(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023180198
(43)【公開日】2023-12-20
(54)【発明の名称】センサ
(51)【国際特許分類】
G01N 27/22 20060101AFI20231213BHJP
G01N 27/04 20060101ALI20231213BHJP
【ＦＩ】
G01N27/22 A
G01N27/04 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022138529
(22)【出願日】2022-08-31
(31)【優先権主張番号】P 2022092774
(32)【優先日】2022-06-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(74)【代理人】
【識別番号】110004026
【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ
(72)【発明者】
【氏名】林 裕美
【テーマコード（参考）】
2G060
【Ｆターム（参考）】
2G060AA02
2G060AB03
2G060AE19
2G060AF07
2G060AF10
2G060AG03
2G060AG10
2G060AG11
2G060BA09
2G060BB09
2G060JA01
2G060KA01
(57)【要約】
【課題】安定した検出が可能なセンサを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、センサは、構造体を含む。前記構造体は、第１層と、第１膜領域を含む第１膜と、第１部分領域を含む第１中間層と、を含む。前記第１部分領域は、前記第１層と前記第１膜領域との間にある。前記第１層の体積は、前記構造体の周りの検出対象に応じて変化可能である。前記第１膜は、シリコン及び酸素を含む。前記第１中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態によれば、センサは、構造体を含む。前記構造体は、第１層と、第１膜領域を含む第１膜と、第１部分領域を含む第１中間層と、を含む。前記第１部分領域は、前記第１層と前記第１膜領域との間にある。前記第１層の体積は、前記構造体の周りの検出対象に応じて変化可能である。前記第１膜は、シリコン及び酸素を含む。前記第１中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１層と、
第１膜領域を含む第１膜と、
第１部分領域を含む第１中間層と、
を含む構造体を備え、
前記第１部分領域は、前記第１層と前記第１膜領域との間にあり、
前記第１層の体積は、前記構造体の周りの検出対象に応じて変化可能であり、
前記第１膜は、シリコン及び酸素を含み、
前記第１中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、センサ。
第１膜領域を含む第１膜と、
第１部分領域を含む第１中間層と、
を含む構造体を備え、
前記第１部分領域は、前記第１層と前記第１膜領域との間にあり、
前記第１層の体積は、前記構造体の周りの検出対象に応じて変化可能であり、
前記第１膜は、シリコン及び酸素を含み、
前記第１中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、センサ。
【請求項2】
前記第１層は、Ｐｄ、Ｃｕ及びＳｉを含む、請求項１に記載のセンサ。
【請求項3】
前記検出対象は、水素を含む、請求項１に記載のセンサ。
【請求項4】
前記構造体は、ベース層をさらに含み、
前記ベース層と前記第１膜領域との間に前記第１層がある、請求項１に記載のセンサ。
前記ベース層と前記第１膜領域との間に前記第１層がある、請求項１に記載のセンサ。
【請求項5】
前記構造体は、第２中間層をさらに含み、
前記第２中間層は、前記ベース層と前記第１層との間にあり、
前記第２中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項４に記載のセンサ。
前記第２中間層は、前記ベース層と前記第１層との間にあり、
前記第２中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項４に記載のセンサ。
【請求項6】
前記第１膜は、第２膜領域及び第３膜領域をさらに含み、
前記第１層から前記第１膜領域への第１方向と交差する第２方向において、前記第１層は、前記第２膜領域と前記第３膜領域との間にある、請求項４に記載のセンサ。
前記第１層から前記第１膜領域への第１方向と交差する第２方向において、前記第１層は、前記第２膜領域と前記第３膜領域との間にある、請求項４に記載のセンサ。
【請求項7】
前記第１中間層は、第２部分領域及び第３部分領域をさらに含み、
前記第２方向において、前記第２部分領域は、前記第２膜領域と前記第１層との間にあり、
前記第２方向において、前記第３部分領域は、前記第１層と前記第３膜領域との間にある、請求項６に記載のセンサ。
前記第２方向において、前記第２部分領域は、前記第２膜領域と前記第１層との間にあり、
前記第２方向において、前記第３部分領域は、前記第１層と前記第３膜領域との間にある、請求項６に記載のセンサ。
【請求項8】
前記第１膜は、第２延在領域及び第３延在領域をさらに含み、
前記第２延在領域は、前記第２膜領域と連続し、
前記第２延在領域は、前記ベース層に沿って延び、
前記第３延在領域は、前記第３膜領域と連続し、
前記第３延在領域は、前記ベース層に沿って延びる、請求項６に記載のセンサ。
前記第２延在領域は、前記第２膜領域と連続し、
前記第２延在領域は、前記ベース層に沿って延び、
前記第３延在領域は、前記第３膜領域と連続し、
前記第３延在領域は、前記ベース層に沿って延びる、請求項６に記載のセンサ。
【請求項9】
基体と、
前記基体に固定された第１電極と、
前記基体に固定され前記構造体を支持する支持部と、
をさらに備え、
前記第１電極は、前記基体と前記構造体との間にあり、
前記第１電極と前記構造体との間に第１空隙が設けられた、請求項１～８のいずれか１つに記載のセンサ。
前記基体に固定された第１電極と、
前記基体に固定され前記構造体を支持する支持部と、
をさらに備え、
前記第１電極は、前記基体と前記構造体との間にあり、
前記第１電極と前記構造体との間に第１空隙が設けられた、請求項１～８のいずれか１つに記載のセンサ。
【請求項10】
前記構造体は、第２電極をさらに含み、
前記第１電極と前記第２電極との間の静電容量は、前記検出対象に応じて変化可能である、請求項９に記載のセンサ。
