(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023180199
(43)【公開日】2023-12-20
(54)【発明の名称】半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/29 20060101AFI20231213BHJP
H01L 21/56 20060101ALI20231213BHJP
H01L 25/07 20060101ALI20231213BHJP
H01L 23/48 20060101ALI20231213BHJP
H01L 23/50 20060101ALI20231213BHJP
【ＦＩ】
H01L23/30 B
H01L21/56 T
H01L25/04 C
H01L23/48 G
H01L23/50 F
H01L23/36 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022147730
(22)【出願日】2022-09-16
(31)【優先権主張番号】P 2022092791
(32)【優先日】2022-06-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000005234
【氏名又は名称】富士電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003177
【氏名又は名称】弁理士法人旺知国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】保谷 昌志
【テーマコード（参考）】
4M109
5F061
5F067
5F136
【Ｆターム（参考）】
4M109AA02
4M109BA02
4M109CA21
4M109EA02
4M109EB12
4M109EB13
4M109EE05
4M109GA05
5F061AA02
5F061BA02
5F061CA21
5F061DA06
5F061FA05
5F067AA03
5F067AB10
5F067CA05
5F067CA07
5F136BB11
5F136DA01
5F136DA27
5F136FA52
5F136FA56
5F136FA63
5F136FA66
5F136FA82
(57)【要約】 （修正有）
【課題】半導体モジュールの放熱性と低コスト化の両立する半導体モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュールは、第１面Ｆ１及びその反対方向を向く第２面Ｆ２を有する第１ダイパッド３１ａ、第１ダイパッドよりも第２面の向く方向に位置する第１アウターリード３１ｂ、第１ダイパッドと第１アウターリードを接続し、段差部３１ｃ１を有する第１インナーリード３１ｃ、第２面に接合される第１半導体チップ２１及び第１ダイパッド及び第１半導体チップを封止する封止部材４０を備える。封止部材は、第１面に接合され、第１樹脂組成物からなる第１封止部４１及び第２面に接合され、第１樹脂組成物よりも熱伝導率の低い第２樹脂組成物からなる第２封止部４２を有する。第１封止部の露出面ＦＥは封止部材の外表面の一部を構成し、第１接合面ＦＳ１は第１ダイパッドに接合し、第２接合面ＦＳ２は段差部の高さ方向に沿って段差部に接合する。
【選択図】図４
【解決手段】半導体モジュールは、第１面Ｆ１及びその反対方向を向く第２面Ｆ２を有する第１ダイパッド３１ａ、第１ダイパッドよりも第２面の向く方向に位置する第１アウターリード３１ｂ、第１ダイパッドと第１アウターリードを接続し、段差部３１ｃ１を有する第１インナーリード３１ｃ、第２面に接合される第１半導体チップ２１及び第１ダイパッド及び第１半導体チップを封止する封止部材４０を備える。封止部材は、第１面に接合され、第１樹脂組成物からなる第１封止部４１及び第２面に接合され、第１樹脂組成物よりも熱伝導率の低い第２樹脂組成物からなる第２封止部４２を有する。第１封止部の露出面ＦＥは封止部材の外表面の一部を構成し、第１接合面ＦＳ１は第１ダイパッドに接合し、第２接合面ＦＳ２は段差部の高さ方向に沿って段差部に接合する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面と前記第１面とは反対方向を向く第２面とを有する第１ダイパッドと、
前記第１ダイパッドよりも前記第２面の向く方向に位置する第１アウターリードと、
前記第１ダイパッドと前記第１アウターリードとを接続し、段差部を有する第１インナーリードと、
前記第２面に接合される第１半導体チップと、
前記第１ダイパッドおよび前記第１半導体チップを封止する封止部材と、を備え、
前記封止部材は、
前記第１面に接合され、第１樹脂組成物で構成される第１封止部と、
前記第２面に接合され、前記第１樹脂組成物よりも熱伝導率の低い第２樹脂組成物で構成される第２封止部と、を有し、
前記第１封止部は、
前記封止部材の外表面の一部を構成する露出面と、
前記第１ダイパッドに接合される第１接合面と、
前記段差部の高さ方向に沿って前記段差部に接合される第２接合面と、を有する、
半導体モジュール。
前記第１ダイパッドよりも前記第２面の向く方向に位置する第１アウターリードと、
前記第１ダイパッドと前記第１アウターリードとを接続し、段差部を有する第１インナーリードと、
前記第２面に接合される第１半導体チップと、
前記第１ダイパッドおよび前記第１半導体チップを封止する封止部材と、を備え、
前記封止部材は、
前記第１面に接合され、第１樹脂組成物で構成される第１封止部と、
前記第２面に接合され、前記第１樹脂組成物よりも熱伝導率の低い第２樹脂組成物で構成される第２封止部と、を有し、
前記第１封止部は、
前記封止部材の外表面の一部を構成する露出面と、
前記第１ダイパッドに接合される第１接合面と、
前記段差部の高さ方向に沿って前記段差部に接合される第２接合面と、を有する、
半導体モジュール。
【請求項2】
前記第１接合面は、前記第１ダイパッドの側面と前記第１面とのそれぞれに接合される、
請求項１に記載の半導体モジュール。
請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項3】
前記第２面は、前記第１接合面に接合されない部分を有する、
請求項２に記載の半導体モジュール。
請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項4】
前記第２接合面は、前記段差部の高さ方向での全域にわたり前記段差部に接合される、
請求項１に記載の半導体モジュール。
請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項5】
前記第２接合面は、前記段差部の周方向での全域にわたり前記段差部に接合される、
請求項１に記載の半導体モジュール。
請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項6】
前記第２接合面は、前記段差部の表面を全域にわたり覆う、
請求項５に記載の半導体モジュール。
請求項５に記載の半導体モジュール。
【請求項7】
前記第１封止部は、前記露出面とは反対方向を向く端面を有し、
前記端面は、前記第１ダイパッドの厚さ方向にみて前記段差部に重なり、かつ、前記第２面と平行な部分を有する、
請求項５に記載の半導体モジュール。
前記端面は、前記第１ダイパッドの厚さ方向にみて前記段差部に重なり、かつ、前記第２面と平行な部分を有する、
請求項５に記載の半導体モジュール。
【請求項8】
前記第１ダイパッドの厚さは、前記第１インナーリードの厚さよりも厚い、
請求項１に記載の半導体モジュール。
請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項9】
前記第１ダイパッドよりも前記第２面の向く方向に位置する第２ダイパッドと、
第２アウターリードと、
前記第２ダイパッドおよび前記第２アウターリードと一体で構成される第２インナーリードと、
前記第２ダイパッドに接合される第２半導体チップと、をさらに備え、
前記第１封止部は、前記第２ダイパッドおよび前記第２インナーリードのうちの一方または両方に接合される第３接合面をさらに有する、
請求項１に記載の半導体モジュール。
第２アウターリードと、
前記第２ダイパッドおよび前記第２アウターリードと一体で構成される第２インナーリードと、
前記第２ダイパッドに接合される第２半導体チップと、をさらに備え、
前記第１封止部は、前記第２ダイパッドおよび前記第２インナーリードのうちの一方または両方に接合される第３接合面をさらに有する、
請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項10】
前記第１封止部は、前記露出面から前記第１面にわたる切欠き部を有し、
前記第２封止部は、前記切欠き部に充填される部分を有する、
請求項９に記載の半導体モジュール。
前記第２封止部は、前記切欠き部に充填される部分を有する、
請求項９に記載の半導体モジュール。
【請求項11】
第１面と前記第１面とは反対方向を向く第２面とを有する第１ダイパッドと、
前記第１ダイパッドよりも前記第２面の向く方向に位置する第１アウターリードと、
