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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023179994
(43)【公開日】2023-12-20
(54)【発明の名称】電子部品ユニット
(51)【国際特許分類】
H05K 9/00 20060101AFI20231213BHJP
G01R 15/20 20060101ALI20231213BHJP
G12B 17/02 20060101ALI20231213BHJP
【ＦＩ】
H05K9/00 Q
G01R15/20 C
G12B17/02
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022093014
(22)【出願日】2022-06-08
(71)【出願人】
【識別番号】390005223
【氏名又は名称】株式会社タムラ製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100120592
【弁理士】
【氏名又は名称】山崎 崇裕
(74)【代理人】
【識別番号】100184712
【弁理士】
【氏名又は名称】扇原 梢伸
(72)【発明者】
【氏名】齋藤 彰一
(72)【発明者】
【氏名】青木 弘利
(72)【発明者】
【氏名】門馬 彰夫
(72)【発明者】
【氏名】熊倉 市朗
(72)【発明者】
【氏名】喜多村 明
(72)【発明者】
【氏名】伊達 天祐
【テーマコード（参考）】
2F078
2G025
5E321
【Ｆターム（参考）】
2F078HA11
2F078HA13
2G025AA07
2G025AB01
2G025AC01
5E321AA21
5E321BB23
5E321GG05
(57)【要約】
【課題】新規な構造を実現することができる技術を提供する。
【解決手段】電子部品ユニット（電流センサ）のケース１０の第１面１１ａや第３面１３ａにシールド層５０を配置する一方、第２面１２ａにはシールド層５０を配置していない。このため、ケース１０の内側の面の全部にシールド層を配置する方式と比較して、シールド層５０の配置を限定的なものにして製造コストを抑えることができる。また、シールド層５０の効果が発揮されやすい第１面１１ａや第３面１３ａにシールド層５０を配置する一方、シールド層５０の効果が低下する第２面１２ａにはシールド層５０を配置していないため、電子部品ユニット（電流センサ）のｄＶ／ｄｔ特性（出力特性）を効率良く改善することができる。
【選択図】図６
【解決手段】電子部品ユニット（電流センサ）のケース１０の第１面１１ａや第３面１３ａにシールド層５０を配置する一方、第２面１２ａにはシールド層５０を配置していない。このため、ケース１０の内側の面の全部にシールド層を配置する方式と比較して、シールド層５０の配置を限定的なものにして製造コストを抑えることができる。また、シールド層５０の効果が発揮されやすい第１面１１ａや第３面１３ａにシールド層５０を配置する一方、シールド層５０の効果が低下する第２面１２ａにはシールド層５０を配置していないため、電子部品ユニット（電流センサ）のｄＶ／ｄｔ特性（出力特性）を効率良く改善することができる。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子部品と、
前記電子部品を内部に収納するケースと、
前記ケースの内側の面の一部に配置され、導電性を有するシールド層と、を備え、
前記ケースは、中央に開口を有する環状の第１部材と、前記第１部材の外周に起立して形成された第２部材と、前記第１部材の内周に起立して形成された第３部材と、を備え、
前記第３部材の内側には、導体を配置可能であり、
前記シールド層は、前記第１部材の内側の第１面、前記第３部材の外側の第３面のうち少なくとも１つの面に配置されており、前記第２部材の内側の第２面には配置されていないことを特徴とする電子部品ユニット。
前記電子部品を内部に収納するケースと、
前記ケースの内側の面の一部に配置され、導電性を有するシールド層と、を備え、
前記ケースは、中央に開口を有する環状の第１部材と、前記第１部材の外周に起立して形成された第２部材と、前記第１部材の内周に起立して形成された第３部材と、を備え、
前記第３部材の内側には、導体を配置可能であり、
前記シールド層は、前記第１部材の内側の第１面、前記第３部材の外側の第３面のうち少なくとも１つの面に配置されており、前記第２部材の内側の第２面には配置されていないことを特徴とする電子部品ユニット。
【請求項2】
請求項１に記載の電子部品ユニットにおいて、
前記シールド層は、前記第１面及び前記第３面に配置されていることを特徴とする電子部品ユニット。
前記シールド層は、前記第１面及び前記第３面に配置されていることを特徴とする電子部品ユニット。
【請求項3】
請求項１に記載の電子部品ユニットにおいて、
前記シールド層は、カーボンペースト又は金属ペーストにより形成されていることを特徴とする電子部品ユニット。
前記シールド層は、カーボンペースト又は金属ペーストにより形成されていることを特徴とする電子部品ユニット。
【請求項4】
請求項１に記載の電子部品ユニットにおいて、
前記シールド層は、接地されていることを特徴とする電子部品ユニット。
