特開 2023-179985 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023179985

(43)【公開日】2023-12-20

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/34 20060101AFI20231213BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20231213BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20231213BHJP

【ＦＩ】

H05K3/34 501E

H01L23/12 F

H05K3/46 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022092997

(22)【出願日】2022-06-08

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西脇 史朗

(72)【発明者】

【氏名】清水 敬介

(72)【発明者】

【氏名】渡辺 裕之

【テーマコード（参考）】

5E316

5E319

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC12

5E316CC13

5E316CC14

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE31

5E316FF07

5E316FF10

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH08

5E316JJ02

5E319AA03

5E319AB05

5E319AC11

5E319BB05

5E319CC33

5E319GG05

(57)【要約】

【課題】配線基板の実装品質の向上。
【解決手段】実施形態の配線基板１は、絶縁層２２と、絶縁層２２の表面２２ａに形成されている第１導体パッド３２１と、表面２２ａの上に形成されていて、絶縁層２２と反対方向を向く上面４ａを有するソルダーレジスト層４と、第１導体パッド３２１に接続されていて、ソルダーレジスト層４を貫いて上面４ａから突出する金属バンプ５と、を含んでいる。金属バンプ５は、ソルダーレジスト層４からの突出部側に、配線基板１に搭載される部品Ｅの電極Ｅ１との接続面である端面５ａを有しており、配線基板１は、さらに、ソルダーレジスト層４の上面４ａから突出していて、金属バンプ５の端面５ａと電極Ｅ１との所定の間隔を下回る近接を防ぐ突起６を含んでいる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層と、
前記絶縁層の表面に形成されている第１導体パッドと、
前記表面の上に形成されていて、前記絶縁層と反対方向を向く上面を有するソルダーレジスト層と、
前記第１導体パッドに接続されていて、前記ソルダーレジスト層を貫いて前記上面から突出する金属バンプと、
を含む配線基板であって、
前記金属バンプは、前記ソルダーレジスト層からの突出部側に、前記配線基板に搭載される部品の電極との接続面である端面を有しており、
前記配線基板は、さらに、前記ソルダーレジスト層の前記上面から突出していて、前記金属バンプの前記端面と前記電極との所定の間隔を下回る近接を防ぐ突起を含んでいる。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記金属バンプの前記端面上に形成されていて前記電極と前記金属バンプとを接続する接続層を含んでいる。

【請求項3】

請求項２記載の配線基板であって、前記突起は、前記ソルダーレジスト層の前記上面からの高さに関して、前記接続層における前記金属バンプと反対方向を向く表面よりも低く、且つ、前記金属バンプの前記端面よりも高い。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記突起は、前記絶縁層と反対方向を向く平坦な表面を有している。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、
前記金属バンプは、前記端面を構成する第１被覆層を含んでおり、
前記突起は、前記突起における前記絶縁層と反対方向を向く表面を構成する第２被覆層を含んでおり、
前記第１被覆層と前記第２被覆層が同じ材料で形成されている。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記絶縁層の前記表面に形成されている第２導体パッドを含み、
前記突起は、前記ソルダーレジスト層を貫いて前記第２導体パッドと接続されていている。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、前記突起は前記ソルダーレジスト層の前記上面の上に形成されている。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記金属バンプの前記端面上に形成されていて前記電極と前記金属バンプとを接続する接続層を含み、
前記突起は、前記金属バンプを構成する金属と同じ金属によって形成されているベース部と、前記ベース部上に形成されていて前記接続層よりも高い融点を有する表面部と、を含んでいる。

【請求項9】

請求項８記載の配線基板であって、前記ソルダーレジスト層の前記上面からの高さに関して、前記ベース部における前記表面部側の表面は、前記金属バンプの前記端面と略同じである。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、半導体チップの実装に用いられるメタルポストを備えた基板が開示されている。メタルポストはソルダーレジスト層の上部に突出しており、メタルポストの側面及び上面にはソルダバンプが形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－１２９９９６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の基板では、半導体チップの実装時に、メタルポスト上で溶融したソルダバンプがメタルポストの周囲に広がり、隣接するメタルポストの上面又は側面のソルダバンプと接触して短絡不良を生じさせることがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成されている第１導体パッドと、前記表面の上に形成されていて、前記絶縁層と反対方向を向く上面を有するソルダーレジスト層と、前記第１導体パッドに接続されていて、前記ソルダーレジスト層を貫いて前記上面から突出する金属バンプと、を含んでいる。そして、前記金属バンプは、前記ソルダーレジスト層からの突出部側に、前記配線基板に搭載される部品の電極との接続面である端面を有しており、前記配線基板は、さらに、前記ソルダーレジスト層の前記上面から突出していて、前記金属バンプの前記端面と前記電極との所定の間隔を下回る近接を防ぐ突起を含んでいる。

【0006】

本発明の実施形態によれば、配線基板に搭載される部品の電極間の短絡不良が抑制されると考えられる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】部品の電極と金属バンプとの間隔と、それらの接続材の層の厚さとの関係の一例を示すグラフ。

【図3】図１のIII部の拡大図。

【図4】図１の配線基板の平面図。

【図5A】一実施形態の配線基板における突起の他の例を示す断面図。

【図5B】一実施形態に配線基板における突起の他の例を示す断面図。

【図6A】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6B】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6C】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6D】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6E】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6F】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図7】一実施形態の配線基板の製造工程の他の例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。なお、配線基板１は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。例えば、本実施形態の配線基板の積層構造、並びに、本実施形態の配線基板に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１の積層構造、及び配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さに関して、各構成要素が互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。

【0009】

図１に示されるように、配線基板１は、コア基板１０と、コア基板１０におけるその厚さ方向と直交する２つの主面（第１面１０ａ及び第２面１０ｂ）それぞれに積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。具体的には、配線基板１は、コア基板１０の第１面１０ａ上に積層されている絶縁層２１、絶縁層２１上に形成されている導体層３１、絶縁層２１及び導体層３１の上に積層されている絶縁層２２（第１絶縁層）、及び、絶縁層２２上に形成されている導体層３２（第１導体層）を含んでいる。図１の配線基板１は、さらに、コア基板１０の第２面１０ｂ上に交互に積層されている２つの絶縁層２３及び２つの導体層３３を含んでいる。絶縁層２１～２３それぞれには、絶縁層２１～２３それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体２０が形成されている。