前記第１ダイパッドと前記第１アウターリードとを接続し、段差部を有する第１インナーリードと、
前記第２面に接合される第１半導体チップと、
前記第１ダイパッドおよび前記第１半導体チップを封止する封止部材と、を備える半導体モジュールの製造方法であって、
前記第１ダイパッドと前記第１アウターリードと前記第１インナーリードとを含むリードフレームを準備する準備工程と、
第１樹脂組成物を用いて、前記第１面に接合される第１封止部を前記封止部材の一部として成形する第１成形工程と、
前記第１樹脂組成物よりも熱伝導率の低い第２樹脂組成物を用いて、前記第２面に接合される第２封止部を前記封止部材の他の一部として成形する第２成形工程と、を含み、
前記第１封止部は、
前記封止部材の外表面の一部を構成する露出面と、
前記第１ダイパッドに接合される第１接合面と、
前記段差部の高さ方向に沿って前記段差部に接合される第２接合面と、を有する、
半導体モジュールの製造方法。
前記第１ダイパッドよりも前記第２面の向く方向に位置する第１アウターリードと、
前記第１ダイパッドと前記第１アウターリードとを接続し、段差部を有する第１インナーリードと、
前記第２面に接合される第１半導体チップと、
前記第１ダイパッドおよび前記第１半導体チップを封止する封止部材と、を備える半導体モジュールの製造方法であって、
前記第１ダイパッドと前記第１アウターリードと前記第１インナーリードとを含むリードフレームを準備する準備工程と、
第１樹脂組成物を用いて、前記第１面に接合される第１封止部を前記封止部材の一部として成形する第１成形工程と、
前記第１樹脂組成物よりも熱伝導率の低い第２樹脂組成物を用いて、前記第２面に接合される第２封止部を前記封止部材の他の一部として成形する第２成形工程と、を含み、
前記第１封止部は、
前記封止部材の外表面の一部を構成する露出面と、
前記第１ダイパッドに接合される第１接合面と、
前記段差部の高さ方向に沿って前記段差部に接合される第２接合面と、を有する、
半導体モジュールの製造方法。
【請求項12】
前記第１成形工程は、第１成形型を用いて前記第１封止部を成形し、
前記第２成形工程は、前記第１成形型とは異なる第２成形型を用いて前記第２封止部を成形する、
請求項１１に記載の半導体モジュールの製造方法。
前記第２成形工程は、前記第１成形型とは異なる第２成形型を用いて前記第２封止部を成形する、
請求項１１に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項13】
前記第１成形型は、前記第１面に接触する突起を有し、
前記第１成形工程は、前記第１封止部に、前記突起により、前記露出面から前記第１面にわたる切欠き部を形成し、
前記第２成形工程は、前記第２封止部の一部により、前記切欠き部を充填する、
請求項１２に記載の半導体モジュールの製造方法。
前記第１成形工程は、前記第１封止部に、前記突起により、前記露出面から前記第１面にわたる切欠き部を形成し、
前記第２成形工程は、前記第２封止部の一部により、前記切欠き部を充填する、
請求項１２に記載の半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
パワー半導体モジュールに代表される半導体モジュールでは、例えば、特許文献１から６に開示されるように、リードフレームを用いて形成されたダイパッド上に搭載された電力用の半導体チップを封止樹脂によりモールド封止した構成を採用する場合がある。
【0003】
例えば、特許文献１では、リードフレームを用いたダイパッドに接合された電力用半導体素子を封止する封止樹脂が、第１の封止樹脂と、第１の封止樹脂よりも無機物粒子の含有濃度の低い第２の封止樹脂と、を有する。ここで、ダイパッドがアウターリードに比べて下側に配置されるように、リードフレームには、段差が設けられる。
【0004】
特許文献１には、第１の封止樹脂を電力用半導体素子の上面より上には設けずにダイパッドの上面まで設けることにより、ダイパッドの側面および下面に対して第１の封止樹脂をアンカー効果により機械的に固定することが記載される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】国際公開第２０１７／１３８０９２号
【特許文献2】特開２０２１－１４５０３６号公報
【特許文献3】特開２０００－１３８３４３号公報
【特許文献4】特開２０１８－２９１４９号公報
【特許文献5】特開２０２１－３０２５２６号公報
【特許文献6】特開２０００－１４１９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
特許文献１に記載の構成では、リードフレームに対する第１の封止樹脂の接触範囲がダイパッドの側面および下面に限定されるため、電力用半導体素子からの熱を第１の封止樹脂を介して外部に効率的に逃すことが難しいという課題がある。
【0007】
以上の事情を考慮して、本開示のひとつの態様は、半導体モジュールの低コストを図りつつ、放熱性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するために、本開示の好適な態様に係る半導体モジュールは、第１面と前記第１面とは反対方向を向く第２面とを有する第１ダイパッドと、前記第１ダイパッドよりも前記第２面の向く方向に位置する第１アウターリードと、前記第１ダイパッドと前記第１アウターリードとを接続し、段差部を有する第１インナーリードと、前記第２面に接合される第１半導体チップと、前記第１ダイパッドおよび前記第１半導体チップを封止する封止部材と、を備え、前記封止部材は、前記第１面に接合され、第１樹脂組成物で構成される第１封止部と、前記第２面に接合され、前記第１樹脂組成物よりも熱伝導率の低い第２樹脂組成物で構成される第２封止部と、を有し、前記第１封止部は、前記封止部材の外表面の一部を構成する露出面と、前記第１ダイパッドに接合される第１接合面と、前記段差部の高さ方向に沿って前記段差部に接合される第２接合面と、を有する。
【0009】
また、本開示の好適な態様に係る半導体モジュールの製造方法は、第１面と前記第１面とは反対方向を向く第２面とを有する第１ダイパッドと、前記第１ダイパッドよりも前記第２面の向く方向に位置する第１アウターリードと、前記第１ダイパッドと前記第１アウターリードとを接続し、段差部を有する第１インナーリードと、前記第２面に接合される第１半導体チップと、前記第１ダイパッドおよび前記第１半導体チップを封止する封止部材と、を備える半導体モジュールの製造方法であって、前記第１ダイパッドと前記第１アウターリードと前記第１インナーリードとを含むリードフレームを準備する準備工程と、第１樹脂組成物を用いて、前記第１面に接合される第１封止部を前記封止部材の一部として成形する第１成形工程と、前記第１樹脂組成物よりも熱伝導率の低い第２樹脂組成物を用いて、前記第２面に接合される第２封止部を前記封止部材の他の一部として成形する第２成形工程と、を含み、前記第１封止部は、前記封止部材の外表面の一部を構成する露出面と、前記第１ダイパッドに接合される第１接合面と、前記段差部の高さ方向に沿って前記段差部に接合される第２接合面と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】第１実施形態に係る半導体モジュールの断面図である。
【図2】第１実施形態に係る半導体モジュールの平面図である。
【図3】第１実施形態に係る半導体モジュールをモーターの駆動に適用した回路例を示す図である。
【図4】第１実施形態に係る半導体モジュールの拡大断面図である。
【図5】第１封止部の平面視形状を説明するための図である。
【図6】第１実施形態に係る半導体モジュールの上面図である。
【図7】第１実施形態に係る半導体モジュールの下面図である。
【図8】第１実施形態に係る半導体モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図9】準備工程を示す図である。
【図10】第１半導体チップ搭載工程を示す図である。
【図11】第１成形工程を示す図である。
【図12】第２半導体チップ搭載工程を示す図である。
【図13】ワイヤーボンディング工程を示す図である。
【図14】第２成形工程を示す図である。
【図15】第２実施形態に係る半導体モジュールの拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、図面を参照しながら本開示にかかる実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法および縮尺は実際のものと適宜異なる。また、以下に記載する実施形態は、本開示の好適な具体例である。このため、以下の実施形態には、技術的に好ましい種々の限定が付されている。しかし、本開示の範囲は、以下の説明において特に本開示を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【0012】
１．第１実施形態
１－１．半導体モジュールの全体構成
