの延長部５５Ｃをピッチ方向で区画する２つの区画線５５Ｄは、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６からピッチ方向に大きく離れている。このことは、取りも直さず、第２導体層６ＣＬ２がピッチ方向において第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６から遠ざけられていることを意味する。これにより、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６における差動インピーダンスの低下を抑えることができる。
【0094】
＜実装基板７＞
図２１には、第１導体層７ＣＬ１に対する貫通孔８５及び貫通孔８６、貫通孔８７の位置関係を説明するために、第１導体層７ＣＬ１に貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド６３、第２グラウンドパッド６４、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑにはハッチングを施している。
図２１には、第１導体層７ＣＬ１に対する貫通孔８５及び貫通孔８６、貫通孔８７の位置関係を説明するために、第１導体層７ＣＬ１に貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド６３、第２グラウンドパッド６４、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑにはハッチングを施している。
【0095】
図２１に示すように、本実施形態は、上記第１実施形態との対比において第２導体層７ＣＬ２の貫通孔８５の形状が異なっており、その他の構成は上記第１実施形態のものと同一である。即ち、本実施形態の貫通孔８５は、図１７に示す上記第１実施形態の貫通孔８５と比較してピッチ方向に広く形成されている。
【0096】
即ち、図２１に示すように、貫通孔８５は、ほぼ矩形である矩形部８５Ｂと、矩形部８５Ｂからピッチ方向に延長する２つの延長部８５Ｃと、を含む。２つの延長部８５Ｃのうち一方は、ビアホール８０Ａとビアホール８０Ｂの間を通過するように延長しており、他方は、ビアホール８１Ａとビアホール８１Ｂの間を通過するように延長している。
【0097】
そして、貫通孔８５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑに対して重なるように形成されている。即ち、貫通孔８５の一方の延長部８５Ｃは、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと重なるように、矩形部８５Ｂから二等分線６３Ｒを越えてピッチ方向に延びており、他方の延長部８５Ｃは、第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑと重なるように、矩形部８５Ｂから二等分線６４Ｒを越えてピッチ方向に延びている。
【0098】
従って、貫通孔８５の内周縁８５Ａのうち２つの延長部８５Ｃをピッチ方向で区画する２つの区画線８５Ｄは、第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６からピッチ方向に大きく離れている。このことは、取りも直さず、第２導体層６ＣＬ２がピッチ方向において第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６から遠ざけられていることを意味する。これにより、第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６における差動インピーダンスの低下を抑えることができる。
【0099】
【0100】
＜接触基板６＞
図２２には、第１導体層６ＣＬ１に対する貫通孔５５及び貫通孔５６、貫通孔５７の位置関係を説明するために、第１導体層６ＣＬ１に貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド３３、第２グラウンドパッド３４、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑにはハッチングを施している。
図２２には、第１導体層６ＣＬ１に対する貫通孔５５及び貫通孔５６、貫通孔５７の位置関係を説明するために、第１導体層６ＣＬ１に貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド３３、第２グラウンドパッド３４、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑにはハッチングを施している。
【0101】
【0102】
即ち、図２２に示すように、接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向から見ると、貫通孔５５の内周縁５５Ａよりも内側に第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が共に位置するように形成されている。即ち、貫通孔５５の内周縁５５Ａは、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６を取り囲む。換言すれば、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が切れ目のない１つの貫通孔５５と重なっている。
【0103】
また、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑに対して重なるように形成されている。即ち、貫通孔５５の一方の延長部５５Ｃは、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと重なるように、矩形部５５Ｂから二等分線３３Ｒを越えてピッチ方向に延びており、他方の延長部５５Ｃは、第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑと重なるように、矩形部５５Ｂから二等分線３４Ｒを越えてピッチ方向に延びている。
【0104】
従って、貫通孔５５の内周縁５５Ａのうち２つの延長部５５Ｃをピッチ方向で区画する２つの区画線５５Ｄは、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６からピッチ方向に大きく離れている。このことは、取りも直さず、第２導体層６ＣＬ２がピッチ方向において第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６から遠ざけられていることを意味する。これにより、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６における差動インピーダンスの低下を抑えることができる。
【0105】
＜実装基板７＞
図２３には、第１導体層７ＣＬ１に対する貫通孔８５及び貫通孔８６、貫通孔８７の位置関係を説明するために、第１導体層７ＣＬ１に貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド６３、第２グラウンドパッド６４、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド６３の内側領域６３Ｐ及び外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の内側領域６４Ｐ及び外側領域６４Ｑにはハッチングを施している。
図２３には、第１導体層７ＣＬ１に対する貫通孔８５及び貫通孔８６、貫通孔８７の位置関係を説明するために、第１導体層７ＣＬ１に貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド６３、第２グラウンドパッド６４、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド６３の内側領域６３Ｐ及び外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の内側領域６４Ｐ及び外側領域６４Ｑにはハッチングを施している。
【0106】
図２３に示すように、本実施形態は、上記第１実施形態との対比において第２導体層７ＣＬ２の貫通孔８５の形状が異なっており、その他の構成は上記第１実施形態のものと同一である。即ち、本実施形態の貫通孔８５は、図１７に示す上記第１実施形態の貫通孔８５と比較してピッチ方向に広く形成されている。
【0107】
具体的には、図２３に示すように、貫通孔８５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑに対して重ならないように形成されている。また、貫通孔８５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド６３の内側領域６３Ｐと第２グラウンドパッド６４の内側領域６４Ｐに対して重ならないように形成されている。しかしながら、貫通孔８５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド６３の内側領域６３Ｐと第２グラウンドパッド６４の内側領域６４Ｐに対して接するようにピッチ方向に延びている。
