▶ スカイワークス グローバル プライベート リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023179626
(43)【公開日】2023-12-19
(54)【発明の名称】バルク弾性波デバイスにおける多層隆起フレーム
(51)【国際特許分類】
H03H 9/17 20060101AFI20231212BHJP
H03H 9/54 20060101ALI20231212BHJP
【ＦＩ】
H03H9/17 F
H03H9/54 Z
【審査請求】有
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2023173371
(22)【出願日】2023-10-05
(62)【分割の表示】P 2019170536の分割
【原出願日】2019-09-19
(31)【優先権主張番号】62/735,523
(32)【優先日】2018-09-24
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】62/760,470
(32)【優先日】2018-11-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】519331291
【氏名又は名称】スカイワークス グローバル プライベート リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100083806
【弁理士】
【氏名又は名称】三好 秀和
(74)【代理人】
【識別番号】100111235
【弁理士】
【氏名又は名称】原 裕子
(74)【代理人】
【識別番号】100195257
【弁理士】
【氏名又は名称】大渕 一志
(72)【発明者】
【氏名】シン、 ガン ジェ
(72)【発明者】
【氏名】リウ、 ジエンソン
(57)【要約】 （修正有）
【課題】多層隆起フレーム構造物を含む低損失バルク弾性波デバイス（ＦＢＡＲ）並びに関連するフィルタ、マルチプレクサ、パッケージ状モジュール、無線通信デバイス及び方法を提供する。
【解決手段】二重隆起フレームバルク弾性波デバイス２０において、多層隆起フレーム構造物は、第１電極２１と第２電極２２の間に位置決めされた第１隆起フレーム層２３と、第２隆起フレーム層２４と、を含む。第１隆起フレーム層２３は、第１電極２１よりも低い音響インピーダンスを有する。第１隆起フレーム層２３と第２隆起フレーム層２４とは、バルク弾性波デバイス２０のアクティブ領域において重なる。アクティブ領域は、圧電層１６の、第１電極２１及び第２電極２２双方と重なる部分によって画定される。
【選択図】図２
【解決手段】二重隆起フレームバルク弾性波デバイス２０において、多層隆起フレーム構造物は、第１電極２１と第２電極２２の間に位置決めされた第１隆起フレーム層２３と、第２隆起フレーム層２４と、を含む。第１隆起フレーム層２３は、第１電極２１よりも低い音響インピーダンスを有する。第１隆起フレーム層２３と第２隆起フレーム層２４とは、バルク弾性波デバイス２０のアクティブ領域において重なる。アクティブ領域は、圧電層１６の、第１電極２１及び第２電極２２双方と重なる部分によって画定される。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
バルク弾性波デバイスであって、
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置決めされた圧電層と、
前記バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリアの外側にある多層隆起フレーム
構造物と
を含み、
前記多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含み、
前記第１隆起フレーム層は、前記第１電極と前記第２電極との間に位置決めされ、
前記第１隆起フレーム層は、前記第１電極よりも低い音響インピーダンスを有し、
前記第２隆起フレーム層は、前記アクティブ領域において前記第１隆起フレーム層と重な
る、バルク弾性波デバイス。
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置決めされた圧電層と、
前記バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリアの外側にある多層隆起フレーム
構造物と
を含み、
前記多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含み、
前記第１隆起フレーム層は、前記第１電極と前記第２電極との間に位置決めされ、
前記第１隆起フレーム層は、前記第１電極よりも低い音響インピーダンスを有し、
前記第２隆起フレーム層は、前記アクティブ領域において前記第１隆起フレーム層と重な
る、バルク弾性波デバイス。
【請求項2】
前記第１隆起フレーム層は、隆起フレームモードの周波数を、前記バルク弾性波デバイス
の主要共振周波数から離れるように移動させるべく構成される、請求項１のバルク弾性波
デバイス。
の主要共振周波数から離れるように移動させるべく構成される、請求項１のバルク弾性波
デバイス。
【請求項3】
前記多層隆起フレーム構造物は、前記アクティブ領域から前記バルク弾性波デバイスのパ
ッシブ領域への横方向エネルギー漏洩をブロックするべく構成される、請求項１のバルク
弾性波デバイス。
ッシブ領域への横方向エネルギー漏洩をブロックするべく構成される、請求項１のバルク
弾性波デバイス。
【請求項4】
前記第１隆起フレーム層の音響インピーダンスは、前記圧電層の音響インピーダンスより
も低い、請求項１のバルク弾性波デバイス。
も低い、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項5】
前記第１隆起フレーム層は二酸化ケイ素層である、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項6】
前記第１電極は、モリブデン、タングステン、ルテニウム、白金又はイリジウムの少なく
とも一つを含む、請求項１のバルク弾性波デバイス。
とも一つを含む、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項7】
前記第１隆起フレーム層は、前記圧電層と前記第１電極との間に位置決めされる、請求項
１のバルク弾性波デバイス。
１のバルク弾性波デバイス。
【請求項8】
前記第１隆起フレーム層は、前記バルク弾性波デバイスの隆起フレームドメインにおいて
前記アクティブドメインのエッジに沿って配置される、請求項１のバルク弾性波デバイス
。
前記アクティブドメインのエッジに沿って配置される、請求項１のバルク弾性波デバイス
。
【請求項9】
前記バルク弾性波デバイスはさらに、前記隆起フレームドメインと前記中間エリアとの間
に陥凹フレームドメインを含む、請求項８のバルク弾性波デバイス。
に陥凹フレームドメインを含む、請求項８のバルク弾性波デバイス。
【請求項10】
前記第２隆起フレーム層と前記圧電層とは、前記第２電極の対向側に配置され、
前記第１隆起フレーム層は、前記圧電層と前記第２電極との間に位置決めされる、請求項
１のバルク弾性波デバイス。
前記第１隆起フレーム層は、前記圧電層と前記第２電極との間に位置決めされる、請求項
１のバルク弾性波デバイス。
【請求項11】
前記第２隆起フレーム層は前記圧電層よりも高い密度を有する、請求項１のバルク弾性波
デバイス。
デバイス。
【請求項12】
前記第２隆起フレーム層は、前記第２電極と同じ材料を含む、請求項１のバルク弾性波デ
バイス。
バイス。
【請求項13】
エアキャビティをさらに含み、
前記エアキャビティと前記圧電層とは前記第１電極の対向側に存在する、請求項１のバル
ク弾性波デバイス。
前記エアキャビティと前記圧電層とは前記第１電極の対向側に存在する、請求項１のバル
ク弾性波デバイス。
【請求項14】
音響ブラッグ反射器をさらに含み、
前記音響ブラッグ反射器と前記圧電層とは前記第１電極の対向側に存在する、請求項１の
バルク弾性波デバイス。
前記音響ブラッグ反射器と前記圧電層とは前記第１電極の対向側に存在する、請求項１の
バルク弾性波デバイス。
【請求項15】
マルチプレクサであって、
第１通過帯域を有する第１フィルタと、
第２通過帯域を有する第２フィルタと
を含み、
前記第１フィルタはバルク弾性波デバイスを含み、
前記バルク弾性波デバイスは、前記バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリア
の外側にある多層隆起フレーム構造物を含み、
前記多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含み、
前記第１隆起フレーム層は、電極と圧電層との間に位置決めされ、
前記第１隆起フレーム層は、前記電極よりも低い音響インピーダンスを有し、
前記第２隆起フレーム層は、前記アクティブ領域において前記第１隆起フレーム層と重な
り、
前記第２フィルタは、共通ノードにおいて前記第１フィルタに結合され、
前記多層隆起フレーム構造物は、前記バルク弾性波デバイスの隆起フレームモードを前記
第２通過帯域から離れるように移動させるべく構成される、マルチプレクサ。
第１通過帯域を有する第１フィルタと、
第２通過帯域を有する第２フィルタと
を含み、
前記第１フィルタはバルク弾性波デバイスを含み、
前記バルク弾性波デバイスは、前記バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリア
の外側にある多層隆起フレーム構造物を含み、
前記多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含み、
前記第１隆起フレーム層は、電極と圧電層との間に位置決めされ、
前記第１隆起フレーム層は、前記電極よりも低い音響インピーダンスを有し、
前記第２隆起フレーム層は、前記アクティブ領域において前記第１隆起フレーム層と重な
り、
前記第２フィルタは、共通ノードにおいて前記第１フィルタに結合され、
前記多層隆起フレーム構造物は、前記バルク弾性波デバイスの隆起フレームモードを前記
第２通過帯域から離れるように移動させるべく構成される、マルチプレクサ。
【請求項16】
前記共通ノードは、少なくとも前記第１通過帯域に関連付けられた第１キャリアと前記第
２通過帯域に関連付けられた第２キャリアとを含むキャリアアグリゲーション信号を受信
するべく構成される、請求項１５のマルチプレクサ。
２通過帯域に関連付けられた第２キャリアとを含むキャリアアグリゲーション信号を受信
するべく構成される、請求項１５のマルチプレクサ。
【請求項17】
前記多層隆起フレームモードは、前記第２通過帯域における前記第１フィルタの反射係数
を増加させるように構成される、請求項１５のマルチプレクサ。
を増加させるように構成される、請求項１５のマルチプレクサ。
【請求項18】
前記第１弾性フィルタはさらに、第２バルク弾性波デバイスを含み、
前記第２バルク弾性波デバイスは、前記第２バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中
間エリアの外側にある第２多層隆起フレーム構造物を含む、請求項１５のマルチプレクサ
。
前記第２バルク弾性波デバイスは、前記第２バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中
間エリアの外側にある第２多層隆起フレーム構造物を含む、請求項１５のマルチプレクサ
。
【請求項19】
前記第１隆起フレーム層の音響インピーダンスは、前記圧電層の音響インピーダンスより
も低い、請求項１５のマルチプレクサ。
も低い、請求項１５のマルチプレクサ。
【請求項20】
パッケージ状モジュールであって、
パッケージ基板と、
前記パッケージ基板上において無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性
波フィルタと、
前記弾性波フィルタに電気的に結合されて前記パッケージ基板上に位置決めされた無線周
波数コンポーネントと
を含み、
前記弾性波フィルタはバルク弾性波デバイスを含み、
前記バルク弾性波デバイスは、前記バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリア
の外側にある多層隆起フレーム構造物を含み、
前記多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含み、
前記第１隆起フレーム層は、電極と圧電層との間に位置決めされ、
前記第１隆起フレーム層は、前記電極よりも低い音響インピーダンスを有し、
前記第２隆起フレーム層は、前記アクティブ領域において前記第１隆起フレーム層と重な
り、
前記弾性波フィルタ及び前記無線周波数コンポーネントは共通パッケージ内に封入される
、パッケージ状モジュール。
パッケージ基板と、
前記パッケージ基板上において無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性
波フィルタと、
前記弾性波フィルタに電気的に結合されて前記パッケージ基板上に位置決めされた無線周
波数コンポーネントと
を含み、
前記弾性波フィルタはバルク弾性波デバイスを含み、
前記バルク弾性波デバイスは、前記バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリア
の外側にある多層隆起フレーム構造物を含み、
前記多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含み、
前記第１隆起フレーム層は、電極と圧電層との間に位置決めされ、
前記第１隆起フレーム層は、前記電極よりも低い音響インピーダンスを有し、
前記第２隆起フレーム層は、前記アクティブ領域において前記第１隆起フレーム層と重な
り、
前記弾性波フィルタ及び前記無線周波数コンポーネントは共通パッケージ内に封入される
、パッケージ状モジュール。
【請求項21】
前記無線周波数コンポーネントは、無線周波数増幅器又は無線周波数スイッチの少なくと
も一方を含む、請求項２０のパッケージ状モジュール。
も一方を含む、請求項２０のパッケージ状モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
優先権出願の相互参照
本願は、２０１８年９月２４日に出願された「バルク弾性波デバイスにおける多層隆起
フレーム」との名称の米国仮特許出願第６２／７３５，５２３号の優先権の利益を主張す
るとともに、２０１８年１１月１１日に出願された「バルク弾性波デバイスにおける多層
隆起フレーム」との名称の米国仮特許出願第６２／７６０，４７０号の優先権の利益を主
張する。これらそれぞれの開示は、全体がここに参照により組み入れられる。
本願は、２０１８年９月２４日に出願された「バルク弾性波デバイスにおける多層隆起
フレーム」との名称の米国仮特許出願第６２／７３５，５２３号の優先権の利益を主張す
るとともに、２０１８年１１月１１日に出願された「バルク弾性波デバイスにおける多層
隆起フレーム」との名称の米国仮特許出願第６２／７６０，４７０号の優先権の利益を主
張する。これらそれぞれの開示は、全体がここに参照により組み入れられる。
【0002】
本開示の実施形態は、弾性波デバイスに関し、詳しくはバルク弾性波デバイスに関する
。
。
【背景技術】
【0003】
無線周波数電子システムには弾性波フィルタを実装することができる。例えば、携帯電
話機の無線周波数フロントエンドにおけるフィルタは、一つ以上の弾性波フィルタを含み
得る。複数の弾性波フィルタを、マルチプレクサとして配列することができる。例えば、
２つの弾性波フィルタをデュプレクサとして配列することができる。
話機の無線周波数フロントエンドにおけるフィルタは、一つ以上の弾性波フィルタを含み
得る。複数の弾性波フィルタを、マルチプレクサとして配列することができる。例えば、
２つの弾性波フィルタをデュプレクサとして配列することができる。