前記シールド層は、接地されていることを特徴とする電子部品ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品を有する電子部品ユニットに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１は、電流検出器を開示している。そして、特許文献１の電流検出器においては、中心空間部の四方の側面をシールド部材で覆っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開平４－６２４８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
そして、このような電流検出器等の電子部品ユニットでは、新規な構造が望まれている。
【0005】
そこで、本発明は、新規な構造を実現することができる技術の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、上記の課題を解決するため以下の解決手段を採用する。なお、以下の解決手段及び括弧書中の文言はあくまで例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。また、本発明は、以下の解決手段に示す各発明特定事項を少なくとも１つ含む発明とすることができる。さらに、以下の解決手段に示す各発明特定事項には、発明特定事項を限定する要素を追加して下位概念化することができ、発明特定事項を限定する要素を削除して上位概念化することもできる。
【0007】
解決手段１：本解決手段の電子部品ユニットは、電子部品と、前記電子部品を内部に収納するケースと、前記ケースの内側の面の一部に配置され、導電性を有するシールド層と、を備え、前記ケースは、中央に開口を有する環状の第１部材と、前記第１部材の外周に起立して形成された第２部材と、前記第１部材の内周に起立して形成された第３部材と、を備え、前記第３部材の内側には、導体を配置可能であり、前記シールド層は、前記第１部材の内側の第１面、前記第３部材の外側の第３面のうち少なくとも１つの面に配置されており、前記第２部材の内側の第２面には配置されていないことを特徴とする電子部品ユニットである。
【0008】
本解決手段の電子部品ユニットは、以下の構成を備えている。
（１）電子部品を備えている。電子部品は、電子部品ユニットに必要な電子的な要素である。電子部品は、例えば、コアや基板等である。
（２）電子部品を内部に収納するケースを備えている。ケースは、一部が開口していてもよく、開口していなくてもよい。ケースの内部には、一又は複数の電子部品が収納される。
（１）電子部品を備えている。電子部品は、電子部品ユニットに必要な電子的な要素である。電子部品は、例えば、コアや基板等である。
（２）電子部品を内部に収納するケースを備えている。ケースは、一部が開口していてもよく、開口していなくてもよい。ケースの内部には、一又は複数の電子部品が収納される。
【0009】
（３）ケースの内側の面の一部には、導電性を有するシールド層が配置されている。
ケースの内側の面とは、ケースを構成する部材のうち最も外側に配置される部材の外側の面以外の面である。このため、ケースを構成する部材のうちケースの内部に配置されている部材の外側を向いている面も、ケースの内側の面である。
ケースの内側の面とは、ケースを構成する部材のうち最も外側に配置される部材の外側の面以外の面である。このため、ケースを構成する部材のうちケースの内部に配置されている部材の外側を向いている面も、ケースの内側の面である。
【0010】
（４）ケースは、中央に開口を有する環状の第１部材と、第１部材の外周に起立して形成された第２部材と、第１部材の内周に起立して形成された第３部材と、を備えている。ケースは、第１部材～第３部材以外の部材を備えていてもよい。
（５）第３部材の内側には、導体を配置可能である。導体は、第３部材の内側の少なくとも一部に配置されていればよく、第１部材の開口から突出して配置されていてもよい。導体は、電流が流れる部材であり、例えば、配線やバスバーである。導体は、電子部品に作用する（電界による影響を及ぼす）部材である。電子部品は、導体に流れる電流を測定することができる。
（５）第３部材の内側には、導体を配置可能である。導体は、第３部材の内側の少なくとも一部に配置されていればよく、第１部材の開口から突出して配置されていてもよい。導体は、電流が流れる部材であり、例えば、配線やバスバーである。導体は、電子部品に作用する（電界による影響を及ぼす）部材である。電子部品は、導体に流れる電流を測定することができる。
【0011】
（６）シールド層は、第１部材の内側の第１面、第３部材の外側の第３面のうち少なくとも１つの面に配置されており、第２部材の内側の第２面には配置されていない。
すなわち、シールド層は、第１面だけ、第３面だけ、又は、第１面及び第３面に配置されているが、第２面には配置されていない。
すなわち、シールド層は、第１面だけ、第３面だけ、又は、第１面及び第３面に配置されているが、第２面には配置されていない。
【0012】
本解決手段によれば、第１面や第３面にシールド層を配置する一方、第２面にはシールド層を配置していないため、ケースの内側の面の全部にシールド層を配置する方式と比較して、シールド層の配置を限定的なものにして製造コストを抑えることができる。
【0013】
また、本解決手段によれば、シールド層の効果が発揮されやすい第１面や第３面にシールド層を配置する一方、シールド層の効果が低下する第２面にはシールド層を配置していないため、電子部品ユニットのｄＶ／ｄｔ特性（出力特性）を効率良く改善することができる。
【0014】
解決手段２：本解決手段の電子部品ユニットは、上述したいずれかの解決手段において、前記シールド層は、前記第１面及び前記第３面に配置されていることを特徴とする電子部品ユニットである。
【0015】