【0108】
即ち、貫通孔８５の内周縁８５Ａのうち貫通孔８５をピッチ方向で区画する２つの区画線８５Ｄの一方は、第１グラウンドパッド６３の第１信号パッド６５側の輪郭６３Ｓと重なっており、他方は、第２グラウンドパッド６４の第２信号パッド６６側の輪郭６４Ｓと重なっている。このように第２導体層６ＣＬ２をピッチ方向において第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６から遠ざけることで第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６における差動インピーダンスの低下を抑えると共に、第２導体層７ＣＬ２における貫通孔８５の開口面積を抑えて第２導体層７ＣＬ２による電磁シールド効果を確保した設計となっている。
【0109】
ただし、本実施形態では、貫通孔８５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑに対して重ならない範囲で、第１グラウンドパッド６３の内側領域６３Ｐと第２グラウンドパッド６４の内側領域６４Ｐに対して重なるように形成してもよい。即ち、貫通孔８５は、第１グラウンドパッド６３の輪郭６３Ｓをピッチ方向で越えて内側領域６３Ｐと重複していてもよく、第２グラウンドパッド６４の輪郭６４Ｓをピッチ方向で越えて内側領域６４Ｐと重複していてもよい。この場合でも、第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６における差動インピーダンスの低下を抑制する効果と第２導体層７ＣＬ２による電磁シールド効果を両立することができる。
【0110】
【0111】
＜接触基板６＞
図２４には、第１導体層６ＣＬ１に対する貫通孔５５及び貫通孔５６、貫通孔５７の位置関係を説明するために、第１導体層６ＣＬ１に貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド３３、第２グラウンドパッド３４、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド３３の内側領域３３Ｐ及び外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の内側領域３４Ｐ及び外側領域３４Ｑにはハッチングを施している。
図２４には、第１導体層６ＣＬ１に対する貫通孔５５及び貫通孔５６、貫通孔５７の位置関係を説明するために、第１導体層６ＣＬ１に貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド３３、第２グラウンドパッド３４、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド３３の内側領域３３Ｐ及び外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の内側領域３４Ｐ及び外側領域３４Ｑにはハッチングを施している。
【0112】
図２４に示すように、本実施形態は、上記第１実施形態との対比において第１導体層６ＣＬ１の貫通孔５５の形状が異なっており、その他の構成は上記第１実施形態のものと同一である。即ち、本実施形態の貫通孔５５は、図１０に示す上記第１実施形態の貫通孔５５と比較してピッチ方向に狭く形成されている。また、本実施形態の貫通孔５５は、ほぼ矩形とされている。
【0113】
具体的には、図２４に示すように、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑに対して重ならないように形成されている。しかしながら、貫通孔５５は、上下方向に沿ってみると、第１グラウンドパッド３３の内側領域３３Ｐと第２グラウンドパッド３４の内側領域３４Ｐに対して重なるようにピッチ方向に延びている。即ち、貫通孔５５は、第１グラウンドパッド３３の第１信号パッド３５側の輪郭３３Ｓをピッチ方向で越えて内側領域３３Ｐと重複すると共に、第２グラウンドパッド３４の第２信号パッド３６側の輪郭３４Ｓをピッチ方向で越えて内側領域３４Ｐと重複している。このように第２導体層６ＣＬ２をピッチ方向において第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６から遠ざけることで第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６における差動インピーダンスの低下を抑えると共に、第２導体層６ＣＬ２における貫通孔５５の開口面積を抑えて第２導体層６ＣＬ２による電磁シールド効果を確保した設計となっている。
【0114】
ただし、本実施形態では、貫通孔５５の内周縁５５Ａのうち貫通孔５５をピッチ方向で区画する２つの区画線５５Ｄの一方が、第１グラウンドパッド３３の輪郭３３Ｓと重なっており、他方が、第２グラウンドパッド３４の輪郭３４Ｓと重なるようにしてもよい。換言すれば、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド３３の内側領域３３Ｐ及び第２グラウンドパッド３４の内側領域３４Ｐに対して接するように形成されてもよい。この場合でも、第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６における差動インピーダンスの低下を抑制する効果と第２導体層６ＣＬ２による電磁シールド効果を両立することができる。
【0115】
＜実装基板７＞
図２５には、第１導体層７ＣＬ１に対する貫通孔８５及び貫通孔８６、貫通孔８７の位置関係を説明するために、第１導体層７ＣＬ１に貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド６３、第２グラウンドパッド６４、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑにはハッチングを施している。
図２５には、第１導体層７ＣＬ１に対する貫通孔８５及び貫通孔８６、貫通孔８７の位置関係を説明するために、第１導体層７ＣＬ１に貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド６３、第２グラウンドパッド６４、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑにはハッチングを施している。
【0116】
図２５に示すように、本実施形態は、上記第１実施形態との対比において第２導体層７ＣＬ２の貫通孔８５の形状が異なっており、その他の構成は上記第１実施形態のものと同一である。即ち、本実施形態の貫通孔８５は、図１７に示す上記第１実施形態の貫通孔８５と比較してピッチ方向に広く形成されている。
【0117】
即ち、図２５に示すように、貫通孔８５は、ほぼ矩形である矩形部８５Ｂと、矩形部８５Ｂからピッチ方向に延長する２つの延長部８５Ｃと、を含む。２つの延長部８５Ｃのうち一方は、ビアホール８０Ａとビアホール８０Ｂの間を通過するように延長しており、他方は、ビアホール８１Ａとビアホール８１Ｂの間を通過するように延長している。
【0118】
そして、貫通孔８５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑに対して重なるように形成されている。即ち、貫通孔８５の一方の延長部８５Ｃは、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと重なるように、矩形部８５Ｂから二等分線６３Ｒを越えてピッチ方向に延びており、他方の延長部８５Ｃは、第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑと重なるように、矩形部８５Ｂから二等分線６４Ｒを越えてピッチ方向に延びている。
【0119】
従って、貫通孔８５の内周縁８５Ａのうち２つの延長部８５Ｃをピッチ方向で区画する２つの区画線８５Ｄは、第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６からピッチ方向に大きく離れている。このことは、取りも直さず、第２導体層６ＣＬ２がピッチ方向において第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６から遠ざけられていることを意味する。これにより、第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６における差動インピーダンスの低下を抑えることができる。
【0120】
【0121】
＜接触基板６＞
図２６には、第１導体層６ＣＬ１に対する貫通孔５５及び貫通孔５６、貫通孔５７の位置関係を説明するために、第１導体層６ＣＬ１に貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド３３、第２グラウンドパッド３４、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６を二点鎖線で示している。