【0004】
弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された複数の共振器
を含み得る。複数例の弾性波フィルタには、弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ及びバルク弾
性波（ＢＡＷ）フィルタが含まれる。ＢＡＷフィルタはＢＡＷ共振器を含む。複数例のＢ
ＡＷ共振器が、薄膜バルク弾性波共振器（ＦＢＡＲ）及びソリッドマウント共振器（ＳＭ
Ｒ）を含む。ＢＡＷ共振器において、弾性波は、圧電層のバルクの中を伝播する。
を含み得る。複数例の弾性波フィルタには、弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ及びバルク弾
性波（ＢＡＷ）フィルタが含まれる。ＢＡＷフィルタはＢＡＷ共振器を含む。複数例のＢ
ＡＷ共振器が、薄膜バルク弾性波共振器（ＦＢＡＲ）及びソリッドマウント共振器（ＳＭ
Ｒ）を含む。ＢＡＷ共振器において、弾性波は、圧電層のバルクの中を伝播する。
【0005】
高性能ＢＡＷフィルタに対し、低挿入損失かつ低ガンマ損失が一般に望ましい。しかし
ながら、所望レベルの挿入損失及びガンマ損失を達成することは難しい。
ながら、所望レベルの挿入損失及びガンマ損失を達成することは難しい。
【発明の概要】
【0006】
特許請求の範囲に記載のイノベーションはそれぞれが、いくつかの側面を有し、その単
独の一つのみが、その所望の属性に対して関与するわけではない。特許請求の範囲を制限
することなく、本開示のいくつかの卓越した特徴の概要が以下に記載される。
独の一つのみが、その所望の属性に対して関与するわけではない。特許請求の範囲を制限
することなく、本開示のいくつかの卓越した特徴の概要が以下に記載される。
【0007】
本開示の一つの側面は、第１電極と、第２電極と、当該第１電極と第２電極との間に位
置決めされた圧電層と、多層隆起フレーム構造物とを含むバルク弾性波デバイスであり、
当該多層隆起フレーム構造物は当該バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリア
の外側にある。多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層
を含む。第１隆起フレーム層は、第１電極と第２電極との間に位置決めされる。第１隆起
フレーム層は、第１電極よりも低い音響インピーダンスを有する。第２隆起フレーム層は
、アクティブ領域において第１隆起フレーム層と重なる。
置決めされた圧電層と、多層隆起フレーム構造物とを含むバルク弾性波デバイスであり、
当該多層隆起フレーム構造物は当該バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリア
の外側にある。多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層
を含む。第１隆起フレーム層は、第１電極と第２電極との間に位置決めされる。第１隆起
フレーム層は、第１電極よりも低い音響インピーダンスを有する。第２隆起フレーム層は
、アクティブ領域において第１隆起フレーム層と重なる。
【0008】
第１隆起フレーム層は、隆起フレームモードの周波数を、バルク弾性波デバイスの主要
共振周波数から離れるように移動させることができる。第１隆起フレーム層の音響インピ
ーダンスは、圧電層の音響インピーダンスよりも低くてよい。第１隆起フレーム層は二酸
化ケイ素層としてよい。第１隆起フレーム層は、圧電層と第１電極との間に位置決めして
よい。第１隆起フレーム層は、アクティブドメインのエッジに沿ったバルク弾性波デバイ
スの隆起フレームドメインに配置してよい。バルク弾性波デバイスはさらに、隆起フレー
ムドメインと中間エリアとの間に陥凹フレームドメインを含んでよい。
共振周波数から離れるように移動させることができる。第１隆起フレーム層の音響インピ
ーダンスは、圧電層の音響インピーダンスよりも低くてよい。第１隆起フレーム層は二酸
化ケイ素層としてよい。第１隆起フレーム層は、圧電層と第１電極との間に位置決めして
よい。第１隆起フレーム層は、アクティブドメインのエッジに沿ったバルク弾性波デバイ
スの隆起フレームドメインに配置してよい。バルク弾性波デバイスはさらに、隆起フレー
ムドメインと中間エリアとの間に陥凹フレームドメインを含んでよい。
【0009】
多層隆起フレーム構造物は、バルク弾性波デバイスのアクティブ領域からパッシブ領域
への横方向エネルギー漏洩をブロックすることができる。
への横方向エネルギー漏洩をブロックすることができる。
【0010】
第１電極はモリブデンを含み得る。第１電極はタングステンを含み得る。第１電極はル
テニウムを含み得る。第１電極は白金を含み得る。第１電極はイリジウムを含み得る。第
１電極は、モリブデン、タングステン、ルテニウム、白金及び／又はイリジウムの任意の
適切な合金を含み得る。
テニウムを含み得る。第１電極は白金を含み得る。第１電極はイリジウムを含み得る。第
１電極は、モリブデン、タングステン、ルテニウム、白金及び／又はイリジウムの任意の
適切な合金を含み得る。
【0011】
第２隆起フレーム層と圧電層とは、第２電極の対向側に配置することができる。第１隆
起フレーム層は、圧電層と第２電極との間に位置決めしてよい。第２隆起フレーム層は、
圧電層よりも高い密度を有してよい。第２隆起フレーム層は、第２電極と同じ材料を含む
。第２隆起フレーム層はまた、第１電極と同じ材料を含んでよい。
起フレーム層は、圧電層と第２電極との間に位置決めしてよい。第２隆起フレーム層は、
圧電層よりも高い密度を有してよい。第２隆起フレーム層は、第２電極と同じ材料を含む
。第２隆起フレーム層はまた、第１電極と同じ材料を含んでよい。
【0012】
バルク弾性波デバイスは、多層隆起フレーム層を覆うパッシベーション層を含んでよい
。バルク弾性波デバイスは、多層隆起フレーム層を覆う二酸化ケイ素層を含んでよい。
。バルク弾性波デバイスは、多層隆起フレーム層を覆う二酸化ケイ素層を含んでよい。
【0013】
バルク弾性波デバイスは、エアキャビティを含んでよい。ここで、エアキャビティと圧
電層とは、第１電極の対向側に存在する。
電層とは、第１電極の対向側に存在する。
【0014】
バルク弾性波デバイスは、音響ブラッグ反射器を含んでよい。ここで、音響ブラッグ反
射器と圧電層とは第１電極の対向側に存在する。
射器と圧電層とは第１電極の対向側に存在する。
【0015】
本開示の他側面は、第１通過帯域を有する第１フィルタと第２通過帯域を有する第２フ
ィルタとを含むマルチプレクサである。第１フィルタはバルク弾性波デバイスを含む。バ
ルク弾性波デバイスは、バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリアの外側に多
層隆起フレーム構造物を含む。多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２
隆起フレーム層を含む。第１隆起フレーム層は、電極と圧電層との間に位置決めされる。
第１隆起フレーム層は、第１電極よりも低い音響インピーダンスを有する。第２隆起フレ
ーム層は、アクティブ領域において第１隆起フレーム層と重なる。第２フィルタは、共通
ノードにおいて第１弾性波フィルタに結合される。多層隆起フレーム構造物は、バルク弾
性波デバイスの隆起フレームモードを、第２通過帯域から移動させるべく構成される。
ィルタとを含むマルチプレクサである。第１フィルタはバルク弾性波デバイスを含む。バ
ルク弾性波デバイスは、バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリアの外側に多
層隆起フレーム構造物を含む。多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２
隆起フレーム層を含む。第１隆起フレーム層は、電極と圧電層との間に位置決めされる。
第１隆起フレーム層は、第１電極よりも低い音響インピーダンスを有する。第２隆起フレ
ーム層は、アクティブ領域において第１隆起フレーム層と重なる。第２フィルタは、共通
ノードにおいて第１弾性波フィルタに結合される。多層隆起フレーム構造物は、バルク弾
性波デバイスの隆起フレームモードを、第２通過帯域から移動させるべく構成される。
【0016】
第１隆起フレーム層の音響インピーダンスは、圧電層の音響インピーダンスよりも低く
てよい。第１弾性フィルタはさらに、第２バルク弾性波デバイスを含む。ここで、第２バ
ルク弾性波デバイスは、第２バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリアの外側
に第２多層隆起フレーム構造物を含む。
てよい。第１弾性フィルタはさらに、第２バルク弾性波デバイスを含む。ここで、第２バ
ルク弾性波デバイスは、第２バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリアの外側
に第２多層隆起フレーム構造物を含む。
【0017】
第２フィルタは弾性波フィルタとしてよい。マルチプレクサは、共通ノードに結合され
た一つ以上の付加フィルタを含んでよい。
た一つ以上の付加フィルタを含んでよい。
【0018】
共通ノードは、少なくとも第１通過帯域に関連付けられた第１キャリア及び第２通過帯
域に関連付けられた第２キャリアを含むキャリアアグリゲーション信号を受信することが
できる。
域に関連付けられた第２キャリアを含むキャリアアグリゲーション信号を受信することが
できる。
【0019】
多層隆起フレームモードにより、第２通過帯域における第１弾性波フィルタの反射係数
が増加し得る。
が増加し得る。
【0020】
本開示の他側面は、パッケージ基板と、当該パッケージ基板上にあって無線周波数信号
をフィルタリングするべく構成された弾性波フィルタと、当該弾性波フィルタに電気的に
結合されて当該パッケージ基板上に位置決めされた無線周波数コンポーネントとを含むパ
ッケージ状モジュールである。弾性波フィルタ及び無線周波数コンポーネントは、共通パ
ッケージの中に封入される。弾性波フィルタはバルク弾性波デバイスを含む。バルク弾性
波デバイスは、バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリアの外側に多層隆起フ
レーム構造物を含む。多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレ
ーム層を含む。第１隆起フレーム層は、電極と圧電層との間に位置決めされる。第１隆起
フレーム層は、第１電極よりも低い音響インピーダンスを有する。第２隆起フレーム層は
、アクティブ領域において第１隆起フレーム層と重なる。
をフィルタリングするべく構成された弾性波フィルタと、当該弾性波フィルタに電気的に
結合されて当該パッケージ基板上に位置決めされた無線周波数コンポーネントとを含むパ
ッケージ状モジュールである。弾性波フィルタ及び無線周波数コンポーネントは、共通パ
ッケージの中に封入される。弾性波フィルタはバルク弾性波デバイスを含む。バルク弾性
波デバイスは、バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリアの外側に多層隆起フ
レーム構造物を含む。多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレ
ーム層を含む。第１隆起フレーム層は、電極と圧電層との間に位置決めされる。第１隆起
フレーム層は、第１電極よりも低い音響インピーダンスを有する。第２隆起フレーム層は
、アクティブ領域において第１隆起フレーム層と重なる。
【0021】
無線周波数コンポーネントは、電力増幅器又は低雑音増幅器のような無線周波数増幅器
を含み得る。無線周波数コンポーネントは無線周波数スイッチを含み得る。
を含み得る。無線周波数コンポーネントは無線周波数スイッチを含み得る。
【0022】
本開示の他の側面は、第１電極と、第２電極と、当該第１電極と第２電極との間に位置
決めされた圧電層と、多層隆起フレーム構造物とを含むバルク弾性波デバイスであり、当
該多層隆起フレーム構造物は当該バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリアの
外側にある。多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を
含む。第１隆起フレーム層は、第１電極と第２電極との間に位置決めされる。第１隆起フ
レーム層は、圧電層よりも低い音響インピーダンスを有する。第２隆起フレーム層は、ア
クティブ領域において第１隆起フレーム層と重なる。
決めされた圧電層と、多層隆起フレーム構造物とを含むバルク弾性波デバイスであり、当
該多層隆起フレーム構造物は当該バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の中間エリアの
外側にある。多層隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を
含む。第１隆起フレーム層は、第１電極と第２電極との間に位置決めされる。第１隆起フ
レーム層は、圧電層よりも低い音響インピーダンスを有する。第２隆起フレーム層は、ア
クティブ領域において第１隆起フレーム層と重なる。
【0023】
第１隆起フレーム層は、隆起フレームモードの周波数を、バルク弾性波デバイスの主要
共振周波数から離れるように移動させることができる。第１隆起フレーム層は二酸化ケイ
素層としてよい。第１隆起フレーム層は、圧電層と第１電極との間に位置決めしてよい。
第１隆起フレーム層は、アクティブドメインのエッジに沿ったバルク弾性波デバイスの隆
起フレームドメインに配置してよい。バルク弾性波デバイスはさらに、隆起フレームドメ
インと中間エリアとの間に陥凹フレームドメインを含んでよい。
共振周波数から離れるように移動させることができる。第１隆起フレーム層は二酸化ケイ
素層としてよい。第１隆起フレーム層は、圧電層と第１電極との間に位置決めしてよい。
第１隆起フレーム層は、アクティブドメインのエッジに沿ったバルク弾性波デバイスの隆
起フレームドメインに配置してよい。バルク弾性波デバイスはさらに、隆起フレームドメ
インと中間エリアとの間に陥凹フレームドメインを含んでよい。
【0024】
多層隆起フレーム構造物は、バルク弾性波デバイスのアクティブ領域からパッシブ領域
への横方向エネルギー漏洩をブロックすることができる。
への横方向エネルギー漏洩をブロックすることができる。
【0025】
第１電極はモリブデンを含み得る。第１電極はタングステンを含み得る。第１電極はル
テニウムを含み得る。
テニウムを含み得る。
【0026】
第２隆起フレーム層と圧電層とは、第２電極の対向側に配置することができる。第１隆
起フレーム層は、圧電層と第２電極との間に位置決めしてよい。第２隆起フレーム層は、
圧電層よりも高い密度を有してよい。第２隆起フレーム層は、第２電極と同じ材料を含む
。第２隆起フレーム層はまた、第１電極と同じ材料を含んでよい。
起フレーム層は、圧電層と第２電極との間に位置決めしてよい。第２隆起フレーム層は、
圧電層よりも高い密度を有してよい。第２隆起フレーム層は、第２電極と同じ材料を含む
。第２隆起フレーム層はまた、第１電極と同じ材料を含んでよい。
【0027】
バルク弾性波デバイスは、多層隆起フレーム層を覆うパッシベーション層を含んでよい
。バルク弾性波デバイスは、多層隆起フレーム層を覆う二酸化ケイ素層を含んでよい。
。バルク弾性波デバイスは、多層隆起フレーム層を覆う二酸化ケイ素層を含んでよい。
【0028】
バルク弾性波デバイスは、エアキャビティを含んでよい。ここで、エアキャビティと圧
電層とは、第１電極の対向側に存在する。
電層とは、第１電極の対向側に存在する。
【0029】
バルク弾性波デバイスは、音響ブラッグ反射器を含んでよい。ここで、音響ブラッグ反
射器と圧電層とは第１電極の対向側に存在する。
射器と圧電層とは第１電極の対向側に存在する。
【0030】