前記第１電極と前記第２電極との間の静電容量は、前記検出対象に応じて変化可能である、請求項９に記載のセンサ。
【請求項11】
前記静電容量に対応する値を検出可能な回路部をさらに備えた、請求項１０に記載のセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、センサに関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、センサにおいて、安定した検出が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－５６６０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
実施形態は、安定した検出が可能なセンサを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態によれば、センサは、構造体を含む。前記構造体は、第１層と、第１膜領域を含む第１膜と、第１部分領域を含む第１中間層と、を含む。前記第１部分領域は、前記第１層と前記第１膜領域との間にある。前記第１層の体積は、前記構造体の周りの検出対象に応じて変化可能である。前記第１膜は、シリコン及び酸素を含む。前記第１中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0008】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態に係るセンサ１１０は、構造体１８を含む。構造体１８は、第１層３１、第１膜１１及び第１中間層２１を含む。第１膜１１は、第１膜領域１１ａを含む。第１中間層２１は、第１部分領域２１ａを含む。構造体１８は、例えば検出部である。
図１は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態に係るセンサ１１０は、構造体１８を含む。構造体１８は、第１層３１、第１膜１１及び第１中間層２１を含む。第１膜１１は、第１膜領域１１ａを含む。第１中間層２１は、第１部分領域２１ａを含む。構造体１８は、例えば検出部である。
【0009】
第１部分領域２１ａは、第１層３１と第１膜領域１１ａとの間にある。第１層３１から第１膜領域１１ａへの方向を第１方向Ｄ１とする。第１方向Ｄ１をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【0010】
第１層３１は、Ｘ－Ｙ平面に沿う。第１層３１は、Ｘ－Ｙ平面に対して実質的に平行で良い。
【0011】
第１層３１の体積は、構造体１８の周りの検出対象に応じて変化可能である。例えば、検出対象は、ガスである。検出対象は、例えば水素である。検出対象は、水素、水素分子及び水素イオンよりなる群から選択された少なくとも１つを含んで良い。第１層３１の電気抵抗が、構造体１８の周りの検出対象に応じて変化可能も良い。
【0012】
例えば、第１層３１は、検出対象（例えば水素）を取り込むことができる。例えば、第１層３１に検出対象が取り込まれることで、第１層３１の体積が大きくなる。体積の変化により、構造体１８が変形しても良い。例えば、変形を検出することで、検出対象の濃度を検出することができる。
【0013】
第１層３１に検出対象が取り込まれることで、第１層３１の電気抵抗率が変化（例えば上昇）する。これにより、第１層３１の電気抵抗が変化する。電気抵抗の変化を検出することで、検出対象の濃度を検出できる。
【0014】
実施形態において、第１膜１１は、シリコン及び酸素を含む。第１膜１１は、例えば、ＳｉＯｘ（１≦ｘ≦２）を含む。第１膜１１は、例えば、ＳｉＯ２を含む。例えば、第１膜１１は、検出対象を透過させる。第１膜１１は、検出対象とは異なる物質（例えば酸素など）を透過させ難い。例えば、第１膜１１における水素の透過率は、第１膜１１における酸素の透過率よりも高い。第１膜１１により、酸素の透過が抑制される。第１膜１１が設けられることで、検出対象とは異なる物質の影響が抑制できる。検出対象を高い感度で検出できる。第１膜１１は、シリコン及びアルミニウムよりなる群から選択された少なくとも１つと、酸素と、を含んでも良い。第１膜１１は、例えば、アルミニウム及び酸素を含んでも良い。第１膜１１は、例えば、酸化アルミニウムを含んでも良い。
【0015】
実施形態において、第１中間層２１は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。例えば、第１層３１の構造が、検出対象とは異なる物質（例えば水など）の影響により変化する場合がある。例えば、構造体１８の周囲に存在する水などの影響により、第１層３１のアモルファス性または結晶性が変化する場合がある。例えば、水などの影響により、第１層３１の特性が変化する。これにより、検出対象に対する特性の変化の程度が変化する。安定した検出が困難になる。
【0016】
実施形態においては、第１中間層２１が設けられることで、検出対象とは異なる物質（例えば水）による特性の変化が抑制される。例えば、第１中間層２１における検出対象とは異なる物質（例えば水）の透過率は、低い。検出対象とは異なる物質（例えば水）は、第１中間層２１を実質的に透過しない。これにより、検出対象とは異なる物質（例えば水）の影響が抑制できる。実施形態によれば、より安定した検出が可能になる。
【0017】
実施形態によれば、検出対象とは異なる物質（例えば酸素または水など）の影響が抑制できる。実施形態によれば、安定した検出が可能なセンサが提供できる。
【0018】
実施形態において、第１層３１は、Ｐｄ、Ｃｕ及びＳｉを含む。これにより、水素が検出対象である場合に、大きな体積変化が得やすい。水素が検出対象である場合に、大きな抵抗変化が得やすい。水素を高い感度で検出可能である。第１層３１は、例えば、Ｐｄ、Ｃｕ及びＳｉを含む合金を含む。例えば、第１中間層２１の触媒作用により、水素分子が水素原子に効率的に変化する。これにより、水素に起因した第１層３１の変化（体積または電気抵抗の変化）がより効果的に生じる。
【0019】
実施形態において、第１層３１の少なくとも一部は、アモルファスであることが好ましい。これにより、構造体１８（例えば検出部）から得られる信号は、水素に対して高速に応答する。水素の吸蔵及び水素の放出において、ヒステリシスが抑制できる。
【0020】
以下、検出対象が水素である場合の特性の例について説明する。
図２は、センサの特性を例示するグラフである。