図２６には、第１導体層６ＣＬ１に対する貫通孔５５及び貫通孔５６、貫通孔５７の位置関係を説明するために、第１導体層６ＣＬ１に貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔５５の内周縁５５Ａ及び貫通孔５６の内周縁５６Ａ、貫通孔５７の内周縁５７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド３３、第２グラウンドパッド３４、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６を二点鎖線で示している。
【0122】
図２６に示すように、本比較例は、上記第１実施形態との対比において第１導体層６ＣＬ１の貫通孔５５の形状が異なっており、その他の構成は上記第１実施形態のものと同一である。即ち、本比較例の貫通孔５５は、図１０に示す上記第１実施形態の貫通孔５５と比較してピッチ方向に狭く形成されている。また、本比較例の貫通孔５５は、ほぼ矩形とされている。
【0123】
具体的には、図２６に示すように、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド３３と第２グラウンドパッド３４からピッチ方向で離れて形成されている。具体的には、貫通孔５５をピッチ方向で区画する２つの区画線５５Ｄの一方は、ピッチ方向において第１グラウンドパッド３３と第１信号パッド３５の間であって、第１グラウンドパッド３３と第１信号パッド３５から等しい距離に位置しており、他方は、ピッチ方向において第２グラウンドパッド３４と第２信号パッド３６の間であって、第２グラウンドパッド３４と第２信号パッド３６から等しい距離に位置している。このように第２導体層６ＣＬ２における貫通孔５５の開口面積を抑えて第２導体層６ＣＬ２による電磁シールド効果を優先した設計となっている。
【0124】
＜実装基板７＞
図２７には、第１導体層７ＣＬ１に対する貫通孔８５及び貫通孔８６、貫通孔８７の位置関係を説明するために、第１導体層７ＣＬ１に貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド６３、第２グラウンドパッド６４、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑにはハッチングを施している。
図２７には、第１導体層７ＣＬ１に対する貫通孔８５及び貫通孔８６、貫通孔８７の位置関係を説明するために、第１導体層７ＣＬ１に貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを投影した投影図を示している。貫通孔８５の内周縁８５Ａ及び貫通孔８６の内周縁８６Ａ、貫通孔８７の内周縁８７Ａを太線で示し、第１グラウンドパッド６３、第２グラウンドパッド６４、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６を二点鎖線で示している。説明の便宜上、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑにはハッチングを施している。
【0125】
図２７に示すように、本比較例は、上記第１実施形態との対比において第２導体層７ＣＬ２の貫通孔８５の形状が異なっており、その他の構成は上記第１実施形態のものと同一である。即ち、本比較例の貫通孔８５は、図１７に示す上記第１実施形態の貫通孔８５と比較してピッチ方向に広く形成されている。
【0126】
即ち、図２７に示すように、貫通孔８５は、ほぼ矩形である矩形部８５Ｂと、矩形部８５Ｂからピッチ方向に延長する２つの延長部８５Ｃと、を含む。２つの延長部８５Ｃのうち一方は、ビアホール８０Ａとビアホール８０Ｂの間を通過するように延長しており、他方は、ビアホール８１Ａとビアホール８１Ｂの間を通過するように延長している。
【0127】
そして、貫通孔８５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑに対して重なるように形成されている。即ち、貫通孔８５の一方の延長部８５Ｃは、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと重なるように、矩形部８５Ｂから二等分線６３Ｒを越えてピッチ方向に延びており、他方の延長部８５Ｃは、第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑと重なるように、矩形部８５Ｂから二等分線６４Ｒを越えてピッチ方向に延びている。
【0128】
従って、貫通孔８５の内周縁８５Ａのうち２つの延長部８５Ｃをピッチ方向で区画する２つの区画線８５Ｄは、第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６からピッチ方向に大きく離れている。このことは、取りも直さず、第２導体層６ＣＬ２がピッチ方向において第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６から遠ざけられていることを意味する。これにより、第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６における差動インピーダンスの低下を抑えることができる。
【0129】
【0130】
図２８には、本比較例における接触基板６の第２導体層６ＣＬ２、第３導体層６ＣＬ３、第４導体層６ＣＬ４の部分底面図を示している。図２９には、本比較例における実装基板７の第２導体層７ＣＬ２、第３導体層７ＣＬ３、第４導体層７ＣＬ４の部分平面図を示している。図２８及び図２９においては、単に見やすさのために導体部分にはハッチングを施している。
【0131】
本比較例は、上記第１実施形態との対比において接触基板６の第２導体層６ＣＬ２、第３導体層６ＣＬ３、第４導体層６ＣＬ４、実装基板７の第２導体層７ＣＬ２、第３導体層７ＣＬ３、第４導体層７ＣＬ４の形状が異なっており、その他の構成は上記第１実施形態のものと同一である。
【0132】
＜接触基板６＞
図２８に示すように、第２導体層６ＣＬ２には図５に示す貫通孔５５に代えて、２つの貫通孔１００が形成されている。各貫通孔１００は、内周縁１００Ａを有する。図２８において、ビアホール５２及びビアホール５３は、２つの貫通孔１００の内周縁１００Ａの内側にそれぞれ配置されている。ビアホール５０Ａ及びビアホール５０Ｂ、ビアホール５１Ａ、ビアホール５１Ｂは、２つの貫通孔１００の内周縁１００Ａの外側に配置されている。各貫通孔５８は、ほぼ円形とされている。第３導体層６ＣＬ３、第４導体層６ＣＬ４は、第２導体層６ＣＬ２と同一の形状となっている。
図２８に示すように、第２導体層６ＣＬ２には図５に示す貫通孔５５に代えて、２つの貫通孔１００が形成されている。各貫通孔１００は、内周縁１００Ａを有する。図２８において、ビアホール５２及びビアホール５３は、２つの貫通孔１００の内周縁１００Ａの内側にそれぞれ配置されている。ビアホール５０Ａ及びビアホール５０Ｂ、ビアホール５１Ａ、ビアホール５１Ｂは、２つの貫通孔１００の内周縁１００Ａの外側に配置されている。各貫通孔５８は、ほぼ円形とされている。第３導体層６ＣＬ３、第４導体層６ＣＬ４は、第２導体層６ＣＬ２と同一の形状となっている。
【0133】
＜実装基板７＞
図２９に示すように、第２導体層７ＣＬ２には図１２に示す貫通孔８５に代えて、２つの貫通孔１０１が形成されている。各貫通孔１０１は、内周縁１０１Ａを有する。図２９において、ビアホール８２及びビアホール８３は、２つの貫通孔１０１の内周縁１０１Ａの内側にそれぞれ配置されている。ビアホール８０Ａ及びビアホール８０Ｂ、ビアホール８１Ａ、ビアホール８１Ｂは、２つの貫通孔１０１の内周縁１０１Ａの外側に配置されている。各貫通孔１０１は、ほぼ円形とされている。第３導体層７ＣＬ３、第４導体層７ＣＬ４は、第２導体層７ＣＬ２と同一の形状となっている。
図２９に示すように、第２導体層７ＣＬ２には図１２に示す貫通孔８５に代えて、２つの貫通孔１０１が形成されている。各貫通孔１０１は、内周縁１０１Ａを有する。図２９において、ビアホール８２及びビアホール８３は、２つの貫通孔１０１の内周縁１０１Ａの内側にそれぞれ配置されている。ビアホール８０Ａ及びビアホール８０Ｂ、ビアホール８１Ａ、ビアホール８１Ｂは、２つの貫通孔１０１の内周縁１０１Ａの外側に配置されている。各貫通孔１０１は、ほぼ円形とされている。第３導体層７ＣＬ３、第４導体層７ＣＬ４は、第２導体層７ＣＬ２と同一の形状となっている。
【0134】
（第１伝送信号品質解析）
次に、上記第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例の差動伝送用基板セット４における伝送信号品質（Signal Integrity）を解析したので、図３０から図３２を参照して、その解析結果を報告する。
次に、上記第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例の差動伝送用基板セット４における伝送信号品質（Signal Integrity）を解析したので、図３０から図３２を参照して、その解析結果を報告する。