バルク弾性波デバイスは、ここに開示される任意の適切なフィルタ、マルチプレクサ及
び／又はモジュールに含まれ得る。
び／又はモジュールに含まれ得る。
【0031】
本開示をまとめる目的で本イノベーションの所定の側面、利点及び新規な特徴が、ここ
に記載されてきた。理解されることだが、そのような利点の必ずしもすべてが、いずれか
の特定の実施形態において達成されるというわけではない。よって、本イノベーションは
、ここに教示される一つの利点又は一群の利点を、ここに教示又は示唆される他の利点を
必ずしも達成することなく、達成又は最適化する態様で、具体化し又は実行することがで
きる。
に記載されてきた。理解されることだが、そのような利点の必ずしもすべてが、いずれか
の特定の実施形態において達成されるというわけではない。よって、本イノベーションは
、ここに教示される一つの利点又は一群の利点を、ここに教示又は示唆される他の利点を
必ずしも達成することなく、達成又は最適化する態様で、具体化し又は実行することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【0032】
本開示の実施形態が、添付図面を参照する非限定的な例を介して以下に記載される。
【0033】
【図1】二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの平面図である。
【図2】一実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの断面図である。
【図3】他実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの断面図である。
【図4】他実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの断面図である。
【図5】他実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの断面図である。
【図6】他実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの断面図である。
【図7A】他実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの断面図である。
【図7B】他実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの断面図である。
【図8】他実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの断面図である。
【図9】他実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの断面図である。
【図10】図１０Ａは、一の隆起フレームバルク弾性波デバイスの断面図である。図１０Ｂは、他の隆起フレームバルク弾性波デバイスの断面図である。図１０Ｃは、一実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの断面図である。
【図12】弾性波ラダーフィルタの一例の模式的な図である。
【図14】アンテナスイッチと、一つ以上の多層隆起フレームバルク弾性波デバイスを含むデュプレクサとを含むモジュールの模式的なブロック図である。
【図15】図１５Ａは、電力増幅器と、無線周波数スイッチと、一つ以上の多層隆起フレームバルク弾性波デバイスを含むデュプレクサとを含むモジュールの模式的なブロック図である。図１５Ｂは、低雑音増幅器と、無線周波数スイッチと、一つ以上の多層隆起フレームバルク弾性波デバイスを含む弾性波フィルタとを含むモジュールの模式的なブロック図である。
【図16】電力増幅器と、無線周波数スイッチと、一つ以上の多層隆起フレームバルク弾性波デバイスを含むデュプレクサとを含むモジュールの模式的なブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0034】
所定の実施形態の以下の詳細な説明は、特定の実施形態の様々な記載を表す。しかしな
がら、ここに記載のイノベーションは、例えば特許請求の範囲によって画定され及びカバ
ーされる多数の異なる態様で具体化することができる。本記載において、同じ参照番号が
同一の又は機能的に類似の要素を示し得る図面が参照される。理解されることだが、図面
に示される要素は必ずしも縮尺どおりではない。さらに理解されることだが、所定の実施
形態は、図面に示されるよりも多くの要素を含んでよく、及び／又は図面に示される要素
の部分集合を含んでよい。さらに、いくつかの実施形態は、２つ以上の図面からの特徴の
いずれかの適切な組み合わせを組み入れてよい。
がら、ここに記載のイノベーションは、例えば特許請求の範囲によって画定され及びカバ
ーされる多数の異なる態様で具体化することができる。本記載において、同じ参照番号が
同一の又は機能的に類似の要素を示し得る図面が参照される。理解されることだが、図面
に示される要素は必ずしも縮尺どおりではない。さらに理解されることだが、所定の実施
形態は、図面に示されるよりも多くの要素を含んでよく、及び／又は図面に示される要素
の部分集合を含んでよい。さらに、いくつかの実施形態は、２つ以上の図面からの特徴の
いずれかの適切な組み合わせを組み入れてよい。
【0035】
高性能のバルク弾性波（ＢＡＷ）フィルタを開発するには、挿入損失を低減するととも
に、ガンマ損失を減少させることが一般に望ましい。低い挿入損失を達成するべく、ＢＡ
Ｗ共振器は、高い品質係数（Ｑ）を有するのが典型的である。高いＱを達成するべく、境
界リングとも称される隆起フレームは、ＢＡＷ共振器のアクティブドメインからＢＡＷ共
振器のパッシブドメインへの横方向エネルギー漏洩をブロックすることができる。隆起フ
レームはＱを改善し得るが、すべての漏洩エネルギーをトラップすることができるという
わけではない。隆起フレームは、ＢＡＷ共振器の主要共振周波数未満において、相対的に
大きなスプリアスモードを発生させ得る。これは、隆起フレームモードとも称される。こ
れは、フィルタのキャリアアグリゲーション帯域にガンマ劣化を生じさせ得る。ガンマは
、反射係数とも称する。低いガンマ損失は、隆起フレームスプリアスモード（ＲａＦモー
ド）をキャリアアグリゲーション帯域から離すことによって達成することができる。
に、ガンマ損失を減少させることが一般に望ましい。低い挿入損失を達成するべく、ＢＡ
Ｗ共振器は、高い品質係数（Ｑ）を有するのが典型的である。高いＱを達成するべく、境
界リングとも称される隆起フレームは、ＢＡＷ共振器のアクティブドメインからＢＡＷ共
振器のパッシブドメインへの横方向エネルギー漏洩をブロックすることができる。隆起フ
レームはＱを改善し得るが、すべての漏洩エネルギーをトラップすることができるという
わけではない。隆起フレームは、ＢＡＷ共振器の主要共振周波数未満において、相対的に
大きなスプリアスモードを発生させ得る。これは、隆起フレームモードとも称される。こ
れは、フィルタのキャリアアグリゲーション帯域にガンマ劣化を生じさせ得る。ガンマは
、反射係数とも称する。低いガンマ損失は、隆起フレームスプリアスモード（ＲａＦモー
ド）をキャリアアグリゲーション帯域から離すことによって達成することができる。
【0036】
本開示の複数側面は、低挿入損失及び低ガンマ損失を達成することができる多層隆起フ
レーム構造物を含むバルク弾性波共振器に関する。多層隆起フレーム構造物は、第１隆起
フレーム層及び第２隆起フレーム層を含む。第１隆起フレーム層は、圧電層の対向側の電
極間に配置された二酸化ケイ素のような低音響インピーダンス材料を含む。例えば、低音
響インピーダンス材料を、バルク弾性波共振器の頂部電極と圧電層との間に配置すること
ができる。多層隆起フレーム構造物を、バルク弾性波共振器のアクティブ領域の周縁に沿
って配置することができる。第２隆起フレーム層は、相対的に重い材料を含み得る。第２
隆起フレーム層は、バルク弾性波共振器の電極と同じ材料としてよい。
レーム構造物を含むバルク弾性波共振器に関する。多層隆起フレーム構造物は、第１隆起
フレーム層及び第２隆起フレーム層を含む。第１隆起フレーム層は、圧電層の対向側の電
極間に配置された二酸化ケイ素のような低音響インピーダンス材料を含む。例えば、低音
響インピーダンス材料を、バルク弾性波共振器の頂部電極と圧電層との間に配置すること
ができる。多層隆起フレーム構造物を、バルク弾性波共振器のアクティブ領域の周縁に沿
って配置することができる。第２隆起フレーム層は、相対的に重い材料を含み得る。第２
隆起フレーム層は、バルク弾性波共振器の電極と同じ材料としてよい。
【0037】
低音響インピーダンスに起因して、相対的に強い隆起フレームスプリアスモードを生成
する多層隆起フレームドメインの周波数を、低音響インピーダンスの第１隆起フレーム層
が存在しない同様の隆起フレームドメインよりも、有意に低くすることができる。低音響
インピーダンスにより、多層隆起フレーム構造に対する隆起フレームモードは、ガンマ損
失を与えることがないようにキャリアアグリゲーション帯域の外側に存在することとなる
。例えば、キャリアアグリゲーションアプリケーションにおいて、マルチプレクサは、キ
ャリアアグリゲーション信号を受信するべく配列された共通ノードと、キャリアアグリゲ
ーション信号の第１キャリアに関連付けられた通過帯域を有する第１フィルタと、共通ノ
ードにおいて第１フィルタに結合されて、キャリアアグリゲーション信号の第２キャリア
に関連付けられた第２通過帯域を有する第２フィルタとを含み得る。第１フィルタは、こ
こに開示される一実施形態に係る多層隆起フレーム構造物ＢＡＷ共振器を含み得る。多層
隆起フレーム構造物を有するＢＡＷ共振器は、第２フィルタの通過帯域において第１フィ
ルタに対するガンマを増加させることができる。
する多層隆起フレームドメインの周波数を、低音響インピーダンスの第１隆起フレーム層
が存在しない同様の隆起フレームドメインよりも、有意に低くすることができる。低音響
インピーダンスにより、多層隆起フレーム構造に対する隆起フレームモードは、ガンマ損
失を与えることがないようにキャリアアグリゲーション帯域の外側に存在することとなる
。例えば、キャリアアグリゲーションアプリケーションにおいて、マルチプレクサは、キ
ャリアアグリゲーション信号を受信するべく配列された共通ノードと、キャリアアグリゲ
ーション信号の第１キャリアに関連付けられた通過帯域を有する第１フィルタと、共通ノ
ードにおいて第１フィルタに結合されて、キャリアアグリゲーション信号の第２キャリア
に関連付けられた第２通過帯域を有する第２フィルタとを含み得る。第１フィルタは、こ
こに開示される一実施形態に係る多層隆起フレーム構造物ＢＡＷ共振器を含み得る。多層
隆起フレーム構造物を有するＢＡＷ共振器は、第２フィルタの通過帯域において第１フィ
ルタに対するガンマを増加させることができる。
【0038】
付加的に、多層隆起フレーム構造物の相対的に低周波数に起因して、多層隆起フレーム
ドメインとアクティブドメインとの実効音響インピーダンスの差は、第２隆起フレーム層
に対応する単層を含む隆起フレーム構造物に対するものよりも大きくなる。多層隆起フレ
ーム構造物は、横方向エネルギーの高モード反射を与えて、主要モードから反共振周波数
付近の他の横モードへのモード変換を減少させることができる。したがって、Ｑは有意に
増加し得る。
ドメインとアクティブドメインとの実効音響インピーダンスの差は、第２隆起フレーム層
に対応する単層を含む隆起フレーム構造物に対するものよりも大きくなる。多層隆起フレ
ーム構造物は、横方向エネルギーの高モード反射を与えて、主要モードから反共振周波数
付近の他の横モードへのモード変換を減少させることができる。したがって、Ｑは有意に
増加し得る。
【0039】
ここに開示される実施形態が、２つの隆起フレーム層を有する二重隆起フレーム構造物
を参照して説明され得るにもかかわらず、ここに説明される任意の適切な原理及び利点は
、２つ以上の隆起フレーム層を含む多層隆起フレーム構造物に適用することができる。
を参照して説明され得るにもかかわらず、ここに説明される任意の適切な原理及び利点は
、２つ以上の隆起フレーム層を含む多層隆起フレーム構造物に適用することができる。
【0040】
二重隆起フレーム層を有する複数例のバルク弾性共振器が以下に説明される。これらの
二重隆起フレーム層の任意の適切な原理及び利点を、多層隆起フレームバルク弾性波デバ
イスにおいて互いに一緒に実装することができる。
二重隆起フレーム層の任意の適切な原理及び利点を、多層隆起フレームバルク弾性波デバ
イスにおいて互いに一緒に実装することができる。
【0041】
図１は、二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの平面図である。図１に示されるよう
に、バルク弾性波デバイスは、バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の周縁まわりに隆
起フレームゾーン１２を含む。隆起フレームゾーン１２は、所定例において、境界リング
と称してよい。二重隆起フレーム構造物は、隆起フレームゾーン１２に存在し得る。二重
隆起フレーム構造は、図２～９の二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの任意の適切な
原理及び利点に従って実装することができる。二重隆起フレーム構造物は、バルク弾性波
デバイスのアクティブ領域の中間エリア１４の外側に存在する。隆起フレーム層は、隆起
フレームゾーン１２に存在して金属電極の上に延びてよい。図１は、中間エリア１４の金
属電極と、隆起フレームゾーン１２における隆起フレーム層とを示す。一つ以上の他の層
を、金属電極及び隆起フレーム層を覆うように含めてもよい。例えば、二酸化ケイ素を、
金属電極及び隆起フレーム層を覆うように含めてもよい。図１はまた、バルク弾性波デバ
イスの圧電層１６が、金属電極及び隆起フレーム層の下に存在することも示す。
に、バルク弾性波デバイスは、バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の周縁まわりに隆
起フレームゾーン１２を含む。隆起フレームゾーン１２は、所定例において、境界リング
と称してよい。二重隆起フレーム構造物は、隆起フレームゾーン１２に存在し得る。二重
隆起フレーム構造は、図２～９の二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの任意の適切な
原理及び利点に従って実装することができる。二重隆起フレーム構造物は、バルク弾性波
デバイスのアクティブ領域の中間エリア１４の外側に存在する。隆起フレーム層は、隆起
フレームゾーン１２に存在して金属電極の上に延びてよい。図１は、中間エリア１４の金
属電極と、隆起フレームゾーン１２における隆起フレーム層とを示す。一つ以上の他の層
を、金属電極及び隆起フレーム層を覆うように含めてもよい。例えば、二酸化ケイ素を、
金属電極及び隆起フレーム層を覆うように含めてもよい。図１はまた、バルク弾性波デバ
イスの圧電層１６が、金属電極及び隆起フレーム層の下に存在することも示す。
【0042】
二重隆起フレームバルク弾性波デバイスの複数の実施形態が、図１のＡからＡ’の線に
沿った複数例の断面を参照して説明される。図２～９は、二重隆起フレームバルク弾性波
デバイスの、図１におけるＡからＡ’の線に沿った複数例の断面を示す。図２～９のバル
ク弾性波デバイスの特徴の任意の適切な組み合わせを、互いに組み合わせることができる
。ここに開示されるバルク弾性波デバイスのいずれも、無線周波数信号をフィルタリング
するべく配列されたフィルタにおけるバルク弾性波共振器としてよい。
沿った複数例の断面を参照して説明される。図２～９は、二重隆起フレームバルク弾性波
デバイスの、図１におけるＡからＡ’の線に沿った複数例の断面を示す。図２～９のバル
ク弾性波デバイスの特徴の任意の適切な組み合わせを、互いに組み合わせることができる
。ここに開示されるバルク弾性波デバイスのいずれも、無線周波数信号をフィルタリング