本解決手段では、シールド層は、第１面及び第３面の両方の面に配置されている。第１面及び第３面の両方の面にシールド層を形成することにより、シールド層を配置する領域を広く確保することができる。
【0016】
本解決手段によれば、シールド層は、第１面及び第３面に配置されているため、シールド層の効果が発揮されやすい第１面と、シールド層の効果が発揮されやすい第３面とによって、シールド層の効果を相乗的に向上させることができる。
【0017】
解決手段３：本解決手段の電子部品ユニットは、上述したいずれかの解決手段において、前記シールド層は、カーボンペースト又は金属ペーストにより形成されていることを特徴とする電子部品ユニットである。
【0018】
本解決手段では、シールド層は、カーボンペースト又は金属ペーストにより形成されている（塗布材料）。シールド層は、１層でもよく、複数層でもよく、カーボンペーストと金属ペーストとを重ねて塗布した層であってもよい。
【0019】
本解決手段によれば、シールド層は、ペーストにより形成されているため、シールド層を塗布によって形成することができ、製造しやすくコストダウンも可能である。
【0020】
解決手段４：本解決手段の電子部品ユニットは、上述したいずれかの解決手段において、前記シールド層は、接地されていることを特徴とする電子部品ユニットである。
【0021】
本解決手段では、シールド層は、接地されている。シールド層は、基板のグランドに接続して接地してもよく、その他のグランドに接続して接地してもよい。
【0022】
本解決手段によれば、シールド層は、接地されているため、シールド層の効果をより一層向上させることができる。
【発明の効果】
【0023】
本発明によれば、新規な構造を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】本実施形態の電流センサ１００を示す斜視図である。
【図2】本実施形態の電流センサ１００を示す分解斜視図である。
【図3】第１タイプのケース１０を示す図である。
【図4】第２タイプのケース１０を示す図である。
【図5】第３タイプのケース１０を示す図である。
【図6】第４タイプのケース１０を示す図である。
【図7】シールド層無しのケースを用いた電流センサの検証結果を示す図である。
【図8】第１タイプのケースを用いた電流センサの検証結果を示す図である。
【図9】第２タイプのケースを用いた電流センサの検証結果を示す図である。
【図10】第３タイプのケースを用いた電流センサの検証結果を示す図である。
【図11】第４タイプのケースを用いた電流センサの検証結果を示す図である。
【図12】検証結果の一覧を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施形態の電流センサ１００を示す斜視図である。図２は、本実施形態の電流センサ１００を示す分解斜視図である。なお、以下の図面においては、実際の物の大きさや長さを変更・誇張して図示したり、存在する部品を省略して図示したりしている箇所もある。
図１は、本実施形態の電流センサ１００を示す斜視図である。図２は、本実施形態の電流センサ１００を示す分解斜視図である。なお、以下の図面においては、実際の物の大きさや長さを変更・誇張して図示したり、存在する部品を省略して図示したりしている箇所もある。
【0026】
図１に示すように、電流センサ１００（電子部品ユニット）は、電流を測定するためのセンサであり、ケース１０と、コア２０（電子部品）と、基板３０（電子部品）と、を備えている。
ケース１０は、コア２０及び基板３０を内部に収納する箱型の部材であり、中央に貫通孔が形成されている。ケース１０における貫通孔の周囲は、図中手前側が開口しており、図中奥側は開口していない。
ケース１０の貫通孔には、一次導体（バスバーＢＵ）を配置可能である。一次導体は、ケース１０の貫通孔の中央に配置してもよく、中央からずれた位置に配置してもよく、複数本を配置してもよい。
ケース１０は、コア２０及び基板３０を内部に収納する箱型の部材であり、中央に貫通孔が形成されている。ケース１０における貫通孔の周囲は、図中手前側が開口しており、図中奥側は開口していない。
ケース１０の貫通孔には、一次導体（バスバーＢＵ）を配置可能である。一次導体は、ケース１０の貫通孔の中央に配置してもよく、中央からずれた位置に配置してもよく、複数本を配置してもよい。
【0027】
図２に示すように、ケース１０（ケースの収納空間）には、コア２０が収納され、コア２０に重ねて基板３０が収納される。
ケース１０は、中央に開口４０（図３参照）を有する環状の第１部材１１と、第１部材１１の外周に起立して形成された第２部材１２と、第１部材１１の内周に起立して形成された第３部材１３と、を備えている。
ケース１０は、中央に開口４０（図３参照）を有する環状の第１部材１１と、第１部材１１の外周に起立して形成された第２部材１２と、第１部材１１の内周に起立して形成された第３部材１３と、を備えている。
【0028】
コア２０は、積層コアである。コア２０は、その内側に一次導体（バスバーＢＵ；図１参照）を挿通させた状態で、一次電流の導通により発生する磁界を収束可能である。
コア２０には、周方向の少なくとも一箇所にエアギャップ２１が形成されている。エアギャップ２１内にはホール素子３１等の磁気検出素子（感磁素子、磁電変換素子等）が配置されており、ホール素子３１は、コア２０で収束させた磁界強度に応じた検出信号を出力する。
コア２０には、周方向の少なくとも一箇所にエアギャップ２１が形成されている。エアギャップ２１内にはホール素子３１等の磁気検出素子（感磁素子、磁電変換素子等）が配置されており、ホール素子３１は、コア２０で収束させた磁界強度に応じた検出信号を出力する。