【0135】
解析ソフトとしては、ANSYS社製のAnsys HFSS（登録商標）を用いた。複数の導体層６ＣＬ及び複数の導体層７ＣＬの厚みはそれぞれ１８マイクロメートルとし、第１絶縁体層６ＳＬ１、第５絶縁体層６ＳＬ５、第１絶縁体層７ＳＬ１、及び、第５絶縁体層７ＳＬ５の厚みは１００マイクロメートルとし、第２絶縁体層６ＳＬ２、第３絶縁体層６ＳＬ３、第４絶縁体層６ＳＬ４、第２絶縁体層７ＳＬ２、第３絶縁体層７ＳＬ３、及び、第４絶縁体層７ＳＬ４の厚みは２００マイクロメートルとした。複数のコンプレッションコンタクト１１のピッチは０．７ミリメートルとした。また、図３において、第１導体層６ＣＬ１と第１導体層７ＣＬ１は、上下方向に０．７ミリメートル離れているとした。図５から図８に示す接触基板６のビアホール５０Ａ、ビアホール５０Ｂ、ビアホール５１Ａ、及び、ビアホール５１Ｂは、何れも直径０．１２ミリメートルを有するものとした。図１２から図１５に示す実装基板７のビアホール８０Ａ、ビアホール８０Ｂ、ビアホール８１Ａ、及び、ビアホール８１Ｂは、何れも直径０．１５ミリメートルを有するものとした。絶縁体層６ＳＬ及び絶縁体層７ＳＬの誘電率を３．５とした。
【0136】
図３０は、差動伝送用基板セット４を用いた差動伝送のインサーションロスの解析結果を示すグラフである。図３０のグラフにおいて、横軸は周波数であり、縦軸はインサーションロスである。図３０において、近似曲線Ａから近似曲線Ｅは第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例にそれぞれ対応している。
【0137】
図３１は、差動伝送用基板セット４を用いた差動伝送のリターンロスの解析結果を示すグラフである。図３１のグラフにおいて、横軸は周波数であり、縦軸はリターンロスである。図３１において、近似曲線Ａから近似曲線Ｅは第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例にそれぞれ対応している。
【0138】
図３２は、差動伝送用基板セット４を用いた差動伝送のＴＤＲ（time domain reflectometry）の解析結果を示すグラフである。図３２のグラフにおいて、横軸は時間であり、縦軸は差動インピーダンスである。図３２において、近似曲線Ａから近似曲線Ｅは第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例にそれぞれ対応している。図３２に示すように、ＴＤＲ解析において差動伝送用基板セット４は、一例として、差動インピーダンスが８５Ωとなるように設計している。図３２において、横軸が０．０６５ｎｓｅｃである差動インピーダンスが接触基板６の第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６における差動インピーダンスを示しており、横軸が０．０９５ｎｓｅｃである差動インピーダンスが実装基板７の第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６における差動インピーダンスを示している。
【0139】
図３０によれば、第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例の差動伝送用基板セット４は何れも優れた伝送特性が得られていることが読み取れる。中でも、第１実施形態から第４実施形態は、第１比較例と比較して特にインサーションロスが少ないことが読み取れる。
【0140】
図３１によれば、第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例の差動伝送用基板セット４は何れも優れた伝送特性が得られていることが読み取れる。中でも、第１実施形態から第４実施形態は、第１比較例と比較してリターンロスが少ないことが読み取れる。また、第１実施形態は、第２実施形態から第４実施形態及び第１比較例と比較して特にリターンロスが少ないことが読み取れる。
【0141】
図３２によれば、第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例の差動伝送用基板セット４における差動インピーダンスが設計値である８５Ωからプラスマイナス１３Ωの狭い範囲に収まっていることが読み取れる。
【0142】
図３２において、横軸が０．０６５ｎｓｅｃである差動インピーダンス、即ち接触基板６の第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６における差動インピーダンスに着目すると、第１実施形態から第４実施形態は、第１比較例と比較して差動インピーダンスの低下を抑制できていることが読み取れる。これは、例えば図１０に示すように、第１実施形態から第４実施形態では、第２導体層６ＣＬ２、即ち貫通孔５５の内周縁５５Ａがピッチ方向において接触基板６の第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６から十分に遠ざけられていたからだと考えられる。図３０において、第１実施形態から第４実施形態のインサーションロスが第１比較例のインサーションロスと比較して少ないのは、接触基板６の第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６における差動インピーダンスの低下を効果的に抑制できたからだと考えられる。同様に、図３１において、第１実施形態から第４実施形態のリターンロスが第１比較例のリターンロスと比較して少ないのは、接触基板６の第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６における差動インピーダンスの低下を効果的に抑制できたからだと考えられる。
【0143】
図３２において、横軸が０．０９５ｎｓｅｃである差動インピーダンス、即ち実装基板７の第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６における差動インピーダンスに着目すると、第１実施形態は、第２実施形態から第４実施形態及び第１比較例と比較して差動インピーダンスが更に低下していることが読み取れる。これは、図１７に示すように、第１実施形態では、第２導体層７ＣＬ２、即ち、貫通孔８５がピッチ方向において狭く形成されていたからだと考えられる。しかしながら、実装基板７の第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６における差動インピーダンスの低下は大して問題とはならない。なぜなら、そもそも、実装基板７の第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６における差動インピーダンスの低下幅は、接触基板６の第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６におけるそれの５分の１程度だからである。
【0144】
ところで、図３２において、横軸が０．０８ｎｓｅｃである差動インピーダンス、即ちコンプレッションコンタクト１１における差動インピーダンスに着目すると、第１実施形態は、第２実施形態から第４実施形態及び第１比較例と比較して差動インピーダンスの上昇幅が抑えられていることが読み取れる。これは、上述したように第１実施形態では、横軸が０．０９５ｎｓｅｃである差動インピーダンス、即ち実装基板７の第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６における差動インピーダンスが第２実施形態から第４実施形態及び第１比較例のものよりも更に低下したことが遠因であると考えている。そして、図３１に示すように第１実施形態におけるリターンロスが第２実施形態から第４実施形態及び第１比較例のそれと比較して特に少なかったのは、図３２に示すように第１実施形態においてコンプレッションコンタクト１１における差動インピーダンスの上昇幅が抑えられていたからだと考えている。即ち、第１実施形態では、あえて実装基板７の第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６における差動インピーダンスの低下幅の抑制効果を控え目にすることで、リターンロスを少なくしていると言える。
【0145】
（第２伝送信号品質解析）
次に、上記第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例に第１変形例を適用したものの差動伝送用基板セット４、及び、第２比較例の差動伝送用基板セット４における伝送信号品質を解析したので、図３３から図３５を参照して、その解析結果を報告する。なお、第１実施形態に第１変形例を適用したものとは、第１変形例そのものを意味している。
次に、上記第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例に第１変形例を適用したものの差動伝送用基板セット４、及び、第２比較例の差動伝送用基板セット４における伝送信号品質を解析したので、図３３から図３５を参照して、その解析結果を報告する。なお、第１実施形態に第１変形例を適用したものとは、第１変形例そのものを意味している。
