特開 2023-180365 気体供給装置、基板処理装置および基板搬送装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023180365

(43)【公開日】2023-12-21

(54)【発明の名称】気体供給装置、基板処理装置および基板搬送装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20231214BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

【審査請求】有

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022093601

(22)【出願日】2022-06-09

(71)【出願人】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】中根 慎悟

【テーマコード（参考）】

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F131AA02

5F131AA03

5F131BA12

5F131BA14

5F131BA37

5F131CA38

5F131DA02

5F131DA33

5F131DA42

5F131DC22

5F131EA04

5F131EB81

5F131EB82

5F131JA16

5F131JA22

5F131JA25

5F131JA27

5F131JA28

5F131JA29

5F131JA32

(57)【要約】

【課題】厚さを薄くした気体供給装置、並びに、その気体供給装置を組み込んだ基板処理装置および基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板搬送装置の筐体の内側であってその筐体の天井部には複数の気体供給ユニット１０が設けられる。気体供給ユニット１０は、バッファボックス１２、フィルタ２０および整流板３０を備える。気体供給ユニット１０とは分離設置されたブロワ８５から送り出された空気は導入口１７を経てバッファ空間１５に供給される。導入口１７からバッファ空間１５にはフィルタ２０と平行に空気が導入される。気体供給ユニット１０には、ファンが設けられておらず、しかもフィルタ２０と平行に空気が導入されるため、気体供給ユニット１０の厚さを薄くすることができる。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持機構に支持された基板に清浄な気体を供給する気体供給装置であって、
中空の本体部と、
前記本体部に設けられた平板状のフィルタと、
前記本体部の内壁面と前記フィルタとで囲まれた空間に送風源から送り出された気体を導入する導入口と、
を備え、
前記導入口から前記空間には前記フィルタと平行に気体を導入することを特徴とする気体供給装置。

【請求項2】

請求項１記載の気体供給装置において、
前記本体部に、前記導入口から気体が導入されたときに前記空間を前記本体部の外部より陽圧とする整流板を備えることを特徴とする気体供給装置。

【請求項3】

請求項２記載の気体供給装置において、
前記整流板は、複数の孔が穿設されたパンチング板であることを特徴とする気体供給装置。

【請求項4】

請求項２記載の気体供給装置において、
前記整流板は、前記空間と前記フィルタとの間に配置されることを特徴とする気体供給装置。

【請求項5】

基板に所定の処理を行う処理部と、
前記処理部を囲む筐体に設けられた請求項１から請求項４のいずれかに記載の気体供給装置と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。

【請求項6】

請求項５記載の基板処理装置において、
前記処理部は、載置した基板を冷却するクーリングプレートを含むことを特徴とする基板処理装置。

【請求項7】

請求項５記載の基板処理装置において、
前記気体供給装置は、前記筐体の内側であって前記筐体の天井部に設けられることを特徴とする基板処理装置。

【請求項8】

請求項５記載の基板処理装置において、
前記気体供給装置は、前記筐体の側方に設けられることを特徴とする基板処理装置。

【請求項9】

基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構を囲む筐体に設けられた請求項１から請求項４のいずれかに記載の気体供給装置と、
を備えることを特徴とする基板搬送装置。

【請求項10】

請求項９記載の基板搬送装置において、
前記気体供給装置は、前記筐体の内側であって前記筐体の天井部に設けられることを特徴とする基板搬送装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、所定の支持機構に支持された基板に清浄な気体を供給する気体供給装置、並びに、その気体供給装置を組み込んだ基板処理装置および基板搬送装置に関する。処理対象となる基板には、例えば、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ表示用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、半導体ウェハー、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。

【背景技術】

【0002】

液晶表示装置用ガラス基板や半導体ウェハーなどの基板を扱う装置においては、パーティクルを極力低減した清浄な環境が求められる。このため、一般的には、基板処理装置に清浄な気体を供給するファンフィルタユニット（ＦＦＵ）が設けられる（例えば、特許文献１～３等）。ファンフィルタユニットは、気流を生じさせるファンおよびその気流に混在しているパーティクルを捕集して除去するフィルタを備えてパーティクルが除かれた清浄な気体を供給する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－６６０６０号公報

【特許文献2】特開２０１３－３９５６５号公報

【特許文献3】特開２００９－２７２４０１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

典型的には特許文献１等に開示されるように、ファンフィルタユニットは、装置の天井部に設置されて装置内に上方から下方へと向かう清浄な気体のダウンフローを形成する。このため、ファンフィルタユニットは、フィルタの上方にファンを設置する構成を有しており、相応の高さになる。