【0010】

コア基板１０は、絶縁層１１と、絶縁層１１の両面それぞれに形成されている導体層１２と、絶縁層１１を貫通してその両面の導体層１２同士を接続する筒状のスルーホール導体１３と、を含んでいる。スルーホール導体１３の内部は、エポキシ樹脂などで形成される充填体１４で充填されている。

【0011】

配線基板１は、絶縁層２２の表面２２ａに形成されている第１導体パッド３２１を含んでいる。図１の例の配線基板１は、さらに、絶縁層２２の表面２２ａに形成されている第２導体パッド３２２を含んでいる。第１導体パッド３２１及び第２導体パッド３２２は導体層３２に含まれている。第１導体パッド３２１及び第２導体パッド３２２は、いずれも、図１の例のように絶縁層２２の表面２２ａの上に形成されずに、表面２２ａにその一部を露出させて絶縁層２２内に埋め込まれていてもよい。

【0012】

配線基板１は、さらに、絶縁層２２の表面２２ａの上に形成されているソルダーレジスト層４を含んでいる。ソルダーレジスト層４は、絶縁層２２と反対方向を向く上面４ａを有している。ソルダーレジスト層４は絶縁層２２及び導体層３２を覆っている。図１の例の配線基板１は、さらに、絶縁層２３及び導体層３３を覆うソルダーレジスト層４１を含んでいる。

【0013】

なお、実施形態の配線基板の説明では、配線基板１の厚さ方向において、絶縁層１１から遠い側は、「上側」、「外側」、又は、単に「上」若しくは「外」とも称される。一方、配線基板１の厚さ方向において、絶縁層１１に近い側は、「下側」、「内側」、又は単に「下」若しくは「内」とも称される。また、実施形態の配線基板の各構成要素において絶縁層１１と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層１１側を向く表面は「下面」とも称される。なお、配線基板１の厚さ方向は、単に「Ｚ方向」とも称される。

【0014】

配線基板１は、さらに、金属バンプ５を含んでいる。図１の例の配線基板１は、複数の金属バンプ５を含んでいる。各金属バンプ５は、第１導体パッド３２１の上に形成されていて第１導体パッド３２１に接続されている。金属バンプ５は、ソルダーレジスト層４を貫いてその上面４ａから突出している。金属バンプ５は、そのようにソルダーレジスト層４から突出する突出部側に、その突出部側の先端面として端面５ａを有している。端面５ａは、配線基板１に搭載される部品Ｅの電極Ｅ１との接続面である。すなわち、図１の例の配線基板１には、その使用時に部品Ｅが搭載される。金属バンプ５は、部品Ｅが備える電極Ｅ１と電気的及び機械的に接続される。金属バンプ５は導電性を有している。従って、第１導体パッド３２１及び導体層３２は、金属バンプ５を介して部品Ｅの電極Ｅ１と電気的に接続される。実施形態の配線基板１では、金属バンプ５が備えられているので、部品Ｅのような搭載部品の電極間の短絡が抑制される。そして実施形態の配線基板１では、単に導電性バンプを備える従来の配線基板と比べて、後述されるように短絡不良が一層抑制される。

【0015】

図１の例では、配線基板１は、さらに、金属バンプ５の端面５ａ上に形成されている接続層７を含んでいる。接続層７によって、部品Ｅの電極Ｅ１と金属バンプ５とが電気的に接続され、好ましくは、機械的にも接続される。接続層７は、このように、電極Ｅ１と金属バンプ５とを少なくとも電気的に接続することが可能な任意の材料で形成され得る。接続層７は、例えば、配線基板１への部品Ｅの搭載時に一旦溶融してその後固化することによって電極Ｅ１と金属バンプ５とを接続する。接続層７は、一例として、はんだなどの任意の材料からなるろう材によって形成される。接続層７を形成するはんだは、例えばすずを主成分として含むと共に、銀、銅、ビスマス、亜鉛、及び／又はインジウムなどを含んでいてもよく、略すずだけを含んでいてもよい。接続層７は、例えば、これらはんだを構成する金属を含む電解めっき膜である。接続層７は、これらはんだが溶融状態から固化したはんだの固化体であってもよい。

【0016】

なお、配線基板１は必ずしも接続層７を含まない。その代わりに、接続層７と同様の接続層（例えば図１に例示の接続層７を上下反転した断面形状を有する接続層）が部品Ｅの電極Ｅ１に設けられていてもよい。或いは、配線基板１への部品Ｅの搭載時に、接続層７の材料として前述したはんだなどの接合材が、金属バンプ５の端面５ａ上に供給されてもよい。

【0017】

本実施形態の配線基板１は、さらに、ソルダーレジスト層４の上面４ａから突出する突起６を含んでいる。突起６によって、配線基板１に部品Ｅが搭載されるときに金属バンプ５の端面５ａと部品Ｅの電極Ｅ１との所定の間隔を下回る近接が防がれる。突起６は、そのように所定の間隔を下回って端面５ａと電極Ｅ１とが近づくような部品Ｅと金属バンプ５との近接を防ぎ得るように形成されている。例えば、突起６は、部品Ｅと当接することによって、金属バンプ５の端面５ａと部品Ｅの電極Ｅ１との所定の間隔を下回る近接を防止する。従って、突起６は、ソルダーレジスト層４の上面４ａからの高さに関して、所定の間隔を下回って端面５ａと電極Ｅ１とが近づくほど金属バンプ５に近接する部品Ｅと当接するような高さを有し得る。

【0018】

金属バンプ５の端面５ａと部品Ｅの電極Ｅ１との「所定の間隔」は、接続層７のような金属バンプ５と電極Ｅ１との接続材の体積（Ｖ）及び端面５ａの面積（Ｓ）に応じて任意に選択され得る。例えば、「所定の間隔」は、（０．５×Ｖ／Ｓ）以上、（１．５×Ｖ／Ｓ）であり得、（０．８×Ｖ／Ｓ）以上、（１．２×Ｖ／Ｓ）であってもよい。以下では、端面５ａと電極Ｅ１との「所定の間隔を下回る近接」は、単に「過度な近接」とも称される。