【0146】
解析ソフトとしては、ANSYS社製のAnsys HFSS（登録商標）を用いた。複数の導体層６ＣＬ及び複数の導体層７ＣＬの厚みはそれぞれ１８マイクロメートルとし、第１絶縁体層６ＳＬ１、第５絶縁体層６ＳＬ５、第１絶縁体層７ＳＬ１、及び、第５絶縁体層７ＳＬ５の厚みは１００マイクロメートルとし、第２絶縁体層６ＳＬ２、第３絶縁体層６ＳＬ３、第４絶縁体層６ＳＬ４、第２絶縁体層７ＳＬ２、第３絶縁体層７ＳＬ３、及び、第４絶縁体層７ＳＬ４の厚みは２００マイクロメートルとした。複数のコンプレッションコンタクト１１のピッチは０．７ミリメートルとした。また、図３において、第１導体層６ＣＬ１と第１導体層７ＣＬ１は、上下方向に０．７ミリメートル離れているとした。図５から図８に示す接触基板６のビアホール５０Ａ、ビアホール５０Ｂ、ビアホール５１Ａ、及び、ビアホール５１Ｂは、何れも直径０．１２ミリメートルを有するものとした。図１２から図１５に示す実装基板７のビアホール８０Ａ、ビアホール８０Ｂ、ビアホール８１Ａ、及び、ビアホール８１Ｂは、何れも直径０．１５ミリメートルを有するものとした。絶縁体層６ＳＬ及び絶縁体層７ＳＬの誘電率を３．５とした。
【0147】
図３３は、差動伝送用基板セット４を用いた差動伝送のインサーションロスの解析結果を示すグラフである。図３３のグラフにおいて、横軸は周波数であり、縦軸はインサーションロスである。図３３において、近似曲線Ａは第１実施形態に対応しており、近似曲線Ａダッシュから近似曲線Ｅダッシュは第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例に第１変形例を適用したものにそれぞれ対応しており、近似曲線Ｆは第２比較例に対応している。
【0148】
図３４は、差動伝送用基板セット４を用いた差動伝送のリターンロスの解析結果を示すグラフである。図３４のグラフにおいて、横軸は周波数であり、縦軸はリターンロスである。図３４において、近似曲線Ａは第１実施形態に対応しており、近似曲線Ａダッシュから近似曲線Ｅダッシュは第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例に第１変形例を適用したものにそれぞれ対応しており、近似曲線Ｆは第２比較例に対応している。
【0149】
図３５は、差動伝送用基板セット４を用いた差動伝送のＴＤＲ（time domain reflectometry）の解析結果を示すグラフである。図３５のグラフにおいて、横軸は時間であり、縦軸は差動インピーダンスである。図３５において、近似曲線Ａは第１実施形態に対応しており、近似曲線Ａダッシュから近似曲線Ｅダッシュは第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例に第１変形例を適用したものにそれぞれ対応しており、近似曲線Ｆは第２比較例に対応している。図３５に示すように、ＴＤＲ解析において差動伝送用基板セット４は、一例として、差動インピーダンスが８５Ωとなるように設計している。図３５において、横軸が０．０６５ｎｓｅｃである差動インピーダンスが接触基板６の第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６における差動インピーダンスを示しており、横軸が０．０９５ｎｓｅｃである差動インピーダンスが実装基板７の第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６における差動インピーダンスを示している。
【0150】
図３３によれば、第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例に第１変形例を適用すると、インサーションロスが若干多くなるものの、第２比較例のインサーションロスよりも相当少ないことが読み取れる。
【0151】
図３４によれば、第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例に第１変形例を適用すると、リターンロスが若干多くなるものの、第２比較例のリターンロスよりも相当少ないことが読み取れる。
【0152】
図３５によれば、第１実施形態から第４実施形態及び第１比較例に第１変形例を適用すると、接触基板６の第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６における差動インピーダンスの低下幅が若干大きくなるものの、第２比較例の低下幅よりも相当抑えられていることが読み取れる。
【0153】
以上に、本開示の好適な複数の実施形態を説明した。
【0154】
上記の第１実施形態から第３実施形態は、以下の共通する特徴を有している。
即ち、図１から図３に示すように、差動伝送用基板セット４は、コンプレッションコネクタ５が実装される実装基板７と、コンプレッションコネクタ５に接触させる接触基板６と、を組み合わせて成る。接触基板６と実装基板７は、コンプレッションコネクタ５を介して相互に電気的に接続される。コンプレッションコネクタ５は、それぞれがハンダ付け部２０とバネ部２１を含んで一列に並んだ４つのコンプレッションコンタクト１１と、４つのコンプレッションコンタクト１１を保持するハウジング１２と、を備える。図３に示すように、実装基板７は、複数の導体層７ＣＬと複数の絶縁体層７ＳＬを交互に積層した多層基板である。接触基板６は、複数の導体層６ＣＬと複数の絶縁体層６ＳＬを交互に積層した多層基板である。
実装基板７において、複数の導体層７ＣＬは、コンプレッションコネクタ５側から順に、第１導体層７ＣＬ１及び第２導体層７ＣＬ２をこの記載順に含む。接触基板６において、複数の導体層６ＣＬは、コンプレッションコネクタ５側から順に、第１導体層６ＣＬ１及び第２導体層６ＣＬ２をこの記載順に含む。
図１１に示すように、実装基板７において、第１導体層７ＣＬ１は、４つのコンプレッションコンタクト１１に対応する４つの電極パッド６０を有する。４つの電極パッド６０は、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６、第１グラウンドパッド６３、第２グラウンドパッド６４を含む。第１グラウンドパッド６３、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６、第２グラウンドパッド６４は、ピッチ方向（第１の方向）に沿ってこの記載順で並んでいる。第１グラウンドパッド６３、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６、第２グラウンドパッド６４には、４つのコンプレッションコンタクト１１のハンダ付け部２０がそれぞれハンダ付け可能となっている。
図４に示すように、接触基板６において、第１導体層６ＣＬ１は、４つのコンプレッションコンタクト１１に対応する４つの電極パッド３０を有する。４つの電極パッド３０は、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６、第１グラウンドパッド３３、第２グラウンドパッド３４を含む。第１グラウンドパッド３３、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６、第２グラウンドパッド３４は、ピッチ方向（第１の方向）に沿ってこの記載順で並んでいる。第１グラウンドパッド３３、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６、第２グラウンドパッド３４には、４つのコンプレッションコンタクト１１のバネ部２１がそれぞれ接触可能となっている。
図１２に示すように、実装基板７において、第２導体層７ＣＬ２はグラウンド層であって貫通孔８５が形成されている。図１７に示すように、実装基板７において、貫通孔８５は、上下方向（積層方向）から見ると、貫通孔８５の内周縁８５Ａよりも内側に第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６が共に位置するように形成されている。図１１に示すように、実装基板７において、第１グラウンドパッド６３は、ピッチ方向において第１グラウンドパッド６３のパッド面積を二等分する二等分線６３Ｒよりも第１信号パッド６５に近い内側領域６３Ｐと、二等分線６３Ｒよりも第１信号パッド６５から遠い外側領域６３Ｑと、を含む。実装基板７において、第２グラウンドパッド６４は、ピッチ方向において第２グラウンドパッド６４のパッド面積を二等分する二等分線６４Ｒよりも第２信号パッド６６に近い内側領域６４Ｐと、二等分線６４Ｒよりも第２信号パッド６６から遠い外側領域６４Ｑと、を含む。