図１は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０の断面図である。図２は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０の平面図である。半導体モジュール１０は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュール等のパワーモジュールである。図１および図２に示す例では、半導体モジュール１０は、インバータブリッジ回路および制御回路を内蔵したＩＰＭ（Intelligent Power Module）であり、例えば、エアコンディショナー、鉄道車両、自動車または家庭用電気機械等の機器に搭載されるインバーターまたは整流器等の装置での電力制御に用いられる。
１－１．半導体モジュールの全体構成
図１は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０の断面図である。図２は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０の平面図である。半導体モジュール１０は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュール等のパワーモジュールである。図１および図２に示す例では、半導体モジュール１０は、インバータブリッジ回路および制御回路を内蔵したＩＰＭ（Intelligent Power Module）であり、例えば、エアコンディショナー、鉄道車両、自動車または家庭用電気機械等の機器に搭載されるインバーターまたは整流器等の装置での電力制御に用いられる。
【0013】
図１および図２に示すように、半導体モジュール１０は、複数の第１半導体チップ２１と複数の第２半導体チップ２２と複数の半導体チップ２３とリード群３０と封止部材４０とを備える。なお、図２では、説明の便宜上、封止部材４０については外縁のみが図示される。
【0014】
以下、まず、図１および図２に基づいて、半導体モジュール１０の各部の概略を順次説明する。なお、以下の説明は、便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜に用いて行う。Ｚ軸は、半導体モジュール１０の厚さ方向に平行な軸である。以下では、Ｘ軸に沿う一方向がＸ１方向であり、Ｘ１方向とは反対の方向がＸ２方向である。Ｙ軸に沿う一方向がＹ１方向であり、Ｙ１方向とは反対の方向がＹ２方向である。Ｚ軸に沿う一方向がＺ１方向であり、Ｚ１方向とは反対の方向がＺ２方向である。これらの方向と鉛直方向との関係は、特に限定されず、任意である。また、以下では、Ｚ軸に沿う方向にみることを「平面視」という場合がある。
【0015】
第１半導体チップ２１は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）またはパワーＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等のスイッチング素子を含む半導体素子である。図１および図２に示す例では、第１半導体チップ２１は、ＲＣ（Reverse-Conducting）－ＩＧＢＴ等のスイッチング素子であり、ＦＷＤ（Free Wheeling Diode）等のダイオードをさらに含む。
【0016】
第１半導体チップ２１の裏面には、スイッチング素子の入力電極であるドレイン電極またはコレクタ電極が設けられるとともに、当該入力電極に電気的に接続されるように、ダイオードの出力電極であるカソード電極が設けられる。一方、第１半導体チップ２１のおもて面には、スイッチング素子の出力電極であるソース電極またはエミッタ電極と制御電極であるゲート電極とが設けられるとともに、当該出力電極に電気的に接続されるように、ダイオードの入力電極であるアノード電極が設けられる。
【0017】
図１に示す例では、第１半導体チップ２１の数が６個である。そして、６個の第１半導体チップ２１は、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の３個のハーフブリッジ回路を構成する。ここで、６個の第１半導体チップ２１のうち、図２中の下側の３個の第１半導体チップ２１が高電位側の素子であり、図２中の上側の３個の第１半導体チップ２１が低電位側の素子である。
【0018】
なお、第１半導体チップ２１の数は、図１に示す例に限定されず、任意である。また、ＦＷＤ（Free Wheeling Diode）等のダイオードは、第１半導体チップ２１とは別体として設けられてもよい。この場合、例えば、第１半導体チップ２１の出力電極は、対となるダイオードの入力電極に対して、ボンディングワイヤーを介して電気的に接続される。
【0019】
複数の第２半導体チップ２２のそれぞれは、第１半導体チップ２１の駆動を制御するためのＩＣ（Integrated Circuit）等の電子部品である。図２に示す例では、第２半導体チップ２２の数が２個である。２個の第２半導体チップ２２のうち、図２中の下側の第２半導体チップ２２が高電位側の３個の第１半導体チップ２１に対応し、図２中の上側の第２半導体チップ２２が低電位側の３個の第１半導体チップ２１に対応する。２個の第２半導体チップ２２のそれぞれは、ボンディングワイヤー５２を介して、対応する３個の第１半導体チップ２１の制御電極に電気的に接続されており、当該対応する３個の第１半導体チップ２１の駆動を制御する。
【0020】
複数の半導体チップ２３のそれぞれは、ＢＳＤ（Boot Strap Diode）等のダイオードである。図２に示す例では、半導体チップ２３の数が３個であり、３個の半導体チップ２３がボンディングワイヤー５４を介して高電位側の第２半導体チップ２２のおもて面に電気的に接続される。この接続の詳細については、後に図３に基づいて説明する。
【0021】
リード群３０は、半導体モジュール１０を実装するための図示しない基板に対して、複数の第１半導体チップ２１、複数の第２半導体チップ２２および複数の半導体チップ２３のそれぞれを電気的に接続するための複数のリードの集合である。リード群３０は、例えば、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金または鉄合金等の金属で構成されており、リードフレームを加工することにより得られる。
【0022】
リード群３０は、電力用の複数のリードで構成される第１リード群３１と、制御用の複数のリードで構成される第２リード群３２と、に区分される。第１リード群３１および第２リード群３２は、互いに間隔を隔てて配置される。
【0023】
第１リード群３１は、複数の第１ダイパッド３１ａと複数の第１アウターリード３１ｂと複数の第１インナーリード３１ｃとを含む。
【0024】
複数の第１ダイパッド３１ａのそれぞれは、封止部材４０の内側に配置され、少なくとも１個の第１半導体チップ２１を搭載する。複数の第１ダイパッド３１ａは、Ｘ軸に沿う方向に互いに間隔をあけて配列される。図２に示す例では、第１ダイパッド３１ａの数が４個である。そして、４個の第１ダイパッド３１ａのうち、１個の第１ダイパッド３１ａには、高電位側の３個の第１半導体チップ２１の裏面が半田等の接合材６１を介して接合される。残りの３個の第１ダイパッド３１ａのそれぞれには、低電位側の１個の第１半導体チップ２１の裏面が半田等の接合材６１を介して接合される。
【0025】
複数の第１アウターリード３１ｂのそれぞれは、複数の第１ダイパッド３１ａよりもＺ１方向の位置で、封止部材４０の外側に配置される。図２に示す例では、第１アウターリード３１ｂの数が７個であり、７個の第１アウターリード３１ｂは、前述の３個のハーフブリッジ回路の出力端子Ｕ、Ｖ、Ｗ、正極直流端子Ｐおよび負極直流端子Ｎ（Ｕ）、Ｎ（Ｖ）、Ｎ（Ｗ）からなる７個の端子である。
【0026】
複数の第１インナーリード３１ｃのそれぞれは、封止部材４０の内側に配置される。複数の第１インナーリード３１ｃは、複数の第１アウターリード３１ｂに対応して設けられる。図２に示す例では、第１インナーリード３１ｃの数が７個である。そして、７個の第１インナーリード３１ｃのそれぞれは、対応する第１アウターリード３１ｂと一体で構成される。また、７個の第１インナーリード３１ｃのうち、出力端子Ｕ、Ｖ、Ｗおよび正極直流端子Ｐに対応する４個の第１インナーリード３１ｃは、４個の第１ダイパッド３１ａに対応して設けられる。そして、当該４個の第１インナーリード３１ｃのそれぞれは、対応する第１ダイパッド３１ａと一体で構成される。
【0027】
前述のように、複数の第１アウターリード３１ｂが複数の第１ダイパッド３１ａよりもＺ１方向の位置にある。このような複数の第１アウターリード３１ｂと複数の第１ダイパッド３１ａとの配置を許容するように、複数の第１インナーリード３１ｃのうち、４個の第１ダイパッド３１ａに対応する４個の第１インナーリード３１ｃのそれぞれには、段差部３１ｃ１が設けられる。
【0028】
以上の複数の第１インナーリード３１ｃは、複数のボンディングワイヤー５１を介して複数の第１半導体チップ２１のおもて面に適宜に接続される。この接続の詳細については、後に図３に基づいて説明する。
【0029】
第２リード群３２は、複数の第２ダイパッド３２ａと複数の第２アウターリード３２ｂと複数の第２インナーリード３２ｃとを含む。
【0030】