するべく配列されたフィルタにおけるバルク弾性波共振器としてよい。
【0043】
図２は、一実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイス２０の断面図である
。図示のように、二重隆起フレームバルク弾性デバイス２０は、圧電層１６、第１電極２
１、第２電極２２、第１隆起フレーム層２３、第２隆起フレーム層２４、シリコン基板２
５、エアキャビティ２６及び二酸化ケイ素層２７を含む。
。図示のように、二重隆起フレームバルク弾性デバイス２０は、圧電層１６、第１電極２
１、第２電極２２、第１隆起フレーム層２３、第２隆起フレーム層２４、シリコン基板２
５、エアキャビティ２６及び二酸化ケイ素層２７を含む。
【0044】
圧電層１６は、第１電極２１と第２電極２２との間に配置される。圧電層１６は、窒化
アルミニウム（ＡｌＮ）層又は任意の他の適切な圧電層としてよい。バルク弾性波デバイ
ス２０のアクティブ領域又はアクティブドメインが、圧電層１６の、第１電極２１及び第
２電極２２双方と重なる部分によって画定される。第１電極２１は、相対的に高い音響イ
ンピーダンスを有し得る。例えば、第１電極２１は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、Ｉｒ／Ｐｔ、又はこ
れらの任意の適切な合金及び／若しくは組み合わせを含んでよい。同様に、第２電極２２
も、相対的に高い音響インピーダンスを有してよい。第２電極２２は、所定例において第
１電極２１と同じ材料から形成してよい。
アルミニウム（ＡｌＮ）層又は任意の他の適切な圧電層としてよい。バルク弾性波デバイ
ス２０のアクティブ領域又はアクティブドメインが、圧電層１６の、第１電極２１及び第
２電極２２双方と重なる部分によって画定される。第１電極２１は、相対的に高い音響イ
ンピーダンスを有し得る。例えば、第１電極２１は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、Ｉｒ／Ｐｔ、又はこ
れらの任意の適切な合金及び／若しくは組み合わせを含んでよい。同様に、第２電極２２
も、相対的に高い音響インピーダンスを有してよい。第２電極２２は、所定例において第
１電極２１と同じ材料から形成してよい。
【0045】
バルク弾性波デバイス２０の二重隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層２３及び
第２隆起フレーム層２４を含む。第１隆起フレーム層２３と第２隆起フレーム層２４とは
、バルク弾性波デバイス２０のアクティブ領域において互いに重なる。バルク弾性波デバ
イス２０の隆起フレームドメインが、バルク弾性波デバイス２０のアクティブドメインに
おいて、二重隆起フレーム構造物の部分によって画定される。二重隆起フレーム構造物の
少なくとも一部分が、バルク弾性波デバイス２０のアクティブ領域に含まれる。二重隆起
フレーム構造物は、横方向エネルギーの高効率反射に起因してＱを有意に改善することが
できる。
第２隆起フレーム層２４を含む。第１隆起フレーム層２３と第２隆起フレーム層２４とは
、バルク弾性波デバイス２０のアクティブ領域において互いに重なる。バルク弾性波デバ
イス２０の隆起フレームドメインが、バルク弾性波デバイス２０のアクティブドメインに
おいて、二重隆起フレーム構造物の部分によって画定される。二重隆起フレーム構造物の
少なくとも一部分が、バルク弾性波デバイス２０のアクティブ領域に含まれる。二重隆起
フレーム構造物は、横方向エネルギーの高効率反射に起因してＱを有意に改善することが
できる。
【0046】
第１隆起フレーム層２３は、第１電極２１と第２電極２２との間に位置決めされる。図
２に示されるように、第１隆起フレーム層２３は、圧電層１６と第２電極２２との間に位
置決めされる。第１隆起フレーム層２３は低音響インピーダンス材料である。低音響イン
ピーダンス材料は、第１電極２１よりも低い音響インピーダンスを有する。低音響インピ
ーダンス材料は、第２電極２２よりも低い音響インピーダンスを有する。低音響インピー
ダンス材料は、圧電層１６よりも低い音響インピーダンスを有してよい。一例として、第
１隆起フレーム層２３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層としてよい。二酸化ケイ素はすで
に様々なバルク弾性波デバイスにおいて使用されているので、二酸化ケイ素の第１隆起フ
レーム層２３は、相対的に容易に製造することができる。第１隆起フレーム層２３は、窒
化ケイ素（ＳｉＮ）層、炭化ケイ素（ＳｉＣ）層、又は任意の他の適切な低音響インピー
ダンス層としてよい。第１隆起フレーム層２３は、相対的に低い密度を有し得る。第１隆
起フレーム層２３は、図２に示されるようにバルク弾性波デバイス２０のアクティブ領域
を超えるように延びてよい。これは、所定例において製造上の理由のためとなり得る。
２に示されるように、第１隆起フレーム層２３は、圧電層１６と第２電極２２との間に位
置決めされる。第１隆起フレーム層２３は低音響インピーダンス材料である。低音響イン
ピーダンス材料は、第１電極２１よりも低い音響インピーダンスを有する。低音響インピ
ーダンス材料は、第２電極２２よりも低い音響インピーダンスを有する。低音響インピー
ダンス材料は、圧電層１６よりも低い音響インピーダンスを有してよい。一例として、第
１隆起フレーム層２３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層としてよい。二酸化ケイ素はすで
に様々なバルク弾性波デバイスにおいて使用されているので、二酸化ケイ素の第１隆起フ
レーム層２３は、相対的に容易に製造することができる。第１隆起フレーム層２３は、窒
化ケイ素（ＳｉＮ）層、炭化ケイ素（ＳｉＣ）層、又は任意の他の適切な低音響インピー
ダンス層としてよい。第１隆起フレーム層２３は、相対的に低い密度を有し得る。第１隆
起フレーム層２３は、図２に示されるようにバルク弾性波デバイス２０のアクティブ領域
を超えるように延びてよい。これは、所定例において製造上の理由のためとなり得る。
【0047】
第１隆起フレーム層２３は、バルク弾性波デバイス２０の隆起フレームドメインの実効
電気機械結合係数（ｋ２）を、第１隆起フレーム層２３が存在しない同様のデバイスと比
べて低減することができる。これにより、隆起フレームスプリアスモードの励振強度が低
減され得る。さらに、第１隆起フレーム層２３は、隆起フレームモードの周波数を、バル
ク弾性波デバイス２０の主要共振周波数から相対的に遠くに離すように移動させることに
寄与し得る。これにより、ガンマ損失に有意な影響がもたらされることがない。
電気機械結合係数（ｋ２）を、第１隆起フレーム層２３が存在しない同様のデバイスと比
べて低減することができる。これにより、隆起フレームスプリアスモードの励振強度が低
減され得る。さらに、第１隆起フレーム層２３は、隆起フレームモードの周波数を、バル
ク弾性波デバイス２０の主要共振周波数から相対的に遠くに離すように移動させることに
寄与し得る。これにより、ガンマ損失に有意な影響がもたらされることがない。
【0048】
図示のように、第２隆起フレーム層２４は、バルク弾性波デバイス２０のアクティブ領
域において第１隆起フレーム層２３と重なる。第２隆起フレーム層２４は、第２電極２２
と同じ材料としてよい。これは、製造上の視点から便宜となり得る。第２隆起フレーム層
２４は、相対的に高い密度の材料としてよい。例えば、第２隆起フレーム層２４は、モリ
ブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）等、又はこれらの任意の適切
な合金を含んでよい。第２隆起フレーム層２４は、金属層としてよい。代替的に、第２隆
起フレーム層２４は、密度が相対的に高い適切な非金属材料としてよい。第２隆起フレー
ム層２４の密度は、第２電極２２の密度と同様か又はそれよりも重い。第２隆起フレーム
層２４は、相対的に高い音響インピーダンスを有し得る。
域において第１隆起フレーム層２３と重なる。第２隆起フレーム層２４は、第２電極２２
と同じ材料としてよい。これは、製造上の視点から便宜となり得る。第２隆起フレーム層
２４は、相対的に高い密度の材料としてよい。例えば、第２隆起フレーム層２４は、モリ
ブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）等、又はこれらの任意の適切
な合金を含んでよい。第２隆起フレーム層２４は、金属層としてよい。代替的に、第２隆
起フレーム層２４は、密度が相対的に高い適切な非金属材料としてよい。第２隆起フレー
ム層２４の密度は、第２電極２２の密度と同様か又はそれよりも重い。第２隆起フレーム
層２４は、相対的に高い音響インピーダンスを有し得る。
【0049】
第２隆起フレーム層２４は、隆起フレームドメインにおいてバルク弾性波デバイス２０
の高さを増加させる。したがって、バルク弾性波デバイス２０は、隆起フレームドメイン
における高さが、アクティブドメインの他の部分、例えばアクティブドメインの中間エリ
アにおける高さよりも大きい。第２電極２２を覆うように第２隆起フレーム層２４を形成
することは、製造上の観点から相対的に用意となり得る。しかしながら、いくつかの他の
実施形態において、第２隆起フレーム層は、隆起フレームドメインにおける異なる位置に
含めてもよい。
の高さを増加させる。したがって、バルク弾性波デバイス２０は、隆起フレームドメイン
における高さが、アクティブドメインの他の部分、例えばアクティブドメインの中間エリ
アにおける高さよりも大きい。第２電極２２を覆うように第２隆起フレーム層２４を形成
することは、製造上の観点から相対的に用意となり得る。しかしながら、いくつかの他の
実施形態において、第２隆起フレーム層は、隆起フレームドメインにおける異なる位置に
含めてもよい。
【0050】
バルク弾性波デバイス２０において、二酸化ケイ素層２７は、第２電極２２及び第２隆
起フレーム層２４を覆うように含められる。二酸化ケイ素層２７は、バルク弾性波デバイ
ス２０の異なる領域において異なる厚さを有するように形成することができる。例えば、
図２に示されるように、二酸化ケイ素層２７は、陥凹フレームドメインにおいて薄くされ
る。二酸化ケイ素層２７の代わりに及び／又は二酸化ケイ素層２７に加えて、任意の適切
なパッシベーション層が含まれてよい。
起フレーム層２４を覆うように含められる。二酸化ケイ素層２７は、バルク弾性波デバイ
ス２０の異なる領域において異なる厚さを有するように形成することができる。例えば、
図２に示されるように、二酸化ケイ素層２７は、陥凹フレームドメインにおいて薄くされ
る。二酸化ケイ素層２７の代わりに及び／又は二酸化ケイ素層２７に加えて、任意の適切
なパッシベーション層が含まれてよい。
【0051】
二重隆起フレームバルク弾性波デバイス２０はＦＢＡＲである。エアキャビティ２６が
、第１電極２１の下に含まれる。エアキャビティ２６は、第１電極２１及びシリコン基板
２５の幾何学構成によって画定される。シリコン基板２５の代わりに、他の適切な基板を
代替的に実装してよい。パッシベーション層のような一つ以上の層を、第１電極２１とシ
リコン基板２５との間に位置決めすることができる。
、第１電極２１の下に含まれる。エアキャビティ２６は、第１電極２１及びシリコン基板
２５の幾何学構成によって画定される。シリコン基板２５の代わりに、他の適切な基板を
代替的に実装してよい。パッシベーション層のような一つ以上の層を、第１電極２１とシ
リコン基板２５との間に位置決めすることができる。
【0052】
バルク弾性波デバイス２０がＦＢＡＲであるにもかかわらず、ここに説明される任意の
適切な原理及び利点は、ソリッドマウント共振器（ＳＭＲ）にも適用することができる。
適切な原理及び利点は、ソリッドマウント共振器（ＳＭＲ）にも適用することができる。
【0053】
図３は、一実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイス３０の断面図である
。二重隆起フレームバルク弾性デバイス３０は、図２の二重隆起フレームバルク弾性波デ
バイス２０と同様であるが、バルク弾性波デバイス３０がＦＢＡＲの代わりにＳＭＲであ
る点を除く。バルク弾性波デバイス３０において、ソリッド音響ミラーが、第１電極２１
とシリコン基板３５との間に配置される。図示される音響ミラーは、音響ブラッグ反射器
３２を含む。図示される音響ブラッグ反射器３２は、交互にされた低インピーダンス層３
３と高インピーダンス層３４とを含む。一例として、ブラッグ反射器３２は、交互にされ
た、低インピーダンス層３３としての二酸化ケイ素層と、高インピーダンス層３４として
のタングステン層とを含み得る。ＳＭＲの任意の他の適切な特徴を、多層隆起フレームバ
ルク弾性波デバイスに代替的又は付加的に実装することができる。
。二重隆起フレームバルク弾性デバイス３０は、図２の二重隆起フレームバルク弾性波デ
バイス２０と同様であるが、バルク弾性波デバイス３０がＦＢＡＲの代わりにＳＭＲであ
る点を除く。バルク弾性波デバイス３０において、ソリッド音響ミラーが、第１電極２１
とシリコン基板３５との間に配置される。図示される音響ミラーは、音響ブラッグ反射器
３２を含む。図示される音響ブラッグ反射器３２は、交互にされた低インピーダンス層３
３と高インピーダンス層３４とを含む。一例として、ブラッグ反射器３２は、交互にされ
た、低インピーダンス層３３としての二酸化ケイ素層と、高インピーダンス層３４として
のタングステン層とを含み得る。ＳＭＲの任意の他の適切な特徴を、多層隆起フレームバ
ルク弾性波デバイスに代替的又は付加的に実装することができる。
【0054】
図４は、一実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイス４０の断面図である
。二重隆起フレームバルク弾性デバイス４０は、図２の二重隆起フレームバルク弾性波デ
バイス２０と同様であるが、バルク弾性波デバイス４０においては二酸化ケイ素層２７が
省略され、バルク弾性波デバイス４０に陥凹フレームドメインが存在しない点を除く。
。二重隆起フレームバルク弾性デバイス４０は、図２の二重隆起フレームバルク弾性波デ
バイス２０と同様であるが、バルク弾性波デバイス４０においては二酸化ケイ素層２７が
省略され、バルク弾性波デバイス４０に陥凹フレームドメインが存在しない点を除く。
【0055】
図５は、一実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイス５０の断面図である
。二重隆起フレームバルク弾性デバイス５０は、図４の二重隆起フレームバルク弾性波デ
バイス４０と同様であるが、バルク弾性波デバイス５０の第１隆起フレーム層５３が、バ
ルク弾性波デバイス４０の第１隆起フレーム層２３とは異なる点を除く。図５に示される
ように、第１隆起フレーム層５３は、隆起フレームドメインに広がる。第１隆起フレーム
層５３は、バルク弾性波デバイス５０のアクティブ領域を超えて延びることがない。
。二重隆起フレームバルク弾性デバイス５０は、図４の二重隆起フレームバルク弾性波デ
バイス４０と同様であるが、バルク弾性波デバイス５０の第１隆起フレーム層５３が、バ
ルク弾性波デバイス４０の第１隆起フレーム層２３とは異なる点を除く。図５に示される
ように、第１隆起フレーム層５３は、隆起フレームドメインに広がる。第１隆起フレーム
層５３は、バルク弾性波デバイス５０のアクティブ領域を超えて延びることがない。
【0056】
図６は、一実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイス６０の断面図である
。二重隆起フレームバルク弾性デバイス６０は、図４の二重隆起フレームバルク弾性波デ
バイス４０と同様であるが、バルク弾性波デバイス６０の第２電極６２がバルク弾性波デ
バイス４０の第２電極２２と異なる点を除く。第２電極６２は、異なる領域において異な
る厚さを有する。第２電極６２が薄い領域が、バルク弾性波デバイス６０における陥凹フ
レームドメインを実装する。