【0019】

金属バンプ５の端面５ａと部品Ｅの電極Ｅ１との過度な近接を防ぐ突起６は、少なくとも、ソルダーレジスト層４の上面４ａと部品Ｅとの間に隙間を空けて部品Ｅを支持する。すなわち、突起６は、配線基板１において、ソルダーレジスト層４の上面４ａよりもさらに上方のＺ方向における所定の位置で部品Ｅを支持する支持体であり得る。また突起６は、配線基板１において、部品Ｅとソルダーレジスト層４の上面４ａとの間に所定の隙間を確保するスペーサでもあり得る。

【0020】

このように、部品Ｅの電極Ｅ１と金属バンプ５の端面５ａとの過度な近接を防ぐ突起６を含む配線基板１では、電極Ｅ１が端面５ａに近付き過ぎることが防止され、電極Ｅ１と端面５ａとの間に適度な大きさの隙間が確保され得る。そのため、接続層７のような電極Ｅ１と金属バンプ５との接続材が、部品Ｅの電極Ｅ１と端面５ａとに挟まれた領域内に留まり切れずにその周囲に過剰にはみ出すことを抑制することができる。すなわち、電極Ｅ１と端面５ａとに挟まれた領域からＺ方向と交差する方向への接続層７のような導電性の接続材の過剰な広がりを抑制することができる。従って、隣接する電極Ｅ１同士の短絡、及び／又は、隣接する金属バンプ５同士、延いては隣接する第１導体パッド３２１同士の短絡を防止することができる。

【0021】

配線基板１のように部品との接続用の導電性バンプを備える配線基板に部品が搭載される場合、接続層７のような接続材の量が適正な範囲よりも少ないと、部品の電極と配線基板内の導電体とが電気的に接続されないオープン不良が発生する。接続材の量の適正範囲は、配線基板の反りや、導電性バンプの側面への溶融状態の接続材の回り込み具合のばらつきなどによって容易に変動する。また、複数の導電性バンプが形成されている場合、導電性バンプ間の高さのばらつきによって、接続材の量の適正範囲が導電性バンプ毎に変動する。そのため、オープン不良を防ぐべく、適正範囲の中央値よりも多くの量の接続材を供給することが好ましいことがある。しかしながら、部品の搭載時の諸所の条件によって配線基板内の導電体と部品の電極との間隔が過度に近接してしまうと、接続材の量が相対的に適正範囲を超えてしまって、部品の隣接電極同士の短絡不良が発生することがある。

【0022】

この点に関し、本実施形態では、部品Ｅの電極Ｅ１と金属バンプ５の端面５ａとの過度な近接を防ぐ突起６が設けられているので、電極Ｅ１、金属バンプ５、及び／又は第１導体パッド３２１における短絡を抑制することができる。そして、そのように短絡不良が抑制されるので、短絡不良に関する低いリスクの下で、電極Ｅ１と金属バンプ５との接続材の量を増やすことができる。従って、配線基板１では、電極Ｅ１などに関する短絡不良が抑制されると共に、電極Ｅ１と金属バンプ５とのオープン不良も抑制され得る。

【0023】

図２には、図１の接続層７のような金属バンプ５と部品Ｅの電極Ｅ１との接続材からなる層の厚さｔと、金属バンプ５の端面５ａと電極Ｅ１のようにその接続材によって互いに接続される部品及び配線基板それぞれの接続部同士の間隔ｇとの関係の一例が示されている。図２において直線Ｌ１は、Ｘ軸に示される厚さｔそれぞれに対する、短絡不良が発生し難い間隔ｇの下限を示し、直線Ｌ２は、Ｘ軸に示される厚さｔそれぞれに対する、オープン不良が発生し難い間隔ｇの上限を示している。すなわち、各Ｘ軸座標における直線Ｌ１から直線Ｌ２までの範囲が、そのＸ軸座標が示す厚さｔにおいて短絡不良もオープン不良も生じ難い間隔ｇの適正範囲を示している。換言すると、各Ｙ軸座標における直線Ｌ２から直線Ｌ１までの範囲が、そのＹ軸座標が示す間隔ｇにおいてオープン不良も短絡不良も生じ難い、接続材の層の厚さｔの適正範囲を示している。図２に示されるように、間隔ｇの適正範囲は、接続材の層の厚さｔが大きくなるほど、すなわち接続材の量が多くなるほど広がっている。

【0024】

前述したように、本実施形態では、突起６によって短絡不良が抑制されるので、金属バンプ５と部品Ｅの電極Ｅ１との接続材の量を増やすことができる。図２の例示のように、接続材の量が多いと、その接続材によって接続される接続部同士の間隔の適正範囲が広まることがある。そのため本実施形態では、例えば接続層７の厚さを厚くして金属バンプ５と部品Ｅの電極Ｅ１との接続材の量を多くすることによって、金属バンプ５の端面５ａと電極Ｅ１との間隔の適正範囲を広げることができると考えられる。すなわち金属バンプ５の端面５ａと電極Ｅ１との間隔は部品Ｅの搭載毎にばらつき得るが、そのばらつきの許容範囲を広げ得ることがある。従って、電極Ｅ１や金属バンプ５などに関する短絡不良や、電極Ｅ１と金属バンプ５との間のオープン不良を少なくし得ることがある。

【0025】

また本実施形態では、前述したように、部品Ｅの電極Ｅ１と金属バンプ５の端面５ａとの過度な近接が突起６によって防がれるので、接続層７の厚さに関して工程能力を向上させ得ることがある。この点が、引き続き図２を参照して説明される。一例として、突起６が無い場合に、図２に示されるΔｇ０の幅で部品Ｅの電極Ｅ１と金属バンプ５の端面５ａとの間隔ｇがばらつき、同図に示される厚さＴ０を目標値（設計値）として接続層７が形成される状況が仮定される。その場合、間隔ｇが大きい方にばらついてもオープン不良が発生せず、一方間隔ｇが小さい方にばらついても短絡不良が生じないように、接続層７の厚さｔは、厚さＴ０１からＴ０２の範囲で管理される必要がある。