【0029】
基板３０は、ケース１０の収納スペースの形状に合わせて横向きＵ字形状となっている。基板３０には、ホール素子３１が実装される他、図示しない各種の部品やＩＣチップ等が実装されることで、電流検出回路が形成されている。電流検出回路は、ホール素子３１から出力される電圧信号を増幅し、また、各種の電気的処理を行って検出電圧を出力する。
【0030】
基板３０には、外部コネクタ３２が実装されており、外部コネクタ３２は、電流センサ１００の組み立て状態においてケース１０から突出して配置される。電流センサ１００は、外部コネクタ３２を通じて出力回路への電源供給を行ったり、電流検出回路から検出電圧を出力したりすることができる。
【0031】
〔ｄＶ／ｄｔ特性〕
電流センサ１００においては、一次導体での電圧のステップ状変化が出力信号（検出電圧）の変化に影響を及ぼすことが分かっている。具体的には、一次電流の急峻な電圧変化は、出力信号に対するノイズとして大きく影響することが分かっており、これを電流センサ１００や出力信号のｄＶ／ｄｔ特性と称する。このようなｄＶ／ｄｔ特性は、一次導体とコア２０や電流検出回路との間に存在する浮遊容量を介してノイズが伝わるためであると考えられる。
電流センサ１００においては、一次導体での電圧のステップ状変化が出力信号（検出電圧）の変化に影響を及ぼすことが分かっている。具体的には、一次電流の急峻な電圧変化は、出力信号に対するノイズとして大きく影響することが分かっており、これを電流センサ１００や出力信号のｄＶ／ｄｔ特性と称する。このようなｄＶ／ｄｔ特性は、一次導体とコア２０や電流検出回路との間に存在する浮遊容量を介してノイズが伝わるためであると考えられる。
【0032】
そして、このようなノイズの出力信号に対する影響は、コア２０を電流検出回路のグランド（ＧＮＤ）に接地させることで抑制することが可能である。この理由は、コア２０を接地させることで、ノイズ成分がグランド側にほとんど吸収され、電流検出回路に伝導しにくくなるからである。本実施形態では、コア２０の表面（外周面）に接合した板状のニッケル端子３３を通じて電流検出回路のグランドにコア２０を接地させている。
【0033】
〔シールド層〕
また、本実施形態では、ｄＶ／ｄｔ特性を改善するために、電流センサ１００にシールド層を配置している。ｄＶ／ｄｔ特性の改善は、このシールド層によって行ってもよく、上述したように、コア２０を接地させることによって行ってもよく、両方の対策を組み合わせて行ってもよい。
シールド層は、ケース１０の内側の面の一部に配置され、導電性を有する層である。
ここで、ｄＶ／ｄｔ特性とは、上述した通りであるが、一次導体（バスバーＢＵ）と電流検出回路（センサ回路、ＡＳＩＣ等）との電界結合によるノイズの特性である。
また、本実施形態では、ｄＶ／ｄｔ特性を改善するために、電流センサ１００にシールド層を配置している。ｄＶ／ｄｔ特性の改善は、このシールド層によって行ってもよく、上述したように、コア２０を接地させることによって行ってもよく、両方の対策を組み合わせて行ってもよい。
シールド層は、ケース１０の内側の面の一部に配置され、導電性を有する層である。
ここで、ｄＶ／ｄｔ特性とは、上述した通りであるが、一次導体（バスバーＢＵ）と電流検出回路（センサ回路、ＡＳＩＣ等）との電界結合によるノイズの特性である。
【0034】
本実施形態では、ケース１０の内側の面にカーボンペーストを塗布することによってシールド層を配置している。シールド層は、電流検出回路のグランドに金属ピン等で接触させることで接地させることができる。なお、電流検出回路のグランドは、電源（Ｖｃｃ電源）のグランド端子に接続することができる。
【0035】
シールド層を配置する箇所は、電流センサ１００の内部の電子部品の配置場所や性能、ケース１０の大きさや形状、一次導体の配置場所や性能によって異ならせることができる。すなわち、カーボンペーストの塗布位置は、一次導体を配置する位置との兼ね合いで決定することができる。本実施形態のような貫通型の電流センサの場合には、一次導体と結合しやすいケース内側の特定の場所に配置することが好ましい。
そして、本実施形態では、以下に示す４つのタイプのうち、第１タイプ以外のタイプ、すなわち、第２タイプ～第４タイプのいずれかを採用することができる。以下、それぞれのタイプを順番に説明する。
そして、本実施形態では、以下に示す４つのタイプのうち、第１タイプ以外のタイプ、すなわち、第２タイプ～第４タイプのいずれかを採用することができる。以下、それぞれのタイプを順番に説明する。
【0036】
〔第１タイプ〕
図３は、第１タイプのケース１０を示す図であり、図３（Ａ）は斜視図を示し、図３（Ｂ）は正面図を示している。
第１タイプでは、ケース１０の第２部材１２（図中では、ケース１０の側面（周囲）を形成する部材）の内側の第２面１２ａにシールド層５０を配置している。
本実施形態では、第１タイプは、採用していない。
図３は、第１タイプのケース１０を示す図であり、図３（Ａ）は斜視図を示し、図３（Ｂ）は正面図を示している。
第１タイプでは、ケース１０の第２部材１２（図中では、ケース１０の側面（周囲）を形成する部材）の内側の第２面１２ａにシールド層５０を配置している。
本実施形態では、第１タイプは、採用していない。
【0037】
〔第２タイプ〕
図４は、第２タイプのケース１０を示す図であり、図４（Ａ）は斜視図を示し、図４（Ｂ）は正面図を示している。
第２タイプでは、ケース１０の第３部材１３（貫通孔を形成する部材）の外側の第３面１３ａにシールド層５０を配置している。