。二重隆起フレームバルク弾性デバイス６０は、図４の二重隆起フレームバルク弾性波デ
バイス４０と同様であるが、バルク弾性波デバイス６０の第２電極６２がバルク弾性波デ
バイス４０の第２電極２２と異なる点を除く。第２電極６２は、異なる領域において異な
る厚さを有する。第２電極６２が薄い領域が、バルク弾性波デバイス６０における陥凹フ
レームドメインを実装する。
【0057】
図７Ａは、一実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイス７０の断面図であ
る。二重隆起フレームバルク弾性デバイス７０は、図４の二重隆起フレームバルク弾性波
デバイス４０と同様であるが、バルク弾性波デバイス７０が２つの隆起フレームドメイン
を含む点を除く。バルク弾性波デバイス７０は、第１隆起フレームドメインＲａＦ及び第
２隆起フレームドメインＲａＦ３に第１隆起フレーム層７３を含む。バルク弾性波デバイ
ス７０における第１隆起フレームドメインＲａＦは、図４のバルク弾性波デバイス４０に
おける隆起フレームドメインと同様である。第１隆起フレーム層７３及び第２隆起フレー
ム層２４は、第１隆起フレームドメインＲａＦに含まれる。第１隆起フレーム層７３は、
図２の第１隆起フレーム層２３の任意の適切な特徴を含んでよい。第１隆起フレーム層７
３は、第２隆起フレームドメインＲａＦ３において薄くされる。ここで、第１隆起フレー
ム層７３及び第２電極７２は、圧電層１６を覆うようにされる。
る。二重隆起フレームバルク弾性デバイス７０は、図４の二重隆起フレームバルク弾性波
デバイス４０と同様であるが、バルク弾性波デバイス７０が２つの隆起フレームドメイン
を含む点を除く。バルク弾性波デバイス７０は、第１隆起フレームドメインＲａＦ及び第
２隆起フレームドメインＲａＦ３に第１隆起フレーム層７３を含む。バルク弾性波デバイ
ス７０における第１隆起フレームドメインＲａＦは、図４のバルク弾性波デバイス４０に
おける隆起フレームドメインと同様である。第１隆起フレーム層７３及び第２隆起フレー
ム層２４は、第１隆起フレームドメインＲａＦに含まれる。第１隆起フレーム層７３は、
図２の第１隆起フレーム層２３の任意の適切な特徴を含んでよい。第１隆起フレーム層７
３は、第２隆起フレームドメインＲａＦ３において薄くされる。ここで、第１隆起フレー
ム層７３及び第２電極７２は、圧電層１６を覆うようにされる。
【0058】
第２隆起枠領域ＲａＦ３は、陥凹隆起枠領域と称してよい。第２電極７２は、断面図に
おいて、図４の第２電極２２とは異なる形状を有する。第２隆起フレーム層２４は、第２
隆起フレームドメインＲａＦ３の外側に存在する。第１隆起フレーム層７３により、第２
隆起フレームドメインＲａＦ３は、（１）アクティブ領域の中間エリア及び（２）第１隆
起フレームドメインとは異なる音響インピーダンスを有する。これは、スプリアスモード
の抑制に役立ち得る。第１隆起枠領域は、バルク弾性波デバイス７０の平面図において第
２隆起枠領域を取り囲み得る。
おいて、図４の第２電極２２とは異なる形状を有する。第２隆起フレーム層２４は、第２
隆起フレームドメインＲａＦ３の外側に存在する。第１隆起フレーム層７３により、第２
隆起フレームドメインＲａＦ３は、（１）アクティブ領域の中間エリア及び（２）第１隆
起フレームドメインとは異なる音響インピーダンスを有する。これは、スプリアスモード
の抑制に役立ち得る。第１隆起枠領域は、バルク弾性波デバイス７０の平面図において第
２隆起枠領域を取り囲み得る。
【0059】
図７Ｂは、一実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイス７５の断面図であ
る。二重隆起フレームバルク弾性デバイス７５は、図７Ａの二重隆起フレームバルク弾性
波デバイス７０と同様であるが、バルク弾性波デバイス７５が、２つの隆起フレームドメ
インを覆うように延びる第２隆起フレーム層７７を含む点を除く。図７Ｂに示されるよう
に、第２隆起フレーム層７７は、第１隆起フレームドメインＲａＦ及び第２隆起フレーム
ドメインＲａＦ３に含まれる。第１隆起フレーム層７３は、バルク弾性波デバイス７５の
第２隆起フレームドメインにおいて薄くされる。第２隆起フレーム層７７は、バルク弾性
波デバイス７５における第１隆起フレームドメインＲａＦ及び第２隆起フレームドメイン
ＲａＦ３双方の上で実質的に同じ厚さを有する。バルク弾性波デバイス７５における２つ
の隆起フレームドメインは、スプリアスモードの抑制に役立ち得る。
る。二重隆起フレームバルク弾性デバイス７５は、図７Ａの二重隆起フレームバルク弾性
波デバイス７０と同様であるが、バルク弾性波デバイス７５が、２つの隆起フレームドメ
インを覆うように延びる第２隆起フレーム層７７を含む点を除く。図７Ｂに示されるよう
に、第２隆起フレーム層７７は、第１隆起フレームドメインＲａＦ及び第２隆起フレーム
ドメインＲａＦ３に含まれる。第１隆起フレーム層７３は、バルク弾性波デバイス７５の
第２隆起フレームドメインにおいて薄くされる。第２隆起フレーム層７７は、バルク弾性
波デバイス７５における第１隆起フレームドメインＲａＦ及び第２隆起フレームドメイン
ＲａＦ３双方の上で実質的に同じ厚さを有する。バルク弾性波デバイス７５における２つ
の隆起フレームドメインは、スプリアスモードの抑制に役立ち得る。
【0060】
図８は、一実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイス８０の断面図である
。二重隆起フレームバルク弾性デバイス８０は、図５の二重隆起フレームバルク弾性波デ
バイス５０と同様であるが、これらのデバイスにおいて第１隆起フレーム層の異なる位置
に存在する点を除く。バルク弾性波デバイス８０において、第１隆起フレーム層８３は、
第１電極２１と圧電層８６との間に位置決めされる。第１隆起フレーム層８３は、圧電層
８６及び第１電極２１と物理的に接触する。第１隆起フレーム層８３は、第１隆起フレー
ム層２３と同様に機能し得る。第１隆起フレーム層８３は、第１隆起フレーム層２３の任
意の適切な特徴を含んでよい。圧電層８６は、断面図において、図５の圧電層１６とは異
なる形状を有する。
。二重隆起フレームバルク弾性デバイス８０は、図５の二重隆起フレームバルク弾性波デ
バイス５０と同様であるが、これらのデバイスにおいて第１隆起フレーム層の異なる位置
に存在する点を除く。バルク弾性波デバイス８０において、第１隆起フレーム層８３は、
第１電極２１と圧電層８６との間に位置決めされる。第１隆起フレーム層８３は、圧電層
８６及び第１電極２１と物理的に接触する。第１隆起フレーム層８３は、第１隆起フレー
ム層２３と同様に機能し得る。第１隆起フレーム層８３は、第１隆起フレーム層２３の任
意の適切な特徴を含んでよい。圧電層８６は、断面図において、図５の圧電層１６とは異
なる形状を有する。
【0061】
図９は、一実施形態に係る二重隆起フレームバルク弾性波デバイス９０の断面図である
。二重隆起フレームバルク弾性デバイス９０は、図８の二重隆起フレームバルク弾性波デ
バイス８０と同様であるが、第２電極及び圧電層が断面図において異なる形状を有する点
を除く。図９に示されるように、第２電極９２は、第２隆起フレーム層２４が配置された
平面状の頂面を有する。平面上の頂面は、所定例において容易に製造することができる。
。二重隆起フレームバルク弾性デバイス９０は、図８の二重隆起フレームバルク弾性波デ
バイス８０と同様であるが、第２電極及び圧電層が断面図において異なる形状を有する点
を除く。図９に示されるように、第２電極９２は、第２隆起フレーム層２４が配置された
平面状の頂面を有する。平面上の頂面は、所定例において容易に製造することができる。
【0062】
上述したように、ここに説明される二重隆起フレームバルク弾性波デバイスは、単層隆
起フレームデバイスと比べて改善されたＱを有し得る。図１０Ａ～１０Ｃは、単数隆起フ
レームバルク弾性波デバイス及び二重隆起フレームバルク弾性波デバイスを含む隆起フレ
ームバルク弾性波デバイスを示す。図１１Ａ～１１Ｂは、図１０Ａ～１０Ｃの隆起フレー
ムバルク弾性波デバイスのＱを比較するグラフである。
起フレームデバイスと比べて改善されたＱを有し得る。図１０Ａ～１０Ｃは、単数隆起フ
レームバルク弾性波デバイス及び二重隆起フレームバルク弾性波デバイスを含む隆起フレ
ームバルク弾性波デバイスを示す。図１１Ａ～１１Ｂは、図１０Ａ～１０Ｃの隆起フレー
ムバルク弾性波デバイスのＱを比較するグラフである。
【0063】
図１０Ａは、隆起フレームバルク弾性波デバイス１００の断面図である。隆起フレーム
バルク弾性波デバイス１００は、単層隆起フレーム構造を含む。バルク弾性波デバイス１
００の隆起フレーム構造物は、隆起フレーム層２３を含む。
バルク弾性波デバイス１００は、単層隆起フレーム構造を含む。バルク弾性波デバイス１
００の隆起フレーム構造物は、隆起フレーム層２３を含む。
【0064】
図１０Ｂは、隆起フレームバルク弾性波デバイス１０４の断面図である。隆起フレーム
バルク弾性波デバイス１０４は、単層隆起フレーム構造物を含む。バルク弾性波デバイス
１０４の隆起フレーム構造物は、隆起フレーム層２４を含む。
バルク弾性波デバイス１０４は、単層隆起フレーム構造物を含む。バルク弾性波デバイス
１０４の隆起フレーム構造物は、隆起フレーム層２４を含む。
【0065】
【0066】
図１１Ａは、図１０Ａ、１０Ｂ及び１０Ｃそれぞれのバルク弾性波デバイス１００、１
０４及び１０８のＱを比較するグラフである。バルク弾性波デバイス１０８は、バルク弾
性波デバイス１０４及び１０８よりも良好な横方向エネルギー反射を与えることができる
。図１１Ａは、バルク弾性１０８波デバイスが、バルク弾性波デバイス１００及び１０４
よりも高いＱを達成することができることを示す。
０４及び１０８のＱを比較するグラフである。バルク弾性波デバイス１０８は、バルク弾
性波デバイス１０４及び１０８よりも良好な横方向エネルギー反射を与えることができる
。図１１Ａは、バルク弾性１０８波デバイスが、バルク弾性波デバイス１００及び１０４
よりも高いＱを達成することができることを示す。
【0067】
図１１Ｂは、図１０Ａ、１０Ｂ及び１０Ｃそれぞれのバルク弾性波デバイス１００、１
０４及び１０８のデシベル（ｄＢ）単位のコンダクタンスを、図１１Ａよりも大きな周波
数範囲にわたって比較するグラフである。図１１Ｂは、バルク弾性波デバイス１０４が、
共振周波数との周波数差ＦＤ３において相対的に大きな雑音を有することと、バルク弾性
波デバイス１００が、共振周波数との周波数差ＦＤ２において相対的に大きな雑音を有す
ることと、バルク弾性波デバイス１０８が、共振周波数から周波数差ＦＤ１において相対
的に大きな雑音を有することとを示す。これらのバルク弾性デバイスに対するこれらの周
波数差における相対的に大きな雑音は、隆起フレームスプリアスモードに対応する。図１
１Ｂに示されるように、これらの周波数差は以下の関係、ＦＤ１＞ＦＤ２＞ＦＤ３を満た
す。周波数差ＦＤ３は、様々なアプリケーションに対して望ましい共振周波数に近くなり
得る。例えば、マルチプレクサの文脈において、共振周波数から離れた周波数差ＦＤ３に
おける雑音は、隣接するフィルタの性能に影響を与え得る。
０４及び１０８のデシベル（ｄＢ）単位のコンダクタンスを、図１１Ａよりも大きな周波
数範囲にわたって比較するグラフである。図１１Ｂは、バルク弾性波デバイス１０４が、
共振周波数との周波数差ＦＤ３において相対的に大きな雑音を有することと、バルク弾性
波デバイス１００が、共振周波数との周波数差ＦＤ２において相対的に大きな雑音を有す
ることと、バルク弾性波デバイス１０８が、共振周波数から周波数差ＦＤ１において相対
的に大きな雑音を有することとを示す。これらのバルク弾性デバイスに対するこれらの周
波数差における相対的に大きな雑音は、隆起フレームスプリアスモードに対応する。図１
１Ｂに示されるように、これらの周波数差は以下の関係、ＦＤ１＞ＦＤ２＞ＦＤ３を満た
す。周波数差ＦＤ３は、様々なアプリケーションに対して望ましい共振周波数に近くなり
得る。例えば、マルチプレクサの文脈において、共振周波数から離れた周波数差ＦＤ３に
おける雑音は、隣接するフィルタの性能に影響を与え得る。
【0068】
図１１Ｂは、バルク弾性波デバイス１０８の隆起フレームスプリアスモードが、バルク
弾性波デバイス１００及び１０４の隆起フレームスプリアスモードよりも共振周波数から
離れていることを示す。図１１Ｂに示されるように、隆起フレームスプリアスモードと、
バルク弾性波デバイス１０８の共振周波数との間には、ほぼ１ギガヘルツ（ＧＨｚ）の分
離が存在する。したがって、そのような隆起フレームスプリアスモードは、バルク弾性波
デバイス１０８の共振周波数と同様の周波数を有する無線周波数信号をフィルタリングす
るべく配列された他の弾性波フィルタ（例えばマルチプレクサの一つ以上の他の弾性波フ
ィルタ）に影響を与えることがない。これは、例えばキャリアアグリゲーションアプリケ
ーションにおいて有利となり得る。
弾性波デバイス１００及び１０４の隆起フレームスプリアスモードよりも共振周波数から
離れていることを示す。図１１Ｂに示されるように、隆起フレームスプリアスモードと、
バルク弾性波デバイス１０８の共振周波数との間には、ほぼ１ギガヘルツ（ＧＨｚ）の分
離が存在する。したがって、そのような隆起フレームスプリアスモードは、バルク弾性波
デバイス１０８の共振周波数と同様の周波数を有する無線周波数信号をフィルタリングす
るべく配列された他の弾性波フィルタ（例えばマルチプレクサの一つ以上の他の弾性波フ
ィルタ）に影響を与えることがない。これは、例えばキャリアアグリゲーションアプリケ
ーションにおいて有利となり得る。
【0069】
【0070】
ここに開示される多層隆起フレームバルク弾性波共振器は、弾性波フィルタに実装する
ことができる。所定のアプリケーションにおいて、弾性波フィルタは、一の無線周波数帯
域を通過させて当該無線周波数帯域の外側の周波数を減衰させるべく配列された帯域通過
フィルタとしてよい。２つ以上の弾性波フィルタは、共通ノードにおいて一緒に結合して
デュプレクサのようなマルチプレクサとして配列することができる。
ことができる。所定のアプリケーションにおいて、弾性波フィルタは、一の無線周波数帯
域を通過させて当該無線周波数帯域の外側の周波数を減衰させるべく配列された帯域通過
フィルタとしてよい。２つ以上の弾性波フィルタは、共通ノードにおいて一緒に結合して
デュプレクサのようなマルチプレクサとして配列することができる。
【0071】
図１２は、弾性波ラダーフィルタ１２０の一例の模式的な図である。弾性波フィルタ１
２０は、送信フィルタ又は受信フィルタとしてよい。弾性波ラダーフィルタ１２０は、一
の無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタとしてよい。弾
性波フィルタ１２０は、無線周波数入力／出力ポートＲＦＩ／ＯとアンテナポートＡＮＴ
との間に結合された直列共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９、並びにシャント共振器
Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８を含む。無線周波数入力／出力ポートＲＦＩ／Ｏは、送信フィ
ルタにおける送信ポート、又は受信フィルタにおける受信ポートとしてよい。例示される
弾性波共振器の一つ以上が、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従う多層隆起
フレームバルク弾性波共振器であってよい。弾性波ラダーフィルタは、任意の適切な数の
直列共振器、及び任意の適切な数のシャント共振器を含んでよい。
２０は、送信フィルタ又は受信フィルタとしてよい。弾性波ラダーフィルタ１２０は、一
の無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタとしてよい。弾
性波フィルタ１２０は、無線周波数入力／出力ポートＲＦＩ／ＯとアンテナポートＡＮＴ