図５に示すように、接触基板６において、第２導体層６ＣＬ２はグラウンド層であって貫通孔５５が形成されている。図１０に示すように、接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向（積層方向）から見ると、貫通孔５５の内周縁５５Ａよりも内側に第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が共に位置するように形成されている。図４に示すように、接触基板６において、第１グラウンドパッド３３は、ピッチ方向において第１グラウンドパッド３３のパッド面積を二等分する二等分線３３Ｒよりも第１信号パッド３５に近い内側領域３３Ｐと、二等分線３３Ｒよりも第１信号パッド３５から遠い外側領域３３Ｑと、を含む。接触基板６において、第２グラウンドパッド３４は、ピッチ方向において第２グラウンドパッド３４のパッド面積を二等分する二等分線３４Ｒよりも第２信号パッド３６に近い内側領域３４Ｐと、二等分線３４Ｒよりも第２信号パッド３６から遠い外側領域３４Ｑと、を含む。
そして、第１実施形態の図１０及び第２実施形態の図２０、第３実施形態の図２２に示すように、接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑに対して重なるように形成されている。
以上の構成によれば、図３０及び図３１において近似曲線Ａ、Ｂ、Ｃで示すように、優れた伝送特性を有する差動伝送用基板セット４が実現される。特に、近似曲線Ｅで示す第１比較例と比較して優れた伝送特性を実現することができる。
即ち、図１から図３に示すように、差動伝送用基板セット４は、コンプレッションコネクタ５が実装される実装基板７と、コンプレッションコネクタ５に接触させる接触基板６と、を組み合わせて成る。接触基板６と実装基板７は、コンプレッションコネクタ５を介して相互に電気的に接続される。コンプレッションコネクタ５は、それぞれがハンダ付け部２０とバネ部２１を含んで一列に並んだ４つのコンプレッションコンタクト１１と、４つのコンプレッションコンタクト１１を保持するハウジング１２と、を備える。図３に示すように、実装基板７は、複数の導体層７ＣＬと複数の絶縁体層７ＳＬを交互に積層した多層基板である。接触基板６は、複数の導体層６ＣＬと複数の絶縁体層６ＳＬを交互に積層した多層基板である。
実装基板７において、複数の導体層７ＣＬは、コンプレッションコネクタ５側から順に、第１導体層７ＣＬ１及び第２導体層７ＣＬ２をこの記載順に含む。接触基板６において、複数の導体層６ＣＬは、コンプレッションコネクタ５側から順に、第１導体層６ＣＬ１及び第２導体層６ＣＬ２をこの記載順に含む。
図１１に示すように、実装基板７において、第１導体層７ＣＬ１は、４つのコンプレッションコンタクト１１に対応する４つの電極パッド６０を有する。４つの電極パッド６０は、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６、第１グラウンドパッド６３、第２グラウンドパッド６４を含む。第１グラウンドパッド６３、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６、第２グラウンドパッド６４は、ピッチ方向（第１の方向）に沿ってこの記載順で並んでいる。第１グラウンドパッド６３、第１信号パッド６５、第２信号パッド６６、第２グラウンドパッド６４には、４つのコンプレッションコンタクト１１のハンダ付け部２０がそれぞれハンダ付け可能となっている。
図４に示すように、接触基板６において、第１導体層６ＣＬ１は、４つのコンプレッションコンタクト１１に対応する４つの電極パッド３０を有する。４つの電極パッド３０は、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６、第１グラウンドパッド３３、第２グラウンドパッド３４を含む。第１グラウンドパッド３３、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６、第２グラウンドパッド３４は、ピッチ方向（第１の方向）に沿ってこの記載順で並んでいる。第１グラウンドパッド３３、第１信号パッド３５、第２信号パッド３６、第２グラウンドパッド３４には、４つのコンプレッションコンタクト１１のバネ部２１がそれぞれ接触可能となっている。
図１２に示すように、実装基板７において、第２導体層７ＣＬ２はグラウンド層であって貫通孔８５が形成されている。図１７に示すように、実装基板７において、貫通孔８５は、上下方向（積層方向）から見ると、貫通孔８５の内周縁８５Ａよりも内側に第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６が共に位置するように形成されている。図１１に示すように、実装基板７において、第１グラウンドパッド６３は、ピッチ方向において第１グラウンドパッド６３のパッド面積を二等分する二等分線６３Ｒよりも第１信号パッド６５に近い内側領域６３Ｐと、二等分線６３Ｒよりも第１信号パッド６５から遠い外側領域６３Ｑと、を含む。実装基板７において、第２グラウンドパッド６４は、ピッチ方向において第２グラウンドパッド６４のパッド面積を二等分する二等分線６４Ｒよりも第２信号パッド６６に近い内側領域６４Ｐと、二等分線６４Ｒよりも第２信号パッド６６から遠い外側領域６４Ｑと、を含む。
図５に示すように、接触基板６において、第２導体層６ＣＬ２はグラウンド層であって貫通孔５５が形成されている。図１０に示すように、接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向（積層方向）から見ると、貫通孔５５の内周縁５５Ａよりも内側に第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が共に位置するように形成されている。図４に示すように、接触基板６において、第１グラウンドパッド３３は、ピッチ方向において第１グラウンドパッド３３のパッド面積を二等分する二等分線３３Ｒよりも第１信号パッド３５に近い内側領域３３Ｐと、二等分線３３Ｒよりも第１信号パッド３５から遠い外側領域３３Ｑと、を含む。接触基板６において、第２グラウンドパッド３４は、ピッチ方向において第２グラウンドパッド３４のパッド面積を二等分する二等分線３４Ｒよりも第２信号パッド３６に近い内側領域３４Ｐと、二等分線３４Ｒよりも第２信号パッド３６から遠い外側領域３４Ｑと、を含む。
そして、第１実施形態の図１０及び第２実施形態の図２０、第３実施形態の図２２に示すように、接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑに対して重なるように形成されている。
以上の構成によれば、図３０及び図３１において近似曲線Ａ、Ｂ、Ｃで示すように、優れた伝送特性を有する差動伝送用基板セット４が実現される。特に、近似曲線Ｅで示す第１比較例と比較して優れた伝送特性を実現することができる。
【0155】
上記の第４実施形態は、以下の共通する特徴を有している。
即ち、第４実施形態の図２５に示すように、実装基板７において、貫通孔８５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑに対して重なるように形成されている。
第４実施形態の図２４に示すように、接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと重なってない。接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド３３の内側領域３３Ｐと重なるように形成されている。
接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑと重なっていない。接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第２グラウンドパッド３４の内側領域３３Ｐと重なるように形成されている。
以上の構成によれば、図３０及び図３１において近似曲線Ｄで示すように、優れた伝送特性を有する差動伝送用基板セット４が実現される。特に、近似曲線Ｅで示す第１比較例と比較して優れた伝送特性を実現することができる。
即ち、第４実施形態の図２５に示すように、実装基板７において、貫通孔８５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド６３の外側領域６３Ｑと第２グラウンドパッド６４の外側領域６４Ｑに対して重なるように形成されている。
第４実施形態の図２４に示すように、接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド３３の外側領域３３Ｑと重なってない。接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第１グラウンドパッド３３の内側領域３３Ｐと重なるように形成されている。
接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第２グラウンドパッド３４の外側領域３４Ｑと重なっていない。接触基板６において、貫通孔５５は、上下方向に沿って見ると、第２グラウンドパッド３４の内側領域３３Ｐと重なるように形成されている。
以上の構成によれば、図３０及び図３１において近似曲線Ｄで示すように、優れた伝送特性を有する差動伝送用基板セット４が実現される。特に、近似曲線Ｅで示す第１比較例と比較して優れた伝送特性を実現することができる。