【0005】

しかしながら、このようなファンフィルタユニットを備えた装置の全高は比較的大きなものとなる。特に、ファンフィルタユニットを備えた装置を多段に積層配置した場合には、その全体の高さは相当に大きなものとなる。その結果、装置全体の高さ方向の設置スペースが過度に大きくなるとともに、高さ制限をともなう装置の輸送が困難になるという問題が生じていた。

【0006】

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、厚さを薄くした気体供給装置、並びに、その気体供給装置を組み込んだ基板処理装置および基板搬送装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、支持機構に支持された基板に清浄な気体を供給する気体供給装置において、中空の本体部と、前記本体部に設けられた平板状のフィルタと、前記本体部の内壁面と前記フィルタとで囲まれた空間に送風源から送り出された気体を導入する導入口と、を備え、前記導入口から前記空間には前記フィルタと平行に気体を導入することを特徴とする。

【0008】

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る気体供給装置において、前記本体部に、前記導入口から気体が導入されたときに前記空間を前記本体部の外部より陽圧とする整流板を備えることを特徴とする。

【0009】

また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る気体供給装置において、前記整流板は、複数の孔が穿設されたパンチング板であることを特徴とする。

【0010】

また、請求項４の発明は、請求項２または請求項３記載の気体供給装置において、前記整流板は、前記空間と前記フィルタとの間に配置されることを特徴とする。

【0011】

また、請求項５の発明は、基板処理装置において、基板に所定の処理を行う処理部と、前記処理部を囲む筐体に設けられた請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る気体供給装置と、を備えることを特徴とする。

【0012】

また、請求項６の発明は、請求項５の発明に係る基板処理装置において、前記処理部は、載置した基板を冷却するクーリングプレートを含むことを特徴とする。

【0013】

また、請求項７の発明は、請求項５または請求項６の発明に係る基板処理装置において、前記気体供給装置は、前記筐体の内側であって前記筐体の天井部に設けられることを特徴とする。

【0014】

また、請求項８の発明は、請求項５または請求項６の発明に係る基板処理装置において、前記気体供給装置は、前記筐体の側方に設けられることを特徴とする。

【0015】

また、請求項９の発明は、基板搬送装置において、基板を搬送する搬送機構と、前記搬送機構を囲む筐体に設けられた請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る気体供給装置と、を備えることを特徴とする。

【0016】

また、請求項１０の発明は、請求項９の発明に係る基板搬送装置において、前記気体供給装置は、前記筐体の内側であって前記筐体の天井部に設けられることを特徴とする。

【発明の効果】

【0017】

請求項１から請求項４の発明によれば、気体供給装置にファンは設けられておらず、導入口から本体部内の空間にはフィルタと平行に気体を導入するため、気体供給装置の厚さを薄くすることができる。

【0018】

特に、請求項２の発明によれば、本体部内の空間を本体部の外部よりも陽圧とする整流板を備えるため、導入口から本体部内の空間に導入された気体は一旦整流板にせき止められて当該空間に貯留され、導入時の気体の速度成分を消滅させることができる。

【0019】

特に、請求項４の発明によれば、整流板は空間とフィルタとの間に配置されるため、フィルタから均一に気体を供給できるとともに、整流板から生じたパーティクルをフィルタによって捕集することができる。

【0020】

請求項５から請求項８の発明によれば、請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る気体供給装置を備えるため、基板処理装置の高さを抑制することができる。

【0021】

請求項９および請求項１０の発明によれば、請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る気体供給装置を備えるため、基板搬送装置の高さを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】本発明に係る基板処理装置および基板搬送装置を積層配置した積層構造体の構成を示す図である。