複数の第２ダイパッド３２ａのそれぞれは、封止部材４０の内側に配置され、第２半導体チップ２２または半導体チップ２３を搭載する。図２に示す例では、第２ダイパッド３２ａの数が５個である。そして、５個の第２ダイパッド３２ａのうち、２個の第２ダイパッド３２ａのそれぞれには、第２半導体チップ２２の裏面が絶縁性または導電性の接着剤等の接合材６２を介して接合される。残りの３個の第２ダイパッド３２ａのそれぞれには、半導体チップ２３の裏面が導電性接着剤等の接合材６３を介して接合される。ここで、当該２個の第２ダイパッド３２ａは、複数の第１ダイパッド３１ａに対してＹ１方向に隣り合う位置で、Ｘ軸に沿う方向に互いに間隔をあけて配列される。当該残りの３個の第２ダイパッド３２ａは、封止部材４０の外縁に隣り合う位置で、Ｘ軸に沿う方向に互いに間隔をあけて配列される。
【0031】
複数の第２アウターリード３２ｂのそれぞれは、複数の第２ダイパッド３２ａと同一平面上の位置で、封止部材４０の外側に配置される。図２に示す例では、第２アウターリード３２ｂの数が２１個であり、２１個の第２アウターリード３２ｂは、ゲート電源端子ＶＢＵ、ＶＢＶ、ＶＢＷ、基準電位端子ＶＳ２Ｕ、ＶＳ２Ｖ、ＶＳ２Ｗ、信号入力端子ＵＩＮＨ、ＶＩＮＨ、ＷＩＮＨ、信号電源端子ＶＣＣＨ、２個の共通端子ＣＯＭ、信号入力端子ＵＩＮＬ、ＶＩＮＬ、ＷＩＮＬ、信号電源端子ＶＣＣＬ、電流検出端子ＩＳ、２個のＮＣ端子および２個のダミー端子からなる２１個の端子である。なお、当該２個のダミー端子のうち、一方のダミー端子は信号電源端子ＶＣＣＨに電気的に接続され、他方のダミー端子は共通端子ＣＯＭに電気的に接続される。
【0032】
複数の第２インナーリード３２ｃのそれぞれは、複数の第２ダイパッド３２ａと同一平面上の位置で、封止部材４０の内側に配置される。複数の第２インナーリード３２ｃは、複数の第２アウターリード３２ｂに対応して設けられる。図２に示す例では、第２インナーリード３２ｃの数が２１個である。そして、２１個の第２インナーリード３２ｃのそれぞれは、対応する第２アウターリード３２ｂと一体で構成される。また、２１個の第２インナーリード３２ｃのうち、２個の共通端子ＣＯＭおよび１個のダミー端子に対応する３個の第２インナーリード３２ｃは、第２半導体チップ２２のための２個の第２ダイパッド３２ａと一体で構成される。さらに、２１個の第２インナーリード３２ｃのうち、ゲート電源端子ＶＢＵ、ＶＢＶ、ＶＢＷに対応する３個の第２インナーリード３２ｃは、半導体チップ２３のための３個の第２ダイパッド３２ａに対応して設けられ、対応する第２ダイパッド３２ａと一体で構成される。
【0033】
以上の複数の第２インナーリード３２ｃは、ボンディングワイヤー５３を介して複数の第２半導体チップ２２および複数の半導体チップ２３のおもて面に適宜に接続される。この接続の詳細については、後に図３に基づいて説明する。
【0034】
封止部材４０は、複数の第１半導体チップ２１と複数の第２半導体チップ２２と複数の半導体チップ２３とリード群３０のアウターリード以外の部分とを封止する。図示しないが、封止部材４０の裏面には、放熱フィン等の放熱部材がネジ留め等により接合される。当該放熱部材は、複数の第１半導体チップ２１からの熱を外部に放出する。
【0035】
封止部材４０は、第１封止部４１と第２封止部４２とを有する。図１に示す例では、第１封止部４１が封止部材４０の一部を構成し、第２封止部４２が封止部材４０の第１封止部４１以外の部分を構成する。ここで、第１封止部４１および第２封止部４２のそれぞれは、樹脂組成物で構成される。ただし、第１封止部４１を構成する樹脂組成物である第１樹脂組成物の熱伝導率は、第２封止部４２を構成する樹脂組成物である第２樹脂組成物の熱伝導率よりも高い。そして、第１封止部４１は、複数の第１半導体チップ２１の近傍でリード群３０に接合されるとともに、封止部材４０の裏面とリード群３０とにわたり設けられており、封止部材４０の裏面の一部を構成する。このため、複数の第１半導体チップ２１からの熱を封止部材４０の裏面から効率的に放熱することができる。第１封止部４１および第２封止部４２の詳細については、後に図４から図７に基づいて説明する。
【0036】
１－２．半導体モジュールの適用例
図３は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０をモーターＭの駆動に適用した回路例を示す図である。図３に示す例では、半導体モジュール１０には、モーターＭと直流電源ＶＤＣと電流検出用抵抗Ｒｄｅｔと電源用コンデンサＣＢ（Ｕ）、ＣＢ（Ｖ）、ＣＢ（Ｗ）と信号用電源Ｖｃｃとコントローラー９０とが接続される。
図３は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０をモーターＭの駆動に適用した回路例を示す図である。図３に示す例では、半導体モジュール１０には、モーターＭと直流電源ＶＤＣと電流検出用抵抗Ｒｄｅｔと電源用コンデンサＣＢ（Ｕ）、ＣＢ（Ｖ）、ＣＢ（Ｗ）と信号用電源Ｖｃｃとコントローラー９０とが接続される。
【0037】
モーターＭは、３相モーターであり、前述の３個のハーフブリッジ回路の出力端子Ｕ、Ｖ、Ｗに接続される。直流電源ＶＤＣの正極は、当該３個のハーフブリッジ回路の正極直流端子Ｐに接続される。一方、直流電源ＶＤＣの負極は、電流検出用抵抗Ｒｄｅｔを介して、当該３個のハーフブリッジ回路の負極直流端子Ｎ（Ｕ）、Ｎ（Ｖ）、Ｎ（Ｗ）のそれぞれに接続される。以上の接続により、半導体モジュール１０は、正極直流端子Ｐおよび負極直流端子Ｎ（Ｕ）、Ｎ（Ｖ）、Ｎ（Ｗ）を介して直流電源ＶＤＣからの直流の電力を受けることにより、出力端子Ｕ、Ｖ、Ｗを介してモーターＭに電力を供給する。
【0038】
電源用コンデンサＣＢ（Ｕ）、ＣＢ（Ｖ）、ＣＢ（Ｗ）は、高電位側の３個の第１半導体チップ２１のスイッチング素子のゲート駆動電源として用いられる。ここで、電源用コンデンサＣＢ（Ｕ）の１対の端子のうち、一方の端子がゲート電源端子ＶＢＵに接続され、他方の端子が基準電位端子ＶＳ２Ｕに接続される。同様に、電源用コンデンサＣＢ（Ｖ）の１対の端子のうち、一方の端子がゲート電源端子ＶＢＶに接続され、他方の端子が基準電位端子ＶＳ２Ｖに接続される。電源用コンデンサＣＢ（Ｗ）の１対の端子のうち、一方の端子がゲート電源端子ＶＢＷに接続され、他方の端子が基準電位端子ＶＳ２Ｗに接続される。
【0039】
信号用電源Ｖｃｃの正極は、信号電源端子ＶＣＣＨおよび信号電源端子ＶＣＣＬのそれぞれに接続される。一方、信号用電源Ｖｃｃの負極は、共通端子ＣＯＭおよびコントローラー９０のグランド端子（ＧＮＤ）のそれぞれに接続される。ここで、信号電源端子ＶＣＣＨとゲート電源端子ＶＢＵ、ＶＢＶ、ＶＢＷのそれぞれとは、信号電源端子ＶＣＣＨにアノードが接続される向きで、ＢＳＤである半導体チップ２３を介して接続される。これにより、信号用電源ＶＣＣからの電力により電源用コンデンサＣＢ（Ｕ）、ＣＢ（Ｖ）、ＣＢ（Ｗ）のそれぞれが充電される。
【0040】
コントローラー９０は、ＰＷＭ（pulse width modulation）制御のための集積演算ユニット（ＭＰＵ：Micro Processing Unit）である。コントローラー９０は、信号入力端子ＵＩＮＨ、ＶＩＮＨ、ＷＩＮＨ、共通端子ＣＯＭ、信号入力端子ＵＩＮＬ、ＶＩＮＬ、ＷＩＮＬおよび電流検出端子ＩＳに接続される。
【0041】
コントローラー９０は、信号入力端子ＵＩＮＨ、ＶＩＮＨ、ＷＩＮＨおよび信号入力端子ＵＩＮＬ、ＶＩＮＬ、ＷＩＮＬのそれぞれに入力されるＰＷＭ信号を出力する。信号入力端子ＵＩＮＨ、ＶＩＮＨ、ＷＩＮＨに入力されるＰＷＭ信号は、高電位側の第２半導体チップ２２に入力される。信号入力端子ＵＩＮＬ、ＶＩＮＬ、ＷＩＮＬに入力されるＰＷＭ信号は、低電位側の第２半導体チップ２２に入力される。第２半導体チップ２２は、入力されたＰＷＭ信号に基づいて、対応する３個の第１半導体チップ２１のスイッチング素子のゲート電位を変化させる信号を出力端子ＵＯＵＴ，ＶＯＵＴ，ＷＯＵＴから出力する。これにより、コントローラー９０からのＰＷＭ信号に基づいて、第１半導体チップ２１のスイッチング素子のオンオフが切り替えられる。
【0042】
半導体モジュール１０は、電流検出用抵抗Ｒｄｅｔの抵抗値に基づいて、３個のハーフブリッジ回路の各相を流れる電流を検出し、過電流発生時に半導体モジュール１０を破損から保護する機能を有する。電流検出用抵抗Ｒｄｅｔの抵抗値変化に応じた電流レベル信号は、電流検出端子ＩＳを介して低電位側の第２半導体チップ２２に入力されるとともに、コントローラー９０に入力される。低電位側の第２半導体チップ２２は、当該電流レベル信号と基準値との比較結果に基づいて過電流の発生の有無を判定し、過電流が発生した場合、低電位側の第２半導体チップ２２のスイッチング素子の電流遮断を行う。また、コントローラー９０は、当該電流レベル信号と基準値との比較結果に基づいて過電流の発生の有無を判定し、過電流が発生した場合、高電位側の第２半導体チップ２２のスイッチング素子の電流遮断を行う。
【0043】
１－３．封止部材