【0156】
上記の第１変形例は、以下の特徴を有している。
即ち、図１９に示すように、実装基板７において、第３導体層７ＣＬ３は、グラウンド層であって、上下方向において第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６と重なっている。また、図１８に示すように、接触基板６において、第３導体層６ＣＬ３は、グラウンド層であって、上下方向において第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６と重なっている。
以上の構成によっても、図３３及び図３４に示すように、優れた伝送特性を有する差動伝送用基板セット４が実現される。また、第３導体層７ＣＬ３及び第３導体層６ＣＬ３における電磁シールド効果が期待される。
即ち、図１９に示すように、実装基板７において、第３導体層７ＣＬ３は、グラウンド層であって、上下方向において第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６と重なっている。また、図１８に示すように、接触基板６において、第３導体層６ＣＬ３は、グラウンド層であって、上下方向において第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６と重なっている。
以上の構成によっても、図３３及び図３４に示すように、優れた伝送特性を有する差動伝送用基板セット４が実現される。また、第３導体層７ＣＬ３及び第３導体層６ＣＬ３における電磁シールド効果が期待される。
【0157】
上記の第１実施形態から第４実施形態は、以下の共通する特徴を有している。
即ち、図１３及び図１４に示すように、実装基板７において、第３導体層７ＣＬ３及び第４導体層７ＣＬ４は、グラウンド層であって、貫通孔８６及び貫通孔８７がそれぞれ形成されている。図１７に示すように、実装基板７において、第３導体層７ＣＬ３の貫通孔８６は、上下方向から見ると、貫通孔８６の内周縁８６Ａよりも内側に第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６が共に位置するように形成されている。同様に、第４導体層７ＣＬ４の貫通孔８７は、上下方向から見ると、貫通孔８７の内周縁８７Ａよりも内側に第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６が共に位置するように形成されている。図１５に示すように、実装基板７において、第５導体層７ＣＬ５は、グラウンド層であって、上下方向において第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６と重なっている（理解促進のために図１９を参考にされたい）。
また、図６及び図７に示すように、接触基板６において、第３導体層６ＣＬ３及び第４導体層６ＣＬ４は、グラウンド層であって、貫通孔５６及び貫通孔５７がそれぞれ形成されている。図１０に示すように、接触基板６において、第３導体層６ＣＬ３の貫通孔５６は、上下方向から見ると、貫通孔５６の内周縁５６Ａよりも内側に第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が共に位置するように形成されている。同様に、第４導体層６ＣＬ４の貫通孔５７は、上下方向から見ると、貫通孔５７の内周縁５７Ａよりも内側に第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が共に位置するように形成されている。図８に示すように、接触基板６において、第５導体層６ＣＬ５は、グラウンド層であって、上下方向において第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６と重なっている（理解促進のために図１８を参考にされたい）。
以上の構成によれば、図３０及び図３１に示すように、優れた伝送特性を有する差動伝送用基板セット４が実現される。
即ち、図１３及び図１４に示すように、実装基板７において、第３導体層７ＣＬ３及び第４導体層７ＣＬ４は、グラウンド層であって、貫通孔８６及び貫通孔８７がそれぞれ形成されている。図１７に示すように、実装基板７において、第３導体層７ＣＬ３の貫通孔８６は、上下方向から見ると、貫通孔８６の内周縁８６Ａよりも内側に第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６が共に位置するように形成されている。同様に、第４導体層７ＣＬ４の貫通孔８７は、上下方向から見ると、貫通孔８７の内周縁８７Ａよりも内側に第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６が共に位置するように形成されている。図１５に示すように、実装基板７において、第５導体層７ＣＬ５は、グラウンド層であって、上下方向において第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６と重なっている（理解促進のために図１９を参考にされたい）。
また、図６及び図７に示すように、接触基板６において、第３導体層６ＣＬ３及び第４導体層６ＣＬ４は、グラウンド層であって、貫通孔５６及び貫通孔５７がそれぞれ形成されている。図１０に示すように、接触基板６において、第３導体層６ＣＬ３の貫通孔５６は、上下方向から見ると、貫通孔５６の内周縁５６Ａよりも内側に第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が共に位置するように形成されている。同様に、第４導体層６ＣＬ４の貫通孔５７は、上下方向から見ると、貫通孔５７の内周縁５７Ａよりも内側に第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６が共に位置するように形成されている。図８に示すように、接触基板６において、第５導体層６ＣＬ５は、グラウンド層であって、上下方向において第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６と重なっている（理解促進のために図１８を参考にされたい）。
以上の構成によれば、図３０及び図３１に示すように、優れた伝送特性を有する差動伝送用基板セット４が実現される。
【0158】
また、図２に示すように、コンプレッションコネクタ５は、一列に並んだ４つのコンプレッションコンタクト１１から成るコンプレッションコンタクトグループ１１Ｇを複数配置して構成されている。
【0159】
また、接触基板６の複数の導体層６ＣＬは、コンプレッションコネクタ５側から順に、第１導体層６ＣＬ１、第２導体層６ＣＬ２・・・第（Ｎ－１）導体層、第Ｎ導体層をこの記載順に含む。ただし、Ｎは４以上の自然数である。上記各実施形態において、第（Ｎ－１）導体層及び第Ｎ導体層は、それぞれ、第５導体層６ＣＬ５及び第６導体層６ＣＬ６に相当している。第６導体層６ＣＬ６（第Ｎ導体層）は、第１導体層６ＣＬ１の第１信号パッド３５及び第２信号パッド３６とそれぞれ電気的に接続される第１信号パッド４５及び第２信号パッド４６を含む。図８及び図９に示すように、第５導体層６ＣＬ５（第（Ｎ－１）導体層）は、グラウンド層であって、積層方向において第６導体層６ＣＬ６の第１信号パッド４５及び第２信号パッド４６と重なっている。以上の構成によれば、第６導体層６ＣＬ６（第Ｎ導電層）の第１信号パッド４５及び第２信号パッド４６の電磁シールド効果を十分に確保することができる。
同様に、実装基板７の複数の導体層７ＣＬは、コンプレッションコネクタ５側から順に、第１導体層７ＣＬ１、第２導体層７ＣＬ２・・・第（Ｎ－１）導体層、第Ｎ導体層をこの記載順に含む。ただし、Ｎは４以上の自然数である。上記各実施形態において、第（Ｎ－１）導体層及び第Ｎ導体層は、それぞれ、第５導体層７ＣＬ５及び第６導体層７ＣＬ６に相当している。第６導体層７ＣＬ６（第Ｎ導体層）は、第１導体層７ＣＬ１の第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６とそれぞれ電気的に接続される第１信号パッド７５及び第２信号パッド７６を含む。図１５及び図１６に示すように、第５導体層７ＣＬ５（第（Ｎ－１）導体層）は、グラウンド層であって、積層方向において第６導体層７ＣＬ６の第１信号パッド７５及び第２信号パッド７６と重なっている。以上の構成によれば、第６導体層７ＣＬ６（第Ｎ導電層）の第１信号パッド７５及び第２信号パッド７６の電磁シールド効果を十分に確保することができる。
ただし、接触基板６及び実装基板７の両方が上記の第（Ｎ－１）導体層の特徴を備えてもよく、接触基板６及び実装基板７のうち何れか一方のみが上記の第（Ｎ－１）導体層の特徴を備えてもよい。