【0026】

このような状況に、突起６を含む本実施形態が適用されると、先ず、短絡不良が抑制されるので、接続層７の厚さが厚くされ得る。一例として、厚さＴ１を有するように接続層７が形成され得る。その場合、短絡不良もオープン不良も生じ難い間隔ｇの適正範囲（直線Ｌ１から直線Ｌ２までのＹ軸方向の距離）が、厚さＴ０に対する適正範囲から、厚さＴ１に対する適正範囲（間隔Ｇ１１～間隔Ｇ１２）まで拡大する。この場合、例えば、間隔Ｇ１３を下回る電極Ｅ１と端面５ａとの近接を防ぎ得る高さを有する突起６が設けられる。なお、間隔Ｇ１３は、適正範囲の下限である間隔Ｇ１１に対して大きい方向に適切なマージンを有する間隔であり得る。

【0027】

一方、電極Ｅ１と端面５ａとの間隔ｇのばらつきは、小さい方向へのばらつきが突起６によって防がれるので、低減されると考えられる。従って、仮にそのばらつき幅がΔｇ１であれば、接続層７の厚さｔは、間隔ｇが大きい方にばらついてもオープン不良が発生せず、間隔Ｇ１３においても短絡不良が生じない範囲である、厚さＴ１１からＴ１２の範囲で管理され得る。すなわち、本実施形態によれば、接続層７の厚さに関して求められる管理幅を広くすることができ、もって接続層７の厚さに関する工程能力を向上させ得ることがある。

【0028】

引き続き、図１を参照すると共に、図３及び図４を参照して、配線基板１の全体構造及び各部の構造が説明される。図３には、図１に示される配線基板１のIII部の拡大図が示されており、図４には、配線基板１の平面図が示されている。引き続き参照される図１は、図４に示されるＩ－Ｉ線での配線基板１の断面図である。なお、図３において部品Ｅは、配線基板１への部品Ｅの例示的な固定位置に描かれている。例えば、接続層７の溶融と再硬化とを経て、図３に示される位置で部品Ｅが配線基板１に固定される。

【0029】

配線基板１を構成する絶縁層１１及び絶縁層２１～２３は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの熱硬化性の絶縁性樹脂を用いて形成され得る。絶縁層１１及び絶縁層２１～２３は、それぞれ、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ポリエステル（ＰＥ）樹脂、及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）樹脂のような熱可塑性の絶縁性樹脂を用いて形成されていてもよい。図１の例では、絶縁層１１は、例えばガラス繊維やアラミド繊維などで構成される補強材（芯材）１１ａを含んでいる。絶縁層２１～２３も、絶縁層１１が含む補強材１１ａのような補強材を含んでいてもよい。各絶縁層は、さらに、シリカ又はアルミナなどの無機フィラーを含んでいてもよい。

【0030】

ソルダーレジスト層４、４１は、それぞれ、例えば感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂（ＰＩ樹脂）などで形成されている。なお、絶縁層１１、２１～２３、及びソルダーレジスト層４、４１の材料としてここに示される各樹脂は、各絶縁層及び各ソルダーレジスト層を形成し得る材料の例示に過ぎない。各絶縁層及び各ソルダーレジスト層は、配線基板１に含まれる導体層間の絶縁性や、それら各導体層と外部の導電体との間の絶縁性を提供し得る任意の材料で形成され得る。

【0031】

導体層１２及び導体層３１～３３、スルーホール導体１３、並びにビア導体２０は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。導体層１２及び導体層３１～３３、スルーホール導体１３、並びにビア導体２０は、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成され得る。図１の例では、導体層１２は、これら金属箔や金属膜によって構成される多層構造を有している。導体層３１～３３、スルーホール導体１３、及びビア導体２０も、図１では単層構造で示されているが、２以上の金属層を含む多層構造を有し得る。導体層１２及び導体層３１～３３は、それぞれ任意の導体パターンを含み得る。前述したように、導体層３２は第１導体パッド３２１及び第２導体パッド３２２を含んでいる。

【0032】

図１の例の配線基板１において、第１導体パッド３２１上に形成されている金属バンプ５は、ソルダーレジスト層４に形成されている貫通孔４ｂを通って上面４ａから突出している。すなわち、貫通孔４ｂが第１導体パッド３２１上に設けられており、貫通孔４ｂによって、第１導体パッド３２１の上面の少なくとも一部がソルダーレジスト層４から露出されている。そして、その露出部分に金属バンプ５が形成されており、貫通孔４ｂの内部が金属バンプ５で充填されている。金属バンプ５は、図３に示されるように、第１導体パッド３２１上、貫通孔４ｂの内部に露出するソルダーレジスト層４の内壁面上、及びソルダーレジスト層４の上面４ａ上に形成されている下地層５２と、下地層５２上に形成されている本体層５３とを含んでいる。

【0033】

突起６は、図１に示されるように、絶縁層２２と反対方向を向く表面６ａを有している。部品Ｅは、接続層７の厚さ次第で、表面６ａの上に載置されることがある。また、部品Ｅは、接続層７の溶融時に表面６ａの上に載置されることがある。部品Ｅと表面６ａとの当接によって、金属バンプ５の端面５ａと部品Ｅの電極Ｅ１との過度な近接が防止されることがある。図１及び図３の例の突起６は、平坦な表面６ａを有している。突起６が平坦な表面６ａを有しているので、部品Ｅが適切な体勢で、例えば配線基板１に対して顕著に傾かずに、安定して搭載されることがある。なお、突起６の表面６ａに関して「平坦」は、表面６ａが、表面６ａの幅の２０％以上の高さで、絶縁層２２と反対方向に向かって湾曲していないことを意味している。ここで表面６ａの「幅」は、表面６ａの外周上の最も離れた２点間の距離である。