【図2】基板搬送装置に設けられた５個の気体供給ユニットの側面図である。

【図3】気体供給ユニットの構成を示す断面図である。

【図4】気体供給ユニットの内部構造を示す斜視図である。

【図5】整流板の平面図である。

【図6】気体供給ユニットにおける気体の流れを説明するための図である。

【図7】整流板およびフィルタの近傍における気体の流れを説明するための図である。

【図8】整流板の他の例を示す平面図である。

【図9】基板冷却装置の他の構成例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。以下において、相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」、「同軸」、など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。また、等しい状態であることを示す表現（例えば、「同一」、「等しい」、「均質」、など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。また、形状を示す表現（例えば、「円形状」、「四角形状」、「円筒形状」、など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲の形状を表すものとし、例えば凹凸または面取りなどを有していてもよい。また、構成要素を「備える」、「具える」、「具備する」、「含む」、「有する」、といった各表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。また、「Ａ、ＢおよびＣのうちの少なくとも一つ」という表現には、「Ａのみ」、「Ｂのみ」、「Ｃのみ」、「Ａ、ＢおよびＣのうち任意の２つ」、「Ａ、ＢおよびＣの全て」が含まれる。

【0024】

図１は、本発明に係る基板処理装置および基板搬送装置を積層配置した積層構造体の構成を示す図である。図１の積層構造体１は、基板Ｇに対して露光処理の前工程の処理を行うとともに、露光処理の後工程の処理を行う基板処理システムの一部である。露光処理の前工程の処理には、例えば、洗浄、処理液の塗布、処理液の乾燥、および、加熱による塗布膜の形成などが含まれる。一方、露光処理の後工程の処理には、現像、現像後の加熱による乾燥、および、冷却などが含まれる。処理対象となる基板Ｇは、例えば、平板状のガラス基板である。基板Ｇは、第１主面としての第１面（上面ともいう）と、この第１面とは逆の第２主面としての第２面（下面ともいう）と、を有する。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また、図１および以降の各図には、それらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜に付している。

【0025】

積層構造体１は、基板搬送装置６０の上に基板冷却装置７０を３段積み重ねて構成される。基板搬送装置６０および３段の基板冷却装置７０の平面サイズは互いに等しく、処理対象となる基板Ｇのサイズに応じた適宜の大きさである。基板搬送装置６０および３段の基板冷却装置７０は下部フレーム８０によって支持される。

【0026】

基板搬送装置６０は、筐体６１の内側に複数の搬送ローラ６２を備える。複数の搬送ローラ６２の少なくとも一部は図示省略の駆動モータによって回転駆動され、残りは回転自在に設けられている。複数の搬送ローラ６２は、平板状の基板Ｇを水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）で支持しつつ、その基板ＧをＸ方向に沿って矢印ＡＲ１の向きに搬送する。基板搬送装置６０においては、複数の搬送ローラ６２が基板Ｇを支持する支持機構となる。

【0027】

基板搬送装置６０は、前段の処理工程が終了した基板Ｇを後段の処理工程に搬送する。本実施形態においては、洗浄液を供給しての洗浄処理が行われてからエアナイフによって洗浄液が除去された基板Ｇが基板搬送装置６０に送られてくる。基板搬送装置６０は、洗浄処理後の基板Ｇを塗布処理工程に搬送する。

【0028】

搬送機構としての複数の搬送ローラ６２を囲む筐体６１の内側であって筐体６１の天井部には複数（本実施形態では５個）の気体供給ユニット１０が設けられる。各気体供給ユニット１０は、筐体６１内にダウンフローを形成し、搬送ローラ６２によって支持・搬送される洗浄処理後の基板Ｇに清浄な気体を供給する。気体供給ユニット１０の詳細な構成についてはさらに後述する。

【0029】

基板搬送装置６０の上には、基板冷却装置７０が３段に積み重ねられている。３段の基板冷却装置７０は図示省略のマルチハンドユニット室と接している。例えば、基板冷却装置７０が洗浄処理後の脱水（デハイド）ベークユニットの一部として設けられている場合には、基板搬送装置６０から搬出された基板Ｇは、そのマルチハンドユニット室に設けられた搬送ロボットによって図示省略の基板加熱装置に搬入され、基板Ｇ上の水分が除去される。その後、当該搬送ロボットが基板加熱装置から基板Ｇを受け取り、３段の基板冷却装置７０のいずれかに搬入する。基板冷却装置７０は搬入された基板Ｇの温度が所定温度（例えば、常温）になるように基板Ｇを冷却する。

【0030】

３つの基板冷却装置７０は互いに同様の構成を有する。それぞれの基板冷却装置７０は、筐体７１の内側にクーリングプレート７２を備える。クーリングプレート７２の内部には液体の流路が巡らされており、その流路に図示省略の冷却水供給源から冷却水が供給される。クーリングプレート７２の上面には１枚の基板Ｇが載置可能である。クーリングプレート７２は、載置された基板Ｇを所定温度に冷却する。基板冷却装置７０においては、クーリングプレート７２が基板Ｇを支持する支持機構となる。