図４は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０の拡大断面図である。図５は、第１封止部４１の平面視形状を説明するための図である。図６は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０の上面図である。図７は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０の下面図である。なお、図５は、第２封止部４２の図示を省略した半導体モジュール１０の平面図である。図６は、半導体モジュール１０をＺ２方向にみた図である。これに対し、図７は、半導体モジュールをＺ１方向にみた図である。
図４は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０の拡大断面図である。図５は、第１封止部４１の平面視形状を説明するための図である。図６は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０の上面図である。図７は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０の下面図である。なお、図５は、第２封止部４２の図示を省略した半導体モジュール１０の平面図である。図６は、半導体モジュール１０をＺ２方向にみた図である。これに対し、図７は、半導体モジュールをＺ１方向にみた図である。
【0044】
封止部材４０の説明に先立ち、まず、第１ダイパッド３１ａ、第１アウターリード３１ｂ、第１インナーリード３１ｃ、第２ダイパッド３２ａ、第２アウターリード３２ｂおよび第２インナーリード３２ｃについて説明する。
【0045】
第１ダイパッド３１ａは、第１面Ｆ１と、第１面Ｆ１とは反対方向を向く第２面Ｆ２と、を有する。図４に示す例では、第１ダイパッド３１ａがＺ軸に沿う方向を厚さ方向とする板状をなしており、第１面Ｆ１がＺ２方向を向く面であり、第２面Ｆ２がＺ１方向を向く面である。第２面Ｆ２には、第１半導体チップ２１が接合材６１を介して接合される。
【0046】
第１アウターリード３１ｂは、第１ダイパッド３１ａよりも第２面Ｆ２の向く方向に位置する。すなわち、第１アウターリード３１ｂは、第１ダイパッド３１ａよりもＺ１方向に位置する。ここで、第１アウターリード３１ｂは、第１ダイパッド３１ａよりもＹ２方向に位置する。したがって、平面視で、第１ダイパッド３１ａおよび第１アウターリード３１ｂは、互いに重ならない。
【0047】
第１インナーリード３１ｃは、第１ダイパッド３１ａおよび第１アウターリード３１ｂと一体で構成されており、第１ダイパッド３１ａと第１アウターリード３１ｂとを接続する。ここで、前述のように、Ｚ軸に沿う方向における第１ダイパッド３１ａおよび第１アウターリード３１ｂの位置が互いに異なることから、これを許容するように、第１インナーリード３１ｃは、段差部３１ｃ１を有する。図４に示す例では、段差部３１ｃ１は、Ｘ軸に沿う方向にみて、Ｚ軸に対して傾斜する方向に延びる。また、第１インナーリード３１ｃの厚さｔ２は、第１ダイパッド３１ａの厚さｔ１に等しい。なお、当該傾斜角度は、図４に示す例に限定されない。例えば、段差部３１ｃ１は、Ｘ軸に沿う方向にみて、Ｚ軸に平行に延びてもよい。第１インナーリード３１ｃの厚さｔ２は、第１ダイパッド３１ａの厚さｔ１と異なってもよい。
【0048】
第２ダイパッド３２ａは、第１ダイパッド３１ａよりも第２面Ｆ２の向く方向に位置する。図４に示す例では、第２ダイパッド３２ａがＺ軸に沿う方向を厚さ方向とする板状をなす。第２ダイパッド３２ａのＺ１方向を向く面には、第２半導体チップ２２が接合材６２を介して接合されるか、または、半導体チップ２３が接合材６３を介して接合される。
【0049】
第２アウターリード３２ｂは、第２ダイパッド３２ａと同一平面上に位置する部分を有する。ここで、平面視で、第２ダイパッド３２ａおよび第２アウターリード３２ｂは、互いに重ならない。
【0050】
第２インナーリード３２ｃは、第２ダイパッド３２ａおよび第２アウターリード３２ｂと一体で構成されており、第２ダイパッド３２ａと第２アウターリード３２ｂとを接続する。ここで、第２インナーリード３２ｃは、第２ダイパッド３２ａと同一平面上に位置する。
【0051】
以上のリード群３０の要素のうち、第１ダイパッド３１ａ、第１インナーリード３１ｃ、第２ダイパッド３２ａおよび第２インナーリード３２ｃは、第１半導体チップ２１、第２半導体チップ２２および半導体チップ２３とともに、封止部材４０により封止される。前述のように、封止部材４０は、第１封止部４１と第２封止部４２とを有する。
【0052】
第１封止部４１は、第１ダイパッド３１ａと第１インナーリード３１ｃと第２ダイパッド３２ａとのそれぞれの一部に接合される。
【0053】
第１封止部４１は、封止部材４０のＺ２方向を向く面から第１ダイパッド３１ａと第１インナーリード３１ｃと第２ダイパッド３２ａとのそれぞれに至る範囲にわたり設けられる。したがって、第１封止部４１は、封止部材４０の外表面の一部を構成する露出面ＦＥと、第１ダイパッド３１ａに接合される第１接合面ＦＳ１と、段差部３１ｃ１の高さ方向に沿って段差部３１ｃ１に接合される第２接合面ＦＳ２と、第２ダイパッド３２ａに接合される第３接合面ＦＳ３と、を有する。
【0054】
露出面ＦＥは、封止部材４０の外表面の一部を構成する第１封止部４１の面である。図４に示す例では、露出面ＦＥは、第１封止部４１のＺ２方向を向く面であり、封止部材４０のＺ２方向を向く面と同一平面上に位置する。
【0055】
ここで、露出面ＦＥは、第１ダイパッド３１ａよりもＺ２方向に位置しており、第１封止部４１は、露出面ＦＥと第１面Ｆ１との間に介在する部分を有する。当該部分は、封止部材４０のＺ２方向を向く面に接合される放熱フィン等の放熱部材と第１ダイパッド３１ａとの間を電気的に絶縁する役割を担う。
【0056】
また、図４に示すように、第１封止部４１は、露出面ＦＥから第１面Ｆ１にわたる切欠き部４１ａを有する。切欠き部４１ａは、後述の第１成形工程Ｓ２で用いる第１成形型１００の突起１１１ａにより形成される。後述するように、突起１１１ａは、第１成形工程Ｓ２で第１ダイパッド３１ａの高さ方向での位置決めを行う。
【0057】
図７に示すように、切欠き部４１ａは、第１封止部４１の側面に開放する形状をなす。このため、後述の第２成形工程Ｓ５で切欠き部４１ａに第２封止部４２の一部を充填することができる。このような切欠き部４１ａの形成に伴って、露出面ＦＥは、島状の複数の部分ＦＥａを有する。図７に示す例では、部分ＦＥａの平面視形状が四角形である。なお、部分ＦＥａの平面視形状は、図７に示す例に限定されず、例えば、円形または楕円形であってもよし、四角形以外の多角形であってもよい。また、部分ＦＥａの数も、図７に示すに限定されず、任意である。
【0058】
第１接合面ＦＳ１は、第１ダイパッド３１ａに接合される第１封止部４１の面である。図４に示す例では、第１接合面ＦＳ１は、第１ダイパッド３１ａの側面と第１面Ｆ１とのそれぞれに接合される。また、第１封止部４１は、Ｚ１方向に開放する凹部４１ｄが設けられる。凹部４１ｄの底部には、第２面Ｆ２が露出する。したがって、第２面Ｆ２は、第１接合面ＦＳ１に接合されない部分を有する。すなわち、第２面Ｆ２は、第１封止部４１に接合されない部分を有する。なお、第１封止部４１は、第２面Ｆ２に全域にわたり接合されなくてもよい。
【0059】
ここで、図５に示すように、第１封止部４１は、凹部４１ｄの壁面を構成する１対の壁部４１ｂ、４１ｃを有する。壁部４１ｂは、複数の段差部３１ｃ１よりもＺ１方向に位置しており、複数の第１ダイパッド３１ａのＹ２方向での端と複数の段差部３１ｃ１とを覆うように、Ｘ軸に沿う方向に延びる。壁部４１ｃは、複数の第１ダイパッド３１ａのＹ１方向での端を覆うように、Ｘ軸に沿う方向に延びる。
【0060】
第２接合面ＦＳ２は、段差部３１ｃ１の高さ方向に沿って段差部３１ｃ１に接合される第１封止部４１の面である。図４に示す例では、第１封止部４１のＺ１方向での端面が段差部３１ｃ１のＺ１方向での端と同一平面上に位置する。そして、第２接合面ＦＳ２は、段差部３１ｃ１の表面を全域にわたり覆う。したがって、第２接合面ＦＳ２は、段差部３１ｃ１の高さ方向での全域にわたり段差部３１ｃ１に接合される。また、第２接合面ＦＳ２は、段差部３１ｃ１の周方向での全域にわたり段差部３１ｃ１に接合される。なお、第１封止部４１は、段差部３１ｃ１の周方向での一部に接合されなくてもよいし、段差部３１ｃ１の高さ方向での一部に接合されなくてもよい。
【0061】
ここで、第１封止部４１のＺ１方向での端面は、第１インナーリード３１ｃのＺ１方向を向く面と同一平面上に位置する。このため、第１封止部４１は、第１インナーリード３１ｃとの間に形成される段差または凹部を少なくすることができる。この結果、後述の第２成形工程Ｓ５の成形性を高めることができる。
【0062】
第３接合面ＦＳ３は、第２ダイパッド３２ａに接合される第１封止部４１の面である。図４に示す例では、第３接合面ＦＳ３は、第２ダイパッド３２ａのＺ２方向を向く面の一部と側面の一部とのそれぞれに接合される。また、第１封止部４１のＺ１方向での端面は、第２ダイパッド３２ａのＺ１方向を向く面と同一平面上に位置する。このため、第１封止部４１は、第２ダイパッド３２ａとの間に形成される段差または凹部を少なくすることができる。この結果、後述の第２成形工程Ｓ５の成形性を高めることができる。なお、第３接合面ＦＳ３は、第２インナーリード３２ｃに接合されてもよい。