構造体１８の周り雰囲気中における検出対象（水素）の濃度を濃度Ｃとする。図２の横軸は、Ｃ１／２である。縦軸は、検出感度Ｓ１（相対値）である。図２には、実施形態に係るセンサ１１０の特性が例示されている。図には、第１参考例のセンサ１１９の特性が例示されている。センサ１１０においては、上記のように、構造体１８は、第１層３１、第１膜１１及び第１中間層２１を含む。センサ１１９においては、構造体１８は、第１層３１を含み、第１膜１１及び第１中間層２１を含まない。図２には、構造体１８の周りの雰囲気は、空気であり、酸素及び水素を含む。
図２は、センサの特性を例示するグラフである。
構造体１８の周り雰囲気中における検出対象（水素）の濃度を濃度Ｃとする。図２の横軸は、Ｃ１／２である。縦軸は、検出感度Ｓ１（相対値）である。図２には、実施形態に係るセンサ１１０の特性が例示されている。図には、第１参考例のセンサ１１９の特性が例示されている。センサ１１０においては、上記のように、構造体１８は、第１層３１、第１膜１１及び第１中間層２１を含む。センサ１１９においては、構造体１８は、第１層３１を含み、第１膜１１及び第１中間層２１を含まない。図２には、構造体１８の周りの雰囲気は、空気であり、酸素及び水素を含む。
【0021】
この例では、第１層３１は、Ｐｄ、Ｃｕ及びＳｉを含む合金を含む。第１中間層２１は、Ｐｔを含む。第１膜１１は、ＳｉＯｘ（１≦ｘ≦２）を含む。
【0022】
図２に示すように、センサ１１０においては、感度Ｓ１は、濃度Ｃ１／２の広い範囲の変化に対して、高い線形性で変化する。
【0023】
これに対して、センサ１１９においては、濃度Ｃ１／２が低い領域では、感度Ｓ１が低い。線形性が低い。
【0024】
第１参考例のセンサ１１９においては、雰囲気（空気）に含まれる酸素が、第１層３１に到達する。第１層３１に到達した酸素は、第１層３１の表面で解離した水素と反応して、雰囲気中に散逸する。これにより、第１層３１に付着または取り込まれた水素が第１層３１から離脱する。これにより、高い感度Ｓ１が得にくいと考えられる。
【0025】
これに対して、実施形態に係るセンサ１１０においては、第１膜１１が設けられることで、雰囲気中の酸素が第１層３１に到達することが抑制される。例えば、第１膜１１により、酸素が遮断される。酸素の影響が抑制されることで、高い感度が得られる。高い線形性が得られる。
【0026】
図３（ａ）～図３（ｃ）は、センサの特性を例示するグラフである。
図３（ａ）は、第１参考例のセンサ１１９に対応する。図３（ｂ）は、第２参考例のセンサ１１８に対応する。図３（ｃ）は、実施形態に係るセンサ１１０に対応する。センサ１１８において、構造体１８は、第１層３１及び第１中間層２１を含み、第１膜１１を含まない。
図３（ａ）は、第１参考例のセンサ１１９に対応する。図３（ｂ）は、第２参考例のセンサ１１８に対応する。図３（ｃ）は、実施形態に係るセンサ１１０に対応する。センサ１１８において、構造体１８は、第１層３１及び第１中間層２１を含み、第１膜１１を含まない。
【0027】
これらの図は、ＸＲＤ（X-ray Diffraction）解析の結果を例示している。これらの図の横軸は、角度２θである。縦軸は、信号の強度Ｉｎｔ１である。これらの図は、試料の高温試験後の特性を例示している。高温試験前において、第１層３１はアモルファスである。図３（ａ）における高温試験の条件は、３００℃１時間である。図３（ｂ）における高温試験の条件は、３００℃１時間である。図３（ｃ）における高温試験の条件は、３００℃１５時間である。
【0028】
図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すように、センサ１１８及びセンサ１１０においては、第１ピークｐ１、第２ピークｐ２及び第３ピークｐ３が観察される。第１ピークｐ１において、角度２θが約４０度（３８度以上４２度以下）である。第１ピークｐ１は、Ｐｔ（１１１）及びアモルファス層に対応する。第２ピークｐ２において、角度２θは、約６９度（６７度以上７１度以下）である。第２ピークｐ２は、Ｓｉに対応する。第３ピークｐ３において、角度２θが約８６度（８４度以上８８度以下）である。第３ピークｐ３は、Ｐｔ（２２２）に対応する。
【0029】
一方、図３（ａ）に示すように、センサ１１９においては、上記の第１～第３ピークｐ１～ｐ３とは異なるピークが観察される。センサ１１９においては、高温試験において、第１層３１の構造が変化したと考えられる。例えば、第１層３１に含まれるＰｄに関して、Ｐｄ（１１１）、Ｐｄ（３１１）、Ｐｄ（２２２）及びＰｄ（４００）のピークが観察される。高温試験における酸素及び水の影響により、第１層３１の構造が変化する。
【0030】
構造が変化すると、第１層３１における検出対象に基づく体積変化または抵抗変化の特性が変化する。これにより、安定した検出が困難である。
【0031】
センサ１１８及びセンサ１１０においては、高温試験後においても構造の変化が実質的に観察されない。第１中間層２１及び第１膜１１により、水の影響が抑制できると考えられる。
【0032】
実施形態において、第１層３１の第１方向Ｄ１に沿う厚さを厚さｔ３１とする。実施形態において、厚さｔ３１は、例えば、１０ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【0033】
実施形態において、第１部分領域２１ａの第１方向Ｄ１に沿う厚さを厚さｔ２１とする。実施形態において、厚さｔ２１は、例えば、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【0034】
実施形態において、第１膜領域１１ａの第１方向Ｄ１に沿う厚さを厚さｔ１１とする。実施形態において、厚さｔ１１は、例えば、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【0035】
図１に示すように、構造体１８は、ベース層１０Ｂをさらに含んでも良い。ベース層１０Ｂと第１膜領域１１ａとの間に第１層３１がある。ベース層１０Ｂは、シリコン、アルミニウム及びチタンよりなる群から選択された少なくとも１つと、酸素及び窒素よりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む。１つの例において、ベース層１０Ｂは、窒化シリコン及び酸化シリコン及びよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。ベース層１０Ｂは、酸化アルミニウム及び窒化チタンよりなる群から選択された少なくとも１つを含んでも良い。安定した特性のベース層１０Ｂが得られる。
【0036】
例えば、第１層３１の体積の変化に基づいて、ベース層１０Ｂと第１層３１との間に応力が生じる。これにより、構造体１８が変形しやすくなる。変形を検出することで、検出対象を高い感度で検出できる。変形の検出は、例えば、電気的特性の検出により行われても良い。変形の検出が光学的に検出されても良い。