同様に、実装基板７の複数の導体層７ＣＬは、コンプレッションコネクタ５側から順に、第１導体層７ＣＬ１、第２導体層７ＣＬ２・・・第（Ｎ－１）導体層、第Ｎ導体層をこの記載順に含む。ただし、Ｎは４以上の自然数である。上記各実施形態において、第（Ｎ－１）導体層及び第Ｎ導体層は、それぞれ、第５導体層７ＣＬ５及び第６導体層７ＣＬ６に相当している。第６導体層７ＣＬ６（第Ｎ導体層）は、第１導体層７ＣＬ１の第１信号パッド６５及び第２信号パッド６６とそれぞれ電気的に接続される第１信号パッド７５及び第２信号パッド７６を含む。図１５及び図１６に示すように、第５導体層７ＣＬ５（第（Ｎ－１）導体層）は、グラウンド層であって、積層方向において第６導体層７ＣＬ６の第１信号パッド７５及び第２信号パッド７６と重なっている。以上の構成によれば、第６導体層７ＣＬ６（第Ｎ導電層）の第１信号パッド７５及び第２信号パッド７６の電磁シールド効果を十分に確保することができる。
ただし、接触基板６及び実装基板７の両方が上記の第（Ｎ－１）導体層の特徴を備えてもよく、接触基板６及び実装基板７のうち何れか一方のみが上記の第（Ｎ－１）導体層の特徴を備えてもよい。
【0160】
上記の各実施形態は、例えば、以下のように変更できる。
【0161】
即ち、図５において、ビアホール５０Ａとビアホール５０Ｂのうち何れか一方を省略できる。図５において、ビアホール５１Ａとビアホール５１Ｂのうち何れか一方を省略できる。図１２において、ビアホール８０Ａとビアホール８０Ｂのうち何れか一方を省略できる。図１２において、ビアホール８１Ａとビアホール８１Ｂのうち何れか一方を省略できる。
【0162】
また、図３に示すように、上記各実施形態において、接触基板６は、複数の導体層６ＣＬとして、第１から第６導体層を備えている。しかし、これに代えて、接触基板６は、複数の導体層６ＣＬとして、更に、第７導体層及び第８導体層を備えてもよい。第６導体層６ＣＬ６、第７導体層、及び、第８導体層は、コンプレッションコネクタ５側から順に配置される。この場合、典型的には、第７導体層及び第８導体層をグラウンド層とする。第７導体層及び第８導体層の厚みや形状は任意とすることができる。実装基板７についても同様である。
【符号の説明】
【0163】
１ 情報処理装置
２ 差動伝送アッセンブリ（アッセンブリ）
３ サポートボード
４ 差動伝送用基板セット
５ コンプレッションコネクタ
６ 接触基板
６Ａ ボルト締結孔
６ＣＬ 導体層
６ＣＬ１ 第１導体層
６ＣＬ２ 第２導体層
６ＣＬ３ 第３導体層
６ＣＬ４ 第４導体層
６ＣＬ５ 第５導体層
６ＣＬ６ 第６導体層
６ＳＬ 絶縁体層
６ＳＬ１ 第１絶縁体層
６ＳＬ２ 第２絶縁体層
６ＳＬ３ 第３絶縁体層
６ＳＬ４ 第４絶縁体層
６ＳＬ５ 第５絶縁体層
７ 実装基板
７Ａ ボルト締結孔
７ＣＬ 導体層
７ＣＬ１ 第１導体層
７ＣＬ２ 第２導体層
７ＣＬ３ 第３導体層
７ＣＬ４ 第４導体層
７ＣＬ５ 第５導体層
７ＣＬ６ 第６導体層
７ＳＬ 絶縁体層
７ＳＬ１ 第１絶縁体層
７ＳＬ２ 第２絶縁体層
７ＳＬ３ 第３絶縁体層
７ＳＬ４ 第４絶縁体層
７ＳＬ５ 第５絶縁体層
８ ボード本体
９ ナット
１０ ボルト
１１ コンプレッションコンタクト
１１Ｇ コンプレッションコンタクトグループ
１２ ハウジング
１２Ａ コンタクト収容室
１３ コンタクト列
２０ ハンダ付け部
２１ バネ部
２１Ａ 接点部
２２ 圧入部
３０ 電極パッド
３１ グラウンドパッド
３２ 信号パッド
３３ 第１グラウンドパッド
３３Ａ バネ接触部
３３Ｂ 第１ビア接続部
３３Ｃ 第２ビア接続部
３３Ｄ 境界
３３Ｅ 境界
３３Ｆ ベース部
３３Ｇ テーパ部
３３Ｐ 内側領域
３３Ｑ 外側領域
３３Ｒ 二等分線
３３Ｓ 輪郭
３４ 第２グラウンドパッド
３４Ａ バネ接触部
３４Ｂ 第１ビア接続部
３４Ｃ 第２ビア接続部
３４Ｄ 境界
３４Ｅ 境界
３４Ｆ ベース部
３４Ｇ テーパ部
３４Ｐ 内側領域
３４Ｑ 外側領域
３４Ｒ 二等分線
３４Ｓ 輪郭
３５ 第１信号パッド
３５Ａ バネ接触部
３５Ｂ ビア接続部
３５Ｃ 境界
３５Ｄ ベース部
３５Ｅ テーパ部
３６ 第２信号パッド
３６Ａ バネ接触部
３６Ｂ ビア接続部
３６Ｃ 境界
３６Ｄ ベース部
３６Ｅ テーパ部
４３ 第１グラウンドパッド
４３Ａ 第１ビア接続部
４３Ｂ 第２ビア接続部
４４ 第２グラウンドパッド
４４Ａ 第１ビア接続部
４４Ｂ 第２ビア接続部
４５ 第１信号パッド
４６ 第２信号パッド
５０Ａ ビアホール
５０Ｂ ビアホール
５１Ａ ビアホール
５１Ｂ ビアホール
５２ ビアホール
５３ ビアホール
５５ 貫通孔
５５Ａ 内周縁
５５Ｂ 矩形部
５５Ｃ 延長部
５５Ｄ 区画線
５６ 貫通孔
５６Ａ 内周縁
５７ 貫通孔
５７Ａ 内周縁
５８ 貫通孔
５８Ａ 内周縁
６０ 電極パッド
６１ グラウンドパッド
６２ 信号パッド
６３ 第１グラウンドパッド
６３Ａ 端部
６３Ｐ 内側領域
６３Ｑ 外側領域
６３Ｒ 二等分線
６３Ｓ 輪郭
６４ 第２グラウンドパッド
６４Ａ 端部
６４Ｐ 内側領域
６４Ｑ 外側領域
６４Ｒ 二等分線
６４Ｓ 輪郭
６５ 第１信号パッド
６６ 第２信号パッド
７３ 第１グラウンドパッド
７３Ａ 第１ビア接続部
７３Ｂ 第２ビア接続部
７４ 第２グラウンドパッド
７４Ａ 第１ビア接続部
７４Ｂ 第２ビア接続部
７５ 第１信号パッド
７６ 第２信号パッド
８０Ｂ ビアホール
８０Ａ ビアホール
８１Ａ ビアホール
８１Ｂ ビアホール
８２ ビアホール
８３ ビアホール
８５ 貫通孔
８５Ａ 内周縁
８５Ｂ 矩形部
８５Ｃ 延長部
８５Ｄ 区画線
８６ 貫通孔
８６Ａ 内周縁
８７ 貫通孔
８７Ａ 内周縁
８８ 貫通孔
８８Ａ 内周縁
９０ 貫通孔
９０Ａ 内周縁
９１ 貫通孔
９１Ａ 内周縁
１００ 貫通孔
１００Ａ 内周縁
１０１ 貫通孔
１０１Ａ 内周縁
２ 差動伝送アッセンブリ（アッセンブリ）
３ サポートボード
４ 差動伝送用基板セット
５ コンプレッションコネクタ
６ 接触基板
６Ａ ボルト締結孔
６ＣＬ 導体層
６ＣＬ１ 第１導体層
６ＣＬ２ 第２導体層
６ＣＬ３ 第３導体層
６ＣＬ４ 第４導体層
６ＣＬ５ 第５導体層
６ＣＬ６ 第６導体層
６ＳＬ 絶縁体層
６ＳＬ１ 第１絶縁体層
６ＳＬ２ 第２絶縁体層
６ＳＬ３ 第３絶縁体層
６ＳＬ４ 第４絶縁体層
６ＳＬ５ 第５絶縁体層
７ 実装基板
７Ａ ボルト締結孔
７ＣＬ 導体層
７ＣＬ１ 第１導体層
７ＣＬ２ 第２導体層
７ＣＬ３ 第３導体層
７ＣＬ４ 第４導体層
７ＣＬ５ 第５導体層
７ＣＬ６ 第６導体層
７ＳＬ 絶縁体層
７ＳＬ１ 第１絶縁体層
７ＳＬ２ 第２絶縁体層
７ＳＬ３ 第３絶縁体層
７ＳＬ４ 第４絶縁体層
７ＳＬ５ 第５絶縁体層
８ ボード本体
９ ナット
１０ ボルト
１１ コンプレッションコンタクト
１１Ｇ コンプレッションコンタクトグループ
１２ ハウジング
１２Ａ コンタクト収容室
１３ コンタクト列
２０ ハンダ付け部
２１ バネ部
２１Ａ 接点部
２２ 圧入部
３０ 電極パッド
３１ グラウンドパッド
３２ 信号パッド
３３ 第１グラウンドパッド
３３Ａ バネ接触部
３３Ｂ 第１ビア接続部
３３Ｃ 第２ビア接続部
３３Ｄ 境界
３３Ｅ 境界
３３Ｆ ベース部
３３Ｇ テーパ部
３３Ｐ 内側領域
３３Ｑ 外側領域
３３Ｒ 二等分線
３３Ｓ 輪郭
３４ 第２グラウンドパッド
３４Ａ バネ接触部
３４Ｂ 第１ビア接続部
３４Ｃ 第２ビア接続部
３４Ｄ 境界
３４Ｅ 境界
３４Ｆ ベース部
３４Ｇ テーパ部
３４Ｐ 内側領域
３４Ｑ 外側領域
３４Ｒ 二等分線
３４Ｓ 輪郭
３５ 第１信号パッド
３５Ａ バネ接触部
３５Ｂ ビア接続部
３５Ｃ 境界
３５Ｄ ベース部
３５Ｅ テーパ部
３６ 第２信号パッド
３６Ａ バネ接触部
３６Ｂ ビア接続部
３６Ｃ 境界
３６Ｄ ベース部
３６Ｅ テーパ部
４３ 第１グラウンドパッド
４３Ａ 第１ビア接続部
４３Ｂ 第２ビア接続部
４４ 第２グラウンドパッド
４４Ａ 第１ビア接続部
４４Ｂ 第２ビア接続部
４５ 第１信号パッド
４６ 第２信号パッド
５０Ａ ビアホール
５０Ｂ ビアホール
５１Ａ ビアホール
５１Ｂ ビアホール
５２ ビアホール
５３ ビアホール
５５ 貫通孔
５５Ａ 内周縁
５５Ｂ 矩形部
５５Ｃ 延長部
５５Ｄ 区画線
５６ 貫通孔
５６Ａ 内周縁
５７ 貫通孔
５７Ａ 内周縁
５８ 貫通孔
５８Ａ 内周縁
６０ 電極パッド
６１ グラウンドパッド
６２ 信号パッド
６３ 第１グラウンドパッド
６３Ａ 端部
６３Ｐ 内側領域
６３Ｑ 外側領域
６３Ｒ 二等分線
６３Ｓ 輪郭
６４ 第２グラウンドパッド
６４Ａ 端部
６４Ｐ 内側領域
６４Ｑ 外側領域
６４Ｒ 二等分線
６４Ｓ 輪郭
６５ 第１信号パッド
６６ 第２信号パッド
７３ 第１グラウンドパッド
７３Ａ 第１ビア接続部
７３Ｂ 第２ビア接続部
７４ 第２グラウンドパッド
７４Ａ 第１ビア接続部
７４Ｂ 第２ビア接続部
７５ 第１信号パッド
７６ 第２信号パッド
８０Ｂ ビアホール
８０Ａ ビアホール
８１Ａ ビアホール
８１Ｂ ビアホール
８２ ビアホール
８３ ビアホール
８５ 貫通孔
８５Ａ 内周縁
８５Ｂ 矩形部
８５Ｃ 延長部
８５Ｄ 区画線
８６ 貫通孔
８６Ａ 内周縁
８７ 貫通孔
８７Ａ 内周縁
８８ 貫通孔
８８Ａ 内周縁
９０ 貫通孔
９０Ａ 内周縁
９１ 貫通孔
９１Ａ 内周縁
１００ 貫通孔
１００Ａ 内周縁
１０１ 貫通孔
１０１Ａ 内周縁
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】