との間に結合された直列共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７及びＲ９、並びにシャント共振器
Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８を含む。無線周波数入力／出力ポートＲＦＩ／Ｏは、送信フィ
ルタにおける送信ポート、又は受信フィルタにおける受信ポートとしてよい。例示される
弾性波共振器の一つ以上が、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従う多層隆起
フレームバルク弾性波共振器であってよい。弾性波ラダーフィルタは、任意の適切な数の
直列共振器、及び任意の適切な数のシャント共振器を含んでよい。
【0072】
弾性波フィルタは、ラティストポロジー又はハイブリッドラダー及びラティストポロジ
ーのような任意の他の適切なフィルタトポロジーで、配列することができる。ここに開示
される任意の適切な原理及び利点に従うバルク弾性波共振器は、帯域通過フィルタに実装
することができる。いくつかの他のアプリケーションにおいて、ここに開示される任意の
適切な原理及び利点に従うバルク弾性波共振器は、帯域阻止フィルタに実装することがで
きる。
ーのような任意の他の適切なフィルタトポロジーで、配列することができる。ここに開示
される任意の適切な原理及び利点に従うバルク弾性波共振器は、帯域通過フィルタに実装
することができる。いくつかの他のアプリケーションにおいて、ここに開示される任意の
適切な原理及び利点に従うバルク弾性波共振器は、帯域阻止フィルタに実装することがで
きる。
【0073】
図１３Ａは、デュプレクサ１３０の一例の模式的な図である。デュプレクサ１３０は、
アンテナノードＡＮＴにおいて互いに結合された送信フィルタ１３１及び受信フィルタ１
３２を含む。シャントインダクタＬ１を、アンテナノードＡＮＴに接続することができる
。送信フィルタ１３１及び受信フィルタ１３２は双方とも、デュプレクサ１３０における
弾性波ラダーフィルタである。
アンテナノードＡＮＴにおいて互いに結合された送信フィルタ１３１及び受信フィルタ１
３２を含む。シャントインダクタＬ１を、アンテナノードＡＮＴに接続することができる
。送信フィルタ１３１及び受信フィルタ１３２は双方とも、デュプレクサ１３０における
弾性波ラダーフィルタである。
【0074】
送信フィルタ１３１は、一の無線周波数信号をフィルタしてフィルタリングされた無線
周波数信号をアンテナノードＡＮＴに与えることができる。直列インダクタＬ２を、送信
フィルタ１３１の送信入力ノードＴＸと弾性波共振器との間に結合することができる。図
示される送信フィルタ１３１は、弾性波共振器Ｔ０１～Ｔ０９を含む。これらの共振器の
一つ以上を、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う多層隆起フレームバルク
弾性波共振器としてよい。図示される受信フィルタは、弾性波共振器Ｒ０１～Ｒ０９を含
む。これらの共振器の一つ以上を、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う多
層隆起フレームバルク弾性波共振器としてよい。受信フィルタは、アンテナノードＡＮＴ
において受信した無線周波数信号をフィルタリングすることができる。直列インダクタＬ
３を、共振器と受信出力ノードＲＸとの間に結合することができる。受信フィルタの受信
出力ノードＲＸが無線周波数受信信号を与える。
周波数信号をアンテナノードＡＮＴに与えることができる。直列インダクタＬ２を、送信
フィルタ１３１の送信入力ノードＴＸと弾性波共振器との間に結合することができる。図
示される送信フィルタ１３１は、弾性波共振器Ｔ０１～Ｔ０９を含む。これらの共振器の
一つ以上を、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う多層隆起フレームバルク
弾性波共振器としてよい。図示される受信フィルタは、弾性波共振器Ｒ０１～Ｒ０９を含
む。これらの共振器の一つ以上を、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う多
層隆起フレームバルク弾性波共振器としてよい。受信フィルタは、アンテナノードＡＮＴ
において受信した無線周波数信号をフィルタリングすることができる。直列インダクタＬ
３を、共振器と受信出力ノードＲＸとの間に結合することができる。受信フィルタの受信
出力ノードＲＸが無線周波数受信信号を与える。
【0075】
図１３Ｂは、一実施形態に係る弾性波フィルタを含むマルチプレクサ１３５の模式的な
図である。マルチプレクサ１３５は、共通ノードＣＯＭにおいて一緒に結合された複数の
フィルタ１３６Ａ～１３６Ｎを含む。複数のフィルタは、任意の適切な数のフィルタを含
み得る。例えば、３つのフィルタ、４つのフィルタ、５つのフィルタ、６つのフィルタ、
７つのフィルタ、８つのフィルタ、又はそれより多くのフィルタを含み得る。複数の弾性
波フィルタの一部又はすべてを弾性波フィルタとしてよい。図示されるフィルタ１３６Ａ
、１３６Ｂ及び１３６Ｎはそれぞれが、共通ノードＣＯＭと入力／出力ノードＲＦＩ／Ｏ
１、ＲＦＩ／Ｏ２及びＲＦＩ／ＯＮそれぞれとの間に結合される。
図である。マルチプレクサ１３５は、共通ノードＣＯＭにおいて一緒に結合された複数の
フィルタ１３６Ａ～１３６Ｎを含む。複数のフィルタは、任意の適切な数のフィルタを含
み得る。例えば、３つのフィルタ、４つのフィルタ、５つのフィルタ、６つのフィルタ、
７つのフィルタ、８つのフィルタ、又はそれより多くのフィルタを含み得る。複数の弾性
波フィルタの一部又はすべてを弾性波フィルタとしてよい。図示されるフィルタ１３６Ａ
、１３６Ｂ及び１３６Ｎはそれぞれが、共通ノードＣＯＭと入力／出力ノードＲＦＩ／Ｏ
１、ＲＦＩ／Ｏ２及びＲＦＩ／ＯＮそれぞれとの間に結合される。
【0076】
いくつかの例において、マルチプレクサ１３５のフィルタすべてを受信フィルタとする
ことができる。いくつかの他例によれば、マルチプレクサ１３５のフィルタすべてを送信
フィルタとしてよい。様々なアプリケーションにおいて、マルチプレクサ１３５は、一つ
以上の送信フィルタ、及び一つ以上の受信フィルタを含んでよい。したがって、マルチプ
レクサ１３５は、任意の適切な数の送信フィルタ、及び任意の適切な数の受信フィルタを
含んでよい。図示されるフィルタのそれぞれを、異なる対応通過帯域を有する帯域通過フ
ィルタとしてよい。
ことができる。いくつかの他例によれば、マルチプレクサ１３５のフィルタすべてを送信
フィルタとしてよい。様々なアプリケーションにおいて、マルチプレクサ１３５は、一つ
以上の送信フィルタ、及び一つ以上の受信フィルタを含んでよい。したがって、マルチプ
レクサ１３５は、任意の適切な数の送信フィルタ、及び任意の適切な数の受信フィルタを
含んでよい。図示されるフィルタのそれぞれを、異なる対応通過帯域を有する帯域通過フ
ィルタとしてよい。
【0077】
マルチプレクサ１３５は、共通ノードＣＯＭとの固定接続部を有するフィルタ１３６Ａ
～１３６Ｎによりハード多重化を行うように示される。いくつかの他のアプリケーション
において、マルチプレクサのフィルタのうちの一つ以上を、対応スイッチを介して共通ノ
ードに電気的に接続することができる。そのようなフィルタはいずれも、ここに開示され
る任意の適切な原理及び利点に従うバルク弾性波共振器を含んでよい。
～１３６Ｎによりハード多重化を行うように示される。いくつかの他のアプリケーション
において、マルチプレクサのフィルタのうちの一つ以上を、対応スイッチを介して共通ノ
ードに電気的に接続することができる。そのようなフィルタはいずれも、ここに開示され
る任意の適切な原理及び利点に従うバルク弾性波共振器を含んでよい。
【0078】
第１フィルタ１３６Ａは、第１通過帯域を有して一の無線周波数信号をフィルタリング
するべく配列された弾性波フィルタである。第１フィルタ１３６Ａは、ここに開示される
任意の適切な原理及び利点に従う一つ以上のバルク弾性波共振器を含んでよい。第２フィ
ルタ１３６Ｂは第２通過帯域を有する。第１フィルタ１３６Ａの、一つ以上のバルク弾性
波共振器の多層隆起フレーム構造物は、当該一つ以上のバルク弾性波共振器の隆起フレー
ムモードを、第２通過帯域から離れるように移動させることができる。これにより、第２
フィルタ１３６Ｂの通過帯域における第１フィルタ１３６Ａの反射係数（ガンマ）を増加
させることができる。第１フィルタ１３６Ａのバルク弾性波共振器の多層隆起フレーム構
造物はまた、当該隆起フレームモードを、マルチプレクサ１３５の、一つ以上の他のフィ
ルタの通過帯域から離れるように移動させる。
するべく配列された弾性波フィルタである。第１フィルタ１３６Ａは、ここに開示される
任意の適切な原理及び利点に従う一つ以上のバルク弾性波共振器を含んでよい。第２フィ
ルタ１３６Ｂは第２通過帯域を有する。第１フィルタ１３６Ａの、一つ以上のバルク弾性
波共振器の多層隆起フレーム構造物は、当該一つ以上のバルク弾性波共振器の隆起フレー
ムモードを、第２通過帯域から離れるように移動させることができる。これにより、第２
フィルタ１３６Ｂの通過帯域における第１フィルタ１３６Ａの反射係数（ガンマ）を増加
させることができる。第１フィルタ１３６Ａのバルク弾性波共振器の多層隆起フレーム構
造物はまた、当該隆起フレームモードを、マルチプレクサ１３５の、一つ以上の他のフィ
ルタの通過帯域から離れるように移動させる。
【0079】
所定例において、マルチプレクサ１３５の共通ノードＣＯＭは、キャリアアグリゲーシ
ョン信号を受信するように配列される。このキャリアアグリゲーション信号は少なくとも
、第１フィルタ１３６Ａの第１通過帯域に関連付けられた第１キャリアと、第２フィルタ
１３６Ｂの第２通過帯域に関連付けられた第２キャリアとを含む。第１フィルタ１３６Ａ
のバルク弾性波共振器の多層隆起フレーム構造物は、キャリアアグリゲーション信号の第
２キャリアに関連付けられた第２フィルタ１３６Ｂの第２通過帯域における第１フィルタ
１３６Ａの反射係数を維持し及び／又は増加させることができる。
ョン信号を受信するように配列される。このキャリアアグリゲーション信号は少なくとも
、第１フィルタ１３６Ａの第１通過帯域に関連付けられた第１キャリアと、第２フィルタ
１３６Ｂの第２通過帯域に関連付けられた第２キャリアとを含む。第１フィルタ１３６Ａ
のバルク弾性波共振器の多層隆起フレーム構造物は、キャリアアグリゲーション信号の第
２キャリアに関連付けられた第２フィルタ１３６Ｂの第２通過帯域における第１フィルタ
１３６Ａの反射係数を維持し及び／又は増加させることができる。
【0080】
マルチプレクサ１３５のフィルタ１３６Ｂ～１３６Ｎは、一つ以上の弾性波フィルタ、
多層隆起フレーム構造物を有する少なくとも一つのバルク弾性波共振器を含む一つ以上の
弾性波フィルタ、一つ以上のＬＣフィルタ、一つ以上のハイブリッド弾性波ＬＣフィルタ
、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。
多層隆起フレーム構造物を有する少なくとも一つのバルク弾性波共振器を含む一つ以上の
弾性波フィルタ、一つ以上のＬＣフィルタ、一つ以上のハイブリッド弾性波ＬＣフィルタ
、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。
【0081】
ここに開示される多層隆起フレームバルク弾性波共振器は、様々なパッケージ状モジュ
ールに実装することができる。ここに開示されるバルク弾性波デバイスの任意の適切な原
理及び利点が実装され得るいくつかの例のパッケージ状モジュールが、以下に説明される
。当該例のパッケージ状モジュールは、図示の回路素子を封入するパッケージを含み得る
。図示される回路素子は、共通パッケージ基板上に配置することができる。パッケージ基
板は、例えば、積層基板としてよい。図１４、１５Ａ、１５Ｂ及び１６は、所定実施形態
に係る例示のパッケージ状モジュールの模式的なブロック図である。所定例のパッケージ
状モジュールは、一つ以上の電力増幅器及び／又は一つ以上の低雑音増幅器のような一つ
以上の無線周波数増幅器を含む。当該モジュールの特徴の任意の適切な組み合わせを相互
に一緒に実装することができる。デュプレクサが、図１４、１５Ａ及び１６のパッケージ
状モジュールの例に示されるが、共通ノードに結合された複数の弾性波フィルタを含む任
意の他の適切なマルチプレクサを、一つ以上のデュプレクサの代わりに実装することがで
きる。例えば、所定のアプリケーションにおいて、クアッドプレクサを実装してよい。代
替的又は付加的に、パッケージ状モジュールの一つ以上のフィルタを、マルチプレクサに
含まれない送信フィルタ又は受信フィルタとして配列することができる。
ールに実装することができる。ここに開示されるバルク弾性波デバイスの任意の適切な原
理及び利点が実装され得るいくつかの例のパッケージ状モジュールが、以下に説明される
。当該例のパッケージ状モジュールは、図示の回路素子を封入するパッケージを含み得る
。図示される回路素子は、共通パッケージ基板上に配置することができる。パッケージ基
板は、例えば、積層基板としてよい。図１４、１５Ａ、１５Ｂ及び１６は、所定実施形態
に係る例示のパッケージ状モジュールの模式的なブロック図である。所定例のパッケージ
状モジュールは、一つ以上の電力増幅器及び／又は一つ以上の低雑音増幅器のような一つ
以上の無線周波数増幅器を含む。当該モジュールの特徴の任意の適切な組み合わせを相互
に一緒に実装することができる。デュプレクサが、図１４、１５Ａ及び１６のパッケージ
状モジュールの例に示されるが、共通ノードに結合された複数の弾性波フィルタを含む任
意の他の適切なマルチプレクサを、一つ以上のデュプレクサの代わりに実装することがで
きる。例えば、所定のアプリケーションにおいて、クアッドプレクサを実装してよい。代
替的又は付加的に、パッケージ状モジュールの一つ以上のフィルタを、マルチプレクサに
含まれない送信フィルタ又は受信フィルタとして配列することができる。
【0082】
図１４は、デュプレクサ１４１Ａ～１４１Ｎ及びアンテナスイッチ１４２を含むモジュ
ール１４０の模式的なブロック図である。デュプレクサ１４１Ａ～１４１Ｎの一つ以上の
フィルタは、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従う任意の適切な数の多層隆
起フレームバルク弾性波共振器を含み得る。任意の適切な数のデュプレクサ１４１Ａ～１
４１Ｎを実装することができる。アンテナスイッチ１４２は、デュプレクサ１４１Ａ～１
４１Ｎの数に対応する一定数の投を有し得る。アンテナスイッチ１４２は、選択されたデ
ュプレクサをモジュール１４０のアンテナポートに電気的に結合することができる。
ール１４０の模式的なブロック図である。デュプレクサ１４１Ａ～１４１Ｎの一つ以上の
フィルタは、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従う任意の適切な数の多層隆
起フレームバルク弾性波共振器を含み得る。任意の適切な数のデュプレクサ１４１Ａ～１
４１Ｎを実装することができる。アンテナスイッチ１４２は、デュプレクサ１４１Ａ～１
４１Ｎの数に対応する一定数の投を有し得る。アンテナスイッチ１４２は、選択されたデ
ュプレクサをモジュール１４０のアンテナポートに電気的に結合することができる。
【0083】
図１５Ａは、電力増幅器１５２、無線周波数スイッチ１５４、及び一つ以上の実施形態
に係るデュプレクサ１４１Ａ～１４１Ｎを含むモジュール１５０の模式的なブロック図で
ある。電力増幅器１５２は、無線周波数信号を増幅することができる。無線周波数スイッ
チ１５４は多投無線周波数スイッチとしてよい。無線周波数スイッチ１５４は、電力増幅
器１５２の出力を、デュプレクサ１４１Ａ～１４１Ｎの選択された送信フィルタに電気的
に結合することができる。デュプレクサ１４１Ａ～１４１Ｎのうちの一つ以上のフィルタ