【0037】
実施形態において、ベース層１０Ｂの第１方向Ｄ１に沿う厚さを厚さｔ１０Ｂとする。実施形態において、厚さｔ１０Ｂは、例えば、１０ｎｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【0038】
図４は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図４に示すように、実施形態に係るセンサ１１１において、構造体１８は、第２中間層２２をさらに含む。これを除くセンサ１１１の構成は、センサ１１０と同様で良い。
図４に示すように、実施形態に係るセンサ１１１において、構造体１８は、第２中間層２２をさらに含む。これを除くセンサ１１１の構成は、センサ１１０と同様で良い。
【0039】
第２中間層２２は、ベース層１０Ｂと第１層３１との間にある。第２中間層２２は、Ｔｉを含む。第２中間層２２は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含んでも良い。
【0040】
第２中間層２２が設けられることで、第１層３１がベース層１０Ｂに高い密着性で固定できる。例えば、はがれなどが抑制できる。
【0041】
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図５（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１２において、第１膜１１は、第２膜領域１１ｂ及び第３膜領域１１ｃをさらに含む。これを除くセンサ１１２の構成は、センサ１１０と同様で良い。
図５（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１２において、第１膜１１は、第２膜領域１１ｂ及び第３膜領域１１ｃをさらに含む。これを除くセンサ１１２の構成は、センサ１１０と同様で良い。
【0042】
第１層３１から第１膜領域１１ａへの第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２において、第１層３１は、第２膜領域１１ｂと第３膜領域１１ｃとの間にある。第２方向Ｄ２は、例えば、Ｘ軸方向である。第２方向Ｄ２は、例えば、Ｙ軸方向でも良い。センサ１１２において、第１方向Ｄ１と交差する２つの方向において、第１膜１１の複数の部分の間に第１層３１が設けられて良い。例えば、第１膜１１は、第１層３１を覆う。
【0043】
センサ１１２においては、第２膜領域１１ｂ及び第３膜領域１１ｃにより、第１層３１の側面に関して、酸素の影響が効果的に抑制できる。より安定した検出が可能になる。より高い感度が得られる。
【0044】
例えば、第１膜領域１１ａは、第２膜領域１１ｂ及び第３膜領域１１ｃと連続する。例えば、第２膜領域１１ｂ及び第３膜領域１１ｃは、ベース層１０Ｂと接する。
【0045】
図５（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１２において、第１膜１１は、第４膜領域１１ｄ及び第５膜領域１１ｅをさらに含んで良い。
【0046】
第３方向Ｄ３において、第１層３１は、第４膜領域１１ｄと第５膜領域１１ｅとの間にある。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２を含む平面と交差する。第３方向Ｄ３は、例えば、Ｙ軸方向である。例えば、第１膜１１は、第１層３１を覆う。
【0047】
例えば、第１膜領域１１ａは、第４膜領域１１ｄ及び第５膜領域１１ｅと連続する。第２膜領域１１ｂは、第４膜領域１１ｄ及び第５膜領域１１ｅと連続する。第３膜領域１１ｃは、第４膜領域１１ｄ及び第５膜領域１１ｅと連続する。例えば、第４膜領域１１ｄ及び第５膜領域１１ｅは、ベース層１０Ｂと接する。
【0048】
図６（ａ）～図６（ｃ）、及び、図７（ａ）～図７（ｃ）は、第１実施形態に係るセンサの製造方法を例示する模式的断面図である。
図６（ａ）に示すように、ベース層１０Ｂの上に、第１層３１となる膜３１ｆ、及び、第１中間層２１となる膜２１ｆが形成される。これらの膜の形成は、例えばスパッタにより行われる。
図６（ａ）に示すように、ベース層１０Ｂの上に、第１層３１となる膜３１ｆ、及び、第１中間層２１となる膜２１ｆが形成される。これらの膜の形成は、例えばスパッタにより行われる。
【0049】
図６（ｂ）に示すように、膜２１ｆの上にマスク部材Ｍ１が形成される。マスク部材Ｍ１は、目的とするパターン形状を有する。マスク部材Ｍ１をマスクとして用いて、膜３１ｆ及び膜２１ｆの一部が除去される。これらの膜の一部の除去は、例えば、ウエットエッチングまたはドライエッチングにより実施できる。
【0050】
図６（ｃ）に示すように、マスク部材Ｍ１が除去される。第１層３１及び第１中間層２１が得られる。
【0051】
図７（ａ）に示すように、加工体に第１膜１１となる膜１１ｆが形成される。膜１１ｆの形成は、例えばスパッタなどにより行われる。
【0052】
図７（ｂ）に示すように、膜１１ｆの上にマスク部材Ｍ２が形成される。マスク部材Ｍ２は、目的とするパターン形状を有する。マスク部材Ｍ２をマスクとして用いて、膜１１ｆの一部が除去される。膜１１ｆの一部の除去は、例えば、ウエットエッチングまたはドライエッチングにより実施できる。
【0053】
図７（ｃ）に示すように、マスク部材Ｍ２が除去される。第１膜１１が得られる。これにより、センサ１１２が得られる。
【0054】
図８は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図８に示すように、実施形態に係るセンサ１１３において、構造体１８は、第２中間層２２をさらに含む。これを除くセンサ１１３の構成は、センサ１１２と同様で良い。
図８に示すように、実施形態に係るセンサ１１３において、構造体１８は、第２中間層２２をさらに含む。これを除くセンサ１１３の構成は、センサ１１２と同様で良い。
【0055】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図９（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１４において、第１中間層２１は、第２部分領域２１ｂ及び第３部分領域２１ｃをさらに含む。これを除くセンサ１１４の構成は、センサ１１２と同様で良い。
図９（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１４において、第１中間層２１は、第２部分領域２１ｂ及び第３部分領域２１ｃをさらに含む。これを除くセンサ１１４の構成は、センサ１１２と同様で良い。