【0031】

クーリングプレート７２を含む冷却処理部を囲む筐体７１の内側であって筐体７１の天井部には複数（本実施形態では５個）の気体供給ユニット１０が設けられる。基板冷却装置７０の筐体７１に設けられた気体供給ユニット１０は、基板搬送装置６０の筐体６１に設けられたものと同じである。各気体供給ユニット１０は、筐体７１内にダウンフローを形成し、クーリングプレート７２によって支持されている冷却処理中の基板Ｇに清浄な気体を供給する。

【0032】

下部フレーム８０は、積層構造体１の基台であり、基板搬送装置６０および３段の基板冷却装置７０を支持する。本実施形態においては、下部フレーム８０にブロワ８５が設けられる。ブロワ８５は、基板搬送装置６０および基板冷却装置７０に設けられた複数の気体供給ユニット１０に空気を送給する送風源である。下部フレーム８０には、ブロワ８５以外にも電源ユニットやクーリングプレート７２への冷却水循環ポンプ等が設けられていても良い。

【0033】

図２は、基板搬送装置６０に設けられた５個の気体供給ユニット１０の側面図である。複数の搬送ローラ６２によって構成される搬送機構の上方に５個の気体供給ユニット１０がＸ方向に沿って並んで配列されている。５個の気体供給ユニット１０のそれぞれは、下部フレーム８０に設けられたブロワ８５と送風管８７を介して接続されている。ブロワ８５から送り出された空気は送風管８７を通って各気体供給ユニット１０に供給される。すなわち、気体供給ユニット１０とは分離して下部フレーム８０に設けられた共通のブロワ８５から各気体供給ユニット１０に空気を供給するのである。

【0034】

図３は、気体供給ユニット１０の構成を示す断面図である。また、図４は、気体供給ユニット１０の内部構造を示す斜視図である。気体供給ユニット１０は、バッファボックス１２、フィルタ２０および整流板３０を備える。バッファボックス１２は、四角柱形状の筐体であり、気体供給ユニット１０の中空の本体部である。バッファボックス１２の底部は開放された開口とされている。

【0035】

フィルタ２０は、バッファボックス１２の開放された底部に装着される。平板状のフィルタ２０は、その上下面が水平面（ＸＹ平面）と平行となるようにバッファボックス１２に装着される。フィルタ２０が装着されることによって、バッファボックス１２の内壁面とフィルタ２０とで囲まれた半密閉のバッファ空間１５が形成される。バッファボックス１２の側方（（－Ｙ）側の側面）には導入口１７が設けられている。ブロワ８５から送風管８７を経て送り出された空気は、送風管８７の接続端である供給口１９を通って導入口１７からバッファ空間１５に導入される。

【0036】

フィルタ２０は、通過する気体からパーティクル等の混在物を捕集して除去し、気体を清浄化する。フィルタ２０としては、例えば、ＨＥＰＡフィルタ(High Efficiency Particulate Air Filter)またはＵＬＰＡフィルタ(Ultra Law Penetration Air Filter)を用いることができる。なお、ＨＥＰＡフィルタよりもＵＬＰＡフィルタの方がパーティクル捕集能力が高い。

【0037】

整流板３０は、フィルタ２０の上方に配置される。より正確には、バッファ空間１５とフィルタ２０との間に整流板３０が配置されることとなる。従って、バッファ空間１５に導入された空気は整流板３０を通過してからフィルタ２０を通ることとなる。

【0038】

図５は、整流板３０の平面図である。整流板３０は、例えばステンレススチールで形成された四角形の板状部材である。整流板３０には、多数の通気孔３２が穿設されている。すなわち、整流板３０は、複数の通気孔３２が穿設されたパンチング板である。複数の通気孔３２は均一な密度で整流板３０の面内に穿設される。複数の通気孔３２を設ける間隔は適宜の値とすることができる。また、各通気孔３２の孔径も適宜の値とすることができ、例えばφ２．０ｍｍである。

【0039】

次に、積層構造体１の動作、特に気体供給ユニット１０における動作について説明する。前段の洗浄処理が終了して清浄となった基板Ｇが基板搬送装置６０に送られてくる。清浄とされた基板Ｇに搬送過程でパーティクル等が付着するのは好ましくない。このため、基板搬送装置６０によって搬送される基板Ｇには、筐体６１の天井部に設けられた気体供給ユニット１０から清浄な気流が供給される。