は、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従う任意の適切な数の多層隆起フレー
ムバルク弾性波共振器を含み得る。任意の適切な数のデュプレクサ１４１Ａ～１４１Ｎを
実装することができる。
に係るデュプレクサ１４１Ａ～１４１Ｎを含むモジュール１５０の模式的なブロック図で
ある。電力増幅器１５２は、無線周波数信号を増幅することができる。無線周波数スイッ
チ１５４は多投無線周波数スイッチとしてよい。無線周波数スイッチ１５４は、電力増幅
器１５２の出力を、デュプレクサ１４１Ａ～１４１Ｎの選択された送信フィルタに電気的
に結合することができる。デュプレクサ１４１Ａ～１４１Ｎのうちの一つ以上のフィルタ
は、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従う任意の適切な数の多層隆起フレー
ムバルク弾性波共振器を含み得る。任意の適切な数のデュプレクサ１４１Ａ～１４１Ｎを
実装することができる。
【0084】
図１５Ｂは、フィルタ１５６Ａ～１５６Ｎ、無線周波数スイッチ１５７、及び一実施形
態に係る低雑音増幅器１５８を含むモジュール１５５の模式的なブロック図である。フィ
ルタ１５６Ａ～１５６Ｎのうちの一つ以上のフィルタは、ここに開示される任意の適切な
原理及び利点に従う任意の適切な数の多層隆起フレームバルク弾性波共振器を含み得る。
任意の適切な数のフィルタ１５６Ａ～１５６Ｎを実装することができる。例示のフィルタ
１５６Ａ～１５６Ｎは受信フィルタである。いくつかの実施形態（例示せず）において、
フィルタ１５６Ａ～１５６Ｎの一つ以上を、送信フィルタも含むマルチプレクサに含める
ことができる。無線周波数スイッチ１５７は多投無線周波数スイッチとしてよい。無線周
波数スイッチ１５７は、フィルタ１５６Ａ～１５６Ｎの選択されたフィルタの出力を、低
雑音増幅器１５７に電気的に結合することができる。いくつかの実施形態（例示せず）に
おいて、複数の低雑音増幅器を実装することができる。モジュール１５５は、所定のアプ
リケーションにおいて、ダイバーシティ受信特徴部を含み得る。
態に係る低雑音増幅器１５８を含むモジュール１５５の模式的なブロック図である。フィ
ルタ１５６Ａ～１５６Ｎのうちの一つ以上のフィルタは、ここに開示される任意の適切な
原理及び利点に従う任意の適切な数の多層隆起フレームバルク弾性波共振器を含み得る。
任意の適切な数のフィルタ１５６Ａ～１５６Ｎを実装することができる。例示のフィルタ
１５６Ａ～１５６Ｎは受信フィルタである。いくつかの実施形態（例示せず）において、
フィルタ１５６Ａ～１５６Ｎの一つ以上を、送信フィルタも含むマルチプレクサに含める
ことができる。無線周波数スイッチ１５７は多投無線周波数スイッチとしてよい。無線周
波数スイッチ１５７は、フィルタ１５６Ａ～１５６Ｎの選択されたフィルタの出力を、低
雑音増幅器１５７に電気的に結合することができる。いくつかの実施形態（例示せず）に
おいて、複数の低雑音増幅器を実装することができる。モジュール１５５は、所定のアプ
リケーションにおいて、ダイバーシティ受信特徴部を含み得る。
【0085】
図１６は、電力増幅器１５２、無線周波数スイッチ１５４、及び一つ以上の実施形態に
係る多層隆起フレームバルク弾性波デバイスを含むデュプレクサ１４、並びにアンテナス
イッチ１４２を含むモジュール１６０の模式的なブロック図である。モジュール１６０は
、モジュール１４０の複数の素子、及びモジュール１５０の複数の素子を含み得る。
係る多層隆起フレームバルク弾性波デバイスを含むデュプレクサ１４、並びにアンテナス
イッチ１４２を含むモジュール１６０の模式的なブロック図である。モジュール１６０は
、モジュール１４０の複数の素子、及びモジュール１５０の複数の素子を含み得る。
【0086】
任意の適切な数の多層隆起フレームバルク弾性デバイスを有する一つ以上のフィルタを
、様々な無線通信デバイスに実装することができる。図１７Ａは、ここに開示される任意
の適切な原理及び利点に従う一つ以上の多層隆起フレームバルク弾性波共振器を有するフ
ィルタ１７３を含む無線通信デバイス１７０の模式的なブロック図である。無線通信デバ
イス１７０は、任意の適切な無線通信デバイスでよい。例えば、無線通信デバイス１７０
は、スマートフォンのような携帯電話機としてよい。図示のように、無線通信デバイス１
７０は、アンテナ１７１、フィルタ１７３を含むＲＦフロントエンド１７２、送受信器１
７４、プロセッサ１７５、メモリ１７６及びユーザインタフェイス１７７を含む。アンテ
ナ１７１は、ＲＦフロントエンド１７２が与えるＲＦ信号を送信することができる。アン
テナ１７１は、受信したＲＦ信号を、処理を目的としてＲＦフロントエンド１７２に与え
得る。
、様々な無線通信デバイスに実装することができる。図１７Ａは、ここに開示される任意
の適切な原理及び利点に従う一つ以上の多層隆起フレームバルク弾性波共振器を有するフ
ィルタ１７３を含む無線通信デバイス１７０の模式的なブロック図である。無線通信デバ
イス１７０は、任意の適切な無線通信デバイスでよい。例えば、無線通信デバイス１７０
は、スマートフォンのような携帯電話機としてよい。図示のように、無線通信デバイス１
７０は、アンテナ１７１、フィルタ１７３を含むＲＦフロントエンド１７２、送受信器１
７４、プロセッサ１７５、メモリ１７６及びユーザインタフェイス１７７を含む。アンテ
ナ１７１は、ＲＦフロントエンド１７２が与えるＲＦ信号を送信することができる。アン
テナ１７１は、受信したＲＦ信号を、処理を目的としてＲＦフロントエンド１７２に与え
得る。
【0087】
ＲＦフロントエンド１７２は、一つ以上の電力増幅器、一つ以上の低ノイズ増幅器、Ｒ
Ｆスイッチ、受信フィルタ、送信フィルタ、デュプレクスフィルタ、マルチプレクサのフ
ィルタ、ダイプレクサ若しくは他の周波数多重化回路のフィルタ、又はこれらの任意の適
切な組み合わせを含んでよい。ＲＦフロントエンド１７２は、任意の適切な通信規格に関
連づけられたＲＦ信号を送信及び受信することができる。ここに開示される多層隆起フレ
ームバルク弾性波共振器はいずれも、ＲＦフロントエンド１７２のフィルタ１７３に実装
することができる。
Ｆスイッチ、受信フィルタ、送信フィルタ、デュプレクスフィルタ、マルチプレクサのフ
ィルタ、ダイプレクサ若しくは他の周波数多重化回路のフィルタ、又はこれらの任意の適
切な組み合わせを含んでよい。ＲＦフロントエンド１７２は、任意の適切な通信規格に関
連づけられたＲＦ信号を送信及び受信することができる。ここに開示される多層隆起フレ
ームバルク弾性波共振器はいずれも、ＲＦフロントエンド１７２のフィルタ１７３に実装
することができる。
【0088】
ＲＦ送受信器１７４は、増幅及び／又は他の処理を目的としてＲＦ信号をＲＦフロント
エンド１７２に与えることができる。ＲＦ送受信器１７４はまた、ＲＦフロントエンド１
７２の低雑音増幅器が与えるＲＦ信号を処理することができる。ＲＦ送受信器１７４は、
プロセッサ１７５と通信する。プロセッサ１７５は、ベース帯域プロセッサとしてよい。
プロセッサ１７５は、無線通信デバイス１７０のための、任意の適切なベース帯域処理機
能を与えることができる。メモリ１７６には、プロセッサ１７５がアクセス可能である。
メモリ１７６は、無線通信デバイス１７０のための任意の適切なデータを格納することが
できる。プロセッサ１７５はまた、ユーザインタフェイス１７７とも通信する。ユーザイ
ンタフェイス１７７は、ディスプレイのような任意の適切なユーザインタフェイスとして
よい。
エンド１７２に与えることができる。ＲＦ送受信器１７４はまた、ＲＦフロントエンド１
７２の低雑音増幅器が与えるＲＦ信号を処理することができる。ＲＦ送受信器１７４は、
プロセッサ１７５と通信する。プロセッサ１７５は、ベース帯域プロセッサとしてよい。
プロセッサ１７５は、無線通信デバイス１７０のための、任意の適切なベース帯域処理機
能を与えることができる。メモリ１７６には、プロセッサ１７５がアクセス可能である。
メモリ１７６は、無線通信デバイス１７０のための任意の適切なデータを格納することが
できる。プロセッサ１７５はまた、ユーザインタフェイス１７７とも通信する。ユーザイ
ンタフェイス１７７は、ディスプレイのような任意の適切なユーザインタフェイスとして
よい。
【0089】
図１７Ｂは、無線周波数フロントエンド１７２にフィルタ１７３を、ダイバーシティ受
信モジュール１８２に第２フィルタ１８３を含む無線通信デバイス１８０の模式的な図で
ある。無線通信デバイス１８０は図１７Ａの無線通信デバイス１７０と同様であるが、無
線通信デバイス１８０がさらにダイバーシティ受信機能を含む点を除く。図１７Ｂに示さ
れるように、無線通信デバイス１８０は、ダイバーシティアンテナ１８１と、ダイバーシ
ティアンテナ１８１が受信した信号を処理するべく構成されてフィルタ１８３を含むダイ
バーシティモジュール１８２と、無線周波数フロントエンド１７２及びダイバーシティ受
信モジュール１８２双方と通信する送受信器１７４とを含む。第２フィルタ１８３の一つ
以上が、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う多層隆起フレーム構造物を有
するバルク弾性波共振器を含み得る。
信モジュール１８２に第２フィルタ１８３を含む無線通信デバイス１８０の模式的な図で
ある。無線通信デバイス１８０は図１７Ａの無線通信デバイス１７０と同様であるが、無
線通信デバイス１８０がさらにダイバーシティ受信機能を含む点を除く。図１７Ｂに示さ
れるように、無線通信デバイス１８０は、ダイバーシティアンテナ１８１と、ダイバーシ
ティアンテナ１８１が受信した信号を処理するべく構成されてフィルタ１８３を含むダイ
バーシティモジュール１８２と、無線周波数フロントエンド１７２及びダイバーシティ受
信モジュール１８２双方と通信する送受信器１７４とを含む。第２フィルタ１８３の一つ
以上が、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う多層隆起フレーム構造物を有
するバルク弾性波共振器を含み得る。
【0090】
ここに開示されるバルク弾性波デバイスは、周波数範囲１（ＦＲ１）内の第５世代（５
Ｇ）ニューラジオ（ＮＲ）動作帯域にある無線周波数信号をフィルタリングするべく配列
されたフィルタ及び／又はマルチプレクサに含まれ得る。ＦＲ１は、現行の５ＧＮＲ仕様
に特定されるように、例えば４１０メガヘルツ（ＭＨｚ）から７．１２５ギガヘルツ（Ｇ
Ｈｚ）とすることができる。５ＧＮＲＦＲ１動作帯域にある無線周波数信号をフィルタリ
ングするべく配列されたフィルタは、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従っ
て実装される一つ以上のバルク弾性波共振器を含み得る。
Ｇ）ニューラジオ（ＮＲ）動作帯域にある無線周波数信号をフィルタリングするべく配列
されたフィルタ及び／又はマルチプレクサに含まれ得る。ＦＲ１は、現行の５ＧＮＲ仕様
に特定されるように、例えば４１０メガヘルツ（ＭＨｚ）から７．１２５ギガヘルツ（Ｇ
Ｈｚ）とすることができる。５ＧＮＲＦＲ１動作帯域にある無線周波数信号をフィルタリ
ングするべく配列されたフィルタは、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従っ
て実装される一つ以上のバルク弾性波共振器を含み得る。
【0091】
５ＧＮＲキャリアアグリゲーション仕様は、技術的な課題を提示し得る。例えば、５Ｇ
キャリアアグリゲーションは、第４世代（４Ｇ）ロングタームエボリューション（ＬＴＥ
）キャリアアグリゲーションよりも広い帯域幅及び／又はチャネル間隔を有し得る。所定
の５ＧＦＲ１アプリケーションにおけるキャリアアグリゲーション帯域幅は、１２０ＭＨ
ｚから２００ＭＨｚの範囲のような、１２０ＭＨｚから４００ＭＨｚの範囲にある。所定
の５ＧＦＲ１アプリケーションにおけるキャリア間隔は、１００ＭＨｚまでとなり得る。
ここに開示される多層隆起フレーム構造物を有するバルク弾性波共振器は、低挿入損失及
び低ガンマ損失を達成することができる。そのようなバルク弾性波共振器の隆起フレーム
モードの周波数は、バルク弾性波共振器の共振周波数から有意に離れるように移動させる
ことができる。したがって、５Ｇ仕様におけるＦＲ１内の広いキャリアアグリゲーション
帯域幅及び／又はチャネル間隔であっても、隆起フレームモードを、キャリアアグリゲー
ション帯域の外側に存在させることができる。これにより、キャリアアグリゲーションの
他のキャリアの動作帯域におけるガンマ劣化を低減及び／又は排除することができる。い
くつかの例において、ガンマは、キャリアアグリゲーションの他のキャリアの動作帯域に
おいて増加し得る。
キャリアアグリゲーションは、第４世代（４Ｇ）ロングタームエボリューション（ＬＴＥ
）キャリアアグリゲーションよりも広い帯域幅及び／又はチャネル間隔を有し得る。所定
の５ＧＦＲ１アプリケーションにおけるキャリアアグリゲーション帯域幅は、１２０ＭＨ
ｚから２００ＭＨｚの範囲のような、１２０ＭＨｚから４００ＭＨｚの範囲にある。所定
の５ＧＦＲ１アプリケーションにおけるキャリア間隔は、１００ＭＨｚまでとなり得る。
ここに開示される多層隆起フレーム構造物を有するバルク弾性波共振器は、低挿入損失及
び低ガンマ損失を達成することができる。そのようなバルク弾性波共振器の隆起フレーム
モードの周波数は、バルク弾性波共振器の共振周波数から有意に離れるように移動させる
ことができる。したがって、５Ｇ仕様におけるＦＲ１内の広いキャリアアグリゲーション
帯域幅及び／又はチャネル間隔であっても、隆起フレームモードを、キャリアアグリゲー
ション帯域の外側に存在させることができる。これにより、キャリアアグリゲーションの
他のキャリアの動作帯域におけるガンマ劣化を低減及び／又は排除することができる。い
くつかの例において、ガンマは、キャリアアグリゲーションの他のキャリアの動作帯域に
おいて増加し得る。
【0092】
上述された実施形態のいずれもが、セルラーハンドセットのような携帯デバイスに関連
して実装することができる。実施形態の原理及び利点は、ここに説明される実施形態のい
ずれかから有益となり得る任意のアップリンク無線通信デバイスのような、任意のシステ
ム又は装置によって使用することができる。ここでの教示は、様々なシステムに適用可能
である。本開示がいくつかの実施形態例を含むにもかかわらず、ここに説明される教示は
、様々な構造に適用することができる。ここに説明される原理及び利点はいずれも、約３
０ｋＨｚから３００ＧＨｚの周波数範囲、例えば約４５０ＭＨｚから８．５ＧＨｚの周波
数範囲、にある信号を処理するべく構成されたＲＦ回路に関連して実装することができる
。
して実装することができる。実施形態の原理及び利点は、ここに説明される実施形態のい
ずれかから有益となり得る任意のアップリンク無線通信デバイスのような、任意のシステ
ム又は装置によって使用することができる。ここでの教示は、様々なシステムに適用可能
である。本開示がいくつかの実施形態例を含むにもかかわらず、ここに説明される教示は
、様々な構造に適用することができる。ここに説明される原理及び利点はいずれも、約３
０ｋＨｚから３００ＧＨｚの周波数範囲、例えば約４５０ＭＨｚから８．５ＧＨｚの周波
数範囲、にある信号を処理するべく構成されたＲＦ回路に関連して実装することができる
。
【0093】
本開示の複数の側面は、様々な電子デバイスに実装することができる。電子デバイスの
例は、消費者用電子製品、パッケージ状無線周波数モジュールのような消費者用電子製品
の部品、アップリンク無線通信デバイス、無線通信インフラストラクチャ、電子試験機器
等を含むがこれらに限られない。電子デバイスの例は、スマートフォンのような携帯型電
話機、スマートウォッチ又はイヤーピースのような装着可能コンピューティングデバイス
、電話機、テレビ、コンピュータモニタ、コンピュータ、モデム、ハンドヘルドコンピュ
ータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、電子レンジ、冷蔵庫、自動