【0034】

図１及び図３の例において、突起６は、ソルダーレジスト層４の上面４ａから、ソルダーレジスト層４を貫いて第２導体パッド３２２と接続されていている。すなわち、図１及び図３の例において突起６は、第２導体パッド３２２上に形成されている。突起６は、ソルダーレジスト層４に形成されている貫通孔４ｃを通ってソルダーレジスト層４の上面４ａから突出している。すなわち、貫通孔４ｃが第２導体パッド３２２上に設けられており、貫通孔４ｃによって第２導体パッド３２２の上面の少なくとも一部がソルダーレジスト層４から露出されている。そして、その露出部分上に突起６が形成されており、貫通孔４ｃの内部が突起６の一部で充填されている。突起６は、図３に示されるように、第２導体パッド３２２上、貫通孔４ｃの内部に露出するソルダーレジスト層４の内壁面上、及びソルダーレジスト層４の上面４ａ上に形成されている下地層６２と、下地層６２上に形成されている本体層６３とを含んでいる。

【0035】

金属バンプ５の下地層５２及び本体層５３は、導体層３１～３３などと同様に、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。図３の例では、突起６の下地層６２及び本体層６３も、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成されている。金属バンプ５の下地層５２及び突起６の下地層６２は、例えば銅やニッケルなどの金属からなる無電解めっき膜、又はこれら金属の合金からなるスパッタリング膜であり得る。また、金属バンプ５の本体層５３及び突起６の本体層６３は、例えば、下地層５２及び下地層６２を含む金属膜を給電層として用いる電解めっきによって形成された電解めっき膜であり得る。なお、突起６を形成する材料は、少なくとも部品Ｅの自重によって変形しない程度の剛性を有するものであればよく、銅やニッケルなどの金属に限定されない。

【0036】

図３などに例示の金属バンプ５は、さらに、被覆層５１（第１被覆層）を含んでいる。被覆層５１は、本体層５３の上に形成されていて本体層５３の上面を覆っている。図３などの例では、被覆層５１の上面が金属バンプ５の端面５ａを構成している。同様に、図３などに例示の突起６は、さらに、被覆層６１（第２被覆層）を含んでいる。被覆層６１は、本体層６３の上に形成されていて本体層６３の上面を覆っている。図３などの例では、被覆層６１の上面が、突起６における絶縁層２２（図１参照）と反対方向を向く表面６ａを構成している。被覆層５１及び被覆層６１は、例えば、本体層５３及び本体層６３と同様に、下地層５２及び下地層６２を含む金属膜を給電層として用いる電解めっきによって形成された電解めっき膜であり得る。しかし、被覆層５１及び被覆層６１は、電解めっき膜に限定されず、例えば、無電解めっき膜であってもよく、スパッタリング膜であってもよい。

【0037】

被覆層５１及び被覆層６１それぞれを構成する材料としては、ニッケルや金が例示される。被覆層５１と被覆層６１は、異なる材料で形成されていてもよいが、同じ材料で形成されていてもよい。被覆層５１の形成と被覆層６１の形成に同じ材料を用いることにより、被覆層５１と被覆層６１とを効率よく形成し得ることがある。被覆層５１及び被覆層６１によって、例えば銅で形成される、本体層５３及び／又は本体層６３の腐食の進行を鈍化させ得ることがある。また、被覆層５１によって、本体層５３への接続層７の構成材料の拡散を妨げ得ることがある。しかし、被覆層５１及び被覆層６１の材料は、ニッケル及び金だけに限定されず、本体層５３、本体層６３、及び／又は接続層７に、好ましくは何らかの有益な作用を及ぼし得る任意の材料が用いられる。

【0038】

金属バンプ５の上に接続層７が設けられる図３の例では、突起６は、ソルダーレジスト層４の上面４ａからの高さに関して、接続層７における金属バンプ５と反対方向を向く表面７ａよりも低い。表面７ａがソルダーレジスト層４と反対方向に向かって凸となるように湾曲している図３の例では、ソルダーレジスト層４の上面４ａからの高さに関して、突起６は少なくとも表面７ａの頭頂部よりも低い。ソルダーレジスト層４の上面４ａに対する突起６の高さＨ６が上面４ａからの接続層７の表面７ａの高さＨ７よりも小さいので、接続層７と部品Ｅの電極Ｅ１とを略確実に接触させることができる。

【0039】

さらに、図３の例では、突起６は、ソルダーレジスト層４の上面４ａからの高さに関して、金属バンプ５の端面５ａよりも高い。ソルダーレジスト層４の上面４ａに対する突起６の高さＨ６が上面４ａからの金属バンプ５の端面５ａの高さＨ５よりも大きいので、端面５ａと部品Ｅの電極Ｅ１との間に、適度な大きさの隙間が確保され易い。例えば、図３の例のように、部品Ｅにおいて突起６と当接する下面Ｅａから電極Ｅ１が突出している場合でも、端面５ａと電極Ｅ１との間に、適度な大きさの隙間を確保できることがある。

【0040】

なお、突起６は、ソルダーレジスト層４の上面４ａからの高さに関して、接続層７の表面７ａと同じ又は高くてもよい。例えば、電極Ｅ１が部品Ｅの下面Ｅａから大きく突出している場合は、突起６が接続層７の表面７ａより高くても、電極Ｅ１と接続層７又は金属バンプ５とが接触し得ることがある。また、突起６は、ソルダーレジスト層４の上面４ａからの高さに関して、金属バンプ５の端面５ａと同じ又は低くてもよい。例えば、電極Ｅ１の接続面が部品Ｅの下面Ｅａよりも凹んでいる場合は、突起６が金属バンプ５の端面５ａより低くても、端面５ａと電極Ｅ１との間に適度な大きさの隙間を確保できることがある。或いは、部品Ｅの下面Ｅａにおける突起６との当接部が、その周囲の下面Ｅａ又は電極Ｅ１の表面面よりも突出している場合は、端面５ａと電極Ｅ１との間に適度な大きさの隙間を確保できることがある。