【0056】
第２方向Ｄ２において、第２部分領域２１ｂは、第２膜領域１１ｂと第１層３１との間にある。第２方向Ｄ２において、第３部分領域２１ｃは、第１層３１と第３膜領域１１ｃとの間にある。
【0057】
センサ１１４においては、第２部分領域２１ｂ及び第３部分領域２１ｃにより、第１層３１の側面に関して、水の影響が効果的に抑制できる。より安定した検出が可能になる。より高い感度が得られる。
【0058】
図９（ａ）に示すように、第１部分領域２１ａは、第２部分領域２１ｂ及び第３部分領域２１ｃと連続して良い。
【0059】
第２部分領域２１ｂ及び第３部分領域２１ｃは、ベース層１０Ｂと接することが好ましい。第２部分領域２１ｂ及び第３部分領域２１ｃにより、第１層３１がより効果的に保護される。
【0060】
センサ１１４において、第１方向Ｄ１と交差する２つの方向において、第１中間層２１の複数の部分の間に第１層３１が設けられて良い。例えば、第１中間層２１は、第１層３１を覆う。
【0061】
図９（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１４において、第１中間層２１は、第４部分領域２１ｄ及び第５部分領域２１ｅをさらに含んで良い。
【0062】
第３方向Ｄ３において、第４部分領域２１ｄは、第４膜領域１１ｄと第１層３１との間にある。第３方向Ｄ３において、第５部分領域２１ｅは、第１層３１と第５膜領域１１ｅとの間にある。
【0063】
例えば、第１部分領域２１ａは、第４部分領域２１ｄ及び第５部分領域２１ｅと連続する。第２部分領域２１ｂは、第４部分領域２１ｄ及び第５部分領域２１ｅと連続する。第３部分領域２１ｃは、第４部分領域２１ｄ及び第５部分領域２１ｅと連続する。例えば、第４部分領域２１ｄ及び第５部分領域２１ｅは、ベース層１０Ｂと接する。
【0064】
【0065】
図１０（ａ）に示すように、ベース層１０Ｂの上に、第１層３１となる膜３１ｆが形成される。膜３１ｆの形成は、例えばスパッタにより行われる。さらに、膜３１ｆの上に、マスク部材Ｍ１が形成される。マスク部材Ｍ１は、目的とするパターン形状を有する。
【0066】
図１０（ｂ）に示すように、マスク部材Ｍ１をマスクとして用いて、膜３１ｆの一部を除去することで、第１層３１が得られる。膜３１ｆの一部の除去は、例えば、ウエットエッチングまたはドライエッチングにより実施できる。マスク部材Ｍ１が除去される。
【0067】
図１０（ｃ）に示すように、加工体（ベース層１０Ｂ及び第１層３１）の上に、第１中間層２１となる膜２１ｆが形成される。膜２１ｆの形成は、例えばスパッタなどにより行われる。
【0068】
図１１（ａ）に示すように、膜２１ｆの上に、マスク部材Ｍ２が形成される。マスク部材Ｍ２は、目的とするパターン形状を有する。
【0069】
図１１（ｂ）に示すように、マスク部材Ｍ２をマスクとして用いて、膜２１ｆの一部が除去される。膜２１ｆの一部の除去は、例えば、ウエットエッチングまたはドライエッチングにより実施できる。これにより、第１中間層２１が得られる。マスク部材Ｍ２が除去される。
【0070】
図１１（ｃ）に示すように、加工体（ベース層１０Ｂ、第１層３１及び第１中間層２１）の上に、第１膜１１となる膜１１ｆが形成される。膜１１ｆの形成は、例えばスパッタなどにより行われる。
【0071】
図１２（ａ）に示すように、膜１１ｆの上にマスク部材Ｍ３が形成される。マスク部材Ｍ３は、目的とするパターン形状を有する。マスク部材Ｍ３をマスクとして用いて、膜１１ｆの一部が除去される。膜１１ｆの一部の除去は、例えば、ウエットエッチングまたはドライエッチングにより実施できる。
【0072】
図１２（ｂ）に示すように、マスク部材Ｍ３が除去される。第１膜１１が得られる。これにより、センサ１１４が得られる。
【0073】
図１３は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１３に示すように、実施形態に係るセンサ１１５において、構造体１８は、第２中間層２２をさらに含む。これを除くセンサ１１５の構成は、センサ１１４と同様で良い。
図１３に示すように、実施形態に係るセンサ１１５において、構造体１８は、第２中間層２２をさらに含む。これを除くセンサ１１５の構成は、センサ１１４と同様で良い。
【0074】
（第２実施形態）
図１４は、第２実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１４に示すように、実施形態に係るセンサ１２１は、基体５５、第１電極５１及び支持部１０Ｓを含む。センサ１２１は、この他、第１実施形態に関して説明した構造体１８を含む。既に説明したように、構造体１８は、第１層３１、第１膜１１及び第１中間層２１を含む。第１膜１１は、第１膜領域１１ａを含む。第１中間層２１は、第１部分領域２１ａを含む。
図１４は、第２実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１４に示すように、実施形態に係るセンサ１２１は、基体５５、第１電極５１及び支持部１０Ｓを含む。センサ１２１は、この他、第１実施形態に関して説明した構造体１８を含む。既に説明したように、構造体１８は、第１層３１、第１膜１１及び第１中間層２１を含む。第１膜１１は、第１膜領域１１ａを含む。第１中間層２１は、第１部分領域２１ａを含む。
【0075】
第１電極５１は、基体５５に固定される。支持部１０Ｓは、基体５５に固定され、構造体１８を支持する。第１電極５１は、基体５５と構造体１８との間にある。第１電極５１と構造体１８との間に第１空隙ｇ１が設けられる。
【0076】
センサ１２１において、第１電極５１と構造体１８との間の距離ｄ１は、検出対象に応じて変化可能である。例えば、検出対象の濃度に応じて、構造体１８が変化する。これにより、距離ｄ１が変化する。
【0077】
例えば、構造体１８に含まれる導電部材が対向電極として機能しても良い。第１電極５１と、導電部材（対向電極）と、の間の静電容量が検出される。これにより、距離ｄ１の変化が検出されても良い。
【0078】
この例では、構造体１８は、第２電極５２をさらに含む。第１電極５１と第２電極５２との間に第１空隙ｇ１が設けられる。第１電極５１と第２電極５２との間の静電容量は、検出対象に応じて変化可能である。
【0079】
この例では、回路部７０が設けられている。回路部７０は、第１電極５１、及び、対向電極（例えば第２電極５２）と電気的に接続される。回路部７０は、第１電極５１と、対向電極（例えば第２電極５２）と、の間の静電容量の変化に対応する値を検出可能である。センサ１２１は、例えば、容量変化型のガスセンサである。