【0040】

図６は、気体供給ユニット１０における気体の流れを説明するための図である。気体供給ユニット１０から分離して設けられたブロワ８５から送り出された空気は送風管８７内を流れて送風管８７の接続端である供給口１９に到達する。ブロワ８５は気体供給ユニット１０よりも下方の下部フレーム８０に設けられているため、ブロワ８５から送り出された空気は供給口１９に到達するまでは概ね上方に向かって流れる。供給口１９を通過した空気は流れの向きを変えてバッファ空間１５への導入口１７に到達する。そして、導入口１７からバッファ空間１５には水平姿勢で配置されたフィルタ２０の上面と平行に空気が導入される。

【0041】

バッファ空間１５とフィルタ２０との間には複数の通気孔３２が穿設された整流板３０が設けられている。φ２．０ｍｍの孔径の通気孔３２が設けられた整流板３０は一定の通気抵抗を有する。このため、バッファ空間１５に流れ込んだ空気は、直ぐにフィルタ２０を通過するのではなく、一旦整流板３０にせき止められてバッファ空間１５に貯留されることとなる。その結果、バッファ空間１５内の気圧が上昇し、バッファ空間１５がバッファボックス１２の外部よりも陽圧となる。なお、バッファ空間１５がバッファボックス１２の外部よりも陽圧となるか否かは、ブロワ８５から気体供給ユニット１０に送り込まれる空気の流量と整流板３０の通気抵抗との相対的な関係によって決まる。例えば、通気孔３２の孔径が小さいまたは通気孔３２の配設密度が小さくて整流板３０の通気抵抗が大きかったとしても、気体供給ユニット１０に送り込まれる空気の流量が比較的小さい場合にはバッファ空間１５がバッファボックス１２の外部よりも陽圧とはならない。逆に、通気孔３２の孔径が大きいまたは通気孔３２の配設密度が大きくて整流板３０の通気抵抗が小さかったとしても、気体供給ユニット１０に送り込まれる空気の流量が比較的大きい場合にはバッファ空間１５がバッファボックス１２の外部よりも陽圧となる。ブロワ８５から気体供給ユニット１０に送り込まれる空気の流量は、ブロワ８５の規格によって定まる。従って、気体供給ユニット１０に送り込まれる空気の流量に基づいて、バッファ空間１５がバッファボックス１２の外部よりも陽圧となるような孔径および配設密度にて複数の通気孔３２を設ける必要がある。

【0042】

図７は、整流板３０およびフィルタ２０の近傍における気体の流れを説明するための図である。バッファ空間１５がバッファボックス１２の外部よりも陽圧となることにより、バッファ空間１５内の空気は複数の通気孔３２から下方に向けて勢い良く流れ出てフィルタ２０に流れ込む。通気孔３２から流れ出た空気がフィルタ２０を通過する際に、空気の流れが少し拡散される。また、フィルタ２０を通過することによって空気からパーティクルが捕集されて除去される。その結果、フィルタ２０から下方に向けて清浄な空気が均一に流れ出ることとなる。

【0043】

バッファ空間１５がバッファボックス１２の外部よりも陽圧であるため、通気孔３２から流出する空気は下方へと向かう（（－Ｚ）向きの）大きな速度成分を有している。通気孔３２から流出した空気がフィルタ２０を通過することによって、その空気が有する下方へと向かう速度成分は少し小さくなるものの、ある程度の大きさの下方へと向かう速度成分は維持される。このため、フィルタ２０からは下方に向けて清浄な空気が放出されることとなる。むしろ、フィルタ２０によって空気の流れが拡散されることによって、フィルタ２０の下面全面から均一に空気が流れ出ることとなる。

【0044】

フィルタ２０から下方に向けて清浄な空気が均一に流れ出ることにより、基板搬送装置６０の筐体６１内に清浄空気のダウンフローが形成される。これにより、洗浄処理後の基板Ｇが清浄な雰囲気中にて搬送される。

【0045】

基板搬送装置６０から搬出された基板Ｇは、基板加熱装置に搬入されてデハイドベークが施された後、基板搬送装置６０の上方に設置された基板冷却装置７０に搬入される。基板冷却装置７０の筐体７１にも気体供給ユニット１０が設けられている。気体供給ユニット１０は、上述と同様にして清浄な空気を放出することにより、筐体７１内に清浄空気のダウンフローを形成する。これにより、基板Ｇが清浄な雰囲気中にて冷却処理されることとなる。