第２タイプによれば、ケース１０の中心に配置される一次導体（バスバーＢＵ）からの影響を低減させることができる。
図４は、第２タイプのケース１０を示す図であり、図４（Ａ）は斜視図を示し、図４（Ｂ）は正面図を示している。
第２タイプでは、ケース１０の第３部材１３（貫通孔を形成する部材）の外側の第３面１３ａにシールド層５０を配置している。
第２タイプによれば、ケース１０の中心に配置される一次導体（バスバーＢＵ）からの影響を低減させることができる。
【0038】
〔第３タイプ〕
図５は、第３タイプのケース１０を示す図であり、図５（Ａ）は斜視図を示し、図５（Ｂ）は正面図を示している。
第３タイプでは、ケース１０の第１部材１１（図中では、底面を形成する部材）の内側の第１面１１ａにシールド層５０を配置している。
第３タイプによれば、ケース１０の底面側からの影響を低減させることができる。
図５は、第３タイプのケース１０を示す図であり、図５（Ａ）は斜視図を示し、図５（Ｂ）は正面図を示している。
第３タイプでは、ケース１０の第１部材１１（図中では、底面を形成する部材）の内側の第１面１１ａにシールド層５０を配置している。
第３タイプによれば、ケース１０の底面側からの影響を低減させることができる。
【0039】
〔第４タイプ〕
図６は、第４タイプのケース１０を示す図であり、図６（Ａ）は斜視図を示し、図６（Ｂ）は正面図を示している。
第４タイプは、第２タイプ及び第３タイプを組み合わせたタイプであり、ケース１０の第１面１１ａ、第３面１３ａにシールド層５０を配置している。
第４タイプによれば、ケース１０の中心に配置される一次導体（バスバー）からの影響や、ケース１０の底面側からの影響を低減させることができる。
図６は、第４タイプのケース１０を示す図であり、図６（Ａ）は斜視図を示し、図６（Ｂ）は正面図を示している。
第４タイプは、第２タイプ及び第３タイプを組み合わせたタイプであり、ケース１０の第１面１１ａ、第３面１３ａにシールド層５０を配置している。
第４タイプによれば、ケース１０の中心に配置される一次導体（バスバー）からの影響や、ケース１０の底面側からの影響を低減させることができる。
【0040】
第２タイプから第４タイプにおいて、シールド層５０は、第１面１１ａ、第３面１３ａの各面の少なくとも一部に配置してもよい。
【0041】
このように、本実施形態のケースにおいては、シールド層５０は、第１面１１ａ、第３面１３ａのうち少なくとも１つの面に配置されており、第２面１２ａには配置されていない。なお、シールド層５０は、第２部材１２の外側の面にも配置されていない。
【0042】
図７は、シールド層無しのケースを用いた電流センサの検証結果を示す図である。
検証は、一次導体に入力電圧を与え、出力電圧がどのように変化するかを確認している（以下、図８～図１１においても同様）。図中（Ａ）は一次導体に対して入力される入力電圧を示しており、図中（Ｂ）は電流センサにより検出される出力電圧を示している（この点も、図８～図１１において同様）。ここで、図７では、基板及びコアを接地しており、図８～図１１では、基板及びシールド層を接地している。
検証は、一次導体に入力電圧を与え、出力電圧がどのように変化するかを確認している（以下、図８～図１１においても同様）。図中（Ａ）は一次導体に対して入力される入力電圧を示しており、図中（Ｂ）は電流センサにより検出される出力電圧を示している（この点も、図８～図１１において同様）。ここで、図７では、基板及びコアを接地しており、図８～図１１では、基板及びシールド層を接地している。
【0043】
図７中（Ａ）：入力電圧の波形は、図中３箇所（左、中、右）で大きく変化している。
図７中（Ｂ）：この場合、出力電圧の波形も、入力電圧の波形と似たように、３箇所で大きく変化している。ここでは、誤動作量（ｄＶ／ｄｔの誤動作量）は「８８８ｍＶｐ－ｐ」であった。
誤動作量は、出力電圧の波形の乱れを示しており、波形が乱れるほど（誤動作量の値が大きいほど）、ｄＶ／ｄｔ特性が悪くなり、波形が直線に近づくほど（誤動作量の値が小さいほど）、ｄＶ／ｄｔ特性が良くなる。
図７中（Ｂ）：この場合、出力電圧の波形も、入力電圧の波形と似たように、３箇所で大きく変化している。ここでは、誤動作量（ｄＶ／ｄｔの誤動作量）は「８８８ｍＶｐ－ｐ」であった。
誤動作量は、出力電圧の波形の乱れを示しており、波形が乱れるほど（誤動作量の値が大きいほど）、ｄＶ／ｄｔ特性が悪くなり、波形が直線に近づくほど（誤動作量の値が小さいほど）、ｄＶ／ｄｔ特性が良くなる。
【0044】
そして、この図７に示すシールド層無しの電流センサでは、誤動作量が「８８８ｍＶｐ－ｐ」となっており、これが基準値となる。このため、「８８８ｍＶｐ－ｐ」よりも値が小さくなれば、ｄＶ／ｄｔ特性は向上しており、「８８８ｍＶｐ－ｐ」よりも値が大きくなれば、ｄＶ／ｄｔ特性は悪くなる。
【0045】
図８は、第１タイプのケースを用いた電流センサの検証結果を示す図である。
図８中（Ａ）：入力電圧の波形は、図中３箇所で大きく変化している。
図８中（Ｂ）：この場合、出力電圧の波形も、入力電圧の波形と似たように、３箇所で大きく変化している。ここでは、誤動作量は「１０４０ｍＶｐ－ｐ」であった。
第１タイプのケースの場合、誤動作量は、基準値の「８８８ｍＶｐ－ｐ」よりも大きな値となっている。このため、本実施形態では、第１タイプのケースは、採用していない。
図８中（Ａ）：入力電圧の波形は、図中３箇所で大きく変化している。
図８中（Ｂ）：この場合、出力電圧の波形も、入力電圧の波形と似たように、３箇所で大きく変化している。ここでは、誤動作量は「１０４０ｍＶｐ－ｐ」であった。