【0041】

このように、ソルダーレジスト層４の上面４ａに対する突起６の高さＨ６は任意に選択される。しかし、前述したように、突起６の高さＨ６が、接続層７の表面７ａの高さＨ７よりも小さく、且つ、金属バンプ５の端面５ａの高さＨ５よりも大きいと、部品Ｅの実装におけるオープン不良や短絡不良の抑制に関して好ましいことがある。突起６の高さＨ６が金属バンプ５の端面５ａの高さＨ５よりも大きく、且つ接続層７の高さＨ７よりも小さい場合の高さＨ６と高さＨ５との差は、例えば、接続層７の厚さＴ７の３０％以上、７０％以下である。オープン不良及び短絡不良のいずれも生じ難いことがある。

【0042】

図４に示されるように、図１の例の配線基板１は、複数の金属バンプ５によって構成される一群の金属バンプ５０を含んでいる。一群の金属バンプ５０の上に部品Ｅ（図１参照）が搭載される。図４の例において、配線基板１は複数の突起６を含んでいる。複数の突起６は、それぞれ金属バンプ５に隣接して設けられていて、全体として、一群の金属バンプ５０を囲んでいる。そのため、図４の例の配線基板１では、部品Ｅが、顕著な傾きなく安定して載置されると考えられる。また、金属バンプ５と部品Ｅの電極Ｅ１（図１参照）との間の領域からその周囲への接続層７のような接続材の広がりが、各金属バンプ５間で均等に抑制され易いと考えられる。このように、配線基板１は複数の突起６を含んでいてもよく、複数の突起６は、全体として、１以上の金属バンプ５を平面視で囲んでいてもよい。なお「平面視」は、実施形態の配線基板をその厚さ方向と平行な視線で見ることを意味している。

【0043】

なお、配線基板１に含まれる複数の突起６は、図４の例にように金属バンプ５を囲んでいなくてもよく、例えば、実施形態の配線基板１は、１以上の金属バンプ５を挟む位置にそれぞれが配置された２つの突起６を含んでいてもよい。例えば、図４の例のように一群の金属バンプ５０がマトリクス状の配置で設けられている場合、一群の金属バンプ５０によって構成されるマトリクスの１つ又は２つの対角線上に、一群の金属バンプ５０を挟む１組の突起６が設けられていてもよい。

【0044】

図５Ａ及び図５Ｂには、本実施形態の配線基板１における突起の他の例である突起６α及び突起６βがそれぞれ示されている。

【0045】

図５Ａの例の突起６αは、その全体がソルダーレジスト層４の上面４ａの上に形成されている。すなわち、図５Ａの例の突起６αは、ソルダーレジスト層４を貫通する部分を有していない。また、突起６αは、図３の例の突起６のような下地層６２、本体層６３、及び被覆層６１を含む多層構造を有さず、全体として一体の構造を有している。突起６αは、任意の方法でソルダーレジスト層４の上面４ａ上に設けられ得る。例えば、突起６αは、金属バンプ５の形成とは別に形成され、適切な接着剤を用いて、形成済みのソルダーレジスト層４の上面４ａに貼り付けられてもよい。

【0046】

また突起６αを形成する材料は、多様な素材から選択され得る。例えば金属バンプ５を構成する材料と異なる材料で突起６αが形成されていてもよい。突起６αは、例えば、ステンレスやアルミニウムなどの金属（導電体）、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの樹脂（有機絶縁体）、又はアルミナなどのセラミックス（無機絶縁体）によって形成されていてもよい。

【0047】

図５Ｂの突起６βは、図３の例の突起６と同様に、第２導体パッド３２２の上に形成されていて第２導体パッド３２２に接続されており、突起６と同様に、下地層６２、本体層６３、及び被覆層６１を含んでいる。そして図５Ｂの例の突起６βは、これら下地層６２、本体層６３、及び被覆層６１を含むベース部６ｂと、ベース部６ｂ上に形成されている表面部６ｃと、を含んでいる。図５Ｂの例において下地層６２、本体層６３、及び被覆層６１を含むベース部６ｂは、下地層５２、本体層５３、及び被覆層５１を含む金属バンプ５を構成する金属と同じ金属によって形成されている。そのため、ベース部６ｂは、金属バンプ５の形成方法と同じ形成方法で、金属バンプ５の形成と同時に形成され得る。

【0048】

さらに、突起６βが含むベース部６ｂにおける表面部６ｃ側の表面６ｂａは、ソルダーレジスト層４の上面４ａからの高さに関して、金属バンプ５の端面５ａと略同じである。すなわち、ソルダーレジスト層４の上面４ａに対するベース部６ｂの高さは、上面４ａからの金属バンプ５の端面５ａの高さと略同じである。図５Ｂの例では、第２導体パッド３２２の上面からのベース部６ｂの表面６ｂａの高さは、第１導体パッド３２１の上面からの金属バンプ５の端面５ａの高さと略同じである。さらに、第２導体パッド３２２の上面からの突起６βの本体層６３の上面の高さは、第１導体パッド３２１の上面からの金属バンプ５の本体層５３の上面の高さと略同じである。従って、本体層５３及び本体層６３を、互いに略同じ時間で、前述したように電解めっきによって形成できることがある。また、金属バンプ５の被覆層５１及び突起６βの被覆層６１を、互いに略同じ時間で、電解めっきによって形成できることがある。従って、効率良く配線基板１が製造されると考えられる。

【0049】

図５Ｂの例の突起６βの表面部６ｃは、金属バンプ５の端面５ａ上に形成されている接続層７の構成材料が有する融点よりも高い融点を有している。表面部６ｃが接続層７よりも高い融点を有しているので、配線基板１への部品Ｅ（図１参照）の搭載時に接続層７が溶融している間も、固体状態の表面部６ｃを含む突起６βによって、部品Ｅの電極Ｅ１（図１参照）と金属バンプ５との過度な近接が防止され得る。表面部６ｃの材料としては、所謂高融点はんだに分類されるはんだが例示される。例えば表面部６ｃは、金、すず、アンチモン、ビスマス、及び亜鉛などの合金によって形成される。