【0046】

本実施形態においては、ブロワ８５から送り出された空気が導入口１７を経てバッファ空間１５に供給される。導入口１７からバッファ空間１５にはフィルタ２０と平行に空気が導入される。すなわち、気体供給ユニット１０には、従来のファンフィルタユニットのようにファンが組み込まれておらず、分離設置されたブロワ８５から空気が供給される。そして、その空気は導入口１７からフィルタ２０と平行にバッファ空間１５に導入される。これにより、気体供給ユニット１０の厚さを従来のファンフィルタユニットに比較して顕著に薄くすることができる。

【0047】

気体供給ユニット１０の厚さが薄いため、従来のファンフィルタユニットは装置天井部から上方に突出して設けられていたところ、気体供給ユニット１０は基板搬送装置６０の筐体６１および基板冷却装置７０の筐体７１の内側に収容することができる。このため、基板搬送装置６０および基板冷却装置７０の高さが増大するのを抑制することができる。例えば、従来のファンフィルタユニットを組み込んだ基板処理装置では高さが約８００ｍｍとなっていたのであるが、本実施形態では、気体供給ユニット１０を備えた基板搬送装置６０および基板冷却装置７０の高さを５００ｍｍとすることができる。下部フレーム８０の高さが８００ｍｍであるため、積層構造体１の全高は２８００ｍｍとなる。全高が２８００ｍｍであれば、積層構造体１を分解することなく一体のものとして輸送することが可能となる。その結果、輸送コストを低減できるとともに、輸送に伴う二酸化炭素の排出量も抑制することができる。

【0048】

また、単にブロワ８５を気体供給ユニット１０から分離設置してバッファボックス１２の側方から空気を送給しただけでは、気体供給ユニット１０の厚さは薄く出来るものの、フィルタ２０から流れ出る空気流が偏向するおそれがある。例えば、図６のように、バッファボックス１２内に（＋Ｙ）向きに空気を供給したときには、フィルタ２０を通過した空気にも（＋Ｙ）向きの速度成分が残り、フィルタ２０から流れ出る空気流も（＋Ｙ）向きに偏向するおそれがある。

【0049】

このため、本実施形態においては、複数の通気孔３２が穿設された整流板３０を設けている。一定の通気抵抗を有する整流板３０を設けることにより、バッファ空間１５に流れ込んだ空気は、直ぐにフィルタ２０を通過するのではなく、一旦整流板３０にせき止められてバッファ空間１５に貯留され、バッファ空間１５内の気圧が上昇する。これにより、空気流の（＋Ｙ）向きの速度成分を消滅させている。そして、バッファ空間１５内の気圧が上昇してバッファ空間１５がバッファボックス１２の外部よりも陽圧となることにより、整流板３０の通気孔３２から鉛直方向下方に向けて空気中が噴出され、フィルタ２０からも鉛直方向下方に向けて空気が流れ出ることとなる。すなわち、導入口１７からバッファ空間１５にフィルタ２０と平行に導入された空気を一旦バッファ空間１５に貯留することにより、空気流の（＋Ｙ）向きの速度成分を消滅させてフィルタ２０から流れ出る空気流の偏向を防止しているのである。

【0050】

また、本実施形態においては、バッファ空間１５とフィルタ２０との間に整流板３０を配置している。仮に、フィルタ２０の下側に整流板３０を配置（バッファ空間１５と整流板３０との間にフィルタ２０を挟み込む）したとしても、通気孔３２から下向きに空気を吐出して空気流の偏向を防止することはできる。しかしながら、このようにすると、通気孔３２が穿設されている位置における空気流の流れが強くなり、整流板３０からシャワー状に空気流が流れ出て均一性が損なわれる。さらに、ステンレススチールの整流板３０に穿設された通気孔３２からは加工にともなうパーティクルが放出されることがあり、そのパーティクルがそのまま空気流とともに基板Ｇに吹き付けられるおそれもある。