【0080】
（第３実施形態）
図１５は、第３実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１５に示すように、実施形態に係るセンサ１３１は、基体５５及び支持部１０Ｓを含む。センサ１３１は、この他、第１実施形態に関して説明した構造体１８を含む。支持部１０Ｓは、基体５５に固定され、構造体１８を支持する。センサ１３１においては、検出対象による第１層３１の電気抵抗が検出される。例えば、センサ１３１は、回路部７０を含んで良い。回路部７０は、第１層３１の電気抵抗に対応する値を検出可能である。
図１５は、第３実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１５に示すように、実施形態に係るセンサ１３１は、基体５５及び支持部１０Ｓを含む。センサ１３１は、この他、第１実施形態に関して説明した構造体１８を含む。支持部１０Ｓは、基体５５に固定され、構造体１８を支持する。センサ１３１においては、検出対象による第１層３１の電気抵抗が検出される。例えば、センサ１３１は、回路部７０を含んで良い。回路部７０は、第１層３１の電気抵抗に対応する値を検出可能である。
【0081】
センサ１３１において、基体５５と構造体１８との間に第１空隙ｇ１が設けられて良い。例えば、基体５５の温度の影響などが抑制される。より高い精度の検出が可能になる。
【0082】
実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んで良い。
（構成１）
第１層と、
第１膜領域を含む第１膜と、
第１部分領域を含む第１中間層と、
を含む構造体を備え、
前記第１部分領域は、前記第１層と前記第１膜領域との間にあり、
前記第１層の体積は、前記構造体の周りの検出対象に応じて変化可能であり、
前記第１膜は、シリコン及び酸素を含み、
前記第１中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、センサ。
（構成１）
第１層と、
第１膜領域を含む第１膜と、
第１部分領域を含む第１中間層と、
を含む構造体を備え、
前記第１部分領域は、前記第１層と前記第１膜領域との間にあり、
前記第１層の体積は、前記構造体の周りの検出対象に応じて変化可能であり、
前記第１膜は、シリコン及び酸素を含み、
前記第１中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、センサ。
【0083】
（構成２）
前記第１層は、Ｐｄ、Ｃｕ及びＳｉを含む、構成１に記載のセンサ。
前記第１層は、Ｐｄ、Ｃｕ及びＳｉを含む、構成１に記載のセンサ。
【0084】
（構成３）
前記第１層の少なくとも一部は、アモルファスである、構成１または２に記載のセンサ。
前記第１層の少なくとも一部は、アモルファスである、構成１または２に記載のセンサ。
【0085】
（構成４）
前記検出対象は、水素を含む、構成１～３のいずれか１つに記載のセンサ。
前記検出対象は、水素を含む、構成１～３のいずれか１つに記載のセンサ。
【0086】
（構成５）
前記第１膜は、ＳｉＯｘ（１≦ｘ≦２）を含む、構成１～４のいずれか１つに記載のセンサ。
前記第１膜は、ＳｉＯｘ（１≦ｘ≦２）を含む、構成１～４のいずれか１つに記載のセンサ。
【0087】
（構成６）
前記構造体は、ベース層をさらに含み、
前記ベース層と前記第１膜領域との間に前記第１層がある、構成１～５のいずれか１つに記載のセンサ。
前記構造体は、ベース層をさらに含み、
前記ベース層と前記第１膜領域との間に前記第１層がある、構成１～５のいずれか１つに記載のセンサ。
【0088】
（構成７）
前記ベース層は、シリコン、アルミニウム及びチタンよりなる群から選択された少なくとも１つと、酸素及び窒素よりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む、構成１～６のいずれか１つに記載のセンサ。
前記ベース層は、シリコン、アルミニウム及びチタンよりなる群から選択された少なくとも１つと、酸素及び窒素よりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む、構成１～６のいずれか１つに記載のセンサ。
【0089】
（構成８）
前記構造体は、第２中間層をさらに含み、
前記第２中間層は、前記ベース層と前記第１層との間にあり、
前記第２中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成６または７に記載のセンサ。
前記構造体は、第２中間層をさらに含み、
前記第２中間層は、前記ベース層と前記第１層との間にあり、
前記第２中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成６または７に記載のセンサ。
【0090】
（構成９）
前記第１膜は、第２膜領域及び第３膜領域をさらに含み、
前記第１層から前記第１膜領域への第１方向と交差する第２方向において、前記第１層は、前記第２膜領域と前記第３膜領域との間にある、構成６～８のいずれか１つに記載のセンサ。
前記第１膜は、第２膜領域及び第３膜領域をさらに含み、
前記第１層から前記第１膜領域への第１方向と交差する第２方向において、前記第１層は、前記第２膜領域と前記第３膜領域との間にある、構成６～８のいずれか１つに記載のセンサ。
【0091】
（構成１０）
前記第１膜領域は、前記第２膜領域及び前記第３膜領域と連続した、構成９に記載のセンサ。
前記第１膜領域は、前記第２膜領域及び前記第３膜領域と連続した、構成９に記載のセンサ。
【0092】
（構成１１）
前記第２膜領域及び前記第３膜領域は、前記ベース層と接する、構成９または１０に記載のセンサ。
前記第２膜領域及び前記第３膜領域は、前記ベース層と接する、構成９または１０に記載のセンサ。
【0093】
（構成１２）
前記第１中間層は、第２部分領域及び第３部分領域をさらに含み、
前記第２方向において、前記第２部分領域は、前記第２膜領域と前記第１層との間にあり、
前記第２方向において、前記第３部分領域は、前記第１層と前記第３膜領域との間にある、構成９～１１のいずれか１つに記載のセンサ。
前記第１中間層は、第２部分領域及び第３部分領域をさらに含み、
前記第２方向において、前記第２部分領域は、前記第２膜領域と前記第１層との間にあり、
前記第２方向において、前記第３部分領域は、前記第１層と前記第３膜領域との間にある、構成９～１１のいずれか１つに記載のセンサ。
【0094】
（構成１３）