【0050】

図５Ｂの例において、突起６βの表面部６ｃの表面６ｃａは、ベース部６ｂと反対方向に向かって凸となるように湾曲している。しかし、表面６ｃａは、図３の例の突起６の表面６ａのように平坦であってもよい。また、図５Ｂの例において、ソルダーレジスト層４の上面４ａからの表面６ｃａの頭頂部の高さは、上面４ａからの接続層７の表面７ａの頭頂部の高さと略同じである。しかし、ソルダーレジスト層４の上面４ａからの表面６ｃａの高さは、図５Ｂの例に限定されず、例えば、上面４ａからの接続層７の表面７ａの高さよりも小さく、且つ、上面４ａからの金属バンプ５の端面５ａの高さよりも大きくてもよい。オープン不良及び短絡不良のいずれも生じ難いことがある。

【0051】

図６Ａ～図６Ｆを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、実施形態の配線基板を製造する方法が説明される。先ず、図６Ａに示されるように、コア基板１０が用意され、コア基板１０の第１面１０ａ側に、絶縁層２１、導体層３１、絶縁層２２、及び導体層３２が形成される。コア基板１０の第２面１０ｂ側には、絶縁層２３と導体層３３とを交互に形成することによって２組の絶縁層２３及び導体層３３が形成される。

【0052】

コア基板１０の用意では、例えば、絶縁層１１を含む両面銅張積層板が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって所定の導体パターンを含む導体層１２が絶縁層１１の両面に形成されると共に、スルーホール導体１３が絶縁層１１内に形成される。スルーホール導体１３の空洞部は、エポキシ樹脂などを注入することによって充填体１４で充填される。図６Ａの例では、充填体１４の両端を覆う金属膜が無電解めっき及び電解めっきによって形成されている。そのため、充填体１４の両端を覆う金属膜を含む導体層１２が絶縁層１１の両面に形成されている。

【0053】

絶縁層２１～２３は、それぞれ、例えば、フィルム状の絶縁性樹脂を熱圧着することによって形成される。導体層３１～３３は、それぞれ、例えばレーザー光の照射による絶縁層２１、絶縁層２２、又は絶縁層２３への貫通孔の形成の後に、セミアディティブ法などの任意の方法を用いて形成される。導体層３２には、第１導体パターン３２１及び第２導体パターン３２２が設けられる。絶縁層２１～２３に形成された貫通孔の内部には、導体層３１～３３の形成と共にビア導体２０が形成される。

【0054】

図６Ｂに示されるように、絶縁層２２及び導体層３２の上にソルダーレジスト層４が形成され、それぞれ外側の絶縁層２３及び導体層３３の上にソルダーレジスト層４１が形成される。ソルダーレジスト層４には、第１導体パッド３２１を露出させる貫通孔４ｂ、及び第２導体パッド３２２を露出させる貫通孔４ｃが形成される。ソルダーレジスト層４１には、外側の導体層３３の一部を露出させる貫通孔４１ａが形成されている。

【0055】

ソルダーレジスト層４及びソルダーレジスト層４１は、例えば、感光性を有するエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などを含む樹脂膜を、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又は積層などの方法で形成することによって形成される。そして、貫通孔４ａ～４ｃの形成位置に応じた適切なパターンを有する露光マスクを用いる露光、及び現像によって、貫通孔４ａ～４ｃが形成される。

【0056】

図６Ｃから図６Ｆに示されるように、導体層３２上に、金属バンプ５及び突起６（図６Ｆ参照）が形成される。なお、金属バンプ５及び突起６の形成と共に、図６Ｂに示される絶縁層２３、導体層３３、及びソルダーレジスト層４１上で何の処理も行われない場合は、これら各層の露出部は、例えば、適切な材料からなる保護フィルム（図示せず）の貼着によって保護される。図６Ｃ～図６Ｆでは、絶縁層２２よりも下側の部分の図示は省略されている。

【0057】

図６Ｃに示されるように、先ず、ソルダーレジスト層４の上面４ａ、貫通孔４ｂ、４ｃに露出するソルダーレジスト層４の壁面、貫通孔４ｂへの第１導体パッド３２１の露出面、及び貫通孔４ｃへの第２導体パッド３２２の露出面の全面に、金属膜５６２が形成される。例えば、無電解めっきやスパッタリングによって、銅やニッケルなどの適切な導電性を有する金属からなる金属膜５６２が形成される。金属膜５６２の一部が、後述されるように、金属バンプ５の下地層５２及び突起６の下地層６２（図６Ｆ参照）を構成する。

【0058】

金属膜５６上に、例えばドライフィルムレジストの積層によって、めっきレジストＲが形成される。めっきレジストＲには、金属バンプ５及び突起６（図６Ｆ参照）の形成位置に応じた適切なパターンを有する露光マスクを用いる露光、及び現像によって開口Ｒ１が形成される。

【0059】

図６Ｄに示されるように、めっきレジストＲの開口Ｒ１内に露出する金属膜５６２上に、金属膜５６３が形成される。例えば、金属膜５６２が給電層として用いられる電解めっきによって、銅やニッケルなどの適切な導電性を有する金属からなる金属膜５６３が形成される。各開口Ｒ１内の金属膜５６３が、後述されるように、金属バンプ５の本体層５３及び突起６の本体層６３（図６Ｆ参照）を構成する。

【0060】

図６Ｄの例では、第２導体パッド３２２上の開口Ｒ１内には、第１導体パッド３２１上の開口Ｒ１内に形成される金属膜５６３よりも厚い金属膜５６３が形成されている。例えば、電解めっき時のめっき電流の密度の調整によって、第１導体パッド３２１上の開口Ｒ１内のめっき金属の析出速度と、第２導体パッド３２２上の開口Ｒ１内のめっき金属の析出速度が調整される。そうすることで、互いに厚さの異なる金属膜５６３が各開口Ｒ１内に形成され得る。或いは、第１金属膜３２１上の開口Ｒ１内への所望の厚さの金属膜５６３の形成完了後、適切な材料からなる保護フィルム（図示せず）などの貼着によって第１導体パッド３２１上の開口Ｒ１が塞がれてもよい。そして、第２導体パッド３２２上の開口Ｒ１内への金属膜５６３の形成が継続されてもよい。