【0063】
第２封止部４２は、第１封止部４１の露出面ＦＥ以外の面を覆うように設けられる。このため、図４に示すように、第２封止部４２は、前述の凹部４１ｄの底部で第２面Ｆ２に接合される。また、第２封止部４２は、切欠き部４１ａに充填される部分４２ａを有する。また、図４、図６および図７に示すように、第２封止部４２は、封止部材４０の外表面の露出面ＦＥを除く全域を構成する。
【0064】
以上のように配置される第１封止部４１および第２封止部４２は、互いに異なる樹脂組成物で構成される。具体的には、第１封止部４１は、第１樹脂組成物で構成されるのに対し、第２封止部４２は、第１樹脂組成物よりも熱伝導率の低い第２樹脂組成物で構成される。
【0065】
第１樹脂組成物の熱伝導率は、第２樹脂組成物の熱伝導率よりも高ければよく、特に限定されないが、熱伝導性を高める観点から、具体的には、２［Ｗ／Ｋ・ｍ］以上であることが好ましく、３［Ｗ／Ｋ・ｍ］以上であることがより好ましい。
【0066】
第２樹脂組成物の熱伝導率は、第１樹脂組成物の熱伝導率よりも低ければよく、特に限定されないが、低コスト化および成形性の観点から、具体的には、１［Ｗ／Ｋ・ｍ］以下であることが好ましい。
【0067】
第１樹脂組成物の熱伝導率と第２樹脂組成物の熱伝導率との差は、特に限定されないが、熱伝導性と低コスト化と成形性との両立の観点から、１［Ｗ／Ｋ・ｍ］以上３［Ｗ／Ｋ・ｍ］以下であることが好ましい。
【0068】
第１樹脂組成物および第２樹脂組成物のそれぞれは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等の樹脂を含む組成物である。第１樹脂組成物に用いる樹脂の種類は、第２樹脂組成物に用いる樹脂の種類と同一であっても異なってもよい。
【0069】
第１樹脂組成物および第２樹脂組成物のそれぞれは、熱伝導性を高める観点から、無機フィラーを含むことが好ましい。無機フィラーとしては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）および窒化アルミニウム等の絶縁性フィラーが挙げられる。これらの無機フィラーのうち、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、無機フィラーの表面には、必要に応じて、カップリング処理等の表面処理が施される。
【0070】
ここで、第１樹脂組成物中の無機フィラーの含有率は、第２樹脂組成物中の無機フィラーの含有率よりも高いことが好ましい。これにより、第１樹脂組成物の熱伝導率を第２樹脂組成物の熱伝導率よりも容易に高めることができる。
【0071】
第１樹脂組成物に用いる無機フィラーの種類は、第２樹脂組成物に用いる無機フィラーの種類と同一であっても異なってもよい。第１樹脂組成物に用いる無機フィラーの種類が第２樹脂組成物に用いる無機フィラーの種類と異なる場合、第１樹脂組成物に用いる無機フィラーの熱伝導率は、第２樹脂組成物に用いる無機フィラーの熱伝導率よりも高いことが好ましい。これにより、第１樹脂組成物中の無機フィラーの含有率と第２樹脂組成物中の無機フィラーの含有率との差を小さくしつつ、第１樹脂組成物の熱伝導率を第２樹脂組成物の熱伝導率よりも高めることができる。
【0072】
１－４．半導体モジュールの製造方法
図８は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０の製造方法を示すフローチャートである。半導体モジュール１０の製造方法は、図８に示すように、準備工程Ｓ０と第１チップ搭載工程Ｓ１と第１成形工程Ｓ２と第２チップ搭載工程Ｓ３とワイヤーボンディング工程Ｓ４と第２成形工程Ｓ５とリード加工工程Ｓ６とをこの順で含む。以下、各工程を順に説明する。
図８は、第１実施形態に係る半導体モジュール１０の製造方法を示すフローチャートである。半導体モジュール１０の製造方法は、図８に示すように、準備工程Ｓ０と第１チップ搭載工程Ｓ１と第１成形工程Ｓ２と第２チップ搭載工程Ｓ３とワイヤーボンディング工程Ｓ４と第２成形工程Ｓ５とリード加工工程Ｓ６とをこの順で含む。以下、各工程を順に説明する。
【0073】
１－４－０．準備工程
図９は、準備工程Ｓ０を示す図である。準備工程Ｓ０では、図９に示すように、リード群３０を含むリードフレーム３００が用意される。リードフレーム３００は、図示しないが、リード群３０のほか、リード群３０を囲む枠状部分と、リード群３０と当該枠状部分とを接続するタイバーと、を有する。
図９は、準備工程Ｓ０を示す図である。準備工程Ｓ０では、図９に示すように、リード群３０を含むリードフレーム３００が用意される。リードフレーム３００は、図示しないが、リード群３０のほか、リード群３０を囲む枠状部分と、リード群３０と当該枠状部分とを接続するタイバーと、を有する。
【0074】
１－４－１．第１チップ搭載工程
図１０は、第１チップ搭載工程Ｓ１を示す図である。第１チップ搭載工程Ｓ１では、図１０に示すように、リード群３０を含むリードフレーム３００が用意され、複数の第１半導体チップ２１が複数の第１ダイパッド３１ａの第２面Ｆ２に接合材６１を介して接合される。これにより、ワークＷ１が得られる。
図１０は、第１チップ搭載工程Ｓ１を示す図である。第１チップ搭載工程Ｓ１では、図１０に示すように、リード群３０を含むリードフレーム３００が用意され、複数の第１半導体チップ２１が複数の第１ダイパッド３１ａの第２面Ｆ２に接合材６１を介して接合される。これにより、ワークＷ１が得られる。
【0075】
【0076】
より具体的に説明すると、第１成形工程Ｓ２では、まず、第１成形型１００が用意される。第１成形型１００は、キャビティＣ１を形成する下型１１０および上型１２０を有する。下型１１０は、第１封止部４１の裏面および側面を成形する成形面１１１を有する。ここで、成形面１１１には、複数の突起１１１ａが設けられる。複数の突起１１１ａのそれぞれは、切欠き部を形成するための凸部である。一方、上型１２０は、第１封止部４１のおもて面を成形する成形面１２１を有する。
【0077】
次に、ワークＷ１が下型１１０の成形面１１１上に配置される。ここで、複数の突起１１１ａのそれぞれは、第１ダイパッド３１ａの第１面Ｆ１に接触する。これにより、第１ダイパッド３１ａと成形面１１１との間には、突起１１１ａの高さに応じた隙間が形成される。
【0078】
その後、下型１１０および上型１２０を閉じた状態でキャビティＣ１内に未硬化の第１樹脂組成物が充填される。当該第１樹脂組成物を硬化させることにより、第１封止部４１が形成される。
【0079】
１－４－３．第２チップ搭載工程
図１２は、第２チップ搭載工程Ｓ３を示す図である。第２チップ搭載工程Ｓ３では、ワークＷ２を第１成形型１００から取り出した後、図１２に示すように、複数の第２ダイパッド３２ａに対し、複数の第２半導体チップ２２が接合材６２を介して接合されるとともに、複数の半導体チップ２３が接合材６３を介して接合される。これにより、ワークＷ３が得られる。
図１２は、第２チップ搭載工程Ｓ３を示す図である。第２チップ搭載工程Ｓ３では、ワークＷ２を第１成形型１００から取り出した後、図１２に示すように、複数の第２ダイパッド３２ａに対し、複数の第２半導体チップ２２が接合材６２を介して接合されるとともに、複数の半導体チップ２３が接合材６３を介して接合される。これにより、ワークＷ３が得られる。
【0080】
１－４－４．ワイヤーボンディング工程
図１３は、ワイヤーボンディング工程Ｓ４を示す図である。ワイヤーボンディング工程Ｓ４では、図１３に示すように、複数の第１半導体チップ２１と複数の第２半導体チップ２２と複数の半導体チップ２３とリード群３０とを適宜に接続するボンディングワイヤーが形成される。これにより、ワークＷ４が得られる。
図１３は、ワイヤーボンディング工程Ｓ４を示す図である。ワイヤーボンディング工程Ｓ４では、図１３に示すように、複数の第１半導体チップ２１と複数の第２半導体チップ２２と複数の半導体チップ２３とリード群３０とを適宜に接続するボンディングワイヤーが形成される。これにより、ワークＷ４が得られる。
【0081】
【0082】
より具体的に説明すると、第２成形工程Ｓ５では、まず、第２成形型２００が用意される。第２成形型２００は、キャビティＣ２を形成する下型２１０および上型２２０を有する。下型２１０は、第２封止部４２の裏面と側面の一部とを成形する成形面２１１を有する。一方、上型２２０は、第２封止部４２のおもて面と側面の残部とを成形する成形面２２１を有する。
【0083】
次に、ワークＷ４が下型２１０の成形面２１１上に配置される。その後、下型２１０および上型２２０を閉じた状態で、下型２１０と上型２２０との間に形成されるキャビティＣ２内に未硬化の第２樹脂組成物が充填される。当該第２樹脂組成物を硬化させることにより、第２封止部４２が形成される。
【0084】
１－４－６．リード加工工程
リード加工工程Ｓ６では、ワークＷ５を第２成形型２００から取り出した後、リードフレーム３００のタイバーを切断することにより、リード群３０をリードフレーム３００から分離した後、第１アウターリード３１ｂおよび第２アウターリード３２ｂがフォーミングされる。以上の工程により、半導体モジュール１０が得られる。