前記第１部分領域は、前記第２部分領域及び前記第３部分領域と連続した、構成１２に記載のセンサ。
前記第１部分領域は、前記第２部分領域及び前記第３部分領域と連続した、構成１２に記載のセンサ。
【0095】
（構成１４）
前記第２部分領域及び前記第３部分領域は、前記ベース層と接する、構成１２または１３に記載のセンサ。
前記第２部分領域及び前記第３部分領域は、前記ベース層と接する、構成１２または１３に記載のセンサ。
【0096】
（構成１５）
基体と、
前記基体に固定された第１電極と、
前記基体に固定され前記構造体を支持する支持部と、
をさらに備え、
前記第１電極は、前記基体と前記構造体との間にあり、
前記第１電極と前記構造体との間に第１空隙が設けられた、構成１～１４のいずれか１つに記載のセンサ。
基体と、
前記基体に固定された第１電極と、
前記基体に固定され前記構造体を支持する支持部と、
をさらに備え、
前記第１電極は、前記基体と前記構造体との間にあり、
前記第１電極と前記構造体との間に第１空隙が設けられた、構成１～１４のいずれか１つに記載のセンサ。
【0097】
（構成１６）
前記構造体は、第２電極をさらに含み、
前記第１電極と前記第２電極との間に第１空隙が設けられた、構成１５に記載のセンサ。
前記構造体は、第２電極をさらに含み、
前記第１電極と前記第２電極との間に第１空隙が設けられた、構成１５に記載のセンサ。
【0098】
（構成１７）
前記第１電極と前記第２電極との間の静電容量は、前記検出対象に応じて変化可能である、構成１６に記載のセンサ。
前記第１電極と前記第２電極との間の静電容量は、前記検出対象に応じて変化可能である、構成１６に記載のセンサ。
【0099】
（構成１８）
前記静電容量に対応する値を検出可能な回路部をさらに備えた、構成１７に記載のセンサ。
前記静電容量に対応する値を検出可能な回路部をさらに備えた、構成１７に記載のセンサ。
【0100】
（構成１９）
前記第１電極と前記構造体との間の距離は、前記検出対象に応じて変化可能である、構成１５～１８のいずれか１つに記載のセンサ。
前記第１電極と前記構造体との間の距離は、前記検出対象に応じて変化可能である、構成１５～１８のいずれか１つに記載のセンサ。
【0101】
（構成２０）
基体と、
前記基体に固定され前記構造体を支持する支持部と、
をさらに備えた構成１～１４のいずれか１つに記載のセンサ。
基体と、
前記基体に固定され前記構造体を支持する支持部と、
をさらに備えた構成１～１４のいずれか１つに記載のセンサ。
【0102】
（構成２１）
第１層と、
第１膜領域を含む第１膜と、
第１部分領域を含む第１中間層と、
を含む構造体を備え、
前記第１部分領域は、前記第１層と前記第１膜領域との間にあり、
前記第１層の体積は、前記構造体の周りの検出対象に応じて変化可能であり、
前記第１膜は、アルミニウム及び酸素を含み、
前記第１中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、センサ。
第１層と、
第１膜領域を含む第１膜と、
第１部分領域を含む第１中間層と、
を含む構造体を備え、
前記第１部分領域は、前記第１層と前記第１膜領域との間にあり、
前記第１層の体積は、前記構造体の周りの検出対象に応じて変化可能であり、
前記第１膜は、アルミニウム及び酸素を含み、
前記第１中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、センサ。
【0103】
（構成２２）
第１層と、
第１膜領域を含む第１膜と、
第１部分領域を含む第１中間層と、
を含む構造体を備え、
前記第１部分領域は、前記第１層と前記第１膜領域との間にあり、
前記第１層の電気抵抗は、前記構造体の周りの検出対象に応じて変化可能であり、
前記第１膜は、シリコン及び酸素を含み、
前記第１中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、センサ。
第１層と、
第１膜領域を含む第１膜と、
第１部分領域を含む第１中間層と、
を含む構造体を備え、
前記第１部分領域は、前記第１層と前記第１膜領域との間にあり、
前記第１層の電気抵抗は、前記構造体の周りの検出対象に応じて変化可能であり、
前記第１膜は、シリコン及び酸素を含み、
前記第１中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、センサ。
【0104】
（構成２３）
前記電気抵抗に対応する値を検出可能な回路部をさらに備えた、構成２２に記載のセンサ。
前記電気抵抗に対応する値を検出可能な回路部をさらに備えた、構成２２に記載のセンサ。
【0105】
（構成２４）
前記第１膜は、第２膜領域及び第３膜領域をさらに含み、
前記第１層から前記第１膜領域への第１方向と交差する第２方向において、前記第１層は、前記第２膜領域と前記第３膜領域との間にある、構成２１～２３いずれか１つに記載のセンサ。
前記第１膜は、第２膜領域及び第３膜領域をさらに含み、
前記第１層から前記第１膜領域への第１方向と交差する第２方向において、前記第１層は、前記第２膜領域と前記第３膜領域との間にある、構成２１～２３いずれか１つに記載のセンサ。
【0106】
（構成２５）
前記構造体は、ベース層をさらに含み、
前記ベース層と前記第１膜領域との間に前記第１層がある、構成２１～２３のいずれか１つに記載のセンサ。
前記構造体は、ベース層をさらに含み、
前記ベース層と前記第１膜領域との間に前記第１層がある、構成２１～２３のいずれか１つに記載のセンサ。
【0107】
（構成２６）
前記構造体は、第２中間層をさらに含み、
前記第２中間層は、前記ベース層と前記第１層との間にあり、
前記第２中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成２５に記載のセンサ。
前記構造体は、第２中間層をさらに含み、
前記第２中間層は、前記ベース層と前記第１層との間にあり、
前記第２中間層は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成２５に記載のセンサ。
【0108】
（第４実施形態）
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、第４実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１２ａにおいて、第１膜１１は、第２延在領域１１ｂａ、第３延在領域１１ｃａ、第４延在領域１１ｄａ及び第５延在領域１１ｅａをさらに含む。これを除くセンサ１１２ａの構成は、センサ１１２と同様で良い。