【0061】

図６Ｅに示されるように、各開口Ｒ１内の金属膜５６３の上にさらに金属膜５６１が形成される。例えば、金属膜５６２が給電層として用いられる電解めっきによって、ニッケルや金などの金属を含む金属膜５６１が形成される。金属膜５６１は、無電解めっきやスパッタリングで形成されてもよい。各開口Ｒ１内の金属膜５６１が、後述されるように、金属バンプ５の被覆層５１及び突起６の被覆層６１（図６Ｆ参照）を構成する。

【0062】

第１導体パッド３２１上の金属膜５６１上にさらに金属膜５６４が形成される。例えば、金属膜５６２が給電層として用いられる電解めっきによって、すず、銀、銅、ビスマス、亜鉛、及び／又はインジウムなどの金属を含む金属膜５６４が形成される。金属膜５６４が、後述されるように、金属バンプ５の上に備えられる接続層７（図６Ｆ参照）を構成する。なお、金属膜５６４の形成時には、第２導体パッド３２２上の開口Ｒ１は、例えば、適切な材料からなる保護フィルム（図示せず）などの貼着によって塞がれる。

【0063】

金属膜５６４の形成後、めっきレジストＲが、適切な溶剤を用いて除去される。その後、めっきレジストＲの除去による金属膜５６２の露出部分が、クイックエッチングなどによって除去される。

【0064】

その結果、図６Ｆに示されるように、互いに分離された金属バンプ５及び突起６が得られる。図６Ｆの例において、金属バンプ５は、第１導体パッド３２１及びソルダーレジスト層４に接する下地層５２と、下地層５２上に形成されていて貫通孔４ｂを充填する本体層５３と、本体層５３の上面を覆う被覆層５１と、を含んでいる。被覆層５１の上には接続層７が設けられている。また、図６Ｆの例において、突起６は、第２導体パッド３２２及びソルダーレジスト層４に接する下地層６２と、下地層６２上に形成されていて貫通孔４ｃを充填する本体層６３と、本体層６３の上面を覆う被覆層６１と、を含んでいる。接続層７は、接続層７を構成する材料の融点を超える温度でのリフローなどの熱処理によって、その上面が金属バンプ５と反対方向に向かって凸となるように湾曲する形状に整形される。以上の工程を経ることによって、図１の例の配線基板１が完成する。

【0065】

なお、先に参照した図５Ａの例の突起６αは、前述したように、任意の導電性材料や絶縁性材料で金属バンプ５とは別個に形成された、突起６αとなる部材を適切な接着剤を用いてソルダーレジスト層４の上面４ａに貼り付けることによって形成され得る。

【0066】

図５Ｂの例の突起６βが形成される場合は、図６Ｄを参照して説明された方法と同様の方法で、めっきレジストＲの各開口Ｒ１内に、略同じ厚さの金属膜５６３が形成される。その金属膜５６３の上に、図６Ｅを参照して説明された方法と同様の方法で金属膜５６１が形成される。そして、第２導体パッド３２２上の開口Ｒ１内の金属膜５６１上に、例えば金属膜５６２を給電層として用いる電解めっきによって、突起６βの表面部６ｃ（図５Ｂ参照）が形成される。表面部６ｃは、表面部６ｃの構成材料の融点を超える高温リフローなどの熱処理によって、金属膜５６１と反対方向に向かって湾曲する形状を有する形状に整形されてもよい。その後、金属膜５６４が、図６Ｅを参照して説明されたように形成され、図６Ｆに示される接続層７の整形のためのリフローなどの熱処理が行われてもよい。或いは、突起６βの表面部６ｃは、金属膜５６４の形成後に形成されてもよい。そして、前述した高温リフローなどの熱処理によって、接続層７と突起６βの表面部６ｃとが同時に整形されてもよい。

【0067】

また、図５Ｂの例の突起６βの表面部６ｃは、図７に例示の方法で形成されてもよい。すなわち、表面部６ｃは、金、すず、アンチモン、ビスマス、及び亜鉛などの、接続層７の融点よりも高い融点を有する合金を含む金属ボール６ｄを用いて形成されてもよい。図７の例では、図６Ｄを参照して説明された方法で、各開口Ｒ１内に互いに同じ厚さの金属層５６３が形成されている。さらに図６Ｄを参照して説明された方法による金属膜５６４の形成から金属膜５６２の露出部分の除去までの工程後の金属膜５６４の上に、開口Ｍ１を有するマスクＭが載置される。マスクＭは、開口Ｍ１が、突起６βのベース部６ｂ上に位置するように位置づけられる。そして、ボールプレーサなどにより、ベース部６ｂ上に金属ボール６ｄが載置される。その後、前述した高温リフローなどの熱処理によって金属ボール６ｄが溶融され、その後固化することによって、図５Ｂの例の表面部６ｃが形成される。金属ボール６ｄを用いることによって、表面部６ｃの体積のばらつきを小さくし得ることがある。従って、所望の高さを有する突起６ｂを容易に形成し得ることがある。

【0068】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、実施形態の配線基板は、前述したように接続層７を備えていなくてもよい。接続層７の表面７ａは平坦であってもよい。また、金属バンプ５は被覆層５１を含まなくてもよく、突起６も被覆層６１を含まなくてもよい。実施形態の配線基板は、コア基板１０を含まない所謂コアレス基板であってもよい。また、実施形態の配線基板の金属バンプ上には、パッケージングされた、又はベアチップ状態の半導体集積回路装置などを始め、任意の電気部品が搭載され得る。

【符号の説明】

【0069】

１ 配線基板
１１、２１～２３ 絶縁層
２２ａ 絶縁層２２の表面
１２、３１～３３ 導体層
３２１ 第１導体パッド
３２２ 第２導体パッド
４、４１ ソルダーレジスト層
４ａ 上面
５ 金属バンプ
５ａ 端面
５１ 被覆層（第１被覆層）
６、６α、６β 突起
６ａ 表面
６ｂ ベース部
６ｃ 表面部
６１ 被覆層（第２被覆層）
７ 接続層
７ａ 表面
Ｅ 部品
Ｅ１ 電極
Ｈ５ ソルダーレジスト層の上面からの金属バンプの端面の高さ
Ｈ６ ソルダーレジスト層の上面に対する突起の高さ
Ｈ７ ソルダーレジスト層の上面からの接続層の表面の高さ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】

【図7】