リード加工工程Ｓ６では、ワークＷ５を第２成形型２００から取り出した後、リードフレーム３００のタイバーを切断することにより、リード群３０をリードフレーム３００から分離した後、第１アウターリード３１ｂおよび第２アウターリード３２ｂがフォーミングされる。以上の工程により、半導体モジュール１０が得られる。
【0085】
以上のように、半導体モジュール１０は、第１ダイパッド３１ａと第１アウターリード３１ｂと第１インナーリード３１ｃと第１半導体チップ２１と封止部材４０とを備える。第１ダイパッド３１ａは、第１面Ｆ１と、第１面Ｆ１とは反対方向を向く第２面Ｆ２と、を有する。第１アウターリード３１ｂは、第１ダイパッド３１ａよりも第２面Ｆ２の向く方向に位置する。第１インナーリード３１ｃは、第１ダイパッド３１ａと第１アウターリード３１ｂとを接続し、段差部３１ｃ１を有する。第１半導体チップ２１は、第２面Ｆ２に接合される。封止部材４０は、第１ダイパッド３１ａおよび第１半導体チップ２１を封止する。
【0086】
ここで、封止部材４０は、第１封止部４１と第２封止部４２とを有する。第１封止部４１は、第１面Ｆ１に接合され、第１樹脂組成物で構成される。第２封止部４２は、第２面Ｆ２に接合され、第１樹脂組成物よりも熱伝導率の低い第２樹脂組成物で構成される。
【0087】
そのうえで、第１封止部４１は、封止部材４０の外表面の一部を構成する露出面ＦＥと、第１ダイパッド３１ａに接合される第１接合面ＦＳ１と、段差部３１ｃ１の高さ方向に沿って段差部３１ｃ１に接合される第２接合面ＦＳ２と、を有する。
【0088】
以上の半導体モジュール１０では、第１封止部４１が第１接合面ＦＳ１および第２接合面ＦＳ２を有するので、第１半導体チップ２１からの熱を第１ダイパッド３１ａを介して第１封止部４１に逃すだけでなく段差部３１ｃ１を介して第１封止部４１に逃すことができる。そして、第１封止部４１が露出面ＦＥを有しており、第１樹脂組成物の熱伝導率が第２樹脂組成物の熱伝導率よりも高いので、第１半導体チップ２１からの熱を露出面ＦＥから効率的に放熱することができる。
【0089】
ここで、封止部材４０が第１封止部４１のほかに第２封止部４２を有するので、第１樹脂組成物が高価な材料であっても、封止部材４０を第１樹脂組成物のみで構成する場合に比べて、低コスト化を図ることができる。また、第１封止部４１の成形と第２封止部４２の成形とを別工程とすることにより、封止部材４０中の第１ダイパッド３１ａの位置決め精度を高めやすいという利点もある。以上から、半導体モジュール１０の低コストを図りつつ、放熱性を向上させることができる。
【0090】
前述のように、第１接合面ＦＳ１は、第１ダイパッド３１ａの側面と第１面Ｆ１とのそれぞれに接合される。このため、第１接合面ＦＳ１が第１ダイパッド３１ａの第１面Ｆ１および側面のうちの一方のみに接合される構成に比べて、第１半導体チップ２１の熱を第１封止部４１に効率的に逃すことができる。
【0091】
また、前述のように、第２面Ｆ２は、第１接合面ＦＳ１に接合されない部分を有する。このため、当該部分に第１半導体チップ２１を搭載することができる。
【0092】
さらに、前述のように、第２接合面ＦＳ２は、段差部３１ｃ１の高さ方向での全域にわたり段差部３１ｃ１に接合される。このため、第２接合面ＦＳ２が段差部３１ｃ１に高さ方向での一部のみに接合される構成に比べて、第１半導体チップ２１からの熱を段差部３１ｃ１を介して第１封止部４１に効率的に逃すことができる。
【0093】
また、前述のように、第２接合面ＦＳ２は、段差部３１ｃ１の周方向での全域にわたり段差部３１ｃ１に接合される。このため、第２接合面ＦＳ２が段差部３１ｃ１に周方向での一部のみに接合される構成に比べて、第１半導体チップ２１からの熱を段差部３１ｃ１を介して第１封止部４１に効率的に逃すことができる。
【0094】
さらに、前述のように、第２接合面ＦＳ２は、段差部３１ｃ１の表面を全域にわたり覆う。このため、第２接合面ＦＳ２が段差部３１ｃ１の表面の一部のみを覆う構成に比べて、第１半導体チップ２１からの熱を段差部３１ｃ１を介して第１封止部４１に効率的に逃すことができる。
【0095】
また、前述のように、半導体モジュール１０は、第２ダイパッド３２ａと第２アウターリード３２ｂと第２インナーリード３２ｃと第２半導体チップ２２とをさらに備える。第２ダイパッド３２ａは、第１ダイパッド３１ａよりも第２面Ｆ２の向く方向に位置する。第２インナーリード３２ｃは、第２ダイパッド３２ａおよび第２アウターリード３２ｂと一体で構成される。第２半導体チップ２２は、第２ダイパッド３２ａに接合される。そのうえで、第１封止部４１は、第２ダイパッド３２ａおよび第２インナーリード３２ｃのうちの一方または両方に接合される第３接合面ＦＳ３をさらに有する。このため、第１ダイパッド３１ａに対する第２ダイパッド３２ａ、第２アウターリード３２ｂおよび第２インナーリード３２ｃの位置決めを第１封止部４１により行うことができる。また、第１半導体チップ２１からの熱を第１ダイパッド３１ａ、第１封止部４１、第２ダイパッド３２ａまたは第２インナーリード３２ｃ、第２アウターリード３２ｂを介して外部に逃すこともできる。
【0096】
さらに、前述のように、第１封止部４１は、露出面ＦＥから第１面Ｆ１にわたる切欠き部４１ａを有する。そして、第２封止部４２は、切欠き部４１ａに充填される部分４２ａを有する。このため、第１封止部４１の成形時に用いる第１成形型１００には、切欠き部４１ａを形成するための突起１１１ａが設けられるので、突起１１１ａにより第１ダイパッド３１ａの位置決めを行うことができる。また、第２封止部４２が切欠き部４１ａに充填される部分４２ａを有するので、当該部分４２ａを有しない構成に比べて、封止部材４０の機械的強度を高めたり、露出面ＦＥと放熱フィンとの接触面積を大きくして放熱性を向上させたりすることができる。
【0097】
また、前述のように、半導体モジュール１０の製造方法は、準備工程Ｓ０と第１成形工程Ｓ２と第２成形工程Ｓ５とを含む。準備工程Ｓ０は、第１ダイパッド３１ａと第１アウターリード３１ｂと第１インナーリード３１ｃとを含むリードフレーム３００を準備する。第１成形工程Ｓ２は、第１樹脂組成物を用いて、第１面Ｆ１に接合される第１封止部４１を封止部材４０の一部として成形する。第２成形工程Ｓ５は、第１樹脂組成物よりも熱伝導率の低い第２樹脂組成物を用いて、第２面Ｆ２に接合される第２封止部４２を封止部材４０の他の一部として成形する。
【0098】
以上の製造方法では、露出面ＦＥと第１接合面ＦＳ１と第２接合面ＦＳ２とを有する第１封止部４１が得られる。したがって、低コストを図りつつ、放熱性を向上させることができる半導体モジュール１０が得られる。
【0099】
さらに、前述のように、第１成形工程Ｓ２は、第１成形型１００を用いて第１封止部４１を成形する。第２成形工程Ｓ５は、第１成形型１００とは異なる第２成形型２００を用いて第２封止部４２を成形する。このため、第１封止部４１および第２封止部４２の寸法精度を高めることができる。また、第１成形型１００の切欠き部４１ａを形成する突起１１１ａにより第１ダイパッド３１ａの位置決めを行うことができる。また、第２成形型２００に位置決めピンを無くすことにより、リードのレイアウト自由度を高めることができる。
【0100】
具体的には、前述のように、第１成形型１００は、第１面Ｆ１に接触する突起１１１ａを有する。第１成形工程Ｓ２は、第１封止部４１に、突起１１１ａにより、露出面ＦＥから第１面Ｆ１にわたる切欠き部４１ａを形成する。第２成形工程Ｓ５は、第２封止部４２の一部により、切欠き部４１ａを充填する。このため、第１成形型１００の突起１１１ａにより第１ダイパッド３１ａの位置決めを行うことができる。また、第２成形型２００が切欠き部４１ａに第２樹脂組成物を充填するための部分を有するので、当該部分を有しない構成に比べて、封止部材４０の機械的強度を高めたり、露出面ＦＥと放熱フィン等の放熱部材との接触面積を大きくして放熱性を向上させたりすることができる。
【0101】
２．第２実施形態
以下、本開示の第２実施形態について説明する。以下に例示する形態において作用および機能が前述の実施形態と同様である要素については、前述の実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
以下、本開示の第２実施形態について説明する。以下に例示する形態において作用および機能が前述の実施形態と同様である要素については、前述の実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
【0102】
図１５は、第２実施形態に係る半導体モジュール１０Ａの拡大断面図である。半導体モジュール１０Ａは、第１実施形態の第１ダイパッド３１ａ、第１インナーリード３１ｃ、段差部３１ｃ１および封止部材４０に代えて、第１ダイパッド３１ｄ、第１インナーリード３１ｅ、段差部３１e１および封止部材４０Ａを備えること以外は、第１実施形態の半導体モジュール１０と同様に構成される。
【0103】
第１ダイパッド３１ｄは、厚さが異なること以外は、第１実施形態の第１ダイパッド３１ａと同様に構成されており、第１面Ｆ１および第２面Ｆ２を有する板状をなす。第１ダイパッド３１ｄには、第１インナーリード３１ｅを介して第１アウターリード３１ｂに接続される。
【0104】