第１タイプのケースの場合、誤動作量は、基準値の「８８８ｍＶｐ－ｐ」よりも大きな値となっている。このため、本実施形態では、第１タイプのケースは、採用していない。
【0046】
図９は、第２タイプのケースを用いた電流センサの検証結果を示す図である。
図９中（Ａ）：入力電圧の波形は、図中３箇所で大きく変化している。
図９中（Ｂ）：この場合、出力電圧の波形も、入力電圧の波形の変化に沿って、３箇所で変化しているが、図７（Ｂ）ほど大きく変化していない。ここでは、誤動作量は「１６８ｍＶｐ－ｐ」であった。
第２タイプのケースの場合、誤動作量は、基準値の「８８８ｍＶｐ－ｐ」よりも小さな値となっている。このため、本実施形態では、第２タイプのケースは、採用可能である。
図９中（Ａ）：入力電圧の波形は、図中３箇所で大きく変化している。
図９中（Ｂ）：この場合、出力電圧の波形も、入力電圧の波形の変化に沿って、３箇所で変化しているが、図７（Ｂ）ほど大きく変化していない。ここでは、誤動作量は「１６８ｍＶｐ－ｐ」であった。
第２タイプのケースの場合、誤動作量は、基準値の「８８８ｍＶｐ－ｐ」よりも小さな値となっている。このため、本実施形態では、第２タイプのケースは、採用可能である。
【0047】
図１０は、第３タイプのケースを用いた電流センサの検証結果を示す図である。
図１０中（Ａ）：入力電圧の波形は、図中３箇所で大きく変化している。
図１０中（Ｂ）：この場合、出力電圧の波形も、入力電圧の波形の変化に沿って、３箇所で変化しており、図９（Ｂ）よりも変化はしているが、図７（Ｂ）ほど大きく変化していない。ここでは、誤動作量は「４２４ｍＶｐ－ｐ」であった。
第３タイプのケースの場合、誤動作量は、基準値の「８８８ｍＶｐ－ｐ」よりも小さな値となっている。このため、本実施形態では、第３タイプのケースは、採用可能である。
図１０中（Ａ）：入力電圧の波形は、図中３箇所で大きく変化している。
図１０中（Ｂ）：この場合、出力電圧の波形も、入力電圧の波形の変化に沿って、３箇所で変化しており、図９（Ｂ）よりも変化はしているが、図７（Ｂ）ほど大きく変化していない。ここでは、誤動作量は「４２４ｍＶｐ－ｐ」であった。
第３タイプのケースの場合、誤動作量は、基準値の「８８８ｍＶｐ－ｐ」よりも小さな値となっている。このため、本実施形態では、第３タイプのケースは、採用可能である。
【0048】
図１１は、第４タイプのケースを用いた電流センサの検証結果を示す図である。
図１１中（Ａ）：入力電圧の波形は、図中３箇所で大きく変化している。
図１１中（Ｂ）：この場合、出力電圧の波形は、入力電圧の波形とは異なり、ほとんど変化していない。ここでは、誤動作量は「９６ｍＶｐ－ｐ」であった。
第４タイプのケースの場合、誤動作量は、基準値の「８８８ｍＶｐ－ｐ」よりも小さな値となっている。このため、本実施形態では、第４タイプのケースは、採用可能である。
図１１中（Ａ）：入力電圧の波形は、図中３箇所で大きく変化している。
図１１中（Ｂ）：この場合、出力電圧の波形は、入力電圧の波形とは異なり、ほとんど変化していない。ここでは、誤動作量は「９６ｍＶｐ－ｐ」であった。
第４タイプのケースの場合、誤動作量は、基準値の「８８８ｍＶｐ－ｐ」よりも小さな値となっている。このため、本実施形態では、第４タイプのケースは、採用可能である。
【0049】
図１２は、検証結果の一覧を示す図である。
シールド層無しのケースを用いた電流センサの場合、誤動作量は「８８８ｍＶｐ－ｐ」である（図７参照）。
第１タイプのケースを用いた電流センサの場合、誤動作量は「１０４０ｍＶｐ－ｐ」である（図８参照）。
第２タイプのケースを用いた電流センサの場合、誤動作量は「１６８ｍＶｐ－ｐ」である（図９参照）。
第３タイプのケースを用いた電流センサの場合、誤動作量は「４２４ｍＶｐ－ｐ」である（図１０参照）。
第４タイプのケースを用いた電流センサの場合、誤動作量は「９６ｍＶｐ－ｐ」である（図１１参照）。
シールド層無しのケースを用いた電流センサの場合、誤動作量は「８８８ｍＶｐ－ｐ」である（図７参照）。
第１タイプのケースを用いた電流センサの場合、誤動作量は「１０４０ｍＶｐ－ｐ」である（図８参照）。
第２タイプのケースを用いた電流センサの場合、誤動作量は「１６８ｍＶｐ－ｐ」である（図９参照）。
第３タイプのケースを用いた電流センサの場合、誤動作量は「４２４ｍＶｐ－ｐ」である（図１０参照）。
第４タイプのケースを用いた電流センサの場合、誤動作量は「９６ｍＶｐ－ｐ」である（図１１参照）。
【0050】
これらの検証結果から、以下の内容が明らかとなった。
第１タイプのケース（図３）では、一次導体（バスバーＢＵ）と基板３０との結合（電界結合）が増加し、センサ回路に電界が印加されることからｄＶ／ｄｔ特性が悪化する。
一方、第２タイプのケース（図４）、又は、第３タイプのケース（図５）では、一次導体からの電界がシールド層５０に印加され、一次導体とセンサ回路との結合が低下し、ｄＶ／ｄｔ特性が改善された結果となっている。
第１タイプのケース（図３）では、一次導体（バスバーＢＵ）と基板３０との結合（電界結合）が増加し、センサ回路に電界が印加されることからｄＶ／ｄｔ特性が悪化する。
一方、第２タイプのケース（図４）、又は、第３タイプのケース（図５）では、一次導体からの電界がシールド層５０に印加され、一次導体とセンサ回路との結合が低下し、ｄＶ／ｄｔ特性が改善された結果となっている。
【0051】
特に、第２タイプのケース（図４）のシールド層５０を配置している場所は、一次導体との結合をよりシールドすることができるのでより良好な特性となっている。
さらに、第２タイプと第３タイプとを組み合わせた第４タイプのケース（図６）とすることにより、シールド特性が向上し、ｄＶ／ｄｔ特性が、より一層、改善されている。