車電子システムのような車載電子システム、ステレオシステム、デジタル音楽プレーヤー
、ラジオ、デジタルカメラのようなカメラ、携帯型メモリーチップ、洗濯機、乾燥機、洗
濯／乾燥機、コピー機、ファクシミリ装置、スキャナ、多機能周辺デバイス、腕時計、置
時計等を含むがこれらに限られない。さらに、電子デバイスは未完成の製品も含んでよい
。
例は、消費者用電子製品、パッケージ状無線周波数モジュールのような消費者用電子製品
の部品、アップリンク無線通信デバイス、無線通信インフラストラクチャ、電子試験機器
等を含むがこれらに限られない。電子デバイスの例は、スマートフォンのような携帯型電
話機、スマートウォッチ又はイヤーピースのような装着可能コンピューティングデバイス
、電話機、テレビ、コンピュータモニタ、コンピュータ、モデム、ハンドヘルドコンピュ
ータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、電子レンジ、冷蔵庫、自動
車電子システムのような車載電子システム、ステレオシステム、デジタル音楽プレーヤー
、ラジオ、デジタルカメラのようなカメラ、携帯型メモリーチップ、洗濯機、乾燥機、洗
濯／乾燥機、コピー機、ファクシミリ装置、スキャナ、多機能周辺デバイス、腕時計、置
時計等を含むがこれらに限られない。さらに、電子デバイスは未完成の製品も含んでよい
。
【0094】
本明細書及び特許請求の範囲全体にわたり、文脈上そうでないことが示されない限り、
「備える」、「含む」、「包含する」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包
括的意味に、すなわち「～を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。
とりわけ「できる」、「し得る」、「してよい」、「かもしれない」、「例えば」、「の
ような」等のようなここに記載の条件付き言語は一般に、特にそうでないことが述べられ
、又は使用の文脈上そうでないことが理解される場合を除き、所定の実施形態が所定の特
徴、要素及び／又は状態を含む一方で他の実施形態がこれらを含まないことを伝えるよう
に意図される。ここで一般に使用される単語「結合」は、直接接続されるか又は一つ以上
の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る２つ以上の要素を言及する。同様
に、ここで一般に使用される単語「接続」は、直接接続されるか又は一つ以上の中間要素
を介して接続されるかのいずれかとなり得る２つ以上の要素を言及する。加えて、単語「
ここ」、「上」、「下」及び同様の趣旨の単語は、本アプリケーションにおいて使用され
る場合、本アプリケーション全体を言及し、本アプリケーションの任意の固有部分を言及
するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数を使用する上述の詳細な説明にお
ける用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。
「備える」、「含む」、「包含する」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包
括的意味に、すなわち「～を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。
とりわけ「できる」、「し得る」、「してよい」、「かもしれない」、「例えば」、「の
ような」等のようなここに記載の条件付き言語は一般に、特にそうでないことが述べられ
、又は使用の文脈上そうでないことが理解される場合を除き、所定の実施形態が所定の特
徴、要素及び／又は状態を含む一方で他の実施形態がこれらを含まないことを伝えるよう
に意図される。ここで一般に使用される単語「結合」は、直接接続されるか又は一つ以上
の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る２つ以上の要素を言及する。同様
に、ここで一般に使用される単語「接続」は、直接接続されるか又は一つ以上の中間要素
を介して接続されるかのいずれかとなり得る２つ以上の要素を言及する。加えて、単語「
ここ」、「上」、「下」及び同様の趣旨の単語は、本アプリケーションにおいて使用され
る場合、本アプリケーション全体を言及し、本アプリケーションの任意の固有部分を言及
するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数を使用する上述の詳細な説明にお
ける用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。
【0095】
所定の実施形態が記載されてきたが、これらの実施形態は、例により提示されたにすぎ
ないので、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際のところ、ここに記載される
新規な共振器、デバイス、モジュール、装置、方法及びシステムは、様々な他の形態で具
体化することができる。さらに、ここに記載される共振器、デバイス、モジュール、装置
、方法及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更は、本開示の要旨から逸脱
することなく行い得る。例えば、ブロックが所与の配列で提示されるが、代替実施形態は
、異なる部品及び／又は回路トポロジーで同様の機能を果たすことができ、いくつかのブ
ロックは削除、移動、追加、細分化、結合、及び／又は修正することができる。これらの
ブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装することができる。上述した様々な実施
形態の要素及び工程の任意の適切な組み合わせを、さらなる実施形態を与えるように組み
合わせることができる。添付の特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び要旨
に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。
ないので、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際のところ、ここに記載される
新規な共振器、デバイス、モジュール、装置、方法及びシステムは、様々な他の形態で具
体化することができる。さらに、ここに記載される共振器、デバイス、モジュール、装置
、方法及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更は、本開示の要旨から逸脱
することなく行い得る。例えば、ブロックが所与の配列で提示されるが、代替実施形態は
、異なる部品及び／又は回路トポロジーで同様の機能を果たすことができ、いくつかのブ
ロックは削除、移動、追加、細分化、結合、及び／又は修正することができる。これらの
ブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装することができる。上述した様々な実施
形態の要素及び工程の任意の適切な組み合わせを、さらなる実施形態を与えるように組み
合わせることができる。添付の特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び要旨
に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【手続補正書】
【提出日】2023-10-19
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
バルク弾性波デバイスであって、
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置決めされた圧電層と、
前記バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の周縁に沿って形成される隆起フレームドメインにある多層隆起フレーム構造物と
を含み、
前記多層隆起フレーム構造物は、前記隆起フレームドメインにおいて互いに重なる第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含み、
前記第１隆起フレーム層は、前記第１電極と前記第２電極との間に位置決めされ、
前記第１隆起フレーム層は、前記第１電極よりも低い音響インピーダンスを有し、
前記第２電極の頂面が、前記隆起フレームドメインにおいて前記第１隆起フレーム層によって隆起される、バルク弾性波デバイス。
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置決めされた圧電層と、
前記バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の周縁に沿って形成される隆起フレームドメインにある多層隆起フレーム構造物と
を含み、
前記多層隆起フレーム構造物は、前記隆起フレームドメインにおいて互いに重なる第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含み、
前記第１隆起フレーム層は、前記第１電極と前記第２電極との間に位置決めされ、
前記第１隆起フレーム層は、前記第１電極よりも低い音響インピーダンスを有し、
前記第２電極の頂面が、前記隆起フレームドメインにおいて前記第１隆起フレーム層によって隆起される、バルク弾性波デバイス。
【請求項2】
前記第１隆起フレーム層の音響インピーダンスは、前記圧電層の音響インピーダンスよりも低い、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項3】
前記第１隆起フレーム層は二酸化ケイ素層である、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項4】
前記第１電極は、モリブデン、タングステン、ルテニウム、白金又はイリジウムの少なくとも一つを含む、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項5】
前記第１隆起フレーム層は、前記圧電層と前記第１電極との間に位置決めされる、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項6】
前記バルク弾性波デバイスはさらに、前記隆起フレームドメインと前記アクティブ領域の中間エリアとの間に陥凹フレームドメインを含む、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項7】
前記第１隆起フレーム層は、前記圧電層と前記第２電極との間に位置決めされる、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項8】
前記第２隆起フレーム層は前記圧電層よりも高い密度を有する、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項9】
前記第２隆起フレーム層は、前記第２電極と同じ材料を含む、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項10】
エアキャビティをさらに含み、
前記エアキャビティと前記圧電層とは前記第１電極の対向側に存在する、請求項１のバルク弾性波デバイス。
前記エアキャビティと前記圧電層とは前記第１電極の対向側に存在する、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項11】
音響ブラッグ反射器をさらに含み、
前記音響ブラッグ反射器と前記圧電層とは前記第１電極の対向側に存在する、請求項１のバルク弾性波デバイス。
前記音響ブラッグ反射器と前記圧電層とは前記第１電極の対向側に存在する、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項12】
前記第２隆起フレーム層は、前記隆起フレームドメインにおいて前記第２電極を覆うように形成される、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項13】
さらに前記第２電極の上にパッシベーション層を含み、
前記パッシベーション層は、前記中間エリアにおいてよりも前記陥凹フレームドメインにおいての方が薄い、請求項６のバルク弾性波デバイス。
前記パッシベーション層は、前記中間エリアにおいてよりも前記陥凹フレームドメインにおいての方が薄い、請求項６のバルク弾性波デバイス。
【請求項14】
前記第２電極は、前記中間エリアにおいてよりも前記陥凹フレームドメインにおいての方が薄い、請求項６のバルク弾性波デバイス。
【請求項15】
前記第１隆起フレーム層は、前記第２隆起フレーム層よりも低い音響インピーダンスを有する、請求項１のバルク弾性波デバイス。
【請求項16】
パッケージ状モジュールであって、
パッケージ基板と、
前記パッケージ基板において無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性波フィルタと、
前記弾性波フィルタに電気的に結合されて前記パッケージ基板に位置決めされた無線周波数コンポーネントと
を含み、
前記弾性波フィルタはバルク弾性波デバイスを含み、
前記バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置決めされた圧電層と、前記バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の周縁に沿って形成される隆起フレームドメインにある多層隆起フレーム構造物とを含み、
前記多層隆起フレーム構造物は、前記隆起フレームドメインにおいて互いに重なる第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含み、
前記第１隆起フレーム層は、前記第１電極と第２電極との間に位置決めされ、
前記第１隆起フレーム層は、前記第１電極よりも低い音響インピーダンスを有し、
前記第２電極の頂面が、前記隆起フレームドメインにおいて前記第１隆起フレーム層によって隆起され、
前記弾性波フィルタ及び前記無線周波数コンポーネントは共通パッケージ内に封入される、パッケージ状モジュール。
パッケージ基板と、
前記パッケージ基板において無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性波フィルタと、
前記弾性波フィルタに電気的に結合されて前記パッケージ基板に位置決めされた無線周波数コンポーネントと
を含み、
前記弾性波フィルタはバルク弾性波デバイスを含み、
前記バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置決めされた圧電層と、前記バルク弾性波デバイスのアクティブ領域の周縁に沿って形成される隆起フレームドメインにある多層隆起フレーム構造物とを含み、
前記多層隆起フレーム構造物は、前記隆起フレームドメインにおいて互いに重なる第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含み、
前記第１隆起フレーム層は、前記第１電極と第２電極との間に位置決めされ、
前記第１隆起フレーム層は、前記第１電極よりも低い音響インピーダンスを有し、
前記第２電極の頂面が、前記隆起フレームドメインにおいて前記第１隆起フレーム層によって隆起され、
前記弾性波フィルタ及び前記無線周波数コンポーネントは共通パッケージ内に封入される、パッケージ状モジュール。
【請求項17】
前記無線周波数コンポーネントは、無線周波数増幅器又は無線周波数スイッチの少なくとも一方を含む、請求項１６のパッケージ状モジュール。
【請求項18】
前記バルク弾性波デバイスは、前記隆起フレームドメインと前記アクティブ領域の中間エリアとの間に陥凹フレームドメインを含む、請求項１６のパッケージ状モジュール。
【請求項19】
前記第２隆起フレーム層は、前記隆起フレームドメインにおいて前記第２電極を覆うように形成される、請求項１６のパッケージ状モジュール。
【外国語明細書】