ここで、第１ダイパッド３１ｄの厚さｔ１は、第１インナーリード３１ｅの厚さｔ２よりも厚い。そして、第１ダイパッド３１ｄは、第１インナーリード３１ｅに対して、露出面ＦＥに向かう方向に突出する。具体的には、第１ダイパッド３１ｄの第２面Ｆ２は、第１インナーリード３１ｅの厚さ方向での両面のうち、露出面ＦＥから遠いほうの面に連続した面である。これに対し、第１ダイパッド３１ｄの第１面Ｆ１は、第１インナーリード３１ｅの厚さ方向での両面のうち、露出面ＦＥに近いほうの面に連続しない面であり、当該近いほうの面に対して第１ダイパッド３１ｄの側面を介して接続される。
【0105】
このように、第１ダイパッド３１ｄを第１インナーリード３１ｅに対して突出させることにより、後述の段差部３１ｅ１の傾斜角度を抑えつつ、第１面Ｆ１を露出面ＦＥに近づけることができる。この結果、第１半導体チップ２１に対するボンディング性を向上させたり、第１半導体チップ２１から露出面ＦＥへの熱の伝達効率を高めたりする効果が得られる。
【0106】
第１ダイパッド３１ｄの厚さｔ１は、第１封止部４１Ａの厚さｔ０よりも薄く、かつ、第１インナーリード３１ｅの厚さｔ２よりも厚ければよいが、前述の効果を高める観点から、好ましくは、厚さｔ２に対して２倍以上であり、さらに半導体モジュール１０Ａの低背化との両立の観点から、より好ましくは、２倍以上５倍以下である。
【0107】
また、第１ダイパッド３１ｄが露出面ＦＥに近い位置となるように、Ｚ軸に沿う方向における第１ダイパッド３１ｄおよび第１アウターリード３１ｂの位置が互いに異なる。このような第１ダイパッド３１ｄおよび第１アウターリード３１ｂの位置関係を許容するように、第１インナーリード３１ｅは、段差部３１ｅ１を有する。
【0108】
封止部材４０Ａは、第１封止部４１Ａおよび第２封止部４２Ａを有する。第１封止部４１Ａは、形状が異なること以外は、第１実施形態の第１封止部４１と同様に構成される。これに伴い、第２封止部４２Ａは、形状が異なること以外は、第１実施形態の第２封止部４２と同様に構成される。
【0109】
第１封止部４１Ａは、封止部材４０Ａの外表面の一部を構成する露出面ＦＥと、第１ダイパッド３１ｄに接合される第１接合面ＦＳ１と、段差部３１ｅ１の高さ方向に沿って段差部３１ｅ１に接合される第２接合面ＦＳ２と、第２ダイパッド３２ａに接合される第３接合面ＦＳ３と、を有する。
【0110】
本実施形態の第１接合面ＦＳ１は、第１ダイパッド３１ｄの側面と第１面Ｆ１とのそれぞれに接合される。また、第１封止部４１Ａは、Ｚ１方向に開放する凹部４１ｅが設けられる。凹部４１ｅの底部には、第２面Ｆ２が露出する。
【0111】
本実施形態の第２接合面ＦＳ２は、段差部３１ｅ１の表面を全域にわたり覆う。ここで、第１封止部４１Ａの露出面ＦＥと反対方向を向く端面、すなわち第１封止部４１ＡのＺ１方向での端面ＦＳ４は、段差部３１ｅ１のＺ１方向での端と同一平面上に位置しており、第２封止部４２Ａに接合される。また、端面ＦＳ４は、第１ダイパッド３１ｄの厚さ方向にみて段差部３１ｅ１に重なり、かつ、第２面Ｆ２と平行な部分を有する。さらに、端面ＦＳ４は、第１インナーリード３１ｃのＺ１方向を向く面と同一平面上に位置する。このため、第１封止部４１Ａの表面に形成される段差または凹部を少なくすることができる。この結果、第１封止部４１Ａの成形性を高めることができる。
【0112】
以上の第２実施形態によっても、半導体モジュール１０Ａの放熱性と低コスト化との両立を図ることができる。本実施形態では、前述のように、第１封止部４１Ａは、露出面ＦＥとは反対方向を向く端面ＦＳ４を有する。端面ＦＳ４は、第１ダイパッド３１ｄの厚さ方向にみて段差部３１ｅ１に重なり、かつ、第２面Ｆ２と平行な部分を有する。このため、第１封止部４１Ａの成形性を高めつつ、段差部３１ｅ１に対して第１封止部４１Ａに必要な機械的強度を確保することができる。
【0113】
また、前述のように、第１ダイパッド３１ｄの厚さｔ１は、第１インナーリード３１ｅの厚さｔ２よりも厚い。このため、第１実施形態のように厚さｔ１が厚さｔ２と等しい構成に比べて、第１ダイパッド３１ｄでの熱の広がりを大きくすることができる。この結果、半導体モジュール１０Ａの放熱性を向上させることができる。また、第１実施形態のように厚さｔ１が厚さｔ２と等しい構成に比べて、第１ダイパッド３１ｄの熱容量を大きくすることができる。この結果、第１半導体チップ２１の温度変化が低減されるので、半導体モジュール１０Ａの過渡応答特性を向上させることができる。
【0114】
３．変形例
本開示は前述の各実施形態に限定されるものではなく、以下に述べる各種の変形が可能である。また、各実施形態及び各変形例を適宜組み合わせてもよい。
本開示は前述の各実施形態に限定されるものではなく、以下に述べる各種の変形が可能である。また、各実施形態及び各変形例を適宜組み合わせてもよい。
【0115】
３－１．変形例１
前述の形態では、第１封止部４１のＺ１方向での端面が段差部３１ｃ１のＺ１方向での端と第２インナーリード３２ｃのＺ１方向を向く面とのそれぞれと同一平面上に位置する構成が例示されるが、当該構成に限定されない。第１封止部４１のＺ１方向での端面は、段差部３１ｃ１のＺ１方向での端に対してＺ１方向またはＺ２方向にずれて位置してもよいし、第２インナーリード３２ｃのＺ１方向を向く面に対してＺ１方向またはＺ２方向にずれて位置してもよい。
前述の形態では、第１封止部４１のＺ１方向での端面が段差部３１ｃ１のＺ１方向での端と第２インナーリード３２ｃのＺ１方向を向く面とのそれぞれと同一平面上に位置する構成が例示されるが、当該構成に限定されない。第１封止部４１のＺ１方向での端面は、段差部３１ｃ１のＺ１方向での端に対してＺ１方向またはＺ２方向にずれて位置してもよいし、第２インナーリード３２ｃのＺ１方向を向く面に対してＺ１方向またはＺ２方向にずれて位置してもよい。
【0116】
３－２．変形例２
リード群３０の平面視形状、構成するリードの数等の態様は、半導体モジュールに求められる特性に応じて適宜に変更可能であり、前述の態様に限定されない。
リード群３０の平面視形状、構成するリードの数等の態様は、半導体モジュールに求められる特性に応じて適宜に変更可能であり、前述の態様に限定されない。
【0117】
３－３．変形例３
前述の形態では、第１封止部４１の側面が全域にわたり第２封止部４２により覆われる構成が例示されるが、当該構成に限定されず、第１封止部４１の側面の少なくとも一部が第２封止部４２により覆われずに封止部材４０の外表面の一部を構成してもよい。
前述の形態では、第１封止部４１の側面が全域にわたり第２封止部４２により覆われる構成が例示されるが、当該構成に限定されず、第１封止部４１の側面の少なくとも一部が第２封止部４２により覆われずに封止部材４０の外表面の一部を構成してもよい。
【符号の説明】
【0118】
１０…半導体モジュール、２１…第１半導体チップ、２２…第２半導体チップ、２３…半導体チップ、３０…リード群、３１…第１リード群、３１ａ…第１ダイパッド、３１ｂ…第１アウターリード、３１ｃ…第１インナーリード、３１ｃ１…段差部、３１ｄ…第１ダイパッド、３１ｅ…第１インナーリード、３１ｅ１…段差部、３２…第２リード群、３２ａ…第２ダイパッド、３２ｂ…第２アウターリード、３２ｃ…第２インナーリード、４０…封止部材、４０Ａ…封止部材、４１…第１封止部、４１Ａ…第１封止部、４１ａ…切欠き部、４１ｂ…壁部、４１ｃ…壁部、４１ｄ…凹部、４１ｅ…凹部、４２…第２封止部、４２Ａ…第２封止部、４２ａ…部分、５１…ボンディングワイヤー、５２…ボンディングワイヤー、５３…ボンディングワイヤー、５４…ボンディングワイヤー、６１…接合材、６２…接合材、６３…接合材、９０…コントローラー、１００…第１成形型、１１０…下型、１１１…成形面、１１１ａ…突起、１２０…上型、１２１…成形面、２００…第２成形型、２１０…下型、２１１…成形面、２２０…上型、２２１…成形面、３００…リードフレーム、Ｃ１…キャビティ、Ｃ２…キャビティ、ＣＢ…電源用コンデンサ、ＣＯＭ…共通端子、ＥＦａ…部分、Ｆ１…第１面、Ｆ２…第２面、ＦＥ…露出面、ＦＥａ…部分、ＦＳ１…第１接合面、ＦＳ２…第２接合面、ＦＳ３…第３接合面、ＦＳ４…端面、ＩＳ…電流検出端子、Ｍ…モーター、Ｎ…負極直流端子、Ｐ…正極直流端子、Ｒｄｅｔ…電流検出用抵抗、Ｓ０…準備工程、Ｓ１…第１チップ搭載工程、Ｓ２…第１成形工程、Ｓ３…第２チップ搭載工程、Ｓ４…ワイヤーボンディング工程、Ｓ５…第２成形工程、Ｓ６…リード加工工程、Ｕ…出力端子、ＵＩＮＨ…信号入力端子、ＵＩＮＬ…信号入力端子、ＵＯＵＴ…出力端子、Ｖ…出力端子、ＶＢＵ…ゲート電源端子、ＶＢＶ…ゲート電源端子、ＶＢＷ…ゲート電源端子、ＶＣＣ…信号用電源、ＶＣＣＨ…信号電源端子、ＶＣＣＬ…信号電源端子、ＶＤＣ…直流電源、ＶＩＮＨ…信号入力端子、ＶＩＮＬ…信号入力端子、ＶＯＵＴ…出力端子、ＶＳ２Ｕ…基準電位端子、ＶＳ２Ｖ…基準電位端子、ＶＳ２Ｗ…基準電位端子、Ｖｃｃ…信号用電源、Ｗ…出力端子、Ｗ１…ワーク、Ｗ２…ワーク、Ｗ３…ワーク、Ｗ４…ワーク、Ｗ５…ワーク、ＷＩＮＨ…信号入力端子、ＷＩＮＬ…信号入力端子、ＷＯＵＴ…出力端子。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】