さらに、第２タイプと第３タイプとを組み合わせた第４タイプのケース（図６）とすることにより、シールド特性が向上し、ｄＶ／ｄｔ特性が、より一層、改善されている。
【0052】
そして、本実施形態では、一次導体との結合を遮蔽（シールド）しやすい場所にシールド層５０を配置（カーボンペーストを塗布）したケースを採用している。
また、本実施形態のような貫通型の電流センサ１００では、シールド層５０を配置する場所によって、ｄＶ／ｄｔ特性が良くなったり悪くなったりすることがあり、その中でも第２タイプのケースのシールド層５０を配置している場所が、最も支配的な場所（シールド層が最も有効に機能する場所）となっている。
また、本実施形態のような貫通型の電流センサ１００では、シールド層５０を配置する場所によって、ｄＶ／ｄｔ特性が良くなったり悪くなったりすることがあり、その中でも第２タイプのケースのシールド層５０を配置している場所が、最も支配的な場所（シールド層が最も有効に機能する場所）となっている。
【0053】
以上説明したように、本実施形態によれば、以下のような効果がある。
（１）本実施形態によれば、第１面１１ａや第３面１３ａにシールド層５０を配置する一方、第２面１２ａにはシールド層５０を配置していないため、ケース１０の内側の面の全部にシールド層を配置する方式と比較して、シールド層５０の配置を限定的なものにして製造コストを抑えることができる。
（１）本実施形態によれば、第１面１１ａや第３面１３ａにシールド層５０を配置する一方、第２面１２ａにはシールド層５０を配置していないため、ケース１０の内側の面の全部にシールド層を配置する方式と比較して、シールド層５０の配置を限定的なものにして製造コストを抑えることができる。
【0054】
（２）本実施形態によれば、シールド層５０の効果が発揮されやすい第１面１１ａや第３面１３ａにシールド層５０を配置する一方、シールド層５０の効果が低下する第２面１２ａにはシールド層５０を配置していないため、電流センサ１００のｄＶ／ｄｔ特性（出力特性）を効率良く改善することができる。
【0055】
このように、ｄＶ／ｄｔ特性を悪化させる場所をケース内の数ある面の中から特定し、その場所に対しては、あえてシールド層を配置しないようにすることで、電流センサの全体的なｄＶ／ｄｔ特性を向上させつつ、それによって製造コストも抑えることができるという発想は、従来には存在しない発想であり、そのような発想を実現している本実施形態の構造は、従来には存在しない新規な構造である。
【0056】
（３）本実施形態によれば、シールド層５０は、第１面１１ａ及び第３面１３ａに配置されているため、シールド層５０の効果が発揮されやすい第１面１１ａと、シールド層５０の効果が発揮されやすい第３面１３ａとによって、シールド層５０の効果を相乗的に向上させることができる。
また、単純に２つの面を選択するのではなく、直交する２つの面（第１面１１ａ及び第３面１３ａ）を選択することにより、様々な方向からの影響をシールドすることができる。
また、単純に２つの面を選択するのではなく、直交する２つの面（第１面１１ａ及び第３面１３ａ）を選択することにより、様々な方向からの影響をシールドすることができる。
【0057】
（４）本実施形態によれば、シールド層５０は、ペーストにより形成されているため、シールド層５０を塗布によって形成することができ、製造しやすくコストダウンも可能である。
【0058】
（５）本実施形態によれば、シールド層５０は、接地されているため、シールド層５０の効果をより一層向上させることができる。
【0059】
（６）本実施形態の電流センサ１００は、ケース１０内にカーボンペーストを塗布した電流センサである。従来の電流センサは、ケースの内部に金属板等を配置し、グランド（ＧＮＤ）に接続してｄＶ／ｄｔ特性を改善したり、ケースの内部のコアをグランドに接続してｄＶ／ｄｔ特性を改善したりしていた。
【0060】
しかし、フェライトコアの場合、グランドに接続することができない。一方、ケイ素鋼板コアの場合は、コアをグランドに接続することはできるが、絶縁性のワニスをコアに塗布しているので接続を取るのが難しく、はんだ不良等の原因となったり、グランドに接続するためにレーザ加工、及び、抵抗溶接等でメタルをコアに接続してグランドに接続しているため、構成が複雑化したりしていた。
【0061】
また、コアをグランドに接続するだけでは、ｄＶ／ｄｔ特性を思うように改善できない場合もある。この理由は、コアは、磁束を集めるためだけに形状が決まっており、ｄＶ／ｄｔ特性を改善させるような形状にはなっていないからである。
さらに、ケースの内部に金属板を配置し、金属板をグランドに接続し、コアもグランドに接続する場合、金属板もコアもグランドに接続する必要がある。その上、金属板を使うことで重量が増加する。
さらに、ケースの内部に金属板を配置し、金属板をグランドに接続し、コアもグランドに接続する場合、金属板もコアもグランドに接続する必要がある。その上、金属板を使うことで重量が増加する。
【0062】
そこで、本実施形態では、ケースの内側の面に導電性を有するシールド層（カーボンペーストを塗布した層）を形成することで、重量減少、コストダウンを図り、必要な箇所へシールド層を形成可能としている。シールド層は、ペーストにより形成しているので、金属のシールド（蒸着やスパッタリング等の真空成膜）に比べ安価に構成可能である。また、ケース内のシールド層への接続は、金属ピン等で接触させるだけで良好な接続が得られる。
【0063】
〔変形形態〕
本発明は、上述した実施形態に制約されることなく、種々に変形して実施することができる。