【0051】

本実施形態においては、バッファ空間１５とフィルタ２０との間に整流板３０を配置しているため、バッファ空間１５に貯留された空気は、整流板３０の通気孔３２からフィルタ２０の順に通過する。従って、通気孔３２から吐出された空気の流れはフィルタ２０によって少し拡散され、その結果としてフィルタ２０から下方に向けて清浄な空気が均一に流れ出ることとなる。また、通気孔３２から加工にともなうパーティクルが放出されたとしても、そのパーティクルはフィルタ２０によって捕集されて除去されることとなるため、基板Ｇにパーティクルを含む空気流が吹き付けられることは防止される。

【0052】

また、本実施形態においては、気体供給ユニット１０を基板搬送装置６０および基板冷却装置７０に設けて筐体６１，７１内にダウンフローを形成することにより、筐体６１，７１内を外部に対して陽圧に維持している。従来の基板処理装置では筐体から排気を行うことによって雰囲気を調整していたのであるが、この場合筐体内が負圧となって外部からパーティクルが流入するおそれがある。本実施形態では、気体供給ユニット１０によって基板搬送装置６０の筐体６１および基板冷却装置７０の筐体７１の内部を陽圧に維持しているため、それら筐体６１および筐体７１の内部に外部からパーティクルが流入するのを防止することが可能となる。

【0053】

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、整流板３０を複数の通気孔３２が穿設されたパンチング板としていたが、これに限定されるものではなく、整流板３０は一定の通気抵抗を有するものであれば良い。例えば、図８に示すように、整流板３０をステンレス板に複数のスリット３６を設けたスリット格子としても良い。一定の通気抵抗を有する整流板３０であれば、導入口１７からバッファ空間１５に流れ込んだ空気を一旦せき止めることができ、空気流の（＋Ｙ）向きの速度成分を消滅させて上記実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0054】

また、上記実施形態においては、基板冷却装置７０の筐体７１の天井部に気体供給ユニット１０を設けていたが、これに代えて、筐体７１の側方に気体供給ユニット１０を設けるようにしても良い。図９は、基板冷却装置７０の他の構成例を示す図である。図９の例では、筐体７１内にクーリングプレート７２が設けられ、筐体７１の内側であってクーリングプレート７２の側方に気体供給ユニット１０が設けられる。気体供給ユニット１０の構成は上記実施形態と同じである。気体供給ユニット１０は、クーリングプレート７２の側方から筐体７１内に水平方向に流れる空気流（サイドフロー）を形成する。これにより、上記実施形態と同様に、基板Ｇを清浄な雰囲気中にて冷却することができるとともに、筐体７１内を陽圧にして筐体７１の内部に外部からパーティクルが流入するのを防止することができる。

【0055】

また、気体供給ユニット１０において、フィルタ２０自体が十分な通気抵抗を有するのであれば、整流板３０は必須の要素ではない。フィルタ２０自体が十分な通気抵抗を有していれば、整流板３０が存在していなかったとしても、導入口１７からバッファ空間１５に流れ込んだ空気を一旦せき止めてバッファ空間１５をバッファボックス１２の外部よりも陽圧とすることができる。これにより、上記実施形態と同様に、フィルタ２０から流れ出る空気流の偏向を防止することが可能となる。

【0056】

また、上記実施形態においては、下部フレーム８０に設けられたブロワ８５から気体供給ユニット１０に空気を送給するようにしていたが、これに代えて、例えば積層構造体１が設置される工場のユーティリティから気体供給ユニット１０に空気を送るようにしても良い。要するに、気体供給ユニット１０とは分離して設けられた送風源から空気を送るようにすれば良い。

【0057】

また、上記実施形態の気体供給ユニット１０は、洗浄処理装置、塗布処理装置または現像処理装置などの他の基板処理装置に設けるようにしても良い。すなわち、基板に所定の処理を行う処理部を囲む筐体に気体供給ユニット１０を設けるようにすれば良い。これにより、基板Ｇを清浄な雰囲気中にて処理することができるとともに、筐体内にパーティクルが流入するのを防止することができる。

【0058】

さらに、処理対象となる基板Ｇは半導体ウェハーであっても良い。すなわち、半導体製造装置に上記実施形態の気体供給ユニット１０を設けるようにしても良い。

【符号の説明】

【0059】

１ 積層構造体
１０ 気体供給ユニット
１２ バッファボックス
１５ バッファ空間
１７ 導入口
２０ フィルタ
３０ 整流板
３２ 通気孔
６０ 基板搬送装置
６１，７１ 筐体
６２ 搬送ローラ
７０ 基板冷却装置
７２ クーリングプレート
８０ 下部フレーム
８５ ブロワ
Ｇ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】