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、第４実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１２ａにおいて、第１膜１１は、第２延在領域１１ｂａ、第３延在領域１１ｃａ、第４延在領域１１ｄａ及び第５延在領域１１ｅａをさらに含む。これを除くセンサ１１２ａの構成は、センサ１１２と同様で良い。
【0109】
第２延在領域１１ｂａは、第２膜領域１１ｂと連続する。第２延在領域１１ｂａは、ベース層１０Ｂに沿って延びる。第３延在領域１１ｃａは、第３膜領域１１ｃと連続する。第３延在領域１１ｃａは、ベース層１０Ｂに沿って延びる。例えば、第２延在領域１１ｂａ及び第３延在領域１１ｃａは、ベース層１０Ｂと接する。
【0110】
第４延在領域１１ｄａは、第４膜領域１１ｄと連続する。第４延在領域１１ｄａは、ベース層１０Ｂに沿って延びる。第５延在領域１１ｅａは、第５膜領域１１ｅと連続する。第５延在領域１１ｅａは、ベース層１０Ｂに沿って延びる。例えば、第４延在領域１１ｄａ及び第５延在領域１１ｅａは、ベース層１０Ｂと接する。
【0111】
センサ１１２ａにおいては、第２膜領域１１ｂ及び第３膜領域１１ｃにより、第１層３１の側面と、ベース層１０Ｂと、の間の領域において、酸素の影響が効果的に抑制できる。より安定した検出が可能になる。より高い感度が得られる。
【0112】
図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、第４実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１４ａにおいて、第１膜１１は、第２延在領域１１ｂａ、第３延在領域１１ｃａ、第４延在領域１１ｄａ及び第５延在領域１１ｅａをさらに含む。これを除くセンサ１１４ａの構成は、センサ１１４と同様で良い。センサ１１４ａにおいて、酸素の影響が効果的に抑制できる。より安定した検出が可能になる。より高い感度が得られる。
図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１４ａにおいて、第１膜１１は、第２延在領域１１ｂａ、第３延在領域１１ｃａ、第４延在領域１１ｄａ及び第５延在領域１１ｅａをさらに含む。これを除くセンサ１１４ａの構成は、センサ１１４と同様で良い。センサ１１４ａにおいて、酸素の影響が効果的に抑制できる。より安定した検出が可能になる。より高い感度が得られる。
【0113】
図１８は、第４実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１８に示すように、実施形態に係るセンサ１２１ａにおいて、第１膜１１は、第２延在領域１１ｂａ及び第３延在領域１１ｃａを含む。センサ１２１ａにおいて、第４延在領域１１ｄａ及び第５延在領域１１ｅａが設けられても良い（図１６（ａ）及び図１６（ｂ）参照）。これを除くセンサ１２１ａの構成は、センサ１２１と同様で良い。センサ１２１ａにおいて、酸素の影響が効果的に抑制できる。より安定した検出が可能になる。より高い感度が得られる。
図１８に示すように、実施形態に係るセンサ１２１ａにおいて、第１膜１１は、第２延在領域１１ｂａ及び第３延在領域１１ｃａを含む。センサ１２１ａにおいて、第４延在領域１１ｄａ及び第５延在領域１１ｅａが設けられても良い（図１６（ａ）及び図１６（ｂ）参照）。これを除くセンサ１２１ａの構成は、センサ１２１と同様で良い。センサ１２１ａにおいて、酸素の影響が効果的に抑制できる。より安定した検出が可能になる。より高い感度が得られる。
【0114】
図１９は、第４実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１９に示すように、実施形態に係るセンサ１３１ａにおいて、第１膜１１は、第２延在領域１１ｂａ及び第３延在領域１１ｃａを含む。センサ１３１ａにおいて、第４延在領域１１ｄａ及び第５延在領域１１ｅａが設けられても良い（図１６（ａ）及び図１６（ｂ）参照）。これを除くセンサ１３１ａの構成は、センサ１３１と同様で良い。センサ１３１ａにおいて、酸素の影響が効果的に抑制できる。より安定した検出が可能になる。より高い感度が得られる。
図１９に示すように、実施形態に係るセンサ１３１ａにおいて、第１膜１１は、第２延在領域１１ｂａ及び第３延在領域１１ｃａを含む。センサ１３１ａにおいて、第４延在領域１１ｄａ及び第５延在領域１１ｅａが設けられても良い（図１６（ａ）及び図１６（ｂ）参照）。これを除くセンサ１３１ａの構成は、センサ１３１と同様で良い。センサ１３１ａにおいて、酸素の影響が効果的に抑制できる。より安定した検出が可能になる。より高い感度が得られる。
【0115】
実施形態によれば、安定した検出が可能なセンサを提供できる。
【0116】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、センサに含まれる構造体、層、膜及び回路部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【0117】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【0118】
その他、本発明の実施の形態として上述したセンサを基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのセンサも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【0119】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【0120】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0121】
１０Ｂ…ベース層、 １０Ｓ…支持部、 １１…第１膜、 １１ａ～１１ｅ…第１～第５膜領域、 １１ｂａ、１１ｃａ、１１ｄａ、１１ｅａ…第２～第５延在領域、 １１ｆ…膜、 １８…構造体、 ２１…第１中間層、 ２１ａ～２１ｅ…第１～第５部分領域、 ２１ｆ…膜、 ２２…第２中間層、 ３１…第１層、 ３１ｆ…膜、 ５１、５２…第１、第２電極、 ５５…基体、 ７０…回路部、 １１０～１１５、１１２ａ、１１４ａ、１１８、１１９、１２１、１２１ａ、１３１、１３１ａ…センサ、 ２θ…角度、 Ｄ１～Ｄ３…第１～第３方向、 Ｉｎｔ１…強度、 Ｍ１～Ｍ３…マスク部材、 ｄ１…距離、 ｇ１…第１空隙、 ｐ１～ｐ３…第１～第３ピーク、 ｔ１０Ｂ、ｔ１１、ｔ２１、ｔ３１…厚さ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】