（１）電子部品ユニットは、電流センサの例で説明したが、電流センサ以外の電子部品ユニット（例えば、ゲートドライバ、電源モジュール、ＬＥＤドライバ、トランス、リアクタ、携帯情報端末、携帯電話機、充電器等）であってもよい。
（２）シールド層を接地している場合、コアも接地することができる。また、シールド層は、接地しなくてもよい。
本発明は、上述した実施形態に制約されることなく、種々に変形して実施することができる。
（１）電子部品ユニットは、電流センサの例で説明したが、電流センサ以外の電子部品ユニット（例えば、ゲートドライバ、電源モジュール、ＬＥＤドライバ、トランス、リアクタ、携帯情報端末、携帯電話機、充電器等）であってもよい。
（２）シールド層を接地している場合、コアも接地することができる。また、シールド層は、接地しなくてもよい。
【0064】
（３）電子部品ユニット（電流センサ）は、充填品であっても、充填無し品（未充填品）であってもよい。充填品とは、ケースの収納空間の内部を封止樹脂等により充填したものである。充填無し品とは、ケースの収納空間の内部を封止樹脂等により充填していないものである。なお、「充填品」の場合は、封止樹脂が絶縁体で誘電率を有するので、電界の集中が起こり、ｄＶ／ｄｔの誤動作量は、「充填無し品」よりも大きくなる可能性がある。しかし、上述した実施形態のシールド層の構成を採用することにより、充填品であっても、十分な品質を確保した製品とすることができる。
【0065】
（４）シールド層は、メッキ、スパッタリング、蒸着等で金属の膜（メタル層）を構成したものであってもよい。
（５）電子部品ユニット（電流センサ）は、シールド層を配置するだけでなく、さらに絶縁層（絶縁ペースト）を配置したものであってもよい。
（５）電子部品ユニット（電流センサ）は、シールド層を配置するだけでなく、さらに絶縁層（絶縁ペースト）を配置したものであってもよい。
【0066】
（６）シールド層を構成する材料は、ケースの内側の面に塗布するだけでなく、ケースに混ぜ込むようにしてもよい。
（７）シールド層は、メタル（金属）ペーストで形成してもよい。
（８）ニッケル端子３３は、実装しなくてもよい。
（７）シールド層は、メタル（金属）ペーストで形成してもよい。
（８）ニッケル端子３３は、実装しなくてもよい。
【0067】
（９）ケース１０の形状やシールド層５０の厚みは、任意に変更することができる。
ｄＶ／ｄｔ特性の向上には、ケース１０の各面を単独でみると、第３面１３ａのシールド層５０が最も寄与し（図４の第２タイプ）、ついで第１面１１ａのシールド層５０が寄与する（図５の第３タイプ）。
ｄＶ／ｄｔ特性の向上には、ケース１０の各面を単独でみると、第３面１３ａのシールド層５０が最も寄与し（図４の第２タイプ）、ついで第１面１１ａのシールド層５０が寄与する（図５の第３タイプ）。
【0068】
このため、「第３面１３ａのシールド層５０の面積」＜「第１面１１ａのシールド層５０の面積」とすることができる。これにより、第３面１３ａについては少ない塗布量で大きなシールド効果を得ながら、第１面１１ａについてはシールド効果の底上げを図ることができる。
一方、「第３面１３ａのシールド層５０の面積」＞「第１面１１ａのシールド層５０の面積」とすることもできる。これにより、第３面１３ａのシールド効果を向上させることができる。
なお、シールド層５０は、面積が増えるほどシールド効果が向上する。
一方、「第３面１３ａのシールド層５０の面積」＞「第１面１１ａのシールド層５０の面積」とすることもできる。これにより、第３面１３ａのシールド効果を向上させることができる。
なお、シールド層５０は、面積が増えるほどシールド効果が向上する。
【0069】
また、「第３面１３ａのシールド層５０の厚み」＜「第１面１１ａのシールド層５０の厚み」とすることができる。これにより、第３面１３ａについては少ない塗布量で大きなシールド効果を得ながら、第１面１１ａについてはシールド効果の底上げを図ることができる。
一方、「第３面１３ａのシールド層５０の厚み」＞「第１面１１ａのシールド層５０の厚み」とすることもできる。これにより、第３面１３ａのシールド効果をより向上させることができる。
なお、シールド層５０は、厚みが増えるほどシールド効果が向上する。
一方、「第３面１３ａのシールド層５０の厚み」＞「第１面１１ａのシールド層５０の厚み」とすることもできる。これにより、第３面１３ａのシールド効果をより向上させることができる。
なお、シールド層５０は、厚みが増えるほどシールド効果が向上する。
【0070】
ホール素子３１は、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子やＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子など、磁界を検出して出力を変動させる素子で置き換えてもよい。
【符号の説明】
【0071】
１０ ケース
１１ 第１部材
１１ａ 第１面
１２ 第２部材
１２ａ 第２面
１３ 第３部材
１３ａ 第３面
２０ コア
２１ エアギャップ
３０ 基板
３１ ホール素子
３２ 外部コネクタ
３３ ニッケル端子
４０ 開口
５０ シールド層
１００ 電流センサ
１１ 第１部材
１１ａ 第１面
１２ 第２部材
１２ａ 第２面
１３ 第３部材
１３ａ 第３面
２０ コア
２１ エアギャップ
３０ 基板
３１ ホール素子
３２ 外部コネクタ
３３ ニッケル端子
４０ 開口
５０ シールド層
１００ 電流センサ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
